KR20220076794A - Machining system for ceramic material using laser and method for machining using the same - Google Patents

Machining system for ceramic material using laser and method for machining using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20220076794A
KR20220076794A KR1020200165642A KR20200165642A KR20220076794A KR 20220076794 A KR20220076794 A KR 20220076794A KR 1020200165642 A KR1020200165642 A KR 1020200165642A KR 20200165642 A KR20200165642 A KR 20200165642A KR 20220076794 A KR20220076794 A KR 20220076794A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
workpiece
processing
water
laser
ceramic material
Prior art date
Application number
KR1020200165642A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102466684B1 (en
Inventor
안성훈
정형균
서재민
권귀감
Original Assignee
서울대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울대학교산학협력단 filed Critical 서울대학교산학협력단
Priority to KR1020200165642A priority Critical patent/KR102466684B1/en
Publication of KR20220076794A publication Critical patent/KR20220076794A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102466684B1 publication Critical patent/KR102466684B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/122—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in a liquid, e.g. underwater
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/34—Laser welding for purposes other than joining
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

레이저를 이용한 세라믹 재료의 가공시스템 및 이를 이용한 가공방법에서, 상기 가공시스템은 가공수조, 분사부 및 스캐닝유닛을 포함한다. 상기 가공수조에는 가공물이 위치한다. 상기 분사부는 상기 가공물로 물을 제공하여 상기 가공물 상에 소정 두께의 워터층(water layer)을 형성한다. 상기 스캐닝유닛은 상기 워터층이 형성된 가공물로 레이저를 조사하여, 상기 가공물을 기 설정된 형상으로 가공한다. In a processing system for a ceramic material using a laser and a processing method using the same, the processing system includes a processing water tank, a spraying unit, and a scanning unit. A workpiece is positioned in the processing water tank. The spray unit provides water to the workpiece to form a water layer having a predetermined thickness on the workpiece. The scanning unit irradiates a laser to the workpiece on which the water layer is formed, and processes the workpiece into a preset shape.

Description

레이저를 이용한 세라믹 재료의 가공시스템 및 이를 이용한 가공방법{MACHINING SYSTEM FOR CERAMIC MATERIAL USING LASER AND METHOD FOR MACHINING USING THE SAME}Processing system for ceramic material using laser and processing method using the same

본 발명은 세라믹 재료의 가공시스템 및 이를 이용한 가공방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료에 대한 레이저 가공시, 물을 첨가함으로써 보다 정밀하고 효과적인 가공을 수행할 수 있는 레이저를 이용한 세라믹 재료의 가공시스템 및 이를 이용한 가공방법에 관한 것이다.The present invention relates to a processing system for a ceramic material and a processing method using the same, and more particularly, to a laser capable of performing more precise and effective processing by adding water during laser processing of a silicon (Si) composite ceramic material. It relates to a processing system for a ceramic material using the same and a processing method using the same.

종래, 실리콘 나이트라이드

Figure pat00001
, 실리콘 카바이드(SiC) 등과 같은 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료의 경우 경질성, 취성, 내화학성, 비정질성, 비전도성 등의 특징을 가져 미세 구조물로서 가공하는 가공법이 매우 제한적이며, 특히, 미세 형상의 경우 극초단파 레이저를 이용한 레이저 가공 등과 같은 소수의 가공공정만이 적용되어 왔다. Conventionally, silicon nitride
Figure pat00001
Silicon (Si) composite ceramic materials such as , silicon carbide (SiC), etc. have characteristics such as rigidity, brittleness, chemical resistance, amorphousness, and non-conductivity, so the processing method for processing as a microstructure is very limited. In this case, only a few processing processes such as laser processing using microwave lasers have been applied.

그러나, 이러한 레이저 가공의 경우에도 크랙(crack)이 발생하거나 형상오차가 증가하는 등의 문제가 있어, 효과적인 세라믹 재료에 대한 가공법의 개발은 용이하지 않은 상황이다. However, even in the case of such laser processing, there are problems such as cracks or an increase in shape errors, so it is not easy to develop an effective processing method for a ceramic material.

이에, 일본국 공개특허 특개2003-285192호를 통해서는 세라믹 재료에 대한 레이저 가공시, 가공 표면에 전분을 포함하는 용제를 도포하여 가공을 수행함으로써 가공성을 향상시키는 기술이 개발되었으며, 일본국 공개특허 특표2020-520305호를 통해서는 세라믹 재료에 대한 레이저 가공시, 불활성 기체를 공급하여 표면 개질을 통해 가공성을 향상시키는 기술이 개발되었다. Accordingly, through Japanese Patent Laid-Open No. 2003-285192, a technology for improving processability by applying a solvent containing starch to the processing surface during laser processing of ceramic materials to perform processing was developed, and Japanese Patent Laid-Open Patent Publication No. In Patent Publication No. 2020-520305, a technology for improving processability through surface modification by supplying an inert gas during laser processing of ceramic materials was developed.

그러나, 이러한 종래의 가공성 향상을 위한 다양한 기술들이 개발되고 있음에도, 여전히 세라믹 재료가 가지는 특성으로 인해, 레이저를 이용한 가공시 레이저 조사를 정밀하게 제어하여야 하며, 형상오차가 증가하거나, 정밀도가 저하되는 등 다양한 문제점은 쉽게 해결되지 못하는 상황이다. However, even though various techniques for improving the conventional processability have been developed, it is still necessary to precisely control the laser irradiation during processing using a laser due to the characteristics of the ceramic material, and the shape error increases, precision decreases, etc. Various problems are not easily solved.

일본국 공개특허 특개2003-285192호Japanese Patent Laid-Open No. 2003-285192 일본국 공개특허 특표2020-520305호Japanese Patent Laid-Open No. 2020-520305

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료에 대한 레이저 가공시, 물을 첨가함으로써 보다 정밀하고 효과적인 가공을 수행할 수 있는 레이저를 이용한 세라믹 재료의 가공시스템에 관한 것이다. Accordingly, the technical problem of the present invention has been conceived in this regard, and an object of the present invention is to perform laser processing of silicon (Si) composite ceramic materials more precisely and effectively by adding water during laser processing. It relates to a material processing system.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 가공시스템을 이용한 가공방법에 관한 것이다.In addition, another object of the present invention relates to a processing method using the processing system.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 가공시스템은 가공수조, 분사부 및 스캐닝유닛을 포함한다. 상기 가공수조에는 가공물이 위치한다. 상기 분사부는 상기 가공물로 물을 제공하여 상기 가공물 상에 소정 두께의 워터층(water layer)을 형성한다. 상기 스캐닝유닛은 상기 워터층이 형성된 가공물로 레이저를 조사하여, 상기 가공물을 기 설정된 형상으로 가공한다. A processing system according to an embodiment for realizing the object of the present invention includes a processing water tank, a spraying unit, and a scanning unit. A workpiece is positioned in the processing water tank. The spray unit provides water to the workpiece to form a water layer having a predetermined thickness on the workpiece. The scanning unit irradiates a laser to the workpiece on which the water layer is formed, and processes the workpiece into a preset shape.

일 실시예에서, 상기 가공수조는 저장공간을 포함하며, 상기 분사부에 의해 제공된 물은 상기 저장공간에 저장될 수 있다. In one embodiment, the processing water tank may include a storage space, and the water provided by the spray unit may be stored in the storage space.

일 실시예에서, 상기 저장공간에 저장되는 물을 순환하여 상기 분사부로 제공하는 펌프를 더 포함할 수 있다. In one embodiment, it may further include a pump that circulates the water stored in the storage space and provides it to the spray unit.

일 실시예에서, 상기 분사부는, 상기 가공물의 가공 영역으로 물을 연속적으로 분사하여, 상기 레이저가 조사되는 동안 상기 가공물 상에 상기 워터층을 균일하게 형성할 수 있다. In an embodiment, the spraying unit may continuously spray water into the processing area of the workpiece to uniformly form the water layer on the workpiece while the laser is irradiated.

일 실시예에서, 상기 물은 탈이온수이며, 상기 가공물은 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료를 포함할 수 있다. In an embodiment, the water may be deionized water, and the workpiece may include a silicon (Si) composite ceramic material.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 가공시스템을 이용한 가공방법에서, 상기 분사부를 통해 상기 가공물의 상부로 물을 제공하는 단계, 상기 가공물 상에 소정 두께의 워터층을 형성하는 단계, 및 상기 워터층이 형성된 가공물로 레이저를 조사하여, 상기 가공물을 가공하는 단계를 포함할 수 있다. In a processing method using a processing system according to an embodiment for realizing another object of the present invention, providing water to an upper portion of the workpiece through the spraying unit, forming a water layer of a predetermined thickness on the workpiece and irradiating a laser to the workpiece on which the water layer is formed, and processing the workpiece.

일 실시예에서, 상기 가공물은 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료를 포함할 수 있다. In one embodiment, the workpiece may include a silicon (Si) composite ceramic material.

일 실시예에서, 상기 워터층이 형성된 가공물로 레이저를 조사함에 따라, 상기 세라믹 재료의 실리콘(Si) 성분은 상기 물에 포함된 산소원자에 의해 산화되어 이산화규소(SiO2)로 형성되고, 상기 이산화규소가 상기 레이저에 의한 가열로 상기 물에 용해되며 제거될 수 있다. In one embodiment, as the laser is irradiated to the workpiece on which the water layer is formed, the silicon (Si) component of the ceramic material is oxidized by oxygen atoms included in the water to form silicon dioxide (SiO 2 ), the Silicon dioxide can be dissolved in the water and removed by heating by the laser.

본 발명의 실시예들에 의하면, 실리콘 나이트라이드

Figure pat00002
, 실리콘 카바이드(SiC) 등과 같은 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료에 대하여 레이저 가공을 수행하면서도 높은 재료 제거율을 유지할 수 있으며, 이를 통해 가공속도를 상대적으로 높게 유지하면서도 높은 형상 정밀도를 가지는 미세 구조의 제작이 가능하다. According to embodiments of the present invention, silicon nitride
Figure pat00002
It is possible to maintain a high material removal rate while performing laser processing on silicon (Si) composite ceramic materials such as , silicon carbide (SiC), etc. It is possible.

이는, 세라믹 재료에 대한 레이저 가공을 수행하는 경우 발생되는 산화층을 물이 효과적으로 제거함으로 구현되는 것으로, 가공물 상에 소정의 두께를 가지는 워터층을 형성하는 상대적으로 간단한 가공 메커니즘을 통해, 세라믹 재료에 대한 미세 가공을 효과적으로 수행할 수 있다. This is implemented by effectively removing the oxide layer generated when laser processing is performed on the ceramic material, and through a relatively simple processing mechanism of forming a water layer having a predetermined thickness on the workpiece, Micromachining can be performed effectively.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 레이저를 이용한 세라믹 재료의 가공시스템을 도시한 모식도이다.
도 2는 도 1의 가공시스템을 이용한 세라믹 재료의 가공방법을 도시한 흐름도이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 2의 가공방법을 통한 가공시 발생하는 수열반응을 설명하기 위한 모식도들이다.
도 4a는 종래기술에 의한 공기 중에서의 가공 결과를 나타낸 이미지고, 도 4b는 도 2의 가공방법을 이용한 가공 결과를 나타낸 이미지이다.
도 5a는 종래기술에 의한 질소기체를 주입한 상태에서의 가공 결과를 나타낸 이미지이고, 도 5b는 도 2의 가공방법을 이용한 가공 결과를 나타낸 이미지이다.
도 6a는 종래기술에 의한 등유가 공급된 상태에서의 가공 결과를 나타낸 이미지이고, 도 6b는 도 2의 가공방법을 이용한 가공 결과를 나타낸 이미지이다.
도 7a 및 도 7b는 도 2의 가공방법을 이용한 다양한 마이크로 구조물을 가공한 결과의 예를 도시한 이미지들이다. 1 is a schematic diagram showing a processing system of a ceramic material using a laser according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart illustrating a method of processing a ceramic material using the processing system of FIG. 1 .
3A to 3C are schematic diagrams for explaining a hydrothermal reaction occurring during processing through the processing method of FIG. 2 .
Figure 4a is an image showing the processing result in air according to the prior art, Figure 4b is an image showing the processing result using the processing method of FIG.
5A is an image showing the processing result in a state in which nitrogen gas is injected according to the prior art, and FIG. 5B is an image showing the processing result using the processing method of FIG. 2 .
6a is an image showing the processing result in a state in which kerosene is supplied according to the prior art, and FIG. 6b is an image showing the processing result using the processing method of FIG.
7A and 7B are images showing examples of results of processing various microstructures using the processing method of FIG. 2 .

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. Since the present invention can have various changes and can have various forms, embodiments will be described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each figure, like reference numerals have been used for like elements. Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms.

상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In this application, terms such as "comprises" or "consisting of" are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification is present, but one or more other features It is to be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 레이저를 이용한 세라믹 재료의 가공시스템을 도시한 모식도이다. 1 is a schematic diagram showing a processing system of a ceramic material using a laser according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 의한 레이저를 이용한 세라믹 재료의 가공시스템(1, 이하 가공시스템이라 함)은 제어부(10), 레이저발생부(20), 스캐닝유닛(30), 스테이지들(40, 50), 저장수조(60), 펌프부(80) 및 물(90)을 포함한다. Referring to Figure 1, the processing system (1, hereinafter referred to as processing system) of a ceramic material using a laser according to the present embodiment is a control unit 10, a laser generating unit 20, a scanning unit 30, stages ( 40 , 50 ), a storage tank 60 , a pump unit 80 and water 90 .

상기 제어부(10)는 상기 레이저발생부(20)에서 발생되는 레이저의 조사 상태를 제어하며, 나아가 상기 스테이지들(40, 50)의 위치를 제어하고, 상기 펌프부(80)의 구동을 제어할 수 있으며, 전반적인 상기 가공시스템(1)의 가공동작을 제어한다. The control unit 10 controls the irradiation state of the laser generated by the laser generating unit 20, and further controls the positions of the stages 40 and 50, and controls the driving of the pump unit 80. and controls the overall machining operation of the machining system (1).

상기 레이저발생부(20)는 상기 제어부(10)에 의해 가공물(70)의 가공에 필요한 레이저를 발생시키며, 상기 레이저발생부(20)에서는, 예를 들어, 펄스(pulse) 레이저를 발생시킬 수 있다. The laser generating unit 20 generates a laser necessary for processing the workpiece 70 by the control unit 10, and the laser generating unit 20, for example, can generate a pulse laser have.

상기 레이저발생부(20)에서 발생된 레이저는 상기 스캐닝유닛(30)으로 제공되며, 상기 스캐닝유닛(30)에 의해 하부에 위치한 상기 가공물(70)로 레이저가 조사된다. The laser generated by the laser generator 20 is provided to the scanning unit 30 , and the laser is irradiated to the workpiece 70 located below by the scanning unit 30 .

이 경우, 상기 스캐닝유닛(30)은 내부에 미러부(31) 및 렌즈부(32)를 포함할 수 있으며, 상기 미러부(31)를 통해 반사된 상기 레이저는 상기 렌즈부(32)를 통해 포커싱(focusing)되어 상기 가공물(70)을 향해 조사된다. In this case, the scanning unit 30 may include a mirror unit 31 and a lens unit 32 therein, and the laser reflected through the mirror unit 31 passes through the lens unit 32 . It is focused and irradiated toward the workpiece 70 .

이에 따라, 상기 가공물(70)에 대한 레이저 가공이 수행된다. Accordingly, laser processing is performed on the workpiece 70 .

본 실시예에서, 상기 가공물(70)은 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료를 포함하는 것으로, 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 실리콘 카바이드(SiC) 등과 같은 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료일 수 있다. In the present embodiment, the workpiece 70 includes a silicon (Si) composite ceramic material, and may be a silicon (Si) composite ceramic material such as silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon carbide (SiC), or the like. .

한편, 상기 스테이지부들(40, 50)은, 상기 스캐닝유닛(30) 또는 상기 저장수조(60) 상에 위치한 가공물(70)을 X, Y, Z의 세 방향, 즉 3차원 공간에서 이송시키며, 이에 따라 상기 가공물(70)에 대한 다양한 가공 패스를 제공할 수 있다. On the other hand, the stage parts 40 and 50, the scanning unit 30 or the workpiece 70 located on the storage tank 60 is transferred in three directions of X, Y, and Z, that is, in a three-dimensional space, Accordingly, it is possible to provide various processing passes for the workpiece 70 .

이 경우, 도 1에서는 제1 스테이지부(40)가 상기 스캐닝유닛(30)을 Z 방향으로 이송시키고, 제2 스테이지부(50)가 상기 저장수조(60) 및 가공물(70)을 X 및 Y 방향으로 이송시키는 것을 예시하였으나, 이러한 스테이지부들에 의한 이송은 다양하게 설계될 수 있다. In this case, in FIG. 1 , the first stage part 40 moves the scanning unit 30 in the Z direction, and the second stage part 50 moves the storage tank 60 and the workpiece 70 to X and Y Although it has been exemplified to transfer in the direction, the transfer by these stage units may be designed in various ways.

상기 저장수조(60)는 상기 스캐닝유닛(30)의 하부에 위치하며, 예를 들어 상기 제2 스테이지부(50) 상에 위치할 수 있다. The storage tank 60 is located below the scanning unit 30 , for example, may be located on the second stage unit 50 .

상기 저장수조(60)는 소정의 저장공간(61)을 형성하며, 중앙에는 상기 가공물(70)이 위치할 수 있다. The storage tank 60 forms a predetermined storage space 61 , and the workpiece 70 may be located in the center.

상기 저장공간(61)에는 물(water, 90)이 저장되며, 이 경우, 상기 물(90)은 탈이온수일 수 있다. Water 90 is stored in the storage space 61 , and in this case, the water 90 may be deionized water.

상기 물(90)은 후술되는 상기 펌프부(80)에 의해 상기 가공물(70)로 분사되며, 이에 따라 상기 가공물(70)에 분사된 물(90)이 상기 저장공간(61)으로 유도되어, 상기 저장공간(61)에 저장된다. The water 90 is sprayed to the workpiece 70 by the pump part 80 to be described later, and accordingly, the water 90 sprayed to the workpiece 70 is guided to the storage space 61, It is stored in the storage space (61).

이를 위해, 상기 저장수조(60)는 도시된 바와 같이, 소정 깊이의 저장공간(61)을 형성하며, 동시에, 상기 저장공간(61)의 중앙에는 상기 가공물(70)이 위치하도록 돌출되는 돌출부가 형성된다. To this end, as shown in the figure, the storage tank 60 forms a storage space 61 of a predetermined depth, and at the same time, in the center of the storage space 61, there is a protrusion protruding so that the workpiece 70 is located. is formed

그리하여, 상기 가공물(70)로 제공되는 물(90)이 상기 가공물(70) 상에 소위, 워터층(water layer)을 형성하면서, 자연스럽게 상기 저장공간(61)으로 유동되어 저장될 수 있다. Thus, the water 90 provided to the workpiece 70 may naturally flow into the storage space 61 and be stored while forming a so-called water layer on the workpiece 70 .

상기 펌프부(80)는 상기 저장공간(61)과 연결되어, 상기 저장공간(61)에 저장된 물(90)을 상기 가공물(70)로 재분사한다. The pump unit 80 is connected to the storage space 61 , and re-jets the water 90 stored in the storage space 61 to the workpiece 70 .

즉, 상기 펌프부(80)에 연결되며, 상기 가공물(70)을 향하도록 위치하는 분사부(81)가 추가로 구비되며, 상기 분사부(81)를 통해 상기 가공물(70)로 분사워터(91)가 분사된다. That is, it is connected to the pump part 80, the injection part 81 is further provided to face the workpiece 70, and the spraying part 81 to the workpiece 70 through the spraying water ( 91) is sprayed.

이를 위해, 상기 분사부(81)는 소정의 노즐 형태일 수 있다. 또한, 상기 분사부(81)에서 분사되는 분사워터(91)는 상기 가공물(70)로 균일하게 분사되어야 하므로, 상기 가공물(70)의 가공면적 전체에 균일하게 분사워터(91)를 분사할 수 있도록 설계되어야 한다. To this end, the injection unit 81 may have a predetermined nozzle shape. In addition, since the spray water 91 sprayed from the spray unit 81 must be uniformly sprayed onto the workpiece 70, the spray water 91 can be uniformly sprayed over the entire processing area of the workpiece 70. should be designed to

그리하여, 상기 분사부(81)는 위치가 고정되며, 상대적으로 넓은 면적에 일정한 분사워터(91)의 분사가 가능하도록 설계될 수 있으며, 이와 달리, 상기 분사부(81)는 위치가 가변되도록 제어되며, 이에 따라 소정의 면적에서 이동되며 분사워터(91)를 균일하게 분사하도록 설계될 수도 있다. Thus, the location of the spray unit 81 is fixed, and it can be designed to allow a constant spray of water 91 to be sprayed over a relatively large area. Accordingly, it may be designed to move in a predetermined area and uniformly spray the spray water 91 .

본 실시예의 경우, 상기 분사부(81)를 통해 분사되는 상기 분사워터(91)는 상기 가공물(70)의 가공면 상에 분사되며, 상기 가공물(70)의 가공면 상에 소정 두께의 워터층(water layer)을 형성한다. In the present embodiment, the sprayed water 91 sprayed through the spraying unit 81 is sprayed on the processing surface of the workpiece 70 , and a water layer having a predetermined thickness on the processing surface of the workpiece 70 . (water layer)

일반적으로 물이 가공물의 상면 상으로 분사되면, 가공물의 상면으로부터 하부로 유동되며, 상대적으로 상기 물이 가공물의 상면 상에 머무르는 시간은 길지 않다. In general, when water is sprayed onto the top surface of the workpiece, it flows from the top surface to the bottom of the workpiece, and the time for the water to stay on the top surface of the workpiece is relatively short.

다만, 상기 물이 가공물의 상면 상에 머무르는 시간동안 다시 물을 가공물의 상면 상으로 제공하면, 즉, 연속적으로 상기 가공물의 상면 상으로 물을 제공하면, 상기 가공물의 상면 상에는 소정 두께의 워터층(water layer)을 형성할 수 있다. However, if water is provided on the upper surface of the workpiece again during the time that the water stays on the upper surface of the workpiece, that is, if water is continuously provided on the upper surface of the workpiece, a water layer of a predetermined thickness on the upper surface of the workpiece ( water layer) can be formed.

이에, 본 실시예의 경우, 상기 저장공간(61)에 저장된 물(90)이 상기 펌프부(80)에 의해 계속적으로 순환되며, 상기 분사부(81)를 통해 상기 가공물(70)의 상면 상으로 지속적으로 분사되므로, 상기 가공물(70)의 상면 상에는, 도시하지는 않았으나, 소정 두께의 워터층(water layer)이 형성될 수 있다. Accordingly, in the present embodiment, the water 90 stored in the storage space 61 is continuously circulated by the pump unit 80 , and is transferred onto the upper surface of the workpiece 70 through the spray unit 81 . Since it is continuously sprayed, a water layer having a predetermined thickness may be formed on the upper surface of the workpiece 70 , although not shown.

그리하여, 상기 소정 두께의 워터층이 형성된 상기 가공물(70)로 상기 레이저가 조사되며, 레이저 가공이 수행될 수 있다. Thus, the laser is irradiated to the workpiece 70 on which the water layer of a predetermined thickness is formed, and laser processing may be performed.

도 2는 도 1의 가공시스템을 이용한 세라믹 재료의 가공방법을 도시한 흐름도이다. FIG. 2 is a flowchart illustrating a method of processing a ceramic material using the processing system of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하여, 상기 가공시스템(1)을 이용한 가공방법을 설명하면 하기와 같다. Referring to FIGS. 1 and 2 , a processing method using the processing system 1 will be described as follows.

즉, 도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 가공물(70)에 대한 가공방법에서는, 우선, 상기 분사부(81)를 통해 상기 가공물(70)의 상부로 물(90)을 제공한다(단계 S10). That is, referring to FIGS. 1 and 2 , in the processing method for the workpiece 70 , first, water 90 is provided to the upper portion of the workpiece 70 through the spraying unit 81 (step S10 ). ).

이 경우, 상기 펌프부(80)가 상기 저장공간(61)에 저장된 물(90)을 재순환하여 상기 분사부(81)를 통해 분사함은 이미 설명한 바와 같다. In this case, the pump 80 recirculates the water 90 stored in the storage space 61 and sprays it through the spray unit 81 as described above.

이러한, 상기 물(90), 즉 분사워터(91)의 분사를 통해, 상기 가공물(70) 상에는 앞서 설명한 바와 같이, 소정 두께의 워터층이 형성된다(단계 S20). 즉, 상기 워터층의 경우, 도시하지는 않았으나, 연속적인 분사워터(91)의 제공에 따라 상기 가공물(70)의 상면으로부터 흘러내리며 유동되는 물을 대체하여 제공할 수 있고, 이를 통해 소정 두께의 워터층은 상기 가공물(70) 상에 형성될 수 있다. As described above, a water layer of a predetermined thickness is formed on the workpiece 70 through the spraying of the water 90 , that is, the spray water 91 (step S20 ). That is, in the case of the water layer, although not shown, the water flowing down from the upper surface of the workpiece 70 can be replaced and provided according to the continuous supply of the spray water 91 , and through this, water having a predetermined thickness A layer may be formed on the workpiece 70 .

이 후, 상기 레이저발생부(20)를 통해 발생된 레이저가, 상기 스캐닝유닛(30)을 통해 상기 가공물(70)로 조사되며, 이에 따라 상기 가공물(70)에는 가공 패스에 따른 가공이 수행된다(단계 S30). After that, the laser generated through the laser generating unit 20 is irradiated to the workpiece 70 through the scanning unit 30, and thus the workpiece 70 is processed according to a processing pass. (Step S30).

이 때, 상기 가공물(70)에 레이저가 조사되는 가공 영역에는, 상기 소정 두께의 워터층이 안정적으로 형성되어야 한다. At this time, the water layer of the predetermined thickness should be stably formed in the processing region where the laser is irradiated to the workpiece 70 .

이와 같이 상기 가공물(70)에 대한 가공이 수행되어, 상기 가공물(70)에는 소정의 미세 구조체가 형성될 수 있다. In this way, the processing of the workpiece 70 is performed, and a predetermined microstructure may be formed on the workpiece 70 .

한편, 상기 가공물(70) 상에 워터층이 형성된 상태에서, 레이저 가공을 수행하는 경우, 수열반응이 발생하게 되는데 이에 대하여는 하기에서 설명한다. On the other hand, when laser processing is performed in a state in which the water layer is formed on the workpiece 70, a hydrothermal reaction occurs, which will be described below.

도 3a 내지 도 3c는 도 2의 가공방법을 통한 가공시 발생하는 수열반응을 설명하기 위한 모식도들이다. 3A to 3C are schematic diagrams for explaining a hydrothermal reaction occurring during processing through the processing method of FIG. 2 .

우선, 도 3a를 참조하면, 실리콘 나이트라이드

Figure pat00003
, 실리콘 카바이드(SiC) 등과 같은 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료를 포함하는 상기 가공물(70)이 워터층이 형성된 상태에서 레이저의 조사를 받게 되면, 하기 식 (1) 및 식 (2)에서와 같이 물(90)이 포함하는 산소원자에 의해 산화되어 이산화규소(SiO2)가 형성된다. First, referring to Figure 3a, silicon nitride
Figure pat00003
, when the workpiece 70 including a silicon (Si) composite ceramic material such as silicon carbide (SiC) is irradiated with laser in a state in which the water layer is formed, as in the following Equations (1) and (2) The water 90 is oxidized by oxygen atoms contained in silicon dioxide (SiO 2 ) is formed.

Figure pat00004
식 (1)
Figure pat00004
Equation (1)

Figure pat00005
식 (2)
Figure pat00005
Equation (2)

이후, 도 3b를 참조하면, 상기 생성된 이산화규소(SiO2)는 물과 서로 접하는 상태에서, 레이저 조사에 의해 온도가 상승하게 되면서 물에 용해되며 떨어져나가게 된다. 즉, 하기 식 (3)에서와 같이, 상기 이산화규소는 수소를 발생시키며 이온화된다. Thereafter, referring to FIG. 3B , the generated silicon dioxide (SiO 2 ) is dissolved in water and falls off as the temperature is increased by laser irradiation in a state in contact with water. That is, as in the following formula (3), the silicon dioxide is ionized to generate hydrogen.

Figure pat00006
식 (3)
Figure pat00006
Equation (3)

그리하여, 도 3c에 도시된 바와 같이, 이산화규소가 물에 용해되며 제거되는 양만큼 상기 가공물(70)은 가공되게 된다. Thus, as shown in FIG. 3C , the workpiece 70 is processed by the amount of silicon dioxide dissolved in water and removed.

이상과 같이, 상기 가공물(70)에 대한 레이저 가공을 수행하는 경우, 상기 가공물(70) 상에 워터층이 형성된 경우라면, 상기 레이저 가공시 발생하는 산화층을 물이 효과적으로 제거함으로써, 난삭재인 복합 세라믹 재료를 포함하는 가공물에 대한 가공을 보다 용이하게 수행할 수 있다. As described above, when laser processing is performed on the workpiece 70 , if a water layer is formed on the workpiece 70 , water effectively removes the oxide layer generated during laser processing, so that composite ceramic which is a difficult-to-cut material Processing of the workpiece including the material can be performed more easily.

도 4a는 종래기술에 의한 공기 중에서의 가공 결과를 나타낸 이미지고, 도 4b는 도 2의 가공방법을 이용한 가공 결과를 나타낸 이미지이다. Figure 4a is an image showing the processing result in air according to the prior art, Figure 4b is an image showing the processing result using the processing method of FIG.

도 4a에 도시된 바와 같이, 공기 중에서 세라믹 재료에 대한 레이저 가공을 수행하는 경우, 캐비티(cavity)의 형상이 정상적으로 형성되지 못하고 많은 부산물들이 캐비티에 축적됨을 확인할 수 있다. As shown in FIG. 4A , when laser processing is performed on a ceramic material in air, it can be confirmed that the shape of the cavity is not normally formed and many by-products are accumulated in the cavity.

반면, 도 4b에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서와 같이, 워터층을 형성하면서 세라믹 재료에 대한 레이저 가공을 수행하는 경우, 캐비티의 형상이 정상적으로 형성되며, 내부에는 어떠한 부산물도 축적되지 않아, 보다 정밀하고 정확한 가공이 가능함을 확인할 수 있다. On the other hand, as shown in Fig. 4b, when laser processing is performed on a ceramic material while forming a water layer, as in this embodiment, the shape of the cavity is normally formed, and no by-products are accumulated inside, It can be confirmed that more precise and accurate machining is possible.

도 5a는 종래기술에 의한 질소기체를 주입한 상태에서의 가공 결과를 나타낸 이미지이고, 도 5b는 도 2의 가공방법을 이용한 가공 결과를 나타낸 이미지이다.5A is an image showing the processing result in a state in which nitrogen gas is injected according to the prior art, and FIG. 5B is an image showing the processing result using the processing method of FIG. 2 .

마찬가지로, 도 5a에 도시된 바와 같이, 종래 세라믹 재료에 대한 가공에서 발생하는 실리콘의 산화를 방지하기 위해, 즉 이산화규소(SiO2)의 생성을 억제하기 위해 질소기체(N2)를 제공하여 질소 분위기에서 공기를 차폐하며 레이저 가공을 수행하는 경우에도, 캐비티(cavity)의 형상이 정상적으로 형성되지 못하고 캐비티의 형상 정밀도가 매우 저하되는 것을 확인할 수 있다. Similarly, as shown in Figure 5a, in order to prevent the oxidation of silicon occurring in the processing of conventional ceramic materials, that is, to suppress the generation of silicon dioxide (SiO 2 ) Nitrogen gas (N 2 ) is provided by providing nitrogen Even when laser processing is performed while shielding air from the atmosphere, it can be seen that the shape of the cavity is not formed normally and the shape precision of the cavity is greatly reduced.

반면, 도 5b에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서와 같이, 워터층을 형성하면서 세라믹 재료에 대한 레이저 가공을 수행하는 경우, 캐비티의 형상이 정상적으로 형성되며, 매우 높은 형상정밀도로 가공이 가능함을 확인할 수 있다. On the other hand, as shown in FIG. 5B , as in this embodiment, when laser processing is performed on a ceramic material while forming a water layer, the shape of the cavity is normally formed and processing is possible with very high shape precision. can be checked

도 6a는 종래기술에 의한 등유가 공급된 상태에서의 가공 결과를 나타낸 이미지이고, 도 6b는 도 2의 가공방법을 이용한 가공 결과를 나타낸 이미지이다. 6a is an image showing the processing result in a state in which kerosene is supplied according to the prior art, and FIG. 6b is an image showing the processing result using the processing method of FIG. 2 .

더 나아가, 도 6a에 도시된 바와 같이, 종래 세라믹 재료에 대한 가공에서 발생하는 실리콘의 산화를 방지하기 위해, 즉 이산화규소(SiO2)의 생성을 억제하기 위해 등유(kerosene)를 제공하여 공기를 차폐하며 레이저 가공을 수행하는 경우 동일한 레이저 조사시의 가공되는 양이 매우 적음을 확인하여, 가공성이 현저히 저하됨을 확인할 수 있다. Further, as shown in Figure 6a, in order to prevent the oxidation of silicon that occurs in the processing of conventional ceramic materials, that is, to suppress the generation of silicon dioxide (SiO 2 ) By providing kerosene (kerosene) to air When laser processing is performed while shielding, it can be confirmed that the amount of processing is very small when irradiated with the same laser, thereby remarkably lowering the machinability.

반면, 도 6b에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서와 같이, 워터층을 형성하면서 세라믹 재료에 대한 레이저 가공을 수행하는 경우, 캐비티의 형상이 정상적으로 형성되는 것은 물론이며, 가공성을 향상시켜, 가공속도를 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있다. On the other hand, as shown in FIG. 6B , as in this embodiment, when laser processing is performed on a ceramic material while forming a water layer, the shape of the cavity is formed normally, and processability is improved, processing It can be seen that the speed can be improved.

도 7a 및 도 7b는 도 2의 가공방법을 이용한 다양한 마이크로 구조물을 가공한 결과의 예를 도시한 이미지들이다. 7A and 7B are images showing examples of results of processing various microstructures using the processing method of FIG. 2 .

도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 가공시스템(1)을 이용한 가공방법을 통해서는, 다양한 형상의 미세구조를 제작할 수 있으며, 이 경우, 제작되는 미세구조의 형상 정밀도가 매우 높아, 매우 정밀한 미세구조의 제작이 가능함을 확인할 수 있다. 7A and 7B, through the processing method using the processing system 1 according to this embodiment, microstructures of various shapes can be manufactured, and in this case, the shape precision of the microstructures to be manufactured is It is very high, so it can be confirmed that it is possible to fabricate a very precise microstructure.

본 발명의 실시예들에 의하면, 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 실리콘 카바이드(SiC) 등과 같은 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료에 대하여 레이저 가공을 수행하면서도 높은 재료 제거율을 유지할 수 있으며, 이를 통해 가공속도를 상대적으로 높게 유지하면서도 높은 형상 정밀도를 가지는 미세 구조의 제작이 가능하다. According to embodiments of the present invention, it is possible to maintain a high material removal rate while performing laser processing on a silicon (Si) composite ceramic material such as silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon carbide (SiC), and the like, and through this It is possible to manufacture a microstructure with high shape precision while maintaining a relatively high processing speed.

이는, 세라믹 재료에 대한 레이저 가공을 수행하는 경우 발생되는 산화층을 물이 효과적으로 제거함으로 구현되는 것으로, 가공물 상에 소정의 두께를 가지는 워터층을 형성하는 상대적으로 간단한 가공 메커니즘을 통해, 세라믹 재료에 대한 미세 가공을 효과적으로 수행할 수 있다. This is implemented by effectively removing the oxide layer generated when laser processing is performed on the ceramic material, and through a relatively simple processing mechanism of forming a water layer having a predetermined thickness on the workpiece, Micromachining can be performed effectively.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims. You will understand that you can.

1 : 가공 시스템 10 : 제어부
20 : 레이저 발생부 30 : 스캐닝유닛
60 : 저장수조 70 : 가공물
80 : 펌프부 90 : 물(water)1: machining system 10: control unit
20: laser generator 30: scanning unit
60: storage tank 70: work
80: pump unit 90: water (water)

Claims (8)

가공물이 위치하는 가공수조;
상기 가공물로 물을 제공하여 상기 가공물 상에 소정 두께의 워터층(water layer)을 형성하는 분사부; 및
상기 워터층이 형성된 가공물로 레이저를 조사하여, 상기 가공물을 기 설정된 형상으로 가공하는 스캐닝유닛을 포함하는 가공시스템. a processing tank in which the workpiece is located;
a spraying unit providing water to the workpiece to form a water layer having a predetermined thickness on the workpiece; and
and a scanning unit for irradiating a laser onto the workpiece on which the water layer is formed, and processing the workpiece into a preset shape. 제1항에 있어서,
상기 가공수조는 저장공간을 포함하며,
상기 분사부에 의해 제공된 물은 상기 저장공간에 저장되는 것을 특징으로 하는 가공시스템. According to claim 1,
The processing water tank includes a storage space,
The processing system, characterized in that the water provided by the spraying unit is stored in the storage space. 제2항에 있어서,
상기 저장공간에 저장되는 물을 순환하여 상기 분사부로 제공하는 펌프를 더 포함하는 가공시스템. 3. The method of claim 2,
The processing system further comprising a pump that circulates the water stored in the storage space and provides it to the injection unit. 제1항에 있어서, 상기 분사부는,
상기 가공물의 가공 영역으로 물을 연속적으로 분사하여, 상기 레이저가 조사되는 동안 상기 가공물 상에 상기 워터층을 균일하게 형성하는 것을 특징으로 하는 가공시스템. According to claim 1, wherein the injection unit,
The processing system, characterized in that by continuously spraying water into the processing area of the workpiece to uniformly form the water layer on the workpiece while the laser is irradiated. 제1항에 있어서,
상기 물은 탈이온수이며,
상기 가공물은 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공시스템. According to claim 1,
The water is deionized water,
The processing system, characterized in that the workpiece comprises a silicon (Si) composite ceramic material. 제1항의 가공시스템을 이용한 가공방법에서,
상기 분사부를 통해 상기 가공물의 상부로 물을 제공하는 단계;
상기 가공물 상에 소정 두께의 워터층을 형성하는 단계; 및
상기 워터층이 형성된 가공물로 레이저를 조사하여, 상기 가공물을 가공하는 단계를 포함하는 가공방법. In the processing method using the processing system of claim 1,
providing water to an upper portion of the workpiece through the spraying unit;
forming a water layer of a predetermined thickness on the workpiece; and
A processing method comprising the step of irradiating a laser to the workpiece on which the water layer is formed, and processing the workpiece. 제6항에 있어서,
상기 가공물은 실리콘(Si) 복합 세라믹 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공방법. 7. The method of claim 6,
The processing method, characterized in that the workpiece comprises a silicon (Si) composite ceramic material. 제7항에 있어서,
상기 워터층이 형성된 가공물로 레이저를 조사함에 따라,
상기 세라믹 재료의 실리콘(Si) 성분은 상기 물에 포함된 산소원자에 의해 산화되어 이산화규소(SiO2)로 형성되고,
상기 이산화규소가 상기 레이저에 의한 가열로 상기 물에 용해되며 제거되는 것을 특징으로 하는 가공방법.
8. The method of claim 7,
As the laser is irradiated to the workpiece on which the water layer is formed,
The silicon (Si) component of the ceramic material is oxidized by oxygen atoms contained in the water to form silicon dioxide (SiO 2 ),
Processing method, characterized in that the silicon dioxide is dissolved in the water and removed by heating by the laser.
KR1020200165642A 2020-12-01 2020-12-01 Machining system for ceramic material using laser and method for machining using the same KR102466684B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200165642A KR102466684B1 (en) 2020-12-01 2020-12-01 Machining system for ceramic material using laser and method for machining using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200165642A KR102466684B1 (en) 2020-12-01 2020-12-01 Machining system for ceramic material using laser and method for machining using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220076794A true KR20220076794A (en) 2022-06-08
KR102466684B1 KR102466684B1 (en) 2022-11-15

Family

ID=81980761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200165642A KR102466684B1 (en) 2020-12-01 2020-12-01 Machining system for ceramic material using laser and method for machining using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102466684B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003285192A (en) 2002-03-26 2003-10-07 Kyocera Corp Laser beam machining method for ceramic substrate
KR20190051822A (en) * 2017-11-07 2019-05-15 가부시기가이샤 디스코 Laser processing apparatus
KR20200027619A (en) * 2018-09-04 2020-03-13 삼성전자주식회사 Wet etch apparatus
JP2020520305A (en) 2017-05-02 2020-07-09 エム キューブド テクノロジーズ， インコーポレイテッド Inert gas assisted laser processing of ceramic-containing articles

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003285192A (en) 2002-03-26 2003-10-07 Kyocera Corp Laser beam machining method for ceramic substrate
JP2020520305A (en) 2017-05-02 2020-07-09 エム キューブド テクノロジーズ， インコーポレイテッド Inert gas assisted laser processing of ceramic-containing articles
KR20190051822A (en) * 2017-11-07 2019-05-15 가부시기가이샤 디스코 Laser processing apparatus
KR20200027619A (en) * 2018-09-04 2020-03-13 삼성전자주식회사 Wet etch apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR102466684B1 (en) 2022-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6627844B2 (en) Method of laser milling
US20070000875A1 (en) Method and apparatus for assisting laser material processing
JP5670862B2 (en) Method for forming densified layer in thermal spray coating
JP5071487B2 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
Wee et al. Solvent‐Assisted Laser Drilling of Silicon Carbide
US10967574B2 (en) Laser additive manufacturing apparatus and laser additive manufacturing method
US11117221B2 (en) Laser machining device and laser machining method
JP2011110598A (en) Laser machining method and laser machining device
JP4829748B2 (en) Deburring apparatus, deburring method, and resin product manufacturing method
CN111886107A (en) Surface texturing using energy pulses
JP2020109820A (en) Laser processing method for printed circuit board and laser processing machine for printed circuit board
KR102466684B1 (en) Machining system for ceramic material using laser and method for machining using the same
WO2019189623A1 (en) Irradiation device, metal molding device, metal molding system, irradiation method, and method for manufacturing metal molding object
CN116685562A (en) Method for reducing raised structures on a glass element and glass element manufactured according to the method
JP4711774B2 (en) Processing method for flat work
JP5986775B2 (en) Laser processing method and laser processing apparatus
JP2005034889A (en) Working apparatus
EP1534457B1 (en) Method of producing a composite component
CN108620737A (en) The method that laser direct-writing glass surface prepares optical microstructures
JP2006035263A (en) Electron beam surface treatment method and electron beam surface treatment device
WO2024004111A1 (en) Laser processing method, processing program, and control device
EP4201576A1 (en) Laser reactive cutting method and apparatus for cutting a thick metal workpiece
JP2010167453A (en) Method and apparatus for machining microgroove in mechanical component
JP2004160478A (en) Method and apparatus for laser beam machining
JP7320889B2 (en) Laser processing method

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant