KR20220072762A - Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium - Google Patents

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츠요시 와타나베
마사시 츠치야마
스구루 에노키다
타로 야마모토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 처리 장치에 있어서의 스루풋을 높게 하고, 또한 점유 바닥 면적을 억제한다. 캐리어 블록의 캐리어 배치부에 대하여 평면에서 봤을 때, 좌우 중 일방에 마련되는 하나의 처리 블록 및 다른 처리 블록과, 캐리어 블록에 마련된 제 1 반송 기구를 구비하는 기판의 반송 영역과, 제 1 반송 기구, 하나의 처리 블록의 주반송 기구, 다른 처리 블록의 주반송 기구에 의해 각각 기판이 전달되는 제 1 배치부, 제 2 배치부, 제 3 배치부가 서로 세로 방향으로 중첩되어 구성되고, 또한 평면에서 봤을 때, 제 1 반송 기구에 대하여 전후 중 일방측에 마련되는 배치부의 적층체와, 평면에서 봤을 때, 제 1 반송 기구와 함께 적층체를 전후로부터 개재하도록 반송 영역에 마련되고, 제 1 배치부와 제 2 배치부와의 사이, 제 1 배치부와 제 3 배치부와의 사이에서 각각 기판을 반송하기 위한 제 2 반송 기구를 구비하도록 장치를 구성한다.The throughput in the substrate processing apparatus is increased, and the occupied floor area is suppressed. In a plan view with respect to the carrier arrangement portion of the carrier block, a transfer region of the substrate including one processing block and the other processing block provided on one of the left and right, and a first transfer mechanism provided in the carrier block, and a first transfer mechanism , a first arrangement portion, a second arrangement portion, and a third arrangement portion to which the substrates are respectively transferred by the main transfer mechanism of one processing block and the main transfer mechanism of the other processing block are vertically overlapped with each other, and in plan view It is provided in the conveyance area so that the laminated body of the arrangement|positioning part provided on one side among the front-back with respect to a 1st conveyance mechanism may be interposed from front and back in planar view, and a 1st conveyance mechanism, and a 1st arrangement|positioning part The apparatus is comprised so that the 2nd conveyance mechanism for respectively conveying a board|substrate between a 1st arrangement|positioning part and a 3rd arrangement|positioning part between a 2nd arrangement|positioning part may be provided.

Figure P1020210158595
Figure P1020210158595

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND RECORDING MEDIUM}Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium

본 개시는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium.

반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라 기재함)에 대하여 기판 처리 장치 내의 각종의 처리 모듈 간을 반송함으로써, 액 처리 또는 가열 처리 등의 처리가 행해진다. 웨이퍼는 캐리어에 의해 기판 처리 장치로 반송된다. 특허 문헌 1에는, 당해 캐리어에 대하여 웨이퍼를 전달하는 캐리어 블록을 구비한 기판 처리 장치에 대하여 나타나 있다. 이 캐리어 블록에서는, 다수의 기판의 배치부로 이루어지는 적층체를 개재하도록 반송 기구가 2 개 마련되어 있고, 각 반송 기구는, 배치부 간에서의 웨이퍼의 전달용의 유지부와, 캐리어에 대한 웨이퍼의 전달용의 유지부를 구비한다.In a semiconductor device manufacturing process, a liquid treatment or heat treatment is performed by transferring a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a "wafer") between various processing modules in a substrate processing apparatus. The wafer is conveyed to the substrate processing apparatus by the carrier. Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus provided with a carrier block for transferring a wafer to the carrier. In this carrier block, two conveying mechanisms are provided so as to interpose a laminate comprising a plurality of arrangement units for substrates, and each conveying mechanism includes a holding unit for transferring wafers between arrangement units, and transfer of wafers to the carrier. A dragon holding part is provided.

일본특허공개공보 2013-69916호Japanese Patent Laid-Open No. 2013-69916

본 개시는, 기판 처리 장치에 있어서의 스루풋을 높게 하고, 또한 점유 바닥 면적을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique capable of increasing throughput in a substrate processing apparatus and suppressing an occupied floor area.

본 개시의 기판 처리 장치는, 기판을 저장하는 캐리어가 배치되는 캐리어 배치부를 구비하는 캐리어 블록과,A substrate processing apparatus of the present disclosure includes a carrier block having a carrier arranging unit on which a carrier for storing a substrate is disposed;

상기 기판을 각각 처리하고, 서로 적층되어 마련되는 복수의 처리 모듈과, 상기 복수의 처리 모듈에 공용되어 상기 기판을 반송하는 주반송 기구를 구비하고, 상기 캐리어 배치부에 대하여 평면에서 봤을 때, 좌우 중 일방에 마련되는 하나의 처리 블록과,A plurality of processing modules for processing each of the substrates and being provided to be stacked on each other, and a main transport mechanism for transporting the substrates shared by the plurality of processing modules are provided; One processing block provided on one side of the;

상기 기판을 각각 처리하고, 서로 적층되어 마련되는 복수의 처리 모듈과, 상기 복수의 처리 모듈에 공용되어 상기 기판을 반송하는 주반송 기구를 구비하고, 상기 하나의 처리 블록에 대하여 세로 방향으로 중첩되는 다른 처리 블록과,a plurality of processing modules which each process the substrate and are provided to be stacked on each other, and a main transport mechanism that is shared with the plurality of processing modules to transport the substrate, wherein the processing block is vertically overlapped with respect to the one processing block other processing blocks;

평면에서 봤을 때, 상기 캐리어 배치부와, 상기 하나의 처리 블록 및 상기 다른 처리 블록과의 사이에 개재되도록, 상기 캐리어 블록에 마련되는 상기 기판의 반송 영역과,a transfer region of the substrate provided in the carrier block to be interposed between the carrier arrangement unit and the one processing block and the other processing block in a plan view;

상기 캐리어에 대하여 상기 기판을 전달하기 위하여 상기 반송 영역에 마련되는 제 1 반송 기구와,a first conveying mechanism provided in the conveying area for conveying the substrate with respect to the carrier;

상기 제 1 반송 기구, 상기 하나의 처리 블록의 주반송 기구, 상기 다른 처리 블록의 주반송 기구에 의해 각각 상기 기판이 전달되는 제 1 배치부, 제 2 배치부, 제 3 배치부가 서로 세로 방향으로 중첩되어 구성되고, 또한 평면에서 봤을 때, 상기 제 1 반송 기구에 대하여 전후 중 일방측에 마련되는 배치부의 적층체와,The first arrangement unit, the second arrangement unit, and the third arrangement unit to which the substrates are respectively transferred by the first conveying mechanism, the main conveying mechanism of one processing block, and the main conveying mechanism of the other processing block are arranged in the longitudinal direction with respect to each other. A stacked body of an arrangement portion configured to be overlapped and provided on one side of the front and rear with respect to the first conveying mechanism in a plan view;

평면에서 봤을 때, 상기 제 1 반송 기구와 함께 상기 적층체를 전후로부터 개재하도록 상기 반송 영역에 마련되고, 상기 제 1 배치부와 상기 제 2 배치부와의 사이, 상기 제 1 배치부와 상기 제 3 배치부와의 사이에서 각각 상기 기판을 반송하기 위한 제 2 반송 기구를 구비한다.It is provided in the conveyance area so that the laminated body may be interposed from front and back together with the said 1st conveyance mechanism in plan view, and between the said 1st arrangement|positioning part and the said 2nd arrangement|positioning part, the said 1st arrangement|positioning part and the said 1st arrangement|positioning part A 2nd conveyance mechanism for conveying the said board|substrate between 3 arrangement|positioning parts, respectively is provided.

본 개시는, 기판 처리 장치에 있어서의 스루풋을 높게 하고, 또한 점유 바닥 면적을 억제할 수 있다.According to the present disclosure, the throughput in the substrate processing apparatus can be increased and the occupied floor area can be suppressed.

도 1은 본 개시의 기판 처리 장치의 일실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 횡단 평면도이다.
도 2는 상기 도포, 현상 장치의 종단 정면도이다.
도 3은 상기 도포, 현상 장치의 종단 정면도이다.
도 4는 상기 도포, 현상 장치의 좌측면도이다.
도 5는 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 6은 상기 도포, 현상 장치에 마련되는 반송 기구의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 7은 상기 도포, 현상 장치에 마련되는 반송 기구의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 8은 상기 도포, 현상 장치에 마련되는 반송 기구의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 9는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 반송 경로의 개략도이다.
도 10은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 반송 경로의 개략도이다.
도 11은 상기 도포, 현상 장치에 형성되는 기류를 나타내는 모식도이다.
도 12는 기판 처리 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 나타내는 모식도이다.1 is a cross-sectional plan view of a coating and developing apparatus according to an embodiment of a substrate processing apparatus of the present disclosure.
Fig. 2 is a longitudinal front view of the coating and developing apparatus.
3 is a longitudinal front view of the coating and developing apparatus.
4 is a left side view of the coating and developing apparatus.
5 is a longitudinal side view of the coating and developing apparatus.
Fig. 6 is an explanatory view showing the operation of the conveying mechanism provided in the coating and developing apparatus.
Fig. 7 is an explanatory diagram showing the operation of a conveying mechanism provided in the coating and developing apparatus.
Fig. 8 is an explanatory view showing the operation of the conveying mechanism provided in the coating and developing apparatus.
9 is a schematic diagram of a conveyance path in the coating and developing apparatus.
Fig. 10 is a schematic diagram of a conveyance path in the coating and developing apparatus.
11 is a schematic diagram showing an airflow formed in the coating and developing apparatus.
12 is a schematic diagram illustrating a wafer transfer path in a substrate processing apparatus.

본 개시의 기판 처리 장치의 일실시 형태에 따른 도포, 현상 장치(1)에 대하여, 도 1의 횡단 평면도, 도 2, 도 3의 종단 정면도를 각각 참조하여 설명한다. 도 2, 도 3에 대해서는 장치의 상이한 위치의 단면을 나타내고 있다. 도포, 현상 장치(1)는, 캐리어 블록(D1)과, 제 1 처리 블록(D2)과, 제 2 처리 블록(D3)과, 인터페이스 블록(D4)이 이 순으로 가로 방향으로 직선 형상으로 배열되고, 이웃하는 블록끼리가 서로 접속되어 있다. 이들 블록(캐리어 블록, 제 1 및 제 2 처리 블록, 인터페이스 블록)(D1 ~ D4)은 각각 하우징을 구비하여 서로 구획되어 있고, 각 하우징의 내부에 기판인 웨이퍼(W)의 반송 영역이 형성되어 있다.A coating and developing apparatus 1 according to an embodiment of the substrate processing apparatus of the present disclosure will be described with reference to a transverse plan view of FIG. 1 and a longitudinal front view of FIGS. 2 and 3 , respectively. 2 and 3 show cross-sections at different positions of the device. In the coating and developing apparatus 1, a carrier block D1, a first processing block D2, a second processing block D3, and an interface block D4 are arranged in a straight line in the horizontal direction in this order. and adjacent blocks are connected to each other. These blocks (carrier blocks, first and second processing blocks, interface blocks) D1 to D4 are each provided with a housing and are partitioned from each other, and a transfer area for the wafer W, which is a substrate, is formed inside each housing. have.

이후의 설명에 있어, 이들 블록(D1 ~ D4)의 배열 방향을 좌우 방향으로 하고, 캐리어 블록(D1)측을 좌측, 인터페이스 블록(D4)을 우측으로 한다. 또한, 장치의 전후 방향에 대하여, 캐리어 블록(D1)을 왼쪽으로 봤을 때의 앞을 전방, 안쪽을 후방으로 한다. 중계 블록인 인터페이스 블록(D4)에는, 우측으로부터 노광기(20)가 접속되어 있다.In the following description, the arrangement direction of these blocks D1 to D4 is set to the left-right direction, the carrier block D1 side is set to the left, and the interface block D4 is set to the right. In addition, with respect to the front-back direction of an apparatus, let the front when the carrier block D1 is seen to the left the front, and let the inside be the back. The exposure machine 20 is connected to the interface block D4 which is a relay block from the right side.

블록(D1 ~ D4)의 각각에 대하여 상세하게 설명하기 전에, 도포, 현상 장치(1)의 개략 구성을 기술한다. 도포, 현상 장치(1)에는, 예를 들면 FOUP(Front Opening Unify Pod)이라 불리는 캐리어(C)에 저장된 상태로 웨이퍼(W)가 반송된다. 도포, 현상 장치(1)는, 레지스트를 포함하는 각종의 도포액을 웨이퍼(W)에 공급하는 것에 의한 도포막의 형성과, 노광기(20)에 의해 노광된 레지스트막의 현상을 행한다.Before describing each of the blocks D1 to D4 in detail, a schematic configuration of the coating and developing apparatus 1 will be described. The wafer W is conveyed to the coating and developing apparatus 1 in a state stored in a carrier C called, for example, a FOUP (Front Opening Unify Pod). The coating and developing apparatus 1 forms a coating film by supplying various coating liquids containing a resist to the wafer W, and develops the resist film exposed by the exposure machine 20 .

제 1 처리 블록(좌측의 처리 블록)(D2) 및 제 2 처리 블록(우측의 처리 블록)(D3)은, 각각 세로 방향에 있어서 2 분할되도록 구획되어 있다. 그와 같이 서로 구획된 제 1 처리 블록(D2)의 하측, 상측을 각각 제 1 하측 처리 블록(D21), 제 1 상측 처리 블록(D22)으로 한다. 또한, 서로 구획된 제 2 처리 블록(D3)의 하측, 상측을 각각 제 2 하측 처리 블록(D31), 제 2 상측 처리 블록(D32)으로 한다. 따라서, 제 1 하측 처리 블록(D21) 및 제 1 상측 처리 블록(D22)은 서로 적층되고, 제 2 하측 처리 블록(D31) 및 제 2 상측 처리 블록(D32)은 서로 적층된다. 그리고, 제 1 하측 처리 블록(D21) 및 제 1 상측 처리 블록(D22)이 서로 인접하고, 제 2 하측 처리 블록(D31) 및 제 2 상측 처리 블록(D32)이 서로 인접한다.The first processing block (the processing block on the left) D2 and the second processing block (the processing block on the right) D3 are each partitioned so as to be divided into two in the vertical direction. The lower side and the upper side of the first processing block D2 partitioned from each other in this way are referred to as the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22, respectively. In addition, the lower side and upper side of the mutually partitioned second processing block D3 are referred to as the second lower processing block D31 and the second upper processing block D32, respectively. Accordingly, the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 are stacked on each other, and the second lower processing block D31 and the second upper processing block D32 are stacked on each other. The first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 are adjacent to each other, and the second lower processing block D31 and the second upper processing block D32 are adjacent to each other.

이들 처리 블록(D21, D22, D31, D32)의 각각이 처리 모듈과, 처리 모듈에 대한 전달이 가능한 반송 기구(주반송 기구)를 구비한다. 또한, 제 1 상측 처리 블록(D22) 및 제 2 상측 처리 블록(D32)에는, 그와 같이 처리 모듈로 전달하는 반송 기구와는 별도의 반송 기구가 각각 마련된다. 당해 별도의 반송 기구에 대하여, 이후에는 셔틀로서 기재한다. 이 셔틀은, 처리 모듈을 경유하지 않도록 웨이퍼(W)를 하류측의 블록을 향해 반송하는 바이패스 반송 기구이며, 당해 셔틀이 마련되는 제 1 상측 처리 블록(D22) 및 제 2 상측 처리 블록(D32)은, 바이패스 반송로 형성 블록이다.Each of these processing blocks D21, D22, D31, and D32 includes a processing module and a conveying mechanism (main conveying mechanism) capable of transferring to the processing module. In addition, in the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32, a conveying mechanism separate from the conveying mechanism for transmitting to the processing module in this way is provided, respectively. This separate conveyance mechanism is hereinafter described as a shuttle. This shuttle is a bypass transport mechanism for transporting the wafer W toward a block on the downstream side so as not to pass through the processing module, and the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 in which the shuttle is provided. ) is a bypass transport path forming block.

제 1 하측 처리 블록(D21) 및 제 2 하측 처리 블록(D31)은, 캐리어 블록(D1)으로부터 인터페이스 블록(D4)을 향해 웨이퍼(W)를 반송하는 왕로를 형성한다. 그리고, 제 1 상측 처리 블록(D22) 및 제 2 상측 처리 블록(D32)에 대해서는, 노광기(20)에서 노광이 끝난 웨이퍼(W)를, 인터페이스 블록(D4)으로부터 캐리어 블록(D1)을 향해 반송하는 귀로를 형성하고, 서로 동일한 처리를 행할 수 있도록 동일한 종류의 처리 모듈이 마련된다. 당해 귀로에 있어서 웨이퍼(W)는, 제 1 상측 처리 블록(D22) 및 제 2 상측 처리 블록(D32) 중 일방의 블록에 있어서의 반송 기구에 의해 처리 모듈로 반송되어 처리를 받고, 타방의 블록에서는 셔틀에 의해 반송된다.The first lower processing block D21 and the second lower processing block D31 form an outward path for transferring the wafer W from the carrier block D1 to the interface block D4. Then, with respect to the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 , the wafer W that has been exposed by the exposure machine 20 is transferred from the interface block D4 toward the carrier block D1 . A processing module of the same type is provided so as to form a return path to the target and perform the same processing with each other. In the return path, the wafer W is transferred to the processing module by a transfer mechanism in one of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 to receive processing, and the other block is transported by shuttle.

상기의 왕로를 이루는 제 1 하측 처리 블록(D21) 및 제 2 하측 처리 블록(D31)에 대하여 일괄하여 하측 처리 블록(G1), 귀로를 이루는 제 1 상측 처리 블록(D22) 및 제 2 상측 처리 블록(D32)에 대하여 일괄하여 상측 처리 블록(G2)으로서 기재하는 경우가 있다. 지금까지 기술한 바와 같이 하측 처리 블록(G1), 상측 처리 블록(G2)은 서로 세로 방향으로 중첩되는 관계로 되어 있다. 그리고, 상기와 같이 셔틀이 마련됨으로써, 상측 처리 블록(G2)에서는 웨이퍼(W)는 2 개의 반송 경로 중 어느 하나의 경로로 반송된다. 또한 모듈이란 반송 기구(셔틀을 포함함) 이외에서의 웨이퍼(W)가 배치되는 장소, 즉 웨이퍼(W)의 배치부이다. 웨이퍼(W)에 처리를 행하는 모듈을, 상기와 같이 처리 모듈로서 기재하는데, 이 처리로서는 검사를 위하여 화상을 취득하는 것도 포함한다.With respect to the first lower processing block D21 and the second lower processing block D31 constituting the outward path, the lower processing block G1, the first upper processing block D22 and the second upper processing block forming the return path (D32) may be collectively described as the upper processing block G2. As described so far, the lower processing block G1 and the upper processing block G2 have a relationship in which they overlap each other in the vertical direction. And, by providing the shuttle as described above, in the upper processing block G2, the wafer W is conveyed by any one of the two conveyance paths. In addition, a module is a place where the wafer W is arranged other than a conveyance mechanism (including a shuttle), ie, the arrangement|positioning part of the wafer W. A module for processing the wafer W is described as a processing module as described above, and this processing includes acquiring an image for inspection.

이하, 캐리어 블록(D1)에 대하여, 도 4의 측면도도 참조하여 설명한다. 도포, 현상 장치(1)가 설치되는 클린룸 내에 마련되는 도시하지 않는 캐리어용의 반송 기구(외부 반송 기구)에 의해, 당해 캐리어 블록(D1)에 대하여 캐리어(C)가 반입반출된다. 캐리어 블록(D1)은 당해 캐리어(C)에 대하여 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하고, 또한 상측 처리 블록(G2), 하측 처리 블록(G1)에 대하여 웨이퍼(W)를 전달하는 블록이다.Hereinafter, the carrier block D1 will be described with reference to the side view of FIG. 4 as well. The carrier C is carried in and out of the carrier block D1 by a transport mechanism (external transport mechanism) for carriers (not shown) provided in the clean room in which the coating and developing device 1 is installed. The carrier block D1 is a block that carries the wafer W in and out with respect to the carrier C, and transfers the wafer W to the upper processing block G2 and the lower processing block G1.

캐리어 블록(D1)을 구성하는 기술하는 하우징을 11로 한다. 당해 하우징(11)은 각형으로 형성되어 있고, 그 하부측은 좌방으로 돌출되어 지지대(12)를 형성하고 있다. 또한 지지대(12)의 상측에 있어서의 하우징(11)의 좌측면에 대하여, 세로 방향으로 서로 이간된 2 개소가 좌방으로 돌출되어, 각각 지지대(13, 14)를 형성하고 있다. 하방측의 지지대, 상방측의 지지대를 각각 13, 14로 한다.A housing to be described constituting the carrier block D1 is denoted by 11 . The housing 11 is formed in a square shape, and the lower side thereof protrudes to the left to form the support 12 . Moreover, with respect to the left side surface of the housing 11 in the upper side of the support stand 12, two places spaced apart from each other in the longitudinal direction protrude to the left, and form the supports 13 and 14, respectively. The lower support and the upper support are designated as 13 and 14, respectively.

지지대(12 ~ 14)에 대해서는 예를 들면 4 개씩, 전후 방향으로 간격을 두고 캐리어(C)를 배치하는 것이 가능하며, 그와 같이 각각 캐리어(C)를 배치하는 스테이지가 마련되어 있고, 당해 스테이지에 대해서는 좌방에서 봤을 때, 예를 들면 3×4의 행렬 형상으로 배치된다. 또한, 지지대(12)의 좌단부는 지지대(13, 14)보다 좌방측으로 돌출되어 있고, 지지대(12)에 있어서의 스테이지는 당해 지지대(12)의 우측에서, 지지대(13, 14)의 하방 위치에 마련되어 있다. 지지대(12)의 내부는, 기술한 바와 같이 제 1 처리 블록(D2) 및 제 2 처리 블록(D3)에 있어서의 액 처리용의 처리액이 저류된 보틀이 저장되는 영역으로 된다.For the supports 12 to 14, it is possible to arrange the carriers C at intervals in the front-rear direction, for example, four at a time, and a stage for arranging the carriers C respectively in this way is provided, and on the stage When viewed from the left, for example, they are arranged in a 3×4 matrix shape. In addition, the left end of the support 12 protrudes to the left of the supports 13 and 14, and the stage in the support 12 is located on the right side of the support 12 and below the supports 13 and 14. is provided. As described above, the inside of the support 12 is an area in which the bottle in which the processing liquid for liquid processing in the first processing block D2 and the second processing block D3 is stored is stored.

후술하는 캐리어 이동 배치 기구(21)에 의해, 각 스테이지 간에서의 캐리어(C)의 이동 배치가 가능하다. 이 각 스테이지에 대하여 기술하면, 지지대(12, 13)의 각각의 전방측의 2 개의 스테이지는, 장치에 대하여 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하기 위하여 캐리어(C)가 배치되는 이동 스테이지(15)로서 구성되어 있다. 따라서, 합계 4 개의 이동 스테이지(15)는, 좌방에서 봤을 때 2×2의 행렬 형상으로 배치되어 있다. 당해 이동 스테이지(15)는, 상기의 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하기 위한 우방측의 로드 위치와, 캐리어 이동 배치 기구(21)와의 사이에서 캐리어(C)의 전달을 행하기 위한 좌방측의 언로드 위치와의 사이에서 이동한다. 본 예에서는, 지지대(12)의 이동 스테이지(15)는 장치 내로 미처리의 웨이퍼(W)를 내보내기 위하여 캐리어(C)를 배치하는 스테이지, 지지대(13)의 이동 스테이지(15)는 장치에서 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 저장하기 위하여 캐리어(C)를 배치하는 스테이지로서, 용도가 구별된다.By the carrier movement arrangement mechanism 21 mentioned later, movement arrangement|positioning of the carrier C between each stage is possible. In describing each of these stages, the two stages on the front side of each of the supports 12 and 13 are a moving stage 15 on which the carrier C is disposed in order to carry the wafer W into and out of the apparatus. ) is composed of Accordingly, the four moving stages 15 in total are arranged in a 2×2 matrix shape when viewed from the left. The moving stage 15 is on the left side for transferring the carrier C between the rod position on the right side for carrying in/out of the wafer W, and the carrier moving and disposing mechanism 21 . move between the unloading positions of In this example, the moving stage 15 of the support 12 is a stage for placing the carrier C for unloading the raw wafer W into the apparatus, and the moving stage 15 of the support 13 is the processing stage in the apparatus. As a stage for arranging the carrier (C) to store the finished wafer (W), the purpose is distinguished.

다른 스테이지에 대하여 기술하면, 지지대(12, 13)에 있어서의 후측의 2 개의 스테이지 및 지지대(14)에 있어서의 2 개의 스테이지는 임시 배치 스테이지(16)로서 구성되어 있다. 또한, 지지대(14)에 있어서의 다른 2 개의 스테이지는 반입 스테이지(17), 반출 스테이지(18)로서 구성되어 있다. 예를 들면, 지지대(14)의 후단측의 스테이지, 전단측의 스테이지가 각각, 반입 스테이지(17), 반출 스테이지(18)이다. 이들 반입 스테이지(17), 반출 스테이지(18)는, 기술한 외부 반송 기구가 당해 도포, 현상 장치(1)에 대하여 캐리어(C)의 반입, 반출을 각각 행하기 위하여 당해 캐리어(C)가 배치되는 스테이지이다.If another stage is described, the two stages of the rear side in the supports 12 and 13 and the two stages in the support stand 14 are comprised as the temporary arrangement|positioning stage 16. As shown in FIG. In addition, the other two stages in the support stand 14 are comprised as the carrying-in stage 17 and the carrying-out stage 18. As shown in FIG. For example, the stage on the rear end side of the support stand 14 and the stage on the front end side are the carrying-in stage 17 and the carrying-out stage 18, respectively. The carrier C is arranged in these carrying-in stage 17 and carrying-out stage 18 so that the described external transport mechanism carries in and carries out the carrier C with respect to the coating and developing apparatus 1, respectively. It is a stage to be

캐리어(C)는, 반입 스테이지(17) → 지지대(12)의 이동 스테이지(15) → 지지대(13)의 이동 스테이지(15) → 반출 스테이지(18)의 순으로 이동 배치된다. 이와 같이 각 스테이지 간에서 캐리어(C)를 이동 배치함에 있어, 이동 배치처의 스테이지가 비어 있지 않으면(다른 캐리어(C)에 의해 점유되어 있으면), 당해 캐리어(C)는 당해 이동 배치처의 스테이지가 빌 때까지, 임시 배치 스테이지(16)에 배치되어 대기한다.Carrier C is moved in order of carrying-in stage 17 -> moving stage 15 of support stand 12 -> moving stage 15 of support stand 13 -> carrying out stage 18, and is arrange|positioned. In this way, when moving and disposing the carrier C between each stage, if the stage of the moving arrangement destination is not empty (if occupied by another carrier C), the carrier C is moved to the moving arrangement destination stage. It is placed on the temporary placement stage 16 and waits until empty.

지지대(12)의 좌측의 상방에는, 캐리어 이동 배치 기구(21)가 마련된다. 캐리어 이동 배치 기구(21)는, 캐리어(C)의 상부에 마련된 피유지부를 유지할 수 있는 다관절 암(22)과, 당해 다관절 암(22)을 승강 이동 및 전후 이동시킬 수 있는 이동 기구(23)를 구비하고, 기술한 바와 같이 스테이지 간에서 캐리어(C)를 이동 배치할 수 있다.A carrier movement arrangement mechanism 21 is provided above the left side of the support stand 12 . The carrier movement arrangement mechanism 21 includes a multi-joint arm 22 capable of holding a part to be held provided on the upper portion of the carrier C, and a movement mechanism capable of lifting and lowering the multi-joint arm 22 and moving it back and forth ( 23), and as described above, the carrier C can be moved between stages.

하우징(11)의 좌측벽에는, 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하기 위한 반송구(24)가 4 개 형성되어 있고, 상기의 이동 스테이지(15)의 배치에 맞추어 2×2의 행렬 형상으로 형성되어 있다. 각 반송구(24)에는 도어(25)가 마련되어 있다. 당해 도어(25)는 상기의 로드 위치에 있어서의 이동 스테이지(15) 상의 캐리어(C)의 덮개를 유지 가능하고, 또한 당해 덮개를 유지한 상태로 이동하여 반송구(24)를 개폐 가능하다.On the left wall of the housing 11, four transfer ports 24 for carrying in and out of the wafer W are formed, in a 2x2 matrix shape according to the arrangement of the moving stage 15 described above. is formed Each transfer port 24 is provided with a door 25 . The door 25 is capable of holding the cover of the carrier C on the moving stage 15 in the above-described rod position, and can open and close the conveyance port 24 by moving in the state holding the cover.

상기의 반송구(24)는, 하우징(11) 내에 형성되는 웨이퍼(W)의 반송 영역(31)에 면하고 있다. 당해 반송 영역(31)은, 평면에서 봤을 때, 전후로 긴 직선 형상으로 형성되어 있고, 평면에서 봤을 때, 캐리어 배치부인 이동 스테이지(15)와, 제 1 처리 블록(G2)과의 사이에 개재되어 마련되어 있다. 당해 반송 영역(31)의 전방측(전후의 타방측)에는, 반송 기구(32)가 마련되어 있다. 당해 반송 기구(32)는 전후 이동 가능, 승강 가능, 또한 연직축 둘레로 회동 가능한 기대와, 기대 상을 진퇴 가능한 웨이퍼(W)의 유지부를 구비한다. 제 1 반송 기구인 당해 반송 기구(32)는, 기술한 로드 위치에 있어서의 이동 스테이지(15) 상의 캐리어(C)와, 후술하는 모듈 적층체(T1) 및 처리 전 검사 모듈(41)에 액세스하여 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.The transfer port 24 faces the transfer region 31 of the wafer W formed in the housing 11 . The said conveyance area|region 31 is formed in the linear shape elongate back and forth in planar view, and is interposed between the moving stage 15 which is a carrier arrangement part and the 1st process block G2 in planar view. is provided. A conveyance mechanism 32 is provided on the front side (the other side before and behind) of the said conveyance area|region 31. The transfer mechanism 32 includes a base capable of moving forward and backward, elevating and lowering, and rotatable about a vertical axis, and a holding part for the wafer W capable of advancing and retreating on the base. The conveying mechanism 32 which is a 1st conveying mechanism accesses the carrier C on the moving stage 15 in the described rod position, the module stacked body T1 mentioned later, and the pre-processing inspection module 41. Thus, the wafer W can be transferred.

캐리어 블록(D1)에는 제 3 처리 모듈인 처리 전 검사 모듈(41)이 마련되어 있으며, 당해 처리 전 검사 모듈(41)은, 도포, 현상 장치(1)에 의한 처리 전의 웨이퍼(W)의 표면을 촬상한다. 그 촬상에 의해 얻어진 화상 데이터가 후술하는 제어부(10)로 송신되고, 당해 제어부(10)에 의해 당해 화상 데이터에 기초하여 웨이퍼(W)의 이상의 유무의 판정이 행해진다. 처리 전 검사 모듈(41)은 좌우로 좁고 길며 편평한 직육면체 형상의 하우징을 구비하고 있고, 우측이 반송 영역(31)의 전후의 중앙부에 위치하고, 좌측은 하우징(11)의 좌측벽을 관통하여, 당해 하우징(11)의 외측으로 돌출되어 있다.The carrier block D1 is provided with a pre-processing inspection module 41 which is a third processing module, and the pre-processing inspection module 41 inspects the surface of the wafer W before processing by the coating and developing device 1 . take a picture The image data obtained by the imaging is transmitted to a control unit 10 to be described later, and the control unit 10 determines whether there is an abnormality in the wafer W based on the image data. The pre-processing inspection module 41 has a rectangular parallelepiped-shaped housing which is narrow and long from side to side, and the right side is located in the center part before and after the conveyance area 31, and the left side penetrates the left wall of the housing 11, and the It protrudes to the outside of the housing 11 .

처리 전 검사 모듈(41)의 하우징 내에는, 당해 모듈 내를 좌우로 이동 가능한 스테이지(42)와, 스테이지(42)의 이동로의 상방에 마련된 하프 미러(43)와, 하프 미러(43)를 개재하여 하방으로 광을 조사하는 조명부(44)와, 하프 미러(43)의 좌방에 마련된 카메라(45)가 마련된다(도 3 참조). 하우징 내의 우측에 위치하는 스테이지(42)에 대하여 반송 기구(32)에 의해 웨이퍼(W)가 전달된다. 그와 같이 웨이퍼(W)가 전달된 스테이지(42)가 하우징 내의 좌측으로 이동하여 하프 미러(43)의 하방을 통과 중에, 조명부(44)에 의해 광이 조사되고, 또한 카메라(45)에 의한 하프 미러(43)에 비친 웨이퍼(W)의 촬상이 행해져, 상기의 화상 데이터가 취득된다.In the housing of the pre-processing inspection module 41, a stage 42 capable of moving left and right in the module, a half mirror 43 provided above the movement path of the stage 42, and a half mirror 43 are provided. An illumination unit 44 for irradiating light downward therebetween and a camera 45 provided on the left side of the half mirror 43 are provided (refer to FIG. 3 ). The wafer W is transferred by the transfer mechanism 32 to the stage 42 located on the right side in the housing. While the stage 42 to which the wafer W has been delivered moves to the left in the housing and passes under the half mirror 43 , light is irradiated by the lighting unit 44 , and the camera 45 The image of the wafer W reflected by the half mirror 43 is performed, and the above image data is acquired.

그리고, 도 1에 나타내는 바와 같이 반송 영역(31)에 있어서, 평면에서 봤을 때, 처리 전 검사 모듈(41)의 후방에 위치하도록 제 2 반송 기구인 반송 기구(33)가 마련되어 있다. 당해 반송 기구(33)는, 승강 가능, 또한 연직축 둘레로 회동 가능한 기대와, 기대 상을 진퇴 가능한 웨이퍼(W)의 유지부를 구비하고, 후술하는 모듈 적층체(T1) 및 제 1 상측 처리 블록(D22)의 셔틀용의 TRS12에 대하여, 웨이퍼(W)를 전달 가능하다.And as shown in FIG. 1, in the conveyance area|region 31, the conveyance mechanism 33 which is a 2nd conveyance mechanism is provided so that it may be located behind the pre-processing inspection module 41 in planar view. The transfer mechanism 33 includes a base capable of lifting and lowering and rotatable about a vertical axis, and a holding unit for a wafer W capable of advancing and retreating on the base, a module stack T1 described later and a first upper processing block ( The wafer W can be transferred to the shuttle TRS12 in D22).

이어서, 모듈 적층체(T1)에 대하여 설명한다. 이 모듈 적층체(T1)는, 웨이퍼(W)를 각각 임시 배치하는 전달 모듈(TRS)과, 온도 조정 모듈(SCPL)이 세로 방향으로 중첩됨으로써 구성되어 있고, 반송 영역(31)의 전후의 중앙부에 마련되어 있다. 따라서 모듈 적층체(T1)는, 평면에서 봤을 때, 반송 기구(32)의 후방에 위치하고, 또한 반송 기구(32, 33)에 의해 전후로부터 개재되도록 위치하고 있고, 또한 처리 전 검사 모듈(41)의 우측에 중첩되어 있다. 이 때문에, 처리 전 검사 모듈(41)은 평면에서 봤을 때, 적층체(T1)와 중첩되는 위치로부터 좌방으로 연신되도록 구성되어 있다. 또한, 기술한 캐리어(C)용의 스테이지에 대하여, 이동 스테이지(15)를 포함하는 전방측의 세로 2 열의 스테이지는 모듈 적층체(T1)보다 전방측에 배치되어 있다. 그리고 후방측의 세로 2 열의 스테이지에 대하여, 1 개의 열은 모듈 적층체(T1)의 좌방에 위치하고, 다른 1 개의 열은 모듈 적층체(T1)보다 후방에 위치하고 있다.Next, the module laminated body T1 is demonstrated. This module stack T1 is constituted by vertically overlapping a transfer module TRS for temporarily arranging the wafers W and a temperature control module SCPL, and a central portion before and after the transfer region 31 . is provided in Therefore, the module stacked body T1 is located at the rear of the conveying mechanism 32 in plan view, and located so as to be interposed from the front and the back by the conveying mechanisms 32 and 33, and the inspection module 41 before processing. superimposed on the right. For this reason, the test|inspection module 41 before a process is comprised so that it may extend to the left from the position which overlaps with the laminated body T1 in planar view. In addition, with respect to the stage for the carrier C described above, the stages in two vertical rows on the front side including the moving stage 15 are arranged on the front side of the module stack body T1. And with respect to the stage in two vertical rows on the rear side, one row is located on the left side of the module stack body T1, and the other row is positioned behind the module stack body T1.

전달 모듈(TRS)에 대해서는, 예를 들면 가로 방향으로 배열된 복수의 핀을 구비하고, 반송 기구의 승강 동작에 의해 당해 핀에 대하여 웨이퍼(W)가 전달된다. SCPL에 대해서는 예를 들면 웨이퍼(W)가 배치되는 플레이트에 냉매 유로가 접속됨으로써 임시 배치된 웨이퍼(W)가 냉각되는 구성으로 되어 있고, 반송 기구의 승강 동작에 의해 당해 플레이트에 대하여 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한, SCPL은 캐리어 블록(D1) 이외의 블록에도 마련되어 있고, D1 이외의 블록의 SCPL에 대해서도, 예를 들면 캐리어 블록(D1)의 SCPL과 동일한 구성이다. 그리고 TRS에 대해서도 D1 이외의 블록에도 마련되어 있다. 그러한 TRS에 대해서는, 후술하는 셔틀과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 셔틀용의 TRS 이외는 캐리어 블록(D1)의 TRS와 동일한 구성이다.The transfer module TRS includes, for example, a plurality of fins arranged in a horizontal direction, and the wafer W is transferred with respect to the fins by the lifting operation of the transfer mechanism. For the SCPL, for example, a refrigerant passage is connected to the plate on which the wafer W is placed, whereby the temporarily placed wafer W is cooled, and the wafer W is moved with respect to the plate by the lifting operation of the transfer mechanism. is transmitted In addition, the SCPL is also provided in blocks other than the carrier block D1, and the SCPL of the blocks other than the D1 has the same configuration as, for example, the SCPL of the carrier block D1. In addition, the TRS is also provided in blocks other than D1. Such a TRS has the same configuration as the TRS of the carrier block D1 except for the TRS for the shuttle that transfers the wafer W between the shuttle, which will be described later.

이후에는 임시 배치 모듈인 각 곳의 SCPL, TRS를 서로 구별하기 위하여, SCPL, TRS의 뒤에 숫자를 붙여 나타낸다. 그리고, 각 곳의 TRS, SCPL는 예를 들면 복수, 적층되어 마련된다. 즉 동일한 숫자를 붙인 TRS, SCPL에 대하여 각각 복수 개씩 마련되지만, 도시의 편의상, 하나만 표시한다. 또한, 본 명세서에 있어서 모듈의 적층체란 평면에서 봤을 때, 중첩되어 마련되는 모듈을 의미하는 것이며, 모듈끼리가 서로 떨어져 있어도 되고, 접하고 있어도 된다.After that, in order to distinguish the temporary deployment modules, SCPL and TRS from each other, numbers are added to the end of SCPL and TRS. In addition, TRS and SCPL in each place are provided, for example, in plural and stacked. In other words, a plurality of TRS and SCPL with the same number are provided, but only one is displayed for convenience of the city. In addition, in this specification, the laminated body of a module means the module which overlaps and is provided in planar view, and modules may be mutually apart, and may be in contact with each other.

모듈 적층체(T1)를 구성하는 모듈의 일부는 처리 전 검사 모듈(41)의 하측에, 다른 일부는 처리 전 검사 모듈(41)의 상측에 각각 마련되어 있다. 예를 들면 하측으로부터 상방을 향해 TRS1, TRS2, SCPL1, TRS3, SCPL2의 순으로 마련되어 있고, SCPL1과 TRS3과의 사이에 처리 전 검사 모듈(41)이 위치하고 있다(도 3 참조). 그리고, 예를 들면 TRS1, TRS2, SCPL1에 대해서는, 제 1 하측 처리 블록(D21)의 높이에 각각 위치하고, TRS3, SCPL2에 대해서는, 제 1 상측 처리 블록(D22)의 높이에 각각 위치하고 있다. 반송 기구(33)는 이들 모듈 적층체(T1)를 구성하는 각 모듈에 액세스하는 것이 가능하며, 반송 기구(32)는, TRS1, TRS2에 액세스하는 것이 가능하다. 또한, 캐리어(C)에 대한 웨이퍼(W)의 전달 및 모듈 적층체(T1)의 모듈 간에서의 전달에 대하여, 반송 기구(32)가 캐리어(C)에 대한 전달 전용이며, 반송 기구(33)가 당 모듈 적층체(T1)의 모듈 간에서의 전달 전용으로 되어 있다.A part of the modules constituting the module stack T1 is provided below the pre-processing inspection module 41 , and the other part is provided above the pre-processing inspection module 41 , respectively. For example, it is provided in the order of TRS1, TRS2, SCPL1, TRS3, and SCPL2 from the bottom to the top, and the pre-processing inspection module 41 is located between SCPL1 and TRS3 (see FIG. 3 ). And, for example, TRS1, TRS2, and SCPL1 are respectively located at the height of the first lower processing block D21, and TRS3 and SCPL2 are located at the height of the first upper processing block D22, respectively. The conveyance mechanism 33 can access each module which comprises these module stacked bodies T1, and the conveyance mechanism 32 can access TRS1, TRS2. In addition, with respect to the transfer of the wafer W to the carrier C and the transfer of the module stack T1 between modules, the transfer mechanism 32 is dedicated to transfer to the carrier C, and the transfer mechanism 33 ) is dedicated to transfer between modules of the module stack T1.

TRS1, TRS2는, 반송 기구(32, 33) 간에서의 웨이퍼(W)의 전달에 이용되고, 또한 캐리어(C)에 대한 웨이퍼(W)의 전달에 이용되는 제 1 배치부를 이룬다. SCPL1은, 제 1 하측 처리 블록(D21)과 캐리어 블록(D1)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달에 이용된다. 따라서, 제 2 배치부인 SCPL1에는, 후술하는 제 1 하측 처리 블록(D21)의 반송 기구(6A)도 액세스 가능하다. 또한, 제 3 배치부인 TRS3은, 제 1 상측 처리 블록(D22)과 캐리어 블록(D1)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달에 이용된다. 따라서 TRS3에는, 후술하는 제 1 상측 처리 블록(D22)의 반송 기구(6B)도 액세스 가능하다. SCPL2에 대해서는, 제 1 상측 처리 블록(D22)에서 현상 처리를 받기 전의 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하기 위한 모듈이며, 반송 기구(6B)가 액세스한다.TRS1 and TRS2 are used for transfer of the wafer W between the transfer mechanisms 32 and 33 and form a first arrangement unit used for transfer of the wafer W to the carrier C. SCPL1 is used to transfer the wafer W between the first lower processing block D21 and the carrier block D1. Accordingly, the transfer mechanism 6A of the first lower processing block D21, which will be described later, is also accessible to SCPL1 serving as the second placement unit. Further, the third arrangement unit TRS3 is used to transfer the wafer W between the first upper processing block D22 and the carrier block D1 . Therefore, the transport mechanism 6B of the first upper processing block D22, which will be described later, is also accessible to the TRS3. SCPL2 is a module for temperature adjustment of the wafer W before being developed in the first upper processing block D22, and is accessed by the transfer mechanism 6B.

반송 기구(33)의 후방측(전후의 일방측)에는, 도포막의 형성 전에 웨이퍼(W)에 처리 가스를 공급하여 소수화 처리를 행하는 제 4 처리 모듈인 소수화 처리 모듈(30)이 마련되어 있다. 예를 들면, 소수화 처리 모듈(30)은 제 2 상측 처리 블록(D22)의 높이에 복수 적층되어 마련되어 있고, 반송 기구(33)에 의해 당해 소수화 처리 모듈(30)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 소수화 처리 모듈(30)은, 후술하는 가열 모듈(54)에 마련되는 열판(55)과 마찬가지로 웨이퍼(W)를 배치하는 열판과, 당해 열판을 덮는 승강 가능한 커버를 포함하고, 당해 커버에 의해 형성되는 열판 상의 밀폐 공간으로 처리 가스가 공급됨으로써, 웨이퍼(W)에 소수화 처리가 행해진다.On the rear side (one side of the front and back sides) of the conveying mechanism 33 , a hydrophobization treatment module 30 as a fourth processing module for performing hydrophobization treatment by supplying a processing gas to the wafer W before formation of the coating film is provided. For example, a plurality of hydrophobization processing modules 30 are provided stacked at the height of the second upper processing block D22 , and the wafer W is transferred to the hydrophobicization processing module 30 by the transfer mechanism 33 . this is done The hydrophobization treatment module 30 includes a hot plate on which the wafer W is placed, and a liftable cover that covers the hot plate, similarly to a hot plate 55 provided in a heating module 54 to be described later, and is formed by the cover. Hydrophobization treatment is performed on the wafer W by supplying the processing gas to the sealed space on the hot plate to be used.

이어서, 제 1 처리 블록(D2)에 대하여, 종단 측면도인 도 5도 참조하여 설명한다. 제 1 처리 블록(D2)의 전방측은 세로 방향에 있어서 구획됨으로써 8 개의 계층이 형성되어 있으며, 각 계층에 대하여 하측으로부터 상측을 향해 E1 ~ E8로 한다. 하측의 E1 ~ E4의 계층이 제 1 하측 처리 블록(D21)에, 상측의 E5 ~ E8의 계층이 제 1 상측 처리 블록(D22)에 각각 포함된다. 각 계층은, 액 처리 모듈을 설치 가능한 영역을 이룬다.Next, the first processing block D2 will be described with reference to FIG. 5 which is a longitudinal side view as well. The front side of the first processing block D2 is partitioned in the vertical direction, so that eight hierarchies are formed, and E1 to E8 are defined from the lower side to the upper side for each hierarchy. The lower layers E1 to E4 are included in the first lower processing block D21, and the upper layers E5 to E8 are included in the first upper processing block D22, respectively. Each layer constitutes an area in which a liquid processing module can be installed.

먼저, 제 1 상측 처리 블록(D22)에 대하여 설명한다. 계층(E5 ~ E8)에는 액 처리 모듈로서, 현상 모듈(51)이 각각 마련되어 있다. 현상 모듈(51)은, 좌우로 배열되고 또한 웨이퍼(W)를 각각 수납하는 2 개의 컵(52)과, 노즐(미도시)을 구비하고 있고, 도시하지 않는 펌프에 의해 상기의 보틀로부터 공급되는 현상액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하여 처리를 행한다.First, the first upper processing block D22 will be described. In the layers E5 to E8, a developing module 51 is provided as a liquid processing module, respectively. The developing module 51 is provided with two cups 52 arranged from side to side and accommodating the wafers W, respectively, and a nozzle (not shown), and is supplied from the bottle by a pump (not shown). A developing solution is supplied to the surface of the wafer W to perform processing.

계층(E5 ~ E8)의 후방측에는 웨이퍼(W)의 반송 영역(53)이 마련되어 있고, 상측 처리 블록(D22)의 좌단으로부터 우단에 걸쳐, 평면에서 봤을 때 직선 형상으로 형성되어 있다. 따라서, 반송 영역(53)의 신장 방향은, 캐리어 블록(D1)의 반송 영역(31)의 신장 방향에 직교하고 있다. 또한, 반송 영역(53)은 계층(E5)의 높이로부터 계층(E8)의 높이에 걸쳐 형성되어 있다. 즉, 반송 영역(53)은, 계층(E5 ~ E8)마다 구획되어 있지 않다.A transfer region 53 for the wafer W is provided on the rear side of the layers E5 to E8, and is formed in a linear shape in plan view from the left end to the right end of the upper processing block D22. Therefore, the extension direction of the conveyance area|region 53 is orthogonal to the extending|stretching direction of the conveyance area|region 31 of the carrier block D1. In addition, the carrying area 53 is formed from the height of the layer E5 to the height of the layer E8. That is, the carrying area 53 is not partitioned for each layer E5 to E8.

그리고 반송 영역(53)의 후방에는, 처리 모듈이 예를 들면 세로 방향에 7 단으로 적층되어 마련되어 있고, 그 처리 모듈의 적층체가 2 개, 좌우로 나란히 배열되어 있다. 즉, 이 처리 모듈의 적층체 및 상기의 컵(52)의 각각은, 반송 영역(53)의 신장 방향을 따라 마련되어 있다.And behind the conveyance area|region 53, the process module is laminated|stacked, for example in 7 steps|paragraphs in the longitudinal direction, and two stacked bodies of the process module are arranged side by side. That is, each of the stacked body of the processing module and the cup 52 is provided along the extending direction of the conveyance region 53 .

상기의 좌우로 배열된 처리 모듈의 적층체를 후부측 처리부(50)로 한다. 이 후부측 처리부(50)를 구성하는 처리 모듈로서, 복수의 가열 모듈(54) 및 복수의 처리 후 검사 모듈(57)이 포함된다. 가열 모듈(54)은 노광 후의 가열(PEB : Post Exposure Bake)을 행하는 모듈이며, 웨이퍼(W)를 배치하여 가열하는 열판(55)과, 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 냉각 플레이트(56)를 구비하고 있다. 냉각 플레이트(56)는, 후술하는 반송 기구(6B)의 승강 동작에 의해 웨이퍼(W)가 전달되는 전방 위치와, 열판(55)에 중첩되는 후방 위치와의 사이를 이동 가능하다. 열판(55)이 구비하는 도시하지 않는 핀의 승강 동작과, 냉각 플레이트(56)의 당해 이동과의 협동에 의해, 열판(55)과 냉각 플레이트(56)와의 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.The stacked body of the processing modules arranged on the left and right is referred to as the rear-side processing section 50 . As processing modules constituting the rear-side processing unit 50 , a plurality of heating modules 54 and a plurality of post-processing inspection modules 57 are included. The heating module 54 is a module that performs post-exposure heating (PEB), a hot plate 55 for placing and heating the wafer W, and a cooling plate 56 for adjusting the temperature of the wafer W is equipped with The cooling plate 56 is movable between a front position to which the wafer W is transferred and a rear position overlapping the hot plate 55 by the lifting operation of the conveying mechanism 6B, which will be described later. The wafer W is transferred between the hot plate 55 and the cooling plate 56 by cooperating with the movement of the cooling plate 56 and the raising/lowering operation of a fin (not shown) included in the hot plate 55 .

처리 후 검사 모듈(57)은 처리 전 검사 모듈(41)과 동일한 구성이며, 촬상 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 이동 방향이 전후 방향이 되도록 배치된다. 이 처리 후 검사 모듈(57)은, 도포, 현상 장치(1)에 의해 처리가 끝난 웨이퍼(W)의 표면, 보다 구체적으로는 현상에 의해 레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼(W)의 표면의 화상 데이터를 취득하여, 제어부(10)로 송신한다.The post-processing inspection module 57 has the same configuration as the pre-processing inspection module 41 , and is arranged so that the moving direction of the wafer W during imaging is the front-rear direction. After this processing, the inspection module 57 inspects the image data of the surface of the wafer W that has been processed by the coating and developing device 1, and more specifically, of the surface of the wafer W on which the resist pattern is formed by development. acquired and transmitted to the control unit 10 .

주반송로인 반송 영역(53)에는 기술한 주반송 기구인 반송 기구(6B)가 마련되어 있고, 반송 기구(6B)는 좌우 이동 가능, 승강 가능, 또한 연직축 둘레로 회동 가능한 기대(61)와, 기대(61) 상을 진퇴 가능한 웨이퍼(W)의 유지부(62)를 구비한다. 또한, 이 반송 기구(6B)를 포함하는 도포, 현상 장치(1) 내에 있어서의 셔틀 이외의 각 반송 기구의 유지부는 2 개씩 마련되어, 기대 상을 서로 독립적으로 진퇴 가능하다.The conveyance area 53 which is a main conveyance path is provided with the conveyance mechanism 6B which is the above-mentioned main conveyance mechanism, The conveyance mechanism 6B is movable left and right, raising/lowering possible, and the base 61 rotatable about a vertical axis; The holding part 62 of the wafer W which can advance and retreat on the base 61 is provided. Moreover, two holding parts of each conveyance mechanism other than the shuttle in the application|coating and developing apparatus 1 including this conveyance mechanism 6B are provided, respectively, and can advance and retreat on a base image mutually independently.

상기의 반송 기구(6B)의 기대(61)를 좌우 이동시키기 위한 이동 기구(63)가 후부측 처리부(50)의 하방에 마련되어 있고, 당해 이동 기구(63)와 후부측 처리부(50)와의 사이에는 편평한 스페이스(71A)가 형성되어 있다(도 5 참조). 스페이스(71A)는, 제 1 상측 처리 블록(D22)의 좌단으로부터 우단에 걸쳐 형성되어 있다. 그리고, 셔틀 및 당해 셔틀용의 TRS12, TRS14가 당해 스페이스(71A)에 마련되어 있는데, 이들에 대해서는 이후에 상술한다. 상기의 반송 기구(6B)는, 제 1 상측 처리 블록(D22) 내의 각 처리 모듈, 상기의 캐리어 블록(D1)의 TRS3 및 SCPL2, 셔틀용의 TRS14에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다. 즉, 적층된 복수의 계층에 마련되는 각 액 처리 모듈, 후부측 처리부(50)를 구성하는 각 처리 모듈에 대하여, 반송 기구(6B)는 공용된다.A moving mechanism 63 for moving the base 61 of the conveying mechanism 6B to the left and right is provided below the rear side processing unit 50 , and between the moving mechanism 63 and the rear side processing unit 50 . A flat space 71A is formed there (see Fig. 5). The space 71A is formed from the left end to the right end of the first upper processing block D22. And the shuttle and TRS12 and TRS14 for the said shuttle are provided in the said space 71A, These are mentioned in full detail later. The transfer mechanism 6B can transfer the wafer W to each processing module in the first upper processing block D22, TRS3 and SCPL2 in the carrier block D1, and TRS14 for shuttle. . That is, the conveying mechanism 6B is shared with each liquid processing module provided in the plurality of stacked layers and each processing module constituting the rear side processing unit 50 .

이어서, 제 1 하측 처리 블록(D21)에 대하여 설명한다. 당해 제 1 하측 처리 블록(D21)은, 기술한 제 1 상측 처리 블록(D22)과 대략 동일한 구성이며, 이하, 제 1 상측 처리 블록(D22)과의 차이점을 중심으로 설명한다. 계층(E1)에는 처리 모듈은 마련되어 있지 않고, 계층(E2 ~ E4)에 액 처리 모듈로서 반사 방지막 형성 모듈(47)이 마련되어 있다. 제 1 처리 모듈이며 또한 도포막 형성 모듈인 반사 방지막 형성 모듈(47)은, 노즐로부터 현상액 대신에 반사 방지막 형성용의 도포액을 공급하는 것을 제외하고, 제 2 처리 모듈인 현상 모듈(51)과 동일한 구성이다.Next, the first lower processing block D21 will be described. The first lower processing block D21 has substantially the same configuration as the first upper processing block D22 described above. Hereinafter, differences from the first upper processing block D22 will be mainly described. A processing module is not provided in the layer E1, but an antireflection film forming module 47 is provided as a liquid processing module in the layers E2 to E4. The antireflection film forming module 47, which is a first processing module and a coating film forming module, includes a developing module 51 which is a second processing module, except that a coating liquid for forming an antireflection film is supplied from a nozzle instead of a developer; It is the same configuration.

그리고 후부측 처리부(50)는 가열 모듈(54)에 의해 구성되어 있다. 단, 이 제 1 하측 처리 블록(D21) 및 후술하는 제 2 하측 처리 블록(D32)에 마련되는 가열 모듈(54)은, 제 1 상측 처리 블록(D22)의 가열 모듈(54)과는 달리, 도포막 중의 용제 제거용이다. 반송 영역(53)에 마련되는 주반송 기구에 대해서는 반송 기구(6A)로서 나타내고 있으며, 기술한 반송 기구(6B)와 동일한 구성이다. 당해 반송 기구(6A)는, 제 1 하측 처리 블록(D21)의 각 처리 모듈, 상기의 모듈 적층체(T1)의 SCPL1, 후술하는 모듈 적층체(T2)에 대하여 웨이퍼(W)를 전달한다. 또한, 제 1 하측 처리 블록(D21)에는 셔틀 및 셔틀용의 TRS가 마련되어 있지 않다.And the rear side processing part 50 is comprised by the heating module 54. As shown in FIG. However, the heating module 54 provided in the first lower processing block D21 and the second lower processing block D32 to be described later differs from the heating module 54 of the first upper processing block D22, It is for solvent removal in a coating film. The main conveyance mechanism provided in the conveyance area|region 53 is shown as 6A of conveyance mechanisms, and has the same structure as the conveyance mechanism 6B described. The transfer mechanism 6A transfers the wafer W to each processing module of the first lower processing block D21, SCPL1 of the module stack T1, and a module stack T2 described later. In addition, the shuttle and the TRS for shuttle are not provided in the 1st lower processing block D21.

그런데, 제 1 처리 블록(D2)에는 모듈 적층체(T2)가 마련되어 있다(도 1, 도 3 참조). 이 모듈 적층체(T2)는, 제 1 하측 처리 블록(D21)의 반송 영역(53)의 우측, 제 2 상측 처리 블록(D22)의 반송 영역의 우측에 마련되고, SCPL에 의해 구성되어 있다. 제 1 하측 처리 블록(D21)의 당해 SCPL을 SCPL3, 제 1 상측 처리 블록(D22)의 당해 SCPL을 SCPL4로서 나타내고 있다. 또한, 모듈 적층체(T2)는 그 우단부가 약간, 제 2 처리 블록(D3)으로 진입하도록 마련되어 있다. SCPL3은, 후술하는 제 2 하측 처리 블록(D22)의 레지스트막 형성 모듈에서의 처리 전의 웨이퍼(W)의 온도 조정용, SCPL4는 후술하는 제 2 상측 처리 블록(D22)의 현상 모듈(51)에서의 처리 전의 웨이퍼(W)의 온도 조정용이다.By the way, the module laminated body T2 is provided in the 1st process block D2 (refer FIG. 1, FIG. 3). This module stacked body T2 is provided on the right side of the conveyance area 53 of the first lower processing block D21 and on the right side of the conveyance area of the second upper processing block D22, and is constituted by SCPL. The SCPL of the first lower processing block D21 is indicated as SCPL3, and the SCPL of the first upper processing block D22 is indicated as SCPL4. In addition, the module stacked body T2 is provided so that the right end thereof slightly enters the second processing block D3. SCPL3 is for temperature adjustment of the wafer W before processing in the resist film forming module of the second lower processing block D22 to be described later, and SCPL4 is used in the developing module 51 of the second upper processing block D22 to be described later. It is for temperature adjustment of the wafer W before a process.

제 1 상측 처리 블록(D22) 및 제 1 하측 처리 블록(D21)에 있어서의 모듈의 레이아웃에 대하여 보충 설명해 두면, 후부측 처리부(50), 액 처리 모듈의 컵(52)의 각각에 대해서는, 반송 기구(6A, 6B)에 의한 전달이 가능하도록, 모듈 적층체(T2)보다 좌측에 위치한다. 액 처리 모듈 및 후부측 처리부(50)의 레이아웃에 대해서는, 제 1 및 제 2 하측 처리 블록(D21, D31), 제 1 및 제 2 상측 처리 블록(D22, D32) 간에서 공통이다. 따라서, 후술하는 제 2 하측 처리 블록(D31) 및 제 2 상측 처리 블록(D32)에 대해서도, 후부측 처리부(50) 및 액 처리 모듈의 컵(52)은, 블록의 우단부로부터 떨어진 위치에 마련되어 있다.If the layout of the modules in the first upper processing block D22 and the first lower processing block D21 is supplementally explained, each of the rear processing unit 50 and the cup 52 of the liquid processing module is transported. It is located to the left of the module stack T2 so as to enable transfer by the mechanisms 6A, 6B. The layout of the liquid processing module and the rear side processing unit 50 is common among the first and second lower processing blocks D21 and D31 and the first and second upper processing blocks D22 and D32. Accordingly, also in the second lower processing block D31 and the second upper processing block D32, which will be described later, the rear processing unit 50 and the cup 52 of the liquid processing module are provided at positions separated from the right end of the block. have.

이어서, 제 2 처리 블록(D3)에 대하여 설명한다. 당해 제 2 처리 블록(D3)은, 상기의 모듈 적층체(T2)가 마련되지 않는 것을 제외하고, 제 1 처리 블록(D2)과 대략 동일한 구성이며, 이하, 제 1 처리 블록(D2)과의 차이점을 중심으로 설명한다. 먼저, 제 2 상측 처리 블록(D32)에 대하여 기술한다. 이 제 2 상측 처리 블록(D32)에 있어서의 주반송 기구를 6D로 한다. 이 반송 기구(6D)를 이동시키는 이동 기구(63)와 후부측 처리부(50)와의 사이에도, 제 1 상측 처리 블록(D22)의 스페이스(71A)와 동일한 스페이스(71B)가 형성되어 있다. 스페이스(71B)는 스페이스(71A)와 동일한 높이에 위치하고, 당해 스페이스(71A)에 연통하고 있다. 스페이스(71B)에는, 셔틀 및 셔틀용의 TRS11, TRS13가 설치되어 있는데, 이들에 대해서는 후술한다. 상기의 반송 기구(6D)는, 상측 처리 블록(D22) 내의 각 처리 모듈, 후술하는 인터페이스 블록(D4)의 모듈 적층체(T3), 셔틀용의 TRS11에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.Next, the second processing block D3 will be described. The second processing block D3 has substantially the same configuration as the first processing block D2 except that the module stacked body T2 is not provided. The differences are mainly explained. First, the second upper processing block D32 will be described. The main conveying mechanism in the second upper processing block D32 is 6D. A space 71B identical to that of the space 71A of the first upper processing block D22 is also formed between the moving mechanism 63 for moving the conveying mechanism 6D and the rear processing unit 50 . The space 71B is located at the same height as the space 71A, and communicates with the space 71A. In the space 71B, a shuttle and TRS11 and TRS13 for shuttles are provided, which will be described later. The transfer mechanism 6D transfers the wafer W to each processing module in the upper processing block D22, the module stack T3 of the interface block D4 to be described later, and the shuttle TRS11.

이어서, 제 2 하측 처리 블록(D31)에 대하여 설명한다. 계층(E2 ~ E4)에 레지스트막 형성 모듈(49)이 마련되어 있다. 당해 레지스트막 형성 모듈(49)은, 웨이퍼(W)에 공급하는 처리액이 현상액 대신에 레지스트인 것을 제외하고, 현상 모듈(51)과 동일한 구성이다. 또한, 후부측 처리부(50)에 대해서는, 제 1 하측 처리 블록(D21)의 후부측 처리부(50)와 동일한 구성이다. 그리고, 제 2 하측 처리 블록(D31)에 있어서의 주반송 기구를 반송 기구(6C)로 한다. 당해 반송 기구(6C)는, 하측 처리 블록(D21) 내의 각 처리 모듈, 인터페이스 블록(D4)의 모듈 적층체(T3)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.Next, the second lower processing block D31 will be described. A resist film forming module 49 is provided in the layers E2 to E4. The resist film forming module 49 has the same configuration as the developing module 51 except that the processing liquid supplied to the wafer W is a resist instead of the developer. Note that the rear-side processing unit 50 has the same configuration as the rear-side processing unit 50 of the first lower processing block D21. And let the main conveyance mechanism in the 2nd lower processing block D31 be 6C of conveyance mechanisms. The transfer mechanism 6C transfers the wafer W to each processing module in the lower processing block D21 and the module stack T3 of the interface block D4.

이후에는 인터페이스 블록(D4)에 대하여 설명한다. 인터페이스 블록(D4)은, 전후의 중앙부에 모듈 적층체(T3)를 구비한다. 이 모듈 적층체(T3)는, 서로 적층된 TRS5 ~ TRS7, 온도 조정 모듈(ICPL)에 의해 구성되어 있다. 또한, 이들 모듈 외에 예를 들면 웨이퍼(W)를 일시 대기시키는 버퍼 모듈 등이 마련되는데, 설명은 생략한다. ICPL은 노광의 직전에 웨이퍼(W)가 반송되는 모듈이며, 모듈 적층체(T3)의 하부측에 마련되고, SCPL과 마찬가지로 배치된 웨이퍼(W)의 온도를 조정한다. TRS5, TRS6은 하측 처리 블록(G1)의 높이에, TRS7은 상측 처리 블록(G2)의 높이에 각각 마련되어 있다. 모듈 적층체(T3)의 전방, 후방, 우방에는 각각 반송 기구(36, 37, 38)가 마련되어 있다.Hereinafter, the interface block D4 will be described. The interface block D4 is provided with the module stack body T3 in the front and rear center parts. This module stacked body T3 is constituted by TRS5 to TRS7 stacked on each other and a temperature control module ICPL. In addition to these modules, for example, a buffer module for temporarily waiting the wafer W is provided, but a description thereof will be omitted. The ICPL is a module to which the wafer W is transported immediately before exposure, and is provided on the lower side of the module stack T3 and adjusts the temperature of the wafer W arranged similarly to the SCPL. TRS5 and TRS6 are provided at the height of the lower processing block G1, and TRS7 are provided at the height of the upper processing block G2, respectively. Conveying mechanisms 36, 37, and 38 are provided on the front, rear, and right sides of the module stacked body T3, respectively.

반송 기구(36, 37)는, 반송 기구(33)와 동일하게 구성되고, 모듈 적층체(T3)를 구성하는 각 모듈 간에서 웨이퍼(W)를 반송 가능하다. 또한, 반송 기구(36)는, 후술하는 이면 세정 모듈(65)로도 웨이퍼(W)를 반송 가능하며, 반송 기구(37)는, 셔틀용의 TRS13, 후술하는 노광 후 세정 모듈(66)로도 웨이퍼(W)를 반송 가능하다. 반송 기구(38)는, 반송 기구(32)와 동일하게 구성되고, ICPL과 TRS6과 노광기(20)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.The transfer mechanisms 36 and 37 are configured similarly to the transfer mechanism 33 , and can transfer the wafer W between modules constituting the module stack T3 . In addition, the transfer mechanism 36 can transfer the wafer W also with a back surface cleaning module 65 to be described later. (W) can be transported. The transfer mechanism 38 is configured similarly to the transfer mechanism 32 , and transfers the wafer W between the ICPL and the TRS6 and the exposure machine 20 .

또한, 반송 기구(36)의 전방에는 이면 세정 모듈(65)이 복수, 적층되어 마련된다. 이면 세정 모듈(65)은, 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 공급하는 노즐이 마련되는 대신에 웨이퍼(W)의 이면에 세정액을 공급하는 노즐이 마련되는 것, 컵(52)이 1 개인 것을 제외하고, 현상 모듈(51)과 동일한 구성이다. 반송 기구(37)의 후방에는 노광 후 세정 모듈(66)이 복수, 적층되어 마련된다. 노광 후 세정 모듈(66)은, 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 공급하는 대신에 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하는 것, 컵(52)이 1 개인 것을 제외하고, 현상 모듈(51)과 동일한 구성이다.In addition, a plurality of back surface cleaning modules 65 are stacked and provided in front of the conveying mechanism 36 . In the backside cleaning module 65, a nozzle for supplying a cleaning solution to the back surface of the wafer W is provided instead of a nozzle for supplying a developer solution to the surface of the wafer W, and a single cup 52 is provided. Except that, it has the same configuration as the developing module 51 . A plurality of post-exposure cleaning modules 66 are stacked and provided behind the conveying mechanism 37 . The post-exposure cleaning module 66 is configured to supply a cleaning solution to the surface of the wafer W instead of supplying the developer to the surface of the wafer W, except that there is one cup 52 , the development module 51 ) has the same configuration as

이어서, 제 1 상측 처리 블록(D22), 제 2 상측 처리 블록(D32)에 마련되는 셔틀에 대하여, 각각 7A, 7B로서 설명한다. 셔틀(7A)은, 이동 기구(72A)와, 이동체(73A)와, 지지체(74A)를 구비하고 있다. 이동 기구(72A)는 좌우로 연장되는 장척인 부재로서 구성되고, 또한 기술한 제 1 상측 처리 블록(D22)의 스페이스(71A)에 들어가도록 마련되어 있다. 이동체(73A)는 이동 기구(72A)에 대하여 전방측에 접속되어 있고, 좌우로 신장하고 있다. 지지체(74A)는 이동체(73A)에 대하여 전방측에 접속되어 있고, 좌우로 가늘고 긴 직육면체 형상으로 형성되어 있다. 이 지지체(74A) 상에 웨이퍼(W)가 지지되어, 수평인 직선 형상 또한 좌우 방향을 따라 반송된다.Next, the shuttles provided in the 1st upper process block D22 and the 2nd upper process block D32 are demonstrated as 7A and 7B, respectively. The shuttle 7A is provided with the moving mechanism 72A, the moving body 73A, and the support body 74A. The moving mechanism 72A is configured as a long member extending from side to side, and is provided so as to fit into the space 71A of the first upper processing block D22 described above. The moving body 73A is connected to the front side with respect to the moving mechanism 72A, and extends to the left and right. The support body 74A is connected to the front side with respect to the movable body 73A, and is formed in the shape of a rectangular parallelepiped elongate from side to side. The wafer W is supported on this support 74A, and the horizontal linear shape is also conveyed along the left-right direction.

이동 기구(72A)에 의해, 이동체(73A)가 당해 이동 기구(72A)에 대하여 좌우로 이동 가능하다. 그리고, 이 이동 기구(72A)에 대한 이동체(73A)의 이동에 따라, 이동체(73A)에 대하여 지지체(74A)가 좌우로 이동한다(도 6 ~ 도 8 참조). 이동체(73A)는, 그 우단이 이동 기구(72A)의 우단보다 우측(인터페이스 블록(D4)측)에 위치하는 오른쪽 위치와, 그 좌단이 이동 기구(72A)의 좌단보다 좌측(캐리어 블록(D1)측)에 위치하는 왼쪽 위치와의 사이에서 이동한다. 이동체(73A)가 상기의 오른쪽 위치에 위치할 때, 지지체(74A)의 우단이 이동체(73A)의 우단보다 우측에 위치하는 상태(도 6에 나타내는 상태)가 된다. 당해 상태의 지지체(74A)의 위치를 오른쪽 반송 위치로 한다. 이동체(73A)가 상기의 왼쪽 위치에 위치할 때, 지지체(74A)의 좌단이 이동체(73A)의 좌단보다 좌측에 위치하는 상태(도 8에 나타내는 상태)가 된다. 당해 상태의 지지체(74A)의 위치를 왼쪽 반송 위치로 한다.The moving mechanism 72A allows the movable body 73A to move left and right with respect to the moving mechanism 72A. And with the movement of the movable body 73A with respect to the moving mechanism 72A, the support 74A moves left and right with respect to the movable body 73A (refer to FIGS. 6 to 8 ). The movable body 73A has a right end positioned to the right (interface block D4 side) from the right end of the moving mechanism 72A, and its left end is to the left of the moving mechanism 72A (carrier block D1). ) side) to the left position. When the movable body 73A is positioned at the above right position, the right end of the support body 74A is in a state (state shown in Fig. 6 ) positioned to the right of the movable body 73A. Let the position of the support body 74A of the said state be a right conveyance position. When the movable body 73A is positioned at the above left position, the left end of the support body 74A is in a state (state shown in Fig. 8 ) positioned to the left of the movable body 73A. Let the position of the support body 74A of the said state be a left conveyance position.

셔틀(7A)은, 제 2 상측 처리 블록(D32)에 마련되는 TRS11로부터 제 1 상측 처리 블록(D22)에 마련되는 TRS12(제 4 배치부)를 향해 웨이퍼(W)를 반송한다. TRS11은, 평면에서 봤을 때 좌측이 개방되는 오목부를 이루도록 형성된 배치부 본체를 이루는 지지판(75)과, 당해 지지판(75)으로부터 상측으로 돌출되는 3 개의 핀(76)과, 지지판(75)을 승강시키는 승강 기구(미도시)를 구비하고, 예를 들면 제 2 상측 처리 블록(D32)의 좌단부에 위치한다. 승강 기구는, 예를 들면 실린더 및 모터 등의 액츄에이터여도 되고, 각 지지판(75)의 이면측(하측)에 접속되고, 이동체(73A) 및 지지체(74A)의 이동 궤도와 간섭하지 않는 위치에 마련되어 있다. 지지판(75)의 승강에 의해, 핀(76)은 상승 위치와 하강 위치와의 사이에서 이동하고, 웨이퍼(W)의 하면을 지지한다. 상기의 오른쪽 반송 위치에 있어서의 지지체(74A)의 우단부는, 평면에서 봤을 때, 지지판(75)이 이루는 상기의 오목부에 들어간 상태가 되어, 핀(76)의 승강에 의해, 지지체(74A)와 TRS11과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다.The shuttle 7A transfers the wafer W from the TRS11 provided in the second upper processing block D32 to the TRS12 (fourth placement unit) provided in the first upper processing block D22 . The TRS11 includes a support plate 75 constituting the placement unit main body formed to form a concave portion that is open to the left in plan view, three pins 76 protruding upward from the support plate 75, and the support plate 75 is raised and lowered. A lifting mechanism (not shown) is provided, and is located, for example, at the left end of the second upper processing block D32. The lifting mechanism may be, for example, an actuator such as a cylinder or a motor, is connected to the back side (lower side) of each support plate 75, and is provided at a position that does not interfere with the movement trajectories of the movable body 73A and the support body 74A. have. As the support plate 75 is raised and lowered, the pins 76 move between the raised position and the lowered position, and support the lower surface of the wafer W. As shown in FIG. The right end part of the support body 74A in the said right conveyance position becomes the state which entered the said recessed part which the support plate 75 makes in planar view, and by raising/lowering of the pin 76, the support body 74A A wafer W can be transferred between and TRS11.

TRS12에 대해서는, 지지판(75)이 평면에서 봤을 때 우측이 개방되는 오목부를 이루도록 형성되는 것을 제외하고, TRS11과 동일한 구성이다. 그리고, 상기의 왼쪽 반송 위치에 있어서의 지지체(74A)의 좌단부는, 평면에서 봤을 때, 지지판(75)이 이루는 상기의 오목부에 들어간 상태가 되어, 지지체(74A)와 TRS12와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. TRS12는, 캐리어 블록(D1)의 반송 기구(33)와의 사이에서도 웨이퍼(W)를 전달할 수 있도록, 제 1 상측 처리 블록(D22)의 좌단부에 마련된다. 지지체(74)에 지지된 기판(웨이퍼(W))의 반송은, 전에 기술한 것으로부터, 이동체(73A)와 지지체(74A)와 같이 전후 방향에 마련된 복수의 부재가, 서로의 상대적인 좌우 방향의 위치를 바꾸면서 행해진다고 할 수 있다. 그와 같이 기판이 반송됨으로써, 지지체(74A)에 대하여 좌우 방향 각각에 위치하는 TRS11, TRS12는 이동체(73A)와 간섭하기 어려워져, 기판을 용이하게 지지 가능한 3 개소 이상의 위치에 핀(76)을 배치하는 것이 가능하게 되어 있다.For TRS12, it has the same configuration as TRS11, except that the support plate 75 is formed to form a concave portion that is open on the right side in plan view. Then, the left end of the support 74A in the left conveying position enters the concave portion formed by the support plate 75 in plan view, and the wafer ( W) can be transmitted. The TRS12 is provided at the left end of the first upper processing block D22 so that the wafer W can be transferred also between the transfer mechanism 33 of the carrier block D1. In the transport of the substrate (wafer W) supported by the support 74 , as described previously, a plurality of members provided in the front-back direction such as the movable body 73A and the support body 74A are in the left-right direction relative to each other. It can be said that this is done by changing the location. By conveying the substrate in this way, TRS11 and TRS12 positioned in the left and right directions with respect to the support 74A are less likely to interfere with the movable body 73A, and the pins 76 are placed at three or more positions that can easily support the substrate. It is possible to place.

제 2 바이패스 반송 기구인 셔틀(7B)에 대해서는, 셔틀(7A)과는 상이한 높이에 마련되고, 예를 들면 셔틀(7A)보다 하방에 위치하고 있다. 셔틀(7B)은, 셔틀(7A)과 동일하게 구성되어 있고, 셔틀(7B)의 구성 부재인 이동 기구, 이동체, 지지체의 각 부호는, 셔틀(7A)의 구성 부재와 구별하기 위하여, 숫자 뒤의 A 대신에 B를 붙여 나타낸다. 구체적으로, 예를 들면 셔틀(7B)의 이동 기구는 72B로서 나타낸다. 그리고, 이 이동 기구(72B)는, 제 2 상측 처리 블록(D32)의 스페이스(71B)에 들어가도록 마련된다.About the shuttle 7B which is a 2nd bypass conveyance mechanism, it is provided at the height different from the shuttle 7A, and is located below the shuttle 7A, for example. The shuttle 7B is configured in the same way as the shuttle 7A, and the reference numerals of the moving mechanism, the movable body, and the supporting body, which are constituent members of the shuttle 7B, follow the numbers to distinguish them from the constituent members of the shuttle 7A. It is indicated by adding B instead of A. Specifically, for example, the moving mechanism of the shuttle 7B is indicated as 72B. And this movement mechanism 72B is provided so that it may enter the space 71B of the 2nd upper processing block D32.

셔틀(7B)은, 제 2 상측 처리 블록(D32)에 마련되는 TRS13으로부터 제 1 상측 처리 블록(D22)에 마련되는 TRS14를 향해 웨이퍼(W)를 반송한다. TRS13은 TRS11과 동일한 구성이며, 인터페이스 블록(D4)과의 사이에서도 웨이퍼(W)를 전달할 수 있도록, 제 2 상측 처리 블록(D32)의 우단부에 마련되어 있다. TRS14는 TRS12와 동일한 구성이며, 반송 기구(6B)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록 모듈 적층체(T2)보다 좌측에 마련되어 있고, TRS12보다는 우측에 위치한다.The shuttle 7B transfers the wafer W from TRS13 provided in the second upper processing block D32 to TRS14 provided in the first upper processing block D22. TRS13 has the same configuration as TRS11 and is provided at the right end of the second upper processing block D32 so that the wafer W can be transferred even with the interface block D4. TRS14 has the same configuration as TRS12, and is provided on the left side of the module stack body T2 so that the wafer W can be transferred between the transfer mechanism 6B, and is located on the right side of the TRS12.

상기와 같이 셔틀(7B)은 셔틀(7A)의 하방에 마련되어 있으므로, 제 2 바이패스용 기판 배치부인 TRS13 및 TRS14가 위치하는 높이는, 제 1 바이패스용 기판 배치부인 TRS11 및 TRS12가 위치하는 높이보다 낮다. 즉, 도 2에 나타내는 바와 같이, 셔틀(7A), TRS11 및 TRS12의 조, 셔틀(7B), TRS13, TRS14의 조는, 세로 방향(수직 방향)에 있어서 서로 어긋난 위치에 마련되어 있다.As described above, since the shuttle 7B is provided below the shuttle 7A, the height at which the second bypass substrate arrangement units TRS13 and TRS14 are located is higher than the height at which the first bypass substrate arrangement units TRS11 and TRS12 are located. low. That is, as shown in FIG. 2, the set of shuttle 7A, TRS11, and TRS12, and the set of shuttle 7B, TRS13, TRS14 are provided in the position shifted|deviated from each other in the vertical direction (vertical direction).

그리고, 셔틀(7A)에 의한 웨이퍼(W)의 반송로(제 1 바이패스 반송로), 셔틀(7B)에 의한 웨이퍼(W)의 반송로(제 2 바이패스 반송로)를 각각 77A, 77B로 하면, 이들 반송로(77A, 77B)의 전후의 위치는 서로 동일하다. 기술한 TRS11 ~ TRS14의 위치에 대응하여, 반송로(77A)는 제 2 상측 처리 블록(D22)으로 돌출되고, 또한 반송로(77B)는 제 1 상측 처리 블록(D22)으로 돌출되어 있다. 그와 같이 돌출됨으로써 반송로(77A)의 우측과 반송로(77B)의 좌측이 평면에서 봤을 때, 서로 중첩되어 있다. 또한 반송로(77A, 77B)는, 예를 들면 평면에서 봤을 때, 가열 모듈(54)의 열판(55)으로부터 벗어나, 냉각 플레이트(56)의 대기 위치와 중첩되는 위치로 해도 된다. 그와 같이 열판(55)으로부터 비교적 떨어져 반송로를 배치함으로써, 반송되는 웨이퍼(W)가 열의 영향을 받는 것을, 보다 확실하게 억제할 수 있다.Then, the transport path of the wafer W by the shuttle 7A (first bypass transport path) and the transport path of the wafer W by the shuttle 7B (the second bypass transport path) are 77A and 77B, respectively. , the positions before and after these transport paths 77A and 77B are the same as each other. Corresponding to the positions of TRS11 to TRS14 described above, the conveying path 77A projects into the second upper processing block D22, and the conveying path 77B projects into the first upper processing block D22. By projecting in this way, the right side of the conveyance path 77A and the left side of the conveyance path 77B overlap each other in planar view. In addition, the conveyance paths 77A, 77B are good also as a position which deviates from the hot plate 55 of the heating module 54 in planar view, and overlaps with the standby position of the cooling plate 56, for example. By disposing the conveyance path relatively far from the hot plate 55 in this way, it is possible to more reliably suppress the influence of heat on the conveyed wafer W.

셔틀(7A)에 의한 웨이퍼(W)의 반송에 대하여, 도 6 ~ 도 8을 참조하여 순서를 따라 설명한다. 제 2 상측 처리 블록(D32)의 반송 기구(6D)는, 제 2 상측 처리 블록(D32) 내의 각 처리 모듈에서 처리된 웨이퍼(W)를, TRS11의 상승 위치에 있어서의 핀(76) 상으로 전달한다. 핀(76)이 하강 위치로 이동하고, 기술한 오른쪽 반송 위치에 있어서의 지지체(74A)로 웨이퍼(W)가 전달된다(도 6). 이동체(73A) 및 지지체(74A)가 각각 좌측으로 이동하는 한편, TRS11의 핀(76)은 상승 위치로 돌아간다(도 7).The transfer of the wafer W by the shuttle 7A will be described sequentially with reference to FIGS. 6 to 8 . The transfer mechanism 6D of the second upper processing block D32 transfers the wafer W processed by each processing module in the second upper processing block D32 onto the pin 76 in the raised position of the TRS11. transmit The pin 76 moves to the lowered position, and the wafer W is transferred to the support 74A in the described right transfer position (FIG. 6). While the movable body 73A and the support body 74A move to the left, respectively, the pin 76 of the TRS11 returns to the raised position (FIG. 7).

지지체(74A)가 기술한 왼쪽 반송 위치로 이동하면, TRS12의 하강 위치에 있어서의 핀(76)이 상승 위치로 이동하여 웨이퍼(W)를 지지한다(도 8). 지지체(74A)가 오른쪽 반송 위치를 향해 이동하면, 핀(76)이 하강 위치로 돌아간다. 이후에는, 캐리어 블록(D1)의 반송 기구(33)가 웨이퍼(W)를 수취한다. 이와 같이, 셔틀(7A)은 하류측의 블록인 캐리어 블록(D1)을 향해 웨이퍼(W)를 반송한다. 셔틀(7B), TRS13, TRS14에 대해서도 셔틀(7A), TRS11, TRS12와 각각 동일하게 동작하여, TRS13으로부터 TRS14로 웨이퍼(W)가 반송된다. 즉, 셔틀(7B)은 하류측의 블록인 제 1 상측 처리 블록(D22)을 향해 웨이퍼(W)를 반송한다.When the support 74A moves to the described left transfer position, the pin 76 in the lowered position of the TRS12 moves to the raised position to support the wafer W (FIG. 8). When the support 74A moves toward the right conveying position, the pin 76 returns to the lowered position. Thereafter, the transfer mechanism 33 of the carrier block D1 receives the wafer W. In this way, the shuttle 7A conveys the wafer W toward the carrier block D1 which is a block on the downstream side. The shuttle 7B, TRS13, and TRS14 operate in the same manner as the shuttle 7A, TRS11, and TRS12, respectively, and the wafer W is transferred from TRS13 to TRS14. That is, the shuttle 7B transfers the wafer W toward the first upper processing block D22 which is a downstream block.

또한, 도포, 현상 장치(1)는, 제어부(10)를 구비하고 있다(도 1 참조). 이 제어부(10)는 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 프로그램, 메모리, CPU를 구비하고 있다. 프로그램에는, 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 일련의 동작을 실시할 수 있도록 단계군이 짜여 있다. 그리고, 당해 프로그램에 의해 제어부(10)는 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력하고, 당해 각 부의 동작이 제어된다. 구체적으로 반송 기구(6A ~ 6D), 셔틀(7A, 7B), 각 처리 모듈의 동작이 제어된다. 이에 의해, 후술하는 웨이퍼(W)의 반송, 웨이퍼(W)의 처리, 웨이퍼(W)의 이상 판정이 행해진다. 상기의 프로그램은, 예를 들면 콤팩트 디스크, 하드 디스크, DVD 등의 기억 매체에 저장되어, 제어부(10)에 인스톨된다.In addition, the coating and developing apparatus 1 is provided with the control part 10 (refer FIG. 1). This control part 10 is comprised by a computer, and is provided with a program, a memory, and a CPU. In the program, a group of steps is arranged so that a series of operations in the coating and developing apparatus 1 can be performed. Then, according to the program, the control unit 10 outputs a control signal to each unit of the coating and developing apparatus 1, and the operation of each unit is controlled. Specifically, the operation of the conveying mechanisms 6A to 6D, the shuttles 7A and 7B, and each processing module is controlled. Thereby, conveyance of the wafer W, processing of the wafer W, and abnormality determination of the wafer W, which will be described later, are performed. The above program is stored in a storage medium such as a compact disk, hard disk, or DVD, for example, and installed in the control unit 10 .

이어서, 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리 및 반송 경로에 대하여, 기술한 왕로, 귀로를 각각 나타내는 도 9, 도 10을 참조하여 설명한다. 도 9, 도 10에서는, 모듈 간에서의 웨이퍼(W)의 반송을 나타내는 일부의 화살표 상 혹은 화살표의 근방에, 당해 반송에 이용하는 반송 기구를 표시하고 있다.Next, the processing and conveyance routes of the wafer W in the coating and developing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 9 and 10 respectively showing the described outgoing and returning routes. In FIGS. 9 and 10 , the conveying mechanism used for the conveyance is displayed on or in the vicinity of some arrows indicating the conveyance of the wafer W between modules.

먼저, 지지대(12)의 이동 스테이지(15)에 배치된 캐리어(C)로부터, 반송 기구(32)에 의해 웨이퍼(W)가 반출된다. 그리고, 당해 반송 기구(32)에 의해 웨이퍼(W)는 처리 전 검사 모듈(41)로 반송되고, 화상 데이터가 취득되어 이상의 유무가 판정된다.First, the wafer W is carried out by the transfer mechanism 32 from the carrier C disposed on the moving stage 15 of the support 12 . Then, the wafer W is transferred to the pre-processing inspection module 41 by the transfer mechanism 32 , image data is acquired, and the presence or absence of an abnormality is determined.

이 후, 웨이퍼(W)는 반송 기구(32)에 의해 TRS1로 반송된다. 이러한 후, 당해 웨이퍼(W)는 반송 기구(33)에 의해 소수화 처리 모듈(30), SCPL1의 순으로 반송된 후, 반송 기구(6A)에 의해 제 1 하측 처리 블록(D21)으로 도입되고, 반사 방지막 형성 모듈(47) → 가열 모듈(54)의 순으로 반송됨으로써, 반사 방지막이 형성된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 모듈 적층체(T2)의 SCPL4로 반송되고, 반송 기구(6C)에 의해, 레지스트막 형성 모듈(49) → 가열 모듈(54)의 순으로 반송됨으로써, 레지스트막이 형성된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 모듈 적층체(T3)의 TRS5로 반송된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the TRS1 by the transfer mechanism 32 . After this, the wafer W is transferred by the transfer mechanism 33 to the hydrophobization treatment module 30 and SCPL1 in this order, and then is introduced into the first lower processing block D21 by the transfer mechanism 6A, The antireflection film forming module 47 is conveyed in the order of the heating module 54 to form the antireflection film. Thereafter, the wafer W is transferred to SCPL4 of the module stack T2, and is transferred by the transfer mechanism 6C in the order of the resist film forming module 49 → the heating module 54, whereby a resist film is formed. do. Thereafter, the wafer W is transferred to the TRS5 of the module stack T3.

이러한 후, 웨이퍼(W)는 전방측의 반송 기구(36)에 의해 이면 세정 모듈(65), ICPL을 경유하여, 반송 기구(38)에 의해 노광기(20)로 반송되고, 정해진 패턴을 따라 당해 웨이퍼(W)의 표면의 레지스트막이 노광된다. 노광 후의 웨이퍼(W)는, 반송 기구(38)에 의해 TRS6으로 반송되고, 이 후, 후방측의 반송 기구(37)에 의해, 노광 후 세정 모듈(66)로 반송된다.After this, the wafer W is transferred to the exposure machine 20 by the transfer mechanism 38 via the back surface cleaning module 65 and ICPL by the transfer mechanism 36 on the front side, and follows a predetermined pattern. The resist film on the surface of the wafer W is exposed. The wafer W after exposure is transferred to the TRS6 by the transfer mechanism 38 , and then transferred to the post-exposure cleaning module 66 by the transfer mechanism 37 on the rear side.

이 후의 웨이퍼(W)의 반송 경로는, 상기한 바와 같이 제 1 상측 처리 블록(D22)에서 처리를 행하는 경로(제 1 경로로 함)와, 제 2 상측 처리 블록(D32)에서 처리를 행하는 경로(제 2 경로로 함)로 나누어진다. 제 2 경로에 대하여 설명하면, 반송 기구(37)는 모듈 적층체(T3)의 TRS7로 웨이퍼(W)를 반송하고, 반송 기구(6D)에 의해 당해 웨이퍼(W)가 제 2 상측 처리 블록(D32)으로 도입된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 가열 모듈(54) → SCPL3 → 현상 모듈(51) → 처리 후 검사 모듈(57)의 순으로 반송됨으로써, 레지스트 패턴이 형성된 후에 화상 데이터가 취득되어, 이상의 유무가 판정된다.Subsequent transfer paths of the wafer W are, as described above, a path for processing in the first upper processing block D22 (referred to as a first path) and a path for processing by the second upper processing block D32 as described above. (referred to as the second route). In the second path, the transfer mechanism 37 transfers the wafer W to the TRS7 of the module stack T3, and the transfer mechanism 6D transfers the wafer W to the second upper processing block ( D32) is introduced. Then, the wafer W is transferred in the order of the heating module 54 → SCPL3 → the developing module 51 → the post-processing inspection module 57, whereby image data is acquired after the resist pattern is formed, and the presence or absence of an abnormality is determined. .

이 후, 웨이퍼(W)는 도 6 ~ 도 8에서 설명한 바와 같이 반송 기구(6D) → TRS11 → 셔틀(7A) → TRS12의 순으로 반송된 후, 캐리어 블록(D1)의 반송 기구(33)가 당해 웨이퍼(W)를 수취하여, TRS2로 반송한다. 이와 같이 바이패스 반송로 형성 블록인 제 1 상측 처리 블록(D22) 및 제 2 상측 처리 블록(D22)의 주반송 기구인 반송 기구(6B, 6D) 중 6D와, 셔틀(7A)에 의해 웨이퍼(W)가 하류측의 블록을 향해 반송된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 반송 기구(32)에 의해, 지지대(13)의 이동 스테이지(15) 상의 캐리어(C)에 저장된다.Thereafter, the wafer W is conveyed in the order of conveying mechanism 6D → TRS11 → shuttle 7A → TRS12 as described with reference to FIGS. 6 to 8 , and then the conveying mechanism 33 of the carrier block D1 is The wafer W is received and transferred to TRS2. In this way, 6D of the transport mechanisms 6B and 6D, which are the main transport mechanisms of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D22, which are bypass transport path forming blocks, and the shuttle 7A, move the wafer ( W) is conveyed toward the block on the downstream side. Thereafter, the wafer W is stored in the carrier C on the moving stage 15 of the support 13 by the transfer mechanism 32 .

이어서 상기의 제 1 경로에 대하여 설명하면, 웨이퍼(W)는 반송 기구(37) → TRS13 → 셔틀(7B) → TRS14 → 반송 기구(6B)의 순으로 반송되어, 제 1 상측 처리 블록(D22)으로 웨이퍼(W)가 도입된다. 그리고, 당해 웨이퍼(W)는 반송 기구(6B)에 의해, 가열 모듈(54) → SCPL2 → 현상 모듈(51) → 처리 후 검사 모듈(57)의 순으로 반송되어, 제 2 경로의 웨이퍼(W)와 동일하게 처리를 받은 후, 캐리어 블록(D1)의 TRS3으로 반송된다. 이와 같이 바이패스 반송로 형성 블록인 제 1 상측 처리 블록(D22) 및 제 2 상측 처리 블록(D32)의 주반송 기구인 반송 기구(6B, 6D) 중 6B와, 셔틀(7B)에 의해 웨이퍼(W)가 하류측의 블록을 향해 반송된다. 이어서 웨이퍼(W)는, 반송 기구(33)에 의해 TRS2로 반송되고, 이후에는 제 2 경로의 웨이퍼(W)와 마찬가지로, 반송 기구(32)에 의해 지지대(13)의 이동 스테이지(15) 상의 캐리어(C)로 반송된다.Next, the first path described above, the wafer W is conveyed in the order of the conveying mechanism 37 -> TRS13 -> shuttle 7B -> TRS14 -> conveying mechanism 6B, and the first upper processing block D22 The wafer W is introduced into Then, the wafer W is transferred by the transfer mechanism 6B in the order of the heating module 54 → SCPL2 → the developing module 51 → the post-processing inspection module 57, and the wafer W of the second path ), and then transmitted to TRS3 of the carrier block D1. In this way, 6B of the transport mechanisms 6B and 6D, which are the main transport mechanisms of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32, which are the bypass transport path forming blocks, and the shuttle 7B, move the wafer ( W) is conveyed toward the block on the downstream side. Next, the wafer W is transferred to the TRS2 by the transfer mechanism 33 , and thereafter, similarly to the wafer W of the second path, the wafer W is transferred onto the moving stage 15 of the support 13 by the transfer mechanism 32 . It is conveyed to the carrier (C).

이상으로 기술한 바와 같이, 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 캐리어 블록(D1)에 대해서는, 캐리어(C), 하측 처리 블록(하나의 처리 블록)(G1), 상측 처리 블록(다른 처리 블록)(G2)에 대하여 웨이퍼(W)를 각각 전달하기 위한 TRS, SCPL을 포함하는 모듈 적층체(T1)가 마련된다. 그리고, 반송 기구(32, 33)가 각각 마련되고, 반송 기구(32)가 캐리어(C)에 대한 전달을, 반송 기구(33)가 모듈 적층체(T1)의 모듈 간에서의 전달을 각각 담당한다. 이와 같이 반송 기구(32)와 반송 기구(33)의 역할이 나뉨으로써, 반송 기구(32)는 캐리어(C)에 대한 웨이퍼(W)의 반입반출을 신속하게 행할 수 있다. 한편, 반송 기구(33)를 개재하여 웨이퍼(W)가 반송되는 하측 처리 블록(G1) 및 상측 처리 블록(G2)을 이루는 각 처리 블록(D21, D22, D31, D32)에 있어서는 처리 모듈이 적층되고, 각각의 처리 모듈에서 웨이퍼(W)를 처리 가능하다. 따라서 도포, 현상 장치(1)에 의하면, 높은 스루풋을 얻을 수 있다. 또한, 캐리어(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 전달하는 반송구(24)가 면하는 반송 영역(31)이 전후로 연장되고, 이 반송 영역(31)에 있어서 반송 기구(32, 33)가 모듈 적층체(T1)의 전방, 후방에 각각 마련됨으로써, 캐리어 블록(D1)의 좌우의 폭을 비교적 작게 할 수 있다. 따라서, 도포, 현상 장치(1)에 의하면, 풋프린트(점유 바닥 면적)를 작게 할 수 있다.As described above, with respect to the carrier block D1 in the coating and developing apparatus 1, the carrier C, the lower processing block (one processing block) G1, and the upper processing block (another processing block) ) (G2) is provided with a module stack (T1) including TRS, SCPL for transferring the wafer (W) respectively. And the conveying mechanisms 32 and 33 are provided, respectively, and the conveying mechanism 32 is in charge of delivery to the carrier C, and the conveying mechanism 33 is in charge of the transmission between modules of the module stacked body T1, respectively. do. As the roles of the transfer mechanism 32 and the transfer mechanism 33 are divided in this way, the transfer mechanism 32 can quickly carry in/out of the wafer W with respect to the carrier C. As shown in FIG. On the other hand, in each of the processing blocks D21, D22, D31, and D32 forming the lower processing block G1 and the upper processing block G2 to which the wafer W is conveyed via the conveying mechanism 33, the processing modules are stacked. and it is possible to process the wafer W in each processing module. Therefore, according to the coating and developing apparatus 1, a high throughput can be obtained. In addition, a transfer region 31 facing the transfer port 24 for transferring the wafer W with respect to the carrier C extends back and forth, and in this transfer region 31 , the transfer mechanisms 32 and 33 are modular By providing each in the front and rear of the laminated body T1, the width|variety of the right and left of the carrier block D1 can be made comparatively small. Therefore, according to the coating and developing apparatus 1, the footprint (occupied floor area) can be made small.

그리고, 캐리어 블록(D1)에는 처리 전 검사 모듈(41)이 마련되어 있다. 이 처리 전 검사 모듈(41)은, 모듈 적층체(T1)에 우단부가 중첩되고 또한 하우징(11)의 측벽을 관통함으로써, 그 좌단부가 반송 영역(31)으로부터 돌출되어 있다. 즉, 상기의 모듈 적층체(T1)를 배치함으로써 반송 영역(31)의 전후의 중앙에 형성되는 스페이스 및 캐리어(C)의 이동 배치를 행하는 하우징(11)의 외측의 스페이스를 이용하여, 처리 전 검사 모듈(41)이 배치되어 있다. 즉, 처리 전 검사 모듈(41)을 캐리어 블록(D1)에 설치하면서, 당해 캐리어 블록(D1)의 풋프린트의 증대가 방지되고 있다.And the carrier block D1 is provided with the inspection module 41 before a process. In the pre-processing inspection module 41 , the right end overlaps the module stack T1 and penetrates the side wall of the housing 11 , so that the left end protrudes from the conveyance area 31 . That is, by arranging the module stack T1, the space formed in the center before and after the conveyance area 31 and the space outside the housing 11 in which the carrier C is moved and disposed is used before processing. An inspection module 41 is arranged. That is, while the pre-processing inspection module 41 is installed in the carrier block D1, an increase in the footprint of the carrier block D1 is prevented.

또한 반송 기구(33)의 후방측에 처리 모듈로서 소수화 처리 모듈(30)을 배치하고, 반송 기구(33)에 의해 액세스되도록 하고 있다. 이 소수화 처리 모듈(30)의 배치에 의해서도, 도포, 현상 장치(1)의 좌우의 폭의 확대가 방지되고 있다. 그리고 반송 기구(33)가 소수화 처리 모듈(30)에 대하여, 반송 기구(32)가 처리 전 검사 모듈(41)에 대하여, 각각 웨이퍼(W)를 전달한다. 이에 의해 반송 기구(32, 33) 간에서의 부하의 편향이 억제되고, 이들 처리 모듈을 마련하는 것에 의한 스루풋의 저하가 방지되고 있다. 단, 반송 기구(33)에 의해, 처리 전 검사 모듈(41)로 웨이퍼(W)가 전달되는 구성으로 해도 된다.Moreover, the hydrophobization processing module 30 is arrange|positioned as a processing module on the rear side of the conveyance mechanism 33, and it is made to be accessed by the conveyance mechanism 33. As shown in FIG. Also by the arrangement of the hydrophobicization module 30 , the expansion of the left and right widths of the coating and developing apparatus 1 is prevented. Then, the transfer mechanism 33 transfers the wafer W to the hydrophobicization processing module 30 and the transfer mechanism 32 transfers the wafer W to the pre-processing inspection module 41 , respectively. Thereby, the deflection of the load between the conveyance mechanisms 32 and 33 is suppressed, and the fall of the throughput by providing these processing modules is prevented. However, it is good also as a structure in which the wafer W is delivered to the pre-processing inspection module 41 by the conveyance mechanism 33 .

또한, 웨이퍼(W)의 반입반출용에 캐리어(C)가 배치되는 이동 스테이지(15)를 복수 마련함에 있어, 모듈 적층체(T1)에 대하여 전방측에 복수 단으로 마련하고 있다. 이와 같이 모듈 적층체(T1)의 전방측에 이동 스테이지(15)가 집약되도록 배치됨으로써, 충분한 스루풋을 확보하기 위하여 필요한 수의 이동 스테이지(15)의 설치를 가능하게 하면서, 반송 영역(31)의 전후의 중앙부를 당해 모듈 적층체(T1) 및 처리 전 검사 모듈(41)의 설치 영역으로 할 수 있다. 그리고, 그와 같이 모듈 적층체(T1)를 배치함으로써, 그 후방에 반송 기구(33)를 배치할 수 있다. 따라서, 기술한 바와 같이 각 이동 스테이지(15)를 모듈 적층체(T1)에 대하여 전방측, 또한 서로 상이한 높이에 마련하는 것은, 스루풋을 높게 하면서, 장치의 풋프린트를 저감시키는 것에 기여하게 된다.In addition, in providing a plurality of moving stages 15 on which the carrier C is disposed for carrying in and out of the wafer W, a plurality of stages are provided on the front side of the module stack T1. In this way, by arranging the moving stages 15 so as to be integrated on the front side of the module stack T1, it is possible to install the necessary number of moving stages 15 in order to secure sufficient throughput, and The front and rear central portions can be used as the installation regions of the module stack T1 and the pre-processing inspection module 41 . And by arranging the module stacked body T1 in this way, the conveying mechanism 33 can be disposed on the rear side thereof. Accordingly, as described above, providing each of the moving stages 15 on the front side with respect to the module stack body T1 and at different heights contributes to reducing the footprint of the device while increasing the throughput.

그런데, 캐리어용의 임시 배치부인 임시 배치 스테이지(16)를 마련함으로써 불필요한 캐리어(C)를 이동 스테이지(15)로부터 퇴피시킬 수 있으므로, 캐리어(C)에 대한 웨이퍼(W)의 반입반출을 효율 좋게 행할 수 있다. 캐리어 블록(D1)에서는, 그 임시 배치 스테이지(16)에 대해서는, 전후 방향에 있어서 모듈 적층체(T1)와 동일한 위치 및 당해 모듈 적층체(T1)에 대하여 후방의 위치에 마련되어 있다. 즉, 기술한 레이아웃으로 이동 스테이지(15)를 마련함으로써, 반송 기구(32)에 의한 액세스가 행해지지 않는 빈 스페이스를 이용하여 임시 배치 스테이지(16)가 마련되어 있게 된다. 즉, 임시 배치 스테이지(16)는, 캐리어 블록(D1)의 대형화가 방지되는 레이아웃으로 배치되어 있다.However, since the unnecessary carrier C can be evacuated from the moving stage 15 by providing the temporary arrangement stage 16 which is a temporary arrangement part for carriers, the carrying in and out of the wafer W with respect to the carrier C can be efficiently carried out. can be done In the carrier block D1, the temporary arrangement stage 16 is provided at the same position as the module stacked body T1 in the front-rear direction and at the rear position with respect to the module stacked body T1. That is, by providing the moving stage 15 in the described layout, the temporary arrangement stage 16 is provided using the empty space to which access by the conveyance mechanism 32 is not performed. That is, the temporary arrangement stage 16 is arrange|positioned in the layout in which enlargement of the carrier block D1 is prevented.

또한 도포, 현상 장치(1)에 의하면 셔틀(7A, 7B)이 마련되고, 이들 셔틀(7A, 7B)에 의해, 캐리어 블록(D1)을 향해 웨이퍼(W)가 반송된다. 이에 의해 제 1 상측 처리 블록(D22) 및 제 2 상측 처리 블록(D32) 중, 일방의 블록에서 처리가 행해지는 웨이퍼(W)에 대하여, 타방의 블록의 처리 모듈이 바이패스되도록 캐리어 블록(D1)을 향해 반송된다. 따라서, 제 1 상측 처리 블록(D22)의 반송 기구(6B) 및 제 2 상측 처리 블록(D32)의 반송 기구(6D)의 부하(보다 상세하게는 블록 내에서 필요한 반송 공정의 수)가 저감된다. 결과적으로, 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 스루풋을, 보다 향상시킬 수 있다.In addition, according to the coating and developing apparatus 1, shuttles 7A and 7B are provided, and the wafer W is conveyed toward the carrier block D1 by these shuttles 7A and 7B. As a result, the carrier block D1 of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 bypasses the processing module of the other block with respect to the wafer W to be processed in one block. ) is returned towards Accordingly, the load (more specifically, the number of conveying steps required in the block) on the conveying mechanism 6B of the first upper processing block D22 and the conveying mechanism 6D of the second upper processing block D32 is reduced. . As a result, the throughput in the coating and developing apparatus 1 can be further improved.

그런데 캐리어 블록(D1)의 하우징(11)의 상부, 제 1 및 제 2 처리 블록(D2, D3)의 각 하우징의 상부, 인터페이스 블록(D4)의 하우징의 상부에는, 도시하지 않는 기류 형성 유닛이 마련된다. 각 기류 형성 유닛은, 도포, 현상 장치(1)의 외측의 공기를 도입하여 당해 기류 형성 유닛이 마련되는 블록에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송로로 공급하여, 기류를 형성한다. 도 11에는 캐리어 블록(D1), 제 1 처리 블록(D2)의 기류 형성 유닛을 각각 81, 82로서 나타내고 있다. 도시의 편의상, 이들 기류 형성 유닛(81, 82)은 캐리어 블록(D1), 제 1 처리 블록(D2)으로부터 각각 떨어진 위치에 표시하고 있다.By the way, an airflow forming unit (not shown) is provided above the housing 11 of the carrier block D1, above each housing of the first and second processing blocks D2 and D3, and above the housing of the interface block D4. will be prepared Each airflow forming unit introduces air from the outside of the coating and developing apparatus 1 and supplies it to the conveyance path of the wafer W in the block in which the airflow forming unit is provided, thereby forming an airflow. In Fig. 11, the airflow forming units of the carrier block D1 and the first processing block D2 are shown as 81 and 82, respectively. For convenience of illustration, these airflow forming units 81 and 82 are indicated at positions separated from the carrier block D1 and the first processing block D2, respectively.

기류 형성 유닛(82)은 도시하지 않는 덕트를 개재하여, 제 1 처리 블록(D2)을 이루는 제 1 하측 처리 블록(D21), 제 1 상측 처리 블록(D22)의 각 반송 영역(53)의 천장부에 마련되는 필터로 공기를 공급한다. 당해 필터로부터 공급된 공기는 반송 영역(53)을 하방으로 향하고, 도시하지 않는 제 1 하측 처리 블록(D21), 제 1 상측 처리 블록(D22)의 하부측에 마련되는 도시하지 않는 배기구로부터 배기된다.The airflow forming unit 82 is a ceiling portion of each conveyance area 53 of the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 forming the first processing block D2 via a duct (not shown). Air is supplied through a filter provided in the The air supplied from the filter faces the conveyance region 53 downward and is exhausted from an exhaust port (not shown) provided on the lower side of the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 (not shown). .

예를 들면 캐리어 블록(D1)에 있어서는, 예를 들면 도 11에 나타내는 바와 같이 반송 영역(31)의 전방측의 단부에 세로로 길게 형성된 필터(83)가 마련된다. 그리고, 기류 형성 유닛(81)으로부터 필터(83)로 공급된 공기는, 당해 필터(83)로부터 반송 영역(31)의 후방을 향해 공급된다. 모듈 적층체(T1)보다 후방에 있어서의 예를 들면 블록의 저부에는 배기홀(84)이 개구되어 있고, 필터(83)로부터 공급된 공기가 당해 배기홀(84)로부터 배기된다.For example, in the carrier block D1, as shown, for example in FIG. 11, the filter 83 formed lengthwise in the edge part on the front side of the conveyance area|region 31 is provided. And the air supplied to the filter 83 from the airflow formation unit 81 is supplied toward the back of the conveyance area|region 31 from the said filter 83. An exhaust hole 84 is opened at the bottom of the block, for example, at the rear of the module stack T1, and the air supplied from the filter 83 is exhausted from the exhaust hole 84.

각 블록에 있어서의 공기의 공급량 및 배기량의 밸런스가 조정됨으로써, 제 1 하측 처리 블록(D21), 제 1 상측 처리 블록(D22)이, 반송 영역(31)보다 압력이 높은 상태가 된다. 이에 의해, 상기와 같이 반송 영역(53)으로 공급되는 공기의 일부가 반송 영역(31)으로 흘러들어, 배기홀(84)로부터 배기된다. 도 11은 이와 같이 반송 영역(31, 53)에 형성되는 기류를 화살표로 나타내고 있다. 이와 같이 형성되는 기류에 의해, 소수화 처리 모듈(30)에서 사용하는 처리 가스가, 반송 영역(31)으로 유입되는 것이 보다 확실하게 방지된다. 가령, 당해 처리 가스가 반송 영역(31)을 거쳐 현상 모듈(51)로 유입되어 현상액과 반응하면 현상 결함을 발생시킬 우려가 있는데, 상기의 기류의 형성에 의해, 그러한 결함의 발생이 방지되게 된다. 즉, 당해 기류의 형성에 의해, 웨이퍼(W)로부터 제조되는 제품의 수율의 저하가 방지된다. 또한 필터(83), 기류 형성 유닛(81, 82)은, 기류 형성 기구를 이룬다.By adjusting the balance of the air supply amount and the exhaust amount in each block, the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 have a higher pressure than the conveying region 31 . Thereby, a part of the air supplied to the conveyance area 53 flows into the conveyance area 31 as described above, and is exhausted from the exhaust hole 84 . 11 : has shown the airflow formed in the conveyance areas 31 and 53 in this way with an arrow. By the airflow formed in this way, the process gas used in the hydrophobicization processing module 30 is more reliably prevented from flowing into the conveyance area 31 . For example, when the processing gas flows into the developing module 51 through the conveying region 31 and reacts with the developer, there is a risk of developing defects. . That is, a decrease in the yield of the product manufactured from the wafer W is prevented by the formation of the airflow. In addition, the filter 83 and the airflow forming units 81 and 82 form an airflow forming mechanism.

그런데 기술한 처리 전 검사 모듈(41)이 마련되는 위치에, 당해 처리 전 검사 모듈(41) 대신에 처리 후 검사 모듈(57)을 마련해도 된다. 그 경우에는, 도 9에서 기술한 왕로에 대해서는, 검사 모듈로의 반송이 행해지지 않는 경로로 하면 된다. 구체적으로는 웨이퍼(W)를 캐리어(C) → 반송 기구(32) → TRS1 → 반송 기구(33) → SCPL1의 순으로 반송하고, 제 1 하측 처리 블록(D21)으로 반입하면 된다. 그리고 도 10에서 기술한 귀로에 대해서는, 그와 같이 캐리어 블록(D1)에 마련한 처리 후 검사 모듈(57)을 경유하는 것으로 하면 된다. 구체적으로는, 처리를 끝내고 캐리어 블록(D1)의 TRS2로 반송된 웨이퍼(W)를, 반송 기구(32)는 처리 후 검사 모듈(57)로 반송한 후에 캐리어(C)로 되돌리도록 하면 된다.By the way, the post-processing inspection module 57 may be provided instead of the said pre-processing inspection module 41 in the position where the said pre-process inspection module 41 is provided. In that case, what is necessary is just to set it as the path|route in which conveyance to an inspection module is not performed about the outgoing path described in FIG. Specifically, what is necessary is just to convey the wafer W in the order of carrier C -> transfer mechanism 32 -> TRS1 -> transfer mechanism 33 -> SCPL1, and just carry in the 1st lower processing block D21. And what is necessary is just to pass through the test|inspection module 57 after the process provided in the carrier block D1 in this way about the return path described in FIG. Specifically, the wafer W transferred to the TRS2 of the carrier block D1 after the process is completed is returned to the carrier C by the transfer mechanism 32 after being transferred to the post-processing inspection module 57 .

그와 같이 캐리어 블록(D1)에 처리 후 검사 모듈(57)을 배치한 경우에는, 처리 전 검사 모듈(41)은, 예를 들면 제 1 하측 처리 블록(D21)의 후부측 처리부(50)를 구성하는 처리 모듈로서 마련해도 된다. 또한, 캐리어 블록(D1)에, 처리 전 검사 모듈(41) 및 처리 후 검사 모듈(57) 모두 마련되지 않는 구성이어도 되며, 그 경우에도 모듈 적층체(T1)의 각 모듈을 이용하여 반송 기구(32, 33) 간에서 웨이퍼(W)를 전달하여 적절하게, 반송을 행하면 된다.When the post-processing inspection module 57 is disposed in the carrier block D1 as described above, the pre-processing inspection module 41 performs, for example, the rear-side processing unit 50 of the first lower processing block D21. You may provide as a processing module to comprise. In addition, the carrier block D1 may have a configuration in which neither the pre-processing inspection module 41 nor the post-processing inspection module 57 is provided. What is necessary is just to transfer the wafer W between 32 and 33, and to transfer suitably.

상기의 반송예에서는, 웨이퍼(W)를 반출하기 위하여 캐리어(C)를 배치하는 이동 스테이지(15)(로더)와, 웨이퍼(W)를 반입하기 위하여 캐리어(C)를 배치하는 이동 스테이지(15)(언로더)가 상이하다. 단, 하나의 이동 스테이지(15)가, 로더와 언로더를 겸용해도 된다. 상기의 반송 기구(32)는 4 개의 이동 스테이지(15)에 공용되는 구성이기 때문에, 이와 같이 이동 스테이지(15)의 용도의 전환을 용이하게 행할 수 있는 이점이 있다.In the transfer example described above, a moving stage 15 (loader) on which the carrier C is placed to unload the wafer W, and a moving stage 15 for placing the carrier C in order to carry the wafer W in. ) (unloader) is different. However, one moving stage 15 may use both a loader and an unloader. Since said conveyance mechanism 32 is a structure shared by the four moving stages 15, there exists an advantage that the use of the moving stage 15 can be switched easily in this way.

또한 도포, 현상 장치(1)에 있어서, 상측 처리 블록(G2)을 웨이퍼(W)의 왕로, 하측 처리 블록(G1)을 웨이퍼(W)의 귀로로 해도 된다. 구체적으로는, 예를 들면 장치 내에서 반사 방지막의 형성은 행하지 않고, 제 1 상측 처리 블록(D22), 제 2 상측 처리 블록(D32)의 액 처리 모듈로서, 각각 레지스트막 형성 모듈(49)을 마련한다. 그리고 제 1 하측 처리 블록(D21), 제 2 하측 처리 블록(D31)의 액 처리 모듈로서, 현상 모듈(51)을 각각 설치한다. 그리고 기술한 반송 경로와는 반대의 반송 경로로 블록 간에 있어서 웨이퍼(W)를 반송함으로써, 레지스트막의 형성, 노광, 현상을 차례로 행하여, 레지스트 패턴을 형성하도록 해도 된다. 따라서, 셔틀로서는 귀로를 형성하는 것에 한정되지 않고, 캐리어 블록(D1)에 대해서도 귀로를 이루는 셔틀용의 TRS로 웨이퍼(W)를 전달하는 구성인 것에는 한정되지 않는다. 또한, 셔틀에 대해서는 제 1 하측 처리 블록(D21), 제 2 하측 처리 블록(D31)에 마련해도 된다. 예를 들면 이들 제 1 하측 처리 블록(D21), 제 2 하측 처리 블록(D31)의 액 처리 모듈이 모두 레지스트막 형성 모듈(49)이며, 셔틀을 이용하여 어느 일방의 블록의 레지스트막 형성 모듈(49)에서 웨이퍼(W)가 처리되도록 장치를 구성할 수도 있다.Further, in the coating and developing apparatus 1 , the upper processing block G2 may serve as an outward path to the wafer W and the lower processing block G1 may serve as a return path to the wafer W . Specifically, for example, the resist film forming module 49 is formed as the liquid processing module of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 without forming an antireflection film in the apparatus. prepare Then, a developing module 51 is provided as a liquid processing module of the first lower processing block D21 and the second lower processing block D31, respectively. Then, by transferring the wafer W between blocks on a transfer path opposite to the transfer path described above, the resist film may be formed, exposure, and development are sequentially performed to form a resist pattern. Therefore, as a shuttle, it is not limited to forming a return path, It is not limited to the thing of the structure which delivers the wafer W by the TRS for shuttles which make a return path also with respect to the carrier block D1. Further, the shuttle may be provided in the first lower processing block D21 and the second lower processing block D31. For example, both the liquid processing modules of the first lower processing block D21 and the second lower processing block D31 are the resist film forming modules 49, and the resist film forming module ( In 49), the apparatus may be configured such that the wafer W is processed.

또한, 장치에서 행하는 액 처리로서는 상기한 예에 한정되지 않고, 약액의 도포에 의한 절연막의 형성, 또는 약액의 도포에 의한 레지스트막의 표면을 보호하기 위한 보호막의 형성, 또는 웨이퍼(W)를 맞붙이기 위한 접착제의 도포 처리 등이 포함되어 있어도 된다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면 혹은 이면에 세정액을 공급하는 세정 처리를 행해도 된다. 따라서, 본 기술의 기판 처리 장치로서는 도포, 현상 장치인 것에는 한정되지 않는다.In addition, the liquid treatment performed in the apparatus is not limited to the above examples, and formation of an insulating film by application of a chemical solution, formation of a protective film for protecting the surface of a resist film by application of a chemical liquid, or pasting of the wafer W The application process of the adhesive agent etc. for this may be included. In addition, you may perform a washing process which supplies a washing|cleaning liquid to the front surface or the back surface of the wafer W. Accordingly, the substrate processing apparatus of the present technology is not limited to a coating and developing apparatus.

또한 하측 처리 블록(G1), 상측 처리 블록(G2)으로서는, 인터페이스 블록(D4)에 의해 서로 접속되어 있지 않아도 된다. 도 12의 기판 처리 장치(8)의 개략도를 참조하여 설명한다. 모듈 적층체(T1)에는 TRS21 ~ TRS23이 포함된다고 한다. TRS21이 캐리어(C)에 대한 전달용으로, 반송 기구(32)에 의해 캐리어(C) - TRS21 간에서 웨이퍼(W)가 반송된다. TRS22, TRS23이 하측 처리 블록(G1), 상측 처리 블록(G2)에 대한 전달용으로, TRS21 - TRS22 간, TRS21 - TRS23 간에서 웨이퍼(W)가 각각 반송 기구(33)에 의해 반송된다. 캐리어(C)로부터 TRS21을 경유하여 TRS22, TRS23으로부터 하측 처리 블록(G1), 상측 처리 블록(G2)으로 각각 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 후에 TRS22, TRS23으로부터 TRS21을 경유하여 캐리어(C)로 되돌려진다. 즉, 하측 처리 블록(G1) 및 상측 처리 블록(G2)의 일방에서만 웨이퍼(W)는 처리를 받고, 캐리어(C)로 되돌려지도록 장치가 구성되어 있어도 된다.In addition, the lower processing block G1 and the upper processing block G2 do not need to be connected to each other by the interface block D4. It demonstrates with reference to the schematic of the substrate processing apparatus 8 of FIG. It is said that the module stack T1 includes TRS21 to TRS23. The wafer W is transferred between the carrier C and the TRS21 by the transfer mechanism 32 for the transfer of the TRS21 to the carrier C. TRS22 and TRS23 are for transfer to the lower processing block G1 and the upper processing block G2, and the wafer W is transferred by the transfer mechanism 33 between TRS21 and TRS22 and between TRS21 and TRS23, respectively. The wafers W respectively carried from the carrier C to the lower processing block G1 and the upper processing block G2 from TRS22 and TRS23 via TRS21 are processed after processing, from TRS22 and TRS23 via TRS21 to the carrier C is returned to That is, the apparatus may be configured such that the wafer W is processed only in one of the lower processing block G1 and the upper processing block G2 and returned to the carrier C.

또한, 하측 처리 블록(G1), 상측 처리 블록(G2)의 각각은 좌우로 배열되는 2 개의 처리 블록에 의해 구성하는 것에 한정되지 않고, 1 개의 처리 블록에 의해 구성되어 있어도 된다. 또한, 하측 처리 블록(G1), 상측 처리 블록(G2)의 각각은 3 개 이상의 좌우로 배열된 복수의 처리 블록에 의해 구성되고, 좌우로 배열되는 처리 블록 간에서 웨이퍼(W)가 반송되도록 해도 된다.In addition, each of the lower processing block G1 and the upper processing block G2 is not limited to being constituted by two processing blocks arranged left and right, but may be constituted by one processing block. In addition, each of the lower processing block G1 and the upper processing block G2 is constituted by three or more plural processing blocks arranged left and right, even if the wafer W is transferred between the processing blocks arranged on the left and right do.

또한 각 처리 블록에 있어서, 액 처리 모듈이 전방, 후부측 처리부(50)를 이루는 처리 모듈이 후방에 위치하는데, 이 레이아웃은 전후 반대여도 된다. 또한, 캐리어 블록(D1)에 있어서도 반송 기구(32, 33) 및 캐리어(C)용의 각 스테이지 등의 레이아웃은 전후 반대여도 된다. 또한, 캐리어 블록(D1)과, 다른 블록의 배열도 좌우 반대여도 된다.Further, in each processing block, the liquid processing module is located in the front, and the processing module constituting the rear side processing unit 50 is located in the rear, but this layout may be reversed. In addition, also in the carrier block D1, the layouts of the conveyance mechanisms 32 and 33 and each stage for the carrier C may be reversed back-to-back. In addition, the arrangement of the carrier block D1 and the other blocks may be opposite to the left and right.

그리고 캐리어 블록(D1)에 있어서는, 소수화 처리 모듈(30) 대신에, 처리 후 검사 모듈(57) 등의 다른 모듈을 마련하고, 반송 기구(33)에 의해 반송이 행해지도록 해도 된다. 단, 소수화 처리 모듈(30)은 처리를 행함에 있어, 웨이퍼(W)를 배치하는 배치부(열판)를 가로 방향으로 이동시키지 않아도 된다. 즉, 반송 기구(33)의 후방에 처리 모듈을 마련함에 있어, 그와 같이 웨이퍼(W)의 배치부를 가로 방향으로 이동시키지 않고 처리를 행하는 처리 모듈을 마련하는 것이, 캐리어 블록(D1)의 대형화, 나아가서는 기판 처리 장치의 대형화를 방지하기 위하여 바람직하다. 또한, 모듈 적층체(T1)를 구성하는 TRS, SCPL의 순서는 장치 내에 있어서 웨이퍼(W)를 반송 가능한 범위에서, 적절히 높이를 변경하거나, 중첩되는 순서를 바꿔도 된다.And in the carrier block D1, instead of the hydrophobicization processing module 30, other modules, such as the post-processing inspection module 57, may be provided, and you may make it conveyance by the conveyance mechanism 33. As shown in FIG. However, the hydrophobization processing module 30 does not need to move the placement unit (hot plate) for arranging the wafer W in the horizontal direction during the processing. That is, in providing the processing module behind the transfer mechanism 33 , providing a processing module that performs processing without moving the arrangement portion of the wafer W in the lateral direction in this way increases the size of the carrier block D1 . , and furthermore, in order to prevent enlargement of a substrate processing apparatus, it is preferable. In addition, the order of TRS and SCPL constituting the module stacked body T1 may be appropriately changed in height or the overlapping order may be changed within the range in which the wafer W can be transported in the apparatus.

또한, 소수화 처리 모듈(30)은, 모듈 적층체(T1)를 이루는 TRS, SCPL과 중첩되도록 배치해도 된다. 단, 모듈 적층체(T1)에 다수의 TRS, SCPL을 배치하여 웨이퍼(W)를 배치함으로써, 캐리어 블록(D1)과 제 1 처리 블록(D2) 사이, 및 캐리어(C)와 캐리어 블록(D1)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달이 신속하게 행해지도록 할 수 있다. 따라서, 소수화 처리 모듈(30)은 기술한 바와 같이 반송 영역(31)의 후방측에 배치하는 것이 바람직하다. 또한 도포, 현상 장치(1)에 있어서, 처리 전 검사 모듈(41)로 반송 기구(32)에 의해 웨이퍼(W)를 반송한 후, 반송 기구(33)가 당해 검사 모듈(41)에서 웨이퍼(W)를 수취하여, SCPL1로 반송하고, 하측 처리 블록(D21)으로 웨이퍼(W)가 도입되도록 해도 된다. 즉, 반송 기구(32, 33) 간에서의 웨이퍼(W)의 전달은, 임시 배치 모듈에서 행하는 것에는 한정되지 않는다.In addition, you may arrange|position so that the hydrophobization treatment module 30 may overlap with TRS and SCPL which make up the module laminated body T1. However, by disposing a plurality of TRS and SCPL in the module stack T1 and disposing the wafer W, between the carrier block D1 and the first processing block D2, and between the carrier C and the carrier block D1 ) and the wafer W can be transferred quickly. Accordingly, the hydrophobization treatment module 30 is preferably disposed on the rear side of the conveying area 31 as described above. Further, in the coating and developing apparatus 1 , after transferring the wafer W to the pre-processing inspection module 41 by the transfer mechanism 32 , the transfer mechanism 33 transfers the wafer ( W) may be received, transferred to SCPL1, and the wafer W may be introduced into the lower processing block D21. That is, the transfer of the wafer W between the transfer mechanisms 32 and 33 is not limited to being performed by the temporary placement module.

그리고, 금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경 및 조합이 이루어져도 된다.In addition, it should be thought that embodiment disclosed this time is not restrictive by an illustration in all points. The above embodiment may be omitted, substituted, changed, and combined in various forms without departing from the scope of the appended claims and the spirit thereof.

Claims (15)

기판을 저장하는 캐리어가 배치되는 캐리어 배치부를 구비하는 캐리어 블록과,
상기 기판을 각각 처리하고, 서로 적층되어 마련되는 복수의 처리 모듈과, 상기 복수의 처리 모듈에 공용되어 상기 기판을 반송하는 주반송 기구를 구비하고, 상기 캐리어 배치부에 대하여 평면에서 봤을 때, 좌우 중 일방에 마련되는 하나의 처리 블록과,
상기 기판을 각각 처리하고, 서로 적층되어 마련되는 복수의 처리 모듈과, 상기 복수의 처리 모듈에 공용되어 상기 기판을 반송하는 주반송 기구를 구비하고, 상기 하나의 처리 블록에 대하여 세로 방향으로 중첩되는 다른 처리 블록과,
평면에서 봤을 때, 상기 캐리어 배치부와, 상기 하나의 처리 블록 및 상기 다른 처리 블록과의 사이에 개재되도록, 상기 캐리어 블록에 마련되는 상기 기판의 반송 영역과,
상기 캐리어에 대하여 상기 기판을 전달하기 위하여 상기 반송 영역에 마련되는 제 1 반송 기구와,
상기 제 1 반송 기구, 상기 하나의 처리 블록의 주반송 기구, 상기 다른 처리 블록의 주반송 기구에 의해 각각 상기 기판이 전달되는 제 1 배치부, 제 2 배치부, 제 3 배치부가 서로 세로 방향으로 중첩되어 구성되고, 또한 평면에서 봤을 때, 상기 제 1 반송 기구에 대하여 전후 중 일방측에 마련되는 배치부의 적층체와,
평면에서 봤을 때, 상기 제 1 반송 기구와 함께 상기 적층체를 전후로부터 개재하도록 상기 반송 영역에 마련되고, 상기 제 1 배치부와 상기 제 2 배치부와의 사이, 상기 제 1 배치부와 상기 제 3 배치부와의 사이에서 각각 상기 기판을 반송하기 위한 제 2 반송 기구를 구비하는 기판 처리 장치.A carrier block having a carrier arrangement unit on which a carrier for storing a substrate is disposed;
A plurality of processing modules for processing each of the substrates and stacked on each other are provided, and a main transport mechanism shared with the plurality of processing modules to transport the substrate, wherein the carrier arrangement unit is provided with a left and right side when viewed in a plan view. One processing block provided on one side of the;
a plurality of processing modules which each process the substrate and are provided to be stacked on each other, and a main transport mechanism that is shared with the plurality of processing modules to transport the substrate, the processing block being vertically overlapped with respect to the one processing block; other processing blocks;
a transfer region of the substrate provided in the carrier block to be interposed between the carrier arrangement unit and the one processing block and the other processing block in a plan view;
a first conveying mechanism provided in the conveying area for conveying the substrate with respect to the carrier;
The first arrangement unit, the second arrangement unit, and the third arrangement unit to which the substrates are respectively transferred by the first conveying mechanism, the main conveying mechanism of one processing block, and the main conveying mechanism of the other processing block are arranged in a longitudinal direction with each other. A stacked body of an arrangement portion configured to be overlapped and provided on one side of the front and rear with respect to the first conveying mechanism in a plan view;
It is provided in the conveyance area so that the laminated body may be interposed from front and back together with the said 1st conveyance mechanism in plan view, and between the said 1st arrangement|positioning part and the said 2nd arrangement|positioning part, the said 1st arrangement|positioning part and the said 1st arrangement|positioning part 3 The substrate processing apparatus provided with the 2nd conveyance mechanism for conveying the said board|substrate between each arrangement|positioning part, respectively. 제 1 항에 있어서,
상기 하나의 처리 블록의 처리 모듈, 상기 다른 처리 블록의 처리 모듈을 각각 제 1 처리 모듈, 제 2 처리 모듈로 하면,
평면에서 봤을 때 상기 적층체와 중첩되는 위치에, 상기 제 1 반송 기구 또는 제 2 반송 기구에 의해 상기 기판이 전달되는 제 3 처리 모듈이 마련되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
When the processing module of the one processing block and the processing module of the other processing block are respectively a first processing module and a second processing module,
and a third processing module to which the substrate is transferred by the first transport mechanism or the second transport mechanism is provided at a position overlapping the stacked body in a plan view. 제 2 항에 있어서,
상기 제 3 처리 모듈은 상기 기판의 검사를 행하기 위한 검사 모듈인 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The third processing module is an inspection module for inspecting the substrate. 제 3 항에 있어서,
상기 검사 모듈은, 평면에서 봤을 때 상기 적층체와 중첩되는 위치로부터 좌우 중 타방으로 연신되어, 상기 반송 영역을 형성하는 하우징의 외측으로 돌출되어 마련되는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The inspection module is provided to protrude to the outside of a housing forming the conveyance area by extending in the other of left and right from a position overlapping the laminate when viewed in a plan view. 제 4 항에 있어서,
상기 검사 모듈에는, 상기 하나의 처리 블록 및 상기 다른 처리 블록으로 반송되기 전의 상기 기판이 반송되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
A substrate processing apparatus in which the substrate before being transferred to the one processing block and the other processing block is transferred to the inspection module. 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 반송 기구에 대하여 전후 중 일방측에, 상기 제 2 반송 기구에 의해 상기 기판이 전달되는 제 4 처리 모듈이 마련되고,
상기 제 3 처리 모듈에는 상기 제 1 반송 기구에 의해 상기 기판이 전달되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
A fourth processing module to which the substrate is transferred by the second transfer mechanism is provided on one side of the front and rear with respect to the second transfer mechanism;
A substrate processing apparatus to which the substrate is transferred to the third processing module by the first transfer mechanism. 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 반송 기구에 대하여 전후 중 일방측에, 상기 제 2 반송 기구에 의해 상기 기판이 전달되는 제 4 처리 모듈이 마련되고,
상기 하나의 처리 블록의 처리 모듈, 상기 다른 처리 블록의 처리 모듈을 각각 제 1 처리 모듈, 제 2 처리 모듈로 하면,
상기 복수의 제 1 처리 모듈 또는 복수의 제 2 처리 모듈에는, 상기 기판에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 도포막 형성 모듈이 포함되고,
상기 제 4 처리 모듈은, 상기 도포액의 공급 전에 상기 기판을 가스 처리하여 소수화하는 소수화 처리 모듈인 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A fourth processing module to which the substrate is transferred by the second transfer mechanism is provided on one side of the front and rear with respect to the second transfer mechanism;
When the processing module of the one processing block and the processing module of the other processing block are respectively a first processing module and a second processing module,
The plurality of first processing modules or the plurality of second processing modules includes a coating film forming module configured to supply a coating liquid to the substrate to form a coating film,
and the fourth processing module is a hydrophobicization processing module for hydrophobizing the substrate by gas processing before supply of the coating solution. 제 7 항에 있어서,
상기 반송 영역에 있어서 전후의 타방측으로부터 상기 제 4 처리 모듈을 향하는 기류 및 상기 하나의 처리 블록 및 상기 다른 처리 블록으로부터 상기 반송 영역을 향하는 기류를 각각 형성하는 기류 형성 기구가 마련되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
and an airflow forming mechanism for forming an airflow toward the fourth processing module from the other front and back sides in the transport region and an airflow from the one processing block and the other processing block toward the transport region, respectively. 제 1 항에 있어서,
상기 캐리어 배치부는, 상기 적층체에 대하여 상기 전후 중 타방측에 복수, 서로 상이한 높이에 마련되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The said carrier arrangement part is a substrate processing apparatus provided with a plurality and mutually different heights on the other side of the said front-back with respect to the said laminated body. 제 9 항에 있어서,
상기 반송 영역에 대하여 좌우 중 일방측에 있어서,
전후에 있어서 상기 적층체와 동일한 위치이거나 혹은 상기 적층체에 대하여 전후 중 일방측에 마련되는, 상기 캐리어를 임시 배치하기 위한 캐리어용의 임시 배치부와,
상기 임시 배치부와, 상기 캐리어 배치부와의 사이에서 상기 캐리어를 이동 배치하는 캐리어 이동 배치 기구를 구비하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
In one side of the left and right with respect to the conveyance area,
A temporary arranging unit for carriers for temporarily arranging the carrier, which is at the same position as the stacked body in the front and rear or provided on one side of the front and rear with respect to the stacked body;
A substrate processing apparatus comprising: a carrier moving arrangement mechanism for moving and disposing the carrier between the temporary arrangement unit and the carrier arrangement unit. 제 1 항에 있어서,
상기 하나의 처리 블록 및 상기 다른 처리 블록의 좌우 중 일방에는, 상기 하나의 처리 블록과 상기 다른 처리 블록과의 사이에서 상기 기판을 반송하기 위한 승강 반송 기구를 구비한 중계 블록이 접속되고,
상기 기판은 상기 캐리어 블록으로부터 상기 하나의 처리 블록을 경유하여 상기 중계 블록을 향하는 왕로와, 상기 중계 블록으로부터 상기 다른 처리 블록을 경유하여 상기 캐리어 블록을 향하는 귀로를 반송되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
a relay block provided with a lifting/lowering transport mechanism for transporting the substrate between the one processing block and the other processing block is connected to one of the left and right of the one processing block and the other processing block;
The substrate is transported on an outward path from the carrier block toward the relay block via the one processing block and a return path from the relay block toward the carrier block via the other processing block. 제 11 항에 있어서,
상기 하나의 처리 블록 및 상기 다른 처리 블록 중 적어도 일방의 처리 블록에는, 상기 주반송 기구와는 다른 제 3 반송 기구와, 상기 제 3 반송 기구와 상기 제 2 반송 기구와의 사이에서 상기 기판을 전달하기 위하여 상기 기판이 임시 배치되는 제 4 배치부가 마련되는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
To at least one of the one processing block and the other processing block, a third conveying mechanism different from the main conveying mechanism and the substrate are transferred between the third conveying mechanism and the second conveying mechanism A substrate processing apparatus provided with a fourth arrangement unit on which the substrate is temporarily arranged to perform the arrangement. 제 12 항에 있어서,
상기 하나의 처리 블록 및 다른 처리 블록 중 적어도 일방의 처리 블록은, 상기 적층되는 복수의 처리 모듈 및 상기 주반송 기구를 각각 구비하고, 또한 좌우로 배열되는 좌측의 처리 블록, 우측의 처리 블록에 의해 구성되고,
상기 제 3 반송 기구는, 상기 처리 모듈을 경유하지 않고 상기 기판을 하류측의 블록을 향해 반송하기 위하여, 상기 좌측의 처리 블록, 상기 우측의 처리 블록의 각각에 마련되는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
At least one of the one processing block and the other processing block is provided with the plurality of stacked processing modules and the main conveying mechanism, respectively, and includes a left processing block and a right processing block arranged left and right. composed,
The third transport mechanism is provided in each of the left processing block and the right processing block to transport the substrate toward the downstream block without passing through the processing module. 기판을 저장하는 캐리어를 캐리어 블록에 마련되는 캐리어 배치부에 배치하는 공정과,
상기 기판을 각각 처리하고, 서로 적층되어 마련되는 복수의 처리 모듈과, 상기 복수의 처리 모듈에 공용되어 상기 기판을 반송하는 주반송 기구를 구비하고, 상기 캐리어 배치부에 대하여 평면에서 봤을 때, 좌우 중 일방에 마련되는 하나의 처리 블록에서 상기 기판을 반송하는 공정과,
상기 기판을 각각 처리하고, 서로 적층되어 마련되는 복수의 처리 모듈과, 상기 복수의 처리 모듈에 공용되어 상기 기판을 반송하는 주반송 기구를 구비하고, 상기 하나의 처리 블록에 대하여 세로 방향으로 중첩되는 다른 처리 블록에서 상기 기판을 반송하는 공정과,
평면에서 봤을 때, 상기 캐리어 배치부와, 상기 하나의 처리 블록 및 상기 다른 처리 블록과의 사이에 개재되도록 상기 캐리어 블록에 마련된 상기 기판의 반송 영역에 마련되는 제 1 반송 기구에 의해, 상기 캐리어에 대하여 상기 기판을 전달하는 공정과,
서로 세로 방향으로 중첩되어 구성되고, 또한 평면에서 봤을 때, 상기 제 1 반송 기구에 대하여 전후 중 일방측에 마련되는 배치부의 적층체를 구성하는 제 1 배치부, 제 2 배치부, 제 3 배치부에 각각, 상기 제 1 반송 기구, 상기 하나의 처리 블록의 주반송 기구, 상기 다른 처리 블록의 주반송 기구에 의해 상기 기판을 전달하는 공정과,
평면에서 봤을 때, 상기 제 1 반송 기구와 함께 상기 적층체를 전후로부터 개재하도록 상기 반송 영역에 마련되는 제 2 반송 기구에 의해, 상기 제 1 배치부와 상기 제 2 배치부의 사이, 상기 제 1 배치부와 상기 제 3 배치부와의 사이에서 각각 상기 기판을 반송하는 공정을 구비하는 기판 처리 방법.A step of disposing a carrier for storing the substrate in a carrier arrangement unit provided on the carrier block;
A plurality of processing modules for processing each of the substrates and stacked on each other are provided, and a main transport mechanism shared with the plurality of processing modules to transport the substrate, wherein the carrier arrangement unit is provided with a left and right side when viewed in a plan view. a step of transporting the substrate in one processing block provided in one of the steps;
a plurality of processing modules which each process the substrate and are provided to be stacked on each other, and a main transport mechanism that is shared with the plurality of processing modules to transport the substrate, the processing block being vertically overlapped with respect to the one processing block; transferring the substrate from another processing block;
In a plan view, the carrier is transferred to the carrier by a first conveying mechanism provided in a conveyance area of the substrate provided in the carrier block so as to be interposed between the carrier arranging unit and the one processing block and the other processing block. a process of transferring the substrate to
The first arrangement part, the 2nd arrangement part, and the 3rd arrangement part which comprise the laminated body of the arrangement part which are superimposed on each other in the longitudinal direction, and are provided on one side of the front and back with respect to the said 1st conveyance mechanism in planar view. transferring the substrate by the first transfer mechanism, the main transfer mechanism of the one processing block, and the main transfer mechanism of the other processing block, respectively;
Between the said 1st arrangement part and the said 2nd arrangement part by the 2nd conveyance mechanism provided in the said conveyance area|region so that the said laminated body may be interposed in planar view from the front and back with the said 1st conveyance mechanism, the said 1st arrangement|positioning A substrate processing method comprising a step of respectively transporting the substrate between the unit and the third arrangement unit. 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제 14 항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하도록 단계군이 짜여 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.A storage medium for storing a computer program used in a substrate processing apparatus, comprising:
A storage medium, characterized in that the computer program has a group of steps to execute the substrate processing method according to claim 14 .
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