KR20210137446A - 콜로이드 반도체 나노구조 - Google Patents

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요시 판필
니르 와이스코프
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이슘 리서치 디벨롭먼트 컴퍼니 오브 더 히브루 유니버시티 오브 예루살렘 엘티디.
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Abstract

본 출원의 기술적 주제는 독특한 전자적 특성을 갖는 새로운 종류의 융합된 나노결정 분자에 관한 것이다. 본 출원은 또한 이들의 제조 방법 및 이들의 사용 방법을 추가로 고려한다.

Description

콜로이드 반도체 나노구조
본 명세서에 개시된 발명은 일반적으로 새로운 커플링된 나노결정 분자 및 이의 용도에 관한 것이다.
본 출원과 관련된 프로젝트는 유럽 연합의 Horizon 2020 연구 및 혁신 프로그램 (교부금 계약 번호 741767)에 따라 유렵연구위원회 (European Research Council, ERC)로부터 자금을 받았다.
이들 사이의 배리어의 조성 및 크기에 대한 높은 제어력을 갖는 콜로이드 결합 양자 재료는 이들의 광학적 및 전기적 특성을 조정할 수 있는 큰 잠재력을 가지며, 이는 이들을 발광 장치, 디스플레이, 광전지, 양자 게이트, 생체의학 센서, 전기장 센서, 비율계량 센서 및 기타를 포함하는 다양한 응용 분야에 적용할 수 있게 한다.
상향식 습식-화학 (bottom-up wet-chemistry) 합성 접근법에 의해 제조된 커플링된 나노결정 분자에서 다수의 잠재적인 흥미로운 특성이 예상된다. 분자선 에피택시 (molecular beam epitaxy, MBE) [1]에 의해 성장된 양자점 (QDs)은 이러한 시스템 내에서 여기자 및 다중여기자 (multiexcition) 둘 다에 대해서 양자 커플링에 대한 독특한 거동을 나타내었다. 그러나, MBE-성장 이중 QD 구조는 한계를 나타낸다. 첫째, 작은 에너지 규모로 인해, 단지 저온 작동 및 커플링의 표시만이 가능하기 때문에 이러한 효과의 적용가능성을 특수한 저온 응용 분야로만 제한한다. 이는 또한 콜로이드 QD보다 더 큰 MBE-성장 QD의 전형적인 크기와 관련이 있으며, 이는 또한 커플링 현상에 대한 QDs 사이의 거리를 제한하기도 한다. 마지막으로 중요한 것은, MBE 구조가 본질적으로 호스트 반도체 내에 묻혀 있기 때문에 용액 중에서 자유롭지 않으며 이들의 표면 기능화를 통해 콜로이드 NCs 시스템에서 가능한 습식-화학 조작에 접근할 수 없다는 것이다. 즉, 콜로이드 NCs는 인쇄되어 픽셀을 생성할 수 있고, 폴리머에 배치될 수 있으며, 용액 중에서 사용될 수 있고, 또한 생체분자 및 다른 개체와도 연결될 수 있으며, 따라서 다양한 시나리오 및 환경에 매우 적용가능하다.
콜로이드 나노결정 (NCs)의 배열된 구조는 이전에도 빌딩 블록으로 제안된바 있다. 이러한 분자-유사 구조의 강력한 전략 중 하나는 DNA 화학 또는 다른 유기 링커를 통한 프로그래밍된 어셈블리를 사용하는 것이다. 그러나, NCs의 DNA 분절의 연결은 분명히 장거리를 나타내며 유의미한 에너지 배리어를 형성하고, 이는 이들의 양자 기계적 및 전기적 커플링을 제한한다. 예를 들어, 이중 방출 피크를 나타내는, 개별 콜로이드 QDs의 상이한 영역에서 반도체 재료의 전자적 커플링은 코어/다중-쉘 NCs의 사용에 의해 수행되었다. 그러나, 이 전략은 격자 불일치 (lattice mismatch)가 충분히 작은, 특정한 조합된 조성으로 제한되는 것으로 밝혀졌다. 더욱이, 이들 다중-쉘 재료의 광학 및 전자 특성에 대한 전기장 제어가 또한 코어-쉴 구조의 구형 대칭으로 제한되는 것으로 알려졌다 [2]. 다른 접근법에서, 2개의 반도체 영역이 터널링 배리어 (tunneling barrier)에 의해 밴드 갭이 다른 상이한 반도체의 로드 영역에 의해 분리되는 하나의 반도체 칩을 갖는 코어-쉘 나노로드의 구조는 상향변환 (upconversion) 특성을 나타낸다 [3]. 그러나, 배리어 폭은 나노로드의 길이에 의해 먼 거리로 제안되었다. 또한, 타입-I 및 타입-II 밴드 오프셋 (band offsets)의 조합을 갖는 다중 이종접합 (multiple heterojunctions), 즉 정공과 전자의 조성 및 밴드 갭 공학을 달성하는 이러한 유형의 아령 구조 (dumbbell structure)가 보고되었다 [4]. 그러나, 두 도트 (dots) 사이의 거리는 커플링 효과가 제한되는 10 nm로 제한되었다. 나아가, 커플링 거리가 5 nm 이상인, 중금속이 없는 아령 구조를 갖는 제한된 제어 배리어 거리가 또한 보고되었다 [5]. 일반적으로, 배리어의 크기에 대한 제한 수준은 이러한 접근법에 의해 제한되며 정확하게 제어된 커플링 구조를 달성하기 위해 추가 개선의 여지가 있음을 나타낸다.
따라서, 상이한 밴드 오프셋의 코어 구조와, 결정 구조뿐만 아니라, 크기 및 조성과 같은 특성 사이의 정밀하게 제어된 거리를 나타낼 수 있고, 동시에 배리어 거리와 잠재적인 이의 에너지 지형에 대한 제어를 제공하는 커플링된 나노결정 분자의 보다 일반적인 접근법과 이용가능성에 대한 결여가 존재한다.
최근에, 이량체 NPs를 생산하기 위한 다양한 전략이 조사되었다. 예를 들어, NPs의 구속을 위해 실리카, 탄소 나노튜브, 및 그라핀을 비롯한 스프트 템플릿 (soft template)이 조사되었다 [6]. 그러나 이들 이량체 구조는 유기 분자인 링커에 의해 분리되어 구성요소 나노결정 사이에 높은 전위 배리어 (potential barrier)를 나타낸다. 이렇게 높은 배리어의 한계는 위치 에너지 지형을 제어할 수 없다는 것이고 - 따라서 전자 및 전공 파동 기능이 각 나노결정에 강하게 구속되기 때문에 전자 커플링 효과가 나타나지 않는다.
에너지적으로 유리한 나노결정 패싯 (facet) 상호작용을 기반으로 하는, 방향성 부착 (oriented attachment, OA)이 또한 보고되었다. 예를 들어, 나중에 융합되어 직선, 지그재그, 나선형, 분기형, 및 테이퍼형 (tapered) 나노와이어, 2D 시트, 벌집형, 및 키랄 리본 형상을 생성하는 PbSe QD 구조의 생산을 위해. 상기에 언급한 모든 실험 조사에서, QDs를 융합하기 위해 고온 또는 고압이 사용되었다. 이들 시스템은 상이한 QDs 사이에 아무런 배리어도 갖지 않으며 융합 목표는 로드, 혈소판 등과 같은 원하는 상이한 구조를 달성하기 위한 신장을 목적으로 하였다.
[1] Coupling and Entangling of Quantum States in Quantum Dot Molecules, Manfred Bayer, et al., Science 2001, 291, (5503), 451.
[2] 미국특허 제7,767,260호
[3] 미국특허 제9,577,125호
[4] 미국특허 제9,123,638호
[5] Heavy-Metal-Free Fluorescent ZnTe/ZnSe Nanodumbbells, Uri Banin, et al., ACS Nano 2017, 11, (7), 7312.
[6] 미국특허 제9,040,158호
상기에 이용된 접근법에도 불구하고, 제어가능한 배리어를 갖는 커플링된 나노결정-기반 재료는 알려져 있지 않다.
본원에 개시된 기술의 발명자들은 서로 커플링된 잘 제어된 크기 및 조성의 한 쌍의 나노결정 구조를 특징으로 하는 새로운 종류의 나노입자를 제공한다. 한 쌍의 구조 사이에 존재하는 전자 커플링은 거리와 위치 에너지로 제어되어 혼성화 및 양자 코히어런스 (quantum coherences)가 적어도 하나의 코어/쉘 양자점을 사용하여 달성되게 한다. 커플링은 쉘의 두께 및 조성에 의해 조정되고 결정된다. 이하에서 설명되는 바와 같이, 코어의 모양, 크기, 및 조성은 두 QDs의 전자 커플링을 위해 설계될 수 있다.
따라서, 정밀한 구조 제어를 통해 커플링된 나노결정, 예컨대 QD를 유도하는 간편하고 강력한 전략이 제시된다. 이들은 나노결정 분자 내에서 양자 역학적 커플링 효과를 나타내어, 광학, 광전자, 디스플레이, 생체의학, 양자 기술 및 광촉매 응용과 같은 다양한 분야에서 방대한 범위의 응용을 위한 길을 열어 줄 수 있다.
따라서, 가장 일반적인 용어로, 본원에 개시된 발명은 커플링된 나노결정 사이에 존재하는 커플링 영역의 조성, 거리, 및 크기에 대해 정밀한 제어를 갖는, 신규한 커플링된 나노결정 및 이의 용도에 관한 것이다.
첫 번째 측면에서, 본 발명은 2개 이상의 나노결정을 포함하는 화학적으로 융합된 나노결정 분자 (또는 나노결정의 배열 또는 이러한 나노결정의 나노어셈블리)를 제공하는데, 상기 나노결정의 적어도 하나는 코어/쉘 구조이고, 여기서 적어도 하나의 쉘 두께 및 쉘 조성은 코어/쉘 구조 내 코어와 코어/쉘 구조에 융합된 나노결정 사이의 전자 커플링을 정의한다.
본 발명은 또한 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조를 포함하는 화학적으로 융합된 나노결정 분자를 제공하는데, 융합된 나노결정 분자는 2개 이상의 코어 구조 및 상기 2개 이상의 코어 구조의 원주 (circumference)를 연장하는 연속적인 최외각 쉘을 포함하고, 최외각 쉘은 상기 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조 중 하나의 쉘 재료 또는 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조의 쉘 재료의 합금 재료와 실질적으로 동일한 재료를 포함한다.
언급한 바와 같이, 2개 이상의 코어는 2개 이상의 코어의 전체 원주를 연장하는 쉘 구조 내에 매립된다 (embedded). 쉘 구조는 상이한 재료의 하나 이상의 코트 (coats) 또는 쉘을 포함할 수 있다. 2개 이상의 구조의 원주를 연장하거나 또는 코팅하는 것으로 알려진, 최외각 쉘로 간주되는 최상위 셀, 또는 하나 이상의 쉘의 노출된 쉘과는 달리, 각각의 내부 쉘은 2개 이상의 구조의 원주를 유사하게 연장 또는 코팅하거나 2개 이상의 구조 중 하나 또는 일부만을 코팅할 수 있다. 다시 말해, 융합된 나노결정 분자에서 2개 이상의 구조는 같거나 다를 수 있는 반도체 재료의 하나 이상의 쉘로 오버코팅된다.
따라서, 본 발명은 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조를 포함하는 융합된 나노결정 분자를 추가로 제공하는데, 상기 융합된 나노결정 분자는 2개 이상의 코어 구조 및 상기 2개 이상의 코어 구조의 원주를 연장하는 연속적인 최외각 쉘을 포함하는 쉘 구조를 포함하고, 최외각 쉘은 상기 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조 중 하나의 쉘 재료 또는 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조의 쉘 재료의 합금 재료와 동일한 재료를 포함한다.
일부 실시양태에서, 쉘 구조는 정의된 바와 같은, 연속적인 최외각 쉘만을 포함한다.
일부 실시양태에서, 쉘 구조는 정의된 바와 같은, 적어도 하나의 및 연속적인 최외각 쉘을 포함하고, 여기서 적어도 하나의 쉘은 최외각 쉘 아래에 위치한다.
적어도 하나의 쉘 (최외각 쉘을 포함하지 않음) 각각은 2개 이상의 코어를 코팅하거나 둘러싸서 연속적 코팅 또는 필름을 제공하거나 2개 이상의 코어의 원주를 단지 부분적으로 코팅하는 불연속 코팅 또는 필름을 제공한다.
그럼에도불구하고, 쉘 구조는 전체적으로 두 코어의 표면을 완전히 매립하거나 완전히 덮는다. 코어는 서로 접촉하지 않으며, 이들 사이의 거리는 쉘 융합 영역의 두께에 의해 정의된다. 2개 이상의 코어/쉘 구조가 동일한 쉘 재료를 갖는 경우 (코어 재료는 같거나 다를 수 있음), 2개 이상의 코어 (같거나 다를 수 있음)를 매립하고 2개 구조의 융합 후에 형성되는, 최외각 쉘은 2개 이상의 코어에 걸쳐 연속적이고 쉘의 재료를 포함한다. 2개 이상의 코어/쉘 구조가 상이한 쉘 재료를 갖는 경우 (코어 재료는 같거나 다를 수 있음), 2개 이상의 구조 사이의 융합은 코어 구조를 완전히 매립하는 연속적인 쉘을 제공하고, 이는 구조 중 하나의 쉘 재료로 구성되는 영역, 구조의 다른 하나의 쉘 재료로 구성되는 영역, 및 두 쉘 재료의 조합 또는 합금으로 구성된 융합 영역을 포함한다.
코어/쉘 구조가 코어/다중쉘 구조인 경우 (또는 적어도 하나의 구조가 코어/다중쉘 구조인 경우), 2개 이상의 구조 사이의 융합은 각각의 코어/쉘 또는 코어/다중쉘 구조 내 최외각 쉘 구조를 통해 발생할 수 있다. 또한, 코어/다중쉘 구조를 융합할 때, 융합은 또한, 최외각 쉘뿐만 아니라, 내부 쉘을 포함할 수 있다. 다시 말해, 상기와 유사한 방식으로, 2개 이상의 구조 사이의 융합은 코어 구조를 완전히 매립하는 연속적인 쉘을 제공하고, 이는 구조 중 하나의 다중쉘 재료로 구성된 영역, 구조 중 다른 하나의 쉘/다중쉘 재료로 구성된 영역, 및 쉘/다중쉘 재료의 조합 또는 합금으로 구성된 융합 영역을 포함한다.
본원에 사용된 바와 같이, 용어 " 융합 "은 본원에 설명된 화학적 수단에 의해, 또는 빛, 열 또는 압력 (본원에 개시된 바와 같은, 소위 물리적 수단)의 적용에 의해, 그러한 구조의 어셈블리를 생성하는, 인접한 구조 (예컨대, 인접한 코어/쉘 구조), 또는 두 구조 (예컨대, QD와 같은 비-코어/쉘)의 두 쉘 재료의 화학적 연합/혼합/결합 (association/blending/joining)을 의미한다. 이 용어는 단지 공통 매트릭스 또는 쉘에서 2개 이상의 이러한 구조를 둘러싸는 것만으로 코어/쉘 구조 및 QD 구조와 같은 구조들을 함께 결합하는 것을 포함하지 않는다. 이 용어는 유기 또는 무기 링커 모이어티 또는 리간드를 통해 이러한 구조와 함께 결합하는 것을 포함하지 않는다. 본 발명에 따른 융합된 시스템에서, 융합을 거치는 구조 중 하나의 재료는 다른 하나의 구조의 재료와 화학적으로 혼합된다. 상이한 재료들이 관련된 이러한 혼합은 두 가지의 합금일 수 있는 제3 재료를 생성한다.
본 발명의 시스템은 추가로 콜로이드로 간주될 수 있다. 분자 선 에피택시에 의해 제조될 수 있다.
쉘 두께 및 쉘 조성 중 하나 또는 둘 다를 미리 선택함으로써, 나노결정 사이의 거리 및 이들 사이의 상호작용이 제어되고, 그로써 나노결정 사이의 " 전자 커플링 (electronic coupling) "의 존재 또는 부재 또는 정도 (또는 수준)를 제어한다. 일부 실시양태에서, 쉘 두께 및 쉘 조성 중 적어도 하나는 코어/쉘 구조의 코어와 코어/쉘 구조에 융합된 나노결정 사이에 물리적 배리어를 정의함으로써 나노결정 사이의 상호작용을 감소 또는 절감시킨다.
이하에서 언급되는 바와 같이, 본 발명의 융합된 나노결정 분자에 존재하는 코어/쉘 구조 또는 임의의 다른 코어/구조는 코어 및 적어도 하나의 쉘로 구성되며, 상기 코어 및 적어도 하나의 쉘 둘 다는 나노결정 재료이다. 일부 실시양태에서, 코어는 금속 및 반도체 재료로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, 코어는 반도체 재료이다. 다른 실시양태에서, 코어는 금속이다.
다른 실시양태에서, 코어 또는 쉘 재료 중 하나는 당업계에 공지된 페로브스카이트 (perovskite) 재료일 수 있다.
따라서, 발명의 다른 측면에서, 2개 이상의 코어/쉘 구조를 포함하는 융합된 나노결정 분자가 제공되고, 상기 코어/쉘 구조 중 적어도 하나는 금속 코어 또는 금속 쉘을 포함하고, 융합된 나노결정 분자는 2개 이상의 코어 구조 및 상기 2개 이상의 코어 구조의 원주를 연장하는 연속적인 최외각 쉘을 포함하고, 최외각 쉘은 상기 2개 이상의 코어/쉘 구조 중 하나의 쉘 재료 또는 2개 이상의 코어/쉘 구조의 쉘 재료의 합금 재료와 동일한 재료를 포함한다.
2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조를 포함하는 융합된 나노결정 분자가 또한 제공되는데, 상기 코어/쉘 구조 중 적어도 하나는 금속 코어 또는 금속 쉘을 포함하고, 융합된 나노결정 분자는 2개 이상의 코어 구조 및 상기 2개 이상의 코어 구조의 원주를 연장하는 연속적인 최외각 쉘을 포함하는 쉘 구조를 포함하고, 최외각 쉘은 상기 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조 중 하나의 쉘 재료 또는 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조의 쉘 재료의 합금 재료와 동일한 재료를 포함한다. 일부 실시양태에서, 코어/쉘 구조의 코어 재료는 금속성 및 반도체 재료로부터 선택되고 코어/쉘 구조의 쉘 재료는 반도체 재료이다.
일부 실시양태에서, 융합된 나노결정 분자는 2개 이상의 코어/쉘 구조를 포함한다. 본 발명에 따른 융합된 나노결정 분자가 복수의 (2개 이상의) 코어/쉘 구조를 포함하는 경우, 융합된 나노결정 분자에서 임의의 2개의 융합된 나노결정 사이의 전자 커플링은 2개의 융합된 나노결정의 특성에 좌우된다. 예를 들어, 융합된 나노결정 분자에서, 2개의 융합된 나노결정이 코어/쉘 구조인 경우, 전자 커플링을 가능하게 하거나 그를 통해 전자 커플링이 달성되거나 제어될 수 있는 영역은 2개 코어를 분리하는 2개 쉘의 재료 두께 및 조성에 의해 정의될 것이다. 이와 유사하게 전자적 특성은 쉘의 두께 및 조성에 따라 좌우될 것이다. 다른 경우에, 2개의 융합된 나노결정 중 하나가 코어/쉘 구조이고 이 둘 중 다른 하나가 코어/쉘 구조가 아닌 경우, 전자 커플링은 특히 코어/쉘 구조의 쉘의 재료 두께 및 조성에 따라 달라질 것이다.
본 발명의 융합된 나노결정 분자는 코어/쉘 구조가 아닌 2개 이상의 융합된 나노결정을 추가로 포함할 수 있다. 이러한 경우에, 임의의 2개의 융합된 비-코어/쉘 구조는 커플링에 대한 배리어가 없을 것이며, 실제로 서로 융합된 2개 코어 구조로 간주될 수 있다.
일부 실시양태에서, 융합된 나노결정 분자는 코어/쉘 구조로 구성된다. 일부 실시양태에서, 융합된 나노결정 분자는 반도체 재료만으로 이루어진 코어/쉘 구조로 구성된다. 일부 실시양태에서, 융합된 나노결정 분자는 이들 중 적어도 하나가 금속 코어 또는 금속 쉘을 포함하는 코어/쉘 구조로 구성된다. 완전한 금속 코어/쉘 구조로 이루어진 시스템, 즉 코어가 금속이고 쉘 재료가 금속인 구조는 본 발명의 시스템에서 제외된다.
본원에서 논의된 바와 같이, 본 발명에 따른 융합된 나노결정 분자를 구성하는, 각각의 나노결정, 예컨대, 코어/쉘 구조는 융합된 구조에 특정 구조적 및 전자적 특성을 부여하도록 선택된다. 나노결정 재료, 크기 (예컨대, 두께), 구조 (예컨대, 코어/쉘) 및 모양 (예컨대, 나노결정의 구조 및 각 구성요소의 상대적 크기)의 선택은, 예컨대 혼성화 및 양자 코히어런스 효과에 대한 제어를 제공하고; 따라서 나노결정의 전자적 특성을 조절하거나 (증가 또는 감소 또는 유지) 또는 제어한다.
일부 실시양태에서, 각각의 2개의 융합된 코어/쉘 구조는 이들 사이에 융합 영역을 갖는데, 상기 융합 영역의 크기, 구조, 및 모양은 캐리어 파동함수, 및/또는 캐리어 분리, 및/또는 방출 특성, 및/또는 흡수 특성 및/또는 촉매 활성과 같은 융합된 나노결정 분자의 적어도 하나의 전자적 특성에 대한 제어를 제공하도록 선택된다.
일부 실시양태에서, 전자적 특성은 융합 영역에서 재료 조성을 변경하거나 두 나노결정 사이의 물리적 거리를 변경함으로써 달라지거나 그에 의해 조절될 수 있다.
본원에 나타낸 바와 같이, 코어/쉘 구조에서, 융합 영역의 재료는 코어 재료를 기반으로 또는 쉘 재료를 기반으로 선택될 수 있고, 여기서 융합 파트너는 코어/쉘 구조이거나, 그에 융합되는 QD와 같은 코어/쉘 구조가 아닌 나노결정의 재료이다. 나노결정 사이의 거리는 나노결정의 특성에 좌우된다. 2개의 융합된 나노결정이 코어/쉘 구조인 경우, 두 코어 사이의 거리는, 본원에 설명된 바와 같이, 쉘의 조합된 두께에 의해 정의될 것이다. 2개의 융합된 나노결정 중 하나가 코어/쉘 구조이고 두 개 중 다른 하나가 코어/쉘 구조가 아닌 경우, 코어/쉘 구조와 비-코어/쉘 구조 내 코어 사이의 거리는 쉘 두께로 정의될 것이다.
일부 실시양태에서, 융합 영역은 코어/쉘 구조(들)에서 쉘 재료와 다를 수 있는 재료일 수 있고, 이하에서 추가로 개시되는 바와 같이, 융합된 분자를 제공하기 위해 나노결정의 융합 동안 형성될 수 있다.
나노결정 사이에 존재하는 융합 영역의 재료 조성에도 불구하고, 코어/쉘 구조와 그에 융합된 나노결정 사이의 융합 영역의 두께는 0.1 내지 5 nm 범위일 수 있다. 거리는 쉘 두께와 동일할 수 있으므로 0.1 내지 0.6 nm의 범위일 수 있거나, 또는 2-쉘 두께와 동일할 수 있으므로, 0.2 내지 1.5 nm의 범위일 수 있다. 쉘 두께가 더 두껍거나 화학적 융합이 더 먼 거리를 유발하는 재료를 도입하는 경우 더 먼 거리가 달성될 수 있다.
" 나노결정 (nanocrystal) "은 실질적으로 단결정인 나노구조이다. 나노결정은 나노스케일에서 적어도 하나의 영역 또는 치수를 갖는다. 일부 실시양태에서, 나노결정은 약 100 nm 미만, 약 50 nm 미만, 약 20 nm 미만, 약 10 nm 미만 또는 약 5 nm 미만의 치수를 갖는다.
일부 실시양태에서, 나노결정은 다양한 결점, 적층 결함 (stacking faults), 원자 치환 (atomic substitutions) 등을 포함하는 실질적으로 단결정 나노구조일 수 있거나, 또는 이러한 결점, 적층 결함, 또는 원자 치환이 없는 단결정 나노구조일 수 있다.
나노결정은 적어도 2개의 상이하거나 구별가능한 재료 또는 재료 영역을 포함하는 이형구조 (heterostructure)일 수 이다. 일부 실시양태에서, 이형구조 중 하나의 영역은 제1 재료를 포함할 수 있는 반면, 이형구조의 제2 영역은 제2 재료를 포함한다. 일부 실시양태에서, 이형구조는 코어/쉘 또는 코어/다중쉘 구조이고, 여기서 코어가 제1 재료이고 적어도 하나의 쉘이 제2 재료이고, 다양한 재료 유형이 나노구조의 장축 또는 구형 나노결정의 중앙을 중심으로 방사상으로 분포된다. 일부 실시양태에서, 이형구조는 제2 재료의 이격된 (spaced-apart) 재료 섬 (islands)으로 덮인 단일 재료의 코어를 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 이형구조는 2개 이상의 상이한 재료 영역을 포함한다.
일부 실시양태에서, 본 발명의 어셈블리에서, 적어도 하나의 나노결정은 코어/쉘 또는 코어/다중쉘 구조로 제공된다. 본원에 사용된 바와 같이, "코어/쉘" 구조에 대한 임의의 언급은, 달리 구체적으로 표시되지 않는 한, 코어 및 하나 이상의 쉘, 즉 "코어/다중쉘"에 대한 언급도 포함한다.
나노결정은 양자 구속 또는 여기자 구속 (exciton confinement)을 나타내는 양자점 (QD)일 수 있다. QDs는 재료 특성에서 실질적으로 균질할 수 있거나, 또는 일부 실시양태에서, 이질적일 수 있다.
나노결정은 잘 정의된 3D 구조 또는 기하학 또는 불규칙한 구조를 나타낼 수 있다. 일부 실시양태에서, 나노결정은 모양이 구형이거나 평평한 면과 직선 모서리를 갖는 다각형 구조를 나타낸다. 다각형 구조는 사면체 또는 육각형 피라미드, 또는 육각형 바이피라미드와 같은, 다면체 기저를 갖는 n-각형 피라미드일 수 있다. 일부 실시양태에서, 나노결정은 다각형 모양을 갖는 코어/쉘 구조이다.
나노결정은 금속, 금속 합금, 금속 산화물, 및 반도체 재료 중에서 선택된 재료일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 본원에 언급된 바와 같이, 본 발명에 따라 사용되는 코어/쉘 구조는 코어 재료 및 쉘 재료로 만들어질 수 있으며, 이들 각각은 서로 독립적으로, 금속, 금속 합금, 금속 산화물, 절연체, 및 반도체 재료 중에서 선택된다. 일부 실시양태에서, 코어 재료는 금속, 금속 합금, 금속 산화물, 절연체, 및 반도체 재료 중에서 선택되고 쉘 재료는 반도체 재료로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 융합된 나노결정 분자는 반도체 이형구조가다. 일부 실시양태에서, 이형구조는 코어 및 융합 영역 반도체 재료 사이 또는 2개의 코어 반도체 재료 사이에 타입 I, 리버스 타입 I, 쿼시-타입 (quasi-type) II 또는 타입 II 밴드-정렬 (band-alig nment)을 갖는다.
일부 실시양태에서, 재료는 원소 주기율표의 블록 d의 IVB, VB, VIB, VIIB, VIIIB, IB, IIB, IVA, 및 VA 족 원소이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 재료는 금속, 전이 금속 또는 후-전이 금속이거나 이를 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 이러한 금속은 원소 주기율표의 블록 d의 VIB, IVB, VB, VIB, VIIB, VIIIB, IB 및 IIB 족으로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, 전이 금속은 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Y, Zr, Nb, Zn, In, Ga, Sn, Bi, Tc, Ru, Mo, Rh, W, Au, Pt, Pd, Ag, Mn, Co, Cd, Hf, Ta, Re, Os, Ir 및 Hg로부터 선택되는 금속이다.
일부 실시양태에서, 재료는 I-VII 족, II-VI 족, III-V 족, IV-VI 족, III-VI 족, I-VI 족, V-VI 족, II-V 족, I-III-VI2 족, IV 족 원소, 3원 또는 4원 반도체 및 합금 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 반도체 재료이거나 이를 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 반도체 재료는 CuF, CuCI, CuBr, CuI, AgF, AgCI, AgBr, AgI 등인 그룹 I-VII 족 반도체이다. 다른 실시양태에서, 반도체 재료는 CdO, CdSe, CdS, CdTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, BeO, BeS, BeSe, BeTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CdSeTe, ZnO, ZnSe, ZnTe, ZnS, ZnCdSe, ZnCdTe, ZnCdS 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되는 II-VI 족 재료이다.
일부 실시양태에서, III-V 족 재료는 InAs, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AIP, AIN, AIAs, AlSb, BP, BaS, BSb 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택된다.
추가 실시양태에서, 반도체 재료는 PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Tl2SnTe5, GeS, GeSe, SnS, SnSe, GeTe, SnTe, PbO, 및 이들의 임의의 조합으로부터 선택되는 재료인, IV-VI 족으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 재료는 CuInS, CuInSe, CuInTe, AgInS, AgInSe or AgInTe, SbSI, SbSBr, SbSeI, SbSeBr, SbTeI, BiSCl, BiSBr, BiSeCl, BiSeBr, BiSeI와 같은 삼원 재료 (ternary material)이다. 일부 실시양태에서, 재료는 CuInGaS, CuInGaSe, CuInGaTe, CuInS2, CuInSe2, CuInTe2, CuGaS2, CuGaSe2, CuAlSe2, CuGaTe2, CuAlTe2, AgInGaS, AgInGaSe, AgInGaTe, AgInS2, AgInSe2, AgInTe2, AgGaS2, AgGaSe2, AgAlSe2, AgGaTe2 또는 AgAlTe2와 같은 사원 재료이다.
일부 실시양태에서, 융합된 나노결정 분자 또는 본 발명의 임의의 구조는 도핑될 수 있다. 비-제한적인 예시는 하나는 N-도핑되고 두 번째는 P-도핑되어 P-N 접합 (P-N junction)을 생성한다.
일부 실시양태에서, 코어/쉘 구조가 금속 코어 및/또는 금속성 쉘을 포함하는 경우, 금속은 당업계에 공지된 금속이거나 당업계에 공지된 금속을 포함할 수 있거나, 또는 전이 금속 또는 후-전이 금속이거나 이를 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 전이 금속은 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Y, Zr, Nb, Zn, In, Ga, Sn, Bi, Tc, Ru, Mo, Rh, W, Au, Pt, Pd, Ag, Mn, Co, Cd, Hf, Ta, Re, Os, Ir 및 Hg로부터 선택되는 금속일 수 있다.
나노결정의 어셈블리 또는 배열은, 같거나 다를 수 있고, 이들 표면 영역 중 적어도 하나를 통해 서로에 직접적으로 융합되는, 2개 이상의 나노결정을 특징으로 한다. 어셈블리는 2개의 이러한 나노결정의 이량체, 3개 나노결정의 삼량체, 또는 4개 이상의 나노결정을 포함하는 더 높은 상동체일 수 있다. 어셈블리 내 나노결정이 모두 조성, 모양, 및 크기가 동일한 경우, 상기 어셈블리는 동종-다량체 (동종이량체, 동종-삼량체 등)로 간주될 수 있고, 어셈블리가 조성, 결정 구조, 모양, 및 크기 중 적어도 하나가 다른 나노결정을 포함하는 경우, 상기 어셈블리는 이종-다량체 (이종-이량체, 이종-삼량체 등)로 간주될 수 있다.
어셈블리는 정의된 바와 같은 임의의 모양일 수 있으며, 어셈블리를 구성하는 나노결정의 수에 따라 달라질 것이다. 하기에 나타낸 바와 같이, 어셈블리가 이량체인 경우, 즉 2개의 나노결정을 포함하는 경우, 2개의 나노결정은 전자 커플링을 입증하는 이량체의 능력을 정의하는 표면 영역을 통해 서로 융합된다. 어셈블리가 3개 이상의 나노결정을 포함하는 경우, 상기 나노결정은 선형 방식, 순환 방식, 각형 방식, 지그재그 방식, 나선형 방식 또는 임의의 다른 실질적으로 2D 또는 3D 방식으로 서로 배열되거나 융합될 수 있다. 전형적으로, 3개 이상의 나노결정을 포함하는 어셈블리에서, 각각의 나노결정은 상기 어셈블리에서 또 다른 나노결정과 함께 단일 융합 점 또는 표면을 갖는다. 일부 실시양태에서, 어셈블리는 선형 또는 실질적으로 선형이다.
일부 실시양태에서, 커플링된 시스템은 혼성화로 인한 에너지 준위의 분할에 의해 식별될 수 있다. 비-제한적인 예시는 저온 분광법, 전기장에 대한 반응, 및 키랄 리간드의 결합이다.
본 발명에 따른 이량체 및 다량체의 비-제한적인 예시가 하기 표 1에 열거된다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
이량체 및 다른 열거된 다량체는 다른 코어/쉘 또는 비-코어/쉘 구조와 더 고차원의 상동체를 제작하는데 유사하게 사용될 수 있다.
동종- 및 이종-이량체가 도 1에 도시되어 있다. 나타낸 바와 같이, 이량체는 동일한 크기의 코어를 갖는 2개의 나노결정을 포함할 수 있거나, 크기가 다른 2개의 코어로 구성될 수 있거나, 하나 이상의 쉘(들)을 포함하는 코어/쉘의 형태 (코어@쉘1@쉘2)일 수 있거나 (여기서 코어는 크기 및 조성이 같거나 다를 수 있음), 코어가 동일한 크기이지만 조성이 다른 이종이량체일 수 있거나, 또는 코어가 상이한 크기 및 조성을 갖는 이종이량체일 수 있다.
본 발명의 어셈블리는 다양한 방법으로 제조될 수 있다. 일반적으로, 이들은 하나의 나노결정을 다른 나노결정 위에 융합함으로써 기판 영역에 상향식으로 (bottom-up) 제조되어, 2개 이상의 융합된 나노결정을 포함하는 나노결정 어셈블리를 생성한다.
본 발명에 따른 예시적인 공정에서, 제1 나노결정 집단은 기판의 표면 영역, 예컨대 나노입자 표면에 고정되고, 제1 나노결정 집단의 고정된 나노결정의 표면 영역은 리간드 분자에 의해 화학적으로 그래프팅되고, 제2 나노결정 집단의 나노입자와 접촉하여 제2 나노결정 집단의 나노결정을 고정된 나노결정에 접합시켜 기판의 표면 영역 위에 이랑체 어셈블리를 수득한다. 상기 공정 단계를 다시 반복하여 추가 집단의 나노결정을 연합/접합하여 (associate/conjugate) 나노결정 다량체 어셈블리를 수득할 수 있다.
따라서, 본 발명은 본 발명의 어셈블리로 장식된 기판을 추가로 제공하고, 여기서 상기 어셈블리 내 각각의 나노결정은 복수의 리간드 분자를 통해 어셈블리 내 또 다른 나노결정과 연합된다.
나노결정 어셈블리는 예컨대, 당업계에 공지된 임의의 에칭 방법을 사용하여 기판의 표면을 에칭함으로써; 예컨대, 기판과 융합된 나노결정 분자 사이의 결합 리간드의 선택적 방출에 의해; 또는 나노결정 표면과 기판을 연결하는 분자 사슬을 따라 결합 중 하나를 절단함으로써 기판으로부터 릴리즈될 (released) 수 있다. 비-제한적인 예시에는 가수분해와 같은 화학적 반응, Ph와 같은 환경 조건의 변화, 또는 빛과 같은 물리적 트리거에 대한 반응에 의해 리간드를 파괴하거나 방출하여 광해리 (photodissociation)를 초래하는 것이 포함된다.
릴리즈된 어셈블리에서 2개 이상의 나노결정 사이의 연합은 그 후에, 정의된 바와 같이, 2개 이상의 나노결정을 포함하는 나노결정의 화학적으로 융합된 어셈블리를 형성하도록 나노결정을 융합함으로써 강화될 수 있다. 융합은 화학적으로 또는 열 또는 압력의 적용에 의해 (예를 들어, 열적 수단을 포함하는 물리적 수단에 의해 또는 압력의 적용에 의해) 달성되어, 임의의 2개의 나노결정을 융합함으로써 연합하는 재료 넥 (material neck) 또는 표면을 생성할 수 있다.
본 발명의 어셈블리가 형성되는 표면의 기판은 제1 나노결정과 표면 재료 사이의 연합이 직접적으로 또는 리간드 분자를 통해 형성될 수 있다면 임의의 재료일 수 있다. 표면은 평면 기판 또는 3D 기판일 수 있다. 일부 실시양태에서, 표면은 나노입자 또는 마이크로입자와 같은 입자의 표면 영역이다. 일부 실시양태에서, 나노입자는 나노결정이 아니다.
일부 실시양태에서, 방법은 다음을 포함한다:
- 제1 집단의 복수의 나노결정을 기판의 표면 영역에 고정시키는 단계;
- 리간드 분자를 제1 집단의 고정된 나노결정 위에 화학적으로 그래프팅하는 단계; 및
- 제1 집단의 리간드 그래프팅된 고정된 나노결정을 제2 집단의 나노결정과 접촉시킴으로써 제2 집단의 나노결정을 고정된 나노결정에 연합/접합시켜 기판의 표면 영역에 이량체 어셈블리를 수득하는 단계.
일부 실시양태에서, 제3 집단의 나노결정은 제2 집단 (및/또는 제1 집단)의 나노결정의 표면 위에 리간드를 그래프팅함으로써 제2 집단 (및/또는 제1 집단)의 나노결정과 연합될 수 있고, 그로써 다수의 같거나 다른 나노결정을 포함하는 삼량체 또는 다량체를 제공할 수 있다.
일부 실시양태에서, 이량체 어셈블리 또는 삼량체 어셈블리, 또는 사량체 어셈블리 등은 임의로 리간드 분자와 추가로 화학적으로 그래프팅되고 추가 집단의 나노결정과 접촉하여 나노결정 다량체 어셈블리를 수득한다. 리간드 그래프팅 및 추가 나노결정 집단과의 접촉은 원하는 길이, 크기, 모양 및/또는 조성을 갖는 다량체 어셈블리를 얻기 위해 원하는 만큼 수회 반복될 수 있다.
제1 나노결정 집단을 구성하는 나노결정은 동일할 수 있는데, 즉 집단은 동일한 크기, 모양, 구조, 및 조성을 갖도록 선택되어, 균질하거나 또는 이질적일 수 있으며, 이에 나노결정은 크기, 모양, 구조, 및 조성이 각각 동일하지 않을 수 있다. 전형적으로, 제1 집단의 나노결정은 크기, 모양, 구조, 및 조성 중 하나 이상을 공유하거나 모두 동일하다.
제2 집단의 나노결정은 제1 집단의 나노결정과 동일할 수 있거나, 크기, 모양, 구조, 및 조성 중 적어도 하나가 그와 다를 수 있다.
다량체 배열이 요구되는 경우, 사용되는 각각의 나노결정 집단은 크기, 모양, 구조, 및 조성 중 적어도 하나가 같거나 다를 수 있다.
일부 실시양태에서, 표면 영역은 리간드 연합을 통해 나노결정의 고정화를 가능케 하기 위해 리간드 분자로 그래프팅된다.
일부 실시양태에서, 이량체 어셈블리 또는 다량체 어셈블리는 기판의 표면으로부터 에칭되어 (etched off) 표면에 결합되지 않은 이량체 어셈블리 또는 다량체 어셈블리를 수득한다.
일부 실시양태에서, 결합되지 않은 이량체 또는 다량체 어셈블리는 상기 어셈블리에서 임의의 2개의 나노결정의 화학적 융합을 가능케 하는 조건하에서 처리될 수 있다.
융합은 결합 또는 연합 또는 접합된 나노결정 사이의 경계에서 전구체-선택 (precursor-selected) 성장에 의해 화학적으로 또는 물리적으로 (예컨대, 빛, 열 또는 압력에 의해) 달성될 수 있다. 융합이 빛, 열 또는 압력과 같은 에너지원에 의해 이루어질 수 있는 경우, 임의의 2개의 나노결정의 융합은 융합을 겪게되는 나노결정의 최외각 표면에 존재하는 2개 재료, 예컨대 코어/쉘 구조의 경우 쉘 재료의 "재료 결합 (material marriage)"을 초래한다. 2개 나노결정, 예컨대, 2개 코어/쉘 구조의 융합 지점을 정의하는 재료 영역에서, 쉘 재료는 혼합되어 쉘 재료가 다른 경우의 재료의 혼합물로 정의되는 재료 가교 (material bridge)를 형성한다. 쉘 재료를 함께 융합할 때, 코어 재료는 영향을 받지 않는다.
융합이 화학적으로 달성되는 경우, 선택된 재료 또는 이의 전구체를 사용하여 2개의 나노결정 사이에 재료 가교를 형성할 수 있다. 이는 2개의 나노결정 사이의 계면에서의 재료 성장 또는 재료 증착에 의해 달성될 수 있다. 선택된 재료는 쉘 재료의 전구체이거나 나노결정 사이의 융합 영역을 구성하는데 사용되는 다른 재료의 전구체일 수 있다.
나노결정의 융합 지점은 전자 커플링을 제어하는 능력을 정의한다. 본원에 정의된 바와 같이, 융합 영역의 크기 또는 두께는 임의의 2개 코어 사이의 거리이다. 일부 실시양태에서, 코어/쉘 구조와 그에 융합되는 나노결정 사이의 거리는 0.1 내지 5 nm 범위일 수 있다. 이 거리는 쉘 두께와 동일할 수 있고, 따라서 0.1 내지 0.6 nm의 범위이거나, 또는 2-쉘 두께와 동일할 수 있고, 따라서 0.2 내지 1.5 nm의 범위이다. 쉘 두께가 더 두껍거나 더 먼 거리의 화학적 융합을 유발하는 재료를 도입하는 경우 더 먼 거리를 얻을 수 있다.
본 발명의 방법은 하기와 같은 하나 이상의 추가적인 단계를 포함할 수 있다:
- 제1 및/또는 제2 및/또는 추가 나노결정 집단(들)의 나노결정을 수득하는 단계; 및/또는
- 본 발명에 따른 다량체 어셈블리를 그의 표면에 형성하기 위한 나노입자를 수득하는 단계; 및/또는
- 다량체 어셈블리가 형성될 기판 재료의 표면 영역을 전-처리하는 단계; 및/또는
- 나노결정 단량체로부터 다량체 어셈블리의 집단을 분리 (또는 정제)하는 단계;
- 본 발명에 따른 다량체 어셈블리의 표면 또는 표면 영역에 쉘 또는 코팅을 형성하는 단계; 및/또는
- 융합된 나노결정 분자에 대해 금속 성장과 같은 추가적인 합성을 수행하는 단계.
일부 실시양태에서, 본 발명의 방법에 의해 수득된 다량체는 크기-선택적 침전, 밀도 구배 분리 등을 포함하나 이들로 제한되지 않는, 당업계에 공지된 임의의 분리 방법에 의해 나노결정 단량체로부터 정제될 수 있다. 일부 실시양태에서, 이량체 어셈블리는 임의의 분리 방법을 사용함으로써 단량체 나노결정 또는 고차 다량체로부터 분리될 수 있다.
일부 실시양태에서, 기판은 SiO2 나노입자와 같은 나노입자이다. 일부 실시양태에서, SiO2 나노입자의 크기는 50 내지 300 nm이다. 일부 실시양태에서, 코팅된 SiO2 나노입자는 한쪽 말단으로부터의 나노입자의 표면과 다른쪽 말단의 표면에 있는 나노결정 또는 리간드에 부착할 수 있는 표면 이기능성 리간드 분자로 그래프팅된다. 이러한 이기능성 분자는 실란 작용기를 갖는 티올 또는 이황화 분자, 예컨대, (3-머캅토프로필)트리메톡시실란 (MPTMS) 또는 당업계에서 사용되고 알려진 임의의 다른 리간드일 수 있다.
이들 사이의 융합 영역의 조성 및 크기에 대해 높은 제어력을 갖는 콜로이드 커플링된 양자 재료는 광학적 및 전기적 특성을 조정할 수 있는 상당한 잠재력을 가지고 있어, 이들을 발광 장치, 디스플레이 요소, 광전지, 양자 게이트, 생체의학 센서 등을 비롯한 다양한 응용 분야에 적용가능하게 만든다. 따라서, 본 발명은 또한 본 발명에 따른 배열에서 2개의 커플링된 또는 융합된 나노결정 사이의 융합 영역의 크기 및 조성 중 적어도 하나를 제어하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 예를 들어 혼성화 및 양자 코히어런스 효과가 발생하도록 2개의 나노결정 사이의 크기, 두께 또는 거리에 대한 제어를 가능케 한다.
본 발명은 다음을 포함하는, 융합된 나노결정 분자의 제조를 위한 방법을 제공한다:
- 기판의 표면 영역 위에 복수의 양자점 (QD)을 고정하는 단계;
- 고정된 QD 위에 리간드 분자를 화학적으로 그래프팅하는 단계;
- 상기 기판을 에칭하여 (또는 기판으로부터 리간드를 릴리즈하거나 또는 나노결정을 기판에 연결하는 분자 사슬을 따라 결합을 절단하여), 복수의 리간드 그래프팅된 (야누스) QDs를 릴리즈하는 단계;
- 이량체화를 가능케 하여 연합된 나노결정을 수득하는 단계;
- 연합된 나노결정을 융합하여 융합된 나노결정 분자를 형성하는 단계.
야누스 입자의 이량체화는 기판에 부착된 나노결정의 반구가 다른 방출 입자의 유사한 표면에 친화성을 갖는 경우 동종이량체화 (homodimerization)일 수 있다. 비-제한적인 예시에는 소수성-소수성 상호작용 또는 친수성-친수성 상호작용을 통해 이량체를 생성하는 소수성/친수성 성질을 갖는 야누스 나노결정이 포함된다.
이종이량체는 이 방법을 적어도 2회 반복하여 유사한 방식으로 생산될 수 있으며, 매번 이들의 릴리즈 및 혼합이 이량체를 생산하는, 상이하지만 보완적인 야누스 입자를 생산한다. 비-제한적인 예시에는 상보적인 산-염기 리간드 또는 양-음으로 하전된 리간드를 갖는 야누스 입자를 생산하는 것이 포함된다.
일부 실시양태에서, 제1 집단의 QDs는 기판 상에 고정화하기 전에 복수의 소수성 리간드로 그래프팅된다. 소수성 리간드는 올레일아민 (OAm) 및 올레산 (OA)의 혼합물일 수 있다.
일부 실시양태에서, 제1 집단의 QDs의 고정화는 기판의 표면 위에 존재하는 티올 기를 통해 일어난다. 상기에 언급한 바와 같이, 표면은 SiO2의 표면일 수 있다.
일부 실시양태에서, 에칭은 고정된 QDs를 HF/ nmF의 용액과 접촉시킴으로써 달성된다. 에칭 시, 릴리즈된 QDs는 소수성 리간드를 갖는 표면 영역 및 친수성 리간드를 갖는 또 다른 표면 영역을 특징으로 한다. 제2 집단의 QDs와 제1 집단의 릴리즈된 야누스 QDs의 연합은 소수성 표면 영역을 통해 일어난다.
이량체의 융합은 상기에 논의된 바와 같이 달성될 수 있다.
일부 실시양태에서, 융합은 선택적으로 이량체 내 2개의 QDs 사이의 재료 가교를 형성하도록 선택된 전구체 재료의 존재하에서 열적으로 달성된다.
본 발명은 본 발명에 따른 융합된 나노결정 분자의 제조를 위한 또 다른 방법을 추가로 제공한다. 따라서, 상기 방법은 다음을 포함한다:
- 제1 액체 중의 리간드 용액을 제2 액체 중의 리간드-그래프팅된 QDs의 현탁액에 첨가하여 리간드 교환을 허용하는 단계로, 제1 액체 및 제2 액체는 비혼화성인 단계;
- 동종 또는 이종이량체화에 의해 QDs의 이량체화를 허용하여 나노결정 연합을 수득하는 단계; 및
- 나노결정을 융합하여 융합된 나노결정 분자를 형성하는 단계.
본 발명은 본 발명에 따른 융합된 나노결정 분자의 제조를 위한 추가의 방법을 제공한다. 따라서, 상기 방법은 다음을 포함한다:
- 임의로 리간드 분자로 그래프팅된 제1 나노결정 집단을 제1 나노결정에 또는 이들의 표면상의 리간드 분자에 연결기 (linking group)로 장식된 제2 나노결정 집단과 혼합하는 단계;
- 나노결정을 융합하여 융합된 나노결정 분자를 형성하는 단계.
본 발명은 제2 나노결정의 미리 선택된 영역에 제1 나노결정의 부착을 지시하는 방법을 제공하고, 상기 방법은
- 제2 나노결정의 표면 위에 반응성 영역을 차단하는 단계;
- 제2 나노결정의 미리 선택된 영역 (차단된 영역과는 다름)에 대한 융합을 지시하는 단계;
- 제1 및 제2 나노결정 사이의 융합을 허용하는 단계; 및
- 선택적으로 반응성 영역의 차단을 해제하는 (de-blocking) 단계를 포함하여, 융합된 나노결정 분자를 수득한다.
일부 실시양태에서, 제1 및 제2 나노결정은 코어/쉘 구조이다.
일부 실시양태에서, 방법은 2개 이상의 나노결정의 직접적인 부착에 사용된다.
정의된 바와 같이, 융합된 시스템을 생성하는 본 발명의 방법은 접합, 표면 코팅, 섬 성장 (islands growth), 금속성 또는 비-금속성 재료에 의한 추가 코팅, 다른 나노결정의 형성을 가능케 하는 양이온 교환을 가능케 하거나, 또는 일반적으로 이 시스템을 반응성이게 하거나 추가 조작에 민감하게 만드는 융합된 시스템의 처리를 포함하는 하나 이상의 생산-후 단계를 추가로 포함한다. 따라서, 본 발명의 방법은, 예컨대 접합되고, 표면-연합되고, 표면 장식되는 등의 변형된 융합 시스템을 추가로 제공한다.
본 발명의 모든 방법에서, 달리 지시하지 않는 한, 나노결정은 코어 또는 쉘이 금속성 재료로 구성되는, 반도체 코어/쉘 구조 또는 코어/쉘 구조일 수 있다.
나노결정이 코어/쉘 구조인, 본 발명의 어셈블리에서, 전자 커플링은 쉘의 두께 및 조성에 의해 조정되고 결정될 수 있으며; 코어의 모양, 크기 및 조성은 2개의 나노결정의 전자 커플링을 달성하도록 설계될 수 있고, 그로써 융합된 또는 커플링된 나노결정은 디스플레이, 생체의학 응용, 광전자 장치, 및 광촉매에서와 같은 광전자 (optoelectronic) 응용을 위한 하나 이상의 전제 조건을 충족하도록 맞춤화된다.
따라서, 본 발명은 본 발명에 따른 융합된 나노결정 분자 또는 어셈블리를 포함하는 장치를 추가로 포함한다. 상기 장치는 광학 장치, 전기-광학 장치 및 광촉매 응용을 위한 장치로부터 선택될 수 있다. 이러한 장치는 이중색 단광자 소스, 발광 다이오드 (LED) 장치, 나노결정 레이저, 광검출기, 태양 전지, 액정 디스플레이 (LCD) 스크린, 전기장 센서, 얽힘 상태 생성기 (entanged state generator), 1-비트 회전 게이트 및 2-비트 제어 not (CNOT) 게이트, 양자 캐스케이드 레이저 (QCL), 데이터 저장 장치, 전자장치의 부품, 반응성 종 발생기, 과산화수소 발생기, 수소 가스 발생기, 광전기화학 전극, 광촉매 전극, 광산화환원 전극, 광산화환원 기반 센서, 광전기화학 또는 광촉매 반응, 정수 장치 및 폐기물 소비 장치일 수 있다.
일부 실시양태에서, 장치는 타입 I, 리버스 타입 I, 쿼시-타입 II 또는 타입 II 이형구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 장치는 전자 전달에 의한 환원 증강을 위해 본 발명에 따른 이형구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 장치는 정공 전달에 의한 산화 증강을 위해 본 발명에 따른 이형구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 장치는 전극으로의 전하 전달 증강을 위해 본 발명에 따른 이형구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 장치는 용액 중에서 전극 또는 분자 종으로 전하 캐리어의 추출을 향상시키기 위해 본 발명에 따른 이형구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 장치는 광촉매 또는 광-산화환원 반응의 방법에 사용하기 위한 것이다.
일부 실시양태에서, 장치는 광전기화학 반응에 사용하기 위한 본 발명에 따른 이형구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 장치는 물 분할을 위한 광촉매에 사용하기 위한 본 발명에 따른 이형구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 장치는 반응성 종의 형성을 증강시키는데 사용하기 위한 본 발명에 따른 이형구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 장치는 반응성 산소 종의 형성을 증강시키는데 사용하기 위한 본 발명에 따른 이형구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 장치는 유기 분자의 광분해에 사용하기 위한 본 발명에 따른 이형구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 장치는 광역학 요법에 사용하기 위한 본 발명에 따른 이형구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 장치는 항균 소독에 사용하기 위한 본 발명에 따른 이형구조를 포함한다.
본 발명은 추가로 본 발명에 따른 이형구조의 형태로 광촉매를 제공한다.
본 발명에 따른 이형구조의 형태로 광개시제가 또한 제공되고, 상기 광개시제는, 예컨대 광경화 (photocuring) 및 3D 프린팅 응용에 사용하기에 적합하다.
추가로, 정의된 바와 같이, 여기자 방출을 넘어서는 다중캐리어 구성의 방출을 나타내는 융합된 나노결정 분자가 제공된다.
3여기자 (triexciton) 또는 트라이온 (trion) 상태를 나타내는 융합된 나노결정, 및 이러한 시스템을 구현하는 장치가 추가로 제공된다.
본원에 개시된 주체를 더 잘 이해하고 이것이 실제로 수행될 수 있는 방법을 예시하기 위하여, 이제 첨부된 도면을 참조하여, 단지 비-제한적인 예로서 실시양태가 기술될 것이다:
도 1은 다양한 유형의 커플링된 이량체 구조를 개략적으로 도시한다. (A) 같은 크기의 코어를 갖는 커플링된 이량체 구조. (B) 다른 크기의 코어를 갖는 커플링된 이량체 구조. (C) 다른 크기의 코어를 갖는 코어@쉘1@쉘2의 커플링된 이량체 구조. (D) 다른 재료의 같은 크기의 코어를 갖는 커플링된 이종이량체 구조. (E) 다른 재료의 다른 크기의 코어를 갖는 커플링된 이종이량체 구조.
도 2는 커플링된 CdSe@CdS 이량체 구조의 예시적인 제조 공정에 대한 개략도이다.
도 3A-3I는 양자점 특성화를 제공한다. 다른 크기의 CdSe/CdS 코어-쉘 CQDs의 TEM 현미경사진, 흡수 및 광발광 스펙트럼: (도 3A-C) 1.9/4.0 nm, (도 3D-F) 1.4/2.1 nm, 및 (도 3G-I) 1.2/2.1 nm.
도 4A-4L는 커플링된 CQDs의 구조적 특성화를 제공한다.
Figure pct00006
영역 축 (ZA) 하에서 보여지는 1.9/4.0 nm CdSe/CdS CQD 단량체의 미가공 (도 4A) 및 푸리에 필터링된 (도 4B) HAADF-STEM 이미지. 인서트 인 (도 4A)은 STEM 데이터를 기반으로 인덱싱된 경계면이 있는 VESTA 소프트웨어로 구축된 카툰 모델이다. (도 4B)에 나타난 CQD의 에지 (쉘) (도 4C) 및 중앙 (코어) 부분 (도 4D)의 확대 이미지. 황, 셀레늄, 및 카드뮴 원자는 각각 청색, 녹색, 및 자주색으로 표시된다. 쉘 격자의 코히어런트 성장이 확인된다. (e) 및 (f)는 각각 (도 4A)의 FFT 및 원자 구조 모델이다. ZA [0001] 하에서 CdSe/CdS CQD의 HAADF-STEM 이미지 (도 4G) 및 동일한 방향에 대해 계산된 원자 구조 재구성 이미징 (도 4H). ZA
Figure pct00007
하에서 보여지는 CdSe/CdS CQD의 (도 4I) 고-해상도 HAADF-STEM 이미지 및 원자 구조 모델 (도 4J). 코어 영역은 (도 4G) 및 (도 4I)에 분홍색 원으로 표시된다. FFT 패턴이 (도 4G), 및 (도 4I)에 삽입된다. CdSe/CdS CQDs의 대규모 앙상블에서 획득된 SAED (도 4K) 및 XRD 패턴 (청색 곡선 - 실험 XRD 데이터, 적색 막대 - hcp의 회절 피크에 대한 이론적 위치) CdS (JCPDF 04-001-6853), 흑색 곡선 - SAED의 통합 강도 (도 4K)).
도 5A-5L은 전자 현미경으로 특성화된 CdSe/CdS@SiO2를 제공한다. (도 5A-D) 1:2000, (도 4E-H) 1:1000, 및 (도 4I-L)의 다양한 로우딩 비율로 생성된 CdSe/CdS@SiO2 NPs의 다른 비율에서 획득된 TEM 및 SEM 이미지. 스케일 바는 100 nm이다.
도 6A-6L은 마스킹을 위해 (도 6A-D) 200, (도 6E-H) 100, 및 (도 4I-L) 50 mL의 다른 양의 TEOS로 생성된 SiO2@CdSe/CdS@SiO2 NPs의 다른 배율에서 획득된 TEM 및 SEM 이미지를 제공한다. 스케일 바는 100 nm이다.
도 7A-7B는 SiO2@동종이량체 입자의 TEM 이미지를 제공한다.
도 8A-8E는 커플링된 CQDs 분자를 제공한다. (도 8A) 커플링된 CdSe/CdS CQD 분자의 제조를 위한 개략도. (도 8B) 이량체@SiO2 CQD 구조. 융합 절차 전 (도 8C) 및 후 (도 8D)의 이량체 1.9/4.0 nm CQD 분자. (도 8E) 1.4/2.1 nm 융합된 CdSe/CdS CQD 분자. 개략적 구조가 도시된다. 스케일 바 (도 8B-E)는 50 nm이고 인서트는 더 높은 배율 이미지를 보여준다.
도 9A-9C는 커플링된 CdSe-CdS 분자의 HAADF-STEM (도 9A), 라인 스캔 (도 9B) 및 STEM-EDS (도 9C) 분석을 제공한다.
도 10A-10D는 [010] 영역 축을 갖는 커플링된 CdSe-CdS 분자의 HRTEM (도 10A), 고속 푸리에 변환 재구성 이미징 (도 10B), 전자 회절 (ED) 패턴 (도 10C), 및 커플링 모델 (도 10D)을 제공한다. 흰색 화살표는 QDs에 대한 c-축이고 인서트는 다른 방향의 영역에 대한 줌-인을 보여준다 (Cd 원자는 회색으로 표시되고 S 원자는 짙은 회색으로 표시됨).
도 11A-11K는 CQD 분자에서 융합 배향 관계를 제공한다. 각각
Figure pct00008
및
Figure pct00009
에 대한 부착의 배향 관계를 갖는 커플링된 CQD 분자의 동종-평면 (도 11A-C) 및 이종-평면 (도 11D-F) 부착의 원자 구조 모델 (도 11A, D; 카드뮴 원자 - 갈색, 황 원자 - 청색), HAADF-STEM 이미지 (도 11B, E), 및 FFT 패턴 (도 11C, F). (0002), 및
Figure pct00010
패싯 각각에 대한 동종-평면 부착의 HAADF-STEM (도 11G, I) 및 원자 구조 모델 (도 11H, J). 주황색 점선 화살표는 투영 ZA
Figure pct00011
에 수직인 이미지 평면에서 CQD 융합/분자를 나타낸다.
Figure pct00012
동종-평면 부착의 경우, A1 및 A2의 동종
Figure pct00013
면이 평행한 반면 (도 11C), 이종-평면 부착의 경우 이종 면이 평행함
Figure pct00014
(도 11C)에 주목한다.
Figure pct00015
, (0002), 및
Figure pct00016
면에서 관찰된 동종- 및 이종-평면 부착 배향에서 관찰된 분포 (도 11K). 인서트는 CQD 모델 및 면을 보여준다.
도 12A-12D는
Figure pct00017
(도 12A-B),
Figure pct00018
(도 12C-D)의 이종-평면 부착을 갖는 융합된 1.9/4.0 nm CdSe/CdS 분자의 HAADF-STEM 이미지 및 원자 구조 모델을 제공한다. 원자 모델의 경우, 카드뮴 원자는 갈색으로 표시되고 황 원자는 청색으로 표시된다.
도 13A-13D는 1.4/2.1 nm CQDs 분자의 특성화를 제공한다. (0002)||(0002)의 동종-평면 부착 (도 13A) 및
Figure pct00019
면의 이종-평면 부착 (도 13B)을 갖는 커플링된 CdSe/CdS 분자의 푸리에 필터링된 HAADF-STEM 이미지. (도 13C) EDS 라인 스캔 데이터 및 (도 13D) STEM-EDS 분석.
도 14A-14B는
Figure pct00020
(도 14A), 및
Figure pct00021
(도 14B)에 대해 동종-평면 부착을 갖는 융합된 1.4/2.1 nm CdSe/CdS 분자의 HAADF-STEM 이미지 및 원자 구조 모델을 제공한다. 원자 모델의 경우, 카드뮴 원자는 자주색으로 표시되고 황 원자는 밝은 청색으로 표시된다.
도 15A-15B는
Figure pct00022
(도 15A),
Figure pct00023
(도 15B)에 대해 동측-평면 부착을 갖는 융합된 1.4/2.1 nm CdSe/CdS 분자의 HAADF-STEM 이미지 및 원자 구조 모델을 표시한다. 원자 모델의 경우, 카드뮴 원자는 자주색으로 표시되고 황 원자는 밝은 청색으로 표시된다.
도 16A-16G는 (도 16A) 밴드-에지 피크 및 (도 16B) 벌크 전이 (300 nm)에 대해 정규화되는 경우 단량체 (청색), 비융합 (녹색), 및 융합된 1.4/2.1 nm CdSe/CdS CQD 분자의 정규화된 흡수 스펙트럼을 제공한다. (도 16C) 쿨롱 상호작용 Ψε없이, 커플링된 CQD 분자의 쿨롱 상호작용 Ψ'ε(녹색) 및 정공 파동-함수를 가지고 계산된 첫 번째 전자 파동-함수 (적색)의 위치 에너지 지형 및 단편. (도 16D) 쿨롱 상호작용 부재 (결합 상태의 단면은 도 16A에서 적색 곡선임), 및 (도 16E) 쿨롱 상호작용 존재 (결합 상태의 단면은 도 16A에서 녹색 곡선임) 하에서 계산된 결합 및 반결합 2차원 전자 파동-함수. (도 16F) 단량체 (청색), 비융합 (녹색), 및 융합된 1.4/2.1 nm CdSe/CdS CQD 분자 (적색)의 흡수 및 형광 스펙트럼. (도 16G) 상이한 코어/쉘 치수를 갖는 CQD 분자에 대한 단량체-대-각-동종이량체 구조의 계산된 (적색 별표) 및 실험상 (청색 원) 밴드갭 적색 이동.
도 17A-17C는 1.4/2.1 nm CQD로 구성된 단량체, 비융합 이량체 및 융합된 이량체에 대한 앙상블 (도 17A) 및 단일 입자 수준 (도 17B)에서의 대표적인 광발광 수명 붕괴 데이터 (도 17A)를 제공한다. (도 17C) 3가지 유형의 입자 모두에 대한 단일 입자 데이터의 평균 수명 분포를 요약한 히스토그램. 이량체에 대한 수명의 추가 단축이 융합 시 관찰된다.
도 18A-18B는 단일 (도 18A) CQD 단량체 및 (도 18B) 융합된 이량체에 대한 시간-태그된, 시간-분해 데이터를 제공한다. 표시된 것은 (i) 광발광 강도 시간 추적, (ii) 2차 광자 상관관계, 및 (iii) 단일 입자 (밝은 회색 및 짙은 회색 수명 곡선은 해당 시간 추적에서 동일한 색상으로 음영 처리된 데이터로부터 생성됨)에 대한 수명이다.
도 19A-19C는 융합 프로토콜 처리된 단량체 CQD (1.4/2.1 nm)의 시간-태그된, 시간-분해 분석을 제공한다. (도 19A) 강도의 바이모달 온-오프 분포 (bimodal on-off distribution)가 발견되었다 (bin-50 ms). 흑색 곡선은 배경 잡음을 나타낸다. (도 19B) 온-상태의 형광 수명은 31 ns의 단일 지수 붕괴를 수반한다. (도 19C) g2 값이 0.09인 강한 광자 뭉침방지 (antibunching). 융합 프로토콜 처리된 단량체에 대한 이러한 모든 관찰은 이전 항목에서 설명한 바와 같이 비처리된 단량체 입자와 높은 상관관계가 있다.
도 20은 단일 1.4/2.1 nm 융합된 CQD 분자의 펌프 플루언스 (pump fluence) 의존적 형광을 제공한다. 전력이 강할수록 수명은 단축된다. 인서트는 가능한 새로운 다중캐리어 형상을 보여준다.
도 21A-21D는 에칭 및 방출 절차 후 동종이량체@SiO2 (도 21A) 및 동종이량체 NCs (도 21B)의 TEM 이미징을 제공한다. 융합 절차 후 커플링된 동종이량체 QDs의 HRTEM 및 STEM (각각 도 21C 및 도 21D).
도 22A-22B는 SiO2@이종이량체의 TEM 이미징을 제공한다.
도 23A-23D는 상이한 배율로 융합 절차 전 (도 23A, B) 및 후 (도 23C, D)의 이종이량체의 TEM 이미징을 제공한다.
도 24A-24B는 삼량체 구조의 TEM 이미지를 제공한다.
도 25A-25D는 아연 블랜드 (ZB) CdSe/CdS QDs의 TEM 이미지 (도 25A), STEM 이미지 (도 25B)를 제공한다. ZB QDs 이량체 @SiO2 구조 (도 25C)의 TEM. 융합된 이량체 ZB QDs 구조 (도 25D). 인서트는 이량체 팁 부착 QDs 구조의 HAADF-STEM 이미지를 보여준다.
도 26A-26H는 [110] 영역 축에 대한 HAADF-STEM 이미지 (도 26A), 고속 푸리에 변환 재구성 이미징 (도 26B), 전자 회절 (ED) 패턴 (도 26C)을 제공한다. 이종-배향 부착 CdSe-CdS 분자에 대한 다른 유형의 커플링된 AB의 HAADF-STEM 이미지 (도 26D-E). 인서트는 이량체 QDs 구조의 모델을 보여준다. ZB CdSe-CdS CQDs의 SAED (도 26F). 커플링된 ZB 팁 부착 CdSe/CdS 분자의 HAADF-EDS 라인 스캔 데이터 (도 26G) 및 STEM-EDS (도 26H) 분석.
도 27A-27B는 가장 높은 정공 파동-함수의 단면 (청색), 클롱 상호작용이 없는 (적색), 쿨롱 상호작용이 있는 (적색 점선) 가장 낮은 상태의 전자, 클롱 상호작용이 없는 (녹색), 쿨롱 상호작용이 있는 (녹색 점선) 첫 번째 여기 상태의 전자와 함께, 단량체 (좌측) 및 융합된 CQDM 이량체 (우측)의 위치 에너지 지형에 대한 도식을 제공한다. (h) 클롱 상호작용을 적용하기 전 (흑색)과 후 (자홍색)의 단량체 CQD (좌측) 및 이량체 CQDM (우측)에 대한 여기 에너지 준위 순서. C m/d 는 각각 단량체 및 이량체 내 클롱 에너지를 나타내고, △E f 는 융합 에너지를 나타낸다. △E는 이량체 CQDM에서 대칭 및 비-대칭 전자 상태 사이의 차이인, 커플링 에너지를 나타낸다.
도 28A-28F는 CQDM에서 가장 낮은 전도대 (conduction band) 상태의 커플링에 대한 코어 치수, 배리어 두께 및 밴드 오프셋의 효과를 제공한다. (도 28A) 등고선 그래프 2d-f에서 특정 지점의 첫 번째 전자 상태 (대칭 상태)의 파동-함수. (도 28A) 0 eV 전도대 오프셋, (b) 0.1 eV 전도대 오프셋 및 (도 28C) 0.32 eV 전도대 오프셋에서 코어 직경/배리어 두께 2.8 nm/0.9 nm, 2.8 nm/8 nm, 4 nm/5 nm, 5 nm/0.9 nm 및 5 nm/8 nm. (도 28D) 0 eV, (e) 0.1 eV 및 (f) 0.32 eV 전도대 오프셋에서 코어 직경/배리어 두께의 함수로서 CQDM에서 가장 낮은 전도대 수준 (색상 눈금에 표시된 에너지 값)에 대한 대칭 및 비대칭 상태 사이의 에너지 분할의 등고선 플롯. D1, E1, 및 F1은 각각 그래프 (도 28D), (도 28E) 및 (도 28F)에서 4 nm/5 nm 지점을 나타낸다. D2, E2, 및 F2는 각각 그래프 (도 28D), (도 28E) 및 (도 28F)에서 2.8 nm/0.9 nm 지점을 나타낸다. 위치 에너지 지형에 대한 전자의 대칭 상태 (적색 선) 및 반-대칭 상태 (녹색 선)의 고유-에너지는 이들의 파동-함수와 함께 상기 지점에서 표시된다.
도 29A-29C는 CQDMs에서 가장 낮은 전자 상태의 커플링에 대한 넥 효과 (neck effect)를 입증한다. (도 29A) 넥 직경의 함수로서 대칭 및 비-대칭 상태 사이의 에너지 차이. 청색 곡선은 0.1eV 전도대 오프셋을 나타내고, 적색 곡선은 0.32eV 전도대 오프셋을 나타낸다. 인서트: 계산 시 고려된 치수. (도 29B) 대칭 (하부) 및 비-대칭 (상부) 전자 상태의 파동-함수 및 3개 지점 B1, B2, 및 B3에서 이들 사이의 에너지 차이: B1, B2, 및 B3 각각은 1.5 nm, 4 nm, 및 6.2 nm 넥 두께를 나타낸다 (0.1eV 밴드 오프셋). (도 29C) 대칭 (하부) 및 비-대칭 (상부) 전자 상태의 파동-함수, 및 각각 1.5 nm, 4 nm, 및 6.2 nm 넥 두께에 상응하는 3개 지점 사이의 에너지 차이 (0.32eV 밴드 오프셋).
도 30A-30F는 CQDM에 대한 여기자 거동을 도시한다. (도 30A) 0.32eV (적색) 및 0.1eV (청색) 전도대 오프셋을 고려하여, 이량체 (점선) 및 단량체 (실선)에 대한 코어 직경의 함수로서 쿨롱 상호작용을 적용한 후 첫 번째 전자와 정공 파동-함수 사이의 중첩 적분. (도 30B) 0.32eV (적색) 및 0.1eV (청색) 전도대 오프셋에서 코어 직경의 함수로서, 이량체 (점선) 및 단량체 (실선)의 쿨롱 에너지 C d . (도 30C) 0.32eV (적색) 및 0.1eV (청색) 전도대 오프셋에서 코어 직경의 함수로서 단량체와 이량체 쿨롱 에너지 △E c (실선)과 융합 에너지 △E f (점선) 사이의 차이. (도 30D) 0.32eV (적색) 및 0.1eV (청색) 전도대 오프셋에서 코어 직경의 함수로서 단량체 및 이량체 사이의 방출 적색 이동. 인서트: 계산 시 고려된 치수. (도 30E-F) A, B, 및 C는, 0.1eV (청색 프레임) 및 0.32eV (적색 프레임) 전도대 오프셋을 고려하여, 각각1 nm, 1.8 nm and 4.2 nm 코어 직경에서 쿨롱 상호작용을 적용한 후 첫 번째 전자 및 정공 상태의 파동-함수를 보여준다.
도 31A-31C는 CQD 대 CQDMs의 흡수 스펙트럼을 묘사하고 이론과 실험 (융합된 코어 직경/쉘 두께 2.8/2.1 nm CdSe/CdS에 대해)을 비교한다. (도 31A) 단량체 CQD (청색), 비-융합된 CQD (녹색) 및 융합된 이량체 CQDM (적색)에 대한 에너지의 함수로서 흡수 단면. (도 31B) 계산된 전이 중첩 적분 (보라색)과 함께 0.1eV 밴드 오프셋에 대한 단량체 흡수 단면 (청색). (도 31C) 계산된 전이 중첩 적분 (주황색)과 함께 0.1eV 밴드 오프셋에 대한 이량체 흡수 단면 (적색). 강한 전이에 포함된 전자 및 정공 파동-함수가 또한 제시된다.
도 32A-32C는 하나는 녹색 방출이고 적색 방출을 갖는 더 큰 NC인, 서로 다른 코어 크기를 갖는 2개의 CdSe/CdS 코어/쉘 NCs를 커플링하여 제조된, 이중 방출 NC 이종이량체 분자를 입증한다. (도 32A) 전체 입자 갭을 초과하는 여기는 이중 색상 방출을 초래할 것이다. (도 32B) 이중-색상 단일 광자 소스. 전하 캐리어가 오거 (Auger) 공정을 거칠 것이기 때문에 2가지 색상의 동시 방출은 금지된다. (도 32C) 적색 여기 강도에 의해 지시되는 강도 제어된 녹색 방출. 더 높은 강도의 적색 여기는 오거 공정을 통해 녹색 방출을 억제할 다중-여기자를 생성할 것이다.
도 33A-33B는 전기장에 의해 제어되는 광 스위치로서 QD 분자를 나타낸다. (도 33A) 타입 I-타입 I 인터페이스. 전기장이 없는 상태에서 여기자는 코어 말단 중 하나에서 재결합하여 파장 λ1의 광자를 방출할 수 있다. 전기장 하에서 가장 낮은 에너지 광자는 간접 여기자이다. 만약 코어가 닫히면 다른 파장이 방출될 것이다. 이들이 멀리 떨어지면 방출이 억제될 것이다. (도 33B) 타입 II-타입 II 인터페이스. 전기장이 없는 상태에서 두 파장 λ1 및 λ2가 방출될 수 있다. 전기장 하에서 전자는 코어 정공 중 단 하나와 중첩되어 전기장에 의한 파장의 선택으로 이어진다.
도 34는 CNOT 양자 게이트로서 QD 분자를 나타낸다. 이 구조는 논리 이진법을 나타내는 기본 여기로서 QD에 국한된 전자-정공 쌍을 사용한다: QD에서 여기자의 존재 (비존재)는 논리 1 (0)에 해당한다. 큐비트는 양자 조작을 추구하도록 공진 코히어런트 전자기 복사 (resonant coherent electromagnetic radiation)에 의해 조작될 수 있다. 각 점에서 여기자를 호스팅하는 QD 분자는 여기자들 사이의 쿨롱 상호작용으로 인해 다른 에너지 준위를 나타낼 것이다. 이는 CNOT 양자 게이트를 용이하게 하는데 사용될 수 있는데, 여기서 QD 분자 내 단 하나의 여기자의 에너지와 일치하는 에너지를 갖는 π 펄스는 상태를 |0>에서 |1>로 변경시키지만 QD 분자가 각 점에서 여기자를 호스팅하는 경우에는 작업이 실행되지 않을 것이다.
도 35는 상이한 유형의 커플링된 삼량체 또는 다른 커플링된 사슬 나노구조를 제공한다.
도 36은 QDs의 초격자를 위한 빌딩 블록으로서 QD 분자를 입증한다. 이러한 초격자는 양자 캐스케이드 레이저를 생성하는데 사용될 수 있는데, 이때 전기장에서 전도대 내 하나의 전자는 IR 광자를 방출하는 밴드-내 전이를 겪을 수 있고, 그 후에 그 다음 점으로 터널링되고 이 과정을 수 차례 반복할 수 있다. 이러한 방식으로, 여러 IR 광자가 하나의 단일 전자로부터 방출된다.
본원에 제시된 커플링된 NC 분자의 제1 예시는 2개의 코어/쉘 나노결정을 조합하여, 고도로 제어된 커플링된 시스템을 생성한다. 매우 다양한 기하학적 패턴을 제공하는 코어-쉘 나노결정 빌딩 블록이 제공될 수 있다. 빌딩 블록은 모든 유형의 코어/쉘 NCs로부터 선택된다
CdSe@CdS 코어-쉘 구조를 비-제한적인 예로 고려하면, 이 코어/쉘 시스템은 사각형 피라미드, 육각형 피라미드, 및 육각형 바이피라미드와 같은 구형-유사 모양 또는 다각형 모양을 채택하도록 합성될 수 있다. 다른 코어/쉘 NCs는 또한 큐브 등과 같은 다른 기하학을 가질 수 있다. 이러한 코어/쉘 빌딩 블록을 이용하여, 커플링된 QDs 분자는 땅콩-유사, 완두깍지-유사, 눈사람-유사, 호리병박-유사, 성냥개비, 및 추가 기하학을 포함하는 다양한 기하학을 갖는 커플링된 NC 분자의 풍부한 세트를 생성하도록 제작될 수 있다. 밴드갭 공학 측면에서, 첫 번째 경우 양자점 (QDs) 코어의 크기, 모양, 및 조성의 조정은 전자 및 전공의 파동함수 및 에너지를 조작하는데 사용된다. 또한, 파동함수 및 에너지는 그 후에 이러한 코어의 상부에 있는 쉘의 합성에 의해 추가로 조작된다. 일단 융합되면 - 이들 코어/쉘 나노결정은 조합하여 커플링된 나노결정 분자를 형성한다.
2개의 유사한 코어/쉘 나노결정이 하나의 나노결정 분자로 조합되는 커플링된 동종이량체 구조로부터 시작하는 광범위한 가능성이 존재한다. 그 후에 쉘 크기, 조성 및 기하학의 제어를 통해 구성요소 코어가 유사한 커플링된 나노결정 분자에 대한 다양한 조합을 달성할 수 있다. 또한, 서로 다른 크기 또는 조성의 상이한 코어를 사용하여, 이종이량체 형태학의 커플링된 나노결정 분자를 생성할 수 있다. 또한, 코어/다중쉘 나노결정을 커플링된 나노결정 분자로 조합하여 코어 사이의 잠재적인 지형을 풍부하게 하고 추가로 제어를 생성할 수 있다. 나아가, 코어/쉘 구성요소에서 상이한 재료의 코어를 조합하여 상이한 특성을 갖는 커플링된 나노결정 분자를 생성할 수 있다.
본질적으로, 본 발명자들은 이량체에만 제한되지 않고, 나노결정 분자의 전체 세트를 도입하고 있다. 유한한 주기율표의 원자로부터 이들 원자로 구성된 분자의 무한한 가능성으로 이동하는 것과 유사하다. 그리고 본 발명은 커플링된 나노결정 분자의 빌딩 블록 역할을 하는 코어/쉘 나노결정에 대한 이러한 잠재력을 제공한다.
비-제한적인 예시로서, 본 발명자들은 도 2에서 커플링된 QDs 분자의 형성에 사용한 한 가지 접근법을 보여준다. 이는 다음 단계에 의해 수행되었다:
1. 200 nm의 크기이고 (3-머캅토프로필)트리메톡시실란 (MPTMS)으로 코팅된 SiO 2 나노입자의 제작. 이러한 유형의 SiO2 입자는 외부 표면에 티올기를 제시하는데, 이는 QDs의 결합에 사용된다.
2. SiO 2 입자 표면에의 코어/쉘 NCs 결합: 용액을 선택된 코어/쉘 NCs와 혼합하여, SiO2 나노입자가 이용가능한 티올 부위에 대한 이들의 결합을 가능케 한다. 이 단계 후, NCs는 SiO2 나노입자의 표면에 결합된다.
3. (선택적 단계) 마스킹을 위해 SiO 2 @QDs 위에 SiO 2 성장의 이차 박층: Stober 방법의 변형으로 달성되는, SiO2 박막이 합성된다. 이 방식으로, NCs는 이 마스킹 SiO2 층에 의해 고정되고, NCs의 추가의 화학적 기능화를 위해 상부 반구만이 노출된 상태를 유지하면서 회전하거나 방향을 바꿀 수 없다.
4. 링커 그룹에 의한 NCs의 선택적 표면 장식: 그 후에 기능성 구조 및 그룹의 화학적 그래프팅이 적용되고 이는 노출된 NC 반구와만 반응한다. 예를 들어, 테트라티올 리간드는 노출된 표면상의 NC 리간드를 또한 교환하는 링커로서 부가될 수 있다 (예를 들어, 올레일아민).
5. 실리카 표면상의 이량체 기하학 형성: 두 번째 NC 용액의 첨가는 링커에의 결합에 의해 이량체 구조의 제어된 형성을 생성하는 접합체 형성을 가능케 한다.
6. 이량체 방출: 이량체는 실리카 표면으로부터 방출되어 분리된다. 예를 들어, 이는 HF/ nmF 용액을 사용하는 선택적 SiO2 에칭에 의해 달성될 수 있다.
7. 커플링된 NC 분자를 형성하기 위한 융합: 이량체가 융합된다. 예를 들어, 적합한 전구체를 첨가하고 가열하여 미리 만들어진 이량체의 2개의 쉘 영역 사이에 연속적인 연결을 형성한다.
단계 6 및 7 사이 또는 융합 단계 7 후에, 이량체 및 단량체와 더 고차원의 연결된 올리고머의 추가 선택적 정제가 가능하다. 이는 이로 제한되는 것은 아니지만, 크기-선택적 침전, 밀도 구배 분리 등과 같은 다양한 분리 방법에 의해 달성될 수 있다. 더욱이, 쉘의 합성, 금속 성장 및 표면 엔지니어링과 같은 다른 후-커플링 공정이 또한 가능하다. 이량체의 형성을 위한 방향성 부착과 같은 추가적인 방법이 또한 가능하다.
실시예 1: 동종이량체 형성 (링커 사용):
이량체를 위한 빌딩 블록으로서 상이한 크기의 CdSe@CdS NCs를 공지의 방법으로 합성하였다. 1.9/4.0 nm CdSe@CdS NCs를 예로 들면 (도 3A-C), CdSe 코어 (3.8 nm)를 70초 동안 고온-주입 (hot-injection) 방법으로350℃에서 합성하였고 정제 과정 후 흡수 (580 nm) 및 광발광 (PL) 스펙트럼 (595 nm)을 측정하였다 (도 3). 그 후에 Cd(OA)2 및 옥탄티올 전구체의 주입에 의해 달성된 CdS 쉘 성장에 의해 CdSe@CdS NCs (11.5 nm)를 제조하였다. 쉘 성장 후, 광발광 (PL) 스펙트럼 (637 nm)은 코어와 비교하여 적색-이동 (red-shift)을 보여주고, 이는 준-유형 (quasi-type) II QDs의 성공적인 제조를 나타내는 것이다. 또한, 형광 양자 수율이 크게 향상되었다.
단량체에 대한 구조 분석은 고해상도 주사-투과 전자현미경 (high-resolution scanning-transmission electron microscopy, STEM) 이미징 및 고각도 암시야 검출기 (high angular annular dark field detector, HAADF) 측정에서 나타났다. 코어-쉘 구조는 고속 푸리에 변환 (Fast Fourier transform, FFT) 재구성 이미징에 의해 명확하게 묘사되었다 (도 4A-B). 또한, 상이한 영역 축 (zone axis, ZA)을 갖는 격자 몇 및 구조는 구조 모델과 잘 일치한다. 나아가, X-선 분말 회절 (X-ray powder diffraction, XRD) 및 선택된 영역 전자 회절 (selected area electron diffraction, SAED) 측정 (도 4K-L)은 육방 밀집 (hexagonal close-packed, hcp) 우르자이트 (wurtzite) 구조를 나타낸다.
200 nm 직경의 SiO2 나노입자 (단계 1)를 방법 항목에 기술된 바와 같이 제조하였다. 그 후에 CdSe/CdS QDs를 SiO2 나노입자 입자에 첨가하여 SiO2@QDs 입자를 단계 2에서 제조하였다. 결과 입자의 특징을 도 5에 나타낸 바와 같이 TEM 및 SEM으로 분석하였다. SiO2 표면에서 NCs 중첩 및 응집을 방지하기 위해, SiO2 나노입자에 첨가되는 QDs의 비율을 제어하였다. 이 특정 실시예에서, 1:500의 SiO2:QD 비율은 도 5에서 볼 수 있듯이 잘 분리되고 명확하게 분해된 QDs의 우수한 결과를 산출하였다. SiO2@QDs 나노입자 용액을 원심분리에 의해 과량의 유리 및 약하게 결합된 QDs로부터 2회 세척되었고, 상청액을 버리고 톨루엔에 재분산시켰다.
이 정제 과정 후, SiO2@QDs를 에탄올에 분산시켰다. 이차 SiO2 마스킹 박층을 Stober 방법을 이용하여 SiO2@CdSe-CdS NCs의 표면에 증착시켰다 (단계 3). 요약하면, 태트라에틸 오르토실리케이트 (TEOS), 폴리비닐피롤리돈 (PVP) 및 암모니아 용액 (28%)을 첨가하고 실온에서 10시간 동안 교반한다. 이차 마스킹 실리카 층은 2가지 기능을 갖는다: 첫 번째로, 이차 층은 이량체화 단계 5에서 추가 CdSe-CdS NCs의 흡착을 피하기 위해 MPTMS의 표면 티올기를 덮을 수 있다. 이는 단량체 대 이량체 구조의 효율성을 향상시킬 것이다. 두 번째로, 이차 층은 CdSe-CdS NCs가 회전할 수 없고 용매에서 나타나는 이들의 반구가 기능적 구조 및 그룹의 화학적 그래프팅에 의해 선택적으로 수정될 수 있도록 CdSe-CdS NCs를 고정화한다. 이차 SiO2 층의 두께를 조절하기 위해, PVP 및 TEOS의 양을 최적화하였다. 도 6에 나타난 바와 같이, 이차 SiO2 층의 성장 후, SiO2@CdSe-CdS 나노입자의 표면 거칠기는 이러한 성장으로 인해 상당히 증가하는 반면, 신생의 QDs는 여전히 식별될 수 있다.
다음으로, 이량체 형성을 위해, 선택된 링커를 결합된 QDs의 노출된 영역에 결합되도록 첨가한다 (단계 4). 이 실시예에서, 테트라티올 분자를 2좌 (bi-dentate) 링커 분자로 사용하였다. 티올 결합은 QD 표면에서 강하고 노출된 QD 반구에서 기존 표면 리간드를 선택적으로 대체할 수 있다. 링커의 접합을 향상시키기 위하여, 표면 개질 절차를 Ar 흐름과 함께 60℃에서 밤새 수행하였다. 그 후에 과량의 링커 분자를 SiO2@QDs 나노입자의 침전 및 원심분리에 의해 제거하였다.
단계 5에서, 이량체를 포함하는 이차 QDs를 추가하였다. 동종이량체 형성의 이 실시예에서, SiO2에 이미 결합된 것들과 동일한 유형의 코어/쉘 QDs를 이 단계에서 사용하였다. 단계 2에서 사용된 원래 양에 대한 추가된 QDs의 비율을 최적화하고 1:1.5의 비율을 사용하였다. 도 7에 나타난 바와 같이, SiO2@이량체 구조를 정밀한 제어하에 형성하였다.
그 후에 단계 6을 수행하여 SiO2 구로부터 이량체를 방출하고 분리한다. HF/ nmF (10%) 에칭 용액을 사용하는 SiO2의 선택적 에칭에 의해 이량체 CdSe-CdS NCs의 방출을 수행하였다. 유리 상태의 (freed) 이량체를 원심분리에 의해 분리한 후 상청액을 따라내고 에탄올/원심분리 주기를 3회 반복하였다. 도 8C에 나타난 바와 같이, 정확하게 제어된 이량체 CdSe-CdS NCs가 성공적으로 합성되었다. 더 많은 수의 NCs가 있는 가능한 응집체와 함께 일부 단량체가 또한 식별되었고, 이들은 이 단계 이후 또는 단계 7의 융합 후에 분리될 수 있다.
이어서 커플링된 NC 이량체 분자를 형성하기 위한 이량체의 융합이 단계 7에서 수행된다. 이 실시예에서 커플링된 CdSe/CdS NCs를 얻기 위해, Cd(OA)2를 첨가하고 180℃로 20시간 동안 가열하면서 융합 절차를 수행하였다 (도 8D-E). 이 사소하지 않은 중요한 단계에서, 온도, 리간드 및 전구체의 양과 같은 반응 매개변수는 CdSe-CdS NCs의 융합에 중요한 역할을 한다. 온도가 너무 높으면 (220℃ 이상), NCs의 숙성 과정이 지배적일 수 있고, 이는 이량체 구조의 붕괴로 이어질 수 있다. 반면, 온도가 너무 낮으면, 융합 속도가 너무 느리고 미미할 것이다. 이량체 구조 형성은 온도와 리간드 둘 다에 민감하다. 용액 중에 과량의 리간드가 존재하는 경우, 융합은 억제되고 이량체 수율의 감소를 초래할 것이다. 그로 인해, 온도, 시간 및 리간드 유형, 및 농도의 적절한 조정은 커플링된 이량체 구조의 형성에 상당한 영향을 미친다. 이러한 반응 매개변수의 신중한 조정 및 선택은 융합된 이량체에서 두 코어 사이의 "배리어"를 형성하는 쉘 물질의 연속된 연결 영역을 달성하면서 높은 이량체 수율 및 더 낮은 숙성 및 붕괴 수율을 달성하는데 중요하다.
TEM 및 HAADF-STEM 이미지의 분석에 따르면 커플링된 이량체 형성이 실제로 코어/쉘 QD 단량체의 융합에 의해 달성된다는 것이 확인된다 (도 9A-B). 도 9에 도시된 바와 같이 더 자세히 살펴보면, 연속적인 격자가 2개의 QDs 쉘을 함께 융합시켜 제조되었음이 명백히 입증된다. 고-해상도 이미지 (도 9A)는 커플링된 이량체를 나타내는, 전체 구조를 통해 연속적인 격자 평면을 보여준다. 커플링된 구조는 STEM 라인 스캔 및 상응하는 에너지 분산 분광법 (EDS) 분석 측정에 의해 추가로 입증되었다. 도 9에 나타난 바와 같이, Cd (코어 및 쉘 모두에서) 및 황 (쉘에서만)의 연속적인 분포가 이량체 축의 라인을 따라 식별된다. 동일한 라인을 따라, 셀레늄 (코어에서만)의 선택적 영역이 코어 위치를 나타내면서 명확하게 식별된다.
결정 구조 및 특히 커플링된 나노결정의 계면 융합 영역을 HAADF-STEM 및 고속 푸리에 변환 (Fast Fourier transform, FFT) 재구성 이미징에 의해 추가로 조사하였다. 도 10A는 단량체 QDs A1 및 A2 각각에서 식별된 격자 평면의 표시와 함께 측정된 격자 미이지를 보여준다. 다음으로, A1 및 A2 QDs를 선택된 FFT 분석을 위해 표시하였다. 그 후에 각 영역의 선택된 FFT 데이터를 k-공간에서 필터링하고 후방-FFT (back-FFT) 후 필터링된 이미지를 도 10B에 표시한다. 데이터 분석에 따르면 QD A1의 경우 [010] 영역 축을 따라 관찰된 육강형의 CdS 우르자이트 구조의 전형인, 이들 사이에 ~900의 각도를 갖는 (002) 및 (100) 격자 평면이 명확하게 식별된다. QD A2의 경우, 구조는 또한 적층 결함이 있는 CdS 우르자이트 상에 부합한다. 분석은 흰색 화살표로 표시된 각 QD의 c-축 방향의 결정을 가능케 한다. 이는 도 10C에 나타낸 바와 같은 A1 및 A2의 전자 회절 (ED) 패턴의 분석과 완전히 일치한다. 두 분석은 모두 융합된 이량체에서 각 QD의 C-축 사이에 600의 각도를 산출하며, 이를 "커플링 각도"로 지칭한다.
또한, 융합 과정에서 동종-평면-부착 및 이종-평면-부착을 포함하는 방향 관계가 HAADF-STEM 이미지에 의해 관찰되었다. 즉, 동측 면 부착 (homonymous faces attachment):
Figure pct00024
, (0002)||(0002), 및
Figure pct00025
; 대측 면 부착 (heteronymous faces attachment):
Figure pct00026
(도 11-12).
이 상세한 구조 데이터를 기반으로, 융합된 이량체 구조에 대해 통계적 분석을 수행하였다. 도 11K에 나타난 바와 같이, 소수이지만, (0002) 패싯 (facets)은 융합 단계 동안에 더욱 활성이며, 이는 원자당 3개의 댕글링 결합 (dangling bonds)으로 Cd 풍부 종결을 나타내는 반응성 패싯이다. 동종-평면 부착 (homo-plane attachment) 및 이종-평면 부착 (hetero-plane attachment) (도 13-15)을 포함하는, 작은 CQDs (1.4/2.1)에 대한 융합 관계는 HAADF-STEM 이미지를 통해 큰 CQDs (1.9/4.0)와 유사하다.
커플링된 CQDs 분자에 대한 전자 및 파동함수 혼성화는 흡수 및 방출 스펙트럼 둘 다에서 적색-이동에 의해 달성되었고, 이는 도 16에 나타낸 바와 같이 양자-역학적 계산과 일치하였다.
또한, 앙상블 및 단일-분자 수준에서 CQD 분자의 광-물리적 특성은 인공 CQD 분자 전체에 걸쳐 내부 전자 재배열로 수렴하는 새로운 여기자 (exciton) 재조합 경로를 나타낸다. 첫째로, 도 17에 나타난 바와 같이 융합된 CQDs 분자에 대해 수명 단축이 관찰된다.
이량체의 광자 통계는 단량체의 ON-OFF 블링킹 (blinking) 특징 대신에 형광 플리커링 (flickering)을 나타내는 것으로 현저하게 변경되었다 (도 18-19). 실험 분해능에서 1.4/2.1 nm CQD 이량체에 대해 명백한 오프 상태가 검출되지 않았다. 단량체 CQDs는 낮은 여기 전력에서 대비 (contrast) =
Figure pct00027
값 ~0.1로 완벽한 광자 뭉침방지 (antibunching)를 나타내는 반면, 유사한 조건에서 이량체는 훨씬 더 높은 값을 나타낸다. 이는 향상된 2여기자 (biexciton) 양자 수율의 형성을 표시한다. 단일 지수 거동 (single exponential behavior)으로부터의 형광 붕괴 프로파일 (fluorescence decay profile)의 편차가 이량체에서의 또 다른 중요한 관찰이다. 단일 단량체 입자의 가능 높은 강도 흔적이 여기자 쌍 재조합으로 인해 완벽한 단일 지수 방식으로 붕괴되지만, 이량체의 수준 중 어느 것도 단일 지수 거동을 나타내지 않는다. 방출성인 하전된 트리온의 형성이 또한 가능하다. 이러한 특성은 시스템 내 커플링과 또한 관련된, 추가 재조합 경로의 도입 및 단량체 대비 인공 CQD 분자의 다중-여기자 (multiexciton) 형상의 풍부한 가능성을 나타낸다.
이량체에서의 오프 상태와 같은 단량체의 부재는 오거 (Auger) 재조합 속도의 감소를 나타내며, 따라서 동종이량체 (2개의 동일한 나노결정 포함)에서 발광성 다중캐리어가 형성될 수 있다. 융합된 동종이량체는 발광성 2여기자 또는 트리온의 안정화일 가능성이 있는 형광 수명의 향상된 여기력 (excitation power) 의존성을 나타낸다 (도 20).
실시예 2: 동종이량체 형성 (내재적 야누스 (Janus) 방법):
투명한 링커 분자를 사용하지 않고도, 빌딩 블록으로 야누스 QDs를 사용하여 동종이량체 구조를 또한 제작할 수 있다. 먼저, 소수성 리간드 (이 실시예에서는 올레일아민 (OAm)과 올레산 (OA) 리간드의 조합)를 갖는 QDs는 SiO2 (이 실시예에서는 티올기)의 표면에 결합되었다 (도 21A). 그 후, HF/ nmF 용액을 사용하는 에칭 단계를 사용하여 SiO2를 선택적으로 에칭하고 야누스 QDs를 방출하는데, 대략 하나의 반구는 소수성 리간드로 코팅되고 두 번째 반구는 친수성 티올레이트 리간드로 코팅된다. nmF와 같은 극성 용매 중에서의 에칭 수행은 소수성-소수성 상호작용에 기인한 자연적인 동종이량체 형성을 초래하는 반면, 야누스 QDs의 친수성 부분이 이량체의 양면에서 바깥쪽을 향하게 한다. 도 21B는 상당한 분획의 동종이량체의 형성 (이 단계에서는 융합되지 않음)을 나타내는 TEM 데이터를 보여준다.
이어서, 이 융합되지 않은 이량체 용액은 Cd(OA)2, OAm을 첨가하고 240℃로 20시간 동안 가열하여 융합 단계를 거쳤다 (도 21C-D). HRTEM 및 HAAD-STEM 이미징은 융합 절차 후에 형성된 연속적인 쉘을 보여주고, 이는 추후에 최종 커플링된 동종이량체 구조를 식별하였다.
실시예 3: 이종이량체 형성 (상이한 쉘 크기):
이종이량체는 실시예 1에 제시된 것과 유사한 방법으로 형성될 수 있지만, 상이한 쉘 치수를 갖는 1차 및 2차 양자점을 사용한다. 도 22A-B는 CdSe/CdS 양자점의 SiO2@이종이량체를 나타내는데, 하나의 QD에서 쉘은 11개 층을 포함하고 두 번째 QD에서는 6개 층을 포함한다. 도 23A-B는 SiO2 구의 에칭 후 방출된 이량체를 나타낸다. 이 후에 도 23C-D에 나타난 바와 같이 커플링된 이종이량체를 제공하는 융합 절차 (도 2, 상기 실시예 1과 유사하게 수행된 단계 6-7)가 수반되었다
실시예 4: 상이한 코어 크기를 갖는 이종이량체 형성:
상이한 코어 크기를 갖는 이종이량체는 실시예 1에 제시된 것과 유사한 방법을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 정의된 코어 반경을 갖는 하나의 상이한 코어 반경을 갖는 동일한 조성의 두 번째 QD에 융합된 CdSe/CdS의 커플링된 이종이량체가 형성될 수 있다.
실시예 5: 상이한 코어/쉘 재료를 갖는 이종이량체 형성:
상이한 코어/쉘 재료를 갖는 이종이량체가 또한 실시예 1에 제시된 것과 유사한 방법을 사용하여 형성될 수 있다. 이러한 구조는 단계 5에서 1차 QDs와 다른 코어 재료로 구성된 2차 QDs를 도입함으로써 달성될 수 있다 (도 2). 비-제한적인 예시로서, InP/CdS를 CdSe/CdS에 융합시켜, 배리어 및 쉘로서 CdS를 갖는 InP-CdSe 커플링된 이종이량체를 형성할 수 있다.
실시예 6: 쉘 재료의 QD를 갖는 코어/쉘 QD의 이종이량체 형성:
실시예 5에 대한 전용 사례는, 하나의 QD가 두 번째 QD의 쉘과 동일한 조성을 갖는 이종이량체이다. 비-제한적인 예시는 CdSe/CdS와 CdS NCs 또는 CdSe/ZnS와 ZnS NCs의 커플링이다.
실시예 7: 이량체 및 단량체 결합에 의한 삼량체 형성:
이전 실시예에서 제조된 이량체 구조는 삼량체 (및 일반적으로 더 복잡한) 구조의 합성을 위한 빌딩 블록으로 추가로 사용될 수 있다. 도 24는 이량체 구조에 대한 양자점의 결합 및 커플링 후에 생성된 삼량체의 비-제한적인 예시를 보여준다. 먼저, CdS 배리어 및 쉘을 갖는 CdSe-CdSe의 융합된 이량체 구조를 상기에 언급된 방법에 따라 SiO2에 결합시켰다. 그 후에, CdSe/CdS의 2차 QDs를 용매에 첨가하여 삼량체 구조를 형성하고 방출 및 융합 공정을 사용하였다.
실시예 8: 사슬 구조 형성:
상이한 길이의 사슬 구조가 상기에서 사용된 것과 유사한 절차에 의해 달성될 수 있다. 짧은 사슬 구조는 더 긴 사슬 구조를 성장시키기 위한 빌딩 블록으로 사용될 수 있다.
실시예 9: 코어/다중쉘 단량체 QDs의 이량체 구조:
코어/다중쉘 단량체 QDs로 구성된 이량체 구조가 상기에서 사용된 것과 유사한 절차에 의해 달성될 수 있다. 비-제한적인 예시는 ZnS 배리어 및 쉘을 갖는 CdSe/CdS-CdSe/CdS 이량체 이형구조를 형성하는 이차 CdSe/CdS/ZnS 양자점에 커플링된 CdSe/CdS/ZnS QD이다. 또 다른 예시는 ZnS 배리어 및 쉘을 갖는 CdSe/CdS-InP 이량체를 형성하는 InP/ZnS에 커플링된 CdSe/CdS/ZnS이다.
실시예 10: 외부 쉘을 갖는 이량체 구조:
다중-쉘을 갖는 상이한 구조 (예컨대, 이량체, 삼량체, 사슬)가 융합 단계 도중에 또는 그 후에 전구체의 도입에 의해 합성될 수 있다. 예를 들어, ZnS 외부쉘은 CdSe-CdS 커플링된 이량체 위에서 Zn(OA)2 및 S-ODE 전구체를 이용해 성장될 수 있다. 이 실시예에서, 타입 I 밴드 정렬, 외부 쉘은 가능한 표면 트랩을 제거하기 위해 전체 구조의 패시베이션 (passivation)에 유리하다.
실시예 11: 섬아연광 (Zinc blende, ZB) 구조를 기반으로 하는 이량체 구조의 제어된 부착.
ZB CdSe@CdS 빌딩 블록을 TEM 및 HAADF-STEM 이미지에 나타난 바와 같이 이전 방법에 의해 생성하였다 (도 25A-B). 구속된 부착을 통한 이량체의 형성이 다음으로 수행된다. QDs가 먼저 SiO2 나노입자에 결합했다. 이어서, 2차 얇은 SiO2에 대한 마스킹이 달성되었다. 그 후에 표면 개질과 함께, 종속 (subordinate) QDs를 첨가하여 이량체 QDs@ SiO2 나노입자를 형성하였다. 도 25C에 나타난 바와 같이, 제어된 ZB 이량체 CdSe-CdS를 성공적으로 합성하였다. 이어서, ZB 이량체 CdSe-CdS를 에칭 전략으로 방출시켰다. 커플링된 CQDs 분자를 융합 단계를 통해 형성하였다. 본 발명의 시스템에서, ZB CQDs의 융합을 위한 최적화된 온도 범위는 180-220℃이다. 그 후에 팁-부착 (tip-attachment)을 기반으로 융합된 ZB CdSe@CdS 분자를 형성하였다.
HAADF-STEM 및 FFT 재구성 이미징에 의해 결합 관계 및 부착 분석을 추가로 조사하였다. QDs에 대한 HRTEM의 분석을 통해, 고속 푸리에 변환 (FFT) 이미징과 잘 일치하는 [110] 영역 축을 따라 관찰되는 정방형 CdS ZB 구조의 전형인, (002) 및 (111) 격자 평면이 명확하게 식별된다. 또한, A1의 (111) 평면은 A2의 (002) 평면과 대응하여 커플링된 이량체 구조를 형성한다. 상이한 배향을 가진 또 다른 팁 부착이 또한 도 26D-E에 도시되었다.
STEM 라인 스캔 밑 EDS 분석 측정에 의해 커플링된 구조가 추가로 입증되었다. 도 26G에 나타난 바와 같이, ZB CQDs 분자를 기반으로 하는 코어-쉘 이량체 분자가 명확하게 식별되었다.
실시예 12: CQD 분자 에너지 수분의 양자 기계적 계산.
융합 시, 잠재적 에너지 지형은 더 작은 밴드갭 재료 (CdSe)로 구성된 코어가 더 큰 밴드갭 재료 (CdS)의 쉘 내부에 내장되는 코어/쉘 타입 I 이형구조로부터, CdSe 및 CdS 사이의 밴드 오프셋에 의해 표시되는 높이를 가진 장벽에 의해 분리되는 2개의 밀접하게 이격된 양자점으로 변화하고 있다 (도 27 A). 결과의 파동-함수는 대칭 상태 (적색) 및 중심에 노드가 있는 반-대칭 상태 (녹색)의 것이다. 정공 유효 질량 (hole effective mass)은 전자의 것보다 훨씬 크다. 그 결과, 정공에 대한 그림은 여전히 본질적으로 2개의 개별 CQDs의 그림으로, 이는 단일 여기자 영역에서, 정공 파동-함수가 대부분 코어 중 하나의 내부 (청색)에 국한된다는 것을 의미한다. 전자-정공 쿨롱 상호작용 (electron-hole Coulomb interaction)을 고려할 때, 첫 번째 전자 파동-함수는 정공이 있는 코어에 더 국한되는 반면, 다음 전자 레벨은 다른 코어에 더 국한될 것이다 (도 27A의 점선).
핵심 관찰은 양자 커플링을 나타내는 융합 시 방출 파장의 적색 이동 (redshift)이다. 각 CQD의 CB 1Se 기저 수준은 다른 CQD의 존재로 인해 더 낮은 에너지로 이동한다. 그러나 이 이동은 가장 낮은 CB 상태의 이중 축퇴성 (twofold degeneracy)를 릴리즈하지 않는다. 이 축퇴성은 두 CQDs간의 커플링에 의해서만 해지된다. 융합 전과 후의 기저 상태 사이의 적색 이동인, 융합 에너지는 여기서 △E f 로 표시된다. 쿨롱 에너지 (도 27B에서 자홍색 (magenta) 수준)를 고려하면, 단량체 기저 상태 에너지는 이량체 기저 상태의 쿨롱 적색 이동인, C d 보다 큰 C m 에 의한 적색-이동이다. 쿨롱 항 (Coulombic terms) 사이의 차이 △E c 는: △E c = C m - C d 로 정의된다. 그러면 단량체에 대한 이량체의 밴드갭 에너지의 총 적색 이동은 다음과 같다:
Figure pct00028
CdSe 코어의 다양한 직경과 다양한 배리어 폭에 대한 결합 에너지 의존석을 분석하였다. 배리어 폭은 코어/쉘 CQDs의 2개 외부 구체를 겹쳐서 제어된다. 0.32eV, 0.1eV 및 0Ev의 3개의 대표적인 CB 오프셋을 조사하였다.
예상대로, 일반적인 경향은 코어 직경 및 배리어 폭이 감소함에 따라 결합 에너지 △E가 증가한다는 것이다. 또한, 밴드 오프셋이 감소함에 따라 커플링 에너지가 증가한다 (도 28D-F의 지점 D1, E1 및 F1, △E는 1-9 meV 사이에서 변함). 그러나, 작은 코어 직경 및 작은 배리어 폭에서는, 이 경향이 반대이다. 밴드 오프셋이 더 높을수록 커플링 에너지가 증가한다 (도 28D-F의 지점 D2, E2 및 F2에서 △E는 16-35 meV 사이에서 변함).
이어서 넥 크기 (neck size)가 커플링 에너지에 어떤 영향을 미치는지를 조사하였다. 넥을 제어하기 위해 7 nm의 중심 거리로 중심에서 2개의 CQDs를 부착하여 이들의 표면이 닿도록 하였다. 그 후에 2개 CQDs를 연결하는 측면에서 구체의 절반을 반 타원체로 전환하여 이들이 서로 겹쳐질 수 있도록 하였다. 이어서 이들을 병합하였고 넥 크기는 타원체의 장축에 의해 결정된다.
0.32eV CB 밴드 오프셋과 비교하여 0.1eV에 대한 다른 거동을 이해하기 위해, 대칭 및 반-대칭 상태의 파동-함수가 도 29B-C에 제시된다. 넥이 가장 큰 0.1 Ev의 경우, 파동-함수는 쉘 전체에 걸쳐서 비편재화된다. 따라서, 7 nm에서 4 nm로의 넥 크기의 감소는 커플링 에너지를 상당히 감소시킨다. 반면, 모든 넥 크기에서 0.32 eV 밴드 오프셋의 경우, 파동-함수는 코어 주변에 집중되고, 따라서 7 nm에서 4 nm로의 넥의 감소는 0.1 eV 밴드 오프셋의 경우에서와 같이 커플링 에너지에 극적으로 영향을 미치지 않는다. 이러한 계산은 넥이 커플링 에너지에 큰 영향을 미치고 적절한 융합 반응 조건으로 넥을 채우면 방출 적색 이동 및 추가 양자 커플링 효과를 현저하게 변경시킬 수 있다.
비-단조 중첩 적분 값 (non-monotonic overlap integral values)의 일반적인 경향은 모든 경우에 적용된다. 최대 2.5 nm 코어 크기의 경우, 중첩 적분은 크기에 따라 감소하는 반면, 더 큰 코어 크기의 경우 중첩 적분은 크기에 따라 증가한다. 두 밴드 오프셋 값에 대해 중첩 적분은 단량체에 비해 이량체의 경우 약간 더 적다. 또한, 모든 코어 직경에 대해 중접 적분은 0.1 eV에 비해 0.32 eV 밴드 오프셋의 경우에 더 높다. 동일한 경향이 또한 0.32 eV 밴드-오프셋에서도 유지된다 (도 30F). 주요 차이점은 중첩 적분이 모든 코어 직경에 대해 더 크다는 것이다.
그에 비례하여, 쿨롱 상호작용의 경우 반대 경향이 유지된다. 최대 2.5 nm의 작은 코어 직경에서 쿨롱 상호작용 C m 및 C d 는 코어 직경 크기와 함께 증가하고 있다. 2.5 nm 이상에서, 쿨롱 상호작용은 코어 크기에 따라 감소한다. 모든 코어 크기에대해 쿨롱 상호작용은 이량체에 비해 단량체의 경우에 더 강하다. 다른 밴드 오프셋의 경우에, 1.5 nm 미만의 코어 크기를 제외하고는, C m 및 C d 는 단량체 및 이량체 모두에 대해 0.32 eV의 더 큰 밴드 오프셋에서 더 강하다. 코어 직경의 함수로서 △E f 및 △E c 를 살표보면, 0.32 eV 및 0.1 eV 밴드 오프셋 모두에 대해, △E f 가 항상 △E c 보다 더 크다는 것을 알 수 있다 (도 30C). 결과적으로, 적색 이동이 예상되어야 하지만 융합 시 청색 이동은 절대 일어나지 않는다 (도 30D). 작은 코어 직경에서, △E f 는 전자가 코어에 더 국한되어 혼성화를 덜 유도하기 때문에 크기에 따라 감소한다. 그러나, 4 nm 코어 직경을 초과하는 경우, 코어 표면이 더 가까워지면 더 많은 커플링이 일어나고 따라서 더 높은 융합 에너지가 발생한다. 이러한 결과는 융합의 특징 중 하나가 방출 적색 이동이 될 것임을 시사한다.
융합의 또 다른 특징은 흡수 횡단면이다. 두 단량체 (코어 직경/쉘 두께 2.8/2.1 nm)의 흡수 횡단면 (ACS) σ 및 이들의 상응하는 융합 및 비-융합된 이량체를 흡수 스펙트럼 및 ICP 측정으로부터 추출하였다. 단량체 (청색)를 모방하는 비-융합된 이량체의 ACS (도 31A에서 녹색)는 단 두배인 반면, 융합된 이량체의 ACS는 현저하게 변화하고 있다. 융합된 이량체의 ACS는 단량체의 뚜렷한 특징을 상실하는 반면 2.5 eV보다 더 높은 에너지에서 ACS, σ는 단량체의 두 배이다. 밴드 에지에서, 이량체의 σ는 단량체의 정점에 있지만 더 낮은 에너지로 번진다 (도 31A에서 적색). 밴드 에지 전이의 σ에 대한 통합은 비-융합된 이량체 중 하나의 80%를 제공한다.
전자와 정공 상태 사이의 중첩 적분을 계산하였다. 에너지가 높을수록 이량체에 대한 상태의 밀도가 훨씬 더 높다는 것을 알 수 있고, 이량체에 대해 부분적으로 허용되는 더 큰 밀도 전이를 고려할 때, 흡수 스펙트럼에서 소실 (vanishing)을 이해할 수 있다 (도 31B-C). 밴드 에지에서, 이량체의 중첩 적분은 단량체보다 약간 더 낮지만 광자가 두 코어에서 흡수될 가능성을 고려해야만 한다.
적용 :
2개의 융합된 코어-쉘 나노결정의 독특한 구조는 커플링된 나노결정 구조의 다중 적용으로 이어지는 밴드 구조 엔지니어링의 길을 열어준다.
실시예 1: 이중 색상 방출 나노결정:
이중 방출을 갖는 이종이량체 NC 분자: 서로 다른 코어 크기를 갖는 2개 유형의 코어/쉘 NCs로 구성된 이종이량체 (도 32)는 이중 방출 시스템을 제공한다. 서로 다른 크기의 코어를 갖는 CdSe/CdS 커플링된 코어/쉘은 비제한적인 예시를 제공한다. 전자 배리어가 작기 때문에, 전자는 비편재화된다. 결합된 NC에서 정공 상태 사이의 이완의 분기와 관련된 이중 적색-녹색 방출은 더 작은 점의 갭 위에서 여기 시 생성되고, 이는 뭉침-방지 (anti-bunched) ("녹색 여기"라고 함)된다 (도 32A). 이러한 구조는 이중-색상 단일 광자 소스로 사용될 수 있다. 전하 캐리어가 오거 공정을 겪을 것이기 때문에 두 가지 색상의 동시 방출은 금지된다 (도 32B). 충분히 짧은 여기 시 (적색 여기라고 함)에는, 이량체의 더 큰 점만이 여기되고 적색 방출만 나타난다. 여기 강도의 조정은 방출 전환을 위한 실행가능한 메커니즘을 제공한다. 강한 적색 여기를 사용하여 작은 NC를 다중-여기자 영역으로 가져올 수 있다. 이는 향상된 오거 이완율 (Auger relaxation rate)로 인해 적색 방출을 약화시킬 것이다. 그 후에 녹색 여기를 사용하여 오로지 녹색 방출만을 제공할 수 있다. 이 방식은 STED (자극된 방출 고갈) 기술에 대한 마커로 초-해상도 현미경에서 이들 입자를 사용하는데 적용될 수 있다. 상기 방식은 베이글 모양 모드로 강렬한 녹색 여기를 사용하고, 외부 영역으로부터의 모든 방출을 억제하도록 강렬하다. 녹색 및 적색 방출 둘 다 다중여기자 점유에 의해 억제된다 (도 32C). 그리고 그의 중앙에서 적색 여기의 TM00 스팟은 독점적으로 잘 정의된 초-해상된 작은 적색 방출 스팟을 여기하고 생성한다. 바이오-타간트 (bio-taggants)로서 QDs의 명백한 장점은 매우 안정한 발색단을 제공하는 경우 잘 발현된다.
실시예 2: 전기장 제어 형광:
전기장에 의해 제어되는 이중 색상 방출을 갖는 커플링된 나노결정 분자는 이러한 입자에 의해 입증된 독특한 적용이다. 인가된 전기장에 민감한 이중-색상 방출 나노결정은 두 나노결정의 코어 및 쉘의 재료를 신중하게 선택함으로써 조작될 수 있다. 비-제한적인 예시로서, 도 33A는 타입 I 밴드 정렬을 갖는 2개의 융합된 코어-쉘 나노결정의 개략도를 제시한다. 비제한적인 예시가 적절하게 조정된 코어 및 쉘 크기를 갖는 2개의 CdSe/CdS 코어/쉘 나노결정을 커플링함으로써 제공된다. 인가된 전기장이 없는 상태에서 이 입자는 개별 코어/쉘 밴드-갭 에너지에서 광자를 방출할 것으로 예상된다. 그러나, 위치 에너지를 구부리는 전기장을 인가할 경우, 가장 가능성이 있는 전이는 코어 중 하나에서 다른 하나로의 간접 전이이다. 이 전이는 전기장이 없는 상태에서의 전이와 비교하여 적색-이동된다.
도 33B는 코어에 2개의 다른 재료가 있는 2개의 타입 II 인터페이스를 갖는 시스템의 상이한 시나리오를 나타낸다. 비-제한적인 예시는 ZnSe/CdS 코어/쉘에 커플링된 CdTe/CdS에 의해 제공된다. 전기장이 없는 상태에서 이중 색상 방출은 쉘 재료의 전도대 (conduction band)에서 상이한 코어의 맨 위 원자가 밴드 (valence band) 상태로의 2가지 타입 II 전이로부터 나타난다. 전기장 하에서 전위의 벤딩 (bending)은 타입 II 전이 중 하나만을 선택하는데, 이는 전자와 정공 사이에서 더 잘 중첩되는 것이다.
이러한 구조는 전기장 제어 방출이 관련될 수 있는 여러 적용 분야에 제공될 수 있다: 첫째, 전압에 의해 인가된 전기장이 장치로부터 방출되는 색상을 조정할 수 있는 발광 다이오드 (LED) 장치 또는 액정 디스플레이 (LCD) 스크린에서 이미터 (emitter)로서 제공. 둘째, 전기장에 의해 제어될 수 있는 이러한 나노결정의 단일 광자 순도 및 다중-색상의 이점을 모두 갖는 다중-색상 단일 광자 이미터로서 제공. 또한, 이들 나노구조는 전기장에 노출되는 경우 이들의 색상이 변하는 전기장 센서로 제공될 수 있다. 여기에는, 예컨대 신경과학에서 생체-라벨로서 이들의 통합이 포함된다.
실시예 3: 양자 정보 및 컴퓨팅:
커플링된 콜로이드 코어-쉘 반도체 QDs가 중요한 역할을 할 수 있는 또 다른 분야가 양자 정보 처리이다. 양자 컴퓨팅 (quantum computing)의 전제조건은 큐비트의 확장가능한 물리적 시스템, 큐비트의 상태를 초기화할 수 있는 능력, 게이트-작동 시간보다 훨씬 더 긴 디코히어런스 (decoherence) 시간, 보편적 세트의 양자 게이트 및 특정 큐비트 측정 능력이다.
실시예 3A: 커플링된 NC 동종이량체의 얽힘 상태 (Entangled state):
비제한적인 예시로서 1.3 nm 반경의 작은 코어 및 1.3 nm 두께의 CdS 쉘을 갖는 CdSe/CdS 커플링된 동종이량체의 경우, 커플링된 도트 레벨의 강한 혼성화가 일어나서, (이 시스템에서 정공에 대한 배리어 높이 및 유효 질량 모두가 전자에 비해 훨씬 더 크지만) 가장 낮은 전자 상태에 대해 결합-반결합 조합을 생성하고 상부 정공 상태에 대해서도 유사하게 생성된다. 이는 큐비트 (Qubit)에 대한 얽힘 수준 체계를 제공한다.
이 체계에서, 큐비트 |0> 및 |1>은 코어 1 또는 코어 2 중 하나에서 전하 캐리어 (전자 또는 정공)의 위치를 나타낸다. 전하 캐리어 위치의 코히어런트 전개는 전기장에 좌우된다. 전기장이 꺼지는 경우, 양자 기계적 터널링이 2개 QD 상태의 중첩 (superposition)을 초래한다. 양자 게이트는 2개의 서로 다른 입자인 전자 및 전공이 광학적으로 생성될 때 만들어진다. 전기장 하에서, 입자는 반대 점에 국한된다. 전기장을 끈 후에, 두 입자 사이의 상호작용은 얽힘 상태의 형성을 초래해야 한다. 이 상태는 전기장에 의해 터널링을 방지함으로써 나중에 풀릴 수 있다.
실시예 3B: 양자 CNOT 게이트를 위한 커플링된 NC 이종이량체:
상이한 코어 크기를 갖는 커플링된 콜로이드 코어-쉘 반도체 QDs (비제한적인 예시로서 CdSe/CdS 코어/쉘)의 경우에, 코어 중 각각의 하나에 국한된 전자-정공 쌍의 유무는 도 34에 나타난 바와 같은 큐비트 역할을 한다 (|11>은 여기자의 존재를 나타내고 |01>은 코어 1에서 여기자의 부재를 나타낸다). 각 큐비트는 코어 각각을 처리하기 위해 서로 다른 파장을 갖는 코히어런트 전자기 복사 (coherent electromagnetic radiation)에 의해 구동될 수 있고, 이는 여기자 수명 내에서 많은 작업을 가능케 한다. 복사의 부재 시, QD 시스템은 전형적인 에너지 갭이 열 에너지보다 훨씬 더 크기 때문에 기저 상태에 있다. 양자 비트 수의 확장 (scale-up)은 커플링된 콜로이드 코어-쉘 반도체 QDs의 사슬을 만들어 달성될 수 있다. 이 시스템의 판독은 큐비트의 모집단에 대한 정보를 제공하는 자발적 방출을 검출함에 의한다. 판독은 프로브 펄스에 의한 자발적 감쇠 전에 수행될 수도 있다.
모든 보편적인 양자 계산의 구현은 일련의 1-비트 회전 게이트 및 2-비트 제어 not (CNOT) 게이트로 분해되는 것으로 알려져 있다. 회전 게이트는 본질적으로 외부 게이트 복사에 의해 유도된 라비 진동 (Rabi oscillation)에 따른 π-펄스에 상응하는 큐비트 모집단 플롭핑 (flopping)을 초래한다. CNOT 게이트는 다른 비트 (대조군 비트)가 |0> 상태인 경우에만 하나의 큐비트 (표적 비트)를 회전한다. 각 점에서 여기자를 호스팅하는 QD 분자는 여기자들 사이의 클롱 상호작용으로 인해 다른 에너지 준위를 나타낼 것이다. 이는 CNOT 양자 게이트를 용이하게 하는데 사용될 수 있는데, 이때 QD 분자에서 단 하나의 여기자의 에너지와 일치하는 에너지를 갖는 π 펄스가 상태를 |0>에서 |1>로 변경하지만, QD 분자가 각 도트에서 여기자를 호스팅하는 경우에는 작업이 실행되지 않을 것이다.
실시예 4: 이량체 이상 - 커플링된 NC 사슬에서 콜로이드 양자 캐스케이드 레이저 효과:
배리어에 의해 분리된 QDs의 사슬 또는 도 35-36에 제시된 임의의 다른 구조로의 2개 초과의 커플링된 콜로이드 코어-쉘 반도체 QDs에 대한 시스템의 확장은 초-격자의 밴드 구조 설계로 가는 길을 열어준다. 이러한 종류의 설계된 초-격자는 양자 캐스케이드 레이저 (QCL)로 작용할 수 있다. 이 구조에서, 전기장 아래의 여기된 전자는 코어에서 코어로 터널링할 수 있고 캐스케이드 과정에서 IR 광자를 방출하면서 전도대 (conduction band) 내에서 붕괴할 수 있다. QCLs의 밴드 구조는 코어간의 터널링을 허용하도록 신중하게 설계되어야 한다. 콜로이드 풍부 화학 (colloidal rich chemistry)은 상이한 재료의 합성을 가능케 하고 초-격자의 빌딩 블록의 크기를 신중하게 조정할 수 있게 한다.
광촉매 응용
2개 이상의 나노결정을 커플링하는 능력은 고유 전하 분리와 함께 새로운 이형구조의 생성을 위한 경로를 열 수 있으며, 이는 전극 또는 용액 중 분자종에 대한 더 나은 전하 전달을 허용할 것이다. 이들 커플링된 나노결정은 다양한 형태 (예컨대, 용액 중에 분산, 기판 또는 전극에 결합, 또는 매트릭스에 내장)로 광범위한 응용에서 광촉매로 사용될 수 있다. 비-제한적인 예시는 태양광에서 연료로의 전환 (예컨대, 수소 생성, 물 분해, 및 CO2 환원)을 위한 광촉매, 반응성 종 형성을 기반으로 하는 응용 (예컨대, 센서 및 생화학적 키트의 구성요소, 광요법 (phototherapy) 및 방오 (antifouling) 활성을 위한 제제, 수질 정화 및 폐기물 소비), 유기종의 산화환원 변환, 및 접착제의 광개시제, 표면 광경화 (photocuring), 2D & 3D 프린팅에 사용되는 커플이다.
방법:
CdSe 코어 성장: 간략하게, 60 mg CdO, 280 mg 옥타데실포스폰산 (ODPA) 및 3 g 트리옥실포스핀 옥사이드 (TOPO)를 50 mL 플라스크에 첨가하였다. 혼합물을 150℃로 가열하고 진공하에 1시간 동안 탈기시켰다. 아르곤 흐름 하에서, 반응 혼합물을 320℃로 가열하여 무색의 투명한 용액을 형성하였다. 1.0 mL 트리옥시포스핀 (TOP)을 상기 용액에 첨가한 후, 온도를 350℃까지 올리고, 이 시점에서 Se/TOP (0.5 mL TOP 중의 60 mg Se) 용액을 플라스크에 신속하게 주입하였다. 이 반응을 60초간 유지한 후 열을 제거하여 종료하였다. 결과의 CdSe 입자를 아세톤을 첨가하여 침전시키고 스톡 용액으로서 3 mL 헥산 중에 분산시켰다.
CdSe-CdS 코어-쉘 NPs 합성: 쉘 성장 반응을 위해, 200 nmol의 CdSe QDs를 함유하는 헥산 용액을 1-옥타데센 (ODE, 6 mL) 및 올레일아민 (OAm, 6 mL)의 혼합물에 로우딩하였다. 반응 용액을 실온에서 30분 및 90℃에서 30분간 진공하에서 탈기시켜 반응 용액 중의 헥산, 물, 및 산소를 완전히 제거하였다. 그 후 반응 용액을 아르곤 흐름 및 자기 교반 하에서 310℃까지 가열하였다. 가열하는 동안에 온도가 240℃에 이르면, 원하는 양의 카드뮴 (II) 올레이트 (Cd-올레이트, 6 mL ODE 중에 희석) 및 옥탄티올 (1.2 당량은 6 mL ODE 중에 희석된 Cd-올레이트를 지칭함)을 주사기 펌프를 이용하여 3 mL/h의 속도로 성장 용액 내로 한방울씩 주입하기 시작하였다. 전구체 주입을 마친 후, 2 mL 올레산을 신속하게 주입하고 이 용액을 310℃에서 30분간 추가로 어닐링하였다. 결과의 CdSe/CdS 코어/쉘 QDs를 에탄올 추가로 침전시킨 후, 헥산 중에 분산시켰다. 입자를 2회 더 침전-재분산에 의해 추가로 정제하고 최종적으로 ~2 ml 헥산 중에 현탁하였다.
실리카 NPs의 합성: 간략하게는, 120 μL (3-머캅토프로필)트리메톡시실란 (MPTMS) 전구체를 강한 교반하에 30 mL 암모니아 수용액 (1%)과 혼합하였다. 1분간 교반 후, 용액을 밤새 보관하였다. SiO2 NPs를 원심분리에 의해 수집하고 에탄올에 분산시켰다.
SiO 2 @CdSe-CdS NPs의 합성: 간략하게는, SiO2 NPs (0.0079 nmol)를 1 ml의 헥산에 분산시키고 20분간 볼텍싱 하에서 0.5 nmol CdSe-CdS NPs와 혼합하였다. 그 후에 5 mL의 에탄올을 바이알에 첨가하여 침전시키고 3회 세척하여 부착되지 않은 NPs를 제거하였다. 마지막으로, SiO2@CdSe-CdS NPs를 5 mL의 에탄올에 분산시켰다.
SiO 2 @CdSe-CdS@SiO 2 NPs의 합성: 두 번째 SiO2 층의 제조는 이량체 구조에 필요하고 결정적이었다. 간략하게는, SiO2@CdSe-CdS를 5 mL의 에탄올에 분산시켰다. 그 후에 330 μL의 암모니아 용매 (28.5% wt%)를 5분간 교반하면서 시스템에 첨가하였다. 그 후에, 50 μL의 TEOS를 시스템에 적가하였다. 10시간 동안 교반 후, 결과의 용매를 6000 rpm에서 5분간 원심분리하고 5 mL의 THF 중에 분산시켰다.
SiO 2 @이량체-CdSe-CdS NCs의 합성: SiO2@이량체-CdSe-CdS NCs의 합성 전에, 테트라티올 링커 펜타에리쓰리톨-테트라키스 (3-머캅토-프로피오네이트) (200 μL)를 리간드 교환 과정에 사용하여 반구체의 OAm 및 OA를 제거하고 두 번째 CdSe-CdS NCs와의 결합 (conjunction)을 촉진하였다. 그 후에 0.6 nmol의 CdSe-CdS NCs를 밤새 60℃에서 오일 욕조 중의 바이알에 첨가하였다. 마지막으로, 샘플을 6000 rpm에서 5분간 원심분리에 의해 세정하고 저장을 위해 10 mL의 THF와 함께 바이알 중에 분산시켰다.
이량체-CdSe-CdS NCs의 방출: 간략하게는, 1 mL의 SiO2@이량체-CdSe-CdS NCs를 바이알에서 취하고 5000 rpm에서 5분간 원심분리하였다. 그 후에 2 mL의 HF/ nmF (10%) 혼합 용액을 플라스틱 병에 10시간 동안 교반하면서 첨가하였다. 에칭 공정 후, 샘플의 색상이 밝은 노란색으로 변하였고, 이는 SiO2의 제거를 나타낸다. 그 후에, 샘플을 6000 rpm에서 10분간 원심분리하여 침전시키고 2회 세척하였다. 마지막으로, 샘플을 2 mL의 에탄올에 분선시켰다.
융합된 이량체-CdSe-CdS NCs의 합성: 간략하게는, 이량체-CdSe-CdS NCs (2 mL의 에탄올 중)를 2 mL의 ODE, 50 μL의 Cd(OA)2 (0.2 M), 및 100 μL의 OAm과 혼합하였다. 반응 용액을 실온에서 30분 및 90℃에서 30분간 진공 하에서 탈기시켰다. 그 후에, 반응 혼합물을 아르곤 흐름 하에서 20시간 동안 180℃로 가열하였다. 결과의 융합된 입자를 에탄올을 첨가하여 침전시키고 스톡 용액으로서 2 mL 톨루엔 중에 분산시켰다.
특성 분석:
Jasco V-570 UV-Vis-NIR 분광광도계를 사용하여 흡수 스펙트럼을 측정하였다. 형광 스펙트럼 및 앙상블 수명 (ensemble lifetime)을 형광 분광광도계 (Edinburgh instruments, FL920)를 사용하여 측정하였다. 투과 전자 현미경 (TEM)을 120 kV에서 작동되는 Tecnai G2 Spirit Twin T12 현미경 (Thermo Fisher Scientific)을 사용하여 수행하였다. 고-해상도 TEM (HRTEM) 측정을 200 kV의 가속 전압으로 Tecnai F20 G2 현미경 (Thermo Fisher Scientific)을 사용하여 수행하였다. 고-해상도 STEM 이미징 및 원소 맵핑 (elemental mapping)을 300 kV에서 작동되고 STEM용 HAADF 검출기 및 높은 수집 효율 원소 분석을 위한 Super-X EDS 검출기가 장착된 Themis Z 수차-보정 (aberration-corrected) STEM (Thermo Fisher Scientific)을 사용하여 수행하였다. CQDs 원자 구조 모델은 VESTA 소프트웨어에 의해 구축되었다. 주사 전자 현미경 이미징 (SEM)은 5 kV에서 작동되는 HR SEM Sirion (Thermo Fisher Scientific)으로 수행되었다.

Claims (49)

  1. 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조를 포함하는 융합된 나노결정 분자로서, 융합된 나노결정 분자가 2개 이상의 코어 구조 및 상기 2개 이상의 코어 구조의 원주 (circumference)를 연장하는 연속적인 최외각 쉘을 포함하고, 상기 최외각 쉘이 상기 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조 중 하나의 쉘 재료 또는 상기 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조의 쉘 재료의 합금 재료와 동일한 재료를 포함하는, 융합된 나노결정 분자.
  2. 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조를 포함하는 융합된 나노결정 분자로서, 융합된 나노결정 분자가 2개 이상의 코어 구조 및 상기 2개 이상의 코어 구조의 원주를 연장하는 연속적인 최외각 쉘을 포함하는 쉘 구조를 포함하고, 상기 최외각 쉘이 상기 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조 중 하나의 쉘 재료 또는 2개 이상의 반도체 코어/쉘 구조의 쉘 재료의 합금 재료와 동일한 재료를 포함하는, 융합된 나노결정 분자.
  3. 제1항에 있어서, 최외각 쉘이 선택적으로 2개 이상의 구조의 원주를 연장하는 1개 이상의 추가 쉘 위에 형성되는, 융합된 나노결정 분자.
  4. 제2항에 있어서, 쉘 구조가 적어도 하나의 쉘 및 2개 이상의 코어 구조의 원주를 연장하는 연속적인 최외각 쉘을 포함하는, 융합된 나노결정 분자.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 복수의 반도체 코어/쉘 구조로 구성되는, 융합된 나노결정 분자.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 금속 코어 또는 금속 쉘을 갖는 적어도 하나의 코어/쉘 구조를 포함하는, 융합된 나노결정 분자.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각각의 2개의 융합된 코어/쉘 구조는 그 사이에 융합 영역을 갖고, 상기 융합 영역의 크기, 구조, 및 모양이 융합된 나노결정 분자의 적어도 하나의 전자적 특성 (electronic property)의 제어를 제공하도록 선택되고, 상기 특성이 캐리어 파동함수 (carrier wavefunctions), 캐리어 분리 (carrier separations), 방출 특성, 흡수 특성 또는 촉매 활성인, 융합된 나노결정 분자.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 융합된 나노결정 분자가 복수의 동일한 코어/쉘 구조를 포함하는, 융합된 나노결정 분자.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 융합된 나노결정 분자가 코어/쉘 구조의 복수의 상이한 집단을 포함하는, 융합된 나노결정 분자.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 융합된 나노결정 분자가 코어 크기 및/또는 코어 재료가 상이한 코어/쉘 구조의 복수의 상이한 집단을 포함하는, 융합된 나노결정 분자.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 1개 이상의 양자점 (QD)을 추가로 포함하는, 융합된 나노결정 분자.
  12. 제10항에 있어서, 코어/쉘 구조 집단이 쉘 재료가 다른 것인, 융합된 나노결정 분자.
  13. 제7항에 있어서, 융합 영역 두께가 2개 코어/쉘 구조의 쉘 두께의 합과 같거나 그보다 작은, 융합된 나노결정 분자.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 0.1 내지 5 nm의 융합 영역 두께를 갖는, 융합된 나노결정 분자.
  15. 제14항에 있어서, 융합 영역 두께가 0.1 내지 0.6 nm인, 융합된 나노결정 분자.
  16. 제1항 또는 제2항에 있어서, 2개 이상의 코어/쉘 구조 각각이 약 100 nm 미만인 적어도 하나의 치수를 갖는, 융합된 나노결정 분자.
  17. 제1항 또는 제2항에 있어서, 코어/쉘 구조가 코어/다중쉘 구조인, 융합된 나노결정 분자.
  18. 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 2개의 반도체 코어/쉘 구조가 서로 융합되고 적어도 하나의 다른 나노결정에 융합되는, 융합된 나노결정 분자.
  19. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각각의 코어/쉘 구조가 구형 및 다각형 구조로부터 선택되는 모양을 갖는, 융합된 나노결정 분자.
  20. 제19항에 있어서, 다각형 구조가 n-각형 구조를 갖고, 여기서 n이 면의 수를 정의하는, 융합된 나노결정 분자.
  21. 제20항에 있어서, 다각형 구조가 사면체 피라미드, 육각형 피라미드, 및 육각형 바이피라미드 (hexagonal bipyramid)로부터 선택되는, 다면체 기반을 갖는 피라미드인, 융합된 나노결정 분자.
  22. 제1항 또는 제2항에 있어서, 코어와 융합 영역 반도체 재료 사이 또는 2개의 코어 반도체 재료 사이에 타입 I, 리버스 타입 I, 쿼시-타입 (quasi-type) II 또는 타입 II 밴드-정렬 (band-alignment)을 갖는 반도체 이형구조 (heterostructure)인, 융합된 나노결정 분자.
  23. 제1항 또는 제2항에 있어서, 코어 및/또는 쉘의 반도체 재료가 그룹 I-VII, 그룹 II-VI, 그룹 III-V, 그룹 IV-VI, 그룹 III-VI, 그룹 I-VI, 그룹 V-VI, 그룹 II-V, 그룹 I-III-VI2, 그룹 IV의 원소, 3원 (ternary) 또는 4원 (quaternary) 반도체 및 합금 또는 이들의 조합으로부터 선택되는, 융합된 나노결정 분자.
  24. 제23항에 있어서, 코어 및/또는 쉘의 반도체 재료가 CuF, CuCI, CuBr, CuI, AgF, AgCI, AgBr, 및 AgI로부터 선택되는 그룹 I-VII 반도체인, 융합된 나노결정 분자.
  25. 제23항에 있어서, 코어 및/또는 쉘의 반도체가 CdO, CdSe, CdS, CdTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, BeO, BeS, BeSe, BeTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CdSeTe, ZnO, ZnSe, ZnTe, ZnS, ZnCdSe, ZnCdTe,및 ZnCdS로부터 선택되는 그룹 II-VI 재료인, 융합된 나노결정 분자.
  26. 제23항에 있어서, 코어 및/또는 쉘의 반도체 재료가 InAs, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AIP, AIN, AIAs, AlSb, BP, BaS 및 BSb로부터 선택되는 그룹 III-V 재료인, 융합된 나노결정 분자.
  27. 제23항에 있어서, 코어 및/또는 쉘의 반도체 재료가 PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Tl2SnTe5, GeS, GeSe, SnS, SnSe, GeTe, SnTe, 및 PbO로부터 선택되는 그룹 IV-VI 재료인, 융합된 나노결정 분자.
  28. 제23항에 있어서, 코어 및/또는 쉘의 반도체 재료가 CuInS, CuInSe, CuInTe, AgInS, AgInSe 또는 AgInTe, SbSI, SbSBr, SbSeI, SbSeBr, SbTeI, BiSCl, BiSBr, BiSeCl, BiSeBr 및 BiSeI로부터 선택되는 재료인, 융합된 나노결정 분자.
  29. 제23항에 있어서, 코어 및/또는 쉘의 반도체 재료가 CuInGaS, CuInGaSe, CuInGaTe, CuInS2, CuInSe2, CuInTe2, CuGaS2, CuGaSe2, CuAlSe2, CuGaTe2, CuAlTe2, AgInGaS, AgInGaSe, AgInGaTe, AgInS2, AgInSe2, AgInTe2, AgGaS2, AgGaSe2, AgAlSe2, AgGaTe2 및 AgAlTe2로부터 선택되는 재료인, 융합된 나노결정 분자.
  30. 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서, 표 1에 열거된 것들 중에서 선택되는 분자인, 융합된 나노결정 분자.
  31. 제23항에 있어서, 재료가 도핑되는, 융합된 나노결정 분자.
  32. 제31항에 있어서, 도핑된 재료가 n-도핑되거나 또는 p-도핑되는, 융합된 나노결정 분자.
  33. 제1항 또는 제2항에 있어서, 코어/쉘 구조가 반도체 재료의 코어 및 제2 또는 추가 반도체 재료의 적어도 하나의 쉘을 포함하는, 융합된 나노결정 분자.
  34. 제18항에 있어서, 적어도 하나의 다른 나노결정이 금속 코어 또는 금속 쉘을 포함하는 QD 또는 코어/쉘 구조인, 융합된 나노결정 분자.
  35. 제34항에 있어서, 금속이 전이 금속 또는 후-전이 금속 (post-transition metal)인, 융합된 나노결정 분자.
  36. 제35항에 있어서, 전이 금속이 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Y, Zr, Nb, Zn, In, Ga, Sn, Bi, Tc, Ru, Mo, Rh, W, Au, Pt, Pd, Ag, Mn, Co, Cd, Hf, Ta, Re, Os, Ir 및 Hg로부터 선택되는 금속인, 융합된 나노결정 분자.
  37. 제1항 내지 제36항 중 어느 한 항에 있어서, 발광 장치, 디스플레이 요소 (elements in displays), 광전지 (photovoltaics), 양자 게이트 및 생체의학 센서의 제작에 사용하기 위한, 융합된 나노결정 분자.
  38. 제1항 내지 제36항 중 어느 한 항에 따른 융합된 나노결정 분자를 포함하는 장치.
  39. 제38항에 있어서, 광학 장치, 전기-광학 장치, 및 광촉매 응용을 위한 장치로부터 선택되는, 장치.
  40. 제38항에 있어서, 이중-색상 단광자 소스(dual-color single-photon sources), 발광 다이오드 (LED) 장치, 나노결정 레이저 (nanocrystal lasers), 광검출기 (photodetectors), 태양 전지, 액정 디스플레이 (LCD) 스크린, 전기장 센서, 얽힘 상태 생성기 (entangled state generator), 1-비트 회전 게이트 및 2-비트 제어 not (CNOT) 게이트, 양자 캐스케이드 레이저 (QCL), 데이터 저장 장치, 전자장치의 부품, 반응성 종 발생기 (reactive species generator), 과산화수소 발생기, 수소 가스 발생기, 광전기화학 전극 (photoelectochemical electrodes), 광촉매 전극, 광산화환원 전극 (photoredox electrodes), 광산화환원 기반 센서, 광전기화학 또는 광촉매 반응, 정수 장치 및 폐기물 소비 장치로부터 선택되는, 장치.
  41. 제38항에 있어서, 타입 I, 리버스 타입 I, 쿼시-타입 II 또는 타입 II 이형구조로부터 선택되는 융합된 나노결정 분자를 포함하는, 장치.
  42. 제38항에 있어서, 하기로부터 선택되는 하나 이상의 응용에 사용하기 위한 이형구조를 포함하는, 장치:
    (a) 전자 전달에 의한 환원 증강,
    (b) 정공 전달에 의한 산화 증강,
    (c) 전극으로의 전하 전달 증강,
    (d) 용액 중에서 전극 또는 분자 종에 대한 전하 캐리어의 추출 향상,
    (e) 광촉매 또는 광산화환원 반응 방법,
    (f) 광전기화학 반응,
    (g) 환경 반응을 위한 광촉매,
    (h) 물 분할을 위한 광촉매,
    (i) CO2 환원을 위한 광촉매,
    (j) 폐기물 소비를 위한 광촉매,
    (k) 정수를 위한 광촉매,
    (l) 반응성 종의 형성 증가,
    (m) 반응성 산소종의 형성 증가,
    (n) 유기 분자의 광분해,
    (o) 광역학 요법,
    (p) 항균 소독, 및
    (q) 산소 소비.
  43. 제1항 내지 제36항 중 어느 한 항에 따른 융합된 나노결정 분자인 광촉매.
  44. 제1항 내지 제36항 중 어느 한 항에 따른 융합된 나노결정 분자인 광개시제.
  45. 여기자 방출 (excitonic emission)을 넘어서는 다중캐리어 형상으로부터의 방출을 나타내는 제1항 내지 제36항 중 어느 한 항에 따른 융합된 나노결정 분자.
  46. 하기 단계를 포함하는, 제1항 또는 제2항에 따른 융합된 나노결정 분자를 제조하는 방법:
    - 기판의 표면 영역에 제1 코어/쉘 집단을 고정하는 단계,
    - 제1 집단의 고정된 코어/쉘의 표면 영역 위에 리간드 분자를 화학적으로 그래프팅하는 단계,
    - 제1 집단의 고정된 코어/쉘을 제2 집단의 코어/쉘과 접촉시킴으로써 제2 집단의 코어/쉘과 고정된 코어/쉘 구조를 연합하고 기판의 표면 영역에 이량체 어셈블리를 수득하는 단계,
    - 선택적으로 제3 또는 추가 집단의 코어/쉘과의 접촉 단계를 1회 이상 반복하여 나노결정 다량체 어셈블리를 수득하는 단계,
    - 기판으로부터 이량체 어셈블리 또는 다량체 어셈블리를 릴리즈하는 (releasing) 단계, 및
    - 이량체 또는 다량체 어셈블리에서 코어/쉘 구조를 융합하는 단계.
  47. 제2 나노결정의 미리 선택된 영역에 제1 나노결정의 부착을 지시하는 방법으로서,
    - 제2 나노결정의 표면에서 반응성 영역을 차단하는 단계;
    - 제2 나노결정의 미리 선택된 영역에 융합을 지시하는 단계;
    - 제1 및 제2 나노결정 사이에 융합을 허용하는 단계; 및
    - 선택적으로 반응성 영역의 차단을 해제하는 (de-blocking) 단계를 포함하여, 융합된 나노결정 분자를 수득하는, 방법.
  48. 제47항에 있어서, 제1 및 제2 나노결정이 코어/쉘 구조인, 방법.
  49. 제47항에 있어서, 2개 이상의 나노결정의 직접적인 부착을 위한, 방법.
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