KR20220060900A - 접힘 구조를 갖는 전자 장치에서 안테나 방사 성능을 향상시키기 위한 장치 및 그 방법 - Google Patents
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Abstract
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치에 있어서, 제1 하우징, 제1 하우징에 대해 회전 가능하도록 연결 부재를 통해 제1 하우징과 연결되는 제2 하우징, 및 무선 통신 회로를 포함하고, 제1 하우징은, 제1 가장자리를 포함하고, 제1 가장자리의 제1 부분은 도전성 물질로 형성되고, 제1 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고, 제1 부분의 타단은 연결 부재의 도전성 영역과 연결되고, 제1 부분의 제1 지점은 급전 지점과 커패시터를 통해 연결되고, 제2 하우징은 제2 가장자리를 포함하고, 제2 가장자리 중 제1 부분에 대응하는 제2 부분은 도전성 물질로 형성되고, 제2 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구를 포함하고, 제2 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고, 제2 부분의 타단은 연결 부재의 도전성 영역과 연결되고, 제2 부분의 제1 지점과 그라운드 영역 사이에는 스위치가 배치되고, 무선 통신 회로는, 제1 하우징과 제2 하우징이 서로 마주보는 경우 스위치를 제어하여 제2 부분의 제1 지점과 그라운드 영역을 전기적으로 개방시킬 수 있다.
Description
본 문서에서 개시되는 실시 예들은, 접힘 구조를 갖는 전자 장치에서 안테나 방사 성능을 향상시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
전자 장치는 다양한 주파수 대역에서 신호를 송신 및/또는 수신하기 위하여 다수의 안테나 방사체들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 안테나들은 LB(low band)(예: 약 600MHz 내지 약 1,000MHz 사이의 주파수 대역) 또는 HB(high band)(예: 약 2,300MHz 내지 약 3,000MHz 사이의 주파수 대역)의 특정 주파수 대역에서 송신 및/또는 수신할 수 있도록 설계될 수 있다.
최근에는 휴대의 편의성을 높일 수 있도록 접힘 구조를 갖는 폴더블(foldable) 전자 장치가 출시되고 있다. 폴더블 전자 장치는 연결 부재를 통하여 두 개의 서로 다른 하우징이 연결되고, 연결 부재를 중심으로 접히거나 펼쳐질 수 있다.
전자 장치에서는 약 600MHz 내지 약 1000MHz 대역을 지원하는 안테나의 방사가 안테나 그라운드 상에 특성 전류 분포(characteristic mode of surface current distribution) 중 J1 모드를 활용할 수 있는데, 폴더블 전자 장치의 경우에는 연결 부재를 중심으로 두 개의 하우징이 접힌 상태에서 서로 반대 방향의 전류 흐름을 형성할 수 있다.
복수의 안테나 방사체가 인접하여 위치하는 경우에, 인접한 복수의 안테나 방사체에 서로 반대 방향의 전류 흐름이 형성되면, 반대 방향으로 형성되는 전류에 의하여 안테나의 방사 효율이 저하될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예들을 통하여, 접힘 구조를 갖는 전자 장치에서 안테나 방사 성능을 향상시키기 위한 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치에 있어서, 제1 하우징, 상기 제1 하우징에 대해 회전 가능하도록 연결 부재를 통해 상기 제1 하우징과 연결되는 제2 하우징, 및 상기 제1 하우징 또는 상기 제2 하우징 내에 배치되는 무선 통신 회로를 포함하고, 상기 제1 하우징은, 제1 길이를 가지는 제1 가장자리를 포함하고, 상기 제1 가장자리의 제1 부분은 도전성 물질로 형성되고, 상기 제1 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고, 상기 제1 부분의 타단은 상기 연결 부재의 도전성 영역과 연결되고, 상기 제1 부분의 제1 지점은 급전 지점과 지정된 값을 가지는 커패시터(capacitor)를 통해 연결되고, 상기 제2 하우징은, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때 상기 제1 가장자리에 대응하는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제2 가장자리 중 상기 제1 부분에 대응하는 제2 부분은 도전성 물질로 형성되고, 상기 제2 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구(opening)를 포함하고, 상기 제2 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고, 상기 제2 부분의 타단은 상기 연결 부재의 상기 도전성 영역과 연결되고, 상기 제2 부분의 제1 지점과 그라운드 영역 사이에는 스위치가 배치되고, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우 상기 스위치를 제어하여 상기 제2 부분의 상기 제1 지점과 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방(open)시킬 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치에 있어서, 상기 전자 장치 내에 배치되는 무선 통신 회로를 포함하고, 상기 전자 장치는,
제1 길이를 가지는 제1 가장자리, 제2 길이를 가지는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제1 가장자리의 제1 부분은 도전성 물질로 형성되고, 상기 제1 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고, 상기 제1 부분의 제1 지점은 급전 지점과 지정된 값을 가지는 커패시터를 통해 연결되고, 상기 전자 장치가 접힌 상태일 때 상기 제1 가장자리에 대응하는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제2 가장자리 중 상기 제1 부분에 대응하는 제2 부분은 도전성 물질로 형성되고, 상기 제2 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구(opening)를 포함하고, 상기 제2 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고, 상기 제2 부분의 타단은 상기 제1 부분의 도전성 영역과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 부분의 제1 지점과 그라운드 영역 사이에는 스위치가 배치되고, 상기 무선 통신 회로는, 상기 전자 장치가 접힌 상태인 경우 상기 스위치를 제어하여 상기 제2 부분의 상기 제1 지점과 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시킬 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예들에 따르면, 폴더블 전자 장치에 있어서 연결 부재를 중심으로 두 개의 하우징이 접힌 상태에서 서로 동일한 방향의 전류의 흐름을 형성함으로써, 방사 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 폴더블 전자 장치가 펼쳐진 상태에서 J1 모드를 활용하도록 스위칭을 함으로써, 폴더블 전자 장치가 접힌 상태뿐 아니라 펼쳐진 상태에서도 안테나 방사 효율을 향상시킬 수 있다.
나아가, 폴더블 전자 장치가 가로 접힘(H-fold(horizontal fold)) 형태인 경우뿐 아니라 세로 접힘(V-fold(vertical fold)) 형태이거나 노트북의 크기를 갖는 형태인 경우에도 상기 효과를 실질적으로 동일하게 나타낼 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1a는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 일면의 사시도이다.
도 1b는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 접힌 상태를 나타낸다.
도 2a는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 안테나 방사체를 도시한다.
도 2b는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 안테나 동작 원리를 나타낸다.
도 3은 전류의 흐름이 정렬될 수 있는 다양한 모드를 나타낸다.
도 4는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 다양한 주파수 대역에서 갖는 모달 시그니피컨스(modal significance)를 나타낸다.
도 5a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제1 스위치가 개방 상태일 때, 제2 스위치의 스위칭에 따른 안테나의 총 방사 효율(total radiation efficiency) 그래프를 나타낸다.
도 5b는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제2 스위치가 일정한 값을 갖는 인덕터(inductor)를 통하여 그라운드와 연결된 경우에, 제2 스위치의 스위칭에 따른 안테나의 총 방사 효율 그래프를 나타낸다.
도 5c는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제1 스위치가 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에, 전자 장치가 접힌 상태와 펼쳐진 상태일 때의 안테나의 총 방사 효율 그래프를 나타낸다.
도 5d는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제1 스위치가 도 5c의 지정된 값과 다른 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에, 전자 장치가 접힌 상태와 펼쳐진 상태일 때의 안테나의 총 방사 효율 그래프를 나타낸다.
도 6a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전류의 흐름을 도시한다.
도 6b는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제1 스위치가 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우의 전류의 흐름을 도시한다.
도 6c는 일 실시 예에 따른 전자 장치가 접힌 상태에서 제1 하우징의 전류의 흐름 및 제2 하우징의 전류의 흐름을 나타낸다.
도 7a는 일 실시 예에 따른 전자 장치가 펼쳐진 상태에서 제2 스위치가 개방된 경우의 전류의 흐름을 나타낸다.
도 7b는 일 실시 예에 따른 전자 장치가 펼쳐진 상태에서 제2 스위치가 단락된 경우의 전류의 흐름을 나타낸다.
도 7c는 일 실시 예에 따른 전자 장치가 펼쳐진 상태에서 제2 스위치의 스위칭에 따른 모달 시그니피컨스 그래프를 나타낸다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치가 펼쳐진 상태 또는 접힌 상태에서 제2 스위치의 스위칭에 따른 안테나의 총 방사 효율 그래프를 나타낸다.
도 9는 일 실시 예에 따를 때 V-fold 형태를 갖는 전자 장치를 도시한다.
도 10은 일 실시 예에 따를 때 노트북 크기의 형태를 갖는 전자 장치를 도시한다.
도 11은 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블럭도이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
도 1b는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 접힌 상태를 나타낸다.
도 2a는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 안테나 방사체를 도시한다.
도 2b는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 안테나 동작 원리를 나타낸다.
도 3은 전류의 흐름이 정렬될 수 있는 다양한 모드를 나타낸다.
도 4는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 다양한 주파수 대역에서 갖는 모달 시그니피컨스(modal significance)를 나타낸다.
도 5a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제1 스위치가 개방 상태일 때, 제2 스위치의 스위칭에 따른 안테나의 총 방사 효율(total radiation efficiency) 그래프를 나타낸다.
도 5b는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제2 스위치가 일정한 값을 갖는 인덕터(inductor)를 통하여 그라운드와 연결된 경우에, 제2 스위치의 스위칭에 따른 안테나의 총 방사 효율 그래프를 나타낸다.
도 5c는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제1 스위치가 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에, 전자 장치가 접힌 상태와 펼쳐진 상태일 때의 안테나의 총 방사 효율 그래프를 나타낸다.
도 5d는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제1 스위치가 도 5c의 지정된 값과 다른 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에, 전자 장치가 접힌 상태와 펼쳐진 상태일 때의 안테나의 총 방사 효율 그래프를 나타낸다.
도 6a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전류의 흐름을 도시한다.
도 6b는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제1 스위치가 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우의 전류의 흐름을 도시한다.
도 6c는 일 실시 예에 따른 전자 장치가 접힌 상태에서 제1 하우징의 전류의 흐름 및 제2 하우징의 전류의 흐름을 나타낸다.
도 7a는 일 실시 예에 따른 전자 장치가 펼쳐진 상태에서 제2 스위치가 개방된 경우의 전류의 흐름을 나타낸다.
도 7b는 일 실시 예에 따른 전자 장치가 펼쳐진 상태에서 제2 스위치가 단락된 경우의 전류의 흐름을 나타낸다.
도 7c는 일 실시 예에 따른 전자 장치가 펼쳐진 상태에서 제2 스위치의 스위칭에 따른 모달 시그니피컨스 그래프를 나타낸다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치가 펼쳐진 상태 또는 접힌 상태에서 제2 스위치의 스위칭에 따른 안테나의 총 방사 효율 그래프를 나타낸다.
도 9는 일 실시 예에 따를 때 V-fold 형태를 갖는 전자 장치를 도시한다.
도 10은 일 실시 예에 따를 때 노트북 크기의 형태를 갖는 전자 장치를 도시한다.
도 11은 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블럭도이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
이하, 본 개시의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 개시를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 개시의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1a는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(100)의 펼친 상태의 전자 장치(100)의 일면의 사시도이다. 도 1b는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(100)가 접힌 상태를 나타낸다.
도 1a를 참고하면, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(100)는 제1 하우징(101), 제2 하우징(102), 및 제1 하우징(101)에 대하여 제2 하우징(102)이 회전 가능하도록 하는 연결 부재(103)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 후면(예: 도 1a에서 전자 장치(100)의 +z 축 방향에 위치하는 면)에서 바라볼 때, 제1 하우징(101) 및 제2 하우징(102)은 연결 부재(103)와 구조적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 하우징(101) 및 제2 하우징(102)은 연결 부재(103)와 체결구를 통하여 물리적으로 연결될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 하우징(101), 제2 하우징(102), 또는 연결 부재(103)는 알루미늄 또는 스테인리스 스틸(stainless steel)과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 하우징(101)의 적어도 일부에는 적어도 하나의 제1 절연 부재(112)가 형성될 수 있고, 제2 하우징(1020)의 적어도 일부에는 적어도 하나의 제2 절연 부재(122)가 형성될 수 있다.
도 1b를 참고하면, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(100)는 제1 하우징(101) 및 제2 하우징(102)이 연결 부재(103)를 중심으로 회전함으로써 접힌 상태 또는 펼친 상태로 변경될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 접힌 상태일 때 제1 하우징(101)의 적어도 일부에 포함되는 적어도 하나의 제1 절연 부재(112) 및 제2 하우징(102)의 적어도 일부에 포함되는 적어도 하나의 제2 절연 부재(122)는 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)가 접힌 상태에서 +z축 방향에서 볼 때, 적어도 하나의 제1 절연 부재(112)는 적어도 하나의 제2 절연 부재(122)와 중첩될 수 있다.
도 2a는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(100)에서 안테나 방사체로 동작하는 제1 부분(111) 및 제2 부분(121)을 도시한다.
도 2a를 참고하면, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(100)는 제1 하우징(101), 제2 하우징(102), 및 연결 부재(103)를 포함할 수 있고, 제1 하우징(101)의 제1 가장자리(110) 및 제2 하우징(102)의 제2 가장자리(120)에는 안테나 방사체로 동작할 수 있는 도전성 물질이 포함될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 하우징(101)은 제1 측면 부재(115), 제2 측면 부재(116), 제1 절연 부재(112), 또는 제1 지지 부재(118)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 제1 지지 부재(118)는 제1 측면 부재(115), 또는 제2 측면 부재(116)와 일체로 형성되거나, 결합되어 형성될 수 있다. 다른 예에서, 제1 개구(110A)는 제1 측면 부재(115)와 제1 지지 부재(118) 사이에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 가장자리(110)의 제1 부분(111)은 제1 측면 부재(115)의 적어도 일부, 제1 절연 부재(112), 제1 개구(110A) 또는 제1 지지 부재(118)의 적어도 일부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 가장자리(110)의 제1 부분(111)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제1 측면 부재(115) 및 제2 측면 부재(116) 사이에는 제1 절연 부재(112)가 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(115), 제2 측면 부재(116), 또는 제1 지지 부재(118)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 측면 부재(115), 제2 측면 부재(116), 또는 제1 지지 부재(118)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제1 측면 부재(115)는 연결 부재(103)와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 하우징(102)은 제3 측면 부재(125), 제4 측면 부재(126), 제2 절연 부재(122), 또는 제2 지지 부재(128)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 제2 지지 부재(128)는 제3 측면 부재(125), 또는 제4 측면 부재(126)와 일체로 형성되거나, 결합되어 형성될 수 있다. 다른 예에서, 제2 개구(120A)는 제3 측면 부재(125)와 제2 지지 부재(128) 사이에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 가장자리(120)의 제2 부분(121)은 제3 측면 부재(125)의 적어도 일부, 제4 측면 부재(126)의 적어도 일부, 제2 절연 부재(122), 제2 개구(120A) 또는 제2 지지 부재(128)의 적어도 일부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 가장자리(120)의 제2 부분(121)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제3 측면 부재(125), 및 제4 측면 부재(126)사이에는 제2 절연 부재(122)가 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제3 측면 부재(125), 제4 측면 부재(126), 또는 제2 지지 부재(128)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 측면 부재(125), 제4 측면 부재(126), 또는 제2 지지 부재(128)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제3 측면 부재(125)는 연결 부재(103)와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 부분(111)의 제2 단 및 제2 부분(121)의 제4 단은 연결 부재(103)의 도전성 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 부분(111)의 상기 제2 단, 연결 부재(103)(또는 연결 부재(103)의 도전성 영역), 및 제2 부분(121)의 상기 제4 단은 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(115)는 제1 지점(113)에서 제1 급전 라인(1133)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 측면 부재(115)의 적어도 일부는 제1 안테나의 방사체로 동작할 수 있다. 예를 들어, 무선 통신 회로(미도시)는 제1 지점(113)에서 제1 측면 부재(115)에 대해 급전할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 지점(113)과 전기적으로 연결된 상기 제1 급전 라인(1133)에는 지정된 값을 가지는 커패시터(1131)가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(115)는 제2 지점(1141)에서 제1 스위치(114)를 이용하여 제1 하우징(101)에 포함된 그라운드와 선택적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 그라운드는 제1 하우징(101)에 포함된 인쇄 회로 기판의 그라운드 또는 제1 하우징(101)에 배치된 제1 지지 부재(118)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 지점(1141)은 제1 지점(113)과 연결 부재(103) 사이에 위치할 수 있다. 일 예에서, 제1 스위치(114)의 스위칭에 따라 제1 안테나의 총 방사 효율이 최대가 되는 주파수 대역이 변화할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제1 스위치(144)를 개방 상태에서 단락 상태로 제어 변경함으로써 송신 및/또는 수신할 수 있는 주파수 대역을 변경할 수 있다. 또 다른 예로, 전자 장치(100)는 제1 스위치(114)에 포함된 소자의 값을 변경함으로써 송신 및/또는 수신할 수 있는 주파수 대역을 변경할 수 있다.일 실시 예에 따르면, 제3 측면 부재(125)는 제3 지점(1231)에서 제2 스위치(123)를 이용하여 제2 하우징(102)에 포함된 그라운드와 선택적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 그라운드는 제2 하우징(102)에 포함된 인쇄 회로 기판의 그라운드 또는 제2 하우징(102)에 배치된 제2 지지 부재(128)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 제2 스위치(123)의 스위칭에 따라 전류의 흐름이 제어될 수 있고, 그에 따라 제1 안테나의 방사 효율이 변경될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 하우징(102)은 제5 측면 부재(135), 또는 제3 절연 부재(132)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 제2 지지 부재(128)는 제5 측면 부재(135)와 일체로 형성되거나, 결합되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 제3 가장자리(130)의 제3 부분(131)은 제5 측면 부재(135)의 적어도 일부, 제3 절연 부재(132), 또는 제2 지지 부재(128)의 적어도 일부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 하우징(102)의 제3 가장자리(130)에는 제3 부분(131)이 포함될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제5 측면 부재(135)를 통하여 지정된 주파수 대역에서 외부 장치로 신호를 송신하고, 지정된 주파수 대역에서 외부 장치가 송신하는 신호를 수신할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제3 부분(131)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제5 측면 부재(135)의 양 단에는 제3 절연 부재(132)들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제5 측면 부재(135)와 제4 측면 부재(126) 사이에는 제3 절연 부재(132)가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제5 측면 부재(135)는 제3 지점(133)에서 급전될 수 있다. 일 예에서, 무선 통신 회로(미도시)는 제5 측면 부재(135)의 제3 지점(133)에서 급전함으로써, 제5 측면 부재(135)의 적어도 일부는 안테나 방사체로 동작할 수 있도록 전류의 흐름을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제5 측면 부재(135)의 제5 지점(1341)에서 제3 스위치(134)를 이용하여 제2 하우징(102)에 포함된 그라운드와 선택적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 그라운드는 제2 하우징(102)에 포함된 인쇄 회로 기판의 그라운드 또는 제2 하우징(102)에 배치된 제2 지지 부재(128)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 제3 스위치(134)의 스위칭에 따라 제5 측면 부재(135)가 송신 및/또는 수신하는 신호의 방사 효율이 최대가 되는 주파수 대역이 변화할 수 있다.
도 2b는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(100)의 안테나 동작 원리를 나타낸다.
도 2b를 참고하면, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(100)는 제1 지점(113)을 통하여 제1 하우징(101)의 제1 측면 부재(115)에 급전함으로써, 제1 전류 흐름(110B) 및 제2 전류 흐름(120B)을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 급전 라인(1133)에는 지정된 값을 갖는 커패시터(1131)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 급전 라인(1133)에는 10pF 이하의 값을 갖는 커패시터(1131)가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 하우징(101)은 제1 개구(110A)를 포함하고, 제2 하우징(102)은 제2 개구(120A)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 개구(110A), 또는 제2 개구(120A)는 비도전성 물질로 채워질 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 개구(110A) 또는 제2 개구(120A) 중 비도전성 물질이 채워지지 않은 개구(opening) 형상을 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 전자 장치(100)가 접힌 상태에서, 전자 장치(100)의 일면(예: 전자 장치(100)의 후면)에서 바라볼 때, 제1 개구(110A)의 적어도 일부는 제2 개구(120A)와 중첩될 수 있다. 예를 들어, 제1 개구(110A)는 제1 안테나의 그라운드인 제1 지지 부재(118)에 형성될 수 있다. 또 다른 예로, 제2 개구(120A)는 제2 지지 부재(128)에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 커패시터(1311)는 제1 측면 부재(115)에 간접 급전하는 역할을 할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 지점(113)을 통하여 제1 측면 부재(115)에 공급된 전류는 지정된 값(예: 10pF 이하의 지정된 값)을 갖는 커패시터(1131)로 인하여 전자 장치(100)의 제1 가장자리(110)로 흐르지 않고, 제1 전류 흐름(110B)과 같이 제1 개구(110A)를 둘러싸는 형태로 흐를 수 있다. 예를 들어, 제1 지점(113)을 통하여 전자 장치(100)에 -x 방향으로 공급된 전류의 일부는 지정된 값을 갖는 커패시터(1311)로 인하여 +x 방향으로 흐르고, 제1 개구(110A)의 일단에서 -z 방향으로 흐르며, 제1 개구(110A)의 또 다른 일단에서 -x 방향으로 흐르며, 제1 개구(110A)의 또 다른 일단에서 +z 방향으로 흐를 수 있다. 예컨대, 제1 전류 흐름(110B)은 제1 개구(110A)를 따라 도 2b를 기준으로 시계방향으로 흐를 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 지점(113)을 통하여 제1 측면 부재(115)에 전류가 공급됨으로써 제1 전류 흐름(110B)과 다른 제2 전류 흐름(120B)과 같이 제2 개구(120A)를 둘러싸는 형태로 전류가 흐를 수 있다. 예를 들어, 제2 개구(120A)의 일단에서 +z 방향으로 흐르는 전류가 제2 개구(120A)의 또 다른 일단에서 -x 방향으로 흐르고, 제2 개구(120A)의 또 다른 일단에서 -z 방향으로 흐를 수 있다. 예를 들어, 제2 전류 흐름(120B)은 제2 개구(120A)를 따라 도 2b를 기준으로 반시계방향으로 흐를 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 이와 같이 급전 지점(예: 제1 지점(113))에 커패시터(1311)를 배치하고, 제1 개구(110A) 및 제2 개구(120A)를 배치함으로써, 전자 장치(100)가 접힌 상태일 때, 전자 장치(100)의 일면(예: 전자 장치(100)의 후면)에서 바라보면 중첩되는 제1 가장자리(110)와 제2 가장자리(120)에서 같은 방향의 전류 흐름을 유도할 수 있다.
도 3은 전류의 흐름이 정렬될 수 있는 다양한 모드(J1 모드, J2 모드, 또는 J4 모드)를 나타낸다.
도 3을 참고하면, 전자 장치(100)에 형성되는 전류의 흐름은 J1 모드(310), J2 모드(320), 또는 J4 모드(330)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, J1 모드(310)는 전자 장치(100)의 가로 및 세로 중 길이가 긴 방향으로 전류의 흐름이 한 방향으로 정렬되는 전류 모드에 해당할 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우(예: 도 1a의 전자 장치(100))에 다른 전류 모드에 비하여 J1 모드(310)의 전류 흐름이 크게 형성될 수 있다. 다른 예에서, 전자 장치(100)가 펼쳐진 경우에도 J1 모드(310)보다 다른 전류 모드가 우세하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제2 스위치(123)를 제어함으로써, J1 모드(310)를 우세하게 하거나 J4 모드를 우세하게 할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)가 펼쳐진 경우, 전자 장치(100)는 제2 스위치(123)를 쇼트(short)시켜 J1 모드(310)를 우세하게 할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, J2 모드(320)는 전자 장치(100)의 가로 및 세로 중 길이가 짧은 방향으로 전류의 흐름이 한 방향으로 정렬되는 전류 모드에 해당할 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)에는 J2 모드(320)보다 J1 모드(310) 또는 J4 모드(330)의 전류 흐름이 우세하게 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, J4 모드(330)는 전자 장치(100)의 가로 및 세로 중 길이가 긴 방향을 따라 양 방향에서 중심(예: 연결 부재(103))으로 모이는 전류의 흐름이 정렬되는 전류 모드에 해당할 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우(예: 도 1b의 전자 장치(100))에 다른 전류 모드에 비하여 J4 모드(330)의 전류 흐름이 크게 형성될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우에 J4 모드(330)의 전류 흐름이 우세하게 형성됨으로써, 제1 하우징(101) 및 제2 하우징(102)에 서로 같은 방향의 전류 흐름이 형성될 수 있다. 다른 예에서, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우에도 J4 모드(330)보다 다른 전류 모드가 우세하게 형성될 수 있다.
도 4는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(100)가 다양한 주파수 대역에서 갖는 모달 시그니피컨스(modal significance) 그래프(400)를 나타낸다.
도 4를 참고하면, 전자 장치(100)가 서로 다른 전류 모드를 가질 때, 모달 시그니피컨스가 최대가 되는 주파수 대역이 다르게 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 J1 모드(310)일 때 갖는 모달 시그니피컨스 그래프(421)는 약 0.6GHz에서 약 0.8GHz 사이의 주파수 대역에서 최대값을 가질 수 있고, 상기 주파수 대역은 비교예에 따른 전자 장치가 J1 모드(310)일 때 갖는 모달 시그니피컨스 그래프(411)가 최대값을 가지는 주파수 대역보다 낮은 값일 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 J1 모드(310)의 전류 흐름이 다른 전류 흐름보다 우세하게 형성될 때 약 0.6GHz에서 약 0.8GHz 사이의 주파수 대역에서 안테나 방사 효율이 향상될 수 있다. 예를 들어, 비교예에 따른 전자 장치는 제1 측면 부재(예: 도 2a의 제1 측면 부재(115))에 급전하는 지점과 제1 스위치(예: 도 2a의 제1 스위치(114)) 사이의 거리가 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)보다 가깝고, 커패시터(예: 도 2b의 커패시터(1131))를 통하지 않고, 바로 제1 측면 부재에 급전될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 J2 모드(320)일 때 갖는 모달 시그니피컨스 그래프(422)는 약 1.6GHz에서 약 1.8GHz 사이의 주파수 대역에서 최대값을 가질 수 있고, 상기 주파수 대역은 비교 예에 따른 전자 장치가 J2 모드(320)일 때 갖는 모달 시그니피컨스 그래프(412)가 최대값을 가지는 주파수 대역보다 낮은 값일 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 J2 모드(320)의 전류 흐름이 다른 전류 흐름보다 우세하게 형성될 때 약 1.6GHz에서 약 1.8GHz 사이의 주파수 대역에서 안테나 방사 효율이 향상될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)가 J4 모드(330)일 때 갖는 모달 시그니피컨스 그래프(424)는 약 0.8GHz에서 약 1GHz 사이의 주파수 대역에서 최대값을 가질 수 있고, 상기 주파수 대역은 비교예에 전자 장치가 J4 모드(330)일 때 갖는 모달 시그니피컨스 그래프(414)가 최대값을 가지는 주파수 대역보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 비교예에 따른 전자 장치는 J4 모드에서 저주파대역(LB)의 신호를 성공적으로 수신하기 어려웠으나, 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)는 J4 모드에서 전류 방향에 따른 효율 저하를 감소시키거나 오히려 효율을 증가시킴으로써, J4 모드에서도 저주파대역의 신호를 높은 효율로 송신 및/또는 수신할 수 있다.
도 5a는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제1 스위치(114)가 개방 상태일 때, 제2 스위치(123)의 스위칭에 따른 안테나의 총 방사 효율(total radiation efficiency) 그래프를 나타낸다.
도 5a를 참고하면, 제1 스위치(114)가 개방된 경우에, 제2 스위치(123)의 스위칭에 따라 안테나(예: 도 2a의 제1 안테나)의 총 방사 효율이 변화할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 개방되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방(open)된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(511)는 약 600MHz에서 약 650MHz 사이에서 약 -3dB의 효율을 가질 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우 제1 스위치(114)가 개방되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(512)는 약 600MHz에서 약 650MHz 사이에서 약 -8dB의 효율을 가질 수 있다. 또 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우 제1 스위치(114)가 개방되고 제2 스위치(123)가 약 0.5pF의 값을 갖는 커패시터와 연결된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(513)는 약 600MHz에서 약 650MHz 사이에서 약 -6dB의 방사 효율을 가질 수 있다.
그래프 511과 그래프 512를 비교하면, 제1 스위치(114)가 개방되고 제2 스위치(123)가 제거된 또는 개방된 실시 예에서 전자 장치(100)의 총 방사 효율은 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태보다 접힌 상태에서 상대적으로 낮게 측정될 수 있다.
그래프 512와 그래프 513을 비교하면, 제2 스위치(123)가 제거된 경우(예: 제2 스위치에 해당하는 부분이 전기적으로 개방(open)된 상태)에 비해, 제2 스위치(123)를 통해 제2 하우징(102)의 제3 측면 부재(125)와 제2 하우징(102)의 도전성 영역(예: 제2 지지 부재(128))이 커패시터를 통해 연결된 경우에 방사 효율이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 제2 스위치(123)를 지정된 값을 갖는 커패시터와 연결함으로써 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우의 약 600MHz에서 약 650MHz 사이의 주파수 대역에서 안테나의 총 방사 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 커패시터는 제2 스위치(123)와 제2 지지 부재(128) 사이의 전기적 경로에 위치할 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우, 제1 스위치(114)가 개방되고 제2 스위치(123)가 약 1.5pF의 값을 갖는 커패시터를 통해 그라운드와 연결된 상태의 안테나의 총 방사 효율은 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우 제1 스위치(114)가 개방되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 안테나 총 방사 효율에 비해 향상될 수 있다.
도 5b는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제1 스위치(114)가 지정된 값을 갖는 인덕터(inductor)를 통해 그라운드와 연결된 경우에, 제2 스위치(123)의 스위칭에 따른 안테나의 총 방사 효율 그래프를 나타낸다.
도 5b를 참고하면, 제1 스위치(114)가 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에, 제2 스위치(123)의 스위칭에 따라 안테나(예: 도 2a의 제1 안테나)의 총 방사 효율이 변화할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우, 제1 스위치(114)가 약 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고, 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(521)는 약 750MHz에서 약 800MHz 사이에서 약 -5.8dB의 방사 효율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 인덕터는 제1 스위치(114)와 제1 지지 부재(118) 사이의 전기적 경로에 위치할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우, 제1 스위치(114)가 약 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고, 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(522)는 약 750MHz에서 약 800MHz 사이에서 약 -5.2dB의 방사 효율을 가질 수 있다. 또 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우, 제1 스위치(114)가 약 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 약 0.5pF의 값을 갖는 커패시터와 연결된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(523)는 약 750MHz에서 약 800MHz 사이에서 약 -3.5dB의 방사 효율을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 주파수 대역이 약 750MHz에서 약 800MHz 사이에서, 제1 스위치(114)가 약 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고, 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 안테나 총 방사 효율은 전자 장치(100)가 접힌 경우가 전자 장치(100)가 펼쳐진 경우 보다 좋을 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치(114))가 약 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 경우 또는 개방된 경우에, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태에서 접힌 상태로 변화하면 주파수 대역이 약 750MHz에서 약 800MHz 사이에서, 안테나의 총 방사 효율은 증가할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 스위치(123)를 지정된 값을 갖는 커패시터와 연결함으로써 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우, 안테나의 총 방사 효율을 향상시킬 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우, 제1 스위치(114)가 약 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 약 1.5pF의 값을 갖는 커패시터와 연결된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(523) 및 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우 제1 스위치(114)가 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(522)를 참고하면, 제1 스위치(114)가 약 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 약 1.5pF의 값을 갖는 커패시터와 연결된 상태의 안테나 총 방사 효율이 더 좋을 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치(114)가 약 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 상태에서, 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태에서 제2 스위치(123)가 1.5pF의 값을 갖는 커패시터와 연결되는 상태로 변화하는 경우, 약 750MHz에서 약 800MHz 주파수 대역에서 안테나의 총 방사 효율이 증가할 수 있다.
도 5a 및 도 5b를 참고할 때, 제1 스위치(114)가 개방 상태인 경우보다 제1 스위치(114)가 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에 제1 측면 부재(115)에 형성되는 전류 흐름의 전기적 길이가 짧아짐으로써 안테나의 총 방사 효율이 최대가 되는 주파수 대역은 증가할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 스위치(114)가 개방된 경우에는 안테나의 총 방사 효율이 약 600MHz에서 약 650MHz 사이에서 최대가 되고, 제1 스위치(114)가 약 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에는 안테나의 총 방사 효율이 약 750MHz에서 약 850MHz 사이에서 최대가 될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 개방되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(511)가 최대가 되는 주파수 대역은 약 600MHz에서 약 650MHz 사이일 수 있고, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(521)가 갖는 최대가 되는 주파수 대역은 약 750MHz에서 약 800MHz 사이일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)는 제1 스위치(114)에 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드를 연결하여, 안테나의 공진 주파수 대역을 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 개방되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 안테나 주파수 대역은 약 600MHz 내지 약 650MHz일 수 있으나, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 12nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 안테나의 주파수 대역은 약 750MHz 내지 800MHz일 수 있다.
도 5c를 참고하면, 제1 스위치(114)가 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태에서 접힌 상태로 변화할 때 안테나(예: 도 2a의 제1 안테나)의 총 방사 효율이 증가할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 3.9nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 경우 또는 개방된 경우, 약 860MHz 내지 약 880MHz의 주파수 대역에서 안테나의 총 방사 효율 그래프(531)가 갖는 최대값은 약 -7dB이고, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우 제1 스위치(114)가 3.9nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 경우 또는 개방된 경우, 약 860MHz 내지 약 880MHz의 주파수 대역에서 안테나의 총 방사 효율 그래프(532)가 갖는 최대값은 약 -5dB일 수 있다.
도 5c에 도시하지 않은 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 3.9nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태일 때는, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 3.9nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 지정된 값을 갖는 커패시터와 연결된 상태일 때보다 안테나의 총 방사 효율이 증가할 수 있다.
도 5d는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제1 스위치(114)가 도 5c의 지정된 값과 다른 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에, 전자 장치(100)가 접힌 상태와 펼쳐진 상태일 때의 안테나의 총 방사 효율 그래프를 나타낸다.
도 5d를 참고하면, 제1 스위치(114)가 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태에서 접힌 상태로 변화할 때 안테나(예: 도 2a의 제1 안테나)의 총 방사 효율이 증가할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 경우 또는 개방된 경우, 약 920MHz 내지 960MHz의 주파수 대역에서 안테나의 총 방사 효율 그래프(531)가 갖는 최대값은 약 -6dB이고, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 경우 또는 개방된 경우, 약 920MHz 내지 960MHz의 주파수 대역에서 안테나의 총 방사 효율 그래프(532)가 갖는 최대값은 약 -3.5dB일 수 있다.
도 5d에 도시하지 않은 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태일 때는, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 지정된 값을 갖는 커패시터와 연결된 상태일 때보다 안테나의 총 방사 효율이 증가할 수 있다.
도 5c 및 도 5d를 참고할 때, 전자 장치(100)가 펼쳐진 경우, 제1 스위치(114)가 연결된 인덕터의 지정된 값이 감소하면 안테나의 총 방사 효율이 최대가 되는 주파수 대역이 증가할 수 있다. 일 실시 예에서, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 3.9nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태일 때 안테나의 총 방사 효율은 약 900MHz에서 최대가 되고, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태일 때 안테나의 총 방사 효율은 약 925MHz에서 최대가 될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 제1 스위치(114)가 연결된 인덕터의 지정된 값이 감소하는 경우, 안테나의 총 방사 효율 그래프의 최대값은 증가할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 3.9nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 총 방사 효율 그래프(531)는 최대 약 -4dB의 값을 가질 수 있고, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 제거된 상태 또는 개방된 상태의 총 방사 효율 그래프(541)는 최대 약 -3.5dB의 값을 가질 수 있다.
도 6a는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 전류의 흐름(610)을 도시한다.
도 2b 및 도 6a를 함께 참고하면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 J4 모드(330)가 형성된 상태의 전류의 흐름(610)에서는 전류가 전자 장치(100)의 중심 부분(예: 도 2a의 연결 부재(103))으로 모일 수 있다. 예를 들어, 제1 전류 흐름(110B) 및 제2 전류 흐름(120B)이 서로 마주보며 전자 장치(100)의 중심 부분으로 모일 수 있다.
도 6b는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제2 스위치(123)가 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우의 전류의 흐름(620)을 도시한다.
도 2a 및 도 6b를 함께 참고하면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태에서 제2 스위치(123)가 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우, 급전이 이루어지는 부분(621)에서 형성된 전류는 제2 스위치(123)가 위치하는 부분(622)을 통하여(via) 다시 급전이 이루어지는 부분(621)로 이어지는 흐름을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 스위치(123)가 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우, 급전이 이루어지는 부분(621)에서 형성된 전류의 적어도 일부는 전자 장치(100)의 중앙까지 흘러가고, 나머지 일부는 제2 스위치(123)가 위치하는 부분(622)을 통하여 다시 급전이 이루어지는 부분(621)으로 흘러갈 수 있다.
도 6c는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)가 접힌 상태에서 제1 하우징(101)의 전류의 흐름(631) 및 제2 하우징(102)의 전류의 흐름(632)을 도시한다.
도 2a 및 도 6c를 함께 참고하면, 전자 장치(100)가 접힌 상태에서 제1 하우징(101)에는 제1 전류 흐름(110B)이 형성된 전류의 흐름(631)이 형성되고 제2 하우징(102)에는 제2 전류 흐름(120B)이 형성된 전류의 흐름(632)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)가 접힌 상태에서, 제1 전류 흐름(110B) 및 제2 전류 흐름(120B)은 J4 모드(330)의 전류의 흐름을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 전류 흐름(110B) 및 제2 전류 흐름(120B)은 연결 부재(103)를 중심으로 서로 대칭이 되도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)가 접힌 상태에서, 제1 전류 흐름(110B) 및 제2 전류 흐름(120B)은 실질적으로 동일한 방향의 전류 흐름을 형성할 수 있다.
도 7a는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태에서 제2 스위치(123)가 개방된 경우의 전류의 흐름(710)을 나타낸다.
도 2a, 도 2b, 및 도 7a를 함께 참고하면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제2 스위치(123)를 개방시키면, J4 모드(330)가 다른 전류 모드보다 우세하게 형성된 상태의 전류의 흐름(710)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 스위치(123)가 개방된 상태에서는 제1 전류 흐름(110B) 및 제2 전류 흐름(120B)이 서로 마주보며 전자 장치(100)의 중심으로 모일 수 있다.
일 실시 예에서, J4 모드(330) 외에도 다른 전류 모드(예: J1 모드(310) 또는 J2 모드(320))도 일부 형성될 수 있다. 도 7b는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태에서 제2 스위치(123)가 단락된 경우의 전류의 흐름(720)을 나타낸다.
도 2a, 도 2b, 및 도 7b를 함께 참고하면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제2 스위치(123)를 단락시키면, J4 모드(330)가 상대적으로 약해진 전류의 흐름(720)이 형성될 수 있다. J4 모드의 약화는 상대적으로 J1 모드가 강해지는 결과를 초래할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 접힌 상태에서는 J4 모드를 강화시켜서 저주파 대역의 신호를 수신하고, 전자 장치(100)는 펼쳐진 상태에서는 J4 모드를 약화시키고 J1 모드를 강화시켜서 저주파 대역의 신호를 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, J1 모드와 J4 모드의 제어를 위해 전자 장치(100)는 제2 스위치(123)의 개방/단락 또는 소자 값을 변경시킬 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)는 펼쳐진 상태에서, 제2 스위치(123)가 단락된 경우, 제1 부분(111) 및 제2 부분(121)을 포함하여 실질적으로 한 방향으로 흐르는 하나의 전류 흐름이 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, J1 모드(310) 외에도 다른 전류 모드(예: J2 모드(320) 또는 J4 모드(330))도 일부 형성될 수 있다.
도 7c는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태에서 제2 스위치(123)의 스위칭에 따른 J4 모드(330)의 모달 시그니피컨스 그래프(730)를 나타낸다.
도 7c를 참고하면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제2 스위치(123)의 스위칭 상태에 따라 J4 모드(330)의 전류 흐름이 다른 전류 흐름에 비하여 우세하게 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 제2 스위치(123)가 개방된 경우 J4 모드(330)의 모달 시그니피컨스 그래프(732)는 약 0.9GHz에서 최대가 될 수 있다. 다른 실시 예에서, 제2 스위치(123)가 단락된 경우 J4 모드(330)의 모달 시그니피컨스 그래프(733)는 약 1.5GHz 이상의 고주파수 대역에서 최대가 될 수 있다. 또 다른 실시 예에서, 제2 스위치(123)에 지정된 값을 갖는 커패시터가 연결된 경우 J4 모드(330)의 모달 시그니피컨스 그래프(731)는 약 0.75GHz에서 최대가 될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 스위치(123)가 개방된 상태에서 지정된 값을 갖는 커패시터가 연결된 상태로 변경되는 경우, J4 모드(330)의 모달 시그니피컨스 그래프의 변화(734)는 주파수 대역이 낮아지는 모습으로 나타날 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 스위치(123)가 개방된 상태에서 단락된 상태로 변경되는 경우, 상대적으로 저주파수 대역에서 우세한 전류 흐름이 변경될 수 있다. 예를 들어, 제2 스위치(123)가 개방된 상태에서 단락된 상태로 변경되면, J4 모드(330)의 모달 시그니피컨스 그래프의 변화(735)와 같이 1GHz 이하의 저주파수 대역에서는 J4 모드(330)의 전류 흐름이 약화되고 J1 모드(310)의 전류 흐름이 상대적으로 강해질 수 있다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태 또는 접힌 상태에서 제2 스위치(123)의 스위칭에 따른 안테나의 총 방사 효율 그래프(800)를 나타낸다.
도 8을 참고하면, 제1 스위치(114)가 지정된 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에, 제2 스위치(123)의 스위칭에 따라 안테나의 총 방사 효율이 변화할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 개방된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(801)는 약 900MHz에서 약 950MHz 사이에서 약 -6.2dB의 최대값을 가질 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 접힌 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 개방된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(802)는 900MHz에서 950MHz 사이에서 약 -3dB의 최대값을 가질 수 있다. 또 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 약 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 단락된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(803)는 약 900MHz에서 약 950MHz 사이에서 약 - 5.8dB의 최대값을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제2 스위치(123)를 단락시킴으로써 J4 모드(330)의 전류 흐름에 비하여 J1 모드(310)의 전류 흐름을 상대적으로 강화시킬 수 있다. 이에 따라, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태에서 제2 스위치(123)를 단락시킨 경우가 제2 스위치(123)를 오픈 시킨 경우 보다 900MHz에서 약 950MHz 사이의 대역에서 안테나의 총 방사 효율이 향상될 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우, 제1 스위치(114)가 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 단락된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(803)는 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태인 경우 제1 스위치(114)가 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결되고 제2 스위치(123)가 개방된 상태의 안테나 총 방사 효율 그래프(801)에 비하여 적어도 일부의 주파수 대역에서 안테나 총 방사 효율이 좋을 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)가 펼쳐진 상태이고 제1 스위치(114)가 2.2nH의 값을 갖는 인덕터를 통하여 그라운드와 연결된 경우에, 제2 스위치(123)가 개방 상태에서 단락 상태로 변경되는 경우, 안테나의 총 방사 효율은 약 -6.2dB에서 약 -5.8dB로 증가할 수 있다.
도 9는 일 실시 예에 따를 때 V-fold 형태를 갖는 전자 장치(900)를 도시한다. 도 2a의 전자 장치(100)에 관한 설명 중 전자 장치(900)의 특징과 배치되거나 모순되지 않는 범위에서는 도 2a에 관한 설명을 참조하여 설명될 수 있다.
도 9를 참고하면, 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(900)는 제1 하우징(901), 제2 하우징(902), 및 제1 하우징(901)에 대하여 제2 하우징(902)이 회전 가능하도록 하는 연결 부재(903)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 하우징(901)은 제1 측면 부재(914), 제2 측면 부재(915), 제1 절연 부재(913), 또는 제1 지지 부재(916)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 지지 부재(916)는 제1 측면 부재(914), 또는 제2 측면 부재(915)와 일체로 형성되거나, 결합되어 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 개구(910A)는 제1 측면 부재(914)와 제1 지지 부재(916) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(914), 제2 측면 부재(915), 또는 제1 지지 부재(916)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제1 측면 부재(914) 및 제2 측면 부재(915) 사이에는 제1 절연 부재(913)가 배치될 수 있다. 제1 측면 부재(914)는 연결 부재(903)와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 하우징(902)은 제3 측면 부재(923), 제4 측면 부재(924), 제2 절연 부재(922), 또는 제2 지지 부재(925)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 지지 부재(925)는 제3 측면 부재(923), 또는 제4 측면 부재(924)와 일체로 형성되거나, 결합되어 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 개구(920A)는 제3 측면 부재(923)와 제2 지지 부재(925) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제3 측면 부재(923), 제4 측면 부재(924) 또는 제2 지지 부재(925)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제3 측면 부재(923), 및 제4 측면 부재(924)사이에는 제2 절연 부재(922)가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(914), 제2 측면 부재(915), 제1 지지 부재(916), 제3 측면 부재(923), 제4 측면 부재(924) 또는 제2 지지 부재(925)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(914) 및 제3 측면 부재(923)는 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 측면 부재(914) 및 제3 측면 부재(923)는 연결 부재(903)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(914)는 제1 지점(911)에서 급전 라인(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 무선 통신 회로는 제1 지점(911)에서 제1 측면 부재(914)에 대해 급전할 수 있다. 제1 지점(911)과 전기적으로 연결된 상기 급전 라인에는 지정된 값을 가지는 커패시터(예: 도 2b의 커패시터(1131))가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(914)의 제2 지점(9121)은 제1 스위치(912)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(914)는 제2 지점(9121)에서 제1 스위치(912)를 이용하여 제1 하우징(901)에 포함된 그라운드 또는 제1 지지 부재(916)와 선택적으로 연결될 수 있다. 일 예에서, 제1 스위치(912)의 스위칭에 따라 안테나의 총 방사 효율이 최대가 되는 주파수 대역이 변화할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 개구(920A)는 제3 측면 부재(923)와 제2 지지 부재(925) 사이에 형성될 수 있다. 일 예에서, 제3 측면 부재(923)의 제3 지점(9211)은 제2 스위치(921)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예에서, 제2 스위치(921)의 스위칭에 따라 안테나의 총 방사 효율이 변화할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(900)는 무선 통신 회로를 포함할 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(900)에 포함되는 무선 통신 회로는 전자 장치(900)가 접힌 상태인 경우 제2 스위치(921)를 제어하여 제3 지점(9211)과 전자 장치(900)의 그라운드 영역을 전기적으로 개방시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(900)는 도 2의 전자 장치(100)와 실질적으로 유사하게 동작할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(900)는 전자 장치(900)가 접힌 상태에서는 제2 스위치(921)를 오픈하여 J4 모드의 전류 흐름을 형성하고, 전자 장치(900)가 펼쳐진 상태에서는 제2 스위치(921)를 쇼트 시켜 J1 모드의 전류 흐름을 형성하여, 제1 측면 부재(914)를 이용하여 지정된 주파수 대역(예: LB 대역)의 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다.
도 10은 일 실시 예에 따를 때 노트북 크기의 형태를 갖는 전자 장치(1000)를 도시한다.
도 10을 참고하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1000)는 제1 하우징(1001), 제2 하우징(1002), 및 제1 하우징(1001)에 대하여 제2 하우징(1002)이 회전 가능하도록 하는 연결 부재(1003)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 하우징(1001)은 제1 측면 부재(1014), 제2 측면 부재(1015), 제1 절연 부재(1013), 또는 제1 지지 부재(1016)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 지지 부재(1016)는 제1 측면 부재(1014), 또는 제2 측면 부재(1015)와 일체로 형성되거나, 결합되어 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 개구(1010A)는 제1 측면 부재(1014)와 제1 지지 부재(1016) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(1014), 제2 측면 부재(1015), 또는 제1 지지 부재(1016)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제1 측면 부재(1014) 및 제2 측면 부재(1015) 사이에는 제1 절연 부재(1013)가 배치될 수 있다. 제1 측면 부재(1014)는 연결 부재(1003)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 측면 부재(1014), 제2 측면 부재(1015), 또는 제1 지지 부재(1016)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(1014) 및 제3 측면 부재(1023)는 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 측면 부재(1014) 및 제3 측면 부재(1023)는 연결 부재(1003)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(1014)는 제1 지점(1011)에서 급전 라인과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 무선 통신 회로는 제1 지점(1011)에서 제1 측면 부재(1014)에 대해 급전할 수 있다. 제1 지점(1011)과 전기적으로 연결된 상기 급전 라인에는 지정된 값을 가지는 커패시터(예: 도 2b의 커패시터(1131))가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(1014)의 제2 지점(10121)은 제1 스위치(1012)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(1014)는 제2 지점(10121)에서 제1 스위치(1012)를 이용하여 제1 하우징(1001)에 포함된 그라운드 또는 제1 지지 부재(1016)와 선택적으로 연결될 수 있다. 일 예에서, 제1 스위치(1012)의 스위칭에 따라 안테나의 총 방사 효율이 최대가 되는 주파수 대역이 변화할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 개구(1020A)는 제3 측면 부재(1023)와 제2 지지 부재(1025) 사이에 형성될 수 있다. 일 에에서, 제3 측면 부재(1023)의 제3 지점(10211)은 제2 스위치(1021)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예에서, 제2 스위치(1021)의 스위칭에 따라 안테나의 총 방사 효율이 변화할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1000)는 도 2의 전자 장치(100)와 실질적으로 유사하게 동작할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1000)는 전자 장치(1000)가 접힌 상태에서는 제2 스위치(1021)를 오픈하여 J4 모드의 전류 흐름을 형성하고, 전자 장치(1000)가 펼쳐진 상태에서는 제2 스위치(1021)를 쇼트 시켜 J1 모드의 전류 흐름을 형성하여, 제1 측면 부재(1014)를 이용하여 지정된 주파수 대역(예: LB 대역)의 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다.
도 11은 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경(1100) 내의 전자 장치(1101)의 블럭도이다.
도 11을 참조하면, 네트워크 환경(1100)에서 전자 장치(1101)(예: 도 1a 및 도 1b의 전자 장치(100))는 제1 네트워크(1198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(1102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(1199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(1104) 또는 서버(1108)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1101)는 서버(1108)를 통하여 전자 장치(1104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1101)는 프로세서(1120), 메모리(1130), 입력 모듈(1150), 음향 출력 모듈(1155), 디스플레이 모듈(1160), 오디오 모듈(1170), 센서 모듈(1176), 인터페이스(1177), 연결 단자(1178), 햅틱 모듈(1179), 카메라 모듈(1180), 전력 관리 모듈(1188), 배터리(1189), 통신 모듈(1190), 가입자 식별 모듈(1196), 또는 안테나 모듈(1197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(1101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(1178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(1176), 카메라 모듈(1180), 또는 안테나 모듈(1197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(1160))로 통합될 수 있다.
프로세서(1120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(1140))를 실행하여 프로세서(1120)에 연결된 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(1120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(1176) 또는 통신 모듈(1190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(1132)에 저장하고, 휘발성 메모리(1132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(1134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(1120)는 메인 프로세서(1121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(1123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1101)가 메인 프로세서(1121) 및 보조 프로세서(1123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(1123)는 메인 프로세서(1121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(1123)는 메인 프로세서(1121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(1123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(1121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(1121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(1121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(1121)와 함께, 전자 장치(1101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(1160), 센서 모듈(1176), 또는 통신 모듈(1190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(1123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(1180) 또는 통신 모듈(1190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(1123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(1101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(1108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(1130)는, 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(1120) 또는 센서 모듈(1176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(1140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(1130)는, 휘발성 메모리(1132) 또는 비휘발성 메모리(1134)를 포함할 수 있다.
프로그램(1140)은 메모리(1130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(1142), 미들 웨어(1144) 또는 어플리케이션(1146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(1150)은, 전자 장치(1101)의 구성요소(예: 프로세서(1120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(1101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(1150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(1155)은 음향 신호를 전자 장치(1101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(1155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(1160)은 전자 장치(1101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(1160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(1160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(1170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(1170)은, 입력 모듈(1150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(1155), 또는 전자 장치(1101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(1176)은 전자 장치(1101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(1176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(1177)는 전자 장치(1101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(1177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(1178)는, 그를 통해서 전자 장치(1101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(1178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(1179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(1179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(1180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(1180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(1188)은 전자 장치(1101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(1188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(1189)는 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(1189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(1190)은 전자 장치(1101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102), 전자 장치(1104), 또는 서버(1108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(1190)은 프로세서(1120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(1190)은 무선 통신 모듈(1192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(1194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(1198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(1199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(1104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 가입자 식별 모듈(1196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(1198) 또는 제2 네트워크(1199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(1101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(1192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 전자 장치(1101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(1199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 무선 통신 모듈(1192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(1197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(1198) 또는 제2 네트워크(1199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(1190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(1190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(1197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(1199)에 연결된 서버(1108)를 통해서 전자 장치(1101)와 외부의 전자 장치(1104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(1102, 또는 1104) 각각은 전자 장치(1101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(1102, 1104, 또는 1108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(1101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(1101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(1101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(1101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(1101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 외부의 전자 장치(1104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(1108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 외부의 전자 장치(1104) 또는 서버(1108)는 제2 네트워크(1199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(1101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치에 있어서, 제1 하우징, 상기 제1 하우징에 대해 회전 가능하도록 연결 부재를 통해 상기 제1 하우징과 연결되는 제2 하우징, 및 상기 제1 하우징 또는 상기 제2 하우징 내에 배치되는 무선 통신 회로를 포함하고, 상기 제1 하우징은, 제1 길이를 가지는 제1 가장자리를 포함하고, 상기 제1 가장자리의 제1 부분은 도전성 물질로 형성되고, 상기 제1 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고, 상기 제1 부분의 타단은 상기 연결 부재의 도전성 영역과 연결되고, 상기 제1 부분의 제1 지점은 급전 지점과 지정된 값을 가지는 커패시터(capacitor)를 통해 연결되고, 상기 제2 하우징은, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때 상기 제1 가장자리에 대응하는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제2 가장자리 중 상기 제1 부분에 대응하는 제2 부분은 도전성 물질로 형성되고, 상기 제2 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구(opening)를 포함하고, 상기 제2 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고, 상기 제2 부분의 타단은 상기 연결 부재의 상기 도전성 영역과 연결되고, 상기 제2 부분의 제1 지점과 그라운드 영역 사이에는 스위치가 배치되고, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우 상기 스위치를 제어하여 상기 제2 부분의 상기 제1 지점과 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 부분의 제1 지점에서 지정된 거리만큼 이격된 상기 제1 부분의 제2 지점은 스위칭 회로를 통해 그라운드 영역과 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 부분의 상기 제2 지점과 연결된 상기 스위칭 회로를 제어하여, 상기 무선 통신 회로를 통해 수신되는 신호의 주파수 대역을 변경할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 무선 통신 회로를 통해 수신되는 신호의 주파수 대역은 900MHz 이하일 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우 상기 스위치를 개방함으로써, 상기 제1 가장자리 및 상기 제2 가장자리에 동일한 방향을 향하는 전류를 유도할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보지 않는 경우 상기 스위치를 제어하여 상기 제2 부분의 상기 제1 지점과 상기 그라운드 영역을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우 상기 스위치를 지정된 값을 갖는 커패시터와 연결함으로써, 상기 무선 통신 회로를 통해 송신 또는 수신되는 신호의 주파수 대역을 변경할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 하우징은 상기 제1 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구(opening)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구 및 상기 제2 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구 중 적어도 하나는 비도전성 물질로 채워질 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 하우징에 대응하는 제1 영역, 상기 제2 하우징에 대응하는 제2 영역, 및 상기 연결 부재에 대응하는 제3 영역에 걸쳐 배치되는 플렉서블(flexible) 디스플레이를 더 포함하고, 상기 플렉서블 디스플레이는 상기 연결 부재를 중심으로 상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징이 이루는 각도에 대응하도록 휘어질 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 하우징은, 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 가지고 상기 제1 가장자리의 일단에서 연장되는 제3 가장자리를 포함하고, 상기 제2 하우징은, 상기 제2 길이를 가지고 상기 제2 가장자리의 일단에서 연장되는 제4 가장자리를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제3 가장자리의 제3 부분은 도전성 물질로 형성되고, 상기 제3 가장자리의 상기 제3 부분의 양단에는 절연 부재가 배치되고, 상기 제3 가장자리의 제3 부분의 일 지점은 급전 지점과 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 무선 통신 회로는 상기 제3 가장자리의 상기 제3 부분에 해당하는 전기적 경로를 통하여(via) 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 하우징은, 상기 제1 길이보다 긴 제2 길이를 가지고 상기 제1 가장자리의 일단에서 연장되는 제3 가장자리를 포함하고, 상기 제2 하우징은, 상기 제2 길이를 가지고 상기 제2 가장자리의 일단에서 연장되는 제4 가장자리를 포함하고, 상기 연결 부재는 상기 제3 가장자리 및 상기 제4 가장자리와 평행하게 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 가장자리 및 상기 제2 가장자리를 합친 값은 150mm 이상일 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치에 있어서, 상기 전자 장치 내에 배치되는 무선 통신 회로를 포함하고, 상기 전자 장치는,
제1 길이를 가지는 제1 가장자리, 제2 길이를 가지는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제1 가장자리의 제1 부분은 도전성 물질로 형성되고, 상기 제1 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고, 상기 제1 부분의 제1 지점은 급전 지점과 지정된 값을 가지는 커패시터를 통해 연결되고, 상기 전자 장치가 접힌 상태일 때 상기 제1 가장자리에 대응하는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제2 가장자리 중 상기 제1 부분에 대응하는 제2 부분은 도전성 물질로 형성되고, 상기 제2 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구(opening)를 포함하고, 상기 제2 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고, 상기 제2 부분의 타단은 상기 제1 부분의 도전성 영역과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 부분의 제1 지점과 그라운드 영역 사이에는 스위치가 배치되고, 상기 무선 통신 회로는, 상기 전자 장치가 접힌 상태인 경우 상기 스위치를 제어하여 상기 제2 부분의 상기 제1 지점과 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 부분의 제1 지점에서 지정된 거리만큼 이격된 상기 제1 부분의 제2 지점은 스위칭 회로를 통해 그라운드 영역과 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 부분의 상기 제2 지점과 연결된 상기 스위칭 회로를 제어하여, 상기 무선 통신 회로를 통해 수신되는 신호의 주파수 대역을 변경할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 무선 통신 회로는, 상기 전자 장치가 접힌 상태인 경우 상기 스위치를 개방함으로써, 상기 제1 가장자리 및 상기 제2 가장자리에 동일한 방향을 향하는 전류를 유도할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 전자 장치가 펼쳐진 상태인 경우 상기 스위치를 제어하여 상기 제2 부분의 상기 제1 지점과 상기 그라운드 영역을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시 예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시 예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(1101)) 에 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(1136) 또는 외장 메모리(1138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(1140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(1101))의 프로세서(예: 프로세서(1120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시 예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
Claims (20)
- 전자 장치에 있어서,
제1 하우징;
상기 제1 하우징에 대해 회전 가능하도록 연결 부재를 통해 상기 제1 하우징과 연결되는 제2 하우징; 및
상기 제1 하우징 또는 상기 제2 하우징 내에 배치되는 무선 통신 회로를 포함하고,
상기 제1 하우징은:
제1 길이를 가지는 제1 가장자리를 포함하고,
상기 제1 가장자리의 제1 부분은 도전성 물질로 형성되고,
상기 제1 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고,
상기 제1 부분의 타단은 상기 연결 부재의 도전성 영역과 연결되고,
상기 제1 부분의 제1 지점은 급전 지점과 지정된 값을 가지는 커패시터(capacitor)를 통해 연결되고,
상기 제2 하우징은:
상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때 상기 제1 가장자리에 대응하는 제2 가장자리를 포함하고,
상기 제2 가장자리 중 상기 제1 부분에 대응하는 제2 부분은 도전성 물질로 형성되고,
상기 제2 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구(opening)를 포함하고,
상기 제2 부분의 일단에는 절연 부재가 배치되고,
상기 제2 부분의 타단은 상기 연결 부재의 상기 도전성 영역과 연결되고,
상기 제2 부분의 제1 지점과 그라운드 영역 사이에는 스위치가 배치되고,
상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우 상기 스위치를 제어하여 상기 제2 부분의 상기 제1 지점과 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시키는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 부분의 제1 지점에서 지정된 거리만큼 이격된 상기 제1 부분의 제2 지점은 스위칭 회로를 통해 그라운드 영역과 연결되는, 전자 장치. - 청구항 2에 있어서,
상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 부분의 상기 제2 지점과 연결된 상기 스위칭 회로를 제어하여, 상기 무선 통신 회로를 통해 수신되는 신호의 주파수 대역을 변경하는, 전자 장치. - 청구항 3에 있어서,
상기 무선 통신 회로를 통해 수신되는 신호의 주파수 대역은 900MHz 이하인, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우 상기 스위치를 개방함으로써, 상기 제1 가장자리 및 상기 제2 가장자리에 동일한 방향을 향하는 전류를 유도하는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보지 않는 경우 상기 스위치를 제어하여 상기 제2 부분의 상기 제1 지점과 상기 그라운드 영역을 전기적으로 연결시키는, 전자 장치. - 청구항 6에 있어서,
상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우 상기 스위치를 지정된 값을 갖는 커패시터와 연결함으로써, 상기 무선 통신 회로를 통해 송신 또는 수신되는 신호의 주파수 대역을 변경하는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 하우징은 상기 제1 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구(opening)를 포함하는, 전자 장치. - 청구항 8에 있어서,
상기 제1 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구 및 상기 제2 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구 중 적어도 하나는 비도전성 물질로 채워지는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 하우징에 대응하는 제1 영역, 상기 제2 하우징에 대응하는 제2 영역, 및 상기 연결 부재에 대응하는 제3 영역에 걸쳐 배치되는 플렉서블(flexible) 디스플레이를 더 포함하고,
상기 플렉서블 디스플레이는 상기 연결 부재를 중심으로 상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징이 이루는 각도에 대응하도록 휘어지는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 하우징은, 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 가지고 상기 제1 가장자리의 일단에서 연장되는 제3 가장자리를 포함하고,
상기 제2 하우징은, 상기 제2 길이를 가지고 상기 제2 가장자리의 일단에서 연장되는 제4 가장자리를 포함하는, 전자 장치. - 청구항 11에 있어서,
상기 제3 가장자리의 제3 부분은 도전성 물질로 형성되고,
상기 제3 가장자리의 상기 제3 부분의 양단에는 절연 부재가 배치되고,
상기 제3 가장자리의 제3 부분의 일 지점은 급전 지점과 연결되는, 전자 장치. - 청구항 12에 있어서,
상기 무선 통신 회로는 상기 제3 가장자리의 상기 제3 부분에 해당하는 전기적 경로를 통하여(via) 신호를 송신 및/또는 수신하는, 전자 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 하우징은, 상기 제1 길이보다 긴 제2 길이를 가지고 상기 제1 가장자리의 일단에서 연장되는 제3 가장자리를 포함하고,
상기 제2 하우징은, 상기 제2 길이를 가지고 상기 제2 가장자리의 일단에서 연장되는 제4 가장자리를 포함하고,
상기 연결 부재는 상기 제3 가장자리 및 상기 제4 가장자리와 평행하게 배치되는, 전자 장치. - 청구항 14에 있어서,
상기 제1 가장자리 및 상기 제2 가장자리를 합친 값은 150mm 이상인, 전자 장치. - 전자 장치에 있어서,
상기 전자 장치 내에 배치되는 무선 통신 회로를 포함하고,
상기 전자 장치는:
제1 길이를 가지는 제1 가장자리;
상기 제1 가장자리의 일단에서 상기 제1 가장자리에 실질적으로 수직한 방향으로 연장되고 제2 길이를 가지는 제2 가장자리를 포함하고,
상기 제1 가장자리의 제1 부분은 도전성 물질로 형성되고,
상기 제1 부분의 제1 단에는 절연 부재가 배치되고,
상기 제1 부분의 제1 지점은 급전 지점과 지정된 값을 가지는 커패시터(capacitor)를 통해 연결되고,
상기 전자 장치가 상기 제1 가장자리의 중심을 기준으로 접힌 상태일 때 상기 제1 부분에 대응하는 상기 제1 가장자리의 제2 부분을 포함하고,
상기 제2 부분은 도전성 물질로 형성되고,
상기 제2 부분을 따라 인접하여 형성되는 개구(opening)를 포함하고,
상기 제2 부분의 제1 단에는 절연 부재가 배치되고,
상기 제1 부분의 제2 단 및 상기 제2 부분의 제2 단은 전기적으로 연결되고,
상기 개구에는 상기 제2 부분의 제1 지점과 그라운드 영역 사이를 연결하는 스위치가 배치되고,
상기 무선 통신 회로는, 상기 전자 장치가 접힌 상태인 경우 상기 스위치를 제어하여 상기 제2 부분의 상기 제1 지점과 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시키는, 전자 장치. - 청구항 16에 있어서,
상기 제1 부분의 제1 지점에서 지정된 거리만큼 이격된 상기 제1 부분의 제2 지점은 스위칭 회로를 통해 그라운드 영역과 연결되는, 전자 장치. - 청구항 17에 있어서,
상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 부분의 상기 제2 지점과 연결된 상기 스위칭 회로를 제어하여, 상기 무선 통신 회로를 통해 수신되는 신호의 주파수 대역을 변경하는, 전자 장치. - 청구항 16에 있어서,
상기 무선 통신 회로는, 상기 전자 장치가 접힌 상태인 경우 상기 스위치를 개방함으로써, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분에 동일한 방향을 향하는 전류를 유도하는, 전자 장치. - 청구항 16에 있어서,
상기 전자 장치가 펼쳐진 상태인 경우 상기 스위치를 제어하여 상기 제2 부분의 상기 제1 지점과 상기 그라운드 영역을 전기적으로 연결시키는, 전자 장치.
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