KR20210150294A - Resin molded article for optical semiconductor encapsulation - Google Patents

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KR20210150294A
KR20210150294A KR1020210070077A KR20210070077A KR20210150294A KR 20210150294 A KR20210150294 A KR 20210150294A KR 1020210070077 A KR1020210070077 A KR 1020210070077A KR 20210070077 A KR20210070077 A KR 20210070077A KR 20210150294 A KR20210150294 A KR 20210150294A
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준 이케다
히로나카 후지이
류이치 기무라
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

An objective of the present invention is to provide a resin-molded article for encapsulating optical semiconductors, which provides excellent heat resistance, temperature cycle resistance, and solder reflow resistance. According to the present invention, the resin-molded article satisfies 0.0005 <= E'_265℃ / E'_100℃ <= 0.0050, wherein E'_265℃ and E'_100℃ represent the storage modulus (Pa) at 265℃ and 100℃ of a cured body (size: width 5 mm × length 35 mm × thickness 1 mm) acquired by a method for manufacturing a cured body, respectively. The method for manufacturing a cured body heats and molds a resin-molded article at 150℃ for four minutes and heats the molded article at 150℃ for three hours, and thus the cured body is acquired.

Description

광반도체 밀봉용 수지 성형물 {RESIN MOLDED ARTICLE FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION}Resin molding for optical semiconductor sealing {RESIN MOLDED ARTICLE FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION}

본 발명은, 광반도체 밀봉용 수지 성형물에 관한 것이다.This invention relates to the resin molding for optical semiconductor sealing.

광반도체 소자는, 세라믹 패키지 또는 플라스틱 패키지에 의해 밀봉되어 장치화되어 있다. 여기서, 세라믹 패키지는, 구성 재료가 비교적 고가이고, 양산성이 떨어지는 점에서, 플라스틱 패키지를 사용하는 것이 주류로 되어 있다. 그 중에서도 작업성, 양산성, 신뢰성의 점에서, 에폭시 수지 조성물을, 미리 태블릿상으로 타정 성형한 것을 트랜스퍼 몰드 성형하는 기술이 주류로 되어 있다.The optical semiconductor element is sealed with a ceramic package or a plastic package, and is deviceized. Here, since the constituent materials of the ceramic package are relatively expensive and the mass productivity is inferior, the use of a plastic package has become mainstream. Among them, from the viewpoints of workability, mass productivity, and reliability, a technique of transfer mold molding of an epoxy resin composition obtained by tableting in advance into a tablet form is mainstream.

특허문헌 1에는, 에폭시 수지 조성물을 입상으로 조립하여 태블릿화하는 기술이 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses a technique for granulating an epoxy resin composition into a tablet form.

일본 특허 공개 제2011-9394호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2011-9394

근년, 전자 기기의 고기능화 및 고출력화에 수반하여, 광반도체에는 보다 높은 신뢰성이 요구되고 있다. 예를 들어, 고온이 되는 환경 하 또는 저온으로부터 고온까지 온도가 반복해서 변화되는 환경 하에서의 사용이나, 기기의 제조 단계에서의 땜납 리플로우 공정에 의해, 밀봉재에 크랙이나 박리, 변색 등이 발생하는 경우가 있고, 그들에서 기인하는 광반도체 소자에의 대미지를 저감시키는 것이 요구되고 있다.In recent years, higher reliability is calculated|required by an optical semiconductor with high functionalization and high output of an electronic device. For example, when cracks, peeling, discoloration, etc. occur in the sealing material due to use in an environment where the temperature becomes high or the temperature is repeatedly changed from low to high temperature, or due to the solder reflow process in the manufacturing stage of the device There is a demand to reduce the damage to the optical semiconductor element resulting from them.

본 발명은, 내열성, 내온도 사이클성 및 내땜납 리플로우성이 우수한 광반도체 밀봉재를 제공하는 광반도체 밀봉용 수지 성형물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of this invention is to provide the resin molding for optical semiconductor sealing which provides the optical-semiconductor sealing material excellent in heat resistance, temperature cycle resistance, and solder reflow resistance.

본 발명은, 하기 관계식 (1)을 만족하는 광반도체 밀봉용 수지 성형물에 관한 것이다.This invention relates to the resin molding for optical semiconductor sealing which satisfy|fills the following relational formula (1).

0.0005≤E'265℃/E'100℃≤0.0050 (1)0.0005≤E' 265℃ /E' 100℃ ≤0.0050 (1)

(식 중, E'265℃ 및 E'100℃는 각각 하기 방법으로 얻어진 경화체(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)의 265℃ 및 100℃에서의 저장 탄성률(Pa)을 나타낸다.)(Wherein, E′ 265° C. and E′ 100° C. represent the storage modulus (Pa) at 265° C. and 100° C. of the cured body (size: width 5 mm×length 35 mm×thickness 1 mm) obtained by the following method, respectively.)

(경화체의 제작 방법)(Manufacturing method of hardening body)

수지 성형물을 150℃에서 4분간 가열하여 성형하고, 그 후 150℃에서 3시간 가열함으로써 경화체를 얻는다.A resin molding is heated and molded at 150°C for 4 minutes, and then heated at 150°C for 3 hours to obtain a cured product.

상기 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 상기 방법에 의해 경화체(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)로 한 경우의 유리 전이 온도가 130℃ 이상이고, 또한 하기 관계식 (2)를 만족하는 것이 바람직하다.The resin molding for optical semiconductor encapsulation preferably has a glass transition temperature of 130° C. or higher when a cured body (size: width 5 mm×length 35 mm×thickness 1 mm) is obtained by the above method, and also satisfies the following relational expression (2) do.

Y<160000X-14500000 (2)Y<160000X-1450000 (2)

(식 중, X는 상기 경화체의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Y는 상기 경화체의 265℃에서의 저장 탄성률(Pa)을 나타낸다.)(Wherein, X represents the glass transition temperature (°C) of the cured body, and Y represents the storage elastic modulus (Pa) at 265°C of the cured body.)

상기 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 하기 관계식 (3) 및 (4)를 만족하는 것이 바람직하다.It is preferable that the said resin molding for optical semiconductor sealing satisfy|fills following relational formula (3) and (4).

Y<6300000(130≤X<150) (3)Y<6300000 (130≤X<150) (3)

Y<160000X-17000000(150≤X≤190) (4)Y<160000X-17000000(150≤X≤190) (4)

(각 식 중, X는 상기 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Y는 상기 경화체의 265℃에서의 저장 탄성률(Pa)을 나타낸다.)(In each formula, X represents the glass transition temperature (°C) of the cured body obtained by the above method (size: width 5 mm×length 35 mm×thickness 1 mm), and Y represents the storage modulus (Pa) of the cured body at 265° C. indicate.)

상기 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 하기 관계식 (5)를 만족하는 것이 바람직하다.It is preferable that the said resin molding for optical semiconductor sealing satisfy|fills following relational expression (5).

0.70<R450nm<1.00 (5)0.70<R 450nm <1.00 (5)

(식 중, R450nm는 상기 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)에 265℃에서 땜납 리플로우를 3회 실시한 경우의, 실시 전후의 파장 450nm에서의 직선 투과율의 비(실시 후/실시 전)를 나타낸다.)(wherein, R 450 nm is the ratio of the linear transmittance at a wavelength of 450 nm before and after implementation when solder reflow is performed three times at 265° C. on the cured body obtained by the above method (size: width 50 mm × length 50 mm × thickness 1 mm) (After/before implementation) is indicated.)

상기 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 하기 관계식 (6) 및 (7)을 만족하는 것이 바람직하다.It is preferable that the said resin molding for optical semiconductor sealing satisfy|fills the following relational formulas (6) and (7).

0.80<R400nm/R450nm<1.00 (6)0.80<R 400nm /R 450nm <1.00 (6)

0.10<R300nm/R450nm<0.50 (7)0.10<R 300nm /R 450nm <0.50 (7)

(각 식 중, R300nm, R400nm 및 R450nm는 각각 상기 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)에 265℃에서 땜납 리플로우를 3회 실시한 경우의, 실시 전후의 파장 300nm, 400nm 및 450nm에서의 직선 투과율의 비(실시 후/실시 전)를 나타낸다.)(In each formula, R 300 nm , R 400 nm and R 450 nm are each of the cured body obtained by the above method (size: width 50 mm × length 50 mm × thickness 1 mm) when solder reflow is performed 3 times at 265°C, before and after implementation The ratio of the linear transmittance at wavelengths of 300 nm, 400 nm and 450 nm (after/before implementation) is shown.

상기 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 상기 방법에 의해 경화체(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)로 한 경우의, 파장 450nm에서의 직선 투과율이 70% 이상인 것이 바람직하다.It is preferable that the said resin molding for optical semiconductor encapsulation has a linear transmittance at a wavelength of 450 nm of 70% or more when a cured body (size: 50 mm in width x 50 mm in length x 1 mm in thickness) is obtained by the above method.

상기 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 열경화성 수지, 경화제, 열경화성 수지와 경화제의 반응물, 및 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the said resin molding for optical semiconductor sealing contains a thermosetting resin, a hardening|curing agent, the reaction product of a thermosetting resin and a hardening|curing agent, and a hardening accelerator.

상기 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 또한 다가 알코올, 및 다가 알코올과 경화제의 반응물을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the said resin molding for optical semiconductor sealing also contains polyhydric alcohol, and the reaction product of polyhydric alcohol and a hardening|curing agent.

상기 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 하기 식 (I)로 나타나는 구조 단위 (I)을 갖는 화합물, 하기 식 (II)로 나타나는 구조 단위 (II)를 갖는 화합물, 및 하기 식 (III)으로 나타나는 구조 단위 (III)을 갖는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.The resin molding for optical semiconductor encapsulation has a structure represented by a compound having a structural unit (I) represented by the following formula (I), a compound having a structural unit (II) represented by the following formula (II), and a structure represented by the following formula (III) It is preferable to contain at least 1 sort(s) selected from the group which consists of compounds which have unit (III).

식 (I):Formula (I):

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 중, A1은 2개 이상의 환 구조를 포함하는 유기기를 나타낸다. R1a는 에폭시 수지의 잔기를 포함하는 부위를 나타낸다. R1b는 수소 원자, 또는 R1a와 결합하는 결합손을 나타낸다.)(Wherein, A 1 represents an organic group containing two or more ring structures. R 1a represents a moiety containing a residue of an epoxy resin. R 1b represents a hydrogen atom or a bond bonded to R 1a. )

식 (II):Formula (II):

Figure pat00002
Figure pat00002

(식 중, A2는 유기기를 나타낸다. R2a는 연속되는 2개 이상의 환 구조(단, 옥시란환을 제외한다.)를 갖는 에폭시 수지의 잔기를 포함하는 부위를 나타낸다. R2b는 수소 원자, 또는 R2a와 결합하는 결합손을 나타낸다.)(Wherein, A 2 represents an organic group. R 2a represents a moiety containing a residue of an epoxy resin having two or more continuous ring structures (however, oxirane rings are excluded). R 2b is a hydrogen atom , or R 2a and represents a bond.)

식 (III):Formula (III):

Figure pat00003
Figure pat00003

(식 중, A3은 유기기를 나타낸다. R3a는 비방향족환을 갖는 유기기를 나타낸다.)(In the formula, A 3 represents an organic group. R 3a represents an organic group having a non-aromatic ring.)

본 발명은, 상기 광반도체 밀봉용 수지 성형물을 성형하여 얻어지는 광반도체 밀봉재에도 관한 것이다.This invention also relates to the optical-semiconductor sealing material obtained by shape|molding the said resin molding for optical-semiconductor sealing.

본 발명은, 광반도체 소자와, 당해 광반도체 소자를 밀봉하는 상기 광반도체 밀봉재를 구비하는 광반도체 장치에도 관한 것이다.This invention also relates to an optical-semiconductor device provided with an optical-semiconductor element and the said optical-semiconductor sealing material which seals the said optical-semiconductor element.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물에 의하면, 내열성, 내온도 사이클성 및 내땜납 리플로우성이 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어지므로, 고온이 되는 환경 하에서의 사용이나 땜납 리플로우 공정에 의해서도 광반도체 밀봉재에 크랙이나 박리, 변색 등이 발생하기 어렵고, 그들에서 기인하는 광반도체 소자에의 대미지를 저감시킬 수 있다.According to the resin molding for optical semiconductor sealing of the present invention, an optical semiconductor sealing material excellent in heat resistance, temperature cycle resistance and solder reflow resistance is obtained. It is hard to generate|occur|produce a crack, peeling, discoloration, etc., and the damage to the optical semiconductor element resulting from them can be reduced.

도 1은 실시예 및 비교예에서 사용한 평가 패키지를 나타내는 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the evaluation package used by the Example and the comparative example.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be specifically described.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 하기 관계식 (1)을 만족한다.The resin molding for optical semiconductor sealing of this invention satisfy|fills the following relational expression (1).

0.0005≤E'265℃/E'100℃≤0.0050 (1)0.0005≤E' 265℃ /E' 100℃ ≤0.0050 (1)

(식 중, E'265℃ 및 E'100℃는 각각 하기 방법으로 얻어진 경화체(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)의 265℃ 및 100℃에서의 저장 탄성률(Pa)을 나타낸다.)(Wherein, E′ 265° C. and E′ 100° C. represent the storage modulus (Pa) at 265° C. and 100° C. of the cured body (size: width 5 mm×length 35 mm×thickness 1 mm) obtained by the following method, respectively.)

(경화체의 제작 방법)(Manufacturing method of hardening body)

수지 성형물을 150℃에서 4분간 가열하여 성형하고, 그 후 150℃에서 3시간 가열함으로써 경화체를 얻는다.A resin molding is heated and molded at 150°C for 4 minutes, and then heated at 150°C for 3 hours to obtain a cured product.

관계식 (1)을 만족하는 수지 성형물은, 유리 전이 온도가 높고, 게다가 고온 시에 탄성률이 낮은 경화체를 제공하므로, 내열성, 내온도 사이클성 및 내땜납 리플로우성이 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다. 또한, 내황변성, 온도 변화에 대한 치수 안정성, 충격 흡수성, 내충격성도 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다. 이러한 광반도체 밀봉재는, 고온이 되는 환경 하에서의 사용이나 땜납 리플로우 공정에 의해서도 크랙이나 박리, 변색 등이 발생하기 어려우므로, 그들에서 기인하는 광반도체 소자에의 대미지를 저감시킬 수 있다.Since the resin molding satisfying the relational formula (1) provides a cured product having a high glass transition temperature and a low elastic modulus at high temperature, an optical semiconductor sealing material excellent in heat resistance, temperature cycle resistance and solder reflow resistance is obtained. Moreover, the optical semiconductor sealing material excellent also in yellowing resistance, dimensional stability with respect to temperature change, shock absorption, and impact resistance is obtained. Since such an optical semiconductor sealing material does not easily generate a crack, peeling, discoloration, etc. even by use in a high-temperature environment or a solder reflow process, the damage to the optical semiconductor element resulting from them can be reduced.

상기 수지 성형물은, 또한 가열 성형 시에 너무 딱딱해지지 않으므로, 핸들링성, 성형성 및 이형성이 우수하다.The said resin molding also does not become too hard at the time of heat molding, and is excellent in handling property, moldability, and releasability.

E'265℃/E'100℃는 0.0050 이하이지만, 0.0030 이하인 것이 바람직하고, 0.0010 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.0008 이하인 것이 더욱 바람직하다.E' 265°C /E' 100°C is 0.0050 or less, but preferably 0.0030 or less, more preferably 0.0010 or less, and still more preferably 0.0008 or less.

E'265℃/E'100℃가 0.0005 미만이거나, 0.0050을 초과하거나 하면, 얻어지는 광반도체 밀봉재의 내열성, 내온도 사이클성 및 내땜납 리플로우성이 저하될 우려가 있다.When E' 265 degreeC /E' 100 degreeC is less than 0.0005 or exceeds 0.0050, there exists a possibility that the heat resistance of the optical semiconductor sealing material obtained, temperature cycling resistance, and solder reflow resistance may fall.

E'265℃ 및 E'100℃는 각각 상술한 방법으로 얻어진 경화체를 사용하여 265℃ 및 100℃에서의 동적 점탄성 측정(모드: 인장, 주사 온도: 0 내지 270℃, 주파수: 1Hz, 승온 속도: 10℃/분)에 의해 구한다.E' 265°C and E' 100°C are dynamic viscoelasticity measurements at 265°C and 100°C using the cured product obtained by the above-described method, respectively (mode: tensile, scanning temperature: 0 to 270°C, frequency: 1Hz, temperature increase rate: 10°C/min).

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 상기 방법에 의해 경화체(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)로 한 경우의 유리 전이 온도(Tg)가 130℃ 이상이고, 또한 하기 관계식 (2)를 만족하는 것이 바람직하다.The resin molding for optical semiconductor encapsulation of the present invention has a glass transition temperature (Tg) of 130° C. or higher when a cured body (size: width 5 mm×length 35 mm×thickness 1 mm) by the above method is 130° C. or more, and the following relational expression (2) It is desirable to satisfy

Y<160000X-14500000 (2)Y<160000X-1450000 (2)

(식 중, X는 상기 경화체의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Y는 상기 경화체의 265℃에서의 저장 탄성률(Pa)을 나타낸다.)(Wherein, X represents the glass transition temperature (°C) of the cured body, and Y represents the storage elastic modulus (Pa) at 265°C of the cured body.)

이러한 수지 성형물을 경화하면, 유리 전이 온도가 높고, 게다가 고온 시에 탄성률이 낮은 경화체가 얻어지므로, 내열성, 내온도 사이클성, 내땜납 리플로우성, 내황변성, 온도 변화에 대한 치수 안정성, 충격 흡수성 및 내충격성이 한층 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.When such a resin molding is cured, a cured product having a high glass transition temperature and a low modulus of elasticity at high temperature is obtained. And the optical semiconductor sealing material further excellent in impact resistance is obtained.

상기 유리 전이 온도는 130℃ 이상인 것이 바람직하지만, 140℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 145℃ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 155℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 유리 전이 온도는 200℃ 이하인 것이 바람직하고, 190℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 180℃ 이하인 것이 더욱 바람직하다.Although it is preferable that the said glass transition temperature is 130 degreeC or more, it is more preferable that it is 140 degreeC or more, It is still more preferable that it is 145 degreeC or more, It is especially preferable that it is 155 degreeC or more. Moreover, it is preferable that it is 200 degrees C or less, as for a glass transition temperature, It is more preferable that it is 190 degrees C or less, It is more preferable that it is 180 degrees C or less.

경화체의 유리 전이 온도가 상기 범위 내에 있으면, 내열성, 내온도 사이클성, 내황변성, 온도 변화에 대한 치수 안정성 및 충격 흡수성이 한층 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.When the glass transition temperature of the cured product is within the above range, an optical semiconductor encapsulant further excellent in heat resistance, temperature cycle resistance, yellowing resistance, dimensional stability against temperature change and shock absorption is obtained.

상기 유리 전이 온도는, 상술한 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)를 사용하여 동적 점탄성 측정(모드: 인장, 주사 온도: 0 내지 270℃, 주파수: 1Hz, 승온 속도: 10℃/분)을 실시하고, 저장 탄성률 E' 및 손실 탄성률 E''를 얻고, 이들로부터 tanδ(=E''/E')의 곡선을 구하고, tanδ의 피크 톱 온도로서 구한다.The glass transition temperature is measured by dynamic viscoelasticity (mode: tensile, scanning temperature: 0 to 270 ° C., frequency: 1 Hz, temperature increase rate) using the cured body (size: width 5 mm x length 35 mm x thickness 1 mm) obtained by the above method. : 10°C/min) to obtain a storage elastic modulus E' and a loss elastic modulus E'', a curve of tan δ (=E''/E') is obtained from these, and is calculated as the peak top temperature of tan δ.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 하기 관계식 (3) 및 (4)를 만족하는 것이 바람직하고, 하기 관계식 (3') 및 (4')를 만족하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the following relational formulas (3) and (4) are satisfied, and, as for the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention, it is more preferable to satisfy the following relational expressions (3') and (4').

Y<6300000(130≤X<150) (3)Y<6300000 (130≤X<150) (3)

Y<160000X-17000000(150≤X≤190) (4)Y<160000X-17000000(150≤X≤190) (4)

Y<1400000(130≤X<150) (3')Y<1400000(130≤X<150) (3')

Y<160000X-22000000(150≤X≤190) (4')Y<160000X-22000000(150≤X≤190) (4')

(각 식 중, X는 상기 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Y는 상기 경화체의 265℃에서의 저장 탄성률(Pa)을 나타낸다.)(In each formula, X represents the glass transition temperature (°C) of the cured body obtained by the above method (size: width 5 mm×length 35 mm×thickness 1 mm), and Y represents the storage modulus (Pa) of the cured body at 265° C. indicate.)

이에 의해, 내열성, 내온도 사이클성, 내땜납 리플로우성, 내황변성, 온도 변화에 대한 치수 안정성, 충격 흡수성 및 내충격성이 한층 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.Thereby, the optical semiconductor sealing material which was further excellent in heat resistance, temperature cycling resistance, solder reflow resistance, yellowing resistance, dimensional stability with respect to temperature change, shock absorption, and impact resistance is obtained.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 상기 방법에 의해 경화체(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)로 한 경우에 265℃에서의 저장 탄성률(E'265℃)이 1.5×107Pa 이하인 것이 바람직하고, 1.0×107Pa 이하인 것이 보다 바람직하다. The resin molding for optical semiconductor encapsulation of the present invention has a storage modulus at 265°C (E′ 265°C ) of 1.5×10 7 Pa when a cured body (size: width 5 mm×length 35 mm×thickness 1 mm) is obtained by the above method. It is preferable that it is less than or equal to, and it is more preferable that it is 1.0x10<7>Pa or less.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 하기 관계식 (5)를 만족하는 것이 바람직하다.It is preferable that the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention satisfy|fills following relational expression (5).

0.70<R450nm<1.00 (5)0.70<R 450nm <1.00 (5)

(식 중, R450nm는 상기 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)에 265℃에서 땜납 리플로우를 3회 실시한 경우의, 실시 전후의 파장 450nm에서의 직선 투과율의 비(실시 후/실시 전)를 나타낸다.)(wherein, R 450 nm is the ratio of the linear transmittance at a wavelength of 450 nm before and after implementation when solder reflow is performed three times at 265° C. on the cured body obtained by the above method (size: width 50 mm × length 50 mm × thickness 1 mm) (After/before implementation) is indicated.)

R450nm는 0.80 이상인 것이 보다 바람직하고, 또한 0.95 이하인 것이 보다 바람직하다.R 450nm is more preferably not less than 0.80, and also more preferably not more than 0.95.

R450nm가 상기 범위 내에 있으면, 땜납 리플로우 실시 후의 경화체의 특정 파장에서의 투과율 저하가 억제되므로, 내땜납 리플로우성 및 내황변성이 한층 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.When R 450 nm is within the above range, a decrease in transmittance at a specific wavelength of the cured body after solder reflow is suppressed, so that an optical semiconductor sealing material further excellent in solder reflow resistance and yellowing resistance is obtained.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 하기 관계식 (5')를 만족하는 것이 바람직하다.It is preferable that the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention satisfy|fills the following relational expression (5').

0.60<R400nm<0.90 (5')0.60<R 400nm <0.90 (5')

(식 중, R400nm는 상기 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)에 265℃에서 땜납 리플로우를 3회 실시한 경우의, 실시 전후의 파장 400nm에서의 직선 투과율의 비(실시 후/실시 전)를 나타낸다.)(wherein, R 400 nm is the ratio of the linear transmittance at a wavelength of 400 nm before and after the implementation when solder reflow is performed three times at 265° C. on the cured body obtained by the above method (size: width 50 mm × length 50 mm × thickness 1 mm) (After/before implementation) is indicated.)

R400nm는 0.70 이상인 것이 보다 바람직하고, 또한 0.85 이하인 것이 보다 바람직하다.R 400 nm is more preferably 0.70 or more, and more preferably 0.85 or less.

R400nm가 상기 범위 내에 있으면, 땜납 리플로우 실시 후의 경화체의 특정 파장에서의 투과율 저하가 억제되므로, 내땜납 리플로우성 및 내황변성이 한층 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.When R 400 nm exists in the said range, since the transmittance|permeability fall at the specific wavelength of the hardening body after solder reflow implementation is suppressed, the optical semiconductor sealing material further excellent in solder reflow resistance and yellowing resistance is obtained.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 하기 관계식 (5'')를 만족하는 것이 바람직하다.It is preferable that the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention satisfy|fills the following relational expression (5'').

0.10<R300nm<0.50 (5'')0.10<R 300nm <0.50 (5'')

(식 중, R300nm는 상기 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)에 265℃에서 땜납 리플로우를 3회 실시한 경우의, 실시 전후의 파장 300nm에서의 직선 투과율의 비(실시 후/실시 전)를 나타낸다.)(wherein, R 300 nm is the ratio of the linear transmittance at a wavelength of 300 nm before and after implementation when solder reflow is performed three times at 265° C. to the cured body obtained by the above method (size: width 50 mm × length 50 mm × thickness 1 mm) (After/before implementation) is indicated.)

R300nm는 0.15 이상인 것이 보다 바람직하고, 또한 0.40 이하인 것이 보다 바람직하다.R 300 nm is more preferably 0.15 or more, and more preferably 0.40 or less.

R300nm가 상기 범위 내에 있으면, 땜납 리플로우 실시 후의 경화체의 특정 파장에서의 투과율 저하가 억제되므로, 내땜납 리플로우성 및 내황변성이 한층 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.When R 300 nm exists in the said range, since the transmittance|permeability fall in the specific wavelength of the hardening body after solder reflow implementation is suppressed, the optical-semiconductor sealing material further excellent in solder reflow resistance and yellowing resistance is obtained.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 하기 관계식 (6) 및 (7)을 만족하는 것이 바람직하다.It is preferable that the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention satisfy|fills the following relational expressions (6) and (7).

0.80<R400nm/R450nm<1.00 (6)0.80<R 400nm /R 450nm <1.00 (6)

0.10<R300nm/R450nm<0.50 (7)0.10<R 300nm /R 450nm <0.50 (7)

(각 식 중, R300nm, R400nm 및 R450nm는 각각 상기 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)에 265℃에서 땜납 리플로우를 3회 실시한 경우의, 실시 전후의 파장 300nm, 400nm 및 450nm에서의 직선 투과율의 비(실시 후/실시 전)를 나타낸다.)(In each formula, R 300 nm , R 400 nm and R 450 nm are each of the cured body obtained by the above method (size: width 50 mm × length 50 mm × thickness 1 mm) when solder reflow is performed 3 times at 265°C, before and after implementation The ratio of the linear transmittance at wavelengths of 300 nm, 400 nm and 450 nm (after/before implementation) is shown.

R400nm/R450nm는 0.95 이하인 것이 보다 바람직하다.As for R400nm / R450nm, it is more preferable that it is 0.95 or less.

R300nm/R450nm는 0.20 이상인 것이 보다 바람직하고, 또한 0.40 이하인 것이 보다 바람직하다.As for R300nm / R450nm, it is more preferable that it is 0.20 or more, and it is more preferable that it is 0.40 or less.

R400nm/R450nm 및 R300nm/R450nm가 상기 범위 내에 있으면, 땜납 리플로우 실시 후의 경화체의 특정 파장에서의 투과율 저하가 억제되므로, 내땜납 리플로우성 및 내황변성이 한층 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.When R 400 nm /R 450 nm and R 300 nm /R 450 nm are within the above ranges, the decrease in transmittance at a specific wavelength of the cured body after solder reflow is suppressed, so that an optical semiconductor sealing material with much superior solder reflow resistance and yellowing resistance is obtained lose

각 파장에 있어서의 직선 투과율은, 상술한 방법에 의해 경화체를 제작하고, 땜납 리플로우 실시 전과 실시 후에 대하여, 분광 광도계를 사용하여 상기 경화체의 투과 스펙트럼을 측정함으로써 구한다.The linear transmittance in each wavelength is calculated|required by producing a hardened body by the method mentioned above, and measuring the transmission spectrum of the said hardening body before and after solder reflow implementation using a spectrophotometer.

상기 땜납 리플로우는, 상기 경화체를 사용하고, 리플로우로를 사용하여, 1회에 대하여 톱 피크 265℃, 10초의 조건에서 행한다.The said solder reflow uses the said hardening body, and uses a reflow furnace, and is performed on condition of 265 degreeC of top peak and 10 second with respect to one time.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 상기 방법에 의해 경화체(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)로 한 경우의, 파장 450nm에서의 직선 투과율이 70% 이상인 것이 바람직하고, 90% 이상인 것이 보다 바람직하고, 95% 이상인 것이 더욱 바람직하다.The resin molding for optical semiconductor encapsulation of the present invention preferably has a linear transmittance of 70% or more at a wavelength of 450 nm when a cured body (size: 50 mm width × 50 mm length × 1 mm thickness) by the above method is 70% or more, and is 90% or more It is more preferable, and it is still more preferable that it is 95 % or more.

이에 의해, 광의 투과성(투명성)이 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.Thereby, the optical-semiconductor sealing material excellent in the transmittance|permeability (transparency) of light is obtained.

상기 직선 투과율은, 분광 광도계를 사용하여 상기 경화체의 파장 450nm에서의 투과 스펙트럼을 측정함으로써 구한다.The said linear transmittance is calculated|required by measuring the transmission spectrum in wavelength 450nm of the said hardening body using a spectrophotometer.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물로서는, 태블릿, 시트 등을 들 수 있다.As a resin molding for optical semiconductor sealing of this invention, a tablet, a sheet|seat, etc. are mentioned.

광반도체 밀봉용 수지 성형물이 태블릿인 경우, 그 체적은 특별히 한정되지 않지만, 1 내지 100cm3가 바람직하고, 10 내지 100cm3가 보다 바람직하다.Although the volume is not specifically limited when the resin molding for optical semiconductor sealing is a tablet, 1-100 cm<3> is preferable, and 10-100 cm<3> is more preferable.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 열경화성 수지와 경화제의 반응물을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 열경화성 수지, 경화제, 열경화성 수지와 경화제의 반응물, 및 경화 촉진제를 포함하는 것도 바람직하다. 상기에 더하여, 다가 알코올, 및 다가 알코올과 경화제의 반응물을 포함하는 것도 바람직하다. 본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은 소위 B 스테이지(반경화)의 상태이면 된다.It is preferable that the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention contains the reaction material of a thermosetting resin and a hardening|curing agent. It is also preferable to include a thermosetting resin, a curing agent, a reaction product of the thermosetting resin and the curing agent, and a curing accelerator. In addition to the above, it is also preferable to include a polyhydric alcohol and a reaction product of the polyhydric alcohol and a curing agent. The resin molding for optical semiconductor sealing of this invention should just be a state of what is called a B-stage (semi-hardened).

열경화성 수지로서는, 에폭시 수지가 바람직하다. 에폭시 수지로서는, 착색이 적은 것이 바람직하다.As a thermosetting resin, an epoxy resin is preferable. As an epoxy resin, a thing with little coloring is preferable.

상기 에폭시 수지로서는, 상술한 각 관계식을 만족하는 수지 성형물을 용이하게 얻을 수 있는 점에서, 연속되는 2개 이상의 환 구조(단, 옥시란환을 제외한다.)를 갖는 에폭시 수지가 바람직하다. 여기서, 2개 이상의 환 구조가 연속된다는 것은, 2개 이상의 환 구조가 직접 접하는 것, 바꾸어 말하면, 하나의 환 구조와 인접하는 환 구조 사이에 환을 구성하지 않는 원자가 존재하지 않는 것을 의미한다. 연속되는 2개 이상의 환 구조에 있어서, 하나의 환 구조와 인접하는 환 구조가 2개 이상의 원자를 공유하고 있는 것이 바람직하다.As said epoxy resin, the epoxy resin which has two or more continuous ring structures (however, an oxirane ring is excluded.) is preferable from the point which can obtain easily the resin molding which satisfy|fills each relational expression mentioned above. Here, that two or more ring structures are continuous means that two or more ring structures are in direct contact, in other words, that there is no atom which does not constitute a ring between one ring structure and an adjacent ring structure. Two or more continuous ring structures WHEREIN: It is preferable that one ring structure and the adjacent ring structure share two or more atoms.

상기 환 구조는 비방향족환인 것이 바람직하고, 비방향족 탄소환인 것이 보다 바람직하다. 상기 에폭시 수지는 지환식 에폭시 수지이면 된다.It is preferable that it is a non-aromatic ring, and, as for the said ring structure, it is more preferable that it is a non-aromatic carbocyclic ring. The said epoxy resin should just be an alicyclic epoxy resin.

상기 환 구조는 불포화 결합을 갖고 있어도 되지만, 불포화 결합을 갖지 않는 것도 바람직하다.Although the said ring structure may have an unsaturated bond, it is also preferable not to have an unsaturated bond.

상기 에폭시 수지는, 가교 구조를 갖는 탄화수소기를 갖는 것이 바람직하고, 가교 구조를 갖는 2환식 또는 3환식의 탄화수소기를 갖는 것이 보다 바람직하고, 6원환에 가교 구조를 마련한 2환식 탄화수소기를 갖는 것이 더욱 바람직하다.The epoxy resin preferably has a hydrocarbon group having a crosslinked structure, more preferably a bicyclic or tricyclic hydrocarbon group having a crosslinked structure, and still more preferably has a bicyclic hydrocarbon group in which a crosslinked structure is provided on a 6-membered ring. .

상기 가교 구조를 갖는 탄화수소기는, 하기 식:The hydrocarbon group having the cross-linked structure has the following formula:

Figure pat00004
Figure pat00004

(식 중, R11은 산소 원자 또는 알킬렌기를 나타낸다. R12 내지 R17은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다.)으로 나타나는 기인 것이 특히 바람직하다.(In the formula, R 11 represents an oxygen atom or an alkylene group. R 12 to R 17 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.) It is particularly preferably a group represented by.

이에 의해, 상술한 각 관계식을 만족하는 수지 성형물을 한층 용이하게 얻을 수 있다.Thereby, the resin molding which satisfy|fills each relational expression mentioned above can be obtained still more easily.

상기 식 중, R11은 산소 원자 또는 알킬렌기를 나타낸다. 상기 알킬렌기의 탄소수는 1 내지 5인 것이 바람직하고, 1 내지 3인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 2인 것이 더욱 바람직하고, 1인 것이 특히 바람직하다.In the formula, R 11 represents an oxygen atom or an alkylene group. It is preferable that carbon number of the said alkylene group is 1-5, It is more preferable that it is 1-3, It is still more preferable that it is 1-2, It is especially preferable that it is 1.

R11은 알킬렌기인 것이 바람직하다.R 11 is preferably an alkylene group.

상기 식 중, R12 내지 R17은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. R12 내지 R17로서의 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 5인 것이 바람직하고, 1 내지 3인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 2인 것이 더욱 바람직하다.In the formula, R 12 to R 17 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group. R 12 to the number of carbon atoms of the alkyl group as R 17 is preferably from 1 to 5, and more preferably from 1 to 3, more preferably from 1 to 2.

R12 내지 R17은 수소 원자인 것이 바람직하다.R 12 to R 17 are preferably a hydrogen atom.

상기 에폭시 수지로서는, 이하의 것을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 입체 이성체가 존재하는 경우에는, 각 입체 이성체 및 2 이상의 입체 이성체의 혼합물도 예시에 포함되는 것으로 한다.Although the following can be illustrated as said epoxy resin, It is not limited to these. In addition, when stereoisomers exist, each stereoisomer and a mixture of two or more stereoisomers shall be included in an illustration.

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 이외의 에폭시 수지를 사용할 수도 있다. 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트, 히단토인에폭시 등의 복소환 함유 에폭시 수지, 수소화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지방족계 에폭시 수지, 글리시딜에테르형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 상술한 연속되는 2개 이상의 환 구조(단, 옥시란환을 제외한다.)를 갖는 에폭시 수지와 병용해도 된다.Epoxy resins other than the above can also be used. For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, heterocyclic containing epoxy resins, such as hydantoin epoxy resin, hydrogenated bisphenol A A type epoxy resin, an aliphatic type epoxy resin, a glycidyl ether type|mold epoxy resin, etc. are mentioned. You may use together with the epoxy resin which has the above-mentioned two or more continuous ring structure (however, an oxirane ring is excluded.).

에폭시 수지는 1종을 단독으로 혹은 2종 이상을 함께 사용할 수 있다.Epoxy resins can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

경화제로서는, 경화 시 또는 경화 후에 수지 성형물의 경화체에 착색이 적은 산무수물이 적합하다. 그 중에서도, 상술한 각 관계식을 만족하는 수지 성형물을 용이하게 얻을 수 있는 점에서, 하기 식 (a):As the curing agent, an acid anhydride having little color in the cured resin molded product during or after curing is suitable. Among them, from the viewpoint of easily obtaining a resin molded product satisfying each relational expression described above, the following formula (a):

Figure pat00006
Figure pat00006

(식 중, A1은 2개 이상의 환 구조를 포함하는 유기기를 나타낸다.)로 나타나는 산무수물 (a)가 바람직하다.(In formula, A<1> represents the organic group containing two or more ring structures.) The acid anhydride (a) represented by it is preferable.

식 (a) 중, A1은 2개 이상의 환 구조를 포함하는 (다환식의) 유기기이다. 상기 유기기는 2가의 유기기이다.In formula (a), A 1 is a (polycyclic) organic group containing two or more ring structures. The organic group is a divalent organic group.

상기 유기기의 탄소수는 5 이상인 것이 바람직하고, 6 이상인 것이 보다 바람직하고, 7 이상인 것이 더욱 바람직하고, 또한 20 이하인 것이 바람직하고, 15 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 이하인 것이 더욱 바람직하고, 7 이하인 것이 특히 바람직하다.The number of carbon atoms in the organic group is preferably 5 or more, more preferably 6 or more, still more preferably 7 or more, more preferably 20 or less, more preferably 15 or less, still more preferably 10 or less, and still more preferably 7 or less. Especially preferred.

상기 유기기로서는, 탄화수소기가 바람직하고, 산소 원자 등의 헤테로 원자나, 이중 결합 등의 불포화 결합을 포함하여도 된다.As said organic group, a hydrocarbon group is preferable, and hetero atoms, such as an oxygen atom, and unsaturated bonds, such as a double bond, may be included.

상기 유기기로서는, 가교 구조를 갖는 탄화수소기가 바람직하고, 가교 구조를 갖는 2환식 탄화수소기가 보다 바람직하고, 6원환에 가교 구조를 마련한 2환식 탄화수소기가 더욱 바람직하다.As said organic group, the hydrocarbon group which has a crosslinked structure is preferable, the bicyclic hydrocarbon group which has a crosslinked structure is more preferable, and the bicyclic hydrocarbon group which provided the crosslinked structure in the 6-membered ring is still more preferable.

A1은 하기 식 (A1):A 1 is the formula (A1):

Figure pat00007
Figure pat00007

(식 중, R2는 산소 원자 또는 알킬렌기를 나타낸다. R3은 탄소수 2 이상의 탄화수소기를 나타낸다. R4 내지 R7은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다.)로 나타나는 기인 것이 특히 바람직하다.(In the formula, R 2 represents an oxygen atom or an alkylene group. R 3 represents a hydrocarbon group having 2 or more carbon atoms. R 4 to R 7 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.) It is particularly preferably a group represented by.

이에 의해, 상술한 각 관계식을 만족하는 수지 성형물을 한층 용이하게 얻을 수 있다.Thereby, the resin molding which satisfy|fills each relational expression mentioned above can be obtained still more easily.

식 (A1) 중, R2는 산소 원자 또는 알킬렌기를 나타낸다. 상기 알킬렌기의 탄소수는 1 내지 5인 것이 바람직하고, 1 내지 3인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 2인 것이 더욱 바람직하고, 1인 것이 특히 바람직하다.In formula (A1), R 2 represents an oxygen atom or an alkylene group. It is preferable that carbon number of the said alkylene group is 1-5, It is more preferable that it is 1-3, It is still more preferable that it is 1-2, It is especially preferable that it is 1.

R2는 알킬렌기인 것이 바람직하다.R 2 is preferably an alkylene group.

식 (A1) 중, R3은 탄소수 2 이상의 탄화수소기를 나타낸다. 상기 탄화수소기는 2가의 탄화수소기이다. 상기 탄화수소기의 탄소수는 2 이상이지만, 2 내지 5인 것이 보다 바람직하고, 2 내지 4인 것이 더욱 바람직하고, 2인 것이 특히 바람직하다.In formula (A1), R<3> represents a C2 or more hydrocarbon group. The hydrocarbon group is a divalent hydrocarbon group. Although carbon number of the said hydrocarbon group is 2 or more, it is more preferable that it is 2-5, It is still more preferable that it is 2-4, It is especially preferable that it is 2.

R3으로서의 상기 탄화수소기는, -CX1 2-CX2 2-(식 중, X1 및 X2는 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기) 또는 -CX1=CX2-(식 중, X1 및 X2는 상기한 바와 같음)인 것이 바람직하다.The hydrocarbon group as R 3 is -CX 1 2 -CX 2 2 - (wherein, X 1 and X 2 are independently a hydrogen atom or an alkyl group) or -CX 1 =CX 2 - (wherein, X 1 and X 2 ) is as described above) is preferred.

X1 및 X2로서의 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 5인 것이 바람직하고, 1 내지 3인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 2인 것이 더욱 바람직하다.As for carbon number of the said alkyl group as X<1> and X<2> , it is preferable that it is 1-5, It is more preferable that it is 1-3, It is still more preferable that it is 1-2.

X1 또는 X2가 복수 존재하는 경우, 그들 복수의 X1 또는 X2는 동일하여도 달라도 된다.When two or more X 1 or X 2 exist, these plurality of X 1 or X 2 may be the same or different.

X1 및 X2는 수소 원자인 것이 바람직하다.X 1 and X 2 are preferably hydrogen atoms.

식 (A1) 중, R4 내지 R7은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. R4 내지 R7로서의 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 5인 것이 바람직하고, 1 내지 3인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 2인 것이 더욱 바람직하다.In the formula (A1), R 4 to R 7 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. R 4 to the number of carbon atoms of the alkyl group as R 7 is preferably from 1 to 5, and more preferably from 1 to 3, more preferably from 1 to 2.

R4 및 R5는 수소 원자 또는 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.R 4 and R 5 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group, more preferably a hydrogen atom.

R6 및 R7은 수소 원자인 것이 바람직하다.R 6 and R 7 are preferably hydrogen atoms.

식 (A1)로 나타나는 기로서는, 이하의 것을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 입체 이성체가 존재하는 경우에는, 각 입체 이성체 및 2 이상의 입체 이성체의 혼합물도 예시에 포함되는 것으로 한다.Although the following can be illustrated as group represented by Formula (A1), It is not limited to these. In addition, when stereoisomers exist, each stereoisomer and a mixture of two or more stereoisomers shall be included in an illustration.

Figure pat00008
Figure pat00008

식 (A1)로 나타나는 기로서는, 그 중에서도 이하의 것이 바람직하다.As group represented by Formula (A1), the following are especially preferable.

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 이외의 산무수물을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 무수프탈산, 무수말레산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 헥사히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로프탈산무수물, 테트라히드로무수프탈산, 무수글루타르산 등을 들 수 있다. 상술한 산무수물 (a)와 병용해도 된다.Acid anhydrides other than the above can also be used. For example, phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, glutaric anhydride, etc. are mentioned. You may use together with the acid anhydride (a) mentioned above.

경화제는 1종을 단독으로 혹은 2종 이상을 함께 사용할 수 있다.A curing agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

경화제의 배합량은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 열경화성 수지 100질량부에 대하여 20 내지 200질량부가 바람직하다. 20질량부 미만이면, 경화의 속도가 느려지고, 200질량부를 초과하면, 경화 반응에 대하여 과잉량이 존재하기 때문에, 여러 물성의 저하를 야기할 우려가 있다.Although the compounding quantity of a hardening|curing agent is not specifically limited, For example, 20-200 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of thermosetting resins. If it is less than 20 parts by mass, the rate of curing becomes slow, and when it exceeds 200 parts by mass, there is an excessive amount for the curing reaction, so there is a risk of causing deterioration of various physical properties.

열경화성 수지가 에폭시 수지이며, 경화제가 산무수물인 경우, 산무수물기의 당량(A)과 에폭시기의 당량(E)의 당량비(A/E)가 0.5 내지 1.5인 것이 바람직하고, 0.8 내지 1.2인 것이 보다 바람직하고, 0.9 내지 1.0인 것이 가장 바람직하다. 0.5 미만이거나, 1.5를 초과하거나 하면, 반응성이 저하되고, 경화물의 강도·내열성을 손상시킬 가능성이 있다.When the thermosetting resin is an epoxy resin and the curing agent is an acid anhydride, the equivalent ratio (A/E) of the equivalent (A) of the acid anhydride group and the equivalent (E) of the epoxy group is preferably 0.5 to 1.5, and 0.8 to 1.2 More preferably, it is most preferable that it is 0.9-1.0. When it is less than 0.5 or exceeds 1.5, reactivity may fall and the intensity|strength and heat resistance of hardened|cured material may be impaired.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물이 경화제를 포함하는 경우, 경화제의 일부가 열경화성 수지와 반응하여도 된다.When the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention contains a hardening|curing agent, a part of hardening|curing agent may react with a thermosetting resin.

경화 촉진제로서는, 트리에탄올아민, 디메틸벤질아민 등의 3급 아민, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸류, 테트라페닐포스포늄·테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 등의 유기 인 화합물, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7이나 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노넨-5 등의 디아자비시클로알켄계 화합물 등을 들 수 있다. 이들도 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the curing accelerator include tertiary amines such as triethanolamine and dimethylbenzylamine, imidazoles such as 2-methylimidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole, tetraphenylphosphonium/tetraphenylborate, and triphenyl organophosphorus compounds such as phosphine, diazabicycloalkene compounds such as 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undecene-7 and 1,5-diazabicyclo[4.3.0]nonene-5 can be heard These may also be used independently or may use 2 or more types together.

경화 촉진제의 배합량은 특별히 한정되지 않지만, 열경화성 수지 100질량부에 대하여 예를 들어 0.1 내지 5질량부의 범위로부터 적절히 선택할 수 있고, 0.5 내지 3질량부가 바람직하고, 1 내지 2질량부가 보다 바람직하다. 경화 촉진제의 배합량이 너무 적으면, 경화의 속도가 느려져, 생산성이 저하되고, 한편, 경화 촉진제의 배합량이 너무 많으면, 경화 반응의 속도가 빠르고, 반응 상태의 제어가 곤란해져, 반응의 변동을 발생시킬 우려가 있다.Although the compounding quantity of a hardening accelerator is not specifically limited, For example, it can select suitably from the range of 0.1-5 mass parts with respect to 100 mass parts of thermosetting resin, 0.5-3 mass parts is preferable, and 1-2 mass parts is more preferable. If the compounding amount of the curing accelerator is too small, the curing rate is slowed and productivity is lowered. On the other hand, if the compounding amount of the curing accelerator is too large, the curing reaction speed is high, the control of the reaction state becomes difficult, and fluctuations in the reaction occur. there is a risk of making

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물이 경화 촉진제를 포함하는 경우, 경화 촉진제의 일부가 열경화성 수지 및/또는 경화제와 반응하여도 된다.When the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention contains a hardening accelerator, a part of hardening accelerator may react with a thermosetting resin and/or a hardening|curing agent.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 또한 다가 알코올을 포함하는 것도 바람직하다. 이에 의해, 한층 탄성률이 낮은 경화체를 제공할 수 있고, 충격 흡수성 및 내충격성이 한층 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.It is also preferable that the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention contains polyhydric alcohol further. Thereby, the hardening body with a still lower elastic modulus can be provided, and the optical semiconductor sealing material which was further excellent in shock absorption and impact resistance is obtained.

다가 알코올은 2개 이상의 히드록실기를 갖는 화합물이면 되지만, 디올(글리콜)인 것이 바람직하다.The polyhydric alcohol may be a compound having two or more hydroxyl groups, but is preferably a diol (glycol).

상기 다가 알코올로서는, 상술한 각 관계식을 만족하는 수지 성형물을 용이하게 얻을 수 있는 점에서, 비방향족환을 갖는 다가 알코올이 바람직하다. 상기 다가 알코올은 지환식 다가 알코올이면 된다. 상기 다가 알코올의 탄소수는 3 이상인 것이 바람직하고, 5 이상인 것이 보다 바람직하고, 6 이상인 것이 더욱 바람직하고, 또한 30 이하인 것이 바람직하고, 20 이하인 것이 보다 바람직하다.As said polyhydric alcohol, the polyhydric alcohol which has a non-aromatic ring is preferable from the point which can obtain easily the resin molding which satisfy|fills each relational expression mentioned above. The polyhydric alcohol may be an alicyclic polyhydric alcohol. It is preferable that carbon number of the said polyhydric alcohol is 3 or more, It is more preferable that it is 5 or more, It is still more preferable that it is 6 or more, It is preferable that it is 30 or less, It is more preferable that it is 20 or less.

상기 비방향족환은 비방향족의 탄소환인 것이 보다 바람직하다. 상기 비방향족환은 불포화 결합을 갖고 있어도 되지만, 불포화 결합을 갖지 않는 것도 바람직하다. 상기 비방향족환은 단환식이어도도 다환식이어도 된다.It is more preferable that the said non-aromatic ring is a non-aromatic carbocyclic ring. Although the said non-aromatic ring may have an unsaturated bond, it is also preferable not to have an unsaturated bond. The said non-aromatic ring may be monocyclic or polycyclic may be sufficient as it.

상기 비방향족환은 가교 구조를 갖는 탄화수소환이어도 된다. 상기 가교 구조를 갖는 탄화수소환으로서는, 가교 구조를 갖는 2환식 또는 3환식의 탄화수소환이 바람직하고, 가교 구조를 갖는 3환식 탄화수소환이 보다 바람직하다.A hydrocarbon ring having a crosslinked structure may be sufficient as the said non-aromatic ring. As the hydrocarbon ring having a crosslinked structure, a bicyclic or tricyclic hydrocarbon ring having a crosslinked structure is preferable, and a tricyclic hydrocarbon ring having a crosslinked structure is more preferable.

상기 비방향족환으로서는, 시클로헥산환이 특히 바람직하다.As said non-aromatic ring, a cyclohexane ring is especially preferable.

상기 다가 알코올로서는, 이하의 것을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 입체 이성체가 존재하는 경우에는, 각 입체 이성체 및 2 이상의 입체 이성체의 혼합물도 예시에 포함되는 것으로 한다.Although the following can be illustrated as said polyhydric alcohol, It is not limited to these. In addition, when stereoisomers exist, each stereoisomer and a mixture of two or more stereoisomers shall be included in an illustration.

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 이외의 다가 알코올을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 탄소수가 바람직하게는 2 내지 10, 보다 바람직하게는 2 내지 6, 더욱 바람직하게는 2 내지 5인 디올을 들 수 있다. 상기 디올로서는, 예를 들어 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 펜탄디올, 부탄디올 등을 들 수 있고, 그 중에서도 네오펜틸글리콜이 바람직하다. 상술한 비방향족환을 갖는 다가 알코올과 병용해도 된다.Polyhydric alcohols other than the above can also be used. For example, Preferably carbon number is 2-10, More preferably, it is 2-6, More preferably, it is 2-5 diol. As said diol, ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, pentanediol, butanediol etc. are mentioned, for example, Among these, neopentyl glycol is preferable. You may use together with the polyhydric alcohol which has the above-mentioned non-aromatic ring.

다가 알코올은 1종을 단독으로 혹은 2종 이상을 함께 사용할 수 있다.Polyhydric alcohol can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

다가 알코올의 배합량은 특별히 한정되지 않지만, 열경화성 수지 100질량부에 대하여 예를 들어 5 내지 200질량부의 범위로부터 선택 할 수 있다.Although the compounding quantity of polyhydric alcohol is not specifically limited, For example, it can select from the range of 5-200 mass parts with respect to 100 mass parts of thermosetting resins.

경화제가 산무수물일 경우에는, 다가 알코올 화합물의 몰수(B)와 산무수물의 몰수(C)의 몰비(B/C)가 0.01 내지 0.70인 것이 바람직하고, 0.05 내지 0.60인 것이 보다 바람직하고, 0.10 내지 0.50인 것이 가장 바람직하다.When the curing agent is an acid anhydride, the molar ratio (B/C) of the number of moles (B) of the polyhydric alcohol compound and the number of moles (C) of the acid anhydride is preferably 0.01 to 0.70, more preferably 0.05 to 0.60, and 0.10 to 0.50 is most preferred.

다가 알코올의 배합량이 너무 적으면, 얻어지는 경화체의 탄성률이 너무 높아지는 경우가 있고, 한편, 다가 알코올의 배합량이 너무 많으면, 얻어지는 경화체의 유리 전이 온도 및 탄성률이 너무 낮아지는 경우가 있다.When there is too little compounding quantity of polyhydric alcohol, the elasticity modulus of the hardening body obtained may become high too much, on the other hand, when there is too much compounding quantity of polyhydric alcohol, the glass transition temperature and elasticity modulus of the hardening body obtained may become low too much.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물이 다가 알코올을 포함하는 경우, 다가 알코올의 일부가 열경화성 수지 및/또는 경화제와 반응하여도 된다.When the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention contains polyhydric alcohol, a part of polyhydric alcohol may react with a thermosetting resin and/or a hardening|curing agent.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 에폭시 수지, 산무수물, 다가 알코올, 에폭시 수지와 산무수물의 반응물, 다가 알코올과 산무수물의 반응물, 및 경화 촉진제를 포함하며, 또한 하기 (i) 내지 (iii) 중 적어도 하나를 만족하는 것이 바람직하다.The resin molding for optical semiconductor sealing of the present invention contains an epoxy resin, an acid anhydride, a polyhydric alcohol, a reaction product of an epoxy resin and an acid anhydride, a reaction product of a polyhydric alcohol and an acid anhydride, and a curing accelerator, and further includes the following (i) to ( It is preferable to satisfy at least one of iii).

(i) 상기 에폭시 수지가, 연속되는 2개 이상의 환 구조(단, 옥시란환을 제외한다.)를 갖는 에폭시 수지이다.(i) The said epoxy resin is an epoxy resin which has two or more continuous ring structures (however, an oxirane ring is excluded.).

(ii) 상기 산무수물이 상기 식 (a)로 나타나는 산무수물 (a)이다.(ii) The acid anhydride is an acid anhydride (a) represented by the formula (a).

(iii) 상기 다가 알코올이 비방향족환을 갖는 다가 알코올이다.(iii) The polyhydric alcohol is a polyhydric alcohol having a non-aromatic ring.

이러한 수지 성형물은, 유리 전이 온도가 높고, 게다가 고온 시에 탄성률이 낮은 경화체를 제공하므로, 내열성, 내온도 사이클성 및 내땜납 리플로우성이 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다. 또한, 내황변성, 온도 변화에 대한 치수 안정성, 충격 흡수성, 내충격성도 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.Such a resin molding provides a cured product having a high glass transition temperature and a low elastic modulus at high temperature, so that an optical semiconductor sealing material excellent in heat resistance, temperature cycle resistance and solder reflow resistance is obtained. Moreover, the optical semiconductor sealing material excellent also in yellowing resistance, dimensional stability with respect to temperature change, shock absorption, and impact resistance is obtained.

일반적으로 유리 전이 온도가 상승하면 탄성률도 상승하는 경향이 있지만, 상기 (i) 내지 (iii) 중 적어도 하나를 만족하도록 함으로써, 유리 전이 온도가 높고, 게다가 유리 전이 온도보다도 고온측에서의 탄성률이 낮은 경화체를 제공하는 수지 성형물이 얻어진다. 그 이유가 명확하지는 않지만, 에폭시 수지와 산무수물의 반응물, 또는 다가 알코올과 산무수물의 반응물에 있어서, 에폭시 수지, 산무수물 또는 다가 알코올이 갖는 환 구조에서 유래하는 측쇄간의 입체 반발이 크기 때문에, 상기 반응물의 주쇄의 강직성의 증대에 의해 유리 전이 온도가 상승함과 함께, 상기 반응물의 자유 체적의 증대에 의해 탄성률이 저하되는 것으로 추측된다.Generally, when the glass transition temperature increases, the elastic modulus also tends to increase, but by satisfying at least one of (i) to (iii) above, a cured product having a high glass transition temperature and a lower elastic modulus on the high temperature side than the glass transition temperature The provided resin molding is obtained. Although the reason is not clear, in a reaction product of an epoxy resin and an acid anhydride, or a reaction product of a polyhydric alcohol and an acid anhydride, since the steric repulsion between the side chains derived from the ring structure of the epoxy resin, the acid anhydride or the polyhydric alcohol is large, It is estimated that the glass transition temperature rises due to an increase in the rigidity of the main chain of the reactant, and the elastic modulus decreases due to an increase in the free volume of the reactant.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 하기 식 (I)로 나타나는 구조 단위 (I)을 갖는 화합물, 하기 식 (II)로 나타나는 구조 단위 (II)를 갖는 화합물, 및 하기 식 (III)으로 나타나는 구조 단위 (III)을 갖는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.The resin molding for optical semiconductor encapsulation of the present invention is a compound having a structural unit (I) represented by the following formula (I), a compound having a structural unit (II) represented by the following formula (II), and a following formula (III) It is preferable to include at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of a compound which has the structural unit (III) shown.

식 (I):Formula (I):

Figure pat00011
Figure pat00011

(식 중, A1은 2개 이상의 환 구조를 포함하는 유기기를 나타낸다. R1a는 에폭시 수지의 잔기를 포함하는 부위를 나타낸다. R1b는 수소 원자, 또는 R1a와 결합하는 결합손을 나타낸다.)(Wherein, A 1 represents an organic group containing two or more ring structures. R 1a represents a moiety containing a residue of an epoxy resin. R 1b represents a hydrogen atom or a bond bonded to R 1a. )

식 (II):Formula (II):

Figure pat00012
Figure pat00012

(식 중, A2는 유기기를 나타낸다. R2a는 연속되는 2개 이상의 환 구조(단, 옥시란환을 제외한다.)를 갖는 에폭시 수지의 잔기를 포함하는 부위를 나타낸다. R2b는 수소 원자, 또는 R2a와 결합하는 결합손을 나타낸다.)(Wherein, A 2 represents an organic group. R 2a represents a moiety containing a residue of an epoxy resin having two or more continuous ring structures (however, oxirane rings are excluded). R 2b is a hydrogen atom , or R 2a and represents a bond.)

식 (III):Formula (III):

Figure pat00013
Figure pat00013

(식 중, A3은 유기기를 나타낸다. R3a는 비방향족환을 갖는 유기기를 나타낸다.)(In the formula, A 3 represents an organic group. R 3a represents an organic group having a non-aromatic ring.)

이러한 화합물을 포함하는 수지 성형물은, 유리 전이 온도가 높고, 게다가 고온 시에 탄성률이 낮은 경화체를 제공하므로, 내열성, 내온도 사이클성 및 내땜납 리플로우성이 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다. 또한, 내황변성, 온도 변화에 대한 치수 안정성, 충격 흡수성, 내충격성도 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.A resin molding containing such a compound provides a cured product having a high glass transition temperature and a low elastic modulus at high temperature, so that an optical semiconductor encapsulant excellent in heat resistance, temperature cycle resistance and solder reflow resistance can be obtained. Moreover, the optical semiconductor sealing material excellent also in yellowing resistance, dimensional stability with respect to temperature change, shock absorption, and impact resistance is obtained.

구조 단위 (I)을 갖는 화합물은, 에폭시 수지와 상술한 산무수물 (a)의 반응물이면 된다. 구조 단위 (I)을 형성하기 위한 에폭시 수지는, 상술한 연속되는 2개 이상의 환 구조(단, 옥시란환을 제외한다.)를 갖는 에폭시 수지여도 되지만, 그 이외의 에폭시 수지여도 된다.The compound having the structural unit (I) may be a reaction product of the epoxy resin and the acid anhydride (a) described above. The epoxy resin for forming the structural unit (I) may be an epoxy resin having two or more continuous ring structures (however, except for an oxirane ring) described above, or may be an epoxy resin other than that.

식 (I) 중, A1은 2개 이상의 환 구조를 포함하는 유기기를 나타낸다. 식 (I)에 있어서의 A1은 상술한 식 (a)에 있어서의 A1과 마찬가지이다.In formula (I), A 1 represents the organic group containing two or more ring structures. A 1 in the formula (I) are the same as A 1 in the above-described formula (a).

식 (I) 중, R1a는 에폭시 수지의 잔기를 포함하는 부위를 나타낸다. 본 명세서에 있어서, 에폭시 수지의 잔기는 에폭시 수지로부터 적어도 하나의 에폭시기(옥시란환)를 제외한 구조이다.In formula (I), R 1a represents the site|part containing the residue of an epoxy resin. In the present specification, the residue of the epoxy resin is a structure in which at least one epoxy group (oxirane ring) is removed from the epoxy resin.

R1a는 또한 미반응된 에폭시기를 하나 이상 포함하여도 되고, 에폭시기가 다른 화합물(경화제, 경화 촉진제, 기타 첨가제 등)과 반응한 구조를 포함하여도 된다.R 1a may also include one or more unreacted epoxy groups, and may include a structure in which an epoxy group reacts with another compound (curing agent, curing accelerator, other additive, etc.).

식 (I) 중, R1b는 수소 원자, 또는 R1a와 결합하는 결합손을 나타낸다. R1b가 결합손인 경우, R1a와 결합하여 환을 형성한다.In formula (I), R 1b represents a hydrogen atom or a bond bonded to R 1a . When R 1b is a bond, it bonds with R 1a to form a ring.

구조 단위 (I)을 갖는 화합물에 있어서, 인접하는 A1 사이의 주쇄 중의 원자수가 6 내지 17인 것이 바람직하다. 상기 원자수는 13 이하인 것이 보다 바람직하고, 9 이하인 것이 더욱 바람직하다. 상기 원자수는 또한 10 이상이어도 되고, 14 이상이어도 된다.In the compound having the structural unit (I), the number of atoms in the main chain between adjacent A 1 is preferably 6 to 17. The number of atoms is more preferably 13 or less, and still more preferably 9 or less. 10 or more may be sufficient as the said atom number further, and 14 or more may be sufficient as it.

상기 인접하는 A1 사이의 주쇄 중의 원자수란, 하나의 A1로부터 가장 가까운 다른 A1까지, 결합에 따른 최단 경로 상에 존재하는 원자수이다. 상기 주쇄 중의 원자에는, A1을 구성하는 원자, 카르보닐기의 산소 원자, R1a 및 R1b를 구성하는 원자는 포함하지 않는 것으로 한다.The number of atoms in the main chain between the adjacent A 1 is the number of atoms present on the shortest path along the bond from one A 1 to the nearest other A 1 . An atom constituting A 1 , an oxygen atom of a carbonyl group, and atoms constituting R 1a and R 1b are not included in the atoms in the main chain.

인접하는 A1 사이의 주쇄 중의 원자수가 상기 범위 내에 있음으로써, 상기 화합물의 주쇄의 강직성 및 자유 체적이 한층 증대되기 때문에, 유리 전이 온도가 한층 높고, 게다가 고온 시에 한층 탄성률이 낮은 경화체를 제공할 수 있고, 내열성, 내온도 사이클성, 내땜납 리플로우성, 내황변성, 온도 변화에 대한 치수 안정성, 충격 흡수성 및 내충격성이 한층 우수한 광반도체 밀봉재가 얻어진다.When the number of atoms in the main chain between adjacent A 1 is within the above range, the rigidity and free volume of the main chain of the compound are further increased, so that a cured product having a higher glass transition temperature and a lower elastic modulus at high temperature can be provided. An optical semiconductor encapsulant having further excellent heat resistance, temperature cycle resistance, solder reflow resistance, yellowing resistance, dimensional stability against temperature change, shock absorption and impact resistance is obtained.

구조 단위 (II)를 갖는 화합물은, 상술한 연속되는 2개 이상의 환 구조(단, 옥시란환을 제외한다.)를 갖는 에폭시 수지와, 산무수물의 반응물이면 된다. 구조 단위 (II)를 형성하기 위한 산무수물은, 상술한 산무수물 (a)여도 되지만, 그 이외의 산무수물이어도 된다.The compound having the structural unit (II) may be a reaction product of an epoxy resin having two or more continuous ring structures (however, oxirane ring is excluded) as described above and an acid anhydride. The acid anhydride for forming the structural unit (II) may be the acid anhydride (a) described above, but may be an acid anhydride other than that.

식 (II) 중, A2는 유기기를 나타낸다. 상기 유기기는 2가의 유기기이다.In the formula (II), A 2 represents an organic group. The organic group is a divalent organic group.

상기 유기기의 탄소수는 2 이상인 것이 바람직하고, 6 이상인 것이 보다 바람직하고, 또한 20 이하인 것이 바람직하고, 15 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 이하인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that carbon number of the said organic group is 2 or more, It is more preferable that it is 6 or more, It is preferable that it is 20 or less, It is more preferable that it is 15 or less, It is still more preferable that it is 10 or less.

상기 유기기로서는, 탄화수소기가 바람직하고, 산소 원자 등의 헤테로 원자나, 이중 결합 등의 불포화 결합을 포함하여도 된다.As said organic group, a hydrocarbon group is preferable, and hetero atoms, such as an oxygen atom, and unsaturated bonds, such as a double bond, may be included.

상기 유기기는 환 구조를 갖고 있어도 되고, 환 구조를 갖는 것이 바람직하다.The said organic group may have a ring structure, and it is preferable to have a ring structure.

식 (II) 중, R2a는 연속되는 2개 이상의 환 구조(단, 옥시란환을 제외한다.)를 갖는 에폭시 수지의 잔기를 포함하는 부위를 나타낸다. 연속되는 2개 이상의 환 구조(단, 옥시란환을 제외한다.)를 갖는 에폭시 수지에 대하여는, 전술한 바와 같다.In formula (II), R 2a represents a moiety containing a residue of an epoxy resin having two or more continuous ring structures (however, oxirane rings are excluded.). About the epoxy resin which has two or more continuous ring structures (however, an oxirane ring is excluded.), it is as above-mentioned.

R2a는 또한 미반응된 에폭시기를 하나 이상 포함하여도 되고, 에폭시기가 다른 화합물(경화제, 경화 촉진제, 기타 첨가제 등)과 반응한 구조를 포함하여도 된다.R 2a may also include one or more unreacted epoxy groups, and may include a structure in which an epoxy group reacts with another compound (curing agent, curing accelerator, other additive, etc.).

식 (II) 중, R2b는 수소 원자, 또는 R2a와 결합하는 결합손을 나타낸다. R2b가 결합손인 경우, R2a와 결합하여 환을 형성한다. R2b는 R2a와 결합하는 결합손인 것이 바람직하다.In formula (II), R 2b represents a hydrogen atom or a bond bonded to R 2a . When R 2b is a bond, it bonds with R 2a to form a ring. R 2b is preferably a bond bonded to R 2a.

구조 단위 (III)을 갖는 화합물은, 비방향족환을 갖는 다가 알코올과, 산무수물의 반응물이면 된다. 구조 단위 (III)을 형성하기 위한 산무수물은, 상술한 산무수물 (a)여도 되지만, 그 이외의 산무수물이어도 된다.The compound having the structural unit (III) may be a reaction product of a polyhydric alcohol having a non-aromatic ring and an acid anhydride. The acid anhydride for forming the structural unit (III) may be the acid anhydride (a) described above, or may be an acid anhydride other than that.

식 (III) 중, A3은 유기기를 나타낸다. A3으로서의 유기기로서는, 상술한 A2로서의 유기기와 마찬가지의 것을 들 수 있다.In formula (III), A 3 represents an organic group. Examples of the organic group as A 3, may be mentioned the same organic groups as the above-mentioned A 2.

식 (III) 중, R3a는 비방향족환을 갖는 유기기를 나타낸다. 상기 유기기는 2가의 유기기이다. 상기 유기기의 탄소수는 3 이상인 것이 바람직하고, 5 이상인 것이 보다 바람직하고, 6 이상인 것이 더욱 바람직하고, 또한 30 이하인 것이 바람직하고, 20 이하인 것이 보다 바람직하다.In formula (III), R 3a represents an organic group having a non-aromatic ring. The organic group is a divalent organic group. It is preferable that carbon number of the said organic group is 3 or more, It is more preferable that it is 5 or more, It is still more preferable that it is 6 or more, It is preferable that it is 30 or less, It is more preferable that it is 20 or less.

상기 유기기로서는, 탄화수소기가 바람직하고, 산소 원자 등의 헤테로 원자나, 이중 결합 등의 불포화 결합을 포함하여도 된다.As said organic group, a hydrocarbon group is preferable, and hetero atoms, such as an oxygen atom, and unsaturated bonds, such as a double bond, may be included.

상기 유기기가 갖는 비방향족환으로서는, 상술한 비방향족환을 갖는 다가 알코올에 있어서의 비방향족환과 마찬가지의 것을 들 수 있다.As a non-aromatic ring which the said organic group has, the thing similar to the non-aromatic ring in the polyhydric alcohol which has a non-aromatic ring mentioned above is mentioned.

R3a는 상술한 비방향족환을 갖는 다가 알코올로부터 2개의 수산기를 제외한 기이면 된다.R 3a may be a group obtained by removing two hydroxyl groups from the polyhydric alcohol having a non-aromatic ring described above.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물이 구조 단위 (III)을 갖는 화합물을 포함하는 경우에는, 또한 하기 식 (IV)로 나타나는 구조 단위 (IV)를 갖는 화합물도 포함하는 것이 바람직하다.When the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention contains the compound which has a structural unit (III), it is preferable to also include the compound which has a structural unit (IV) represented by following formula (IV).

식 (IV):Formula (IV):

Figure pat00014
Figure pat00014

(식 중, A3은 상기한 바와 같다. R4a는 에폭시 수지의 잔기를 포함하는 부위를 나타낸다. R4b는 수소 원자, 또는 R4a와 결합하는 결합손을 나타낸다.)(Wherein, A 3 is as described above. R 4a represents a moiety containing a residue of an epoxy resin. R 4b represents a hydrogen atom or a bond bonding to R 4a.)

구조 단위 (IV)를 갖는 화합물은, 에폭시 수지와 산무수물의 반응물이면 된다. 구조 단위 (IV)를 형성하기 위한 에폭시 수지는, 상술한 연속되는 2개 이상의 환 구조(단, 옥시란환을 제외한다.)를 갖는 에폭시 수지여도 되지만, 그 이외의 에폭시 수지여도 된다. 또한, 구조 단위 (IV)를 형성하기 위한 산무수물은, 상술한 산무수물 (a)여도 되지만, 그 이외의 산무수물이어도 된다.The compound having the structural unit (IV) may be a reaction product of an epoxy resin and an acid anhydride. The epoxy resin for forming the structural unit (IV) may be an epoxy resin having two or more continuous ring structures (however, except for an oxirane ring) described above, or may be an epoxy resin other than that. In addition, although the acid anhydride (a) mentioned above may be sufficient as the acid anhydride for forming structural unit (IV), other acid anhydrides may be sufficient as it.

식 (IV) 중, R4a는 에폭시 수지의 잔기를 포함하는 부위를 나타낸다. R4a는 또한 미반응된 에폭시기를 하나 이상 포함하여도 되고, 에폭시기가 다른 화합물(경화제, 경화 촉진제, 기타 첨가제 등)과 반응한 구조를 포함하여도 된다.In formula (IV), R 4a represents the site|part containing the residue of an epoxy resin. R 4a may also include one or more unreacted epoxy groups, and may include a structure in which an epoxy group reacts with another compound (curing agent, curing accelerator, other additive, etc.).

식 (IV) 중, R4b는 수소 원자, 또는 R4a와 결합하는 결합손을 나타낸다. R4b가 결합손인 경우, R4a와 결합하여 환을 형성한다.In formula (IV), R 4b represents a hydrogen atom or a bond bonded to R 4a . When R 4b is a bond, it bonds with R 4a to form a ring.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물에는, 상기 각 성분 이외에도 필요에 따라서 착색 방지제, 활택제, 변성제, 열화 방지제, 이형제, 광을 파장 변화시키는 형광체나 확산시키는 무기·유기 필러 등의 첨가제가 사용된다. 또한, 실리카 분말 등의 충전제는 광의 투과를 손상시키지 않는 정도라면 배합할 수 있다.In the resin molded article for optical semiconductor encapsulation of the present invention, in addition to each of the above components, if necessary, additives such as a color inhibitor, a lubricant, a modifier, a deterioration inhibitor, a mold release agent, a phosphor for changing the wavelength of light, and an inorganic/organic filler for diffusing are used. . In addition, fillers, such as a silica powder, can be mix|blended as long as it is the grade which does not impair the transmission of light.

착색 방지제로서는, 페놀계 화합물, 아민계 화합물, 유기 황계 화합물, 포스핀계 화합물 등을 들 수 있다.As a coloring inhibitor, a phenol type compound, an amine type compound, an organic sulfur type compound, a phosphine type compound, etc. are mentioned.

활택제로서는, 스테아르산, 스테아르산마그네슘, 스테아르산칼슘 등의 왁스나 탈크 등을 들 수 있다. 또한, 상기 활택제를 배합하는 경우, 그 배합량은 성형 조건에 따라서 적절히 설정되지만, 예를 들어 수지 성형물 전체의 0.1 내지 0.4질량%로 설정하는 것이 적합하다.Examples of the lubricant include waxes and talc such as stearic acid, magnesium stearate, and calcium stearate. In addition, when mix|blending the said lubricant, although the compounding quantity is suitably set according to molding conditions, it is suitable to set to 0.1-0.4 mass % of the whole resin molding, for example.

광을 파장 변화시키는 형광체나 확산시키는 무기·유기 필러로서는, 석영 유리 분말, 탈크, 용융 실리카 분말 및 결정성 실리카 분말 등의 실리카 분말, 알루미나, 질화규소, 질화알루미늄, 탄화규소 등을 들 수 있다. 또한, 형광체나 무기·유기 필러를 배합하는 경우, 그 배합량은 성형 조건에 따라서 적절히 설정된다. 구체적으로는 형광체의 경우, 형광체의 배합량은 수지 성형물 전체의 1질량% 내지 60질량%의 범위로부터 적절히 설정할 수 있다. 한편, 광을 확산시키는 필러(유기·무기)의 경우, 광을 확산시키는 필러의 배합량은 수지 성형물 전체의 0.5질량% 내지 25질량%로부터 적절히 설정할 수 있다.Examples of the phosphor for changing the wavelength of light and inorganic/organic fillers for diffusing light include silica powder such as quartz glass powder, talc, fused silica powder and crystalline silica powder, alumina, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, and the like. In addition, when mix|blending a fluorescent substance or an inorganic/organic filler, the compounding quantity is set suitably according to molding conditions. Specifically, in the case of a fluorescent substance, the compounding quantity of a fluorescent substance can be suitably set from the range of 1 mass % - 60 mass % of the whole resin molding. On the other hand, in the case of the filler (organic/inorganic) which diffuses light, the compounding quantity of the filler which diffuses light can be set suitably from 0.5 mass % - 25 mass % of the whole resin molding.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 수광 소자 등의 광반도체 소자의 수지 밀봉에 사용되기 때문에, 광학적 관점에서 투명한 것이 바람직하다. 여기서, 「투명」이란, 상기 성형물의 경화체의, 400nm에 있어서의 투과율이 90% 이상인 것을 말한다. 또한, 전술한 광을 파장 변화시키는 형광체나 확산시키는 무기·유기 필러 등의 첨가물을 함유하는 경우의 투과율은, 첨가물을 제외한 수지부의 투과율을 의미한다.Since the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention is used for resin sealing of optical semiconductor elements, such as a light receiving element, a transparent thing is preferable from an optical viewpoint. Here, "transparency" means that the transmittance|permeability in 400 nm of the hardened|cured material of the said molded object is 90 % or more. In addition, the transmittance|permeability in the case of containing additives, such as a fluorescent substance which changes the wavelength of light and an inorganic/organic filler which diffuses the above-mentioned, means the transmittance|permeability of the resin part excluding an additive.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 예를 들어The resin molding for optical semiconductor sealing of this invention is, for example,

열경화성 수지, 경화제 및 경화 촉진제, 필요에 따라서 다가 알코올을 혼련하여, 경화성 수지 조성물을 얻는 공정과,A step of kneading a thermosetting resin, a curing agent and a curing accelerator and, if necessary, a polyhydric alcohol to obtain a curable resin composition;

해당 경화성 수지 조성물을 열처리하는 공정과,A step of heat-treating the curable resin composition;

해당 경화성 수지 조성물을 조립하여, 입상 경화성 수지 조성물을 얻는 공정과,A step of granulating the curable resin composition to obtain a granular curable resin composition;

해당 입상 경화성 수지 조성물을 성형하는 공정The step of molding the granular curable resin composition

을 포함하는 제조 방법에 의해, 적합하게 제조할 수 있다.It can manufacture suitably by the manufacturing method containing

혼련하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 압출기를 사용하는 방법 등을 들 수 있다. 혼련 온도도 특별히 한정되지 않고, 열경화성 수지의 특성에 의해 적절히 변경할 수 있다.Although the method of kneading is not specifically limited, For example, the method of using an extruder, etc. are mentioned. The kneading temperature is not particularly limited, either, and can be appropriately changed depending on the properties of the thermosetting resin.

혼련하여 얻어진 경화성 수지 조성물의 형상은 특별히 한정되지 않고, 필름상, 시트상, 입상, 괴상 등을 들 수 있다.The shape of the curable resin composition obtained by kneading|mixing is not specifically limited, A film form, a sheet form, a granular form, a block form, etc. are mentioned.

혼련하여 얻어진 경화성 수지 조성물은, 열처리하여 B 스테이지상(반경화상)의 광반도체 밀봉용 수지 조성물을 얻는다. 열처리 온도 및 열처리 시간은 특별히 한정되지 않고, 열경화성 수지의 특성에 의해 적절히 변경할 수 있다.The curable resin composition obtained by kneading|mixing heat-processes and obtains the resin composition for optical semiconductor sealing of B-stage shape (semi-hardened image). The heat treatment temperature and heat treatment time are not particularly limited, and can be appropriately changed depending on the properties of the thermosetting resin.

열처리한 수지 조성물은 조립하여 입상 경화성 수지 조성물을 얻는다. 조립 전에, 볼 밀, 터보 밀 등을 사용하여 분쇄할 수도 있다. 조립 방법은 특별히 한정되지 않지만, 건식 압축 조립기를 사용하는 방법 등을 들 수 있다. 조립하여 얻어진 입상물의 평균 입경은 특별히 한정되지 않지만, 1 내지 5000㎛가 바람직하고, 100 내지 2000㎛가 보다 바람직하다. 5000㎛를 초과하면, 압축률이 저하되는 경향이 있다.The heat-treated resin composition is granulated to obtain a granular curable resin composition. Prior to granulation, it may be pulverized using a ball mill, turbo mill, or the like. Although the granulation method is not specifically limited, The method of using a dry compression granulator, etc. are mentioned. Although the average particle diameter of the granular material obtained by granulation is not specifically limited, 1-5000 micrometers is preferable, and 100-2000 micrometers is more preferable. When it exceeds 5000 micrometers, there exists a tendency for a compression rate to fall.

얻어진 입상 경화성 수지 조성물은 성형하여 성형물을 얻는다. 성형물로서는 태블릿이나 시트를 들 수 있고, 성형 방법으로서는 태블릿을 얻는 타정 성형이나, 시트를 얻는 압출 성형 등을 들 수 있다. 얻어진 성형물은 전술한 바와 같이, 특정한 관계식을 만족하기 때문에, 유리 전이 온도가 높고, 게다가 탄성률이 낮은 경화체를 제공할 수 있고, 내열성, 내온도 사이클성 및 내땜납 리플로우성이 우수한 광반도체 밀봉재를 제공할 수 있다.The obtained granular curable resin composition is shape|molded, and a molded object is obtained. A tablet and a sheet|seat are mentioned as a molded object, and tablet molding which obtains a tablet, extrusion molding, etc. which obtain a sheet are mentioned as a shaping|molding method. As described above, since the obtained molded article satisfies the specific relational expression, a cured product having a high glass transition temperature and a low elastic modulus can be provided, and an optical semiconductor sealing material excellent in heat resistance, temperature cycle resistance and solder reflow resistance. can provide

성형물이 태블릿인 경우, 태블릿을 타정 성형할 때의 조건은, 입상 경화성 수지 조성물의 조성이나 평균 입경, 입도 분포 등에 따라서 적절히 조정되지만, 일반적으로 그 타정 성형 시의 압축률은, 90 내지 96%로 설정하는 것이 적합하다. 즉, 압축률의 값이 90%보다 작으면, 태블릿의 밀도가 낮아져서 갈라지기 쉬워질 우려가 있고, 반대로, 압축률의 값이 96%보다 크면, 타정 시에 크랙이 발생하여 이형 시에 절결이나 꺾임이 발생할 우려가 있기 때문이다.When the molded product is a tablet, the conditions for tableting the tablet are appropriately adjusted according to the composition of the granular curable resin composition, average particle diameter, particle size distribution, etc., but generally the compression ratio at the time of tablet molding is set to 90 to 96%. it is appropriate to That is, when the value of the compression ratio is less than 90%, the density of the tablet is low and there is a risk of cracking easily. Conversely, when the value of the compression ratio is greater than 96%, cracks occur during tableting, and notch or bend at the time of release. because there is a risk of it happening.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 트랜스퍼 몰드 성형 등의 성형 방법에 의해 광반도체 소자를 밀봉할 수 있다. 본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물을 성형하여 얻어지는 광반도체 밀봉재도, 본 발명의 하나이다. 본 발명의 광반도체 밀봉재는 본 발명의 수지 성형물로부터 얻어지므로, 내열성, 내온도 사이클성 및 내땜납 리플로우성이 우수하다. 또한, 내황변성, 온도 변화에 대한 치수 안정성, 충격 흡수성, 내충격성도 우수하다. 따라서, 고온이 되는 환경 하에서의 사용이나, 땜납 리플로우 공정에 의해서도 크랙이나 박리가 적어, 밀봉되는 광반도체 소자에의 대미지를 저감시킬 수 있다.The resin molding for optical semiconductor sealing of this invention can seal an optical semiconductor element by molding methods, such as transfer mold molding. The optical semiconductor sealing material obtained by shape|molding the resin molding for optical semiconductor sealing of this invention is also one of this invention. Since the optical semiconductor sealing material of this invention is obtained from the resin molding of this invention, it is excellent in heat resistance, temperature cycling resistance, and solder reflow resistance. In addition, it is excellent in yellowing resistance, dimensional stability against temperature change, shock absorption, and impact resistance. Therefore, there are few cracks and peeling also by use in the environment used as high temperature, and a solder reflow process, and the damage to the optical semiconductor element sealed can be reduced.

본 명세서에 있어서 광반도체 밀봉재는, 광반도체 장치를 구성하는 광반도체 소자를 덮도록 형성되어, 당해 소자를 밀봉하는 부재이다.In this specification, an optical-semiconductor sealing material is a member which forms so that the optical-semiconductor element which comprises an optical-semiconductor device may be covered, and seals the said element.

광반도체 소자와, 당해 광반도체 소자를 밀봉하는 본 발명의 광반도체 밀봉재를 구비하는 광반도체 장치도, 본 발명의 하나이다. 본 발명의 광반도체 장치는 본 발명의 광반도체 밀봉재를 구비하므로, 고온이 되는 환경 하에서 작동시킨 경우에도, 밀봉재의 크랙이나 박리가 적어, 광반도체 소자에의 대미지가 적다.An optical-semiconductor device provided with an optical-semiconductor element and the optical-semiconductor sealing material of this invention which seals the said optical-semiconductor element is also one of this invention. Since the optical-semiconductor device of this invention is equipped with the optical-semiconductor sealing material of this invention, even when it operates in the environment used as high temperature, there are few cracks and peeling of a sealing material, and there is little damage to an optical-semiconductor element.

본 발명의 광반도체 밀봉용 수지 성형물은, 고온이 되는 환경 하에서 사용되는 경우가 많고, 또한 땜납 리플로우 공정에 제공되는 경우가 많은 차량 탑재용 광반도체의 밀봉에 특히 적합하게 사용할 수 있다.The resin molding for optical semiconductor sealing of this invention can be used especially suitably for the sealing of vehicle-mounted optical semiconductors in many cases used in the environment used as high temperature, and is provided to a solder reflow process in many cases.

실시예Example

다음에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예만으로 한정되는 것은 아니다.Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples only.

사용한 재료를 이하에 나타낸다.The materials used are shown below.

에폭시 수지 A: 트리글리시딜이소시아누레이트(닛산 가가꾸사제 TEPIC-S, 에폭시 당량 100)Epoxy resin A: triglycidyl isocyanurate (TEPIC-S manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 100)

에폭시 수지 B: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시 케미컬사제 JER-1002W, 에폭시 당량 650)Epoxy resin B: Bisphenol A type epoxy resin (JER-1002W manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 650)

에폭시 수지 C: 하기 식으로 나타나는 에폭시 수지(JXTG사제 DE-102, 에폭시 당량 111)Epoxy resin C: Epoxy resin represented by the following formula (DE-102 manufactured by JXTG, epoxy equivalent 111)

Figure pat00015
Figure pat00015

에폭시 수지 D: 하기 식으로 나타나는 에폭시 수지(JXTG사제 DE-103, 에폭시 당량 174)Epoxy resin D: Epoxy resin represented by the following formula (DE-103 manufactured by JXTG, epoxy equivalent 174)

Figure pat00016
Figure pat00016

산무수물 A: 하기 식으로 나타나는 비시클로[2.2.1]헵탄-2,3-디카르복실산무수물과 5-메틸비시클로[2.2.1]헵탄-2,3-디카르복실산무수물의 혼합물(신니혼 리카사제 리카시드 HNA-100, 산무수물 당량 179)Acid anhydride A: A mixture of bicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dicarboxylic acid anhydride and 5-methylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dicarboxylic acid anhydride represented by the following formula (Ricaside HNA-100 manufactured by New Japan Rica Co., Ltd., acid anhydride equivalent weight 179)

Figure pat00017
Figure pat00017

Figure pat00018
Figure pat00018

산무수물 B: 하기 식으로 나타나는 cis-5-노르보르넨-exo-2,3-디카르복실산무수물Acid anhydride B: cis-5-norbornene-exo-2,3-dicarboxylic acid anhydride represented by the following formula

Figure pat00019
Figure pat00019

산무수물 C: 헥사히드로프탈산무수물(신니혼 리카사제 리카시드 HH)Acid anhydride C: Hexahydrophthalic anhydride (Ricaside HH manufactured by New Japan Rica Corporation)

디올 첨가제 A: 네오펜틸글리콜(미쯔비시 가스 가가꾸사제)Diol additive A: neopentyl glycol (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical)

디올 첨가제 B: 수소화비스페놀 A(신니혼 리카사제 리카비놀 HB)Diol additive B: Hydrogenated bisphenol A (Licarbinol HB manufactured by New Japan Rica Co., Ltd.)

경화 촉진제: 2-에틸-4-메틸이미다졸Cure accelerator: 2-ethyl-4-methylimidazole

실시예 1 내지 16 및 비교예 1 내지 2Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 2

표 1 및 2에 나타내는 각 성분을 동 표에 나타내는 비율로 50 내지 140℃에서 용융 혼합 후, 냉각시켜, 에폭시 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 에폭시 수지 조성물을 40 내지 80℃에서 반응도 조정을 행하고, 분쇄하여 타정 성형함으로써, 광반도체 밀봉용 수지 태블릿을 제작하였다.Each component shown in Tables 1 and 2 was cooled after melt-mixing at 50-140 degreeC in the ratio shown in the same table, and the epoxy resin composition was obtained. The resin tablet for optical semiconductor sealing was produced by performing reactivity adjustment at 40-80 degreeC, grinding|pulverizing and tablet-molding the obtained epoxy resin composition at 40-80 degreeC.

각 실시예 및 비교예에서 제작한 태블릿을 사용하여, 각종 물성을 이하에 나타내는 방법으로 측정함과 함께, 내땜납 리플로우성 및 열시 경도를 평가하였다. 결과를 표 1 및 2에 나타낸다.Using the tablets produced in each Example and Comparative Example, various physical properties were measured by the method shown below, and solder reflow resistance and heat hardness were evaluated. The results are shown in Tables 1 and 2.

<시험편(경화체)의 제작><Production of test piece (hardening body)>

상기와 같이 하여 제작한 태블릿을 사용하여, 전용 금형에서 성형함(경화 조건: 150℃×4분간 가열)으로써, 측정 방법에 따른 크기의 시험편용 경화물을 제작하였다. 이것을, 150℃에서 3시간 가열함으로써 완전히 경화를 종료시키고, 시험편을 얻었다.Using the tablet produced as described above, by molding in a dedicated mold (curing conditions: 150 ° C. x 4 minutes heating), a cured product for a test piece having a size according to the measurement method was produced. By heating this at 150 degreeC for 3 hours, hardening was complete|finished completely, and the test piece was obtained.

<저장 탄성률 E'><Storage modulus E'>

상기에서 제작한 시험편(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)을 사용하여, RHEOMETRIC SCIENTIFIC사제의 RSA-II에 의해, 인장 모드, 주파수 1Hz, 주사 온도 0 내지 270℃, 승온 속도 10℃/분의 측정 조건에서, 상기 시험편의 저장 탄성률 E'를 얻고, 측정 온도 265℃ 및 100℃에서 상기 경화체의 저장 탄성률을 도출하였다.RSA-II manufactured by RHEOMETRIC SCIENTIFIC using the test piece prepared above (size: width 5 mm x length 35 mm x thickness 1 mm), tensile mode, frequency 1 Hz, scanning temperature 0 to 270 ° C., temperature increase rate 10 ° C./min. Under the measurement conditions of , the storage modulus E' of the test piece was obtained, and the storage modulus of the cured body was derived at the measurement temperatures of 265°C and 100°C.

<유리 전이 온도(Tg)><Glass transition temperature (Tg)>

RHEOMETRIC SCIENTIFIC사제의 RSA-II에 의해, 인장 모드, 주파수 1Hz, 주사 온도 0 내지 270℃, 승온 속도 10℃/분의 측정 조건에서, 상기에서 제작한 시험편(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)의 저장 탄성률 E' 및 손실 탄성률 E''를 얻고, 이들로부터 tanδ(=E''/E')의 곡선을 구하고, tanδ의 피크 톱 온도로서 구하였다.RSA-II manufactured by RHEOMETRIC SCIENTIFIC, under the measurement conditions of a tensile mode, a frequency of 1 Hz, a scanning temperature of 0 to 270°C, and a temperature increase rate of 10°C/min. ), the storage modulus E' and the loss modulus E'' were obtained, and the curve of tan δ (=E''/E') was obtained from these, and was calculated|required as the peak top temperature of tan δ.

<직선 투과율><Linear transmittance>

먼저 석영셀 내를 후지 필름 와코 쥰야쿠사제의 유동 파라핀으로 채우고, 닛본 분꼬우사제의 분광 광도계 V-670을 사용하여, 베이스 라인을 측정하였다. 그 후, 하기 땜납 리플로우 실시 전과 실시 후의 상기에서 제작한 시험편(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)을 석영셀 내의 유동 파라핀에 침지시켜, 각 파장(파장 300nm, 파장 400nm, 파장 450nm)에서의 광투과율을 측정하였다.First, the inside of the quartz cell was filled with liquid paraffin manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., and the baseline was measured using a spectrophotometer V-670 manufactured by Bunko Corporation, Japan. Thereafter, the test pieces prepared above (size: width 50 mm × length 50 mm × thickness 1 mm) before and after performing the following solder reflow were immersed in liquid paraffin in a quartz cell, and each wavelength (wavelength 300 nm, wavelength 400 nm, wavelength 450 nm) The light transmittance was measured.

<땜납 리플로우><Solder Reflow>

상기 시험편을, 리플로우로(톱 피크 265℃×10초)에 3회 통과시켰다.The test piece was passed through a reflow furnace (top peak 265°C x 10 seconds) three times.

<평가 패키지의 제작><Production of evaluation package>

도 1에 도시한 바와 같이, 히라이 세미츠 고교사제의 신뢰성 평가 프레임(Ag)의 단부를 덮도록, 상기에서 제작한 태블릿을 사용하여 크기: 폭 5mm×길이 6mm×두께 2mm로 성형(경화 조건: 150℃×4분간 가열)하였다. 이것을, 150℃에서 3시간 가열함으로써 완전히 경화를 종료시켜, 평가 패키지를 얻었다. 각 실시예·비교예에 대하여 상기 패키지를 20개 제작하였다.As shown in Fig. 1, to cover the end of the reliability evaluation frame (Ag) manufactured by Hirai Semitsu Kogyo Co., Ltd., using the tablet prepared above, it was molded into a size: width 5 mm × length 6 mm × thickness 2 mm (curing conditions: 150°C for 4 minutes). By heating this at 150 degreeC for 3 hours, hardening was complete|finished completely, and the evaluation package was obtained. For each Example and Comparative Example, 20 packages were produced.

<내땜납 리플로우성><Solder reflow resistance>

상기 패키지를, 리플로우로(톱 피크 265℃×10초)에 3회 통과시켰다. 이어서, 패키지를 다이요 붓산사제의 레드 잉크에 침지시켜 10분간 감압하고, 그 후 패키지를 취출하고, 잉크의 침입을 눈으로 보아, 잉크가 침입한 패키지를 박리 불량이라고 판정하였다. 20개의 패키지 중 박리 불량 패키지의 개수를 세고, 이하의 기준으로 내땜납 리플로우성을 평가하였다.The package was passed through a reflow furnace (top peak 265°C x 10 seconds) three times. Next, the package was immersed in red ink manufactured by Taiyo Bussan, and the pressure was reduced for 10 minutes. After that, the package was taken out, and the ink penetration was visually observed to determine the package into which the ink had penetrated as defective in peeling. The number of packages with poor peeling among the 20 packages was counted, and solder reflow resistance was evaluated based on the following criteria.

○: 0 내지 5개○: 0 to 5

×: 6개 이상×: 6 or more

<온도 사이클 시험(TCT)><Temperature Cycle Test (TCT)>

상기 패키지를 고온(130℃) 및 저온(-40℃)에 각각 15분간씩 노출시켰다. 각 온도로의 복귀는 5분 이내에 완료시켰다. 이것을 1 사이클로 하여, 상기 패키지에 대하여 1000 사이클의 온도 사이클 시험을 행하였다. 그 후 패키지를 취출하고, 크랙의 유무를 관찰하여, 20개의 패키지 중 크랙이 발생한 패키지의 개수를 세고, 이하의 기준으로 평가하였다.The package was exposed to high temperature (130° C.) and low temperature (-40° C.) for 15 minutes each. Return to each temperature was completed within 5 minutes. By setting this as 1 cycle, the temperature cycle test of 1000 cycles was performed with respect to the said package. Thereafter, the package was taken out, the presence or absence of cracks was observed, the number of cracked packages among 20 packages was counted, and the following criteria were evaluated.

○ 내지 5개○ to 5

×: 6개 이상×: 6 or more

<열시 경도><Hardness at ten o'clock>

상기에서 제작한 시험편(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 3mm)에 대하여 200℃에서 쇼어 A 경도계로 열시 경도를 측정하고, 이하의 기준으로 평가하였다.With respect to the test piece prepared above (size: width 50mm × length 50mm × thickness 3mm) at 200 ℃ to measure the hardness of the Shore A hardness tester, and evaluated according to the following criteria.

○: 열시 경도 70 미만○: Heat hardness less than 70

×: 열시 경도 70 이상×: heat hardness 70 or more

Figure pat00020
Figure pat00020

Figure pat00021
Figure pat00021

본 발명은, 광반도체 소자의 밀봉에 사용되는 광반도체 밀봉용 수지 성형물, 광반도체 밀봉재 및 광반도체 장치에 관한 것이고, 광반도체 장치의 제조에 이용할 수 있다.This invention relates to the resin molding for optical-semiconductor sealing used for sealing of an optical-semiconductor element, an optical-semiconductor sealing material, and an optical-semiconductor device, It can utilize for manufacture of an optical-semiconductor device.

Claims (11)

하기 관계식 (1)을 만족하는 광반도체 밀봉용 수지 성형물.
0.0005≤E'265℃/E'100℃≤0.0050 (1)
(식 중, E'265℃ 및 E'100℃는 각각 하기 방법으로 얻어진 경화체(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)의 265℃ 및 100℃에서의 저장 탄성률(Pa)을 나타낸다.)
(경화체의 제작 방법)
수지 성형물을 150℃에서 4분간 가열하여 성형하고, 그 후 150℃에서 3시간 가열함으로써 경화체를 얻는다.
A resin molding for optical semiconductor encapsulation that satisfies the following relational expression (1).
0.0005≤E' 265℃ /E' 100℃ ≤0.0050 (1)
(Wherein, E′ 265° C. and E′ 100° C. represent the storage modulus (Pa) at 265° C. and 100° C. of the cured body (size: width 5 mm×length 35 mm×thickness 1 mm) obtained by the following method, respectively.)
(Manufacturing method of hardening body)
A resin molding is heated and molded at 150°C for 4 minutes, and then heated at 150°C for 3 hours to obtain a cured product.
제1항에 있어서, 상기 방법에 의해 경화체(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)로 한 경우의 유리 전이 온도가 130℃ 이상이고, 또한 하기 관계식 (2)를 만족하는 광반도체 밀봉용 수지 성형물.
Y<160000X-14500000 (2)
(식 중, X는 상기 경화체의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Y는 상기 경화체의 265℃에서의 저장 탄성률(Pa)을 나타낸다.)
The resin for optical semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the glass transition temperature is 130° C. or higher when a cured body (size: width 5 mm×length 35 mm×thickness 1 mm) is obtained by the above method, and also satisfies the following relational expression (2) molding.
Y<160000X-1450000 (2)
(Wherein, X represents the glass transition temperature (°C) of the cured body, and Y represents the storage elastic modulus (Pa) at 265°C of the cured body.)
제1항 또는 제2항에 있어서, 하기 관계식 (3) 및 (4)를 만족하는 광반도체 밀봉용 수지 성형물.
Y<6300000(130≤X<150) (3)
Y<160000X-17000000(150≤X≤190) (4)
(각 식 중, X는 상기 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 5mm×길이 35mm×두께 1mm)의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Y는 상기 경화체의 265℃에서의 저장 탄성률(Pa)을 나타낸다.)
The resin molding for optical semiconductor encapsulation according to claim 1 or 2, which satisfies the following relational expressions (3) and (4).
Y<6300000(130≤X<150) (3)
Y<160000X-17000000(150≤X≤190) (4)
(In each formula, X represents the glass transition temperature (°C) of the cured body obtained by the above method (size: width 5 mm×length 35 mm×thickness 1 mm), and Y represents the storage modulus (Pa) of the cured body at 265° C. indicate.)
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 관계식 (5)를 만족하는 광반도체 밀봉용 수지 성형물.
0.70<R450nm<1.00 (5)
(식 중, R450nm는 상기 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)에 265℃에서 땜납 리플로우를 3회 실시한 경우의, 실시 전후의 파장 450nm에서의 직선 투과율의 비(실시 후/실시 전)를 나타낸다.)
The resin molded product for optical semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 3, which satisfies the following relational expression (5).
0.70<R 450nm <1.00 (5)
(wherein, R 450 nm is the ratio of the linear transmittance at a wavelength of 450 nm before and after implementation when solder reflow is performed three times at 265° C. on the cured body obtained by the above method (size: width 50 mm × length 50 mm × thickness 1 mm) (After/before implementation) is indicated.)
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 관계식 (6) 및 (7)을 만족하는 광반도체 밀봉용 수지 성형물.
0.80<R400nm/R450nm<1.00 (6)
0.10<R300nm/R450nm<0.50 (7)
(각 식 중, R300nm, R400nm 및 R450nm는 각각 상기 방법에 의해 얻어진 경화체(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)에 265℃에서 땜납 리플로우를 3회 실시한 경우의, 실시 전후의 파장 300nm, 400nm 및 450nm에서의 직선 투과율의 비(실시 후/실시 전)를 나타낸다.)
The resin molded article for optical semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 4, which satisfies the following relational expressions (6) and (7).
0.80<R 400nm /R 450nm <1.00 (6)
0.10<R 300nm /R 450nm <0.50 (7)
(In each formula, R 300 nm , R 400 nm and R 450 nm are each of the cured body obtained by the above method (size: width 50 mm × length 50 mm × thickness 1 mm) when solder reflow is performed 3 times at 265°C, before and after implementation The ratio of the linear transmittance at wavelengths of 300 nm, 400 nm and 450 nm (after/before implementation) is shown.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법에 의해 경화체(크기: 폭 50mm×길이 50mm×두께 1mm)로 한 경우의, 파장 450nm에서의 직선 투과율이 70% 이상인 광반도체 밀봉용 수지 성형물.The optical semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 5, wherein the linear transmittance at a wavelength of 450 nm is 70% or more when a cured body (size: 50 mm width × 50 mm length × 1 mm thickness) is obtained by the above method. resin molding. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 열경화성 수지, 경화제, 열경화성 수지와 경화제의 반응물, 및 경화 촉진제를 포함하는 광반도체 밀봉용 수지 성형물.The resin molding for optical semiconductor encapsulation in any one of Claims 1-6 containing a thermosetting resin, a hardening|curing agent, the reaction product of a thermosetting resin and a hardening|curing agent, and a hardening accelerator. 제7항에 있어서, 또한 다가 알코올, 및 다가 알코올과 경화제의 반응물을 포함하는 광반도체 밀봉용 수지 성형물.The resin molding for optical semiconductor encapsulation according to claim 7, further comprising a polyhydric alcohol and a reaction product of the polyhydric alcohol and a curing agent. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 식 (I)로 나타나는 구조 단위 (I)을 갖는 화합물, 하기 식 (II)로 나타나는 구조 단위 (II)를 갖는 화합물, 및 하기 식 (III)으로 나타나는 구조 단위 (III)을 갖는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 광반도체 밀봉용 수지 성형물.
식 (I):
Figure pat00022

(식 중, A1은 2개 이상의 환 구조를 포함하는 유기기를 나타낸다. R1a는 에폭시 수지의 잔기를 포함하는 부위를 나타낸다. R1b는 수소 원자, 또는 R1a와 결합하는 결합손을 나타낸다.)
식 (II):
Figure pat00023

(식 중, A2는 유기기를 나타낸다. R2a는 연속되는 2개 이상의 환 구조(단, 옥시란환을 제외한다.)를 갖는 에폭시 수지의 잔기를 포함하는 부위를 나타낸다. R2b는 수소 원자, 또는 R2a와 결합하는 결합손을 나타낸다.)
식 (III):
Figure pat00024

(식 중, A3은 유기기를 나타낸다. R3a는 비방향족환을 갖는 유기기를 나타낸다.)
The compound according to any one of claims 1 to 8, having a structural unit (I) represented by the following formula (I), a compound having a structural unit (II) represented by the following formula (II), and the following formula ( The resin molding for optical semiconductor encapsulation containing at least 1 sort(s) selected from the group which consists of a compound which has a structural unit (III) represented by III).
Formula (I):
Figure pat00022

(Wherein, A 1 represents an organic group containing two or more ring structures. R 1a represents a moiety containing a residue of an epoxy resin. R 1b represents a hydrogen atom or a bond bonded to R 1a. )
Formula (II):
Figure pat00023

(Wherein, A 2 represents an organic group. R 2a represents a moiety containing a residue of an epoxy resin having two or more continuous ring structures (however, oxirane rings are excluded). R 2b is a hydrogen atom , or R 2a and represents a bond.)
Formula (III):
Figure pat00024

(In the formula, A 3 represents an organic group. R 3a represents an organic group having a non-aromatic ring.)
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 광반도체 밀봉용 수지 성형물을 성형하여 얻어지는 광반도체 밀봉재.The optical-semiconductor sealing material obtained by shape|molding the resin molding for optical-semiconductor sealing in any one of Claims 1-9. 광반도체 소자와, 당해 광반도체 소자를 밀봉하는, 제10항에 기재된 광반도체 밀봉재를 구비하는 광반도체 장치.An optical-semiconductor device provided with the optical-semiconductor element and the optical-semiconductor sealing material of Claim 10 which seals the said optical-semiconductor element.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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