KR20210145892A - 표시 장치 - Google Patents

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차나현
손선권
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 개시는 액정 표시 장치에 관한 것으로, 일 실시예에 의한 액정 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하고, 제1 방향으로 연장되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 위치하는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 위에 위치하고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 있는 데이터선, 상기 게이트 절연층 위에 위치하고, 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전압 공급선, 상기 데이터선 및 상기 게이트 전압 공급선 위에 위치하는 보호층, 상기 보호층 위에 위치하는 차폐 전극, 상기 차폐 전극 위에 위치하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 위치하고, 상기 차폐 전극과 중첩하는 화소 전극을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 화면을 표시하는 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode, OLED) 등이 있다. 이러한 표시 장치는 휴대 전화, 내비게이션, 디지털 사진기, 전자 북, 휴대용 게임기, 또는 각종 단말기 등과 같이 다양한 전자 기기들에 사용되고 있다.
표시 장치는 행 방향 및 열 방향으로 배치되어 있는 복수의 화소를 포함할 수 있다. 각 화소 내에는 트랜지스터, 커패시터 등과 같은 다양한 소자가 위치할 수 있고, 각 화소에 신호를 공급할 수 있는 다양한 배선들이 위치할 수 있다. 이러한 배선은 구동부에 연결되어 신호를 공급 받을 수 있고, 구동부는 표시 패널의 가장자리에 위치할 수 있다.
표시 장치의 가장자리에 화면이 표시되지 않는 부분인 베젤(bezel)을 줄이고자 하는 경우 표시 장치의 좌우에 위치하는 구동부 등을 다른 위치로 옮기는 것을 고려할 수 있다. 예를 들면, 표시 장치의 좌우에는 구동부가 전혀 위치하지 않도록 하고, 표시 장치의 상측에 구동부들을 위치시킬 수 있다. 이때, 구동부와 각 화소에 연결되어 있는 배선 사이를 연결하기 위한 전압 공급 배선이 화소들 사이에 위치할 수 있으며, 전기적인 영향을 미칠 수 있다.
실시예들은 베젤 영역을 줄이면서 추가되는 배선에 의한 전기적인 영향을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하고, 제1 방향으로 연장되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 위치하는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 위에 위치하고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 있는 데이터선, 상기 게이트 절연층 위에 위치하고, 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전압 공급선, 상기 데이터선 및 상기 게이트 전압 공급선 위에 위치하는 보호층, 상기 보호층 위에 위치하는 차폐 전극, 상기 차폐 전극 위에 위치하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 위치하고, 상기 차폐 전극과 중첩하는 화소 전극을 포함한다.
상기 게이트 전압 공급선은 상기 데이터선과 동일한 층에 위치할 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 화소 전극 위에 위치하는 액정층, 및 상기 액정층 위 또는 아래에 위치하는 공통 전극을 더 포함하고, 상기 공통 전극 및 상기 차폐 전극에는 동일한 공통 전압이 인가될 수 있다.
상기 차폐 전극은 상기 화소 전극과 중첩하는 메인 전극부, 및 인접한 메인 전극부 사이에 위치하고, 상기 메인 전극부로부터 연장되어 있는 브릿지부를 포함할 수 있다.
상기 메인 전극부는 상기 데이터선과 더 중첩하고, 상기 게이트 전압 공급선과는 중첩하지 않을 수 있다.
상기 브릿지부는 상기 게이트 전압 공급선과 중첩할 수 있다.
상기 브릿지부는 제1 방향으로 연장되어 있고, 상기 브릿지부의 폭은 상기 게이트 전압 공급선의 폭보다 좁을 수 있다.
상기 브릿지부는 상기 화소 전극과는 중첩하지 않을 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 따라 매트릭스 형태로 배열되어 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 복수의 화소를 더 포함하고, 인접한 게이트 전압 공급선 사이에는 상기 제2 방향을 따라 복수의 화소가 배치되어 있는 화소 열이 3개 위치하고, 상기 메인 전극부는 3개의 화소 전극과 중첩할 수 있다.
상기 게이트 전압 공급선은 2개의 게이트선과 연결되어 있고, 하나의 화소 열은 서로 다른 극성의 데이터 전압이 인가되는 2개의 데이터선과 연결되어 있고, 상기 메인 전극부는 6개의 데이터선과 중첩할 수 있다.
상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 따라 매트릭스 형태로 배열되어 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 복수의 화소를 더 포함하고, 인접한 게이트 전압 공급선 사이에는 상기 제2 방향을 따라 복수의 화소가 배치되어 있는 화소 열이 1개 위치하고, 상기 메인 전극부는 1개의 화소 전극과 중첩할 수 있다.
상기 게이트 전압 공급선은 2개의 게이트선과 연결되어 있고, 하나의 화소 열은 서로 다른 극성의 데이터 전압이 인가되는 2개의 데이터선과 연결되어 있고, 상기 메인 전극부는 2개의 데이터선과 중첩할 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터와 중첩하도록 상기 차폐 전극에 형성되어 있는 개구부를 더 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 데이터선에 연결되어 있는 소스 전극, 및 상기 화소 전극에 연결되어 있는 드레인 전극을 포함하고, 일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 드레인 전극 및 상기 화소 전극과 중첩하도록 상기 보호층 및 상기 절연층에 형성되어 있는 화소 개구부를 더 포함하고, 상기 화소 전극은 상기 화소 개구부를 통해 상기 드레인 전극과 연결되어 있고, 상기 개구부는 상기 화소 개구부와 중첩할 수 있다.
상기 개구부는 상기 화소 개구부를 둘러쌀 수 있다.
상기 차폐 전극은 투명한 금속 산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하고, 서로 교차하는 게이트선 및 데이터선, 상기 데이터선과 동일한 층에 위치하고, 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전압 공급선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, 및 상기 데이터선과 상기 화소 전극 사이에 위치하는 차폐 전극을 포함한다.
상기 차폐 전극은 상기 화소 전극과 중첩하는 메인 전극부, 및 인접한 복수의 메인 전극부 사이에 위치하고, 상기 메인 전극부로부터 연장되어 있는 브릿지부를 포함할 수 있다.
상기 메인 전극부는 상기 데이터선과 더 중첩하고, 상기 게이트 전압 공급선과는 중첩하지 않을 수 있다.
상기 브릿지부는 상기 게이트 전압 공급선과 중첩하고, 상기 화소 전극과는 중첩하지 않고, 상기 브릿지부의 폭은 상기 게이트 전압 공급선의 폭보다 좁을 수 있다.
실시예들에 따르면 베젤 영역을 줄이면서 추가되는 배선에 의한 전기적인 영향을 방지할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 일 실시예에 의한 표시 장치의 인접한 두 화소의 등가 회로도이다.
도 3은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 3의 V-V선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 순서에 따라 순차적으로 도시한 평면도이다.
도 9는 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 10은 일 실시예에 의한 표시 장치의 배치도이다.
도 11은 일 실시예에 의한 표시 장치의 배치도이다.
도 12는 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 13은 도 12의 XIII-XIII선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 14는 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 15는 도 14의 XV-XV선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 16은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일 실시예에 의한 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 일 실시예에 의한 표시 장치의 인접한 두 화소의 등가 회로도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 제1 기판(110), 제1 기판(110) 위에 위치하는 복수의 화소(PX), 화소(PX)를 구동하기 위한 신호를 생성하는 게이트 구동부(500) 및 데이터 구동부(600)를 포함한다.
복수의 화소(PX)는 행 방향 및 열 방향을 따라 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 다만, 이러한 화소(PX)의 배열 형태는 하나의 예시에 불과하며, 다양하게 변경될 수 있다. 화소(PX)는 영상을 표시하는 단위로서, 하나의 화소가 기본 색(primary color) 중 하나를 고유하게 표시하거나, 복수의 화소가 시간에 따라 번갈아 기본 색을 표시함으로써, 기본 색들의 공간적 또는 시간적 합으로 원하는 색상을 표시할 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 제1 기판(110) 위에 위치하는 게이트선(121) 및 데이터선(171)을 더 포함할 수 있다. 각각의 화소(PX)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 연결되어 있다. 게이트선(121)은 주로 제1 방향(예를 들면, 행 방향)으로 연장될 수 있고, 데이터선(171)은 제1 방향과 교차하는 제2 방향(예를 들면, 열 방향)으로 연장될 수 있다. 게이트선(121)과 데이터선(171)은 서로 직교할 수도 있다. 게이트선(121)은 스위칭 소자인 트랜지스터를 턴-온 시키는 게이트 온 전압과 턴-오프 시키는 게이트 오프 전압을 포함하는 게이트 신호('스캔 신호'라고도 함)를 전달할 수 있다. 데이터선(171)은 영상 신호에 대응하는 데이터 전압을 전달할 수 있다. 화소(PX)는 트랜지스터가 턴-온 상태일 때 데이터선(171)으로부터 데이터 전압을 인가 받을 수 있다.
도시는 생략하였으나, 표시 장치는 신호 제어부를 더 포함할 수 있으며, 신호 제어부는 게이트 구동부(500) 및 데이터 구동부(600)를 제어할 수 있다. 신호 제어부는 외부의 그래픽 처리부(도시되지 않음)로부터 영상 신호 및 이의 제어 신호를 수신한다. 제어 신호는 예컨대 수평 동기 신호, 수직 동기 신호, 클록 신호, 데이터 인에이블 신호 등을 포함한다. 신호 제어부는 영상 신호와 제어 신호를 기초로 영상 신호를 표시 장치의 동작 조건에 적합하게 처리한 후, 영상 데이터, 게이트 제어 신호, 데이터 제어 신호 및 클록 신호를 생성하여 출력할 수 있다.
게이트 구동부(500)는 신호 제어부로부터 게이트 제어 신호를 수신하여 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압을 포함하는 게이트 신호를 생성하고 이를 게이트선(121)에 인가할 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치는 제1 기판(110) 위에 위치하는 게이트 전압 공급선(127)을 더 포함할 수 있다. 게이트 전압 공급선(127)은 주로 제2 방향(예를 들면, 열 방향)으로 연장될 수 있다. 게이트 전압 공급선(127)은 데이터선(171)과 나란한 방향으로 연장될 수 있고, 게이트선(121)과 교차할 수 있다. 게이트 전압 공급선(127)은 게이트 구동부(500)에 연결되어, 게이트 구동부(500)로부터 게이트 신호를 인가 받을 수 있다. 게이트 전압 공급선(127)은 게이트선(121)에 연결되어, 게이트선(121)에 게이트 신호를 전달할 수 있다. 즉, 게이트 전압 공급선(127)은 게이트 구동부(500)와 게이트선(121) 사이에 연결되어 있다. 복수의 게이트 전압 공급선(127)이 서로 나란하게 연장될 수 있으며, 1개의 게이트 전압 공급선(127)은 1개 이상의 게이트선(121)과 연결될 수 있다. 예를 들면, 각각의 게이트 전압 공급선(127)은 2개의 게이트선(121)과 연결될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 하나의 게이트 전압 공급선(127)이 1개의 게이트선(121)과 연결될 수도 있고, 3개 이상의 게이트선(121)과 연결될 수도 있다.
데이터 구동부(600)는 신호 제어부로부터 데이터 제어 신호와 영상 데이터를 수신하고, 계조 전압 생성부(도시되지 않음)에서 생성된 계조 전압을 이용하여 영상 데이터를 데이터 신호(데이터 전압)로 변환하고 이를 데이터선(171)에 인가한다. 행 방향으로 인접한 두 화소 사이에는 2개의 데이터선(171)이 지나갈 수 있다. 또한, 하나의 화소 열을 기준으로 양측에 데이터선(171)이 위치할 수 있다. 하나의 화소 열에 속하는 복수의 화소(PX)들 중 일부는 해당 화소 열의 좌측에 위치하는 데이터선(171)에 연결될 수 있고, 나머지 일부는 해당 화소 열의 우측에 위치하는 데이터선(171)에 연결될 수 있다. 예를 들면, 첫 번째 화소 행에 위치하는 화소(PX)들은 해당 화소(PX)의 좌측에 위치하는 데이터선(171)에 연결될 수 있고, 두 번째 화소 행에 위치하는 화소(PX)들은 해당 화소(PX)의 우측에 위치하는 데이터선(171)에 연결될 수 있다. 이때, 첫 번째 및 두 번째 화소 행에 위치하는 화소(PX)들은 동일한 게이트 전압 공급선(127)으로부터 동일한 게이트 신호를 공급받을 수 있다. 세 번째 화소 행에 위치하는 화소(PX)들은 해당 화소(PX)의 우측에 위치하는 데이터선(171)에 연결될 수 있고, 네 번째 화소 행에 위치하는 화소(PX)들은 해당 화소(PX)의 우측에 위치하는 데이터선(171)에 연결될 수 있다. 이때, 세 번째 및 네 번째 화소 행에 위치하는 화소(PX)들은 동일한 게이트 전압 공급선(127)으로부터 동일한 게이트 전압을 공급받을 수 있다.
일부 데이터선(171)에는 정극성의 데이터 전압이 인가될 수 있고, 다른 일부 데이터선(171)에는 부극성의 데이터 전압이 인가될 수 있다. 하나의 화소 열에 연결되어 있는 2개의 데이터선(171)에는 상이한 극성의 데이터 전압이 인가될 수 있다. 또한, 행 방향으로 인접한 두 화소 사이에 위치하는 2개의 데이터선(171)에는 동일한 극성의 데이터 전압이 인가될 수 있다. 예를 들면, 첫 번째 화소 열에 연결되어 있는 2개의 데이터선(171) 중 좌측에 위치하는 데이터선(171)에는 정극성의 데이터 전압이 인가되고, 우측에 위치하는 데이터선(171)에는 부극성의 데이터 전압이 인가될 수 있다. 또한, 두 번째 화소 열에 연결되어 있는 2개의 데이터선(171) 중 좌측에 위치하는 데이터선(171)에는 부극성의 데이터 전압이 인가되고, 우측에 위치하는 데이터선(171)에는 정극성의 데이터 전압이 인가될 수 있다. 또한, 세 번째 화소 열에 연결되어 있는 2개의 데이터선(171) 중 좌측에 위치하는 데이터선(171)에는 정극성의 데이터 전압이 인가될 수 있고, 우측에 위치하는 데이터선(171)에는 부극성의 데이터 전압이 인가될 수 있다.
인접한 게이트 전압 공급선(127) 사이에는 3개의 화소 열이 위치할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 인접한 게이트 전압 공급선(127) 사이에 위치하는 화소 열의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 인접한 게이트 전압 공급선(127) 사이에 1개의 화소 열이 위치할 수도 있고, 2개의 화소 열이 위치할 수도 있다. 게이트 전압 공급선(127)은 인접한 두 화소(PX) 사이에 위치할 수 있고, 게이트 전압 공급선(127)과 화소(PX) 사이에는 데이터선(171)이 위치할 수 있다. 인접한 2개의 데이터선(171) 사이에 게이트 전압 공급선(127)이 위치할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 각 화소(PX)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 연결되어 있는 박막 트랜지스터(Q) 및 박막 트랜지스터(Q)에 연결되어 있는 액정 축전기(Clc)를 포함한다. 박막 트랜지스터(Q)의 제어 단자는 게이트선(121)에 연결될 수 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결될 수 있으며, 출력 단자는 액정 축전기(Clc)에 연결될 수 있다. 도시는 생략하였으나, 각 화소(PX)는 박막 트랜지스터(Q)에 연결되어 있는 유지 축전기를 더 포함할 수 있다. 인접한 2개의 게이트선(121)은 동일한 게이트 전압 공급선(127)에 연결될 수 있다.
게이트 전압 공급선(127)에 게이트 온 전압이 인가되면, 게이트 전압 공급선(127)에 연결되어 있는 2개의 게이트선(121)에 게이트 온 전압이 전달되고, 2개의 게이트선(121)에 연결되어 있는 박막 트랜지스터(Q)들은 모두 턴-온 상태가 된다. 이에 따라 데이터선(171)을 통해 전달된 데이터 전압은 턴 온 된 박막 트랜지스터(Q)들을 통해 각 화소(PX)에 전달되어 액정 축전기(Clc)가 충전될 수 있다. 이때, 상하로 인접한 두 화소(PX)의 박막 트랜지스터(Q)는 동일한 게이트 전압 공급선(127)으로부터 동일한 게이트 신호를 인가 받아 동시에 턴-온 상태가 되나, 서로 다른 데이터선(171)으로부터 상이한 데이터 전압을 인가 받아 액정 축전기(Clc)에 충전되는 전압은 상이할 수 있다.
상기에서 일 실시예에 의한 표시 장치의 전체적인 구성에 대해 설명하였다. 이하에서는 도 3 내지 도 8을 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치의 인접한 3개의 화소를 중심으로 더욱 설명한다.
도 3은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3의 IV-IV선을 따라 나타낸 단면도이며, 도 5는 도 3의 V-V선을 따라 나타낸 단면도이다. 도 6 내지 도 8은 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 순서에 따라 순차적으로 도시한 평면도이다. 도 3 내지 도 8은 행 방향으로 인접한 3개의 화소를 도시하고 있다.
도 3 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 서로 마주하는 제1 표시판(100)과 제2 표시판(200), 제1 표시판(100)과 제2 표시판(200) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다.
먼저, 제1 표시판(100)에 대해 설명한다.
유리 또는 플라스틱 등과 같은 투명한 절연 물질로 이루어진 제1 기판(110) 위에 게이트선(121), 게이트 전극(124), 유지 전극선(131)을 포함하는 게이트 도전체가 위치할 수 있다. 도 6은 게이트 도전체를 도시하고 있다. 게이트 도전체는 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등과 같은 저저항 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 게이트 도전체는 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.
게이트선(121)은 주로 행 방향으로 연장되어 있고 게이트 신호를 전달한다. 도시된 실시예와 달리, 게이트선(121)은 주로 열 방향으로 연장되어 있을 수도 있다. 게이트 전극(124)은 게이트선(121)과 일체로 형성되어 있으며, 게이트선(121)으로부터 돌출되어 있다. 본 명세서에서 일체로 형성되어 있다는 것은 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성되고 서로 연결되어 있음을 의미한다. 게이트 전극(124)은 게이트선(121)으로부터 게이트 신호를 전달받을 수 있다. 한 쌍의 게이트선(121)이 나란하게 연장되어 있고, 게이트 전극(124)은 한 쌍의 게이트선(121)과 연결되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 게이트 전극(124)은 단일의 게이트선(121)에 연결될 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 한 쌍의 게이트선(121)이 게이트 전극(124)과 연결됨으로써, 리페어 공정 진행시 한 쌍의 게이트선(121) 중 어느 하나를 컷팅하여 단락시키더라도 다른 하나의 게이트선(121)을 통해 게이트 신호가 전달될 수 있다.
유지 전극선(131)은 제1 부분(131a) 및 제2 부분(131b)을 포함할 수 있다. 유지 전극선(131)의 제1 부분(131a)은 게이트선(121)과 인접하고, 게이트선(121)과 나란하게 주로 행 방향으로 연장되어 인접한 화소와 연결될 수 있다. 유지 전극선(131)의 제1 부분(131a)은 게이트 전극(124)과 인접한 부분에서 넓은 폭을 가지는 부분이 있을 수 있으며, 해당 부분은 드레인 전극(175)과 중첩할 수 있다. 유지 전극선(131)의 제2 부분(131b)은 제1 부분(131a)으로부터 돌출되어 있으며, 데이터선(171)과 나란하게 주로 열 방향으로 연장되어 인접한 화소 사이에 위치할 수 있다. 다만, 유지 전극선(131)의 형상 및 위치는 이에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다. 유지 전극선(131)에는 일정한 전압이 인가될 수 있다.
게이트 도전체는 보조 전극(129)을 더 포함할 수 있다. 보조 전극(129)은 유지 전극선(131)의 제2 부분(131b)과 나란하게 주로 열 방향으로 연장될 수 있다. 보조 전극(129)은 데이터선과 나란한 방향으로 연장될 수 있다. 보조 전극(129) 인접한 화소 사이에 위치할 수 있다. 보조 전극(129)은 인접한 유지 전극선(131)의 제2 부분(131b) 사이에 위치할 수 있다. 인접한 보조 전극(129) 사이에는 3개의 화소가 위치할 수 있다.
게이트 도전체 위에는 게이트 절연층(140)이 위치할 수 있다. 게이트 절연층(140)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(140) 위에는 반도체(154)가 위치할 수 있다. 반도체(154)는 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 반도체(154)는 게이트 전극(124)과 중첩할 수 있다.
반도체(154) 위에는 데이터선(171), 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 게이트 전압 공급선(127)을 포함하는 데이터 도전체가 위치할 수 있다. 도 7은 게이트 도전체 및 데이터 도전체를 함께 도시하고 있다. 데이터 도전체는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등과 같은 저저항 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 데이터 도전체는 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.
데이터선(171)은 주로 열 방향으로 연장되어 있고, 데이터 전압을 전달한다. 도시된 실시예와 달리 데이터선(171)은 주로 행 방향으로 연장되어 있을 수도 있다. 데이터선(171)은 게이트선(121)과 교차할 수 있다.
소스 전극(173)은 데이터선(171)과 일체로 형성되어 있으며, 데이터선(171)으로부터 돌출되어 있다. 도시된 실시예와 달리, 데이터선(171)의 일부분이 소스 전극(173)을 구성할 수도 있다. 소스 전극(173)은 U자형으로 구부러진 형상을 가질 수 있다. 드레인 전극(175)은 소스 전극(173)과 소정 간격으로 이격되어 있다. 드레인 전극(175)의 한쪽 끝은 소스 전극(173)에 의해 둘러싸여 있을 수 있다. 드레인 전극(175)의 다른 쪽 끝은 넓은 폭을 가질 수 있고, 유지 전극선(131)의 제1 부분(131a)과 중첩할 수 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 게이트 전극(124)과 중첩할 수 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 게이트 전극(124) 위에서 서로 이격되어 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)의 형상은 다양하게 변경이 가능하다.
도시는 생략하였으나, 반도체(154)와 소스 전극(173) 사이, 반도체(154)와 드레인 전극(175) 사이에는 저항성 접촉층(ohmic contact layer)이 더 위치할 수 있다. 저항성 접촉층은 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체(154)와 함께 박막 트랜지스터(Q)를 이룬다. 박막 트랜지스터(Q)의 채널은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체(154) 부분에 형성될 수 있다.
게이트 전압 공급선(127)은 데이터선(171)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 즉, 게이트 전압 공급선(127)은 데이터선(171)과 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 게이트 전압 공급선(127)은 데이터선(171)과 나란하게 주로 열 방향으로 연장될 수 있다. 게이트 전압 공급선(127)은 게이트선(121)과 교차할 수 있으며, 게이트선(121)과 중첩할 수 있다. 게이트 절연층(140)에는 게이트 전압 공급선(127) 및 게이트선(121)과 중첩하는 개구부(183)가 형성될 수 있다. 게이트 절연층(140)의 개구부(183)는 게이트선(121) 위에 위치할 수 있다. 게이트 절연층(140)의 개구부(183) 내와 게이트 절연층(140) 위에 게이트 전압 공급선(127)이 위치할 수 있다. 따라서, 게이트 전압 공급선(127)은 개구부(183)를 통해 게이트선(121)과 연결될 수 있다. 게이트선(121)은 게이트 전압 공급선(127)으로부터 게이트 신호를 전달받아 박막 트랜지스터(Q)의 게이트 전극(124)에 인가하게 된다.
게이트 전압 공급선(127)은 보조 전극(129)과 나란하게 연장될 수 있다. 게이트 전압 공급선(127)은 보조 전극(129)과 중첩할 수 있다. 게이트 절연층(140)에는 게이트 전압 공급선(127) 및 보조 전극(129)과 중첩하는 개구부(185)가 형성될 수 있다. 게이트 절연층(140)의 개구부(185)는 보조 전극(129) 위에 위치할 수 있다. 게이트 절연층(140)의 개구부(185) 내와 게이트 절연층(140) 위에 게이트 전압 공급선(127)이 위치할 수 있다. 따라서, 게이트 전압 공급선(127)은 개구부(185)를 통해 보조 전극(129)과 연결될 수 있다. 게이트 전압 공급선(127)이 보조 전극(129)과 연결됨으로써, 게이트 전압 공급선(127)의 저항을 낮출 수 있다.
게이트 전압 공급선(127)은 인접한 화소 사이에 위치할 수 있다. 게이트 전압 공급선(127)은 인접한 데이터선(171) 사이에 위치할 수 있다. 인접한 게이트 전압 공급선(127) 사이에는 3개의 화소 열이 위치할 수 있다. 인접한 게이트 전압 공급선(127) 사이에는 6개의 데이터선(171)이 위치할 수 있다.
데이터 도전체 위에는 제1 보호층(160a)이 위치할 수 있다. 제1 보호층(160a)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 보호층(160a)은 유기 절연 물질을 포함할 수도 있다.
제1 보호층(160a) 위에는 색 필터(230)가 위치할 수 있다. 색 필터(230)는 기본 색(primary color) 중 하나를 고유하게 표시할 수 있다. 기본 색은 예컨대 적색(red), 녹색(green) 및 청색(blue)의 삼원색으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 색 필터(230)는 적색을 표시하는 제1 색 필터(230R), 녹색을 표시하는 제2 색 필터(230G) 및 청색을 표시하는 제3 색 필터(230B)를 포함할 수 있다. 다만, 색 필터(230)가 표시하는 색상은 적색, 녹색 및 청색의 삼원색에 제한되지 않으며, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 황색(yellow)일 수 있다. 색 필터는 백색이나 기본 색의 혼합 색을 표시할 수도 있다.
색 필터(230) 위에는 제2 보호층(160b)이 위치할 수 있다. 제2 보호층(160b)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 보호층(160b)은 색 필터(230)가 들뜨는 것을 방지하고 색 필터(230)로부터 유입되는 용제(solvent)와 같은 유기물에 의해 다른 층이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
제1 보호층(160a) 및 제2 보호층(160b) 중 적어도 어느 하나가 생략될 수도 있다. 또한, 색 필터(230)는 제1 표시판(100) 대신 제2 표시판(200)에 위치할 수도 있다.
제2 보호층(160b) 위에는 차폐 전극(195)이 위치할 수 있다. 도 8은 게이트 도전체, 데이터 도전체 및 차폐 전극을 함께 도시하고 있다. 차폐 전극(195)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 산화물로 이루어질 수 있다.
차폐 전극(195)은 화소 전극(191)과 중첩하는 메인 전극부(195a) 및 인접한 화소 전극(191) 사이의 영역과 중첩하는 브릿지부(195b)를 포함할 수 있다.
차폐 전극(195)의 메인 전극부(195a)는 각 화소 열을 따라 주로 열 방향으로 연장되어 있다. 1개의 메인 전극부(195a)는 3개의 화소 열과 중첩할 수 있다. 즉, 메인 전극부(195a)가 행 방향으로 인접하는 3개의 화소 전극(191) 및 이들 화소 전극(191) 사이의 영역을 덮도록 위치할 수 있다. 이때, 1개의 메인 전극부(195a)와 중첩하는 3개의 화소 열은 인접한 게이트 전압 공급선(127) 사이에 위치할 수 있다. 메인 전극부(195a)는 데이터선(171)과도 중첩할 수 있다. 1개의 메인 전극부(195a)는 6개의 데이터선(171)과 중첩할 수 있다. 즉, 메인 전극부(195a)가 인접하는 6개의 데이터선(171) 및 이들 데이터선(171) 사이의 영역을 덮도록 위치할 수 있다. 이때, 1개의 메인 전극부(195a)와 중첩하는 6개의 데이터선(171)은 인접한 게이트 전압 공급선(127) 사이에 위치할 수 있다. 메인 전극부(195a)는 게이트 전압 공급선(127)과는 중첩하지 않을 수 있다.
차폐 전극(195)의 브릿지부(195b)는 인접한 메인 전극부(195a) 사이에 위치하고, 메인 전극부(195a)로부터 연장되어 있다. 즉, 브릿지부(195b)가 인접한 메인 전극부(195a)를 연결할 수 있다. 따라서, 복수의 메인 전극부(195a)는 브릿지부(195b)에 의해 전체적으로 연결되어 동일한 전압이 인가될 수 있다. 차폐 전극(195)에는 일정한 공통 전압이 인가될 수 있다. 브릿지부(195b)는 게이트 전압 공급선(127)과 중첩할 수 있다. 브릿지부(195b)는 화소 전극(191)과는 중첩하지 않을 수 있다. 브릿지부(195b)는 게이트 전압 공급선(127)과 교차하도록 대략 행 방향으로 연장될 수 있다. 이때, 브릿지부(195b)의 폭은 게이트 전압 공급선(127)의 폭보다 좁을 수 있다. 브릿지부(195b)는 복수의 메인 전극부(195a)를 전기적으로 연결하되, 게이트 전압 공급선(127)과의 중첩 면적을 최소화할 수 있도록 좁은 폭으로 형성될 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 차폐 전극(195)의 브릿지부(195b)와 게이트 전압 공급선(127)의 중첩 면적을 최소화함으로써, 게이트 전압 공급선(127)의 RC 지연을 방지할 수 있다.
차폐 전극(195)은 개구부(195c)를 더 포함할 수 있다. 개구부(195c)는 차폐 전극(195)의 메인 전극부(195a)의 일부가 오픈된 영역이다. 개구부(195c)는 박막 트랜지스터(Q)와 중첩할 수 있다. 즉, 개구부(195c)는 박막 트랜지스터(Q)와 중첩하는 차폐 전극(195)의 일부 영역이 제거되어 형성될 수 있다. 개구부(195c)는 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)의 대부분의 영역과 중첩할 수 있다. 차폐 전극(195)에 개구부(195c)를 형성하여 차폐 전극(195)이 박막 트랜지스터(Q)와 중첩하는 영역을 최소화함으로써, 차폐 전극(195)과 박막 트랜지스터(Q) 사이에 발생할 수 있는 전기적인 영향을 방지할 수 있다.
차폐 전극(195) 위에는 절연층(180)이 위치할 수 있다. 절연층(180)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 절연층(180)은 포토 레지스트(photoresist) 등의 감광성 물질을 포함할 수도 있다.
절연층(180)은 드레인 전극(175)과 중첩하는 화소 개구부(181)를 포함할 수 있다. 화소 개구부(181)는 절연층(180)뿐만 아니라 제1 보호층(160a), 색 필터(230) 및 제2 보호층(160b)에 더 형성될 수 있다. 화소 개구부(181)에 의해 드레인 전극(175)의 상부면의 적어도 일부가 드러날 수 있다.
절연층(180) 위에는 화소 전극(191)이 위치할 수 있다. 화소 전극(191)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 화소 전극(191)은 차폐 전극(195)과 동일한 물질로 이루어질 수도 있고, 상이한 물질로 이루어질 수도 있다. 화소 전극(191)은 차폐 전극(195)과 상이한 층에 위치하며, 상이한 공정에 의해 형성될 수 있다.
화소 전극(191)은 전체적으로 대략 직사각형일 수 있다. 화소 전극(191)은 게이트선(121)과 나란한 두 개의 변 및 데이터선(171)과 나란한 두 개의 변을 포함하는 직사각형으로 이루어질 수 있다. 다만, 화소 전극(191)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 화소 전극(191)의 전체적인 형상은 대략 직사각형으로 이루어지고, 화소 전극(191)이 서로 교차하는 가로 줄기부와 세로 줄기부, 및 이들로부터 연장되어 있는 미세 가지부를 포함할 수도 있다. 가로 줄기부는 대략 가로 방향으로 연장되어 게이트선(121)과 나란하고, 세로 줄기부는 대략 세로 방향으로 연장되어 데이터선(171)과 나란할 수 있다. 화소 전극(191)은 가로 줄기부 및 세로 줄기부에 의해 4개의 부영역으로 나뉘어질 수 있다. 미세 가지부는 가로 줄기부 및 세로 줄기부로부터 비스듬하게 연장되어 있으며, 그 연장 방향은 게이트선(121) 또는 가로 줄기부와 대략 45도 또는 135도의 각을 이룰 수 있다. 또한, 화소 전극(191)은 미세 가지부의 단부를 연결하는 외곽 줄기부를 더 포함할 수도 있다.
화소 전극(191)은 드레인 전극(175)과 인접한 한 변으로부터 돌출되어 있는 돌출부를 포함할 수 있고, 돌출부는 드레인 전극(175)과 중첩할 수 있다. 화소 전극(191)은 드레인 전극(175) 및 화소 개구부(181)와 중첩할 수 있다. 화소 전극(191)은 화소 개구부(181)를 통해 드레인 전극(175)과 연결될 수 있다. 화소 전극(191)은 박막 트랜지스터(Q)가 턴-온 상태에서 데이터선(171)으로부터 데이터 전압을 인가 받게 된다. 차폐 전극(195)의 개구부(195c)는 화소 개구부(181)와 중첩할 수 있다. 차폐 전극(195)의 개구부(195c)는 화소 개구부(181)보다 클 수 있다. 차폐 전극(195)의 개구부(195c)는 화소 개구부(181)를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다. 차폐 전극(195)은 드레인 전극(175)의 상부층에 위치하고, 화소 전극(191)의 하부층에 위치하고 있다. 이때, 차폐 전극(195)이 드레인 전극(175)과 화소 전극(191)이 연결되는 부분과 중첩하게 되면, 차폐 전극(195)이 드레인 전극(175) 또는 화소 전극(191)과 단락될 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치의 차폐 전극(195)에는 드레인 전극(175)과 화소 전극(191)이 서로 연결되는 화소 개구부(181)와 중첩하는 부분에 개구부(195c)가 형성되어 있으므로, 차폐 전극(195)이 인접한 금속층과 단락되는 것을 방지할 수 있다.
화소 전극(191)은 차폐 전극(195)과 중첩할 수 있다. 화소 전극(191)의 대부분의 영역은 차폐 전극(195)과 중첩할 수 있다. 화소 전극(191)은 드레인 전극(175)과의 연결부를 제외한 나머지 부분이 대부분 차폐 전극(195)과 중첩할 수 있다. 화소 전극(191)은 데이터선(171)과 중첩할 수 있다. 화소 전극(191)과 데이터선(171) 사이에는 차폐 전극(195)이 위치할 수 있다. 차폐 전극(195)의 하부층에 데이터선(171)이 위치할 수 있고, 차폐 전극(195)의 상부층에 화소 전극(191)이 위치할 수 있다. 하나의 화소 전극(191)은 2개의 데이터선(171)과 중첩할 수 있다. 화소 전극(191)의 좌측 가장자리 부분이 2개의 데이터선(171) 중 어느 하나와 중첩할 수 있고, 화소 전극(191)의 우측 가장자리 부분이 다른 하나와 중첩할 수 있다.
1개의 화소 전극(191)은 3개 또는 4개의 데이터선(171)과 인접할 수 있다. 예를 들면, 도 3에 도시되어 있는 3개의 화소 중 중간에 위치하고 있는 화소를 살펴보면, 화소 전극(191)이 4개의 데이터선(171)과 인접할 수 있다. 화소 전극(191)과 중첩하고 있는 2개의 데이터선(171) 및 이들과 인접하고 있는 2개의 데이터선이 화소 전극(191)과 인접할 수 있다. 이때, 4개의 데이터선(171) 중 2개의 데이터선(171)에는 정극성의 데이터 전압이 인가될 수 있고, 나머지 2개의 데이터선(171)에는 부극성의 데이터 전압이 인가될 수 있다. 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치하지 않더라도, 정극성의 데이터 전압이 인가되는 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 형성되는 커패시턴스와 부극성의 데이터 전압이 인가되는 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 형성되는 커패시턴스가 유사하므로 수직 크로스토크가 발생하지 않을 수 있다.
도 3에 도시되어 있는 3개의 화소 중 좌측에 위치하고 있는 화소를 살펴보면, 화소 전극(191)이 3개의 데이터선(171)과 인접할 수 있다. 화소 전극(191)과 중첩하고 있는 2개의 데이터선(171) 및 해당 화소와 우측으로 인접한 화소에 위치하는 1개의 데이터선(171)과 인접할 수 있다. 해당 화소와 좌측으로 인접한 화소에 위치하는 데이터선(171) 사이에는 게이트 전압 공급선(127)이 위치하고 있어 전기적인 영향을 거의 받지 않게 된다. 이때, 3개의 데이터선(171) 중 2개의 데이터선(171)에는 정극성의 데이터 전압이 인가될 수 있고, 나머지 1개의 데이터선(171)에는 부극성이 데이터 전압이 인가될 수 있다. 또는 3개의 데이터선(171) 중 2개의 데이터선(171)에는 부극성의 데이터 전압이 인가될 수 있고, 나머지 1개의 데이터선(171)에는 정극성이 데이터 전압이 인가될 수 있다. 따라서, 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치하지 않는다면, 정극성의 데이터 전압이 인가되는 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 형성되는 커패시턴스와 부극성의 데이터 전압이 인가되는 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 형성되는 커패시턴스의 차이에 의해 수직 크로스토크가 발생할 우려가 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이의 전기적인 영향을 차폐하여 수직 크로스토크가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 3에 도시되어 있는 3개의 화소 중 우측에 위치하고 있는 화소를 살펴보면, 화소 전극(191)이 3개의 데이터선(171)과 인접할 수 있다. 화소 전극(191)과 중첩하고 있는 2개의 데이터선(171) 및 해당 화소와 좌측으로 인접한 화소에 위치하는 1개의 데이터선(171)과 인접할 수 있다. 이때, 3개의 데이터선(171) 중 2개의 데이터선(171)에 인가되는 데이터 전압의 극성은 나머지 1개의 데이터선(171)에 인가되는 데이터 전압의 극성과 상이할 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이의 전기적인 영향을 차폐하여 수직 크로스토크의 발생을 방지할 수 있다.
차폐 전극(195)은 게이트 전압 공급선(127)과 인접하고, 게이트 전압 공급선(127)의 상부층에 위치하고 있다. 차폐 전극(195)은 화소 전극(191)과 중첩하고, 화소 전극(191)의 하부층에 위치하고 있다. 따라서, 차폐 전극(195)은 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이에 위치할 수 있다. 게이트 전압 공급선(127)에 게이트 온 전압이 인가될 때, 게이트 전압 공급선(127)과 연결되어 있는 게이트선(121)에 게이트 온 전압이 전달되고, 해당 게이트선(121)에 연결되어 있는 화소들의 화소 전극(191)에는 데이터 전압이 인가된다. 이때, 데이터 전압이 인가되는 화소 전극(191)과 게이트 온 전압이 인가되는 게이트 전압 공급선(127) 사이에 기생 커패시턴스가 형성될 수 있고, 킥백 전압값은 증가할 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이의 전기적인 영향을 차폐하여 킥백 전압값의 증가를 방지할 수 있다.
이어, 제2 표시판(200)에 대하여 설명한다.
유리 또는 플라스틱 등과 같은 투명한 절연 물질로 이루어진 제2 기판(210) 위에 공통 전극(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 공통 전극(270)은 복수의 화소(PX)에 걸쳐 또는 실질적으로 제2 표시판(200) 전체에 걸쳐 하나의 통판으로 형성될 수 있다. 다만, 공통 전극(270)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 공통 전극(270)에 슬릿이나 개구부가 형성되어 있을 수도 있다.
공통 전극(270)에는 일정한 공통 전압이 인가될 수 있다. 차폐 전극(195)과 공통 전극(270)에는 동일한 공통 전압이 인가될 수 있다.
도시는 생략하였으나, 제2 기판(210)과 공통 전극(270) 사이에는 차광 부재가 더 위치할 수 있다. 차광 부재는 화소 전극(191)의 가장자리, 박막 트랜지스터(Q), 게이트선(121), 게이트 전압 공급선(127) 및 데이터선(171) 등과 중첩할 수 있다. 차광 부재는 블랙 매트릭스라고도 하며 빛샘을 막아주는 역할을 할 수 있다.
도시는 생략하였으나, 차광 부재와 공통 전극(270) 사이에는 덮개막이 더 위치할 수 있다. 덮개막은 덮개막의 아래에 위치하는 구성 요소들을 평탄화시키고, 이들로부터 유입되는 유기물에 의한 액정층(3)의 오염을 억제하여 화면 구동시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지할 수 있다.
제1 표시판(100) 및 제2 표시판(200)의 안쪽 면에는 배향막(도시하지 않음)이 위치할 수 있으며, 이들은 수직 배향막일 수 있다.
두 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(도시하지 않음)가 위치할 수 있고, 두 편광자의 투과축은 직교하며 이중 한 투과축은 게이트선(121)에 대하여 나란할 수 있다. 다만, 편광자는 두 표시판(100, 200) 중 어느 하나의 바깥쪽 면에만 배치될 수도 있다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자(310)는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다. 따라서 전기장이 없는 상태에서 입사광은 직교 편광자를 통과하지 못하고 차단된다.
액정층(3)과 배향막 중 적어도 하나는 광 반응성 물질, 보다 구체적으로 반응성 메소겐(reactive mesogen)을 포함할 수 있다.
상기에서 액정 분자(310)가 초기에 수직으로 배향되는 경우에 대해 설명하였으나, 일 실시예에 의한 표시 장치는 이에 한정되지 않는다. 액정 분자(310)는 수평으로 배향될 수 있고, 배향막은 수평 배향막으로 이루어질 수 있다. 공통 전극(270)이 제2 표시판(200) 대신 제1 표시판(100)에 위치할 수도 있다. 상기에서, 공통 전극(270)이 액정층(3)의 위에 위치하는 경우에 대해 설명하였으나, 공통 전극(270)이 액정층(3)의 아래에 위치할 수도 있다.
상기에서 일 실시예에 의한 표시 장치의 게이트 전압 공급선(127)과 게이트선(121)이 연결되는 부분의 주변에 위치하는 화소에 대해 설명하였다. 이하에서는 도 9를 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치의 게이트 전압 공급선(127)과 게이트선(121)이 교차하되 서로 연결되지 않는 부분의 주변에 위치하는 화소에 대해 설명한다.
도 9는 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 서로 교차하는 게이트선(121)과 데이터선(171), 이들에 연결되어 있는 박막 트랜지스터(Q), 박막 트랜지스터(Q)에 연결되어 있는 화소 전극(191)을 포함한다. 일 실시예에 의한 표시 장치는 게이트선(121)과 교차하고, 데이터선(171)과 나란한 방향으로 연장되어 있는 게이트 전압 공급선(127)을 더 포함한다. 일 실시예에 의한 표시 장치는 데이터선(171) 및 화소 전극(191)과 중첩하고, 게이트 전압 공급선(127)과 인접한 차폐 전극(195)을 더 포함한다.
도 9는 게이트 전압 공급선(127)이 게이트선(121)과 연결되지 않는 부분을 도시하고 있다. 게이트선(121)에 게이트 온 전압이 인가될 때 해당 게이트선(121)에 연결되어 있는 화소들의 화소 전극(191)에는 데이터 전압이 인가되고, 게이트선(121)에 연결되어 있지 않은 게이트 전압 공급선(127)에는 게이트 오프 전압이 인가될 수 있다. 이때, 데이터 전압이 인가되는 화소 전극(191)과 게이트 오프 전압이 인가되는 게이트 전압 공급선(127) 사이에 기생 커패시턴스가 형성될 수 있고, 킥백 전압값은 감소할 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이에 전기적인 영향을 차폐하여 킥백 전압값의 감소를 방지할 수 있다.
상기에서 설명한 바와 같이 일 실시예에 의한 표시 장치는 액정 표시 장치로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 일 실시예에 의한 표시 장치는 다양한 표시 장치로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에 의한 표시 장치는 유기 발광 표시 장치, 전기 영동 표시 장치, 전기 습윤 표시 장치 등으로 이루어질 수도 있다. 또한, 일 실시예에 의한 표시 장치는 마이크로 발광 다이오드(Micro LED) 표시 장치, 양자점 발광 다이오드(QLED) 표시 장치, 양자점 유기 발광 다이오드(QD-OLED) 표시 장치 등의 차세대 표시 장치로 이루어질 수도 있다.
다음으로, 도 10을 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 10에 도시된 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 9에 도시된 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 하나의 게이트 전압 공급선이 1개의 게이트선과 연결되어 있고, 행 방향으로 인접한 두 화소 사이에는 1개의 데이터선이 위치한다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더욱 설명한다.
도 10은 일 실시예에 의한 표시 장치의 배치도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 제1 기판(110), 제1 기판(110) 위에 위치하는 게이트선(121), 게이트 전압 공급선(127), 데이터선(171), 및 게이트선(121)과 데이터선(171)에 연결되어 있는 화소(PX)를 포함한다.
앞선 실시예에서 하나의 게이트 전압 공급선(127)은 2개의 게이트선(121)에 연결되어 있고, 본 실시예에서 하나의 게이트 전압 공급선(127)은 1개의 게이트선(121)에 연결되어 있다. 앞선 실시예에서는 동일한 게이트 전압 공급선(127)에 연결되어 있는 2개의 게이트선(121)에는 동일한 게이트 신호가 인가된다. 본 실시예에서는 각 게이트선(121)은 서로 다른 게이트 전압 공급선(127)에 연결되어 있으므로, 복수의 게이트선(121) 각각에 서로 다른 게이트 신호가 인가된다.
앞선 실시예에서 행 방향으로 인접한 두 화소(PX) 사이에는 2개의 데이터선(171)이 위치하고, 본 실시예에서 행 방향으로 인접한 두 화소(PX) 사이에는 1개의 데이터선(171)이 위치한다. 앞선 실시예에서는 하나의 화소 열에 속하는 복수의 화소(PX)는 2개의 데이터선(171)에 번갈아 연결되어 있다. 즉, 하나의 화소 열에 속하는 복수의 화소(PX) 중 동일한 게이트 신호가 인가되는 두 화소(PX)는 서로 다른 데이터선(171)에 연결되어 있다. 본 실시예에서는 하나의 화소 열에 속하는 복수의 화소(PX)는 동일한 데이터선(171)에 연결되어 있다.
다만, 일 실시예에 의한 표시 장치는 이에 한정되는 것은 아니며, 화소(PX)와 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 연결 관계는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 행 방향으로 인접한 두 화소(PX) 사이에 1개의 데이터선(171)이 위치하고, 하나의 화소 열에 속하는 복수의 화소(PX)가 해당 화소 열의 양측에 위치하는 데이터선(171)에 번갈아 연결될 수도 있다.
앞선 실시예와 마찬가지로, 본 실시예에서 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이의 전기적인 영향을 방지할 수 있다. 또한, 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이의 전기적인 영향을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 11 내지 도 13을 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 11 내지 도 13에 도시된 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 9에 도시된 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 인접한 게이트 전압 공급선(127) 사이에 1개의 화소 열이 위치한다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더욱 설명한다.
도 11은 일 실시예에 의한 표시 장치의 배치도이고, 도 12는 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이며, 도 13은 도 12의 XIII-XIII선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 11 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 제1 기판(110), 제1 기판(110) 위에 위치하는 게이트선(121), 게이트 전압 공급선(127), 데이터선(171), 및 게이트선(121)과 데이터선(171)에 연결되어 있는 화소(PX)를 포함한다.
앞선 실시예에서 인접한 게이트 전압 공급선(127) 사이에는 3개의 화소 열이 위치하고, 본 실시예에서 인접한 게이트 전압 공급선(127) 사이에는 1개의 화소 열이 위치한다. 따라서 본 실시예에서는 각 화소(PX)의 양측에 게이트 전압 공급선(127)이 위치하게 된다. 즉, 각 화소(PX)의 좌측에 게이트 전압 공급선(127)이 위치하고, 각 화소(PX)의 우측에 게이트 전압 공급선(127)이 위치할 수 있다. 게이트 전압 공급선(127)은 인접한 두 화소(PX) 사이에 위치할 수 있고, 게이트 전압 공급선(127)과 화소(PX) 사이에는 데이터선(171)이 위치할 수 있다. 인접한 2개의 데이터선(171) 사이에 게이트 전압 공급선(127)이 위치할 수 있다. 하나의 화소 열에 속하는 복수의 화소(PX) 중 일부는 해당 화소 열의 좌측에 위치하는 데이터선(171)에 연결될 수 있고, 나머지 일부는 해당 화소 열의 우측에 위치하는 데이터선(171)에 연결될 수 있다. 하나의 화소 열에 연결되어 있는 2개의 데이터선(171)에는 상이한 극성의 데이터 전압이 인가될 수 있다.
앞선 실시예에서 차폐 전극(195)의 각 메인 전극부(195a)는 3개의 화소 전극(191)과 중첩하고, 본 실시예에서 차폐 전극(195)의 각 메인 전극부(195a)는 1개의 화소 전극(191)과 중첩한다. 앞선 실시예에서 차폐 전극(195)의 각 메인 전극부(195a)는 6개의 데이터선(171)과 중첩하고, 본 실시예에서 차폐 전극(195)의 각 메인 전극부(195a)는 2개의 데이터선(171)과 중첩한다.
본 실시예에서는 앞선 실시예에 비해 게이트 전압 공급선(127)의 개수가 더 많을 수 있다. 일부 게이트 전압 공급선(127)은 게이트선(121)과 연결되지 않을 수도 있다.
앞선 실시예와 마찬가지로, 본 실시예에서 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이의 전기적인 영향을 방지할 수 있다. 또한, 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이의 전기적인 영향을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 14 및 도 15를 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 14 및 도 15에 도시된 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 9에 도시된 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 차폐 전극이 박막 트랜지스터의 게이트 전극, 소스 전극 등과 중첩한다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더욱 설명한다.
도 14는 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이며, 도 15는 도 14의 XV-XV선을 따라 나타낸 단면도이다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 제1 기판(110), 제1 기판(110) 위에 위치하는 게이트선(121), 게이트 전압 공급선(127), 데이터선(171), 박막 트랜지스터(Q), 차폐 전극(195), 화소 전극(191)을 포함한다.
차폐 전극(195)에는 개구부(195c)가 형성될 수 있고, 차폐 전극(195)과 화소 전극(191) 사이에 위치하는 절연층(180)에는 화소 개구부(181)가 형성될 수 있다. 차폐 전극(195)의 개구부(195c)는 화소 개구부(181)와 중첩할 수 있다. 차폐 전극(195)의 개구부(195c)는 화소 개구부(181)보다 클 수 있다. 차폐 전극(195)의 개구부(195c)는 화소 개구부(181)를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
앞선 실시예에서 차폐 전극(195)의 개구부(195c)는 박막 트랜지스터(Q)의 대부분의 영역과 중첩하고, 본 실시예에서 차폐 전극(195)의 개구부(195c)는 박막 트랜지스터(Q)의 일부 영역과 중첩한다. 본 실시예에서 차폐 전극(195)의 개구부(195c)는 박막 트랜지스터(Q)의 드레인 전극(175)과 화소 전극(191)이 연결되는 부분 및 그 주변과 중첩하고, 이를 제외한 나머지 영역과는 중첩하지 않을 수 있다. 즉, 차폐 전극(195)이 박막 트랜지스터(Q)의 게이트 전극(124) 및 소스 전극(173)과 중첩할 수 있다.
앞선 실시예와 마찬가지로, 본 실시예에서 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이의 전기적인 영향을 방지할 수 있다. 또한, 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이의 전기적인 영향을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 16을 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 16에 도시된 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 9에 도시된 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 색 필터가 제1 표시판 대신 제2 표시판에 위치한다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더욱 설명한다.
도 16은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 제1 기판(110), 제1 기판(110) 위에 위치하는 게이트선(121), 게이트 전압 공급선(127), 데이터선(171), 박막 트랜지스터(Q), 차폐 전극(195), 화소 전극(191)을 포함한다.
앞선 실시예에서 데이터선(171)과 차폐 전극(195) 사이에는 제1 보호층(160a), 색 필터(230) 및 제2 보호층(160b)이 위치하고, 본 실시예에서 데이터선(171)과 차폐 전극(195) 사이에는 제1 보호층(160a) 및 제2 보호층(160b)이 위치한다.
본 실시예에서 제2 표시판(200)은 제2 기판(210) 위에 위치하는 색 필터(230)를 포함할 수 있다. 색 필터(230)는 제1 색 필터(230R), 제2 색 필터(230G) 및 제3 색 필터(230B)를 포함할 수 있다. 도시는 생략하였으나, 제1 색 필터(230R)와 제2 색 필터(230G) 사이의 경계, 제2 색 필터(230G)와 제3 색 필터(230B) 사이의 경계, 제3 색 필터(230B)와 제1 색 필터(230R) 사이의 경계에는 차광 부재가 위치할 수 있다. 색 필터(230) 위에는 공통 전극(270)이 위치할 수 있다. 색 필터(230)와 공통 전극(270) 사이에는 덮개막(240)이 더 위치할 수 있다.
앞선 실시예와 마찬가지로, 본 실시예에서 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이의 전기적인 영향을 방지할 수 있다. 또한, 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이에 차폐 전극(195)이 위치함으로써, 게이트 전압 공급선(127)과 화소 전극(191) 사이의 전기적인 영향을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Q: 박막 트랜지스터 110: 제1 기판
121: 게이트선 124: 게이트 전극
127: 게이트 전압 공급선 131: 유지 전극선
140: 게이트 절연층 154: 반도체
171: 데이터선 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 195: 차폐 전극
195a: 차폐 전극의 메인 전극부
195b: 차폐 전극의 브릿지부
195c: 차폐 전극의 개구부
160a: 제1 보호층 160b: 제2 보호층
180: 절연층 181: 화소 개구부
183, 185: 개구부 191: 화소 전극
210: 제2 기판 230: 색 필터
270: 공통 전극

Claims (20)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 위치하고, 제1 방향으로 연장되어 있는 게이트선,
    상기 게이트선 위에 위치하는 게이트 절연층,
    상기 게이트 절연층 위에 위치하고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 있는 데이터선,
    상기 게이트 절연층 위에 위치하고, 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전압 공급선,
    상기 데이터선 및 상기 게이트 전압 공급선 위에 위치하는 보호층,
    상기 보호층 위에 위치하는 차폐 전극,
    상기 차폐 전극 위에 위치하는 절연층, 및
    상기 절연층 위에 위치하고, 상기 차폐 전극과 중첩하는 화소 전극을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 게이트 전압 공급선은 상기 데이터선과 동일한 층에 위치하는 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 화소 전극 위에 위치하는 액정층, 및
    상기 액정층 위 또는 아래에 위치하는 공통 전극을 더 포함하고,
    상기 공통 전극 및 상기 차폐 전극에는 동일한 공통 전압이 인가되는 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 차폐 전극은
    상기 화소 전극과 중첩하는 메인 전극부, 및
    인접한 메인 전극부 사이에 위치하고, 상기 메인 전극부로부터 연장되어 있는 브릿지부를 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 메인 전극부는 상기 데이터선과 더 중첩하고, 상기 게이트 전압 공급선과는 중첩하지 않는 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 브릿지부는 상기 게이트 전압 공급선과 중첩하는 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 브릿지부는 제1 방향으로 연장되어 있고,
    상기 브릿지부의 폭은 상기 게이트 전압 공급선의 폭보다 좁은 표시 장치.
  8. 제6항에서,
    상기 브릿지부는 상기 화소 전극과는 중첩하지 않는 표시 장치.
  9. 제4항에서,
    상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 따라 매트릭스 형태로 배열되어 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 복수의 화소를 더 포함하고,
    인접한 게이트 전압 공급선 사이에는 상기 제2 방향을 따라 복수의 화소가 배치되어 있는 화소 열이 3개 위치하고,
    상기 메인 전극부는 3개의 화소 전극과 중첩하는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 게이트 전압 공급선은 2개의 게이트선과 연결되어 있고,
    하나의 화소 열은 서로 다른 극성의 데이터 전압이 인가되는 2개의 데이터선과 연결되어 있고,
    상기 메인 전극부는 6개의 데이터선과 중첩하는 표시 장치.
  11. 제4항에서,
    상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 따라 매트릭스 형태로 배열되어 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 복수의 화소를 더 포함하고,
    인접한 게이트 전압 공급선 사이에는 상기 제2 방향을 따라 복수의 화소가 배치되어 있는 화소 열이 1개 위치하고,
    상기 메인 전극부는 1개의 화소 전극과 중첩하는 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 게이트 전압 공급선은 2개의 게이트선과 연결되어 있고,
    하나의 화소 열은 서로 다른 극성의 데이터 전압이 인가되는 2개의 데이터선과 연결되어 있고,
    상기 메인 전극부는 2개의 데이터선과 중첩하는 표시 장치.
  13. 제1항에서,
    상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 및
    상기 박막 트랜지스터와 중첩하도록 상기 차폐 전극에 형성되어 있는 개구부를 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 박막 트랜지스터는
    상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극,
    상기 데이터선에 연결되어 있는 소스 전극, 및
    상기 화소 전극에 연결되어 있는 드레인 전극을 포함하고,
    상기 드레인 전극 및 상기 화소 전극과 중첩하도록 상기 보호층 및 상기 절연층에 형성되어 있는 화소 개구부를 더 포함하고,
    상기 화소 전극은 상기 화소 개구부를 통해 상기 드레인 전극과 연결되어 있고,
    상기 개구부는 상기 화소 개구부와 중첩하는 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 개구부는 상기 화소 개구부를 둘러싸는 표시 장치.
  16. 제1항에서,
    상기 차폐 전극은 투명한 금속 산화물을 포함하는 표시 장치.
  17. 기판,
    상기 기판 위에 위치하고, 서로 교차하는 게이트선 및 데이터선,
    상기 데이터선과 동일한 층에 위치하고, 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전압 공급선,
    상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, 및
    상기 데이터선과 상기 화소 전극 사이에 위치하는 차폐 전극을 포함하는 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 차폐 전극은
    상기 화소 전극과 중첩하는 메인 전극부, 및
    인접한 복수의 메인 전극부 사이에 위치하고, 상기 메인 전극부로부터 연장되어 있는 브릿지부를 포함하는 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 메인 전극부는 상기 데이터선과 더 중첩하고, 상기 게이트 전압 공급선과는 중첩하지 않는 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 브릿지부는 상기 게이트 전압 공급선과 중첩하고, 상기 화소 전극과는 중첩하지 않고,
    상기 브릿지부의 폭은 상기 게이트 전압 공급선의 폭보다 좁은 표시 장치.
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CN114973993B (zh) * 2022-05-24 2024-01-02 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101534421B1 (ko) 2011-11-25 2015-07-06 상하이 티안마 마이크로-일렉트로닉스 컴퍼니., 리미티드 Tft 어레이 기판 및 그의 형성 방법, 및 디스플레이 패널
KR102033619B1 (ko) * 2013-06-25 2019-10-18 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102059788B1 (ko) 2013-12-19 2020-02-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
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CN104934443A (zh) * 2015-05-04 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
TWI599835B (zh) * 2016-10-17 2017-09-21 友達光電股份有限公司 畫素單元及其顯示面板
KR102651717B1 (ko) * 2020-01-07 2024-03-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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