KR20210149111A - 오르가노실리콘 화합물을 기반으로 하는 가교성 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 (A) 하기 화학식의 오르가노폴리실록산 (R7O)3-aSiR3 aO(SiR4 2O)nSiR3 a(OR7)3-a
(I), 및 (B) 화학식 (II)의 실록산을 포함하는 오르가노실리콘 화합물을 기반으로 하는 경화성 조성물에 관한 것이며, 여기서 라디칼 및 지수는 청구항 1에 주어진 의미를 갖는다. 본 발명은 또한 이의 제조 방법 및 이의 용도에 관한 것이다.
Description
본 발명은 오르가노실리콘 화합물을 기반으로 하는 가교성 조성물, 이의 제조 방법 및 이의 용도에 관한 것이다.
물 없이 보관할 수 있고, 실온에서 알코올을 제거하면서 경화되어, 물에 노출되면 엘라스토머를 제공하는, 1-성분 실런트 조성물이 이미 알려져 있다. 이들 생성물은 예를 들면 건설 산업에서 대량으로 사용된다. 이들 혼합물은 OH 기와 같은 반응성 치환기 또는 알콕시 기와 같은 가수분해성 기를 갖는 실릴 기에 의해 종결되는 중합체를 기반으로 한다. 이들 실런트는 또한 충전제, 가소제, 가교제, 촉매 및 다양한 첨가제를 포함할 수 있다. 실런트로 사용하기 위해서는, 경화된 성형물의 모듈러스가 낮아야 한다. 예를 들면, DE-A1 102004014216은 메틸트리메톡시실란 또는 메틸트리에톡시실란으로부터 생성된 올리고머성 실록산을 설명하고 있다. 그러나, 그와 함께 생성된 혼합물의 모듈러스를 낮추는 측면에서 효율성이 낮은 것으로 밝혀졌다.
본 발명은
(A) 하기 화학식의 오르가노폴리실록산:
(R7O)3-aSiR3 aO(SiR4 2O)nSiR3 a(OR7)3-a
(I),
여기서,
R4는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
R7은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
R3은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
a는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 0 또는 1, 바람직하게는 1이고,
n은 30 내지 2000의 정수임,
및
(B) 화학식 (II)의 실록산:
여기서,
R은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
R1 은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 2 내지 16 개의 탄소 원자를 갖는 1가의 탄화수소 라디칼, -CH2-NR6R5 라디칼 또는 -CH2NR11 라디칼이고, 여기서 R5는 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소 라디칼이고, R6은 수소원자 또는 라디칼 R5이고, R11은 헤테로원자가 삽입될 수 있는 2가의 탄화수소 라디칼이고,
R2는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
x는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 0 또는 1 내지 9의 정수이고,
z는 1 또는 2이고,
단, 화학식 (II)의 모든 x의 합은 0보다 큼
을 포함하는 오르가노실리콘 화합물을 기반으로 하는 경화성 조성물에 관한 것이다.
라디칼 R 및 R4의 예는, 각각 독립적으로 알킬 라디칼, 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 1-n-부틸, 2-n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, 및 tert-펜틸 라디칼; 헥실 라디칼, 예컨대 n-헥실 라디칼; 헵틸 라디칼, 예컨대 n-헵틸 라디칼; 옥틸 라디칼, 예컨대 n-옥틸 라디칼 및 이소옥틸 라디칼, 예컨대 2,2,4-트리메틸펜틸 라디칼; 노닐 라디칼, 예컨대 n-노닐 라디칼; 데실 라디칼, 예컨대 n-데실 라디칼; 도데실 라디칼, 예컨대 n-도데실 라디칼; 옥타데실 라디칼, 예컨대 n-옥타데실 라디칼; 시클로알킬 라디칼, 예컨대 시클로펜틸, 시클로헥실 및 시클로헵틸 라디칼 및 메틸시클로헥실 라디칼; 알케닐 라디칼, 예컨대 비닐, 1-프로페닐 및 2-프로페닐 라디칼; 아릴 라디칼, 예컨대 페닐, 나프틸, 안트릴 및 페난트릴 라디칼; 알카릴 라디칼, 예컨대 o-, m-, p-톨릴 라디칼; 자일릴 라디칼 및 에틸페닐 라디칼; 및 아랄킬 라디칼, 예컨대 벤질 라디칼 또는 α- 및 β-페닐에틸 라디칼이다.
라디칼 R 및 R4는 각각 독립적으로 바람직하게는 1 내지 18 개의 탄소 원자를 갖는 1가의 탄화수소 라디칼, 특히 바람직하게는 메틸, 비닐 또는 페닐 라디칼, 특히 메틸 라디칼이다.
라디칼 R1의 예는 R, -CH2-NHCH3, -CH2NHCH2CH3, -CH2NH(CH2)2CH3, -CH2NH(CH2)3CH3, -CH2NH-시클로C6H 11 , -CH 2 -N(CH 3 ) 2 , -CH 2 N(CH 2 CH 3 )2, -CH2N((CH2)2CH3)2, -CH2N((CH2)3CH3)2, -CH2-N[CH2-CH2]2O, -CH2-N[CH2-CH2]2NH 및 -CH2-N[CH2-CH2]2CH2이다.
라디칼 R1은 바람직하게는 직쇄형, 분지형 또는 환형일 수 있는, 2 내지 16 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 탄화수소 라디칼, 특히 바람직하게는 직쇄형, 분지형 또는 환형의, 2 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 지방족 포화 탄화수소 라디칼, 특히 2,2,4-트리메틸펜틸 라디칼이다.
라디칼 R2 및 R7의 예는 각각 독립적으로 R에 대해 명시된 1가의 라디칼이다.
라디칼 R2 및 R7은 각각 독립적으로 바람직하게는 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼, 특히 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필 또는 이소프로필 라디칼, 특히 메틸 또는 에틸 라디칼이다.
라디칼 R3의 예는 R에 대해 명시된 1가의 탄화수소 라디칼 및 아미노 기로 치환된 탄화수소 라디칼이다.
라디칼 R3은 바람직하게는 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 1가의 탄화수소 라디칼이고, 아미노 기로 선택적으로 치환되며, 특히 바람직하게는 메틸 라디칼, 에틸 라디칼, 비닐 라디칼, 페닐 라디칼, -CH2-NR6'R5' 라디칼 또는 -CH2NR11' 라디칼이고, 여기서, R5'는 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소 라디칼이고, R6'은 수소 원자 또는 라디칼 R5'이고, R11'은 헤테로원자가 삽입될 수 있는 2가의 탄화수소 라디칼이다.
라디칼 R3은 특히 바람직하게는 -CH2-NR6'R5' 라디칼 또는-CH2NR11' 라디칼이고, 여기서 R5', R6' 및 R11'은 상기 명시된 정의를 가지고, 특히 -CH2-N[(CH2)2]2O, -CH2-N(Bu)2 또는 -CH2-NH(cHex)이고, 여기서 Bu는 n-부틸 라디칼이고, cHex는 시클로헥실 라디칼이다.
라디칼 R5 및 R5'의 예는 각각 독립적으로 R에 대해 명시된 탄화수소 라디칼이다.
라디칼 R5 및 R5'는 각각 독립적으로 바람직하게는 메틸, 에틸, 이소프로필, n-프로필, n-부틸, 시클로헥실 또는 페닐 라디칼이고, 특히 바람직하게는 n-부틸 라디칼이다.
탄화수소 라디칼 R6 및 R6'의 예는 각각 독립적으로 R에 대해 명시된 탄화수소 라디칼이다.
라디칼 R6 및 R6'은 각각 독립적으로 바람직하게는 수소 원자, 메틸, 에틸, 이소프로필, n-프로필, n-부틸 또는 시클로헥실 라디칼이고, 특히 바람직하게는 n-부틸 라디칼이다.
2가의 라디칼 R11 및 R11'의 예는 각각 독립적으로 알킬렌 라디칼, 예컨대 프로판-1,3-디일, 부탄-1,4-디일, 부탄-1,3-디일, 2-메틸프로판-1,3-디일, 펜탄-1,5-디일, 펜탄-1,4-디일, 2-메틸부탄-1,4-디일, 2,2-디메틸프로판-1,3-디일, 헥산-1,6-디일, 헵탄-1,7-디일, 옥탄-1,8-디일 및 2-메틸헵탄-1,7-디일 및 2,2,4-트리메틸펜탄-1,5-디일 라디칼; 알케닐렌 라디칼, 예컨대 프로펜-1,3-디일 라디칼, 및 라디칼 -CH2-CH2-O-CH2-CH2- 및 -CH2-CH2-NH-CH2-CH2-이다.
라디칼 R11 및 R11'은 각각 독립적으로 헤테로 원자, 바람직하게는 산소 -O-, 또는 질소 -NH-가 삽입될 수 있는, 4 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 바람직하게는 2가의 탄화수소 라디칼이고, 특히 바람직하게는 -CH2-CH2-O-CH2-CH2-이다.
본 발명에 따라 사용되는 오르가노폴리실록산 (A)은 바람직하게는
(MeO)2Si(Ox)O(SiMe2O)30-2000Si(Ox)(OMe)2,
(MeO)2Si(DBA)O(SiMe2O)30-2000Si(DBA)(OMe)2,
(MeO)2Si(cHx)O(SiMe2O)30-2000Si(cHx)(OMe)2,
(MeO)2Si(R3)O(SiMe2O)700Si(R3)(OMe)2,
(EtO)2Si(Ox)O(SiMe2O)30-2000Si(Ox)(OEt)2,
(EtO)2Si(DBA)O(SiMe2O)30-2000Si(DBA)(OEt)2,
(EtO)2Si(cHx)O(SiMe2O)30-2000Si(cHx)(OEt)2, 또는
(EtO)2Si(R3)O(SiMe2O)700Si(R3)(OEt)2 이고,
특히 바람직하게는
(EtO)2Si(Ox)O(SiMe2O)30-2000Si(Ox)(OEt)2,
(EtO)2Si(DBA)O(SiMe2O)30-2000Si(DBA)(OEt)2, 또는
(EtO)2Si(cHx)O(SiMe2O)30-2000Si(cHx)(OEt)2 이고,
특히 (EtO)2Si(Ox)O(SiMe2O)30-2000Si(Ox)(OEt)2이며,
여기서, Me는 메틸 라디칼, Et는 에틸 라디칼, Ox는 -CH2-N[(CH2)2]2O, DBA는 -CH2-N(nBu)2, cHx는 -CH2-NH(cHex), Bu는 n-부틸 라디칼, cHex는 시클로헥실 라디칼이고, R3은 Me, Et, 비닐 라디칼, 페닐 라디칼, DBA, Ox 또는 cHx이고, 여기서 라디칼 R3 개별 화합물 내에서 동일한 정의를 갖는다.
본 발명에 따라 사용되는 오르가노폴리실록산 (A)은 각각의 경우 25 ℃에서, 바람직하게는 6000 내지 350,000 mPas, 특히 바람직하게는 20,000 내지 120,000 mPas의 점도를 갖는다.
오르가노폴리실록산 (A)은 상업적으로 이용가능한 제품이거나 실리콘 화학의 일반적인 방법으로 생산할 수 있다.
본 발명에 따라 사용되는 실록산 (B)은 바람직하게는 화학식 (II)의 실록산이며, 여기서
R은 Me이고, R2는 Me 또는 Et이고, x의 합은 1-9이고, z는 1 또는 2이고, R1은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 2 내지 16 개의 탄소 원자를 갖는 1가의 탄화수소 라디칼이고,
특히 바람직하게는 식 (II)의 실록산이며, 여기서
R은 Me이고, R2는 Me이고, x의 합은 1-9이고, z는 1 또는 2이고, R1은 2 내지 16 개의 탄소 원자를 갖는 1가의 탄화수소 라디칼이고,
특히 화학식 (II)의 실록산이고, 여기서
R은 Me이고, R2는 Me이고, x의 합은 1-9이고, z는 1 또는 2이고, R1은 2,2,4-트리메틸펜틸 라디칼이며,
여기서 Me는 메틸 라디칼이고 Et는 에틸 라디칼이다.
화학식 (II)의 화합물의 예는
EtO(SiMe2O)3SiR1(OEt)2,
(EtO(SiMe2O)3)2SiR1(OEt),
MeO(SiMe2O)3SiR1(OMe)2,
(MeO(SiMe2O)3)2SiR1OMe),
EtO(SiMe2O)3SiR1(OEt)O(SiMe2O)3SiR1(OEt)2,
MeO(SiMe2O)3SiR1(OMe)O(SiMe2O)3SiR1(OMe)2,
EtO(SiMe2O)xSi(iOct)(OEt)2,
(EtO(SiMe2O)x)2Si(iOct)(OEt),
MeO(SiMe2O)xSi(iOct)(OMe)2,
(MeO(SiMe2O)x)2Si(iOct)(OMe),
EtO(SiMe2O)xSi(iOct)(OEt)O(SiMe2O)3Si(iOct)(OEt)2, 또는
MeO(SiMe2O)xSi(iOct)(OMe)O(SiMe2O)3Si(iOct)(OMe)2 이고,
여기서 Me는 메틸 라디칼이고, Et는 에틸 라디칼이고, iOct는 2,2,4-트리메틸펜틸 라디칼이고, x = 1-9이고, R1은 2 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형, 분지형 또는 환형 지방족 탄화수소 라디칼이고, 여기서 라디칼 R1은 개별 화합물 내에서 동일한 정의를 갖는다.
특히, 본 발명에 따라 사용되는 실록산 (B)은
MeO(SiMe2O)xSi(iOct)(OMe)2,
(MeO(SiMe2O)x)2Si(iOct)(OMe), 또는
MeO(SiMe2O)xSi(iOct)(OMe)O(SiMe2O)3Si(iOct)(OMe)2 이고,
여기서 Me는 메틸 라디칼이고, iOct는 2,2,4-트리메틸펜틸 라디칼이고, x = 1-9이다.
본 발명에 따라 사용되는 실록산 (B)은 25 ℃에서 바람직하게는 5 내지 15 mPas의 점도를 갖는다.
실록산 (B)은 바람직하게는
[R1(OMe)2O1/2]a[R1Si(OMe)O2/2]b[R1SiO3/2]c[Me2SiO2/2]d[Me2Si(OMe)O1/2]e,
의 평균 조성을 가지고,
여기서 a = 0.05-0.15, b = 0.10-0.20, c = 0.00-0.10, d = 0.40-0.65 및 e = 0.10-0.30이고, 여기서 a+b+c < d+e 이고, a+b+c+d+e = 1이고, 여기서 Me는 메틸 라디칼이고 R1은 상기 명시된 정의를 갖는다.
실록산 (B)은 예를 들면 염기성 촉매 하에 폴리디메틸실록산을 트리알콕시실란으로 평형화하는 것과 같은 실리콘 화학에서 일반적인 방법에 의해 생성될 수 있다.
본 발명에 따른 조성물은 성분 (B)를, 각 경우에 성분(A) 100 중량부를 기준으로 하여, 바람직하게는 1 내지 20 중량부, 특히 바람직하게는 1 내지 10 중량부, 특히 2 내지 6 중량부의 양으로 포함한다.
본 발명은 또한 화학식 (II)의 실록산에 관한 것이며, 여기서 R은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
R1은 -CH2-NR6R5 라디칼 또는 -CH2NR11 라디칼이고, 여기서 R5 는 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소 라디칼이고, R6은 수소 원자 또는 라디칼 R5이고, R11은 헤테로원자가 삽입될 수 있는 2가의 탄화수소 라디칼이고,
R2는 동일하거나 또는 상이할 수 있고 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
x는 동일하거나 상이할 수 있고 0 또는 1 내지 9의 정수이고
z는 1 또는 2이고,
단, 화학식 (II)에서 모든 x의 합은 0보다 크다.
실록산 (A) 및 (B)에 추가하여, 본 발명에 따른 조성물은 하기 화학식의 실란 및/또는 이의 부분 가수분해물로 이루어진 성분 (C)를 포함할 수 있다:
(R8O)4-bSiR9 b
(III)
여기서,
b는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1이고,
R8은 동일하거나 또는 상이할 수 있고 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고
R9는 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이다.
라디칼 R8은 바람직하게는 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼, 특히 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필 또는 이소프로필 라디칼, 특히 메틸 또는 에틸 라디칼이다.
라디칼 R9는 바람직하게는 1 내지 18 개의 탄소 원자를 갖는 1가의 탄화수소 라디칼이고, 글리시독시, 우레이도, 메타크릴옥시 또는 아미노 기로 선택적으로 치환되고, 특히 바람직하게는 알킬 라디칼, 비닐 또는 페닐 라디칼, 특히 메틸 라디칼 또는 2,2,4 -트리메틸펜틸 라디칼이다.
바람직한 실시양태에서, 사용되는 성분 (C)는, 특히 접착 촉진 특성이 요구되는 경우, 글리시독시프로필, 아미노프로필, 아미노에틸아미노프로필, 우레이도프로필 또는 메타크릴옥시프로필 라디칼을 갖는 것과 같은 작용 기를 갖는, 전체 또는 부분적으로 실란 및/또는 그의 부분 가수분해물이다.
선택적으로 사용되는 부분 가수분해물 (C)은 부분 동종가수분해물, 즉 화학식 (III)의 한 유형의 실란의 부분 가수분해물, 및 부분 공가수분해물, 즉 화학식 (III)의 2개 이상의 상이한 유형의 실란의 부분 가수분해물일 수 있다.
본 발명의 맥락에서, 용어 부분 가수분해물은 가수분해 및/또는 축합에 의해 형성된 생성물을 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명에 따른 조성물에 사용된 성분 (C)가 화학식 (III)의 실란의 부분 가수분해물인 경우, 20 개 이하의 실리콘 원자를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에 따라 선택적으로 사용되는 성분 (C)의 예는, 메틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 2,2,4-트리메틸펜틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 테트라에톡시실란, 2,2,4-트리메틸펜틸트리에톡시실란, (2,3,5,6-테트라하이드로-1,4-옥사진-4-일)메틸트리에톡시실란, N,N-디-n-부틸아미노메틸트리에톡시실란, N-시클로헥실아미노메틸트리에톡시실란, (2,3,5,6-테트라하이드로-1,4-옥사진-4-일)메틸트리메톡시실란, N,N-디-n-부틸아미노메틸트리메톡시실란, N-시클로헥실아미노메틸트리메톡시실란이고, 여기서 메틸트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 테트라에톡시실란, 2,2,4-트리메틸펜틸트리메톡시실란, (2,3,5,6-테트라히드로-1,4-옥사진-4-일)메틸트리에톡시실란이 바람직하다.
성분(C)는 상업적으로 이용가능한 제품이거나, 실리콘 화학에서 일반적인 방법으로 생산할 수 있다.
본 발명에 따른 조성물이 성분 (C)를 포함하는 경우, 수반되는 양은 각각의 경우 성분 (A)의 100 중량부를 기준으로, 바람직하게는 0.01 내지 5 중량부, 특히 바람직하게는 0.01 내지 2 중량부, 특히 0.05 내지 2 중량부이다. 본 발명에 따른 조성물은 바람직하게는 성분 (C)를 포함하고, 이들은 바람직하게는 작용 기를 갖는 적어도 부분적으로 실란 및/또는 그의 부분 가수분해물을 포함한다.
성분 (A), (B) 및 선택적으로 (C)에 추가하여, 본 발명에 따른 조성물은 축합 반응에 의해 가교될 수 있는 조성물에서 또한 지금까지 사용되어 온 모든 물질, 예컨대, 경화 촉진제 (D), 가소제 (E), 충전제 (F) 및 첨가제 (G)를 포함할 수 있다.
사용되는 경화 촉진제 (D)는 축합 반응에 의해 가교될 수 있는 조성물에서 또한 지금까지 사용되어 온 모든 경화 촉진제일 수 있다. 경화 촉진제 (D)의 예는, 티타늄 화합물, 예컨대 테트라부틸 또는 테트라이소프로필 티타네이트, 또는 티타늄 킬레이트, 예컨대 비스(에틸아세토아세테이토)디이소부톡시티타늄, 또는 유기 주석 화합물, 예컨대 디-n-부틸주석 디라우레이트 및 디-n-부틸주석 디아세테이트, 디-n-부틸주석 옥사이드, 디메틸주석 디아세테이트, 디메틸주석 디라우레이트, 디메틸주석 디네오데카노에이트, 디메틸주석 옥사이드, 디-n-옥틸주석 디아세테이트, 디-n-옥틸주석 디라우레이트, 디-n-옥틸주석 옥사이드 및 이들 화합물과 알콕시실란과의 반응 생성물, 예컨대 디-n-부틸주석 디아세테이트와 테트라에톡시실란의 반응 생성물이고, 여기서 디-n-옥틸주석 디아세테이트, 디-n-옥틸주석 디라우레이트, 디옥틸주석 옥사이드, 디-n-옥틸주석 옥사이드와 테트라에톡시실란의 반응 생성물, 테트라부틸 티타네이트, 테트라이소프로필 티타네이트 또는 비스(에틸아세토아세테이토)디이소부톡시티타늄이 바람직하다.
본 발명에 따른 조성물이 경화 촉진제(D)를 포함하는 경우, 수반되는 양은 각각의 경우 성분 (A) 100중량부를 기준으로, 바람직하게는 0.001 내지 20 중량부, 특히 바람직하게는 0.001 내지 1 중량부이다.
선택적으로 사용되는 가소제 (E)의 예는, 실온에서 액체이고, 트리메틸실록시 기에 의해 말단-차단되고, 특히 25℃에서 5 내지 1000 mPas 범위의 점도를 갖는 디메틸폴리실록산, 및 고비점 탄화수소, 예컨대 나프텐계 및 파라핀계 단위로 이루어진 파라핀 오일 또는 미네랄 오일이다.
본 발명에 따른 조성물이 성분 (E)를 포함하는 경우, 수반되는 양은 각각의 경우 실록산 (A) 100중량부를 기준으로, 바람직하게는 5 내지 30 중량부, 더욱 바람직하게는 5 내지 25 중량부이다. 본 발명에 따른 조성물은 바람직하게는 임의의 가소제 (E)를 포함하지 않는다.
본 발명에 따른 조성물에서 선택적으로 사용되는 충전제 (F)는 이전에 공지된 임의의 충전제일 수 있다.
선택적으로 사용되는 충전제 (F)의 예는, 비보강 충전제 (F), 즉 BET 표면적이 최대 20 m2/g인 충전제, 예컨대 석영, 규조토, 칼슘 실리케이트, 지르코늄 실리케이트, 제올라이트, 금속 산화물 분말, 예컨대 알루미늄, 티타늄, 철 또는 아연 산화물 또는 이들의 혼합 산화물, 바륨 설페이트, 칼슘 카보네이트, 석고, 실리콘 니트라이드, 실리콘 카바이드, 질화붕소, 유리 및 플라스틱 분말, 예컨대 폴리아크릴로니트릴 분말; 강화 충전제, 즉 20 m2/g 초과의 BET 표면적을 갖는 충전제, 예컨대 침전된 백악 및 카본 블랙, 예컨대 퍼니스 및 아세틸렌 블랙; 실리카, 예컨대 흄드 실리카 및 침강 실리카; 섬유상 충전제, 예컨대 플라스틱 섬유이다.
선택적으로 사용되는 충전제 (F)는 바람직하게는 칼슘 카보네이트, 또는 실리카, 특히 바람직하게는 실리카 또는 실리카와 칼슘 카보네이트의 혼합물이다.
칼슘 카보네이트 (F)의 바람직한 유형은, 분쇄 또는 침전되고, 선택적으로 지방산, 예컨대 스테아르산 또는 이의 염으로 표면 처리된다. 바람직한 실리카는 바람직하게는 흄드 실리카이다.
본 발명에 따른 조성물이 충전제 (F)를 포함하는 경우, 수반되는 양은 각각의 경우 오르가노폴리실록산 (A) 100 중량부를 기준으로, 바람직하게는 10 내지 150 중량부, 특히 바람직하게는 10 내지 130 중량부, 특히 10 내지 100 중량부이다. 본 발명에 따른 조성물은 바람직하게는 충전제 (F)를 포함한다.
첨가제 (G)의 예는, 안료, 염료, 향료, 산화 억제제, 전기적 특성에 영향을 미치는 제제, 예컨대 전도성 카본 블랙, 이들을 난연성으로 만드는 제제, 광 안정제, 살생물제, 예컨대 살균제, 살세균제 및 살비제, 세포-발생제, 예를 들면 아조디카본아미드, 열 안정제, 스캐빈저, 예컨대 Si-N 함유 실라잔 또는 실릴아미드, 예를 들면 N,N'-비스트리메틸실릴우레아 또는 헥사메틸디실라잔, 공촉매, 예컨대 루이스 및 브뢴스테드 산, 예를 들어 술폰산, 인산, 인산 에스테르, 포스폰 산 및 포스폰 산 에스테르, 요변성제, 예컨대 한쪽 또는 양쪽에서 OH-종결된 폴리에틸렌 글리콜 또는 경화된 피마자유, 모듈러스 추가 조절제, 예컨대 OH 말단 기를 갖는 폴리디메틸실록산, 및 성분 (A), (B) 및 (C)와 상이한 임의의 실록산이다.
본 발명에 따른 조성물이 첨가제 (G)를 포함하는 경우, 수빈되는 양은 각각의 경우 오르가노폴리실록산 (A) 100 중량부를 기준으로, 바람직하게는 0.1 내지 20 중량부, 특히 바람직하게는 0.1 내지 15 중량부, 특히 0.1 내지 10 중량부이다. 본 발명에 따른 조성물은 바람직하게는 성분 (G)를 포함한다.
본 발명에 따른 조성물의 개별 구성성분은 각각 한 가지 유형의 이러한 구성성분일 수 있을 뿐만 아니라, 적어도 2가지 상이한 유형의 이러한 구성성분의 혼합물일 수 있다.
본 발명에 따른 조성물은 바람직하게는
(A) 화학식 (I)의 오르가노폴리실록산,
(B) 화학식 (II)의 실록산,
선택적으로 (C) 화학식 (III)의 실란 및/또는 이의 부분 가수분해물,
선택적으로 (D) 경화 촉진제,
선택적으로 (E) 가소제,
선택적으로 (F) 충전제, 및
선택적으로 (G) 첨가제
를 포함하는 것이다.
본 발명에 따른 조성물은 특히 바람직하게는
(A) 화학식 (I)의 오르가노폴리실록산,
(B) 화학식 (II)의 실록산,
(C) 화학식 (III)의 실란 및/또는 이의 부분 가수분해물,
선택적으로 (D) 경화 촉진제,
선택적으로 (E) 가소제,
선택적으로 (F) 충전제, 및
선택적으로 (G) 첨가제
를 포함하는 것이다.
특히, 본 발명에 따른 조성물은
(A) 화학식 (I)의 오르가노폴리실록산,
(B) 화학식 (II)의 실록산,
(C) 화학식 (III)의 실란 및/또는 이의 부분 가수분해물,
(D) 경화 촉진제,
선택적으로 (E) 가소제,
(F) 충전제, 및
선택적으로 (G) 첨가제
를 포함하는 것이다.
추가의 바람직한 구현예에서, 본 발명에 따른 조성물은
(A) 화학식 (I)의 오르가노폴리실록산, (A) 화학식 I의 오르가노폴리실록산,
(B) 화학식 (II)의 실록산,
(C) 화학식 (III)의 실란 및/또는 이의 부분 가수분해물,
(D) 경화 촉진제,
(F) 충전제, 및
선택적으로 (G) 첨가제
를 포함하고,
(E) 가소제가 없는 것이다.
성분 (A) 내지 (G) 외에, 본 발명에 따른 조성물은 바람직하게는 다른 성분을 포함하지 않는다.
본 발명에 따른 조성물은 바람직하게는 점성 내지 페이스트상 조성물이다.
본 발명에 따른 조성물을 제조하기 위해, 모든 구성성분은 임의의 순서로 서로 혼합될 수 있다. 이러한 혼합은 실온 및 주변 대기의 압력, 즉 약 900 내지 1100hPa에서 수행될 수 있다. 그러나, 원하는 경우, 이러한 혼합은 더 높은 온도, 예를 들면, 35 내지 135 ℃ 범위의 온도에서도 수행될 수 있다. 휘발성 화합물 또는 공기를 제거하기 위해, 감압, 예를 들면 30 내지 500 hPa 절대압에서 간헐적으로 또는 연속적으로 혼합하는 것도 가능하다.
본 발명에 따른 혼합은, 바람직하게는 물을 최대한 배제하고, 즉 바람직하게는 10,000 mg/kg 미만, 바람직하게는 5000 mg/kg 미만, 특히 1000 mg/kg 미만의 수분 함량을 갖는 원재료를 사용하여 수행한다. 혼합 공정 동안, 혼합물은 바람직하게는 건조 공기 또는 보호 가스, 예컨대 질소로 덮이고, 관련 가스는 바람직하게는 10,000 μg/kg 미만, 바람직하게는 1000 μg/kg 미만, 특히 500 μg/kg 미만의 수분 함량을 갖는다. 생산 후, 페이스트는 상업적으로 이용가능한 방습 용기, 예컨대 카트리지, 튜브형 백, 통(bin) 및 드럼에 채워진다.
바람직한 절차에서, 성분 (A), (B), 선택적으로 (C) 및 (E)를 먼저 서로 혼합한 다음, 선택적으로 충전제 (F)를 첨가하고, 마지막으로 선택적인 추가 성분 (D) 및 (G)를 첨가하고, 혼합 온도는 60 ℃를 초과하지 않는다.
본 발명은 또한 개별 구성성분을 혼합함으로써, 본 발명에 따른 조성물을 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 방법은 공지된 방법에 따라 공지된 장치를 사용하여 연속식, 배치식 또는 반연속식으로 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 조성물 또는 본 발명에 따라 제조된 조성물은 수분을 배제한 상태로 보관될 수 있고, 수분 침투시 가교될 수 있다.
공기의 통상적인 수분 함량은 본 발명에 따른 조성물을 가교시키기에 충분하다. 본 발명에 따른 조성물은 바람직하게는 실온에서 가교된다. 원하는 경우, 실온보다 높거나 낮은 온도, 예를 들면 -5 ℃ 내지 15 ℃ 또는 30 ℃ 내지 50 ℃에서, 및/또는 공기 중 일반 물 함량을 초과하는 물 농도에 의해 수행될 수도 있다.
가교는 바람직하게는 100 내지 1100 hPa의 압력, 특히 주변 대기의 압력, 즉 약 900 내지 1100 hPa에서 수행된다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 조성물을 가교시켜 제조된 성형물(molding)에 관한 것이다.
본 발명에 따른 성형물은 ISO 37에 따라 유형 2 시험 시편에 대해 측정시, 바람직하게는 0.4 MPa 미만의 100% 신장 시 응력을 갖는다.
본 발명에 따른 조성물은, 물을 배제하고 저장될 수 있고, 가교되어 실온에서 물의 침투 시 엘라스토머를 형성할 수 있는 조성물이 사용될 수 있는, 모든 목적을 위해 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 조성물은, 예를 들면 수직 조인트를 포함하는 조인트, 및 예를 들면 건물, 육상 차량, 선박 및 항공기의 예를 들면 10 내지 40 mm 명확한 폭의 유사한 공동에 대한 밀봉 조성물로서, 또는 예를 들면 창 건설 또는 디스플레이 케이스의 생산에서, 또한 예를 들면 담수 또는 해수의 일정한 작용에 노출된 표면을 포함하는 보호 코팅, 또는 미끄럼을 방지하는 코팅 또는 엘라스토머 몰딩을 생산하기 위한 접착제 또는 시멘팅 조성물로서 매우 적합하다.
본 발명에 따른 조성물은 제조가 용이하고, 매우 높은 저장 안정성으로 구별되는 이점을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 조성물은 사용시 취급이 매우 용이하고, 광범위한 적용에서 우수한 가공 특성을 갖는다는 이점이 있다.
본 발명에 따른 가교성 조성물은 모듈러스가 구체적으로 조정될 수 있다는 이점을 갖는다.
본 발명에 따른 가교성 조성물은 광범위한 기재에 매우 잘 접착된다는 이점을 갖는다.
본 발명에 따른 가교성 조성물은 인접한 기재의 모서리 영역 오염을 일으키지 않는다는 이점이 있다. 특히, 모서리 영역을 오염시키지 않으면서 자연석과 인조석을 그라우팅하는 데 이상적으로 적합하다.
본 발명에 따른 가교성 조성물은 사용되는 물질에 대해 매우 경제적이라는 이점을 갖는다.
아래에 설명된 실시예에서 모든 점도 데이터는 25 ℃의 온도와 관련이 있다. 달리 명시되지 않는 한, 다음 실시예는 주위 대기의 압력, 즉 약 1000 hPa에서, 및 실온, 즉 약 23 ℃, 또는 별도의 가열 또는 냉각 없이 실온에서 반응물이 조합될 때 발생하는 온도에서, 및 약 50 %의 상대 습도에서 수행된다. 또한, 달리 명시되지 않는 한, 부 및 백분율의 모든 사양은 중량 기준이다.
인장 강도, 파단 신율 및 100% 신장 시 응력은 ISO 37에 따라 유형 2 시험 시편에 대해 결정된다.
본 발명의 맥락에서, 동적 점도는 달리 명시되지 않는 한, Anton Paar의 "Physica MCR 300" 회전 레오미터에 의해 25 ℃에서 DIN 53019에 따라 측정된다. 콘-플레이트 측정 시스템 (측정 콘 CP 50-1을 갖는 Searle 시스템)은 200 mPa.s보다 큰 값에 사용된다. 전단 속도는 중합체 점도로 조절된다: 62 1/s에서 5000 내지 9999 mPa·s; 50 1/s에서 10,000 내지 12,499 mPa·s; 38.5 1/s에서 12,500 to 15,999 mPa·s; 33 1/s에서 16,000 내지 19,999 mPa·s; 25 1/s에서 20,000 내지 24 999 mPa·s; 20 1/s에서 25,000 내지 29,999 mPa·s; 17 1/s에서 30,000 내지 39 999 mPa·s; 10 1/s에서 40,000 내지 59,999 mPa.s; 5 1/s에서 60,000 내지 149,999.
측정 시스템의 온도를 측정 온도로 설정한 후, 런-인(run-in) 단계, 사전-전단 및 점도 측정으로 이루어진 3 단계 측정 프로그램이 적용된다. 런-인 단계는 측정을 수행할 것으로 예상되는 점도에 따라 1분에 걸쳐 전단 속도를 앞서 언급한 전단 속도까지 단계적으로 증가시켜 수행된다. 이 값에 도달하면, 사전-전단을 30초 동안 일정한 전단 속도로 수행한 다음, 평균 값이 결정되는 점도 결정을 위해 각각 4.8초 동안 25회의 개별 측정을 수행한다. 평균 값은 mPa.s로 보고되는 동적 점도에 해당한다.
하기 실시예 B1-B3에서, 분자 조성은 핵 자기 공명 분광법 (용어에 대해서는 ASTM E 386: 고분해능 핵 자기 공명 (NMR) 분광법: 용어 및 기호 참조)에 의해 결정되었으며, 여기서 29Si 핵이 측정되었다 .
아래에 사용된 약어는 다음과 같다:
메틸 라디칼의 경우 Me,
에틸 라디칼의 경우 Et,
n-부틸 라디칼의 경우 Bu, 및
2,2,4-트리메틸펜틸 라디칼의 경우 iOct.
올리고머성 혼합물 B1의 제조
1000 mPas의 점도를 갖는 α,ω비스(트리메틸실록시)폴리디메틸실록산 240 g (3.25 몰), 트리메톡시(2,4,4-트리메틸펜틸)실란 (=iOctSi(OMe)3) 234 g (1.0 몰), Wacker Chemie AG로부터 SILRES® BS 1316이라는 이름으로 입수가능함, 에탄올 중 나트륨 에톡사이드 (21 %) 용액 0.80 g을 혼합하고, 4시간 동안 110 ℃로 가열한다. 용액이 냉각된 후, n-헵탄 중 디메틸디클로로실란 (10 %) 용액 1.60g을 첨가하여 혼합물을 중화시킨다. 이 혼합물을 회전 증발기에서 120 ℃에서 50 mbar의 감압하에 증발시켰다.
혼합물의 조성은 29-Si-NMR 분광법에 의해 결정되었다. 혼합물은 1.4 중량%의 iOctSi(OMe)3, 0.4 중량%의 Me2Si(OMe)2 및 98.2 중량%의 [iOctSi(OMe)2O1/2]0.08[iOctSi(OMe)O2/2]0.15[iOctSiO3/2]0.05[Me2SiO2/2]0.43[Me2Si(OMe)O1/2]0.29 평균 조성의 올리고머성 혼합물을 포함하였다.
겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정된 분자량은 929 g/mol (Mw - 중량 평균) 및 635 (Mn - 수 평균)이었다. 다분산도 (Mw/Mn)는 1.46이었다.
올리고머성 혼합물 B2의 제조
올리고머성 혼합물 B1의 제조 절차를, 트리메톡시(2,4,4-트리메틸펜틸)실란 대신에 178 g의 n-부틸트리메톡시실란을 사용하는 변형을 이용하여 반복하였다. 혼합물은 0.7 중량%의 n-BuSi(OMe)3, 0.2 중량%의 Me2Si(OMe)2 및 99.1 중량%의 [n-BuSi(OMe)2O1/2]0.08[n-BuSi(OMe)O2/2]0.15[n-BuSiO3/2]0.07[Me2SiO2/2]0.46[Me2Si(OMe)O1/2]0.24 평균 조성의 올리고머성 혼합물을 포함하였다.
올리고머성 혼합물 B3의 제조
올리고머성 혼합물 B1의 제조 절차를, 트리메톡시(2,4,4-트리메틸펜틸)실란 대신에 346 g의 n-헥사데실트리메톡시실란을 사용하는 변형을 이용하여 반복하였다. 혼합물은 3.6 중량%의 n-C16H33Si(OMe)3, 0.5 중량%의 Me2Si(OMe)2 및 95.9 중량%의 [n-C16H33Si(OMe)2O1/2]0.14[n-C16H33Si(OMe)O2/2]0.13[n-C16H33SiO3/2]0.02[Me2SiO2/2]0.61[Me2Si(OMe)O1/2]0.10 평균 조성의 올리고머성 혼합물을 포함하였다.
실록산 A1의 제조
80,000 mPas의 점도를 갖는 α,ω디히드록시폴리디메틸실록산 330 kg과 20,000 mPas의 점도를 갖는 α,ω디히드록시폴리디메틸실록산 110 kg의 혼합물을, (2,3,5,6-테트라히드로-1,4-옥사진-4-일)메틸트리에톡시실란 15.2kg 중 1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]덱-5-엔 0.02 kg의 용액과 함께, 200 분-1에서 5분 동안 교반하였다. 5분의 반응 시간 후, 이는 98.0 중량%의 α,ω비스(2,3,5,6-테트라하이드로-1,4-옥사진-4-일)메틸디에톡시실릴폴리디메틸실록산, 1.9 중량%의 (2,3,5,6-테트라하이드로-1,4-옥사진-4-일) 메틸트리에톡시실란 및 52,000 mPas의 점도를 갖는 0.1 중량%의 에탄올의 혼합물을 제공하였다.
RTV1 베이스 믹스 BM1 제조
455 kg의 실록산 A1을, Wacker Chemie AG로부터 SILIKAT TES 40이라는 이름으로 입수가능한, 총 가수분해 및 축합에 대해 40 %의 SiO2 함량을 갖는 테트라에톡시실란 가수분해물 올리고머 10.6 kg, 분자당 평균 10 개의 실리콘 원자를 갖는 6.3kg의 메틸트리에톡시실란 가수분해물 올리고머와 6.3kg의 3-아미노프로필트리에톡시실란의 혼합물 12.6kg에 첨가하였고, 그 혼합물을 분당 200회전에서 추가로 5분 동안 교반하였다. 그 후, Wacker Chemie AG로부터 HDK® V15A라는 이름으로 입수가능한, 150 m2/g의 표면적을 갖는 친수성 흄드 실리카 44 kg을 첨가하였고, 그 혼합물을 모든 흄드 실리카가 습윤될 때까지 초기에 분당 200회전으로 추가로 5분 동안 교반하였다. 이어서, 혼합물을 200 mbar의 감압에서 600 분-1에서 10분 동안 교반하였다. 마지막으로, 분자당 평균 10 개의 실리콘 원자를 갖는 0.655 kg의 메틸트리에톡시실란 가수분해물 올리고머와 0.655 kg의 3-아미노프로필트리에톡시실란의 혼합물 1.31 kg 내의 디옥틸주석 옥사이드 0.27 kg의 1.58 kg의 용액, 및 2 kg의 메틸트리메톡시실란 중 옥틸포스폰 산의 50 중량% 용액을 첨가하였고, 그 혼합물을 감압 하에 (200 mbar) 추가로 5분 동안 교반하였다. 이 베이스 믹스 BM1은 하기 본 발명의 실시예의 제조를 위한 기초 역할을 한다.
실시예 1-9
표 1에 명시된 올리고머성 혼합물 B1의 양을 각각의 경우에 250 g의 RTV1 베이스 믹스 BM1에 첨가하였고, Labmax 유형의 플래니터리 믹서(planetary mixer)에서 혼합하였다. 각각의 경우에 이렇게 수득된 혼합물을 방습 용기에 채웠다. 혼합물 제조 24 시간 후, 이 혼합물에서 2 mm 두께의 플레이트를 꺼내고, 23 ℃ 및 50 % 상대 습도에서 7일 동안 경화시킨 후, ISO 37, 6판 2017-11에 따른 유형 2의 아령 모양 시험 시편이 이로부터 제작되었다. 이들 시험 시편에 대해 측정된 기계적 특성은 표 1에서 확인할 수 있다.
비교예 1 (C1)
추가 첨가제가 없는 RTV1 베이스 혼합물 BM1 250g을 방습 용기에 채웠다. 베이스 믹스 제조 24시간 후, 2 mm 두께의 플레이트를 꺼내고, 23 ℃ 및 50 % 상대 습도에서 7일 동안 경화시킨 후, ISO 37, 6판 2017-11에 따른 유형 2의 아령 모양 시험 시편이 이로부터 제작되었다. 이들 시험 시편에 대해 측정된 기계적 특성은 표 1에서 확인할 수 있다.
실시예 10
올리고머성 혼합물 B1 대신에 올리고머성 혼합물 B2 5g을 첨가하는 변형으로 실시예 1에 따른 실험을 반복하였다. 이들 시험 시편에 대해 측정된 기계적 특성은 표 1에서 확인할 수 있다.
실시예 11
올리고머성 혼합물 B1 대신에 올리고머성 혼합물 B3 5g을 첨가하는 변형으로 실시예 1에 따른 실험을 반복하였다. 이들 시험 시편에 대해 측정된 기계적 특성은 표 1에서 확인할 수 있다.
실시예 | 올리고머성 혼합물 | 인장 강도 [MPa] | 파단 신율 [%] | 100% 신장 시 응력 [MPa] | |
1 | B1 | 5.0g | 2.06 | 417 | 0.61 |
2 | B1 | 7.5g | 1.80 | 420 | 0.55 |
3 | B1 | 10.0g | 1.93 | 494 | 0.49 |
4 | B1 | 12.5g | 1.57 | 496 | 0.42 |
5 | B1 | 15.0g | 1.66 | 525 | 0.41 |
6 | B1 | 17.5g | 1.48 | 548 | 0.37 |
7 | B1 | 20.0g | 1.29 | 572 | 0.32 |
8 | B1 | 22.5g | 1.02 | 601 | 0.27 |
9 | B1 | 25.0g | 0.85 | 723 | 0.21 |
C1 | 0.0 | 1.90 | 355 | 0.68 | |
10 | B2 | 5.0g | 2.48 | 513 | 0.58 |
11 | B3 | 5.0g | 2.28 | 451 | 0.62 |
Claims (11)
- 경화성 조성물로서,
(A) 하기 화학식의 오르가노폴리실록산
(R7O)3-aSiR3 aO(SiR4 2O)nSiR3 a(OR7)3-a (I),
여기서,
R4는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
R7은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
R3은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
a는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 0 또는 1이고,
n은 30 내지 2000의 정수임,
및
(B) 화학식 (II)의 실록산:
여기서,
R은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
R1 은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 2 내지 16 개의 탄소 원자를 갖는 1가의 탄화수소 라디칼, -CH2-NR6R5 라디칼 또는 -CH2NR11 라디칼이고, 여기서 R5는 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소 라디칼이고, R6은 수소원자 또는 라디칼 R5이고, R11은 헤테로원자가 삽입될 수 있는 2가의 탄화수소 라디칼이고,
R2는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
x는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 0 또는 1 내지 9의 정수이고,
z는 1 또는 2이고,
단, 화학식 (II)의 모든 x의 합은 0보다 큼,
을 포함하는 오르가노실리콘 화합물을 기반으로 하는, 조성물. - 제1항에 있어서,
라디칼 R1이 2 내지 16 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 탄화수소 라디칼인, 조성물. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
라디칼 R3이 -CH2-NR6'R5' 라디칼 또는 -CH2NR11' 라디칼이고, 여기서 R5'는 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소 라디칼이고, R6'은 수소 원자 또는 라디칼 R5'이고, R11'은 헤테로원자가 삽입될 수 있는 2가의 탄화수소 라디칼인, 조성물. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조성물이 성분 (A) 100 중량부를 기준으로, 성분 (B)를 1 내지 20 중량부의 양으로 포함하는, 조성물. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조성물이 하기 화학식의 실란 및/또는 이의 부분 가수분해물로 이루어진 성분 (C)를 포함하고:
(R8O)4-bSiR9 b (III)
여기서,
b는 0, 1 또는 2이고,
R8은 동일하거나 또는 상이할 수 있고 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
R9는 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼인, 조성물. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조성물은
(A) 화학식 (I)의 오르가노폴리실록산,
(B) 화학식 (II)의 실록산,
선택적으로 (C) 화학식 (III)의 실란 및/또는 이의 부분 가수분해물,
선택적으로 (D) 경화 촉진제,
선택적으로 (E) 가소제,
선택적으로 (F) 충전제, 및
선택적으로 (G) 첨가제
를 포함하는, 조성물. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조성물은
(A) 화학식 (I)의 오르가노폴리실록산,
(B) 화학식 (II)의 실록산,
(C) 화학식 (III)의 실란 및/또는 이의 부분 가수분해물,
(D) 경화 촉진제,
(F) 충전제, 및
선택적으로 (G) 첨가제
를 포함하고,
(E) 가소제가 없는, 조성물. - 개별 구성성분을 혼합함으로써 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 제조하는 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 조성물, 또는 제8항에 따라 제조된 조성물을 가교시켜 제조된 성형물.
- 제9항에 있어서,
상기 성형물은 바람직하게는 0.4 MPa 미만의 100% 신장 시 응력을 갖는, 성형물. - 화학식 (II)의 실록산으로서,
R이 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
R1은 -CH2-NR6R5 라디칼 또는 -CH2NR11 라디칼이고, 여기서 R5는 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소 라디칼이고, R6은 수소원자 또는 라디칼 R5이고, R11은 헤테로원자가 삽입될 수 있는 2가의 탄화수소 라디칼이고,
R2는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 1가의 선택적으로 치환된 탄화수소 라디칼이고,
x는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 0 또는 1 내지 9의 정수이고,
z는 1 또는 2이고,
단, 화학식 (II)의 모든 x의 합은 0보다 큰, 실록산.
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