KR20210152727A - Anthracene compound, coating composition and organic light emitting device comprising same - Google Patents
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Abstract
Description
본 명세서는 안트라센계 화합물, 이를 포함하는 코팅조성물 및 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present specification relates to an anthracene-based compound, a coating composition comprising the same, and an organic light emitting device.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electric energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, and may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. In the structure of the organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected into the organic material layer from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer. When the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and the excitons It lights up when it falls back to the ground state.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. The development of new materials for the organic light emitting device as described above is continuously required.
본 명세서는 안트라센계 화합물, 이를 포함하는 조성물 및 유기 발광 소자를 제공하고자 한다. An object of the present specification is to provide an anthracene-based compound, a composition including the same, and an organic light emitting device.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 제공한다.The present specification provides an anthracene-based compound represented by the following formula (1).
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,
L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
Ar1은 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,Ar1 is a halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group,
R1 내지 R3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
D는 중수소이고, D is deuterium,
n1는 0 내지 8의 정수이고,n1 is an integer from 0 to 8,
m1은 1 내지 4의 정수이고,m1 is an integer from 1 to 4,
r1은 0 내지 4의 정수이고, r2는 0 내지 2의 정수이고, r3는 0 내지 3의 정수이고,r1 is an integer from 0 to 4, r2 is an integer from 0 to 2, r3 is an integer from 0 to 3,
m1 + r3은 1 내지 4의 정수이고, r1 + r2는 0 내지 5의 정수이고,m1 + r3 is an integer from 1 to 4, r1 + r2 is an integer from 0 to 5;
m1, r1 및 r3가 각각 2 이상인 경우, 괄호 내의 치환기는 서로 동일하거나 상이하고,When m1, r1 and r3 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other,
r2가 2인 경우, R2는 서로 동일하거나 상이하다.When r2 is 2, R2 are the same as or different from each other.
또한, 본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함하는 코팅조성물을 제공한다. 이때, 코팅조성물은 용액공정용으로 사용될 수 있다,In addition, the present specification provides a coating composition comprising the anthracene-based compound represented by the formula (1). At this time, the coating composition can be used for solution processing,
또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 전술한 안트라센계 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present specification is a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one organic material layer includes the above-described anthracene-based compound.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에 사용되어, 유기 발광 소자의 구동전압을 낮출 수 있으며, 광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다. The compound according to an exemplary embodiment of the present specification may be used in an organic light emitting device, thereby lowering the driving voltage of the organic light emitting device and improving light efficiency. In addition, the lifespan characteristics of the device can be improved by the thermal stability of the compound.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물 또는 조성물은 용액 공정이 가능하며, 소자의 대면적화가 가능하다. The compound or composition according to an exemplary embodiment of the present specification can be solution-processed, and a large area of the device is possible.
도 1 내지 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 to 3 illustrate examples of an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present specification.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail.
상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물은 5환의 헤테로고리기의 말단에 Ar1의 치환기를 1 이상 포함하고 있어, 유기 발광 소자의 발광층 호스트로 사용될 때, 소자의 저전압, 고효율 또는/및 장수명의 효과가 있다. The anthracene-based compound represented by Formula 1 includes at least one substituent of Ar1 at the end of the 5-ring heterocyclic group, so that when used as a host for the light emitting layer of an organic light emitting device, the effect of low voltage, high efficiency and/or long life of the device is reduced. have.
상기 화학식 1이 중수소를 하나 이상 포함하는 경우, 소자의 효율 및 수명이 개선된다. 수소가 중수소로 대체되는 경우 진동자인 중수소의 중량 증가로 인하여, 분자의 진동 감쇠 효과가 나타난다. 이는 분자의 에너지에 기여하는 진동 에너지 변화로 이어지며, 분자의 에너지를 낮추어 안정화시킨다. 안정화된 분자의 결합을 절단하기 위하여 필요한 활성 에너지가 커지는 효과가 나타난다. 이에 상기 화학식 1은 중수소를 포함함으로써 소자의 효율 및 수명을 개선할 수 있다.When Formula 1 includes at least one deuterium, the efficiency and lifespan of the device are improved. When hydrogen is replaced with deuterium, the vibration damping effect of the molecule appears due to an increase in the weight of deuterium, which is an oscillator. This leads to a change in vibrational energy that contributes to the energy of the molecule, lowering the energy of the molecule and stabilizing it. The effect of increasing the activation energy required to break the bond of the stabilized molecule appears. Accordingly, by including deuterium in Formula 1, the efficiency and lifespan of the device may be improved.
중수소를 포함하는 화학식 1의 화합물은 공지된 중수소화 반응에 의하여 제조될 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소화된 화합물을 전구체로 사용하여 형성하거나, 중수소화된 용매를 이용하여 산 촉매 하에서 수소-중수소 교환 반응을 통하여 중수소를 화합물에 도입할 수도 있다. The compound of Formula 1 containing deuterium may be prepared by a known deuterium reaction. According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 is formed using a deuterated compound as a precursor, or deuterium is introduced into the compound through a hydrogen-deuterium exchange reaction under an acid catalyst using a deuterated solvent. You may.
본 명세서에 있어서, 또는 점선은 연결되는 부위를 의미한다.In this specification, Alternatively, the dotted line refers to a region to be connected.
본 명세서에 있어서, Cn은 탄소수가 n개인 것을 의미하고, Cn-Cm은 탄소수 n 내지 m인 것을 의미한다.In the present specification, Cn means that the number of carbon atoms is n, and Cn-Cm means that the number of carbons is n to m.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of substituents in the present specification are described below, but are not limited thereto.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substitution" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent is substitutable, is substituted. , two or more substituents may be the same as or different from each other.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 알킬기; 아릴기; 및 탄소가 아닌 이종 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; halogen group; nitrile group; an alkyl group; aryl group; And it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group containing one or more heteroatoms other than carbon, or is substituted with a substituent to which two or more substituents of the above-exemplified substituents are linked, or does not have any substituents means that
본 명세서에 있어서, 2 이상의 치환기가 연결된다는 것은 어느 하나의 치환기의 수소가 다른 치환기와 연결된 것을 말한다. 예를 들어, 이소프로필기와 페닐기가 연결되어 또는 의 치환기가 될 수 있다. In the present specification, that two or more substituents are connected means that the hydrogen of any one substituent is connected with the other substituent. For example, an isopropyl group and a phenyl group are linked or It can be a substituent of
본 명세서에 있어서, 3개의 치환기가 연결되는 것은 (치환기 1)-(치환기 2)-(치환기 3)이 연속하여 연결되는 것뿐만 아니라, (치환기 1)에 (치환기 2) 및 (치환기 3)이 연결되는 것도 포함한다. 예를 들어, 2개의 페닐기 및 이소프로필기가 연결되어 또는 의 치환기가 될 수 있다. 4 이상의 치환기가 연결되는 것에도 전술한 것과 동일하게 적용된다.In the present specification, three substituents are connected to (substituent 1)-(substituent 2)-(substituent 3) as well as consecutively connected (substituent 1) to (substituent 2) and (substituent 3) It also includes connecting. For example, two phenyl groups and an isopropyl group are linked or It can be a substituent of The same applies to those in which 4 or more substituents are connected.
본 명세서에 있어서, N% 중수소화되었다는 것은 해당 구조에서 이용가능한 수소의 N%가 중수소로 치환되는 것을 의미한다. 예를 들어, 디벤조퓨란에서 중수소로 25% 치환되었다고 하면, 디벤조퓨란의 8개의 수소 중 2개가 중수소로 치환된 것을 의미한다.In the present specification, N% deuterated means that N% of hydrogen available in the structure is substituted with deuterium. For example, if 25% of dibenzofuran is substituted with deuterium, it means that 2 out of 8 hydrogens of dibenzofuran are substituted with deuterium.
본 명세서에 있어서, 중수소화된 정도는 핵자기 공명 분광법(1H NMR)이나 GC/MS 등의 공지의 방법으로 확인할 수 있다.In the present specification, the degree of deuteration can be confirmed by a known method such as nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H NMR) or GC/MS.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬, 또는 요오드가 있다. In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine, or iodine.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30; 1 내지 20; 1 내지 10; 또는 1 내지 5인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, t-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, t-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, t-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkyl group may be a straight chain or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but 1 to 30; 1 to 20; 1 to 10; Or 1 to 5 are preferable. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, sec-butyl, 1-methylbutyl, 1-ethylbutyl, pentyl, n-pentyl, iso Pentyl, neopentyl, t-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentyl Methyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, t-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethylpropyl, 1,1 -Dimethylpropyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 시클로알킬기는 단일고리기뿐만 아니라 다리목(bridgehead), 접합고리(fused ring), 스피로고리(spiro)와 같은 이중고리기를 포함한다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Cycloalkyl groups include not only monocyclic groups but also bicyclic groups such as bridgeheads, fused rings, and spiros. Specifically, there are a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, an adamantyl group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 1가의 방향족 탄화수소 또는 방향족 탄화수소 유도체의 1가의 기를 의미한다. 방향족 탄화수소는 pi 전자가 완전히 콘쥬게이션되고 평면인 고리를 포함하는 화합물을 의미하며, 방향족 탄화수소에서 유도되는 기란, 방향족 탄화수소에 방향족 탄화수소 또는 고리형 지방족 탄화수소가 축합된 구조를 의미한다. 또한 본 명세서에 있어서, 아릴기는 2 이상의 방향족 탄화수소 또는 방향족 탄화수소의 유도체가 서로 연결된 1가의 기를 포함하고자 한다. 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50; 6 내지 30; 6 내지 25; 6 내지 20; 6 내지 18; 또는 6 내지 13인 것이 바람직하며, 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 트리페닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the aryl group means a monovalent group of a monovalent aromatic hydrocarbon or an aromatic hydrocarbon derivative. The aromatic hydrocarbon refers to a compound including a ring in which pi electrons are completely conjugated and a planar ring, and the group derived from an aromatic hydrocarbon refers to a structure in which an aromatic hydrocarbon or a cyclic aliphatic hydrocarbon is condensed with an aromatic hydrocarbon. Also, in the present specification, the aryl group is intended to include a monovalent group in which two or more aromatic hydrocarbons or derivatives of aromatic hydrocarbons are connected to each other. The aryl group is not particularly limited, but has 6 to 50 carbon atoms; 6 to 30; 6 to 25; 6 to 20; 6 to 18; Or it is preferably 6 to 13, and the aryl group may be monocyclic or polycyclic. Specifically, the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and the like, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may include, but is not limited to, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a triphenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and adjacent substituents may combine with each other to form a ring.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기가 치환될 수 있다고 할 때, 치환된 플루오레닐기는 플루오렌의 5각 고리의 치환기가 서로 스피로 결합하여 방향족 탄화수소고리를 형성하는 화합물까지 모두 포함하는 것이다. 상기 치환된 플루오레닐기는 9,9'-스피로바이플루오렌, 스피로[사이클로펜탄-1,9'-플루오렌], 스피로[벤조[c]플루오렌-7,9-플루오렌] 등을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, when it is said that the fluorenyl group may be substituted, the substituted fluorenyl group includes all compounds in which the substituents of the pentacyclic ring of fluorene are spiro-bonded with each other to form an aromatic hydrocarbon ring. The substituted fluorenyl group includes 9,9'-spirobifluorene, spiro[cyclopentane-1,9'-fluorene], spiro[benzo[c]fluorene-7,9-fluorene], etc. However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 치환된 아릴기에는 아릴기에 지방족 고리가 축합된 형태도 포함할 수 있다. 예컨대, 하기 구조의 테트라하이드로나프탈렌기를 예시할 수 있다. 하기 구조에서, 벤젠고리의 탄소 중 하나가 다른 위치에 연결될 수 있다.In the present specification, the substituted aryl group may include a form in which an aliphatic ring is condensed to an aryl group. For example, a tetrahydronaphthalene group having the following structure can be exemplified. In the following structure, one of the carbons of the benzene ring may be connected to another position.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 1가의 방향족 헤테로고리를 의미한다. 여기서 방향족 헤테로고리란 방향족 고리 또는 방향족 고리의 유도체의 1가의 기로서, 이종 원자로 N, O 및 S 중 1개 이상을 고리에 포함하는 기를 의미한다. 상기 방향족 고리의 유도체란, 방향족 고리에 방향족 고리 또는 지방족 고리가 축합된 구조를 모두 포함한다. 또한 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 2 이상의 이종원자를 포함한 방향족 고리 또는 이종원자를 포함한 방향족 고리의 유도체가 서로 연결된 1가의 기를 포함하고자 한다. 상기 헤테로아릴기의 탄소수 2 내지 50; 2 내지 30; 2 내지 20; 2 내지 18; 또는 2 내지 13인 것이 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨라닐기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딘기, 피리다진기, 피라진기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 페난쓰롤리닐기, 디벤조퓨란기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heteroaryl group refers to a monovalent aromatic heterocyclic ring. Here, the aromatic heterocycle is a monovalent group of an aromatic ring or a derivative of an aromatic ring, and means a group including at least one of N, O and S as heteroatoms in the ring. The aromatic ring derivative includes all structures in which an aromatic ring or an aliphatic ring is condensed on an aromatic ring. In addition, in the present specification, the heteroaryl group is intended to include a monovalent group in which an aromatic ring containing two or more heteroatoms or a derivative of an aromatic ring containing heteroatoms is connected to each other. the heteroaryl group having 2 to 50 carbon atoms; 2 to 30; 2 to 20; 2 to 18; Or it is preferable that it is 2-13. Examples of the heteroaryl group include a thiophene group, a furanyl group, a pyrrole group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, a pyridine group, a pyrimidine group, a triazine group, a triazole group, an acridine group, a pyridazine group, a pyrazine group, Quinoline group, quinazoline group, quinoxaline group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzo There are a furan group, a phenanthrolinyl group, a dibenzofuran group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있다.In the present specification, the heteroaryl group may be monocyclic or polycyclic, and may be aromatic, aliphatic, or a condensed ring of aromatic and aliphatic.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리는 pi 전자가 완전히 컨쥬게이션되고 평면인 탄화수소고리를 의미하는 것으로, 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the aromatic hydrocarbon ring refers to a hydrocarbon ring in which pi electrons are completely conjugated and planar, and the description of the aryl group described above may be applied, except that it is a divalent group.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리는 방향족 탄화수소고리를 제외한 모든 탄화수소고리를 의미하는 것으로, 시클로알킬고리, 시클로알켄고리을 포함할 수 있다. 시클로알킬고리는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 시클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있으며, 시클로알켄고리는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 시클로알케닐기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 또한, 치환된 지방족 탄화수소 고리에는 방향족 고리가 축합된 지방족 탄화수소 고리도 포함된다.In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring refers to all hydrocarbon rings except for the aromatic hydrocarbon ring, and may include a cycloalkyl ring and a cycloalkene ring. Except that the cycloalkyl ring is a divalent group, the description of the cycloalkyl group described above may be applied, and the description of the cycloalkenyl group described above may be applied, except that the cycloalkenyl ring is a divalent group. The substituted aliphatic hydrocarbon ring also includes an aliphatic hydrocarbon ring in which an aromatic ring is condensed.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the arylene group means that the aryl group has two bonding positions, that is, a divalent group. Except that each of these is a divalent group, the description of the aryl group described above may be applied.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the heteroarylene group means that the heteroaryl group has two bonding positions, that is, a divalent group. Except that each of these is a divalent group, the description of the heteroaryl group described above may be applied.
이하, 하기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물에 관하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the anthracene-based compound represented by the following Chemical Formula 1 will be described in detail.
[화학식 1][Formula 1]
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; or a substituted or unsubstituted arylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; or a substituted or unsubstituted C6-C30 arylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; or a substituted or unsubstituted C6-C20 arylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 페난트레닐기이다.In one embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; a substituted or unsubstituted phenylene group; a substituted or unsubstituted biphenylene group; a substituted or unsubstituted naphthylene group; or a substituted or unsubstituted divalent phenanthrenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; or a C6-C30 arylene group unsubstituted or substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; or a C6-C20 arylene group unsubstituted or substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 2가의 페난트레닐기이다.In one embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; a phenylene group unsubstituted or substituted with deuterium; a biphenylene group unsubstituted or substituted with deuterium; a naphthylene group unsubstituted or substituted with deuterium; or a divalent phenanthrenyl group unsubstituted or substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.In one embodiment of the present specification, L1 is a direct bond; or a substituted or unsubstituted phenylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 페난트레닐기이다.In one embodiment of the present specification, L2 is a direct bond; a substituted or unsubstituted phenylene group; a substituted or unsubstituted naphthylene group; or a substituted or unsubstituted divalent phenanthrenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2 중 하나는 직접결합이다.In one embodiment of the present specification, one of L1 and L2 is a direct bond.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 중수소로 치환될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 may be substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합 또는 하기 구조에서 선택된 어느 하나이다. In an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently is any one selected from a direct bond or the following structure.
상기 구조에 있어서, D는 중수소를 의미하고, k1은 0 내지 4의 정수이고, k2는 0 내지 6의 정수이다.In the above structure, D denotes deuterium, k1 is an integer of 0 to 4, and k2 is an integer of 0 to 6.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, k1은 1 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k1은 2 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k1은 3 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k1은 4 이다.In one embodiment of the present specification, k1 is 1 or more. In another exemplary embodiment, k1 is 2 or more. In another exemplary embodiment, k1 is 3 or more. In another exemplary embodiment, k1 is 4.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, k2는 1 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k2는 2 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k2는 3 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k2는 4 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k2는 5 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k2는 6 이다.In one embodiment of the present specification, k2 is 1 or more. In another exemplary embodiment, k2 is 2 or more. In another exemplary embodiment, k2 is 3 or more. In another exemplary embodiment, k2 is 4 or more. In another exemplary embodiment, k2 is 5 or more. In another exemplary embodiment, k2 is 6.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 C3-C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6-C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2-C60의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted C3-C60 cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted C6-C60 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2-C60 heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3-C60의 시클로알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 C6-C60의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a cyano group; a substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl group; a substituted or unsubstituted C3-C60 cycloalkyl group; or a substituted or unsubstituted C6-C60 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 할로겐기; 시아노기; C1-C10의 알킬기; 실릴기; C3-C30의 시클로알킬기; C6-C30의 아릴기; 및 C2-C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 치환기이거나, 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기이고, Ar1은 중수소로 치환될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a halogen group; cyano group; C1-C10 alkyl group; silyl group; C3-C30 cycloalkyl group; C6-C30 aryl group; and a substituent selected from the group consisting of a C2-C30 heteroaryl group, or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected, and Ar1 may be substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 할로겐기; 시아노기; C1-C6의 알킬기; 실릴기; C3-C20의 시클로알킬기; C6-C20의 아릴기; 및 C2-C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 치환기이거나, 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기이고, Ar1은 중수소로 치환될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a halogen group; cyano group; C1-C6 alkyl group; silyl group; C3-C20 cycloalkyl group; C6-C20 aryl group; and a substituent selected from the group consisting of a C2-C20 heteroaryl group, or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected, and Ar1 may be substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 플루오로기; 시아노기; 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 펜틸기; 헥실기; 실릴기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 아다만틸기; 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 나프틸기; 페난트레닐기; 트리페닐렌기; 테트라하이드로나트랄렌기; 퓨란기; 벤조퓨란기; 디벤조퓨란기; 티오펜기; 벤조티오펜기; 및 디벤조티오펜기로 이루어진 군에서 선택된 치환기이거나, 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기이고, Ar1은 중수소로 치환될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a fluoro group; cyano group; methyl group; ethyl group; Profile group; butyl group; pentyl group; hexyl group; silyl group; cyclopentyl group; cyclohexyl group; adamantyl group; phenyl group; biphenyl group; terphenyl group; naphthyl group; phenanthrenyl group; triphenylene group; tetrahydronatralene group; furan group; benzofuran group; dibenzofuran group; thiophene group; benzothiophene group; and a substituent selected from the group consisting of a dibenzothiophene group, or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected, and Ar1 may be substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 시아노기; 중수소 또는 할로겐기로 치환 또는 비치환된 C1-C10의 알킬기; C1-C10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 실릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기; 중수소, 시아노기 및 C1-C10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환되고, C3-C30의 지방족탄화수소고리가 축합 또는 비축합된 C6-C30의 아릴기; 또는 중수소. C1-C10의 알킬기 및 C6-C30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a cyano group; a C1-C10 alkyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a halogen group; a silyl group unsubstituted or substituted with a C1-C10 alkyl group; a C3-C30 cycloalkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; At least one substituent selected from the group consisting of deuterium, a cyano group, and a C1-C10 alkyl group, or unsubstituted or substituted with a substituent to which two or more groups selected from the group are connected, C3-C30 aliphatic hydrocarbon ring is condensed or non-condensed C6- C30 aryl group; or deuterium. It is a C2-C30 heteroaryl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a C1-C10 alkyl group and a C6-C30 aryl group, or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 시아노기; 중수소 또는 할로겐기로 치환 또는 비치환된 C1-C6의 알킬기; C1-C6의 알킬기로 치환 또는 비치환된 실릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 C3-C20의 시클로알킬기; 중수소, 시아노기 및 C1-C6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기; 중수소 및 C1-C6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환되고, 방향족 및 지방족 고리가 축합된 C6-C40의 다환 탄화수소고리; 또는 중수소. C1-C6의 알킬기 및 C6-C20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2-C20의 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a cyano group; a C1-C6 alkyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a halogen group; a silyl group unsubstituted or substituted with a C1-C6 alkyl group; a C3-C20 cycloalkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a C6-C20 aryl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a cyano group and a C1-C6 alkyl group or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected; a C6-C40 polycyclic hydrocarbon ring in which one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and a C1-C6 alkyl group, or two or more groups selected from the group are connected, are substituted or unsubstituted, and aromatic and aliphatic rings are condensed; or deuterium. It is a C2-C20 heteroaryl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a C1-C6 alkyl group and a C6-C20 aryl group, or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1의 헤테로아릴기는 이종원소로 O 또는 S를 포함한다.In the exemplary embodiment of the present specification, the heteroaryl group of Ar1 includes O or S as a heterogeneous element.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 중수소로 치환될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 may be substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 시아노기; 플루오로기로 치환 또는 비치환된 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 헥실기; 트리메틸실릴기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 아다만틸기; 중수소, 시아노기, 메틸기 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 터페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 페난트레닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 테트라하이드로나프탈렌기; tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 퓨란기; 벤조퓨란기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 티오펜기; 또는 벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a cyano group; a methyl group unsubstituted or substituted with a fluoro group; ethyl group; Profile group; butyl group; hexyl group; trimethylsilyl group; cyclopentyl group; cyclohexyl group; adamantyl group; a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a cyano group, a methyl group, or a tert-butyl group; a biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; terphenyl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium substituted or unsubstituted with deuterium; phenanthrenyl group; tetrahydronaphthalene group unsubstituted or substituted with a methyl group; a furan group unsubstituted or substituted with a tert-butyl group; benzofuran group; a thiophene group unsubstituted or substituted with a phenyl group; or a benzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 헥실기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 아다만틸기; 중수소, 시아노기, 메틸기 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 페난트레닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 테트라하이드로나프탈렌기; tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 퓨란기; 벤조퓨란기; 티오펜기; 또는 벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a methyl group; ethyl group; Profile group; butyl group; hexyl group; cyclopentyl group; cyclohexyl group; adamantyl group; a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a cyano group, a methyl group, or a tert-butyl group; biphenyl group; terphenyl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium; phenanthrenyl group; tetrahydronaphthalene group unsubstituted or substituted with a methyl group; a furan group unsubstituted or substituted with a tert-butyl group; benzofuran group; thiophene group; or a benzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 C6-C30의 아릴기이고, Ar2는 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1-C10의 알킬기, 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a C6-C30 aryl group, Ar2 is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, a C1-C10 alkyl group, and a silyl group, or selected from the group It may be substituted with a substituent to which two or more groups are connected.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 C6-C20의 아릴기이고, Ar2는 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1-C6의 알킬기 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a C6-C20 aryl group, Ar2 is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, a C1-C6 alkyl group and a silyl group, or 2 selected from the group More than one group may be substituted with a linked substituent.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 C6-C20의 아릴기이고, Ar2는 중수소, 플루오로기, 시아노기, 메틸기, tert-부틸기 및 트리메틸실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a C6-C20 aryl group, Ar2 is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a fluoro group, a cyano group, a methyl group, a tert-butyl group, and a trimethylsilyl group, or the group Two or more groups selected from may be substituted with a connected substituent.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 또는 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted terphenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; Or a substituted or unsubstituted triphenylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 중수소로 치환될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 may be substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 중수소, 플루오로기, 시아노기, 메틸기, tert-부틸기 또는 트리메틸실릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 중수소 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a fluoro group, a cyano group, a methyl group, a tert-butyl group, or a trimethylsilyl group; a biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; terphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a phenyl group; a phenanthrenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or a triphenylene group unsubstituted or substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a C6-C20 aryl group unsubstituted or substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 중수소로 치환 또는 비치환된 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 중수소 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; terphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a phenyl group; a phenanthrenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or a triphenylene group unsubstituted or substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 C6-C60의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl group; or a substituted or unsubstituted C6-C60 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-C10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted C1-C10 alkyl group; or a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 C1-C6의 알킬기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a C1-C6 alkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; or a C6-C20 aryl group unsubstituted or substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; C1-C6의 알킬기; 또는 C6-C20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; C1-C6 alkyl group; or a C6-C20 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; or a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1은 수소; 중수소; 또는 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 is hydrogen; heavy hydrogen; or a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1은 0 내지 8의 정수이다.In one embodiment of the present specification, n1 is an integer from 0 to 8.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1은 1 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 2 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 3 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 4 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 5 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 6 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 7 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 8 이다.In one embodiment of the present specification, n1 is 1 or more. In another exemplary embodiment, n1 is 2 or more. In another exemplary embodiment, n1 is 3 or more. In another exemplary embodiment, n1 is 4 or more. In another exemplary embodiment, n1 is 5 or more. In another exemplary embodiment, n1 is 6 or more. In another exemplary embodiment, n1 is 7 or more. In another exemplary embodiment, n1 is 8.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, m1은 1 내지 4의 정수이다.In one embodiment of the present specification, m1 is an integer of 1 to 4.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, m1은 1 또는 2 이다.In one embodiment of the present specification, m1 is 1 or 2.
m1이 2 이상인 경우, 복수개의 Ar1은 서로 동일하거나 상이하다.When m1 is 2 or more, a plurality of Ar1s are the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r1은 0 내지 4의 정수이다.In an exemplary embodiment of the present specification, r1 is an integer of 0 to 4.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r2는 0 내지 2의 정수이다.In one embodiment of the present specification, r2 is an integer of 0 to 2.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r3는 0 내지 3의 정수이다.In one embodiment of the present specification, r3 is an integer of 0 to 3.
r1이 2 이상인 경우, 복수개의 R1은 서로 동일하거나 상이하다.When r1 is 2 or more, a plurality of R1s are the same as or different from each other.
r2이 2 인 경우, 2개의 R2는 서로 동일하거나 상이하다.When r2 is 2, two R2s are the same as or different from each other.
r3이 2 이상인 경우, 복수개의 R3은 서로 동일하거나 상이하다.When r3 is 2 or more, a plurality of R3 are the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, m1 + r3은 1 내지 4의 정수이다.In one embodiment of the present specification, m1 + r3 is an integer of 1 to 4.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r1 + r2는 0 내지 5의 정수이다.In one embodiment of the present specification, r1 + r2 is an integer of 0 to 5.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; or a C6-C30 arylene group unsubstituted or substituted with deuterium.
Ar1은 할로겐기; 시아노기; C1-C10의 알킬기; 실릴기; C3-C30의 시클로알킬기; C6-C30의 아릴기; 및 C2-C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 치환기이거나, 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기이고, Ar1은 중수소로 치환될 수 있고,Ar1 is a halogen group; cyano group; C1-C10 alkyl group; silyl group; C3-C30 cycloalkyl group; C6-C30 aryl group; And a substituent selected from the group consisting of a C2-C30 heteroaryl group, or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected, Ar1 may be substituted with deuterium,
Ar2는 C6-C30의 아릴기이고, Ar2는 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1-C10의 알킬기, 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환될 수 있다. Ar2 is a C6-C30 aryl group, Ar2 is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, a C1-C10 alkyl group, and a silyl group, or two or more groups selected from the group may be substituted with a connected substituent. have.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 20% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 30% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 40% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 50% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 60% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 70% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 80% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 90% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 100% 중수소화된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 is deuterated by 20% or more. In another exemplary embodiment, Formula 1 is deuterated by 30% or more. In another exemplary embodiment, Chemical Formula 1 is deuterated by 40% or more. In another exemplary embodiment, Formula 1 is deuterated by 50% or more. In another exemplary embodiment, Chemical Formula 1 is deuterated by 60% or more. In another exemplary embodiment, Chemical Formula 1 is deuterated by 70% or more. In another exemplary embodiment, Chemical Formula 1 is 80% or more deuterated. In another exemplary embodiment, Chemical Formula 1 is deuterated by 90% or more. In another exemplary embodiment, Chemical Formula 1 is 100% deuterated.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 적어도 하나 이상의 수소를 포함한다.In the exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 includes at least one hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 101 또는 102로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by the following
[화학식 101][Formula 101]
[화학식 102][Formula 102]
상기 화학식 101 및 102에 있어서,In
L1, L2, Ar1, Ar2, R1 내지 R3, D, n1, m1 및 r1 내지 r3의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,L1, L2, Ar1, Ar2, R1 to R3, D, n1, m1, and r1 to r3 are the same as defined in Formula 1,
r1'는 0 내지 3의 정수이고, r2'는 0 또는 1 이다.r1' is an integer from 0 to 3, and r2' is 0 or 1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 는 하기 구조에서 선택된 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, is any one selected from the following structures.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 201 내지 206 중 어느 하나로 표시된다.In the exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by any one of Chemical Formulas 201 to 206 below.
[화학식 201][Formula 201]
[화학식 202][Formula 202]
[화학식 203][Formula 203]
[화학식 204][Formula 204]
[화학식 205][Formula 205]
[화학식 206][Formula 206]
상기 화학식 201 내지 206 있어서,In Formulas 201 to 206,
L1, L2, Ar1, Ar2, R1 내지 R3, D, n1, m1 및 r1 내지 r3의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.L1, L2, Ar1, Ar2, R1 to R3, D, n1, m1, and r1 to r3 are the same as defined in Formula 1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 101은 하기 화학식 301 내지 304에서 선택된 하나이다.In the exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 301] [화학식 302][Formula 301] [Formula 302]
[화학식 303] [화학식 304][Formula 303] [Formula 304]
상기 화학식 301 내지 304에 있어서, In the formulas 301 to 304,
L1, L2, Ar1, Ar2, R1 내지 R3, D, n1, m1, r1', r2 및 r3의 정의는 화학식 101에서 정의한 바와 같다.The definitions of L1, L2, Ar1, Ar2, R1 to R3, D, n1, m1, r1', r2 and r3 are as defined in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 102는 하기 화학식 305 내지 308 중 어느 하나로 표시된다.In the exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 305] [화학식 306][Formula 305] [Formula 306]
[화학식 307] [화학식 308][Formula 307] [Formula 308]
상기 화학식 305 내지 308에 있어서, In the formulas 305 to 308,
L1, L2, Ar1, Ar2, R1 내지 R3, D, n1, m1, r1, r2' 및 r3의 정의는 화학식 102에서 정의한 바와 같다.L1, L2, Ar1, Ar2, R1 to R3, D, n1, m1, r1, r2' and r3 are the same as defined in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 는 하기 구조에서 선택된 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, is any one selected from the following structures.
상기 구조에 있어서,In the structure,
a* 내지 f* 중 어느 하나는 L1에 연결되는 위치이며,Any one of a* to f* is a position connected to L1,
R11은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,R11 is hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
Ar1은 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,Ar1 is a cyano group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
m1은 1 내지 4의 정수이고,m1 is an integer from 1 to 4,
r11은 0 내지 8의 정수이고, r11이 2 이상인 경우 복수 개의 R11은 서로 동일하거나 상이하다.r11 is an integer of 0 to 8, and when r11 is 2 or more, a plurality of R11s are the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11은 전술한 R1 및 R2의 정의와 동일하다.In the exemplary embodiment of the present specification, R11 is the same as the definitions of R1 and R2 described above.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, a*는 L1에 연결되는 위치이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, b*는 L1에 연결되는 위치이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, c*는 L1에 연결되는 위치이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, d*는 L1에 연결되는 위치이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, e*는 L1에 연결되는 위치이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, f*는 L1에 연결되는 위치이다.In one embodiment of the present specification, a* is a position connected to L1. In another exemplary embodiment, b* is a position connected to L1. In another exemplary embodiment, c* is a position connected to L1. In another exemplary embodiment, d* is a position connected to L1. In another exemplary embodiment, e* is a position connected to L1. In another exemplary embodiment, f* is a position connected to L1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the anthracene-based compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다. 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당 기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다. The compound according to an exemplary embodiment of the present specification may be prepared by a method described below. If necessary, a substituent may be added or excluded, and the position of the substituent may be changed. In addition, based on techniques known in the art, starting materials, reactants, reaction conditions, etc. can be changed.
예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있으며, 화합물에 따라 상기 반응 순서는 바뀔 수 있으며, 상기 화학식 1의 안트라센계 화합물 합성방법은 상기 방법에만 한정되는 것은 아니다.For example, the compound represented by Formula 1 may be more specific in Preparation Examples to be described later, and the reaction sequence may change depending on the compound, and the method for synthesizing the anthracene-based compound of Formula 1 is not limited to the above method.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함하는 코팅조성물을 제공한다. 이 때, 상기 코팅조성물은 유기발광소자의 제작에서 용액공정에 사용된다.The present specification provides a coating composition comprising the anthracene-based compound represented by Formula 1 above. At this time, the coating composition is used in the solution process in the manufacture of the organic light emitting device.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅조성물은 도펀트 물질을 더 포함한다. 도펀트 물질은 후술하는 도펀트물질이 사용될 수 있다.In one embodiment of the present specification, the coating composition further comprises a dopant material. As the dopant material, a dopant material to be described later may be used.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함하는 조성물을 제공한다. 상기 조성물은 추가의 안트라센계 화합물을 더 포함할 수 있다. 추가로 포함되는 안트라센계 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 국한되지 않으며, 공지된 안트라센계 호스트 물질일 수 있다.The present specification provides a composition comprising the anthracene-based compound represented by Formula 1 above. The composition may further include an additional anthracene-based compound. The additionally included anthracene-based compound is not limited to the compound represented by Formula 1, and may be a known anthracene-based host material.
본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides an organic light emitting device including the above-described compound.
본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification includes a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer includes the anthracene-based compound represented by Formula 1 above. provides
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In the present specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.
본 명세서에 있어서, 상기 "층"은 본 기술분야에 주로 사용되는 '필름'과 호환되는 의미이며, 목적하는 영역을 덮는 코팅을 의미한다. 상기 "층"의 크기는 한정되지 않으며, 각각의 "층"은 그 크기가 동일하거나 상이할 수 있다. 일 실시상태에 있어서, "층"의 크기는 전체 소자와 같을 수 있고, 특정 기능성 영역의 크기에 해당할 수 있으며, 단일 서브픽셀(sub-pixel)만큼 작을 수도 있다. In the present specification, the "layer" is a meaning compatible with a 'film' mainly used in the art, and refers to a coating covering a desired area. The size of the “layers” is not limited, and each “layer” may have the same size or different sizes. In one embodiment, the size of a “layer” may be equal to the size of the entire device, may correspond to the size of a specific functional area, and may be as small as a single sub-pixel.
본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 B층에 포함된다는 의미는 i) 1종 이상의 A 물질이 하나의 B층에 포함되는 것과 ii) B층이 1층 이상으로 구성되고, A 물질이 다층의 B층 중 1층 이상에 포함되는 것을 모두 포함한다.In the present specification, the meaning that a specific material A is included in layer B means that i) one or more types of material A are included in one layer B, and ii) layer B is composed of one or more layers, and material A is multi-layered B. It includes everything included in one or more floors among the floors.
본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 C층 또는 D층에 포함된다는 의미는 i) 1층 이상의 C층 중 1층 이상에 포함되거나, ii) 1층 이상의 D층 중 1층 이상에 포함되거나, iii) 1층 이상의 C층 및 1층 이상의 D층에 각각 포함되는 것을 모두 의미하는 것이다. In the present specification, the meaning that a specific material A is included in the C layer or the D layer means i) is included in one or more of the one or more layers C, ii) is included in one or more of the one or more layers of the D layer, or iii ) means all of which are included in one or more layers C and one or more layers D, respectively.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 상기 발광층 이외에 추가의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may include an additional organic material layer in addition to the light emitting layer.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단층, 정공 차단층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않는다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, it may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, and the like. However, the structure of the organic light emitting diode is not limited thereto.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes an anthracene-based compound represented by Formula 1 above.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 호스트로서 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the anthracene-based compound represented by Formula 1 as a host.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함한다. 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트는 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the light emitting layer includes a host and a dopant. In one embodiment, the host includes an anthracene-based compound represented by Formula 1 above.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 도펀트는 인광 도펀트 또는 형광 도펀트이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the dopant is a phosphorescent dopant or a fluorescent dopant.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 아릴아민계 화합물을 도펀트로서 포함한다. In an exemplary embodiment of the present specification, the light emitting layer includes an arylamine-based compound as a dopant.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 아릴아민계 화합물은 중수소를 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the arylamine-based compound includes deuterium.
또다른 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 보론 화합물을 도펀트로서 포함한다. In another exemplary embodiment, the light emitting layer includes a boron compound as a dopant.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 발광층 내에 도펀트는 호스트 100 중량부를 기준으로 0.1 중량부 내지 50 중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 중량부 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내일 때, 호스트에서 도펀트로 에너지 전달이 효율적으로 일어난다.In an exemplary embodiment of the present specification, the dopant in the light emitting layer may be included in an amount of 0.1 to 50 parts by weight, preferably 1 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the host. When within the above range, energy transfer from the host to the dopant occurs efficiently.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 1층 이상의 발광층을 더 포함한다. 상기 1층 이상의 발광층은 각각 전술한 도펀트를 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device further includes one or more light emitting layers. Each of the one or more emission layers may include the dopant described above.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 2층 이상의 발광층을 포함하고, 상기 2층 이상의 발광층 중 한 층은 형광 도펀트를 포함하고, 다른 한 층은 인광 도펀트를 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device includes two or more emission layers, one layer of the two or more emission layers includes a fluorescent dopant, and the other layer includes a phosphorescent dopant.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 발광층의 최대 발광 피크는 400 nm 내지 500 nm이다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the maximum emission peak of the emission layer including the compound represented by Formula 1 is 400 nm to 500 nm.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물; 또는 상기 조성물은 발광층 총 중량 100 중량부 대비 50 중량부 이상 100 중량부 미만, 더욱 바람직하게는 70 중량부 이상 99 중량부 이하로 포함된다.In an exemplary embodiment of the present specification, an anthracene-based compound represented by Formula 1; Alternatively, the composition is included in an amount of 50 parts by weight or more and less than 100 parts by weight, more preferably 70 parts by weight or more and 99 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total weight of the light emitting layer.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 2층 이상의 발광층을 포함하고, 상기 2층 이상의 발광층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함한다. 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함한 발광층은 청색을 띠며, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함하지 않은 발광층은 당업계에 알려진 청색, 적색 또는 녹색 발광 화합물을 포함할 수 있다.The organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification includes two or more emission layers, and at least one of the two or more emission layers includes the anthracene-based compound represented by Formula 1 above. The light emitting layer including the anthracene-based compound represented by Formula 1 may have a blue color, and the emission layer not including the anthracene-based compound represented by Formula 1 may include a blue, red, or green light-emitting compound known in the art.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 전자 주입층, 전자 수송층 또는 정공 차단층을 포함하고, 상기 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 전자 주입층, 전자 수송층 또는 정공 차단층은 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, an electron injection layer, an electron transport layer or a hole blocking layer, and the hole injection layer, the hole transport layer, the electron blocking layer, the electron The injection layer, the electron transport layer, or the hole blocking layer includes the anthracene-based compound represented by Formula 1 above.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층. 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer is a hole injection layer, a hole transport layer. It further includes one or more layers selected from the group consisting of a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and an electron blocking layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 전극은 음극이고, 상기 제1 전극은 양극이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the second electrode is a cathode, and the first electrode is an anode.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조가 도 1 내지 3에 예시되어 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. For example, the structure of the organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 to 3 , but is not limited thereto.
도 1에는 기판(101) 위에 양극(102), 발광층(106) 및 음극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다. 1 illustrates a structure of an organic light emitting device in which an
도 2에는 기판(101) 위에 양극(102), 정공주입층(103), 정공수송층(104), 전자차단층(105), 발광층(106), 정공차단층(107), 전자수송층(108), 전자주입층(109). 음극(110) 및 캡핑층(111)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다. 2 shows an
도 3에는 기판(101) 위에 양극(102), 제1 정공수송층(104a), 제2 정공수송층(104b), 발광층(106), 전자수송층(108), 음극(110) 및 캡핑층(111)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다. 3 shows an
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층이 상기 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light emitting device of the present specification may be manufactured using materials and methods known in the art, except that the organic material layer includes the compound.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질, 유기물층 및 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on the substrate to form the anode. It can be prepared by forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, the anthracene-based compound represented by Formula 1 may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited thereto.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다. 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate. However, the manufacturing method is not limited thereto.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 예를 들어, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is generally preferred so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. For example, metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO:Al or SnO 2 : a combination of a metal such as Sb and an oxide; Conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 예를 들어, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. metals or alloys thereof such as, for example, magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead; LiF/Al or a multi-layered material such as LiO 2 /Al, but is not limited thereto.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로, 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The emission layer may include a host material and a dopant material. The host material includes a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound containing compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, and the like, and heterocyclic-containing compounds include dibenzofuran derivatives, ladder-type furan compounds, and pyrimidine derivatives, but is not limited thereto.
상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로, 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있다. 또한, 스티릴아민 화합물은 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아민기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the dopant material include an aromatic amine derivative, a strylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamine group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, periplanthene, and the like, having an arylamine group. In addition, the styrylamine compound is a compound in which at least one arylvinyl group is substituted with a substituted or unsubstituted arylamine, and one or two or more selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and an arylamine group A substituent is substituted or unsubstituted. Specifically, there are styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but is not limited thereto. In addition, the metal complex includes an iridium complex, a platinum complex, and the like, but is not limited thereto.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 수취하는 층이다. 정공 주입 물질은 정공을 수송하는 능력을 가져 양극으로부터 정공 수취 효과 및 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지할 수 있는 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는, 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물; 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물; 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물; 페릴렌(perylene) 계열의 유기물; 안트라퀴논, 폴리아닐린과 같은 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer that receives holes from the electrode. It is preferable that the hole injecting material has the ability to transport holes and thus has a hole receiving effect from the anode and an excellent hole injecting effect for the light emitting layer or the light emitting material. In addition, a material excellent in the ability to prevent movement of excitons generated in the light emitting layer to the electron injection layer or the electron injection material is preferable. In addition, a material excellent in the ability to form a thin film is preferable. In addition, it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material, metal porphyrin (porphyrin), oligothiophene, arylamine-based organic material; hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic substances; quinacridone-based organic substances; perylene-based organic substances; Polythiophene-based conductive polymers such as anthraquinone and polyaniline, but are not limited thereto.
상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 단층 또는 2층 이상의 다층구조일 수 있다. 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the light emitting layer, and may have a single layer or a multilayer structure of two or more layers. The hole transport material is a material capable of receiving holes from the anode or the hole injection layer and transferring them to the light emitting layer, and a material having high hole mobility is preferable. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 정공 수송층은 2층 이상의 다층구조이다. 구체적으로는 2층 구조이며, 각 층에는 상이한 물질이 포함된다.In one embodiment of the present specification, the hole transport layer has a multilayer structure of two or more layers. Specifically, it has a two-layer structure, and each layer contains a different material.
상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층이다. 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이, 임의의 원하는 음극 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 음극 물질은 낮은 일함수를 가지며, 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로, 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨 등이 있고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. The electron transport material is a material capable of well injecting electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer, and a material having high electron mobility is preferable. Specific examples include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer may be used with any desired cathode material, as used in accordance with the prior art. In particular, suitable cathode materials are conventional materials having a low work function, followed by a layer of aluminum or silver. Specifically, there are cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, and in each case, an aluminum layer or a silver layer is followed.
상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 수취하는 층이다. 전자 주입물로는 전자를 수송하는 능력이 우수하고, 제2 전극으로부터의 전자 수취 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤이 정공 주입층으로 이동하는 것을 방지하고, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 구체적으로는, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The electron injection layer is a layer that receives electrons from the electrode. It is preferable that the electron injecting material has excellent electron transport ability and has an electron receiving effect from the second electrode and an excellent electron injecting effect with respect to the light emitting layer or the light emitting material. In addition, a material that prevents excitons generated in the light emitting layer from moving to the hole injection layer and has excellent thin film formation ability is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylene tetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc. derivatives thereof; metal complex compounds, nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, and the like, but are not limited thereto.
상기 금속 착체 화합물로는 8-히드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, and bis(8-hydroxyquinolinato)manganese. , tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h ]quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato) (o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. , but is not limited thereto.
상기 전자 차단층은 전자 주입층으로부터 주입된 전자가 발광층을 지나 정공 주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이다. 공지된 재료는 제한 없이 사용 가능하며, 발광층과 정공 주입층 사이에, 또는 발광층과 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 사이에 형성될 수 있다. The electron blocking layer is a layer capable of improving the lifespan and efficiency of the device by preventing electrons injected from the electron injection layer from entering the hole injection layer through the emission layer. A known material can be used without limitation, and may be formed between the light emitting layer and the hole injection layer or between the light emitting layer and the layer that simultaneously injects and transports holes.
상기 정공 차단층은 정공의 음극으로 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 전자 주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The hole blocking layer is a layer that blocks the holes from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the electron injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, aluminum complexes, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예 등을 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예 및 비교예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예 및 비교예에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예 및 비교예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, in order to describe the present specification in detail, it will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the Examples and Comparative Examples according to the present specification may be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not to be construed as being limited to the Examples and Comparative Examples described below. Examples and comparative examples of the present specification are provided to more completely explain the present specification to those of ordinary skill in the art.
제조예 1 (A1 내지 A18의 합성)Preparation Example 1 (Synthesis of A1 to A18)
하기 표 1과 같이 SM1(1eq)와 SM2(1.05eq) 을 테트라하이드로퓨란(excess) 에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하였다. 용매 제거 후 디메틸아세트아마이드(DMAc, excess), 포타슘카보네이트(3eq)를 투입하여 5시간 동안 교반 및 가열 환류 시켰다. 반응 종결 확인 후 상온으로 온도를 낮추고 물(DMAc 대비 1.5배 부피비)를 투입한 후 필터하여 얻은 고체를 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 A1 (수득량 : 58%)를 얻었다. As shown in Table 1 below, after adding SM1 (leq) and SM2 (1.05eq) to tetrahydrofuran (excess), 2M aqueous potassium carbonate solution (30 volume ratio relative to THF) was added, and tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2mol) %), followed by heating and stirring for 10 hours. After the reaction was terminated by lowering the temperature to room temperature, the potassium carbonate aqueous solution was removed and the layers were separated. After the solvent was removed, dimethylacetamide (DMAc, excess) and potassium carbonate (3eq) were added, stirred and heated to reflux for 5 hours. After confirming the completion of the reaction, the temperature was lowered to room temperature, water (1.5 times by volume compared to DMAc) was added, and the solid obtained by filtering was purified by column chromatography using methylene chloride and hexane to obtain A1 (yield: 58%).
상기 A1의 합성에서 SM1 및 SM2 를 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 A1 내지 A18을 합성하였다. In the synthesis of A1, A1 to A18 were synthesized in the same manner except that SM1 and SM2 were changed as shown in Table 1 below.
제조예 2 (B1 내지 B8의 합성)Preparation Example 2 (Synthesis of B1 to B8)
하기 표 2와 같이 SM1(1eq)와 (2-hydroxyphenyl)boronic acid (1.05eq) 을 테트라하이드로퓨란(excess) 에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 물로 2회 씻어 층분리하였다. 용매 제거 후 클로로포름(excess)에 용해하여 0℃로 온도안정화 후 N-브로모숙신이미드(NBS, 1eq)를 적가하고 상온으로 승온하고 3시간동안 교반하였다. 그 후 소듐설페이트 포화수용액(클로로포름 대비 1.5 배, 부피비)을 적가하고 추출하고 용매 제거 후 디메틸아세트아마이드(DMAc, excess), 포타슘카보네이트(3eq)를 투입하여 5시간 동안 교반 및 가열 환류 시켰다. 반응 종결 확인 후 상온으로 온도를 낮추고 물(DMAc 대비 1.5배 부피비)를 투입한 후 필터하여 얻은 고체를 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 B1 (수득량 : 59%)를 얻었다. As shown in Table 2 below, SM1 (1eq) and (2-hydroxyphenyl)boronic acid (1.05eq) were added to tetrahydrofuran (excess), and then 2M potassium carbonate aqueous solution (30 volume ratio compared to THF) was added, and tetrakistriphenyl - After adding phosphinopalladium (2 mol%), the mixture was heated and stirred for 10 hours. After the reaction was terminated by lowering the temperature to room temperature, the potassium carbonate aqueous solution was removed, washed twice with water, and the layers were separated. After removal of the solvent, it was dissolved in chloroform (excess), and after temperature stabilization at 0° C., N-bromosuccinimide (NBS, 1eq) was added dropwise, the temperature was raised to room temperature, and the mixture was stirred for 3 hours. After that, a saturated aqueous solution of sodium sulfate (1.5 times compared to chloroform, volume ratio) was added dropwise, extracted, and after removal of the solvent, dimethylacetamide (DMAc, excess) and potassium carbonate (3eq) were added thereto, followed by stirring and heating to reflux for 5 hours. After confirming the completion of the reaction, the temperature was lowered to room temperature, water (1.5 times the volume ratio compared to DMAc) was added, and the filtered solid was purified by column chromatography using methylene chloride and hexane to obtain B1 (yield: 59%).
상기 B1의 합성에서 SM1을 하기 표 2와 같이 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 B1 내지 B8 을 합성하였다. In the synthesis of B1, B1 to B8 were synthesized in the same manner except that SM1 was changed as shown in Table 2 below.
제조예 3 (C1 내지 C11 의 합성)Preparation Example 3 (Synthesis of C1 to C11)
상기 A1의 합성에서 SM1 및 SM2 를 하기 표 3과 같이 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 C1 내지 C11을 합성하였다. In the synthesis of A1, C1 to C11 were synthesized in the same manner except that SM1 and SM2 were changed as shown in Table 3 below.
제조예 4 (D1 내지 D5 의 합성)Preparation Example 4 (Synthesis of D1 to D5)
하기 표 4의 SM1(1eq)와 SM2(1.05eq) 을 테트라하이드로퓨란(excess) 에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하였다. 반응 종결 확인 후 상온으로 온도를 추출하여 용매 제거하고 에틸아세테이트와 헥산을 사용하여 재결정으로 정제하여 D1 (수득량 : 70%)를 얻었다. After adding SM1 (leq) and SM2 (1.05eq) of Table 4 to tetrahydrofuran (excess), 2M aqueous potassium carbonate solution (30 volume ratio relative to THF) was added, and tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2 mol%) ), followed by heating and stirring for 10 hours. After the reaction was terminated by lowering the temperature to room temperature, the potassium carbonate aqueous solution was removed and the layers were separated. After confirming the completion of the reaction, the temperature was extracted to room temperature, the solvent was removed, and recrystallization was performed using ethyl acetate and hexane to obtain D1 (yield: 70%).
상기 D1의 합성에서 SM1 및 SM2 를 하기 표 4와 같이 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 D1 내지 D5를 합성하였다. In the synthesis of D1, D1 to D5 were synthesized in the same manner except that SM1 and SM2 were changed as shown in Table 4 below.
제조예 5 (E1 의 합성)Preparation Example 5 (Synthesis of E1)
하기 표 5의 SM1(1eq)을 클로로포름(excess)에 용해하여 0℃로 온도 안정화 후 N-브로모숙신이미드(NBS, 1eq)를 적가하고 상온으로 승온하고 3시간동안 교반하였다. 그 후 소듐설페이트 포화수용액(클로로포름 대비 1.5 배, 부피비)을 적가하고 추출하고 용매 제거 후 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 E1 (수득량 : 65%)를 얻었다.SM1 (leq) shown in Table 5 below was dissolved in chloroform (excess) and the temperature was stabilized at 0° C., and then N-bromosuccinimide (NBS, 1eq) was added dropwise, the temperature was raised to room temperature, and the mixture was stirred for 3 hours. Then, a saturated aqueous solution of sodium sulfate (1.5 times compared to chloroform, volume ratio) was added dropwise, extracted, and the solvent was removed and purified by column chromatography using methylene chloride and hexane to obtain E1 (yield: 65%).
제조예 6 (F1 의 합성)Preparation 6 (Synthesis of F1)
하기 표 6의 SM1(1eq) 을 THF (excess) 에 용해한 후 온도를 -78℃로 낮춘 후 2.5M n-BuLi (1.5eq) 을 적가하고 상온으로 온도 안정화시켜 30분 동안 교반하였다. 다시 -78로 냉각하고, I2 (1eq)를 가하고 1시간 동안 교반하고 상온으로 온도를 올린 후 물(excess)을 투입하고 추출하였다 용매 제거 후 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 하기 표 6과 같이 F1 (수득량 : 48%)를 얻었다.SM1 (leq) of Table 6 below was dissolved in THF (excess), the temperature was lowered to -78°C, 2.5M n-BuLi (1.5eq) was added dropwise, and the temperature was stabilized at room temperature, followed by stirring for 30 minutes. again -78 After cooling to , I 2 (leq) was added, stirred for 1 hour, the temperature was raised to room temperature, and water (excess) was added and extracted. After removing the solvent, it was purified by column chromatography using methylene chloride and hexane and purified by column chromatography. Table 6 F1 (yield: 48%) was obtained as described above.
제조예 7 (G1 내지 G19 의 합성)Preparation 7 (Synthesis of G1 to G19)
하기 표 7의 SM1(1eq) 및 4,4,4',4',5,5,5',5'-octamethyl-2,2'-bi(1,3,2-dioxaborolane)(1.3eq) 를 1,4-디옥산(SM1 대비 12배<질량비>) 에 투입하고 포타슘아세테이트(3eq)를 추가하여 교반 및 환류 시킨다. 팔라듐아세테이트(0.02eq) 와 트리시클로헥실포스핀(0.04eq)를 1,4-디옥산에서 5분간 교반 후 투입하고 2시간 후 반응 종결 확인 후 상온으로 식힌다. 에탄올과 물을 투입 후 필터하고 에틸아세테이트와 헥산으로 재결정하여 G1 (수득량 : 82%)를 얻었다.SM1 (leq) and 4,4,4',4',5,5,5',5'-octamethyl-2,2'-bi(1,3,2-dioxaborolane) (1.3eq) of Table 7 below was added to 1,4-dioxane (12 times <mass ratio> compared to SM1), potassium acetate (3eq) was added, and stirred and refluxed. Palladium acetate (0.02eq) and tricyclohexylphosphine (0.04eq) were stirred in 1,4-dioxane for 5 minutes, added, and 2 hours later, after confirming the completion of the reaction, cooled to room temperature. After adding ethanol and water, it was filtered, and recrystallized from ethyl acetate and hexane to obtain G1 (yield: 82%).
상기 G1의 합성에서 하기 표 7과 같이 SM1을 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 G1 내지 G19 를 합성하였다. In the synthesis of G1, G1 to G19 were synthesized in the same manner except that SM1 was changed as shown in Table 7 below.
제조예 8 (H1 내지 H4 의 합성)Preparation Example 8 (Synthesis of H1 to H4)
상기 D1의 합성에서 하기 표 8과 같이 SM1 및 SM2 를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로의 H1 내지 H4을 합성하였다. In the synthesis of D1, H1 to H4 were synthesized in the same manner except that SM1 and SM2 were changed as shown in Table 8 below.
제조예 9 (I1 내지 I3 의 합성)Preparation 9 (Synthesis of I1 to I3)
상기 G1의 합성에서 하기 표 9와 같이 SM1를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 I1 내지 I3 를 합성하였다. In the synthesis of G1, I1 to I3 were synthesized in the same manner except that SM1 was changed as shown in Table 9 below.
제조예 10 (화합물 1 내지 19 의 합성)Preparation 10 (Synthesis of Compounds 1 to 19)
하기 표 10의 SM1(1eq)와 SM2(1.05eq) 을 테트라하이드로퓨란(excess) 에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하였다. 반응 종결 확인 후 상온으로 온도를 추출하여 용매 제거하고 톨루엔을 사용하여 재결정으로 정제하여 하기 표 10 의 화합물 1 내지 화합물 19를 얻었다. After adding SM1 (leq) and SM2 (1.05eq) of Table 10 to tetrahydrofuran (excess), 2M aqueous potassium carbonate solution (30 volume ratio relative to THF) was added, and tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2 mol%) ), followed by heating and stirring for 10 hours. After the reaction was terminated by lowering the temperature to room temperature, the potassium carbonate aqueous solution was removed and the layers were separated. After confirming the completion of the reaction, the temperature was extracted to room temperature, the solvent was removed, and recrystallization was performed using toluene to obtain compounds 1 to 19 in Table 10 below.
제조예 11 (화합물 20 내지 22의 합성)Preparation Example 11 (Synthesis of Compounds 20 to 22)
하기 표 11의 반응물(1eq), Trifluoromethanesulfonic acid (cat.)을 C6D6 (반응물 대비 질량비 10 ~ 50 배)에 넣고 70℃에서 10분 내지 100분 사이에서 교반하였다. 반응 종료 후 D2O (excess)를 넣고 30분 교반한 뒤 트리메틸아민(trimethylamine) (excess)를 적가하였다. 반응액을 분액 깔대기에 옮기고, 물과 클로로포름으로 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조 후, 톨루엔으로 가열하여 재결정하여 하기 표 11의 화합물 20 내지 22(화합물 4, 12 및 19의 중수소 치환체)를 수득하였다.The reactant (leq) of Table 11 below, Trifluoromethanesulfonic acid (cat.) was added to C 6 D 6 (10 to 50 times the mass ratio of the reactant) and stirred at 70° C. for 10 to 100 minutes. After completion of the reaction, D 2 O (excess) was added and stirred for 30 minutes, followed by dropwise addition of trimethylamine (excess). The reaction solution was transferred to a separatory funnel, and extracted with water and chloroform. The extract was dried over MgSO4 and recrystallized by heating with toluene to obtain compounds 20 to 22 (deuterium substituted products of compounds 4, 12 and 19) in Table 11 below.
[각 생성물은 반응시간에 따라 중수소치환의 정도가 다르며 최대 m/z (M+) 값에 따라 치환율을 결정함][Each product has a different degree of deuterium substitution depending on the reaction time, and the substitution rate is determined according to the maximum m/z (M+) value]
상기의 생성물에 대한 중수소 치환은 KR 10-1538534 B1의 선행문헌을 참고하였다.For the deuterium substitution for the above product, reference was made to the prior literature of KR 10-1538534 B1.
<실시예 1> OLED 의 제조<Example 1> Preparation of OLED
양극으로서 ITO/Ag/ITO가 70/1000/70Å 증착된 기판을 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.A substrate on which 70/1000/70 Å of ITO/Ag/ITO was deposited as an anode was placed in distilled water in which a dispersant was dissolved, and washed with ultrasonic waves. The detergent used was a product of Fischer Co., and the distilled water was manufactured by Millipore Co. Secondary filtered distilled water was used as a filter of the product. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed in the order of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, followed by drying.
이렇게 준비된 양극 위에 HI-1을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하고, 그 위에 정공을 수송하는 물질인 HT1을 두께 1150Å로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 그 다음에 EB1를 이용하여 전자차단층(150Å)을 형성하고 그 다음에 제조예 10에서 합성한 화합물 1을 호스트로 하고, BD1을 도펀트(2중량%)로 하여 발광층(360Å, 진공 증착)을 형성하였다. 그 후 ET1을 50Å 증착하여 정공차단층을 형성하고, 화합물 ET2와 Liq를 7:3로 혼합하여 두께 250Å의 전자수송층을 형성하였다. 순차적으로 50Å 두께의 마그네슘과 리튬 플루오라이드(LiF)을 전자주입층으로 성막한 후 음극으로 마그네슘과 은(1:4)로 200Å 형성시킨 후 CP1을 600 Å 증착하여 소자를 완성하였다. 상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였다.On the prepared anode, HI-1 was thermally vacuum deposited to a thickness of 50 Å to form a hole injection layer, and HT1, a material for transporting holes, was vacuum-deposited thereon to a thickness of 1150 Å to form a hole transport layer. Then, using EB1 to form an electron blocking layer (150 Å), then using compound 1 synthesized in Preparation Example 10 as a host, and using BD1 as a dopant (2 wt %) to form a light emitting layer (360 Å, vacuum deposition) formed. Thereafter, ET1 was deposited at 50 Å to form a hole blocking layer, and the compound ET2 and Liq were mixed at a ratio of 7:3 to form an electron transport layer having a thickness of 250 Å. Magnesium and lithium fluoride (LiF) with a thickness of 50 Å were sequentially formed as an electron injection layer, and then 200 Å of magnesium and silver (1:4) were formed as an anode, and then CP1 was deposited with 600 Å to complete the device. In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 1 Å/sec.
<실시예 2 내지 24> <Examples 2 to 24>
상기 실시예 1에서 발광층의 호스트 및 도펀트를 하기 표 12와 같이 한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 같은 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the host and dopant of the light emitting layer in Example 1 were as shown in Table 12 below.
<비교예 1 내지 8> <Comparative Examples 1 to 8>
상기 실시예 1에서 발광층의 호스트 및 도펀트를 하기 표 12와 같이 한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 같은 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the host and dopant of the light emitting layer in Example 1 were as shown in Table 12 below.
실시예 및 비교예에서 제조한 유기 발광 소자에 20 mA/cm2의 전류를 인가하여, 전압, 효율, 수명(T95)을 측정하고 그 결과를 하기 표 12에 나타내었다. 이 때, T95은 전류 밀도 20mA/cm2에서 초기휘도가 95%로 저하할 때까지의 시간을 의미한다. A current of 20 mA/cm 2 was applied to the organic light-emitting devices prepared in Examples and Comparative Examples to measure voltage, efficiency, and lifetime (T95), and the results are shown in Table 12 below. At this time, T95 means the time until the initial luminance decreases to 95% at a current density of 20 mA/cm 2 .
(x,y)(x,y)
(T95, h)(T95, h)
본 발명에 따른 화학식 1의 화합물을 청색 유기 전계 발광 소자의 호스트로 사용함으로써 발광층으로의 원할한 정공 주입 역할을 조절할 수 있으며, 화학적 구조에 따른 유기 발광 소자의 정공과 전자의 균형을 통하여 본 발명에 따른 소자는 효율, 구동전압, 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다.By using the compound of Formula 1 according to the present invention as a host of the blue organic electroluminescent device, the role of smooth hole injection into the light emitting layer can be controlled, and through the balance of holes and electrons of the organic light emitting device according to the chemical structure, in the present invention The device according to the above shows excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage, and stability.
<실시예 25> 용액형 OLED 의 제조<Example 25> Preparation of solution type OLED
ITO(indium tin oxide)가 1,300 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1,300 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and after drying, it was transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 스핀코팅에 의해 폴리(3,4-에틸렌 디옥시티오펜)-폴리스티렌 설포네이트(PEDOT/PSS, Bayer 사제, Baytron P Al 4083)를 순수로 70%에 희석한 용액을 3000 rpm, 30초에서 스핀 코트법에 의해 제막한 후, 200℃에서 1 시간 건조하고 막 두께 30 nm의 제1 정공수송층을 마련했다. 이어서 HT1 용액을 (크실렌 용액, 1wt%) 스핀 코팅하여 제2 정공수송층을 형성하고 질소 분위기 하에서 210℃에서 30분간 건조시킴으로써, 20nm 두께의 제2 정공 수송층을 형성하였다. A solution of poly(3,4-ethylene dioxythiophene)-polystyrene sulfonate (PEDOT/PSS, manufactured by Bayer, Baytron P Al 4083) diluted in 70% with pure water by spin coating on the ITO transparent electrode prepared as described above After forming a film by the spin coating method at 3000 rpm for 30 seconds, it dried at 200 degreeC for 1 hour, and provided the 1st hole transport layer with a film thickness of 30 nm. Then, the HT1 solution (xylene solution, 1 wt%) was spin-coated to form a second hole transport layer and dried at 210° C. for 30 minutes under a nitrogen atmosphere to form a second hole transport layer with a thickness of 20 nm.
냉각 후에, 기판은 발광층 용액으로 회전 코팅되었으며, 가열되어 용매를 제거하여 발광층을 형성하였다. 이때, 발광층 용액은 호스트(화합물 3) : 도펀트(BD11) = 10 : 1, 1wt% 메틸벤조에이트 용액으로 제조되었다. After cooling, the substrate was spin coated with the light emitting layer solution, and heated to remove the solvent to form the light emitting layer. At this time, the light emitting layer solution was prepared as a host (compound 3): dopant (BD11) = 10: 1, 1 wt% methylbenzoate solution.
기판을 마스킹하고 진공챔버에 위치시킨 후 ET1 (300Å)을 LiQ 와 2:1 비율로 증착하여 전자수송층으로 열 진공 증착하였다. 상기 전자수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다. 진공 챔버를 배기시키고, 유리 덮개, 건조제, 및 UV 경화성 에폭시를 사용하여 소자를 캡슐화하였다.After the substrate was masked and placed in a vacuum chamber, ET1 (300 Å) was deposited with LiQ in a ratio of 2:1, followed by thermal vacuum deposition as an electron transport layer. An organic light emitting device was manufactured by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) with a thickness of 12 Å and aluminum with a thickness of 2,000 Å on the electron transport layer to form a cathode. The vacuum chamber was evacuated and the device was encapsulated using a glass cover, desiccant, and UV curable epoxy.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 ~ 0.7 Å/sec, the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was maintained at 1 × 10 -7 ~ 5 × 10 -8 torr did
<실시예 26 내지 29> <Examples 26 to 29>
상기 실시예 25에서 발광층의 호스트 및 도펀트를 하기 표 13와 같이 한 것을 제외하고, 상기 실시예 25과 같은 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 25, except that the host and dopant of the light emitting layer in Example 25 were as shown in Table 13 below.
<비교예 9> <Comparative Example 9>
상기 실시예 25에서 발광층의 호스트 및 도펀트를 하기 표 13와 같이 한 것을 제외하고, 상기 실시예 25과 같은 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 25, except that the host and dopant of the light emitting layer in Example 25 were as shown in Table 13 below.
(V) (V)
(Cd/A)(Cd/A)
(x,y)(x,y)
(T80, h)(T80, h)
(@1000nit)(@1000nit)
상기 표 13을 보면, 본 발명에 따른 화학식 1의 화합물을 용액 공정에 사용할 수 있음을 알 수 있고, 청색 유기 전계 발광 소자의 호스트로 사용할 경우, 소자의 저전압, 고효율 및 장수명의 특성이 우수함을 알 수 있다.Looking at Table 13, it can be seen that the compound of Formula 1 according to the present invention can be used in a solution process, and when used as a host of a blue organic electroluminescent device, it can be seen that the device has excellent characteristics of low voltage, high efficiency and long life. can
101: 기판
102: 양극
103: 정공주입층
104: 정공수송층
104a: 제1 정공수송층
104b: 제2 정공수송층
105: 전자차단층
106: 발광층
107: 정공차단층
108: 전자수송층
109: 전자주입층
110: 음극
111: 캡핑층101: substrate
102: positive electrode
103: hole injection layer
104: hole transport layer
104a: first hole transport layer
104b: second hole transport layer
105: electron blocking layer
106: light emitting layer
107: hole blocking layer
108: electron transport layer
109: electron injection layer
110: cathode
111: capping layer
Claims (14)
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
Ar1은 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R1 내지 R3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
D는 중수소이고,
n1는 0 내지 8의 정수이고,
m1은 1 내지 4의 정수이고,
r1은 0 내지 4의 정수이고, r2는 0 내지 2의 정수이고, r3는 0 내지 3의 정수이고,
m1 + r3은 1 내지 4의 정수이고, r1 + r2는 0 내지 5의 정수이고,
m1, r1 및 r3가 각각 2 이상인 경우, 괄호 내의 치환기는 서로 동일하거나 상이하고,
r2가 2인 경우, R2는 서로 동일하거나 상이하다.Anthracene-based compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
In Formula 1,
L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
Ar1 is a halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group,
R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
D is deuterium,
n1 is an integer from 0 to 8,
m1 is an integer from 1 to 4,
r1 is an integer from 0 to 4, r2 is an integer from 0 to 2, r3 is an integer from 0 to 3,
m1 + r3 is an integer from 1 to 4, r1 + r2 is an integer from 0 to 5;
When m1, r1 and r3 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other,
When r2 is 2, R2 are the same as or different from each other.
[화학식 101]
[화학식 102]
상기 화학식 101 및 102에 있어서,
L1, L2, Ar1, Ar2, R1 내지 R3, D, n1, m1 및 r1 내지 r3의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
r1'는 0 내지 3의 정수이고, r2'는 0 또는 1 이다.The anthracene-based compound according to claim 1, wherein Chemical Formula 1 is represented by the following Chemical Formula 101 or 102:
[Formula 101]
[Formula 102]
In Formulas 101 and 102,
L1, L2, Ar1, Ar2, R1 to R3, D, n1, m1, and r1 to r3 are the same as defined in Formula 1,
r1' is an integer from 0 to 3, and r2' is 0 or 1.
[화학식 201]
[화학식 202]
[화학식 203]
[화학식 204]
[화학식 205]
[화학식 206]
상기 화학식 201 내지 206 있어서,
L1, L2, Ar1, Ar2, R1 내지 R3, D, n1, m1 및 r1 내지 r3의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.The anthracene-based compound according to claim 1, wherein Chemical Formula 1 is represented by any one of Chemical Formulas 201 to 206:
[Formula 201]
[Formula 202]
[Formula 203]
[Formula 204]
[Formula 205]
[Formula 206]
In Formulas 201 to 206,
L1, L2, Ar1, Ar2, R1 to R3, D, n1, m1, and r1 to r3 are the same as defined in Formula 1.
L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴렌기이고,
Ar1은 할로겐기; 시아노기; C1-C10의 알킬기; 실릴기; C3-C30의 시클로알킬기; C6-C30의 아릴기; 및 C2-C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 치환기이거나, 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기이고, Ar1은 중수소로 치환될 수 있고,
Ar2는 C6-C30의 아릴기이고, Ar2는 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1-C10의 알킬기, 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환될 수 있는 것인 안트라센계 화합물.The method according to claim 1,
L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; Or a C6-C30 arylene group unsubstituted or substituted with deuterium;
Ar1 is a halogen group; cyano group; C1-C10 alkyl group; silyl group; C3-C30 cycloalkyl group; C6-C30 aryl group; And a substituent selected from the group consisting of a C2-C30 heteroaryl group, or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected, Ar1 may be substituted with deuterium,
Ar2 is a C6-C30 aryl group, Ar2 is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, a C1-C10 alkyl group, and a silyl group, or two or more groups selected from the group may be substituted with a connected substituent. Anthracene-based compounds that exist.
R1 내지 R3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 C1-C6의 알킬기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기인 것인 안트라센계 화합물.The method according to claim 1,
R1 to R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a C1-C6 alkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or an anthracene-based compound that is a C6-C20 aryl group unsubstituted or substituted with deuterium.
.The anthracene-based compound according to claim 1, wherein the anthracene-based compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds:
.
상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 따른 안트라센계 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode,
At least one of the organic material layers is an organic light emitting device comprising the anthracene-based compound according to any one of claims 1 to 8.
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