KR20210147945A - Resin composition - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a resin composition having high bonding strength and capable of obtaining a cured product in which the occurrence of warpage is suppressed, and a resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package using the resin composition. The present invention relates to the resin composition comprising: (A) an epoxy resin; (B) at least one curing agent selected from an acid anhydride curing agent, an amine curing agent, and a phenol curing agent; (C) a polyester polyol resin having an aromatic structure; and (D) an inorganic filler, wherein the content of the component (C) is 2 to 20 mass% when a non-volatile component in a resin composition is 100 mass%.

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은, 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 당해 수지 조성물을 함유하는, 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition. Moreover, it is related with the resin sheet containing the said resin composition, a circuit board, and a semiconductor chip package.

최근, 스마트 폰, 태블릿형 디바이스와 같은 소형의 고기능 전자 기기의 수요가 증가하고 있으며, 이에 따라, 이들 소형의 전자 기기의 밀봉층이나 절연층으로서 사용될 수 있는 절연 재료도 더욱 고기능화가 요구되고 있다. 이러한 절연 재료로서는, 예를 들면, 특허문헌 1, 2에 기재된 것이 알려져 있다.In recent years, the demand for small and high-performance electronic devices such as smart phones and tablet-type devices is increasing, and accordingly, insulating materials that can be used as sealing layers or insulating layers of these small electronic devices are also required to have higher functionality. As such an insulating material, the thing of patent documents 1 and 2 is known, for example.

[특허문헌 1] 국제공개 제2019/044803호[Patent Document 1] International Publication No. 2019/044803 [특허문헌 2] 국제공개 제2019/131413호[Patent Document 2] International Publication No. 2019/131413

최근, 보다 소형의 전자 기기가 요구되고 있고, 전자 기기에 사용하는 절연층 또는 밀봉층은 보다 얇게 하는 것이 요구되고 있다. 절연층 또는 밀봉층를 얇게 하면 휨이 발생하기 쉬워지는 경향이 있기 때문에, 휨의 억제가 가능한 절연층 또는 밀봉층이 요망되고 있다. 또한, 절연층 또는 밀봉층에는, 다른 층과의 접합 강도가 높은 것도 요망된다.In recent years, a smaller electronic device is calculated|required, and making the insulating layer or sealing layer used for an electronic device thinner is calculated|required. Since there exists a tendency for curvature to become easy to generate|occur|produce when an insulating layer or sealing layer is made thin, the insulating layer or sealing layer in which curvature can be suppressed is desired. Moreover, a thing with high bonding strength with another layer is also desired for an insulating layer or a sealing layer.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 높은 접합 강도를 갖고 또한 휨의 발생이 억제된 경화물을 얻는 것이 가능한 수지 조성물; 당해 수지 조성물을 사용한 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지;를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention was created in view of the said subject, It has a resin composition which has high bonding strength and can obtain the hardened|cured material by which generation|occurrence|production of curvature was suppressed; It aims to provide; a resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package using the said resin composition.

본 발명자는, 상기의 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, (A) 에폭시 수지, (B) 산 무수물계 경화제, 아민계 경화제, 및 페놀계 경화제로부터 선택되는 적어도 1종의 경화제, (C) 소정량의 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지, 및 (D) 무기 충전재를 조합하여 포함하는 수지 조성물에 의해, 상기의 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.The present inventors, as a result of intensive studies to solve the above problems, (A) at least one curing agent selected from an epoxy resin, (B) an acid anhydride curing agent, an amine curing agent, and a phenol curing agent, (C) It was discovered that said subject could be solved by the resin composition containing the polyester polyol resin which has a predetermined amount of aromatic structure, and (D) inorganic filler in combination, and this invention was completed.

즉, 본 발명은, 하기의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.

[1] (A) 에폭시 수지,[1] (A) an epoxy resin;

(B) 산 무수물계 경화제, 아민계 경화제, 및 페놀계 경화제로부터 선택되는 적어도 1종의 경화제,(B) at least one curing agent selected from an acid anhydride curing agent, an amine curing agent, and a phenol curing agent;

(C) 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지, 및(C) a polyester polyol resin having an aromatic structure, and

(D) 무기 충전재를 포함하고,(D) comprising an inorganic filler;

(C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 2질량% 이상 20질량% 이하인, 수지 조성물.(C) The resin composition whose content of a component is 2 mass % or more and 20 mass % or less, when content of the non-volatile component in a resin composition makes 100 mass %.

[2] (A) 성분이, 축합환 골격을 포함하는, [1]에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to [1], wherein the component (A) includes a condensed ring skeleton.

[3] (C) 성분의 말단이, 하이드록시기 및 카복실기 중 어느 하나인, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물.[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the terminal of the component (C) is either a hydroxyl group or a carboxyl group.

[4] (D) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상 95질량% 이하인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the content of the component (D) is 60% by mass or more and 95% by mass or less when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass.

[5] (C) 성분이, 폴리에스테르 유래의 구조 및 폴리올 유래의 구조를 갖는 수지인, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[5] The resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the component (C) is a resin having a polyester-derived structure and a polyol-derived structure.

[6] 폴리올 유래의 구조가, 에틸렌옥사이드 구조, 프로필렌옥사이드 구조, 및 부틸렌옥사이드 구조 중 어느 하나를 포함하는, [5]에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to [5], wherein the polyol-derived structure includes any one of an ethylene oxide structure, a propylene oxide structure, and a butylene oxide structure.

[7] (C) 성분이, 비스페놀 골격을 갖는, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[7] The resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the component (C) has a bisphenol skeleton.

[8] (C) 성분의 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우의 함유량을 c1로 하고, (D) 성분의 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우의 함유량을 d1로 했을 때, d1/c1이, 5 이상 70 이하인, [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[8] Let the content when the nonvolatile component in the resin composition of the component (C) be 100% by mass is c1, and the content when the nonvolatile component in the resin composition of the component (D) is 100% by mass is d1 The resin composition according to any one of [1] to [7], wherein when , d1/c1 is 5 or more and 70 or less.

[9] 밀봉층용인, [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] The resin composition according to any one of [1] to [8], which is for a sealing layer.

[10] 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된, [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 포함하는, 수지 시트.[10] A resin sheet comprising a support and a resin composition layer formed on the support and comprising the resin composition according to any one of [1] to [9].

[11] [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 경화물층을 포함하는, 회로 기판.[11] A circuit board comprising a cured product layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [9].

[12] [11]에 기재된 회로 기판과, 당해 회로 기판 위에 탑재된 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지.[12] A semiconductor chip package comprising the circuit board according to [11] and a semiconductor chip mounted on the circuit board.

[13] [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물, 혹은 [10]에 기재된 수지 시트에 의해 밀봉된 반도체 칩을 포함하는 반도체 칩 패키지.[13] A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip sealed with the resin composition according to any one of [1] to [9] or the resin sheet according to [10].

본 발명에 의하면, 높은 접합 강도를 갖고 또한 휨의 발생이 억제된 경화물을 얻는 것이 가능한 수지 조성물; 당해 수지 조성물을 사용한 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resin composition which has high bonding strength and can obtain the hardened|cured material by which generation|occurrence|production of the curvature was suppressed; A resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package using the resin composition can be provided.

이하, 실시형태 및 예시물을 나타내어, 본 발명에 대해 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하에 드는 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구의 범위 및 그 균등의 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment and an illustration are shown and this invention is demonstrated in detail. However, this invention is not limited to the embodiment and illustration mentioned below, The range which does not deviate from the range which does not deviate from the range which does not deviate from the scope of the claims of this invention and its equivalent can be implemented by changing arbitrarily.

[수지 조성물][resin composition]

본 발명의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 산 무수물계 경화제, 아민계 경화제, 및 페놀계 경화제로부터 선택되는 적어도 1종의 경화제, (C) 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지, 및 (D) 무기 충전재를 포함하고, (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 2질량% 이상 20질량% 이하이다. 이러한 수지 조성물을 사용함으로써, 높은 접합 강도를 갖고 또한 휨의 발생이 억제된 경화물을 얻는 것이 가능해진다. 또한, 본 발명에서는, 통상, 열팽창 계수(CTE)가 낮은 경화물을 얻을 수도 있다.The resin composition of the present invention comprises (A) an epoxy resin, (B) at least one curing agent selected from an acid anhydride curing agent, an amine curing agent, and a phenol curing agent, (C) a polyester polyol resin having an aromatic structure, And (D) inorganic filler is included, and when content of (C)component makes the non-volatile component in a resin composition 100 mass %, they are 2 mass % or more and 20 mass % or less. By using such a resin composition, it becomes possible to obtain the hardened|cured material by which it has high bonding strength and generation|occurrence|production of the curvature was suppressed. Moreover, in this invention, the hardened|cured material with a low coefficient of thermal expansion (CTE) can also be obtained normally.

이 수지 조성물의 경화물은, 그 뛰어난 특성을 살려, 회로 기판 및 반도체 칩 패키지의 절연층 또는 밀봉층으로서 바람직하게 사용할 수 있으며, 특히 밀봉층용으로서 바람직하게 사용할 수 있다.The hardened|cured material of this resin composition can be used suitably as an insulating layer or sealing layer of a circuit board and a semiconductor chip package, making use of the outstanding characteristic, and can be used especially suitably as an object for sealing layers.

수지 조성물은, (A) 내지 (D) 성분에 조합하여, 추가로 임의의 성분을 포함하고 있어도 좋다. 임의의 성분으로서는, 예를 들어, (E) 경화 촉진제, (F) 용제, 및 (G) 기타 첨가제 등을 들 수 있다. 이하, 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대해 상세하게 설명한다.The resin composition may further contain arbitrary components in combination with (A)-(D) component. As arbitrary components, (E) hardening accelerator, (F) solvent, (G) other additives, etc. are mentioned, for example. Hereinafter, each component contained in a resin composition is demonstrated in detail.

<(A) 에폭시 수지><(A) Epoxy resin>

수지 조성물은, (A) 성분으로서, (A) 에폭시 수지를 함유한다. (A) 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지; 비스페놀A형 에폭시 수지; 비스페놀F형 에폭시 수지; 비스페놀S형 에폭시 수지; 비스페놀AF형 에폭시 수지; 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지; 트리스페놀형 에폭시 수지; 페놀노볼락형 에폭시 수지; 글리시딜아민형 에폭시 수지; 글리시딜에스테르형 에폭시 수지; 크레졸노볼락형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지; 선상 지방족 에폭시 수지; 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지; 지환식 에폭시 수지; 복소환식 에폭시 수지; 스피로환 함유 에폭시 수지; 사이클로헥산형 에폭시 수지; 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지; 트리메틸올형 에폭시 수지; 테트라페닐에탄형 에폭시 수지; 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지 등의 축합환 골격을 함유하는 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 그 중에서도, (A) 에폭시 수지로서는, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 축합환 골격을 함유하는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다.The resin composition contains (A) an epoxy resin as (A) component. (A) As an epoxy resin, For example, a bixylenol type epoxy resin; bisphenol A epoxy resin; Bisphenol F-type epoxy resin; bisphenol S-type epoxy resin; Bisphenol AF type epoxy resin; dicyclopentadiene type epoxy resin; trisphenol-type epoxy resin; phenol novolak-type epoxy resin; glycidylamine type epoxy resin; glycidyl ester type epoxy resin; cresol novolak-type epoxy resin; biphenyl type epoxy resin; linear aliphatic epoxy resin; an epoxy resin having a butadiene structure; alicyclic epoxy resin; heterocyclic epoxy resin; spiro ring-containing epoxy resin; cyclohexane type epoxy resin; cyclohexanedimethanol type epoxy resin; trimethylol type epoxy resin; tetraphenylethane type epoxy resin; and epoxy resins containing a condensed ring skeleton such as naphthylene ether type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, etc. can An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Especially, as (A) epoxy resin, it is preferable to contain the epoxy resin containing condensed-ring skeleton from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably.

수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.It is preferable that the resin composition contains the epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule as (A) an epoxy resin. From the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention, (A) with respect to 100% by mass of the nonvolatile component of the epoxy resin, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferably 50% by mass or more, More preferably, it is 60 mass % or more, Especially preferably, it is 70 mass % or more.

에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상의 에폭시 수지(이하 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음.)와, 온도 20℃에서 고체상의 에폭시 수지(이하 「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음.)가 있다. 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하고 있어도 좋지만, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 액상 에폭시 수지만을 포함하는 것이 바람직하다.The epoxy resin includes a liquid epoxy resin at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resin”) and a solid epoxy resin at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “solid epoxy resin”.) there is The resin composition may contain only the liquid epoxy resin, may contain only the solid epoxy resin, or may contain the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin in combination as the (A) epoxy resin, but the effect of the present invention It is preferable to include only a liquid epoxy resin from a viewpoint of obtaining remarkably.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.As a liquid epoxy resin, the liquid epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule is preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin , an alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexane-type epoxy resin, a cyclohexanedimethanol-type epoxy resin, a glycidylamine-type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferred, and an alicyclic epoxy having an ester skeleton Resin and a naphthalene type epoxy resin are more preferable.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀A형 에폭시 수지와 비스페놀F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a liquid epoxy resin, "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" by DIC company (naphthalene type epoxy resin); "828US", "jER828EL", "825", "Epicoat 828EL" by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol A epoxy resin); "jER807", "1750" by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol F type|mold epoxy resin); "jER152" by Mitsubishi Chemical (phenol novolak type epoxy resin); "630" and "630LSD" by Mitsubishi Chemical (glycidylamine type epoxy resin); "ZX1059" (mixed product of a bisphenol A epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin) by the Shin-Nittetsu Sumikin Chemical Company; "EX-721" by the Nagase Chemtex company (glycidyl ester type epoxy resin); "Celoxide 2021P" by Daicel (alicyclic epoxy resin which has ester skeleton); "PB-3600" by Daicel (epoxy resin which has a butadiene structure); "ZX1658", "ZX1658GS" (liquid 1, 4- glycidyl cyclohexane type epoxy resin) by a Nippon-Sumikin Chemical company, etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As a solid epoxy resin, the solid epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is preferable, and the aromatic solid epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the solid-state epoxy resin include a bixylenol-type epoxy resin, a naphthalene-type epoxy resin, a naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, a dicyclopentadiene-type epoxy resin, a trisphenol-type epoxy resin, a naphthol-type epoxy resin, and a non A phenyl-type epoxy resin, a naphthylene ether-type epoxy resin, an anthracene-type epoxy resin, a bisphenol A-type epoxy resin, a bisphenol AF-type epoxy resin, and a tetraphenylethane-type epoxy resin are preferable, and a naphthalene-type epoxy resin is more preferable.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a solid-state epoxy resin, "HP4032H" by DIC (naphthalene type epoxy resin); "HP-4700", "HP-4710" by DIC company (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin); "N-690" by DIC (cresol novolak type epoxy resin); "N-695" by DIC (cresol novolak type epoxy resin); "HP-7200" by DIC (dicyclopentadiene type epoxy resin); "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" manufactured by DIC ( naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" by a Nippon Kayaku company (trisphenol type epoxy resin); "NC7000L" (naphthol novolak type epoxy resin) by the Nippon Kayaku company; "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin) by the Nippon Kayaku company; "ESN475V" (naphthol type epoxy resin) by a Shin-Nippon Sumikin Chemical company; "ESN485" (naphthol novolak-type epoxy resin) by the Shin-Nittetsu Sumikin Chemical Company; "YX4000H", "YX4000", "YL6121" by Mitsubishi Chemical Corporation (biphenyl type epoxy resin); "YX4000HK" by Mitsubishi Chemical (bixylenol type epoxy resin); "YX8800" (anthracene type epoxy resin) by a Mitsubishi Chemical company; "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemicals; "YL7760" by a Mitsubishi Chemical company (bisphenol AF type|mold epoxy resin); "YL7800" by Mitsubishi Chemical (fluorene type epoxy resin); "jER1010" by Mitsubishi Chemical (solid bisphenol A epoxy resin); "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin) by a Mitsubishi Chemical company, etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(A) 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 그들의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 바람직하게는 1:0.1 내지 1:20, 보다 바람직하게는 1:1 내지 1:10, 특히 바람직하게는 1:1.5 내지 1:5이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비가 이러한 범위에 있음으로써, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다. 또한, 통상은, 수지 시트의 형태로 사용하는 경우에, 적당한 점착성이 형성된다. 또한, 통상은, 수지 시트의 형태로 사용하는 경우에, 충분한 가요성이 얻어져, 취급성이 향상된다. 또한, 통상은, 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 얻을 수 있다.(A) When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, their ratio (liquid epoxy resin:solid epoxy resin) is a mass ratio, preferably 1:0.1 to 1:20, more preferably is 1:1 to 1:10, particularly preferably 1:1.5 to 1:5. When the amount ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin is within such a range, the desired effect of the present invention can be significantly obtained. Moreover, when using in the form of a resin sheet normally, moderate adhesiveness is formed. Moreover, when using in the form of a resin sheet normally, sufficient flexibility is acquired and handling property improves. Moreover, usually, the hardened|cured material which has sufficient breaking strength can be obtained.

(A) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 5000g/eq., 보다 바람직하게는 50g/eq. 내지 3000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 2000g/eq., 보다 더욱 바람직하게는 110g/eq. 내지 1000g/eq.이다. 이 범위가 됨으로써, 수지 조성물층의 경화물의 가교 밀도가 충분해지고, 표면 거칠기가 작은 절연층을 형성할 수 있다. 에폭시 당량은, 1당량의 에폭시기를 포함하는 에폭시 수지의 질량이다. 이 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.(A) The epoxy equivalent of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 50 g/eq. to 5000 g/eq., more preferably 50 g/eq. to 3000 g/eq., more preferably 80 g/eq. to 2000 g/eq., even more preferably 110 g/eq. to 1000 g/eq. By being set to this range, the crosslinking density of the hardened|cured material of a resin composition layer becomes enough, and the insulating layer with a small surface roughness can be formed. Epoxy equivalent is the mass of the epoxy resin containing 1 equivalent of an epoxy group. This epoxy equivalent can be measured according to JISK7236.

(A) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 100 내지 4000, 더욱 바람직하게는 200 내지 5000이다.(A) The weight average molecular weight (Mw) of an epoxy resin is from a viewpoint of acquiring the desired effect of this invention remarkably, Preferably it is 100-5000, More preferably, it is 100-4000, More preferably, it is 200-5000.

수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.The weight average molecular weight of resin can be measured as a value in terms of polystyrene by a gel permeation chromatography (GPC) method.

(A) 에폭시 수지의 함유량은, 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 25질량% 이하, 특히 바람직하게는 20질량% 이하이다. 또한, 본 발명에 있어서, 수지 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 별도 명시가 없는 한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때의 값이다.(A) The content of the epoxy resin, from the viewpoint of obtaining an insulating layer showing good mechanical strength and insulation reliability, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 1% by mass or more, more preferably It is 2 mass % or more, More preferably, it is 3 mass % or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is preferably 30% by mass or less, more preferably 25% by mass or less, and particularly preferably 20% by mass or less from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. In addition, in this invention, unless otherwise indicated, content of each component in a resin composition is a value when the non-volatile component in a resin composition is 100 mass %.

<(B) 산 무수물계 경화제, 아민계 경화제, 및 페놀계 경화제로부터 선택되는 적어도 1종의 경화제><(B) at least one curing agent selected from an acid anhydride curing agent, an amine curing agent, and a phenol curing agent>

수지 조성물은, (B) 성분으로서, (B) 산 무수물계 경화제, 아민계 경화제, 및 페놀계 경화제로부터 선택되는 적어도 1종의 경화제를 함유한다. 경화제는, 통상, (A) 성분과 반응하여 수지 조성물을 경화시키는 기능을 갖지만, 특히 이들 경화제를 수지 조성물에 함유시킴으로써, (A) 성분과 반응하여 수지 조성물을 경화시키는 기능에 더하여, 휨의 발생이 억제된 경화물을 얻는 것이 가능해진다. (B) 성분은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition contains, as component (B), at least one curing agent selected from (B) an acid anhydride curing agent, an amine curing agent, and a phenol curing agent. The curing agent usually has a function of curing the resin composition by reacting with the component (A). In particular, by containing these curing agents in the resin composition, in addition to the function of curing the resin composition by reacting with the component (A), the occurrence of warpage It becomes possible to obtain this suppressed hardened|cured material. (B) A component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

산 무수물계 경화제로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 경화제를 들 수 있다. 산 무수물계 경화제의 구체예로서는, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 4-메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 숙신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 비페닐테트라카복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐술폰테트라카복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 폴리머형의 산 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the acid anhydride curing agent include curing agents having at least one acid anhydride group in one molecule. Specific examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, and methylnadic anhydride. Anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, anhydride Trimellitic acid, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid dianhydride, 1,3,3a,4,5,9b-hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho [1,2-C] furan-1, Polymeric acid anhydrides, such as 3-dione, ethylene glycol bis (anhydro trimellitate), and styrene maleic acid resin which copolymerized styrene and maleic acid, etc. are mentioned.

산 무수물계 경화제는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 신니혼 리카사 제조의 「MH-700」 등을 들 수 있다.A commercial item may be used for an acid anhydride type hardening|curing agent, for example, "MH-700" by a Shin-Nippon Rika company, etc. are mentioned.

아민계 경화제로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 아미노기를 갖는 경화제를 들 수 있으며, 예를 들면, 지방족 아민류, 폴리에테르아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등을 들 수 있으며, 그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 나타내는 관점에서, 방향족 아민류가 바람직하다. 아민계 경화제는, 제1급 아민 또는 제2급 아민이 바람직하고, 제1급 아민이 보다 바람직하다. 아민계 경화제의 구체예로서는, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸아닐린), 디페닐디아미노술폰, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, m-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, 디에틸톨루엔디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄디아민, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)술폰, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)술폰, 등을 들 수 있다.Examples of the amine-based curing agent include curing agents having at least one amino group in one molecule, for example, aliphatic amines, polyetheramines, alicyclic amines, aromatic amines, and the like. From a viewpoint of showing a desired effect, aromatic amines are preferable. Primary amine or secondary amine is preferable and, as for an amine type hardening|curing agent, primary amine is more preferable. Specific examples of the amine curing agent include 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylaniline), diphenyldiaminosulfone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone , 3,3'-diaminodiphenylsulfone, m-phenylenediamine, m-xylylenediamine, diethyltoluenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4, 4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxybenzidine, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl ) propane, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethanediamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4- (4-amino) Phenoxy) phenyl) propane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4 ,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)sulfone, etc. are mentioned. .

아민계 경화제는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 니혼 카야쿠사 제조의 「KAYABOND C-200S」, 「KAYABOND C-100」, 「카야하드 A-A」, 「카야하드 A-B」, 「카야하드 A-S」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「에피큐어 W」 등을 들 수 있다.Commercially available amine curing agents may be used, for example, "KAYABOND C-200S", "KAYABOND C-100", "Kayahard AA", "Kayahard AB", "Kayahard AS" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. , "Epicure W" by Mitsubishi Chemical Corporation, etc. are mentioned.

페놀계 경화제로서는, 방향환(벤젠환, 나프탈렌환 등)에 결합한 수산기를 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상 갖는 경화제를 들 수 있다. 그 중에서도, 벤젠환에 결합된 수산기를 갖는 화합물이 바람직하다. 또한, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제가 바람직하다. 또한, 밀착성의 관점에서는, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다. 특히, 내열성, 내수성, 및 밀착성을 고도로 만족시키는 관점에서는, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 경화제가 바람직하다.Examples of the phenol-based curing agent include one or more, preferably two or more, hydroxyl groups bonded to an aromatic ring (such as a benzene ring or a naphthalene ring) in one molecule. Especially, the compound which has the hydroxyl group couple|bonded with the benzene ring is preferable. In addition, from the viewpoint of heat resistance and water resistance, a phenolic curing agent having a novolak structure is preferable. Moreover, from an adhesive viewpoint, a nitrogen-containing phenol-type hardening|curing agent is preferable, and a triazine skeleton containing phenol-type hardening|curing agent is more preferable. In particular, a triazine skeleton-containing phenol novolac curing agent is preferable from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesiveness.

페놀계 경화제의 구체예로서는, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 「MEH-8000H」; 니혼 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」; DIC사 제조의 「TD-2090」, 「TD-2090-60M」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」, 「HPC-9500」, 「KA-1160」, 「KA-1163」, 「KA-1165」; 군에이 카가쿠사 제조의 「GDP-6115L」, 「GDP-6115H」, 「ELPC75」; 시그마 알드리치사 제조의 「2,2-디알릴비스페놀A」 등을 들 수 있다.As a specific example of a phenol type hardening|curing agent, "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851", "MEH-8000H" by Meiwa Kasei Corporation; "NHN", "CBN", "GPH" manufactured by Nippon Kayaku Corporation; "TD-2090", "TD-2090-60M", "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018", "LA-3018-50P" manufactured by DIC Corporation, "EXB-9500", "HPC-9500", "KA-1160", "KA-1163", "KA-1165"; "GDP-6115L", "GDP-6115H", "ELPC75" manufactured by Gunei Chemical Company; "2,2-diallyl bisphenol A" by the Sigma-Aldrich company, etc. are mentioned.

(B) 성분의 함유량은, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.3질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다.(B) Content of component is preferably 0.1 mass % or more, More preferably, 0.2 mass % or more, when it is made into 100 mass % of non-volatile components in a resin composition from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably Preferably it is 0.3 mass % or more, Preferably it is 20 mass % or less, More preferably, it is 15 mass % or less, More preferably, it is 10 mass % or less.

(A) 성분의 에폭시기 수를 1로 한 경우, (B) 성분의 활성기 수는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.3 이상, 더욱 바람직하게는 0.5 이상이며, 바람직하게는 2 이하, 보다 바람직하게는 1.8 이하, 더욱 바람직하게는 1.5 이하이다. 여기에서, 「(A) 성분의 에폭시기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (A) 성분의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 전부 합계한 값이다. 또한, 「(B) 성분의 활성기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (B) 성분의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 전부 합계한 값이다. (A) 성분의 에폭시기 수를 1로 한 경우의 (B) 성분의 활성기 수가 상기 범위에 있음으로써, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다.When the number of epoxy groups in component (A) is 1, the number of active groups in component (B) is preferably 0.1 or more, more preferably 0.3 or more, still more preferably 0.5 or more, preferably 2 or less, more Preferably it is 1.8 or less, More preferably, it is 1.5 or less. Here, "the number of epoxy groups of (A) component" is the value which summed up all the values obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of (A) component present in the resin composition by the epoxy equivalent. In addition, "the number of active groups of component (B)" is the total value of all the values obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of component (B) in the resin composition by the equivalent of active groups. The desired effect of this invention can be acquired remarkably because the number of active groups of (B) component at the time of making the number of epoxy groups of (A) component into 1 exists in the said range.

<(C) 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지><(C) Polyester polyol resin having an aromatic structure>

수지 조성물은, (C) 성분으로서 (C) 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지를 함유한다. (C) 성분을 수지 조성물에 함유시킴으로써 그 경화물의 응력이 완화되고, 그 결과, 높은 접합 강도를 갖고 또한 경화물의 휨의 발생이 억제된 경화물을 얻는 것이 가능해진다. 또한, (C) 성분이 응력을 완화하는 작용을 발휘할 수 있기 때문에, 통상, 경화물의 열팽창 계수(CTE)를 낮출 수 있다. (C) 성분은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.A resin composition contains the polyester polyol resin which has (C) aromatic structure as (C)component. (C) By containing component in a resin composition, the stress of the hardened|cured material is relieved, As a result, it becomes possible to obtain the hardened|cured material with high bonding strength and generation|occurrence|production of the curvature of hardened|cured material was suppressed. Moreover, since (C) component can exhibit the effect|action which relieves stress, the coefficient of thermal expansion (CTE) of hardened|cured material can be lowered|hung normally. (C) A component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(C) 성분의 함유량으로서는, 높은 접합 강도를 갖고 또한 휨의 발생이 억제된 경화물을 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 2질량% 이상이며, 바람직하게는 3질량% 이상, 보다 바람직하게는 4질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이다. 상한은, 접합 강도 및 열팽창 계수가 뛰어난 경화물을 얻는 관점에서, 20질량% 이하이고, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 더욱 바람직하게는 8질량% 이하이다.(C) The content of the component is 2% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of obtaining a cured product having high bonding strength and suppressed occurrence of warpage, preferably It is 3 mass % or more, More preferably, it is 4 mass % or more, More preferably, it is 5 mass % or more. The upper limit is 20 mass % or less, preferably 15 mass % or less, more preferably 10 mass % or less, still more preferably 8 mass % or less from the viewpoint of obtaining a cured product having excellent bonding strength and thermal expansion coefficient.

(C) 성분은, 경화물의 휨의 발생을 억제하는 동시에, 동박 등의 도체층에 대한 밀착성을 향상시키고, 또한 가수분해성을 향상시키는 관점에서, 폴리에스테르 유래의 구조 및 폴리올 유래의 구조를 갖는 수지인 것이 바람직하다. 이 수지는, 예를 들면, 폴리올과, 폴리카복실산을 반응시켜서 얻어질 수 있다. 또한, (C) 성분으로서는, 폴리에스테르 유래의 구조 및 폴리올 유래의 구조 중 어느 하나에 방향족 구조를 갖는 것이 바람직하며, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 폴리에스테르 유래의 구조 및 폴리올 유래 구조 중 어느 하나에 비스페놀 골격을 갖는 것이 보다 바람직하고, 폴리올 유래의 구조에 비스페놀 골격을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 방향족 구조란, 일반적으로 방향족으로 정의되는 화학 구조이며, 다환 방향족 및 방향족 복소환도 포함한다. 비스페놀 골격으로서는, 예를 들면, 비스페놀A 골격, 비스페놀B 골격, 비스페놀C 골격, 비스페놀AF 골격 등을 들 수 있으며, 비스페놀A 골격이 바람직하다.The component (C) is a resin having a structure derived from polyester and a structure derived from polyol from the viewpoint of suppressing the occurrence of warpage of the cured product, improving adhesion to a conductor layer such as copper foil, and improving hydrolysis properties It is preferable to be This resin can be obtained, for example, by reacting a polyol with a polycarboxylic acid. Moreover, as component (C), it is preferable to have an aromatic structure in either one of a structure derived from a polyester and a structure derived from a polyol, From a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, a structure derived from polyester and a structure derived from polyol It is more preferable to have a bisphenol skeleton in any one, and it is still more preferable to have a bisphenol skeleton in the structure derived from a polyol. An aromatic structure is a chemical structure generally defined as aromatic, and polycyclic aromatic and aromatic heterocyclic ring are also included. Examples of the bisphenol skeleton include bisphenol A skeleton, bisphenol B skeleton, bisphenol C skeleton, and bisphenol AF skeleton, with bisphenol A skeleton being preferred.

(C) 성분은, (A) 에폭시 수지와의 상용성 및 동박 등에 대한 밀착성을 향상시키는 관점에서, 당해 (C) 성분의 분자쇄의 말단이 하이드록시기 및 카복실기 중 어느 하나인 것이 바람직하다. (C) 성분에 포함되는 하이드록시기 및 카복실기의 수로서는, 1분자당, 바람직하게는 2개 이상이고, 바람직하게는 6개 이하, 보다 바람직하게는 4개 이하, 더욱 바람직하게는 3개 이하이고, 특히 바람직하게는 2개이다.It is preferable that the terminal of the molecular chain of the component (C) is either a hydroxyl group or a carboxyl group from the viewpoint of improving the compatibility with the component (A) and the adhesion to the copper foil and the like with the (A) epoxy resin. . (C) As the number of hydroxyl groups and carboxyl groups contained in component, per molecule, Preferably it is 2 or more, Preferably it is 6 or less, More preferably, it is 4 or less, More preferably, it is 3 It is the following, Especially preferably, it is two.

폴리올 유래의 구조는, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 에틸렌옥사이드 구조(-CH2CH2O-), 프로필렌옥사이드 구조(-CH2CH2CH2O-), 부틸렌옥사이드 구조(-CH2CH2CH2CH2O-) 등의 탄소 원자수가 2 이상의 알킬렌옥사이드 구조를 갖는 것이 바람직하다.The polyol-derived structure is from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, an ethylene oxide structure (-CH 2 CH 2 O-), a propylene oxide structure (-CH 2 CH 2 CH 2 O-), a butylene oxide structure ( carbon atoms, such as -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 O-) is preferred to have at least two alkylene oxide structure.

폴리올로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 1,3-부탄디올 등의 지방족 폴리올; 사이클로헥산디메탄올 등의 지환식 구조를 갖는 폴리올; 비스페놀A 및 비스페놀F 등의 비스페놀 골격 등의 방향족 구조를 갖는 폴리올; 상기 방향족 구조를 갖는 폴리올을 알킬렌옥사이드 변성한 폴리올 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리올로서는, 지환식 구조를 갖는 폴리올, 방향족 구조를 갖는 폴리올, 방향족 구조를 갖는 폴리올을 알킬렌옥사이드 변성한 폴리올이 바람직하고, 방향족 구조를 갖는 폴리올을 알킬렌옥사이드 변성한 폴리올이 보다 바람직하다. 폴리올은, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the polyol include aliphatic polyols such as ethylene glycol, propylene glycol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, diethylene glycol, neopentyl glycol, and 1,3-butanediol; polyols having an alicyclic structure such as cyclohexanedimethanol; polyols having aromatic structures such as bisphenol skeletons such as bisphenol A and bisphenol F; The polyol etc. which modified|denatured the polyol which have the said aromatic structure with alkylene oxide are mentioned. Among them, as the polyol, a polyol having an alicyclic structure, a polyol having an aromatic structure, and a polyol obtained by modifying a polyol having an aromatic structure with alkylene oxide are preferable, and a polyol obtained by modifying a polyol having an aromatic structure with alkylene oxide is more preferable. do. A polyol may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

방향족 구조를 갖는 폴리올의 변성에 사용되는 알킬렌옥사이드로서는, 예를 들어, 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드, 부틸렌옥사이드 등의 탄소 원자수가 2 이상의 알킬렌옥사이드 등을 들 수 있다. 탄소 원자수가 2 이상의 알킬렌옥사이드의 탄소 원자수의 상한은, 바람직하게는 4 이하이며, 보다 바람직하게는 3 이하이다.As an alkylene oxide used for modification|denaturation of the polyol which has an aromatic structure, C2 or more alkylene oxides, such as ethylene oxide, a propylene oxide, a butylene oxide, etc. are mentioned, for example. The upper limit of the number of carbon atoms of the alkylene oxide having 2 or more carbon atoms is preferably 4 or less, and more preferably 3 or less.

폴리올의 수 평균 분자량으로서는, 바람직하게는 50 이상이고, 바람직하게는 1500 이하, 보다 바람직하게는 1000 이하, 더욱 바람직하게는 700 이하이다.As a number average molecular weight of a polyol, Preferably it is 50 or more, Preferably it is 1500 or less, More preferably, it is 1000 or less, More preferably, it is 700 or less.

폴리올은 시판품을 사용해도 좋다. 시판품으로서는, 예를 들어, DIC사 제조의 「하이브록스 MDB-561」 등을 들 수 있다.As the polyol, a commercially available product may be used. As a commercial item, "Hybrox MDB-561" by DIC Corporation etc. is mentioned, for example.

폴리카복실산으로서는, 예를 들어, 숙신산, 아디프산, 세바스산, 도데칸디카복실산 등의 지방족 폴리카복실산; 테레프탈산, 이소프탈산, 프탈산, 나프탈렌디카복실산 등의 방향족 폴리카복실산; 그들의 무수물 또는 에스테르화물 등을 들 수 있다.Examples of the polycarboxylic acid include aliphatic polycarboxylic acids such as succinic acid, adipic acid, sebacic acid, and dodecanedicarboxylic acid; aromatic polycarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, phthalic acid and naphthalenedicarboxylic acid; their anhydrides or esterified products; and the like.

폴리카복실산은, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋고, 폴리카복실산으로서는 지방족 폴리카복실산을 포함하는 것이 바람직하다. 지방족 폴리카복실산의 함유율로서는, 폴리카복실산의 전체 함유량 중, 바람직하게는 5몰% 이상, 보다 바람직하게는 10몰% 이상이고, 바람직하게는 100몰% 이하이다.Polycarboxylic acid may be used individually by 1 type, may be used in combination of 2 or more type, It is preferable that an aliphatic polycarboxylic acid is included as polycarboxylic acid. The content of the aliphatic polycarboxylic acid is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, and preferably 100 mol% or less, in the total content of the polycarboxylic acid.

일 실시형태로서는, 폴리카복실산으로서, 지방족 폴리카복실산 및 방향족 폴리카복실산을 조합하여 사용한다. 방향족 폴리카복실산 및 지방족 폴리카복실산의 함유량비(방향족 폴리카복실산/지방족 폴리카복실산)로서는, 몰 기준으로 바람직하게는 1/99 이상, 보다 바람직하게는 30/70 이상, 더욱 바람직하게는 50/50 이상이며, 바람직하게는 99/1 이하, 보다 바람직하게는 90/10 이하, 더욱 바람직하게는 85/15 이하이다. 방향족 폴리카복실산 및 지방족 폴리카복실산의 함유량비를 이러한 범위 내로 함으로써, 본 발명의 효과를 현저하게 얻을 수 있다.In one embodiment, as the polycarboxylic acid, an aliphatic polycarboxylic acid and an aromatic polycarboxylic acid are used in combination. The content ratio of the aromatic polycarboxylic acid and the aliphatic polycarboxylic acid (aromatic polycarboxylic acid/aliphatic polycarboxylic acid) is preferably 1/99 or more, more preferably 30/70 or more, still more preferably 50/50 or more on a molar basis. , Preferably it is 99/1 or less, More preferably, it is 90/10 or less, More preferably, it is 85/15 or less. By making the content ratio of the aromatic polycarboxylic acid and the aliphatic polycarboxylic acid within such a range, the effects of the present invention can be significantly obtained.

(C) 성분은, 본 발명의 목적을 저해하지 않을 정도로 탄소 원자수가 4 이상의 옥시알킬렌 단위를 함유하고 있어도 좋다. 탄소 원자수가 4 이상의 옥시알킬렌 단위의 함유율로서는, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량% 이하, 특히 바람직하게는 1질량% 이하이다.(C) The component may contain the C4 or more oxyalkylene unit to such an extent that the objective of this invention is not impaired. The content of the oxyalkylene unit having 4 or more carbon atoms is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, still more preferably 3% by mass or less, and particularly preferably 1% by mass or less.

(C) 성분은, 예를 들면, 폴리올과 폴리카복실산을 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 반응 온도로서는, 바람직하게는 190℃ 이상, 보다 바람직하게는 200℃ 이상이고, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 240℃ 이하이다. 또한, 반응 시간은, 바람직하게는 1시간 이상이고, 바람직하게는 100시간 이하이다.(C) A component can be manufactured, for example by making a polyol and polycarboxylic acid react. As reaction temperature, Preferably it is 190 degreeC or more, More preferably, it is 200 degreeC or more, Preferably it is 250 degrees C or less, More preferably, it is 240 degrees C or less. Moreover, the reaction time becomes like this. Preferably it is 1 hour or more, Preferably it is 100 hours or less.

반응시에는, 필요에 따라 촉매를 사용해도 좋다. 촉매로서는, 예를 들면, 테트라이소프로필티타네이트, 테트라부틸티타네이트 등의 티탄계 촉매; 디부틸주석옥사이드 등의 주석계 촉매; p-톨루엔술폰산 등의 유기 술폰산계 촉매 등을 들 수 있다. 촉매는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.In the case of reaction, you may use a catalyst as needed. Examples of the catalyst include titanium-based catalysts such as tetraisopropyl titanate and tetrabutyl titanate; tin-based catalysts such as dibutyltin oxide; Organic sulfonic acid catalysts, such as p-toluenesulfonic acid, etc. are mentioned. A catalyst may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

촉매의 함유량으로서는, 효율적으로 반응을 진행시키는 관점에서, 폴리올 및 폴리카복실산의 합계 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.0001질량부 이상, 보다 바람직하게는 0.0005질량부 이상이고, 바람직하게는 0.01질량부 이하, 보다 바람직하게는 0.005질량부 이하이다.The content of the catalyst is preferably 0.0001 parts by mass or more, more preferably 0.0005 parts by mass or more, preferably 0.01 parts by mass to 100 parts by mass in total of the polyol and polycarboxylic acid from the viewpoint of efficiently advancing the reaction. Hereinafter, more preferably, it is 0.005 mass part or less.

(C) 성분의 수산기가로서는, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 2mgKOH/g 이상, 보다 바람직하게는 4mgKOH/g 이상, 더욱 바람직하게는 6mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이상, 25mgKOH/g 이상, 30mgKOH/g 이상, 또는 35mgKOH/g 이상이고, 바람직하게는 450mgKOH/g 이하, 보다 바람직하게는 100mgKOH/g 이하, 더욱 바람직하게는 50mgKOH/g 이하, 45mgKOH/g 이하, 또는 40mgKOH/g 이하이다. 수산기가는, JIS K0070에 준거한 방법에 의해 측정할 수 있다.(C) As a hydroxyl value of component, from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, Preferably it is 2 mgKOH/g or more, More preferably, it is 4 mgKOH/g or more, More preferably, it is 6 mgKOH/g or more, 10 mgKOH/g or more. , 25 mgKOH/g or more, 30 mgKOH/g or more, or 35 mgKOH/g or more, preferably 450 mgKOH/g or less, more preferably 100 mgKOH/g or less, still more preferably 50 mgKOH/g or less, 45 mgKOH/g or less, or 40 mgKOH/g or less. A hydroxyl value can be measured by the method based on JISK0070.

또한, (C) 성분의 산가로서는, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 2mgKOH/g 이상, 보다 바람직하게는 4mgKOH/g 이상, 더욱 바람직하게는 6mgKOH/g 이상, 10mgKOH/g 이상, 25mgKOH/g 이상, 30mgKOH/g 이상, 또는 35mgKOH/g 이상이고, 바람직하게는 450mgKOH/g 이하, 보다 바람직하게는 100mgKOH/g 이하, 더욱 바람직하게는 50mgKOH/g 이하, 45mgKOH/g 이하, 또는 40mgKOH/g 이하이다. 산가는, JIS K0070에 준거한 방법에 의해 측정할 수 있다.Moreover, as an acid value of (C)component, from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, Preferably it is 2 mgKOH/g or more, More preferably, it is 4 mgKOH/g or more, More preferably, it is 6 mgKOH/g or more, 10 mgKOH/g. or more, 25 mgKOH/g or more, 30 mgKOH/g or more, or 35 mgKOH/g or more, preferably 450 mgKOH/g or less, more preferably 100 mgKOH/g or less, still more preferably 50 mgKOH/g or less, 45 mgKOH/g or less, or 40 mgKOH/g or less. An acid value can be measured by the method based on JISK0070.

(C) 성분의 75℃에서의 점도로서는, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.1Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 0.2Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 0.5Pa·s 이상이며, 바람직하게는 25Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 20Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 15Pa·s 이하이다. 점도는, 예를 들어, E형 점도계를 사용하여 측정할 수 있다.(C) As a viscosity at 75 degreeC of component, from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, Preferably it is 0.1 Pa.s or more, More preferably, it is 0.2 Pa.s or more, More preferably, it is 0.5 Pa.s. or more, preferably 25 Pa·s or less, more preferably 20 Pa·s or less, still more preferably 15 Pa·s or less. The viscosity can be measured using, for example, an E-type viscometer.

(C) 성분의 수 평균 분자량으로서는, (A) 에폭시 수지와의 상용성 및 동박 등에 대한 밀착성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 500 이상, 보다 바람직하게는 1000 이상, 더욱 바람직하게는 1500 이상, 2000 이상, 또는 2500 이상이고, 바람직하게는 7000 이하, 보다 바람직하게는 6000 이하, 더욱 바람직하게는 5000 이하이다. 수 평균 분자량은, GPC(겔 침투 크로마토그래피)를 사용하여 측정할 수 있다.(C) As a number average molecular weight of component, (A) From a viewpoint of improving the compatibility with an epoxy resin and adhesiveness to copper foil etc., Preferably it is 500 or more, More preferably, it is 1000 or more, More preferably, it is 1500 or more, It is 2000 or more, or 2500 or more, Preferably it is 7000 or less, More preferably, it is 6000 or less, More preferably, it is 5000 or less. A number average molecular weight can be measured using GPC (gel permeation chromatography).

(C) 성분의 유리 전이 온도로서는, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 -100℃ 이상, 보다 바람직하게는 -80℃ 이상, 더욱 바람직하게는 -70℃ 이상이고, 바람직하게는 50℃ 이하, 보다 바람직하게는 40℃ 이하, 더욱 바람직하게는 30℃ 이하이다. 유리 전이 온도는, DSC(시사 주사 열량 측정)에 의해 측정한 값이다.(C) As a glass transition temperature of component, from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, Preferably it is -100 degreeC or more, More preferably, it is -80 degreeC or more, More preferably, it is -70 degreeC or more, Preferably is 50°C or less, more preferably 40°C or less, still more preferably 30°C or less. The glass transition temperature is a value measured by DSC (seen scanning calorimetry).

<(D) 무기 충전재><(D) Inorganic filler>

수지 조성물은, (D) 무기 충전재를 함유한다. (D) 무기 충전재를 수지 조성물에 함유시킴으로써, 열팽창 계수가 뛰어난 경화물을 얻는 것이 가능해진다.The resin composition contains (D) an inorganic filler. (D) By containing an inorganic filler in a resin composition, it becomes possible to obtain the hardened|cured material excellent in a thermal expansion coefficient.

무기 충전재의 재료로서는, 무기 화합물을 사용한다. 무기 충전재의 재료의 예로서는, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무트, 산화티타늄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 및 인산텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카, 알루미나가 적합하고, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들면, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는, 구상 실리카가 바람직하다. (D) 무기 충전재는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As the material of the inorganic filler, an inorganic compound is used. Examples of the material of the inorganic filler include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, carbonate Calcium, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, barium zirconate titanate, zircon Barium acid, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungsten phosphate etc. are mentioned. Among these, silica and alumina are suitable, and silica is especially suitable. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Moreover, as a silica, spherical silica is preferable. (D) An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(D) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 신닛테츠 스미킨 머테리얼즈사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조의 「UFP-30」; 토쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」; 등을 들 수 있다.(D) As a commercial item of an inorganic filler, For example, "SP60-05", "SP507-05" by the Shin-Nitetsu Sumikin Materials company; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Adomatex Corporation; "UFP-30" by Denka Corporation; "Silly writing NSS-3N", "Silly writing NSS-4N", "Silly writing NSS-5N" by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1" manufactured by Adomatex Corporation; and the like.

(D) 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.01μm 이상, 보다 바람직하게는 0.05μm 이상, 특히 바람직하게는 0.1μm 이상이며, 바람직하게는 25μm 이하, 보다 바람직하게는 5μm 이하, 더욱 바람직하게는 1μm 이하이다.(D) The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.01 µm or more, more preferably 0.05 µm or more, particularly preferably 0.1 µm or more, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention, preferably It is 25 micrometers or less, More preferably, it is 5 micrometers or less, More preferably, it is 1 micrometer or less.

(D) 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중앙(median) 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재 100mg, 메틸에틸케톤 10g을 바이알병에 측정하여 담아, 초음파로 10분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치를 사용하여, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 플로우 셀 방식으로 (D) 무기 충전재의 체적 기준의 입자 직경 분포를 측정하고, 얻어진 입자 직경 분포로부터 중앙 직경으로서 평균 입자 직경을 산출할 수 있다. 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 예를 들어 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「LA-960」 등을 들 수 있다.(D) The average particle diameter of an inorganic filler can be measured by the laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can measure by creating the particle size distribution of an inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, and making the median diameter into an average particle diameter. As the measurement sample, 100 mg of inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone were measured and placed in a vial and dispersed by ultrasonic wave for 10 minutes can be used. The particle size distribution obtained by measuring the volume-based particle size distribution of the (D) inorganic filler by a flow cell method using a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus for the measurement sample, using a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, using a light source wavelength as blue and red. From this, the average particle diameter can be calculated as the median diameter. As a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, "LA-960" by Horiba Corporation, etc. are mentioned, for example.

(D) 무기 충전재의 비표면적은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 1m2/g 이상, 보다 바람직하게는 1.5m2/g 이상, 특히 바람직하게는 2m2/g 이상 또는 3m2/g 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 60m2/g 이하, 50m2/g 이하 또는 40m2/g 이하이다. 비표면적은, BET법에 따라서, 비표면적 측정 장치(마운테크사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻어진다.(D) a specific surface area of the inorganic filler is, in terms remarkably obtain the desired effect of the present invention, preferably 1m 2 / g or more, still more preferably 1.5m 2 / g or more, particularly preferably 2m 2 / g or more or 3 m 2 /g or more. Although there is no particular limitation on the upper limit, it is preferably 60 m 2 /g or less, 50 m 2 /g or less, or 40 m 2 /g or less. The specific surface area is obtained by adsorbing nitrogen gas to the sample surface using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210 manufactured by Mountec) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multi-point method.

(D) 무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 불소 함유 실란커플링제, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 또한, 표면 처리제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다.(D) It is preferable that the inorganic filler is treated with the surface treating agent from a viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. As the surface treatment agent, for example, a fluorine-containing silane coupling agent, an aminosilane-based coupling agent, an epoxysilane-based coupling agent, a mercaptosilane-based coupling agent, a silane-based coupling agent, an alkoxysilane, an organosilazane compound, a titanate-based coupler A ring agent etc. are mentioned. In addition, a surface treatment agent may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types arbitrarily.

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란커플링제), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.As a commercial item of a surface treatment agent, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make "KBM403" (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make "KBM803" (3-mercaptopropyl trimethoxy), for example, silane), “KBE903” (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM573” (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “SZ-31” (hexamethyldisilazane) manufactured by Kogyo Co., Ltd. “KBM103” (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM-4803” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (long-chain epoxy type silane coupler) ring agent), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-7103" (3,3,3-trifluoropropyl trimethoxysilane), etc. are mentioned.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 소정의 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량부는, 0.2질량부 내지 5질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량부 내지 3질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.3질량부 내지 2질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the grade of the surface treatment by a surface treating agent falls within a predetermined range from a viewpoint of the dispersibility improvement of an inorganic filler. Specifically, 100 parts by mass of the inorganic filler is preferably surface-treated with 0.2 parts by mass to 5 parts by mass of a surface treatment agent, preferably at 0.2 parts by mass to 3 parts by mass, and 0.3 parts by mass to 2 parts by mass. It is preferable that it is surface-treated.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량에 따라 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/m2 이상이 바람직하고, 0.1mg/m2 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/m2 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니시의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1mg/m2 이하가 바람직하고, 0.8mg/m2 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/m2 이하가 더욱 바람직하다.The grade of the surface treatment by a surface treatment agent can be evaluated according to the amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler. The carbon amount of the unit surface area of the inorganic filler is, from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, 0.02mg / m 2 or more is preferable, and 0.1mg / m 2 or more is more preferable, 0.2mg / m 2 or more is more desirable. On the other hand, from the viewpoint of suppressing the increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity of the sheet form, 1mg / m 2 or less are preferred, 0.8mg / m 2 or less, more preferably, 0.5mg / m 2 or less, more desirable.

무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 더해서, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler can be measured, after washing-processing the inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, MEK in a sufficient amount as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, followed by ultrasonic cleaning at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" by Horiba Corporation, etc. can be used.

(D) 무기 충전재의 함유량으로서는, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 60질량% 이상, 보다 바람직하게는 65질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상, 75질량% 이상이고, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 93질량% 이하, 더욱 바람직하게는 92질량% 이하, 90질량% 이하이다.(D) As content of an inorganic filler, when the nonvolatile component in a resin composition is 100 mass % from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, Preferably it is 60 mass % or more, More preferably, it is 65 mass % or more. , More preferably 70 mass % or more, 75 mass % or more, Preferably it is 95 mass % or less, More preferably, it is 93 mass % or less, More preferably, it is 92 mass % or less, 90 mass % or less.

수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우의 (D) 성분의 함유량을 d1로 하고, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우의 (C) 성분의 함유량을 c1로 했을 때, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, d1/c1은, 바람직하게는 5 이상, 보다 바람직하게는 10 이상, 더욱 바람직하게는 15 이상이고, 바람직하게는 70 이하, 보다 바람직하게는 60 이하, 더욱 바람직하게는 50 이하, 45 이하, 40 이하, 또는 35 이하이다.When the content of the component (D) when the non-volatile component in the resin composition is 100 mass% is d1, and the content of the component (C) when the non-volatile component in the resin composition is 100 mass% is c1 , from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention, d1/c1 is preferably 5 or more, more preferably 10 or more, still more preferably 15 or more, preferably 70 or less, more preferably 60 or less , more preferably 50 or less, 45 or less, 40 or less, or 35 or less.

<(E) 경화 촉진제><(E) curing accelerator>

수지 조성물은, 상술한 성분 이외에, 임의의 성분으로서, 추가로, (E) 경화 촉진제를 포함하고 있어도 좋다. (E) 경화 촉진제를 함유시킴으로써, 경화 시간 등을 효율적으로 조정할 수 있다.The resin composition may contain the (E) hardening accelerator further as arbitrary components other than the component mentioned above. (E) By containing a hardening accelerator, hardening time etc. can be adjusted efficiently.

경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a hardening accelerator, a phosphorus type hardening accelerator, an amine type hardening accelerator, an imidazole type hardening accelerator, a guanidine type hardening accelerator, a metal type hardening accelerator, etc. are mentioned, for example. Among these, phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators and metallic curing accelerators are preferable, and amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators and metal-based curing accelerators are more preferable. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of the phosphorus-based curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphoniumdecanoate, (4-methylphenyl)triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenyl phosphonium thiocyanate, butyl triphenyl phosphonium thiocyanate, etc. are mentioned, Triphenyl phosphine and tetrabutyl phosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센, 1,8-디아자비사이클로[5,4,0]운데센-7,4-디메틸아미노피리딘, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1,8 -diazabicyclo (5,4,0)-undecene, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] undecene-7,4-dimethylaminopyridine, 2,4,6-tris (dimethylamino methyl) phenol and the like, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl -4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl Imidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2′-ethyl-4′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s- Triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazoleisocyanuric acid adduct Water, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2 -a] imidazole compounds such as benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline and 2-phenylimidazoline, and imidazole compounds and epoxy resins An adduct body is mentioned, 2-ethyl- 4-methylimidazole and 1-benzyl- 2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」, 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「큐어졸 2MZ」, 「2E4MZ」, 「Cl1Z」, 「Cl1Z-CN」, 「Cl1Z-CNS」, 「Cl1Z-A」, 「2MZ-OK」, 「2MA-OK」, 「2PHZ」 등을 들 수 있다.As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, for example, “P200-H50” manufactured by Mitsubishi Chemical, “Curesol 2MZ”, “2E4MZ”, “Cl1Z”, “Cl1Z” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd. -CN", "Cl1Z-CNS", "Cl1Z-A", "2MZ-OK", "2MA-OK", "2PHZ", etc. are mentioned.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide, etc. are mentioned, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene is preferred.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II) 아세틸아세토네이트, 코발트(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아르산주석, 스테아르산아연 등을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing accelerator include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese and tin. Specific examples of the organometallic complex include organocobalt complexes such as cobalt(II) acetylacetonate and cobalt(III) acetylacetonate, organocopper complexes such as copper(II) acetylacetonate, zinc(II) acetylacetonate, etc. organic zinc complexes, organic iron complexes such as iron(III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel(II) acetylacetonate, and organomanganese complexes such as manganese(II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

(E) 경화 촉진제의 함유량은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이상이고, 바람직하게는 1.5질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.(E) Content of a hardening accelerator, when the nonvolatile component in a resin composition is 100 mass % from a viewpoint of acquiring the desired effect of this invention remarkably, Preferably it is 0.01 mass % or more, More preferably, it is 0.05 mass %. More preferably, it is 0.1 mass % or more, Preferably it is 1.5 mass % or less, More preferably, it is 1 mass % or less, More preferably, it is 0.5 mass % or less.

<(F) 용제><(F) Solvent>

수지 조성물은, 휘발성 성분으로서, 추가로 임의의 용제를 함유하고 있어도 좋다. 용제로서는, 예를 들면, 유기 용제를 들 수 있다. 또한, 용제는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 용제는, 양이 적을수록 바람직하다. 용제의 양은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.01질량% 이하이며, 포함하지 않는 것(0질량%)이 특히 바람직하다. 또한, 수지 조성물은, 이와 같이 용제의 양이 적은 경우에, 페이스트상이라도 좋다. 페이스트상의 수지 조성물의 25℃에서의 점도는, 20Pa·s 내지 1000Pa·s의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.The resin composition may further contain arbitrary solvents as a volatile component. As a solvent, an organic solvent is mentioned, for example. In addition, a solvent may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios. A solvent is so preferable that there is little quantity. The amount of the solvent is preferably 3% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, still more preferably 0.5% by mass or less, still more preferably 0.1% by mass or less with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. , More preferably, it is 0.01 mass % or less, and the thing which does not contain (0 mass %) is especially preferable. In addition, when there is little quantity of a solvent in this way, a paste form may be sufficient as a resin composition. It is preferable that the viscosity in 25 degreeC of a paste-form resin composition exists in the range of 20 Pa*s - 1000 Pa*s.

<(G) 기타 첨가제><(G) Other additives>

수지 조성물은, 상술한 성분 이외에, 임의의 성분으로서, 추가로 기타 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들면, 열가소성 수지; (B) 성분 이외의 경화제; 유기 충전재; 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 난연제 등의 수지 첨가제; 등을 들 수 있다. 이러한 첨가제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may further contain other additives as arbitrary components other than the component mentioned above. As such an additive, For example, a thermoplastic resin; (B) a curing agent other than the component; organic fillers; resin additives such as thickeners, defoaming agents, leveling agents, adhesion imparting agents, and flame retardants; and the like. These additives may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

본 발명의 수지 조성물의 조제 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 배합 성분을, 필요에 따라 용매 등을 첨가하고, 회전 믹서 등을 사용하여 혼합·분산하는 방법 등을 들 수 있다.The preparation method of the resin composition of this invention is not specifically limited, For example, the method of adding a solvent etc. to a compounding component as needed, mixing and dispersing using a rotary mixer etc. are mentioned.

<수지 조성물의 물성, 용도><Physical properties and uses of the resin composition>

수지 조성물을 180℃에서 90분간 열경화시킨 경화물은, 접합 강도가 뛰어나다는 특성을 나타낸다. 접합 강도는, 예를 들어, 셰어 강도(shear strength)에 의해 나타낼 수 있다. 따라서, 상기의 경화물은, 통상, 셰어 강도가 뛰어난 절연층 또는 밀봉층을 형성한다. 셰어 강도로서는, 바람직하게는 2kgf/mm2 이상이다. 셰어 강도의 평가는, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 따라서 측정할 수 있다.The cured product obtained by thermosetting the resin composition at 180°C for 90 minutes exhibits excellent bonding strength. Bond strength may be represented by, for example, shear strength. Therefore, said hardened|cured material forms the insulating layer or sealing layer excellent in shear strength normally. As shear strength, Preferably it is 2 kgf/mm<2> or more. Evaluation of shear strength can be measured according to the method described in the Example mentioned later.

수지 조성물을 190℃에서 90분간 열경화시킨 경화물은, 통상, 열팽창 계수(CTE)가 낮다는 특성을 나타낸다. 따라서, 상기의 경화물은, 열팽창 계수가 낮은 절연층 또는 밀봉층을 형성한다. 열팽창 계수(CTE)로서는, 바람직하게는 13ppm/℃ 미만이다. 상기의 열팽창 계수의 평가는, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 따라서 측정할 수 있다.The hardened|cured material which heat-cured the resin composition for 90 minutes at 190 degreeC usually shows the characteristic that thermal expansion coefficient (CTE) is low. Therefore, the said hardened|cured material forms the insulating layer or sealing layer with a low thermal expansion coefficient. As a coefficient of thermal expansion (CTE), Preferably it is less than 13 ppm/degreeC. Evaluation of said coefficient of thermal expansion can be measured according to the method as described in the Example mentioned later.

수지 조성물을 190℃에서 90분간 열경화시킨 경화물은, 휨량이 억제되어 있다는 특성을 나타낸다. 따라서, 상기의 경화물은, 휨량이 억제된 절연층 또는 밀봉층을 형성한다. 구체적으로, 실리콘 웨이퍼에 수지 조성물을 압축 성형하여 수지 조성물층을 얻는다. 수지 조성물층을 열경화시킴으로써 시료 기판을 얻는다. 셰도우 모아레 측정 장치를 사용하여, 전자 정보 기술 산업 협회 규격의 JEITA EDX-7311-24에 준거하여 25℃에서의 시료 기판의 휨량을 구한다. 상기 휨량은, 2mm 미만이다. 휨량의 측정의 상세는, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 따라서 측정할 수 있다.The hardened|cured material which thermosetted the resin composition at 190 degreeC for 90 minute(s) shows the characteristic that curvature amount is suppressed. Therefore, said hardened|cured material forms the insulating layer or sealing layer in which the amount of curvature was suppressed. Specifically, the resin composition is compression-molded on a silicon wafer to obtain a resin composition layer. A sample board|substrate is obtained by thermosetting a resin composition layer. Using a shadow moiré measuring device, the amount of warpage of the sample substrate at 25°C is determined in accordance with JEITA EDX-7311-24 of the Electronic Information Technology Industry Association standard. The warp amount is less than 2 mm. The detail of the measurement of the amount of warpage can be measured according to the method described in the Example mentioned later.

수지 조성물은, 상술한 특성을 갖기 때문에, 유기 EL 장치나 반도체 등의 전자 기기를 밀봉하기 위한 수지 조성물(밀봉용의 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있으며, 특히, 반도체를 밀봉하기 위한 수지 조성물(반도체 밀봉용의 수지 조성물), 바람직하게는 반도체 칩을 밀봉하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 밀봉용의 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 수지 조성물은, 밀봉 용도 이외에 절연층용의 절연 용도의 수지 조성물로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기의 수지 조성물은, 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 패키지의 절연층용의 수지 조성물), 및, 회로 기판(프린트 배선판을 포함함.)의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(회로 기판의 절연층용의 수지 조성물)로서, 적합하게 사용할 수 있다.Since the resin composition has the characteristics described above, it can be suitably used as a resin composition (resin composition for sealing) for sealing electronic devices such as organic EL devices and semiconductors, and in particular, a resin composition for sealing semiconductors ( Resin composition for semiconductor sealing), Preferably it can use suitably as a resin composition (resin composition for semiconductor chip sealing) for sealing a semiconductor chip. In addition, the resin composition can be used as a resin composition for the insulating use for insulating layers other than a sealing use. For example, the above resin composition comprises a resin composition for forming an insulating layer of a semiconductor chip package (a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package), and an insulating layer of a circuit board (including a printed wiring board). It can be used suitably as a resin composition (resin composition for insulating layers of a circuit board) for forming.

반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지, Fan-out형 WLP(Wafer Level Package), Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP(Panel Level Package), Fan-in형 PLP를 들 수 있다.As a semiconductor chip package, For example, FC-CSP, MIS-BGA package, ETS-BGA package, Fan-out type WLP (Wafer Level Package), Fan-in type WLP, Fan-out type PLP (Panel Level Package) , and a fan-in type PLP.

또한, 상기의 수지 조성물은, 언더필재로서 사용해도 좋고, 예를 들면, 반도체 칩을 기판에 접속한 후에 사용하는 MUF(Molding Under Filling)의 재료로서 사용해도 좋다.In addition, said resin composition may be used as an underfill material, and may be used as a material of MUF (Molding Under Filling) used after connecting a semiconductor chip to a board|substrate, for example.

또한, 상기의 수지 조성물은, 수지 시트, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 솔더 레지스트, 다이본딩재, 구멍 메우기 수지, 부품 매립 수지 등, 수지 조성물이 사용되는 광범위한 용도에 사용할 수 있다.Moreover, the said resin composition can be used for the wide range of uses for which the resin composition is used, such as a resin sheet and sheet-like laminated material, such as a prepreg, a soldering resist, a die-bonding material, a hole filling resin, and a component embedding resin.

[수지 시트][Resin Sheet]

본 발명의 수지 시트는, 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된 수지 조성물층을 갖는다. 수지 조성물층은, 본 발명의 수지 조성물을 포함하는 층이며, 통상은, 수지 조성물로 형성되어 있다.The resin sheet of this invention has a support body and the resin composition layer formed on the said support body. A resin composition layer is a layer containing the resin composition of this invention, and is normally formed from the resin composition.

수지 조성물층의 두께는, 박형화의 관점에서, 바람직하게는 600μm 이하, 보다 바람직하게는 550μm 이하, 더욱 바람직하게는 500μm 이하, 400μm 이하, 350μm 이하, 300μm 이하, 또는, 200μm 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 1μm 이상, 5μm 이상, 10μm 이상, 등일 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 600 µm or less, more preferably 550 µm or less, still more preferably 500 µm or less, 400 µm or less, 350 µm or less, 300 µm or less, or 200 µm or less from the viewpoint of reducing the thickness. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, and may be, for example, 1 µm or more, 5 µm or more, 10 µm or more, and the like.

지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있으며, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.As a support body, the film which consists of a plastics material, metal foil, and a release paper are mentioned, for example, The film which consists of a plastics material, and metal foil are preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」로 약칭하는 경우가 있음.), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」으로 약칭하는 경우가 있음.) 등의 폴리에스테르; 폴리카보네이트(이하 「PC」로 약칭하는 경우가 있음.); 폴리메틸메타크릴레이트(이하 「PMMA」로 약칭하는 경우가 있음.) 등의 아크릴 폴리머; 환상 폴리올레핀; 트리아세틸셀룰로오스(이하 「TAC」로 약칭하는 경우가 있음.); 폴리에테르설파이드(이하 「PES」로 약칭하는 경우가 있음.); 폴리에테르케톤; 폴리이미드; 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material is, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”). Polyester, such as); polycarbonate (hereinafter, it may be abbreviated as "PC".); acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (hereinafter, may be abbreviated as "PMMA".); cyclic polyolefin; triacetyl cellulose (hereinafter sometimes abbreviated as "TAC"); polyether sulfide (hereinafter sometimes abbreviated as "PES"); polyether ketone; polyimide; and the like. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티타늄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When using metal foil as a support body, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned as metal foil, for example. Especially, copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used as the copper foil. good.

지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 면에, 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리 등의 처리가 실시되어 있어도 좋다.The support body may be subjected to a treatment such as a mat treatment, a corona treatment, or an antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」 등을 들 수 있다. 또한, 이형층 부착 지지체로서는, 예를 들면, 토레사 제조의 「루미라 T60」; 테이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니티카사 제조의 「유니필」; 등을 들 수 있다.Moreover, as a support body, you may use the support body with a mold release layer which has a mold release layer on the surface to join with the resin composition layer. As a mold release agent used for the mold release layer of a support body with a mold release layer, 1 or more types of mold release agents are mentioned from the group which consists of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin, for example. As a commercial item of a mold release agent, "SK-1", "AL-5", "AL-7" etc. which are alkyd resin mold release agents manufactured by Lintec are mentioned, for example. Moreover, as a support body with a mold release layer, For example, "Lumira T60" by Tore Corporation; "Purex" by Teijin Corporation; "Uni-pil" manufactured by Unitica Corporation; and the like.

지지체의 두께는, 5μm 내지 75μm의 범위가 바람직하며, 10μm 내지 60μm의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The range of 5 micrometers - 75 micrometers is preferable, and, as for the thickness of a support body, the range of 10 micrometers - 60 micrometers is more preferable. Moreover, when using a support body with a mold release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a mold release layer is the said range.

수지 시트는, 예를 들어, 수지 조성물을, 다이 코터 등의 도포 장치를 사용하여 지지체 위에 도포하여, 제조할 수 있다. 또한, 필요에 따라, 수지 조성물을 유기 용제에 용해하여 수지 바니시를 조제하고, 이 수지 바니시를 도포하여 수지 시트를 제조해도 좋다. 용제를 사용함으로써, 점도를 조정하여, 도포성을 향상시킬 수 있다. 수지 바니시를 사용한 경우, 통상은, 도포 후에 수지 바니시를 건조시켜, 수지 조성물층을 형성한다.A resin sheet can apply|coat a resin composition on a support body using coating devices, such as a die coater, for example, and can manufacture it. Moreover, as needed, a resin composition may be melt|dissolved in the organic solvent, a resin varnish may be prepared, this resin varnish may be apply|coated, and you may manufacture a resin sheet. By using a solvent, a viscosity can be adjusted and applicability|paintability can be improved. When a resin varnish is used, the resin varnish is usually dried after application|coating, and a resin composition layer is formed.

유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 사이클로헥사논 등의 케톤 용제; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르 용제; 셀로솔브 및 부틸카비톨 등의 카비톨 용제; 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용제; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제; 등을 들 수 있다. 유기 용제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.As an organic solvent, For example, ketone solvents, such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; acetate ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and carbitol acetate; carbitol solvents such as cellosolve and butyl carbitol; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone; and the like. An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used combining 2 or more types by arbitrary ratios.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은, 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이, 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다.You may perform drying by well-known methods, such as a heating and hot air spraying. Drying conditions dry so that content of the organic solvent in a resin composition layer may become 10 mass % or less normally, Preferably it may become 5 mass % or less. Although it varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of an organic solvent, drying at 50°C to 150°C for 3 minutes to 10 minutes, A resin composition layer can be formed.

수지 시트는, 필요에 따라, 지지체 및 수지 조성물층 이외의 임의의 층을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들어, 수지 시트에 있어서, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름이 마련되어 있어도 좋다. 보호 필름의 두께는, 예를 들면, 1μm 내지 40μm이다. 보호 필름에 의해, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 벗김으로써 수지 시트는 사용 가능해진다. 또한, 수지 시트는, 롤상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다.The resin sheet may contain arbitrary layers other than a support body and a resin composition layer as needed. For example, a resin sheet WHEREIN: The protective film according to a support body may be provided in the surface (namely, the surface on the opposite side to a support body) which is not joined to the support body of a resin composition layer. The thickness of a protective film is 1 micrometer - 40 micrometers, for example. The protective film can prevent adhesion of dust or the like to the surface of the resin composition layer and scratches. When a resin sheet has a protective film, a resin sheet becomes usable by peeling off a protective film. Moreover, it is possible to wind up and preserve|save a resin sheet in roll shape.

수지 시트는, 반도체 칩 패키지의 제조에 있어서 절연층을 형성하기 위해 (반도체 칩 패키지의 절연용 수지 시트) 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 수지 시트는, 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해 (회로 기판의 절연층용 수지 시트) 사용할 수 있다. 이러한 기판을 사용한 패키지의 예로서는, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지를 들 수 있다.A resin sheet can be used suitably (resin sheet for insulation of a semiconductor chip package) in order to form an insulating layer in manufacture of a semiconductor chip package. For example, a resin sheet can be used in order to form the insulating layer of a circuit board (resin sheet for insulating layers of a circuit board). Examples of the package using such a substrate include FC-CSP, MIS-BGA package, and ETS-BGA package.

또한, 수지 시트는, 반도체 칩을 밀봉하기 위해 (반도체 칩 밀봉용 수지 시트) 적합하게 사용할 수 있다. 적용 가능한 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, Fan-out형 WLP, Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP, Fan-in형 PLP 등을 들 수 있다.In addition, in order to seal a semiconductor chip (resin sheet for semiconductor chip sealing), a resin sheet can be used suitably. As an applicable semiconductor chip package, a fan-out type WLP, a fan-in type WLP, a fan-out type PLP, a fan-in type PLP, etc. are mentioned, for example.

또한, 수지 시트를, 반도체 칩을 기판에 접속한 후에 사용하는 MUF의 재료로 사용해도 좋다.Moreover, you may use a resin sheet as a material of MUF used after connecting a semiconductor chip to a board|substrate.

또한, 수지 시트는 높은 절연 신뢰성이 요구되는 다른 광범위한 용도로 사용할 수 있다. 예를 들어, 수지 시트는, 프린트 배선판 등의 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해 적합하게 사용할 수 있다.In addition, the resin sheet can be used for a wide range of other applications requiring high insulation reliability. For example, a resin sheet can be used suitably in order to form the insulating layer of circuit boards, such as a printed wiring board.

[회로 기판][circuit board]

본 발명의 회로 기판은, 본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 경화물층을 포함한다. 경화물층은, 절연층 또는 밀봉층이 될 수 있다. 이 회로 기판은, 예를 들어, 하기의 공정 (1) 및 공정 (2)를 포함하는 제조 방법에 의해, 제조할 수 있다.The circuit board of this invention contains the hardened|cured material layer formed of the hardened|cured material of the resin composition of this invention. The cured material layer may be an insulating layer or a sealing layer. This circuit board can be manufactured by the manufacturing method containing the following process (1) and process (2), for example.

(1) 기재 위에, 수지 조성물층을 형성하는 공정.(1) The process of forming a resin composition layer on a base material.

(2) 수지 조성물층을 열경화하여, 절연층을 형성하는 공정.(2) A step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer.

공정 (1)에서는, 기재를 준비한다. 기재로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판(스테인리스나 냉간 압연 강판(SPCC) 등), 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판을 들 수 있다. 또한, 기재는, 당해 기재의 일부로서 표면에 동박 등의 금속층을 갖고 있어도 좋다. 예를 들어, 양쪽의 표면에 박리 가능한 제1 금속층 및 제2 금속층을 갖는 기재를 사용해도 좋다. 이러한 기재를 사용하는 경우, 통상, 회로 배선으로서 기능할 수 있는 배선층으로서의 도체층이, 제2 금속층의 제1 금속층과는 반대측의 면에 형성된다. 금속층의 재료로서는, 동박, 캐리어 부착 동박, 후술하는 도체층의 재료 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 또한, 이러한 금속층을 갖는 기재로서는, 시판품을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 미츠이 킨조쿠 코교사 제조의 캐리어 동박 부착 극박 동박 「Micro Thin」 등을 들 수 있다.In step (1), a base material is prepared. Examples of the substrate include substrates such as glass epoxy substrates, metal substrates (stainless steel or cold rolled steel sheet (SPCC), etc.), polyester substrates, polyimide substrates, BT resin substrates, thermosetting polyphenylene ether substrates, etc. have. Moreover, the base material may have metal layers, such as copper foil, on the surface as a part of the said base material. For example, you may use the base material which has a peelable 1st metal layer and a 2nd metal layer on both surfaces. When using such a base material, the conductor layer as a wiring layer which can function as circuit wiring is normally formed in the surface on the opposite side to the 1st metal layer of a 2nd metal layer. As a material of a metal layer, copper foil, copper foil with a carrier, the material of the conductor layer mentioned later, etc. are mentioned, Copper foil is preferable. Moreover, as a base material which has such a metal layer, a commercial item can be used, For example, the Mitsui Kinzoku Co., Ltd. ultra-thin copper foil with carrier copper foil "Micro Thin" etc. are mentioned.

또한, 기재의 한쪽 또는 양쪽의 표면에는, 도체층이 형성되어 있어도 좋다. 이하의 설명에서는, 기재와, 이 기재 표면에 형성된 도체층을 포함하는 부재를, 적절히 「배선층 부착 기재」라고 하는 경우가 있다. 도체층에 포함되는 도체 재료로서는, 예를 들면, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티타늄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 재료를 들 수 있다. 도체 재료로서는, 단금속을 사용해도 좋고, 합금을 사용해도 좋다. 합금으로서는, 예를 들어, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티타늄 합금)을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성의 관점에서, 단금속으로서의 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 혹은 구리; 및, 합금으로서의 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티타늄 합금의 합금; 이 바람직하다. 그 중에서도, 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 혹은 구리의 단금속; 및, 니켈·크롬 합금; 이 보다 바람직하고, 구리의 단금속이 특히 바람직하다.Moreover, a conductor layer may be formed in the surface of one or both sides of a base material. In the description below, a member including a base material and a conductor layer formed on the surface of the base material is appropriately referred to as a "substrate with a wiring layer" in some cases. The conductor material contained in the conductor layer is, for example, one selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. The material containing the above metals is mentioned. As the conductor material, a single metal may be used or an alloy may be used. Examples of the alloy include an alloy of two or more metals selected from the group described above (eg, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy). Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper as a single metal from the viewpoint of versatility of conductor layer formation, cost, and ease of patterning; and alloys of nickel-chromium alloys, copper-nickel alloys, and copper-titanium alloys as alloys; This is preferable. Among them, single metals such as chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; and a nickel-chromium alloy; This is more preferable, and a single metal of copper is especially preferable.

도체층은, 예를 들면 배선층으로서 기능시키기 위해, 패턴 가공되어 있어도 좋다. 이때, 도체층의 라인(회로폭)/스페이스(회로간의 폭)비는, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 20/20μm 이하(즉 피치가 40μm 이하), 보다 바람직하게는 10/10μm 이하, 더욱 바람직하게는 5/5μm 이하, 보다 더욱 바람직하게는 1/1μm 이하, 특히 바람직하게는 0.5/0.5μm 이상이다. 피치는, 도체층 전체에 걸쳐 동일할 필요는 없다. 도체층의 최소 피치는, 예를 들어, 40μm 이하, 36μm 이하, 또는 30μm 이하라도 좋다.The conductor layer may be patterned, for example, in order to function as a wiring layer. At this time, the line (circuit width)/space (width between circuits) ratio of the conductor layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 µm or less (that is, the pitch is 40 µm or less), more preferably 10/10 µm or less, further Preferably it is 5/5 micrometer or less, More preferably, it is 1/1 micrometer or less, Especially preferably, it is 0.5/0.5 micrometer or more. The pitch need not be the same throughout the conductor layer. The minimum pitch of the conductor layer may be, for example, 40 µm or less, 36 µm or less, or 30 µm or less.

도체층의 두께는, 회로 기판의 디자인에 따르지만, 바람직하게는 3μm 내지 35μm, 보다 바람직하게는 5μm 내지 30μm, 더욱 바람직하게는 10μm 내지 20μm, 특히 바람직하게는 15μm 내지 20μm이다.The thickness of the conductor layer depends on the design of the circuit board, but is preferably 3 µm to 35 µm, more preferably 5 µm to 30 µm, still more preferably 10 µm to 20 µm, and particularly preferably 15 µm to 20 µm.

도체층은, 예를 들어, 기재 위에 드라이 필름(감광성 레지스트 필름)을 적층하는 공정, 포토 마스크를 사용하여 드라이 필름에 대하여 소정의 조건에서 노광 및 현상을 수행하여 패턴을 형성하여 패턴 드라이 필름을 얻는 공정, 현상한 패턴 드라이 필름을 도금 마스크로 하여 전해 도금법 등의 도금법에 의해 도체층을 형성하는 공정, 및, 패턴 드라이 필름을 박리하는 공정을 포함하는 방법에 의해, 형성할 수 있다. 드라이 필름으로서는, 포토레지스트 조성물로 이루어진 감광성의 드라이 필름을 사용할 수 있으며, 예를 들면, 노볼락 수지, 아크릴 수지 등의 수지로 형성된 드라이 필름을 사용할 수 있다. 기재와 드라이 필름의 적층 조건은, 후술하는 기재와 수지 시트의 적층 조건과 동일할 수 있다. 드라이 필름의 박리는, 예를 들면, 수산화나트륨 용액 등의 알칼리성의 박리액을 사용하여 실시할 수 있다.The conductor layer is, for example, a step of laminating a dry film (photosensitive resist film) on a substrate, exposure and development of the dry film under predetermined conditions using a photomask to form a pattern to obtain a patterned dry film It can form by the method including a process, the process of forming a conductor layer by plating methods, such as an electrolytic plating method, using the developed pattern dry film as a plating mask, and the process of peeling a pattern dry film. As a dry film, the photosensitive dry film which consists of a photoresist composition can be used, For example, the dry film formed from resin, such as a novolak resin and an acrylic resin, can be used. Lamination conditions of the base material and the dry film may be the same as the lamination conditions of the base material and the resin sheet, which will be described later. Peeling of a dry film can be performed using alkaline peeling liquids, such as a sodium hydroxide solution, for example.

기재를 준비한 후에, 기재 위에, 수지 조성물층을 형성한다. 기재의 표면에 도체층이 형성되어 있는 경우, 수지 조성물층의 형성은, 도체층이 수지 조성물층에 매립되도록 수행하는 것이 바람직하다.After preparing the base material, a resin composition layer is formed on the base material. When the conductor layer is formed on the surface of the substrate, the formation of the resin composition layer is preferably performed so that the conductor layer is embedded in the resin composition layer.

수지 조성물층의 형성은, 예를 들면, 수지 시트와 기재를 적층함으로써 수행된다. 이 적층은, 예를 들어, 지지체측으로부터 수지 시트를 기재에 가열 압착함으로써, 기재에 수지 조성물층을 첩합함으로써 수행할 수 있다. 수지 시트를 기재에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고 하는 경우가 있음.)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤 등) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니라, 기재의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.Formation of the resin composition layer is performed by laminating|stacking a resin sheet and a base material, for example. This lamination|stacking can be performed by bonding a resin composition layer to a base material by heat-compressing a resin sheet to a base material from the support body side, for example. As a member that heat-compresses the resin sheet to the substrate (hereinafter, may be referred to as "thermal compression member"), for example, a heated metal plate (SUS head plate, etc.) or metal roll (SUS roll etc.), etc. are mentioned. have. In addition, it is preferable not to press the thermocompression-bonding member directly to a resin sheet, but to press through elastic materials, such as a heat-resistant rubber, so that a resin sheet may fully follow the surface unevenness|corrugation of a base material.

기재와 수지 시트의 적층은, 예를 들어, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이다. 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이다. 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 13hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시한다.You may perform lamination|stacking of a base material and a resin sheet by the vacuum lamination method, for example. In the vacuum lamination method, the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, more preferably 80°C to 140°C. The thermocompression pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa. The thermocompression bonding time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably performed under reduced pressure conditions of a pressure of 13 hPa or less.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체측에서 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 수행해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 수행해도 좋다.After lamination, a smoothing treatment of the laminated resin sheet may be performed under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing the thermocompression-bonding member from the support side. The press conditions of the smoothing process can be made into the conditions similar to the thermocompression-bonding conditions of the said lamination|stacking. In addition, you may perform lamination|stacking and a smoothing process continuously using a vacuum laminator.

또한, 수지 조성물층의 형성은, 예를 들어, 압축 성형법에 의해 수행할 수 있다. 압축 성형법의 구체적인 조작은, 예를 들면 형(型)으로서, 상형 및 하형을 준비한다. 기재에, 수지 조성물을 도포한다. 수지 조성물이 도포된 기재를 하형에 부착한다. 그 후, 상형과 하형을 형 체결하여, 수지 조성물에 열 및 압력을 가하여, 압축 성형을 수행한다.In addition, formation of a resin composition layer can be performed by the compression molding method, for example. In the specific operation of the compression molding method, for example, an upper die and a lower die are prepared as a die. A resin composition is apply|coated to a base material. The base material coated with the resin composition is attached to the lower mold. Thereafter, the upper die and the lower die are molded, heat and pressure are applied to the resin composition to perform compression molding.

또한, 압축 성형법의 구체적인 조작은, 예를 들어, 하기와 같이 해도 좋다. 압축 성형용의 형으로서, 상형 및 하형을 준비한다. 하형에, 수지 조성물을 얹는다. 또한, 상형에, 기재를 부착한다. 그 후, 하형에 얹은 수지 조성물이 상형에 부착된 기재에 접하도록 상형과 하형을 형 체결하고, 열 및 압력을 가하여, 압축 성형을 수행한다.In addition, specific operation of the compression molding method may be carried out as follows, for example. As a die for compression molding, an upper die and a lower die are prepared. A resin composition is placed on the lower die. Further, a substrate is attached to the upper die. Thereafter, the upper mold and the lower mold are clamped so that the resin composition placed on the lower mold comes into contact with the substrate attached to the upper mold, and heat and pressure are applied to perform compression molding.

압축 성형법에서의 성형 조건은, 수지 조성물의 조성에 따라 상이하다. 성형시의 형의 온도는, 수지 조성물이 뛰어난 압축 성형성을 발휘할 수 있는 온도가 바람직하며, 예를 들면, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상, 더욱 바람직하게는 120℃ 이상이고, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 170℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하이다. 또한, 성형시에 가해지는 압력은, 바람직하게는 1MPa 이상, 보다 바람직하게는 3MPa 이상, 더욱 바람직하게는 5MPa 이상이고, 바람직하게는 50MPa 이하, 보다 바람직하게는 30MPa 이하, 더욱 바람직하게는 20MPa 이하이다. 큐어 타임은, 바람직하게는 1분 이상, 보다 바람직하게는 2분 이상, 특히 바람직하게는 5분 이상이며, 바람직하게는 60분 이하, 보다 바람직하게는 30분 이하, 특히 바람직하게는 20분 이하이다. 통상, 수지 조성물층의 형성 후, 형은 분리된다. 형의 분리는, 수지 조성물층의 열경화 전에 수행해도 좋고, 열경화 후에 수행해도 좋다.The molding conditions in the compression molding method differ depending on the composition of the resin composition. The temperature of the mold at the time of molding is preferably a temperature at which the resin composition exhibits excellent compression moldability, for example, preferably 80°C or higher, more preferably 100°C or higher, still more preferably 120°C or higher. and preferably 200° C. or less, more preferably 170° C. or less, and still more preferably 150° C. or less. The pressure applied during molding is preferably 1 MPa or more, more preferably 3 MPa or more, still more preferably 5 MPa or more, preferably 50 MPa or less, more preferably 30 MPa or less, still more preferably 20 MPa or less. am. The curing time is preferably 1 minute or more, more preferably 2 minutes or more, particularly preferably 5 minutes or more, preferably 60 minutes or less, more preferably 30 minutes or less, particularly preferably 20 minutes or less. am. Usually, after formation of a resin composition layer, a mold is isolate|separated. Mold separation may be performed before thermosetting of the resin composition layer, or may be performed after thermosetting.

기재 위에 수지 조성물층을 형성한 후, 수지 조성물층을 열경화하여, 절연층을 형성한다. 수지 조성물층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류에 따라서도 상이하지만, 경화 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위), 경화 시간은 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)이다.After forming the resin composition layer on the base material, the resin composition layer is thermosetted to form an insulating layer. Although the thermosetting conditions of the resin composition layer also differ depending on the kind of resin composition, the curing temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 150°C to 220°C, more preferably 170°C to 200°C). ℃), the curing time is in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층에 대하여, 경화 온도보다도 낮은 온도에서 가열하는 예비 가열 처리를 실시해도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물층을, 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간), 예비 가열해도 좋다.Before thermosetting a resin composition layer, you may perform the preliminary heat processing of heating at temperature lower than hardening temperature with respect to a resin composition layer. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, usually at a temperature of 50 ° C or more and less than 120 ° C (preferably 60 ° C or more and 110 ° C or less, more preferably 70 ° C or more and 100 ° C or less), the resin composition layer may be preheated for usually 5 minutes or longer (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

이상과 같이 하여, 절연층을 갖는 회로 기판을 제조할 수 있다. 또한, 회로 기판의 제조 방법은, 추가로, 임의의 공정을 포함하고 있어도 좋다.As mentioned above, the circuit board which has an insulating layer can be manufactured. In addition, the manufacturing method of a circuit board may include arbitrary processes further.

예를 들어, 수지 시트를 사용하여 회로 기판을 제조한 경우, 회로 기판의 제조 방법은, 수지 시트의 지지체를 박리하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 지지체는, 수지 조성물층의 열경화의 전에 박리해도 좋고, 수지 조성물층의 열경화의 후에 박리해도 좋다.For example, when a circuit board is manufactured using a resin sheet, the manufacturing method of a circuit board may include the process of peeling the support body of a resin sheet. A support body may peel before thermosetting of a resin composition layer, and may peel after thermosetting of a resin composition layer.

회로 기판의 제조 방법은, 예를 들어, 절연층을 형성한 후에, 그 절연층의 표면을 연마하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 연마 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 평면 연삭반을 사용하여 절연층의 표면을 연마할 수 있다.The manufacturing method of a circuit board may include the process of grinding|polishing the surface of the insulating layer, after forming an insulating layer, for example. The polishing method is not particularly limited. For example, the surface of the insulating layer may be polished using a flat grinding wheel.

회로 기판의 제조 방법은, 예를 들면, 도체층을 층간 접속하는 공정 (3), 소위 절연층에 구멍을 뚫는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 이것에 의해 절연층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 비아홀의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 레이저 조사, 에칭, 메커니컬 드릴링 등을 들 수 있다. 비아홀의 치수나 형상은 회로 기판 디자인에 따라 적절하게 결정해도 좋다. 또한, 공정 (3)은, 절연층의 연마 또는 연삭에 의해 층간 접속을 수행해도 좋다.The manufacturing method of a circuit board may include the process (3) of interlayer connection of a conductor layer, for example, the process of making a hole in a so-called insulating layer. Thereby, holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. As a method of forming a via hole, laser irradiation, etching, mechanical drilling, etc. are mentioned, for example. The dimension and shape of the via hole may be appropriately determined according to the circuit board design. In the step (3), interlayer connection may be performed by grinding or grinding the insulating layer.

비아홀의 형성 후, 비아홀 내의 스미어를 제거하는 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 이 공정은, 디스미어 공정이라고 불리는 경우가 있다. 예를 들어, 절연층 위로의 도체층의 형성을 도금 공정에 의해 수행하는 경우에는, 비아홀에 대하여, 습식의 디스미어 처리를 수행해도 좋다. 또한, 절연층 위로의 도체층의 형성을 스퍼터 공정에 의해 수행하는 경우에는, 플라즈마 처리 공정 등의 드라이 디스미어 공정을 수행해도 좋다. 또한, 디스미어 공정에 의해, 절연층에 조화 처리가 실시되어도 좋다.After the via hole is formed, it is preferable to perform a process of removing smear in the via hole. This process may be called a desmear process. For example, in the case where the formation of the conductor layer on the insulating layer is performed by the plating process, a wet desmear treatment may be performed on the via hole. In addition, when formation of the conductor layer on an insulating layer is performed by a sputtering process, you may perform dry desmear processes, such as a plasma processing process. Moreover, a roughening process may be given to an insulating layer by a desmear process.

또한, 절연층 위에 도체층을 형성하기 전에, 절연층에 대하여, 조화 처리를 수행해도 좋다. 이 조화 처리에 의하면, 통상, 비아홀 내를 포함한 절연층의 표면이 조화된다. 조화 처리로서는, 건식 및 습식 중 어느 하나의 조화 처리를 수행해도 좋다. 건식의 조화 처리의 예로서는, 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 또한, 습식의 조화 처리의 예로서는, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 및, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순으로 수행하는 방법을 들 수 있다.Moreover, before forming a conductor layer on an insulating layer, you may perform a roughening process with respect to an insulating layer. According to this roughening process, the surface of the insulating layer including the inside of a via hole is roughened normally. As a roughening process, you may perform the roughening process in either dry or wet. Plasma processing etc. are mentioned as an example of a dry roughening process. Moreover, as an example of a wet roughening process, the method of performing the swelling process by a swelling liquid, the roughening process by an oxidizing agent, and the neutralization process by a neutralization liquid in this order is mentioned.

비아홀을 형성 후, 절연층 위에 도체층을 형성한다. 비아홀이 형성된 위치에 도체층을 형성함으로써, 새롭게 형성된 도체층과 기재 표면의 도체층이 도통하여, 층간 접속이 수행해진다. 도체층의 형성 방법은, 예를 들면, 도금법, 스퍼터법, 증착법 등을 들 수 있고, 그 중에서도 도금법이 바람직하다. 적합한 실시형태에서는, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 적절한 방법에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성한다. 또한, 수지 시트에서의 지지체가 금속박인 경우, 서브 트랙티브법에 의해, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 형성되는 도체층의 재료는, 단금속이라도 좋고, 합금이라도 좋다. 또한, 이 도체층은, 단층 구조를 갖고 있어도 좋고, 상이한 종류의 재료의 층을 2층 이상 포함하는 복층 구조를 갖고 있어도 좋다.After the via hole is formed, a conductor layer is formed on the insulating layer. By forming the conductor layer at the position where the via hole is formed, the newly formed conductor layer and the conductor layer on the surface of the substrate conduct electricity, and interlayer connection is performed. As for the formation method of a conductor layer, a plating method, a sputtering method, vapor deposition method etc. are mentioned, for example, Among these, the plating method is preferable. In a preferred embodiment, the surface of the insulating layer is plated by an appropriate method such as a semi-additive method or a full-additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Moreover, when the support body in a resin sheet is metal foil, the conductor layer which has a desired wiring pattern can be formed by the subtractive method. A single metal may be sufficient as the material of the conductor layer to be formed, and an alloy may be sufficient as it. Moreover, this conductor layer may have a single layer structure, and may have a multilayer structure containing two or more layers of different types of material.

여기서, 절연층 위에 도체층을 형성하는 실시형태의 예를, 상세하게 설명한다. 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해, 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여, 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등의 처리에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 또한, 도체층을 형성할 때, 마스크 패턴의 형성에 사용하는 드라이 필름은, 상기 드라이 필름과 동일하다.Here, the example of embodiment which forms a conductor layer on an insulating layer is demonstrated in detail. A plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Then, on the formed plating seed layer, a mask pattern for exposing a portion of the plating seed layer is formed corresponding to a desired wiring pattern. After forming an electrolytic plating layer by electrolytic plating on the exposed plating seed layer, the mask pattern is removed. Thereafter, the unnecessary plating seed layer is removed by processing such as etching to form a conductor layer having a desired wiring pattern. In addition, when forming a conductor layer, the dry film used for formation of a mask pattern is the same as that of the said dry film.

회로 기판의 제조 방법은, 기재를 제거하는 공정 (4)를 포함하고 있어도 좋다. 기재를 제거함으로써, 절연층과, 이 절연층에 매립된 도체층을 갖는 회로 기판이 얻어진다. 이 공정 (4)는, 예를 들어, 박리 가능한 금속층을 갖는 기재를 사용한 경우에, 수행할 수 있다.The manufacturing method of a circuit board may include the process (4) of removing a base material. By removing the base material, a circuit board having an insulating layer and a conductor layer embedded in the insulating layer is obtained. This step (4) can be performed, for example, when a base material having a peelable metal layer is used.

[반도체 칩 패키지][Semiconductor Chip Package]

본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지는, 상술한 회로 기판과, 이 회로 기판에 탑재된 반도체 칩을 포함한다. 이 반도체 칩 패키지는, 회로 기판에 반도체 칩을 접합함으로써, 제조할 수 있다.A semiconductor chip package according to a first embodiment of the present invention includes the above-described circuit board and a semiconductor chip mounted on the circuit board. This semiconductor chip package can be manufactured by bonding a semiconductor chip to a circuit board.

회로 기판과 반도체 칩의 접합 조건은, 반도체 칩의 단자 전극과 회로 기판의 회로 배선이 도체 접속할 수 있는 임의의 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 반도체 칩의 플립 칩 실장에 있어서 사용되는 조건을 채용할 수 있다. 또한, 예를 들어, 반도체 칩과 회로 기판의 사이에, 절연성의 접착제를 개재하여 접합해도 좋다. As the bonding condition of the circuit board and the semiconductor chip, any condition in which the terminal electrode of the semiconductor chip and the circuit wiring of the circuit board can be electrically connected can be adopted. For example, the conditions used in flip-chip mounting of a semiconductor chip are employable. In addition, for example, you may join between a semiconductor chip and a circuit board through an insulating adhesive agent.

접합 방법의 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 압착하는 방법을 들 수 있다. 압착 조건으로서는, 압착 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 130℃ 내지 200℃의 범위, 보다 바람직하게는 140℃ 내지 180℃의 범위), 압착 시간은 통상 1초간 내지 60초간의 범위(바람직하게는 5초간 내지 30초간)이다.As an example of the bonding method, the method of crimping|bonding a semiconductor chip to a circuit board is mentioned. As the crimping conditions, the crimping temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 130°C to 200°C, more preferably in the range of 140°C to 180°C), and the crimping time is usually in the range of 1 second to 60 seconds. range (preferably from 5 seconds to 30 seconds).

또한, 접합 방법의 다른 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 리플로우하여 접합하는 방법을 들 수 있다. 리플로우 조건은, 120℃ 내지 300℃의 범위로 해도 좋다.Moreover, as another example of the bonding method, the method of reflowing and bonding a semiconductor chip to a circuit board is mentioned. The reflow conditions may be in the range of 120°C to 300°C.

반도체 칩을 회로 기판에 접합한 후, 반도체 칩을 몰드 언더필재로 충전해도 좋다. 이 몰드 언더필재로서, 상술한 수지 조성물을 사용해도 좋고, 또한, 상술한 수지 시트의 수지 조성물층을 사용해도 좋다.After bonding the semiconductor chip to the circuit board, the semiconductor chip may be filled with a mold underfill material. As this mold underfill material, the above-mentioned resin composition may be used, and the resin composition layer of the above-mentioned resin sheet may be used.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지는, 반도체 칩과, 이 반도체 칩을 밀봉하는 상기 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 이러한 반도체 칩 패키지에서는, 통상, 수지 조성물의 경화물은 밀봉층으로서 기능한다. 제2 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, Fan-out형 WLP를 들 수 있다.The semiconductor chip package which concerns on 2nd Embodiment of this invention contains a semiconductor chip and the hardened|cured material of the said resin composition which seals this semiconductor chip. In such a semiconductor chip package, the hardened|cured material of a resin composition functions as a sealing layer normally. As a semiconductor chip package which concerns on 2nd Embodiment, a fan-out type WLP is mentioned, for example.

이러한 Fan-out형 WLP와 같은 반도체 칩 패키지의 제조 방법은,A method of manufacturing a semiconductor chip package such as a fan-out type WLP,

(A) 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정,(A) the step of laminating a temporarily fixed film on the substrate,

(B) 반도체 칩을, 가고정 필름 위에 가고정하는 공정,(B) the step of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporarily fixing film,

(C) 본 발명의 수지 시트의 수지 조성물층을, 반도체 칩 위에 적층, 또는 본 발명의 수지 조성물을 반도체 칩 위에 도포하고, 열경화시켜 밀봉층을 형성하는 공정,(C) the process of laminating|stacking the resin composition layer of the resin sheet of this invention on a semiconductor chip, or apply|coating the resin composition of this invention on a semiconductor chip, thermosetting, and forming a sealing layer;

(D) 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정,(D) the step of peeling the substrate and the temporarily fixed film from the semiconductor chip,

(E) 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에 재배선 형성층(절연층)을 형성하는 공정,(E) a step of forming a redistribution forming layer (insulating layer) on the surface of the semiconductor chip, the substrate and the temporarily fixed film,

(F) 재배선 형성층(절연층) 위에 도체층(재배선층)을 형성하는 공정, 및(F) forming a conductor layer (rewiring layer) on the redistribution forming layer (insulating layer); and

(G) 도체층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정을 포함한다. 또한, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, (H) 복수의 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지로 다이싱하고, 개편화하는 공정을 포함할 수 있다.(G) The process of forming a soldering resist layer on a conductor layer is included. Moreover, the manufacturing method of a semiconductor chip package may include the process of (H) dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages, and dividing it into pieces.

이러한 반도체 칩 패키지 제조 방법의 상세는, 국제공개 제2016/035577호의 단락 0066 내지 0081의 기재를 참작할 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 편입된다.For details of such a semiconductor chip package manufacturing method, the description of paragraphs 0066 to 0081 of International Publication No. 2016/035577 can be considered, the content of which is incorporated herein by reference.

본 발명의 제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지는, 예를 들어 제2 실시형태의 반도체 칩 패키지에 있어서, 재배선 형성층 또는 솔더 레지스트층을, 본 발명의 수지 조성물의 경화물로 형성한 반도체 칩 패키지이다.The semiconductor chip package which concerns on 3rd Embodiment of this invention is the semiconductor chip package of 2nd Embodiment, for example. WHEREIN: The semiconductor chip which formed the redistribution forming layer or a soldering resist layer from the hardened|cured material of the resin composition of this invention. It is a package.

[반도체 장치][Semiconductor device]

상술한 반도체 칩 패키지가 실장되는 반도체 장치로서는, 예를 들어, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대 전화, 스마트폰, 태블릿형 디바이스, 웨어러블 디바이스, 디지털 카메라, 의료 기기, 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.As a semiconductor device on which the above-mentioned semiconductor chip package is mounted, for example, an electric product (for example, a computer, a mobile phone, a smart phone, a tablet type device, a wearable device, a digital camera, a medical device, a television, etc.) and a device and various semiconductor devices provided in things (eg, motorcycles, automobiles, electric vehicles, ships, aircraft, etc.).

[실시예][Example]

이하, 본 발명에 대하여, 실시예를 나타내어 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하의 설명에 있어서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 또한, 이하에 설명하는 조작은, 별도 명시가 없는 한, 상온 상압의 환경에서 수행하였다.Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, "parts" and "%" indicating quantities mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified. In addition, the operation described below was performed in an environment of normal temperature and normal pressure, unless otherwise specified.

또한, 실시예 및 비교예에서 사용한 실리카 A, 실리카 B, 및 알루미나 A는, 이하와 같다.In addition, silica A, silica B, and alumina A used by the Example and the comparative example are as follows.

실리카 A: 평균 입자 직경 1.8μm, 비표면적 3.5m2/g, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」)으로 표면 처리된 실리카.Silica A: Silica surface-treated with an average particle diameter of 1.8 µm, a specific surface area of 3.5 m 2 /g, and N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (“KBM-573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

실리카 B: 평균 입자 직경 3.2μm, 비표면적 4.6m2/g, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-403」)으로 표면 처리된 실리카.Silica B: Silica surface-treated with an average particle diameter of 3.2 µm, a specific surface area of 4.6 m 2 /g, and 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (“KBM-403” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

알루미나 A: 평균 입자 직경 6.2μm, 비표면적 1.7m2/g, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-573」)으로 표면 처리된 알루미나.Alumina A: Alumina surface-treated with an average particle diameter of 6.2 µm, a specific surface area of 1.7 m 2 /g, and N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (“KBM-573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

<합성예 1: 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 A의 합성><Synthesis Example 1: Synthesis of polyester polyol resin A having an aromatic structure>

반응 장치에, 비스페놀A형 글리콜에테르(하이브록스 MDB-561, DIC사 제조)를 779.1질량부와, 이소프탈산을 132.9질량부와, 세바스산을 40.4질량부 주입하고, 승온과 교반을 개시하였다.Into the reaction apparatus, 779.1 parts by mass of bisphenol A glycol ether (Hybrox MDB-561, manufactured by DIC Corporation), 132.9 parts by mass of isophthalic acid, and 40.4 parts by mass of sebacic acid were charged, and heating and stirring were started.

이어서, 내온(內溫)을 230℃로 상승한 후, 테트라이소프로필티타네이트를 0.10질량부 주입하고, 230℃에서 24시간 반응시켜 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 A를 합성하였다. 얻어진 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 A는, 양 말단에 OH기를 갖고, 그 수산기가는 36.9mgKOH/g, 수 평균 분자량은 3040, 유리 전이 온도는 -14℃, 75℃에서의 점도는 9Pa·s였다.Next, after raising internal temperature to 230 degreeC, 0.10 mass parts of tetraisopropyl titanate was inject|poured, and it was made to react at 230 degreeC for 24 hours, and the polyester polyol resin A which has an aromatic structure was synthesize|combined. The obtained polyester polyol resin A having an aromatic structure has OH groups at both terminals, the hydroxyl value is 36.9 mgKOH/g, the number average molecular weight is 3040, the glass transition temperature is -14°C, and the viscosity at 75°C is 9 Pa· was s.

<합성예 2: 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 B의 합성><Synthesis Example 2: Synthesis of polyester polyol resin B having an aromatic structure>

반응 장치에, 비스페놀A형 글리콜에테르(하이브록스 MDB-561, DIC사 제조)를 596.8질량부와, 세바스산 257.4질량부를 주입하여 승온과 교반을 개시하였다.Into the reaction apparatus, 596.8 parts by mass of bisphenol A glycol ether (Hybrox MDB-561, manufactured by DIC) and 257.4 parts by mass of sebacic acid were charged, and temperature rise and stirring were started.

이어서, 내온을 230℃로 상승한 후, 테트라이소프로필티타네이트 0.10질량부 주입, 230℃에서 24시간 반응시켜 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 B를 합성하였다. 얻어진 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 B는, 그 양 말단에 -COOH기를 갖고, 그 산가가 36.6mgKOH/g, 수 평균 분자량은 3070, 유리 전이 온도는 -33℃, 75℃에서의 점도는 12Pa·s였다.Next, after raising internal temperature to 230 degreeC, 0.10 mass parts of tetraisopropyl titanate injection|pouring and reaction were made to react at 230 degreeC for 24 hours, and the polyester polyol resin B which has an aromatic structure was synthesize|combined. The obtained polyester polyol resin B having an aromatic structure has -COOH groups at both terminals, the acid value is 36.6 mgKOH/g, the number average molecular weight is 3070, the glass transition temperature is -33°C, and the viscosity at 75°C is 12 Pa It was s.

<실시예 1><Example 1>

지환식 에폭시 수지(다이셀사 제조, 「CEL2021P」, 에폭시 당량 136g/eq.) 6.6부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조, 「HP4032D」, 에폭시 당량 142g/eq.) 8부, 아민계 경화제(니혼 카야쿠사 제조 「카야하드 A-A」) 0.5부, 합성예 1에서 합성한 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 A 2.5부, 실리카 A 80부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이사 제조 「2MA-OK」) 0.4부를 믹서를 사용하여 균일하게 분산하여 수지 조성물 1을 얻었다.6.6 parts of alicyclic epoxy resin (manufactured by Daicel, "CEL2021P", epoxy equivalent 136 g/eq.) 6.6 parts, naphthalene type epoxy resin (DIC, "HP4032D", epoxy equivalent 142 g/eq.) 8 parts, amine-based curing agent ( 0.5 parts of "Kayahard AA" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 2.5 parts of polyester polyol resin A having an aromatic structure synthesized in Synthesis Example 1, 80 parts of silica A, curing accelerator ("2MA-OK" manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) 0.4 The parts were uniformly dispersed using a mixer to obtain a resin composition 1.

<실시예 2><Example 2>

실시예 1에 있어서, 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 A 0.5부를, 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 B 0.5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 조성물 2를 제작하였다.In Example 1, 0.5 part of polyester polyol resin A which has an aromatic structure was changed to 0.5 part of polyester polyol resin B which has an aromatic structure. A resin composition 2 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

<실시예 3><Example 3>

지환식 에폭시 수지(다이셀사 제조, 「CEL2021P」, 에폭시 당량 136g/eq.) 3부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조, 「HP4032D」, 에폭시 당량 142g/eq.) 3부, 산 무수물계 경화제(신니혼 리카사 제조, 「MH-700」) 10부, 합성예 1에서 합성한 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 A 4부, 실리카 A 100부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이사 제조, 「2MA-OK」) 0.5부를 믹서를 사용하여 균일하게 분산하여 수지 조성물 3을 얻었다.3 parts of alicyclic epoxy resin (manufactured by Daicel, "CEL2021P", epoxy equivalent of 136 g/eq.) 3 parts of naphthalene-type epoxy resin (manufactured by DIC, "HP4032D", epoxy equivalent of 142 g/eq.) 3 parts, acid anhydride-based curing agent (Shikoku Kasei Co., Ltd., "MH-700") 10 parts, polyester polyol resin A having an aromatic structure synthesized in Synthesis Example 1 4 parts, silica A 100 parts, curing accelerator (Shikoku Kasei Co., Ltd., "2MA-") OK") 0.5 part was uniformly disperse|distributed using the mixer, and the resin composition 3 was obtained.

<실시예 4><Example 4>

실시예 3에 있어서,In Example 3,

방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 A 4부를, 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 B 8부로 변경하고, 또한,4 parts of polyester polyol resin A having an aromatic structure is changed to 8 parts of polyester polyol resin B having an aromatic structure, and further,

실리카 A 100부를, 알루미나 A 130부로 변경하였다.100 parts of silica A was changed to 130 parts of alumina A.

이상의 사항 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 수지 조성물 4를 제작하였다.Except for the above, it carried out similarly to Example 3, and produced the resin composition 4.

<실시예 5><Example 5>

지환식 에폭시 수지(다이셀사 제조, 「CEL2021P」, 에폭시 당량 136g/eq.) 7부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조, 「HP4032D」, 에폭시 당량 142g/eq.) 8부, 페놀계 경화제(2,2-디알릴비스페놀A) 1부, 합성예 1에서 합성한 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 A 2부, 실리카 A 70부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이사 제조 「2MA-OK」) 0.4부를 믹서를 사용하여 균일하게 분산하여 수지 조성물 5를 얻었다.7 parts of alicyclic epoxy resin (manufactured by Daicel, "CEL2021P", epoxy equivalent 136 g/eq.), naphthalene type epoxy resin (DIC, "HP4032D", epoxy equivalent 142 g/eq.) 8 parts, phenolic curing agent ( 2,2-diallylbisphenol A) 1 part, polyester polyol resin A having an aromatic structure synthesized in Synthesis Example 1 2 parts, silica A 70 parts, curing accelerator (“2MA-OK” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) 0.4 parts It disperse|distributed uniformly using the mixer, and the resin composition 5 was obtained.

<비교예 1><Comparative Example 1>

실시예 2에 있어서, 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 A 2.5부를 사용하지 않았다. 이상의 사항 이외는 실시예 2와 동일하게 하여 수지 조성물 6을 제작하였다.In Example 2, 2.5 parts of polyester polyol resin A having an aromatic structure was not used. Except for the above, it carried out similarly to Example 2, and produced the resin composition 6.

<비교예 2><Comparative Example 2>

실시예 3에 있어서, 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 A의 양을 4부에서 0.5부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 수지 조성물 7을 제작하였다.In Example 3, the amount of the polyester polyol resin A having an aromatic structure was changed from 4 parts to 0.5 parts. Except for the above, it carried out similarly to Example 3, and produced the resin composition 7.

<비교예 3><Comparative Example 3>

실시예 3에 있어서, 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지 A의 양을 4부에서 35부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 수지 조성물 8을 제작하였다.In Example 3, the amount of the polyester polyol resin A having an aromatic structure was changed from 4 parts to 35 parts. Except for the above, it carried out similarly to Example 3, and produced the resin composition 8.

<셰어 강도의 평가><Evaluation of share strength>

폴리이미드가 도포된 실리콘 웨이퍼 위에, 직경 4mm로 도려낸 실리콘 고무 틀을 사용하여, 실시예 및 비교예에서 제작한 수지 조성물 1 내지 8을 높이 5mm의 원주상으로 충전하였다. 180℃ 90분 가열한 후, 실리콘 고무 틀을 떼어냄으로써, 수지 조성물의 경화물로 이루어진 시험편을 제작하였다. 본드 테스터(Dage사 제조 시리즈 4000)로 헤드 위치가 기재로부터 1mm, 헤드 스피드 700μm/s의 조건에서 폴리이미드와 시험편의 계면의 셰어 강도를 측정하였다. 시험은 5회 실시하고, 그 평균값을 사용하여, 이하의 기준으로 평가하였다.On a silicon wafer coated with polyimide, using a silicone rubber mold cut out to a diameter of 4 mm, the resin compositions 1 to 8 prepared in Examples and Comparative Examples were filled in a columnar shape with a height of 5 mm. After heating at 180°C for 90 minutes, a test piece made of a cured product of the resin composition was prepared by removing the silicone rubber mold. The shear strength of the interface between the polyimide and the test piece was measured with a bond tester (Series 4000 manufactured by Dage) at a head position of 1 mm from the substrate and a head speed of 700 µm/s. The test was performed 5 times, and the following reference|standard evaluated using the average value.

○: 2kgf/mm2 이상의 경우○: 2kgf/mm 2 or more

×: 2kgf/mm2 미만의 경우×: less than 2kgf/mm 2

<휨량의 측정><Measurement of warpage amount>

12인치 실리콘 웨이퍼 위에, 실시예 및 비교예에서 조제한 수지 조성물을, 컴프레션 몰드 장치(금형 온도: 130℃, 압력: 6MPa, 큐어 타임: 10분)를 사용하여 압축 성형하여, 두께 300μm의 수지 조성물층을 형성하였다. 그 후, 180℃에서 90분 가열하여, 수지 조성물층을 열경화시켰다. 이로써, 실리콘 웨이퍼와 수지 조성물의 경화물층을 포함하는 시료 기판을 얻었다. 셰도우 모아레 측정 장치(Akorometrix사 제조 「ThermoireAXP」)를 사용하여, 상기의 시료 기판을 25℃에서의 휨량을 측정하였다. 측정은, 전자 정보 기술 산업 협회 규격의 JEITA EDX-7311-24에 준거하여 수행하였다. 구체적으로는, 측정 영역의 기판면의 전체 데이터의 최소 자승법에 의해 산출한 가상 평면을 기준면으로 하고, 그 기준면으로부터 수직 방향의 최소값과 최대값의 차를 휨량으로 하여 구하였다. 휨량이 2mm 미만을 「○」, 2mm 이상을 「×」로 평가하였다.On a 12-inch silicon wafer, the resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were compression molded using a compression mold apparatus (mold temperature: 130°C, pressure: 6 MPa, cure time: 10 minutes), and a resin composition layer having a thickness of 300 µm was formed. Then, it heated at 180 degreeC for 90 minutes, and thermosetted the resin composition layer. Thereby, the sample board|substrate containing a silicon wafer and the hardened|cured material layer of a resin composition was obtained. The amount of curvature in 25 degreeC of the said sample board|substrate was measured using the shadow moire measuring apparatus ("ThermoireAXP" manufactured by Akorometrix). The measurement was performed in accordance with JEITA EDX-7311-24 of the Electronic Information Technology Industry Association standard. Specifically, the virtual plane calculated by the least-squares method of all data on the substrate surface of the measurement region was used as the reference plane, and the difference between the minimum and maximum values in the vertical direction from the reference plane was determined as the amount of deflection. Less than 2 mm of warpage was evaluated as "○", and 2 mm or more was evaluated as "x".

<열팽창 계수(CTE)의 측정><Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)>

이형 처리한 12인치 실리콘 웨이퍼 위에, 실시예 및 비교예에서 제작한 수지 조성물 1 내지 8을, 컴프레션 몰드 장치(금형 온도: 130℃, 압력: 6MPa, 큐어 타임: 10분)를 사용하여 압축 성형하여, 두께 300μm의 수지 조성물층을 형성하였다. 그 후, 이형 처리한 실리콘 웨이퍼로부터 수지 조성물층을 벗겨, 180℃에서 90분간 가열하여 수지 조성물층을 열경화시켜 경화물의 샘플을 제작하였다. 경화물의 샘플을 폭 5mm, 길이 15mm로 절단하여, 시험편을 얻었다. 이 시험편에 대하여, 열 기계 분석 장치(리가쿠사 제조 「ThermoPlus TMA8310」)를 사용하여, 인장 가중법으로 열 기계 분석을 수행하였다. 상세하게는, 시험편을 상기 열 기계 분석 장치에 장착한 후, 하중 1g, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로, 연속해서 2회 측정을 수행하였다. 그리고, 2회째의 측정에 있어서, 25℃에서 150℃까지의 범위에서의 평면 방향의 열팽창 계수(ppm/℃)를 산출하여, 이하의 기준으로 평가하였다.On a 12-inch silicon wafer subjected to release treatment, the resin compositions 1 to 8 prepared in Examples and Comparative Examples were compression molded using a compression molding device (mold temperature: 130° C., pressure: 6 MPa, cure time: 10 minutes). , a resin composition layer having a thickness of 300 µm was formed. Then, the resin composition layer was peeled off from the silicon wafer which carried out the mold release process, it heated at 180 degreeC for 90 minutes, the resin composition layer was thermosetted, and the sample of the hardened|cured material was produced. A sample of the cured product was cut into a width of 5 mm and a length of 15 mm to obtain a test piece. This test piece was subjected to thermomechanical analysis by a tensile weighting method using a thermomechanical analyzer (“ThermoPlus TMA8310” manufactured by Rigaku Corporation). Specifically, after the test piece was mounted on the thermomechanical analyzer, two measurements were performed successively under the measurement conditions of a load of 1 g and a temperature increase rate of 5° C./min. And the 2nd measurement WHEREIN: The thermal expansion coefficient (ppm/degreeC) of the planar direction in the range from 25 degreeC to 150 degreeC was computed, and the following reference|standard evaluated.

○: 13ppm/℃ 미만의 경우○: less than 13ppm/℃

×: 13ppm/℃ 이상의 경우×: 13ppm/℃ or higher

Figure pat00001
Figure pat00001

실시예 1 내지 5에 있어서, (E) 성분을 함유하지 않는 경우라도, 정도에 차는 있지만, 상기 실시예와 동일한 결과에 귀착하는 것을 확인하고 있다.In Examples 1 to 5, even when component (E) is not contained, although there is a difference in the degree, it is confirmed that it leads to the same result as in the above-mentioned Example.

Claims (13)

(A) 에폭시 수지,
(B) 산 무수물계 경화제, 아민계 경화제, 및 페놀계 경화제로부터 선택되는 적어도 1종의 경화제,
(C) 방향족 구조를 갖는 폴리에스테르폴리올 수지, 및
(D) 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물로서,
(C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 2질량% 이상 20질량% 이하인, 수지 조성물.(A) an epoxy resin;
(B) at least one curing agent selected from an acid anhydride curing agent, an amine curing agent, and a phenol curing agent;
(C) a polyester polyol resin having an aromatic structure, and
(D) a resin composition comprising an inorganic filler,
(C) The resin composition whose content of a component is 2 mass % or more and 20 mass % or less, when content of the non-volatile component in a resin composition makes 100 mass %. 제1항에 있어서, (A) 성분이, 축합환 골격을 포함하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (A) contains a condensed ring skeleton. 제1항에 있어서, (C) 성분의 말단이, 하이드록시기 및 카복실기 중 어느 하나인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the terminal of component (C) is any one of a hydroxyl group and a carboxyl group. 제1항에 있어서, (D) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상 95질량% 이하인, 수지 조성물.The resin composition of Claim 1 whose content of (D)component is 60 mass % or more and 95 mass % or less, when content of the non-volatile component in a resin composition is 100 mass %. 제1항에 있어서, (C) 성분이, 폴리에스테르 유래의 구조 및 폴리올 유래의 구조를 갖는 수지인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (C) is a resin having a structure derived from a polyester and a structure derived from a polyol. 제5항에 있어서, 폴리올 유래의 구조가, 에틸렌옥사이드 구조, 프로필렌옥사이드 구조, 및 부틸렌옥사이드 구조 중 어느 하나를 포함하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 5, wherein the polyol-derived structure includes any one of an ethylene oxide structure, a propylene oxide structure, and a butylene oxide structure. 제1항에 있어서, (C) 성분이, 비스페놀 골격을 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (C) has a bisphenol skeleton. 제1항에 있어서, (C) 성분의 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우의 함유량을 c1로 하고, (D) 성분의 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우의 함유량을 d1로 했을 때, d1/c1이, 5 이상 70 이하인, 수지 조성물.According to claim 1, wherein the content of the non-volatile component in the resin composition of the component (C) is 100% by mass, c1, and the non-volatile component in the resin composition of the component (D) is 100% by mass. When content is made into d1, d1/c1 is 5 or more and 70 or less, The resin composition. 제1항에 있어서, 밀봉층용인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, which is for a sealing layer. 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 포함하는, 수지 시트.A resin sheet comprising a support and a resin composition layer formed on the support and comprising the resin composition according to any one of claims 1 to 9. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 경화물층을 포함하는, 회로 기판.The circuit board containing the hardened|cured material layer formed of the hardened|cured material of the resin composition in any one of Claims 1-9. 제11항에 기재된 회로 기판과, 당해 회로 기판 위에 탑재된 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지.A semiconductor chip package comprising the circuit board according to claim 11 and a semiconductor chip mounted on the circuit board. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물, 혹은 제10항에 기재된 수지 시트에 의해 밀봉된 반도체 칩을 포함하는 반도체 칩 패키지.The semiconductor chip package containing the semiconductor chip sealed with the resin composition in any one of Claims 1-9, or the resin sheet of Claim 10.
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