KR20220050382A - Semiconductor chip pick up apparatus and method for manufacturing lower pick up assembly of semiconductor chip pick up apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 칩 픽업 장치 및 반도체 픽업 장치의 하부 픽업부 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게 본 발명은 진공 흡입을 통하여 개별 다이로 분리되는 반도체 칩을 픽업하기 위한 반도체 칩 픽업 장치 및 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor chip pickup apparatus and a method for manufacturing a lower pickup part of the semiconductor pickup apparatus. More particularly, the present invention relates to a semiconductor chip pickup device for picking up semiconductor chips separated into individual dies through vacuum suction, and a method for manufacturing a lower pickup part of the semiconductor chip pickup device.
반도체 소자, 즉 반도체 칩을 제조하는 공정에서는 웨이퍼로부터 개별 다이로 분리되는 반도체 칩을 리드 프레임 또는 인쇄회로기판 등에 실장시키는 공정을 수행할 수 있는데, 이 경우 개별 다이로 분리되는 반도체 칩은 진공 흡입으로 픽업하는 반도체 칩 픽업 장치를 사용하여 리드 프레임 또는 인쇄회로기판 등으로 이송시킬 수 있다.In the process of manufacturing a semiconductor device, that is, a semiconductor chip, a process of mounting the semiconductor chip separated into individual dies from the wafer on a lead frame or a printed circuit board may be performed. In this case, the semiconductor chip separated into individual dies is vacuum sucked. It can be transferred to a lead frame or a printed circuit board using a semiconductor chip pickup device that picks up.
반도체 칩 픽업 장치는 상부 픽업부 및 하부 픽업부를 구비할 수 있는데, 하부 픽업부는 소모품으로써 상부 픽업부와 자력에 의해 결합됨과 아울러 반도체 칩의 픽업시 반도체 칩과 면접하도록 구비될 수 있다.The semiconductor chip pickup apparatus may include an upper pickup part and a lower pickup part. The lower pickup part may be magnetically coupled to the upper pickup part as a consumable and may be provided to face the semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up.
이에, 하부 픽업부는 상부 픽업부와 자력에 의해 결합되는 결합 부분과 반도체 칩과 면접하는 면접 부분을 갖도록 구비될 수 있다.Accordingly, the lower pickup unit may be provided to have a coupling portion coupled to the upper pickup unit by magnetic force and an interface portion that interfaces with the semiconductor chip.
언급한 반도체 칩 픽업 장치에 대해서는 대한민국 등록실용신안 20-0425068호, 대한민국 등록특허 10-1385444호 등에 개시되어 있다.The aforementioned semiconductor chip pickup device is disclosed in Korean Utility Model Registration No. 20-0425068 and Korean Patent Registration No. 10-1385444.
본 발명의 일 목적은 보다 견고한 구조를 가짐과 아울러 반도체 칩의 픽업시 반도체 칩 쪽으로 플로우될 수 있는 정전기를 차단하는 구조를 갖는 하부 픽업부를 구비하는 반도체 칩 픽업 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION One object of the present invention is to provide a semiconductor chip pickup device having a lower pickup unit having a more robust structure and a structure for blocking static electricity that may flow toward a semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up.
본 발명의 다른 목적은 보다 견고한 구조를 가짐과 아울러 반도체 칩의 픽업시 반도체 칩 쪽으로 플로우될 수 있는 정전기를 차단하는 구조를 갖는 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a lower pickup part of a semiconductor chip pickup device having a more robust structure and a structure for blocking static electricity that may flow toward the semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치는 진공 흡입을 통하여 반도체 칩을 픽업하기 위한 것으로써, 상부 픽업부 및 하부 픽업부를 구비할 수 있다. 상기 하부 픽업부는 상기 상부 픽업부에 결합되는 결합부 및 상기 반도체 칩의 픽업시 상기 반도체 칩과 면접하는 면접부가 일체 구조를 갖도록 구비됨과 아울러 상기 반도체 칩의 픽업시 상기 반도체 칩 쪽으로 플로우될 수 있는 정전기를 차단하기 위한 정전기 차단 물질을 포함할 수 있다. 상기 결합부는 상기 상부 픽업부와 자력에 의해 결합될 수 있게 실리콘 내에 자성 물질이 혼합되는 실리콘 혼합 물질을 포함할 수 있고, 상기 면접부는 상기 반도체 칩의 픽업시 상기 자성 물질로부터의 자력이 상기 반도체 칩으로 전달되는 것을 차단할 수 있게 실리콘을 포함할 수 있다.A semiconductor chip pickup apparatus according to exemplary embodiments for achieving an object of the present invention is for picking up a semiconductor chip through vacuum suction, and may include an upper pickup part and a lower pickup part. The lower pickup unit is provided to have an integral structure with a coupling portion coupled to the upper pickup portion and an interface portion that interfaces with the semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up, and static electricity that can flow toward the semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up It may include a static blocking material to block the. The coupling part may include a silicon mixed material in which a magnetic material is mixed in silicon to be coupled to the upper pickup part by magnetic force, and the surface part may include a magnetic force from the magnetic material when the semiconductor chip is picked up by the semiconductor chip. It may contain silicone to block transmission to the .
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 정전기 차단 물질은 상기 결합부 표면 및 상기 면접부 표면에 코팅되는 박막 구조를 갖도록 구비될 수 있다.In example embodiments, the static electricity blocking material may be provided to have a thin film structure coated on the surface of the coupling part and the surface of the interview part.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 정전기 차단 물질은 상기 결합부의 실리콘 혼합 물질에 더 혼합되는 구조를 갖도록 구비될 수 있다.In example embodiments, the static blocking material may be provided to have a structure that is further mixed with the silicon mixed material of the coupling part.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부를 제조하는 방법은 상기 하부 픽업부 중에서 상기 반도체 칩과 면접하는 면접부로 형성될 수 있게 제1 온도에서 멜팅시킨 실리콘을 포함하는 실리콘 멜팅 물질을 제1 시간 동안 금형 내에 주입시켜 제1 사출 공정을 수행하는 단계와, 상기 실리콘 멜팅 물질을 고형화시켜 상기 면접부를 수득함과 아울러 상기 금형이 제2 사출 공정을 수행하기 위한 컨디션을 확보할 수 있게 제2 시간 동안 상기 금형에 냉매를 순환시키는 단계와, 상기 하부 픽업부 중에서 상부 픽업부에 결합되는 결합부로 형성됨과 아울러 상기 결합부가 상기 면접부와 일체 구조를 갖도록 형성될 수 있게 제3 온도에서 멜팅시킨 실리콘 내에 자성 물질이 혼합되는 혼합 멜팅 물질을 제3 시간 동안 고형화가 이루어진 면접부가 잔류하고 있는 상기 금형 내에 주입시켜 제2 사출 공정을 수행하는 단계와, 상기 혼합 멜팅 물질을 고형화시켜 상기 면접부 및 상기 결합부가 일체 구조를 갖는 하부 픽업부를 수득할 수 있게 제4 시간 동안 상기 금형에 냉매를 순환시키는 단계와, 상기 반도체 칩의 픽업시 상기 반도체 칩 쪽으로 플로우될 수 있는 정전기를 차단할 수 있게 상기 하부 픽업부에 정전기 차단 물질이 포함되도록 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In a method for manufacturing a lower pickup part of a semiconductor chip pickup apparatus according to exemplary embodiments for achieving another object of the present invention, melting at a first temperature so that the lower pickup part can be formed as an interface part that interfaces with the semiconductor chip among the lower pickup part. A first injection process is performed by injecting a silicone melting material containing siliconized silicone into the mold for a first time, and the surface portion is obtained by solidifying the silicone melting material, and the mold performs a second injection process The step of circulating a refrigerant in the mold for a second time so as to secure the condition for performing a second injection process by injecting a mixed melting material, in which a magnetic material is mixed in silicon melted at a third temperature, into the mold in which the surface portion that has been solidified for a third time remains in the mold; Circulating a refrigerant in the mold for a fourth time to solidify the material to obtain a lower pickup part having an integral structure with the face part and the coupling part; The method may include forming the lower pick-up part to contain a static-blocking material to block static electricity.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 픽업부에 정전기 차단 물질이 포함되도록 형성하는 단계는 상기 일체 구조를 갖는 상기 결합부 표면 및 상기 면접부 표면에 박막 구조를 갖도록 코팅 공정을 수행할 수 있다.In example embodiments, the forming of the lower pickup part to include the static electricity blocking material may include performing a coating process to have a thin film structure on the surface of the coupling part having the integral structure and the surface of the interview part.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 픽업부에 정전기 차단 물질이 포함되도록 형성하는 단계는 상기 제2 사출 공정을 상기 혼합 멜팅 물질에 정전기 차단 물질을 더 혼합시켜 수행할 수 있다.In example embodiments, the forming of the lower pickup unit to include the static blocking material may be performed by further mixing the static blocking material with the mixed melting material in the second injection process.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치 및 하부 픽업부의 제조 방법은 상부 픽업부와 결합하는 결합부 및 반도체 칩과 면접하는 면접부를 일체 구조를 갖도록 형성함으로써 보다 견고한 하부 픽업부의 수득이 가능하기 때문에 반도체 칩의 픽업시 하부 픽업부가 손상되는 상황을 최소화할 수 있고, 그 결가 반도체 칩을 보다 안정적으로 핸들링할 수 있는 이점을 기대할 수 있을 것이다.A semiconductor chip pickup device and a method for manufacturing a lower pickup part according to exemplary embodiments of the present invention are formed to have an integral structure with a coupling part for coupling with the upper pickup part and an interface part that interfaces with the semiconductor chip to obtain a more robust lower pickup part. Since it is possible, it is possible to minimize a situation in which the lower pickup part is damaged when the semiconductor chip is picked up, and as a result, the advantage of more stably handling the semiconductor chip can be expected.
또한, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치 및 하부 픽업부의 제조 방법은 반도체 칩 쪽으로 정전기가 플로우되는 것을 차단할 수 있는 구조는 하부 픽업부의 수득이 가능하기 때문에 반도체 칩의 픽업을 보다 안정적으로 수행할 수 있는 이점을 기대할 수 있을 것이다.In addition, the semiconductor chip pickup apparatus and the method for manufacturing the lower pickup part according to exemplary embodiments of the present invention have a structure capable of blocking static electricity from flowing toward the semiconductor chip, since the lower pickup part can be obtained, so that the pickup of the semiconductor chip is better. You can expect the advantage of being able to perform stably.
다만, 본 발명의 목적 및 효과는 상기 언급한 바에 한정되는 것이 아니며 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the objects and effects of the present invention are not limited to the above, and may be variously expanded without departing from the spirit and scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 반도체 칩 픽업 장치에 구비되는 하부 픽업부를 나타내는 개략적인 도면들이다.
도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a schematic diagram illustrating a semiconductor chip pickup apparatus according to exemplary embodiments of the present invention.
2 and 3 are schematic views illustrating a lower pickup unit provided in the semiconductor chip pickup apparatus of FIG. 1 .
4 is a view for explaining a method of manufacturing a lower pickup unit of a semiconductor chip pickup apparatus according to exemplary embodiments of the present invention.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.With respect to the embodiments of the present invention disclosed in the text, specific structural or functional descriptions are only exemplified for the purpose of describing the embodiments of the present invention, and the embodiments of the present invention may be embodied in various forms and the text It should not be construed as being limited to the embodiments described in .
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and can have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it is understood that the other component may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that no other element is present in the middle. Other expressions describing the relationship between components, such as "between" and "immediately between" or "neighboring to" and "directly adjacent to", etc., should be interpreted similarly.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate that the described feature, number, step, operation, component, part, or a combination thereof exists, but one or more other features or numbers , it is to be understood that the existence or addition of steps, operations, components, parts or combinations thereof is not precluded in advance.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted to have meanings consistent with the context of the related art, and are not to be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. .
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same components in the drawings, and duplicate descriptions of the same components are omitted.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치를 나타내는 개략적인 도면이고, 도 2 및 도 3은 도 1의 반도체 칩 픽업 장치에 구비되는 하부 픽업부를 나타내는 개략적인 도면들이다.1 is a schematic diagram showing a semiconductor chip pickup apparatus according to exemplary embodiments of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are schematic diagrams illustrating a lower pickup unit provided in the semiconductor chip pickup apparatus of FIG. 1 .
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치(100)는 회로 패턴이 형성되는 반도체 기판인 웨이퍼로부터 개별 다이로 분리되는 반도체 칩을 리프 프레임 또는 인쇄회로기판 등에 이송시킬 때 진공 흡입을 통하여 픽업하기 위한 것이다.1 to 3 , the semiconductor
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치(100)는 상부 픽업부(11) 및 하부 픽업부(13)를 구비할 수 있다.The semiconductor
상부 픽업부(11)는 하부 픽업부(13)에 지지 결합되는 구조를 갖도록 구비될 수 있는데, 다만 하부 픽업부(13)는 소모품으로써 교체가 가능해야 하기 때문에 필요에 따라 상부 픽업부(11)로부터 분리되는 구조를 갖도록 구비될 수 있다.The
그리고 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 하부 픽업부(13)는 상부 픽업부(11)에 결합되는 결합부(15) 및 반도체 칩의 픽업시 반도체 칩과 면접하는 면접부(17)로 이루어질 수 있는데, 특히 일체 구조를 갖도록 구비될 수 있다, And the
그런데 결합부(15)는 상부 픽업부(11)에 자력에 의해 결합되는 구조를 갖기 때문에 자성 물질이 자성 물질이 일부 포함되도록 이루어질 수 있고, 면접부(17)는 반도체 칩의 픽업을 위하여 반도체 칩과 면접할 때 반도체 칩에 충격을 가하지 않아야 하고, 상부 픽업부(13)의 자성 물질이 반도체 칩으로 전달되는 것을 차단해야 할 수 있을 뿐만 아니라 전기적인 영향도 끼치지 않아야 하기 때문에 절연 재질로 이루어질 수 있을 뿐만 아니라 탄성력을 갖는 재질로 이루어질 수 있다.However, since the
이에, 하부 픽업부(13)의 결합부(15)는 실리콘 내에 자성 물질이 혼합되는 혼합 물질로 이루어질 수 있다.Accordingly, the
언급한 자성 물질의 예로서는 코발트(Co), 철(Fe), 니켈(Ni) 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용하거나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.Examples of the mentioned magnetic material include cobalt (Co), iron (Fe), nickel (Ni), and the like, and these may be used alone or in combination of two or more.
이와 달리, 자성 물질의 예로서는 희토류 금속을 들 수 있고, 희토류 금속의 예로서는 네오디뮴(Neodymium ; Nd), 가돌리늄(Gadolinium ; Gd), 디스푸로시움(Dysprosium ; Dy), 홀뮴(Holmium ; Ho), 테르븀(Terbium ; Tb), 에르븀(Erbium ; Er) 등을 들 수 있는데, 이들은 단독으로 사용하거나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.In contrast, examples of the magnetic material include rare earth metals, and examples of the rare earth metal include neodymium (Nd), gadolinium (Gd), dysprosium (Dy), holmium (Ho), and terbium. (Terbium; Tb), Erbium (Er), etc. may be mentioned, and these may be used alone or in combination of two or more.
그리고 하부 픽업부(13)의 면접부(17)는 절연 기능, 자성 물질에 대한 차단 기능 및 탄성력을 가짐은 물론이고 결합부(15)와 일체 구조를 갖도록 형성되어야 하기 때문에 실리콘으로 이루어질 수 있다.In addition, the
다만, 서로 다른 재질로 이루어지는 결합부(15) 및 면접부(17)를 일체 구조를 갖도록 형성하는 방법에 대해서는 후술하기로 한다.However, a method of forming the
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 픽업 장치(100)는 반도체 칩을 진공 흡입해야 하기 때문에 반도체 칩으로 진공을 제공하기 위한 경로가 형성될 수 있다.Since the
반도체 칩 픽업 장치(100)에서의 진공을 제공하기 위한 경로는 상부 픽업부(11)에 형성되는 상부 진공 제공부(21) 및 하부 픽업부(13)에 형성되는 하부 진공 제공부(25)로 이루어질 수 있는데, 상부 진공 제공부(21) 및 하부 진공 제공부(25)는 서로 연통하는 구조를 갖도록 구비될 수 있다.A path for providing a vacuum in the semiconductor
상부 진공 제공부(21)는 상부 픽업부(11)를 관통하는 관통홀이 단일 구조를 갖도록 구비되거나 또는 다수개가 분포되는 다공성 구조를 갖도록 구비될 수 있다.The upper
하부 진공 제공부(25)는 결합부(15)에 형성되는 구조와 면접부(17)에 형성되는 구조가 서로 동일하거나 또는 달리할 수도 있다.The structure of the lower
결합부(15)에 형성되는 하부 진공 제공부(25)는 결합부(15)를 관통하는 관통홀이 단일 구조를 갖도록 구비되거나 또는 다수개가 분포되는 구조를 갖도록 구비될 수 있다.The lower
면접부(17)에 형성되는 하부 진공 제공부(25) 또한 면접부(17)를 관통하는 관통홀이 단일 구조를 갖도록 구비되거나 또는 다수개가 분포되는 구조를 갖도록 구비될 수 있다.The lower
반도체 칩으로 진공을 원활하게 제공하기 위해서는 상부 픽업부(11)의 타면, 즉 외부로 향하는 상부 픽업부(11)의 타면에 상부 진공 제공부(21)와 연결되는 진공 연결부(19)가 구비될 수 있다.In order to smoothly provide a vacuum to the semiconductor chip, a
이와 같이, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치(100)는 진공 연결부(19), 상부 진공 제공부(21) 및 하부 진공 제공부(25)를 경유하는 경로를 통하여 반도체 칩으로 진공을 제공함에 의해 반도체 칩을 픽업할 수 있다.As described above, the semiconductor
상부 픽업부(11)의 일면에는 하부 픽업부(13)를 수용할 수 있는 수용홈(23)이 형성될 수 있다.A receiving
수용홈(23)은 하부 픽업부(13)가 억지 끼워질 수 있는 구조를 갖도록 구비될 수 있는데, 하부 픽업부(13)는 자력에 의해 상부 픽업부(11)에 결합될 뿐만 아니라 수용홈(23)에 끼워지는 형태로도 상부 픽업부(11)에 결합될 수 있다.The
그리고 하부 픽업부(13)는 반도체 칩의 픽업시 반도체 칩 쪽으로 플로우될 수 있는 정전기를 차단하기 위한 정전기 차단 물질을 포함할 수 있다.In addition, the
즉, 하부 픽업부(13)는 반도체 칩의 픽업시 반도체 칩 쪽으로 플로우될 수 있는 정전기를 차단하기 위한 구조를 갖도록 구비될 수 있다.That is, the
정전기를 차단하기 위한 구조는 도 2에서와 같이 정전기 차단 물질이 결합부(15) 표면 및 면접부(17) 표면에 코팅되는 박막(31) 구조를 갖도록 구비되거나, 또는 도 3에서와 같이 결합부(15)로 형성하기 위한 혼합 물질에 정전기 차단 물질(33)이 더 혼합되는 구조를 갖도록 구비될 수 있다.The structure for blocking static electricity is provided to have a
이와 같이, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치(100)는 일체 구조를 갖는 보다 견고한 하부 픽업부(13)의 수득이 가능하기 때문에 반도체 칩의 픽업시 하부 픽업부(13)가 손상되는 상황을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 칩의 픽업시 반도체 칩 쪽으로 정전기가 플로우되는 것을 차단할 수 있기 때문에 반도체 칩의 픽업을 보다 안정적으로 수행할 수 있을 것이다.As described above, in the semiconductor
이하, 본 발명의 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부를 제조하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the lower pickup part of the semiconductor chip pickup apparatus of the present invention will be described.
도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.4 is a view for explaining a method of manufacturing a lower pickup unit of a semiconductor chip pickup apparatus according to exemplary embodiments of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부의 제조는 사출 성형을 수행할 수 있기에 하부 픽업부(13)의 사출 성형을 위한 금형이 마련될 수 있다.Referring to FIG. 4 , since injection molding may be performed to manufacture the lower pickup unit of the semiconductor chip pickup device according to exemplary embodiments of the present invention, a mold for injection molding the
이에, 하부 픽업부(13) 중에서 반도체 칩과 면접하는 면접부(17)를 형성하기 위한 제1 사출 공정을 수행할 수 있다.(S41 단계)Accordingly, a first injection process may be performed to form the
제1 사출 공정은 약 170℃ 내지 200℃의 제1 온도에서 멜팅시킨 실리콘을 포함하는 실리콘 멜팅 물질을 금형 내에 주입시켜 약 1분 40초의 제1 시간 동안 가압함에 의해 이루어질 수 있다.The first injection process may be performed by injecting a silicone melting material including silicon melted at a first temperature of about 170° C. to 200° C. into the mold and pressing for a first time of about 1 minute and 40 seconds.
언급한 제1 온도는 실리콘을 멜팅시키기 위한 온도일 수 있고, 제1 시간은 실리콘 멜팅 물질이 평판 구조를 갖도록 금형 내에서 고르게 분포되도록 함과 아울러 실리콘 멜팅 물질이 어느 정도 고형화된 상태를 만들기 위한 시간일 수 있다.The first temperature mentioned may be a temperature for melting the silicon, and the first time is a time for making the silicon melting material uniformly distributed in the mold to have a flat structure and also making the silicon melting material solid to some extent. can be
그리고 금형에 냉매를 순환시키는 공정을 수행할 수 있다.(S43 단계)And a process of circulating the refrigerant in the mold may be performed. (Step S43)
특히, 냉매를 순환시키는 공정은 제1 사출 공정에 의해 어느 정도 고형화된 상태의 실리콘 멜팅 물질이 잔류하는 금형을 대상으로 약 7초의 제2 시간 동안 수행될 수 있다.In particular, the process of circulating the refrigerant may be performed for a second time of about 7 seconds for a mold in which the silicon melting material in a state of being solidified to some extent by the first injection process remains.
언급한 금형에 순환되는 냉매의 예로서는 프레인 가스 등을 들 수 있고, 제2 시간은 제1 사출 성형에 의해 어느 정도 고형화된 실리콘 멜팅 물질을 충분하게 고형화시켜 면접부(17)를 수득할 수 있는 시간일 수 있고, 또한 금형이 후술하는 제2 사출 공정을 수행하기 위한 컨디션을 확보할 수 있는 시간일 수 있다.Examples of the refrigerant circulating in the mold mentioned above include plane gas and the like, and the second time period is the time for sufficiently solidifying the silicon melting material solidified to some extent by the first injection molding to obtain the
아울러, 제1 사출 성형이 이루어진 금형에 냉매를 순환시키는 것은 제1 사출 성형 및 냉매의 순환을 통하여 수득하는 면접부(17)의 편평도를 확보하기 위한 것으로써, 특히 후술하는 결합부(15)와 충분한 접합을 통한 일체 구조를 가질 수 있게 결합부(15)와 접하는 부위의 편평도를 확보하기 위함이다.In addition, circulating the refrigerant in the mold on which the first injection molding is made is to secure the flatness of the
또한, 제1 사출 성형이 이루어진 금형에 냉매를 순환시키는 것은 후술하는 제2 사출 성형 수행과 공정 시간 공유함으로써 전체 공정 시간을 단축시키는 것을 도호하기 위함이다.In addition, circulating the refrigerant in the mold on which the first injection molding is made is to help reduce the overall process time by sharing the process time with the second injection molding, which will be described later.
언급한 제1 사출 공정 및 냉매 순환 공정을 수행함으로써 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부(13)의 면접부(17), 즉 반도체 칩의 픽업시 반도체 칩과 면접하는 면접부(17)를 수득할 수 있을 것이다.By performing the first injection process and the refrigerant circulation process mentioned above, the
면접부(17)는 실리콘 멜팅 물질, 즉, 실리콘으로 형성될 수 있기 때문에 언급한 바와 같이 반도체 칩과 면접할 때 반도체 칩에 충격을 가하지 않을 수 있을 것이고, 상부 픽업부(11)의 자성 물질이 반도체 칩으로 전달되는 것을 차단할 수 있을 뿐만 아니라 탄성력을 제공할 수 있을 것이다.Since the
또한, 면접부(17)에는 언급한 하부 진공 제공부(25)의 일부분이 형성될 수 있을 것이다.In addition, a portion of the aforementioned lower
그리고 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부의 제조 방법에서는 언급한 제1 사출 공정 및 냉매 순환 공정을 수행함에도 불구하고 면접부(17)가 아직 금형 내에 잔류할 수 있을 것이다.And in the method of manufacturing the lower pickup part of the semiconductor chip pickup device according to the exemplary embodiments of the present invention, the
계속해서, 하부 픽업부(13) 중에서 상부 픽업부(11)에 결합되는 결합부(15)를 형성하기 위한 제2 사출 공정을 수행할 수 있다.(S45 단계)Subsequently, a second injection process for forming the
제2 사출 공정은 약 200℃ 내지 300℃의 제3 온도에서 멜팅시킨 실리콘 내에 자성 물질이 혼합되는 혼합 멜팅 물질을 금형 내에 주입시켜 약 2분 10초의 제3 시간 동안 가압함에 의해 이루어질 수 있다.The second injection process may be performed by injecting a mixed melting material in which a magnetic material is mixed in silicon melted at a third temperature of about 200° C. to 300° C. into the mold and pressurizing it for a third time of about 2 minutes and 10 seconds.
언급한 제3 온도는 실리콘 내에 자성 물질이 혼합되는 혼합 멜팅 물질을 멜팅시키기 위한 온도일 수 있고, 제3 시간은 혼합 멜팅 물질이 평판 구조를 갖도록 금형 내에서 고르게 분포되도록 함과 아울러 혼합 멜팅 물질이 어느 정도 고형화된 상태를 만들기 위한 시간일 수 있다.The third temperature mentioned may be a temperature for melting the mixed melting material in which the magnetic material is mixed in silicon, and the third time is such that the mixed melting material is evenly distributed in the mold to have a flat structure, and the mixed melting material is It may be time to make a solid state to some extent.
여기서, 제1 온도에 비해 제3 온도가 높음과 아울러 제1 시간에 비해 제3 시간이 긴 것은 실리콘 내에 자성 물질이 혼합되기 때문일 것이다.Here, the third temperature is higher than the first temperature and the third time is longer than the first time because the magnetic material is mixed in the silicon.
그리고 혼합 멜팅 물질에서의 자성 물질의 예로서는 언급한 바와 같이 코발트(Co), 철(Fe), 니켈(Ni), 희토류 금속 등을 들 수 있다.And as mentioned above, examples of the magnetic material in the mixed melting material include cobalt (Co), iron (Fe), nickel (Ni), and rare earth metals.
이와 같이, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부의 제조 방법에서는 면접부(17)가 잔류하는 금형 내에 혼합 멜팅 물질을 주입시켜 제2 사출 공정을 수행함으로써 면접부(17)와 일체 구조를 갖는 결합부(15)의 형성이 가능할 것이다.As such, in the method for manufacturing the lower pickup part of the semiconductor chip pickup device according to the exemplary embodiments of the present invention, the surface portion ( 17) and the formation of the
특히, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부의 제조 방법에서는 면접부(17) 및 결합부(15) 모두가 실리콘을 주로 포함하고 있기 때문에 면접부(17) 및 결합부(15)를 보다 용이하게 일체 구조를 갖도록 형성할 수 있을 것이다.In particular, in the method of manufacturing the lower pickup part of the semiconductor chip pickup device according to the exemplary embodiments of the present invention, since both the
이어서, 금형에 냉매를 순환시키는 공정을 수행할 수 있다.(S47 단계)Then, a process of circulating the refrigerant in the mold may be performed. (Step S47)
특히, 냉매를 순환시키는 공정은 제2 사출 공정에 의해 어느 정도 고형화된 상태의 혼합 멜팅 물질이 잔류하는 금형을 대상으로 약 5초의 제4 시간 동안 수행될 수 있다.In particular, the process of circulating the refrigerant may be performed for a fourth time of about 5 seconds for a mold in which the mixed melting material in a state of being solidified to some extent by the second injection process remains.
언급한 금형에 순환되는 냉매의 예로서는 프레인 가스 등을 들 수 있고, 제4 시간은 제2 사출 성형에 의해 어느 정도 고형화된 혼합 멜팅 물질을 충분하게 고형화시켜 결합부(15)를 수득할 수 있는 시간일 수 있다.Examples of the refrigerant circulated in the aforementioned mold include plane gas and the like, and the fourth time is a time for sufficiently solidifying the mixed melting material solidified to some extent by the second injection molding to obtain the joint 15 . can be
다만, S43 단계에서의 제2 시간에 비해 제4 시간이 다소 짧은 것은 계속해서 사출 성형을 수행하지 않기에 금형 자체에 대한 컨디션을 확보하기 위한 시간을 생략할 수 있기 때문이다.However, the reason that the fourth time is somewhat shorter than the second time in step S43 is because the time for securing the condition of the mold itself can be omitted because injection molding is not continuously performed.
언급한 제2 사출 공정 및 냉매 순환 공정을 수행함으로써 반도체 칩 픽업 장치(100)의 하부 픽업부(13)의 결합부(15), 즉 상부 픽업부(11)와 결합하는 결합부(15)를 수득할 수 있을 것이고, 나아가 면접부(17)와 일체 구조를 갖는 결합부(15)를 수득할 수 있을 것이다.By performing the above-mentioned second injection process and refrigerant circulation process, the
결합부(15)는 혼합 멜팅 물질, 즉 실리콘 내에 자성 물질이 혼합되는 혼합 물질로 형성될 수 있기 때문에 언급한 바와 같이 상부 픽업부(11)와 자력에 의해 결합될 수 있을 것이다.Since the
또한, 결합부(15)에는 언급한 하부 진공 제공부(25)의 나머지 부분이 형성될 수 있는 것으로써, 언급한 면접부(17)의 하부 진공 공제부(25)의 일부분과 연통하는 구조를 갖도록 형성될 수 있을 것이다.In addition, the
그리고 일체 구조를 갖는 하부 픽업부(13)에서의 면접부(17) 및 결합부(15) 각각이 차지하는 두께는 약 5 : 5를 기준으로 가변될 수 있을 것이다.And the thickness occupied by each of the
특히, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치(100)의 하부 픽업부(13)는 언급한 바와 같이 반도체 칩의 픽업시 반도체 칩 쪽으로 플로우될 수 있는 정전기를 차단하기 위한 정전기 차단 물질을 포함할 수 있다.In particular, as mentioned above, the
이에, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부의 제조 방법에서는 하부 픽업부(13)에 언급한 정전기 차단 물질이 포함되도록 하는 공정을 수행할 수 있다.(S49 단계)Accordingly, in the method of manufacturing the lower pickup part of the semiconductor chip pickup apparatus according to the exemplary embodiments of the present invention, the process of including the static electricity blocking material mentioned in the
특히, 정전기 차단 물질의 예로서는 디탈로우 디알킬 암모뉴염(ditallow dialkyl ammonium salt) 등과 가은 지방 아민염(fatty amine salt) 등을 들 수 있고, 이와 달리 주석이 도포된 산화인디움, 안티몬이 도포된 산화주석, 산화주석, 안티몬산 아연, 오산화안티몬 등과 같은 도전성 입자를 들 수 있다.In particular, examples of the static-blocking material include ditallow dialkyl ammonium salt and the like, a fatty amine salt, and the like. and electroconductive particles such as tin oxide, tin oxide, zinc antimonate, and antimony pentoxide.
먼저 정전기 차단 물질은 언급한 도 2에서와 같이 결합부(15) 표면 및 면접부(17) 표면, 즉 하부 픽업부(13)의 표면 전체에 코팅되는 박막(31) 구조를 갖도록 구비될 수 있다.First, the static electricity blocking material may be provided to have a structure of a
이에, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부의 제조 방법에서는 일체 구조를 갖는 하부 픽업부(13)인 결합부(15) 표면 및 면접부(17) 표면에 정전기 차단 물질이 박막(31) 구조를 갖도록 코팅 공정을 수행함에 의해 하부 픽업부(13)에 정전기 차단 물질이 포함되도록 형성할 수 있을 것이다.Accordingly, in the method of manufacturing the lower pickup part of the semiconductor chip pickup apparatus according to the exemplary embodiments of the present invention, static electricity is blocked on the surface of the
언급한 코팅 공정은 화학기증상증착(CVD) 등과 같은 증착 공정을 수행함에 의해 형성할 수도 있고, 이와 달리 스프레이 공정, 딥핑 공정 등을 수행함에 의해서도 형성할 수도 있을 것이다.The aforementioned coating process may be formed by performing a deposition process such as chemical vapor deposition (CVD), or otherwise, may be formed by performing a spray process, a dipping process, or the like.
다만, 하부 픽업부(13)의 표면 전체에 정전기 차단 물질이 박막(31) 구조를 갖도록 형성하는 코팅 공정은 S47 단계, 즉 제2 사출 공정 및 냉매를 순환시키는 공정을 수행한 이후에 수행할 수 있을 것이다.However, the coating process of forming the electrostatic blocking material to have the
이와 달리, 정전기 차단 물질은 언급한 도 3에서와 같이 결합부(15)로 형성하기 위한 혼합 물질, 즉 혼합 멜팅 물질에 정전기 차단 물질이 더 혼합되는 구조를 갖도록 구비될 수 있다.Alternatively, the static-blocking material may be provided to have a structure in which the static-blocking material is further mixed with the mixed material for forming the
이에, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부의 제조 방법에서는 혼합 멜팅 물질에 정전기 차단 물질을 더 혼합시켜 제2 사출 공정을 수행함에 의해 하부 픽업부(13)에 정전기 차단 물질(33)이 포함되도록 형성할 수 있을 것이다.Accordingly, in the method of manufacturing the lower pickup part of the semiconductor chip pickup apparatus according to the exemplary embodiments of the present invention, the static electricity blocking material is further mixed with the mixed melting material and a second injection process is performed, thereby generating static electricity to the
즉, 실리콘 내에 자성 물질과 함께 정전기 차단 물질이 더 혼합되는 혼합 멜팅 물질을 금형 내에 주입시켜 가압하는 제2 사출 공정을 수행함에 의해 하부 픽업부(13)에 정전기 차단 물질(33)이 포함되도록 형성할 수 있을 것이다.That is, by performing a second injection process in which a mixed melting material in which a static blocking material is further mixed with a magnetic material in silicon is injected into the mold and pressurized, the
이와 같이, 언급한 정전기 차단 물질은 S45 단계를 수행함에 의해 정전기 차단 물질(33)이 결합부(15) 내에 분포하는 구조를 갖도록 형성하거나 또는 제2 사출 공정 및 냉매를 순환시키는 공정을 수행한 이후에 코팅 공정을 수행함에 의해 하부 픽업부(13)의 표면 전체에 박막(31) 구조를 갖도록 형성할 수 있을 것이다.As such, the aforementioned static-blocking material is formed to have a structure in which the static-blocking
다만. 정전기 차단 물질은 결합부(15) 내에 단독으로 분포되도록 형성되거나, 하부 픽업부(13)의 표면에 단독으로 박막 구조를 갖도록 형성되거나, 또는 결합부(15) 내에 분포 및 하부 픽업부(13)의 표면에 박막(31)으로 함께 형성되는 복합 구조를 갖도록 이루어질 수도 있을 것이다.but. The static-blocking material is formed to be distributed alone in the
그리고 정전기 차단 물질이 하부 픽업부(13)의 결합부(15) 내에 분포하는 구조를 갖도록 형성하여도 무방한 것은 면접부(17)기 절연 물질인 실리콘으로 이루어지는 구조를 갖기 때문이고 결합부(15)가 자성 물질을 포함하는 구조를 갖기 때문이다.And the reason why the static blocking material may be formed to have a structure in which the static electricity blocking material is distributed in the
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부의 제조 방법은 단일 금형을 사용하기 때문에 면접부(17) 및 결합부(15)가 일체 구조를 갖는 하부 픽업부(13)를 보다 용이하게 수득할 수 있을 것이고, 아울러 반도체 칩의 픽업시 반도체 칩 쪽으로 플로우될 수 있는 정전기를 차단할 수 있게 하부 픽업부(13)에 정전기 차단 물질이 포함되도록 형성할 수 있을 것이다. As described above, since the method for manufacturing the lower pickup part of the semiconductor chip pickup apparatus according to an embodiment of the present invention uses a single mold, the
본 발명의 반도체 칩 픽업 장치 및 반도체 칩 픽업 장치의 하부 픽업부의 제조 방법은 반도체 칩을 픽업하여 이송하는 장치에 적용할 수 있기 때문에 최근의 반도체 칩의 제조에 보다 적극적으로 적용할 수 있을 것이다.Since the semiconductor chip pickup apparatus and the method for manufacturing the lower pickup part of the semiconductor chip pickup apparatus of the present invention can be applied to an apparatus for picking up and transporting semiconductor chips, it may be more actively applied to the recent manufacturing of semiconductor chips.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that you can.
11 : 상부 픽업부 13 : 하부 픽업부
15 : 결합부 17 : 면접부
19 : 진공 연결부 21 : 상부 진공 제공부
23 : 수용홈 25 : 하부 진공 제공부
31 : 박막 33 : 정전기 차단 물질
100 : 반도체 칩 픽업 장치11: upper pickup part 13: lower pickup part
15: coupling unit 17: interview unit
19: vacuum connection 21: upper vacuum providing part
23: receiving groove 25: lower vacuum providing part
31: thin film 33: antistatic material
100: semiconductor chip pickup device
Claims (6)
상기 하부 픽업부는 상기 상부 픽업부에 결합되는 결합부 및 상기 반도체 칩의 픽업시 상기 반도체 칩과 면접하는 면접부가 일체 구조를 갖도록 구비됨과 아울러 상기 반도체 칩의 픽업시 상기 반도체 칩 쪽으로 플로우될 수 있는 정전기를 차단하기 위한 정전기 차단 물질을 포함하고,
상기 결합부는 상기 상부 픽업부와 자력에 의해 결합될 수 있게 실리콘 내에 자성 물질이 혼합되는 실리콘 혼합 물질을 포함할 수 있고, 상기 면접부는 상기 반도체 칩의 픽업시 상기 자성 물질로부터의 자력이 상기 반도체 칩으로 전달되는 것을 차단할 수 있게 실리콘을 포함할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 픽업 장치.A semiconductor chip pickup device having an upper pickup part and a lower pickup part for picking up a semiconductor chip through vacuum suction, the semiconductor chip pickup device comprising:
The lower pickup unit is provided to have an integral structure with a coupling portion coupled to the upper pickup portion and an interface portion that interfaces with the semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up, and static electricity that can flow toward the semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up Containing a static-blocking material to block the
The coupling part may include a silicon mixed material in which a magnetic material is mixed in silicon to be coupled to the upper pickup part by magnetic force, and the surface part may include a magnetic force from the magnetic material when the semiconductor chip is picked up by the semiconductor chip. A semiconductor chip pickup device, characterized in that it can contain silicon to block the transfer to the.
상기 정전기 차단 물질은 상기 결합부 표면 및 상기 면접부 표면에 코팅되는 박막 구조를 갖도록 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 픽업 장치.According to claim 1,
The electrostatic blocking material is provided to have a thin film structure coated on the surface of the coupling part and the surface of the interface part.
상기 정전기 차단 물질은 상기 결합부의 실리콘 혼합 물질에 더 혼합되는 구조를 갖도록 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 픽업 장치.According to claim 1,
The electrostatic blocking material is provided to have a structure that is further mixed with the silicon mixed material of the coupling part.
상기 하부 픽업부 중에서 상기 반도체 칩과 면접하는 면접부로 형성될 수 있게 제1 온도에서 멜팅시킨 실리콘을 포함하는 실리콘 멜팅 물질을 제1 시간 동안 금형 내에 주입시켜 제1 사출 공정을 수행하는 단계;
상기 실리콘 멜팅 물질을 고형화시켜 상기 면접부를 수득함과 아울러 상기 금형이 제2 사출 공정을 수행하기 위한 컨디션을 확보할 수 있게 제2 시간 동안 상기 금형에 냉매를 순환시키는 단계;
상기 하부 픽업부 중에서 상부 픽업부에 결합되는 결합부로 형성됨과 아울러 상기 결합부가 상기 면접부와 일체 구조를 갖도록 형성될 수 있게 제3 온도에서 멜팅시킨 실리콘 내에 자성 물질이 혼합되는 혼합 멜팅 물질을 제3 시간 동안 고형화가 이루어진 면접부가 잔류하고 있는 상기 금형 내에 주입시켜 제2 사출 공정을 수행하는 단계;
상기 혼합 멜팅 물질을 고형화시켜 상기 면접부 및 상기 결합부가 일체 구조를 갖는 하부 픽업부를 수득할 수 있게 제4 시간 동안 상기 금형에 냉매를 순환시키는 단계; 및
상기 반도체 칩의 픽업시 상기 반도체 칩 쪽으로 플로우될 수 있는 정전기를 차단할 수 있게 상기 하부 픽업부에 정전기 차단 물질이 포함되도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하부 픽업부를 제조하는 방법.A method of manufacturing a lower pickup part of a semiconductor chip pickup device provided to face the semiconductor chip when picking up the semiconductor chip through vacuum suction, the method comprising:
performing a first injection process by injecting a silicon melting material including silicon melted at a first temperature into the mold for a first time so as to form an interface portion that faces the semiconductor chip from the lower pickup portion;
circulating a refrigerant in the mold for a second time so that the silicon melting material is solidified to obtain the surface portion and the mold is in a condition for performing a second injection process;
A mixed melting material in which a magnetic material is mixed in silicon melted at a third temperature so as to be formed as a coupling part coupled to the upper pick-up part among the lower pick-up parts and to have the coupling part to have an integral structure with the surface part is a third performing a second injection process by injecting the surface portion that has been solidified for a period of time into the mold remaining;
circulating a refrigerant in the mold for a fourth time to solidify the mixed melting material to obtain a lower pickup part having an integral structure with the face part and the coupling part; and
and forming a static blocking material in the lower pickup part to block static electricity that may flow toward the semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up.
상기 하부 픽업부에 정전기 차단 물질이 포함되도록 형성하는 단계는 상기 일체 구조를 갖는 상기 결합부 표면 및 상기 면접부 표면에 박막 구조를 갖도록 코팅 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 하부 픽업부를 제조하는 방법.5. The method of claim 4,
The method of manufacturing the lower pickup part, characterized in that the step of forming the lower pickup part to contain the static electricity blocking material comprises performing a coating process so as to have a thin film structure on the surface of the coupling part having the integral structure and the surface of the interface part.
상기 하부 픽업부에 정전기 차단 물질이 포함되도록 형성하는 단계는 상기 제2 사출 공정을 상기 혼합 멜팅 물질에 정전기 차단 물질을 더 혼합시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 하부 픽업부를 제조하는 방법.5. The method of claim 4,
The method of manufacturing the lower pickup part, wherein the forming of the lower pickup part to include the static blocking material is performed by further mixing the static blocking material with the mixed melting material in the second injection process.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020200133989A KR102482139B1 (en) | 2020-10-16 | 2020-10-16 | Semiconductor chip pick up apparatus and method for manufacturing lower pick up assembly of semiconductor chip pick up apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220050382A true KR20220050382A (en) | 2022-04-25 |
| KR102482139B1 KR102482139B1 (en) | 2022-12-29 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200133989A KR102482139B1 (en) | 2020-10-16 | 2020-10-16 | Semiconductor chip pick up apparatus and method for manufacturing lower pick up assembly of semiconductor chip pick up apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102482139B1 (en) |
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- 2020-10-16 KR KR1020200133989A patent/KR102482139B1/en active IP Right Grant
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