KR20220017725A - Substrate supporting unit and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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임성순
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Abstract

The present invention relates to a substrate support unit and a substrate processing apparatus including the same and, more particularly, to a substrate support unit for supporting a substrate on which substrate processing such as deposition and etching is performed, and a substrate processing apparatus including the same. The present invention discloses a substrate support unit (300) installed in a substrate processing apparatus for performing substrate processing on a substrate (10) to support the substrate (10). The substrate support unit (300) includes: a substrate seating plate (310) that a substrate seating surface (312) on which the substrate is seated is formed on an upper surface thereof; a support shaft part (320) coupled to the bottom surface of the substrate seating plate (310); and a heater part (330) for heating the substrate (10) seated on the substrate seating surface (312).

Description

기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치{Substrate supporting unit and substrate processing apparatus having the same}Substrate supporting unit and substrate processing apparatus including the same

본 발명은 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착, 식각 등의 기판처리가 수행되는 기판을 지지하는 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support and a substrate processing apparatus including the same, and more particularly, to a substrate support for supporting a substrate on which substrate processing such as deposition and etching is performed, and a substrate processing apparatus including the same.

기판 처리 장치에 있어서 가스량, 압력, 온도 등과 같은 공정 변수의 제어 등 공정환경의 제어가 기판 전체에 걸친 균일한 기판처리를 보장하기 위해 매우 중요하다.In a substrate processing apparatus, control of a process environment such as control of process variables such as gas amount, pressure, temperature, etc. is very important to ensure uniform substrate processing over the entire substrate.

특히, 처리환경의 온도에 따라 기판처리의 결과가 크게 달라질 수 있기 때문에, 기판 전체에 걸쳐 균일한 기판처리가 달성되기 위해서는, 기판 전체에 걸쳐 온도가 균일하게 유지되어야 한다. In particular, since the result of substrate processing may vary greatly depending on the temperature of the processing environment, in order to achieve uniform substrate processing over the entire substrate, the temperature should be maintained uniformly throughout the substrate.

기판의 온도는 기판을 지지하는 서셉터(기판지지대)에 매립설치된 히터부에 의해 조절될 수 있다.The temperature of the substrate may be controlled by a heater unit embedded in a susceptor (substrate support) supporting the substrate.

그런데, 기판지지대의 외곽부(엣지)는 기판지지대의 중앙부 보다 상대적으로 외부로의 열 손실이 크게 나타나고 그에 따라 기판지지대에 안착된 기판의 중앙부와 외곽부의 온도편차가 발생되는 문제점이 있다.However, the outer portion (edge) of the substrate supporter has a problem in that heat loss to the outside is relatively greater than that of the central portion of the substrate supporter, and accordingly, there is a problem in that a temperature difference occurs between the central portion and the outer portion of the substrate seated on the substrate supporter.

도 5를 참조하여, 종래 기판지지대(300)에 구비되는 기존 히터부(33)의 구성을 간략히 설명한다.With reference to FIG. 5 , the configuration of the conventional heater unit 33 provided in the conventional substrate support 300 will be briefly described.

종래 히터부(33)는 기판안착플레이트(310)의 중앙부와 외곽부의 온도편차를 최소화하기 위해 기판안착플레이트(310)의 상면을 기판안착플레이트(310)의 중앙부를 포함하는 중앙가열존(IH)과 중앙가열존(IH) 외측에서 기판안착플레이트(310)의 가장자리까지를 포함하는 외곽가열존(OH)으로 구획하였다.Conventional heater unit 33 is a central heating zone (IH) including the central portion of the upper surface of the substrate mounting plate 310 to minimize the temperature difference between the central portion and the outer portion of the substrate mounting plate 310 of the substrate mounting plate 310. and an outer heating zone (OH) including from the outside of the central heating zone (IH) to the edge of the substrate seating plate 310 .

이때, 중앙가열존(IH)에는 미리 설정된 패턴으로 중앙발열부재(31)가 기판안착플레이트(310)의 내부에 설치되고, 외곽가열존(OH)에는 미리 설정된 패턴으로 외곽발열부재(32)가 기판안착플레이트(310) 내부에 설치된다.At this time, the central heating member 31 is installed inside the substrate seating plate 310 in a preset pattern in the central heating zone (IH), and the outer heating member 32 is installed in a preset pattern in the outer heating zone (OH). It is installed inside the substrate mounting plate 310 .

즉, 종래 히터부(33)는 기판안착플레이트(310)의 상면 중 중앙가열존(IH)은 중앙발열부재(31)로 히팅하고, 외곽가열존(OH)은 외곽발열부재(32) 서로 구분하여 히팅하도록 구성되어 있다.That is, in the conventional heater unit 33, the central heating zone (IH) of the upper surface of the substrate seating plate 310 is heated with the central heating member 31, and the outer heating zone (OH) is separated from each other by the outer heating member 32 It is configured to heat.

이때, 기판안착플레이트(310)의 외곽가열존(OH), 특히 기판안착플레이트(310)의 가장자리(엣지) 측에서 열손실이 크게 발생되는 바, 중앙발열부재(31) 보다 외곽발열부재(32)에 인가되는 전력량을 크게 하고 외곽발열부재(32)에서의 발열량이 중앙발열부재(31)의 발열량보다 크게 설정하고 있다.At this time, a large amount of heat loss is generated in the outer heating zone OH of the substrate seating plate 310 , in particular, at the edge (edge) side of the substrate seating plate 310 , the outer heating member 32 rather than the central heating member 31 . ) is increased and the amount of heat generated by the outer heating member 32 is set to be larger than that of the central heating member 31 .

그런데, 중앙발열부재(31) 및 외곽발열부재(32) 모두 기판안착플레이트(310) 저면에 결합되는 중공형 지지샤프트(320)를 통해 연장되는 파워로드(34)의 끝단 전기접속점(P) 연결되어 외부전력을 공급받아야 한다.By the way, both the central heating member 31 and the outer heating member 32 are connected to the end of the electrical connection point (P) of the power rod 34 extending through the hollow support shaft 320 coupled to the bottom surface of the substrate seating plate 310 It must be supplied with external power.

중앙발열부재(31)는 기판안착플레이트(310)의 중앙부에 설치되므로 중공형 지지샤프트(320)를 통한 전력전달에 큰 문제가 없으나, 외곽발열부재(32)는 기판안착플레이트(310)의 외곽부에 설치되므로 외곽발열부재(32)의 끝단 전기접속점(P)에서 파워로드(34)의 전기접속점(P)까지 전기적 연결을 가능하게 하는 추가적인 연결라인(L, 점퍼라인)이 필요하다.Since the central heating member 31 is installed in the central portion of the substrate seating plate 310 , there is no major problem in power transmission through the hollow support shaft 320 , but the outer heating member 32 is located outside the substrate seating plate 310 . Since it is installed in the part, an additional connection line (L, jumper line) that enables an electrical connection from the end electrical connection point P of the outer heating member 32 to the electrical connection point P of the power rod 34 is required.

상기 연결라인(L)은 외곽발열부재(32)의 끝단 전기접속점(P)에서 파워로드(34)의 전기접속점(P)까지 전기적 연결을 가능하게 하는 것에 더해, 연결라인(L)을 통해 흐르는 전류에 의해 연결라인(L) 자체가 발열체로서 기능하여 기판안착플레이트(310) 상면 전체에 걸쳐 온도균일도를 저해하는 요소로 작용하는 문제점이 있다.The connection line (L) flows through the connection line (L) in addition to enabling an electrical connection from the end electrical connection point (P) of the outer heating member (32) to the electrical connection point (P) of the power rod (34) There is a problem in that the connection line L itself functions as a heating element by the current and acts as an element that inhibits the temperature uniformity over the entire upper surface of the substrate seating plate 310 .

또한, 상기 연결라인(L)은 중앙발열부재(31)나 외곽발열부재(32)와 달리 발열을 유도하는 전기저항값이 작아지도록 직경이 크고 와인딩(꼬임) 없이 일직선으로 형성되는 도선으로 구성되는데, 이러한 경우, 외곽발열부재(32)로의 전력 공급 시 일직선이며 상대적으로 직경이 큰 연결라인(L)이 더 크게 열팽창되고 결과적으로 연결라인(L)이 매립된 기판안착플레이트(310) 영역에 열팽창에 따른 크랙이 형성되는 문제점이 있다.In addition, the connection line (L) has a large diameter so that the electrical resistance value inducing heat is reduced, unlike the central heating member 31 or the outer heating member 32, and is formed in a straight line without winding (twisted). , In this case, when power is supplied to the outer heating member 32, the straight and relatively large-diameter connection line (L) is thermally expanded to a greater extent, and as a result, the connection line (L) is embedded in the substrate seating plate 310 area. There is a problem in that cracks are formed according to the

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판지지대의 기판안착면 전체에 걸쳐 온도 균일도를 향상시킬 수 있는 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate support capable of improving temperature uniformity over the entire substrate seating surface of the substrate support and a substrate processing apparatus including the same in order to solve the above problems.

보다 구체적으로, 본 발명의 목적은, 기판지지대 상에 안착된 기판을 가열하기 위해 기판지지대 내부에 설치되는 히터부의 열팽창에 의해 기판지지대에 크랙이 형성되는 것을 방지하면서도, 기판지지대의 중앙부 보다 열손실이 더 큰 외곽부에서 발열량을 크게 형성할 수 있는 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.More specifically, an object of the present invention is to prevent cracks from being formed in the substrate support by thermal expansion of the heater unit installed inside the substrate support to heat the substrate seated on the substrate support, and heat loss than the central portion of the substrate support. An object of the present invention is to provide a substrate support capable of generating a large amount of heat from the larger outer portion and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 기판(10)에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 설치되어 상기 기판(10)을 지지하는 기판지지대(300)로서, 상면에 기판(10)이 안착되는 기판안착면(312)이 형성되는 기판안착플레이트(310)와; 상기 기판안착플레이트(310) 저면에 결합되는 지지샤프트부(320)와; 상기 기판안착면(312)에 안착된 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(330)를 포함하며, 상기 히터부(330)는, 상기 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부로부터 연장 형성되어 상기 기판안착플레이트(310)의 내부에 설치되며 평면 상 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부를 포함하는 제1영역(A1)에 미리 설정된 제1패턴으로 배치되는 제1발열부(332)와, 상기 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부로부터 연장 형성되어 상기 제1발열부(332)와 상하방향 간격(G)을 두고 상기 기판안착플레이트(310) 내부에 설치되며 평면 상 상기 제1영역(A1)을 포함하며 상기 제1영역(A1) 보다 더 큰 제2영역(A2)에 미리 설정된 제2패턴으로 배치되는 제2발열부(334)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300)를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, as a substrate support 300 installed in a substrate processing apparatus for performing substrate processing on the substrate 10 to support the substrate 10, a substrate seating plate 310 having a substrate seating surface 312 on which the substrate 10 is mounted; a support shaft portion 320 coupled to the bottom surface of the substrate seating plate 310; and a heater part 330 for heating the substrate 10 seated on the substrate seating surface 312, wherein the heater part 330 is formed extending from the center of the bottom surface of the substrate seating plate 310, A first heat generating part 332 installed inside the substrate seating plate 310 and arranged in a first pattern preset in the first area A1 including the central portion of the substrate seating plate 310 on a plane; It is formed extending from the center of the bottom surface of the substrate seating plate 310 and installed inside the substrate seating plate 310 with a vertical distance G from the first heat generating part 332, and the first area A1 on a plane Disclosed is a substrate support 300, characterized in that it includes a second heat generating unit 334 arranged in a preset second pattern in a second area (A2) larger than the first area (A1). .

상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제1발열부(332)가 배치되는 제1배치평면(S1)과 상기 제2발열부(334)가 배치되는 제2배치평면(S2)은 서로 평행할 수 있다.Of the substrate seating plate 310 , the first arrangement plane S1 in which the first heat generating part 332 is disposed and the second arrangement plane S2 in which the second heat generating part 334 is disposed may be parallel to each other. have.

상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제1발열부(332)가 배치되는 제1배치평면(S1)은, 상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제2발열부(334)가 배치되는 제2배치평면(S2) 보다 하측에 위치될 수 있다.The first arrangement plane S1 on which the first heat generating part 332 of the substrate seating plate 310 is disposed is a second arrangement in which the second heat generating part 334 of the board seating plate 310 is disposed. It may be located below the plane S2.

상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제1발열부(332)가 배치되는 제1배치평면(S1)은, 상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제2발열부(334)가 배치되는 제2배치평면(S2) 보다 상측에 위치될 수 있다.The first arrangement plane S1 on which the first heat generating part 332 of the substrate seating plate 310 is disposed is a second arrangement in which the second heat generating part 334 of the board seating plate 310 is disposed. It may be located above the plane S2.

상기 히터부(330)는, 상기 제1발열부(332)로 전력을 전달하기 위하여 상기 지지샤프트(320) 내부에서 상하방향으로 연장되며 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 상기 제1발열부(332)의 양 끝단에 각각 전기적으로 접속되는 한 쌍의 제1파워로드(336)와, 상기 제2발열부(334)로 전력을 전달하기 위하여 상기 지지샤프트(320) 내부에서 상하방향으로 연장되며 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 상기 제2발열부(334)의 양 끝단에 각각 전기적으로 접속되는 한 쌍의 제2파워로드(338)를 포함할 수 있다.The heater unit 330 extends vertically inside the support shaft 320 in order to transmit power to the first heat generating unit 332 , and is located at the center of the substrate seating plate 310 , the first heat generating unit. A pair of first power rods 336 electrically connected to both ends of the 332, respectively, extend in the vertical direction inside the support shaft 320 to transmit power to the second heat generating unit 334 and a pair of second power rods 338 electrically connected to both ends of the second heat generating unit 334 in the central portion of the substrate seating plate 310 .

상기 제1발열부(332) 및 상기 제2발열부(334)는, 상기 제1영역(A1)에서 상하 상호 중첩되는 동일 패턴으로 배치될 수 있다.The first heating part 332 and the second heating part 334 may be disposed in the same pattern overlapping each other vertically in the first area A1 .

상기 제1발열부(332) 및 상기 제2발열부(334)는, 상기 제1영역(A1)에서 상하 상호 중첩되지 않는 패턴으로 배치될 수 있다.The first heating part 332 and the second heating part 334 may be disposed in a pattern that does not overlap vertically in the first area A1 .

상기 제2영역(A2) 중 상기 제1영역(A1)을 제외한 외곽영역에서 상기 제2발열부(334)에 의한 단위면적당 발열량은, 상기 제1영역(A1)에서 상기 제2발열부(334)에 의한 단위면적당 발열량 보다 클 수 있다.The amount of heat generated per unit area by the second heat generating part 334 in an outer area of the second area A2 except for the first area A1 is the amount of heat generated by the second heat generating part 334 in the first area A1. ) may be greater than the calorific value per unit area.

상기 제2발열부(334)는, 상기 제1영역보다 상기 외곽영역에서 더 조밀하게 배치될 수 있다.The second heat generating unit 334 may be more densely disposed in the outer region than in the first region.

상기 제2발열부(334)는, 열선이며, 상기 제2발열부(334)는, 상기 외곽영역에서 이웃하는 열선 사이 간격이 상기 제1영역에서 이웃하는 열선 사이의 간격 보다 작게 배치될 수 있다.The second heat generating unit 334 may be a hot wire, and the second heat generating unit 334 may be disposed so that a distance between adjacent hot wires in the outer region is smaller than a distance between adjacent hot wires in the first area. .

상기 제2발열부(334)는, 나선형으로 권선되는 코일형열선이며, 상기 제2발열부(334)는, 상기 외곽영역에 배치되는 상기 코일형열선의 단위길이당 권선수가 상기 제1영역에 배치되는 상기 코일형열선의 단위길이당 권선수 보다 클 수 있다.The second heating part 334 is a coil-type heating wire wound in a spiral, and the second heating part 334 has the number of turns per unit length of the coil-type heating wire disposed in the outer region in the first region. It may be greater than the number of turns per unit length of the coil-type heating wire to be disposed.

상기 제2발열부(334)는, 상기 제1영역(A1)과 상기 외곽영역의 경계를 기준으로 상이한 재질로 이루어질 수 있다.The second heat generating unit 334 may be formed of a different material based on a boundary between the first area A1 and the outer area.

상기 제2영역(A2)에서 상기 제2발열부(334)에 의한 단위면적당 발열량은, 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 증가될 수 있다.In the second area A2 , the amount of heat generated per unit area by the second heat generating unit 334 may increase from the central portion of the substrate seating plate 310 to the outer portion.

상기 제2발열부(334)는, 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 조밀하게 배치될 수 있다.The second heat generating part 334 may be densely disposed going from the central part to the outer part of the substrate seating plate 310 .

상기 제2발열부(334)는, 열선이며, 상기 제2영역(A2)에서 이웃하는 열선 사이 간격은 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 감소되도록 배치될 수 있다.The second heat generating part 334 is a hot wire, and an interval between adjacent hot wires in the second area A2 may be arranged to decrease from a central portion to an outer portion of the substrate seating plate 310 .

상기 제2발열부(334)는, 나선형으로 권선되는 코일형열선이며, 상기 제2영역(A2)에서 상기 코일형열선의 단위길이당 권선수는 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 증가될 수 있다.The second heating part 334 is a coil-type heating wire wound spirally, and the number of windings per unit length of the coil-type heating wire in the second area A2 is from the central part of the substrate seating plate 310 to the outer part. and can be increased.

상기 제1발열부(332) 및 상기 제2발열부(334)는, 서로 동일한 재질로 이루어질 수 있다.The first heat generating part 332 and the second heat generating part 334 may be made of the same material.

상기 제2영역(A2)은, 상기 기판안착플레이트(310)의 상면 외곽부까지 포함할 수 있다.The second area A2 may include up to the outer portion of the upper surface of the substrate mounting plate 310 .

본 발명은, 기판(10)에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치로서, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(300)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(200)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate 10, comprising: a process chamber 100 forming a closed processing space (S); a substrate support 300 installed in the process chamber 100 to support the substrate 10; Disclosed is a substrate processing apparatus installed on the upper side of the process chamber 100 and comprising a gas injection unit 200 for injecting gas into the processing space (S).

본 발명에 따른 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 서로 상하 간격을 두고 설치되는 제1발열부 및 제2발열부를 조합하여 기판지지대의 기판안착면 전체에 걸쳐 온도 균일도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The substrate support according to the present invention and a substrate processing apparatus including the same are advantageous in that the temperature uniformity can be improved over the entire substrate seating surface of the substrate support by combining the first and second heating parts installed at vertical intervals from each other. There is this.

보다 구체적으로, 본 발명에 따른 기판지지대 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 기판지지대 상에 안착된 기판을 가열하기 위해 기판지지대 내부에 설치되는 히터부의 열팽창에 의해 기판지지대에 크랙이 형성되는 것을 방지하면서도, 기판지지대의 중앙부 보다 열손실이 더 큰 외곽부에서 발열량을 크게 형성할 수 있는 이점이 있다.More specifically, the substrate support and the substrate processing apparatus including the same according to the present invention prevent cracks from being formed in the substrate support by thermal expansion of the heater unit installed inside the substrate support to heat the substrate seated on the substrate support. However, there is an advantage that a large amount of heat can be formed in the outer portion where the heat loss is greater than the central portion of the substrate support.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은, 도 1 또는 도 2의 구성 일부를 보여주는 평면도이다.
도 4는, 도 1 또는 도 2의 다른 구성 일부를 보여주는 평면도이다.
도 5는, 종래 기판지지대를 히팅하기 위한 히터부를 도시한 평면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing a part of the configuration of FIG. 1 or FIG. 2 .
FIG. 4 is a plan view showing a part of another configuration of FIG. 1 or FIG. 2 .
5 is a plan view showing a conventional heater for heating the substrate support.

이하, 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와, 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 상기 기판(10)을 지지하는 기판지지대(300)와, 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(200)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1 , the substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 100 forming a closed processing space S, and is installed in the process chamber 100 to support the substrate 10 . It may include a substrate support 300 and a gas injection unit 200 installed on the upper side of the process chamber 100 to inject gas into the processing space (S).

본 발명의 처리대상인 기판(10)은, 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용기판, OLED 제조용기판, 태양전지 제조용기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.The substrate 10 to be treated according to the present invention is a configuration in which substrate processing such as deposition and etching is performed, and any substrate such as a semiconductor manufacturing substrate, LCD manufacturing substrate, OLED manufacturing substrate, solar cell manufacturing substrate, and transparent glass substrate is possible.

상기 기판처리장치는, 용량결합플라즈마(CCP)를 이용한 기판처리장치 또는 유도결합플라즈마(ICP)를 이용한 기판처리장치일 수 있다.The substrate processing apparatus may be a substrate processing apparatus using a capacitively coupled plasma (CCP) or a substrate processing apparatus using an inductively coupled plasma (ICP).

상기 공정챔버(100)는, 내부에 기판(10)이 처리되는 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 is configured to form a closed processing space (S) in which the substrate 10 is processed, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 개구에 탈착가능하게 결합되어, 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 1 , the process chamber 100 is detachably coupled to the chamber body 110 having an opening on the upper side, and the opening of the chamber body 110 , the chamber body 110 . ) and may include an upper lid 120 forming a closed processing space (S).

상기 공정챔버(100)에는, 기판(10) 출입을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성될 수 있다.One or more gates 111 for entering and exiting the substrate 10 may be formed in the process chamber 100 .

또한, 상기 공정챔버(100)에는, 기판처리를 위한 압력조절시스템, 배기시스템 등이 구비될 수 있다.In addition, the process chamber 100 may include a pressure control system and an exhaust system for substrate processing.

상기 기판지지부(300)는, 기판(10)에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 설치되어 기판(10)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate support unit 300 is installed in a substrate processing apparatus that performs substrate processing on the substrate 10 to support the substrate 10 , and various configurations are possible.

예로서, 상기 기판지지부(300)는, 상면에 기판(10)이 안착되는 기판안착면(312)이 형성되는 기판안착플레이트(310)와, 기판안착플레이트(310) 저면에 결합되는 지지샤프트부(320)와, 기판안착면(312)에 안착된 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(330)를 포함할 수 있다.For example, the substrate support unit 300 includes a substrate seating plate 310 on which a substrate seating surface 312 on which the substrate 10 is mounted is formed, and a support shaft portion coupled to the bottom surface of the substrate seating plate 310 . 320 and a heater unit 330 for heating the substrate 10 seated on the substrate seating surface 312 may be included.

상기 기판안착플레이트(310)는, 상면에 기판(10)이 안착되는 기판안착면(312)이 형성되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate seating plate 310 has a configuration in which a substrate seating surface 312 on which the substrate 10 is mounted is formed, and various configurations are possible.

상기 기판안착플레이트(310)는, 다양한 재질로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는, 자중에 의한 처짐이나 변형을 최소화하기 위해 강성이 있으며 열전도성이 높고 전기절연성이 강한 세라믹재질(예로서, 질화알루미늄)로 이루어질 수 있다.The substrate seating plate 310 may be made of various materials, and is preferably made of a ceramic material (eg, aluminum nitride) that is rigid in order to minimize sagging or deformation due to its own weight, has high thermal conductivity, and has strong electrical insulation. can be made with

상기 기판안착플레이트(310)는, 처리대상이 되는 기판(10)에 대응되는 평면 형상을 가지며 최적화된 두께를 가지는 플레이트일 수 있다.The substrate seating plate 310 may be a plate having a planar shape corresponding to the substrate 10 to be processed and having an optimized thickness.

예로서, 상기 기판안착플레이트(310)는, 원형의 기판(10)을 지지하기 위하여 원판 형상으로 이루어질 수 있다.For example, the substrate mounting plate 310 may have a disk shape to support the circular substrate 10 .

상기 기판안착플레이트(310)의 상면에는 기판(10)이 안착되어 지지되는 기판안착면(312)이 구비될 수 있다.A substrate seating surface 312 on which the substrate 10 is mounted and supported may be provided on the upper surface of the substrate seating plate 310 .

상기 지지샤프트부(320)는, 기판안착플레이트(310) 저면에 결합되는 샤프트로서 다양한 구성이 가능하며, 내부가 빈 중공형 구조로 이루어질 수 있다.The support shaft part 320 is a shaft coupled to the bottom surface of the substrate seating plate 310 and may have various configurations, and may have a hollow hollow structure.

상기 지지샤프트부(320)는, 기판안착플레이트(310)를 균형있게 지지하기 위하여 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부에 결합될 수 있다.The support shaft part 320 may be coupled to the central portion of the bottom surface of the substrate seating plate 310 in order to support the substrate seating plate 310 in a balanced manner.

상기 지지샤프트부(320)는, 기판안착플레이트(310)와 동일하거나 유사한 재질로 이루어질 수 있다.The support shaft part 320 may be made of the same or similar material to the substrate seating plate 310 .

또한, 상기 지지샤프트부(320)는 공정챔버(100)의 저면 개구(104)를 관통하여 공정챔버(100) 외측으로 연장될 수 있으며, 별도의 구동부(미도시)에 의해 승하강 가능하게 설치될 수 있다.In addition, the support shaft part 320 may extend to the outside of the process chamber 100 through the bottom opening 104 of the process chamber 100, and is installed so as to be raised and lowered by a separate driving unit (not shown). can be

상기 공정챔버(100)의 개구(104) 둘레에는 지지샤프트(320)의 승하강에도 불구하고 처리공간(S) 내부를 외부환경과 차단하기 위한 벨로우즈가 설치될 수 있다.A bellows may be installed around the opening 104 of the process chamber 100 to block the inside of the processing space S from the external environment despite the elevation of the support shaft 320 .

상기 히터부(330)는, 상기 기판안착면(312)에 안착된 기판(10)을 가열하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하며, 이하 가스분사부(200)에 대해 설명한 후 자세히 설명하기로 한다.The heater unit 330 is configured to heat the substrate 10 seated on the substrate seating surface 312 , and various configurations are possible. Hereinafter, the gas injection unit 200 will be described in detail. .

한편, 상기 기판안착플레이트(310)는 후술하는 가스분사부(200)가 상부전극으로 기능할 때 상부전극에 대향하는 하부전극으로서 기능할 수 있다.Meanwhile, the substrate seating plate 310 may function as a lower electrode facing the upper electrode when the gas ejection unit 200 to be described later functions as an upper electrode.

이를 위해, 상기 기판안착플레이트(310)는, 접지되거나 또는 외부 RF전원이 인가될 수 있다.To this end, the substrate seating plate 310 may be grounded or an external RF power may be applied.

또한, 상기 기판안착플레이트(310)는 기판(10)을 흡착고정하기 위해 내부에 정전흡착 전극이 설치되어 정전척으로 기능할 수 있다.In addition, the substrate seating plate 310 may function as an electrostatic chuck by having an electrostatic adsorption electrode installed therein to adsorb and fix the substrate 10 .

상기 가스분사부(200)는, 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The gas injection unit 200 is installed on the upper side of the process chamber 100 to inject gas into the processing space (S), and various configurations are possible.

상기 가스분사부(200)는 기판안착플레이트(310) 상에 안착된 기판(10)에 공정 가스가 분사되도록 공정챔버(100)의 상부에 기판지지대(300)에 대향되게 설치될 수 있다. The gas injection unit 200 may be installed opposite to the substrate support 300 in the upper portion of the process chamber 100 so that the process gas is injected to the substrate 10 seated on the substrate seating plate 310 .

상기 가스분사부(200)는 외부로부터 공정가스를 공급받기 위해 상측 또는 측부에 형성된 적어도 하나의 가스유입부(미도시)과, 기판(10) 상에 공정가스를 분사하기 위해서 기판(10)을 바라보는 하방으로 형성된 복수의 분사홀들(미도시)을 포함할 수 있다.The gas injection unit 200 includes at least one gas inlet (not shown) formed on the upper side or the side to receive the process gas from the outside, and the substrate 10 to inject the process gas onto the substrate 10 . It may include a plurality of injection holes (not shown) formed in a downward facing direction.

예를 들어, 상기 가스분사부(200)는 샤워헤드(shower head) 형태, 노즐(nozzle) 형태 등 다양한 형태를 가질 수 있다. For example, the gas injection unit 200 may have various shapes, such as a shower head shape, a nozzle shape, and the like.

또한, 상기 가스분사부(200)는, 접지되거나 또는 외부 RF전원이 인가되어 상술한 기판안착플레이트(310)에 대향하는 상부전극으로 기능할 수 있다.In addition, the gas injection unit 200 may be grounded or an external RF power is applied to function as an upper electrode facing the above-described substrate seating plate 310 .

본 발명은, 도 5와 같은 구조를 가지는 종래 히터부(33)의 문제점을 인식하여 종래 외곽발열부재(32)로의 전력전달을 위한 연결라인(L)을 제거할 수 있는 히터부(330) 구조를 제안한다.The present invention recognizes the problem of the conventional heater unit 33 having the structure as shown in FIG. 5, and the heater unit 330 structure capable of removing the connection line L for power transmission to the conventional outer heating member 32 suggest

구체적으로, 본 발명에 따른 히터부(330)는, 상기 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부로부터 연장 형성되어 상기 기판안착플레이트(310)의 내부에 설치되며 평면 상 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부를 포함하는 제1영역(A1)에 미리 설정된 제1패턴으로 배치되는 제1발열부(332)와, 상기 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부로부터 연장 형성되어 상기 제1발열부(332)와 상하방향 간격(G)을 두고 상기 기판안착플레이트(310) 내부에 설치되며 평면 상 상기 제1영역(A1)을 포함하며 상기 제1영역(A1) 보다 더 큰 제2영역(A2)에 미리 설정된 제2패턴으로 배치되는 제2발열부(334)를 포함할 수 있다.Specifically, the heater unit 330 according to the present invention is formed extending from the central portion of the bottom surface of the substrate seating plate 310, installed inside the substrate seating plate 310, and on a plane of the substrate seating plate 310. The first heat generating part 332 is disposed in a first pattern preset in the first area A1 including the central part, and the first heat generating part 332 is formed extending from the central part of the bottom surface of the substrate seating plate 310 . It is installed inside the substrate seating plate 310 at a vertical distance G from the second area A2, which includes the first area A1 in plan view, and is larger than the first area A1 in advance. It may include a second heating unit 334 disposed in a set second pattern.

상기 제1발열부(332)는, 상기 기판안착플레이트(310)의 내부에 설치되는 발열체로서, 평면 상 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부를 포함하는 제1영역(A1)에 미리 설정된 제1패턴으로 배치될 수 있다.The first heating unit 332 is a heating element installed inside the substrate seating plate 310 , and is a first preset in a first area A1 including the central portion of the substrate seating plate 310 in plan view. It can be arranged in a pattern.

상기 제1발열부(332)는, 상기 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부로부터 연장 형성되어 상기 제1영역(A1)에 배치될 수 있다.The first heat generating part 332 may be formed to extend from the central portion of the bottom surface of the substrate seating plate 310 to be disposed in the first area A1 .

상기 제1영역(A1)은, 평면 상 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부를 포함하는 영역으로, 도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 기판안착플레이트(310)의 중심(C)과 가장자리(E, 엣지) 사이에 기판안착플레이트(310)의 둘레 방향을 따라 형성되는 가상의 라인(VL)을 따라 구획되는 영역으로 정의될 수 있다.The first area A1 is an area including the central portion of the substrate seating plate 310 on a plane, and as shown in FIGS. 3 to 4 , the center C and edges of the substrate seating plate 310 . It may be defined as a region partitioned along an imaginary line VL formed along the circumferential direction of the substrate seating plate 310 between (E, edge).

기판안착플레이트(310) 상면의 반경방향 기준, 상기 기판안착플레이트(310)의 중심(C)에서 가상의 라인(VL) 사이의 간격(D1) 및 가상의 라인(VL)에서 기판안착플레이트(310)의 가장자리(E) 사이의 간격(D2)는 설계에 따라 다양하게 가변될 수 있음은 물론이다.Based on the radial direction of the upper surface of the substrate seating plate 310 , the distance D1 between the virtual line VL at the center C of the substrate seating plate 310 and the substrate seating plate 310 at the virtual line VL Of course, the distance D2 between the edges E of ) may be variously varied depending on the design.

예로서, 상기 기판안착플레이트(310)가 원판형상으로 이루어진 경우, 상기 가상의 라인(VL)과 상기 기판안착플레이트(310)의 가장자리(E)는, 서로 기판안착플레이트(310)의 중심(C)을 동심으로 공유하는 동심원을 이룰 수 있다.For example, when the substrate seating plate 310 is formed in a disk shape, the imaginary line VL and the edge E of the substrate seating plate 310 are mutually at the center (C) of the substrate seating plate 310 . ) can be concentrically shared.

상기 제1발열부(332)는, 제1영역(A1) 내측에 미리 설정된 제1패턴으로 배치될 수 있다.The first heat generating part 332 may be disposed in a first pattern preset inside the first area A1 .

상기 제1발열부(332)는 기판안착플레이트(310) 내부에 매립되어 설치되는데, 기판안착플레이트(310) 중 제1발열부(332)가 배치되는 배치평면(S1)은 기판안착플레이트(310)의 상면(기판안착면(312))과 평행하게 구성될 수 있다.The first heat generating unit 332 is installed to be embedded in the substrate mounting plate 310 , the arrangement plane S1 on which the first heat generating unit 332 of the substrate mounting plate 310 is disposed is the substrate mounting plate 310 . ) may be configured parallel to the upper surface (the substrate seating surface 312).

상기 제1발열부(332)의 양 끝단에는 후술하는 한 쌍의 제1파워로드(336)와 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전기접속점(P)이 구비될 수 있다. 이때, 한 쌍의 전기접속점(P)은 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부에 위치될 수 있다.A pair of electrical connection points P electrically connected to a pair of first power rods 336 to be described later may be provided at both ends of the first heat generating part 332 . At this time, the pair of electrical connection points (P) may be located in the center of the bottom surface of the substrate mounting plate (310).

상기 제1발열부(332)는 상기 제1패턴을 따라 배치되는 열선으로, 상기 제1영역(A1) 전체에 걸쳐 균일한 밀도로 배치되거나 또는 영역별로 불균일하게 배치될 수 있다.The first heating part 332 is a heating wire disposed along the first pattern, and may be disposed at a uniform density over the entire first area A1 or may be disposed non-uniformly for each area.

예로서, 상기 제1발열부(332)가 제1패턴을 따라 배치될 때, 상기 기판안착플레이트(310)의 중심(C)에서 반경방향으로 갈수록, 반경방향 기준 이웃하는 열선 사이의 간격이 동일하게 배치되거나 또는 좁아지도록 배치되거나 또는 넓어지도록 배치될 수 있다.For example, when the first heat generating part 332 is disposed along the first pattern, the distance between the adjacent heating wires in the radial direction from the center C of the substrate seating plate 310 to the radial direction is the same. It may be arranged to be wide, or it may be arranged to be narrow, or it may be arranged to be wide.

한편, 상기 제1발열부(332)는, 발열량을 높이기 위해 나선형으로 권선된 코일형열선일 수 있다.Meanwhile, the first heating unit 332 may be a coil-type heating wire wound spirally in order to increase the amount of heat generated.

상기 제1발열부(332)가 코일형열선으로 이루어지는 경우, 상기 코일형열선이 권선되며 형성되는 코일형열선의 폭(나선폭)은 기판안착플레이트(310) 평면 상 위치에 따라 다르게 구성될 수 있다.When the first heating part 332 is made of a coil-type heating wire, the width (helical width) of the coil-type heating wire formed by winding the coil-type heating wire may be configured differently depending on the position on the plane of the substrate seating plate 310. have.

예로서, 기판안착플레이트(310)의 상면 중 온도 저하가 크게 일어나는 영역에서의 온도차를 보상하기 위하여, 기판안착플레이트(310)의 온도 저하가 크게 일어나는 영역에서 제1발열부(332)의 열선(또는 코일형열선)의 폭은 기판안착플레이트(310)의 다른 영역에서 제1발열부(332)의 열선 열선(또는 코일형열선)의 폭 보다 크게 형성될 수 있다.For example, in order to compensate for the temperature difference in the region where the temperature drop occurs greatly among the upper surface of the substrate seating plate 310, the heating wire ( Alternatively, the width of the coil-type heating wire may be formed to be larger than the width of the hot wire heating wire (or coil-type heating wire) of the first heating unit 332 in another area of the substrate seating plate 310 .

코일형열선의 단위길이당 감은수가 동일한 경우, 코일형열선의 폭(나선폭)이 증가되면 코일형열선에 의한 당위길이당 발열량 또한 증가될 수 있다.When the number of turns per unit length of the coiled heating wire is the same, when the width (helical width) of the coiled heating wire is increased, the amount of heat generated per equivalent length by the coiled heating wire may also be increased.

또는, 상기 제1발열부(332)가 코일형열선으로 이루어지는 경우, 상기 코일형열선이 권선되며 형성되는 코일형열선의 단위길이당 권선수는 기판안착플레이트(310) 평면 상 위치에 따라 다르게 구성될 수 있다.Alternatively, when the first heating part 332 is formed of a coil-type heating wire, the number of turns per unit length of the coil-type heating wire formed by winding the coil-type heating wire is configured differently depending on the position on the plane of the substrate seating plate 310 can be

여기서 코일형열선의 단위길이당 권선수는, 코일형열선의 꼬임정도를 의미하는 것으로, 코일형열선이 많이 꼬일수록 단위길이당 권선수는 커지며 코일형열선에 의한 단위길이당 발열량 또한 증가될 수 있다.Here, the number of turns per unit length of the coil-type heating wire means the degree of twisting of the coil-type heating wire, and the more the coil-type heating wire is twisted, the greater the number of turns per unit length, and the amount of heat generated per unit length by the coil-type heating wire can also increase. have.

상기 제2발열부(334)는, 상기 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부로부터 연장 형성되어 상기 기판안착플레이트(310)의 내부에 설치되는 발열체로서, 평면 상 상기 제1영역(A1)을 포함하며 상기 제1영역(A1) 보다 더 큰 제2영역(A2)에 미리 설정된 제2패턴으로 배치될 수 있다.The second heating unit 334 is a heating element that is formed to extend from the central portion of the bottom surface of the substrate seating plate 310 and is installed inside the substrate seating plate 310, and includes the first area A1 in a plan view. and may be disposed in a preset second pattern in the second area A2 larger than the first area A1.

상기 제1영역(A1)에 존재하는 제2발열부(334)는, 제2발열부(334)를 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부(지지샤프트(320))에서 제2영역(A2) 끝까지 연장하는 기능을 수행할 수 있다.The second heat generating part 334 present in the first area A1 has the second heat generating part 334 in the center of the bottom surface of the substrate seating plate 310 (the support shaft 320) in the second area A2. It can perform the function of extending to the end.

상기 제2영역(A2)은, 평면 상 상기 제1영역(A1)을 포함하며 상기 제1영역(A1) 보다 더 큰 영역으로, 도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1영역(A1) 전체를 둘러싸는 영역으로 정의될 수 있다.The second area A2 includes the first area A1 in plan view and is larger than the first area A1, and as shown in FIGS. 3 to 4 , the first area A1 ) can be defined as an area surrounding the whole.

예로서, 상기 기판안착플레이트(310)가 원판형상으로 이루어진 경우, 상기 제2영역(A2)는, 제1영역(A1)를 둘러싸며 제1영역(A1) 보다 더 큰 영역으로, 기판안착플레이트(310)의 중앙(C)에서 가장자리(E)까지의 영역으로 정의될 수 있다.For example, when the substrate seating plate 310 has a disk shape, the second area A2 surrounds the first area A1 and is larger than the first area A1, and the substrate seating plate It may be defined as an area from the center (C) to the edge (E) of 310 .

여기서, 상기 제2영역(A2) 중 상기 제1영역(A1)을 제외한 나머지 영역은 제2영역(A2)의 외곽영역으로 정의될 수 있다. (제2영역(A2)은 제1영역(A1)을 포함하므로)Here, the remaining area of the second area A2 excluding the first area A1 may be defined as an outer area of the second area A2 . (since the second area A2 includes the first area A1)

이때, 상기 제1영역(A1)과 상기 외곽영역의 경계는 상기 제1영역(A1)을 구획하는 상술한 가상의 라인(VL)과 일치할 수 있다.In this case, the boundary between the first area A1 and the outer area may coincide with the above-described virtual line VL dividing the first area A1 .

상기 제2영역(A2)은, 상기 기판안착플레이트(310)의 상면의 중앙영역에 더해 외곽영역까지 포함할 수 있다.The second area A2 may include an outer area in addition to the central area of the upper surface of the substrate seating plate 310 .

이때, 상기 제1영역(A1)을 한정하는 가상의 라인(VL)과 제2영역(A2)을 한정하는 기판안착플레이트(310)의 가장자리(E) 둘레는 서로 기판안착플레이트(310)의 중심(C)을 동심으로 공유하는 동심원을 이룰 수 있다.At this time, the periphery of the imaginary line VL defining the first area A1 and the edge E of the substrate seating plate 310 defining the second area A2 is the center of the substrate seating plate 310 with each other. Concentric circles can be formed that share (C) concentrically.

도 1 내지 도 4는, 상기 기판안착플레이트(310)의 상면이 제1영역(A1)과 제2영역(A2)으로 구분된 예를 도시하였으나, 3이상의 영역으로 추가적으로 구분되어 각 영역별로 상하방향 간격을 두는 발열부들이 설치되는 실시예도 가능함은 물론이다.1 to 4 show an example in which the upper surface of the substrate seating plate 310 is divided into a first area A1 and a second area A2, but it is additionally divided into three or more areas, so that each area has a vertical direction Of course, an embodiment in which spaced heating units are installed is also possible.

상기 제2발열부(334)는, 제2영역(A2) 내측에 미리 설정된 제2패턴으로 배치될 수 있다.The second heat generating part 334 may be disposed in a second pattern preset inside the second area A2 .

상기 제2발열부(334)는 기판안착플레이트(310) 내부에 매립되어 설치되는데, 기판안착플레이트(310) 중 제2발열부(334)가 배치되는 배치평면(S2)은 기판안착플레이트(310)의 상면(기판안착면(312))과 평행하게 구성될 수 있다.The second heat generating part 334 is installed to be embedded in the substrate seating plate 310 , and the arrangement plane S2 on which the second heat generating part 334 of the substrate seating plate 310 is disposed is the substrate seating plate 310 . ) may be configured parallel to the upper surface (the substrate seating surface 312).

상기 제2발열부(334)의 양 끝단에는 후술하는 한 쌍의 제2파워로드(338)와 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전기접속점(P)이 구비될 수 있다. 이때, 한 쌍의 전기접속점(P)은 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부에 위치될 수 있다.A pair of electrical connection points P electrically connected to a pair of second power rods 338 to be described later may be provided at both ends of the second heat generating unit 334 . At this time, the pair of electrical connection points (P) may be located in the center of the bottom surface of the substrate mounting plate (310).

상기 제2발열부(334)는 상기 제2패턴을 따라 배치되는 열선으로, 상기 제2영역(A2) 전체에 걸쳐 균일한 밀도로 배치되거나 또는 영역별로 불균일하게 배치될 수 있다.The second heating part 334 is a heating wire disposed along the second pattern, and may be disposed at a uniform density over the entire second area A2 or may be disposed non-uniformly for each area.

예로서, 상기 제2발열부(334)가 제2패턴을 따라 배치될 때, 상기 기판안착플레이트(310)의 중심(C)에서 반경방향으로 갈수록, 반경방향 기준 이웃하는 열선 사이의 간격이 동일하게 배치되거나 또는 좁아지도록 배치될 수 있다.For example, when the second heat generating part 334 is disposed along the second pattern, from the center (C) of the substrate seating plate 310 in the radial direction, the distance between the adjacent heating wires in the radial direction is the same. It may be arranged to be narrow or arranged to be narrow.

한편, 상기 제2발열부(334)는, 발열량을 높이기 위해 나선형으로 권선된 코일형열선일 수 있다.Meanwhile, the second heating unit 334 may be a coil-type heating wire wound spirally in order to increase the amount of heat generated.

상기 제2발열부(334)가 코일형열선으로 이루어지는 경우, 상기 코일형열선이 권선되며 형성되는 코일형열선의 폭(나선폭)은 기판안착플레이트(310) 평면 상 위치에 따라 다르게 구성될 수 있다.When the second heating part 334 is formed of a coil-type heating wire, the width (helical width) of the coil-type heating wire formed by winding the coil-type heating wire may be configured differently depending on the position on the plane of the substrate seating plate 310. have.

예로서, 기판안착플레이트(310)의 상면 중 온도 저하가 크게 일어나는 영역에서의 온도차를 보상하기 위하여, 기판안착플레이트(310)의 온도 저하가 크게 일어나는 영역에서 제2발열부(334)의 열선(또는 코일형열선)의 폭은 기판안착플레이트(310)의 다른 영역에서 제2발열부(334)의 열선 열선(또는 코일형열선)의 폭 보다 크게 형성될 수 있다.For example, in order to compensate for the temperature difference in the region where the temperature drop occurs greatly among the upper surface of the substrate seating plate 310, the heating wire of the second heating unit 334 in the region where the temperature drop of the substrate seating plate 310 occurs significantly ( Alternatively, the width of the coil-type heating wire may be formed to be larger than the width of the hot wire heating wire (or coil-type heating wire) of the second heating unit 334 in another area of the substrate seating plate 310 .

또는, 상기 제2발열부(334)가 코일형열선으로 이루어지는 경우, 상기 코일형열선이 권선되며 형성되는 코일형열선의 단위길이당 권선수는 기판안착플레이트(310) 평면 상 위치에 따라 다르게 구성될 수 있다.이때, 상기 제2영역(A2) 중 상기 제1영역(A1)을 제외한 외곽영역에서 상기 제2발열부(334)에 의한 단위면적당 발열량은, 상기 제1영역(A1)에서 상기 제2발열부(334)에 의한 단위면적당 발열량 보다 클 수 있다.Alternatively, when the second heating part 334 is formed of a coil-type heating wire, the number of turns per unit length of the coil-type heating wire formed by winding the coil-type heating wire is configured differently depending on the position on the plane of the substrate seating plate 310 . In this case, the amount of heat generated per unit area by the second heat generating unit 334 in the outer region of the second area A2 except for the first area A1 is the amount of heat generated in the first area A1. It may be greater than the amount of heat generated per unit area by the second heat generating unit 334 .

이를 위해, 상기 제2발열부(334)는, 상기 제1영역보다 상기 외곽영역에서 더 조밀하게 배치될 수 있다.To this end, the second heat generating unit 334 may be more densely disposed in the outer region than in the first region.

일 실시예에서, 상기 제2발열부(334)가 열선일 때, 상기 제2발열부(334)는, 상기 외곽영역에서 이웃하는 열선 사이 간격이 상기 제1영역에서 이웃하는 열선 사이의 간격 보다 작게 배치될 수 있다.In an embodiment, when the second heat generating unit 334 is a hot wire, the second heat generating unit 334 has a space between neighboring hot wires in the outer region is greater than a distance between neighboring hot wires in the first region. It can be placed small.

다른 일 실시예에서, 상기 제2발열부(334)가 나선형으로 권선되는 코일형열선일 때, 상기 제2발열부(334)는, 상기 외곽영역에 배치되는 상기 코일형열선의 단위길이당 권선수가 상기 제1영역에 배치되는 상기 코일형열선의 단위길이당 권선수 보다 클 수 있다.In another embodiment, when the second heating part 334 is a coil-type heating wire wound in a spiral, the second heating part 334 may be wound per unit length of the coil-type heating wire disposed in the outer region. The number may be greater than the number of windings per unit length of the coiled heating wire disposed in the first region.

또 다른 일 실시예에서, 상기 제2발열부(334)가 나선형으로 권선되는 코일형열선일 때, 상기 제2발열부(334)는, 상기 외곽영역에 배치되는 상기 코일형열선의 폭이 상기 제1영역에 배치되는 상기 코일형열선의 폭(나선폭) 보다 클 수 있다.In another embodiment, when the second heating part 334 is a coil-type heating wire wound in a spiral, the second heating part 334 may have a width of the coil-type heating wire disposed in the outer region. It may be larger than the width (spiral width) of the coil-shaped heating wire disposed in the first region.

또는, 상기 제2발열부(334)는, 상기 제1영역(A1)과 상기 외곽영역의 경계를 기준으로 상이한 재질로 이루어질 수 있다.Alternatively, the second heat generating unit 334 may be made of a different material based on a boundary between the first area A1 and the outer area.

또는, 기판안착플레이트(310)의 가장자리(E)에서 열손실이 크게 발생되는 것을 고려하여, 상기 제2영역(A2)에서 상기 제2발열부(334)에 의한 단위면적당 발열량은, 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 증가하도록 구성될 수 있다.Alternatively, in consideration of the large heat loss occurring at the edge E of the substrate seating plate 310, the amount of heat generated per unit area by the second heat generating part 334 in the second area A2 is, The plate 310 may be configured to increase from the central portion to the outer portion.

이를 위해, 상기 제2발열부(334)는, 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 조밀하게 배치될 수 있다.To this end, the second heat generating part 334 may be densely disposed going from the center part to the outer part of the substrate seating plate 310 .

일 실시예에서, 상기 제2발열부(334)가 열선일 때, 상기 제2영역(A2)에서 이웃하는 열선 사이 간격은 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 감소되도록 배치될 수 있다.In one embodiment, when the second heat generating part 334 is a hot wire, the interval between adjacent hot wires in the second area A2 may be arranged to decrease from the central portion of the substrate seating plate 310 to the outer portion. have.

예로서, 기판안착플레이트(310)의 외곽부근에서 이웃하는 제2발열부(334)의 열선 사이 간격(K2)은 기판안착플레이트(310)의 중앙부근에서 이웃하는 제2발열부(334)의 열선 사이의 간격(K1) 보다 좁게 배치될 수 있다.For example, the interval K2 between the heating wires of the second heating unit 334 adjacent in the vicinity of the outer edge of the substrate seating plate 310 is the second heating part 334 adjacent to the center of the substrate seating plate 310 . It may be arranged to be narrower than the interval K1 between the hot wires.

다른 일 실시예에서, 상기 제2발열부(334)가 나선형으로 권선되는 코일형열선일 때, 상기 제2발열부(334)는, 상기 제2영역(A2)에서 상기 코일형열선의 단위길이당 권선수는 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 증가될 수 있다.In another embodiment, when the second heating part 334 is a coil-type heating wire wound in a spiral, the second heating part 334 has a unit length of the coil-type heating wire in the second area A2. The number of turns per winding may be increased from the central portion to the outer portion of the substrate mounting plate 310 .

또 다른 일 실시예에서, 상기 제2발열부(334)가 나선형으로 권선되는 코일형열선일 때, 상기 제2영역(A2)에서 상기 코일형열선의 폭은 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 증가될 수 있다.In another embodiment, when the second heating part 334 is a coil-type heating wire wound in a spiral, the width of the coil-type heating wire in the second area A2 is a central portion of the substrate seating plate 310 . It can be increased from to the outskirts.

예로서, 기판안착플레이트(310)의 외곽부에서의 발열량을 크게 하기 위하여, 기판안착플레이트(310)의 외곽부근에서 제2발열부(334)의 열선의 폭은 기판안착플레이트(310)의 중앙부근에서 이웃하는 제2발열부(334)의 열선의 폭 보다 크게 형성될 수 있다.For example, in order to increase the amount of heat generated at the outer portion of the substrate mounting plate 310 , the width of the hot wire of the second heat generating unit 334 near the outer portion of the substrate mounting plate 310 is at the center of the substrate mounting plate 310 . It may be formed to be larger than the width of the heating wire of the adjacent second heating unit 334 in the vicinity.

이때, 상기 제2발열부(334)는, 기판안착플레이트(310) 내부에 상기 제1발열부(332)와 상하방향 간격(G)을 두고 설치될 수 있다.In this case, the second heat generating unit 334 may be installed inside the substrate seating plate 310 with a vertical distance G from the first heat generating unit 332 .

상기 간격(G)는 설계에 따라 다양하게 가변될 수 있고, 기판안착플레이트(310)의 평면 상 영역별로 일정한 값을 유지하거나 또는 위치에 따라 가변될 수 있다.The distance G may be variously varied according to a design, and may be maintained at a constant value for each planar area of the substrate mounting plate 310 or may be varied according to a location.

예로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제2발열부(334)는, 제1발열부(332) 보다 상측에 간격(G)을 두고 설치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 1 , the second heat generating unit 334 may be installed with a gap G at an upper side than the first heat generating unit 332 .

이때, 상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제1발열부(332)가 배치되는 제1배치평면(S1)은, 상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제2발열부(334)가 배치되는 제2배치평면(S2) 보다 하측에 위치될 수 있다.At this time, the first arrangement plane S1 in which the first heat generating part 332 of the substrate seating plate 310 is disposed is the second heat generating part 334 of the board seating plate 310 being disposed. 2 It may be located below the arrangement plane (S2).

기판지지대(300)의 외곽부는 중앙부 보다 열손실이 크게 발생해 중앙부 보다 상대적으로 더 많은 히팅이 필요한데, 기판지지대(300)의 외곽부까지 커버하는 제2발열부(334)가 제1발열부(332) 보다 상측에 위치됨으로써, 기판지지대(300)의 외곽부에 더 많은 히팅이 가능한 이점이 있다.The outer portion of the substrate support 300 generates a greater heat loss than the central portion and requires relatively more heating than the central portion. 332), by being located at the upper side, there is an advantage that more heating is possible in the outer portion of the substrate support (300).

다른 예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제2발열부(334)는, 제1발열부(332) 보다 하측에 간격(G)을 두고 설치될 수 있다.As another example, as shown in FIG. 2 , the second heat generating unit 334 may be installed with a gap G at a lower side than the first heat generating unit 332 .

이때, 상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제1발열부(332)가 배치되는 제1배치평면(S1)은, 상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제2발열부(334)가 배치되는 제2배치평면(S2) 보다 상측에 위치될 수 있다.At this time, the first arrangement plane S1 in which the first heat generating part 332 of the substrate seating plate 310 is disposed is the second heat generating part 334 of the board seating plate 310 being disposed. It may be located above the second arrangement plane (S2).

또한, 상기 제1발열부(332)가 배치되는 제1배치평면(S1)과 상기 제2발열부(334)가 배치되는 제2배치평면(S2)은 서로 평행을 이룰 수 있다.In addition, the first arrangement plane S1 in which the first heat generating part 332 is disposed and the second arrangement plane S2 in which the second heat generating part 334 is disposed may be parallel to each other.

더 나아가, 상기 제1발열부(332) 및 상기 제2발열부(334)는, 상기 제1영역(A1)에서 상하 상호 중첩되는 동일 패턴으로 배치될 수 있다.Furthermore, the first heating part 332 and the second heating part 334 may be disposed in the same pattern overlapping each other vertically in the first area A1 .

반대로, 상기 제1발열부(332) 및 상기 제2발열부(334)가, 상기 제1영역(A1)에서 상하 상호 중첩되지 않는 상이한 패턴으로 배치되는 예도 가능함은 물론이다.Conversely, an example in which the first heat generating part 332 and the second heat generating part 334 are disposed in different patterns that do not overlap each other up and down in the first area A1 is also possible.

제1영역(A1)에서 제1발열부(332) 및 제2발열부(334)가 상하 상호 중첩되지 않는 패턴으로 패치됨으로써, 기판지지대(300) 히팅 시 제1발열부(332) 및 제2발열부(334)가 서로 상하 겹치지 않는 위치에서 기판지지대(300)를 가열할 수 있으므로, 기판지지대(300)의 온도를 상호 보완할 수 있는 이점이 있다.In the first area A1 , the first and second heat generating units 332 and 334 are patched in a pattern that does not overlap each other, so that the first and second heat generating units 332 and 334 are heated when the substrate support 300 is heated. Since the heat generating unit 334 can heat the substrate support 300 at positions that do not overlap each other, there is an advantage in that the temperature of the substrate support 300 can be mutually supplemented.

이때, 상기 제1발열부(332) 및 상기 제2발열부(334)는, 서로 동일한 재질로 이루어질 수 있다.In this case, the first heat generating part 332 and the second heat generating part 334 may be made of the same material.

상기 제1발열부(332) 및 상기 제2발열부(334) 모두 평면 상 기판안착플레이트(310)의 중앙부에 배치될 수 있으므로, 도 5와 같은 종래의 연결라인(L)은 추가적으로 구비될 필요가 없다.Since both the first heat generating part 332 and the second heat generating part 334 may be disposed in the central part of the substrate seating plate 310 on a plane, the conventional connection line L as shown in FIG. 5 needs to be additionally provided. there is no

즉, 상기 히터부(330)는, 상기 제1발열부(332)로 전력을 전달하기 위하여 상기 지지샤프트(320) 내부에서 상하방향으로 연장되며 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 상기 제1발열부(332)의 양 끝단에 각각 전기적으로 접속되는 한 쌍의 제1파워로드(336)와, 상기 제2발열부(334)로 전력을 전달하기 위하여 상기 지지샤프트(320) 내부에서 상하방향으로 연장되며 상기 제2발열부(334)의 양 끝단에 각각 전기적으로 접속되는 한 쌍의 제2파워로드(338)를 포함할 수 있다.That is, the heater unit 330 extends in the vertical direction inside the support shaft 320 in order to transmit power to the first heat generating unit 332 , and at the center of the substrate seating plate 310 , the first A pair of first power rods 336 electrically connected to both ends of the heat generating unit 332, respectively, and the support shaft 320 in the vertical direction to transmit power to the second heat generating unit 334. and may include a pair of second power rods 338 respectively electrically connected to both ends of the second heat generating unit 334 .

상기 한 쌍의 제1파워로드(336)는, 상기 제1발열부(332)로 전력을 전달하기 위하여 상기 지지샤프트(320) 내부에서 상하방향으로 연장되며 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 상기 제1발열부(332)의 양 끝단에 각각 전기적으로 접속되는 전력전달부재로서 다양한 구성이 가능하다.The pair of first power rods 336 extend in the vertical direction inside the support shaft 320 in order to transmit power to the first heat generating unit 332 , and at the center of the substrate seating plate 310 . Various configurations are possible as a power transmission member electrically connected to both ends of the first heat generating unit 332 .

상기 한 쌍의 제1파워로드(336)는 각각 제1발열부(332)의 양 끝단 전기접속점(P)에 연결될 수 있다.The pair of first power rods 336 may be respectively connected to the electrical connection points P at both ends of the first heat generating part 332 .

상기 한 쌍의 제1파워로드(336)는, 타단에서 외부전원(337)에 연결될 수 있다.The pair of first power rods 336 may be connected to an external power source 337 at the other end.

상기 한 쌍의 제2파워로드(338)는, 상기 제2발열부(334)로 전력을 전달하기 위하여 상기 지지샤프트(320) 내부에서 상하방향으로 연장되며 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 상기 제2발열부(334)의 양 끝단에 각각 전기적으로 접속되는 전력전달부재로서 다양한 구성이 가능하다.The pair of second power rods 338 extend in the vertical direction inside the support shaft 320 in order to transmit power to the second heat generating unit 334 , and at the center of the substrate seating plate 310 . Various configurations are possible as a power transmitting member electrically connected to both ends of the second heat generating unit 334, respectively.

상기 한 쌍의 제2파워로드(338)는 각각 제2발열부(334)의 양 끝단 전기접속점(P)에 연결될 수 있다.The pair of second power rods 338 may be respectively connected to the electrical connection points P at both ends of the second heat generating unit 334 .

상기 한 쌍의 제2파워로드(338)는, 타단에서 외부전원(337)에 연결될 수 있다.The pair of second power rods 338 may be connected to an external power source 337 at the other end.

본 발명은 히터부(330)를 복수의 층으로 분할하고 상하로 배치함으로써, 종래와 같이 기판지지대(300)의 외곽부로 전력을 전달하기 위한 연결라인(L) 없이 일반적인 열선히터로 이루어지는 제2발열부(334)를 통해 기판지지대(300)의 중앙부에서 외곽부까지 전력을 전달하여 히팅할 수 있으며 제2발열부(334)가 기존 열선히터로 구성되므로 크랙을 형성하는 과도한 열팽창이 발생되지 않도록 할 수 있다.The present invention divides the heater unit 330 into a plurality of layers and arranges them up and down, so that the second heat generated by a general hot wire heater without a connection line L for transmitting power to the outer part of the substrate support 300 as in the prior art. It is possible to heat by transferring power from the central part to the outer part of the substrate support 300 through the part 334, and since the second heating part 334 is composed of an existing heating wire heater, excessive thermal expansion that forms cracks does not occur. can

즉, 본 발명의 핵심은 종래 연결라인(L)을 제2발열부(334)의 열선(L)으로 대체하고 연결라인(L)을 대체한 열선이 제1발열부(332)와 간섭되지 않도록 제2발열부(334)를 제1발열부(332)와 다른 평면 상에 배치한데 있다.That is, the core of the present invention is to replace the conventional connecting line (L) with the hot wire (L) of the second heat generating unit 334 and to prevent the hot wire replacing the connecting line (L) from interfering with the first heat generating unit (332). The second heat generating unit 334 is disposed on a different plane from the first heat generating unit 332 .

이러한 경우, 기판지지대(300)의 중앙부(제1영역(A1))은 제1발열부(332)와 제2발열부(334) 모두에 의해 히팅 되는데, 이때 중앙부의 온도가 과도하게 높아지거나 또는 저하되는 것은 중앙부에 위치되는 제1발열부(332) 및 제2발열부(334)의 히터패턴을 달리 조정함으로써 방지할 수 있다.In this case, the central part (the first area A1) of the substrate support 300 is heated by both the first heating part 332 and the second heating part 334, in which case the temperature of the central part becomes excessively high or The deterioration can be prevented by differently adjusting the heater patterns of the first and second heating units 332 and 334 located in the central portion.

상술한 기판지지대(300) 및 기판처리장치는, 클러스터타입 기판처리시스템 및 인라인기판처리시스템 등 다양한 기판처리시스템에 적용될 수 있다.The above-described substrate support 300 and substrate processing apparatus may be applied to various substrate processing systems, such as a cluster type substrate processing system and an in-line substrate processing system.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above has only been described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as noted, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and It will be said that the technical idea and the technical idea accompanying the fundamental are all included in the scope of the present invention.

100: 공정챔버 200: 가스분사부
300: 기판지지대100: process chamber 200: gas injection unit
300: substrate support

Claims (19)

기판(10)에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 설치되어 상기 기판(10)을 지지하는 기판지지대(300)로서,
상면에 기판(10)이 안착되는 기판안착면(312)이 형성되는 기판안착플레이트(310)와; 상기 기판안착플레이트(310) 저면에 결합되는 지지샤프트부(320)와; 상기 기판안착면(312)에 안착된 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(330)를 포함하며,
상기 히터부(330)는, 상기 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부로부터 연장 형성되어 상기 기판안착플레이트(310)의 내부에 설치되며 평면 상 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부를 포함하는 제1영역(A1)에 미리 설정된 제1패턴으로 배치되는 제1발열부(332)와, 상기 기판안착플레이트(310)의 저면 중앙부로부터 연장 형성되어 상기 제1발열부(332)와 상하방향 간격(G)을 두고 상기 기판안착플레이트(310) 내부에 설치되며 평면 상 상기 제1영역(A1)을 포함하며 상기 제1영역(A1) 보다 더 큰 제2영역(A2)에 미리 설정된 제2패턴으로 배치되는 제2발열부(334)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).As a substrate support 300 installed in a substrate processing apparatus for performing substrate processing on the substrate 10 to support the substrate 10,
a substrate seating plate 310 having a substrate seating surface 312 on which the substrate 10 is mounted; a support shaft portion 320 coupled to the bottom surface of the substrate seating plate 310; and a heater unit 330 for heating the substrate 10 seated on the substrate seating surface 312,
The heater unit 330 is formed to extend from the central portion of the bottom surface of the substrate seating plate 310 , is installed inside the substrate seating plate 310 , and includes a central portion of the substrate seating plate 310 in a plan view. The first heat generating part 332 arranged in a first pattern preset in the area A1, and extending from the center of the bottom surface of the substrate seating plate 310, the first heat generating part 332 and the vertical distance (G) ), is installed inside the substrate seating plate 310, includes the first area A1 on a plane, and is arranged in a preset second pattern in a second area A2 larger than the first area A1. The substrate support 300, characterized in that it comprises a second heat generating portion (334). 청구항 1에 있어서,
상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제1발열부(332)가 배치되는 제1배치평면(S1)과 상기 제2발열부(334)가 배치되는 제2배치평면(S2)은 서로 평행한 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).The method according to claim 1,
Of the substrate seating plate 310, the first arrangement plane S1 in which the first heat generating part 332 is disposed and the second arrangement plane S2 in which the second heat generating part 334 is disposed are parallel to each other. The substrate support 300, characterized in that. 청구항 1에 있어서,
상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제1발열부(332)가 배치되는 제1배치평면(S1)은, 상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제2발열부(334)가 배치되는 제2배치평면(S2) 보다 하측에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).The method according to claim 1,
The first arrangement plane S1 on which the first heat generating part 332 of the substrate seating plate 310 is disposed is a second arrangement in which the second heat generating part 334 of the board seating plate 310 is disposed. The substrate support 300, characterized in that it is located below the plane (S2). 청구항 1에 있어서,
상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제1발열부(332)가 배치되는 제1배치평면(S1)은, 상기 기판안착플레이트(310) 중 상기 제2발열부(334)가 배치되는 제2배치평면(S2) 보다 상측에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).The method according to claim 1,
The first arrangement plane S1 on which the first heat generating part 332 of the substrate seating plate 310 is disposed is a second arrangement in which the second heat generating part 334 of the board seating plate 310 is disposed. The substrate support 300, characterized in that it is located above the plane (S2). 청구항 1에 있어서,
상기 히터부(330)는, 상기 제1발열부(332)로 전력을 전달하기 위하여 상기 지지샤프트(320) 내부에서 상하방향으로 연장되며 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 상기 제1발열부(332)의 양 끝단에 각각 전기적으로 접속되는 한 쌍의 제1파워로드(336)와, 상기 제2발열부(334)로 전력을 전달하기 위하여 상기 지지샤프트(320) 내부에서 상하방향으로 연장되며 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 상기 제2발열부(334)의 양 끝단에 각각 전기적으로 접속되는 한 쌍의 제2파워로드(338)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).The method according to claim 1,
The heater unit 330 extends vertically inside the support shaft 320 in order to transmit power to the first heat generating unit 332 , and is located at the center of the substrate seating plate 310 , the first heat generating unit. A pair of first power rods 336 electrically connected to both ends of the 332, respectively, extend in the vertical direction inside the support shaft 320 to transmit power to the second heat generating unit 334 and a pair of second power rods 338 electrically connected to both ends of the second heat generating unit 334 in the central portion of the substrate seating plate 310, respectively. . 청구항 1에 있어서,
상기 제1발열부(332) 및 상기 제2발열부(334)는, 상기 제1영역(A1)에서 상하 상호 중첩되는 동일 패턴으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).The method according to claim 1,
The first and second heat generating units (332) and (334), the substrate support (300), characterized in that disposed in the same pattern overlapping each other up and down in the first area (A1). 청구항 1에 있어서,
상기 제1발열부(332) 및 상기 제2발열부(334)는, 상기 제1영역(A1)에서 상하 상호 중첩되지 않는 패턴으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).The method according to claim 1,
The first and second heat generating units (332) and (334) are disposed in a pattern that does not overlap vertically in the first area (A1). 청구항 1에 있어서,
상기 제2영역(A2) 중 상기 제1영역(A1)을 제외한 외곽영역에서 상기 제2발열부(334)에 의한 단위면적당 발열량은, 상기 제1영역(A1)에서 상기 제2발열부(334)에 의한 단위면적당 발열량 보다 큰 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).The method according to claim 1,
The amount of heat generated per unit area by the second heat generating part 334 in an outer area of the second area A2 except for the first area A1 is the amount of heat generated by the second heat generating part 334 in the first area A1. ), the substrate support 300, characterized in that greater than the amount of heat generated per unit area. 청구항 8에 있어서,
상기 제2발열부(334)는, 상기 제1영역보다 상기 외곽영역에서 더 조밀하게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).9. The method of claim 8,
The second heat generating unit (334), the substrate support (300), characterized in that it is arranged more densely in the outer region than in the first region. 청구항 9에 있어서,
상기 제2발열부(334)는, 열선이며,
상기 제2발열부(334)는, 상기 외곽영역에서 이웃하는 열선 사이 간격이 상기 제1영역에서 이웃하는 열선 사이의 간격 보다 작게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).10. The method of claim 9,
The second heating part 334 is a heating wire,
The second heat generating unit 334, the substrate support 300, characterized in that the interval between the neighboring heating wire in the outer region is arranged to be smaller than the interval between the neighboring heating wire in the first region. 청구항 9에 있어서,
상기 제2발열부(334)는, 나선형으로 권선되는 코일형열선이며,
상기 제2발열부(334)는, 상기 외곽영역에 배치되는 상기 코일형열선의 단위길이당 권선수가 상기 제1영역에 배치되는 상기 코일형열선의 단위길이당 권선수 보다 큰 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).10. The method of claim 9,
The second heating part 334 is a coil-type heating wire wound in a spiral,
The second heating unit 334 is a substrate, characterized in that the number of turns per unit length of the coiled heating wire disposed in the outer region is greater than the number of turns per unit length of the coiled heating wire disposed in the first region. support 300 . 청구항 8에 있어서,
상기 제2발열부(334)는, 상기 제1영역(A1)과 상기 외곽영역의 경계를 기준으로 상이한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).9. The method of claim 8,
The second heat generating unit 334, the substrate support 300, characterized in that made of a different material based on the boundary between the first area (A1) and the outer area. 청구항 1에 있어서,
상기 제2영역(A2)에서 상기 제2발열부(334)에 의한 단위면적당 발열량은, 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 증가되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).The method according to claim 1,
In the second area (A2), the amount of heat generated per unit area by the second heat generating part (334) is increased from the central part of the substrate mounting plate (310) to the outer part of the substrate support support (300). 청구항 13에 있어서,
상기 제2발열부(334)는, 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 조밀하게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).14. The method of claim 13,
The second heat generating part (334), the substrate support plate (300), characterized in that it is densely disposed going from the central portion to the outer portion of the substrate mounting plate (310). 청구항 14에 있어서,
상기 제2발열부(334)는, 열선이며,
상기 제2영역(A2)에서 이웃하는 열선 사이 간격은 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 감소되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).15. The method of claim 14,
The second heating part 334 is a heating wire,
The substrate support 300, characterized in that the interval between the adjacent hot wire in the second area (A2) is arranged to decrease from the central portion to the outer portion of the substrate seating plate (310). 청구항 14에 있어서,
상기 제2발열부(334)는, 나선형으로 권선되는 코일형열선이며,
상기 제2발열부(334)는, 상기 제2영역(A2)에서 상기 코일형열선의 단위길이당 권선수는 상기 기판안착플레이트(310)의 중앙부에서 외곽부로 가며 증가되는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).15. The method of claim 14,
The second heating part 334 is a coil-type heating wire wound in a spiral,
In the second heat generating unit 334, the number of turns per unit length of the coiled heating wire in the second area A2 is increased from the central portion of the substrate seating plate 310 to the outer portion of the substrate support. (300). 청구항 1에 있어서,
상기 제1발열부(332) 및 상기 제2발열부(334)는, 서로 동일한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).The method according to claim 1,
The first heat generating unit (332) and the second heat generating unit (334), the substrate support (300), characterized in that made of the same material as each other. 청구항 1에 있어서,
상기 제2영역(A2)은, 상기 기판안착플레이트(310)의 상면 외곽부까지 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지대(300).The method according to claim 1,
The second area (A2), the substrate support (300), characterized in that it includes the upper outer portion of the substrate mounting plate (310). 기판(10)에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치로서,
밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)을 지지하는 청구항 1 내지 청구항 18 중 어느 하나의 항에 따른 기판지지대(300)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(200)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.As a substrate processing apparatus for performing substrate processing on the substrate (10),
a process chamber 100 forming a closed processing space (S); The substrate support 300 according to any one of claims 1 to 18, which is installed in the process chamber 100 to support the substrate 10; and a gas injection unit (200) installed above the process chamber (100) to inject gas into the processing space (S).
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