KR20210156916A - 전자 장치 - Google Patents
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Abstract
전자 장치는 표시층, 상기 표시층을 구동하기 위한 수평동기신호 및 수직동기신호를 생성하는 표시 구동부, 상기 표시층 위에 배치되는 센서층, 및 상기 표시 구동부로부터 상기 수평동기신호, 및 상기 수직동기신호를 입력받고, 상기 수평동기신호 및 상기 수직동기신호를 근거로, 액티브 펜에 의한 제1 입력을 감지하는 제1 모드 또는 터치에 의한 제2 입력을 감지하는 제2 모드로 동작하는 센서 구동부를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 액티브 펜에 대한 입력을 감지하는 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 전자 장치의 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다. 전자 장치는 전자기 공명(electromagnetic resonance, EMR) 방식을 이용하여 펜의 좌표를 인식하거나, 능동 정전기(Active electrostatic, AES) 방식을 이용하여 펜의 좌표를 인식할 수 있다.
본 발명은 액티브 펜에 대한 입력을 감지하는 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 표시층, 상기 표시층을 구동하기 위한 수평동기신호 및 수직동기신호를 생성하는 표시 구동부, 상기 표시층 위에 배치되는 센서층, 및 상기 표시 구동부로부터 상기 수평동기신호, 및 상기 수직동기신호를 입력받고, 상기 수평동기신호 및 상기 수직동기신호를 근거로, 액티브 펜에 의한 제1 입력을 감지하는 제1 모드 또는 터치에 의한 제2 입력을 감지하는 제2 모드로 동작하는 센서 구동부를 포함할 수 있다.
상기 제1 모드는 업링크신호를 상기 센서층으로 전송하는 제1 구간 및 상기 액티브 펜으로부터 제공되는 다운링크신호로부터 상기 제1 입력을 감지하는 제2 구간을 포함하고, 상기 제2 구간은 상기 제1 구간 이후 진행될 수 있다.
상기 제1 구간은 상기 수직동기신호의 레벨 변화 시점으로부터 소정 시간 이후 시작될 수 있다.
상기 소정 시간은 상기 수평동기신호를 X회 카운트한 시간과 동기화되고, 상기 X는 0 또는 양의 정수일 수 있다.
상기 제2 구간은 상기 제1 입력을 감지하지 않는 비감지구간, 및 상기 제1 입력을 감지하는 감지구간을 포함하고, 상기 비감지구간과 상기 감지구간은 교대로 반복될 수 있다.
상기 감지구간은 상기 수평동기신호의 레벨 변화 시점으로부터 소정 시간 이후 시작될 수 있다.
상기 비감지구간은 상기 수평동기신호의 레벨 변화 시점과 시간적으로 중첩할 수 있다.
상기 다운링크신호는 펜송신신호를 포함하고, 상기 펜송신신호의 주파수는 상기 수평동기신호의 주파수보다 높을 수 있다.
상기 다운링크신호는 펜송신신호를 포함하고, 상기 펜송신신호는 제1 신호구간 및 제2 신호구간을 포함하고, 상기 제1 신호구간에서 상기 펜송신신호는 소정의 레벨을 유지하고, 상기 제2 신호구간에서 상기 펜송신신호는 펄스 파형을 가질 수 있다.
상기 제1 신호구간은 상기 비감지구간과 시간적으로 중첩하고, 상기 제2 신호구간은 상기 감지구간과 시간적으로 중첩할 수 있다.
상기 표시층에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 상기 센서 구동부는 상기 제1 모드 및 상기 제2 모드로 순차적으로 동작할 수 있다.
상기 표시층에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 상기 센서 구동부는 상기 제2 모드 및 상기 제1 모드로 순차적으로 동작할 수 있다.
상기 표시층에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 상기 센서 구동부는 상기 제1 모드 및 상기 제2 모드를 한 회씩 교대로 2번 이상 반복하여 동작할 수 있다.
상기 표시층에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 상기 센서 구동부는 상기 제1 모드를 연속적으로 2회 이상 반복하고, 상기 제2 모드를 연속적으로 2 회 이상 반복할 수 있다.
상기 표시층은 베이스층, 상기 베이스층 위에 배치된 회로층, 상기 회로층 위에 배치된 발광 소자층, 상기 발광 소자층 위에 배치된 봉지층을 포함하고, 상기 센서층은 상기 봉지층 위에 직접 배치될 수 있다.
상기 센서층은 복수의 전극들 및 상기 복수의 전극들과 교차하는 복수의 교차 전극들을 포함하고,
상기 센서 구동부는 상기 복수의 전극들 및 상기 복수의 교차 전극들 각각으로부터 수신된 감지 신호들을 근거로 상기 제1 입력을 감지하고, 상기 센서 구동부는 상기 복수의 전극들 각각으로 신호를 제공하고, 상기 복수의 교차 전극들 각각으로부터 수신된 감지 신호들을 근거로 상기 제2 입력을 감지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 표시층, 상기 표시층 위에 배치되고, 복수의 전극들 및 상기 복수의 전극들과 교차하는 복수의 교차 전극들을 포함하는 센서층, 상기 표시층을 구동하는 표시 구동부, 및 상기 센서층을 구동하는 센서 구동부를 포함할 수 있다. 상기 표시층은 수직동기신호 및 수평동기신호에 동기화되어 동작되고, 상기 센서 구동부는 상기 수직동기신호를 근거로 업링크신호를 상기 센서층에 제공하고, 상기 센서 구동부는 상기 수평동기신호를 근거로 액티브펜으로부터 제공된 펜송신신호를 감지할 수 있다.
상기 센서 구동부는 상기 수직동기신호의 레벨 변화 시점으로부터 상기 수평동기신호를 X회 카운트한 이후에 상기 업링크신호를 상기 센서층으로 출력하고, 상기 X는 0 또는 양의 정수일 수 있다.
상기 센서 구동부는 상기 수평동기신호의 레벨 변화 시점으로부터 소정 시간 이후 상기 펜송신신호를 감지할 수 있다.
상기 센서 구동부는 상기 액티브 펜에 의한 제1 입력을 감지하는 제1 모드 또는 터치에 의한 제2 입력을 감지하는 제2 모드로 동작하고, 상기 센서 구동부는 상기 복수의 전극들 및 상기 복수의 교차 전극들 각각으로부터 수신된 감지 신호들을 근거로 상기 제1 입력을 감지하고, 상기 센서 구동부는 상기 복수의 전극들 각각으로 신호를 제공하고, 상기 복수의 교차 전극들 각각으로부터 수신된 감지 신호들을 근거로 제2 입력을 감지할 수 있다.
상술한 바에 따르면, 센서 구동부는 표시 구동부로부터 제공된 수평동기신호 및 수직동기신호에 동기화되어 외부로부터의 입력을 감지할 수 있다. 예를 들어, 센서 구동부는 수평동기신호 및 수직동기신호를 근거로 노이즈에 의한 영향을 적게 받는 구간에서 외부 입력을 감지할 수 있다. 그에 따라, 전자 장치의 센싱 감도 및 센싱 정확도가 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 도시한 블록도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 표시 구동부를 도시한 블록도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층 및 센서 구동부를 도시한 블록도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 도시한 블록도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 12c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 12d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 평면도이다.
도 14a는 액티브 펜에 의한 제1 입력을 감지하는 센서층의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14b는 터치에 의한 제2 입력을 감지하는 센서층의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 도시한 블록도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 표시 구동부를 도시한 블록도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층 및 센서 구동부를 도시한 블록도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 도시한 블록도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 12c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 12d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 평면도이다.
도 14a는 액티브 펜에 의한 제1 입력을 감지하는 센서층의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14b는 터치에 의한 제2 입력을 감지하는 센서층의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의될 수 있다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"부(part)", "유닛"이라는 용어는 특정 기능을 수행하는 소프트웨어 구성 요소(component) 또는 하드웨어 구성 요소를 의미한다. 하드웨어 구성 요소는 예를 들어, FPGA(field-programmable gate array) 또는 ASIC(application-specific integrated circuit)을 포함할 수 있다. 소프트웨어 구성 요소는 실행 가능한 코드 및/또는 어드레스 가능 저장 매체 내의 실행 가능 코드에 의해 사용되는 데이터를 지칭할 수 있다. 따라서 소프트웨어 구성 요소들은 예를 들어, 객체 지향 소프트웨어 구성 요소들, 클래스 구성 요소들 및 작업 구성 요소들일 수 있으며, 프로세스들, 기능들, 속성들, 절차들, 서브 루틴들, 프로그램 코드 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어들, 마이크로 코드들, 회로들, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 배열들 또는 변수들을 포함할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 전자 장치(1000)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1000)는 휴대폰, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 1에서는 전자 장치(1000)가 휴대폰인 것을 예시적으로 도시하였다.
전자 장치(1000)에는 액티브 영역(1000A) 및 주변 영역(1000NA)이 정의될 수 있다. 전자 장치(1000)는 액티브 영역(1000A)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 액티브 영역(1000A)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 면을 포함할 수 있다. 주변 영역(1000NA)은 액티브 영역(1000A)의 주변을 둘러쌀 수 있다.
전자 장치(1000)의 두께 방향은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하는 제3 방향(DR3)과 나란할 수 있다. 따라서, 전자 장치(1000)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다.
전자 장치(1000)는 전자 장치(1000)의 외부에서 인가되는 입력들을 감지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1000)는 액티브 펜(2000)에 의한 제1 입력 및 터치(3000, 도 3 참조)에 의한 제2 입력을 감지할 수 있다. 터치(3000, 도 3 참조)에 의한 제2 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다.
전자 장치(1000)와 액티브 펜(2000)은 양방향 통신될 수 있다. 전자 장치(1000)는 액티브 펜(2000)으로 업링크신호를 제공할 수 있다. 예를 들어, 업링크신호는 동기화 신호 또는 전자 장치(1000)의 정보를 포함할 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 액티브 펜(2000)은 전자 장치(1000)로 다운링크신호를 제공할 수 있다. 다운링크신호는 동기화 신호 또는 액티브 펜(2000)의 상태 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다운링크신호는 액티브 펜의 좌표 정보, 액티브 펜의 배터리 정보, 액티브 펜의 기울기 정보, 및/또는 액티브 펜에 저장된 다양한 정보 등을 포함할 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 도시한 사시도이다.
도 2를 참조하면, 전자 장치(1000_1)는 액티브 영역(1000A_1)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 도 2에서는 전자 장치(1000_1)가 소정의 각도로 폴딩된 상태를 도시하였다. 전자 장치(1000_1)가 언폴딩된 상태에서, 액티브 영역(1000A_1)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 포함할 수 있다.
액티브 영역(1000A_1)은 제1 영역(1000A1), 제2 영역(1000A2), 및 제3 영역(1000A3)을 포함할 수 있다. 제1 영역(1000A1), 제2 영역(1000A2), 및 제3 영역(1000A3)은 제1 방향(DR1)으로 순차적으로 정의될 수 있다. 제2 영역(1000A2)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장하는 폴딩축(1000FX)을 기준으로 휘어질 수 있다. 따라서, 제1 영역(1000A1) 및 제3 영역(1000A3)은 비폴딩 영역들로 지칭될 수 있고, 제2 영역(1000A2)은 폴딩 영역으로 지칭될 수 있다.
전자 장치(1000_1)가 폴딩되면, 제1 영역(1000A1)과 제3 영역(1000A3)은 서로 마주할 수 있다. 따라서, 완전히 폴딩된 상태에서, 액티브 영역(1000A_1)은 외부로 노출되지 않을 수 있으며, 이는 인-폴딩(in-folding)으로 지칭될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 전자 장치(1000_1)의 동작이 이에 제한되는 것은 아니다.
예를 들어, 본 발명의 일 실시예에서, 전자 장치(1000_1)가 폴딩되면, 제1 영역(1000A1)과 제3 영역(1000A3)은 서로 대향(opposing)할 수 있다. 따라서, 폴딩된 상태에서, 액티브 영역(1000A_1)은 외부로 노출될 수 있으며, 이는 아웃-폴딩(out-folding)으로 지칭될 수 있다.
전자 장치(1000_1)는 인-폴딩 또는 아웃-폴딩 중 어느 하나의 동작만 가능할 수 있다. 또는 전자 장치(1000_1)는 인-폴딩 동작 및 아웃-폴딩 동작이 모두 가능할 수 있다. 이 경우, 전자 장치(1000_1)의 동일한 영역, 예를 들어, 제2 영역(1000A2)이 인-폴딩 및 아웃 폴딩될 수 있다.
도 2에서는 하나의 폴딩 영역과 두 개의 비폴딩 영역이 예를 들어 도시되었으나, 폴딩 영역과 비폴딩 영역의 개수가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 전자 장치(1000_1)는 2개보다 많은 복수 개의 비폴딩 영역들 및 서로 인접한 비폴딩 영역들 사이에 배치된 복수의 폴딩 영역들을 포함할 수 있다.
도 2에서는 폴딩축(1000FX)이 제2 방향(DR2)으로 연장된 것을 예시적으로 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 폴딩축(1000FX)은 제1 방향(DR1)과 나란한 방향을 따라 연장할 수도 있다. 이 경우, 제1 영역(1000A1), 제2 영역(1000A2), 및 제3 영역(1000A3)은 제2 방향(DR2)을 따라 순차적으로 배열될 수 있다.
액티브 영역(1000A_1)은 적어도 하나의 전자 모듈들과 중첩될 수 있다. 예를 들어, 전자 모듈들은 카메라 모듈 및 근접 조도 센서 등을 포함할 수 있다. 전자 모듈들은 액티브 영역(1000A_1)을 통해 전달되는 외부 입력을 수신하거나, 액티브 영역(1000A_1)을 통해 출력을 제공할 수 있다. 카메라 모듈 및 근접 조도 센서 등과 중첩하는 액티브 영역(1000A_1)의 일부분은 액티브 영역(1000A_1)의 다른 일부분보다 높은 투과율을 가질 수 있다. 따라서, 복수의 전자 모듈들이 배치될 영역을 액티브 영역(1000A_1) 주변의 주변 영역(1000NA)에 제공하지 않아도 된다. 그 결과, 전자 장치(1000_1)의 전면 대비 액티브 영역(1000A_1)의 면적 비율은 증가될 수 있다.
전자 장치(1000_1)와 액티브 펜(2000)은 양방향 통신이 가능할 수 있다. 전자 장치(1000_1)는 액티브 펜(2000)으로 업링크신호를 제공할 수 있다. 액티브 펜(2000)은 전자 장치(1000_1)로 다운링크신호를 제공할 수 있다. 전자 장치(1000_1)는 액티브 펜(2000)으로부터 제공되는 신호를 이용하여 액티브 펜(2000)의 좌표를 감지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 3을 참조하면, 전자 장치(1000)은 표시층(100) 및 센서층(200)을 포함할 수 있다.
표시층(100)은 영상을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시층(100)은 발광형 표시층일 수 있으며, 예를 들어, 표시층(100)은 유기발광 표시층, 퀀텀닷 표시층, 마이크로 엘이디 표시층, 또는 나노 엘이디 표시층일 수 있다.
센서층(200)은 표시층(100) 위에 배치될 수 있다. 센서층(200)은 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 센서층(200)은 액티브 펜(2000)에 의한 제1 입력 및 터치(3000)에 의한 제2 입력을 감지할 수 있다.
액티브 펜(2000)은 하우징(2100), 전원(2200), 제어부(2300), 통신 모듈(2400), 및 펜 팁(2500)을 포함할 수 있다. 다만, 액티브 펜(2000)을 구성하는 구성 요소들이 상기 나열된 구성 요소들에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 액티브 펜(2000)은 신호 송신 모드 또는 신호 수신 모드로 전환하는 전극 스위치, 압력을 감지하는 압력 센서, 소정의 정보를 저장하는 메모리, 또는 회전을 감지하는 회전 센서 등을 더 포함할 수도 있다.
하우징(2100)은 펜 형상을 가질 수 있고, 내부에 수용공간이 형성될 수 있다. 하우징(2100) 내부에 정의된 수용 공간에는 전원(2200), 제어부(2300), 통신 모듈(2400), 및 펜 팁(2500)이 수납될 수 있다.
전원(2200)은 액티브 펜(2000) 내부의 제어부(2300), 통신 모듈(2400) 등에 전원을 공급할 수 있다. 전원(2200)은 배터리 또는 고용량 커패시터를 포함할 수 있다.
제어부(2300)는 액티브 펜(2000)의 동작을 제어할 수 있다. 제어부는 주문형 반도체(ASIC, application-specific integrated circuit)일 수 있다. 제어부(2300)는 설계된 프로그램에 따라서 동작하도록 구성될 수 있다.
통신 모듈(2400)은 송신 회로(2410) 및 수신 회로(2420)를 포함할 수 있다. 송신 회로(2410)는 다운링크신호(DLS)를 센서층(200)으로 출력할 수 있다. 수신 회로(2420)는 센서층(200)으로부터 제공되는 업링크신호(ULS)를 수신할 수 있다. 송신 회로(2410)는 제어부(2300)로부터 제공된 신호를 수신하여 센서층(200)에 의해 센싱 가능한 신호로 변조하고, 수신 회로(2420)는 센서층(200)으로부터 제공된 신호를 제어부(2300)에 의해 처리 가능한 신호로 변조할 수 있다.
펜 팁(2500)은 통신 모듈(2400)과 전기적으로 연결될 수 있다. 펜 팁(2500)의 일부분은 하우징(2100)으로부터 돌출될 수 있다. 또는, 액티브 펜(2000)은 하우징(2100)으로부터 노출된 펜 팁(2500)을 커버하는 커버 하우징을 더 포함할 수도 있다. 또는, 펜 팁(2500)은 하우징(2100) 내부에 내장될 수도 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 단면도이다. 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 전자 장치(1000)은 표시층(100) 및 센서층(200)을 포함할 수 있다.
표시층(100)은 베이스층(110), 베이스층(110) 위에 배치된 회로층(120), 회로층(120) 위에 배치된 발광 소자층(130), 및 발광 소자층(130) 위에 배치된 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 회로층(120)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 상기 제1 합성 수지층 위에 배치된 실리콘 옥사이드(SiOx)층, 상기 실리콘 옥사이드층 위에 배치된 아몰퍼스 실리콘(a-Si)층, 및 상기 아몰퍼스 실리콘층 위에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 옥사이드층 및 상기 아몰퍼스 실리콘층은 베이스 배리어층이라 지칭될 수 있다. 또는, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 접착층, 및 제2 합성 수지층을 포함할 수도 있다. 또는, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 접착층, 및 제2 합성 수지층을 포함할 수도 있다.
상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 아크릴(MDrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "~~" 계 수지는 "~~" 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
회로층(120)은 베이스층(110) 위에 배치될 수 있다. 회로층(120)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 배선 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스층(110) 위에 형성되고, 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이 후, 회로층(120)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 배선이 형성될 수 있다.
베이스층(110)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성된다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 표시층(100)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(110)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있으며, 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층은 교대로 적층될 수 있다.
반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
도 4b는 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 도핑영역과 비-도핑영역을 포함할 수 있다. 도핑영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다.
도핑영역은 비-도핑영역보다 전도성이 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 배선의 역할을 할 수 있다. 비-도핑영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호배선일 수 있다.
화소들 각각은 7개의 트랜지스터들, 하나의 커패시터, 및 발광 소자를 포함하는 등가회로를 가질 수 있으며, 화소의 등가회로도는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 도 4b에서는 화소에 포함되는 하나의 트랜지스터(100PC) 및 발광 소자(100PE)를 예시적으로 도시하였다.
트랜지스터(100PC)의 소스(SC), 액티브(AL), 및 드레인(DR)이 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스(SC) 및 드레인(DR)은 단면 상에서 액티브(AL)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 도 4b에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 배선(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 연결 신호 배선(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(100PC)의 드레인(DR)에 연결될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(100PC)의 게이트(GT)는 제1 절연층(10) 위에 배치된다. 게이트(GT)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT)는 액티브(AL)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT)는 마스크로 기능할 수 있다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 위에 배치되며, 게이트(GT)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제2 절연층(20)은 단층의 실리콘옥사이드층 또는 실리콘나이트라이드층일 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 위에 배치될 수 있으며, 본 실시예에서 제3 절연층(30)은 단층의 실리콘옥사이드층 또는 실리콘나이트라이드층일 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1, 제2, 및 제3 절연층(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 배선(SCL)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 위에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다.
발광 소자층(130)은 회로층(120) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자층(130)은 발광 소자(100PE)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(130)은 유기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 또는 마이크로 엘이디를 포함할 수 있다. 이하에서, 발광 소자(100PE)가 유기 발광 소자인 것을 예로 들어 설명하나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
발광 소자(100PE)는 제1 전극(AE), 발광층(EL), 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)은 제6 절연층(60) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 접속될 수 있다.
화소 정의막(70)은 제6 절연층(60) 위에 배치되며, 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 화소 정의막(70)에는 개구부(70-OP)가 정의된다. 화소 정의막(70)의 개구부(70-OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다.
액티브 영역(1000A, 도 1 참조)은 발광 영역(PXA)과 발광 영역(PXA)에 인접한 비발광 영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 발광 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다. 본 실시예에서 발광 영역(PXA)은 개구부(70-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다.
발광층(EL)은 제1 전극(AE) 위에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 개구부(70-OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EL)이 화소들 각각에 분리되어 형성된 경우, 발광층들(EL) 각각은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(EL)은 화소들에 연결되어 공통으로 제공될 수도 있다. 이 경우, 발광층(EL)은 청색 광을 제공하거나, 백색 광을 제공할 수도 있다.
제2 전극(CE)은 발광층(EL) 위에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들에 공통적으로 배치될 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 무기층, 유기층, 및 무기층을 포함할 수 있으나, 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(130)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
센서층(200)은 연속된 공정을 통해 표시층(100) 위에 형성될 수 있다. 이 경우, 센서층(200)은 표시층(100) 위에 직접 배치된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 센서층(200)과 표시층(100) 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 센서층(200)과 표시층(100) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다. 또는, 센서층(200)은 접착 부재를 통해 표시층(100)에 결합될 수 있다. 접착 부재는 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다.
센서층(200)은 베이스층(201), 제1 도전층(202), 감지 절연층(203), 제2 도전층(204), 및 커버 절연층(205)을 포함할 수 있다.
베이스층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 베이스층(201)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 베이스층(201)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 인듐주석아연산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
표시층(100)과 센서층(200) 사이의 거리가 가까워질수록, 센서층(200)은 표시층(100)으로부터 제공되는 신호에 의한 영향을 크게 받을 수 있다. 센서층(200) 관점에서 상기 신호는 노이즈 신호로 인식될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 센서 구동부(200C, 도 5 참조)는 센서층(200)이 표시층(100)으로부터 제공된 노이즈에 의한 영향을 크게 받는 구간을 회피하여 외부 입력을 감지할 수 있다. 따라서, 전자 장치(1000)의 센싱 감도 및 센싱 정확도가 향상될 수 있다. 이에 대한 구체적인 설명은 후술된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 도시한 블록도이다.
도 5를 참조하면, 전자 장치(1000)는 표시층(100), 표시층(100)을 구동하는 표시 구동부(100C), 센서층(200), 및 센서층(200)을 구동하는 센서 구동부(200C)를 포함할 수 있다. 표시 구동부(100C)는 표시 제어 모듈, 센서 구동부(200C)는 센서 제어 모듈로 지칭될 수 있다.
표시 구동부(100C)는 외부의 그래픽 컨트롤러(미도시)로부터 영상 신호(RGB) 및 제어 신호(CTRL)를 수신할 수 있다. 상기 제어 신호(CTRL, 도 6 참조)는 다양한 신호를 포함할 수 있다. 예를 들어 제어 신호(CTRL, 도 6 참조)는 입력수직동기신호, 입력수평동기신호, 메인 클럭, 및 데이터 인에이블 신호 등을 포함할 수 있다.
표시 구동부(100C)는 제어 신호(CTRL)을 근거로 표시층(100)에 신호를 제공하는 타이밍을 제어하기 위한 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 생성할 수 있다. 표시 구동부(100C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 센서 구동부(200C)로 출력할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 센서 구동부(200C)는 표시층(100)의 동작을 제어하는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 근거로 동작할 수 있다. 센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 근거로, 액티브 펜(2000)에 의한 제1 입력을 감지하는 제1 모드 또는 터치(3000, 도 3 참조)에 의한 제2 입력을 감지하는 제2 모드로 동작할 수 있다.
센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 이용하여 센서층(200)이 표시층(100)으로부터 제공된 노이즈에 의한 영향을 크게 받는 구간을 회피하여 외부 입력을 감지할 수 있다. 따라서, 표시층(100)에 의해 야기되는 센서층(200)의 감도 저하가 제거 또는 최소화될 수 있고, 그에 따라 센서층(200)의 감도가 향상될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 표시 구동부를 도시한 블록도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 표시층(100)은 복수의 스캔 배선들(SL1-SLn), 복수의 데이터 배선들(DL1-DLm), 및 복수의 화소들(100P)를 포함할 수 있다. 복수 개의 화소들(PX) 각각은 복수의 데이터 배선들(DL1-DLm) 중 대응하는 데이터 배선과 연결되고, 복수의 스캔 배선들(SL1-SLn) 중 대응하는 스캔 배선과 연결된다.
표시 구동부(100C)는 표시 컨트롤러(100C1), 스캔 구동 회로(100C2), 및 데이터 구동 회로(100C3)를 포함할 수 있다.
표시 컨트롤러(100C1)는 외부의 그래픽 컨트롤러(미도시)로부터 영상 신호(RGB) 및 제어 신호(CTRL)을 수신할 수 있다. 제어 신호(CTRL)는 다양한 신호를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어 신호(CTRL)는 입력수직동기신호, 입력수평동기신호, 메인 클럭, 및 데이터 인에이블 신호 등을 포함할 수 있다.
표시 컨트롤러(100C1)는 제어 신호(CTRL)에 기초하여 제1 제어 신호(CONT1) 및 수직동기신호(Vsync)를 생성하고, 제1 제어 신호(CONT1) 및 수직동기신호(Vsync)를 스캔 구동 회로(100C2)로 출력할 수 있다. 수직동기신호(Vsync)는 제1 제어 신호(CONT1)에 포함될 수 있다.
표시 컨트롤러(100C1)는 제어 신호(CTRL)에 기초하여 제2 제어 신호(CONT2) 및 수평동기신호(Hsync)를 생성하고, 제2 제어 신호(CONT2) 및 수평동기신호(Hsync)를 데이터 구동 회로(100C3)로 출력할 수 있다. 수평동기신호(Hsync)는 제2 제어 신호(CONT2)에 포함될 수 있다. 또한, 표시 컨트롤러(100C1)는 영상 신호(RGB)를 표시층(100) 의 동작 조건에 맞게 처리한 데이터 신호(DS)를 데이터 구동 회로(100C3)로 출력할 수 있다.
스캔 구동 회로(100C2)는 제1 제어 신호(CONT1) 및 수직동기신호(Vsync)에 응답해서 복수 개의 스캔 배선들(SL1-SLn)을 구동한다. 예시적인 실시예에서, 스캔 구동 회로(100C2)는 표시층(100) 내의 회로층(120, 도 4b 참조)와 동일한 공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 스캔 구동 회로(100C2)는 집적 회로 (Integrated circuit, IC)로 구현되어서 표시층(100)의 소정 영역에 직접 실장되거나 별도의 인쇄 회로 기판에 칩 온 필름(chip on film: COF) 방식으로 실장되어서 표시층(100)과 전기적으로 연결될 수 있다.
데이터 구동 회로(100C3)는 표시 컨트롤러(100C1)로부터의 제2 제어 신호(CONT2), 수평동기신호(Hsync), 및 데이터 신호(DS)에 응답해서 복수의 데이터 배선들(DL1-DLm)을 구동하기 위한 계조 전압들을 출력할 수 있다. 데이터 구동 회로(100C3)는 집적 회로로 구현되어 표시층(100)의 소정 영역에 직접 실장되거나 별도의 인쇄 회로 기판에 칩온 필름 방식으로 실장되어서 표시층(100)과 전기적으로 연결될 수 있으나, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 데이터 구동 회로(100C3)는 표시층(100) 내의 회로층(120, 도 4b 참조)와 동일한 공정으로 형성될 수도 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층 및 센서 구동부를 도시한 블록도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 센서층(200)은 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)을 포함할 수 있다. 복수의 교차 전극들(220)의 복수의 전극들(210)과 교차할 수 있다.
센서 구동부(200C)는 센서 컨트롤러(200C1), 신호 생성 회로(200C2), 터치 검출회로(200C3), 및 액티브 펜 검출 회로(200C4)를 포함할 수 있다.
센서 컨트롤러(200C1), 신호 생성 회로(200C2), 터치 검출회로(200C3), 및 액티브 펜 검출 회로(200C4)는 동작에 따라 구성 요소의 명칭을 정의한 것이다. 따라서, 센서 컨트롤러(200C1), 신호 생성 회로(200C2), 터치 검출회로(200C3), 및 액티브 펜 검출 회로(200C4)는 단일의 칩 내에 구현되거나, 센서 컨트롤러(200C1), 신호 생성 회로(200C2), 터치 검출회로(200C3), 및 액티브 펜 검출 회로(200C4) 중 일부와 다른 일부는 서로 다른 칩 내에 구현될 수도 있다.
센서 컨트롤러(200C1)는 표시 컨트롤러(100C1)로부터 제공되는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 수신할 수 있다. 센서 컨트롤러(200C1)는 수직동기신호(Vsync), 및 수평동기신호(Hsync)를 근거로 신호 생성 회로(200C2), 터치 검출회로(200C3), 및 액티브 펜 검출 회로(200C4)의 동작을 제어할 수 있다.
신호 생성 회로(200C2)는 신호를 센서층(200)으로 제공할 수 있다. 터치 검출회로(200C3)는 터치에 의한 입력을 감지하는 모드에서 센서층(200)으로부터 감지 신호를 수신할 수 있다. 액티브 펜 검출 회로(200C4)는 액티브 펜에 의한 입력을 감지하는 모드에서 센서층(200)으로부터 감지 신호를 수신할 수 있다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 6, 도 7, 및 도 8a를 참조하면, 표시층(100)은 하나의 프레임 단위로 영상을 표시할 수 있다. 하나의 프레임은 수직동기신호(Vsync)의 라이징 엣지로부터 다음 라이징 엣지까지의 구간으로 정의될 수 있다.
표시층(100)의 동작 주파수가 60Hz인 경우, 하나의 프레임에 대응하는 시간은 약 16.66ms일 수 있고, 표시층(100)의 동작 주파수가 120Hz인 경우, 하나의 프레임에 대응하는 시간은 약 8.33ms일 수 있다.
센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 근거로 액티브 펜에 의한 제1 입력을 감지하는 제1 모드(MD1) 또는 터치에 의한 제2 입력을 감지하는 제2 모드(MD2)로 동작할 수 있다. 예를 들어, 센서 구동부(200C)는 하나의 프레임동안 제1 모드(MD1) 및 제2 모드(MD2)로 모두 동작될 수 있다. 센서 구동부(200C)는 제1 모드(MD1)의 시작 시점과 종료 시점 및 제2 모드(MD2)의 시작 시점과 종료 시점에 대한 정보를 가질 수 있다.
제1 모드(MD1)은 업링크신호(ULS, 도 3 참조)를 센서층(200)으로 전송하는 제1 구간(PU) 및 액티브 펜(2000, 도 3 참조)로부터 제공되는 다운링크신호(DLS, 도 3 참조)를 센서층(200)을 통해 입력받는 제2 구간(PS)을 포함할 수 있다. 제2 구간(PS)은 제1 구간(PU) 이후에 연속될 수 있다.
제1 구간(PU)의 시작 시점은 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 구간(PU)의 시작 시점은 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 제1 시간(t1) 이후 시작될 수 있다. 도 8a에서 제1 구간(PU)의 시작 시점의 기준이 되는 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점은 수직동기신호(Vsync)가 로우레벨에서 하이레벨이 되는 시점으로 정의될 수 있다.
제1 시간(t1)은 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 수평동기신호(Hsync)를 X회 카운트한 시간에 동기화될 수 있다. 상기 n은 0또는 양의 정수일 수 있으며, 기 설정된 값일 수 있다. 예를 들어, X가 0인 경우, 제1 구간(PU)은 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 바로 시작될 수 있다. X가 양의 정수인 경우, 제1 구간(PU)은 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 수평동기신호(Hsync)의 펄스 수를 카운트한 후, 카운트 값이 기 설정된 값이 될 때, 제1 구간(PU)이 시작될 수 있다.
센서 구동부(200C)는 제1 구간(PU) 동안 기 설정된 제2 구간(PS)의 동작 시간에 대한 정보를 액티브 펜(2000, 도 3 참조)으로 제공할 수 있다. 예를 들어, 업링크신호(ULS, 도 3 참조)는 제2 구간(PS)의 시작시점 및 종료시점에 대한 정보를 포함할 수 있다. 업링크신호(ULS)는 제2 시간(t2)에 대한 정보 및 제3 시간(t3)에 대한 정보를 포함할 수 있다. 제2 시간(t2)에 대한 정보는 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 수평동기신호(Hsync)를 Y회 카운트한 시간에 동기화될 수 있고, 제3 시간(t3)에 대한 정보는 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 수평동기신호(Hsync)를 Z회 카운트한 시간에 동기화될 수 있다. 상기 Y 및 상기 Z는 모두 양의 정수일 수 있으며, 상기 Y는 상기 Z보다 클 수 있다.
액티브 펜(2000, 도 3 참조)는 제2 시간(t2) 및 제3 시간(t3)에 대한 정보를 근거로 다운링크동작구간(DLM) 동안 다운링크신호(DLS, 도 3 참조)를 센서 구동부(200C)로 제공할 수 있다.
센서 구동부(200C)는 제1 모드(MD1)가 종료된 이후, 제2 모드(MD2)로 동작할 수 있다. 제2 모드(MD2)는 터치(3000, 도 3 참조)에 의한 입력을 감지하는 구간일 수 있다. 예를 들어, 제2 모드(MD2)는 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 제4 시간(t4) 이후 시작될 수 있다. 제4 시간(t4)은 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 수평동기신호(Hsync)를 K회 카운트한 시간에 동기화될 수 있다. K는 양의 정수일 수 있으며, 제2 모드(MD2)는 제1 모드(MD1)가 종료된 후 시작될 수 있다. 또한, 제2 모드(MD2)는 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 제5 시간(t5) 이후 종료될 수 있다. 제5 시간(t5)은 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 수평동기신호(Hsync)를 L회 카운트한 시간에 동기화될 수 있다. L은 양의 정수일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 모드(MD1)의 시작 시점 및 제2 모드(MD2)의 시작 시점이 모두 표시층(100, 도 3 참조)을 구동하기 위한 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)와 동기화되어 동작된다. 센서 구동부(200C)는 영상이 표시층(100)에 표시되는 한 프레임 내의 시간에서 제1 모드(MD1)로 동작하는 시간과 제2 모드(MD2)로 동작하는 시간을 모두 할당할 수 있다. 또한, 표시층(100, 도 3 참조)의 동작 주파수가 변경되는 경우, 이에 대응하여 제1 모드(MD1)의 시작 시점 및 제2 모드(MD2)의 시작 시점도 변경될 수 있다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 6, 도 7, 및 도 8b를 참조하면, 표시층(100)은 하나의 프레임 단위로 영상을 표시할 수 있다. 하나의 프레임은 수직동기신호(Vsync)의 폴링 엣지로부터 다음 폴링 엣지까지의 구간으로 정의될 수 있다.
도 8a와 비교하였을 때, 도 8b는 수평동기신호(Hsync)의 카운팅이 시작되는 기준이되는 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점에 차이가 있다. 예를 들어, 제1 시간(t1-1), 제2 시간(t2-1), 제3 시간(t3-1), 제4 시간(t4-1), 및 제5 시간(t5-1) 각각은 수직동기신호(Vsync)가 하이 레벨에서 로우 레벨이 되는 시점으로부터 수평동기신호(Hsync)의 펄스를 카운트한 값들에 동기화될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 모드(MD1)의 시작 시점 및 제2 모드(MD2)의 시작 시점이 모두 표시층(100, 도 3 참조)을 구동하기 위한 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)와 동기화되어 동작된다. 따라서, 표시층(100, 도 3 참조)의 동작 주파수가 변경되는 경우, 이에 대응하여 제1 모드(MD1)의 시작 시점 및 제2 모드(MD2)의 시작 시점도 변경될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다. 도 9는 도 8a 또는 도 8b의 제1 모드(MD1)로 동작하는 일부 구간의 스케일을 확대하여 도시한 개념도이다.
도 6, 도 7, 및 도 9를 참조하면, 수평동기신호(Hsync), 노이즈신호(DNS), 펜송신신호(Ptx), 및 센서 구동부(200C)의 제2 구간(PS)에서의 동작 상태가 도시되었다.
노이즈신호(DNS)는 센서층(200)에서 감지된 표시층(100)으로부터 제공된 신호일 수 있다.
노이즈신호(DNS)의 레벨의 변화가 소정 수치 이하인 경우, 이는 센서층(200, 도 4b)의 감도의 변화에 크게 영향을 미치지 않을 수 있다. 하지만, 노이즈신호(DNS)의 레벨의 변화가 소정 수치 이상인 경우, 센서층(200, 도 4b)의 감도는 변화될 수 있고, 이는 센서층(200, 도 4b)의 감도저하를 야기할 수 있다.
도 9를 보면, 노이즈신호(DNS)의 레벨의 변화가 소정 수치 이상으로 나타나는 구간의 주기는 수평동기신호(Hsync)의 주기와 유사할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는, 노이즈신호(DNS)의 레벨의 변화가 소정 수치 이상으로 나타나는 구간에서는 액티브 펜(2000, 도 3 참조)으로부터 제공된 신호를 감지하지 않을 수 있다. 이하에서 구체적으로 설명한다.
다운링크신호(DLS, 도 3 참조)는 펜송신신호(Ptx) 및 데이터 통신 신호(미도시)를 포함할 수 있다. 펜송신신호(Ptx)는 버스트(burst)신호로 지칭될 수도 있다. 펜송신신호(Ptx)의 주파수는 수평동기신호(Hsync)의 주파수보다 높을 수 있다.
제2 구간(PS)은 비감지구간(PSns) 및 감지구간(PSss)을 포함할 수 있다. 센서 구동부(200C)는 비감지구간(PSns)에서 펜송신신호(Ptx)를 감지하지 않을 수 있고, 감지구간(PSss)에서 펜송신신호(Ptx)을 감지할 수 있다. 또한, 도시되지 않았으나, 제2 구간(PS)은 액티브 펜(2000, 도 3 참조)과 데이터 통신하는 데이터 통신 구간을 더 포함할 수도 있다. 데이터 통신 구간에서, 액티브 펜(2000, 도 3 참조)은 액티브 펜(2000, 도 3 참조)의 현재 상태 정보, 예를 들어, 필압, 등을 센서 구동부(200C)와 공유할 수 있다.
감지구간(PSss)은 노이즈신호(DNS)의 레벨의 변화가 소정 수치 미만으로 나타나는 구간(예를 들어, 안정화 구간)과 중첩할 수 있으며, 비감지구간(PSns)은 노이즈신호(DNS)의 레벨의 변화가 소정 수치 이상으로 나타나는 구간과 중첩할 수 있다. 본 문단에서 "중첩"은 "시간적 중첩"을 의미한다. 예를 들어, 시간적 중첩은 소정의 시점에서 노이즈신호(DNS)의 레벨의 변화가 소정 수치 이상으로 나타나는 구간일 때, 비감지구간(PSns)인 것을 의미할 수 있다.
수평동기신호(Hsync)의 레벨이 변화하는 구간에서 노이즈신호(DNS)의 레벨도 함께 변화될 수 있다. 이 구간에서 펜송신신호(Ptx)을 감지하게 되면, 신호대잡음비(SNR)가 감소되어, 센서층(200, 도 3 참조)의 감도가 저하되는 문제가 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 센서 구동부(200C)는 수평동기신호(Hsync)의 레벨이 변화하는 시점으로부터 소정 시간(ta) 이후에 펜송신신호(Ptx)를 감지할 수 있다. 수평동기신호(Hsync)의 레벨이 변화하는 시점은 수평동기신호(Hsync)가 하이레벨에서 로우레벨로 변화하는 시점을 의미할 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
소정 시간(ta)은 기 설정된 시간일 수 있으며, 수평동기신호(Hsync)가 하이레벨에서 로우레벨로 변화하는 시점과 로우레벨에서 하이레벨로 변화하는 시점 사이의 시간 간격보다 클 수 있다. 또한, 센서 구동부(200C)가 감지구간(PSss)으로 동작하는 시간(Tb)동안 노이즈신호(DNS)의 레벨의 변화는 소정 수치 미만으로 나타날 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 도시한 블록도이다. 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 표시 구동부(100C)는 외부의 그래픽 컨트롤러(미도시)로부터 영상 신호(RGB) 및 제어 신호(CTRL)를 수신할 수 있다. 상기 제어 신호(CTRL, 도 6 참조)는 다양한 신호를 포함할 수 있다. 예를 들어 제어 신호(CTRL, 도 6 참조)는 입력수직동기신호, 입력수평동기신호, 메인 클럭, 및 데이터 인에이블 신호 등을 포함할 수 있다.
표시 구동부(100C)는 표시층(100)에 신호를 제공하기 위한 타이밍을 제어하기 위해 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 생성하고, 표시 구동부(100C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 센서 구동부(200C)로 출력할 수 있다.
센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 근거로, 액티브 펜(2000)에 의한 제1 입력을 감지하는 제1 모드 또는 터치(3000, 도 3 참조)에 의한 제2 입력을 감지하는 제2 모드로 동작할 수 있다. 앞서 도 5에서 설명된 실시예와 비교하였을 때, 도 10 및 도 11에 도시된 실시예는 다운링크신호(DLS_1)에 차이가 있을 수 있따. 구체적으로, 다운링크신호(DLS_1)는 펜송신신호(Ptxsync)를 포함할 수 있다. 펜송신신호(Ptxsync)는 제1 신호구간(P1) 및 제2 신호구간(P2)으로 구분되어 동작될 수 있다.
제1 신호구간(P1)에서 펜송신신호(Ptxsync)는 소정의 레벨을 유지할 수 있다. 예를 들어, 제1 신호구간(P1)에서 펜송신신호(Ptxsync)는 로우 레벨을 유지할 수 있다. 제2 신호구간(P2)에서 펜송신신호(Ptxsync)는 펄스 파형을 가질 수 있다. 이 경우, 센서 구동부(200C)는 제2 신호구간(P2)에서의 펜송신신호(Ptxsync)를 근거로 액티브 펜(2000, 도 3 참조)의 좌표 정보를 검출할 수 있다.
제1 신호구간(P1)은 수평동기신호(Hsync)의 레벨이 변화하는 시점으로부터 소정 시간(ta)과 시간적으로 중첩할 수 있고, 제2 신호구간(P2)은 노이즈신호(DNS)의 레벨의 변화는 소정 수치 미만으로 나타나는 시간(Tb)과 시간적으로 중첩할 수 있다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 6, 도 7, 및 도 12a를 참조하면, 표시층(100)에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 센서 구동부(200C)는 제2 모드(MD2a)와 제1 모드(MD1a)로 순차적으로 동작할 수 있다.
센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 근거로 액티브 펜에 의한 제1 입력을 감지하는 제1 모드(MD1a) 또는 터치에 의한 제2 입력을 감지하는 제2 모드(MD2a)로 동작할 수 있다.
예를 들어, 센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 수평동기신호(Hsync)를 소정의 횟수 카운팅한 시점으로부터 제2 모드(MD2a)로 동작할 수 있다. 또한, 센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync)의 레벨 변화 시점으로부터 수평동기신호(Hsync)를 소정의 횟수 카운팅한 시점으로부터 제1 모드(MD1a)로 동작할 수 있다.
제1 모드(MD1a)는 제1 구간(PUa) 및 제2 구간(PSa)을 포함할 수 있다. 센서 구동부(200C)는 제1 구간(PUa) 동안 기 설정된 제2 구간(PSa)의 동작 시간에 대한 정보를 액티브 펜(2000, 도 3 참조)으로 제공할 수 있다. 액티브펜(2000, 도 3 참조)는 다운링크구간동안 다운링크신호(DLS, 도 3 참조)를 센서층(200)으로 출력할 수 있다. 다운링크구간은 제2 구간(PSa)에 대응될 수 있다. 센서 구동부(200C)는 도 9 및 도 11에서 설명된 바와 같이 노이즈신호의 영향이 적은 구간에서만 액티브 펜(2000, 도 3 참조)에 의한 입력을 감지할 수 있다. 이에 대한 설명은 도 9 및 도 11에서 구체적으로 설명되었으므로 생략한다.
도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 6, 도 7, 및 도 12b를 참조하면, 표시층(100)에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 센서 구동부(200C)는 제1 모드(MD1b)를 연속적으로 2 회 이상 반복하고, 제2 모드(MD2b)를 연속적으로 2회 이상 반복할 수 있다.
센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 근거로 첫 번째 제1 구간(PUb1)의 시작 시점, 두 번째 제1 구간(PUb2)의 시작 시점에 각각 업링크신호(USL, 도 3 참조)를 출력할 수 있다. 또한, 센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 근거로 첫 번째 제2 구간(PSb1)의 시작 시점, 두 번째 제2 구간(PSb2)의 시작 시점 각각으로부터 다운링크신호(DSL, 도 3 참조)를 수신할 수 있다. 액티브 펜(2000, 도 3 참조)는 다운링크동작구간(DLM)동안 다운링크신호(DSL, 도 3 참조)를 센서 구동부(200C)로 제공할 수 있다.
센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 근거로 첫 번째 제2 모드(MD2b)의 시작 시점, 및 두 번째 제2 모드(MD2b)의 시작 시점에 각각 터치(3000, 도 3 참조) 입력을 감지하기 위한 동작을 수행할 수 있다.
도 12c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 6, 도 7, 및 도 12c를 참조하면, 표시층(100)에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 센서 구동부(200C)는 제1 모드(MD1c) 및 제2 모드(MD2c)를 한번씩 교대로 2 번 이상 반복하여 동작할 수 있다.
센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 근거로 제2 모드(MD2c)로 구동되고, 제1 모드(MD1c)로 구동되고, 다시 제2 모드(MD2c)로 구동되고, 다시 제1 모드(MD1c)로 구동될 수 있다. 첫 번째 제1 모드(MD1c)는 제1 구간(PUc1) 및 제2 구간(PSc1)을 포함하고, 두 번째 제1 모드(MD1c)는 제1 구간(PUc2) 및 제2 구간(PSc2)을 포함할 수 있다.
도 12c에서는 한 프레임 구간 동안 제1 모드(MD1c) 및 제2 모드(MD2c)가 각각 2 회 반복된 것을 예를 들어 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 모드(MD1c) 및 제2 모드(MD2c)는 3회 이상 반복될 수도 있다.
도 12d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시층 및 센서층의 동작을 설명하기 위한 개념도다.
도 6, 도 7, 및 도 12d를 참조하면, 표시층(100)에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 센서 구동부(200C)는 제1 모드(MD1d) 및 제2 모드(MD2d)를 한번씩 교대로 2 번 이상 반복하여 동작할 수 있다.
센서 구동부(200C)는 수직동기신호(Vsync) 및 수평동기신호(Hsync)를 근거로 제1 모드(MD1d)로 구동되고, 제2 모드(MD2d)로 구동되고, 다시 제1 모드(MD1d)로 구동되고, 다시 제2 모드(MD2d)로 구동될 수 있다. 첫 번째 제1 모드(MD1d)는 제1 구간(PUd1) 및 제2 구간(PSd1)을 포함하고, 두 번째 제1 모드(MD1d)는 제1 구간(PUd2) 및 제2 구간(PSd2)을 포함할 수 있다.
도 12d에서는 한 프레임 구간 동안 제1 모드(MD1d) 및 제2 모드(MD2d)가 각각 2 회 반복된 것을 예를 들어 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 모드(MD1d) 및 제2 모드(MD2d)는 3회 이상 반복될 수도 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층의 평면도이다.
도 13을 참조하면, 센서층(200)에는 감지 영역(200A) 및 주변 영역(200N)이 정의될 수 있다. 감지 영역(200A)은 도 1에 도시된 액티브 영역(1000A)에 대응될 수 있고, 주변 영역(200N)은 도 1에 도시된 주변 영역(1000NA)에 대응될 수 있다.
센서층(200)은 전극들(210), 교차 전극들(220), 배선들(230), 및 패드들(240)을 포함할 수 있다.
전극들(210) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되며, 전극들(210)은 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되어 배열될 수 있다. 교차 전극들(220) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장되며, 교차 전극들(220)은 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되어 배열될 수 있다.
전극들(210) 및 교차 전극들(220) 각각은 배선들(230) 중 대응하는 배선에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 13에서는 하나의 전극(210)에 하나의 배선(230)이 연결되고, 하나의 교차 전극(220)에 하나의 배선(230)이 연결된 싱글 라우팅 구조를 예를 들어 도시하였으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 교차 전극들(220) 각각에는 2개의 배선들(230)이 연결될 수도 있다. 또는, 전극들(210) 각각에도 2 개의 배선들(230)이 연결되고, 교차 전극들(220) 각각에는 2개의 배선들(230)이 연결될 수도 있다.
패드들(240)은 배선들(230)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 패드들(240)을 통해 센서층(200)은 센서 구동부(200C, 도 7 참조)와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 14a는 액티브 펜에 의한 제1 입력을 감지하는 센서층의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 13 및 도 14a를 참조하면, 하나의 전극(210)의 일부분 및 하나의 교차 전극(220)의 일부분은 하나의 센싱 단위(200U)로 정의될 수 있다. 도 14a에는 하나의 센싱 단위(200U)가 확대되어 도시되었다.
교차 전극(220)은 교차 패턴들(221) 및 교차 패턴들(221)에 전기적으로 연결된 브릿지 패턴들(222)을 포함할 수 있다. 교차 패턴들(221)은 전극(210)을 사이에 두고 이격될 수 있다. 브릿지 패턴들(222)은 전극(210)과 중첩할 수 있고, 브릿지 패턴들(222)은 전극(210)과 절연 교차할 수 있다.
교차 패턴들(221) 및 전극(210)은 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있고, 브릿지 패턴들(222)은 교차 패턴들(221) 및 전극(210)과 상이한 층 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 교차 패턴들(221) 및 전극(210)은 제2 도전층(204, 도 4b 참조)에 포함될 수 있고, 브릿지 패턴들(222)은 제1 도전층(202, 도 4b 참조)에 포함될 수 있으며, 이 구조는 바텀 브릿지 구조라 지칭될 수 있다. 하지만, 본 발명이 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 교차 패턴들(221) 및 전극(210)은 제1 도전층(202, 도 4b 참조)에 포함될 수 있고, 브릿지 패턴들(222)은 제2 도전층(204, 도 4b 참조)에 포함될 수 있으며, 이 구조는 탑 브릿지 구조라 지칭될 수 있다.
또한, 센서층(200)은 교차 패턴들(221) 및 전극(210)이 배치되지 않은 영역에 배치된 더미 패턴(250)을 더 포함할 수 있다. 더미 패턴(250)은 외부에서 전극(210) 및 교차 전극(220)이 시인되는 것을 방지하기 위해 제공되는 구성일 수 있으며, 더미 패턴(250)은 전기적으로 플로팅된 패턴일 수 있다.
도 14a를 참조하면, 제1 모드에서 센서 구동부(200C)는 액티브 펜(2000, 도 3 참조)에 의한 제1 입력을 감지할 수 있다. 도 14a에 도시된 동작은 제1 모드 내의 제2 구간(PS, 도 8a 참조)에서의 센서 구동부(200C)의 동작이다.
제2 구간(PS, 도 8a 참조)에서 전극(210) 및 교차 전극(220)은 모두 RX 전극(또는, 수신 전극)으로 기능할 수 있다. 센서 구동부(200C)는 전극(210)으로부터 제1 감지 신호(Sa)를 수신하고, 교차 전극(220)으로부터 제2 감지 신호(Sb)를 수신할 수 있다.
도 14b는 터치에 의한 제2 입력을 감지하는 센서층의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 13 및 도 14b를 참조하면, 제2 모드에서 센서 구동부(200C)는 터치(3000, 도 3 참조)에 의한 제2 입력을 감지할 수 있다. 제2 모드에서 센서 구동부(200C)는 전극(210)과 교차 전극(220) 사이에 형성된 상호 정전 용량의 변화량을 감지하여 외부 입력을 감지할 수 있다.
센서 구동부(200C)는 전극(210)으로 구동 신호(S1)를 제공하고, 센서 구동부(200C)는 교차 전극(220)으로부터 감지 신호(S2)를 수신할 수 있다. 즉, 제2 모드에서 전극(210)은 TX 전극(또는, 송신 전극 또는 구동 전극)으로 기능할 수 있고, 교차 전극(220)은 RX 전극으로 기능할 수 있다. 하지만, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 전극(210)이 TX 전극으로 기능하고, 교차 전극(220)이 RX 전극으로 기능할 수도 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 15를 참조하면, 전자 장치(1000_2)는 표시층(100_1) 및 센서층(200_1)을 포함할 수 있다.
표시층(100_1)은 베이스 기판(110_1), 회로층(120_1), 발광 소자층(130_1), 봉지 기판(140_1), 및 결합 부재(150_1)를 포함할 수 있다.
결합 부재(150_1)는 베이스 기판(110_1)과 봉지 기판(140_1) 사이에 배치될 수 있다. 결합 부재(150_1)는 봉지 기판(140_1)을 베이스 기판(110_1) 또는 회로층(120_1)에 결합시킬 수 있다. 결합 부재(150_1)는 무기물 또는 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 무기물은 프릿 실(frit seal)을 포함할 수 있고, 유기물은 광 경화성 수지 또는 광 가소성 수지를 포함할 수 있다. 다만, 결합 부재(150_1)를 구성하는 물질이 상기 예에 제한되는 것은 아니다.
센서층(200_1)은 봉지 기판(140_1) 위에 직접 배치될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 센서층(200_1)과 표시층(100_1) 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 센서층(200_1)과 표시층(100_1) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 센서층(200_1)과 봉지 기판(140_1) 사이에는 접착층이 더 배치될 수도 있다. 센서층(200_1)은 앞서 도 4b에서 설명된 센서층(200)과 대응될 수 있으며, 센서층(200_1)에 대한 구체적인 설명은 생략된다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
1000: 전자 장치
2000: 액티브 펜
3000: 터치 100: 표시층
100C: 표시 구동부 200: 센서층
200C: 센서 구동부 Hsync: 수평동기신호
Vsync: 수직동기신호
3000: 터치 100: 표시층
100C: 표시 구동부 200: 센서층
200C: 센서 구동부 Hsync: 수평동기신호
Vsync: 수직동기신호
Claims (20)
- 표시층;
상기 표시층을 구동하기 위한 수평동기신호 및 수직동기신호를 생성하는 표시 구동부;
상기 표시층 위에 배치되는 센서층; 및
상기 표시 구동부로부터 상기 수평동기신호, 및 상기 수직동기신호를 입력받고, 상기 수평동기신호 및 상기 수직동기신호를 근거로, 액티브 펜에 의한 제1 입력을 감지하는 제1 모드 또는 터치에 의한 제2 입력을 감지하는 제2 모드로 동작하는 센서 구동부를 포함하는 전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 모드는 업링크신호를 상기 센서층으로 전송하는 제1 구간 및 상기 액티브 펜으로부터 제공되는 다운링크신호로부터 상기 제1 입력을 감지하는 제2 구간을 포함하고, 상기 제2 구간은 상기 제1 구간 이후 진행되는 전자 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 구간은 상기 수직동기신호의 레벨 변화 시점으로부터 소정 시간 이후 시작되는 전자 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 소정 시간은 상기 수평동기신호를 X회 카운트한 시간과 동기화되고, 상기 X는 0 또는 양의 정수인 전자 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제2 구간은 상기 제1 입력을 감지하지 않는 비감지구간, 및 상기 제1 입력을 감지하는 감지구간을 포함하고, 상기 비감지구간과 상기 감지구간은 교대로 반복되는 전자 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 감지구간은 상기 수평동기신호의 레벨 변화 시점으로부터 소정 시간 이후 시작되는 전자 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 비감지구간은 상기 수평동기신호의 레벨 변화 시점과 시간적으로 중첩하는 전자 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 다운링크신호는 펜송신신호를 포함하고, 상기 펜송신신호의 주파수는 상기 수평동기신호의 주파수보다 높은 전자 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 다운링크신호는 펜송신신호를 포함하고, 상기 펜송신신호는 제1 신호구간 및 제2 신호구간을 포함하고, 상기 제1 신호구간에서 상기 펜송신신호는 소정의 레벨을 유지하고, 상기 제2 신호구간에서 상기 펜송신신호는 펄스 파형을 갖는 전자 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 신호구간은 상기 비감지구간과 시간적으로 중첩하고, 상기 제2 신호구간은 상기 감지구간과 시간적으로 중첩하는 전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시층에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 상기 센서 구동부는 상기 제1 모드 및 상기 제2 모드로 순차적으로 동작하는 전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시층에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 상기 센서 구동부는 상기 제2 모드 및 상기 제1 모드로 순차적으로 동작하는 전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시층에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 상기 센서 구동부는 상기 제1 모드 및 상기 제2 모드를 한 회씩 교대로 2번 이상 반복하여 동작하는 전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시층에 한 프레임의 영상이 표시되는 동안, 상기 센서 구동부는 상기 제1 모드를 연속적으로 2회 이상 반복하고, 상기 제2 모드를 연속적으로 2 회 이상 반복하는 전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시층은 베이스층, 상기 베이스층 위에 배치된 회로층, 상기 회로층 위에 배치된 발광 소자층, 상기 발광 소자층 위에 배치된 봉지층을 포함하고, 상기 센서층은 상기 봉지층 위에 직접 배치된 전자 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 센서층은 복수의 전극들 및 상기 복수의 전극들과 교차하는 복수의 교차 전극들을 포함하고,
상기 센서 구동부는 상기 복수의 전극들 및 상기 복수의 교차 전극들 각각으로부터 수신된 감지 신호들을 근거로 상기 제1 입력을 감지하고,
상기 센서 구동부는 상기 복수의 전극들 각각으로 신호를 제공하고, 상기 복수의 교차 전극들 각각으로부터 수신된 감지 신호들을 근거로 상기 제2 입력을 감지하는 전자 장치. - 표시층;
상기 표시층 위에 배치되고, 복수의 전극들 및 상기 복수의 전극들과 교차하는 복수의 교차 전극들을 포함하는 센서층;
상기 표시층을 구동하는 표시 구동부; 및
상기 센서층을 구동하는 센서 구동부를 포함하고,
상기 표시층은 수직동기신호 및 수평동기신호에 동기화되어 동작되고, 상기 센서 구동부는 상기 수직동기신호를 근거로 업링크신호를 상기 센서층에 제공하고, 상기 센서 구동부는 상기 수평동기신호를 근거로 액티브펜으로부터 제공된 펜송신신호를 감지하는 전자 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 센서 구동부는 상기 수직동기신호의 레벨 변화 시점으로부터 상기 수평동기신호를 X회 카운트한 이후에 상기 업링크신호를 상기 센서층으로 출력하고, 상기 X는 0 또는 양의 정수인 전자 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 센서 구동부는 상기 수평동기신호의 레벨 변화 시점으로부터 소정 시간 이후 상기 펜송신신호를 감지하는 전자 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 센서 구동부는 상기 액티브 펜에 의한 제1 입력을 감지하는 제1 모드 또는 터치에 의한 제2 입력을 감지하는 제2 모드로 동작하고,
상기 센서 구동부는 상기 복수의 전극들 및 상기 복수의 교차 전극들 각각으로부터 수신된 감지 신호들을 근거로 상기 제1 입력을 감지하고,
상기 센서 구동부는 상기 복수의 전극들 각각으로 신호를 제공하고, 상기 복수의 교차 전극들 각각으로부터 수신된 감지 신호들을 근거로 제2 입력을 감지하는 전자 장치.
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