KR20220032479A - Grinding method - Google Patents

Grinding method Download PDF

Info

Publication number
KR20220032479A
KR20220032479A KR1020210108408A KR20210108408A KR20220032479A KR 20220032479 A KR20220032479 A KR 20220032479A KR 1020210108408 A KR1020210108408 A KR 1020210108408A KR 20210108408 A KR20210108408 A KR 20210108408A KR 20220032479 A KR20220032479 A KR 20220032479A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grinding
workpiece
support member
region
back surface
Prior art date
Application number
KR1020210108408A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
타카시 오카무라
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20220032479A publication Critical patent/KR20220032479A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Abstract

An objective of the present invention is to provide a new type of grinding method capable of applying high hardness to a workpiece after grinding. To achieve the objective, the grinding method, which is used to grind a back side opposite to the surface of a plate-shaped workpiece, having a device area and an outer circumference remaining area surrounding the device area in the surface, with a grinding stone mounted on a spindle, includes the following steps of: fixing the surface of a support member having a larger surface than the device area, to the back side of the workpiece; attaching a protection member to the surface of the workpiece; holding the protection member attached on the workpiece with the support member fixed thereon, with a chuck table; and forming a reinforcement member of a ring-shaped member by grinding an area corresponding to the device area of the support member from the back side opposite to the surface of the support member, and also, forming a thin plate part corresponding to the device area, and a rear plate part surrounding the thin plate part with the reinforcement member fixed thereon, by grinding an area corresponding to the device area of the workpiece from the back side of the workpiece.

Description

연삭 방법{GRINDING METHOD}GRINDING METHOD

본 발명은, 판형의 피가공물을 연삭할 때에 사용되는 연삭 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a grinding method used when grinding a plate-shaped to-be-processed object.

소형이고 경량인 디바이스 칩을 실현하기 위해, 집적 회로 등의 디바이스가 표면측에 설치된 웨이퍼를 얇게 가공할 기회가 증가하고 있다. 예컨대, 웨이퍼의 표면을 척 테이블로 유지하고, 연삭 휠이라고 불리는 지석 공구와, 척 테이블을 함께 회전시키고, 순수 등의 액체를 공급하면서 웨이퍼의 이면에 연삭 휠을 가압함으로써, 이 웨이퍼를 연삭하여 얇게 할 수 있다.In order to realize a small and lightweight device chip, opportunities for thinly processing a wafer having a device such as an integrated circuit installed on the surface side are increasing. For example, by holding the surface of the wafer with a chuck table, rotating the chuck table together with a grindstone tool called a grinding wheel, and pressing the grinding wheel against the back surface of the wafer while supplying a liquid such as pure water, the wafer is ground and thin. can do.

그런데, 상술한 바와 같은 방법으로 웨이퍼를 얇게 하면, 이 웨이퍼의 강성은 대폭 저하되어, 후공정에서의 웨이퍼의 취급이 어려워진다. 따라서, 디바이스가 설치된 웨이퍼의 중앙측의 영역만을 연삭하고, 외주측의 영역을 그대로 남김으로써, 연삭 후의 웨이퍼의 강성을 어느 정도로 유지하는 기술이 제안되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).However, when a wafer is thinned by the method as described above, the rigidity of the wafer is greatly reduced, and handling of the wafer in a subsequent step becomes difficult. Therefore, there has been proposed a technique for maintaining the rigidity of the wafer after grinding to some extent by grinding only the region on the center side of the wafer on which the device is installed and leaving the region on the outer peripheral side as it is (see, for example, Patent Document 1).

일본 공개특허공보 제2007-19461호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2007-19461

그러나, 상술한 바와 같은 기술로 웨이퍼의 외주측의 영역의 두께를 유지했다고 해도, 연삭 후의 웨이퍼의 강성을 충분히 확보할 수 있다고는 할 수 없다. 특히, 직경이 약 300mm(12인치) 이상이나 되는 대구경의 웨이퍼를 얇게 하는 경우에는, 연삭 후의 웨이퍼의 강성이 부족한 경향이 있었다.However, even if the thickness of the area|region on the outer peripheral side of a wafer is maintained by the above-mentioned technique, it cannot be said that the rigidity of the wafer after grinding can be fully ensured. In particular, in the case of thinning a large-diameter wafer having a diameter of about 300 mm (12 inches) or more, the rigidity of the wafer after grinding tends to be insufficient.

본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 웨이퍼와 같은 판형의 피가공물을 연삭할 때에, 연삭 후의 피가공물에 높은 강성을 부여할 수 있는 새로운 연삭 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of these problems, and an object thereof is to provide a new grinding method capable of imparting high rigidity to the workpiece after grinding when grinding a plate-shaped workpiece such as a wafer.

본 발명의 일 측면에 의하면, 복수의 디바이스가 형성된, 또는 형성될 예정의 디바이스 영역과, 이 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 갖는 판형의 피가공물의 상기 표면과는 반대측의 이면을, 스핀들에 장착된 연삭 지석으로 연삭하는 연삭 방법에 있어서, 상기 디바이스 영역보다 큰 표면을 갖는 지지 부재의 상기 표면을 상기 피가공물의 상기 이면에 고정시키는 고정 단계와, 상기 피가공물의 상기 표면에 보호 부재를 첩부하는 첩부 단계와, 상기 지지 부재가 고정된 상기 피가공물에 첩부되어 있는 보호 부재를 척 테이블로 유지하는 유지 단계와, 상기 보호 부재를 통해 상기 피가공물 및 상기 지지 부재가 상기 척 테이블에 유지된 상태에서, 상기 지지 부재의 상기 디바이스 영역에 대응하는 영역을 상기 지지 부재의 상기 표면과는 반대측의 이면으로부터 연삭하여 상기 지지 부재를 상기 이면으로부터 상기 표면까지 관통시킴으로써, 환형의 보강 부재를 형성하고, 또한, 상기 피가공물의 상기 디바이스 영역에 대응하는 영역을 상기 피가공물의 상기 이면으로부터 연삭하여 상기 디바이스 영역에 대응하는 영역을 마무리 두께까지 얇게 함으로써, 상기 디바이스 영역에 대응하는 박판부와, 상기 박판부를 둘러싸고 상기 보강 부재가 고정된 후판부를 형성하는 연삭 단계를 포함하는 연삭 방법이 제공된다.According to one aspect of the present invention, a back surface of a plate-shaped to-be-processed object having on its surface a device region in which a plurality of devices are formed or to be formed, and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, on the surface opposite to the surface, A grinding method for grinding with a grinding wheel mounted on a spindle, comprising: a fixing step of fixing the surface of a support member having a surface larger than the device area to the back surface of the workpiece; a protection member on the surface of the workpiece; a holding step of holding a protection member attached to the work piece to which the supporting member is fixed by a chuck table, and the work piece and the supporting member are held on the chuck table via the protection member in a state in which an annular reinforcing member is formed by grinding an area corresponding to the device area of the support member from the back surface opposite to the surface of the support member to penetrate the support member from the back surface to the surface, Further, by grinding a region corresponding to the device region of the workpiece from the back surface of the workpiece to thin the region corresponding to the device region to a finishing thickness, a thin plate portion corresponding to the device region, and the thin plate There is provided a grinding method comprising a grinding step of surrounding the portion and forming a thick plate portion to which the reinforcing member is fixed.

본 발명의 일 측면에 있어서, 상기 연삭 단계 전에, 상기 지지 부재의 상기 이면의 전체를 연삭하여 상기 지지 부재를 얇게 하는 지지 부재 전체 연삭 단계를 더 포함하는 경우가 있다. 또한, 상기 고정 단계 전에, 복수의 상기 디바이스를 상기 디바이스 영역에 형성하는 디바이스 형성 단계를 더 포함해도 좋다. 또한, 상기 고정 단계는, 상기 첩부 단계 전에 실시되고, 상기 고정 단계 후, 상기 첩부 단계 전에, 복수의 상기 디바이스를 상기 디바이스 영역에 형성하는 디바이스 형성 단계를 더 포함해도 좋다.In one aspect of the present invention, before the grinding step, there is a case that further includes a step of grinding the entire support member by grinding the entire back surface of the support member to make the support member thin. Also, before the fixing step, a device forming step of forming a plurality of the devices in the device region may be further included. In addition, the fixing step may further include a device forming step of forming a plurality of the devices in the device region after the fixing step and before the sticking step, performed before the sticking step.

본 발명의 일 측면에 관련된 연삭 방법에서는, 지지 부재의 표면을 피가공물의 이면에 고정시킨 후에, 지지 부재의 디바이스 영역에 대응하는 영역을 지지 부재의 이면으로부터 연삭하여 환형의 보강 부재를 형성함과 함께, 피가공물의 디바이스 영역에 대응하는 영역을 피가공물의 이면으로부터 연삭하여, 디바이스 영역에 대응하는 박판부와, 박판부를 둘러싸고 보강 부재가 고정된 후판부를 형성하기 때문에, 연삭 후의 피가공물은, 환형의 보강 부재에 의해 보강된 상태가 된다. 따라서, 연삭 후의 피가공물에 높은 강성을 부여할 수 있다.In the grinding method according to one aspect of the present invention, after fixing the surface of the support member to the back surface of the workpiece, an area corresponding to the device region of the support member is ground from the back surface of the support member to form an annular reinforcing member; Together, a region corresponding to the device region of the workpiece is ground from the back surface of the workpiece to form a thin plate portion corresponding to the device region, and a thick plate portion surrounding the thin plate portion and fixed with a reinforcing member, so that the workpiece after grinding is annular It is in a reinforced state by the reinforcing member of Therefore, high rigidity can be provided to the to-be-processed object after grinding.

도 1은 피가공물에 지지 부재가 고정되는 모습을 도시하는 사시도이다.
도 2는 피가공물에 보호 부재가 첩부되는 모습을 나타내는 사시도이다.
도 3은, 피가공물에 첩부되어 있는 보호 부재가 척 테이블에 의해 유지되는 모습을 나타내는 단면도이다.
도 4는 지지 부재가 연삭되는 모습을 도시하는 단면도이다.
도 5는 환형의 보강 부재가 형성되는 모습을 도시하는 단면도이다.
도 6은, 피가공물이 연삭되는 모습을 나타내는 단면도이다.
도 7은 제1 변형예에 관련된 연삭 방법에 있어서, 지지 부재의 이면의 전체가 연삭되는 모습을 도시하는 단면도이다.
도 8은 제2 변형예에 관련된 연삭 방법에 있어서, 피가공물에 지지 부재가 고정되는 모습을 도시한 사시도이다.
1 is a perspective view showing a state in which a support member is fixed to a workpiece.
It is a perspective view which shows a mode that a protection member is affixed to a to-be-processed object.
3 : is sectional drawing which shows a mode that the protection member affixed to a to-be-processed object is hold|maintained by the chuck table.
4 is a cross-sectional view showing a state in which the support member is ground.
5 is a cross-sectional view illustrating a state in which an annular reinforcing member is formed.
6 : is sectional drawing which shows a mode that a to-be-processed object is grinding.
7 : is sectional drawing which shows a mode that the whole back surface of a support member is ground in the grinding method which concerns on a 1st modification.
Fig. 8 is a perspective view showing a state in which a support member is fixed to a workpiece in the grinding method according to the second modification.

첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 도 1은, 본 실시형태의 연삭 방법에 있어서, 피가공물(11)에 지지 부재(21)가 고정되는 모습을 나타내는 사시도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 피가공물(11)은, 예를 들어, 실리콘 등의 반도체를 사용하여 원반형으로 형성된 웨이퍼이고, 원 형상의 표면(제1 면)(11a)과, 표면(11a)과는 반대측의 원 형상의 이면(제2 면)(11b)을 포함한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Embodiment of this invention is described with reference to an accompanying drawing. 1 : is a perspective view which shows a mode that the support member 21 is fixed to the to-be-processed object 11 in the grinding method of this embodiment. As shown in FIG. 1, the to-be-processed object 11 of this embodiment is a wafer formed in the disk shape using semiconductors, such as silicon, for example, A circular-shaped surface (1st surface) 11a, and a surface A circular back surface (second surface) 11b on the opposite side to (11a) is included.

이 피가공물(11)의 표면(11a)은, 그 직경의 방향에 있어서 중앙측에 위치하는 디바이스 영역(11c)과, 디바이스 영역(11c)을 둘러싸는 환형의 외주 잉여 영역(11d)으로 나누어진다. 디바이스 영역(11c)은, 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(13)(도 2 참조)에 의해, 후에, 복수의 소영역으로 구획되고, 각 소영역에는, IC(Integrated Circuit) 등의 디바이스(15)(도 2 참조)가 형성된다. 즉, 이 디바이스 영역(11c)은, 후에 복수의 디바이스(15)가 형성될 예정인 영역이다.The surface 11a of this to-be-processed object 11 is divided into the device area|region 11c located in the center side in the radial direction, and the annular outer peripheral area|region 11d surrounding the device area|region 11c. . The device region 11c is later divided into a plurality of subregions by a plurality of division scheduled lines (streets) 13 (refer to FIG. 2 ) intersecting each other, and each subregion includes an IC (Integrated Circuit) or the like. A device 15 (see FIG. 2 ) of is formed. That is, this device region 11c is a region in which a plurality of devices 15 are to be formed later.

또한, 본 실시형태에서는, 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어지는 원반형의 웨이퍼를 피가공물(11)로 하고 있지만, 피가공물(11)의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 예를 들어, 다른 반도체, 세라믹스, 수지, 금속 등의 재료로 이루어지는 기판을 피가공물(11)로서 사용할 수도 있다.Further, in the present embodiment, the workpiece 11 is a disk-shaped wafer made of a semiconductor material such as silicon, but there is no restriction on the material, shape, structure, size, or the like of the workpiece 11 . For example, a substrate made of a material such as another semiconductor, ceramics, resin, or metal may be used as the to-be-processed object 11 .

본 실시형태에 관련된 연삭 방법에서는, 우선, 상술한 피가공물(11)의 이면(11b)에, 지지 부재(21)를 고정한다(고정 단계). 도 1에 도시된 바와 같이, 지지 부재(21)는, 예컨대, 피가공물(11)과 동일하게 구성된 원반형의 웨이퍼이며, 대략 평탄한 원형의 표면(제1 면)(21a)과, 표면(21a)과는 반대측의 원형의 이면(제2 면)(21b)을 포함한다. 즉, 지지 부재(21)는, 피가공물(11)의 디바이스 영역(11c)보다 큰 표면(21a) 및 이면(21b)을 갖고 있다.In the grinding method which concerns on this embodiment, first, the support member 21 is fixed to the back surface 11b of the to-be-processed object 11 mentioned above (fixing step). As shown in FIG. 1 , the support member 21 is, for example, a disk-shaped wafer configured in the same way as the workpiece 11 , and includes a substantially flat circular surface (first surface) 21a and a surface 21a. It includes a circular back surface (second surface) 21b on the opposite side to that. That is, the support member 21 has a front surface 21a and a rear surface 21b larger than the device region 11c of the workpiece 11 .

피가공물(11)에 대한 지지 부재(21)의 고정에는, 예컨대, 피가공물(11)과 지지 부재(21)가 접촉하는 영역에 열산화에 의한 산화막을 형성하는 산화막 결합이라고 불리는 방법이 이용된다. 이 경우에는, 피가공물(11)(이면(11b))과 지지 부재(21)(표면(11a))를 접촉시킨 상태에서, 이들을 로(爐)에 투입하고, 1000℃ 이상(예컨대, 1200℃)에서 1시간 이상(예컨대, 3시간)의 열처리를 실시한다. 이에 의해, 피가공물(11)과 지지 부재(21)의 계면에 열산화에 의한 산화막을 형성하여, 지지 부재(21)의 표면(21a)을 피가공물(11)의 이면(11b)에 강하게 고정할 수 있다.For fixing the support member 21 to the workpiece 11, for example, a method called oxide film bonding in which an oxide film is formed by thermal oxidation in a region where the workpiece 11 and the support member 21 are in contact is used. . In this case, in the state in which the to-be-processed object 11 (back surface 11b) and the support member 21 (surface 11a) were brought into contact, these are thrown into a furnace, and 1000 degreeC or more (for example, 1200 degreeC) ) for 1 hour or longer (eg, 3 hours). Thereby, an oxide film by thermal oxidation is formed at the interface between the workpiece 11 and the support member 21 , and the front surface 21a of the support member 21 is strongly fixed to the back surface 11b of the workpiece 11 . can do.

또한, 피가공물(11)에 대한 지지 부재(21)의 고정에는, 산화막 결합 이외의 방법이 이용되어도 좋다. 구체적으로는, 예컨대, 분자간력에 의해 지지 부재(21)(표면(21a))를 피가공물(11)(이면(11b))에 접합하는 방법이나, 수지 등의 접착제에 의해 지지 부재(21)(표면(21a))를 피가공물(11)(이면(11b))에 접착하는 방법 등을 이용할 수 있다. 이들 방법을 이용하는 경우에는, 산화막 결합에 비해 낮은 온도에서 지지 부재(21)를 피가공물(11)에 고정할 수 있다.In addition, a method other than oxide film bonding may be used for fixing the supporting member 21 with respect to the to-be-processed object 11. As shown in FIG. Specifically, for example, a method of bonding the support member 21 (surface 21a) to the workpiece 11 (rear surface 11b) by intermolecular force, or a method of bonding the support member 21 using an adhesive such as resin. A method of adhering (the front surface 21a) to the to-be-processed object 11 (the back surface 11b), etc. can be used. In the case of using these methods, the support member 21 can be fixed to the workpiece 11 at a lower temperature compared to the oxide film bonding.

지지 부재(21)의 표면(21a)을 피가공물(11)의 이면(11b)에 고정한 후에는, 피가공물(11)의 노출된 표면(11a)에 IC 등의 디바이스(15)를 형성한다(디바이스 형성 단계). 예컨대, 포토리소그래피나 에칭 등의 방법을 이용함으로써, 피가공물(11)의 표면(11a)측을 가공하여 디바이스(15)를 형성할 수 있다. 또한, 이 피가공물(11)에 형성되는 디바이스(15)의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에 제한은 없다.After fixing the front surface 21a of the support member 21 to the back surface 11b of the workpiece 11, a device 15 such as an IC is formed on the exposed surface 11a of the workpiece 11 ( device formation step). For example, the device 15 can be formed by processing the surface 11a side of the object 11 by using a method such as photolithography or etching. In addition, there is no restriction|limiting in the kind, quantity, shape, structure, size, arrangement|positioning, etc. of the device 15 formed in this to-be-processed object 11. As shown in FIG.

피가공물(11)의 표면(11a)에 디바이스(15)를 형성한 후에는, 이 피가공물(11)의 표면(11a)에 보호 부재를 첩부한다(첩부 단계). 도 2는 피가공물(11)에 보호 부재(31)가 첩부되는 모습을 도시한 사시도이다. 보호 부재(31)는, 대표적으로는, 원 형상의 테이프(필름), 수지 기판, 피가공물(11)과 동종 또는 이종의 웨이퍼 등이며, 피가공물(11)의 표면(11a)과 대략 동일한 직경을 갖는 원 형상의 표면(제1 면)(31a)과, 표면(31a)과는 반대측의 원 형상의 이면(제2 면)(31b)을 포함한다.After forming the device 15 on the surface 11a of the to-be-processed object 11, a protective member is affixed to the surface 11a of this to-be-processed object 11 (a sticking step). 2 is a perspective view showing a state in which the protection member 31 is affixed to the to-be-processed object 11 . The protective member 31 is typically a circular tape (film), a resin substrate, a wafer of the same type or different from that of the workpiece 11 , and has substantially the same diameter as the surface 11a of the workpiece 11 . It includes a circular surface (first surface) 31a having , and a circular back surface (second surface) 31b opposite to the surface 31a.

보호 부재(31)의 표면(31a)에는, 예를 들어, 피가공물(11)의 표면(11a)에 대한 접착력을 나타내는 접착층이 설치되어 있다. 그 때문에, 도 2에 나타내는 바와 같이, 보호 부재(31)의 표면(31a)측을 피가공물(11)의 표면(11a)측에 밀착시킴으로써, 보호 부재(31)는, 피가공물(11)에 첩부된다. 피가공물(11)의 표면(11a)측에 보호 부재(31)를 첩부함으로써, 피가공물(11)이나 지지 부재(21)를 연삭할 때에 피가공물(11)의 표면(11a)측에 가해지는 충격을 완화하여, 디바이스(15) 등을 보호할 수 있다.The surface 31a of the protection member 31 is provided with an adhesive layer which exhibits the adhesive force with respect to the surface 11a of the to-be-processed object 11, for example. Therefore, as shown in FIG. 2, by making the surface 31a side of the protection member 31 closely contact the surface 11a side of the to-be-processed object 11, the protection member 31 is attached to the to-be-processed object 11. is pasted By attaching the protective member 31 to the surface 11a side of the workpiece 11, when the workpiece 11 or the support member 21 is ground, the surface 11a side of the workpiece 11 is applied. By mitigating the impact, the device 15 and the like can be protected.

피가공물(11)의 표면(11a)에 보호 부재(31)를 첩부한 후에는, 이 피가공물(11)의 표면(11a)측을 척 테이블에 의해 유지한다(유지 단계). 즉, 피가공물(11)에 첩부되어 있는 보호 부재(31)를 척 테이블에 의해 유지한다. 도 3은, 피가공물(11)에 첩부되어 있는 보호 부재(31)가 척 테이블(4)에 의해 유지되는 모습을 나타내는 단면도이다. 또한, 이하의 각 공정에서는, 도 3 등에 나타내는 연삭 장치(2)가 사용된다.After affixing the protection member 31 to the surface 11a of the to-be-processed object 11, the surface 11a side of this to-be-processed object 11 is hold|maintained by the chuck table (holding step). That is, the protection member 31 affixed to the to-be-processed object 11 is hold|maintained by the chuck table. 3 : is sectional drawing which shows a mode that the protection member 31 affixed to the to-be-processed object 11 is hold|maintained by the chuck table 4. As shown in FIG. In addition, in each following process, the grinding apparatus 2 shown in FIG. 3 etc. is used.

연삭 장치(2)는, 피가공물(11)을 유지할 수 있도록 구성된 척 테이블(4)을 구비하고 있다. 척 테이블(4)은, 예컨대, 스테인리스강으로 대표되는 금속을 이용하여 형성된 원반형의 프레임(6)을 포함한다. 프레임(6)의 상면측에는, 원 형상의 개구를 상단에 갖는 오목부(6a)가 형성되어 있다. 이 오목부(6a)에는, 세라믹스 등을 이용하여 다공질의 원반형으로 형성된 유지판(8)이 고정되어 있다.The grinding apparatus 2 is provided with the chuck table 4 comprised so that the to-be-processed object 11 can be hold|maintained. The chuck table 4 includes, for example, a disk-shaped frame 6 formed using a metal typified by stainless steel. On the upper surface side of the frame 6, a concave portion 6a having a circular opening at the upper end is formed. A retaining plate 8 formed in a porous disk shape using ceramics or the like is fixed to the recessed portion 6a.

유지판(8)의 상면(8a)은 원추의 측면에 상당하는 형상으로 구성되어 있고, 이 상면(8a)에 보호 부재(31)의 이면(31b)이 접촉한다. 유지판(8)의 하면측은, 프레임(6)의 내부에 설치된 유로(6b)나, 밸브(도시하지 않음) 등을 통해, 이젝터 등의 흡인원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 그 때문에, 유지판(8)의 상면(8a)에 보호 부재(31)의 이면(31b)을 접촉시키고, 밸브를 개방하여, 흡인원의 부압을 작용시키면, 이 보호 부재(31)의 이면(31b)이 척 테이블(4)에 의해 흡인된다.The upper surface 8a of the holding plate 8 is configured in a shape corresponding to the side surface of the cone, and the back surface 31b of the protective member 31 is in contact with the upper surface 8a. The lower surface side of the holding plate 8 is connected to a suction source (not shown) such as an ejector via a flow path 6b provided inside the frame 6, a valve (not shown), or the like. Therefore, when the back surface 31b of the protection member 31 is brought into contact with the upper surface 8a of the holding plate 8, the valve is opened, and a negative pressure of the suction source is applied, the back surface of the protection member 31 ( 31b) is sucked by the chuck table 4 .

즉, 지지 부재(21)가 고정된 상태의 피가공물(11)에 첩부되어 있는 보호 부재(31)를, 척 테이블(4)에 의해 유지할 수 있다. 이에 의해, 도 3에 나타내는 바와 같이, 지지 부재(21)의 이면(21b)이 상방으로 노출된 상태가 된다. 또한, 도 3 등에서는, 유지판(8)의 상면(8a)을 구성하는 원추의 측면의 형상이 과장되어 있지만, 실제로는, 상면(8a)의 가장 높은 점과 가장 낮은 점의 높이의 차(고저차)가 10㎛~30㎛정도이다.That is, the protection member 31 affixed to the to-be-processed object 11 in the state to which the support member 21 was fixed can be hold|maintained by the chuck table 4 . Thereby, as shown in FIG. 3, the back surface 21b of the support member 21 will be in the state exposed upward. In addition, in FIG. 3 etc., although the shape of the side surface of the cone which comprises the upper surface 8a of the holding plate 8 is exaggerated, in reality, the difference between the height of the highest point and the lowest point of the upper surface 8a ( height difference) is about 10 μm to 30 μm.

프레임(6)의 하부에는, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)이 연결되어 있다. 척 테이블(4)은, 이 회전 구동원이 발생하는 힘에 의해, 원추의 정점에 상당하는 상면(8a)의 정점(8b)이 회전의 중심이 되도록, 연직 방향을 따르는 축, 또는 연직 방향에 대해서 약간 기울어진 축의 둘레로 회전한다. 또한, 프레임(6)은, 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 지지되어 있고, 척 테이블(4)은, 이 이동 기구가 발생하는 힘에 의해, 수평 방향으로 이동한다.A rotation driving source (not shown) such as a motor is connected to the lower portion of the frame 6 . With respect to the axis along the vertical direction, or the vertical direction, the vertex 8b of the upper surface 8a corresponding to the vertex of the cone becomes the center of rotation by the force generated by this rotational driving source. It rotates around a slightly tilted axis. Further, the frame 6 is supported by a moving mechanism (not shown), and the chuck table 4 is moved in the horizontal direction by the force generated by the moving mechanism.

피가공물(11)에 첩부되어 있는 보호 부재(31)를 척 테이블(4)로 유지한 후에는, 예컨대, 연직 방향에서 보아 피가공물(11)의 디바이스 영역(11c)에 겹치는 지지 부재(21)의 영역을 연삭하여, 피가공물(11)에 고정된 상태의 환형의 보강 부재를 형성한다(지지 부재 연삭 단계). 도 4는 지지 부재(21)가 연삭되는 모습을 도시하는 단면도이다. 또한, 도 4에서는, 설명의 편의상, 일부의 요소가 측면에 의해 도시되어 있다.After holding the protection member 31 attached to the workpiece 11 by the chuck table 4, for example, a support member 21 overlapping the device region 11c of the workpiece 11 when viewed from the vertical direction. The region of is ground to form an annular reinforcing member fixed to the workpiece 11 (support member grinding step). 4 is a cross-sectional view showing a state in which the support member 21 is ground. In addition, in FIG. 4, for convenience of description, some elements are shown by the side surface.

도 4 등에 나타내는 바와 같이, 연삭 장치(2)의 척 테이블(4)의 상방에는, 연삭 유닛(제1 연삭 유닛)(10)이 배치되어 있다. 연삭 유닛(10)은, 예컨대, 통형의 스핀들 하우징(도시하지 않음)을 포함한다. 스핀들 하우징의 내측의 공간에는, 기둥형의 스핀들(12)이 수용되어 있다.4 etc., above the chuck table 4 of the grinding apparatus 2, the grinding unit (1st grinding unit) 10 is arrange|positioned. The grinding unit 10 includes, for example, a cylindrical spindle housing (not shown). A columnar spindle 12 is accommodated in the space inside the spindle housing.

스핀들(12)의 하단부에는, 예컨대, 피가공물(11)이나 지지 부재(21)보다 직경이 작은 원반형의 마운트(14)가 설치되어 있다. 마운트(14)의 외주부에는, 이 마운트(14)를 두께 방향으로 관통하는 복수의 구멍(도시하지 않음)이 형성되어 있고, 각 구멍에는, 볼트(16) 등이 삽입된다. 마운트(14)의 하면에는, 이 마운트(14)와 대략 직경이 동일한 원반형의 연삭 휠(18)이, 볼트(16) 등에 의해 고정되어 있다.At the lower end of the spindle 12 , for example, a disk-shaped mount 14 having a smaller diameter than that of the workpiece 11 or the supporting member 21 is provided. A plurality of holes (not shown) penetrating the mount 14 in the thickness direction are formed in the outer peripheral portion of the mount 14 , and a bolt 16 or the like is inserted into each hole. On the lower surface of the mount 14, a disk-shaped grinding wheel 18 having the same diameter as that of the mount 14 is fixed by a bolt 16 or the like.

연삭 휠(18)은, 스테인리스강이나 알루미늄 등의 금속을 이용하여 형성된 원반형의 휠 베이스(20)를 포함한다. 휠 베이스(20)의 하면에는, 이 휠 베이스(20)의 둘레 방향을 따라 복수의 연삭 지석(22)이 고정되어 있다. 스핀들(12)의 상단측에는, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)이 연결되어 있다. 연삭 휠(18)은, 이 회전 구동원이 발생하는 힘에 의해, 연직 방향을 따르는 축, 또는 연직 방향에 대하여 약간 기울어진 축의 둘레로 회전한다.The grinding wheel 18 includes a disk-shaped wheel base 20 formed using a metal such as stainless steel or aluminum. A plurality of grinding wheels 22 are fixed to the lower surface of the wheel base 20 along the circumferential direction of the wheel base 20 . A rotation drive source (not shown) such as a motor is connected to the upper end side of the spindle 12 . The grinding wheel 18 rotates around an axis along the vertical direction or an axis slightly inclined with respect to the vertical direction by the force generated by this rotational drive source.

연삭 휠(18)의 근방, 또는 연삭 휠(18)의 내부에는, 연삭 지석(22) 등에 대하여 연삭용의 액체(대표적으로는, 물)를 공급할 수 있도록 구성된 노즐(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 스핀들 하우징은, 예컨대 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 지지되어 있고, 연삭 유닛(10)은, 이 이동 기구가 발생하는 힘에 의해, 연직 방향으로 이동한다.A nozzle (not shown) configured to supply a liquid (typically water) for grinding to the grinding wheel 22 or the like is installed in the vicinity of the grinding wheel 18 or inside the grinding wheel 18, there is. The spindle housing is supported by, for example, a moving mechanism (not shown), and the grinding unit 10 moves in the vertical direction by the force generated by the moving mechanism.

지지 부재(21)를 연삭할 때에는, 우선, 척 테이블(4)을 연삭 유닛(10)의 바로 아래로 이동시킨다. 구체적으로는, 복수의 연삭 지석(22) 모두가 디바이스 영역(11c)의 바로 위에 배치되도록, 척 테이블(4)을 이동시킨다. 또한, 연삭 휠(18)의 직경의 방향에 있어서 가장 외측에 위치하는 연삭 지석(22)의 단부 중 어느 것이, 디바이스 영역(11c)과 외주 잉여 영역(11d)의 경계보다 약간 내측의 위치의 바로 위에 배치되도록, 척 테이블(4)을 이동시킨다.When grinding the support member 21 , first, the chuck table 4 is moved directly below the grinding unit 10 . Specifically, the chuck table 4 is moved so that all of the plurality of grinding wheels 22 are disposed directly above the device region 11c. In addition, any of the ends of the grinding wheel 22 located on the outermost side in the direction of the diameter of the grinding wheel 18 is just at a position slightly inside the boundary between the device region 11c and the outer peripheral surplus region 11d. Move the chuck table 4 so that it is positioned above.

그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 척 테이블(4)과 연삭 휠(18)을 각각 회전시켜, 노즐로부터 액체를 공급하면서 연삭 유닛(10)(스핀들(12),연삭 휠(18))을 하강시킨다. 연삭 유닛(10)의 하강의 속도는, 지지 부재(21)에 대하여 연삭 지석(22)이 적절한 압력으로 가압되는 범위로 조정된다. 이에 의해, 지지 부재(21)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 영역을 이면(21b)으로부터 연삭할 수 있다.Then, as shown in Fig. 4, by rotating the chuck table 4 and the grinding wheel 18, respectively, the grinding unit 10 (spindle 12, grinding wheel 18) while supplying liquid from the nozzle lower it The speed of descending of the grinding unit 10 is adjusted in a range in which the grinding wheel 22 is pressed with an appropriate pressure with respect to the support member 21 . Thereby, the area|region corresponding to the device area|region 11c of the support member 21 can be ground from the back surface 21b.

보다 구체적으로는, 척 테이블(4)의 회전수를, 100rpm~600rpm, 대표적으로는, 300rpm으로 설정하고, 연삭 휠(18)의 회전수를, 1000rpm~7000rpm, 대표적으로는, 4000rpm으로 설정하고, 연삭 유닛(10)의 하강 속도를, 0.2㎛/s~10㎛/s, 대표적으로는, 0.6㎛/s로 설정하면 좋다. 이에 의해, 지지 부재(21)를 적절하게 연삭할 수 있다.More specifically, the rotation speed of the chuck table 4 is set to 100 rpm to 600 rpm, typically 300 rpm, and the rotation speed of the grinding wheel 18 is set to 1000 rpm to 7000 rpm, typically 4000 rpm, , The lowering speed of the grinding unit 10 may be set to 0.2 µm/s to 10 µm/s, typically 0.6 µm/s. Thereby, the support member 21 can be ground appropriately.

지지 부재(21)의 연삭은, 이 지지 부재(21)가 이면(21b)으로부터 표면(21a)까지 관통되어 환형의 보강 부재가 완성될 때까지 계속된다. 도 5는 환형의 보강 부재(23)가 형성되는 모습을 도시하는 단면도이다. 또한, 도 5에서는, 설명의 편의상, 일부의 요소가 측면에 의해 도시되어 있다.The grinding of the support member 21 is continued until the support member 21 penetrates from the back surface 21b to the front surface 21a to complete the annular reinforcing member. 5 is a cross-sectional view showing a state in which the annular reinforcing member 23 is formed. In addition, in FIG. 5, some elements are shown by the side for convenience of description.

도 5에 나타내는 바와 같이, 환형의 보강 부재(23)는, 지지 부재(21)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 영역이 제거되어 이루어지는 관통 구멍(23a)을 갖고 있다. 즉, 관통 구멍(23a)은, 지지 부재(21)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 위치에 형성된다. 따라서, 이 지지 부재(21)의 연삭에 의해, 피가공물(11)의 외주 잉여 영역(11d)의 이면(11b)측에 고정된 상태의 환형의 보강 부재(23)가 형성된다.As shown in FIG. 5 , the annular reinforcing member 23 has a through hole 23a in which a region corresponding to the device region 11c of the supporting member 21 is removed. That is, the through hole 23a is formed at a position corresponding to the device region 11c of the support member 21 . Accordingly, by grinding the support member 21 , the annular reinforcing member 23 fixed to the back surface 11b side of the outer peripheral surplus region 11d of the workpiece 11 is formed.

지지 부재(21)의 연삭이 종료된 후에는, 계속해서, 피가공물(11)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 영역을 이면(11b)으로부터 연삭하여 마무리 두께까지 얇게 한다(피가공물 연삭 단계). 도 6은 피가공물(11)이 연삭되는 모습을 도시한 단면도이다. 또한, 도 6에서는, 설명의 편의상, 일부의 요소가 측면에 의해 도시되어 있다.After the grinding of the support member 21 is finished, a region corresponding to the device region 11c of the workpiece 11 is subsequently ground from the back surface 11b to make it thin to a finished thickness (workpiece grinding step) . 6 is a cross-sectional view illustrating a state in which the workpiece 11 is ground. In addition, in FIG. 6, some elements are shown by the side for convenience of description.

피가공물(11)을 연삭할 때에는, 지지 부재(21)를 연삭하는 경우와 마찬가지로, 척 테이블(4)과 연삭 휠(18)을 각각 회전시킨 상태에서, 노즐로부터 액체를 공급하면서 연삭 유닛(10)(스핀들(12),연삭 휠(18))을 하강시킨다. 연삭 유닛(10)의 하강의 속도는, 피가공물(11)에 대하여 연삭 지석(22)이 적절한 압력으로 가압되는 범위로 조정된다. 이에 의해, 피가공물(11)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 영역을 이면(11b)으로부터 연삭할 수 있다.When grinding the to-be-processed object 11, similarly to the case of grinding the support member 21, in the state in which the chuck table 4 and the grinding wheel 18 are respectively rotated, while supplying liquid from the nozzle, the grinding unit 10 ) (spindle 12, grinding wheel 18) is lowered. The speed of descending of the grinding unit 10 is adjusted in a range in which the grinding wheel 22 is pressed with an appropriate pressure with respect to the workpiece 11 . Thereby, the area|region corresponding to the device area|region 11c of the to-be-processed object 11 can be grind|ground from the back surface 11b.

또한, 본 실시형태에서는, 이 피가공물(11)의 연삭과, 상술한 지지 부재(21)의 연삭이 동등한 조건으로 연속적으로 실시된다. 즉, 피가공물(11)을 연삭할 때에도, 척 테이블(4)의 회전수를, 100rpm~600rpm, 대표적으로는, 300rpm으로 설정하고, 연삭 휠(18)의 회전수를, 1000rpm~7000rpm, 대표적으로는, 4000rpm으로 설정하고, 연삭 유닛(10)의 하강의 속도를, 0.2㎛/s~10㎛/s, 대표적으로는, 0.6㎛/s로 설정하면 좋다.In addition, in this embodiment, the grinding of this to-be-processed object 11 and the grinding of the above-mentioned support member 21 are performed continuously on equal conditions. That is, also when grinding the to-be-processed object 11, the rotation speed of the chuck table 4 is set to 100 rpm - 600 rpm, typically 300 rpm, and the rotation speed of the grinding wheel 18 is 1000 rpm - 7000 rpm, representative It is set to 4000 rpm, and what is necessary is just to set the speed of descending of the grinding unit 10 to 0.2 micrometer/s - 10 micrometers/s, typically, to 0.6 micrometer/s.

또한, 상술한 연삭의 조건을 도중에 변경할 수도 있다. 예컨대, 피가공물(11)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 영역이 어느 정도로 얇아진 단계에서, 연삭 유닛(10)의 하강의 속도를 저하시킴으로써, 연삭에 의한 피가공물(11)에 대한 손상을 경감할 수 있다. 이 경우에는, 연삭 유닛(10)의 하강 속도를, 0.1㎛/s~0.5㎛/s, 대표적으로는, 0.3㎛/s로 설정하면 좋다.Moreover, it is also possible to change the conditions of the above-mentioned grinding on the way. For example, in a stage where the region corresponding to the device region 11c of the workpiece 11 is thinned to a certain extent, the speed of the descent of the grinding unit 10 is lowered, thereby reducing the damage to the workpiece 11 by grinding. can do. In this case, the descending speed of the grinding unit 10 may be set to 0.1 µm/s to 0.5 µm/s, typically 0.3 µm/s.

피가공물(11)의 연삭은, 이 피가공물(11)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 영역이 마무리 두께까지 얇아지고, 디바이스 영역(11c)에 대응하는 박판부(11e)와, 박판부(11e)를 둘러싸고 환형의 보강 부재(23)가 고정된 후판부(11f)가 완성될 때까지 계속된다. 피가공물(11)의 연삭이 종료되면, 본 실시형태의 연삭 방법도 종료된다.In the grinding of the workpiece 11, the region corresponding to the device region 11c of the workpiece 11 is thinned to the final thickness, and the thin plate portion 11e corresponding to the device region 11c and the thin plate portion ( This is continued until the thick plate portion 11f to which the annular reinforcing member 23 is fixed and surrounds 11e) is completed. When the grinding of the to-be-processed object 11 is complete|finished, the grinding method of this embodiment is also complete|finished.

이상과 같이, 본 실시형태의 연삭 방법에서는, 지지 부재(21)의 표면(21a)을 피가공물(11)의 이면(11b)에 고정한 후에, 지지 부재(21)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 영역을 지지 부재(21)의 이면(21b)으로부터 연삭하여 환형의 보강 부재(23)를 형성하는 것과 함께, 피가공물(11)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 영역을 피가공물(11)의 이면(11b)으로부터 연삭하여, 디바이스 영역(11c)에 대응하는 박판부(11e)와, 박판부(11e)를 둘러싸고 보강 부재(21)가 고정된 후판부(11f)를 형성하기 때문에, 연삭 후의 피가공물(11)은, 환형의 보강 부재(23)에 의해 보강된 상태가 된다. 따라서, 연삭 후의 피가공물(11)에 높은 강성을 부여할 수 있다.As mentioned above, in the grinding method of this embodiment, after fixing the surface 21a of the support member 21 to the back surface 11b of the to-be-processed object 11, it respond|corresponds to the device region 11c of the support member 21 A region to be used is ground from the back surface 21b of the support member 21 to form the annular reinforcing member 23 , and a region corresponding to the device region 11c of the workpiece 11 is formed in the workpiece 11 . By grinding from the back surface 11b of The later to-be-processed object 11 will be in the state reinforced by the annular reinforcing member 23. As shown in FIG. Therefore, high rigidity can be provided to the to-be-processed object 11 after grinding.

또한, 본 발명은, 상술한 실시 형태의 기재에 제한되지 않고 다양하게 변경하여 실시 가능하다. 예컨대, 상술한 실시형태에서는, 지지 부재(21)의 연삭(지지 부재 연삭 단계)과, 피가공물(11)의 연삭(피가공물 연삭 단계)을 동등한 조건으로 연속적으로 실시하고 있지만, 지지 부재(21)의 연삭(지지 부재 연삭 단계)과, 피가공물(11)의 연삭(피가공물 연삭 단계)을 상이한 조건에서 단속적으로 실시해도 좋다.In addition, this invention is not restrict|limited to description of embodiment mentioned above, It can change variously and can implement it. For example, in the above-described embodiment, the grinding of the support member 21 (the grinding of the supporting member) and the grinding of the work 11 (the grinding of the work) are continuously performed under equal conditions, but the supporting member 21 ) (support member grinding step) and grinding of the workpiece 11 (workpiece grinding step) may be intermittently performed under different conditions.

또한, 지지 부재(21)나 피가공물(11)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 영역을 연삭하기 전에, 지지 부재(21)의 이면(21b)의 전체를 연삭하여 지지 부재(21)를 전체적으로 얇게 해도 좋다(지지 부재 전체 연삭 단계). 도 7은 변형예에 관련된 연삭 방법에 있어서, 지지 부재(21)의 이면(21b)의 전체가 연삭되는 모습을 도시한 단면도이다. 또한, 도 7에서는, 설명의 편의상, 일부의 요소가 측면에 의해 도시되어 있다.In addition, before grinding the region corresponding to the device region 11c of the supporting member 21 or the workpiece 11, the entire back surface 21b of the supporting member 21 is ground to remove the supporting member 21 as a whole. You may make it thin (the whole support member grinding step). 7 : is sectional drawing which shows a mode that the whole back surface 21b of the support member 21 is ground in the grinding method which concerns on a modification. In addition, in FIG. 7, for convenience of description, some elements are shown by the side surface.

변형예에 관련된 연삭 방법에서는, 피가공물(11)의 표면(11a)측을 척 테이블(4)에 의해 유지한 후, 지지 부재(21)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 영역을 연삭하기 전에, 지지 부재(21)의 이면(21b)의 전체를 연삭한다. 이 변형예에 관련된 연삭 방법에서 사용되는 연삭 장치(2)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 연삭 유닛(제1 연삭 유닛)(10)과는 별도의 연삭 유닛(제2 연삭 유닛)(24)을 척 테이블(4)의 상방에 구비하고 있다.In the grinding method according to the modification, after holding the surface 11a side of the workpiece 11 by the chuck table 4 and before grinding the region corresponding to the device region 11c of the support member 21 , , the entire back surface 21b of the support member 21 is ground. As shown in FIG. 7 , the grinding device 2 used in the grinding method according to this modification is a grinding unit (second grinding unit) 24 separate from the grinding unit (first grinding unit) 10 . ) is provided above the chuck table 4 .

연삭 유닛(24)의 기본적인 구조는, 연삭 유닛(10)과 동일하다. 즉, 연삭 유닛(24)은, 예컨대, 통형의 스핀들 하우징(도시하지 않음)을 포함한다. 스핀들 하우징의 내측의 공간에는, 기둥형의 스핀들(26)이 수용되어 있다. 스핀들(26)의 하단부에는, 예컨대, 피가공물(11)이나 지지 부재(21)보다 직경이 큰 원반형의 마운트(28)가 설치되어 있다.The basic structure of the grinding unit 24 is the same as that of the grinding unit 10 . That is, the grinding unit 24 includes, for example, a cylindrical spindle housing (not shown). A columnar spindle 26 is accommodated in the space inside the spindle housing. At the lower end of the spindle 26 , for example, a disk-shaped mount 28 having a larger diameter than that of the workpiece 11 or the supporting member 21 is provided.

마운트(28)의 외주부에는, 이 마운트(28)를 관통하는 복수의 구멍(도시하지 않음)이 형성되어 있고, 각 구멍에는, 볼트(30) 등이 삽입된다. 마운트(28)의 하면에는, 이 마운트(28)와 대략 직경이 동일한 원반형의 연삭 휠(32)이, 마운트(28)의 구멍에 삽입된 볼트(30) 등에 의해 고정되어 있다.A plurality of holes (not shown) penetrating the mount 28 are formed in the outer periphery of the mount 28 , and a bolt 30 or the like is inserted into each hole. On the lower surface of the mount 28 , a disk-shaped grinding wheel 32 having substantially the same diameter as the mount 28 is fixed by a bolt 30 or the like inserted into the hole of the mount 28 .

연삭 휠(32)은, 스테인리스강이나 알루미늄 등의 금속을 이용하여 형성된 휠 베이스(34)를 포함한다. 휠 베이스(34)의 하면에는, 이 휠 베이스(34)의 둘레 방향을 따라 복수의 연삭 지석(36)이 고정되어 있다. 스핀들(26)의 상단측에는, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)이 연결되어 있다. 연삭 휠(32)은, 이 회전 구동원이 발생하는 힘에 의해, 연직 방향을 따르는 축, 또는 연직 방향에 대하여 약간 기울어진 축의 둘레로 회전한다.The grinding wheel 32 includes a wheel base 34 formed using a metal such as stainless steel or aluminum. A plurality of grinding wheels 36 are fixed to the lower surface of the wheel base 34 along the circumferential direction of the wheel base 34 . A rotation drive source (not shown) such as a motor is connected to the upper end side of the spindle 26 . The grinding wheel 32 rotates around an axis along the vertical direction or an axis slightly inclined with respect to the vertical direction by the force generated by this rotational drive source.

연삭 휠(32)의 근방, 또는 연삭 휠(32)의 내부에는, 연삭 지석(36) 등에 대하여 연삭용의 액체(대표적으로는, 물)를 공급할 수 있도록 구성된 노즐(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 스핀들 하우징은, 예컨대, 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 지지되어 있고, 연삭 유닛(24)은, 이 이동 기구가 발생하는 힘에 의해, 연직 방향으로 이동한다.A nozzle (not shown) configured to supply a liquid (typically, water) for grinding to the grinding wheel 36 or the like is installed in the vicinity of the grinding wheel 32 or inside the grinding wheel 32, there is. The spindle housing is supported by, for example, a moving mechanism (not shown), and the grinding unit 24 moves in the vertical direction by the force generated by the moving mechanism.

지지 부재(21)의 이면(21b)의 전체를 연삭할 때에는, 우선, 척 테이블(4)을 연삭 유닛(24)의 바로 아래로 이동시킨다. 그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 척 테이블(4)과 연삭 휠(32)을 각각 회전시켜, 노즐로부터 액체를 공급하면서 연삭 유닛(24)(스핀들(26),연삭 휠(32))을 하강시킨다. 연삭 유닛(24)의 하강의 속도는, 지지 부재(21)에 대하여 연삭 지석(36)이 적절한 압력으로 가압되는 범위로 조정된다. 이에 의해, 지지 부재(21)의 이면(21b)의 전체를 연삭할 수 있다.When grinding the entire back surface 21b of the support member 21 , first, the chuck table 4 is moved directly below the grinding unit 24 . Then, as shown in Fig. 7, by rotating the chuck table 4 and the grinding wheel 32, respectively, the grinding unit 24 (spindle 26, grinding wheel 32) while supplying liquid from the nozzle lower it The speed of descending of the grinding unit 24 is adjusted in a range in which the grinding wheel 36 is pressed with an appropriate pressure with respect to the support member 21 . Thereby, the whole back surface 21b of the support member 21 can be ground.

보다 구체적으로는, 척 테이블(4)의 회전수를 100rpm~600rpm, 대표적으로는, 300rpm으로 설정하고, 연삭 휠(32)의 회전수를 1000rpm~7000rpm, 대표적으로는, 4000rpm으로 설정하고, 연삭 유닛(24)의 하강 속도를 0.2㎛/s~10㎛/s, 대표적으로는, 0.4㎛/s로 설정하면 좋다.More specifically, the rotation speed of the chuck table 4 is set to 100 rpm - 600 rpm, typically 300 rpm, and the rotation speed of the grinding wheel 32 is set to 1000 rpm - 7000 rpm, typically 4000 rpm, and grinding The lowering speed of the unit 24 may be set to 0.2 µm/s to 10 µm/s, typically 0.4 µm/s.

이에 의해, 지지 부재(21)의 전체를 적절하게 연삭할 수 있다. 또한, 연삭 유닛(24)에 의한 지지 부재(21)의 연삭은, 지지 부재(21)가 적절한 두께로 얇아질 때까지 계속된다. 지지 부재(21)의 전체를 연삭한 후에는, 지지 부재(21)나 피가공물(11)의 디바이스 영역(11c)에 대응하는 영역을 상술한 연삭 유닛(10)으로 연삭하면 좋다.Thereby, the whole support member 21 can be grind|ground appropriately. In addition, grinding of the support member 21 by the grinding unit 24 is continued until the support member 21 is thinned to an appropriate thickness. After grinding the entire support member 21 , a region corresponding to the device region 11c of the support member 21 or the workpiece 11 may be ground with the grinding unit 10 described above.

또한, 피가공물(11)에 지지 부재(21)를 고정하기 전에, 복수의 디바이스(15)를 디바이스 영역(11c)에 형성할 수도 있다. 이 경우에는, 복수의 디바이스(15)가 형성된 상태의 피가공물(11)이 지지 부재(21)에 고정되게 된다. 도 8은 제2 변형예에 관련된 연삭 방법에 있어서, 피가공물(11)에 지지 부재(21)가 고정되는 모습을 도시한 사시도이다.In addition, before fixing the support member 21 to the to-be-processed object 11, the some device 15 may be formed in the device area|region 11c. In this case, the workpiece 11 in which the plurality of devices 15 are formed is fixed to the support member 21 . 8 is a perspective view showing a state in which the support member 21 is fixed to the workpiece 11 in the grinding method according to the second modification.

제2 변형예에 관련된 연삭 방법에서는, 피가공물(11)에 디바이스(15)를 형성한 후에 지지 부재(21)를 고정한다. 따라서, 고온에서의 열처리가 필요한 산화막 결합 등의 방법을 이용하면, 디바이스(15)가 파손될 가능성도 높아진다. 따라서, 이 제2 변형예에 관련된 연삭 방법에서는, 분자간력에 의해 지지 부재(21)(표면(21a))를 피가공물(11)(이면(11b))에 접합하는 방법이나, 수지 등의 접착제에 의해 지지 부재(21)(표면(21a))를 피가공물(11)(이면(11b))에 접착하는 방법 등을 이용하는 것이 바람직하다.In the grinding method according to the second modification, the support member 21 is fixed after the device 15 is formed on the workpiece 11 . Therefore, if a method such as oxide film bonding that requires heat treatment at high temperature is used, the possibility that the device 15 will be damaged also increases. Accordingly, in the grinding method according to the second modification, a method of bonding the support member 21 (surface 21a) to the workpiece 11 (rear surface 11b) by intermolecular force, or an adhesive such as a resin It is preferable to use the method of adhering the support member 21 (front surface 21a) to the to-be-processed object 11 (rear surface 11b) by this.

또한, 피가공물(11)에 지지 부재(21)를 고정한 후에는, 상술한 실시형태나 제1 변형예와 동일한 순서로 피가공물(11)을 연삭하면 된다.In addition, after fixing the supporting member 21 to the to-be-processed object 11, what is necessary is just to grind the to-be-processed object 11 in the same procedure as the above-mentioned embodiment and 1st modified example.

그 밖에, 상술한 실시 형태 및 각 변형예에 관한 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한 적절히 변경하여 실시할 수 있다.In addition, the structure, method, etc. concerning the above-mentioned embodiment and each modified example can be implemented by changing suitably, unless it deviates from the scope of the objective of this invention.

11 : 피가공물 11a: 표면(제1면)
11b: 이면(제2면) 11c: 디바이스 영역
11d: 외주 잉여 영역 11e: 박판부
11f: 후판부 13: 분할 예정 라인(스트리트)
15: 디바이스 21: 지지 부재
21a: 표면(제1 면) 21b: 이면(제2 면)
23: 보강 부재 23a: 관통 구멍
31: 보호 부재 31a : 표면(제1 면)
31b: 이면(제2 면) 2: 연삭 장치
4: 척 테이블 6: 프레임
6a: 오목부 6b: 유로
8: 유지판 8a: 상면
8b: 정점 10: 연삭 유닛(제1 연삭 유닛)
12: 스핀들 14: 마운트
16: 볼트 18: 연삭 휠
20: 휠 베이스 22: 연삭 지석
24: 연삭 유닛(제2 연삭 유닛) 26: 스핀들
28: 마운트 30: 볼트
32: 연삭 휠 34: 휠 베이스
36: 연삭 지석
11: workpiece 11a: surface (first surface)
11b: back side (second side) 11c: device area
11d: periphery surplus area 11e: thin plate part
11f: Heavy plate 13: Line to be split (street)
15: device 21: support member
21a: surface (first side) 21b: back side (second side)
23: reinforcing member 23a: through hole
31: protective member 31a: surface (first surface)
31b: back side (second side) 2: grinding device
4: chuck table 6: frame
6a: recess 6b: euro
8: retaining plate 8a: upper surface
8b: vertex 10: grinding unit (first grinding unit)
12: spindle 14: mount
16: bolt 18: grinding wheel
20: wheel base 22: grinding wheel
24: grinding unit (second grinding unit) 26: spindle
28: mount 30: bolt
32: grinding wheel 34: wheel base
36: grinding wheel

Claims (4)

복수의 디바이스가 형성되거나, 또는 형성될 예정의 디바이스 영역과, 이 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 갖는 판형의 피가공물의 상기 표면과는 반대측의 이면을, 스핀들에 장착된 연삭 지석으로 연삭하는 연삭 방법에 있어서,
상기 디바이스 영역보다 큰 표면을 갖는 지지 부재의 상기 표면을 상기 피가공물의 상기 이면에 고정하는 고정 단계와,
상기 피가공물의 상기 표면에 보호 부재를 첩부하는 첩부 단계와,
상기 지지 부재가 고정된 상기 피가공물에 첩부되어 있는 상기 보호 부재를 척 테이블로 유지하는 유지 단계와,
상기 보호 부재를 통해 상기 피가공물 및 상기 지지 부재가 상기 척 테이블에 유지된 상태에서, 상기 지지 부재의 상기 디바이스 영역에 대응하는 영역을 상기 지지 부재의 상기 표면과는 반대측의 이면으로부터 연삭하여 상기 지지 부재를 상기 이면으로부터 상기 표면까지 관통시킴으로써, 환형의 보강 부재를 형성하고, 또한, 상기 피가공물의 상기 디바이스 영역에 대응하는 영역을 상기 피가공물의 상기 이면으로부터 연삭하여 상기 디바이스 영역에 대응하는 영역을 마무리 두께까지 얇게 함으로써, 상기 디바이스 영역에 대응하는 박판부와, 상기 박판부를 둘러싸며 상기 보강 부재가 고정된 후판부를 형성하는 연삭 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 연삭 방법.
A back surface of a plate-shaped workpiece having, on its surface, a device region in which a plurality of devices are to be formed or to be formed, and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, on the surface, opposite to the surface, is applied with a grinding wheel mounted on a spindle. In the grinding method of grinding,
a fixing step of fixing the surface of a support member having a surface larger than the device area to the back surface of the workpiece;
an attaching step of attaching a protective member to the surface of the to-be-processed object;
a holding step of holding the protection member attached to the workpiece to which the supporting member is fixed by a chuck table;
In a state in which the workpiece and the support member are held by the chuck table via the protective member, an area corresponding to the device area of the support member is ground from the back surface opposite to the surface of the support member to support the support By penetrating the member from the back surface to the front surface, an annular reinforcing member is formed, and a region corresponding to the device region of the workpiece is ground from the back surface of the workpiece to form a region corresponding to the device region and a grinding step of forming a thin plate portion corresponding to the device region and a thick plate portion surrounding the thin plate portion and to which the reinforcing member is fixed by reducing the thickness to a final thickness.
제1항에 있어서,
상기 연삭 단계 전에, 상기 지지 부재의 상기 이면의 전체를 연삭하여 상기 지지 부재를 얇게 하는 지지 부재 전체 연삭 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연삭 방법.
The method of claim 1,
Grinding method according to claim 1, further comprising, before the grinding step, an entire supporting member grinding step of grinding the entire back surface of the supporting member to make the supporting member thin.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 고정 단계 전에, 복수의 상기 디바이스를 상기 디바이스 영역에 형성하는 디바이스 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연삭 방법.
3. The method of claim 1 or 2,
The method of claim 1, further comprising a device forming step of forming a plurality of the devices in the device region before the fixing step.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 고정 단계는, 상기 첩부 단계 전에 실시되고,
상기 고정 단계 후, 상기 첩부 단계 전에, 복수의 상기 디바이스를 상기 디바이스 영역에 형성하는 디바이스 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연삭 방법.
3. The method of claim 1 or 2,
The fixing step is carried out before the attaching step,
The grinding method according to claim 1, further comprising a device forming step of forming a plurality of the devices in the device region after the fixing step and before the attaching step.
KR1020210108408A 2020-09-07 2021-08-18 Grinding method KR20220032479A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-149877 2020-09-07
JP2020149877A JP2022044315A (en) 2020-09-07 2020-09-07 Grinding method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220032479A true KR20220032479A (en) 2022-03-15

Family

ID=80462460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210108408A KR20220032479A (en) 2020-09-07 2021-08-18 Grinding method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022044315A (en)
KR (1) KR20220032479A (en)
CN (1) CN114147545A (en)
TW (1) TW202210226A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019461A (en) 2005-04-27 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer and wafer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019461A (en) 2005-04-27 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer and wafer

Also Published As

Publication number Publication date
TW202210226A (en) 2022-03-16
JP2022044315A (en) 2022-03-17
CN114147545A (en) 2022-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6095325B2 (en) Processing method of bumped device wafer
JP6713212B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device chip
CN107808898B (en) Wafer and wafer processing method
KR20110046265A (en) Wafer processing method
TWI546854B (en) The method of grinding
US11376707B2 (en) Grinding method
JP2018069348A (en) Fairing method of chuck table
KR20220032479A (en) Grinding method
US20230234179A1 (en) Grinding method for circular plate-shaped workpiece
US20220274224A1 (en) Grinding method for workpiece
US20230398654A1 (en) Workpiece grinding method
JP2021068744A (en) Wafer processing method
JP2013102080A (en) Support substrate of wafer and processing method of wafer
JP2023049160A (en) Workpiece grinding method
JP2017034128A (en) Processing method for work piece
JP2024022743A (en) Polishing method of workpiece
JP2023076853A (en) Method for shaping chuck table, and method for grinding workpiece
JP2024017800A (en) Processing method of workpiece
TW202405928A (en) Wafer handling methods and support tables
JP2021114520A (en) Cutting device
JPH10309657A (en) Grinding device for wafer and method for grinding wafer by using the same
JP2019081216A (en) Processing method for protective member
JP2015046537A (en) Wafer division method