KR20220040010A - Semiconductor materials sawing and cleaning method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method for cutting and cleaning a semiconductor material for cutting and cleaning a semiconductor strip into a plurality of semiconductor packages. Specifically, the present invention relates to a method for cutting and cleaning a semiconductor material that can clean an upper surface, a lower surface and a side surface of a semiconductor package cut into a plurality, ensure high cleaning quality, and at the same time improve productivity (unit per hour; UPH).

Description

반도체 자재 절단 및 세척방법{Semiconductor materials sawing and cleaning method}Semiconductor materials sawing and cleaning method

본 발명은 반도체 스트립을 복수 개의 반도체 패키지로 절단 및 세척하는 반도체 자재 절단 및 세척방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 복수 개로 절단된 반도체 패키지의 상면, 하면 및 측면의 세척이 가능하고, 높은 세척 퀄리티를 보장할 수 있는 동시에 생산성(Unit per hour; UPH)이 향상될 수 있는, 반도체 자재 절단 및 세척방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for cutting and cleaning a semiconductor material for cutting and cleaning a semiconductor strip into a plurality of semiconductor packages. Specifically, the present invention is capable of cleaning the upper surface, lower surface and side surfaces of the semiconductor package cut into a plurality, while ensuring high cleaning quality and productivity (Unit per hour; UPH) can be improved, semiconductor material cutting and to a washing method.

반도체 자재 절단장치는 패키징이 완료된 반도체 스트립을 복수 개의 반도체 패키지로 절단하는 장치로서, 단순히 반도체 스트립을 절단하는 기능 이외에도 절단 후 세척 및 건조 과정을 수행한 후 절단된 반도체 패키지의 상면 및 하면을 검사하여 제조 불량이 발생한 반도체 패키지를 분류하는 일련의 공정을 처리하는 기능을 제공하며, 한국공개특허 제10-2017-0026751호에는 종래의 반도체 자재 절단장치가 개시되어 있다.The semiconductor material cutting device is a device that cuts a packaged semiconductor strip into a plurality of semiconductor packages. In addition to simply cutting the semiconductor strip, it performs cleaning and drying processes after cutting and inspects the top and bottom surfaces of the cut semiconductor package. It provides a function of processing a series of processes for classifying a semiconductor package having a manufacturing defect, and Korean Patent Laid-Open No. 10-2017-0026751 discloses a conventional semiconductor material cutting device.

종래 반도체 자재 절단장치는 반도체 스트립을 척테이블 상에서 블레이드에 의해 복수 개의 반도체 패키지로 절단한 후, 세척부에서 반도체 패키지의 하면에 세척수 또는 압축공기를 분사하여 세척 공정을 수행하는데, 이러한 세척 공정은 다양한 방식으로 절단될 수 있는 반도체 패키지의 높은 세척 퀄리티를 보장할 수 없는 문제점이 있다.A conventional semiconductor material cutting apparatus cuts a semiconductor strip into a plurality of semiconductor packages by a blade on a chuck table, and then performs a washing process by spraying washing water or compressed air on the lower surface of the semiconductor package in a washing unit. There is a problem in that high cleaning quality of the semiconductor package that can be cut in this way cannot be guaranteed.

구체적으로, 반도체 패키지의 경우, 금속 재질로 이루어진 반도체 스트립을 복수 개의 반도체 패키지로 절단시 버(burr)가 발생하게 되고, 또한 BGA 타입의 반도체 패키지의 경우, 블레이드에 의한 고속커팅으로 인해 발생되는 미세가루 백화(white contamination)가 반도체 패키지의 상하면에 생기나 상면의 볼(ball) 부분에 끼어 있을 경우 제거가 매우 어려우며, 한편 레이저 가공에 의해 반도체 스트립의 절단을 수행하는 경우 반도체 패키지에 그을음, 탄화자국 등이 남아 있게 되어, 종래에 반도체 패키지의 하면만을 세척수 또는 압축공기로 분사하는 방식의 세척 공정으로는 높은 세척 퀄리티를 보장할 수 없다는 문제점이 있다.Specifically, in the case of a semiconductor package, a burr is generated when a semiconductor strip made of a metal material is cut into a plurality of semiconductor packages, and in the case of a BGA-type semiconductor package, microscopicity generated due to high-speed cutting by a blade White contamination is generated on the upper and lower surfaces of the semiconductor package, but it is very difficult to remove if it is caught in the ball part of the upper surface. As this remains, there is a problem in that high cleaning quality cannot be guaranteed by the conventional cleaning process of spraying only the lower surface of the semiconductor package with cleaning water or compressed air.

즉, 반도체 패키지의 타입, 사이즈, 절단 방식 등에 따라 반도체 패키지의 오염에 다양한 문제점이 발생할 수 있고, 종래의 반도체 자재 절단장치로는 다양한 반도체 패키지의 높은 세척 퀄리티를 보장할 수 없는 문제가 있으며, 이러한 불완전한 세척은 추후 반도체 패키지의 상면 및 하면의 비전 검사시 불량을 유발하고 성능에도 영향을 미치게 되며, 반도체 패키지의 세척 퀄리티를 향상시키기 위해 세척 시간을 늘리는 경우에는 반도체 패키지의 생산성(UPH)이 저하되는 문제가 있다.That is, various problems may occur in the contamination of the semiconductor package depending on the type, size, and cutting method of the semiconductor package, and there is a problem that high cleaning quality of various semiconductor packages cannot be guaranteed with the conventional semiconductor material cutting device. Incomplete cleaning causes defects and affects performance during vision inspection of the upper and lower surfaces of the semiconductor package later. there is a problem.

따라서, 복수 개로 절단된 반도체 패키지의 상면, 하면 및 측면의 세척이 가능하고, 높은 세척 퀄리티를 보장할 수 있는 동시에 생산성(Unit per hour; UPH)이 향상될 수 있는, 반도체 자재 절단장치가 절실히 요구되고 있는 실정이다.Therefore, there is an urgent need for a semiconductor material cutting device capable of cleaning the top, bottom, and side surfaces of the semiconductor package cut into a plurality, guaranteeing high cleaning quality, and improving productivity (Unit per hour; UPH). It is becoming.

본 발명은 복수 개로 절단된 반도체 패키지의 상면, 하면 및 측면의 세척이 가능하고, 높은 세척 퀄리티를 보장할 수 있는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method for cutting and cleaning a semiconductor material capable of cleaning the upper surface, lower surface and side surfaces of a semiconductor package cut into a plurality and guaranteeing high cleaning quality.

또한, 본 발명은 반도체 패키지의 높은 세척 퀄리티를 보장함에도 불구하고 생산성(Unit per hour; UPH)이 향상될 수 있는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a method for cutting and cleaning a semiconductor material that can improve productivity (Unit per hour; UPH) despite guaranteeing high cleaning quality of a semiconductor package.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은,In order to solve the above problems, the present invention,

반도체 스트립을 복수개의 반도체 패키지로 절단 및 세척하는 방법으로서, A) 스트립픽커가 제1척테이블의 상부에 반도체 스트립을 전달하는 단계; B) 상기 제1척테이블이 절단위치로 이동하면 절단부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 스트립을 절단 경로에 따라 개별 반도체 패키지로 절단하는 단계; C) 절단이 완료되면 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 유닛픽커의 일측에 구비된 스펀지 또는 브러시 재질의 제1세척부가 전달위치로 이동하여, 상기 제1세척부의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계; D) 상기 제1세척부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 상면과 접촉하도록 하강한 상태에서, 상기 유닛픽커가 일측방향으로 이동하면서 상기 제1세척부로 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계; E) 상기 1차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 및/또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제1척테이블의 이송경로 상부에 구비되는 제2세척부로 상기 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행하는 단계; F) 상기 2차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 상기 유닛픽커가 전달위치로 이동하여, 상기 유닛픽커의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계; G) 상기 유닛픽커가 상기 2차 상면 세척이 완료된 반도체 패키지를 픽업하여 제3세척부의 상부로 이동하고, 상기 제3세척부에서 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하며, 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하는 동안, 상기 반도체 패키지가 제거된 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 및/또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제2세척부로 상기 제1척테이블의 세척을 수행하는 단계; 및 H) 상기 유닛픽커가 상기 하면 세척이 완료된 상기 반도체 패키지를 건조부에 전달하는 단계를 포함하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.A method for cutting and cleaning a semiconductor strip into a plurality of semiconductor packages, comprising the steps of: A) transferring the semiconductor strip to an upper portion of a first chuck table by a strip picker; B) when the first chuck table moves to the cutting position, the cutting unit cuts the semiconductor strip adsorbed on the first chuck table into individual semiconductor packages along a cutting path; C) When the cutting is complete, the first chuck table moves to the delivery position, and the first washing part made of a sponge or brush material provided on one side of the unit picker moves to the delivery position, and the first chuck table is located at the lower part of the first washing part. positioning the chuck table; D) In a state in which the first washing unit is lowered to come into contact with the upper surface of the semiconductor package adsorbed on the first chuck table, the unit picker moves in one direction to first wash the upper surface of the semiconductor package with the first washing unit performing; E) After performing the first upper surface cleaning, as the first chuck table moves in the direction of the cutting position and/or returns to the direction of the transfer position, the second cleaning unit is provided above the transfer path of the first chuck table. performing a second top surface cleaning of the semiconductor package; F) after performing the second upper surface washing, the first chuck table is moved to the delivery position and the unit picker is moved to the delivery position, so that the first chuck table is positioned under the unit picker; G) the unit picker picks up the semiconductor package on which the secondary upper surface cleaning has been completed, moves to the upper part of the third washing unit, performs washing of the lower surface of the semiconductor package in the third washing unit, and cleans the lower surface of the semiconductor package performing washing of the first chuck table with the second washing unit while the first chuck table from which the semiconductor package has been removed moves in a direction of a cutting position and/or returns to a direction of a transfer position; And H) the unit picker provides a method for cutting and cleaning semiconductor materials comprising the step of transferring the semiconductor package to a drying unit on which the cleaning of the lower surface has been completed.

한편, 반도체 스트립을 복수개의 반도체 패키지로 절단 및 세척하는 방법으로서, A) 스트립픽커가 제1척테이블의 상부에 반도체 스트립을 전달하는 단계; B) 상기 제1척테이블이 절단위치로 이동하면 절단부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 스트립을 절단 경로에 따라 개별 반도체 패키지로 절단하는 단계; C) 절단이 완료되면 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 스트립픽커의 일측에 구비된 스펀지 또는 브러시 재질의 제1세척부가 전달위치로 이동하여, 상기 제1세척부의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계; D) 상기 제1세척부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 상면과 접촉하도록 하강한 상태에서, 상기 제1척테이블을 절단위치 또는 전달위치 방향으로 이동하면서 상기 제1세척부로 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계; E) 상기 1차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 및/또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제1척테이블의 이송경로 상부에 구비되는 제2세척부로 상기 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행하는 단계; F) 상기 2차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 상기 유닛픽커가 전달위치로 이동하여, 상기 유닛픽커의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계; G) 상기 유닛픽커가 상기 2차 상면 세척이 완료된 반도체 패키지를 픽업하여 제3세척부의 상부로 이동하고, 상기 제3세척부에서 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하며, 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하는 동안, 상기 반도체 패키지가 제거된 상기 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 및/또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제2세척부로 상기 제1척테이블의 세척을 수행하는 단계; 및 H) 상기 유닛픽커가 상기 하면 세척이 완료된 상기 반도체 패키지를 건조부에 전달하는 단계를 포함하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.Meanwhile, a method for cutting and cleaning a semiconductor strip into a plurality of semiconductor packages, comprising: A) transferring the semiconductor strip to an upper portion of a first chuck table by a strip picker; B) when the first chuck table moves to the cutting position, the cutting unit cuts the semiconductor strip adsorbed on the first chuck table into individual semiconductor packages along a cutting path; C) When the cutting is complete, the first chuck table moves to the delivery position, and the first cleaning unit made of a sponge or brush material provided on one side of the strip picker moves to the delivery position, and the first chuck table is placed under the first cleaning unit. positioning the chuck table; D) In a state in which the first washing unit is lowered to come into contact with the upper surface of the semiconductor package adsorbed on the first chuck table, the first chuck table is moved to the cutting position or the transfer position to the first washing unit and the semiconductor package performing a first upper surface washing of E) After performing the first upper surface cleaning, as the first chuck table moves in the direction of the cutting position and/or returns to the direction of the transfer position, the second cleaning unit is provided above the transfer path of the first chuck table. performing a second top surface cleaning of the semiconductor package; F) after performing the second upper surface washing, the first chuck table is moved to the delivery position and the unit picker is moved to the delivery position, so that the first chuck table is positioned under the unit picker; G) the unit picker picks up the semiconductor package on which the secondary upper surface cleaning has been completed, moves to the upper part of the third washing unit, performs washing of the lower surface of the semiconductor package in the third washing unit, and cleans the lower surface of the semiconductor package performing washing of the first chuck table with the second washing unit while the first chuck table from which the semiconductor package has been removed moves in a direction of a cutting position and/or returns to a direction of a transfer position; And H) the unit picker provides a method for cutting and cleaning semiconductor materials comprising the step of transferring the semiconductor package to a drying unit on which the cleaning of the lower surface has been completed.

여기서, 상기 제1척테이블의 A) 단계 이후에 상기 제1척테이블의 일측에서 나란히 구비되며, 상기 제1척테이블과 독립적으로 이동하는 제2척테이블의 상부에 새로운 반도체 스트립이 전달되고, 상기 제1척테이블의 C) D), E), F) 및 G) 단계가 수행되는 동안 상기 제2척테이블에 흡착된 반도체 스트립의 절단 단계가 수행되며, 상기 G) 단계 이후에 상기 제1척테이블의 상부에 새로운 반도체 스트립의 전달되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.Here, after step A) of the first chuck table, a new semiconductor strip is transferred to an upper portion of a second chuck table that is provided side by side on one side of the first chuck table and moves independently of the first chuck table, While steps C) D), E), F) and G) of the first chuck table are performed, the step of cutting the semiconductor strip adsorbed on the second chuck table is performed, and after step G), the first chuck It provides a method for cutting and cleaning a semiconductor material, characterized in that the transfer of a new semiconductor strip to the top of the table.

또한, 상기 제2척테이블의 상부에서 절단된 반도체 패키지에 대한 C) D), E), F) 및 G)단계가 순차적으로 수행되는 동안 상기 제1척테이블의 상부에 전달된 새로운 반도체 스트립의 절단 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.In addition, while steps C) D), E), F) and G) for the semiconductor package cut at the top of the second chuck table are sequentially performed, the new semiconductor strip transferred to the upper part of the first chuck table is It provides a method for cutting and cleaning semiconductor materials, characterized in that the cutting step is performed.

한편, 상기 제1세척부의 세척 준비 신호가 켜진 상태에서, 상기 C)단계에서 절단이 완료되면 상기 제1척테이블은 전달위치로 이동하고, 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하면 상기 제2세척부에 세척 홀딩 신호가 켜지면서 상기 제2세척부가 세척수를 분사하지 않도록 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.On the other hand, in a state in which the washing preparation signal of the first washing unit is turned on, when the cutting in step C) is completed, the first chuck table moves to the transfer position, and when the first chuck table moves to the transfer position, the second chuck table moves to the transfer position. Provided is a method for cutting and cleaning a semiconductor material, characterized in that the second washing unit is controlled not to spray washing water while the washing holding signal is turned on in the washing unit.

여기서, 상기 E)단계에서 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척이 완료되면, 상기 제2세척부의 세척 홀딩 신호가 꺼지며 상기 제2세척부가 세척수를 분사하여 상기 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.Here, when the first upper surface cleaning of the semiconductor package is completed in step E), the washing holding signal of the second washing unit is turned off, and the second washing unit sprays washing water to perform a second upper surface washing of the semiconductor package It provides a method for cutting and cleaning semiconductor materials, characterized in that.

또한, 상기 D)단계 및 E)단계에서 상기 1차 상면 세척시 상기 제1세척부는 상기 반도체 패키지의 상면과 접촉하도록 하강하고 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척이 완료되어 상기 제1세척부가 상승하면 상기 제1세척부의 세척 준비 신호가 꺼지고, 상기 제2세척부가 세척수를 분사하여 상기 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.In addition, during the first washing of the upper surface in steps D) and E), the first washing unit descends to come into contact with the upper surface of the semiconductor package, and when the first washing of the semiconductor package is completed, the first washing unit rises It provides a method for cutting and cleaning a semiconductor material, characterized in that the washing preparation signal of the first washing unit is turned off, and the second washing unit sprays washing water to perform a second upper surface washing of the semiconductor package.

그리고, 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계는 상기 제1척테이블이 기설정된 각도로 회전한 상태에서 상기 제1세척부와 상기 반도체 자재의 상면을 접촉시키면서 세척을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.And, performing the first upper surface cleaning of the semiconductor package is characterized in that the cleaning is performed while the first cleaning unit and the upper surface of the semiconductor material are brought into contact with each other in a state in which the first chuck table is rotated at a predetermined angle. A method for cutting and cleaning semiconductor materials is provided.

나아가, 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계는 상기 반도체 패키지의 상면과 상기 제1세척부를 접촉시킬 때 상기 제1세척부의 승강높이를 조절하면서 상기 반도체 패키지의 상면을 세척하거나, 상기 제1세척부를 회전시키면서 상기 반도체 패키지의 상면을 세척하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.Furthermore, performing the first upper surface cleaning of the semiconductor package may include washing the upper surface of the semiconductor package while adjusting the elevation height of the first cleaning unit when the upper surface of the semiconductor package and the first washing unit are brought into contact with each other, or Provided is a method for cutting and cleaning a semiconductor material, characterized in that the upper surface of the semiconductor package is washed while rotating the first washing unit.

한편, 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계는, 상기 제1척테이블의 상면에 흡착된 반도체 패키지와 상기 제1세척부를 접촉시키면서 상기 반도체 패키지의 일방향 세척을 수행하고, 상기 제1척테이블을 90도 회전시킨 상태에서 상기 반도체 패키지와 상기 제1세척부를 접촉시키면서 타방향 세척을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.Meanwhile, performing the first upper surface cleaning of the semiconductor package may include performing one-way cleaning of the semiconductor package while contacting the first cleaning unit with the semiconductor package adsorbed on the upper surface of the first chuck table, and the first chuck Provided is a method for cutting and cleaning a semiconductor material, characterized in that cleaning in the other direction is performed while the semiconductor package and the first cleaning unit are in contact with the table rotated by 90 degrees.

또한, 상기 H)단계 이후에, 필요에 따라 상기 제1세척부는 상기 제3세척부의 상부로 이동하여 상기 제3세척부에서 상기 제1세척부의 세척을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.In addition, after step H), if necessary, the first washing unit moves to an upper portion of the third washing unit, and the third washing unit further comprises the step of performing washing of the first washing unit. A method for cutting and cleaning semiconductor materials is provided.

그리고, 상기 C)단계에서 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하는 동안에 상기 제2세척부가 세척수를 분사시켜 상기 제2세척부에서 분사되는 세척수로 상기 반도체 패키지의 상면 세척을 수행하고, 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동 완료되면 상기 제2세척수의 분사를 중지하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법을 제공한다.And, while the first chuck table is moved to the delivery position in step C), the second washing unit sprays washing water to wash the upper surface of the semiconductor package with the washing water sprayed from the second washing unit, and the second washing unit sprays washing water. Provided is a method for cutting and cleaning semiconductor materials, characterized in that when the 1 chuck table is moved to the delivery position, the injection of the second washing water is stopped.

본 발명에 따른 반도체 자재 절단 및 세척방법은 절단된 복수 개의 반도체 패키지의 상면 및 측면을 접촉식으로 세척할 수 있는 추가적인 세척부를 구비함으로써 높은 세척 퀄리티를 보장할 수 있는 우수한 효과를 나타낸다.The semiconductor material cutting and cleaning method according to the present invention exhibits an excellent effect of ensuring high cleaning quality by providing an additional cleaning unit capable of cleaning the top and side surfaces of a plurality of cut semiconductor packages in a contact manner.

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 절단 및 세척방법은 절단된 복수 개의 반도체 패키지의 하면, 상면 및 측면을 높은 세척 퀄리티로 세척함에도 불구하고 2개의 척테이블 각각에서 절단 및 세척 공정을 정밀하게 조절된 시퀀스로 수행함으로써 생산성(UPH)을 향상시키는 우수한 효과를 나타낸다.In addition, the semiconductor material cutting and cleaning method according to the present invention is a sequence in which the cutting and cleaning processes are precisely controlled in each of the two chuck tables despite cleaning the lower surface, upper surface and side surfaces of the plurality of cut semiconductor packages with high cleaning quality It shows an excellent effect of improving productivity (UPH) by performing as

또한, 본 발명에 따른 반도체 자재 절단 및 세척방법은 접촉식 세척부의 세척을 통해 세척부에 의한 2차 오염을 방지할 수 있다.In addition, the semiconductor material cutting and washing method according to the present invention can prevent secondary contamination by the washing unit through the cleaning of the contact washing unit.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치의 상부 평면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 1에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치의 또 다른 실시예를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치에서 제1세척부가 세척 공정을 수행하는 모습의 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 5는 도 1에 도시된 반도체 자재 절단장치에서 제1세척부 및 제3세척부의 모습을 확대 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에서 제3세척부의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 것이다.
도 7은 도 5에서 제1세척부의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 것이다.
도 8은 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치에서 세척 공정이 수행되는 모습을 개략적으로 도시한 것이다.
1 schematically shows a top plan view of a semiconductor material cutting device according to the present invention.
Figure 2 schematically shows another embodiment of the semiconductor material cutting device according to the present invention shown in Figure 1.
Figure 3 schematically shows another embodiment of the semiconductor material cutting device according to the present invention shown in Figure 1.
Figure 4 shows another embodiment of the state in which the first washing unit performs a washing process in the semiconductor material cutting device according to the present invention shown in Fig. 1 .
5 is an enlarged perspective view of the first washing unit and the third washing unit in the semiconductor material cutting device shown in FIG. 1 .
6 schematically shows another embodiment of the third washing unit in FIG. 5 .
7 schematically illustrates another embodiment of the first washing unit in FIG. 5 .
8 schematically shows a state in which a cleaning process is performed in the semiconductor material cutting device according to the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed subject matter may be thorough and complete, and the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치의 상부 평면도를 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically shows a top plan view of a semiconductor material cutting device according to the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치(10)는 반도체 스트립이 보관된 매거진으로부터 하나의 반도체 스트립을 인출하여 상면을 흡착한 상태로 이송 및 전달하는 스트립픽커(100), 스트립픽커에 의해 전달된 반도체 스트립(S) 또는 이로부터 절단된 복수 개의 반도체 패키지가 각각 흡착되고, XY 평면 상에서 θ 방향으로 회전 가능하고, Y축 방향으로 독립적으로 이동 가능하게 구비되는 제1척테이블(310) 및 제2척테이블(320); 상기 제1척테이블(310) 및 제2척테이블(320)에 흡착된 반도체 스트립을 절단 경로에 따라 개별 반도체 패키지로 절단하되, X축 방향으로 이동 가능하게 구비되어 상기 제1척테이블(310) 및 제2척테이블(320)과의 상대 이동에 의해 상기 반도체 스트립을 반도체 패키지로 절단하는 절단부(600); 상기 제1척테이블(310) 및 제2척테이블(320)의 Y축 이송 경로의 상부에 장착되어 상기 제1척테이블(310) 및 제2척테이블(320)에 흡착된 반도체 패키지 측으로 세척수를 분사하는 제2세척부(710,720); 상기 절단부에서 절단이 완료된 상기 제1척테이블(310) 및 제2척테이블(320)에 흡착된 반도체 패키지를 흡착하여 이송하는 유닛픽커(200); 상기 유닛픽커(200)에 흡착된 반도체 패키지의 하면을 세척하는 제3세척부(400), 및 상기 스트립 픽커(100)와 상기 유닛픽커(200) 중 하나 이상의 픽커의 일측에서 승강 가능하게 장착되어, 상기 절단부에서 절단이 완료된 제1척테이블 또는 제2척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 상면과 접촉하여 반도체 패키지의 상면을 세척하는 제1세척부(110,210)를 포함한다.As shown in Fig. 1, the semiconductor material cutting device 10 according to the present invention draws out one semiconductor strip from the magazine in which the semiconductor strip is stored, and transfers and delivers the upper surface in an adsorbed state to the strip picker 100, A first chuck table provided so that the semiconductor strip S delivered by the strip picker or a plurality of semiconductor packages cut therefrom are respectively adsorbed, rotatable in the θ direction on the XY plane, and independently movable in the Y axis direction (310) and the second chuck table 320; The semiconductor strips adsorbed on the first chuck table 310 and the second chuck table 320 are cut into individual semiconductor packages along a cutting path, and the first chuck table 310 is provided to be movable in the X-axis direction. and a cutting part 600 for cutting the semiconductor strip into a semiconductor package by relative movement with the second chuck table 320 . It is mounted on the Y-axis transfer path of the first chuck table 310 and the second chuck table 320 to supply washing water toward the semiconductor package adsorbed on the first chuck table 310 and the second chuck table 320 . a second washing unit that sprays (710, 720); a unit picker 200 for adsorbing and transporting the semiconductor package adsorbed to the first chuck table 310 and the second chuck table 320, which has been cut in the cutting part; A third cleaning unit 400 for cleaning the lower surface of the semiconductor package adsorbed to the unit picker 200, and one or more pickers of the strip picker 100 and the unit picker 200 are mounted so as to be lifted and lowered from one side and first washing units 110 and 210 for cleaning the upper surface of the semiconductor package by contacting the upper surface of the semiconductor package adsorbed to the first chuck table or the second chuck table, which has been cut in the cutting portion.

여기서 제3세척부는 유닛픽커에 흡착된 반도체 패키지의 하면과 접촉 세척하는 접촉 세척부(410,420)와, 상기 접촉 세척부 측으로 세척수를 공급하는 세척수 공급수단으로 구성되는 하부 세척존과, 하부 세척존의 일측에 구비되어 세척수가 저장되는 세척수 저장존(440,450), 하부세척존의 타측에 구비되어 반도체 패키지의 하면 측으로 세척수와 에어를 공급하는 이유체노즐(430)을 포함할 수 있다.Here, the third washing unit includes a contact washing unit 410 and 420 for washing in contact with the lower surface of the semiconductor package adsorbed to the unit picker, a lower washing zone comprising washing water supply means for supplying washing water to the contact washing unit, and a lower washing zone. It may include washing water storage zones 440 and 450 provided on one side for storing washing water, and a weaning fluid nozzle 430 provided on the other side of the lower washing zone to supply washing water and air to the lower surface of the semiconductor package.

상기와 같은 본 발명의 반도체 자재 절단장치에서 반도체 스트립을 복수개의 반도체 패키지로 절단 및 세척하는 반도체 자재 절단 및 세척방법으로서, A) 스트립픽커가 제1척테이블의 상부에 반도체 스트립을 전달하는 단계: B) 상기 제1척테이블이 절단위치로 이동하면 절단부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 스트립을 절단 경로에 따라 개별 반도체 패키지로 절단하는 단계; C) 절단이 완료되면 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 유닛픽커의 일측에 구비된 스펀지 또는 브러시 재질의 제1세척부가 전달위치로 이동하여, 상기 제1세척부의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계; D) 상기 제1세척부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 상면과 접촉하도록 하강한 상태에서, 상기 유닛픽커가 일측방향으로 이동하면서 상기 제1세척부로 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계; E) 상기 1차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제1척테이블의 이송경로 상부에 구비되는 제2세척부로 상기 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행하는 단계; F) 상기 2차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 상기 유닛픽커가 전달위치로 이동하여, 상기 유닛픽커의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계; G) 상기 유닛픽커가 상기 2차 상면 세척이 완료된 반도체 패키지를 픽업하여 제3세척부의 상부로 이동하고, 상기 제3세척부에서 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하며, 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하는 동안, 상기 반도체 패키지가 제거된 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제2세척부로 상기 제1척테이블의 세척을 수행하는 단계; 및 H) 상기 유닛픽커가 상기 하면 세척이 완료된 상기 반도체 패키지를 건조부에 전달하는 단계를 포함한다.As a semiconductor material cutting and cleaning method for cutting and cleaning a semiconductor strip into a plurality of semiconductor packages in the semiconductor material cutting apparatus of the present invention as described above, A) a strip picker delivering the semiconductor strip to the upper portion of the first chuck table: B) when the first chuck table moves to the cutting position, the cutting unit cuts the semiconductor strip adsorbed on the first chuck table into individual semiconductor packages along a cutting path; C) When the cutting is complete, the first chuck table moves to the delivery position, and the first washing part made of a sponge or brush material provided on one side of the unit picker moves to the delivery position, and the first chuck table is located at the lower part of the first washing part. positioning the chuck table; D) In a state in which the first washing unit is lowered to come into contact with the upper surface of the semiconductor package adsorbed on the first chuck table, the unit picker moves in one direction to first wash the upper surface of the semiconductor package with the first washing unit performing; E) After performing the first upper surface cleaning, the semiconductor package is transferred to a second cleaning unit provided above the transfer path of the first chuck table while the first chuck table moves in the direction of the cutting position or returns to the transfer position. performing a second upper surface washing of F) after performing the second upper surface washing, the first chuck table is moved to the delivery position and the unit picker is moved to the delivery position, so that the first chuck table is positioned under the unit picker; G) the unit picker picks up the semiconductor package on which the secondary upper surface cleaning has been completed, moves to the upper part of the third washing unit, performs washing of the lower surface of the semiconductor package in the third washing unit, and cleans the lower surface of the semiconductor package performing washing of the first chuck table with the second washing unit while the first chuck table from which the semiconductor package has been removed moves in the cutting position direction or returns to the delivery position direction; and H) transferring, by the unit picker, the semiconductor package on which the cleaning of the lower surface is completed, to a drying unit.

이하, 본 발명의 도1, 도 4 내지 도 8을 참고하여 본 발명에 대하여 자세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 4 to 8 of the present invention.

먼저 반도체 스트립이 적층된 매거진으로부터 반도체 스트립을 인출하면 위치 정렬부(500)에서 인출된 반도체 스트립의 위치를 보정한 후 스트립픽커가 반도체 스트립을 픽업하여 척테이블에 전달한다. 여기서, 상기 스트립픽커(100)는 반도체 스트립을 흡착할 수 있고 Z축 방향으로 상승 또는 하강 가능한 흡착부를 포함할 수 있다. 상기 스트립픽커(100)에는 반도체 스트립을 인출하기 위한 그립퍼와, 상기 위치 정렬부(500)에서 위치가 정렬되는 반도체 스트립의 정렬 상태를 확인할 수 있는 비전 유닛이 추가로 구비될 수 있다.First, when a semiconductor strip is taken out from a magazine in which the semiconductor strip is stacked, the position of the semiconductor strip drawn out by the positioning unit 500 is corrected, and then the strip picker picks up the semiconductor strip and delivers it to the chuck table. Here, the strip picker 100 may include an adsorption unit capable of adsorbing a semiconductor strip and capable of ascending or descending in the Z-axis direction. The strip picker 100 may further include a gripper for drawing out a semiconductor strip, and a vision unit for checking the alignment state of the semiconductor strip to which the position is aligned in the position alignment unit 500 .

본 발명에서 제1척테이블(310)은 한개 구비될 수도 있으나, 절단 및 세척 작업의 UPH 향상을 위하여 듀얼 척테이블을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 제1척테이블(310)과, 제1척테이블의 일측에서 나란히 구비되며, 제1척테이블(310)과 독립적으로 이동하는 제2척테이블(320)을 구비할 수 있다. Although one first chuck table 310 may be provided in the present invention, it is preferable to use a dual chuck table to improve the UPH of cutting and washing operations. That is, the first chuck table 310 and the second chuck table 320 may be provided side by side at one side of the first chuck table and move independently of the first chuck table 310 .

제1 및 제2척테이블(310,320)은 각각 반도체 스트립(S) 또는 이로부터 절단된 복수 개의 반도체 패키지의 하면인 몰드면을 흡착하여 고정하는 흡착부를 구비하고, 서로 독립적으로 이동 가능하게 구비된다. 제1 및 제2척테이블(310,320)에는 상기 절단부(600)의 블레이드(610)에 의한 반도체 스트립(S)의 절단시 상기 블레이드(610)에 의한 손상을 방지하기 위해 상기 블레이드(610)와의 간섭이 예상되는 라인에 블레이드 도피홈이 추가로 형성될 수 있다. 반도체 스트립을 절단 경로, 바람직하게는 블레이드 도피홈을 따라 개별 반도체 패키지로 절단할 수 있다.The first and second chuck tables 310 and 320 each have an adsorption unit for adsorbing and fixing the mold surface, which is the lower surface of the semiconductor strip S or a plurality of semiconductor packages cut therefrom, and are provided to be movable independently of each other. The first and second chuck tables 310 and 320 have interference with the blade 610 to prevent damage caused by the blade 610 when the semiconductor strip S is cut by the blade 610 of the cutting part 600 . A blade escape groove may be additionally formed in this expected line. The semiconductor strip may be cut into individual semiconductor packages along a cutting path, preferably a blade escape.

그리고, 상기 제3세척부(400)는 복수 개의 반도체 패키지의 하면인 몰드면을 접촉식으로 세척하는 브러시(brush)(410) 및 스펀지(sponge)(420), 그리고 반도체 패키지의 하면을 향해 세척수와 공기를 분사하는 이유체노즐(430) 등을 포함할 수 있고, 상기 브러시(410)와 스펀지(420)는 필요에 따라 선택적으로 또는 모두 활용될 수 있으며, 상기 브러시(410)와 스펀지(420) 내부에는 상기 브러시(410)와 스펀지(420)에 물이나 세척수를 공급하여 반도체 패키지의 세척 퀄리티를 향상시키고 브러시(410) 및 스펀지(420)와 반도체 패키지 하면 사이의 접촉에 의한 스크래치가 발생하는 것을 방지하기 위해 브러시 또는 스펀지 측으로 세척수를 공급하는 세척수 공급수단이 구비될 수 있다.In addition, the third cleaning unit 400 includes a brush 410 and a sponge 420 for contact-cleaning the mold surface, which is the lower surface of the plurality of semiconductor packages, and washing water toward the lower surface of the semiconductor package. and a weaning fluid nozzle 430 for spraying air and the like, and the brush 410 and the sponge 420 may be selectively or both used as needed, and the brush 410 and the sponge 420 ) Inside, water or washing water is supplied to the brush 410 and the sponge 420 to improve the cleaning quality of the semiconductor package, and scratches due to contact between the brush 410 and the sponge 420 and the lower surface of the semiconductor package are generated. In order to prevent this, a washing water supply means for supplying washing water to the brush or sponge may be provided.

또한, 상기 브러시(410)와 상기 스펀지(420) 사이에는 상기 스펀지(420) 내부의 세척수 공급수단으로부터 공급되어 상기 스펀지(420) 밖으로 유출된 물이나 세척수를 저장하는 세척수 저장존(440)이 추가로 구비되어 상기 스펀지(420) 밖으로 유출된 물이나 세척수가 설비의 바닥으로 누수되는 것을 방지할 수 있다.In addition, between the brush 410 and the sponge 420, a washing water storage zone 440 for storing water or washing water supplied from the washing water supply means inside the sponge 420 and leaked out of the sponge 420 is added. is provided to prevent water or washing water leaking out of the sponge 420 from leaking to the floor of the facility.

그리고, 상기 절단부(600)는 고속으로 회전하여 제1 및 제2척테이블(310,320) 각각에 흡착된 반도체 스트립(S)을 복수 개의 반도체 패키지로 절단하는 한 쌍의 블레이드(610)가 구비될 수 있고, 상기 제1 및 제2척테이블(310,320) 각각은 Y축 방향으로 왕복 운동하고 상기 절단부(600)는 X축 방향으로 왕복 운동함으로써, 척테이블과 절단부의 상대 이동에 의해 반도체 스트립(S)의 절단을 수행할 수 있다.In addition, the cutting unit 600 may be provided with a pair of blades 610 that rotate at high speed to cut the semiconductor strip S adsorbed on each of the first and second chuck tables 310 and 320 into a plurality of semiconductor packages. Each of the first and second chuck tables 310 and 320 reciprocates in the Y-axis direction and the cutting part 600 reciprocates in the X-axis direction, so that the chuck table and the cutting part move relative to the semiconductor strip S. cleavage can be performed.

또한, 상기 절단부(600)는 상기 한 쌍의 블레이드(610)에 물 등의 냉각수를 공급하여 상기 블레이드(610)에 의한 반도체 스트립(S)의 절단시 마찰열에 의한 반도체 패키지의 손상 및 절단시 비산된 분진을 최소화하거나 방지할 수 있고, 절단시 발생되는 스크랩을 배출할 수 있다.In addition, the cutting unit 600 supplies cooling water such as water to the pair of blades 610 to damage the semiconductor package due to frictional heat when the semiconductor strip S is cut by the blade 610 and scatter during cutting. The generated dust can be minimized or prevented, and the scrap generated during cutting can be discharged.

나아가, 상기 픽커 이동축(700)에는 제1척테이블(310) 및 제2척테이블(320) 각각이 이동하는 경로의 상부에 배치되어 제1척테이블(310) 및 제2척테이블(320), 그리고 이들 각각에 흡착되어 절단 완료된 반도체 패키지의 상면 측으로 세척수, 및/또는 세척수와 공기를 분사하는 제2세척부(710,720)가 추가로 구비될 수 있다.Further, the first chuck table 310 and the second chuck table 320 are respectively disposed on the moving path of the picker moving shaft 700 to provide the first chuck table 310 and the second chuck table 320 . , and second washing units 710 and 720 for spraying washing water and/or washing water and air to the upper surface side of the semiconductor package that are adsorbed and cut to each of them may be additionally provided.

제2세척부는 상기 제1척테이블과, 상기 제2척테이블의 상부에 각각의 이유체노즐로 구비될 수도 있고, 하나의 이유체노즐이 제1척테이블과 제2척테이블의 상부에 연장되도록 함께 구비될 수도 있다. 또한 제2세척부의 이유체 노즐은 각각 척테이블에서의 절단 정보를 받아 개별적으로 독립 제어될 수 있으며, 함께 통합 제어될 수도 있다.The second cleaning unit may be provided with each of the weaning fluid nozzles on the first chuck table and the second chuck table, so that one weaning fluid nozzle extends over the first chuck table and the second chuck table. They may be provided together. In addition, each of the weaning fluid nozzles of the second washing unit may be individually and independently controlled by receiving cutting information from the chuck table, or may be collectively controlled together.

상기 제2세척부(710,720)는 절단된 복수 개의 반도체 패키지의 상면에 세척수 및 공기를 분사하여 절단 완료된 반도체 패키지의 상면을 세척하게 된다.The second cleaning units 710 and 720 spray washing water and air on the top surfaces of the plurality of cut semiconductor packages to clean the top surfaces of the cut semiconductor packages.

구체적으로, 상기 스트립 픽커(100)는 위치 정렬부(500)에 의해 위치가 정렬된 반도체 스트립을 흡착하여 제1척테이블(310) 위에 상기 반도체 스트립(S)을 흡착시킨 후, X축 이동을 통해 스트립픽커의 그립퍼로 매거진으로부터 두 번째 반도체 스트립을 다시 인출하게 된다.Specifically, the strip picker 100 adsorbs the semiconductor strip aligned in the position by the position alignment unit 500 , the semiconductor strip S on the first chuck table 310 , and then moves the X-axis The second semiconductor strip is again withdrawn from the magazine by the gripper of the strip picker.

상기 스트립 픽커(100)가 상기 매거진으로부터 두번째 반도체 스트립을 인출하는 동안 첫 번째 반도체 스트립(S)이 흡착된 제1척테이블(310)은 척테이블 이송부(300)에 의해 Y축을 따라 절단위치로 이동한 후, 상기 제1척테이블(310)에 안착된 첫 번째 반도체 스트립(S)은 우선 상기 절단부(600)에 의해 세로 방향, 즉 반도체 스트립(S)의 단축 방향으로 절단된 다음, 상기 제1척테이블(310)에 의해 θ 방향으로 90° 회전된 상태로 가로 방향, 즉 반도체 스트립(S)의 장축 방향으로 절단됨으로써, 복수 개의 반도체 패키지로 절단될 수 있다. 그러나, 절단 순서는 이에 한정되지 않으며 필요에 따라 반도체 스트립의 장축 방향으로 절단한 후, 90° 회전하여 단축 방향으로 절단할 수도 있다. While the strip picker 100 draws the second semiconductor strip from the magazine, the first chuck table 310 on which the first semiconductor strip S is adsorbed is moved to the cutting position along the Y-axis by the chuck table transfer unit 300 . After that, the first semiconductor strip S seated on the first chuck table 310 is first cut in the longitudinal direction by the cutting part 600 , that is, in the short axis direction of the semiconductor strip S, and then the first A plurality of semiconductor packages may be cut by being cut in the transverse direction, that is, in the long axis direction of the semiconductor strip S while being rotated by 90° in the θ direction by the chuck table 310 . However, the cutting sequence is not limited thereto, and if necessary, after cutting in the long axis direction of the semiconductor strip, it may be rotated 90° to cut in the short axis direction.

스트립픽커가 첫 번째 반도체 스트립(S)을 제1척테이블에 전달한 후에, 두 번째 반도체 스트립(S)을 첫 번째 반도체 스트립(S)과 같이 위치 정렬 후 제2척테이블(320)의 상부에 전달하고, 첫번째 반도체 스트립(S)의 절단이 완료된 후 제1척테이블은 전달위치로 이동하여 절단된 반도체 패키지에 대한 세척을 수행하고, 상기 제2척테이블(320)은 척테이블 이송부(300)에 의해 Y축을 따라 절단 위치로 이송하며, 상기 제2척테이블(320)에 흡착된 두 번째 반도체 스트립(S)은 첫 번째 반도체 스트립(S)과 같이 상기 절단부(600)에 의해 절단 경로에 따라 개별 반도체 패키지로 절단된다. After the strip picker delivers the first semiconductor strip (S) to the first chuck table, the second semiconductor strip (S) is aligned with the first semiconductor strip (S) and transferred to the upper part of the second chuck table (320) After the cutting of the first semiconductor strip (S) is completed, the first chuck table moves to the delivery position to wash the cut semiconductor package, and the second chuck table 320 is transferred to the chuck table transfer unit 300 . is transferred to the cutting position along the Y-axis by the It is cut into semiconductor packages.

여기서, 상기 제1척테이블(310) 및 상기 제2척테이블(320) 각각은 상기 척테이블 이송부(300)에 의해 서로 간섭되지 않고 서로 독립적으로 Y축을 따라 절단위치(후방), 또는 전달위치(전방)로 이동 가능하다, 즉 흡착된 반도체 스트립(S)을 상기 절단부(600)에 의해 절단하기 위해서는 Y축을 따라 전달위치(전방)에서 절단위치(후방)으로 이동하고, 반대로 반도체 스트립의 절단 공정이 종료된 후에는 Y축을 따라 절단위치(후방)에서 전달위치(전방)로 이동하게 된다.Here, each of the first chuck table 310 and the second chuck table 320 does not interfere with each other by the chuck table transfer unit 300 and independently of each other along the Y-axis at a cutting position (rear) or a transfer position ( forward), that is, in order to cut the adsorbed semiconductor strip (S) by the cutting unit 600, it moves from the transfer position (front) to the cutting position (rear) along the Y-axis, and conversely, the cutting process of the semiconductor strip After this is finished, it moves from the cutting position (rear) to the delivery position (front) along the Y-axis.

한편, 상기 절단부(600)는 제1 및 제2척테이블(310,320)에 각각 흡착된 반도체 스트립을 절단하기 위해 X축을 따라 수평 방향으로 이동 가능하고, 즉 제1척테이블(310)에 안착된 반도체 스트립(S)을 절단하기 위해 X축을 따라 좌측으로 이동하고, 제2척테이블(320)에 안착된 반도체 스트립(S)을 절단하기 위해 X축을 따라 우측으로 이동하게 된다.Meanwhile, the cutting unit 600 is movable in the horizontal direction along the X axis to cut the semiconductor strips adsorbed to the first and second chuck tables 310 and 320 , that is, the semiconductor seated on the first chuck table 310 . It moves to the left along the X-axis to cut the strip S, and moves to the right along the X-axis to cut the semiconductor strip S seated on the second chuck table 320 .

두 번째 반도체 스트립(S)의 절단 공정이 진행되는 동안 첫 번째 반도체 스트립(S)이 흡착된 제1척테이블(310)은 Y축을 따라 전달위치로 이동하게 되고, 유닛픽커의 일측에 구비된 스펀지 또는 브러시 재질의 제1세척부(210)가 전달위치로 이동하여 제1세척부의 하부에 제1척테이블이 위치된다. 제1세척부는 승강 가능하게 구비되어 유닛픽커의 이동 및 유닛픽커에 의한 작업(반도체 패키지 흡착, 제3세척부에 의한 세척, 건조부에 전달)시에는 상승된 상태를 유지하고, 절단된 반도체 패키지를 제1세척부로 세척할 때는 하강하여 절단된 반도체 패키지의 상면 및 측면을 접촉식으로 세척하게 된다. While the cutting process of the second semiconductor strip (S) is in progress, the first chuck table 310 on which the first semiconductor strip (S) is adsorbed is moved to the delivery position along the Y-axis, and a sponge provided on one side of the unit picker Alternatively, the first washing unit 210 made of a brush material moves to the delivery position so that the first chuck table is positioned under the first washing unit. The first washing unit is provided so as to be able to move up and down, so that it maintains the raised state during the movement of the unit picker and the operation by the unit picker (semiconductor package adsorption, washing by the third washing unit, delivery to the drying unit), and the cut semiconductor package When washing with the first washing unit, the lower surface and the side surface of the cut semiconductor package are cleaned in a contact manner.

이때 상기 제1세척부(210)에 의한 세척 시간을 단축하기 위해, 제1세척부는 유닛픽커의 길이방향, 즉 장축 방향으로 구비되어 유닛 픽커(200)가 반도체 스트립의 단축 방향으로 이동하면서 세척을 수행할 수 있다.At this time, in order to shorten the cleaning time by the first washing unit 210, the first washing unit is provided in the longitudinal direction of the unit picker, that is, in the long axis direction, so that the unit picker 200 is cleaned while moving in the short axis direction of the semiconductor strip. can be done

또한, 상기 유닛 픽커(200)에 구비된 제1세척부(210)로 상기 반도체 패키지의 상면 및 측면을 접촉식으로 세척한 후, 상기 반도체 패키지가 흡착된 제1척테이블(310)은 다시 Y축을 따라 절단위치 방향으로 이동하면서, 또는 절단위치 방향에서 전달 위치 방향으로 복귀하면서 반도체 패키지의 상면 측으로 세척수 및 공기를 분사하는 제2세척부(710)의 하부를 통과함으로써 상기 반도체 패키지의 상면 및 측면이 추가로 세척될 수 있다.In addition, after contact-washing the top and side surfaces of the semiconductor package with the first washing unit 210 provided in the unit picker 200 , the first chuck table 310 on which the semiconductor package is adsorbed is again Y The upper surface and the side surface of the semiconductor package by passing through the lower portion of the second washing unit 710 that sprays washing water and air toward the upper surface of the semiconductor package while moving in the direction of the cutting position along the axis or returning from the direction of the cutting position to the direction of delivery. This can be further washed.

즉, 제1세척부가 척테이블에 흡착되어 절단 완료된 반도체 패키지의 상면과 접촉하면서 절단된 반도체 패키지의 상면을 세척하고, 척테이블이 제2세척부 측으로 이동하여 반도체 패키지의 상면 측으로 세척수를 분사하여 제1세척부의 세척 이후에도 남아있는 이물질을 클리닝할 수 있게 된다. That is, the first washing unit is adsorbed to the chuck table to wash the top surface of the cut semiconductor package while in contact with the top surface of the cut semiconductor package, and the chuck table moves to the second washing unit and sprays washing water toward the top surface of the semiconductor package to remove It is possible to clean the foreign substances remaining even after the washing of the first washing unit.

제2세척부는 반도체 스트립을 반도체 패키지 단위로 절단할 때 제1세척부의 세척 준비신호가 켜지게 된다. 제1세척부의 세척 준비 신호가 켜진 상태에서 반도체 패키지의 절단이 완료되면 제1척테이블은 전달위치로 이동한다. When the second washing unit cuts the semiconductor strip into semiconductor package units, the washing preparation signal of the first washing unit is turned on. When the cutting of the semiconductor package is completed while the washing preparation signal of the first washing unit is turned on, the first chuck table moves to the delivery position.

제1세척부의 세척 준비 신호가 켜진다는 것은, 유닛픽커에 반도체 패키지가 픽업되지 않은 상태를 알려주는 것으로 유닛픽커의 일측에 구비된 제1세척부에 의한 세척 작업 준비가 가능함을 알려주는 것이다. 따라서 세척 준비 신호가 켜지면 제1세척부의 브러시나 스펀지에 세척수를 공급하여 브러시나 스펀지가 마르지 않게 하거나, 제1세척부의 브러시나 스펀지를 제3세척부에서 세척하거나, 제1세척부가 제3세척부의 상부에서 대기하거나, 또는 제1세척부가 척테이블의 전달위치로 이동하여 세척 대기가 수행될 수 있다.When the washing preparation signal of the first washing unit is turned on, it notifies the unit picker that the semiconductor package is not picked up, and indicates that the washing operation preparation is possible by the first washing unit provided at one side of the unit picker. Therefore, when the washing preparation signal is turned on, washing water is supplied to the brushes or sponges of the first washing unit so that the brushes or sponges do not dry out, the brushes or sponges of the first washing unit are washed in the third washing unit, or the first washing unit does the third washing Waiting at the upper part of the unit, or by moving the first washing unit to the delivery position of the chuck table, washing standby may be performed.

유닛픽커의 일측에 구비된 제1세척부로 절단된 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하며, 이때 유닛픽커는 X축 방향으로 이동하면서 척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 상면 전체에 대해 제1세척부가 접촉되어 세척을 수행할 수 있다. 제1세척부가 상면 세척을 수행할 때 반도체 패키지의 상면과 접촉한 상태에서 세척을 수행하므로 1차 상면 세척시 반도체 패키지의 상면과 측면을 모두 세척할 수 있게 된다.A first washing unit provided on one side of the unit picker performs the first upper surface cleaning of the cut semiconductor package. At this time, the unit picker moves in the X-axis direction and the first washing unit is applied to the entire upper surface of the semiconductor package adsorbed on the chuck table. It can be contacted to perform washing. When the first cleaning unit performs cleaning of the top surface, since the cleaning is performed while in contact with the top surface of the semiconductor package, both the top surface and the side surface of the semiconductor package can be cleaned during the first cleaning of the top surface.

한편, 제1 및 제2 척테이블(310,320)은 회전 가능하게 구비되므로 척테이블의 회전 각도(O°, ±45°±90°등)를 기설정된 각도로 조절하여 세척을 수행할 수 있다.Meanwhile, since the first and second chuck tables 310 and 320 are rotatably provided, washing can be performed by adjusting the rotation angle (0°, ±45°±90°, etc.) of the chuck table to a preset angle.

예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이 반도체 패키지가 비스듬히 배치된 상태로 제1세척부(210)에 의해 세척되는 경우 반도체 패키지들 사이의 측면에서의 세척 퀄리티를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.For example, as shown in FIG. 4 , when the semiconductor package is cleaned by the first cleaning unit 210 in a state in which it is obliquely disposed, there is an advantage in that the cleaning quality between the semiconductor packages can be improved.

또한, 1차 상면 세척시 척테이블에 흡착된 반도체 패키지와 제1세척부를 접촉시키면서 척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 일방향(장축) 세척을 수행하고, 제1척테이블을 90°회전시킨 상태에서 반도체 패키지와 제1세척부를 접촉시키면서 타방향(단축) 세척을 수행할 수도 있다. 즉, 1차 상면 세척시 2회에 걸쳐서 척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 장축과, 단축 방향을 모두 세척할 수 있는 장점이 있다. In addition, during the first upper surface cleaning, one direction (long axis) washing of the semiconductor package adsorbed on the chuck table is performed while the semiconductor package adsorbed on the chuck table and the first washing unit are in contact, and the semiconductor package adsorbed on the chuck table is rotated by 90°. The other direction (short-axis) washing may be performed while the package and the first washing unit are in contact. That is, there is an advantage in that both the long axis and the short axis direction of the semiconductor package adsorbed to the chuck table can be cleaned twice during the first upper surface cleaning.

또한, 제1세척부에 의해 상면 세척을 수행하는 과정에서 제1세척부의 승강 높이에 변화를 줄 수도 있다. 즉 세척 정도나 제1세척부의 접촉에 의한 척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 배열의 틀어짐 등을 고려하여 제1세척부의 승강 높이 조절할 수도 있다.In addition, in the process of performing upper surface washing by the first washing unit, a change may be made to the elevation height of the first washing unit. That is, the elevation height of the first washing unit may be adjusted in consideration of the degree of washing or the misalignment of the arrangement of the semiconductor packages adsorbed on the chuck table due to the contact of the first washing unit.

절단된 반도체 패키지에 대하여 1차 상면 세척을 수행한 후에는 척테이블은 절단위치 방향 또는 전달위치 방향으로 이동하면서, 척테이블의 이송경로 상부에 구비되는 제2세척부로 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행할 수 있다. After performing the first upper surface cleaning of the cut semiconductor package, the chuck table moves in the cutting position direction or the transfer position direction, and the second upper surface cleaning of the semiconductor package is performed with the second washing unit provided above the transfer path of the chuck table. can be done

제2세척부는 절단부에서 반도체 패키지의 절단시작이 될 때 제2세척부의 세척 준비신호가 켜지게 된다. 제2세척준비 신호가 켜진 상태에서 척테이블의 절단이 완료되면 절단이 완료된 척테이블은 절단위치에서 전달위치로 이동한다.When the second washing unit starts cutting the semiconductor package at the cutting unit, the washing preparation signal of the second washing unit is turned on. When the cutting of the chuck table is completed while the second washing preparation signal is turned on, the cut chuck table moves from the cutting position to the delivery position.

절단이 완료된 척테이블이 전달위치로 전달되는 과정에서 척테이블의 이송경로 상부에 구비되는 제2세척부에서 세척수가 분사되어 1차 상면 세척을 수행하기 전에 반도체 패키지 절단 과정에서 발생된 이물질을 미리 제거한 후에 제1세척부로 이동할 수도 있으며, 이의 기능은 필요에 따라 선택적으로 설정할 수 있다.In the process of transferring the cut chuck table to the delivery position, washing water is sprayed from the second washing unit provided above the transfer path of the chuck table to remove foreign substances generated during the semiconductor package cutting process before performing the first upper surface washing. Afterward, it may move to the first washing unit, and its function may be selectively set as needed.

즉, 절단이 완료된 척테이블이 제1세척부로 이동하는 과정에서 제2세척부에 의해 분사되는 세척수로 이물질을 제거한 후 1차 상면세척을 거쳐, 다시 제2세척부로 이동하여 2차 상면세척을 수행할 수도 있고, 절단이 완료된 척테이블이 제1세척부로 이동하여 1차 상면세척을 수행한 후, 제2세척부로 이동하는 과정에서 제2세척부에 의해 분사되는 세척수로 2차 상면세척을 수행할 수도 있다. That is, in the process in which the cut chuck table is moved to the first washing unit, foreign substances are removed with the washing water sprayed by the second washing unit, then the first washing is performed, and then the second washing is performed by moving to the second washing unit. Alternatively, after the chuck table that has been cut is moved to the first washing unit to perform the first top washing, the second washing is performed with the washing water sprayed by the second washing unit in the process of moving to the second washing unit. may be

바람직하게는 제2세척부는 절단 단계가 수행될 때와 제1세척부의 세척이 수행될 때는 제2세척부에 세척 홀딩신호가 켜져 제2세척부가 세척수를 분사하지 않도록 제어될 수 있을 것이다.Preferably, when the cutting step of the second washing unit is performed and the washing of the first washing unit is performed, the washing holding signal is turned on to the second washing unit so that the second washing unit does not spray the washing water.

또한 제2세척부의 세척 준비신호는 절단 단계와의 신호외에도 제1세척부의 신호에 의해서도 제어될 수 있다.In addition, the washing preparation signal of the second washing unit may be controlled by a signal of the first washing unit in addition to the signal with the cutting step.

즉, 제1세척부가 반도체 패키지의 상면과 접촉하기 위해서 하강하고, 1차 상면 세척이 완료되면 제1세척부가 상승하게 되는데, 제1세척부가 상승한 신호를 받아서, 제2세척부의 세척 준비 신호가 꺼지게 되고 제2세척부가 세척수를 분사하여 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행할 수도 있을 것이다.That is, the first washing unit descends to come into contact with the upper surface of the semiconductor package, and when the first upper surface cleaning is completed, the first washing unit rises. and the second washing unit may spray washing water to perform secondary upper surface washing of the semiconductor package.

한편, 절단된 반도체 패키지에 대하여 1차 상면 세척을 수행한 후 제2세척부의 하부로 이동하여 2차 상면 세척을 수행할 수 있으며, 이를 위해 척테이블은 절단위치 방향으로 이동하면서 제2세척부에 의해 분사되는 세척수로 2차 상면세척을 수행할 수 있다. 이때 척테이블은 절단 위치 방향으로 이동하면서 세척이 되지만 반드시 절단 위치까지 이동될 필요는 없다. 척테이블은 척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 전체 영역에 걸쳐서 제2세척부에 의해 세척이 수행될 수 있을 정도까지 이송 제어되며, 반도체 패키지의 2차 상면세척이 수행된 후 세척 완료된 반도체 패키지를 유닛픽커에 전달할 수 있도록 척테이블은 전달위치로 복귀해야 한다.On the other hand, after performing the first upper surface cleaning of the cut semiconductor package, the second upper surface cleaning may be performed by moving to the lower part of the second cleaning unit. The second upper surface washing can be performed with the washing water sprayed by the At this time, the chuck table is cleaned while moving in the direction of the cutting position, but it is not necessarily moved to the cutting position. The chuck table is transported to the extent that washing can be performed by the second washing unit over the entire area of the semiconductor package adsorbed to the chuck table, and after the secondary top surface washing of the semiconductor package is performed, the cleaned semiconductor package is transferred to the unit The chuck table must return to the delivery position to deliver to the picker.

따라서 척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 2차 상면 세척이 수행되지만, 2차 상면 세척은 척테이블이 전달위치 방향으로 복귀하는 동안에도 2차 상면 세척이 수행될 수 있는 것이다.Therefore, while the chuck table moves in the direction of the cutting position, the secondary upper surface washing is performed, but the second upper surface washing can be performed even while the chuck table returns to the delivery position direction.

즉, 척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 2차 상면세척을 1회 수행하고, 절단위치 방향에서 전달위치 방향으로 복귀하면서 2차 상면세척을 1회 수행하므로 2회의 2차 상면세척을 통해 세척 효과가 배가될 수 있게 된다.That is, the second upper surface washing is performed once while the chuck table moves in the cutting position direction, and the second upper surface washing is performed once while returning from the cutting position direction to the delivery position direction. can be doubled.

물론, 필요에 따라 절단위치 방향으로 이동하거나, 전달위치 방향으로 이동할 때 1회의 2차 상면세척을 수행할 수도 있을 것이며, 이의 기능은 필요에 따라 설정할 수 있다.Of course, if necessary, the second upper surface washing may be performed once when moving in the direction of the cutting position or moving in the direction of the delivery position, and its function can be set as needed.

참고로 제2세척부는 척테이블의 이동경로 상부에 배치되어 하방으로 세척수를 분사하는 노즐을 사용할 수 있고, 세척수와 공기가 함께 배출되는 이유체 노즐을 사용할 수도 있다.For reference, the second washing unit may use a nozzle disposed above the movement path of the chuck table to spray washing water downward, or a liquid nozzle that discharges washing water and air together.

제2세척부로 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행한 후에는 척테이블이 전달위치로 이동하고, 유닛픽커가 전달위치로 이동하여 유닛픽커의 하부에 척테이블이 위치한다.After performing the second upper surface cleaning of the semiconductor package by the second washing unit, the chuck table moves to the delivery position, and the unit picker moves to the delivery position, so that the chuck table is located under the unit picker.

상면 및 측면이 세척 완료된 반도체 패키지는 상기 유닛픽커(200)의 흡착부에 의해 상면이 흡착된 상태로 상기 제3세척부(400)의 상부로 이동하여, 제3세척부에서 반도체 패키지의 하면이 세척된다. The semiconductor package whose top and side surfaces have been cleaned moves to the upper portion of the third washing unit 400 with the top side adsorbed by the adsorption unit of the unit picker 200, so that the lower surface of the semiconductor package is removed by the third washing unit. is washed

본 발명의 제1세척부 및 제3세척부를 이용한 반도체 패키지의 하면 세척은 도 5 내지 도 7을 참고하여 보다 자세히 설명한다.The cleaning of the lower surface of the semiconductor package using the first washing unit and the third washing unit of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 5 to 7 .

도 5는 도 1 내지 도 4에 도시된 반도체 자재 절단장치에서 제1세척부 및 제3세척부의 모습을 확대 도시한 사시도이고, 도 6은 도 5에서 제3세척부의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 것이며, 도 7은 도 5에서 제1세척부의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 것이다.5 is an enlarged perspective view of the first washing unit and the third washing unit in the semiconductor material cutting device shown in FIGS. 1 to 4 , and FIG. 6 schematically shows another embodiment of the third washing unit in FIG. 5 . , and FIG. 7 schematically shows another embodiment of the first washing unit in FIG. 5 .

도 5 및 7에 도시된 바와 같이, 유닛픽커(200)의 일측에 구비된 제1세척부(210)는 유닛픽커와 함께 일측방향으로 이동 가능하게 구비되며, 척테이블(320)에 흡착된 반도체 패키지의 상면 및 측면을 세척하기 위해 이들과 접촉하는 스펀지(sponge)(211) 또는 브러시(brush)(212)가 구비되고 상기 스펀지(211) 및 상기 브러시(212)는 상기 유닛픽커(200)의 일측에 구비되지만, 유닛픽커와 독립적으로 상승 또는 하강이 가능하다.As shown in FIGS. 5 and 7 , the first washing unit 210 provided on one side of the unit picker 200 is provided to be movable in one direction together with the unit picker, and the semiconductor adsorbed on the chuck table 320 . A sponge 211 or a brush 212 in contact with them is provided to wash the top and side surfaces of the package, and the sponge 211 and the brush 212 are the unit pickers 200 . Although provided on one side, it is possible to raise or lower independently of the unit picker.

예를 들어, 유닛픽커가 반도체 패키지를 흡착할 때, 유닛픽커에 흡착된 반도체 패키지의 하면을 세척할 때, 또는 유닛픽커에 흡착된 반도체 패키지를 건조부에 전달할 때는 제1세척부가 상승된 상태를 유지하여 유닛픽커의 작업 동작에 영향, 간섭을 주지 않으며, 제1세척부에 의한 세척작업(반도체 패키지의 상면세척, 제1세척부의 세척)을 수행할 때는 하강한 상태를 유지하여 해당 세척작업을 수행할 수도 있다.For example, when the unit picker adsorbs the semiconductor package, when washing the lower surface of the semiconductor package adsorbed to the unit picker, or when transferring the semiconductor package adsorbed to the unit picker to the drying unit, the state in which the first washing unit is raised is It does not affect or interfere with the work operation of the unit picker by maintaining can also be done

또한, 제1세척부는 도 5, 도 6 및 도 8에 도시된 바와 같은 스펀지를 사용할 수도 있고, 또는 도 7에 도시된 바와 같은 브러시 재질을 사용할 수도 있다.In addition, the first washing unit may use a sponge as shown in FIGS. 5, 6 and 8 , or a brush material as shown in FIG. 7 .

본 발명의 제1세척부는 회전되면서 반도체 패키지의 상면과 접촉 세척할 수도 있다. 예를 들어 스펀지(211)는 모터 등의 회전 수단에 의해 자동으로 회전하면서 상기 반도체 패키지의 상면 및 측면과 접촉하면서 세척할 수도 있고, 회전하지 않고 고정된 상태로 상기 반도체 패키지의 상면 및 측면과 접촉하면서 세척할 수도 있으며, 장기간 사용으로 마모되거나 손상되는 경우 새로운 스펀지(211)로 교체될 수 있다.The first cleaning unit of the present invention may be rotated to clean the upper surface of the semiconductor package in contact with it. For example, the sponge 211 may be washed while in contact with the upper surface and side of the semiconductor package while being automatically rotated by a rotating means such as a motor, or contacted with the upper surface and side of the semiconductor package in a fixed state without rotating. It can be washed while being used, and when it is worn or damaged by long-term use, it can be replaced with a new sponge 211 .

여기서, 상기 스펀지(211)가 회전하지 않고 고정된 상태로 사용되는 경우 상기 반도체 패키지의 상면 및 측면과 접촉하는 표면 역시 고정되어 장기간 사용으로 상기 표면이 마모되거나 손상될 수 있으므로, 작업자는 상기 스펀지(211)를 수동으로 회전시켜 마모 또는 손상되지 않은 표면이 상기 반도체 패키지의 상면 및 측면과 접촉하도록 함으로써 상기 스펀지의 수명을 연장시킬 수 있다.Here, when the sponge 211 is used in a fixed state without rotating, the surface in contact with the upper surface and the side surface of the semiconductor package is also fixed, so that the surface may be worn or damaged by long-term use, so that an operator can use the sponge ( 211) can be manually rotated so that a surface that is not worn or damaged comes into contact with the top and side surfaces of the semiconductor package, thereby extending the life of the sponge.

한편, 도 7에 도시된 바와 같은 브러시(212)는 상기 스펀지(211)에 비해 반도체 패키지 간의 미세한 틈, 즉, 반도체 패키지의 측면을 세척하는 측면에서 유리할 수 있다.Meanwhile, the brush 212 as shown in FIG. 7 may be advantageous compared to the sponge 211 in terms of cleaning a minute gap between semiconductor packages, that is, the side surface of the semiconductor package.

또한, 상기 제1세척부(210)에는 상기 스펀지(211) 및 상기 브러시(212)에 세척수를 공급하는 노즐이 추가로 구비될 수 있고, 상기 노즐로부터 공급되는 세척수는 세척 퀄리티를 향상시키고 상기 스펀지(211) 또는 상기 브러시(212)와 상기 반도체 패키지 사이의 마찰에 의해 상기 반도체 패키지에 스크래치가 발생하는 것을 최소화할 수 있다.In addition, a nozzle for supplying washing water to the sponge 211 and the brush 212 may be additionally provided in the first washing unit 210 , and the washing water supplied from the nozzle improves washing quality and improves the washing quality of the sponge The occurrence of scratches on the semiconductor package due to 211 or friction between the brush 212 and the semiconductor package may be minimized.

도 5에 도시된 바와 같이, 제3세척부(400)는 복수 개의 반도체 패키지의 하면인 몰드면을 접촉식으로 세척하는 브러시(brush)(410) 및 스펀지(sponge)(420), 브러시 또는 스펀지 측으로 세척수를 공급하는 세척수 공급수단, 브러시(410)와 상기 스펀지(420) 사이에는 세척수 공급수단으로부터 공급되어 브러시(410) 또는 스펀지(420) 밖으로 유출된 물이나 세척수를 저장하는 세척수 저장존(440), 그리고 반도체 패키지의 하면을 향해 세척수와 공기를 분사하는 이유체노즐(430) 등을 포함할 수 있다. 세척수 저장존(440)은 브러시와 스펀지(420) 밖으로 유출된 물이나 세척수가 설비의 바닥으로 누수되는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 5 , the third cleaning unit 400 includes a brush 410 and a sponge 420 , a brush or a sponge for contact-cleaning the mold surface, which is the lower surface of the plurality of semiconductor packages. Washing water supply means for supplying washing water to the side, between the brush 410 and the sponge 420, a washing water storage zone 440 for storing water or washing water supplied from the washing water supply means and leaked out of the brush 410 or sponge 420 ), and a weaning fluid nozzle 430 for spraying washing water and air toward the lower surface of the semiconductor package, and the like. The washing water storage zone 440 may prevent water or washing water leaking out of the brush and sponge 420 from leaking to the floor of the facility.

세척수 저장존은 제1세척부를 세척하거나 제1세척부가 마르지 않도록 세척수가 공급되는 구성이다. 본 발명의 실시예에서 브러시와 스펀지 밖으로 유출된 물을 저장하여 제1세척부를 세척하는 방법에 대해 기재하였으나, 별도의 세척수 공급수단을 설치하여 제1세척부를 세척하는 유체를 사용할 수도 있다.The washing water storage zone is a configuration in which washing water is supplied to wash the first washing unit or to prevent the first washing unit from drying out. In the embodiment of the present invention, a method of washing the first washing unit by storing the water leaked out of the brush and sponge has been described, but a fluid for washing the first washing unit may be used by installing a separate washing water supply means.

본 발명에서는 세척수 저장존(440)으로 도 6에 도시된 바와 같이, 초음파 수조(450)를 사용할 수도 있다.In the present invention, as shown in FIG. 6 as the washing water storage zone 440 , an ultrasonic bath 450 may be used.

이를 위해 도 6에 도시된 세척수 저장존은 유닛픽커에 흡착된 반도체 패키지 또는 제1세척부가 침지되기 위한 액체가 저장되는 수조(450)와, 수조 내부로 초음파를 발생시키는 초음파 발생부, 수조의 일측에 마련되어 세척시 발생되는 부유 이물질을 배출하는 상부 배수구, 상부 배수구의 하부에 구비되어 세척시 발생되는 침전 이물질을 배출하는 하부 배수구, 및 수조의 타측에 마련되어 액체를 일측 방향으로 공급하는 액체 공급부를 구비할 수 있다. For this purpose, the washing water storage zone shown in FIG. 6 includes a water tank 450 in which a liquid for immersing the semiconductor package or the first washing unit adsorbed on the unit picker is stored, an ultrasonic wave generator generating ultrasonic waves into the water tank, and one side of the water tank Provided in the upper drain for discharging floating foreign matter generated during washing, a lower drain provided at the lower part of the upper drain for discharging sedimentary foreign substances generated during washing, and a liquid supply part provided on the other side of the water tank to supply liquid in one direction can do.

상기 초음파 수조(450)는 상기 수조(440)와 같이 상기 스펀지(420)로부터 유출되는 세척수 등을 저장하는 기능뿐만 아니라, 상기 유닛 픽커(200)에 의해 흡착되어 이송된 복수 개의 반도체 패키지의 하면을 초음파 세척하는 기능을 수행할 수 있다.The ultrasonic tank 450 not only functions to store the washing water flowing out from the sponge 420 like the water tank 440, but also removes the lower surfaces of the plurality of semiconductor packages that are adsorbed and transported by the unit picker 200. It can perform the function of ultrasonic cleaning.

여기서, 상기 초음파 세척은 상기 초음파 수조(450)에 반도체 패키지를 담근 상태로 상기 초음파 수조(450) 내의 세척수에 미세한 초음파 진동을 인가함으로써 상기 반도체 패키지로부터 오염물을 분리하는 방식으로 수행될 수 있고, 초음파 세척 과정에서 발생하는 오염물은 초음파 수조(450)의 상부 배수구 및 하부 배수구를 통해 지속적으로 제거됨으로써 상기 초음파 수조(450)에 저장된 세척수는 항상 깨끗한 상태를 유지할 수 있다.Here, the ultrasonic cleaning may be performed in a manner of separating contaminants from the semiconductor package by applying minute ultrasonic vibrations to the washing water in the ultrasonic tank 450 while the semiconductor package is immersed in the ultrasonic tank 450 , Contaminants generated in the washing process are continuously removed through the upper and lower drains of the ultrasonic water tank 450 , so that the washing water stored in the ultrasonic water tank 450 can always be kept clean.

한편, 제3세척부(400)에 의해 반도체 패키지의 하면이 세척되는 동안 상기 유닛 픽커(200)에 의해 반도체 패키지가 제거된 제1척테이블(310)은 상기 제2세척부(710)의 하부를 통과함으로써 상기 제2세척부(710)로부터 분사되는 세척수 및 공기에 의해 세척될 수 있다. 즉, 제1척테이블은 절단 위치 방향으로 이동하면서 제2세척부로 제1척테이블의 세척을 수행하거나 또는 절단위치 방향에서 전달위치 방향으로 복귀하면서 제1척테이블의 세척을 수행할 수도 있으며, 제1척테이블이 양방향으로 이동하는 과정에서 모두 제2세척부로 제1척테이블을 세척하여 제1척테이블을 2회에 걸쳐 세척할 수도 있다.Meanwhile, while the lower surface of the semiconductor package is cleaned by the third cleaning unit 400 , the first chuck table 310 from which the semiconductor package is removed by the unit picker 200 is located below the second cleaning unit 710 . It can be washed by the washing water and air sprayed from the second washing unit 710 by passing through. That is, the first chuck table may be washed with the second washing unit while moving in the cutting position direction, or the first chuck table may be washed while returning from the cutting position direction to the delivery position direction. The first chuck table may be washed twice by washing the first chuck table with the second washing unit while the one chuck table moves in both directions.

앞서 제1척테이블을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명에서는 제1척테이블과 제2척테이블을 구비하고 있으므로 제1척테이블의 절단 단계가 수행되는 동안 기절단된 제2척테이블의 세척 단계가 수행되며, 제1척테이블의 세척 단계가 수행되는 동안 제2척테이블의 절단 단계가 연속적으로 수행될 수 있다.Although the first chuck table has been described above as an example, in the present invention, since the first chuck table and the second chuck table are provided, the washing step of the pre-cut second chuck table is performed while the cutting step of the first chuck table is performed and the cutting step of the second chuck table may be continuously performed while the washing step of the first chuck table is performed.

보다 구체적인 절단 및 세척 방법 시퀀스로 설명한다면 제1척테이블의 상부에 반도체 스트립을 전달하는 단계 이후에 스트립픽커가 새로운 반도체 스트립을 위치 정렬한 후 제2척테이블의 상부에 반도체 스트립을 전달한다.If described as a more specific cutting and cleaning method sequence, after the step of transferring the semiconductor strip to the upper part of the first chuck table, the strip picker aligns the new semiconductor strip and then transfers the semiconductor strip to the upper part of the second chuck table.

먼저 전달된 제1척테이블은 절단 위치로 이동하여 절단 단계가 수행되고, 절단 완료된 제1척테이블이 전달위치로 이동하는 동안 제2척테이블에 흡착된 반도체 스트립의 절단작업이 수행된다. 즉, 제1척테이블의 반도체 패키지의 상면을 세척하는 동안 제2척테이블에 흡착된 반도체 스트립의 절단 단계가 수행된다.The first chuck table transferred first is moved to the cutting position to perform a cutting step, and while the cut first chuck table is moved to the transfer position, the cutting operation of the semiconductor strip adsorbed to the second chuck table is performed. That is, the cutting step of the semiconductor strip adsorbed on the second chuck table is performed while the upper surface of the semiconductor package of the first chuck table is cleaned.

이후 제1세척부, 제2세척부에 의해 상면 세척이 완료된 제1척테이블에 흡착된 반도체 패키지를 유닛픽커가 픽업하여 제3세척부에서 세척하는 동안 반도체 패키지 제거가 완료된 제1척테이블은 제2세척부로 이동하여 제1척테이블 세척이 수행되고, 세척이 완료된 제1척테이블에 스트립픽커(100)는 다시 매거진으로부터 세 번째 반도체 스트립을 인출하여 첫 번째 및 두 번째 반도체 스트립과 동일한 과정을 통해 반도체 스트립을 절단하고, 이러한 과정을 계속 반복하게 된다. 제1척테이블에 새로운 반도체 스트립이 전달되고 절단되는 동안 제2척테이블에서 절단 완료된 반도체 패키지에 대해서도 세척 단계가 수행될 수 있다.Thereafter, the unit picker picks up the semiconductor package adsorbed to the first chuck table on which the top surface cleaning has been completed by the first and second washing units, and while the third washing unit cleans the semiconductor package, the first chuck table on which the semiconductor package has been removed is removed from the first chuck table. The first chuck table is cleaned by moving to the second washing unit, and the strip picker 100 takes out the third semiconductor strip from the magazine again on the first chuck table where the cleaning is completed, and through the same process as the first and second semiconductor strips. The semiconductor strip is cut, and this process is repeated over and over again. While the new semiconductor strip is transferred to the first chuck table and cut, a cleaning step may also be performed on the semiconductor package that has been cut on the second chuck table.

따라서, 앞서 제1척테이블을 예로 들어서 설명하였으나, 제2척테이블도 동일한 과정을 거쳐 절단 및 세척작업을 수행할 수 있다. 또한 2개의 척테이블에서 각각 절단작업과 세척작업을 나누어 교번적으로 수행하므로 생산성 저하를 방지할 수 있게 된다. Therefore, although the first chuck table has been described above as an example, the second chuck table can also be cut and washed through the same process. In addition, since the cutting operation and the cleaning operation are divided and performed alternately on each of the two chuck tables, it is possible to prevent a decrease in productivity.

참고로, 절단작업과 세척작업에 소요되는 시간은 서로 비슷하게 셋팅되었으나, 만약 절단작업에 소요되는 시간보다 세척 작업에 소요되는 시간이 길게되면 작업자에게 알람을 주어 각 세척부에서의 세척시간을 재설정하여 세척작업에 소요되는 시간을 조정할 수도 있다. For reference, the time required for the cutting operation and the cleaning operation is set similar to each other, but if the time required for the cleaning operation is longer than the time required for the cutting operation, an alarm is given to the operator to reset the cleaning time in each cleaning unit. It is also possible to adjust the time required for the cleaning operation.

앞서, 본 발명의 제1세척부에 대하여 유닛픽커에 장착된 예를 설명하였으나, 제1세척부는 본 발명의 반도체 자재 절단장치에서 도 2에 도시된 바와 같이 스트립픽커에 장착될 수도 있다. Previously, an example of mounting on the unit picker was described with respect to the first washing unit of the present invention, but the first washing unit may be mounted on the strip picker as shown in FIG. 2 in the semiconductor material cutting device of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치의 제2실시예를 개략적으로 도시한 것이다.Figure 2 schematically shows a second embodiment of the semiconductor material cutting device according to the present invention shown in Figure 1.

본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 스트립을 복수개의 반도체 패키지로 절단 및 세척하는 방법은 A) 스트립픽커가 제1척테이블의 상부에 반도체 스트립을 전달하는 단계: B) 상기 제1척테이블이 절단위치로 이동하면 절단부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 스트립을 절단 경로에 따라 개별 반도체 패키지로 절단하는 단계; C) 절단이 완료되면 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 스트립픽커의 일측에 구비된 스펀지 또는 브러시 재질의 제1세척부가 전달위치로 이동하여, 상기 제1세척부의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계; D) 상기 제1세척부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 상면과 접촉하도록 하강한 상태에서, 상기 제1척테이블을 절단위치 또는 전달위치 방향으로 이동하면서 상기 제1세척부로 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계; E) 상기 1차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 및/또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제1척테이블의 이송경로 상부에 구비되는 제2세척부로 상기 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행하는 단계; F) 상기 2차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 상기 유닛픽커가 전달위치로 이동하여, 상기 유닛픽커의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계; G) 상기 유닛픽커가 상기 2차 상면 세척이 완료된 반도체 패키지를 픽업하여 제3세척부의 상부로 이동하고, 상기 제3세척부에서 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하며, 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하는 동안, 상기 반도체 패키지가 제거된 상기 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 및/또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제2세척부로 상기 제1척테이블의 세척을 수행하는 단계; 및 H) 상기 유닛픽커가 상기 하면 세척이 완료된 상기 반도체 패키지를 건조부에 전달하는 단계를 포함한다.A method of cutting and cleaning a semiconductor strip into a plurality of semiconductor packages according to a second embodiment of the present invention comprises the steps of: A) a strip picker transferring the semiconductor strip to the upper part of the first chuck table: B) the first chuck table cutting the semiconductor strip adsorbed to the first chuck table into individual semiconductor packages according to the cutting path when the cutting unit moves to the cutting position; C) When the cutting is complete, the first chuck table moves to the delivery position, and the first cleaning unit made of a sponge or brush material provided on one side of the strip picker moves to the delivery position, and the first chuck table is placed under the first cleaning unit. positioning the chuck table; D) In a state in which the first washing unit is lowered to come into contact with the upper surface of the semiconductor package adsorbed on the first chuck table, the first chuck table is moved to the cutting position or the transfer position to the first washing unit and the semiconductor package performing a first upper surface washing of E) After performing the first upper surface cleaning, as the first chuck table moves in the direction of the cutting position and/or returns to the direction of the transfer position, the second cleaning unit is provided above the transfer path of the first chuck table. performing a second top surface cleaning of the semiconductor package; F) after performing the second upper surface washing, the first chuck table moves to a delivery position, and the unit picker moves to the delivery position, so that the first chuck table is positioned under the unit picker; G) The unit picker picks up the semiconductor package on which the second upper surface cleaning has been completed, moves to the upper part of the third washing unit, performs washing of the lower surface of the semiconductor package in the third washing unit, and cleans the lower surface of the semiconductor package performing washing of the first chuck table with the second washing unit while the first chuck table from which the semiconductor package has been removed moves in a direction of a cutting position and/or returns to a direction of a transfer position; and H) transferring, by the unit picker, the semiconductor package on which the cleaning of the lower surface is completed, to a drying unit.

이때 제1세척부가 스트립픽커에 장착된 것을 제외하고 세척순서 및 방법은 거의 동일하므로 중복된 설명은 생략한다. At this time, since the washing order and method are almost the same except that the first washing unit is mounted on the strip picker, a duplicate description will be omitted.

스트립픽커에 제1세척부가 장착된 경우 절단이 완료된 척테이블은 전달위치로 이동하고, 스트립픽커도 전달위치로 이송하여 척테이블의 상부에 스트립픽커의 제1세척부가 위치된다. 유닛픽커에서는 유닛픽커의 이동방향에 제1세척부가 장착된 구성이므로 유닛픽커가 이동하면서 반도체 패키지의 1차 상면세척을 수행하였으나, 도 2에서는 유닛픽커의 위치는 고정된 상태에서 척테이블이 이동하면서 척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 상면세척을 수행할 수 있다.When the first washing unit is mounted on the strip picker, the cut chuck table moves to the transfer position, and the strip picker is also transferred to the transfer position, so that the first washing unit of the strip picker is positioned on the chuck table. In the unit picker, since the first washing unit is mounted in the moving direction of the unit picker, the first upper surface washing of the semiconductor package was performed while the unit picker moved. In FIG. 2, the position of the unit picker is fixed while the chuck table moves while The upper surface of the semiconductor package adsorbed on the chuck table may be cleaned.

이때 척테이블은 절단위치 또는 전달위치 방향으로 이동하면서 반도체 패키지의 1차 상면세척을 수행할 수 있다. 즉, 절단위치에서 전달위치로 이동하는 과정에서 반도체 패키지의 상면세척을 수행할 수도 있고, 전달위치에서 절단위치로 복귀하는 과정에서 반도체 패키지의 상면세척을 수행할 수도 있으며, 절단위치에서 전달위치로 이동하고, 전달위치에서 절단위치로 복귀하는 과정에서 2회에 걸쳐 반도체 패키지의 상면세척을 수행할 수도 있다. 이때 스트립픽커의 일측에 장착된 제1세척부는 별도 마련된 세척부에서 세척이 수행될 수도 있고 제3세척부에서 세척이 수행될 수도 있다.At this time, the chuck table may perform the first upper surface cleaning of the semiconductor package while moving in the direction of the cutting position or the transfer position. That is, the upper surface of the semiconductor package may be washed in the process of moving from the cutting position to the delivery position, or the upper surface of the semiconductor package may be cleaned in the process of returning from the delivery position to the cutting position, and from the cutting position to the delivery position. In the process of moving and returning from the delivery position to the cut position, the upper surface of the semiconductor package may be washed twice. At this time, the first washing unit mounted on one side of the strip picker may be washed in a separately provided washing unit or may be washed in the third washing unit.

앞서, 도 2의 실시예에서는 세척시간 단축을 위해 척테이블의 길이 방향에 맞추어 스트립픽커에도 장축 방향으로 제1세척부를 장착하였으나, 스트립픽커의 단축 방향으로 제1세척부를 장착할 수도 있을 것이다. 스트립픽커의 단축 방향으로 제1세척부를 장착하는 경우에 척테이블의 Y축 이동과 스트립픽커의 X축 이동에 의해 함께 상대 이동하면서 절단된 반도체 패키지의 상면을 세척할 수도 있다.Previously, in the embodiment of FIG. 2 , the first washing unit was mounted in the long axis direction to the strip picker according to the longitudinal direction of the chuck table in order to shorten the washing time, but the first washing unit may be mounted in the short axis direction of the strip picker. When the first washing unit is mounted in the short axis direction of the strip picker, the upper surface of the cut semiconductor package may be washed while moving relative to each other by the Y-axis movement of the chuck table and the X-axis movement of the strip picker.

한편, 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치는 도 3에 도시된 바와 같이, 유닛 픽커(200) 및 스트립 픽커(100) 각각에 구비될 수도 있다.On the other hand, the semiconductor material cutting device according to the present invention may be provided in each of the unit picker 200 and the strip picker 100, as shown in FIG.

도 3에 도시된 바와 같이 스트립픽커와 유닛픽커에 각각 제1세척부가 구비되는 경우 스트립픽커의 제1세척부는 척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 종방향 세척을 수행하고, 유닛픽커의 제1세척부는 척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 횡방향 세척을 수행할 수도 있다.As shown in FIG. 3 , when the strip picker and the unit picker are provided with the first washing unit, the first washing unit of the strip picker performs longitudinal washing of the semiconductor package adsorbed on the chuck table, and the first washing unit of the unit picker It is also possible to perform lateral cleaning of the semiconductor package adsorbed on the chuck table.

그러나, 본 발명의 척테이블이 회전 가능하게 마련되어 있으므로, 유닛픽커에서 척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 횡방향/또는 종방향 세척을 수행한 후, 척테이블을 ±90°회전시켜, 반도체 패키지의 횡방향/또는 종방향 세척을 수행할 수도 있을 것이다.However, since the chuck table of the present invention is rotatably provided, after the unit picker performs lateral/or longitudinal washing of the semiconductor package adsorbed on the chuck table, the chuck table is rotated ±90° to Directional/or longitudinal cleaning may also be performed.

따라서, 제1세척부의 이동경로, 및 제1세척부의 세척 관리 등을 고려하여 유닛픽커에 제1세척부를 장착하는 것이 바람직하다.Therefore, it is preferable to mount the first washing unit to the unit picker in consideration of the movement path of the first washing unit and cleaning management of the first washing unit.

한편, 본 발명의 반도체 패키지 절단장치에서 제1세척부, 제2세척부에 의해 반도체 패키지의 상면 및 측면의 세척이 완료된 후 상기 유닛픽커(200)는 상기 복수 개의 반도체 패키지 전체를 흡착하여 상기 제3세척부(400)로 이송하여 상기 제3세척부(400)에 의한 상기 반도체 패키지의 하면을 세척하게 되며, 상기 제3세척부(400)에서 세척이 완료된 반도체 패키지는 건조부에 전달되어 건조되고 불량 여부가 검사된 후 반출된다.On the other hand, in the semiconductor package cutting device of the present invention, after the cleaning of the top and side surfaces of the semiconductor package by the first washing unit and the second washing unit is completed, the unit picker 200 adsorbs all of the plurality of semiconductor packages to remove the first washing unit and the second washing unit. It is transferred to the third washing unit 400 to wash the lower surface of the semiconductor package by the third washing unit 400 , and the semiconductor package cleaned by the third washing unit 400 is transferred to the drying unit and dried It is removed after being inspected for defects.

참고로, 도 8은 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치에서 세척 공정이 수행되는 모습을 개략적으로 도시한 것이다.For reference, Figure 8 schematically shows a state in which the cleaning process is performed in the semiconductor material cutting device according to the present invention.

도 8a에 도시된 바와 같이, 절단이 완료된 후 척테이블이 전달위치로 이동하고, 유닛픽커(200)의 제1세척부가 전달위치로 이동하여, 척테이블의 상부에 제1세척부가 위치되면, 상기 유닛픽커(200)에 구비된 제1세척부(210)에서 스펀지(211)가 하강하여 상기 반도체 패키지와 접촉하게 되고, 이러한 상태에서 상기 유닛픽커(200)가 이동하면서 상기 스펀지(211)가 상기 반도체 패키지의 상면 및 측면을 접촉식으로 세척하게 된다. 다만, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 스펀지(211)가 상기 브러시(212)로 대체된 경우에는 상기 브러시(212)가 상기 반도체 패키지 사이 사이의 틈새를 접촉하여 반도체 패키지의 상면 및 측면을 접촉식으로 세척하게 된다. 접촉식으로 1차 상면세척을 완료한 후, 유닛픽커의 스펀지 또는 브러시는 상승하고, 척테이블은 제2세척부 측으로 이동하여 제2세척부로 반도체 패키지의 2차 상면세척을 수행한 후 척테이블은 전달위치로 복귀한다.As shown in FIG. 8A , after the cutting is completed, the chuck table moves to the delivery position, the first washing part of the unit picker 200 moves to the delivery position, and when the first washing part is located on the top of the chuck table, the The sponge 211 descends from the first washing unit 210 provided in the unit picker 200 to come into contact with the semiconductor package, and in this state, as the unit picker 200 moves, the sponge 211 is The top and side surfaces of the semiconductor package are cleaned in a contact manner. However, as shown in FIG. 7 , when the sponge 211 is replaced with the brush 212 , the brush 212 contacts the gap between the semiconductor packages to contact the top and side surfaces of the semiconductor package. will be cleaned in this way. After completing the first top surface cleaning in a contact type, the sponge or brush of the unit picker rises, and the chuck table moves to the second cleaning unit. Return to the delivery position.

전달위치로 복귀한 척테이블은 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 유닛픽커(200)는 하강하여 유닛픽커의 흡착부(220)로 절단된 반도체 패키지를 일괄 흡착한다.As shown in FIG. 8B , the chuck table returned to the transfer position moves down the unit picker 200 to collectively absorb the cut semiconductor package by the suction unit 220 of the unit picker.

다음, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 유닛픽커(200)는 흡착부(220)에 흡착된 반도체 패키지를 제3세척부(400)의 브러시(410) 또는 스펀지(420)로 이동하여 상기 브러시(410) 또는 상기 스펀지(420)에 상기 반도체 패키지의 하면을 접촉시킨 상태로 이동하면서 상기 반도체 패키지의 하면을 세척하게 된다. 브러시 또는 스펀지로 반도체 패키지의 하면을 접촉식으로 세척한 후, 제3세척부에 마련된 이유체노즐(430)로 한번 더 세척을 해줄 수 있다.Next, as shown in FIG. 8C , the unit picker 200 moves the semiconductor package adsorbed on the adsorption unit 220 to the brush 410 or sponge 420 of the third washing unit 400 to move the brush. The lower surface of the semiconductor package is washed while moving while the lower surface of the semiconductor package is in contact with 410 or the sponge 420 . After contact-washing the lower surface of the semiconductor package with a brush or sponge, it may be washed once more with the weaning nozzle 430 provided in the third washing unit.

마지막으로, 도 8d에 도시된 바와 같이, 상기 유닛픽커(200)는 상면, 하면 및 측면의 세척이 완료된 반도체 패키지를 별도의 건조부로 전달한 후, 필요에 따라 제1세척부를 제3세척부의 상부로 이동하여 제1세척부의 세척을 수행할 수 있다.Finally, as shown in FIG. 8D , the unit picker 200 delivers the semiconductor package on which the upper, lower, and side surfaces have been cleaned to a separate drying unit, and then moves the first washing unit to the upper part of the third washing unit as needed. It can move to perform washing of the first washing unit.

제3세척부에는 다양한 세척수단이 구비되어 있으므로, 제3세척부의 브러시나 스펀지와 접촉시켜 제1세척부를 세척할 수도 있고, 상기 이유체노즐(430)로 상기 제2세척부(200)의 스펀지(211)에 세척수 및 공기를 분사함으로써 상기 스펀지(211)에 부착된 오염물을 제거할 수도 있다. 또한 초음파 수조 등에서 오염물을 제거하여 제2세척부에 의한 2차 오염을 방지하면서도 스펀지가 세척수를 흡수하도록 할 수도 있다.Since the third washing unit is provided with various washing means, the first washing unit may be washed by contacting the brush or sponge of the third washing unit, and the sponge of the second washing unit 200 is used with the weaning fluid nozzle 430 . Contaminants adhering to the sponge 211 may be removed by spraying washing water and air to the 211 . In addition, it is possible to remove contaminants from the ultrasonic bath or the like to prevent secondary contamination by the second washing unit while allowing the sponge to absorb the washing water.

이때 제1세척부의 세척은 소정횟수 또는 소정기간 사용한 이후에 세척작업이 이루어지도록 설정될 수도 있고, 반도체 패키지의 전달이 완료된 후 또는 제1세척작업을 수행하기 전에 매번 수행되도록 설정될 수도 있으며, 작업자의 육안 점검 또는 별도의 비전으로 제1세척부의 상태를 검사한 후 세척작업이 수행되도록 할 수도 있을 것이다.In this case, the washing of the first washing unit may be set to be performed after a predetermined number of times or after a predetermined period of use, or may be set to be performed each time after delivery of the semiconductor package is completed or before performing the first washing operation, the operator It may be possible to perform the cleaning operation after inspecting the state of the first cleaning unit with a visual inspection or a separate vision.

또한 제1세척부에 의한 세척작업이 수행되기 전에 제1세척부(200)의 스펀지(211)나 브러시를 상기 세척수 저장존(440)이나 초음파 수조(450) 위에서 하강시켜 세척수에 담금으로써 제1세척부에 세척수를 공급하여 제1세척부가 항상 마르지 않고 젖은 상태로 유지되어 세척 효율을 향상시킬 수 있도록 한다.In addition, before the washing operation by the first washing unit is performed, the sponge 211 or the brush of the first washing unit 200 is lowered from the washing water storage zone 440 or the ultrasonic water tank 450 and immersed in the washing water to perform the first By supplying washing water to the washing unit, the first washing unit is always kept in a wet state without drying to improve washing efficiency.

앞서 기술한 바와 같은 구성으로 본 발명에 따른 반도체 자재 절단장치는 절단된 복수 개의 반도체 패키지의 높은 세척 퀄리티를 보장하는 동시에 절단 및 세척 공정을 정밀하게 조절된 시퀀스로 수행함으로써 생산성(UPH)을 향상시키는 우수한 효과를 나타낸다.With the configuration as described above, the semiconductor material cutting device according to the present invention ensures high cleaning quality of a plurality of cut semiconductor packages and improves productivity (UPH) by performing the cutting and cleaning processes in a precisely controlled sequence. It shows an excellent effect.

본 명세서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.Although the present specification has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims described below. will be able to carry out Therefore, if the modified implementation basically includes the elements of the claims of the present invention, all should be considered to be included in the technical scope of the present invention.

100 : 스트립 픽커 200 : 유닛 픽커
300 : 척테이블 이송부 110, 210 : 제1세척부
710, 720 : 제2세척부 400 : 제3세척부
500 : 위치 정렬부 600 : 절단부
700 : 픽커 이동축
100: strip picker 200: unit picker
300: chuck table transfer unit 110, 210: first washing unit
710, 720: second washing unit 400: third washing unit
500: position alignment part 600: cut part
700: picker moving axis

Claims (12)

반도체 스트립을 복수개의 반도체 패키지로 절단 및 세척하는 방법으로서,
A) 스트립픽커가 제1척테이블의 상부에 반도체 스트립을 전달하는 단계;
B) 상기 제1척테이블이 절단위치로 이동하면 절단부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 스트립을 절단 경로에 따라 개별 반도체 패키지로 절단하는 단계;
C) 절단이 완료되면 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 유닛픽커의 일측에 구비된 스펀지 또는 브러시 재질의 제1세척부가 전달위치로 이동하여, 상기 제1세척부의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계;
D) 상기 제1세척부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 상면과 접촉하도록 하강한 상태에서, 상기 유닛픽커가 일측방향으로 이동하면서 상기 제1세척부로 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계;
E) 상기 1차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 및/또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제1척테이블의 이송경로 상부에 구비되는 제2세척부로 상기 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행하는 단계;
F) 상기 2차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 상기 유닛픽커가 전달위치로 이동하여, 상기 유닛픽커의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계;
G) 상기 유닛픽커가 상기 2차 상면 세척이 완료된 반도체 패키지를 픽업하여 제3세척부의 상부로 이동하고, 상기 제3세척부에서 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하며, 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하는 동안, 상기 반도체 패키지가 제거된 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 및/또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제2세척부로 상기 제1척테이블의 세척을 수행하는 단계; 및
H) 상기 유닛픽커가 상기 하면 세척이 완료된 상기 반도체 패키지를 건조부에 전달하는 단계를 포함하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
A method for cutting and cleaning a semiconductor strip into a plurality of semiconductor packages, comprising:
A) the strip picker transfers the semiconductor strip to the top of the first chuck table;
B) when the first chuck table moves to the cutting position, the cutting unit cuts the semiconductor strip adsorbed on the first chuck table into individual semiconductor packages along a cutting path;
C) When the cutting is complete, the first chuck table moves to the delivery position, and the first washing part made of a sponge or brush material provided on one side of the unit picker moves to the delivery position, and the first chuck table is located at the lower part of the first washing part. positioning the chuck table;
D) In a state in which the first washing unit is lowered to come into contact with the upper surface of the semiconductor package adsorbed on the first chuck table, the unit picker moves in one direction to first wash the upper surface of the semiconductor package with the first washing unit performing;
E) After performing the first upper surface cleaning, as the first chuck table moves in the direction of the cutting position and/or returns to the direction of the transfer position, the second cleaning unit is provided above the transfer path of the first chuck table. performing a second top surface cleaning of the semiconductor package;
F) after performing the second upper surface washing, the first chuck table is moved to the delivery position and the unit picker is moved to the delivery position, so that the first chuck table is positioned under the unit picker;
G) the unit picker picks up the semiconductor package on which the secondary upper surface cleaning has been completed, moves to the upper part of the third washing unit, performs washing of the lower surface of the semiconductor package in the third washing unit, and cleans the lower surface of the semiconductor package performing washing of the first chuck table with the second washing unit while the first chuck table from which the semiconductor package has been removed moves in a direction of a cutting position and/or returns to a direction of a transfer position; and
H) The unit picker is the semiconductor material cutting and cleaning method comprising the step of transferring the finished semiconductor package to the drying unit.
반도체 스트립을 복수개의 반도체 패키지로 절단 및 세척하는 방법으로서,
A) 스트립픽커가 제1척테이블의 상부에 반도체 스트립을 전달하는 단계;
B) 상기 제1척테이블이 절단위치로 이동하면 절단부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 스트립을 절단 경로에 따라 개별 반도체 패키지로 절단하는 단계;
C) 절단이 완료되면 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 스트립픽커의 일측에 구비된 스펀지 또는 브러시 재질의 제1세척부가 전달위치로 이동하여, 상기 제1세척부의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계;
D) 상기 제1세척부가 상기 제1척테이블에 흡착된 반도체 패키지의 상면과 접촉하도록 하강한 상태에서, 상기 제1척테이블을 절단위치 또는 전달위치 방향으로 이동하면서 상기 제1세척부로 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계;
E) 상기 1차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 및/또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제1척테이블의 이송경로 상부에 구비되는 제2세척부로 상기 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행하는 단계;
F) 상기 2차 상면 세척을 수행한 후, 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하고, 상기 유닛픽커가 전달위치로 이동하여, 상기 유닛픽커의 하부에 상기 제1척테이블이 위치하는 단계;
G) 상기 유닛픽커가 상기 2차 상면 세척이 완료된 반도체 패키지를 픽업하여 제3세척부의 상부로 이동하고, 상기 제3세척부에서 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하며, 상기 반도체 패키지의 하면 세척을 수행하는 동안, 상기 반도체 패키지가 제거된 상기 상기 제1척테이블이 절단위치 방향으로 이동하면서 및/또는 전달위치 방향으로 복귀하면서 상기 제2세척부로 상기 제1척테이블의 세척을 수행하는 단계; 및
H) 상기 유닛픽커가 상기 하면 세척이 완료된 상기 반도체 패키지를 건조부에 전달하는 단계를 포함하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
A method for cutting and cleaning a semiconductor strip into a plurality of semiconductor packages, comprising:
A) the strip picker transfers the semiconductor strip to the top of the first chuck table;
B) when the first chuck table moves to the cutting position, the cutting unit cuts the semiconductor strip adsorbed on the first chuck table into individual semiconductor packages along a cutting path;
C) When the cutting is complete, the first chuck table moves to the delivery position, and the first cleaning unit made of a sponge or brush material provided on one side of the strip picker moves to the delivery position, and the first chuck table is placed under the first cleaning unit. positioning the chuck table;
D) In a state in which the first washing unit is lowered to come into contact with the upper surface of the semiconductor package adsorbed on the first chuck table, the first chuck table is moved to the cutting position or the transfer position to the first washing unit and the semiconductor package performing a first upper surface washing of
E) After performing the first upper surface cleaning, as the first chuck table moves in the direction of the cutting position and/or returns to the direction of the transfer position, the second cleaning unit is provided above the transfer path of the first chuck table. performing a second top surface cleaning of the semiconductor package;
F) after performing the second upper surface washing, the first chuck table is moved to the delivery position and the unit picker is moved to the delivery position, so that the first chuck table is positioned under the unit picker;
G) the unit picker picks up the semiconductor package on which the secondary upper surface cleaning has been completed, moves to the upper part of the third washing unit, performs washing of the lower surface of the semiconductor package in the third washing unit, and cleans the lower surface of the semiconductor package performing washing of the first chuck table with the second washing unit while the first chuck table from which the semiconductor package has been removed moves in a direction of a cutting position and/or returns to a direction of a transfer position; and
H) The unit picker is the semiconductor material cutting and cleaning method comprising the step of transferring the finished semiconductor package to the drying unit.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1척테이블의 A) 단계 이후에 상기 제1척테이블의 일측에서 나란히 구비되며, 상기 제1척테이블과 독립적으로 이동하는 제2척테이블의 상부에 새로운 반도체 스트립이 전달되고,
상기 제1척테이블의 C) D), E), F) 및 G) 단계가 수행되는 동안 상기 제2척테이블에 흡착된 반도체 스트립의 절단 단계가 수행되며,
상기 G) 단계 이후에 상기 제1척테이블의 상부에 새로운 반도체 스트립의 전달되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
3. The method of claim 1 or 2,
After step A) of the first chuck table, a new semiconductor strip is transferred to the upper part of the second chuck table which is provided side by side on one side of the first chuck table and moves independently of the first chuck table,
A step of cutting the semiconductor strip adsorbed to the second chuck table is performed while steps C) D), E), F) and G) of the first chuck table are performed;
A method for cutting and cleaning semiconductor materials, characterized in that after step G), a new semiconductor strip is transferred to the upper portion of the first chuck table.
제3항에 있어서,
상기 제2척테이블의 상부에서 절단된 반도체 패키지에 대한 C) D), E), F) 및 G)단계가 순차적으로 수행되는 동안 상기 제1척테이블의 상부에 전달된 새로운 반도체 스트립의 절단 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
4. The method of claim 3,
Cutting the new semiconductor strip transferred to the top of the first chuck table while steps C) D), E), F) and G) for the semiconductor package cut on the top of the second chuck table are sequentially performed A semiconductor material cutting and cleaning method, characterized in that performed.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1세척부의 세척 준비 신호가 켜진 상태에서, 상기 C)단계에서 절단이 완료되면 상기 제1척테이블은 전달위치로 이동하고,
상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하면 상기 제2세척부에 세척 홀딩 신호가 켜지면서 상기 제2세척부가 세척수를 분사하지 않도록 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
3. The method of claim 1 or 2,
When the washing preparation signal of the first washing unit is turned on and the cutting in step C) is completed, the first chuck table moves to the delivery position,
When the first chuck table moves to the transfer position, a washing holding signal is turned on to the second washing unit, and the second washing unit is controlled not to spray washing water.
제5항에 있어서,
상기 E)단계에서 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척이 완료되면, 상기 제2세척부의 세척 홀딩 신호가 꺼지며 상기 제2세척부가 세척수를 분사하여 상기 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
6. The method of claim 5,
When the first upper surface cleaning of the semiconductor package is completed in step E), the washing holding signal of the second washing unit is turned off, and the second washing unit sprays washing water to perform the second upper surface cleaning of the semiconductor package A method of cutting and cleaning semiconductor materials using
제5항에 있어서,
상기 D)단계 및 E)단계에서 상기 1차 상면 세척시 상기 제1세척부는 상기 반도체 패키지의 상면과 접촉하도록 하강하고 상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척이 완료되어 상기 제1세척부가 상승하면 상기 제1세척부의 세척 준비 신호가 꺼지고, 상기 제2세척부가 세척수를 분사하여 상기 반도체 패키지의 2차 상면 세척을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
6. The method of claim 5,
During the first washing of the top surface in steps D) and E), the first washing unit descends to come into contact with the top surface of the semiconductor package, and when the first washing unit rises after the first washing of the semiconductor package is completed, the first washing unit rises. A method for cutting and cleaning a semiconductor material, characterized in that the washing preparation signal of the first washing unit is turned off, and the second washing unit sprays washing water to perform a secondary upper surface washing of the semiconductor package.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계는 상기 제1척테이블이 기설정된 각도로 회전한 상태에서 상기 제1세척부와 상기 반도체 자재의 상면을 접촉시키면서 세척을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
3. The method of claim 1 or 2,
The step of performing the first upper surface cleaning of the semiconductor package is characterized in that the cleaning is performed while the first cleaning unit and the upper surface of the semiconductor material are brought into contact with each other while the first chuck table is rotated at a predetermined angle. How to cut and clean the material.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계는 상기 반도체 패키지의 상면과 상기 제1세척부를 접촉시킬 때 상기 제1세척부의 승강높이를 조절하면서 상기 반도체 패키지의 상면을 세척하거나, 상기 제1세척부를 회전시키면서 상기 반도체 패키지의 상면을 세척하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
3. The method of claim 1 or 2,
The performing of the first upper surface washing of the semiconductor package may include washing the upper surface of the semiconductor package or the first washing while adjusting the elevation height of the first washing unit when the upper surface of the semiconductor package and the first washing unit are brought into contact with each other. A method for cutting and cleaning semiconductor materials, characterized in that the upper surface of the semiconductor package is washed while rotating the unit.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 반도체 패키지의 1차 상면 세척을 수행하는 단계는,
상기 제1척테이블의 상면에 흡착된 반도체 패키지와 상기 제1세척부를 접촉시키면서 상기 반도체 패키지의 일방향 세척을 수행하고, 상기 제1척테이블을 90도 회전시킨 상태에서 상기 반도체 패키지와 상기 제1세척부를 접촉시키면서 타방향 세척을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
3. The method of claim 1 or 2,
The step of performing the first upper surface cleaning of the semiconductor package,
One-way cleaning of the semiconductor package is performed while the semiconductor package adsorbed on the upper surface of the first chuck table and the first cleaning unit are brought into contact, and the semiconductor package and the first cleaning unit are rotated 90 degrees while the first chuck table is rotated. A method for cutting and cleaning semiconductor materials, characterized in that cleaning is performed in the other direction while contacting the parts.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 H)단계 이후에, 필요에 따라 상기 제1세척부는 상기 제3세척부의 상부로 이동하여 상기 제3세척부에서 상기 제1세척부의 세척을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
3. The method of claim 1 or 2,
After step H), if necessary, the first washing unit moves to the upper part of the third washing unit, and the third washing unit performs washing of the first washing unit. How to cut and clean.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 C)단계에서 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동하는 동안에 상기 제2세척부가 세척수를 분사시켜 상기 제2세척부에서 분사되는 세척수로 상기 반도체 패키지의 상면 세척을 수행하고, 상기 제1척테이블이 전달위치로 이동 완료되면 상기 제2세척수의 분사를 중지하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단 및 세척방법.
3. The method of claim 1 or 2,
In step C), while the first chuck table is moved to the delivery position, the second washing unit sprays washing water to wash the upper surface of the semiconductor package with the washing water sprayed from the second washing unit, and the first chuck A method for cutting and cleaning semiconductor materials, characterized in that the injection of the second washing water is stopped when the table is moved to the delivery position.
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