JP2022083851A - Substrate processing device, substrate processing method and storage medium - Google Patents

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Masashi Tsuchiyama
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太郎 山本
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Abstract

To increase the throughput of a substrate processing device with the suppression of an exclusive floor area.SOLUTION: The substrate processing device includes: one processing block and another processing block provided on either of the right and left sides of a carrier loading unit of a carrier block in a plan view; a substrate transfer region which includes a first transfer mechanism provided on the carrier block; a loading unit lamination having, in a longitudinal direction, an overlaid configuration of a first loading unit, a second loading unit and a third loading unit, on which a substrate is delivered respectively by the first transfer mechanism, a main transfer mechanism of the one processing block and a main transfer mechanism of the other processing block, and provided on one of the front and the rear sides relative to the first transfer mechanism in a plan view; and a second transfer mechanism for substrate transfer between the first loading unit and the second loading unit and between the first loading unit and the third loading unit, respectively, which is provided in the transfer region to sandwich the lamination from the front and back in a plan view together with the first transfer mechanism.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method and a storage medium.

半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）について基板処理装置内の各種の処理モジュール間を搬送することで、液処理や加熱処理などの処理が行われる。ウエハはキャリアにより基板処理装置に搬送される。特許文献１には、当該キャリアに対してウエハを受け渡すキャリアブロックを備えた基板処理装置について示されている。このキャリアブロックでは、多数の基板の載置部からなる積層体を挟むように搬送機構が２つ設けられており、各搬送機構は、載置部間でのウエハの受け渡し用の保持部と、キャリアに対してのウエハの受け渡し用の保持部と、を備える。 In the process of manufacturing a semiconductor device, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) is transported between various processing modules in a substrate processing apparatus to perform processing such as liquid treatment and heat treatment. The wafer is conveyed to the substrate processing apparatus by the carrier. Patent Document 1 describes a substrate processing apparatus including a carrier block that delivers a wafer to the carrier. In this carrier block, two transport mechanisms are provided so as to sandwich a laminated body composed of mounting portions of a large number of substrates, and each transport mechanism includes a holding portion for transferring a wafer between the mounting portions and a holding portion. A holding unit for transferring the wafer to the carrier is provided.

特開２０１３－６９９１６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-69916

本開示は、基板処理装置におけるスループットを高くすると共に、専有床面積を抑えることができる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of increasing the throughput in a substrate processing apparatus and reducing the occupied floor area.

本開示の基板処理装置は、基板を格納するキャリアが載置されるキャリア載置部を備えるキャリアブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックと、
平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように、前記キャリアブロックに設けられる前記基板の搬送領域と、
前記キャリアに対して前記基板を受け渡すために前記搬送領域に設けられる第１の搬送機構と、
前記第１の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって夫々前記基板が受け渡される第１の載置部、第２の載置部、第３の載置部が互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記第１の搬送機構に対して前後の一方側に設けられる載置部の積層体と、
平面視、前記第１の搬送機構と共に前記積層体を前後から挟むように前記搬送領域に設けられ、前記第１の載置部と前記第２の載置部との間、前記第１の載置部と前記第３の載置部との間で夫々前記基板を搬送するための第２の搬送機構と、
を備える。 The substrate processing apparatus of the present disclosure includes a carrier block including a carrier mounting portion on which a carrier for storing a substrate is mounted, and a carrier block.
It is provided with a plurality of processing modules provided by processing each of the substrates and laminated with each other, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules to transport the substrate, and is flat with respect to the carrier mounting portion. One processing block provided on one of the left and right sides of the view,
It is provided with a plurality of processing modules provided by processing each of the substrates and being laminated with each other, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules to transport the substrate, and is vertically oriented with respect to the one processing block. With other processing blocks that overlap in the direction,
In a plan view, a transport area of the substrate provided on the carrier block so as to be interposed between the carrier mounting portion and the one processing block and the other processing block.
A first transport mechanism provided in the transport region for delivering the substrate to the carrier,
A first mounting portion, a second mounting portion, and a third mounting portion to which the substrate is delivered by the first transport mechanism, the main transport mechanism of the one processing block, and the main transport mechanism of the other processing blocks, respectively. The mounting portions are configured to overlap each other in the vertical direction, and in a plan view, a laminated body of the mounting portions provided on one side of the front and rear with respect to the first transport mechanism.
In a plan view, the laminated body is provided in the transport area so as to sandwich the laminated body from the front and back together with the first transport mechanism, and the first mounting portion is provided between the first mounting portion and the second mounting portion. A second transport mechanism for transporting the substrate between the mounting portion and the third mounting portion, respectively.
To prepare for.

本開示は、基板処理装置におけるスループットを高くすると共に、専有床面積を抑えることができる。 The present disclosure can increase the throughput in the substrate processing apparatus and reduce the occupied floor area.

本開示の基板処理装置の一実施形態に係る塗布、現像装置の横断平面図である。It is a cross-sectional plan view of the coating and developing apparatus which concerns on one Embodiment of the substrate processing apparatus of this disclosure. 前記塗布、現像装置の縦断正面図である。It is a vertical sectional front view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置の縦断正面図である。It is a vertical sectional front view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置の左側面図である。It is a left side view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。It is a vertical sectional side view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the transport mechanism provided in the said coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the transport mechanism provided in the said coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the transport mechanism provided in the said coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置における搬送経路の概略図である。It is a schematic diagram of the transport path in the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置における搬送経路の概略図である。It is a schematic diagram of the transport path in the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置に形成される気流を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the air flow formed in the said coating and developing apparatus. 基板処理装置におけるウエハの搬送経路を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the transfer path of the wafer in the substrate processing apparatus.

本開示の基板処理装置の一実施形態に係る塗布、現像装置１について、図１の横断平面図、図２、図３の縦断正面図を夫々参照して説明する。図２、図３については装置の異なる位置の断面を示している。塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、第１の処理ブロックＤ２と、第２の処理ブロックＤ３と、インターフェイスブロックＤ４と、がこの順で横方向に直線状に配列され、隣り合うブロック同士が互いに接続されている。これらのブロック（キャリアブロック、第１及び第２の処理ブロック、インターフェイスブロック）Ｄ１～Ｄ４は各々筐体を備えて互いに区画されており、各筐体の内部に基板であるウエハＷの搬送領域が形成されている。 The coating and developing apparatus 1 according to the embodiment of the substrate processing apparatus of the present disclosure will be described with reference to the cross-sectional plan view of FIG. 1 and the vertical sectional front view of FIGS. 2 and 3, respectively. 2 and 3 show cross sections at different positions of the device. In the coating / developing apparatus 1, the carrier block D1, the first processing block D2, the second processing block D3, and the interface block D4 are arranged in this order in a linear line in the horizontal direction, and adjacent blocks are arranged in a straight line. Are connected to each other. These blocks (carrier block, first and second processing blocks, interface blocks) D1 to D4 each have a housing and are partitioned from each other, and a transfer region of the wafer W which is a substrate is provided inside each housing. It is formed.

以降の説明にあたり、これらブロックＤ１～Ｄ４の配列方向を左右方向とし、キャリアブロックＤ１側を左側、インターフェイスブロックＤ４を右側とする。また、装置の前後方向について、キャリアブロックＤ１を左に見たときの手前を前方、奥を後方とする。中継ブロックであるインターフェイスブロックＤ４には、右側から露光機２０が接続されている。 In the following description, the arrangement direction of these blocks D1 to D4 is the left-right direction, the carrier block D1 side is the left side, and the interface block D4 is the right side. Further, in the front-rear direction of the device, the front side when the carrier block D1 is viewed to the left is the front side, and the back side is the rear side. The exposure machine 20 is connected to the interface block D4, which is a relay block, from the right side.

ブロックＤ１～Ｄ４の各々について詳細に説明する前に、塗布、現像装置１の概略構成を述べる。塗布、現像装置１には、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unify Pod）と呼ばれるキャリアＣに格納された状態でウエハＷが搬送される。塗布、現像装置１は、レジストを含む各種の塗布液をウエハＷに供給することによる塗布膜の形成と、露光機２０によって露光されたレジスト膜の現像と、を行う。 Before explaining each of the blocks D1 to D4 in detail, a schematic configuration of the coating and developing apparatus 1 will be described. The wafer W is conveyed to the coating / developing apparatus 1 in a state of being stored in a carrier C called, for example, a FOUP (Front Opening Unify Pod). The coating and developing apparatus 1 performs formation of a coating film by supplying various coating liquids containing a resist to the wafer W, and development of the resist film exposed by the exposure machine 20.

第１の処理ブロック（左側の処理ブロック）Ｄ２及び第２の処理ブロック（右側の処理ブロック）Ｄ３は、各々縦方向において２分割されるように区画されている。そのように互いに区画された第１の処理ブロックＤ２の下側、上側を夫々第１の下側処理ブロックＤ２１、第１の上側処理ブロックＤ２２とする。また、互いに区画された第２の処理ブロックＤ３の下側、上側を夫々第２の下側処理ブロックＤ３１、第２の上側処理ブロックＤ３２とする。従って、第１の下側処理ブロックＤ２１及び第１の上側処理ブロックＤ２２は互いに積層され、第２の下側処理ブロックＤ３１及び第２の上側処理ブロックＤ３２は互いに積層される。そして、第１の下側処理ブロックＤ２１及び第１の上側処理ブロックＤ２２が互いに隣接し、第２の下側処理ブロックＤ３１及び第２の上側処理ブロックＤ３２が互いに隣接する。 The first processing block (processing block on the left side) D2 and the second processing block (processing block on the right side) D3 are each partitioned so as to be divided into two in the vertical direction. The lower side and the upper side of the first processing block D2 so partitioned from each other are the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22, respectively. Further, the lower side and the upper side of the second processing block D3 partitioned from each other are the second lower processing block D31 and the second upper processing block D32, respectively. Therefore, the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 are laminated with each other, and the second lower processing block D31 and the second upper processing block D32 are laminated with each other. Then, the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 are adjacent to each other, and the second lower processing block D31 and the second upper processing block D32 are adjacent to each other.

これらの処理ブロック（Ｄ２１、Ｄ２２、Ｄ３１、Ｄ３２）の各々が上記の処理モジュールと、処理モジュールに対する受け渡しが可能な搬送機構（主搬送機構）と、を備える。さらに、第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２には、そのように処理モジュールへ受け渡す搬送機構とは別の搬送機構が各々設けられる。当該別の搬送機構について、以降はシャトルとして記載する。このシャトルは、処理モジュールを経由しないようにウエハＷを下流側のブロックに向けて搬送するバイパス搬送機構であり、当該シャトルが設けられる第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２は、バイパス搬送路形成ブロックである。 Each of these processing blocks (D21, D22, D31, D32) includes the above processing module and a transport mechanism (main transport mechanism) capable of delivering to and from the processing module. Further, the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 are each provided with a transport mechanism different from the transport mechanism such to be delivered to the processing module. The other transport mechanism will be described below as a shuttle. This shuttle is a bypass transfer mechanism that transports the wafer W toward the downstream block so as not to pass through the processing module, and the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 provided with the shuttle are , Bypass transport path forming block.

第１の下側処理ブロックＤ２１及び第２の下側処理ブロックＤ３１は、キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ４へ向けてウエハＷを搬送する往路を形成する。そして、第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２については、露光機２０にて露光済みのウエハＷを、インターフェイスブロックＤ４からキャリアブロックＤ１へ向けて搬送する復路を形成し、互いに同じ処理を行えるように同じ種類の処理モジュールが設けられる。当該復路においてウエハＷは、第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２のうちの一方のブロックにおける搬送機構によって処理モジュールへ搬送されて処理を受け、他方のブロックではシャトルによって搬送される。 The first lower processing block D21 and the second lower processing block D31 form an outward path for transporting the wafer W from the carrier block D1 to the interface block D4. Then, with respect to the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32, a return path is formed in which the wafer W exposed by the exposure machine 20 is conveyed from the interface block D4 to the carrier block D1 to form a return path to each other. The same type of processing module is provided so that the same processing can be performed. In the return path, the wafer W is conveyed to the processing module by the transfer mechanism in one of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 for processing, and is conveyed by the shuttle in the other block. Ru.

上記の往路をなす第１の下側処理ブロックＤ２１及び第２の下側処理ブロックＤ３１についてまとめて下側処理ブロックＧ１、復路をなす第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２についてまとめて上側処理ブロックＧ２として記載する場合がある。これまで述べてきたように下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２は互いに縦方向に重なる関係となっている。そして、上記のようにシャトルが設けられることにより、上側処理ブロックＧ２ではウエハＷは２つの搬送経路のうちのいずれかの経路で搬送される。なおモジュールとは搬送機構（シャトルを含む）以外でのウエハＷが載置される場所、即ちウエハＷの載置部である。ウエハＷに処理を行うモジュールを、上記のように処理モジュールとして記載するが、この処理としては検査のために画像を取得することも含む。 The first lower processing block D21 and the second lower processing block D31 forming the above-mentioned outward route are collectively referred to as the lower processing block G1, the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 forming the return route. It may be collectively described as the upper processing block G2. As described above, the lower processing block G1 and the upper processing block G2 are in a vertically overlapping relationship with each other. Then, by providing the shuttle as described above, the wafer W is transported by one of the two transport paths in the upper processing block G2. The module is a place where the wafer W is placed other than the transport mechanism (including the shuttle), that is, a place where the wafer W is placed. The module for processing the wafer W is described as a processing module as described above, and the processing includes acquiring an image for inspection.

以下、キャリアブロックＤ１について、図４の側面図も参照しながら説明する。塗布、現像装置１が設置されるクリーンルーム内に設けられる図示しないキャリア用の搬送機構（外部搬送機構）によって、当該キャリアブロックＤ１に対してキャリアＣが搬入出される。キャリアブロックＤ１は当該キャリアＣに対してウエハＷの搬入出を行うと共に、上側処理ブロックＧ２、下側処理ブロックＧ１に対してウエハＷを受け渡すブロックである。 Hereinafter, the carrier block D1 will be described with reference to the side view of FIG. The carrier C is carried in and out of the carrier block D1 by a carrier transport mechanism (external transport mechanism) (not shown) provided in a clean room in which the coating / developing device 1 is installed. The carrier block D1 is a block that carries in and out the wafer W to the carrier C and delivers the wafer W to the upper processing block G2 and the lower processing block G1.

キャリアブロックＤ１を構成する既述の筐体を１１とする。当該筐体１１は角型に形成されており、その下部側は左方へと突出して支持台１２を形成している。また支持台１２の上側における筐体１１の左側面について、縦方向に互いに離間した２箇所が左方に突出し、各々支持台１３、１４を形成している。下方側の支持台、上方側の支持台を夫々１３、１４とする。 Let 11 be the above-mentioned housing constituting the carrier block D1. The housing 11 is formed in a square shape, and the lower portion thereof projects to the left to form a support base 12. Further, on the left side surface of the housing 11 on the upper side of the support base 12, two positions separated from each other in the vertical direction project to the left to form the support bases 13 and 14, respectively. The lower support base and the upper support base are 13 and 14, respectively.

支持台１２～１４については例えば４つずつ、前後方向に間隔を空けてキャリアＣを載置することが可能であり、そのように各々キャリアＣを載置するステージが設けられており、当該ステージについては左方から見て、例えば３×４の行列状に配置される。なお、支持台１２の左端部は支持台１３、１４よりも左方側に突出しており、支持台１２におけるステージは当該支持台１２の右側で、支持台１３、１４の下方位置に設けられている。支持台１２の内部は、既述のように第１の処理ブロックＤ２及び第２の処理ブロックＤ３における液処理用の処理液が貯留されたボトルが格納される領域とされる。 For the support bases 12 to 14, for example, four carriers C can be mounted at intervals in the front-rear direction, and each stage is provided with a stage for mounting the carrier C. Are arranged in a 3 × 4 matrix, for example, when viewed from the left. The left end of the support base 12 projects to the left of the support bases 13 and 14, and the stage in the support base 12 is provided on the right side of the support base 12 and below the support bases 13 and 14. There is. As described above, the inside of the support base 12 is a region in which the bottles in which the treatment liquids for liquid treatment in the first processing block D2 and the second processing block D3 are stored are stored.

後述するキャリア移載機構２１により、各ステージ間でのキャリアＣの移載が可能である。この各ステージについて述べると、支持台１３、１４の各々の前方側の２つのステージは、装置に対してウエハＷの搬入出を行うためにキャリアＣが載置される移動ステージ１５として構成されている。従って、計４つの移動ステージ１５は、左方から見て２×２の行列状に配置されている。当該移動ステージ１５は、上記のウエハＷの搬入出を行うための右方側のロード位置と、キャリア移載機構２１との間でキャリアＣの受け渡しを行うための左方側のアンロード位置との間で移動する。本例では、支持台１２の移動ステージ１５は装置内へ未処理のウエハＷを払い出すためにキャリアＣを載置するステージ、支持台１３の移動ステージ１５は装置にて処理済みのウエハＷを格納するためにキャリアＣを載置するステージとして、用途が区別される。 The carrier transfer mechanism 21, which will be described later, enables transfer of the carrier C between each stage. Speaking of each of these stages, the two stages on the front side of each of the support bases 13 and 14 are configured as a moving stage 15 on which the carrier C is placed in order to carry in and out the wafer W to the apparatus. There is. Therefore, a total of four moving stages 15 are arranged in a 2 × 2 matrix when viewed from the left. The moving stage 15 has a load position on the right side for loading and unloading the wafer W and an unload position on the left side for transferring the carrier C between the carrier transfer mechanism 21 and the carrier transfer mechanism 21. Move between. In this example, the moving stage 15 of the support base 12 is a stage on which the carrier C is placed in order to dispense the unprocessed wafer W into the apparatus, and the moving stage 15 of the support base 13 is the wafer W processed by the apparatus. Uses are distinguished as a stage on which the carrier C is placed for storage.

他のステージについて述べると、支持台１３、１４における後側の２つのステージ及び支持台１４における２つのステージは仮置きステージ１６として構成されている。また、支持台１４における他の２つのステージは搬入ステージ１７、搬出ステージ１８として構成されている。例えば、支持台１４の後端側のステージ、前端側のステージが夫々、搬入ステージ１７、搬出ステージ１８である。これらの搬入ステージ１７、搬出ステージ１８は、既述した外部搬送機構が当該塗布、現像装置１に対してキャリアＣの搬入、搬出を夫々行うために当該キャリアＣが載置されるステージである。 As for other stages, the two stages on the rear side of the support bases 13 and 14 and the two stages on the support base 14 are configured as temporary placement stages 16. Further, the other two stages in the support base 14 are configured as a carry-in stage 17 and a carry-out stage 18. For example, the stage on the rear end side and the stage on the front end side of the support base 14 are the carry-in stage 17 and the carry-out stage 18, respectively. The carry-in stage 17 and the carry-out stage 18 are stages on which the carrier C is placed so that the above-mentioned external transport mechanism carries in and out the carrier C to the coating and developing apparatus 1, respectively.

キャリアＣは、搬入ステージ１７→支持台１２の移動ステージ１５→支持台１３の移動ステージ１５→搬出ステージ１８の順で移載される。このように各ステージ間でキャリアＣを移載するにあたり、移載先のステージが空いてなければ（他のキャリアＣにより占有されていれば）、当該キャリアＣは当該移載先のステージが空くまで、仮置きステージ１６に載置されて待機する。 The carrier C is transferred in the order of the carry-in stage 17 → the moving stage 15 of the support base 12, the moving stage 15 of the support base 13, and the carry-out stage 18. In this way, when transferring carrier C between each stage, if the transfer destination stage is not vacant (if it is occupied by another carrier C), the transfer destination stage is vacant for the carrier C. Until then, it is placed on the temporary storage stage 16 and stands by.

支持台１２の左側の上方には、キャリア移載機構２１が設けられる。キャリア移載機構２１は、キャリアＣの上部に設けられた被保持部を保持することができる多関節アーム２２と、当該多関節アーム２２を昇降移動及び前後移動させることができる移動機構２３と、を備え、既述したようにステージ間でキャリアＣを移載することができる。 A carrier transfer mechanism 21 is provided above the left side of the support base 12. The carrier transfer mechanism 21 includes an articulated arm 22 capable of holding a held portion provided on the upper portion of the carrier C, a moving mechanism 23 capable of moving the articulated arm 22 up and down and back and forth. The carrier C can be transferred between stages as described above.

筐体１１の左側壁には、ウエハＷの搬入出を行うための搬送口２４が４つ形成されており、上記の移動ステージ１５の配置に合わせて２×２の行列状に形成されている。各搬送口２４にはドア２５が設けられている。当該ドア２５は上記のロード位置における移動ステージ１５上のキャリアＣの蓋を保持可能であると共に、当該蓋を保持した状態で移動して搬送口２４を開閉可能である。 On the left side wall of the housing 11, four transport ports 24 for loading and unloading the wafer W are formed, and are formed in a 2 × 2 matrix according to the arrangement of the moving stage 15 described above. .. A door 25 is provided in each transport port 24. The door 25 can hold the lid of the carrier C on the moving stage 15 at the load position, and can move while holding the lid to open and close the transport port 24.

上記の搬送口２４は、筐体１１内に形成されるウエハＷの搬送領域３１に面している。当該搬送領域３１は、平面視、前後に長い直線状に形成されており、平面視、キャリア載置部である移動ステージ１５と、第１の処理ブロックＧ２との間に介在して設けられている。当該搬送領域３１の前方側（前後の他方側）には、搬送機構３２が設けられている。当該搬送機構３２は前後移動自在、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台と、基台上を進退自在なウエハＷの保持部と、を備える。第１の搬送機構である当該搬送機構３２は、既述のロード位置における移動ステージ１５上のキャリアＣと、後述のモジュール積層体Ｔ１及び処理前検査モジュール４１と、にアクセスしてウエハＷの受け渡しを行うことができる。 The transport port 24 faces the transport region 31 of the wafer W formed in the housing 11. The transport region 31 is formed in a long straight line in front and back in a plan view, and is provided between the moving stage 15 which is a carrier mounting portion in a plan view and the first processing block G2. There is. A transport mechanism 32 is provided on the front side (the other side of the front and rear) of the transport region 31. The transport mechanism 32 includes a base that can be moved back and forth, can be raised and lowered, and can be rotated around a vertical axis, and a wafer W holding portion that can move forward and backward on the base. The transfer mechanism 32, which is the first transfer mechanism, accesses the carrier C on the moving stage 15 at the load position described above, the module laminate T1 described later, and the pretreatment inspection module 41, and transfers the wafer W. It can be performed.

キャリアブロックＤ１には第３の処理モジュールである処理前検査モジュール４１が設けられており、当該処理前検査モジュール４１は、塗布、現像装置１による処理前のウエハＷの表面を撮像する。その撮像により得られた画像データが後述の制御部１０に送信され、当該制御部１０により当該画像データに基づいてウエハＷの異常の有無の判定が行われる。処理前検査モジュール４１は左右に細長で扁平な直方体形状の筐体を備えており、右側が搬送領域３１の前後の中央部に位置し、左側は筐体１１の左側壁を貫き、当該筐体１１の外側に突出している。 The carrier block D1 is provided with a pre-processing inspection module 41 which is a third processing module, and the pre-processing inspection module 41 captures an image of the surface of the wafer W before processing by the coating and developing apparatus 1. The image data obtained by the imaging is transmitted to the control unit 10 described later, and the control unit 10 determines whether or not there is an abnormality in the wafer W based on the image data. The pretreatment inspection module 41 is provided with an elongated and flat rectangular parallelepiped housing on the left and right sides, the right side is located in the center of the front and rear of the transport region 31, and the left side penetrates the left wall of the housing 11 and the housing is concerned. It protrudes to the outside of 11.

処理前検査モジュール４１の筐体内には、当該モジュール内を左右で移動自在なステージ４２と、ステージ４２の移動路の上方に設けられたハーフミラー４３と、ハーフミラー４３を介して下方に光を照射する照明部４４と、ハーフミラー４３の左方に設けられたカメラ４５と、が設けられる（図３参照）。筐体内の右側に位置するステージ４２に対して搬送機構３２によりウエハＷが受け渡される。そのようにウエハＷが受け渡されたステージ４２が筐体内の左側へ移動してハーフミラー４３の下方を通過中に、照明部４４により光が照射されると共に、カメラ４５によるハーフミラー４３に映ったウエハＷの撮像が行われ、上記の画像データが取得される。 Inside the housing of the pretreatment inspection module 41, light is emitted downward via a stage 42 that can be moved left and right inside the module, a half mirror 43 provided above the moving path of the stage 42, and a half mirror 43. An illumination unit 44 to irradiate and a camera 45 provided on the left side of the half mirror 43 are provided (see FIG. 3). The wafer W is delivered by the transfer mechanism 32 to the stage 42 located on the right side in the housing. While the stage 42 to which the wafer W is transferred moves to the left side in the housing and passes under the half mirror 43, light is irradiated by the illumination unit 44 and reflected on the half mirror 43 by the camera 45. Imaging of the wafer W is performed, and the above image data is acquired.

そして、図１に示すように搬送領域３１において、平面視、処理前検査モジュール４１の後方に位置するように第２の搬送機構である搬送機構３３が設けられている。当該搬送機構３３は、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台と、基台上を進退自在なウエハＷの保持部と、を備え、後述のモジュール積層体Ｔ１及び第１の上側処理ブロックＤ２２のシャトル用のＴＲＳ１２に対して、ウエハＷを受け渡し可能である。 Then, as shown in FIG. 1, in the transport region 31, a transport mechanism 33, which is a second transport mechanism, is provided so as to be located behind the pre-processing inspection module 41 in a plan view. The transport mechanism 33 includes a base that can be raised and lowered and that can rotate around a vertical axis, and a wafer W holding portion that can move forward and backward on the base, and includes a module laminate T1 and a first upper side, which will be described later. The wafer W can be delivered to the TRS12 for the shuttle of the processing block D22.

続いて、モジュール積層体Ｔ１について説明する。このモジュール積層体Ｔ１は、ウエハＷを各々仮置きする受け渡しモジュールＴＲＳと、温度調整モジュールＳＣＰＬと、が縦方向に重なることで構成されており、搬送領域３１の前後の中央部に設けられている。従ってモジュール積層体Ｔ１は、平面視、搬送機構３２の後方に位置すると共に、搬送機構３２、３３により前後から挟まれるように位置しており、且つ処理前検査モジュール４１の右側に重なっている。そのため、処理前検査モジュール４１は平面視、積層体Ｔ１に重なる位置から左方へ延伸されるように構成されている。また、既述したキャリアＣ用のステージについて、移動ステージ１５を含む前方側の縦２列のステージはモジュール積層体Ｔ１よりも前方側に配置されている。そして後方側の縦２列のステージについて、１つの列はモジュール積層体Ｔ１の左方に位置し、他の１つの列はモジュール積層体Ｔ１よりも後方に位置している。 Subsequently, the module laminated body T1 will be described. The module laminate T1 is configured by vertically overlapping a transfer module TRS in which wafers W are temporarily placed and a temperature control module SCPL, and are provided in the front and rear central portions of the transfer region 31. .. Therefore, the module laminate T1 is located behind the transport mechanism 32 in a plan view, is positioned so as to be sandwiched from the front and back by the transport mechanisms 32 and 33, and is overlapped on the right side of the pretreatment inspection module 41. Therefore, the pretreatment inspection module 41 is configured to be extended to the left from a position overlapping the laminated body T1 in a plan view. Further, regarding the stage for the carrier C described above, the two vertical rows of stages on the front side including the moving stage 15 are arranged on the front side of the module laminated body T1. With respect to the two vertical rows of stages on the rear side, one row is located to the left of the module laminated body T1, and the other row is located behind the module laminated body T1.

受け渡しモジュールＴＲＳについては、例えば横方向に並んだ複数のピンを備え、搬送機構の昇降動作によって当該ピンに対してウエハＷが受け渡される。ＳＣＰＬについては例えばウエハＷが載置されるプレートに冷媒流路が接続されることで仮置きされたウエハＷが冷却される構成とされており、搬送機構の昇降動作によって当該プレートに対してウエハＷが受け渡される。なお、ＳＣＰＬはキャリアブロックＤ１以外のブロックにも設けられており、Ｄ１以外のブロックのＳＣＰＬについても、例えばキャリアブロックＤ１のＳＣＰＬと同様の構成である。そしてＴＲＳについてもＤ１以外のブロックにも設けられている。それらのＴＲＳについては、後述のシャトルとの間でウエハＷを受け渡すシャトル用のＴＲＳ以外はキャリアブロックＤ１のＴＲＳと同様の構成である。 The transfer module TRS is provided with, for example, a plurality of pins arranged in the horizontal direction, and the wafer W is transferred to the pins by the elevating operation of the transfer mechanism. Regarding SCPL, for example, the temporarily placed wafer W is cooled by connecting the refrigerant flow path to the plate on which the wafer W is placed, and the wafer W is cooled with respect to the plate by the elevating operation of the transport mechanism. W is handed over. The SCPL is also provided in a block other than the carrier block D1, and the SCPL of the block other than the D1 has the same configuration as the SCPL of the carrier block D1, for example. The TRS is also provided in blocks other than D1. These TRSs have the same configuration as the TRSs of the carrier block D1 except for the TRSs for the shuttle that transfers the wafer W to and from the shuttle described later.

以降は仮置きモジュールである各所のＳＣＰＬ、ＴＲＳを互いに区別するために、ＳＣＰＬ、ＴＲＳの後に数字を付して示す。そして、各所のＴＲＳ、ＳＣＰＬは例えば複数、積層されて設けられる。つまり同じ数字を付すＴＲＳ、ＳＣＰＬについて各々複数ずつ設けられるが、図示の便宜上、一つのみ表示する。なお、本明細書においてモジュールの積層体とは平面視、重なって設けられるモジュールのことを意味するものであり、モジュール同士が互いに離れていてもよいし、接していてもよい。 Hereinafter, in order to distinguish the SCPLs and TRSs of the temporary placement modules from each other, numbers are added after the SCPLs and TRSs. Then, for example, a plurality of TRSs and SCPLs at various locations are provided in a stacked manner. That is, a plurality of TRSs and SCPLs having the same number are provided, but only one is displayed for convenience of illustration. In the present specification, the laminated body of modules means modules provided so as to be overlapped with each other in a plan view, and the modules may be separated from each other or may be in contact with each other.

モジュール積層体Ｔ１を構成するモジュールの一部は、処理前検査モジュール４１の下側に、他の一部は処理前検査モジュール４１の上側に夫々設けられている。例えば下側から上側に向けてＴＲＳ１、ＴＲＳ２、ＳＣＰＬ１、ＴＲＳ３、ＳＣＰＬ２の順で設けられており、ＳＣＰＬ１とＴＲＳ３との間に処理前検査モジュール４１が位置している（図３参照）。そして、例えばＴＲＳ１、ＴＲＳ２、ＳＣＰＬ１については、第１の下側処理ブロックＤ２１の高さに各々位置し、ＴＲＳ３、ＳＣＰＬ２については、第１の上側処理ブロックＤ２２の高さに各々位置している。搬送機構３３はこれらのモジュール積層体Ｔ１を構成する各モジュールにアクセスすることが可能であり、搬送機構３２は、ＴＲＳ１、ＴＲＳ２にアクセスすることが可能である。なお、キャリアＣに対するウエハＷの受け渡し及びモジュール積層体Ｔ１のモジュール間での受け渡しについて、搬送機構３２がキャリアＣに対する受け渡し専用であり、搬送機構３３が当モジュール積層体Ｔ１のモジュール間での受け渡し専用となっている。 A part of the modules constituting the module laminate T1 is provided on the lower side of the pretreatment inspection module 41, and the other part is provided on the upper side of the pretreatment inspection module 41. For example, TRS1, TRS2, SCPL1, TRS3, and SCPL2 are provided in this order from the lower side to the upper side, and the pretreatment inspection module 41 is located between SCPL1 and TRS3 (see FIG. 3). Then, for example, TRS1, TRS2, and SCPL1 are located at the height of the first lower processing block D21, and TRS3 and SCPL2 are located at the height of the first upper processing block D22, respectively. The transport mechanism 33 can access each module constituting these module laminates T1, and the transport mechanism 32 can access TRS1 and TRS2. Regarding the transfer of the wafer W to the carrier C and the transfer between the modules of the module laminate T1, the transfer mechanism 32 is exclusively for transfer to the carrier C, and the transfer mechanism 33 is exclusively for transfer between the modules of the module laminate T1. It has become.

ＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、搬送機構３２、３３間でのウエハＷの受け渡しに用いられ、共にキャリアＣに対してのウエハＷの受け渡しに用いられる第１の載置部なす。ＳＣＰＬ１は、第１の下側処理ブロックＤ２１とキャリアブロックＤ１との間でのウエハＷの受け渡しに用いられる。従って、第２の載置部であるＳＣＰＬ１には、後述する第１の下側処理ブロックＤ２１の搬送機構６Ａもアクセス可能である。また、第３の載置部であるＴＲＳ３は、第１の上側処理ブロックＤ２２とキャリアブロックＤ１との間でのウエハＷの受け渡しに用いられる。従ってＴＲＳ３には、後述の第１の上側処理ブロックＤ２２の搬送機構６Ｂもアクセス可能である。ＳＣＰＬ２については、第１の上側処理ブロックＤ２２にて現像処理を受ける前のウエハＷの温度調整を行うためのモジュールであり、搬送機構６Ｂがアクセスする。 The TRS1 and TRS2 are used to transfer the wafer W between the transport mechanisms 32 and 33, and both form a first mounting unit used to transfer the wafer W to the carrier C. The SCPL1 is used for transferring the wafer W between the first lower processing block D21 and the carrier block D1. Therefore, the transport mechanism 6A of the first lower processing block D21, which will be described later, can also access the SCPL1 which is the second mounting portion. Further, the TRS3, which is the third mounting portion, is used for transferring the wafer W between the first upper processing block D22 and the carrier block D1. Therefore, the transport mechanism 6B of the first upper processing block D22, which will be described later, is also accessible to the TRS3. SCPL2 is a module for adjusting the temperature of the wafer W before undergoing development processing in the first upper processing block D22, and is accessed by the transport mechanism 6B.

搬送機構３３の後方側（前後の一方側）には、塗布膜の形成前にウエハＷに処理ガスを供給して疎水化処理を行う第４の処理モジュールである疎水化処理モジュール３０が設けられている。例えば、疎水化処理モジュール３０は第２の上側処理ブロックＤ２２の高さに複数積層されて設けられており、搬送機構３３により当該疎水化処理モジュール３０に対してウエハＷの受け渡しが行われる。疎水化処理モジュール３０は、後述する加熱モジュール５４に設けられる熱板５５と同様にウエハＷを載置する熱板と、当該熱板を覆う昇降自在なカバーとを含み、当該カバーによって形成される熱板上の密閉空間に処理ガスが供給されることで、ウエハＷに疎水化処理が行われる。 On the rear side (one side of the front and rear) of the transport mechanism 33, a hydrophobic treatment module 30 which is a fourth treatment module for supplying a treatment gas to the wafer W to perform a hydrophobic treatment before forming the coating film is provided. ing. For example, a plurality of hydrophobizing treatment modules 30 are provided stacked at the height of the second upper treatment block D22, and the wafer W is delivered to the hydrophobizing treatment module 30 by the transport mechanism 33. The hydrophobic treatment module 30 includes a hot plate on which the wafer W is placed and a vertically movable cover that covers the hot plate, similarly to the hot plate 55 provided in the heating module 54 described later, and is formed by the cover. By supplying the processing gas to the closed space on the hot plate, the wafer W is hydrophobized.

続いて、第１の処理ブロックＤ２について、縦断側面図である図５も参照して説明する。第１の処理ブロックＤ２の前方側は縦方向において区画されることで８つの階層が形成されており、各階層について下側から上側に向けてＥ１～Ｅ８とする。下側のＥ１～Ｅ４の階層が第１の下側処理ブロックＤ２１に、上側のＥ５～Ｅ８の階層が第１の上側処理ブロックＤ２２に夫々含まれる。各階層は、液処理モジュールを設置可能な領域をなす。 Subsequently, the first processing block D2 will be described with reference to FIG. 5, which is a vertical sectional side view. The front side of the first processing block D2 is divided in the vertical direction to form eight layers, and each layer is E1 to E8 from the lower side to the upper side. The lower layers E1 to E4 are included in the first lower processing block D21, and the upper layers E5 to E8 are included in the first upper processing block D22, respectively. Each layer forms an area where the liquid treatment module can be installed.

先ず、第１の上側処理ブロックＤ２２について説明する。階層Ｅ５～Ｅ８には液処理モジュールとして、現像モジュール５１が各々設けられている。現像モジュール５１は、左右に並ぶと共にウエハＷを各々収納する２つのカップ５２と、ノズル（不図示）と、を備えており、図示しないポンプによって上記のボトルから供給される現像液をウエハＷの表面に供給して処理を行う。 First, the first upper processing block D22 will be described. The layers E5 to E8 are provided with development modules 51 as liquid treatment modules. The developing module 51 includes two cups 52 arranged side by side and accommodating the wafer W, and a nozzle (not shown), and the developer supplied from the bottle by a pump (not shown) is used in the wafer W. It is supplied to the surface for processing.

階層Ｅ５～Ｅ８の後方側にはウエハＷの搬送領域５３が設けられており、上側処理ブロックＤ２２の左端から右端に亘って、平面視直線状に形成されている。従って、搬送領域５３の伸長方向は、キャリアブロックＤ１の搬送領域３１の伸長方向に直交している。なお、搬送領域５３は階層Ｅ５の高さから階層Ｅ８の高さに亘って形成されている。つまり、搬送領域５３は、階層Ｅ５～Ｅ８毎に区画されていない。 A wafer W transport region 53 is provided on the rear side of the layers E5 to E8, and is formed in a straight line in a plan view from the left end to the right end of the upper processing block D22. Therefore, the extension direction of the transport region 53 is orthogonal to the extension direction of the transport region 31 of the carrier block D1. The transport region 53 is formed from the height of the layer E5 to the height of the layer E8. That is, the transport area 53 is not divided into layers E5 to E8.

そして搬送領域５３の後方には、処理モジュールが例えば縦方向に７段に積層されて設けられており、その処理モジュールの積層体が２つ、左右に並んで配列されている。即ち、この処理モジュールの積層体及び上記のカップ５２の各々は、搬送領域５３の伸長方向に沿って設けられている。 Further, behind the transport region 53, processing modules are provided, for example, stacked in seven stages in the vertical direction, and two laminated bodies of the processing modules are arranged side by side side by side. That is, each of the laminated body of the processing module and the cup 52 described above is provided along the extension direction of the transport region 53.

上記の左右に並んだ処理モジュールの積層体を後部側処理部５０とする。この後部側処理部５０を構成する処理モジュールとして、複数の加熱モジュール５４及び複数の処理後検査モジュール５７が含まれる。加熱モジュール５４は露光後の加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を行うモジュールであり、ウエハＷを載置して加熱する熱板５５と、ウエハＷの温度調整を行う冷却プレート５６と、を備えている。冷却プレート５６は、後述の搬送機構６Ｂの昇降動作によりウエハＷが受け渡される前方位置と、熱板５５に重なる後方位置との間を移動可能である。熱板５５が備える図示しないピンの昇降動作と、冷却プレート５６の当該移動との協働により、熱板５５と冷却プレート５６との間でウエハＷが受け渡される。 The laminated body of the processing modules arranged side by side is referred to as a rear side processing unit 50. As the processing module constituting the rear side processing unit 50, a plurality of heating modules 54 and a plurality of post-processing inspection modules 57 are included. The heating module 54 is a module that performs post-exposure Bake (PEB), and includes a hot plate 55 on which the wafer W is placed and heated, and a cooling plate 56 that adjusts the temperature of the wafer W. There is. The cooling plate 56 can move between the front position where the wafer W is delivered by the elevating operation of the transport mechanism 6B described later and the rear position where the wafer W overlaps with the hot plate 55. The wafer W is transferred between the hot plate 55 and the cooling plate 56 by the cooperation between the raising and lowering operation of the pin (not shown) provided in the hot plate 55 and the movement of the cooling plate 56.

処理後検査モジュール５７は処理前検査モジュール４１と同様の構成であり、撮像時におけるウエハＷの移動方向が前後方向となるように配置される。この処理後検査モジュール５７は、塗布、現像装置１により処理済みのウエハＷの表面、より具体的には現像によりレジストパターンが形成されたウエハＷの表面の画像データを取得して、制御部１０に送信する。 The post-processing inspection module 57 has the same configuration as the pre-processing inspection module 41, and is arranged so that the moving direction of the wafer W at the time of imaging is the front-back direction. The post-processing inspection module 57 acquires image data of the surface of the wafer W processed by the coating and developing apparatus 1, more specifically, the surface of the wafer W on which the resist pattern is formed by development, and the control unit 10 Send to.

主搬送路である搬送領域５３には既述した主搬送機構である搬送機構６Ｂが設けられており、搬送機構６Ｂは左右移動自在、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台６１と、基台６１上を進退自在なウエハＷの保持部６２と、を備える。なお、この搬送機構６Ｂを含む塗布、現像装置１内におけるシャトル以外の各搬送機構の保持部は２つずつ設けられ、基台上を互いに独立して進退可能である。 The transport area 53, which is the main transport path, is provided with the transport mechanism 6B, which is the main transport mechanism described above. A wafer W holding portion 62 that can move forward and backward on the base 61 is provided. In addition, the coating and developing apparatus 1 including the transport mechanism 6B is provided with two holding portions for each transport mechanism other than the shuttle, and can move forward and backward independently on the base.

上記の搬送機構６Ｂの基台６１を左右移動させるための移動機構６３が後部側処理部５０の下方に設けられており、当該移動機構６３と後部側処理部５０との間には扁平なスペース７１Ａが形成されている（図５参照）。スペース７１Ａは、第１の上側処理ブロックＤ２２の左端から右端に亘って形成されている。そして、シャトル及び当該シャトル用のＴＲＳ１２、ＴＲＳ１４が当該スペース７１Ａに設置されているが、これらについては後に詳述する。上記の搬送機構６Ｂは、第１の上側処理ブロックＤ２２内の各処理モジュール、上記のキャリアブロックＤ１のＴＲＳ３及びＳＣＰＬ２、シャトル用のＴＲＳ１４に対してウエハＷの受け渡しを行うことができる。つまり、積層された複数の階層に設けられる各液処理モジュール、後部側処理部５０を構成する各処理モジュールに対して、搬送機構６Ｂは共用される。 A moving mechanism 63 for moving the base 61 of the transport mechanism 6B to the left or right is provided below the rear side processing unit 50, and a flat space is provided between the moving mechanism 63 and the rear side processing unit 50. 71A is formed (see FIG. 5). The space 71A is formed from the left end to the right end of the first upper processing block D22. The shuttle and TRS12 and TRS14 for the shuttle are installed in the space 71A, which will be described in detail later. The transfer mechanism 6B can transfer the wafer W to each processing module in the first upper processing block D22, TRS3 and SCPL2 of the carrier block D1, and TRS14 for the shuttle. That is, the transport mechanism 6B is shared with each liquid processing module provided in the plurality of stacked layers and each processing module constituting the rear side processing unit 50.

続いて、第１の下側処理ブロックＤ２１について説明する。当該第１の下側処理ブロックＤ２１は、既述の第１の上側処理ブロックＤ２２と概ね同様の構成であり、以下、第１の上側処理ブロックＤ２２との差異点を中心に説明する。階層Ｅ１には処理モジュールは設けられておらず、階層Ｅ２～Ｅ４に液処理モジュールとして反射防止膜形成モジュール４７が設けられている。第１の処理モジュールであり且つ塗布膜形成モジュールである反射防止膜形成モジュール４７は、ノズルから現像液の代わりに反射防止膜形成用の塗布液を供給することを除いて、第２の処理モジュールである現像モジュール５１と同様の構成である。 Subsequently, the first lower processing block D21 will be described. The first lower processing block D21 has substantially the same configuration as the first upper processing block D22 described above, and the differences from the first upper processing block D22 will be mainly described below. The layer E1 is not provided with a processing module, and the layers E2 to E4 are provided with an antireflection film forming module 47 as a liquid processing module. The antireflection film forming module 47, which is the first processing module and the coating film forming module, is a second processing module except that the coating liquid for forming the antireflection film is supplied from the nozzle instead of the developing solution. It has the same configuration as the development module 51.

そして後部側処理部５０は加熱モジュール５４により構成されている。ただし、この第１の下側処理ブロックＤ２１及び後述の第２の下側処理ブロックＤ３２に設けられる加熱モジュール５４は、第１の上側処理ブロックＤ２２の加熱モジュール５４とは異なり、塗布膜中の溶剤除去用である。搬送領域５３に設けられる主搬送機構については搬送機構６Ａとして示しており、既述の搬送機構６Ｂと同様の構成である。当該搬送機構６Ａは、第１の下側処理ブロックＤ２１の各処理モジュール、上記のモジュール積層体Ｔ１のＳＣＰＬ１、後述するモジュール積層体Ｔ２に対してウエハＷを受け渡す。なお、第１の下側処理ブロックＤ２１にはシャトル及びシャトル用のＴＲＳが設けられていない。 The rear side processing unit 50 is composed of a heating module 54. However, unlike the heating module 54 of the first upper treatment block D22, the heating module 54 provided in the first lower treatment block D21 and the second lower treatment block D32 described later is a solvent in the coating film. For removal. The main transport mechanism provided in the transport region 53 is shown as the transport mechanism 6A, and has the same configuration as the transport mechanism 6B described above. The transfer mechanism 6A delivers the wafer W to each processing module of the first lower processing block D21, SCPL1 of the module laminate T1 described above, and a module laminate T2 described later. The first lower processing block D21 is not provided with a shuttle and a TRS for the shuttle.

ところで、第１の処理ブロックＤ２にはモジュール積層体Ｔ２が設けられている（図１、図３参照）。このモジュール積層体Ｔ２は、第１の下側処理ブロックＤ２１の搬送領域５３の右側、第２の上側処理ブロックＤ２２の搬送領域の右側に設けられ、ＳＣＰＬにより構成されている。第１の下側処理ブロックＤ２１の当該ＳＣＰＬをＳＣＰＬ３、第１の上側処理ブロックＤ２２の当該ＳＣＰＬをＳＣＰＬ４として示している。なお、モジュール積層体Ｔ２はその右端部が若干、第２の処理ブロックＤ３に進入するように設けられている。ＳＣＰＬ３は、後述の第２の下側処理ブロックＤ２２のレジスト膜形成モジュールでの処理前のウエハＷの温度調整用、ＳＣＰＬ４は後述の第２の上側処理ブロックＤ２２の現像モジュール５１での処理前のウエハＷの温度調整用である。 By the way, the module laminate T2 is provided in the first processing block D2 (see FIGS. 1 and 3). The module laminate T2 is provided on the right side of the transport area 53 of the first lower processing block D21 and on the right side of the transport region of the second upper processing block D22, and is composed of SCPL. The SCPL of the first lower processing block D21 is shown as SCPL3, and the SCPL of the first upper processing block D22 is shown as SCPL4. The module laminate T2 is provided so that its right end portion slightly enters the second processing block D3. SCPL3 is for adjusting the temperature of the wafer W before processing in the resist film forming module of the second lower processing block D22, which will be described later, and SCPL4 is for adjusting the temperature of the wafer W before processing in the development module 51 of the second upper processing block D22, which will be described later. It is for adjusting the temperature of the wafer W.

第１の上側処理ブロックＤ２２及び第１の下側処理ブロックＤ２１におけるモジュールのレイアウトについて補足しておくと、後部側処理部５０、液処理モジュールのカップ５２の各々については、搬送機構６Ａ、６Ｂによる受け渡しが可能であるように、モジュール積層体Ｔ２よりも左側に位置する。液処理モジュール及び後部側処理部５０のレイアウトについては、第１及び第２の下側処理ブロックＤ２１、Ｄ３１、第１及び第２の上側処理ブロックＤ２２、Ｄ３２間で共通である。従って、後述する第２の下側処理ブロックＤ３１及び第２の上側処理ブロックＤ３２についても、後部側処理部５０及び液処理モジュールのカップ５２は、ブロックの右端部から離れた位置に設けられている。 To supplement the layout of the modules in the first upper processing block D22 and the first lower processing block D21, the transport mechanisms 6A and 6B are used for each of the rear processing unit 50 and the cup 52 of the liquid processing module. It is located on the left side of the module laminate T2 so that it can be delivered. The layout of the liquid processing module and the rear side processing unit 50 is common among the first and second lower processing blocks D21 and D31, and the first and second upper processing blocks D22 and D32. Therefore, also in the second lower processing block D31 and the second upper processing block D32, which will be described later, the rear side processing unit 50 and the cup 52 of the liquid processing module are provided at positions away from the right end portion of the block. ..

続いて、第２の処理ブロックＤ３について説明する。当該第２の処理ブロックＤ３は、上記のモジュール積層体Ｔ２が設けられないことを除いて、第１の処理ブロックＤ２と略同様の構成であり、以下、第１の処理ブロックＤ２との差異点を中心に説明する。先ず、第２の上側処理ブロックＤ３２について述べる。この第２の上側処理ブロックＤ３２における主搬送機構を６Ｄとする。この搬送機構６Ｄを移動させる移動機構６３と後部側処理部５０との間にも、第１の上側処理ブロックＤ２２のスペース７１Ａと同様のスペース７１Ｂが形成されている。スペース７１Ｂはスペース７１Ａと同じ高さに位置し、当該スペース７１Ａに連通している。スペース７１Ｂには、シャトル及びシャトル用のＴＲＳ１１、ＴＲＳ１３が設置されているが、これらについては後述する。上記の搬送機構６Ｄは、上側処理ブロックＤ２２内の各処理モジュール、後述のインターフェイスブロックＤ４のモジュール積層体Ｔ３、シャトル用のＴＲＳ１１に対してウエハＷの受け渡しを行う。 Subsequently, the second processing block D3 will be described. The second processing block D3 has substantially the same configuration as the first processing block D2 except that the module laminate T2 is not provided, and the following differences from the first processing block D2. Will be mainly explained. First, the second upper processing block D32 will be described. The main transport mechanism in the second upper processing block D32 is 6D. A space 71B similar to the space 71A of the first upper processing block D22 is also formed between the moving mechanism 63 for moving the transport mechanism 6D and the rear side processing unit 50. The space 71B is located at the same height as the space 71A and communicates with the space 71A. A shuttle and TRS11 and TRS13 for the shuttle are installed in the space 71B, which will be described later. The transfer mechanism 6D transfers the wafer W to each processing module in the upper processing block D22, the module laminate T3 of the interface block D4 described later, and the TRS11 for the shuttle.

続いて、第２の下側処理ブロックＤ３１について説明する。階層Ｅ２～Ｅ４にレジスト膜形成モジュール４９が設けられている。当該レジスト膜形成モジュール４９は、ウエハＷに供給する処理液が現像液の代わりにレジストであることを除いて、現像モジュール５１と同様の構成である。また、後部側処理部５０については、第１の下側処理ブロックＤ２１の後部側処理部５０と同様の構成である。そして、第２の下側処理ブロックＤ３１における主搬送機構を搬送機構６Ｃとする。当該搬送機構６Ｃは、下側処理ブロックＤ２１内の各処理モジュール、インターフェイスブロックＤ４のモジュール積層体Ｔ３に対してウエハＷの受け渡しを行う。 Subsequently, the second lower processing block D31 will be described. The resist film forming module 49 is provided on the layers E2 to E4. The resist film forming module 49 has the same configuration as the developing module 51, except that the processing liquid supplied to the wafer W is a resist instead of the developing liquid. Further, the rear side processing unit 50 has the same configuration as the rear side processing unit 50 of the first lower processing block D21. The main transport mechanism in the second lower processing block D31 is the transport mechanism 6C. The transfer mechanism 6C transfers the wafer W to each processing module in the lower processing block D21 and the module laminate T3 of the interface block D4.

以降はインターフェイスブロックＤ４について説明する。インターフェイスブロックＤ４は、前後の中央部にモジュール積層体Ｔ３を備える。このモジュール積層体Ｔ３は、互いに積層されたＴＲＳ５～ＴＲＳ７、温度調整モジュールＩＣＰＬにより構成されている。なお、これらのモジュールの他に例えばウエハＷを一時待機させるバッファモジュールなどが設けられるが、説明は省略する。ＩＣＰＬは露光の直前にウエハＷが搬送されるモジュールであり、モジュール積層体Ｔ３の下部側に設けられ、ＳＣＰＬと同様に載置されたウエハＷの温度を調整する。ＴＲＳ５、ＴＲＳ６は下側処理ブロックＧ１の高さに、ＴＲＳ７は上側処理ブロックＧ２の高さに夫々設けられている。モジュール積層体Ｔ３の前方、後方、右方には夫々搬送機構３６、３７、３８が設けられている。 Hereinafter, the interface block D4 will be described. The interface block D4 includes a module laminate T3 in the front and rear central portions. The module laminate T3 is composed of TRS5 to TRS7 and a temperature control module ICPL laminated with each other. In addition to these modules, for example, a buffer module for temporarily waiting the wafer W is provided, but the description thereof will be omitted. The ICPL is a module to which the wafer W is conveyed immediately before exposure, and is provided on the lower side of the module laminate T3 to adjust the temperature of the wafer W placed in the same manner as the SCPL. TRS5 and TRS6 are provided at the height of the lower processing block G1, and TRS7 is provided at the height of the upper processing block G2, respectively. Transfer mechanisms 36, 37, and 38 are provided on the front, rear, and right sides of the module laminate T3, respectively.

搬送機構３６、３７は、搬送機構３３と同様に構成され、モジュール積層体Ｔ３を構成する各モジュール間でウエハＷを搬送可能である。なお、搬送機構３６は、後述の裏面洗浄モジュール６５にもウエハＷを搬送可能であり、搬送機構３７は、シャトル用のＴＲＳ１３、後述の露光後洗浄モジュール６６にもウエハＷを搬送可能である。搬送機構３８は、搬送機構３２と同様に構成され、ＩＣＰＬとＴＲＳ６と露光機２０との間でウエハＷを搬送する。 The transfer mechanisms 36 and 37 are configured in the same manner as the transfer mechanism 33, and can transfer the wafer W between the modules constituting the module laminate T3. The transfer mechanism 36 can also transfer the wafer W to the back surface cleaning module 65 described later, and the transfer mechanism 37 can also transfer the wafer W to the shuttle TRS 13 and the post-exposure cleaning module 66 described later. The transfer mechanism 38 is configured in the same manner as the transfer mechanism 32, and transfers the wafer W between the ICPL, the TRS6, and the exposure machine 20.

また、搬送機構３６の前方には裏面洗浄モジュール６５が複数、積層されて設けられる。裏面洗浄モジュール６５は、ウエハＷの表面に現像液を供給するノズルが設けられる代わりにウエハＷの裏面に洗浄液を供給するノズルが設けられること、カップ５２が１つであることを除いて、現像モジュール５１と同様の構成である。搬送機構３７の後方には露光後洗浄モジュール６６が複数、積層されて設けられる。露光後洗浄モジュール６６は、ウエハＷの表面に現像液を供給する代わりにウエハＷの表面に洗浄液を供給すること、カップ５２が１つであることを除いて、現像モジュール５１と同様の構成である。 Further, a plurality of back surface cleaning modules 65 are laminated and provided in front of the transport mechanism 36. The back surface cleaning module 65 develops, except that a nozzle for supplying a developer is provided on the back surface of the wafer W instead of a nozzle for supplying the developer on the front surface of the wafer W, and there is only one cup 52. It has the same configuration as the module 51. A plurality of post-exposure cleaning modules 66 are laminated and provided behind the transport mechanism 37. The post-exposure cleaning module 66 has the same configuration as the developing module 51 except that the cleaning liquid is supplied to the surface of the wafer W instead of supplying the developing liquid to the surface of the wafer W, and there is only one cup 52. be.

続いて、第１の上側処理ブロックＤ２２、第２の上側処理ブロックＤ３２に設けられるシャトルについて、夫々７Ａ、７Ｂとして説明する。シャトル７Ａは、移動機構７２Ａと、移動体７３Ａと、支持体７４Ａと、を備えている。移動機構７２Ａは左右に伸びる長尺な部材として構成されると共に、既述した第１の上側処理ブロックＤ２２のスペース７１Ａに収まるように設けられている。移動体７３Ａは移動機構７２Ａに対して前方側に接続されており、左右に伸長している。支持体７４Ａは移動体７３Ａに対して前方側に接続されており、左右に細長の直方体状に形成されている。この支持体７４Ａ上にウエハＷが支持されて、水平な直線状且つ左右方向に沿って搬送される。 Subsequently, the shuttles provided in the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 will be described as 7A and 7B, respectively. The shuttle 7A includes a moving mechanism 72A, a moving body 73A, and a support 74A. The moving mechanism 72A is configured as a long member extending to the left and right, and is provided so as to fit in the space 71A of the first upper processing block D22 described above. The moving body 73A is connected to the front side of the moving mechanism 72A and extends to the left and right. The support 74A is connected to the moving body 73A on the front side, and is formed in an elongated rectangular parallelepiped shape on the left and right. The wafer W is supported on the support 74A and is conveyed in a horizontal linear shape and along the left-right direction.

移動機構７２Ａにより、移動体７３Ａが当該移動機構７２Ａに対して左右に移動自在である。そして、この移動機構７２Ａに対する移動体７３Ａの移動に応じて、移動体７３Ａに対して支持体７４Ａが左右に移動する（図６～図８参照）。移動体７３Ａは、その右端が移動機構７２Ａの右端よりも右側（インターフェイスブロックＤ４側）に位置する右位置と、その左端が移動機構７２Ａの左端よりも左側（キャリアブロックＤ１側）に位置する左位置と、の間で移動する。移動体７３Ａが上記の右位置に位置するとき、支持体７４Ａの右端が移動体７３Ａの右端よりも右側に位置する状態（図６に示す状態）となる。当該状態の支持体７４Ａの位置を右搬送位置とする。移動体７３Ａが上記の左位置に位置するとき、支持体７４Ａの左端が移動体７３Ａの左端よりも左側に位置する状態（図８に示す状態）となる。当該状態の支持体７４Ａの位置を左搬送位置とする。 The moving mechanism 72A allows the moving body 73A to move left and right with respect to the moving mechanism 72A. Then, in response to the movement of the moving body 73A with respect to the moving mechanism 72A, the support 74A moves left and right with respect to the moving body 73A (see FIGS. 6 to 8). The right end of the moving body 73A is located on the right side (interface block D4 side) of the right end of the moving mechanism 72A, and the left end of the moving body 73A is located on the left side (carrier block D1 side) of the left end of the moving mechanism 72A. Move between position and. When the moving body 73A is located at the above right position, the right end of the support 74A is located on the right side of the right end of the moving body 73A (the state shown in FIG. 6). The position of the support 74A in this state is defined as the right transport position. When the moving body 73A is located at the left position, the left end of the support 74A is located on the left side of the left end of the moving body 73A (the state shown in FIG. 8). The position of the support 74A in this state is defined as the left transport position.

シャトル７Ａは、第２の上側処理ブロックＤ３２に設けられるＴＲＳ１１から第１の上側処理ブロックＤ２２に設けられるＴＲＳ１２（第４の載置部）に向けてウエハＷを搬送する。ＴＲＳ１１は、平面視左側が開放される凹部をなすように形成された載置部本体をなす支持板７５と、当該支持板７５から上側に突出する３本のピン７６と、支持板７５を昇降させる昇降機構（不図示）と、を備え、例えば第２の上側処理ブロックＤ３２の左端部に位置する。昇降機構は、例えばシリンダーやモーター等のアクチュエータでよく、各支持板７５の裏側（下側）に接続され、移動体７３Ａや支持体７４Ａの移動軌道と干渉しない位置に設けられている。支持板７５の昇降により、ピン７６は上昇位置と下降位置との間で移動し、ウエハＷの下面を支持する。上記の右搬送位置における支持体７４Ａの右端部は、平面視、支持板７５がなす上記の凹部に収まった状態となり、ピン７６の昇降により、支持体７４ＡとＴＲＳ１１との間でウエハＷを受け渡すことができる。 The shuttle 7A conveys the wafer W from the TRS 11 provided in the second upper processing block D32 to the TRS 12 (fourth mounting portion) provided in the first upper processing block D22. The TRS 11 raises and lowers a support plate 75 forming a mounting portion main body formed so as to form a recess in which the left side in a plan view is opened, three pins 76 protruding upward from the support plate 75, and a support plate 75. It is provided with an elevating mechanism (not shown) for raising the temperature, and is located, for example, at the left end of the second upper processing block D32. The elevating mechanism may be an actuator such as a cylinder or a motor, and is connected to the back side (lower side) of each support plate 75 and is provided at a position that does not interfere with the moving trajectory of the moving body 73A or the support body 74A. By raising and lowering the support plate 75, the pin 76 moves between the ascending position and the descending position to support the lower surface of the wafer W. The right end portion of the support 74A at the right transfer position is in a state of being contained in the recess formed by the support plate 75 in a plan view, and the wafer W is received between the support 74A and the TRS 11 by raising and lowering the pin 76. Can be passed.

ＴＲＳ１２については、支持板７５が平面視右側が開放される凹部をなすように形成されることを除き、ＴＲＳ１１と同様の構成である。そして、上記の左搬送位置における支持体７４Ａの左端部は、平面視、支持板７５がなす上記の凹部に収まった状態となり、支持体７４ＡとＴＲＳ１２との間でウエハＷを受け渡すことができる。ＴＲＳ１２は、キャリアブロックＤ１の搬送機構３３との間でもウエハＷを受け渡せるように、第１の上側処理ブロックＤ２２の左端部に設けられる。支持体７４に支持された基板（ウエハＷ）の搬送は、前に述べたことから、移動体７３Ａと支持体７４Ａのように前後方向に設けられた複数の部材が、互いの相対的な左右方向の位置を変えながら行われると言える。そのように基板が搬送されることで、支持体７４Ａに対して左右方向夫々に位置するＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２は移動体７３Ａと干渉し難くなり、基板を容易に支持可能な３箇所以上の位置にピン７６を配置することが可能になっている。 The TRS 12 has the same configuration as the TRS 11 except that the support plate 75 is formed so as to form a recess in which the right side in a plan view is opened. Then, the left end portion of the support 74A at the left transfer position is in a state of being contained in the recess formed by the support plate 75 in a plan view, and the wafer W can be transferred between the support 74A and the TRS12. .. The TRS 12 is provided at the left end portion of the first upper processing block D22 so that the wafer W can be delivered to and from the transport mechanism 33 of the carrier block D1. Since the substrate (wafer W) supported by the support 74 is conveyed as described above, a plurality of members provided in the front-rear direction such as the moving body 73A and the support 74A are relative to each other on the left and right sides. It can be said that it is done while changing the position of the direction. By transporting the substrate in this way, the TRS11 and TRS12 located in the left-right direction with respect to the support 74A are less likely to interfere with the moving body 73A, and the pins are pinned to three or more positions where the substrate can be easily supported. It is possible to place 76.

第２のバイパス搬送機構であるシャトル７Ｂについては、シャトル７Ａとは異なる高さに設けられ、例えばシャトル７Ａよりも下方に位置している。シャトル７Ｂは、シャトル７Ａと同様に構成されており、シャトル７Ｂの構成部材である移動機構、移動体、支持体の各符号は、シャトル７Ａの構成部材と区別するために、数字の後のＡの代わりにＢを付して示す。具体的には、例えばシャトル７Ｂの移動機構は７２Ｂとして示す。そして、この移動機構７２Ｂは、第２の上側処理ブロックＤ３２のスペース７１Ｂに収まるように設けられる。 The shuttle 7B, which is the second bypass transfer mechanism, is provided at a height different from that of the shuttle 7A, and is located below the shuttle 7A, for example. The shuttle 7B is configured in the same manner as the shuttle 7A, and each reference numeral of the moving mechanism, the moving body, and the support which is a component of the shuttle 7B is A after the number in order to distinguish it from the component of the shuttle 7A. B is added instead of. Specifically, for example, the moving mechanism of the shuttle 7B is shown as 72B. The moving mechanism 72B is provided so as to fit in the space 71B of the second upper processing block D32.

シャトル７Ｂは、第２の上側処理ブロックＤ３２に設けられるＴＲＳ１３から第１の上側処理ブロックＤ２２に設けられるＴＲＳ１４に向けてウエハＷを搬送する。ＴＲＳ１３はＴＲＳ１１と同様の構成であり、インターフェイスブロックＤ４との間でもウエハＷを受け渡せるように、第２の上側処理ブロックＤ３２の右端部に設けられている。ＴＲＳ１４はＴＲＳ１２と同様の構成であり、搬送機構６Ｂとの間でウエハＷの受け渡しが行えるようにモジュール積層体Ｔ２よりも左側に設けられており、ＴＲＳ１２よりは右側に位置する。 The shuttle 7B conveys the wafer W from the TRS 13 provided in the second upper processing block D32 to the TRS 14 provided in the first upper processing block D22. The TRS 13 has the same configuration as the TRS 11 and is provided at the right end portion of the second upper processing block D32 so that the wafer W can be delivered to and from the interface block D4. The TRS 14 has the same configuration as the TRS 12, is provided on the left side of the module laminate T2 so that the wafer W can be transferred to and from the transport mechanism 6B, and is located on the right side of the TRS 12.

上記のようにシャトル７Ｂはシャトル７Ａの下方に設けられているので、第２のバイパス用基板載置部であるＴＲＳ１３及びＴＲＳ１４が位置する高さは、第１のバイパス用基板載置部であるＴＲＳ１１及びＴＲＳ１２が位置する高さよりも低い。つまり、図２に示すように、シャトル７Ａ、ＴＲＳ１１及びＴＲＳ１２の組、シャトル７Ｂ、ＴＲＳ１３、ＴＲＳ１４の組は、縦方向（垂直方向）において互いにずれた位置に設けられている。 Since the shuttle 7B is provided below the shuttle 7A as described above, the height at which the second bypass board mounting portions TRS13 and TRS14 are located is the first bypass board mounting portion. It is lower than the height at which TRS11 and TRS12 are located. That is, as shown in FIG. 2, the set of shuttles 7A, TRS11 and TRS12, and the set of shuttles 7B, TRS13 and TRS14 are provided at positions displaced from each other in the vertical direction (vertical direction).

そして、シャトル７ＡによるウエハＷの搬送路（第１のバイパス搬送路）、シャトル７ＢによるウエハＷの搬送路（第２のバイパス搬送路）を夫々７７Ａ、７７Ｂとすると、これらの搬送路７７Ａ、７７Ｂの前後の位置は互いに同じである。既述のＴＲＳ１１～ＴＲＳ１４の位置に対応して、搬送路７７Ａは第２の上側処理ブロックＤ２２へ突出すると共に、搬送路７７Ｂは第１の上側処理ブロックＤ２２へ突出している。そのように突出することで搬送路７７Ａの右側と搬送路７７Ｂの左側とが平面視、互いに重なっている。なお搬送路７７Ａ、７７Ｂは、例えば平面視、加熱モジュール５４の熱板５５から外れ、冷却プレート５６の待機位置と重なる位置としてもよい。そのように熱板５５から比較的離れて搬送路を配置することで、搬送されるウエハＷが熱の影響を受けることを、より確実に抑えることができる。 Assuming that the wafer W transport path (first bypass transport path) by the shuttle 7A and the wafer W transport path (second bypass transport path) by the shuttle 7B are 77A and 77B, respectively, these transport paths 77A and 77B. The front and back positions of are the same as each other. Corresponding to the positions of TRS11 to TRS14 described above, the transport path 77A protrudes to the second upper processing block D22, and the transport path 77B protrudes to the first upper processing block D22. By protruding in this way, the right side of the transport path 77A and the left side of the transport path 77B overlap each other in a plan view. The transport paths 77A and 77B may be located, for example, in a plan view, away from the hot plate 55 of the heating module 54, and overlapped with the standby position of the cooling plate 56. By arranging the transfer path relatively away from the hot plate 55 in this way, it is possible to more reliably suppress the influence of heat on the transferred wafer W.

シャトル７ＡによるウエハＷの搬送について、図６～図８を参照しながら順を追って説明する。第２の上側処理ブロックＤ３２の搬送機構６Ｄは、を第２の上側処理ブロックＤ３２内の各処理モジュールで処理されたウエハＷを、ＴＲＳ１１の上昇位置におけるピン７６上に受け渡す。ピン７６が下降位置へと移動し、既述の右搬送位置における支持体７４ＡにウエハＷが受け渡される（図６）。移動体７３Ａ及び支持体７４Ａが各々左側へ移動する一方で、ＴＲＳ１１のピン７６は上昇位置に戻る（図７）。 The transfer of the wafer W by the shuttle 7A will be described step by step with reference to FIGS. 6 to 8. The transfer mechanism 6D of the second upper processing block D32 delivers the wafer W processed by each processing module in the second upper processing block D32 onto the pin 76 at the ascending position of the TRS 11. The pin 76 moves to the lowered position, and the wafer W is delivered to the support 74A at the above-mentioned right transport position (FIG. 6). While the moving body 73A and the support 74A each move to the left, the pin 76 of the TRS 11 returns to the ascending position (FIG. 7).

支持体７４Ａが既述の左搬送位置に移動すると、ＴＲＳ１２の下降位置におけるピン７６が上昇位置に移動してウエハＷを支持する（図８）。支持体７４Ａが右搬送位置へ向けて移動すると、ピン７６が下降位置に戻る。以降は、キャリアブロックＤ１の搬送機構３３がウエハＷを受け取る。このように、シャトル７Ａは下流側のブロックであるキャリアブロックＤ１に向けてウエハＷを搬送する。シャトル７Ｂ、ＴＲＳ１３、ＴＲＳ１４についてもシャトル７Ａ、ＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２と夫々同様に動作し、ＴＲＳ１３からＴＲＳ１４へウエハＷが搬送される。つまり、シャトル７Ｂは下流側のブロックである第１の上側処理ブロックＤ２２に向けてウエハＷを搬送する。 When the support 74A moves to the left transfer position described above, the pin 76 at the lower position of the TRS 12 moves to the upper position to support the wafer W (FIG. 8). When the support 74A moves toward the right transport position, the pin 76 returns to the lowered position. After that, the transfer mechanism 33 of the carrier block D1 receives the wafer W. In this way, the shuttle 7A conveys the wafer W toward the carrier block D1 which is a block on the downstream side. The shuttle 7B, TRS13, and TRS14 also operate in the same manner as the shuttle 7A, TRS11, and TRS12, respectively, and the wafer W is conveyed from TRS13 to TRS14. That is, the shuttle 7B conveys the wafer W toward the first upper processing block D22, which is a downstream block.

また、塗布、現像装置１は、制御部１０を備えている（図１参照）。この制御部１０はコンピュータにより構成されており、プログラム、メモリ、ＣＰＵを備えている。プログラムには、塗布、現像装置１における一連の動作を実施することができるようにステップ群が組み込まれている。そして、当該プログラムによって制御部１０は塗布、現像装置１の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。具体的に搬送機構６Ａ～６Ｄ、シャトル７Ａ、７Ｂ、各処理モジュールの動作が制御される。それにより、後述のウエハＷの搬送、ウエハＷの処理、ウエハＷの異常判定が行われる。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納されて、制御部１０にインストールされる。 Further, the coating / developing device 1 includes a control unit 10 (see FIG. 1). The control unit 10 is composed of a computer and includes a program, a memory, and a CPU. The program incorporates a group of steps so that a series of operations in the coating and developing apparatus 1 can be performed. Then, the control unit 10 outputs a control signal to each part of the coating and developing apparatus 1 by the program, and the operation of each part is controlled. Specifically, the operations of the transport mechanisms 6A to 6D, the shuttles 7A and 7B, and each processing module are controlled. As a result, the transfer of the wafer W, the processing of the wafer W, and the abnormality determination of the wafer W, which will be described later, are performed. The above program is stored in a storage medium such as a compact disk, a hard disk, or a DVD, and is installed in the control unit 10.

続いて、塗布、現像装置１におけるウエハＷの処理及び搬送経路について、既述した往路、復路を夫々示す図９、図１０を参照して説明する。図９、図１０では、モジュール間でのウエハＷの搬送を表す一部の矢印上あるいは矢印の近傍に、当該搬送に用いる搬送機構を表示している。 Subsequently, the processing and transport routes of the wafer W in the coating and developing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 9 and 10, respectively, which show the outward route and the return route described above. In FIGS. 9 and 10, the transfer mechanism used for the transfer is displayed on or near a part of the arrows representing the transfer of the wafer W between the modules.

先ず、支持台１２の移動ステージ１５に載置されたキャリアＣから、搬送機構３２によりウエハＷが搬出される。そして、当該搬送機構３２によりウエハＷは処理前検査モジュール４１に搬送され、画像データが取得されて異常の有無が判定される。 First, the wafer W is carried out by the transport mechanism 32 from the carrier C mounted on the moving stage 15 of the support base 12. Then, the wafer W is conveyed to the pre-processing inspection module 41 by the transfer mechanism 32, image data is acquired, and the presence or absence of an abnormality is determined.

その後、ウエハＷは搬送機構３２によりＴＲＳ１に搬送される。然る後、当該ウエハＷは搬送機構３３により疎水化処理モジュール３０、ＳＣＰＬ１の順に搬送された後、搬送機構６Ａにより第１の下側処理ブロックＤ２１に取り込まれ、反射防止膜形成モジュール４７→加熱モジュール５４の順で搬送されることで、反射防止膜が形成される。その後、ウエハＷはモジュール積層体Ｔ２のＳＣＰＬ４に搬送され、搬送機構６Ｃにより、レジスト膜形成モジュール４９→加熱モジュール５４の順で搬送されることで、レジスト膜が形成される。その後、ウエハＷはモジュール積層体Ｔ３のＴＲＳ５に搬送される。 After that, the wafer W is conveyed to TRS1 by the transfer mechanism 32. After that, the wafer W is conveyed in the order of the hydrophobic treatment module 30 and SCPL1 by the transfer mechanism 33, and then taken into the first lower treatment block D21 by the transfer mechanism 6A, and the antireflection film forming module 47 → heating. The antireflection film is formed by being conveyed in the order of the modules 54. After that, the wafer W is conveyed to SCPL4 of the module laminate T2, and is conveyed in the order of the resist film forming module 49 → the heating module 54 by the conveying mechanism 6C to form a resist film. After that, the wafer W is transferred to TRS5 of the module laminate T3.

然る後、ウエハＷは前方側の搬送機構３６により裏面洗浄モジュール６５、ＩＣＰＬを経由して、搬送機構３８により露光機２０に搬送され、所定のパターンに沿って当該ウエハＷの表面のレジスト膜が露光される。露光後のウエハＷは、搬送機構３８によりＴＲＳ６に搬送され、その後、後方側の搬送機構３７により、露光後洗浄モジュール６６に搬送される。 After that, the wafer W is conveyed to the exposure machine 20 by the transfer mechanism 38 via the back surface cleaning module 65 and ICPL by the transfer mechanism 36 on the front side, and the resist film on the surface of the wafer W is conveyed along a predetermined pattern. Is exposed. The exposed wafer W is conveyed to the TRS 6 by the transfer mechanism 38, and then transferred to the post-exposure cleaning module 66 by the transfer mechanism 37 on the rear side.

その後のウエハＷの搬送経路は、上記したように第１の上側処理ブロックＤ２２で処理を行う経路（第１の経路とする）と、第２の上側処理ブロックＤ３２で処理を行う経路（第２の経路とする）と、に分かれる。第２の経路について説明すると、搬送機構３７はモジュール積層体Ｔ３のＴＲＳ７にウエハＷを搬送し、搬送機構６Ｄによって当該ウエハＷが第２の上側処理ブロックＤ３２に取り込まれる。そしてウエハＷは、加熱モジュール５４→ＳＣＰＬ３→現像モジュール５１→処理後検査モジュール５７の順で搬送されることで、レジストパターンが形成された後に画像データが取得されて、異常の有無が判定される。 Subsequent transfer paths for the wafer W are a path for processing in the first upper processing block D22 (referred to as the first path) and a path for processing in the second upper processing block D32 (second route) as described above. It is divided into (the route of) and. Explaining the second path, the transfer mechanism 37 conveys the wafer W to the TRS7 of the module laminate T3, and the wafer W is taken into the second upper processing block D32 by the transfer mechanism 6D. Then, the wafer W is conveyed in the order of heating module 54 → SCPL3 → development module 51 → post-processing inspection module 57, so that image data is acquired after the resist pattern is formed, and the presence or absence of abnormality is determined. ..

その後、ウエハＷは図６～図８で説明したように搬送機構６Ｄ→ＴＲＳ１１→シャトル７Ａ→ＴＲＳ１２の順で搬送された後、キャリアブロックＤ１の搬送機構３３が当該ウエハＷを受け取り、ＴＲＳ２に搬送する。このようにバイパス搬送路形成ブロックである第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ２２の主搬送機構である搬送機構６Ｂ，６Ｄのうち６Ｄと、シャトル７Ａと、によってウエハＷが下流側のブロックへ向けて搬送される。その後、ウエハＷは搬送機構３２により、支持台１３の移動ステージ１５上のキャリアＣに格納される。 After that, the wafer W is conveyed in the order of transfer mechanism 6D → TRS11 → shuttle 7A → TRS12 as described with reference to FIGS. 6 to 8, and then the transfer mechanism 33 of the carrier block D1 receives the wafer W and transfers it to TRS2. do. In this way, the wafer W is downstream from the transfer mechanisms 6B and 6D, which are the main transfer mechanisms of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D22, which are bypass transfer path forming blocks, and the shuttle 7A. It is transported toward the block on the side. After that, the wafer W is stored in the carrier C on the moving stage 15 of the support base 13 by the transport mechanism 32.

続いて上記の第１の経路について説明すると、ウエハＷは搬送機構３７→ＴＲＳ１３→シャトル７Ｂ→ＴＲＳ１４→搬送機構６Ｂの順で搬送されて、第１の上側処理ブロックＤ２２にウエハＷが取り込まれる。そして、当該ウエハＷは搬送機構６Ｂにより、加熱モジュール５４→ＳＣＰＬ２→現像モジュール５１→処理後検査モジュール５７の順で搬送され、第２の経路のウエハＷと同様に処理を受けた後、キャリアブロックＤ１のＴＲＳ３に搬送される。このようにバイパス搬送路形成ブロックである第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ２２の主搬送機構である搬送機構６Ｂ，６Ｄのうち６Ｂと、シャトル７Ｂと、によってウエハＷが下流側のブロックへ向けて搬送される。続いてウエハＷは、搬送機構３３によりＴＲＳ２に搬送され、以降は第２の経路のウエハＷと同様、搬送機構３２により支持台１３の移動ステージ１５上のキャリアＣへ搬送される。 Subsequently, the first path described above will be described. The wafer W is conveyed in the order of transfer mechanism 37 → TRS13 → shuttle 7B → TRS14 → transfer mechanism 6B, and the wafer W is taken into the first upper processing block D22. Then, the wafer W is conveyed in the order of the heating module 54 → SCPL2 → development module 51 → post-processing inspection module 57 by the transfer mechanism 6B, and after being processed in the same manner as the wafer W in the second path, the carrier block. It is transported to TRS3 of D1. In this way, the wafer W is downstream of the wafer W by 6B of the transport mechanisms 6B and 6D which are the main transport mechanisms of the first upper processing block D22 which is the bypass transport path forming block and the second upper treatment block D22, and the shuttle 7B. It is transported toward the block on the side. Subsequently, the wafer W is conveyed to the TRS 2 by the transfer mechanism 33, and thereafter, similarly to the wafer W in the second path, is conveyed to the carrier C on the moving stage 15 of the support base 13 by the transfer mechanism 32.

以上に述べたように、塗布、現像装置１におけるキャリアブロックＤ１については、キャリアＣ、下側処理ブロック（一の処理ブロック）Ｇ１、上側処理ブロック（他の処理ブロック）Ｇ２に対してウエハＷを各々受け渡すためのＴＲＳ、ＳＣＰＬを含むモジュール積層体Ｔ１が設けられる。そして、搬送機構３２、３３が夫々設けられ、搬送機構３２がキャリアＣに対する受け渡しを、搬送機構３３がモジュール積層体Ｔ１のモジュール間での受け渡しを夫々受け持つ。このように搬送機構３２と搬送機構３３との役割が分かれることで、搬送機構３２はキャリアＣに対するウエハＷの搬入出を速やかに行うことができる。一方で、搬送機構３３を介してウエハＷが搬送される下側処理ブロックＧ１及び上側処理ブロックＧ２をなす各処理ブロックＤ２１、Ｄ２２、Ｄ３１、Ｄ３２においては処理モジュールが積層され、各々の処理モジュールでウエハＷを処理可能である。従って塗布、現像装置１によれば、高いスループットを得ることができる。さらに、キャリアＣに対してウエハＷを受け渡す搬送口２４が臨む搬送領域３１が前後に伸び、この搬送領域３１において搬送機構３２、３３がモジュール積層体Ｔ１の前方、後方に夫々設けられることにより、キャリアブロックＤ１の左右の幅を比較的小さくすることができる。従って、塗布、現像装置１によれば、フットプリント（占有床面積）を小さくすることができる。 As described above, regarding the carrier block D1 in the coating and developing apparatus 1, the wafer W is attached to the carrier C, the lower processing block (one processing block) G1, and the upper processing block (other processing block) G2. A module laminate T1 including TRS and SCPL for delivery is provided. Then, the transfer mechanism 32 and 33 are provided respectively, and the transfer mechanism 32 handles the transfer to the carrier C, and the transfer mechanism 33 handles the transfer between the modules of the module laminated body T1. By separating the roles of the transfer mechanism 32 and the transfer mechanism 33 in this way, the transfer mechanism 32 can quickly carry in and out the wafer W to and from the carrier C. On the other hand, in each of the processing blocks D21, D22, D31, and D32 forming the lower processing block G1 and the upper processing block G2 in which the wafer W is transported via the transport mechanism 33, the processing modules are laminated, and the processing modules are stacked in each processing module. The wafer W can be processed. Therefore, according to the coating and developing apparatus 1, a high throughput can be obtained. Further, a transport region 31 facing the transport port 24 for delivering the wafer W to the carrier C extends back and forth, and the transport mechanisms 32 and 33 are provided in the transport region 31 in front of and behind the module laminate T1, respectively. , The left and right width of the carrier block D1 can be made relatively small. Therefore, according to the coating / developing device 1, the footprint (occupied floor area) can be reduced.

そして、キャリアブロックＤ１には処理前検査モジュール４１が設けられている。この処理前検査モジュール４１は、モジュール積層体Ｔ１に右端部が重なると共に筐体１１の側壁を貫くことで、その左端部が搬送領域３１から突出している。つまり、上記のモジュール積層体Ｔ１を配置することによって搬送領域３１の前後の中央に形成されるスペース及びキャリアＣの移載を行う筐体１１の外側のスペースを利用して、処理前検査モジュール４１が配置されている。即ち、処理前検査モジュール４１をキャリアブロックＤ１に設置しつつ、当該キャリアブロックＤ１のフットプリントの増大が防止されている。 The carrier block D1 is provided with a pre-processing inspection module 41. The left end of the pretreatment inspection module 41 protrudes from the transport region 31 by overlapping the right end of the module laminate T1 and penetrating the side wall of the housing 11. That is, the pre-processing inspection module 41 utilizes the space formed in the center of the front and rear of the transport region 31 by arranging the module laminate T1 and the space outside the housing 11 for transferring the carrier C. Is placed. That is, while the pretreatment inspection module 41 is installed in the carrier block D1, the increase in the footprint of the carrier block D1 is prevented.

さらに搬送機構３３の後方側に処理モジュールとして疎水化処理モジュール３０を配置し、搬送機構３３によりアクセスされるようにしている。この疎水化処理モジュール３０の配置によっても、塗布、現像装置１の左右の幅の拡大が防止されている。そして搬送機構３３が疎水化処理モジュール３０に対して、搬送機構３２が処理前検査モジュール４１に対して、夫々ウエハＷを受け渡す。それにより搬送機構３２、３３間での負荷の偏りが抑制され、これらの処理モジュールを設けることによるスループットの低下が防止されている。ただし、搬送機構３３により、処理前検査モジュール４１にウエハＷが受け渡される構成としてもよい。 Further, a hydrophobizing treatment module 30 is arranged as a treatment module on the rear side of the transport mechanism 33 so as to be accessed by the transport mechanism 33. The arrangement of the hydrophobizing treatment module 30 also prevents the left and right widths of the coating and developing apparatus 1 from expanding. Then, the transfer mechanism 33 delivers the wafer W to the hydrophobic treatment module 30, and the transfer mechanism 32 delivers the wafer W to the pretreatment inspection module 41, respectively. As a result, the bias of the load between the transport mechanisms 32 and 33 is suppressed, and the decrease in the throughput due to the provision of these processing modules is prevented. However, the wafer W may be delivered to the pre-processing inspection module 41 by the transport mechanism 33.

また、ウエハＷの搬入出用にキャリアＣが載置される移動ステージ１５を複数設けるにあたり、モジュール積層体Ｔ１に対して前方側に複数段に設けている。このようにモジュール積層体Ｔ１の前方側に移動ステージ１５が集約されるように配置されることで、十分なスループットを確保するために必要な数の移動ステージ１５の設置を可能にしつつ、搬送領域３１の前後の中央部を当該モジュール積層体Ｔ１及び処理前検査モジュール４１の設置領域とすることができる。そして、そのようにモジュール積層体Ｔ１を配置することで、その後方に搬送機構３３を配置することができる。従って、既述したように各移動ステージ１５をモジュール積層体Ｔ１に対して前方側、且つ互いに異なる高さに設けることは、スループットを高くしつつ、装置のフットプリントを低減させることに寄与することになる。 Further, in providing a plurality of moving stages 15 on which the carrier C is placed for loading and unloading the wafer W, a plurality of moving stages 15 are provided on the front side of the module laminated body T1. By arranging the moving stages 15 so as to be aggregated on the front side of the module laminated body T1 in this way, it is possible to install the required number of moving stages 15 in order to secure a sufficient throughput, and the transport area. The central portion before and after the 31 can be used as an installation area for the module laminate T1 and the pretreatment inspection module 41. Then, by arranging the module laminated body T1 in this way, the transport mechanism 33 can be arranged behind the module laminated body T1. Therefore, as described above, providing each moving stage 15 on the front side with respect to the module laminated body T1 at different heights contributes to reducing the footprint of the apparatus while increasing the throughput. become.

ところで、キャリア用の仮置き部である仮置きステージ１６を設けることで不要なキャリアＣを移動ステージ１５から退避させることができるので、キャリアＣに対するウエハＷの搬入出を効率良く行うことができる。キャリアブロックＤ１では、その仮置きステージ１６については、前後方向においてモジュール積層体Ｔ１と同じ位置、及び当該モジュール積層体Ｔ１に対して後方の位置に設けられている。つまり、既述したレイアウトで移動ステージ１５を設けることで、搬送機構３２によるアクセスが行われない空いたスペースを利用して仮置きステージ１６が設けられていることになる。即ち、仮置きステージ１６は、キャリアブロックＤ１の大型化が防止されるレイアウトで配置されている。 By the way, since the unnecessary carrier C can be retracted from the moving stage 15 by providing the temporary placement stage 16 which is a temporary placement portion for the carrier, the wafer W can be efficiently carried in and out of the carrier C. In the carrier block D1, the temporary placement stage 16 is provided at the same position as the module laminated body T1 in the front-rear direction and at a position rearward with respect to the module laminated body T1. That is, by providing the moving stage 15 in the layout described above, the temporary placement stage 16 is provided by utilizing the vacant space that is not accessed by the transport mechanism 32. That is, the temporary placement stage 16 is arranged in a layout that prevents the carrier block D1 from becoming large.

さらに塗布、現像装置１によればシャトル７Ａ、７Ｂが設けられ、これらのシャトル７Ａ、７Ｂにより、キャリアブロックＤ１へ向けてウエハＷが搬送される。それにより第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２のうち、一方のブロックで処理が行われるウエハＷについて、他方のブロックの処理モジュールがバイパスされるようにキャリアブロックＤ１に向けて搬送される。従って、第１の上側処理ブロックＤ２２の搬送機構６Ｂ及び第２の上側処理ブロックＤ３２の搬送機構６Ｄの負荷（より詳しくはブロック内で必要な搬送工程の数）が低減される。結果として、塗布、現像装置１におけるスループットを、より向上させることができる。 Further, according to the coating / developing apparatus 1, shuttles 7A and 7B are provided, and the wafers W are conveyed toward the carrier block D1 by these shuttles 7A and 7B. As a result, of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32, the wafer W to be processed in one block is directed toward the carrier block D1 so that the processing module of the other block is bypassed. Be transported. Therefore, the load (more specifically, the number of transfer steps required in the block) of the transfer mechanism 6B of the first upper processing block D22 and the transfer mechanism 6D of the second upper processing block D32 is reduced. As a result, the throughput in the coating and developing apparatus 1 can be further improved.

ところでキャリアブロックＤ１の筐体１１の上部、第１及び第２の処理ブロックＤ２、Ｄ３の各筐体の上部、インターフェイスブロックＤ４の筐体の上部には、図示しない気流形成ユニットが設けられる。各気流形成ユニットは、塗布、現像装置１の外側の空気を取り込んで当該気流形成ユニットが設けられるブロックにおけるウエハＷの搬送路に供給して、気流を形成する。図１１には、キャリアブロックＤ１、第２の処理ブロックＤ２２の気流形成ユニットを夫々８１、８２として示している。図示の便宜上、これらの気流形成ユニット８１、８２はキャリアブロックＤ１、第１の処理ブロックＤ２から夫々離れた位置に表示している。 By the way, an air flow forming unit (not shown) is provided on the upper part of the housing 11 of the carrier block D1, the upper part of each of the first and second processing blocks D2 and D3, and the upper part of the housing of the interface block D4. Each airflow forming unit takes in the air outside the coating and developing apparatus 1 and supplies it to the transfer path of the wafer W in the block in which the airflow forming unit is provided to form an airflow. In FIG. 11, the airflow forming units of the carrier block D1 and the second processing block D22 are shown as 81 and 82, respectively. For convenience of illustration, these airflow forming units 81 and 82 are displayed at positions separated from the carrier block D1 and the first processing block D2, respectively.

気流形成ユニット８２は図示しないダクトを介して、第１の処理ブロックＤ２をなす第１の下側処理ブロックＤ２１、第１の上側処理ブロックＤ２２の各搬送領域５３の天井部に設けられるフィルタに空気を供給する。当該フィルタから供給された空気は搬送領域５３を下方に向かい、図示しない第１の下側処理ブロックＤ２１、第１の上側処理ブロックＤ２２の下部側に設けられる図示しない排気口から排気される。 The air flow forming unit 82 passes through a duct (not shown) to a filter provided on the ceiling of each transport region 53 of the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 forming the first processing block D2. Supply. The air supplied from the filter faces downward through the transport region 53 and is exhausted from an exhaust port (not shown) provided on the lower side of the first lower processing block D21 (not shown) and the first upper processing block D22 (not shown).

例えばキャリアブロックＤ１においては、例えば図１１に示すように搬送領域３１の前方側の端部に縦長に形成されたフィルタ８３が設けられる。そして、気流形成ユニット８１からフィルタ８３に供給された空気は、当該フィルタ８３から搬送領域３１の後方に向けて供給される。モジュール積層体Ｔ１よりも後方における例えばブロックの底部には排気孔８４が開口しており、フィルタ８３から供給された空気が当該排気孔８４から排気される。 For example, in the carrier block D1, for example, as shown in FIG. 11, a vertically elongated filter 83 is provided at the front end of the transport region 31. Then, the air supplied from the air flow forming unit 81 to the filter 83 is supplied from the filter 83 toward the rear of the transport region 31. An exhaust hole 84 is opened at the bottom of the block, for example, behind the module laminate T1, and the air supplied from the filter 83 is exhausted from the exhaust hole 84.

各ブロックにおける空気の供給量及び排気量のバランスが調整されることにより、第１の下側処理ブロックＤ２１、第１の上側処理ブロックＤ２２の方が、搬送領域３１よりも圧力が高い状態とされる。それにより、上記のように搬送領域５３に供給される空気の一部が搬送領域３１に流れ込み、排気孔８４から排気される。図１１は、このように搬送領域３１、５３に形成される気流を矢印で示している。このように形成される気流により、疎水化処理モジュール３０で使用する処理ガスが、搬送領域３１に流入することがより確実に防止される。仮に、当該処理ガスが搬送領域３１を介して現像モジュール５１に流入して現像液と反応すると現像欠陥を発生させるおそれがあるが、上記の気流の形成により、そのような欠陥の発生が防止されることになる。即ち、当該気流の形成により、ウエハＷから製造される製品の歩留りの低下が防止される。なおフィルタ８３、気流形成ユニット８１、８２は、気流形成機構をなす。 By adjusting the balance between the air supply amount and the exhaust amount in each block, the pressure of the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 is set to be higher than that of the transport region 31. To. As a result, a part of the air supplied to the transport region 53 as described above flows into the transport region 31 and is exhausted from the exhaust hole 84. In FIG. 11, the airflow thus formed in the transport regions 31 and 53 is indicated by an arrow. The air flow formed in this way more reliably prevents the processing gas used in the hydrophobizing treatment module 30 from flowing into the transport region 31. If the processing gas flows into the developing module 51 through the transport region 31 and reacts with the developing solution, development defects may occur. However, the formation of the above-mentioned air flow prevents the occurrence of such defects. Will be. That is, the formation of the airflow prevents the yield of the product manufactured from the wafer W from decreasing. The filter 83 and the airflow forming units 81 and 82 form an airflow forming mechanism.

ところで既述の処理前検査モジュール４１が設けられる位置に、当該処理前検査モジュール４１の代わりに処理後検査モジュール５７を設けてもよい。その場合には、図９で述べた往路については、検査モジュールへの搬送が行われない経路とすればよい。具体的にはウエハＷをキャリアＣ→搬送機構３２→ＴＲＳ１→搬送機構３３→ＳＣＰＬ１の順で搬送して、第１の下側処理ブロックＤ２１に搬入すればよい。そして図１０で述べた復路については、そのようにキャリアブロックＤ１に設けた処理後検査モジュール５７を経由するものとすればよい。具体的には、処理を終えてキャリアブロックＤ１のＴＲＳ２に搬送されたウエハＷを、搬送機構３２は処理後検査モジュール５７に搬送した後にキャリアＣに戻すようにすればよい。 By the way, the post-processing inspection module 57 may be provided instead of the pre-processing inspection module 41 at the position where the above-mentioned pre-processing inspection module 41 is provided. In that case, the outbound route described in FIG. 9 may be a route that is not transported to the inspection module. Specifically, the wafer W may be conveyed in the order of carrier C → transfer mechanism 32 → TRS1 → transfer mechanism 33 → SCPL1 and carried into the first lower processing block D21. Then, the return route described in FIG. 10 may pass through the post-processing inspection module 57 provided in the carrier block D1 as described above. Specifically, the wafer W that has been processed and transferred to TRS2 of the carrier block D1 may be transferred to the post-processing inspection module 57 by the transfer mechanism 32 and then returned to the carrier C.

そのようにキャリアブロックＤ１に処理後検査モジュール５７を配置した場合は、処理前検査モジュール４１は、例えば第１の下側処理ブロックＤ２１の後部側処理部５０を構成する処理モジュールとして設けてもよい。なお、キャリアブロックＤ１に、処理前検査モジュール４１及び処理後検査モジュール５７のいずれも設けられない構成であってもよく、その場合にもモジュール積層体Ｔ１の各モジュールを利用して搬送機構３２、３３間でウエハＷを受け渡して適宜、搬送を行えばよい。 When the post-processing inspection module 57 is arranged in the carrier block D1 in this way, the pre-processing inspection module 41 may be provided as, for example, a processing module constituting the rear-side processing unit 50 of the first lower processing block D21. .. The carrier block D1 may be configured not to be provided with either the pre-processing inspection module 41 or the post-processing inspection module 57, and even in that case, the transfer mechanism 32 using each module of the module laminate T1. The wafer W may be delivered between the 33 units and transported as appropriate.

上記の搬送例では、ウエハＷを搬出するためにキャリアＣを載置する移動ステージ１５（ローダー）と、ウエハＷを搬入するためにキャリアＣを載置する移動ステージ１５（アンローダー）とが異なる。ただし一つの移動ステージ１５が、ローダーとアンローダーとを兼用してもよい。上記の搬送機構３２は４つの移動ステージ１５に共用される構成であるため、このように移動ステージ１５の用途の切替えを容易に行うことができる利点が有る。 In the above transfer example, the moving stage 15 (loader) on which the carrier C is placed to carry out the wafer W and the moving stage 15 (unloader) on which the carrier C is placed to carry in the wafer W are different. .. However, one moving stage 15 may be used as both a loader and an unloader. Since the transfer mechanism 32 is configured to be shared by the four moving stages 15, there is an advantage that the use of the moving stage 15 can be easily switched in this way.

なお、塗布、現像装置１において、上側処理ブロックＧ２をウエハＷの往路、下側処理ブロックＧ１をウエハＷの復路としてもよい。具体的には、例えば装置内で反射防止膜の形成は行わず、第１の上側処理ブロックＤ２２、第２の上側処理ブロックＤ３２の液処理モジュールとして、各々レジスト膜形成モジュール４９を設ける。そして第１の下側処理ブロックＤ２１、第２の下側処理ブロックＤ３１の液処理モジュールとして、現像モジュール５１を各々設置する。そして既述した搬送経路とは逆の搬送経路でブロック間においてウエハＷを搬送することで、レジスト膜の形成、露光、現像を順に行い、レジストパターンを形成するようにしてもよい。従って、シャトルとしては復路を形成することに限られないし、キャリアブロックＤ１についても復路をなすシャトル用のＴＲＳにウエハＷを受け渡す構成であることには限られない。また、シャトルについては第１の下側処理ブロックＤ２１、第２の下側処理ブロックＤ３１に設けてもよい。例えばこれら第１の下側処理ブロックＤ２１、第２の下側処理ブロックＤ３１の液処理モジュールが共にレジスト膜形成モジュール４９であり、シャトルを用いていずれか一方のブロックのレジスト膜形成モジュール４９でウエハＷが処理されるように装置を構成することもできる。 In the coating / developing apparatus 1, the upper processing block G2 may be used as the outward path of the wafer W, and the lower processing block G1 may be used as the return path of the wafer W. Specifically, for example, the antireflection film is not formed in the apparatus, and the resist film forming module 49 is provided as the liquid treatment module of the first upper treatment block D22 and the second upper treatment block D32, respectively. Then, a developing module 51 is installed as a liquid processing module for the first lower processing block D21 and the second lower processing block D31. Then, by transporting the wafer W between the blocks in a transport path opposite to the transport path described above, the resist film may be formed, exposed, and developed in order to form a resist pattern. Therefore, the shuttle is not limited to forming a return path, and the carrier block D1 is not limited to a configuration in which the wafer W is delivered to the TRS for the shuttle that forms the return path. Further, the shuttle may be provided in the first lower processing block D21 and the second lower processing block D31. For example, the liquid treatment modules of the first lower treatment block D21 and the second lower treatment block D31 are both resist film forming modules 49, and a wafer is used in the resist film forming module 49 of either block by using a shuttle. The device can also be configured such that W is processed.

また、装置で行う液処理としては上記した例に限られず、薬液の塗布による絶縁膜の形成や、薬液の塗布によるレジスト膜の表面を保護するための保護膜の形成や、ウエハＷを互いに貼り合わせるための接着剤の塗布処理などが含まれていてもよい。また、ウエハＷの表面あるいは裏面に洗浄液を供給する洗浄処理を行ってもよい。従って、本技術の基板処理装置としては塗布、現像装置であることには限られない。 Further, the liquid treatment performed by the apparatus is not limited to the above-mentioned example, and the insulating film is formed by applying the chemical solution, the protective film is formed by applying the chemical solution to protect the surface of the resist film, and the wafers W are attached to each other. It may include a treatment of applying an adhesive for matching. Further, a cleaning process of supplying a cleaning liquid to the front surface or the back surface of the wafer W may be performed. Therefore, the substrate processing apparatus of the present technology is not limited to the coating and developing apparatus.

さらに下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２としては、インターフェイスブロックＤ４により互いに接続されていなくてもよい。図１２の基板処理装置８の概略図を参照して説明する。モジュール積層体Ｔ１にはＴＲＳ２１～ＴＲＳ２３が含まれるとする。ＴＲＳ２１がキャリアＣに対する受け渡し用で、搬送機構３２によりキャリアＣ－ＴＲＳ２１間でウエハＷが搬送される。ＴＲＳ２２、ＴＲＳ２３が下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２に対する受け渡し用で、ＴＲＳ２１－ＴＲＳ２２間、ＴＲＳ２１－ＴＲＳ２３間でウエハＷが夫々搬送機構３３により搬送される。キャリアＣからＴＲＳ２１を経由してＴＲＳ２２、ＴＲＳ２３から下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２に夫々搬入されたウエハＷは、処理後にＴＲＳ２２、ＴＲＳ２３からＴＲＳ２１を経由してキャリアＣに戻される。つまり、下側処理ブロックＧ１及び上側処理ブロックＧ２の一方でのみウエハＷは処理を受けて、キャリアＣに戻されるように装置が構成されていてもよい。 Further, the lower processing block G1 and the upper processing block G2 may not be connected to each other by the interface block D4. It will be described with reference to the schematic diagram of the substrate processing apparatus 8 of FIG. It is assumed that the module laminate T1 includes TRS21 to TRS23. The TRS 21 is for delivery to the carrier C, and the wafer W is conveyed between the carrier C and the TRS 21 by the transfer mechanism 32. The TRS22 and TRS23 are for delivery to the lower processing block G1 and the upper processing block G2, and the wafer W is conveyed between the TRS21 and TRS22 and between the TRS21 and TRS23 by the transfer mechanism 33, respectively. The wafers W carried from the carrier C to the lower processing block G1 and the upper processing block G2 from the carrier C via the TRS 21 and from the TRS 23 are returned to the carrier C via the TRS 22 and the TRS 23 after processing. That is, the apparatus may be configured so that the wafer W is processed and returned to the carrier C only on one of the lower processing block G1 and the upper processing block G2.

また、下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２の各々は左右に並ぶ２つの処理ブロックにより構成することに限られず、１つの処理ブロックにより構成されていてもよい。また、下側処理ブロックＧ１、上側処理ブロックＧ２の各々は３つ以上の左右に並んだ複数の処理ブロックにより構成され、左右に並ぶ処理ブロック間でウエハＷが搬送されるようにしてもよい。 Further, each of the lower processing block G1 and the upper processing block G2 is not limited to being composed of two processing blocks arranged side by side, and may be composed of one processing block. Further, each of the lower processing block G1 and the upper processing block G2 may be composed of a plurality of processing blocks arranged on the left and right sides of three or more, and the wafer W may be conveyed between the processing blocks arranged on the left and right sides.

なお各処理ブロックにおいて、液処理モジュールが前方、後部側処理部５０をなす処理モジュールが後方に位置するが、このレイアウトは前後逆であってもよい。また、キャリアブロックＤ１においても搬送機構３２、３３やキャリアＣ用の各ステージ等のレイアウトは前後逆であってもよい。また、キャリアブロックＤ１と、他のブロックの並びも左右逆であってもよい。 In each processing block, the liquid processing module is located in the front and the processing module forming the rear side processing unit 50 is located in the rear, but this layout may be reversed. Further, also in the carrier block D1, the layout of the transport mechanisms 32, 33, the stages for the carrier C, and the like may be reversed. Further, the arrangement of the carrier block D1 and the other blocks may be reversed left and right.

そしてキャリアブロックＤ１においては、疎水化処理モジュール３０の代りに、処理後検査モジュール５７などの他のモジュールを設け、搬送機構３３により搬送が行われるようにしてもよい。ただし、疎水化処理モジュール３０は処理を行うにあたり、ウエハＷを載置する載置部（熱板）を横方向に移動させなくてよい。つまり、搬送機構３３の後方に処理モジュールを設けるにあたり、そのようにウエハＷの載置部を横方向に移動させずに処理を行う処理モジュールを設けることが、キャリアブロックＤ１の大型化、ひいては基板処理装置の大型化を防ぐために好ましい。なお、モジュール積層体Ｔ１を構成するＴＲＳ、ＳＣＰＬの順番は装置内においてウエハＷを搬送可能な範囲で、適宜高さを変更したり、重ねられる順番を入れ替えたりしてもよい。 Then, in the carrier block D1, instead of the hydrophobizing treatment module 30, another module such as the post-treatment inspection module 57 may be provided so that the transport is performed by the transport mechanism 33. However, in performing the treatment, the hydrophobizing treatment module 30 does not have to move the mounting portion (hot plate) on which the wafer W is placed in the lateral direction. That is, when the processing module is provided behind the transport mechanism 33, it is necessary to provide the processing module that performs the processing without moving the mounting portion of the wafer W in the lateral direction, thereby increasing the size of the carrier block D1 and eventually the substrate. It is preferable to prevent the processing device from becoming large. The order of the TRS and SCPL constituting the module laminated body T1 may be appropriately changed in height or the stacking order may be changed as long as the wafer W can be conveyed in the apparatus.

また、疎水化処理モジュール３０は、モジュール積層体Ｔ１をなすＴＲＳ、ＳＣＰＬに重なるように配置してもよい。ただし、モジュール積層体Ｔ１に多数のＴＲＳ、ＳＣＰＬを配置してウエハＷを載置することで、キャリアブロックＤ１と第１の処理ブロックＤ２間、及びキャリアＣとキャリアブロックＤ１との間でのウエハＷの受け渡しが速やかに行われるようにすることができる。従って、疎水化処理モジュール３０は既述したように搬送領域３１の後方側に配置することが好ましい。さらに塗布、現像装置１において、処理前検査モジュール４１に搬送機構３２によりウエハＷを搬送した後、搬送機構３３が当該検査モジュール４１にてウエハＷを受け取り、ＳＣＰＬ１に搬送し、下側処理ブロックＤ２１にウエハＷが取込まれるようにしてもよい。つまり、搬送機構３２、３３間でのウエハＷの受け渡しは、仮置きモジュールにて行うことには限られない。 Further, the hydrophobizing treatment module 30 may be arranged so as to overlap the TRS and SCPL forming the module laminate T1. However, by arranging a large number of TRS and SCPL on the module laminate T1 and mounting the wafer W, the wafer between the carrier block D1 and the first processing block D2 and between the carrier C and the carrier block D1 The delivery of W can be promptly performed. Therefore, it is preferable that the hydrophobizing treatment module 30 is arranged on the rear side of the transport region 31 as described above. Further, in the coating and developing apparatus 1, after the wafer W is conveyed to the pretreatment inspection module 41 by the conveying mechanism 32, the conveying mechanism 33 receives the wafer W by the inspection module 41 and conveys it to SCPL1, and the lower processing block D21. The wafer W may be taken in. That is, the transfer of the wafer W between the transfer mechanisms 32 and 33 is not limited to the temporary placement module.

そして、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。 And it should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. The above embodiments may be omitted, replaced, modified and combined in various forms without departing from the scope of the appended claims and their gist.

Ｃ キャリア
Ｄ２ 第１の処理ブロック
Ｄ２１ 第１の下側処理ブロック
Ｄ２２ 第１の上側処理ブロック
１５ 移動ステージ
ＴＲＳ 受け渡しモジュール
Ｔ１ モジュール積層体
Ｗ ウエハ
３１ 搬送領域
３２、３３ 搬送機構
６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ 搬送機構 C carrier D2 first processing block D21 first lower processing block D22 first upper processing block 15 moving stage TRS transfer module T1 module laminate W wafer 31 transfer area 32, 33 transfer mechanism 6A, 6B, 6C, 6D Transport mechanism

Claims (15)

基板を格納するキャリアが載置されるキャリア載置部を備えるキャリアブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックと、
平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように、前記キャリアブロックに設けられる前記基板の搬送領域と、
前記キャリアに対して前記基板を受け渡すために前記搬送領域に設けられる第１の搬送機構と、
前記第１の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって夫々前記基板が受け渡される第１の載置部、第２の載置部、第３の載置部が互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記第１の搬送機構に対して前後の一方側に設けられる載置部の積層体と、
平面視、前記第１の搬送機構と共に前記積層体を前後から挟むように前記搬送領域に設けられ、前記第１の載置部と前記第２の載置部との間、前記第１の載置部と前記第３の載置部との間で夫々前記基板を搬送するための第２の搬送機構と、
を備える基板処理装置。 A carrier block having a carrier mounting portion on which a carrier for storing a substrate is mounted, and a carrier block.
It is provided with a plurality of processing modules provided by processing each of the substrates and laminated with each other, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules to transport the substrate, and is flat with respect to the carrier mounting portion. One processing block provided on one of the left and right sides of the view,
It is provided with a plurality of processing modules provided by processing each of the substrates and being laminated with each other, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules to transport the substrate, and is vertically oriented with respect to the one processing block. With other processing blocks that overlap in the direction,
In a plan view, a transport area of the substrate provided on the carrier block so as to be interposed between the carrier mounting portion and the one processing block and the other processing block.
A first transport mechanism provided in the transport region for delivering the substrate to the carrier,
A first mounting portion, a second mounting portion, and a third mounting portion to which the substrate is delivered by the first transport mechanism, the main transport mechanism of the one processing block, and the main transport mechanism of the other processing blocks, respectively. The mounting portions are configured to overlap each other in the vertical direction, and in a plan view, the laminated body of the mounting portions provided on one side of the front and rear with respect to the first transport mechanism.
In a plan view, the laminated body is provided in the transport area so as to sandwich the laminated body from the front and back together with the first transport mechanism, and the first mounting portion is provided between the first mounting portion and the second mounting portion. A second transport mechanism for transporting the substrate between the mounting portion and the third mounting portion, respectively.
Substrate processing equipment. 前記一の処理ブロックの処理モジュール、前記他の処理ブロックの処理モジュールを夫々第１の処理モジュール、第２の処理モジュールとすると、
平面視で前記積層体に重なる位置に、前記第１の搬送機構または第２の搬送機構により前記基板が受け渡される第３の処理モジュールが設けられる請求項１記載の基板処理装置。 Assuming that the processing module of the one processing block and the processing module of the other processing block are the first processing module and the second processing module, respectively,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a third processing module to which the substrate is delivered by the first transport mechanism or the second transport mechanism is provided at a position overlapping the laminated body in a plan view. 前記第３の処理モジュールは前記基板の検査を行うための検査モジュールである請求項２記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the third processing module is an inspection module for inspecting the substrate. 前記検査モジュールは、平面視前記積層体に重なる位置から左右の他方へ延伸され、前記搬送領域を形成する筐体の外側へ突出して設けられる請求項３記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the inspection module is extended from a position overlapping the laminated body in a plan view to the other on the left and right, and is provided so as to project to the outside of a housing forming the transport region. 前記検査モジュールには、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックへ搬送される前の前記基板が搬送される請求項３または４記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein the substrate is transported to the inspection module before being transported to the one processing block and the other processing block. 前記第２の搬送機構に対して前後の一方側に、当該第２の搬送機構により前記基板が受け渡される第４の処理モジュールが設けられ、
前記第３の処理モジュールには前記第１の搬送機構により前記基板が受け渡される請求項２ないし５のいずれか一つに記載の基板処理装置。 A fourth processing module to which the substrate is delivered by the second transfer mechanism is provided on one side of the front and rear of the second transfer mechanism.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 5, wherein the substrate is delivered to the third processing module by the first transport mechanism. 前記第２の搬送機構に対して前後の一方側に、当該第２の搬送機構により前記基板が受け渡される第４の処理モジュールが設けられ、
前記一の処理ブロックの処理モジュール、前記他の処理ブロックの処理モジュールを夫々第１の処理モジュール、第２の処理モジュールとすると、
前記複数の第１の処理モジュールまたは複数の第２の処理モジュールには、前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成モジュールが含まれ、
前記第４の処理モジュールは、前記塗布液の供給前に前記基板をガス処理して疎水化する疎水化処理モジュールである請求項１ないし６のいずれか一つに記載の基板処理装置。 A fourth processing module to which the substrate is delivered by the second transfer mechanism is provided on one side of the front and rear of the second transfer mechanism.
Assuming that the processing module of the one processing block and the processing module of the other processing block are the first processing module and the second processing module, respectively,
The plurality of first processing modules or the plurality of second processing modules include a coating film forming module that supplies a coating liquid to the substrate to form a coating film.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the fourth processing module is a hydrophobic treatment module that gas-treats the substrate to make it hydrophobic before supplying the coating liquid. 前記搬送領域において前後の他方側から前記第４の処理モジュールに向う気流及び前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックから前記搬送領域に向う気流を各々形成する気流形成機構が設けられる請求項７記載の基板処理装置。 7. A claim 7 is provided with an airflow forming mechanism for forming an airflow toward the fourth processing module and an airflow from the one processing block and the other processing block toward the transport region from the other side of the front and rear in the transport region. The substrate processing apparatus described. 前記キャリア載置部は、前記積層体に対して前記前後の他方側に複数、互いに異なる高さに設けられる請求項１ないし８のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the carrier mounting portions are provided on the other side of the front and rear sides of the laminated body at different heights. 前記搬送領域に対して左右の一方側において、
前後において前記積層体と同じ位置かあるいは当該積層体に対して前後の一方側に設けられる、前記キャリアを仮置きするためのキャリア用の仮置き部と、
前記仮置き部と、前記キャリア載置部との間で前記キャリアを移載するキャリア移載機構と、を備える請求項９記載の基板処理装置。 On one of the left and right sides of the transport area
A temporary placement portion for a carrier for temporarily placing the carrier, which is provided at the same position as the laminated body in the front and rear or on one side of the front and rear with respect to the laminated body.
The substrate processing apparatus according to claim 9, further comprising a carrier transfer mechanism for transferring the carrier between the temporary placement section and the carrier mounting section. 前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックの左右の一方には、当該一の処理ブロックと当該他の処理ブロックとの間で前記基板を搬送するための昇降搬送機構を備えた中継ブロックが接続され、
前記基板は前記キャリアブロックから前記一の処理ブロックを経由して前記中継ブロックへ向う往路と、前記中継ブロックから前記他の処理ブロックを経由して前記キャリアブロックへ向う復路と、を搬送される請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の基板処理装置。 A relay block provided with an elevating and lowering transport mechanism for transporting the substrate between the one processing block and the other processing block is connected to one of the left and right sides of the one processing block and the other processing block. Being done
A claim that the substrate is conveyed from the carrier block to the relay block via the one processing block and a return route from the relay block to the carrier block via the other processing block. Item 6. The substrate processing apparatus according to any one of Items 1 to 10. 前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックのうちの少なくとも一方の処理ブロックには、前記主搬送機構とは別の第３の搬送機構と、当該第３の搬送機構と前記第２の搬送機構との間で前記基板を受け渡すために前記基板が仮置きされる第４の載置部が設けられる請求項１１記載の基板処理装置。 At least one of the one processing block and the other processing block has a third transport mechanism different from the main transport mechanism, the third transport mechanism, and the second transport mechanism. The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein a fourth mounting portion is provided in which the substrate is temporarily placed in order to deliver the substrate to and from. 前記一の処理ブロック及び他の処理ブロックのうちの少なくとも一方の処理ブロックは、前記積層される複数の処理モジュール及び前記主搬送機構を各々備えると共に、左右に並ぶ左側の処理ブロック、右側の処理ブロックにより構成され、
前記第３の搬送機構は、前記処理モジュールを経由せずに前記基板を下流側のブロックへ向けて搬送するために、前記左側の処理ブロック、前記右側の処理ブロックの各々に設けられる請求項１２記載の基板処理装置。 At least one of the one processing block and the other processing block includes the plurality of stacked processing modules and the main transport mechanism, respectively, and the left side processing block and the right side processing block arranged side by side. Consists of
12. The third transfer mechanism is provided in each of the left side processing block and the right side processing block in order to convey the substrate toward the downstream block without passing through the processing module. The substrate processing apparatus described. 基板を格納するキャリアをキャリアブロックに設けられるキャリア載置部に載置する工程と、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックにて前記基板を搬送する工程と、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックにて前記基板を搬送する工程と、
平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように前記キャリアブロックに設けられた前記基板の搬送領域に設けられる第１の搬送機構により、前記キャリアに対して前記基板を受け渡す工程と、
互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記第１の搬送機構に対して前後の一方側に設けられる載置部の積層体を構成する第１の載置部、第２の載置部、第３の載置部に夫々、前記第１の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって前記基板を受け渡す工程と、
平面視、前記第１の搬送機構と共に前記積層体を前後から挟むように前記搬送領域に設けられる第２の搬送機構により、前記第１の載置部と前記第２の載置部の間、前記第１の載置部と前記第３の載置部との間で夫々前記基板を搬送する工程と、
を備える基板処理方法。 The process of mounting the carrier that stores the substrate on the carrier mounting section provided in the carrier block, and
It is provided with a plurality of processing modules provided by processing each of the substrates and being laminated with each other, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules to transport the substrate, and is flat with respect to the carrier mounting portion. Visually, the process of transporting the substrate by one processing block provided on one of the left and right sides,
It is provided with a plurality of processing modules provided by processing each of the substrates and being laminated with each other, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules to transport the substrate, and is vertically oriented with respect to the one processing block. The process of transporting the substrate by other processing blocks that overlap in the direction,
In a plan view, by a first transport mechanism provided in a transport region of the substrate provided on the carrier block so as to intervene between the carrier mounting portion and the one processing block and the other processing block. , The process of delivering the substrate to the carrier,
The first mounting portion and the second mounting portion, which are configured to overlap each other in the vertical direction and constitute a laminated body of mounting portions provided on one side of the front and rear sides with respect to the first transport mechanism in a plan view. A step of delivering the substrate to the placing portion and the third mounting portion by the first transport mechanism, the main transport mechanism of the one processing block, and the main transport mechanism of the other processing block, respectively.
In a plan view, a second transport mechanism provided in the transport region so as to sandwich the laminated body from the front and back together with the first transport mechanism is provided between the first mounting portion and the second mounting portion. A step of transporting the substrate between the first mounting portion and the third mounting portion, respectively.
A substrate processing method comprising. 基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１４記載の基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。 A storage medium for storing computer programs used in board processing equipment.
The computer program is a storage medium in which a group of steps is set up to execute the substrate processing method according to claim 14.
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