KR20220073218A - Detergent composition for electronic parts with good insulation properties and manufacturing method the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상, 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인으로 이루어지며, 교반기에 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 투입하는 원료투입단계, 상기 원료투입단계를 거친 교반기에 1,1-디클로로에탄을 투입하고 교반하는 제1교반단계 및 상기 제1교반단계를 거친 교반기에 디클로로메테인을 투입하고 교반하는 제2교반단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법에 관한 기술로서, PCB(Printed Circuit Board)와 같은 전자부품에 적용되었을 때 절연성을 부여하며, 전자부품에 잔존하는 지방성분에 대해 우수한 세척력을 나타내고 전자부품에 잔존하는 미세먼지를 제거하여 오작동을 방지하고, 적절한 휘발성을 나타내어 전자부품에 백화현상이나 트레킹 현상을 유발하지 않을 뿐만 아니라, 오존층 파괴성분과 같은 유해물질을 방출하지 않는 효과가 있다.The present invention consists of at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons and mixtures thereof, 1,1-dichloroethane and dichloromethane, and hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons and A raw material input step of adding one or more selected from the group consisting of a mixture thereof, a first stirring step of adding 1,1-dichloroethane to the stirrer that has undergone the raw material input step and stirring, and the first stirring step It is a technology related to a cleaning composition for electronic components having insulating properties and a method for manufacturing the same, characterized in that it consists of a second stirring step of putting dichloromethane in a stirrer and stirring, and may have been applied to electronic components such as PCB (Printed Circuit Board) Insulation is provided, and it shows excellent cleaning power against the fat components remaining in electronic parts, prevents malfunctions by removing fine dust remaining in electronic parts, and exhibits appropriate volatility so that it does not cause whitening or tracking in electronic parts. In addition, there is an effect of not emitting harmful substances such as ozone-depleting components.

Description

절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법 {DETERGENT COMPOSITION FOR ELECTRONIC PARTS WITH GOOD INSULATION PROPERTIES AND MANUFACTURING METHOD THE SAME}DETERGENT COMPOSITION FOR ELECTRONIC PARTS WITH GOOD INSULATION PROPERTIES AND MANUFACTURING METHOD THE SAME

본 발명은 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 PCB(Printed Circuit Board)와 같은 전자부품에 적용되었을 때 절연성을 부여하며, 전자부품에 잔존하는 지방성분에 대해 우수한 세척력을 나타내고 전자부품에 잔존하는 미세먼지를 제거하여 오작동을 방지하고, 적절한 휘발성을 나타내어 전자부품에 백화현상이나 트레킹 현상을 유발하지 않을 뿐만 아니라, 오존층 파괴성분과 같은 유해물질을 방출하지 않는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning composition for electronic components having insulation and a method for manufacturing the same, and more particularly, provides insulation when applied to electronic components such as printed circuit boards (PCBs), and prevents fat components remaining in electronic components. It exhibits excellent cleaning power and prevents malfunctions by removing fine dust remaining in electronic parts, and exhibits appropriate volatility so that it does not cause whitening or trekking in electronic parts, and does not emit harmful substances such as ozone layer depleting components. It relates to a cleaning composition for electronic components having insulation and a method for manufacturing the same.

종래에는 반도체용 PCB, 실리콘기판, 액정용 유리기판 및 포토마스크용 석영기판 등과 같은 전자부품의 세정은 주로 과산화수소수와 황산의 혼합액, 과산화수소수와 염산과 물의 혼합액, 과산화수소수와 암모니아수와 물의 혼합액등, 과산화수소를 베이스로하는 농후한 약액을 사용해서 고온에서 세정한 후에 초순수에 의해 헹구는 RCA세정법으로 이루어졌다.Conventionally, the cleaning of electronic components such as semiconductor PCBs, silicon substrates, glass substrates for liquid crystals, and quartz substrates for photomasks is mainly a mixture of hydrogen peroxide and sulfuric acid, a mixture of hydrogen peroxide and hydrochloric acid and water, a mixture of hydrogen peroxide and ammonia and water, etc. , the RCA cleaning method was performed using a concentrated chemical solution based on hydrogen peroxide and rinsed with ultrapure water after washing at a high temperature.

RCA세정법은 반도체와 같은 전자부품의 표면에 금속분말을 제거하기 위해 유효한 방법이며 동시에 전자부품의 표면에 부착된 미립자도 제거할 수 있다.The RCA cleaning method is an effective method to remove metal powder from the surface of electronic components such as semiconductors, and at the same time can also remove fine particles attached to the surface of electronic components.

그러나, 상기의 RCA세정법은 과산화수소수, 고농도의 산 및 알칼리 등을 다량으로 사용하기 때문에 제조비용이 높고, 헹구는데 사용되는 초순수의 비용, 폐액처리비용 및 약품증기를 배기하고 새로운 청정공기를 제조하는 공조(空調)비용 등이 발생하여 처리과정에서 고비용이 소모되는 문제점이 있었다.However, the RCA cleaning method is high in manufacturing cost because it uses a large amount of hydrogen peroxide, high concentration of acid and alkali, etc. There was a problem in that high costs were consumed in the processing process due to the cost of air conditioning and the like.

상기의 문제점을 해소하기 위해, 전자부품의 표면에 자연산화막을 제거하는 공정에서는, 불화수소산계의 약액에 의한 실온(室溫)처리가 채용되고 있는데, 특히,실리콘웨이퍼의 세정에 있어서, 희박한 불화수소산에 의한 세정에 의해 마무리하는 소위 '불산라스트' 세정이 많이 채용되고 있다.In order to solve the above problems, in the process of removing the native oxide film on the surface of electronic parts, room temperature treatment with a chemical solution of hydrofluoric acid is employed. So-called 'hydrofluoric acid last' cleaning, which is finished by cleaning with hydrochloric acid, is widely used.

불화수소산세정의 주목적은, 산화성의 약액 처리공정이나 헹굼 공정에서 발생하는, 혹은 정치(靜置)중에 발생하는 전자부품의 표면에 자연산화막 제거에 있으나, 동시에 자연산화막 속에 도입된 금속불순물도 제거할 수 있는 장점이 있다.The main purpose of hydrofluoric acid cleaning is to remove the natural oxide film on the surface of electronic parts generated during the oxidizing chemical treatment process or rinsing process, or generated during stationary, but at the same time, it can also remove the metal impurities introduced into the natural oxide film. There are advantages that can be

그러나, 상기와 같은 불화수소산세정방법은 전자부품 표면에 부착되어 있는 미립자를 제거할 수 없기 때문에, 반드시 다른 세정공정, 예를 들면, 암모니아와 과산화수소를 함유하는 세정수에 의한 소위 APM세정 등을 추가로 진행해야하는 문제점이 있으며, 세정 후에 환경오염을 유발하는 성분이 생성되는 문제점이 있었다.However, since the hydrofluoric acid cleaning method as described above cannot remove the fine particles adhering to the surface of electronic components, other cleaning steps such as APM cleaning with cleaning water containing ammonia and hydrogen peroxide are necessarily added. There is a problem in that it has to proceed with the process, and there is a problem in that components that cause environmental pollution are generated after washing.

공개특허공보 제10-2019-0083527호 (2019.07.12)Laid-open Patent Publication No. 10-2019-0083527 (2019.07.12)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, PCB와 같은 전자부품에 적용되었을 때 절연성을 부여하며, 전자부품에 잔존하는 지방성분에 대해 우수한 세척력을 나타내고, 전자부품에 잔존하는 미세먼지를 제거하여 오작동을 방지하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention is intended to solve the above problems, and when applied to electronic components such as PCBs, provides insulation, exhibits excellent cleaning power against fat components remaining in electronic components, and removes fine dust remaining in electronic components. To provide a cleaning composition for electronic components having insulation to prevent malfunction and a method for manufacturing the same.

또한, 적절한 휘발성을 나타내어 전자부품에 백화현상이나 트레킹 현상을 유발하지 않고, 오존층 파괴성분과 같은 유해물질을 방출하지 않는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.In addition, it is an object of the present invention to provide a cleaning composition for electronic components and a method for manufacturing the same, which exhibit adequate volatility and thus do not cause whitening or tracking in electronic components, and have insulating properties that do not emit harmful substances such as ozone layer depleting components.

본 발명에 의한 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물은, 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상, 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The cleaning composition for electronic components having insulation according to the present invention comprises at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffin hydrocarbons, and mixtures thereof, 1,1-dichloroethane and dichloromethane do it with

또한, 바람직하게는, 상기 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물은 상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 25 내지 40 중량부 및 디클로로메테인 25 내지 40 중량부로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, preferably, the cleaning composition for electronic components having insulation is 1,1-dichloroethane 25 based on 100 parts by weight of at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffin hydrocarbons, and mixtures thereof. to 40 parts by weight and 25 to 40 parts by weight of dichloromethane.

또한, 본 발명에 의한 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법은 교반기에 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 투입하는 원료투입단계, 상기 원료투입단계를 거친 교반기에 1,1-디클로로에탄을 투입하고 교반하는 제1교반단계 및 상기 제1교반단계를 거친 교반기에 디클로로메테인을 투입하고 교반하는 제2교반단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the manufacturing method of the cleaning composition for electronic components according to the present invention is a raw material input step of adding at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffin hydrocarbons, and mixtures thereof to a stirrer, the raw material input step It is characterized in that it consists of a first stirring step of adding 1,1-dichloroethane to a coarse stirrer and stirring, and a second stirring step of adding dichloromethane to the stirrer that has undergone the first stirring step and stirring.

또한, 바람직하게는, 상기 제1교반단계는, 상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 25 내지 40 중량부를 혼합하는 것을 특징으로 한다.Also, preferably, in the first stirring step, 25 to 40 parts by weight of 1,1-dichloroethane based on 100 parts by weight of at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof. It is characterized by mixing wealth.

또한, 바람직하게는, 상기 제2교반단계는, 상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 디클로로메테인 25 내지 40 중량부를 혼합하는 것을 특징으로 한다.Also, preferably, in the second stirring step, 25 to 40 parts by weight of dichloromethane is mixed with respect to 100 parts by weight of at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof. characterized in that

또한, 바람직하게는, 상기 제1 교반단계 및 상기 제2교반단계는, 20 내지 40℃의 온도에서 5 내지 15분 동안 교반되는 것을 특징으로 한다.In addition, preferably, the first stirring step and the second stirring step, characterized in that the stirring for 5 to 15 minutes at a temperature of 20 to 40 ℃.

또한, 바람직하게는, 상기 제1교반단계 및 상기 제2교반단계는, 700 내지 900rpm의 회전속도로 교반되는 것을 특징으로 한다.Also, preferably, the first stirring step and the second stirring step are characterized in that the stirring is performed at a rotation speed of 700 to 900 rpm.

본 발명은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상, 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인으로 이루어지는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법을 제공하여, PCB와 같은 전자부품에 적용되었을 때 절연성을 부여하며, 전자부품에 잔존하는 지방성분에 대해 우수한 세척력을 나타내고, 전자부품에 잔존하는 미세먼지를 제거하여 오작동을 방지하는 효과가 있다.The present invention provides a cleaning composition for electronic parts comprising at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof, 1,1-dichloroethane and dichloromethane, and a method for manufacturing the same, When applied to electronic components such as PCBs, it provides insulation, exhibits excellent cleaning power against fat components remaining in electronic components, and removes fine dust remaining in electronic components to prevent malfunction.

또한, 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소의 경우, 적절한 휘발성을 나타내므로 전자부품에 백화현상이나 트레킹 현상을 유발하지 않고, 오존층 파괴성분과 같은 유해물질을 방출하지 않는 효과가 있다. In addition, in the case of hydrotreated heavy naphtha and isoparaffin hydrocarbons, since they exhibit adequate volatility, they do not cause whitening or tracking in electronic parts, and have the effect of not emitting harmful substances such as ozone-depleting components.

도 1은 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 세척제 조성물을 이용하여 세척된 PCB의 표면을 전자현미경으로 촬영하여 나타낸 사진이다.
도 3은 본 발명의 세척제 조성물로 세척된 PCB를 50℃ 오븐에서 5 내지 15분 동안 방치한 후에 적외선 열화상 카메라로 촬영하여 나타낸 사진이다.
1 is a flowchart showing a method of manufacturing a cleaning composition for electronic components having insulation according to the present invention.
2 is a photograph showing the surface of the PCB cleaned using the cleaning agent composition according to Example 1 of the present invention taken with an electron microscope.
3 is a photograph taken with an infrared thermal imaging camera after leaving the PCB washed with the cleaning agent composition of the present invention in an oven at 50° C. for 5 to 15 minutes.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예와 각 성분의 물성을 상세하게 설명하되, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention and the physical properties of each component will be described in detail, which is intended to describe in detail enough that a person of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily carry out the invention, This does not mean that the technical spirit and scope of the present invention is limited.

본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상, 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인으로 이루어지며, 수첨 처리 중질 나프타(hydrotreated heavy naphtha)란, 나프타를 가압 수소 기류 중에서 촉매 하에 수소 첨가된 나프타를 뜻한다.The cleaning composition for electronic components having insulation according to the present invention consists of at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffin hydrocarbons and mixtures thereof, 1,1-dichloroethane and dichloromethane, and hydrogenated By hydrotreated heavy naphtha, it is meant catalytically hydrogenated naphtha in a pressurized hydrogen stream.

상기 수첨 처리 중질 나프타 및 이소파라핀 탄화수소는 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 베이스가 되는 성분으로 세척제 조성물에 절연성을 부여하는 역할을 하는데, 상기의 수첨 처리 중질 나프타, 또는 이소파라핀 탄화수소가 함유된 세척제 조성물로 세척된 전자부품은 23,000V 이상의 절연성을 나타낸다.The hydrotreated heavy naphtha and isoparaffin hydrocarbons are components that serve as a base of the cleaning composition for electronic components having insulation according to the present invention, and serve to impart insulation to the cleaning composition. Electronic parts cleaned with a cleaning composition containing

또한, 상기 수첨 처리 중질 나프타 및 이소파라핀 탄화수소는 휘발성을 나타내므로, 본 발명에 따른 세척제로 PCB 등과 같은 전자부품을 세척한 후에 전자부품의 표면에 세척제의 잔유물이 줄어들게 하는 역할을 한다.In addition, since the hydrotreated heavy naphtha and isoparaffin hydrocarbons exhibit volatility, the cleaning agent according to the present invention serves to reduce the residue of the cleaning agent on the surface of the electronic component after washing the electronic component such as a PCB.

또한, 상기 수첨 처리 중질 나프타와 이소파라핀 탄화수소는 본 발명에 따른 세척제 조성물의 비전도성을 증가시키며, 상기 1,1-디클로로에탄과 반응을 통해 본 발명에 따른 세척제 조성물이 전자부품의 표면에 잔존하는 지방성분에 잘 녹게하는 역할을 한다.In addition, the hydrotreated heavy naphtha and isoparaffin hydrocarbons increase the non-conductivity of the detergent composition according to the present invention, and the detergent composition according to the present invention remains on the surface of the electronic component through reaction with the 1,1-dichloroethane. It plays a role in dissolving fats well.

또한, 보다 상세하게는, 상기 절연성을 갖는 세척제 조성물은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 25 내지 40 중량부 및 디클로로메테인 25 내지 40 중량부로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, more specifically, the cleaning composition having the insulating properties is 1,1-dichloroethane 25 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffin hydrocarbons, and mixtures thereof. It is preferable that it consists of 25-40 weight part of dichloromethane and a part.

상기 1,1-디클로로에탄의 경우, 녹는점이 -96.7℃이고, 끓는점이 57.3℃인 무색의 액체로, 전자부품의 표면에 잔족하는 지방성분을 녹이는 역할을 하여, 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물에 세척력을 부여하는 역할을 한다.In the case of 1,1-dichloroethane, it is a colorless liquid with a melting point of -96.7° C. and a boiling point of 57.3° C., and serves to dissolve fat components remaining on the surface of electronic components, thereby providing insulation according to the present invention. It serves to impart cleaning power to the cleaning composition for parts.

또한, 상기 1,1-디클로로에탄은 본 발명에 따른 세척제 조성물로 전자부품을 세척한 후에 전자부품의 표면에 잔존하는 잔유물의 양을 줄여주는 역할을 함에 따라 25 내지 40 중량부가 함유됨이 바람직하다. In addition, the 1,1-dichloroethane is preferably contained in 25 to 40 parts by weight as it serves to reduce the amount of residues remaining on the surface of the electronic component after washing the electronic component with the cleaning agent composition according to the present invention. .

이때, 상기 1,1-디클로로에탄의 함량이 25 중량부 미만이면, 세척제 조성물의 세척효율이 저하될 수 있으며, 반면에 상기 1,1-디클로로에탄의 함량이 40 중량부를 초과하게 되면 세척력은 향상되나, 전자부품의 표면에 부식현상이 발생할 수 있으므로 바람직하지 않다.At this time, if the content of 1,1-dichloroethane is less than 25 parts by weight, the cleaning efficiency of the cleaning composition may decrease, whereas if the content of 1,1-dichloroethane exceeds 40 parts by weight, the cleaning power is improved However, it is not preferable because corrosion may occur on the surface of the electronic component.

또한, 더욱 상세하게는, 상기 세척제 조성물은, 상술한 세척력 및 부식억제 효과에서 가장 우수한 효과를 나타내는 범위로서, 상기 1,1-디클로로에탄은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 33.3 중량부가 혼합됨이 가장 바람직할 수 있다.In addition, in more detail, the cleaning composition is a range showing the most excellent effect in the above-described cleaning power and corrosion inhibitory effect, wherein the 1,1-dichloroethane is hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof. It may be most preferable to mix 33.3 parts by weight of 1,1-dichloroethane with respect to 100 parts by weight of at least one selected from the group.

또한, 상기 디클로로메테인의 경우, 냉매제의 일종으로 전자부품에 함유된 오염물로 인한 온도상승을 2 내지 5℃ 정도 감소시키는 역할을 하여 전자부품이 열에 의해 변형되거나 부식되는 것을 억제하는 역할을 한다.In addition, in the case of the dichloromethane, as a kind of refrigerant, it serves to reduce the temperature rise due to contaminants contained in electronic components by 2 to 5° C., thereby inhibiting deformation or corrosion of electronic components by heat.

또한, 상기 디클로로메테인은 비부식성을 나타내며, 복합적인 스케일 성분이나 지방성분을 잘 녹이기 때문에, 전자부품의 표면에 잔존하는 지방질의 오염물질을 제거하는 역할을 하며, 휘발성을 나타내어 세척제 조성물로 전자부품을 세척한 후에는 전자부품의 표면에 잔유물을 남기지 않는다.In addition, the dichloromethane exhibits non-corrosive properties, and because it dissolves complex scale components or fat components well, it serves to remove fatty contaminants remaining on the surface of electronic components, and exhibits volatility, so that it can be used as a cleaning agent composition for electronic components. After cleaning, it does not leave any residue on the surface of electronic components.

또한, 상기 디클로로메테인은 상기 1,1-디클로로에탄에 잘 녹기 때문에 본 발명에 따른 세정제 조성물이 안정한 형태로 제조되도록 하는 역할을 한다.In addition, since the dichloromethane is well soluble in the 1,1-dichloroethane, it serves to prepare the cleaning composition according to the present invention in a stable form.

또한, 상기 디클로로메테인은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 25 내지 40 중량부가 함유됨이 바람직하다.In addition, the dichloromethane is preferably contained in 25 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof.

이때, 상기 디클로로메테인의 함량이 25 중량부 미만이면, 상기에 나열한 효과가 미미해지며, 상기 디클로로메테인의 함량이 40 중량부를 초과하게 되면 오존층파괴물질 사용제한 한계범위를 벗어나게 되어 오존층을 파괴하는 성분이 다량방출되며, 전자부품의 열에 의한 변형효과를 증가시켜 PCB와 같은 전자부품에서는 층분리 현상이 발생할 수 있으므로 바람직하지 않다.At this time, if the content of dichloromethane is less than 25 parts by weight, the effects listed above are insignificant, and if the content of dichloromethane exceeds 40 parts by weight, it is outside the limit of use of ozone-depleting substances and destroys the ozone layer It is not preferable because a large amount of the component is emitted, and the effect of deformation due to heat of the electronic component is increased, so that a layer separation phenomenon may occur in an electronic component such as a PCB.

또한, 더욱 상세하게는, 상기 세척제 조성물의 경우, 상술한 전자부품의 온도감소, 세척력 및 전자부품 변형억제 등에서 가장 우수한 효과를 나타내는 범위로서, 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 디클로로메테인 33.3 중량부가 혼합됨이 가장 바람직할 수 있다.In addition, in more detail, in the case of the cleaning agent composition, as a range showing the most excellent effect in the temperature reduction, cleaning power, and electronic component deformation suppression of the above-described electronic components, hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof It may be most preferable to mix 33.3 parts by weight of dichloromethane with respect to 100 parts by weight of at least one selected from the group.

다음으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법은 원료투입단계(S101), 제1교반단계(S103) 및 제2교반단계(S105)를 포함하여 이루어진다.Next, as shown in FIG. 1 , the method for manufacturing a cleaning composition for electronic components having insulation according to the present invention includes a raw material input step (S101), a first stirring step (S103), and a second stirring step (S105). made including

상세하게는, 교반기에 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 투입하는 원료투입단계(S101), 상기 원료투입단계(S101)를 거친 교반기에 1,1-디클로로에탄을 투입하고 교반하는 제1교반단계(S103) 및 상기 제1교반단계(S103)를 거친 교반기에 디클로로메테인을 투입하고 교반하는 제2교반단계(S105)로 이루어진다.Specifically, a raw material input step (S101) of adding at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof to the stirrer (S101), 1, It consists of a first stirring step (S103) of adding 1-dichloroethane and stirring, and a second stirring step (S105) of adding dichloromethane to the stirrer that has undergone the first stirring step (S103) and stirring.

상기 원료투입단계(S101)는 교반기에 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 투입하는 단계로서, 보다 상세하게는, 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소를 20 내지 40℃의 온도로 가열된 교반기에 투입하고, 교반기를 700 내지 900rpm의 속도로 5 내지 15 동안 회전시켜, 상기 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소가 후술할 제1교반단계를 통해 투입되는 1,1-디클로로에탄과의 효율적으로 반응할 수 있도록 처리하는 단계다.The raw material input step (S101) is a step of adding one or more selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof to the stirrer, and more specifically, hydrotreated heavy naphtha and/or iso Paraffin hydrocarbons are put into a stirrer heated to a temperature of 20 to 40° C., and the stirrer is rotated at a speed of 700 to 900 rpm for 5 to 15, so that the hydrotreated heavy naphtha and/or isoparaffinic hydrocarbons are produced in a first stirring step to be described later. It is a step of treating so that it can efficiently react with 1,1-dichloroethane input through the

상기 제1교반단계(S103)는 상기 원료투입단계(S101)를 거친 교반기에 1,1-디클로로에탄을 투입하고 교반하는 단계로서, 교반 시에 20 내지 40℃의 온도에서 5 내지 15분 동안 700 내지 900rpm의 회전속도로 교반함이 바람직하다.The first stirring step (S103) is a step of adding 1,1-dichloroethane to the stirrer that has undergone the raw material input step (S101) and stirring. It is preferable to stir at a rotation speed of from 900 rpm.

이는, 반응물이 충분히 혼합되기 위한 최적의 조건으로서, 20℃ 미만의 온도에서 5분 미만으로 교반시킬 경우, 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소와, 상기 1,1-디클로로에탄이 고르게 혼합되지 못하여, 충분한 반응 효율을 얻을 수 없어 바람직하지 않으며, 반면 40℃ 초과의 온도에서 15분 초과하여 반응시킬 경우, 높은 온도로 인해 오히려 반응 효율이 떨어져 경제적이지 못한 문제점이 존재함에 따라 바람직하지 않다.This is an optimal condition for sufficiently mixing the reactants. When the mixture is stirred for less than 5 minutes at a temperature of less than 20° C., the hydrotreated heavy naphtha and/or isoparaffin hydrocarbons and the 1,1-dichloroethane are not mixed evenly. Therefore, it is not preferable because sufficient reaction efficiency cannot be obtained. On the other hand, when the reaction is carried out for more than 15 minutes at a temperature of more than 40 ° C., it is not preferable as there is a problem that the reaction efficiency is rather low due to the high temperature, which is not economical.

또한, 상기 교반기 회전속도가 700rpm 이하면 교반과정이 제대로 진행되지 않아 교반시간이 길어지며, 상기 교반속도가 900rpm을 초과하게 되면, 상기 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소와 상기 1,1-디클로로에탄의 마찰계수가 한계수치를 초과하게 되는 문제점이 발생하여 바람직하지 않다.In addition, if the stirrer rotation speed is 700 rpm or less, the stirring process does not proceed properly and the stirring time is prolonged. When the stirring speed exceeds 900 rpm, the hydrotreated heavy naphtha and/or isoparaffin hydrocarbons and the 1,1- It is not preferable because the problem that the friction coefficient of dichloroethane exceeds the limit value occurs.

또한, 상기 제1교반단계(S103)에서 1,1-디클로로에탄은 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 25 내지 40중량부가 혼합됨이 바람직하다.In addition, in the first stirring step (S103), 1,1-dichloroethane is mixed with 25 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof. It is preferable to be

이때, 상기 1,1-디클로로에탄의 함량이 25 중량부 미만이면, 세척제 조성물의 세척효율이 저하될 수 있으며, 반면에 상기 1,1-디클로로에탄의 함량이 40 중량부를 초과하게 되면 세척력은 향상되나, 전자부품의 표면에 부식현상이 발생할 수 있으므로 바람직하지 않다.At this time, if the content of 1,1-dichloroethane is less than 25 parts by weight, the cleaning efficiency of the cleaning composition may decrease, whereas if the content of 1,1-dichloroethane exceeds 40 parts by weight, the cleaning power is improved However, it is not preferable because corrosion may occur on the surface of the electronic component.

또한, 상기 제1교반단계(S103)에서 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상에 1,1-디클로로에탄과 디클로로메테인을 한번에 혼합하게 되면, 각 성분이 고르게 혼합되지 않기 때문에, 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소에 상기 1,1-디클로로에탄을 우선적으로 혼합하고, 후술할 제2교반단계(S105)를 통해 디클로로메테인을 추가적으로 투입하여 교반하는 것이 바람직하다.In addition, in the first stirring step (S103), when 1,1-dichloroethane and dichloromethane are mixed at one time with at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof, each Since the components are not mixed evenly, the 1,1-dichloroethane is preferentially mixed with the hydrotreated heavy naphtha and/or isoparaffin hydrocarbons, and dichloromethane is additionally added through the second stirring step (S105) to be described later. Stirring is preferred.

상기 제2교반단계(S105)는 상기 제1교반단계(S103)를 거친 교반기에 디클로로메테인을 투입하고 교반하는 단계로, 상세하게는, 상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 디클로로메테인 25 내지 40 중량부를 투입함이 바람직하다.The second stirring step (S105) is a step of adding dichloromethane to the stirrer that has undergone the first stirring step (S103) and stirring, in detail, the hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof. It is preferable to add 25 to 40 parts by weight of dichloromethane based on 100 parts by weight of at least one selected from the group consisting of.

상기 디클로로메테인의 함량이 25 중량부 미만이면, 상기에 나열한 효과가 미미해지며, 상기 디클로로메테인의 함량이 40 중량부를 초과하게 되면 오존층파괴물질 사용제한 한계범위를 벗어나게 되어 오존층을 파괴하는 성분이 다량방출되며, 전자부품의 열에 의한 변형효과를 증가시켜 PCB와 같은 전자부품에서는 층분리 현상이 발생할 수 있으므로 바람직하지 않다.If the content of dichloromethane is less than 25 parts by weight, the effects listed above are insignificant, and when the content of dichloromethane exceeds 40 parts by weight, it is outside the limit of use of ozone-depleting substances, and the component that destroys the ozone layer It is undesirable because it is emitted in a large amount and increases the deformation effect by heat of the electronic component, which may cause layer separation in electronic components such as PCB.

아울러, 상기 제2교반단계(S105)는 20 내지 40℃의 온도에서 5 내지 15분 동안 700 내지 900rpm의 회전속도로 교반됨이 바람직하다.In addition, the second stirring step (S105) is preferably stirred at a temperature of 20 to 40 ℃ for 5 to 15 minutes at a rotation speed of 700 to 900rpm.

이는, 반응물이 충분히 혼합되기 위한 최적의 조건으로서, 20℃ 미만의 온도에서 5분 미만으로 교반시킬 경우, 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소와, 상기 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인이 고르게 혼합되지 못하여, 충분한 반응 효율을 얻을 수 없어 바람직하지 않으며, 반면 40℃ 초과의 온도에서 15분 초과하여 반응시킬 경우, 높은 온도로 인해 오히려 반응 효율이 떨어져 경제적이지 못한 문제점이 존재함에 따라 바람직하지 않다.This is the optimum condition for sufficient mixing of the reactants, and when stirred for less than 5 minutes at a temperature of less than 20° C., hydrotreated heavy naphtha and/or isoparaffinic hydrocarbons with the 1,1-dichloroethane and dichloromethane This is not uniformly mixed, so it is not possible to obtain sufficient reaction efficiency, and on the other hand, when the reaction is carried out at a temperature of more than 40 ° C. for more than 15 minutes, the reaction efficiency is rather low due to the high temperature, which is not economical don't

또한, 상기 교반기 회전속도가 700rpm 이하면 교반과정이 제대로 진행되지 않아 교반시간이 길어지며, 상기 교반속도가 900rpm을 초과하게 되면, 상기 수첨 처리 중질 나프타 및/또는 이소파라핀 탄화수소와 상기 1,1-디클로로에탄 및 상기 디클로로메테인의 마찰계수가 한계수치를 초과하게 되는 문제점이 발생하여 바람직하지 않다.In addition, when the stirrer rotation speed is 700 rpm or less, the stirring process does not proceed properly and the stirring time is prolonged. When the stirring speed exceeds 900 rpm, the hydrotreated heavy naphtha and/or isoparaffinic hydrocarbons and the 1,1- It is not preferable because there is a problem that the friction coefficient of dichloroethane and the dichloromethane exceeds a limit value.

이상으로 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법에 대한 설명을 마친다.This concludes the description of the method for manufacturing the cleaning composition for electronic components having insulation according to the present invention.

이하에서는, 본 발명에 따른 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법 및 그 제조방법을 통해 제조된 세척제 조성물의 세정효과를 실시예를 들어 설명하기로 한다.Hereinafter, a method for manufacturing a cleaning agent composition for electronic components according to the present invention and a cleaning effect of the cleaning agent composition prepared through the production method will be described with reference to Examples.

<실시예 1><Example 1>

수첨 처리 중질 나프타 및 이소파라핀 탄화수소 100 중량부를 교반기에 투입하고, 30℃의 온도에서 800rpm의 속도로 10분간 교반시켜 원료투입단계를 진행하였으며, 상기 원료투입단계를 거친 상기 교반기에 1,1-디클로로에탄 33.3 중량부를 투입하고, 30℃의 온도에서 800rpm의 속도로 10분간 교반시켜 제1교반단계를 진행하였으며, 상기 제1교반단계를 거친 교반기에 디클로로메테인 33.3 중량부를 투입하고, 30℃의 온도에서 800rpm의 속도로 10분 동안 제2교반단계를 최종 진행함으로써, 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물을 제조하였다.100 parts by weight of hydrotreated heavy naphtha and isoparaffinic hydrocarbons were put into a stirrer, stirred at a temperature of 30° C. at a speed of 800 rpm for 10 minutes to proceed with the raw material input step, and 1,1-dichloro 33.3 parts by weight of ethane was added, and the first stirring step was performed by stirring at a temperature of 30° C. at a speed of 800 rpm, and 33.3 parts by weight of dichloromethane was added to the stirrer that had undergone the first stirring step, and the temperature of 30° C. By finally performing the second stirring step for 10 minutes at a speed of 800 rpm, a cleaning composition for electronic components having insulation properties was prepared.

<비교예 1><Comparative Example 1>

상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 수첨 처리 중질 나프타 및 이소파라핀 탄화수소 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 76 중량부, 디클로로메테인 24 중량부를 혼합하여 세척제 조성물을 제조하였다.A detergent composition was prepared by mixing 76 parts by weight of 1,1-dichloroethane and 24 parts by weight of dichloromethane with respect to 100 parts by weight of hydrotreated heavy naphtha and isoparaffinic hydrocarbons.

<비교예 2><Comparative Example 2>

상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 수첨 처리 중질 나프타 및 이소파라핀 탄화수소 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 24 중량부, 디클로로메테인 76 중량부를 혼합하여 세척제 조성물을 제조하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that 24 parts by weight of 1,1-dichloroethane and 76 parts by weight of dichloromethane were mixed with respect to 100 parts by weight of hydrotreated heavy naphtha and isoparaffin hydrocarbons to prepare a detergent composition.

상기 실시예 1과, 비교예 1 및 2를 통해 제조된 세척제 조성물로 가로 150mm×세로 150mm인 PCB를 세척하였으며, 세척된 PCB의 절연파괴전압, ODS 규제물질(오존층 파괴성분) 방출여부, 인화점 및 동판부식성 여부를 측정였으며, 그 결과는 표 1에 나타내었다.The PCB having a width of 150 mm x a height of 150 mm was washed with the cleaning agent composition prepared in Example 1 and Comparative Examples 1 and 2, and the insulation breakdown voltage of the cleaned PCB, whether ODS regulated substances (ozone layer destructive components) were released, flash point and Copper plate corrosion was measured, and the results are shown in Table 1.

Figure pat00001
Figure pat00001

위의 표 1에 나타난 것처럼, 본 발명에 따른 실시예 1을 통해 제조된 세척제 조성물은 비교예 1 및 2 대비하여, 23kV 이상의 우수한 절연파괴전압을 나타낼 뿐만 아니라, ODS 규제물질과 같은 환경오염물질을 방출하지 않아 인체에 유해하지 않으므로 친환경성을 나타내는 것이 확인되었다.As shown in Table 1 above, the cleaning composition prepared in Example 1 according to the present invention not only exhibited an excellent dielectric breakdown voltage of 23 kV or more, compared to Comparative Examples 1 and 2, but also contained environmental pollutants such as ODS regulated substances. Since it does not emit, it is not harmful to the human body, so it was confirmed that it shows eco-friendliness.

또한, 실시예 1의 경우,40℃ 이상으로 인화점이 높아 보다 안정성이 향상될 뿐만 아니라, 동판에 대해 비부식성을 나타냄이 확인되었다.In addition, in the case of Example 1, it was confirmed that the flash point was higher than 40° C., which not only improved stability, but also exhibited non-corrosiveness to the copper plate.

또한, 상기 실시예 1을 통해 제조된 세척제 조성물로 PCB(가로 150mm×세로 150mm) 표면을 세척하되, 세척 전후 PCB 표면에서 검출되는 각 성분의 검출량 변화를 하기 표 2에 나타내었다.In addition, the surface of the PCB (width 150mm × length 150mm) was washed with the cleaning agent composition prepared in Example 1, but changes in the detection amount of each component detected on the PCB surface before and after washing are shown in Table 2 below.

(단, 세척 후에 각 성분의 감소량이 60%를 초과할 경우에는 ○, 감소량이 20 내지 60% 경우에는 △, 감소량이 20% 미만일 경우에는 ×로 표기함.)(However, if the reduction of each component after washing exceeds 60%, indicate ○, if the decrease is 20 to 60%, △, and if the decrease is less than 20%, indicate ×.)

Figure pat00002
Figure pat00002

위의 표 2에 나타난 것처럼, 본 발명의 실시예 1을 통해 제조된 세척제 조성물은 PCB 표면에 부착된 오염물질인 각 성분의 검출량이 최소 20% 이상 감소되도록 제거함은 물론, 도 2에 도시된 바와 같이, PCB 표면의 오염물질을 효과적으로 제거함에 따라 우수한 세척효과를 나타냄이 입증되었다.As shown in Table 2 above, the cleaning composition prepared in Example 1 of the present invention removes the detected amount of each component, which is a contaminant attached to the PCB surface, by at least 20% or more, as well as as shown in FIG. Likewise, it has been proven that it has an excellent cleaning effect as it effectively removes contaminants from the surface of the PCB.

또한, 1) 오염물질이 존재하지 않는 PCB와, 2) 철 분말로 오염된 PCB 및 3)철 분말로 오염되되, 본 발명의 실시예 1을 통해 제조된 세척제 조성물로 세척된 PCB 각각을 50℃ 오븐에서 5 내지 15분 동안 방치한 후에 PCB 표면의 온도변화를 측정하여, 하기의 표 3에 나타내었다.In addition, 1) a PCB free from contaminants, 2) a PCB contaminated with iron powder, and 3) a PCB contaminated with iron powder, each of which was washed with the cleaning composition prepared in Example 1 of the present invention at 50 ° C. After standing in the oven for 5 to 15 minutes, the temperature change of the PCB surface was measured, and it is shown in Table 3 below.

단, 도 3에 도시된 바와 같이, PCB 표면의 온도변화는 1 내지 5의 지점을 임의로 선정하여 측정하였다.However, as shown in FIG. 3, the temperature change of the PCB surface was measured by randomly selecting points 1 to 5.

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 표 3에 나타난 것처럼, 철 분말로 오염되되, 본 발명의 실시예 1을 통해 제조된 세척제 조성물로 세척된 PCB의 경우, PCB 표면에 먼지 등의 이물질 제거효율이 우수함은 물론, 철 분말로 오염된 PCB 대비하여 PCB의 표면온도를 2 내지 5℃ 낮추는 효과가 우수함이 확인되었다.As shown in Table 3, in the case of the PCB contaminated with iron powder, but washed with the cleaning agent composition prepared in Example 1 of the present invention, the efficiency of removing foreign substances such as dust from the PCB surface is excellent, as well as being contaminated with iron powder It was confirmed that the effect of lowering the surface temperature of the PCB by 2 to 5°C was excellent compared to the printed PCB.

즉, 본 발명에 따른 세척제 조성물의 경우, 전자부품이 열에 의해 변형 및 부식되는 것을 방지하고 전자제품을 보호하는 효과가 있음을 확인할 수 있다.That is, in the case of the cleaning composition according to the present invention, it can be confirmed that the electronic components are prevented from being deformed and corroded by heat and have the effect of protecting the electronic products.

이상으로 본 발명에 따른 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물 및 그 제조방법에 관한 설명을 마치며, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다. The above is the end of the description of the cleaning composition for electronic components having insulation and the manufacturing method thereof according to the present invention, the present invention is not limited to the above-described embodiment, the scope of application is varied, as well as claimed in the claims It goes without saying that various modifications may be made without departing from the gist of the present invention.

S101 : 원료투입단계
S103 : 제1교반단계
S105 : 제2교반단계
S101: Raw material input step
S103: first stirring step
S105: second stirring step

Claims (7)

수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상, 1,1-디클로로에탄 및 디클로로메테인으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물.
At least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof, 1,1-dichloroethane and dichloromethane.
제 1 항에 있어서,
상기 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물은,
상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 25 내지 40 중량부 및 디클로로메테인 25 내지 40 중량부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물.
The method of claim 1,
The cleaning composition for electronic components having the insulation,
25 to 40 parts by weight of 1,1-dichloroethane and 25 to 40 parts by weight of dichloromethane based on 100 parts by weight of at least one selected from the group consisting of the hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof A cleaning composition for electronic components having insulating properties.
교반기에 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 투입하는 원료투입단계;
상기 원료투입단계를 거친 교반기에 1,1-디클로로에탄을 투입하고 교반하는 제1교반단계; 및
상기 제1교반단계를 거친 교반기에 디클로로메테인을 투입하고 교반하는 제2교반단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법.
A raw material input step of adding at least one selected from the group consisting of hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbons, and mixtures thereof to the stirrer;
A first stirring step of adding 1,1-dichloroethane to the stirrer that has undergone the raw material input step and stirring; and
A method of manufacturing a cleaning composition for electronic components having insulation, comprising: a second stirring step of adding dichloromethane to the stirrer that has undergone the first stirring step and stirring.
제 3 항에 있어서,
상기 제1교반단계는,
상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 1,1-디클로로에탄 25 내지 40 중량부를 혼합하는 것을 특징으로 하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법.
4. The method of claim 3,
The first stirring step is,
For electronic components having insulation, characterized in that 25 to 40 parts by weight of 1,1-dichloroethane are mixed with respect to 100 parts by weight of at least one selected from the group consisting of the hydrotreated heavy naphtha, isoparaffin hydrocarbons, and mixtures thereof A method for preparing a cleaning composition.
제 3 항에 있어서,
상기 제2교반단계는,
상기 수첨 처리 중질 나프타, 이소파라핀 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 100 중량부에 대하여 디클로로메테인 25 내지 40 중량부를 혼합하는 것을 특징으로 하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법.
4. The method of claim 3,
The second stirring step is,
The hydrotreated heavy naphtha, isoparaffinic hydrocarbon, and at least one selected from the group consisting of isoparaffinic hydrocarbons and mixtures thereof with 25 to 40 parts by weight of dichloromethane with respect to 100 parts by weight of a cleaning composition for electronic components having insulation properties manufacturing method.
제 3 항에 있어서,
상기 제1교반단계 및 상기 제2교반단계는,
20 내지 40℃의 온도에서 5 내지 15분 동안 교반되는 것을 특징으로 하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법.
4. The method of claim 3,
The first stirring step and the second stirring step,
Method for producing a cleaning composition for electronic components having insulation, characterized in that the stirring for 5 to 15 minutes at a temperature of 20 to 40 ℃.
제 3 항에 있어서,
상기 제1교반단계 및 상기 제2교반단계는,
700 내지 900rpm의 회전속도로 교반되는 것을 특징으로 하는 절연성을 갖는 전자부품용 세척제 조성물의 제조방법.
4. The method of claim 3,
The first stirring step and the second stirring step,
A method of manufacturing a cleaning composition for electronic components having insulation, characterized in that the stirring is performed at a rotation speed of 700 to 900 rpm.
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