KR20220012997A - 화소 배열 구조, 표시 패널 및 표시 장치 - Google Patents

화소 배열 구조, 표시 패널 및 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220012997A
KR20220012997A KR1020227001336A KR20227001336A KR20220012997A KR 20220012997 A KR20220012997 A KR 20220012997A KR 1020227001336 A KR1020227001336 A KR 1020227001336A KR 20227001336 A KR20227001336 A KR 20227001336A KR 20220012997 A KR20220012997 A KR 20220012997A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel
sub
conversion unit
unit
light conversion
Prior art date
Application number
KR1020227001336A
Other languages
English (en)
Inventor
쿠일리 가이
Original Assignee
청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디. filed Critical 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
Publication of KR20220012997A publication Critical patent/KR20220012997A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/302—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

화소 배열 구조, 표시 패널 및 표시 장치로서, 화소 배열 구조는 어레이로 분포되는 복수의 반복 유닛(100, 201, 202, 203, 204, 205)을 포함하고, 반복 유닛(100, 201, 202, 203, 204, 205)은 행 방향에서 서로 인접하여 설치되는 제1 화소 유닛(2011, 2021, 2031, 2041, 2051) 및 제2 화소 유닛(2012, 2022, 2042)을 적어도 포함하며, 제1 화소 유닛(2011, 2021, 2031, 2041, 2051) 및 제2 화소 유닛(2012, 2022, 2042)은 각각 행 방향으로 분포되는 상이한 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 포함하고, 여기서, 제1 화소 유닛(2011, 2021, 2031, 2041, 2051)의 제1 서브 화소와 제2 화소 유닛(2012, 2022, 2042) 의 제1 서브 화소는 서로 인접하여 설치된다. 화소 배열 구조를 사용하는 것을 통해, 서로 인접하는 화소 사이의 광학 크로스토크의 문제를 해결할 수 있다.

Description

화소 배열 구조, 표시 패널 및 표시 장치
본원은 2019년 7월 9일에 제출된 발명의 명칭이 "화소 배열 구조, 표시 패널 및 표시 장치"인 중국 특허 출원 제201910613769.3호의 우선권을 주장하며, 그 전체 내용을 여기에 참조로 원용한다.
본원은 표시 기술 분야에 관한 것으로, 특히 화소 배열 구조, 표시 패널 및 표시 장치에 관한 것이다.
현재 마이크로 발광 다이오드(Micro Light Emitting Diode, Micro-LED)는 주로 단일 청색 광원과 양자점 색변환층을 조합한 컬러화 표시 방안, 즉 청색광 LED의 여기에 의해 특정 파장의 광선을 방출하는 방안을 채택하고 있고, 나노형광체 또는 양자점 재료의 축광 효과를 통해, 일부 청색광을 적색광 및 녹색광으로 변환시켜 컬러화 표시를 구현한다. 하지만, 나노형광체 또는 양자점 재료가 청색광을 적색광과 녹색광으로 변환할 때 불가피하게 일정 비율의 청색광이 출사되어, 서로 인접하는 화소 사이에 광학 크로스토크 문제가 발생한다. 광학 크로스토크 문제는 고PPI 표시 시에, 화소 사이즈가 작기에 더욱 악화된다.
본원은 화소 배열 구조, 표시 패널 및 표시 장치를 제공하여 서로 인접하는 화소 사이의 광학 크로스토크 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
일 양태에서, 본원의 실시예는 화소 배열 구조를 제공하는 바, 상기 화소 배열 구조는 어레이 형태로 분포되는 복수의 반복 유닛을 포함하고, 반복 유닛은 행 방향에서 서로 인접하여 설치되는 제1 화소 유닛 및 제2 화소 유닛을 적어도 포함하며, 제1 화소 유닛 및 제2 화소 유닛은 각각 행 방향으로 분포되는 상이한 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 포함하고, 여기서, 제1 화소 유닛의 제1 서브 화소와 제2 화소 유닛의 제1 서브 화소는 서로 인접하여 설치된다.
본원의 일 양태의 실시형태에 따르면, 제1 화소 유닛의 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제1 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되고, 제2 화소 유닛의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열된다.
본원의 일 양태의 전술한 어느 하나의 실시형태에 따르면, 제1 화소 유닛의 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제1 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되고, 제2 화소 유닛의 제1 서브 화소, 제3 서브 화소, 및 제2 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열된다.
본원의 일 양태의 전술한 어느 하나의 실시형태에 따르면, 화소 배열 구조는 반복 유닛이 행 방향으로 병진 이동되고 또한 열 방향으로 병진 이동되어 형성된다.
본원의 일 양태의 전술한 어느 하나의 실시형태에 따르면, 제1 서브 화소는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소 중 어느 하나이다.
다른 양태에서, 본원의 실시예는 표시 패널을 제공하는 바, 상기 표시 패널은,
베이스 기판 및 베이스 기판 상에 설치되는 구동 회로를 포함하는 구동 백플레인;
구동 백플레인 상에 설치되는 발광층으로서, 발광층은 어레이로 분포되는 마이크로 발광 다이오드를 포함하는 발광층; 및
구동 백플레인에 대응되게 설치되는 컬러 필름 기판으로서, 컬러 필름 기판의 마이크로 발광 다이오드와 대향하는 일측에는 광변환 유닛과 배리어가 설치되고, 서로 인접하는 광변환 유닛은 배리어에 의해 서로 분리되며, 상기 광변환 유닛은 마이크로 발광 다이오드의 출사광을 각 서브 화소에 대응되는 색상의 광선으로 변환하는 컬러 필름 기판;을 포함하고, 상기 광변환 유닛은 상이한 색상의 제1 원색 광변환 유닛, 제2 원색 광변환 유닛 및 제3 원색 광변환 유닛을 적어도 포함하며, 여기서, 제1 원색 광변환 유닛은 제1 서브 화소에 대응되고, 제2 원색 광변환 유닛은 제2 서브 화소에 대응되며, 제3 원색 광변환 유닛은 제3 서브 화소에 대응되고, 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소는 전술한 화소 배열 구조를 갖는다.
본원의 다른 양태의 전술한 어느 하나의 실시형태에 따르면, 광변환 유닛은 역사다리꼴 구조를 갖는다.
본원의 다른 양태의 실시형태에 따르면, 화소에 의해 공유되는 제1 원색 광변환 유닛의 면적 S는 a<S≤2a를 충족하고, 여기서 a는 제1 소정 면적이며, 제2 원색 광변환 유닛 및/또는 제3 원색 광변환 유닛의 면적 S1은 a<S1<S를 충족한다.
본원의 다른 양태의 전술한 어느 하나의 실시형태에 따르면, 배리어의 마이크로 발광 다이오드와 대향하는 표면은 광변환 유닛의 입광면과 동일한 평면이거나, 또는, 상기 광변환 유닛의 입광면으로부터 돌출된다.
본원의 다른 양태의 전술한 어느 하나의 실시형태에 따르면, 화소에 의해 공유되는 제1 원색 광변환 유닛에 대응되는 2개의 마이크로 발광 다이오드 사이의 거리는 소정 거리 미만이다.
본원의 다른 양태의 전술한 어느 하나의 실시형태에 따르면, 마이크로 발광 다이오드는 청색광 마이크로 발광 다이오드이고, 제1 원색 광변환 유닛, 제2 원색 광변환 유닛 및 제3 원색 광변환 유닛은 각각 적색 변환 유닛, 녹색 변환 유닛 및 투명 유닛이다.
본원의 다른 양태의 전술한 어느 하나의 실시형태에 따르면, 적색 변환 유닛 및 녹색 변환 유닛에 대응되게 각각 광필터층이 설치되고, 광필터층은 대응되는 원색 광변환 유닛의 출광면 및 측벽에 위치한다.
본원의 다른 양태의 전술한 어느 하나의 실시형태에 따르면, 마이크로 발광 다이오드는 자외선 마이크로 발광 다이오드이고, 제1 원색 광변환 유닛, 제2 원색 광변환 유닛 및 제3 원색 광변환 유닛은 각각 적색 변환 유닛, 녹색 변환 유닛 및 청색 변환 유닛이다.
본원의 다른 양태의 전술한 어느 하나의 실시형태에 따르면, 적색 변환 유닛, 녹색 변환 유닛 및 청색 변환 유닛에 대응되게 각각 광필터층이 설치되고, 광필터층은 대응되는 원색 광변환 유닛의 출광면 및 측벽에 위치한다.
제3 양태에서, 본원의 실시예는 전술한 표시 패널을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상술한 바와 같이, 본원 실시예에서, 화소 배열 구조의 반복 유닛이 행 방향에서 서로 인접하여 설치되는 제1 화소 유닛 및 제2 화소 유닛을 적어도 포함하고, 제1 화소 유닛의 제1 서브 화소와 제2 화소 유닛의 제1 서브 화소가 서로 인접하여 설치되어, 제1 화소 유닛 및 제2 화소 유닛의 제1 서브 화소가 제1 원색 광변환 유닛을 공유할 수 있도록 한다. 이리하여, 화소 유닛의 면적이 고정된다는 전제 하에, 화소에 의해 공유되는 원색 광변환 유닛의 면적은 2개의 서브 화소 유닛의 전체 면적에 비해 적절히 감소될 수 있고, 이에 따라, 서로 인접하는 광변환 유닛 사이의 배리어의 폭이 넓어져, 상이한 화소의 출사광 사이의 거리가 멀어지게 되기에, 서로 인접하는 화소 사이의 광학 크로스토크 문제를 감소시킬 수 있다.
또한, 화소 유닛의 면적이 고정된다는 전제 하에, 화소에 의해 공유되는 광변환 유닛의 면적과, 화소에 의해 공유되지 않는 제2 서브 화소 및/또는 제3 서브 화소에 대응되는 광변환 유닛의 면적은, 단일 서브 화소 유닛의 면적에 비해 적절하게 증가될 수 있으므로, 서로 인접하는 화소의 광학 크로스토크를 감소한다는 전제 하에, 화소의 투광율을 증가시킬 수 있어, 표시 효과를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본원의 예시적인 실시예의 특징, 장점 및 기술적 효과에 대해 설명하는바, 첨부된 도면은 실제 축척에 따라 도시된 것이 아니다.
도 1은 마이크로 발광 다이오드 표시 패널의 제1 구조 개략도이다.
도 2는 마이크로 발광 다이오드 표시 패널의 제2 구조 개략도이다.
도 3은 도 1에 대응되는 일반적인 화소 배열 구조 개략도이다.
도 4는 도 3에 대응되는 광변환 유닛 및 배리어의 평면 분포 개략도이다.
도 5는 본원의 실시예에 따른 제1 화소 배열 구조 개략도이다.
도 6은 본원의 실시예에 따른 제2 화소 배열 구조 개략도이다.
도 7은 본원의 실시예에 따른 제3 화소 배열 구조 개략도이다.
도 8은 본원의 실시예에 따른 제4 화소 배열 구조 개략도이다.
도 9는 도 8에 대응되는 광변환 유닛 및 배리어의 평면 분포 개략도이다.
도 10은 본원의 실시예에 따른 제5 화소 배열 구조 개략도이다.
도 11은 도 10에 대응되는 광변환 유닛 및 배리어의 평면 분포 개략도이다.
도 12는 본원의 일 실시예에 따른 표시 패널의 구조 개략도이다.
도 13은 본원의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 구도 개략도이다.
이하, 본원의 다양한 양태의 특징 및 예시적인 실시예를 상세히 설명한다. 하기 상세한 설명에서, 본원에 대한 포괄적인 이해를 제공하기 위해, 많은 특정 세부 사항이 제공되었다.
도 1을 참조하면, 마이크로 발광 다이오드 표시 패널은 구동 백플레인(10), 발광층 및 컬러 필름 기판(30)을 포함한다. 여기서, 구동 백플레인(10)은 베이스 기판 및 베이스 기판 상에 설치되는 구동 회로를 포함한다. 구동 회로는 박막 트랜지스터 등 소자를 포함하고, 구동 백플레인(10)은 어레이 기판이라고도 불리운다. 발광층은 구동 백플레인(10)에 설치되고, 발광층은 어레이로 분포되는 마이크로 발광 다이오드(20)를 포함한다.
컬러 필름 기판(30)은 구동 백플레인(10)에 대응되게 설치되고, 컬러 필름 기판(30)의 마이크로 발광 다이오드(20)와 대향하는 일측에는 광변환 유닛(40) 및 배리어(50)가 설치되며, 서로 인접하는 광변환 유닛(40)은 배리어(50)에 의해 서로 분리되어 설치되고, 광변환 유닛(40)은 마이크로 발광 다이오드(20)의 출사광을 각 서브 화소에 대응되는 색상의 광선으로 변환한다.
광변환 유닛(40)은 상이한 색상의 제1 원색 광변환 유닛(401), 제2 원색 광변환 유닛(402) 및 제3 원색 광변환 유닛(403)을 적어도 포함한다. 여기서, 제1 원색 광변환 유닛은 제1 서브 화소에 대응되고, 제1 원색 광변환 유닛(401)에서 변환된 광선은 하나의 제1 서브 화소를 형성한다. 제2 원색 광변환 유닛은 제2 서브 화소에 대응되고, 제2 원색 광변환 유닛(402)에서 변환된 광선은 하나의 제2 서브 화소를 형성한다. 제3 원색 광변환 유닛은 제3 서브 화소에 대응되고, 제3 원색 광변환 유닛(403)에서 변환된 광선은 하나의 제3 서브 화소를 형성한다. 여기서, 제1 원색 광변환 유닛(401), 제2 원색 광변환 유닛(402) 및 제3 원색 광변환 유닛(403)의 위치 순서를 제한하지 않는다.
일부 실시예에서, 광변환 유닛(40)은 역 사다리꼴 구조를 가질 수 있다. 도 2를 참조하면, 광변환 유닛(40)의 단면적은 컬러 필름 기판(30)으로부터 구동 백플레인(10)을 향하는 방향에서 점진적으로 증가하고, 마이크로 발광 다이오드(20)의 출사광이 단면적이 비교적 큰 일면으로부터 입사될 때, 광변환 유닛(40)의 광 입사율을 향상시킬 수 있다.
일부 실시예에서, 마이크로 발광 다이오드(20)는 청색광 마이크로 발광 다이오드일 수 있고, 청색광 마이크로 발광 다이오드는 청색광을 생성할 수 있다. 이때, 제1 원색 광변환 유닛(401), 제2 원색 광변환 유닛(402) 및 제3 원색 광변환 유닛(403)은 각각 적색 변환 유닛, 녹색 변환 유닛 및 투명 유닛이다.
적색 변환 유닛은 적색광을 생성하는 데 사용되는 축광 재료 예를 들어 적색 양자점과 포토레지스트가 혼합되어 형성된 재료 또는 적색 유기 축광 재료와 포토레지스트가 혼합되어 형성된 재료를 포함하는 바, 마이크로 발광 다이오드(20)의 출사광을 적색광으로 변환하는 데 사용된다. 녹색 변환 유닛은 녹색광을 생성하는 데 사용되는 축광 재료 예를 들어 녹색 양자점과 포토레지스트가 혼합되어 형성된 재료 또는 녹색 유기 축광 재료와 포토레지스트가 혼합되어 형성된 재료를 포함하는 바, 마이크로 발광 다이오드(20)의 출사광을 녹색광으로 변환하는 데 사용된다. 그 중, 포토레지스트는 네거티브 포토레지스트이고, 양자점 조성은 ZnS, ZnO, CdS, InP 등 무기 나노 입자일 수 있다.
투명 유닛은 청색광 마이크로 발광 다이오드에서 출사되는 청색광을 변환할 필요가 없이 청색광 마이크로 발광 다이오드에서 출사되는 청색광을 직접 투과시키기에, 적색광 및 녹색광과 함께 풀 컬러 표시를 구현한다. 투명 유닛은 투명 재료 예를 들어 투명 포토레지스트와 투명 폴리머(예를 들어 PMMA(poly methyl meth acrylate, 폴리 메틸 메타 아크릴레이트)) 등을 포함한다.
일부 실시예에서, 마이크로 발광 다이오드(20)는 자외선 마이크로 발광 다이오드일 수 있고, 자외선 마이크로 발광 다이오드는 자외선을 생성할 수 있다. 이때, 제1 원색 광변환 유닛(401), 제2 원색 광변환 유닛(402) 및 제3 원색 광변환 유닛(403)은 각각 적색 변환 유닛, 녹색 변환 유닛 및 청색 변환 유닛이다. 그 중, 청색 변환 유닛은 청색광을 생성하는 데 사용되는 축광 재료 예를 들어 청색 양자점과 포토레지스트가 혼합되어 형성된 재료 또는 청색 유기 축광 재료와 포토레지스트가 혼합되어 형성된 재료를 포함하는 바, 마이크로 발광 다이오드(20)의 출사광을 청색광으로 변환하여 적색광 및 녹색광과 함께 풀 컬러 표시를 구현하는 데 사용된다.
도 3은 도 1에 대응되는 일반적인 화소 배열 구조 개략도이다.
도 3을 참조하면, 일반적인 화소 배열 구조는 어레이 형태로 분포되는 복수의 반복 유닛(100)을 포함하고, 반복 유닛(100)은 하나의 화소 유닛을 포함하며, 화소 유닛은 행 방향으로 분포되는 상이한 색상의 적색 서브 화소(R), 녹색 서브 화소(G) 및 청색 서브 화소(B)를 포함하고, 여기서 적색 서브 화소(R), 녹색 서브 화소(G), 및 청색 서브 화소(B)의 위치 순서를 제한하지 않는다. 그 중, X는 행 방향, Y는 열 방향을 나타낸다.
도 4는 도 3에 대응되는 광변환 유닛 및 배리어의 평면 분포 개략도이다.
도 4를 참조하면, 적색 서브 화소(R)에 대응되는 광변환 유닛은 적색 변환 유닛(40(R))이고, 녹색 서브 화소(G)에 대응되는 광변환 유닛은 녹색 변환 유닛(40(G))이며, 청색 서브 화소(B)에 대응되는 광변환 유닛은 청색 변환 유닛(또는 투명 유닛)(40(B))이다. 적색 변환 유닛(40(R)), 녹색 변환 유닛(40(G)) 및 청색 변환 유닛(또는 투명 유닛)(40(B))은 배리어(50)에 의해 분리되어 설치되며, 배리어(50)는 불투명한 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM)로 이해할 수 있다.
그 중, 적색 변환 유닛(40(R))에서 변환된 광선은 하나의 R 서브 화소를 형성한다. 녹색 변환 유닛(40(G))에서 변환된 광선은 하나의 G 서브 화소를 형성한다. 청색 변환 유닛(40(B))에서 변환된 광선은 하나의 B 서브 화소를 형성한다.
도 4에 도시된 적색 변환 유닛(40(R)), 녹색 변환 유닛(40(G)) 및 청색 변환 유닛(또는 투명 유닛)(40(B))은 동일한 면적(L1)을 가지며, 서로 인접하는 광변환 유닛 사이의 배리어(50)는 동일한 폭(d1)을 갖는다.
고PPI 표시 시에, 한편으로 적색 변환 유닛(40(R))과 녹색 변환 유닛(40(G))은 불충분한 변환으로 인해 청색광 누출 문제를 초래하고, 다른 한편으로 화소 크기가 비교적 작기에, 적색 변환 유닛(40(R)) 및 녹색 변환 유닛(40(G))의 면적(L1)도 비교적 작아, 서로 인접하는 광변환 유닛 사이의 배리어(50)의 폭(d1)도 비교적 작게 되어, 서로 인접하는 화소 사이의 광학 크로스토크의 문제를 더욱 악화시킨다.
이에 기반하여, 본원의 실시예는 화소 배열 구조를 제공한다. 도 5를 참조하면, 상기 화소 구조는 어레이 형태로 분포되는 복수의 반복 유닛(201)을 포함하고, 반복 유닛(201)은 행 방향에서 서로 인접하여 설치되는 제1 화소 유닛(2011) 및 제2 화소 유닛(2022)을 적어도 포함한다. 제1 화소 유닛(2011) 및 제2 화소 유닛(2022)은 각각 행 방향으로 분포되는 상이한 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 포함하고, 여기서, 제1 화소 유닛(2011)의 제1 서브 화소와 제2 화소 유닛(2022)의 제1 서브 화소는 서로 인접하여 설치된다.
본원의 실시예는 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소의 위치 순서를 제한하지 않는다.
일부 실시예에서, 도 5를 참조하면, 제1 화소 유닛(2011)의 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제1 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되고, 제2 화소 유닛(2012)의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열된다.
일부 실시예에서, 도 6을 참조하면, 제1 화소 유닛(2011)의 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제1 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되고, 제2 화소 유닛(2012)의 제1 서브 화소, 제3 서브 화소, 및 제2 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열된다.
그 중, 제1 서브 화소는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소가 B 서브 화소이면, 제2 서브 화소는 R 서브 화소와 G 서브 화소 중 하나이고, 제3 서브 화소는 R 서브 화소와 G 서브 화소 중 다른 하나이다.
본원 실시예의 화소 배열 구조는 반복 유닛이 행 방향으로 병진 이동되고 또한 열 방향으로 병진 이동되어 형성될 수 있으며, 서로 인접하는 행 또는 열 사이는 위치가 어긋나지 않는다.
이하, 도 7과 도 8을 참조하여, 제1 서브 화소가 B 서브 화소이고 제2 서브 화소가 R 서브 화소이며 제3 서브 화소가 G 서브 화소인 것을 예로, 본원 실시예의 화소 배열 구조를 설명한다.
도 7에 도시된 반복 유닛(201)은 행 방향에서 서로 인접하여 설치되는 제1 화소 유닛(2011) 및 제2 화소 유닛(2012)을 포함한다. 제1 화소 유닛(2011)의 R 서브 화소, G 서브 화소, B 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되고, 제2 화소 유닛(2012)의 B 서브 화소, R 서브 화소, G 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되는 바, 즉 제1 화소 유닛(2011)의 B 서브 화소와 제2 화소 유닛(2012)의 B 서브 화소는 서로 인접하여 설치된다.
도 1의 표시 패널 구조에 따르면, 동일한 반복 유닛(201)의 제1 화소 유닛(2011) 및 제2 화소 유닛(2012)에 각각 속하는 서로 인접하는 2개의 B 서브 화소가 하나의 청색 변환 유닛(또는 투명 유닛)(40(B))을 공유하도록 할 수 있다.
도 8에 도시된 반복 유닛(202)은 행 방향에서 서로 인접하여 설치되는 제1 화소 유닛(2021) 및 제2 화소 유닛(2022)을 포함하고, 제1 화소 유닛(2021)의 R 서브 화소, G 서브 화소 및 B 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되고, 제2 화소 유닛(2022)의 B 서브 화소, G 서브 화소 및 R 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되는 바, 즉 제1 화소 유닛(2021)의 B 서브 화소와 제2 화소 유닛(2022)의 B 서브 화소는 서로 인접하여 설치되고, 또한, 반복 유닛(202)의 제2 화소 유닛(2022)의 제3 위치에 위치하는 R 서브 화소는, 행 방향에서 서로 인접하는 다음 하나의 반복 유닛(203)의 제1 화소 유닛(2031)의 제1 위치에 위치하는 R 서브 화소와 서로 인접하여 설치된다.
도 1의 표시 패널 구조에 따르면, 동일한 반복 유닛(202)의 상이한 화소 유닛에 각각 속하는 서로 인접하는 2개의 B 서브 화소가 하나의 청색 변환 유닛(또는 투명 유닛)(40(B))을 공유하도록 하며, 서로 인접하는 반복 유닛(202, 203)의 상이한 화소 유닛(2022, 2031)에 각각 속하는 2개의 R 서브 화소가 하나의 적색 변환 유닛(40(R))을 공유하도록 할 수 있다.
도 8과 도 7의 차이점은, 도 8의 반복 유닛(202)의 제2 화소 유닛(2022)의 제3 위치에 위치하는 R 서브 화소는, 행 방향에서 서로 인접하는 다음 하나의 반복 유닛(203)의 제1 화소 유닛(2031)의 제1 위치에 위치하는 R 서브 화소와 서로 인접하여 설치될 수 있는 것이다.
도 9는 도 8에 대응되는 광변환 유닛 및 배리어의 평면 분포 개략도이다.
도9로부터 알 수 있다시피, 동일한 반복 유닛(202)의 상이한 화소 유닛(2021, 2022)에 속하는 서로 인접하는 2개의 B 서브 화소가 하나의 청색 변환 유닛(또는 투명 유닛)(40(B))을 공유하는 기술 방안을, 마이크로 발광 다이오드 표시 패널의 구조에 대응시키면, 서로 인접하는 2개의 B 서브 화소에 대응되는 광변환 유닛 사이의 배리어(50)를 제거하여, 서로 인접하는 2개의 B 서브 화소에 대응되는 마이크로 발광 다이오드(20)에서 생성되는 광선이 화소에 의해 공유되는 청색 변환 유닛(또는 투명 유닛)(40(B))으로부터 출사되도록 하는 것이다.
다시 말해서, 청색 변환 유닛(40(B))은 서로 인접하는 2개의 B 서브 화소에 대응되고, 이러한 2개의 B 서브 화소는 서로 인접하고 또한 동일한 반복 유닛(202)의 화소 유닛(2021, 2022)에 각각 속하며, 즉 서로 인접하는 2개의 B 서브 화소는 청색 변환 유닛(40(B))을 공유한다.
마찬가지로, 서로 인접하는 반복 유닛(202, 203)의 상이한 화소 유닛(2022, 2031)에 각각 속하는 2개의 R 서브 화소가 하나의 적색 변환 유닛(40(R))을 공유하는 기술 방안을, 마이크로 발광 다이오드 표시 패널의 구조에 대응시키면, 서로 인접하는 2개의 R 서브 화소에 대응되는 적색 변환 유닛(40(R)) 사이의 배리어(50)를 제거하여, 2개의 R 서브 화소에 대응되는 마이크로 발광 다이오드(20)에서 생성되는 광선이 화소에 의해 공유되는 적색 변환 유닛(40(R)으로부터 출사되도록 하는 것이다.
다시 말해서, 적색 변환 유닛(40(R))은 서로 인접하는 2개의 R 서브 화소에 대응되고, 이러한 2개의 R 서브 화소는 서로 인접하고 또한 상이한 반복 유닛(202)의 화소 유닛(2022) 및 반복 유닛(203)의 화소 유닛(2031)에 각각 속하며, 즉 서로 인접하는 2개의 R 서브 화소는 적색 변환 유닛(40(R))을 공유한다.
청색 변환 유닛(또는 투명 유닛)(40(B))과 적색 변환 유닛(40(R))은 상이한 화소 유닛에 속하는 2개의 서브 화소에 의해 공유되기에, 이러한 구성에 의해, 화소 유닛의 면적이 고정된다는 전제 하에, 화소에 의해 공유되는 청색 변환 유닛(또는 투명 유닛)(40(B))의 면적(L2)과 적색 변환 유닛(40(R))의 면적(L3)은 2개의 서브 화소 유닛의 전체 면적에 비해 적절하게 감소될 수 있다. 이에 상응하게, 서로 인접하는 광변환 유닛 사이의 배리어(50)의 폭(d2, d3, d4)은 원래의 폭(d1)에 비해 적절하게 증가될 수 있고, 여기서, 서로 인접하는 광변환 유닛 사이의 배리어(50)의 폭이 증가됨에 따라, 상이한 화소의 출사광 사이의 거리도 증가되며, 서로 인접하는 화소간의 광학 크로스토크 문제를 감소할 수 있다.
또한, 화소 유닛의 면적이 고정된다는 전제 하에, 화소에 의해 공유되는 청색 변환 유닛(또는 투명 유닛)(40(B))의 면적(L2)과 적색 변환 유닛(40(R))의 면적(L3) 및 화소에 의해 공유되지 않는 녹색 변환 유닛(40(G))의 면적(L3)은 단일 서브 화소 유닛의 면적에 비해 모두 적절하게 증가될 수 있어, 서로 인접하는 화소의 광학 크로스토크를 감소한다는 전제 하에, 화소의 투광율을 증가시킬 수 있고, 나아가 표시 효과를 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본원 실시예의 화소 배열 구조의 반복 유닛은 행 방향에서 서로 인접하여 설치되는 제1 화소 유닛 및 제2 화소 유닛을 적어도 포함하고, 제1 화소 유닛의 제1 서브 화소와 제2 화소 유닛의 제1 서브 화소는 서로 인접하여 설치되어, 제1 화소 유닛과 제2 화소 유닛의 제1 서브 화소가 제1 원색 광변환 유닛을 공유할 수 있도록 한다. 이리하여, 화소 유닛의 면적이 고정된다는 전제 하에, 화소에 의해 공유되는 원색 광변환 유닛의 면적은 2개의 서브 화소 유닛의 전체 면적에 비해 적절히 감소될 수 있고, 이에 상응하게, 서로 인접하는 광변환 유닛 사이의 배리어(50)의 폭이 증가되어, 상이한 화소의 출사광 사이의 거리 증가되며, 서로 인접하는 화소 사이의 광학 크로스토크 문제를 감소시킬 수 있다.
본원의 실시예에 따르면, 화소 유닛의 면적이 고정된다는 전제 하에, 화소에 의해 공유되는 광변환 유닛의 면적과, 화소에 의해 공유되지 않는 제2 서브 화소 및/또는 제3 서브 화소에 대응되는 광변환 유닛의 면적은, 단일 서브 화소 유닛의 면적에 비해 적절하게 증가될 수 있으므로, 서로 인접하는 화소의 광학 크로스토크를 감소한다는 전제 하에, 화소의 투광율을 증가시킬 수 있고, 나아가 표시 효과를 향상시킬 수 있다.
도 10은 본원의 다른 일 실시예에 따른 화소 배열 구조 개략도이다.
도 10과 도 8의 차이점은, 도 10의 제1 서브 화소가 R 서브 화소이고 제2 서브 화소가 B 서브 화소이며, 제3 서브 화소가 G 서브 화소인 것이다.
도 10에 도시된 반복 유닛(204)은 행 방향에서 서로 인접하여 설치되는 제1 화소 유닛(2041) 및 제2 화소 유닛(2042)을 포함하고, 제1 화소 유닛(2042)의 R서브 화소, B 서브 화소 및 G 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되고, 제2 화소 유닛(2042)의 G 서브 화소, B 서브 화소 및 R 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되며, 즉 제1 화소 유닛(2041)의 G 서브 화소와 제2 화소 유닛(2042)의 G 서브 화소는 서로 인접하여 설치되고, 또한, 반복 유닛(204)의 제2 화소 유닛(2042)의 R 서브 화소는, 행 방향에서 서로 인접하는 다음 하나의 반복 유닛(205)의 제1 화소 유닛(2051)의 R 서브 화소와 인접하여 설치된다.
도 1의 표시 패널 구조에 따르면, 동일한 반복 유닛(204)의 상이한 화소 유닛(2041, 2042)에 각각 속하는 서로 인접하는 2개의 G 서브 화소가 하나의 녹색 변환 유닛(40(G))을 공유하도록 할 수 있고, 서로 인접하는 반복 유닛(204, 205)의 상이한 화소 유닛(2042, 2051)에 각각 속하는 2개의 R 서브 화소가 하나의 적색 변환 유닛(40(R))을 공유하도록 할 수 있다.
도 11은 도 10에 대응되는 광변환 유닛 및 배리어의 평면 분포 개략도이다.
도11로부터 알수 있다시피, 동일한 반복 유닛(204)의 상이한 화소 유닛(2041, 2042)에 속하는 서로 인접하는 2개의 G 서브 화소가 하나의 녹색 변환 유닛(40(G))을 공유하는 기술 방안을, 마이크로 발광 다이오드 표시 패널의 구조에 대응시키면, 서로 인접하는 2개의 G 서브 화소에 대응되는 광변환 유닛 사이의 배리어(50)를 제거하여, 2개의 G 서브 화소에 대응되는 마이크로 발광 다이오드(20)에서 생성되는 광선이 화소에 의해 공유되는 녹색 변환 유닛 40(G)으로부터 출사되도록 하는 것이다.
마찬가지로, 서로 인접하는 반복 유닛(204, 205)의 상이한 화소 유닛(2042, 2051)에 각각 속하는 2개의 R 서브 화소가 하나의 적색 변환 유닛(40(R))을 공유하는 기술 방안을, 마이크로 발광 다이오드 표시 패널의 구조에 대응시키면, 서로 인접하는 2개의 R 서브 화소에 대응되는 광변환 유닛 사이의 배리어(50)를 제거하여, 2개의 R 서브 화소에 대응되는 마이크로 발광 다이오드(20)에서 생성되는 광선이 화소에 의해 공유되는 적색 변환 유닛 40(R)으로부터 출사되도록 하는 것이다.
일부 실시예에서, 화소 배열 구조의 반복 유닛은 또한 행 방향에서의 2개 이상의 화소 유닛을 포함하는 바, 2개 이상의 화소 유닛이 "서로 인접하여 설치되는 제1 화소 유닛 및 제2 화소 유닛이 존재함"을 충족하고, 또한 상기 서로 인접하여 설치되는 제1 화소 유닛 및 제2 화소 유닛이 "제1 화소 유닛 및 제2 화소 유닛은 각각 행 방향으로 분포되는 상이한 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 포함하며, 여기서, 제1 화소 유닛의 제1 서브 화소와 제2 화소 유닛의 제 1 서브 화소는 서로 인접하여 설치됨"을 충족하기만 하면 된다.
다시 말해서, 반복 유닛에는 행 방향에서 서로 인접하고 또한 동일한 색상을 갖는 2개 이상의 서브 화소가 적어도 존재해야 하며, 상기 2개의 서브 화소는 서로 인접하는 2개의 화소 유닛에 각각 속하므로, 하나의 광변환 유닛을 공유함으로써, 서로 인접하는 화소의 광학 크로스토크를 감소하는 전제 하에, 화소의 광 투과율을 증가시키고, 표시 효과를 향상하는 효과를 구현할 수 있다.
도 12는 본원의 일 실시예에 따른 표시 패널의 구조 개략도로서, 도 8과 도 9의 화소 배열 구조에 대응된다.
그 중, 적색 변환 유닛(40(R))은 서로 인접하는 2개의 R 서브 화소에 대응되고, 적색 변환 유닛(40(R))에서 변환된 광선은 2개의 R 서브 화소를 형성하며, 이러한 2개의 R 서브 화소는 서로 인접하고 또한 상이한 반복 유닛(202)의 화소 유닛(2022)과 반복 유닛(203)의 화소 유닛(2031)에 각각 속하며, 즉 서로 인접하는 2개의 R 서브 화소는 적색 변환 유닛(40(R))을 공유한다.
녹색 변환 유닛(40(G))은 하나의 G 서브 화소에 대응되고, 녹색 변환 유닛(40(G))에서 변환된 광선은 하나의 G 서브 화소를 형성한다.
청색 변환 유닛(40(B))은 서로 인접하는 2개의 B 서브 화소에 대응되고, 청색 변환 유닛(40(B))에서 변환된 광선은 2개의 B 서브 화소를 형성하며, 이러한 2개의 B 서브 화소는 서로 인접하고 또한 동일한 반복 유닛(202)의 화소 유닛(2021, 2022)에 각각 속하며, 즉 서로 인접하는 2개의 B 서브 화소는 청색 변환 유닛(40(B))을 공유한다.
그 중, 동일한 색상의 서로 인접하는 서브 화소는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소 중 어느 하나일 수 있으며, 서로 인접하는 적색 서브 화소에 대응되는 광변환 유닛은 적색 변환 유닛이고, 서로 인접하는 녹색 서브 화소에 대응되는 광변환 유닛은 녹색 변환 유닛이며, 서로 인접하는 청색 서브 화소에 대응되는 광변환 유닛은 청색 변환 유닛 또는 투명 유닛이다.
본 실시예에서, 서로 인접하여 설치되는 2개의 화소 유닛 중의 서로 인접되고 또한 동일한 색상을 갖는 서브 화소가 광변환 유닛(401)과 광변환 유닛(403)을 공유하도록 하므로, 화소 유닛의 면적이 고정된다는 전제 하에, 화소에 의해 공유되는 광변환 유닛(401)과 광변환 유닛(403)의 면적은, 2개의 서브 화소 유닛의 전체 면적에 비해 적절하게 감소될 수 있으며, 이에 상응하게, 서로 인접하는 광변환 유닛 사이의 배리어(50)의 폭 및 상이한 화소의 출사광 사이의 거리도 적절히 증가될 수 있기에, 서로 인접하는 화소간의 광학 크로스토크를 감소시킬 수 있다.
또한, 화소 유닛의 면적이 고정된다는 전제 하에, 화소에 의해 공유되는 광변환 유닛(401)과 광변환 유닛(403)의 면적이 단일 서브 화소의 면적에 비해, 또한 화소에 의해 공유되지 않는 광변환 유닛(402)의 면적이 단일 서브 화소 유닛의 면적에 비해 적절하게 증가되므로, 서로 인접하는 화소의 광학 크로스토크의 감소를 충족시킬 수 있다는 전제 하에, 화소의 광 투과율을 증가시키고, 나아가 표시 효과를 향상시킬 수 있다.
도 12의 예에서, 화소에 의해 공유되는 광변환 유닛(40)의 면적과 매칭되게 하기 위해, 마이크로 발광 다이오드(20) 어레이의 간격을 조정하여, 화소에 의해 공유되는 광변환 유닛(40)에 대응되는 2개의 마이크로 발광 다이오드 사이의 거리가 소정 거리보다 작도록 한다. 본원 이전에 서로 인접하는 2개의 마이크로 발광 다이오드 사이의 거리가 동일하다고 가정하면, 여기서 소정 거리는 서로 인접하는 2개의 마이크로 발광 다이오드 사이의 초기 설계 거리로 이해될 수도 있다. 당업자는 마이크로 발광 다이오드(20) 어레이의 간격을 조정하지 않고 광변환 유닛의 면적만을 조정할 수도 있으나, 여기서 이를 제한하지 않는다.
일부 실시예에서, 서로 인접하는 화소간의 배리어(50)의 크기 설계가 높은 광 투과율 및 낮은 광학 크로스토크의 문제를 동시에 합리적으로 양립하도록 하기 위해, 화소에 의해 공유되는 광변환 유닛(403)의 면적 S는 a<S≤2a을 충족하고, 여기서, a는 제1 소정 면적이며, 본원 이전에 각 광변환 유닛의 면적이 동일하다고 가정하면, 여기서 a는 단일 광변환 유닛의 초기 설계 면적으로도 이해될 수 있다. 화소에 의해 공유되지 않는 광변환 유닛의 면적 S1은 a<S1<S을 충족한다.
일부 실시예에서, 도 12를 참조하면, 베리어(50)의 마이크로 발광 다이오드(20)와 대향하는 표면은 광변환 유닛(40)의 입광면과 동일 평면이거나, 또는 광변환 유닛(40)의 입광면으로부터 돌출될 수 있다. 광변환 유닛(40)의 입광면이 배리어(50)로부터 돌출되면, 광변환 유닛(40)에서 변환된 광선은 광변환 유닛(40)의 측벽으로부터 출사되어, 서로 인접하는 광변환 유닛(40)으로 진입하여, 서로 인접하는 화소간의 크로스토크를 초래하기 쉽다. 배리어(50)의 마이크로 발광 다이오드(20)와 대향하는 표면을 광변환 유닛(40)의 입광면과 동일한 평면으로 하거나, 또는 광변환 유닛(40)의 입광면으로부터 돌출되게 함으로써, 광변환 유닛(40)에서 변환된 광선이 인접하는 광변환 유닛(40)에 진입하는 것을 방지할 수 있다.
일부 실시예에서, 도 13을 참조하면, 각 광변환 유닛(40)에 대응되게 각각 광필터층(60)이 설치되고, 광필터층(60)은 대응되는 광변환 유닛(40)의 출광면 및 측벽에 위치하며, 이리하여 상응한 색상의 광선이 모두 투과되고, 다른 색상의 광선이 모두 흡수 및/또는 반사되도록 한다. 투명 유닛에는 광필터층(60)을 설치할 필요가 없다.
본원의 실시예는 또한 상술한 표시 패널을 포함하는 표시 장치를 제공한다. 표시 장치는 가상 현실 장비, 휴대폰, 태블릿 컴퓨터, 텔레비전, 모니터, 노트북 컴퓨터, 디지털 액자, 네비게이터, 웨어러블 시계, 사물인터넷 노드 등 임의의 표시 기능을 갖는 제품 또는 구성 요소일 수 있다. 해당 표시 장치가 문제점을 해결하는 원리는 전술한 표시 패널과 유사하므로, 표시 장치의 구현은 전술한 표시 패널의 구현을 참조할 수 있기에 반복된 설명은 생략한다.
본원은 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 본원의 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 변형이 가능하며, 또한, 그 중의 구성요소는 균등물로 대체될 수 있다. 특히, 구조적 충돌이 없는 한, 각 실시예에서 언급된 각 기술적 특징은 임의의 방식으로 조합될 수 있다. 본원은 본 설명서에 개시된 특정 실시예에 제한되지 않고, 특허청구범위의 범위 내에 속하는 모든 기술안을 포함한다.
10…구동 백플레인; 20…마이크로 발광 다이오드;
100, 201, 202, 203, 204, 205…반복 유닛;
2011, 2021, 2031, 2041, 2051…제1 화소 유닛;
2012, 2022, 2042…제2 화소 유닛; 30…컬러 필름 기판;
40…광변환 유닛; 401…제1 원색 광변환 유닛;
402…제2 원색 광변환 유닛; 403…제3 원색 광변환 유닛;
50…배리어; 60…광필터층.

Claims (15)

  1. 화소 배열 구조에 있어서,
    상기 화소 배열 구조는 어레이 형태로 분포되는 복수의 반복 유닛을 포함하고, 상기 반복 유닛은 행 방향에서 서로 인접하여 설치되는 제1 화소 유닛 및 제2 화소 유닛을 적어도 포함하며, 상기 제1 화소 유닛 및 상기 제2 화소 유닛은 각각 행 방향으로 분포되는 상이한 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 포함하고,
    여기서, 상기 제1 화소 유닛의 제1 서브 화소와 상기 제2 화소 유닛의 제1 서브 화소는 서로 인접하여 설치되는, 화소 배열 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 화소 유닛의 상기 제2 서브 화소, 상기 제3 서브 화소 및 상기 제1 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되고, 상기 제2 화소 유닛의 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되는, 화소 배열 구조.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 화소 유닛의 상기 제2 서브 화소, 상기 제3 서브 화소 및 상기 제1 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되고, 상기 제2 화소 유닛의 상기 제1 서브 화소, 상기 제3 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소는 순차적으로 일행으로 배열되는, 화소 배열 구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화소 배열 구조는 상기 반복 유닛이 행 방향으로 병진 이동되고 또한 열 방향으로 병진 이동되어 형성되는, 화소 배열 구조.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소 중 어느 하나인, 화소 배열 구조.
  6. 표시 패널에 있어서,
    베이스 기판 및 상기 베이스 기판 상에 설치되는 구동 회로를 포함하는 구동 백플레인;
    상기 구동 백플레인 상에 설치되는 발광층으로서, 상기 발광층은 어레이로 분포되는 마이크로 발광 다이오드를 포함하는 발광층; 및
    상기 구동 백플레인에 대응되게 설치되는 컬러 필름 기판으로서, 상기 컬러 필름 기판의 상기 마이크로 발광 다이오드와 대향하는 일측에는 광변환 유닛과 배리어가 설치되고, 서로 인접하는 상기 광변환 유닛은 상기 배리어에 의해 서로 분리되며, 상기 광변환 유닛은 상기 마이크로 발광 다이오드의 출사광을 각 서브 화소에 대응되는 색상의 광선으로 변환하는 컬러 필름 기판;을 포함하고,
    여기서, 상기 광변환 유닛은 상이한 색상의 제1 원색 광변환 유닛, 제2 원색 광변환 유닛 및 제3 원색 광변환 유닛을 적어도 포함하며,
    상기 제1 원색 광변환 유닛은 제1 서브 화소에 대응되고, 상기 제2 원색 광변환 유닛은 제2 서브 화소에 대응되며, 상기 제3 원색 광변환 유닛은 제3 서브 화소에 대응되고, 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 화소 배열 구조를 갖는, 표시 패널.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 광변환 유닛은 역 사다리꼴 구조인, 표시 패널.
  8. 제6항에 있어서,
    화소에 의해 공유되는 상기 제1 원색 광변환 유닛의 면적 S는 a<S≤2a를 충족하고, 여기서 a는 제1 소정 면적이며,
    상기 제2 원색 광변환 유닛 및/또는 상기 제3 원색 광변환 유닛의 면적 S1은 a<S1<S를 충족하는, 표시 패널.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 배리어의 상기 마이크로 발광 다이오드와 대향하는 표면은 상기 광변환 유닛의 입광면과 동일한 평면이거나, 또는, 상기 광변환 유닛의 입광면으로부터 돌출되는, 표시 패널.
  10. 제6항에 있어서,
    화소에 의해 공유되는 상기 제1 원색 광변환 유닛에 대응되는 2개의 마이크로 발광 다이오드 사이의 거리는 소정 거리 미만인, 표시 패널.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로 발광 다이오드는 청색광 마이크로 발광 다이오드이고, 상기 제1 원색 광변환 유닛, 상기 제2 원색 광변환 유닛 및 상기 제3 원색 광변환 유닛은 각각 적색 변환 유닛, 녹색 변환 유닛 및 투명 유닛인, 표시 패널.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 적색 변환 유닛 및 상기 녹색 변환 유닛에 대응되게 각각 광필터층이 배치되고, 상기 광필터층은 대응되는 원색 광변환 유닛의 출광면 및 측벽에 위치하는, 표시 패널.
  13. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로 발광 다이오드는 자외선 마이크로 발광 다이오드이고, 상기 제1 원색 광변환 유닛, 상기 제2 원색 광변환 유닛 및 상기 제3 원색 광변환 유닛은 각각 적색 변환 유닛, 녹색 변환 유닛 및 청색 변환 유닛인, 표시 패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 적색 변환 유닛, 상기 녹색 변환 유닛 및 상기 청색 변환 유닛에 대응되게 각각 광필터층이 배치되고, 상기 광필터층은 대응되는 원색 광변환 유닛의 출광면 및 측벽에 위치하는, 표시 패널.
  15. 표시 장치에 있어서,
    제6항 내지 제14항 중 어느 한 항의 표시 패널을 포함하는 표시 장치.
KR1020227001336A 2019-07-09 2020-03-18 화소 배열 구조, 표시 패널 및 표시 장치 KR20220012997A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910613769.3 2019-07-09
CN201910613769.3A CN112216219A (zh) 2019-07-09 2019-07-09 像素排布结构、显示面板和显示装置
PCT/CN2020/080037 WO2021004088A1 (zh) 2019-07-09 2020-03-18 像素排布结构、显示面板和显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220012997A true KR20220012997A (ko) 2022-02-04

Family

ID=74048301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227001336A KR20220012997A (ko) 2019-07-09 2020-03-18 화소 배열 구조, 표시 패널 및 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20220012997A (ko)
CN (1) CN112216219A (ko)
WO (1) WO2021004088A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4199098A4 (en) * 2021-06-25 2023-11-15 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE
CN114141803B (zh) * 2021-11-17 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素阵列和显示装置
CN114035376B (zh) * 2021-11-24 2023-10-13 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及其制造方法、显示装置
CN114784044A (zh) * 2022-04-22 2022-07-22 厦门天马微电子有限公司 显示面板、显示装置以及电子设备

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103280162B (zh) * 2013-05-10 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其驱动方法、显示装置
CN108492723B (zh) * 2013-11-04 2020-11-06 深圳云英谷科技有限公司 显示装置、显示方法及对应可读介质
CN104330954B (zh) * 2014-08-25 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版、掩膜版组、像素的制作方法及像素结构
CN104617131B (zh) * 2015-02-15 2019-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排列结构及显示装置
TWI585726B (zh) * 2015-03-25 2017-06-01 鴻海精密工業股份有限公司 畫素結構
CN204965933U (zh) * 2015-08-28 2016-01-13 厦门天马微电子有限公司 像素结构和显示面板
JP6718955B2 (ja) * 2016-03-29 2020-07-08 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置
WO2017179514A1 (ja) * 2016-04-14 2017-10-19 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
KR102509164B1 (ko) * 2016-09-29 2023-03-13 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그를 이용한 서브픽셀 트랜지션 방법
CN109213361B (zh) * 2017-07-06 2022-07-08 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型led显示面板
CN109426038A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 合肥捷达微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN108511481B (zh) * 2017-08-31 2019-07-26 昆山国显光电有限公司 像素结构及显示装置
CN207265057U (zh) * 2017-08-31 2018-04-20 昆山国显光电有限公司 像素结构及显示装置
CN107579147B (zh) * 2017-09-14 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示装置的操作方法
CN108648675A (zh) * 2018-05-09 2018-10-12 武汉天马微电子有限公司 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN108538245B (zh) * 2018-05-30 2020-07-28 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板的驱动方法、显示面板及显示装置
CN109037270B (zh) * 2018-07-26 2021-05-04 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109166885B (zh) * 2018-08-17 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 像素单元、显示基板及显示基板制作方法
CN109754743B (zh) * 2019-01-08 2022-04-08 昆山国显光电有限公司 像素排布结构、显示面板及显示装置
CN109768073B (zh) * 2019-02-26 2021-04-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示器像素排列结构及显示面板
CN109709735A (zh) * 2019-03-07 2019-05-03 昆山龙腾光电有限公司 像素排列结构、显示面板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112216219A (zh) 2021-01-12
WO2021004088A1 (zh) 2021-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20220012997A (ko) 화소 배열 구조, 표시 패널 및 표시 장치
US11158613B2 (en) Colour inorganic LED display for display devices with a high number of pixel
US20230132435A1 (en) Photoluminescence device and display panel including the same
US10620478B2 (en) Photoluminescent display device and method for manufacturing the same
US20230106056A1 (en) Display panel, display device and display apparatus
KR101969462B1 (ko) 광발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
WO2016086416A1 (zh) 一种量子点背光模组以及显示装置
US20210408128A1 (en) Quantum dot color filter, display panel and display device
US11314129B2 (en) Front light source and display apparatus
US11215857B2 (en) Double-sided display panel and display device
US10910602B2 (en) Display panel with beam diffusion layer and manufacturing method thereof, and display device
KR20210153134A (ko) 표시 패널, 표시 장치 및 표시 패널의 제조 방법
KR20200006049A (ko) 컬러 액정 디스플레이 및 디스플레이 백라이트
US20230102283A1 (en) Display panel and display device
TW202037975A (zh) 顯示裝置
CN111710690A (zh) 一种基于量子点的led显示器及其制备方法
KR20200086774A (ko) 표시패널
CN111081685B (zh) 显示装置
US11294220B2 (en) Display panel and method for manufacturing same, and display device
TWI700523B (zh) 背光結構及顯示裝置
US20170193875A1 (en) Method for displaying image and display device
KR20210157401A (ko) 색상 변환 어셈블리 및 표시 패널
CN114566581A (zh) 显示面板及显示面板制造方法
CN111863864B (zh) 显示面板
US11121342B2 (en) Display panel having a nano-stack layer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal