KR20220042692A - 안테나 기판 - Google Patents

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KR20220042692A
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antenna pattern
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KR1020200125829A
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손영준
유한필
임동욱
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예에 따른 안테나 기판은 기판; 상기 기판 위에 안테나 패턴층; 상기 기판 및 상기 안테나 패턴층 위에 수지 및 무기물 필러를 포함하는 제1솔더레지스터층; 및 상기 제1 솔더레지스터층 위에 수지 및 무기물 필러를 포함하는 제2 솔더레지스터층;을 포함하고, 상기 제2 솔더레지스터층은 제1 솔더레지스터층의 유전율 및 두께보다 크다.

Description

안테나 기판{ANTENA SUBSTRATE}
실시 예는 안테나 기판에 관한 것이다.
최근 들어 무선 데이터 트래픽 수요를 충족시키기 위해, 개선된 5G(5th generation) 통신 시스템 또는 pre-5G 통신 시스템을 개발하기 위한 노력이 이루어지고 있다.
높은 데이터 전송률을 달성하기 위해, 5G 통신 시스템은 초고주파(mmWave) 대역(sub 6기가(6GHz), 28기가 28GHz, 38기가 38GHz 또는 그 이상 주파수)를 사용한다. 이러한 높은 주파수 대역은 파장의 길이로 인하여 mmWave로 불린다.
초고주파 대역에서의 전파의 경로손실 완화 및 전파의 전달 거리를 증가시키기 위해, 5G 통신 시스템에서는 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO), 어레이 안테나(array antenna) 등의 집척화 기술들이 개발되고 있다.
이러한 주파수 대역들에서 파장의 수백 개의 활성 안테나로 이루어질 수 있는 점을 고려하면, 안테나 시스템이 상대적으로 커질 수 있다
이것은 활성 안테나 시스템을 이루는 여러 개의 기판들 즉, 안테나 기판, 안테나 급전 기판, 송수신기(transceiver) 기판, 그리고 기저대역(baseband) 기판이 하나의 소형장치(one compactunit)로 집적되어야 한다는 것을 의미한다.
한편, 최근에는 고유전율을 가지는 유전층을 이용하여 안테나의 공진 주파수를 형성하도록 하는 기술이 개발되고 있다. 종래에는 고유전율의 에폭시 몰드 컴파운드(EMC) 또는 고유전율의 프리프레그를 사용하여 공진 주파수를 형성하도록 한다.
그러나, 종래의 에폭시 몰드 컴파운드를 이용한 구조는 몰드 프로세스를 이용하여 공진 주파수 형성을 위한 유전층(EMC층)을 형성하고 있으며, 이에 따라 안테나 모듈의 전체 두께가 두꺼워지는 문제가 있다. 예를 들어, EMC층은 몰드 프로세스에 의해 형성되기 때문에 300㎛ 이상의 두께를 가지며, 이에 따라 안테나 모듈의 전체 두께를 증가시키는 문제가 있다. 또한, 몰드 프로세스를 이용하여 EMC층을 형성하는 경우, 제조 프로세스 특성 상 몰드 레진이 금형 밖으로 흘러나오는 문제가 있으며, 이에 따른 수율이 하락되는 문제가 있다.
또한, 고유전율의 프리프레그를 이용한 구조에서는 기판의 적층 공정에서, 복수의 절연층 중 적어도 1개의 층을 고유전율의 프리프레그로 형성하고 있다. 그리고, 기판의 적층 공정에서 복수의 절연층 중 적어도 하나의 절연층을 고유전율의 프리프레그로 형성하는 경우, 고유전율의 프리프레그와 다른 절연층 사이의 유전율 차이로 인한 기판 휨 문제가 발생하는 문제가 있다. 또한, 고유전율의 프리프레그를 포함하여 안테나 기판을 형성하는 경우, 정전기 및 제품에 유해한 OUT-GAS가 발생하고, 이로 인한 보이드 문제 및 신뢰성 문제가 발생하여 수율이 감소하는 문제가 있다.
실시 예에서는 새로운 구조의 안테나 기판을 제공하고자 한다.
또한, 실시 예에서는 기판의 슬림화가 가능하면서 공진 주파수의 쉬프트가 가능한 안테나 기판을 제공하고자 한다.
실시 예에서 해결하고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제는 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
실시 예에 따른 안테나 기판은 기판; 상기 기판 위에 도전성 안테나 패턴층; 상기 기판 및 상기 도전성 안테나 패턴층 위에 수지 및 무기물 필러를 포함하는 제1솔더레지스터층; 및 상기 제1 솔더레지스터층 위에 수지 및 무기물 필러를 포함하는 제2 솔더레지스터층;을 포함하고, 상기 제2 솔더레지스터층은 제1 솔더레지스터층의 유전율 및 두께보다 크다.
또한, 상기 도전성 안테나 패턴층은 서로 이격된 복수의 안테나 패턴을 포함하고, 상기 제1 솔더레지스터층은 상기 복수의 안테나 패턴 사이를 모두 덮는다.
또한, 상기 제2 솔더레지스트층은 상기 제1 솔더레지스트층의 유전율의 3배 내지 6배이다.
또한, 상기 제2 솔더레지스트층은 상기 제1 솔더레지스트층의 두께의 1.5배 내지 5배이다.
또한, 상기 도전성 안테나 패턴층의 두께는 상기 제1 솔더레지스트층 및 제2 솔더레지스트층의 두께보다 얇다.
또한, 상기 제1 솔더레지스트층과 상기 제2 솔더레지스트층의 물질은 서로 다르다.
또한, 상기 도전성 안테나 패턴층은 서로 다른 주파수 대역에서 각각 공진하는 듀얼 공진 안테나 패턴이다.
또한, 상기 도전성 안테나 패턴층은 24.03GHz 내지 25.81GHz의 제1 주파수 대역 및 27.07GHz 내지 28.80GHz의 제2 주파수 대역에서 각각 공진한다.
또한, 상기 제2 솔더레지스터층의 두께는 25㎛ 내지 65㎛이다.
또한, 상기 제1 솔더레지스트층의 두께는 10㎛ 내지 20㎛이다.
또한, 상기 제2 솔더레지스트층은 TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3 으로 구성된 군에서 적어도 하나를 포함한다.
또한, 상기 제1 솔더레지스터층은 SiO2이다.
또한, 상기 제2 솔더레지스트층은 상기 도전성 안테나 패턴층 상에 일정 간격을 두고 일정 패턴으로 형성된다.
또한, 상기 제2 솔더레지스트층은 유전율(Dk)이 15 내지 20이다.
또한, 상기 제1 솔더레지스트층은 유전율(Dk)이 3 내지 5이다.
또한, 상기 제1 솔더레지스트층의 두께는 상기 도전성 안테나 패턴층 사이의 두께이다.
또한, 상기 제1 솔더레지스트층 및 제2 솔더레지스트층의 두께는 가장 두꺼운 부분의 두께이다.
실시 예에서는 고유전율의 솔더 레지스트층을 도전성 안테나 패턴층 위에 배치하고, 그에 따라 상기 솔더 레지스트층을 이용하여 상기 도전성 안테나 패턴층의 공진 주파수 대역이 쉬프트되도록 한다. 이에 따르면, 실시 예에서는 솔더 레지스트층을 이용하여 공진 주파수 대역을 쉬프트함에 따라, 에폭시 몰드 컴파운드를 이용한 비교 예 대비 안테나 기판의 두께를 획기적으로 줄일 수 있으며, 나아가 몰드 프로세스에 의해 발생하는 신뢰성 문제를 해결하여 수율을 확대할 수 있다. 또한, 실시 예에서는 고유전 프리프레그를 이용한 비교 예 대비 아웃-가스 발생으로 인한 신뢰성 문제를 해결할 수 있으며, 단가가 높은 고유전 프리프레그를 제거함에 따라 제품 단가를 낮출 수 있다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 안테나 기판을 나타낸 도면이다.
도 2는 제1 실시 예의 안테나 기판의 변형 예를 나타난 도면이다.
도 3은 종래의 안테나 기판에서의 공진 주파수 특성을 나타낸 도면이다.
도 4는 실시 예에 따른 제1 유전율을 가지는 제2 솔더 레지스트층의 높이 변화에 따른 공진 주파수 특성을 나타낸 도면이다.
도 5는 실시 예에 따른 제2 유전율을 가지는 제2 솔더 레지스트층의 높이 변화에 따른 공진 주파수 특성을 나타낸 도면이다.
도 6은 실시 예에 따른 제3 유전율을 가지는 제2 솔더 레지스트층의 높이 변화에 따른 공진 주파수 특성을 나타낸 도면이다.
도 7은 제2 실시 예에 따른 안테나 기판을 나타낸 도면이다.
도 8은 제3 실시 예에 따른 안테나 기판을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시 예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, "A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한 개 이상)"로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다. 그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다.
또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 안테나 기판을 나타낸 도면이고, 도 2는 제1 실시 예의 안테나 기판의 변형 예를 나타난 도면이다.
도 1을 참조하면, 안테나 기판은, 기판(110), 도전성 안테나 패턴층(120) 및 제1 솔더 레지스트층(130) 및 제2 솔더 레지스트층(140)을 포함한다.
기판(110)은 안테나 기판의 급전 및 지지를 위해 제공될 수 있다. 상기 기판(110)은 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)일 수 있다. 이러한, 기판(110)은 평판 구조를 갖는다. 이러한 기판(110)은 단일층으로 구성될 수 있으며, 이와 다르게 다수의 층이 적층되어 구현될 수 있다. 상기 기판(110)은 접지를 위한 접지층(미도시) 및 급전을 위한 급전부(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 기판(110)의 일면에는 도전성 안테나 패턴층(120)이 형성될 수 있다. 상기 도전성 안테나 패턴층 (120)은 안테나 기판에서, 신호 송수신을 위해 제공될 수 있다. 상기 도전성 안테나 패턴층 (120)는 미리 정해진 공진 주파수 대역에서 신호를 송수신할 수 있다. 예를 들어, 상기 도전성 안테나 패턴층(120)은 공진 주파수 대역에서 동작하여 전자기파를 송수신할 수 있다. 상기 도전성 안테나 패턴층(120)은 상기 기판(110)의 급전부(미도시)에서 전원이 공급됨에 따라 동작할 수 있다.
상기 도전성 안테나 패턴층(120)은 복수의 공진 주파수 대역에서 공진할 수 있다. 예를 들어, 상기 도전성 안테나 패턴층(120)은 서로 다른 공진 주파수 대역에서 공진하는 듀얼 공진 안테나일 수 있다. 예를 들어, 상기 도전성 안테나 패턴층(120)은 24.03GHz 내지 25.81GHz의 제1 주파수 대역 및 27.07GHz 내지 28.80GHz의 제2 주파수 대역에서 각각 공진하는 듀얼 공진 안테나일 수 있다.
한편, 도면에 도시하지 않았지만, 기판(110) 내에도 도전성 안테나 패턴층(120)이 형성될 수 있다. 즉, 도전성 안테나 패턴층(120)은 기판(110) 내에 다층 구조를 가지고 형성될 수 있다. 도면에서의 도전성 안테나 패턴층(120)은 기판(110)의 최외곽에 배치된 패턴을 도시한 것일 수 있다. 즉, 도전성 안테나 패턴층(120)은 다층 구조를 가질 수 있고, 이와 다르게 단층 구조를 가질 수 있다. 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 층 수는 공진 주파수 대역을 기준으로 결정될 수 있다. 실시 예에서는, 기판(110)의 최외곽에 배치되는 도전성 안테나 패턴층(120)을 중심으로 설명하기로 한다. 상기 도전성 안테나 패턴층(120)은 상기 기판(110)의 일면에 10㎛ 내지 15㎛의 두께를 가지고 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 도전성 안테나 패턴층(120)은 상기 기판(110)의 일면에 12㎛의 두께를 가지고 형성될 수 있다.
기판(110) 위에는 복수의 솔더 레지스트층이 형성될 수 있다.
구체적으로, 복수의 솔더 레지스트층은 상기 기판(110) 및 상기 도전성 안테나 패턴층(120) 위에 형성되는 제1 솔더 레지스트층(130)과, 상기 제1 솔더 레지스트층(130) 위에 배치되는 제2 솔더 레지스트층(140)을 포함할 수 있다. 상기 제1 솔더 레지스트층(130)은 상기 기판(110)의 일면에 형성된 도전성 안테나 패턴층(120)의 사이를 모두 덮을 수 있다. 예를 들어, 도전성 안테나 패턴층(120)은 상호 이격되는 복수의 안테나 패턴을 포함한다. 그리고, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)은 상기 서로 이격되는 복수의 안테나 패턴 사이를 모두 덮으며 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)은 상기 제1 솔더 레지스트층(130) 또는 상기 도전성 안테나 패턴층(120) 상에 일정 간격을 두고 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)은 상기 도전성 안테나 패턴층(120)과 수직 방향으로 오버랩되는 영역에 형성된다. 이때, 상기 도전성 안테나 패턴층(120)은 기판(110) 상에 상호 이격되는 복수의 안테나 패턴을 포함한다. 따라서, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)은 상기 도전성 안테나 패턴층(120)에 대응되게, 상기 제1 솔더 레지스트층(130) 또는 상기 도전성 안테나 패턴층(120) 상에 일정 간격을 두고 일정 패턴으로 형성될 수 있다.
상기 제1 솔더 레지스트층(130)과 제2 솔더 레지스트층(140)은 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 면적은 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 면적보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 상면의 적어도 일부에는 상기 제2 솔더 레지스트층(140)이 형성되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)은 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 상면 중 상기 도전성 안테나 패턴층(120)과 수직 방향으로 오버랩되는 영역에만 선택적으로 배치될 수 있다.
상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 폭(W1)은 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 폭(W2)보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)은 수직 방향으로 도전성 안테나 패턴층(120)과 오버랩되는 제1 부분과, 상기 도전성 안테나 패턴층(120)과 오버랩되지 않는 제1 부분 이외의 제2 부분을 포함할 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)은 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 폭과 동일한 폭을 가지면서, 전체 영역이 상기 도전성 안테나 패턴층(120)과 수직 방향으로 오버랩될 수도 있을 것이다.
상기 제1 솔더 레지스트층(130)은 상기 기판(110) 위에 제1 두께(T1)를 가지고 형성될 수 있다. 또한, 제2 솔더 레지스트층(140)은 상기 제1 솔더 레지스트층(130) 위에 상기 제1 두께(T1)보다 큰 제2 두께(T2)를 가지고 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 제2 두께(T2)는 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 제1 두께(T1)의 1.5배 내지 5배일 수 있다. 상기 제2 두께(T2)가 상기 제1 두께(T1)의 1.5배보다 작으면, 공진 주파수 대역의 형성을 위한 주파수 쉬프트 효과가 미비할 수 있다. 상기 제2 두께(T2)가 상기 제1 두께(T1)의 1.5배보다 작으면, 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 공진 주파수 대역이 목표 주파수 대역으로 쉬프트하지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 상기 제2 두께(T2)가 상기 제1 두께(T1)의 5배보다 크면, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 두께 증가에 따른 안테나 기판의 전체적인 두께가 증가할 수 있다. 상기 제2 두께(T2)가 상기 제1 두께(T1)의 5배보다 작으면, 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 공진 주파수 대역이 원하는 목표 주파수 대역을 벗어날 수 있다.
이를 위한 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 제1 두께(T1)는 10㎛ 내지 20㎛일 수 있다. 또한, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 제2 두께(T2)는 25㎛ 내지 65㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 설명한 바와 같이 상기 도전성 안테나 패턴층(120)은 10㎛ 내지 15㎛의 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 제1 두께(T1)는 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 두께보다 클 수 있다. 여기에서, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 제1 두께(T1)는 상기 도전성 안테나 패턴층(120) 사이에서의 두께일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 제1 두께(T1)는 상기 기판(110)의 상면에서부터 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 상면까지의 두께일 수 있다. 더욱 구체적으로, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 제1 두께(T1)는 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 전체 영역 중 가장 두꺼운 부분의 두께일 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 제2 두께(T2)는 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 전체 영역 중 가장 두꺼운 부분의 두께일 수 있다.
그리고, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 제1 두께(T1)가 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 두께보다 큰 경우, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)은 상기 도전성 안테나 패턴층(120) 위에도 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)은 상기 제2 솔더 레지스트층(140)과 상기 도전성 안테나 패턴층(120) 사이에도 형성될 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 이와 다르게 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 제1 두께(T1)는 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 두께와 동일할 수 있다. 이와 같은 경우, 상기 도전성 안테나 패턴층(120)과 상기 제2 솔더 레지스트층(140) 사이에는 상기 제1 솔더 레지스트층(130)이 형성되지 않을 수 있다.
다시 말해서, 실시 예의 제1 솔더 레지스트층(130)은 상기 도전성 안테나 패턴층(120)과 제2 솔더 레지스트층(140) 사이에 선택적으로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 도전성 안테나 패턴층(120)과 상기 제2 솔더 레지스트층(140) 사이에서의 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 제3 두께(T3)는 0㎛ 내지 3㎛일 수 있다. 상기 제3 두께(T3)가 3㎛보다 큰 경우, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)에 의한 주파수 쉬프트 효과가 미비할 수 있다. 또한, 상기 제3 두께(T3)가 3㎛보다 큰 경우, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 두께 증가로 인한 안테나 기판의 전체 두께가 증가할 수 있다.
한편, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 두께는 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 하면으로부터 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 상면까지의 두께를 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1 솔더 레지스트층(130)의 두께는 상기 도전성 안테나 패턴층(120) 및 상기 도전성 안테나 패턴층(120) 위에 있는 제1 솔더 레지스트층(130)의 두께를 포함한 것일 수 있다. 그리고, 제1 솔더 레지스트층(130) 중 도전성 안테나 패턴층(120) 사이에 형성된 부분은 도전성 안테나 패턴층(120)보다 낮게 위치할 수 있다. 예를 들어, 제1 솔더 레지스트층(130)은 도전성 안테나 패턴층(120) 위에 배치되는 제1 영역과, 상기 도전성 안테나 패턴층(120) 사이에서 기판(110) 위에 배치되는 제2 영역을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 두께는 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 두께 및 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 제1 영역의 두께를 합한 두께일 수 있다. 그리고, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 제2 영역의 두께는 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 두께보다 얇을 수 있다.
한편, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)과 제2 솔더 레지스트층(140)은 서로 다른 유전율을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 유전율은 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 유전율보다 클 수 있다. 더욱 구체적으로, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 유전율은 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 유전율의 3배 내지 6배일 수 있다. 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 유전율이 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 3배 미만 또는 5배를 초과하는 경우, 상기 도전성 안테나 패턴층(120)의 공진 주파수 대역이 목표 주파수 대역을 벗어나는 문제가 발생하고, 이에 따른 안테나 성능이 감소할 수 있다. 이를 위해, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)은 유전율(Dk)이 3 내지 5일 수 있다. 또한, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)은 유전율(Dk)이 15 내지 20일 수 있다.
이를 위해, 상기 제1 솔더 레지스트층(130) 및 제2 솔더 레지스트층(140)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
즉, 제1 솔더 레지스트층(130) 및 제2 솔더 레지스트층(140)은 각각 수지 및 무기물 필러를 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)을 구성하는 무기물 필러는 상기 제2 솔더 레지스트층(140)을 구성하는 무기물 필러와 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 솔더 레지스트층(130)에 포함되는 필러의 유전율은 상기 제2 솔더 레지스트층(140)에 포함되는 필러의 유전율보다 작을 수 있다.
상기 제1 솔더 레지스트층(130)은 SiO2를 포함할 수 있다.
상기 제2 솔더 레지스트층(140)은 TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3으로 구성된 군에서 적어도 하나를 포함한다. 즉, TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3의 유전율은 SiO2의 유전율보다 크며, 이에 따라, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 유전율은 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 유전율보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 솔더 레지스트층(140)은 Ti를 포함하는 무기물을 포함할 수 있다.
상기 제1 솔더 레지스트층(130)은 수지 내에 SiO2가 20 중량% 내지 70 중량% 충진될 수 있다.
상기 제2 솔더 레지스트층(140)은 수지에 TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3 중 적어도 하나 이상이 포함될 수 있고, 여기에 SiO2가 추가로 포함될 수 있다.
즉, 제2 솔더 레지스트층(140)은 TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3 중에서 선택되는 적어도 하나 이상만을 포함할 수 있다. 이와 다르게, 제2 솔더 레지스트층(140)은 TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3 중에서 선택되는 적어도 하나에 SiO2가 추가로 포함될 수 있다.
상기 제2 솔더 레지스트층(140)이 TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 하나만을 포함하는 경우, 적어도 하나를 포함한다. 상기 TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3 중 적어도 하나 이상은 수지 내에 15 중량% 내지 45 중량%로 충진될 수 있다.
이와 다르게, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)이 TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3 중 적어도 하나와, SiO2를 모두 포함하는 경우, 이들의 조합은 수지 내에 20 중량% 내지 70 중량% 포함될 수 있고, 이 중에서 상기 TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3 중 적어도 하나는 5 중량% 내지 45 중량%를 차지할 수 있다.
또한, 제1 솔더 레지스트층(130)의 무기물 필러의 평균 사이즈는 제2 솔더 레지스트층(140)의 무기물 필러의 평균 사이즈와 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 솔더 레지스트층(130)의 무기물 필러의 평균 사이즈는 제2 솔더 레지스트층(140)의 무기물 필러의 평균 사이즈보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 솔더 레지스트층(130)의 무기물 필러의 평균 사이즈는 4㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 솔더 레지스트층(140)의 무기물 필러의 평균 사이즈는 3㎛ 이하일 수 있다.
상기와 같이, 실시 예에서는 상기 제2 솔더 레지스트층(140)가 TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3 중 적어도 하나를 포함하는 고유전율의 필러를 포함하도록 하여, 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 유전율이 상기 제1 솔더 레지스트층(130)의 유전율보다 크도록 한다. 그리고, 상기와 같은 15 내지 20의 유전율을 가지는 제2 솔더 레지스트층(140)에 의해 상기 도전성 안테나 패턴층(120)에 의해 형성되는 공진 주파수 대역이 원하는 목표 주파수 대역으로 쉬프트될 수 있도록 한다.
이하에서는 실시 예에 따른 제2 솔더 레지스트층(140)을 포함하는 안테나 기판에서의 주파수 쉬프트 효과에 대해 설명하기로 한다.
도 3은 종래의 안테나 기판에서의 공진 주파수 특성을 나타낸 도면이고, 도 4는 실시 예에 따른 제1 유전율을 가지는 제2 솔더 레지스트층의 높이 변화에 따른 공진 주파수 특성을 나타낸 도면이며, 도 5는 실시 예에 따른 제2 유전율을 가지는 제2 솔더 레지스트층의 높이 변화에 따른 공진 주파수 특성을 나타낸 도면이고, 도 6은 실시 예에 따른 제3 유전율을 가지는 제2 솔더 레지스트층의 높이 변화에 따른 공진 주파수 특성을 나타낸 도면이다.
도 3은 종래의 안테나 기판에서, 도전성 안테나 패턴층 위에 에폭시 몰드 컴파운드를 배치한 상태에서의 공진 주파수 특성을 보여준다. 종래에서는 도전성 안테나 패턴층 위에 에폭시 몰드 컴파운드를 이용한 유전층을 형성하여 공진 주파수 대역을 쉬프트하였다. 이때, 상기 에폭시 몰드 컴파운드를 이용한 유전층은 유전율(Dk)이 8 정도이고, 두께가 300㎛의 정도의 수준을 가진다. 이때, 도전성 안테나 패턴층의 공진 주파수는 -10dB의 S-파라미터(산란계수, scattering parameter)를 기준으로, 공진 주파수 대역은 23.60 GHz 내지 24.85GHz로 나타났고, 피크 주파수가 24.15GHz로 나타난 것을 확인할 수 있었다. 그러나, 이와 같은 에폭시 몰드 컴파운드를 이용하는 경우, 두께의 증가에 대한 이슈와 몰드 프로세스에 의해 나타나는 신뢰성 문제가 존재한다.
이와 다르게, 실시 예에서는 80㎛ 이하의 두께를 가지는 고유전율의 제2 솔더 레지스트층(140)을 이용하여, 종래의 에폭시 몰드 컴파운드를 이용한 유전층과 동일한 성능 확보가 가능하도록 할 수 있다.
실시 예에서는 도 4에서와 같이, 유전율(Dk)이 10인 제2 솔더 레지스트층의 높이를 15㎛, 40㎛ 및 65㎛로 변화시켜, 이에 따른 주파수 특성 변화를 살펴보았다. 또한, 실시 예에서는 도 5에서와 같이, 유전율(Dk)이 15인 제2 솔더 레지스트층의 높이를 15㎛, 40㎛ 및 65㎛로 변화시켜, 이에 따른 주파수 특성 변화를 살펴보았다. 또한, 실시 예에서는 도 6에서와 같이, 유전율(Dk)이 20인 제2 솔더 레지스트층의 높이를 15㎛, 40㎛ 및 65㎛로 변화시켜, 이에 따른 주파수 특성 변화를 살펴보았다.
제2 솔더 레지스트층(140)의 유전율 및 높이에 따른 주파수 특성 변화를 보면 표 1과 같다.
높이: 15㎛ 높이: 25㎛ 높이: 40㎛ 높이: 65㎛
Dk: 10 1) 제1 공진 주파수 대역: 24.89~25.86GHz
(Peak Freq.: 25.35GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.72~29.22GHz
(Peak Freq.: 28.50GHz)		 ) 제1 공진 주파수 대역: 24.82~25.86GHz
(Peak Freq.: 25.28GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.64~29.14GHz
(Peak Freq.: 28.43GHz)		 1) 제1 공진 주파수 대역: 24.69~25.85GHz
(Peak Freq. : 25.20GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.47~29.01GHz
(Peak Freq. : 28.30GHz)		 1) 제1 공진 주파수 대역: 24.51~25.80GHz
(Peak Freq. : 25.05GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.29~28.78GHz
(Peak Freq. : 28.10GHz)
Dk: 15 1) 제1 공진 주파수 대역 24.81~25.85GHz
(Peak Freq.: 25.30GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.61~29.14GHz
(Peak Freq.: 28.40GHz)		 1) 제1 공진 주파수 대역 24.69~25.83GHz
(Peak Freq.: 25.19GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.51~29.05GHz
(Peak Freq.: 28.29GHz) 		1) 제1 공진 주파수 대역: 24.52~25.81GHz
(Peak Freq. : 25.05GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.30~28.80GHz
(Peak Freq.: 28.10GHz) 		1) 제1 공진 주파수 대역: 24.22~25.63GHz
(Peak Freq. : 24.80GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.10~28.43GHz
(Peak Freq. : 27.85GHz
Dk: 20 1) 제1 공진 주파수 대역: 24.75~25.84GHz
(Peak Freq.: 25.25GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.55~29.08GHz
(Peak Freq.: 28.35GHz)		 1) 제1 공진 주파수 대역: 24.46~25.76GHz
(Peak Freq.: 25.18GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.47~29.00GHz
(Peak Freq.: 28.23GHz) 		1) 제1 공진 주파수 대역:24.33~25.72GHz
(Peak Freq. : 24.90GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.14~28.56GHz
(Peak Freq. : 27.95GHz) 		1) 제1 공진 주파수 대역: 24.03~25.45GHz
(Peak Freq. : 24.65GHz)

2) 제2 공진 주파수 대역: 27.07~28.17GHz
(Peak Freq. : 27.65GHz)
상기 표 1을 정리하면, 유전율을 기준으로, 제2 솔더 레지스트층(140)의 유전율이 10인 경우, 이의 두께가 25㎛씩 증가함에 따라, 피크 주파수가 150MHz씩 아래로 쉬프트 되는 것을 확인하였고, 주파수 대역의 에지 부분이 180~200MHz 정도 아래로 쉬프트되는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 제2 솔더 레지스트층(140)의 유전율이 15인 경우, 이의 두께가 25㎛씩 증가함에 따라, 피크 주파수가 250MHz씩 아래로 쉬프트 되는 것을 확인하였고, 주파수 대역의 에지 부분이 200~300MHz 정도 아래로 쉬프트되는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 제2 솔더 레지스트층(140)의 유전율이 20인 경우, 이의 두께가 25㎛씩 증가함에 따라, 피크 주파수가 250~350MHz씩 아래로 쉬프트 되는 것을 확인하였고, 주파수 대역의 에지 부분이 300~400MHz 정도 아래로 쉬프트되는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 두께를 기준으로, 제2 솔더 레지스트층(140)의 두께가 15㎛인 경우, 이의 유전율이 5씩 증가함에 따라, 피크 주파수가 50MHz씩 아래로 쉬프트 되는 것을 확인하였고, 주파수 대역의 에지 부분이 60~80MHz 정도 아래로 쉬프트되는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 제2 솔더 레지스트층(140)의 두께가 40㎛인 경우, 이의 유전율이 5씩 증가함에 따라, 피크 주파수가 150MHz씩 아래로 쉬프트 되는 것을 확인하였고, 주파수 대역의 에지 부분이 170~190MHz 정도 아래로 쉬프트되는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 제2 솔더 레지스트층(140)의 두께가 65㎛인 경우, 이의 유전율이 5씩 증가함에 따라, 피크 주파수가 250 내지 350MHz씩 아래로 쉬프트 되는 것을 확인하였고, 주파수 대역의 에지 부분이 300~400MHz 정도 아래로 쉬프트되는 것을 확인할 수 있었다.
이의 결과, 실시 예에서는 상기 제2 솔더 레지스트층(140)의 유전율이 15 내지 20이고, 이의 두께가 25 내지 60㎛인 경우, 도전성 안테나 패턴층(120)의 공진 주파수 대역의 쉬프트에 효과가 있음을 확인하였으며, 종래의 300㎛ 이상의 두께를 가지는 에폭시 몰드 컴파운드와 동일한 성능 확보가 가능한 것을 확인할 수 있었다.
이하에서는 추가적인 실시 예에 대해 설명하기로 한다.
도 7은 제2 실시 예에 따른 안테나 기판을 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 기판(210), 도전성 안테나 패턴층(220) 및 솔더 레지스트층(240)을 포함할 수 있다. 상기 기판(210)과 도전성 안테나 패턴층(220)은 도 1에 도시된 제1 실시 예에서의 안테나 기판과 실질적으로 동일한 구조 및 구성을 가짐에 따라 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
제2 실시 예에서의 안테나 기판은, 솔더 레지스트층(240)을 포함한다. 솔더 레지스트층(240)은 상기 기판(210) 및 상기 도전성 안테나 패턴층(220) 위에 배치될 수 있다. 즉, 제1 실시 예에서의 안테나 기판에서는 서로 다른 유전율을 가지는 제1 솔더 레지스트층(130) 및 제2 솔더 레지스트층(140)이 각각 기판 및 안테나 패턴 상에 배치되었다. 이에 반하여, 제2 실시 예의 안테나 기판에서는 하나의 솔더 레지스트층이 기판 및 안테나 패턴 위에 배치될 수 있다.
이를 위해, 상기 솔더 레지스트층(240)은 도 1에서의 제2 솔더 레지스트층(140)에 대응할 수 있다. 즉, 상기 솔더 레지스트층(240)의 유전율은 15 내지 20일 수 있다.
이때, 솔더 레지스트층(240)은 제1 두께(T1)를 가질 수 있다. 상기 제1 두께(T1)는 상기 솔더 레지스트층(240)의 전체 영역 중 가장 두꺼운 영역에서의 두께를 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 두께(T1)는 기판 위에서의 솔더 레지스트층(240)의 두께일 수 있다. 상기 솔더 레지스트층(240)의 제1 두께(T1)는 40㎛ 내지 80㎛일 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서의 솔더 레지스트층(240)은 상기 도전성 안테나 패턴층(220) 위에 일정 높이를 가지고 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 도전성 안테나 패턴층(220) 위에서의 솔더 레지스트층(240)의 두께는 28㎛ 내지 68㎛일 수 있다. 즉, 상기 도전성 안테나 패턴층(220)의 두께가 12㎛인 경우, 상기 도전성 안테나 패턴층(220) 위에서의 솔더 레지스트층(240)의 두께는 28㎛ 내지 68㎛일 수 있다.
한편, 상기 솔더 레지스트층(240)의 두께는 상기 도전성 안테나 패턴층(220)의 하면으로부터 상기 솔더 레지스트층(240)의 상면까지의 두께를 의미할 수 있다. 예를 들어, 솔더 레지스트층(240)의 두께는 상기 도전성 안테나 패턴층(220) 및 상기 도전성 안테나 패턴층(220) 위에 있는 솔더 레지스트층(240)의 두께를 포함한 것일 수 있다. 상기 솔더 레지스트층(240) 중 도전성 안테나 패턴층(220) 사이에 형성된 부분은 도전성 안테나 패턴층(220)보다 낮게 위치할 수 있다. 예를 들어, 솔더 레지스트층(240)은 도전성 안테나 패턴층(220) 위에 배치되는 제1 영역과, 상기 도전성 안테나 패턴층(220) 사이에서 기판(210) 위에 배치되는 제2 영역을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 솔더 레지스트층(240)의 두께는 상기 도전성 안테나 패턴층(220)의 두께 및 상기 솔더 레지스트층(220)의 제1 영역의 두께를 합한 것일 수 있다. 또한, 상기 솔더 레지스트층(240)의 제2 영역의 두께는 상기 도전성 안테나 패턴층(220)의 두께보다 얇을 수 있다.
도 8은 제3 실시 예에 따른 안테나 기판을 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 기판(310), 도전성 안테나 패턴층(320), 제1 솔더 레지스트층(330) 및 제2 솔더 레지스트층(340)을 포함할 수 있다. 상기 기판(310)과 도전성 안테나 패턴층(320)은 도 1에 도시된 제1 실시 예에서의 안테나 기판과 실질적으로 동일한 구조 및 구성을 가짐에 따라 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
제3 실시 예에서의 안테나 기판은, 제1 솔더 레지스트층(330) 및 제2 솔더 레지스트층(340)을 포함한다. 이때, 상기 제1 솔더 레지스트층(330)의 물질적 특성은 제1 실시 예에서의 제1 솔더 레지스트층(130)의 물질적 특성과 동일하다. 또한, 상기 제2 솔더 레지스트층(340)의 물질적 특성은 제1 실시 예에서의 제2 솔더 레지스트층(140)의 물질적 특성과 동일하다. 다만,
제1 실시 예에서는 기판 및 도전성 안테나 패턴층 상에 제1 솔더 레지스트층이 형성되었고, 이 위에 제2 솔더 레지스트층이 형성되었다. 이에 따라 제1 실시 예에서의 제1 솔더 레지스트층의 상면은 제2 솔더 레지스트층의 상면보다 낮게 위치하였다.
이와 다르게, 제3 실시 예에서의 제1 솔더 레지스트층(330)은 기판(310) 위에 형성되고, 제2 솔더 레지스트층(340)은 도전성 안테나 패턴층(320) 위에 형성된다. 즉, 상기 제1 솔더 레지스트층(330)은 기판(310) 위에 상기 도전성 안테나 패턴층(320)의 표면을 노출하는 개구(미도시)를 가지며 형성된다. 그리고, 상기 제2 솔더 레지스트층(340)은 상기 제1 솔더 레지스트층(330)의 개구를 통해 노출된 도전성 안테나 패턴층(320) 위에 형성된다. 이에 따라, 상기 제2 솔더 레지스트층(340)의 하면은 상기 도전성 안테나 패턴층(320)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 제2 솔더 레지스트층(340)의 폭은 상기 도전성 안테나 패턴층(320)의 폭과 동일할 수 있다. 또한, 제2 솔더 레지스트층(340)의 상면은 제1 솔더 레지스트층(330)의 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 여기에서 동일의 의미는 엄밀한 의미에 얽매이는 일없이, 유사한 기능을 기대할 수 있을 정도의 범위를 포함해서 해석한다.
상기 제1 솔더 레지스트층(330)의 제1 두께(T1)는 40㎛ 내지 80㎛일 수 있다. 그리고, 상기 제2 솔더 레지스트층(340)의 제2 두께(T2)는 28㎛ 내지 68㎛일 수 있다. 즉, 상기 도전성 안테나 패턴층(320)은 12㎛의 두께를 가질 수 있으며, 이에 따라 상기 제2 솔더 레지스트층(340)의 제2 두께(T2)는 28㎛ 내지 68㎛일 수 있다.
한편, 상기 제1 솔더 레지스트층(330)을 구성하는 물질, 제2 솔더 레지스트층(340)을 구성하는 물질, 상기 제1 솔더 레지스트층(330)과 제2 솔더 레지스트층(340)의 유전율 관계는 제1 실시 예에서 이미 설명하였으므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
실시 예에서는 고유전율의 솔더 레지스트층을 도전성 안테나 패턴층 위에 배치하고, 그에 따라 상기 솔더 레지스트층을 이용하여 상기 도전성 안테나 패턴층의 공진 주파수 대역이 쉬프트되도록 한다. 이에 따르면, 실시 예에서는 솔더 레지스트층을 이용하여 공진 주파수 대역을 쉬프트함에 따라, 에폭시 몰드 컴파운드를 이용한 비교 예 대비 안테나 기판의 두께를 획기적으로 줄일 수 있으며, 나아가 몰드 프로세스에 의해 발생하는 신뢰성 문제를 해결하여 수율을 확대할 수 있다. 또한, 실시 예에서는 고유전 프리프레그를 이용한 비교 예 대비 아웃-가스 발생으로 인한 신뢰성 문제를 해결할 수 있으며, 단가가 높은 고유전 프리프레그를 제거함에 따라 제품 단가를 낮출 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판 위에 도전성 안테나 패턴층;
    상기 기판 및 상기 도전성 안테나 패턴층 위에 제1솔더레지스터층; 및
    상기 제1 솔더레지스터층 위에 제2 솔더레지스터층;을 포함하고,
    상기 제2 솔더레지스터층은 제1 솔더레지스터층의 유전율 및 두께보다 큰 안테나 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 솔더레지스트층은 상기 제1 솔더레지스트층의 유전율의 3배 내지 6배인 안테나 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 솔더레지스트층은 상기 제1 솔더레지스트층의 두께의 1.5배 내지 5배인 안테나 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 안테나 패턴층의 두께는 상기 제1 솔더레지스트층 및 제2 솔더레지스트층의 두께보다 얇은 안테나 기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 솔더레지스트층과 상기 제2 솔더레지스트층의 물질은 서로 다른 안테나 기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 안테나 패턴층은 서로 다른 주파수 대역에서 각각 공진하는 듀얼 공진 안테나 패턴인 안테나 기판.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 도전성 안테나 패턴층은 24.03GHz 내지 25.81GHz의 제1 주파수 대역 및 27.07GHz 내지 28.80GHz의 제2 주파수 대역에서 각각 공진하는 안테나 기판.
  8. 제1항 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 솔더레지스터층의 두께는 25㎛ 내지 65㎛ 인 안테나 기판.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 솔더레지스트층의 두께는 10㎛ 내지 20㎛인 안테나 기판.
  10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 솔더레지스트층은 TiO2, Al2O3, BaTiO3 및 CaTiO3 으로 구성된 군에서 적어도 하나를 포함하는 안테나 기판.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 솔더레지스터층은 SiO2를 더 포함한 안테나 기판.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 솔더레지스터층은 SiO2인 안테나 기판.
  13. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 솔더레지스트층은 유전율(Dk)이 15 내지 20인 안테나 기판.
  14. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 솔더레지스트층은 유전율(Dk)이 3 내지 5인 안테나 기판.
  15. 제3항에 있어서,
    상기 제1 솔더레지스트층의 두께는 상기 도전성 안테나 패턴층 사이의 두께인 안테나 기판.
  16. 제4항에 있어서,
    상기 제1 솔더레지스트층 및 제2 솔더레지스트층의 두께는 가장 두꺼운 부분의 두께인 안테나 기판.
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