KR102657637B1 - Anthracene compound, coating composition and organic light emitting device comprising same - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물, 이를 포함하는 조성물 및 유기 발광 소자에 관한 것이다. This specification relates to an anthracene-based compound represented by Formula 1, a composition containing the same, and an organic light-emitting device.

Description

안트라센계 화합물, 이를 포함하는 코팅조성물 및 유기 발광 소자{ANTHRACENE COMPOUND, COATING COMPOSITION AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SAME}Anthracene-based compound, coating composition containing the same, and organic light-emitting device

본 명세서는 안트라센계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. This specification relates to anthracene-based compounds and organic light-emitting devices containing the same.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. In general, organic luminescence refers to a phenomenon that converts electrical energy into light energy using organic materials. Organic light-emitting devices that utilize the organic light-emitting phenomenon usually have a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer between them. Here, the organic material layer is often composed of a multi-layer structure composed of different materials to increase the efficiency and stability of the organic light-emitting device, and may be composed of, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. In the structure of this organic light-emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons from the cathode into the organic material layer. When the injected holes and electrons meet, an exciton is formed, and this exciton When it falls back to the ground state, it glows.

상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. The development of new materials for organic light-emitting devices as described above continues to be required.

KR 10-1538534 B1KR 10-1538534 B1

본 명세서는 안트라센계 화합물, 이를 포함하는 코팅조성물 및 유기 발광 소자를 제공하고자 한다. The present specification is intended to provide an anthracene-based compound, a coating composition containing the same, and an organic light-emitting device.

본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 제공한다.The present specification provides an anthracene-based compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently directly bonded; Or a substituted or unsubstituted arylene group,

Ar1 및 Ar1' 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, 나머지는 수소; 또는 중수소이고,At least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, and the remainder is hydrogen; or deuterium,

Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, 나머지는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이고,At least one of R1 to R3 is the same as or different from each other, and each independently is a halogen group; Cyano group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, the remainders being the same or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium,

D는 중수소이고, D is deuterium,

n1는 0 내지 6의 정수이고,n1 is an integer from 0 to 6,

r1은 0 내지 4의 정수이고, r2는 0 내지 2의 정수이고, r3는 0 내지 4의 정수이고,r1 is an integer from 0 to 4, r2 is an integer from 0 to 2, r3 is an integer from 0 to 4,

r1 + r2는 0 내지 5의 정수이고,r1 + r2 is an integer from 0 to 5,

r1 + r2 + r3은 1 이상이고,r1 + r2 + r3 is 1 or more,

r1 내지 r3가 각각 2 이상인 경우, 괄호 내의 치환기는 서로 동일하거나 상이하다.When r1 to r3 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same or different from each other.

또한, 본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함하는 코팅조성물을 제공한다. 이때, 코팅조성물은 용액공정용으로 사용될 수 있다,Additionally, the present specification provides a coating composition containing an anthracene-based compound represented by Formula 1 above. At this time, the coating composition can be used for solution processing.

또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 전술한 안트라센계 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.Additionally, the present specification includes a first electrode; a second electrode provided opposite to the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layers includes the anthracene-based compound described above.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에 사용되어, 유기 발광 소자의 구동전압을 낮출 수 있으며, 광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다. The compound according to an exemplary embodiment of the present specification can be used in an organic light-emitting device to lower the driving voltage of the organic light-emitting device and improve light efficiency. Additionally, the lifespan characteristics of the device can be improved due to the thermal stability of the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물 또는 조성물은 용액 공정이 가능하며, 소자의 대면적화가 가능하다. The compound or composition according to an exemplary embodiment of the present specification can be subjected to a solution process, and it is possible to increase the area of the device.

도 1 내지 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 to 3 show examples of organic light-emitting devices according to an exemplary embodiment of the present specification.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, this specification will be described in more detail.

상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물은 5환의 헤테로고리기에 R1 내지 R3의 치환기를 1 이상 포함하고 있고, 안트라센 코어에 Ar1 또는 Ar1'의 치환기를 포함하여, 유기 발광 소자의 발광층 호스트로 사용될 때, 소자의 저전압, 고효율 또는/및 장수명의 효과가 있다. The anthracene-based compound represented by Formula 1 contains one or more substituents of R1 to R3 in the 5-ring heterocyclic group, and includes a substituent of Ar1 or Ar1' in the anthracene core, and when used as a light-emitting layer host of an organic light-emitting device, This has the effect of low voltage, high efficiency or/and long life of the device.

상기 화학식 1이 중수소를 하나 이상 포함하는 경우, 소자의 효율 및 수명이 개선된다. 수소가 중수소로 대체되는 경우 진동자인 중수소의 중량 증가로 인하여, 분자의 진동 감쇠 효과가 나타난다. 이는 분자의 에너지에 기여하는 진동 에너지 변화로 이어지며, 분자의 에너지를 낮추어 안정화시킨다. 안정화된 분자의 결합을 절단하기 위하여 필요한 활성 에너지가 커지는 효과가 나타난다. 이에 상기 화학식 1은 중수소를 포함함으로써 소자의 효율 및 수명을 개선할 수 있다.When Formula 1 contains one or more deuterium, the efficiency and lifespan of the device are improved. When hydrogen is replaced with deuterium, the weight of deuterium, which is an oscillator, increases, resulting in an effect of damping the vibration of the molecule. This leads to a change in vibrational energy that contributes to the energy of the molecule and stabilizes it by lowering the energy of the molecule. The effect of increasing the activation energy required to cleave the bond of a stabilized molecule appears. Accordingly, Chemical Formula 1 can improve the efficiency and lifespan of the device by including deuterium.

중수소를 포함하는 화학식 1의 화합물은 공지된 중수소화 반응에 의하여 제조될 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소화된 화합물을 전구체로 사용하여 형성하거나, 중수소화된 용매를 이용하여 산 촉매 하에서 수소-중수소 교환 반응을 통하여 중수소를 화합물에 도입할 수도 있다. The compound of Formula 1 containing deuterium can be prepared by a known deuteration reaction. According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 is formed by using a deuterated compound as a precursor, or by introducing deuterium into the compound through a hydrogen-deuterium exchange reaction under an acid catalyst using a deuterated solvent. You may.

본 명세서에 있어서, 또는 점선은 연결되는 부위를 의미한다.In this specification, Alternatively, the dotted line indicates the connected area.

본 명세서에 있어서, Cn은 탄소수가 n개인 것을 의미하고, Cn-Cm은 탄소수 n 내지 m인 것을 의미한다.In this specification, Cn means n carbon atoms, and Cn-Cm means n to m carbon atoms.

본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of substituents in this specification are described below, but are not limited thereto.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substitution" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is changed to another substituent. The position to be substituted is not limited as long as it is the position where the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent can be substituted, and if two or more substituents are substituted. , two or more substituents may be the same or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 알킬기; 아릴기; 및 탄소가 아닌 이종 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. As used herein, the term “substituted or unsubstituted” refers to deuterium; halogen group; Nitrile group; Alkyl group; Aryl group; and a heteroaryl group containing at least one heteroatom other than carbon, or is substituted with a substituent where two or more of the above-exemplified substituents are linked, or does not have any substituent. means that

본 명세서에 있어서, 2 이상의 치환기가 연결된다는 것은 어느 하나의 치환기의 수소가 다른 치환기와 연결된 것을 말한다. 예를 들어, 이소프로필기와 페닐기가 연결되어 또는 의 치환기가 될 수 있다. In this specification, linking two or more substituents means that the hydrogen of one substituent is linked to another substituent. For example, an isopropyl group and a phenyl group are connected to or It can be a substituent of .

본 명세서에 있어서, 3개의 치환기가 연결되는 것은 (치환기 1)-(치환기 2)-(치환기 3)이 연속하여 연결되는 것뿐만 아니라, (치환기 1)에 (치환기 2) 및 (치환기 3)이 연결되는 것도 포함한다. 예를 들어, 2개의 페닐기 및 이소프로필기가 연결되어 또는 의 치환기가 될 수 있다. 4 이상의 치환기가 연결되는 것에도 전술한 것과 동일하게 적용된다.In the present specification, three substituents are connected not only by (substituent 1) - (substituent 2) - (substituent 3) connected in succession, but also by (substituent 1) with (substituent 2) and (substituent 3) It also includes being connected. For example, two phenyl groups and an isopropyl group are connected or It can be a substituent of . The same applies as above to when 4 or more substituents are connected.

본 명세서에 있어서, N% 중수소화되었다는 것은 해당 구조에서 이용가능한 수소의 N%가 중수소로 치환되는 것을 의미한다. 예를 들어, 디벤조퓨란에서 중수소로 25% 치환되었다고 하면, 디벤조퓨란의 8개의 수소 중 2개가 중수소로 치환된 것을 의미한다.In this specification, N% deuterated means that N% of the hydrogen available in the structure is replaced with deuterium. For example, if 25% of dibenzofuran is replaced with deuterium, it means that 2 out of 8 hydrogens in dibenzofuran are replaced with deuterium.

본 명세서에 있어서, 중수소화된 정도는 핵자기 공명 분광법(1H NMR)이나 GC/MS 등의 공지의 방법으로 확인할 수 있다.In this specification, the degree of deuteration can be confirmed by known methods such as nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1H NMR) or GC/MS.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬, 또는 요오드가 있다. In this specification, examples of halogen groups include fluorine, chlorine, bromine, or iodine.

본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30; 1 내지 20; 1 내지 10; 또는 1 내지 5인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, t-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, t-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, t-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkyl group may be straight chain or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is 1 to 30; 1 to 20; 1 to 10; Or it is preferably 1 to 5. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, sec-butyl, 1-methylbutyl, 1-ethylbutyl, pentyl, n-pentyl, iso Pentyl, neopentyl, t-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentyl Methyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, t-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethylpropyl, 1,1 -Dimethylpropyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, etc., but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 시클로알킬기는 단일고리기뿐만 아니라 다리목(bridgehead), 접합고리(fused ring), 스피로고리(spiro)와 같은 이중고리기를 포함한다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to one embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 6. Cycloalkyl groups include not only single ring groups but also double ring groups such as bridgeheads, fused rings, and spiro rings. Specifically, it includes cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, and adamantyl group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 1가의 방향족 탄화수소 또는 방향족 탄화수소 유도체의 1가의 기를 의미한다. 방향족 탄화수소는 pi 전자가 완전히 콘쥬게이션되고 평면인 고리를 포함하는 화합물을 의미하며, 방향족 탄화수소에서 유도되는 기란, 방향족 탄화수소에 방향족 탄화수소 또는 고리형 지방족 탄화수소가 축합된 구조를 의미한다. 또한 본 명세서에 있어서, 아릴기는 2 이상의 방향족 탄화수소 또는 방향족 탄화수소의 유도체가 서로 연결된 1가의 기를 포함하고자 한다. 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50; 6 내지 30; 6 내지 25; 6 내지 20; 6 내지 18; 또는 6 내지 13인 것이 바람직하며, 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 트리페닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In this specification, an aryl group refers to a monovalent group of a monovalent aromatic hydrocarbon or an aromatic hydrocarbon derivative. An aromatic hydrocarbon refers to a compound containing a planar ring in which pi electrons are fully conjugated, and a group derived from an aromatic hydrocarbon refers to a structure in which an aromatic hydrocarbon or a cyclic aliphatic hydrocarbon is condensed with an aromatic hydrocarbon. Additionally, in the present specification, the aryl group is intended to include a monovalent group in which two or more aromatic hydrocarbons or derivatives of aromatic hydrocarbons are linked together. The aryl group is not particularly limited, but has 6 to 50 carbon atoms; 6 to 30; 6 to 25; 6 to 20; 6 to 18; Or preferably 6 to 13, and the aryl group may be monocyclic or polycyclic. Specifically, the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, triphenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and adjacent substituents may combine with each other to form a ring.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기가 치환될 수 있다고 할 때, 치환된 플루오레닐기는 플루오렌의 5각 고리의 치환기가 서로 스피로 결합하여 방향족 탄화수소고리를 형성하는 화합물까지 모두 포함하는 것이다. 상기 치환된 플루오레닐기는 9,9'-스피로바이플루오렌, 스피로[사이클로펜탄-1,9'-플루오렌], 스피로[벤조[c]플루오렌-7,9-플루오렌] 등을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.In this specification, when it is said that a fluorenyl group can be substituted, the substituted fluorenyl group includes all compounds in which the substituents of the 5-membered fluorene ring are spiro bonded to each other to form an aromatic hydrocarbon ring. The substituted fluorenyl group includes 9,9'-spirobifluorene, spiro[cyclopentane-1,9'-fluorene], spiro[benzo[c]fluorene-7,9-fluorene], etc. However, it is not limited to this.

본 명세서에 있어서, 치환된 아릴기에는 아릴기에 지방족 고리가 축합된 형태도 포함할 수 있다. 예컨대, 하기 구조의 테트라하이드로나프탈렌기를 예시할 수 있다. 하기 구조에서, 벤젠고리의 탄소 중 하나가 다른 위치에 연결될 수 있다.In the present specification, the substituted aryl group may also include a form in which an aliphatic ring is condensed with an aryl group. For example, a tetrahydronaphthalene group having the following structure can be exemplified. In the structure below, one of the carbons of the benzene ring may be connected to another position.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 1가의 방향족 헤테로고리를 의미한다. 여기서 방향족 헤테로고리란 방향족 고리 또는 방향족 고리의 유도체의 1가의 기로서, 이종 원자로 N, O 및 S 중 1개 이상을 고리에 포함하는 기를 의미한다. 상기 방향족 고리의 유도체란, 방향족 고리에 방향족 고리 또는 지방족 고리가 축합된 구조를 모두 포함한다. 또한 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 2 이상의 이종원자를 포함한 방향족 고리 또는 이종원자를 포함한 방향족 고리의 유도체가 서로 연결된 1가의 기를 포함하고자 한다. 상기 헤테로아릴기의 탄소수 2 내지 50; 2 내지 30; 2 내지 20; 2 내지 18; 또는 2 내지 13인 것이 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨라닐기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딘기, 피리다진기, 피라진기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 페난쓰롤리닐기, 디벤조퓨란기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, heteroaryl group refers to a monovalent aromatic heterocycle. Here, the aromatic heterocycle refers to a monovalent group of an aromatic ring or a derivative of an aromatic ring, and includes one or more of N, O, and S as heteroatoms in the ring. The derivatives of the aromatic ring include all structures in which an aromatic ring or an aliphatic ring is condensed with an aromatic ring. In addition, in the present specification, the heteroaryl group is intended to include a monovalent group in which aromatic rings containing two or more heteroatoms or derivatives of aromatic rings containing heteroatoms are linked together. 2 to 50 carbon atoms in the heteroaryl group; 2 to 30; 2 to 20; 2 to 18; Or it is preferably 2 to 13. Examples of heteroaryl groups include thiophene group, furanyl group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, pyridine group, pyrimidine group, triazine group, triazole group, acridine group, pyridazine group, pyrazine group, Quinoline group, quinazoline group, quinoxaline group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzo These include, but are not limited to, furan groups, phenanthrolinyl groups, and dibenzofuran groups.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있다.In the present specification, the heteroaryl group may be monocyclic or polycyclic, and may be aromatic, aliphatic, or a condensed ring of aromatic and aliphatic.

본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리는 pi 전자가 완전히 컨쥬게이션되고 평면인 탄화수소고리를 의미하는 것으로, 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, an aromatic hydrocarbon ring refers to a hydrocarbon ring in which the pi electron is completely conjugated and is planar, and the description of the aryl group described above can be applied except that it is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리는 방향족 탄화수소고리를 제외한 모든 탄화수소고리를 의미하는 것으로, 시클로알킬고리, 시클로알켄고리을 포함할 수 있다. 시클로알킬고리는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 시클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있으며, 시클로알켄고리는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 시클로알케닐기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 또한, 치환된 지방족 탄화수소 고리에는 방향족 고리가 축합된 지방족 탄화수소 고리도 포함된다.In the present specification, an aliphatic hydrocarbon ring refers to all hydrocarbon rings excluding aromatic hydrocarbon rings, and may include a cycloalkyl ring and a cycloalkene ring. The description of the cycloalkyl group described above can be applied except that the cycloalkyl ring is a divalent group, and the description of the cycloalkenyl group described above can be applied to the cycloalkene ring except that it is a divalent group. Additionally, substituted aliphatic hydrocarbon rings also include aliphatic hydrocarbon rings in which an aromatic ring is condensed.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, an arylene group refers to an aryl group having two bonding positions, that is, a bivalent group. The description of the aryl group described above can be applied, except that each of these is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, a heteroarylene group refers to a heteroaryl group having two bonding positions, that is, a bivalent group. The description of the heteroaryl group described above can be applied, except that each of these is a divalent group.

이하, 하기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물에 관하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the anthracene-based compound represented by the following formula (1) will be described in detail.

[화학식 1][Formula 1]

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently directly bonded; Or it is a substituted or unsubstituted arylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently directly bonded; Or it is a substituted or unsubstituted C6-C30 arylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently directly bonded; Or it is a substituted or unsubstituted C6-C20 arylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 페난트레닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently directly bonded; Substituted or unsubstituted phenylene group; Substituted or unsubstituted biphenylene group; Substituted or unsubstituted naphthylene group; Or it is a substituted or unsubstituted divalent phenanthrenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently directly bonded; Or it is a C6-C30 arylene group substituted or unsubstituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently directly bonded; Or it is a C6-C20 arylene group substituted or unsubstituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 2가의 페난트레닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently directly bonded; A phenylene group substituted or unsubstituted with deuterium; A biphenylene group substituted or unsubstituted with deuterium; Naphthylene group substituted or unsubstituted with deuterium; Or it is a divalent phenanthrenyl group substituted or unsubstituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.In one embodiment of the present specification, L1 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted phenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 페난트레닐기이다.In one embodiment of the present specification, L2 is a direct bond; Substituted or unsubstituted phenylene group; Substituted or unsubstituted naphthylene group; Or it is a substituted or unsubstituted divalent phenanthrenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다.In one embodiment of the present specification, L2 is a direct bond; Substituted or unsubstituted phenylene group; Or a substituted or unsubstituted naphthylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2 중 하나는 직접결합이다.In one embodiment of the present specification, one of L1 and L2 is a direct bond.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 중수소로 치환될 수 있다.In one embodiment of the present specification, L1 and L2 may be replaced with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합 또는 하기 구조에서 선택된 어느 하나이다. In an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other, and are each independently a direct bond or any one selected from the structures below.

상기 구조에 있어서, D는 중수소를 의미하고, k1은 0 내지 4의 정수이고, k2는 0 내지 6의 정수이다.In the above structure, D means deuterium, k1 is an integer from 0 to 4, and k2 is an integer from 0 to 6.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, k1은 1 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k1은 2 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k1은 3 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k1은 4 이다.In one embodiment of the present specification, k1 is 1 or more. In another embodiment, k1 is 2 or more. In another embodiment, k1 is 3 or more. In another embodiment, k1 is 4.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, k2는 1 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k2는 2 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k2는 3 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k2는 4 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k2는 5 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, k2는 6 이다.In one embodiment of the present specification, k2 is 1 or more. In another embodiment, k2 is 2 or more. In another embodiment, k2 is 3 or more. In another embodiment, k2 is 4 or more. In another embodiment, k2 is 5 or more. In another embodiment, k2 is 6.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R1 to R3 is a halogen group; Cyano group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 C3-C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6-C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2-C60의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R1 to R3 is the same as or different from each other, and each independently is a halogen group; Cyano group; Substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted C3-C60 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C6-C60 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2-C60 heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기; 시아노기; C1-C10의 알킬기; 실릴기; C3-C30의 시클로알킬기; C6-C30의 아릴기; 및 C2-C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 치환기이거나, 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기이고, 상기 치환기는 중수소로 치환될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R1 to R3 is the same as or different from each other, and each independently is a halogen group; Cyano group; Alkyl group of C1-C10; silyl group; C3-C30 cycloalkyl group; Aryl group at C6-C30; and a C2-C30 heteroaryl group, or a substituent in which two or more groups selected from the group are connected, and the substituent may be substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기; 시아노기; C1-C6의 알킬기; 실릴기; C3-C20의 시클로알킬기; C6-C20의 아릴기; 및 C2-C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 치환기이거나, 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기이고, 상기 치환기는 중수소로 치환될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R1 to R3 is the same as or different from each other, and each independently is a halogen group; Cyano group; Alkyl group of C1-C6; silyl group; C3-C20 cycloalkyl group; Aryl group at C6-C20; and a C2-C20 heteroaryl group, or a substituent in which two or more groups selected from the group are connected, and the substituent may be substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기; 시아노기; 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 펜틸기; 헥실기; 실릴기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 아다만틸기; 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 나프틸기; 페난트레닐기; 트리페닐렌기; 테트라하이드로나트탈렌기; 퓨란기; 벤조퓨란기; 디벤조퓨란기; 티오펜기; 벤조티오펜기; 및 디벤조티오펜기로 이루어진 군에서 선택된 치환기이거나, 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기이고, 상기 치환기는 중수소로 치환될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R1 to R3 is the same as or different from each other, and each independently is a fluoro group; Cyano group; methyl group; ethyl group; profiler; butyl group; pentyl group; hexyl group; silyl group; Cyclopentyl group; Cyclohexyl group; Adamantyl group; phenyl group; Biphenyl group; Terphenyl group; naphthyl group; phenanthrenyl group; triphenylene group; tetrahydronathalene group; furan group; benzofuran group; Dibenzofuran group; thiophene group; Benzothiophene group; and a substituent selected from the group consisting of a dibenzothiophene group, or a substituent in which two or more groups selected from the group are linked, and the substituent may be substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기; 중수소 및 할로겐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1-C10의 알킬기; C1-C10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 실릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기; 중수소, 시아노기 및 C1-C10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환되고, C5-C30의 지방족 탄화수소고리가 축합 또는 비축합된 C6-C30의 아릴기; 또는 중수소. C1-C10의 알킬기 및 C6-C30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R1 to R3 is the same as or different from each other, and each independently is a cyano group; A C1-C10 alkyl group substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and halogen groups or a substituent linked with two or more groups selected from the group; Silyl group substituted or unsubstituted with a C1-C10 alkyl group; C3-C30 cycloalkyl group substituted or unsubstituted with deuterium; C6- is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, cyano group, and C1-C10 alkyl group or a substituent linked with two or more groups selected from the group, and the C5-C30 aliphatic hydrocarbon ring is condensed or unfused. Aryl group at C30; Or deuterium. It is a C2-C30 heteroaryl group substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a C1-C10 alkyl group and a C6-C30 aryl group, or a substituent linked to two or more groups selected from the group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기; 중수소 및 할로겐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1-C6의 알킬기; C1-C6의 알킬기로 치환 또는 비치환된 실릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 C3-C20의 시클로알킬기; 중수소, 시아노기 및 C1-C6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기; 중수소 및 C1-C6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환되고, 방향족 및 지방족 고리가 축합된 C6-C40의 다환 탄화수소고리; 또는 중수소. C1-C6의 알킬기 및 C6-C20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2-C20의 헤테로아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R1 to R3 is the same as or different from each other, and each independently is a cyano group; A C1-C6 alkyl group substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and halogen groups or a substituent linked with two or more groups selected from the group; Silyl group substituted or unsubstituted with a C1-C6 alkyl group; C3-C20 cycloalkyl group substituted or unsubstituted with deuterium; A C6-C20 aryl group substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, cyano group, and C1-C6 alkyl group or a substituent linked with two or more groups selected from the group; A C6-C40 polycyclic hydrocarbon ring substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and C1-C6 alkyl groups or with two or more substituents selected from the group connected, and in which aromatic and aliphatic rings are condensed; Or deuterium. It is a C2-C20 heteroaryl group substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a C1-C6 alkyl group and a C6-C20 aryl group, or a substituent linked to two or more groups selected from the group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 C1-C6의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 C3-C20의 시클로알킬기; 중수소 및 C1-C6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기; 중수소 및 C1-C6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환되고, 방향족 및 지방족 고리가 축합된 C6-C40의 다환 탄화수소고리; 또는 중수소 및 C1-C6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2-C20의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R1 to R3 is the same as or different from each other, and each independently is a C1-C6 alkyl group substituted or unsubstituted with deuterium; C3-C20 cycloalkyl group substituted or unsubstituted with deuterium; A C6-C20 aryl group substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and C1-C6 alkyl groups or a substituent linked with two or more groups selected from the group; A C6-C40 polycyclic hydrocarbon ring substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and C1-C6 alkyl groups or with two or more substituents selected from the group connected, and in which aromatic and aliphatic rings are condensed; or a C2-C20 heteroaryl group substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and a C1-C6 alkyl group or a substituent linked with two or more groups selected from the group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R3의 헤테로아릴기는 이종원소로 O 또는 S를 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the heteroaryl group of R1 to R3 includes O or S as a heteroelement.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3는 중수소로 치환될 수 있다.In one embodiment of the present specification, R1 to R3 may be replaced with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기; 플루오로기로 치환 또는 비치환된 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 헥실기; 트리메틸실릴기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 아다만틸기; 중수소, 시아노기, 메틸기 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 페난트레닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 테트라하이드로나프탈렌기; 부틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 퓨란기; 벤조퓨란기; 티오펜기; 또는 벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R1 to R3 is the same as or different from each other, and each independently is a cyano group; A methyl group substituted or unsubstituted with a fluoro group; ethyl group; profiler; butyl group; hexyl group; trimethylsilyl group; Cyclopentyl group; Cyclohexyl group; Adamantyl group; Phenyl group substituted or unsubstituted with deuterium, cyano group, methyl group, or butyl group; Biphenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Naphthyl group substituted or unsubstituted with deuterium; phenanthrenyl group; Tetrahydronaphthalene group substituted or unsubstituted with a methyl group; A furan group substituted or unsubstituted by a butyl group or phenyl group; benzofuran group; thiophene group; Or it is a benzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 헥실기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 아다만틸기; 중수소, 메틸기 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 페난트레닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 테트라하이드로나프탈렌기; 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 퓨란기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R1 to R3 is the same as or different from each other, and each independently is a methyl group; ethyl group; profiler; butyl group; hexyl group; Cyclopentyl group; Cyclohexyl group; Adamantyl group; Phenyl group substituted or unsubstituted with deuterium, methyl group, or butyl group; Biphenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Naphthyl group substituted or unsubstituted with deuterium; phenanthrenyl group; Tetrahydronaphthalene group substituted or unsubstituted with a methyl group; Or it is a furan group substituted or unsubstituted with a butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 세개는 전술한 치환기이고, 서로 동일하거나 상이하다. 또하나의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 두개는 전술한 치환기이고, 서로 동일하거나 상이하다. 또하나의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 하나는 전술한 치환기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, three of R1 to R3 are the above-mentioned substituents and are the same or different from each other. In another embodiment, two of R1 to R3 are the above-mentioned substituents and are the same or different from each other. In another exemplary embodiment, one of R1 to R3 is the above-described substituent.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R3 중 전술한 치환기가 아닌 나머지는 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the remainder of R1 to R3 other than the above-mentioned substituents is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2는 수소; 중수소; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기이다.In one embodiment of the present specification, R2 is hydrogen; heavy hydrogen; Or it is a methyl group substituted or unsubstituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2는 수소; 또는 중수소이다.In one embodiment of the present specification, R2 is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar1' 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, 나머지는 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, and the remainder is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar1' 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6-C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2-C60의 헤테로아릴기이고, 나머지는 수소; 또는 중수소이다.In one embodiment of the present specification, at least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted C6-C60 aryl group; or a substituted or unsubstituted C2-C60 heteroaryl group, and the remainder is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar1' 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기이고, 나머지는 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group; or a substituted or unsubstituted C2-C30 heteroaryl group, and the remainder is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar1' 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2-C20의 헤테로아릴기이고, 나머지는 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group; or a substituted or unsubstituted C2-C20 heteroaryl group, and the remainder is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 중수소, 할로겐기 및 C1-C10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, any one of Ar1 and Ar1' is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, and a C1-C10 alkyl group, or a substituent linked to two or more groups selected from the group. is an aryl group from C6-C30, and the remaining one is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 중수소, 할로겐기 및 C1-C6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, any one of Ar1 and Ar1' is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, halogen group, and C1-C6 alkyl group, or a substituent linked to two or more groups selected from the group. is an aryl group from C6-C20, and the remaining one is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 중수소, C1-C6의 알킬기 또는 C1-C6의 할로알킬기로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소이다.In one embodiment of the present specification, one of Ar1 and Ar1' is a C6-C20 aryl group substituted or unsubstituted with deuterium, a C1-C6 alkyl group, or a C1-C6 haloalkyl group, and the other is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar1' 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페난트레닐기이고, 나머지는 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted phenyl group; Substituted or unsubstituted biphenyl group; Substituted or unsubstituted terphenyl group; Substituted or unsubstituted naphthyl group; or a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, and the remainder is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar1' 중 적어도 하나는 중수소, 트리플루오로메틸기 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 페난트레닐기이고, 나머지는 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of Ar1 and Ar1' is a phenyl group substituted or unsubstituted by deuterium, trifluoromethyl group, or butyl group; Biphenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Naphthyl group substituted or unsubstituted with deuterium; or a phenanthrenyl group substituted or unsubstituted with deuterium, and the remainder is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 중수소, 트리플루오로메틸기 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 페난트레닐기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, any one of Ar1 and Ar1' is a phenyl group substituted or unsubstituted by deuterium, trifluoromethyl group, or butyl group; Biphenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Naphthyl group substituted or unsubstituted with deuterium; or a phenanthrenyl group substituted or unsubstituted with deuterium, and the other one is hydrogen; Or it is deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 C6-C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C6-C60의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group of C6-C60; Or a substituted or unsubstituted C6-C60 heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C6-C20의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group of C6-C30; Or a substituted or unsubstituted C6-C20 heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1-C10의 알킬기, 실릴기 및 C6-C30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1-C10의 알킬기, 실릴기 및 C6-C30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, halogen group, cyano group, C1-C10 alkyl group, silyl group, and C6-C30 aryl group, or two or more groups selected from the group are connected. Aryl group of C6-C30 substituted or unsubstituted with a substituent; or C6-C30 substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, halogen group, cyano group, C1-C10 alkyl group, silyl group, and C6-C30 aryl group, or a substituent linked with two or more groups selected from the above group. It is a heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1-C6의 알킬기, 실릴기 및 C6-C20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기; 또는 중수소 및 C6-C20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, halogen group, cyano group, C1-C6 alkyl group, silyl group, and C6-C20 aryl group, or two or more groups selected from the group are connected. Aryl group of C6-C20 substituted or unsubstituted with a substituent; or a C6-C30 heteroaryl group substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and a C6-C20 aryl group or a substituent linked with two or more groups selected from the group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1-C6의 알킬기, C3-C18의 트리알킬실릴기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기; 또는 중수소 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group with deuterium, a halogen group, a cyano group, a C1-C6 alkyl group, a C3-C18 trialkylsilyl group, or a C6-C20 aryl group. energy; Or it is a C6-C30 heteroaryl group substituted or unsubstituted with deuterium or a C6-C20 aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 또는 치환 또는 비치환된 N-페닐카바졸기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted phenyl group; Substituted or unsubstituted biphenyl group; Substituted or unsubstituted terphenyl group; Substituted or unsubstituted naphthyl group; Substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; Substituted or unsubstituted triphenylene group; Substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Substituted or unsubstituted dibenzothiophene group; Or a substituted or unsubstituted N-phenylcarbazole group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 중수소, 플루오로기, 시아노기, 메틸기, 부틸기, 트리메틸실릴기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 플루오로기, 시아노기, 메틸기, 부틸기 또는 트리메틸실릴기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 터페닐기; 중수소 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 트리페닐렌기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 또는 N-페닐카바졸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a fluoro group, a cyano group, a methyl group, a butyl group, a trimethylsilyl group, or a naphthyl group; Biphenyl group substituted or unsubstituted with deuterium, fluoro group, cyano group, methyl group, butyl group, or trimethylsilyl group; Terphenyl group; Naphthyl group substituted or unsubstituted with deuterium or phenyl group; Phenanthrenyl group substituted or unsubstituted with deuterium or phenyl group; triphenylene group; Dibenzofuran group; Dibenzothiophene group; Or it is an N-phenylcarbazole group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 중수소로 치환될 수 있다.In one embodiment of the present specification, Ar2 may be substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1은 0 내지 6의 정수이다.In one embodiment of the present specification, n1 is an integer from 0 to 6.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1은 1 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 2 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 3 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 4 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 5 이상이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, n1은 6 이다.In one embodiment of the present specification, n1 is 1 or more. In another embodiment, n1 is 2 or more. In another exemplary embodiment, n1 is 3 or more. In another exemplary embodiment, n1 is 4 or more. In another embodiment, n1 is 5 or more. In another embodiment, n1 is 6.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r1은 0 내지 4의 정수이다.In one embodiment of the present specification, r1 is an integer from 0 to 4.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r2는 0 내지 2의 정수이다.In one embodiment of the present specification, r2 is an integer from 0 to 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r3는 0 내지 3의 정수이다.In one embodiment of the present specification, r3 is an integer from 0 to 3.

r1이 2 이상인 경우, 복수개의 R1은 서로 동일하거나 상이하다.When r1 is 2 or more, the plurality of R1 are the same or different from each other.

r2이 2 인 경우, 2개의 R2는 서로 동일하거나 상이하다.When r2 is 2, the two R2's are the same or different from each other.

r3이 2 이상인 경우, 복수개의 R3은 서로 동일하거나 상이하다.When r3 is 2 or more, a plurality of R3's are the same or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r1 + r2 + r3은 1 내지 4의 정수이다.In one embodiment of the present specification, r1 + r2 + r3 is an integer from 1 to 4.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 20% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 30% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 40% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 50% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 60% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 70% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 80% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 90% 이상 중수소화된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 100% 중수소화된다.In one embodiment of the present specification, Formula 1 is deuterated by 20% or more. In another embodiment, Formula 1 is deuterated by more than 30%. In another embodiment, Formula 1 is deuterated by more than 40%. In another exemplary embodiment, Formula 1 is deuterated by more than 50%. In another exemplary embodiment, Formula 1 is deuterated by more than 60%. In another exemplary embodiment, Formula 1 is deuterated by more than 70%. In another exemplary embodiment, Chemical Formula 1 is deuterated by more than 80%. In another exemplary embodiment, Formula 1 is deuterated by more than 90%. In another embodiment, Formula 1 is 100% deuterated.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 적어도 하나 이상의 수소를 포함한다.In one embodiment of the present specification, Formula 1 includes at least one hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴렌기이고,In an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently directly bonded; or an arylene group of C6-C30 substituted or unsubstituted with deuterium,

R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기; 시아노기; C1-C10의 알킬기; 실릴기; C3-C30의 시클로알킬기; C6-C30의 아릴기; 및 C2-C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 치환기이거나, 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기이고, 상기 치환기는 중수소로 치환될 수 있고, At least one of R1 to R3 is the same as or different from each other, and each independently is a halogen group; Cyano group; Alkyl group of C1-C10; silyl group; C3-C30 cycloalkyl group; Aryl group at C6-C30; and a substituent selected from the group consisting of a C2-C30 heteroaryl group, or a substituent in which two or more groups selected from the group are linked, and the substituent may be substituted with deuterium,

Ar2는 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1-C10의 알킬기, 실릴기 및 C6-C30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1-C10의 알킬기, 실릴기 및 C6-C30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 헤테로아릴기이다.Ar2 is C6- substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, halogen group, cyano group, C1-C10 alkyl group, silyl group, and C6-C30 aryl group, or a substituent linked to two or more groups selected from the above group. Aryl group at C30; or C6-C30 substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, halogen group, cyano group, C1-C10 alkyl group, silyl group, and C6-C30 aryl group, or a substituent linked with two or more groups selected from the above group. It is a heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 101 또는 102로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by the following Formula 101 or 102.

[화학식 101][Formula 101]

[화학식 102][Formula 102]

상기 화학식 101 및 102에 있어서,In the above formulas 101 and 102,

L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 내지 R3, D, n1 및 r1 내지 r3의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,The definitions of L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 to R3, D, n1 and r1 to r3 are as defined in Formula 1,

r1'는 0 내지 3의 정수이고, r2'는 0 또는 1 이다.r1' is an integer from 0 to 3, and r2' is 0 or 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 는 하기 구조에서 선택된 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, is any one selected from the structures below.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 201 내지 206 중 어느 하나로 표시된다.In one embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by any one of the following Formulas 201 to 206.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 201 내지 206 중 어느 하나로 표시된다.In one embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by any one of the following Formulas 201 to 206.

[화학식 201][Formula 201]

[화학식 202][Formula 202]

[화학식 203][Formula 203]

[화학식 204][Formula 204]

[화학식 205][Formula 205]

[화학식 206][Formula 206]

상기 화학식 201 내지 206 있어서,In the above formulas 201 to 206,

L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 내지 R3, D, n1 및 r1 내지 r3의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.The definitions of L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 to R3, D, n1 and r1 to r3 are as defined in Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 101은 하기 화학식 301 내지 304에서 선택된 하나이다.In one embodiment of the present specification, Formula 101 is one selected from Formulas 301 to 304 below.

[화학식 301] [화학식 302][Formula 301] [Formula 302]

[화학식 303] [화학식 304][Formula 303] [Formula 304]

상기 화학식 301 내지 304에 있어서, In the above formulas 301 to 304,

L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 내지 R3, D, n1, r1', r2 및 r3의 정의는 화학식 101에서 정의한 바와 같다.The definitions of L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 to R3, D, n1, r1', r2 and r3 are as defined in Formula 101.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 102는 하기 화학식 305 내지 308 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 102 is represented by any one of the following Formulas 305 to 308.

[화학식 305] [화학식 306][Formula 305] [Formula 306]

[화학식 307] [화학식 308][Formula 307] [Formula 308]

상기 화학식 305 내지 308에 있어서, In Formulas 305 to 308,

L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 내지 R3, D, n1, r1, r2' 및 r3의 정의는 화학식 102에서 정의한 바와 같다.The definitions of L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 to R3, D, n1, r1, r2' and r3 are as defined in Formula 102.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 는 하기 구조에서 선택된 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, is any one selected from the structures below.

상기 구조에 있어서,In the above structure,

a* 내지 f* 중 어느 하나는 L1에 연결되는 위치이며,Any one of a* to f* is a position connected to L1,

R11 중 적어도 하나는 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, 나머지는 서로 동일하거나 상이하고,At least one of R11 is a cyano group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, and the remainders are the same or different from each other,

r11은 1 내지 9의 정수이고, r11이 2 이상인 경우 복수 개의 R11은 서로 동일하거나 상이하다.r11 is an integer from 1 to 9, and when r11 is 2 or more, a plurality of R11 are the same or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11은 전술한 R1 내지 R3의 정의와 동일하다.In an exemplary embodiment of the present specification, R11 is the same as the definitions of R1 to R3 described above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, a*는 L1에 연결되는 위치이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, b*는 L1에 연결되는 위치이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, c*는 L1에 연결되는 위치이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, d*는 L1에 연결되는 위치이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, e*는 L1에 연결되는 위치이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, f*는 L1에 연결되는 위치이다.In one embodiment of the present specification, a* is a position connected to L1. In another embodiment, b* is a position connected to L1. In another embodiment, c* is a position connected to L1. In another embodiment, d* is a position connected to L1. In another embodiment, e* is a position connected to L1. In another embodiment, f* is a position connected to L1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다. In an exemplary embodiment of the present specification, the anthracene-based compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds.

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본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다. 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당 기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다. A compound according to an exemplary embodiment of the present specification may be produced by the production method described later. As needed, substituents can be added or excluded, and the positions of the substituents can be changed. Additionally, starting materials, reactants, reaction conditions, etc. can be changed based on techniques known in the art.

예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있으며, 화합물에 따라 상기 반응 순서는 바뀔 수 있으며, 상기 화학식 1의 안트라센계 화합물 합성방법은 상기 방법에만 한정되는 것은 아니다.For example, the compound represented by Formula 1 may be more specific in the production examples described later, the reaction order may change depending on the compound, and the method for synthesizing the anthracene-based compound of Formula 1 is not limited to the above method.

본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함하는 코팅조성물을 제공한다. 이 때, 상기 코팅조성물은 유기발광소자의 제작에서 용액공정에 사용된다.The present specification provides a coating composition containing an anthracene-based compound represented by Formula 1 above. At this time, the coating composition is used in a solution process in the production of organic light-emitting devices.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅조성물은 도펀트 물질을 더 포함한다. 도펀트 물질은 후술하는 도펀트물질이 사용될 수 있다.In one embodiment of the present specification, the coating composition further includes a dopant material. As the dopant material, a dopant material described later may be used.

본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함하는 조성물을 제공한다. 상기 조성물은 추가의 안트라센계 화합물을 더 포함할 수 있다. 추가로 포함되는 안트라센계 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 국한되지 않으며, 공지된 안트라센계 호스트 물질일 수 있다.The present specification provides a composition containing an anthracene-based compound represented by Formula 1 above. The composition may further include additional anthracene-based compounds. The anthracene-based compound additionally included is not limited to the compound represented by Formula 1, and may be a known anthracene-based host material.

본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides an organic light-emitting device containing the above-mentioned compound.

본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.This specification includes: a first electrode; a second electrode provided opposite to the first electrode; and an organic light-emitting device comprising at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer includes an anthracene-based compound represented by Formula 1. provides.

본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In this specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only the case where a member is in contact with another member, but also the case where another member exists between the two members.

본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In this specification, when a part “includes” a certain element, this means that it may further include other elements rather than excluding other elements, unless specifically stated to the contrary.

본 명세서에 있어서, 상기 "층"은 본 기술분야에 주로 사용되는 '필름'과 호환되는 의미이며, 목적하는 영역을 덮는 코팅을 의미한다. 상기 "층"의 크기는 한정되지 않으며, 각각의 "층"은 그 크기가 동일하거나 상이할 수 있다. 일 실시상태에 있어서, "층"의 크기는 전체 소자와 같을 수 있고, 특정 기능성 영역의 크기에 해당할 수 있으며, 단일 서브픽셀(sub-pixel)만큼 작을 수도 있다. In this specification, the “layer” is interchangeable with the “film” mainly used in the present technical field, and refers to a coating that covers the target area. The size of the “layer” is not limited, and each “layer” may have the same or different size. In one embodiment, the size of a “layer” may be equal to the entire device, may correspond to the size of a specific functional area, or may be as small as a single sub-pixel.

본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 B층에 포함된다는 의미는 i) 1종 이상의 A 물질이 하나의 B층에 포함되는 것과 ii) B층이 1층 이상으로 구성되고, A 물질이 다층의 B층 중 1층 이상에 포함되는 것을 모두 포함한다.In this specification, the inclusion of a specific material A in the layer B means i) one or more types of material A are included in one layer B, and ii) the layer B is composed of one or more layers, and the material A is comprised of multiple layers of B. Includes everything on the first or higher floors.

본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 C층 또는 D층에 포함된다는 의미는 i) 1층 이상의 C층 중 1층 이상에 포함되거나, ii) 1층 이상의 D층 중 1층 이상에 포함되거나, iii) 1층 이상의 C층 및 1층 이상의 D층에 각각 포함되는 것을 모두 의미하는 것이다. In this specification, the meaning that a specific material A is included in the C layer or D layer means that it is i) included in one or more layers of one or more layers of C, ii) included in one or more layers of one or more layers of D, or iii ) This means that it is included in each of the C floors above the first floor and the D floors above the first floor.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 상기 발광층 이외에 추가의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may include an additional organic material layer in addition to the light emitting layer.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단층, 정공 차단층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않는다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, or may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, it may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, etc. However, the structure of the organic light emitting device is not limited to this.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light-emitting layer, and the light-emitting layer includes an anthracene-based compound represented by Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 호스트로서 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic layer includes a light-emitting layer, and the light-emitting layer includes the anthracene-based compound represented by Formula 1 as a host.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함한다. 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트는 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함한다.In one embodiment of the present specification, the light emitting layer includes a host and a dopant. In one embodiment, the host includes an anthracene-based compound represented by Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 도펀트는 인광 도펀트 또는 형광 도펀트이다. In one embodiment of the present specification, the dopant is a phosphorescent dopant or a fluorescent dopant.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 아릴아민계 화합물을 도펀트로서 포함한다. In one embodiment of the present specification, the light-emitting layer includes an arylamine-based compound as a dopant.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 아릴아민계 화합물은 중수소를 포함한다.In one embodiment of the present specification, the arylamine-based compound includes deuterium.

또다른 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 보론 화합물을 도펀트로서 포함한다. In another exemplary embodiment, the light emitting layer includes a boron compound as a dopant.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 발광층 내에 도펀트는 호스트 100 중량부를 기준으로 0.1 중량부 내지 50 중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 중량부 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내일 때, 호스트에서 도펀트로 에너지 전달이 효율적으로 일어난다.In one embodiment of the present specification, the dopant in the light-emitting layer may be included in an amount of 0.1 parts by weight to 50 parts by weight, preferably 1 part by weight to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the host. When within the above range, energy transfer from host to dopant occurs efficiently.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 1층 이상의 발광층을 더 포함한다. 상기 1층 이상의 발광층은 각각 전술한 도펀트를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic light emitting device further includes one or more light emitting layers. Each of the one or more light emitting layers may include the above-described dopant.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 2층 이상의 발광층을 포함하고, 상기 2층 이상의 발광층 중 한 층은 형광 도펀트를 포함하고, 다른 한 층은 인광 도펀트를 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic light-emitting device includes two or more light-emitting layers, one layer of the two or more light-emitting layers includes a fluorescent dopant, and the other layer includes a phosphorescent dopant.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 발광층의 최대 발광 피크는 400 nm 내지 500 nm이다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the maximum emission peak of the light-emitting layer containing the compound represented by Formula 1 is 400 nm to 500 nm.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물은 발광층 총 중량 100 중량부 대비 50 중량부 이상 100 중량부 미만, 더욱 바람직하게는 70 중량부 이상 99 중량부 이하로 포함된다.In one embodiment of the present specification, the anthracene-based compound represented by Formula 1 is included in an amount of 50 parts by weight or more and less than 100 parts by weight, more preferably 70 parts by weight or more and 99 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total weight of the light emitting layer. .

본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 2층 이상의 발광층을 포함하고, 상기 2층 이상의 발광층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함한다. 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함한 발광층은 청색을 띠며, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함하지 않은 발광층은 당업계에 알려진 청색, 적색 또는 녹색 발광 화합물을 포함할 수 있다.An organic light-emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification includes two or more light-emitting layers, and at least one of the two or more light-emitting layers includes an anthracene-based compound represented by Formula 1 above. The light-emitting layer containing the anthracene-based compound represented by Formula 1 has a blue color, and the light-emitting layer that does not contain the anthracene-based compound represented by Formula 1 may include blue, red, or green light-emitting compounds known in the art.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 전자 주입층, 전자 수송층 또는 정공 차단층을 포함하고, 상기 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 전자 주입층, 전자 수송층 또는 정공 차단층은 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물을 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, an electron injection layer, an electron transport layer, or a hole blocking layer, and the hole injection layer, the hole transport layer, the electron blocking layer, and the electron blocking layer The injection layer, electron transport layer, or hole blocking layer includes an anthracene-based compound represented by Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층. 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer is a hole injection layer or a hole transport layer. It further includes one or two layers selected from the group consisting of a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and an electron blocking layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.In one embodiment of the present specification, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 전극은 음극이고, 상기 제1 전극은 양극이다. In one embodiment of the present specification, the second electrode is a cathode and the first electrode is an anode.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In one embodiment of the present specification, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조가 도 1 내지 3에 예시되어 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. For example, the structure of an organic light-emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 to 3, but is not limited thereto.

도 1에는 기판(101) 위에 양극(102), 발광층(106) 및 음극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다. Figure 1 illustrates the structure of an organic light emitting device in which an anode 102, a light emitting layer 106, and a cathode 110 are sequentially stacked on a substrate 101. The compound represented by Formula 1 is included in the light-emitting layer.

도 2에는 기판(101) 위에 양극(102), 정공주입층(103), 정공수송층(104), 전자차단층(105), 발광층(106), 정공차단층(107), 전자수송층(108), 전자주입층(109). 음극(110) 및 캡핑층(111)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다. 2 shows an anode 102, a hole injection layer 103, a hole transport layer 104, an electron blocking layer 105, a light emitting layer 106, a hole blocking layer 107, and an electron transport layer 108 on the substrate 101. , electron injection layer (109). The structure of an organic light emitting device in which the cathode 110 and the capping layer 111 are sequentially stacked is illustrated. The compound represented by Formula 1 is included in the light-emitting layer.

도 3에는 기판(101) 위에 양극(102), 제1 정공수송층(104a), 제2 정공수송층(104b), 발광층(106), 전자수송층(108), 음극(110) 및 캡핑층(111)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다. 3 shows an anode 102, a first hole transport layer 104a, a second hole transport layer 104b, a light emitting layer 106, an electron transport layer 108, a cathode 110, and a capping layer 111 on the substrate 101. The structure of this sequentially stacked organic light emitting device is illustrated. The compound represented by Formula 1 is included in the light-emitting layer.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층이 상기 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light emitting device of the present specification can be manufactured using materials and methods known in the art, except that the organic material layer includes the above compound.

상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질, 유기물층 및 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification can be manufactured by sequentially stacking a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, a metal or conductive metal oxide or alloy thereof is deposited on the substrate using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation to form an anode. It can be manufactured by forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light-emitting device can be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic layer, and an anode material on a substrate.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, the anthracene-based compound represented by Formula 1 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light-emitting device. Here, the solution application method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, etc., but is not limited thereto.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다. 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light-emitting device can also be made by sequentially depositing a cathode material, an organic layer, and an anode material on a substrate. However, the manufacturing method is not limited to this.

상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 예를 들어, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The anode material is generally preferably a material with a large work function to facilitate hole injection into the organic layer. For example, metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO:Al or SnO 2 : A combination of a metal such as Sb and an oxide; Conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline are included, but are not limited thereto.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 예를 들어, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The cathode material is generally preferably a material with a small work function to facilitate electron injection into the organic layer. metals or alloys thereof, for example magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead; Examples include, but are not limited to, multi-layered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로, 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The light emitting layer may include a host material and a dopant material. Host materials include condensed aromatic ring derivatives or heterocyclic ring-containing compounds. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocycle-containing compounds include dibenzofuran derivatives, ladder-type furan compounds, These include, but are not limited to, pyrimidine derivatives.

상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로, 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있다. 또한, 스티릴아민 화합물은 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아민기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The dopant materials include aromatic amine derivatives, strylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes. Specifically, aromatic amine derivatives are condensed aromatic ring derivatives having a substituted or unsubstituted arylamine group, and include pyrene, anthracene, chrysene, periplanthene, etc. having an arylamine group. In addition, a styrylamine compound is a compound in which at least one arylvinyl group is substituted on a substituted or unsubstituted arylamine, and is one or two or more selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and an arylamine group. The substituent is substituted or unsubstituted. Specifically, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, etc. are included, but are not limited thereto. Additionally, metal complexes include, but are not limited to, iridium complexes and platinum complexes.

상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 수취하는 층이다. 정공 주입 물질은 정공을 수송하는 능력을 가져 양극으로부터 정공 수취 효과 및 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지할 수 있는 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는, 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물; 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물; 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물; 페릴렌(perylene) 계열의 유기물; 안트라퀴논, 폴리아닐린과 같은 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer that receives holes from the electrode. The hole injection material preferably has the ability to transport holes and has an excellent hole receiving effect from the anode and an excellent hole injection effect with respect to the light emitting layer or light emitting material. Additionally, a material that has an excellent ability to prevent the movement of excitons generated in the light-emitting layer to the electron injection layer or electron injection material is desirable. Additionally, materials with excellent thin film forming ability are desirable. Additionally, it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of hole injection materials include metal porphyrin, oligothiophene, and arylamine-based organic materials; Hexanitrilehexaazatriphenylene series organic substances; Organic substances of the quinacridone series; Perylene-based organic substances; These include, but are not limited to, polythiophene-based conductive polymers such as anthraquinone and polyaniline.

상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 단층 또는 2층 이상의 다층구조일 수 있다. 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports the holes to the light emitting layer, and may have a single-layer structure or a multi-layer structure of two or more layers. The hole transport material is preferably a material that can receive holes from the anode or hole injection layer and transfer them to the light emitting layer, and has high mobility for holes. Specific examples include, but are not limited to, arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers with both conjugated and non-conjugated portions.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 정공 수송층은 2층 이상의 다층구조이다. 구체적으로는 2층 구조이며, 각 층에는 상이한 물질이 포함된다.In one embodiment of the present specification, the hole transport layer has a multi-layer structure of two or more layers. Specifically, it has a two-layer structure, and each layer contains different materials.

상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층이다. 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이, 임의의 원하는 음극 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 음극 물질은 낮은 일함수를 가지며, 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로, 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨 등이 있고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports the electrons to the light emitting layer. The electron transport material is a material that can easily receive electrons from the cathode and transfer them to the light-emitting layer, and a material with high electron mobility is preferred. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complex containing Alq 3 ; organic radical compounds; These include, but are not limited to, hydroxyflavone-metal complexes. The electron transport layer can be used with any desired cathode material, as used according to the prior art. In particular, suitable cathode materials are conventional materials with a low work function followed by an aluminum or silver layer. Specifically, there are cesium, barium, calcium, ytterbium, and samarium, and in each case, an aluminum layer or a silver layer follows.

상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 수취하는 층이다. 전자 주입물로는 전자를 수송하는 능력이 우수하고, 제2 전극으로부터의 전자 수취 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤이 정공 주입층으로 이동하는 것을 방지하고, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 구체적으로는, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The electron injection layer is a layer that receives electrons from the electrode. It is preferable that the electron injection material has excellent electron transport ability, has an electron receiving effect from the second electrode, and has an excellent electron injection effect with respect to the light emitting layer or light emitting material. In addition, a material that prevents excitons generated in the light-emitting layer from moving to the hole injection layer and has excellent thin film forming ability is desirable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc. and their derivatives, These include, but are not limited to, metal complex compounds and nitrogen-containing five-membered ring derivatives.

상기 금속 착체 화합물로는 8-히드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The metal complex compounds include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, and bis(8-hydroxyquinolinato)manganese. , tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h) ]Quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato) There are (o-cresolato) gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato) aluminum, and bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato) gallium. , but is not limited to this.

상기 전자 차단층은 전자 주입층으로부터 주입된 전자가 발광층을 지나 정공 주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이다. 공지된 재료는 제한 없이 사용 가능하며, 발광층과 정공 주입층 사이에, 또는 발광층과 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 사이에 형성될 수 있다. The electron blocking layer is a layer that can improve the lifespan and efficiency of the device by preventing electrons injected from the electron injection layer from passing through the light emitting layer and entering the hole injection layer. Known materials can be used without limitation, and can be formed between a light-emitting layer and a hole injection layer, or between a light-emitting layer and a layer that simultaneously performs hole injection and hole transport.

상기 정공 차단층은 정공의 음극으로 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 전자 주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The hole blocking layer is a layer that prevents holes from reaching the cathode, and can generally be formed under the same conditions as the electron injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, aluminum complexes, etc., but it is not limited thereto.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a front emitting type, a back emitting type, or a double-sided emitting type depending on the material used.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예 등을 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예 및 비교예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예 및 비교예에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예 및 비교예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, in order to explain the present specification in detail, examples and comparative examples will be described in detail. However, the Examples and Comparative Examples according to the present specification may be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not to be construed as being limited to the Examples and Comparative Examples detailed below. The examples and comparative examples of this specification are provided to more completely explain the present specification to those with average knowledge in the art.

제조예 1 (A1 내지 A18의 합성)Preparation Example 1 (Synthesis of A1 to A18)

하기 표 1과 같이 SM1(1eq)와 SM2(1.05eq) 을 테트라하이드로퓨란(excess) 에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하였다. 용매 제거 후 디메틸아세트아마이드(DMAc, excess), 포타슘카보네이트(3eq)를 투입하여 5시간 동안 교반 및 가열 환류 시켰다. 반응 종결 확인 후 상온으로 온도를 낮추고 물(DMAc 대비 1.5배 부피비)를 투입한 후 필터하여 얻은 고체를 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 A1 (수득량 : 58%)를 얻었다. As shown in Table 1 below, SM1 (1eq) and SM2 (1.05eq) were added to tetrahydrofuran (excess), then 2M potassium carbonate aqueous solution (30 volume ratio compared to THF) was added, and tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2 mol) was added. %) was added, and then heated and stirred for 10 hours. After lowering the temperature to room temperature and completing the reaction, the potassium carbonate aqueous solution was removed and the layers were separated. After removing the solvent, dimethylacetamide (DMAc, excess) and potassium carbonate (3eq) were added and stirred and heated to reflux for 5 hours. After confirming the completion of the reaction, the temperature was lowered to room temperature, water (1.5 times the volume ratio compared to DMAc) was added, and the obtained solid was filtered and purified by column chromatography using methylene chloride and hexane to obtain A1 (yield: 58%).

상기 A1의 합성에서 SM1 및 SM2 를 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 A1 내지 A18을 합성하였다. In the synthesis of A1, A1 to A18 were synthesized in the same manner, except that SM1 and SM2 were changed as shown in Table 1 below.

Figure 112020070965160-pat00058
Figure 112020070965160-pat00058

Figure 112020070965160-pat00059
Figure 112020070965160-pat00059

Figure 112020070965160-pat00060
Figure 112020070965160-pat00060

제조예 2 (B1 내지 B8의 합성)Preparation Example 2 (Synthesis of B1 to B8)

하기 표 2와 같이 SM1(1eq)와 (2-hydroxyphenyl)boronic acid (1.05eq) 을 테트라하이드로퓨란(excess) 에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 물로 2회 씻어 층분리하였다. 용매 제거 후 클로로포름(excess)에 용해하여 0℃로 온도안정화 후 N-브로모숙신이미드(NBS, 1eq)를 적가하고 상온으로 승온하고 3시간동안 교반하였다. 그 후 소듐설페이트 포화수용액(클로로포름 대비 1.5 배, 부피비)을 적가하고 추출하고 용매 제거 후 디메틸아세트아마이드(DMAc, excess), 포타슘카보네이트(3eq)를 투입하여 5시간 동안 교반 및 가열 환류 시켰다. 반응 종결 확인 후 상온으로 온도를 낮추고 물(DMAc 대비 1.5배 부피비)를 투입한 후 필터하여 얻은 고체를 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 B1 (수득량 : 59%)를 얻었다. As shown in Table 2 below, SM1 (1eq) and (2-hydroxyphenyl)boronic acid (1.05eq) were added to tetrahydrofuran (excess), then 2M potassium carbonate aqueous solution (30 volume ratio compared to THF) was added, and tetrakistriphenyl -Phosphinopalladium (2 mol%) was added, followed by heating and stirring for 10 hours. After lowering the temperature to room temperature and completing the reaction, the potassium carbonate aqueous solution was removed, washed twice with water, and the layers were separated. After removing the solvent, it was dissolved in chloroform (excess) and the temperature was stabilized at 0°C. Then, N-bromosuccinimide (NBS, 1eq) was added dropwise, the temperature was raised to room temperature, and the mixture was stirred for 3 hours. Afterwards, a saturated aqueous solution of sodium sulfate (1.5 times the volume ratio compared to chloroform) was added dropwise for extraction, and after removing the solvent, dimethylacetamide (DMAc, excess) and potassium carbonate (3eq) were added, followed by stirring and heating to reflux for 5 hours. After confirming the completion of the reaction, the temperature was lowered to room temperature, water (1.5 times the volume ratio compared to DMAc) was added, and the obtained solid was filtered and purified by column chromatography using methylene chloride and hexane to obtain B1 (yield: 59%).

상기 B1의 합성에서 SM1을 하기 표 2와 같이 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 B1 내지 B8 을 합성하였다. In the synthesis of B1, B1 to B8 were synthesized in the same manner, except that SM1 was changed as shown in Table 2 below.

Figure 112020070965160-pat00062
Figure 112020070965160-pat00062

Figure 112020070965160-pat00063
Figure 112020070965160-pat00063

제조예 3 (C1 내지 C11 의 합성)Preparation Example 3 (Synthesis of C1 to C11)

상기 A1의 합성에서 SM1 및 SM2 를 하기 표 3과 같이 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 C1 내지 C11을 합성하였다. In the synthesis of A1, C1 to C11 were synthesized in the same manner, except that SM1 and SM2 were changed as shown in Table 3 below.

Figure 112020070965160-pat00065
Figure 112020070965160-pat00065

Figure 112020070965160-pat00066
Figure 112020070965160-pat00066

Figure 112020070965160-pat00067
Figure 112020070965160-pat00067

제조예 4 (D1 내지 D5 의 합성)Preparation Example 4 (Synthesis of D1 to D5)

하기 표 4의 SM1(1eq)와 SM2(1.05eq) 을 테트라하이드로퓨란(excess) 에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하였다. 반응 종결 확인 후 상온으로 온도를 추출하여 용매 제거하고 에틸아세테이트와 헥산을 사용하여 재결정으로 정제하여 D1 (수득량 : 70%)를 얻었다. SM1 (1eq) and SM2 (1.05eq) of Table 4 below were added to tetrahydrofuran (excess), then 2M potassium carbonate aqueous solution (30 volume ratio compared to THF) was added, and tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2 mol%) was added. ) was added, and then heated and stirred for 10 hours. After lowering the temperature to room temperature and completing the reaction, the potassium carbonate aqueous solution was removed and the layers were separated. After confirming the completion of the reaction, the temperature was brought to room temperature, the solvent was removed, and purified by recrystallization using ethyl acetate and hexane to obtain D1 (yield: 70%).

상기 D1의 합성에서 SM1 및 SM2 를 하기 표 4와 같이 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 D1 내지 D5를 합성하였다. In the synthesis of D1, D1 to D5 were synthesized in the same manner, except that SM1 and SM2 were changed as shown in Table 4 below.

Figure 112020070965160-pat00069
Figure 112020070965160-pat00069

제조예 5 (E1 의 합성)Preparation Example 5 (Synthesis of E1)

하기 표 5의 SM1(1eq)을 클로로포름(excess)에 용해하여 0℃로 온도 안정화 후 N-브로모숙신이미드(NBS, 1eq)를 적가하고 상온으로 승온하고 3시간동안 교반하였다. 그 후 소듐설페이트 포화수용액(클로로포름 대비 1.5 배, 부피비)을 적가하고 추출하고 용매 제거 후 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 E1 (수득량 : 65%)를 얻었다.SM1 (1eq) of Table 5 below was dissolved in chloroform (excess) and the temperature was stabilized at 0°C. Then, N-bromosuccinimide (NBS, 1eq) was added dropwise, the temperature was raised to room temperature, and the mixture was stirred for 3 hours. Afterwards, saturated sodium sulfate aqueous solution (1.5 times the volume ratio compared to chloroform) was added dropwise for extraction, and after removal of the solvent, the extract was purified by column chromatography using methylene chloride and hexane to obtain E1 (yield: 65%).

Figure 112020070965160-pat00071
Figure 112020070965160-pat00071

제조예 6 (F1 의 합성)Preparation Example 6 (Synthesis of F1)

하기 표 6의 SM1(1eq) 을 THF (excess) 에 용해한 후 온도를 -78℃로 낮춘 후 2.5M n-BuLi (1.5eq) 을 적가하고 상온으로 온도 안정화시켜 30분 동안 교반하였다. 다시 -78

Figure 112020070965160-pat00073
로 냉각하고, I2 (1eq)를 가하고 1시간 동안 교반하고 상온으로 온도를 올린 후 물(excess)을 투입하고 추출하였다 용매 제거 후 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 하기 표 6과 같이 F1 (수득량 : 48%)를 얻었다.SM1 (1eq) of Table 6 below was dissolved in THF (excess), the temperature was lowered to -78°C, 2.5M n-BuLi (1.5eq) was added dropwise, the temperature was stabilized at room temperature, and the mixture was stirred for 30 minutes. Again -78
Figure 112020070965160-pat00073
After cooling, I 2 (1eq) was added and stirred for 1 hour, the temperature was raised to room temperature, water (excess) was added and extracted. After removal of the solvent, purification was performed by column chromatography using methylene chloride and hexane, and the results are shown in Table 6 below. F1 (yield: 48%) was obtained as follows.

Figure 112020070965160-pat00074
Figure 112020070965160-pat00074

제조예 7 (G1 내지 G19 의 합성)Preparation Example 7 (Synthesis of G1 to G19)

하기 표 7의 SM1(1eq) 및 4,4,4',4',5,5,5',5'-octamethyl-2,2'-bi(1,3,2-dioxaborolane)(1.3eq) 를 1,4-디옥산(SM1 대비 12배<질량비>) 에 투입하고 포타슘아세테이트(3eq)를 추가하여 교반 및 환류 시킨다. 팔라듐아세테이트(0.02eq) 와 트리시클로헥실포스핀(0.04eq)를 1,4-디옥산에서 5분간 교반 후 투입하고 2시간 후 반응 종결 확인 후 상온으로 식힌다. 에탄올과 물을 투입 후 필터하고 에틸아세테이트와 헥산으로 재결정하여 G1 (수득량 : 82%)를 얻었다.SM1 (1eq) and 4,4,4',4',5,5,5',5'-octamethyl-2,2'-bi(1,3,2-dioxaborolane) (1.3eq) in Table 7 below. Add to 1,4-dioxane (12 times <mass ratio> compared to SM1), add potassium acetate (3eq), stir and reflux. Palladium acetate (0.02eq) and tricyclohexylphosphine (0.04eq) were added after stirring in 1,4-dioxane for 5 minutes, and after 2 hours, the reaction was confirmed to be complete and cooled to room temperature. Ethanol and water were added, filtered, and recrystallized with ethyl acetate and hexane to obtain G1 (yield: 82%).

상기 G1의 합성에서 하기 표 7과 같이 SM1을 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 G1 내지 G19 를 합성하였다. In the synthesis of G1, G1 to G19 were synthesized in the same manner, except that SM1 was changed as shown in Table 7 below.

Figure 112020070965160-pat00076
Figure 112020070965160-pat00076

Figure 112020070965160-pat00077
Figure 112020070965160-pat00077

Figure 112020070965160-pat00078
Figure 112020070965160-pat00078

Figure 112020070965160-pat00079
Figure 112020070965160-pat00079

제조예 8 (H1 내지 H3 의 합성)Preparation Example 8 (Synthesis of H1 to H3)

상기 D1의 합성에서 하기 표 8과 같이 SM1 및 SM2 를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로의 H1 내지 H3을 합성하였다. In the synthesis of D1, H1 to H3 were synthesized in the same manner, except that SM1 and SM2 were changed as shown in Table 8 below.

Figure 112020070965160-pat00081
Figure 112020070965160-pat00081

제조예 9 (I1 내지 I3 의 합성)Preparation Example 9 (Synthesis of I1 to I3)

상기 G1의 합성에서 하기 표 9와 같이 SM1를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 I1 내지 I3 를 합성하였다. In the synthesis of G1, I1 to I3 were synthesized in the same manner, except that SM1 was changed as shown in Table 9 below.

Figure 112020070965160-pat00083
Figure 112020070965160-pat00083

제조예 10 (W1 내지 W8 의 합성)Preparation Example 10 (Synthesis of W1 to W8)

하기 표 10 과 같이 SM1(1eq)와 SM2(1.05eq) 을 테트라하이드로퓨란(excess) 에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하였다. 용매 제거 후 고체를 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 W1 내지 W8을 얻었다. As shown in Table 10 below, SM1 (1eq) and SM2 (1.05eq) were added to tetrahydrofuran (excess), then 2M potassium carbonate aqueous solution (30 volume ratio compared to THF) was added, and tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2 mol) was added. %) was added, and then heated and stirred for 10 hours. After lowering the temperature to room temperature and completing the reaction, the potassium carbonate aqueous solution was removed and the layers were separated. After removing the solvent, the solid was purified by column chromatography using methylene chloride and hexane to obtain W1 to W8.

Figure 112020070965160-pat00085
Figure 112020070965160-pat00085

Figure 112020070965160-pat00086
Figure 112020070965160-pat00086

제조예 11 (X1 내지 X8 의 합성)Preparation Example 11 (Synthesis of X1 to X8)

하기 표 11 와 같이 SM1(1eq)을 클로로포름(excess)에 용해하여 0℃로 온도안정화 후 N-브로모숙신이미드(NBS, 1eq)를 DMF에 용해하여 적가하고 상온으로 승온하고 3시간동안 교반하였다. 그 후 소듐설페이트 포화수용액(클로로포름 대비 1.5 배, 부피비)을 적가하고 추출하고 용매 제거 후 얻은 고체를 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 X1 내지 X8을 얻었다. As shown in Table 11 below, SM1 (1eq) was dissolved in chloroform (excess) to stabilize the temperature at 0°C, and then N-bromosuccinimide (NBS, 1eq) was dissolved in DMF and added dropwise, raised to room temperature, and stirred for 3 hours. did. Afterwards, a saturated aqueous solution of sodium sulfate (1.5 times the volume ratio compared to chloroform) was added dropwise for extraction, and the solid obtained after removal of the solvent was purified by column chromatography using methylene chloride and hexane to obtain X1 to X8.

Figure 112020070965160-pat00088
Figure 112020070965160-pat00088

Figure 112020070965160-pat00089
Figure 112020070965160-pat00089

제조예 12 (Y1 내지 Y18 의 합성)Preparation Example 12 (Synthesis of Y1 to Y18)

Scheme12-1Scheme12-1

Scheme12-2Scheme12-2

상기 scheme12-1 또는 scheme12-2의 방법으로 하기 표 12 과 같이 SM1(1eq)와 SM2(1.05eq) 을 테트라하이드로퓨란(excess) 에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하였다. 용매 제거 후 얻은 고체를 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 Y1 내지 Y18을 얻었다. By the method of scheme12-1 or scheme12-2, SM1 (1eq) and SM2 (1.05eq) were added to tetrahydrofuran (excess) as shown in Table 12 below, and then 2M potassium carbonate aqueous solution (30 volume ratio compared to THF) was added. , tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2 mol%) was added, and then heated and stirred for 10 hours. After lowering the temperature to room temperature and completing the reaction, the potassium carbonate aqueous solution was removed and the layers were separated. The solid obtained after removal of the solvent was purified by column chromatography using methylene chloride and hexane to obtain Y1 to Y18.

Figure 112020070965160-pat00092
Figure 112020070965160-pat00092

Figure 112020070965160-pat00093
Figure 112020070965160-pat00093

Figure 112020070965160-pat00094
Figure 112020070965160-pat00094

제조예 13 (Z1 내지 Z18 의 합성)Preparation Example 13 (Synthesis of Z1 to Z18)

scheme13-1scheme13-1

.scheme13-2 . scheme13-2

상기 scheme13-1 또는 scheme13-2의 방법으로 하기 표 13 와 같이 SM1(1eq)을 클로로포름(excess)에 용해하여 0℃로 온도안정화 후 N-브로모숙신이미드(NBS, 1eq)를 DMF에 용해하여 적가하고 상온으로 승온하고 3시간동안 교반하였다. 그 후 소듐설페이트 포화수용액(클로로포름 대비 1.5 배, 부피비)을 적가하고 추출하고 용매 제거 후 얻은 고체를 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 Z1 내지 Z18을 얻었다. By the method of scheme13-1 or scheme13-2, SM1 (1eq) was dissolved in chloroform (excess) as shown in Table 13 below, the temperature was stabilized at 0°C, and N-bromosuccinimide (NBS, 1eq) was dissolved in DMF. It was added dropwise, raised to room temperature, and stirred for 3 hours. Afterwards, a saturated aqueous solution of sodium sulfate (1.5 times the volume ratio compared to chloroform) was added dropwise for extraction, and the solid obtained after removal of the solvent was purified by column chromatography using methylene chloride and hexane to obtain Z1 to Z18.

Figure 112020070965160-pat00097
Figure 112020070965160-pat00097

Figure 112020070965160-pat00098
Figure 112020070965160-pat00098

Figure 112020070965160-pat00099
Figure 112020070965160-pat00099

Figure 112020070965160-pat00100
Figure 112020070965160-pat00100

제조예 14 (U1 의 합성)Preparation Example 14 (Synthesis of U1)

하기 표 14 과 같이 SM1(1eq)와 SM2(1.05eq) 을 테트라하이드로퓨란(excess) 에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하였다. 용매 제거 후 얻은 고체를 메틸렌클로라이드와 헥산을 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 U1을 얻었다. As shown in Table 14 below, SM1 (1eq) and SM2 (1.05eq) were added to tetrahydrofuran (excess), then 2M potassium carbonate aqueous solution (30 volume ratio compared to THF) was added, and tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2 mol) was added. %) was added, and then heated and stirred for 10 hours. After lowering the temperature to room temperature and completing the reaction, the potassium carbonate aqueous solution was removed and the layers were separated. After removing the solvent, the obtained solid was purified by column chromatography using methylene chloride and hexane to obtain U1.

Figure 112020070965160-pat00102
Figure 112020070965160-pat00102

제조예 15 (화합물 1 내지 화합물 19의 합성)Preparation Example 15 (Synthesis of Compounds 1 to 19)

scheme15-1scheme15-1

scheme15-2scheme15-2

scheme15-3scheme15-3

상기 scheme15-1 내지 scheme15-3 의 방법으로 하기 표 15 과 같이 SM1(1eq)와 SM2(1.05eq) 을 테트라하이드로퓨란(excess) 에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하였다. 용매 제거 후 얻은 고체를 클로로포름와 톨루엔을 사용하여 재결정하여 정제하여 화합물 1 내지 화합물 19 를 얻었다. By the method of scheme15-1 to scheme15-3, SM1 (1eq) and SM2 (1.05eq) were added to tetrahydrofuran (excess) as shown in Table 15 below, and then 2M potassium carbonate aqueous solution (30 volume ratio compared to THF) was added. , tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2 mol%) was added, and then heated and stirred for 10 hours. After lowering the temperature to room temperature and completing the reaction, the potassium carbonate aqueous solution was removed and the layers were separated. After removing the solvent, the obtained solid was purified by recrystallization using chloroform and toluene to obtain compounds 1 to 19.

Figure 112020070965160-pat00106
Figure 112020070965160-pat00106

Figure 112020070965160-pat00107
Figure 112020070965160-pat00107

Figure 112020070965160-pat00108
Figure 112020070965160-pat00108

Figure 112020070965160-pat00109
Figure 112020070965160-pat00109

제조예 16 (화합물 20 내지 22의 합성)Preparation Example 16 (Synthesis of Compounds 20 to 22)

scheme16-1scheme16-1

scheme16-2scheme16-2

상기 scheme16-1 또는 scheme16-2의 방법으로 하기 표 16 의 반응물(1eq), Trifluoromethanesulfonic acid (cat.)을 C6D6 (반응물 대비 질량비 10 ~ 100 배)에 넣고 70℃에서 10분 내지 100분 사이에서 교반하였다. 반응 종료 후 D2O (excess)를 넣고 30분 교반한 뒤 트리메틸아민(trimethylamine) (excess)를 적가하였다. 반응액을 분액 깔대기에 옮기고, 물과 클로로포름으로 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조 후, 톨루엔으로 가열하여 재결정하여 하기 표 15의 화합물 20 내지 22(화합물 4, 12 및 19의 중수소 치환체)를 수득하였다.By the method of scheme16-1 or scheme16-2, add the reactant (1eq) and Trifluoromethanesulfonic acid (cat.) in Table 16 to C 6 D 6 (10 to 100 times the mass ratio compared to the reactant) and incubate at 70°C for 10 to 100 minutes. It was stirred between them. After completion of the reaction, D 2 O (excess) was added and stirred for 30 minutes, and then trimethylamine (excess) was added dropwise. The reaction solution was transferred to a separatory funnel and extracted with water and chloroform. The extract was dried with MgSO 4 and recrystallized by heating with toluene to obtain compounds 20 to 22 (deuterium-substituted compounds of compounds 4, 12, and 19) in Table 15 below.

Figure 112020070965160-pat00112
Figure 112020070965160-pat00112

Figure 112020070965160-pat00113
Figure 112020070965160-pat00113

[각 생성물은 반응시간에 따라 중수소치환의 정도가 다르며 최대 m/z (M+) 값에 따라 치환율을 결정함][Each product has different degrees of deuterium substitution depending on the reaction time, and the substitution rate is determined based on the maximum m/z (M+) value]

상기의 생성물에 대한 중수소 치환은 KR 10-1538534 B1의 선행문헌을 참고하였다.For deuterium substitution of the above product, reference was made to the prior literature of KR 10-1538534 B1.

<실시예 1> OLED 의 제조<Example 1> Manufacturing of OLED

양극으로서 ITO/Ag/ITO가 70/1000/70Å 증착된 기판을 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.A substrate on which 70/1000/70Å ITO/Ag/ITO was deposited as an anode was placed in distilled water with a dispersant dissolved in it and washed with ultrasonic waves. Detergent was used from Fischer Co., and distilled water was from Millipore Co. Distilled water that was filtered secondarily was used as a filter for the product. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was repeated twice with distilled water for 10 minutes. After washing with distilled water, it was ultrasonic washed in the order of isopropyl alcohol, acetone, and methanol and dried.

이렇게 준비된 양극 위에 HI-1을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하고, 그 위에 정공을 수송하는 물질인 HT1을 두께 1150Å로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 그 다음에 EB1를 이용하여 전자차단층(150Å)을 형성하고 그 다음에 화합물 1을 호스트로 하고, BD1을 도펀트(2중량%)로 하여 발광층(360Å, 진공 증착)을 형성하였다. 그 후 ET1을 50Å 증착하여 정공차단층을 형성하고, 화합물 ET2와 Liq를 7:3로 혼합하여 두께 250Å의 전자수송층을 형성하였다. 순차적으로 50Å 두께의 마그네슘과 리튬 플루오라이드(LiF)을 전자주입층으로 성막한 후 음극으로 마그네슘과 은(1:4)로 200Å 형성시킨 후 CP1을 600 Å 증착하여 소자를 완성하였다. 상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였다.On the anode prepared in this way, HI-1 was thermally vacuum deposited to a thickness of 50 Å to form a hole injection layer, and HT1, a hole transport material, was vacuum deposited to a thickness of 1150 Å on top of it to form a hole transport layer. Next, an electron blocking layer (150 Å) was formed using EB1, and then a light emitting layer (360 Å, vacuum deposition) was formed using Compound 1 as a host and BD1 as a dopant (2% by weight). Afterwards, 50Å of ET1 was deposited to form a hole blocking layer, and compounds ET2 and Liq were mixed in a ratio of 7:3 to form an electron transport layer with a thickness of 250Å. Magnesium and lithium fluoride (LiF) with a thickness of 50 Å were sequentially formed as an electron injection layer, and then 200 Å of magnesium and silver (1:4) were formed as a cathode, and then 600 Å of CP1 was deposited to complete the device. In the above process, the deposition rate of organic matter was maintained at 1 Å/sec.

<실시예 2 내지 24> <Examples 2 to 24>

상기 실시예 1에서 발광층의 호스트 및 도펀트를 하기 표 17 와 같이 한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 같은 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the host and dopant of the light-emitting layer were as shown in Table 17 below.

<비교예 1 내지 9> <Comparative Examples 1 to 9>

상기 실시예 1에서 발광층의 호스트 및 도펀트를 하기 표 17 와 같이 한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 같은 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the host and dopant of the light-emitting layer were as shown in Table 17 below.

실시예 및 비교예에서 제조한 유기 발광 소자에 20 mA/cm2의 전류를 인가하여, 전압, 효율, 수명(T95)을 측정하고 그 결과를 하기 표 17에 나타내었다. 이 때, T95은 전류 밀도 20mA/cm2에서 초기휘도가 95%로 저하할 때까지의 시간을 의미한다.A current of 20 mA/cm 2 was applied to the organic light emitting device manufactured in Examples and Comparative Examples to measure voltage, efficiency, and lifespan (T95), and the results are shown in Table 17 below. At this time, T95 means the time until the initial luminance decreases to 95% at a current density of 20 mA/cm 2 .

실험예Experiment example
20 mA/㎠20 mA/㎠
호스트host 도펀트dopant 전압(V) Voltage (V)
(@20mA/cm(@20mA/cm 22 ))
Cd/ACd/A
(@20mA/cm(@20mA/cm 22 ))
색좌표 Color coordinates
(x,y)(x,y)
수명life span
(T95, h)(T95,h)
(@20mA/cm(@20mA/cm 22 ))
실시예 1Example 1 화합물 1Compound 1 BD1BD1 3.48 3.48 6.90 6.90 (0.135, 0.143)(0.135, 0.143) 50.1 50.1 실시예 2Example 2 화합물 2compound 2 BD1BD1 3.44 3.44 6.88 6.88 (0.134, 0.142)(0.134, 0.142) 51.3 51.3 실시예 3Example 3 화합물 4Compound 4 BD1BD1 3.50 3.50 6.64 6.64 (0.135, 0.145)(0.135, 0.145) 54.8 54.8 실시예 4Example 4 화합물 6Compound 6 BD1BD1 3.38 3.38 6.67 6.67 (0.134, 0.143)(0.134, 0.143) 53.4 53.4 실시예 5Example 5 화합물 7Compound 7 BD1BD1 3.41 3.41 6.70 6.70 (0.136, 0.140)(0.136, 0.140) 55.1 55.1 실시예 6Example 6 화합물 9Compound 9 BD1BD1 3.35 3.35 6.80 6.80 (0.135, 0.147)(0.135, 0.147) 53.5 53.5 실시예 7Example 7 화합물 11Compound 11 BD1BD1 3.48 3.48 6.81 6.81 (0.133, 0.145)(0.133, 0.145) 52.8 52.8 실시예 8Example 8 화합물 12Compound 12 BD1BD1 3.45 3.45 6.85 6.85 (0.135, 0.142)(0.135, 0.142) 51.3 51.3 실시예 9Example 9 화합물 13Compound 13 BD1BD1 3.39 3.39 6.70 6.70 (0.134, 0.148)(0.134, 0.148) 50.9 50.9 실시예 10Example 10 화합물 14Compound 14 BD1BD1 3.42 3.42 6.74 6.74 (0.136, 0.144)(0.136, 0.144) 53.4 53.4 실시예 11Example 11 화합물 15Compound 15 BD1BD1 3.44 3.44 6.89 6.89 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 54.8 54.8 실시예 12Example 12 화합물 17Compound 17 BD1BD1 3.35 3.35 6.88 6.88 (0.135, 0.145)(0.135, 0.145) 55.9 55.9 실시예 13Example 13 화합물 18Compound 18 BD1BD1 3.30 3.30 6.67 6.67 (0.134, 0.143)(0.134, 0.143) 50.2 50.2 실시예 14Example 14 화합물 19Compound 19 BD1BD1 3.48 3.48 6.89 6.89 (0.136, 0.140)(0.136, 0.140) 49.8 49.8 실시예 15Example 15 화합물 20Compound 20 BD1BD1 3.44 3.44 6.92 6.92 (0.135, 0.147)(0.135, 0.147) 70.5 70.5 실시예 16Example 16 화합물 21Compound 21 BD1BD1 3.40 3.40 6.69 6.69 (0.134, 0.148)(0.134, 0.148) 78.1 78.1 실시예 17Example 17 화합물 22Compound 22 BD1BD1 3.51 3.51 6.94 6.94 (0.136, 0.144)(0.136, 0.144) 75.1 75.1 실시예 18Example 18 화합물 20Compound 20 BD2BD2 3.48 3.48 7.88 7.88 (0.136, 0.131)(0.136, 0.131) 69.7 69.7 실시예 19Example 19 화합물 1Compound 1 BD2BD2 3.49 3.49 7.23 7.23 (0.136, 0.131)(0.136, 0.131) 44.2 44.2 실시예 20Example 20 화합물 7Compound 7 BD2BD2 3.49 3.49 7.28 7.28 (0.134, 0.133)(0.134, 0.133) 48.5 48.5 실시예 21Example 21 화합물 9Compound 9 BD2BD2 3.44 3.44 7.30 7.30 (0.136, 0.131)(0.136, 0.131) 47.9 47.9 실시예 22Example 22 화합물 12Compound 12 BD2BD2 3.48 3.48 7.29 7.29 (0.136, 0.132)(0.136, 0.132) 48.1 48.1 실시예 23Example 23 화합물 15Compound 15 BD2BD2 3.47 3.47 7.30 7.30 (0.136, 0.131)(0.136, 0.131) 45.6 45.6 실시예 24Example 24 화합물 17Compound 17 BD2BD2 3.45 3.45 7.33 7.33 (0.136, 0.132)(0.136, 0.132) 46.1 46.1 비교예 1Comparative Example 1 BH1BH1 BD1BD1 3.59 3.59 5.68 5.68 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 30.1 30.1 비교예 2Comparative Example 2 BH2BH2 BD1BD1 3.58 3.58 5.23 5.23 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 38.1 38.1 비교예 3Comparative Example 3 BH3BH3 BD1BD1 3.70 3.70 5.27 5.27 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 34.5 34.5 비교예 4Comparative Example 4 BH4BH4 BD1BD1 3.59 3.59 5.30 5.30 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 32.6 32.6 비교예 5Comparative Example 5 BH5BH5 BD1BD1 3.62 3.62 5.78 5.78 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 38.4 38.4 비교예 6Comparative Example 6 BH6BH6 BD1BD1 3.68 3.68 4.89 4.89 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 30.5 30.5 비교예 7Comparative Example 7 BH7BH7 BD1BD1 3.71 3.71 5.37 5.37 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 39.1 39.1 비교예 8Comparative Example 8 BH8BH8 BD1BD1 3.72 3.72 5.44 5.44 (0.135, 0.138)(0.135, 0.138) 20.5 20.5 비교예 9Comparative Example 9 BH9BH9 BD1BD1 3.833.83 5.685.68 (0.139, 0.158)(0.139, 0.158) 39.039.0

본 발명에 따른 화학식 1의 화합물을 청색 유기 전계 발광 소자의 호스트로 사용함으로써 발광층으로의 원할한 정공 주입 역할을 조절할 수 있으며, 화학적 구조에 따른 유기 발광 소자의 정공과 전자의 균형을 통하여 본 발명에 따른 소자는 효율, 구동전압, 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다.By using the compound of Formula 1 according to the present invention as a host of a blue organic electroluminescent device, the role of smooth hole injection into the light emitting layer can be controlled, and the present invention can be achieved through the balance of holes and electrons in the organic light emitting device according to the chemical structure. The following devices exhibit excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage, and stability.

<실시예 25> 용액형 OLED 의 제조<Example 25> Manufacturing of solution-type OLED

ITO(indium tin oxide)가 1,300 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with a thin film of indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1,300 Å was placed in distilled water with a detergent dissolved in it and washed ultrasonically. At this time, a detergent from Fischer Co. was used, and distilled water filtered secondarily using a filter from Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was repeated twice with distilled water for 10 minutes. After washing with distilled water, it was ultrasonic washed with solvents of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. Additionally, the substrate was cleaned for 5 minutes using oxygen plasma and then transported to a vacuum evaporator.

상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 스핀코팅에 의해 폴리(3,4-에틸렌 디옥시티오펜)-폴리스티렌 설포네이트(PEDOT/PSS, Bayer 사제, Baytron P Al 4083)를 순수로 70%에 희석한 용액을 3000 rpm, 30초에서 스핀 코트법에 의해 제막한 후, 200℃에서 1 시간 건조하고 막 두께 30 nm의 제1 정공수송층을 마련했다. 이어서 HT1 용액을 (크실렌 용액, 1wt%) 스핀 코팅하고 질소 분위기 하에서 210℃에서 30분간 건조시킴으로써, 20nm 두께의 제2 정공 수송층을 형성하였다. A solution of poly(3,4-ethylene dioxythiophene)-polystyrene sulfonate (PEDOT/PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) diluted to 70% with pure water was prepared by spin coating on the ITO transparent electrode prepared as above. After forming the film by spin coating at 3000 rpm for 30 seconds, it was dried at 200°C for 1 hour to prepare a first hole transport layer with a film thickness of 30 nm. Subsequently, the HT1 solution (xylene solution, 1 wt%) was spin-coated and dried at 210°C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to form a second hole transport layer with a thickness of 20 nm.

냉각 후에, 기판은 발광층 용액으로 회전 코팅되었으며, 가열되어 용매를 제거하여 발광층을 형성하였다. 이때, 발광층 용액은 호스트(화합물 3) : 도펀트(BD11) = 10 : 1, 1wt% 메틸벤조에이트 용액으로 제조되었다. After cooling, the substrate was spin-coated with the emissive layer solution and heated to remove the solvent to form the emissive layer. At this time, the emitting layer solution was prepared as a host (compound 3) : dopant (BD11) = 10 : 1, 1 wt% methylbenzoate solution.

기판을 마스킹하고 진공챔버에 위치시킨 후 ET11 (300Å)을 LiQ 와 2:1 비율로 증착하여 전자수송층으로 열 진공 증착하였다. 상기 전자수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다. 진공 챔버를 배기시키고, 유리 덮개, 건조제, 및 UV 경화성 에폭시를 사용하여 소자를 캡슐화하였다.After masking the substrate and placing it in a vacuum chamber, ET11 (300Å) was deposited with LiQ at a 2:1 ratio and thermally vacuum deposited as an electron transport layer. Lithium fluoride (LiF) with a thickness of 12 Å and aluminum with a thickness of 2,000 Å were sequentially deposited on the electron transport layer to form a cathode, thereby manufacturing an organic light-emitting device. The vacuum chamber was evacuated and the device was encapsulated using a glass cover, desiccant, and UV curable epoxy.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of organic matter was maintained at 0.4 ~ 0.7 Å/sec, the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was maintained at 1 × 10 -7 ~ 5 × 10 -8 torr. did.

<실시예 26 내지 29> <Examples 26 to 29>

상기 실시예 25에서 발광층의 호스트 및 도펀트를 하기 표 18와 같이 한 것을 제외하고, 상기 실시예 25과 같은 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as Example 25, except that the host and dopant of the light-emitting layer in Example 25 were as shown in Table 18 below.

<비교예 10> <Comparative Example 10>

상기 실시예 25에서 발광층의 호스트 및 도펀트를 하기 표 18와 같이 한 것을 제외하고, 상기 실시예 25과 같은 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as Example 25, except that the host and dopant of the light-emitting layer in Example 25 were as shown in Table 18 below.

실험예Experiment example
20 mA/㎠20 mA/㎠
호스트host 도펀트dopant 전압(V) Voltage (V)
(@20mA/cm(@20mA/cm 22 ))
Cd/ACd/A
(@20mA/cm(@20mA/cm 22 ))
색좌표 Color coordinates
(x,y)(x,y)
수명life span
(T95, h)(T95,h)
(@20mA/cm(@20mA/cm 22 ))
실시예 25Example 25 화합물 3Compound 3 BD11BD11 4.55 4.55 6.70 6.70 (0.134, 0.142)(0.134, 0.142) 1258412584 실시예 26Example 26 화합물 5Compound 5 BD11BD11 4.60 4.60 6.77 6.77 (0.135, 0.145)(0.135, 0.145) 1102311023 실시예 27Example 27 화합물 8compound 8 BD11BD11 4.59 4.59 6.68 6.68 (0.134, 0.143)(0.134, 0.143) 1268012680 실시예 28Example 28 화합물 10Compound 10 BD11BD11 4.62 4.62 6.60 6.60 (0.136, 0.140)(0.136, 0.140) 1204812048 실시예 29Example 29 화합물 16Compound 16 BD11BD11 4.60 4.60 6.72 6.72 (0.135, 0.147)(0.135, 0.147) 1256712567 비교예10Comparative Example 10 BH11BH11 BD11BD11 5.67 5.67 5.12 5.12 (0.136, 0.139)(0.136, 0.139) 72007200

상기 표 18을 보면, 본 발명에 따른 화학식 1의 화합물을 용액 공정에 사용할 수 있음을 알 수 있고, 청색 유기 전계 발광 소자의 호스트로 사용할 경우, 소자의 저전압, 고효율 및 장수명의 특성이 우수함을 알 수 있다.Looking at Table 18, it can be seen that the compound of Formula 1 according to the present invention can be used in a solution process, and when used as a host for a blue organic electroluminescent device, the device has excellent low voltage, high efficiency, and long life characteristics. You can.

101: 기판
102: 양극
103: 정공주입층
104: 정공수송층
104a: 제1 정공수송층
104b: 제2 정공수송층
105: 전자차단층
106: 발광층
107: 정공차단층
108: 전자수송층
109: 전자주입층
110: 음극
111: 캡핑층
101: substrate
102: anode
103: Hole injection layer
104: Hole transport layer
104a: first hole transport layer
104b: second hole transport layer
105: Electronic blocking layer
106: light emitting layer
107: Hole blocking layer
108: Electron transport layer
109: Electron injection layer
110: cathode
111: capping layer

Claims (14)

하기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물:
[화학식 1]

상기 화학식 1에 있어서,
L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴렌기이고,
Ar1 및 Ar1' 중 적어도 하나는 중수소, C1-C6의 알킬기 및 C6-C20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기이고, 나머지는 수소; 또는 중수소이고,
Ar2는 중수소, C1-C10의 알킬기, 실릴기 및 C6-C30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기이고,
R1 내지 R3 중 적어도 하나는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 C1-C10의 알킬기, 실릴기, C3-30의 시클로알킬기, C6-C30의 아릴기 및 C2-C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 치환기이거나, 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기이고, 상기 치환기는 중수소로 치환될 수 있고, 나머지는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 ; 또는 중수소이고,
D는 중수소이고,
n1는 0 내지 6의 정수이고,
r1은 0 내지 4의 정수이고, r2는 0 내지 2의 정수이고, r3는 0 내지 4의 정수이고,
r1 + r2는 0 내지 5의 정수이고,
r1 + r2 + r3은 1 이상이고,
r1 내지 r3가 각각 2 이상인 경우, 괄호 내의 치환기는 서로 동일하거나 상이하다.
Anthracene-based compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]

In Formula 1,
L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently directly bonded; or an arylene group of C6-C30 substituted or unsubstituted with deuterium,
At least one of Ar1 and Ar1' is a C6-C20 aryl substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a C1-C6 alkyl group, and a C6-C20 aryl group, or a substituent linked to two or more groups selected from the group. group, and the remainder is hydrogen; or deuterium,
Ar2 is a C6-C30 aryl group substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, C1-C10 alkyl group, silyl group, and C6-C30 aryl group, or a substituent linked to two or more groups selected from the group,
At least one of R1 to R3 is the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a C1-C10 alkyl group, a silyl group, a C3-30 cycloalkyl group, a C6-C30 aryl group, and a C2-C30 heteroaryl group. It is a substituent, or a substituent in which two or more groups selected from the above group are connected, the substituent may be substituted with deuterium, the remainders are the same or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium,
D is deuterium,
n1 is an integer from 0 to 6,
r1 is an integer from 0 to 4, r2 is an integer from 0 to 2, r3 is an integer from 0 to 4,
r1 + r2 is an integer from 0 to 5,
r1 + r2 + r3 is 1 or more,
When r1 to r3 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same or different from each other.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 101 또는 102로 표시되는 것인 안트라센계 화합물:
[화학식 101]

[화학식 102]

상기 화학식 101 및 102에 있어서,
L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 내지 R3, D, n1 및 r1 내지 r3의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,
r1'는 0 내지 3의 정수이고, r2'는 0 또는 1 이다.
The anthracene-based compound according to claim 1, wherein Formula 1 is represented by the following Formula 101 or 102:
[Formula 101]

[Formula 102]

In the above formulas 101 and 102,
The definitions of L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 to R3, D, n1 and r1 to r3 are as defined in Formula 1,
r1' is an integer from 0 to 3, and r2' is 0 or 1.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 201 내지 206 중 어느 하나로 표시되는 것인 안트라센계 화합물:
[화학식 201]

[화학식 202]

[화학식 203]

[화학식 204]

[화학식 205]

[화학식 206]

상기 화학식 201 내지 206 있어서,
L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 내지 R3, D, n1 및 r1 내지 r3의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
The anthracene-based compound according to claim 1, wherein Formula 1 is represented by any one of the following Formulas 201 to 206:
[Formula 201]

[Formula 202]

[Formula 203]

[Formula 204]

[Formula 205]

[Formula 206]

In the above formulas 201 to 206,
The definitions of L1, L2, Ar1, Ar1', Ar2, R1 to R3, D, n1 and r1 to r3 are as defined in Formula 1.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 중수소 및 C1-C6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소인 것인 안트라센계 화합물.
In claim 1,
One of Ar1 and Ar1' is a C6-C20 aryl group substituted or unsubstituted by one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and a C1-C6 alkyl group or a substituent linked by two or more groups selected from the group, and the other is a C6-C20 aryl group. hydrogen; Or an anthracene-based compound that is deuterium.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 20% 이상 중수소화된 것인 안트라센계 화합물,The method according to claim 1, wherein Formula 1 is an anthracene-based compound deuterated by 20% or more, 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 적어도 하나 이상의 수소를 포함하는 것인 안트라센계 화합물,The method according to claim 1, wherein Formula 1 is an anthracene-based compound containing at least one hydrogen, 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센계 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 안트라센계 화합물:























Figure 112023142475440-pat00185







.
The anthracene-based compound according to claim 1, wherein the anthracene-based compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds:























Figure 112023142475440-pat00185







.
청구항 1 내지 3 및 5 내지 8 중 어느 한 항의 안트라센계 화합물을 포함하는 코팅조성물.A coating composition comprising the anthracene-based compound of any one of claims 1 to 3 and 5 to 8. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 3 및 5 내지 8 중 어느 한 항에 따른 안트라센계 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
first electrode; a second electrode provided opposite to the first electrode; And an organic light emitting device comprising one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode,
An organic light-emitting device wherein at least one layer of the organic material layer includes an anthracene-based compound according to any one of claims 1 to 3 and 5 to 8.
청구항 10에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 안트라센계 화합물을 호스트로서 포함하는 것인 유기 발광 소자. The organic light-emitting device of claim 10, wherein the organic material layer includes a light-emitting layer, and the light-emitting layer includes the anthracene-based compound as a host. 청구항 11에 있어서, 상기 발광층은 아릴아민계 화합물을 도펀트로서 포함하는 것인 유기 발광 소자. The organic light-emitting device of claim 11, wherein the light-emitting layer includes an arylamine-based compound as a dopant. 청구항 11에 있어서, 상기 발광층은 보론 화합물을 도펀트로서 포함하는 것인 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 11, wherein the light emitting layer includes a boron compound as a dopant. 청구항 10에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층. 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.The method according to claim 10, wherein the organic material layer is a hole injection layer or a hole transport layer. An organic light-emitting device further comprising one or two layers selected from the group consisting of a light-emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and an electron blocking layer.
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