KR20220068343A - Oxygen gas sensor unit and substrate processing system having the same - Google Patents
Oxygen gas sensor unit and substrate processing system having the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220068343A KR20220068343A KR1020200155036A KR20200155036A KR20220068343A KR 20220068343 A KR20220068343 A KR 20220068343A KR 1020200155036 A KR1020200155036 A KR 1020200155036A KR 20200155036 A KR20200155036 A KR 20200155036A KR 20220068343 A KR20220068343 A KR 20220068343A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sensor unit
- oxygen sensor
- coupling part
- valve line
- mounting body
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 17
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 title 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 101
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 101
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 101
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 85
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 85
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 85
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 35
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D11/00—Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
- G01D11/24—Housings ; Casings for instruments
- G01D11/245—Housings for sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D21/00—Measuring or testing not otherwise provided for
- G01D21/02—Measuring two or more variables by means not covered by a single other subclass
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D7/00—Indicating measured values
- G01D7/02—Indicating value of two or more variables simultaneously
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0414—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using plane or convex mirrors, parallel phase plates, or plane beam-splitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/446—Photodiode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 산소 센서 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 트랜스퍼 챔버의 산소 농도를 측정할 수 있는 산소 센서 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an oxygen sensor unit and a substrate processing system having the same, and to an oxygen sensor unit capable of measuring an oxygen concentration in a transfer chamber and a substrate processing system having the same.
통상적으로, 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 증착, 및 금속 배선 등의 공정이 반복 수행됨에 따라 반도체 소자로 제작된다. 이들 각 공정을 수행하기 위한 반도체 제조설비, 즉, 정렬 노광 설비, 식각 설비, 이온주입 설비, 증착 설비 등은 웨이퍼 상면에 대하여 특정한 방향성을 갖도록 배치되고, 상기 웨이퍼가 정확히 정렬되어 로딩되도록 구성된다.In general, a wafer is manufactured as a semiconductor device by repeatedly performing processes such as photography, diffusion, etching, deposition, and metal wiring. A semiconductor manufacturing facility for performing each of these processes, that is, an alignment exposure facility, an etching facility, an ion implantation facility, a deposition facility, etc., is arranged to have a specific orientation with respect to the upper surface of the wafer, and is configured to be accurately aligned and loaded.
일반적으로 반도체 칩은 웨이퍼 표면에 박막을 증착하는 공정, 에칭하는 공정, 세정공정 및 건조공정 등 여러 단계의 공정을 거쳐서 제조되며, 웨이퍼는 상기 공정을 실시하기에 가장 적합한 조건에 놓이게 된다. 예컨대, 에칭이나 증착공정은 물리적, 화학적인 방법으로 이루어지는데, 웨이퍼와 에칭 소스(etching source) 또는 증착용 물질간의 반응을 활성화시키기 위해 웨이퍼를 적정한 온도로 가열한다. 가열된 웨이퍼는 해당 공정이 완료된 후 공정 전의 상태로 냉각되어 후속 처리된다. In general, a semiconductor chip is manufactured through several steps such as a process of depositing a thin film on a wafer surface, an etching process, a cleaning process, and a drying process, and the wafer is placed in the most suitable condition for performing the process. For example, the etching or deposition process is performed by a physical or chemical method, and the wafer is heated to an appropriate temperature in order to activate a reaction between the wafer and an etching source or a material for deposition. After the process is completed, the heated wafer is cooled to the state before the process and is subsequently processed.
이때, 웨이퍼는 액상 또는 기상의 냉매를 사용하여 냉각될 수 있으며, 웨이퍼의 급격한 온도 변화를 방지하기 위해 일반적으로 기체 상태의 냉매가 사용된다.At this time, the wafer may be cooled using a liquid or gaseous refrigerant, and a gaseous refrigerant is generally used to prevent a sudden temperature change of the wafer.
이하, 도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조장치의 개략 평면도이다.Hereinafter, FIG. 1 is a schematic plan view of a semiconductor manufacturing apparatus according to the related art.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 제조장치는 제1 및 제2 로딩포드(1,2)(loading pod), 얼라이너(4)(aligner), 제1 로봇(3)(first robot), 반도체 기판을 투입하고 꺼내는 제1 및 제2 로드락챔버(5,6)(loadlock chamber), 제2 로봇(7)(second robot), 공정 챔버(8a, 8b, 8c)(process chamber), 쿨링스테이션(9)(cooling station), 공정 챔버(8a, 8b, 8c)와 로드락 챔버(5,6) 사이 또는 공정 챔버(8a, 8b, 8c)들 사이에서 반도체 기판이 이동되는 트랜스퍼챔버(10)로 이루어진다.As shown in FIG. 1 , a conventional semiconductor manufacturing apparatus includes first and
공정 챔버(8a, 8b, 8c)에서 반도체 제조 공정을 진행하는 중에 각종 부산물이 발생하며 이러한 부산물은 공정 챔버(8a, 8b, 8c)에서 완전히 펌핑되지 못하고 공정 진행 후에도 반도체 기판에 부착되어 잔존한다.Various by-products are generated during the semiconductor manufacturing process in the
반도체 기판을 공정 챔버(8a, 8b, 8c)에서 트랜스퍼 챔버(10)로 이송할 때 반도체 기판에 잔존하는 부산물은 트랜스퍼 챔버(10)에 같이 유입된다. 또한 공정 부산물 외에 공정 가스의 퓸도 반도체 기판에 부착되어 트랜스퍼 챔버(10) 내로 유입된다. 트랜스퍼 챔버(10)로 유입된 공정 부산물과 공정가스의 퓸은 트랜스퍼 챔버(10)의 내벽에 증착되었다가 반도체 기판에 떨어져 파티클 소스가 될 수 있다.When the semiconductor substrate is transferred from the
특히, 트랜스퍼 챔버의 산소 농도가 일정 이상인 경우 산화물이 발생되어 기판의 품질이 떨어질 수 있으므로 이에 대한 개선책이 요구된다.In particular, when the oxygen concentration of the transfer chamber is higher than a certain level, oxides are generated and the quality of the substrate may be deteriorated, so an improvement measure is required.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 트랜스퍼 챔버의 산소 농도를 측정할 수 있는 산소 센서 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide an oxygen sensor unit capable of measuring an oxygen concentration in a transfer chamber and a substrate processing system having the same.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the following description.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜스퍼 챔버의 산소농도 감지용 산소 센서 유닛은, 트랜스퍼 챔버의 밸브 라인에 배치되어 상기 트랜스퍼 챔버의 산소 농도를 측정하는 산소 센서부; 상기 밸브 라인에 연결되며 상기 산소 센서부가 장착되는 제1 결합부; 및 상기 제1 결합부를 상기 밸브 라인에 결합시키는 제2 결합부를 포함한다.An oxygen sensor unit for sensing oxygen concentration of a transfer chamber according to an embodiment of the present invention for solving the above problems includes: an oxygen sensor unit disposed in a valve line of the transfer chamber to measure the oxygen concentration of the transfer chamber; a first coupling part connected to the valve line and mounted with the oxygen sensor part; and a second coupling part coupling the first coupling part to the valve line.
상기 제1 결합부는, 상기 제2 결합부에 의해 상기 밸브 라인에 결합되며 내부가 비어있는 장착 바디; 상기 산소 센서부가 내부에 마련되는 마감캡; 일측부는 상기 장착 바디의 제1 플랜지에 결합되고 타측부는 상기 마감캡에 결합되는 제1 센터링; 및 상기 제1 플랜지와 상기 마감캡을 클램핑 하여 상기 마감캡을 상기 장착 바디에 결합시키는 제1 클램프를 포함할 수 있다.The first coupling part may include: a mounting body coupled to the valve line by the second coupling part and having an empty interior; a closing cap provided inside the oxygen sensor unit; a first centering that has one side coupled to the first flange of the mounting body and the other side coupled to the closing cap; and a first clamp for clamping the first flange and the closing cap to couple the closing cap to the mounting body.
상기 마감캡의 내부에는 충진재가 채워져 파티클(patocle)의 발생을 방지할 수 있다.The inside of the closing cap may be filled with a filler to prevent generation of particles.
상기 제2 결합부는, 일측부는 상기 장착 바디의 제2 플랜지에 결합되고 타측부는 상기 밸브 라인에 결합되는 제2 센터링; 및 상기 제2 플랜지와 상기 밸브 라인을 클램핑하여 상기 장착 바디를 상기 밸브 라인에 결합시키는 제2 클램프를 포함할 수 있다.The second coupling portion may include: a second centering in which one side is coupled to the second flange of the mounting body and the other side is coupled to the valve line; and a second clamp clamping the second flange and the valve line to couple the mounting body to the valve line.
상기 제1 결합부의 타측을 차폐하여 상기 제1 결합부를 외부로부터 밀폐시키는 제3 결합부를 더 포함할 수 있다.A third coupling part for sealing the first coupling part from the outside by shielding the other side of the first coupling part may be further included.
상기 산소 센서부와 연결되어 상기 산소 센서부에서 측정된 산소 농도와 온도와 압력을 표시하는 디스플레이부를 더 포함할 수 있다.It may further include a display unit connected to the oxygen sensor unit for displaying the oxygen concentration, temperature, and pressure measured by the oxygen sensor unit.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템은, 기판에 대해 처리 공정을 수행하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 일측에 배치되어 상기 공정 챔버로 상기 기판을 이송하는 트랜스퍼 챔버; 및 트랜스퍼 챔버의 밸브 라인에 배치되어 상기 트랜스퍼 챔버의 산소 농도를 측정하는 산소 센서 유닛을 포함한다.In addition, a substrate processing system according to an embodiment of the present invention may include: a process chamber configured to perform a processing process on a substrate; a transfer chamber disposed at one side of the process chamber to transfer the substrate to the process chamber; and an oxygen sensor unit disposed in the valve line of the transfer chamber to measure the oxygen concentration of the transfer chamber.
상기 산소 센서 유닛은, 상기 밸브 라인에 배치되어 상기 트랜스퍼 챔버의 산소 농도를 측정하는 산소 센서부; 상기 밸브 라인에 연결되며 상기 센서부가 장착되는 제1 결합부; 및 상기 제1 결합부를 상기 밸브 라인에 결합시키는 제2 결합부를 포함한다.The oxygen sensor unit may include: an oxygen sensor unit disposed on the valve line to measure an oxygen concentration of the transfer chamber; a first coupling unit connected to the valve line and mounted with the sensor unit; and a second coupling part coupling the first coupling part to the valve line.
상기 제1 결합부는, 상기 제2 결합부에 의해 상기 밸브 라인에 결합되며 내부가 비어있는 장착 바디; 상기 산소 센서부가 내부에 마련되는 마감캡; 일측부는 상기 장착 바디의 제1 플랜지에 결합되고 타측부는 상기 마감캡에 결합되는 제1 센터링; 및 상기 제1 플랜지와 상기 마감캡을 클램핑 하여 상기 마감캡을 상기 장착 바디에 결합시키는 제1 클램프를 포함하고, 상기 제2 결합부는, 상기 제2 결합부는, 일측부는 상기 장착 바디의 제2 플랜지에 결합되고 타측부는 상기 밸브 라인에 결합되는 제2 센터링; 및 상기 제2 플랜지와 상기 밸브 라인을 클램핑하여 상기 장착 바디를 상기 밸브 라인에 결합시키는 제2 클램프를 포함할 수 있다.The first coupling part may include: a mounting body coupled to the valve line by the second coupling part and having an empty interior; a closing cap provided inside the oxygen sensor unit; a first centering that has one side coupled to the first flange of the mounting body and the other side coupled to the closing cap; and a first clamp coupling the closing cap to the mounting body by clamping the first flange and the closing cap, wherein the second coupling part includes, the second coupling part, and one side part of the second flange of the mounting body a second centering coupled to the other side and coupled to the valve line; and a second clamp clamping the second flange and the valve line to couple the mounting body to the valve line.
상기 산소 센서부와 연결되어 상기 산소 센서부에서 측정된 산소 농도와 온도와 압력을 표시하는 디스플레이부; 및 상기 트랜스퍼 챔버에 연결되는 진공 펌프를 더 포함할 수 있다.a display unit connected to the oxygen sensor unit to display the oxygen concentration, temperature, and pressure measured by the oxygen sensor unit; and a vacuum pump connected to the transfer chamber.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명의 일 실시예에 의한 산소 센서 유닛에 따르면, 트랜스퍼 챔버의 산소 농도를 측정하여 산화물의 발생을 방지함으로써 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.According to the oxygen sensor unit according to an embodiment of the present invention, the quality of the substrate can be improved by measuring the oxygen concentration in the transfer chamber to prevent the generation of oxides.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the description of the claims.
도 1은 종래 기술의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 산소 센서 유닛을 구비한 기판 처리 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 산소 센서 유닛과 산소 센서 유닛에 연결된 디스플레이부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 산소 센서 유닛의 대부분의 구성을 도시한 사시도이다.
도 5는 도 4의 개략적인 분해도이다.
도 6은 도 5에 도시된 산소 센서부를 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a substrate processing system according to an embodiment of the prior art.
2 is a diagram schematically illustrating a substrate processing system having an oxygen sensor unit according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram schematically illustrating the oxygen sensor unit shown in FIG. 2 and a display connected to the oxygen sensor unit.
FIG. 4 is a perspective view showing most of the configuration of the oxygen sensor unit shown in FIG. 3 .
FIG. 5 is a schematic exploded view of FIG. 4 .
FIG. 6 is a view illustrating the oxygen sensor unit shown in FIG. 5 .
본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 용어가 동일하더라도 표시하는 부분이 상이하면 도면 부호가 일치하지 않음을 미리 말해두는 바이다.In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. Even if the terms are the same, if the indicated parts are different, it is to be said in advance that the reference numerals do not match.
그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 설정된 용어들로서 이는 실험자 및 측정자와 같은 조작자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.And the terms to be described later are terms set in consideration of functions in the present invention, which may vary depending on the intention or custom of operators such as experimenters and measurers, and thus definitions should be made based on the content throughout this specification.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. In this specification, terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. The terminology used herein is used only to describe specific embodiments, and is not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not
또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In addition, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 도면부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail. Like reference numerals in each figure indicate like elements.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 산소 센서 유닛을 구비한 기판 처리 시스템을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 산소 센서 유닛과 산소 센서 유닛에 연결된 디스플레이부를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 산소 센서 유닛의 대부분의 구성을 도시한 사시도이고, 도 5는 도 4의 개략적인 분해도이고, 도 6은 도 5에 도시된 산소 센서부를 도시한 도면이다.FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a substrate processing system having an oxygen sensor unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram schematically illustrating the oxygen sensor unit shown in FIG. 2 and a display connected to the oxygen sensor unit One view, FIG. 4 is a perspective view showing most of the configuration of the oxygen sensor unit shown in FIG. 3 , FIG. 5 is a schematic exploded view of FIG. 4 , and FIG. 6 is a view showing the oxygen sensor unit shown in FIG. 5 . to be.
이들 도면에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 산소 센서 유닛을 구비한 기판 처리 시스템(1)은, 기판에 대해 처리 공정을 수행하는 공정 챔버(100)와, 공정 챔버(100)의 일측에 배치되어 공정 챔버(100)로 상기 기판을 이송하는 트랜스퍼 챔버(200)와, 트랜스퍼 챔버(200)의 밸브 라인(210)에 배치되어 트랜스퍼 챔버(200)의 산소 농도를 측정하는 산소 센서 유닛(300)과, 산소 센서 유닛(300)에 연결되어 산소 센서 유닛(300)에서 측정된 산소 농도와 온도와 압력을 표시하는 디스플레이부(400)와, 트랜스퍼 챔버(200)에 연결되는 진공 펌프(500)를 포함한다.As shown in these drawings, the
공정 챔버(100)의 내부는, 고청정도의 조건을 포함하여 공급되는 공정가스로 하여금 그 내부에 균일하게 분포되도록 하거나 고주파 파워가 이용되는 경우 공정가스가 플라즈마 상태로의 형성이 용이하도록 소정의 진공압 상태와 그 상태를 유지할 수 있다.The inside of the
트랜스퍼 챔버(200)는, 공정챔버의 진공압 상태를 유지시킴에 대응하는 진공압 상태를 진공 펌프(500)에 의해 유지할 수 있다.The
본 실시 예에서 트랜스퍼 챔버(200)에는 트랜스퍼 챔버(200) 내부의 산소를 배출시키는 밸브 라인(210)이 마련되고, 이 밸브 라인(210)으로 배출되는 산소는 산소 센서 유닛(300)으로 전달될 수 있다.In this embodiment, a
산소 센서 유닛(300)은, 트랜스퍼 챔버(200)의 밸브 라인(210)에 결합되어 밸브 라인(210)으로 공급되는 산소의 농도와 압력과 온도를 측정할 수 있다.The
본 실시 예에서 산소 센서 유닛(300)은, 트랜스퍼 챔버(200)의 산소 농도를 측정하는 산소 센서부(310)와, 밸브 라인(210)에 연결되며 산소 센서부(310)가 장착되는 제1 결합부(320)와, 제1 결합부(320)를 밸브 라인(210)에 결합시키는 제2 결합부(330)와, 제1 결합부(320)의 타측을 차폐하는 제3 결합부(340)를 포함할 수 있다.In the present embodiment, the
산소 센서 유닛(300)의 산소 센서부(310)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 결합부(320)의 마감캡(322)의 내부에 배치될 수 있고, 마감캡(322)에 채워지는 에폭시 등의 충진재(322a)에 의해 고정될 수 있다. 참고로 충진재(322a)는 마감캡(322)의 내부에 파티클(particle)이 발생되는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 5 , the
본 실시 예에서 산소 센서부(310)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 베이스 바디(311)와, 베이스 바디(311)의 상부에 결합되는 하우징(312)과, 베이스 바디(311)의 상면부에 결합되며 베이스 바디(311)의 하부로 돌출되는 복수의 커넥터 핀(313a)이 구비된 인쇄 회로 기판(313)과, 인쇄 회로 기판(313)의 상면부에 마련되는 포토다이오드(314)와, 포토다이오드(314)와 이격되게 인쇄 회로 기판(313)에 마련되어 트랜스퍼 챔버(200)의 압력을 측정하는 압력 센서(315)와, 압력 센서(315)와 이격되게 인쇄 회로 기판(313)에 마련되어 트랜스퍼 챔버(200)의 온도를 측정하는 온도 센서(316)와, 온도 센서(316)에 마련되는 엘이디 부재(317)와, 인쇄 회로 기판(313)을 덮도록 베이스 바디(311)에 결합되는 내부 바디(318)와, 내부 바디(318)에 마련되는 필터 부재(319)를 포함한다.As shown in FIG. 6 , the
본 실시 예에서 산소 센서부(310)는 내부 바디(318)에 다이크로익 미러(Dichroic Mirror)를 구비하며, 유체의 산소 분압을 반사시키는 광도에 의해 산소의 농도를 측정할 수 있다. 이러한 산소 농도의 측정은 포토다이오드(314)와 엘이디 부재(317)와 다이크로익 미러에 의해 이루어질 수 있고, 공지된 광다이오드 산소 측정 기술이 적용될 수 있다.In the present embodiment, the
또한, 본 실시 예에서 압력 센서(315)에서 측정된 압력과 온도 센서(316)에서 측정된 온도는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제어부(350)를 통해 디스플레이부(400)에 표시될 수 있다.In addition, in this embodiment, the pressure measured by the
나아가, 본 실시 예에서 베이스 바디(311)와 인쇄 회로 기판(313)과 내부 바디(318)와 하우징(312)은 돌기와 홈을 이용하여 억지 끼워 맞춤 방식으로 결합될 수 있다.Furthermore, in this embodiment, the
산소 센서 유닛(300)의 제1 결합부(320)는, 산소 센서부(310)의 결합 장소로 제공됨과 아울러 밸브 라인(210)을 통해 배출되는 산소를 포함하는 유체를 산소 센서부(310)로 공급할 수 있다.The
본 실시 예에서 제1 결합부(320)는 제2 결합부(330)를 통해 밸브 라인(210)에 탈착 결합될 수 있다. 제1 결합부(320)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 결합부(330)에 의해 밸브 라인(210)에 결합되며 내부가 비어있는 장착 바디(321)와, 산소 센서부(310)가 내부에 마련되는 마감캡(322)과, 상측부는 장착 바디(321)의 제1 플랜지(321a)에 결합되고 하측부는 마감캡(322)에 결합되는 제1 센터링(323)과, 제1 플랜지(321a)와 마감캡(322)을 클램핑 하여 마감캡(322)을 장착 바디(321)에 결합시키는 제1 클램프(324)를 포함한다.In this embodiment, the
제1 결합부(320)의 장착 바디(321)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 'T'자 형상을 가질 수 있고, 그 중앙 하측부에는 제1 클램프(324)의 상부에 클램핑되는 제1 플랜지(321a)가 마련될 수 있고, 그 우측 단부에는 제2 결합부(330)의 좌측부가 클램핑되는 제2 플랜지(321b)가 마련될 수 있고, 그 좌측 단부에는 제3 플랜지(321c)가 마련될 수 있다. 본 실시 예에서 장착 바디(321)의 내부는 비어 있어 밸브 라인(210)을 통해 배출되는 유체는 장착 바디(321)를 통해 산소 센서부(310)로 공급될 수 있다.The mounting
제1 결합부(320)의 마감캡(322)은, 도 5를 기준으로 상단부가 제1 클램프(324)에 의해 제1 플랜지(321a)와 같이 클램핑되어 장착 바디(321)에 결합될 수 있다.The
본 실시 예에서 마감캡(322)의 내부에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 충진재(322a)가 채워져서 전술한 파티클의 발생을 방지할 수 있다. 본 실시 예에서 충진재(322a)는 에폭시를 포함할 수 있다.In this embodiment, the inside of the
또한, 본 실시 예에서 마감캡(322)에는 산소 센서부(310)와 전선으로 연결되는 커넥터(322b)가 마련되어 산소 센서부(310)를 도 3에 도시된 제어부(350)에 연결할 수 있다.In addition, in the present embodiment, the
나아가, 본 실시 예에서 마감캡(322)의 상면부에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 결합홈(322c)이 마련되고, 이 결합홈(322c)에는 제1 센터링(323)의 하부로 돌출된 부분이 삽입되어 결합될 수 있다.Furthermore, in this embodiment, on the upper surface of the
제1 결합부(320)의 제1 센터링(323)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 좌측 단부와 우측 단부가 납작하게 마련되고, 좌측 단부와 우측 단부를 제외한 영역은 상하부로 돌출되게 마련되며, 상부로 돌출된 영역은 제1 플랜지(321a)가 마련된 장착 바디(321)로 삽입되고 하부로 돌출된 영역은 결합홈(322c)에 삽입될 수 있다.The first centering 323 of the
본 실시 예에서 제1 센터링(323)은 상하부로 돌출된 영역이 실링 역할을 하여 장착 바디(321)와 마감캡(322)의 결합 영역에서 유체가 새어나가는 것을 방지할 수 있다.In the present embodiment, the first centering 323 may prevent the fluid from leaking from the coupling area between the mounting
제1 결합부(320)의 제1 클램프(324)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 한 쌍이 분리된 클램프 바디를 가지되 일측부는 회전되게 힌지 결합되고 타측부는 나비 볼트와 같은 볼트 부재로 결합되어 마감캡(322)을 장착 바디(321)에 탈착 결합시킬 수 있다. 본 실시 예에서 제1 클램프(324)의 결합 원리는 후술하는 제2 클램프(332)와 제3 클램프(342)에도 그대로 적용될 수 있다.The
제2 결합부(330)는, 장착 바디(321)의 제2 플랜지(321b) 영역을 트랜스퍼 챔버(200)의 배관 라인에 탈착 결합시킬 수 있다. 제2 결합부(330)는 제1 결합부(320)의 일측을 밸브 라인(210)에 결합시킬 수 있다.The
본 실시 예에서 제2 결합부(330)는, 좌측 단부는 장착 바디(321)의 제2 플랜지(321b)에 결합되고 우측 단부는 밸브 라인(210)에 결합되는 제2 센터링(331)과, 제2 플랜지(321b)와 밸브 라인(210)의 플랜지를 클램핑하여 장착 바디(321)의 제2 플랜지(321b) 영역을 밸브 라인(210)에 결합시키는 제2 클램프(332)를 포함한다.In this embodiment, the
제2 결합부(330)의 제2 센터링(331)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 상단부와 하단부가 납작하게 마련되고, 상단부와 하단부를 제외한 영역은 좌우로 돌출되게 마련되며, 좌측으로 돌출된 영역은 제2 플랜지(321b)가 마련된 장착 바디(321)로 삽입되고 우측으로 돌출된 영역은 밸브 라인(210)에 삽입될 수 있다.As shown in FIG. 5 , the second centering 331 of the
본 실시 예에서 제2 센터링(331)은 좌우로 돌출된 영역이 실링 역할을 하여 장착 바디(321)와 밸브 라인(210)의 결합 영역에서 유체가 새어나가는 것을 방지할 수 있다.In the present embodiment, the second centering 331 may prevent the fluid from leaking from the coupling area between the mounting
제2 결합부(330)의 제2 클램프(332)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 한 쌍이 분리된 클램프 바디를 가지되 일측부는 회전되게 힌지 결합되고 타측부는 나비 볼트와 같은 볼트 부재로 결합되어 제2 플랜지(321b)가 마련된 장착 바디(321)의 영역을 밸브 라인(210)에 탈착 결합시킬 수 있다.The
산소 센서 유닛(300)의 제3 결합부(340)는, 제1 결합부(320)의 타측을 차폐한다. 상술한 실시예에 따라, 제2 결합부(330)가 제1 결합부(320)의 일측에 결합되는 경우, 제3 결합부(340)는 제1 결합부(320)의 타측에 결합될 수 있다. 이 경우, 제3 결합부(340)는 제1 결합부(320)를 차폐하여, 제1 결합부(320)가 외부로부터 밀폐되도록 한다.The
실시예에 따라, 산소 센서 유닛(300)의 제3 결합부(340)는 장착 바디(321)에 마련된 제3 플랜지(321c)에 결합되어 제3 플랜지(321c)가 마련된 장착 바디(321)의 영역을 결합 대상물과 결합시킬 수 있다. 여기서, 결합 대상물은 벨로우즈, 배관, 밸브 등 반도체 유틸리티 설비에 사용될 수 있는 구성요소로 실시될 수 있다.According to the embodiment, the
본 실시 예에서 제3 결합부(340)는, 우측 단부는 장착 바디(321)의 제3 플랜지(321c)에 결합되고 좌측 단부는 다른 트랜스퍼 챔버(200)의 밸브 라인(210)을 포함하는 결합 대상물에 결합되는 제2 센터링(331)과, 제3 플랜지(321c)와 다른 트랜스퍼 챔버(200)의 밸브 라인(210)의 플랜지를 클램핑하여 장착 바디(321)의 제3 플랜지(321c) 영역을 밸브 라인(210)에 결합시키는 제3 클램프(342)를 포함한다.In this embodiment, the
본 실시 예에서 제2 센터링(331)과 제3 클램프(342)는 전술한 제2 센터링(331)과 제2 클램프(332)의 구조가 그대로 적용될 수 있다.In the present embodiment, the structures of the second centering 331 and the
디스플레이부(400)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 산소 센서부(310)와 연결된 제어부(350)에 연결되어 트랜스퍼 챔버(200)의 산소 농도와 압력과 온도를 표시할 수 있다.As shown in FIG. 3 , the
본 실시 예에서 디스플레이부(400)는 산소 센서 유닛(300)이 마련된 트랜스프 챔버에 근접되게 마련될 수 있다.In this embodiment, the
진공 펌프(500)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼 챔버(200)의 내부에 소정의 진공압을 제공할 수 있다.As shown in FIG. 2 , the
본 실시 예에서 트랜스퍼 챔버(200) 내부에는 진공펌프에 의한 진공압 상태를 측정 감지하기 위한 센서가 설치되고, 이 센서는 측정된 진공압 상태의 신호를 컨트롤러에 인가하여 컨트롤러로 하여금 진공 펌프(500)를 작동시킬 수 있다.In this embodiment, a sensor for measuring and detecting a vacuum pressure state by the vacuum pump is installed inside the
이상, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Above, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention. should be interpreted
1 : 산소 센서 유닛을 구비한 기판 처리 시스템
100 : 공정 챔버
200 : 트랜스퍼 챔버
210 : 밸브 라인
300 : 산소 센서 유닛
310 : 산소 센서부
311 : 베이스 바디
312 : 하우징
313 : 인쇄 회로 기판
313a : 커넥터 핀
314 : 포토다이오드
315 : 압력 센서
316 : 온도 센서
317 : 엘이디 부재
318 : 내부 바디
319 : 필터 부재
320 : 제1 결합부
321 : 장착 바디
321a : 제1 플랜지
321b : 제2 플랜지
321c : 제3 플랜지
322 : 마감캡
322a : 충진재
322b : 커넥터
322c : 결합홈
324 : 제1 클램프
330 : 제2 결합부
331 : 제2 센터링
332 : 제2 클램프
340 : 제3 결합부
341 : 제3 센터링
342 : 제3 클램프
350 : 제어부
400 : 디스플레이부
500 : 진공 펌프1: Substrate processing system with oxygen sensor unit
100: process chamber 200: transfer chamber
210: valve line 300: oxygen sensor unit
310: oxygen sensor unit 311: base body
312: housing 313: printed circuit board
313a: connector pin 314: photodiode
315: pressure sensor 316: temperature sensor
317: LED member 318: inner body
319: filter member 320: first coupling part
321: mounting
321b:
322: closing
322b:
324: first clamp 330: second coupling part
331: second centering 332: second clamp
340: third coupling part 341: third centering
342: third clamp 350: control unit
400: display unit 500: vacuum pump
Claims (10)
상기 밸브 라인에 연결되며 상기 산소 센서부가 장착되는 제1 결합부; 및
상기 제1 결합부를 상기 밸브 라인에 결합시키는 제2 결합부;
를 포함하는 산소 센서 유닛.
an oxygen sensor unit disposed on a valve line of the transfer chamber to measure an oxygen concentration of the transfer chamber;
a first coupling part connected to the valve line and mounted with the oxygen sensor part; and
a second coupling part coupling the first coupling part to the valve line;
Oxygen sensor unit comprising a.
상기 제1 결합부는,
상기 제2 결합부에 의해 상기 밸브 라인에 결합되며 내부가 비어있는 장착 바디;
상기 산소 센서부가 내부에 마련되는 마감캡;
일측부는 상기 장착 바디의 제1 플랜지에 결합되고 타측부는 상기 마감캡에 결합되는 제1 센터링; 및
상기 제1 플랜지와 상기 마감캡을 클램핑 하여 상기 마감캡을 상기 장착 바디에 결합시키는 제1 클램프;
를 포함하는 산소 센서 유닛.
According to claim 1,
The first coupling part,
a mounting body coupled to the valve line by the second coupling part and having an empty interior;
a closing cap provided inside the oxygen sensor unit;
a first centering that has one side coupled to the first flange of the mounting body and the other side coupled to the closing cap; and
a first clamp clamping the first flange and the closing cap to couple the closing cap to the mounting body;
Oxygen sensor unit comprising a.
상기 마감캡의 내부에는 충진재가 채워져 파티클(patocle)의 발생을 방지하는 산소 센서 유닛.
3. The method of claim 2,
An oxygen sensor unit for preventing the generation of particles by filling the inside of the closing cap with a filler.
상기 제2 결합부는,
일측부는 상기 장착 바디의 제2 플랜지에 결합되고 타측부는 상기 밸브 라인에 결합되는 제2 센터링; 및
상기 제2 플랜지와 상기 밸브 라인을 클램핑하여 상기 장착 바디를 상기 밸브 라인에 결합시키는 제2 클램프;
를 포함하는 산소 센서 유닛.
3. The method of claim 2,
The second coupling part,
a second centering having one side coupled to the second flange of the mounting body and the other side coupled to the valve line; and
a second clamp clamping the second flange and the valve line to couple the mounting body to the valve line;
Oxygen sensor unit comprising a.
상기 제1 결합부의 타측을 차폐하여 상기 제1 결합부를 외부로부터 밀폐시키는 제3 결합부를 더 포함하는 산소 센서 유닛.
3. The method of claim 2,
The oxygen sensor unit further comprising a third coupling part for sealing the first coupling part from the outside by shielding the other side of the first coupling part.
상기 산소 센서부와 연결되어 상기 산소 센서부에서 측정된 산소 농도와 온도와 압력을 표시하는 디스플레이부를 더 포함하는 산소 센서 유닛.
According to claim 1,
The oxygen sensor unit further comprising a display unit connected to the oxygen sensor unit to display the oxygen concentration, temperature, and pressure measured by the oxygen sensor unit.
상기 공정 챔버의 일측에 배치되어 상기 공정 챔버로 상기 기판을 이송하는 트랜스퍼 챔버; 및
상기 트랜스퍼 챔버의 밸브 라인에 배치되어 상기 트랜스퍼 챔버의 산소 농도를 측정하는 산소 센서 유닛;
을 포함하는 기판 처리 시스템.
a process chamber for performing a processing process on the substrate;
a transfer chamber disposed at one side of the process chamber to transfer the substrate to the process chamber; and
an oxygen sensor unit disposed in a valve line of the transfer chamber to measure an oxygen concentration of the transfer chamber;
A substrate processing system comprising a.
상기 산소 센서 유닛은,
상기 밸브 라인에 배치되어 상기 트랜스퍼 챔버의 산소 농도를 측정하는 산소 센서부;
상기 밸브 라인에 연결되며 상기 센서부가 장착되는 제1 결합부; 및
상기 제1 결합부를 상기 밸브 라인에 결합시키는 제2 결합부;
를 포함하는 기판 처리 시스템.
8. The method of claim 7,
The oxygen sensor unit,
an oxygen sensor unit disposed on the valve line to measure an oxygen concentration of the transfer chamber;
a first coupling part connected to the valve line and mounted with the sensor part; and
a second coupling part coupling the first coupling part to the valve line;
A substrate processing system comprising a.
상기 제1 결합부는,
상기 제2 결합부에 의해 상기 밸브 라인에 결합되며 내부가 비어있는 장착 바디;
상기 산소 센서부가 내부에 마련되는 마감캡;
일측부는 상기 장착 바디의 제1 플랜지에 결합되고 타측부는 상기 마감캡에 결합되는 제1 센터링; 및
상기 제1 플랜지와 상기 마감캡을 클램핑 하여 상기 마감캡을 상기 장착 바디에 결합시키는 제1 클램프; 포함하는 기판 처리 시스템.
9. The method of claim 8,
The first coupling part,
a mounting body coupled to the valve line by the second coupling part and having an empty interior;
a closing cap provided inside the oxygen sensor unit;
a first centering that has one side coupled to the first flange of the mounting body and the other side coupled to the closing cap; and
a first clamp clamping the first flange and the closing cap to couple the closing cap to the mounting body; A substrate processing system comprising.
상기 제2 결합부는,
일측부는 상기 장착 바디의 제2 플랜지에 결합되고 타측부는 상기 밸브 라인에 결합되는 제2 센터링; 및
상기 제2 플랜지와 상기 밸브 라인을 클램핑하여 상기 장착 바디를 상기 밸브 라인에 결합시키는 제2 클램프;
를 포함하는 기판 처리 시스템.
10. The method of claim 9,
The second coupling part,
a second centering having one side coupled to the second flange of the mounting body and the other side coupled to the valve line; and
a second clamp clamping the second flange and the valve line to couple the mounting body to the valve line;
A substrate processing system comprising a.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200155036A KR102443884B1 (en) | 2020-11-19 | 2020-11-19 | Oxygen gas sensor unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200155036A KR102443884B1 (en) | 2020-11-19 | 2020-11-19 | Oxygen gas sensor unit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220068343A true KR20220068343A (en) | 2022-05-26 |
KR102443884B1 KR102443884B1 (en) | 2022-09-16 |
Family
ID=81809110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200155036A KR102443884B1 (en) | 2020-11-19 | 2020-11-19 | Oxygen gas sensor unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102443884B1 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070099796A (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-10 | 삼성전자주식회사 | Apparatus and method for manufactruing liquid crystal display panel |
KR20120018621A (en) * | 2010-08-23 | 2012-03-05 | 주식회사 휴인텍 | Fluid temperature measurement apparatus |
KR101390900B1 (en) | 2011-05-31 | 2014-04-30 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
KR20150059840A (en) * | 2013-11-25 | 2015-06-03 | 세메스 주식회사 | Apparatus for inspecting display cells |
KR20160106738A (en) * | 2014-01-17 | 2016-09-12 | 알피니티, 엘엘씨 | Fluid monitoring assembly with sensor functionality |
-
2020
- 2020-11-19 KR KR1020200155036A patent/KR102443884B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070099796A (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-10 | 삼성전자주식회사 | Apparatus and method for manufactruing liquid crystal display panel |
KR20120018621A (en) * | 2010-08-23 | 2012-03-05 | 주식회사 휴인텍 | Fluid temperature measurement apparatus |
KR101390900B1 (en) | 2011-05-31 | 2014-04-30 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
KR20150059840A (en) * | 2013-11-25 | 2015-06-03 | 세메스 주식회사 | Apparatus for inspecting display cells |
KR20160106738A (en) * | 2014-01-17 | 2016-09-12 | 알피니티, 엘엘씨 | Fluid monitoring assembly with sensor functionality |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102443884B1 (en) | 2022-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101787327B1 (en) | Method for leak test | |
JP7018784B2 (en) | Contact accuracy assurance method and inspection equipment | |
KR19990045000A (en) | Semiconductor Wafer Holding Device and Semiconductor Wafer Storage Room | |
KR102355572B1 (en) | Inspection Devices, Inspection Systems, and Positioning Methods | |
KR20180054456A (en) | Leakage inspection method, leakage inspection apparatus, electroplating method, and electroplating apparatus | |
JP2017017291A (en) | Hoop load port device | |
KR20190052068A (en) | Substrate inspection device | |
US20090053021A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
CN110047779B (en) | Apparatus for processing a substrate | |
KR102404992B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR102443884B1 (en) | Oxygen gas sensor unit | |
JP5469183B2 (en) | Equipment for inspecting substrates under load | |
TWI846032B (en) | Bubble measurement unit, substrate treating apparatus including the same, and bubble measurement method | |
KR20190035522A (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
KR101373437B1 (en) | Method of transferring a wafer | |
TWI600128B (en) | Electronic parts conveying apparatus, electronic parts testing apparatus and electronic parts pressing apparatus | |
JP7018370B2 (en) | Manufacturing methods and programs for substrate processing equipment and semiconductor equipment | |
KR102277550B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR20220062186A (en) | Apparatus for treating substrate and method for teaching conveying robot | |
JPH02312223A (en) | Plasma processing and plasma processor | |
JPH08210881A (en) | Method and device of inspection | |
US20230264350A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate alignment method using the same | |
CN118263160A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US4878376A (en) | Method and apparatus for testing sputter targets | |
KR20230101664A (en) | Apparatus and Method for treating substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |