KR20210148552A - Compound and organic light emitting device comprising same - Google Patents
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Abstract
Description
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a compound and an organic light emitting device including the same.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electric energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. In the structure of the organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected into the organic material layer from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer. When the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and the excitons It lights up when it falls back to the ground state.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.The development of new materials for the organic light emitting device as described above is continuously required.
본 명세서에서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. The present specification provides a compound and an organic light emitting device including the same.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 것인 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by the following formula (1).
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,
X1 및 X2 중 어느 하나는 CRaRb이고, 나머지는 O; S; 또는 NRc이고,any one of X1 and X2 is CRaRb, the other is O; S; or NRc,
Ar1은 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,Ra to Rc and R1 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; nitrile group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imid; amide group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted alkoxy group; a substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; a substituted or unsubstituted arylthioxy group; a substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; a substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; a substituted or unsubstituted alkenyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted boron group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted arylphosphine group; a substituted or unsubstituted phosphine oxide group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, At least one of R2, R3, R6 and R7 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
n9는 0 내지 3의 정수이고, n9가 2 이상인 경우, 2 이상의 R9는 서로 같거나 상이하고,n9 is an integer of 0 to 3, and when n9 is 2 or more, R9 of 2 or more are the same as or different from each other,
n10은 0 내지 4의 정수이고, n10이 2 이상인 경우, 2 이상의 R10은 서로 같거나 상이하다.n10 is an integer of 0 to 4, and when n10 is 2 or more, R10 of 2 or more are the same as or different from each other.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, one embodiment of the present specification is an anode; cathode; and at least one organic material layer provided between the anode and the cathode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound represented by
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 명세서에 기재된 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입과 정공수송, 전자차단, 발광, 정공차단, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다. 또한, 기존 유기 발광 소자에 비하여, 낮은 구동전압, 고효율 및/또는 장수명의 효과가 있다.The compound described herein may be used as a material for an organic layer of an organic light emitting device. The compound according to at least one exemplary embodiment may improve efficiency, low driving voltage, and/or lifespan characteristics in an organic light emitting device. In particular, the compounds described herein can be used as hole injection, hole transport, hole injection and hole transport, electron blocking, light emission, hole blocking, electron transport, or electron injection material. In addition, compared to the conventional organic light emitting device, there is an effect of a low driving voltage, high efficiency, and/or a long lifespan.
도 1은 기판(1), 애노드(2), 발광층(5) 및 캐소드(8)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 애노드(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 발광층(5), 전자수송층(6), 전자주입층(7) 및 캐소드(8)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 shows an example of an organic light emitting device in which a
Figure 2 is a substrate (1), anode (2), hole injection layer (3), hole transport layer (4), light emitting layer (5), electron transport layer (6), electron injection layer (7) and cathode (8) are sequentially An example of an organic light-emitting device stacked with
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present specification will be described in more detail.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In this specification, when a member is said to be located "on" another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member exists between the two members.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of substituents in the present specification are described below, but are not limited thereto.
상기 "치환" 이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent is substitutable, is not limited, and when two or more are substituted , two or more substituents may be the same as or different from each other.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기(-CN); 니트로기; 히드록시기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; halogen group; nitrile group (-CN); nitro group; hydroxyl group; amino group; silyl group; boron group; a substituted or unsubstituted alkoxy group; a substituted or unsubstituted aryloxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; And it means that it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group, is substituted with a substituent to which two or more of the above-exemplified substituents are connected, or does not have any substituents. For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; And it means that it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group, is substituted with a substituent to which two or more of the above-exemplified substituents are connected, or does not have any substituents.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(-F), 염소(-Cl), 브롬(-Br) 또는 요오드(-I)가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine (-F), chlorine (-Cl), bromine (-Br), or iodine (-I).
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiYaYbYc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ya, Yb 및 Yc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiY a Y b Y c , wherein Y a , Y b and Y c are each hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like, but is not limited thereto. does not
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BYdYe의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Yd 및 Ye는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be represented by the formula of -BY d Y e , wherein Y d and Y e are each hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. Specifically, the boron group includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a t-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, and a phenylboron group.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 헵틸기, n-헵틸기, 옥틸기, n-옥틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 60. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 30. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 10. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, n-propyl group, isopropyl group, butyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, n-pentyl group, hexyl group, n -hexyl group, heptyl group, n-heptyl group, octyl group, n-octyl group, etc., but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴알킬기는 아릴기로 치환된 것을 제외하고는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the above-described alkyl group may be applied, except that the arylalkyl group is substituted with an aryl group.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be a straight chain, branched chain or cyclic chain. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, It is preferable that it is C1-C20. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, and the like, but is not limited thereto. .
본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.The substituents containing an alkyl group, an alkoxy group, and other alkyl group moieties described herein include both straight-chain or pulverized forms.
본 명세서에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 20. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알키닐기는 탄소원자와 탄소원자 사이에 삼중결합을 포함하는 치환기로서, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다.In the present specification, the alkynyl group is a substituent including a triple bond between a carbon atom and a carbon atom, and may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 20. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 10.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, there are a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2이며, 상기 아민기에는 전술한 알킬기, 아릴기, 헤테로고리기, 알케닐기, 시클로알킬기 및 이들의 조합 등이 치환될 수 있다. 상기 치환된 아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아민기의 탄소수는 1 내지 20이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아민기의 탄소수는 1 내지 10이다. 치환된 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 9,9-디메틸플루오레닐페닐아민기, 피리딜페닐아민기, 디페닐아민기, 페닐피리딜아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 디벤조퓨라닐페닐아민기, 9-메틸안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 디페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amine group is -NH 2 , and the amine group may be substituted with the above-described alkyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkyl group, and combinations thereof. The number of carbon atoms of the substituted amine group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the amine group is 1 to 20. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the amine group is 1 to 10. Specific examples of the substituted amine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, a phenylamine group, a 9,9-dimethylfluorenylphenylamine group, a pyridylphenylamine group, and a diphenylamine group. group, phenylpyridylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, dibenzofuranylphenylamine group, 9-methylanthracenylamine group, diphenylamine group, phenylnaphthylamine group, There is a ditolylamine group, a phenyltolylamine group, a diphenylamine group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 트리페닐레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 20. The aryl group may be a monocyclic aryl group, such as a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, or a quaterphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, triphenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, triphenylenyl group, etc., but is not limited thereto no.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, , 등의 스피로플루오레닐기, (9,9-디메틸플루오레닐기), 및 (9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted, , spirofluorenyl groups such as (9,9-dimethyl fluorenyl group), and a substituted fluorenyl group such as (9,9-diphenylfluorenyl group). However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기 중의 아릴기는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the above-described aryl group may be applied to the aryl group in the aryloxy group.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 20이다. 헤테로고리기의 예로는 예로는 피리딘기, 피롤기, 피리미딘기, 퀴놀린기, 피리다지닐기, 퓨란기, 티오펜기, 이미다졸기, 피라졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 카바졸기, 벤조카바졸기, 나프토벤조퓨란기, 벤조나프토티오펜기, 인데노카바졸기, 트리아지닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a cyclic group including at least one of N, O, P, S, Si and Se as heteroatoms, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but preferably has 2 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heterocyclic group has 2 to 30 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heterocyclic group has 2 to 20 carbon atoms. Examples of the heterocyclic group include a pyridine group, a pyrrole group, a pyrimidine group, a quinoline group, a pyridazinyl group, a furan group, a thiophene group, an imidazole group, a pyrazole group, a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group , a carbazole group, a benzocarbazole group, a naphthobenzofuran group, a benzonaphthothiophene group, an indenocarbazole group, a triazinyl group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the above-described heterocyclic group may be applied, except that the heteroaryl group is aromatic.
본 명세서에 있어서, 인접한 기와 서로 결합하여 형성되는 치환 또는 비치환된 고리에서, "고리"는 탄화수소 고리; 또는 헤테로 고리를 의미한다.In the present specification, in a substituted or unsubstituted ring formed by bonding with an adjacent group, "ring" is a hydrocarbon ring; or a heterocyclic ring.
상기 탄화수소 고리는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.The hydrocarbon ring may be an aromatic, aliphatic, or a condensed ring of an aromatic and an aliphatic group, and may be selected from examples of the cycloalkyl group or the aryl group.
본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로고리; 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다. 상기 탄화수소고리는 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 상기 헤테로고리는 N, O, P, S, Si 및 Se 중에서 선택된 1 이상으로 포함하는 고리를 의미한다. 본 명세서에 있어서, 상기 지방족 탄화수소고리, 방향족 탄화수소고리, 지방족 헤테로고리 및 방향족 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있다.In the present specification, the meaning of forming a ring by bonding with adjacent groups means a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring by bonding with adjacent groups; A substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring; substituted or unsubstituted aliphatic heterocycle; substituted or unsubstituted aromatic heterocycle; Or it means to form a condensed ring thereof. The hydrocarbon ring means a ring consisting of only carbon and hydrogen atoms. The heterocycle means a ring including at least one selected from N, O, P, S, Si and Se. In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring, the aromatic hydrocarbon ring, the aliphatic heterocycle and the aromatic heterocycle may be monocyclic or polycyclic.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 지방족 탄화수소고리의 예로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로부텐, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 1,4-시클로헥사디엔, 시클로헵탄, 시클로헵텐, 시클로옥탄, 시클로옥텐 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring is a non-aromatic ring and refers to a ring consisting only of carbon and hydrogen atoms. Examples of the aliphatic hydrocarbon ring include cyclopropane, cyclobutane, cyclobutene, cyclopentane, cyclopentene, cyclohexane, cyclohexene, 1,4-cyclohexadiene, cycloheptane, cycloheptene, cyclooctane, cyclooctene, etc. However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리란 탄소와 수소 원자로만 이루어진 방향족의 고리를 의미한다. 방향족 탄화수소고리의 예로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 페날렌, 파이렌, 테트라센, 크라이센, 펜타센, 플루오렌, 인덴, 아세나프틸렌, 벤조플루오렌, 스피로플루오렌 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리는 아릴기와 동일한 의미로 해석될 수 있다.In the present specification, the aromatic hydrocarbon ring means an aromatic ring consisting only of carbon and hydrogen atoms. Examples of the aromatic hydrocarbon ring include benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, perylene, fluoranthene, triphenylene, phenalene, pyrene, tetracene, chrysene, pentacene, fluorene, indene, acenaphthylene, benzofluorene, spirofluorene, and the like, but is not limited thereto. In the present specification, the aromatic hydrocarbon ring may be interpreted as having the same meaning as the aryl group.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 지방족 헤테로고리의 예로는, 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the aliphatic heterocycle refers to an aliphatic ring including one or more heteroatoms. Examples of aliphatic heterocycles include oxirane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, pyrrolidine, piperidine, morpholine, oxepane, azocaine , thiocaine, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리를 의미한다. 방향족 헤테로고리의 예로는, 피리딘, 피롤, 피리미딘, 피리다진, 퓨란, 티오펜, 이미다졸, 파라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 디티아졸, 테트라졸, 피란, 티오피란, 디아진, 옥사진, 티아진, 다이옥신, 트리아진, 테트라진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 퀴논, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아크리딘, 페난트리딘, 디아자나프탈렌, 드리아자인덴, 인돌, 인돌리진, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 벤조이미다졸, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 페나진, 이미다조피리딘, 페녹사진, 인돌로카바졸, 인데노카바졸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the aromatic heterocycle refers to an aromatic ring including one or more heteroatoms. Examples of aromatic heterocycles include pyridine, pyrrole, pyrimidine, pyridazine, furan, thiophene, imidazole, paraazole, oxazole, isoxazole, thiazole, isothiazole, triazole, oxadiazole, thiazole. Diazole, dithiazole, tetrazole, pyran, thiopyran, diazine, oxazine, thiazine, dioxin, triazine, tetrazine, isoquinoline, quinoline, quinone, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, acridine , phenanthridine, diazanaphthalene, driazaindene, indole, indolizine, benzothiazole, benzoxazole, benzoimidazole, benzothiophene, benzofuran, dibenzothiophene, dibenzofuran, carbazole, benzo carbazole, dibenzocarbazole, phenazine, imidazopyridine, phenoxazine, indolocarbazole, indenocarbazole, and the like, but is not limited thereto.
이하 본 발명의 바람직한 실시상태를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명의 실시상태는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시상태들에 한정되지는 않는다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. However, the embodiment of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.
본 발명 화학식 1로 표시되는 화합물은 안트라센 구조에 C와 O, S 또는 N을 포함하는 4환 축합 고리를 포함함으로써 분자의 쌍극자 모멘트(Dipole moment)를 상승시킴으로써 전자와 정공의 주입 및 이동을 개선시킬 수 있다. 이는 소자의 구동전압을 낮추고 발광효율을 높이는 효과를 나타낼 수 있다. The compound represented by
또한, 안트라센의 2번 또는 3번 위치에 아릴기 또는 헤테로고리기를 치환시킴으로써 호스트 분자의 HOMO 준위를 높일 수 있는데, 이는 정공의 주입 및 이동을 개선시켜 수명이 개선되는 효과를 나타낼 수 있다.In addition, the HOMO level of the host molecule can be increased by substituting an aryl group or a heterocyclic group at the 2nd or 3rd position of the anthracene, which can improve hole injection and movement, thereby improving the lifespan.
추가적으로, 본 발명 화학식 1로 표시되는 화합물이 중수소를 포함하는 경우, 소자의 효율 및 수명이 개선된다. 구체적으로 수소가 중수소로 대체되는 경우, 화합물의 화학적 성질은 거의 변화하지 않지만, 중수소화된 화합물은 물리적 성질이 변화하여 진동 에너지 준위가 낮아진다. 중수소로 치환된 화합물은 분자 간 반데르발스 힘의 감소나 분자간 진동으로 인한 충돌에 기인하는 양자 효율 감소를 방지할 수 있다. 또한 C-D 결합이 화합물의 안정성을 개선할 수 있다.Additionally, when the compound represented by
따라서, 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기 발광 소자에 적용시, 고효율, 저전압 및/또는 장수명 특성을 가지는 유기 발광 소자를 얻을 수 있다.Accordingly, when the compound represented by
이하, 화학식 1에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter,
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에 있어서,In
X1 및 X2 중 어느 하나는 CRaRb이고, 나머지는 O; S; 또는 NRc이고,any one of X1 and X2 is CRaRb, the other is O; S; or NRc,
Ar1은 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,Ra to Rc and R1 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; nitrile group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imid; amide group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted alkoxy group; a substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; a substituted or unsubstituted arylthioxy group; a substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; a substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; a substituted or unsubstituted alkenyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted boron group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted arylphosphine group; a substituted or unsubstituted phosphine oxide group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, At least one of R2, R3, R6 and R7 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
n9는 0 내지 3의 정수이고, n9가 2 이상인 경우, 2 이상의 R9는 서로 같거나 상이하고,n9 is an integer of 0 to 3, and when n9 is 2 or more, R9 of 2 or more are the same as or different from each other,
n10은 0 내지 4의 정수이고, n10이 2 이상인 경우, 2 이상의 R10은 서로 같거나 상이하다.n10 is an integer of 0 to 4, and when n10 is 2 or more, R10 of 2 or more are the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1는 CRaRb이고, X2는 O; S; 또는 NRc이다.In one embodiment of the present specification, X1 is CRaRb, X2 is O; S; or NRc.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1는 O; S; 또는 NRc이고, X2는 CRaRb이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 is O; S; or NRc, and X2 is CRaRb.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1는 CRaRb이고, X2는 O이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 is CRaRb, and X2 is O.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1는 CRaRb이고, X2는 S이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 is CRaRb, and X2 is S.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1는 CRaRb이고, X2는 NRc이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 is CRaRb, and X2 is NRc.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1는 O이고, X2는 CRaRb이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 is O, and X2 is CRaRb.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1는 S이고, X2는 CRaRb이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 is S, and X2 is CRaRb.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1는 NRc이고, X2는 CRaRb이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 is NRc, and X2 is CRaRb.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 파이렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 나프토벤조티오펜기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; a substituted or unsubstituted triphenylene group; a substituted or unsubstituted fluorenyl group; a substituted or unsubstituted pyrene group; A substituted or unsubstituted dibenzofuran group; a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group; a substituted or unsubstituted naphthobenzofuran group; a substituted or unsubstituted naphthobenzothiophene group; Or a substituted or unsubstituted carbazole group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 파이렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; a substituted or unsubstituted triphenylene group; a substituted or unsubstituted fluorenyl group; a substituted or unsubstituted pyrene group; A substituted or unsubstituted dibenzofuran group; a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group; a substituted or unsubstituted naphthobenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted carbazole group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 파이렌기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기; 또는 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a phenanthrenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a triphenylene group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a pyrene group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a naphthobenzofuran group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; Or a carbazole group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 파이렌기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기; 또는 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a phenanthrenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a triphenylene group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a pyrene group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a naphthobenzofuran group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; or a carbazole group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 중수소, 페닐기 및 나프틸기로 이루어진 군 중 어느 하나 또는 전술한 기 중 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 페닐기 및 나프틸기로 이루어진 군 중 어느 하나 또는 전술한 기 중 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 바이페닐기; 페난트레닐기; 트리페닐렌기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 파이렌기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 나프토벤조퓨란기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with any one of the group consisting of deuterium, a phenyl group, and a naphthyl group, or a group to which two or more of the foregoing groups are connected; a naphthyl group unsubstituted or substituted with any one of the group consisting of deuterium, a phenyl group, and a naphthyl group, or a group to which two or more of the aforementioned groups are connected; biphenyl group; phenanthrenyl group; triphenylene group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; pyrene; dibenzofuran group; dibenzothiophene group; naphthobenzofuran group; Or a carbazole group unsubstituted or substituted with a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 중수소, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 바이페닐기; 페난트레닐기; 트리페닐렌기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 파이렌기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 나프토벤조퓨란기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a phenyl group, or a naphthyl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a phenyl group, or a naphthyl group; biphenyl group; phenanthrenyl group; triphenylene group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; pyrene; dibenzofuran group; dibenzothiophene group; naphthobenzofuran group; Or a carbazole group unsubstituted or substituted with a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted phenyl group; or a substituted or unsubstituted naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; or a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 중수소 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 디벤조퓨란기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a naphthyl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium; or a dibenzofuran group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 페닐기; 또는 나프틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group; or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-4 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 1-1][Formula 1-1]
[화학식 1-2][Formula 1-2]
[화학식 1-3][Formula 1-3]
[화학식 1-4][Formula 1-4]
상기 화학식 1-1 내지 1-4에 있어서, X1, X2, Ar1, L, R1 내지 R10, n9 및 n10의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.In Formulas 1-1 to 1-4, the definitions of X1, X2, Ar1, L, R1 to R10, n9, and n10 are the same as those in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond; or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond; or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond; or a substituted or unsubstituted C6-C20 arylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted phenylene group; or a substituted or unsubstituted naphthylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 또는 페닐렌기; 또는 나프틸렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond; or a phenylene group; or a naphthylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 페닐렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L is a phenylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 나프틸렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L is a naphthylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra to Rc and R1 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra to Rc and R1 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 2 내지 30의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra to Rc and R1 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted C1-C30 alkyl group; a substituted or unsubstituted 6 to 30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted 2 to 30 heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 2 내지 20의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra to Rc and R1 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 파이렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra to Rc and R1 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted methyl group; a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; a substituted or unsubstituted fluorenyl group; a substituted or unsubstituted pyrene group; A substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 중수소; 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 바이페닐기; 페난트레닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 파이렌기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra to Rc and R1 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; methyl group; heavy hydrogen; Or a phenyl group unsubstituted or substituted with a naphthyl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a phenyl group; biphenyl group; phenanthrenyl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; pyrene; dibenzofuran group; or a dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra to Rc and R1 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted methyl group; a substituted or unsubstituted phenyl group; or a substituted or unsubstituted naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 페닐기; 또는 나프틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra to Rc and R1 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; methyl group; phenyl group; or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 및 Rb는 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra and Rb are a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 및 Rb는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra and Rb are a substituted or unsubstituted alkyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 및 Rb는 치환 또는 비치환된 메틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra and Rb are substituted or unsubstituted methyl groups.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ra 및 Rb는 메틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ra and Rb are methyl groups.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Rc는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Rc is a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Rc는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Rc is a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Rc는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Rc is a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Rc는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Rc is a substituted or unsubstituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Rc는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Rc is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Rc는 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Rc is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R4, R5 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R4, R5 and R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R4, R5 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R4, R5 and R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R4, R5 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R4, R5 and R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; or a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R4, R5 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R4, R5 and R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; or a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R4, R5 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R4, R5 and R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R4, R5 및 R8은 수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R4, R5 and R8 are hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R4, R5 및 R8은 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R4, R5 and R8 are deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, the rest are the same as or different from each other, each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a substituted or unsubstituted C6-C60 aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms, the rest are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms, the rest are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms, the rest are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 파이렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; a substituted or unsubstituted fluorenyl group; a substituted or unsubstituted pyrene group; A substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group, the rest are the same as or different from each other, each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 파이렌기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a phenanthrenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a pyrene group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; or a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group, the rest being the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 파이렌기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a phenanthrenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a pyrene group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; or a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group, the rest being the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 바이페닐기; 페난트레닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 파이렌기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a phenyl group; biphenyl group; phenanthrenyl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; pyrene; dibenzofuran group; or a dibenzothiophene group, the rest being the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a substituted or unsubstituted phenyl group; or a substituted or unsubstituted naphthyl group, the rest are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; or a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, the rest being the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 페닐기; 또는 나프틸기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a phenyl group; or a naphthyl group, the rest being the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 페닐기; 또는 나프틸기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R2, R3, R6 and R7 is a phenyl group; or a naphthyl group, the rest being the same as or different from each other, and each independently hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 바이페닐기; 페난트레닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 파이렌기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이고, R3, R6 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R2 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a phenyl group; biphenyl group; phenanthrenyl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; pyrene; dibenzofuran group; or a dibenzothiophene group, R3, R6 and R7 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3은 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 바이페닐기; 페난트레닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 파이렌기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이고, R2, R6 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R3 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a phenyl group; biphenyl group; phenanthrenyl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; pyrene; dibenzofuran group; or a dibenzothiophene group, R2, R6 and R7 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R6은 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 바이페닐기; 페난트레닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 파이렌기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이고, R2, R3 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R6 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a phenyl group; biphenyl group; phenanthrenyl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; pyrene; dibenzofuran group; or a dibenzothiophene group, R2, R3 and R7 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R7은 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 바이페닐기; 페난트레닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 파이렌기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이고, R2, R3 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R7 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a phenyl group; biphenyl group; phenanthrenyl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; pyrene; dibenzofuran group; or a dibenzothiophene group, R2, R3 and R6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R9 및 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R9 and R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R9 및 R10은 수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R9 and R10 are hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R9 및 R10은 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R9 and R10 are deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 모든 수소는 중수소로 치환될 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, all hydrogens in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-5 또는 1-6으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 1-5][Formula 1-5]
[화학식 1-6][Formula 1-6]
상기 화학식 1-5 및 1-6에 있어서, X1, X2, Ar1, L, R1 내지 R10, n9 및 n10의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.In Formulas 1-5 and 1-6, the definitions of X1, X2, Ar1, L, R1 to R10, n9 and n10 are the same as those in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표시된다.In the exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 2-1][Formula 2-1]
[화학식 2-2][Formula 2-2]
상기 화학식 2-1 및 2-2에 있어서, X1, X2, Ar1, L, R1 내지 R10, n9 및 n10의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.In Formulas 2-1 and 2-2, the definitions of X1, X2, Ar1, L, R1 to R10, n9 and n10 are the same as those in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 는 하기 구조식 중 어느 하나로 표시된다. 이때, 는 L에 결합되는 위치를 의미한다.In one embodiment of the present specification, the formula (1) is represented by any one of the following structural formulas. At this time, is a position coupled to L.
상기 구조식에 있어서, Rc는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.In the above structural formula, Rc is the same as defined in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 는 하기 구조식 중 어느 하나로 표시된다. 이때, 는 L에 결합되는 위치를 의미한다.In one embodiment of the present specification, the formula (1) is represented by any one of the following structural formulas. At this time, is a position coupled to L.
상기 구조식에 있어서, Rc는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.In the above structural formula, Rc is the same as defined in
상기 구조식에 있어서, Rc는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In the above structural formula, Rc is a substituted or unsubstituted aryl group.
상기 구조식에 있어서, Rc는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In the above structural formula, Rc is a substituted or unsubstituted phenyl group.
상기 구조식에 있어서, Rc는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In the above structural formula, Rc is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium.
상기 구조식에 있어서, Rc는 페닐기이다.In the above structural formula, Rc is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 101 내지 103 및 201 내지 203 중 어느 하나로 표시된다.In the exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 101] [화학식 102] [화학식 103][Formula 101] [Formula 102] [Formula 103]
[화학식 201] [화학식 202] [화학식 203][Formula 201] [Formula 202] [Formula 203]
상기 화학식 101 내지 103 및 201 내지 203에 있어서,In Formulas 101 to 103 and 201-203,
Ar1, L, R1 내지 R10, n9 및 n10의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.Ar1, L, R1 to R10, n9 and n10 have the same definitions as in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3-1 또는 3-2로 표시된다.In the exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 3-1][Formula 3-1]
[화학식 3-2][Formula 3-2]
상기 화학식 3-1 및 3-2에 있어서, X1, X2, Ar1, L, R9, R10, n9 및 n10의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,In Formulas 3-1 and 3-2, the definitions of X1, X2, Ar1, L, R9, R10, n9 and n10 are the same as those in
G1 내지 G8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이고,G1 to G8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium,
Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 내지 G8은 수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, G1 to G8 are hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 내지 G8은 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, G1 to G8 are deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C6-C60 aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 파이렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; a substituted or unsubstituted fluorenyl group; a substituted or unsubstituted pyrene group; A substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 파이렌기; 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 중수소, 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a phenanthrenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a pyrene group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group; or a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, or an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 파이렌기; 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 중수소, 메틸기, 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a biphenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a phenanthrenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a pyrene group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group; or a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with deuterium, a methyl group, a phenyl group, or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 바이페닐기; 페난트레닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 파이렌기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a phenyl group; biphenyl group; phenanthrenyl group; a fluorenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; pyrene; dibenzofuran group; or a dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted phenyl group; or a substituted or unsubstituted naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; or a naphthyl group unsubstituted or substituted with deuterium, the rest being the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 또는 나프틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group; or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n9는 0이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n9 is 0.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n9는 1 내지 3의 정수이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n9 is an integer of 1 to 3.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n9는 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n9 is 1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n9는 3이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n9 is 3.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n10는 0이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n10 is 0.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n10는 1 내지 4의 정수이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n10 is an integer of 1 to 4.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n10는 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, n10 is 1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n10는 4이다.In one embodiment of the present specification, n10 is 4.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1는 적어도 하나의 중수소로 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1는 중수소로 40% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1는 중수소로 50% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1는 중수소로 60% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1는 중수소로 70% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1는 중수소로 80% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1는 중수소로 90% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1는 중수소로 100% 치환된다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is substituted with at least one deuterium. In another exemplary embodiment, Ar1 is substituted by 40% or more with deuterium. In another exemplary embodiment, Ar1 is substituted by 50% or more with deuterium. In another exemplary embodiment, Ar1 is substituted by 60% or more with deuterium. In another exemplary embodiment, Ar1 is substituted with deuterium by 70% or more. In another exemplary embodiment, Ar1 is substituted by 80% or more with deuterium. In another exemplary embodiment, Ar1 is substituted by 90% or more with deuterium. In another exemplary embodiment, Ar1 is 100% substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L는 적어도 하나의 중수소로 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L는 중수소로 40% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L는 중수소로 50% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L는 중수소로 60% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L는 중수소로 70% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L는 중수소로 80% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L는 중수소로 90% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L는 중수소로 100% 치환된다.In the exemplary embodiment of the present specification, L is substituted with at least one deuterium. In another exemplary embodiment, L is substituted by 40% or more with deuterium. In another exemplary embodiment, L is 50% or more substituted with deuterium. In another exemplary embodiment, L is substituted with deuterium by 60% or more. In another exemplary embodiment, L is substituted with deuterium by 70% or more. In another exemplary embodiment, L is 80% or more substituted with deuterium. In another exemplary embodiment, L is substituted with deuterium by 90% or more. In another exemplary embodiment, L is 100% substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 치환기는 적어도 하나의 중수소로 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 치환기는 중수소로 40% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 치환기는 중수소로 50% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 치환기는 중수소로 60% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 치환기는 중수소로 70% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 치환기는 중수소로 80% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 치환기는 중수소로 90% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 치환기는 중수소로 100% 치환된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the substituent of
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 각각 적어도 하나의 중수소로 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 각각 중수소로 40% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 각각 중수소로 50% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 각각 중수소로 60% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 각각 중수소로 70% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 각각 중수소로 80% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 각각 중수소로 90% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 각각 중수소로 100% 치환된다.In the exemplary embodiment of the present specification, each of Ra to Rc and R1 to R10 is substituted with at least one deuterium. In another exemplary embodiment, each of Ra to Rc and R1 to R10 is substituted by 40% or more with deuterium. In another exemplary embodiment, each of Ra to Rc and R1 to R10 is substituted by 50% or more with deuterium. In another exemplary embodiment, each of Ra to Rc and R1 to R10 is substituted with deuterium by 60% or more. In another exemplary embodiment, each of Ra to Rc and R1 to R10 is substituted with deuterium by 70% or more. In another exemplary embodiment, each of Ra to Rc and R1 to R10 is substituted by 80% or more with deuterium. In another exemplary embodiment, each of Ra to Rc and R1 to R10 is substituted by 90% or more with deuterium. In another exemplary embodiment, each of Ra to Rc and R1 to R10 is 100% substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 적어도 하나의 중수소로 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소로 20% 이상 치환된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소로 30% 이상 치환된다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소로 40% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소로 50% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소로 60% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소로 70% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소로 80% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소로 90% 이상 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 중수소로 100% 치환된다.In an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8 중 4개 이상은 중수소이고, 나머지는 수소이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8 중 5개 이상은 중수소이고, 나머지는 수소이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8 중 6개 이상은 중수소이고, 나머지는 수소이다. 또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8 중 7개 이상은 중수소이고, 나머지는 수소이다. 이때, R1 내지 R8 외의 나머지 치환기(Ra 내지 Rc, Ar1, L, R9 및 R10)는 중수소로 치환 또는 비치환된다.In an exemplary embodiment of the present specification, 4 or more of R1 to R8 are deuterium, and the remainder is hydrogen. In another exemplary embodiment, 5 or more of R1 to R8 are deuterium, and the remainder is hydrogen. In another exemplary embodiment, 6 or more of R1 to R8 are deuterium, and the remainder is hydrogen. In another exemplary embodiment, at least 7 of R1 to R8 are deuterium, and the remainder is hydrogen. In this case, the remaining substituents (Ra to Rc, Ar1, L, R9 and R10) other than R1 to R8 are unsubstituted or substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification,
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1과 같이 코어구조가 제조될 수 있다. 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.The compound represented by
<반응식 1><
상기 반응식 1에 있어서, 치환기의 정의는 전술한 화학식 1에서의 정의와 같다.In
상기 반응식 1에서는 특정위치에 특정 치환기가 결합된 화합물을 합성하는 과정을 예시하였으나, 당 기술분야에 알려져있는 출발물질, 중간물질 등을 이용하여 당 기술분야에 알려져있는 합성방법에 의하여 상기 화학식 1의 범위에 해당하는 화합물들을 합성할 수 있다.In
본 명세서에서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 또한, 본 명세서에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.In the present specification, compounds having various energy band gaps can be synthesized by introducing various substituents into the core structure of the compound represented by
또한, 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present specification provides an organic light emitting device including the above-described compound.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In the present specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.
본 명세서에 따른 유기발광소자는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 전술한 화학식 1로 표시되는 것인 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting device according to the present specification includes an anode; cathode; and at least one organic material layer provided between the anode and the cathode, wherein at least one of the organic material layers comprises a compound represented by
본 명세서의 유기 발광 소자는 전술한 화학식 1의 화합물을 이용하여 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present specification may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic light emitting device, except for forming an organic material layer using the compound of
상기 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The compound may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서의 유기발광소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기발광소자는 유기물층으로서 정공수송층, 정공주입층, 전자차단층, 정공수송 및 주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층, 및 전자수송 및 주입층 중 1층 이상을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 본 명세서의 유기발광소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention comprises at least one of a hole transport layer, a hole injection layer, an electron blocking layer, a hole transport and injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and an electron transport and injection layer as an organic material layer. It may have a structure containing However, the structure of the organic light emitting device of the present specification is not limited thereto and may include a smaller number or a larger number of organic material layers.
본 명세서의 유기발광소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device of the present specification, the organic material layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, or a hole injection and transport layer, and the hole injection layer, the hole transport layer, or the hole injection and transport layer is a compound represented by the above-mentioned
본 명세서의 유기발광소자에서, 상기 유기물층은 정공수송층 또는 정공주입층을 포함하고, 상기 정공수송층 또는 정공주입층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device of the present specification, the organic material layer may include a hole transport layer or a hole injection layer, and the hole transport layer or the hole injection layer may include the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층, 전자수송층, 전자 주입 및 수송층 또는 정공차단층을 포함하고, 상기 전자주입층, 전자수송층, 전자 주입 및 수송층 또는 정공차단층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes an electron injection layer, an electron transport layer, an electron injection and transport layer or a hole blocking layer, and the electron injection layer, the electron transport layer, the electron injection and transport layer or the hole blocking layer is the above-mentioned The compound represented by
본 명세서의 유기발광소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자 수송 및 주입층을 포함하고, 상기 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자 수송 및 주입층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device of the present specification, the organic material layer includes an electron transport layer, an electron injection layer, or an electron transport and injection layer, and the electron transport layer, the electron injection layer, or the electron transport and injection layer is represented by the above formula (1) compounds may be included.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자조절층을 포함하고, 상기 전자조절층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer may include an electron control layer, and the electron control layer may include the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함한다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하는 녹색 유기 발광 소자이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device is a green organic light emitting device in which the light emitting layer includes the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하는 적색 유기 발광 소자이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device is a red organic light emitting device in which the light emitting layer includes the compound represented by
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하는 청색 유기 발광 소자이다.In another exemplary embodiment, the organic light emitting device is a blue organic light emitting device in which the light emitting layer includes the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하고, 도펀트를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 도펀트의 함량은 호스트 100 중량부를 기준으로 1 중량부 내지 60 중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 중량부 내지 10 중량부로 포함된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound represented by
이때, 상기 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자, 안트라센계 화합물, 파이렌계 화합물, 보론계 화합물 등과 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.In this case, as the dopant, a phosphorescent material such as (4,6-F2ppy) 2 Irpic, spiro-DPVBi, spiro-6P, distylbenzene (DSB), distrylarylene (DSA), PFO-based polymer, PPV-based polymer A fluorescent material such as a polymer, an anthracene-based compound, a pyrene-based compound, or a boron-based compound may be used, but is not limited thereto.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물 외에 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 더 포함할 수 있다.In another exemplary embodiment, the organic material layer may further include other organic compounds, metals, or metal compounds in addition to the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 발광층은 형광 도펀트 또는 인광 도펀트를 더 포함한다. 이때, 발광층 내의 도펀트는 호스트 100 중량부 대비 1 중량부 내지 50 중량부로 포함된다.In the organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present specification, the light emitting layer further includes a fluorescent dopant or a phosphorescent dopant. In this case, the dopant in the emission layer is included in an amount of 1 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the host.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층의 최대 발광 피크는 400 nm 내지 500 nm이다.In the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present specification, the maximum emission peak of the organic material layer is 400 nm to 500 nm.
또 하나의 예로서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하고, 추가의 호스트를 더 포함할 수 있다. As another example, the organic material layer may include an emission layer, the emission layer may include the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 도펀트는 아릴아민계 화합물, 붕소 및 질소를 포함한 헤테로고리 화합물 또는 Ir 착체 등을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the dopant includes an arylamine-based compound, a heterocyclic compound including boron and nitrogen, or an Ir complex.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 형광 도펀트는 하기의 구조에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.In the exemplary embodiment of the present specification, the fluorescent dopant may be selected from the following structures, but is not limited thereto.
본 명세서의 일 실시 상태에 있어서, 상기 인광 도펀트로는 Ir 착체가 사용될 수 있으며, 그 예로 하기 구조들 중 어느 하나가 사용될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.In an exemplary embodiment of the present specification, an Ir complex may be used as the phosphorescent dopant, and for example, any one of the following structures may be used, but is not limited thereto.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한 발광층은 청색을 띤다.In an exemplary embodiment of the present specification, the light emitting layer including the compound represented by
일 예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량은 발광층의 호스트 및 도펀트의 합 100 중량부를 기준으로, 70 중량부 내지 99.99 중량부; 바람직하게는, 80 중량부 내지 99.9 중량부; 더욱 바람직하게는 90 중량부 내지 99.5 중량부이다. According to an example, the content of the compound represented by
본 명세서의 유기 발광 소자는 정공수송층, 정공주입층, 전자차단층, 전자수송 및 주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층, 및 정공수송 및 주입층 중 1 층 이상의 유기물층을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting device of the present specification may further include an organic material layer of at least one of a hole transport layer, a hole injection layer, an electron blocking layer, an electron transport and injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and a hole transport and injection layer. can
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device includes an anode; cathode; and two or more organic material layers provided between the anode and the cathode, wherein at least one of the two or more organic material layers includes the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 수송 및 주입층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, two or more organic material layers may be selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, a hole transport and injection layer, and an electron blocking layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자 수송 및 주입층, 전자조절층 및 정공 차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, two or more organic material layers may be selected from the group consisting of a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron transport and injection layer, an electron control layer, and a hole blocking layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 전자 수 송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자 수송층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 2층 이상의 전자 수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 전자 수송층에 포함될 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes two or more electron transport layers, and at least one of the two or more electron transport layers includes the compound represented by
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 전자 수송층에 포함되는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In addition, in the exemplary embodiment of the present specification, when the compound is included in each of the two or more electron transport layers, materials other than the compound represented by
상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층이 전자 수송층인 경우, 상기 전자 수송층은 n형 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 당 기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있으며, 예컨대 금속 또는 금속착체를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자 수송층은 LiQ(Lithium Quinolate)를 더 포함할 수 있다.When the organic material layer including the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 정공수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 정공 수송층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 2층 이상의 정공 수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 정공 수송층에 포함될 수 있다. In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes two or more hole transport layers, and at least one of the two or more hole transport layers includes the compound represented by
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 정공 수송층에 포함되는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In addition, in one embodiment of the present specification, when the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층 이외에 아릴아민기, 카바졸릴기 또는 벤조카바졸릴기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공 주입층 또는 정공 수송층을 더 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer containing a compound including an arylamine group, a carbazolyl group or a benzocarbazolyl group in addition to the organic material layer including the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자차단층을 포함할 수 있으며, 상기 전자차단층은 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.In the organic light emitting device of the present invention, the organic material layer may include an electron blocking layer, the electron blocking layer may be a material known in the art.
상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The organic light emitting device may have, for example, a stacked structure as follows, but is not limited thereto.
(1) 애노드/정공수송층/발광층/캐소드(1) anode/hole transport layer/light emitting layer/cathode
(2) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/캐소드(2) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode
(3) 애노드/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/캐소드(3) anode / hole injection layer / hole buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode
(4) 애노드/정공수송층/발광층/전자수송층/캐소드(4) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(5) 애노드/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/캐소드(5) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
(6) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/캐소드(6) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(7) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/캐소드(7) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
(8) 애노드/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/캐소드(8) anode / hole injection layer / hole buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(9) 애노드/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /캐소드(9) anode / hole injection layer / hole buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
(10) 애노드/ 정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/캐소드(10) anode / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(11) 애노드/ 정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/전자주입층/캐소드(11) anode / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
(12) 애노드/정공주입층/정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/캐소드(12) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(13) 애노드/정공주입층/정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/전자주입 층/캐소드(13) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
(14) 애노드/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/캐소드(14) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode
(15) 애노드/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/전자주입층/캐소드(15) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
(16) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/캐소드(16) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode
(17) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/전자주입 층/캐소드(17) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The structure of the organic light emitting diode of the present specification may have a structure as shown in FIGS. 1 and 2 , but is not limited thereto.
도 1은 기판(1), 애노드(2), 발광층(5) 및 캐소드(8)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층(6)에 포함될 수 있다.1 illustrates a structure of an organic light emitting device in which a
도 2는 기판 (1), 애노드(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 발광층(5), 전자수송층(6), 전자주입층(7) 및 캐소드(8)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 정공주입층(3), 정공수송층(4), 발광층(5) 전자수송층(6) 또는 전자주입층(7)에 포함될 수 있다.Figure 2 is a substrate (1), anode (2), hole injection layer (3), hole transport layer (4), light emitting layer (5), electron transport layer (6), electron injection layer (7) and cathode (8) are sequentially The structure of the organic light-emitting device stacked with In such a structure, the compound may be included in the
예컨대, 본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자차단층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.For example, the organic light emitting device according to the present specification uses a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation to form a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof on a substrate. is deposited to form an anode, and an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron blocking layer, an electron transport layer and an electron injection layer is formed thereon, and then a material that can be used as a cathode is deposited thereon. can be In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
상기 유기물층은 정공수송층, 정공주입층, 전자차단층, 전자수송 및 주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층, 및 정공수송 및 주입층 중 1 층 이상을 더 포함할 수 있다.The organic material layer may further include one or more of a hole transport layer, a hole injection layer, an electron blocking layer, an electron transport and injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and a hole transport and injection layer.
상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입 및 수송층, 전자차단층, 발광층 및 전자수송층, 전자주입층, 전자수송 및 주입층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.The organic material layer may have a multilayer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection and transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer and an electron transport layer, an electron injection layer, an electron transport and injection layer, etc., but is not limited thereto, and may have a single layer structure can In addition, the organic layer is formed using a variety of polymer materials in a smaller number by a solvent process rather than a vapor deposition method, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer method. It can be made in layers.
상기 애노드는 정공을 주입하는 전극으로, 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The anode is an electrode for injecting holes, and as the anode material, a material having a large work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO, Indium Tin Oxide), and indium zinc oxide (IZO, Indium Zinc Oxide); ZnO: Al or SnO 2 : Combination of metals and oxides such as Sb; conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.
상기 캐소드는 전자를 주입하는 전극으로, 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode is an electrode for injecting electrons, and the cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the cathode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; and a multi-layered material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.
상기 정공주입층은 애노드로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 하는 층이며, 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 애노드로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 정공주입층의 두께는 1 내지 150nm일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 1nm 이상이면, 정공 주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150nm 이하이면, 정공주입층의 두께가 너무 두꺼워 정공의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The hole injection layer is a layer that smoothly injects holes from the anode into the light emitting layer. As the hole injection material, holes can be well injected from the anode at a low voltage, and the highest occupied (HOMO) of the hole injection material is The molecular orbital) is preferably between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material. of organic substances, anthraquinones, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, and the like, but are not limited thereto. The hole injection layer may have a thickness of 1 to 150 nm. When the thickness of the hole injection layer is 1 nm or more, there is an advantage in that the hole injection characteristics can be prevented from being deteriorated, and when it is 150 nm or less, the thickness of the hole injection layer is too thick, so that the driving voltage is increased to improve hole movement There are advantages to avoiding this.
상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공 수송 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer may serve to facilitate hole transport. As the hole transport material, a material capable of receiving holes from the anode or hole injection layer and transferring them to the light emitting layer is suitable, and a material having high hole mobility is suitable. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together.
정공주입층과 정공수송층 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 정공주입 또는 수송재료를 포함할 수 있다. An additional hole buffer layer may be provided between the hole injection layer and the hole transport layer, and may include hole injection or transport materials known in the art.
정공수송층과 발광층 사이에 전자차단층이 구비될 수 있다. 상기 전자차단층에는 전술한 화합물 또는 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.An electron blocking layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer. The above-described compound or a material known in the art may be used for the electron blocking layer.
상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 전술한 화학식 1의 화합물; 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting layer may emit red, green, or blue light, and may be made of a phosphorescent material or a fluorescent material. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by receiving and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include the aforementioned compound of
발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the host material for the light emitting layer include a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound containing compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, etc., and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
발광층이 적색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.When the light-emitting layer emits red light, the light-emitting dopant is PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) ), a phosphorescent material such as octaethylporphyrin platinum (PtOEP), or a fluorescent material such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used, but is not limited thereto. When the emission layer emits green light, a phosphor such as Ir(ppy) 3 (fac tris(2-phenylpyridine)iridium) or a fluorescent material such as Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used as the emission dopant. However, the present invention is not limited thereto. When the light-emitting layer emits blue light, the light-emitting dopant includes a phosphorescent material such as (4,6-F2ppy) 2 Irpic, spiro-DPVBi, spiro-6P, distylbenzene (DSB), distrylarylene (DSA), A fluorescent material such as a PFO-based polymer or a PPV-based polymer may be used, but is not limited thereto.
전자수송층과 발광층 사이에 정공차단층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.A hole blocking layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and a material known in the art may be used.
상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 상기 전술한 화합물 또는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다. 전자수송층의 두께가 1nm 이상이면, 전자 수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자수송층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The electron transport layer may serve to facilitate the transport of electrons. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer is suitable, and a material having high electron mobility is suitable. Specific examples include the above-mentioned compound or Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The thickness of the electron transport layer may be 1 to 50 nm. If the thickness of the electron transport layer is 1 nm or more, there is an advantage in that the electron transport characteristics can be prevented from being deteriorated, and if it is 50 nm or less, the thickness of the electron transport layer is too thick to prevent an increase in the driving voltage to improve the movement of electrons. There are advantages that can be
상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer may serve to facilitate electron injection. The electron injection material has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, prevents the movement of excitons generated in the light emitting layer to the hole injection layer, and also , a compound having excellent thin film forming ability is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc., derivatives thereof, metals complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. However, the present invention is not limited thereto.
상기 정공차단층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole blocking layer is a layer that blocks the holes from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complex, and the like, but is not limited thereto.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하기 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 출원의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 출원의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be given to describe the present specification in detail. However, the embodiments according to the present specification may be modified in various other forms, and the scope of the present application is not to be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present application are provided to more completely explain the present specification to those of ordinary skill in the art.
합성예 1: 화합물 1의 합성Synthesis Example 1: Synthesis of
합성예 1-1) 화합물 1-a의 합성Synthesis Example 1-1) Synthesis of compound 1-a
벤조퓨란-2-일보론산 (30g, 185mmol)과 메틸-4-브로모-2-아이오도벤조에이트 (63.1g, 185mml) 를 을 THF(tetrahydrofuran, 테트라하이드로퓨란) (1000ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (2.14g, 1.2 mmol)와 2M K2CO3 수용액 200ml를 넣고 24시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-a (41g, 수율 67%)를 얻었다.Benzofuran-2-ylboronic acid (30g, 185mmol) and methyl-4-bromo-2-iodobenzoate (63.1g, 185mml) were dissolved in THF (tetrahydrofuran, tetrahydrofuran) (1000ml), and then Pd (PPh 3 ) 4 (2.14 g, 1.2 mmol) and 200 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 1-a (41 g, yield 67%).
합성예 1-2) 화합물 1-b의 합성Synthesis Example 1-2) Synthesis of compound 1-b
화합물 1-a (41g, 124mmol)을 THF 600ml에 녹인다. 질소 분위기하에서 온도를 0℃로 내린 후, 3 M CH3MgBr 124ml를 천천히 적가한다. 온도를 서서히 상온으로 올린다. 1시간 교반 후 온도를 승온시켜 12시간 동안 환류 교반한다. 반응 용액을 식힌 후 HCl 용액으로 ?칭한 후 THF를 감압 증류한다. EA(ethylacetate, 에틸아세테이트)와 물을 넣어 추출한다. EA를 감압 증류 하에 제거 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-b (29g, 수율 71%)를 얻었다.Compound 1-a (41 g, 124 mmol) is dissolved in 600 ml of THF. After lowering the temperature to 0° C. under a nitrogen atmosphere, 124 ml of 3 M CH 3 MgBr was slowly added dropwise. Raise the temperature gradually to room temperature. After stirring for 1 hour, the temperature was raised and the mixture was stirred under reflux for 12 hours. After cooling the reaction solution, quenching with HCl solution, THF is distilled under reduced pressure. Extract by adding EA (ethylacetate, ethyl acetate) and water. EA was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 1-b (29 g, yield 71%).
합성예 1-3) 화합물 1-c의 합성Synthesis Example 1-3) Synthesis of compound 1-c
화합물 1-b (25g, 75mmol)을 아세트산 250ml와 염산 1.1ml에 분산시킨 후 24시간 동안 환류 교반시킨다. 석출된 고체를 필터한 후 물로 씻어준다. EA에 녹여 물로 여러 번 추출한다. 유기층을 감압증류한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-c (14g, 수율 59%)를 얻는다.Compound 1-b (25 g, 75 mmol) was dispersed in 250 ml of acetic acid and 1.1 ml of hydrochloric acid, followed by stirring under reflux for 24 hours. The precipitated solid is filtered and washed with water. Dissolve in EA and extract several times with water. The organic layer was distilled under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 1-c (14 g, yield 59%).
합성예 1-4) 화합물 1-d의 합성Synthesis Example 1-4) Synthesis of compound 1-d
화합물 1-c (14g, 45mmol)와 비스(피나콜라토)디보론 (13.6g, 54mmol), KOAc (8.8g, 89mmol)을 플라스크에 다이옥산(Dioxane) 120ml와 함께 넣어 분산시킨다. Pd(dba)2 (0.51g, 0.89mmol), PCy3 (0.50g, 1.8mmol)을 넣어준 후 24시간 동안 환류 교반한다. 반응 종료 후 Dioxane을 감압 증류하여 제거한다. 클로로포름에 녹인 후 증류수로 3회 추출하고, 유기층을 감압 증류하여 클로로포름을 제거한 뒤 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-d를 얻는다. (12g, 수율 74%)Compound 1-c (14g, 45mmol), bis(pinacolato)diboron (13.6g, 54mmol), and KOAc (8.8g, 89mmol) were put in a flask together with 120ml of Dioxane and dispersed. After adding Pd(dba) 2 (0.51 g, 0.89 mmol) and PCy 3 (0.50 g, 1.8 mmol), the mixture was stirred under reflux for 24 hours. After completion of the reaction, dioxane is removed by distillation under reduced pressure. After dissolving in chloroform, extraction was performed three times with distilled water, and the organic layer was distilled under reduced pressure to remove chloroform and purified using column chromatography to obtain compound 1-d. (12g, yield 74%)
합성예 1-5) 화합물 1-e의 합성Synthesis Example 1-5) Synthesis of compound 1-e
2-브로모안트라센 (50 g, 194mmol)와 페닐보론산 (23.7g, 194mmol) 을 Dioxane (1000ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (4.49g, 3.9mmol)와 2M K2CO3 수용액 200ml를 넣고 24시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-e (41g, 수율 83%)를 얻었다.After dissolving 2-bromoanthracene (50 g, 194 mmol) and phenylboronic acid (23.7 g, 194 mmol) in Dioxane (1000 ml), Pd(PPh 3 ) 4 (4.49 g, 3.9 mmol) and 2M K 2 CO 3 aqueous solution 200ml was added and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 1-e (41 g, yield 83%).
합성예 1-6) 화합물 1-f의 합성Synthesis Example 1-6) Synthesis of compound 1-f
화합물 1-e (41g, 161mmol)를 DMF (dimethylformamide, 디메틸포름아마이드) 800ml에 녹인 후 DMF 100ml에 녹인 N-브로모숙신이미드 (28.7g, 161mmol)을 천천히 적가한다. 상온에서 2시간 교반 후 물 500ml를 적가했다. 고체가 생성되면 필터 후 클로로포름에 녹여 증류수로 여러 번 추출한다. 에틸아세테이트에서 재결정하여 화합물 1-f를 얻었다. (37g, 수율 69%)Compound 1-e (41g, 161mmol) was dissolved in 800ml of DMF (dimethylformamide, dimethylformamide), and then N-bromosuccinimide (28.7g, 161mmol) dissolved in 100ml of DMF was slowly added dropwise. After stirring at room temperature for 2 hours, 500 ml of water was added dropwise. When a solid is formed, it is dissolved in chloroform after filtering and extracted several times with distilled water. Recrystallization from ethyl acetate gave compound 1-f. (37 g, yield 69%)
합성예 1-7) 화합물 1-g의 합성Synthesis Example 1-7) Synthesis of compound 1-g
화합물 1-f (37 g, 111mmol)와 페닐보론산 (13.5g, 111mmol) 을 Dioxane (600ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (2.57g, 2.22mmol)와 2M K2CO3 수용액 150ml를 넣고 24시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-g (27g, 수율 74%)를 얻었다.After dissolving compound 1-f (37 g, 111 mmol) and phenylboronic acid (13.5 g, 111 mmol) in Dioxane (600 ml), Pd(PPh 3 ) 4 (2.57 g, 2.22 mmol) and 2M K 2 CO 3 aqueous solution 150 ml was added and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain compound 1-g (27 g, yield 74%).
합성예 1-8) 화합물 1-h의 합성Synthesis Example 1-8) Synthesis of compound 1-h
화합물 1-g (27g, 82mmol)를 DMF 400ml에 녹인 후 DMF 50ml에 녹인 N-브로모숙신이미드 (14.5g, 82mmol)을 천천히 적가한다. 상온에서 2시간 교반 후 물 300ml를 적가했다. 고체가 생성되면 필터 후 클로로포름에 녹여 증류수로 여러 번 추출한다. 에틸아세테이트에서 재결정하여 화합물 1-h를 얻었다. (25g, 수율 74%)Compound 1-g (27g, 82mmol) was dissolved in 400ml of DMF, and then N-bromosuccinimide (14.5g, 82mmol) dissolved in 50ml of DMF was slowly added dropwise. After stirring at room temperature for 2 hours, 300 ml of water was added dropwise. When a solid is formed, it is dissolved in chloroform after filtering and extracted several times with distilled water. Recrystallization from ethyl acetate gave compound 1-h. (25g, yield 74%)
합성예 1-9) 화합물 1의 합성Synthesis Example 1-9) Synthesis of
화합물 1-d (12 g, 33mmol)와 화합물 1-h (13.6g, 33mmol) 을 Dioxane (200ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (0.77g, 0.7mmol)와 2M K2CO3 수용액 50ml를 넣고 24시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 용액을 식히고, 유기층을 에틸아세테이트로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한다. 감압하여 유기용매를 제거하고 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1 (14g, 수율 75%)를 얻었다. [M+H+]= 563.2After dissolving compound 1-d (12 g, 33 mmol) and compound 1-h (13.6 g, 33 mmol) in Dioxane (200 ml), Pd(PPh 3 ) 4 (0.77 g, 0.7 mmol) and 2M K 2 CO 3 aqueous solution 50ml was added and stirred under reflux for 24 hours. After cooling the reaction solution, the organic layer was extracted with ethyl acetate and dried over anhydrous magnesium sulfate. The organic solvent was removed under reduced pressure and purified using column chromatography to obtain Compound 1 (14 g, yield 75%). [M+H+]= 563.2
합성예 2: 화합물 2의 합성Synthesis Example 2: Synthesis of
합성예 2-1) 화합물 2-a의 합성Synthesis Example 2-1) Synthesis of compound 2-a
합성예 1-1에서 벤조퓨란-2-일보론산 대신 벤조[b]티오펜-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2-a를 합성하였다.Compound 2-a was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-1, except that benzo[b]thiophen-2-ylboronic acid was used instead of benzofuran-2-ylboronic acid.
합성예 2-2) 화합물 2-b의 합성Synthesis Example 2-2) Synthesis of compound 2-b
합성예 1-2에서 화합물 1-a 대신 2-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2-b를 합성하였다.Compound 2-b was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-2, except that 2-a was used instead of compound 1-a.
합성예 2-3) 화합물 2-c의 합성Synthesis Example 2-3) Synthesis of compound 2-c
합성예 1-3에서 화합물 1-b 대신 2-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2-c를 합성하였다. Compound 2-c was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-3, except that 2-b was used instead of compound 1-b.
합성예 2-4) 화합물 2-d의 합성Synthesis Example 2-4) Synthesis of compound 2-d
합성예 1-4에서 화합물 1-c 대신 화합물 2-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2-d를 합성하였다. Compound 2-d was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-4, except that compound 2-c was used instead of compound 1-c.
합성예 2-5) 화합물 2-e의 합성Synthesis Example 2-5) Synthesis of compound 2-e
합성예 1-7에서 페닐보론산 대신 (3-(나프탈렌-2-일)페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2-e를 합성하였다.Compound 2-e was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-7, except that (3-(naphthalen-2-yl)phenyl)boronic acid was used instead of phenylboronic acid.
합성예 2-6) 화합물 2-f의 합성Synthesis Example 2-6) Synthesis of compound 2-f
합성예 1-8에서 화합물 1-g 대신 2-e를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2-f를 합성하였다.Compound 2-f was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-8, except that 2-e was used instead of compound 1-g.
합성예 2-7) 화합물 2의 합성Synthesis Example 2-7) Synthesis of
합성예 1-9에서 화합물 1-d 대신 2-d를, 1-h 대신 2-f를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 2를 합성하였다. [M+H+]=705.3
합성예 3: 화합물 3의 합성Synthesis Example 3: Synthesis of
합성예 3-1) 화합물 3-a의 합성Synthesis Example 3-1) Synthesis of compound 3-a
합성예 1-1에서 벤조퓨란-2-일보론산 대신 벤조퓨란-3-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 3-a를 합성하였다.Compound 3-a was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-1, except that benzofuran-3-ylboronic acid was used instead of benzofuran-2-ylboronic acid.
합성예 3-2) 화합물 3-b의 합성Synthesis Example 3-2) Synthesis of compound 3-b
합성예 1-2에서 화합물 1-a 대신 3-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 3-b를 합성하였다.Compound 3-b was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-2, except that 3-a was used instead of compound 1-a.
합성예 3-3) 화합물 3-c의 합성Synthesis Example 3-3) Synthesis of compound 3-c
합성예 1-3에서 화합물 1-b 대신 3-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 3-c를 합성하였다. Compound 3-c was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-3, except that 3-b was used instead of compound 1-b.
합성예 3-4) 화합물 3-d의 합성Synthesis Example 3-4) Synthesis of compound 3-d
합성예 1-4에서 화합물 1-c 대신 화합물 3-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 3-d를 합성하였다. Compound 3-d was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-4, except that compound 3-c was used instead of compound 1-c.
합성예 3-5) 화합물 3-e의 합성Synthesis Example 3-5) Synthesis of compound 3-e
합성예 1-5에서 페닐 보론산 대신 나프탈렌-1-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 3-e를 합성하였다.Compound 3-e was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-5, except that naphthalen-1-ylboronic acid was used instead of phenyl boronic acid.
합성예 3-6) 화합물 3-f의 합성Synthesis Example 3-6) Synthesis of compound 3-f
합성예 1-6에서 화합물 1-e 대신 3-e를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 3-f를 얻었다.Compound 3-f was obtained by the same synthesis except that 3-e was used instead of compound 1-e in Synthesis Example 1-6.
합성예 3-7) 화합물 3-g의 합성Synthesis Example 3-7) Synthesis of compound 3-g
합성예 1-7에서 화합물 1-f 대신 3-f를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 3-g를 얻었다.Compound 3-g was obtained by the same synthesis except that 3-f was used instead of compound 1-f in Synthesis Example 1-7.
합성예 3-8) 화합물 3-h의 합성Synthesis Example 3-8) Synthesis of compound 3-h
합성예 1-8에서 화합물 1-g 대신 3-g를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-h를 얻었다.Compound 3-h was obtained by synthesis in the same manner as in Synthesis Example 1-8, except that 3-g was used instead of compound 1-g.
합성예 3-9) 화합물 3의 합성Synthesis Example 3-9) Synthesis of
합성예 1-9에서 화합물 1-d 대신 3-d를, 1-h 대신 3-h를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 3를 합성하였다. [M+H+]=613.3
합성예 4: 화합물 4의 합성Synthesis Example 4: Synthesis of
합성예 4-1) 화합물 4-a의 합성Synthesis Example 4-1) Synthesis of compound 4-a
합성예 1-1에서 메틸-4-브로모-2-아이오도벤조에이트 대신 메틸-3-브로모-2-아이오도벤조에이트를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4-a를 합성하였다.Compound 4-a was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-1, except that methyl-3-bromo-2-iodobenzoate was used instead of methyl-4-bromo-2-iodobenzoate. .
합성예 4-2) 화합물 4-b의 합성Synthesis Example 4-2) Synthesis of compound 4-b
합성예 1-2에서 화합물 1-a 대신 4-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4-b를 합성하였다.Compound 4-b was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-2, except that 4-a was used instead of compound 1-a.
합성예 4-3) 화합물 4-c의 합성Synthesis Example 4-3) Synthesis of compound 4-c
합성예 1-3에서 화합물 1-b 대신 4-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4-c를 합성하였다. Compound 4-c was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-3, except that 4-b was used instead of compound 1-b.
합성예 4-4) 화합물 4-d의 합성Synthesis Example 4-4) Synthesis of compound 4-d
합성예 1-4에서 화합물 1-c 대신 화합물 4-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4-d를 합성하였다. Compound 4-d was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-4, except that compound 4-c was used instead of compound 1-c.
합성예 4-5) 화합물 4의 합성Synthesis Example 4-5) Synthesis of
합성예 1-9에서 화합물 1-d 대신 화합물 4-d를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 4 를 합성하였다. [M+H+]=563.2
합성예 5: 화합물 5의 합성Synthesis Example 5: Synthesis of
합성예 5-1) 화합물 5-a의 합성Synthesis Example 5-1) Synthesis of compound 5-a
합성예 1-1에서 메틸-4-브로모-2-아이오도벤조에이트 대신 메틸-5-브로모-2-아이오도벤조에이트를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5-a를 합성하였다.Compound 5-a was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-1, except that methyl-5-bromo-2-iodobenzoate was used instead of methyl-4-bromo-2-iodobenzoate. .
합성예 5-2) 화합물 5-b의 합성Synthesis Example 5-2) Synthesis of compound 5-b
합성예 1-2에서 화합물 1-a 대신 5-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5-b를 합성하였다.Compound 5-b was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-2, except that 5-a was used instead of compound 1-a.
합성예 5-3) 화합물 5-c의 합성Synthesis Example 5-3) Synthesis of compound 5-c
합성예 1-3에서 화합물 1-b 대신 5-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5-c를 합성하였다. Compound 5-c was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-3, except that 5-b was used instead of compound 1-b.
합성예 5-4) 화합물 5-d의 합성Synthesis Example 5-4) Synthesis of compound 5-d
합성예 1-4에서 화합물 1-c 대신 화합물 5-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5-d를 합성하였다. Compound 5-d was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-4, except that compound 5-c was used instead of compound 1-c.
합성예 5-5) 화합물 5-e의 합성Synthesis Example 5-5) Synthesis of compound 5-e
합성예 1-7에서 페닐보론산 대신 나프탈렌-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5-e를 합성하였다.Compound 5-e was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-7, except that naphthalen-2-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.
합성예 5-6) 화합물 5-f의 합성Synthesis Example 5-6) Synthesis of compound 5-f
합성예 1-8에서 화합물 1-g 대신 5-e를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5-f를 합성하였다.Compound 5-f was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-8, except that 5-e was used instead of compound 1-g.
합성예 5-7) 화합물 5의 합성Synthesis Example 5-7) Synthesis of
합성예 1-9에서 화합물 1-d 대신 5-d를, 1-h 대신 5-f를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 5를 합성하였다. [M+H+]=613.3
합성예 6: 화합물 6의 합성Synthesis Example 6: Synthesis of
합성예 6-1) 화합물 6-a의 합성Synthesis Example 6-1) Synthesis of compound 6-a
합성예 1-1에서 벤조퓨란-2-일보론산 대신 벤조[b]티오펜-2-일보론산을, 메틸-4-브로모-2-아이오도벤조에이트 대신 메틸-3-브로모-2-아이오도벤조에이트를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 6-a를 합성하였다.In Synthesis Example 1-1 instead of benzofuran-2-ylboronic acid, benzo[b]thiophen-2-ylboronic acid, methyl-4-bromo-2-iodobenzoate instead of methyl-3-bromo-2- Compound 6-a was synthesized in the same manner except that iodobenzoate was used.
합성예 6-2) 화합물 6-b의 합성Synthesis Example 6-2) Synthesis of compound 6-b
합성예 1-2에서 화합물 1-a 대신 6-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 6-b를 합성하였다.Compound 6-b was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-2, except that 6-a was used instead of compound 1-a.
합성예 6-3) 화합물 6-c의 합성Synthesis Example 6-3) Synthesis of compound 6-c
합성예 1-3에서 화합물 1-b 대신 6-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 6-c를 합성하였다. Compound 6-c was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-3, except that 6-b was used instead of compound 1-b.
합성예 6-4) 화합물 6-d의 합성Synthesis Example 6-4) Synthesis of compound 6-d
합성예 1-4에서 화합물 1-c 대신 화합물 6-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 6-d를 합성하였다. Compound 6-d was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-4, except that compound 6-c was used instead of compound 1-c.
합성예 6-5) 화합물 6-e의 합성Synthesis Example 6-5) Synthesis of compound 6-e
합성예 1-7에서 페닐보론산 대신 나프탈렌-1-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 6-e를 합성하였다.Compound 6-e was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-7, except that naphthalen-1-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.
합성예 6-6) 화합물 6-f의 합성Synthesis Example 6-6) Synthesis of compound 6-f
합성예 1-8에서 화합물 1-g 대신 6-e를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 6-f를 합성하였다.Compound 6-f was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-8, except that 6-e was used instead of compound 1-g.
합성예 6-7) 화합물 6의 합성Synthesis Example 6-7) Synthesis of
합성예 1-9에서 화합물 1-d 대신 6-d를, 1-h 대신 6-f를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 6를 합성하였다. [M+H+]=629.2
합성예 7: 화합물 7의 합성Synthesis Example 7: Synthesis of
합성예 7-1) 화합물 7-a의 합성Synthesis Example 7-1) Synthesis of compound 7-a
합성예 1-1에서 벤조퓨란-2-일보론산 대신 벤조[b]티오펜-3-일보론산을, 메틸-4-브로모-2-아이오도벤조에이트 대신 메틸-5-브로모-2-아이오도벤조에이트를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 7-a를 합성하였다.In Synthesis Example 1-1 instead of benzofuran-2-ylboronic acid, benzo[b]thiophen-3-ylboronic acid, methyl-4-bromo-2-iodobenzoate instead of methyl-5-bromo-2- Compound 7-a was synthesized in the same manner except that iodobenzoate was used.
합성예 7-2) 화합물 7-b의 합성Synthesis Example 7-2) Synthesis of compound 7-b
합성예 1-2에서 화합물 1-a 대신 7-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 7-b를 합성하였다.Compound 7-b was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-2, except that 7-a was used instead of compound 1-a.
합성예 7-3) 화합물 7-c의 합성Synthesis Example 7-3) Synthesis of compound 7-c
합성예 1-3에서 화합물 1-b 대신 7-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 7-c를 합성하였다. Compound 7-c was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-3, except that 7-b was used instead of compound 1-b.
합성예 7-4) 화합물 7-d의 합성Synthesis Example 7-4) Synthesis of compound 7-d
합성예 1-4에서 화합물 1-c 대신 화합물 7-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 7-d를 합성하였다. Compound 7-d was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-4, except that compound 7-c was used instead of compound 1-c.
합성예 7-5) 화합물 7의 합성Synthesis Example 7-5) Synthesis of
합성예 1-9에서 화합물 1-d 대신 7-d를, 1-h 대신 5-f를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 7를 합성하였다. [M+H+]=629.2
합성예 8: 화합물 8의 합성Synthesis Example 8: Synthesis of
합성예 8-1) 화합물 8-a의 합성Synthesis Example 8-1) Synthesis of compound 8-a
1,1-디메틸-1,3-디하이드로-2H-인덴-2-온 (30g, 187mmol), (4-브로모페닐)하이드라진 (35g, 187mmol)을 아세트산 300ml에 넣고, 80℃에서 12시간 동안 교반하였다. 아세트산을 제거한 후 클로로포름에 넣어 물로 여러 번 추출한다. 유기층에 무수황산마그네슘을 처리한 후 감압증류하여 클로로포름을 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 화합물 8-a를 얻는다. (32g, 수율 55%)1,1-dimethyl-1,3-dihydro-2H-inden-2-one (30g, 187mmol), (4-bromophenyl)hydrazine (35g, 187mmol) was put in 300ml of acetic acid, and at 80°C for 12 hours stirred for a while. After removing the acetic acid, it is put in chloroform and extracted several times with water. The organic layer was treated with anhydrous magnesium sulfate, distilled under reduced pressure to remove chloroform, and purified by column chromatography to obtain compound 8-a. (32 g, yield 55%)
합성예 8-2) 화합물 8-b의 합성Synthesis Example 8-2) Synthesis of compound 8-b
화합물 8-a (32g, 102mmol)과 아이오도벤젠 (20.9g, 102mml) 를 DMF 300ml에 녹인 후, CS2CO3 (66.8g, 205mmol)과 CuI (3.90g, 20mmol)을 넣어준다. 120℃로 승온한 뒤 16시간 동안 교반한다. 반응 용액을 식힌 후 에틸아세테이트를 1L 넣어 준 후 분별깔대기로 옮겨 암모니아 수용액으로 1회 추출, 증류수 1L로 총 3회 추출한다. 유기층을 모아서 무수황산마그네슘을 처리하여 물을 제거해 준 후, 감압 증류한다. 컬럼크로마토그래피(전개액 EA:Hex)를 이용하여 정제하여 화합물 8-b를 얻는다. (25g, 수율 63%)Compound 8-a (32g, 102mmol) and iodobenzene (20.9g, 102mml) were dissolved in 300ml of DMF, and then CS 2 CO 3 (66.8 g, 205 mmol) and CuI (3.90 g, 20 mmol) were added. After raising the temperature to 120 ℃ stirred for 16 hours. After cooling the reaction solution, 1 L of ethyl acetate is added, transferred to a separatory funnel, extracted once with aqueous ammonia, and extracted 3 times with 1 L of distilled water. The organic layers were collected, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, and then distilled under reduced pressure. Purification using column chromatography (eluent EA:Hex) to obtain compound 8-b. (25g, yield 63%)
합성예 8-3) 화합물 8-c의 합성Synthesis Example 8-3) Synthesis of compound 8-c
화합물 8-c (25g, 64mmol)와 비스(피나콜라토)디보론 (19.6g, 77mmol), KOAc (12.6g, 128mmol)을 플라스크에 Dioxane 200ml와 함께 넣어 분산시킨다. Pd(dba)2 (0.74g, 1.3mmol), PCy3 (0.72g, 2.6mmol)을 넣어준 후 24시간 동안 환류교반한다. 반응 종료 후 Dioxane을 감압 증류하여 제거한다. 클로로포름에 녹인 후 증류수로 3회 추출한 후 유기층을 감압 증류하여 클로로포름을 제거한 뒤 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 8-c를 얻는다. (20g, 수율 71%)Compound 8-c (25g, 64mmol), bis(pinacolato)diboron (19.6g, 77mmol), and KOAc (12.6g, 128mmol) were put in a flask together with 200ml of Dioxane and dispersed. Pd(dba) 2 (0.74 g, 1.3 mmol) and PCy 3 (0.72 g, 2.6 mmol) were added and stirred under reflux for 24 hours. After completion of the reaction, dioxane is removed by distillation under reduced pressure. After dissolving in chloroform and extracting three times with distilled water, the organic layer was distilled under reduced pressure to remove chloroform, and then purified using column chromatography to obtain compound 8-c. (20g, yield 71%)
합성예 8-4) 화합물 8-d의 합성Synthesis Example 8-4) Synthesis of compound 8-d
합성예 1-7에서 페닐보론산 대신 디벤조 [b,d]퓨란-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 8-d를 얻었다.Compound 8-d was obtained by the same synthesis as in Synthesis Example 1-7, except that dibenzo [b, d] furan-2-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.
합성예 8-5) 화합물 8-e의 합성Synthesis Example 8-5) Synthesis of compound 8-e
합성예 1-8에서 화합물 1-g 대신 8-d를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 8-e를 얻었다.In Synthesis Example 1-8, compound 8-e was obtained by the same synthesis except that 8-d was used instead of compound 1-g.
합성예 8-6) 화합물 8의 합성Synthesis Example 8-6) Synthesis of
합성예 1-9에서 화합물 1-d 대신 8-c를, 화합물 1-h 대신 8-e를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 8을 합성하였다. [M+H+]=728.3
합성예 9: 화합물 9의 합성Synthesis Example 9: Synthesis of compound 9
합성예 9-1) 화합물 9-a의 합성Synthesis Example 9-1) Synthesis of compound 9-a
합성예 8-1에서 1,1-디메틸-1,3-디하이드로-2H-인덴-2-온 대신 3,3-디메틸-2,3-디하이드로-1H-인덴-1-온을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 9-a를 얻었다.In Synthesis Example 8-1, 3,3-dimethyl-2,3-dihydro-1H-inden-1-one was used instead of 1,1-dimethyl-1,3-dihydro-2H-inden-2-one. Compound 9-a was obtained by the same synthesis except that.
합성예 9-2) 화합물 9-b의 합성Synthesis Example 9-2) Synthesis of compound 9-b
합성예 8-2에서 화합물 8-a 대신 9-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 9-b를 얻었다.In Synthesis Example 8-2, compound 9-b was obtained by the same synthesis except that 9-a was used instead of compound 8-a.
합성예 9-3) 화합물 9-c의 합성Synthesis Example 9-3) Synthesis of compound 9-c
합성예 8-3에서 화합물 8-b 대신 9-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 9-c를 얻었다. In Synthesis Example 8-3, compound 9-c was obtained by the same synthesis except that 9-b was used instead of compound 8-b.
합성예 9-4) 화합물 9 의 합성Synthesis Example 9-4) Synthesis of compound 9
합성예 1-9에서 화합물 1-d 대신 9-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 9을 합성하였다. [M+H+]=638.3Compound 9 was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-9, except that 9-c was used instead of compound 1-d. [M+H+]=638.3
합성예 10: 화합물 10의 합성Synthesis Example 10: Synthesis of compound 10
합성예 10-1) 화합물 10-a의 합성Synthesis Example 10-1) Synthesis of compound 10-a
합성예 8-1에서 1,1-디메틸-1,3-디하이드로-2H-인덴-2-온 대신 3,3-디메틸-2,3-디하이드로-1H-인덴-1-온을, (4-브로모페닐)하이드라진 대신 (3-브로모페닐)하이드라진을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 10-a를 얻었다.3,3-dimethyl-2,3-dihydro-1H-inden-1-one instead of 1,1-dimethyl-1,3-dihydro-2H-inden-2-one in Synthesis Example 8-1, ( Compound 10-a was obtained by the same synthesis except that (3-bromophenyl)hydrazine was used instead of 4-bromophenyl)hydrazine.
합성예 10-2) 화합물 10-b의 합성Synthesis Example 10-2) Synthesis of compound 10-b
합성예 8-2에서 화합물 8-a 대신 10-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 10-b를 얻었다.Compound 10-b was obtained by the same synthesis as in Synthesis Example 8-2, except that 10-a was used instead of compound 8-a.
합성예 10-3) 화합물 10-c의 합성Synthesis Example 10-3) Synthesis of compound 10-c
합성예 8-3에서 화합물 8-b 대신 10-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 10-c를 얻었다. Compound 10-c was obtained by the same synthesis except that 10-b was used instead of compound 8-b in Synthesis Example 8-3.
합성예 10-4) 화합물 10의 합성Synthesis Example 10-4) Synthesis of compound 10
합성예 1-9에서 화합물 1-d 대신 10-c를, 1-h 대신 6-f를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 10을 합성하였다. [M+H+]=688.3Compound 10 was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-9, except for using 10-c instead of 1-d and 6-f instead of 1-h. [M+H+]=688.3
합성예 11: 화합물 11의 합성Synthesis Example 11: Synthesis of compound 11
화합물 1 (5g)와 AlCl3(1g)을 C6D6 (100ml)에 넣고 2시간 교반하였다. 반응 종료 후 D2O (7ml)를 넣고 30분 교반한 뒤 트리메틸아민(trimethylamine) (0.6ml)를 적가하였다. 반응액을 분액 깔대기에 옮기고, 물과 톨루엔으로 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조 후, 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 11를 얻었다. (3.8g, 수율 76%) [M+H+]=587.4Compound 1 (5g) and AlCl 3 (1g) were added to C 6 D 6 (100ml) and stirred for 2 hours. After completion of the reaction, D 2 O (7ml) was added, stirred for 30 minutes, and then trimethylamine (0.6ml) was added dropwise. The reaction solution was transferred to a separatory funnel, and extracted with water and toluene. The extract was dried over MgSO 4 , and recrystallized from ethyl acetate to obtain compound 11. (3.8 g, yield 76%) [M+H+]=587.4
합성예 12: 화합물 12의 합성Synthesis Example 12: Synthesis of compound 12
합성예 11에서 화합물 1 대신 화합물 10을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 12를 얻었다. [M+H+]=719.5Compound 12 was obtained by the same synthesis except that Compound 10 was used instead of
실시예 1Example 1
ITO(indium tin oxide)가 150 nm의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 질소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 HAT-CN 화합물을 5 nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 이어서, HTL1을 100 nm의 두께로 열 진공 증착하고, 이어 HTL2를 10 nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 호스트로서 상기 화합물 1 및 도펀트로서 BD-A (중량비 95:5)를 동시에 진공 증착하여 20 nm 두께의 발광층을 형성하였다. 이어서, ETL을 20 nm의 두께로 진공 증착하여 전자수송층을 형성하였다. 이어서, LiF을 0.5 nm의 두께로 진공 증착하여 전자주입층을 형성하였다. 이어서, 알루미늄을 100 nm의 두께로 증착하여 음극을 형성하여 유기 발광 소자를 제조하였다. A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 150 nm was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and after drying, it was transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using nitrogen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator. On the thus prepared ITO transparent electrode, the following HAT-CN compound was thermally vacuum deposited to a thickness of 5 nm to form a hole injection layer. Subsequently, HTL1 was thermally vacuum deposited to a thickness of 100 nm, and then HTL2 was thermally vacuum deposited to a thickness of 10 nm to form a hole transport layer. Then,
실시예에서 사용된 화합물의 구조는 하기와 같다.The structure of the compound used in the Examples is as follows.
실시예 2 내지 12 및 비교예 1 내지 9Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 to 9
상기 실시예 1에서 발광층의 호스트로 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 이때, 하기 구조들 중 본 발명 화학식 1로 표시되는 화합물은 각각 전술한 합성예 1 내지 12와 같은 과정을 통하여 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compounds shown in Table 1 were used instead of
상기 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 9에서 제조한 유기발광소자에 있어서, 10 mA/cm2 의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 20 mA/cm2 의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(LT)을 측정하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.In the organic light emitting devices prepared in Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 9, the driving voltage and luminous efficiency were measured at a current density of 10 mA/cm 2 , and initial luminance at a current density of 20 mA/cm 2 The time (LT) to be 95% of the contrast was measured, and the results are shown in Table 1 below.
(발광층 호스트)compound
(light emitting layer host)
본 발명 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용한 실시예 1 내지 12는 모두 저전압 및 고효율의 특성을 띠었고, 수명도 비교예 1 내지 9에 비해서 우수함을 보여주었다. 특히 실시예 11과 12는 중수소 치환으로 수명이 추가적으로 개선되는 것을 보여주었다. All of Examples 1 to 12 using the compound represented by
아릴로만 이루어진 호스트 화합물을 사용한 비교예 1은 구동전압이 높고 효율 및 수명 면에서 유리하지 않았고, 디벤조퓨란기를 포함한 호스트 화합물을 사용한 비교예 2와 안트라센의 2번 또는 3번 위치가 비치환되거나, 알킬기가 치환된 비교예 3 내지 9의 경우도 실시예 1 내지 12에 비해 구동전압이 높고 효율 및 수명 면에서 유리하지 않은 것을 확인할 수 있었다.Comparative Example 1 using a host compound consisting only of aryl had a high driving voltage and was not advantageous in terms of efficiency and lifetime, and Comparative Example 2 using a host compound including a dibenzofuran group and the 2nd or 3rd position of anthracene were unsubstituted, In Comparative Examples 3 to 9 in which the alkyl group was substituted, it was confirmed that the driving voltage was higher than in Examples 1 to 12 and not advantageous in terms of efficiency and lifespan.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예(호스트)에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.Although the preferred embodiment (host) of the present invention has been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the claims and detailed description of the invention, and this also belong to the category
1: 기판
2: 애노드
3: 정공주입층
4: 정공수송층
5: 발광층
6: 전자수송층
7: 전자주입층
8: 캐소드 1: Substrate
2: anode
3: hole injection layer
4: hole transport layer
5: light emitting layer
6: electron transport layer
7: electron injection layer
8: cathode
Claims (14)
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
X1 및 X2 중 어느 하나는 CRaRb이고, 나머지는 O; S; 또는 NRc이고,
Ar1은 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
Ra 내지 Rc 및 R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
R2, R3, R6 및 R7 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
n9는 0 내지 3의 정수이고, n9가 2 이상인 경우, 2 이상의 R9는 서로 같거나 상이하고,
n10은 0 내지 4의 정수이고, n10이 2 이상인 경우, 2 이상의 R10은 서로 같거나 상이하다.A compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
In Formula 1,
any one of X1 and X2 is CRaRb, the other is O; S; or NRc,
Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
Ra to Rc and R1 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; nitrile group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imid; amide group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted alkoxy group; a substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; a substituted or unsubstituted arylthioxy group; a substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; a substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; a substituted or unsubstituted alkenyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted boron group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted arylphosphine group; a substituted or unsubstituted phosphine oxide group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
At least one of R2, R3, R6 and R7 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
n9 is an integer of 0 to 3, and when n9 is 2 or more, R9 of 2 or more are the same as or different from each other,
n10 is an integer from 0 to 4, and when n10 is 2 or more, R10 of 2 or more are the same as or different from each other.
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
[화학식 1-4]
상기 화학식 1-1 내지 1-4에 있어서, X1, X2, Ar1, L, R1 내지 R10, n9 및 n10의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.The method according to claim 1, wherein Formula 1 is a compound represented by any one of the following Formulas 1-1 to 1-4:
[Formula 1-1]
[Formula 1-2]
[Formula 1-3]
[Formula 1-4]
In Formulas 1-1 to 1-4, the definitions of X1, X2, Ar1, L, R1 to R10, n9, and n10 are the same as those in Formula 1 above.
[화학식 1-5]
[화학식 1-6]
상기 화학식 1-5 및 1-6에 있어서, X1, X2, Ar1, L, R1 내지 R10, n9 및 n10의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.The method according to claim 1, wherein Chemical Formula 1 is a compound represented by the following Chemical Formula 1-5 or 1-6:
[Formula 1-5]
[Formula 1-6]
In Formulas 1-5 and 1-6, the definitions of X1, X2, Ar1, L, R1 to R10, n9 and n10 are the same as those in Formula 1 above.
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
상기 화학식 2-1 및 2-2에 있어서, X1, X2, Ar1, L, R1 내지 R10, n9 및 n10의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.The method according to claim 1, wherein Chemical Formula 1 is a compound represented by the following Chemical Formula 2-1 or 2-2:
[Formula 2-1]
[Formula 2-2]
In Formulas 2-1 and 2-2, the definitions of X1, X2, Ar1, L, R1 to R10, n9 and n10 are the same as those in Formula 1 above.
[화학식 101] [화학식 102] [화학식 103]
[화학식 201] [화학식 202] [화학식 203]
상기 화학식 101 내지 103 및 201 내지 203에 있어서,
Ar1, L, R1 내지 R10, n9 및 n10의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.The method according to claim 1, wherein Formula 1 is a compound represented by any one of Formulas 101 to 103 and 201 to 203:
[Formula 101] [Formula 102] [Formula 103]
[Formula 201] [Formula 202] [Formula 203]
In Formulas 101 to 103 and 201-203,
Ar1, L, R1 to R10, n9 and n10 have the same definitions as in Formula 1 above.
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
상기 화학식 3-1 및 3-2에 있어서, X1, X2, Ar1, L, R9, R10, n9 및 n10의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,
G1 내지 G8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이고,
Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.The method according to claim 1, wherein Chemical Formula 1 is a compound represented by the following Chemical Formula 3-1 or 3-2:
[Formula 3-1]
[Formula 3-2]
In Formulas 3-1 and 3-2, the definitions of X1, X2, Ar1, L, R9, R10, n9 and n10 are the same as those in Formula 1,
G1 to G8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or deuterium,
Ar2 and Ar3 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
.The compound according to claim 1, wherein Formula 1 is represented by any one of the following compounds:
.
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.11. The method of claim 10,
The organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the compound.
상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.11. The method of claim 10,
The organic material layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, or a hole injection and transport layer, and the hole injection layer, the hole transport layer, or the hole injection and transport layer is an organic light emitting device that includes the compound.
상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자 수송 및 주입층을 포함하고, 상기 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자 수송 및 주입층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
11. The method of claim 10,
The organic material layer includes an electron transport layer, an electron injection layer, or an electron transport and injection layer, and the electron transport layer, the electron injection layer, or the electron transport and injection layer includes the compound.
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