KR20220071545A - Twb 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체 및 그 제조방법 - Google Patents

Twb 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20220071545A
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Abstract

본 발명은 용접부의 미세조직을 제어하여 용접부의 파단을 방지할 수 있는 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체는 이종 재질의 제 1 판재와 제 2 판재를 TWB 공법으로 용접하고, 핫스탬핑한 성형체로서, 상기 제 1 판재와 제 2 판재는 서로 다른 A3 온도를 갖고, 상기 제 1 판재와 제 2 판재가 용접부를 매개로 용접되며, 상기 제 1 판재와 상기 용접부는 페라이트, 베이나이트 및 마르텐사이트 조직이 형성되고, 상기 제 2 판재는 마르텐사이트 조직이 형성된 것을 특징으로 한다.

Description

TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체 및 그 제조방법{HOT STAMPING MOLDING PRODUCT USING TAYLOR WELDED BLANK AND ITS MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 용접부의 미세조직을 제어하여 용접부의 파단을 방지할 수 있는 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 TWB(Tailor Welded Blank)공법을 이용한 판재는 재료의 강도 및 두께가 다른 두 이종 재료를 용접하여 형성된 용접 판재로서, 경량화 및 부품수 절감을 달성할 수 있기 때문에 차량용 부품으로 다양하게 적용되고 있다.
한편, 핫스탬핑(Hot Stamping) 공법은 판재를 고온으로 가열한 후 냉각수가 흐르는 프레스로 성형과 냉각을 동시에 실시하여 성형체를 성형하는 공법으로서, 복잡한 형태의 성형이 가능하고, 우수한 치수정밀도 및 고강도를 확보할 수 있기 때문에 다양한 차량용 부품을 성형하는 공법으로 적용되고 있다.
그래서, 최근에는 TWB 공법과 핫스탬핑 공법이 함께 적용하여 차량용 부품을 제조하고 있는 추세이다.
일반적으로 TWB 공법과 핫스탬핑 공법을 함께 적용하는 경우에, TWB 공법을 적용하여 용접되는 용접판재의 용접부는 열영향부(HAZ)와 웰드부(Weld)로 형성되는데, 이 상태에서 핫스탬핑을 위한 열처리를 진행하게 되면 열영향부와 웰드부가 A3 온도 이상에서 열처리가 되면서 모두 오스테나이트(Full Austenite)로 변태하였다가 핫스탬핑시 냉각에 의해 마르텐사이트(Martensite)로 최종 변태하게 된다. 이중 웰드부는 핫스탬핑 열처리 전에 이미 미세한 마르텐사이트(Martensite)조직이 형성되었다가 핫스탬핑 열처리를 통해 오스테나이트(Austenite)로 역변태 되었다가 다시 마르텐사이트(Martensite)로 변태하기 때문에 원소재의 마르텐사이트(Martensite) 조직보다 미세한 마르텐사이트(Martensite) 조직이 형성된다.
따라서 웰드부가 그 주변영역보다 경도가 높기 때문에 외부응력 작용 시 웰드부에서 응력이 집중되어 용접부 파단이 빈번하게 발생하는 문제가 있었다.
상기의 배경기술로서 설명된 내용은 본 발명에 대한 배경을 이해하기 위한 것일 뿐, 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 종래기술에 해당함을 인정하는 것으로 받아들여져서는 안 될 것이다.
등록특허공보 제10-1448473호 (2014.10.01)
본 발명은 TWB 공법으로 용접되는 이종 판재의 성분 조정을 통하여 용접부의 미세조직을 제어하여 용접부의 파단을 방지할 수 있는 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체는 이종 재질의 제 1 판재와 제 2 판재를 TWB 공법으로 용접하고, 핫스탬핑한 성형체로서, 상기 제 1 판재와 제 2 판재는 서로 다른 A3 온도를 갖고, 상기 제 1 판재와 제 2 판재가 용접부를 매개로 용접되며, 상기 제 1 판재와 상기 용접부는 페라이트, 베이나이트 및 마르텐사이트 조직이 형성되고, 상기 제 2 판재는 마르텐사이트 조직이 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 판재는 C: 0.04 ~ 0.12wt%, Si: 0.80wt% 이하, Mn: 1.60 ~ 2.00wt%, P: 0.030wt% 이하, S: 0.015wt% 이하, Cr: 0.10 ~ 0.60wt%, B: 0.0008 ~ 0.0050wt%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하고, 상기 제 2 판재는 C: 0.27 ~ 0.33wt%, Si: 0.40wt% 이하, Mn: 1.10 ~ 1.60wt%, P: 0.030wt% 이하, S: 0.015wt% 이하, Cr: 0.10 ~ 0.60wt%, B: 0.0008 ~ 0.0050wt%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함한다.
상기 제 1 판재는 경도가 200 ~ 350HV이고, 상기 용접부는 경도가 350 ~ 550HV이며, 상기 제 2 판재는 경도가 550 ~ 650HV인 것을 특징으로 한다.
상기 성형체의 핫스탬핑시 상기 제 1 판재, 용접부 및 제 2 판재를 상기 제 1 판재의 A3 온도와 제 2 판재의 A3 온도 사이의 온도범위로 가열한 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 판재와 상기 용접부는 마르텐사이트가 30% 이하의 비율로 조직이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 판재와 상기 용접부는 페라이트 10 ~ 50%, 베이나이트: 10 ~ 50% 및 마르텐사이트: 30% 이하 비율의 복합조직이 형성되는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명의 일 실시형태에 따른 핫스탬핑 성형체의 제조방법은 서로 다른 A3 온도를 갖는 제 1 판재와 제 2 판재를 준비하는 준비단계와; 제 1 판재와 제 2 판재를 TWB 공법으로 용접하여 상기 제 1 판재와 제 2 판재를 용접부를 매개로 용접시킨 용접판재를 준비하는 용접단계와; 상기 제 1 판재의 A3 온도와 제 2 판재의 A3 온도 사이의 온도범위로 가열한 용접판재를 핫스탬핑하여 성형하는 성형단계를 포함한다.
상기 준비단계에서, 상기 제 1 판재는 C: 0.04 ~ 0.12wt%, Si: 0.80wt% 이하, Mn: 1.60 ~ 2.00wt%, P: 0.030wt% 이하, S: 0.015wt% 이하, Cr: 0.10 ~ 0.60wt%, B: 0.0008 ~ 0.0050wt%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 판재로 준비하고, 상기 제 2 판재는 C: 0.27 ~ 0.33wt%, Si: 0.40wt% 이하, Mn: 1.10 ~ 1.60wt%, P: 0.030wt% 이하, S: 0.015wt% 이하, Cr: 0.10 ~ 0.60wt%, B: 0.0008 ~ 0.0050wt%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 판재로 준비하는 것을 특징으로 한다.
상기 성형단계에서, 핫스탬핑시 온도는 용접판재의 가열온도는 810 ~ 880℃인 것을 특징으로 한다.
상기 성형단계 이후에, 상기 성형품의 제 1 판재와 용접부는 페라이트, 베이나이트 및 마르텐사이트 조직이 형성되고, 상기 성형품의 제 2 판재는 마르텐사이트 조직이 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 성형단계 이후에, 상기 제 1 판재와 상기 용접부는 마르텐사이트가 30% 이하의 비율로 조직이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 성형단계 이후에, 상기 제 1 판재와 상기 용접부는 페라이트 10 ~ 50%, 베이나이트: 10 ~ 50% 및 마르텐사이트: 30% 이하 비율의 복합조직이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 성형단계 이후에, 상기 성형품의 제 1 판재는 경도가 200 ~ 350HV이고, 상기 성형품의 용접부는 경도가 350 ~ 550HV이며, 상기 성형품의 제 2 판재는 경도가 550 ~ 650HV인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따르면, TWB 공법으로 용접되는 이종 판재의 성분을 조정하여 이종 판재의 성분이 서로 섞이는 용접부의 A3 온도를 조절하고, 핫스탬핑을 위한 열처리시 온도를 제어함으로써, 핫스탬핑 이후의 용접부에 페라이트, 베이나이트 및 마르텐사이트 조직이 함께 형성되도록 할 수 있다.
이를 통하여 외부 응력 작용시 용접부에 응력이 국부적으로 집중되는 것을 방지할 수 있어 용접부에서 파단이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1a는 비교예의 핫스탬핑 전의 미세조직 관찰 결과 및 경도값이고,
도 1b는 비교예의 핫스탬핑 후의 미세조직 관찰 결과 및 경도값이며
도 2a는 실시예의 핫스탬핑 전의 미세조직 관찰 결과 및 경도값이고,
도 2b는 실시예의 핫스탬핑 후의 미세조직 관찰 결과 및 경도값이며,
도 3은 실시예의 핫스탬핑 후의 미세조직을 확대하여 관찰한 결과이고,
도 4a는 비교예에 따른 용접부의 열처리 온도별 미세조직 형성 결과이며,
도 4b는 실시예에 따른 용접부의 열처리 온도별 미세조직 형성 결과이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
본 발명은 이종 재질의 제 1 판재와 제 2 판재를 TWB 공법으로 용접하고, 이를 핫스탬핑한 성형체 및 그 제조방법에 관한 기술로서, TWB 공법으로 용접시 제 1 판재와 제 2 판재가 용접되면서 형성되는 용접부의 미세조직을 제어하기 위하여 제 1 판재와 제 2 판재의 성분 및 핫스탬핑을 위한 열처리 온도를 제어한다.
바람직하게는 본 발명의 일 실시예에 따른 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체는 서로 다른 종류인 제 1 판재와 제 2 판재를 TWB 공법에 의해 용접시킴으로써 제 1 판재와 제 2 판재가 용접부를 매개로 용접되고, 이렇게 용접된 용접판재를 열처리한 다음 핫스탬핑으로 성형하여 형성된다.
이때 용접부의 조직을 페라이트(Ferrite), 베이나이트(Bainite) 및 마르텐사이트(Martensite)가 혼합된 복합조직이 형성되도록 한다. 이렇게 용접부의 조직을 복합조직으로 형성함으로써 외부 응력 작용 시 응력이 용접부에 국부적으로 집중되는 것이 아니라 판재 전체로 분산되어 용접부 파단을 방지하게 되는 것이다.
다음으로, 상기와 같은 조직을 갖는 핫스탬핑 성형체를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 핫스탬핑 성형체의 제조방법은 서로 다른 A3 온도를 갖는 제 1 판재와 제 2 판재를 준비하는 준비단계와; 제 1 판재와 제 2 판재를 TWB 공법으로 용접하여 상기 제 1 판재와 제 2 판재를 용접부를 매개로 용접시킨 용접판재를 준비하는 용접단계와; 상기 제 1 판재의 A3 온도와 제 2 판재의 A3 온도 사이의 온도범위로 가열한 용접판재를 핫스탬핑하여 성형하는 성형단계를 포함한다.
준비단계에서는 서로 다른 A3 온도를 갖는 제 1 판재와 제 2 판재를 준비하는 단계로서, 예를 들어 제 1 판재는 880℃의 A3 온도를 갖도록 성분을 조정하고, 제 2 판재는 810℃의 A3 온도를 갖도록 성분을 조정한다.
부연하자면, 제 1 판재는 C: 0.04 ~ 0.12wt%, Si: 0.80wt% 이하, Mn: 1.60 ~ 2.00wt%, P: 0.030wt% 이하, S: 0.015wt% 이하, Cr: 0.10 ~ 0.60wt%, B: 0.0008 ~ 0.0050wt%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 판재를 사용한다.
그리고, 제 2 판재는 C: 0.27 ~ 0.33wt%, Si: 0.40wt% 이하, Mn: 1.10 ~ 1.60wt%, P: 0.030wt% 이하, S: 0.015wt% 이하, Cr: 0.10 ~ 0.60wt%, B: 0.0008 ~ 0.0050wt%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 판재를 사용한다.
용접단계는 준비된 제 1 판재와 제 2 판재를 TWB 공법으로 용접하는 단계로서, 제 1 판재와 제 2 판재를 용접시킴으로써 용접부를 매개로 제 1 판재와 제 2 판재가 용접된 용접판재를 준비한다.
이렇게 성분이 조정된 제 1 판재와 제 2 판재를 TWB 공법에 의해 용접하게 되면 형성되는 용접부는 제 1 판재와 제 2 판재의 성분이 혼합되기 때문에 용접부의 A3 온도는 810 ~ 880℃의 범위 내로 조정된다.
성형단계는 가열된 용접판재를 핫스탬핑하여 성형하는 단계이다.
이때 핫스탬핑시 용접부에 복합조직을 형성하기 위하여 핫스탬핑 하기 전 열처리할 때 가열하는 열처리온도는 810 ~ 880℃를 유지하는 것이 바람직하다.
그러면, 제 2 판재는 A3 온도 이상에서 열처리가 되면서 모두 오스테나이트(Full Austenite)로 변태하였다가 핫스탬핑시 냉각에 의해 모두 마르텐사이트(Full Martensite)로 변태하게 된다.
하지만, 제 1 판재는 A3 온도 이하에서 열처리가 되면서 모두 오스테나이트(Full Austenite)로 변태되지 않고, 제 1 판재와 제 2 판재의 성분이 혼합된 용접부도 모두 오스테나이트(Full Austenite)로 변태되지 않는다. 따라서 핫스탬핑시 급냉에 의해 제 1 판재 및 용접부는 페라이트(Ferrite), 베이나이트(Bainite) 및 마르텐사이트(Martensite)가 혼합된 복합조직이 형성된다.
한편, 상기와 같은 조성을 갖는 제 1 판재와 제 2 판재를 사용하고, 성형단계에서 열처리온도를 810 ~ 880℃를 유지하는 경우에, 용접부는 제 2 판재는 모두 마르텐사이트 조직이 형성되고, 제 1 판재와 용접부는 페라이트 10 ~ 50%, 베이나이트: 10 ~ 50% 및 마르텐사이트: 30% 이하 비율의 복합조직이 형성된다.
그리고, 상기와 같은 조직의 형성에 의해 제 1 판재는 경도가 200 ~ 350HV이고, 용접부는 경도가 350 ~ 550HV이며, 제 2 판재는 경도가 550 ~ 650HV로 형성된다.
다음으로 비교예와 실시예를 통하여 본 발명을 설명한다.
비교예로는 종래에 일반적으로 사용되는 강종을 사용하여 100K급의 강도값을 갖는 제 1 비교판재와 150K급의 강도값을 갖는 제 2 비교판재를 준비하고, 이를 TWB 공법으로 용접한다.
이때 제 1 비교판재와 제 2 비교판재의 성분은 하기의 표 1과 같다.
구분 C Si Mn P S Cr B A3온도(℃)
제1비교판재 0.057 0.53 1.86 0.013 0.001 0.20 0.0023 880
제2비교판재 0.23 0.26 1.22 0.009 0.002 0.19 0.0044 850
그리고, 제 1 비교판재와 제 2 비교판재를 용접한 용접판재를 930℃에서 열처리한 다음 핫스탬핑을 실시한다.
이때 핫스탬핑 전과 후의 용접부 및 그 주변의 미세조직을 관찰하였고, 각 영역의 경도를 측정하여 그 결과를 도 1a 및 도 1b에 나타내었다.
도 1a는 핫스탬핑 전의 미세조직 관찰 결과 및 경도값이고, 도 1b는 핫스탬핑 후의 미세조직 관찰 결과 및 경도값이다.
도 1a 및 도 1b에서 알 수 있듯이, 비교예는 제 1 비교판재 및 제 2 비교판재의 A3 온도보다 높은 온도로 열처리가 실시되면서, 제 1 비교판재, 제 2 비교판재 및 용접부가 모두 오스테나이트(Full austenite)로 변태되고, 핫스탬핑에 의한 급냉시 제 2 비교판재는 모두 마르텐사이트(Full Martensite) 조직이 형성되고, 제 1 비교판재는 마르텐사이트(Martensite) 조직과 함께 일부 베이나이트(Bainite) 조직이 형성된다. 그리고, 용접부는 모두 마르텐사이트(Full Martensite) 조직이 형성된다.
그 결과, 도 1b와 같이 용접부의 경도가 제 1 비교판재 및 제 2 비교판재보다 높은 경도값을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 결과는 외부응력 작용 시 용접부에서 응력이 집중되어 용접부 파단이 발생될 확률이 높아진다는 것을 유추할 수 있다.
반면에, 실시예로는 종래에 일반적으로 사용되는 강종인 100K급의 강도값을 갖는 제 1 비교판재와 동일한 제 1 판재를 준비하고, 제 2 판재로는 제 2 비교판재보다 탄소(C)와 망간(Mn)의 함량이 높여 A3 온도가 810℃가 되도록 조정된 판재를 준비한다. 그리고, 이를 TWB 공법으로 용접한다.
이때 제 1 판재와 제 2 판재의 성분은 하기의 표 2과 같다.
구분 C Si Mn P S Cr B A3온도(℃)
제1판재 0.057 0.53 1.86 0.013 0.001 0.20 0.0023 880
제2판재 0.31 0.22 1.4 0.013 0.002 0.2 0.0026 810
그리고, 제 1 판재와 제 2 판재를 용접한 용접판재를 810 ~ 880℃에서 열처리한 다음 핫스탬핑을 실시한다.
이때 핫스탬핑 전과 후의 용접부 및 그 주변의 미세조직을 관찰하였고, 각 영역의 경도를 측정하여 그 결과를 도 2a 및 도 2b에 나타내었다.
도 2a는 핫스탬핑 전의 미세조직 관찰 결과 및 경도값이고, 도 2b는 핫스탬핑 후의 미세조직 관찰 결과 및 경도값이다.
그리고, 핫스탬핑 후의 용접부 미세조직을 확대하여 관찰하였고, 그 결과를 도 3에 나타내었다.
도 2a 및 도 2b에서 알 수 있듯이, 실시예는 제 1 판재의 A3 온도와 제 2 판재의 A3 온도 사이의 온도로 열처리가 실시되면서, 제 2 판재는 모두 오스테나이트(Full austenite)로 변태되고, 핫스탬핑에 의한 급냉시 모두 마르텐사이트(Full Martensite) 조직이 형성된다. 하지만, 제 1 판재 및 용접부의 경우에는 열처리시에 모두 오스테나이트(Full austenite)로 변태되지 않는다. 그래서 핫스탬핑에 의한 급냉시 제 2 판재는 모두 마르텐사이트(Full Martensite) 조직이 형성되지만, 제 1 판재와 용접부는 페라이트(Ferrite), 베이나이트(Bainite) 및 마르텐사이트(Martensite)가 혼합된 복합조직이 형성된다. 이러한 결과는 도 3을 통하여 확인할 수 있었다.
그 결과, 도 2b와 같이 용접부의 경도가 제 1 판재와 제 2 판재 사이의 경도값을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 결과는 외부응력 작용 시 용접부에서 응력이 집중되는 것을 방지하여 용접부 파단이 발생될 확률을 낮출 수 있다는 것을 유추할 수 있다.
다음으로, 제 1 판재의 탄소(C) 함량에 따른 용접부의 A3 온도 변화와 그에 따른 미세조직의 변화를 알아보는 실험을 실시하였다.
비교예로는 표 2의 제 1 판재와 제 2 판재를 이용하되, 제 1 판재의 탄소(C) 함량을 0.2wt%로 조정하였고, 실시예로는 표 2의 제 1 판재와 제 2 판재를 이용하되, 제 1 판재의 탄소(C) 함량을 0.05wt%로 조정하였다.
그리고, 각각 마련된 제 1 판재와 제 2 판재를 TWB 공법으로 용접하여 용접판재를 준비하고, 이 용접판재를 810 ~ 880℃에서 열처리하는 것으로 설정하여 용접부의 미세조직이 형성되는 양상을 시뮬레이션 하였다.
시뮬레이션 결과는 도 4a 및 도 4b에 나타내었다.
도 4a는 비교예에 따른 용접부의 열처리 온도별 미세조직 형성 결과이고, 도 4b는 실시예에 따른 용접부의 열처리 온도별 미세조직 형성 결과이다.
도 4a에서 알 수 있듯이, 제 1 판재의 탄소(C) 함량이 본 발명에서 제시하고 있는 범위를 초과한 경우에 용접부의 A3 온도가 열처리 온도인 810 ~ 880℃보다 낮아졌다. 그 결과 열처리가 진행되는 동안 용접부는 모두 오스테나이트(Full austenite)로 변태되고, 핫스탬핑에 의한 급냉시 모두 마르텐사이트(Full Martensite) 조직이 형성되는 결과가 도출되었다.
반면에, 도 4b에서 알 수 있듯이, 제 1 판재의 탄소(C) 함량이 본 발명에서 제시하고 있는 범위를 만족하는 경우에 용접부의 A3 온도가 열처리 온도인 810 ~ 880℃의 범위 내로 조정되었다. 그 결과 열처리가 진행되는 동안 용접부는 모두 오스테나이트(Full austenite)로 변태되지 않고, 일부 페라이트(Ferrite)가 유지되는 것을 확인할 수 있었다. 그래서 핫스탬핑에 의한 급냉시 페라이트(Ferrite), 베이나이트(Bainite) 및 마르텐사이트(Martensite)가 혼합된 복합조직이 형성되는 결과가 도출되었다.
본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.

Claims (13)

  1. 이종 재질의 제 1 판재와 제 2 판재를 TWB 공법으로 용접하고, 핫스탬핑한 성형체로서,
    상기 제 1 판재와 제 2 판재는 서로 다른 A3 온도를 갖고,
    상기 제 1 판재와 제 2 판재가 용접부를 매개로 용접되며,
    상기 제 1 판재와 상기 용접부는 페라이트, 베이나이트 및 마르텐사이트 조직이 형성되고,
    상기 제 2 판재는 마르텐사이트 조직이 형성된 것을 특징으로 하는 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 판재는 C: 0.04 ~ 0.12wt%, Si: 0.80wt% 이하, Mn: 1.60 ~ 2.00wt%, P: 0.030wt% 이하, S: 0.015wt% 이하, Cr: 0.10 ~ 0.60wt%, B: 0.0008 ~ 0.0050wt%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하고,
    상기 제 2 판재는 C: 0.27 ~ 0.33wt%, Si: 0.40wt% 이하, Mn: 1.10 ~ 1.60wt%, P: 0.030wt% 이하, S: 0.015wt% 이하, Cr: 0.10 ~ 0.60wt%, B: 0.0008 ~ 0.0050wt%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 판재는 경도가 200 ~ 350HV이고,
    상기 용접부는 경도가 350 ~ 550HV이며,
    상기 제 2 판재는 경도가 550 ~ 650HV인 것을 특징으로 하는 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 성형체의 핫스탬핑시 상기 제 1 판재, 용접부 및 제 2 판재를 상기 제 1 판재의 A3 온도와 제 2 판재의 A3 온도 사이의 온도범위로 가열한 것을 특징으로 하는 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 판재와 상기 용접부는 마르텐사이트가 30% 이하의 비율로 조직이 형성되는 것을 특징으로 하는 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제 1 판재와 상기 용접부는 페라이트 10 ~ 50%, 베이나이트: 10 ~ 50% 및 마르텐사이트: 30% 이하 비율의 복합조직을 포함하는 특징으로 하는 TWB 공법을 이용한 핫스탬핑 성형체.
  7. 서로 다른 A3 온도를 갖는 제 1 판재와 제 2 판재를 준비하는 준비단계와;
    제 1 판재와 제 2 판재를 TWB 공법으로 용접하여 상기 제 1 판재와 제 2 판재를 용접부를 매개로 용접시킨 용접판재를 준비하는 용접단계와;
    상기 제 1 판재의 A3 온도와 제 2 판재의 A3 온도 사이의 온도범위로 가열한 용접판재를 핫스탬핑하여 성형하는 성형단계를 포함하는 핫스탬핑 성형체의 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 준비단계에서,
    상기 제 1 판재는 C: 0.04 ~ 0.12wt%, Si: 0.80wt% 이하, Mn: 1.60 ~ 2.00wt%, P: 0.030wt% 이하, S: 0.015wt% 이하, Cr: 0.10 ~ 0.60wt%, B: 0.0008 ~ 0.0050wt%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 판재로 준비하고,
    상기 제 2 판재는 C: 0.27 ~ 0.33wt%, Si: 0.40wt% 이하, Mn: 1.10 ~ 1.60wt%, P: 0.030wt% 이하, S: 0.015wt% 이하, Cr: 0.10 ~ 0.60wt%, B: 0.0008 ~ 0.0050wt%, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 판재로 준비하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 성형체의 제조방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 성형단계에서, 핫스탬핑시 온도는 용접판재의 가열온도는 810 ~ 880℃인 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 성형체의 제조방법.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 성형단계 이후에,
    상기 성형품의 제 1 판재와 용접부는 페라이트, 베이나이트 및 마르텐사이트 조직이 형성되고,
    상기 성형품의 제 2 판재는 마르텐사이트 조직이 형성된 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 성형체의 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 성형단계 이후에,
    상기 제 1 판재와 상기 용접부는 마르텐사이트가 30% 이하의 비율로 조직이 형성되는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 성형체의 제조방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 성형단계 이후에,
    상기 제 1 판재와 상기 용접부는 페라이트 10 ~ 50%, 베이나이트: 10 ~ 50% 및 마르텐사이트: 30% 이하 비율이 복합조직을 포함하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 성형체의 제조방법.
  13. 청구항 7에 있어서,
    상기 성형단계 이후에,
    상기 성형품의 제 1 판재는 경도가 200 ~ 350HV이고,
    상기 성형품의 용접부는 경도가 350 ~ 550HV이며,
    상기 성형품의 제 2 판재는 경도가 550 ~ 650HV인 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 성형체의 제조방법.
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