KR20210140937A - Hvdc 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법 - Google Patents

Hvdc 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210140937A
KR20210140937A KR1020200057749A KR20200057749A KR20210140937A KR 20210140937 A KR20210140937 A KR 20210140937A KR 1020200057749 A KR1020200057749 A KR 1020200057749A KR 20200057749 A KR20200057749 A KR 20200057749A KR 20210140937 A KR20210140937 A KR 20210140937A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sub
module
voltage
bypass
capacitor
Prior art date
Application number
KR1020200057749A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102387824B1 (ko
Inventor
홍정기
서동우
Original Assignee
효성중공업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 효성중공업 주식회사 filed Critical 효성중공업 주식회사
Priority to KR1020200057749A priority Critical patent/KR102387824B1/ko
Priority to PCT/KR2021/005849 priority patent/WO2021230606A1/ko
Priority to US17/623,133 priority patent/US11909303B2/en
Publication of KR20210140937A publication Critical patent/KR20210140937A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102387824B1 publication Critical patent/KR102387824B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • H02M1/325—Means for protecting converters other than automatic disconnection with means for allowing continuous operation despite a fault, i.e. fault tolerant converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/483—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/483—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels
    • H02M7/4835—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels comprising two or more cells, each including a switchable capacitor, the capacitors having a nominal charge voltage which corresponds to a given fraction of the input voltage, and the capacitors being selectively connected in series to determine the instantaneous output voltage
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/10—Flexible AC transmission systems [FACTS]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/60—Arrangements for transfer of electric power between AC networks or generators via a high voltage DC link [HVCD]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치는 HVDC 시스템 내 전압을 발생시키는 서브 모듈, 서브 모듈의 입력단에 위치한 바이패스 스위치를 구동시키는 바이패스 스위치 구동부, 서브 모듈의 상태를 모니터링하여 시스템 제어기로 전달하고, 시스템 제어기의 명령에 의해 서브 모듈 및 바이패스 스위치 구동부를 제어하는 서브 모듈 제어기, 및 서브 모듈 내에 위치한 캐패시터의 전압을 감시하여 바이패스 스위치 구동부를 제어하는 전압 감시부로 이루어진다.

Description

HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법{Bypass device for HVDC Sub module and Method thereof}
본 발명은 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법에 관한 것으로, 상세하게는, HVDC 서브 모듈 내에 위치한 캐패시터(Capacitor)를 보호하기 위한 바이패스(Bypass) 기능에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 HVDC 서브 모듈의 바이패스 회로를 이중화하여 안정적으로 HVDC 시스템을 운용할 수 있는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근 전력 계통을 연계하기 위해 교류 전력 계통을 그대로 연계하는 방식보다 교류 전력을 직류 전력으로 변환하여 전력 계통을 연계하는 방식에 대한 관심이 증대되고 있다.
HVDC(High Voltage Direct Current) 시스템은 발전소에서 생성된 교류전력(AC: Alternating Current)을 직류(DC: Direct Current)로 변환하여 필요한 곳까지 송전한 뒤, 다시 교류로 바꾸어 수요자에게 공급하는 시스템이다. 최근에는 HVDC 시스템을 작은 용량의 다수 개의 서브 모듈(sub module)들이 직렬로 연결된 다수 개의 모듈형 컨버터로 구성하여 발전하여 왔다.
이때, HVDC 시스템에서 직류 링크부에 사용되는 캐패시터는 DC 에너지의 전압 연계 및 전압 평활화, 그리고 충방전 에너지의 완충용으로 주로 사용된다. 그러나, 이와 같은 캐패시터의 사용 증대는 열화 및 온도 상승 등으로 인한 전해질 분출 등의 사고 발생 시 HVDC 시스템에서의 단락 사고로 이어지는 매우 위험한 상황이 될 수 있으므로, 이에 대한 고장진단 시스템의 연구가 지속되어 왔다.
그 일례로, 대한민국 특허공개공보 제10-2019-0065675호에서는 각각의 서브모듈에 대한 데이터에 기초하여 각 서브모듈 별로 캐패시터 용량 변화의 추이를 분석하는 멀티레벨 컨버터를 구비한 HVDC 시스템의 캐패시터 용량 추정장치 및 그 캐패시터 용량 추정방법을 제안하였다.
그러나, 이 경우에도 서브 모듈의 캐패시터를 제어하는 회로에 고장이 발생하게 되면 HVDC 시스템의 단선을 야기할 수 있는 단점이 있다.
대한민국 특허공개공보 제10-2019-0065675호(2019.06.12)
본 발명의 목적은, HVDC 서브 모듈 내의 서브 모듈 제어기에 고장이 발생하여도 서브 모듈 내의 캐패시터 전압을 감지하여 바이패스시키는 부가적인 장치를 사용함으로써, 서브 모듈 내의 캐패시터를 보호하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치의 구동부를 이중화하여 HVDC 서브 모듈의 바이패스 기능을 안정적으로 수행할 수 있도록 함으로써, HVDC 서브 모듈의 고장으로 인한 HVDC 시스템의 단선을 방지하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
본 발명에 따른 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치는, HVDC(High Voltage Direct Current) 시스템 내 전압을 발생시키는 서브 모듈; 상기 서브 모듈의 입력단에 위치한 바이패스 스위치를 구동시키는 바이패스 스위치 구동부; 상기 서브 모듈의 상태를 모니터링하여 시스템 제어기로 전달하고, 상기 시스템 제어기의 명령에 의해 상기 서브 모듈 및 상기 바이패스 스위치 구동부를 제어하는 서브 모듈 제어기; 및 상기 서브 모듈 내에 위치한 캐패시터의 전압을 감시하여 상기 바이패스 스위치 구동부를 제어하는 전압 감시부;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 서브 모듈은, 에너지를 저장 및 방출하는 상기 캐패시터; 상기 서브 모듈의 'P' 입력과 상기 캐패시터의 '+' 단자 사이에 위치한 IGBT1 및 제 1 다이오드; 및 상기 서브 모듈의 'N' 입력과 연결된 상기 캐패시터의 '-' 단자와 'P' 입력 사이에 위치한 IGBT2 및 제 2 다이오드;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 바이패스 스위치는, 상기 서브 모듈의 'P' 입력과 'N'입력 간에 연결되어 상기 바이패스 스위치 구동부의 제어에 의해 'P' 입력과 'N'입력을 바이패스시킬 수 있다.
또한, 상기 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1 및 상기 IGBT2를 모두 'off'로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압 보다 높은 구간에 대해, 상기 서브 모듈의 입력 에너지가 상기 제 1 다이오드를 통해 상기 캐패시터로 저장되도록 할 수 있다.
또한, 상기 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1은 'on'으로 제어하고, 상기 IGBT2는 'off'로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압 보다 낮은 구간에 대해, 상기 캐패시터에 충전된 에너지가 상기 서브 모듈의 입력으로 방출되도록 할 수 있다.
또한, 상기 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1은 'off'로 제어하고 상기 IGBT2는 'on'으로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력과 'N' 입력을 바이패스시킬 수 있다.
또한, 상기 서브 모듈 제어기는, 상기 캐패시터의 전압이 운전 전압과 캐패시터 한계 전압 사이에 위치한 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압을 초과할 경우 상기 바이패스 스위치 구동부를 제어하여 상기 서브 모듈의 입력단에서 바이패스를 수행할 수 있다.
또한, 상기 전압 감시부는, 상기 캐패시터의 전압이 상기 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압과 상기 캐패시터 한계 전압 사이에 위치한 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압을 초과할 경우, 상기 바이패스 스위치 구동부를 제어하여 상기 서브 모듈의 입력단에서 바이패스를 수행할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 HVDC 서브 모듈의 바이패스 방법은, 시스템 제어기로부터 서브 모듈 제어기가 제어 명령을 수신받는 시스템 제어기 명령 수신단계; 상기 제어 명령이 '에너지 저장'인 경우, 상기 서브 모듈 제어기가 서브 모듈의 IGBT1 및 IGBT2를 제어하여 상기 서브 모듈 내의 캐패시터에 에너지를 저장할 수 있는 경로를 구성하는 에너지 저장단계; 상기 제어 명령이 '에너지 방출'인 경우, 상기 서브 모듈 제어기가 상기 서브 모듈의 상기 IGBT1 및 상기 IGBT2를 제어하여 상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 에너지를 방출할 수 있는 경로를 구성하는 에너지 방출단계; 상기 제어 명령이 '바이패스'인 경우, 상기 서브 모듈 제어기가 상기 서브 모듈의 상기 IGBT1 및 상기 IGBT2를 제어하여 상기 서브 모듈 내의 캐패시터와의 경로를 차단하고 바이패스 경로를 구성하는 바이패스단계; 상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 전압이 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압 보다 큰 지 확인하여 상기 캐패시터의 전압이 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V830) 보다 작을 경우, 상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 전압을 상기 시스템 제어기로 전달하는 캐패시터 전압 전달단계; 상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 전압이 상기 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압 보다 클 경우 또는 상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 전압과 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압을 비교하여 상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 전압이 상기 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압 보다 클 경우, 바이패스 스위치 구동부를 on 시키는 바이패스 스위치 구동부 on단계; 및 상기 바이패스 스위치 구동부가 바이패스 스위치를 on 시키는 바이패스 스위치 on단계;를 포함할 수 있다.
이때, 상기 에너지 저장단계에서, 상기 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1 및 상기 IGBT2를 모두 'off'로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압보다 높은 구간에 대해, 상기 서브 모듈의 입력 전류가 제 1 다이오드를 통해 상기 캐패시터로 저장되도록 할 수 있다.
또한, 상기 에너지 방출단계에서, 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1은 'on'으로 제어하고, 상기 IGBT2는 'off'로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압보다 낮은 구간에 대해, 상기 캐패시터에 충전된 전류가 상기 서브 모듈의 입력으로 방출되도록 할 수 있다.
또한, 상기 바이패스단계에서, 상기 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1은 'off'로 제어하고 상기 IGBT2는 'on'으로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력 및 'N' 입력이 바이패스되도록 할 수 있다.
또한, 상기 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압은, 상기 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압과 캐패시터 한계 전압 사이에 위치할 수 있다.
본 발명에 의한 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법은 HVDC 서브 모듈 내의 서브 모듈 제어기에 고장이 발생하여도 서브 모듈 내의 캐패시터 전압을 감지하여 바이패스시키는 부가적인 장치를 사용함으로써, 서브 모듈 내의 캐패시터를 보호할 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법은 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치의 구동부를 이중화하여 HVDC 서브 모듈의 바이패스 기능을 안정적으로 수행할 수 있도록 함으로써, HVDC 서브 모듈의 고장으로 인한 HVDC 시스템의 단선을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치를 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1의 서브 모듈이 IGBT 제어에 의해 에너지 저장 기능을 수행하는 동작을 나타낸 간략화한 회로도이다.
도 3은 도 1의 서브 모듈이 IGBT 제어에 의해 에너지 방출 기능을 수행하는 동작을 나타낸 간략화한 회로도이다.
도 4는 도 1의 서브 모듈이, ‘P' 입력 전압이 'N' 입력 전압 보다 높은 구간에 있어서, IGBT 제어에 의해 바이패스 동작을 나타낸 간략화한 회로도이다.
도 5는 도 1의 서브 모듈이, ‘P’ 입력 전압이 ‘N’ 입력 전압 보다 낮은 구간에 있어서, IGBT 제어에 의해 바이패스 동작을 나타낸 간략화한 회로도이다.
도 6은 도 1의 캐패시터의 전압을 모니터링하여 서브 모듈의 동작 상태를 제어하는 각종 전압을 비교한 그래프이다.
도 7은 도 1의 서브 모듈이 바이패스 스위치 제어에 의해 바이패스가 수행되는 동작을 나타낸 간략화한 회로도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 HVDC 서브 모듈의 바이패스 방법을 나타낸 순서도이다.
본 발명의 실시를 위한 구체적인 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 의도는 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치를 나타낸 블록도이며, 도 2 내지 도 7은 도 1을 상세히 설명하기 위한 세부 회로도 및 그래프이다.
이하, 도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치를 설명할 수 있다.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치는 HVDC(High Voltage Direct Current) 시스템 내 전압을 발생시키는 서브 모듈, 서브 모듈의 입력단에 위치한 바이패스 스위치(410)를 구동시키는 바이패스 스위치 구동부(400), 서브 모듈의 상태를 모니터링하여 시스템 제어기(500)로 전달하고, 시스템 제어기(500)의 명령에 의해 서브 모듈 및 바이패스 스위치 구동부(400)를 제어하는 서브 모듈 제어기(200), 및 서브 모듈 내에 위치한 캐패시터(150)의 전압을 감시하여 바이패스 스위치 구동부(400)를 제어하는 전압 감시부(300)로 이루어진다.
여기서, 서브 모듈은 에너지를 저장 및 방출하는 캐패시터(150), 서브 모듈의 'P' 입력과 캐패시터(150)의 '+' 단자 사이에 위치한 IGBT1(110) 및 제 1 다이오드(120), 및 서브 모듈의 'N' 입력과 연결된 캐패시터(150)의 '-' 단자와 'P' 입력 사이에 위치한 IGBT2(130) 및 제 2 다이오드(140)를 포함할 수 있다.
즉, 서브 모듈 제어기(200)는 시스템 제어기(500)로 캐패시터(150)의 전압을 전달하며, 시스템 제어기(500)로부터 서브 모듈의 운용 명령을 수신한다. 이때, 서브 모듈 제어기(200)는 시스템 제어기(500)로부터 제어 명령을 수신 받아 제어 명령이 '에너지 저장', '에너지 방출', 또는 '바이패스'인지 확인한다.
이때, 제어 명령이 '에너지 저장'으로 확인될 경우 서브 모듈 제어기(200)는 IGBT1(110) 및 IGBT2(130)를 제어하여 에너지를 캐패시터(150)에 저장하고, 제어 명령이 '에너지 방출'로 확인될 경우 서브 모듈 제어기(200)는 IGBT1(110) 및 IGBT2(130)를 제어하여 캐패시터(150)에 저장된 에너지를 방출하며, 제어 명령이 '바이패스'로 확인될 경우에는 서브 모듈 제어기(200)는 IGBT1(110) 및 IGBT2(130)를 제어하여 입력을 바이패스 시킨다.
한편, 캐패시터(150)의 전압이 일정 전압 이상일 경우 서브 모듈 제어기(200)는 바이패스 스위치 구동부(400)를 제어하여 서브 모듈의 입력 단에서 바이패스 스위치(410)에 의해 바이패스 시킬 수 있으며, 서브 모듈 제어기(200)의 오동작으로 바이패스가 수행되지 않을 경우 전압 감시부(300)가 바이패스 스위치 구동부(400)를 제어하여 서브 모듈의 입력단에 위치한 바이패스 스위치(410)에 의해 바이패스 시킬 수 있다.
이를 통해, 서브 모듈 제어기(200)의 고장이 발생하여도 전압 감시부(300)에 의해 캐패시터(150)를 보호할 수 있으며, 캐패시터(150)의 보호를 이중화하여 HVDC 서브 모듈의 바이패스 기능을 안정적으로 수행함으로써, HVDC 서브 모듈의 고장으로 인한 HVDC 시스템의 단선을 방지할 수 있다.
도 2는 도 1의 서브 모듈이 IGBT 제어에 의해 에너지 저장 기능을 수행하는 동작을 나타낸 간략화한 회로도이다.
도 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 서브 모듈 제어기(200)는 IGBT1(110) 및 IGBT2(130)를 모두 'off'로 제어하여 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압 보다 높은 구간에 대해, 서브 모듈의 입력 에너지가 제 1 다이오드(120)를 통해 캐패시터(150)로 저장되도록 한다.
여기서, 'P' 입력단에서 유입된 전류는 IGBT2(130)가 'off'되어 있어 'P' 입력단의 전류가 제 2 다이오드(140)에 의해 'N' 입력단으로 직접 흐르지 않으나, IGBT1(110)이 'off' 되었으므로 제 1 다이오드(120)를 통해 캐패시터(150)에 저장될 수 있다.
따라서, IGBT1(110) 및 IGBT2(130)의 제어만으로 캐패시터(150)의 에너지 저장 여부를 간단히 제어할 수 있다.
도 3은 도 1의 서브 모듈이 IGBT 제어에 의해 에너지 방출 기능을 수행하는 동작을 나타낸 간략화한 회로도이다.
도 3에서 알 수 있는 바와 같이, 서브 모듈 제어기(200)는 IGBT1(110)은 'on'으로 제어하고, IGBT2(130)는 'off'로 제어하여 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압 보다 낮은 구간에 대해, 캐패시터(150)에 충전된 에너지가 서브 모듈의 입력으로 방출되도록 한다.
여기서, 'N' 입력단에서 유입된 전류는 IGBT2(130)가 'off'되어 있어 'N' 입력단의 전류가 제 2 다이오드(140)에 의해 'P' 입력단으로 직접 흐를 수 있으나, 캐패시터(150)의 전압이 'N' 입력단의 전압보다 높으므로 캐패시터(150)의 에너지가 'P' 입력단으로 방출된다. 이때, IGBT1(110)은 'on' 되었으므로 제 1 다이오드(120)의 영향 없이 캐패시터(150)의 전압이 'P' 입력단으로 직접 방출될 수 있다.
따라서, IGBT1(110) 및 IGBT2(130)의 제어만으로 캐패시터(150)의 에너지 방출 여부를 간단히 제어할 수 있다.
도 4는 도 1의 서브 모듈이, ‘P' 입력 전압이 'N' 입력 전압 보다 높은 구간에 있어서, IGBT 제어에 의해 바이패스 동작을 나타낸 간략화한 회로도이다.
도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 서브 모듈 제어기(200)는 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압 보다 높은 구간에 대해, IGBT1(110)은 'off'로 제어하고, IGBT2(130)는 'on'으로 제어하여 'P' 입력 전류가 'N' 입력으로 바이패스되도록 한다.
여기서, 'P' 입력단에서 유입된 전류는 IGBT2(130)가 'on'되어 있어 'P' 입력단의 전류가 'N' 입력단으로 직접 흐를 수 있으며, 캐패시터(150)의 전압이 제 1 다이오드(120)에 의해 'P' 입력단으로 방출되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, IGBT1(110) 및 IGBT2(130)의 제어만으로 서브 모듈의 저장 구간에 대해 저장을 수행하지 않고 캐패시터(150)의 에너지 방출 없이 바이패스를 간단히 제어할 수 있다.
도 5는 도 1의 서브 모듈이, ‘P’ 입력 전압이 ‘N’ 입력 전압 보다 낮은 구간에 있어서, IGBT 제어에 의해 바이패스 동작을 나타낸 간략화한 회로도이다.
도 5에서 알 수 있는 바와 같이, 서브 모듈 제어기(200)는 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력보다 낮은 구간에 대해, IGBT1(110) 및 IGBT2(130)를 모두 'off'로 제어하거나 IGBT1(110)은 'off'로 제어하고 IGBT2(130)는 'on'으로 제어하여 'N' 입력 전류가 'P' 입력으로 바이패스되도록 한다.
여기서, 'N' 입력단에서 유입된 전류는 IGBT2(130)가 'off'되어 있어 'N' 입력단의 전류가 제 2 다이오드(140)를 통해 'P' 입력단으로 직접 흐를 수 있으며, 캐패시터(150)의 전압이 제 1 다이오드(120)에 의해 'P' 입력단으로 방출되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, IGBT1(110) 및 IGBT2(130)의 제어만으로 서브 모듈의 방출 구간에 대해 방출을 수행하지 않고 캐패시터(150)의 에너지 방출 없이 바이패스를 간단히 제어할 수 있다.
도 6은 도 1의 캐패시터(150)의 전압을 모니터링하여 서브 모듈의 동작 상태를 제어하는 각종 전압을 비교한 그래프이다.
도 6에서 볼 수 있는 바와 같이, 서브 모듈 제어기(200)는 캐패시터(150)의 전압이 운전 전압(V840)과 캐패시터 한계 전압(V810) 사이에 위치한 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V830)을 초과할 경우 바이패스 스위치 구동부(400)를 제어하여 서브 모듈의 입력단에서 바이패스를 수행할 수 있다.
또한, 캐패시터(150)의 전압이 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V830)과 캐패시터 한계 전압(V810) 사이에 위치한 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V830)을 초과하여도 오류로 인해 바이패스가 수행되지 않은 경우에, 전압 감시부(300)가 캐패시터(150)의 전압이 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V820)을 초과할 경우 바이패스 스위치 구동부(400)를 제어하여 서브 모듈의 입력단에서 바이패스를 수행할 수 있다.
바람직하게는, 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V820)은 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V830)과 캐패시터 한계 전압(V810) 사이에 위치하도록 설정된다.
즉, 1차적으로 바이패스를 수행하는 서브 모듈 제어기(200)가 비정상 동작할 경우에도 전압 감시부(300)에서 캐패시터(150)의 전압을 감지하여 바이패스를 수행함으로써, HVDC 서브 모듈의 바이패스 기능을 안정적으로 수행하여 HVDC 서브 모듈의 고장으로 인한 HVDC 시스템의 단선을 방지할 수 있다.
도 7은 도 1의 서브 모듈이 바이패스 스위치 제어에 의해 바이패스가 수행되는 동작을 나타낸 간략화한 회로도이다.
도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 바이패스 스위치(410)는 서브 모듈의 'P' 입력과 'N'입력 간에 연결되어 바이패스 스위치 구동부(400)의 제어에 의해 'P' 입력과 'N'입력을 바이패스시키도록 할 수 있다.
이를 통해, 캐패시터(150)의 과충전을 사전에 방지하고 서브 모듈의 고장 시 서브 모듈의 바이패스 기능을 안정적으로 수행함으로써, HVDC 서브 모듈의 고장으로 인한 HVDC 시스템의 단선을 방지할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 HVDC 서브 모듈의 바이패스 방법을 나타낸 순서도이다.
도 8에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명에 의한 HVDC 서브 모듈의 바이패스 방법은, 시스템 제어기(500)로부터 서브 모듈 제어기(200)가 서브 모듈의 제어 명령을 수신받는 단계(S100), 제어 명령이 '에너지 저장'인 경우, 서브 모듈 제어기(200)가 서브 모듈의 IGBT1(110) 및 IGBT2(130)를 제어하여 상기 서브 모듈 내의 캐패시터(150)에 에너지를 저장할 수 있는 경로를 구성하는 단계(S210), 제어 명령이 '에너지 방출'인 경우, 서브 모듈 제어기(200)가 서브 모듈의 IGBT1(110) 및 IGBT2(130)를 제어하여 상기 서브 모듈 내의 캐패시터(150)의 에너지를 방출할 수 있는 경로를 구성하는 단계(S220), 제어 명령이 '바이패스'인 경우, 서브 모듈 제어기(200)가 서브 모듈의 IGBT1(110) 및 IGBT2(130)를 제어하여 상기 서브 모듈 내의 캐패시터(150)와의 경로를 차단하고 바이패스 경로를 구성하는 단계(S230), 서브 모듈 내의 캐패시터(150)의 전압이 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V830) 보다 큰 지 확인하고(S310), 캐패시터(150)의 전압이 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V830) 보다 작을 경우 캐패시터(150)의 전압을 시스템 제어기(500)로 전달하는 단계(S300), 상기 서브 모듈 내의 캐패시터(150)의 전압이 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V830) 보다 클 경우 또는 상기 서브 모듈 내의 캐패시터(150)의 전압과 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V820)을 비교하여(S410), 캐패시터(150)의 전압이 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V820) 보다 클 경우, 바이패스 스위치 구동부(400)를 on 시키는 단계(S400), 및 바이패스 스위치 구동부(400)가 바이패스 스위치(410)를 on 시키는 단계(S500)로 이루어진다.
이때, 에너지 저장단계(S210)에서 서브 모듈 제어기(200)는 IGBT1(110) 및 IGBT2(130)를 모두 'off'로 제어하여 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압보다 높은 구간에 대해, 서브 모듈의 입력 전류가 제 1 다이오드(120)를 통해 캐패시터(150)로 저장되도록 할 수 있다.
또한, 에너지 방출단계(S220)에서 서브 모듈 제어기(200)는 IGBT1(110)은 'on'으로 제어하고, IGBT2(130)는 'off'로 제어하여 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압보다 낮은 구간에 대해, 캐패시터(150)에 충전된 전류가 서브 모듈의 입력으로 방출되도록 할 수 있다.
또한, 바이패스단계(S230)에서 서브 모듈 제어기(200)는 IGBT1(110)은 'off'로 제어하고, IGBT2(130)는 'on'으로 제어하여 'P' 입력 및 'N' 입력이 바이패스되도록 할 수 있다.
여기서, 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V820)은 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V830)과 캐패시터 한계 전압(V810) 사이에 위치할 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 HVDC 서브 모듈의 바이패스 방법에 의하면, 캐패시터(150)의 전압이 일정 전압 이상일 경우 서브 모듈 제어기(200)는 바이패스 스위치 구동부(400)를 제어하여 서브 모듈의 입력 단에서 바이패스 스위치(410)를 통해 바이패스 시킬 수 있으며, 서브 모듈 제어기(200)의 오동작으로 바이패스가 수행되지 않을 경우에도 전압 감시부(300)가 바이패스 스위치 구동부(400)를 제어하여 서브 모듈의 입력단에 위치한 바이패스 스위치(410)를 통해 바이패스 시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법은 HVDC 서브 모듈 내의 서브 모듈 제어기에 고장이 발생하여도 서브 모듈 내의 캐패시터 전압을 감지하여 바이패스시키는 부가적인 장치를 사용함으로써, 서브 모듈 내의 캐패시터를 보호할 수 있으며, 또한 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치의 구동부를 이중화하여 HVDC 서브 모듈의 바이패스 기능을 안정적으로 수행할 수 있도록 함으로써, HVDC 서브 모듈의 고장으로 인한 HVDC 시스템의 단선을 방지할 수 있는 장점이 있다.
상술한 것은 하나 이상의 실시예의 실례를 포함한다. 물론, 상술한 실시예들을 설명할 목적으로 컴포넌트들 또는 방법들의 가능한 모든 조합을 기술할 수 있는 것이 아니라, 당업자들은 다양한 실시예의 많은 추가 조합 및 치환할 수 있음을 인식할 수 있다. 따라서 설명한 실시예들은 첨부된 청구범위의 진의 및 범위 내에 있는 모든 대안, 변형 및 개조를 포함하는 것이다.

Claims (13)

  1. HVDC(High Voltage Direct Current) 시스템 내 전압을 발생시키는 서브 모듈;
    상기 서브 모듈의 입력단에 위치한 바이패스 스위치를 구동시키는 바이패스 스위치 구동부;
    상기 서브 모듈의 상태를 모니터링하여 시스템 제어기로 전달하고, 상기 시스템 제어기의 명령에 의해 상기 서브 모듈 및 상기 바이패스 스위치 구동부를 제어하는 서브 모듈 제어기; 및
    상기 서브 모듈 내에 위치한 캐패시터의 전압을 감시하여 상기 바이패스 스위치 구동부를 제어하는 전압 감시부;를 포함하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 서브 모듈은,
    에너지를 저장 및 방출하는 상기 캐패시터;
    상기 서브 모듈의 'P' 입력과 상기 캐패시터의 '+' 단자 사이에 위치한 IGBT1 및 제 1 다이오드; 및
    상기 서브 모듈의 'N' 입력과 연결된 상기 캐패시터의 '-' 단자와 'P' 입력 사이에 위치한 IGBT2 및 제 2 다이오드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 바이패스 스위치는, 상기 서브 모듈의 'P' 입력과 'N'입력 간에 연결되어 상기 바이패스 스위치 구동부의 제어에 의해 'P' 입력과 'N'입력을 바이패스시키는 것을 특징으로 하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1 및 상기 IGBT2를 모두 'off'로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압 보다 높은 구간에 대해, 상기 서브 모듈의 입력 에너지가 상기 제 1 다이오드를 통해 상기 캐패시터로 저장되도록 하는 것을 특징으로 하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1은 'on'으로 제어하고, 상기 IGBT2는 'off'로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압 보다 낮은 구간에 대해, 상기 캐패시터에 충전된 에너지가 상기 서브 모듈의 입력으로 방출되도록 하는 것을 특징으로 하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1은 'off'로 제어하고 상기 IGBT2는 'on'으로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력과 'N' 입력을 바이패스시키는 것을 특징으로 하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 서브 모듈 제어기는, 상기 캐패시터의 전압이 운전 전압과 캐패시터 한계 전압 사이에 위치한 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압을 초과할 경우 상기 바이패스 스위치 구동부를 제어하여 상기 서브 모듈의 입력단에서 바이패스를 수행하는 것을 특징으로 하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 전압 감시부는, 상기 캐패시터의 전압이 상기 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압과 상기 캐패시터 한계 전압 사이에 위치한 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압을 초과할 경우, 상기 바이패스 스위치 구동부를 제어하여 상기 서브 모듈의 입력단에서 바이패스를 수행하는 것을 특징으로 하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 장치.
  9. HVDC 서브 모듈의 제어 방법으로서,
    시스템 제어기로부터 서브 모듈 제어기가 제어 명령을 수신받는 시스템 제어기 명령 수신단계;
    상기 제어 명령이 '에너지 저장'인 경우, 상기 서브 모듈 제어기가 서브 모듈의 IGBT1 및 IGBT2를 제어하여 상기 서브 모듈 내의 캐패시터에 에너지를 저장할 수 있는 경로를 구성하는 에너지 저장단계;
    상기 제어 명령이 '에너지 방출'인 경우, 상기 서브 모듈 제어기가 상기 서브 모듈의 상기 IGBT1 및 상기 IGBT2를 제어하여 상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 에너지를 방출할 수 있는 경로를 구성하는 에너지 방출단계;
    상기 제어 명령이 '바이패스'인 경우, 상기 서브 모듈 제어기가 상기 서브 모듈의 상기 IGBT1 및 상기 IGBT2를 제어하여 상기 서브 모듈 내의 캐패시터와의 경로를 차단하고 바이패스 경로를 구성하는 바이패스단계;
    상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 전압이 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압 보다 큰 지 확인하여 상기 캐패시터의 전압이 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압(V830) 보다 작을 경우, 상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 전압을 상기 시스템 제어기로 전달하는 캐패시터 전압 전달단계;
    상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 전압이 상기 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압 보다 클 경우 또는 상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 전압과 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압을 비교하여 상기 서브 모듈 내의 캐패시터의 전압이 상기 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압 보다 클 경우, 바이패스 스위치 구동부를 on 시키는 바이패스 스위치 구동부 on단계; 및
    상기 바이패스 스위치 구동부가 바이패스 스위치를 on 시키는 바이패스 스위치 on단계;를 포함하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 에너지 저장단계에서, 상기 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1 및 상기 IGBT2를 모두 'off'로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압보다 높은 구간에 대해, 상기 서브 모듈의 입력 전류가 제 1 다이오드를 통해 상기 캐패시터로 저장되도록 하는 것을 특징으로 하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 에너지 방출단계에서, 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1은 'on'으로 제어하고, 상기 IGBT2는 'off'로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력 전압이 'N' 입력 전압보다 낮은 구간에 대해, 상기 캐패시터에 충전된 전류가 상기 서브 모듈의 입력으로 방출되도록 하는 것을 특징으로 하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 방법.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 바이패스단계에서, 상기 서브 모듈 제어기는, 상기 IGBT1은 'off'로 제어하고 상기 IGBT2는 'on'으로 제어하여 상기 서브 모듈의 'P' 입력 및 'N' 입력이 바이패스되도록 하는 것을 특징으로 하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 방법.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 전압 감시부에 의한 바이패스 스위치 on 전압은, 상기 서브 모듈 제어기에 의한 바이패스 스위치 on 전압과 캐패시터 한계 전압 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 HVDC 서브 모듈의 바이패스 방법.
KR1020200057749A 2020-05-14 2020-05-14 Hvdc 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법 KR102387824B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200057749A KR102387824B1 (ko) 2020-05-14 2020-05-14 Hvdc 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법
PCT/KR2021/005849 WO2021230606A1 (ko) 2020-05-14 2021-05-11 Hvdc 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법
US17/623,133 US11909303B2 (en) 2020-05-14 2021-05-11 Bypass device and method of HVDC sub module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200057749A KR102387824B1 (ko) 2020-05-14 2020-05-14 Hvdc 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210140937A true KR20210140937A (ko) 2021-11-23
KR102387824B1 KR102387824B1 (ko) 2022-04-18

Family

ID=78524490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200057749A KR102387824B1 (ko) 2020-05-14 2020-05-14 Hvdc 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11909303B2 (ko)
KR (1) KR102387824B1 (ko)
WO (1) WO2021230606A1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160091875A (ko) * 2016-07-26 2016-08-03 엘에스산전 주식회사 모듈형 멀티레벨 컨버터 및 그의 제어 방법
KR20180111333A (ko) * 2017-03-31 2018-10-11 엘에스산전 주식회사 모듈형 멀티 레벨 컨버터 및 그의 동작 방법
KR20190065675A (ko) 2017-12-04 2019-06-12 전자부품연구원 멀티레벨 컨버터를 구비한 hvdc 시스템의 커패시터 용량 추정장치 및 그 커패시터 용량 추정방법
KR20190080621A (ko) * 2017-12-28 2019-07-08 효성중공업 주식회사 Ｍｍｃ 컨버터 초기충전시 서브모듈 상태 진단방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3107172B1 (en) * 2014-02-14 2022-06-01 Mitsubishi Electric Corporation Protection system for dc power transmission system, ac/dc converter, and dc power transmission system breaking method
WO2016056072A1 (ja) * 2014-10-08 2016-04-14 三菱電機株式会社 電力変換装置
US10734804B2 (en) * 2015-06-23 2020-08-04 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion device and DC power transmission system
KR102020323B1 (ko) * 2015-07-02 2019-11-04 엘에스산전 주식회사 모듈형 멀티 레벨 컨버터 및 모듈형 멀티 레벨 컨버터의 전압 밸런싱 제어 방법
US10819215B2 (en) 2016-06-30 2020-10-27 University Of South Carolina Bypass switch for high voltage DC systems
KR101943882B1 (ko) * 2016-12-26 2019-01-30 효성중공업 주식회사 Ｍｍｃ 컨버터의 서브모듈 제어기용 전원장치
US10773601B2 (en) * 2018-10-18 2020-09-15 Ford Global Technologies, Llc Integrated precharging and discharging for electric vehicle drive system capacitors
US11557979B2 (en) * 2018-11-14 2023-01-17 Eaton Intelligent Power Limited Variable frequency drive with integrated front-end rectifier and bypass

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160091875A (ko) * 2016-07-26 2016-08-03 엘에스산전 주식회사 모듈형 멀티레벨 컨버터 및 그의 제어 방법
KR20180111333A (ko) * 2017-03-31 2018-10-11 엘에스산전 주식회사 모듈형 멀티 레벨 컨버터 및 그의 동작 방법
KR20190065675A (ko) 2017-12-04 2019-06-12 전자부품연구원 멀티레벨 컨버터를 구비한 hvdc 시스템의 커패시터 용량 추정장치 및 그 커패시터 용량 추정방법
KR20190080621A (ko) * 2017-12-28 2019-07-08 효성중공업 주식회사 Ｍｍｃ 컨버터 초기충전시 서브모듈 상태 진단방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021230606A1 (ko) 2021-11-18
KR102387824B1 (ko) 2022-04-18
US11909303B2 (en) 2024-02-20
US20220231594A1 (en) 2022-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9637009B2 (en) Electric vehicle
US8004866B2 (en) Method and apparatus to remove energy from DC loads
US11196253B2 (en) Method and system for electronic current control for a flexible DC battery
US20120169124A1 (en) Output circuit for power supply system
US6998818B2 (en) Charging circuit with two levels of safety
CN110116621B (zh) 电源系统
US20110127935A1 (en) Drive unit
KR102044510B1 (ko) Ｍｍｃ 컨버터 초기충전시 서브모듈 상태 진단방법
US10017138B2 (en) Power supply management system and power supply management method
US10938226B2 (en) Power control device
JP2008035588A (ja) モータ駆動装置
EP0989667A1 (en) Exciter for generator
US20160197505A1 (en) Electric Energy Storage Device and Method for Increasing the Voltage at the Storage Device Terminals
US20140292246A1 (en) Medium voltage inverter system
KR101587333B1 (ko) 고신뢰성 배터리 에너지 저장 장치
KR102387824B1 (ko) Hvdc 서브 모듈의 바이패스 장치 및 방법
US11817767B2 (en) Control power for submodules of a MMC converter
US20100253146A1 (en) Electric drive system
CN110739765B (zh) 直流供电系统
KR102587243B1 (ko) 모듈형 멀티 레벨 컨버터의 초기 충전 장치 및 방법
JP2021191068A (ja) 電力変換装置および電力変換装置の検査方法
KR20180132869A (ko) 무정전 전원 장치
WO2018061796A1 (ja) 電源システム
CN114025996B (zh) 备用电源系统
EP3826127B1 (en) Improvements in or relating to power dissipating converters

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant