KR20210146422A - 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품 - Google Patents

도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품 Download PDF

Info

Publication number
KR20210146422A
KR20210146422A KR1020217037963A KR20217037963A KR20210146422A KR 20210146422 A KR20210146422 A KR 20210146422A KR 1020217037963 A KR1020217037963 A KR 1020217037963A KR 20217037963 A KR20217037963 A KR 20217037963A KR 20210146422 A KR20210146422 A KR 20210146422A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
aperture
layer
apertures
light
cross
Prior art date
Application number
KR1020217037963A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102388258B1 (ko
Inventor
크리스티안 뵐러
Original Assignee
라이프 테크놀로지스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=59152667&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20210146422(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 라이프 테크놀로지스 게엠베하 filed Critical 라이프 테크놀로지스 게엠베하
Priority to KR1020227012330A priority Critical patent/KR20220053035A/ko
Publication of KR20210146422A publication Critical patent/KR20210146422A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102388258B1 publication Critical patent/KR102388258B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/204Filters in which spectral selection is performed by means of a conductive grid or array, e.g. frequency selective surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14629Reflectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/105Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type having optical polarisation effects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Cameras In General (AREA)
  • Blocking Light For Cameras (AREA)

Abstract

입사 방사선을 기록하기 위한 이미지 센서는 입사 방사선을 차단 주파수 미만인 주파수로 감쇠시킴으로써 상기 입사 방사선을 여광시키기 위한 제1 레이어 및 상기 제1 레이어를 통과하는 방사선을 흡수시키기 위한 제2 감광 레이어를 포함할 수 있다. 상기 제1 레이어는 상기 입사 방사선의 전파 방향에서 상기 제2 감광 레이어에 선행할 수 있고, 상기 제1 레이어는 상기 제1 레이어를 통해 상기 제2 감광 레이어로 지나는 적어도 하나의 애퍼처를 포함하여 그것을 통해 방사선을 전파시킨다. 상기 적어도 하나의 애퍼처의 단면 크기는 상기 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 감쇠되고 상기 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파되도록 상기 차단 주파수를 제공하도록 구성될 수 있다.

Description

도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품 {OPTICAL COMPONENT WITH WAVEGUIDE BASED FILTER}
본 발명은 일반적으로 광학 부품들, 보다 구체적으로는 입사 방사선에 차단 주파수들을 제공하는 레이어들을 갖는 광학 부품들에 관한 것이다. 광학 부품들은 이미지 센서들과 같은 능동 광학 부품들 또는 렌즈들과 같은 수동 광학 부품들일 수 있다.
오늘날, 중요한 능동 광학 부품들은 이미지 센서들, 즉 광 센서들의 어레이를 사용하여 상이한 영역들에서 광 강도들을 측정함에 따라 이미지를 기록하는 전자 기기들이다. 통상적인 이미지 센서들은 반도체 전하 결합 소자들(CCD) 및 상보적 금속 산화 반도체들(CMOS) 칩들이다. 이러한 센서들은 주로 이미지 센서들에 닿는 상이한 광의 색들을 구별하기 위해 예를 들어, 베이어 패턴(Bayer pattern)을 사용하는 유색 필터 소자들을 갖는 컬러 필터 어레이들을 사용한다. 다른 유형의 이미지 센서는 광이 기록되는 깊이를 식별함으로써 광의 색을 결정하는 포베온(Foveon)의 색 분해 기법에 기초한다. 이러한 기법은 센서에서 더 긴 파장을 갖는 광이 더 깊은 투과 깊이를 갖는 상황에 기초한다.
알려져 있는 이미지 센서들은 통상적인 센서들에 의해 적외선 광이 측정되나 광의 이러한 부분이 가시광의 색들을 오염시켜 바람직하지 않기 때문에 추가 적외선 필터를 필요로 할 수 있다.
뿐만 아니라, 픽셀들이 작고 광 측정 효율이 높으며 색 분해가 양호한 이미지 센서들을 만드는 것이 일반적으로 요구된다. 컬러 필터 어레이들을 갖는 이미지 센서들은 일반적으로 컬러 필터를 통해 광 강도의 50% 이상을 잃는다. 컬러 필터 어레이들을 갖거나 포베온 기법에 기초한 이미지 센서들은 색 분해를 제한했을 수 있다. 또한 광이 이미지 센서들에 닿는 각도에 관계 없이 광을 모아 측정하는 센서들을 갖는 이미지 센서들을 만드는 것이 일반적으로 요구된다.
렌즈, 파이버 커플러들 등과 같은 수동 광학 부품들 중에서 효율적인 필터링 또한 관심사이다. 그러한 광학 부품들은 보통 렌즈의 경우 색수차들과 같은 주파수 의존적 거동을 갖는데, 이는 이미징 어플리케이션들에서 바람직하지 않다. 따라서, 수동 광학 소자들의 이미징 거동을 개선시키는 것이 바람직할 수 있다.
하나의 과제는 적외선 광을 여광해 내기 위해 종래 적외선 컬러 필터를 필요로 하지 않는 이미지 센서를 제공하는 것일 수 있다. 추가 과제는 이미지 센서에 닿는 광의 상이한 색들을 효과적으로 분해 및 측정하는 이미지 센서를 제공하는 것일 수 있다. 추가 과제는 이미지 센서에 협각으로(즉 표면에 매우 수직하지는 않게) 닿는 광이 이웃 픽셀들로의 감소된 광 유출량을 갖거나 광의 각도에 덜 의존적인 집광 및 측정 효율을 갖는 픽셀들을 갖는 이미지 센서를 제공하는 것일 수 있다. 추가 과제는 상기한 이미지 센서의 제조를 단순화할 수 있는 구조적으로 단순한 방식으로(예를 들어, 종래 컬러 필터 어레이 필요 없이) 작은 픽셀들에 대한 색 분해를 가능하게 하는 이미지 센서를 제공하는 것일 수 있다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 입사 방사선을 기록하기 위한 이미지 센서는 상기 입사 방사선을 여광시키기 위한 제1 레이어 및 상기 제1 레이어를 통과하는 상기 방사선을 흡수시키기 위한 제2 감광 레이어를 포함할 수 있다. 상기 제1 레이어는 상기 입사 방사선에 대해 불투명한 하나 이상의 물질로 만들어질 수 있다. 상기 제1 레이어는 상기 입사 방사선의 전파 방향에서 상기 제2 감광 레이어에 선행하고, 상기 제1 레이어는 상기 제1 레이어를 통해 상기 제2 레이어로 지나는 적어도 하나의 애퍼처를 포함하여 그것을 통해 방사선을 전파시킨다. 상기 적어도 하나의 애퍼처의 단면 크기는 상기 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 감쇠되고 상기 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파되도록 상기 차단 주파수를 제공하도록 구성될 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 레이어는 제1 레이어가 제1 레이어의 평면에서의 상이한 위치들에 하나 이상의 상이한 차단 주파수를 갖는 필터 기능을 제공하도록 특정 수의 상이한 단면 크기(예를 들어, 하나의 크기 또는 세 개의 상이한 크기)를 갖는 많은 애퍼처를 가질 수 있다. 제2 감광 레이어는 제1 레이어의 상이한 애퍼처들을 통과하는 방사선의 강도 및 위치를 기록할 수 있다. 그에 따라, 일 실시 예에 따른 이미지 센서는 상이한 위치들에서 특정 파장 범위들의 광 강도를 기록할 수 있다. 그러한 이미지 센서는 예를 들어, 디지털 카메라들 또는 휴대 전화들에서 찾을 수 있는 종래 이미지 센서와 유사한 방식으로 사용될 수 있다. 다시 말해, 제1 레이어는 하나 이상의 광 성분으로의 색 분해를 제공하기 위해 사용될 수 있고 이미지 센서의 제2 감광 레이어는 종래 이미지 센서의 제2 감광 레이어가 광을 기록하는 것과 유사한 방식으로 하나 이상의 광 성분을 기록할 수 있다.
이미지 센서는 다음 이유들로 상술된 하나 이상의 과제를 해결한다: 필터 레이어가 적외선 광은 여광해 내지만 더 큰 주파수를 갖는 광(예를 들어, 적색, 녹색 및 청색 광)의 전파를 허용하는 차단 주파수를 제공하는 하나 이상의 애퍼처를 가질 수 있다. 적어도 하나의 애퍼처가 또한 가시광 스펙트럼의 하나 이상의 상이한 색을 측정하기 위해 광 스펙트럼의 상이한 범위에 놓이는 차단 주파수를 제공할 수 있다. 상이한 크기들의 애퍼처들은 예를 들어, 상이한 차단 주파수들을 갖는 애퍼처들을 통해 전파하는 측정된 방사선을 감함으로써 이미지 센서에 닿는 광의 각각의 색들을 측정 및 분해하도록 조합될 수 있다. 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파되는 입사 방사선은 이러한 방사선이 굴절되지 않도록 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 전파 모드로 결합함으로써 전파될 수 있고 이는 이웃 픽셀들로의 광 유출 그리고/또는 집광 및 측정 효율의 센서에 닿는 광의 각도에 대한 의존성을 줄일 수 있다. 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파하는 광의 유도 또한 이웃 픽셀들로의 광 유출 그리고/또는 집광 및 측정 효율의 광의 각도에 대한 의존성을 줄일 수 있다. 애퍼처들을 갖는 필터 레이어를 갖는 이미지 센서들은 그것들이 표준 칩 제조 기술에 의해 제조될 수 있고 예를 들어, 유색 필터 소자들을 갖는 종래 컬러 필터 어레이의 제공을 필요로 하지 않기 때문에 구조적으로 단순할 수 있다. 이러한 특징은 작은 픽셀들(예를 들어, 1 ㎛ 미만의 픽셀 피치를 갖는 픽셀들)과 관련될 수 있다. 색 분해의 정도, 즉, 특정 범위(예를 들어, 차단 주파수 미만의) 내 광이 얼마나 강하게 감쇠되는지는 적어도 하나의 애퍼처의 깊이를 통해 제어될 수 있다. 그 결과로, 보다 강한 색 분해가 보다 깊은 애퍼처를 사용하거나 입사 광을 여광시키기 위해 보다 두꺼운 제1 레이어를 사용함으로써 달성될 수 있다.
본 출원에 개시되는 양태들 중 임의의 양태에 대해, 적어도 하나의 애퍼처는 광 도파관으로 고려될 수 있고 제1 레이어는 도파관 기반 필터인 것으로 고려될 수 있다. 도파관 기술로, 전자기파들의 도파관들의 너비가 그것 미만의 어떠한 전자기파도 도파관을 통해 전파되지 않으나 지수 급수적으로 감쇠되는 차단 주파수를 부여하는 것으로 알려져 있다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 광학 소자는 방사선을 여광시키기 위한 제1 레이어 및 투명 소자를 포함한다. 상기 제1 레이어는 상기 제1 레이어를 통해 상기 투명 소자로 지나는 적어도 하나의 애퍼처를 포함하여 그것을 통해 방사선을 전파시킨다. 상기 적어도 하나의 애퍼처의 단면 크기는 상기 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 감쇠되고 상기 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파되도록 상기 차단 주파수를 제공하도록 구성된다.
제2 양태는 수동 광학 부품들, 이를테면 렌즈, 파이버 커플러들 또는 수동 광학 부품들의 일부인 대체로 투명한 소자들에 대한 효율적인 여광을 제공하는 과제 를 해결한다. 추가 과제는 바람직하지 않은 수동 광학 부품의 주파수 의존적 거동을 감소시키는 특정 여광 특성을 갖는 광학 소자를 제공함으로써 그러한 광학 부품들의 이미징 거동을 개선하는 것일 수 있다.
본 발명의 제1 및 제2 양태들은 하나 이상의 특징을 공유할 수 있고, 그에 따라 그렇게 공유된 특징들의 실시 예들이 양자의 양태에 대해 동일할 수 있다. 일례로, 방사선을 여광시키기 위한 제1 레이어의 일 실시 예가 이미지 센서에 대해서 그리고 광학 소자에 대해서도 사용될 수 있다. 따라서, 이미지 센서의 제1 레이어와 관련되어 이루어지는 서술 내용은 또한 광학 소자의 제1 레이어에 대해 유효하고 그 반대도 마찬가지이다.
도 1은 일 실시 예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 2a는 제1 레이어가 이미지 센서의 감광 레이어 상에 제공되는 일 실시 예에 따른 이미지 센서의 픽셀의 개략적인 단면도이다.
도 2b는 제1 레이어가 이미지 센서의 감광 레이어 상에 제공되고 투명 레이어가 제1 레이어와 감광 레이어 사이에 삽입되는 일 실시 예에 따른 이미지 센서의 픽셀의 개략적인 단면도이다.
도 2c는 제1 레이어가 이미지 센서의 감광 레이어 상에 제공되고 투명 물질이 제1 레이어의 애퍼처들에 채워지며 투명 물질이 또한 제1 레이어 상에 투명 보호 레이어를 제공하는 일 실시 예에 따른 이미지 센서의 픽셀의 개략적인 단면도이다.
도 3a는 비어 있는 애퍼처들을 갖는 일 실시 예에 따른 입사 방사선과 이미지 센서의 상호 작용의 개략적인 단면도이다.
도 3b는 채워진 애퍼처들을 갖는 일 실시 예에 따른 입사 방사선과 이미지 센서의 상호 작용의 개략적인 단면도이다.
도 3c는 채워진 애퍼처들 및 투명 보호 레이어를 갖는 일 실시 예에 따른 입사 방사선과 이미지 센서의 상호 작용의 개략적인 단면도이다.
도 4는 네 개의 인접한 픽셀이 제시되고 두 개의 인접한 픽셀의 애퍼처들이 서로 수직하는 세장형 직사각형 단면들을 갖는 일 실시 예의 개략적인 상면도이다.
도 5는 3x3 픽셀들의 어레이가 제시되고, 각 픽셀은 애퍼처들의 그룹을 갖되, 픽셀들의 애퍼처들이 세 개의 상이한 단면 크기를 갖는 이미지 센서의 일 실시 예의 개략적인 상면도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 광학 소자의 단면도이다.
도 7a는 일 실시예에 따른 특정 범위 내 방사선을 측정하기 위한 광학 기기의 개략도이다.
도 7b는 일 실시예에 따른 특정 범위 내 방사선을 측정하기 위한 추가 광학 기기의 개략도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 이미지 센서를 갖는 이미지 캡처 기기의 블록도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 이미지 센서에 의해 캡처되는 이미지의 표상을 추산하기 위한 흐름도이다.
입사 방사선은 본 출원에서 사용될 때, 즉 본 발명의 임의의 또는 모든 양태 및 실시 예에 대해, 전자기 방사선이고 가시광 또는 적외선 광 및/또는 자외선(UV) 광과 가시광을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 제1 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 입사 방사선이 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 지수 급수적으로 감쇠한다. 그에 따라 "차단 주파수"라는 용어는 바람직하게는 애퍼처의 깊이가 증가함에 따라 그 미만의 전자기파들이 지수 급수적으로 감쇠하는 한계 주파수로 정의된다. 지수 급수적 감쇠는 도파관 이론에 따라 사용된다. 물론 차단 주파수에 대해 상이한 정의들을 채용하는 것도 가능하다, 예를 들어, 그것은 그 미만에서 투과된 강도가 입사 방사선의 강도의 예를 들어, 90%와 0% 사이에 특정된 값으로 감소되는 추가 차단 주파수를 정의할 수 있다.
제2 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선은 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파된다, 즉, 애퍼처 내부 모드가 방사선 전파를 허용한다. 실제 애퍼처들에서, 전파 방사선은 강도가 여전히 감소될 수 있지만 그 감소는 차단 주파수 미만의 방사선에 대한 것보다 측정 가능할 정도로 작을 것이다. 표준 도파관 이론에서, 차단 주파수는 하나의 특정 값과 같을 수 있으나 실시 예들에서는, 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 그 미만의 방사선이 감쇠되는 제1 차단 주파수와 적어도 하나의 애퍼처를 통해 그 초과의 방사선이 전파되는 제2 차단 주파수 사이에 전이 주파수 범위가 있을 수 있다. 제1 차단 주파수와 제2 차단 주파수 사이 주파수 범위는 예를 들어, 애퍼처의 불완전성 또는 애퍼처의 벽들 또는 그 외 다른 비이상적인 상황들에 의해 또는 애처퍼의 특정 형태들에 의해서도 야기될 수 있다.
개괄적으로, 차단 주파수는 본 출원에서 사용될 때 임의의 또는 모든 실시 예에 따라 차단 주파수 범위 미만의 주파수를 갖는 입사 방사선이 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 감쇠되고 차단 주파수 범위를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선이 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파되도록 하는 차단 주파수 범위(예를 들어, 제1 차단 주파수 및 제2 차단 주파수에 의해 제한되는)일 수 있다. 다시 말해서, 차단 주파수라는 용어는 본 출원에서 사용될 때 차단 주파수 범위로 정의될 수 있고 차단 주파수 범위라는 용어로 대체될 수 있다. 표준 도파관 이론에 따르면, 도파관은 그 미만의 입사 방사선이 어떠한 전파 모드도 없기 때문에 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파될 수 없는 최저 차단 주파수를 가질 수 있다. 일반적으로, 차단 주파수는 본 출원에서 사용될 때 임의의 또는 모든 실시 예에 따라 그러한 최저 차단 주파수를 의미할 수 있고 최저 차단 주파수보다 큰 차단 주파수들은 포함하지 않을 수 있다. 또한 하나보다 많은 전파 모드가 동일한 최저 차단 주파수(특정 범위 내)를 가질 수도 있다. 일례로, 정사각형 애퍼처(즉 변의 길이들이 같은 직사각형 애퍼처)는 동일한 최저 차단 주파수를 갖는 두 개의 전파 모드를 가질 수 있다.
"~와 같은" 및 "~보다 큰"과 같은 표현들은 본 출원에서 사용될 때 엄격한 수학적 의미로 의미되는 것이 아니라, 각각 "실질적으로 같은" 및 "~보다 실질적으로 큰"을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 값들이 "실질적으로 같을" 수 있는 정의들은 임의의 또는 모든 실시 예에 따라 사용하기 위해 "제조 공차에 의해 야기되는 편차들 내에서 같은" 또는 "± 10% 내에서 같은" 또는 "± 5% 내에서 같은" 것일 수 있다. 같은 값들에 대한 다른 정의는 그것들이 통상적인 측정 정밀도 내에서 같은 것일 수 있다.
적어도 하나의 애퍼처는 그것의 단면 크기에 의한 그것의 정의에 대한 대안 예로서, 그것이 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 입사 방사선이 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 감쇠되고 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선이 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파되도록 최소한의 차단 주파수를 제공할 정도의 크기를 갖거나, 충분히 작거나, 또는 그것의 깊이에 수직하는 두 방향으로 연장부들을 갖는다.
필터 레이어는 애퍼처들을 갖는 금속 레이어 또는 금속 코팅된 애퍼처들을 갖는 비금속 레이어로 이루어질 수 있다. 또한 필터 레이어는 특정 파장 또는 파장 범위를 초과하는 광에 충분한 여광 또는 감쇠 효과를 미치는 한 애퍼처들을 갖는 불투명한 물질의 레이어로 이루어질 수 있다. 일반적으로, 필터 레이어는 특정 파장을 초과하는 광을 충분히 여광해 내거나 감쇠시키도록 구성될 수 있다. 여광 또는 감쇠 효과는 100%에 가까울 필요는 없고, 그것은 더 낮을 수 있다, 예를 들어, 투과된 강도가 0%와 90% 사이로 감소되도록 100%에서 10%에 이르는 범위 내일 수 있다. 일반적으로, 필터 레이어는 예를 들어, 입사 방사선의 애퍼처의 전파 모드로의 결합에 의해 특정 주파수를 초과하는 입사 방사선의 충분한 전파를 허용하도록 구성될 수 있다. 충분한 전파는 전파 방사선이 차단 주파수 미만의 방사선보다 측정 가능할 정도로 덜 감쇠될 때 제공될 수 있다. 차단 주파수를 초과하는 전파 방사선과 차단 주파수 미만의 감쇠된 방사선 간 차이는 100%에서 10%에 이르는 범위 내 반올림 값을 가질 수 있다. 이는 차단 주파수를 초과하는 전파 방사선이 또한 100%와 10% 사이의 반올림 값으로 감쇠될 수 있으나 차단 주파수 미만의 방사선보다 측정 가능할 정도로 덜 감쇠됨을 의미할 수 있다.
일반적으로, 필터 레이어 및 적어도 하나의 애퍼처는 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파시키는 하나 이상의 모드에 효과적인 방식으로 필터 레이어 상에 닿는 광자들을 결합시키도록 구성될 수 있다.
이하에서는, 먼저 애퍼처들의 예시적인 실시 예가 설명된다.
애퍼처들의 두 개의 기본 파라미터는 애퍼처의 크기를 기술하는 파라미터 및 애퍼처의 깊이(또는 제1 레이어의 두께) 를 기술하는파라미터이다. 이하의 추산은 추가 투명 물질로 채워지지 않는 애퍼처들에 대해 행해지나 유사한 추산이 그것의 광학적 속성들에 따라 그러한 물질들을 고려할 수 있다.
빈 도파관을 통한 전자기파들의 전파에 관해, 이하의 파동 방정식(진공원들이 없을 때 맥스웰 방정식으로부터 유도됨)이 시작점으로 취해진다:
Figure pat00001
또는 상이한 표기로
Figure pat00002
.
여기서,
Figure pat00003
(x, y, z, t)는 전기장 및 자기장을 나타낸다(밑줄은 벡터를 의미한다).
축 방향 등단면을 갖는 z 방향에서 일반적인 도파관에 대해, z 방향으로 전파하는 파들을 설명하는 f(x, y, z, t)에 대한 이하의 가설 풀이가 적절하다:
Figure pat00004
.
이러한 가설 풀이에 따르면,
Figure pat00005
(x, y, z, t)는 복소 함수이고 E-장 또는 B-장과 같은 물리적 양들이 이러한 함수의 실수부로서 취해진다.
그 다음 파동 방정식은 다음과 같이 된다
Figure pat00006
또는
Figure pat00007
.
이 방정식은 벽들과 같이 완전 도체를 갖는 도파관들로부터 유도되는 경계 조건들과 함께 f(x, y)에 대한 고유값 문제를 정의한다.
경계 조건들은 벽의 법선 벡터로 n에 대한 것이다:
Figure pat00008
(즉 B-장은 법선 방향의 벽 표면 상에서 영이 된다)
Figure pat00009
(즉 E-장은 접선 방향의 벽 표면 상에서 영이 된다).
각각 x 및 y 방향에서의 너비(a) 및 높이(b)를 갖는 직사각형의 도파관에 대해, 그러한 기하학적 구조에 적절한 평면파 함수를 사용하는 것이 통상적이다
Figure pat00010
.
그 다음 파동 방적식으로부터 다음이 전개된다
Figure pat00011
.
경계 조건들로부터 파수들에 대한 다음 결과가 전개된다
Figure pat00012
그리고
Figure pat00013
.
이로부터 z 방향에서의 파수에 대해 다음이 전개된다
Figure pat00014
또는
Figure pat00015
.
이는 z 방향으로 잔파되는 파들(예를 들어, 지수 급수적으로 감쇠되지 않는)에 대해, 주파수(w)가 최소 차단 주파수(a > b(그리고 n = 1, m = 0)에 대해,
Figure pat00016
)보다 커야 함을 의미한다
Figure pat00017
.
전파 모드들이 이제 다음 두 주 모드 유형으로 분류될 수 있다: (i) E_z = 0인 가로 전기 모드들(TE_m,n)(즉 전기장이 항상 전파 방향을 가로지르는 방향들을 가리킴) 및 (ii) B_z = 0인 가로 자기 모드들(TM_m,n)(즉 자기장이 항상 전파 방향을 가로지르는 방향들을 가리킴). E_z = 0 그리고 B_z = 0인 가로 전자기 모드들(TEM, transverse electromagnetic modes)(즉 전기장 및 자기장이 항상 전파 방향을 가로지르는 방향들을 가리킴)도 있으나, 이는 도파관들이 적어도 두 개의 전기적으로 절연된 전도벽을 가질 것을 필요로 한다.
정사각형 단면(즉 a = b)을 갖는 도파관들에 대해, 다음이 전개된다
Figure pat00018
.
J. D. Jackson의 교재 “Classical Electrodynamics”, 1967 6쇄에 제시된 바와 같이, TE 모드들은 항상
Figure pat00019
의 최저 차단 주파수를 갖는 한편 TM 모드들은 더 높은 차단 주파수를 갖는다.
정사각형 단면을 갖는 도파관들은 동일한 차단 주파수를 갖는 두 개의 별개의 TE 모드, 즉, TE_1,0 및 TE_0,1 모드들을 갖는다. 그 결과로, 그러한 도파관들은 도파관들이 차단 주파수를 초과하는 방사선 또는 광에 보다 투명하도록 도파관들의 모드들로 보다 효과적으로 도파관의 개구에 닿는 광자들을 결합시키는 이점을 제공할 수 있는 다중 모드 도파관들이다.
불완전 도체들로 만들어진 벽들에 관련될 수 있는 다른 효과들은 여기서 고려되는 도파관들의 길이가 매우 짧기 때문에(예를 들어, 10 ㎛ 미만 또는 1 ㎛ 미만) 여기서 도외시될 수 있다.
정사각형 도파관들에 대해, 두 최소 모드는(n = 1, m = 0 그리고 n = 0, m = 1) 다음을 제공한다
Figure pat00020
.
도파관의 비전파 모드들, 즉, 차단 주파수 미만의 각 주파수(
Figure pat00021
)를 갖는 모드들에 대해, k_z의 해는 순허수이고 z-방향에서의 파의 지수 급수적 감쇠를 초래한다.
Figure pat00022
에 대해,
Figure pat00023
Figure pat00024
에 대해,
Figure pat00025
, (*)
여기서
Figure pat00026
는 전자기(em)파의 파장이고 λ_c = 2a는 차단 파장이다. 방정식(*)은 em 파의 파장이 차단 파장을 초과할 때, 차단 파장 k_z로 나타낸 바와 같이 도파관 방향에서의 전파가 지수 급수적으로 감쇠되고 있음을 나타내는 기본 방정식이다.
k_z에 대해 상기한 방정식들은 빈 도파관들에 대해 거의 참이다. 예를 들어, 절연체로 채워진 도파관들에 대해, 그것은 예를 들어,
Figure pat00027
에 대해,
Figure pat00028
,
여기서 ε은 도파관 내 절연체 및 투명 물질의 유전 상수이고 μ는 그것의 투과도이다. ε_0 및 μ_0는 진공에 대해 대응하는 상수들이다.
이제 400 nm 및 700 nm의 파장 사이 가시광이 청색 광, 녹색 광 및 적색 광을 나타내는 세 성분으로 분해되도록 하는 예시적인 애퍼처들을 설계하기 위해 방정식(*)이 사용된다.
최대 애퍼처는 모든 가시광의 전파를 허용하지만 700 nm를 초과하는 광(적외선 광)은 억제하도록 구성된다. a_1 = 350 nm가 된다.
중간 크기의 애퍼처는 청색 및 녹색 광(그리고 황색 광)의 전파는 허용하지만 600 nm를 초과하는 적색 광은 억제하도록 구성된다. a_2 = 300 nm가 된다.
최소 애퍼처는 청색 광의 전파를 허용하지만 500 nm를 초과하는 녹색 광 및 적색 광은 억제하도록 구성된다. a_3 = 250 nm가 된다.
그 외 다른 실시 예들에서, 차단 주파수들에 대한 값들은 가시광을 상이한 성분들로 분해하기 위해 상이할 수 있다. 일례로서, 중간 크기의 애퍼처는 청색 및 녹색 광의 전파는 허용하지만 570 nm를 초과하는 황색 및 적색 광은 억제하도록 구성될 수 있다. 그 다음 a_2 = 285 nm가 된다.
광 강도(S)는 em파의 전기장의 제곱에 비례한다:
Figure pat00029
.
이제 애퍼처들은 예를 들어, 차단 파장보다 100 nm 큰 파장(λ_D)(λ_D = λ_c + 100 nm)을 갖는 광이 적어도 exp (-2)
Figure pat00030
0.135배만큼 감소되도록 설계될 수 있다. 이는 전기장이 exp (-1)배로 감소됨을 의미한다. 이는 애퍼처의 최소 깊이(l_z)를 제공한다
Figure pat00031
.
이로부터 최대 애퍼처(제1 레이어의 최소 두께를 결정하는)에 대해 다음이 전개된다(a = a_1 = 350 nm):
l_z
Figure pat00032
230 nm.
파장(λ_D)(λ_D = λ_c + 100 nm)을 갖는 광에 대한 광 강도를 적어도 exp (-4)
Figure pat00033
0.018배만큼 줄이는 것이 요구될 경우, 이는 최소 깊이(l_z')를 제공하며 a = a_1:
l_z'
Figure pat00034
460 nm.
계산된 l_z’ 값은 꽤 강한 색 분해(더 작은 파장들을 갖는 광에 대해서도 더 강한)를 제공한다.
l_z 또는 l_z’로 명기되는 제1 레이어의 두께를 갖는 실시 예들은 다음 표준 칩 제조 프로세스들에 따라 쉽게 제조된다: 예를 들어, 460 nm의 두께를 갖는 금속 레이어가 약 1 내지 10 마이크로미터(또는 그보다 적거나 많은)의 픽셀 피치를 갖는 픽셀들을 갖는 가능한 종래 설계의 맨 이미지 센서(즉 컬러 필터 어레이가 없는 이미지 센서) 위에 증착될 수 있다. 그 다음 제1 레이어 내 애퍼처들이 예를 들어, 에칭 프로세스를 사용하여 제공될 수 있다. 이러한 방식으로, 픽셀들이 직접 금속 레이어 내 애퍼처들에 결합된다. 애퍼처들은 350 nm, 300 nm 및 250 nm의 크기들을 가질 수 있다. 필요한 모든 제조 단계는 오늘날의 기술에 따라 쉽게 이용 가능하다.
보다 두꺼운 제1 레이어는 애퍼처 크기에 의해 획정되는 차단 파장보다 큰 파장들을 갖는 광의 보다 엄격한 감소를 가능하게 한다. 그에 따라, 보다 두꺼운 제1 레이어는 색 분해를 증가시킨다. 따라서, 보다 얇은 레이어는 상이한 광 성분들 간 색 분해를 감소시킨다. 적용 예에 따라 색 분해는 더 엄격한 방식으로 또는 덜 엄격한 방식으로 구현될 수 있다.
추가 실시 예에서, 제1 레이어의 두께는 또한 상이한 애퍼처들에 따라 달라질 수 있다.
추가 실시 예들에서, 애퍼처들의 형상은 예를 들어, 원뿔형이거나 점점 가늘어질 수 있고(즉 필터 레이어의 일측에서 타측에서보다 더 큰 개구를 갖는) 애퍼처들의 단면은 비직사각형, 이를테면 원형, 육각형 또는 임의의 그 외 다른 형상일 수 있다.
일반적으로, 집광 효율이 증가되도록 가능한 많은 광 측정을 위해 사용될 수 있는 이미지 칩의 표면을 증가시키는 것이 바람직할 수 있다. 그 결과로, 가능한 많은 애퍼처가 감광 레이어의 감광 영역들에 결합될 수 있고 애퍼처들 간 벽들의 두께가 가능한 얇을 수 있다.
예를 들어, 약 1 마이크로미터의 픽셀 피치를 갖는 이미지 센서의 감광 영역이 800 nm*800 nm라고 가정하면, 일 실시 예는 서로 동일한 크기를 갖는 네 개의 애퍼처를 그룹 짓고 네 개의 애퍼처를 직접 하나의 픽셀로 결합시킬 수 있다. 이러한 방식으로, 광 손실이 감소된다. 동일한 크기(예를 들어, 350 nm)의 네 개의 애퍼처가 하나의 픽셀에 결합되고 보다 작은 동일한(예를 들어, 250 nm)의 아홉 개의 애처퍼가 다른 픽셀에 결합되는 것이 가능할 수도 있다.
일반적으로, 하나의 픽셀에 결합되는 애퍼처들의 수는 픽셀 크기, 애퍼처 크기 및 벽 두께에 따라 달라질 수 있다. 일례로서, 4 ㎛의 크기를 갖는 정사각형 픽셀들은 다음 수의 정사각형 애퍼처를 가질 수 있으며 여기서 금속성 벽들이 약 50 nm의 두께를 갖는다: 정사각형 애퍼처들에 대해, a = 350 nm일 때 픽셀당 9*9 또는 10*10 애퍼처들이 있을 수 있다; a = 300 nm일 때 픽셀당 11*11 애퍼처들이 있을 수 있다; a = 250 nm일 때 픽셀당 13*13 애퍼처들이 있을 수 있다. 추가 예로, 픽셀들은 1 ㎛ 미만의 변의 길이를 가질 수 있고 각 픽셀에 대해 픽셀에 결합되는 하나의 애퍼처가 있을 수 있다.
일 실시 예에서, 애퍼처들은 n개의 상이한 크기에 대해 한 변의 길이 값(ai(i=1...n), a1 > a2 > a3 ... > an)을 갖는 정사각형 등단면을 가질 수 있다. 애퍼처들은 금속성 벽들을 가질 수 있고 차단 주파수들은 그것을 초과하는 입사 방사선이 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 지수 급수적으로 감쇠되고 그것 미만의 방사선이 상기 애퍼처의 애퍼처를 통해 전파되는 대응하는 차단 파장(λi, cut-off)을 가질 수 있고 ai은 λi, cut-off / 2와 같다. 이 예에서 애퍼처들의 깊이(d)에 대응하는 제1 레이어의 두께(lz)는 애퍼처들 내 진공에 대해 다음과 같다
Figure pat00035
또는
Figure pat00036
a_1은 변의 길이 값(ai(i=1...n)) 중 가장 긴 변의 길이 값이고 λ_D,1 = λD,1은 차단 파장(λ1, cut-off = 2a1)보다 길고 강도가 적어도 e-2배만큼 감쇠되는 방사선의 파장인 파장이다. 다시 말해, 필터 레이어가 상기한 식에 따른 깊이(d)를 가질 경우, 파장(λ_D,1)을 갖는 방사선의 강도는 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 적어도 e-2배만큼 감쇠된다. λ_D,1과 λ1, cut-off 사이 파장을 갖는 방사선은 덜 감쇠될 것이고 λ_D,1 미만의 방사선은 훨씬 더 감쇠될 것이나 상기한 식에 따라 특정 감쇠 레벨을 제공하는 깊이를 결정하는 것이 가능하다. 일례로, 상대적으로 낮은 감쇠 레벨 또는 덜 예리한 여광 특성을 위해 λ_D,1은 λ1, cut-off보다 100 nm 크게 선택될 수 있다(상기한 내용 참조). 추가 예로, 상대적으로 높은 감쇠 레벨 또는 더 예리한 여광 특성을 위해 λ_D,1은 λ1, cut-off보다 25 nm 크게 선택될 수 있다.
l_z,vac 또는 d_vac에 대한 상기한 방정식은 완전히 빈 애퍼처들에 대해 유효하고, 진공이 없거나 절연체 또는 공기와 같은 물질로 채워지는 애퍼처들에 대해, 그것은
Figure pat00037
또는
Figure pat00038
,
여기서 ε은 애퍼처들 내 물질의 유전 상수이고, μ는 애퍼처들 내 상기 물질의 투과도이고, ε_0는 진공의 유전 상수이며, μ_0는 진공의 투과도이다.
따라서, 제1 양태는 입사 방사선을 기록하기 위한 이미지 센서와 관련될 수 있다. 이미지 센서는 입사 방사선을 여광시키기 위한 제1 레이어 및 상기 제1 레이어를 통과하는 상기 방사선을 흡수시키고 기록하기 위한 제2 감광 레이어를 포함할 수 있다. 상기 제1 레이어는 상기 입사 방사선에 대해 불투명한 하나 이상의 물질로 만들어질 수 있다. 일례로, 제1 레이어는 입사 방사선이 적어도 하나의 애퍼처에 의해 제공되고 입사 방사선의 주파수에 따라, 입사 방사선(또는 입사 방사선의 에너지)의 감쇠 또는 입사 방사선(또는 입사 방사선의 에너지)의 전파를 초래하는 하나 이상의 모드로 결합하기 때문에 입사 방사선에 대해 불투명한 것으로 고려될 수 있다. 상기 제1 레이어(또는 필터 레이어)는 상기 입사 방사선의 전파 방향에서 상기 제2 감광 레이어에 선행하고, 상기 제1 레이어는 상기 제1 레이어를 통해 상기 제2 레이어로 지나는 적어도 하나의 애퍼처를 포함하여 그것을 통해 방사선을 전파시킨다. 상기 적어도 하나의 애퍼처의 단면 크기는 상기 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 감쇠되고 상기 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파되도록 상기 차단 주파수를 제공하도록 구성될 수 있다. 다시 말해, 상기 적어도 하나의 애퍼처는 차단 주파수를 제공하고 상기 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 입사 방사선은 상기 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 감쇠되고 상기 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선은 상기 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파된다. 그에 따라, 상기 적어도 하나의 애퍼처는 상기 적어도 하나의 애퍼처에 의해 제공되는 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 상기 입사 방사선을 감쇠시키고 상기 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선의 상기 적어도 하나의 애퍼처를 통한 전파를 허용함으로써 상기 입사 방사선을 여광시킨다. 차단 주파수, 감쇠 및 전파라는 용어는 도파관 분야에서와 같이 사용될 수 있다. 따라서, 상기 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 입사 방사선은 상기 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 지수 급수적으로 감쇠될 수 있고 상기 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선은 상기 적어도 하나의 애퍼처 내부 하나 이상의 전파 모드로 결합함으로써 상기 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파될 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선은 또한 지수 급수적으로 감쇠될 수 있으나 이러한 감쇠는 도파관 이론에 의해 예측되는 것이 아니라 그 외 다른 이유들(예를 들어, 벽들과 같은 비이상적 도체들 또는 그 외 다른 실제 효과들)로 야기될 수도 있다. 이전에 나타낸 바와 같이, 차단 주파수라는 용어는 본 출원에서 사용될 때 차단 주파수 범위(도파관 이론에 의해 예측되는 하나의 차단 주파수 값 대신)를 의미할 수 있다. 이 경우, 상기 차단 주파수 범위 미만의 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 감쇠되고 상기 차단 주파수 범위를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파된다.
일 실시 예에서, 적어도 하나의 애퍼처는 제1 레이어의 평평한 표면에 수직할 수 있고, 적어도 하나의 애퍼처는 애퍼처의 축을 따라 등단면을 가지며, 단면은 대칭이고 선택적으로 정사각형, 직사각형, 원형 또는 육각형 단면이다. 제1 레이어는 금속성일 수 있거나 제1 레이어는 금속성 레이어로 코팅된 비금속성 레이어를 포함할 수 있어 두 경우 모두, 적어도 하나의 애퍼처가 하나 이상의 금속성 벽을 갖게 된다. 선택적으로, 적어도 하나의 애퍼처의 모든 벽이 금속성일 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 레이어는 상이한 단면 크기들(csi(i=1..n), cs1 > cs2 > cs3...>csn)의 두 개, 세 개 또는 그보다 많은 애퍼처를 포함할 수 있다. 각 애퍼처는 각각의 차단 주파수들(w1, w2, w3, ..., wn, w1 < w2 < w3...< wn) 미만의 주파수를 갖는 광을 감쇠시키고 각각의 차단 주파수들을 초과하는 주파수를 갖는 광을 전파시키도록 구성될 수 있다. 다시 말해, 단면 크기(cs1)는 차단 주파수(w1)를 제공하도록 구성되고 단면 크기(cs2)는 차단 주파수(w2)를 제공하도록 구성된다.
일 실시 예에서, 적어도 하나의 애퍼처는 투명 물질로 채워질 수 있고, 선택적으로 투명 물질은 제1 레이어 상에 추가 레이어를 제공할 수도 있다.
일 실시 예에서, 적어도 하나의 애퍼처는 n개의 상이한 크기에 대해 한 변의 길이 값(ai(i=1...n))을 갖는 정사각형 등단면을 가질 수 있다. 적어도 하나의 애퍼처는 금속성 벽들을 가질 수 있고 차단 주파수들은 그것을 초과하는 입사 방사선이 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 지수 급수적으로 감쇠되고 그것 미만의 방사선이 상기 애퍼처의 애퍼처를 통해 전파되는 대응하는 차단 파장(λi, cut-off(i=1…n))을 가질 수 있다. 변의 길이 값(ai)은 λi, cut-off / 2(i=1…n)와 같을 수 있다. 선택적으로, 제1 레이어의 두께(l_z) 또는 적어도 하나의 애퍼처의 깊이(d)는 다음과 같을 수 있다
Figure pat00039
,
여기서 a1은 ai(i=1...n) 중 가장 긴 변의 길이 값이고 λ_(D,1)은 차단 파장(λi, cut-off = 2a1)보다 길고 제2 감광 레이어에 도달할 때 강도가 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 적어도 e**(-2)배만큼 감쇠되는 방사선의 파장이며 ε은 애퍼처들 내 물질의 유전 상수이고, μ는 애퍼처들 내 상기 물질의 투과도이며, ε_0 및 μ_0는 진공에 대해 대응하는 상수들이다. 애퍼처들 내 물질은 예를 들어, 공기, 절연 및 투과 물질, 또는 진공(이 경우 인수(
Figure pat00040
)는 1이 된다)일 수 있다.
일 실시 예에서, 감광 레이어는 픽셀들의 어레이를 포함할 수 있고, 각 애퍼처 또는 동일한 단면 크기를 갖는 각 복수의 연접 애퍼처가 어레이의 각각의 픽셀 위에 가로 놓이고 각각의 픽셀에 결합된다. 일 실시 예에서, 각 픽셀은 감광 영역을 포함할 수 있고, 픽셀에 결합되는 애퍼처 또는 복수의 연접 애퍼처가 각각의 픽셀의 감광 영역과 같거나 그보다 크고 픽셀의 전체 영역보다는 작은 영역을 커버할 수 있다.
이미지 센서는 상이한 픽셀들의 어레이들을 가질 수 있다. 일례로 어레이는 하나 또는 매우 적은 픽셀들을 가질 수 있고, 상이한 예에서 어레이는 4000*6000 픽셀 또는 그보다 많은 픽셀 이를테면 1억 픽셀(또는 그보다 많은) 또는 그 사이 임의의 수의 픽셀일 수 있다. 어레이는 또한 이미지 센서가 예를 들어, 스캔 기기에서 사용될 때 1*8000 픽셀 또는 3*8000 픽셀을 가질 수도 있다. 다시, 픽셀들의 수는 훨씬 더 많거나 훨씬 더 적을 수 있다.
일 실시 예에서, 이미지 센서의 감광 레이어는 종래 이미지 센서의 감광 레이어와 유사하거나 동일할 수 있다. 일 실시 예에 따라 입사 방사선을 기록하기 위한 이미지 센서는 회로에 관한 한 종래 이미지 센서와 유사할 수 있다. 다시 말해, 일 실시 예에 따른 이미지 센서는 유색 필터 소자들을 갖는 종래 컬러 필터 어레이가 일 실시 예에 따른 제1 레이어로 대체된 종래 이미지 센서와 유사할 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 레이어와 감광 레이어 사이에 투명 레이어가 위치될 수 있다. 선택적으로, 투명 레이어는 각각의 픽셀들의 경계들 위에 위치되는 벽들을 포함할 수 있고, 벽들은 입사 방사선에 대해 불투명하고 바람직하게는 금속성이다.
일 실시 예에서, 제1 레이어는 두 개 이상의 상이한 단면 크기를 갖는 애퍼처들의 어레이를 포함할 수 있다. 어레이의 각 애퍼처는 n개의 상이한 크기에 대해 한 변의 길이 값(ai(i=1...n))을 갖는 정사각형 등단면을 가질 수 있고, 각 애퍼처는 금속성 벽들을 가질 수 있다. 애퍼처들은 애퍼처들의 각 그룹이 하나의 애퍼처 또는 연접하고 동일한 단면 크기를 갖는 하나보다 많은 애퍼처를 갖도록 그룹지어질 수 있고, 애퍼처들의 각 그룹은 감광 레이어의 단지 하나의 픽셀 위에 가로 놓이고 그에 결합된다. 애퍼처들의 그룹들은 제1 레이어에 특정 패턴들로 배열될 수 있다.
일 실시 예에서, 애퍼처들은 세 개 이상의 상이한 단면 크기: 적외선 광을 여광해 내고 적색, 녹색 및 청색 광의 전파를 허용하는 제1 크기, 적색 광을 여광해 내고 녹색 및 청색 광의 전파를 허용하는 제2 크기, 및 적색 및 녹색 광을 여광해 내고 청색 광의 전파를 허용하는 제3 크기를 가질 수 있다. 제1 레이어에서의 반복 패턴은 픽셀들의 어레이의 각 픽셀에 대한 적색, 녹색 및 청색 광에 대해 측정되거나 보간된 값을 제공하도록 구성될 수 있다. 선택적으로, 제1 단면 크기의 차단 주파수에 대응하는 차단 파장(λ_( 1))은 600 nm 내지 750 nm의 범위 내, 선택적으로 650 nm 내지 730 nm의 범위 내이고 상기 제1 단면 크기의 상기 변의 길이 값(a1)은 300 nm 내지 375 nm의 범위 내, 선택적으로 325 nm 내지 365 nm의 범위 내이고, 상기 제2 단면 크기의 상기 차단 주파수에 대응하는 상기 차단 파장(λ_( 2))은 495 nm 내지 590 nm의 범위 내, 선택적으로 515 nm 내지 570 nm의 범위 내이고 상기 제2 단면 크기의 상기 변의 길이 값(a2)은 247 nm 내지 295 nm의 범위 내, 선택적으로 257 nm 내지 285 nm 범위 내이며, 상기 제3 단면 크기의 상기 차단 주파수에 대응하는 상기 차단 파장(λ_( 3))은 450 nm 내지 510 nm의 범위 내, 선택적으로 465 nm 내지 495 nm의 범위 내이고 상기 제3 단면 크기의 상기 변의 길이 값(a3)은 225 nm 내지 255 nm의 범위 내, 선택적으로 233 nm 내지 248 nm의 범위 내이다.
일 실시 예에서, 제1 레이어는 세 개 이상의 상이한 단면 크기: 적외선, 적색, 녹색 및 청색 광의 전파를 허용하는 제1 크기, 적색 광을 여광해 내고 녹색 및 청색 광의 전파를 허용하는 제2 크기; 및 적색 및 녹색 광을 여광해 내고 청색 광의 전파를 허용하는 제3 크기를 갖는 애퍼처들의 어레이를 포함할 수 있다. 제 1 크기의 각 애퍼처는 픽셀과 같거나 그보다 작은 픽셀의 영역 위에 가로 놓일 수 있고 제 1 크기의 각 애퍼처는 적외선 광은 여광해 내고 적외선 광보다 짧은 파장을 갖는 광을 투과시키는 여광재로 채워질 수 있다. 선택적으로, 모든 애퍼처는 여광재로 채워지고/거나 여광재는 제1 레이어 상에 추가 레이어를 제공한다. 이 실시 예에서, 최대 애퍼처들은 그것들이 예를 들어, 적외선 광을 여광해 냄으로써 필터 기능을 제공하지 않을 정도로 크다. 대신, 적외선 광은 그것이 종래 이미지 센서들에 대해 사용될 수 있음에 따라 추가 유색 여광재에 의해 여광되어 나온다. 그러한 실시 예는 최대 애퍼처들에 결합되는 픽셀들에 기록되는 모든 주파수의 광을 모으는데 보다 효과적일 수 있다.
일 실시 예에서, 애퍼처들의 어레이는 세 개의 상이한 단면 크기를 가질 수 있고 애퍼처들의 그룹은 두 개의 교대하는 픽셀들의 로우로 배열될 수 있다. 픽셀들의 제1 로우는 하나의 픽셀에서 적색, 녹색 및 청색 광을 그리고 그 다음 픽셀에서 녹색 및 청색 광을 교대로 측정할 수 있고, 픽셀들의 제2 로우는 하나의 픽셀에서 녹색 및 청색 광을 그리고 그 다음 픽셀에서 청색 광을 교대로 측정할 수 있다. 적색, 녹색 및 청색 광을 측정하는 제1 로우의 픽셀은 녹색 및 청색 광을 측정하는 제2 로우에 인접한 픽셀을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 애퍼처들은 다음의 추가 크기들: 적외선 광 차단 주파수 미만의 원적외선 광의 일부를 여광해 내고 적색, 녹색 및 청색 광의 전파뿐만 아니라 적외선 광 차단 주파수를 초과하는 근적외선 광의 추가 부분의 전파를 허용하는 제4 크기; 적색 및 황색 광을 여광해 내고 녹색 및 청색 광의 전파를 허용하는 제5 크기; 적색 광 및 녹색 광 차단 주파수 미만의 녹색 광의 일부를 여광해 내고 상기 녹색 광 차단 주파수를 초과하는 녹색 광의 추가 부분의 전파 및 청색 광의 전파를 허용하는 제6 크기; 적색, 녹색 및 청색 광을 여광해 내고 자외선 광의 전파를 허용하는 제7 크기 중 임의의 크기; 또는 크기들 중 임의의 크기의 조합을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 애퍼처들은 하한 주파수 미만의 광을 여광해 내고 하한 주파수를 초과하는 광의 전파를 허용하는 하나의 크기 및 상한 주파수 미만의 광을 여광해 내고 상한 주파수를 초과하는 광의 전파를 허용하는 다른 크기를 포함하는 두 개 이상의 상이한 단면 크기를 가져 하한 주파수와 상한 주파수 사이 범위의 광량이 그 외 다른 광 성분들에 더하여 측정 가능하게 된다. 선택적으로, 하한 주파수와 상한 주파수 사이 범위는 하나 이상의 스펙트럼 선, 선택적으로 원자들 또는 분자들의 상이한 상태들 간 전이를 식별하는 원자들 또는 분자들의 흡수 또는 방출 선들을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 적어도 하나의 애퍼처는 단면이 세장형, 바람직하게는 직사각형일 수 있어서, 세장형 방향에서의 적어도 하나의 애퍼처의 길이가 세장형 방향에 수직하게 편광되는 입사 방사선에 대한 차단 주파수를 획정하고 세장형 방향에 수직한 방향에서의 적어도 하나의 애퍼처의 길이가 이미지 센서에 의해 분석하고자 하는 입사 방사선의 범위의 상한보다 높은 추가 차단 주파수를 획정하게 된다. 선택적으로, 제1 레이어는 감광 레이어의 픽셀들의 어레이의 제1 픽셀 위에 가로 놓이는 복수의 제1 세장형 애퍼처 및 인접한 제2 픽셀 위에 가로 놓이고 제1 세장형 애퍼처들에 대하여 제2 세장형 애퍼처들의 축을 중심으로 90°만큼 회전된 단면 형상을 갖는 복수의 제2 세장형 애퍼처를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 적어도 하나의 애퍼처는 제2 레이어를 향하여 또는 그로부터 멀어지며 점점 가늘어질 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른 이미지 센서(10)의 단면도이다. 이미지 센서(10)는 입사 방사선을 여광시키기 위한 제1 레이어(11) 및 제1 레이어를 통과하는 방사선을 흡수시키기 위한 제2 감광 레이어(12)를 갖는다. 제2 감광 레이어(12)는 픽셀들의 어레이(이 중 픽셀(14n,m)만 도시됨)를 포함한다. 픽셀(14n,m)은 5*5 애퍼처들(13)에 결합되나 픽셀, 애퍼처들 및 벽들의 크기에 따라, 픽셀당 그 외 다른 수의 애퍼처도 가능하다. 본 실시 예에서, 애퍼처들(13)은 제1 레이어(11)의 평평한 표면에 수직하고, 애퍼처의 축을 따라 정사각형 등단면을 가지며, 픽셀(14n,m)에 하나의 차단 주파수를 제공하기 위해 모두 동일한 크기를 갖는다. 애퍼처들(13)은 제1 레이어(11)를 통해 제2 레이어(12)로 지나 애퍼처들(13)에 의해 제공되는 차단 주파수를 초과하는 방사선이 애퍼처들(13)을 통해 전파되고 감광 제2 레이어(12)에서 측정될 수 있다. 이에 반해, 차단 주파수 미만의 방사선은 애퍼처들(13) 내부에서 감쇠되고 제2 레이어(12)에서 측정되는 방사선에 근소 부분 기여할 것이다. 제2 레이어에 도달하는 차단 주파수 미만의 방사선의 강도는 제1 레이어(11)의 두께를 변경함으로써, 그것이 원하는 만큼 적게 이루어질 수 있도록(그것이 사실상 제로에 도달할 때까지) 제어될 수 있다. 애퍼처들(13)은 금속 벽들(20)을 갖고 도파관들로서 기능한다. 차단 주파수 미만의 입사 방사선은 애퍼처들(13) 내부에서 지수 급수적으로 감쇠됨으로써 애퍼처들(13) 내부에서 감쇠되는 한편 차단 주파수를 초과하는 입사 방사선은 애퍼처들(13) 내부 하나 이상의 전파 모드로 결합함으로써 애퍼처들(13)을 통해 전파된다. 본 실시 예에서, 차단 주파수에 대응하는 차단 파장은 애퍼처들(13)의 정사각형 단면의 변의 길이의 두 배이다.
도 1에서, 동일한 단면 크기를 갖는 복수의 5*5 연접 애퍼처(13)는 어레이의 각각의 픽셀(14n,m) 위에 가로 놓이고 그에 결합된다. 어레이의 그 외 다른 픽셀들은 정사각형 단면을 갖지만 상이한 단면 크기를 갖는 추가 복수의 연접 애퍼처에 결합될 수도 있다.
필터 레이어(11)는 종래 설계를 가질 수 있는 감광 레이어(12) 위에 제조될 수 있다. 필터 레이어(11)는 이후 애퍼처들(13)이 제조될 충분한 두께의 금속 레이어를 제공함으로써 표준 CMOS 기술 또는 그 외 다른 칩 제조 기술을 사용하여 제조될 수 있다. 일 실시 예에서, 애퍼처들은 단일 분자 시퀀싱에 대해 사용되는 예를 들어 제로 모드 도파관들과 유사한 방식으로 제조될 수 있다(본 출원에 참고로 통합되는 미국 특허 공보 US 2014/0175052 A1 참조). 필터 레이어(11)는 또한 이미지 센서 위에 절연 레이어를 제공하고, 절연 레이어의 부분들을 제거하여 애퍼처들(13)을 만든 다음, 벽들(20)의 양측 및 상단을 금속성 레이어로 덮음으로써 제조될 수 있다(예를 들어, 본 출원에 참고로 통합되는 국제 공보 WO 2013/109877 참조).
도 2a는 관통 애퍼처들로 입사 방사선을 여광시키기 위한 제1 레이어(11)가 이미지 센서(10)의 제2 감광 레이어(12) 상에 제공되는 일 실시 예에 따른 이미지 센서(10)의 픽셀의 개략적인 단면도이다. 도시된 바와 같이, 제1 레이어(11)는 필터 레이어(11)를 통과하는 방사선을 흡수시키는 제2 감광 레이어(12)와 접촉하여 그 위에 배치된다. 필터 레이어(11)는 그것을 통해 차단 주파수를 초과하는 방사선을 전파시키기 위한 벽들(20)을 갖는 애퍼처들(13)을 갖는다. 제1 레이어(11)의 두께 그리고 그에 따라 애퍼처들(13)의 깊이는 d이다.
감광 레이어(12)는 픽셀들의 어레이(14n, 14n+1, ...)를 포함하고 각 애퍼처(13)가 어레이의 각각의 픽셀 위에 가로 놓이고 그에 결합된다. 각 픽셀(14)은 감광 영역(15)을 포함하고, 애퍼처들(13)은 - 비제한적인 방식으로 에 도시된 바와 같이 - 측정될 수 없는 광이 이미지 센서에 도달하는 것이 차단되도록 픽셀들의 감광 영역(15) 위에만 있을 수 있다. 이는 이웃 픽셀들에 도달할 수 있는 미광을 감소시켜 감광 레이어 내 픽셀들 간 차광이 전혀 또는 거의 필요하지 않게 될 수 있다.
도 2b는 관통 애퍼처들을 갖는 제1 레이어(11)가 이미지 센서의 제2 감광 레이어(12) 상에 제공되고 투명 레이어(16)가 제1 레이어(11)와 제2 감광 레이어(12) 사이에 삽입되는 일 실시 예에 따른 이미지 센서(10)의 픽셀의 개략적인 단면도이다. 이 실시 예에서는, 측정되는 광을 모으는 영역을 증가시킬 수 있게 하기 위해 감광 레이어(12)와 필터 레이어(11) 사이에 투명 레이어(16)가 도입된다. 픽셀(14n)에 결합되는 제1 레이어(11) 내 필터 영역은 픽셀(14n)의 감광 영역(15)보다 크다, 그것은 실질적으로 픽셀(14n) 자체의 영역만큼 크다. 픽셀 한계선들에 대응하여, 예를 들어, 인접한 픽셀들 간 경계들 위에 벽들(17)이 제공될 수 있다. 본 실시 예에서, 애퍼처들(13)은 민감 영역보다 큰 영역을 커버하여 집광을 최대화한다. 일 실시 예에서, 하나의 픽셀에 결합되는 애퍼처는 애퍼처들, 벽들 및 픽셀의 크기를 고려하여 픽셀의 가능한 많은 영역을 커버할 수 있다.
투명 레이어(16)의 벽들(17)은 불투명(즉, 광을 투과시키지 않음)이거나 금속성일 수 있고 하나의 픽셀 영역(14n)에서 다른 픽셀 영역(14n+1)으로 광이 걸치게 놓이지 않도록 픽셀 한계선들 위에 위치된다. 벽들(17)을 갖는 투명 레이어(16)는 먼저 픽셀 영역들 위에 벽들(17)만 남도록 제거되는 불투명 또는 금속성 레이어를 제공한 다음 투명 레이어(16)의 투명 절연체를 제공함으로써 제조될 수 있다.
도 2c는 관통 애퍼처들을 갖는 제1 레이어(11)가 이미지 센서(10)의 감광 레이어(12) 상에 제공되고 투명 물질(18)이 필터 레이어(11)의 애퍼처들(13)에 채워지며 투명 물질(18)이 또한 필터 레이어(11) 상에 투명 보호 레이어(19)를 제공하는 일 실시 예에 따른 이미지 센서(10)의 픽셀의 개략적인 단면도이다. 본 실시 예에서, 투명 물질(18)은 필터 레이어(11)의 두께보다 두꺼운 두께를 가져 애퍼처들을 갖는 필터 레이어 위에 추가 레이어(19)를 제공한다. 추가 레이어(19)는 보호 레이어일 수 있다. 추가 실시 예에서, 필터 레이어(11)의 애퍼처들(13)이 필터 레이어(11)의 두께와 동일한 두께를 갖는 투명 물질(18)로 채워질 수 있다. 투명 물질을 갖는 실시 예들에서, 차단 주파수들에 관한 추산은 투명 물질(18)의 절연 속성들을 고려하여 이루어져야 할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 상술되고 도 2a 및 도 2c에 도시된 경우들에 대해 각각의 애퍼처(13)와 입사 광자의 상호 작용을 개략적으로 도시한다. 이러한 예들에서 각각의 애퍼처들(13)은 금속성 벽들(20)을 갖는다.
도 3a는 비어 있는 애퍼처들을 갖는 일 실시 예에 따른 이미지 센서와 입사 방사선의 상호 작용의 개략적인 단면도이다. 도 3a에서, 애퍼처(13)는 도 2a에 도시된 예에 대응하여, 비어 있다, 즉, 투명 물질로 채워져 있지 않다. 입사 광자는 예를 들어, 비스듬한 입사 각도로 애퍼처(13)에 부딪치고, 그것의 주파수가 애퍼처(13)의 크기에 대해 충분히 클 경우, 애퍼처에 전파 도파관 모드가 나타날 것이다. 그에 따라 광자 또는 광자 에너지가 이미지 센서 픽셀의 근저 감광 영역에 도달할 수 있을 것이다.
도 3b는 채워진 애퍼처들을 갖는 일 실시 예에 따른 입사 방사선과 이미지 센서의 상호 작용의 개략적인 단면도이다. 도 3b에서, 애퍼처는 투명 물질(18)의 두께가 필터 레이어(11)의 두께와 같은 도 2c에서의 일례에 대응하여 투명 물질로 채워진다. 다시 말해, 필터 레이어의 애퍼처들이 애퍼처들의 벽들의 상단 모서리까지 투명 물질로 채워진다. 도 3a의 경우에서와 같이, 비스듬한, 즉 수직하지 않은 입사 각도로 도달할 수 있는 입사 광자가 애퍼처에 진입하나 단지 그것의 주파수가 애퍼처의 크기에 대해 충분히 클 경우에만 광자(또는 그것의 일부)의 에너지를 이미지 센서의 감광 레이어 아래로 전파시키기 위해 도파관 모드가 이용 가능할 것이다.
도 3c는 채워진 애퍼처들 및 투명 보호 레이어(19)를 갖는 일 실시 예에 따른 입사 방사선과 이미지 센서의 상호 작용의 개략적인 단면도이다. 도 3c에서는, 애퍼처가 투명 물질로 채워지는 것과 같은 방식으로 필터 레이어(11)에 투명 물질이 인가되고 필터 레이어(11) 위에 투명 보호 레이어(19)가 있다. 이 경우, 입사 광자는 그것이 애퍼처에 진입하기 전에 먼저 굴절된다. 다시, 그것의 주파수가 충분히 클 경우에만 광자의 에너지가 상당한 방식으로 감쇠되지 않고 이미지 센서의 근저 감광 레이어 또는 영역에 도달할 수 있도록 전파 도파관 모드가 이용 가능할 것이다.
추가 실시 예에서, 투명 물질은 입사 방사선이 각 애퍼처의 중심에 집중되도록 필터 레이어(11) 각 애퍼처 위에 마이크로 렌즈의 형태로(예를 들어, 볼록한 상측면을 갖고) 제공될 수 있다. 그러한 마이크로 렌즈는 애퍼처들이 채워지지 않은 실시 예들에 대해 그리고 애퍼처들이 투명 물질로 채워진 실시 예들에 대해 사용될 수 있다. 두 번째 경우, 마이크로 렌즈의 투명 물질은 애퍼처들이 채워지는 투명 물질과 동일할 수 있도 있고 투명 물질들은 상이할 수도 있다. 마이크로 렌즈를 갖는 실시 예들은 입사 방사선의 전파 모드들로의 보다 양호한 결합을 제공하여 이미지 센서의 기록 효율이 증가되게 될 수 있다.
또 다른 실시 예에서, 셋보다 많은 상이한 크기를 갖는 애퍼처들을 갖는 필터 어레이를 사용함으로써 다중 스펙트럼 이미지들이 제공될 수 있다. 일례로, 적외선 광을 측정하고 그것은 측정되는 그 외 다른 색들과 구별하기 위해 350 nm보다 큰 애퍼처들이 사용될 수도 있다. 일례로, UV 광을 측정하고 그것은 측정되는 그 외 다른 색들과 구별하기 위해 250 nm보다 작은 애퍼처들이 사용될 수 있다. 뿐만 아니라, 보다 좁은 주파수 협대역들 내 광을 측정하기 위해 250 nm과 350 nm 사이 크기들을 갖는 애퍼처들이 사용될 수 있다. 협대역의 광이 측정될 경우, 협대역의 한계 위아래 광을 측정하는 픽셀들을 아주 근접하여, 예를 들어, 이웃 픽셀들로 배치하는 것이 바람직할 수 있다. 이는 협대역의 광에 대한 시스템의 공간 분해능을 증가시킬 수 있다. 일반적으로, 그러한 실시 예들은 광 여광을 위해 이용 가능한 염료들에 의존하지 않고 상이한 차단 주파수들이 임의의 값들로 정의될 수 있기 때문에 베이어 필터들과 같은 표준 컬러 필터 어레이들에 비해 이점을 가질 수 있다. 또한, 차단 주파수들은 필터 레이어의 깊이를 조정함으로써 측정되지 않는 광(예를 들어, 차단 주파수 미만의 광)에 비해 측정되는 광(예를 들어, 차단 주파수를 초과하는 광)을 분명하게 제한할 수 있다. 제조 방식은 항상 유사하고, 애퍼처들을 만들기 위한 마스크만 변경되었을 수 있으며, 이는 표준 CMOS 기술들 또는 그 외 다른 표준 칩 제조 기술들을 사용하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 추가 실시 예에서, 편광은 정사각형이 아닌 애퍼처들, 즉, 다른 방향에서 보다 한 방향에서 더 긴 애퍼처들을 사용하여 측정될 수 있다. 일 실시 예에서, 보다 긴 방향에서의 길이는 차단 주파수를 획정함으로써 여광 기능을 제공하기 위해 사용될 수 있는 한편 보다 짧은 방향에서의 길이는 그것의 차단 주파수가 측정하고자 하는 방사선 범위(예를 들어, 청색광 범위를 넘는 UV 주파수 범위 내)보다 높을 정도로 작게 선택될 수 있다. 본 실시 예에서, 광 성분 또는 주파수 범위를 분해하나 측정하고자 하는 그리고 애퍼처의 긴 변을 따라 편광되는 모든 광을 억제할 정도로 더 높은 차단 주파수는 사용되지 않는다. 본 실시 예에서, 애퍼처들에 의해 제공되는 도파관들은 효과적 단일 모드 TE 도파관들일 수 있고 애퍼처의 긴 변에 수직한(애퍼처의 축에 수직한, 즉, 필터 레이어의 법선 벡터에 수직한) 전기장 벡터를 갖는 모드들만이 애퍼처들을 통해 전파할 수 있다(전기장 벡터는 애퍼처의 긴 변을 따라 길이가 달라질 것이다). 애퍼처들의 긴 변은 애퍼처들의 긴 변에 수직한 전기장 벡터를 갖는 광에 대해 상이한 차단 주파수들을 정의하도록 달라질 수 있고, 그에 따라 그러한 편광을 갖는 상이한 색 범위들이 측정 및 구별될 수 있다. 그러한 실시 예들에서, 단일 TE 모드와 동일한 방향으로 편광되는 광은 유일한 전파 모드로 효과적으로 결합할 것인 한편 단일 TE 모드에 수직한 방향으로 편광되는 광은 유일한 전파 모드로 훨씬 덜 효과적으로 결합할 것이고, 그에 따라 주파수와 무관하게 여광되어 나올 것이다(애퍼처들의 짧은 변이 측정된 광이 짧은 변의 차단 주파수 미만일 정도로 충분히 작다고 가정). 일 실시 예에서, 애퍼처들은 직사각형이고 금속성 벽들을 가질 수 있다.
그러한 세장형 애퍼처들을 갖는 픽셀들은 동일한 크기를 가지나 90도만큼 회전된 애퍼처들을 갖는 인접한 픽셀들을 가질 수 있다. 예시적인 실시 예에서, 두 편광 방향의 각각에 대해 동일한 차단 주파수를 초과하는 광량을 별개로 측정하기 위해 두 개의 인접한 픽셀들이 사용될 수 있다. 추가의 예시적인 실시 예에서, 인접한 픽셀들의 제1 쌍은 제1 쌍의 상이한 픽셀들에 대해 제1 크기의 애퍼처들을 가지나 90도만큼 회전될 수 있고 인접한 픽셀들의 제2 쌍은 제1 쌍에 인접하고 제2 쌍의 상이한 픽셀들에 대해 제2 크기의 애퍼처들을 가지나 다시 90도만큼 회전될 수 있다. 그러한 실시 예에서, 두 상이한 주파수 범위(그리고 그에 따라 또한 두 상이한 차단 주파수 사이 범위의)의 광 및 상이한 편광들이 측정될 수 있다.
도 4는 네 개의 인접한 픽셀이 제시되고 두 개의 인접한 픽셀의 애퍼처들이 서로 수직하는 세장형 직사각형 단면들을 갖는 센서(30)의 일 실시 예의 개략적인 상면도이다. 본 실시 예에서, 네 개의 인접한 픽셀이 두 개의 인접한 픽셀의 두 쌍으로 그룹지어질 수 있고 그 쌍의 각 픽셀은 서로 수직하는 세장형 직사각형 단면들을 갖는다. 두 개의 픽셀(14n 및 14n+1)로 이루어지는 제1 쌍에서, 픽셀(14n)은 픽셀(14n) 위에 가로 놓이는 복수의 제1 세장형 애퍼처(13a1)를 갖고 픽셀(14n+1)은 픽셀(14n+1) 위에 가로 놓이고 제1 세장형 애퍼처들(13a1)의 단면 형상과 같은 단면 형상을 가지나 제1 세장형 애퍼처들(13a1)에 대하여 90° 회전된 복수의 제2 세장형 애퍼처(13b1)를 갖는다. 유사하게, 두 개의 픽셀(14n+2 및 14n+3)로 이루어지는 제2 쌍도 각각 픽셀(14n+2) 및 픽셀(14n+3) 위에 가로 놓이고 동일한 단면 형상을 가지나 서로에 대하여 90° 회전된 복수의 세장형 애퍼처들(13a2) 및 세장형 애퍼처들(13b2)을 갖는다.
픽셀들(14n, 14n+2)에 대응하는 필터 레이어는 도면의 수직 방향이 더 긴 애퍼처들(13a1, 13a2)을 갖는 한편 픽셀들(14n+1, 14n+3)에 대응하는 애퍼처들(13b1, 13b2)은 수평 방향이 더 깊다. 짧은 변에 따른 애퍼처들의 길이는 배열의 모든 애퍼처에 대해 같을 수 있고 센서(30)에 의해 측정하고자 하는 특정 방향으로 편광되는 모든 방사선이 여광되어 나올 정도로 충분히 작을 수 있다. 그러나, 픽셀(14n)의 애퍼처들(13a1) 및 픽셀들(14n+2)의 애퍼처들(13a2)은 상이한 차단 주파수들을 제공하고 상이한 파장 범위들의 방사선을 여광해 내기 위해 긴 변을 따라 상이한 길이를 갖는다. 유사하게, 픽셀 그룹(14n+1)의 애퍼처들(13b1) 및 픽셀 그룹(14n+3)의 애퍼처들(13b2)은 긴 변을 따라 상이한 길이를 가질 수 있다. 한 쌍의 인접한 픽셀들(14n 및 14n+1)은 긴 변을 따라 같은 길이들을 갖고 예를 들어 하나의 색 범위를 두 상이한 편광에서 측정할 수 있다. 그에 따라, 픽섹들(14n 및 14n+1)은 각각 11*5 애퍼처들(13a1, 13b1)의 어레이를 채용한다. 다음 다른 한 쌍의 두 개의 인접한 픽셀(14n+2, 14n+3) 또한 긴 변을 따라 같은 길이들을 갖고 각각 11*6 애퍼처들(13a2, 13b2)을 채용함으로써 다른 색 범위를 두 상이한 편광에서 측정할 수 있다.
실시 예들에서, 애퍼처들은 특정 패턴들로 배열될 수 있다. 이하에서, b 애퍼처들은 청색 광만 전파시키는 애퍼처들을 나타내고, gb 애퍼처들은 녹색 및 청색 광만 전파시키는 애퍼처들을 나타내며, rgb 애퍼처들은 적색, 녹색 및 청색 광을 전파시키는 애퍼처들을 나타낸다.
실시 예들에서, 애퍼처들을 갖는 필터 어레이는 각 픽셀이 동일한 크기의 애퍼처들에만 결합되도록 배열될 수 있다. 애퍼처들이 정사각형 애퍼처들이고 그것들이 픽셀 상에 정사각형 영역에 배열되는 경우, 픽셀당 애퍼처들의 수는 1, 4, 9, 또는 16과 2500 사이 다른 제곱수일 수 있다. 또한 픽셀당 애퍼처들의 수는 예를 들어, 픽셀의 감광 영역의 형상에 따라, 20(4*5 애퍼처들) 또는 130(10*13 애퍼처들)과 같이 비제곱수들일 수도 있다.
패턴들로 배열되는 애퍼처들을 갖는 실시 예들에 대해, 이하의 특징들이 제공될 수 있다:
세 가지 유형의 픽셀들을 갖는다: (i) 적색, 녹색 및 청색 광을 측정하는 픽셀들에 대한 rgb, (ii) 녹색 및 청색 광을 측정하는 gb 픽셀들, 및 (iii) 청색 광만 측정하는 b 픽셀들.
적색 광 성분(R)은 픽셀마다 R = rgb - gb에 의해 추산될 수 있다.
녹색 광 성분(G)은 픽셀마다 G = gb - b에 의해 추산될 수 있다.
청색 광 성분(B)은 픽셀마다 B = b에 의해 추산될 수 있다.
베이어 컬러 필터 어레이와 유사하게, 광 범위들은 그것들이 측정되지 않는 픽셀들에 대해 보간되어야 할 수 있다. 상기에서 알 수 있는 바와 같이, gb 픽셀 값들은 두 개의 그 외 다른 광 성분들을 추산하기 위해 사용되므로 이러한 값들을 최고 정밀도 및 최고 주파수로 갖는 것이 바람직할 수 있다.
이러한 이유로, 일 실시 예는 이하의 픽셀 어레이를 가질 수 있다
Figure pat00041
점들은 각각의 로우들 및 컬럼들에 대해 픽셀들의 표시된 시퀀스의 반복 연속을 나타낸다. 일례로, rgb gb rgb gb ...는 반복 rgb 및 gb 픽셀들의 패턴을 나타낸다.
가시 파장과 사용하기 위해 그러한 픽셀 어레이를 갖는 이미지 센서(100)의 예시적인 실시 예가 도 5에 도시되어 있다. 도 5는 3x3 픽셀들의 어레이가 제시되고, 각 픽셀은 애퍼처들의 그룹을 갖되, 픽셀들의 애퍼처들의 단면 크기들이 세 개의 상이한 크기를 갖는 이미지 센서(100)의 일 실시 예의 개략적인 상면도이다. 볼 수 있는 바와 같이, 픽셀 어레이는 각각이 특정 애퍼처들의 어레이를 갖는 픽셀들(14n,m(n, m = 1, 2, 3, ...)을 포함한다. 예를 들어, 좌상단, 우상단, 좌하단 및 우하단 픽셀들 각각은 정사각형 형상의 4*4 애퍼처들(13rgb)을 갖는다. 이러한 애퍼처들(13rgb)의 크기는 차단 주파수가 적색, 녹색 및 청색 광은 애퍼처들을 통해 전파되나, 적외선 및 보다 낮은 주파수 광은 감쇠되도록 하는 주파수에 놓이도록 한다. 상단 중간, 하단 중간, 좌측 중간 및 우측 중간 픽셀들은 결과적으로, 녹색 및 청색 광은 통과시키고 적색 광은 통과시키지 않게 크기 조정된 각 5*5 정사각형 애퍼처들(13gb)을 갖는다. 중심 픽셀은 마지막으로, 단지 청색 광만 통과시키게 크기 조정되는 6*6 정사각형 애퍼처들(13b)을 갖는다.
모든 픽셀에 대해 모든 세 개의 광 성분을 추산하기 위해, 다음과 같이 쓸 수 있다:
Figure pat00042
여기서 인덱스 i는 값이 측정된 값이 아니라 픽셀에 대해 보간된 값임을 나타내고 P_m,n은 도 5에서의 3*3 패턴의 로우 m 및 컬럼 n에서의 픽셀이다.
보간된 값들의 추산을 위해, 베이어 패턴에 대한 것과 유사한 방법들이 사용될 수 있다(여기서 실시 예들의 gb 픽셀들은 rgb 픽셀들 및 b 픽셀들의 두 배이고 베이어 패턴의 녹색 픽셀들에 대응한다). 베이어 패턴들에 대해 사용되는 하나의 단순 표준 기술은 채널마다 각 픽셀의 모든 손실 값을 별개로 보간하는 이중 선형 보간법(bilinear interpolation)이다. 일 실시 예에서, 이는 다음을 의미할 수 있다:
1. 모든 gb_i는 여기서 P_2,2에 대해 행해질 때 네 개의 이웃 gb 픽셀로부터의 모든 rgb 및 b 픽셀에 대해 이하의 방식으로 추산된다:
Figure pat00043
2. 모든 rgb_i 값은 상이한 픽셀들에 대해 이하의 방식들로 추산된다:
Figure pat00044
, 이는 gb 픽셀의 1. 유형이다
Figure pat00045
, 이는 gb 픽셀의 2. 유형이다
Figure pat00046
.
3. 모든 b_i 값은 상이한 픽셀들에 대해 이하의 방식들로 추산된다:
Figure pat00047
, 이는 gb 픽셀의 1. 유형이다
Figure pat00048
, 이는 gb 픽셀의 2. 유형이다
Figure pat00049
.
그에 따라, 일 실시 예에서, 먼저 직접 측정을 통해 또는 보간을 통해 모든 픽셀에 대해 모든 관련된 주파수 범위가 결정되고, 그 다음 상이한 주파수 범위들에 대한 값들의 감산들을 통해 각 픽셀에 대한 상이한 색 성분들이 추산된다. 그러한 절차는 또한 세 개보다 많은(또는 적은) 상이한 주파수 범위에 대해 여기서 설명되는 바와 같이 사용될 수 있다. 네 개의 상이한 주파수 범위를 갖는 상이한 실시 예에서, 도 5의 어레이의 gb 픽셀들의 각각이 제4 주파수 범위를 측정하기 위해 사용될 수 있다. 그 다음 네 개의 상이한 주파수 범위에 대한 값들이 측정되거나 각각의 주파수 범위를 측정하는 바로 옆 픽셀들로부터 보간될 수 있다. 모든 픽셀에 대한 모든 네 개의 주파수 범위의 결정 이후, 네 개의 상이한 색 성분이 각 픽셀에 대한 감산에 의해 추산될 수 있다.
베이어 패턴들에 대한 보간을 위해 해당 기술분야에 알려져 있는 그 외 다른 기술들이 대응하는 방식으로 적용될 수 있다. 그러한 기술들은 다음을 포함한다: 에지-방향 보간법, 일정 휴-기반 보간법, 미디안-기반 보간법 또는 Freeman 보간법, 그라데이션-기반 보간법 또는 LaRoche-Prescott 보간법, 가중 합 보간법, 이차 그라데이션 보정 보간법, Bayesian 보간법, 동차-방향 보간법, 패턴-매칭 보간법, 에일리어싱 제거 보간법, POCS.
상이한 실시 예들에서, rgb, gb, 및 b 애퍼처들은 상술된 패턴과 상이한 패턴들로 배열될 수도 있다. 또한, rgb 애퍼처들(또는 b 애퍼처들) 및 gb 애퍼처들은 패턴에 rgb 애퍼처들(또는 b 애퍼처들)이 그 외 다른 두 애퍼처 유형으로부터 보다 두 배 많도록 교환될 수 있다.
추가 실시 예에서, rgb, gb, 및 b 애퍼처들은 이하의 패턴으로 배열될 수 있다:
Figure pat00050
Figure pat00051
추가 실시 예에서, rgb, gb, 및 b 애퍼처들의 수는 이하의 패턴을 사용함으로써 실질적으로 같을 수 있다:
Figure pat00052
추가 양태에 따르면, 도파관들로 기능하는 애퍼처들을 갖는 필터 레이어를 갖는 실시 예들은 이미지 센서와 상이한 투명 광학 소자들 상에 광학 소자들로서 제공될 때 필터로서 사용될 수도 있다. 그러한 광학 소자들은 렌즈 또는 유리 성분일 수 있다. 애퍼처들은 레이어를 통과하는 모든 광에 하나의 차단 주파수를 제공하기 위해 모두 동일한 크기를 가질 수 있거나 그것들은 특정 주파수 분포로 광을 통과시키기 위해 상이한 크기들을 가질 수 있다(여기서 상이한 크기들을 갖는 애퍼처들의 분포가 주파수 분포를 결정한다). 그러한 레이어는 그 외 다른 광학 필터 유형들에 의해 이용 가능하지 않은 필터 특성들을 제공할 수 있다. 필터 레이어는 또한 광을 특정 편광으로 여광해 내기 위한 세장형 애퍼처들을 가질 수도 있다.
도 6은 일 실시 예에 따른 광학 소자(200)의 단면도이다. 광학 소자(200)는 방사선을 여광시키기 위한 제1 레이어(211) 및 투명 광학 소자일 수 있는 투명 소자(212)를 갖는다. 투명 소자(212)는 여광시키고자 하는 방사선을 투과시키고 그것은 유리 또는 투명 플라스틱 또는 임의의 그외 다른 적합한 물질로 만들어질 수 있다. 광학 소자(200)는 두 개의 공기면(하나는 제1 레이어(211) 위 그리고 하나는 광학 소자 아래) 도는 그 외 다른 광학 소자에 하나 또는 두 개의 표면을 가질 수 있다. 표면들은 평행면 또는 평면이거나 휘어질 수 있다. 제1 레이어(211)는 제1 레이어(211)를 통해 제2 레이어로 지나는 적어도 하나의 애퍼처(213), 즉, 그것을 통해 방사선을 전파시키기 위한 투명 소자(212)를 갖는다. 본 실시 예에는, 광 손실을 가능한 많이 줄이기 위해 제조 프로세스가 허용하는 한 서로 가까운 복수의 애퍼처(213)가 있다. 애퍼처들(213)의 단면 크기는 상기 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 방사선이 애퍼처들(213) 내부에서 감쇠되고 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 방사선이 213을 통해 전파되도록 차단 주파수를 제공하도록 구성된다. 본 실시 예에서, 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 방사선은 애퍼처들(213) 내부에서 감쇠되고 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 방사선은 애퍼처들(213) 내부 하나 이상의 전파 모드로 결합함으로써 애퍼처들(213)을 통해 전파된다.
도 6에서, 애퍼처들(213)은 제1 레이어(211)의 평평한 표면에 수직하고 애퍼처들(213)의 축을 따라 등단면을 갖는다. 단면은 대칭이고 정사각형 단면이다. 그러나, 상이한 실시 예들에서 단면은 직사각형, 원형 또는 육각형일 수 있다. 본 실시 예에서, 제1 레이어(211)는 금속성이고 애퍼처들(213)은 금속성 벽들(220)을 갖는다. 상이한 실시 예에서, 제1 레이어(211)는 애퍼처들이 계속해서 하나 이상의 금속성 벽을 갖도록 금속성 레이어로 코팅된 비금속성 레이어를 포함할 수 있다. 일반적으로, 애퍼처들(213)의 깊이 또는 제1 레이어의 두께는 애퍼처들에 의해 제공되는 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 방사선 또는 광이 얼마나 많이 애퍼처들을 통과할 수 있는지를 결정한다. 제1 레이어는 차단 주파수 미만의 광이 임의의 원하는 양으로 감쇠되기에 충분한 두께로 만들어질 수 있다.
상이한 실시 예에서, 제1 레이어(211)는 상이한 단면 크기들(csi(i=1..n), cs1 > cs2 > cs3...)의 두 개, 세 개 또는 그보다 많은 애퍼처를 포함할 수 있다. 각 애퍼처 또는 애퍼처들의 그룹은 각각의 차단 주파수들(w1, w2, w3, ..., w1 < w2 < w3...) 미만의 주파수를 갖는 광을 감쇠시키고 각각의 차단 주파수들을 초과하는 주파수를 갖는 광을 전파시키도록 구성될 수 있다. 상이한 단면 크기들을 갖는 애퍼처들을 사용함으로써, 차단 주파수들의 분포에 따라 광을 여광해 내는 것이 가능하다. 일 실시 예에서, 애퍼처들의 절반은 적색 및 녹색 광을 여광해 내고 청색 광을 통과시키는 차단 주파수를 가질 수 있고 애퍼처들의 다른 절반은 적색 광만 여광해 낼 수 있다. 상이한 단면 크기들을 갖는 애퍼처들을 사용함으로써, 종래 필터들로 얻을 수 없는 필터 특성들을 얻는 것이 가능할 수 있다. 추가 실시 예에서, 완만히 변하는 단면 크기들을 갖는 애퍼처들이 광학 렌즈 상에 사용될 수 있다. 본 실시 예에서, 필터 레이어는 적외선 광을 여광해 내기 위해 사용될 수 있으나 애퍼처들이 렌즈의 중심에서 멀어질수록, 단면 크기들이 더 작아지게 되어 렌즈의 중심에 비해 렌즈의 주변 부분들에서 고주파수들을 갖는 적외선 광이 더 많이 여광되어 나오게 된다. 이는 렌즈의 광학 속성을 개선할 수 있다.
추가 실시 예에서, 하나 이상의 애퍼처는 투명 물질로 채워질 수 있으며 이는 제1 레이어 상에 추가 레이어를 제공할 수도 있다. 그러한 실시 예들은 감광 레이어(12) 대신 투명 소자(212)가 있는 것을 제외하고는 도 2c에 도시된 것과 유사하다.
도 6에서, 애퍼처들(213)은 단일 크기에 대해 변의 길이 값(a1)을 갖는 정사각형 등단면을 갖는다. 애퍼처들(213)은 금속성 벽들을 갖고 차단 주파수들은 그것을 초과하는 방사선이 애퍼처(213) 내부에서 지수 급수적으로 감쇠하고 그것 미만의 방사선이 애퍼처들(213)을 통해 전파되는 대응하는 차단 파장들(λ1, cut-off)을 갖는다. 본 실시 예에서, a1는 λ1, cut-off / 2와 같다.
추가 실시 예에서, 애퍼처들은 하나보다 많은 변의 길이 값을 가질 수 있다, 예를 들어, 그것들은 세 개의 값(a1, a2 및 a3)을 가질 수 있다. 그러한 실시 예에서는, 세 개의 차단 파장(λ1, cut-off, λ2, cut-off 및 λ3, cut-off)이 있을 것이며 a1은 λ1, cut-off / 2와 같고, a2는 λ2, cut-off / 2와 같으며, a3는 λ3, cut-off / 2와 같다.
일 실시 예에서, 제1 레이어(211)의 두께(l_z) 또는 애퍼처들(213)의 깊이(d)는 다음과 같을 수 있다
Figure pat00053
,
a1은 변의 길이 값(ai(i=1...n)) 중 가장 긴 변의 길이 값이고 λ_D,1은 차단 파장(λ1, cut-off = 2a1)보다 길고 제2 감광 레이어에 도달할 때 강도가 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 적어도 e-2배만큼 감쇠되는 방사선의 파장이며 ε은 애퍼처들 내 물질의 유전 상수이고, μ는 애퍼처들 내 상기 물질의 투과도이며, ε_0 및 μ_0는 진공에 대해 대응하는 상수들이다. 애퍼처들 내 물질은 예를 들어, 공기, 절연 및 투과 물질, 또는 진공(이 경우 인수(
Figure pat00054
)는 1이 된다)일 수 있다.
추가 실시 예에서, 애퍼처들은 단면이 세장형, 바람직하게는 직사각형일 수 있어서, 상기 세장형 방향에서의 상기 적어도 하나의 애퍼처의 길이가 상기 세장형 방향에 수직하게 편광되는 방사선에 대한 상기 차단 주파수를 획정하고 세장형 방향에 수직한 방향에서의 상기 적어도 하나의 애퍼처의 길이가 상기 세장형 방향에 수직하게 편광되는 방사선에 대한 상기 차단 주파수보다 큰 추가 차단 주파수를 획정하게 된다. 일 실시 예에서, 추가 차단 주파수는 모든 관련된 방사선보다 높을 수 있다, 즉, 여광되어 나오기로 되어 있는 편광을 갖더라도 단지 그러한 광학 소자가 사용되는 적용 예와 사실상 관계가 없는 고주파수를 갖는 방사선만 광학 소자를 통과할 수 있다. 일례로, 추가 차단 주파수는 자외선 광의 주파수 범위 내 또는 자외선 광 미만일 수 있다.
추가 실시 예에서, 애퍼처들은 투명 소자를 향하여 또는 그로부터 멀어지며 점점 가늘어질 수 있다. 이는 입사 방사선에 미치는 특정 필터 효과를 얻기 위해 이루어질 수 있다.
도 7a는 일 실시예에 따른 특정 범위 내 방사선을 측정하기 위한 광학 기기(300)의 개략도이다. 특정 범위는 제1 차단 주파수와 제2 차단 주파수 사이 주파수 범위로 정의된다. 광학 기기(300)는 제1 광학 소자(310), 제2 광학 소자(320), 방사선을 검출하기 위한 제1 검출기(330), 방사선을 검출하기 위한 제2 검출기(340), 빔 스플리터(350) 및 처리 유닛(370)을 포함한다. 제1 광학 소자(310) 및 제2 광학 소자(320)는 상술된 광학 소자들 중 하나, 예를 들어, 도 6에 도시된 광학 소자에 따를 수 있다. 본 실시 예에서, 제1 광학 소자(310)는 제1 차단 주파수를 제공하는 제1 단면 크기의 애퍼처들을 갖고 제2 광학 소자(320)는 제1 차단 주파수보다 큰 제2 차단 주파수를 제공하는 제2 단면 크기의 애퍼처들을 갖는다. 검출기들(330 및 340)은 관련 주파수 범위 내 방사선 또는 광을 검출 또는 기록하는 임의의 유형의 검출기들일 수 있다. 검출기들은 방사선의 공간 분해 검출을 위한 픽셀들을 갖는 CCD 또는 CMOS 이미지 센서를 포함할 수 있거나 그것들은 방사선의 공간 분해 없이 총 방사선량을 검출하기 위한 광전자 증배관을 포함할 수 있다. 빔 스플리터는 부딪치는 방사선의 일부를 반사시키고 부딪치는 방사선의 추가 부분을 투과시키도록 구성된다. 빔 스플리터는 바람직하게는 펠리클 미러(pellicle mirror)일 수 있으나 서로 접착되어 있는 두 개의 삼각형 프리즘을 사용하는 빔 스플리터들 또는 이형 코팅을 사용하는 빔 스플리터들과 같은 그 외 다른 유형들의 빔 스플리터들도 사용될 수 있다. 일례로, 빔 스플리터는 특정 범위 내 입사 광의 약 50%를 반사시키고 특정 범위 내 입사 광의 약 50%를 투과시킬 수 있어 두 차단 주파수 사이 광량이 제1과 제2 검출기들 간 측정된 값들의 차이와 같게 된다. 본 실시 예에서, 제1 및 제2 광학 소자들(310 및 320) 및 빔 스플리터(350)는 방사선의 입사 빔(360)이 빔 스플리터(350) 상에 먼저 부딪치고 빔 스플리터(350)로부터 오는 투과된 부분(362) 및 반사된 부분(364)이 제1 광학 소자(310) 상에 그리고 제2 광학 소자(320) 상에 부딪치도록 배열된다. 도 7a에서, 빔 스플리터로부터 반사된 빔이 제1 광학 소자(310) 상에 부딪치고 빔 스플리터로부터 투과된 빔이 제2 광학 소자(320) 상에 부딪친다. 상이한 실시 예에서, 제1 광학 소자(310) 및 제2 광학 소자(320)의 위치는 교환될 수 있다, 즉, 반사된 빔이 제2 광학 소자 상에 부딪치고 투과된 빔이 제1 광학 소자 상에 부딪친다. 어느 경우든, 제1 검출기(330)는 제1 광학 소자(310)를 통과하는 방사선을 검출하도록 배열되고 제2 검출기(340)는 제2 광학 소자(320)를 통과하는 방사선을 검출하도록 배열된다. 처리 유닛(370)은 제1 검출기(330) 및 제2 검출기(340)에 의해 검출되는 방사선에 기초하여 제1 차단 주파수와 제2 차단 주파수 사이 주파수로 방사선을 추산하도록 구성된다. 처리 유닛(370)은 검출기들(330 및 340)에 의해 검출된 방사선량을 명기하는 데이터를 수신하기 위해 제1 및 제4 검출기에 통신 가능하게 결합되는 컴퓨터일 수 있다. 빔 스플리터가 입사 광의 약 50%를 반사시키고 입사 광의 약 50%를 투과시킨다고 가정하면, 제1 차단 주파수와 제2 차단 주파수 사이 방사선량은 제1 검출기에 의해 검출된 방사선량에서 제2 검출기에 의해 검출된 방사선량을 감함으로써 추산될 수 있다. 제1 및 제2 검출기들에 의해 검출된 총 방사선량이 추산될 수 있다(예를 들어, 제1 및 제2 검출기들기 광전자 증배관들일 경우). 그러나, 제1 및 제2 검출기들이 검출된 방사선을 공간 분해할 경우(예를 들어, 제1 및 제2 검출기들이 픽셀들을 갖는 CCD 또는 CMOS 이미지 센서들일 경우)에는, 예를 들어, 제1 및 제2 검출기들에서 사용되는 이미지 센서들의 대응하는 픽셀들로부터의 값들을 사용함으로써 공간 분해된 방사선도 추산될 수 있다.
도 7b는 일 실시예에 따른 특정 범위 내 방사선을 측정하기 위한 추가 광학 기기(305)의 개략도이다. 본 실시 예에서, 광학 기기(305)는 광학 기기(300)와 동일한 요소들, 즉, 제1 광학 소자(310), 제2 광학 소자(320), 방사선을 검출하기 위한 제1 검출기(330), 방사선을 검출하기 위한 제2 검출기(340), 빔 스플리터(350) 및 처리 유닛(370)을 포함한다. 그러나, 방사선의 입사 빔(360)이 제1 광학 소자(310) 상에 먼저 부딪치고 그 다음 제1 광학 소자(310)를 통과하는 여광된 방사선(366)이 빔 스플리터(350) 상에 부딪친다. 빔 스플리터(350)로부터 오는 투과된 부분(362) 및 반사된 부분(364)은 제1 검출기(330) 상에 그리고 제2 광학 소자(320) 상에 부딪친다. 도 7b에서, 빔 스플리터(350)로부터 반사된 빔(364)이 제1 검출기(330) 상에 부딪치고 빔 스플리터(350)로부터 투과된 빔(362)이 제2 광학 소자(320) 상에 부딪친다. 상이한 실시 예에서, 제1 검출기(330) 및 제2 광학 소자(320)의 위치는 교환될 수 있다, 즉, 반사된 빔이 제2 광학 소자 상에 부딪치고 투과된 빔이 제1 검출기 상에 부딪친다. 어느 경우든, 제2 검출기(340)는 제2 광학 소자(320)를 통과하는 방사선을 검출하도록 배열된다. 다시, 처리 유닛(370)은 제1 검출기(330) 및 제2 검출기(340)에 의해 검출되는 방사선에 기초하여 제1 차단 주파수와 제2 차단 주파수 사이 주파수로 방사선을 추산하도록 구성된다. 다시 빔 스플리터가 입사 광의 약 50%를 반사시키고 입사 광의 약 50%를 투과시킨다고 가정하면, 제1 차단 주파수와 제2 차단 주파수 사이 방사선량은 제1 검출기(330)에 의해 검출된 방사선량에서 제2 검출기(340)에 의해 검출된 방사선량을 감함으로써 추산될 수 있다. 도 7a의 실시 예에서과 같이, 제1 및 제2 검출기들에 의해 검출되는 총 방사선량 또는 예를 들어, 제1 및 제2 검출기들에서 사용되는 이미지 센서들의 대응하는 픽셀들로부터의 값들을 사용함으로써 제1 및 제2 검출기들에 의해 검출되는 공간 분해된 방사선이 추산될 수 있을 경우 그것은 제1 및 제2 검출기들에 따른다.
본 출원에 개시될 때 입사 방사선은 자외선 광에서 시작하여 자외선 광을 포함하고 적외선 광을 포함하여 적외선 광으로 끝나는 범위의 광이거나 그러한 범위의 광을 포함한다.
본 출원에 개시된 이미지 센서의 일 실시 예에서, 제1 레이어는 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파되지 않고 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 감쇠되지 않는 입사 방사선에 불투명할 수 있고/거나, 제2 감광 레이어(12)는 적어도 하나의 애퍼처(13)를 통과한 방사선만 흡수할 수 있다. 다시 말해, 적어도 하나의 애퍼처를 통해 전파되고 적어도 하나의 애퍼처 내부에서 감쇠되는 방사선만이 제1 레이어를 통과한다. 제1 레이어는 적어도 하나의 애퍼처(13)를 통과하는 방사선만이 제1 레이어(11)를 통과하도록 적어도 하나의 애퍼처를 통해 통과하지 않는 입사 방사선에 불투명하거나 그러한 입사 방사선을 차단하는 것으로 고려될 수 있다. 또한, 제1 레이어는 적어도 하나의 애퍼처를 통과하는 입사 방사선을 제외한 입사 방사선에 불투명한 것으로 고려될 수 있다. 그러한 실시 예에서, 제1 레이어는 단지 입사 방사선이 적어도 하나의 애퍼처를 통과하는 제1 레이어를 입사 방사선이 통과하는 모드만 제공하고 제1 레이어는 제1 레이어를 입사 방사선이 통과하는 임의의 추가 모드를 제공하지 않는다. 특히, 제1 레이어는 입사 방사선이 제1 레이어를 통과할 수 있게 하는 플라스몬 모드 또는 임의의 유형의 플라스마 여기 모드를 제공하지 않는다. 복수의 애퍼처(13)를 갖는 제1 레이어(11)를 갖는 실시 예들에 대해, 제1 레이어(11)는 애퍼처들(13) 중 하나를 통과하지 않는 입사 방사선(즉 애퍼처들(13) 중 하나를 통해 전파되지 않고 애퍼처들(13) 중 하나 내부에서 감쇠되지 않는 입사 방사선)에 불투명할 수 있다. 결과적으로, 제2 감광 레이어(12)는 단지 애퍼처들(13)를 통과한 방사선을 흡수한다. 유사하게, 본 출원에 개시된 바와 같은 광학 소자(200)의 경우, 제1 레이어(211)가 적어도 하나의 애퍼처(213)를 통해 전파되지 않고 적어도 하나의 애퍼처(213) 내부에서 감쇠되지 않는 입사 방사선에 불투명할 수 있고/거나 적어도 하나의 애퍼처(213)를 통과하는 방사선만 제1 레이어(211)를 통과한다. 복수의 애퍼처(213)를 갖는 제1 레이어(211)를 갖는 실시 예들에 대해, 제1 레이어(211)는 애퍼처들(213)을 통과하지 않는 입사 방사선(즉 애퍼처들(213)을 통해 전파되지 않고 애퍼처들(213) 내부에서 감쇠되지 않는 입사 방사선)에 불투명할 수 있다.
본 출원에 개시된 바와 같은 픽셀들의 어레이를 갖는 이미지 센서의 일 실시 예에서, 픽셀들의 어레이의 각 픽셀은 픽셀에 결합되는 애퍼처들의 그룹의 하나 이상의 애퍼처 내부에서 감쇠되는 방사선의 세기의 양과 함께 픽셀에 결합되는 애퍼처들의 그룹의 하나 이상의 애퍼처를 통해 전파되는 방사선의 세기의 양을 기록할 수 있다. 그러한 실시 예에서, 픽셀들의 어레이의 각 픽셀은 어떠한 추가 방사선도 기록하지 않을 수 있다.
본 출원에 개시된 바와 같은 픽셀들의 어레이를 갖는 이미지 센서의 일 실시 예에서, 제1 레이어는 동일한 픽셀에 결합되는 애퍼처들의 단면 크기보다 얇은 동일한 픽셀에 결합되는 애퍼처들 사이에 벽들을 가질 수 있다. 애퍼처의 단면 크기는 정사각형 애퍼처에 대한 변의 길이와 같을 수 있고, 원형 애퍼처에 대한 직경과 같을 수 있으며, 직사각형 또는 다각형 애퍼처들의 최대 대각선과 같을 수 있다.
도 8은 본 출원에 개시된 바와 같은 픽셀들의 어레이를 갖는 이미지 센서(100), 데이터 저장 유닛(410) 및 처리 유닛(420)을 갖는 이미지 캡처 기기(400)의 블록도이다. 데이터 저장 유닛(410)은 데이터 저장 유닛(410) 및 이미지 센서(100)를 연결하는 선으로 표현되는 바와 같이 이미지 센서(100)에 통신 가능하게 결합될 수 있다. 이미지 캡처 기기(400)는 데이터 저장 유닛(410)에 이미지 센서의 픽셀들의 어레이의 픽셀들에 의해 측정되는 방사선 강도 값들을 저장하도록 구성될 수 있다. 처리 유닛(420)은 이미지 센서(100) 및 저장 유닛(410)에 통신 가능하게 결합될 수 있다. 이미지 캡처 기기(400)의 구성요소들 간 통신 가능한 결합은 데이터를 이미지 센서(100)로부터 데이터 저장 유닛(410)으로 전달하여 그곳에 저장되도록 구성될 수 있다. 이미지 센서(100)로부터의 데이터는 데이터 저장 유닛(410)에 직접 전달될 수도 있고, 처리 유닛(420)에 전달되어 그곳에서 처리된 다음 데이터 저장 유닛(410)에 저장될 수도 있다. 일 실시 예에서, 처리 유닛(420)은 데이터 저장 유닛(410)으로부터 데이터를 액세스 또는 검색하고, 그것들을 처리하며, 변환된 데이터를 데이터 저장 유닛(410)에 저장할 수 있다. 추가 실시 예에서, 이미지 캡처 기기(400)는 본 출원에 개시된 바와 같은 이미지 센서(10 또는 30)에 따른 이미지 센서를 가질 수 있다.
이미지 캡처 기기(400)는 디지털 카메라 또는 스마트폰, 태블릿 또는 랩탑과 같이 더 큰 기기의 디지털 카메라일 수 있다. 데이터 저장 유닛(410)은 랜덤 액세스 메모리(RAM)와 같은 메모리 소자 또는 플래시 메모리와 같은 비휘발성 메모리 소자들을 포함할 수 있다. 데이터는 이미지 캡처 기기(400)에서 취해질 수 있는 메모리 카드들 상에 저장되고 데이터를 판독 및 처리할 수 있는 상이한 소자에서 판독될 수 있다. 데이터 저장 유닛(410)은 또한 이미지 센서(100)와 상이한 하우징에 위치될 수도 있다. 처리 유닛(420)은 그것이 디지털 카메라들 또는 디지털 카메라구성요소를 갖는 그 외 다른 기기들에 사용될 때 집적 회로 또는 컴퓨터 처리 유닛일 수 있다.
처리 유닛(420)은 이미지 센서(100)에 의해 캡처되는 이미지의 표상을 추산하도록 구성될 수 있다. 표상은 픽셀들의 어레이의 각 픽셀에 대한 하나 이상의 값의 튜플을 포함할 수 있으며, 각 튜플은 표상의 픽셀에 대한 식 값을 나타낼 수 있다. 색 값은 본 출원에서 일반적인 의미로 사용된다: 모두 동일한 단면 크기를 갖는 애퍼처들을 갖는 이미지 센서에 대해, 색 값은 픽셀의 명도 값(luminosity value)을 나타내는 값일 수 있다. 두 개, 세 개, 네 개 또는 그보다 많은 상이한 단면 크기들을 갖는 애퍼처들을 갖는 이미지 센서에 대해, 색 값은 이미지 센서의 애퍼처들에 의해 제공되는 하나 또는 두 차단 주파수 사이 범위들에 대한 광 성분들을 특징 지음으로써 광을 나타낼 수 있다.
일 실시 예에서, 이미지 센서(100)의 제1 레이어는 두 개 이상의 상이한 단면 크기를 갖는 애퍼처들의 어레이를 포함하고 처리 유닛(420)은 파장 범위에 대해 픽셀에 의해 측정되는 방사선 값에 기초하여 그리고/또는 하나 이상의 추가 파장 범위에 대해 상기 픽셀에 대해 보간되는 방사선 값에 기초하여 픽셀들의 어레이의 픽셀에 대한 튜플을 추산하도록 구성될 수 있다. 처리 유닛(420)은 또한 픽셀에 대한 하나 이사의 방사선 값(측정 또는 보간되었을 수 있는)을 픽셀에 대한 튜플의 각 값과 관련 짓는 캘리브레이션 행렬을 사용하여 픽셀에 대한 튜플을 추산하도록 구성될 수도 있다.
일 실시 예에서, 이미지 센서(100)의 애퍼처들은 세 개 이상의 상이한 단면 크기를 가질 수 있고 각 픽셀에 대한 튜플은 적색 성분을 나타내는 값(R), 녹색 성분을 나타내는 추가 값(G) 및 청색 성분을 나타내는 다른 추가 값(B)을 포함한다. 그러한 실시 예에서, 표상은 RGB 값들이 해석되는 색 공간이거나 그것을 포함할 수 있다. 가능한 색 공간들은 sRGB, Adobe RGB 및 ProPhoto RGB를 포함한다.
도 5에 대해 개시된 바와 같이, 세 개의 상이한 파장 범위 내 광을 측정하는 픽셀들(적색 및 녹색 및 청색 광에 대한 rgb, 녹색 및 청색 광에 대한 gb 및 청색 광에 대한 b)에 대한 세 개의 광 성분(R, G 및 B)은 다음과 같이 쓰여질 수 있다:
Figure pat00055
범위에 대한 값이 측정된 것이 아니라 보간된 것임을 나타내는 인덱스 i를 소거하면, 식들은 다음과 같이 행렬로 표현될 수 있다:
Figure pat00056
,
여기서 ci는 각각 i = 1, 2 및 3에 대한 세 개의 색 성분(R, G 및 B)을 나타내고, vj는 각각 j = 1, 2 및 3에 대한 광 범위들(rgb, gb 및 b)에 대한 세 개의 측정 또는 보간된 방사선 값들이며, aij는 픽셀의 측정 또는 보간된 방사선 강도 값들을 픽셀에 대한 튜플의 하나 이상의 값과 관련 짓는 캘리브레이션 행렬의 요소들이다. 튜플은 픽셀의 위치에서의 색 또는 광 값을 나타낼 수 있다.
상기한 행렬 방정식은 본 출원에 개시된 바와 같은 이미지 센서의 픽셀들에 의해 측정되는 임의의 수의 상이한 파장 범위로 그리고 또한 상이한 편광으로 일반화될 수 있다. 이 경우, 일 실시 예에 의해 제공되는 차단 주파수들과 관련되는 하나 이상의 파장 범위에 대해 측정 또는 보간된 값들인 vj는 상기한 행렬 방정식에서의 p개의 상이한 값(즉 j = 1, ..., p)을 가질 수 있다. 상기한 행렬 방정식은 또한 픽셀 위치에서 일반화된 색 값을 나타내는 튜플의 임의의 수의 값으로 일반화될 수 있다. 이 경우, 픽셀의 튜플의 값들인 ci는 상기한 행렬 방정식에서의 q개의 상이한 값(즉 i = 1, ..., q)을 가질 수 있다. 일례로, 이미지 센서는 반복 패턴으로 배열되고 자외선 광 위 적외선 광 아래 범위 내 네 차단 주파수를 제공하는 네 개의 상이한 단면을 갖는 애퍼처들을 가질 수 있다. 그러한 이미지 센서는 단지 세 개의 상이한 파장 범위 내 광을 측정하는(종래 설계에 따라 또는 본 출원에 개시된 바와 같은 실시 예에 따라) 이미지 센서보다 색들을 보다 정확하게 기록할 수 있고 또한 더 많은 색을 기록(즉 더 큰 색역(color gamut)을 제공)할 수 있을 수 있다. 그 다음 인덱스 j는 값들 1 내지 4에 대해 합산된다. 나아가 가시광 범위 내 차단 주파수들의 수를 증가시키면 가시광 범위 내 색들이 측정되는 정확도가 더 증가되고 측정 및 구별될 수 있는 색들의 수가 더 증가될 수 있다. 일 실시 예에서, 튜플은 상이한 차단 주파수들 그리고 그에 따라 파장 범위들의 수가 셋보다 클 경우에도 튜플은 적색, 녹색 및 청색에 대한 단지 세 개의 성분을 가질 수 있다. 그러나, 다른 실시 예에서, 튜플은 상이한 차단 주파수들에 의해 한계가 정해지는 네 개의 범위에 대응하는 네 개의 성분을 가질 수 있다. 추가 실시 예에서, 이미지 센서는 네 개가 가시광 범위 내 차단 주파수들을 제공하고, 하나가 적외선 파장 범위 내 또는 그 이상의 차단 주파수를 제공하며, 하나가 자외선 파장 범위 내 또는 그 이하의 차단 주파수를 제공하는 여섯 개의 상이한 단면 크기의 애퍼처들을 가질 수 있다. 이 경우, 튜플은 다음 여섯 개의 값을 가질 수 있다: 자외선 범위 내 광을 명기하기 위한 하나의 값, 가시광 범위에 대한 네 개의 값 및 적외선 범위에 대한 하나의 값. 상이한 실시 예에서, 튜플은 다음 다섯 개의 값을 가질 수 있다: 자외선 범위에 대한 하나의 값, 가시광 범위에 대한 세 개의 값 및 적외선 범위에 대한 하나의 값. 추가 실시 예들에서, 하나보다 많은 차단 주파수가 적외선 범위 내 상이한 스펙트럼 분포들을 구별하기 위해 적외선 광 범위에 위치될 수 있다. 일례로, 이미지 센서가 적외선 범위 내 세 개의 상이한 차단 주파수 및 적외선 광을 가시광과 구별하기 위한 하나의 차단 주파수를 제공하는 애퍼처들을 가질 수 있다. 이 경우, 적외선 광을 네 개의 차단 주파수에 의해 한계가 정해지는 세 개의 범위에 대한 세 개의 성분으로 특징 짓는 것이 가능하다. 최저 차단 주파수에 대응하는 최대 차단 파장을 초과하는 파장 범위 내 적외선 성분을 특징 짓기 위해 네 개의 성분을 사용하는 것도 가능할 수 있다. 유사하게, 자외선 광 범위의 부분 범위들 내 상이한 성분들을 갖는 광을 구별하기 위해 자외선 범위 내 하나보다 많은 차단 파장을 사용하는 것이 가능하다.
캘리브레이션 행렬의 요소들(aij)은 일 실시 예에 의해 얻어지는 바와 같은 알려진 색의 객체들의 캡처된 이미지의 표상을 객체들의 알려진 값들과 비교함으로써 결정될 수 있다. 객체들의 알려진 값들은 다른, 캘리브레이트된 카메라를 통해 얻어지는 이러한 객체들의 표상들로부터 얻어졌을 수 있다. 그 다음 캘리브레이션 행렬의 요소들은 알려진 색상들을 가능한 잘 배색시키도록 최적화될 수 있다. 최적화의 결과들은 이미지 센서의 애퍼처들에 의해 제공되는 차단 주파수의 값들에 그리고 또한 차단 주파수 미만의 광이 애퍼처들 내부에서 얼마나 많이 감쇠되는지에 영향을 미치는 제1 레이어의 두께에 따를 수 있다. 일 실시 예에서, 객체는 그 표상이 알려져 있거나 측정된 많은 상이한 색 패치를 갖는 페이퍼 시트일 수 있다. 캘리브레이션 행렬의 요소들(aij)이 결정되었으면, 그것들은 색 성분들(ci), 즉, 상기한 행렬 방정식에 따른 각 픽셀에 대한 튜플의 값들을 추산하는데 사용되기 위해 저장 및 검색될 수 있다.
도 9는 이미지 센서(10, 30, 100)에 의해 캡처되는 이미지의 표상을 추산하기 위한 컴퓨터 구현 방법(500)의 흐름도이다. 이미지 센서(10, 30, 100)는 입사 방사선을 차단 주파수 미만인 주파수로 감쇠시킴으로써 입사 방사선을 여광시키기 위한 제1 레이어(11) 및 제1 레이어(11)를 통과하는 방사선을 흡수시키기 위한 제2 감광 레이어(12)를 포함할 수 있다. 제1 레이어(11)는 입사 방사선의 전파 방향에서 제2 감광 레이어(12)에 선행할 수 있다. 감광 레이어(12)는 픽셀들의 어레이를 포함할 수 있고 이미지 센서(10, 30, 100)는 동일한 유형의 픽셀들 또는 두 개 이상의 상이한 유형의 픽셀들을 가질 수 있다. 픽셀의 유형은 다음과 같이 정의될 수 있다: 제1 픽셀은 제1 레이어(11)가 제2 픽셀에 대해 제1 레이어(11)에 의해 제공되는 차단 주파수와 상이한 제1 픽셀에 대한 차단 주파수를 제공해야만 제2 픽셀과 제1 픽셀이 상이한 유형을 갖는다. 따라서, 두 개의 상이한 픽셀에 대해 제1 레이어에 의해 제공되는 차단 주파수가 동일할 경우, 두 개의 픽셀은 동일한 유형을 갖는다.
모두 동일한 유형을 갖는 픽셀들을 갖는 이미지 센서에 대해, 방법(500)은 직접 측정된 방사선 값들에만 의존하고 보간된 방사선 값들에는 의존하지 않는 단순 버전의 추산 동작들을 포함할 수 있다. 그러한 경우, 방법(500)은 튜플 추산 동작들을 위한 픽셀들의 어레이의 픽셀을 식별하는 단계(560), 픽셀에 의해 측정되는 방사선 값을 액세스하는 단계(570), 및 픽셀에 의해 측정된 방사선 값을 사용하여 픽셀에 대한 하나 이상의 값의 튜플의 하나 이상의 값을 추산하는 단계(590)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 튜플은 모두 동일한 단면 크기를 갖는 제1 레이어(11) 내 애퍼처들을 통과한 방사선량을 나타내는 단지 하나의 값을 가질 수 있다. 튜플은 흑백 표상에 대한 명도 값과 같은 특정 표상에 대해 일반화된 색 값을 나타내는 것일 수 있다. 방법(500)은 픽셀들의 어레이의 모든 픽셀에 대해 튜플 산출 동작들을 반복하는 단계(600)를 더 포함할 수 있다. 이는 픽셀들의 어레이의 모든 픽셀에 대해 픽셀에 의해 측정되는 방사선 값을 액세스하는 단계(570) 및 튜플의 하나 이상의 값을 추산하는 단계(590)를 반복하는 단계(600)를 의미할 수 있다. 방법(500)의 결과로서, 이미지 센서(10, 30, 100)에 의해 캡처되는 이미지의 표상이 얻어진다.
컴퓨터 구현 방법(500)은 임의의 유형의 컴퓨팅 기기에 의해 실행될 수 있다. 그러한 컴퓨팅 기기는 본 출원에 개시된 바와 같은 이미지 캡처 기기(400)에 의해 또는 그에 하우징되는 것에 의해 또는 명령들을 로딩하고 실행하도록 구성된 일반적인 컴퓨팅 기기에 의해 제공될 수 있다. 명령들은 방법(500)의 동작들이 컴퓨팅 기기에 의해 실행되도록 컴퓨팅 기기를 제어할 수 있다. 일반적인 컴퓨팅 기기는 랩탑, 개인용 컴퓨터, 서버, 또는 더 큰 컴퓨팅 기기들일 수 있고, 그것은 또한 이미지 캡처 기기(400)를 구성요소로 포함하는 태블릿 또는 스마트폰일 수도 있다.
이미지 센서가 두 개 이상의 상이한 유형의 픽셀들을 갖는 경우에서, 방법(500)은 보간 동작들을 더 포함할 수 있다. 보간 동작들은 픽셀을 식별하는 단계(560) 이전에, 픽셀들의 어레이의 추가 픽셀을 식별하는 단계(510), 방사선 값이 추가 픽셀에 의해 측정된 차단 주파수와 상이한 추가 차단 주파수에 대해 다른 추가 픽셀들에 의해 측정되는 하나 이상의 방사선 값을 액세스하는 단계(520), 및 추가 픽셀에 대해 추가 차단 주파수에 대한 방사선 값을 보간하는 단계(530)를 포함할 수 있다. 이미지 센서가 세 개 이상의 상이한 유형의 픽셀들을 갖는 경우에 대해, 방법(500)은 추가 픽셀의 유형과 상이한 어레이의 픽셀들의 모든 유형에 대해 하나 이상의 방사선 값을 액세스하는 단계(520) 및 추가 픽셀에 대해 방사선 값을 보간하는 단계(530)를 반복하는 단계(540)를 더 포함할 수 있다. 다시 말해, 상기 방법은 처리되는 픽셀에 대해 이미지 센서에 의해 제공되는 각 상이한 차단 주파수에 대한 방사선 값들을 보간하는 단계를 포함한다. 방법(500)은 어레이의 모든 픽셀에 대해 이전 보간 동작들을 반복하는 단계(550)를 더 포함할 수 있다. 보간 동작들은 다른 추가 픽셀들에 의해 측정되는 하나 이상의 방사선 값을 액세스하는 단계(520), 추가 픽셀에 대해 방사선 값을 보간하는 단계(530), 및 하나 이상의 방사선 값을 액세스하는 단계(520) 및 추가 픽셀에 대해 방사선 값을 보간하는 단계(530)를 반복하는 단계(540)를 포함할 수 있다. 이는 보간 동작들을 마칠 수 있으나 보간된 값들은 보간된 값들을 고려하여 튜플 추산 동작들을 확장하는데 사용될 수 있다. 그에 따라, 튜플 추산 동작들을 위한 어레이의 픽셀을 식별하는 단계(560) 이후, 방법(500)은 픽셀에 대해 보간된 하나 이상의 방사선 값을 액세스하는 단계(580), 픽셀에 의해 측정된 방사선 값 및 픽셀에 대해 보간된 하나 이상의 방사선 값을 사용하여 픽셀에 대한 튜플을 추산하는 단계(590), 및 픽셀들의 어레이의 모든 픽셀에 대해 픽셀에 대해 보간된 하나 이상의 방사선 값을 액세스하는 단계(580) 및 픽셀에 대한 튜플을 추산하는 단계(590)를 반복하는 단계(600)를 더 포함할 수 있다.
방법(500)의 일 실시 예에서, 픽셀에 대한 튜플을 추산하는 동작(590)은 픽셀에 대해 측정 또는 보간된 방사선 값을 각각 픽셀에 대한 튜플의 각 값과 관련 짓는 캘리브레이션 행렬을 사용하는 것을 포함할 수 있다. 추가 실시 예에서, 이미지 센서(10, 30, 100)는 픽셀들의 세 개 이상의 유형을 가질 수 있고 픽셀에 대한 튜플은 적색 성분을 나타내는 값, 녹색 성분을 나타내는 추가 값 및 청색 성분을 나타내는 다른 추가 값을 가질 수 있다.
방법(500)의 일 실시 예에서, 이미지 센서(10, 30, 100)의 제1 레이어(11)는 적어도 하나의 애퍼처(13)를 통해 전파되지 않고 적어도 하나의 애퍼처(13) 내부에서 감쇠되지 않는 입사 방사선에 불투명할 수 있고/거나 제2 감광 레이어(12)가 적어도 하나의 애퍼처(13)를 통과한 방사선만 흡수한다.

Claims (14)

  1. 입사 방사선을 기록하기 위한 이미지 센서로서,
    입사 방사선을 차단 주파수 미만인 주파수로 감쇠시킴으로써 상기 입사 방사선을 여광시키기 위한 제1 레이어(11); 및
    상기 제1 레이어(11)를 통과하는 방사선을 흡수시키기 위한 제2 감광 레이어(12)를 포함하되,
    상기 제1 레이어(11)는 상기 입사 방사선의 전파 방향에서 상기 제2 감광 레이어(12)에 선행하고, 상기 제1 레이어(11)는 상기 제1 레이어(11)를 통해 상기 제2 감광 레이어(12)로 지나는 적어도 하나의 애퍼처(13)를 포함하여 그것을 통해 방사선을 전파시키며, 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)의 단면 크기는 상기 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처(13) 내부에서 감쇠되고 상기 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)를 통해 전파되도록 상기 차단 주파수를 제공하도록 구성되고,
    상기 제1 레이어(11)가 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)를 통해 전파되지 않고 상기 적어도 하나의 애퍼처(13) 내부에서 감쇠되지 않는 입사 방사선에 불투명하고 상기 제2 감광 레이어(12)가 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)를 통과한 방사선만 흡수하고,
    상기 차단 주파수 미만의 주파수를 갖고 상기 제2 감광 레이어(12)에 도달하는 방사선의 강도는 상기 제1 레이어(11)의 두께에 의해 제어되는, 이미지 센서.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)는 n개의 상이한 크기에 대해 한 변의 길이 값(ai(i = 1...n))을 갖는 정사각형 등단면을 가지며, 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)는 금속성 벽(20)을 갖고, 상기 차단 주파수는 대응하는 차단 파장(λi, cut-off)(i = 1 ... n)을 가져 차단 파장을 초과하는 입사 방사선은 상기 적어도 하나의 애퍼처(13) 내부에서 지수 급수적으로 감소되고, 차단 파장 미만의 입사 방사선은 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)를 통해 전파되며, ai는 λi, cut-off / 2 (i = 1 ... n)와 같고, 상기 제1 레이어(11)의 두께(lz) 또는 상기 적어도 하나의 애퍼처의 깊이(d)는
    Figure pat00057
    이고,
    a1은 변의 길이 값(ai(i = 1 ... n)) 중 가장 긴 변의 길이 값이고 λD, 1은 차단 파장(λ1, cut-off = 2a1)보다 길고 강도가 상기 적어도 하나의 애퍼처(13) 내부에서 적어도 e-2배만큼 감쇠되는 방사선의 파장이고, ε는 상기 적어도 하나의 애퍼처 내 물질의 유전 상수이고, μ는 상기 적어도 하나의 애퍼처 내 물질의 투과도이고, ε0는 진공의 유전 상수이며, μ0는 진공의 투과도인, 이미지 센서.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 차단 주파수 미만의 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처(13) 내부에서 지수 급수적으로 감쇠하고/거나,
    상기 차단 주파수를 초과하는 주파수를 갖는 입사 방사선이 상기 적어도 하나의 애퍼처(13) 내부에서 하나 이상의 전파 모드로 결합함으로써 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)를 통해 전파되는, 이미지 센서.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)는 상기 제1 레이어(11)의 평평한 표면에 수직하고, 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)는 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)의 축을 따라 등단면을 가지며, 상기 단면은 대칭이고 선택적으로 정사각형, 직사각형, 원형 또는 육각형 단면인, 이미지 센서.
  5. 청구항 1, 2, 및 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 레이어(11)는 금속성이거나 상기 제1 레이어(11)는 금속성 레이어로 코팅된 비금속성 레이어를 포함하여 두 경우 모두, 상기 적어도 하나의 애퍼처가 하나 이상의 금속성 벽(20)을 갖는, 이미지 센서.
  6. 청구항 1, 2, 및 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 애퍼처(13)는 투명 물질(18)로 채워지는, 이미지 센서.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 투명 물질(18)은 상기 제1 레이어(11) 상에 추가 레이어(19)를 제공하는, 이미지 센서.
  8. 청구항 1, 2, 및 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 감광 레이어(12)는 픽셀들의 어레이를 포함하고, 각 애퍼처(13) 또는 동일한 단면 크기를 갖는 각 복수의 연접 애퍼처(13)가 상기 어레이의 각각의 픽셀 위에 가로 놓이고 각각의 픽셀에 결합되고,
    상기 제1 레이어(11)는 하나 이상의 상이한 단면 크기를 갖는 애퍼처들(13rgb, 13gb, 13b)의 어레이를 포함하고,
    상기 애퍼처들은 애퍼처들의 각 그룹이 하나의 애퍼처 또는 연접하고 동일한 단면 크기를 갖는 하나보다 많은 애퍼처를 갖도록 그룹지어지고, 애퍼처들의 각 그룹이 상기 감광 레이어의 단지 하나의 픽셀 위에 가로 놓이고 그에 결합되며, 상기 애퍼처들의 그룹이 상기 제1 레이어에 반복 패턴으로 배열되는, 이미지 센서.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 애퍼처들(13rgb, 13gb, 13b)은 세 개 이상의 상이한 단면 크기, 즉 적외선 광을 여광해 내고 적색, 녹색 및 청색 광의 전파를 허용하는 제1 단면 크기, 적색 광을 여광해 내고 녹색 및 청색 광의 전파를 허용하는 제2 단면 크기 및 적색 및 녹색 광을 여광해 내고 청색 광의 전파를 허용하는 제3 단면 크기를 갖고, 상기 제1 레이어에서의 상기 반복 패턴은 상기 픽셀들의 어레이의 각 픽셀에 적색, 녹색 및 청색 광에 대해 측정되거나 보간된 값을 제공하도록 구성되는, 이미지 센서.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 어레이의 각 애퍼처는 n개의 상이한 크기에 대해 한 변의 길이 값(ai(i=1...n))을 갖는 정사각형 등단면을 가지며, 각 애퍼처는 금속성 벽들(20)을 갖고, 상기 제1 단면 크기의 상기 차단 주파수에 대응하는 차단 파장(λ1)은 600 nm 내지 750 nm의 범위 내, 선택적으로 650 nm 내지 730 nm의 범위 내이고 상기 제1 단면 크기의 상기 변의 길이 값(a1)은 300 nm 내지 375 nm의 범위 내, 선택적으로 325 nm 내지 365 nm의 범위 내이고, 상기 제2 단면 크기의 상기 차단 주파수에 대응하는 차단 파장(λ2)은 495 nm 내지 590 nm의 범위 내, 선택적으로 515 nm 내지 570 nm의 범위 내이고 상기 제2 단면 크기의 상기 변의 길이 값(a2)은 247 nm 내지 295 nm의 범위 내, 선택적으로 257 nm 내지 285 nm 범위 내이며, 상기 제3 단면 크기의 상기 차단 주파수에 대응하는 차단 파장(λ3)은 450 nm 내지 510 nm의 범위 내, 선택적으로 465 nm 내지 495 nm의 범위 내이고 상기 제3 단면 크기의 상기 변의 길이 값(a3)은 225 nm 내지 255 nm의 범위 내, 선택적으로 233 nm 내지 248 nm의 범위 내인, 이미지 센서.
  11. 청구항 8에 있어서, 상기 제1 레이어(11)는 세 개 이상의 상이한 단면 크기, 즉 적외선, 적색, 녹색 및 청색 광의 전파를 허용하는 제1 단면 크기, 적색 광을 여광해 내고 녹색 및 청색 광의 전파를 허용하는 제2 단면 크기 및 적색 및 녹색 광을 여광해 내고 청색 광의 전파를 허용하는 제3 단면 크기를 갖는 애퍼처의 어레이를 포함하고, 상기 제1 단면 크기의 각 애퍼처가 상기 픽셀과 같거나 그보다 작은 픽셀의 영역 위에 가로 놓이고, 상기 제1 단면 크기의 각 애퍼처는 적외선 광을 여광해 내고 적외선 광보다 짧은 파장을 갖는 광을 투과시키는 여광재로 채워지며, 선택적으로 모든 애퍼처가 상기 여광재로 채워지고/거나 상기 여광재가 상기 제1 레이어 상에 추가 레이어를 제공하는, 이미지 센서.
  12. 청구항 9에 있어서, 상기 애퍼처들은 다음의 추가 크기들: 적외선 광 차단 주파수 미만의 적외선 광의 일부를 여광해 내고 적색, 녹색 및 청색 광의 전파뿐만 아니라 상기 적외선 광 차단 주파수를 초과하는 적외선 광의 추가 부분의 전파를 허용하는 제4 단면 크기; 적색 및 황색 광을 여광해 내고 녹색 및 청색 광의 전파를 허용하는 제5 단면 크기; 적색 광 및 녹색 광 차단 주파수 미만의 녹색 광의 일부를 여광해 내고 상기 녹색 광 차단 주파수를 초과하는 녹색 광의 추가 부분의 전파 및 청색 광의 전파를 허용하는 제6 단면 크기; 적색, 녹색 및 청색 광을 여광해 내고 자외선 광의 전파를 허용하는 제7 단면 크기 중 임의의 단면 크기; 또는 단면 크기들 중 임의의 단면 크기의 조합을 갖는, 이미지 센서.
  13. 청구항 8에 있어서, 상기 픽셀들의 어레이의 각 픽셀은 상기 픽셀에 결합되는 상기 애퍼처들의 그룹의 하나 이상의 상기 애퍼처 내부에서 감쇠되는 방사선의 세기의 양과 함께 상기 픽셀에 결합되는 상기 애퍼처들의 그룹의 하나 이상의 상기 애퍼처를 통해 전파되는 방사선의 세기의 양을 기록하는, 이미지 센서.
  14. 이미지 캡처 기기(400)로서,
    청구항 8의 이미지 센서; 및
    상기 이미지 센서에 통신 가능하게 결합되는 데이터 저장 유닛(410)을 포함하되;
    상기 데이터 저장 유닛(410)에 상기 픽셀들의 어레이의 픽셀들에 의해 측정되는 방사선 값들을 저장하도록 구성되는, 이미지 캡처 기기(400).
KR1020217037963A 2017-06-21 2018-06-18 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품 KR102388258B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227012330A KR20220053035A (ko) 2017-06-21 2018-06-18 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP17177092.8A EP3419053A1 (en) 2017-06-21 2017-06-21 Optical component with waveguide based filter
EP17177092.8 2017-06-21
PCT/EP2018/066065 WO2018234215A1 (en) 2017-06-21 2018-06-18 OPTICAL COMPONENT COMPRISING A WAVEGUIDE FILTER
KR1020197037101A KR102364706B1 (ko) 2017-06-21 2018-06-18 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197037101A Division KR102364706B1 (ko) 2017-06-21 2018-06-18 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227012330A Division KR20220053035A (ko) 2017-06-21 2018-06-18 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210146422A true KR20210146422A (ko) 2021-12-03
KR102388258B1 KR102388258B1 (ko) 2022-04-20

Family

ID=59152667

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217037963A KR102388258B1 (ko) 2017-06-21 2018-06-18 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품
KR1020227012330A KR20220053035A (ko) 2017-06-21 2018-06-18 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품
KR1020197037101A KR102364706B1 (ko) 2017-06-21 2018-06-18 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227012330A KR20220053035A (ko) 2017-06-21 2018-06-18 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품
KR1020197037101A KR102364706B1 (ko) 2017-06-21 2018-06-18 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11676981B2 (ko)
EP (3) EP3419053A1 (ko)
JP (3) JP6953552B2 (ko)
KR (3) KR102388258B1 (ko)
CN (1) CN110476249B (ko)
WO (1) WO2018234215A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3419053A1 (en) * 2017-06-21 2018-12-26 Life Technologies GmbH Optical component with waveguide based filter
KR20200106589A (ko) 2019-03-04 2020-09-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US11557635B2 (en) 2019-12-10 2023-01-17 Samsung Display Co., Ltd. Display device, mask assembly, and apparatus for manufacturing the display device
KR102429987B1 (ko) * 2020-01-06 2022-08-05 엘아이지넥스원 주식회사 마이크로 렌즈 어레이 및 이를 포함하는 이미지 센서모듈과 그 제조방법
EP4244902A1 (en) * 2020-11-10 2023-09-20 Royal Melbourne Institute of Technology Systems and methods for data storage and processing

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019958A (ja) * 2003-04-07 2005-01-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置、信号処理装置、カメラ及び分光装置
JP2008177191A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびそれを用いたカメラ

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2351556B (en) * 1999-06-26 2004-06-30 Cambridge Imaging Ltd Improved assay analysis
US6285020B1 (en) * 1999-11-05 2001-09-04 Nec Research Institute, Inc. Enhanced optical transmission apparatus with improved inter-surface coupling
US20050133879A1 (en) 2003-04-07 2005-06-23 Takumi Yamaguti Solid-state imaging device, signal processing device, camera, and spectral device
WO2005013369A1 (ja) 2003-08-01 2005-02-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ
US7566853B2 (en) * 2005-08-12 2009-07-28 Tessera, Inc. Image sensor employing a plurality of photodetector arrays and/or rear-illuminated architecture
US7893975B2 (en) 2006-10-13 2011-02-22 Apple Inc. System and method for processing images using predetermined tone reproduction curves
WO2009030980A2 (en) * 2007-09-06 2009-03-12 Quantum Semiconductor Llc Photonic via waveguide for pixel arrays
US7646943B1 (en) * 2008-09-04 2010-01-12 Zena Technologies, Inc. Optical waveguides in image sensors
US8546742B2 (en) * 2009-06-04 2013-10-01 Zena Technologies, Inc. Array of nanowires in a single cavity with anti-reflective coating on substrate
FR2935809B1 (fr) 2008-09-11 2011-08-05 Commissariat Energie Atomique Filtre spectral nanostructure et capteur d'images
US8906670B2 (en) 2009-09-11 2014-12-09 Pacific Bioscience Of California, Inc. Zero-mode waveguides with non-reflecting walls
US8269264B2 (en) * 2009-11-09 2012-09-18 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having waveguides formed in color filters
WO2011148574A1 (ja) 2010-05-28 2011-12-01 パナソニック株式会社 固体撮像装置
CN104025583B (zh) 2011-12-28 2016-10-19 富士胶片株式会社 图像处理装置、方法及摄像装置
US8747748B2 (en) 2012-01-19 2014-06-10 Life Technologies Corporation Chemical sensor with conductive cup-shaped sensor surface
US9581762B2 (en) * 2012-09-16 2017-02-28 Shalom Wertsberger Pixel structure using a tapered core waveguide, image sensors and camera using same
WO2015049981A1 (ja) 2013-10-03 2015-04-09 シャープ株式会社 光電変換装置
CA2873573C (en) * 2013-12-10 2022-06-07 University Of Ottawa Metal-insulator-semiconductor devices based on surface plasmon polaritons
WO2016039689A1 (en) * 2014-09-11 2016-03-17 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Determining spectral emission characteristics of incident radiation
WO2016158128A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 シャープ株式会社 光検出装置および撮像装置
US10312389B2 (en) * 2016-10-13 2019-06-04 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Optical detector device with patterned graphene layer and related methods
EP3419053A1 (en) * 2017-06-21 2018-12-26 Life Technologies GmbH Optical component with waveguide based filter
CN108985235A (zh) * 2018-07-19 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 光线准直膜片及其制造方法以及光学指纹识别装置
US11514707B2 (en) * 2019-05-31 2022-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Optical sensor and methods of making the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019958A (ja) * 2003-04-07 2005-01-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置、信号処理装置、カメラ及び分光装置
JP2008177191A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびそれを用いたカメラ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020524921A (ja) 2020-08-20
CN110476249B (zh) 2024-03-26
US11676981B2 (en) 2023-06-13
US20230282664A1 (en) 2023-09-07
WO2018234215A1 (en) 2018-12-27
EP3639301B1 (en) 2022-04-13
JP6953552B2 (ja) 2021-10-27
KR20220053035A (ko) 2022-04-28
US20210143201A1 (en) 2021-05-13
EP3639301A1 (en) 2020-04-22
CN110476249A (zh) 2019-11-19
JP2022002407A (ja) 2022-01-06
KR102364706B1 (ko) 2022-02-18
EP3419053A1 (en) 2018-12-26
JP2023026445A (ja) 2023-02-24
KR20200014792A (ko) 2020-02-11
EP4064353A1 (en) 2022-09-28
JP7190014B2 (ja) 2022-12-14
KR102388258B1 (ko) 2022-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102388258B1 (ko) 도파관 기반 필터를 갖는 광학 부품
CN105828000B (zh) 固态图像传感器和照相机
TWI619240B (zh) 影像感測器
JP4995231B2 (ja) 光学フィルタ
KR20040087911A (ko) 고체 촬상 장치, 신호 처리 장치, 카메라 및 분광 장치
CA3117783C (en) Isolation of waveguide-integrated detectors using a back end of line process
KR20100122058A (ko) 2차원 고체 촬상 장치, 및 2차원 고체 촬상 장치에서의 편광광 데이터 처리 방법
JP2020520467A (ja) 赤外マルチスペクトル撮像用の装置及び方法
TWI579524B (zh) 光學檢測裝置
CN116034480A (zh) 成像装置和电子装置
JP6034629B2 (ja) 撮像素子及びそれを用いた撮像装置
US20230280208A1 (en) Detector for Detecting Electromagnetic Radiation, Image Sensor, and Method for Detecting Image Information
JP2005019958A (ja) 固体撮像装置、信号処理装置、カメラ及び分光装置
JP2005287073A (ja) 固体撮像装置、信号処理装置、カメラ及び分光装置
WO2022023170A1 (en) Color splitter system
US20230392984A1 (en) Device and a method for polarization dependent imaging
JP7458005B2 (ja) ガラス評価装置、ガラス評価方法
US20240063240A1 (en) Light state imaging pixel
Crocherie et al. Three-dimensional broadband FDTD optical simulations of CMOS image sensor
US10403666B2 (en) Imaging device with color pixels and method of light color tapering and detection inside pixel
KR20020059094A (ko) 마이크로렌즈의 특성 측정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)