KR20220083608A - 광가교를 이용한 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법 및 반도체 나노판상구조체 - Google Patents

광가교를 이용한 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법 및 반도체 나노판상구조체 Download PDF

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강문성
조현진
윤다은
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한국과학기술원
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Abstract

일 실시예에 따르면, 감응성 유/무기 분자를 사용하여 나노판상구조체 박막에서 광활성 리간드 또는 광가교제를 첨가하여 원하는 부분만을 광가교하여 패터닝할 수 있다. 모양과 발광파장 조절이 가능한 비등방성 반도체 나노판상구조체를 발광체로 사용하여 패터닝하며, 좁은 반치폭, 광학적 이방성, 우수한 광방출 효율(out-coupling efficiency)로 우수한 전계발광소자 구현 가능하다. 미세 화소 구현이 가능하고 균일한 패턴 형성이 가능하며 산업계에서 널리 사용되는 광리소그래피 기술을 기반으로 하여 공정이 용이하다.

Description

광가교를 이용한 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법 및 반도체 나노판상구조체{Method for Patterning of Semiconductor Nanoplatelet Using Light-driven Ligand Crosslinking and Semiconductor Nanoplatelet}
광가교(Light-driven Ligand Crosslinking)를 이용한 반도체 나노판상구조체(Semiconductor Nanoplatelet)의 패터닝 방법 및 반도체 나노판상구조체가 제공된다.
기존 LCD 기술의 경우, 공급과잉으로 단가하락이 심화되고 있어 세계 시장의 규모가 지속적으로 감소하는 경향을 보인다. 반면 4차 산업혁명의 도래로 인해 디스플레이의 주요 역할이 정보표시 수단 및 소통의 창구로 전환되면서 초고해상도 디스플레이와 VR(Virtual Reality, 가상현실), AR(Augmented Reality), 또는 MR(Mixed or Merged Reality, 혼합 또는 융합현실)과 같은 초소형 모바일 디스플레이에 대한 수요가 지속적으로 증가하고 있다.
AR, VR, 또는 MR 디스플레이의 대중화를 통하여 관련 시장이 확대될 것으로 기대되며, 몰입형 디스플레이의 국방, 의료, 교육 등 다양한 분야 적용을 통해 대규모 시장 창출이 가능할 것으로 기대된다. 디스플레이 시장이 확장되면서, 시장적 측면에서 고휘도, 저전력, 고집적, 그리고 높은 색재현력을 갖는 디스플레이에 대한 수요가 증가하고 있다.
VR/AR 기술의 대중화를 위해서는 사용자의 몰입감 극대화를 위한 4K/8K 수준의 고해상도 구현이 특히 필수적이다. 초소형 모바일 디스플레이의 고해상도 구현을 위해 자발광 광원 및 화소 형성 기술에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 현재 상용화된 양자점(quantum dot) 디스플레이는 블루 백 라이트를 이용한 비자발적 발광 방식인데, 양자점의 우수한 발광 특성을 활용하기 위해서는, 자발적 발광 방식의 양자점 디스플레이 기술 개발이 필요하다.
자발적 발광 방식의 양자점 디스플레이는 고해상도 RGB 색상 별 패터닝 기술을 필요로 한다. 양자점 RGB 패턴을 형성하기 위한 방법으로는 잉크젯, 전사 인쇄술, 포토리소그래피 등이 있다. 그러나, 이러한 기술들은 별도로 제작된 몰드나 인쇄 장비가 요구되거나 포토레지스트의 형성 및 제거와 같은 여러 단계의 공정이 요구되므로, 공정의 단가나 복잡성을 증가시키며, 고해상도의 구현이 용이하지 않다.
이에 따라, 공정을 단순화하고, 고해상도 구현을 위한 디스플레이 기술로, 광활성 리간드 또는 가교제를 사용한 광리소그래피가 연구되고 있다. 이와 관련하여, 한국등록특허 10-2087299는 아지드 기(azide group)를 포함한 광가교제를 활용하여 양자점의 리간드를 가교시켜 형성한 양자점 박막을 패터닝하는 내용을 개시한다. 그러나, 패터닝된 양자점 박막에서, 양자점들은 구형의 등방성을 가져 빛을 여러 방향으로 방사하므로, 디스플레이가 표시되는 방향으로의 발광 효율이 제한적일 수 있다.
한국등록특허 10-2087299 미국공개특허 2019-0312204
Nat. Commun. 2020, 11, 2874 J. Phys. Chem. C 2017, 121, 44, 24837-24844 Nanoscale, 2019, 11, 15072-15082 Chem. Mater. 2019, 31, 9567-9578
일 실시예는, 공정을 단순화 하면서도 고해상도 디스플레이를 구현하며, 동시에 디스플레이의 발광 효율을 증대하기 위한 것이다.
상기 과제 이외에도 구체적으로 언급되지 않은 다른 과제를 달성하는 데 본 발명에 따른 실시예가 사용될 수 있다.
전술한 과제들을 달성하기 위하여, 본 발명자들은, 모양과 발광 파장 조절이 가능한 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체(semiconductor nanoplatelets)를 발광체로 사용하여, 나노판상구조체 박막이 패터닝된 전계발광소자 등의 디스플레이를 제조한다. 나노판상구조를 갖는 반도체는 양자점 반도체에 비해 좁은 반치폭, 광학적 이방성, 우수한 광방출 효율(out-coupling efficiency)을 가지므로, 우수한 전계발광소자의 구현이 가능하다. 이에 따라, 나노판상구조의 반도체를 이용한 디스플레이는 시장의 요구를 충족시킬 수 있는 디스플레이로 기대되고 있다. 비등방성 입자인 나노판상구조체는 쌍극자 배열(dipole orientation)을 통한 광방출 효율을 극대화 할 수 있기 때문에, 양자점과 같은 등방성 입자에 비해 디스플레이 안에서 나노판상구조체들의 배향을 통하여, 디스플레이의 성능 극대화를 실현할 수 있다.
일 실시예는, 아지드 기를 포함하는 광활성 가교제를 사용하며, 광활성 가교제를 포함하는 나노판상구조체 잉크 조성물을 제공한다. 또한, 일 실시예는, 나노판상구조체 잉크 조성물을 이용하여 패터닝된 나노판상구조체 박막을 제공한다. 패터닝된 박막은 아지드 기를 포함하는 광활성 리간드 가교제가 나노판상구조체 리간드 사이를 가교시켜 형성된 것이며, 이에 따라 디스플레이의 성능 저하 없이 패터닝이 가능하며, 디스플레이 제조 공정이 단순화되면서도 초미세 패터닝을 구현하여 고해상도 디스플레이가 구현될 수 있다.
일 실시예는, 광리소그래피 기술을 사용하며, 광감응성 유/무기 분자를 사용하여 나노판상구조체 반도체 박막에서 원하는 부분만을 광가교하여 패터닝할 수 있다. 이에 따라, 미세 화소 구현이 가능하고, 균일한 패터닝 형성이 가능하며, 공정이 용이하다.
일 실시예는, 나노판상구조 입자를 사용한 패턴의 형성 방법에 대한 것으로, 기판 상에 아지드 기를 포함한 광가교제 및 나노판상구조체를 포함하는 잉크 조성물을 도포하여 박막을 형성하는 단계, 그리고 박막에 열 또는 광 등의 에너지원을 가하여 가교된 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예는, 나노판상구조체의 비가교된 영역을 제거하여 나노판상구조체 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예는, 반도체 나노판상구조체에 대한 것으로, 기판, 그리고 기판 위에 위치하고, 아지드 기를 포함하는 광가교제에 의해 가교되어 있고, 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체 패턴을 포함한다.
일 실시예는, 전계발광소자에 대한 것으로, 기판, 기판 위에 위치하는 한 쌍의 전극, 그리고 기판 위에 위치하고, 아지드 기를 포함하는 광가교제에 의해 가교되어 있고, 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체 패턴을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 나노판상구조 반도체는 양자점 반도체보다 좁은 반치폭, 광학적 이방성, 우수한 광방출 효율로 우수한 전계발광소자의 구현이 가능하기 때문에, 나노판상구조 반도체의 미세 패터닝은 시장요구를 충족시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 광활성 리간드를 나노판상구조 반도체에 도입하여 미세 패터닝을 형성시킴으로써, 균일한 대면적 패터닝이 가능하다. 또한, 나노판상구조체는 비등방성 입자로서 양자점과 같은 등방성 입자와는 다르게 배열 변화를 통한 성능 극대화를 실현할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 나노판상구조체 및 광할성 가교제를 포함하는 잉크 조성물은 스핀코팅 또는 잉크젯 공정 등의 단순 용액 공정을 통해 패턴을 형성할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 고해상도의 나노판상구조체 패터닝 기술은 증강현실, 가상현실, 혼합현실 등 차세대 디스플레이 플랫폼에 적용 가능하다.
일 실시예에 따르면, 나노판상구조체 구조 설계, 표면 리간드 화학, 제조 공정의 단순화 및 최적화 기술은 다른 응용 분야에서 사용되는 미래 나노소재의 사업화에도 폭넓게 활용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 반도체 나노판상구조체의 입자의 조성 변화를 통한 발광파장의 조절이 가능하다.
도 1 및 도 2는 일 실시예에 따른 나노판상구조체의 광가교 반응의 모식도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 나노판상구조체 패터닝 결과 사진이다.
도 4는 CdSe/CdZnS 나노판상구조체의 투과전자현미경 사진이다.
도 5는 가교제 LiXer의 유무에 따른 거칠기 차이를 보여주는 원자힘현미경(Atomic Force Microscopy) 결과이다.
도 6은 나노판상구조체를 가교제 유무에 따라 ITO/ZnO 위에 필름을 형성하고 GISAXS(Grazing-Incidence Small-Angle Scattering)을 통해 어셈블리(assembly)를 확인한 결과이다.
도 7은 가교제 LiXer의 유무에 나노판상구조체의 3D GISAXS 결과이다.
도 8은 가교제 LiXer의 유무에 따른 나노판상구조체를 이용한 소자의 성능을 평가한 결과이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호가 사용되었다. 또한 널리 알려져 있는 공지기술의 경우 그 구체적인 설명은 생략한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
일 실시예에 따르면, 모양과 발광 파장 조절이 가능한 비등방성 반도체 나노판상구조체를 발광체로 사용하여 패터닝하며, 좁은 반치폭, 광학적 이방성, 우수한 광방출 효율로 우수한 전계발광소자의 구현이 가능하다.
일 실시예에 따르면, 감응성 유/무기 분자를 사용하여 나노판상구조체 박막에서 광활성 리간드 또는 광가교제를 첨가하여 원하는 부분만을 광가교하여 패터닝할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법은, 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체를 준비하는 단계, 아지드 기를 포함하는 광가교제를 준비하는 단계, 광가교제 및 나노판상구조체를 포함하는 잉크 조성물을 준비하는 단계, 기판 상에 상기 잉크 조성물을 도포하여 반도체 나노판상구조체 박막을 형성하는 단계, 그리고 반도체 나노판상구조체 박막에 열 또는 광을 포함하는 에너지원을 가하여, 가교된 반도체 나노판상구조체 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 가교된 반도체 나노판상구조체 패턴을 형성하는 단계는, 포토마스크를 이용할 수 있다. 또한, 가교된 반도체 나노판상구조체 패턴을 형성하는 단계는, 세척액을 이용하여 세척함으로써, 광가교되지 않은 부분을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
반도체 나노판상구조체는 비등방성을 가지며, 코어/쉘 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 반도체 나노판상구조체는 CdSe/CdZnS를 포함할 수 있다.
광가교제는 아지드 기를 포함하는 광활성 가교제이다. 예를 들어, 광가교제는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
잉크 조성물을 준비하는 단계는, 나노판상구조체를 유기 용매에 분산시킨 용액과, 가교제를 유기 용매에 분산시킨 용액을, 서로 혼합하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 나노판상구조체는 옥탄에 분산될 수 있으며, 가교제는 톨루엔에 분산될 수 있다.
나노판상구조체에 대한 가교제의 무게 비율은 3 wt% 내지 15 wt%일 수 있다. 나노판상구조체에 대한 가교제의 무게 비율이 3 wt% 보다 작은 경우 가교가 되지 않을 수 있으며, 15 wt% 보다 큰 경우, 가교제로 인한 절연 현상이 소자의 성능을 저하시킬 수 있다.
나노판상구조체의 농도는 2 mg/ml 내지 15 mg/ml일 수 있다. 나노판상구조체의 농도가 2 mg/ml보다 작은 경우 1 층의 박막형성이 되지 않을 수 있으며, 15 mg/ml 보다 큰 경우, 입자 간의 인력으로 인해 박막에서 입자 배열이 원활하지 않을 수 있다.
금속 산화물 나노 입자를 기판에 도포한 후, 잉크 조성물을 도포할 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 나노 입자는 아연 산화물 나노 입자일 수 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 반도체 나노판상구조체는 기판, 그리고 기판 위에 위치하고, 아지드 기를 포함하는 광가교제에 의해 가교되어 있고, 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체 패턴을 포함한다. 기판과 반도체 나노판상구조체 패턴의 사이에 금속 산화물 나노 입자를 포함하는 금속 산화물 나노 입자층이 위치할 수 있다.
도 1 및 도 2의 반도체 나노판상구조체가 적용된 전계발광소자는, 반도체 나노판상구조체는 기판, 기판 위에 위치하는 한 쌍의 전극, 그리고 기판 위에 위치하고, 아지드 기를 포함하는 광가교제에 의해 가교되어 있고, 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체 패턴을 포함한다.
이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1: CdSe/CdZnS 반도체 나노판상구조체의 제조
논문 "Compositional Grading for Efficient and Narrowband Emission in CdSe-Based Core/Shell Nanoplatelets, Chem. Mater. 2019, 31, 9567-9578"에 기재된 바에 따라, 발광 코어-쉘 구조의 카드뮴셀레나이드 나노판상구조체 (CdSe/CdZnS core-shell nanoplatelets)을 제조 및 정제한다. 합성한 CdSe/CdZnS core/shell 구조의 나노판상구조체는 도 3에 나타나며, 여기서 나노판상구조체는 3:4의 aspect ratio 를 갖는다.
실시예 2: 아지드 기를 포함한 광가교제의 준비
아지드 기 기반 가교제로서, 하기의 화학식 1로 표현되는 광가교제를 사용한다.
[화학식 1]
Figure pat00002
실시예 3: 나노판상구조체 및 광가교제를 포함한 잉크 조성물 제조
전술한 실시예 1에서 합성한 CdSe/CdZnS 나노판상구조체 약 100 mg을 전체 용액의 농도가 약 5 mg/ml이 되도록 옥탄에 분산시킨 후, 전술한 실시예 2에서 만든 아지드 기 유도체를 포함한 가교제 약 10 mg을 옥탄 부피의 약 1/10의 톨루엔에 분산하여 첨가한다. 이에 따라, 나노판상구조체 대비 가교제의 무게 비율이 10:1이 되도록 한다.
실시예 4: 반도체 나노판상구조체 박막의 패터닝
Si-SiO2 웨이퍼 또는 유리 기판을 증류수, 아세톤, 그리고 이소프로판올에 차례로 세척한 뒤, 약 20 mg/ml ZnO 나노 입자를 약 4000 rpm, 약 30 초의 조건으로 스핀-코팅한다. 다음, 전술한 실시예 3에서 제조한 나노판상구조체 및 아지드 기를 포함한 가교제 혼합물을 도포한 뒤, 약 4000 rpm, 약 30 초의 조건으로 스핀-코팅한다. 다음, 아르곤 분위기에서 건조 시켜 박막을 형성한다.
패턴이 형성되어 있는 쉐도우 마스크(shadow mask)를 마스크 얼라이너(aligner)를 이용하여 전술한 건조된 박막 상에 위치시키고, 약 245 nm 광원을 약 5 초간 조사하여, 반도체 나노판상구조체 박막을 경화시킨다. 톨루엔으로 반도체 나노판상구조체 박막을 세척(rinsing)하여 광가교되지 않은 부분을 제거한 후, 반도체 나노판상구조체 패턴을 확인한다.
실시예 5: 다양한 조건의 반도체 나노판상구조체 박막의 제조
기판종류, 나노판상구조체 농도, 그리고 가교제 첨가량에 기초하여, 다양한 조건에서 반도체 나노판상구조체 박막을 제조하며, 그 결과가 도 4에 나타난다.
실시예 5에서, 패터닝을 실시한 기판은 ITO 또는 ITO위에 ZnO 나노 입자를 스핀 코팅한 기판이다. 나노판상구조체의 농도는 10, 5, 3 mg/ml로 다르게 실험한다. 가교제는 화학식 1로 표현되는 아지드 기를 포함한 광가교제이며, 나노판상구조체의 무게 대비 10 wt% 또는 5 wt% 첨가한다.
도 4에서, NPLs은 나노플레이트렛(Nanoplatelets)이며, 반도체 나노판상구조체이다. 크로스링커(Crosslinker, LiXer)는 광가교제이다.
표면 거칠기 측정
광가교제 유무에 따른 나노판상구조체의 박막을 형성한 후, 박막의 거칠기가 비교된다. 전술한 실시예 4에 따라 제조된 박막(with LiXer)과 가교제를 사용하지 않은 것을 제외하고 전술한 실시예 4와 동일한 방법으로 제조된 박막(without Lixer)의 거칠기가 원자힘현미경에 의해 측정된다.
도 5를 참고하면, 가교제로 가교하는 박막(with LiXer)의 경우, 가교제가 없는 박막(without Lixer)보다 비교적 낮거나 비슷한 수준의 거칠기가 나타난다. 이에 따라, 박막의 거칠기는 광가교제가 존재할 때 감소하거나 비슷한 수준을 보인다.
입자의 정렬도 측정
광가교제 유무에 따른 나노판상구조체의 박막을 형성한 후, 박막에서 입자의 정렬도가 비교된다. 전술한 실시예 4에 따라 제조된 박막(with LiXer)과 가교제를 사용하지 않은 것을 제외하고 전술한 실시예 4와 동일한 방법으로 제조된 박막(without Lixer)의 입자의 정렬도가 GISAXS에 의해 측정된다.
도 6을 참고하면, 나노판상구조체를 가교제 유무에 따라 ITO/ZnO 위에 박막을 형성하고 GISAXS를을 통해 어셈블리를 확인한 결과이다. 도 6에서, 하단의 그래프의 각 1, 2, 3 번 위치에 따라, 상단의 그림의 1, 2, 3에서 나노판상구조체 사이의 거리가 나타난다. 광가교제가 첨가되었을 때 조금 더 명확한 피크(peak)가 나타나며, 아래층의 ZnO 층과 가교되며, 페이스 다운(face down) 및 에지 업(edge up) 형태가 뚜렷해지는 것으로 관찰된다.
도 7의 3D GISAXS 결과를 참고하면, 가교 후에 qz 값이 더 크게 피크가 나타나며, 이를 통해 z축으로 입자 간의 거리가 더 가까워진다는 것이 나타난다. 이에 따라, 가교제가 ZnO 나노 입자의 리간드와 나노판상구조체 리간드의 가교(crosslinking)를 일으키며, 입자 간의 고정이 일어나는 것이 나타난다.
도 6 및 7의 실험에서, 광가교제가 반도체 나노판상구조체 입자의 정렬도에 미치는 영향이 확인된다. 도 6에 도시된 것처럼, 입자 간의 거리는 유지되지만, 패터닝을 형성하며 광가교가 되었을 때 광가교제가 사용되지 않은 경우보다, 입자의 방향성이 더욱 두드러진다.
소자의 성능 측정
광가교제 유무에 따른 나노판상구조체의 박막을 형성한 후, 박막의 광 특성 및 전기적 특성이 비교된다. 전술한 실시예 4에 따라 제조된 박막(with LiXer)과 가교제를 사용하지 않은 것을 제외하고 전술한 실시예 4와 동일한 방법으로 제조된 박막(without Lixer)의 광 특성과 전기적 특성이 측정된다. 광 특성과 관련하여 전류 밀도에 따른 EQE(External Quantum Efficiency)가 측정되고, 전기적 특성과 관련하여 전압에 따른 전류 밀도와 밝기가 측정된다.
도 8을 참고하면, 가교제 없이 1 층의 박막을 형성하는 경우보다 가교제를 넣고 광가교를 진행한 1 층의 박막을 형성하는 경우의 소자 성능이 더 우수한 결과를 나타낸다. 광가교나 광가교제로 인한 소자 성능의 저하는 없으며, 오히려 성능이 향상된다. 이에 따라, 광가교제가 첨가 되는 경우, 입자의 광 특성 및 전기적 특성에 영향을 미치지 않으며, 비슷하거나 더 우수한 전계발광소자의 성능이 나타난다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (18)

  1. 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체(semiconductor nanoplatelets)를 준비하는 단계,
    아지드 기를 포함하는 광가교제를 준비하는 단계,
    상기 광가교제 및 상기 나노판상구조체를 포함하는 잉크 조성물을 준비하는 단계,
    기판 상에 상기 잉크 조성물을 도포하여 반도체 나노판상구조체 박막을 형성하는 단계, 그리고
    상기 반도체 나노판상구조체 박막에 열 또는 광을 포함하는 에너지원을 가하여, 가교된 반도체 나노판상구조체 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 광가교제는 하기 화학식 1로 표시되는,
    [화학식 1]
    Figure pat00003

    반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  3. 제1항에서,
    상기 반도체 나노판상구조체는 코어/쉘 구조를 갖는 것인, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  4. 제3항에서,
    상기 반도체 나노판상구조체는 CdSe/CdZnS를 포함하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  5. 제1항에서,
    상기 잉크 조성물을 준비하는 단계는, 상기 나노판상구조체를 제1 유기 용매에 분산시킨 용액과, 상기 가교제를 제2 유기 용매에 분산시킨 용액을, 서로 혼합하는 단계를 포함하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 유기 용매는 옥탄을 포함하며, 상기 제2 유기 용매는 톨루엔을 포함하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  7. 제1항에서,
    상기 나노판상구조체에 대한 상기 광가교제의 무게 비율은 3 wt% 내지 15 wt%인, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  8. 제1항에서,
    상기 나노판상구조체의 농도는 2 mg/ml 내지 15 mg/ml인, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  9. 제1항에서,
    금속 산화물 나노 입자를 상기 기판에 도포한 후, 상기 잉크 조성물을 도포하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  10. 제9항에서,
    상기 금속 산화물 나노 입자는 아연 산화물 나노 입자인, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  11. 제1항에서,
    상기 가교된 반도체 나노판상구조체 패턴을 형성하는 단계는, 포토마스크를 이용하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 가교된 반도체 나노판상구조체 패턴을 형성하는 단계는, 세척액을 이용하여 세척함으로써, 광가교되지 않은 부분을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 나노판상구조체의 패터닝 방법.
  13. 기판, 그리고
    상기 기판 위에 위치하고, 아지드 기를 포함하는 광가교제에 의해 가교되어 있고, 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체 패턴
    을 포함하는, 반도체 나노판상구조체.
  14. 제13항에서,
    상기 광가교제는 하기 화학식 1로 표시되는,
    [화학식 1]
    Figure pat00004

    반도체 나노판상구조체.
  15. 제13항에서,
    상기 반도체 나노판상구조체는 CdSe/CdZnS를 포함하는, 반도체 나노판상구조체.
  16. 제13항에서,
    상기 기판과 상기 반도체 나노판상구조체 패턴의 사이에 금속 산화물 나노 입자를 포함하는 금속 산화물 나노 입자층이 위치하는, 반도체 나노판상구조체.
  17. 제16항에서,
    상기 금속 산화물 나노 입자는 아연 산화물 나노 입자인, 반도체 나노판상구조체.
  18. 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 한 쌍의 전극, 그리고
    상기 기판 위에 위치하고, 아지드 기를 포함하는 광가교제에 의해 가교되어 있고, 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체 패턴
    을 포함하는, 전계발광소자.
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