KR20220052778A - Phosphor plate comprising coating layer, and preparation method thereof, and white light emitting device comprising the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 코팅층을 포함하는 형광체 플레이트 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 백색 발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to a phosphor plate including a coating layer, a method for manufacturing the same, and a white light emitting device including the same.
발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 전기에너지가 광 에너지로 변환되는 특성의 소자로서, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다. A light emitting diode (LED: Light Emitting Diode) is a device that converts electric energy into light energy, and various colors can be realized by adjusting the composition ratio of the compound semiconductor.
발광 다이오드는 예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광 다이오드, 녹색(Green) 발광 다이오드, 자외선(UV) 발광 다이오드 등은 현재 상용화되어 널리 사용되고 있다.Light emitting diodes, for example, nitride semiconductors have received great attention in the field of developing optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, a blue light emitting diode, a green light emitting diode, an ultraviolet (UV) light emitting diode, etc. using a nitride semiconductor are currently commercialized and widely used.
한편, 백색광을 방출하는 백색 발광다이오드(white LED, wLED)는 형광체를 도포하여 형광체로부터 발광하는 2차 광원을 이용하는 방법으로서, 청색 발광 다이오드에 황색을 내는 형광체(예를 들어, YAG:Ce)를 장착하여 백색광을 얻는 방식으로 사용되는 것이 일반적이다. On the other hand, a white light emitting diode (white LED, wLED) emitting white light is a method of using a secondary light source that emits light from a phosphor by coating a phosphor. It is generally used in a way to obtain white light by mounting.
이를 위해 종래의 경우, 청색 LED에 황색 또는 녹색과 적색의 형광체를 유기 바인더와 혼합하여 도포하는 형태가 주로 사용되었다. 이러한 유기 바인더로는 주로 에폭시(epoxy)나 실리콘(silicone) 계열이 사용되었다. 이러한 방식은 형광체를 유기 바인더와 혼합하여 청색 LED 칩에 도포하기가 용이하여 양산성이 높고 제조원가 또한 저렴하여 백색 LED 제조에 절리 사용되어왔다.For this purpose, in the conventional case, a form in which yellow or green and red phosphors are mixed with an organic binder and applied to a blue LED has been mainly used. As such organic binders, mainly epoxy or silicone-based materials were used. This method has been used in the manufacture of white LEDs because it is easy to apply a phosphor to a blue LED chip by mixing a phosphor with an organic binder, and the production cost is also low.
하지만 유기 바인더는 UV나 150℃ 이상의 온도에 장시간 노출될 경우 바인더가 황색 또는 갈색으로 변하는 현상이 발생하며, 이는 LED의 수명을 저하시키는 문제가 있다. 또한, 유기 바인더의 점도로 인해 내부 형광체가 이동하여 LED의 색이 위치별로 다르게 나타나는 현상도 발생하며, 유기 바인더에 형광체가 균질하게 혼합되지 않을 경우 LED 칩마다 색 좌표 차이가 발생하게 되어 품질을 저하된다.However, when the organic binder is exposed to UV or a temperature of 150° C. or higher for a long time, the binder turns yellow or brown, which has a problem in reducing the lifespan of the LED. In addition, due to the viscosity of the organic binder, the internal phosphor moves and the color of the LED appears differently depending on the location. do.
이에, 최근 고출력 백색 LED의 요구와 더불어 상기와 같은 물성적인 한계를 갖는 유기 바인더를 대체하기 위한 기술개발이 요구되는 상황이다.Accordingly, in addition to the recent demand for high-power white LED, technology development is required to replace the organic binder having the above-described physical limitations.
유기 바인더을 대체하는 물질로서 세라믹 재료로 구성된 무기질 색변환 소재가 개발되고 있다. 무기질 색변환 소재는 열적·화학적 내구성이 우수하여 변색 우려가 없으며, 균질성이 우수하여 색이 위치별로 다르게 나타나는 현상 및 LED 칩마다 색 좌표 차이가 발생하지 않는 장점이 있다.As a substitute for the organic binder, an inorganic color conversion material composed of a ceramic material is being developed. Inorganic color conversion materials have excellent thermal and chemical durability, so there is no risk of discoloration, and due to excellent homogeneity, colors appear differently depending on location and color coordinate differences do not occur for each LED chip.
현재 개발되고 있는 무기질 색변환 소재는 크게 PC(Phosphor Ceramic), PGC(Phosphor Glass Ceramic), PiG(Phosphor in Glass) 및 BGP(Bulk Glass Phosphor)의 네 가지로 분류될 수 있다. Inorganic color conversion materials currently being developed can be broadly classified into four types: PC (Phosphor Ceramic), PGC (Phosphor Glass Ceramic), PiG (Phosphor in Glass), and BGP (Bulk Glass Phosphor).
PC(Phosphor Ceramic), PGC(Phosphor Glass Ceramic)는 황색 형광체인 YAG:Ce3+을 고온·고압에서 소성하여 매우 얇은 투명 세라믹으로 제조하여 이를 청색 LED 위에 사용한 형태이고, PGC(Phosphor Glass Ceramic)는 형광체를 형성하는 조성을 용융하여 유리를 제조한 뒤, 이를 열처리를 통해 YAG:Ce3+와 같은 형광체 상을 유리 내에 형성시킨 형태이고, PiG(Phosphor in Glass)는 형광체를 유리분말(글래스 프릿)과 섞어 일정한 온도에서 소성하여 색변환 소재를 제조한 담지 형태이고, BGP(Bulk Glass Phosphor)는 형광체와 같이 광변환이 가능한 활성이온 또는 나노결정 등을 유리 소재 내에 담지시킨 형태이다.PC (Phosphor Ceramic), PGC (Phosphor Glass Ceramic) is a form of producing a very thin transparent ceramic by firing YAG:Ce3+, a yellow phosphor at high temperature and high pressure, and using it on a blue LED, and PGC (Phosphor Glass Ceramic) uses a phosphor After manufacturing glass by melting the composition to form, a phosphor phase such as YAG:Ce3+ is formed in the glass through heat treatment. It is a supported form in which a color conversion material is produced by firing, and BGP (Bulk Glass Phosphor) is a form in which active ions or nanocrystals capable of light conversion such as phosphors are supported in a glass material.
이 중 PC를 제외한 나머지 형태는 모두 유리 재료를 활용한 것으로 기존 유기 바인더 및 PC를 대체할 수 있는 기술로 주목받고 있으며, 특히 PiG는 형광체의 열화가 발생하지 않는 800℃ 이하의 온도에서 형광체 및 유리분말 소재에 따라 상압 및 대기 소결이 가능하여 다른 형태보다 비교적 간단한 공정으로 제조가 가능하여 양산 및 경제성을 확보할 수 있어, 무기 색변환 소재 중에서 가장 유망한 형태로서 여겨지고 있다. Among them, all other forms except PC utilize glass materials and are attracting attention as a technology that can replace existing organic binders and PCs. Depending on the powder material, atmospheric pressure and atmospheric sintering are possible, so it can be manufactured in a relatively simple process than other types, and mass production and economic feasibility can be secured.
이와 관련된 종래의 기술로 대한민국 공개번호 제10-2013-0059674호는 리플렉터 컵; 상기 리플렉터 컵의 바닥부에 실장된 청색 발광 다이오드; 및 상기 리플렉터 컵 상에 상기 청색 발광 다이오드와 이격된 프리트 글라스 플레이트를 포함하되, 상기 프리트 글라스 프레이트는 황화물 형광체와 다른 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 remote-type의 구조의 발광소자를 개시한 바 있다. In this related prior art, Korean Publication No. 10-2013-0059674 discloses a reflector cup; a blue light emitting diode mounted on the bottom of the reflector cup; and a frit glass plate spaced apart from the blue light emitting diode on the reflector cup, wherein the frit glass plate includes a sulfide phosphor and a different phosphor. .
이와 같이 형광체 및 유리분말(글래스 프릿)으로 이루어진 형광체 플레이트를 청색 발광 다이오드와 이격하여 배치한 remote-type의 구조의 백색 LED는 자동차 헤드램프, LCD-TV용 백라이트, 일반조명 등으로 실용화되고 있으나, 형광체 플레이트와 공기층과의 굴절률 차이로 인해 형광체 플레이트의 반사율이 높고 투과율이 낮아 궁극적으로 백색 LED의 발광효율을 저하시키는 문제가 있어 이를 해결하기 위한 방법이 요구되는 상황이다.As described above, the remote-type white LED in which the phosphor plate made of phosphor and glass powder (glass frit) is spaced apart from the blue light emitting diode is being put to practical use as automobile headlamps, LCD-TV backlights, and general lighting. Due to the difference in refractive index between the phosphor plate and the air layer, the reflectance of the phosphor plate is high and the transmittance is low, which ultimately lowers the luminous efficiency of the white LED, and a method for solving this problem is required.
일 측면에서의 목적은In one aspect, the purpose
코팅층을 포함하는 형광체 플레이트 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 백색 발광소자를 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide a phosphor plate including a coating layer, a method for manufacturing the same, and a white light emitting device including the same.
상기 목적을 달성하기 위하여,In order to achieve the above object,
일 측면에서는in one aspect
코팅층을 포함하는 형광체 플레이트에 있어서,In the phosphor plate comprising a coating layer,
상기 코팅층은,The coating layer is
형광체 플레이트층 상에 배치되는 산화물층; 및an oxide layer disposed on the phosphor plate layer; and
상기 산화물층 상에 배치되는 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층;을 포함하는, 형광체 플레이트가 제공된다.A phosphor plate is provided, including a porous magnesium fluoride (MgF2) layer disposed on the oxide layer.
상기 산화물층은 규소계 산화물을 포함할 수 있다.The oxide layer may include a silicon-based oxide.
상기 형광체 플레이트는 상기 산화물층 및 상기 불화 마그네슘(MgF2)층의 계면에, 다공성 불화 마그네슘(MgF2) 내에 산화물이 침습되어 있는 확산층을 더 포함할 수 있다.The phosphor plate may further include, at an interface between the oxide layer and the magnesium fluoride (MgF 2 ) layer, a diffusion layer in which an oxide is invaded in the porous magnesium fluoride (MgF 2 ).
상기 확산층에서의 상기 산화물은 깊이방향으로 농도 구배를 가질 수 있다.The oxide in the diffusion layer may have a concentration gradient in a depth direction.
상기 확산층의 두께는 5nm 내지 30nm일 수 있다.The diffusion layer may have a thickness of 5 nm to 30 nm.
상기 불화 마그네슘(MgF2)층의 두께는 30nm 내지 120nm일 수 있다.The magnesium fluoride (MgF 2 ) layer may have a thickness of 30 nm to 120 nm.
상기 산화물층의 두께는 5nm 내지 35nm일 수 있다.The oxide layer may have a thickness of 5 nm to 35 nm.
상기 불화 마그네슘(MgF2)층은 1.1 내지 1.3의 굴절률을 가질 수 있다.The magnesium fluoride (MgF 2 ) layer may have a refractive index of 1.1 to 1.3.
다른 일 측면에서는,In another aspect,
코팅층을 포함하는 형광체 플레이트를 제조하는 방법으로서,A method for manufacturing a phosphor plate including a coating layer, comprising:
형광체 플레이트층 상에 산화물 전구체 용액을 코팅하여 제1 코팅층을 형성하는 단계;forming a first coating layer by coating an oxide precursor solution on the phosphor plate layer;
상기 제1 코팅층 상에 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자를 포함하는 콜로이드 용액을 코팅하여 제2 코팅층을 형성하는 단계; 및forming a second coating layer by coating a colloidal solution containing magnesium fluoride (MgF2) nanoparticles on the first coating layer; and
상기 제1 코팅층 및 제2 코팅층을 소결하는 단계;를 포함하며,Including; sintering the first coating layer and the second coating layer;
상기 형광체 플레이트를 제조하는 것을 특징으로 하는, 형광체 플레이트의 제조방법이 제공된다.There is provided a method for manufacturing the phosphor plate, characterized in that the phosphor plate is produced.
상기 산화물 전구체 용액은 유기 규소 화합물일 수 있다.The oxide precursor solution may be an organosilicon compound.
상기 콜로이드 용액은 마그네슘 화합물, 불소 화합물 및 용매를 혼합 및 열처리하여 형성할 수 있으며, 이때 상기 열처리는 100℃ 내지 180℃의 온도에서 수행될 수 있다.The colloidal solution may be formed by mixing and heat-treating a magnesium compound, a fluorine compound, and a solvent, wherein the heat treatment may be performed at a temperature of 100°C to 180°C.
상기 소결은 250℃ 내지 350℃에서 수행될 수 있다.The sintering may be performed at 250°C to 350°C.
또 다른 일 측면에서는In another aspect
는 제1항의 형광제 플레이트;를 포함하는 발광소자가 제공된다.A light emitting device comprising the; fluorescent plate of claim 1 is provided.
또한 다른 일 측면에서는Also, in another aspect
광원; 및light source; and
상기 광원으로부터 입사된 광의 색을 변화시키는 제1항의 형광제 플레이트;를 포함하는 백색 발광소자가 제공된다.A white light emitting device comprising a; the fluorescent plate of claim 1 for changing the color of the light incident from the light source is provided.
일 측면에서 제공되는 형광체 플레이트는 코팅층을 포함하며, 상기 코팅층의 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층이 낮을 굴절율을 가짐으로써 형광체 플레이트층에서 형광이 반사되는 것을 현저히 줄일 수 있으며, 형광체 플레이트 자체의 양자 수율을 높일 수 있다. 그 결과 상기 형광체 플레이트를 포함하는 백색 발광소자의 발광 효율을 현저히 향상시킬 수 있다.The phosphor plate provided in one aspect includes a coating layer, and since the porous magnesium fluoride (MgF 2 ) layer of the coating layer has a low refractive index, reflection of fluorescence from the phosphor plate layer can be significantly reduced, and the quantum yield of the phosphor plate itself can increase As a result, it is possible to significantly improve the luminous efficiency of the white light emitting device including the phosphor plate.
또한, 상기 코팅층의 상기 산화물층은 형광체 플레이트층과 쉽게 탈리될 수 있는 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층을 형광체 플레이트층에 보다 강하게 결합시킬 수 있어, 코팅층의 내마모성을 향상시킬 수 있다. 그 결과 상기 형광체 플레이트를 포함하는 백색 발광소자의 발광 효율을 장시간 안정적으로 유지할 수 있다.In addition, the oxide layer of the coating layer can more strongly bond the phosphor plate layer and the easily detachable porous magnesium fluoride (MgF 2 ) layer to the phosphor plate layer, thereby improving the abrasion resistance of the coating layer. As a result, the luminous efficiency of the white light emitting device including the phosphor plate can be stably maintained for a long time.
도 1은 일 측면에 따른 형광체 플레이트를 나타낸 모식도이고,
도 2는 청색 LED칩 상에 일 측면에 따른 형광체 플레이트를 리모트 타입(remote type)으로 배치한 백색 발광소자(wLED)를 나타낸 모식도이고,
도 3은 다른 일 측면에 따른 형광체 플레이트의 제조방법을 개략적으로 나타낸 모식도이고,
도 4는 투과전자현미경(TEM)을 이용하여 일 측면에 따른 형광체 플레이트의 표면을 관찰한 사진이고,
도 5는 투과전자현미경(TEM)을 이용하여 일 측면에 따른 형광체 플레이트의 단면을 관찰한 사진이고,
도 6은 에너지 분산 X-선 분광분석기(EDS)를 이용하여 일 측면에 따른 형광체 플레이트의 깊이 방향으로의 원소 분포를 분석한 결과 그래프이고,
도 7은 실시 예 및 비교 예의 형광체 플레이트의 광학 반사율(R) 및 투과율(T)을 개략적으로 나타낸 모식도이고,
도 8은 실시 예 및 비교 예의 형광체 플레이트의 파장에 대한 광학 반사율(R) 및 투과율(T)을 나타낸 그래프이고,
도 9는 실시 예 및 비교 예의 형광체 플레이트의 파장에 따른 발광 세기를 나타내는 광 발광(PE) 스펙트럼이고,
도 10은 실시 예 및 비교 예의 형광체 플레이트의 구동 전압 3.0~3.25V에서의 파장에 따른 발광 세기를 나타내는 전장발광(electroluminescence, EL) 스펙트럼이고,
도 11은 실시 예 및 비교 예의 형광체 플레이트의 0~250mA의 구동 전류 범위에서의 발광 속도(luminous flux, φ) 및 발광 효율(luminous efficacy, LE)을 나타낸 그래프이고,
도 12는 실시 예 및 비교 예의 형광체 플레이트의 색 좌표를 표시한 그래프이고,
도 13은 실시 예 및 비교 예의 형광체 플레이트의 내마모성을 평가를 위해 표면을 일정 하중으로 스크래치 한 후의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 사진이다.
1 is a schematic diagram showing a phosphor plate according to one side,
2 is a schematic diagram showing a white light emitting device (wLED) in which a phosphor plate according to one side is arranged in a remote type on a blue LED chip;
3 is a schematic diagram schematically showing a method of manufacturing a phosphor plate according to another aspect;
4 is a photograph of observing the surface of a phosphor plate according to one side using a transmission electron microscope (TEM);
5 is a photograph of observing a cross-section of a phosphor plate along one side using a transmission electron microscope (TEM);
6 is a graph showing the result of analyzing the element distribution in the depth direction of the phosphor plate according to one side using an energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS);
7 is a schematic diagram schematically showing optical reflectance (R) and transmittance (T) of phosphor plates of Examples and Comparative Examples;
8 is a graph showing optical reflectance (R) and transmittance (T) with respect to wavelength of phosphor plates of Examples and Comparative Examples;
9 is a photoluminescence (PE) spectrum showing emission intensity according to wavelength of phosphor plates of Examples and Comparative Examples;
10 is an electroluminescence (EL) spectrum showing emission intensity according to wavelength at a driving voltage of 3.0 to 3.25V of phosphor plates of Examples and Comparative Examples;
11 is a graph showing the luminous flux (φ) and luminous efficacy (LE) of the phosphor plates of Examples and Comparative Examples in a driving current range of 0 to 250 mA;
12 is a graph showing color coordinates of phosphor plates of Examples and Comparative Examples;
13 is a photograph observed with an optical microscope after scratching the surface with a constant load in order to evaluate the abrasion resistance of the phosphor plates of Examples and Comparative Examples.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명한다. 그러나 본 발명의 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하에서 설명하는 실시 예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시 예는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다. 덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 "포함"한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the following examples are provided in order to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Accordingly, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description, and elements indicated by the same reference numerals in the drawings are the same elements. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions. In addition, "including" a certain element throughout the specification means that other elements may be further included, rather than excluding other elements, unless otherwise stated.
일 측면에서는,In one aspect,
코팅층을 포함하는 형광체 플레이트에 있어서,In the phosphor plate comprising a coating layer,
상기 코팅층(20)은,The
형광체 플레이트층 상에 배치되는 산화물층(21); 및an
상기 산화물층 상에 배치되는 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층(22);을 포함하는, 형광체 플레이트(100)가 제공된다.A
도 1은 일 측면에서 제공되는 형광체 플레이트(100)를 나타내는 모식도이고, 도 2는 상기 형광체 플레이트(100)를 청색 발광 다이오드(LED) 칩 상에 리모트 타입(remote-type)으로 배치한 형태를 나타낸 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a
일 측면에서 제공되는 형광체 플레이트(100)는 발광 소자에서 사용되는 색변환 소자로서, 광원에서 출사되는 광을 다른 파장의 광으로, 보다 바람직하게는 백색광으로 변환시키는 색변환 소자일 수 있다.The
도 1을 참조하면, 일 측면에서 제공되는 형광체 플레이트(100)는 형광체 플레이트층(10) 및 코팅층(20)을 포함한다.Referring to FIG. 1 , a
이때, 상기 형광체 플레이트층(10)은 형광체가 분산된 플레이트로서, 종래의 PC(Phosphor Ceramic), PGC(Phosphor Glass Ceramic), PiG(Phosphor in Glass) 및 BGP(Bulk Glass Phosphor) 중 어느 하나의 유형일 수 있으며, 보다 바람직하게는 형광체 및 글래스 프릿(glass frit)이 혼합되어 플레이트 형태를 형성한 PiG(Phosphor in Glass) 형태일 수 있다.At this time, the
상기 PiG(Phosphor in Glass) 형태의 형광체 플레이트층(10)은 형광체 및 글래스 프릿을 혼합한 혼합물을 제조하고, 상기 혼합물을 소정의 형상으로 압축 성형 및 열처리를 수행하고, 폴리싱 등의 표면처리를 수행하여 획득될 수 있다.The
이때, 상기 "글래스 프릿(glass frit)"은 분말 형태의 유리 소재로서, 바람직하게는 800℃ 이하의 온도, 보다 바람직하게는 450℃ 내지 800℃의 온도에서 용융하는 분말 형태의 유리 소재를 의미할 수 있으며, 예를 들어, 평균 입경이 2μm 내지 20μm인 SiO2-B2O3-ZnO계 분말일 수 있다.In this case, the "glass frit" is a glass material in powder form, preferably at a temperature of 800 °C or less, more preferably at a temperature of 450 °C to 800 °C. It may be, for example, SiO 2 -B 2 O 3 -ZnO-based powder having an average particle diameter of 2 μm to 20 μm.
또한, 상기 형광체 플레이트층(10)에 포함된 형광체는 흡수한 광을 다른 파장의 광으로 변환시켜 방출하는 공지된 다양한 물질이 사용될 수 있고, 바람직하게는 250nm 내지 1000nm의 파장 대역의 광을 흡수하여 300nm 내지 800nm의 파장 대역의 광을 방출할 수 있는 물질일 수 있다. In addition, as the phosphor included in the
예를 들어, 상기 형광체는 Y3Al5O12:Ce3 +(YAG:Ce), SrGa2S4:Eu2 +(CASN), Tb3Al5O12:Ce3+, (Sr,Ba,Ca)2Si5N8:Eu2 +, CaAlSiN3:Eu2 +, BaMgAl10O17:Eu2 +, BaMgAl10O17:Eu2 +, Ca-alpha-SiAlON:Eu2 +, Beta-SiAlON:Eu2 +, (Ca,Sr,Ba)2P2O7:Eu2+,(Ca,Sr,Ba)2P2O7:Eu2+,Mn2+, (Ca,Sr,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2 +, Lu2SiO5:Ce3+, (Ca,Sr,Ba)3SiO5:Eu2 +, (Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu2 +,Zn2SiO4:Mn2 +, BaAl12O19:Mn2 +, BaMgAl14O23:Mn2+, SrAl12O19:Mn2 +, CaAl12O19:Mn2 +, YBO3:Tb3 +, LuBO3:Tb3 +, Y2O3:Eu3+,Y2SiO5:Eu3+, Y3Al5O12:Eu3 +, YBO3:Eu3 +, Y0.65Gd0.35BO3:Eu3+, GdBO3:Eu3 +및 YVO4:Eu3+으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있으나 이에 제한된 것은 아니다.For example, the phosphor is Y 3 Al 5 O 12 :Ce 3 + (YAG:Ce), SrGa 2 S 4 :Eu 2 + (CASN), Tb 3 Al 5 O 12 :Ce 3+ , (Sr,Ba ,Ca) 2 Si 5 N 8 :Eu 2+ , CaAlSiN 3 :Eu 2+ , BaMgAl 10 O 17 :Eu 2+ , BaMgAl 10 O 17 :Eu 2+ , Ca - alpha - SiAlON :Eu 2+ , Beta- SiAlON:Eu 2+ , (Ca,Sr,Ba) 2 P 2 O 7 :Eu 2+ ,(Ca,Sr,Ba) 2 P 2 O 7 :Eu 2+ ,Mn 2+ , ( Ca ,Sr,Ba ) 5 (PO4) 3 Cl:Eu 2 + , Lu 2 SiO 5 :Ce 3+ , (Ca,Sr,Ba) 3 SiO 5 :Eu 2+ , (Ca,Sr,Ba) 2 SiO 4 : Eu 2 + ,Zn 2 SiO 4 :Mn 2+ , BaAl 12 O 19 :Mn 2+ , BaMgAl 14 O 23 :Mn 2+ , SrAl 12 O 19 :Mn 2+ , CaAl 12 O 19 :Mn 2+ , YBO 3 : Tb 3 + , LuBO 3 :Tb 3 + , Y 2 O 3 :Eu 3+ ,Y 2 SiO 5 :Eu 3+ , Y 3 Al 5 O 12 :Eu 3 + , YBO3:Eu 3 + , Y 0.65 Gd 0.35 BO 3 :Eu 3+ , GdBO 3 :Eu 3+ and YVO 4 :Eu 3+ may be at least one selected from the group consisting of, but is not limited thereto.
일 측면에 따른 형광체 플레이트(100)는 상기 형광체를 포함하는 형광체 플레이트층(10) 상에 배치된 코팅층(20)을 포함하는 것을 특징으로 한다.The
상기 코팅층(20)은 상기 형광체 플레이트층(10)의 적어도 일면에 형성된 것으로, 상기 형광체 플레이트층(10) 상에 배치되는 산화물층(21) 및 상기 산화물층(21) 상에 배치되는 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층(22)을 포함할 수 있다.The
상기 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층(22)은 다공 구조로 인해, 벌크(bluk) 형태의 불화 마그네슘(MgF2) 박막 대비 낮은 굴절률을 가질 수 있다.The porous magnesium fluoride (MgF 2 )
상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)은 평균 입경이 5nm 내지 20nm인 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자가 충전되어 있는 층일 수 있다.The magnesium fluoride (MgF 2 )
이때, 상기 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자는 바람직하게는 중앙이 비어있는 중공구 형태(hollow shape)일 수 있고, 보다 바람직하게는 상기 중앙의 구멍을 제외한 영역(쉘 영역)의 두께가 약 4nm 내지 8nm일 수 있다.In this case, the magnesium fluoride (MgF 2 ) nanoparticles may preferably have a hollow shape with an empty center, and more preferably have a thickness of about 4 nm in a region (shell region) excluding the hole in the center. to 8 nm.
상기 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층(22)은 상기 중공구 형태의 나노입자로 이루어짐으로써, 나노입자들 사이의 공극 이외에 중앙의 빈 공간에 의해 다공성이 보다 높을 수 있으며, 이를 통해 보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.The porous magnesium fluoride (MgF 2 )
상기 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층(22)의 공극률(prosity)은 0.4 내지 0.6일 수 있고, 굴절률은 1.1 내지 1.3일 수 있다.The porous magnesium fluoride (MgF 2 )
일 측면에 따른 형광체 플레이트(100)의 표면에는 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)이 형성되어 있으며, 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)은 공기(굴절률=약 1)와의 굴절률 차이가 보다 작아, 상기 형광체 플레이트층(10)의 형광체로부터 발생된 광이 반사되는 것을 최소화할 수 있어, 상기 형광체의 양자 수율을 높일 수 있고, 궁극적으로 일 측면에 따른 형광체 플레이트(100)를 포함하는 발광소자의 발광 효율을 보다 향상시킬 수 있다.The magnesium fluoride (MgF 2 )
상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)의 두께는 30nm 내지 120nm일 수 있다.The thickness of the magnesium fluoride (MgF 2 )
상기 두께는 상기 형광체의 양자 수율을 높이고, 발광 소자의 발광 효율을 향상시키기 위한 것으로, 만약, 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)의 두께가 30nm 미만인 경우, 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)에 의해 형광체의 양자 수율이 향상되는 정도가 미비할 수 있고, 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)의 두께가 120nm를 초과하는 경우, 상기 코팅층(20)의 투과율(T)이 낮아져 궁극적으로 소자의 발광 효율이 저하되는 문제가 발생될 수 있다.The thickness is for increasing the quantum yield of the phosphor and improving the luminous efficiency of the light emitting device. If the thickness of the magnesium fluoride (MgF 2 )
한편, 상기 코팅층(20)은 형광체 플레이트층(10)과의 결합력을 향상시키기 위한 층으로서, 상기 형광체 플레이트층(10) 상에 배치되는 산화물층(21)을 포함한다.Meanwhile, the
상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)은 다공성 구조로 인해 벌크 구조의 불화 마그네슘(MgF2) 박막 대비 굴절률을 보다 낮출 수 있어 발광 효율을 향상시킬 수 있는 반면, 이러한 다공성 구조는 상기 형광체 플레이트층(10)과의 결합력을 저하시켜, 스크래치 등의 외력에 의해 손상되는 문제가 발생될 수 있다.The magnesium fluoride (MgF 2 )
일 측면에 따른 형광체 플레이트(100)는 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22) 및 형광체 플레이트층(10) 사이에 산화물층(21)을 포함함으로써, 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22) 및 형광체 플레이트층(10) 사이의 결합력을 향상시킬 수 있으며, 궁극적으로 상기 형광체 플레이트(100)의 성능 안정성을 보다 향상시킬 수 있다.The
상기 산화물층(21)은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, Ga2O3, GeO2, SnO2, B2O3, In2O3로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으며, 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22) 및 형광체 플레이트층(10) 사이의 결합력을 향상시키는 동시에 상기 산화물층(21)에 의한 광 투과율이 낮아지거나 또는 광 반사율이 높아지는 문제를 발생시키지 않기 위해 SiO2 등의 규소계 산화물을 포함하는 것이 바람직할 수 있다.The
상기 산화물층(21)은 1.3 내지 1.4의 굴절률을 가질 수 있다.The
일 측면에 따른 형광체 플레이트(100)는 The
(상기 밑줄 친 부분의 설명이 (Explanation of the underlined part above is 적절한 지 검토하여review whether it is appropriate 주시기 바랍니다) please)
상기 산화물층(21)의 두께는 5nm 내지 35nm일 수 있다.The
상기 산화물층(21)의 두께가 5nm 미만인 경우, 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22) 및 형광체 플레이트층(10) 사이의 결합력이 향상되는 정도가 미비할 수 있고, 상기 산화물층(21)의 두께가 35nm를 초과할 경우, 결합력이 더욱 향상되는 효과가 미비한 반면 코팅층(20) 전체의 두께가 두꺼워져 코팅층(20)의 광 투과율(T)을 저하시켜 궁극적으로 발광 효율을 저하시키는 문제가 발생될 수 있다.When the thickness of the
한편, 상기 코팅층(20)은 상기 산화물층(21) 및 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)의 계면에, 다공성 불화 마그네슘(MgF2) 내에 산화물이 침습되어 있는 확산층을 더 포함할 수 있다.On the other hand, the
상기 확산층은 상기 산화물층(21) 및 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)을 형성하는 과정에서 형성된 층일 수 있다.The diffusion layer may be a layer formed in the process of forming the
상기 확산층을 통해 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)이 상기 산화물층(21)에 보다 강하게 결합될 수 있어 궁극적으로 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22) 및 형광체 플레이트층(10) 사이의 결합력을 보다 향상시킬 수 있다. Through the diffusion layer, the magnesium fluoride (MgF 2 )
상기 확산층은 평균 입경이 5nm 내지 20nm인 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자들 사이에 형성된 공극 중 적어도 일부에 산화물이 충전되어 있는 층일 수 있다.The diffusion layer may be a layer in which an oxide is filled in at least some of the pores formed between the magnesium fluoride (MgF 2 ) nanoparticles having an average particle diameter of 5 nm to 20 nm.
상기 확산층에서의 상기 산화물은 깊이 방향으로 농도 구배를 가질 수 있으며 보다 바람직하게는 상기 산화물층(21)에서 상기 불화 마그네슘(MgF2)층(22)으로 의 방향으로 갈수록 보다 낮은 농도의 산화물을 포함할 수 있다.The oxide in the diffusion layer may have a concentration gradient in the depth direction, and more preferably, the
일 측면에 따른 형광체 플레이트(100)는 코팅층(20)을 포함함으로써, 형광체 플레이트층(10)에서 발생된 광이 반사되는 것을 현저히 줄일 수 있어, 양자 수율을 높일 수 있는 동시에 형광체 플레이트층과 보다 강하게 결합되어 있어, 성능 안정성이 우수한 장점이 있다. 이에, 상기 형광체 플레이트를 포함하는 백색 발광소자의 발광 효율을 현저히 향상시킬 수 있고, 상기 발광 효율을 장시간 안정적으로 유지시킬 수 있다.Since the
다른 일 측면에서는 in another aspect
코팅층을 포함하는 형광체 플레이트를 제조하는 방법으로서,A method for manufacturing a phosphor plate including a coating layer, comprising:
형광체 플레이트층 상에 산화물 전구체 용액을 코팅하여 제1 코팅층을 형성하는 단계;forming a first coating layer by coating an oxide precursor solution on the phosphor plate layer;
상기 제1 코팅층 상에 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자를 포함하는 콜로이드 용액을 코팅하여 제2 코팅층을 형성하는 단계; 및forming a second coating layer by coating a colloidal solution containing magnesium fluoride (MgF 2 ) nanoparticles on the first coating layer; and
상기 제1 코팅층 및 제2 코팅층을 소결하는 단계;를 포함하며, Including; sintering the first coating layer and the second coating layer;
상기 형광체 플레이트를 제조하는 것을 특징으로 하는, 형광체 플레이트의 제조방법이 제공된다.There is provided a method for manufacturing the phosphor plate, characterized in that the phosphor plate is produced.
이하, 다른 일 측면에 따른 형광체 플레이트의 제조방법을 도면을 참조하여 각 단계 별로 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a phosphor plate according to another aspect will be described in detail for each step with reference to the drawings.
도 3은 다른 일 측면에 따른 형광체 플레이트의 제조방법을 개략적으로 나타낸 모식도이다.3 is a schematic diagram schematically illustrating a method of manufacturing a phosphor plate according to another aspect.
도 3을 참조하면, 먼저 형광체 플레이트층 상에 산화물 전구체 용액을 코팅하여 제1 코팅층을 형성하는 단계를 수행할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the first coating layer may be formed by coating the oxide precursor solution on the phosphor plate layer.
상기 단계는 형광체 플레이트층(10) 상에 산화물층(21)을 형성하기 위한 단계일 수 있다.The above step may be a step for forming the
이때, 상기 형광체 플레이트층(10)은 상기 형광체 플레이트층(10)은 형광체가 분산된 플레이트로서, 종래의 PC(Phosphor Ceramic), PGC(Phosphor Glass Ceramic), PiG(Phosphor in Glass) 및 BGP(Bulk Glass Phosphor) 중 어느 하나의 유형일 수 있으며, 보다 바람직하게는 형광체 및 글래스 프릿(glass frit)이 혼합되어 플레이트 형태를 형성한 PiG(Phosphor in Glass) 형태일 수 있다.In this case, the
상기 산화물 전구체 용액은 Si, Al, Ti, Zr, Hf, Ga, Ge, Sn, B, In3로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 유기 규소 화합물을 포함하는 용액일 수 있다.The oxide precursor solution may include at least one selected from the group consisting of Si, Al, Ti, Zr, Hf, Ga, Ge, Sn, B, and In 3 , preferably a solution containing an organosilicon compound can be
상기 유기 규소 화합물은 알콕시실란을 포함할 수 있고, 예를 들어, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란, 테트라부톡시실란, 테트라트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리부톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리프로폭시실란, 에틸트리부톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 프로필트리프로폭시실란, 프로필트리부톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메틸디프로폭시실란, 디메틸디부톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디에틸디프로폭시실란, 디에틸디부톡시실란, 메틸에틸디메톡시실란, 메틸프로필디에톡시실란등일 수 있다.The organosilicon compound may include an alkoxysilane, for example, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetrabutoxysilane, tetratrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyl Tripropoxysilane, methyltributoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltripropoxysilane, ethyltributoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, propyltripro Poxysilane, propyltributoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldipropoxysilane, dimethyldibutoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyldipropoxysilane, diethyldipropoxysilane ethyldibutoxysilane, methylethyldimethoxysilane, methylpropyldiethoxysilane, or the like.
상기 단계는 형광체 플레이트층 상에 산화물 전구체 용액을 도포한 후 건조하여 제1 코팅층을 형성할 수 있다.In this step, the first coating layer may be formed by applying the oxide precursor solution on the phosphor plate layer and then drying it.
이때, 상기 도포는 스핀 코트법이나 딥 코트법을 통해 수행할 수 있으나 이에 제한된 것은 아니며 다른 용액 코팅 공정이 사용될 수 있다.In this case, the coating may be performed by a spin coating method or a dip coating method, but is not limited thereto, and other solution coating processes may be used.
또한, 상기 건조는 도포된 막을 예를 들어, 100℃ 내지 200℃의 온도에서 열처리하는 방법으로 수행될 수 있다. 하지만, 상기 건조 온도는 이에 제한되지 않는다. In addition, the drying may be performed by heat-treating the coated film at a temperature of, for example, 100°C to 200°C. However, the drying temperature is not limited thereto.
다음, 상기 제1 코팅층 상에 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자를 포함하는 콜로이드 용액을 코팅하여 제2 코팅층을 형성하는 단계를 수행할 수 있다.Next, the first coating layer may be coated with a colloidal solution containing magnesium fluoride (MgF 2 ) nanoparticles to form a second coating layer.
상기 단계는 상기 산화물층(21) 상에 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층을 형성하기 위한 단계일 수 있다. The step may be a step for forming a porous magnesium fluoride (MgF 2 ) layer on the
상기 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자를 포함하는 콜로이드 용액은 마그네슘 화합물과 불소 화합물을 용매 중에 혼합하여 제조할 수 있다.The colloidal solution containing the magnesium fluoride (MgF 2 ) nanoparticles may be prepared by mixing a magnesium compound and a fluorine compound in a solvent.
이때, 상기 마그네슘 화합물로는 마그네슘을 포함하는 아세트산염, 염화물, 알콕사이드 등을 이용할 수 있고, 상기 불소 화합물로는 불화수소산 수용액 (불산), 무수 불화수소, 트리플루오로아세트산 등을 이용할 수 있고, 용매로는 알코올 등의 유기 용매를 사용할 수 있다. In this case, as the magnesium compound, an acetate, chloride, alkoxide, etc. containing magnesium may be used, and as the fluorine compound, an aqueous hydrofluoric acid solution (hydrofluoric acid), anhydrous hydrogen fluoride, trifluoroacetic acid, etc. may be used, and a solvent An organic solvent such as alcohol may be used as the furnace.
보다 바람직하게는 상기 마그네슘 화합물로는 마그네슘 아세테이트일 수 있고, 상기 불소 화합물은 불화수소산일 수 있으며, 상기 용매는 메탄올일 수 있다.More preferably, the magnesium compound may be magnesium acetate, the fluorine compound may be hydrofluoric acid, and the solvent may be methanol.
메탄올은 증발 속도가 높아, 코팅층 형성시 증발 속도가 빠르고 균일한 두께의 코팅층을 형성하는 것이 어렵기 때문에, 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자 형성 후 보다 증기압이 낮은 프로판올, 부탄올 등의 고급 알코올 등의 용매로 치환하는 것이 바람직할 수 있다.Methanol has a high evaporation rate, so it is difficult to form a coating layer with a high evaporation rate and a uniform thickness when forming a coating layer. Substitution with a solvent may be desirable.
상기 단계는 바람직하게는 마그네슘 화합물과 불소 화합물을 용매와 혼합한 후, 가압 처리 또는 열처리할 수 있고, 보다 바람직하게는 100℃ 내지 180℃의 온도에서 열처리하는 방법으로 제조할 수 있다.In the above step, the magnesium compound and the fluorine compound are mixed with a solvent, and then pressure treatment or heat treatment may be performed, and more preferably, heat treatment may be performed at a temperature of 100°C to 180°C.
이는 결정성이 높은 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자를 형성하기 위한 것일 수 있다. 상기 단계에서 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자의 결정성을 높게 함으로써, 불화 마그네슘(MgF2)층 형성시 나노입자끼리 유착되어 치밀화되는 것을 억제할 수 있으며, 이로써 충분한 기공을 형성하여 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층을 형성할 수 있다.This may be for forming highly crystalline magnesium fluoride (MgF 2 ) nanoparticles. By increasing the crystallinity of the magnesium fluoride (MgF 2 ) nanoparticles in the above step, when the magnesium fluoride (MgF 2 ) layer is formed, it is possible to inhibit the nanoparticles from coalescing and densifying, thereby forming sufficient pores to form porous magnesium fluoride ( MgF 2 ) layer may be formed.
한편, 상기 마그네슘 화합물의 마그네슘에 대한, 상기 불소 화합물의 불소의 몰 비(F/Mg)는 1.8 내지 2.0일 수 있다. F/Mg 비가 1.8 미만이면 얻어지는 막이 치밀해지기 쉬움과 함께 굴절률이 높아지기 쉽고, F/Mg 비가 2.0 초과이면 콜로이드용액의 겔화가 발생하는 문제가 있다. Meanwhile, a molar ratio (F/Mg) of fluorine in the fluorine compound to magnesium in the magnesium compound may be 1.8 to 2.0. When the F/Mg ratio is less than 1.8, the resulting film tends to be dense and the refractive index tends to be high.
상기 제2 코팅층은 제1 코팅층 상에 상기 콜로이드 용액을 도포한 후 건조하여 형성할 수 있다.The second coating layer may be formed by applying the colloidal solution on the first coating layer and then drying.
이때, 상기 도포는 제1 코팅층에서와 같이 스핀 코트법이나 딥 코트법을 통해 수행할 수 있으나 이에 제한된 것은 아니며 다른 용액 코팅 공정이 사용될 수 있다.In this case, the application may be performed through a spin coat method or a dip coat method as in the first coating layer, but is not limited thereto, and other solution coating processes may be used.
또한, 상기 건조는 도포된 막을 예를 들어, 100℃ 내지 200℃의 온도에서 열처리하는 방법으로 수행될 수 있다. 하지만, 상기 건조 온도는 이에 제한되지 않는다. In addition, the drying may be performed by heat-treating the coated film at a temperature of, for example, 100°C to 200°C. However, the drying temperature is not limited thereto.
다음, 상기 제1 코팅층 및 제2 코팅층을 소결하는 단계를 포함할 수 있다.Next, it may include the step of sintering the first coating layer and the second coating layer.
상기 소결은 상기 제1 코팅층의 산화물 전구체로부터 산화물층(21)을 형성하고 상기 콜로이드 용액으로부터 불화 마그네슘(MgF2)층(22)을 형성하는 단계로 기 산화물층(21)이 형성되는 과정에서 형광체 플레이트층(10) 및 불화 마그네슘층(22)의 결합을 향상시킬 수 있다.The sintering is a step of forming an
상기 소결은 100℃ 내지 500℃에서 수행할 수 있고, 150℃ 내지 450℃에서 수행될 수 있고, 200℃ 내지 400℃에서 수행할 수 있고, 250℃ 내지 350℃에서 수행할 수 있다. The sintering may be performed at 100°C to 500°C, may be performed at 150°C to 450°C, may be performed at 200°C to 400°C, and may be performed at 250°C to 350°C.
상기 소결 시간은 특별히 제한되는 것은 아니나 예를 들어, 0.1 내지 3시간동안 수행될 수 있고, 0.5 내지 2시간 동안 수행할 수 있고, 0.8 내지 1.5시간 동안 수행할 수 있다.The sintering time is not particularly limited, but for example, may be performed for 0.1 to 3 hours, may be performed for 0.5 to 2 hours, and may be performed for 0.8 to 1.5 hours.
상기 단계에서 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자들 사이의 공극에 산화물이 침습됨으로서, 산화물층이 형성되는 과정에서 산화물층(21) 및 불화 마그네슘(MgF2)층(22)의 계면에, 다공성 불화 마그네슘(MgF2) 내에 산화물이 침습되어 있는 확산층이 형성될 수 있다. In the above step, the oxide is invaded into the pores between the magnesium fluoride (MgF 2 ) nanoparticles, and in the process of forming the oxide layer, the
다른 일 측면에서 제공되는 형광체 플레이트의 제조방법은 산화물층 및 상기 불화 마그네슘(MgF2)층을 포함하는 코팅층을 포함하는 형광체 플레이트를 제조하는 방법으로서, 형광체 플레이트층(10)에서 발생된 광이 반사되는 것을 현저히 줄임으로써 형광체의 양자 수율을 높일 수 있는 불화 마그네슘(MgF2)층을 형광체 플레이트층과 보다 강하게 결합시킬 수 있어, 성능 및 성능 안정성이 우수한 형광체 플레이트를 제조할 수 있다.The method for manufacturing a phosphor plate provided in another aspect is a method for manufacturing a phosphor plate including an oxide layer and a coating layer including the magnesium fluoride (MgF 2 ) layer, wherein light generated from the
다른 일 측면에서는in another aspect
상기 형광제 플레이트;를 포함하는 발광소자가 제공된다.A light emitting device comprising; the fluorescent plate is provided.
상기 발광소자는 발광다이오드(LED), 레이저다이오드, 면발광 레이저다이오드, 무기 일렉트로루미네선스 소자, 또는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 포함하는 다양한 LED응용제품을 포함할 수 있다.The light emitting device may include various LED application products including a light emitting diode (LED), a laser diode, a surface light emitting laser diode, an inorganic electroluminescent device, or an organic electroluminescent device.
또한, 다른 일 측면에서는Also, in another aspect
광원; 및light source; and
상기 광원으로부터 입사된 광의 색을 변화시키는 상기 형광제 플레이트;를 포함하는 백색 발광소자가 제공된다.A white light emitting device including a; the fluorescent plate for changing the color of the light incident from the light source is provided.
이때, 상기 광원은 300nm 내지 470nm 파장의 광을 발광하는 발광 다이오드일 수 있고, 420nm 내지 470nm 파장의 광을 발광하는 청색 발광다오드(LED) 또는 UV 발광 다이오드(LED)일 수 있다. In this case, the light source may be a light emitting diode that emits light having a wavelength of 300 nm to 470 nm, and may be a blue light emitting diode (LED) or a UV light emitting diode (LED) that emits light having a wavelength of 420 nm to 470 nm.
상기 백색 발광 다이오드는 발광다이오드, 레이저다이오드, 면발광 레이저다이오드, 무기 일렉트로루미네선스 소자, 또는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 포함할 수 있다.The white light emitting diode may include a light emitting diode, a laser diode, a surface light emitting laser diode, an inorganic electroluminescent device, or an organic electroluminescent device.
이하, 실시 예 및 실험 예를 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail through Examples and Experimental Examples.
단, 하기 실시 예 및 실험 예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시 예에 의해 한정되는 것은 아니다.However, the following examples and experimental examples are only to illustrate the present invention, the content of the present invention is not limited by the following examples.
<실시 예 1> 형광체 플레이트 제조<Example 1> Preparation of phosphor plate
단계 1: 이하의 방법으로 형광체 플레이트층(10)을 제조하였다.Step 1: A
BaO-ZnO-B2O3-SiO2계 조성의 글래스 프릿과 황색 형광체 분말인 Y3Al5O12:Ce3+(YAG:Ce) 형광체 3 중량%를 혼합하고, 혼합물을 디스크 형태로 압축한 후 압축된 디스크를 대기 중 600℃에서 약 30분간 소결하였으며, 소결된 디스크를 다이아몬드 절단기로 절단한 후 연마하여 0.5mm 크기로 형성하였다. 이후, 디스크의 표면을 1μm의 다이아몬드 슬러리로 연마하여 PiG 형태의 형광체 플레이트층을 제조하였다.BaO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 A glass frit having a composition and Y 3 Al 5 O 12 :Ce 3+ (YAG:Ce) phosphor, which is a yellow phosphor powder, 3% by weight are mixed, and the mixture is compressed into a disk shape. Then, the compressed disk was sintered at 600° C. in the air for about 30 minutes, and the sintered disk was cut with a diamond cutter and polished to form a size of 0.5 mm. Thereafter, the surface of the disk was polished with a diamond slurry of 1 μm to prepare a PiG-type phosphor plate layer.
단계 2: 12mmol의 마그네슘 아세테이트 수화물(Mg(CH3COO)2·4H2O, 99%, Junsei chemicals)을 50mL의 메탄올과 상온에서 격렬히 교반하여 마그네슘 아세테이트를 제조하였다. 이후, 상기 마그네슘 아세테이트에 1mL의 불산(HF, 48%, Sigma-Aldrich)을 첨가한 후 약 1시간 동안 교반하여 투명한 MgF2 전구체 용액을 제조하였다. 이때, MgF2의 화학양론적 비(Mg:F=1:2)는 메탄올 기반의 용액에서 분산성이 매우 안좋기 때문에, 균일한 MgF2 용액을 제조하기 위해 상기 불소(F) 및 마그네슘(Mg)의 원자비(F/Mg)는 1.8을 유지하도록 하였다Step 2: Magnesium acetate was prepared by vigorously stirring 12 mmol of magnesium acetate hydrate (Mg(CH 3 COO) 2· 4H 2 O, 99%, Junsei chemicals) with 50 mL of methanol at room temperature. Thereafter, 1 mL of hydrofluoric acid (HF, 48%, Sigma-Aldrich) was added to the magnesium acetate and stirred for about 1 hour to prepare a transparent MgF 2 precursor solution. At this time, since the stoichiometric ratio (Mg:F=1:2) of MgF 2 has very poor dispersibility in a methanol-based solution, uniform MgF 2 To prepare a solution, the atomic ratio (F/Mg) of fluorine (F) and magnesium (Mg) was maintained at 1.8.
상기 제조된 MgF2 전구체 용액을 고압멸균기(autoclave)에 넣은 후 140℃에서 약 24시간 동안 처리한 후 약 60℃에서 1시간 동안 건조시켜 3중량%의 결정성 MgF2 나노입자를 포함하는 콜로이드 용액을 제조하고, 상기 콜로이드 용액 내 MgF2 나노입자를 보다 균일하게 분산시키기 위해, 2-프로판올 및 메탄올을 등 몰로 혼합한 용매에 희석하였다.The prepared MgF 2 precursor solution was placed in an autoclave, treated at 140° C. for about 24 hours, and dried at about 60° C. for 1 hour. A colloidal solution containing 3 wt% of crystalline MgF 2 nanoparticles To prepare, MgF 2 in the colloidal solution In order to more uniformly disperse the nanoparticles, 2-propanol and methanol were diluted in an equimolar solvent.
단계 3: 스핀 코팅기를 이용하여 상기 제조한 PiG 형광체 플레이트층의 일면상에 희석시키지 않은 테트라에톡시실란(99%, Sigma-Aldrich)을 도포한 후, 120℃의 핫 플레이트에서 건조시켰다. 이후, 상기 MgF2 나노입자를 포함하는 콜로이드 용액을 1000rpm의 속도로 30초 동안 도포한 후, 120℃의 핫 플레이트에서 건조시켰다. 이후, 대기 중 300℃ 온도에서 약 1시간 동안 소결하여 MgF2 층/SiO2/PiG 구조의 형광체 플레이트(coated-MgF2, SiO2)를 제조하였다.Step 3: Undiluted tetraethoxysilane (99%, Sigma-Aldrich) was coated on one side of the prepared PiG phosphor plate layer using a spin coater, and then dried on a hot plate at 120°C. Then, the MgF 2 A colloidal solution containing nanoparticles was applied at a speed of 1000 rpm for 30 seconds, and then dried on a hot plate at 120°C. Thereafter, MgF 2 was sintered for about 1 hour at a temperature of 300° C. in the air. A phosphor plate (coated-MgF 2 , SiO 2 ) having a layer/SiO 2 /PiG structure was prepared.
<비교 예 1><Comparative Example 1>
상기 실시 예 1에서 단계 2 및 3을 수행하지 않았으며, 이에, 코팅층이 형성되지 않은 PiG 형광체 플레이트(uncoated)를 제조하였다.Steps 2 and 3 were not performed in Example 1, and thus, a PiG phosphor plate (uncoated) in which a coating layer was not formed was prepared.
<비교 예 2><Comparative Example 2>
상기 실시 예 1의 단계 3에서, PiG 형광체 플레이트층의 일면 상에 테트라에톡시실란(99%, Sigma-Aldrich)을 코팅하지 않고, 바로 MgF2 나노입자를 포함하는 콜로이드 용액을 코팅하는 것으로 변경하는 것을 제외하고 실시 예 1과 동일한 방법을 수행하여, MgF2 층/PiG 구조의 형광체 플레이트(coated-MgF2)를 제조하였다.In step 3 of Example 1, without coating tetraethoxysilane (99%, Sigma-Aldrich) on one surface of the PiG phosphor plate layer, MgF 2 A phosphor plate (coated-MgF 2 ) having a MgF 2 layer/PiG structure was prepared in the same manner as in Example 1 except that the colloidal solution containing nanoparticles was changed to be coated.
<실험 예 1> 표면 형상<Experimental Example 1> Surface shape
실시 예 1에서 제조한 형광체 플레이트의 표면을 투과전자 현미경(TEM, JEOL JEM-2100F)으로 관찰하였으며, 그 결과를 도 4에 나타내었다.The surface of the phosphor plate prepared in Example 1 was observed with a transmission electron microscope (TEM, JEOL JEM-2100F), and the results are shown in FIG. 4 .
도 4(a)는 투과전자 현미경으로 관찰한 형광체 플레이트의 표면을 나타낸 사진이고, 도 4(b)는 보다 고배율로 관찰한 사진으로, 도 4(a) 및 4(b)에 나타난 바와 같이, 상기 형광체 플레이트의 표면에는 중앙이 비어있는 중공구 형태(hollow shape)의 평균 직경이 약 10 nm인 결정형 MgF2 나노입자가 형성되어 있음을 알 수 있다. 상기 입자의 비어있는 부분을 둘러싼 영역(쉘 영역)의 두께는 약 6nm임을 알 수 있다.Figure 4 (a) is a photograph showing the surface of the phosphor plate observed with a transmission electron microscope, Figure 4 (b) is a photograph observed at a higher magnification, as shown in Figures 4 (a) and 4 (b), Crystalline MgF 2 having an average diameter of about 10 nm in a hollow shape with an empty center on the surface of the phosphor plate It can be seen that nanoparticles are formed. It can be seen that the thickness of the region (shell region) surrounding the empty portion of the particle is about 6 nm.
<실험 예 2> 공극률(porosity) 및 굴절률(refractive index)<Experimental Example 2> Porosity and refractive index
실시 예 1에서 제조한 형광체 플레이트에서의 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층에 대해, 공극율(porosity) 및 굴절룰(refractive index)을 이하의 방법으로 계산하였다.For the porous magnesium fluoride (MgF 2 ) layer in the phosphor plate prepared in Example 1, porosity and refractive index were calculated by the following method.
(1) 공극률(fp, porosity)(1) Porosity (f p , porosity)
MgF2 나노입자 쉘의 두께= 2nm MgF 2 Thickness of nanoparticle shell = 2 nm
중공구 입자에서 쉘 영역의 부피 분율(fv)Volume fraction of shell region in hollow spherical particles (f v )
= 
균일 적층 조건에서의 구의 충전밀도(fpd)=0.7405Packing density of spheres under uniform stacking condition (f pd )=0.7405
매우 느슨한 무작위 충전 조건에서의 구의 충전밀도(fpl)=0.56Packing density of spheres under very loose random packing (f pl )=0.56
고밀도 충전 조건(dense packing condition)에서의 중공구 형태의 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층의 기공율(porosity)=1-(fv x fpd)= 0.4194Porosity of the hollow spherical porous magnesium fluoride (MgF 2 ) layer under dense packing condition = 1-(f v xf pd )= 0.4194
느슨한 무작위 충전 조건(loose random packing condition)에서의 중공구 형태의 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층의 공극율(fp, porosity)=1-(fv x fpl)= 0.5610Porosity (f p , porosity)=1-(f v xf pl )= 0.5610 of porous magnesium fluoride (MgF 2 ) layer in the form of hollow spheres under loose random packing condition
상기 계산된 바와 같이, 고밀도 충전 조건에서 계산된 상기 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층의 공극률(fp)은 약 0.42임을 알 수 있다. As calculated above, it can be seen that the porosity (f p ) of the porous magnesium fluoride (MgF 2 ) layer calculated under the high-density packing condition is about 0.42.
(2) 굴절률(ntf, refractive index)(2) refractive index (n tf , refractive index)
상기 공극률을 반영하여 상기 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층의 굴절률(ntf)을Reflecting the porosity, the refractive index (n tf ) of the porous magnesium fluoride (MgF 2 ) layer
이하의 식 1로 계산하였다.It was calculated by Equation 1 below.
<식 1><Equation 1>
nbulk=벌크 MgF2의 굴절률= 약 1.37n bulk = refractive index of bulk MgF 2 = about 1.37
fp=0.42f p =0.42
상기 식 1을 통해 계산된 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층의 굴절률(ntf)은 약 1.21로 계산되었다.The refractive index (n tf ) of the porous magnesium fluoride (MgF 2 ) layer calculated through Equation 1 was calculated to be about 1.21.
<실험 예 3> 단면 형상 및 원소 분포<Experimental Example 3> Cross-sectional shape and element distribution
실시 예 1에서 제조한 형광체 플레이트의 단면 형상 및 원소 분포를 확인하기 위해, 투과전자현미경(TEM) 및 에너지 분산 X-선 분광분석기(EDS)를 이용하여 관찰하였으며, 그 결과를 도 5 및 도 6에 나타내었다.In order to confirm the cross-sectional shape and element distribution of the phosphor plate prepared in Example 1, it was observed using a transmission electron microscope (TEM) and an energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), and the results are shown in FIGS. 5 and 6 shown in
도 5의 좌측 저배율 사진의 화살표로 표시된 부분에서 형광체 플레이트층에 포함된 형광체 물질이 관찰됨을 확인할 수 있으며, 우측 고배율 사진은 좌측에 표시된 영역(빨간 네모)을 확대하여 관찰한 것으로, 우측 사진에서 나타난 봐와 같이 형광체 플레이트층 상에 2개의 층이 형성되었음을 알 수 있다. 상기 2개의 층은 약 20nm 및 약 70nm의 두께로 형성되었음을 알 수 있다.It can be seen that the phosphor material included in the phosphor plate layer is observed in the portion indicated by the arrow in the left low magnification photo of FIG. 5, and the right high magnification photo is observed by magnifying the area indicated on the left (red square), as shown in the right photo As shown, it can be seen that two layers are formed on the phosphor plate layer. It can be seen that the two layers were formed to a thickness of about 20 nm and about 70 nm.
도 6은 실시 예 1에서 형광체 플레이트의 두께 방향으로의 원소 분포를 나타낸 그래프로, 도 6에 도시된 바와 같이, Si가 약 40nm 이상의 거리에서 원소량이 급격히 떨어져 60nm 이상이 되면 코팅층이 존재하지 않는 부분과 거의 동일해짐을 알 수 있으며, 이로부터 확산층의 두께가 약 20nm인 것으로 예상해볼 수 있다.6 is a graph showing the element distribution in the thickness direction of the phosphor plate in Example 1, and as shown in FIG. 6, when the amount of Si falls sharply at a distance of about 40 nm or more and becomes 60 nm or more, the coating layer does not exist. It can be seen that the thickness of the diffusion layer is approximately 20 nm.
상기 결과로부터 약 20nm의 산화물층(21), 약 20nm의 From the above results, the
(상기 밑줄 친 부분의 설명이 (Explanation of the underlined part above is 적절한 지 검토하여review whether it is appropriate 주시기 바랍니다) please)
<실험 예 4> 반사율(R, reflectance) 및 투과율(T, transmittance)<Experimental Example 4> Reflectance (R, reflectance) and transmittance (T, transmittance)
실시 예 1, 비교 예 1 및 비교 예2의 형광체 플레이트의 광학 반사율(R) 및 투과율(T)을 아래의 천이행렬법(TMM, transfer matrix method)으로 계산하였으며, 그 결과를 도 7 및 8에 나타내었다. The optical reflectance (R) and transmittance (T) of the phosphor plates of Example 1, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 were calculated by the following transfer matrix method (TMM), and the results are shown in FIGS. 7 and 8 indicated.
공기/비교 예 1의 형광체 플레이트 계면에서의 전자기장은 매트리스(Ek,Hk)로 표현될 수 있고, 공기/실시 예1의 형광체 플레이트 계면에서의 전자기장은 이하의 식 2로 표시되는 특징적 매트리스(E0,H0)로 표현될 수 있고 이를 마지막 계면(Ek)에서의 전기장으로 정규화하면, 아래의 식 3으로 표시될 수 있으며, 다층 코팅층을 갖는 형광체 플레이트의 반사율(R) 및 투과율(T)은 이하의 식 4로부터 얻을 수 있다. The electromagnetic field at the interface of the phosphor plate of Air/Comparative Example 1 can be expressed as a mattress (E k ,H k ), and the electromagnetic field at the interface of the phosphor plate of Air/Example 1 is a characteristic matrix ( E 0 ,H 0 ) and normalized to the electric field at the last interface (E k ), it can be expressed as Equation 3 below, and the reflectance (R) and transmittance (T) of the phosphor plate having a multilayer coating layer ) can be obtained from Equation 4 below.
<식 2><Equation 2>
<식 3><Equation 3>
여기서, B 및 C는 각각 정규화된 첫 번째 계면에서의 전기장 및 자기장을 나타냄where B and C represent the electric and magnetic fields at the normalized first interface, respectively
<식 4><Equation 4>
Y0=공기/실시 예 1의 형광체 플레이트 계면에서의 광학 어드미턴스Y 0 =Optical admittance at the interface of the phosphor plate of air/Example 1
도 7은 실시 예 1, 비교 예1 및 2의 형광체 플레이트 및 이의 반사율(R) 및 투과율(T)을 개략적으로 나타낸 모식도이고, 도 8은 실시 예 1, 비교 예1 및 2의 형광체 플레이트의 파장에 따른 반사율(R) 및 투과율(T)을 나타낸 그래프이다.7 is a schematic diagram schematically showing the phosphor plates of Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 and their reflectance (R) and transmittance (T), and FIG. 8 is a wavelength of the phosphor plates of Examples 1 and Comparative Examples 1 and 2 It is a graph showing the reflectance (R) and transmittance (T) according to
도 7 및 8에 나타낸 바와 같이, 코팅층을 포함하지 않는 비교 예 1 대비 코팅층을 포함하는 비교 예 2 및 실시 예1의 형광체 플레이트의 반사율(R)은 현저히 감소하고 투과율(T)은 현저히 증가한 것을 알 수 있으며, 이를 통해, 코팅층을 포함함으로써, PiG의 양자 수율을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다. 또한, 비교 예 2 대비 실시 예 1에서의 PiG의 양자 수율이 일부 향상된 것을 알 수 있다.As shown in Figures 7 and 8, it was found that the reflectance (R) of the phosphor plates of Comparative Examples 2 and 1 including the coating layer was significantly reduced and the transmittance (T) was significantly increased compared to Comparative Example 1 without the coating layer. Through this, it can be seen that the quantum yield of PiG can be improved by including the coating layer. In addition, it can be seen that the quantum yield of PiG in Example 1 is partially improved compared to Comparative Example 2.
<실험 예 5> 광 발광(PL) 특성<Experimental Example 5> Photoluminescence (PL) characteristics
실시 예 1 및 비교 예 1의 형광체 플레이트의 광 발광 특성을 비교하기 위하여, 형광 분광계 시스템((FS-2, SINCO Korea)을 이용하여 여기 파장을 450nm로 하여 광 발광(Photoluminescence, PL)을 측정하고, 절대 양자 수율은 형광 분광계((Fluorolog3, Horiba)로 측정하여 그 결과를 도 9에 나타내었다.In order to compare the photoluminescence characteristics of the phosphor plates of Example 1 and Comparative Example 1, photoluminescence (PL) was measured using a fluorescence spectrometer system (FS-2, SINCO Korea) with an excitation wavelength of 450 nm. , the absolute quantum yield was measured with a fluorescence spectrometer ((Fluorolog3, Horiba), and the results are shown in FIG. 9 .
도 9에 도시된 바와 같이, 코팅층이 형성되지 않은 비교 예 1의 형광체 플레이트 대비 실시 예1의 코팅층을 포함하는 형성체 플레이트에서 광 발광 특성이 현저히 향상되었음을 알 수 있다.As shown in FIG. 9 , it can be seen that the photoluminescence property was significantly improved in the formed plate including the coating layer of Example 1 compared to the phosphor plate of Comparative Example 1 in which the coating layer was not formed.
이는, 실시 예 1의 코팅층을 포함하는 형광체 플레이트의 경우, 공기 및 코팅층 사이의 계면에서 입사된 광이 반사되는 것을 최소화할 수 있고 투과율을 증가시킬 수 있어 보다 많은 양자가 형광체 입자에 흡수될 수 있고, 보다 많은 양자를 흡수한 형광체 입자는 또한 보다 많은 광을 방출할 수 있기 때문에 결과적으로 코팅층을 포함하는 형광체 플레이트에서 광 발광 특성이 향상된 것으로 볼 수 있다.This is, in the case of the phosphor plate including the coating layer of Example 1, it is possible to minimize the reflection of light incident at the interface between the air and the coating layer and increase the transmittance, so that more protons can be absorbed by the phosphor particles, , since the phosphor particles absorbing more protons can also emit more light, as a result, it can be seen that the photoluminescence property is improved in the phosphor plate including the coating layer.
또한, 비교 예 1 및 실시 예 1의 형광 양자 수율(fluorescence quantum yield, QY)은 각각 30% 및 45%로, 코팅층을 포함함으로써, 양자 수율이 현저히 향상된 것을 알 수 있다. In addition, the fluorescence quantum yield (QY) of Comparative Example 1 and Example 1 was 30% and 45%, respectively, and by including the coating layer, it can be seen that the quantum yield was significantly improved.
<실험 예 6> 백색 발광 다이오드(wLED)의 발광 특성<Experimental Example 6> Light emitting characteristics of a white light emitting diode (wLED)
투명 실리콘 수지를 이용하여 상기 실시 예 1 및 비교 예 1의 형광체 플레이트에서 제조한 형광체 플레이트를 청색 상용 LED((PP465-8L61-Star, Photron)의 표면에 부착하여 백색 발광 다이오드(wLED)를 제조하여 구동 전압 3.0~3.25V에서의 파장에 따른 발광 세기를 나타내는 전장발광(electroluminescence, EL) 스펙트럼을 도 10에 나타내고, 발광 속도(luminous flux, φ) 및 발광 효율(luminous efficacy, LE)를 각각 도 11에 나타내었으며, 각각의 색 좌표(chromaticity)를 도 12에 나타내었다.A white light emitting diode (wLED) was manufactured by attaching the phosphor plate prepared from the phosphor plate of Example 1 and Comparative Example 1 to the surface of a blue commercial LED ((PP465-8L61-Star, Photron) using a transparent silicone resin. The electroluminescence (EL) spectrum showing the emission intensity according to the wavelength at a driving voltage of 3.0 to 3.25V is shown in FIG. 10, and the luminous flux (φ) and luminous efficacy (LE) are shown in FIG. 11, respectively. , and each color coordinate (chromaticity) is shown in FIG. 12 .
도 10의 전장발광(EL) 스펙트럼은 청색 LED의 직접 발광 및 형광 플레이트에 의해 변환된 발광을 포함한다.The electroluminescence (EL) spectrum of FIG. 10 includes direct emission of a blue LED and emission converted by a fluorescent plate.
도 10에서 나타난 바와 같이, 구동 전압 3.0~3.25V에서의 파장에 따른 발광 세기를 분석한 결과, 실시 예 1 및 비교 예1의 형광체 플레이트를 장착한 wLED 모두에서, 구동 전압이 높을수록 발광 세기가 커짐을 알 수 있으며, 비교 예 1의 형광 플레이트를 사용한 wLED 대비 실시 예 1의 형광 플레이트를 사용한 wLED에서 발광 세기가 보다 커짐을 알 수 있다. As shown in FIG. 10 , as a result of analyzing the emission intensity according to wavelength at a driving voltage of 3.0 to 3.25V, in both the wLEDs equipped with the phosphor plate of Example 1 and Comparative Example 1, the higher the driving voltage, the higher the emission intensity. It can be seen that the luminescence intensity is greater in the wLED using the fluorescent plate of Example 1 compared to the wLED using the fluorescent plate of Comparative Example 1.
실시 예 1 및 비교 예1의 형광체 플레이트를 장착한 wLED의 광학 특성을 정량분석하기 위해 발광 속도(luminous flux)를 측정한 결과, 도 11에 나타난 바와 같이, 구동 전류(I)가 증가함에 따라 발광 속도(φ)가 선형적으로 증가함을 알 수 있으며, 이때 실시 예 1 및 비교 예1의 형광체 플레이트를 장착한 wLED의 그래프의 발광 속도-구동전류(φ-I)그래프의 기울기 값(Δ)은 각각 126lm/A 및 110lm/A로, 비교 예 1 대비 실시 예 1의 형광체 플레이트를 장착한 wLED에서 약 15% 높은 값을 가짐을 알 수 있다. As a result of measuring the luminous flux to quantitatively analyze the optical properties of the wLED equipped with the phosphor plate of Example 1 and Comparative Example 1, as shown in FIG. 11 , light emission as the driving current I increased It can be seen that the speed (φ) increases linearly, at this time, the light emission rate of the graph of wLED equipped with the phosphor plate of Example 1 and Comparative Example 1 - The slope value (Δ) of the driving current (φ-I) graph is 126lm/A and 110lm/A, respectively, and it can be seen that the wLED equipped with the phosphor plate of Example 1 has a value of about 15% higher than that of Comparative Example 1.
또한, 실시 예 1 및 비교 예1의 형광체 플레이트를 장착한 wLED의 발광 효율(LE)을 측정한 결과, 도 11에 나타난 바와 같이, 최대 값이 각각 48.4lm/W 및 42.1lm/W으로 약 16mA에서 발생 되었으며, 구동 전류가 약 211mA까지 증가할 때까지 실시 예 1 및 비교 예1의 형광체 플레이트를 장착한 wLED의 발광 효율은 약 34.4lm/W 및 29.8lm/W로 강하됨을 알 수 있다. In addition, as a result of measuring the luminous efficiency (LE) of the wLED equipped with the phosphor plate of Example 1 and Comparative Example 1, as shown in FIG. 11 , the maximum values were 48.4 lm/W and 42.1 lm/W, respectively, about 16 mA. It can be seen that the luminous efficiency of the wLED equipped with the phosphor plate of Example 1 and Comparative Example 1 dropped to about 34.4 lm/W and 29.8 lm/W until the driving current was increased to about 211 mA.
이를 통해, 비교 예 1 대비 실시 예 1의 형광체 플레이트를 장착한 wLED에서 전체 구동 전류 범위에서 보다 높은 발광 효율이 나타남을 알 수 있다.Through this, it can be seen that compared to Comparative Example 1, the wLED equipped with the phosphor plate of Example 1 showed higher luminous efficiency in the entire driving current range.
또한, 비교 예 1 대비 실시 예 1의 형광체 플레이트를 장착한 wLED의 발광색을 CIE1931을 기반으로 하는 색 좌표(chromaticity)에 나타낸 결과, 도 12에 나타난 바와 같이, 비교 예 1 대비 실시 예 1의 색 좌표 차이가 약 0.01 미만으로 색 좌표값이 매우 유사함을 알 수 있다. 이를 통해, 코팅층을 포함하더라도 발광색상이 달라지지 않음을 알 수 있다.In addition, as a result of showing the emission color of the wLED equipped with the phosphor plate of Example 1 compared to Comparative Example 1 in chromaticity based on CIE1931, as shown in FIG. 12, the color coordinates of Example 1 compared to Comparative Example 1 As the difference is less than about 0.01, it can be seen that the color coordinate values are very similar. Through this, it can be seen that the emission color does not change even if the coating layer is included.
상기 결과를 통해, 일 측면에 따른 형광체 플레이트는 코팅층을 포함함으로써, 색 좌표 변화없이 발광 효율을 약 15% 이상 더 향상시킬 수 있음을 알 수 있다. From the above results, it can be seen that the phosphor plate according to one aspect includes the coating layer, so that the luminous efficiency can be further improved by about 15% or more without changing the color coordinates.
<실험 예 6> 형광체 플레이트의 내마모성 평가<Experimental Example 6> Evaluation of abrasion resistance of phosphor plate
코팅층 유무에 따른 형광체 플레이트의 내마모성을 비교 평가하기 위해, 실시 예 1 및 비교 예 1의 형광체 플레이트의 내마모성을 광학 필름에 대해 설정된 테스트 표준(ISO9211-4)를 기반으로 마모 평가를 수행하였다.In order to comparatively evaluate the abrasion resistance of the phosphor plate according to the presence or absence of the coating layer, the abrasion resistance of the phosphor plate of Example 1 and Comparative Example 1 was evaluated based on the test standard (ISO9211-4) set for the optical film.
도 13은 크로크미터(crockmeter) 사용하여 5N의 하중으로 스크래치를 수행한 후 표면 사진으로, 도 13(a)에 나타난 바와 같이, 비교 예 1의 형광체 플레이트 표면에는 다수의 스크래치가 형성된 반면, 도 13(b)에 나타난 바와 같이, 실시 예 1의 형광체 플레이트 표면에는 스크래치가 발생되지 않음을 알 수 있다.13 is a photograph of the surface after performing scratches with a load of 5N using a crockmeter. As shown in FIG. 13(a), a number of scratches were formed on the surface of the phosphor plate of Comparative Example 1, whereas FIG. As shown in (b), it can be seen that no scratches were generated on the surface of the phosphor plate of Example 1.
이를 통해, 실시 예 1의 코팅층을 포함하는 형광체 플레이트는 비교 예 1의 형광체 플레이트 대비 내마모성이 현저히 우수함을 알 수 있다.Through this, it can be seen that the phosphor plate including the coating layer of Example 1 has significantly superior abrasion resistance compared to the phosphor plate of Comparative Example 1.
10: 형광체 플레이트층
20: 코팅층
21: 산화물층
22: 불화 마그네슘(MgF2)층
100: 형광체 플레이트10: phosphor plate layer
20: coating layer
21: oxide layer
22: magnesium fluoride (MgF 2 ) layer
100: phosphor plate
Claims (15)
상기 코팅층은,
형광체 플레이트층 상에 배치되는 산화물층; 및
상기 산화물층 상에 배치되는 다공성 불화 마그네슘(MgF2)층;을 포함하는, 형광체 플레이트.
In the phosphor plate comprising a coating layer,
The coating layer is
an oxide layer disposed on the phosphor plate layer; and
A phosphor plate comprising a; a porous magnesium fluoride (MgF 2 ) layer disposed on the oxide layer.
상기 산화물층은 규소계 산화물을 포함하는, 형광체 플레이트.
The method of claim 1,
The oxide layer comprises a silicon-based oxide, phosphor plate.
상기 형광체 플레이트는
상기 산화물층 및 상기 불화 마그네슘(MgF2)층의 계면에, 다공성 불화 마그네슘(MgF2) 내에 산화물이 침습되어 있는 확산층을 더 포함하는, 형광체 플레이트.
The method of claim 1,
The phosphor plate
At the interface between the oxide layer and the magnesium fluoride (MgF 2 ) layer, the phosphor plate further comprises a diffusion layer in which an oxide is invaded in the porous magnesium fluoride (MgF 2 ).
상기 확산층에서 상기 산화물은 깊이방향으로 농도 구배를 갖는, 형광체 플레이트.
4. The method of claim 3,
In the diffusion layer, the oxide has a concentration gradient in a depth direction, a phosphor plate.
상기 확산층의 두께는 5nm 내지 30nm인, 형광체 플레이트.
4. The method of claim 3,
The thickness of the diffusion layer is 5 nm to 30 nm, the phosphor plate.
상기 불화 마그네슘(MgF2)층은 1.1 내지 1.3의 굴절률을 갖는, 형광체 플레이트.
The method of claim 1,
The magnesium fluoride (MgF 2 ) layer has a refractive index of 1.1 to 1.3, a phosphor plate.
상기 불화 마그네슘(MgF2)층의 두께는 30nm 내지 120nm인, 형광체 플레이트.
The method of claim 1,
The thickness of the magnesium fluoride (MgF 2 ) layer is 30 nm to 120 nm, the phosphor plate.
상기 산화물층의 두께는 5nm 내지 35nm인, 백색 LED용 형광체 플레이트.
제1항에 있어서,
According to claim 1,
The oxide layer has a thickness of 5 nm to 35 nm, a phosphor plate for a white LED.
The method of claim 1,
형광체 플레이트층 상에 산화물 전구체 용액을 코팅하여 제1 코팅층을 형성하는 단계;
상기 제1 코팅층 상에 불화 마그네슘(MgF2) 나노입자를 포함하는 콜로이드 용액을 코팅하여 제2 코팅층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 코팅층 및 제2 코팅층을 소결하는 단계;를 포함하며,
제1항의 형광체 플레이트를 제조하는 것을 특징으로 하는, 형광체 플레이트의 제조방법.
A method for manufacturing a phosphor plate including a coating layer, comprising:
forming a first coating layer by coating an oxide precursor solution on the phosphor plate layer;
forming a second coating layer by coating a colloidal solution containing magnesium fluoride (MgF 2 ) nanoparticles on the first coating layer; and
Including; sintering the first coating layer and the second coating layer;
A method for producing a phosphor plate, characterized in that for producing the phosphor plate of claim 1 .
상기 산화물 전구체 용액은 유기 규소 화합물인, 형광체 플레이트의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The oxide precursor solution is an organosilicon compound, a method of manufacturing a phosphor plate.
상기 콜로이드 용액은
마그네슘 화합물, 불소 화합물 및 용매를 혼합 및 열처리하여 형성하는, 형광체 플레이트의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The colloidal solution is
A method for producing a phosphor plate, comprising mixing and heat-treating a magnesium compound, a fluorine compound, and a solvent.
상기 열처리는 100℃ 내지 180℃의 온도에서 수행되는, 형광체 플레이트의 제조방법.
12. The method of claim 11,
The heat treatment is performed at a temperature of 100 ℃ to 180 ℃, a method of manufacturing a phosphor plate.
상기 소결은 250℃ 내지 350℃에서 수행되는, 형광체 플레이트의 제조방법.
9. The method of claim 8,
The sintering is carried out at 250 °C to 350 °C, a method of manufacturing a phosphor plate.
발광소자.
A light emitting device comprising; the fluorescent plate of claim 1 .
light emitting device.
상기 광원으로부터 입사된 광의 색을 변화시키는 제1항의 형광제 플레이트;를 포함하는 백색 발광소자.light source; and
A white light emitting device comprising a; the fluorescent plate of claim 1 for changing the color of the light incident from the light source.
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102468759B1 (en) | 2022-11-18 |
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