KR20220059406A - 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220059406A
KR20220059406A KR1020210141254A KR20210141254A KR20220059406A KR 20220059406 A KR20220059406 A KR 20220059406A KR 1020210141254 A KR1020210141254 A KR 1020210141254A KR 20210141254 A KR20210141254 A KR 20210141254A KR 20220059406 A KR20220059406 A KR 20220059406A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing unit
substrate
processing
abnormality
unit
Prior art date
Application number
KR1020210141254A
Other languages
English (en)
Inventor
고 아야베
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20220059406A publication Critical patent/KR20220059406A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 처리 유닛에서 이상이 발생한 경우에도, 폐기되는 기판의 수를 줄일 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 시스템은, 기판에 동종의 처리를 실시할 수 있는 복수의 처리 유닛과, 복수의 처리 유닛으로 기판의 반송을 행하는 반송 장치와, 복수의 처리 유닛 및 반송 장치를 제어하는 제어부를 구비한다. 또한, 제어부는, 구제 처리부와, 반송 처리부와, 재구제 처리부를 갖는다. 구제 처리부는, 이상이 발생한 이상 처리 유닛에서 처리 중인 체류 기판에 대해, 이상 처리 유닛에서 구제 처리를 행한다. 반송 처리부는, 이상 처리 유닛에서 체류 기판을 구제 처리할 수 없는 경우에, 미리 설정되는 반송 패턴에 기초하여, 이상 처리 유닛으로부터 다른 처리 유닛으로 체류 기판을 반송한다. 재구제 처리부는, 다른 처리 유닛으로 반송된 체류 기판에 대해 다시 구제 처리를 행한다.

Description

기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
개시된 실시형태는, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 호칭함) 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 처리된 기판의 수율을 향상시키는 기술이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2009-148734호 공보
본 개시는, 처리 유닛에서 이상이 발생한 경우에도, 폐기되는 기판의 수를 줄일 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 시스템은, 기판에 동종의 처리를 실시할 수 있는 복수의 처리 유닛과, 복수의 상기 처리 유닛으로 상기 기판의 반송을 행하는 반송 장치와, 복수의 상기 처리 유닛 및 상기 반송 장치를 제어하는 제어부를 구비한다. 또한, 제어부는, 구제 처리부와, 반송 처리부와, 재구제 처리부를 갖는다. 구제 처리부는, 이상이 발생한 이상 처리 유닛에서 처리 중인 체류 기판에 대해, 상기 이상 처리 유닛에서 구제 처리를 행한다. 반송 처리부는, 상기 이상 처리 유닛에서 상기 체류 기판을 구제 처리할 수 없는 경우에, 미리 설정되는 반송 패턴에 기초하여, 상기 이상 처리 유닛으로부터 다른 상기 처리 유닛으로 상기 체류 기판을 반송한다. 재구제 처리부는, 다른 상기 처리 유닛으로 반송된 상기 체류 기판에 대해 다시 구제 처리를 행한다.
본 개시에 의하면, 처리 유닛에서 이상이 발생한 경우에도, 폐기되는 기판의 수를 줄일 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 모식도이다.
도 2는 실시형태에 따른 처리 유닛의 구체적인 구성예를 도시한 모식도이다.
도 3은 실시형태에 따른 검사 장치의 구체적인 구성예를 도시한 모식도이다.
도 4는 실시형태에 따른 세정 장치의 구체적인 구성예를 도시한 모식도이다.
도 5는 실시형태에 따른 세정 장치의 구체적인 구성예를 도시한 모식도이다.
도 6은 실시형태에 따른 제어 장치의 구체적인 구성예를 도시한 블록도이다.
도 7은 실시형태에 따른 반송 패턴 기억부의 일례를 도시한 도면이다.
도 8은 실시형태에 따른 반송 패턴의 패턴 1을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 실시형태에 따른 반송 패턴의 패턴 2를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 실시형태에 따른 반송 패턴의 패턴 3을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 실시형태에 따른 검사 정보 기억부의 일례를 도시한 도면이다.
도 12는 실시형태에 따른 레시피 정보 기억부의 일례를 도시한 도면이다.
도 13은 실시형태에 따른 반송 정보 기억부의 일례를 도시한 도면이다.
도 14는 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에서 실행되는 기판 처리의 순서를 도시한 흐름도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 각 실시형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면은 모식적인 것이며, 각 요소의 치수의 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실과 상이한 경우가 있는 것에 유의할 필요가 있다. 또한, 도면의 상호 간에 있어서도, 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 경우가 있다.
종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 호칭함) 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 처리된 기판의 수율을 향상시키는 기술이 알려져 있다.
그러나, 종래 기술에서는, 처리 유닛에서 이상이 발생한 경우에, 이 이상이 발생한 처리 유닛(이하, 「이상 처리 유닛」이라고도 호칭함) 내에서 처리되고 있던 기판을 구제하는 것이 곤란하였다.
특히, 이상 처리 유닛에서 처리되고 있던 기판을 동일한 유닛 내에서 구제 처리하고 있을 때에 다른 이상이 발생한 경우에는, 이 기판을 구제하는 것이 곤란했기 때문에, 기판을 폐기하지 않을 수 없게 되어 있었다.
그래서, 전술한 문제점을 극복하여, 처리 유닛에서 이상이 발생한 경우에도, 폐기되는 기판의 수를 줄일 수 있는 기술이 기대되고 있다.
<기판 처리 시스템의 개요>
최초로, 도 1을 참조하면서, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성에 대해 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 도시한 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 배치된다.
반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 반송부(12)에는, 검사 장치(15)가 배치된다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 기판, 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(W)[이하, 웨이퍼(W)라고 호칭함]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 배치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C), 전달부(14) 및 검사 장치(15) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
검사 장치(15)는, 처리된 웨이퍼(W)의 처리 상태를 검사한다. 본 개시에 있어서, 검사 장치(15)는, 복수의 처리 유닛(17)에서 처리된 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 반출하기 전에 검사할 수 있는 인라인 검사 장치로서 설치된다. 이러한 검사 장치(15)의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 배치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(16)와, 복수(도면에서는 10대)의 처리 유닛(17)과, 세정 장치(19)를 구비한다. 복수의 처리 유닛(17) 및 세정 장치(19)는, 반송부(16)의 양측에 나란히 배치된다.
반송부(16)는, 내부에 기판 반송 장치(18)를 구비한다. 기판 반송 장치(18)는, 반송 장치의 일례이다. 기판 반송 장치(18)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(18)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(17) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(17)은, 기판 반송 장치(18)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대해 소정의 기판 처리를 행한다. 처리 스테이션(3)에 배치되는 복수의 처리 유닛(17)은, 전부 동종의 기판 처리를 행할 수 있다. 이러한 처리 유닛(17)의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
세정 장치(19)는, 기판 반송 장치(18)를 세정한다. 이러한 세정 장치(19)의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이고, 제어부(5)와 기억부(6)를 구비한다. 기억부(6)에는, 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(5)는, 기억부(6)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다. 제어 장치(4)의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이고, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(6)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
또한, 기억부(6)는, 기판 처리 시스템(1)의 제어 장치(4)에 설치되는 경우에 한정되지 않고, 기판 처리 시스템(1)과는 다른 개소에 있는 기억 장치에 설치되고, 이러한 기억 장치와 기판 처리 시스템(1)의 제어 장치(4)가 네트워크를 통해 접속되어 있어도 좋다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(18)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(17)에 반입된다.
처리 유닛(17)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(17)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(18)에 의해 처리 유닛(17)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 검사 장치(15)에 반입된다.
검사 장치(15)에 반입된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 검사 장치(15)에 의해 검사된 후, 기판 반송 장치(13)에 의해 검사 장치(15)로부터 반출되어, 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.
<처리 유닛의 구성>
다음으로, 실시형태에 따른 처리 유닛(17)의 구성에 대해, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는 실시형태에 따른 처리 유닛(17)의 구체적인 구성예를 도시한 모식도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 처리 유닛(17)은, 챔버(20)와, 기판 처리부(30)와, 액 공급부(40)와, 회수 컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는, 기판 처리부(30)와, 액 공급부(40)와, 회수 컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit: 팬 필터 유닛)(21)가 배치된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운플로우를 형성한다.
기판 처리부(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비하고, 배치된 웨이퍼(W)에 액처리를 실시한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 주위로 회전시킨다.
이러한 기판 처리부(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지되는 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
기판 처리부(30)가 구비하는 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(31a)가 배치된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(31a)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평 유지된다. 또한, 웨이퍼(W)는, 기판 처리가 행해지는 표면을 상방으로 향하게 한 상태로 유지부(31)에 유지된다.
액 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대해 처리 유체를 공급한다. 액 공급부(40)는, 노즐(41a∼41d)과, 이러한 노즐(41a∼41d)을 수평으로 지지하는 아암(42)과, 아암(42)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(43)를 구비한다.
노즐(41a)은, 밸브(44a)와 유량 조정기(45a)를 통해 에칭액 공급원(46a)에 접속된다. 에칭액은, 예컨대, 에칭 처리에 이용된다. 노즐(41b)은, 밸브(44b)와 유량 조정기(45b)를 통해 DIW 공급원(46b)에 접속된다. DIW(DeIonized Water: 탈이온수)는, 예컨대, 린스 처리에 이용된다.
노즐(41c)은, 밸브(44c)와 유량 조정기(45c)를 통해 세정액 공급원(46c)에 접속된다. 세정액은, 예컨대 SC1(암모니아와 과산화수소수의 혼합액)이며, 세정 처리에 이용된다. 노즐(41d)은, 밸브(44d)와 유량 조정기(45d)를 통해 IPA 공급원(46d)에 접속된다. IPA(IsoPropyl Alcohol: 이소프로필 알코올)는, 예컨대, 건조 처리에 이용된다.
노즐(41a)은, 에칭액 공급원(46a)으로부터 공급되는 에칭액을 토출한다. 노즐(41b)은, DIW 공급원(46b)으로부터 공급되는 DIW를 토출한다. 노즐(41c)은, 세정액 공급원(46c)으로부터 공급되는 세정액을 토출한다. 노즐(41d)은, IPA 공급원(46d)으로부터 공급되는 IPA를 토출한다.
또한, 실시형태의 처리 유닛(17)에서는, 노즐(41a∼41d)이 웨이퍼(W)의 상방(표면측)에 배치된 예에 대해 나타내었으나, 노즐(41a∼41d)이 웨이퍼(W)의 하방(이면측)에 배치되어 있어도 좋다.
회수 컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수 컵(50)의 바닥부에는, 배액구(排液口; 51)가 배치되고, 회수 컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(17)의 외부로 배출된다. 또한, 회수 컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(17)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 배치된다.
<검사 장치의 구성>
다음으로, 실시형태에 따른 검사 장치(15)의 구성에 대해, 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 3은 실시형태에 따른 검사 장치(15)의 구체적인 구성예를 도시한 모식도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 검사 장치(15)는, 케이스(61)와, 회전 배치대(62)와, 조명부(63)와, 카메라(64)와, 데이터 처리부(65)를 구비한다.
케이스(61)는, 웨이퍼(W)를 내부에 반입 및 반출하는 개구부(61a)를 갖고, 내부에 회전 배치대(62)와, 조명부(63)와, 카메라(64)를 수용한다. 회전 배치대(62)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 지지하고, 지지된 웨이퍼(W)의 방향을 조정한다. 조명부(63)는, 회전 배치대(62)에 지지된 웨이퍼(W)의 표면을 비춘다.
카메라(64)는, 회전 배치대(62)에 지지된 웨이퍼(W)의 표면을 촬상한다. 카메라(64)는, 예컨대, CCD(Charge Coupled Device: 전하 결합 소자) 이미지 센서 또는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor: 상보성 금속 산화물 반도체) 이미지 센서를 갖는다.
데이터 처리부(65)는, 카메라(64)로 얻어진 웨이퍼(W)의 화상을 처리하고, 이러한 처리된 웨이퍼(W)의 화상에 기초하여, 웨이퍼(W)의 각종 검사를 실시한다.
실시형태에 따른 검사 장치(15)는, 예컨대, 웨이퍼(W)에 부착된 파티클수를 검출하기 위한 파티클수 검출, 웨이퍼(W)에 형성된 패턴의 도괴(倒壞)를 검출하기 위한 패턴 도괴 검출 등을 행할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 검사 장치(15)는, 웨이퍼(W) 표면으로부터 튀어나온 레지스트액의 용제가 웨이퍼(W)에 재부착되는 스플래시 백을 검출하는 스플래시 백 검출, 레지스트액의 도포 불균일을 검출하기 위한 도포 불균일 검출 등을 행할 수도 있다.
또한, 실시형태에 따른 검사 장치(15)가 실시할 수 있는 검사는 상기한 예에 한정되지 않고, 처리 유닛(17)에서 처리된 웨이퍼(W)의 처리 상태를 확인하기 위한 각종 검사를 실시할 수 있다.
또한, 도 3의 예에서는, 카메라(64)가 웨이퍼(W)의 표면을 촬상하여 검사하는 경우에 대해 나타내고 있으나, 카메라(64)는, 카메라(64)가 웨이퍼(W)의 표면을 촬상하여 검사하는 경우에 한정되지 않고, 웨이퍼(W)의 이면이나 에지부를 촬상하여 검사해도 좋다.
<세정 장치의 구성>
다음으로, 실시형태에 따른 세정 장치(19)의 구성에 대해, 도 4 및 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 4 및 도 5는 실시형태에 따른 세정 장치(19)의 구체적인 구성예를 도시한 모식도이다.
또한, 도 4는 세정 장치(19)를 측방에서 본 경우의 단면도이고, 도 5는 세정 장치(19)를 상방에서 본 경우의 단면도이다. 또한, 도 4 및 도 5에는, 세정 대상인 기판 반송 장치(18)에 대해서도 도시하고 있다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 기판 반송 장치(18)는, 웨이퍼(W)(도 1 참조)의 외주부를 유지하여 반송하는 반송 아암(110)을 갖는다. 도 5에 도시된 바와 같이, 반송 아암(110)은, 프레임부(111)와, 아암부(112)를 갖는다.
프레임부(111)는, 예컨대, 웨이퍼(W)의 외주부를 지지하기 위해서 3/4 원환형으로 구성된다. 아암부(112)는, 이러한 프레임부(111)와 일체로 구성되고, 또한 프레임부(111)를 지지한다.
프레임부(111)에는, 웨이퍼(W)의 외주부를 직접 지지하는 복수의 유지부(113)가 예컨대 3개소에 배치된다. 이러한 복수의 유지부(113)는, 프레임부(111)의 내측 원주에 등간격으로 배치되고, 프레임부(111)의 내측으로 돌출된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 반송 아암(110)의 하면측에는, 반송 아암(110)을 지지하는 베이스(114)가 배치된다. 이러한 베이스(114)에는, 구동 기구(115)가 설치된다. 기판 반송 장치(18)는, 이러한 구동 기구(115)를 동작시킴으로써, 반송 아암(110)을 수평 방향(도 4 중의 X축 방향)으로 이동시킬 수 있다.
구동 기구(115)의 하면측에는, 베이스(114)를 지지하는 샤프트(116)가 배치된다. 샤프트(116)의 하면측에는, 구동 기구(117)가 더 설치된다. 기판 반송 장치(18)는, 이러한 구동 기구(117)를 동작시킴으로써, 반송 아암(110)을 연직 방향(도 4 중의 Z축 방향)으로 승강시킬 수 있고, 반송 아암(110)을 회전시킬 수 있다.
세정 장치(19)는, 기판 반송 장치(18)측의 측면이 개구된, 처리 용기(120)를 갖는다. 그리고, 세정 장치(19)는, 이 처리 용기(120)의 측면의 개구부(121)로부터 반송 아암(110)을 진입시킴으로써, 처리 용기(120) 내에서 반송 아암(110)의 유지부(113)를 세정할 수 있다.
처리 용기(120)의 개구부(121)의 상부 및 하부에는, 기체를 분사하는 기체 분사부(130)가 배치된다. 이러한 기체 분사부(130)는, 각각 처리 용기(120)의 상면측의 내벽과 하면측의 내벽에 고정된다.
기체 분사부(130)는, 기체의 분사구(131)가 복수 배치된 기체 분사 노즐(132)을 갖는다. 개구부(121)의 상부에 위치하는 기체 분사부(130)의 분사구(131)는, 기체 분사 노즐(132)의 하단에 배치된다. 이에 의해, 개구부(121)의 상부에 위치하는 기체 분사부(130)는, 분사구(131)로부터 연직 하방(도 4 중의 Z축 부방향)을 향해 기체를 분사한다.
한편, 개구부(121)의 하부에 위치하는 기체 분사부(130)의 분사구(131)는, 기체 분사 노즐(132)의 상단에 배치된다. 이에 의해, 개구부(121)의 하부에 위치하는 기체 분사부(130)는, 분사구(131)로부터 연직 상방(도 4 중의 Z축 정방향)을 향해 기체를 분사한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 기체 분사 노즐(132)은, 처리 용기(120)의 폭 방향(도 5 중의 X축 방향)으로 연신되고, 그 양단은, 처리 용기(120)의 상부 또는 하부에 고정된 고정 부재(133)에 의해 지지된다.
또한, 기체 분사 노즐(132)에는, 공급관(134)을 통해 기체 공급원(135)이 접속된다. 공급관(134)에는, 히터 등의 가열 기구(136)가 배치된다. 가열 기구(136)는, 기체 공급원(135)으로부터 공급되는 기체를 가열한다.
그리고, 기체 공급원(135)으로부터 기체 분사 노즐(132)로 기체가 공급되고, 기체 분사 노즐(132)로부터 기체가 분사되면, 개구부(121)가 분사된 기체의 기류에 의해 폐색되어, 개구부(121)에 이른바 에어 커튼이 형성된다. 또한, 기체 분사 노즐(132)로부터 분사되는 기체에는, 예컨대, 공기가 이용된다.
또한, 에어 커튼의 기류가 처리 용기(120)의 외부로 흐르지 않도록, 처리 용기(120) 내에 도시하지 않은 배기구를 배치해도 좋다. 이 경우, 제어부(5)(도 1 참조)는, 에어 커튼이 형성되어 있을 때에 배기구로부터 배기함으로써, 에어 커튼의 기류가 처리 용기(120)의 외부로 흐르는 것을 억제할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 처리 용기(120) 내의 상부에는, 세정 가스 및 세정액을 토출하는 세정 노즐(140)이 배치된다. 이러한 세정 노즐(140)은, 반송 아암(110)의 유지부(113)에 대해 상방으로부터 균일하게 세정 가스 및 세정액을 토출할 수 있는 크기[예컨대, 유지부(113)와 대략 동일한 크기]를 갖는다.
세정 노즐(140)에는, 세정 가스의 공급관(141)을 통해 세정 가스 공급원(142)이 접속된다. 공급관(141)에는, 히터 등의 가열 기구(143)가 설치된다. 가열 기구(143)는, 세정 가스 공급원(142)으로부터 공급되는 세정 가스를 가열한다.
또한, 세정 노즐(140)에는, 세정액의 공급관(144)을 통해 세정액 공급원(145)이 접속된다. 공급관(144)에는, 히터 등의 가열 기구(146)가 설치된다. 가열 기구(146)는, 세정액 공급원(145)으로부터 공급되는 세정액을 가열한다. 이러한 세정액은, 예컨대, 미스트 형상이 될 때까지 가열된다.
그리고, 세정액 공급원(145)으로부터 공급된 세정액은, 세정 가스 공급원(142)으로부터 공급된 세정 가스에 의해 높은 토출 압력으로 세정 노즐(140)로부터 토출된다.
또한, 세정 가스에는, 예컨대 질소 가스, 압축 공기, 헬륨 가스 등이 이용된다. 세정액에는, 예컨대 순수(고온이 바람직함), 시너, 아민계 유기 용매, HFE(하이드로플루오로에테르), 아세톤, IPA 등이 이용된다.
세정 노즐(140)은, 도 5에 도시된 바와 같이 아암(147)을 통해 이동 기구(148)에 접속된다. 아암(147)은, 이동 기구(148)에 의해, 처리 용기(120)의 길이 방향(도 5 중의 Y축 방향)으로 연신되어 설치되는 가이드 레일(149)을 따라 이동할 수 있다.
또한, 아암(147)은, 이동 기구(148)에 의해 처리 용기(120)의 폭 방향(도 5 중의 X축 방향)으로 이동할 수 있고, 연직 방향(도 5 중의 Z축 방향)으로도 이동할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 처리 용기(120)의 바닥면에는, 세정 노즐(140)로부터 토출되어 처리 용기(120)의 바닥면으로 낙하한 세정액을 회수하는 배액구(150)가 배치된다. 또한, 배액구(150)에는, 배액관(151)이 접속된다. 또한, 이 배액구(150)는 배기구로서 이용할 수도 있다.
다음으로, 지금까지 설명한 세정 장치(19)에서 행해지는 반송 아암(110)의 세정 처리에 대해 설명한다. 먼저, 제어부(5)는, 반송 아암(110)을 개구부(121)로부터 처리 용기(120) 내로 진입시킨다. 이때, 기체 분사 노즐(132)로부터의 기체의 분사는 정지된다.
그리고, 제어부(5)는, 반송 아암(110)을 소정의 위치까지 진입시키면, 세정 노즐(140)을 반송 아암(110)에 있어서의 하나의 유지부(113) 바로 위로 이동시킨다.
다음으로, 제어부(5)는, 세정 노즐(140)로부터 하나의 유지부(113)를 향해 세정 가스 및 세정액을 토출한다. 이때, 세정액은 가열 기구(146)에 의해 예컨대 70℃로 가열되어, 미스트 형상으로 된다. 또한, 세정 가스도 마찬가지로, 가열 기구(143)에 의해 예컨대 70℃로 가열된다.
그리고, 세정 노즐(140)로부터 토출되는 세정액은, 세정 가스에 의해 강한 압력으로 토출되기 때문에, 미스트 형상의 세정액의 입자가 유지부(113)에 충돌하여, 유지부(113)에 부착된 이물이 제거된다.
또한, 처리 용기(120)의 바닥면으로 낙하한 세정액은, 배액구(150)로부터 배출된다. 또한, 이 세정 노즐(140)로부터의 세정 가스 및 세정액의 토출 중, 제어부(5)는, 기체 분사 노즐(132)로부터 기체를 분사한다.
그러면, 개구부(121)에 에어 커튼이 형성되어, 세정 노즐(140)로부터 토출되는 세정액이 처리 용기(120)의 외부로 비산하는 일이 없다. 또한, 세정 가스 및 세정액의 토출 시에, 제어부(5)는, 세정 가스 및 세정액을 혼합체로 한 후, 이러한 혼합체를 세정 노즐(140)로부터 토출해도 좋다.
제어부(5)는, 이러한 세정 가스 및 세정액의 토출을 소정의 시간 실시하여, 하나의 유지부(113)가 세정되면, 다음으로 세정 노즐(140)로부터 세정 가스만을 분사한다. 이에 의해, 제어부(5)는, 세정액으로 젖은 유지부(113)를 건조시킨다. 또한, 이 유지부(113)를 건조 처리하고 있을 때에도, 제어부(5)는, 기체 분사 노즐(132)로부터 기체를 분사하여, 개구부(121)에 에어 커튼을 형성해 두는 것이 바람직하다.
이와 같이 하나의 유지부(113)의 세정 처리 및 건조 처리가 종료되면, 제어부(5)는, 다음으로 세정 노즐(140)을 다른 유지부(113) 바로 위로 이동시켜, 이러한 다른 유지부(113)의 세정 처리 및 건조 처리를 행한다. 이와 같이 하여, 제어부(5)는, 반송 아암(110)의 3개소의 유지부(113)를 전부 세정한다.
그리고, 모든 유지부(113)의 세정이 종료되면, 제어부(5)는, 반송 아암(110)을 처리 용기(120)로부터 퇴출시킨다. 이때, 제어부(5)는, 기체 분사 노즐(132)로부터 기체를 분사하고, 이 기체를 가열 기구(136)에 의해 예컨대 70℃로 가열한다.
이에 의해, 제어부(5)는, 반송 아암(110)의 유지부(113)가 개구부(121)를 통과할 때, 가열된 기체에 의해 반송 아암(110)을 완전히 건조시킬 수 있다.
<제어 장치의 구성>
다음으로, 실시형태에 따른 제어 장치(4)의 상세한 구성에 대해, 도 6 내지 도 13을 참조하면서 설명한다. 도 6은 실시형태에 따른 제어 장치(4)의 구체적인 구성예를 도시한 블록도이다. 전술한 바와 같이, 제어 장치(4)는, 제어부(5)와 기억부(6)를 구비한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 이러한 기판 처리 시스템(1)을 이용하는 사용자 등으로부터 각종 조작을 접수하는 입력부(예컨대, 키보드나 마우스 등)나, 각종 정보를 표시하기 위한 표시부(예컨대, 액정 디스플레이 등)를 가져도 좋다.
제어부(5)는, 예컨대, CPU(Central Processing Unit: 중앙 처리 유닛)나 MPU(Micro Processing Unit: 마이크로 처리 유닛) 등에 의해, 기억부(6)에 기억되어 있는 각종 프로그램이 RAM(Random Access Memory: 렌덤 액세스 메모리)을 작업 영역으로 하여 실행됨으로써 실현된다. 또한, 제어부(5)는, 예컨대, ASIC(Application Specific Integrated Circuit: 주문형 집적회로)나 FPGA(Field Programmable Gate Array: 전계 프로그램가능 게이트 어레이) 등의 집적 회로에 의해 실현된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제어부(5)는, 기판 처리부(5a)와, 구제 처리부(5b)와, 선택부(5c)와, 반송 처리부(5d)와, 재구제 처리부(5e)와, 검사부(5f)를 갖고, 이하에 설명하는 기판 처리의 기능이나 작용을 실현 또는 실행한다. 또한, 제어부(5)의 내부 구성은, 도 6에 도시된 구성에 한정되지 않고, 후술하는 기판 처리를 행하는 구성이면 다른 구성이어도 좋다.
기억부(6)는, 예컨대, RAM, 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 기억부(6)는, 반송 패턴 기억부(6a)와, 검사 정보 기억부(6b)와, 레시피 정보 기억부(6c)와, 반송 정보 기억부(6d)를 갖는다.
기판 처리부(5a)는, 기억부(6) 등으로부터 웨이퍼(W)의 프로세스 레시피 및 반송 레시피를 판독하고, 이들 레시피에 기초하여 각부를 제어하여, 복수의 처리 유닛(17)에서 각각 웨이퍼(W)의 처리를 실시한다. 프로세스 레시피에는, 웨이퍼(W)의 처리 조건이 미리 설정되고, 반송 레시피에는 웨이퍼(W)의 반송 조건이 미리 설정된다.
예컨대, 프로세스 레시피에는, 에칭액에 의한 에칭 처리와, 린스액에 의한 린스 처리와, 세정액에 의한 세정 처리와, 린스액에 의한 린스 처리와, 건조액에 의한 건조 처리가, 이 순서로 설정된다. 또한, 프로세스 레시피에 설정되는 처리는 상기한 예에 한정되지 않고, 처리 유닛(17)에서 실시 가능한 각종의 처리가 설정되어도 좋다.
구제 처리부(5b)는, 복수의 처리 유닛(17) 중의 하나에서 이상이 발생한 경우에, 이 이상 처리 유닛(17A)(도 8 참조)에서 이상이 발생했을 때에 처리하고 있던 웨이퍼(W)(이하, 체류 웨이퍼라고도 호칭함)에 대해, 동일한 이상 처리 유닛(17A)에서 구제 처리를 행한다. 체류 웨이퍼는, 체류 기판의 일례이다.
이러한 구제 처리는, 예컨대, 린스액을 이용하여 체류 웨이퍼에 부착된 약액을 수세(水洗)하는 처리이다. 이러한 구제 처리(수세 처리)에 의해, 체류 웨이퍼에 부착된 약액에 의한 화학 반응이 정지되기 때문에, 그 후에 잇따르는 기판 처리를 별도로 실시함으로써, 체류 웨이퍼를 폐기하지 않아도 되게 된다.
즉, 실시형태에서는, 처리 유닛(17)에서 이상이 발생한 경우에도, 이 구제 처리에 의해, 폐기되는 웨이퍼(W)의 수를 줄일 수 있다.
선택부(5c)는, 이상 처리 유닛(17A)에서 체류 웨이퍼를 구제 처리할 수 없는 경우에, 반송 패턴 기억부(6a)에 기억된 복수의 반송 패턴으로부터, 반송 처리부(5d)가 실시하는 하나의 반송 패턴을 선택한다. 또한, 선택부(5c)에 의한 반송 패턴의 선택 처리의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
반송 처리부(5d)는, 이상 처리 유닛(17A)에서 체류 웨이퍼를 구제 처리할 수 없는 경우에, 미리 설정되는 반송 패턴에 기초하여, 이상 처리 유닛(17A)으로부터 정상적인 다른 처리 유닛(17)으로 체류 웨이퍼를 반송한다.
예컨대, 반송 처리부(5d)는, 이상 처리 유닛(17A)에서 체류 웨이퍼를 구제 처리할 수 없는 경우에, 선택부(5c)에서 선택된 하나의 반송 패턴에 기초하여, 이상 처리 유닛(17A)으로부터 다른 처리 유닛(17)으로 체류 웨이퍼를 반송한다.
도 7은 실시형태에 따른 반송 패턴 기억부(6a)의 일례를 도시한 도면이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 반송 패턴 기억부(6a)는, 복수의 반송 패턴(예컨대, 패턴 1∼패턴 3)을 기억한다.
반송 패턴 기억부(6a)에 기억되는 반송 패턴에는, 복수의 처리 유닛(17)이 전부 정상인 경우에 실시되는 복수의 웨이퍼(W)의 반송 순서와는 상이한 반송 순서가 포함된다. 이러한 반송 패턴의 구체예에 대해 이하에 설명한다.
도 8은 실시형태에 따른 반송 패턴의 패턴 1을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 8 내지 도 10에서는, 이해를 용이하게 하기 위해서, 정상 시의 웨이퍼(W)의 반송 순서를 좌측에 도시하고, 이상 시의 웨이퍼(W)의 반송 순서를 우측에 도시한다. 또한, 도 8 내지 도 10에서는, 10대의 처리 유닛(17)으로부터 웨이퍼(W)가 반출되는 순서를 원 내의 숫자로 나타내고 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 복수의 반송 패턴의 하나인 패턴 1은, 정상적으로 처리되어 있는 웨이퍼(W)의 반출을 우선하고, 이상 처리 유닛(17A)에서 처리되고 있던 체류 웨이퍼의 반송을 마지막으로 실시하는 반송 패턴이다.
예컨대, 패턴 1에서는, 이상 처리 유닛(17A)에서 처리되고 있던 체류 웨이퍼의 반송 순서를 정상 시의 7번째로부터 최후의 10번째로 변경한다. 또한, 복수의 처리 유닛(17)에서 각각 정상적으로 처리된 복수의 웨이퍼(W)끼리의 사이에서는, 예정되어 있던 반송 순서에 따른 순서로 웨이퍼(W)가 반출된다.
그리고, 반송 처리부(5d)는, 기판 반송 장치(18) 등을 제어하여, 정상적으로 처리된 웨이퍼(W)를 선택된 패턴 1에 기초한 순서로 반출하고, 체류 웨이퍼를 패턴 1에 기초한 순서로 이상 처리 유닛(17A)으로부터 비어 있는 다른 처리 유닛(17)으로 반송한다.
도 9는 실시형태에 따른 반송 패턴의 패턴 2를 설명하기 위한 도면이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 반송 패턴의 하나인 패턴 2는, 이상 처리 유닛(17A)에서 체류하는 체류 웨이퍼의 반송을 우선하여, 이상 처리 유닛(17A)에서 처리되고 있던 체류 웨이퍼의 반송을 먼저 실시하는 반송 패턴이다.
예컨대, 패턴 2에서는, 이상 처리 유닛(17A)에서 처리되고 있던 체류 웨이퍼의 반송 순서를 정상 시의 7번째로부터 2번째로 변경한다. 왜 최초(1번째)가 아니라 2번째냐고 하면, 체류 웨이퍼를 다른 처리 유닛(17)으로 반송하기 위해서는, 반송처인 다른 처리 유닛(17)으로부터 최초로 웨이퍼(W)를 반출할 필요가 있기 때문이다.
또한, 복수의 처리 유닛(17)에서 각각 정상적으로 처리된 복수의 웨이퍼(W)끼리의 사이에서는, 예정되어 있던 반송 순서에 따른 순서로 웨이퍼(W)가 반출된다.
그리고, 반송 처리부(5d)는, 기판 반송 장치(18) 등을 제어하여, 정상적으로 처리된 웨이퍼(W)를 선택된 패턴 2에 기초한 순서로 반출하고, 체류 웨이퍼를 패턴 2에 기초한 순서로 이상 처리 유닛(17A)으로부터 비어 있는 다른 처리 유닛(17)으로 반송한다.
도 10은 실시형태에 따른 반송 패턴의 패턴 3을 설명하기 위한 도면이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 복수의 반송 패턴의 하나인 패턴 3은, 이상 처리 유닛(17A)을 포함한 모든 처리 유닛(17)에서 처리되는 웨이퍼(W) 중에서, Q-Time이 짧은 웨이퍼(W)의 반송을 우선하는 반송 패턴이다.
여기서, Q-time이란, 예컨대 드라이 에칭에 의해 노출된 금속 배선의 산화 등을 방지하기 위해서, 드라이 에칭 후의 방치 시간에 대해 설정되는 제한 시간을 말한다.
그리고, 반송 처리부(5d)는, 기판 반송 장치(18) 등을 제어하여, 정상적으로 처리된 웨이퍼(W)를 선택된 패턴 3에 기초한 순서로 반출하고, 체류 웨이퍼를 패턴 3에 기초한 순서로 이상 처리 유닛(17A)으로부터 비어 있는 다른 처리 유닛(17)으로 반송한다.
도 6의 설명으로 되돌아간다. 재구제 처리부(5e)는, 다른 처리 유닛(17)으로 반송된 체류 웨이퍼에 대해, 다시 구제 처리(이하, 재구제 처리라고도 호칭함)를 행한다. 이러한 재구제 처리는, 전술한 구제 처리와 동일한 처리이고, 예컨대, 린스액을 이용하여 체류 웨이퍼에 부착된 약액을 수세하는 처리이다.
이러한 재구제 처리에 의해, 체류 웨이퍼에 부착된 약액에 의한 화학 반응이 정지되기 때문에, 그 후에 잇따르는 기판 처리를 별도로 실시함으로써, 체류 웨이퍼를 폐기하지 않아도 되게 된다.
즉, 실시형태에서는, 이상 처리 유닛(17A)에서 구제 처리를 실시할 수 없는 경우라도, 이 재구제 처리에 의해, 폐기되는 웨이퍼(W)의 수를 줄일 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 반송 처리부(5d)가, 체류 웨이퍼를 이상 처리 유닛(17A)으로부터 비어 있는 다른 처리 유닛(17)으로 반송한 직후[즉, 다음 순서의 웨이퍼(W)를 반출하기 전]에, 세정 장치(19)로 기판 반송 장치(18)를 세정하면 된다.
이에 의해, 체류 웨이퍼에 부착되는 약액에 의해 기판 반송 장치(18)가 오염된 경우에도, 정상적으로 처리된 웨이퍼(W)가 기판 반송 장치(18)에 의해 오염되는 것을 억제할 수 있다.
검사부(5f)는, 구제 처리 또는 재구제 처리된 체류 웨이퍼의 처리 상태를 검사 장치(15)로 검사한다. 또한, 검사부(5f)는, 검사 장치(15)로 검사된 체류 웨이퍼의 각종 파라미터를 기억부(6)의 검사 정보 기억부(6b), 레시피 정보 기억부(6c) 및 반송 정보 기억부(6d)에 기억한다.
검사 정보 기억부(6b)는, 체류 웨이퍼의 검사 결과에 관한 검사 정보를 기억한다. 도 11은 실시형태에 따른 검사 정보 기억부(6b)의 일례를 도시한 도면이다. 도 11에 도시된 검사 정보 기억부(6b)에는, 웨이퍼 ID와, 프로세스 처리 시 알람과, 구제 처리 시 알람과, 프로세스 재개 시간과, 반송 패턴과, 검사 결과가 대응되어 기억된다.
여기서, 웨이퍼 ID란, 체류 웨이퍼를 식별하기 위한 식별자이다. 프로세스 처리 시 알람이란, 대응된 웨이퍼 ID가 나타내는 체류 웨이퍼가 처리되고 있던 이상 처리 유닛(17A)에 있어서, 프로세스 처리 시에(즉, 구제 처리 전에) 발생한 알람의 종류를 나타내는 정보이다.
구제 처리 시 알람이란, 대응된 웨이퍼 ID가 나타내는 체류 웨이퍼가 처리되고 있던 이상 처리 유닛(17A)에 있어서, 구제 처리 시에(즉, 재구제 처리 전에) 발생한 알람의 종류를 나타내는 정보이다. 프로세스 처리 시 알람 및 구제 처리 시 알람은, 이상 정보의 일례이다.
프로세스 재개 시간이란, 대응된 웨이퍼 ID가 나타내는 체류 웨이퍼에 있어서, 정상적인 처리가 중단되고 나서, 잇따르는 처리가 재개될 때까지 경과한 시간을 나타내는 정보이다.
반송 패턴이란, 대응된 웨이퍼 ID가 나타내는 체류 웨이퍼가 이상 처리 유닛(17A)으로부터 정상적인 처리 유닛(17)으로 반송될 때에, 선택부(5c)에 의해 선택되어 있던 반송 패턴을 나타내는 정보이고, 반송 패턴 정보의 일례이다. 검사 결과란, 대응된 웨이퍼 ID가 나타내는 체류 웨이퍼의 검사 장치(15)에 의한 검사 결과를 나타내는 정보이고, 검사 정보의 일례이다.
레시피 정보 기억부(6c)는, 체류 웨이퍼의 반송 처리 및 프로세스 처리에 관한 레시피 정보를 기억한다. 도 12는 실시형태에 따른 레시피 정보 기억부(6c)의 일례를 도시한 도면이다. 도 12에 도시된 레시피 정보 기억부(6c)에는, 전술한 웨이퍼 ID와, 반송 레시피와, 프로세스 레시피가 대응되어 기억된다.
반송 레시피란, 대응된 웨이퍼 ID가 나타내는 체류 웨이퍼에 있어서 미리 설정되어 있던 반송 레시피를 나타내는 정보이다. 프로세스 레시피란, 대응된 웨이퍼 ID가 나타내는 체류 웨이퍼에 있어서 미리 설정되어 있던 프로세스 레시피를 나타내는 정보이다. 반송 레시피 및 프로세스 레시피는, 레시피 정보의 일례이다.
반송 정보 기억부(6d)는, 체류 웨이퍼의 반송 처리에 관한 반송 정보를 기억한다. 도 13은 실시형태에 따른 반송 정보 기억부(6d)의 일례를 도시한 도면이다. 도 13에 도시된 반송 정보 기억부(6d)에는, 전술한 웨이퍼 ID와, Q-Time 설정 시간과, 캐리어 반출 반입 시간과, 반송 통과 모듈이 대응되어 기억된다.
Q-Time 설정 시간이란, 대응된 웨이퍼 ID가 나타내는 체류 웨이퍼에 있어서 미리 설정되어 있던 Q-Time을 나타내는 정보이다. 캐리어 반출 반입 시간이란, 대응된 웨이퍼 ID가 나타내는 체류 웨이퍼가 캐리어(C)(도 1 참조)로부터 반출되고 나서, 캐리어(C)에 반입될 때까지의 시간을 나타내는 정보이다.
반송 통과 모듈이란, 대응된 웨이퍼 ID가 나타내는 체류 웨이퍼가 기판 처리 시스템(1)에서 반송될 때에 통과하는 각종 모듈을 나타내는 정보이다. 반송 통과 모듈에는, 예컨대, 캐리어(C)가 배치되어 있던 스테이지의 번호(S1 등), 체류 웨이퍼가 처리된 처리 유닛(17)의 번호(P1 등) 및 체류 웨이퍼가 검사된 검사 장치(15)의 번호(T1 등) 등이 기억된다.
또한, 반송 정보 기억부(6d)에는, 기판 처리 시스템(1) 내의 각종 모듈에 체류 웨이퍼가 각각 위치하고 있던 시간의 상세가 기억되어도 좋다.
여기서, 실시형태에서는, 지금까지 설명한 기억부(6)의 검사 정보 기억부(6b), 레시피 정보 기억부(6c) 및 반송 정보 기억부(6d)에 기억된 각종 정보를 이용하여, 선택부(5c)가, 복수의 반송 패턴으로부터 하나의 반송 패턴을 선택하면 된다. 선택부(5c)에 의한 반송 패턴의 선택 처리의 상세한 내용에 대해, 이하에 설명한다.
먼저, 선택부(5c)는, 검사 정보 기억부(6b)에 기억되는 「프로세스 처리 시 알람」 및 「구제 처리 시 알람」과, 레시피 정보 기억부(6c)에 기억되는 「반송 레시피」 및 「프로세스 레시피」가 전부 일치하는 데이터를 추출한다.
그리고, 추출된 데이터가 주어진 수 이상인 경우, 선택부(5c)는, 추출된 데이터 중에서, 또한 각 「반송 패턴」마다의 데이터를 각각 추출한다.
그리고, 추출된 각 「반송 패턴」마다의 데이터가 주어진 수 이상인 경우, 선택부(5c)는, 각 「반송 패턴」마다의 검사 결과에 있어서의 이상률을 산출하고, 산출된 이상률이 가장 낮은 반송 패턴을 선택한다.
이와 같이, 선택부(5c)는, 이상 처리 유닛(17A)에서 발생한 이상의 종류에 기초하여, 복수의 반송 패턴으로부터 하나의 반송 패턴을 선택하면 된다. 이에 의해, 반송 처리부(5d)는, 가장 이상률이 낮은 반송 패턴으로 체류 웨이퍼를 이상 처리 유닛(17A)으로부터 다른 처리 유닛(17)으로 반송할 수 있다.
따라서, 실시형태에 의하면, 재구제 처리에 의해 구제되는 체류 웨이퍼의 수를 더욱 늘릴 수 있기 때문에, 폐기되는 웨이퍼(W)의 수를 더욱 줄일 수 있다.
또한, 상기한 선택 처리에서 추출되는 데이터가 주어진 수보다 적은 경우, 선택부(5c)는, 미리 설정된 반송 패턴을 선택하면 된다. 예컨대, 선택부(5c)는, 통상 상태에서는 체류 웨이퍼의 구제 처리가 우선되는 패턴 2를 선택하고, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 웨이퍼(W)의 처리 대기 작업이 많아진 경우에는, 정상적인 웨이퍼(W)의 처리가 우선되는 패턴 1을 선택해도 좋다.
또한, 선택부(5c)는, 기판 처리 시스템(1)보다 후공정의 제품 검사에서 Q-Time 초과에 의한 제품 불량이 산견(散見)되는 경우에는, Q-Time이 짧은 웨이퍼(W)의 처리가 우선되는 패턴 3을 선택해도 좋다.
또한, 상기한 선택 처리에서 추출되는 데이터가 주어진 수보다 적은 경우, 선택부(5c)는, 단순히 이상률이 가장 낮은 반송 패턴을 선택해도 좋다.
또한, 어떤 특정한 처리 유닛(17)에서 재구제 처리를 행한 경우에, 다른 처리 유닛(17)에서 재구제 처리를 행한 경우보다 이상률이 현저히 높은 경우, 반송 처리부(5d)는, 이러한 이상률이 높은 처리 유닛(17)으로 체류 웨이퍼를 반송하지 않도록 해도 좋다.
이에 의해, 재구제 처리에 의해 구제되는 체류 웨이퍼의 수를 더욱 늘릴 수 있기 때문에, 폐기되는 웨이퍼(W)의 수를 더욱 줄일 수 있다.
실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 복수의 처리 유닛(17)과, 반송 장치[기판 반송 장치(18)]와, 제어부(5)를 구비한다. 복수의 처리 유닛(17)은, 기판[웨이퍼(W)]에 동종의 처리를 실시할 수 있다. 반송 장치[기판 반송 장치(18)]는, 복수의 처리 유닛(17)에 기판[웨이퍼(W)]의 반송을 행한다. 제어부(5)는, 복수의 처리 유닛(17) 및 반송 장치[기판 반송 장치(18)]를 제어한다. 또한, 제어부(5)는, 구제 처리부(5b)와, 반송 처리부(5d)와, 재구제 처리부(5e)를 갖는다. 구제 처리부(5b)는, 이상이 발생한 이상 처리 유닛(17A)에서 처리 중인 체류 기판(체류 웨이퍼)에 대해, 이상 처리 유닛(17A)에서 구제 처리를 행한다. 반송 처리부(5d)는, 이상 처리 유닛(17A)에서 체류 기판(체류 웨이퍼)을 구제 처리할 수 없는 경우에, 미리 설정되는 반송 패턴에 기초하여, 이상 처리 유닛(17A)으로부터 다른 처리 유닛(17)으로 체류 기판(체류 웨이퍼)을 반송한다. 재구제 처리부(5e)는, 다른 처리 유닛(17)으로 반송된 체류 기판(체류 웨이퍼)에 대해 다시 구제 처리를 행한다. 이에 의해, 처리 유닛(17)에 있어서 이상이 발생한 경우에도, 폐기되는 웨이퍼(W)의 수를 줄일 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 반송 패턴에는, 복수의 처리 유닛(17)이 전부 정상인 경우에 실시되는 복수의 기판[웨이퍼(W)]의 반송 순서와는 상이한 반송 순서가 포함된다. 이에 의해, 처리 유닛(17)에 있어서 이상이 발생한 경우에도, 폐기되는 웨이퍼(W)의 수를 줄일 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 제어부(5)는, 각각 반송 순서가 상이한 복수의 반송 패턴으로부터, 반송 처리부(5d)가 실시하는 하나의 반송 패턴을 선택하는 선택부(5c)를 더 갖는다. 이에 의해, 처리 유닛(17)에 있어서 이상이 발생한 경우에도, 폐기되는 웨이퍼(W)의 수를 줄일 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 선택부(5c)는, 이상 처리 유닛(17A)에서 발생한 이상의 종류에 기초하여, 복수의 반송 패턴으로부터 하나의 반송 패턴을 선택한다. 이에 의해, 폐기되는 웨이퍼(W)의 수를 더욱 줄일 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 검사 장치(15)와, 기억부(6)를 구비한다. 검사 장치(15)는, 처리 후의 기판[웨이퍼(W)]의 처리 상태를 검사한다. 기억부(6)는, 검사 정보와, 반송 패턴 정보와, 이상 정보와, 레시피 정보를 대응시켜 기억한다. 검사 정보는, 검사 장치(15)로 검사된 체류 기판(체류 웨이퍼)의 처리 상태에 관한 정보이다. 반송 패턴 정보는, 체류 기판(체류 웨이퍼)을 다른 처리 유닛(17)에 반송할 때의 반송 패턴에 관한 정보이다. 이상 정보는, 이상 처리 유닛(17A)에서 발생한 이상의 종류에 관한 정보이다. 레시피 정보는, 체류 기판(체류 웨이퍼)의 처리에 관련된 레시피에 관한 정보이다. 이에 의해, 처리 유닛(17)에 있어서 이상이 발생한 경우에도, 폐기되는 웨이퍼(W)의 수를 줄일 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 선택부(5c)는, 기억부(6)에 기억된 검사 정보와, 반송 패턴 정보와, 이상 정보와, 레시피 정보에 기초하여, 복수의 반송 패턴으로부터 하나의 반송 패턴을 선택한다. 이에 의해, 폐기되는 웨이퍼(W)의 수를 더욱 줄일 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 반송 장치[기판 반송 장치(18)]를 세정하는 세정 장치(19)를 더 구비한다. 또한, 반송 처리부(5d)는, 반송 장치[기판 반송 장치(18)]로 이상 처리 유닛(17A)으로부터 다른 처리 유닛(17)으로 체류 기판(체류 웨이퍼)을 반송한 직후에, 세정 장치(19)로 반송 장치[기판 반송 장치(18)]를 세정한다. 이에 의해, 체류 웨이퍼에 부착되는 약액에 의해 기판 반송 장치(18)가 오염된 경우에도, 정상적으로 처리된 웨이퍼(W)가 기판 반송 장치(18)에 의해 오염되는 것을 억제할 수 있다.
<기판 처리의 순서>
계속해서, 실시형태에 따른 기판 처리의 순서에 대해, 도 14를 참조하면서 설명한다. 도 14는 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 기판 처리의 순서를 도시한 흐름도이다.
최초로, 제어부(5)는, 미리 설정된 반송 레시피에 기초하여 기판 반송 장치(13, 18) 등을 제어하여, 각 처리 유닛(17)에 웨이퍼(W)를 반입한다(단계 S101). 그리고, 기판 처리부(5a)는, 미리 설정된 프로세스 레시피에 기초하여 각 처리 유닛(17)을 제어하여, 복수의 웨이퍼(W)를 처리한다(단계 S102).
다음으로, 제어부(5)는, 모든 처리 유닛(17)에서 처리가 정상적으로 종료되었는지의 여부를 판정한다(단계 S103). 여기서, 모든 처리 유닛(17)에서 처리가 정상적으로 종료된 경우(단계 S103, Yes), 제어부(5)는, 각 처리 유닛(17)으로부터 웨이퍼(W)를 반출하고(단계 S104), 일련의 처리를 완료한다.
한편, 어느 하나의 처리 유닛(17)에서 처리가 정상적으로 종료되지 않은 경우(단계 S103, No), 구제 처리부(5b)는, 이상 처리 유닛(17A)에 체류하는 체류 웨이퍼에 대해, 이러한 이상 처리 유닛(17A)에서 구제 처리를 실시한다(단계 S105). 그리고, 제어부(5)는, 이러한 이상 처리 유닛(17A)에서 구제 처리가 정상적으로 종료되었는지의 여부를 판정한다(단계 S106).
여기서, 이상 처리 유닛(17A)에서 구제 처리가 정상적으로 종료된 경우(단계 S106, Yes), 제어부(5)는, 단계 S104의 처리로 이행한다.
한편, 이상 처리 유닛(17A)에서 구제 처리가 정상적으로 종료되지 않은 경우(단계 S106, No), 선택부(5c)는, 복수의 반송 패턴으로부터 하나의 반송 패턴을 선택한다(단계 S107).
다음으로, 반송 처리부(5d)는, 선택된 반송 패턴에 기초하여, 체류 웨이퍼를 이상 처리 유닛(17A)으로부터 다른 처리 유닛(17)으로 반송한다(단계 S108). 그리고, 재구제 처리부(5e)는, 체류 웨이퍼에 대해 다른 처리 유닛(17)에서 재구제 처리를 실시하고(단계 S109), 단계 S104의 처리로 이행한다.
실시형태에 따른 기판 처리 방법은, 구제 공정(단계 S105)과, 반송 공정(단계 S108)과, 재구제 공정(단계 S109)을 포함한다. 구제 공정(단계 S105)은, 기판[웨이퍼(W)]에 동종의 처리를 실시할 수 있는 복수의 처리 유닛(17) 중, 이상이 발생한 이상 처리 유닛(17A)에서 처리 중인 체류 기판(체류 웨이퍼)에 대해, 이상 처리 유닛(17A)에서 구제 처리를 행한다. 반송 공정(단계 S108)은, 이상 처리 유닛(17A)에서 체류 기판(체류 웨이퍼)을 구제 처리할 수 없는 경우에, 미리 설정되는 반송 패턴에 기초하여, 이상 처리 유닛(17A)으로부터 다른 처리 유닛(17)으로 체류 기판(체류 웨이퍼)을 반송한다. 재구제 공정(단계 S109)은, 다른 처리 유닛(17)으로 반송된 체류 기판(체류 웨이퍼)에 대해 다시 구제 처리를 행한다. 이에 의해, 처리 유닛(17)에 있어서 이상이 발생한 경우에도, 폐기되는 웨이퍼(W)의 수를 줄일 수 있다.
이상, 본 개시의 실시형태에 대해 설명하였으나, 본 개시는 상기한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 여러 가지 변경이 가능하다. 예컨대, 상기한 실시형태에서는, 웨이퍼(W)를 웨트 프로세스로 처리하는 처리 유닛(17)이 복수 설치되는 예에 대해 나타내었으나, 웨이퍼(W)를 각종의 드라이 프로세스로 처리하는 처리 유닛이 복수 설치되어도 좋다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기한 실시형태는, 첨부된 특허청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
또한, 전술해 온 「부(section, module, unit)」는, 「수단」이나 「회로」 등으로 바꿔 읽을 수 있다. 예컨대, 선택부는, 선택 수단이나 선택 회로로 바꿔 읽을 수 있다.
W: 웨이퍼(기판의 일례) 1: 기판 처리 시스템
4: 제어 장치 5: 제어부
5b: 구제 처리부 5c: 선택부
5d: 반송 처리부 5e: 재구제 처리부
5f: 검사부 6: 기억부
6a: 반송 패턴 기억부 6b: 검사 정보 기억부
6c: 레시피 정보 기억부 6d: 반송 정보 기억부
15: 검사 장치 17: 처리 유닛
17A: 이상 처리 유닛 18: 기판 반송 장치(반송 장치의 일례)
19: 세정 장치

Claims (8)

  1. 기판에 동종의 처리를 실시할 수 있는 복수의 처리 유닛과,
    복수의 상기 처리 유닛으로 상기 기판의 반송을 행하는 반송 장치와,
    복수의 상기 처리 유닛 및 상기 반송 장치를 제어하는 제어부
    를 구비하고,
    상기 제어부는,
    이상이 발생한 이상 처리 유닛에서 처리 중인 체류 기판에 대해, 상기 이상 처리 유닛에서 구제 처리를 행하는 구제 처리부와,
    상기 이상 처리 유닛에서 상기 체류 기판을 구제 처리할 수 없는 경우에, 미리 설정되는 반송 패턴에 기초하여, 상기 이상 처리 유닛으로부터 다른 상기 처리 유닛으로 상기 체류 기판을 반송하는 반송 처리부와,
    다른 상기 처리 유닛으로 반송된 상기 체류 기판에 대해 다시 구제 처리를 행하는 재구제 처리부
    를 갖는 것인, 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반송 패턴에는, 복수의 상기 처리 유닛이 전부 정상인 경우에 실시되는 복수의 상기 기판의 반송 순서와는 상이한 반송 순서가 포함되는 것인, 기판 처리 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제어부는, 각각 반송 순서가 상이한 복수의 상기 반송 패턴으로부터, 상기 반송 처리부가 실시하는 하나의 상기 반송 패턴을 선택하는 선택부를 더 갖는 것인, 기판 처리 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 선택부는, 상기 이상 처리 유닛에서 발생한 이상의 종류에 기초하여, 복수의 상기 반송 패턴으로부터 하나의 상기 반송 패턴을 선택하는 것인, 기판 처리 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    처리 후의 상기 기판의 처리 상태를 검사하는 검사 장치와,
    상기 검사 장치로 검사된 상기 체류 기판의 처리 상태에 관한 검사 정보와, 상기 체류 기판을 다른 상기 처리 유닛으로 반송할 때의 상기 반송 패턴에 관한 반송 패턴 정보와, 상기 이상 처리 유닛에서 발생한 이상의 종류에 관한 이상 정보와, 상기 체류 기판의 처리에 관련된 레시피에 관한 레시피 정보를 대응시켜 기억하는 기억부
    를 더 구비하는 것인, 기판 처리 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 선택부는, 상기 기억부에 기억된 상기 검사 정보와, 상기 반송 패턴 정보와, 상기 이상 정보와, 상기 레시피 정보에 기초하여, 복수의 상기 반송 패턴으로부터 하나의 상기 반송 패턴을 선택하는 기판 처리 시스템.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반송 장치를 세정하는 세정 장치를 더 구비하고,
    상기 반송 처리부는, 상기 반송 장치로 상기 이상 처리 유닛으로부터 다른 상기 처리 유닛으로 상기 체류 기판을 반송한 직후에, 상기 세정 장치로 상기 반송 장치를 세정하는 것인, 기판 처리 시스템.
  8. 기판에 동종의 처리를 실시할 수 있는 복수의 처리 유닛 중, 이상이 발생한 이상 처리 유닛에서 처리 중인 체류 기판에 대해, 상기 이상 처리 유닛에서 구제 처리를 행하는 구제 공정과,
    상기 이상 처리 유닛에서 상기 체류 기판을 구제 처리할 수 없는 경우에, 미리 설정되는 반송 패턴에 기초하여, 상기 이상 처리 유닛으로부터 다른 상기 처리 유닛으로 상기 체류 기판을 반송하는 반송 공정과,
    다른 상기 처리 유닛으로 반송된 상기 체류 기판에 대해 다시 구제 처리를 행하는 재구제 공정
    을 포함하는 것인, 기판 처리 방법.
KR1020210141254A 2020-11-02 2021-10-21 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 KR20220059406A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-183640 2020-11-02
JP2020183640A JP2022073574A (ja) 2020-11-02 2020-11-02 基板処理システムおよび基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220059406A true KR20220059406A (ko) 2022-05-10

Family

ID=81362312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210141254A KR20220059406A (ko) 2020-11-02 2021-10-21 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2022073574A (ko)
KR (1) KR20220059406A (ko)
CN (1) CN114446820A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009148734A (ja) 2007-12-21 2009-07-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法並びに記憶媒体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009148734A (ja) 2007-12-21 2009-07-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法並びに記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
CN114446820A (zh) 2022-05-06
JP2022073574A (ja) 2022-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107154371B (zh) 液处理方法、基板处理装置以及存储介质
US20030084918A1 (en) Integrated dry-wet processing apparatus and method for removing material on semiconductor wafers using dry-wet processes
CN109427627B (zh) 液处理装置和液处理方法
KR19980025067A (ko) 세정장치 및 세정방법
KR102189980B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US11344931B2 (en) Method of removing particles of substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus
JP2003059884A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7038524B2 (ja) 基板処理装置の洗浄装置および洗浄方法
KR20190008939A (ko) 기판 처리 장치
TWI755624B (zh) 晶圓清潔方法以及清潔腔室
KR19980024314A (ko) 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
US6620260B2 (en) Substrate rinsing and drying method
KR102658594B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP2002110612A (ja) 洗浄処理方法および洗浄処理装置
KR20220059406A (ko) 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
KR102414577B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2022063227A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR100564622B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 린스 및 건조장치 및 방법
JP6795068B2 (ja) 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体
JP2007266553A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN115769347A (zh) 基板处理模块和基板处理装置
JP2007324610A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101979602B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20040063920A (ko) 건식-습식 처리를 이용한 반도체 웨이퍼 상에서 재료를제거하기 위한 집적 전식-습식 처리장치 및 방법
JP2005175036A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination