KR20220058781A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20220058781A
KR20220058781A KR1020200143602A KR20200143602A KR20220058781A KR 20220058781 A KR20220058781 A KR 20220058781A KR 1020200143602 A KR1020200143602 A KR 1020200143602A KR 20200143602 A KR20200143602 A KR 20200143602A KR 20220058781 A KR20220058781 A KR 20220058781A
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조순천
최성민
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세메스 주식회사
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Abstract

상부가 개방된 처리 공간을 가지는 하우징 및 상기 개방된 상부를 덮는 윈도우를 가지는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지유닛; 상기 공정 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 공정 챔버 내에서 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 하나의 안테나를 가지는 플라즈마 발생 유닛; 및 마이크로웨이브를 상기 공정 챔버에 인가하는 마이크로웨이브 유닛;을 포함하고, 상기 플라즈마 발생 유닛은 상기 마이크로웨이브 유닛의 하단부에 위치할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARTUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 발명이다. 보다 상세하게는, 마이크로웨이브를 이용하는 열처리 장치에 관한 발명이다.
기존의 기판 처리 장치에서, 기판의 어닐링(annealing)을 위해서는 세라믹 히터를 사용하여 기판을 가열하였다. 기존의 히터를 이용하여 기판을 가열하는 방식의 경우, 승온 및 감온에 시간이 오래 걸리는 단점이 있다. 또한 기판 전체의 온도가 올라가게 되는 문제점이 있다. 또한 150도 이상의 고온 가열에 한계가 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 레이저를 이용한 가열 방식이나 또는 플래시 램프(flash ramp)를 사용하는 방식 등이 제시되었으나, 이러한 방법들의 경우 기판 전체의 온도를 올리기는 어려운 문제점이 있었다.
따라서, 이와 같이 기판의 표면 온도만 빠른 속도로 어닐링 할 수 있는 새로운 가열 방법이 요구된다.
본 발명은 히터를 사용하지 아니하고 기판을 가열할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 예시에 따른 기판 처리 장치가 개시된다.
상기 장치는, 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 하우징 및 상기 개방된 상부를 덮는 윈도우를 가지는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지유닛; 상기 공정 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 공정 챔버 내에서 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 하나의 안테나를 가지는 플라즈마 발생 유닛; 및 마이크로웨이브를 상기 공정 챔버에 인가하는 마이크로웨이브 유닛;을 포함하고, 상기 플라즈마 발생 유닛은 상기 마이크로웨이브 유닛의 하단부에 위치할 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 플라즈마 발생 유닛의 하단부에 배치되는 필터 유닛;을 더 포함할 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 필터 유닛은, 상기 플라즈마 발생 유닛에서 생성되는 이온 에너지 중 원하는 이온 에너지를 통과시키는 필터 유닛일 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 플라즈마 발생 유닛과, 상기 필터 유닛은 쿼츠 튜브를 둘러싸도록 제공될 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 필터 유닛은, 상기 쿼츠 튜브를 둘러싸는 금속 튜브; 및 상기 금속 튜브에 연결되는 고주파 전원;을 포함할 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 기판 처리 장치는, 상기 고주파 전원의 주파수를 조절하여 상기 플라즈마 발생 유닛에서 생성되는 이온 에너지를 필터링 할 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 열을 이용한 ALE(Thermal atomic layer etching) 공정에서 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 일 예시에 따라 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법이 개시된다.
상기 방법은, 상기 마이크로웨이브 유닛을 이용하여 마이크로웨이브를 상기 챔버 내로 인가하는 단계; 상기 플라즈마 발생 유닛을 이용하여 플라즈마를 상기 챔버 내로 인가하는 단계; 상기 필터 유닛을 이용하여 인가되는 플라즈마의 이온 에너지를 조절하는 단계;를 포함할 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 필터 유닛을 이용하여 인가되는 플라즈마의 이온 에너지를 조절하는 단계;는, 상기 고주파 전원의 주파수를 조절하여 상기 플라즈마 발생 유닛에서 생성되는 이온 에너지를 필터링 할 수 있다.
본 발명에 따르면 히터를 사용하지 아니하고 기판을 가열할 수 있다.
본 발명에 따르면 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 보다 균일하게 제어할 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일 예시를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일 예시를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 명세서 전체에서 사용되는 '~부'는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위로서, 예를 들어 소프트웨어, FPGA 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미할 수 있다. 그렇지만 '~부'가 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부'는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다.
일 예로서 '~부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로 코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들 및 변수들을 포함할 수 있다. 구성요소와 '~부'에서 제공하는 기능은 복수의 구성요소 및 '~부'들에 의해 분리되어 수행될 수도 있고, 다른 추가적인 구성요소와 통합될 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 각 도면은 명확한 설명을 위해 일부가 간략하거나 과장되게 표현되었다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호를 가지도록 도시되었음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)의 일 예시를 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는 하우징(110), 윈도우(120), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(미도시), 플라즈마 발생 유닛(300), 마이크로웨이브 유닛(400) 및 필터 유닛(500)을 포함할 수 있다.
공정 챔버(110, 120)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버는 하우징(110), 윈도우(120), 그리고 라이너를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 갖는다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀이 형성된다. 배기홀은 배기 라인과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정의 압력으로 감압된다.
윈도우(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 윈도우(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시킨다. 윈도우(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.
하우징(110)의 내부에는 기판 지지 유닛(200)이 위치한다. 기판 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 기판 지지 유닛(200)에는 히터가 포함되지 않을 수 있다.
가스 공급 유닛은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛은 가스 공급 노즐, 가스 공급 라인 및 가스 저장부를 포함한다. 가스 공급 라인은 가스 공급 노즐과 가스 저장부를 연결한다. 가스 공급 라인은 가스 저장부에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐에 공급한다. 가스 공급 라인에는 밸브가 설치된다. 밸브는 가스 공급 라인을 개폐하며, 가스 공급 라인을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
플라즈마 발생 유닛(300)은 챔버 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 플라즈마 발생 유닛(300)은 ICP 타입으로 구성될 수 있다.
플라즈마 발생 유닛(300)은 제1 고주파 전원(미도시), 안테나(320)를 포함할 수 있다. 제1 고주파 전원은 고주파 신호를 공급한다. 일 예로, 제1 고주파 전원은 RF 전원일 수 있다. RF 전원은 RF 전력을 공급한다. 안테나(320)는 복수 회로 감긴 코일로 제공될 수 있다. 안테나는(320) RF 전원에 전기적으로 연결되어 RF 전력을 인가받는다. 안테나(320)는 RF 전원으로부터 RF 전력을 인가받아 챔버에 시변 전자장을 유도할 수 있으며, 그에 따라 공정 챔버(100)에 공급된 공정 가스는 플라즈마로 여기될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)의 일 예시를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 마이크로웨이브 유닛(400)이 플라즈마 발생 유닛(300)의 상부에 배치된 예시가 개시된다. 마이크로웨이브 유닛(400)은 지지 유닛(200) 상의 기판의 어닐링 처리를 위해 마이크로웨이브를 인가할 수 있다. 마이크로웨이브의 파장은 반도체 칩의 금속 배선층 두께 및 간격보다 훨씬 길기 때문에 마이크로웨이브가 금속물질로 침투하는 깊이는 수 ㎛ 미만이다. 일 예시에 따르면, 마이크로웨이브 열처리에 의해 기판 또는 다이의 표면을 발열시켜, 표면 온도를 목표 온도로 급속하게 승온시킬 수 있는 효과가 있다. 마이크로웨이브 유닛(400)은 윈도우 유닛(120)의 중앙부에 대응하는 위치에 설치될 수 있다. 마이크로웨이브 유닛(400)의 저면에는 분사구가 형성될 수 있다. 분사구를 통해 마이크로웨이브 유닛(400)은 마이크로웨이브를 챔버 내로 인가할 수 있다.
마이크로웨이브 유닛(400)은 하우징 내에 마이크로웨이브를 인가하는 도파관을 포함할 수 있다. 마이크로웨이브 유닛(400)은 1 내지 5 GHz 주파수의 마이크로웨이브를 인가할 수 있다. 도파관은 마그네트론으로부터 발생된 마이크로파를 챔버 내로 인가할 수 있다. 일 예시에 따르면, 마그네트론은 10MHz 내지 10GHz 대역의 전자파를 발진할 수 있다. 바람직하게는 마그네트론은 2.45GHz 전자파를 발진할 수 있다. 한편, 플라즈마 소스는 유도결합 플라즈마 또는 용량 결합 플라즈마 타입으로 제공될 수도 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마는 대기압 플라즈마이다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 마이크로웨이브에 의해 기판의 표면이 선택적으로 가열되므로, 승온 속도 및 냉각 속도가 빠르고, 짧은 시간 내에 기판의 표면을 목표 온도로 가열할 수 있어 공정 시간을 단축할 수 있다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는 열을 이용한 ALE(Thermal atomic layer etching) 공정에서 사용될 수 있다. 일 예시에 따르면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 마이크로웨이브 열을 이용한 열처리(wafer heat treatment)가 포함된 공정에서 사용될 수 있다. 일 예시에 따르면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 t-ALD(thermal atomic layer deposition), t-ALE(thermal atmic layer etching) 공정 등에서 사용될 수 있다.
일 예시에 따르면, 본 발명에 따른 마이크로웨이브 유닛(400)은 마이크로웨이브 플라즈마 토치(미도시)를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 마이크로웨이브 유닛(400)은, 마이크로웨이브 플라즈마 토치에서 토출되는 압력을 조절하여 플라즈마 밀도 제어를 수행하거나, 혹은 이를 기판의 가열 수단으로 사용할 수 있다.
본 발명에 따르면 마이크로웨이브 플라즈마 토치를 사용하여 빠르게 기판의 표면을 가열할 수 있는 효과가 있다. 또한 열처리의 균일도도 플라즈마 토치의 압력을 조절하는 것을 통해 조절할 수 있는 효과가 있다.
일 예시에 따르면, 마이크로웨이브 플라즈마 토치의 압력을 보다 세게 조절하는 것을 통해 플라즈마 밀도를 증가시킬 수 있다. 또한 내부 및 외부의 플라즈마 밀도를 독자적으로 조절하는 것을 통해 플라즈마 및 열처리의 균일도가 조절될 수 있다.
도 2를 참조하면, 플라즈마 발생 유닛(300)은 마이크로웨이브 유닛(400)의 하단부에 위치할 수 있다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 마이크로웨이브 유닛(400)의 하단부에 위치하여, 마이크로웨이브 유닛(400)이 플라즈마 발생 유닛(300)과 조합하여 플라즈마 밀도를 제어할 수 있다.
플라즈마 발생 유닛(300)의 하단부에는 필터 유닛(500)이 제공될 수 있다. 필터 유닛(500)은 플라즈마 발생 유닛(300)에서 생성되는 이온 에너지 중 원하는 이온 에너지를 통과시킬 수 있다.
도 1 및 도 2의 일 예시에 따르면, 플라즈마 발생 유닛(300)과, 필터 유닛(500)은 쿼츠 튜브(310)를 둘러싸도록 제공될 수 있다. 쿼츠 튜브(310)는 쿼츠 재질로 이루어진 원기둥 형상의 튜브일 수 있다. 플라즈마 발생 유닛(300)에 포함되는 안테나 코일(320)은 쿼츠 튜브(310)를 권취하도록 제공될 수 있다.
필터 유닛(500)은 쿼츠 튜브(310)를 둘러싸는 금속 튜브(510)를 포함할 수 있다. 금속 튜브(510)에는 제2 고주파 전원(520)이 연결될 수 있다. 필터 유닛(500)은 제2 고주파 전원(520)의 주파수를 조절하여 플라즈마 발생 유닛(300)에서 생성되는 이온 에너지를 필터링할 수 있다.
즉 본 발명에 따르면, 마이크로파웨이브를 인가하는 유닛(400)의 하류에 ICP 플라즈마 소스(300)가 배치되고, 그 하부에 이온 에너지를 필터링 할 수 있는 필터 유닛(500)을 포함하는 구조를 통해 플라즈마 밀도를 기존에 비해 용이하게 조절할 수 있으며, 마이크로웨이브를 이용하여 기판의 열처리 역시 용이하게 처리할 수 있는 효과가 있다. 또한 마이크로웨이브와 플라즈마 발생 유닛을 조합하여 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 그 과정에서 이온 필터링을 수행하여 마이크로웨이브와 플라즈마 발생 유닛을 조합한 플라즈마를 이용하여 기판 처리가 가능한 효과가 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법이 개시된다. 마이크로웨이브 유닛을 이용하여 마이크로웨이브를 챔버 내로 인가하고, 플라즈마 발생 유닛을 이용하여 플라즈마를 상기 챔버 내로 인가할 수 있다. 그 후, 필터 유닛을 이용하여 인가되는 플라즈마의 이온 에너지를 조절할 수 있다. 필터 유닛을 이용하여 인가되는 플라즈마의 이온 에너지를 조절하는 방법은, 고주파 전원의 주파수를 조절하여 상기 플라즈마 발생 유닛에서 생성되는 이온 에너지를 필터링할 수 있다.
즉 본 발명에 따른 필터 유닛은 챔버 하단부에 바이어스(Bias)를 인가함으로써 플라즈마 이온 에너지를 필터링하여 플라즈마 밀도 조절을 수월하게 진행할 수 있고, 마이크로웨이브에 의해 발생할 수 있는 이온 에너지도 필터링 할 수 있는 효과가 존재한다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명에서 제공되는 도면은 본 발명의 최적의 실시예를 도시한 것에 불과하다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.
10 : 기판 처리 장치
110 : 하우징
200 : 지지유닛
300 : 플라즈마 발생 유닛
310 : 쿼츠 튜브
320 : 코일
400 : 마이크로웨이브 유닛
500 : 필터 유닛
510 : 금속 튜브
520 : 주파수 전원

Claims (9)

  1. 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 하우징 및 상기 개방된 상부를 덮는 윈도우를 가지는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지유닛;
    상기 공정 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
    상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 공정 챔버 내에서 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 하나의 안테나를 가지는 플라즈마 발생 유닛; 및
    마이크로웨이브를 상기 공정 챔버에 인가하는 마이크로웨이브 유닛;을 포함하고,
    상기 플라즈마 발생 유닛은 상기 마이크로웨이브 유닛의 하단부에 위치하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생 유닛의 하단부에 배치되는 필터 유닛;을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 필터 유닛은,
    상기 플라즈마 발생 유닛에서 생성되는 이온 에너지 중 원하는 이온 에너지를 통과시키는 필터 유닛인 기판 처리 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생 유닛과, 상기 필터 유닛은 쿼츠 튜브를 둘러싸도록 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 필터 유닛은,
    상기 쿼츠 튜브를 둘러싸는 금속 튜브; 및
    상기 금속 튜브에 연결되는 고주파 전원;을 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 고주파 전원의 주파수를 조절하여 상기 플라즈마 발생 유닛에서 생성되는 이온 에너지를 필터링하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 열을 이용한 ALE(Thermal atomic layer etching) 공정에서 사용되는 기판 처리 장치.
  8. 제5항에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 마이크로웨이브 유닛을 이용하여 마이크로웨이브를 상기 챔버 내로 인가하는 단계;
    상기 플라즈마 발생 유닛을 이용하여 플라즈마를 상기 챔버 내로 인가하는 단계;
    상기 필터 유닛을 이용하여 인가되는 플라즈마의 이온 에너지를 조절하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 필터 유닛을 이용하여 인가되는 플라즈마의 이온 에너지를 조절하는 단계;는,
    상기 고주파 전원의 주파수를 조절하여 상기 플라즈마 발생 유닛에서 생성되는 이온 에너지를 필터링하는 기판 처리 방법.
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