KR102484034B1 - Polycyclic compound and organic light emitting device comprising same - Google Patents

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KR102484034B1 KR1020200142212A KR20200142212A KR102484034B1 KR 102484034 B1 KR102484034 B1 KR 102484034B1 KR 1020200142212 A KR1020200142212 A KR 1020200142212A KR 20200142212 A KR20200142212 A KR 20200142212A KR 102484034 B1 KR102484034 B1 KR 102484034B1
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Abstract

본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides a compound of Formula 1 and an organic light emitting device including the same.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{POLYCYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SAME}Compound and an organic light emitting device including the same {POLYCYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SAME}

본 명세서는 2020년 01월 20일 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2020-0007455호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This specification claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2020-0007455 filed with the Korean Intellectual Property Office on January 20, 2020, the entire contents of which are incorporated herein.

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound and an organic light emitting device including the same.

유기 발광 소자는 2개의 전극 사이에 유기박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기 발광 소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 전공이 유기박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.The organic light emitting device has a structure in which an organic thin film is disposed between two electrodes. When a voltage is applied to the organic light emitting device having such a structure, electrons and holes injected from the two electrodes are combined in the organic thin film to form a pair, and then emit light while disappearing. The organic thin film may be composed of a single layer or multiple layers as needed.

유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공주입 물질이나 정공수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입 물질이나 전자수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 정공 및 전자가 발광층에서 재결합하여 생성되는 엑시톤(exciton)이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.Most of the materials used in organic light emitting devices are pure organic materials or complex compounds in which organic materials and metals are complexed. can be distinguished. Here, as the hole injection material or the hole transport material, an organic material having a p-type property, that is, an organic material that is easily oxidized and has an electrochemically stable state when oxidized is mainly used. On the other hand, as an electron injection material or electron transport material, an organic material having an n-type property, that is, an organic material that is easily reduced and has an electrochemically stable state upon reduction is mainly used. As the material of the light emitting layer, a material having both p-type and n-type properties, that is, a material having a stable form in both oxidation and reduction states is preferable, and excitons generated by recombination of holes and electrons in the light emitting layer are formed. A material with high luminous efficiency that converts it into light when it is damaged is preferred.

유기 발광 소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.In order to improve the performance, lifespan or efficiency of an organic light emitting device, the development of organic thin film materials is continuously required.

한국특허공개 제2016-132822호Korean Patent Publication No. 2016-132822

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. The present specification provides a compound and an organic light emitting device including the same.

본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112020115378562-pat00001
Figure 112020115378562-pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,

L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,

Ar1 및 Ar1'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며, Ar1 및 Ar1' 중 1 이상은 치환 또는 비치환된 아릴기이고,Ar1 and Ar1' are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group, at least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group,

Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

a는 0 내지 5의 정수이며, b는 0 내지 6의 정수이고,a is an integer from 0 to 5, b is an integer from 0 to 6,

a가 2 이상일 경우, 2 이상의 R1은 서로 같거나 상이하고,When a is 2 or more, 2 or more R1s are the same as or different from each other,

b가 2 이상일 경우, 2 이상의 R2는 서로 같거나 상이하며,When b is 2 or more, 2 or more R2s are the same as or different from each other,

*는 하기 화학식 2와 결합하고,* is combined with Formula 2,

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112020115378562-pat00002
Figure 112020115378562-pat00002

상기 화학식 2에 있어서,In Formula 2,

X는 O, S, NR, 또는 CR'R"이고,X is O, S, NR, or CR'R";

R, R', R" 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,R, R', R" and R3 are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; or a substituted or unsubstituted aryl group;

c는 0 내지 4의 정수이고,c is an integer from 0 to 4;

c가 2 이상일 경우, 2 이상의 R3는 서로 같거나 상이하며,When c is 2 or more, 2 or more R3 are the same as or different from each other,

*는 상기 화학식 1과 결합되는 위치이다.* is a position bonded to Formula 1 above.

본 명세서의 또 하나의 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.Another exemplary embodiment of the present specification is a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound.

본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시상태에 따른 화합물을 유기 발광 소자에 적용시, 소자의 정공 주입 특성과 전자 주입 및 이동을 개선되어, 발광 효율이 우수하고, 낮은 구동전압, 고효율 및 장수명을 갖는 유기 발광 소자를 얻을 수 있다. 구체적으로 본 명세서에 기재된 화합물은 안트라센의 2번 탄소 위치에 아릴(Ar1, Ar1')이 결합되어 있으므로, 높은 HOMO(highest occupied molecular orbital) 준위를 가져 소자 내의 정공 주입 특성을 개선할 수 있으며, 안트라센의 9번 또는 10번 탄소 위치에 전자의 이동이 우수한 치환기가 결합되어 있으므로, 소자 내의 전자 주입 및 수송을 개선할 수 있다.The compounds described in this specification can be used as a material for an organic material layer of an organic light emitting device. When the compound according to an exemplary embodiment of the present invention is applied to an organic light emitting device, hole injection characteristics and electron injection and movement of the device are improved, thereby providing an organic light emitting device having excellent luminous efficiency, low driving voltage, high efficiency and long lifespan. You can get it. Specifically, since the compound described herein has an aryl (Ar1, Ar1') bonded to carbon 2 of anthracene, it has a high HOMO (highest occupied molecular orbital) level to improve hole injection characteristics in the device, and anthracene Since a substituent with excellent electron movement is bonded to the 9th or 10th carbon position of , electron injection and transport in the device can be improved.

도 1 및 도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자를 도시한 것이다. 1 and 2 illustrate an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification.

이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. The present specification provides a compound represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112020115378562-pat00003
Figure 112020115378562-pat00003

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,

L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,

Ar1 및 Ar1'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며, Ar1 및 Ar1' 중 1 이상은 치환 또는 비치환된 아릴기이고,Ar1 and Ar1' are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group, at least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group,

Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

a는 0 내지 5의 정수이며, b는 0 내지 6의 정수이고,a is an integer from 0 to 5, b is an integer from 0 to 6,

a가 2 이상일 경우, 2 이상의 R1은 서로 같거나 상이하고,When a is 2 or more, 2 or more R1s are the same as or different from each other,

b가 2 이상일 경우, 2 이상의 R2는 서로 같거나 상이하며,When b is 2 or more, 2 or more R2s are the same as or different from each other,

*는 하기 화학식 2와 결합하고,* is combined with Formula 2,

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112020115378562-pat00004
Figure 112020115378562-pat00004

상기 화학식 2에 있어서,In Formula 2,

X는 O, S, NR, 또는 CR'R"이고,X is O, S, NR, or CR'R";

R, R', R" 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,R, R', R" and R3 are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; or a substituted or unsubstituted aryl group;

c는 0 내지 4의 정수이고,c is an integer from 0 to 4;

c가 2 이상일 경우, 2 이상의 R3는 서로 같거나 상이하며,When c is 2 or more, 2 or more R3 are the same as or different from each other,

*는 상기 화학식 1과 결합되는 위치이다.* is a position bonded to Formula 1 above.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 안트라센의 2번 탄소 위치에 치환 또는 비치환된 아릴기가 포함됨으로써, HOMO 에너지 준위가 상승되어 정공의 주입을 개선하는 효과를 나타낸다. 또한, 상기 화학식 1은 안트라센의 9번 또는 10번 탄소에 디벤조퓨란에 상기 화학식 2가 축합된 치환기를 포함함으로써 전자 이동이 용이해지므로, 전자의 주입을 개선하는 효과도 나타낸다. 따라서, 유기 발광 소자의 호스트로 적용시 정공 주입 및 전자 주입 효과가 모두 개선되는 효과를 나타낸다.In the compound represented by Chemical Formula 1, a substituted or unsubstituted aryl group is included at the position of carbon 2 of anthracene, thereby increasing the HOMO energy level and improving hole injection. In addition, since Chemical Formula 1 includes a substituent in which Chemical Formula 2 is condensed with dibenzofuran at carbon number 9 or 10 of anthracene, electron transfer is facilitated, and thus electron injection is improved. Therefore, when applied as a host of an organic light emitting device, both hole injection and electron injection effects are improved.

본 명세서에 있어서, 안트라센의 2번 위치, 9번 위치, 및 10번 위치는 하기와 같다.In the present specification, positions 2, 9, and 10 of anthracene are as follows.

Figure 112020115378562-pat00005
Figure 112020115378562-pat00005

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a certain component is said to "include", it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에 있어서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of substituents in the present specification are described below, but are not limited thereto.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치, 즉 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substitution" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent is substituted, and when two or more are substituted , Two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기(-CN); 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아민기; 실릴기; 붕소기; 알콕시기; 알킬기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 도 있다.In this specification, the term "substituted or unsubstituted" means deuterium; halogen group; Cyano group (-CN); nitro group; hydroxy group; carbonyl group; ester group; imide group; amine group; silyl group; boron group; alkoxy group; an alkyl group; cycloalkyl group; aryl group; And it means that it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, or is substituted with a substituent in which two or more substituents from among the above exemplified substituents are connected, or does not have any substituents. For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된"이라는 용어는 중수소; 알킬기; 및 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되는 것을 의미한다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; an alkyl group; And it means that it is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of aryl groups.

본 명세서에 있어서, 할로겐기는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 될 수 있다.In the present specification, the halogen group may be fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, 1-메틸-부틸기, 1-에틸-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples include methyl group, ethyl group, propyl group, n-propyl group, isopropyl group, butyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, 1-methyl-butyl group, 1- Ethyl-butyl group, pentyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, hexyl group, n-hexyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 4-methyl- 2-pentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, heptyl group, n-heptyl group, 1-methylhexyl group, etc., but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 30 carbon atoms, and specifically includes cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, etc., but is not limited thereto. .

본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be straight chain, branched chain or cyclic chain. The number of carbon atoms in the alkoxy group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30 carbon atoms. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, isopentyloxy, n -hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 0 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐바이페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, N-바이페닐나프틸아민기, N-나프틸플루오레닐아민기, N-페닐페난트레닐아민기, N-바이페닐페난트레닐아민기, N-페닐플루오레닐아민기, N-페닐터페닐아민기, N-페난트레닐플루오레닐아민기, N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amine group is -NH 2 ; Alkylamine group; N-alkyl arylamine group; Arylamine group; N-arylheteroarylamine group; It may be selected from the group consisting of an N-alkylheteroarylamine group and a heteroarylamine group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 0 to 30. Specific examples of the amine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, and a 9-methyl-anthracenylamine group. , Diphenylamine group, N-phenylnaphthylamine group, ditolylamine group, N-phenyltolylamine group, triphenylamine group, N-phenylbiphenylamine group, N-phenylnaphthylamine group, N-bi Phenylnaphthylamine group, N-naphthylfluorenylamine group, N-phenylphenanthrenylamine group, N-biphenylphenanthrenylamine group, N-phenylfluorenylamine group, N-phenylterphenylamine group, N-phenanthrenylfluorenylamine group, N-biphenylfluorenylamine group, etc., but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-alkylarylamine group means an amine group in which N of the amine group is substituted with an alkyl group and an aryl group.

본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 아릴기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-arylheteroarylamine group refers to an amine group in which N of the amine group is substituted with an aryl group and a heteroaryl group.

본 명세서에 있어서, N-알킬헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the N-alkylheteroarylamine group means an amine group in which N of the amine group is substituted with an alkyl group and a heteroaryl group.

본 명세서에 있어서, 알킬아민기, N-아릴알킬아민기, N-알킬헤테로아릴아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. In the present specification, the alkyl group of the alkylamine group, the N-arylalkylamine group, and the N-alkylheteroarylamine group is the same as the above-mentioned alkyl group.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴기가 2 이상을 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로아릴기, 다환식 헤테로아릴기, 또는 단환식 헤테로아릴기와 다환식 헤테로아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 후술한 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group, or a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group. The heteroarylamine group including two or more heteroaryl groups may include a monocyclic heteroaryl group, a polycyclic heteroaryl group, or a monocyclic heteroaryl group and a polycyclic heteroaryl group at the same time. For example, the heteroaryl group in the heteroarylamine group may be selected from examples of heteroaryl groups described later.

본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기 및 N-알킬헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기의 예시는 후술한 헤테로아릴기의 예시와 같다.In the present specification, examples of the heteroaryl group in the N-arylheteroarylamine group and the N-alkylheteroarylamine group are the same as those of the heteroaryl group described later.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 알킬실릴기 또는 아릴실릴기일 수 있으며, 나아가 트리알킬실릴기 또는 트리아릴실릴기일 수 있다. 상기 실릴기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하며, 알킬실릴기의 탄소수는 1 내지 30이고, 아릴실릴기의 탄소수는 5 내지 30일 수 있다. 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, tert-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the silyl group may be an alkylsilyl group or an arylsilyl group, and further may be a trialkylsilyl group or a triarylsilyl group. The number of carbon atoms of the silyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30, the number of carbon atoms of the alkylsilyl group is 1 to 30, and the number of carbon atoms of the arylsilyl group is 5 to 30. Specifically, there are trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tert-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, etc., but is not limited thereto. .

본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BR100R101일 수 있으며, 상기 R100 및 R101은 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.In the present specification, the boron group may be -BR 100 R 101 , wherein R 100 and R 101 are the same or different, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; nitrile group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 60, 예컨대 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, for example, 6 to 30 carbon atoms, and the aryl group may be monocyclic or polycyclic.

상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the aryl group is a monocyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 60 carbon atoms. Specifically, the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and the like, but is not limited thereto.

상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 60인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 트리페닐기, 파이레닐기, 페날레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 플루오란테닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. When the aryl group is a polycyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited. It is preferable that it is 10-60 carbon atoms. Specifically, the polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, triphenyl group, pyrenyl group, phenalenyl group, perylenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, fluoranthenyl group, etc. , but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and adjacent groups may bond to each other to form a ring.

상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure 112020115378562-pat00006
,
Figure 112020115378562-pat00007
,
Figure 112020115378562-pat00008
Figure 112020115378562-pat00009
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted,
Figure 112020115378562-pat00006
,
Figure 112020115378562-pat00007
,
Figure 112020115378562-pat00008
and
Figure 112020115378562-pat00009
etc. However, it is not limited thereto.

상기 아릴렌기는 2가인 것을 제외하고 상술한 아릴기의 설명을 인용할 수 있다.The description of the aryl group described above can be cited except that the arylene group is divalent.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 탄소가 아닌 원자, 이종원소를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종원소는 O, N, S 및 P 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 60, 나아가 2 내지 60인 것이 바람직하며, 상기 헤테로고리기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 상기 헤테로고리기는 방향족 고리, 지방족 고리 및 이들이 축합된 고리일 수 있다. 상기 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨라닐기, 피롤기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 피리딜기, 바이피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀릴기, 퀴나졸릴기, 퀴녹살릴기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미딜기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀릴기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조티오페닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group includes one or more non-carbon atoms and heterogeneous elements, and specifically, the heterocyclic elements may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, S, and P. . The number of carbon atoms is not particularly limited, but preferably has 1 to 60 carbon atoms, and preferably 2 to 60 carbon atoms, and the heterocyclic group may be monocyclic or polycyclic. The heterocyclic group may be an aromatic ring, an aliphatic ring, or a condensed ring thereof. Examples of the heterocyclic group include a thiophene group, a furanyl group, a pyrrole group, an imidazolyl group, a thiazolyl group, an oxazolyl group, an oxadiazolyl group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, Triazolyl group, acridyl group, pyridazinyl group, pyrazinyl group, quinolyl group, quinazolyl group, quinoxalyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, isoquinolyl group, indolyl group, carbazolyl group, benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzocarbazolyl group, benzothiophenyl group, dibenzothiophenyl group, benzofuranyl group, phenanth A phenanthroline group, an isoxazolyl group, a thiadiazolyl group, a phenothiazinyl group, and a dibenzofuranyl group, but are not limited thereto.

상기 헤테로아릴기는 1가의 방향족 헤테로고리기를 의미하며, 헤테로아릴렌기는 2가의 방향족 헤테로고리기를 의미한다. 상기 헤테로아릴기 및 헤테로아릴렌기는 방향족인 점을 제외하고, 상술한 헤테로고리기의 설명을 인용할 수 있다. The heteroaryl group means a monovalent aromatic heterocyclic group, and the heteroarylene group means a divalent aromatic heterocyclic group. The description of the above heterocyclic group can be cited except that the heteroaryl group and the heteroarylene group are aromatic.

본 명세서에 있어서, "에너지 준위"는 에너지의 크기를 의미하는 것이다. 따라서, 진공준위로부터 마이너스(-) 방향으로 에너지 준위가 표시되는 경우에도, 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위란 진공준위로부터 최고 점유 분자 오비탈까지의 거리를 의미한다. 또한, LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 에너지 준위란 진공준위로부터 최저 비점유 분자 오비탈까지의 거리를 의미한다. In this specification, "energy level" means the magnitude of energy. Therefore, even when an energy level is displayed in a negative (-) direction from a vacuum level, the energy level is interpreted as meaning an absolute value of the corresponding energy value. For example, the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level means the distance from the vacuum level to the highest occupied molecular orbital. In addition, the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level means the distance from the vacuum level to the lowest unoccupied molecular orbital.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 *는 하기 화학식 2와 결합한다. 구체적으로, 상기 화학식 1에서 2개의 *는 하기 화학식 2에서 2개의 *와 결합되며, 결합방향은 한정되지 않는다.According to an exemplary embodiment of the present specification, * in Formula 1 is combined with Formula 2 below. Specifically, two * in Formula 1 is bonded to two * in Formula 2 below, and the bonding direction is not limited.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112020115378562-pat00010
Figure 112020115378562-pat00010

상기 화학식 2에 있어서,In Formula 2,

X는 O, S, NR, 또는 CR'R"이고,X is O, S, NR, or CR'R";

R, R', R" 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,R, R', R" and R3 are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; or a substituted or unsubstituted aryl group;

c는 0 내지 4의 정수이고,c is an integer from 0 to 4;

c가 2 이상일 경우, 2 이상의 R3는 서로 같거나 상이하며,When c is 2 or more, 2 or more R3 are the same as or different from each other,

*는 상기 화학식 1과 결합되는 위치이다.* is a position bonded to Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시된다.In one embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by Formula 1-1 or 1-2 below.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112020115378562-pat00011
Figure 112020115378562-pat00011

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure 112020115378562-pat00012
Figure 112020115378562-pat00012

상기 화학식 1-1 및 1-2에 있어서,In Formulas 1-1 and 1-2,

L1, L2, R1 내지 R3, Ar1, Ar1', Ar2, X 및 a 내지 c의 정의는 화학식 1 및 2에서와 같다.The definitions of L1, L2, R1 to R3, Ar1, Ar1', Ar2, X and a to c are the same as in Formulas 1 and 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 내지 2-8 중 어느 하나로 표시된다.In one embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by any one of Formulas 2-1 to 2-8 below.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure 112020115378562-pat00013
Figure 112020115378562-pat00013

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure 112020115378562-pat00014
Figure 112020115378562-pat00014

[화학식 2-3][Formula 2-3]

Figure 112020115378562-pat00015
Figure 112020115378562-pat00015

[화학식 2-4][Formula 2-4]

Figure 112020115378562-pat00016
Figure 112020115378562-pat00016

[화학식 2-5][Formula 2-5]

Figure 112020115378562-pat00017
Figure 112020115378562-pat00017

[화학식 2-6][Formula 2-6]

Figure 112020115378562-pat00018
Figure 112020115378562-pat00018

[화학식 2-7][Formula 2-7]

Figure 112020115378562-pat00019
Figure 112020115378562-pat00019

[화학식 2-8][Formula 2-8]

Figure 112020115378562-pat00020
Figure 112020115378562-pat00020

상기 화학식 2-1 내지 2-8에 있어서,In Formulas 2-1 to 2-8,

L1, L2, R1 내지 R3, Ar1, Ar1', Ar2, X 및 a 내지 c의 정의는 화학식 1 및 2에서와 같다.The definitions of L1, L2, R1 to R3, Ar1, Ar1', Ar2, X and a to c are the same as in Formulas 1 and 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar1'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이며, Ar1 및 Ar1' 중 1 이상은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 and Ar1' are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, and at least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar1'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이며, Ar1 및 Ar1' 중 1 이상은 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.In another exemplary embodiment, Ar1 and Ar1' are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; or an aryl group having 6 to 60 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium, and at least one of Ar1 and Ar1' is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar1'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이며, Ar1 및 Ar1' 중 1 이상은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In another exemplary embodiment, Ar1 and Ar1' are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and at least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar1'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이며, Ar1 및 Ar1' 중 1 이상은 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In another exemplary embodiment, Ar1 and Ar1' are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium, and at least one of Ar1 and Ar1' is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar1'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이며, Ar1 및 Ar1' 중 1 이상은 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이다.In another exemplary embodiment, Ar1 and Ar1' are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted phenyl group; or a substituted or unsubstituted naphthyl group, and at least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted phenyl group; Or a substituted or unsubstituted naphthyl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar1'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기이며, Ar1 및 Ar1' 중 1 이상은 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 중수소로 나프틸기이다.In another exemplary embodiment, Ar1 and Ar1' are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A phenyl group unsubstituted or substituted with heavy hydrogen; or a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, and at least one of Ar1 and Ar1' is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or a naphthyl group with substituted or unsubstituted deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, any one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, and the other is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, one of Ar1 and Ar1' is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium, and the other is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and the other is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, one of Ar1 and Ar1' is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium, and the other is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, any one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted phenyl group; or a substituted or unsubstituted naphthyl group, and the other is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, any one of Ar1 and Ar1' is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; or a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, and the other is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 아릴기이고, Ar1'는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group, Ar1' is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이고, Ar1'는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, and Ar1' is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1은 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이고, Ar1'는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium, and Ar1' is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, Ar1'는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and Ar1' is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1은 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, Ar1'는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium, and Ar1' is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이고, Ar1'는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 is a substituted or unsubstituted phenyl group; Or a substituted or unsubstituted naphthyl group, Ar1' is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1은 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기이고, Ar1'는 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, Ar1' is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1'는 치환 또는 비치환된 아릴기이고, Ar1은 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group, Ar1 is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1'는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이고, Ar1은 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, and Ar1 is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1'는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이고, Ar1은 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1' is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium, and Ar1 is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1'는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, Ar1은 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and Ar1 is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1'는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, Ar1은 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1' is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium, and Ar1 is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1'는 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이고, Ar1은 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1' is a substituted or unsubstituted phenyl group; or a substituted or unsubstituted naphthyl group, Ar1 is hydrogen; or deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1'는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기이고, Ar1은 수소; 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, Ar1' is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, Ar1 is hydrogen; or deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이다.In another exemplary embodiment, Ar2 is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium; or a heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms unsubstituted or substituted with heavy hydrogen.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이다.According to another exemplary embodiment, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이다.In another exemplary embodiment, Ar2 is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium; Or a heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with heavy hydrogen.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 비페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴기; 또는 치환 또는 비치환된 하기 화학식 1-A이다.In another exemplary embodiment, Ar2 is a substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted biphenyl group; A substituted or unsubstituted naphthyl group; A substituted or unsubstituted fluorenyl group; A substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group; A substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group; A substituted or unsubstituted carbazolyl group; Or a substituted or unsubstituted Formula 1-A below.

[화학식 1-A][Formula 1-A]

Figure 112020115378562-pat00021
Figure 112020115378562-pat00021

상기 화학식 1-A에 있어서,In Formula 1-A,

Y는 O, S, 또는 NRa이고,Y is O, S, or NRa;

Ra는 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,Ra is a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

Figure 112020115378562-pat00022
는 L2에 결합되는 위치를 의미한다.
Figure 112020115378562-pat00022
Means a position coupled to L2.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 비페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소, 알킬기 및 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기; 중수소 및 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 하기 화학식 1-A이다.In another exemplary embodiment, Ar2 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; A biphenyl group unsubstituted or substituted with heavy hydrogen; A naphthyl group unsubstituted or substituted with heavy hydrogen; A fluorenyl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, an alkyl group and an aryl group; A dibenzofuranyl group unsubstituted or substituted with heavy hydrogen; A dibenzothiophenyl group unsubstituted or substituted with heavy hydrogen; A carbazolyl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and aryl groups; Or a deuterium-substituted or unsubstituted Formula 1-A.

[화학식 1-A][Formula 1-A]

Figure 112020115378562-pat00023
Figure 112020115378562-pat00023

상기 화학식 1-A에 있어서,In Formula 1-A,

Y는 O, S, 또는 NRa이고,Y is O, S, or NRa;

Ra는 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,Ra is a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

Figure 112020115378562-pat00024
는 L2에 결합되는 위치를 의미한다.
Figure 112020115378562-pat00024
Means a position coupled to L2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1-A의 치환기 정의에서 "치환 또는 비치환된"은 중수소; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되는 것을 의미한다.In one embodiment of the present specification, "substituted or unsubstituted" in the substituent definition of Formula 1-A is deuterium; an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; an aryl group having 6 to 30 carbon atoms; And it means that it is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ra는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ra is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ra는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.According to another exemplary embodiment, Ra is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ra는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ra is a substituted or unsubstituted phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond; or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, the L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond; Or an arylene group having 6 to 60 carbon atoms unsubstituted or substituted with heavy hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond; or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, the L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond; Or an arylene group having 6 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with heavy hydrogen.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다.According to another exemplary embodiment, the L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently directly bonded; A substituted or unsubstituted phenylene group; Or a substituted or unsubstituted naphthylene group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다.In another exemplary embodiment, L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently directly bonded; A phenylene group unsubstituted or substituted with heavy hydrogen; Or a naphthylene group unsubstituted or substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.In another exemplary embodiment, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group having 1 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with heavy hydrogen; Or an aryl group having 6 to 60 carbon atoms unsubstituted or substituted with heavy hydrogen.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 중수소이다.According to another exemplary embodiment, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently represent hydrogen or deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a는 0 내지 5의 정수이고, a가 2 이상일 경우, 2 이상의 R1은 서로 같거나 상이하다.According to an exemplary embodiment of the present specification, a is an integer from 0 to 5, and when a is 2 or more, two or more R1s are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 b는 0 내지 6의 정수이고, b가 2 이상일 경우, 2 이상의 R2는 서로 같거나 상이하다.According to an exemplary embodiment of the present specification, b is an integer from 0 to 6, and when b is 2 or more, two or more R2s are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2의 X는 O, S, NR, 또는 CR'R"이다.In one embodiment of the present specification, X in Formula 2 is O, S, NR, or CR'R".

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 O이다.According to another exemplary embodiment, the X is O.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 S이다.According to another exemplary embodiment, the X is S.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 NR이다.According to another exemplary embodiment, the X is NR.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 CR'R"이다.According to another exemplary embodiment, the X is CR'R".

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2의 R, R', R" 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R, R', R" and R3 in Formula 2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; or a substituted Or an unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R, R', R" 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, R, R', R" and R3 are the same as or different from each other, and are each independently hydrogen; deuterium; an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium; or deuterium. It is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R은 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, R is a substituted or unsubstituted phenyl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 페닐기이다.In another exemplary embodiment, R is a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R' 및 R"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R' and R" are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms. to be.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R' 및 R"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기 또는 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, R' and R" are the same as or different from each other, and each independently represents a methyl group or a phenyl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R' 및 R"는 각각 메틸기이다.In another exemplary embodiment, each of R' and R" is a methyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R' 및 R"는 각각 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, each of R' and R" is a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3는 수소 또는 중수소이다.In one embodiment of the present specification, R3 is hydrogen or deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2의 c는 0 내지 4의 정수이고, c가 2 이상일 경우, 2 이상의 R3는 서로 같거나 상이하다.According to an exemplary embodiment of the present specification, c in Formula 2 is an integer from 0 to 4, and when c is 2 or more, two or more R3s are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화합물은 1 이상의 중수소를 포함한다. 상기 화합물이 중수소를 포함하는 경우, 소자의 효율 및 수명이 개선된다. 구체적으로 수소가 중수소로 대체되는 경우, 화합물의 화학적 성질은 거의 변화하지 않지만, 중수소화된 화합물은 물리적 성질이 변화하여 진동 에너지 준위가 낮아진다. 따라서, 중수소로 치환된 화합물은 분자 간 반데르발스 힘의 감소나 분자간 진동으로 인한 충돌에 기인하는 양자 효율 감소를 방지할 수 있다. 또한, 화합물 내의 C-D 결합이 화합물의 안정성을 개선할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound includes one or more deuterium. When the compound contains deuterium, the efficiency and lifetime of the device are improved. Specifically, when hydrogen is replaced with deuterium, the chemical properties of the compound are hardly changed, but the physical properties of the deuterated compound are changed and the vibrational energy level is lowered. Therefore, a compound substituted with deuterium can prevent a decrease in quantum efficiency due to a decrease in intermolecular van der Waals force or a collision due to intermolecular vibration. Also, C-D bonds in a compound can improve the stability of the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물은 Ar2에 1 이상의 중수소가 결합된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, in the compound of Formula 1, one or more deuterium atoms are bonded to Ar2.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물은 안트라센, Ar2, Ar1 및 Ar1' 중 아릴인 치환기에 각각 1 이상의 중수소가 결합된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, in the compound represented by Chemical Formula 1, at least one deuterium is bonded to an aryl substituent among anthracene, Ar2, Ar1, and Ar1'.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물은 안트라센, Ar2, 화학식 2가 축합된 디벤조퓨란, Ar1 및 Ar1' 중 아릴인 치환기에 각각 1 이상의 중수소가 결합된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, in the compound of Formula 1, at least one deuterium is bonded to an aryl substituent among anthracene, Ar2, dibenzofuran condensed with Formula 2, Ar1 and Ar1'.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물의 중수소 치환율은 10% 내지 100%이다.In one embodiment of the present specification, the deuterium substitution rate of the compound is 10% to 100%.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 화합물의 중수소 치환율은 10% 내지 99%이다.According to another exemplary embodiment, the deuterium substitution rate of the compound is 10% to 99%.

본 명세서에 있어서, 중수소 치환율이란 분자 내에서 중수소의 치환 비율을 의미하는 것으로서, 공지의 방법을 통하여 확인할 수 있다. 일 예로 분자 내에서 중수소의 치환 분포 파악은 하기와 같은 방법을 따른다. 하기 TLC-MS은 화합물의 합성 과정에서 중수소의 치환비율을 조절하기 위한 방법이다.In the present specification, the deuterium substitution rate means the substitution rate of deuterium in a molecule, and can be confirmed through a known method. For example, the substitution distribution of deuterium in a molecule is determined according to the following method. The following TLC-MS is a method for controlling the substitution ratio of deuterium during the synthesis of a compound.

1. TLC-MS (Thin-Layer Chromatography/Mass Spectrometry) 를 활용 (합성 과정 확인법)1. Utilizing TLC-MS (Thin-Layer Chromatography/Mass Spectrometry) (method for confirming the synthesis process)

반응의 종결시점에 분자량들이 이루는 분포의 최대값(max.값)을 기준으로 치환율을 계산할 수 있다.The substitution rate can be calculated based on the maximum value (max. value) of the distribution of molecular weights at the end of the reaction.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택된다.In one embodiment of the present specification, Formula 1 is selected from the following compounds.

Figure 112020115378562-pat00025
Figure 112020115378562-pat00025

Figure 112020115378562-pat00026
Figure 112020115378562-pat00026

Figure 112020115378562-pat00027
Figure 112020115378562-pat00027

Figure 112020115378562-pat00028
Figure 112020115378562-pat00028

Figure 112020115378562-pat00029
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본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification is a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound represented by Formula 1. .

본 명세서의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present specification may be manufactured by conventional organic light emitting device manufacturing methods and materials, except for forming one or more organic material layers using the above compounds.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층, 전자억제층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, or may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention includes a hole injection layer, a hole transport layer, a hole transport and hole injection layer, an electron suppression layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a layer simultaneously transporting and injecting electrons. It may have a structure including the like. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include fewer or more organic material layers.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole injection layer or hole transport layer includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes an electron transport layer or an electron injection layer, and the electron transport layer or electron injection layer includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층의 호스트로 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound as a host of the light emitting layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화합물을 발광층의 호스트로서 포함하고, 도펀트를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the above compound as a host of the light emitting layer and may further include a dopant.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 제2 전극은 음극이다.In one embodiment of the present specification, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 음극이고, 제2 전극은 양극이다.According to another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The structure of the organic light emitting device of the present invention may have a structure shown in FIGS. 1 and 2, but is not limited thereto.

도 1에는 기판(1) 위에 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층(3)에 포함될 수 있다.1 illustrates a structure of an organic light emitting device in which an anode 2, a light emitting layer 3, and a cathode 4 are sequentially stacked on a substrate 1. In this structure, the compound may be included in the light emitting layer (3).

도 2에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7) 또는 전자수송층(8)에 포함될 수 있다.2 shows an organic light emitting device in which an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light emitting layer 7, an electron transport layer 8, and a cathode 4 are sequentially stacked on a substrate 1. structure is illustrated. In this structure, the compound may be included in the hole injection layer 5, the hole transport layer 6, the light emitting layer 7 or the electron transport layer 8.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자억제층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.For example, the organic light emitting device of the present specification uses a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation to form a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof on a substrate. Depositing to form an anode, forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. can In addition to this method, an organic light emitting device may be fabricated by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층, 전자억제층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.The organic material layer may have a multilayer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a layer for simultaneously transporting and injecting electrons, an electron suppressing layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, an electron injection layer, a layer for simultaneously transporting and injecting electrons, and the like. However, it is not limited thereto and may have a single layer structure. In addition, the organic material layer can be formed by a solvent process other than a deposition method using various polymer materials, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or a thermal transfer method. Can be made in layers.

상기 양극은 정공을 주입하는 전극으로, 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The anode is an electrode for injecting holes, and a material having a high work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb; Conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.

상기 음극은 전자를 주입하는 전극으로, 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode is an electrode for injecting electrons, and it is preferable that the cathode material is a material having a small work function so as to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; There are multi-layered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but are not limited thereto.

상기 정공주입층은 양극으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 하는 층이며, 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole injection layer is a layer that serves to facilitate the injection of holes from the anode to the light emitting layer, and the hole injection material is a material that can well inject holes from the anode at a low voltage, HOMO (highest occupied molecular orbital) is preferably between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic materials, hexanitrilehexaazatriphenylene-based organic materials, quinacridone-based organic materials, and perylene-based organic materials. of organic materials, anthraquinone, polyaniline, and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.

상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공 수송 물질로는 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer may play a role of facilitating hole transport. As the hole transport material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer, and a material having high hole mobility is suitable. Specific examples include, but are not limited to, arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having both conjugated and non-conjugated parts.

상기 정공수송층과 발광층 사이에 전자억제층이 구비될 수 있다. 상기 전자억제층은 전술한 화합물 또는 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.An electron blocking layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer. For the electron suppression layer, the above compounds or materials known in the art may be used.

상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting layer may emit red, green or blue light and may be made of a phosphorescent material or a fluorescent material. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by receiving and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers; spiro compounds; polyfluorene; Rubrene and the like, but are not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 상기 화합물을 호스트로 포함하고, 상기 화합물 외에 추가의 호스트를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the light emitting layer may include the compound as a host and may include an additional host in addition to the compound.

상기 추가의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The additional host material includes a condensed aromatic ring derivative or a compound containing a hetero ring. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, etc., and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type furan compounds, pyrimidine derivatives, etc., but are not limited thereto.

상기 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.As the light-emitting dopant, PIQIr (acac) (bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonateiridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium), PtOEP (octaethylporphyrin platinum) A phosphorescent material such as or a fluorescent material such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used, but is not limited thereto. When the light emitting layer emits green light, a phosphorescent material such as Ir(ppy) 3 (fac tris(2-phenylpyridine)iridium) or a fluorescent material such as Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used as the light emitting dopant. However, it is not limited thereto. When the light emitting layer emits blue light, as the light emitting dopant, a phosphorescent material such as (4,6-F 2 ppy) 2 Irpic, spiro-DPVBi, spiro-6P, distylbenzene (DSB), distryl arylene (DSA ), PFO-based polymers, and fluorescent materials such as PPV-based polymers may be used, but are not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자수송층과 발광층 사이에 정공억제층이 구비될 수 있으며, 정공억제층에는 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.In one embodiment of the present specification, a hole blocking layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and materials known in the art may be used for the hole blocking layer.

상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The electron transport layer may serve to facilitate electron transport. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons well from the cathode and transferring them to the light emitting layer, and a material having high electron mobility is suitable. Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.

상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층으로의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer may serve to smoothly inject electrons. The electron injection material has the ability to transport electrons, has an excellent electron injection effect from the cathode, a light emitting layer or a light emitting material, prevents movement of excitons generated in the light emitting layer to the hole injection layer, and also , compounds having excellent thin film forming ability are preferred. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preonylidene methane, anthrone, etc. and their derivatives, metals complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato) gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( There are o-cresolato) gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, and bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium. Not limited to this.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type, or a double side emission type depending on the material used.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be described in detail in order to specifically describe the present specification. However, embodiments according to the present specification may be modified in many different forms, and the scope of the present specification is not construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments herein are provided to more completely explain the present specification to those skilled in the art.

<< 합성예synthesis example >>

합성예synthesis example 1. 화합물 1의 합성 1. Synthesis of Compound 1

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합성예synthesis example 1-1. 화합물 1-a의 합성 1-1. Synthesis of compound 1-a

3-브로모-2-플루오로디벤조[b,d]퓨란 (80g, 302mmol)과 (2-클로로-6-하이드록시페닐)보론산 (52.0g, 302mml) 을 테트라하이드로퓨란(THF, 1500ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (6.97g, 6.0 mmol)와 2M K2CO3 수용액 300ml를 넣고 24시간 동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토 그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-a (63g, 수율 67%)를 얻었다.3-Bromo-2-fluorodibenzo[b,d]furan (80g, 302mmol) and (2-chloro-6-hydroxyphenyl)boronic acid (52.0g, 302mml) were added to tetrahydrofuran (THF, 1500ml) After dissolving in, Pd(PPh 3 ) 4 (6.97g, 6.0 mmol) and 300ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and stirred under reflux for 24 hours. The reaction solution was cooled, and the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 1-a (63g, yield 67%).

합성예synthesis example 1-2. 화합물 1-b의 합성 1-2. Synthesis of compound 1-b

화합물 1-a (63g, 201mmol)을 디메틸포름아미드(DMF, 1000ml)에 녹인 후, K2CO3 (83.5g, 604mmol)을 넣고, 2시간 동안 환류교반 하였다. 반응 용액을 식힌 후, 증류수 3L에 부어서 고체를 생성시켰다. 고체를 필터한 후 클로로포름에 녹여 물로 여러 번 추출한 후 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-b (46g, 78%)를 얻었다.After dissolving compound 1-a (63g, 201mmol) in dimethylformamide (DMF, 1000ml), K 2 CO 3 (83.5g, 604mmol) was added, followed by reflux stirring for 2 hours. After cooling the reaction solution, it was poured into 3 L of distilled water to produce a solid. After filtering the solid, it was dissolved in chloroform, extracted several times with water, and the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 1-b (46g, 78%).

합성예synthesis example 1-3. 화합물 1-c의 합성 1-3. Synthesis of compound 1-c

화합물 1-b (46g, 157mmol)와 비스(피나콜라토)디보론 (48g, 189mmol), 포타슘아세테이트(KOAc) (31g, 314mmol)을 플라스크에 다이옥산(Dioxane) 400ml와 함께 넣어 분산시켰다. 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0) (Pd(dba)2) (1.81g, 3.1mmol), 트리시클로헥실포스핀(PCy3) (1.76g, 6.3mmol)을 넣어준 후 24시간 동안 환류교반 하였다. 반응 종료 후 다이옥산(Dioxane)을 감압 증류하여 제거하였다. 클로로포름에 녹인 후 증류수로 3회 추출한 후 유기층을 감압 증류하여 클로로포름을 제거하였다. 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-c를 얻었다. (42g, 수율 70%)Compound 1-b (46g, 157mmol), bis(pinacolato)diboron (48g, 189mmol), and potassium acetate (KOAc) (31g, 314mmol) were put in a flask with 400ml of dioxane and dispersed. Bis(dibenzylideneacetone)palladium(0) (Pd(dba) 2 ) (1.81 g, 3.1 mmol) and tricyclohexylphosphine (PCy 3 ) (1.76 g, 6.3 mmol) were added and refluxed for 24 hours. Stirred. After completion of the reaction, dioxane was removed by distillation under reduced pressure. After dissolving in chloroform and extracting with distilled water three times, the organic layer was distilled under reduced pressure to remove chloroform. Purification was performed using column chromatography to obtain compound 1-c. (42 g, yield 70%)

Figure 112020115378562-pat00071
Figure 112020115378562-pat00071

합성예synthesis example 1-4. 화합물 1-d의 합성 1-4. Synthesis of compound 1-d

9-브로모안트라센 (100 g, 389mmol)와 페닐보론산 (47.4g, 389mmol) 을 Dioxane (2000ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (9.0g, 7.8mmol)와 2M K2CO3 수용액 400ml를 넣고 24시간 동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토 그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-d (79g, 수율 80%)를 얻었다.After dissolving 9-bromoanthracene (100 g, 389mmol) and phenylboronic acid (47.4g, 389mmol) in Dioxane (2000ml), Pd(PPh 3 ) 4 (9.0g, 7.8mmol) and 2M K 2 CO 3 aqueous solution 400ml was added and stirred under reflux for 24 hours. The reaction solution was cooled, and the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 1-d (79g, yield 80%).

합성예synthesis example 1-5. 화합물 1-e의 합성 1-5. Synthesis of compound 1-e

화합물 1-d (79g, 311mmol)를 DMF 1200ml에 녹인 후, DMF 300ml에 녹인 N-브로모숙신이미드 (55.3g, 311mmol)을 천천히 적가하였다. 상온에서 2시간 교반 후 물 3000ml를 적가하였다. 고체가 생성되면 필터 후 클로로포름에 녹여 증류수로 여러 번 추출하였다. 에틸아세테이트에서 재결정하여 화합물 1-e를 얻었다. (63g, 수율 61%)After compound 1-d (79g, 311mmol) was dissolved in 1200ml of DMF, N-bromosuccinimide (55.3g, 311mmol) dissolved in 300ml of DMF was slowly added dropwise. After stirring for 2 hours at room temperature, 3000 ml of water was added dropwise. When a solid was formed, it was dissolved in chloroform after filtering and extracted several times with distilled water. Recrystallization from ethyl acetate gave compound 1-e. (63 g, yield 61%)

합성예synthesis example 1-6. 화합물 1-f의 합성 1-6. Synthesis of Compound 1-f

화합물 1-e (63 g, 189mmol)와 페닐보론산 (23g, 189mmol) 을 Dioxane (1000ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (4.4g, 3.8mmol)와 2M K2CO3 수용액 200ml를 넣고 24시간 동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하게 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토 그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-f (45g, 수율 72%)를 얻었다.After dissolving compound 1-e (63 g, 189 mmol) and phenylboronic acid (23 g, 189 mmol) in Dioxane (1000 ml), Pd(PPh 3 ) 4 (4.4 g, 3.8 mmol) and 200 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added. and stirred under reflux for 24 hours. The reaction solution was cooled, and the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 1-f (45g, yield 72%).

합성예synthesis example 1-7. 화합물 1-g의 합성 1-7. Synthesis of Compound 1-g

화합물 1-f (45g, 136mmol)를 DMF 600ml에 녹인 후 DMF 100ml에 녹인 N-브로모숙신이미드 (24.2g, 136mmol)을 천천히 적가하였다. 상온에서 2시간 교반 후 물 1500ml를 적가하였다. 고체가 생성되면 필터 후 클로로포름에 녹여 증류수로 여러 번 추출하였다. 에틸아세테이트에서 재결정하여 화합물 1-g를 얻었다. (37g, 수율 66%)After compound 1-f (45g, 136mmol) was dissolved in DMF 600ml, N-bromosuccinimide (24.2g, 136mmol) dissolved in DMF 100ml was slowly added dropwise. After stirring at room temperature for 2 hours, 1500 ml of water was added dropwise. When a solid was formed, it was dissolved in chloroform after filtering and extracted several times with distilled water. Recrystallization from ethyl acetate gave compound 1-g. (37 g, yield 66%)

Figure 112020115378562-pat00072
Figure 112020115378562-pat00072

합성예synthesis example 1-8. 화합물 1의 합성 1-8. Synthesis of Compound 1

화합물 1-g (30 g, 73mmol)와 화합물 1-c (28g, 73mmol) 을 Dioxane (400ml)에 녹인 후, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.19g, 0.4mmol)와 2M K2CO3 수용액 50ml를 넣고 24시간 동안 환류교반 시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 에틸아세테이트에서 재결정하여 화합물 1 (24g, 수율 56%)을 얻었다. [M+H+]= 587.3After dissolving compound 1-g (30 g, 73mmol) and compound 1-c (28g, 73mmol) in Dioxane (400ml), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.19g, 0.4mmol) and 50 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution was added and stirred under reflux for 24 hours. The reaction solution was cooled, and the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. Recrystallization from ethyl acetate gave compound 1 (24g, yield 56%). [M+H + ]= 587.3

합성예synthesis example 2. 화합물 2의 합성 2. Synthesis of Compound 2

Figure 112020115378562-pat00073
Figure 112020115378562-pat00073

합성예 2-1. 화합물 2-a의 합성Synthesis Example 2-1. Synthesis of compound 2-a

합성예 1-1에서 (2-클로로-6-하이드록시페닐)보론산 대신 (5-클로로-2-하이드록시페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2-a를 얻었다.Compound 2-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-1, except that (5-chloro-2-hydroxyphenyl)boronic acid was used instead of (2-chloro-6-hydroxyphenyl)boronic acid.

합성예 2-2. 화합물 2-b의 합성Synthesis Example 2-2. Synthesis of compound 2-b

합성예 1-2에서 화합물 1-a 대신에 화합물 2-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2-b를 얻었다.Compound 2-b was obtained in the same synthesis except for using compound 2-a instead of compound 1-a in Synthesis Example 1-2.

합성예 2-3. 화합물 2-c의 합성Synthesis Example 2-3. Synthesis of compound 2-c

합성예 1-3에서 화합물 1-b 대신에 2-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2-c를 얻었다.Compound 2-c was obtained in the same synthesis except for using 2-b instead of compound 1-b in Synthesis Example 1-3.

Figure 112020115378562-pat00074
Figure 112020115378562-pat00074

합성예synthesis example 2-4. 화합물 2-d의 합성 2-4. Synthesis of compound 2-d

합성예 1-6에서 페닐보론산 대신 나프탈렌-1-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2-d를 얻었다.Compound 2-d was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-6, except that naphthalen-1-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.

합성예synthesis example 2-5. 화합물 2-e의 합성 2-5. Synthesis of compound 2-e

합성예 1-7에서 화합물 1-f 대신 화합물 2-d를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2-e를 얻었다.Compound 2-e was obtained in the same synthesis except for using compound 2-d instead of compound 1-f in Synthesis Example 1-7.

Figure 112020115378562-pat00075
Figure 112020115378562-pat00075

합성예synthesis example 2-6. 화합물 2의 합성 2-6. Synthesis of compound 2

합성예 1-8에서 화합물 1-g 대신 화합물 2-e를, 화합물 1-c 대신 화합물 2-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2를 얻었다. [M+H+]= 637.2Compound 2 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-8, except that Compound 2-e was used instead of Compound 1-g and Compound 2-c was used instead of Compound 1-c. [M+H + ]= 637.2

합성예synthesis example 3. 화합물 3의 합성 3. Synthesis of Compound 3

Figure 112020115378562-pat00076
Figure 112020115378562-pat00076

합성예 3-1. 화합물 3-a의 합성Synthesis Example 3-1. Synthesis of compound 3-a

합성예 1-6에서 페닐보론산 대신 (4-(디벤조[b,d]퓨란-1-일)페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 3-a를 얻었다.Compound 3-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-6, except that (4-(dibenzo[b,d]furan-1-yl)phenyl)boronic acid was used instead of phenylboronic acid.

합성예 3-2. 화합물 3-b의 합성Synthesis Example 3-2. Synthesis of compound 3-b

합성예 1-7에서 화합물 1-f 대신 화합물 3-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 3-b를 얻었다.Compound 3-b was obtained in the same synthesis except for using compound 3-a instead of compound 1-f in Synthesis Example 1-7.

Figure 112020115378562-pat00077
Figure 112020115378562-pat00077

합성예synthesis example 3-3. 화합물 3의 합성 3-3. Synthesis of compound 3

합성예 1-8에서 화합물 1-g 대신 화합물 3-b를, 화합물 1-c 대신 화합물 2-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 3을 얻었다. [M+H+]= 753.3Compound 3 was obtained by synthesizing in the same manner as in Synthesis Example 1-8, except that Compound 3-b was used instead of Compound 1-g and Compound 2-c was used instead of Compound 1-c. [M+H + ]= 753.3

합성예synthesis example 4. 화합물 4의 합성 4. Synthesis of Compound 4

Figure 112020115378562-pat00078
Figure 112020115378562-pat00078

합성예synthesis example 4-1. 화합물 4-a의 합성 4-1. Synthesis of compound 4-a

합성예 1-1에서 3-브로모-2-플루오로디벤조[b,d]퓨란 대신 2-브로모-3-플루오로디벤조[b,d]퓨란을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4-a를 얻었다.The compound was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-1, except that 2-bromo-3-fluorodibenzo[b,d]furan was used instead of 3-bromo-2-fluorodibenzo[b,d]furan. 4-a was obtained.

합성예synthesis example 4-2. 화합물 4-b의 합성 4-2. Synthesis of compound 4-b

합성예 1-2에서 화합물 1-a 대신 화합물 4-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4-b를 얻었다.Compound 4-b was obtained in the same synthesis except for using compound 4-a instead of compound 1-a in Synthesis Example 1-2.

합성예synthesis example 4-3. 화합물 4-c의 합성 4-3. Synthesis of compound 4-c

화합물 4-b (43g, 147mmol)과 (4-하이드록시페닐)보론산 (20.3g, 147mml) 를 을 THF (600ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (3.4g, 3.0 mmol)와 2M K2CO3 수용액 150ml를 넣고 24시간 동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토 그래피를 이용하여 정제하여 화합물 4-c (39g, 수율 76%)를 얻었다.After dissolving compound 4-b (43g, 147mmol) and (4-hydroxyphenyl)boronic acid (20.3g, 147mml) in THF (600ml), Pd(PPh 3 ) 4 (3.4g, 3.0 mmol) and 2M 150ml of K 2 CO 3 aqueous solution was added thereto and stirred under reflux for 24 hours. The reaction solution was cooled, and the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 4-c (39g, yield 76%).

합성예synthesis example 4-4. 화합물 4-d의 합성 4-4. Synthesis of compound 4-d

화합물 4-c를 아세토니트릴(600ml)에 녹인 후, 증류수 100ml에 녹인 K2CO3 (46g, 337mmol)와 노나플루오로뷰탄-1-설포닐플로라이드 (66g, 217mmol)을 넣어 주었다. 상온에서 3시간 교반 후, 아세토니트릴을 감압 증류하여 제거 후, 클로로포름에 녹여 물로 여러 번 추출하였다. 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조 한 후 감압증류하여 유기용매를 제거하고 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 4-d (51g, 수율 72%)를 얻었다.After dissolving compound 4-c in acetonitrile (600ml), K 2 CO 3 (46g, 337mmol) and nonafluorobutane-1-sulfonylfluoride (66g, 217mmol) dissolved in 100ml of distilled water were added. After stirring at room temperature for 3 hours, acetonitrile was removed by distillation under reduced pressure, dissolved in chloroform, and extracted several times with water. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, distilled under reduced pressure to remove the organic solvent, and purified using column chromatography to obtain compound 4-d (51 g, yield 72%).

합성예synthesis example 4-5. 화합물 4-e의 합성 4-5. Synthesis of compound 4-e

화합물 4-d (51g, 81mmol)와 비스(피나콜라토)디보론 (25g, 97mmol), KOAc (16g, 161mmol)을 플라스크에 Dioxane 200ml와 함께 넣어 분산시켰다. Pd(dba)2 (0.93 g, 1.6 mmol), PCy3 (0.90g, 3.2mmol)을 넣어준 후 24시간 동안 환류교반하였다. 반응 종료 후 Dioxane을 감압 증류하여 제거하였다. 클로로포름에 녹인 후 증류수로 3회 추출한 후 유기층을 감압 증류하여 클로로포름을 제거하였다. 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 4-e를 얻었다. (25g, 수율 67%)Compound 4-d (51g, 81mmol), bis(pinacolato)diboron (25g, 97mmol), and KOAc (16g, 161mmol) were added to a flask with 200ml of Dioxane and dispersed. After adding Pd(dba) 2 (0.93 g, 1.6 mmol) and PCy 3 (0.90 g, 3.2 mmol), the mixture was stirred under reflux for 24 hours. After completion of the reaction, dioxane was removed by distillation under reduced pressure. After dissolving in chloroform and extracting with distilled water three times, the organic layer was distilled under reduced pressure to remove chloroform. Purification was performed using column chromatography to obtain compound 4-e. (25 g, yield 67%)

Figure 112020115378562-pat00079
Figure 112020115378562-pat00079

합성예synthesis example 4-6. 화합물 4-f의 합성 4-6. Synthesis of compound 4-f

합성예 1-4에서 페닐 보론산 대신 나프탈렌-1-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4-f를 얻었다.Compound 4-f was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-4, except that naphthalen-1-ylboronic acid was used instead of phenyl boronic acid.

합성예synthesis example 4-7. 화합물 4-g의 합성 4-7. Synthesis of compound 4-g

합성예 1-5에서 화합물 1-d 대신 화합물 4-f를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4-g를 얻었다.Compound 4-g was obtained in the same synthesis except for using compound 4-f in place of compound 1-d in Synthesis Example 1-5.

합성예synthesis example 4-8. 화합물 4-h의 합성 4-8. Synthesis of compound 4-h

합성예 1-6에서 화합물 1-e 대신 화합물 4-g를, 페닐보론산 대신 [1,1'-비페닐]-3-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4-h를 얻었다.Compound 4-h was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-6, except that compound 4-g was used instead of compound 1-e and [1,1'-biphenyl]-3-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid. got it

합성예synthesis example 4-9. 화합물 4-i의 합성 4-9. Synthesis of compound 4-i

합성예 1-7에서 화합물 1-f 대신 화합물 4-h를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4-i를 얻었다.Compound 4-i was obtained in the same synthesis except for using compound 4-h instead of compound 1-f in Synthesis Example 1-7.

Figure 112020115378562-pat00080
Figure 112020115378562-pat00080

합성예synthesis example 4-10. 화합물 4의 합성 4-10. Synthesis of compound 4

합성예 1-8에서 화합물 1-g 대신 화합물 4-i를, 화합물 1-c 대신 화합물 4-e를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4를 얻었다. [M+H+]= 789.3Compound 4 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-8, except that Compound 4-i was used instead of Compound 1-g and Compound 4-e was used instead of Compound 1-c. [M+H + ]= 789.3

합성예synthesis example 5. 화합물 5의 합성 5. Synthesis of Compound 5

Figure 112020115378562-pat00081
Figure 112020115378562-pat00081

합성예synthesis example 5-1. 화합물 5-a의 합성 5-1. Synthesis of compound 5-a

합성예 1-1에서 3-브로모-2-플루오로디벤조[b,d]퓨란 대신 2-브로모-3-플루오로디벤조[b,d]퓨란을, (2-클로로-6-하이드록시페닐)보론산 대신 (4-클로로-2-하이드록시페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5-a를 얻었다.In Synthesis Example 1-1, 2-bromo-3-fluorodibenzo[b,d]furan was used instead of 3-bromo-2-fluorodibenzo[b,d]furan, (2-chloro-6-hydroxy Compound 5-a was obtained through the same synthesis except that (4-chloro-2-hydroxyphenyl)boronic acid was used instead of phenyl)boronic acid.

합성예synthesis example 5-2. 화합물 5-b의 합성 5-2. Synthesis of compound 5-b

합성예 1-2에서 화합물 1-a 대신 화합물 5-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5-b를 얻었다.Compound 5-b was obtained in the same synthesis except for using compound 5-a instead of compound 1-a in Synthesis Example 1-2.

합성예synthesis example 5-3. 화합물 5-c의 합성 5-3. Synthesis of compound 5-c

합성예 1-3에서 화합물 1-b 대신 5-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5-c를 얻었다.Compound 5-c was obtained in the same synthesis except for using 5-b instead of compound 1-b in Synthesis Example 1-3.

Figure 112020115378562-pat00082
Figure 112020115378562-pat00082

합성예synthesis example 5-4. 화합물 5-d의 합성 5-4. Synthesis of compound 5-d

합성예 1-6에서 페닐보론산 대신 2-나프탈렌-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5-d를 얻었다.Compound 5-d was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-6, except that 2-naphthalen-2-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.

합성예synthesis example 5-5. 화합물 5-e의 합성 5-5. Synthesis of compound 5-e

합성예 1-7에서 화합물 1-f 대신 화합물 5-d를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5-e를 얻었다.Compound 5-e was obtained in the same synthesis except for using compound 5-d instead of compound 1-f in Synthesis Example 1-7.

Figure 112020115378562-pat00083
Figure 112020115378562-pat00083

합성예synthesis example 5-6. 화합물 5의 합성 5-6. Synthesis of compound 5

합성예 1-8에서 화합물 1-g 대신 화합물 5-e를, 화합물 1-c 대신 화합물 5-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5를 얻었다. [M+H+]= 637.2Compound 5 was obtained by synthesizing in the same manner as in Synthesis Example 1-8, except that Compound 5-e was used instead of Compound 1-g and Compound 5-c was used instead of Compound 1-c. [M+H + ]= 637.2

합성예synthesis example 6. 화합물 6의 합성 6. Synthesis of Compound 6

Figure 112020115378562-pat00084
Figure 112020115378562-pat00084

합성예synthesis example 6-1. 화합물 6-a의 합성 6-1. Synthesis of compound 6-a

디벤조[b,d]티오펜-3-올 (100g, 499mmol) 을 DMF (2000ml)에 녹인 후 DMF 500ml에 녹인 N-브로모숙신이미드 (89g, 499mmol)을 천천히 적가하였다. 상온에서 2시간 교반 후 물 3000ml를 적가하였다. 고체가 생성되면 필터 후 클로로포름에 녹여 증류수로 여러 번 추출하였다. 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조 후 감압 증류하여 용매를 제거하였다. 컬럼크로마토그래피를 통해 정제하여 화합물 6-a를 얻었다. (65g, 수율 65%)After dibenzo[b,d]thiophen-3-ol (100g, 499mmol) was dissolved in DMF (2000ml), N-bromosuccinimide (89g, 499mmol) dissolved in DMF 500ml was slowly added dropwise. After stirring for 2 hours at room temperature, 3000 ml of water was added dropwise. When a solid was formed, it was dissolved in chloroform after filtering and extracted several times with distilled water. After drying the organic layer with anhydrous magnesium sulfate, the solvent was removed by distillation under reduced pressure. Compound 6-a was obtained by purification through column chromatography. (65 g, yield 65%)

합성예synthesis example 6-2. 화합물 6-b의 합성 6-2. Synthesis of compound 6-b

합성예 1-1에서 3-브로모-2-플루오로디벤조[b,d]퓨란 대신 화합물 6-a를, (2-클로로-6-하이드록시페닐)보론산 대신 (5-클로로-2-하이드록시페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 6-b를 얻었다.In Synthesis Example 1-1, compound 6-a was used instead of 3-bromo-2-fluorodibenzo[b,d]furan, (5-chloro-2- Compound 6-b was obtained in the same synthesis except for using hydroxyphenyl)boronic acid.

합성예synthesis example 6-3. 화합물 6-c의 합성 6-3. Synthesis of compound 6-c

합성예 1-2에서 화합물 1-a 대신 화합물 6-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 6-c를 얻었다.Compound 6-c was obtained in the same synthesis except for using compound 6-b instead of compound 1-a in Synthesis Example 1-2.

합성예synthesis example 6-4. 화합물 6-d의 합성 6-4. Synthesis of compound 6-d

합성예 1-3에서 화합물 1-b 대신 6-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 6-d를 얻었다.Compound 6-d was obtained in the same synthesis except for using 6-c instead of compound 1-b in Synthesis Example 1-3.

Figure 112020115378562-pat00085
Figure 112020115378562-pat00085

합성예synthesis example 6-5. 화합물 6의 합성 6-5. Synthesis of compound 6

합성예 1-8에서 화합물 1-c 대신 화합물 6-d를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 6을 얻었다. [M+H+]= 603.3Compound 6 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-8, except that Compound 6-d was used instead of Compound 1-c. [M+H + ]= 603.3

합성예synthesis example 7. 화합물 7의 합성 7. Synthesis of Compound 7

Figure 112020115378562-pat00086
Figure 112020115378562-pat00086

합성예synthesis example 7-1. 화합물 7-a의 합성 7-1. Synthesis of compound 7-a

4-브로모-2-플루오로-1-아이오도벤젠 (100g, 332mmol)과 (5-클로로-2-하이드록시페닐)보론산 (57.3g, 332mml)을 THF (1500ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (7.68 g, 6.6 mmol)와 2M Na2CO3 수용액 300ml를 넣고 24시간동안 환류교반 시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토 그래피를 이용하여 정제하여 화합물 7-a (69g, 수율 69%)를 얻었다.After dissolving 4-bromo-2-fluoro-1-iodobenzene (100g, 332mmol) and (5-chloro-2-hydroxyphenyl)boronic acid (57.3g, 332mml) in THF (1500ml), Pd (PPh 3 ) 4 (7.68 g, 6.6 mmol) and 300 ml of 2M Na 2 CO 3 aqueous solution were added and stirred under reflux for 24 hours. The reaction solution was cooled, and the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 7-a (69g, yield 69%).

합성예synthesis example 7-2. 화합물 7-b의 합성 7-2. Synthesis of compound 7-b

화합물 7-a (69g, 229mmol)을 DMF (1000ml)에 녹인 후, K2CO3 (95g, 686mmol)을 넣고, 2시간 동안 환류 교반하였다. 반응 용액을 식힌 후, 증류수 3L에 부어서 고체를 생성시켰다. 고체를 필터한 후 클로로포름에 녹여 물로 여러 번 추출한 후 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 7-b (44g, 68%)를 얻었다.After dissolving compound 7-a (69g, 229mmol) in DMF (1000ml), K 2 CO 3 (95g, 686mmol) was added, followed by reflux stirring for 2 hours. After cooling the reaction solution, it was poured into 3 L of distilled water to produce a solid. After filtering the solid, it was dissolved in chloroform, extracted several times with water, and the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 7-b (44g, 68%).

합성예synthesis example 7-3. 화합물 7-c의 합성 7-3. Synthesis of compound 7-c

7-b (44g, 156mmol)과 (2-니트로페닐)보론산 (26g, 156mml) 를 THF (800ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (3.61 g, 3.1mmol)와 2M K2CO3 수용액 200ml를 넣고 24시간 동안 환류교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토 그래피를 이용하여 정제하여 화합물 7-c (39g, 수율 77%)를 얻었다.After dissolving 7-b (44g, 156mmol) and (2-nitrophenyl)boronic acid (26g, 156mml) in THF (800ml), Pd(PPh 3 ) 4 (3.61 g, 3.1mmol) and 2M K 2 CO 3 200ml of the aqueous solution was added and stirred under reflux for 24 hours. The reaction solution was cooled, and the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 7-c (39g, yield 77%).

합성예synthesis example 7-4. 화합물 7-d의 합성 7-4. Synthesis of compound 7-d

7-c (39g, 120mmol)와 PPh3 (79g, 301mmol)를 o-디클로로벤젠 600ml에 녹인 후 8시간 환류교반하였다. 반응 종료 후 감압증류하여 용매를 제거 후 클로로포름에 녹여서 증류수로 여러 번 추출하였다. 유기층을 취해서 무수황산마그네슘으로 건조시킨 후 감압증류하여 클로로포름을 제거하였다. 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 7-d (21g, 60%)을 얻었다.After dissolving 7-c (39g, 120mmol) and PPh 3 (79g, 301mmol) in 600ml of o-dichlorobenzene, the mixture was stirred under reflux for 8 hours. After completion of the reaction, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the mixture was dissolved in chloroform and extracted several times with distilled water. The organic layer was taken, dried over anhydrous magnesium sulfate, and distilled under reduced pressure to remove chloroform. Purification was performed using column chromatography to obtain compound 7-d (21 g, 60%).

합성예synthesis example 7-5. 화합물 7-e의 합성 7-5. Synthesis of compound 7-e

화합물 7-d (21g, 72mmol)과 아이오도벤젠 (14.7g, 72mml) 를 DMF 250ml에 녹인 후, CS2CO3 (46.9g, 144mmol)과 CuI (2.74g, 14mmol)을 넣어주었다. 120℃로 승온한 뒤 16시간 동안 교반하였다. 반응용액을 식힌 후 에틸아세테이트를 1L 넣어 준 후 분별깔대기로 옮겨 암모니아 수용액으로 1회 추출, 증류수 1L로 총 3회 추출하였다. 유기층을 모아서 무수황산마그네슘을 처리하여 물을 제거해 준 후, 감압 증류하였다. 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 7-e를 얻었다. (15g, 수율 57%)After dissolving compound 7-d (21g, 72mmol) and iodobenzene (14.7g, 72mml) in 250ml of DMF, CS 2 CO 3 (46.9g, 144mmol) and CuI (2.74g, 14mmol) were added thereto. After raising the temperature to 120 ℃ was stirred for 16 hours. After cooling the reaction solution, 1 L of ethyl acetate was added thereto, transferred to a separatory funnel, and extracted once with an aqueous ammonia solution and extracted three times with 1 L of distilled water. The organic layer was collected, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, and distilled under reduced pressure. Purification was performed using column chromatography to obtain compound 7-e. (15 g, yield 57%)

합성예synthesis example 7-6. 화합물 7-f의 합성 7-6. Synthesis of compound 7-f

합성예 1-3에서 화합물 1-b 대신 7-e를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 7-f를 얻었다.Compound 7-f was obtained in the same synthesis except for using 7-e instead of compound 1-b in Synthesis Example 1-3.

합성예synthesis example 7-7. 화합물 7의 합성 7-7. Synthesis of compound 7

합성예 1-8에서 화합물 1-g 대신 화합물 5-e를, 화합물 1-c 대신 화합물 7-f를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 7을 얻었다. [M+H+]= 712.3Compound 7 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-8, except that Compound 5-e was used instead of Compound 1-g and Compound 7-f was used instead of Compound 1-c. [M+H + ]= 712.3

합성예synthesis example 8. 화합물 8의 합성 8. Synthesis of Compound 8

Figure 112020115378562-pat00087
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합성예synthesis example 8-1. 화합물 8-a의 합성 8-1. Synthesis of compound 8-a

2-브로모-4-클로로-1-플루오로벤젠 (100g, 477mmol)과 (2-하이드록시페닐)보론산 (66g, 477mml) 를 THF (1500ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (11 g, 9.5 mmol)와 2M K2CO3 수용액 300ml를 넣고 24시간 동안 환류교반 시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토 그래피를 이용하여 정제하여 화합물 8-a (72g, 수율 68%)를 얻었다.After dissolving 2-bromo-4-chloro-1-fluorobenzene (100g, 477mmol) and (2-hydroxyphenyl)boronic acid (66g, 477mml) in THF (1500ml), Pd(PPh 3 ) 4 ( 11 g, 9.5 mmol) and 300 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and stirred under reflux for 24 hours. The reaction solution was cooled, and the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 8-a (72g, yield 68%).

합성예synthesis example 8-2. 화합물 8-b의 합성 8-2. Synthesis of compound 8-b

화합물 8-a (72g, 323mmol)를 DMF 1000ml에 녹인 후 DMF 100ml에 녹인 N-브로모숙신이미드 (57.6g, 323mmol)을 천천히 적가하였다. 상온에서 2시간 교반 후 물 2000ml를 적가하였다. 고체가 생성되면 필터 후 클로로포름에 녹여 증류수로 여러 번 추출하였다. 유기층을 무수황산마그네슘으로 수분을 제거한 후 감압 증류하여 용매를 제거하였다. 컬럼크로마토그래피로 정제하여 화합물 8-b를 얻었다. (65g, 수율 67%)After compound 8-a (72g, 323mmol) was dissolved in DMF 1000ml, N-bromosuccinimide (57.6g, 323mmol) dissolved in DMF 100ml was slowly added dropwise. After stirring at room temperature for 2 hours, 2000 ml of water was added dropwise. When a solid was formed, it was dissolved in chloroform after filtering and extracted several times with distilled water. After removing water from the organic layer with anhydrous magnesium sulfate, the solvent was removed by distillation under reduced pressure. Purification was performed by column chromatography to obtain compound 8-b. (65 g, yield 67%)

합성예synthesis example 8-3. 화합물 8-c의 합성 8-3. Synthesis of compound 8-c

화합물 8-b (65g, 216mmol)을 DMF (1000ml)에 녹인 후, K2CO3 (89g, 647mmol)을 넣고, 2시간 동안 환류 교반하였다. 반응 용액을 식힌 후, 증류수 3L에 부어서 고체를 생성시켰다. 고체를 필터한 후 클로로포름에 녹여 물로 여러 번 추출한 후 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 8-c (39g, 64%)를 얻었다.After dissolving compound 8-b (65g, 216mmol) in DMF (1000ml), K 2 CO 3 (89g, 647mmol) was added, followed by reflux stirring for 2 hours. After cooling the reaction solution, it was poured into 3 L of distilled water to produce a solid. After filtering the solid, it was dissolved in chloroform, extracted several times with water, and the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 8-c (39g, 64%).

합성예synthesis example 8-4. 화합물 8-d의 합성 8-4. Synthesis of compound 8-d

화합물 8-c (39g, 138mmol)과 (2-(메톡시카보닐)페닐)보론산 (25g, 138moml) 를 THF (500ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (3.2 g, 2.7 mmol)와 2M K2CO3 수용액 100ml를 넣고 24시간 동안 환류교반 시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼 크로마토 그래피를 이용하여 정제하여 화합물 8-d (30g, 수율 64%)를 얻었다.After dissolving compound 8-c (39g, 138mmol) and (2-(methoxycarbonyl)phenyl)boronic acid (25g, 138mmol) in THF (500ml), Pd(PPh 3 ) 4 (3.2 g, 2.7 mmol) and 100 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution, and stirred under reflux for 24 hours. The reaction solution was cooled, and the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 8-d (30 g, yield 64%).

합성예synthesis example 8-5. 화합물 8-e의 합성 8-5. Synthesis of compound 8-e

화합물 8-d (30g, 89mmol)을 THF 450ml에 녹였다. 질소분위기하에서 온도를 0℃로 내린 후, 3 M CH3MgBr 89ml를 천천히 적가하였다. 온도를 서서히 상온으로 올려 주었다. 1시간 교반후 온도를 승온 시켜 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응 용액을 식힌 후 HCl 용액으로 ?칭한 후 THF를 감압 증류하였다. 에틸아세테이트(EA)와 물을 넣어 추출하였다. EA를 감압 증류하에 제거 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 8-e (22g, 수율 73%)를 얻었다.Compound 8-d (30g, 89mmol) was dissolved in 450ml of THF. After lowering the temperature to 0° C. under a nitrogen atmosphere, 89 ml of 3 M CH 3 MgBr was slowly added dropwise. The temperature was gradually raised to room temperature. After stirring for 1 hour, the temperature was raised and stirred under reflux for 12 hours. After cooling the reaction solution, it was quenched with HCl solution, and THF was distilled off under reduced pressure. Extraction was performed by adding ethyl acetate (EA) and water. EA was removed under reduced pressure distillation and purified using column chromatography to obtain compound 8-e (22g, yield 73%).

합성예synthesis example 8-6. 화합물 8-f의 합성 8-6. Synthesis of compound 8-f

화합물 8-e (22g, 65mmol)을 아세트산 250ml와 염산 1.1ml에 분산시킨 후 24시간 동안 환류교반 시켰다. 석출된 고체를 필터한 후 물로 씻어주었다. EA에 녹여 물로 여러 번 추출하였다. 유기층을 감압증류한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 8-f (12g, 수율 57%)를 얻었다.Compound 8-e (22g, 65mmol) was dispersed in 250ml of acetic acid and 1.1ml of hydrochloric acid and stirred under reflux for 24 hours. After filtering the precipitated solid, it was washed with water. It was dissolved in EA and extracted several times with water. The organic layer was distilled under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 8-f (12g, yield 57%).

합성예synthesis example 8-7. 화합물 8-g의 합성 8-7. Synthesis of compound 8-g

합성예 1-3에서 화합물 1-b 대신 8-f를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 8-g를 얻었다.Compound 8-g was obtained in the same synthesis except for using 8-f instead of compound 1-b in Synthesis Example 1-3.

합성예synthesis example 8-8. 화합물 8의 합성 8-8. Synthesis of compound 8

합성예 1-8에서 화합물 1-c 대신 화합물 8-g를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 8를 얻었다. [M+H+]= 613.3Compound 8 was obtained in the same synthesis except for using compound 8-g instead of compound 1-c in Synthesis Example 1-8. [M+H + ]= 613.3

합성예synthesis example 9. 화합물 9의 합성 9. Synthesis of Compound 9

Figure 112020115378562-pat00088
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합성예synthesis example 9-1. 화합물 9-a의 합성 9-1. Synthesis of compound 9-a

화합물 1-f (20g)와 AlCl3(4g)을 C6D6 (400ml)에 넣고 2시간 교반하였다. 반응 종료 후 D2O (30ml)를 넣고 30분 교반한 뒤 트리메틸아민(trimethylamine) (2.4ml)를 적가하였다. 반응액을 분액 깔대기에 옮기고, 물과 톨루엔으로 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조 후, 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 9-a를 얻었다. (15g, 수율 75%)Compound 1-f (20g) and AlCl 3 (4g) were put in C 6 D 6 (400ml) and stirred for 2 hours. After completion of the reaction, D 2 O (30ml) was added, stirred for 30 minutes, and trimethylamine (2.4ml) was added dropwise. The reaction solution was transferred to a separatory funnel and extracted with water and toluene. The extract was dried with MgSO 4 and recrystallized with ethyl acetate to obtain compound 9-a. (15 g, yield 75%)

합성예synthesis example 9-2. 화합물 9-b의 합성 9-2. Synthesis of compound 9-b

합성예 1-7에서 화합물 1-f 대신 화합물 9-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 9-b를 얻었다.Compound 9-b was obtained in the same synthesis except for using compound 9-a instead of compound 1-f in Synthesis Example 1-7.

합성예synthesis example 9-3. 화합물 9의 합성 9-3. Synthesis of compound 9

합성예 1-8에서 화합물 1-g 대신 화합물 9-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 9를 얻었다. [M+H+]= 604.3Compound 9 was obtained in the same synthesis except for using compound 9-b instead of compound 1-g in Synthesis Example 1-8. [M+H + ]= 604.3

합성예synthesis example 10. 화합물 10의 합성 10. Synthesis of Compound 10

Figure 112020115378562-pat00089
Figure 112020115378562-pat00089

합성예 9-1에서 화합물 1-f 대신 화합물 2를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 10을 얻었다. [M+H+]= 665.4Compound 10 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 9-1, except that Compound 2 was used instead of Compound 1-f. [M+H + ]= 665.4

<< 실험예Experimental example >>

실시예Example 1. 유기 발광 소자의 제조 1. Manufacturing of organic light emitting device

ITO(indium tin oxide)가 150 nm의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 질소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 HAT-CN 화합물을 5 nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 이어서, HTL1을 100 nm의 두께로 열 진공 증착하고, 이어 HTL2를 10 nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 호스트로서 상기 화합물 1 및 도펀트로서 BD-A (중량비 95:5)를 동시에 진공 증착하여 20 nm 두께의 발광층을 형성하였다. 이어서, ETL을 20 nm의 두께로 진공 증착하여 전자수송층을 형성하였다. 이어서, LiF을 0.5 nm의 두께로 진공 증착하여 전자주입층을 형성하였다. 이어서, 알루미늄을 100 nm의 두께로 증착하여 음극을 형성하여 유기 발광 소자를 제조하였다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 150 nm was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product of Fischer Co. was used as a detergent, and distilled water filtered through a second filter of a product of Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was performed twice with distilled water for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with solvents such as isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using nitrogen plasma, the substrate was transferred to a vacuum evaporator. A hole injection layer was formed by thermally vacuum depositing the HAT-CN compound to a thickness of 5 nm on the prepared ITO transparent electrode. Subsequently, HTL1 was thermally vacuum deposited to a thickness of 100 nm, and HTL2 was thermally vacuum deposited to a thickness of 10 nm to form a hole transport layer. Subsequently, Compound 1 as a host and BD-A (weight ratio: 95:5) as a dopant were simultaneously vacuum deposited to form a light emitting layer having a thickness of 20 nm. Subsequently, an electron transport layer was formed by vacuum depositing ETL to a thickness of 20 nm. Subsequently, LiF was vacuum deposited to a thickness of 0.5 nm to form an electron injection layer. Then, aluminum was deposited to a thickness of 100 nm to form a cathode to manufacture an organic light emitting device.

실시예에서 사용된 화합물의 구조는 하기와 같다.The structures of the compounds used in the Examples are as follows.

Figure 112020115378562-pat00090
Figure 112020115378562-pat00090

Figure 112020115378562-pat00091
Figure 112020115378562-pat00091

실시예Example 2 내지 10 및 2 to 10 and 비교예comparative example 1 내지 5 1 to 5

상기 실시예 1에서 발광층의 호스트로 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 이때, 하기 구조들 중 본 발명 화학식 1로 표시되는 화합물은 각각 전술한 합성예 1 내지 10과 같은 과정을 통하여 제조하였다.An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that each of the compounds listed in Table 1 was used instead of Compound 1 as a host of the light emitting layer. At this time, the compounds represented by Formula 1 of the present invention among the following structures were prepared through the same process as in Synthesis Examples 1 to 10, respectively.

Figure 112020115378562-pat00092
Figure 112020115378562-pat00092

상기 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 5에서 제조한 유기 발광 소자에 있어서, 10 mA/cm2 의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 20 mA/cm2 의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(LT)을 측정하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.In the organic light emitting device prepared in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 5, driving voltage and luminous efficiency were measured at a current density of 10 mA/cm 2 , and initial luminance at a current density of 20 mA/cm 2 The time (LT) to reach 95% of the contrast was measured, and the results are shown in Table 1 below.

화합물
(발광층 호스트)
compound
(emissive layer host)
10 mA/cm2 측정 값10 mA/cm 2 measured value LT (T95%)LT (T95%)
구동전압(Vop)Driving voltage (Vop) 발광효율(Cd/A)Luminous Efficiency (Cd/A) 실시예 1Example 1 화합물 1compound 1 3.653.65 7.127.12 152152 실시예 2Example 2 화합물 2compound 2 3.723.72 7.157.15 137137 실시예 3Example 3 화합물 3compound 3 3.683.68 7.037.03 129129 실시예 4Example 4 화합물 4compound 4 3.623.62 7.067.06 142142 실시예 5Example 5 화합물 5compound 5 3.753.75 7.107.10 133133 실시예 6Example 6 화합물 6compound 6 3.633.63 7.127.12 127127 실시예 7Example 7 화합물 7compound 7 3.603.60 6.916.91 161161 실시예 8Example 8 화합물 8compound 8 3.713.71 6.986.98 146146 실시예 9Example 9 화합물 9compound 9 3.653.65 7.127.12 273273 실시예 10Example 10 화합물 10compound 10 3.723.72 7.167.16 287287 비교예 1Comparative Example 1 화합물 Acompound A 3.983.98 6.546.54 103103 비교예 2Comparative Example 2 화합물 Bcompound B 3.953.95 6.336.33 110110 비교예 3Comparative Example 3 화합물 Ccompound C 4.014.01 6.616.61 9595 비교예 4Comparative Example 4 화합물 Dcompound D 4.154.15 6.626.62 119119 비교예 5Comparative Example 5 화합물 Ecompound E 4.214.21 6.596.59 102102

본 발명 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용한 실시예 1 내지 10은 비교예 1 내지 5에 비하여 모두 저전압 및 고효율의 특성을 나타내었으며, 수명도 우수함을 나타내었다. 또한, 실시예 9와 10으로부터 중수소 치환된 화합물을 사용한 소자의 수명이 현저하게 개선되는 것을 확인할 수 있다.Compared to Comparative Examples 1 to 5, Examples 1 to 10 using the compound represented by Formula 1 of the present invention exhibited characteristics of low voltage and high efficiency, and showed excellent lifespan. In addition, from Examples 9 and 10, it can be confirmed that the lifetime of the device using the deuterium-substituted compound is remarkably improved.

비교예 1 내지 3은 각각 화학식 2의 결합위치가 상이한 화합물 A 내지 C를 사용하였으며, 실시예 1 내지 10에 비하여 구동전압이 높고 효율 및 수명이 떨어지는 것을 확인할 수 있다. 또한 비교예 4 및 5에서 사용된 화합물 D 및 E는 화학식 1에서 Ar1 및 Ar1'가 수소인 경우에 해당하며, 화합물 D 및 E는 HOMO가 낮아 캐리어 주입이 원활하지 않으므로, 소자에 적용시 소자의 구동전압이 높고 효율 및 수명 면에서 유리하지 않은 것을 확인 할 수 있다.In Comparative Examples 1 to 3, Compounds A to C having different bonding positions of Formula 2 were used, and it can be seen that the driving voltage is higher and the efficiency and lifespan are lower than those of Examples 1 to 10. In addition, compounds D and E used in Comparative Examples 4 and 5 correspond to cases in which Ar1 and Ar1' in Formula 1 are hydrogen, and compounds D and E have low HOMOs, so carrier injection is not smooth. It can be confirmed that the driving voltage is high and not advantageous in terms of efficiency and lifespan.

1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 발광층
8: 전자수송층
1: substrate
2: anode
3: light emitting layer
4: cathode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: light emitting layer
8: electron transport layer

Claims (15)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure 112022086579137-pat00093

상기 화학식 1에 있어서,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이고,
L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기이며,
Ar1 및 Ar1'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이며, Ar1 및 Ar1' 중 1 이상은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이고,
Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이며,
a는 0 내지 5의 정수이며, b는 0 내지 6의 정수이고,
a가 2 이상일 경우, 2 이상의 R1은 서로 같거나 상이하고,
b가 2 이상일 경우, 2 이상의 R2는 서로 같거나 상이하며,
*는 하기 화학식 2와 결합하고,
[화학식 2]
Figure 112022086579137-pat00094

상기 화학식 2에 있어서,
X는 O, S, 또는 NR이고,
R 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이며,
c는 0 내지 4의 정수이고,
c가 2 이상일 경우, 2 이상의 R3는 서로 같거나 상이하며,
*는 상기 화학식 1과 결합되는 위치이다.
A compound represented by Formula 1 below:
[Formula 1]
Figure 112022086579137-pat00093

In Formula 1,
R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms;
L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms,
Ar1 and Ar1' are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, and at least one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms,
Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms,
a is an integer from 0 to 5, b is an integer from 0 to 6,
When a is 2 or more, 2 or more R1s are the same as or different from each other,
When b is 2 or more, 2 or more R2s are the same as or different from each other,
* is combined with Formula 2 below,
[Formula 2]
Figure 112022086579137-pat00094

In Formula 2,
X is O, S, or NR;
R and R3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms,
c is an integer from 0 to 4;
When c is 2 or more, 2 or more R3 are the same as or different from each other,
* is a position bonded to Formula 1 above.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 1-1]
Figure 112020115378562-pat00095

[화학식 1-2]
Figure 112020115378562-pat00096

상기 화학식 1-1 및 1-2에 있어서,
L1, L2, R1 내지 R3, Ar1, Ar1', Ar2, X 및 a 내지 c의 정의는 화학식 1 및 2에서와 같다.
The compound according to claim 1, wherein Chemical Formula 1 is represented by the following Chemical Formula 1-1 or 1-2:
[Formula 1-1]
Figure 112020115378562-pat00095

[Formula 1-2]
Figure 112020115378562-pat00096

In Formulas 1-1 and 1-2,
The definitions of L1, L2, R1 to R3, Ar1, Ar1', Ar2, X and a to c are the same as in Formulas 1 and 2.
삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar1' 중 어느 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이고, 나머지 하나는 수소; 또는 중수소인 화합물.The method according to claim 1, wherein any one of Ar1 and Ar1' is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, and the other is hydrogen; or a deuterium compound. 청구항 1에 있어서, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기인 것인 화합물.The method according to claim 1, wherein L1 and L2 are the same as or different from each other, each independently a direct bond; A substituted or unsubstituted phenylene group; Or a compound that is a substituted or unsubstituted naphthylene group. 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 화합물은 1 이상의 중수소를 포함하는 것인 화합물.The compound according to claim 1, wherein the compound contains at least one deuterium. 청구항 1에 있어서, 상기 화합물의 중수소 치환율이 10% 내지 100%인 것인 화합물.The compound according to claim 1, wherein the deuterium substitution rate of the compound is 10% to 100%. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 것인 화합물:
Figure 112022086579137-pat00097

Figure 112022086579137-pat00098

Figure 112022086579137-pat00099

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Figure 112022086579137-pat00147
.
The compound according to claim 1, wherein Formula 1 is selected from the following compounds:
Figure 112022086579137-pat00097

Figure 112022086579137-pat00098

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Figure 112022086579137-pat00139

Figure 112022086579137-pat00146

Figure 112022086579137-pat00147
.
제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 청구항 1, 2, 4, 5 및 7 내지 9 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers is according to any one of claims 1, 2, 4, 5, and 7 to 9. An organic light emitting device comprising a compound according to 청구항 10에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 10, wherein the organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole injection layer or the hole transport layer includes the compound. 청구항 10에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 10, wherein the organic material layer includes an electron transport layer or an electron injection layer, and the electron transport layer or electron injection layer includes the compound. 청구항 10에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 10, wherein the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound. 청구항 10에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층의 호스트로 포함하는 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 10, wherein the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound as a host of the light emitting layer. 청구항 14에 있어서, 상기 발광층은 도펀트를 더 포함하는 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 14 , wherein the light emitting layer further includes a dopant.
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