KR20220021066A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20220021066A
KR20220021066A KR1020200101199A KR20200101199A KR20220021066A KR 20220021066 A KR20220021066 A KR 20220021066A KR 1020200101199 A KR1020200101199 A KR 1020200101199A KR 20200101199 A KR20200101199 A KR 20200101199A KR 20220021066 A KR20220021066 A KR 20220021066A
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inorganic layers
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color filter
low reflection
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성재민
김인옥
신유식
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

제1 화소 영역, 제2 화소 영역, 제3 화소 영역, 및 제1 내지 제3 화소 영역들 사이에 위치하는 비화소 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서, 표시 장치는 제1 기판, 제1 기판 위의 제1 내지 제3 화소 영역들 각각에 배치되는 발광 소자, 발광 소자 위의 제1 화소 영역, 제2 화소 영역 및 제3 화소 영역에 각각 배치되는 제1 색변환 패턴, 제2 색변환 패턴, 및 광투과 패턴을 포함하는 색변환층, 제1 색변환 패턴, 제2 색변환 패턴 및 광투과 패턴 위에 각각 배치되는 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터, 및 제3 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층, 그리고 제1 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제1 무기층들을 포함하는 제1 저반사 패턴, 제2 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제2 무기층들을 포함하는 제2 저반사 패턴 및 제3 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제3 무기층들을 포함하는 제3 저반사 패턴을 포함하는 저반사층을 포함하고, 제1 무기층들의 개수, 제2 무기층들의 개수, 및 제3 무기층들의 개수 중 적어도 두 개는 서로 다를 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 색변환층을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
정보 기술의 발전에 따라 사용자와 정보 사이의 연결 매체인 표시 장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치 등과 같은 평판 표시 장치의 사용이 증가하고 있다.
최근 들어, 우수한 색 재현율 및 높은 휘도의 표시 장치를 구현하기 위하여 색변환층 및 컬러 필터층을 포함하는 표시 장치가 제안되고 있다. 다만, 외부에서 컬러 필터층으로 입사되는 광이 컬러 필터층과 컬러 필터층 위의 캡핑층 또는 오버코트층 사이에서 반사되어 사용자가 반사된 외광을 시인할 수 있고, 이에 따라, 표시 장치의 표시 품질이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 제1 화소 영역, 제2 화소 영역, 제3 화소 영역, 및 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 사이에 위치하는 비화소 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서, 상기 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위의 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 각각에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자 위의 상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역 및 상기 제3 화소 영역에 각각 배치되는 제1 색변환 패턴, 제2 색변환 패턴 및 광투과 패턴을 포함하는 색변환층, 상기 제1 색변환 패턴, 상기 제2 색변환 패턴 및 상기 광투과 패턴 위에 각각 배치되는 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층, 그리고 상기 제1 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제1 무기층들을 포함하는 제1 저반사 패턴, 상기 제2 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제2 무기층들을 포함하는 제2 저반사 패턴 및 상기 제3 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제3 무기층들을 포함하는 제3 저반사 패턴을 포함하는 저반사층을 포함하고, 상기 제1 무기층들의 개수, 상기 제2 무기층들의 개수, 및 상기 제3 무기층들의 개수 중 적어도 두 개는 서로 다를 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 저반사 패턴, 상기 제2 저반사 패턴, 및 상기 제3 저반사 패턴 각각은 실리콘 질화층, 실리콘 산화층, 및 실리콘 산질화층 중 적어도 두 개를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 컬러 필터는 청색 컬러 필터일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 무기층들의 상기 개수는 2 개일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 저반사 패턴은 실리콘 질화층 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 실리콘 산화층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 무기층들의 상기 개수는 3 개일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 저반사 패턴은 제1 실리콘 산화층, 상기 제1 실리콘 산화층 위에 배치되는 실리콘 질화층, 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 제2 실리콘 산화층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 저반사 패턴은 실리콘 산화층, 상기 실리콘 산화층 위에 배치되는 실리콘 질화층, 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 실리콘 산질화층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 저반사 패턴은 실리콘 산질화층, 상기 실리콘 산질화층 위에 배치되는 실리콘 질화층, 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 실리콘 산화층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 무기층들의 상기 개수는 4 개일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 저반사 패턴은 제1 실리콘 산화층, 상기 제1 실리콘 산화층 위에 배치되는 실리콘 산질화층, 상기 실리콘 산질화층 위에 배치되는 실리콘 질화층, 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 제2 실리콘 산화층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 저반사 패턴은 실리콘 산질화층, 상기 실리콘 산질화층 위에 배치되는 제1 실리콘 산화층, 상기 제1 실리콘 산화층 위에 배치되는 실리콘 질화층, 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 제2 실리콘 산화층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 색변환층과 상기 저반사층 사이의 상기 비화소 영역에 배치되고 상기 제3 컬러 필터와 같은 물질을 포함하는 차광층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 저반사 패턴은 상기 차광층에 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 컬러 필터층과 상기 저반사층 사이에 배치되는 오버코트층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 저반사층 위에 배치되는 하드 코팅층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 컬러 필터층과 상기 저반사층 사이에 배치되는 제2 기판 및 상기 발광 소자와 상기 색변환층 사이에 배치되는 충진층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층들 각각의 두께, 상기 제2 무기층들 각각의 두께, 및 상기 제3 무기층들 각각의 두께는 약 3000 Å 이하일 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 제1 화소 영역, 제2 화소 영역, 제3 화소 영역, 및 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 사이에 위치하는 비화소 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서, 상기 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위의 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 각각에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자 위의 상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역 및 상기 제3 화소 영역에 각각 배치되는 제1 색변환 패턴, 제2 색변환 패턴 및 광투과 패턴을 포함하는 색변환층, 상기 제1 색변환 패턴, 상기 제2 색변환 패턴 및 상기 광투과 패턴 위에 각각 배치되는 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층, 그리고 상기 제1 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제1 무기층들을 포함하는 제1 저반사 패턴, 상기 제2 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제2 무기층들을 포함하는 제2 저반사 패턴 및 상기 제3 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제3 무기층들을 포함하는 제3 저반사 패턴을 포함하는 저반사층을 포함하고, 상기 제1 무기층들의 개수, 상기 제2 무기층들의 개수, 및 상기 제3 무기층들의 개수는 서로 같으며, 상기 제1 무기층들의 종류, 상기 제2 무기층들의 종류, 및 상기 제3 무기층들의 종류 중 적어도 두 개는 서로 다를 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 제1 화소 영역, 제2 화소 영역, 제3 화소 영역, 및 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 사이에 위치하는 비화소 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서, 상기 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위의 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 각각에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자 위의 상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역 및 상기 제3 화소 영역에 각각 배치되는 제1 색변환 패턴, 제2 색변환 패턴 및 광투과 패턴을 포함하는 색변환층, 상기 제1 색변환 패턴, 상기 제2 색변환 패턴 및 상기 광투과 패턴 위에 각각 배치되는 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층, 그리고 상기 제1 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제1 무기층들을 포함하는 제1 저반사 패턴, 상기 제2 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제2 무기층들을 포함하는 제2 저반사 패턴 및 상기 제3 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제3 무기층들을 포함하는 제3 저반사 패턴을 포함하는 저반사층을 포함하고, 상기 제1 무기층들의 개수, 상기 제2 무기층들의 개수, 및 상기 제3 무기층들의 개수는 서로 같으며, 상기 제1 무기층들의 종류, 상기 제2 무기층들의 종류, 및 상기 제3 무기층들의 종류는 서로 같고, 상기 제1 무기층들의 적층 순서, 상기 제2 무기층들의 적층 순서, 및 상기 제3 무기층들의 적층 순서는 서로 다를 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치가 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터, 및 제3 컬러 필터 위에 각각 배치되는 제1 저반사 패턴, 제2 저반사 패턴, 및 제3 저반사 패턴을 포함하고, 제1 저반사 패턴, 제2 저반사 패턴, 및 제3 저반사 패턴이 서로 다른 개수의 무기층들, 서로 다른 종류의 무기층들, 또는 서로 다른 적층 순서의 무기층들을 포함함에 따라, 표시 장치의 외광 반사가 감소하고, 표시 장치의 표시 품질이 개선될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 2의 제3 저반사 패턴의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 2의 제3 저반사 패턴의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 2의 제3 저반사 패턴의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 제1 화소 영역(PA1), 제2 화소 영역(PA2), 제3 화소 영역(PA3), 및 비화소 영역(NPA)을 포함할 수 있다.
제1 화소 영역(PA1)은 제1 색의 제1 광(L1)을 방출하고, 제2 화소 영역(PA2)은 제2 색의 제2 광(L2)을 방출하며, 제3 화소 영역(PA3)은 제3 색의 제3 광(L3)을 방출할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제1 색은 적색이고, 상기 제2 색은 녹색이며, 상기 제3 색은 청색일 수 있다. 이 경우, 제1 화소 영역(PA1)은 적색 화소 영역이고, 제2 화소 영역(PA2)은 녹색 화소 영역이며, 제3 화소 영역(PA3)은 청색 화소 영역일 수 있다.
제1 화소 영역(PA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제3 화소 영역(PA3)은 하나의 화소 영역을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 화소 영역은 제1 광(L1), 제2 광(L2), 및 제3 광(L3)이 혼합된 광을 방출할 수 있다.
비화소 영역(NPA)은 제1 화소 영역(PA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제3 화소 영역(PA3) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들면, 비화소 영역(NPA)은 평면상 제1 화소 영역(PA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제3 화소 영역(PA3)을 둘러쌀 수 있다. 비화소 영역(NPA)은 광을 방출하지 않을 수 있다.
도 2는 도 1의 A-A' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(10)는 제1 기판(110), 트랜지스터(120), 발광 소자(140), 박막 봉지층(150), 뱅크층(260), 색변환층(250), 컬러 필터층(230), 차광층(220), 및 저반사층(400)을 포함할 수 있다.
제1 기판(110)은 투명하거나 불투명한 절연 기판일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 기판(110)은 유리, 석영 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1 기판(110)은 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아크릴레이트 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(121)은 제1 기판(110) 위에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 액티브 패턴(121)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 액티브 패턴(121)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
게이트 절연층(131)은 제1 기판(110) 위에 배치되고, 액티브 패턴(121)을 덮을 수 있다. 게이트 절연층(131)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 전극(122)은 게이트 절연층(131) 위에 배치되고, 액티브 패턴(121)에 중첩할 수 있다. 게이트 전극(122)은 구리(Cu), 몰리브데넘(Mo), 타이타늄(Ti), 알루미늄(Al) 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다.
층간 절연층(132)은 게이트 절연층(131) 위에 배치되고, 게이트 전극(122)을 덮을 수 있다. 층간 절연층(132)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 층간 절연층(132) 위에 배치되고, 액티브 패턴(121)에 연결될 수 있다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 구리(Cu), 몰리브데넘(Mo), 타이타늄(Ti), 알루미늄(Al) 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(121), 게이트 전극(122), 소스 전극(123), 및 드레인 전극(124)은 트랜지스터(120)를 형성할 수 있다. 트랜지스터(120)는 제1 화소 영역(PA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제3 화소 영역(PA3) 각각에 배치될 수 있다.
평탄화층(133)은 층간 절연층(132) 위에 배치되고, 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 덮을 수 있다. 평탄화층(133)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질 및/또는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 벤조사이클로 부텐 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
화소 전극(141)은 평탄화층(133) 위에 배치되고, 드레인 전극(124)에 연결될 수 있다. 화소 전극(141)은 인듐-주석-산화물(ITO), 인듐-아연-산화물(IZO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 산화물(In2O3) 등을 포함하는 투명 도전층 및 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pb), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 등을 포함하는 반사 도전층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소 전극(141)은 ITO, Ag, 및 ITO의 적층 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 화소 전극(141)은 반사 전극일 수 있다.
화소 정의막(134)은 평탄화층(133) 위에 배치되고, 화소 전극(141)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소 정의막(134)은 화소 전극(141)의 주변부를 덮고, 화소 전극(141)의 중심부를 노출하는 화소 개구를 가질 수 있다. 화소 정의막(134)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질 및/또는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 벤조사이클로 부텐 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
발광층(142)은 상기 화소 개구에 의해 노출되는 화소 전극(141) 및 화소 정의막(134) 위에 배치될 수 있다. 화소 전극(141)에서 제공되는 정공과 대향 전극(143)에서 제공되는 전자는 발광층(142)에서 결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 상기 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변하면서 발광층(142)이 광을 방출할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 발광층(142)은 제3 광(L3)을 방출할 수 있다.
대향 전극(143)은 발광층(142) 위에 배치될 수 있다. 대향 전극(143)은 리튬(Li), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 백금(Pt), 납(Pb), 니켈(Ni), 금(Au), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 바륨(Ba) 등을 포함하는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 대향 전극(143)은 투과 전극일 수 있다.
화소 전극(141), 발광층(142), 및 대향 전극(143)은 발광 소자(140)를 형성할 수 있다. 발광 소자(140)는 제1 화소 영역(PA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제3 화소 영역(PA3) 각각에 배치될 수 있다.
박막 봉지층(150)은 대향 전극(143) 위에 배치될 수 있다. 박막 봉지층(150)은 외부로부터 발광 소자(140)에 불순물, 수분 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 박막 봉지층(150)은 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 박막 봉지층(150)은 제1 무기 봉지층(151), 제1 무기 봉지층(151) 위에 배치되는 제2 무기 봉지층(153), 및 제1 무기 봉지층(151)과 제2 무기 봉지층(153) 사이에 배치되는 유기 봉지층(152)을 포함할 수 있다.
뱅크층(260)은 박막 봉지층(150) 위에 배치될 수 있다. 뱅크층(260)은 비화소 영역(NPA)에 배치될 수 있다. 뱅크층(260)은 뱅크층(260)으로 입사되는 광을 차단할 수 있다. 이에 따라, 뱅크층(260)은 제1 화소 영역(PA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제3 화소 영역(PA3) 사이의 혼색을 방지할 수 있다.
제1 보호층(241)은 박막 봉지층(150) 위에 배치되고, 뱅크층(260)을 덮을 수 있다. 제1 보호층(241)은 외부로부터 컬러 필터층(230) 및 색변환층(250)에 수분, 공기 등과 같은 불순물이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 제1 보호층(241)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
색변환층(250)은 제1 보호층(241) 위에 배치될 수 있다. 색변환층(250)은 제1 색변환 패턴(251), 제2 색변환 패턴(252), 및 광투과 패턴(253)을 포함할 수 있다. 제1 색변환 패턴(251)은 제1 화소 영역(PA1)에 배치되고, 제2 색변환 패턴(252)은 제2 화소 영역(PA2)에 배치되며, 광투과 패턴(253)은 제3 화소 영역(PA3)에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 뱅크층(260)은 제1 색변환 패턴(251), 제2 색변환 패턴(252), 및 광투과 패턴(253) 사이에 배치될 수 있다.
제1 색변환 패턴(251)은 제1 색변환 패턴(251)에 입사하는 광을 제1 광(L1)으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 색변환 패턴(251)은 제3 광(L3)을 제1 광(L1)으로 변환할 수 있다. 제1 색변환 패턴(251)은 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, (CaAlSiN3), CaMoO4, 및 Eu2Si5N8 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제1 색변환 패턴(251)은 양자점(251Q)을 포함할 수 있다. 양자점(251Q)은 제3 광(L3)을 제1 광(L1)으로 변환할 수 있다. 제1 색변환 패턴(251)은 산란체(251S)를 더 포함할 수도 있다. 산란체(251S)는 제1 색변환 패턴(251)에 입사하는 광을 여러 방향으로 산란시킬 수 있다. 산란체(251S)는 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물 입자는 산화 타이타늄 산화물(TiO2), 지르코늄 산화물(ZrO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 인듐 산화물(In2O3), 아연 산화물(ZnO), 주석 산화물(SnO2) 등이고, 상기 유기 입자는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지 등일 수 있다.
제2 색변환 패턴(252)은 제2 색변환 패턴(252)에 입사하는 광을 제2 광(L2)으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 색변환 패턴(252)은 제3 광(L3)을 제2 광(L2)으로 변환할 수 있다. 제2 색변환 패턴(252)은 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 녹색 형광체는 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, 바륨마그네슘알루미네이트(BAM), 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON, 및 (Sr1-xBax)Si2O2N2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 경우, (Sr1-xBax)Si2O2N2의 x는 0 내지 1 사이의 임의의 수일 수 있다. 또한, 제2 색변환 패턴(252)은 양자점(252Q)을 포함할 수 있다. 양자점(252Q)은 제3 광(L3)을 제2 광(L2)으로 변환할 수 있다. 제2 색변환 패턴(252)은 산란체(252S)를 더 포함할 수도 있다. 산란체(252S)는 제2 색변환 패턴(252)에 입사하는 광을 여러 방향으로 산란시킬 수 있다. 제2 색변환 패턴(252)에 포함되는 산란체(252S)는 제1 색변환 패턴(251)에 포함되는 산란체(251S)와 실질적으로 같을 수 있다.
광투과 패턴(253)은 광투과 패턴(253)에 입사하는 광을 제3 광(L3)으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 광투과 패턴(253)은 제3 광(L3)을 투과할 수 있다. 광투과 패턴(253)은 투명 고분자 물질을 포함할 수 있다. 또한, 광투과 패턴(253)은 산란체(253S)를 포함할 수도 있다. 산란체(253S)는 광투과 패턴(253)에 입사하는 광을 여러 방향으로 산란시킬 수 있다. 광투과 패턴(253)에 포함되는 산란체(253S)는 제1 색변환 패턴(251)에 포함되는 산란체(251S) 및 제2 색변환 패턴(252)에 포함되는 산란체(252S)와 실질적으로 같을 수 있다.
제2 보호층(242)은 색변환층(250) 위에 배치될 수 있다. 제2 보호층(242)은 외부로부터 컬러 필터층(230) 및 색변환층(250)에 수분, 공기 등과 같은 불순물이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 제2 보호층(242)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
컬러 필터층(230)은 제2 보호층(242) 위에 배치될 수 있다. 컬러 필터층(230)은 제1 컬러 필터(231), 제2 컬러 필터(232), 및 제3 컬러 필터(233)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터(231)는 제1 색변환 패턴(251) 위에 배치되고, 제2 컬러 필터(232)는 제2 색변환 패턴(252) 위에 배치되며, 제3 컬러 필터(233)는 광투과 패턴(253) 위에 배치될 수 있다.
컬러 필터층(230)은 컬러 필터층(230)으로 입사되는 일부 파장 대역의 광을 투과하고, 컬러 필터층(230)으로 입사되는 다른 파장 대역의 광을 차단할 수 있다. 제1 컬러 필터(231)는 제1 광(L1)을 투과하고, 예를 들면, 제2 광(L2) 및 제3 광(L3)을 차단할 수 있다. 제2 컬러 필터(232)는 제2 광(L2)을 투과하고, 예를 들면, 제1 광(L1) 및 제3 광(L3)을 차단할 수 있다. 제3 컬러 필터(233)는 제3 광(L3)을 투과하고, 예를 들면, 제1 광(L1) 및 제2 광(L2)을 차단할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 컬러 필터(231), 제2 컬러 필터(232), 및 제3 컬러 필터(233)는 각각 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터일 수 있다.
차광층(220)은 제2 보호층(242) 위에 배치될 수 있다. 차광층(220)은 비화소 영역(NPA)에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 차광층(220)은 제1 컬러 필터(231), 제2 컬러 필터(232), 및 제3 컬러 필터(233) 사이에 배치될 수 있다. 차광층(220)은 차광층(220)으로 입사되는 광을 차단할 수 있다. 이에 따라, 차광층(220)은 제1 화소 영역(PA1), 제2 화소 영역(PA2), 및 제3 화소 영역(PA3) 사이의 혼색을 방지할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 차광층(220)은 제3 컬러 필터(233)와 같은 물질을 포함할 수 있다.
저반사층(400)은 컬러 필터층(230) 및 차광층(220) 위에 배치될 수 있다. 저반사층(400)은 컬러 필터층(230)에 입사하는 외광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 저반사층(400)은 제1 저반사 패턴(410), 제2 저반사 패턴(420), 및 제3 저반사 패턴(430)을 포함할 수 있다. 제1 저반사 패턴(410)은 제1 컬러 필터(231) 위에 배치되고, 제2 저반사 패턴(420)은 제2 컬러 필터(232) 위에 배치되며, 제3 저반사 패턴(430)은 제3 컬러 필터(233) 위에 배치될 수 있다.
제1 저반사 패턴(410)은 복수의 제1 무기층들을 포함할 수 있다. 상기 제1 무기층들을 제1 컬러 필터(231) 위에 적층될 수 있다. 상기 제1 무기층들 중 인접하는 제1 무기층들의 굴절률들은 서로 다를 수 있다. 제1 저반사 패턴(410)은 제1 컬러 필터(231)에 입사하는 외광의 반사율을 감소시킬 수 있다.
제2 저반사 패턴(420)은 복수의 제2 무기층들을 포함할 수 있다. 상기 제2 무기층들을 제2 컬러 필터(232) 위에 적층될 수 있다. 상기 제2 무기층들 중 인접하는 제2 무기층들의 굴절률들은 서로 다를 수 있다. 제2 저반사 패턴(420)은 제2 컬러 필터(232)에 입사하는 외광의 반사율을 감소시킬 수 있다.
제3 저반사 패턴(430)은 복수의 제3 무기층들을 포함할 수 있다. 상기 제3 무기층들을 제3 컬러 필터(233) 위에 적층될 수 있다. 상기 제3 무기층들 중 인접하는 제3 무기층들의 굴절률들은 서로 다를 수 있다. 제3 저반사 패턴(430)은 제3 컬러 필터(233)에 입사하는 외광의 반사율을 감소시킬 수 있다.
제1 저반사 패턴(410), 제2 저반사 패턴(420), 및 제3 저반사 패턴(430) 각각은 서로 다른 종류의 두 개 이상의 무기층들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 저반사 패턴(410), 제2 저반사 패턴(420), 및 제3 저반사 패턴(430) 각각은 실리콘 질화층, 실리콘 산화층, 및 실리콘 산질화층 중 적어도 두 개를 포함할 수 있다.
제1 컬러 필터(231), 제2 컬러 필터(232), 및 제3 컬러 필터(233)는 서로 다른 물질들을 포함할 수 있고, 이에 따라, 제1 컬러 필터(231), 제2 컬러 필터(232), 및 제3 컬러 필터(233)는 외광에 대한 서로 다른 굴절률들을 가질 수 있다. 서로 다른 굴절률들을 가지는 제1 컬러 필터(231), 제2 컬러 필터(232), 및 제3 컬러 필터(233) 별로 반사율을 감소시키기 위하여, 제1 저반사 패턴(410), 제2 저반사 패턴(420), 및 제3 저반사 패턴(430)은 무기층들의 개수, 무기층들의 종류, 및 무기층들의 적층 순서 중 적어도 하나가 서로 다를 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 제1 무기층들의 개수, 상기 제2 무기층들의 개수, 및 상기 제3 무기층들의 개수 중 적어도 두 개는 서로 다를 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층들의 개수, 상기 제2 무기층들의 개수, 및 상기 제3 무기층들의 개수는 서로 다를 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층들의 개수, 상기 제2 무기층들의 개수, 및 상기 제3 무기층들의 개수 중 두 개는 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 무기층들의 개수와 상기 제2 무기층들의 개수는 서로 다르고, 상기 제1 무기층들의 개수와 상기 제3 무기층들의 개수는 서로 같을 수 있다. 이 경우, 제1 저반사 패턴(410)과 제3 저반사 패턴(430)은 무기층들의 종류 및 무기층들의 적층 순서 중 적어도 하나가 서로 다를 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 제1 무기층들의 개수, 상기 제2 무기층들의 개수, 및 상기 제3 무기층들의 개수는 서로 같고, 상기 제1 무기층들의 종류, 상기 제2 무기층들의 종류, 및 상기 제3 무기층들의 종류 중 적어도 두 개는 서로 다를 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층들의 종류, 상기 제2 무기층들의 종류, 및 상기 제3 무기층들의 종류는 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 제1 저반사 패턴(410)은 실리콘 질화층 및 실리콘 산질화층을 포함하고, 제2 저반사 패턴(420)은 실리콘 산화층 및 실리콘 산질화층을 포함하며, 제3 저반사 패턴(430)은 실리콘 질화층 및 실리콘 산화층을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층들의 종류, 상기 제2 무기층들의 종류, 및 상기 제3 무기층들의 종류 중 두 개는 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 무기층들의 종류와 상기 제2 무기층들의 종류는 서로 다르고, 상기 제1 무기층들의 종류와 상기 제3 무기층들의 종류는 서로 같을 수 있다. 이 경우, 제1 저반사 패턴(410)과 제3 저반사 패턴(430)은 무기층들의 적층 순서가 서로 다를 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 제1 무기층들의 개수, 상기 제2 무기층들의 개수, 및 상기 제3 무기층들의 개수는 서로 같고, 상기 제1 무기층들의 종류, 상기 제2 무기층들의 종류, 및 상기 제3 무기층들의 종류는 서로 같으며, 상기 제1 무기층들의 적층 순서, 상기 제2 무기층들의 적층 순서, 및 상기 제3 무기층들의 적층 순서는 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 제1 저반사 패턴(410), 제2 저반사 패턴(420), 및 제3 저반사 패턴(430) 각각이 실리콘 질화층, 실리콘 산화층, 및 실리콘 산질화층의 3 개의 무기층들을 포함하는 경우에, 상기 제1 무기층들은 실리콘 산화층, 실리콘 질화층, 및 실리콘 산질화층의 적층 순서를 가지고, 상기 제2 무기층들은 실리콘 질화층, 실리콘 산질화층, 및 실리콘 산화층의 적층 순서를 가지며, 상기 제3 무기층들은 실리콘 산질화층, 실리콘 질화층, 및 실리콘 산화층의 적층 순서를 가질 수 있다.
도 3은 도 2의 제3 저반사 패턴(430)의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 실시예들에 있어서, 제3 저반사 패턴(430_1)의 상기 제3 무기층들의 개수는 2 개일 수 있다. 제3 저반사 패턴(430_1)은 제3-1 무기층(431) 및 제3-1 무기층(431) 위에 배치되는 제3-2 무기층(432)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제3-1 무기층(431)은 실리콘 질화층이고, 제3-2 무기층(432)은 실리콘 산화층일 수 있다.
도 4는 도 2의 제3 저반사 패턴(430)의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 실시예들에 있어서, 제3 저반사 패턴(430_2)의 상기 제3 무기층들의 개수는 3 개일 수 있다. 제3 저반사 패턴(430_2)은 제3-1 무기층(431), 제3-1 무기층(431) 위에 배치되는 제3-2 무기층(432), 및 제3-2 무기층(432) 위에 배치되는 제3-3 무기층(433)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제3-1 무기층(431)은 실리콘 산화층이고, 제3-2 무기층(432)은 실리콘 질화층이며, 제3-3 무기층(433)은 실리콘 산화층일 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제3-1 무기층(431)은 실리콘 산화층이고, 제3-2 무기층(432)은 실리콘 질화층이며, 제3-3 무기층(433)은 실리콘 산질화층일 수 있다. 또 다른 실시예에 있어서, 제3-1 무기층(431)은 실리콘 산질화층이고, 제3-2 무기층(432)은 실리콘 질화층이며, 제3-3 무기층(433)은 실리콘 산화층일 수 있다.
도 5는 도 2의 제3 저반사 패턴(430)의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 실시예들에 있어서, 제3 저반사 패턴(430_3)의 상기 제3 무기층들의 개수는 4 개일 수 있다. 제3 저반사 패턴(430_3)은 제3-1 무기층(431), 제3-1 무기층(431) 위에 배치되는 제3-2 무기층(432), 제3-2 무기층(432) 위에 배치되는 제3-3 무기층(433), 및 제3-3 무기층(433) 위에 배치되는 제3-4 무기층(434)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제3-1 무기층(431)은 실리콘 산화층이고, 제3-2 무기층(432)은 실리콘 산질화층이며, 제3-3 무기층(433)은 실리콘 질화층이고, 제3-4 무기층(434)은 실리콘 산화층일 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제3-1 무기층(431)은 실리콘 산질화층이고, 제3-2 무기층(432)은 실리콘 산화층이며, 제3-3 무기층(433)은 실리콘 질화층이고, 제3-4 무기층(434)은 실리콘 산화층일 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 비교예와 실시예들을 통하여 본 발명의 실시예들의 효과를 설명하기로 한다.
비교예
약 2.4 ㎛의 두께를 가지는 청색 컬러 필터 위에 저반사 패턴이 배치되지 않는다.
실시예 1
약 2.4 ㎛의 두께를 가지는 청색 컬러 필터 위에 순차적으로 적층되는 약 0.108 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 질화층 및 약 0.076 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산화층을 포함하는 저반사 패턴이 배치된다.
실시예 2
약 2.4 ㎛의 두께를 가지는 청색 컬러 필터 위에 순차적으로 적층되는 약 0.152 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산화층, 약 0.1 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 질화층, 및 약 0.076 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산화층을 포함하는 저반사 패턴이 배치된다.
실시예 3
약 2.4 ㎛의 두께를 가지는 청색 컬러 필터 위에 순차적으로 적층되는 약 0.348 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산화층, 약 0.074 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 질화층, 및 약 0.084 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산질화층을 포함하는 저반사 패턴이 배치된다.
실시예 4
약 2.4 ㎛의 두께를 가지는 청색 컬러 필터 위에 순차적으로 적층되는 약 0.106 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산질화층, 약 0.096 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 질화층, 및 약 0.08 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산화층을 포함하는 저반사 패턴이 배치된다.
실시예 5
약 2.4 ㎛의 두께를 가지는 청색 컬러 필터 위에 순차적으로 적층되는 약 0.108 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산화층, 약 0.25 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산질화층, 약 0.054 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 질화층, 및 약 0.1 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산화층을 포함하는 저반사 패턴이 배치된다.
실시예 6
약 2.4 ㎛의 두께를 가지는 청색 컬러 필터 위에 순차적으로 적층되는 약 0.12 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산질화층, 약 0.192 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산화층, 약 0.042 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 질화층, 및 약 0.108 ㎛의 두께를 가지는 실리콘 산화층을 포함하는 저반사 패턴이 배치된다.
비교예 및 실시예 1 내지 실시예 6에 따른 적층 구조들에 대하여 반사 시뮬레이션 도구를 이용하여 도출된 최저 반사율을 표 1에 나타내었다.
적층 구조 최저 반사율(%)
비교예 4.88
실시예 1 0.70
실시예 2 0.43
실시예 3 0.60
실시예 4 0.38
실시예 5 0.32
실시예 6 0.38
표 1을 참조하면, 저반사 패턴이 배치되지 않는 비교예의 적층 구조와 비교하여 저반사 패턴을 포함하는 실시예 1 내지 실시예 6의 적층 구조는 최저 반사율이 상대적으로 작은 것을 확인할 수 있다. 특히, 실시예 2 및 실시예 4 내지 실시예 6의 적층 구조는 기존의 컬러 필터 위에 AR(anti-reflective) 필름을 부착한 경우와 유사한 약 0.4% 내외의 최저 반사율을 가질 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층들 각각의 두께, 상기 제2 무기층들 각각의 두께, 및 상기 제3 무기층들 각각의 두께는 약 3000 Å 이하일 수 있다. 이에 따라, 저반사층(400)의 두께가 증가하는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제3 저반사 패턴(430)은 차광층(220)에 중첩할 수 있다. 다시 말해, 제3 저반사 패턴(430)은 제3 컬러 필터(233)뿐만 아니라 차광층(220) 위에도 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 차광층(220)은 제3 컬러 필터(233)와 같은 물질을 포함할 수 있고, 차광층(220)과 제3 컬러 필터(233)가 서로 같은 굴절률을 가지기 때문에 제3 저반사 패턴(430)이 차광층(220) 위에도 배치될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6을 참조하여 설명하는 표시 장치(11)는 오버코트층(270)을 더 포함하는 것을 제외하고는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성들에 대한 설명은 생략한다.
일 실시예에 있어서, 표시 장치(11)는 컬러 필터층(230)과 저반사층(400) 사이에 배치되는 오버코트층(270)을 더 포함할 수 있다. 오버코트층(270)은 카도계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실록산계 수지, 실세스퀴옥산계 수지 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 오버코트층(270)은 컬러 필터층(230) 상부를 평탄화할 수 있다. 이에 따라, 오버코트층(270)은 저반사층(400)에 평탄면을 제공할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7을 참조하여 설명하는 표시 장치(12)는 하드 코팅층(500)을 더 포함하는 것을 제외하고는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성들에 대한 설명은 생략한다.
일 실시예에 있어서, 표시 장치(12)는 저반사층(400) 위에 배치되는 하드 코팅층(500)을 더 포함할 수 있다. 하드 코팅층(500)은 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 및 아크릴레이트계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 하드 코팅층(500)은 외부 충격으로부터 무기 절연 물질을 포함하는 저반사층(400)을 보호할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 8을 참조하여 설명하는 표시 장치(13)는 제2 기판(210) 및 충진층(300)을 더 포함하는 것을 제외하고는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성들에 대한 설명은 생략한다.
일 실시예에 있어서, 표시 장치(13)는 컬러 필터층(230)과 저반사층(400) 사이에 배치되는 제2 기판(210) 및 발광 소자(140)와 색변환층(250) 사이에 배치되는 충진층(300)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 기판(110), 트랜지스터(120), 발광 소자(140), 및 박막 봉지층(150)은 표시 패널(100)을 형성하고, 제2 기판(210), 차광층(220), 컬러 필터층(230), 색변환층(250), 및 뱅크층(260)은 색변환 패널(200)을 형성할 수 있다.
제2 기판(210)은 투명한 절연 기판일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 기판(210)은 유리, 석영 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제2 기판(210)은 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아크릴레이트 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
충진층(300)은 표시 패널(100)과 색변환 패널(200) 사이에 배치될 수 있다. 충진층(300)은 표시 패널(100)의 박막 봉지층(150)과 색변환 패널(200)의 제1 보호층(241) 사이에 배치될 수 있다. 충진층(300)은 표시 패널(100)과 색변환 패널(200)이 안정적으로 합착될 수 있도록 완충 역할을 할 수 있다. 충진층(300)은 표시 패널(100)에서 제공되는 광을 투과할 수 있다. 충진층(300)은 실리콘계 유기 물질, 에폭시계 유기 물질, 또는 에폭시-아크릴계 유기 물질 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 충진층(300)은 실리콘 고무(silicon rubber)를 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
110: 제1 기판 140: 발광 소자
210: 제2 기판 220: 차광층
230: 컬러 필터층 250: 색변환층
270: 오버코트층 300: 충진층
400: 저반사층 410: 제1 저반사 패턴
420: 제2 저반사 패턴 430: 제3 저반사 패턴
500: 하드 코팅층

Claims (20)

  1. 제1 화소 영역, 제2 화소 영역, 제3 화소 영역, 및 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 사이에 위치하는 비화소 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서,
    제1 기판;
    상기 제1 기판 위의 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 각각에 배치되는 발광 소자;
    상기 발광 소자 위의 상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역, 및 상기 제3 화소 영역에 각각 배치되는 제1 색변환 패턴, 제2 색변환 패턴, 및 광투과 패턴을 포함하는 색변환층;
    상기 제1 색변환 패턴, 상기 제2 색변환 패턴, 및 상기 광투과 패턴 위에 각각 배치되는 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터, 및 제3 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층; 및
    상기 제1 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제1 무기층들을 포함하는 제1 저반사 패턴, 상기 제2 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제2 무기층들을 포함하는 제2 저반사 패턴, 및 상기 제3 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제3 무기층들을 포함하는 제3 저반사 패턴을 포함하는 저반사층을 포함하고,
    상기 제1 무기층들의 개수, 상기 제2 무기층들의 개수, 및 상기 제3 무기층들의 개수 중 적어도 두 개는 서로 다른, 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 저반사 패턴, 상기 제2 저반사 패턴, 및 상기 제3 저반사 패턴 각각은 실리콘 질화층, 실리콘 산화층, 및 실리콘 산질화층 중 적어도 두 개를 포함하는, 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제3 컬러 필터는 청색 컬러 필터인, 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제3 무기층들의 상기 개수는 2 개인, 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제3 저반사 패턴은 실리콘 질화층 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 실리콘 산화층을 포함하는, 표시 장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 제3 무기층들의 상기 개수는 3 개인, 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제3 저반사 패턴은 제1 실리콘 산화층, 상기 제1 실리콘 산화층 위에 배치되는 실리콘 질화층, 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 제2 실리콘 산화층을 포함하는, 표시 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제3 저반사 패턴은 실리콘 산화층, 상기 실리콘 산화층 위에 배치되는 실리콘 질화층, 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 실리콘 산질화층을 포함하는, 표시 장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 제3 저반사 패턴은 실리콘 산질화층, 상기 실리콘 산질화층 위에 배치되는 실리콘 질화층, 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 실리콘 산화층을 포함하는, 표시 장치.
  10. 제3 항에 있어서,
    상기 제3 무기층들의 상기 개수는 4 개인, 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제3 저반사 패턴은 제1 실리콘 산화층, 상기 제1 실리콘 산화층 위에 배치되는 실리콘 산질화층, 상기 실리콘 산질화층 위에 배치되는 실리콘 질화층, 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 제2 실리콘 산화층을 포함하는, 표시 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 제3 저반사 패턴은 실리콘 산질화층, 상기 실리콘 산질화층 위에 배치되는 제1 실리콘 산화층, 상기 제1 실리콘 산화층 위에 배치되는 실리콘 질화층, 및 상기 실리콘 질화층 위에 배치되는 제2 실리콘 산화층을 포함하는, 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 색변환층과 상기 저반사층 사이의 상기 비화소 영역에 배치되고, 상기 제3 컬러 필터와 같은 물질을 포함하는 차광층을 더 포함하는, 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제3 저반사 패턴은 상기 차광층에 중첩하는, 표시 장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 컬러 필터층과 상기 저반사층 사이에 배치되는 오버코트층을 더 포함하는, 표시 장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 저반사층 위에 배치되는 하드 코팅층을 더 포함하는, 표시 장치.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 컬러 필터층과 상기 저반사층 사이에 배치되는 제2 기판; 및
    상기 발광 소자와 상기 색변환층 사이에 배치되는 충진층을 더 포함하는, 표시 장치.
  18. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 무기층들 각각의 두께, 상기 제2 무기층들 각각의 두께, 및 상기 제3 무기층들 각각의 두께는 3000 Å 이하인, 표시 장치.
  19. 제1 화소 영역, 제2 화소 영역, 제3 화소 영역, 및 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 사이에 위치하는 비화소 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서,
    제1 기판;
    상기 제1 기판 위의 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 각각에 배치되는 발광 소자;
    상기 발광 소자 위의 상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역, 및 상기 제3 화소 영역에 각각 배치되는 제1 색변환 패턴, 제2 색변환 패턴, 및 광투과 패턴을 포함하는 색변환층;
    상기 제1 색변환 패턴, 상기 제2 색변환 패턴, 및 상기 광투과 패턴 위에 각각 배치되는 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터, 및 제3 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층; 및
    상기 제1 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제1 무기층들을 포함하는 제1 저반사 패턴, 상기 제2 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제2 무기층들을 포함하는 제2 저반사 패턴, 및 상기 제3 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제3 무기층들을 포함하는 제3 저반사 패턴을 포함하는 저반사층을 포함하고,
    상기 제1 무기층들의 개수, 상기 제2 무기층들의 개수, 및 상기 제3 무기층들의 개수는 서로 같으며,
    상기 제1 무기층들의 종류, 상기 제2 무기층들의 종류, 및 상기 제3 무기층들의 종류 중 적어도 두 개는 서로 다른, 표시 장치.
  20. 제1 화소 영역, 제2 화소 영역, 제3 화소 영역, 및 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 사이에 위치하는 비화소 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서,
    제1 기판;
    상기 제1 기판 위의 상기 제1 내지 제3 화소 영역들 각각에 배치되는 발광 소자;
    상기 발광 소자 위의 상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역, 및 상기 제3 화소 영역에 각각 배치되는 제1 색변환 패턴, 제2 색변환 패턴, 및 광투과 패턴을 포함하는 색변환층;
    상기 제1 색변환 패턴, 상기 제2 색변환 패턴, 및 상기 광투과 패턴 위에 각각 배치되는 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터, 및 제3 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층; 및
    상기 제1 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제1 무기층들을 포함하는 제1 저반사 패턴, 상기 제2 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제2 무기층들을 포함하는 제2 저반사 패턴, 및 상기 제3 컬러 필터 위에 배치되고 복수의 제3 무기층들을 포함하는 제3 저반사 패턴을 포함하는 저반사층을 포함하고,
    상기 제1 무기층들의 개수, 상기 제2 무기층들의 개수, 및 상기 제3 무기층들의 개수는 서로 같으며,
    상기 제1 무기층들의 종류, 상기 제2 무기층들의 종류, 및 상기 제3 무기층들의 종류는 서로 같고,
    상기 제1 무기층들의 적층 순서, 상기 제2 무기층들의 적층 순서, 및 상기 제3 무기층들의 적층 순서는 서로 다른, 표시 장치.
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