KR20220044750A - Euv 광원에서 소스 재료 조정용 레이저 시스템 - Google Patents

Euv 광원에서 소스 재료 조정용 레이저 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20220044750A
KR20220044750A KR1020227005067A KR20227005067A KR20220044750A KR 20220044750 A KR20220044750 A KR 20220044750A KR 1020227005067 A KR1020227005067 A KR 1020227005067A KR 20227005067 A KR20227005067 A KR 20227005067A KR 20220044750 A KR20220044750 A KR 20220044750A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
energy
pulse
droplet
prepulse
source material
Prior art date
Application number
KR1020227005067A
Other languages
English (en)
Inventor
매튜 라이언 그레이엄
스펜서 리치
션 더블유. 맥그로건
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20220044750A publication Critical patent/KR20220044750A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

펄스 에너지 제어를 위해 프리펄스 에너지의 온-액적 측정 대신 오프-액적 측정이 사용되는 장치 및 방법이 개시된다. 오프-액적 비노광 기간 중에 프리펄스 에너지가 측정되고 프리펄스 에너지 설정점으로 제어된다. 다음에 프리펄스 에너지는 온-액적 기간 중에 프리펄스 에너지 설정점으로 개방 루프로 제어될 수 있다. 이는 EUV 선량 제어 루프를 프리펄스 에너지 제어 루프로부터 효과적으로 디커플링시키고, 이러한 루프의 결합의 부정적인 부작용, 예를 들면, 선량 제어기가 이용할 수 있는 선량 조정 범위의 일부가 손실되는 것을 방지한다.

Description

EUV 광원에서 소스 재료 조정용 레이저 시스템
관련출원의 상호참조
본 출원은 EUV 광원에서 소스 재료 조정용 레이저 시스템으로 2019년 8월 15일에 출원된 미국 출원 제 62/887,160 호의 우선권을 주장하며, 이 출원은 원용에 의해 그 전체가 본원에 포함된다.
본 출원은 소스 재료의 여기에 의해 극자외선을 생성하는 광원, 특히 EUV 소스 재료의 제조 및 여기를 위해 하나 이상의 레이저 펄스를 사용하는 시스템에 관한 것이다.
극자외선("EUV") 광, 예를 들면, 약 50 nm 이하(또한 때때로 소프트 x선이라고도 부름)의 파장을 갖는, 그리고 약 13 nm 파장의 광을 포함하는 전자기 방사선은 기판, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼 상에 매우 작은 피처(feature)를 생성하는 포토리소그래피 프로세스에서 사용된다.
EUV 광을 생성하기 위한 방법에는 소스 재료의 물리적 상태를 플라즈마 상태로 변경하는 것이 포함되지만 이것에 한정되지는 않는다. 소스 재료는 원소, 예를 들면, EUV 범위 내의 휘선을 갖는 제논, 리튬, 또는 주석을 포함한다. 이러한 방법 중 하나에서, 종종 레이저 생성 플라즈마("LPP")로 불리는 필요한 플라즈마는 드라이브 레이저로 지칭될 수 있는 증폭된 광빔으로 소스 재료, 예를 들면, 재료의 액적, 스트림(stream), 또는 클러스터 형태의 소스 재료를 조사(irradiating)함으로써 생성된다. 이 프로세스에서, 플라즈마는 전형적으로 밀폐 용기, 예를 들면, 진공 체임버 내에서 생성되며, 다양한 유형의 계측 장비를 이용하여 모니터링된다.
CO2 증폭기 및 레이저는 약 10600 nm 파장의 증폭된 광빔을 출력하며, LPP 프로세스에서 소스 재료를 조사하기 위한 드라이브 레이저로서 특정의 장점을 제공할 수 있다. 이는 특정의 소스 재료, 예를 들면, 주석을 함유하는 재료의 경우에 특히 그러하다. 예를 들면, 하나의 장점은 드라이브 레이저 입력 파워와 출력 EUV 파워 사이의 비교적 높은 변환 효율을 생성하는 능력이다.
EUV 광원에서, EUV는 조사 부위로 가는 도중의 소스 재료의 액적이, 조사 부위에서의 후속되는 상변환을 위해, 먼저 액적을 원래 형태 또는 개변된 형태로 주로 조정하는 하나 이상의 펄스에 의해 타격을 받는 다단계 프로세스로 생성될 수 있다. 이와 관련하여 조정에는 액적의 형상을 변경하는 것, 예를 들면, 액적을 평탄화하는 것 또는 액적 재료를 재분배하는 것, 예를 들면, 액적 재료의 일부를 미스트(mist)로서 적어도 부분적으로 분산시키는 것을 포함할 수 있다. 예를 들면, 하나 이상의 펄스가 액적을 타격하여 소스 재료의 분포를 변경하고, 다음에 후속의 펄스가 이 개변된 액적을 타격하여 이것을 EUV 방출 플라즈마로 변환시킬 수 있다. 일부의 시스템에서는 이들 펄스가 동일한 레이저에 의해 제공되고, 다른 시스템에서는 펄스가 별개의 레이저에 의해 제공된다. 이들 조정용 펄스는 액적을 변환시키는 하나 이상의 펄스보다 시간적으로 앞서므로 때때로 "프리펄스(prepulse)"로 부른다.
일부의 EUV 시스템에서, 이들 하나 이상의 프리펄스 에너지("PP 에너지")는 드리프트(drift)의 경향을 나타낸다. 또한 펄스를 생성하기 위해 사용되는 레이저의 가스 재충전 후 PP 에너지가 점프하는 경향이 있다. 이러한 느리고 빠른 변동은 액적 변경 프로세스 및 궁극적으로 EUV 파워를 변경할 수 있다. 예를 들면, PP 에너지의 10 내지 20%의 드리프트/점프는 EUV 파워의 1% 내지 4%의 손실을 초래할 수 있다.
PP 에너지의 안정성을 향상시키는 시스템 및 방법에 대한 필요성이 있다.
다음은 실시형태의 기본적인 이해를 제공하기 위해 하나 이상의 실시형태의 요약을 제시한다. 이 요약은 모든 고려된 실시형태의 광범위한 개관이 아니며, 모든 실시형태의 핵심적이거나 중요한 요소를 특정하거나 임의의 실시형태 또는 모든 실시형태의 범위에 제한을 두는 것을 의도하지 않는다. 이것의 유일한 목적은 후술되는 보다 상세한 설명의 서두로서 간략화된 형태로 하나 이상의 실시형태의 일부의 개념을 제시하는 것이다.
일 실시형태의 하나의 양태에 따르면, 오프-액적 PP 에너지를 오프-액적 PP 에너지 설정점으로 구동하도록 오프-액적 PP 에너지가 측정 및 제어되는 장치 및 방법이 개시된다. 다음에 이렇게 얻어지는 PP 에너지가 온-액적(on-droplet) 기간 중에 사용된다. 이는 EUV 선량 제어 루프를 PP 에너지 제어 루프로부터 효과적으로 디커플링하며, 이러한 루프의 결합의 악영향, 예를 들면, 선량 제어기가 이용할 수 있는 선량 조정 범위의 일부의 손실을 방지한다. 다시 말하면, PP 에너지 루프는 오프-액적 샷(off-droplet shot)에 대해서만 활성이고, 반면에 선량 제어 루프는 오프-액적 샷에 대해서만 활성이다.
일 실시형태의 일 양태에 따르면, 소스 재료를 사용하여 극자외선을 생성하기 위한 장치가 개시되며, 이 장치는 광재가 펄스에 의해 조사되는 노광 모드와 소스 재료가 조사되지 않는 비노광 모드에서 동작하도록 구성되고, 이 장치는 비노광 모드 중에 적어도 하나의 오프-액적 펄스를 생성하도록, 그리고 노광 모드 중에 복수의 온-액적 펄스를 생성하도록 구성되는 방사선원, 및 비노광 모드 중에 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정을 수행하도록, 그리고 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정에 적어도 부분적으로 기초하여 펄스 에너지를 펄스 에너지 설정점으로 구동하도록 구성된 에너지 제어기를 포함하고, 방사선원은 노광 모드 중에 펄스 에너지 설정점의 에너지를 갖는 오프-액적 펄스를 생성하도록 더 구성된다. 펄스는 프리펄스일 수 있고, 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기일 수 있다. 프리펄스 에너지 제어기는 복수의 오프-액적 프리펄스의 에너지 측정을 수행하도록 구성될 수 있다. 이 장치는 소스 재료에 전달되는 에너지의 선량의 크기를 제어하도록 구성된 선량 제어기를 포함할 수도 있다. 상기 선량 제어기의 제어 루프는 프리펄스 에너지 제어기의 제어 루프로부터 디커플링된다.
일 실시형태의 다른 양태에 따르면, 소스 재료를 사용하여 극자외선을 생성하는 디바이스를 제어하는 방법이 개시되며, 이 디바이스는 소스 재료 펄스에 의해 조사되는 노광 기간 및 소스 재료가 조사되지 않는 비노광 기간을 가지며, 이 방법은 비노광 기간 중에 오프-액적 펄스를 생성하는 것, 오프-액적 펄스의 에너지의 크기가 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하는 것, 및 온-액적 펄스의 에너지가 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하면서 노광 기간 중에 온-액적 펄스를 생성하는 것을 포함한다. 펄스는 프리펄스일 수 있고, 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기일 수 있다. 온-액적 프리펄스의 에너지를 제어하면서 노광 기간 중에 온-액적 프리펄스를 생성하는 것은 온-액적 프리펄스의 프리펄스 에너지의 개방 루프 제어를 수행하는 것을 포함할 수 있다. 에너지의 크기를 제어하는 것은 적어도 하나의 오프-액적 프리펄스의 에너지의 측정된 크기에 적어도 부분적으로 기초하여 프리펄스 에너지 제어기를 교정하는 것을 포함한다. 이 방법은 소스 재료에 전달되는 에너지의 선량의 크기를 제어하는 것을 더 포함할 수 있다.
일 실시형태의 다른 양태에 따르면, 극자외선을 생성하기 위한 장치가 개시되며, 이 장치는 소스 재료의 액적 공급원, 펄스형 레이저 방사선의 레이저 소스 - 이 레이저 소스는 소스 재료의 액적이 레이저 펄스에 의해 조사되는 노광 모드 및 소스 재료의 액적이 조사되지 않는 비노광 모드에서 동작하도록 구성되고, 이 레이저 소스는 비노광 모드 중에 적어도 하나의 오프-액적 펄스를 생성하도록, 그리고 노광 모드 중에 복수의 온-액적 펄스를 생성하도록 구성됨 -, 및 비노광 모드 중에 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정을 수행하도록, 그리고 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정에 적어도 부분적으로 기초하여 펄스 에너지를 펄스 에너지 설정점으로 구동하도록 구성되는 에너지 제어기를 포함하고, 방사선원은 노광 모드 중에 펄스 에너지 설정점의 에너지를 갖는 오프-액적 펄스를 생성하도록 더 구성된다. 펄스는 프리펄스일 수 있고, 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기일 수 있다. 프리펄스 에너지 제어기는 복수의 오프-액적 프리펄스의 에너지 측정을 수행하도록 구성될 수 있다. 이 장치는 소스 재료에 전달되는 에너지의 선량의 크기를 제어하도록 구성된 선량 제어기를 포함할 수도 있다. 선량 제어기의 제어 루프는 프리펄스 에너지 제어기의 제어 루프로부터 디커플링된다.
일 실시형태의 다른 양태에 따르면, 소스 재료를 사용하여 극자외선을 생성하는 방법이 개시되며, 이 방법은 소스 재료의 액적을 생성하는 것, 어떤 소스 재료의 액적도 타격하지 않는 오프-액적 레이저 펄스를 생성하는 것, 오프-액적 레이저 펄스의 에너지 크기가 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하는 것, 및 온-액적 펄스의 에너지가 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하면서 소스 재료의 액적을 타격하는 온-액적 펄스를 생성하는 것을 포함한다. 펄스는 프리펄스일 수 있고, 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기일 수 있다. 온-액적 프리펄스를 생성하는 것은 온-액적 프리펄스의 프리펄스 에너지의 개방 루프 제어를 수행하는 것을 포함할 수 있다. 에너지의 크기를 제어하는 것은 적어도 하나의 오프-액적 프리펄스의 에너지의 측정된 크기에 적어도 부분적으로 기초하여 프리펄스 에너지 제어기를 교정하는 것을 포함할 수 있다. 이 방법은 소스 재료에 전달되는 에너지의 선량의 크기를 제어하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 개시의 주제의 추가의 실시형태, 특징, 및 장점 뿐만 아니라 다양한 실시형태의 구조 및 동작은 첨부한 도면을 참조하여 아래에서 상세히 설명된다.
본 명세서에 포함되어 명세서의 일부를 형성하는 첨부한 도면은 본 개시에 기재된 개념을 예시하고, 언어에 의해 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할 및 당업자가 본 발명을 제작 및 사용할 수 있게 하는 역할을 한다.
도 1은 일 실시형태의 일 양태에 따른 레이저 생성형 플라즈마 EUV 방사선원 시스템의 전체적인 넓은 개념의 개략적인 비축척도이다.
도 2는 일 실시형태의 일 양태에 따른 도 1의 시스템의 일부의 개략적인 비축척도이다.
도 3은 일 실시형태의 하나의 양태에 따른 드라이브 펄스 시스템의 비축척 개략도이다.
도 4는 일 실시형태의 하나의 양태에 따른 펄스 전달 시스템의 작동 모드를 보여주는 흐름도이다.
아래에서 본 발명의 추가의 특징 및 장점 뿐만 아니라 본 발명의 다양한 실시형태의 구조 및 작용을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명은 본 명세서에 기재된 특정의 실시형태에 한정되지 않는다는 것에 주의한다. 본 명세서에서 이러한 실시형태는 설명의 목적을 위해서만 제공된다. 추가의 실시형태는 본 명세서에 포함된 교시에 기초하여 당업자에게 명백할 것이다.
이제 도면을 참조하여 다양한 실시형태를 설명하며, 여기서 동일한 참조 번호는 전체를 통해 동일한 요소를 지칭하기 위해 사용된다. 이하의 설명에서, 설명의 목적으로, 하나 이상의 실시형태의 철저한 이해를 촉진하기 위해 다수의 특정의 세부사항이 설명된다. 그러나, 아래에서 설명된 임의의 실시형태는 아래에서 설명된 특정 설계 세부사항을 채택하지 않고도 실시될 수 있다는 것은 일부의 경우에 또는 모든 경우에 명백할 수 있다.
먼저 도 1을 참조하면, 예시적인 EUV 방사선원, 예를 들면, 본 발명의 일 실시형태의 일 양태에 따른 레이저 생성 플라즈마 EUV 방사선원(10)의 개략도가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, EUV 방사선원(10)은 펄스형 또는 연속형 레이저 소스(22)를 포함할 수 있고, 이것은, 예를 들면, 대체로 20 μm 미만의 파장으로, 예를 들면, 약 10.6 μm 내지 약 0.5 μm 이하의 범위의 파장으로 방사 빔(12)을 생성하는 펄스형 가스 방전 CO2 레이저 소스일 수 있다. 펄스형 가스 방전 CO2 레이저 소스는 고출력 및 높은 펄스 반복률로 작동하는 DC 또는 RF 여기를 가질 수 있다.
EUV 방사선원(10)은 또한 액체 액적 또는 연속 액체 스트림 형태로 소스 재료를 전달하기 위한 소스 재료 전달 시스템(24)을 포함한다. 이 실시례에서, 소스 재료는 액체이지만 고체 또는 기체일 수도 있다. 소스 재료는 주석 또는 주석 화합물로 구성될 수 있으나 다른 재료가 사용될 수도 있다. 도시된 시스템에서, 소스 재료 전달 시스템(24)은 소스 재료의 액적(14)을 진공 체임버(26) 내부의 조사 영역(irradiation region; 28)에 도입하고, 이곳에서 소스 재료를 조사하여 플라즈마를 생성할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 조사 영역은 소스 재료 조사가 발생할 수 있는 영역이고, 실제로 조사가 행해지지 않는 때에도 조사 영역이라는 것에 주목해야 한다. EUV 광원은 또한 아래에서 도 2와 관련하여 더 상세히 설명하는 바와 같은 빔 집속 및 조향 시스템(32)도 포함할 수 있다.
도시된 시스템에서, 레이저 소스(22)로부터 조사 영역(28)을 향하는 방향, 즉 빔(12)의 공칭 전파 방향은 Z 축으로 취해질 수 있다. 액적(14)이 소스 재료 전달 시스템(24)으로부터 조사 영역(28)까지 취하는 경로는 -X 축으로서 취해질 수 있다. 따라서 도 1은 XZ 평면에 수직이다. 또한, 이 시스템은 액적(14)이 묘사된 바와 같이 이동하도록 구성될 수 있고, 당업자는 액적이 수평방향이나 중력에 대해 90도(수평) 내지 0도(수직) 사이의 어떤 각도로 이동하는 다른 구성이 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
EUV 방사선원(10)은 또한 EUV 광원 제어기 시스템(60)를 포함할 수 있고, 이것은 또한 빔 조향 시스템(32)과 함께 레이저 발사 제어 시스템(65)을 포함할 수도 있다. EUV 방사선원(10)은 하나 이상의 액적 이미저(imager; 70)를 포함할 수 있는 액적 위치 검출 시스템 등의 검출기를 포함할 수도 있고, 이것은, 예를 들면, 조사 영역(28)에 대한 액적의 절대 위치 또는 상대 위치를 나타내는 출력을 생성하고, 이 출력을 위치 검출 피드백 시스템(62)에 제공한다.
액적 위치 검출 피드백 시스템(62)은 액적 이미저(70)의 출력을 사용하여 액적 위치 및 궤적을 계산할 수 있고, 이로부터 액적 위치 오차를 계산할 수 있다. 액적 위치 오차는 액적마다 또는 평균으로 또는 어떤 다른 기준으로 계산할 수 있다. 다음에 이 액적 위치 오차는 광원 제어기(60)에 입력으로서 제공될 수 있다. 이에 따라, 광원 제어기(60)는 레이저 위치, 방향, 또는 타이밍 보정 신호 등의 제어 신호를 생성할 수 있고, 이 제어 신호를 레이저 빔 조향 시스템(32)에 제공할 수 있다. 레이저 빔 조향 시스템(32)은 이 제어 신호를 이용하여 체임버(26) 내에서 레이저 빔 초점의 위치 및/또는 초점 파워를 변화시킬 수 있다. 레이저 빔 조향 시스템(32)은 또한 이 제어 신호를 이용하여 빔(12)과 액적(14)의 상호작용의 기하학적 형상을 변화시킬 수 있다. 예를 들면, 빔(12)은 액적(14)에 편심으로 또는 정면 이외의 어떤 입사각으로 충돌하게 할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 소스 재료 전달 시스템(24)은 소스 재료 전달 제어 시스템(90)을 포함할 수 있다. 이 소스 재료 전달 제어 시스템(90)은 신호, 예를 들면, 상기 액적 위치 오차, 또는 시스템 제어기(60)에 의해 제공되는 액적 위치 오차로부터 도출된 어떤 양에 응답하여 작동하여 조사 영역(28)을 통한 소스 재료의 경로를 조정할 수 있다. 이는, 예를 들면, 소스 재료 전달 메커니즘(92)이 액적(14)을 방출하는 점을 재배치함으로써 달성할 수 있다. 액적 방출점은, 예를 들면, 소스 재료 전달 메커니즘(92)을 경사시킴으로써 또는 소스 재료 전달 메커니즘(92)을 이동시킴으로써 재배치될 수 있다. 소스 재료 전달 메커니즘(92)은 체임버(26) 내로 연장되며, 바람직하게는 외부로부터 소스 재료를 공급받고, 압력 하에서 소스 재료 전달 메커니즘(92) 내에 소스 재료를 배치하도록 가스 공급원에 접속된다.
계속해서 도 1에서, 방사선원(10)은 하나 이상의 광학 요소를 포함할 수도 있다. 다음의 설명에서, 콜렉터(30)는 이러한 광학 요소의 일 실시례로서 사용되지만 이 설명은 다른 광학 요소에도 마찬가지로 적용된다. 콜렉터(30)는, 예를 들면, Mo/Si 다층형 미러(MLM)로서 구현되는 수직 입사 반사기일 수 있다. 콜렉터(30)는 레이저 방사(12)가 통과하여 조사 영역(28)에 도달할 수 있게 하는 중앙 개구를 구비한 편장 타원체(prolate ellipsoid)의 형태일 수 있다. 콜렉터(30)는, 예를 들면, 조사 영역(28)에 제 1 초점을 그리고 소위 중간점(40)(중간 초점(40)이라고도 함)에 제 2 초점을 갖는 타원체의 형상일 수 있고, 여기서 EUV 방사선은 EUV 방사선원(10)으로부터 출력되어, 예를 들면, 레티클 또는 마스크(54)를 사용하여 공지된 방식으로 실리콘 웨이퍼 워크피스(52)를 처리하기 위해 방사선을 사용하는, 예를 들면, 집적 회로 리소그래피 스캐너 또는 스테퍼(stepper; 50)에 입력된다. 마스크(54)는 투과성 또는 반사성일 수 있다. EUV 용도의 경우에 마스크(54)는 대체로 반사성이다. 다음에 이 실리콘 웨이퍼 워크피스(52)는 집적 회로 장치를 얻기 위해 공지된 방식으로 더 처리된다.
도 2를 참조하면, 빔 조향 시스템(32)은 하나 이상의 조향 미러(32a, 32b, 32c)를 포함할 수 있다는 것을 알 수 있다. 3 개의 미러가 도시되어 있으나, 빔을 조향하기 위해 3 개를 초과하거나 하나의 조향 미러가 사용될 수 있다는 것이 이해해야 한다. 더욱이, 미러가 도시되어 있으나, 프리즘 등의 기타 광학계가 사용될 수 있고, 조향 광학계 중 하나 이상이 체임버(26) 내부에 배치될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들면, 특허의 전체 내용이 원용에 의해 본원에 포함되는 2009년 10월 6일에 허여된 "레이저 생성형 플라즈마 EUV 광원"이라는 명칭의 미국 특허 제 7,598,509 호를 참조할 것. 도시된 실시형태의 경우, 조향 미러(32a, 32b, 32c)의 각각은 2차원의 하나 또는 둘 모두에서 독립적으로 조향 미러(32a, 32b, 32c) 의 각각을 이동시킬 수 있는 각각의 팁 틸트 액츄에이터(tip-tilt actuator; 36a, 36b, 36c) 상에 장착될 수 있다. 미러(33)는 선회되어 빔을 집속시킨다.
도 3은 일 실시형태의 하나의 양태에 따른 드라이브 펄스 시스템의 비축척 개략도이다. 이 드라이브 펄스 시스템은 펄스를 소스 재료의 액적(14)에 공급할 수 있도록 배치된다. 드라이브 펄스 시스템은, 특히, 펄스(100)를 생성할 수 있는 방사선원(22)을 포함한다. 빔 조향 시스템(32)은 펄스(100)를 펄스(106)로서 체임버(26)에 중계하고, 여기서 이것은 소스 재료의 액적(14)에 충돌한다.
도시된 실시례에서, 소스 재료(14)는 원래 소스 재료 전달 메커니즘(92)(도 1)에 의해 방출되는 액적의 스트림 내에서 액적(108)의 형태이다. 소스 재료가 이미 하나 이상의 펄스에 노출된 경우, 이것은 더 이상 액적 형태가 아닐 수 있다. 명확히 하기 위해, 본 명세서에서 임의의 펄스에 노출되기 전의 소스 재료는 액적이라고 부르고, 임의의 펄스에 노출된 후의 소스 재료는 타겟이라고 부른다. 일 실시형태의 일 양태에 따르면, 펄스(106)는, 예를 들면, 액적(108)으로부터 디스크, 클라우드 등의 조정된 타겟 형태(110)로 소스 재료의 기하학적 분포를 변경함으로써 소스 재료를 사전조정하는 제 1 펄스이다. 다음에 이 조정된 타겟 형태(110)는 후의 펄스에 의한 상변환을 위해 소스 재료를 더 조정하는 제 2 펄스(112)에 의해 타격을 받는다.
또한, "프리펄스"라는 용어는 타겟 재료를 조정하는 것을 주 목적으로 하는 펄스를 설명하기 위해 때때로 사용되고, "메인 펄스"라는 용어는 소스 재료로부터 플라즈마를 생성하는 것을 주 목적으로 하는 최종 펄스를 설명하기 위해 때때로 사용된다. 그러나, 일부의 용도에서 펄스의 목적은 이렇게 분리되고 식별되지 않을 수 있다.
2 개의 펄스는 별개의 레이저에 의해 생성되거나 단일의 레이저에 의해 생성될 수 있다. 예를 들면, 도 3의 시스템에서, 빔(106)의 에너지의 일부를 빔(106')으로 분할하기 위한 빔 스플리터(118)를 포함할 수 있고, 이로 인해 빔(106)의 에너지는 프리펄스 에너지를 최적화하기 위해 측정을 사용하는 프리펄스 에너지 제어 시스템(120)에 의해 측정될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이 선량을 제어하는 RF 제어 모듈(125)이 있다.
도시된 시스템에서, 펄스(106)의 에너지는 전형적으로 "온-액적" 중에, 즉 펄스가 액적을 타격하는 노광 중에 측정되며, 이 측정은 프리펄스 에너지를 제어하는 폐쇄 루프 제어 시스템의 일부로서 사용된다. 에너지는 측정된 에너지를 나타내는 신호를 제어기(65)에 공급하는 프리펄스 에너지 제어 시스템(120)에 의해 측정된다. 다음에 이 제어기(65)는 이 측정된 에너지를 사용하여 펄스의 에너지를 제어한다. 노광 중에 프리펄스 에너지를 제어하기 위해 제어기가 이와 같이 사용되는 경우, 선량 안정성, 즉, 액적에 공급되는 에너지의 펄스간 안정성(pulse-to-pulse stability)이 악화하는 경향을 보인다. 기동시의 열의 (저온으로부터 고온으로) 과도현상으로 인해 펄스에 의해 액적에 공급되는 에너지의 선량의 조정가능성(오버헤드)의 범위가 줄어든다. 선량 안정성에 대한 방대의 빈도도 낮다. 이 효과는 프리펄스 에너지 제어 시스템(120)과 선량 제어기인 RF 제어 모듈(125) 사이의 상호작용에 적어도 부분적으로 기인할 수 있으며, RF 제어 모듈은 펄스 에너지 제어를 위한 2 개의 메커니즘, 즉 (1) 메인 펄스의 피크 및 적분 에너지 및 (2) 타겟 크기(PP 에너지를 제어함으로써 제어됨)를 작동시키기 위해 드라이브 레이저 에너지를 사용한다. 이러한 유형의, 즉 온-액적 PP 에너지 측정을 사용하는 PP 에너지 제어는 선량 제어를 위해 사용할 수 있는 타겟 크기의 가용 범위를 감소시킨다.
따라서, 온-액적 펄스 에너지 측정을 사용하는 프리펄스 에너지의 최적화는 다른 제어, 특히 RF 제어 모듈에 의해 수행되는 선량 제어와 바람직하지 않게 상호작용한다. 그러나, 프리펄스 에너지 최적화를 위해 프리펄스 에너지의 오프-액적 측정이 사용되는 경우, 이들 바람직하지 않는 상호작용이 방지된다. 따라서, 오프-액적 펄스 중에 프리펄스 에너지의 최적화가 발생한다. 그러면 프리펄스 에너지는 온-액적 기간 중에 개방 루프로 제어될 수 있다. 이로 인해 EUV 선량 제어 루프는 PP 에너지 제어 루프로부터 효과적으로 디커플링된다.
도 4는 비노광 구간, 즉, 프리펄스가 임의의 액적을 조사하는 데에 사용되고 있지 않는 경우에의 오프-액적 구간 중에 실시된 측정에 기초하여 프리펄스 에너지를 제어하는 방법을 보여주는 흐름도이다. 오프-액적(비노광) 구간 중에 발생하는 단계 S100에서, 프리펄스 에너지는 폐쇄 루프 제어 방법을 사용하여 프리펄스 에너지 설정점으로 측정 및 제어(구동)된다. 단계 S110에서, 액적이 생성된다. 단계 S120에서, 프리펄스 에너지 설정점의 에너지를 갖는 펄스를 사용하여 액적을 조사한다.
본 개시는 특정의 기능의 구현 및 이들의 관계를 예시하는 기능적 구성 단위를 사용하여 실행되었다. 이들 기능적 구성 단위의 경계는 설명의 편의 상 본 명세서에서는 임의로 규정되었다. 지정된 기능 및 이들의 관계가 적절히 수행되는 한 대안적인 경계가 규정될 수 있다. 예를 들면, 제어 모듈의 기능은 복수의 시스템으로 분할될 수 있거나 전체 제어 시스템에 의해 적어도 부분적으로 수행될 수 있다.
위의 설명은 하나 이상의 실시형태의 실시례를 포함한다. 물론, 전술한 실시형태를 설명할 목적으로 부품 또는 방법론의 모든 가능한 조합을 기술하는 것은 가능하지 않지만, 당업자는 다양한 실시형태의 많은 추가의 조합 및 치환이 가능하다는 것을 인식할 수 있다. 따라서, 기술된 실시형태는 첨부한 청구범위의 사상 및 범위 내에 속하는 이러한 모든 변경, 수정 및 변형을 포함하도록 의도된다. 더욱이 "포함하다(includes)"라는 용어가 상세한 설명 또는 청구범위에서 사용되는 한 이러한 용어는, "포함(comprising)"이 청구항에서 과도적 용어로서 사용될 때 해석되므로 "포함"이라는 용어와 유사한 방식으로 포괄적인 것으로 의도된다. 또한, 기술된 양태 및/또는 실시형태의 요소가 단수형으로 기술되거나 청구될 수 있으나, 단수형으로의 제한이 명시적으로 언급되지 않은 경우에는 복수형이 고려된다. 또한, 임의의 양태 및/또는 실시형태의 전부 또는 일부는 달리 설명되지 않는 한 임의의 다른 양태 및/또는 실시형태의 전부 또는 일부와 함께 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 양태들은 이하의 번호가 매겨진 절에 기재되어 있다.
1. 소스 재료를 사용하여 극자외선을 생성하기 위한 장치로서, 상기 장치는 상기 소스 재료가 펄스에 의해 조사되는 노광 모드 및 상기 소스 재료가 조사되지 않는 비노광 모드에서 동작하도록 구성되고, 상기 장치는:
상기 비노광 모드 중에 적어도 하나의 오프-액적 펄스(off-droplet pulse)를 생성하도록, 그리고 노광 모드 중에 복수의 온-액적 펄스(on-droplet pulse)를 생성하도록 구성되는 방사선원; 및
상기 비노광 모드 중에 상기 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정을 수행하도록, 그리고 상기 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 펄스 에너지를 펄스 에너지 설정점으로 구동하도록 구성된 에너지 제어기를 포함하고, 상기 방사선원은 상기 노광 모드 중에 상기 펄스 에너지 설정점의 에너지를 갖는 온-액적 펄스를 생성하도록 추가로 구성되는, 극자외선 생성 장치.
2. 제 1 절에 있어서, 상기 펄스는 프리펄스이고, 상기 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기인, 극자외선 생성 장치.
3. 제 2 절에 있어서, 상기 프리펄스 에너지 제어기는 복수의 오프-액적 프리펄스의 에너지 측정을 수행하도록 구성되는, 극자외선 생성 장치.
4. 제 1 절, 제 2 절 또는 제 3 절에 있어서, 상기 극자외선 생성 장치는 상기 소스 재료에 전달되는 에너지 선량의 크기를 제어하도록 구성된 선량 제어기를 더 포함하는, 극자외선 생성 장치.
5. 제 3 절에 있어서, 상기 선량 제어기의 제어 루프는 상기 프리펄스 에너지 제어기의 제어 루프로부터 디커플링되는, 극자외선 생성 장치.
6. 소스 재료를 사용하여 극자외선을 생성하는 디바이스를 제어하는 방법으로서, 상기 디바이스는 상기 소스 재료가 펄스에 의해 조사되는 노광 기간 및 상기 소스 재료가 조사되지 않는 비노광 기간을 가지며, 상기 디바이스를 제어하는 방법은:
상기 비노광 기간 중에 오프-액적 펄스를 생성하는 것;
상기 오프-액적 펄스의 에너지의 크기를 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하는 것; 및
온-액적 펄스의 에너지가 상기 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하면서 상기 노광 기간 중에 상기 온-액적 펄스를 생성하는 것을 포함하는, 디바이스의 제어 방법.
7. 제 6 절에 있어서, 상기 펄스는 프리펄스이고, 상기 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기인, 디바이스의 제어 방법.
8. 제 7 절에 있어서, 온-액적 프리펄스의 에너지를 제어하면서 상기 노광 기간 중에 상기 온-액적 프리펄스를 생성하는 것은 상기 온-액적 프리펄스의 프리펄스 에너지의 개방 루프 제어를 수행하는 것을 포함하는, 디바이스의 제어 방법.
9. 제 7 절에 있어서, 상기 디바이스의 제어 방법은 상기 적어도 하나의 오프-액적 프리펄스의 크기를 측정하는 것을 더 포함하고, 에너지의 크기를 제어하는 것은 상기 적어도 하나의 오프-액적 프리펄스의 에너지의 측정된 크기에 적어도 부분적으로 기초하여 프리펄스 에너지 제어기를 교정하는 것을 포함하는, 디바이스의 제어 방법.
10. 제 9 절에 있어서, 상기 디바이스의 제어 방법은 상기 소스 재료에 전달되는 에너지의 선량의 크기를 제어하는 것을 더 포함하는, 디바이스의 제어 방법.
11. 극자외선을 생성하기 위한 장치로서,
소스 재료의 액적의 공급원;
펄스형 레이저 방사선의 레이저 소스 - 상기 레이저 소스는 상기 소스 재료의 액적이 레이저 펄스에 의해 조사되는 노광 모드와 상기 소스 재료의 액적이 조사되지 않는 비노광 모드에서 동작하도록 구성되고, 상기 레이저 소스는 상기 비노광 모드 중에 적어도 하나의 오프-액적 펄스를 생성하도록 그리고 상기 노광 모드 중에 복수의 온-액적 펄스를 생성하도록 구성됨 -; 및
상기 비노광 모드 중에 상기 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정을 수행하도록, 그리고 상기 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 펄스 에너지를 펄스 에너지 설정점으로 구동하도록 구성된 에너지 제어기를 포함하고, 상기 방사선원은 상기 노광 모드 중에 상기 펄스 에너지 설정점의 에너지를 갖는 온-액적 펄스를 생성하도록 추가로 구성되는, 극자외선 생성 장치.
12. 제 11 절에 있어서, 상기 펄스는 프리펄스이고, 상기 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기인, 극자외선 생성 장치.
13. 제 12 절에 있어서, 상기 프리펄스 에너지 제어기는 복수의 오프-액적 프리펄스의 에너지 측정을 수행하도록 구성되는, 극자외선 생성 장치.
14. 제 11 절, 제 12 절 또는 제 13 절에 있어서, 상기 극자외선 생성 장치는 상기 소스 재료에 전달되는 에너지 선량의 크기를 제어하도록 구성된 선량 제어기를 더 포함하는, 극자외선 생성 장치.
15. 제 13 절에 있어서, 상기 선량 제어기의 제어 루프는 상기 프리펄스 에너지 제어기의 제어 루프로부터 디커플링되는, 극자외선 생성 장치.
16. 소스 재료를 사용하여 극자외선을 생성하는 방법으로서,
소스 재료의 액적을 생성하는 것;
임의의 소스 재료의 액적을 타격하지 않는 오프-액적 레이저 펄스를 생성하는 것;
상기 오프-액적 레이저 펄스의 에너지의 크기를 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하는 것; 및
상기 소스 재료의 액적을 타격하는 온-액적 펄스의 에너지가 상기 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하면서 온-액적 펄스를 생성하는 것을 포함하는, 극자외선 생성 방법.
17. 제 16 절에 있어서, 상기 펄스는 프리펄스이고, 상기 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기인, 극자외선 생성 방법.
18. 제 17 절에 있어서, 상기 온-액적 프리펄스를 생성하는 것은 상기 온-액적 프리펄스의 프리펄스 에너지의 개방 루프 제어를 수행하는 것을 포함하는, 극자외선 생성 방법.
19. 제 17 절에 있어서, 상기 극자외선 생성 방법은 상기 적어도 하나의 오프-액적 프리펄스의 크기를 측정하는 것을 더 포함하고, 에너지의 크기를 제어하는 것은 상기 적어도 하나의 오프-액적 프리펄스의 에너지의 측정된 크기에 적어도 부분적으로 기초하여 프리펄스 에너지 제어기를 교정하는 것을 포함하는, 극자외선 생성 방법.
20. 제 19 절에 있어서, 상기 극자외선 생성 방법은 상기 소스 재료에 전달되는 에너지의 선량의 크기를 제어하는 것을 더 포함하는, 극자외선 생성 방법.

Claims (20)

  1. 소스 재료를 사용하여 극자외선을 생성하기 위한 장치로서,
    상기 장치는 상기 소스 재료가 펄스에 의해 조사되는 노광 모드 및 상기 소스 재료가 조사되지 않는 비노광 모드에서 동작하도록 구성되고, 상기 장치는:
    상기 비노광 모드 중에 적어도 하나의 오프-액적 펄스(off-droplet pulse)를 생성하도록, 그리고 노광 모드 중에 복수의 온-액적 펄스(on-droplet pulse)를 생성하도록 구성되는 방사선원; 및
    상기 비노광 모드 중에 상기 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정을 수행하도록, 그리고 상기 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정에 적어도 부분적으로 기초하여 펄스 에너지를 펄스 에너지 설정점으로 구동하도록 구성된 에너지 제어기를 포함하고, 상기 방사선원은 상기 노광 모드 중에 상기 펄스 에너지 설정점의 에너지를 갖는 온-액적 펄스를 생성하도록 추가로 구성되는, 극자외선 생성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 펄스는 프리펄스(prepulse)이고, 상기 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기인, 극자외선 생성 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 프리펄스 에너지 제어기는 복수의 오프-액적 프리펄스의 에너지 측정을 수행하도록 구성되는, 극자외선 생성 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 극자외선 생성 장치는 상기 소스 재료에 전달되는 에너지 선량의 크기를 제어하도록 구성된 선량 제어기를 더 포함하는, 극자외선 생성 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    선량 제어기의 제어 루프는 상기 프리펄스 에너지 제어기의 제어 루프로부터 디커플링되는, 극자외선 생성 장치.
  6. 소스 재료를 사용하여 극자외선을 생성하는 디바이스를 제어하는 방법으로서,
    상기 디바이스는 상기 소스 재료가 펄스에 의해 조사되는 노광 기간 및 상기 소스 재료가 조사되지 않는 비노광 기간을 가지며, 상기 디바이스를 제어하는 방법은:
    상기 비노광 기간 중에 오프-액적 펄스를 생성하는 것;
    상기 오프-액적 펄스의 에너지의 크기를 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하는 것; 및
    온-액적 펄스의 에너지가 상기 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하면서 상기 노광 기간 중에 상기 온-액적 펄스를 생성하는 것을 포함하는, 디바이스의 제어 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 펄스는 프리펄스이고, 상기 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기인, 디바이스의 제어 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    온-액적 프리펄스의 에너지를 제어하면서 상기 노광 기간 중에 온-액적 프리펄스를 생성하는 것은 상기 온-액적 프리펄스의 프리펄스 에너지의 개방 루프 제어를 수행하는 것을 포함하는, 디바이스의 제어 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 디바이스의 제어 방법은 적어도 하나의 오프-액적 프리펄스 에너지의 크기를 측정하는 것을 더 포함하고, 에너지의 크기를 제어하는 것은 상기 적어도 하나의 오프-액적 프리펄스의 에너지의 측정된 크기에 적어도 부분적으로 기초하여 프리펄스 에너지 제어기를 교정하는 것을 포함하는, 디바이스의 제어 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 디바이스의 제어 방법은 상기 소스 재료에 전달되는 에너지의 선량의 크기를 제어하는 것을 더 포함하는, 디바이스의 제어 방법.
  11. 극자외선을 생성하기 위한 장치로서,
    소스 재료의 액적의 공급원;
    펄스형 레이저 방사선의 레이저 소스 - 상기 레이저 소스는 상기 소스 재료의 액적이 레이저 펄스에 의해 조사되는 노광 모드와 상기 소스 재료의 액적이 조사되지 않는 비노광 모드에서 동작하도록 구성되고, 상기 레이저 소스는 상기 비노광 모드 중에 적어도 하나의 오프-액적 펄스를 생성하도록 그리고 상기 노광 모드 중에 복수의 온-액적 펄스를 생성하도록 구성됨 -; 및
    상기 비노광 모드 중에 상기 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정을 수행하도록, 그리고 상기 적어도 하나의 오프-액적 펄스의 에너지 측정에 적어도 부분적으로 기초하여 펄스 에너지를 펄스 에너지 설정점으로 구동하도록 구성된 에너지 제어기를 포함하고, 방사선원은 상기 노광 모드 중에 상기 펄스 에너지 설정점의 에너지를 갖는 온-액적 펄스를 생성하도록 추가로 구성되는, 극자외선 생성 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 펄스는 프리펄스이고, 상기 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기인, 극자외선 생성 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 프리펄스 에너지 제어기는 복수의 오프-액적 프리펄스의 에너지 측정을 수행하도록 구성되는, 극자외선 생성 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 극자외선 생성 장치는 상기 소스 재료에 전달되는 에너지 선량의 크기를 제어하도록 구성된 선량 제어기를 더 포함하는, 극자외선 생성 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    선량 제어기의 제어 루프는 상기 프리펄스 에너지 제어기의 제어 루프로부터 디커플링되는, 극자외선 생성 장치.
  16. 소스 재료를 사용하여 극자외선을 생성하는 방법으로서,
    소스 재료의 액적을 생성하는 것;
    임의의 소스 재료의 액적을 타격하지 않는 오프-액적 레이저 펄스를 생성하는 것;
    상기 오프-액적 레이저 펄스의 에너지의 크기를 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하는 것; 및
    상기 소스 재료의 액적을 타격하는 온-액적 펄스의 에너지가 상기 펄스 에너지 설정점에 있도록 제어하면서 온-액적 펄스를 생성하는 것을 포함하는, 극자외선 생성 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 펄스는 프리펄스이고, 상기 에너지 제어기는 프리펄스 에너지 제어기인, 극자외선 생성 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    온-액적 프리펄스를 생성하는 것은 상기 온-액적 프리펄스의 프리펄스 에너지의 개방 루프 제어를 수행하는 것을 포함하는, 극자외선 생성 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 극자외선 생성 방법은 적어도 하나의 오프-액적 프리펄스의 에너지의 크기를 측정하는 것을 더 포함하고, 에너지의 크기를 제어하는 것은 적어도 하나의 오프-액적 프리펄스의 에너지의 측정된 크기에 적어도 부분적으로 기초하여 프리펄스 에너지 제어기를 교정하는 것을 포함하는, 극자외선 생성 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 극자외선 생성 방법은 상기 소스 재료에 전달되는 에너지의 선량의 크기를 제어하는 것을 더 포함하는, 극자외선 생성 방법.
KR1020227005067A 2019-08-15 2020-08-14 Euv 광원에서 소스 재료 조정용 레이저 시스템 KR20220044750A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962887160P 2019-08-15 2019-08-15
US62/887,160 2019-08-15
PCT/EP2020/072939 WO2021028592A1 (en) 2019-08-15 2020-08-14 Laser system for source material conditioning in an euv light source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220044750A true KR20220044750A (ko) 2022-04-11

Family

ID=72145392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227005067A KR20220044750A (ko) 2019-08-15 2020-08-14 Euv 광원에서 소스 재료 조정용 레이저 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220317576A1 (ko)
KR (1) KR20220044750A (ko)
CN (1) CN114271032A (ko)
TW (1) TW202109207A (ko)
WO (1) WO2021028592A1 (ko)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7598509B2 (en) 2004-11-01 2009-10-06 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
JP5314433B2 (ja) * 2009-01-06 2013-10-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US9693440B1 (en) * 2015-12-18 2017-06-27 Asml Netherlands B.V. EUV LPP source with improved dose control by tracking dose over specified window

Also Published As

Publication number Publication date
CN114271032A (zh) 2022-04-01
WO2021028592A1 (en) 2021-02-18
TW202109207A (zh) 2021-03-01
US20220317576A1 (en) 2022-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6182645B2 (ja) Ｅｕｖ非出力期間中のｌｐｐ駆動レーザー出力のためのデバイス
JP5653927B2 (ja) Ｅｕｖ光源における駆動レーザビーム送出のためのシステム及び方法
US20130077073A1 (en) Methods to control euv exposure dose and euv lithographic methods and apparatus using such methods
JP5354742B2 (ja) レーザ生成プラズマｅｕｖ光源
US8604452B2 (en) Drive laser delivery systems for EUV light source
JP2014523640A (ja) レーザ生成プラズマ光源内の緩衝ガス流安定化のためのシステム及び方法
JP7356439B2 (ja) 光ビームの空間変調
KR20180038468A (ko) 레이저 에너지 변조를 통해 액적-플라스마 상호작용을 안정화하는 시스템 및 방법
TW202102062A (zh) 在極紫外光源中用於源材料調節的雷射系統
KR20220044750A (ko) Euv 광원에서 소스 재료 조정용 레이저 시스템
US20210333718A1 (en) Extreme ultraviolet light generation system and electronic device manufacturing method
JP2020201452A (ja) 極端紫外光生成システム、レーザビームサイズ制御方法及び電子デバイスの製造方法
US11272608B2 (en) Extreme ultraviolet light generation apparatus and electronic device manufacturing method
US11828952B2 (en) Light source and extreme ultraviolet light source system using the same
NL2020778A (en) Laser produced plasma source
TWI841587B (zh) 輻射源設備、輻射源、ｅｕｖ源、使用輻射源之方法
US10966308B2 (en) EUV light source with subsystem(s) for maintaining LPP drive laser output during EUV non-output periods
WO2024056330A1 (en) Mixed energy control in an euv lithography system
WO2023126106A1 (en) Laser beam steering system and method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination