KR20220021183A - Plasma reactor - Google Patents

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Abstract

A plasma reactor according to one aspect of the present invention comprises: a reaction main body formed with a gas inlet part on one side and formed with a gas outlet part on the other side; a magnetic core part surrounding one part of the reaction main body; a primary winding coupled to the magnetic core part, and connected to a power supply part to generate a plasma of a gas in the reaction main body; a first additional winding formed along a front surface of the reaction main body and disposed to penetrate through the magnetic core part; and a second additional winding formed opposite to the first additional winding along a rear surface of the reaction main body and disposed to penetrate through the magnetic core part. Therefore, the present invention is capable of efficiently controlling a plasma.

Description

플라즈마 반응기{Plasma reactor}Plasma reactor

본 발명은 플라즈마 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마 반응기에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma apparatus, and more particularly, to a plasma reactor.

일반적으로, 플라즈마 방전은 활성 가스를 생성하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며, 대표적으로 반도체 또는 디스플레이 제조 공정, 예컨대, 증착(deposition), 식각(etching), 애싱(ashing) 등 다양한 공정에 사용되고 있다. In general, plasma discharge is used for gas excitation to generate an active gas. The active gas is widely used in various fields, and is typically used in various processes such as semiconductor or display manufacturing processes, for example, deposition, etching, and ashing.

최근, 반도체 장치의 제조를 위한 웨이퍼나 LCD 글라스 기판은 더욱 대형화 되어 가고 있다. 그러므로 플라즈마 생성에 대한 제어 능력이 높고, 대면적의 처리 능력을 갖는 확장성이 용이한 플라즈마 반응기가 요구되고 있다. 나아가, 기판의 대형화에 따라 공정 챔버의 볼륨도 증가되고 있어서 고밀도의 활성 가스를 충분히 원격으로 공급할 수 있는 플라즈마 반응기가 요구되고 있다.In recent years, wafers and LCD glass substrates for manufacturing semiconductor devices are becoming larger. Therefore, there is a demand for a highly scalable plasma reactor having a high control capability for plasma generation and a large-area processing capability. Furthermore, as the volume of the process chamber is increased according to the enlargement of the substrate, a plasma reactor capable of remotely supplying a high-density active gas sufficiently is required.

한편, 플라즈마 반응기는 변압기 결합 플라즈마(transformer coupled plasma, TCP)를 사용한 것과 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma, ICP)를 사용한 것이 있다. 변압기 결합 플라즈마(TCP)를 사용한 플라즈마 반응기는 토로이달 구조의 반응 본체에 일차 권선을 갖는 마그네틱 코어가 장착된 구조를 갖는다. 유도 결합 플라즈마(ICP)를 사용한 플라즈마 반응기는 중공형 튜브 구조의 반응 본체에 유도 결합 안테나가 장착된 구조를 갖는다.On the other hand, the plasma reactor is one using a transformer coupled plasma (transformer coupled plasma, TCP) and one using an inductively coupled plasma (inductively coupled plasma, ICP). A plasma reactor using a transformer coupled plasma (TCP) has a structure in which a magnetic core having a primary winding is mounted on a reaction body of a toroidal structure. A plasma reactor using inductively coupled plasma (ICP) has a structure in which an inductively coupled antenna is mounted on a reaction body of a hollow tube structure.

변압기 결합 플라즈마를 이용한 플라즈마 반응기에 있어서, 안정적인 플라즈마 생성 및 유지를 위한 전력 제어가 중요하다. 일반적으로, 변압기의 일차 권선을 통해서 전력을 제어하지만, 이 경우 플라즈마 생성 단계와 유지 단계를 구분하기가 어려워 전력 제어에 어려움이 있다.In a plasma reactor using a transformer coupled plasma, power control for stable plasma generation and maintenance is important. In general, power is controlled through a primary winding of a transformer, but in this case, it is difficult to distinguish a plasma generating step and a maintaining step, so that it is difficult to control power.

본 발명은 상기와 같은 문제점들을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 효율적인 플라즈마 전력 제어가 가능한 플라즈마 반응기를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.An object of the present invention is to solve various problems including the above problems, and to provide a plasma reactor capable of efficiently controlling plasma power. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereto.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 따른 플라즈마 반응기는, 일측에 가스 유입부가 형성되고, 타측에 가스 배출부가 형성된, 반응 본체와, 상기 반응 본체의 일부분을 둘러싸는 마그네틱 코어부와, 상기 마그네틱 코어부에 결합하여, 상기 반응 본체 내에 가스의 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 전원부에 연결된 일차 권선과, 상기 반응 본체의 전면을 따라서 형성되고 상기 마그네틱 코어부를 관통하도록 배치된 제 1 부가 권선과, 상기 반응 본체의 후면을 따라서 상기 제 1 부가 권선에 대향되게 형성되고 상기 마그네틱 코어부를 관통하도록 배치된 제 2 부가 권선을 포함한다.Plasma reactor according to an aspect of the present invention for solving the above problems, a gas inlet portion is formed on one side and a gas outlet portion formed on the other side, a reaction body, a magnetic core portion surrounding a portion of the reaction body, and the A primary winding coupled to a magnetic core and connected to a power supply to generate gas plasma in the reaction body, a first auxiliary winding formed along the front surface of the reaction body and disposed to penetrate through the magnetic core; and a second auxiliary winding formed to face the first auxiliary winding along the rear surface of the reaction body and disposed to penetrate through the magnetic core portion.

상기 플라즈마 반응기에 따르면, 상기 제 1 부가 권선 및 상기 제 2 부가 권선은 상기 일차 권선과 직결되지 않고 상기 마그네틱 코어부를 통해서 유도 결합될 수 있다.According to the plasma reactor, the first auxiliary winding and the second auxiliary winding are not directly connected to the primary winding and may be inductively coupled through the magnetic core part.

상기 플라즈마 반응기에 따르면, 상기 제 3 부가 권선의 중심부는 그 양측의 위상이 반전되도록 접지될 수 있다.According to the plasma reactor, the central portion of the third auxiliary winding may be grounded so that the phases of both sides thereof are reversed.

상기 플라즈마 반응기에 따르면, 상기 반응 본체에는 내주면을 따라서 내홀이 형성되고, 상기 반응 본체의 내부에는 상기 내홀을 둘러싸는 환형 루프 공간이 형성되고, 상기 일차 권선은 상기 반응 본체의 외주면을 따라 상기 마그네틱 코어부를 관통하도록 형성된 외측 권선과, 상기 반응 본체의 상기 내주면을 따라서 상기 마그네틱 코어부를 관통하도록 형성된 내측 권선을 포함하고, 상기 내측 권선의 일단 및 상기 외측 권선의 일단은 선택적으로 서로 연결 가능할 수 있다.According to the plasma reactor, an inner hole is formed along an inner circumferential surface of the reaction body, an annular loop space surrounding the inner hole is formed inside the reaction body, and the primary winding is the magnetic core along an outer circumferential surface of the reaction body It may include an outer winding formed to penetrate the portion and an inner winding formed to penetrate the magnetic core portion along the inner circumferential surface of the reaction body, wherein one end of the inner winding and one end of the outer winding are selectively connectable to each other.

상기 플라즈마 반응기에 따르면, 상기 제 1 부가 권선 및 상기 제 2 부가 권선은 상기 일차 권선에 선택적으로 연결될 수 있다.According to the plasma reactor, the first auxiliary winding and the second auxiliary winding may be selectively connected to the primary winding.

상기 플라즈마 반응기에 따르면, 상기 제 1 부가 권선 및 상기 제 2 부가 권선은 상기 전원부 외부에 배치된 적어도 하나의 스위치에 의해서 상기 일차 권선에 선택적으로 연결될 수 있다.According to the plasma reactor, the first auxiliary winding and the second auxiliary winding may be selectively connected to the primary winding by at least one switch disposed outside the power supply unit.

상기 플라즈마 반응기에 따르면, 상기 제 1 부가 권선 및 상기 제 2 부가 권선은 상기 전원부 내부에 배치된 적어도 하나의 스위치에 의해서 상기 일차 권선에 선택적으로 연결될 수 있다.According to the plasma reactor, the first auxiliary winding and the second auxiliary winding may be selectively connected to the primary winding by at least one switch disposed inside the power supply unit.

상기 플라즈마 반응기에 따르면, 상기 제 1 부가 권선 또는 상기 제 2 부가 권선에 선택적으로 연결되고, 상기 마그네틱 코어부를 감도록 배치된 제 3 부가 권선을 더 포함할 수 있다.According to the plasma reactor, it may further include a third auxiliary winding selectively connected to the first auxiliary winding or the second auxiliary winding, arranged to wind the magnetic core part.

상기 플라즈마 반응기에 따르면, 상기 제 3 부가 권선은 상기 반응 본체의 표면을 따라서, 상기 마그네틱 코어부의 적어도 일부를 관통하도록 형성될 수 있다.According to the plasma reactor, the third auxiliary winding may be formed to penetrate at least a portion of the magnetic core portion along the surface of the reaction body.

상기 플라즈마 반응기에 따르면, 상기 반응 본체는, 가스가 상기 가스 유입부로 유입되어 환형 루프 공간 내에서 두 유로로 분지되어 활성화 된 후 다시 합지되어 상기 가스 배출부로 배출되는 토로이달 구조일 수 있다.According to the plasma reactor, the reaction body may have a toroidal structure in which gas flows into the gas inlet, branches into two flow paths in the annular loop space, is activated, and then is laminated again and discharged to the gas outlet.

상기 플라즈마 반응기에 따르면, 상기 반응 본체는, 절연 코팅이 이루어진 전도성 금속 또는 절연물로 구성될 수 있다.According to the plasma reactor, the reaction body may be composed of a conductive metal or an insulating material having an insulating coating.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기에 따르면, 일차 권선 외에 부가 권선을 부가하여 효율적으로 플라즈마를 제어할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to the plasma reactor according to an embodiment of the present invention made as described above, it is possible to efficiently control plasma by adding an additional winding in addition to the primary winding. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기를 보여주는 개략적인 회로도이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 플라즈마 반응기들을 보여주는 개략적인 회로도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 반응기를 보여주는 개략적인 사시도이다.
도 6은 도 5의 플라즈마 반응기를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 5의 플라즈마 반응기의 일부 구성을 보여주는 분해 사시도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 일부 구성을 보여주는 분해 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템을 보여주는 개략적인 단면도이다.
1 is a schematic circuit diagram showing a plasma reactor according to an embodiment of the present invention.
2 to 4 are schematic circuit diagrams showing plasma reactors according to other embodiments of the present invention.
5 is a schematic perspective view showing a plasma reactor according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating the plasma reactor of FIG. 5 .
7 is an exploded perspective view illustrating a partial configuration of the plasma reactor of FIG. 5 .
8 is an exploded perspective view showing a partial configuration of a plasma reactor according to another embodiment of the present invention.
9 is a schematic cross-sectional view illustrating a plasma processing system according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, several preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 다음 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 적어도 일부의 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 도면에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows It is not limited to an Example. Rather, these embodiments are provided so as to more fully and complete the present disclosure, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, in the drawings for convenience of description, the size of at least some of the components may be exaggerated or reduced. In the drawings, like numbers refer to like elements.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기(50)를 보여주는 개략적인 회로도이다.1 is a schematic circuit diagram showing a plasma reactor 50 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 플라즈마 반응기(50)는 반응 본체(RB) 및 변압기(TF)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the plasma reactor 50 may include a reaction body RB and a transformer TF.

반응 본체(RB)는 플라즈마가 생성되는 반응 공간을 한정할 수 있다. 반응 본체(RB)는 그 일측에 가스 유입부가 형성되고, 타측에 가스 배출부가 형성될 수 있다. 반응 본체(RB)에 유입된 가스는 플라즈마에 의해서 활성화되어 활성 가스로 배출될 수 있다.The reaction body RB may define a reaction space in which plasma is generated. The reaction body RB may have a gas inlet formed on one side thereof and a gas outlet formed on the other side thereof. The gas introduced into the reaction body RB may be activated by plasma and discharged as an active gas.

변압기(TF)는 그 일차측이 전원부(PS)에 연결되고, 반응 본체(RB) 내에 가스의 플라즈마를 발생시키도록 그 이차측이 반응 본체(RB)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 마그네틱 코어부(MC)는 반응 본체(RB)의 일부분을 둘러싸도록 제공되고, 일차 권선(FC)은 마그네틱 코어부(MC)에 결합하여, 반응 본체(RB) 내에 가스의 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 전원부(PS)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 반응 본체(RB) 내에 생성된 플라즈마가 변압기(TF)의 이차측이 될 수 있다.A primary side of the transformer TF may be connected to the power supply unit PS, and a secondary side thereof may be coupled to the reaction body RB to generate a plasma of gas in the reaction body RB. For example, the magnetic core portion MC is provided to surround a portion of the reaction body RB, and the primary winding FC is coupled to the magnetic core portion MC to generate a plasma of gas within the reaction body RB. It may be connected to the power supply unit PS so that it can be generated. Accordingly, the plasma generated in the reaction body RB may become a secondary side of the transformer TF.

일차 권선(FC)에 전력이 인가되면, 마그네틱 코어부(MC)에 자기력이 발생되고, 이러한 자기력의 변화에 의해서 변압기(TF)의 이차측, 즉 반응 본체(RB) 내에 유도 기전력이 발생되어 가스의 플라즈마가 생성될 수 있다. 이러한 의미에서 이 플라즈마는 변압기 유도 플라즈마(transformer coupled plasma, TCP)라고 불릴 수도 있다.When electric power is applied to the primary winding FC, a magnetic force is generated in the magnetic core part MC, and an induced electromotive force is generated in the secondary side of the transformer TF, that is, in the reaction body RB, by the change of the magnetic force. of plasma can be generated. In this sense, this plasma may be referred to as a transformer coupled plasma (TCP).

전원부(PS)는 변압기(TF)에 전력을 공급할 수 있다. 예를 들어, 전원부(PS)는 하나 이상의 스위칭 반도체 소자를 이용하여 스위칭 전력을 공급할 수 있다. 예를 들어, 전원부(PS)는 하나 이상의 반도체 트랜지스터를 포함하는 인버터 장치를 포함할 수 있다. 나아가, 전원부(PS)는 전력 공급을 제어하기 위한 부가 회로, 예컨대 공진 회로를 더 포함할 수 있다.The power supply unit PS may supply power to the transformer TF. For example, the power supply unit PS may supply switching power using one or more switching semiconductor devices. For example, the power supply unit PS may include an inverter device including one or more semiconductor transistors. Furthermore, the power supply unit PS may further include an additional circuit for controlling the power supply, for example, a resonance circuit.

제 1 부가 권선(AC1)은 반응 본체(RB)의 일면을 따라서 형성되고, 마그네틱 코어부(MC)를 적어도 부분적으로 감도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 부가 권선(AC1)은 반응 본체(RB)의 전면을 따라서 형성되고 마그네틱 코어부(MC)를 관통하도록 배치될 수 있다.The first auxiliary winding AC1 may be formed along one surface of the reaction body RB, and may be formed to at least partially wind the magnetic core part MC. For example, the first auxiliary winding AC1 may be formed along the front surface of the reaction body RB and disposed to penetrate the magnetic core part MC.

제 2 부가 권선(AC2)은 반응 본체(RB)의 타면을 따라서 형성되고, 마그네틱 코어부(MC)를 적어도 부분적으로 감도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 부가 권선(AC2)은 반응 본체(RB)의 후면을 따라서 형성되고 마그네틱 코어부(MC)를 관통하도록 배치될 수 있다.The second auxiliary winding AC2 may be formed along the other surface of the reaction body RB and may be formed to at least partially wind the magnetic core part MC. For example, the second auxiliary winding AC2 may be formed along the rear surface of the reaction body RB and disposed to penetrate the magnetic core part MC.

보다 구체적으로 보면, 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)은 일차 권선(FC)과 직결되지 않고 마그네틱 코어부(MC)를 통해서 유도 결합될 수 있다. 예를 들어, 일차 권선(FC)에 전력이 인가되면, 마그네틱 코어부(MC)에 자기력이 발생되고, 이러한 자기력의 변화에 의해서 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)에 유도 기전력이 발생될 수 있다. More specifically, the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 may be inductively coupled through the magnetic core unit MC without being directly connected to the primary winding FC. For example, when power is applied to the primary winding FC, a magnetic force is generated in the magnetic core part MC, and the change in the magnetic force induces the first and second secondary windings AC1 and AC2. An electromotive force may be generated.

나아가, 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)은 반응 본체(RB)의 전면과 후면에 각각 배치되어 서로 대향되게 배치될 수 있다. 이 경우, 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)은 일차 권선(FC)에 의해서 발생된 유도 기전력의 차에 의해서 서로 용량 결합될 수 있다. 이에 따라, 반응 본체(RB) 내에는 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)의 용량 결합에 의한 전력이 부가적으로 인가될 수 있다.Furthermore, the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 may be respectively disposed on the front and rear surfaces of the reaction body RB to face each other. In this case, the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 may be capacitively coupled to each other by a difference in induced electromotive force generated by the primary winding FC. Accordingly, power by capacitive coupling of the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 may be additionally applied to the reaction body RB.

제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)은 일차 권선(FC)과 더불어 반응 본체(RB) 내 가스의 플라즈마 생성 및 유지에 기여할 수 있다. 예를 들어, 반응 본체(RB) 내에 플라즈마가 생성되기 위해서는 초기 점화가 필요하다. 플라즈마의 초기 점화 시에는 높은 에너지가 필요하므로, 반응 본체(RB) 내로 일차 권선(FC)에 의한 유도 기전력과 더불어 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)의 용량 결합에 의한 전력을 함께 인가할 수 있다. 선택적으로, 플라즈마 점화 이후에는 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)에 의한 전력 공급을 중단할 수도 있다.The first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 may contribute to plasma generation and maintenance of the gas in the reaction body RB together with the primary winding FC. For example, initial ignition is required to generate plasma in the reaction body RB. Since high energy is required for the initial ignition of plasma, power by capacitive coupling of the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 together with the induced electromotive force by the primary winding FC into the reaction body RB can be approved together. Optionally, power supply by the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 may be stopped after plasma ignition.

일부 실시예에서, 선택적으로, 제 3 부가 권선(AC3)이 제 1 부가 권선(AC1) 또는 제 2 부가 권선(AC2)에 선택적으로 연결되도록 부가될 수 있다. 제 3 부가 권선(AC3)은 마그네틱 코어부(MC)와 유도 결합되도록 마그네틱 코어부(MC)를 적어도 1회 감도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 3 부가 권선(AC3)은 반응 본체(RB)의 표면을 따라서, 마그네틱 코어부(MC)의 적어도 일부를 관통하도록 형성될 수 있다. In some embodiments, optionally, a third auxiliary winding AC3 may be added to be selectively connected to the first auxiliary winding AC1 or the second auxiliary winding AC2. The third auxiliary winding AC3 may be disposed to wind the magnetic core part MC at least once so as to be inductively coupled to the magnetic core part MC. For example, the third auxiliary winding AC3 may be formed to penetrate at least a portion of the magnetic core part MC along the surface of the reaction body RB.

제 1 부가 권선(AC1)은 제 1 스위치(S1)를 통해서 제 3 부가 권선(AC3)과 선택적으로 연결될 수 있고, 제 2 부가 권선(AC2)은 제 2 스위치(S2)를 통해서 제 3 부가 권선(AC3)과 선택적으로 연결될 수 있다. 일부 실시예에서, 제 3 부가 권선(AC3)은 두 부분으로 분리되고, 그 중 제 1 부분이 제 1 스위치(S1)를 통해서 제 1 부가 권선(AC1)과 연결되고, 제 2 부분이 제 2 스위치(S2)를 통해서 제 2 부가 권선(AC2)과 선택적으로 연결될 수도 있다. 따라서, 제 1 스위치(S1) 및 제 2 스위치(S2)를 통해서 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)과 제 3 부가 권선(AC3)의 연결을 제어할 수 있다.The first auxiliary winding AC1 may be selectively connected to the third auxiliary winding AC3 through the first switch S1 , and the second auxiliary winding AC2 is the third auxiliary winding through the second switch S2 . (AC3) can be selectively connected. In some embodiments, the third auxiliary winding AC3 is divided into two parts, a first part of which is connected to the first auxiliary winding AC1 through a first switch S1, and a second part is a second part It may be selectively connected to the second auxiliary winding AC2 through the switch S2. Accordingly, it is possible to control the connection of the first auxiliary winding AC1, the second auxiliary winding AC2, and the third auxiliary winding AC3 through the first switch S1 and the second switch S2.

제 3 부가 권선(AC3)은 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)에 연결되어, 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)에 의한 전력 공급을 보다 크게 할 수 있다.The third auxiliary winding AC3 is connected to the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 to increase the power supply by the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2. can

나아가, 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)은 제 3 스위치(S3)를 통해서 서로 결합되고, 제 4 스위치(S4)를 통해서 접지부에 연결될 수 있다. 이에 따라, 제 3 스위치(S3) 및/또는 제 4 스위치(S4)를 통해서 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)의 동작을 제어할 수 있다.Furthermore, the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 may be coupled to each other through the third switch S3 and connected to the ground through the fourth switch S4 . Accordingly, the operation of the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 may be controlled through the third switch S3 and/or the fourth switch S4 .

예를 들어, 제 1 스위치(S1), 제 2 스위치(S2), 제 3 스위치(S3) 및 제 4 스위치(S4)는 릴레이 소자를 포함할 수 있다. 나아가, 제 1 스위치(S1), 제 2 스위치(S2), 제 3 스위치(S3) 및 제 4 스위치(S4)는 전원부(PS) 외부에 배치될 수 있다.For example, the first switch S1 , the second switch S2 , the third switch S3 , and the fourth switch S4 may include a relay element. Furthermore, the first switch S1 , the second switch S2 , the third switch S3 , and the fourth switch S4 may be disposed outside the power supply unit PS.

플라즈마 반응기(50)에 의하면, 일차 권선(FC)에 의한 유도 기전력 외에 제 1 부가 권선(AC1), 제 2 부가 권선(AC2) 및 제 3 부가 권선(AC3)에 의한 부가 전력을 선택적으로 필요에 따라서 더 공급하여, 반응 본체(RB) 내의 플라즈마 발생 및 유지를 효율적으로 제어할 수 있다.According to the plasma reactor 50, in addition to the electromotive force induced by the primary winding (FC), additional power by the first auxiliary winding (AC1), the second auxiliary winding (AC2) and the third auxiliary winding (AC3) is selectively required. Accordingly, it is possible to efficiently control plasma generation and maintenance in the reaction body RB by supplying more.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 플라즈마 반응기들(50a, 50b, 50c)을 보여주는 개략적인 회로도들이다. 플라즈마 반응기들(50a, 50b, 50c)은 도 1의 플라즈마 반응기(50)에 일부 구성을 부가하거나 변형한 것이고, 서로 참조될 수 있고, 중복된 설명은 생략된다.2 to 4 are schematic circuit diagrams showing plasma reactors 50a, 50b, and 50c according to other embodiments of the present invention. The plasma reactors 50a, 50b, and 50c are additions or modifications of some configurations to the plasma reactor 50 of FIG. 1 , and may be referenced to each other, and overlapping descriptions will be omitted.

도 2를 참조하면, 플라즈마 반응기(50a)에 있어서, 제 3 부가 권선(AC3)의 소정 부분이 접지될 수 있다. 예를 들어, 제 3 부가 권선(AC3)의 중심부(T1)가 접지될 수 있고, 위에 따라서 중심부 양측의 위상이 서로 반전될 수 있다. 보다 구체적으로 보면, 제 3 부가 권선(AC3)의 중심부(T1)에 탭부를 형성하여 접지부에 연결할 수 있다.Referring to FIG. 2 , in the plasma reactor 50a, a predetermined portion of the third auxiliary winding AC3 may be grounded. For example, the central portion T1 of the third auxiliary winding AC3 may be grounded, and the phases of both sides of the central portion may be reversed according to the above. More specifically, a tab portion may be formed in the central portion T1 of the third auxiliary winding AC3 to be connected to the ground portion.

이에 따라, 제 3 부가 권선(AC3)의 양측의 전위차가 커질 수 있고, 나아가 제 3 부가 권선(AC3)이 연결된 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2) 사이의 전위차가 커질 수 있다. 따라서, 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)에 의한 전력 공급의 증가될 수 있다.Accordingly, the potential difference between both sides of the third auxiliary winding AC3 may be increased, and further, the potential difference between the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 to which the third auxiliary winding AC3 is connected may increase. there is. Accordingly, the power supply by the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 can be increased.

도 3을 참조하면, 플라즈마 반응기(50b)에 있어서, 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)은 일차 권선(FC)에 선택적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 3 , in the plasma reactor 50b, the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 may be selectively connected to the primary winding FC.

예를 들어, 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)은 전원부(PS) 내부에 배치된 적어도 하나의 스위치에 의해서 일차 권선(FC)에 선택적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로 보면, 제 1 부가 권선(AC1)은 전원부(PS) 내부에 배치된 제 5 스위치(S5)에 의해서 일차 권선(FC)에 선택적으로 연결되고, 제 2 부가 권선(AC2)은 전원부(PS) 내부에 배치된 제 6 스위치(S6)에 의해서 일차 권선(FC)에 선택적으로 연결될 수 있다. For example, the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 may be selectively connected to the primary winding FC by at least one switch disposed inside the power supply unit PS. More specifically, the first auxiliary winding AC1 is selectively connected to the primary winding FC by a fifth switch S5 disposed inside the power supply unit PS, and the second auxiliary winding AC2 is connected to the power supply unit ( PS) may be selectively connected to the primary winding FC by the sixth switch S6 disposed inside.

예를 들어, 제 5 스위치(S5) 및 제 6 스위치(S6)는 릴레이 소자를 포함할 수 있고, 전원부(PS) 내부 부품으로 구성될 수 있다.For example, the fifth switch S5 and the sixth switch S6 may include a relay element and may be configured as an internal component of the power supply unit PS.

제 5 스위치(S5) 및/또는 제 6 스위치(S6)가 턴-온(turn-on)되면, 제 1 부가 권선(AC1) 및/또는 제 2 부가 권선(AC2)이 일차 권선(FC)에 연결되어 전원부(PS)로부터 전력을 인가받을 수 있다. 이에 따라, 제 1 부가 권선(AC1) 및/또는 제 2 부가 권선(AC2)은 일차 권선(FC)의 연장선 상에서 변압기(TF)의 일차측으로 기능하여, 마그네틱 코어(MC)에 자기력을 생성하여 반응 본체(RB)에 유도 기전력을 전달할 수 있다. 나아가, 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)은 서로 대향 배치되어 용량 결합될 수 있어서, 부가적으로 반응 본체(RB)에 용량 결합에 의한 부가 전력을 전달할 수 있다.When the fifth switch S5 and/or the sixth switch S6 is turned on, the first auxiliary winding AC1 and/or the second auxiliary winding AC2 is connected to the primary winding FC. It may be connected to receive power from the power supply unit PS. Accordingly, the first auxiliary winding AC1 and/or the second auxiliary winding AC2 functions as the primary side of the transformer TF on the extension line of the primary winding FC, and generates a magnetic force in the magnetic core MC to react An induced electromotive force may be transmitted to the main body RB. Furthermore, the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 may be disposed to face each other and capacitively coupled, so that additional power may be additionally transferred to the reactive body RB by capacitive coupling.

따라서, 플라즈마 반응기(50b)에 의하면, 일차 권선(FC) 외에 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)을 이용하여 플라즈마 생성 및 유지 효율을 더욱 높일 수 있다.Accordingly, according to the plasma reactor 50b, plasma generation and maintenance efficiency can be further increased by using the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 in addition to the primary winding FC.

도 4를 참조하면, 플라즈마 반응기(50c)에 있어서, 제 1 부가 권선(AC1) 및 제 2 부가 권선(AC2)은 전원부(PS) 내부에 배치된 적어도 하나의 스위치에 의해서 일차 권선(FC)에 선택적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로 보면, 제 1 부가 권선(AC1)은 전원부(PS) 외부에 배치된 제 5 스위치(S5)에 의해서 일차 권선(FC)에 선택적으로 연결되고, 제 2 부가 권선(AC2)은 전원부(PS) 내부에 배치된 제 6 스위치(S6)에 의해서 일차 권선(FC)에 선택적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 4 , in the plasma reactor 50c, the first auxiliary winding AC1 and the second auxiliary winding AC2 are connected to the primary winding FC by at least one switch disposed inside the power supply unit PS. It can be optionally connected. More specifically, the first auxiliary winding AC1 is selectively connected to the primary winding FC by a fifth switch S5 disposed outside the power supply unit PS, and the second auxiliary winding AC2 is connected to the power supply unit ( PS) may be selectively connected to the primary winding FC by the sixth switch S6 disposed inside.

전술한 바와 같이, 제 5 스위치(S5) 및/또는 제 6 스위치(S6)가 턴-온(turn-on)되면, 제 1 부가 권선(AC1) 및/또는 제 2 부가 권선(AC2)이 일차 권선(FC)에 연결되어 전원부(PS)로부터 전력을 인가받을 수 있다.As described above, when the fifth switch S5 and/or the sixth switch S6 is turned on, the first auxiliary winding AC1 and/or the second auxiliary winding AC2 is the primary It may be connected to the winding FC to receive power from the power supply unit PS.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 반응기(100)를 보여주는 개략적인 사시도이고, 도 6은 도 5의 플라즈마 반응기(100)를 보여주는 단면도이고, 도 7은 도 5의 플라즈마 반응기(100)의 일부 구성을 보여주는 분해 사시도이다. 플라즈마 반응기(100)는 도 1 내지 도 4의 플라즈마 반응기들(50, 50a, 50b, 50c)을 구체적으로 구현한 예일 수 있다.5 is a schematic perspective view showing a plasma reactor 100 according to another embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view showing the plasma reactor 100 of FIG. 5, and FIG. 7 is the plasma reactor 100 of FIG. ) is an exploded perspective view showing a part of the configuration. The plasma reactor 100 may be an example in which the plasma reactors 50 , 50a , 50b , and 50c of FIGS. 1 to 4 are specifically implemented.

도 5를 참조하면, 플라즈마 반응기(100)는 반응 본체(110), 마그네틱 코어부(130), 일차 권선(140)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the plasma reactor 100 may include a reaction body 110 , a magnetic core part 130 , and a primary winding 140 .

반응 본체(110)는 도 1 내지 도 4의 반응 본체(RB)의 구체적인 일 예로써 제공되며, 플라즈마가 생성되는 반응 공간을 한정할 수 있다. 예를 들어, 반응 본체(110)는 그 일측에 가스 유입부(120)가 형성되고, 타측에 가스 배출부(130)가 형성되며, 내부에 환형 루프 공간(112)이 형성될 수 있다. 따라서, 가스가 가스 유입부(120)로 유입되어 환형 루프 공간(112) 내에서 두 유로로 분지되어 활성화 된 후 다시 합지되어 가스 배출부(130)로 배출될 수 있다. 이에 따라, 반응 본체(110)는 토로이달 구조일 수 있고, 환형 루프 공간(112)은 토로이달 반응 공간으로 불릴 수도 있다.The reaction body 110 is provided as a specific example of the reaction body RB of FIGS. 1 to 4 , and may define a reaction space in which plasma is generated. For example, the reaction body 110 may have a gas inlet 120 formed on one side thereof, a gas outlet 130 formed on the other side thereof, and an annular roof space 112 formed therein. Accordingly, the gas may be introduced into the gas inlet 120 , branched into two flow passages in the annular roof space 112 , activated, and then combined again and discharged to the gas outlet 130 . Accordingly, the reaction body 110 may have a toroidal structure, and the annular loop space 112 may be referred to as a toroidal reaction space.

반응 본체(110)는 하나의 구조로 형성되거나 또는 여러 블록으로 구성될 수 있다. 반응 본체(110)는 절연 코팅이 이루어진 전도성 금속으로 구성되거나 또는 석영과 같은 절연물로 구성될 수도 있다. 반응 본체(110)는 환형 루프 공간(112)을 갖도록 튜브 형상으로 형성되거나 또는 내측에 환형 루프 공간(112)이 가공된 블록 구조물로 형성될 수도 있다.The reaction body 110 may be formed in one structure or may be composed of several blocks. The reaction body 110 may be formed of a conductive metal with an insulating coating or an insulating material such as quartz. The reaction body 110 may be formed in a tube shape to have an annular loop space 112 or a block structure in which an annular loop space 112 is processed inside.

일부 실시예에서, 반응 본체(110)는 전면(114), 후면(115), 외주면(116), 및 내주면(117)을 포함할 수 있다. 나아가, 반응 본체(110)에는 내주면(117)을 따라서 내홀(111)이 형성되고, 그 내부에는 내홀(111)을 둘러싸도록 환형 루프 공간(112)이 형성될 수 있다. 더 나아가, 전면(114), 후면(115), 외주면(116), 및 내주면(117)에는 부품들이 배치될 수 있도록 수용홈부가 형성될 수 있다.In some embodiments, the reactive body 110 may include a front surface 114 , a rear surface 115 , an outer peripheral surface 116 , and an inner peripheral surface 117 . Furthermore, an inner hole 111 is formed in the reaction body 110 along the inner circumferential surface 117 , and an annular loop space 112 may be formed therein to surround the inner hole 111 . Furthermore, receiving grooves may be formed on the front surface 114 , the rear surface 115 , the outer circumferential surface 116 , and the inner circumferential surface 117 so that parts can be disposed.

마그네틱 코어부(130)는 도 1 내지 도 4의 마그네틱 코어부(MC)의 일 예로써 제공될 수 있으며, 변압기(TF)의 코어로 기능할 수 있다. 마그네틱 코어부(130)는 반응 본체(110)의 일부분을 둘러싸는 형상으로 형성될 수 있다. The magnetic core part 130 may be provided as an example of the magnetic core part MC of FIGS. 1 to 4 , and may function as a core of the transformer TF. The magnetic core part 130 may be formed in a shape surrounding a portion of the reaction body 110 .

예를 들어, 마그네틱 코어부(130)는 하나 또는 복수의 마그네틱 코어들을 포함할 수 있다. 마그네틱 코어들은 반응 본체(110)의 신장 방향을 따라서 이격되게 반응 본체(110)를 실질적으로 한 바퀴 둘러싸는 형태로 배치될 수 있다. 마그네틱 코어들은 자성 물질로 구성될 수 있고, 예컨대 페라이트(ferrite)로 구성될 수 있다.For example, the magnetic core unit 130 may include one or a plurality of magnetic cores. The magnetic cores may be spaced apart along the extension direction of the reaction body 110 and may be disposed to substantially surround the reaction body 110 by one turn. The magnetic cores may be made of a magnetic material, for example, ferrite.

일부 실시예에서, 마그네틱 코어부(130) 내 각 마그네틱 코어는 환형의 단일 구조로 형성되거나 또는 복수의 조각들이 결합된 구조로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 두 조각들이 서로 마주보는 형태로 배치될 수 있고, 두 조각들은 서로 접촉되거나 또는 자력선이 폐루프를 형성하는 한도 내에서 이격 배치될 수도 있다.In some embodiments, each magnetic core in the magnetic core unit 130 may be formed in a single annular structure or in a structure in which a plurality of pieces are combined. For example, the two pieces may be disposed to face each other, and the two pieces may be in contact with each other or may be disposed apart from each other within the limit where the magnetic force line forms a closed loop.

일부 실시예에서, 마그네틱 코어부(130)는 환형 루프 공간(112)의 양측에 분리되게 결합될 수도 있다. 예를 들어, 마그네틱 코어부(130)는 환형 루프 공간(112)의 좌측 부분을 둘러싸는 제 1 부분과, 환형 루프 공간의 우측 부분을 둘러싸는 제 2 부분으로 분리될 수도 있다. 예를 들어, 반응 본체(110)가 전체적으로 환형 튜브 형태로 형성된 경우, 마그네틱 코어들은 이러한 환형 튜브를 따라서 배치될 수도 있다. 보다 구체적으로 보면, 네 개의 마그네틱 코어들이 반응 본체(110)의 내홀(111) 중심부에서 모이도록 십자 형태로 배치될 수 있다. In some embodiments, the magnetic core part 130 may be separately coupled to both sides of the annular loop space 112 . For example, the magnetic core portion 130 may be divided into a first portion surrounding the left portion of the annular roof space 112 and a second portion surrounding the right portion of the annular roof space. For example, when the reaction body 110 is formed in the form of an annular tube as a whole, the magnetic cores may be disposed along the annular tube. More specifically, the four magnetic cores may be arranged in a cross shape to gather at the center of the inner hole 111 of the reaction body 110 .

일차 권선(140)은 도 1 내지 도 4의 일차 권선(FC)의 일 예로써 제공될 수 있다. 일차 권선(140)은 전원부(도 1 내지 도 4의 PS 참조)에 연결되며, 마그네틱 코어부(130)의 일부분을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 일차 권선(140)은 마그네틱 코어부(130)의 일부분 상에 1회전 이상 감겨져 있다. 마그네틱 코어부(130)의 루프와 일차 권선(140)의 루프는 실질적으로 수직 방향으로 배치될 수 있다.The primary winding 140 may be provided as an example of the primary winding FC of FIGS. 1 to 4 . The primary winding 140 is connected to the power supply unit (see PS of FIGS. 1 to 4 ), and may be disposed to surround a portion of the magnetic core unit 130 . For example, the primary winding 140 is wound on a portion of the magnetic core part 130 by one or more turns. The loop of the magnetic core part 130 and the loop of the primary winding 140 may be arranged in a substantially vertical direction.

보다 구체적으로 보면, 일차 권선(140)은 반응 본체(110)의 외주면(116)을 따라 마그네틱 코어부(130)를 관통하도록 형성된 외측 권선(142) 및 반응 본체(110)의 내주면(117)을 따라서 마그네틱 코어부(130)를 관통하도록 형성된 내측 권선(144)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 외측 권선(142) 및 내측 권선(144)은 외주면(116) 및 내주면(117)의 수용홈부에 각각 결합될 수 있다.More specifically, the primary winding 140 includes an outer winding 142 formed to penetrate the magnetic core 130 along the outer circumferential surface 116 of the reaction body 110 and an inner circumferential surface 117 of the reaction body 110 . Accordingly, the inner winding 144 formed to penetrate the magnetic core 130 may be included. For example, the outer winding 142 and the inner winding 144 may be coupled to the receiving grooves of the outer circumferential surface 116 and the inner circumferential surface 117 , respectively.

나아가, 내측 권선(144)의 일단 및 외측 권선(142)의 일단은 선택적으로 서로 연결되어 전체적으로 일차 권선(140)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 일차 권선(140)은 내측 권선(144) 및 외측 권선(142)을 통해서 최소 2회전의 권선 구조를 형성할 수 있다. 한편, 내측 권선(144)의 및 외측 권선(142) 사이에 스위가 개재된 경우에는 선택적 연결을 통해서 일차 권선(140)의 회전수를 조절할 수 있다. Furthermore, one end of the inner winding 144 and one end of the outer winding 142 may be selectively connected to each other to form the primary winding 140 as a whole. Accordingly, the primary winding 140 may form a winding structure of at least two turns through the inner winding 144 and the outer winding 142 . On the other hand, when a switch is interposed between the inner winding 144 and the outer winding 142 , the number of rotations of the primary winding 140 may be adjusted through a selective connection.

이러한 구조는 전체적으로 도 1 내지 도 4의 변압기(TF)를 구성할 수 있다. 마그네틱 코어부(130)에 일차 권선(140)이 감겨져 있고, 마그네틱 코어부(130)를 감싸는 형태로 반응 본체(110)의 환형 루프 공간(112)이 배치될 수 있다. 즉, 환형 루프 공간(112)이 변압기(TF)의 이차측이 될 수 있다. 이에 따라, 일차 권선(140)에 1차 전류가 흐르게 되면, 마그네틱 코어부(130)에 자기력이 유도되고, 이러한 유도 자기력에 의해서 환형 루프 공간(112)에 2차 전류가 유도되면서 플라즈마가 형성될 수 있다.This structure may constitute the transformer TF of FIGS. 1 to 4 as a whole. The primary winding 140 is wound around the magnetic core part 130 , and the annular loop space 112 of the reaction body 110 may be disposed to surround the magnetic core part 130 . That is, the annular loop space 112 may be the secondary side of the transformer TF. Accordingly, when a primary current flows in the primary winding 140 , a magnetic force is induced in the magnetic core part 130 , and a secondary current is induced in the annular loop space 112 by this induced magnetic force to form plasma. can

제 1 부가 권선(152)은 도 1 내지 도 4의 제 1 부가 권선(AC1)의 일 예로써 제공될 수 있다. 예를 들어, 제 1 부가 권선(152)은 반응 본체(110)의 전면(114)을 따라서 형성되고, 마그네틱 코어부(130)를 관통하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 부가 권선(152)은 전면(114)의 수용홈부에 결합될 수 있다.The first auxiliary winding 152 may be provided as an example of the first auxiliary winding AC1 of FIGS. 1 to 4 . For example, the first auxiliary winding 152 may be formed along the front surface 114 of the reaction body 110 and may be disposed to penetrate the magnetic core portion 130 . For example, the first auxiliary winding 152 may be coupled to the receiving groove portion of the front surface (114).

제 2 부가 권선(154)은 도 1 내지 도 4의 제 2 부가 권선(AC2)의 일 예로써 제공될 수 있다. 예를 들어, 제 2 부가 권선(154)은 반응 본체(110)위 후면(115)을 따라서 형성되고, 마그네틱 코어부(130)를 관통하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 부가 권선(154)은 후면(115)의 수용홈부에 결합될 수 있다.The second auxiliary winding 154 may be provided as an example of the second auxiliary winding AC2 of FIGS. 1 to 4 . For example, the second auxiliary winding 154 may be formed along the rear surface 115 on the reaction body 110 and may be disposed to penetrate the magnetic core portion 130 . For example, the second additional winding 154 may be coupled to the receiving groove of the rear surface 115 .

제 1 부가 권선(152) 및 제 2 부가 권선(154)은 반응 본체(110)의 전면(114) 및 후면(115)에 각각 배치되어, 반응 본체(110)의 환형 루프 공간(112)을 사이에 두고 서로 마주보게 배치될 수 있다. 이에 따라, 제 1 부가 권선(152) 및 제 2 부가 권선(154)은 서로 용량 결합될 수 있다.The first auxiliary winding 152 and the second auxiliary winding 154 are respectively disposed on the front surface 114 and the rear surface 115 of the reaction body 110 , and interposed between the annular loop space 112 of the reaction body 110 . can be placed facing each other. Accordingly, the first auxiliary winding 152 and the second auxiliary winding 154 may be capacitively coupled to each other.

도 1 내지 도 4에서 설명한 바와 같이, 제 1 부가 권선(152) 및 제 2 부가 권선(154)은 마그네틱 코어부(130)에 유도 결합되거나 또는 일차 권선(140)에 선택적으로 연결될 수도 있다.1 to 4 , the first auxiliary winding 152 and the second auxiliary winding 154 may be inductively coupled to the magnetic core unit 130 or selectively connected to the primary winding 140 .

플라즈마 반응기(100)에 따르면, 반응 본체(110) 내에 플라즈마가 형성되고, 이 플라즈마에 의해서 환형 루프 공간(112) 내 가스들이 활성화될 수 있다. 이러한 활성 가스는 라디칼(radical), 이온 등을 포함할 수 있다. 이러한 활성 가스는 가스 배출부(125)를 통해서 필요한 곳으로 공급될 수 있다. 이러한 의미에서 플라즈마 반응기(100)는 원격 플라즈마 생성기(remote plasma generator, RPG), 원격 플라즈마 소스(remote plasma source, RPS) 또는 리모트 플라즈마 시스템(remote plasma system, RPS)으로 불릴 수도 있다. 하지만, 본 발명이 이러한 명칭에 의해서 제한되지는 않는다.According to the plasma reactor 100 , plasma is formed in the reaction body 110 , and gases in the annular loop space 112 may be activated by the plasma. Such an active gas may include radicals, ions, and the like. Such an active gas may be supplied to a required place through the gas discharge unit 125 . In this sense, the plasma reactor 100 may be referred to as a remote plasma generator (RPG), a remote plasma source (RPS), or a remote plasma system (RPS). However, the present invention is not limited by these names.

전술한 플라즈마 반응기(100)에서 생성된 활성 가스는 반도체, 디스플레이 또는 솔라셀 등의 제조 장치에서 챔버를 세정하기 위한 세정 가스로 사용되거나 또는 기판을 처리하기 위한 공정 가스로 사용될 수 있다.The active gas generated in the above-described plasma reactor 100 may be used as a cleaning gas for cleaning a chamber in a manufacturing apparatus such as a semiconductor, a display, or a solar cell, or may be used as a process gas for processing a substrate.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 반응기(100a)의 일부 구성을 보여주는 분해 사시도이다. 플라즈마 반응기(100a)는 플라즈마 반응기(100)에서 일부 구성을 부가하거나 변형한 것으로서, 도 1 내지 도 7의 설명을 참조할 수 있고, 중복도니 설명은 생략된다.8 is an exploded perspective view showing a partial configuration of a plasma reactor 100a according to another embodiment of the present invention. The plasma reactor 100a is a part of the plasma reactor 100 in which some components are added or modified, and the description of FIGS. 1 to 7 may be referred to, and repeated description will be omitted.

도 8을 참조하면, 플라즈마 반응기(100a)는 제 3 부가 권선(156)을 더 포함할 수 있다. 제 3 부가 권선(156)은 도 1 내지 도 4의 제 3 부가 권선(AC3)의 일 예로써 제공될 수 있다.Referring to FIG. 8 , the plasma reactor 100a may further include a third auxiliary winding 156 . The third auxiliary winding 156 may be provided as an example of the third auxiliary winding AC3 of FIGS. 1 to 4 .

제 3 부가 권선(156)은 마그네틱 코어부(130)의 적어도 일부를 관통하도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 3 부가 권선(156)은 반응 본체(110)의 표면을 따라서 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 보면, 제 3 부가 권선(156)은 반응 본체(110)의 면(114), 후면(115), 외주면(116) 및 내주면(117) 중 어느 일부에 형성될 수 있다.The third additional winding 156 may be formed to penetrate at least a portion of the magnetic core part 130 . For example, the third auxiliary winding 156 may be formed along the surface of the reaction body 110 . More specifically, the third additional winding 156 may be formed on any part of the surface 114 , the rear surface 115 , the outer peripheral surface 116 , and the inner peripheral surface 117 of the reaction body 110 .

도 1 내지 도 4에서 설명한 바와 같이, 제 3 부가 권선(156)은 제 1 부가 권선(152) 및/또는 제 2 부가 권선(154)에 선택적으로 연결될 수 있다.1 to 4 , the third auxiliary winding 156 may be selectively connected to the first auxiliary winding 152 and/or the second auxiliary winding 154 .

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 시스템(200)을 보여주는 개략적인 단면도이다.9 is a schematic cross-sectional view illustrating a plasma processing system 200 according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 플라즈마 처리 시스템(200)은 플라즈마 반응기(100) 및 공정 챔버(210)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 9 , the plasma processing system 200 may include a plasma reactor 100 and a process chamber 210 .

공정 챔버(210)는 기판(S)을 처리하기 위한 처리 공간을 포함하고, 플라즈마 반응기(100)의 가스 배출부(125)에 연결되어 처리 가스를 공급받을 수 있다. 예를 들어, 공정 챔버(210)는 기판(S)을 안착시키기 위한 기판 지지대(220)를 포함할 수 있다. 공정 챔버(210)는 기판(S)에 박막을 형성하거나, 기판(S) 상의 박막을 식각하거나 기판(S) 상의 유기물을 애싱처리하거나 또는 기판(S)을 세정 처리하는 데 이용될 수 있다.The process chamber 210 may include a processing space for processing the substrate S, and may be connected to the gas discharge unit 125 of the plasma reactor 100 to receive a processing gas. For example, the process chamber 210 may include a substrate support 220 for seating the substrate S. The process chamber 210 may be used to form a thin film on the substrate S, etch the thin film on the substrate S, ashing the organic material on the substrate S, or clean the substrate S.

플라즈마 반응기(100)는 공정 챔버(210)를 세정하기 위하여 세정 처리를 위한 활성 처리 가스를 생성하여 가스 배출부(125)를 통해서 공정 챔버(210)로 보내거나 또는 공정 챔버(210) 내에서 기판 처리를 위하여 활성 공정 가스를 가스 배출부(125)를 통해서 공정 챔버(210)로 제공할 수 있다.In order to clean the process chamber 210 , the plasma reactor 100 generates an active process gas for a cleaning process and sends it to the process chamber 210 through the gas outlet 125 or a substrate in the process chamber 210 . For processing, the active process gas may be provided to the process chamber 210 through the gas exhaust unit 125 .

이러한 플라즈마 처리 시스템(200)에 따르면, 공정 챔버(210) 내에 직접적인 플라즈마를 형성하지 않고서도 플라즈마 반응기(100)를 통해서 활성 가스를 공정 챔버(210)에 제공할 수 있다.According to the plasma processing system 200 , the active gas may be provided to the process chamber 210 through the plasma reactor 100 without directly forming plasma in the process chamber 210 .

플라즈마 처리 시스템(200)에서, 플라즈마 반응기(100)는 도 1 내지 도 4의 플라즈마 반응기들(50, 50a, 50b, 50c) 또는 도 8의 플라즈마 반응기(100a)의 구조로 변형될 수 있다.In the plasma processing system 200 , the plasma reactor 100 may be transformed into the structure of the plasma reactors 50 , 50a , 50b , and 50c of FIGS. 1 to 4 or the plasma reactor 100a of FIG. 8 .

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, which are merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

50, 50a, 50b, 100: 플라즈마 반응기
110: 반응기 본체
120: 가스 유입부
125: 가스 배출부
130: 마그네틱 코어부
140: 일차 권선
162: 이차 권선
164: 공진 커패시터
200: 기판 처리 시스템
210: 공정 챔버
220: 기판 지지대
50, 50a, 50b, 100: plasma reactor
110: reactor body
120: gas inlet
125: gas outlet
130: magnetic core part
140: primary winding
162: secondary winding
164: resonant capacitor
200: substrate processing system
210: process chamber
220: substrate support

Claims (11)

일측에 가스 유입부가 형성되고, 타측에 가스 배출부가 형성된, 반응 본체;
상기 반응 본체의 일부분을 둘러싸는 마그네틱 코어부;
상기 마그네틱 코어부에 결합하여, 상기 반응 본체 내에 가스의 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 전원부에 연결된 일차 권선;
상기 반응 본체의 전면을 따라서 형성되고 상기 마그네틱 코어부를 관통하도록 배치된 제 1 부가 권선; 및
상기 반응 본체의 후면을 따라서 상기 제 1 부가 권선에 대향되게 형성되고 상기 마그네틱 코어부를 관통하도록 배치된 제 2 부가 권선을 포함하는,
플라즈마 반응기.
a reaction body having a gas inlet formed on one side and a gas outlet formed on the other side;
a magnetic core portion surrounding a portion of the reaction body;
a primary winding coupled to the magnetic core and connected to a power supply to generate a plasma of gas in the reaction body;
a first auxiliary winding formed along the front surface of the reaction body and disposed to penetrate the magnetic core portion; and
and a second auxiliary winding formed to face the first auxiliary winding along the rear surface of the reaction body and disposed to penetrate through the magnetic core portion,
plasma reactor.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 부가 권선 및 상기 제 2 부가 권선은 상기 일차 권선과 직결되지 않고 상기 마그네틱 코어부를 통해서 유도 결합된,
플라즈마 반응기.
The method of claim 1,
The first auxiliary winding and the second auxiliary winding are not directly connected to the primary winding and are inductively coupled through the magnetic core part,
plasma reactor.
제 1 항에 있어서,
상기 반응 본체에는 내주면을 따라서 내홀이 형성되고, 상기 반응 본체의 내부에는 상기 내홀을 둘러싸는 환형 루프 공간이 형성되고,
상기 일차 권선은 상기 반응 본체의 외주면을 따라 상기 마그네틱 코어부를 관통하도록 형성된 외측 권선; 및
상기 반응 본체의 상기 내주면을 따라서 상기 마그네틱 코어부를 관통하도록 형성된 내측 권선을 포함하고,
상기 내측 권선의 일단 및 상기 외측 권선의 일단은 선택적으로 서로 연결가능한,
플라즈마 반응기.
The method of claim 1,
An inner hole is formed in the reaction body along an inner circumferential surface, and an annular loop space surrounding the inner hole is formed inside the reaction body,
The primary winding may include an outer winding formed to penetrate the magnetic core portion along an outer circumferential surface of the reaction body; and
an inner winding formed to penetrate the magnetic core portion along the inner circumferential surface of the reaction body;
One end of the inner winding and one end of the outer winding are selectively connectable to each other,
plasma reactor.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 부가 권선 및 상기 제 2 부가 권선은 상기 일차 권선에 선택적으로 연결된,
플라즈마 반응기.
The method of claim 1,
wherein the first and second secondary windings are selectively coupled to the primary winding;
plasma reactor.
제 4 항에 있어서,
상기 제 1 부가 권선 및 상기 제 2 부가 권선은 상기 전원부 외부에 배치된 적어도 하나의 스위치에 의해서 상기 일차 권선에 선택적으로 연결된,
플라즈마 반응기.
5. The method of claim 4,
the first auxiliary winding and the second auxiliary winding are selectively connected to the primary winding by at least one switch disposed outside the power supply;
plasma reactor.
제 4 항에 있어서,
상기 제 1 부가 권선 및 상기 제 2 부가 권선은 상기 전원부 내부에 배치된 적어도 하나의 스위치에 의해서 상기 일차 권선에 선택적으로 연결된,
플라즈마 반응기.
5. The method of claim 4,
The first auxiliary winding and the second auxiliary winding are selectively connected to the primary winding by at least one switch disposed inside the power supply unit,
plasma reactor.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 부가 권선 또는 상기 제 2 부가 권선에 선택적으로 연결되고, 상기 마그네틱 코어부를 감도록 배치된 제 3 부가 권선을 더 포함하는,
플라즈마 반응기.
The method of claim 1,
Further comprising a third auxiliary winding selectively connected to the first auxiliary winding or the second auxiliary winding and arranged to wind the magnetic core portion,
plasma reactor.
제 7 항에 있어서,
상기 제 3 부가 권선은 상기 반응 본체의 표면을 따라서, 상기 마그네틱 코어부의 적어도 일부를 관통하도록 형성된,
플라즈마 반응기.
8. The method of claim 7,
the third auxiliary winding is formed along the surface of the reactive body to penetrate at least a portion of the magnetic core portion;
plasma reactor.
제 7 항에 있어서,
상기 제 3 부가 권선의 중심부는 그 양측의 위상이 반전되도록 접지된,
플라즈마 반응기.
8. The method of claim 7,
The center of the third auxiliary winding is grounded so that the phases of both sides thereof are reversed,
plasma reactor.
제 1 항에 있어서,
상기 반응 본체는,
가스가 상기 가스 유입부로 유입되어 환형 루프 공간 내에서 두 유로로 분지되어 활성화 된 후 다시 합지되어 상기 가스 배출부로 배출되는 토로이달 구조인,
플라즈마 반응기.
The method of claim 1,
The reaction body is
A toroidal structure in which gas flows into the gas inlet, branches into two flow paths in the annular loop space, is activated, and then is combined again and discharged to the gas outlet,
plasma reactor.
제 10 항에 있어서,
상기 반응 본체는,
절연 코팅이 이루어진 전도성 금속 또는 절연물로 구성되는 것인,
플라즈마 반응기.

11. The method of claim 10,
The reaction body is
which is composed of a conductive metal or insulator with an insulating coating,
plasma reactor.

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