KR20220031509A - Rotation holding device and substrate processing apparatus including same - Google Patents

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Abstract

A rotation holding apparatus includes an adsorption holding part having an upper side adsorbing and holding a center part of a lower side of a substrate, and a rotation driving part rotating the adsorption holding part around a vertical axis. The upper side has a peripheral area, and a center area surrounded by the peripheral area. A plurality of first suction holes are formed in the peripheral area, and a plurality of second suction holes are formed in the center area. The surface density of the plurality of first suction holes with respect to the peripheral area is greater than the surface density of the plurality of second suction holes with respect to the center area. The surface density of the plurality of first suction holes and the surface density of the plurality of second suction holes do not need to satisfy the above-stated relation. In this case, in the rotation holding apparatus, a temperature adjustment part is installed to adjust the temperature of at least one part of a peripheral part of the lower side of the substrate, which is not adsorbed and held by the adsorption holding part. Therefore, the present invention is capable of enabling a uniform treatment throughout the whole substrate adsorbed and held by the adsorption holding part.

Description

회전 유지 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치{ROTATION HOLDING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME}A rotation holding apparatus and a substrate processing apparatus provided with the same TECHNICAL FIELD

본 발명은, 기판의 하면 중앙부를 흡착 유지하면서 회전시키는 회전 유지 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a rotation holding device that rotates while adsorbing and holding a central portion of a lower surface of a substrate, and a substrate processing apparatus including the same.

반도체 기판, 액정 표시 장치 혹은 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 또는 태양 전지용 기판 등의 기판에 여러 가지 처리를 행하기 위해, 기판 처리 장치가 이용된다. FPD (Flat Panel Display) substrates such as semiconductor substrates, liquid crystal display devices or organic EL (Electro Luminescence) display devices, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, ceramic substrates, or In order to perform various processes on board|substrates, such as a board|substrate for solar cells, a substrate processing apparatus is used.

기판 처리 장치의 일례로서, 기판의 표면에 레지스트막을 형성하는 도포 장치가 있다. 도포 처리 장치에 있어서는, 회전하는 기판에 대해, 세정액 또는 레지스트액 등의 각종 처리액이 공급된다. 이 도포 처리 장치는, 한 장의 기판을 수평 자세로 유지하면서 회전시키는 스핀척을 구비한다.As an example of a substrate processing apparatus, there is a coating apparatus for forming a resist film on the surface of a substrate. In a coating processing apparatus, various processing liquids, such as a cleaning liquid and a resist liquid, are supplied with respect to the rotating board|substrate. This coating processing apparatus is provided with the spin chuck which rotates while holding one board|substrate in a horizontal attitude|position.

이러한 스핀척의 일례로서, 일본국 특허공개 평10-150097호 공보에는, 기판의 이면(裏面) 중앙부를 흡착 유지하는 스핀척이 기재되어 있다. 그 스핀척은 원형의 상면을 갖는다. 스핀척의 상면에는, 주연부에 볼록 형상부가 형성되는 것과 더불어, 그 볼록 형상부의 내측에 복수의 미소 돌기가 형성되어 있다. 또한, 스핀척의 상면에는, 복수의 흡인 구멍이 형성되어 있다. As an example of such a spin chuck, Japanese Patent Laid-Open No. 10-150097 discloses a spin chuck for holding a central portion of a back surface of a substrate by suction. The spin chuck has a circular top surface. On the upper surface of the spin chuck, a convex portion is formed on the periphery, and a plurality of minute projections are formed inside the convex portion. In addition, a plurality of suction holes are formed on the upper surface of the spin chuck.

스핀척 상에 기판이 재치(載置)된 상태에서, 스핀척의 상면과 기판의 사이이며 또한 환상의 볼록 형상부의 내측에 형성되는 공간의 분위기가 흡인됨으로써, 기판이 당해 스핀척 상에서 흡착 유지된다.In a state where the substrate is placed on the spin chuck, the atmosphere of the space formed between the upper surface of the spin chuck and the substrate and inside the annular convex portion is sucked, whereby the substrate is adsorbed and held on the spin chuck.

최근, 반도체 제품의 용도에 따른 기판의 박형화가 진행되고 있다. 이러한 기판의 박형화는, 기판의 강성을 저하시킨다. 그 때문에, 스핀척의 구성에 따라서는, 기판의 회전 시에, 기판 중 스핀척에 의해 흡착되지 않은 부분이 변형됨으로써 기판의 유지 상태가 불안정해질 가능성이 있다. 혹은, 기판의 회전 시에, 기판 중 스핀척에 의해 흡착되지 않은 부분과 스핀척에 의해 흡착되어 있는 부분의 사이에서 온도차가 발생할 가능성이 있다. In recent years, thickness reduction of the substrate according to the use of semiconductor products is progressing. Such reduction in thickness of the substrate reduces the rigidity of the substrate. Therefore, depending on the configuration of the spin chuck, there is a possibility that a portion of the substrate that is not sucked by the spin chuck is deformed during the rotation of the substrate, thereby destabilizing the holding state of the substrate. Alternatively, when the substrate is rotated, there is a possibility that a temperature difference may occur between a portion of the substrate not adsorbed by the spin chuck and a portion adsorbed by the spin chuck.

상기와 같은 회전 중인 기판의 유지 상태의 불안정 및 회전 중인 기판의 복수의 부분 사이에 발생하는 온도차는, 기판 전체에 걸친 처리의 균일성을 저하시킨다.The above instability in the holding state of the rotating substrate and the temperature difference occurring between the plurality of portions of the rotating substrate deteriorate the uniformity of processing across the substrate.

본 발명의 목적은, 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되는 기판 전체에 걸친 균일한 처리를 가능하게 하는 회전 유지 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a rotation holding apparatus capable of uniform processing over the entire substrate that is adsorbed and held by a suction holding unit, and a substrate processing apparatus including the same.

(1) 본 발명의 일 국면에 따른 회전 유지 장치는, 기판의 하면 중앙부를 흡착 유지하면서 회전시키는 회전 유지 장치로서, 기판의 하면 중앙부를 흡착 유지하는 상면을 갖는 흡착 유지부와, 흡착 유지부를 상하 방향으로 연장되는 회전축 둘레로 회전시키는 회전 구동부를 구비하고, 상면은, 외연을 따른 주연부 영역과, 주연부 영역에 둘러싸인 중앙부 영역을 갖고, 주연부 영역에는, 복수의 제1 흡인 구멍이 형성되고, 중앙부 영역에는, 복수의 제2 흡인 구멍이 형성되며, 주연부 영역에 있어서의 복수의 제1 흡인 구멍의 면 밀도는, 중앙부 영역에 있어서의 복수의 제2 흡인 구멍의 면 밀도보다 크다.(1) A rotation holding device according to an aspect of the present invention is a rotation holding device that rotates while adsorbing and holding a central portion of a lower surface of a substrate, the suction holding unit having an upper surface for adsorbing and holding the central portion of the lower surface of the substrate; a rotation driving unit for rotating about a rotation axis extending in the direction, the upper surface having a periphery region along an outer periphery and a central region surrounded by the periphery region, the periphery region having a plurality of first suction holes formed therein, the central region region A plurality of second suction holes are formed in the periphery, and the areal density of the plurality of first suction holes in the peripheral region is greater than the areal density of the plurality of second suction holes in the central region.

그 회전 유지 장치에 있어서는, 흡착 유지부에 의해 기판의 하면 중앙부가 흡착 유지된다. 기판을 흡착 유지하는 흡착 유지부가, 회전 구동부에 의해 회전된다. 이 때, 기판의 하면 중 흡착 유지부의 상면의 중앙부 영역에 대향하는 부분은, 복수의 제2 흡인 구멍에 의해 흡인된다. 또, 기판의 하면 중 흡착 유지부의 상면의 주연부 영역에 대향하는 부분은, 복수의 제1 흡인 구멍에 의해 흡인된다.In the rotation holding device, the lower surface central portion of the substrate is adsorbed and held by the suction holding unit. The suction holding unit for holding the substrate by suction is rotated by the rotation driving unit. At this time, the part of the lower surface of the board|substrate which opposes the center part area|region of the upper surface of an adsorption|suction holding part is attracted|sucked by the some 2nd suction hole. Moreover, the part of the lower surface of a board|substrate which opposes the peripheral edge area|region of the upper surface of an adsorption|suction holding part is attracted|sucked by the some 1st suction hole.

여기서, 주연부 영역에 있어서의 복수의 제1 흡인 구멍의 면 밀도는, 중앙부 영역에 있어서의 복수의 제2 흡인 구멍의 면 밀도보다 크다. 그 때문에, 흡착 유지부의 상면 상에서는, 주연부 영역에 대향하는 기판의 부분이, 중앙부 영역에 대향하는 기판의 부분에 비해 보다 큰 흡인력으로 흡착된다. 그로 인해, 흡착 유지부에 의해 흡착 유지된 기판의 회전 시에, 주연부 영역 상에 위치하는 기판의 부분이 흡착 유지부의 상면으로부터 부상하는 것이 억제되어, 기판의 유지 상태가 안정된다.Here, the areal density of the plurality of first suction holes in the peripheral region is greater than the areal density of the plurality of second suction holes in the central region. Therefore, on the upper surface of the suction holder, the portion of the substrate facing the peripheral region is sucked with a larger suction force than the portion of the substrate facing the central region. Therefore, at the time of rotation of the board|substrate adsorbed and held by the adsorption|suction holding part, it is suppressed that the part of the board|substrate located on a periphery area|region floats from the upper surface of an adsorption|suction holding part, and the holding|maintenance state of a board|substrate is stabilized.

따라서, 상기의 회전 유지 장치에 의해 회전되는 기판에 처리가 행해지는 경우에, 기판의 일부가 흡착 유지부의 상면으로부터 부상하는 것에 기인하여 기판의 처리가 기판 상의 복수의 부분에서 불균일해지는 것이 방지된다. 그 결과, 기판 전체에 걸친 균일한 처리가 가능해진다.Accordingly, when processing is performed on a substrate rotated by the above rotation holding device, it is prevented that the processing of the substrate becomes non-uniform in a plurality of portions on the substrate due to a part of the substrate floating from the upper surface of the suction holder. As a result, uniform processing over the entire substrate becomes possible.

(2) 복수의 제1 흡인 구멍은, 주연부 영역에 있어서 회전축을 중심으로 하는 적어도 1개의 제1 원 상에 배열되고, 복수의 제2 흡인 구멍은, 중앙부 영역에 있어서 회전축을 중심으로 하는 적어도 1개의 제2 원 상에 배열되며, 주연부 영역에 있어서의 각 제1 원 상의 복수의 제1 흡인 구멍의 선 밀도는, 중앙부 영역에 있어서의 어느 제2 원 상의 복수의 제2 흡인 구멍의 선 밀도보다도 커도 된다.(2) the plurality of first suction holes are arranged on at least one first circle centered on the rotation axis in the peripheral region, and the plurality of second suction holes are at least one centered on the rotation axis in the central region region. arranged on two second circles, wherein the linear density of the plurality of first suction holes on each first circle in the peripheral region is higher than the line density of the plurality of second suction holes on any second circle in the central region. can be big

이 경우, 복수의 제1 흡인 구멍이 제1 원 상에 분산되어 배열되는 것과 더불어, 복수의 제2 흡인 구멍이 제2 원 상에 분산되어 배열됨으로써, 기판의 하면 중앙부가 흡착 유지부의 상면 상에 보다 안정적으로 흡착 유지된다.In this case, the plurality of first suction holes are dispersedly arranged on the first circle, and the plurality of second suction holes are dispersed and arranged on the second circle, so that the central portion of the lower surface of the substrate is on the upper surface of the suction holder. More stable adsorption is maintained.

(3) 주연부 영역에 있어서의 각 제1 원 상의 복수의 제1 흡인 구멍의 수는, 중앙부 영역에 있어서의 어느 제2 원 상의 복수의 제2 흡인 구멍의 수보다도 커도 된다. 이로 인해, 간단한 구성으로, 주연부 영역에 있어서의 복수의 제1 흡인 구멍의 면 밀도를, 중앙부 영역에 있어서의 복수의 제2 흡인 구멍의 면 밀도보다 크게 할 수 있다.(3) The number of the plurality of first suction holes on each first circle in the periphery region may be larger than the number of the plurality of second suction holes on any second circle in the center region. For this reason, with a simple configuration, the areal density of the plurality of first suction holes in the peripheral region can be made larger than the areal density of the plurality of second suction holes in the central region.

(4) 주연부 영역에 있어서의 각 제1 원 상의 서로 이웃하는 각 2개의 제1 흡인 구멍의 각도 피치는, 중앙부 영역에 있어서의 어느 제2 원 상의 서로 이웃하는 각 2개의 제2 흡인 구멍의 각도 피치보다도 작아도 된다. (4) The angular pitch of each two first suction holes adjacent to each other on each first circle in the periphery region is the angle of each two second suction holes adjacent to each other on a certain second circle in the center region It may be smaller than the pitch.

이 경우, 간단한 구성으로, 주연부 영역에 있어서의 복수의 제1 흡인 구멍의 면 밀도를, 중앙부 영역에 있어서의 복수의 제2 흡인 구멍의 면 밀도보다 크게 할 수 있다.In this case, with a simple configuration, the areal density of the plurality of first suction holes in the peripheral region can be made larger than the areal density of the plurality of second suction holes in the central region.

(5) 흡착 유지부는, 평면에서 보았을 때 중앙부 영역에 겹치며 또한 회전축으로부터 흡착 유지부의 외연을 향해 직선형으로 연장되도록 형성되고, 복수의 제2 흡인 구멍에 있어서 흡인되는 상면 상의 분위기를 흡착 유지부의 외부로 이끄는 복수의 직선형 경로와, 평면에서 보았을 때 주연부 영역에 겹치며 또한 복수의 직선형 경로를 둘러싸도록 형성되고, 복수의 제1 흡인 구멍에 있어서 흡인되는 상면 상의 분위기를 흡착 유지부의 외부로 이끄는 환상 경로를 포함해도 된다.(5) The suction holder is formed so as to overlap the central region in plan view and extend linearly from the rotation shaft toward the outer edge of the suction holder, and the atmosphere on the upper surface sucked in the plurality of second suction holes is transferred to the outside of the suction holder a plurality of linear paths leading to, and an annular path formed so as to overlap the periphery region in a plan view and surround the plurality of linear paths, leading to the atmosphere on the upper surface sucked in the plurality of first suction holes to the outside of the suction holder You can do it.

이 경우, 간단한 구성으로, 복수의 제1 흡인 구멍 및 복수의 제2 흡인 구멍에 의한 기판의 하면 중앙부의 흡착 유지가 가능해진다.In this case, with a simple configuration, the suction and holding of the central portion of the lower surface of the substrate by the plurality of first suction holes and the plurality of second suction holes is attained.

(6) 주연부 영역에 있어서, 복수의 제1 흡인 구멍 중 적어도 일부는, 회전축을 중심으로 하는 회전 방향으로 갈지자로 배열되어도 된다. 이 경우, 회전 유지 장치의 제조 시에, 주연부 영역에 있어서의 복수의 제1 흡인 구멍의 형성이 용이해진다. 또, 간단한 구성으로, 주연부 영역에 있어서의 복수의 제1 흡인 구멍의 면 밀도를 크게 할 수 있다.(6) In the peripheral region, at least a part of the plurality of first suction holes may be arranged in a staggered manner in the rotational direction about the rotational shaft. In this case, the formation of the plurality of first suction holes in the peripheral region is facilitated at the time of manufacturing the rotation holding device. Moreover, with a simple configuration, the areal density of the plurality of first suction holes in the peripheral region can be increased.

(7) 복수의 제1 흡인 구멍 중 회전축으로부터 가장 이격된 위치에 형성된 적어도 일부의 제1 흡인 구멍은, 다른 제1 흡인 구멍 및 복수의 제2 흡인 구멍보다 작은 직경을 가져도 된다.(7) Among the plurality of first suction holes, at least one first suction hole formed at a position most separated from the rotation shaft may have a smaller diameter than the other first suction holes and the plurality of second suction holes.

이 경우, 회전축으로부터 가장 이격된 적어도 일부의 제1 흡인 구멍으로부터 기판에 작용하는 흡인력이 과도하게 커지는 것이 방지된다. 그로 인해, 의도치 않은 기판의 변형이 저감된다.In this case, it is prevented that the suction force acting on the substrate from at least a portion of the first suction holes most spaced apart from the rotation axis becomes excessively large. Thereby, unintentional deformation of the substrate is reduced.

(8) 상면은, 원 형상을 갖고, 상면의 직경은, 기판의 반경을 중심값으로 하는 기판의 직경의 15%의 범위 내에 있어도 된다. 이와 같이, 상면의 직경이 상기의 범위 내에 있음으로써, 상면의 직경이 상기의 범위보다 작은 범위 내에 있는 경우에 비해 흡착 유지부에 의한 기판의 하면 중앙부의 유지 상태가 안정된다. 또, 상면의 직경이 상기의 범위 내에 있음으로써, 상면의 직경이 상기의 범위보다 큰 범위 내에 있는 경우에 비해 흡착 유지부의 제작이 용이해진다.(8) The upper surface may have a circular shape, and the diameter of the upper surface may be within a range of 15% of the diameter of the substrate having the radius of the substrate as the central value. In this way, when the diameter of the upper surface is within the above range, the holding state of the central portion of the lower surface of the substrate by the suction holding unit is stabilized compared to the case where the diameter of the upper surface is within a range smaller than the above range. Moreover, when the diameter of an upper surface exists in said range, manufacture of an adsorption|suction holding part becomes easy compared with the case where the diameter of an upper surface exists in the range larger than the said range.

(9) 회전 유지 장치는, 흡착 유지부가 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 기판 중 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되지 않는 부분의 온도를 조정하는 온도 조정부를 더 구비해도 된다.(9) The rotation holding device may further include a temperature adjusting unit that adjusts the temperature of a portion of the substrate that is not adsorbed and held by the suction holding unit in a state where the suction holding unit adsorbs and holds the substrate.

상기의 온도 조정부에 의하면, 회전 유지 장치에 의해 회전되는 기판에 처리가 행해지는 경우에, 기판의 복수의 부분 사이에서 온도차가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 전체에 걸친 균일한 처리가 가능해진다.According to the above temperature adjusting unit, it is possible to suppress the occurrence of a temperature difference between a plurality of portions of the substrate when a process is performed on the substrate rotated by the rotation holding device. Accordingly, uniform processing over the entire substrate becomes possible.

(10) 온도 조정부는, 기판 중 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되지 않는 부분의 온도가 기판 중 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되는 부분의 온도에 일치하거나 또는 가까워지도록, 기판 중 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되지 않는 부분의 온도를 조정해도 된다. 그로 인해, 회전 유지 장치에 의해 회전되는 기판의 복수의 부분 사이에서 온도차가 발생하는 것이 억제된다. 따라서, 기판 전체에 걸친 보다 균일한 처리가 가능해진다.(10) The temperature adjusting unit is adsorbed by the adsorption holding unit in the substrate such that the temperature of the portion of the substrate not adsorbed and held by the adsorption holding unit coincides with or close to the temperature of the portion of the substrate held by the adsorption holding unit You may adjust the temperature of the part which is not maintained. Therefore, it is suppressed that a temperature difference occurs between the plurality of portions of the substrate rotated by the rotation holding device. Accordingly, more uniform processing over the entire substrate is possible.

(11) 본 발명의 다른 국면에 따른 회전 유지 장치는, 기판의 하면 중앙부를 흡착 유지하면서 회전시키는 회전 유지 장치로서, 기판의 하면 중앙부를 흡착 유지하는 흡착 유지부와, 흡착 유지부를 상하 방향으로 연장되는 회전축 둘레로 회전시키는 회전 구동부와, 흡착 유지부가 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 기판 중 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되지 않는 하면 주연부의 적어도 일부의 온도를 조정하는 온도 조정부를 구비한다.(11) A rotation holding device according to another aspect of the present invention is a rotation holding device that rotates while adsorbing and holding a central portion of a lower surface of a substrate. A rotation driving unit for rotating around a rotational shaft used is provided, and a temperature adjusting unit for adjusting the temperature of at least a portion of the periphery of a lower surface of the substrate that is not adsorbed and held by the suction holding unit in a state where the suction holding unit adsorbs and holds the substrate.

그 회전 유지 장치에 있어서는, 흡착 유지부에 의해 기판의 하면 중앙부가 흡착 유지된다. 기판을 흡착 유지하는 흡착 유지부가, 회전 구동부에 의해 회전된다. 상기의 온도 조정부에 의하면, 회전 유지 장치에 의해 회전되는 기판에 처리가 행해지는 경우에, 기판의 복수의 부분 사이에서 온도차가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 전체에 걸친 균일한 처리가 가능해진다.In the rotation holding device, the lower surface central portion of the substrate is adsorbed and held by the suction holding unit. The suction holding unit for holding the substrate by suction is rotated by the rotation driving unit. According to the above temperature adjusting unit, it is possible to suppress the occurrence of a temperature difference between a plurality of portions of the substrate when a process is performed on the substrate rotated by the rotation holding device. Accordingly, uniform processing over the entire substrate becomes possible.

(12) 온도 조정부는, 하면 주연부의 적어도 일부에, 온도 조정 기체를 공급하는 기체 공급부를 포함해도 된다. 이 경우, 온도 조정 기체에 의해 하면 주연부를 포함하는 기판의 부분의 온도가 조정된다. 그로 인해, 히터 또는 자외선 램프 등의 발열 장치를 회전 유지 장치에 설치할 필요가 없기 때문에, 기판의 처리 환경이 과도한 열의 영향을 받지 않는다.(12) The temperature regulating unit may include a gas supply unit that supplies the temperature regulating gas to at least a part of the peripheral portion of the lower surface. In this case, the temperature of the portion of the substrate including the lower surface periphery is adjusted by the temperature regulating gas. Therefore, since there is no need to install a heat generating device such as a heater or an ultraviolet lamp in the rotation holding device, the processing environment of the substrate is not affected by excessive heat.

(13) 온도 조정 기체는, 하면 주연부의 적어도 일부에 공급됨으로써 하면 주연부를 포함하는 기판의 부분의 온도를 하면 중앙부를 포함하는 기판의 부분의 온도에 일치시키거나 또는 가깝게 하도록 조정된 기체여도 된다.(13) The temperature regulating gas may be a gas adjusted so that the temperature of the portion of the substrate including the periphery of the lower surface is matched with or close to the temperature of the portion of the substrate including the periphery of the lower surface by being supplied to at least a part of the periphery of the lower surface.

이 경우, 기판의 하면 주연부의 적어도 일부에 온도 조정 기체가 공급됨으로써, 기판의 복수의 부분 사이에서 온도차가 발생하는 것이 억제된다. 따라서, 기판 전체에 걸친 보다 균일한 처리가 가능해진다.In this case, the temperature difference between the plurality of portions of the substrate is suppressed by supplying the temperature control gas to at least a part of the peripheral portion of the lower surface of the substrate. Accordingly, more uniform processing over the entire substrate is possible.

(14) 기체 공급부는, 기판의 하면 주연부 중 당해 하면 주연부의 내연을 포함하는 영역에 온도 조정 기체를 공급해도 된다. 이 경우, 하면 주연부의 내연 및 그 근방에 위치하는 기판의 부분의 온도가 저하되는 것이 방지된다. 그로 인해, 기판의 하면 전체에 균일한 처리를 행할 수 있다.(14) The gas supply unit may supply the temperature regulating gas to a region of the lower surface periphery of the substrate including the internal combustion of the lower surface periphery. In this case, the temperature of the inner edge of the lower surface periphery and the portion of the substrate located in the vicinity thereof is prevented from lowering. Therefore, it is possible to uniformly process the entire lower surface of the substrate.

(15) 기체 공급부는, 흡착 유지부가 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 기판의 하면 주연부에 있어서의 서로 상이한 복수의 부분에 온도 조정 기체를 동시에 분사하는 것이 가능하게 구성되어도 된다. (15) The gas supply unit may be configured to be capable of simultaneously injecting the temperature regulating gas to a plurality of mutually different portions in the lower periphery of the substrate in a state where the adsorption holding unit adsorbs and holds the substrate.

이 경우, 기판의 하면 주연부의 복수의 부분에 온도 조정 기체를 동시에 분사할 수 있다. 따라서, 복수의 부분의 각각에 공급되는 온도 조정 기체의 유량을 과도하게 크게 하지 않고, 하면 주연부를 포함하는 기판의 부분의 온도를 하면 중앙부를 포함하는 기판의 부분의 온도에 일치시키거나 또는 가깝게 할 수 있다. 그 결과, 기판의 하면 주연부에 과도한 유량으로 온도 조정 기체가 공급되는 것에 의한 기판의 변형 및 파손이 방지된다.In this case, the temperature control gas can be simultaneously injected to a plurality of portions of the peripheral portion of the lower surface of the substrate. Therefore, without excessively increasing the flow rate of the temperature control gas supplied to each of the plurality of portions, the temperature of the portion of the substrate including the lower surface periphery can be made to match or close to the temperature of the portion of the substrate including the lower surface central portion. can As a result, deformation and damage of the substrate due to the supply of the temperature control gas at an excessive flow rate to the peripheral portion of the lower surface of the substrate is prevented.

(16) 기체 공급부는, 흡착 유지부가 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 흡착 유지부를 둘러싸며 또한 기판의 하면 주연부의 적어도 일부에 대향하는 제1 환상 대향면을 포함하고, 제1 환상 대향면에는, 흡착 유지부가 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 기판의 하면 주연부의 적어도 일부에 온도 조정 기체를 동시에 분사하는 복수의 기체 분사구가 형성되어도 된다. 이 경우, 제1 환상 대향면에 형성된 복수의 기체 분사구로부터 기판의 하면 주연부의 적어도 일부에 온도 조정 기체가 공급된다.(16) The gas supply unit includes a first annular opposing surface that surrounds the adsorption holder and opposes at least a portion of the lower surface periphery of the substrate in a state where the adsorption holding unit adsorbs and holds the substrate, In a state where the adsorption holding unit adsorbs and holds the substrate, a plurality of gas injection ports for simultaneously injecting the temperature control gas may be formed in at least a part of the peripheral portion of the lower surface of the substrate. In this case, the temperature control gas is supplied to at least a part of the periphery of the lower surface of the substrate from the plurality of gas injection ports formed in the first annular opposed surface.

(17) 복수의 기체 분사구의 적어도 일부는, 회전축을 중심으로 하는 회전 방향으로 분산 배치되어도 된다. 이 경우, 기판의 하면 주연부 중 기판의 둘레 방향에 있어서의 복수의 부분에 온도 조정 기체가 동시에 공급된다.(17) At least a part of the plurality of gas injection ports may be dispersedly arranged in a rotational direction about the rotational shaft. In this case, the temperature regulating gas is simultaneously supplied to a plurality of portions in the circumferential direction of the substrate among the periphery of the lower surface of the substrate.

(18) 제1 환상 대향면은, 흡착 유지부가 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 기판의 하면 주연부 중 제1 환상 부분에 대향하고, 기체 공급부는, 제1 환상 대향면을 둘러싸며 또한 흡착 유지부가 기판을 흡착 유지하는 상태에서 기판의 하면 주연부 중 제1 환상 부분을 둘러싸는 제2 환상 부분에 대향하도록 설치되고, 제1 환상 대향면의 복수의 기체 분사구로부터 분사되는 온도 조정 기체를 기판의 외주 단부로 이끄는 제2 환상 대향면을 더 포함해도 된다.(18) The first annular opposing surface faces the first annular portion of the lower periphery of the substrate in a state where the adsorption holding unit adsorbs and holds the substrate, the gas supply unit surrounds the first annular opposing face, and the adsorption holding unit includes the adsorption holding unit It is provided so as to face the second annular portion surrounding the first annular portion among the periphery of the lower surface of the substrate in a state where the substrate is adsorbed and held, and the temperature regulating gas injected from the plurality of gas injection ports of the first annular facing surface is applied to the outer peripheral end of the substrate. It may further include a second annular facing surface leading to .

이 경우, 기판의 하면 주연부와, 제1 및 제2 환상 대향면 사이의 공간에서는, 흡착 유지부로부터 기판의 외주 단부를 향하는 온도 조정 기체의 흐름이 발생한다. 그로 인해, 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되는 기판의 상면에 처리액이 공급되는 경우에, 기판의 상면에 공급된 처리액이 외주 단부를 통해 하면으로 돌아 들어가는 것이 방지된다.In this case, in the space between the lower surface periphery of the substrate and the first and second annular opposing surfaces, a flow of the temperature regulating gas from the adsorption holder toward the outer peripheral end of the substrate is generated. Therefore, when the processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate that is held by the suction holding unit, the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate is prevented from returning to the lower surface through the outer peripheral end portion.

(19) 흡착 유지부는, 기판의 하면 중앙부를 흡착 유지하는 상면을 갖고, 상면은, 외연을 따른 주연부 영역과, 주연부 영역에 둘러싸인 중앙부 영역을 갖고, 주연부 영역에는, 복수의 제1 흡인 구멍이 형성되고, 중앙부 영역에는, 복수의 제2 흡인 구멍이 형성되며, 주연부 영역에 있어서의 복수의 제1 흡인 구멍의 면 밀도는, 중앙부 영역에 있어서의 복수의 제2 흡인 구멍의 면 밀도보다 커도 된다.(19) The suction holding unit has an upper surface for adsorbing and holding a central portion of the lower surface of the substrate, the upper surface has a peripheral region along the outer periphery and a central region surrounded by the peripheral region, and a plurality of first suction holes are formed in the peripheral region and a plurality of second suction holes are formed in the central region, and the areal density of the plurality of first suction holes in the peripheral region may be greater than the areal density of the plurality of second suction holes in the central region.

상기의 흡착 유지부의 구성에 의하면, 당해 흡착 유지부에 의해 흡착 유지된 기판의 회전 시에, 주연부 영역 상에 위치하는 기판의 부분이 흡착 유지부의 상면으로부터 부상하는 것이 억제되어, 기판의 유지 상태가 안정된다. 따라서, 기판의 일부가 흡착 유지부의 상면으로부터 부상하는 것에 기인하여 기판의 처리가 기판 상의 복수의 부분에서 불균일해지는 것이 방지된다. 그 결과, 기판 전체에 걸친 균일한 처리가 가능해진다.According to the structure of the suction holding unit, when the substrate adsorbed and held by the suction holding unit is rotated, it is suppressed that the portion of the substrate positioned on the periphery region floats from the upper surface of the suction holding unit, and the holding state of the substrate is maintained. is stabilized Accordingly, it is prevented that the processing of the substrate becomes non-uniform in a plurality of portions on the substrate due to a portion of the substrate floating from the upper surface of the suction holder. As a result, uniform processing over the entire substrate becomes possible.

(20) 본 발명의 또 다른 국면에 따른 회전 유지 장치는, 기판에 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, 본 발명의 일 국면에 따른 회전 유지 장치 또는 본 발명의 다른 국면에 따른 회전 유지 장치와, 기판이 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되는 것과 더불어 회전 구동부에 의해 회전되는 상태에서, 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치를 구비한다.(20) A rotation holding apparatus according to another aspect of the present invention is a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, the rotation holding apparatus according to one aspect of the present invention or the rotation holding apparatus according to another aspect of the present invention; and a processing liquid supply device configured to supply a processing liquid onto the substrate while the substrate is held by the suction holding unit and rotated by the rotation driving unit.

그 기판 처리 장치는, 본 발명의 일 국면에 따른 회전 유지 장치 또는 본 발명의 다른 국면에 따른 회전 유지 장치를 구비한다. 본 발명의 일 국면에 따른 회전 유지 장치에 의하면, 회전되는 기판의 일부가 흡착 유지부의 상면으로부터 부상하는 것이 억제된다. 따라서, 회전 유지 장치에 의해 회전되는 기판 전체에 대해서 처리액을 이용한 균일한 처리가 가능해진다. 또, 본 발명의 다른 국면에 따른 회전 유지 장치에 의하면, 회전되는 기판의 복수의 부분 사이에서 온도차가 발생하는 것이 억제된다. 따라서, 회전 유지 장치에 의해 회전되는 기판 전체에 대해서 처리액을 이용한 균일한 처리가 가능해진다.The substrate processing apparatus includes a rotation holding apparatus according to one aspect of the present invention or a rotation holding apparatus according to another aspect of the present invention. According to the rotation holding apparatus which concerns on an aspect of this invention, it is suppressed that a part of the board|substrate being rotated floats from the upper surface of an adsorption|suction holding part. Accordingly, it is possible to uniformly process the entire substrate rotated by the rotation holding device using the processing liquid. Moreover, according to the rotation holding apparatus which concerns on another aspect of this invention, generation|occurrence|production of the temperature difference between the several parts of the board|substrate being rotated is suppressed. Accordingly, it is possible to uniformly process the entire substrate rotated by the rotation holding device using the processing liquid.

도 1은, 제1 실시 형태에 따른 도포 장치의 모식적 단면도이다.
도 2는, 도 1의 도포 장치의 모식적 평면도이다.
도 3은, 기체 노즐의 외관 사시도이다.
도 4는, 제1 구성예에 따른 흡착 유지부의 분해 사시도이다.
도 5는, 제1 구성예에 따른 도 4의 흡착 유지부의 평면도이다.
도 6은, 도 5의 흡착 유지부의 A-A선 종단면도이다.
도 7은, 제2 구성예에 따른 흡착 유지부의 분해 사시도이다.
도 8은, 도 7의 상원형 부재의 하면도이다.
도 9는, 제2 구성예에 따른 흡착 유지부의 종단면도이다.
도 10은, 참고 형태에 따른 흡착 유지부의 평면도이다.
도 11은, 도 10의 흡착 유지부의 B-B선 종단면도이다.
도 12는, 참고 형태에 따른 흡착 유지부를 이용한 도포 처리 후의 기판 상에 발생한 제1 도포 불균일의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 13은, 도 12의 제1 도포 불균일의 발생에 대해서 추정된 제1 메커니즘을 설명하기 위한 단면도이다.
도 14는, 도 12의 제1 도포 불균일의 발생에 대해서 추정된 제2 메커니즘을 설명하기 위한 단면도이다.
도 15는, 도포 처리 후의 기판 상에 발생한 제2 도포 불균일의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 16은, 도 15의 제2 도포 불균일의 발생에 대해서 추정된 메커니즘을 설명하기 위한 단면도이다.
도 17은, 제1 도포 불균일에 대한 확인 시험에 있어서 막두께 측정의 대상이 되는 기판의 부분을 설명하기 위한 평면도이다.
도 18은, 제1 도포 불균일에 대한 확인 시험 결과를 나타내는 도면이다.
도 19는, 온도 조정 확인 시험을 설명하기 위한 도포 장치의 모식적 단면도이다.
도 20은, 온도 조정 확인 시험 결과를 나타내는 도면이다.
도 21은, 기체 노즐로부터 기판으로의 기체의 공급 양태가 서로 상이한 상태로 도포 처리가 실시된 4개의 기판에 있어서의 레지스트막의 막두께 분포를 나타내는 도면이다.
도 22는, 제2 실시 형태에 따른 도포 장치의 기본적인 구성예를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 23은, 도 22의 도포 장치의 모식적 평면도이다.
도 24는, 제1 변형예에 따른 기체 노즐의 외관 사시도이다.
도 25는, 도 24의 기체 노즐의 평면도이다.
도 26은, 도 24의 기체 노즐의 하면도이다.
도 27은, 도포 장치에 있어서의 제1 변형예에 따른 기체 노즐과 흡착 유지부의 위치 관계를 나타내는 도면이다.
도 28은, 도 27의 흡착 유지부 및 기체 노즐의 복수의 부분의 종단면도이다.
도 29는, 제2 변형예에 따른 기체 노즐의 하면도이다.
도 30은, 제3 변형예에 따른 기체 노즐의 평면도이다.
도 31은, 제4 변형예에 따른 기체 노즐의 평면도이다.
도 32는, 제5 변형예에 따른 기체 노즐의 외관 사시도이다.
도 33은, 제5 변형예에 따른 기체 노즐과 흡착 유지부에 의해 유지되는 기판의 위치 관계를 설명하기 위한 종단면도이다.
도 34는, 제2 실시 형태의 실시예 기판 및 비교예 기판에 있어서의 레지스트막의 막두께 분포를 나타내는 도면이다.
도 35는, 도 1 및 도 22의 기체 노즐에 있어서의 기체 분출부의 다른 구성예를 나타내는 외관 사시도이다.
도 36은, 도 1 및 도 22의 기체 노즐에 있어서의 기체 분출부의 또 다른 구성예를 나타내는 외관 사시도이다.
도 37은, 도 22 및 도 23의 복수의 기체 노즐 중 일부의 기체 노즐에 대해서 위치 조정이 행해지는 예를 나타내는 도포 장치의 모식적 평면도이다.
도 38은, 도 22 및 도 23의 복수의 기체 노즐 중 일부의 기체 노즐에 대해서 위치 조정이 행해지는 예를 나타내는 도포 장치의 모식적 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing of the coating apparatus which concerns on 1st Embodiment.
FIG. 2 is a schematic plan view of the coating device of FIG. 1 .
3 is an external perspective view of the gas nozzle.
4 : is an exploded perspective view of the adsorption|suction holding part which concerns on a 1st structural example.
5 : is a top view of the adsorption|suction holding part of FIG. 4 which concerns on a 1st structural example.
Fig. 6 is a longitudinal cross-sectional view taken along line AA of the suction holder of Fig. 5 .
Fig. 7 is an exploded perspective view of an adsorption holder according to a second structural example.
Fig. 8 is a bottom view of the upper upper member of Fig. 7;
9 is a longitudinal sectional view of an adsorption holding unit according to a second structural example.
10 : is a top view of the adsorption|suction holding part which concerns on a reference form.
Fig. 11 is a longitudinal sectional view taken along line BB of the suction holder of Fig. 10;
12 : is a top view which shows an example of the 1st application|coating nonuniformity which generate|occur|produced on the board|substrate after the application|coating process using the adsorption|suction holding part which concerns on a reference form.
Fig. 13 is a cross-sectional view for explaining a first mechanism estimated for the occurrence of the first coating non-uniformity in Fig. 12 .
Fig. 14 is a cross-sectional view for explaining a second mechanism estimated for the occurrence of the first coating non-uniformity in Fig. 12 .
15 : is a top view which shows an example of the 2nd application|coating nonuniformity which generate|occur|produced on the board|substrate after an application|coating process.
Fig. 16 is a cross-sectional view for explaining an estimated mechanism for the occurrence of the second coating non-uniformity in Fig. 15 .
17 : is a top view for demonstrating the part of the board|substrate used as the object of a film thickness measurement in the confirmation test about 1st application|coating nonuniformity.
18 : is a figure which shows the confirmation test result about 1st application|coating nonuniformity.
19 : is a schematic sectional drawing of the coating apparatus for demonstrating the temperature adjustment confirmation test.
20 : is a figure which shows the temperature adjustment confirmation test result.
Fig. 21 is a diagram showing the film thickness distribution of the resist film in four substrates subjected to a coating process in a state in which the gas supply mode from the gas nozzle to the substrate is different from each other.
22 : is a schematic sectional drawing which shows the basic structural example of the coating apparatus which concerns on 2nd Embodiment.
Fig. 23 is a schematic plan view of the coating device of Fig. 22 .
24 is an external perspective view of the gas nozzle according to the first modification.
Fig. 25 is a plan view of the gas nozzle of Fig. 24 .
Fig. 26 is a bottom view of the gas nozzle of Fig. 24;
27 : is a figure which shows the positional relationship of the gas nozzle which concerns on the 1st modified example in an application|coating apparatus, and an adsorption|suction holding part.
Fig. 28 is a longitudinal sectional view of a plurality of portions of the adsorption holding unit and the gas nozzle of Fig. 27;
29 is a bottom view of the gas nozzle according to the second modification.
30 is a plan view of a gas nozzle according to a third modification.
31 is a plan view of a gas nozzle according to a fourth modification.
32 is an external perspective view of a gas nozzle according to a fifth modification.
Fig. 33 is a longitudinal sectional view for explaining the positional relationship between the gas nozzle and the substrate held by the adsorption holding unit according to the fifth modification.
Fig. 34 is a diagram showing the film thickness distribution of resist films in Example substrates and Comparative Example substrates according to the second embodiment.
Fig. 35 is an external perspective view showing another configuration example of the gas ejection unit in the gas nozzles of Figs. 1 and 22 .
Fig. 36 is an external perspective view showing still another structural example of the gas ejection unit in the gas nozzles of Figs. 1 and 22 .
FIG. 37 : is a schematic plan view of the application|coating apparatus which shows the example in which position adjustment is performed with respect to some gas nozzles among the some gas nozzles of FIG. 22 and FIG.
FIG. 38 : is a schematic plan view of the coating apparatus which shows the example in which position adjustment is performed with respect to some gas nozzles among the some gas nozzles of FIG. 22 and FIG.

이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 회전 유지 장치 및 기판 처리 장치에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 액정 표시 장치 또는 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등에 이용되는 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 반도체 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 또는 태양 전지용 기판 등을 말한다. 이하의 설명에 있어서는, 기판 처리 장치의 일례로서 기판에 레지스트액을 도포하는 도포 장치를 설명한다. 또, 이하의 설명에 있어서, 처리 대상이 되는 기판은, 적어도 일부가 원 형상인 외주 단부를 갖는다. 그 기판의 외주 단부에는, 당해 기판의 위치 및 방향 등을 식별하기 위한 노치 또는 오리엔테이션 플랫이 국소적으로 형성되어 있다. 또한, 그 기판의 외주 단부에는, 림부(Outer Support Ring)가 둘레 전체에 걸쳐 형성되어 있다. 그 기판에 있어서는, 림부의 내측의 영역의 두께(기판의 두께)는, 200μm 이하이며, 림부의 두께보다 작다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the rotation holding apparatus and the substrate processing apparatus which concern on one Embodiment of this invention are demonstrated, referring drawings. In the following description, the term "substrate" means a substrate for a flat panel display (FPD) used in a liquid crystal display device or an organic EL (Electro Luminescence) display device, etc., a semiconductor substrate, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk It refers to a substrate, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, or a substrate for a solar cell. In the following description, a coating apparatus for applying a resist solution to a substrate is described as an example of a substrate processing apparatus. In addition, in the following description, the board|substrate used as a process object has an outer peripheral edge part whose at least one part is circular shape. At the outer peripheral end of the substrate, a notch or an orientation flat for identifying the position and direction of the substrate or the like is locally formed. Moreover, at the outer peripheral edge part of the board|substrate, the rim part (Outer Support Ring) is formed over the whole periphery. In the board|substrate, the thickness (thickness of a board|substrate) of the area|region inside a rim part is 200 micrometers or less, and is smaller than the thickness of a rim part.

1. 제1 실시 형태1. First embodiment

[1] 도포 장치의 전체 구성[1] Overall configuration of the applicator

도 1은 제1 실시 형태에 따른 도포 장치의 모식적 단면도이며, 도 2는 도 1의 도포 장치(1)의 모식적 평면도이다. 도 2에서는, 도 1에 나타나는 도포 장치(1)의 복수의 구성 요소 중 일부의 구성 요소의 도시가 생략되어 있다. 또, 도 1에 나타나는 기판(W)이 일점 쇄선으로 나타난다.FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the coating device according to the first embodiment, and FIG. 2 is a schematic plan view of the coating device 1 of FIG. 1 . In FIG. 2, illustration of some component is abbreviate|omitted among the some component of the application|coating apparatus 1 shown in FIG. Moreover, the board|substrate W shown in FIG. 1 is shown by the dashed-dotted line.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 도포 장치(1)는, 주로 회전 유지 장치(10) 및 처리액 공급 장치(20)를 구비한다. 회전 유지 장치(10)는, 기판(W)의 하면 중앙부를 흡착 유지하면서 회전시키는 것이 가능하게 구성된다. 1 , the coating device 1 according to the present embodiment mainly includes a rotation holding device 10 and a processing liquid supply device 20 . The rotation holding device 10 is configured to be able to rotate while adsorbing and holding the central portion of the lower surface of the substrate W.

처리액 공급 장치(20)는, 액체 노즐(21) 및 처리액 공급계(22)를 포함한다. 처리액 공급계(22)는, 액체 노즐(21)에 레지스트액을 공급한다. 액체 노즐(21)은, 공급된 레지스트액을 처리액 공급 장치(20)에 의해 흡착 유지되어 회전하는 기판(W)의 상면에 토출한다. 그로 인해, 미처리 기판(W)의 상면에 레지스트막이 형성된다(도포 처리). 레지스트막이 형성된 기판(W)은, 도포 장치(1)로부터 반출되어, 도시하지 않은 노광 장치에 있어서 노광 처리가 행해진다. The processing liquid supply device 20 includes a liquid nozzle 21 and a processing liquid supply system 22 . The processing liquid supply system 22 supplies a resist liquid to the liquid nozzle 21 . The liquid nozzle 21 discharges the supplied resist liquid onto the upper surface of the rotating substrate W while being adsorbed and held by the processing liquid supply device 20 . Therefore, a resist film is formed on the upper surface of the unprocessed substrate W (coating process). The substrate W on which the resist film was formed is carried out from the coating apparatus 1, and exposure processing is performed in an exposure apparatus (not shown).

회전 유지 장치(10)의 구체적인 구성에 대해서 설명한다. 회전 유지 장치(10)는, 흡착 유지부(11), 회전축(12), 회전 구동부(13), 흡인 장치(14), 컵(15), 배액 안내관(16), 기체 노즐(17) 및 기체 공급계(18)를 포함한다.The specific structure of the rotation holding device 10 is demonstrated. The rotation holding device 10 includes a suction holding unit 11 , a rotating shaft 12 , a rotation driving unit 13 , a suction device 14 , a cup 15 , a drainage guide tube 16 , a gas nozzle 17 , and a gas supply system 18 .

흡착 유지부(11)는, 기판(W)의 하면 중앙부를 흡착 유지하는 평탄한 상면(11u)을 갖고, 상하 방향으로 연장되는 회전축(12)의 상단부에 장착되어 있다. 흡착 유지부(11)의 상면(11u)에는, 다수의 흡인 구멍(vh1, vh2)(후술하는 도 4 참조)이 형성되어 있다. 회전 구동부(13)는, 회전축(12)을 그 축심 둘레로 회전시킨다.The suction holding part 11 has a flat upper surface 11u which adsorbs and holds the central part of the lower surface of the board|substrate W, and is attached to the upper end of the rotating shaft 12 extended in an up-down direction. A large number of suction holes vh1 and vh2 (refer to FIG. 4 mentioned later) are formed in the upper surface 11u of the suction holding|maintenance part 11. As shown in FIG. The rotation drive unit 13 rotates the rotation shaft 12 around its axis.

도 1에 굵은 점선으로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(11) 및 회전축(12)의 내부에는, 흡기 경로(vp)가 형성되어 있다. 흡기 경로(vp)는, 흡인 장치(14)에 접속되어 있다. 흡인 장치(14)는, 예를 들면 아스피레이터 등의 흡인 기구를 포함하고, 흡기 경로(vp)를 통해 흡착 유지부(11)의 상면(11u) 상의 공간의 분위기를 흡인하여, 도포 장치(1)의 외부에 배출한다.As shown by a thick dotted line in FIG. 1 , an intake path vp is formed inside the suction holding unit 11 and the rotation shaft 12 . The intake path vp is connected to the suction device 14 . The suction device 14 includes, for example, a suction mechanism such as an aspirator, and sucks the atmosphere of the space on the upper surface 11u of the suction holder 11 through the intake path vp, and the application device ( 1) is discharged to the outside.

도 2에 나타내는 바와 같이, 컵(15)은, 평면에서 보았을 때 흡착 유지부(11)의 주위를 둘러싸도록 설치되는 것과 더불어, 도시하지 않은 승강 기구에 의해 상하 방향에 있어서의 복수의 위치로 이동 가능하게 구성된다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 컵(15)은, 바닥부(15x) 및 외주 벽부(15y)를 포함한다. 바닥부(15x)는, 대략 원환 형상을 갖는다. 바닥부(15x)의 내주 단부는 소정 높이만큼 상방을 향해 굴곡되어 있다. 외주 벽부(15y)는, 바닥부(15x)의 외주 단부로부터 소정 높이만큼 상방으로 연장되어 굴곡되고, 또한 흡착 유지부(11)를 향해 비스듬한 상방으로 연장되도록 형성되어 있다. As shown in FIG. 2, while the cup 15 is provided so that it may surround the circumference|surroundings of the suction holding|maintenance part 11 in planar view, it moves to several positions in an up-down direction by the raising/lowering mechanism not shown in figure. configured to be possible. As shown in FIG. 1 , the cup 15 includes a bottom portion 15x and an outer peripheral wall portion 15y. The bottom portion 15x has a substantially annular shape. The inner peripheral end of the bottom portion 15x is bent upward by a predetermined height. The outer peripheral wall part 15y is formed so that it may extend upward by a predetermined height from the outer peripheral edge part of the bottom part 15x, and may bend, and may extend obliquely upward toward the suction holding|maintenance part 11.

컵(15)의 바닥부(15x)에는, 드레인(15d)이 형성되어 있다. 바닥부(15x)에 있어서의 드레인(15d)의 형성 부분에는, 배액 안내관(16)이 장착되어 있다. 배액 안내관(16)의 하단부는 도시하지 않은 배액계에 접속되어 있다.A drain 15d is formed at the bottom 15x of the cup 15 . A drainage guide tube 16 is attached to the portion where the drain 15d is formed in the bottom portion 15x. The lower end of the drainage guide tube 16 is connected to a drainage system (not shown).

도 2에 나타내는 바와 같이, 평면에서 보았을 때 컵(15)의 외주 벽부(15y)의 내주 단부와 흡착 유지부(11)의 외주 단부 사이의 위치에는, 기체 노즐(17)이 설치되어 있다. 도 3은, 기체 노즐(17)의 외관 사시도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 기체 노즐(17)은, 대략 L자 형상을 갖고, 기체 도입부(17a) 및 기체 분출부(17b)를 포함한다. 기체 도입부(17a)는 통 형상을 갖고, 기체 노즐(17)의 하부에 설치되어 있다. 기체 분출부(17b)는, 슬릿형 개구이며, 기체 노즐(17)의 상단부에 형성되어 있다. 기체 노즐(17)의 내부에는, 기체 도입부(17a)로부터 기체 분출부(17b)로 이어지는 기체 공급 경로(17v)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 2, the gas nozzle 17 is provided in the position between the inner peripheral edge part of the outer peripheral wall part 15y of the cup 15, and the outer peripheral edge part of the suction holding|maintenance part 11 in planar view. 3 is an external perspective view of the gas nozzle 17 . As shown in FIG. 3 , the gas nozzle 17 has a substantially L-shape, and includes a gas introduction portion 17a and a gas ejection portion 17b. The gas introduction part 17a has a cylindrical shape and is provided in the lower part of the gas nozzle 17. As shown in FIG. The gas ejection part 17b is a slit-shaped opening, and is formed in the upper end part of the gas nozzle 17. As shown in FIG. A gas supply path 17v is formed inside the gas nozzle 17 from the gas introduction part 17a to the gas ejection part 17b.

도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 기체 노즐(17)은, 흡착 유지부(11)의 외주 단부 근방의 위치에서, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되는 기판(W)의 하면에 기체 분출부(17b)가 대향하도록 배치된다. 또한, 도포 장치(1)는, 도시하지 않은 하우징 내에 회전 유지 장치(10) 및 처리액 공급 장치(20)가 수용된 구성을 갖는다. 기체 노즐(17)은, 예를 들면 도포 장치(1)의 하우징에 고정된다. 흡착 유지부(11)에 기판(W)이 흡착 유지된 상태에서, 기판(W)의 하면과 기체 노즐(17)의 상단부(기체 분출부(17b)) 사이의 거리는, 예를 들면 0.5mm~10mm 정도로 설정된다. 또, 기체 노즐(17)은, 기체 분출부(17b)의 슬릿형 개구가 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되는 기판(W)의 직경의 방향으로 연장되도록 배치된다. 또한, 기체 노즐(17)의 기체 도입부(17a)(도 3)에는, 기체 공급계(18)가 접속된다.1 and 2 , the gas nozzle 17 is a gas on the lower surface of the substrate W adsorbed and held by the suction holder 11 at a position near the outer peripheral end of the suction holder 11 . The ejection portions 17b are disposed to face each other. In addition, the application device 1 has a configuration in which the rotation holding device 10 and the processing liquid supply device 20 are accommodated in a housing (not shown). The gas nozzle 17 is fixed to the housing of the application|coating apparatus 1, for example. The distance between the lower surface of the substrate W and the upper end of the gas nozzle 17 (gas ejection portion 17b) is, for example, 0.5 mm to It is set to about 10mm. Moreover, the gas nozzle 17 is arrange|positioned so that the slit-shaped opening of the gas ejection part 17b may extend in the direction of the diameter of the board|substrate W adsorbed and held by the adsorption|suction holding part 11. As shown in FIG. Moreover, the gas supply system 18 is connected to the gas introduction part 17a (FIG. 3) of the gas nozzle 17. As shown in FIG.

상기의 구성을 갖는 도포 장치(1)에 있어서는, 기판(W)의 도포 처리 시에, 흡착 유지부(11)에 의해 기판(W)이 수평 자세로 유지된다. 또, 수평 방향에 있어서 외주 벽부(15y)의 내주면이 기판(W)의 외주 단부에 대향하도록, 컵(15)이 상하 방향으로 위치 결정된다. 이 상태에서, 회전 구동부(13)가 동작함으로써 기판(W)이 회전된다.In the coating apparatus 1 which has said structure, at the time of the application|coating process of the board|substrate W, the board|substrate W is hold|maintained in a horizontal attitude|position by the adsorption|suction holding part 11. Moreover, the cup 15 is positioned in an up-down direction so that the inner peripheral surface of the outer peripheral wall part 15y may oppose the outer peripheral edge part of the board|substrate W in a horizontal direction. In this state, the substrate W is rotated by the operation of the rotation driving unit 13 .

이어서, 액체 노즐(21)이 도시하지 않은 노즐 이동 장치에 의해 기판(W)의 상방으로 이동된다. 이 상태에서, 이동된 액체 노즐(21)로부터 기판(W)에 레지스트액이 토출된다. 그로 인해, 회전하는 기판(W) 상에 레지스트액이 도포된다. 회전하는 기판(W)으로부터 외방으로 비산하는 레지스트액은, 컵(15)의 외주 벽부(15y)의 내주면에 의해 받아진다. 받아진 레지스트액은, 컵(15)의 바닥부(15x)에 수집되고, 드레인(15d)으로부터 배액 안내관(16)을 통해 도시하지 않은 배액계로 이끌어진다. Next, the liquid nozzle 21 is moved above the substrate W by a nozzle moving device (not shown). In this state, the resist liquid is discharged to the substrate W from the moved liquid nozzle 21 . For this reason, a resist liquid is apply|coated on the board|substrate W which rotates. The resist liquid scattering outward from the rotating substrate W is received by the inner peripheral surface of the outer peripheral wall portion 15y of the cup 15 . The received resist liquid is collected in the bottom part 15x of the cup 15, and is led from the drain 15d through the drainage guide tube 16 to a drainage system (not shown).

도포 장치(1)에 있어서는, 도포 처리 시에 유지되어야 할 기판(W)의 온도(이하, 처리 온도라고 부른다.)가 미리 정해져 있다. 처리 온도는 예를 들면 23℃이다. 그러나, 후술하는 바와 같이, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지된 기판(W)의 회전 시에는, 기판(W) 중 흡착 유지부(11)에 접촉하고 있지 않은 부분의 온도가 흡착 유지부(11)에 접촉하고 있는 다른 부분의 온도보다 저하되는 경우가 있다. 그 때문에, 흡착 유지부(11)에 접촉하고 있는 기판(W)의 부분의 온도가 처리 온도로 유지되는 경우에도, 흡착 유지부(11)에 접촉하고 있지 않은 기판(W)의 부분의 온도가 처리 온도보다 낮은 온도로 유지되는 경우가 있다.In the coating apparatus 1, the temperature of the board|substrate W which should be hold|maintained at the time of an application|coating process (henceforth a process temperature.) is predetermined. The treatment temperature is, for example, 23°C. However, as will be described later, when the substrate W adsorbed and held by the suction holder 11 is rotated, the temperature of the portion of the substrate W that is not in contact with the suction holder 11 is increased by the suction holding unit. (11) may be lower than the temperature of other parts in contact. Therefore, even when the temperature of the portion of the substrate W in contact with the suction holder 11 is maintained at the processing temperature, the temperature of the portion of the substrate W not in contact with the suction holder 11 is It may be maintained at a temperature lower than the processing temperature.

그래서, 기체 공급계(18)는, 도포 처리 시에, 예를 들면 처리 온도보다 높은 온도를 갖는 기체(이하, 온도 조정 기체라고 부른다.)를 기체 노즐(17)에 공급한다. 이 경우, 기체 노즐(17)에 공급된 온도 조정 기체는, 기체 노즐(17)의 기체 분출부(17b)로부터 도포 처리 중인 기판(W)의 하면의 일부에 분사된다. 이로 인해, 흡착 유지부(11)에 접촉하고 있지 않은 기판(W)의 부분의 온도가 흡착 유지부(11)에 접촉하고 있는 기판(W)의 다른 부분의 온도(예를 들면 처리 온도)에 일치하거나 또는 처리 온도에 가까워진다.Accordingly, the gas supply system 18 supplies the gas nozzle 17 with a gas having a temperature higher than the processing temperature (hereinafter referred to as a temperature control gas), for example, to the gas nozzle 17 during the coating process. In this case, the temperature control gas supplied to the gas nozzle 17 is sprayed from the gas ejection part 17b of the gas nozzle 17 to a part of the lower surface of the board|substrate W under application process. For this reason, the temperature of the part of the board|substrate W which is not contacting the adsorption|suction holding part 11 is the temperature (for example, processing temperature) of the other part of the board|substrate W which is contacting the adsorption|suction holding part 11. match or approach the treatment temperature.

또한, 기판(W)의 도포 처리 시에 있어서는, 기체 분출부(17b)로부터 기판(W)에 분사되는 온도 조정 기체의 유량은, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되는 기판(W)이, 흡착 유지부(11)의 상면(11u)으로부터 떨어지지 않을 정도로 조정된다. 기체 노즐(17)에 공급하는 온도 조정 기체로서는, 가열된 질소 가스가 이용된다. 혹은, 기체 노즐(17)에 공급하는 온도 조정 기체로서, 가열된 드라이 에어를 이용할 수도 있다.In addition, in the case of the application|coating process of the board|substrate W, the flow volume of the temperature control gas injected to the board|substrate W from the gas blowing part 17b is the board|substrate W adsorbed and held by the adsorption|suction holding|maintenance part 11. , adjusted to such an extent that it does not come off the upper surface 11u of the adsorption holding unit 11 . As the temperature control gas supplied to the gas nozzle 17 , heated nitrogen gas is used. Alternatively, heated dry air may be used as the temperature control gas supplied to the gas nozzle 17 .

그런데, 본 실시 형태에 따른 도포 장치(1)에 있어서는, 흡착 유지부(11)가, 도포 처리 중인 기판(W)의 유지 상태를 안정시키기 위한 구성을 갖는다. 이하, 흡착 유지부(11)의 구체적인 구성예에 대해서 설명한다.By the way, in the coating apparatus 1 which concerns on this embodiment, the adsorption|suction holding part 11 has the structure for stabilizing the holding state of the board|substrate W in the coating process. Hereinafter, the specific structural example of the adsorption|suction holding part 11 is demonstrated.

[2] 흡착 유지부(11)의 구체적인 구성예[2] Specific structural example of the adsorption holding part 11

(1) 제1 구성예(1) 1st structural example

도 4는, 제1 구성예에 따른 흡착 유지부(11)의 분해 사시도이다. 도 5는, 제1 구성예에 따른 도 4의 흡착 유지부(11)의 평면도이다. 도 6은, 도 5의 흡착 유지부(11)의 A-A선 종단면도이다. 도 5에서는, 흡착 유지부(11) 전체의 평면도에 더하여, 흡착 유지부(11)의 외주 단부의 일부 및 그 주변 부분의 확대 평면도가 말풍선 안에 도시된다. 4 : is an exploded perspective view of the adsorption|suction holding part 11 which concerns on a 1st structural example. 5 : is a top view of the adsorption|suction holding part 11 of FIG. 4 which concerns on a 1st structural example. Fig. 6 is a vertical cross-sectional view taken along the line A-A of the suction holder 11 of Fig. 5 . In FIG. 5, in addition to the top view of the whole suction holding|maintenance part 11, the enlarged top view of a part of the outer peripheral edge part of the suction holding|maintenance part 11 and its peripheral part is shown in a speech balloon.

도 4에 나타내는 바와 같이, 제1 구성예에 따른 흡착 유지부(11)는, 주로 원판형 부재(40) 및 원환형 부재(50)로 구성된다. 원판형 부재(40) 및 원환형 부재(50)는, 예를 들면 내식성이 우수한 수지로 이루어진다. 원판형 부재(40)는, 위에서 아래를 향해 늘어서는 흡착부(41), 흡기 경로 형성부(42) 및 지지부(43)를 갖는다. 흡착부(41)는, 흡착 유지부(11)의 상면(11u)을 포함하고, 기판(W)의 하면 중앙부를 흡착 유지 가능하게 구성된다.As shown in FIG. 4 , the suction holding unit 11 according to the first structural example is mainly composed of a disk-shaped member 40 and an annular member 50 . The disk-shaped member 40 and the annular member 50 are made of, for example, a resin excellent in corrosion resistance. The disk-shaped member 40 has a suction portion 41 , an intake path forming portion 42 , and a support portion 43 arranged from top to bottom. The adsorption|suction part 41 is comprised so that the lower surface center part of the board|substrate W can adsorb|suck hold including the upper surface 11u of the adsorption|suction holding part 11.

상면(11u)의 직경은, 기판(W)의 반경을 중심값으로 하는 기판(W)의 직경의 15%의 범위 내에 있다. 기판(W)의 직경이 300mm인 경우, 상면(11u)의 직경은, 130mm 이상 170mm 이하의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 상면(11u)의 직경이 기판(W)의 반경을 중심값으로 하는 기판(W)의 직경의 15%의 범위 내에 있는 경우, 상면(11u)의 직경이 그 범위보다 작은 경우에 비해, 기판(W)의 하면 중앙부가 넓은 범위에 걸쳐 흡착되어, 유지 상태가 안정된다. 또, 상면(11u)의 직경이 상기의 범위보다 큰 경우에 비해, 전체에 걸쳐 평탄한 상면(11u)을 갖는 흡착 유지부(11)의 제작이 용이해진다.The diameter of the upper surface 11u is within the range of 15% of the diameter of the substrate W having the radius of the substrate W as a central value. When the diameter of the board|substrate W is 300 mm, it is preferable that the diameter of the upper surface 11u exists in the range of 130 mm or more and 170 mm or less. When the diameter of the upper surface 11u is within the range of 15% of the diameter of the substrate W having the radius of the substrate W as the central value, compared to the case where the diameter of the upper surface 11u is smaller than that range, the substrate ( The central part of the lower surface of W) is adsorbed over a wide range, and the holding state is stabilized. Moreover, compared with the case where the diameter of the upper surface 11u is larger than the said range, manufacture of the adsorption|suction holding part 11 which has the upper surface 11u flat over the whole becomes easy.

도 6에 나타내는 바와 같이, 원판형 부재(40)에 있어서는, 흡기 경로 형성부(42) 및 지지부(43)의 직경은, 흡착부(41)의 직경에 비해 작다. 그로 인해, 흡착부(41)의 외주 단부 및 그 주변 부분은, 흡기 경로 형성부(42) 및 지지부(43)의 상방의 위치에서, 원판형 부재(40)의 외방(측방)을 향해 플랜지형으로 돌출되어 있다.As shown in FIG. 6 , in the disk-shaped member 40 , the diameters of the intake path forming portion 42 and the support portion 43 are smaller than the diameters of the suction portion 41 . For this reason, the outer peripheral end of the adsorption|suction part 41 and its peripheral part are flange-shaped toward the outward (side) of the disk-shaped member 40 at the position above the intake-path forming part 42 and the support part 43. is protruding into

이하의 설명에서는, 흡착 유지부(11)의 중심을 지나 상하 방향으로 연장되는 가상축을 중심축(11c)이라고 부른다. 흡기 경로 형성부(42)에는, 중심축(11c)으로부터 흡착 유지부(11)의 외주 단부를 향해 수평 방향으로 직선형으로 연장되는 복수의 가로 구멍이 형성되어 있다. 이들 복수의 가로 구멍의 각각의 내부 공간은, 상기의 흡기 경로(vp)의 일부인 직선형 경로(LP)를 구성한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 복수의 직선형 경로(LP)는, 중심축(11c)을 중심으로 하여 일정한 각도 피치 β로 형성되어 있다. 복수의 직선형 경로(LP)의 내부 공간은, 흡착 유지부(11)의 중심부에서 서로 연통하고 있다. 본 예에서는, 각도 피치 β는 30°이다. 또한, 각도 피치 β는 15°여도 되고, 60°여도 된다.In the following description, an imaginary axis extending in the vertical direction through the center of the suction holder 11 is referred to as the central axis 11c. In the intake path forming portion 42 , a plurality of transverse holes extending from the central axis 11c toward the outer peripheral end of the suction holding portion 11 in a horizontal direction are formed in a straight line. Each of the internal spaces of the plurality of transverse holes constitutes a linear path LP that is a part of the intake path vp. As shown in FIG. 5, the some linear path|route LP is formed with the fixed angular pitch beta centering on the central axis 11c. The internal spaces of the plurality of linear paths LP communicate with each other at the center of the suction holding unit 11 . In this example, the angular pitch β is 30°. In addition, 15 degrees may be sufficient as the angle pitch (beta), and 60 degrees may be sufficient as it.

도 6에 나타내는 바와 같이, 원판형 부재(40)의 최하부에 위치하는 지지부(43)는, 도 1의 회전축(12)의 상단부에 장착되는 장착부(43a)를 갖는다. 장착부(43a)는, 중심축(11c)을 둘러싸는 통 형상을 갖고, 중심축(11c)을 중심으로 하여 다른 부분으로부터 하방으로 돌출되도록 형성되어 있다. 또, 지지부(43)에는, 중심축(11c)을 따르도록 연통 구멍(43b)이 형성되어 있다. 연통 구멍(43b)은, 복수의 직선형 경로(LP)의 내부 공간과 원판형 부재(40)의 하방의 공간을 연통한다.As shown in FIG. 6 , the support part 43 located at the lowermost part of the disk-shaped member 40 has a mounting part 43a attached to the upper end of the rotation shaft 12 of FIG. 1 . The mounting portion 43a has a cylindrical shape surrounding the central axis 11c, and is formed so as to protrude downward from the other portion centering on the central axis 11c. Moreover, the communication hole 43b is formed in the support part 43 so that it may follow the central axis 11c. The communication hole 43b communicates with the inner space of the plurality of linear paths LP and the space below the disk-shaped member 40 .

지지부(43)가 회전축(12)의 상단부에 장착될 때에는, 중심축(11c)이 회전축(12)의 축심에 일치함과 더불어, 복수의 직선형 경로(LP)의 내부 공간이 연통 구멍(43b)을 통해 회전축(12)에 형성된 흡기 경로(vp)의 내부 공간에 연통한다.When the support part 43 is mounted on the upper end of the rotation shaft 12, the central shaft 11c coincides with the axial center of the rotation shaft 12, and the inner space of the plurality of linear paths LP is formed through the communication hole 43b. It communicates with the internal space of the intake path (vp) formed in the rotation shaft 12 through the.

도 4에 나타내는 바와 같이, 원환형 부재(50)는, 바닥부(51) 및 외주 벽부(52)를 갖는다. 바닥부(51)는 원환 형상을 갖는다. 바닥부(51)의 내주 단부는, 원판형 부재(40)의 지지부(43)의 외주 하단부에 접속 가능하게 구성되어 있다. 외주 벽부(52)는, 바닥부(51)의 외주 단부로부터 상방을 향해 일정 높이 연장되도록 형성되어 있다. 외주 벽부(52)의 상단부는, 원판형 부재(40)의 흡착부(41)의 외주 하단부에 접속 가능하게 구성되어 있다.As shown in FIG. 4 , the annular member 50 has a bottom portion 51 and an outer peripheral wall portion 52 . The bottom portion 51 has an annular shape. The inner peripheral end of the bottom portion 51 is configured to be connectable to the outer peripheral lower end of the support portion 43 of the disk-shaped member 40 . The outer peripheral wall part 52 is formed so that it may extend upward from the outer peripheral edge part of the bottom part 51 at a fixed height. The upper end of the outer peripheral wall portion 52 is configured to be connectable to the outer peripheral lower end of the suction portion 41 of the disk-shaped member 40 .

원환형 부재(50)는, 도 4에 굵은 실선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 흡착부(41)의 외주 하단부와 지지부(43)의 외주 하단부를 접속하도록, 원판형 부재(40)에 장착된다. 이 장착 시에는, 원판형 부재(40)와 원환형 부재(50)의 접속 부분이 용접된다. 그로 인해, 흡착부(41)의 주연부의 하방에 원환형의 공간이 형성된다. 이 원환형의 공간은, 흡착 유지부(11) 내의 흡기 경로(vp)의 일부인 환상 경로(RP)(도 5 및 도 6)를 구성한다. 환상 경로(RP)는, 평면에서 보았을 때 복수의 직선형 경로(LP)를 둘러싼다. 복수의 직선형 경로(LP) 중 중심축(11c)과 반대측의 단부는, 환상 경로(RP) 내의 공간으로 개방되어 있다. 따라서, 환상 경로(RP)의 내부 공간과 복수의 직선형 경로(LP)의 내부 공간은 서로 연통하고 있다.The annular member 50 is attached to the disk-shaped member 40 so as to connect the outer peripheral lower end of the adsorption portion 41 and the outer peripheral lower end of the supporting portion 43 as indicated by the thick solid arrow in FIG. 4 . In this attachment, the connecting portion of the disk-shaped member 40 and the annular member 50 is welded. For this reason, an annular space is formed below the periphery of the adsorption|suction part 41. As shown in FIG. This annular space constitutes an annular path RP ( FIGS. 5 and 6 ) which is a part of the intake path vp in the suction holding unit 11 . The annular path RP surrounds a plurality of straight paths LP in plan view. An end of the plurality of linear paths LP on the opposite side to the central axis 11c is opened to the space in the annular path RP. Accordingly, the inner space of the annular path RP and the inner space of the plurality of linear paths LP communicate with each other.

도 5에 굵은 일점 쇄선의 원으로 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 흡착 유지부(11)의 상면(11u)은, 흡착 유지부(11)의 외주 단부를 따른 주연부 영역(R1)과 주연부 영역(R1)에 둘러싸인 중앙부 영역(R2)으로 구획된다.As shown by the thick dashed-dotted circle in FIG. 5 , the upper surface 11u of the suction holder 11 according to the present embodiment is a peripheral region R1 and a peripheral region along the outer peripheral end of the suction holder 11 . It is partitioned by the central part area R2 surrounded by (R1).

본 예의 주연부 영역(R1)은, 흡착 유지부(11)의 외주 단부로부터 일정 폭의 원환형 영역이며, 평면에서 보았을 때 원환형 부재(50)에 겹쳐진다. 상면(11u)의 직경이 150mm인 경우, 주연부 영역(R1)의 반경 방향의 폭은, 5mm 이상 30mm 이하의 범위 내에 있다. The periphery region R1 of this example is an annular region of a constant width from the outer peripheral end of the suction holder 11 , and is superimposed on the annular member 50 in plan view. When the diameter of the upper surface 11u is 150 mm, the width in the radial direction of the peripheral region R1 is in the range of 5 mm or more and 30 mm or less.

흡착 유지부(11)의 상면(11u)에 있어서는, 주연부 영역(R1) 및 중앙부 영역(R2)의 전체에 걸쳐 기판(W)의 하면을 흡인하기 위한 복수의 흡인 구멍이 형성되어 있다. 이하의 설명에서는, 흡착 유지부(11)의 상면(11u)에 형성되는 복수의 흡인 구멍 중 주연부 영역(R1)에 형성되는 흡인 구멍을 흡인 구멍(vh1)이라고 부르며, 중앙부 영역(R2)에 형성되는 흡인 구멍을 흡인 구멍(vh2)이라고 부른다. In the upper surface 11u of the adsorption|suction holding part 11, the some suction hole for attracting|sucking the lower surface of the board|substrate W over the whole peripheral edge region R1 and the center part area|region R2 is formed. In the following description, among the plurality of suction holes formed in the upper surface 11u of the suction holder 11, the suction hole formed in the peripheral region R1 is called the suction hole vh1, and is formed in the central region R2. This suction hole is called a suction hole vh2.

복수의 흡인 구멍(vh1)은, 주연부 영역(R1)의 복수의 직선형 경로(LP) 상에 형성되고, 상면(11u) 상의 공간과 직선형 경로(LP)의 내부 공간을 연통한다. 또, 복수의 흡인 구멍(vh2)은, 중앙부 영역(R2)의 환상 경로(RP) 상에 형성되고, 상면(11u) 상의 공간과 환상 경로(RP)의 내부 공간을 연통한다. 이로 인해, 도 1의 흡인 장치(14)의 작동 시에는, 흡착 유지부(11)의 주연부 영역(R1) 상의 분위기가 복수의 흡인 구멍(vh1), 환상 경로(RP), 복수의 직선형 경로(LP) 및 회전축(12)의 흡기 경로(vp)를 통해 흡인 장치(14)로 이끌어진다. 또, 흡착 유지부(11)의 중앙부 영역(R2) 상의 분위기가 복수의 흡인 구멍(vh2), 복수의 직선형 경로(LP) 및 회전축(12)의 흡기 경로(vp)를 통해 흡인 장치(14)로 이끌어진다.The plurality of suction holes vh1 are formed on the plurality of linear paths LP of the peripheral region R1, and communicate the space on the upper surface 11u and the internal space of the linear path LP. Moreover, the some suction hole vh2 is formed on the annular path|route RP of the central part area|region R2, and the space on the upper surface 11u and the internal space of the annular path|route RP communicate. For this reason, when the suction device 14 of Fig. 1 is operated, the atmosphere on the peripheral region R1 of the suction holding unit 11 is generated by the plurality of suction holes vh1, the annular path RP, and the plurality of linear paths ( LP) and the suction path vp of the rotation shaft 12 lead to the suction device 14 . In addition, the atmosphere on the central region R2 of the suction holder 11 passes through the plurality of suction holes vh2 , the plurality of linear paths LP and the intake path vp of the rotation shaft 12 , the suction device 14 . lead to

복수의 흡인 구멍(vh1, vh2)은, 예를 들면 0.1mm 이상 0.4mm 이하의 직경을 갖는 원형의 개구를 갖고, 중심축(11c)을 중심으로 하는 가상 동심원 상에 배열되어 있다. 보다 구체적으로는, 복수의 흡인 구멍(vh1)은 주연부 영역(R1)에 있어서 중심축(11c)을 중심으로 하는 4개의 가상원 상에 배열되고, 복수의 흡인 구멍(vh2)은 중앙부 영역(R2)에 있어서 중심축(11c)을 중심으로 하는 5개의 가상원 상에 배열된다. 도 5에서는, 가상 동심원의 일부가 이점 쇄선으로 나타난다.The plurality of suction holes vh1 and vh2 have, for example, a circular opening having a diameter of 0.1 mm or more and 0.4 mm or less, and are arranged on a virtual concentric circle centering on the central axis 11c. More specifically, the plurality of suction holes vh1 are arranged on four imaginary circles centered on the central axis 11c in the peripheral region R1, and the plurality of suction holes vh2 are formed in the central region R2. ), arranged on five imaginary circles centered on the central axis 11c. In Fig. 5, a part of the virtual concentric circle is indicated by a dashed-two dotted line.

주연부 영역(R1)에 있어서 복수의 흡인 구멍(vh1)이 배열되는 가상원의 반경은, 도 5의 말풍선 안에 도시하는 바와 같이, 최소의 가상원으로부터 제1 피치(pt1)로 순차적으로 커지도록 정해져 있다. 한편, 중앙부 영역(R2)에 있어서 복수의 흡인 구멍(vh2)이 배열되는 가상원의 반경은, 최소의 가상원으로부터 제1 피치(pt1)보다 큰 제2 피치(pt2)로 순차적으로 커지도록 정해져 있다. 제1 피치(pt1) 및 제2 피치(pt2)는, 이른바 PCD(Pitch Circle Diameter) 피치이다. 제1 피치(pt1)는 예를 들면 1mm 이상 3mm 이하이며, 제2 피치(pt2)는 예를 들면 5mm 이상 40mm 이하이다.The radius of the virtual circle in which the plurality of suction holes vh1 are arranged in the peripheral region R1 is determined to increase sequentially from the smallest virtual circle to the first pitch pt1 as shown in the speech bubble of FIG. 5 . there is. On the other hand, the radius of the virtual circle in which the plurality of suction holes vh2 are arranged in the central region R2 is determined to increase sequentially from the smallest virtual circle to the second pitch pt2 larger than the first pitch pt1. there is. The first pitch pt1 and the second pitch pt2 are so-called Pitch Circle Diameter (PCD) pitches. The first pitch pt1 is, for example, 1 mm or more and 3 mm or less, and the second pitch pt2 is, for example, 5 mm or more and 40 mm or less.

흡착 유지부(11)의 제조 시에는, 복수의 흡인 구멍(vh1, vh2)을 형성하기 위해, 흡착부(41)에 대해 드릴을 이용한 구멍 뚫기 가공이 행해진다. 주연부 영역(R1)에 있어서는, 서로 이웃하는 각 2개의 가상원 중 한쪽의 가상원 상에 형성되는 복수의 흡인 구멍(vh1)과 다른 쪽의 가상원 상에 형성되는 복수의 흡인 구멍(vh1)이 중심축(11c)을 중심으로 하는 회전 방향으로 갈지자로 배열(지그재그 배열)되어 있다. 이 경우, 서로 이웃하는 각 2개의 가상원 상에 형성되는 복수의 흡인 구멍(vh1)이 상면(11u)의 반경 방향으로 늘어서도록 배열되는 경우에 비해, 근접하는 복수의 흡인 구멍(vh1)간의 거리를 크게 할 수 있다. 그로 인해, 주연부 영역(R1)에 있어서의 복수의 흡인 구멍(vh1)의 형성이 용이해지는 것과 더불어, 간단한 구성으로 제1 피치(pt1)를 제2 피치(pt2)에 대해 충분히 작게 할 수 있다.At the time of manufacture of the suction holding|maintenance part 11, in order to form some suction hole vh1, vh2, the drilling process using a drill is performed with respect to the suction part 41. As shown in FIG. In the peripheral region R1, a plurality of suction holes vh1 formed on one virtual circle among two adjacent virtual circles and a plurality of suction holes vh1 formed on the other virtual circle are They are arranged in a staggered pattern (zigzag arrangement) in the rotational direction about the central axis 11c. In this case, compared with the case where a plurality of suction holes vh1 formed on each two imaginary circles adjacent to each other are arranged so as to be aligned in the radial direction of the upper surface 11u, the distance between the plurality of suction holes vh1 adjacent to each other can be made larger Therefore, while the formation of the plurality of suction holes vh1 in the peripheral region R1 is facilitated, the first pitch pt1 can be made sufficiently small with respect to the second pitch pt2 with a simple configuration.

그런데, 복수의 흡인 구멍(vh1, vh2)이 전부 같은 사이즈로 구성되면, 최대의 가상원 상에 배열되는 복수의 흡인 구멍(vh1)의 각각에서 발생하는 흡인력이 다른 흡인 구멍(vh1, vh2)의 각각에서 발생하는 흡인력보다 현저하게 커질 가능성이 있다. 이 경우, 흡착 유지부(11)에 의해 기판(W)이 흡착 유지될 때에, 기판(W)의 일부가 국소적으로 강하게 흡인됨으로써 기판(W)이 변형될 가능성이 있다. 그래서, 본 실시 형태에 있어서는, 중심축(11c)을 중심으로 하는 최대의 가상원 상에 배열되는 일부의 흡인 구멍(vh1)의 사이즈가, 다른 나머지의 흡인 구멍(vh1, vh2)의 사이즈보다 작게 설정된다. 구체적으로는, 일부의 흡인 구멍(vh1)의 각각의 개구는 예를 들면 0.1mm 이상 0.2mm 이하의 직경을 갖고, 다른 나머지의 흡인 구멍(vh1, vh2)의 각각의 개구는 예를 들면 0.2mm 이상 0.4mm 이하의 직경을 갖는다. 이로 인해, 기판(W)의 일부가 국소적으로 강하게 흡인되는 것에 기인하는 기판(W)의 변형이 방지된다.By the way, when the plurality of suction holes vh1 and vh2 are all configured to have the same size, the suction force generated in each of the plurality of suction holes vh1 arranged on the largest virtual circle is different from that of the suction holes vh1 and vh2. There is a possibility that it becomes significantly larger than the suction force generated by each. In this case, when the board|substrate W is adsorb|sucked hold|maintained by the adsorption|suction holding part 11, a part of the board|substrate W may be strongly attracted|sucked locally, and the board|substrate W may deform|transform. Then, in this embodiment, the size of some suction holes vh1 arranged on the largest virtual circle centering on the central axis 11c is smaller than the size of the other suction holes vh1 and vh2. is set Specifically, each opening of some of the suction holes vh1 has a diameter of, for example, 0.1 mm or more and 0.2 mm or less, and each opening of the other suction holes vh1 and vh2 has a diameter of, for example, 0.2 mm. It has a diameter of not more than 0.4 mm. For this reason, the deformation|transformation of the board|substrate W resulting from a part of the board|substrate W being strongly attracted|sucked locally is prevented.

상기의 제1 구성예에 따른 흡착 유지부(11)에 있어서는, 주연부 영역(R1)에 있어서의 흡인 구멍(vh1)의 면 밀도는, 중앙부 영역(R2)에 있어서의 흡인 구멍(vh2)의 면 밀도보다 크다. 이 경우, 흡착 유지부(11)에 의해 기판(W)이 흡착 유지될 때에, 주연부 영역(R1)에 대향하는 기판(W)의 부분이, 중앙부 영역(R2)에 대향하는 기판(W)의 부분에 비해 보다 큰 흡인력으로 흡착된다. 그로 인해, 흡착 유지된 기판(W)의 회전 시에, 주연부 영역(R1) 상에 위치하는 기판(W)의 부분이 당해 부분에 작용하는 흡인력에 저항하여 흡착 유지부(11)의 상면(11u)으로부터 부상하는 것이 억제되어, 기판(W)의 유지 상태가 안정된다.In the suction holding unit 11 according to the first structural example described above, the areal density of the suction holes vh1 in the peripheral region R1 is the surface density of the suction holes vh2 in the central region R2. greater than the density. In this case, when the board|substrate W is adsorbed and held by the adsorption|suction holding part 11, the part of the board|substrate W opposing the periphery area|region R1 is the part of the board|substrate W opposing the center area|region R2. It is adsorbed with a greater suction force than the part. Therefore, at the time of rotation of the substrate W adsorbed and held, the portion of the substrate W positioned on the peripheral region R1 resists the suction force acting on the portion, and the upper surface 11u of the suction holder 11 is ) is suppressed, and the holding state of the substrate W is stabilized.

또한, 주연부 영역(R1)에 있어서의 흡인 구멍(vh1)의 면 밀도는, 주연부 영역(R1)의 면적에서 주연부 영역(R1)에 형성된 복수의 흡인 구멍(vh1)의 개구 면적의 합계를 제함으로써 산출할 수 있다. 또, 중앙부 영역(R2)에 있어서의 흡인 구멍(vh2)의 면 밀도는, 중앙부 영역(R2)의 면적에서 중앙부 영역(R2)에 형성된 복수의 흡인 구멍(vh2)의 개구 면적의 합계를 제함으로써 산출할 수 있다.Further, the areal density of the suction holes vh1 in the peripheral region R1 is obtained by subtracting the sum of the opening areas of the plurality of suction holes vh1 formed in the peripheral region R1 from the area of the peripheral region R1. can be calculated. The areal density of the suction holes vh2 in the central region R2 is obtained by subtracting the sum of the opening areas of the plurality of suction holes vh2 formed in the central region R2 from the area of the central region R2. can be calculated.

본 실시 형태에 따른 흡착 유지부(11)에 있어서는, 복수의 흡인 구멍(vh1, vh2)은 또한 이하의 관계를 갖는다. 주연부 영역(R1)에 있어서 각 가상원 상에서 분산되어 배열되는 복수의 흡인 구멍(vh1)의 선 밀도는, 중앙부 영역(R2)에 있어서 어느 가상원 상에서 분산되어 배열되는 복수의 흡인 구멍(vh2)의 선 밀도보다도 크다. 이 경우, 복수의 흡인 구멍(vh1)이 주연부 영역(R1)에 있어서의 각 가상원 상에 분산되어 배열되는 것과 더불어, 복수의 흡인 구멍(vh2)이 중앙부 영역(R2)에 있어서의 각 가상원 상에 분산되어 배열됨으로써, 기판(W)의 하면 중앙부가 흡착 유지부(11) 상에 보다 안정적으로 흡착 유지된다.In the suction holding part 11 which concerns on this embodiment, some suction hole vh1, vh2 further has the following relationship. The line density of the plurality of suction holes vh1 dispersed and arranged on each virtual circle in the peripheral region R1 is that of the plurality of suction holes vh2 distributed and arranged on a certain virtual circle in the central region R2. greater than the line density. In this case, while the some suction hole vh1 is disperse|distributed and arranged on each virtual circle in the peripheral part area|region R1, the some suction hole vh2 is each virtual circle in the center part area|region R2. By being dispersed and arranged on the upper surface, the central portion of the lower surface of the substrate W is more stably adsorbed and held on the adsorption holding unit 11 .

주연부 영역(R1)에 있어서 각 가상원 상에 배열되는 복수의 흡인 구멍(vh1)의 수는, 중앙부 영역(R2)에 있어서 어느 가상원 상에 배열되는 복수의 흡인 구멍(vh2)의 수보다도 크다. 이 경우, 간단한 구성으로, 주연부 영역(R1)에 있어서의 흡인 구멍(vh1)의 면 밀도를 중앙부 영역(R2)에 있어서의 흡인 구멍(vh2)의 면 밀도보다 크게 할 수 있다. The number of the plurality of suction holes vh1 arranged on each virtual circle in the peripheral region R1 is larger than the number of the plurality of suction holes vh2 arranged on a certain virtual circle in the central portion region R2 . In this case, with a simple configuration, the areal density of the suction holes vh1 in the peripheral region R1 can be made larger than the areal density of the suction holes vh2 in the central region R2.

중앙부 영역(R2)에 있어서는, 복수의 흡인 구멍(vh2)은, 복수의 직선형 경로(LP) 상에서 늘어서도록 배열된다. 그 때문에, 중앙부 영역(R2)에 있어서 각 가상원 상에서 서로 이웃하는 각 2개의 흡인 구멍(vh2)의 각도 피치는, 상기의 각도 피치 β가 된다. 한편, 주연부 영역(R1)에 있어서 각 가상원 상의 서로 이웃하는 각 2개의 흡인 구멍(vh1)의 각도 피치 α는, 중앙부 영역(R2)에 있어서의 어느 가상원 상에서 서로 이웃하는 각 2개의 흡인 구멍(vh2)의 각도 피치 β보다도 작다. 본 실시 형태에서는, 각도 피치 α는 예를 들면 0°보다 크고 4° 이하이며, 1° 이상 3° 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 간단한 구성으로, 주연부 영역(R1)에 있어서의 흡인 구멍(vh1)의 면 밀도를 중앙부 영역(R2)에 있어서의 흡인 구멍(vh2)의 면 밀도보다 크게 할 수 있다.In the central region R2, the plurality of suction holes vh2 are arranged so as to be aligned on the plurality of linear paths LP. Therefore, the angular pitch of each two suction holes vh2 adjacent to each other on each imaginary circle in the central region R2 is the angular pitch β. On the other hand, the angular pitch α of each two adjacent suction holes vh1 on each imaginary circle in the peripheral region R1 is adjacent to each other on a certain virtual circle in the central region R2. (vh2) is smaller than the angular pitch β. In the present embodiment, the angular pitch α is, for example, greater than 0° and 4° or less, and preferably 1° or more and 3° or less. In this case, with a simple configuration, the areal density of the suction holes vh1 in the peripheral region R1 can be made larger than the areal density of the suction holes vh2 in the central region R2.

흡착 유지부(11)에 있어서는, 복수의 흡인 구멍(vh1) 중 최대의 가상원 상에 배열되는 일부의 흡인 구멍(vh1)의 각각과 흡착 유지부(11)의 외주 단부까지의 거리(최단 거리) md(도 5)는 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 제1 구성예에 따른 흡착 유지부(11)에 있어서는, 거리 md는 2mm 이상 4mm 이하이다. 이 경우, 흡착 유지부(11)에 의해 기판(W)이 흡착 유지될 때에, 흡착 유지부(11)의 외주 단부 근방에 대향하는 기판(W)의 부분이 흡착 유지부(11)의 상면(11u) 상에 흡착된다. 그로 인해, 기판(W)의 하면 중앙부가 흡착 유지부(11)의 상면(11u)으로부터 부상하는 것이 억제되어, 기판(W)의 유지 상태가 더 안정된다.In the suction holding unit 11 , the distance (shortest distance) from each of the some suction holes vh1 arranged on the largest virtual circle among the plurality of suction holes vh1 to the outer peripheral end of the suction holding unit 11 (shortest distance) ) md (Fig. 5) is preferably as small as possible. In the adsorption|suction holding part 11 which concerns on 1st structural example, the distance md is 2 mm or more and 4 mm or less. In this case, when the substrate W is adsorbed and held by the suction holder 11 , the portion of the substrate W opposite to the vicinity of the outer peripheral end of the suction holder 11 is the upper surface ( 11u) is adsorbed onto the phase. Therefore, it is suppressed that the lower surface central part of the board|substrate W floats from the upper surface 11u of the adsorption|suction holding part 11, and the holding state of the board|substrate W is more stable.

(2) 제2 구성예(2) Second configuration example

제2 구성예에 따른 흡착 유지부(11)에 대해서, 제1 구성예에 따른 흡착 유지부(11)와 상이한 점을 설명한다. 도 7은, 제2 구성예에 따른 흡착 유지부(11)의 분해 사시도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 제2 구성예에 따른 흡착 유지부(11)는, 주로 상원형 부재(60), 하원형 부재(70) 및 시일 부재(79)로 구성된다. About the adsorption holding part 11 which concerns on a 2nd structural example, the point different from the adsorption holding part 11 which concerns on a 1st structural example is demonstrated. 7 : is an exploded perspective view of the adsorption|suction holding part 11 which concerns on a 2nd structural example. As shown in FIG. 7 , the suction holding unit 11 according to the second structural example is mainly composed of an upper-and-lower-shaped member 60 , a lower-shaped member 70 , and a sealing member 79 .

상원형 부재(60)는, 예를 들면 내식성이 우수한 수지로 이루어지며, 원판형의 흡착부(61) 및 통형의 외주 벽부(62)를 갖는다. 외주 벽부(62)는, 흡착부(61)의 외주 단부로부터 하방으로 연장되도록 형성되어 있다. 흡착부(61)는, 흡착 유지부(11)의 상면(11u)을 포함하고, 기판(W)의 하면 중앙부를 흡착 유지 가능하게 구성된다. 본 예의 흡착 유지부(11)의 상면(11u)의 구성은, 제1 구성예에 따른 흡착 유지부(11)의 상면(11u)(도 5)의 구성과 완전히 같다.The upper-shaped member 60 is made of, for example, a resin excellent in corrosion resistance, and has a disk-shaped suction portion 61 and a cylindrical outer peripheral wall portion 62 . The outer peripheral wall part 62 is formed so that it may extend downward from the outer peripheral edge part of the adsorption|suction part 61. As shown in FIG. The adsorption|suction part 61 is comprised so that the lower surface center part of the board|substrate W can adsorb|suck hold including the upper surface 11u of the adsorption|suction holding part 11. The structure of the upper surface 11u of the adsorption|suction holding part 11 of this example is completely the same as the structure of the upper surface 11u (FIG. 5) of the adsorption holding part 11 which concerns on 1st structural example.

도 8은 도 7의 상원형 부재(60)의 하면도이며, 도 9는 제2 구성예에 따른 흡착 유지부(11)의 종단면도이다. 도 9의 단면도는, 제1 구성예에 따른 도 6의 종단면도에 대응한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 상원형 부재(60)의 하면(60b)에 있어서도, 상면(11u)과 마찬가지로, 주연부 영역(R1) 및 중앙부 영역(R2)이 구획된다.Fig. 8 is a bottom view of the upper upper member 60 of Fig. 7, and Fig. 9 is a longitudinal cross-sectional view of the suction holder 11 according to the second configuration example. The cross-sectional view of Fig. 9 corresponds to the longitudinal cross-sectional view of Fig. 6 according to the first configuration example. 8, also in the lower surface 60b of the upper-shaped member 60, similarly to the upper surface 11u, the periphery area|region R1 and the center area|region R2 are partitioned.

상원형 부재(60)의 하면(60b)에는, 주연부 영역(R1)에 겹쳐지는 환상 홈부(RG)가 형성되어 있다. 또, 상원형 부재(60)의 하면(60b)에는, 중앙부 영역(R2)에 겹쳐지는 복수의 직선형 홈부(LG)가 형성되어 있다. 복수의 직선형 홈부(LG)는, 중심축(11c)으로부터 외주 벽부(62)를 향해 수평 방향으로 직선형으로 연장되고, 중심축(11c)을 중심으로 하여 일정한 각도 피치 β(도 5)로 늘어서도록 형성되어 있다.An annular groove portion RG overlapping the peripheral region R1 is formed on the lower surface 60b of the upper member 60 . Further, on the lower surface 60b of the upper member 60, a plurality of straight groove portions LG overlapping the central region R2 are formed. The plurality of straight groove portions LG extend linearly in the horizontal direction from the central axis 11c toward the outer peripheral wall portion 62, and are aligned with the central axis 11c as the center at a constant angular pitch β (Fig. 5). is formed

각 직선형 홈부(LG)는, 중심축(11c)으로부터 주연부 영역(R1)을 향해 깊이가 점차 작아지도록 형성되어 있다. 환상 홈부(RG)의 깊이는, 주연부 영역(R1)의 둘레 전체에 걸쳐 거의 일정하고, 복수의 직선형 홈부(LG)의 최대 깊이와 거의 같다. 상원형 부재(60)의 하면(60b) 중, 복수의 직선형 홈부(LG) 및 환상 홈부(RG)에 의해 둘러싸이는 복수의 부분의 각각에는, 나사 구멍(65)이 형성되어 있다.Each of the straight grooves LG is formed so that the depth gradually decreases from the central axis 11c toward the peripheral region R1. The depth of the annular groove portion RG is substantially constant over the entire circumference of the peripheral region R1, and is substantially equal to the maximum depth of the plurality of straight groove portions LG. A screw hole 65 is formed in each of the plurality of portions surrounded by the plurality of straight groove portions LG and the annular groove portion RG among the lower surfaces 60b of the upper surface member 60 .

도 7에 나타내는 바와 같이, 하원형 부재(70)는, 원판형의 지지부(71) 및 통형의 외주 벽부(72)를 갖고, 예를 들면 높은 강성을 갖는 금속 재료로 이루어진다. 지지부(71)의 중앙부에는, 상하 방향으로 관통하는 연통 구멍(73)이 형성되어 있다. 또, 지지부(71)에는, 연통 구멍(73)을 둘러싸도록, 상원형 부재(60)의 복수의 나사 구멍(65)(도 8)에 각각 대응하는 복수의 관통 구멍(74)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 7, the lower circular member 70 has a disk-shaped support part 71 and a cylindrical outer peripheral wall part 72, and consists of a metal material which has high rigidity, for example. A communication hole 73 penetrating in the vertical direction is formed in the central portion of the support portion 71 . Further, in the support portion 71 , a plurality of through holes 74 respectively corresponding to the plurality of screw holes 65 ( FIG. 8 ) of the upper-shaped member 60 are formed so as to surround the communication hole 73 . .

외주 벽부(72)는, 지지부(71)의 외주 단부로부터 상방으로 연장되도록 형성되어 있다. 외주 벽부(72)의 외경은, 상원형 부재(60)의 외주 벽부(62)의 내경보다 약간 작다. 외주 벽부(72)의 외주면에는, 일정 폭으로 둘레 방향으로 연장되는 홈(72g)이 형성되어 있다. 시일 부재(79)는, 외주 벽부(72)의 홈(72g)에 끼워 넣기 가능한 O링이다. 도 7에 백색 화살표로 나타내는 바와 같이, 외주 벽부(72)의 홈(72g)에 시일 부재(79)가 끼워 넣어진다. 또, 도 7에 굵은 실선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 하원형 부재(70)가 또한 상원형 부재(60)의 내부에 끼워 넣어진다. 이 상태에서, 복수의 나사 부재(BL)(도 9)가, 하원형 부재(70)의 하방으로부터, 하원형 부재(70)에 형성된 복수의 관통 구멍(74)(도 7)을 통해 상원형 부재(60)의 복수의 나사 구멍(65)(도 8)에 장착된다. 이로 인해, 도 9에 나타내는 바와 같이, 상원형 부재(60)와 하원형 부재(70)가 접속된다.The outer peripheral wall part 72 is formed so that it may extend upward from the outer peripheral edge part of the support part 71. As shown in FIG. The outer diameter of the outer peripheral wall portion 72 is slightly smaller than the inner diameter of the outer peripheral wall portion 62 of the upper-shaped member 60 . A groove 72g extending in the circumferential direction with a predetermined width is formed on the outer peripheral surface of the outer peripheral wall portion 72 . The sealing member 79 is an O-ring that can be fitted into the groove 72g of the outer peripheral wall portion 72 . As shown by the white arrow in FIG. 7, the sealing member 79 is fitted in the groove|channel 72g of the outer peripheral wall part 72. As shown in FIG. Further, as indicated by the thick solid arrow in FIG. 7 , the lower circular member 70 is also fitted inside the upper upper member 60 . In this state, the plurality of screw members BL (FIG. 9) are, from the lower side of the lower circular member 70, upward through the plurality of through holes 74 (FIG. 7) formed in the lower circular member 70. It is mounted in the plurality of screw holes 65 (FIG. 8) of the member 60. For this reason, as shown in FIG. 9, the upper-shaped member 60 and the lower-circle-shaped member 70 are connected.

상원형 부재(60)와 하원형 부재(70)가 접속된 상태에서, 상원형 부재(60)의 환상 홈부(RG)와 하원형 부재(70)의 외주부 사이에 원환형으로 연장되는 공간이 형성된다. 이 공간은, 상기의 환상 경로(RP)로서 기능한다. 또, 상원형 부재(60)의 복수의 직선형 홈부(LG)의 바닥부와 하원형 부재(70)의 지지부(71) 사이에 직선형으로 연장되는 공간이 형성된다. 이들 공간은, 복수의 직선형 경로(LP)로서 기능한다.In a state in which the upper and lower circular members 60 and 70 are connected, a space extending in an annular shape is formed between the annular groove RG of the upper and lower circular members 60 and the outer periphery of the lower circular member 70 . do. This space functions as the above-mentioned annular path RP. In addition, a space extending in a straight line is formed between the bottom of the plurality of straight grooves LG of the upper-shaped member 60 and the supporting part 71 of the lower-shaped member 70 . These spaces function as a plurality of linear paths LP.

지지부(71)는, 도 6의 지지부(43)와 마찬가지로, 도 1의 회전축(12)의 상단부에 장착되는 장착부(71a)를 갖는다. 연통 구멍(73)은, 장착부(71a)의 내측에서, 중심축(11c)을 따르도록 형성되어 있다.The support part 71 has a mounting part 71a attached to the upper end of the rotation shaft 12 of FIG. 1 similarly to the support part 43 of FIG. The communication hole 73 is formed along the central axis 11c inside the mounting part 71a.

상기와 같이, 제2 구성예에 따른 흡착 유지부(11)에 있어서는, 상원형 부재(60)의 하면(60b)에 형성되는 복수의 직선형 홈부(LG)의 각각은, 깊이가 중심축(11c)으로부터 주연부 영역(R1)을 향해 점차 작아지도록 형성되어 있다. 그로 인해, 각 직선형 경로(LP)의 기체의 흐름 방향에 직교하는 단면적은, 흡착 유지부(11)의 중심으로부터 외주 단부을 향해 점차 작아지고 있다. 이 구성에 의하면, 각 직선형 경로(LP)에 겹쳐지도록 형성되는 복수의 흡인 구멍(vh2)의 사이즈가 같은 경우에도, 복수의 흡인 구멍(vh2)에 있어서 발생하는 흡인력이 균일화된다. 따라서, 기판(W)의 하면 중앙부 전체가 대략 균일한 힘으로 흡인된다.As described above, in the suction holding portion 11 according to the second configuration example, each of the plurality of straight groove portions LG formed on the lower surface 60b of the upper-shaped member 60 has a depth of the central axis 11c. ) from the periphery region R1, and is formed to gradually decrease. Therefore, the cross-sectional area orthogonal to the gas flow direction of each linear path|route LP is gradually becoming small toward the outer peripheral edge part from the center of the adsorption|suction holding part 11. As shown in FIG. According to this configuration, even when the plurality of suction holes vh2 formed so as to overlap each linear path LP have the same size, the suction force generated in the plurality of suction holes vh2 is equalized. Accordingly, the entire central portion of the lower surface of the substrate W is sucked with a substantially uniform force.

또, 제2 구성예에 따른 흡착 유지부(11)는, 상원형 부재(60)와 하원형 부재(70)가 복수의 나사 부재(BL)에 의해 접속된 구성을 갖는다. 그로 인해, 흡착 유지부(11)의 내부의 메인터넌스를 용이하게 행할 수 있다.Moreover, the suction holding|maintenance part 11 which concerns on 2nd structural example has the structure in which the upper-circle-shaped member 60 and the lower-circle-shaped member 70 were connected by the some screw member BL. Therefore, the maintenance of the inside of the suction holding|maintenance part 11 can be performed easily.

[3] 검토 및 효과[3] Review and effectiveness

(1) 본 발명자들의 제1 검토(1) First examination by the present inventors

도 10은 참고 형태에 따른 흡착 유지부의 평면도이며, 도 11은 도 10의 흡착 유지부의 B-B선 종단면도이다. 도 10 및 도 11에 나타내는 바와 같이, 본 참고 형태에 따른 흡착 유지부(99)는, 환상 경로(RP) 및 복수의 흡인 구멍(vh2)이 형성되어 있지 않은 점을 제외하고 기본적으로 제1 구성예에 따른 흡착 유지부(11)와 같은 구성을 갖는다.10 is a plan view of the suction holder according to the reference form, and FIG. 11 is a longitudinal sectional view taken along line B-B of the suction holder of FIG. 10 . 10 and 11 , the suction holding portion 99 according to the present reference form is basically a first configuration, except that the annular path RP and the plurality of suction holes vh2 are not formed. It has the same structure as the adsorption|suction holding part 11 which concerns on an example.

구체적으로는, 본 참고 형태에 따른 흡착 유지부(99)는, 기판(W)의 하면 중앙부를 흡착 유지하는 평탄한 상면(99u)을 갖고, 도 1의 회전축(12)에 장착 가능하게 구성되어 있다. 여기서, 외주 단부로부터 흡착 유지부(99)의 중심을 지나 상하 방향으로 연장되는 가상축을 중심축(99c)이라고 부른다. 흡착 유지부(99)의 내부에는, 중심축(99c)으로부터 흡착 유지부(99)의 외주 단부을 향해 수평 방향으로 직선형으로 연장되는 복수의 직선형 경로(LP)가, 중심축(99c)을 중심으로 하여 일정한 각도 피치(본 예에서는, 30°)로 형성되어 있다. 복수의 직선형 경로(LP) 중 중심축(99c)과 반대측의 단부는 폐색되어 있다. 흡착 유지부(99)의 상면(99u)에는, 평면에서 보았을 때 각 직선형 경로(LP)에 겹쳐지도록 복수의 흡인 구멍(vh)이 일정한 간격을 두고 형성되어 있다.Specifically, the suction holder 99 according to the present reference form has a flat upper surface 99u that suction-holds the central portion of the lower surface of the substrate W, and is configured to be attachable to the rotation shaft 12 of FIG. . Here, an imaginary axis extending in the vertical direction from the outer peripheral end through the center of the suction holding portion 99 is referred to as a central axis 99c. In the inside of the suction holder 99 , a plurality of linear paths LP extending linearly in the horizontal direction from the central axis 99c toward the outer peripheral end of the suction holder 99 are provided with the central axis 99c as the center. Thus, it is formed at a constant angular pitch (30° in this example). Among the plurality of linear paths LP, an end opposite to the central axis 99c is closed. A plurality of suction holes vh are formed at regular intervals on the upper surface 99u of the suction holder 99 so as to overlap each linear path LP in a plan view.

본 발명자들은, 본 참고 형태에 따른 흡착 유지부(99)를 구비하는 도포 장치를 이용하여, 100μm 이하의 두께를 갖는 기판(W)에 도포 처리를 행했다. 그 결과, 도포 처리 후의 기판(W)에는, 목시(目視)로 확인할 수 있는 정도의 도포 불균일이 발생했다. 여기서 확인된 도포 불균일을, 제1 도포 불균일이라고 부른다.The present inventors applied the application|coating process to the board|substrate W which has a thickness of 100 micrometers or less using the coating apparatus provided with the adsorption|suction holding part 99 which concerns on this reference form. As a result, in the board|substrate W after an application|coating process, the application|coating nonuniformity of the grade confirmable visually arose. The application|coating nonuniformity confirmed here is called 1st application|coating nonuniformity.

도 12는, 참고 형태에 따른 흡착 유지부(99)를 이용한 도포 처리 후의 기판(W) 상에 발생한 제1 도포 불균일의 일례를 나타내는 평면도이다. 도 12에서는, 도포 처리 시에 흡착 유지부(99)의 외주 단부에 겹쳐지는 기판(W)의 부분(이하, 피유지 영역 외연이라고 부른다.)이 점선으로 나타난다. 도 12에 도트 패턴으로 나타내는 바와 같이, 제1 도포 불균일은, 피유지 영역 외연의 복수의 부분으로부터 기판(W)의 외주 단부를 향해, 복수의 곡선이 기판(W)의 중심을 회전 중심으로 하는 공통의 회전 방향으로 만곡되면서 일정 거리 연장되는 것처럼 형성되어 있다.12 : is a top view which shows an example of the 1st application|coating nonuniformity which generate|occur|produced on the board|substrate W after the application|coating process using the adsorption|suction holding part 99 which concerns on a reference form. In FIG. 12 , a portion of the substrate W (hereinafter, referred to as an outer edge of the holding region) overlapping the outer peripheral end of the suction holding portion 99 during the application process is indicated by a dotted line. As shown by the dot pattern in FIG. 12, the 1st application|coating nonuniformity is a rotation center of a plurality of curves from a plurality of portions of the outer periphery of the to-be-maintained region toward the outer peripheral end of the substrate W, and the center of the substrate W is a rotation center. It is curved in a common rotational direction and is formed to extend a certain distance.

본 발명자들은, 제1 도포 불균일의 발생의 메커니즘으로서, 이하에 나타내는 제1 및 제2 메커니즘을 추정했다. 도 13은, 도 12의 제1 도포 불균일의 발생에 대해서 추정된 제1 메커니즘을 설명하기 위한 단면도이다. 흡착 유지부(99)에 흡착 유지되는 기판(W)이 고속으로 회전하면, 도 12의 상단에 굵은 일점 쇄선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 외주부가 흡착 유지부(99)의 상면(99u)보다 상방으로 부상하는 현상이 발생한다. 이 현상은, 작은 두께(본 예에서는 100μm 이하의 두께)를 갖는 기판(W)을 회전시킬 때에 발생하기 쉽다. 기판(W)의 강성이 낮기 때문이다.The present inventors estimated the 1st and 2nd mechanism shown below as a mechanism of generation|occurrence|production of a 1st application|coating nonuniformity. Fig. 13 is a cross-sectional view for explaining a first mechanism estimated for the occurrence of the first coating non-uniformity in Fig. 12 . When the substrate W adsorbed and held by the suction holder 99 rotates at high speed, as indicated by a thick dashed-dotted arrow at the upper end of FIG. 12 , the outer periphery of the substrate W is the upper surface of the suction holder 99 . The phenomenon of floating upwards from (99u) occurs. This phenomenon tends to occur when rotating the substrate W having a small thickness (100 µm or less in this example). This is because the rigidity of the substrate W is low.

기판(W)의 외주부가 상방으로 향하는 힘이 흡착 유지부(99)의 외주 단부 근방에 형성된 흡인 구멍(vh)에서 발생되는 흡인력을 넘으면, 기판(W)의 피유지 영역 외연과 흡착 유지부(99)의 상면(99u) 사이에 간극이 형성된다. 이 경우, 도 13의 상단에 굵은 실선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 기판(W)과 흡착 유지부(99)의 상면(99u) 사이의 간극을 통해 흡착 유지부(99)의 외주 단부 근방의 흡인 구멍(vh)에 기판(W) 주변의 분위기가 진입한다. 그로 인해, 흡착 유지부(99)의 외주 단부 근방에서, 기체가 국소적으로 흐르는 것에 기인하여, 기판(W)의 피유지 영역 외연이 국부적으로 냉각된다.When the upward force of the outer periphery of the substrate W exceeds the suction force generated in the suction hole vh formed in the vicinity of the outer peripheral end of the suction holding portion 99, the outer edge of the holding region of the substrate W and the suction holding portion ( A gap is formed between the upper surfaces 99u of 99 . In this case, as indicated by a thick solid arrow at the upper end of FIG. 13 , suction in the vicinity of the outer peripheral end of the suction holder 99 through the gap between the substrate W and the upper surface 99u of the suction holder 99 . The atmosphere around the substrate W enters the hole vh. Therefore, in the vicinity of the outer peripheral edge part of the adsorption|suction holding part 99, it originates in a gas flowing locally, and the outer edge of the to-be-held area|region of the board|substrate W is cooled locally.

한편, 도포 처리가 개시됨으로써 액체 노즐(21)로부터 기판(W)의 중앙부에 공급되는 레지스트액(RL)은, 도 13의 상단에 백색의 화살표로 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 외주 단부을 향해 퍼진다. 이 때, 기판(W)의 피유지 영역 외연의 온도가 국소적으로 저하되면, 기판(W) 상에 도포되어 퍼지는 레지스트액(RL)이 국소적으로 냉각된다. 기판(W) 상에서의 레지스트액(RL)의 유동성은, 레지스트액(RL)의 온도가 높을수록 높고, 레지스트액(RL)의 온도가 낮을수록 낮다. 그 때문에, 기판(W) 상에서는, 레지스트액(RL)의 유동성이 흡착 유지부(99)의 외주 단부 상에서 국소적으로 저하된다. 그로 인해, 기판(W)의 피유지 영역 외연의 복수의 부분에서, 도 13의 하단에 나타내는 바와 같이, 레지스트액(RL)이 체류한다.On the other hand, the resist liquid RL supplied from the liquid nozzle 21 to the central portion of the substrate W when the coating process is started is directed toward the outer peripheral end of the substrate W as indicated by a white arrow at the upper end of FIG. 13 . spread At this time, when the temperature of the outer edge of the to-be-held region of the substrate W is locally lowered, the resist solution RL applied and spread on the substrate W is locally cooled. The fluidity of the resist liquid RL on the substrate W is higher as the temperature of the resist liquid RL is higher, and lower as the temperature of the resist liquid RL is lower. For this reason, on the substrate W, the fluidity|liquidity of the resist liquid RL falls locally on the outer peripheral edge part of the adsorption|suction holding part 99. As shown in FIG. Therefore, as shown in the lower part of FIG. 13, the resist liquid RL stays in several parts of the outer edge of the to-be-held area|region of the board|substrate W. As shown in the lower part of FIG.

기판(W)의 피유지 영역 외연에서 일정량의 레지스트액(RL)이 체류하면, 체류한 레지스트액(RL) 위를 더욱 흐르는 후속하는 레지스트액(RL)은, 기판(W)의 국소적인 온도 저하의 영향을 받기 어려워진다. 그로 인해, 후속하는 레지스트액(RL)은, 기판(W)의 피유지 영역 외연에서 일정량 체류한 레지스트액(RL) 위를 타고 넘어, 기판(W)의 외주 단부를 향해 더욱 흐른다. 이 때, 상기의 제1 도포 불균일이 발생한다.When a certain amount of the resist liquid RL stays on the periphery of the region to be held of the substrate W, the subsequent resist liquid RL further flows over the retained resist liquid RL to lower the local temperature of the substrate W. becomes more difficult to be affected by For this reason, the subsequent resist liquid RL runs over the resist liquid RL which has remained in a fixed amount at the outer periphery of the to-be-held region of the substrate W, and further flows toward the outer peripheral end of the substrate W. At this time, said 1st application|coating nonuniformity generate|occur|produces.

도 14는, 도 12의 제1 도포 불균일의 발생에 대해서 추정된 제2 메커니즘을 설명하기 위한 단면도이다. 도 14에서는, 도 10의 흡착 유지부(99)에 의해 서로 상이한 2종류의 속도로 회전하는 기판(W) 상태가, 외관 사시도로 나타난다. 또, 도 14에 있어서는, 흡착 유지부(99) 상에 유지되는 기판(W)이 일점 쇄선 및 도트 패턴으로 나타나는 것과 더불어, 흡착 유지부(99)의 상면(99u)이 기판(W)을 투과한 상태로 나타난다.Fig. 14 is a cross-sectional view for explaining a second mechanism estimated for the occurrence of the first coating non-uniformity in Fig. 12 . In FIG. 14, the state of the board|substrate W which rotates at two mutually different speeds by the adsorption|suction holding part 99 of FIG. 10 is shown in an external perspective view. Moreover, in FIG. 14, while the board|substrate W hold|maintained on the adsorption|suction holding part 99 is represented by a dashed-dotted line and a dot pattern, the upper surface 99u of the adsorption|suction holding part 99 permeate|transmits the board|substrate W. appear as one.

도 14의 상단에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 회전 속도가 비교적 낮은 경우, 흡착 유지부(99)에 의해 흡착 유지된 기판(W)은, 흡착 유지부(99)의 상면(99u)을 따르도록 비교적 평탄한 상태로 유지된다. 그러나, 기판(W)의 회전 속도가 비교적 높은 경우에는, 기판(W) 전체에 상방으로 향하는 힘이 발생한다. 그로 인해, 도 14의 하단에 나타내는 바와 같이, 복수의 흡인 구멍(vh)에 의해 흡인되어 있지 않은 기판(W)의 부분이, 상면(99u)으로부터 부상하는 것처럼 변형된다.As shown in the upper stage of FIG. 14, when the rotation speed of the board|substrate W is comparatively low, the board|substrate W adsorbed and held by the adsorption|suction holding part 99 is the upper surface 99u of the adsorption|suction holding part 99. It is maintained in a relatively flat state to follow. However, when the rotation speed of the substrate W is relatively high, a force directed upward is generated in the entire substrate W. As shown in FIG. Therefore, as shown in the lower stage of FIG. 14, the part of the board|substrate W which is not attracted|sucked by the some suction hole vh is deform|transformed so that it floats from the upper surface 99u.

여기서, 흡착 유지부(99)의 복수의 흡인 구멍(vh)은, 도 10의 복수의 직선형 경로(LP)에 겹쳐진다. 그 때문에, 기판(W)은 둘레 방향으로 물결치듯이 변형된다. 도 14에서는, 도 10의 복수의 직선형 경로(LP)에 겹쳐지는 상면(99u) 상의 가상선이 이점 쇄선으로 나타난다.Here, the plurality of suction holes vh of the suction holder 99 overlap the plurality of linear paths LP in FIG. 10 . For this reason, the board|substrate W deform|transforms so that it undulates in the circumferential direction. In FIG. 14 , an imaginary line on the upper surface 99u overlapping the plurality of linear paths LP in FIG. 10 is indicated by a dashed-dotted line.

흡착 유지부(99)에 의한 기판(W)의 도포 처리 시에는, 기판(W)의 회전 속도가 다단계로 변화된다. 기판(W)의 회전 속도가 단시간에 크게 변화되면, 흡착 유지부(99)의 복수의 흡인 구멍(vh)에 의해 흡착 유지되어 있는 기판(W)의 부분과, 흡착 유지부(99)의 외방에서 물결치듯이 변형된 기판(W)의 부분 사이에 큰 관성력이 발생한다. 이 때, 흡착 유지부(99)의 외방의 위치에서, 기판(W)의 일부에 원환형의 뒤틀림이 발생한다. 그로 인해, 당해 뒤틀림에 기인하여 제1 도포 불균일이 발생한다.At the time of the application|coating process of the board|substrate W by the adsorption|suction holding part 99, the rotation speed of the board|substrate W changes in multiple steps. When the rotation speed of the substrate W changes greatly in a short time, the portion of the substrate W adsorbed and held by the plurality of suction holes vh of the suction holder 99 and the outside of the suction holder 99 . A large inertial force is generated between the portions of the substrate W that are deformed like a wave in the . At this time, an annular distortion occurs in a part of the substrate W at an outer position of the suction holder 99 . Therefore, it originates in the said distortion, and 1st application|coating nonuniformity generate|occur|produces.

제1 도포 불균일은, 상기의 제1 및 제2 메커니즘 중 어느 하나의 메커니즘에 따라 발생하는 것으로 추정된다. 상기의 제1 및 제2 메커니즘을 고려하여, 본 발명자들은, 도포 처리 시에 기판(W)의 피유지 영역 외연이 흡착 유지부(99)의 상면(99u)으로부터 부상하는 일이 없으면, 흡착 유지부(99)에 의한 기판(W)의 유지 상태가 안정되어, 제1 도포 불균일은 발생하지 않는다고 생각했다. 또, 본 발명자들은, 참고 형태에 따른 흡착 유지부(99)의 구성에서는, 기판(W)의 피유지 영역 외연이 흡착 유지부(99)의 상면(99u)으로부터 부상하는 것을 억제 가능한 흡인력이 얻어지지 않는다고 생각했다. 이러한 점을 고려하여, 본 발명자들은, 상기의 제1 및 제2 구성예에 따른 흡착 유지부(11)를 생각해 냈다.It is assumed that the first application nonuniformity occurs according to any one of the first and second mechanisms described above. In consideration of the first and second mechanisms described above, the present inventors, if the outer edge of the to-be-held region of the substrate W does not float from the upper surface 99u of the suction holder 99 at the time of the application process, suction holding It was thought that the holding state of the board|substrate W by the part 99 was stable, and 1st application|coating nonuniformity did not generate|occur|produce. Moreover, in the structure of the suction holding|maintenance part 99 which concerns on a reference form, the present inventors obtained the suction force which can suppress that the outer edge of the to-be-held area|region of the board|substrate W floats from the upper surface 99u of the suction holding|maintenance part 99, I thought I couldn't stand it. In consideration of this point, the present inventors came up with the adsorption|suction holding part 11 which concerns on said 1st and 2nd structural example.

(2) 본 발명자들의 제2 검토(2) Second examination by the present inventors

본 발명자들은, 기체 노즐(17) 및 기체 공급계(18)를 갖지 않는 점을 제외하고 도 1의 도포 장치(1)와 같은 구성을 갖는 도포 장치에 의해, 100μm 이하의 두께를 갖는 기판(W)에 도포 처리를 행했다. 그 결과, 도포 처리 후의 기판(W)에는, 목시로 확인할 수 있는 정도의 도포 불균일이 발생했다. 여기서 확인된 도포 불균일을, 제2 도포 불균일이라고 부른다.The present inventors, by the coating device having the same configuration as the coating device 1 of Fig. 1, except that it does not have the gas nozzle 17 and the gas supply system 18, a substrate W having a thickness of 100 μm or less ) was subjected to a coating treatment. As a result, in the board|substrate W after an application|coating process, the application|coating nonuniformity of the grade which can confirm visually arises. The application|coating nonuniformity confirmed here is called 2nd application|coating nonuniformity.

도 15는, 도포 처리 후의 기판(W) 상에 발생한 제2 도포 불균일의 일례를 나타내는 평면도이다. 도 15에 있어서도, 도 12의 예와 마찬가지로, 피유지 영역 외연이 점선으로 나타난다. 도 15에 도트 패턴으로 나타내는 바와 같이, 제2 도포 불균일은, 기판(W)의 중심을 둘러싸는 일정 폭의 원환 형상을 나타내도록 형성되어 있다. 제2 도포 불균일의 내연은 피유지 영역 외연에 위치한다.15 : is a top view which shows an example of the 2nd application|coating nonuniformity which generate|occur|produced on the board|substrate W after an application|coating process. Also in FIG. 15, similarly to the example of FIG. 12, the outer edge of the to-be-held area is indicated by a dotted line. As shown by a dot pattern in FIG. 15, 2nd application|coating nonuniformity is formed so that the annular shape of a fixed width|variety surrounding the center of the board|substrate W may be shown. The inner edge of the second coating unevenness is located at the outer edge of the area to be maintained.

본 발명자들은, 제2 도포 불균일의 발생의 메커니즘을 추정했다. 도 16은, 도 15의 제2 도포 불균일의 발생에 대해서 추정된 메커니즘을 설명하기 위한 단면도이다.The present inventors estimated the mechanism of generation|occurrence|production of a 2nd application|coating nonuniformity. Fig. 16 is a cross-sectional view for explaining an estimated mechanism for the occurrence of the second coating non-uniformity in Fig. 15 .

도포 장치는, 기본적으로 클린 룸 내에 수용된다. 도포 장치를 둘러싸는 공간에는, 소정 온도(예를 들면 23℃)로 유지된 청정한 공기의 하강 기류(다운 플로)가 형성된다. 그로 인해, 도 16의 상단에 백색의 화살표로 나타내는 바와 같이, 도포 처리 중인 기판(W)에는 도포 장치의 상방으로부터 계속해서 기체가 내뿜어진다.The application device is basically housed in a clean room. A downdraft (downflow) of clean air maintained at a predetermined temperature (for example, 23°C) is formed in the space surrounding the coating device. Therefore, as shown by a white arrow in the upper stage of FIG. 16, gas is continuously blown into the board|substrate W in application|coating process from the upper direction of an application|coating apparatus.

한편, 도포 처리가 개시됨으로써 액체 노즐(21)로부터 기판(W)에 공급되는 레지스트액(RL)은, 기판(W)의 중심으로부터 외주 단부를 향해 퍼진다. 본 예의 레지스트액(RL)은, 휘발성 용제를 포함한다. 이 경우, 도 16의 상단에 굵은 파선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 기판(W) 상에 도포되어 퍼지는 레지스트액(RL)의 용제가 기화한다. 이 때, 도포 장치의 상방의 위치로부터 기판(W)을 향하는 다운 플로는, 기판(W) 상에 도포된 레지스트액(RL)의 용제의 기화를 촉진한다.On the other hand, the resist liquid RL supplied to the substrate W from the liquid nozzle 21 by starting the coating process spreads from the center of the substrate W toward the outer peripheral end. The resist solution RL of this example contains a volatile solvent. In this case, as indicated by a thick dashed arrow at the upper end of FIG. 16 , the solvent of the resist solution RL applied and spread on the substrate W is vaporized. At this time, the downflow toward the substrate W from the position above the coating device promotes vaporization of the solvent of the resist liquid RL applied on the substrate W.

여기서, 기판(W) 중 흡착 유지부(11)에 접촉하지 않는 부분(이하, 비접촉 부분(nc)이라고 부른다.)의 열용량은, 다른 부분(이하, 접촉 부분이라고 부른다.)의 열용량보다 작다. 그 때문에, 기판(W) 상의 레지스트액(RL)의 용제의 기화가 촉진되면, 기화열의 영향에 의해, 접촉 부분에 비해 비접촉 부분(nc)의 온도가 저하된다. Here, the heat capacity of the portion of the substrate W not in contact with the suction holding portion 11 (hereinafter referred to as a non-contact portion nc) is smaller than that of other portions (hereinafter referred to as a contact portion). Therefore, when vaporization of the solvent of the resist liquid RL on the board|substrate W is accelerated|stimulated, the temperature of the non-contact part nc will fall compared with the contact part under the influence of vaporization heat.

레지스트액(RL)은, 온도가 낮을수록 경화에 요하는 시간이 길어진다. 그 때문에, 비접촉 부분(nc) 상에 도포되어 퍼지는 레지스트액(RL)은, 기판(W)이 회전함으로써 비교적 유동하기 쉬운 상태에 있다. 그러나, 실제로는, 비접촉 부분(nc)이어도, 기판(W)의 외주 단부 및 그 근방의 영역에서는, 회전 속도가 높은 것으로 인해 레지스트액(RL)의 용제의 기화가 더욱 촉진되어, 레지스트액(RL)이 경화되기 쉽다. 그 때문에, 최종적으로는, 도 16의 하단에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 피유지 영역 외연으로부터 일정 폭의 범위를 제외하고 대략 일정한 두께로 레지스트막(RC)이 형성된다. 그 결과, 상기의 제2 도포 불균일이 발생한다.As for the resist liquid RL, the time required for hardening becomes long, so that temperature is low. Therefore, the resist liquid RL applied and spread on the non-contact portion nc is in a state in which it is relatively easy to flow when the substrate W rotates. However, in reality, even at the non-contact portion nc, in the region near the outer peripheral end of the substrate W and its vicinity, the high rotation speed further promotes evaporation of the solvent of the resist solution RL, so that the resist solution RL ) is easy to harden. Therefore, finally, as shown in the lower end of FIG. 16 , a resist film RC is formed to have a substantially constant thickness except for a range of a certain width from the outer edge of the to-be-held region of the substrate W. As shown in FIG. As a result, said 2nd application|coating nonuniformity generate|occur|produces.

상기와 같이 추정된 메커니즘을 고려하여, 본 발명자들은, 도포 처리 시에, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되지 않는 부분의 온도가 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되는 부분의 온도에 일치하거나 또는 가까워지도록, 기판(W)의 각 부의 온도를 조정하는 것을 생각했다. 이러한 점을 고려하여, 본 발명자들은, 기판(W)의 비접촉 부분을 가열하는 기체 노즐(17) 및 기체 공급계(18)를 구비하는 도 1의 도포 장치(1)를 생각해 냈다.In consideration of the mechanism estimated as described above, the present inventors found that, during the application process, the temperature of the portion not adsorbed and held by the adsorption holding unit 11 is at the temperature of the portion held by the adsorption holding unit 11 by the adsorption holding unit 11 . It was considered to adjust the temperature of each part of the board|substrate W so that it might match or become close. Considering this point, the present inventors came up with the application|coating apparatus 1 of FIG. 1 provided with the gas nozzle 17 which heats the non-contact part of the board|substrate W, and the gas supply system 18. As shown in FIG.

(3) 효과(3) effect

상기의 도포 장치(1)에 있어서는, 회전 유지 장치(10)에 제1 및 제2 구성예에 따른 흡착 유지부(11)가 이용된다. 상기의 흡착 유지부(11)에 의하면, 기판(W)의 하면 중앙부가 상면(11u)으로부터 부상하는 것이 억제되어, 기판(W)의 유지 상태가 안정된다. 따라서, 상기의 회전 유지 장치(10)에 의해 회전되는 기판(W)에 처리가 행해지는 경우에, 기판(W)의 일부가 흡착 유지부(11)의 상면(11u)으로부터 부상하는 것에 기인하여 기판(W)의 처리가 기판(W) 상의 복수의 부분에서 불균일해지는 것이 방지된다. 그 결과, 제1 도포 불균일의 발생이 억제되어, 기판(W) 전체에 걸친 균일한 처리가 가능해진다.In said application|coating apparatus 1, the adsorption|suction holding part 11 which concerns on the 1st and 2nd structural example is used for the rotation holding apparatus 10. As shown in FIG. According to said suction holding part 11, it is suppressed that the lower surface center part of the board|substrate W floats from the upper surface 11u, and the holding state of the board|substrate W is stabilized. Therefore, when a process is performed on the substrate W rotated by the rotation holding device 10, a part of the substrate W floats from the upper surface 11u of the suction holder 11. The processing of the substrate W is prevented from becoming non-uniform in a plurality of portions on the substrate W. As a result, generation|occurrence|production of the 1st application|coating nonuniformity is suppressed, and the uniform process over the board|substrate W is attained.

상기의 도포 장치(1)에 있어서는, 회전 유지 장치(10)에, 기판(W)의 비접촉 부분의 온도를 조정하기 위한 기체 노즐(17) 및 기체 공급계(18)가 설치된다. 이로 인해, 기판(W)의 도포 처리 시에는, 기판(W)의 비접촉 부분의 온도가 접촉 부분의 온도에 일치하거나 또는 가까워진다. 이 경우, 도포 처리 중인 기판(W)의 복수의 부분 사이에서 온도차가 발생하는 것이 억제된다. 그 결과, 제2 도포 불균일의 발생이 억제되어, 기판(W)의 전체에 걸친 균일한 처리가 가능해진다.In the coating device 1 described above, a gas nozzle 17 and a gas supply system 18 for adjusting the temperature of the non-contact portion of the substrate W are provided in the rotation holding device 10 . For this reason, at the time of the application|coating process of the board|substrate W, the temperature of the non-contact part of the board|substrate W matches or approaches the temperature of a contact part. In this case, it is suppressed that a temperature difference generate|occur|produces between the some part of the board|substrate W under a coating process. As a result, generation|occurrence|production of the 2nd application|coating nonuniformity is suppressed, and the uniform process over the whole board|substrate W is attained.

또, 본 실시 형태에 있어서는, 기판(W)의 비접촉 부분(nc)의 온도가 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 분사되는 온도 조정 기체에 의해 조정된다. 이 경우, 기판(W)의 비접촉 부분(nc)의 온도를 조정하기 위해, 히터 또는 자외선 램프 등의 발열 장치를 흡착 유지부(11)의 근방에 설치할 필요가 없다. 그로 인해, 기판(W)의 처리 환경이 과도한 열의 영향을 받지 않는다.Moreover, in this embodiment, the temperature of the non-contact part nc of the board|substrate W is adjusted by the temperature control gas injected to the board|substrate W from the gas nozzle 17. As shown in FIG. In this case, in order to adjust the temperature of the non-contact portion nc of the substrate W, there is no need to provide a heat generating device such as a heater or an ultraviolet lamp in the vicinity of the adsorption holding unit 11 . Therefore, the processing environment of the substrate W is not affected by excessive heat.

[4] 제1 도포 불균일에 대한 확인 시험[4] Confirmation test for first coating unevenness

본 발명자들은, 상기의 흡착 유지부(11)에 의한 효과를 확인하기 위해, 이하의 확인 시험을 행했다. 우선, 본 발명자들은, 도 4~도 6의 흡착 유지부(11)와 기본적으로 같은 구성을 갖는 흡착 유지부를 실시예의 흡착 유지부로서 제작했다. 또, 본 발명자들은, 참고 형태에 따른 도 10의 흡착 유지부(99)와 기본적으로 같은 구성을 갖는 흡착 유지부를 비교예의 흡착 유지부로서 제작했다.The present inventors performed the following confirmation tests in order to confirm the effect by said adsorption|suction holding part 11. First, the present inventors produced the suction holding|maintenance part which has the structure fundamentally similar to the suction holding|maintenance part 11 of FIGS. 4-6 as an adsorption|suction holding|maintenance part of an Example. Moreover, the present inventors produced the suction holding|maintenance part which has the structure fundamentally similar to the suction holding|maintenance part 99 of FIG. 10 concerning a reference form as an adsorption holding part of a comparative example.

또한, 본 발명자들은, 제작된 실시예의 흡착 유지부를 도 1의 도포 장치(1)에 장착하여, 기판(W)의 도포 처리를 행했다. 또, 본 발명자들은, 제작된 비교예의 흡착 유지부를 도 1의 도포 장치(1)에 장착하여, 기판(W)의 도포 처리를 행했다.Moreover, the present inventors attached the adsorption|suction holding part of the produced Example to the coating device 1 of FIG. 1, and performed the coating process of the board|substrate W. Moreover, the present inventors attached the adsorption|suction holding part of the produced comparative example to the coating apparatus 1 of FIG. 1, and performed the application|coating process of the board|substrate W.

그 후, 실시예의 흡착 유지부를 이용한 도포 처리 후의 기판(W)을 실시예 기판으로 하고, 비교예의 흡착 유지부를 이용한 도포 처리 후의 기판(W)을 비교예 기판으로 하여, 각 기판의 상면을 목시로 확인했다. 그 결과, 실시예 기판에는 상기의 제1 도포 불균일은 확인할 수 없었다. 한편, 비교예 기판에는 상기의 제1 도포 불균일이 발생하고 있었다. 이 목시 결과로부터, 기판(W) 상의 막의 상태를 보다 상세하게 확인하기 위해, 각 기판(W)의 복수의 부분에 대해서 레지스트막의 막두께 측정을 행했다.After that, the substrate W after the application treatment using the suction holder of the example was used as the example substrate, and the substrate W after the application treatment using the suction holder of the comparative example was used as the comparative example substrate, and the upper surface of each substrate was visually viewed. Confirmed. As a result, said 1st application|coating nonuniformity was not confirmed by the Example board|substrate. On the other hand, said 1st application|coating nonuniformity had generate|occur|produced in the comparative example board|substrate. From this visual result, in order to confirm the state of the film|membrane on the board|substrate W in more detail, about the some part of each board|substrate W, the film thickness of the resist film was measured.

도 17은, 제1 도포 불균일에 대한 확인 시험에 있어서 막두께 측정의 대상이 되는 기판(W)의 부분을 설명하기 위한 평면도이다. 도 17에서는, 피유지 영역 외연이 점선으로 나타난다. 도 17에 나타내는 바와 같이, 본 발명자들은, 피유지 영역 외연에 거의 겹치는 제1 원(C1) 상에서 1.6°피치로 늘어서는 복수의 부분을 제1 측정 대상 부분군으로서 결정했다. 또, 본 발명자들은, 제1 원(C1)에 동심이며 또한 제1 원(C1)보다 작은 반경을 갖는 제2 원(C2) 상에서 1.6°피치로 늘어서는 복수의 부분을 제2 측정 대상 부분군으로서 결정했다. 또한, 본 발명자들은, 제1 원(C1)에 동심이며 또한 제1 원(C1)보다 큰 반경을 갖는 제3 원(C3) 상에서 1.6°피치로 늘어서는 복수의 부분을 제3 측정 대상 부분군으로서 결정했다.17 : is a top view for demonstrating the part of the board|substrate W used as the object of a film thickness measurement in the confirmation test about 1st application|coating nonuniformity. In Fig. 17, the outer edge of the to-be-held region is indicated by a dotted line. As shown in FIG. 17 , the present inventors determined, as the first measurement target subgroup, a plurality of portions arranged at a pitch of 1.6° on the first circle C1 substantially overlapping the outer edge of the to-be-held region. In addition, the present inventors identified a plurality of portions arranged at a pitch of 1.6° on a second circle C2 concentric with the first circle C1 and having a smaller radius than the first circle C1 as the second measurement target subgroup. decided as In addition, the present inventors identified a plurality of parts arranged at a pitch of 1.6° on a third circle C3 concentric with the first circle C1 and having a larger radius than the first circle C1 as the third measurement target subgroup. decided as

도 17에서는, 제1~제3 원(C1~C3)의 각각에 있어서, 1.6°피치로 늘어서는 복수의 측정 대상 부분의 일부가 작은 흑점으로 나타난다. 또한, 도 17에 있어서는, 복수의 측정 부분 사이의 관계를 이해하기 쉽도록, 동일 원 상의 복수의 측정점 사이의 각도 피치가 과장되어 나타나 있다.In FIG. 17 , in each of the first to third circles C1 to C3 , a part of a plurality of measurement target portions arranged at a pitch of 1.6° appears as a small black spot. In addition, in FIG. 17, the angular pitch between several measurement points on the same circle is exaggerated and shown so that the relationship between several measurement parts may be easy to understand.

도 18은, 제1 도포 불균일에 대한 확인 시험 결과를 나타내는 도면이다. 도 18에서는, 제1~제3 측정 대상 부분군의 각각에 대해서 실시예 기판 및 비교예 기판의 막두께 측정 결과가 나타난다. 도 18에 나타나는 각 그래프에 있어서는, 종축은 막두께를 나타내고, 횡축은 도 17의 제1~제3 원(C1~C3)의 각각에 있어서의 측정 부분(측정 위치)을 나타낸다. 또, 각 그래프에 있어서, 종축에 나타나는 부호 「tt」는, 도포 처리에 의해 형성되어야 할 레지스트막의 두께, 즉 목표 막두께를 나타낸다. 또한, 각 그래프에 있어서는, 실시예 기판의 복수의 막두께 측정 결과를 잇는 선이 굵은 실선으로 나타나고, 비교예 기판의 복수의 막두께 측정 결과를 잇는 선이 점선으로 나타난다.18 : is a figure which shows the confirmation test result about 1st application|coating nonuniformity. In Fig. 18 , the film thickness measurement results of the substrates of Examples and Comparative Examples are shown for each of the first to third subgroups to be measured. In each graph shown in FIG. 18, the vertical axis|shaft shows the film thickness, and the horizontal axis|shaft shows the measurement part (measurement position) in each of the 1st - 3rd circles C1-C3 of FIG. Moreover, in each graph, the code|symbol "tt" shown on the vertical axis|shaft represents the thickness of the resist film to be formed by the application|coating process, ie, a target film thickness. Further, in each graph, a line connecting a plurality of film thickness measurement results of the Example substrate is indicated by a thick solid line, and a line connecting a plurality of film thickness measurement results of the Comparative Example substrate is indicated by a dotted line.

도 18에 나타내는 바와 같이, 실시예 기판의 막두께 측정 결과는, 제1~제3 측정 대상 부분군의 어느 것에 있어서도, 비교예 기판의 막두께 측정 결과에 비해 막두께의 편차가 작다. 또, 실시예 기판의 막두께 측정 결과는, 제1~제3 측정 대상 부분군의 어느 것에 있어서도, 비교예 기판의 막두께 측정 결과에 비해, 막두께가 전체적으로 목표 막두께 tt에 가깝다. 또한, 제1 및 제3 측정 대상 부분군의 막두께 측정 결과에 의하면, 비교예 기판에서는, 특히 피유지 영역 외연으로부터 기판의 외주 단부까지의 범위에서 현저하게 막두께의 편차가 보인다. 이 현저한 막두께의 편차는, 제1 도포 불균일에 대응한다.As shown in Fig. 18 , the film thickness measurement results of the substrates of Example have smaller variations in film thicknesses compared to the film thickness measurement results of the substrates of Comparative Example in any of the first to third measurement target subgroups. Moreover, the film thickness measurement result of the Example board|substrate is close to the target film thickness tt as a whole compared with the film thickness measurement result of the comparative example board|substrate in any of the 1st - 3rd measurement object subgroups. In addition, according to the film thickness measurement results of the first and third measurement target subgroups, in the comparative example substrate, the film thickness variation was remarkably observed, particularly in the range from the outer periphery of the region to be held to the outer peripheral end of the substrate. This remarkable dispersion|variation in film thickness respond|corresponds to 1st application|coating nonuniformity.

이들의 결과, 도 10의 흡착 유지부(99)를 대신하여, 상기의 제1 및 제2 구성예에 따른 흡착 유지부(11)를 이용함으로써, 제1 도포 불균일의 발생이 충분히 억제된다는 것이 밝혀졌다.As a result, it turns out that generation|occurrence|production of the 1st application|coating nonuniformity is fully suppressed by replacing with the adsorption|suction holding part 99 of FIG. 10, and using the adsorption holding part 11 which concerns on said 1st and 2nd structural example. lost.

[5] 제2 도포 불균일에 대한 확인 시험[5] Confirmation test for second application unevenness

(1) 도포 처리 중인 기판(W)의 온도에 대해서(1) About the temperature of the substrate W in the coating process

본 발명자들은, 기판(W)의 도포 처리 중에 도 1의 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 온도 조정 기체가 공급되는 경우와 온도 조정 기체가 공급되지 않는 경우에서 기판(W)의 온도의 상태가 어떻게 상이한지를 확인하기 위해, 이하에 설명하는 온도 조정 확인 시험을 행했다.The present inventors found that the temperature of the substrate W in the case where the temperature regulating gas is supplied to the substrate W from the gas nozzle 17 of FIG. 1 and the temperature regulating gas is not supplied during the coating process of the substrate W In order to confirm how the states differ, the temperature adjustment confirmation test demonstrated below was done.

도 19는, 온도 조정 확인 시험을 설명하기 위한 도포 장치(1)의 모식적 단면도이다. 도 19에 나타내는 바와 같이, 본 발명자들은, 흡착 유지부(11) 상에 위치하는 기판(W)의 부분에 온도 측정점이 위치하도록, 도포 장치(1) 상에 비접촉 타입의 제1 온도 센서(s1)를 세팅했다. 또, 본 발명자들은, 기체 노즐(17) 상에 위치하는 기판(W)의 부분에 온도 측정점이 위치하도록, 도포 장치(1) 상에 비접촉 타입의 제2 온도 센서(s2)를 세팅했다.19 : is a schematic sectional drawing of the application|coating apparatus 1 for demonstrating the temperature adjustment confirmation test. As shown in FIG. 19, the present inventors have the 1st temperature sensor s1 of a non-contact type on the application|coating apparatus 1 so that a temperature measurement point may be located in the part of the board|substrate W located on the adsorption|suction holding part 11. ) was set. Moreover, the present inventors set the non-contact type 2nd temperature sensor s2 on the application|coating apparatus 1 so that a temperature measurement point might be located in the part of the board|substrate W located on the gas nozzle 17. As shown in FIG.

이 상태에서, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 가열된 온도 조정 기체가 공급되면서 기판(W)의 도포 처리가 행해지는 경우의 제1 및 제2 온도 센서(s1, s2)의 출력(온도 측정 결과)을 기록했다. 또, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 온도 조정 기체가 공급되지 않는 상태에서 도포 처리가 행해지는 경우의 제1 및 제2 온도 센서(s1, s2)의 출력(온도 측정 결과)을 기록했다.In this state, the output ( ) of the first and second temperature sensors s1 and s2 when the coating process of the substrate W is performed while the heated temperature control gas is supplied to the substrate W from the gas nozzle 17 . temperature measurement results) were recorded. In addition, the output (temperature measurement result) of the first and second temperature sensors s1 and s2 when the coating process is performed in a state where the temperature control gas is not supplied from the gas nozzle 17 to the substrate W is recorded. did.

도 20은, 온도 조정 확인 시험 결과를 나타내는 도면이다. 도 20의 그래프에 있어서는, 종축이 온도를 나타내고, 횡축이 시간을 나타낸다. 도 20의 횡축에 있어서, 시점 t1은, 도포 처리가 개시된 후, 기판(W)으로의 레지스트액(RL)의 공급이 정지된 시점을 나타낸다. 시점 t2는, 도포 처리의 종료 시점, 즉 기판(W) 상에 도포되어 퍼진 레지스트액(RL) 전체가 경화된 시점을 나타낸다. 또, 도 20의 종축에 나타나는 부호 「pt」는 처리 온도를 나타낸다.20 : is a figure which shows the temperature adjustment confirmation test result. In the graph of FIG. 20 , the vertical axis indicates temperature and the horizontal axis indicates time. In the horizontal axis of FIG. 20 , a time point t1 indicates a time point at which the supply of the resist solution RL to the substrate W is stopped after the application process is started. The time point t2 represents the end point of the coating process, that is, the time point at which the entire resist solution RL applied and spread on the substrate W is cured. In addition, the code|symbol "pt" shown on the vertical axis|shaft of FIG. 20 shows the process temperature.

또한, 도 20의 그래프에 있어서는, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 가열된 온도 조정 기체가 공급되면서 기판(W)의 도포 처리가 행해졌을 때의 제1 및 제2 온도 센서(s1, s2)의 출력(온도 측정 결과)이, 굵은 실선 및 굵은 일점 쇄선으로 나타난다. 또한, 도 20의 그래프에 있어서는, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 온도 조정 기체가 공급되지 않는 상태에서 기판(W)의 도포 처리가 행해졌을 때의 제1 및 제2 온도 센서(s1, s2)의 출력(온도 측정 결과)이, 점선 및 이점 쇄선으로 나타난다.In addition, in the graph of FIG. 20, the 1st and 2nd temperature sensor s1 when the application|coating process of the board|substrate W is performed while the heated temperature control gas is supplied to the board|substrate W from the gas nozzle 17, The output (temperature measurement result) of s2) is represented by a thick solid line and a thick dashed-dotted line. In addition, in the graph of FIG. 20, the 1st and 2nd temperature sensor s1 when the application|coating process of the board|substrate W is performed in the state in which the temperature control gas is not supplied from the gas nozzle 17 to the board|substrate W. , s2) output (temperature measurement result) is indicated by a dotted line and a dashed-dotted line.

도 20의 온도 조정 확인 시험 결과에 의하면, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 가열된 온도 조정 기체가 공급되는 경우에는, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 온도 조정 기체가 공급되지 않는 경우에 비해 온도 센서(s1, s2)의 출력의 편차가 약간 작다. 또, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 가열된 온도 조정 기체가 공급되는 경우에는, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 온도 조정 기체가 공급되지 않는 경우에 비해 온도 센서(s1, s2)의 출력이 처리 온도 pt에 약간 가깝다. 이들의 결과, 도 1의 기체 노즐(17)로부터 가열된 온도 조정 기체가 기판(W)에 공급됨으로써, 도포 처리 중인 기판(W)의 복수의 부분 사이에서 큰 온도차가 발생하는 것이 억제되는 것이 확인되었다. 또, 도 1의 기체 노즐(17)로부터 가열된 온도 조정 기체가 기판(W)에 공급됨으로써, 도포 처리 중인 기판(W)의 온도가 전체적으로 처리 온도 pt에 가까워지는 것이 확인되었다.According to the temperature adjustment confirmation test result of FIG. 20 , when the heated temperature adjustment gas is supplied to the substrate W from the gas nozzle 17 , the temperature adjustment gas is not supplied to the substrate W from the gas nozzle 17 . The deviation of the output of the temperature sensors s1 and s2 is slightly smaller than that in the case where the temperature sensor s1 and s2 do not. Moreover, when the temperature control gas heated to the board|substrate W is supplied from the gas nozzle 17, compared with the case where the temperature control gas is not supplied to the board|substrate W from the gas nozzle 17, the temperature sensor s1, The output of s2) is slightly close to the processing temperature pt. As a result, it is confirmed that the temperature control gas heated from the gas nozzle 17 of FIG. 1 is supplied to the substrate W, thereby suppressing the occurrence of a large temperature difference between the plurality of portions of the substrate W being coated. became Moreover, it was confirmed that the temperature of the board|substrate W under coating process approached the process temperature pt as a whole by supplying the temperature control gas heated from the gas nozzle 17 of FIG. 1 to the board|substrate W.

(2) 제2 도포 불균일의 발생 상태(2) State of occurrence of second coating unevenness

본 발명자들은, 도 1의 도포 장치(1)에 있어서, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)으로의 온도 조정 기체의 공급 양태을 변경하면서 복수의 기판(W)의 도포 처리를 행하여, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)으로의 온도 조정 기체의 공급 양태에 따른 제2 도포 불균일의 발생 상태를 확인했다.The inventors of the present invention, in the coating apparatus 1 of FIG. 1 , perform the coating process of a plurality of substrates W while changing the supply mode of the temperature control gas from the gas nozzle 17 to the substrate W, and the gas nozzle ( 17), the generation|occurrence|production state of the 2nd application|coating nonuniformity according to the supply aspect of the temperature control gas to the board|substrate W was confirmed.

구체적으로는, 본 발명자들은, 4장의 기판(W) 중 1장째의 기판(W)에 대해서, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)으로의 온도 조정 기체의 공급을 행하지 않고 도포 처리를 행했다. 또, 본 발명자들은, 4장의 기판(W) 중 2장째의 기판(W)에 대해서, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 제1 온도의 온도 조정 기체를 공급하면서 도포 처리를 행했다. 또, 본 발명자들은, 4장의 기판(W) 중 3장째의 기판(W)에 대해서, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 제2 온도의 온도 조정 기체를 공급하면서 도포 처리를 행했다. 또, 본 발명자들은, 4장의 기판(W) 중 4장째의 기판(W)에 대해서, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 제3 온도의 온도 조정 기체를 공급하면서 도포 처리를 행했다. 상기의 제1~제3 온도는, 처리 온도 pt보다 높다. 또, 제2 온도는 제1 온도보다 높고, 제3 온도는 제2 온도보다 높다.Specifically, the present inventors performed the application|coating process with respect to the 1st board|substrate W among the board|substrates W of 4 sheets, without supplying the temperature control gas from the gas nozzle 17 to the board|substrate W. Moreover, about the board|substrate W of the 2nd sheet among the board|substrates W of 4 sheets, the present inventors performed the application|coating process, supplying the temperature control gas of the 1st temperature to the board|substrate W from the gas nozzle 17. Moreover, about the board|substrate W of the 3rd sheet among the board|substrates W of 4 sheets, the present inventors performed the application|coating process, supplying the temperature control gas of the 2nd temperature from the gas nozzle 17 to the board|substrate W. Moreover, the present inventors performed the application|coating process with respect to the board|substrate W of the 4th sheet among the board|substrates W of 4 sheets, supplying the temperature control gas of 3rd temperature from the gas nozzle 17 to the board|substrate W. The first to third temperatures are higher than the processing temperature pt. Further, the second temperature is higher than the first temperature, and the third temperature is higher than the second temperature.

그 후, 본 발명자들은, 상기와 같이 하여 얻어진 도포 처리 후의 4개의 기판(W)에 대해서, 각 기판(W)의 중심을 지나는 직선 상의 레지스트막의 막두께 분포를 측정했다. 도 21은, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)으로의 온도 조정 기체의 공급 양태가 서로 상이한 상태로 도포 처리가 실시된 4개의 기판(W)에 있어서의 레지스트막의 막두께 분포를 나타내는 도면이다.Then, the present inventors measured the film thickness distribution of the resist film on a straight line passing through the center of each board|substrate W about the four board|substrates W after the application|coating process obtained as mentioned above. 21 : is a figure which shows the film thickness distribution of the resist film in the four board|substrates W which the application|coating process was performed in the state which the supply mode of the temperature control gas from the gas nozzle 17 to the board|substrate W differs from each other. .

도 21에 있어서는, 종축이 레지스트막의 막두께를 나타내고, 횡축이 기판(W)의 중심을 지나는 직선 상의 위치를 나타낸다. 또한, 횡축에 있어서는, 「0」은 기판(W)의 중심을 나타낸다. 또, 「150」은 기판(W)의 표면 상에서 기판(W)의 중심을 지나는 직선의 일단부를 나타내고, 「-150」은 기판(W)의 표면 상에서 기판(W)의 중심을 지나는 직선의 타단부를 나타낸다. 또, 본 예에서는, 횡축에 있어서의 「75」 및 「-75」의 위치가, 피유지 영역 외연의 위치를 나타낸다.In FIG. 21 , the vertical axis indicates the film thickness of the resist film, and the horizontal axis indicates the position on a straight line passing through the center of the substrate W. In FIG. In addition, in the horizontal axis, "0" represents the center of the board|substrate W. In addition, "150" represents one end of a straight line passing through the center of the substrate W on the surface of the substrate W, and "-150" is the other end of a straight line passing through the center of the substrate W on the surface of the substrate W. indicates the end. In addition, in this example, the positions of "75" and "-75" in the horizontal axis indicate the position of the outer edge of the to-be-held region.

또한, 도 21에 있어서는, 점선이 상기의 1장째의 기판(W)에 대응하는 막두께 분포를 나타내고, 실선이 상기의 2장째의 기판(W)에 대응하는 막두께 분포를 나타낸다. 또, 일점 쇄선이 상기의 3장째의 기판(W)에 대응하는 막두께 분포를 나타내고, 이점 쇄선이 상기의 4장째의 기판(W)에 대응하는 막두께 분포를 나타낸다.Moreover, in FIG. 21, the dotted line shows the film thickness distribution corresponding to the said 1st board|substrate W, and the solid line shows the film thickness distribution corresponding to the said 2nd board|substrate W. In addition, in FIG. Moreover, the dashed-dotted line shows the film thickness distribution corresponding to the said 3rd board|substrate W, and the double-dotted line shows the film thickness distribution corresponding to the said 4th board|substrate W.

도 21에 나타내는 바와 같이, 도포 처리 중에 가열된 온도 조정 기체가 공급되지 않았던 1장째의 기판(W)에는, 피유지 영역 외연 및 그 근방의 위치에서, 막두께가 국소적으로 작아지고 있다. 이는, 1장째의 기판(W)에 있어서, 제2 도포 불균일이 현저하게 나타나고 있음을 나타내고 있다.As shown in FIG. 21 , in the first substrate W to which the temperature regulating gas heated during the coating process was not supplied, the film thickness is locally reduced at the outer edge of the to-be-held region and at positions in the vicinity thereof. This has shown that the 2nd application|coating nonuniformity has appeared remarkably in the board|substrate W of the 1st sheet.

한편, 2장째, 3장째 및 4장째의 기판(W)에 대해서는, 피유지 영역 외연 및 그 근방의 위치에 현저한 막두께의 저하는 보이지 않는다. 따라서, 제2 도포 불균일의 발생이 억제되고 있다는 것을 알 수 있다.On the other hand, with respect to the board|substrate W of the 2nd, 3rd, and 4th sheet, the fall of the remarkable film thickness is not seen at the position of the to-be-held area|region outer edge and its vicinity. Therefore, it turns out that generation|occurrence|production of 2nd application|coating nonuniformity is suppressed.

또한, 도 21의 결과에 의하면, 피유지 영역 외연 및 그 근방의 위치에 있어서의 레지스트막의 막두께는, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)에 공급되는 온도 조정 기체의 온도가 높을수록 커지고 있다. 따라서, 도포 처리 시에는, 피유지 영역 외연 및 그 근방의 위치에 있어서의 레지스트막의 막두께가 다른 위치에 있어서의 레지스트막의 막두께에 보다 가까워지도록, 기판(W)에 공급하는 온도 조정 기체의 온도를 조정하는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.Moreover, according to the result of FIG. 21, the film thickness of the resist film in the position around the outer edge of the to-be-maintained area|region becomes large as the temperature of the temperature control gas supplied from the gas nozzle 17 to the board|substrate W is high. . Therefore, during the coating process, the temperature of the temperature control gas supplied to the substrate W is such that the film thickness of the resist film at the outer edge of the region to be held and its vicinity becomes closer to the film thickness of the resist film at the other positions. It can be seen that it is desirable to adjust

2. 제2 실시 형태2. Second embodiment

[1] 제2 실시 형태에 따른 도포 장치의 기본 구성[1] Basic configuration of the applicator according to the second embodiment

제2 실시 형태에 따른 도포 장치에 대해서, 제1 실시 형태에 따른 도포 장치와 상이한 점을 설명한다. 도 22는 제2 실시 형태에 따른 도포 장치의 기본적인 구성예를 나타내는 모식적 단면도이며, 도 23은 도 22의 도포 장치(1)의 모식적 평면도이다. 도 23에서는, 도 22에 나타나는 도포 장치(1)의 복수의 구성 요소 중 일부의 구성 요소의 도시가 생략되어 있다. 또, 도 22에 나타나는 기판(W)이 일점 쇄선으로 나타난다.About the applicator which concerns on 2nd Embodiment, the point different from the applicator which concerns on 1st Embodiment is demonstrated. 22 is a schematic cross-sectional view showing a basic structural example of the coating device according to the second embodiment, and FIG. 23 is a schematic plan view of the coating device 1 of FIG. 22 . In FIG. 23, illustration of some component among the some component of the coating device 1 shown in FIG. 22 is abbreviate|omitted. Moreover, the board|substrate W shown in FIG. 22 is shown by the dashed-dotted line.

이하의 설명에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 기판(W)의 하면 중 흡착 유지부(11)에 접촉하는 부분(흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되는 부분)을 하면 중앙부라고 부른다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판(W)의 하면 중 하면 중앙부를 둘러싸며 또한 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되지 않는 부분을 하면 주연부라고 부른다.In the following description, similarly to 1st Embodiment, the part which contacts the adsorption|suction holding part 11 among the lower surfaces of the board|substrate W (the part adsorbed and held by the adsorption|suction holding part 11) is called a lower surface center part. In addition, in this embodiment, the part which surrounds the lower surface center part among the lower surfaces of the board|substrate W and is not adsorbed and held by the suction holding part 11 is called a lower surface peripheral part.

도 22 및 도 23에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 도포 장치(1)에 있어서는, 회전 유지 장치(10)가 복수(본 예에서는 4개)의 기체 노즐(17)을 구비한다. 복수의 기체 노즐(17)은, 도 23에 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되는 기판(W)의 둘레 방향으로 늘어서도록, 등각도 간격(본 예에서는, 회전축(12)에 대해 90° 간격)으로 설치된다. 또, 복수의 기체 노즐(17)의 각각은, 기체 분출부(17b)(도 23)의 슬릿형 개구가 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되는 기판(W)의 직경의 방향으로 연장되도록 배치된다. 각 기체 노즐(17)의 기체 도입부(17a)(도 3)에는, 기체 공급계(18)가 접속된다.22 and 23 , in the coating device 1 according to the present embodiment, the rotation holding device 10 includes a plurality of (four in this example) gas nozzles 17 . As shown in FIG. 23 , the plurality of gas nozzles 17 are arranged at an equal angle interval (in this example, the rotation shaft 12 ) so as to be aligned in the circumferential direction of the substrate W adsorbed and held by the suction holder 11 . are installed at intervals of 90° to the Further, each of the plurality of gas nozzles 17 is such that the slit-shaped opening of the gas ejection portion 17b ( FIG. 23 ) extends in the direction of the diameter of the substrate W adsorbed and held by the suction holder 11 . are placed A gas supply system 18 is connected to the gas introduction part 17a ( FIG. 3 ) of each gas nozzle 17 .

이 도포 장치(1)에 있어서는, 기체 공급계(18)는, 도포 처리 시에, 예를 들면 처리 온도보다 높은 온도를 갖는 온도 조정 기체를 복수의 기체 노즐(17)에 공급한다. 이 경우, 높은 온도를 갖는 온도 조정 기체는, 복수의 기체 노즐(17)의 기체 분출부(17b)로부터 도포 처리 중인 기판(W)의 하면 주연부의 복수의 부분에 각각 동시에 분사된다. 그로 인해, 기판(W)의 하면 주연부의 복수의 부분의 각각에 공급되는 온도 조정 기체의 유량을 과도하게 크게 하지 않고, 기판(W)의 하면 중앙부의 온도와 기판(W)의 하면 주연부의 온도를 서로 일치시키거나 또는 가깝게 할 수 있다. 그 결과, 기판(W)의 일부에 과도한 유량으로 온도 조정 기체가 공급되는 것에 의한 기판(W)의 변형 및 파손이 방지된다.In the coating device 1 , the gas supply system 18 supplies, for example, a temperature control gas having a temperature higher than the processing temperature to the plurality of gas nozzles 17 during the coating process. In this case, the temperature control gas which has a high temperature is respectively simultaneously injected from the gas ejection part 17b of the some gas nozzle 17 to the some part of the lower surface peripheral part of the board|substrate W under coating process. Therefore, the temperature of the central portion of the lower surface of the substrate W and the temperature of the peripheral portion of the lower surface of the substrate W, without excessively increasing the flow rate of the temperature control gas supplied to each of the plurality of portions of the peripheral portion of the lower surface of the substrate W may coincide or be close to each other. As a result, deformation and damage of the substrate W due to the temperature control gas being supplied to a part of the substrate W at an excessive flow rate are prevented.

[2] 기체 노즐(17)의 변형예[2] Modification of the gas nozzle 17

본 실시 형태에 따른 회전 유지 장치(10)에 있어서는, 기판(W)의 하면 주연부에 온도 조정 기체를 공급하는 기체 노즐(17)의 구성은, 도 22의 예로 한정되지 않는다. 이하, 기체 노즐(17)의 변형예에 대해서 설명한다.In the rotation holding apparatus 10 which concerns on this embodiment, the structure of the gas nozzle 17 which supplies the temperature control gas to the lower surface peripheral part of the board|substrate W is not limited to the example of FIG. Hereinafter, the modified example of the gas nozzle 17 is demonstrated.

(1) 제1 변형예(1) First Modification Example

도 24는 제1 변형예에 따른 기체 노즐의 외관 사시도이고, 도 25는 도 24의 기체 노즐(170A)의 평면도이며, 도 26은 도 24의 기체 노즐(170A)의 하면도이다. 도 24~도 26에 나타내는 바와 같이, 본 예의 기체 노즐(170A)은, 원환 형상을 갖고, 그 내측에 흡착 유지부(11)를 배치하는 것이 가능하게 구성되어 있다.24 is an external perspective view of the gas nozzle according to the first modification, FIG. 25 is a plan view of the gas nozzle 170A of FIG. 24 , and FIG. 26 is a bottom view of the gas nozzle 170A of FIG. 24 . 24 to 26 , the gas nozzle 170A of the present example has an annular shape, and is configured such that the adsorption holding unit 11 can be disposed inside the gas nozzle 170A.

도 24 및 도 25에 나타내는 바와 같이, 기체 노즐(170A)의 상면(170u)은, 평탄한 일정 폭의 원환 띠 형상을 갖는다. 상면(170u)에는, 둘레 방향으로 소정의 간격을 두고 복수의 관통 구멍군(g1~g8)이 형성되어 있다. 환언하면, 상면(170u)에는, 평면에서 보았을 때 기체 노즐(170A)의 중심을 기준으로 하여 등각도(본 예에서는 45°) 간격으로 복수(본 예에서는 8개)의 관통 구멍군(g1~g8)이 형성되어 있다. 각 관통 구멍군(g1~g8)은, 복수의 관통 구멍(h1~hn)(n는 2 이상의 자연수)을 포함한다. 복수의 관통 구멍(h1~hn)은, 예를 들면 0.5mm 이상 5.00mm 이하의 공통의 내경을 갖는다.24 and 25 , the upper surface 170u of the gas nozzle 170A has a flat annular band shape with a constant width. A plurality of through-hole groups g1 to g8 are formed on the upper surface 170u at predetermined intervals in the circumferential direction. In other words, in the upper surface 170u, a plurality of (eight in this example) through-hole groups g1 to g8) is formed. Each through-hole group g1 to g8 includes a plurality of through holes h1 to hn (n is a natural number equal to or greater than 2). The plurality of through holes h1 to hn have, for example, a common inner diameter of 0.5 mm or more and 5.00 mm or less.

각 관통 구멍군(g1~g8)에 있어서는, 복수의 관통 구멍(h1~hn)은, 이 순서로 기체 노즐(170A)의 내연으로부터 외연을 향하는 직선 상에 늘어서도록 배열되어 있다. 기체 노즐(170A)은, 후술하는 원환형의 내부 공간(173)(도 28)을 갖는다. 복수의 관통 구멍(h1~hn)은, 내부 공간(173)과 상면(170u)의 상방의 공간을 연통시킨다.In each through-hole group g1-g8, several through-holes h1-hn are arranged so that it may line up on the straight line toward the outer edge from the inner edge of 170A of gas nozzles in this order. The gas nozzle 170A has an annular inner space 173 (FIG. 28), which will be described later. The plurality of through holes h1 to hn communicate the internal space 173 with the space above the upper surface 170u.

도 26에 나타내는 바와 같이, 기체 노즐(170A)의 하면(170b)은, 상면(170u)과 마찬가지로, 평탄한 일정 폭의 원환 띠 형상을 갖는다. 하면(170b)에는, 둘레 방향으로 소정의 간격을 두고 복수의 기체 도입 부재(177)가 설치되어 있다. 환언하면, 하면(170b)에는, 평면에서 보았을 때 기체 노즐(170A)의 중심을 기준으로 하여 등각도(본 예에서는 45°) 간격으로 복수(본 예에서는 8개)의 기체 도입 부재(177)가 설치되어 있다. 각 기체 도입 부재(177)는, 평면에서 보았을 때 관통 구멍군(g1~g8) 중 어느 것에도 겹치지 않는 위치에 설치된다. 보다 구체적으로는, 각 기체 도입 부재(177)는, 평면에서 보았을 때 관통 구멍군(g1~g8) 중 서로 이웃하는 각 2개의 관통 구멍군의 중간에 위치하도록, 하면(170b)에 설치되어 있다. As shown in FIG. 26 , the lower surface 170b of the gas nozzle 170A has a flat annular band shape with a constant width, similarly to the upper surface 170u. A plurality of gas introduction members 177 are provided on the lower surface 170b at predetermined intervals in the circumferential direction. In other words, on the lower surface 170b, a plurality of (eight in this example) gas introduction members 177 at isoangular (45° in this example) intervals with respect to the center of the gas nozzle 170A in plan view. is installed Each gas introduction member 177 is provided at a position that does not overlap with any of the through-hole groups g1 to g8 in plan view. More specifically, each gas introduction member 177 is provided on the lower surface 170b so as to be located in the middle of each two adjacent through-hole groups among the through-hole groups g1 to g8 in plan view. .

기체 도입 부재(177)는, 기체 입구(177a), 기체 유로(177b) 및 기체 출구(177c)를 갖는다. 하면(170b)에 있어서의 각 기체 도입 부재(177)의 장착 부분에는, 관통 구멍이 형성되어 있다. 기체 도입 부재(177)의 기체 출구(177c)는 하면(170b)의 관통 구멍 상에 위치 결정되어 있다.The gas introduction member 177 has a gas inlet 177a, a gas flow path 177b, and a gas outlet 177c. A through hole is formed in the attachment portion of each gas introduction member 177 on the lower surface 170b. The gas outlet 177c of the gas introduction member 177 is positioned on the through hole of the lower surface 170b.

이러한 구성에 의해, 기체 입구(177a)에 온도 조정 기체가 공급되면, 그 온도 조정 기체는, 기체 유로(177b), 기체 출구(177c) 및 하면(170b)의 관통 구멍을 통해 기체 노즐(170A)의 내부 공간(173)(도 28)으로 이끌어진다. 내부 공간(173)(도 28)으로 이끌어진 온도 조정 기체는, 또한 상면(170u)의 복수의 관통 구멍군(g1~g8)으로부터 상면(170u)의 상방의 공간으로 분사된다. 따라서, 기체 노즐(170A)을 도포 장치(1)에 설치할 때에는, 복수의 기체 도입 부재(177)의 기체 입구(177a)에 기체 공급계(18)(도 22)가 접속된다.With such a configuration, when the temperature control gas is supplied to the gas inlet 177a, the temperature control gas passes through the through holes of the gas flow path 177b, the gas outlet 177c, and the lower surface 170b to the gas nozzle 170A. leading to the interior space 173 (FIG. 28) of The temperature control gas led to the internal space 173 (FIG. 28) is further injected from the plurality of through-hole groups g1 to g8 of the upper surface 170u to the space above the upper surface 170u. Accordingly, when the gas nozzle 170A is installed in the coating device 1 , the gas supply system 18 ( FIG. 22 ) is connected to the gas inlet 177a of the plurality of gas introduction members 177 .

기체 노즐(170A)의 하면(170b)에는, 또한 2개의 고정 부재(178)가 장착되어 있다. 고정 부재(178)는, 예를 들면 나사를 삽입 가능한 관통 구멍을 갖고, 하면(170b) 상으로부터 기체 노즐(170A)의 내측으로 돌출되도록 설치되어 있다. 2개의 고정 부재(178)가, 예를 들면 도포 장치(1)의 하우징에 나사를 이용하여 고정된다. 그로 인해, 기체 노즐(170A)이, 흡착 유지부(11)에 대해 미리 정해진 위치 관계를 갖는 상태로 도포 장치(1) 내에 고정된다.Two fixing members 178 are further attached to the lower surface 170b of the gas nozzle 170A. The fixing member 178 has, for example, a through hole into which a screw can be inserted, and is provided so as to protrude from the lower surface 170b to the inside of the gas nozzle 170A. The two fixing members 178 are fixed to the housing of the applicator 1 using screws, for example. Therefore, 170A of gas nozzles are being fixed in the coating device 1 in the state which has a predetermined positional relationship with respect to the adsorption|suction holding part 11.

또한, 기체 노즐(170A)에 설치되는 고정 부재(178)의 수는, 2개로 한정되지 않는다. 기체 노즐(170A)에는, 3개, 4개 또는 5개 이상의 고정 부재(178)가 설치되어도 된다. 이 경우, 복수의 고정 부재(178)는, 하면(170b) 상에 등간격으로 배치되는 것이 바람직하다.In addition, the number of the fixing members 178 provided in 170A of gas nozzles is not limited to two. Three, four, or five or more fixing members 178 may be provided in the gas nozzle 170A. In this case, the plurality of fixing members 178 are preferably arranged at equal intervals on the lower surface 170b.

도 27은, 도포 장치(1)에 있어서의 제1 변형예에 따른 기체 노즐(170A)과 흡착 유지부(11)의 위치 관계를 나타내는 도면이다. 도 27에 나타내는 바와 같이, 도포 장치(1)에 있어서는, 기체 노즐(170A)은, 흡착 유지부(11)를 둘러싸도록 설치된다. 또한, 기체 노즐(170A)의 상면(170u)은, 흡착 유지부(11)의 상면(11u)보다 낮은 높이에 유지된다.27 : is a figure which shows the positional relationship of the gas nozzle 170A and the adsorption|suction holding part 11 which concern on the 1st modified example in the application|coating apparatus 1. As shown in FIG. As shown in FIG. 27 , in the coating device 1 , the gas nozzle 170A is provided so as to surround the adsorption holding unit 11 . In addition, the upper surface 170u of the gas nozzle 170A is held at a height lower than the upper surface 11u of the adsorption holding part 11 .

도 28은, 도 27의 흡착 유지부(11) 및 기체 노즐(170A)의 복수의 부분의 종단면도이다. 도 28의 1단째에는, 도 27의 Q1-Q1선을 포함하는 연직면에서 흡착 유지부(11) 및 기체 노즐(170A)을 절단한 경우의 종단면도가 나타난다. Q1-Q1선을 포함하는 연직면에는, 도 24의 관통 구멍군(g1)이 존재한다. 도 28의 2단째에는, 도 27의 Q2-Q2선을 포함하는 연직면에서 흡착 유지부(11) 및 기체 노즐(170A)을 절단한 경우의 종단면도가 나타난다. Q2-Q2선을 포함하는 연직면에는, 도 24의 관통 구멍군(g2)이 존재한다.Fig. 28 is a longitudinal sectional view of a plurality of portions of the adsorption holding unit 11 and the gas nozzle 170A of Fig. 27 . In the first stage of FIG. 28 , a longitudinal sectional view is shown when the suction holder 11 and the gas nozzle 170A are cut in the vertical plane including the line Q1-Q1 in FIG. 27 . The through-hole group g1 of FIG. 24 exists in the vertical surface including the line Q1-Q1. In the second stage of FIG. 28 , a longitudinal sectional view is shown when the suction holder 11 and the gas nozzle 170A are cut in the vertical plane including the line Q2-Q2 in FIG. 27 . The through-hole group g2 in FIG. 24 exists on the vertical surface including the Q2-Q2 line.

도 28의 3단째에는, 도 27의 Q3-Q3선을 포함하는 연직면에서 흡착 유지부(11) 및 기체 노즐(170A)을 절단한 경우의 종단면도가 나타난다. Q3-Q3선을 포함하는 연직면에는, 도 24의 관통 구멍군(g3)이 존재한다. 도 28의 4단째에는, 도 27의 Q4-Q4선을 포함하는 연직면에서 흡착 유지부(11) 및 기체 노즐(170A)을 절단한 경우의 종단면도가 나타난다. Q4-Q4선을 포함하는 연직면에는, 도 24의 관통 구멍군(g4)이 존재한다.In the third stage of FIG. 28 , a longitudinal sectional view is shown when the suction holder 11 and the gas nozzle 170A are cut in the vertical plane including the line Q3-Q3 in FIG. 27 . The through-hole group g3 in FIG. 24 exists on the vertical surface including the line Q3-Q3. In the 4th stage of FIG. 28, the vertical sectional view at the time of cut|disconnecting the adsorption|suction holding part 11 and the gas nozzle 170A in the vertical plane including the line Q4-Q4 of FIG. 27 is shown. The through-hole group g4 in FIG. 24 exists on the vertical surface including the line Q4-Q4.

도 28의 5단째에는, 도 27의 Q5-Q5선을 포함하는 연직면에서 흡착 유지부(11) 및 기체 노즐(170A)을 절단한 경우의 종단면도가 나타난다. Q5-Q5선을 포함하는 연직면에는, 도 24의 기체 도입 부재(177)가 존재한다. 또한, 도 28의 각 도면에 있어서는, 흡착 유지부(11) 및 기체 노즐(170A)의 단면도와 함께, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되는 기판(W)의 단면도도 나타난다.In the 5th stage of FIG. 28, the longitudinal sectional view at the time of cut|disconnecting the adsorption|suction holding part 11 and the gas nozzle 170A on the vertical plane including the line Q5-Q5 of FIG. 27 is shown. The gas introduction member 177 of FIG. 24 exists on the vertical surface including the line Q5-Q5. Moreover, in each figure of FIG. 28, sectional drawing of the board|substrate W adsorbed and held by the adsorption|suction holding part 11 is also shown with sectional drawing of the adsorption holding part 11 and 170A of gas nozzles.

도 28의 각 단의 종단면도에 나타내는 바와 같이, 기체 노즐(170A)은, 상면 부재(171) 및 하면 부재(172)로 구성된다. 상면 부재(171)는, 상면(170u)을 형성하는 원환 형상의 평판 부분과, 평판 부분의 내연으로부터 하방으로 소정 높이 연장되는 내주벽과, 평판 부분의 외연으로부터 하방으로 소정 높이 연장되는 외주벽을 갖는다. 한편, 하면 부재(172)는, 상면 부재(171)의 평판 부분에 대응하는 원환 형상을 갖는 평판 부재이다.As shown in the longitudinal sectional view of each stage of FIG. 28, 170A of gas nozzles are comprised from the upper surface member 171 and the lower surface member 172. As shown in FIG. The upper surface member 171 includes an annular flat plate portion forming the upper surface 170u, an inner peripheral wall extending a predetermined height downward from the inner edge of the flat plate portion, and an outer peripheral wall extending downward by a predetermined height from the outer edge of the flat plate portion. have On the other hand, the lower surface member 172 is a flat plate member having an annular shape corresponding to the flat plate portion of the upper surface member 171 .

상면 부재(171)의 내주벽의 하단부 및 외주벽의 하단부에 하면 부재(172)의 내연 및 외연이 각각 접속된다. 그로 인해, 상면 부재(171)의 평판 부분과 하면 부재(172) 사이에 원환형의 내부 공간(173)이 형성된다. 내부 공간(173)은, 온도 조정 기체의 유통로로서 기능한다. 상면 부재(171)와 하면 부재(172)의 접속은, 용접에 의해서 행해져도 된다. 혹은, 상면 부재(171) 및 하면 부재(172)는, 예를 들면 나사를 이용하여 서로 접속되어도 된다. 이 경우, 상면 부재(171)와 하면 부재(172)의 접속부를 통해 내부 공간(173) 내의 기체가 빠져 나오지 않도록, O링 등의 시일 부재를 상면 부재(171)와 하면 부재(172)의 접속부에 설치하는 것이 바람직하다.The inner edge and outer edge of the lower surface member 172 are respectively connected to the lower end of the inner peripheral wall of the upper surface member 171, and the lower end of the outer peripheral wall. Accordingly, an annular inner space 173 is formed between the flat portion of the upper surface member 171 and the lower surface member 172 . The internal space 173 functions as a flow path for the temperature control gas. The connection of the upper surface member 171 and the lower surface member 172 may be performed by welding. Alternatively, the upper surface member 171 and the lower surface member 172 may be connected to each other using, for example, screws. In this case, a sealing member such as an O-ring is attached to the connection portion between the upper surface member 171 and the lower surface member 172 so that the gas in the inner space 173 does not escape through the connection portion between the upper surface member 171 and the lower surface member 172 . It is preferable to install it in

도 28의 1단째의 종단면에 있어서는, 기체 노즐(170A)의 상면(170u)에, 도 24의 관통 구멍군(g1)에 속하는 복수의 관통 구멍(h1~hn)이 형성되어 있다. 2단째의 종단면에 있어서는, 기체 노즐(170A)의 상면(170u)에, 도 24의 관통 구멍군(g2)에 속하는 복수의 관통 구멍(h1~hn)이 형성되어 있다. 3단째의 종단면에 있어서는, 기체 노즐(170A)의 상면(170u)에, 도 24의 관통 구멍군(g3)에 속하는 복수의 관통 구멍(h1~hn)이 형성되어 있다. 4단째의 종단면에 있어서는, 기체 노즐(170A)의 상면(170u)에, 도 24의 관통 구멍군(g3)에 속하는 복수의 관통 구멍(h1~hn)이 형성되어 있다.In the longitudinal section of the first stage in FIG. 28 , a plurality of through holes h1 to hn belonging to the through hole group g1 in FIG. 24 are formed in the upper surface 170u of the gas nozzle 170A. In the longitudinal section of the second stage, a plurality of through holes h1 to hn belonging to the through hole group g2 in FIG. 24 are formed in the upper surface 170u of the gas nozzle 170A. In the longitudinal section of the third stage, a plurality of through holes h1 to hn belonging to the through hole group g3 in FIG. 24 are formed in the upper surface 170u of the gas nozzle 170A. In the vertical cross section of the fourth stage, a plurality of through holes h1 to hn belonging to the through hole group g3 in FIG. 24 are formed in the upper surface 170u of the gas nozzle 170A.

상면(170u) 중 흡착 유지부(11)에 가장 근접하는 부분에는, 기체 노즐(170A)의 내방 또한 상방을 향하는 경사부(ut)가 형성되어 있다. 연직 방향으로 연장되는 축에 대한 경사부(ut)의 경사 각도는, 예를 들면 30°~60°의 범위 내가 되도록 설정된다. 도 24의 각 관통 구멍군(g1~g8)에 있어서는, 기체 노즐(170A)의 내연에 가장 가까운 관통 구멍(h1)이 경사부(ut)에 위치한다. 각 관통 구멍(h1)은, 경사부(ut)에 대해 직교하는 방향으로 연장되도록 형성되어 있다.In a portion of the upper surface 170u that is closest to the adsorption holding portion 11, an inclined portion ut directed inward and upward of the gas nozzle 170A is formed. The inclination angle of the inclination part ut with respect to the axis|shaft extending in the perpendicular direction is set so that it may become in the range of 30 degrees - 60 degrees. In each through-hole group g1-g8 of FIG. 24, the through-hole h1 closest to the inner edge of 170A of gas nozzles is located in the inclination part ut. Each through hole h1 is formed so as to extend in a direction orthogonal to the inclined portion ut.

기체 노즐(170A)의 종단면도에 있어서는, 경사부(ut)는, 기체 노즐(170A)의 내연으로부터 외방 또한 비스듬한 상방을 향해 일정 길이 직선형으로 연장되어 있다. 또, 경사부(ut)는, 흡착 유지부(11)에 의해 기판(W)이 흡착 유지된 상태에서, 기판(W)의 하면 주연부 중 내연을 포함하는 부분에 대향한다.In the longitudinal sectional view of the gas nozzle 170A, the inclined part ut extends outward and obliquely upward from the inner edge of 170A of gas nozzle 170A in a fixed length linear form. Moreover, the inclination part ut opposes the part containing an inner edge among the lower surface periphery of the board|substrate W in the state which the board|substrate W was adsorbed and held by the adsorption|suction holding part 11. As shown in FIG.

기체 노즐(170A)에 있어서는, 복수의 관통 구멍군(g1~g8) 중 관통 구멍군(g1, g4, g7)의 관통 구멍(h1)은, 경사부(ut) 중 상단부 근방의 제1 영역에 형성된다. 한편, 관통 구멍군(g2, g5, g8)의 관통 구멍(h1)은, 경사부(ut) 중 제1 영역에 서로 이웃하며 또한 제1 영역의 하방에 위치하는 제2 영역에 형성된다. 다른 한편, 관통 구멍군(g3, g6)의 관통 구멍(h1)은, 경사부(ut) 중 제2 영역에 서로 이웃하며 또한 제2 영역의 하방에 위치하는 제3 영역에 형성된다.In the gas nozzle 170A, the through-holes h1 of the through-hole groups g1, g4, and g7 among the plurality of through-hole groups g1 to g8 are located in the first region near the upper end of the inclined portion ut. is formed On the other hand, the through-holes h1 of the through-hole groups g2, g5, and g8 are formed in the second region adjacent to the first region of the inclined portion ut and located below the first region. On the other hand, the through-holes h1 of the through-hole groups g3 and g6 are formed in the third region adjacent to the second region of the inclined portion ut and located below the second region.

상기와 같이, 복수의 관통 구멍(h1)은, 경사부(ut)에 있어서의 복수의 영역에 분산되어 형성되어 있다. 이로 인해, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지된 기판(W)의 회전 시에는, 복수의 관통 구멍(h1)으로부터 분사되는 온도 조정 기체가, 기판(W)의 하면 주연부 내연 및 그 주변 부분에 전체적으로 공급된다.As described above, the plurality of through holes h1 are formed while being dispersed in a plurality of regions in the inclined portion ut. For this reason, at the time of rotation of the board|substrate W adsorbed and held by the adsorption|suction holding part 11, the temperature control gas injected from the some through-hole h1 is the inner edge of the lower surface periphery of the board|substrate W, and its peripheral part. supplied as a whole.

여기서, 기체 노즐(170A)에 있어서, 둘레 방향에 직교하여 기체 노즐(170A)의 중심으로부터 기체 노즐(170A)의 외방을 향하는 방향을 반경 방향이라고 부른다. 도 24의 각 관통 구멍군(g1~g8)에 있어서는, 관통 구멍(h2~hn)은, 상면(170u) 중 경사부(ut)를 제외한 영역 상에서, 반경 방향을 따라 연장되는 일직선 상에 일정한 간격(본 예에서는 관통 구멍(h2~hn)의 내경)을 두고 늘어서 있다. 구체적으로는, 본 예의 관통 구멍(h1~hn)의 각각은 1.0mm의 내경을 갖고, 관통 구멍(h2~hn)은 2.0mm 피치로 일직선 상에 배치되어 있다.Here, in the gas nozzle 170A, the direction orthogonal to the circumferential direction from the center of the gas nozzle 170A toward the outside of the gas nozzle 170A is called a radial direction. In each through hole group g1 to g8 in FIG. 24 , the through holes h2 to hn are at regular intervals on a straight line extending in the radial direction on the upper surface 170u except for the inclined portion ut. (In this example, the inner diameters of the through holes h2 to hn) are arranged. Specifically, each of the through holes h1 to hn in this example has an inner diameter of 1.0 mm, and the through holes h2 to hn are arranged in a straight line at a pitch of 2.0 mm.

기체 노즐(170A)의 둘레 방향으로 서로 이웃하는 각 2개의 관통 구멍군에 있어서는, 한쪽의 관통 구멍군의 관통 구멍(h2~hn)의 형성 위치와, 다른 쪽의 관통 구멍군의 관통 구멍(h2~hn)의 형성 위치가 서로 상이하다. 그로 인해, 기체 노즐(170A)에 있어서는, 복수의 관통 구멍군(g1~g8)의 서로 대응하는 순서의 관통 구멍이 둘레 방향으로 갈지자로 배열(지그재그 배열)되어 있다. 이로 인해, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지된 기판(W)의 회전 시에는, 복수의 관통 구멍군(g1~g8)의 복수의 관통 구멍(h2~hn)으로부터 분사되는 온도 조정 기체가, 기판(W)의 하면 주연부 중 상면(170u)에 대향하는 부분에 전체적으로 공급된다.In each of the two through-hole groups adjacent to each other in the circumferential direction of the gas nozzle 170A, the formation position of the through-holes h2-hn of one through-hole group and the through-hole h2 of the other through-hole group The formation positions of ~hn) are different from each other. Therefore, in 170A of gas nozzles, the through-holes of the mutually corresponding order of several through-hole groups g1-g8 are arranged in the circumferential direction in a staggered manner (zigzag arrangement). For this reason, at the time of rotation of the board|substrate W adsorbed and held by the adsorption|suction holding part 11, the temperature control gas injected from the some through-holes h2-hn of the some through-hole group g1-g8 is , is supplied as a whole to a portion opposite to the upper surface 170u of the lower periphery of the substrate W.

도 28의 5단째에 나타내는 바와 같이, 기체 노즐(170A)의 하면(170b)에 있어서의 기체 도입 부재(177)의 장착 부분에는, 반경 방향에 있어서의 대략 중앙부에 관통 구멍(172h)이 형성되어 있다. 기체 도입 부재(177)는, 기체 출구(177c)가 관통 구멍(172h)에 겹쳐지도록 위치 결정되어, 하면(170b)에 장착된다. 이 상태에서, 기체 도입 부재(177)의 기체 입구(177a)는, 기체 노즐(170A)의 내방을 향한다.As shown in the fifth stage of FIG. 28 , a through hole 172h is formed at a substantially central portion in the radial direction in the attachment portion of the gas introduction member 177 on the lower surface 170b of the gas nozzle 170A. there is. The gas introduction member 177 is positioned so that the gas outlet 177c overlaps the through hole 172h, and is mounted on the lower surface 170b. In this state, the gas inlet 177a of the gas introduction member 177 faces inward of the gas nozzle 170A.

상기와 같이, 기체 입구(177a)에 온도 조정 기체가 공급됨으로써, 기체 유로(177b), 기체 출구(177c) 및 관통 구멍(172h)을 통해 내부 공간(173)에 온도 조정 기체가 공급된다. 여기서, 관통 구멍(172h)의 상방에 위치하는 상면 부재(171)의 부분에는, 관통 구멍 또는 개구가 형성되어 있지 않다. 그 때문에, 기체 도입 부재(177)로부터 내부 공간(173)에 공급되는 온도 조정 기체는, 맨 처음 상면 부재(171)에 충돌함으로써 내부 공간(173) 내에서 원활하게 확산된다. 그로 인해, 온도 조정 기체는, 내부 공간(173)으로부터 복수의 관통 구멍군(g1~g8)에 원활하며 또한 균일하게 이끌어진다.As described above, when the temperature control gas is supplied to the gas inlet 177a, the temperature control gas is supplied to the internal space 173 through the gas flow path 177b, the gas outlet 177c, and the through hole 172h. Here, a through hole or an opening is not formed in the portion of the upper surface member 171 located above the through hole 172h. Therefore, the temperature regulating gas supplied from the gas introduction member 177 to the internal space 173 is smoothly diffused within the internal space 173 by first colliding with the upper surface member 171 . Therefore, the temperature control gas is smoothly and uniformly guided from the internal space 173 to the plurality of through-hole groups g1 to g8 .

또한, 흡착 유지부(11)에 기판(W)이 흡착 유지된 상태에서, 기판(W)의 하면과 기체 노즐(170A)의 상면(170u) 사이의 거리 D1(도 28의 5단째 참조)은, 예를 들면 0.5mm~10mm 정도로 설정된다. 또, 흡착 유지부(11)의 외연과 기체 노즐(170A)의 내연 사이의 거리 D2(도 28의 5단째 참조)는, 예를 들면 1mm~10mm 정도로 설정된다.In addition, in the state in which the substrate W is adsorbed and held by the suction holder 11 , the distance D1 between the lower surface of the substrate W and the upper surface 170u of the gas nozzle 170A (refer to the fifth step in FIG. 28 ) is , for example, is set to about 0.5 mm to 10 mm. Moreover, the distance D2 (refer 5th stage of FIG. 28) between the outer edge of the adsorption|suction holding part 11 and the inner edge of 170A of gas nozzles is set, for example to about 1 mm - about 10 mm.

(2) 제2 변형예(2) Second modification

도 29는, 제2 변형예에 따른 기체 노즐의 하면도이다. 제2 변형예에 따른 기체 노즐(170B)은, 이하에 설명하는 점을 제외하고 제1 변형예에 따른 기체 노즐(170A)과 같은 구성을 갖는다.29 is a bottom view of the gas nozzle according to the second modification. The gas nozzle 170B according to the second modification has the same configuration as the gas nozzle 170A according to the first modification, except for the points described below.

도 29에 나타내는 바와 같이, 기체 노즐(170B)의 하면(170b)에는, 도 26의 복수의 기체 도입 부재(177)를 대신하여, 하나의 기체 도입 부재(179)가 설치되어 있다. 기체 도입 부재(179)는, 기본적으로 기체 도입 부재(177)와 같은 구성을 갖는다. As shown in FIG. 29 , one gas introducing member 179 is provided on the lower surface 170b of the gas nozzle 170B in place of the plurality of gas introducing members 177 in FIG. 26 . The gas introducing member 179 has the same configuration as the gas introducing member 177 basically.

또, 본 예에서는, 하면 부재(172)에 복수의 관통 구멍(172h)(도 28)이 형성되는 대신에, 하면 부재(172)의 내부에 기체 유로(172p)가 형성되어 있다. 도 29에 있어서는, 기체 유로(172p)가 일점 쇄선과 도트 패턴으로 나타난다.Moreover, in this example, the gas flow path 172p is formed in the inside of the lower surface member 172 instead of the some through-hole 172h (FIG. 28) being formed in the lower surface member 172. As shown in FIG. In FIG. 29, the gas flow path 172p is represented by a dashed-dotted line and a dot pattern.

기체 유로(172p)는, 하나의 상류단과, 복수(본 예에서는 8개)의 하류단(de)을 갖는다. 하나의 상류단은, 도 22의 기체 공급계(18)로부터 기체 도입 부재(179)를 통해 공급되는 온도 조정 기체를 받는 것이 가능해지도록, 하면(170b)에 있어서의 기체 도입 부재(179)의 장착 부분에 위치한다. 복수의 하류단(de)은, 평면에서 보았을 때 복수의 관통 구멍군(g1~g8)의 서로 이웃하는 각 2개의 관통 구멍군 사이에 위치하고, 기체 노즐(170B)의 내부 공간(173)으로 개방되어 있다.The gas flow path 172p has one upstream end and a plurality (eight in this example) downstream ends de. One upstream end is equipped with the gas introduction member 179 on the lower surface 170b so that it is possible to receive the temperature control gas supplied through the gas introduction member 179 from the gas supply system 18 in FIG. 22 . located in the part The plurality of downstream ends de are located between each two adjacent through-hole groups of the plurality of through-hole groups g1 to g8 in plan view, and open to the internal space 173 of the gas nozzle 170B. has been

상기의 기체 도입 부재(179)에는, 기체 공급계(18)가 접속된다. 이로 인해, 기체 공급계(18)로부터 하나의 기체 도입 부재(179)에 공급되는 온도 조정 기체가, 기체 유로(172p)를 통해 내부 공간(173) 내의 복수의 부분에 공급된다.A gas supply system 18 is connected to the gas introduction member 179 described above. For this reason, the temperature control gas supplied from the gas supply system 18 to one gas introduction member 179 is supplied to the some part in the internal space 173 through the gas flow path 172p.

(3) 제3 변형예(3) Third modified example

도 30은, 제3 변형예에 따른 기체 노즐의 평면도이다. 제3 변형예에 따른 기체 노즐(170C)은, 이하에 설명하는 점을 제외하고 제1 변형예에 따른 기체 노즐(170A)과 같은 구성을 갖는다. 30 is a plan view of a gas nozzle according to a third modification. The gas nozzle 170C according to the third modification has the same configuration as the gas nozzle 170A according to the first modification, except for the points described below.

도 30에 나타내는 바와 같이, 기체 노즐(170C)에 있어서는, 상면(170u)에 12개의 관통 구멍군(g11~g22)이 형성되어 있다. 이들 복수의 관통 구멍군(g11~g22)은, 기체 노즐(170C)의 둘레 방향에 있어서, 등간격으로 풍차형으로 늘어서 있다. 복수의 관통 구멍군(g11~g22)의 각각은, 기체 노즐(170C)의 내연으로부터 외연을 향해 만곡되면서 연장되는 곡선 상에, 복수의 관통 구멍이 늘어서는 구성을 갖는다. 또한, 기체 노즐(170C)에 있어서는, 상면(170u)의 경사부(ut)에, 복수의 관통 구멍군(g11~g22)에 속하지 않는 다수의 관통 구멍이 형성되어 있다.As shown in FIG. 30, in 170C of gas nozzles, 12 through-hole groups g11-g22 are formed in the upper surface 170u. These plurality of through-hole groups g11 to g22 are arranged in a windmill shape at equal intervals in the circumferential direction of the gas nozzle 170C. Each of the plurality of through-hole groups g11 to g22 has a configuration in which the plurality of through-holes are arranged on a curved line extending from the inner edge of the gas nozzle 170C toward the outer edge while being curved. Moreover, in 170C of gas nozzles, the many through-holes which do not belong to several through-hole group g11-g22 are formed in the inclined part ut of the upper surface 170u.

제3 변형예에 따른 기체 노즐(170C)에 있어서는, 제1 및 제2 변형예에 따른 기체 노즐(170A, 170B)에 비해, 온도 조정 기체를 분사 가능한 관통 구멍의 수가 많다. 그로 인해, 기판(W)의 하면 주연부의 복수의 부분에 대해, 보다 균일하게 온도 조정 기체를 공급할 수 있다.In the gas nozzle 170C according to the third modification, compared with the gas nozzles 170A and 170B according to the first and second modifications, the number of through holes through which the temperature control gas can be injected is large. Therefore, the temperature control gas can be supplied more uniformly with respect to the some part of the lower surface peripheral part of the board|substrate W.

또한, 복수의 관통 구멍군(g11~g22)의 각각의 반경 방향에 있어서, 서로 이웃하는 각 2개의 관통 구멍의 중심간의 거리는, 각 관통 구멍의 직경 이하가 되도록 정해지는 것이 바람직하다. 이 경우, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지된 기판(W)의 회전 시에, 기판(W)의 하면 주연부 중 상면(170u)에 대향하는 부분에 전체적으로 온도 조정 기체를 공급할 수 있다.Further, in each radial direction of the plurality of through-hole groups g11 to g22, the distance between the centers of the two adjacent through-holes is preferably determined to be equal to or smaller than the diameter of each through-hole. In this case, during rotation of the substrate W adsorbed and held by the suction holder 11 , the temperature control gas can be supplied as a whole to a portion of the lower surface periphery of the substrate W that faces the upper surface 170u.

(4) 제4 변형예(4) 4th modification

도 31은, 제4 변형예에 따른 기체 노즐의 평면도이다. 제4 변형예에 따른 기체 노즐(170D)은, 이하에 설명하는 점을 제외하고 제1 변형예에 따른 기체 노즐(170A)과 같은 구성을 갖는다.31 is a plan view of a gas nozzle according to a fourth modification. The gas nozzle 170D according to the fourth modification has the same configuration as the gas nozzle 170A according to the first modification, except for the points described below.

도 31에 나타내는 바와 같이, 기체 노즐(170D)에 있어서는, 상면(170u)에, 복수의 관통 구멍군(g1~g8)(도 24)을 대신하여, 복수(본 예에서는 8개)의 슬릿형 개구(SL)가 형성되어 있다. 복수의 슬릿형 개구(SL)는, 기체 노즐(170D)의 둘레 방향에 있어서, 등간격으로 늘어서 있다. 각 슬릿형 개구(SL)는, 기체 노즐(170D)의 내연 근방으로부터 외연 근방까지 직선형으로 연장되도록 형성되어 있다.31 , in the gas nozzle 170D, a plurality of (eight in this example) slits are formed on the upper surface 170u instead of the plurality of through-hole groups g1 to g8 ( FIG. 24 ) ( FIG. 24 ). An opening SL is formed. The plurality of slit-shaped openings SL are arranged at equal intervals in the circumferential direction of the gas nozzle 170D. Each slit-shaped opening SL is formed so as to extend linearly from the vicinity of the inner edge of the gas nozzle 170D to the vicinity of the outer edge.

이러한 구성에 의해, 기체 노즐(170D)의 사용 시에는, 기체 노즐(170D)의 내부 공간(173)으로부터 각 슬릿형 개구(SL)를 통해 상면(170u) 상의 공간에 온도 조정 기체가 분사된다.With this configuration, when the gas nozzle 170D is used, the temperature control gas is injected from the internal space 173 of the gas nozzle 170D to the space on the upper surface 170u through each slit-shaped opening SL.

(5) 제5 변형예(5) Fifth modification

도 32는, 제5 변형예에 따른 기체 노즐의 외관 사시도이다. 제5 변형예에 따른 기체 노즐(170E)은, 이하에 설명하는 점을 제외하고 제1 변형예에 따른 기체 노즐(170A)과 같은 구성을 갖는다.32 is an external perspective view of a gas nozzle according to a fifth modification. The gas nozzle 170E according to the fifth modification has the same configuration as the gas nozzle 170A according to the first modification, except for the points described below.

도 32에 나타내는 바와 같이, 기체 노즐(170E)은, 기체 노즐(170A)의 상면 부재(171)의 상단부를 둘러싸는 판형의 원환형 부재(180)를 포함한다. 원환형 부재(180)는, 상면 부재(171)의 상면(170u)을 둘러싸는 상면(180u)을 갖고, 상면 부재(171)와 일체 성형되어 있다. 상면(170u)과 상면(180u)은 단차가 없게 되어 있다. 도 32에서는, 상면 부재(171)의 상면(170u)의 외연이 일점 쇄선으로 나타난다.32 , the gas nozzle 170E includes a plate-shaped annular member 180 surrounding the upper end of the upper surface member 171 of the gas nozzle 170A. The annular member 180 has an upper surface 180u surrounding the upper surface 170u of the upper surface member 171 , and is integrally formed with the upper surface member 171 . The upper surface 170u and the upper surface 180u have no step difference. In FIG. 32 , the outer edge of the upper surface 170u of the upper surface member 171 is indicated by a dashed-dotted line.

도 33은, 제5 변형예에 따른 기체 노즐(170E)과 흡착 유지부(11)에 의해 유지되는 기판(W)의 위치 관계를 설명하기 위한 종단면도이다. 도 33에 나타내는 바와 같이, 상면 부재(171)의 상면(170u)은, 기판(W)의 하면 주연부 중 내연을 포함하는 일부분에 대향한다. 한편, 원환형 부재(180)의 상면(180u)은, 기판(W)의 하면 주연부 중 다른 일부분에 대향한다.33 is a longitudinal sectional view for explaining the positional relationship between the gas nozzle 170E and the substrate W held by the adsorption holding unit 11 according to the fifth modification. As shown in FIG. 33 , the upper surface 170u of the upper surface member 171 opposes a portion of the lower surface periphery of the substrate W including the inner edge. Meanwhile, the upper surface 180u of the annular member 180 faces the other portion of the lower periphery of the substrate W.

흡착 유지부(11)에 의한 기판(W)의 회전 시에는, 상면(170u)의 복수의 관통 구멍(h1~hn)으로부터 기판(W)의 하면 주연부의 내연을 포함하는 일부분에 온도 조정 기체가 분사된다. 이 때, 기체 노즐(170E)의 상면(180u)은, 상면(170u)의 상방으로 분사된 온도 조정 기체를 기판(W)의 외주 단부로 이끈다. 그로 인해, 기판(W)의 하면 주연부와, 기체 노즐(170E)의 상면(170u, 180u) 사이의 공간에서는, 도 33에 굵은 실선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(11)로부터 기판(W)의 외주 단부를 향하는 온도 조정 기체의 흐름이 발생한다. 그 결과, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되는 기판(W)의 상면에 레지스트액이 공급되는 경우에, 기판(W)의 상면에 공급된 레지스트액이 외주 단부를 통해 기판(W)의 하면으로 돌아 들어가는 것이 방지된다.When the substrate W is rotated by the suction holding unit 11, the temperature control gas is supplied from the plurality of through holes h1 to hn of the upper surface 170u to a portion including the inner edge of the lower surface periphery of the substrate W. is sprayed At this time, the upper surface 180u of the gas nozzle 170E leads the temperature control gas sprayed above the upper surface 170u to the outer peripheral end of the substrate W. As shown in FIG. Therefore, in the space between the lower surface periphery of the substrate W and the upper surfaces 170u and 180u of the gas nozzle 170E, as indicated by the thick solid arrow in FIG. A flow of temperature regulating gas towards the outer peripheral end of W) occurs. As a result, when the resist liquid is supplied to the upper surface of the substrate W held by the adsorption holding unit 11, the resist liquid supplied to the upper surface of the substrate W passes through the outer peripheral end of the substrate W. It is prevented from going back to the bottom.

[3] 제2 도포 불균일에 대한 확인 시험[3] Confirmation test for second application unevenness

본 발명자들은, 제1 변형예에 따른 기체 노즐(170A)을 구비하는 도포 장치(1)에 있어서, 기체 노즐(170A)로부터 기판(W)에 소정 온도의 온도 조정 기체를 소정 유량으로 공급하면서 기판(W)의 도포 처리를 행했다. 이 도포 처리에 의해 얻어진 기판(W)을 실시예 기판이라고 부른다. 또, 본 발명자들은, 기판(W)에 온도 조정 기체의 공급을 행하지 않고 기판(W)의 도포 처리를 행했다. 이 도포 처리에 의해 얻어진 기판(W)을 비교예 기판이라고 부른다.The inventors of the present invention, in the coating apparatus 1 provided with the gas nozzle 170A according to the first modification, supplying a temperature control gas of a predetermined temperature to the substrate W from the gas nozzle 170A at a predetermined flow rate while supplying the substrate The coating process of (W) was performed. The board|substrate W obtained by this application|coating process is called an Example board|substrate. Moreover, the present inventors performed the application|coating process of the board|substrate W, without supplying the temperature control gas to the board|substrate W. The board|substrate W obtained by this application|coating process is called a comparative example board|substrate.

그 후, 본 발명자들은, 실시예 기판 및 비교예 기판에 대해서, 각 기판(W)의 중심을 지나는 직선 상의 레지스트막의 막두께 분포를 측정했다. 도 34는, 제2 실시 형태의 실시예 기판 및 비교예 기판에 있어서의 레지스트막의 막두께 분포를 나타내는 도면이다. Then, the present inventors measured the film thickness distribution of the resist film on the straight line passing through the center of each board|substrate W about the Example board|substrate and the comparative example board|substrate. Fig. 34 is a diagram showing the film thickness distribution of resist films in Example substrates and Comparative Example substrates according to the second embodiment.

도 34에 있어서는, 도 21의 예와 마찬가지로, 종축이 레지스트막의 막두께를 나타내고, 횡축이 기판(W)의 중심을 지나는 직선 상의 위치를 나타낸다. 또한, 횡축에 있어서는, 「0」은 기판(W)의 중심을 나타낸다. 또, 「150」은 기판(W)의 표면 상에서 기판(W)의 중심을 지나는 직선의 일단부를 나타내고, 「-150」은 기판(W)의 표면 상에서 기판(W)의 중심을 지나는 직선의 타단부를 나타낸다. 또, 본 예에서는, 횡축에 있어서의 「75」 및 「-75」의 위치가, 기판(W)의 하면 주연부의 내연(상술한 피유지 영역 외연)의 위치를 나타낸다. 또한, 도 34에 있어서는, 굵은 실선이 실시예 기판에 대응하는 막두께 분포를 나타내고, 점선이 비교예 기판에 대응하는 막두께 분포를 나타낸다.In FIG. 34 , similarly to the example of FIG. 21 , the vertical axis indicates the film thickness of the resist film, and the horizontal axis indicates the position on a straight line passing through the center of the substrate W. In FIG. In addition, in the horizontal axis, "0" represents the center of the board|substrate W. In addition, "150" represents one end of a straight line passing through the center of the substrate W on the surface of the substrate W, and "-150" is the other end of a straight line passing through the center of the substrate W on the surface of the substrate W. indicates the end. In addition, in this example, the position of "75" and "-75" in the horizontal axis represents the position of the inner edge of the lower surface periphery of the board|substrate W (the above-mentioned to-be-held area outer edge). In Fig. 34, a thick solid line indicates a film thickness distribution corresponding to the Example substrate, and a dotted line indicates a film thickness distribution corresponding to the Comparative Example substrate.

도 34에 나타내는 바와 같이, 비교예 기판에 있어서는, 피유지 영역 외연 및 그 근방의 위치에서, 막두께가 국소적으로 작아지고 있다. 이는, 비교예 기판에 있어서, 제2 도포 불균일이 현저하게 나타나고 있음을 나타내고 있다.34, in the comparative example board|substrate, the film thickness is locally small at the position of the outer edge of the to-be-held area|region and its vicinity. This has shown that 2nd application|coating nonuniformity has appeared remarkably in the comparative example board|substrate.

한편, 실시예 기판에 대해서는, 피유지 영역 외연 및 그 근방의 위치에 현저한 막두께의 저하는 보이지 않는다. 따라서, 제2 도포 불균일의 발생이 억제되고 있다는 것을 알 수 있다.On the other hand, for the Example substrates, a significant decrease in the film thickness was not observed at the outer edge of the region to be held and at positions in the vicinity thereof. Therefore, it turns out that generation|occurrence|production of 2nd application|coating nonuniformity is suppressed.

3. 다른 실시 형태3. Another embodiment

(1) 상기 실시 형태에 따른 회전 유지 장치(10)에 있어서는, 도포 처리 후의 기판(W)에 도 12의 제1 도포 불균일이 발생하는 것을 방지하기 위해, 제1 및 제2 구성예에 따른 흡착 유지부(11)가 이용된다. 또, 도포 처리 후의 기판(W)에 도 15의 제2 도포 불균일이 발생하는 것을 방지하기 위해, 기체 노즐(17) 및 기체 공급계(18)가 설치된다. 그러나, 본 발명은 상기의 예로 한정되지 않는다.(1) In the rotation holding device 10 according to the above embodiment, in order to prevent the first coating unevenness of FIG. 12 from occurring on the substrate W after the coating process, the first and second structural examples are suctioned. The holding part 11 is used. Moreover, in order to prevent the 2nd application|coating nonuniformity of FIG. 15 from occurring in the board|substrate W after an application|coating process, the gas nozzle 17 and the gas supply system 18 are provided. However, the present invention is not limited to the above examples.

본 발명에 따른 회전 유지 장치(10)는, 제1 및 제2 도포 불균일 중 적어도 한쪽의 발생을 방지할 수 있으면 된다. 따라서, 도 1 및 도 22의 도포 장치(1)의 각각에는, 흡착 유지부(11)가 설치된다면, 기체 노즐(17) 및 기체 공급계(18)는 설치되지 않아도 된다. 또, 도 1 및 도 22의 도포 장치(1)의 각각에는, 기체 노즐(17) 및 기체 공급계(18)가 설치된다면, 제1 및 제2 구성예에 따른 흡착 유지부(11)를 대신하여, 도 10의 참고 형태에 따른 흡착 유지부(99)가 설치되어도 된다.The rotation holding apparatus 10 which concerns on this invention should just be able to prevent generation|occurrence|production of at least one of 1st and 2nd application|coating nonuniformity. Therefore, if the adsorption|suction holding part 11 is provided in each of the application|coating apparatus 1 of FIG. 1 and FIG. 22, the gas nozzle 17 and the gas supply system 18 do not need to be provided. In addition, if the gas nozzle 17 and the gas supply system 18 are provided in each of the application apparatus 1 of FIGS. 1 and 22, instead of the adsorption|suction holding part 11 which concerns on 1st and 2nd structural example, instead. Therefore, the adsorption holding part 99 according to the reference form of FIG. 10 may be provided.

(2) 상기 실시 형태에 따른 회전 유지 장치(10)는, 도포 장치(1)에 이용되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 회전 유지 장치(10)는, 도포 장치(1)를 대신하여 기판(W)에 도포 처리 이외의 처리를 행하는 기판 처리 장치에 이용되어도 된다. 예를 들면, 회전 유지 장치(10)는, 소정의 막이 형성된 기판(W)의 상면을 에칭하는 기판 세정 장치에 이용되어도 된다. 이 경우, 기판 세정 장치에 있어서는, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되는 기판(W)의 상면 상에 에칭액이 공급된다.(2) Although the rotation holding apparatus 10 which concerns on the said embodiment is used for the application|coating apparatus 1, this invention is not limited to this. The rotation holding apparatus 10 may be used for the substrate processing apparatus which replaces the coating apparatus 1 and performs a process other than a coating process to the board|substrate W. For example, the rotation holding device 10 may be used in a substrate cleaning device that etches the upper surface of the substrate W on which a predetermined film is formed. In this case, in the substrate cleaning apparatus, the etching liquid is supplied onto the upper surface of the substrate W held by the adsorption holding unit 11 .

(3) 상기 실시 형태에 따른 회전 유지 장치(10)에 있어서는, 도포 처리 후의 기판(W)에 도 15의 제2 도포 불균일이 발생하는 것을 방지하기 위해, 기체 노즐(17) 및 기체 공급계(18)가 설치되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. (3) In the rotation holding device 10 according to the embodiment, in order to prevent the second coating unevenness of FIG. 15 from occurring on the substrate W after the coating process, the gas nozzle 17 and the gas supply system ( 18) is installed, but the present invention is not limited thereto.

도포 처리 후의 기판(W)에 도 15의 제2 도포 불균일이 발생하는 것을 방지하기 위해, 기체 노즐(17) 및 기체 공급계(18)를 대신하여, 기판(W)의 이면을 복사열로 국부적으로 가열 가능한 램프 히터가 이용되어도 된다.In order to prevent the second coating unevenness of FIG. 15 from occurring on the substrate W after the coating treatment, the back surface of the substrate W is locally applied with radiant heat instead of the gas nozzle 17 and the gas supply system 18 . A heatable lamp heater may be used.

(4) 제2 실시 형태에 따른 도 22의 회전 유지 장치(10)에 있어서는, 도포 처리 후의 기판(W)에 도 15의 제2 도포 불균일이 발생하는 것을 방지하기 위해, 기판(W)의 4개의 부분을 가열하는 4개의 기체 노즐(17)이 설치되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 제2 실시 형태에 따른 회전 유지 장치(10)에는, 기판(W)의 복수의 부분에 동시에 온도 조정 기체를 공급하기 위해, 2개, 3개 또는 5개 이상의 기체 노즐(17)이 설치되어도 된다. 이 경우, 복수의 기체 노즐(17)은, 흡착 유지부(11)에 의해 흡착 유지되는 기판(W)의 반경 방향으로 늘어서도록 설치되어도 되고, 기판(W)의 둘레 방향으로 늘어서도록 설치되어도 된다.(4) In the rotation holding device 10 of FIG. 22 according to the second embodiment, in order to prevent the second coating unevenness of FIG. 15 from occurring in the substrate W after the coating process, the 4 Four gas nozzles 17 for heating the parts of the dog are provided, but the present invention is not limited thereto. In the rotation holding device 10 according to the second embodiment, two, three, or five or more gas nozzles 17 may be provided in order to simultaneously supply a temperature control gas to a plurality of portions of the substrate W. . In this case, the plurality of gas nozzles 17 may be provided so as to line up in the radial direction of the substrate W adsorbed and held by the suction holder 11 , or may be provided so as to line up in the circumferential direction of the substrate W. .

(5) 상기 실시 형태에 따른 회전 유지 장치(10)에 있어서는, 도포 처리 중인 기판(W)의 온도 분포에 따라서는, 기판(W) 전체의 온도를 균일화하기 위해, 기체 노즐(17)은 처리 온도보다 낮은 온도 조정 기체를 기판(W)에 공급해도 된다. 즉, 기체 노즐(17) 및 기체 공급계(18)는, 기판(W)의 복수의 부분의 온도를 균일화하기 위해, 기판(W)의 일부를 국부적으로 냉각 가능하게 구성되어도 된다.(5) In the rotation holding device 10 according to the above embodiment, depending on the temperature distribution of the substrate W in the coating process, in order to equalize the temperature of the entire substrate W, the gas nozzle 17 is processed You may supply the temperature control gas lower than temperature to the board|substrate W. That is, the gas nozzle 17 and the gas supply system 18 may be configured such that a part of the substrate W can be locally cooled in order to equalize the temperatures of a plurality of portions of the substrate W.

(6) 상기 실시 형태에 따른 도포 장치(1)에 있어서, 처리 대상이 되는 기판(W)은, 적어도 일부가 원 형상의 외주 단부를 갖는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 처리 대상이 되는 기판(W)은, 적어도 일부가 타원형상의 외주 단부를 가져도 되고, 적어도 일부가 다각형상의 외주 단부를 가져도 된다.(6) In the coating apparatus 1 which concerns on the said embodiment, although the board|substrate W used as a process object has a circular outer peripheral edge part at least, this invention is not limited to this. The board|substrate W used as a process object may have an elliptical outer peripheral edge part at least one part, and may have a polygonal outer peripheral edge part at least one part.

(7) 상기 실시 형태에 따른 도포 장치(1)에 있어서는, 처리 대상이 되는 기판(W)의 외주 단부에는, 림부가 형성되어 있는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 처리 대상이 되는 기판(W)의 외주 단부에는, 림부가 형성되어 있지 않아도 된다.(7) In the coating apparatus 1 which concerns on the said embodiment, although the rim part is formed in the outer peripheral edge part of the board|substrate W used as a process object, this invention is not limited to this. The rim part does not need to be formed in the outer peripheral edge part of the board|substrate W used as a process object.

(8) 제1 및 제2 실시 형태에 따른 도 1 및 도 22의 회전 유지 장치(10)에 이용되는 기체 노즐(17)에 있어서는, 기체 분출부(17b)로서 슬릿형 개구를 갖는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. (8) In the gas nozzle 17 used for the rotation holding apparatus 10 of FIGS. 1 and 22 which concerns on 1st and 2nd embodiment, although it has a slit-shaped opening as the gas ejection part 17b, this invention is not limited to this.

도 35는, 도 1 및 도 22의 기체 노즐(17)에 있어서의 기체 분출부(17b)의 다른 구성예를 나타내는 외관 사시도이다. 도 35에서는, 기체 노즐(17) 중 기체 분출부(17b) 및 그 주변부의 구성만이 확대되어 도시된다. 도 35에 나타내는 바와 같이, 기체 노즐(17)의 기체 분출부(17b)는, 일직선 상에 늘어서도록 배치된 복수의 세로 구멍에 의해 구성되어도 된다. 본 예의 복수의 세로 구멍의 각각은, 상방을 향하는 원형의 개구를 갖는다. 이 구성에 의하면, 기체 노즐(17)의 상단부의 복수의 세로 구멍으로부터 상방을 향해 온도 조정 기체가 분사된다. 그로 인해, 기체 노즐(17)로부터 기판(W)을 향하는 커튼형의 기류가 발생한다. 또한, 도 35의 예에서는, 기체 분출부(17b)가 10개의 세로 구멍에 의해 구성되는데, 기체 분출부(17b)를 구성하는 세로 구멍의 수는, 10개로 한정되지 않는다. 10개보다 적어도 되고, 10개보다 많아도 된다.FIG. 35 : is an external appearance perspective view which shows the other structural example of the gas ejection part 17b in the gas nozzle 17 of FIG. 1 and FIG. In FIG. 35, only the structure of the gas ejection part 17b and its peripheral part among the gas nozzle 17 is enlarged and shown. As shown in FIG. 35, the gas ejection part 17b of the gas nozzle 17 may be comprised by the some vertical hole arrange|positioned so that it may line up in a straight line. Each of the plurality of vertical holes in this example has a circular opening facing upward. According to this structure, the temperature control gas is injected upwardly from the some vertical hole of the upper end of the gas nozzle 17. As shown in FIG. Therefore, the curtain-shaped airflow toward the board|substrate W from the gas nozzle 17 generate|occur|produces. In addition, in the example of FIG. 35, although the gas ejection part 17b is comprised by ten vertical holes, the number of the vertical holes which comprise the gas ejection part 17b is not limited to ten. It may be less than ten, and may be more than ten.

기체 노즐(17)의 기체 분출부(17b)가 일직선 상에 늘어서는 복수의 세로 구멍에 의해 구성되는 경우, 각 세로 구멍의 원형 개구의 내경은, 당해 세로 구멍이 형성되는 위치에 따라 정해져도 된다. 도 36은, 도 1 및 도 22의 기체 노즐(17)에 있어서의 기체 분출부(17b)의 또 다른 구성예를 나타내는 외관 사시도이다. 도 36의 예에서는, 기체 분출부(17b)를 구성하는 13개의 세로 구멍 중, 기체 노즐(17)의 중심으로부터 일측부(sp1)까지의 범위에 있는 5개의 세로 구멍의 사이즈가, 기체 노즐(17)의 중심으로부터 타측부(sp2)까지의 범위에 있는 8개의 세로 구멍의 사이즈보다 크다. 보다 구체적으로는, 도 36의 예에 있어서, 기체 노즐(17)의 중심으로부터 일측부(sp1)까지의 범위에 있는 각 세로 구멍의 내경은 2mm이며, 기체 노즐(17)의 중심으로부터 타측부(sp2)까지의 범위에 있는 각 세로 구멍의 내경은 1mm이다.When the gas ejection portion 17b of the gas nozzle 17 is constituted by a plurality of vertical holes arranged in a straight line, the inner diameter of the circular opening of each vertical hole may be determined according to the position at which the vertical hole is formed. . 36 : is an external appearance perspective view which shows still another structural example of the gas ejection part 17b in the gas nozzle 17 of FIG. 1 and FIG. 22. FIG. In the example of FIG. 36 , the size of the five vertical holes in the range from the center of the gas nozzle 17 to one side part sp1 among the 13 vertical holes constituting the gas ejection part 17b is the gas nozzle ( 17) larger than the size of the eight longitudinal holes in the range from the center to the other side portion sp2. More specifically, in the example of FIG. 36 , the inner diameter of each vertical hole in the range from the center of the gas nozzle 17 to the one side part sp1 is 2 mm, and the other side part (sp1) from the center of the gas nozzle 17 The inner diameter of each longitudinal hole in the range up to sp2) is 1 mm.

이와 같이, 기체 분출부(17b)를 구성하는 복수의 세로 구멍의 사이즈를, 위치에 따라 정함으로써, 기체 분출부(17b)의 복수의 부분으로부터 서로 상이한 유량으로 온도 조정 기체를 분사시킬 수 있다. 예를 들면, 일측부(sp1) 및 타측부(sp2)가 이 순서로 흡착 유지부(11)의 외주 단부로부터 멀어지도록, 도 36의 기체 노즐(17)이 배치된다.Thus, by determining the size of the some vertical hole which comprises the gas blowing part 17b according to a position, the temperature control gas can be injected from the some part of the gas blowing part 17b at mutually different flow rates. For example, the gas nozzle 17 of FIG. 36 is arrange|positioned so that the one side part sp1 and the other side part sp2 may move away from the outer peripheral end of the adsorption|suction holding part 11 in this order.

이 경우, 흡착 유지부(11)로부터 멀어지는 방향으로, 큰 사이즈를 갖는 복수의 세로 구멍과 작은 사이즈를 갖는 복수의 세로 구멍이 이 순서로 늘어서게 된다. 그로 인해, 흡착 유지부(11)의 외주 단부 근방에 있는 기판(W)의 부분에 큰 사이즈를 갖는 복수의 세로 구멍이 대향하고, 흡착 유지부(11)의 외주 단부로부터 외방으로 소정 거리 이격된 위치에 있는 기판(W)의 부분에 작은 사이즈를 갖는 복수의 세로 구멍이 대향한다. 따라서, 흡착 유지부(11)의 외주 단부 근방에 있는 기판(W)의 부분에는, 흡착 유지부(11)의 외주 단부로부터 외방으로 소정 거리 이격된 위치에 있는 기판(W)의 부분보다 보다 많은 온도 조정 기체를 공급할 수 있다. 그 결과, 기판(W)의 각 부의 온도를 보다 높은 정밀도로 조정하는 것이 가능해진다.In this case, in the direction away from the adsorption|suction holding part 11, the some vertical hole which has a large size and a some vertical hole which has a small size line up in this order. For this reason, a plurality of vertical holes having a large size are opposed to the portion of the substrate W in the vicinity of the outer peripheral end of the suction holder 11, and are spaced outward by a predetermined distance from the outer peripheral end of the suction holder 11. A plurality of vertical holes having a small size are opposed to the portion of the substrate W at the position. Therefore, the portion of the substrate W in the vicinity of the outer peripheral end of the suction holder 11 has more than the portion of the substrate W located at a position spaced outward by a predetermined distance from the outer peripheral end of the suction holder 11 . A temperature control gas may be supplied. As a result, it becomes possible to adjust the temperature of each part of the board|substrate W with higher precision.

또한, 도 36의 예에서는, 기체 분출부(17b)가 13개의 세로 구멍에 의해 구성되는데, 기체 분출부(17b)를 구성하는 세로 구멍의 수는, 13개로 한정되지 않는다. 13개보다 적어도 되고, 13개보다 많아도 된다. 또한, 기체 분출부(17b)를 구성하는 복수의 세로 구멍의 사이즈는, 2종류로 한정되지 않고, 3종류 이상이어도 된다. 혹은, 기체 분출부(17b)를 구성하는 복수의 세로 구멍의 모든 세로 구멍의 사이즈가 서로 상이해도 된다.In addition, in the example of FIG. 36, although the gas blowing part 17b is comprised by 13 vertical holes, the number of the vertical holes which comprise the gas blowing part 17b is not limited to 13 pieces. It may be less than 13, and may be more than 13. In addition, the size of the some vertical hole which comprises the gas ejection part 17b is not limited to 2 types, 3 types or more may be sufficient. Alternatively, the sizes of all the vertical holes of the plurality of vertical holes constituting the gas ejection portion 17b may be different from each other.

(9) 제2 실시 형태에 따른 도 22 및 도 23의 각 기체 노즐(17)은, 흡착 유지부(11)에 대해 위치 조정 가능하게 도포 장치(1)의 하우징에 장착되어도 된다. 도 37 및 도 38은, 도 22 및 도 23의 복수의 기체 노즐(17) 중 일부의 기체 노즐(17)에 대해서 위치 조정이 행해지는 예를 나타내는 도포 장치(1)의 모식적 평면도이다.(9) Each of the gas nozzles 17 in FIGS. 22 and 23 according to the second embodiment may be attached to the housing of the coating device 1 so that a position can be adjusted with respect to the suction holder 11 . 37 and 38 are schematic plan views of the coating device 1 showing an example in which position adjustment is performed with respect to some gas nozzles 17 among the plurality of gas nozzles 17 in FIGS. 22 and 23 .

도 37 및 도 38에 백색의 화살표로 나타내는 바와 같이, 본 예의 도포 장치(1)에 있어서는, 복수의 기체 노즐(17)의 각각이 흡착 유지부(11)에 대해 가까워지는 방향 및 이격되는 방향으로 위치 조정 가능하다. 도 37의 예에서는, 4개의 기체 노즐(17) 중 3개의 기체 노즐(17)이 흡착 유지부(11)에 근접하도록 고정되고, 1개의 기체 노즐(17)이 흡착 유지부(11)로부터 소정 거리 이격되도록 고정되어 있다. 또, 도 38의 예에서는, 4개의 기체 노즐(17) 중 2개의 기체 노즐(17)이 흡착 유지부(11)에 근접하도록 고정되고, 2개의 기체 노즐(17)이 흡착 유지부(11)로부터 소정 거리 이격되도록 고정되어 있다.37 and 38 , in the coating device 1 of this example, in the direction in which each of the plurality of gas nozzles 17 approaches and separates from the suction holder 11 , Position can be adjusted. In the example of FIG. 37 , three gas nozzles 17 among the four gas nozzles 17 are fixed so as to be close to the adsorption holding unit 11 , and one gas nozzle 17 is predetermined from the adsorption holding unit 11 . It is fixed to be spaced apart. In addition, in the example of FIG. 38 , two gas nozzles 17 among the four gas nozzles 17 are fixed to adjoin the adsorption holding unit 11 , and the two gas nozzles 17 are attached to the adsorption holding unit 11 . It is fixed so as to be spaced a predetermined distance from it.

이와 같이, 흡착 유지부(11)에 대한 복수의 기체 노즐(17)의 위치를 적절히 조정함으로써, 흡착 유지부(11) 상에 흡착 유지되는 기판(W)의 하면 중 반경 방향에 있어서의 복수의 부분(원환형의 복수의 부분)에 원하는 양의 온도 조정 기체를 공급할 수 있다.In this way, by appropriately adjusting the positions of the plurality of gas nozzles 17 with respect to the adsorption holding unit 11 , a plurality of the plurality of gas nozzles 17 in the radial direction among the lower surfaces of the substrate W adsorbed and held on the adsorption holding unit 11 . A desired amount of temperature regulating gas may be supplied to the portion (a plurality of annular portions).

4. 청구항의 각 구성 요소와 실시 형태의 각 요소의 대응 관계4. Correspondence between each element of the claim and each element of the embodiment

이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시 형태의 각 요소의 대응의 예에 대해서 설명한다. 상기 실시 형태에서는, 회전 유지 장치(10)가 회전 유지 장치의 예이고, 흡착 유지부(11)가 흡착 유지부의 예이며, 상면(11u)이 상면의 예이고, 회전축(12) 및 회전 구동부(13)가 회전 구동부의 예이며, 회전축(12) 및 중심축(11c)이 회전축의 예이다. Hereinafter, examples of correspondence between each constituent element of the claims and each element of the embodiment will be described. In the above embodiment, the rotation holding device 10 is an example of the rotation holding device, the suction holding unit 11 is an example of the suction holding unit, the upper surface 11u is an example of the upper surface, and the rotating shaft 12 and the rotation driving unit ( 13) is an example of a rotation drive part, and the rotation shaft 12 and the central shaft 11c are examples of a rotation shaft.

또, 주연부 영역(R1)이 주연부 영역의 예이고, 중앙부 영역(R2)이 중앙부 영역의 예이며, 흡인 구멍(vh1)이 제1 흡인 구멍의 예이고, 흡인 구멍(vh2)이 제2 흡인 구멍의 예이며, 각도 피치 α가 제1 흡인 구멍의 각도 피치의 예이고, 각도 피치 β가 제2 흡인 구멍의 각도 피치의 예이며, 직선형 경로(LP)가 직선형 경로의 예이고, 환상 경로(RP)가 환상 경로의 예이다.Further, the peripheral region R1 is an example of the peripheral region, the central region R2 is an example of the central region, the suction hole vh1 is an example of the first suction hole, and the suction hole vh2 is the second suction hole is an example of, the angular pitch α is an example of the angular pitch of the first suction hole, the angular pitch β is an example of the angular pitch of the second suction hole, the straight path LP is an example of the straight path, and the annular path RP ) is an example of an annular path.

또한, 기체 노즐(17), 기체 공급계(18) 및 기체 노즐(170A~170E)이 온도 조정부 및 기체 공급부의 예이고, 기체 노즐(170A~170E)의 상면(170u)이 제1 환상 대향면의 예이며, 복수의 관통 구멍군(g1~g8)의 복수의 관통 구멍(h1~hn)이 복수의 기체 분사구의 예이고, 기체 노즐(170E)의 상면(180u)이 제2 환상 대향면의 예이며, 처리액 공급 장치(20)가 처리액 공급 장치의 예이고, 도포 장치(1)가 기판 처리 장치의 예이다. 청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지 요소를 이용할 수도 있다.Further, the gas nozzle 17 , the gas supply system 18 , and the gas nozzles 170A to 170E are examples of the temperature adjusting unit and the gas supply unit, and the upper surfaces 170u of the gas nozzles 170A to 170E are the first annular opposite surfaces. is an example of, the plurality of through holes h1 to hn of the plurality of through hole groups g1 to g8 are examples of the plurality of gas injection ports, and the upper surface 180u of the gas nozzle 170E is the second annular facing surface. In this example, the processing liquid supply device 20 is an example of the processing liquid supply device, and the coating device 1 is an example of the substrate processing apparatus. As each component of the claim, various other elements having the structure or function described in the claim may be used.

Claims (21)

기판의 하면 중앙부를 흡착 유지하면서 회전시키는 회전 유지 장치로서,
상기 기판의 상기 하면 중앙부를 흡착 유지하는 상면을 갖는 흡착 유지부와,
상기 흡착 유지부를 상하 방향으로 연장되는 회전축 둘레로 회전시키는 회전 구동부를 구비하고,
상기 상면은,
외연을 따른 주연부 영역과,
상기 주연부 영역에 둘러싸인 중앙부 영역을 갖고,
상기 주연부 영역에는, 복수의 제1 흡인 구멍이 형성되고,
상기 중앙부 영역에는, 복수의 제2 흡인 구멍이 형성되며,
상기 주연부 영역에 있어서의 상기 복수의 제1 흡인 구멍의 면 밀도는, 상기 중앙부 영역에 있어서의 상기 복수의 제2 흡인 구멍의 면 밀도보다 큰, 회전 유지 장치.A rotation holding device that rotates while adsorbing and holding the central portion of the lower surface of the substrate,
an adsorption holding part having an upper surface for adsorbing and holding the central part of the lower surface of the substrate;
and a rotation driving unit for rotating the suction holding unit around a rotating shaft extending in the vertical direction;
The upper surface is
a perimeter region along the perimeter;
having a central region surrounded by the perimeter region;
A plurality of first suction holes are formed in the peripheral region,
A plurality of second suction holes are formed in the central region,
The rotation holding device, wherein an areal density of the plurality of first suction holes in the peripheral region is larger than an areal density of the plurality of second suction holes in the central region. 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 제1 흡인 구멍은, 상기 주연부 영역에 있어서 상기 회전축을 중심으로 하는 적어도 1개의 제1 원 상에 배열되고,
상기 복수의 제2 흡인 구멍은, 상기 중앙부 영역에 있어서 상기 회전축을 중심으로 하는 적어도 1개의 제2 원 상에 배열되며,
상기 주연부 영역에 있어서의 각 제1 원 상의 상기 복수의 제1 흡인 구멍의 선 밀도는, 상기 중앙부 영역에 있어서의 어느 제2 원 상의 상기 복수의 제2 흡인 구멍의 선 밀도보다도 큰, 회전 유지 장치.The method according to claim 1,
the plurality of first suction holes are arranged on at least one first circle centered on the rotation axis in the peripheral region;
the plurality of second suction holes are arranged on at least one second circle centered on the rotation axis in the central region;
a linear density of the plurality of first suction holes on each first circle in the peripheral region is greater than a linear density of the plurality of second suction holes on any second circle in the central region. . 청구항 2에 있어서,
상기 주연부 영역에 있어서의 각 제1 원 상의 상기 복수의 제1 흡인 구멍의 수는, 상기 중앙부 영역에 있어서의 어느 제2 원 상의 상기 복수의 제2 흡인 구멍의 수보다도 큰, 회전 유지 장치.3. The method according to claim 2,
The rotation holding device, wherein the number of the plurality of first suction holes on each first circle in the peripheral region is larger than the number of the plurality of second suction holes on any second circle in the center region. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 주연부 영역에 있어서의 각 제1 원 상의 서로 이웃하는 각 2개의 제1 흡인 구멍의 각도 피치는, 상기 중앙부 영역에 있어서의 어느 제2 원 상의 서로 이웃하는 각 2개의 제2 흡인 구멍의 각도 피치보다도 작은, 회전 유지 장치.4. The method according to claim 2 or 3,
The angular pitch of each of the two adjacent first suction holes on each first circle in the peripheral region is the angular pitch of the two adjacent second suction holes on any second circle in the central region. A smaller, rotating retainer. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 흡착 유지부는,
평면에서 보았을 때 상기 중앙부 영역에 겹치며 또한 상기 회전축으로부터 상기 흡착 유지부의 외연을 향해 직선형으로 연장되도록 형성되고, 상기 복수의 제2 흡인 구멍에 있어서 흡인되는 상기 상면 상의 분위기를 상기 흡착 유지부의 외부로 이끄는 복수의 직선형 경로와,
평면에서 보았을 때 상기 주연부 영역에 겹치며 또한 상기 복수의 직선형 경로를 둘러싸도록 형성되고, 상기 복수의 제1 흡인 구멍에 있어서 흡인되는 상기 상면 상의 분위기를 상기 흡착 유지부의 외부로 이끄는 환상 경로를 포함하는, 회전 유지 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The adsorption holding unit,
It overlaps the central region in a plan view and is formed to extend linearly from the rotation shaft toward the outer periphery of the suction holder, and guides the atmosphere on the upper surface sucked in the plurality of second suction holes to the outside of the suction holder a plurality of straight paths,
An annular path formed so as to overlap the periphery region and surround the plurality of linear paths in a plan view and guide the atmosphere on the upper surface sucked in the plurality of first suction holes to the outside of the suction holder, rotation holding device. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 주연부 영역에 있어서, 상기 복수의 제1 흡인 구멍 중 적어도 일부는, 상기 회전축을 중심으로 하는 회전 방향으로 갈지자로 배열된, 회전 유지 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
In the peripheral region, at least some of the plurality of first suction holes are arranged in a staggered manner in a rotational direction about the rotational shaft. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 제1 흡인 구멍 중 상기 회전축으로부터 가장 이격된 위치에 형성된 적어도 일부의 제1 흡인 구멍은, 다른 제1 흡인 구멍 및 상기 복수의 제2 흡인 구멍보다 작은 직경을 갖는, 회전 유지 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
At least some of the first suction holes formed at positions most distant from the rotation shaft among the plurality of first suction holes have diameters smaller than those of the other first suction holes and the plurality of second suction holes. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 상면은, 원 형상을 갖고,
상기 상면의 직경은, 상기 기판의 반경을 중심값으로 하는 상기 기판의 직경의 15%의 범위 내에 있는, 회전 유지 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The upper surface has a circular shape,
and a diameter of the upper surface is within a range of 15% of a diameter of the substrate having a radius of the substrate as a center value. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 흡착 유지부가 상기 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 상기 기판 중 상기 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되지 않는 부분의 온도를 조정하는 온도 조정부를 더 구비하는, 회전 유지 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The rotation holding device further comprising: a temperature adjusting unit configured to adjust a temperature of a portion of the substrate that is not adsorbed and held by the suction holding unit while the suction holding unit adsorbs and holds the substrate. 청구항 9에 있어서,
상기 온도 조정부는, 상기 기판 중 상기 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되지 않는 부분의 온도가 상기 기판 중 상기 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되는 부분의 온도에 일치하거나 또는 가까워지도록, 상기 기판 중 상기 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되지 않는 부분의 온도를 조정하는, 회전 유지 장치.10. The method of claim 9,
The temperature adjusting unit is configured to hold the adsorption of the substrate so that a temperature of a portion of the substrate not adsorbed and held by the adsorption unit matches or approaches a temperature of a portion of the substrate that is held by the adsorption unit. A rotation holding device that adjusts the temperature of a portion that is not adsorbed and held by the unit. 기판의 하면 중앙부를 흡착 유지하면서 회전시키는 회전 유지 장치로서,
상기 기판의 상기 하면 중앙부를 흡착 유지하는 흡착 유지부와,
상기 흡착 유지부를 상하 방향으로 연장되는 회전축 둘레로 회전시키는 회전 구동부와,
상기 흡착 유지부가 상기 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 상기 기판 중 상기 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되지 않는 하면 주연부의 적어도 일부의 온도를 조정하는 온도 조정부를 구비하는, 회전 유지 장치.A rotation holding device that rotates while adsorbing and holding the central portion of the lower surface of the substrate,
an adsorption holding part for adsorbing and holding the central part of the lower surface of the substrate;
a rotation driving unit for rotating the adsorption holding unit around a rotating shaft extending in the vertical direction;
and a temperature adjusting unit configured to adjust the temperature of at least a portion of a peripheral portion of a lower surface of the substrate that is not adsorbed and held by the suction holding unit in a state where the suction holding unit adsorbs and holds the substrate. 청구항 11에 있어서,
상기 온도 조정부는, 상기 하면 주연부의 적어도 일부에, 온도 조정 기체를 공급하는 기체 공급부를 포함하는, 회전 유지 장치.12. The method of claim 11,
The rotation maintaining device according to claim 1, wherein the temperature adjusting unit includes a gas supply unit for supplying a temperature adjusting gas to at least a part of the peripheral portion of the lower surface. 청구항 12에 있어서,
상기 온도 조정 기체는, 상기 하면 주연부의 적어도 일부에 공급됨으로써 상기 하면 주연부를 포함하는 상기 기판의 부분의 온도를 상기 하면 중앙부를 포함하는 상기 기판의 부분의 온도에 일치시키거나 또는 가깝게 하도록 조정된 기체인, 회전 유지 장치.13. The method of claim 12,
The temperature regulating gas is supplied to at least a portion of the lower surface periphery, so that the temperature of the portion of the substrate including the lower surface periphery is adjusted to coincide with or close to the temperature of the portion of the substrate including the lower surface central portion Phosphorus, rotating retainer. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
상기 기체 공급부는, 상기 기판의 상기 하면 주연부 중 당해 하면 주연부의 내연을 포함하는 영역에 상기 온도 조정 기체를 공급하는, 회전 유지 장치.14. The method of claim 12 or 13,
The gas supply unit supplies the temperature regulating gas to a region of the lower surface periphery of the substrate including an inner edge of the lower surface periphery. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
상기 기체 공급부는, 상기 흡착 유지부가 상기 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 상기 기판의 상기 하면 주연부에 있어서의 서로 상이한 복수의 부분에 상기 온도 조정 기체를 동시에 분사하는 것이 가능하게 구성된, 회전 유지 장치.14. The method of claim 12 or 13,
The gas supply unit is configured to be capable of simultaneously injecting the temperature control gas to a plurality of mutually different portions of the lower surface peripheral portion of the substrate in a state where the adsorption holding unit adsorbs and holds the substrate. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
상기 기체 공급부는,
상기 흡착 유지부가 상기 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 상기 흡착 유지부를 둘러싸며 또한 상기 기판의 상기 하면 주연부의 적어도 일부에 대향하는 제1 환상 대향면을 포함하고,
상기 제1 환상 대향면에는, 상기 흡착 유지부가 상기 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 상기 기판의 상기 하면 주연부의 적어도 일부에 상기 온도 조정 기체를 동시에 분사하는 복수의 기체 분사구가 형성된, 회전 유지 장치.14. The method of claim 12 or 13,
The gas supply unit,
a first annular opposing surface that surrounds the suction holder and opposes at least a part of a peripheral portion of the lower surface of the substrate in a state in which the suction holder adsorbs and holds the substrate;
A plurality of gas injection ports for simultaneously injecting the temperature control gas to at least a part of a peripheral portion of the lower surface of the substrate are formed in the first annular facing surface while the suction holding portion adsorbs and holds the substrate. 청구항 16에 있어서,
상기 복수의 기체 분사구의 적어도 일부는, 상기 회전축을 중심으로 하는 회전 방향으로 분산 배치된, 회전 유지 장치.17. The method of claim 16,
At least a portion of the plurality of gas injection ports are dispersedly arranged in a rotational direction about the rotational shaft. 청구항 16에 있어서,
상기 제1 환상 대향면은, 상기 흡착 유지부가 상기 기판을 흡착 유지하는 상태에서, 상기 기판의 상기 하면 주연부 중 제1 환상 부분에 대향하고,
상기 기체 공급부는, 상기 제1 환상 대향면을 둘러싸며 또한 상기 흡착 유지부가 상기 기판을 흡착 유지하는 상태에서 상기 기판의 상기 하면 주연부 중 상기 제1 환상 부분을 둘러싸는 제2 환상 부분에 대향하도록 설치되고, 상기 제1 환상 대향면의 상기 복수의 기체 분사구로부터 분사되는 온도 조정 기체를 상기 기판의 외주 단부로 이끄는 제2 환상 대향면을 더 포함하는, 회전 유지 장치.17. The method of claim 16,
the first annular opposing surface faces a first annular portion of the lower periphery of the substrate in a state in which the suction holding portion adsorbs and holds the substrate;
The gas supply unit is provided to surround the first annular opposing surface and to face a second annular portion surrounding the first annular portion of the lower surface periphery of the substrate in a state where the suction holding unit adsorbs and holds the substrate and a second annular opposing surface that guides the temperature control gas injected from the plurality of gas injection ports of the first annular opposing surface to an outer peripheral end of the substrate. 청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 흡착 유지부는, 상기 기판의 상기 하면 중앙부를 흡착 유지하는 상면을 갖고,
상기 상면은,
외연을 따른 주연부 영역과,
상기 주연부 영역에 둘러싸인 중앙부 영역을 갖고,
상기 주연부 영역에는, 복수의 제1 흡인 구멍이 형성되고,
상기 중앙부 영역에는, 복수의 제2 흡인 구멍이 형성되며,
상기 주연부 영역에 있어서의 상기 복수의 제1 흡인 구멍의 면 밀도는, 상기 중앙부 영역에 있어서의 상기 복수의 제2 흡인 구멍의 면 밀도보다 큰, 회전 유지 장치.14. The method according to any one of claims 11 to 13,
The adsorption holding unit has an upper surface for adsorbing and holding the central portion of the lower surface of the substrate,
The upper surface is
a perimeter region along the perimeter;
having a central region surrounded by the perimeter region;
A plurality of first suction holes are formed in the peripheral region,
A plurality of second suction holes are formed in the central region,
The rotation holding device, wherein an areal density of the plurality of first suction holes in the peripheral region is larger than an areal density of the plurality of second suction holes in the central region. 기판에 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서,
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 회전 유지 장치와,
상기 기판이 상기 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되는 것과 더불어 상기 회전 구동부에 의해 회전되는 상태에서, 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치를 구비하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, the substrate processing apparatus comprising:
The rotation maintaining device according to any one of claims 1 to 3;
and a processing liquid supply device configured to supply a processing liquid onto the substrate while the substrate is adsorbed and held by the suction holding unit and rotated by the rotation driving unit. 기판에 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서,
청구항11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 회전 유지 장치와,
상기 기판이 상기 흡착 유지부에 의해 흡착 유지되는 것과 더불어 상기 회전 구동부에 의해 회전되는 상태에서, 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치를 구비하는, 기판 처리 장치.

A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, the substrate processing apparatus comprising:
The rotation maintaining device according to any one of claims 11 to 13;
and a processing liquid supply device configured to supply a processing liquid onto the substrate while the substrate is adsorbed and held by the suction holding unit and rotated by the rotation driving unit.
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