KR20220031849A - 증착 장치 - Google Patents
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 108
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 41
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 60
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 90
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 54
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ni] Chemical compound [Ti].[Ni] HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- -1 copper-aluminum-nickel Chemical compound 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910017937 Ag-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017984 Ag—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007567 Zn-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007614 Zn—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- DGGHITGNJQPUKC-UHFFFAOYSA-N [Mo].[Ti].[Ni].[Cu] Chemical compound [Mo].[Ti].[Ni].[Cu] DGGHITGNJQPUKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOMIMHZRQFFCOR-UHFFFAOYSA-N [Ni].[Cu].[Zn] Chemical compound [Ni].[Cu].[Zn] KOMIMHZRQFFCOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- WJCRZORJJRCRAW-UHFFFAOYSA-N cadmium gold Chemical compound [Cd].[Au] WJCRZORJJRCRAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCOPCFQNAZTAIV-UHFFFAOYSA-N cadmium indium Chemical compound [Cd].[In] NCOPCFQNAZTAIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBACEDMBGYVZMP-UHFFFAOYSA-N iron platinum Chemical compound [Fe].[Fe].[Pt] OBACEDMBGYVZMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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Abstract
증착 장치는 하부 및 측벽을 포함하는 챔버, 챔버의 하부 및 측벽에 의해 정의된 공간에 위치하고, 제1 측면을 포함하는 지지 부재, 지지 부재와 챔버의 하부 사이에 배치되는 접지 부재 및 접지 부재의 제1 단부 아래에 위치하고, 제1 측면을 포함하는 제1 몸체 및 제1 몸체의 제1 측면에 위치하고, 지지 부재의 제1 측면과 평행한 방향으로 연장하며, 접지 부재의 제1 단부와 중첩하는 제1 차단부를 포함하는 제1 고정 부재를 포함할 수 있다. 이에 따라, 세척 가스에 의해 접지 부재의 일 부분이 부식되지 않을 수 있고, 세척 공정을 수행하더라도 접지 부재가 끊어지지 않을 수 있다. 즉, 세척 공정에 의한 증착 장치의 불량을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 증착 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 접지 부재를 포함하는 증착 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로써 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
이러한 표시 장치에 포함된 구성 요소들을 형성하는 방법들 중 플라즈마 활성 화학 기상 증착 공정을 이용하여 실리콘계 절연층, 실리콘계 반도체층 등이 형성될 수 있다. 예를 들면, 디퓨져와 서셉터 사이에 전계를 형성한 후, 증착 물질이 분배 부재에 형성된 관통 개구를 통과하여 기판에 증착 물질이 증착될 수 있다. 여기서, 전계를 형성하기 위해 디퓨저에 전압(예를 들어, RF 전압)이 인가될 수 있고, 서셉터는 접지 스트랩을 이용하여 챔버와 접지될 수 있다.
이러한 플라즈마 활성 화학 기상 증착 공정에서, 기판에 증착 물질을 증착하는 공정을 수행한 후, 챔버 내에 잔류하는 부산물(예를 들어, 실리콘)을 제거하는 세척 공정이 수행될 수 있다. 다만, 세척 공정시 세척 공정에 사용되는 가스가 접지 스트랩과 반응하여 접지 스트랩이 부식될 수 있다. 이러한 경우, 접지 스트랩이 끊어지는 문제점이 발생하고 있다.
본 발명의 목적은 접지 부재를 포함하는 증착 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치는 하부 및 측벽을 포함하는 챔버, 상기 챔버의 상기 하부 및 상기 측벽에 의해 정의된 공간에 위치하고, 제1 측면을 포함하는 지지 부재, 상기 지지 부재와 상기 챔버의 상기 하부 사이에 배치되는 접지 부재 및 상기 접지 부재의 제1 단부 아래에 위치하고, 제1 측면을 포함하는 제1 몸체 및 상기 제1 몸체의 상기 제1 측면에 위치하고, 상기 지지 부재의 상기 제1 측면과 평행한 방향으로 연장하며, 상기 접지 부재의 상기 제1 단부와 중첩하는 제1 차단부를 포함하는 제1 고정 부재를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 고정 부재의 상기 제1 몸체 및 상기 접지 부재의 상기 제1 단부를 관통하여 상기 지지 부재의 상기 제1 측면과 인접하여 위치하는 저면에 상기 제1 고정 부재의 상기 제1 몸체 및 상기 접지 부재의 상기 제1 단부를 고정시키는 제1 고정핀을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 고정 부재의 상기 제1 몸체는 상기 지지 부재의 저면과 인접하여 위치하는 상면부 및 곡면부를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 접지 부재의 상기 제1 단부는 상기 제1 고정 부재 상에서 상기 상면부와 접촉하고, 상기 지지 부재의 저면 및 상기 곡면부에 의해 정의된 공간이 외부로 노출되지 않도록 상기 차단부가 차폐할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 측면을 포함하며 상기 접지 부재의 상기 제1 단부와 반대되는 제2 단부 상에 위치하는 제2 몸체를 포함하고, 상기 챔버의 상기 하부와 인접하여 위치하는 제2 고정 부재를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 고정 부재의 상기 제2 몸체 및 상기 접지 부재의 상기 제2 단부를 관통하여 상기 챔버의 상기 하부에 상기 제2 고정 부재의 상기 제2 몸체 및 상기 접지 부재의 상기 제2 단부를 고정시키는 제2 고정핀을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 고정 부재의 상기 제2 몸체는 상기 챔버의 상기 하부와 인접하여 위치하는 저면부 및 곡면부를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 고정 부재 아래에 상기 제2 고정 부재가 위치하고, 상기 제1 고정 부재의 상기 제1 몸체와 상기 제2 고정 부재의 상기 제2 몸체는 상기 지지 부재의 상면과 평행한 방향으로 대칭적으로 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 고정 부재의 상기 곡면부 및 상기 제2 고정 부재의 상기 곡면부에 의해 상기 접지 부재는 상기 지지 부재와 상기 챔버의 상기 하부 사이에서 곡선 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 챔버의 상기 하부를 관통하여 상기 지지 부재의 저면과 접촉하는 리프팅 부재를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 리프팅 부재가 상기 챔버의 상기 하부로부터 상기 지지 부재로의 방향 또는 상기 지지 부재부터 상기 챔버의 상기 하부로의 방향으로 이동하는 경우, 상기 접지 부재의 형상이 변경될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 고정 부재는 상기 제2 몸체의 상기 제1 측면에 위치하고, 상기 지지 부재의 상기 제1 측면과 평행한 상기 방향으로 연장하며, 상기 접지 부재의 상기 제2 단부와 중첩하는 제2 차단부를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 접지 부재의 상기 제2 단부는 상기 제2 고정 부재와 접촉하고, 상기 챔버의 상기 하부 및 상기 곡면부 사이의 공간이 외부로 노출되지 않도록 상기 제2 차단부가 차폐할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 접지 부재는 상기 지지 부재와 상기 챔버를 통전시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 챔버는 상기 하부에 형성된 관통 개구를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부에 형성된 상기 관통 개구와 연결되는 흡입 부재를 더 포함하고, 상기 흡입 부재는 챔버 내부에 위치하는 물질을 흡입할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 챔버 상에 배치되고, 관통 개구를 포함하는 커버 부재, 상기 커버 부재의 상기 관통 개구와 연결되는 저장 부재 및 상기 관통 개구 아래에 배치되고, 복수의 개구들을 포함하는 분배 부재를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 커버 부재와 상기 분배 부재는 통전될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 커버 부재는 상기 챔버와 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 저장 부재에 저장된 증착 물질이 상기 분배 부재의 상기 관통 개구들을 통과하여 상기 지지 부재 상에 위치하는 기판에 증착될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치는 제1 고정 부재가 제1 차단부 및 제1 몸체를 포함할 수 있다. 챔버의 하부에 관통 개구를 통해 흡입 부재가 세척 가스를 흡입함에 따라 분배 부재와 지지 부재 사이에 위치하는 상기 세척 가스가 지지 부재의 상면을 지나 지지 부재의 측벽을 따라 지지 부재로부터 챔버의 하부로의 방향으로 이동할 수 있다. 이러한 경우, 제1 고정 부재의 제1 차단부가 상대적으로 강성이 약해진 접지 부재의 상기 일 부분을 차폐함으로써 상기 세척 가스가 접지 부재의 상기 일 부분과 접촉하지 않고, 상기 세척 가스가 제1 고정 부재의 제1 차단부의 외곽면을 지나서 관통 개구를 통해 흡입 부재로 흡입될 수 있다. 이에 따라, 상기 세척 가스에 의해 접지 부재의 상기 일 부분이 부식되지 않을 수 있고, 상기 세척 공정을 수행하더라도 접지 부재가 끊어지지 않을 수 있다. 즉, 상기 세척 공정에 의한 증착 장치의 불량을 방지할 수 있다.
또한, 증착 장치는 지지 부재의 측면에서 일체로 형성된 제1 차단부를 포함함으로써, 접지 부재의 일 부분으로부터 세척 가스를 완전히 차폐할 수도 있다.
더욱이, 증착 장치는 제1 고정 부재가 제1 차단부 및 제1 몸체를 포함할 수 있고, 제2 고정 부재가 제2 차단부 및 제2 몸체를 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 세척 가스에 의해 접지 부재의 제1 단부 및 제2 단부 모두 부식되지 않을 수도 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 증착 장치의 다른 단면을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 증착 장치에 포함된 제1 및 제2 고정 부재들 및 접지 부재를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 도 1의 'A' 영역을 나타내는 단면도이다.
도 5A 및 5B는 도 4에 도시된 제1 및 제2 고정 부재들을 설명하기 위한 사시도들이다.
도 6은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6의 'B' 영역을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 8의 'C' 영역을 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 10의 'D' 영역을 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 증착 장치의 다른 단면을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 증착 장치에 포함된 제1 및 제2 고정 부재들 및 접지 부재를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 도 1의 'A' 영역을 나타내는 단면도이다.
도 5A 및 5B는 도 4에 도시된 제1 및 제2 고정 부재들을 설명하기 위한 사시도들이다.
도 6은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6의 'B' 영역을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 8의 'C' 영역을 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 10의 'D' 영역을 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치들에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 증착 장치의 다른 단면을 나타내는 단면도이다. 도 3은 도 1의 증착 장치에 포함된 제1 및 제2 고정 부재들 및 접지 부재를 설명하기 위한 사시도이다.
도 1, 2 및 3을 참조하면, 증착 장치(100)는 챔버(210), 지지 부재(250), 제1 고정 부재(300), 제2 고정 부재(400), 제1 고정핀(371), 제2 고정핀(372), 접지 부재(350), 제1 오링(551), 제2 오링(552), 절연 부재(560), 흡입 부재(570), 커버 부재(510), 저장 부재(290), 분배 부재(530), 리프팅 부재(590) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 챔버(210)는 하부(211) 및 측벽(212)을 포함할 수 있고, 하부(211)에 형성된 관통 개구(215)를 포함할 수 있다. 또한, 커버 부재(510)는 관통 개구(505)를 포함할 수 있고, 분배 부재(530)는 복수의 개구들(535)을 포함할 수 있다. 더욱이, 지지 부재(250)는 제1 내지 제4 측면들(250a, 250b, 250c, 250d)을 포함할 수 있고, 도 1에 도시된 지지 부재(250)는 제1 측면(250a)이 도시되어 있다.
증착 장치(100)는 플라즈마 활성 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition PECVD) 장치를 포함할 수 있다. 상기 PECVD 공정을 이용하여 표시 장치에 포함된 구성 요소들 중 실리콘계 절연층, 실리콘계 반도체층 등을 형성할 수 있다.
예를 들면, 저장 부재(290)에는 N2O 및 SiH4로 구성된 증착 가스(예를 들어, 증착 물질)가 저장될 수 있다. 커버 부재(510)에 전압(V)(예를 들어, RF 전압)이 인가될 수 있다. 여기서, 커버 부재(510)와 분배 부재(530)는 도통될 수 있고, 커버 부재(510)에 인가된 전압(V)이 분배 부재(530)에도 인가될 수 있다. 또한, 챔버(210)는 접지(ground)된 상태일 수 있다. 지지 부재(250)는 제1 고정 부재(300), 제2 고정 부재(400) 및 접지 부재(350)를 통해 챔버(210)와 도통될 수 있고, 지지 부재(250)도 접지된 상태일 수 있다. 여기서, 커버 부재(510)와 챔버(210) 사이에는 절연 부재(560)가 개재될 수 있고, 절연 부재(560)에 의해 커버 부재(510)와 챔버(210)는 접촉하지 않을 수 있다. 즉, 커버 부재(510)와 챔버(210)는 전기적으로 연결되지 않을 수 있고, 분배 부재(530)와 지지 부재(250) 사이에 전계가 형성될 수 있다. 분배 부재(530)와 지지 부재(250) 사이에 전계가 형성된 후, 저장 부재(290)에 저장된 상기 증착 가스가 분배 부재(530)의 개구들(535)을 통과하여 지지 부재(250) 상에 배치된 기판(270)에 상기 증착 가스가 증착되어 실리콘계 절연층, 실리콘계 반도체층 등이 형성될 수 있다. 선택적으로, 상기 PECVD 공정이 진행되는 동안 챔버(210) 내부가 가열될 수도 있다.
다만, 증착 장치(100)가 저장 부재(290)를 포함하는 구성으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 증착 장치(100)는 저장 부재(290)를 포함하지 않을 수도 있고, 증착 장치(100)는 저장 부재(290)와 관통 개구(505)를 연결시키는 가스 공급 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 가스 공급 라인을 통해 N2O 및 SiH4로 구성된 증착 가스가 증착 장치(100)에 제공될 수 있다.
기판(270)에 상기 증착 물질을 증착하는 공정을 수행한 후, 지지 부재(250) 상에 배치된 기판(270)이 챔버(210)의 외부로 이동될 수 있다. 챔버(210)의 외부로 기판(270)이 이동된 후, 상기 PECVD 공정에서 챔버(210) 내에 잔류하는 부산물(예를 들어, 실리콘)을 제거하는 세척 공정이 수행될 수 있다. 상기 부산물이 잔류하는 상태에서 상기 PECVD 공정이 계속될 경우, 상기 부산물 때문에 증착 불량이 발생될 수도 있다. 따라서, 상기 PECVD 공정 후(또는 상기 PECVD 공정이 적어도 2회 수행된 후, 공정상의 특별한 사유 발생시 등), 상기 세척 공정이 수행되어야만 한다. 예를 들면, 저장 부재(290)에는 NF3(또는 CF)로 구성된 세척 가스(예를 들어, 증착 물질을 제거하는 물질)가 저장될 수 있다. 저장 부재(290)에 저장된 상기 세척 가스가 분배 부재(530)의 개구들(535)을 통과하여 챔버(210)의 내부에서 확산될 수 있다. 즉, 상기 세척 가스가 챔버(210), 지지 부재(250), 제1 고정 부재(300), 제2 고정 부재(400), 접지 부재(350), 분배 부재(530) 등에 남아있는 상기 부산물을 제거할 수 있다. 예를 들면, 상기 세척 가스의 F와 Si이 반응하여 SiF4가 생성된다. 또한, 흡입 부재(570)는 관통 개구(215)를 통해 챔버(210)의 내부에 위치하는 상기 세척 가스를 흡입할 수 있다. 여기서, 챔버(210), 제1 고정 부재(300), 제2 고정 부재(400), 접지 부재(350) 등은 베어 알루미늄(bare aluminium)으로 형성될 수 있고, 베어 알루미늄은 플루오르 계열의 상기 세척 가스에 매우 취약하여 부식되거나 파티클의 발생을 야기시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 세척 가스의 F와 Al이 반응하여 AlxFy가 생성된다.
선택적으로, 상기 세척 공정이 수행되는 동안 커버 부재(510)에 전압(V)이 인가되어 커버 부재(510)에 인가된 전압(V)이 분배 부재(530)에도 인가될 수 있다. 또한, 챔버(210)는 접지된 상태일 수 있고, 지지 부재(250)도 접지된 상태일 수 있다.
즉, 종래의 증착 장치를 이용하여 상기 세척 공정시 상기 세척 공정에 사용되는 상기 세척 가스가 접지 부재(350)와 반응하여 접지 부재(350)가 부식될 수 있다. 예를 들면, 지지 부재(250)는 리프팅 부재(590)에 의해 챔버(210)로부터 커버 부재(510)로의 방향 또는 커버 부재(510)로부터 챔버(210)로의 방향으로 이동할 수 있다. 이러한 경우, 접지 부재(350)의 형상이 변경될 수 있고, 접지 부재(350)의 형상이 변경됨에 따라 종래의 고정 부재(예를 들어, 제1 차단부(310)가 없는 제1 몸체(320)만을 포함하는 고정 부재)와 인접하여 위치하는 접지 부재(350)의 일 부분에 스트레스가 집중되어 상기 일 부분의 강성이 상대적으로 약해질 수 있다. 또한, 상대적으로 강성이 약해진 상기 일 부분이 상기 세척 공정에 사용되는 상기 세척 가스와 반응하여 부식되는 경우, 접지 부재(350)가 끊어지는 문제점이 발생하고 있다.
전술한 바와 같이, 증착 장치(100)가 저장 부재(290)를 포함하는 구성으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 증착 장치(100)는 저장 부재(290)를 포함하지 않을 수도 있고, 증착 장치(100)는 저장 부재(290)와 관통 개구(505)를 연결시키는 가스 공급 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 가스 공급 라인을 통해 NF3(또는 CF)로 구성된 세척 가스가 증착 장치(100)에 제공될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치(100)는 제1 고정 부재(300)가 제1 차단부(310) 및 제1 몸체(320)를 포함할 수 있다. 챔버(210)의 하부(211)에 관통 개구(215)를 통해 흡입 부재(570)가 상기 세척 가스를 흡입함에 따라 분배 부재(530)와 지지 부재(250) 사이에 위치하는 상기 세척 가스가 지지 부재(250)의 상면을 지나 지지 부재(250)의 측벽(예를 들어, 제1 측벽)을 따라 지지 부재(250)로부터 챔버(210)의 하부(211)로의 방향으로 이동할 수 있다. 이러한 경우, 제1 고정 부재(300)의 제1 차단부(310)가 상대적으로 강성이 약해진 접지 부재(350)의 상기 일 부분을 차폐함으로써 상기 세척 가스가 접지 부재(350)의 상기 일 부분과 접촉하지 않고, 상기 세척 가스가 제1 고정 부재(300)의 제1 차단부(310)의 외곽면을 지나서 관통 개구(215)를 통해 흡입 부재(570)로 흡입될 수 있다. 이에 따라, 상기 세척 가스에 의해 접지 부재(350)의 상기 일 부분이 부식되지 않을 수 있고, 상기 세척 공정을 수행하더라도 접지 부재(350)가 끊어지지 않을 수 있다. 즉, 상기 세척 공정에 의한 증착 장치(100)의 불량을 방지할 수 있다.
도 1 내지 3을 다시 참조하면, 챔버(210)는 하부(211) 및 측벽(212)에 의해 정의된 공간을 포함할 수 있다. 상기 공간에 지지 부재(250), 제1 고정 부재(300), 제2 고정 부재(400), 접지 부재(350), 기판(270) 등이 위치할 수 있다. 챔버(210)는 접지된 상태일 수 있다. 챔버(210)는 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 챔버(210)는 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 니켈-티타늄(Ni-Ti), 니켈-알루미늄(Ni-Al), 구리-아연-니켈(Cu-Zn-Ni), 구리-알루미늄-니켈(Cu-Al-Ni), 구리-알루미늄-망간(Cu-Al-Mn), 티타늄-니켈-구리-몰리브덴(Ti-Ni-Cu-Mo), 코발트-니켈-갈륨:철(Co-Ni-Ga:Fe), 은-니켈(Ag-Ni), 금-카드뮴(Au-Cd), 철-백금(Fe-Pt), 철-니켈(Fe-Ni), 인듐-카드뮴(In-Cd) 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 챔버(210)는 서스(steel use stainless SUS)를 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 챔버(210)는 알루미늄(예를 들어, 베어(bare) 알루미늄)으로 구성될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 증착 장치(100)는 챔버(210) 상에 배치되며 커버 부재(510)를 둘러싸는 챔버 커버를 더 포함할 수도 있다. 상기 챔버 커버는 커버 부재(510)와 전기적으로 연결되지 않을 수 있고, 챔버(210)와 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 챔버 커버는 접지될 수 있다. 상기 챔버 커버는 커버 부재(510)를 보호할 수 있다. 상기 챔버 커버는 챔버(210)에 포함된 동일한 물질을 포함할 수 있다.
기판(270)은 석영(quartz) 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(270)은 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 기판(270)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이러한 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 베리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등을 포함할 수 있고, 폴리이미드 기판 아래에 상기 폴리이미드 기판을 지지하는 경질의 유리 기판이 위치할 수 있다.
지지 부재(250)는 챔버(210)의 상기 공간에 위치할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제4 측면들(250a, 250b, 250c, 250d)과 제1 고정 부재(300)의 제1 차단부들(310) 각각의 일부는 중첩할 수 있다. 예를 들면, 제1 측면(250a) 및 제4 측면(250d) 각각 상에서 제1 방향(D1)(또는 제1 방향(D1)에 반대되는 제5 방향(D5))을 따라 제1 차단부들(310)이 배열될 수 있고, 제2 측면(250b) 및 제3 측면(250c) 각각 상에서 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)(또는 제2 방향(D2)과 반대되는 제6 방향(D6))으로 제1 차단부들(310)이 배열될 수 있다. 즉, 제1 측면(250a)과 제4 측면(250d)은 서로 마주볼 수 있고, 제2 측면(250b)과 제3 측면(250c)은 서로 마주볼 수 있다. 지지 부재(250)는 기판(270)을 지지하도록 플레이트 형상을 가질 수 있다. 지지 부재(250)는 접지된 상태일 수 있다. 예를 들면, 지지 부재(250)는 제1 고정 부재(300), 접지 부재(350) 및 제2 고정 부재(400)를 통해 챔버(210)와 통전될 수 있다. 지지 부재(250)는 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 지지 부재(250)는 SUS를 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 지지 부재(250)는 Al(예를 들어, 애노다이징(anodizing) Al)으로 구성될 수 있다. 다만, 지지 부재(250) 중 접지 부재(350)와 접촉하는 부분은 애노다이징 처리되지 않고, bare Al 상태일 수 있다.
챔버(210) 상에 커버 부재(510)가 배치될 수 있다. 커버 부재(510)는 관통 개구(505)를 포함할 수 있다. 관통 개구(505)를 통해 저장 부재(290)가 연결될 수 있다. 증착 공정이 진행되는 동안 커버 부재(510)에는 전압(V)이 인가될 수 있다. 커버 부재(510)는 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 커버 부재(510)는 SUS를 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 커버 부재(510)는 Al(예를 들어, bare Al)으로 구성될 수 있다.
저장 부재(290)가 관통 개구(505)를 통해 커버 부재(510)와 연결되도록 저장 부재(290)가 커버 부재(510) 상에 배치될 수 있다. 저장 부재(290)에는 가스가 저장될 수 있다. 예를 들면, 증착 장치(100)가 PECVD 공정을 수행하는 경우, 저장 부재(290)에는 N2O 및 SiH4로 구성된 증착 가스가 채워질 수 있고, 증착 장치(100)가 세척 공정을 수행하는 경우, 저장 부재(290)에는 NF3로 구성된 세척 가스가 채워질 수 있다. 상기 증착 가스 및 상기 세척 가스는 커버 부재(510)의 관통 개구(505)를 통해 분배 부재(530)의 내부로 이동할 수 있다. 저장 부재(290)는 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 저장 부재(290)는 SUS를 포함할 수도 있다.
분배 부재(530)는 커버 부재(510)의 관통 개구(505) 아래에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 분배 부재(530)는 지지 부재(250)로부터 제1 및 제2 방향들(D1, D2)과 수직하는 제3 방향(D3)으로 이격하여 위치할 수 있다. 분배 부재(530)는 복수의 개구들(535)을 포함할 수 있다. 저장 부재(290)에 저장된 상기 증착 가스 또는 상기 세척 가스가 커버 부재(510)의 관통 개구(505)를 통해 분배 부재(530)의 내부로 이동한 후, 분배 부재(530)의 개구들(535)을 통해 분배 부재(530)와 기판(270) 사이 공간으로 이동할 수 있다. 또한, 분배 부재(530)의 상면이 커버 부재(510)의 저면과 직접적으로 접촉할 수 있고, 분배 부재(530)와 커버 부재(510)는 통전될 수 있다. 즉, 커버 부재(510)에 인가된 전압(V)이 분배 부재(530)에도 인가될 수 있다. 분배 부재(530)는 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 분배 부재(530)는 SUS를 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 분배 부재(530)는 Al(예를 들어, bare Al)으로 구성될 수 있다.
챔버(210)의 측벽(212)과 커버 부재(510) 사이에 제1 오링(551), 절연 부재(560) 및 제2 오링(552)이 배치될 수 있다. 제1 오링(551) 및 제2 오링(552) 각각은 커버 부재(510)와 챔버(210)가 밀봉되는 것을 도울 수 있고, 챔버(210)의 상기 공간에 위치하는 가스가 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 제1 오링(551)은 측벽(212)과 절연 부재(560) 사이에 위치할 수 있고, 제2 오링(552)은 커버 부재(510)와 절연 부재(560) 사이에 위치할 수 있다. 절연 부재(560)는 제1 오링(551)과 제2 오링(552) 사이에 위치할 수 있다. 절연 부재(560)는 커버 부재(510)와 챔버(210)가 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 챔버(210)는 접지된 상태이고, 커버 부재(510)에는 전압(V)이 인가되기 때문에 챔버(210)와 커버 부재(510)가 전기적으로 연결되지 않도록 챔버(210)와 커버 부재(510) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들면, 챔버(210)와 커버 부재(510)를 밀봉하기 위해 커버 부재(510)의 상면을 제3 방향(D3)과 반대되는 제4 방향(D4)으로 가압할 수 있다. 이러한 경우, 챔버(210)의 측벽(212)과 커버 부재(510) 사이에 절연 부재(560)가 개재됨으로써 커버 부재(510)의 상면이 제4 방향(D4)으로 가압되더라도 챔버(210)의 측벽(212)과 커버 부재(510)가 접촉하지 않을 수 있다. 제1 오링(551), 절연 부재(560) 및 제2 오링(552) 각각은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 오링(551), 절연 부재(560) 및 제2 오링(552) 각각은 테프론(tefron)으로 구성될 수 있다.
흡입 부재(570)가 챔버(210)의 하부(211)에 형성된 관통 개구(215)와 연결되도록 흡입 부재(570)는 챔버(210)의 하부(211) 아래에 배치될 수 있다. 흡입 부재(570)는 PECVD 공정에서 챔버(210)의 상기 공간을 진공 상태로 유지하기 위해 상기 공간에 위치하는 공기를 흡입할 수 있다. 또한, 흡입 부재(570)는 세척 공정에서 챔버(210)의 상기 공간에 위치하는 세척 가스를 흡입할 수 있다. 흡입 부재(570)가 하부(211)에 형성된 관통 개구(215)와 연결됨으로써, 상기 공간에 위치하는 상기 세척 가스는 제4 방향(D4)으로 이동하여 흡입 부재(570)에 흡입될 수 있다. 흡입 부재(570)는 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 흡입 부재(570)는 SUS를 포함할 수도 있다.
리프팅 부재(590)는 챔버(210)의 하부(211)를 관통하여 지지 부재(250)의 저면과 접촉할 수 있다. 리프팅 부재(590)는 제3 방향(D3) 또는 제4 방향(D4)으로 움직일 수 있다. 예를 들면, 도 1, 2 및 3에 도시된 바와 같이, 리프팅 부재(590)가 제3 방향(D3)(예를 들어, 챔버(210)의 하부(211)로부터 지지 부재(250)로의 방향)으로 이동된 경우, 기판(270)과 분배 부재(530) 사이의 거리가 상대적으로 가까워질 수 있고, 접지 부재(350)는 완만한 곡선 형상을 가질 수 있다. 이와는 달리, 리프팅 부재(590)가 제4 방향(D4)(예를 들어, 지지 부재(250)로부터 챔버(210)의 하부(211)로의 방향)으로 이동된 경우, 기판(270)과 분배 부재(530) 사이의 거리가 상대적으로 멀어질 수 있고, 접지 부재(350)는 가파른 곡선 형상 또는 'S'자 형상 등을 가질 수 있다. 다시 말하면, 리프팅 부재(590)가 제3 방향(D3) 또는 제4 방향(D4)으로 이동한 경우, 접지 부재(350)의 형상이 변경될 수 있다. 선택적으로, 리프팅 부재(590)는 접지된 상태일 수 있다. 이러한 경우, 지지 부재(250)는 리프팅 부재(590)와 통전될 수 있고, 지지 부재(250)의 저면에서 리프팅 부재(590)와 접촉하는 부분은 애노다이징 처리되지 않고, bare Al 상태일 수 있다. 리프팅 부재(590)는 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 리프팅 부재(590)는 SUS를 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 리프팅 부재(590)는 Al(예를 들어, bare Al)으로 구성될 수 있다.
도 4는 도 1의 'A' 영역을 나타내는 단면도이다. 도 5A 및 5B는 도 4에 도시된 제1 및 제2 고정 부재들을 설명하기 위한 사시도들이다. 예를 들면, 도 4는 도 3의 챔버(210)의 내부로부터 외부로 향하는 방향(예를 들어, 제2 방향(D2))으로 볼 때, 제1 측면(250a)에 배치된 하나의 제1 고정 부재(300), 제1 고정 부재(300)와 연결된 접지 부재(350) 및 접지 부재(350)와 연결된 제2 고정 부재(400)를 설명하기 위한 단면도에 해당된다.
도 1, 4, 5A 및 5B를 참조하면, 제1 고정 부재(300)는 제1 차단부(310) 및 제1 몸체(320)를 포함할 수 있고, 제2 고정 부재(400)는 제2 몸체(420)를 포함할 수 있다. 여기서, 도 5A에 도시된 바와 같이, 제1 몸체(320)는 상면부(320a), 곡면부(320b), 제1 측면(320c) 및 제1 측면(320c)과 마주보는 제2 측면(320d)을 포함할 수 있다. 또한, 5B에 도시된 바와 같이, 제2 몸체(420)는 저면부(420a), 곡면부(420b), 제1 측면(420c) 및 제1 측면(420c)과 마주보는 제2 측면(420d)을 포함할 수 있다.
접지 부재(350)가 지지 부재(250)와 챔버(210)의 하부(211) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들면, 접지 부재(350)의 제1 단부는 지지 부재(250)의 저면과 제1 몸체(320)의 상면부(320a) 및 곡면부(320b) 사이에 위치할 수 있고, 접지 부재(350)의 상기 제1 단부와 반대되는 제2 단부는 챔버(210)의 하부(211)와 제2 몸체(420)의 저면부(420a) 및 곡면부(420b) 사이에 위치할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 단부는 상면부(320a)와 접촉할 수 있고, 상기 제2 단부는 저면부(420a)와 접촉할 수 있다. 즉, 접지 부재(350)는 지지 부재(250)가 접지되도록 상기 제1 및 제2 단부들을 지지 부재(250)와 챔버(210)에 각기 접촉시킬 수 있다. 이에 따라, 접지 부재(350)는 지지 부재(250)와 챔버(210)를 통전시킬 수 있다.
선택적으로, 리프팅 부재(590)가 제4 방향(D4)으로 움직이는 경우, 도 4의 접지 부재(350)의 상기 제1 단부와 상면부(320a)의 접촉 면적은 상대적으로 작아질 수 있다.
전술한 바와 같이, 리프팅 부재(590)가 제3 방향(D3) 또는 제4 방향(D4)으로 이동함에 따라 제1 고정 부재(300)와 인접하여 위치하는 접지 부재(350)의 일 부분(350a)에 스트레스가 집중되어 일 부분(350a)의 강성이 상대적으로 약해질 수 있다. 예를 들면, 접지 부재(350)의 일 부분(350a)은 제1 고정 부재(300)의 곡면부(320b)와 중첩하여 위치하는 부분일 수 있고, 일 부분(350a)을 제1 차단부(310)가 차폐할 수 있다. 다시 말하면, 접지 부재(350)의 일 부분(350a)이 접지 부재(350)의 상기 제1 단부에 대응될 수 있다.
종래의 증착 장치에 있어서, 세척 공정에 사용되는 세척 가스가 제4 방향(D4)으로 이동할 수 있다. 상기 종래의 증착 장치의 제1 고정 부재는 제1 차단부(310)를 포함하지 않기 때문에 곡면부(320b)와 인접하여 위치하는 지지 부재(250)의 저면 및 곡면부(320b)에 의해 정의된 공간이 노출될 수 있고, 상기 세척 가스가 상기 공간으로 침투할 수 있다. 상기 세척 가스는 접지 부재(350)를 부식시킬 수 있고, 특히 상대적으로 강성이 약해진 접지 부재(350)의 일 부분(350a)을 부식시키는 경우, 상기 세척 가스에 의해 접지 부재(350)의 일 부분(350a)이 끊어질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 몸체(320)의 제1 측면(320c)에 제1 차단부(310)가 형성될 수 있고, 제1 차단부(310)가 지지 부재(250)의 저면 및 곡면부(320b)에 의해 정의된 상기 공간이 외부로 노출되지 않도록 제1 차단부(310)가 차폐할 수 있다. 이에 따라, 상기 세척 가스가 상기 공간으로 침투할 수 없고, 상기 세척 가스는 접지 부재(350)의 일 부분(350a)을 부식시킬 수 없다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 부재(350)는 지지 부재(250)의 측면의 평면 방향과 동일한 방향으로 벤딩된 형상을 가질 수 있다. 다시 말하면, 접지 부재(350)는 지지 부재(250)의 상기 측면으로 돌출되는 방향으로 돌출되는 벤딩된 형상을 가지지 않는다. 예를 들면, 접지 부재들(350) 각각은 내측면 및 외측면을 가질 수 있고, 상기 내측면이 제1 고정 부재(300)의 상면부(320a)(또는 제2 고정 부재(400)의 저면부(420a))와 접촉하고, 상기 외측면이 지지 부재(250)의 저면(또는 210의 하부(211))과 접촉하는 것으로 정의한다. 지지 부재(250)의 제1 측면(250a)과 인접하여 위치하는 접지 부재들(350) 각각의 벤딩된 형상은 외측면이 제1 방향(D1)을 향할 수 있고, 지지 부재(250)의 제2 측면(250b)과 인접하여 위치하는 접지 부재들(350) 각각의 벤딩된 형상은 외측면이 제6 방향(D6)을 향할 수 있으며, 지지 부재(250)의 제3 측면(250c)과 인접하여 위치하는 접지 부재들(350) 각각의 벤딩된 형상은 외측면이 제2 방향(D2)을 향할 수 있고, 지지 부재(250)의 제4 측면(250d)과 인접하여 위치하는 접지 부재들(350) 각각의 벤딩된 형상은 외측면이 제5 방향(D5)을 향할 수 있다. 즉, 제1 고정 부재(300)의 제1 차단부(310)에 의해 일 부분(350a)이 차폐되도록 상기와 같이 접지 부재들(350) 각각의 벤딩된 형상이 결정될 수 있다. 선택적으로, 제1 측면(250a)과 인접하여 위치하는 접지 부재들(350) 각각의 벤딩된 형상은 외측면이 제5 방향(D5)을 향할 수도 있고, 제2 측면(250b)과 인접하여 위치하는 접지 부재들(350) 각각의 벤딩된 형상은 외측면이 제2 방향(D2)을 향할 수도 있으며, 제3 측면(250c)과 인접하여 위치하는 접지 부재들(350) 각각의 벤딩된 형상은 외측면이 제6 방향(D6)을 향할 수도 있고, 제4 측면(250d)과 인접하여 위치하는 접지 부재들(350) 각각의 벤딩된 형상은 외측면이 제1 방향(D1)을 향할 수도 있다.
접지 부재(350)는 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 접지 부재(350)는 SUS를 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 접지 부재(350)는 Al(예를 들어, bare Al 또는 다중 접착 Al)으로 구성될 수 있다.
접지 부재(350)의 상기 제1 단부 아래에 제1 고정 부재(300)가 배치될 수 있고, 지지 부재(250)의 측면(예를 들어, 제1 내지 제4 측면들(250a, 250b, 250c, 250d))의 적어도 일부와 중첩할 수 있다. 예를 들면, 제1 몸체(320)가 상기 제1 단부 아래에 위치할 수 있고, 제1 몸체(320)의 제1 측면(320c)에 위치하는 제1 차단부(310)가 지지 부재(250)의 상기 측면의 적어도 일부와 접촉할 수 있다. 여기서, 제1 차단부(310)는 지지 부재(250)의 상기 측면과 평행한 방향으로 연장할 수 있고, 접지 부재(350)의 상기 제1 단부(예를 들어, 일 부분(350a))와 중첩할 수 있다.
또한, 제1 몸체(320)의 상면부(320a)는 지지 부재(250)의 저면과 인접하여 위치할 수 있고, 상면부(320a)로부터 제1 차단부(310)가 돌출되는 방향으로 곡면부(320b)가 위치할 수 있다. 더욱이, 접지 부재(350)의 스트레스를 줄이기 위해 제1 몸체(320)에는 곡면부(320b)가 형성될 수 있고, 제1 몸체(320)에는 접지 부재(350)를 지지 부재(250)에 제1 고정핀(371)을 통해 고정시키기 위해 제1 관통 개구(305)가 형성될 수 있다.
제1 고정 부재(300)는 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제1 고정 부재(300)는 SUS를 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 고정 부재(300)는 Al(예를 들어, bare Al)으로 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 차단부(310)와 제1 몸체(320)는 일체로 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 차단부(310)는 고정핀 등을 통해 제1 몸체(320)에 고정될 수도 있다.
제1 고정 부재(300)의 제1 몸체(320) 및 접지 부재(350)의 상기 제1 단부를 관통하여 지지 부재(250)의 측면(예를 들어, 제1 내지 제4 측면들(250a, 250b, 250c, 250d))과 인접하여 위치하는 저면에 제1 고정 부재(300)의 제1 몸체(320) 및 접지 부재(350)의 상기 제1 단부를 고정시키는 제1 고정핀(371)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제1 고정핀(371)이 제1 고정 부재(300)의 제1 관통 개구(305) 및 접지 부재(350)를 관통하여 지지 부재(250)에 함침될 수 있다. 여기서, 접지 부재(350)의 상기 제1 단부에는 제1 관통 개구(305)와 중첩하여 위치하는 관통 개구 또는 홈이 형성될 수 있고, 제1 고정핀(371)이 상기 관통 개구 또는 상기 홈을 관통할 수 있다. 제1 고정핀(371)은 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제1 고정핀(371)은 SUS를 포함할 수도 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 고정핀(371)이 지지 부재(250)의 상면 중에서 제1 관통 개구(305)와 중첩되는 부분을 관통하여 제1 몸체(320)로 연장될 수도 있다. 다시 말하면, 제1 고정핀(371)이 지지 부재(250)를 관통하여 제1 고정 부재(300)의 제1 몸체(320)에 함침될 수 있다. 또한, 제1 고정핀(371)이 지지 부재(250) 및 제1 몸체(320)에 함침될 경우, 지지 부재(250) 및 제1 몸체(320)에는 나사선이 형성될 수도 있다.
접지 부재(350)의 상기 제1 단부와 반대되는 제2 단부 상에 제2 고정 부재(400)가 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 몸체(420)가 상기 제2 단부 상에 위치할 수 있다. 또한, 제2 몸체(420)의 저면부(420a)는 챔버(210)의 하부(211)와 인접하여 위치할 수 있고, 제1 차단부(310)가 돌출되는 상기 방향으로 곡면부(420b)가 위치할 수 있다. 더욱이, 접지 부재(350)의 스트레스를 줄이기 위해 제2 몸체(420)에는 곡면부(420b)가 형성될 수 있고, 제2 몸체(420)에는 접지 부재(350)를 챔버(210)의 하부(211)에 제2 고정핀(372)을 통해 고정시키기 위해 제2 관통 개구(405)가 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 고정 부재(300) 아래에 제2 고정 부재(400)가 위치할 수 있고, 제1 고정 부재(300)의 제1 몸체(320)와 제2 고정 부재(400)의 제2 몸체(420)는 지지 부재(250)의 상면에 평행한 방향으로 대칭적으로 배치될 수 있다. 또한, 제1 고정 부재(300)의 곡면부(320b) 및 제2 고정 부재(400)의 곡면부(420b)에 의해 접지 부재(350)는 지지 부재(250)와 챔버(210)의 하부(211) 사이에서 곡선 형상(예를 들어 벤딩된 형상)을 가질 수 있다. 제2 고정 부재(400)는 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제2 고정 부재(400)는 SUS를 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 고정 부재(400)는 Al(예를 들어, bare Al)으로 구성될 수 있다.
제2 고정 부재(400)의 제2 몸체(420) 및 접지 부재(350)의 상기 제2 단부를 관통하여 챔버(210)의 하부(211)에 제2 고정 부재(400)의 제2 몸체(420) 및 접지 부재(350)의 상기 제2 단부를 고정시키는 제2 고정핀(372)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제2 고정핀(372)이 제2 고정 부재(400)의 제2 관통 개구(405) 및 접지 부재(350)를 관통하여 챔버(210)의 하부(211)에 함침될 수 있다. 여기서, 접지 부재(350)의 상기 제2 단부에는 제2 관통 개구(405)와 중첩하여 위치하는 관통 개구 또는 홈이 형성될 수 있고, 제2 고정핀(372)이 상기 관통 개구 또는 상기 홈을 관통할 수 있다. 제2 고정핀(372)은 금속, 합금 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제2 고정핀(372)은 SUS를 포함할 수도 있다.
다만, 본 발명의 접지 부재(350)의 제1 단부가 지지 부재(250)에 직접적으로 접촉(또는 제2 단부가 챔버(210)의 하부(211)에 직접적으로 접촉)하는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 접지 부재(350)의 상기 제1 단부와 지지 부재(250) 사이(또는 제2 단부와 챔버(210)의 하부(211) 사이)에 bare Al을 포함하는 스트랩바가 개재될 수도 있다.
이에 따라, 도 1 내지 5B에 도시된 증착 장치(100)가 제공될 수 있다.
도 6은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이고, 도 7은 도 6의 'B' 영역을 나타내는 단면도이다. 도 6 및 7에 예시한 증착 장치(600)는 제1 차단부(315) 및 제1 몸체(320)를 포함하는 제1 고정 부재(300)를 제외하면 도 1 내지 5B를 참조하여 설명한 증착 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 6 및 7에 있어서, 도 1 내지 5B를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 6 및 7을 참조하면, 증착 장치(600)는 챔버(210), 지지 부재(250), 제1 고정 부재(300), 제2 고정 부재(400), 제1 고정핀(371), 제2 고정핀(372), 접지 부재(350), 제1 오링(551), 제2 오링(552), 절연 부재(560), 흡입 부재(570), 커버 부재(510), 저장 부재(290), 분배 부재(530), 리프팅 부재(590) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 챔버(210)는 하부(211) 및 측벽(212)을 포함할 수 있고, 지지 부재(250)는 제1 내지 제4 측면들(250a, 250b, 250c, 250d)을 포함할 수 있으며, 도 6에 도시된 지지 부재(250)는 제1 측면(250a)에 대응된다. 또한, 제1 고정 부재(300)는 제1 차단부(315) 및 제1 몸체(320)를 포함할 수 있고, 제2 고정 부재(400)는 제2 몸체(420)를 포함할 수 있다. 여기서, 도 5A에 도시된 바와 같이, 제1 몸체(320)는 상면부(320a), 곡면부(320b), 제1 측면(320c) 및 제1 측면(320c)과 마주보는 제2 측면(320d)을 포함할 수 있다. 더욱이, 5B에 도시된 바와 같이, 제2 몸체(420)는 저면부(420a), 곡면부(420b), 제1 측면(420c) 및 제1 측면(420c)과 마주보는 제2 측면(420d)을 포함할 수 있다.
도 1 내지 5B의 제1 차단부(310)와 비교했을 때, 도 6 및 7의 제1 차단부(315)는 제1 측면(250a)의 적어도 일부와 중첩하는 하나의 제1 차단부(315), 제2 측면(250b)의 적어도 일부와 중첩하는 하나의 제1 차단부(315), 제3 측면(250c)의 적어도 일부와 중첩하는 하나의 제1 차단부(315) 및 제4 측면(250d)의 적어도 일부와 중첩하는 하나의 제1 차단부(315)를 포함할 수 있다. 다시 말하면, 증착 장치(100)는 지지 부재(250)의 측면에서 복수의 제1 차단부들(310)을 포함할 수 있고, 증착 장치(600)는 지지 부재(250)의 측면에서 일체로 형성된 제1 차단부(315)를 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치(600)는 지지 부재(250)의 측면에서 일체로 형성된 제1 차단부(315)를 포함함으로써 접지 부재(350)의 일 부분(350a)으로부터 세척 가스를 완전히 차폐할 수 있고, 상기 세척 공정을 수행하더라도 접지 부재(350)가 끊어지지 않을 수 있다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이고, 도 9는 도 8의 'C' 영역을 나타내는 단면도이다. 도 8 및 9에 예시한 증착 장치(700)는 제2 차단부(410) 및 제2 몸체(420)를 포함하는 제2 고정 부재(400)를 제외하면 도 1 내지 5B를 참조하여 설명한 증착 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 8 및 9에 있어서, 도 1 내지 5B를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 8 및 9를 참조하면, 증착 장치(700)는 챔버(210), 지지 부재(250), 제1 고정 부재(300), 제2 고정 부재(400), 제1 고정핀(371), 제2 고정핀(372), 접지 부재(350), 제1 오링(551), 제2 오링(552), 절연 부재(560), 흡입 부재(570), 커버 부재(510), 저장 부재(290), 분배 부재(530), 리프팅 부재(590) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 챔버(210)는 하부(211) 및 측벽(212)을 포함할 수 있고, 지지 부재(250)는 제1 내지 제4 측면들(250a, 250b, 250c, 250d)을 포함할 수 있으며, 도 8에 도시된 지지 부재(250)는 제1 측면(250a)에 대응된다. 또한, 제1 고정 부재(300)는 제1 차단부(310) 및 제1 몸체(320)를 포함할 수 있고, 제2 고정 부재(400)는 제2 차단부(410) 및 제2 몸체(420)를 포함할 수 있다. 여기서, 도 5A에 도시된 바와 같이, 제1 몸체(320)는 상면부(320a), 곡면부(320b), 제1 측면(320c) 및 제1 측면(320c)과 마주보는 제2 측면(320d)을 포함할 수 있다. 더욱이, 5B에 도시된 바와 같이, 제2 몸체(420)는 저면부(420a), 곡면부(420b), 제1 측면(420c) 및 제1 측면(420c)과 마주보는 제2 측면(420d)을 포함할 수 있다. 접지 부재(350)는 제1 단부(350a) 및 제2 단부(350b)를 포함할 수 있다.
접지 부재(350)의 제2 단부(350b) 상에 제2 고정 부재(400)가 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 몸체(420)가 제2 단부(350b) 상에 위치할 수 있고, 제2 몸체(420)의 제1 측면(420c)에 제2 차단부(410)가 위치할 수 있다. 여기서, 제2 차단부(410)는 지지 부재(250)의 측면과 평행한 방향 또는 제1 차단부(310)와 평행한 방향으로 연장할 수 있고, 접지 부재(350)의 제2 단부(350b)와 중첩할 수 있다. 예를 들면, 제2 몸체(420)의 제1 측면(420c)에 제2 차단부(410)가 형성될 수 있고, 제2 차단부(410)가 챔버(210)의 하부(211) 및 곡면부(420b)에 의해 정의된 공간이 외부로 노출되지 않도록 제2 차단부(410)가 차폐할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 차단부(410)와 제2 몸체(420)는 일체로 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 차단부(410)는 고정핀 등을 통해 제2 몸체(420)에 고정될 수도 있다.
예를 들면, 지지 부재(250)는 리프팅 부재(590)에 의해 제3 방향(D3) 또는 제4 방향(D4)으로 이동할 수 있다. 이러한 경우, 접지 부재(350)의 형상이 변경될 수 있고, 접지 부재(350)의 형상이 변경됨에 따라 제1 고정 부재(300) 및 제2 고정 부재(400)와 인접하여 위치하는 접지 부재(350)의 제1 단부(350a) 및 제2 단부(350b)에 스트레스가 집중되어 제1 단부(350a) 및 제2 단부(350b) 각각의 강성이 상대적으로 약해질 수도 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치(700)는 제1 고정 부재(300)가 제1 차단부(310) 및 제1 몸체(320)를 포함할 수 있고, 제2 고정 부재(400)가 제2 차단부(410) 및 제2 몸체(420)를 포함할 수 있다. 챔버(210)의 하부(211)에 관통 개구(215)를 통해 흡입 부재(570)가 상기 세척 가스를 흡입함에 따라 분배 부재(530)와 지지 부재(250) 사이에 위치하는 상기 세척 가스가 지지 부재(250)의 상면을 지나 지지 부재(250)의 측벽(예를 들어, 제1 측벽)을 따라 지지 부재(250)로부터 챔버(210)의 하부(211)로의 방향으로 이동할 수 있다. 이러한 경우, 제1 고정 부재(300)의 제1 차단부(310) 및 제2 고정 부재(400)의 제2 차단부(410)가 상대적으로 강성이 약해진 접지 부재(350)의 제1 단부(350a) 및 제2 단부(350b)를 각기 차폐함으로써 상기 세척 가스가 접지 부재(350)의 제1 단부(350a) 및 제2 단부(350b) 각각과 접촉하지 않고, 상기 세척 가스가 제1 고정 부재(300)의 제1 차단부(310)의 외곽면 및 제2 고정 부재(400)의 제2 차단부(410)의 외곽면을 지나서 관통 개구(215)를 통해 흡입 부재(570)로 흡입될 수 있다. 이에 따라, 상기 세척 가스에 의해 접지 부재(350)의 제1 단부(350a) 및 제2 단부(350b) 각각이 부식되지 않을 수 있고, 상기 세척 공정을 수행하더라도 접지 부재(350)가 끊어지지 않을 수 있다. 즉, 상기 세척 공정에 의한 증착 장치(700)의 불량을 방지할 수 있다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이고, 도 11은 도 10의 'D' 영역을 나타내는 단면도이다. 도 10 및 11에 예시한 증착 장치(800)는 제1 차단부(315) 및 제1 몸체(320)를 포함하는 제1 고정 부재(300) 및 제2 차단부(415) 및 제2 몸체(420)를 포함하는 제2 고정 부재(400)를 제외하면 도 8 및 9를 참조하여 설명한 증착 장치(700)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 10 및 11에 있어서, 도 8 및 9를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 10 및 11을 참조하면, 증착 장치(800)는 챔버(210), 지지 부재(250), 제1 고정 부재(300), 제2 고정 부재(400), 제1 고정핀(371), 제2 고정핀(372), 접지 부재(350), 제1 오링(551), 제2 오링(552), 절연 부재(560), 흡입 부재(570), 커버 부재(510), 저장 부재(290), 분배 부재(530), 리프팅 부재(590) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 챔버(210)는 하부(211) 및 측벽(212)을 포함할 수 있고, 지지 부재(250)는 제1 내지 제4 측면들(250a, 250b, 250c, 250d)을 포함할 수 있으며, 도 10에 도시된 지지 부재(250)는 제1 측면(250a)에 대응된다. 또한, 제1 고정 부재(300)는 제1 차단부(315) 및 제1 몸체(320)를 포함할 수 있고, 제2 고정 부재(400)는 제2 차단부(415) 및 제2 몸체(420)를 포함할 수 있다. 여기서, 도 5A에 도시된 바와 같이, 제1 몸체(320)는 상면부(320a), 곡면부(320b), 제1 측면(320c) 및 제1 측면(320c)과 마주보는 제2 측면(320d)을 포함할 수 있다. 더욱이, 5B에 도시된 바와 같이, 제2 몸체(420)는 저면부(420a), 곡면부(420b), 제1 측면(420c) 및 제1 측면(420c)과 마주보는 제2 측면(420d)을 포함할 수 있다.
도 8 및 9의 제2 차단부(410)와 비교했을 때, 도 10 및 11의 제2 차단부(415)는 제1 측면(250a)의 적어도 일부와 중첩하는 하나의 제1 차단부(315) 아래에 배치되는 하나의 제2 차단부(415), 제2 측면(250b)의 적어도 일부와 중첩하는 하나의 제1 차단부(315) 아래에 배치되는 하나의 제2 차단부(415), 제3 측면(250c)의 적어도 일부와 중첩하는 하나의 제1 차단부(315) 아래에 배치되는 하나의 제2 차단부(415) 및 제4 측면(250d)의 적어도 일부와 중첩하는 하나의 제1 차단부(315) 아래에 배치되는 하나의 제2 차단부(415)를 포함할 수 있다. 다시 말하면, 증착 장치(700)는 지지 부재(250)의 측면 아래에서 복수의 제2 차단부들(410)을 포함할 수 있고, 증착 장치(800)는 지지 부재(250)의 측면 아래에서 일체로 형성된 제2 차단부(415)를 포함할 수 있다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다. 도 12에 예시한 증착 장치(900)는 지지 부재(255)를 제외하면 도 1 내지 5B를 참조하여 설명한 증착 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 12에 있어서, 도 1 내지 5B를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 12를 참조하면, 증착 장치(900)는 챔버(210), 지지 부재(250), 제1 고정 부재(300), 제2 고정 부재(400), 제1 고정핀(371), 제2 고정핀(372), 접지 부재(350), 제1 오링(551), 제2 오링(552), 절연 부재(560), 흡입 부재(570), 커버 부재(510), 저장 부재(290), 분배 부재(530), 리프팅 부재(590) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 챔버(210)는 하부(211) 및 측벽(212)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 고정 부재(300)는 제1 몸체(320)를 포함할 수 있고, 제2 고정 부재(400)는 제2 몸체(420)를 포함할 수 있다.
도 1 내지 5B의 지지 부재(250) 및 제1 고정 부재(300)와 비교했을 때, 도 12의 지지 부재(255)는 지지 부재(255)의 외곽에서 제4 방향(D4)으로 돌출된 돌출부를 가질 수 있고, 제1 고정 부재(300)는 제1 차단부(310)를 포함하지 않을 수 있다. 다시 말하면, 지지 부재(255)의 상기 돌출부가 제1 고정 부재(300)의 제1 차단부(310)의 역할을 수행할 수 있다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 증착 장치를 나타내는 단면도이다. 도 13에 예시한 증착 장치(1000)는 제1 고정 부재(300)의 위치를 제외하면 도 1 내지 5B를 참조하여 설명한 증착 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 13에 있어서, 도 1 내지 5B를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 13을 참조하면, 증착 장치(1000)는 챔버(210), 지지 부재(250), 제1 고정 부재(300), 제2 고정 부재(400), 제1 고정핀(371), 제2 고정핀(372), 접지 부재(350), 제1 오링(551), 제2 오링(552), 절연 부재(560), 흡입 부재(570), 커버 부재(510), 저장 부재(290), 분배 부재(530), 리프팅 부재(590) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 챔버(210)는 하부(211) 및 측벽(212)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 고정 부재(300)는 제1 차단부(310) 및 제1 몸체(320)를 포함할 수 있고, 제2 고정 부재(400)는 제2 몸체(420)를 포함할 수 있다.
도 1 내지 5B의 제1 고정 부재(300)와 비교했을 때, 도 13의 제1 고정 부재(300)의 외곽면(예를 들어, 제1 차단부(310)의 외곽면)이 지지 부재(250)의 측면에 얼라인될 수 있다. 이러한 경우, 지지 부재(250)의 측면과 제1 고정 부재(300)의 외곽면에서 단차가 발생하기 않기 때문에 세척 가스가 용이하게 챔버(210)의 하부(211)로 이동할 수 있고, 흡입 부재(570)로 흡입될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 접지 부재를 구비할 수 있는 다양한 증착 장비에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 실리콘계 절연층 증착용 증착 장비, 실리콘계 반도체층 증착용 증착 장비 등과 같은 수많은 증착 장비들에 적용 가능하다.
100, 600, 700, 800, 900, 1000: 증착 장치
210: 챔버 211: 하부
212: 측벽 250: 지지 부재
290: 저장 부재 300: 제1 고정 부재
310: 제1 차단부 320: 제1 몸체
320a: 상면부 320b: 곡면부
320c: 제1 측면 320d: 제2 측면
350: 접지 부재 371: 제1 고정핀
372: 제2 고정핀 400: 제2 고정 부재
410: 제2 차단부 420: 제2 몸체
420a: 저면부 420b: 곡면부
420c: 제1 측면 420d: 제2 측면
510: 커버 부재 530: 분배 부재
551: 제1 오링 552: 제2 오링
560: 절연 부재 570: 흡입 부재
590: 리프팅 부재
210: 챔버 211: 하부
212: 측벽 250: 지지 부재
290: 저장 부재 300: 제1 고정 부재
310: 제1 차단부 320: 제1 몸체
320a: 상면부 320b: 곡면부
320c: 제1 측면 320d: 제2 측면
350: 접지 부재 371: 제1 고정핀
372: 제2 고정핀 400: 제2 고정 부재
410: 제2 차단부 420: 제2 몸체
420a: 저면부 420b: 곡면부
420c: 제1 측면 420d: 제2 측면
510: 커버 부재 530: 분배 부재
551: 제1 오링 552: 제2 오링
560: 절연 부재 570: 흡입 부재
590: 리프팅 부재
Claims (20)
- 하부 및 측벽을 포함하는 챔버;
상기 챔버의 상기 하부 및 상기 측벽에 의해 정의된 공간에 위치하고, 제1 측면을 포함하는 지지 부재;
상기 지지 부재와 상기 챔버의 상기 하부 사이에 배치되는 접지 부재; 및
상기 접지 부재의 제1 단부 아래에 위치하고, 제1 측면을 포함하는 제1 몸체; 및
상기 제1 몸체의 상기 제1 측면에 위치하고, 상기 지지 부재의 상기 제1 측면과 평행한 방향으로 연장하며, 상기 접지 부재의 상기 제1 단부와 중첩하는 제1 차단부를 포함하는 제1 고정 부재를 포함하는 증착 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 고정 부재의 상기 제1 몸체 및 상기 접지 부재의 상기 제1 단부를 관통하여 상기 지지 부재의 상기 제1 측면과 인접하여 위치하는 저면에 상기 제1 고정 부재의 상기 제1 몸체 및 상기 접지 부재의 상기 제1 단부를 고정시키는 제1 고정핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 제1 고정 부재의 상기 제1 몸체는,
상기 지지 부재의 저면과 인접하여 위치하는 상면부 및 곡면부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제 3 항에 있어서, 상기 접지 부재의 상기 제1 단부는 상기 제1 고정 부재 상에서 상기 상면부와 접촉하고, 상기 지지 부재의 저면 및 상기 곡면부에 의해 정의된 공간이 외부로 노출되지 않도록 상기 차단부가 차폐하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
- 제 3 항에 있어서,
제1 측면을 포함하며 상기 접지 부재의 상기 제1 단부와 반대되는 제2 단부 상에 위치하는 제2 몸체를 포함하고, 상기 챔버의 상기 하부와 인접하여 위치하는 제2 고정 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제2 고정 부재의 상기 제2 몸체 및 상기 접지 부재의 상기 제2 단부를 관통하여 상기 챔버의 상기 하부에 상기 제2 고정 부재의 상기 제2 몸체 및 상기 접지 부재의 상기 제2 단부를 고정시키는 제2 고정핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제 5 항에 있어서, 상기 제2 고정 부재의 상기 제2 몸체는,
상기 챔버의 상기 하부와 인접하여 위치하는 저면부 및 곡면부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제 5 항에 있어서, 상기 제1 고정 부재 아래에 상기 제2 고정 부재가 위치하고, 상기 제1 고정 부재의 상기 제1 몸체와 상기 제2 고정 부재의 상기 제2 몸체는 상기 지지 부재의 상면과 평행한 방향으로 대칭적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제1 고정 부재의 상기 곡면부 및 상기 제2 고정 부재의 상기 곡면부에 의해 상기 접지 부재는 상기 지지 부재와 상기 챔버의 상기 하부 사이에서 곡선 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
- 제 9 항에 있어서,
상기 챔버의 상기 하부를 관통하여 상기 지지 부재의 저면과 접촉하는 리프팅 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제 10 항에 있어서, 상기 리프팅 부재가 상기 챔버의 상기 하부로부터 상기 지지 부재로의 방향 또는 상기 지지 부재부터 상기 챔버의 상기 하부로의 방향으로 이동하는 경우, 상기 접지 부재의 형상이 변경되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제2 고정 부재는,
상기 제2 몸체의 상기 제1 측면에 위치하고, 상기 지지 부재의 상기 제1 측면과 평행한 상기 방향으로 연장하며, 상기 접지 부재의 상기 제2 단부와 중첩하는 제2 차단부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제 12 항에 있어서, 상기 접지 부재의 상기 제2 단부는 상기 제2 고정 부재와 접촉하고, 상기 챔버의 상기 하부 및 상기 곡면부 사이의 공간이 외부로 노출되지 않도록 상기 제2 차단부가 차폐하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접지 부재는 상기 지지 부재와 상기 챔버를 통전시키는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 챔버는,
상기 하부에 형성된 관통 개구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제 15 항에 있어서,
상기 하부에 형성된 상기 관통 개구와 연결되는 흡입 부재를 더 포함하고,
상기 흡입 부재는 챔버 내부에 위치하는 물질을 흡입하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 챔버 상에 배치되고, 관통 개구를 포함하는 커버 부재;
상기 커버 부재의 상기 관통 개구와 연결되는 저장 부재; 및
상기 관통 개구 아래에 배치되고, 복수의 개구들을 포함하는 분배 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제 17 항에 있어서, 상기 커버 부재와 상기 분배 부재는 통전되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 커버 부재는 상기 챔버와 전기적으로 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 저장 부재에 저장된 증착 물질이 상기 분배 부재의 상기 관통 개구들을 통과하여 상기 지지 부재 상에 위치하는 기판에 증착되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020200113383A KR20220031849A (ko) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 증착 장치 |
US17/321,723 US11984299B2 (en) | 2020-09-04 | 2021-05-17 | Deposition device apparatus |
CN202110905786.1A CN114134487A (zh) | 2020-09-04 | 2021-08-06 | 沉积装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200113383A KR20220031849A (ko) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 증착 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220031849A true KR20220031849A (ko) | 2022-03-14 |
Family
ID=80394131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200113383A KR20220031849A (ko) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 증착 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11984299B2 (ko) |
KR (1) | KR20220031849A (ko) |
CN (1) | CN114134487A (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116200730B (zh) * | 2023-03-03 | 2024-06-11 | 福建华佳彩有限公司 | 一种等离子增强型化学气相沉积的接地线结构 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7972470B2 (en) | 2007-05-03 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Asymmetric grounding of rectangular susceptor |
KR20110063049A (ko) | 2009-12-04 | 2011-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 그 접지장치 |
JP5375763B2 (ja) | 2010-07-27 | 2013-12-25 | 三菱電機株式会社 | プラズマ装置およびこれを用いた半導体薄膜の製造方法 |
KR102399343B1 (ko) | 2017-05-29 | 2022-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화학기상 증착장치 |
KR20210148406A (ko) * | 2019-04-29 | 2021-12-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 접지 스트랩 조립체들 |
-
2020
- 2020-09-04 KR KR1020200113383A patent/KR20220031849A/ko unknown
-
2021
- 2021-05-17 US US17/321,723 patent/US11984299B2/en active Active
- 2021-08-06 CN CN202110905786.1A patent/CN114134487A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114134487A (zh) | 2022-03-04 |
US11984299B2 (en) | 2024-05-14 |
US20220076926A1 (en) | 2022-03-10 |
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