KR102381641B1 - Organic light emitting device - Google Patents

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KR102381641B1
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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides an organic light emitting device including a compound represented by Formula 1 and a compound represented by Formula 2;

Description

유기 발광 소자 {ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}Organic light emitting device {ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}

본 명세서는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to an organic light emitting device.

본 출원은 2019년 07월 31일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2019-0093159호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2019-0093159 filed with the Korean Intellectual Property Office on July 31, 2019, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electric energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light-emitting device, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. In the structure of the organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected into the organic material layer from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer. When the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and the excitons When it falls back to the ground state, it lights up.

상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.The development of new materials for the organic light emitting device as described above is continuously required.

중국특허공개 제108137618호Chinese Patent Publication No. 108137618

본 명세서는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides an organic light emitting device.

본 명세서는 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 유기물층을 포함하고,The present specification includes a first electrode; a second electrode; and an organic material layer provided between the first electrode and the second electrode,

상기 유기물층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 유기물층 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The organic material layer provides an organic light emitting device including a first organic material layer including a compound represented by the following formula (1) and a second organic material layer including a compound represented by the following formula (2).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112020080830331-pat00001
Figure 112020080830331-pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

A1, A2, A3, B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄화수소고리이며,A1, A2, A3, B1 and B2 are the same as or different from each other, and each independently represent a hydrocarbon ring;

R1 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나; 하기 화학식 3으로 표시되고, R1 to R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted alkenyl group; a substituted or unsubstituted alkynyl group; a substituted or unsubstituted alkoxy group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted aryloxy group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group; It is represented by the following formula (3),

R1 내지 R5 중 적어도 하나 이상은 하기 화학식 3으로 표시되고,At least one of R1 to R5 is represented by the following formula (3),

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112020080830331-pat00002
Figure 112020080830331-pat00002

상기 점선은 A1, A2, A3, B1 또는 B2와 연결되는 부위이고,The dotted line is a region connected to A1, A2, A3, B1 or B2,

X는 C 또는 Si 이고,X is C or Si,

R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며, R6 to R8 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,

n1 및 n5는 각각 0 내지 4의 정수이고,n1 and n5 are each an integer from 0 to 4,

n2 및 n4는 각각 0 내지 5의 정수이고,n2 and n4 are each an integer from 0 to 5;

n3은 0 내지 3의 정수이고,n3 is an integer from 0 to 3,

n1 + n2 + n3 + n4 + n5는 1 이상이고,n1 + n2 + n3 + n4 + n5 is greater than or equal to 1,

n1 내지 n5가 2 이상인 경우, 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하고,When n1 to n5 are 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other,

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112020080830331-pat00003
Figure 112020080830331-pat00003

상기 화학식 2에 있어서,In Formula 2,

X1 내지 X3 중 1 이상은 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 N 또는 CH이며, At least one of X1 to X3 is N, and the rest are each independently N or CH,

L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,

Ar5 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

Ar7은 치환 또는 비치환된 m가 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 m가 시클로알킬기이고,Ar7 is a substituted or unsubstituted m-valent aryl group; Or a substituted or unsubstituted m is a cycloalkyl group,

m은 2 내지 4의 정수이며, m이 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.m is an integer of 2 to 4, and when m is 2 or more, two or more substituents in parentheses are the same as or different from each other.

본 명세서에 기재된 유기 발광 소자는 제1 유기물층에 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 제2 유기물층에 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 낮은 구동전압을 가지고, 우수한 효율 특성, 및 우수한 수명을 갖는다. 구체적으로, 적절한 HOMO 에너지 준위와 LUMO 에너지 준위의 조절을 통하여 전자 수송 정도를 조절하여 낮은 구동 전압, 높은 효율 및 수명이 개선될 수 있다. The organic light emitting device described in the present specification includes the compound represented by Formula 1 in the first organic layer, and the compound represented by Formula 2 in the second organic layer, thereby having a low driving voltage, excellent efficiency characteristics, and excellent lifespan. have Specifically, a low driving voltage, high efficiency, and lifespan may be improved by controlling the degree of electron transport through appropriate adjustment of the HOMO energy level and the LUMO energy level.

도 1, 2 및 8은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3 내지 7은 2 이상의 스택을 포함하는 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
1, 2 and 8 show examples of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification.
3 to 7 show examples of organic light emitting devices including two or more stacks.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 유기물층 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 유기물층을 동시에 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 상기 화학식 1의 화합물이 포함된 발광층은 얕은 HOMO준위를 가지고 있고 상기 화학식 2의 화합물은 깊은 HOMO, LUMO 준위를 가지고 있어 전자가 쉽게 발광층으로 전달 시킬 수 있어 높은 효율과 수명을 나타낸다.The present specification provides an organic light emitting device including a first organic material layer including a compound represented by Formula 1 and a second organic material layer including a compound represented by Formula 2 at the same time. The light emitting layer containing the compound of Formula 1 has a shallow HOMO level, and the compound of Formula 2 has a deep HOMO and LUMO level, so electrons can be easily transferred to the light emitting layer, thereby exhibiting high efficiency and lifetime.

본 명세서에 있어서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of substituents in the present specification are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In this specification, when a member is said to be located "on" another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member exists between the two members.

본 명세서에 있어서, 점선 또는

Figure 112020080830331-pat00004
는 다른 치환기 또는 결합부에 결합되는 부위를 의미한다.In this specification, the dotted line or
Figure 112020080830331-pat00004
is another substituent or means a site bonded to the bonding portion.

본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of substituents in the present specification are described below, but are not limited thereto.

상기 “치환” 이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term “substituted” means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent is substitutable, is not limited, and when two or more are substituted , two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 “치환 또는 비치환된” 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기(-CN); 니트로기; 히드록시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 알케닐기; 알키닐기; 알콕시기; 알킬티오기; 아릴옥시기; 아릴티오기; 시클로알킬기; 아릴기; 아민기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. As used herein, the term “substituted or unsubstituted” refers to deuterium; halogen group; cyano group (-CN); nitro group; hydroxyl group; silyl group; boron group; an alkyl group; alkenyl group; alkynyl group; alkoxy group; an alkylthio group; aryloxy group; arylthio group; cycloalkyl group; aryl group; amine group; And it means that it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, is substituted with a substituent to which two or more of the above exemplified substituents are connected, or does not have any substituents.

본 명세서에 있어서, 2 이상의 치환기가 연결된다는 것은 어느 하나의 치환기의 수소가 다른 치환기로 대체된 것을 말한다. 예를 들어, 이소프로필기와 페닐기가 연결되어

Figure 112020080830331-pat00005
또는
Figure 112020080830331-pat00006
의 치환기가 될 수 있다. In the present specification, that two or more substituents are connected means that hydrogen of any one substituent is replaced with another substituent. For example, an isopropyl group and a phenyl group are linked
Figure 112020080830331-pat00005
or
Figure 112020080830331-pat00006
It can be a substituent of

본 명세서에 있어서, 3개의 치환기가 연결되는 것은 (치환기 1)-(치환기 2)-(치환기 3)이 연속하여 연결되는 것뿐만 아니라, (치환기 1)에 (치환기 2) 및 (치환기 3)이 연결되는 것도 포함한다. 예를 들어, 2개의 페닐기 및 이소프로필기가 연결되어

Figure 112020080830331-pat00007
또는
Figure 112020080830331-pat00008
의 치환기가 될 수 있다. 4 이상의 치환기가 연결되는 것에도 전술한 것과 동일하게 적용된다.In the present specification, three substituents are connected to (substituent 1)-(substituent 2)-(substituent 3) as well as consecutively connected (substituent 1) to (substituent 2) and (substituent 3) It also includes connecting. For example, two phenyl groups and an isopropyl group are linked
Figure 112020080830331-pat00007
or
Figure 112020080830331-pat00008
It can be a substituent of The same applies to those in which 4 or more substituents are connected.

본 명세서에 있어서, “A 또는 B로 치환된”은 A로만 치환된 경우 또는 B로만 치환된 경우뿐만 아니라, A 및 B로 치환된 경우도 포함한다.In the present specification, "substituted with A or B" includes not only the case substituted with A or only B, but also the case substituted with A and B.

본 명세서에 있어서, “치환 또는 비치환된”은 중수소; 할로겐기; 시아노기(-CN); 니트로기; 히드록시기; 실릴기; 붕소기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 2 내지 10의 알케닐기; 탄소수 2 내지 10의 알키닐기; 탄소수 1 내지 10의 알콕시기; 탄소수 1 내지 10의 알킬티오기; 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기; 탄소수 6 내지 30의 아릴티오기; 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 아민기; 및 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 군애서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. In the present specification, "substituted or unsubstituted" means deuterium; halogen group; cyano group (-CN); nitro group; hydroxyl group; silyl group; boron group; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms; an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms; an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms; an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms; an aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms; an arylthio group having 6 to 30 carbon atoms; a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms; an aryl group having 6 to 30 carbon atoms; amine group; And it means that it is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms, or substituted with a substituent to which two or more groups selected from the group are connected, or does not have any substituents.

본 명세서에 있어서, “치환 또는 비치환된”은 중수소; 할로겐기; 시아노기(-CN); 니트로기; 히드록시기; 실릴기; 붕소기; 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 탄소수 2 내지 6의 알케닐기; 탄소수 2 내지 6의 알키닐기; 탄소수 1 내지 6의 알콕시기; 탄소수 1 내지 6의 알킬티오기; 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기; 탄소수 6 내지 20의 아릴티오기; 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 아민기; 및 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 군애서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. In the present specification, "substituted or unsubstituted" means deuterium; halogen group; cyano group (-CN); nitro group; hydroxyl group; silyl group; boron group; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms; an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms; an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; an alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms; an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms; an arylthio group having 6 to 20 carbon atoms; a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms; an aryl group having 6 to 20 carbon atoms; amine group; And it means that it is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms, or substituted with a substituent to which two or more groups selected from the group are connected, or does not have any substituents.

상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(-F), 염소(-Cl), 브롬(-Br) 또는 요오드(-I)가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine (-F), chlorine (-Cl), bromine (-Br), or iodine (-I).

본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60, 1 내지 30, 또는 1 내지 20이다. 상기 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기 등이 있으며, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 일 예에 따르면, 프로필기는 n-프로필기 및 이소프로필기를 포함하고, 부틸기는 n-부틸기, 이소부틸기 및 tert-부틸기를 포함한다.In the present specification, the alkyl group includes a straight or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is 1 to 60, 1 to 30, or 1 to 20. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, and the like, and the alkyl group may be a straight chain or a branched chain. The group includes an n-propyl group and an isopropyl group, and the butyl group includes an n-butyl group, an isobutyl group and a tert-butyl group.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 3 내지 60, 3 내지 30, 3 내지 20, 또는 3 내지 10 이다. 시클로알킬기는 단일고리기뿐만 아니라 다리목(bridgehead), 접합고리(fused ring), 스피로고리(spiro)와 같은 이중고리기를 포함한다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is not particularly limited, but is 3 to 60, 3 to 30, 3 to 20, or 3 to 10. Cycloalkyl groups include not only monocyclic groups, but also bicyclic groups such as bridgeheads, fused rings, and spiro rings. Specifically, there are a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, an adamantyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 시클로알켄(cycloalkene)은 탄화수소고리 내에 이중결합이 존재하나, 방향족이 아닌 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 3 내지 60, 3 내지 30, 3 내지 20, 또는 3 내지 10 이다. 시클로알켄은 단일고리기 뿐만 아니라 다리목(bridgehead), 접합고리(fused ring), 스피로고리(spiro)와 같은 이중고리기를 포함한다. 상기 시클로알켄의 예로는 시클로프로펜, 시클로뷰텐, 시클로펜텐, 시클로헥센등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkene (cycloalkene) has a double bond in the hydrocarbon ring, but as a non-aromatic ring group, the number of carbon atoms is not particularly limited, but 3 to 60, 3 to 30, 3 to 20, or 3 to 10 am. Cycloalkenes include not only monocyclic groups but also bicyclic groups such as bridgeheads, fused rings, and spiro rings. Examples of the cycloalkene include, but are not limited to, cyclopropene, cyclobutene, cyclopentene, and cyclohexene.

본 명세서에 있어서, 알콕시기는 산소원자에 아릴기가 연결된 것이며, 아킬티오기는 황원자에 알킬기가 연결된 것으로, 알콕시기 및 알킬티오기의 알킬기에는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, an alkoxy group is an aryl group connected to an oxygen atom, an acylthio group is an alkyl group connected to a sulfur atom, and the description regarding the alkyl group described above can be applied to the alkyl group of the alkoxy group and the alkylthio group.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 6 내지 60, 6 내지 30이 또는 6 내지 20이다. 상기 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is 6 to 60, 6 to 30, or 6 to 20. The monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, and the like, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, triphenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, etc. , but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기의 9번 탄소원자(C)는 알킬기, 아릴기 등으로 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 시클로펜탄, 플루오렌 등의 스피로 구조를 형성할 수 있다. In the present specification, the 9th carbon atom (C) of the fluorenyl group may be substituted with an alkyl group, an aryl group, or the like, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure such as cyclopentane or fluorene.

본 명세서에 있어서, 치환된 아릴기는 아릴기에 지방족 고리가 축합된 형태도 포함할 수 있다. 예컨대, 하기 구조의 테트라하이드로나프탈렌기는 치환된 아릴기에 포함된다. 하기 구조에서, 벤젠고리의 탄소 중 하나가 다른 위치에 연결될 수 있다.In the present specification, the substituted aryl group may include a form in which an aliphatic ring is condensed to an aryl group. For example, a tetrahydronaphthalene group of the following structure is included in a substituted aryl group. In the following structure, one of the carbons of the benzene ring may be connected to another position.

Figure 112020080830331-pat00009
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본 명세서에 있어서, 아릴옥시기는 산소원자에 아릴기가 연결된 것이며, 아릴티오기는 황원자에 아릴기가 연결된 것으로, 아릴옥시기 및 아릴티오기의 아릴기에는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 아릴옥시기의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시기, p-토릴옥시기, m-토릴옥시기, 3,5-디메틸-페녹시기, 2,4,6-트리메틸페녹시기, p-tert-부틸페녹시기, 3-바이페닐옥시기, 4-바이페닐옥시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 4-메틸-1-나프틸옥시기, 5-메틸-2-나프틸옥시기, 1-안트릴옥시기, 2-안트릴옥시기, 9-안트릴옥시기, 1-페난트릴옥시기, 3-페난트릴옥시기, 9-페난트릴옥시기 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2-메틸페닐티옥시기, 4-tert-부틸페닐티옥시기 등이 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, an aryloxy group is an aryl group connected to an oxygen atom, an arylthio group is an aryl group connected to a sulfur atom, and the description regarding the aryl group described above can be applied to the aryl group of the aryloxy group and the arylthio group. The aryl group of the aryloxy group is the same as the example of the aryl group described above. Specifically, the aryloxy group includes a phenoxy group, p-tolyloxy group, m-tolyloxy group, 3,5-dimethyl-phenoxy group, 2,4,6-trimethylphenoxy group, p-tert-butylphenoxy group, 3- Biphenyloxy group, 4-biphenyloxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methyl-1-naphthyloxy group, 5-methyl-2-naphthyloxy group, 1-anthryloxy group , 2-anthryloxy group, 9-anthryloxy group, 1-phenanthryloxy group, 3-phenanthryloxy group, 9-phenanthryloxy group, and the like, and the arylthioxy group includes phenylthioxy group, 2- and a methylphenylthioxy group, a 4-tert-butylphenylthioxy group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiYaYbYc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ya, Yb 및 Yc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, tert-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 디메틸페닐실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiY a Y b Y c , wherein Y a , Y b and Y c are each hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group is specifically trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tert-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, dimethylphenylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, etc. but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BYdYe의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Yd 및 Ye는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 디메틸붕소기, 디에틸붕소기, tert-부틸메틸붕소기, 비닐메틸붕소기, 프로필메틸붕소기, 메틸페닐붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the boron group may be represented by the formula of -BY d Y e , wherein Y d and Y e are each hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group specifically includes, but is not limited to, a dimethyl boron group, a diethyl boron group, a tert-butylmethyl boron group, a vinyl methyl boron group, a propylmethyl boron group, a methylphenyl boron group, a diphenyl boron group, a phenyl boron group, and the like. .

본 명세서에 있어서, 아민기는 -NRaRb로 나타낼 수 있으며, 상기 Ra 및 Rb는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 아민기는 결합되는 치환기(Ra, Rb)의 종류에 따라, 알킬아민기, 알킬아릴아민기, 아릴아민기, 헤테로아릴아민기, 알킬헤테로아릴아민기, 및 아릴헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.In the present specification, the amine group may be represented by -NRaRb, wherein Ra and Rb are each hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; Or it may be a substituted or unsubstituted heteroaryl group, but is not limited thereto. The amine group is selected from the group consisting of an alkylamine group, an alkylarylamine group, an arylamine group, a heteroarylamine group, an alkylheteroarylamine group, and an arylheteroarylamine group, depending on the type of the substituent (Ra, Rb) to be bonded. can be

본 명세서에 있어서, 알킬아민기는 알킬기로 치환된 아민기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 40, 1 내지 20일 수 있다. 상기 알킬아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkylamine group refers to an amine group substituted with an alkyl group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but may be 1 to 40 or 1 to 20. Specific examples of the alkylamine group include, but are not limited to, a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, and a diethylamine group.

본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴헤테로아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴아민기의 구체적인 예로는 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 비스(tert-부틸페닐)아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted arylheteroarylamine group. The aryl group in the arylamine group may be a monocyclic or polycyclic aryl group. Specific examples of the arylamine group include a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, a diphenylamine group, a phenylnaphthylamine group, and a bis(tert-butylphenyl)amine group. , but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴헤테로아릴아민기가 있다.In the present specification, examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group, a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group, or a substituted or unsubstituted arylheteroarylamine group.

본 명세서에 있어서, 아릴헤테로아릴아민기는 아릴기 및 헤테로아릴기로 치환된 아민기를 의미하여, 전술한 아릴기 및 후술할 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the arylheteroarylamine group means an amine group substituted with an aryl group and a heteroaryl group, and the description of the above-described aryl group and the heteroaryl group to be described later may be applied.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, S, 및 Si중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 2 내지 60, 또는 2 내지 30이다. 상기 헤테로고리기의 예로는 예로는 피리딜기; 퀴놀린기; 티오펜기; 디벤조티오펜기; 퓨란기; 디벤조퓨란기; 나프토벤조퓨란기; 카바졸기; 벤조카바졸기; 나프토벤조티오펜기; 헥사하이드로카바졸기; 디하이드로아크리딘기; 디하이드로디벤조아자실린기; 페녹사진기(phenoxazine); 페노싸이아진기(phenothiazine); 디하이드로디벤조아자실린기; 스피로(디벤조실롤-디벤조아자실린)기; 스피로(아크리딘-플루오렌)기; 스피로(플루오렌-잔텐)기; 스피로(플루오렌-싸이오잔텐) 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a ring group including at least one of N, O, S, and Si as a heteroatom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is 2 to 60, or 2 to 30. Examples of the heterocyclic group include, but are not limited to, a pyridyl group; quinoline group; thiophene group; dibenzothiophene group; furan group; dibenzofuran group; naphthobenzofuran group; a carbazole group; benzocarbazole group; naphthobenzothiophene group; hexahydrocarbazole group; dihydroacridine group; dihydrodibenzoazacillin group; phenoxazine; phenothiazine; dihydrodibenzoazacillin group; spiro (dibenzosilol-dibenzoazacillin) groups; spiro (acridine-fluorene) group; spiro (fluorene-xanthene) group; Spiro (fluorene-thioxanthene) and the like, but is not limited thereto.

Figure 112020080830331-pat00010
Figure 112020080830331-pat00010

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the above-described heterocyclic group may be applied, except that the heteroaryl group is aromatic.

본 명세서에 있어서, “인접한” 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다.As used herein, “adjacent” The group may mean a substituent substituted on an atom directly connected to the atom in which the substituent is substituted, a substituent positioned sterically close to the substituent, or another substituent substituted on the atom in which the substituent is substituted.

본 명세서에 있어서, “인접한 기가 결합하여 형성된 고리”는 탄화수소 고리; 또는 헤테로 고리를 의미한다.In the present specification, "a ring formed by bonding adjacent groups" is a hydrocarbon ring; or a heterocyclic ring.

본 명세서에 있어서, “인접한 기가 결합하여 형성된 5원 또느 6원의 고리”는 고리 형성에 참여한 치환기를 포함한 고리가 5원 또는 6원인 것을 의미한다. 상기 고리 형성에 참여한 치환기를 포함한 고리에 추가의 고리가 축합되는 것을 포함할 수 있다.In the present specification, "a 5-membered or 6-membered ring formed by bonding adjacent groups" means that the ring including the substituents participating in the ring formation is 5-membered or 6-membered. It may include condensing an additional ring to a ring including a substituent participating in the ring formation.

본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 방향족 탄화수소 고리는 1가가 아닌 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있고, 상기 지방족 탄화수소고리는 1가가 아닌 것을 제외하고는 전술한 시클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 방향족과 지방족의 축합고리의 예로서 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌기, 2,3-디하이드로-1H-인덴기 등을 들 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the hydrocarbon ring may be an aromatic, aliphatic, or a condensed ring of aromatic and aliphatic, and the description of the aryl group described above may be applied except that the aromatic hydrocarbon ring is not monovalent, and the aliphatic hydrocarbon ring is Except for the non-monovalent, the above description of the cycloalkyl group may be applied. Examples of the condensed ring of the aromatic and the aliphatic include a 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene group, a 2,3-dihydro-1H-indene group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가가 아닌 것을 제외하고는 상기 헤테로고리기에 대한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the heterocyclic group may be applied except that the heterocycle is not monovalent.

본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소 고리는 pi 전자가 완전히 컨쥬게이션되고 평면인 고리를 의미하는 것으로, 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the aromatic hydrocarbon ring refers to a ring in which pi electrons are completely conjugated and planar, and the description of the aryl group described above may be applied, except that it is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소 고리는 방향족 탄화수소고리를 제외한 모든 탄화수소고리를 의미하는 것으로, 시클로알킬고리를 포함할 수 있다. 시클로알킬고리는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 시클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 치환된 지방족 탄화수소 고리에는 방향족 고리가 축합된 지방족 탄화수소 고리도 포함된다. In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring refers to all hydrocarbon rings except for the aromatic hydrocarbon ring, and may include a cycloalkyl ring. Except that the cycloalkyl ring is a divalent group, the description of the cycloalkyl group described above may be applied. The substituted aliphatic hydrocarbon ring also includes an aliphatic hydrocarbon ring in which an aromatic ring is condensed.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the above-described aryl group may be applied except that the arylene group is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 시클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the above-described cycloalkyl group may be applied except that the cycloalkylene group is a divalent group.

이하, 화학식 1에 관하여 설명한다.Hereinafter, Formula 1 will be described.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112020080830331-pat00011
Figure 112020080830331-pat00011

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A3, B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단환 또는 2환의 탄화수소고리이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A1 to A3, B1 and B2 are the same as or different from each other, and each independently represent a monocyclic or bicyclic hydrocarbon ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A3, B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 벤젠고리 또는 나프탈렌고리이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A1 to A3, B1 and B2 are the same as or different from each other, and each independently represents a benzene ring or a naphthalene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A1 내지 A3는 각각 벤젠고리이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A1 to A3 are each a benzene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, B1 및 B2는 각각 벤젠고리이다.In an exemplary embodiment of the present specification, B1 and B2 are each a benzene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1로 표시된다.In the exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by the following Chemical Formula 1-1.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112020080830331-pat00012
Figure 112020080830331-pat00012

상기 화학식 1-1에 있어서, R1 내지 R5 및 n1 내지 n5는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.In Formula 1-1, R1 to R5 and n1 to n5 are as defined in Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted alkenyl group; a substituted or unsubstituted alkynyl group; a substituted or unsubstituted alkoxy group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted aryloxy group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R2, R4, 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R2, R4, and R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted heterocyclic group; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R2, R4, 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 90의 아릴실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R2, R4, and R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted C 1 to C 10 alkyl group; a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted C1-C30 alkylsilyl group; a substituted or unsubstituted C6-C90 arylsilyl group; a substituted or unsubstituted C1-C20 alkylamine group; a substituted or unsubstituted C6-C60 arylamine group; a substituted or unsubstituted heteroarylamine group having 2 to 60 carbon atoms; a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group; a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R2, R4, 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 치환 또는 비치환된 3 내지 20의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 18의 알킬실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 12의 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 40 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R2, R4, and R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted C 1 to C 6 alkyl group; a substituted or unsubstituted 3 to 20 cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted C 1 to C 18 alkylsilyl group; a substituted or unsubstituted C6-C60 arylsilyl group; a substituted or unsubstituted C1-C12 alkylamine group; a substituted or unsubstituted C6-C40 arylamine group; a substituted or unsubstituted C 2 to C 40 heteroarylamine group; a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group; a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R2, R4, 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴아민기; 중수소, 할로겐기, 시아노기 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R2, R4, and R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; an arylamine group having 6 to 60 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which is unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected; a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R2, R4, 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴아민기; 중수소, 할로겐기, 시아노기 및 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R2, R4, and R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a C 1 to C 6 alkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; an arylamine group having 6 to 40 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; A C 6 to C 20 aryl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected; a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R2, R4, 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기' 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 40의 아릴아민기; 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 중수소로 치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R2, R4, and R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; a cyano group' an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms; an arylamine group having 6 to 40 carbon atoms; a C6-C20 aryl group unsubstituted or substituted with deuterium, a halogen group, a nitrile group, a C1-C6 alkyl group, or a C1-C6 alkyl group substituted with deuterium; a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms; Or represented by the above formula (3).

본 명세서에 일 실시상태에 있어서, R1, R2, R4 및 R5의 헤테로고리기는 이종원소로서 N을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the heterocyclic group of R1, R2, R4 and R5 includes N as a heterogeneous element.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R2, R4, 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 플루오로기; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 이소프로필기; tert-부틸기; 시클로헥실기; 디페닐아민기; 중수소, 플루오로기, 시아노기, tert-부틸기 또는 CD3로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 또는 피리딘기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R2, R4, and R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; fluoro group; cyano group; a methyl group unsubstituted or substituted with deuterium; isopropyl group; tert-butyl group; cyclohexyl group; diphenylamine group; a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a fluoro group, a cyano group, a tert-butyl group, or CD 3 ; biphenyl group; naphthyl group; or a pyridine group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나; 하기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R3 is hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted alkenyl group; a substituted or unsubstituted alkynyl group; a substituted or unsubstituted alkoxy group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted aryloxy group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group; It is represented by the following formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R3 is hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted heterocyclic group; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 90의 아릴실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R3 is hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted C 1 to C 10 alkyl group; a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted C1-C30 alkylsilyl group; a substituted or unsubstituted C6-C90 arylsilyl group; a substituted or unsubstituted C1-C20 alkylamine group; a substituted or unsubstituted C6-C60 arylamine group; a substituted or unsubstituted heteroarylamine group having 2 to 60 carbon atoms; a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group; a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 치환 또는 비치환된 3 내지 20의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 18의 알킬실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 12의 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 40 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R3 is hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted C 1 to C 6 alkyl group; a substituted or unsubstituted 3 to 20 cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted C 1 to C 18 alkylsilyl group; a substituted or unsubstituted C6-C60 arylsilyl group; a substituted or unsubstituted C1-C12 alkylamine group; a substituted or unsubstituted C6-C40 arylamine group; a substituted or unsubstituted C 2 to C 40 heteroarylamine group; a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group; a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴아민기; 중수소, 할로겐기, 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R3 is hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; At least one substituent selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a silyl group, or a substituent selected from the group consisting of two or more groups selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C6 to 60 arylamine groups; an aryl group having 6 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium, a halogen group, or a cyano group; a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기; 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴아민기; 중수소, 할로겐기, 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R3 is hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a C 1 to C 6 alkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; At least one substituent selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a silyl group, or a substituent selected from the group consisting of two or more groups selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C6 to 40 arylamine groups; an aryl group having 6 to 20 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium, a halogen group, or a cyano group; a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기; 중수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 3 내지 18의 트리알킬실릴기, 또는 탄소수 18 내지 60의 트리아릴아민기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴아민기; 중수소, 할로겐기, 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R3 is hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a C 1 to C 6 alkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms; an arylamine group having 6 to 40 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a trialkylsilyl group having 3 to 18 carbon atoms, or a triarylamine group having 18 to 60 carbon atoms; an aryl group having 6 to 20 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium, a halogen group, or a cyano group; a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3의 헤테로고리기는 이종원소로서 N을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the heterocyclic group of R3 includes N as a heterogeneous element.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3는 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; tert-부틸기; 중수소, tert-부틸기, 트리메틸실릴기 또는 트리페닐실릴기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기; 중수소 또는 플루오로기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 카바졸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R3 is hydrogen; heavy hydrogen; a methyl group unsubstituted or substituted with deuterium; tert-butyl group; a diphenylamine group unsubstituted or substituted with deuterium, a tert-butyl group, a trimethylsilyl group, or a triphenylsilyl group; a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium or a fluoro group; or a carbazole group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R2, R4, 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴아민기; 중수소, 할로겐기, 시아노기 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시되고,In an exemplary embodiment of the present specification, R1, R2, R4, and R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; an arylamine group having 6 to 60 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected; a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; Or represented by the above formula (3),

R3는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴아민기; 중수소, 할로겐기, 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시된다.R3 is hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; At least one substituent selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a silyl group, or a substituent selected from the group consisting of two or more groups selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C6 to 60 arylamine groups; an aryl group having 6 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium, a halogen group, or a cyano group; a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; Or represented by the above formula (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2 중 하나는 B2가 연결된 N에 대하여 ortho 배향인 자리에 연결된다. In one embodiment of the present specification, one of R2 is connected to a site in an ortho orientation with respect to the N to which B2 is connected.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R4 중 하나는 B2가 연결된 N에 대하여 ortho 배향인 자리에 연결된다. In one embodiment of the present specification, one of R4 is connected to a site in an ortho orientation with respect to the N to which B2 is connected.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1은 1 또는 2이다.In one embodiment of the present specification, n1 is 1 or 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n2는 1 내지 4이다. 또하나의 실시상태에 있어서, n2는 1 내지 3 이다.In an exemplary embodiment of the present specification, n2 is 1 to 4. In another exemplary embodiment, n2 is 1 to 3.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n3은 1 또는 2이다.In one embodiment of the present specification, n3 is 1 or 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n4는 1 내지 4이다. 또하나의 실시상태에 있어서, n4는 1 내지 3 이다.In an exemplary embodiment of the present specification, n4 is 1 to 4. In another exemplary embodiment, n4 is 1 to 3.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n5는 1 이다.In an exemplary embodiment of the present specification, n5 is 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R5 중 적어도 하나 이상은 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, at least one of R1 to R5 is represented by Formula 3 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R5 중 하나 내지 넷은 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, one to four of R1 to R5 are represented by Formula 3 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R5 중 하나 또는 둘은 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, one or two of R1 to R5 are represented by Formula 3 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R2, R4 및 R5 중 하나 내지 넷은 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, one to four of R1, R2, R4, and R5 are represented by Formula 3 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1, R2, R4 및 R5 중 하나 또는 둘은 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, one or two of R1, R2, R4 and R5 is represented by Formula 3 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1은 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R1 is represented by Formula 3 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R2는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R2 is represented by Formula 3 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3은 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R3 is represented by Formula 3 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R4는 상기 화학식 3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R4 is represented by Formula 3 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5는 상기 화학식 3으로 표시된다. In an exemplary embodiment of the present specification, R5 is represented by Formula 3 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R6 to R8 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C 1 to C 10 alkyl group; or a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R6 to R8 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C 1 to C 6 alkyl group; or a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R6 to R8 are the same as or different from each other, and each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium; or one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a silyl group, or a substituent selected from the group consisting of two or more groups selected from the group consisting of substituted or unsubstituted carbon atoms It is an aryl group of 6 to 30.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R6 to R8 are the same as or different from each other, and each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium; or one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a silyl group, or a substituent selected from the group consisting of two or more groups selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted carbon number 6 to 20 aryl groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 중수소로 치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 3 내지 18의 트리알킬실릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R6 to R8 are the same as or different from each other, and each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium; Or a C 6 to C 20 aryl group unsubstituted or substituted with a deuterium, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms substituted with deuterium, or a trialkylsilyl group having 3 to 18 carbon atoms .

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; tert-부틸기; 또는 중수소, 플루오로기, 메틸기, tert-부틸기, CD3, 또는 트리메틸실릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R6 to R8 are the same as or different from each other, and each independently a methyl group; tert-butyl group; or a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a fluoro group, a methyl group, a tert-butyl group, CD 3 , or a trimethylsilyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 C이고, R6 내지 R8 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X is C, and at least one of R6 to R8 is a substituted or unsubstituted alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 C이고, R6 내지 R8 중 적어도 둘은 치환 또는 비치환된 알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X is C, and at least two of R6 to R8 are substituted or unsubstituted alkyl groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 C이고, R6 내지 R8 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X is C, and at least one of R6 to R8 is a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 C이고, R6 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R8은 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X is C, R6 and R7 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl group, and R8 is a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 Si이고, R6 내지 R8 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X is Si, and at least one of R6 to R8 is a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 Si이고, R6 내지 R8 중 적어도 둘은 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X is Si, and at least two of R6 to R8 are substituted or unsubstituted aryl groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 C이고, R6 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이고, 상기 R8은 치환 또는 비치환된 알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X is C, R6 and R7 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group, and R8 is a substituted or unsubstituted alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X는 Si이고, R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, X is Si, R6 to R8 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1 또는 3-2로 표시된다.In the exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 3 is represented by the following Chemical Formula 3-1 or 3-2.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure 112020080830331-pat00013
Figure 112020080830331-pat00013

[화학식 3-2][Formula 3-2]

Figure 112020080830331-pat00014
Figure 112020080830331-pat00014

상기 화학식 3-1 및 3-2에 있어서,In Formulas 3-1 and 3-2,

R11은 치환 또는 비치환된 알킬기이고,R11 is a substituted or unsubstituted alkyl group,

R12는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,R12 is a substituted or unsubstituted aryl group,

R13 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.R13 to R16 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11 내지 R16에는 전술한 R6 내지 R8에 관한 설명이 적용될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, the descriptions of R6 to R8 described above may be applied to R11 to R16.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R11 is a substituted or unsubstituted C1-C10 alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R11 is a substituted or unsubstituted C 1 to C 6 alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11은 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R11 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which is unsubstituted or substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11은 메틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R11 is a methyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R12는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R12 is a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R12는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R12 is a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R12는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R12 is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a silyl group, or two or more selected from the group It is an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which is unsubstituted or substituted with a substituent to which the group is connected.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R12는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 중수소로 치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 3 내지 18의 트리알킬실릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R12 is deuterium, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms substituted with deuterium, or a trialkylsilyl group having 3 to 18 carbon atoms substituted or unsubstituted It is a cyclic aryl group having 6 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R12는 중수소, 플루오로기, 메틸기, tert-부틸기, CD3, 또는 트리메틸실릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R12 is a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a fluoro group, a methyl group, a tert-butyl group, CD 3 , or a trimethylsilyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R13 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R13 to R16 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C 1 to C 10 alkyl group; or a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R13 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R13 to R16 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C 1 to C 6 alkyl group; or a substituted or unsubstituted C6-C20 aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R13 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R13 to R16 are the same as or different from each other, and each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium; or one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a silyl group, or a substituent group selected from the group consisting of two or more groups selected from the group consisting of substituted or unsubstituted carbon atoms 6 to 20 aryl groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R13 내지 R16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; tert-부틸기; 또는 중수소, 플루오로기, 메틸기, tert-부틸기, CD3, 또는 트리메틸실릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R13 to R16 are the same as or different from each other, and each independently a methyl group; tert-butyl group; or a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium, a fluoro group, a methyl group, a tert-butyl group, CD 3 , or a trimethylsilyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택된 어느 하나이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds.

Figure 112020080830331-pat00015
Figure 112020080830331-pat00015

Figure 112020080830331-pat00016
Figure 112020080830331-pat00016

Figure 112020080830331-pat00017
Figure 112020080830331-pat00017

Figure 112020080830331-pat00018
Figure 112020080830331-pat00018

Figure 112020080830331-pat00019
Figure 112020080830331-pat00019

Figure 112020080830331-pat00020
Figure 112020080830331-pat00020

Figure 112020080830331-pat00021
Figure 112020080830331-pat00021

Figure 112020080830331-pat00022
Figure 112020080830331-pat00022

Figure 112020080830331-pat00023
Figure 112020080830331-pat00023

Figure 112020080830331-pat00024
Figure 112020080830331-pat00024

Figure 112020080830331-pat00025
Figure 112020080830331-pat00025

Figure 112020080830331-pat00026
Figure 112020080830331-pat00026

Figure 112020080830331-pat00027
Figure 112020080830331-pat00027

Figure 112020080830331-pat00028
Figure 112020080830331-pat00028

Figure 112020080830331-pat00029
Figure 112020080830331-pat00029

Figure 112020080830331-pat00030
Figure 112020080830331-pat00030

이하, 화학식 2에 관하여 설명한다.Hereinafter, Formula 2 will be described.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112020080830331-pat00031
Figure 112020080830331-pat00031

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, m은 2이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, m is 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2은 하기 화학식 2-1로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 2 is represented by the following Chemical Formula 2-1.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure 112020080830331-pat00032
Figure 112020080830331-pat00032

상기 화학식 2-1에 있어서, In Formula 2-1,

X1 내지 X3, L, Ar5 및 Ar6은 상기 화학식 2에서와 같고,X1 to X3, L, Ar5 and Ar6 are the same as in Formula 2,

L' 은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,L' is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,

X1' 내지 X3'중 1 이상은 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 N 또는 CH이며, At least one of X1' to X3' is N, and the rest are each independently N or CH,

Ar5' 및 Ar6'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,Ar5' and Ar6' are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

Ar7'는 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 시클로알킬렌기이다.Ar7' is a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted cycloalkylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L'는 L의 정의와 같다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L' is the same as the definition of L.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X1' 내지 X3'는 X1 내지 X3의 정의와 같다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X1' to X3' are the same as the definitions of X1 to X3.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar5' 및 Ar6'는 Ar5 및 Ar6의 정의와 같다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar5' and Ar6' are the same as the definitions of Ar5 and Ar6.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X1 내지 X3 중 1 이상은 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 N 또는 CH이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, at least one of X1 to X3 is N, and the rest are each independently N or CH.

또 하나의 실시상태에 있어서, X1 내지 X3 중 2 또는 3은 N이고, 나머지는 CH이다.In another exemplary embodiment, 2 or 3 of X1 to X3 is N, and the remainder is CH.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 N이고, X3는 CH이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 and X2 are N, and X3 is CH.

또 하나의 실시상태에 있어서, X1 및 X3는 N이고, X2는 CH이다.In another embodiment, X1 and X3 are N, and X2 is CH.

또 하나의 실시상태에 있어서, X2 및 X3는 N이고, X1은 CH이다.In another embodiment, X2 and X3 are N, and X1 is CH.

또 하나의 실시상태에 있어서, X1 내지 X3는 N이다.In another exemplary embodiment, X1 to X3 are N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1' 및 X2'는 N이고, X3'는 CH이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1' and X2' are N, and X3' is CH.

또 하나의 실시상태에 있어서, X1' 및 X3'는 N이고, X2'는 CH이다.In another embodiment, X1' and X3' are N, and X2' is CH.

또 하나의 실시상태에 있어서, X2' 및 X3'는 N이고, X1'은 CH이다.In another embodiment, X2' and X3' are N, and X1' is CH.

또 하나의 실시상태에 있어서, X1' 내지 X3'는 N이다.In another exemplary embodiment, X1' to X3' are N.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond; or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.In another embodiment, L is a direct bond; or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이다.In another embodiment, L is a direct bond; or a substituted or unsubstituted C6-C20 arylene group.

또 하나의 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기이다.In another embodiment, L is a direct bond; a substituted or unsubstituted phenylene group; Or a substituted or unsubstituted biphenylene group.

또 하나의 실시상태에 따르면, L은 직접결합; 또는 페닐렌기이다.According to another embodiment, L is a direct bond; or a phenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L'은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L' is a direct bond; or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, L'은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.In another embodiment, L' is a direct bond; or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, L'은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이다.In another embodiment, L' is a direct bond; or a substituted or unsubstituted C6-C20 arylene group.

또 하나의 실시상태에 있어서, L'은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기이다.In another embodiment, L' is a direct bond; a substituted or unsubstituted phenylene group; Or a substituted or unsubstituted biphenylene group.

또 하나의 실시상태에 따르면, L'은 직접결합; 또는 페닐렌기이다.According to another embodiment, L' is a direct bond; or a phenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L 및 L'은 서로 같거나 상이하다.In an exemplary embodiment of the present specification, L and L' are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L 및 L'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 하기 구조에서 선택된 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, L and L' are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; or any one selected from the following structures.

Figure 112020080830331-pat00033
Figure 112020080830331-pat00033

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar5 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C6-C60 aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.In another exemplary embodiment, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이고, 상기 아릴기 또는 헤테로고리기는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기 및 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된다.In another exemplary embodiment, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently an aryl group having 6 to 30 carbon atoms; or a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms, and the aryl group or heterocyclic group is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or 2 selected from the group It is substituted or unsubstituted with a substituent to which the above groups are connected.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기이고, 상기 아릴기 또는 헤테로고리기는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 및 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된다.In another exemplary embodiment, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently an aryl group having 6 to 20 carbon atoms; or a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms, and the aryl group or heterocyclic group is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or 2 selected from the group It is substituted or unsubstituted with a substituent to which the above groups are connected.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 또는 탄소수 1 내지 10의 할로알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.In another exemplary embodiment, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently substituted or unsubstituted with a halogen group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a haloalkyl group having 1 to 10 carbon atoms. a cyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms; or a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기 또는 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기이다.In another embodiment, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently substituted or unsubstituted with a halogen group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms. a cyclic aryl group having 6 to 20 carbon atoms; or a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar5 및 Ar6의 헤테로고리기는 이종원소로 N, O 또는 S를 포함한다. 바람직하게는 N을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the heterocyclic group of Ar5 and Ar6 includes N, O, or S as a heterogeneous element. Preferably it contains N.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기, 메틸기, 메톡시기 또는 트리플루오로메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 티오펜기; 또는 피리딘기이다.In another embodiment, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with a halogen group, a methyl group, a methoxy group, or a trifluoromethyl group; biphenyl group; naphthyl group; thiophene group; or a pyridine group.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기; 또는 피리딘기이다.In another embodiment, Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; naphthyl group; or a pyridine group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar5' 및 Ar6'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar5' and Ar6' are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5' 및 Ar6'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.In another embodiment, Ar5' and Ar6' are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5' 및 Ar6'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이고, 상기 아릴기 또는 헤테로고리기는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기 및 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된다.In another exemplary embodiment, Ar5' and Ar6' are the same as or different from each other, and each independently an aryl group having 6 to 30 carbon atoms; or a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms, and the aryl group or heterocyclic group is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or 2 selected from the group It is substituted or unsubstituted with a substituent to which the above groups are connected.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5' 및 Ar6'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기이고, 상기 아릴기 또는 헤테로고리기는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 및 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된다.In another embodiment, Ar5' and Ar6' are the same as or different from each other, and each independently an aryl group having 6 to 20 carbon atoms; or a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms, and the aryl group or heterocyclic group is one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or 2 selected from the group It is substituted or unsubstituted with a substituent to which the above groups are connected.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5' 및 Ar6'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 또는 탄소수 1 내지 10의 할로알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.In another embodiment, Ar5' and Ar6' are the same as or different from each other, and are each independently substituted with a halogen group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a haloalkyl group having 1 to 10 carbon atoms. or an unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; or a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5' 및 Ar6'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기 또는 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기이다.In another exemplary embodiment, Ar5' and Ar6' are the same as or different from each other, and are each independently substituted with a halogen group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms. or an unsubstituted C6-C20 aryl group; or a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar5' 및 Ar6'의 헤테로고리기는 이종원소로 N, O 또는 S를 포함한다. 바람직하게는 N을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the heterocyclic group of Ar5' and Ar6' includes N, O, or S as a heteroelement. Preferably it contains N.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5' 및 Ar6'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기, 메틸기, 메톡시기 또는 트리플루오로메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 티오펜기; 또는 피리딘기이다.In another embodiment, Ar5' and Ar6' are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with a halogen group, a methyl group, a methoxy group, or a trifluoromethyl group; biphenyl group; naphthyl group; thiophene group; or a pyridine group.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar5' 및 Ar6'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기; 또는 피리딘기이다.In another embodiment, Ar5' and Ar6' are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; naphthyl group; or a pyridine group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar7은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 m가 아릴기; 또는 치환 또는 탄소수 3 내지 60의 m가 시클로알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar7 is a substituted or unsubstituted m-valent aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or C 3 to C 60 m is a cycloalkyl group.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar7은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 m가 아릴기; 또는 치환 또는 탄소수 3 내지 30의 m가 시클로알킬기이다.In another exemplary embodiment, Ar7 is a substituted or unsubstituted C6-C30 m-valent aryl group; Or a substituted or C 3-30 m is a cycloalkyl group.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar7은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 다환의 m가 아릴기; 또는 치환 또는 탄소수 3 내지 30의 단환의 m가 시클로알킬기이다.In another embodiment, Ar7 is a substituted or unsubstituted polycyclic m-valent aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or monocyclic m having 3 to 30 carbon atoms is a cycloalkyl group.

또 하나의 실시상태에 따르면, Ar7은 치환 또는 비치환된 m가 나프틸기; 치환 또는 비치환된 m가 페난트레닐기; 또는 치환 또는 비치환된 m가 시클로헥실기이다.According to another exemplary embodiment, Ar7 is a substituted or unsubstituted m-valent naphthyl group; a substituted or unsubstituted m-phenanthrenyl group; Or a substituted or unsubstituted m is a cyclohexyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar7'은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar7' is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms; or a substituted or cycloalkylene group having 3 to 60 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar7'은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬렌기이다.In another embodiment, Ar7' is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms; or a substituted or cycloalkylene group having 3 to 30 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 있어서, Ar7'은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 다환의 아릴렌기; 또는 치환 또는 탄소수 3 내지 30의 단환의 시클로알킬렌기이다.In another embodiment, Ar7' is a substituted or unsubstituted polycyclic arylene group having 6 to 30 carbon atoms; or a substituted or monocyclic cycloalkylene group having 3 to 30 carbon atoms.

또 하나의 실시상태에 따르면, Ar7'은 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 시클로헥실렌기이다.According to another exemplary embodiment, Ar7' is a substituted or unsubstituted naphthylene group; a substituted or unsubstituted phenanthrenylene group; or a substituted or unsubstituted cyclohexylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, m은 2이고, Ar7은 하기 구조에서 선택된 어느 하나이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, Ar7'은 하기 구조에서 선택된 어느 하나이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, m is 2, and Ar7 is any one selected from the following structures. According to another exemplary embodiment, Ar7' is any one selected from the following structures.

Figure 112020080830331-pat00034
Figure 112020080830331-pat00034

Figure 112020080830331-pat00035
Figure 112020080830331-pat00035

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2-1의

Figure 112020080830331-pat00036
Figure 112020080830331-pat00037
은 서로 동일하다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the formula 2-1
Figure 112020080830331-pat00036
Wow
Figure 112020080830331-pat00037
are identical to each other

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2-1의

Figure 112020080830331-pat00038
Figure 112020080830331-pat00039
은 서로 동일하다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the formula 2-1
Figure 112020080830331-pat00038
Wow
Figure 112020080830331-pat00039
are identical to each other

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시된다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 2 is represented by any one of the following compounds.

Figure 112020080830331-pat00040
Figure 112020080830331-pat00040

Figure 112020080830331-pat00041
Figure 112020080830331-pat00041

Figure 112020080830331-pat00042
Figure 112020080830331-pat00042

Figure 112020080830331-pat00043
Figure 112020080830331-pat00043

Figure 112020080830331-pat00044
Figure 112020080830331-pat00044

Figure 112020080830331-pat00045
Figure 112020080830331-pat00045

Figure 112020080830331-pat00046
Figure 112020080830331-pat00046

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 반응식 1과 같이 제조될 수 있으며, 상기 화학식 2의 화합물은 하기 반응식 2와 같이 제조될 수 있다. 하기 반응식 1 및 2는 본원 화학식 1 및 2에 해당하는 일부 화합물의 합성과정을 기재하고 있으나, 하기 반응식 1 및 2와 같은 합성과정을 이용하여 본원 화학식 1 및 2에 해당하는 다양한 화합물을 합성할 수 있고, 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 및 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the compound of Formula 1 may be prepared as shown in Scheme 1 below, and the compound of Formula 2 may be prepared as shown in Scheme 2 below. Although the following Schemes 1 and 2 describe the synthesis process of some compounds corresponding to Formulas 1 and 2 of the present application, various compounds corresponding to Formulas 1 and 2 of the present application can be synthesized using synthetic procedures such as Schemes 1 and 2 below. And, the substituents may be combined by methods known in the art, and the type, position, and number of the substituents may be changed according to the techniques known in the art.

[반응식 1][Scheme 1]

Figure 112020080830331-pat00047
Figure 112020080830331-pat00047

[반응식 2][Scheme 2]

Figure 112020080830331-pat00048
Figure 112020080830331-pat00048

상기 반응식 1에 있어서, R은 코어에 연결되는 치환기를 의미하는 것으로, 본원 발명의 R1 내지 R3, B1 또는 B2 일 수 있으며, 나머지 치환기의 정의는 전술한 바와 같다. 상기 반응식 2에 있어서, 치환기의 정의는 전술한 바와 같다.In Scheme 1, R means a substituent connected to the core, and may be R1 to R3, B1 or B2 of the present invention, and the definition of the remaining substituents is as described above. In Scheme 2, the definition of the substituent is as described above.

본 명세서의 유기 발광 소자는 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 이용하여 제1 유기물층을 형성하고, 전술한 화학식 2로 표시되는 화합물을 이용하여 제2 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present specification is a conventional organic material layer, except that the first organic material layer is formed using the compound represented by Chemical Formula 1 and the second organic material layer is formed using the compound represented by Chemical Formula 2 described above. It can be manufactured according to the manufacturing method and material of the light emitting device.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 유기물층 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 유기물층은, 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들 만으로 한정되는 것은 아니다.The first organic layer including the compound represented by Formula 1 and the second organic layer including the compound represented by Formula 2 may be formed as an organic layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method. Here, the solution coating method means spin coating, dip coating, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, etc., but is not limited thereto.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 상기 제1 유기물층 및 제2 유기물층만을 포함하는 구조로 이루어질 수도 있으나, 추가의 유기물층이 더 포함하는 구조로 이루어질 수 있다. 상기 추가의 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층, 전자차단층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층, 정공차단층 중 1층 이상일 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a structure including only the first organic material layer and the second organic material layer, or may have a structure further including an additional organic material layer. As the additional organic material layer, one of a hole injection layer, a hole transport layer, a layer that transports and injects holes at the same time, an electron blocking layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a layer that simultaneously transports and injects electrons, and a hole blocking layer It can be more than a layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number or a larger number of organic material layers.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이며, 상기 제1 유기물층은 발광층이고, 상기 제2 유기물층은 상기 제2 전극과 상기 제1 유기물층 사이에 구비된다. 즉, 상기 제2 유기물층은 상기 음극과 상기 발광층 사이에 구비된다.In the organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, the first organic material layer is a light emitting layer, and the second organic material layer is the second electrode and the first It is provided between the organic material layers. That is, the second organic material layer is provided between the cathode and the light emitting layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 제1 유기물층은 발광층이다.In the organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification, the first organic material layer is a light emitting layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 제1 유기물층은 발광층이고, 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 도펀트로 포함된다.In the organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification, the first organic material layer is a light emitting layer, and the compound represented by Chemical Formula 1 is included as a dopant of the light emitting layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 제1 유기물층은 발광층이고, 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 도펀트로 사용되며, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 더 포함한다. 이때, 발광층 내의 도펀트는 호스트 100 중량부 대비 1 중량부 내지 50 중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.1 중량부 내지 30 중량부, 더욱 바람직하게는 1 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내일 때, 호스트에서 도펀트로 에너지 전달이 효율적으로 일어난다.In the organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification, the first organic material layer is a light emitting layer, and the compound represented by Formula 1 is used as a dopant of the light emitting layer, and further includes a fluorescent host or a phosphorescent host. In this case, the dopant in the light emitting layer may be included in an amount of 1 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the host, preferably 0.1 to 30 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight. When within the above range, energy transfer from the host to the dopant occurs efficiently.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트는 안트라센 유도체이다.In one embodiment of the present specification, the host is an anthracene derivative.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 발광층을 포함하고, 상기 2층 이상의 발광층 중 1층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes two or more light emitting layers, and one of the two or more light emitting layers includes the compound represented by Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 발광층의 최대 발광 피크는 서로 상이하다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한 발광층은 청색을 띠며, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하지 않은 발광층은 당업계에 알려진 청색, 적색 또는 녹색 발광 화합물을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the maximum emission peaks of the two or more emission layers are different from each other. The light emitting layer including the compound represented by Formula 1 has a blue color, and the light emitting layer not including the compound represented by Formula 1 may include a blue, red, or green light emitting compound known in the art.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한 발광층은 형광 도펀트를 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하지 않은 발광층은 인광 도펀트를 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the emission layer including the compound represented by Formula 1 includes a fluorescent dopant, and the emission layer not including the compound represented by Formula 1 includes a phosphorescent dopant.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 발광층의 최대 발광 피크는 400 nm 내지 500 nm이다. 즉, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 발광층은 청색을 발광한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the maximum emission peak of the emission layer including the compound represented by Formula 1 is 400 nm to 500 nm. That is, the light emitting layer including the compound represented by Formula 1 emits blue light.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 유기물층은 2층 이상의 발광층을 포함하고, 한 층의 발광층(발광층 1)의 최대 발광 피크는 400 nm 내지 500 nm 이며, 다른 한 층의 발광층(발광층 2)의 최대 발광 피크는 510 nm 내지 580 nm; 또는 610 nm 680 nm의 최대 발광 피크를 나타낼 수 있다. 이때, 발광층 1은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.The organic material layer of the organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification includes two or more light emitting layers, the maximum emission peak of one light emitting layer (light emitting layer 1) is 400 nm to 500 nm, and the other light emitting layer (light emitting layer 2) ) has a maximum emission peak between 510 nm and 580 nm; Alternatively, it may exhibit a maximum emission peak of 610 nm and 680 nm. In this case, the light emitting layer 1 includes the compound represented by Formula 1 above.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 제2 유기물층은 전자수송영역이다. 구체적으로, 상기 제2 유기물층은 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층, 및 전자 주입 및 수송층으로 이루어진 군에서 선택된 1층 이상을 포함한다.In the organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present specification, the second organic material layer is an electron transport region. Specifically, the second organic material layer includes at least one layer selected from the group consisting of a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and an electron injection and transport layer.

또 하나의 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 제2 유기물층은 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층, 및 전자 주입 및 수송층으로 이루어진 군에서 선택된 1층 또는 2층을 포함한다.In the organic light emitting device according to another exemplary embodiment, the second organic material layer includes one or two layers selected from the group consisting of a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and an electron injection and transport layer.

또 하나의 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 제2 유기물층은 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층 또는 전자 주입 및 수송층이다.In the organic light emitting device according to another exemplary embodiment, the second organic material layer is a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, or an electron injection and transport layer.

또 하나의 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 제2 유기물층은 정공차단층이다. In the organic light emitting diode according to another exemplary embodiment, the second organic material layer is a hole blocking layer.

또 하나의 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 제2 유기물층은 전자수송층이다.In the organic light emitting device according to another exemplary embodiment, the second organic material layer is an electron transport layer.

또 하나의 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 제2 유기물층은 전자 주입 및 수송층이다.In an organic light emitting diode according to another exemplary embodiment, the second organic material layer is an electron injection and transport layer.

또 하나의 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 제2 유기물층은 정공차단층, 및 전자 주입 및 수송층을 포함한다. 이때, 정공차단층은 발광층에 인접하여 구비되고, 전자 주입 및 수송층은 음극에 인접하여 구비된다.In the organic light emitting diode according to another exemplary embodiment, the second organic material layer includes a hole blocking layer and an electron injection and transport layer. In this case, the hole blocking layer is provided adjacent to the light emitting layer, and the electron injection and transport layer is provided adjacent to the cathode.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 유기물층은 제1 유기물층에 접하여 구비된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the second organic material layer is provided in contact with the first organic material layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 유기물층은 알칼리 금속 및 알칼리토금속 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 n형 도펀트를 더 포함한다.In an exemplary embodiment of the present specification, the second organic material layer further includes one or more n-type dopants selected from alkali metals and alkaline earth metals.

유기 알칼리 금속 화합물 또는 유기 알칼리 토금속 화합물이 n 형 도펀트로 사용되는 경우에는 발광층으로부터 정공에 대한 안정성을 확보할 수 있어, 유기 발광 소자의 수명을 향상시킬 수 있다. 또한, 전자수송층의 전자이동도를 유기 알칼리 금속 화합물 또는 유기 알칼리 토금속 화합물의 비율을 조절하여 발광층에서 정공과 전자의 균형을 극대화시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있다. When the organic alkali metal compound or the organic alkaline earth metal compound is used as the n-type dopant, it is possible to secure the stability of the hole from the light emitting layer, thereby improving the lifespan of the organic light emitting device. In addition, by adjusting the ratio of the organic alkali metal compound or the organic alkaline earth metal compound to the electron mobility of the electron transport layer, it is possible to maximize the balance between holes and electrons in the light emitting layer, thereby increasing luminous efficiency.

본 명세서에서 제2 유기물층에 사용되는 n형 도펀트로서 LiQ가 더욱 바람직하다. LiQ is more preferable as the n-type dopant used in the second organic material layer in the present specification.

상기 제2 유기물층은 화학식 2의 화합물 및 상기 n형 도펀트를 1:9 내지 9:1의 중량비로 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 화학식 2의 화합물과 상기 n형 도펀트를 2:8 내지 8:2로 포함할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 3:7 내지 7:3으로 포함할 수 있다. The second organic material layer may include the compound of Formula 2 and the n-type dopant in a weight ratio of 1:9 to 9:1. Preferably, the compound of Formula 2 and the n-type dopant may be included in an amount of 2:8 to 8:2, more preferably 3:7 to 7:3.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 제2 전극은 음극이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 음극이고, 제2 전극은 양극이다.According to another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1, 도 2 및 도 8에 나타난 것과 같은 구조를 가질 수 있으나 이에만 한정되는 것은 아니다.The structure of the organic light emitting device of the present specification may have a structure as shown in FIGS. 1, 2 and 8 , but is not limited thereto.

도 1에는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 발광층(6), 정공차단층(7), 전자 주입 및 수송층(8) 및 음극(11)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시 되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층(6)에 포함될 수 있고, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 정공차단층(7) 또는 전자 주입 및 수송층(8)에 포함될 수 있다.1 shows a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light emitting layer 6, a hole blocking layer 7, an electron injection and transport layer 8, and a cathode 11 The structure of this sequentially stacked organic light emitting device is exemplified. In such a structure, the compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer 6 , and the compound represented by Formula 2 may be included in the hole blocking layer 7 or the electron injection and transport layer 8 .

도 2에는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 전자차단층(5), 발광층(6), 전자 주입 및 수송층(8) 및 음극(11)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층(6)에 포함될 수 있고, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 전자 주입 및 수송층(8)에 포함될 수 있다.2 shows a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, an electron blocking layer 5, a light emitting layer 6, an electron injection and transport layer 8, and a cathode 11 The structure of this sequentially stacked organic light emitting device is exemplified. In such a structure, the compound represented by Formula 1 may be included in the emission layer 6 , and the compound represented by Formula 2 may be included in the electron injection and transport layer 8 .

도 8에는 기판(1), 양극(2), p-도핑된 정공수송층(4p), 정공수송층(4R, 4G, 4B), 발광층(6RP, 6GP, 6BF), 제1 전자수송층(9a), 제2 전자수송층(9b), 전자주입층(10), 음극(11) 및 캡핑층(14)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층(6RP, 6GP, 6BF)에 포함될 수 있고, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 제1 전자수송층(9a), 제2 전자수송층(9b) 및 전자주입층(10) 중 1층 이상의 층에 포함될 수 있다.8 shows a substrate 1, an anode 2, a p-doped hole transport layer 4p, a hole transport layer 4R, 4G, 4B, a light emitting layer 6RP, 6GP, 6BF, a first electron transport layer 9a, The structure of the organic light emitting device in which the second electron transport layer 9b, the electron injection layer 10, the cathode 11 and the capping layer 14 are sequentially stacked is illustrated. In such a structure, the compound represented by Chemical Formula 1 may be included in the light emitting layers 6RP, 6GP, and 6BF, and the compound represented by Chemical Formula 2 may include a first electron transport layer 9a and a second electron transport layer 9b. And it may be included in one or more layers of the electron injection layer (10).

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 두 개 이상의 독립된 소자가 직렬로 연결된 탠덤 구조일 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 상기 탠덤 구조는 각각의 유기 발광 소자가 전하생성층으로 접합된 형태일 수 있다. 탠덤 구조의 소자는 같은 밝기를 기준으로 단위 소자보다 낮은 전류에서 구동 가능하므로, 소자의 수명 특성이 크게 향상되는 장점이 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device may have a tandem structure in which two or more independent devices are connected in series. In an exemplary embodiment, the tandem structure may have a form in which each organic light emitting device is bonded to a charge generating layer. Since a device having a tandem structure can be driven at a lower current than a unit device based on the same brightness, there is an advantage in that the lifespan characteristics of the device are greatly improved.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 1층 이상의 발광층을 포함하는 제1 스택; 1층 이상의 발광층을 포함하는 제2 스택; 및 상기 제1 스택과 상기 제2 스택의 사이에 구비된 1층 이상의 전하생성층을 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer may include: a first stack including one or more light emitting layers; a second stack comprising at least one light emitting layer; and one or more charge generation layers provided between the first stack and the second stack.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 1층 이상의 발광층을 포함하는 제1 스택; 1층 이상의 발광층을 포함하는 제2 스택; 및 1층 이상의 발광층을 포함하는 제3 스택을 포함하고, 상기 제1 스택과 상기 제2 스택의 사이; 및 상기 제2 스택과 상기 제3 스택의 사이에 각각 1층 이상의 전하생성층을 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes: a first stack including one or more light emitting layers; a second stack comprising one or more light emitting layers; and a third stack including one or more light emitting layers, between the first stack and the second stack; and one or more charge generation layers, respectively, between the second stack and the third stack.

본 명세서에 있어서, 전하생성층(Charge Generating layer)이란 전압을 걸면 정공과 전자가 발생하는 층을 의미한다. 상기 전하생성층은 N형 전하생성층 또는 P형 전하생성층일 수 있다. 본 명세서에서, N형 전하생성층이란 P형 전하생성층보다 양극에 가깝게 위치한 전하생성층을 의미하고, P형 전하생성층이란 N형 전하생성층보다 음극에 가깝게 위치한 전하생성층을 의미한다.In the present specification, the charge generating layer (Charge Generating layer) means a layer in which holes and electrons are generated when a voltage is applied. The charge generation layer may be an N-type charge generation layer or a P-type charge generation layer. As used herein, the N-type charge generation layer refers to a charge generation layer located closer to the anode than the P-type charge generation layer, and the P-type charge generation layer refers to a charge generation layer located closer to the cathode than the N-type charge generation layer.

상기 N형 전하생성층 및 P형 전하생성층은 접하여 구비될 수 있으며, 이 경우 NP 접합을 형성한다. NP 접합에 의하여 P형 전하생성층 내에서 정공이, N형 전하생성층 내에서 전자가 용이하게 형성된다. 전자는 N형 전하생성층의 LUMO 준위를 통하여 양극 방향으로 수송되고, 정공은 P형 유기물층의 HOMO 준위를 통하여 음극 방향으로 수송된다.The N-type charge generation layer and the P-type charge generation layer may be provided in contact with each other, and in this case, an NP junction is formed. By the NP junction, holes are easily formed in the P-type charge generation layer and electrons are easily formed in the N-type charge generation layer. Electrons are transported in the anode direction through the LUMO level of the N-type charge generating layer, and holes are transported in the cathode direction through the HOMO level of the P-type organic material layer.

상기 제1 스택, 제2 스택 및 제3 스택은 각각 1층 이상의 발광층을 포함하며, 추가로 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 전자주입층, 전자수송층, 정공차단층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층(정공 주입 및 수송층), 및 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층(전자 주입 및 수송층) 중 1층 이상의 층을 더 포함할 수 있다.The first stack, the second stack, and the third stack each include one or more light emitting layers, and further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole blocking layer, a hole transport and a hole It may further include one or more layers of a layer for simultaneous injection (a hole injection and transport layer), and a layer for simultaneously performing an electron transport and electron injection (electron injection and transport layer).

상기 제1 스택 및 제2 스택을 포함하는 유기 발광 소자를 도 3에 예시하였다.An organic light emitting diode including the first stack and the second stack is illustrated in FIG. 3 .

도 3에는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 제1 정공수송층(4a), 전자차단층(5), 제1 발광층(6a), 제1 전자수송층(9a), N형 전하생성층(12), P형 전하생성층(13), 제2 정공수송층(4b), 제2 발광층(6b), 전자 주입 및 수송층(8) 및 음극(11)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 제1 발광층(6a) 또는 제2 발광층(6b)에 포함될 수 있고, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 제1 전자수송층(9a) 또는 전자 주입 및 수송층(8)에 포함될 수 있다.3 shows a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 3, a first hole transport layer 4a, an electron blocking layer 5, a first light emitting layer 6a, a first electron transport layer 9a, An N-type charge generation layer 12, a P-type charge generation layer 13, a second hole transport layer 4b, a second light emitting layer 6b, an electron injection and transport layer 8, and a cathode 11 are sequentially stacked The structure of the organic light emitting device is illustrated. In such a structure, the compound represented by Chemical Formula 1 may be included in the first emission layer 6a or the second emission layer 6b, and the compound represented by Chemical Formula 2 is the first electron transport layer 9a or electron injection. and the transport layer 8 .

상기 제1 스택 내지 제 3 스택을 포함하는 유기 발광 소자를 도 4 내지 7에 예시하였다.The organic light emitting diodes including the first to third stacks are illustrated in FIGS. 4 to 7 .

도 4에는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 제1 정공수송층(4a), 전자차단층(5), 제1 발광층(6a), 제1 전자수송층(9a), 제1 N형 전하생성층(12a), 제1 P형 전하생성층(13a), 제2 정공수송층(4b), 제2 발광층(6b), 제2 전자수송층(9b), 제2 N형 전하생성층(12b), 제2 P형 전하생성층(13b), 제3 정공수송층(4c), 제3 발광층(6c), 제3 전자수송층(9c) 및 음극(11)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 제1 발광층(6a), 제2 발광층(6b) 및 제3 발광층(6c)에 포함될 수 있고, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 제1 전자수송층(9a), 제2 전자수송층(9b) 및 제3 전자수송층(9c) 중 1층 이상의 층에 포함될 수 있다.4 shows a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 3, a first hole transport layer 4a, an electron blocking layer 5, a first light emitting layer 6a, a first electron transport layer 9a, The first N-type charge generation layer 12a, the first P-type charge generation layer 13a, the second hole transport layer 4b, the second light-emitting layer 6b, the second electron transport layer 9b, the second N-type charge An organic layer in which the generation layer 12b, the second P-type charge generation layer 13b, the third hole transport layer 4c, the third light emitting layer 6c, the third electron transport layer 9c and the cathode 11 are sequentially stacked The structure of the light emitting device is illustrated. In such a structure, the compound represented by Formula 1 may be included in the first light-emitting layer 6a, the second light-emitting layer 6b, and the third light-emitting layer 6c, and the compound represented by Formula 2 is the first electron It may be included in one or more layers of the transport layer 9a, the second electron transport layer 9b, and the third electron transport layer 9c.

도 5에는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 제1 정공수송층(4a), 제2 정공수송층(4b), 제1 청색 형광 발광층(6BFa), 제1 전자수송층(9a), 제1 N형 전하생성층(12a), 제1 P형 전하생성층(13a), 제3 정공수송층(4c), 적색 인광 발광층(6RP), 황색 녹색 인광 발광층(6YGP), 녹색 인광 발광층(6GP), 제2 전자수송층(9b), 제2 N형 전하생성층(12b), 제2 P형 전하생성층(13b), 제4 정공수송층(4d), 제5 정공수송층(4e), 제2 청색 형광 발광층(6BFb), 제3 전자수송층(9c), 전자주입층(10), 음극(11) 및 캡핑층(14)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 제1 청색 형광 발광층(6BFa) 또는 제2 청색 형광 발광층(6BFb)에 포함될 수 있고, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 제1 전자수송층(9a), 제2 전자수송층(9b), 제3 전자수송층(9c) 및 전자주입층(10) 중 1층 이상의 층에 포함될 수 있다.5 shows a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 3, a first hole transport layer 4a, a second hole transport layer 4b, a first blue fluorescent light emitting layer 6BFa, a first electron transport layer ( 9a), first N-type charge generation layer 12a, first P-type charge generation layer 13a, third hole transport layer 4c, red phosphorescence emission layer 6RP, yellow green phosphorescence emission layer 6YGP, green phosphorescence Light emitting layer 6GP, second electron transport layer 9b, second N-type charge generation layer 12b, second P-type charge generation layer 13b, fourth hole transport layer 4d, fifth hole transport layer 4e , the second blue fluorescent light emitting layer 6BFb, the third electron transport layer 9c, the electron injection layer 10, the cathode 11, and the capping layer 14 are sequentially stacked, the structure of the organic light emitting device is exemplified. In such a structure, the compound represented by Chemical Formula 1 may be included in the first blue fluorescent light emitting layer 6BFa or the second blue fluorescent light emitting layer 6BFb, and the compound represented by Chemical Formula 2 is the first electron transport layer 9a. ), the second electron transport layer 9b, the third electron transport layer 9c, and the electron injection layer 10 may be included in one or more layers.

도 6에는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 제1 정공수송층(4a), 제2 정공수송층(4b), 제1 청색 형광 발광층(6BFa), 제1 전자수송층(9a), 제1 N형 전하생성층(12a), 제1 P형 전하생성층(13a), 제3 정공수송층(4c), 적색 인광 발광층(6RP), 녹색 인광 발광층(6GP), 제2 전자수송층(9b), 제2 N형 전하생성층(12b), 제2 P형 전하생성층(13b), 제4 정공수송층(4d), 제5 정공수송층(4e), 제2 청색 형광 발광층(6BFb), 제3 전자수송층(9c), 전자주입층(10), 음극(11) 및 캡핑층(14)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 제1 청색 형광 발광층(6BFa) 또는 제2 청색 형광 발광층(6BFb)에 포함될 수 있고, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 제1 전자수송층(9a), 제2 전자수송층(9b), 제3 전자수송층(9c) 및 전자주입층(10) 중 1층 이상의 층에 포함될 수 있다.6 shows a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 3, a first hole transport layer 4a, a second hole transport layer 4b, a first blue fluorescent light emitting layer 6BFa, a first electron transport layer ( 9a), the first N-type charge generation layer 12a, the first P-type charge generation layer 13a, the third hole transport layer 4c, the red phosphorescent emission layer 6RP, the green phosphorescence emission layer 6GP, the second electrons Transport layer 9b, second N-type charge generation layer 12b, second P-type charge generation layer 13b, fourth hole transport layer 4d, fifth hole transport layer 4e, second blue fluorescent light emitting layer 6BFb ), the third electron transport layer 9c, the electron injection layer 10, the cathode 11, and the capping layer 14 are sequentially stacked, the structure of the organic light emitting device is exemplified. In such a structure, the compound represented by Chemical Formula 1 may be included in the first blue fluorescent light emitting layer 6BFa or the second blue fluorescent light emitting layer 6BFb, and the compound represented by Chemical Formula 2 is the first electron transport layer 9a. ), the second electron transport layer 9b, the third electron transport layer 9c, and the electron injection layer 10 may be included in one or more layers.

도 7에는 기판(1), 양극(2), 제1 p-도핑된 정공수송층(4pa), 제1 정공수송층(4a), 제2 정공수송층(4b), 제1 청색 형광 발광층(6BFa), 제1 전자수송층(9a), 제1 N형 전하생성층(12a), 제1 P형 전하생성층(13a), 제3 정공수송층(4c), 제4 정공수송층(4d), 제2 청색 형광 발광층(6BFb), 제2 전자수송층(9b), 제2 N형 전하생성층(12b), 제2 P형 전하생성층(13b), 제5 정공수송층(4e), 제6 정공수송층(4f), 제3 청색 형광 발광층(6BFc), 제3 전자수송층(9c), 전자주입층(10), 음극(11) 및 캡핑층(14)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 제1 청색 형광 발광층(6BFa), 제2 청색 형광 발광층(6BFb) 및 제3 청생 형광 발광층(6BFb) 중 1층 이상의 층에 포함될 수 있고, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 제1 전자수송층(9a), 제2 전자수송층(9c), 제3 전자수송층(9c) 및 전자주입층(10) 중 1층 이상의 층에 포함될 수 있다.7 shows a substrate 1, an anode 2, a first p-doped hole transport layer 4pa, a first hole transport layer 4a, a second hole transport layer 4b, a first blue fluorescent light emitting layer 6BFa, The first electron transport layer 9a, the first N-type charge generation layer 12a, the first P-type charge generation layer 13a, the third hole transport layer 4c, the fourth hole transport layer 4d, the second blue fluorescence Light emitting layer 6BFb, second electron transport layer 9b, second N-type charge generation layer 12b, second P-type charge generation layer 13b, fifth hole transport layer 4e, sixth hole transport layer 4f , the third blue fluorescent light emitting layer 6BFc, the third electron transport layer 9c, the electron injection layer 10, the cathode 11, and the capping layer 14 are sequentially stacked, the structure of the organic light emitting device is exemplified. In such a structure, the compound represented by Formula 1 may be included in one or more layers of the first blue fluorescent light-emitting layer 6BFa, the second blue fluorescent light-emitting layer 6BFb, and the third blue fluorescent light-emitting layer 6BFb, The compound represented by Formula 2 may be included in one or more layers of the first electron transport layer 9a, the second electron transport layer 9c, the third electron transport layer 9c, and the electron injection layer 10 .

상기 N형 전하생성층은 2,3,5,6-테트라플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(F4TCNQ), 불소-치환된 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드(PTCDA), 시아노-치환된 PTCDA, 나프탈렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드(NTCDA), 불소-치환된 NTCDA, 시아노-치환된 NTCDA, 헥사아자트리페닐린 유도체 등일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 일 실시상태에 있어서, 상기 N형 전하생성층은 벤조이미다조페난트리닌계 유도체와 Li의 금속을 동시에 포함할 수 있다.The N-type charge generation layer is 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ), fluorine-substituted 3,4,9,10-pe Lylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA), cyano-substituted PTCDA, naphthalenetetracarboxylic dianhydride (NTCDA), fluorine-substituted NTCDA, cyano-substituted NTCDA, hexaazatriphenylline derivatives and the like, but is not limited thereto. In an exemplary embodiment, the N-type charge generation layer may include a benzimidazophenanthrine-based derivative and a metal of Li at the same time.

상기 P형 전하생성층은 아릴아민계 유도체와 시아노기를 포함하는 화합물을 동시에 포함할 수 있다.The P-type charge generation layer may include an arylamine-based derivative and a compound including a cyano group at the same time.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층이 상기 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light emitting device of the present specification may be manufactured using materials and methods known in the art, except that the organic material layer includes the compound.

상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 전술한 제1 유기물층 및 제2 유기물층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials. The organic light emitting device according to the present specification forms an anode by depositing a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof on a substrate, and after forming an organic material layer including the above-described first organic material layer and the second organic material layer thereon, It can be prepared by depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

상기 제1 유기물층 및 제2 유기물층을 포함하는 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자 주입 및 수송층, 전자차단층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자 주입 및 수송층, 정공차단층 등을 더 포함하는 다층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.The organic material layer including the first organic material layer and the second organic material layer further includes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection and transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron injection and transport layer, a hole blocking layer, etc. It may be a multi-layered structure. In addition, the organic layer is formed using a variety of polymer materials in a smaller number by a solvent process rather than a vapor deposition method, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer method. It can be made in layers.

상기 양극은 정공을 주입하는 전극으로, 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The anode is an electrode for injecting holes, and as the anode material, a material having a large work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO, Indium Tin Oxide), and indium zinc oxide (IZO, Indium Zinc Oxide); ZnO: Al or SnO 2 : Combination of metals and oxides such as Sb; conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.

상기 음극은 전자를 주입하는 전극으로, 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode is an electrode for injecting electrons, and the cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; and a multi-layered material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.

상기 정공주입층은 양극으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 하는 층이며, 단층 또는 2층 이상의 다층 구조이다. 정공주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 정공주입층은 2층 구조이며, 각각의 층은 서로 동일하거나 상이한 물질을 포함한다.The hole injection layer is a layer that smoothly injects holes from the anode to the light emitting layer, and has a single layer or a multilayer structure of two or more layers. The hole injection material is a material capable of well injecting holes from the anode at a low voltage, and it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material. of organic substances, anthraquinones, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, and the like, but are not limited thereto. In one embodiment of the present specification, the hole injection layer has a two-layer structure, and each layer includes the same or different materials from each other.

상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, 단층 또는 2층 이상의 다층 구조이다. 정공수송물질로는 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 정공수송층은 2층 구조이며, 각각의 층은 서로 동일하거나 상이한 물질을 포함한다.The hole transport layer may serve to facilitate hole transport, and has a single-layer or multi-layered structure of two or more layers. As the hole transport material, a material capable of receiving holes from the anode or hole injection layer and transferring them to the light emitting layer is suitable. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together. In one embodiment of the present specification, the hole transport layer has a two-layer structure, and each layer includes the same or different materials from each other.

상기 정공 주입 및 수송층은 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층으로 당 기술분야에 알려져 있는 정공수송층 재료 및/또는 정공주입층 재료가 사용될 수 있다.The hole injection and transport layer is a layer that simultaneously transports and injects holes, and a hole transport layer material and/or a hole injection layer material known in the art may be used.

상기 전자 주입 및 수송층은 전자 수송 및 전자주입을 동시에 하는 층으로 당 기술분야에 알려져 있는 전자수송층 재료 및/또는 전자주입층 재료가 사용될 수 있다.The electron injection and transport layer is a layer that simultaneously transports and injects electrons, and an electron transport layer material and/or an electron injection layer material known in the art may be used.

상기 정공수송층과 발광층 사이에 전자차단층이 구비될 수 있다. 상기 전자차단층은 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.An electron blocking layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer. For the electron blocking layer, a material known in the art may be used.

상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting layer may emit red, green, or blue light, and may be made of a phosphorescent material or a fluorescent material. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by receiving and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq3); carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compounds; compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers; spiro compounds; polyfluorene, rubrene, and the like, but is not limited thereto.

발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the host material for the light emitting layer include a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound containing compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, and the like, and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder types. Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

발광층이 적색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.When the emission layer emits red light, the emission dopant is PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) ), a phosphorescent material such as octaethylporphyrin platinum (PtOEP), or a fluorescent material such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used, but is not limited thereto. When the emission layer emits green light, a phosphor such as Ir(ppy) 3 (fac tris(2-phenylpyridine)iridium) or a fluorescent material such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used as the emission dopant. However, the present invention is not limited thereto. When the light-emitting layer emits blue light, the light-emitting dopant includes a phosphorescent material such as (4,6-F 2 ppy) 2 Irpic, spiro-DPVBi, spiro-6P, distylbenzene (DSB), and distrylarylene (DSA). ), a PFO-based polymer, a fluorescent material such as a PPV-based polymer may be used, but is not limited thereto.

상기 전자수송층과 발광층 사이에 정공차단층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.A hole blocking layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and a material known in the art may be used.

상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 한다. 전자수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The electron transport layer serves to facilitate the transport of electrons. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer is suitable, and a material having high electron mobility is suitable. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.

상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 한다. 전자주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer serves to facilitate electron injection. As the electron injection material, a compound having an ability to transport electrons, an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect for a light emitting layer or a light emitting material, and an excellent thin film formation ability is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc., derivatives thereof, metals complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. However, the present invention is not limited thereto.

본 명세서 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예 등을 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예 및 비교예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예 및 비교예에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예 및 비교예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, in order to describe the present specification in detail, it will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the Examples and Comparative Examples according to the present specification may be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not to be construed as being limited to the Examples and Comparative Examples described below. Examples and comparative examples of the present specification are provided to more completely explain the present specification to those of ordinary skill in the art.

합성예 1. 화합물 1의 합성Synthesis Example 1. Synthesis of compound 1

1)중간체 1의 합성1) Synthesis of Intermediate 1

Figure 112020080830331-pat00049
Figure 112020080830331-pat00049

질소 분위기 하에서 1-브로모-2,3-디클로로-5-메틸벤젠 [1-bromo-2,3-dichloro-5-methylbenzene] 100 g, 아민 A-1 117 g, 소듐 터트부톡사이드 (sodium tert-butoxide) 60 g, 비스(트리-터트부틸포스핀)팔라듐(0) (Pd(P(t-Bu)3)2) 2.1 g을 톨루엔 3.0 L에 넣은 후, 120 oC에서 가열하고 2시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 NH4Cl을 가하여 분액한 후 MgSO4(무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 재결정(톨루엔/헥산)으로 정제하여 중간체 1를 130 g 수득하였다. (수율 82%, Mass [M+]=441)Under nitrogen atmosphere, 1-bromo-2,3-dichloro-5-methylbenzene [1-bromo-2,3-dichloro-5-methylbenzene] 100 g, amine A-1 117 g, sodium tertbutoxide (sodium tert) -butoxide) 60 g, bis(tri-tertbutylphosphine)palladium(0) (Pd(P(t-Bu) 3 ) 2 ) 2.1 g were put in 3.0 L of toluene, and then heated at 120 o C for 2 hours. stirred for a while. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, water and NH 4 Cl were added to separate the mixture, and the mixture was treated with MgSO 4 (anhydrous) and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain 130 g of Intermediate 1. (Yield 82%, Mass [M+]=441)

2)중간체 2의 합성2) Synthesis of Intermediate 2

Figure 112020080830331-pat00050
Figure 112020080830331-pat00050

질소 분위기 하에서 중간체 1 30 g, 화합물 A-2 28g, 소듐 터트부톡사이드 (sodium tert-butoxide) 9.8 g, 비스(트리-터트부틸포스핀)팔라듐(0) (Pd(P(t-Bu)3)2) 0.7 g을 톨루엔 550 mL에 넣은 후, 150 oC에서 가열하고 8시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 NH4Cl을 가하여 분액한 후 MgSO4(무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 재결정(톨루엔/헥산)으로 정제하여 중간체 2 를 42 g 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=810)Under nitrogen atmosphere, 30 g of Intermediate 1, 28 g of Compound A-2, 9.8 g of sodium tert-butoxide, bis(tri-tertbutylphosphine)palladium(0) (Pd(P(t-Bu) 3 ) ) 2 ) After putting 0.7 g of toluene in 550 mL of toluene, it was heated at 150 o C and stirred for 8 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, water and NH 4 Cl were added to separate the mixture, and the mixture was treated with MgSO 4 (anhydrous) and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain 42 g of Intermediate 2. (Yield 76%, Mass [M+]=810)

3)화합물 1의 합성3) Synthesis of compound 1

Figure 112020080830331-pat00051
Figure 112020080830331-pat00051

질소 분위기 하에서 0 oC로 냉각시킨 톨루엔(무수) 400 mL에 녹아있는 중간체 2 42 g이 담긴 플라스크에 터트-부틸리튬(t-BuLi(1.7M in pentane)) 122 mL을 천천히 적가 시켜준 다음 60 oC에서 3시간 동안 교반시켜 주었다. 리튬할로젠 교환반응이 완료되면, 다시 0 oC로 냉각하여 보론트리브로마이드 (BBr3) 7.5 mL를 천천히 적가시켜 준 다음 70 oC로 온도를 올리고 10시간 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 NH4Cl을 가하여 분액한 후 MgSO4 (무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 재결정(톨루엔/헥산)으로 정제하여 화합물 1을 9.5 g 수득하였다. (수율 23%, Mass [M+]=783)In a flask containing 42 g of Intermediate 2 dissolved in 400 mL of toluene (anhydrous) cooled to 0 o C under a nitrogen atmosphere, 122 mL of tert-butyllithium (t-BuLi (1.7M in pentane)) was slowly added dropwise to 60 It was stirred at o C for 3 hours. When the lithium halogen exchange reaction was completed, it was cooled to 0 o C again, and 7.5 mL of boron tribromide (BBr 3 ) was slowly added dropwise, and then the temperature was raised to 70 o C and stirred for 10 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, water and NH 4 Cl were added to separate the mixture, and the mixture was treated with MgSO 4 (anhydrous) and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain 9.5 g of Compound 1. (Yield 23%, Mass [M+]=783)

합성예 2. 화합물 2의 합성Synthesis Example 2. Synthesis of compound 2

1)중간체 3의 합성1) Synthesis of Intermediate 3

Figure 112020080830331-pat00052
Figure 112020080830331-pat00052

질소 분위기 하에서 2-브로모-1,3-디아이오도-5-메틸벤젠 [2-bromo-1,3-diiodo-5-methylbenzene] 20 g, 아민 A-2 38 g, 소듐 터트부톡사이드 (sodium tert-butoxide) 14 g, 비스(트리-터트부틸포스핀)팔라듐(0) (Pd(P(t-Bu)3)2) 0.24 g을 톨루엔 450 mL에 넣은 후, 120 oC에서 가열하고 4시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 NH4Cl을 가하여 분액한 후 MgSO4 (무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 재결정(톨루엔/헥산)으로 정제하여 중간체 3를 35 g 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=979)20 g of 2-bromo-1,3-diiodo-5-methylbenzene [2-bromo-1,3-diiodo-5-methylbenzene] under nitrogen atmosphere, 38 g of amine A-2, sodium tertbutoxide (sodium 14 g of tert-butoxide) and 0.24 g of bis(tri-tertbutylphosphine)palladium(0) (Pd(P(t-Bu) 3 ) 2 ) were added to 450 mL of toluene, and then heated at 120 o C 4 stirred for hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, water and NH 4 Cl were added to separate the mixture, and the mixture was treated with MgSO 4 (anhydrous) and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain 35 g of Intermediate 3. (Yield 76%, Mass [M+]=979)

2)화합물 2의 합성2) Synthesis of compound 2

Figure 112020080830331-pat00053
Figure 112020080830331-pat00053

질소 분위기 하에서 0 oC로 냉각시킨 톨루엔 (무수) 300 mL에 녹아있는 중간체 3 35 g이 담긴 플라스크에 n-부틸리튬 (n-BuLi(2.5M in hexane)) 35 mL을 천천히 적가 시켜준 다음 60 oC에서 1시간 동안 교반시켜 주었다. 리튬할로젠 교환반응이 완료되면, 다시 0 oC로 냉각하여 보론트리브로마이드 (BBr3) 5.2 mL를 천천히 적가시켜 준 다음 70 oC로 온도를 올리고 6시간 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 NH4Cl을 가하여 분액한 후 MgSO4 (무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 재결정(톨루엔/헥산)으로 정제하여 화합물 2을 9.0 g 수득하였다. (수율 34%, Mass [M+]=908)In a flask containing 35 g of Intermediate 3 dissolved in 300 mL of toluene (anhydrous) cooled to 0 o C under a nitrogen atmosphere, 35 mL of n-butyllithium (n-BuLi(2.5M in hexane)) was slowly added dropwise to 60 It was stirred at o C for 1 hour. When the lithium halogen exchange reaction was completed, it was cooled to 0 o C again, and 5.2 mL of boron tribromide (BBr 3 ) was slowly added dropwise, and then the temperature was raised to 70 o C and stirred for 6 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, water and NH 4 Cl were added to separate the mixture, and the mixture was treated with MgSO 4 (anhydrous) and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain 9.0 g of Compound 2. (Yield 34%, Mass [M+]=908)

합성예 3. 화합물 3의 합성Synthesis Example 3. Synthesis of compound 3

1) 중간체 4 및 5의 합성1) Synthesis of intermediates 4 and 5

Figure 112020080830331-pat00054
Figure 112020080830331-pat00054

아민 A-1 대신 아민 A-3 18 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 1의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 4 를 18 g 얻었다. (수율 75%, Mass [M+]=579)18 g of Intermediate 4 was obtained in the same manner as in Preparation of Intermediate 1 of Synthesis Example 1. except that 18 g of amine A-3 was used instead of amine A-1. (Yield 75%, Mass [M+]=579)

또한, 중간체 1 대신 중간체 4 18 g을, 아민 A-2 대신 아민 A-1 8.8 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 5를 18 g 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=824)In addition, 18 g of Intermediate 5 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. Except that 18 g of Intermediate 4 was used instead of Intermediate 1 and 8.8 g of amine A-1 was used instead of amine A-2. (Yield 70%, Mass [M+]=824)

2) 화합물 3의 합성2) Synthesis of compound 3

Figure 112020080830331-pat00055
Figure 112020080830331-pat00055

중간체 2 대신 중간체 5 18 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 3 4.0 g를 수득하였다. (수율 23%, Mass [M+]=797)It was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1. Compound 1 of Synthesis Example 1. Except that 18 g of Intermediate 5 was used instead of Intermediate 2, 4.0 g of Compound 3 was obtained. (Yield 23%, Mass [M+]=797)

합성예 4. 화합물 4의 합성Synthesis Example 4. Synthesis of compound 4

Figure 112020080830331-pat00056
Figure 112020080830331-pat00056

아민 A-2 대신 아민 A-4 9.5 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 6를 14.5 g 수득하였다. (수율 78%, Mass [M+]=824) 14.5 g of Intermediate 6 was obtained in the same manner as in Preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 9.5 g of amine A-4 was used instead of amine A-2. (Yield 78%, Mass [M+]=824)

중간체 2 대신 중간체 6 14.5 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 4 3.1 g를 수득하였다. (수율 22%, Mass [M+]=797)It was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1. Compound 1 of Synthesis Example 1. Except that 14.5 g of Intermediate 6 was used instead of Intermediate 2, 3.1 g of Compound 4 was obtained. (Yield 22%, Mass [M+]=797)

합성예 5. 화합물 5의 합성Synthesis Example 5. Synthesis of compound 5

1) 중간체 7의 합성1) Synthesis of Intermediate 7

Figure 112020080830331-pat00057
Figure 112020080830331-pat00057

1-브로모-2,3-디클로로-5-메틸벤젠 [1-bromo-2,3-dichloro-5-methylbenzene] 대신 3-브로모-4,5-디클로로페놀 [3-bromo-4,5-dichlorophenol] 20 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 1의 제조법과 동일하게 아민화반응을 한 다음, 정제 과정없이 다음 반응을 진행하였다. 3-bromo-4,5-dichlorophenol [3-bromo-4,5] instead of 1-bromo-2,3-dichloro-5-methylbenzene [1-bromo-2,3-dichloro-5-methylbenzene] -dichlorophenol] The amination reaction was carried out in the same manner as in the preparation of Intermediate 1 of Synthesis Example 1. except that 20 g was used, and then the following reaction was carried out without purification.

아민화 반응 생성물을 다이메틸폼아마이드 (dimethylformamide, DMF) 420 mL에 녹인 후 탄산 칼륨 (potassium carbonate) 34g 을 상온에서 추가한 다음, 0℃에서 퍼플루오로부탄설포닐 플로라이드 [perfluorobutanesulfonyl floride] 22 mL를 적가하였다. 2시간 동안 교반하여 반응 종료 후 물 400mL, 에틸아세테이트 200mL를 넣고 30분 동안 교반하였다. 유기층을 aq. NaCl을 이용하여 2차례 씻어준다. 분액한 유기층을 회수하여 Mg2SO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액의 용매를 감압 증류 제거하고 재결정(에틸아세테이트/헥산)으로 정제하여 중간체 7를 40g을 수득하였다. (수율 77%, Mass [M+]=725)After dissolving the amination reaction product in 420 mL of dimethylformamide (DMF), 34 g of potassium carbonate was added at room temperature, and then 22 mL of perfluorobutanesulfonyl fluoride at 0 °C. was added dropwise. After the reaction was completed by stirring for 2 hours, 400 mL of water and 200 mL of ethyl acetate were added and stirred for 30 minutes. The organic layer was washed with aq. Wash twice with NaCl. The separated organic layer was collected, treated with Mg 2 SO 4 (anhydrous) and filtered. The solvent of the filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (ethyl acetate/hexane) to obtain 40 g of Intermediate 7. (Yield 77%, Mass [M+]=725)

2) 중간체 8의 합성2) Synthesis of Intermediate 8

Figure 112020080830331-pat00058
Figure 112020080830331-pat00058

중간체 7 20g, 아민 A-5 4.7g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) [Palladium(0) bis(dibenzylideneacetone)] (Pd(dba)2) 0.16g, 2-Dicyclohexylphosphino-2',4',6'-triisopropylbiphenyl (Xphos) 0.26g, 탄산세슘 (cesium carbonate) 18g 및 자일렌 300 mL가 들어간 플라스크를 130℃에서 가열하고, 12시간 동안 교반하였다. 반응액을 실온까지 냉각시키고, sat. aq. NH4Cl 및 톨루엔을 가하여 분액한 후, 용매를 감압 하에서 증류 제거하였다. 컬럼 크로마토그래피 (ethylacetate/hexane)으로 정제하여 중간체 8 13 g을 수득하였다. (수율 77%, Mass [M+]=594)Intermediate 7 20g, amine A-5 4.7g, tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0)[Palladium(0)bis(dibenzylideneacetone)](Pd(dba) 2 )0.16g, 2-Dicyclohexylphosphino-2', A flask containing 0.26 g of 4',6'-triisopropylbiphenyl (Xphos), 18 g of cesium carbonate, and 300 mL of xylene was heated at 130° C. and stirred for 12 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, and sat. aq. After separation by adding NH 4 Cl and toluene, the solvent was distilled off under reduced pressure. 13 g of intermediate 8 was obtained by purification by column chromatography (ethylacetate/hexane). (Yield 77%, Mass [M+]=594)

3) 중간체 9의 합성3) Synthesis of Intermediate 9

Figure 112020080830331-pat00059
Figure 112020080830331-pat00059

중간체 1 대신 중간체 8 13g 을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 9 를 17 g 수득하였다. (수율 81%, Mass [M+]=963)17 g of Intermediate 9 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 13 g of Intermediate 8 was used instead of Intermediate 1. (Yield 81%, Mass [M+]=963)

4) 화합물 5의 합성4) Synthesis of compound 5

Figure 112020080830331-pat00060
Figure 112020080830331-pat00060

중간체 2 대신 중간체 9 17 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 5 3.5 g를 얻었다. (수율 21%, Mass [M+]=937)3.5 g of compound 5 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 17 g of Intermediate 9 was used instead of Intermediate 2. (Yield 21%, Mass [M+]=937)

합성예 6. 화합물 6의 합성Synthesis Example 6. Synthesis of compound 6

Figure 112020080830331-pat00061
Figure 112020080830331-pat00061

아민 A-2 대신 아민 A-6 11 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 10를 15 g 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=886) 15 g of Intermediate 10 was obtained in the same manner as in Preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 11 g of amine A-6 was used instead of amine A-2. (Yield 75%, Mass [M+]=886)

중간체 2 대신 중간체 10 15 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 6 3.0 g를 수득하였다. (수율 21%, Mass [M+]=860)3.0 g of compound 6 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 15 g of Intermediate 10 was used instead of Intermediate 2. (Yield 21%, Mass [M+]=860)

합성예 7. 화합물 7의 합성Synthesis Example 7. Synthesis of compound 7

Figure 112020080830331-pat00062
Figure 112020080830331-pat00062

아민 A-2 대신 A-7 9.7 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 11을 13 g 수득하였다. (수율 69%, Mass [M+]=830) 13 g of Intermediate 11 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 9.7 g of A-7 was used instead of amine A-2. (Yield 69%, Mass [M+]=830)

중간체 2 대신 중간체 11 5.0 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 7 3.0 g를 수득하였다. (수율 24%, Mass [M+]=804) 3.0 g of Compound 7 was obtained in the same manner as in the preparation of Compound 1 of Synthesis Example 1. except that 5.0 g of Intermediate 11 was used instead of Intermediate 2. (Yield 24%, Mass [M+]=804)

합성예 8. 화합물 8의 합성Synthesis Example 8. Synthesis of compound 8

Figure 112020080830331-pat00063
Figure 112020080830331-pat00063

아민 A-2 대신 A-8 14 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 12을 20 g 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=820) 20 g of Intermediate 12 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 14 g of A-8 was used instead of amine A-2. (Yield 72%, Mass [M+]=820)

중간체 2 대신 중간체 12 20 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 8 4.2 g를 수득하였다. (수율 22%, Mass [M+]=792) 4.2 g of compound 8 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 20 g of Intermediate 12 was used instead of Intermediate 2. (Yield 22%, Mass [M+]=792)

합성예 9. 화합물 9의 합성Synthesis Example 9. Synthesis of compound 9

Figure 112020080830331-pat00064
Figure 112020080830331-pat00064

아민 A-5 대신 A-9 14 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 5.의 중간체 8의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 13을 16 g 수득하였다. (수율 68%, Mass [M+]=853) 16 g of Intermediate 13 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5. Preparation of Intermediate 8 except that 14 g of A-9 was used instead of amine A-5. (Yield 68%, Mass [M+]=853)

중간체 1 대신 중간체 13 16 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 14을 18 g 수득하였다. (수율 78%, Mass [M+]=1222) 18 g of Intermediate 14 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 16 g of Intermediate 13 was used instead of Intermediate 1. (Yield 78%, Mass [M+]=1222)

중간체 2 대신 중간체 14 18 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 9 3.6 g를 수득하였다. (수율 20%, Mass [M+]=1195) 3.6 g of compound 9 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 18 g of Intermediate 14 was used instead of Intermediate 2. (Yield 20%, Mass [M+]=1195)

합성예 10. 화합물 10의 합성Synthesis Example 10. Synthesis of compound 10

Figure 112020080830331-pat00065
Figure 112020080830331-pat00065

아민 A-2 대신 A-10 28 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 15을 43 g 수득하였다. (수율 77%, Mass [M+]=824) 43 g of Intermediate 15 was obtained in the same manner as in Preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 28 g of A-10 was used instead of amine A-2. (Yield 77%, Mass [M+]=824)

중간체 2 대신 중간체 15 43 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 10 8.9 g를 수득하였다. (수율 21%, Mass [M+]=797) 8.9 g of compound 10 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 43 g of Intermediate 15 was used instead of Intermediate 2. (Yield 21%, Mass [M+]=797)

합성예 11. 화합물 11의 합성Synthesis Example 11. Synthesis of compound 11

Figure 112020080830331-pat00066
Figure 112020080830331-pat00066

아민 A-2 대신 A-11 29 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 16을 41 g 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=834) 41 g of Intermediate 16 was obtained in the same manner as in Preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 29 g of A-11 was used instead of amine A-2. (Yield 72%, Mass [M+]=834)

중간체 2 대신 중간체 16 41 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 11 6.7 g를 수득하였다. (수율 17%, Mass [M+]=807)6.7 g of compound 11 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 41 g of Intermediate 16 was used instead of Intermediate 2. (Yield 17%, Mass [M+]=807)

합성예 12. 화합물 12의 합성Synthesis Example 12. Synthesis of compound 12

Figure 112020080830331-pat00067
Figure 112020080830331-pat00067

아민 A-1 대신 A-2 17 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 1의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 17을 18 g 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=565) 18 g of Intermediate 17 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 1 of Synthesis Example 1. except that 17 g of A-2 was used instead of amine A-1. (Yield 76%, Mass [M+]=565)

중간체 1 대신 중간체 17 18g, 아민 A-2 대신 A-12 17 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 18을 24 g 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=1046) 24 g of Intermediate 18 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1. Intermediate 2, except that 18 g of Intermediate 17 instead of Intermediate 1 and 17 g of A-12 instead of amine A-2 were used. (Yield 72%, Mass [M+]=1046)

중간체 2 대신 중간체 18 24 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 12 5.1 g를 수득하였다. (수율 22%, Mass [M+]=1020) 5.1 g of Compound 12 was obtained in the same manner as in the preparation of Compound 1 of Synthesis Example 1. except that 24 g of Intermediate 18 was used instead of Intermediate 2. (Yield 22%, Mass [M+]=1020)

합성예 13. 화합물 13의 합성Synthesis Example 13. Synthesis of compound 13

Figure 112020080830331-pat00068
Figure 112020080830331-pat00068

1-브로모-2,3-디클로로-5-메틸벤젠 대신 1-브로모-2,3-디클로로-5-(메틸-d3)-벤젠 5.0g 을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 1의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 19을 13 g 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=444) Intermediate 1 of Synthesis Example 1. except that 5.0 g of 1-bromo-2,3-dichloro-5-(methyl-d3)-benzene was used instead of 1-bromo-2,3-dichloro-5-methylbenzene 13 g of Intermediate 19 was obtained in the same manner as in the preparation method. (Yield 71%, Mass [M+]=444)

중간체 1 대신 중간체 19 13g, 아민 A-2 대신 A-13 8.8 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 20을 14 g 수득하였다. (수율 67%, Mass [M+]=709) 14 g of Intermediate 20 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. Except that 13 g of Intermediate 19 instead of Intermediate 1 and 8.8 g of A-13 instead of amine A-2 were used. (Yield 67%, Mass [M+]=709)

중간체 2 대신 중간체 20 14 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 13 3.4 g를 수득하였다. (수율 25%, Mass [M+]=682) 3.4 g of compound 13 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 14 g of Intermediate 20 was used instead of Intermediate 2. (Yield 25%, Mass [M+]=682)

합성예 14. 화합물 14의 합성Synthesis Example 14. Synthesis of compound 14

Figure 112020080830331-pat00069
Figure 112020080830331-pat00069

아민 A-5 대신 A-14 6.2 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 5.의 중간체 8의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 21을 13 g 수득하였다. (수율 72%, Mass [M+]=650) 13 g of Intermediate 21 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 8 of Synthesis Example 5. except that 6.2 g of A-14 was used instead of amine A-5. (Yield 72%, Mass [M+]=650)

중간체 1 대신 중간체 21 16 g을 사용하고, 아민 A-2 대신 A-15 11g 를 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 22을 18 g 수득하였다. (수율 77%, Mass [M+]=1172) 18 g of Intermediate 22 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. Except that 16 g of Intermediate 21 was used instead of Intermediate 1, and 11 g of A-15 was used instead of amine A-2. (Yield 77%, Mass [M+]=1172)

중간체 2 대신 중간체 22 18 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 14 4.0 g를 수득하였다. (수율 23%, Mass [M+]=1145) It was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1. Compound 1 of Synthesis Example 1. Except that 18 g of Intermediate 22 was used instead of Intermediate 2, 4.0 g of Compound 14 was obtained. (Yield 23%, Mass [M+]=1145)

합성예 15. 화합물 15의 합성Synthesis Example 15. Synthesis of compound 15

Figure 112020080830331-pat00070
Figure 112020080830331-pat00070

아민 A-2 대신 A-16 9.9 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 23을 14 g 수득하였다. (수율 73%, Mass [M+]=840) 14 g of Intermediate 23 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 9.9 g of A-16 was used instead of amine A-2. (Yield 73%, Mass [M+]=840)

중간체 2 대신 중간체 23 14 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 15 2.7 g를 수득하였다. (수율 20%, Mass [M+]=814) 2.7 g of Compound 15 was obtained in the same manner as in the preparation of Compound 1 of Synthesis Example 1. except that 14 g of Intermediate 23 was used instead of Intermediate 2. (Yield 20%, Mass [M+]=814)

합성예 16. 화합물 16의 합성Synthesis Example 16. Synthesis of compound 16

Figure 112020080830331-pat00071
Figure 112020080830331-pat00071

아민 A-2 대신 A-17 13.3 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 24을 15 g 수득하였다. (수율 67%, Mass [M+]=989) 15 g of Intermediate 24 was obtained in the same manner as in Preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 13.3 g of A-17 was used instead of amine A-2. (Yield 67%, Mass [M+]=989)

중간체 2 대신 중간체 24 15 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 16 3.0 g를 수득하였다. (수율 21%, Mass [M+]=963) 3.0 g of compound 16 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 15 g of Intermediate 24 was used instead of Intermediate 2. (Yield 21%, Mass [M+]=963)

합성예 17. 화합물 17의 합성Synthesis Example 17. Synthesis of compound 17

Figure 112020080830331-pat00072
Figure 112020080830331-pat00072

아민 A-2 대신 A-18 17.1 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 25을 20 g 수득하였다. (수율 65%, Mass [M+]=908) 20 g of Intermediate 25 was obtained in the same manner as in Preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 17.1 g of A-18 was used instead of amine A-2. (Yield 65%, Mass [M+]=908)

중간체 2 대신 중간체 25 20 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 17 4.1 g를 수득하였다. (수율 21%, Mass [M+]=882) 4.1 g of compound 17 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 20 g of Intermediate 25 was used instead of Intermediate 2. (Yield 21%, Mass [M+]=882)

합성예 18. 화합물 18의 합성Synthesis Example 18. Synthesis of compound 18

Figure 112020080830331-pat00073
Figure 112020080830331-pat00073

아민 A-2 대신 A-19 12. g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 26을 14 g 수득하였다. (수율 66%, Mass [M+]=938) 14 g of Intermediate 26 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 12. g of A-19 was used instead of amine A-2. (Yield 66%, Mass [M+]=938)

중간체 2 대신 중간체 26 14 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 18 2.9 g를 수득하였다. (수율 21%, Mass [M+]=912) 2.9 g of compound 18 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 14 g of Intermediate 26 was used instead of Intermediate 2. (Yield 21%, Mass [M+]=912)

합성예 19. 화합물 19의 합성Synthesis Example 19. Synthesis of compound 19

Figure 112020080830331-pat00074
Figure 112020080830331-pat00074

아민 A-13 대신 A-20 17 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 13.의 중간체 20의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 27을 19 g 수득하였다. (수율 62%, Mass [M+]=911) 19 g of Intermediate 27 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 20 of Synthesis Example 13. except that 17 g of A-20 was used instead of amine A-13. (Yield 62%, Mass [M+]=911)

중간체 20 대신 중간체 27 19 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 13.의 화합물 13의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 19 3.6 g를 수득하였다. (수율 20%, Mass [M+]=885) 3.6 g of compound 19 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 13 of Synthesis Example 13. except that 19 g of Intermediate 27 was used instead of Intermediate 20. (Yield 20%, Mass [M+]=885)

합성예 20. 화합물 20의 합성Synthesis Example 20. Synthesis of compound 20

Figure 112020080830331-pat00075
Figure 112020080830331-pat00075

1-브로모-2,3-디클로로-5-메틸벤젠 대신 1-브로모-2,3-디클로로-5-터트부틸벤젠 10 g 을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 1의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 28을 13 g 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=483) Same as the preparation method of Intermediate 1 of Synthesis Example 1. except that 10 g of 1-bromo-2,3-dichloro-5-tertbutylbenzene was used instead of 1-bromo-2,3-dichloro-5-methylbenzene 13 g of intermediate 28 was obtained. (Yield 76%, Mass [M+]=483)

중간체 1 대신 중간체 28 13g, 아민 A-2 대신 A-18 14 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 29을 18 g 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=950) 18 g of Intermediate 29 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. Except that 13 g of Intermediate 28 instead of Intermediate 1 and 14 g of A-18 instead of amine A-2 were used. (Yield 70%, Mass [M+]=950)

중간체 2 대신 중간체 29 18 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 20 3.4 g를 수득하였다. (수율 19%, Mass [M+]=924) 3.4 g of Compound 20 was obtained in the same manner as in the preparation of Compound 1 of Synthesis Example 1. except that 18 g of Intermediate 29 was used instead of Intermediate 2. (Yield 19%, Mass [M+]=924)

합성예 21. 화합물 21의 합성Synthesis Example 21. Synthesis of compound 21

Figure 112020080830331-pat00076
Figure 112020080830331-pat00076

A-1 대신 A-21 11g 을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 1의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 30을 12 g 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=413) 12 g of Intermediate 30 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 1 of Synthesis Example 1. except that 11 g of A-21 was used instead of A-1. (Yield 70%, Mass [M+]=413)

중간체 1 대신 중간체 30 12g, 아민 A-2 대신 A-22 13.5 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 31을 17 g 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=839) 17 g of Intermediate 31 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 12 g of Intermediate 30 was used instead of Intermediate 1 and 13.5 g of A-22 was used instead of amine A-2. (Yield 70%, Mass [M+]=839)

중간체 2 대신 중간체 31 17 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 21 3.2 g를 수득하였다. (수율 19%, Mass [M+]=813) 3.2 g of Compound 21 was obtained in the same manner as in the preparation of Compound 1 of Synthesis Example 1. except that 17 g of Intermediate 31 was used instead of Intermediate 2. (Yield 19%, Mass [M+]=813)

합성예 22. 화합물 22의 합성Synthesis Example 22. Synthesis of compound 22

Figure 112020080830331-pat00077
Figure 112020080830331-pat00077

1-브로모-2,3-디클로로-5-메틸벤젠 대신 1-브로모-3-클로로-5-메틸벤젠 10g, 아민 A-1 대신 아민 A-23 22 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 1의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 32을 21 g 수득하였다. (수율 74%, Mass [M+]=581) Synthesis Example 1 except that 10 g of 1-bromo-3-chloro-5-methylbenzene was used instead of 1-bromo-2,3-dichloro-5-methylbenzene and 22 g of amine A-23 was used instead of amine A-1 21 g of Intermediate 32 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 1 of . (Yield 74%, Mass [M+]=581)

질소 분위기 하에서 중간체 32 21 g, 2,4-디메틸아닐린 4.4 g, 소듐 터트부톡사이드 (sodium tert-butoxide) 5.2 g, 비스(트리-터트부틸포스핀)팔라듐(0) (Pd(P(t-Bu)3)2) 0.36 g을 톨루엔 300 mL에 넣은 후, 120 oC에서 가열하고 4시간 동안 교반하였다. 아민화 반응 종료 후, 바로 1-브로모-3-클로로벤젠 6.9 g 을 적가한 후, 2시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후, 반응액을 실온까지 냉각시키고, 물 및 NH4Cl을 가하여 분액한 후 MgSO4 (무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 재결정(톨루엔/헥산)으로 정제하여 중간체 33를 17 g 수득하였다. (수율 61%, Mass [M+]=776)Under nitrogen atmosphere, 21 g of Intermediate 32, 4.4 g of 2,4-dimethylaniline, 5.2 g of sodium tert-butoxide, bis(tri-tertbutylphosphine)palladium(0) (Pd(P(t-) Bu) 3 ) 2 ) 0.36 g was added to 300 mL of toluene, and then heated at 120 o C and stirred for 4 hours. Immediately after completion of the amination reaction, 6.9 g of 1-bromo-3-chlorobenzene was added dropwise, followed by stirring for 2 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, water and NH 4 Cl were added to separate the mixture, and then treated with MgSO 4 (anhydrous) and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain 17 g of Intermediate 33. (Yield 61%, Mass [M+]=776)

질소 분위기 하에서 중간체 33 17 g 을 디클로로벤젠에 녹여 보론 트리아이오다이드 (BI3) 14 g 을 적가한 후, 130 oC로 가열하여 4시간 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고 톨루엔에 녹여 추출하여 MgSO4 (무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 재결정(톨루엔/헥산)으로 정제하여 중간체 34을 5.5g 수득하였다. (수율 32%, Mass [M+]=784)17 g of intermediate 33 was dissolved in dichlorobenzene under a nitrogen atmosphere, and 14 g of boron triiodide (BI 3 ) was added dropwise, followed by heating to 130 o C and stirring for 4 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, dissolved in toluene, extracted, treated with MgSO 4 (anhydrous), and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain 5.5 g of intermediate 34. (Yield 32%, Mass [M+]=784)

중간체 1 대신 중간체 34 5.5g, 아민 A-2 대신 A-5 1.2 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 22을 17 g 수득하였다. (수율 81%, Mass [M+]=917) 17 g of Compound 22 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1. Intermediate 2, except that 5.5 g of Intermediate 34 instead of Intermediate 1 and 1.2 g of A-5 instead of amine A-2 were used. (Yield 81%, Mass [M+]=917)

합성예 23. 화합물 23의 합성Synthesis Example 23. Synthesis of compound 23

Figure 112020080830331-pat00078
Figure 112020080830331-pat00078

중간체 1 대신 중간체 8 15g, 아민 A-2 대신 A-18 13 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 35을 20 g 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=1061) 20 g of Intermediate 35 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 15 g of Intermediate 8 instead of Intermediate 1 and 13 g of A-18 instead of amine A-2 were used. (Yield 75%, Mass [M+]=1061)

중간체 2 대신 중간체 35 20 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 23 3.5 g를 수득하였다. (수율 18%, Mass [M+]=1035) 3.5 g of compound 23 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 20 g of Intermediate 35 was used instead of Intermediate 2. (Yield 18%, Mass [M+]=1035)

합성예 24. 화합물 24의 합성Synthesis Example 24. Synthesis of compound 24

Figure 112020080830331-pat00079
Figure 112020080830331-pat00079

질소 분위기 하에서 1.3-디브로모-2-클로로-5-아이오도벤젠 (1,3-dibromo-2-chloro-5-iodobenzene) 50.0 g를 테트라 하이드로 퓨란 (THF) 1.2 L에 녹인 후 온도를 -10℃로 유지하였다. 다음으로, 이소프로필마그네슘 클로라이드 (isopropylmagnesium chloride) 70 mL (2.0 M in THF)를 천천히 적가한 후, 0℃에서 1시간 교반하였다. 동일 온도에서 클로로트리페닐실란 37.2 g을 첨가하였다. 반응 용액을 0℃로 승온하여 약 1시간 동안 교반 후, 상온에서 추가로 12시간동안 교반하였다. 그 후, 에틸아세테이트로 희석 한 후 Saturated aq. NH4Cl을 넣어서 반응을 종료하고 유기물층을 추출하여 MgSO4 (무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 재결정(톨루엔/헥산)으로 정제하여 중간체 36을 36g 수득하였다. (수율 54%, Mass [M+]=529)Dissolve 50.0 g of 1.3-dibromo-2-chloro-5-iodobenzene (1,3-dibromo-2-chloro-5-iodobenzene) in 1.2 L of tetrahydrofuran (THF) under a nitrogen atmosphere, and then adjust the temperature to - It was maintained at 10 °C. Next, isopropylmagnesium chloride (isopropylmagnesium chloride) 70 mL (2.0 M in THF) was slowly added dropwise, followed by stirring at 0° C. for 1 hour. At the same temperature, 37.2 g of chlorotriphenylsilane was added. The reaction solution was heated to 0° C. and stirred for about 1 hour, followed by stirring at room temperature for an additional 12 hours. Then, after dilution with ethyl acetate, Saturated aq. NH 4 Cl was added to terminate the reaction, and the organic layer was extracted, treated with MgSO 4 (anhydrous) and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain 36 g of Intermediate 36. (Yield 54%, Mass [M+]=529)

2-브로모-1,3-디아이오도-5-메틸벤젠 대신 중간체 36 20g, 아민 A-2 대신 아민 A-1 21 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 2.의 중간체 3의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 37을 25 g 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=930) Prepared in the same manner as in the preparation of Intermediate 3 of Synthesis Example 2. Except for using 20 g of Intermediate 36 instead of 2-bromo-1,3-diiodo-5-methylbenzene and 21 g of amine A-1 instead of amine A-2 Thus, 25 g of intermediate 37 was obtained. (Yield 71%, Mass [M+]=930)

중간체 2 대신 중간체 37 25 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 24 4.6 g를 수득하였다. (수율 19%, Mass [M+]=904) 4.6 g of Compound 24 was obtained in the same manner as in the preparation of Compound 1 of Synthesis Example 1. except that 25 g of Intermediate 37 was used instead of Intermediate 2. (Yield 19%, Mass [M+]=904)

*합성예 25. 화합물 25의 합성 * Synthesis Example 25. Synthesis of compound 25

Figure 112020080830331-pat00080
Figure 112020080830331-pat00080

2-브로모-1,3-디아이오도-5-메틸벤젠 대신 1,3-디브로모-2-클로로벤젠 15g 을 사용한 것을 제외하고 합성예 2.의 중간체 3의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 38을 28 g 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=672)An intermediate prepared in the same manner as in the preparation method of Intermediate 3 of Synthesis Example 2. except that 15 g of 1,3-dibromo-2-chlorobenzene was used instead of 2-bromo-1,3-diiodo-5-methylbenzene 28 g of 38 were obtained. (Yield 75%, Mass [M+]=672)

중간체 2 대신 중간체 38 28 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 39 6.8 g를 수득하였다. (수율 25%, Mass [M+]=645) 6.8 g of Intermediate 39 was obtained in the same manner as in the preparation of Compound 1 of Synthesis Example 1. except that 28 g of Intermediate 38 was used instead of Intermediate 2. (Yield 25%, Mass [M+]=645)

질소 분위기 하에서 중간체 39 6.8 g를 클로로포름 100 mL에 녹이고, N-브로모 숙신이미드 1.9 g를 30분에 걸쳐 첨가한 후, 4시간동안 상온에서 교반하였다. 반응 용액에 증류수를 가해 반응을 종료시키고 유기물 층을 추출하여 MgSO4 (무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 컬럼크로마토그래피 (전개액: 헥산/에틸아세테이트 = 1:1(부피비))로 정제하여 중간체 40 5.2 g를 수득하였다. (수율 68%, Mass [M+]=724) 6.8 g of Intermediate 39 was dissolved in 100 mL of chloroform under a nitrogen atmosphere, and 1.9 g of N -bromosuccinimide was added over 30 minutes, followed by stirring at room temperature for 4 hours. Distilled water was added to the reaction solution to terminate the reaction, and the organic layer was extracted, treated with MgSO 4 (anhydrous), and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by column chromatography (eluent: hexane/ethyl acetate = 1:1 (volume ratio)) to obtain 5.2 g of Intermediate 40. (Yield 68%, Mass [M+]=724)

질소 분위기 하에서 중간체 40 5.2 g 질소조건에서 테트라 하이드로 퓨란 (THF anhydrous) 60 mL에 녹인 후 -78℃로 온도를 낮추었다. 다음으로, n-부틸리튬 (n-BuLi (2.5M in hexane)) 5.7 mL를 천천히 적가한 후 1시간동안 교반하였다. 리튬할로젠 교환반응이 완료되면, 클로로트리메틸실란 1.2mL을 5 mL의 테트라하이드로퓨란(anhydrous)에 녹인 후 천천히 적가하였다. 반응용액을 -78℃로 유지한 상태로 약 1시간 동안 교반 후, 메틸렌 클로라이드를 이용하여 유기물층을 추출하여 MgSO4 (무수) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고 컬럼크로마토그래피 (전개액: 헥산/에틸아세테이트 = 1:1(부피비))로 정제하여 화합물 25 3.5 g를 수득하였다. (수율 68%, Mass [M+]=747).In a nitrogen atmosphere, 5.2 g of Intermediate 40 was dissolved in 60 mL of tetrahydrofuran (THF anhydrous) under nitrogen conditions, and then the temperature was lowered to -78 °C. Next, 5.7 mL of n-butyllithium (n-BuLi (2.5M in hexane)) was slowly added dropwise, followed by stirring for 1 hour. When the lithium halogen exchange reaction was completed, 1.2 mL of chlorotrimethylsilane was dissolved in 5 mL of tetrahydrofuran (anhydrous), and then slowly added dropwise. After the reaction solution was stirred for about 1 hour while maintaining the temperature at -78°C, the organic layer was extracted using methylene chloride, treated with MgSO 4 (anhydrous), and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by column chromatography (eluent: hexane/ethyl acetate = 1:1 (volume ratio)) to obtain 3.5 g of compound 25. (Yield 68%, Mass [M+]=747).

합성예 26. 화합물 26의 합성Synthesis Example 26. Synthesis of compound 26

Figure 112020080830331-pat00081
Figure 112020080830331-pat00081

아민 A-2 대신 A-24 16 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 41을 22 g 수득하였다. (수율 75%, Mass [M+]=860) 22 g of Intermediate 41 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 16 g of A-24 was used instead of amine A-2. (Yield 75%, Mass [M+]=860)

중간체 2 대신 중간체 41 14 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 26 4.2 g를 수득하였다. (수율 20%, Mass [M+]=833) 4.2 g of compound 26 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 14 g of Intermediate 41 was used instead of Intermediate 2. (Yield 20%, Mass [M+]=833)

합성예 27. 화합물 27의 합성Synthesis Example 27. Synthesis of compound 27

Figure 112020080830331-pat00082
Figure 112020080830331-pat00082

아민 A-2 대신 A-25 12.6 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 42을 20 g 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=773) 20 g of Intermediate 42 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 12.6 g of A-25 was used instead of amine A-2. (Yield 76%, Mass [M+]=773)

중간체 2 대신 중간체 42 20 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 27 4.1 g를 수득하였다. (수율 21%, Mass [M+]=746) 4.1 g of compound 27 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 20 g of Intermediate 42 was used instead of Intermediate 2. (Yield 21%, Mass [M+]=746)

합성예 28. 화합물 28의 합성Synthesis Example 28. Synthesis of compound 28

Figure 112020080830331-pat00083
Figure 112020080830331-pat00083

중간체 1 대신 중간체 21 15 g을 사용하고, 아민 A-2 대신 A-26 를 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 43을 17 g 수득하였다. (수율 67%, Mass [M+]=1106) 17 g of Intermediate 43 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. Except that 15 g of Intermediate 21 was used instead of Intermediate 1 and A-26 was used instead of amine A-2. (Yield 67%, Mass [M+]=1106)

중간체 2 대신 중간체 43 17 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 28 3.6 g를 수득하였다. (수율 22%, Mass [M+]=1079) 3.6 g of compound 28 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 17 g of Intermediate 43 was used instead of Intermediate 2. (Yield 22%, Mass [M+]=1079)

합성예 29. 화합물 29의 합성Synthesis Example 29. Synthesis of compound 29

Figure 112020080830331-pat00084
Figure 112020080830331-pat00084

A-1 대신 A-27 12.8g 을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 1의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 44을 16 g 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=365) 16 g of Intermediate 44 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 1 of Synthesis Example 1. except that 12.8 g of A-27 was used instead of A-1. (Yield 70%, Mass [M+]=365)

중간체 1 대신 중간체 44 16g, 아민 A-2 대신 A-18 22 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 45을 26 g 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=832) 26 g of Intermediate 45 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 16 g of Intermediate 44 instead of Intermediate 1 and 22 g of A-18 instead of amine A-2 were used. (Yield 71%, Mass [M+]=832)

중간체 2 대신 중간체 45 17 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 29 4.1 g를 수득하였다. (수율 16%, Mass [M+]=805)4.1 g of compound 29 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 17 g of Intermediate 45 was used instead of Intermediate 2. (Yield 16%, Mass [M+]=805)

합성예 30. 화합물 30의 합성Synthesis Example 30. Synthesis of compound 30

Figure 112020080830331-pat00085
Figure 112020080830331-pat00085

아민 A-2 대신 A-28 17.8 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 46을 22 g 수득하였다. (수율 70%, Mass [M+]=926) 22 g of Intermediate 46 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 17.8 g of A-28 was used instead of amine A-2. (Yield 70%, Mass [M+]=926)

중간체 2 대신 중간체 46 22 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 30 4.3 g를 수득하였다. (수율 20%, Mass [M+]=900) 4.3 g of compound 30 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 22 g of Intermediate 46 was used instead of Intermediate 2. (Yield 20%, Mass [M+]=900)

합성예 31. 화합물 31의 합성Synthesis Example 31. Synthesis of compound 31

Figure 112020080830331-pat00086
Figure 112020080830331-pat00086

중간체 7 20 g, 2-플루오로보로닉산 4.6 g, 인산 칼륨 [potassium phosphate] 11.7 g 1,4-디옥산 220 mL와 물 50 mL를 넣은 후 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)[tetrakis(triphenylhosphine)palladium(0)] Pd(PPh3)4 0.48 g을 첨가한 후, 16시간 동안 가열 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 실온까지 냉각시키고, 유기용매를 제거하고 톨루엔에 녹여 추출한 후, 유기용매를 MgSO4(anhydrous) 처리하여 여과하였다. 여과한 용액을 감압하에서 증류제거하고 재결정(toluene/hexane)으로 정제하여 중간체 47 9.5 g 수득하였다. (수율 66%, Mass [M+]=521)Intermediate 7 20 g, 2-fluoroboronic acid 4.6 g, potassium phosphate 11.7 g 1,4-dioxane 220 mL and 50 mL water were added, and then tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) [ After adding 0.48 g of tetrakis(triphenylhosphine)palladium(0)]Pd(PPh 3 ) 4 , the mixture was heated and stirred for 16 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, the organic solvent was removed, dissolved in toluene for extraction, and the organic solvent was treated with MgSO 4 (anhydrous) and filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by recrystallization (toluene/hexane) to obtain 9.5 g of intermediate 47. (Yield 66%, Mass [M+]=521)

아민 A-2 대신 A-29 9.1 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 48을 14 g 수득하였다. (수율 78%, Mass [M+]=982) 14 g of Intermediate 48 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 9.1 g of A-29 was used instead of amine A-2. (Yield 78%, Mass [M+]=982)

중간체 2 대신 중간체 48 14 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 31 3.2 g를 수득하였다. (수율 23%, Mass [M+]=956) 3.2 g of Compound 31 was obtained in the same manner as in the preparation of Compound 1 of Synthesis Example 1. except that 14 g of Intermediate 48 was used instead of Intermediate 2. (Yield 23%, Mass [M+]=956)

합성예 32. 화합물 32의 합성Synthesis Example 32. Synthesis of compound 32

Figure 112020080830331-pat00087
Figure 112020080830331-pat00087

아민 A-5 대신 A-30 4.6 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 5.의 중간체 8의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 49을 12 g 수득하였다. (수율 73%, Mass [M+]=592) 12 g of Intermediate 49 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 8 of Synthesis Example 5. except that 4.6 g of A-30 was used instead of amine A-5. (Yield 73%, Mass [M+]=592)

중간체 1 대신 중간체 49 12 g을 사용하고, 아민 A-2 대신 A-31 7.0g 를 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 50을 13 g 수득하였다. (수율 71%, Mass [M+]=899) 13 g of Intermediate 50 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. Except that 12 g of Intermediate 49 was used instead of Intermediate 1 and 7.0 g of A-31 was used instead of amine A-2. (Yield 71%, Mass [M+]=899)

중간체 2 대신 중간체 50 13 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 32 2.9 g를 수득하였다. (수율 23%, Mass [M+]=873) 2.9 g of compound 32 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 13 g of Intermediate 50 was used instead of Intermediate 2. (Yield 23%, Mass [M+]=873)

합성예 33. 화합물 33의 합성Synthesis Example 33. Synthesis of compound 33

Figure 112020080830331-pat00088
Figure 112020080830331-pat00088

아민 A-5 대신 A-31 8.7 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 5.의 중간체 8의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 51을 14 g 수득하였다. (수율 69%, Mass [M+]=739) 14 g of Intermediate 51 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 8 of Synthesis Example 5. except that 8.7 g of A-31 was used instead of amine A-5. (Yield 69%, Mass [M+]=739)

중간체 1 대신 중간체 51 14 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 중간체 2의 제조법과 동일하게 제조하여 중간체 52을 16 g 수득하였다. (수율 76%, Mass [M+]=1108) 16 g of Intermediate 52 was obtained in the same manner as in the preparation of Intermediate 2 of Synthesis Example 1. except that 14 g of Intermediate 51 was used instead of Intermediate 1. (Yield 76%, Mass [M+]=1108)

중간체 2 대신 중간체 52 16 g을 사용한 것을 제외하고 합성예 1.의 화합물 1의 제조법과 동일하게 제조하여 화합물 33 3.4 g를 수득하였다. (수율 22%, Mass [M+]=1081) 3.4 g of compound 33 was obtained in the same manner as in the preparation of compound 1 of Synthesis Example 1. except that 16 g of Intermediate 52 was used instead of Intermediate 2. (Yield 22%, Mass [M+]=1081)

합성예 34. 화합물 E1의 합성Synthesis Example 34. Synthesis of compound E1

Figure 112020080830331-pat00089
Figure 112020080830331-pat00089

상기 화합물 C-1 (8 g, 27.98 mmol, 1eq.)과 상기 화합물 I-1 (26.4 g, 58.75 mmol, 2.1eq.)을 테트라하이드로퓨란 (80 mL)에 완전히 녹인 후, 탄산칼륨 (9.7 g, 69.94 mmol, 2.5eq)을 물 30 mL에 용해시켜 첨가하였다. 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐 (1.0g, 0.84 mmol)을 넣은 후, 8 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 흰색 고체를 여과하고 물과 에탄올로 세척하였다. 여과된 흰색 고체를 에틸아세테이트와 헥산으로 각각 2 번씩 세척하여 화합물 E1 (15.3 g, 수율 71 %)을 제조하였다. MS [M+H]+ = 771After completely dissolving the compound C-1 (8 g, 27.98 mmol, 1eq.) and the compound I-1 (26.4 g, 58.75 mmol, 2.1eq.) in tetrahydrofuran (80 mL), potassium carbonate (9.7 g , 69.94 mmol, 2.5eq) was added dissolved in 30 mL of water. After adding tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (1.0 g, 0.84 mmol), the mixture was heated and stirred for 8 hours. After the reaction was terminated by lowering the temperature to room temperature, the potassium carbonate solution was removed and the white solid was filtered and washed with water and ethanol. The filtered white solid was washed twice with ethyl acetate and hexane, respectively, to prepare compound E1 (15.3 g, yield 71%). MS [M+H]+ = 771

합성예 35. 화합물 E4의 합성Synthesis Example 35. Synthesis of compound E4

Figure 112020080830331-pat00090
Figure 112020080830331-pat00090

합성예 34의 화합물 E1을 합성하는 방법과 동일한 방법으로, I-2(20.8g) 및 C-2(8g)을 이용하여 상기 화학식 E4로 표시되는 화합물(16.9 g, 수율 77 %)을 제조하였다. MS[M+H]+=591In the same manner as for synthesizing compound E1 of Synthesis Example 34, a compound represented by Formula E4 (16.9 g, yield 77%) was prepared using I-2 (20.8 g) and C-2 (8 g). . MS[M+H] + =591

합성예 36. 화합물 E10의 합성Synthesis Example 36. Synthesis of compound E10

Figure 112020080830331-pat00091
Figure 112020080830331-pat00091

합성예 34의 화합물 E1을 합성하는 방법과 동일한 방법으로, I-3(24.7g) 및 C-2(8g)을 이용하여 상기 화학식 E10로 표시되는 화합물(18.9 g, 수율 74 %)을 제조하였다. MS[M+H]+=691In the same manner as for synthesizing compound E1 of Synthesis Example 34, a compound represented by Formula E10 (18.9 g, yield 74%) was prepared using I-3 (24.7 g) and C-2 (8 g). . MS[M+H] + =691

합성예 37. 화합물 E2의 합성Synthesis Example 37. Synthesis of compound E2

Figure 112020080830331-pat00092
Figure 112020080830331-pat00092

합성예 34의 화합물 E1을 합성하는 방법과 동일한 방법으로, I-4(25.6g) 및 C-3(8g)을 이용하여 상기 화학식 E2로 표시되는 화합물(16.8 g, 수율 81 %)을 제조하였다. MS[M+H]+=743In the same manner as for synthesizing compound E1 of Synthesis Example 34, the compound represented by Formula E2 (16.8 g, yield 81%) was prepared using I-4 (25.6 g) and C-3 (8 g). . MS[M+H] + =743

합성예 38. 화합물 E5의 합성Synthesis Example 38. Synthesis of compound E5

Figure 112020080830331-pat00093
Figure 112020080830331-pat00093

합성예 34의 화합물 E1을 합성하는 방법과 동일한 방법으로, I-4(21.8g) 및 C-4(8g)을 이용하여 상기 화학식 E5로 표시되는 화합물(14.7 g, 수율 78 %)을 제조하였다. MS[M+H]+=793In the same manner as for synthesizing compound E1 of Synthesis Example 34, the compound represented by Formula E5 (14.7 g, yield 78%) was prepared using I-4 (21.8 g) and C-4 (8 g). . MS[M+H] + =793

합성예 39. 화합물 E9의 합성Synthesis Example 39. Synthesis of compound E9

Figure 112020080830331-pat00094
Figure 112020080830331-pat00094

합성예 34의 화합물 E1을 합성하는 방법과 동일한 방법으로, I-2(20.8g) 및 C-5(8g)을 이용하여 상기 화학식 E9로 표시되는 화합물(16.2 g, 수율 74 %)을 제조하였다. MS[M+H]+=793In the same manner as for synthesizing compound E1 of Synthesis Example 34, the compound represented by Formula E9 (16.2 g, yield 74%) was prepared using I-2 (20.8 g) and C-5 (8 g). . MS[M+H] + =793

합성예 40. 화합물 E3의 합성Synthesis Example 40. Synthesis of compound E3

Figure 112020080830331-pat00095
Figure 112020080830331-pat00095

합성예 34의 화합물 E1을 합성하는 방법과 동일한 방법으로, I-5(25.5g) 및 C-6(8g)을 이용하여 상기 화학식 E3로 표시되는 화합물(14.1 g, 수율 68 %)을 제조하였다. MS[M+H]+=741In the same manner as for synthesizing compound E1 of Synthesis Example 34, a compound represented by the above formula E3 (14.1 g, yield 68%) was prepared using I-5 (25.5 g) and C-6 (8 g). . MS[M+H] + =741

합성예 41. 중간체 C-8의 합성Synthesis Example 41. Synthesis of Intermediate C-8

Figure 112020080830331-pat00096
Figure 112020080830331-pat00096

상기 화합물 C-7(10g, 44.83mmol, 1eq.), 탄산칼륨 (8.1 g, 58.28 mmol, 1.3eq)과 퍼플루오로부탄설포닐 플루오라이드(perfluorobutanesulfonyl floride, 16.3g, 53.8mmol, 1.2eq.)를 아세토나이트릴 100mL와 증류수 50mL에 녹인 후 2시간동안 상온 교반하였다. 반응이 완료한 후, 아세토나이트릴을 감압증류하여 제거한 다음 아세토나이트릴 100mL와 aq. NaCl 50mL를 넣고 분액깔때기를 이용하여 유기층을 분리한다. 분리한 유기층을 anhydrous MgSO4처리 한 다음 필터한다. 여과한 용액을 감압 하에서 증류제거하고, 컬럼 크로마토그래피법 (전개액:에틸아세테이트/헥산)으로 정제하여 중간체 C-8(18.3 g, 수율 81 %)을 수득하였다. The compound C-7 (10 g, 44.83 mmol, 1eq.), potassium carbonate (8.1 g, 58.28 mmol, 1.3eq) and perfluorobutanesulfonyl fluoride (16.3 g, 53.8 mmol, 1.2eq.) was dissolved in 100 mL of acetonitrile and 50 mL of distilled water, followed by stirring at room temperature for 2 hours. After the reaction was completed, acetonitrile was distilled off under reduced pressure, and then 100 mL of acetonitrile and aq. Add 50 mL of NaCl and separate the organic layer using a separatory funnel. The separated organic layer was treated with anhydrous MgSO 4 and then filtered. The filtered solution was distilled off under reduced pressure and purified by column chromatography (eluent: ethyl acetate/hexane) to obtain Intermediate C-8 (18.3 g, yield 81%).

합성예 42. 화합물 E8의 합성Synthesis Example 42. Synthesis of compound E8

Figure 112020080830331-pat00097
Figure 112020080830331-pat00097

합성예 34의 화합물 E1을 합성하는 방법과 동일한 방법으로, I-4(18.1g) 및 C-8(10g)을 이용하여 상기 화학식 E8로 표시되는 화합물(14.1 g, 수율 68 %)을 제조하였다. MS[M+H]+=743In the same manner as for synthesizing compound E1 of Synthesis Example 34, a compound represented by Formula E8 (14.1 g, yield 68%) was prepared using I-4 (18.1 g) and C-8 (10 g). . MS[M+H] + =743

합성예 43. 중간체 C-10의 합성Synthesis Example 43. Synthesis of Intermediate C-10

Figure 112020080830331-pat00098
Figure 112020080830331-pat00098

합성예 41의 중간체 C-8을 합성하는 방법과 동일한 방법으로, C-9(10g)을 이용하여 상기 화학식 C-10로 표시되는 화합물(23.9 g, 수율 77 %)을 제조하였다. In the same manner as for synthesizing Intermediate C-8 of Synthesis Example 41, a compound represented by Formula C-10 (23.9 g, yield 77%) was prepared using C-9 (10 g).

합성예 44. 화합물 E6의 합성Synthesis Example 44. Synthesis of compound E6

Figure 112020080830331-pat00099
Figure 112020080830331-pat00099

합성예 34의 화합물 E1을 합성하는 방법과 동일한 방법으로, I-5(8g) 및 C-10(10g)을 이용하여 상기 화학식 E6로 표시되는 화합물(6.8 g, 수율 71 %)을 제조하였다. MS[M+H]+=799In the same manner as for synthesizing compound E1 of Synthesis Example 34, a compound represented by Formula E6 (6.8 g, yield 71%) was prepared using I-5 (8g) and C-10 (10g). MS[M+H] + =799

합성예 45. 화합물 E7의 합성Synthesis Example 45. Synthesis of compound E7

Figure 112020080830331-pat00100
Figure 112020080830331-pat00100

합성예 34의 화합물 E1을 합성하는 방법과 동일한 방법으로, I-7(6.8g) 및 C-10(10g)을 이용하여 상기 화학식 E7로 표시되는 화합물(5.7 g, 수율 68 %)을 제조하였다. MS[M+H]+=699In the same manner as for synthesizing compound E1 of Synthesis Example 34, a compound represented by Formula E7 (5.7 g, yield 68%) was prepared using I-7 (6.8 g) and C-10 (10 g). . MS[M+H] + =699

<소자예 1><Device Example 1>

실시예 1Example 1

ITO (indium tin oxide)가 1000 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사 (Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사 (Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후 증류수로 2 회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5 분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1000 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and after drying, it was transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 HI-A 화합물을 600 Å의 두께로, 하기 HAT 화합물 50 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 HT-A 화합물 600 Å를 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. A hole injection layer was formed by thermal vacuum deposition of the following HI-A compound to a thickness of 600 Å and the HAT compound to a thickness of 50 Å on the prepared ITO transparent electrode. A hole transport layer was formed by vacuum-depositing 600 Å of the following HT-A compound on the hole injection layer.

이어서, 상기 정공수송층 상에 막 두께 200 Å로 하기 BH-A 화합물(호스트) 및 화합물 2(도펀트)을 100:2의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. Then, the following BH-A compound (host) and compound 2 (dopant) were vacuum-deposited in a weight ratio of 100:2 to a thickness of 200 Å on the hole transport layer to form a light emitting layer.

상기 발광층 상에 화합물 E1과 하기 LiQ 화합물을 1:1의 중량비로 진공 증착하여 350 Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 상에 순차적으로 10Å의 두께로 리튬 플루오라이드(LiF)와 1000Å두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. 상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 내지 0.9 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬 플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1Х10-7 내지 5Х10-5 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.Compound E1 and the following LiQ compound were vacuum-deposited on the emission layer at a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer to a thickness of 350 Å. By sequentially depositing lithium fluoride (LiF) to a thickness of 10 Å and aluminum to a thickness of 1000 Å on the electron injection and transport layer, A cathode was formed. In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.9 Å/sec, the deposition rate of lithium fluoride of the negative electrode was maintained at 0.3 Å/sec, and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was 1Х10 -7 to 5Х10 -5 torr, an organic light-emitting device was manufactured.

Figure 112020080830331-pat00101
Figure 112020080830331-pat00101

실시예 2 내지 17 및 비교예 1 내지 6Examples 2 to 17 and Comparative Examples 1 to 6

발광층의 도펀트 물질 및 전자 주입 수송층 물질을 하기 표 1에 기재된 물질을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the materials shown in Table 1 below were used for the dopant material of the emission layer and the electron injection and transport layer material.

Figure 112020080830331-pat00102
Figure 112020080830331-pat00102

상기 실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 6의 유기 발광 소자에 대하여 10 mA/cm2의 전류 밀도에서 구동 전압과 발광 효율을 측정하였고, 15 mA/cm2의 전류 밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(T95)을 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. For the organic light emitting devices of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 6, the driving voltage and luminous efficiency were measured at a current density of 10 mA/cm 2 , and 95% of the initial luminance at a current density of 15 mA/cm 2 The time (T95) was measured and the results are shown in Table 1 below.

  화합물compound 10mA/cm2 10mA/cm 2 15mA/cm2 15mA/ cm2 도펀트dopant 전자 주입 및 수송층electron injection and transport layer 전압Voltage 효율(cd/A)Efficiency (cd/A) T95 (h)T95 (h) 실시예 1Example 1 화합물 2compound 2 E1E1 3.69 3.69 7.00 7.00 123 123 실시예 2Example 2 화합물 4compound 4 E3E3 3.61 3.61 7.06 7.06 109 109 실시예 3Example 3 화합물 5compound 5 E4E4 3.72 3.72 7.23 7.23 142 142 실시예 4Example 4 화합물 7compound 7 E5E5 3.53 3.53 7.23 7.23 106 106 실시예 5Example 5 화합물 9compound 9 E7E7 3.57 3.57 7.17 7.17 101 101 실시예 6Example 6 화합물 11compound 11 E8E8 3.61 3.61 7.30 7.30 131 131 실시예 7Example 7 화합물 12compound 12 E9E9 3.69 3.69 7.12 7.12 133 133 실시예 8Example 8 화합물 15compound 15 E10E10 3.72 3.72 7.00 7.00 130 130 실시예 9Example 9 화합물 17compound 17 E2E2 3.50 3.50 7.61 7.61 101 101 실시예 10Example 10 화합물 19compound 19 E6E6 3.50 3.50 7.35 7.35 105 105 실시예 11Example 11 화합물 22compound 22 E9E9 3.69 3.69 7.18 7.18 135 135 실시예 12Example 12 화합물 23compound 23 E10E10 3.72 3.72 7.42 7.42 135 135 실시예 13Example 13 화합물 26compound 26 E3E3 3.613.61 6.936.93 111111 실시예 14Example 14 화합물 28compound 28 E4E4 3.723.72 7.117.11 143143 실시예 15Example 15 화합물 30compound 30 E5E5 3.533.53 7.427.42 104104 실시예 16Example 16 화합물 31compound 31 E6E6 3.503.50 7.417.41 102102 실시예 17Example 17 화합물 33compound 33 E7E7 3.573.57 7.807.80 101101 비교예1Comparative Example 1 BD-ABD-A ET-CET-C 3.80 3.80 4.89 4.89 91 91 비교예2Comparative Example 2 BD-CBD-C ET-BET-B 3.91 3.91 4.99 4.99 81 81 비교예3Comparative Example 3 BD-ABD-A E10E10 3.65 3.65 5.68 5.68 116 116 비교예4Comparative Example 4 BD-CBD-C E3E3 3.69 3.69 5.95 5.95 87 87 비교예5Comparative Example 5 화합물7compound 7 ET-BET-B 3.80 3.80 5.92 5.92 101 101 비교예6Comparative Example 6 화합물22compound 22 ET-CET-C 3.91 3.91 6.07 6.07 102 102

상기 표 1을 보면, 본 발명의 화학식 1의 화합물을 발광층의 도펀트로 포함하고, 본 발명의 화학식 2의 화합물을 전자 주입 및 수송층으로 사용한 유기 발광 소자의 저전압, 고효율 및/또는 장수명 특성이 우수함을 알 수 있다.Referring to Table 1, the low voltage, high efficiency and/or long life characteristics of the organic light emitting device including the compound of Formula 1 of the present invention as a dopant of the light emitting layer and using the compound of Formula 2 of the present invention as an electron injection and transport layer are excellent. Able to know.

<소자예 2><Element example 2>

실시예 18Example 18

ITO (indium tin oxide)가 1000 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사 (Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사 (Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후 증류수로 2 회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5 분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1000 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and after drying, it was transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 상기 HI-A 화합물을 600 Å의 두께로, 상기 HAT 화합물 50 Å의 두께로 순차적으로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 상기 HT-A 화합물 600 Å를 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 위에 하기 HT-B를 50 Å의 두께로 진공 증착하여 전자차단층을 형성하였다.A hole injection layer was formed by sequentially thermal vacuum deposition of the HI-A compound to a thickness of 600 Å and the HAT compound to a thickness of 50 Å on the prepared ITO transparent electrode. A hole transport layer was formed by vacuum-depositing 600 Å of the HT-A compound on the hole injection layer. On the hole transport layer, the following HT-B was vacuum deposited to a thickness of 50 Å to form an electron blocking layer.

이어서, 상기 전자차단층 상에 막 두께 200 Å로 BH-B 화합물(호스트) 및 화합물 1(도펀트)을 100:2의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. Subsequently, the BH-B compound (host) and Compound 1 (dopant) were vacuum-deposited in a weight ratio of 100:2 to a thickness of 200 Å on the electron blocking layer to form a light emitting layer.

상기 발광층 상에 화합물 E1을 진공 증착하여 50 Å의 두께로 정공차단층을 형성하였다. 상기 정공차단층 상에 하기 화합물 ET-D과 상기 LiQ 화합물을 1:1의 중량비로 진공 증착하여 300 Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 상에 순차적으로 10 Å의 두께로 리튬 플루오라이드(LiF)와 1000 Å두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. Compound E1 was vacuum deposited on the light emitting layer to form a hole blocking layer to a thickness of 50 Å. On the hole blocking layer, the following compound ET-D and the LiQ compound were vacuum-deposited in a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer to a thickness of 300 Å. A cathode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) to a thickness of 10 Å and aluminum to a thickness of 1000 Å on the electron injection and transport layer.

상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 내지 0.9 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬 플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1Х10-7 내지 5Х10-5 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.9 Å/sec, the deposition rate of lithium fluoride of the negative electrode was maintained at 0.3 Å/sec, and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was 1Х10 -7 to 5Х10 -5 torr, an organic light-emitting device was manufactured.

Figure 112020080830331-pat00103
Figure 112020080830331-pat00103

실시예 19 내지 29 및 비교예 7 내지 12Examples 19 to 29 and Comparative Examples 7 to 12

발광층의 도펀트 물질 및 정공차단층 물질을 하기 표 2에 기재된 물질을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 18와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 18, except that the materials shown in Table 2 below were used for the dopant material and the hole blocking layer material of the emission layer.

Figure 112020080830331-pat00104
Figure 112020080830331-pat00104

상기 실시예 18 내지 29 및 비교예 7 내지 12의 유기 발광 소자에 대하여 10 mA/cm2의 전류 밀도에서 구동 전압과 발광 효율을 측정하였고, 15 mA/cm2의 전류 밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(T95)을 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. For the organic light emitting devices of Examples 18 to 29 and Comparative Examples 7 to 12, the driving voltage and luminous efficiency were measured at a current density of 10 mA/cm 2 , and 95% of the initial luminance at a current density of 15 mA/cm 2 The time (T95) was measured and the results are shown in Table 2 below.

  화합물compound 10mA/cm2 10mA/cm 2 15mA/cm2 15mA/ cm2 도펀트dopant 정공차단층hole blocking layer 전압Voltage 효율(cd/A)Efficiency (cd/A) T95 (h)T95 (h) 실시예18Example 18 화합물1compound 1 E1E1 3.69 3.69 6.70 6.70 119 119 실시예19Example 19 화합물3compound 3 E2E2 3.50 3.50 7.29 7.29 101 101 실시예20Example 20 화합물8compound 8 E3E3 3.61 3.61 6.93 6.93 115 115 실시예21Example 21 화합물10compound 10 E4E4 3.72 3.72 7.00 7.00 148 148 실시예22Example 22 화합물13compound 13 E5E5 3.53 3.53 7.23 7.23 106 106 실시예23Example 23 화합물18compound 18 E6E6 3.50 3.50 7.54 7.54 103 103 실시예24Example 24 화합물20compound 20 E7E7 3.57 3.57 7.74 7.74 101 101 실시예25Example 25 화합물24compound 24 E8E8 3.61 3.61 7.23 7.23 133 133 실시예26Example 26 화합물25compound 25 E10E10 3.72 3.72 6.58 6.58 122 122 실시예27Example 27 화합물27compound 27 E9E9 3.693.69 6.696.69 127127 실시예28Example 28 화합물29compound 29 E8E8 3.613.61 7.427.42 119119 실시예29Example 29 화합물32compound 32 E1E1 3.693.69 7.067.06 126126 비교예7Comparative Example 7 BD-ABD-A ET-AET-A 3.80 3.80 4.94 4.94 90 90 비교예8Comparative Example 8 BD-DBD-D ET-CET-C 3.61 3.61 4.63 4.63 75 75 비교예9Comparative Example 9 BD-ABD-A E2E2 3.50 3.50 6.13 6.13 88 88 비교예10Comparative Example 10 BD-DBD-D E4E4 3.72 3.72 5.34 5.34 102 102 비교예11Comparative Example 11 화합물1compound 1 ET-AET-A 3.80 3.80 5.82 5.82 97 97 비교예12Comparative Example 12 화합물24compound 24 ET-CET-C 3.61 3.61 5.9 5.9 100 100

상기 표 2를 보면, 본 발명의 화학식 1의 화합물을 발광층의 도펀트로 포함하고, 본 발명의 화학식 2의 화합물을 정공차단층으로 사용한 유기 발광 소자의 저전압, 고효율 및/또는 장수명 특성이 우수함을 알 수 있다.Looking at Table 2, it can be seen that the low voltage, high efficiency and/or long life characteristics of the organic light emitting device including the compound of Formula 1 of the present invention as a dopant of the light emitting layer and using the compound of Formula 2 of the present invention as a hole blocking layer are excellent. can

<소자예 3><Element example 3>

실시예 30Example 30

ITO (indium tin oxide)가 1000 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사 (Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사 (Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후 증류수로 2 회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5 분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1000 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and after drying, it was transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 상기 HI-A 화합물을 600 Å의 두께로, 상기 HAT 화합물 50 Å의 두께로 순차적으로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 상기 HT-A 화합물 600 Å를 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 위에 상기 HT-B를 50 Å의 두께로 진공 증착하여 전자차단층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자차단층 상에 막 두께 200 Å로 BH-C 화합물(호스트) 및 화합물 6(도펀트)을 100:2의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. A hole injection layer was formed by sequentially thermal vacuum deposition of the HI-A compound to a thickness of 600 Å and the HAT compound to a thickness of 50 Å on the prepared ITO transparent electrode. A hole transport layer was formed by vacuum-depositing 600 Å of the HT-A compound on the hole injection layer. The HT-B was vacuum-deposited to a thickness of 50 Å on the hole transport layer to form an electron blocking layer. Then, a BH-C compound (host) and compound 6 (dopant) were vacuum-deposited in a weight ratio of 100:2 to a thickness of 200 Å on the electron blocking layer to form a light emitting layer.

상기 발광층 상에 화합물 E2을 진공 증착하여 50 Å의 두께로 정공차단층을 형성하였다. 상기 정공차단층 상에 화합물 E1과 하기 LiQ 화합물을 1:1의 중량비로 진공 증착하여 300 Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 상에 순차적으로 10 Å의 두께로 리튬 플루오라이드(LiF)와 1000 Å두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. Compound E2 was vacuum deposited on the light emitting layer to form a hole blocking layer to a thickness of 50 Å. Compound E1 and the following LiQ compound were vacuum-deposited on the hole blocking layer at a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer to a thickness of 300 Å. A cathode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) to a thickness of 10 Å and aluminum to a thickness of 1000 Å on the electron injection and transport layer.

상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 내지 0.9 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬 플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1Х10-7 내지 5Х10-5 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.9 Å/sec, the deposition rate of lithium fluoride of the negative electrode was maintained at 0.3 Å/sec, and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was 1Х10 -7 to 5Х10 -5 torr, an organic light-emitting device was manufactured.

Figure 112020080830331-pat00105
Figure 112020080830331-pat00105

실시예 31 내지 35 및 비교예 13 내지 15Examples 31 to 35 and Comparative Examples 13 to 15

발광층의 도펀트 물질, 정공차단층 물질 및 전자 주입 및 수송층 물질을 하기 표 3에 기재된 물질을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 30와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 30, except that the materials shown in Table 3 below were used for the dopant material of the emission layer, the hole blocking layer material, and the electron injection and transport layer material.

Figure 112020080830331-pat00106
Figure 112020080830331-pat00106

상기 실시예 30 내지 35 및 비교예 13 내지 15의 유기 발광 소자에 대하여 10 mA/cm2의 전류 밀도에서 구동 전압과 발광 효율을 측정하였고, 15 mA/cm2의 전류 밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(T95)을 측정하여 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.For the organic light-emitting devices of Examples 30 to 35 and Comparative Examples 13 to 15, the driving voltage and luminous efficiency were measured at a current density of 10 mA/cm 2 , and 95% of the initial luminance at a current density of 15 mA/cm 2 The time (T95) was measured and the results are shown in Table 3 below.

  화합물compound 10mA/cm2 10mA/cm 2 15mA/cm2 15mA/ cm2 도펀트dopant 정공차단층hole blocking layer 전자 주입 및 수송층electron injection and transport layer 전압Voltage 효율(cd/A)Efficiency (cd/A) T95 (h)T95 (h) 실시예30Example 30 화합물 6compound 6 E2E2 E1E1 3.39 3.39 6.94 6.94 121 121 실시예31Example 31 화합물 14compound 14 E3E3 E9E9 3.50 3.50 7.49 7.49 154 154 실시예32Example 32 화합물 16compound 16 E10E10 E3E3 3.54 3.54 7.12 7.12 146 146 실시예33Example 33 화합물 18compound 18 E4E4 E6E6 3.43 3.43 7.54 7.54 137 137 실시예34Example 34 화합물 21compound 21 E9E9 E7E7 3.46 3.46 7.06 7.06 156 156 실시예35Example 35 화합물 23compound 23 E8E8 E5E5 3.36 3.36 7.93 7.93 125 125 비교예13Comparative Example 13 BD-BBD-B ET-BET-B ET-AET-A 3.42 3.42 4.94 4.94 64 64 비교예14Comparative Example 14 BD-BBD-B E2E2 ET-AET-A 3.69 3.69 4.99 4.99 86 86 비교예15Comparative Example 15 BD-CBD-C ET-BET-B E3E3 3.42 3.42 5.95 5.95 89 89

상기 표 3을 보면, 본 발명의 화학식 1의 화합물을 발광층의 도펀트로 포함하고, 본 발명의 화학식 2의 화합물을 정공차단층, 및 전자 주입 및 수송층으로 사용한 유기 발광 소자의 저전압, 고효율 및/또는 장수명 특성이 우수함을 알 수 있다.Referring to Table 3, low voltage, high efficiency and/or of an organic light emitting device including the compound of Formula 1 of the present invention as a dopant of the light emitting layer and using the compound of Formula 2 of the present invention as a hole blocking layer and an electron injection and transport layer It can be seen that the long life characteristics are excellent.

1: 기판/ 2: 양극/ 3: 정공주입층/ 4: 정공수송층/ 4a: 제1 정공수송층/ 4b: 제2 정공수송층/ 4c: 제3 정공수송층/ 4d: 제4 정공수송층/ 4e: 제5 정공수송층/ 4f: 제6 정공수송층/ 4p: p-도핑된 정공수송층/ 4R: 적색 정공수송층/ 4G: 녹색 정공수송층/ 4B: 청색 정공수송층/ 5: 전자차단층/ 6: 발광층/ 6a: 제1 발광층/ 6b: 제2 발광층/ 6c: 제3 발광층/ 6BF: 청색 형광 발광층/ 6BFa: 제1 청색 형광 발광층/ 6BFb: 제2 청색 형광 발광층/ 6YGP: 황색 녹색 인광 발광층/ 6RP: 적색 인광 발광층/ 6GP: 녹색 인광 발광층/ 7: 정공차단층/ 8: 전자 주입 및 수송층/ 9: 전자수송층/ 9a: 제1 전자수송층/ 9b: 제2 전자수송층/ 9c: 제3 전자수송층/ 10: 전자주입층/ 11: 음극/ 12: N형 전하생성층/ 12a: 제1 N형 전하생성층/ 12b: 제2 N형 전하생성층/ 13: P형 전하생성층/ 13a: 제1 P형 전하생성층/ 13b: 제2 P형 전하생성층/ 14: 캡핑층1: substrate / 2: anode / 3: hole injection layer / 4: hole transport layer / 4a: first hole transport layer / 4b: second hole transport layer / 4c: third hole transport layer / 4d: fourth hole transport layer / 4e: second 5 hole transport layer / 4f: sixth hole transport layer / 4p: p-doped hole transport layer / 4R: red hole transport layer / 4G: green hole transport layer / 4B: blue hole transport layer / 5: electron blocking layer / 6: light emitting layer / 6a: First light-emitting layer/6b: second light-emitting layer/ 6c: third light-emitting layer/ 6BF: blue fluorescent light-emitting layer/ 6BFa: first blue fluorescent light-emitting layer/ 6BFb: second blue fluorescent light-emitting layer/ 6YGP: yellow green phosphorescent light-emitting layer/ 6RP: red phosphorescent light-emitting layer / 6GP: green phosphorescent light emitting layer/ 7: hole blocking layer/ 8: electron injection and transport layer/ 9: electron transport layer/ 9a: first electron transport layer/ 9b: second electron transport layer/ 9c: third electron transport layer/ 10: electron injection Layer/ 11: cathode/ 12: N-type charge generation layer/ 12a: first N-type charge generation layer/ 12b: second N-type charge generation layer/ 13: P-type charge generation layer/ 13a: first P-type charge generation Layer/ 13b: second P-type charge generation layer/ 14: capping layer

Claims (12)

제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 유기물층을 포함하고,
상기 유기물층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 유기물층 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자:
[화학식 1]
Figure 112021131199405-pat00107

상기 화학식 1에 있어서,
A1, A2, A3, B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄화수소고리이며,
R1 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나; 하기 화학식 3으로 표시되고, R1 내지 R5 중 적어도 하나 이상은 하기 화학식 3으로 표시되고,
[화학식 3]
Figure 112021131199405-pat00108

상기 점선은 A1, A2, A3, B1 또는 B2와 연결되는 부위이고,
X는 C 또는 Si 이고,
R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,
n1 및 n5는 각각 0 내지 4의 정수이고,
n2 및 n4는 각각 0 내지 5의 정수이고,
n3은 0 내지 3의 정수이고,
n1 + n2 + n3 + n4 + n5는 1 이상이고,
n1 내지 n5가 2 이상인 경우, 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하고,
상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1 또는 3-2로 표시되며,
[화학식 3-1]
Figure 112021131199405-pat00147

[화학식 3-2]
Figure 112021131199405-pat00148

상기 화학식 3-1 및 3-2에 있어서,
R11은 치환 또는 비치환된 알킬기이고,
R12는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,
R13은 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R14는 탄소수 2 내지 6의 알킬기이며,
R15는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R16은 탄소수 2 내지 6의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,
[화학식 2]
Figure 112021131199405-pat00109

상기 화학식 2에 있어서,
X1 내지 X3 중 1 이상은 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 N 또는 CH이며,
L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
Ar5 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
Ar7은 치환 또는 비치환된 m가 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 m가 시클로알킬기이고,
m은 2 내지 4의 정수이며, m이 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
a first electrode; a second electrode; and an organic material layer provided between the first electrode and the second electrode,
The organic material layer is an organic light emitting device including a first organic material layer including a compound represented by the following formula (1) and a second organic material layer including a compound represented by the following formula (2):
[Formula 1]
Figure 112021131199405-pat00107

In Formula 1,
A1, A2, A3, B1 and B2 are the same as or different from each other, and each independently represent a hydrocarbon ring;
R1 to R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted alkenyl group; a substituted or unsubstituted alkynyl group; a substituted or unsubstituted alkoxy group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted aryloxy group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group; Represented by the following formula (3), at least one of R1 to R5 is represented by the following formula (3),
[Formula 3]
Figure 112021131199405-pat00108

The dotted line is a region connected to A1, A2, A3, B1 or B2,
X is C or Si,
R6 to R8 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
n1 and n5 are each an integer from 0 to 4,
n2 and n4 are each an integer from 0 to 5;
n3 is an integer from 0 to 3,
n1 + n2 + n3 + n4 + n5 is greater than or equal to 1,
When n1 to n5 are 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other,
The formula 3 is represented by the following formula 3-1 or 3-2,
[Formula 3-1]
Figure 112021131199405-pat00147

[Formula 3-2]
Figure 112021131199405-pat00148

In Formulas 3-1 and 3-2,
R11 is a substituted or unsubstituted alkyl group,
R12 is a substituted or unsubstituted aryl group,
R13 is a substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
R14 is an alkyl group having 2 to 6 carbon atoms,
R15 is a substituted or unsubstituted aryl group,
R16 is an alkyl group having 2 to 6 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
[Formula 2]
Figure 112021131199405-pat00109

In Formula 2,
At least one of X1 to X3 is N, and the rest are each independently N or CH,
L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
Ar5 and Ar6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
Ar7 is a substituted or unsubstituted m-valent aryl group; Or a substituted or unsubstituted m is a cycloalkyl group,
m is an integer of 2 to 4, and when m is 2 or more, two or more substituents in parentheses are the same as or different from each other.
삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 1-1]
Figure 112020080830331-pat00112

상기 화학식 1-1에 있어서, R1 내지 R5 및 n1 내지 n5는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
The organic light emitting diode of claim 1, wherein Chemical Formula 1 is represented by Chemical Formula 1-1:
[Formula 1-1]
Figure 112020080830331-pat00112

In Formula 1-1, R1 to R5 and n1 to n5 are as defined in Formula 1 above.
청구항 1에 있어서,
R1, R2, R4, 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴아민기; 중수소, 할로겐기, 시아노기 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시되고,
R3는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 중수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상의 기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴아민기; 중수소, 할로겐기, 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 3으로 표시되는 것인 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
R1, R2, R4, and R5 are the same as or different from each other, and each independently represent hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; an arylamine group having 6 to 60 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituent to which two or more groups selected from the group are connected; a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; Or represented by the above formula (3),
R3 is hydrogen; heavy hydrogen; halogen group; cyano group; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; At least one substituent selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a silyl group, or a substituent selected from the group consisting of two or more groups selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C6 to 60 arylamine groups; an aryl group having 6 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium, a halogen group, or a cyano group; a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with deuterium; Or an organic light emitting device represented by the formula (3).
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1로 표시되는 유기 발광 소자:
[화학식 2-1]
Figure 112020080830331-pat00113

상기 화학식 2-1에 있어서,
X1 내지 X3, L, Ar5 및 Ar6은 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같고,
L' 은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
X1' 내지 X3'중 1 이상은 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 N 또는 CH이며,
Ar5' 및 Ar6'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
Ar7'는 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 시클로알킬렌기이다.
The method according to claim 1,
Formula 2 is an organic light emitting device represented by the following Formula 2-1:
[Formula 2-1]
Figure 112020080830331-pat00113

In Formula 2-1,
X1 to X3, L, Ar5 and Ar6 are as defined in Formula 2 above,
L' is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
At least one of X1' to X3' is N, and the rest are each independently N or CH,
Ar5' and Ar6' are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
Ar7' is a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted cycloalkylene group.
청구항 5에 있어서,
Ar7'은 하기 구조에서 선택된 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
Figure 112020080830331-pat00114

Figure 112020080830331-pat00115
.
6. The method of claim 5,
Ar7' is any one selected from the following structure organic light emitting device:
Figure 112020080830331-pat00114

Figure 112020080830331-pat00115
.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
Figure 112021131199405-pat00149

Figure 112021131199405-pat00150

Figure 112021131199405-pat00151

Figure 112021131199405-pat00152

Figure 112021131199405-pat00153

Figure 112021131199405-pat00154

Figure 112021131199405-pat00155

Figure 112021131199405-pat00156

Figure 112021131199405-pat00157
.
The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds:
Figure 112021131199405-pat00149

Figure 112021131199405-pat00150

Figure 112021131199405-pat00151

Figure 112021131199405-pat00152

Figure 112021131199405-pat00153

Figure 112021131199405-pat00154

Figure 112021131199405-pat00155

Figure 112021131199405-pat00156

Figure 112021131199405-pat00157
.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
Figure 112020080830331-pat00132

Figure 112020080830331-pat00133

Figure 112020080830331-pat00134

Figure 112020080830331-pat00135

Figure 112020080830331-pat00136

Figure 112020080830331-pat00137

Figure 112020080830331-pat00138
.
The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 2 is any one selected from the following compounds:
Figure 112020080830331-pat00132

Figure 112020080830331-pat00133

Figure 112020080830331-pat00134

Figure 112020080830331-pat00135

Figure 112020080830331-pat00136

Figure 112020080830331-pat00137

Figure 112020080830331-pat00138
.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이며, 상기 제1 유기물층은 발광층이고, 상기 제2 유기물층은 상기 제2 전극과 상기 제1 유기물층 사이에 구비되는 것인 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
The first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, the first organic material layer is a light emitting layer, and the second organic material layer is provided between the second electrode and the first organic material layer.
청구항 1에 있어서,
상기 유기물층은 2층 이상의 발광층을 포함하고, 상기 2층 이상의 발광층 중 1층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
The organic material layer includes two or more light emitting layers, and one of the two or more light emitting layers includes the compound represented by Formula 1 above.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 유기물층은 알칼리 금속 및 알칼리토금속 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 n형 도펀트를 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
The second organic material layer is an organic light emitting device further comprising one or more n-type dopants selected from alkali metals and alkaline earth metals.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 유기물층은 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층, 및 전자 주입 및 수송층으로 이루어진 군에서 선택된 1층 이상을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
The second organic material layer is an organic light emitting device comprising at least one layer selected from the group consisting of a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and an electron injection and transport layer.
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