KR20210133556A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210133556A
KR20210133556A KR1020200052288A KR20200052288A KR20210133556A KR 20210133556 A KR20210133556 A KR 20210133556A KR 1020200052288 A KR1020200052288 A KR 1020200052288A KR 20200052288 A KR20200052288 A KR 20200052288A KR 20210133556 A KR20210133556 A KR 20210133556A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
warpage
information
chamber member
atmosphere
Prior art date
Application number
KR1020200052288A
Other languages
English (en)
Inventor
박민정
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020200052288A priority Critical patent/KR20210133556A/ko
Publication of KR20210133556A publication Critical patent/KR20210133556A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 기재의 기판 처리 장치는 챔버 부재; 상기 챔버 부재의 내부에 설치되고, 기판과 대응되는 크기로 이루어지며, 기판을 목표 온도로 냉각시키는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 설치되고, 기판을 지지하며, 기판의 휘어짐을 감지하는 휘어짐 감지 유닛; 및 상기 챔버 부재 내부의 분위기를 변경하면서 기판에 휘어짐이 발생되지 않는 경우의 분위기 정보를 저장하였다가 다음 공정으로 전달하는 제어부;를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 처리하는 데 사용될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위한 반도체 공정 장치들은 연속적으로 배치되어 반도체 기판에 대해 다양한 공정을 수행한다. 상기 반도체 소자 중에서도 메모리 소자는 저장 용량을 증가시키기 위하여 박막을 다단으로 적층한다.
이와 같은 3차원 V-NAND를 사용한 플래시 메모리를 제조하는 과정에서 기판을 목표 온도로 냉각하는 과정을 거칠 수 있다. 예를 들어, 코팅 공정 전에 기판을 일정한 온도까지 냉각시켜주는 공정을 실시할 수 있다. 이와 같은 냉각 공정 이후에 다른 공정을 실시하여야 하나, V-NAND 단수가 점차 높아질수록, 기판의 휘어짐(Warpage)에 따라 불량이 발생될 수 있다. 이에 따라, 기판의 휘어짐을 측정하여 피드백 제어할 필요성이 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2018-0069705호
본 발명의 목적은 기판의 휘어짐을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는 챔버 부재; 상기 챔버 부재의 내부에 설치되고, 기판과 대응되는 크기로 이루어지며, 기판을 목표 온도로 냉각시키는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 설치되고, 기판을 지지하며, 기판의 휘어짐을 감지하는 휘어짐 감지 유닛; 및 상기 챔버 부재 내부의 분위기를 변경하면서 기판에 휘어짐이 발생되지 않는 경우의 분위기 정보를 저장하였다가 다음 공정으로 전달하는 제어부;를 포함한다.
한편, 상기 기판으로 가스를 분사하고, 기판에 하중 압력이 발생된 상태에서 상기 휘어짐 감지 유닛이 동작되어 기판의 휘어짐을 측정할 수 있게 하는 가스 분사 유닛;을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 가스 분사 유닛에서 분사되는 가스는 공기 또는 질소일 수 있다.
한편, 상기 가스 분사 유닛에서 분사되는 가스의 온도는 20도 내지 26도 범위에 포함될 수 있다.
한편, 상기 휘어짐 감지 유닛은, 상기 지지 유닛에 설치되고, 기판으로부터 전달되는 압력을 측정하는 복수의 압력 측정 부재를 포함할 수 있다.
한편, 상기 압력 측정 부재는 상기 지지 유닛의 중심으로부터 점차 멀어지면서 일정한 간격마다 위치될 수 있다.
한편, 상기 압력 측정 부재는 압력 센서일 수 있다.
한편, 상기 지지 유닛은 판 형상이고, 기판으로 냉기를 전달하는 냉각 플레이트; 및 상기 냉각 플레이트에 승강 가능하도록 설치되는 승강 핀;을 포함할 수 있다.
한편, 상기 제어부는 기저장된 분위기 정보를 코팅 공정으로 전달할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는 기판을 마련하는 기판 준비 단계; 상기 챔버 부재 내부의 분위기를 변화시키면서 기판의 휘어짐을 측정하는 기판 휘어짐 측정 단계; 기판의 휘어짐이 최소화된 상태에서 상기 챔버 부재 내부의 분위기 정보를 저장하는 정보 저장 단계; 및 다음 공정으로 분위기 정보를 전달하는 정보 전달 단계;를 포함한다.
한편, 상기 챔버 부재 내부의 분위기 정보는 압력 또는 온도일 수 있다.
한편, 상기 기판 휘어짐 측정 단계는 기판에 가스가 분사된 상태에서 기판의 휘어짐을 측정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 휘어짐 감지 유닛과 제어부를 포함한다. 따라서, 기판 처리 장치는 기판에 휘어짐이 발생되지 않을 정도의 분위기를 지속적으로 유지할 수 있다. 이에 따라, V-NAND 단수가 높아지더라도 기판의 휘어짐을 방지하면서 기판이 처리될 수 있다. 그러므로, 기판의 처리 신뢰성이 현저하게 향상될 수 있으므로, 반도체 제조시 불량율을 낮춰서 생산성을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 2는, 도 1의 기판 처리 장치에서 지지 유닛을 발췌하여 도시한 사시도이다.
도 3은, 도 2의 지지 유닛을 도시한 평면도이다.
도 4는 휘어짐 감지 유닛을 구성하는 압력 측정 부재를 도시한 단면도이다.
도 5는 압력 측정 부재의 변형예를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우 뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 챔버 부재(110), 지지 유닛(120), 휘어짐 감지 유닛(130) 및 제어부(140)를 포함한다.
챔버 부재(110)는 기판(W)이 처리되는 처리 공간을 포함한다. 기판(W)은 처리 공간에서 소정의 온도로 냉각될 수 있다. 처리 공간은 외부와 차단된 공간일 수 있다.
기판(W)은 챔버 부재(110)의 일측의 출입구(111)를 통하여 외부로부터 공급되거나 배출될 수 있다. 이러한 챔버 부재(110)는 도시하지는 않았으나, 상부 바디와 하부 바디로 구성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
한편, 진공 펌프(160)가 챔버 부재(110)의 일측에 설치될 수 있다. 진공 펌프(160)는 챔버 부재(110)의 처리 공간의 압력을 조절한다. 예를 들어, 진공 펌프(160)는 챔버 부재(110)의 처리 공간을 대기압 상태 또는 진공 상태로 조절할 수 있다.
지지 유닛(120)은 상기 챔버 부재(110)의 내부에 설치되고, 기판(W)과 대응되는 크기로 이루어질 수 있다. 지지 유닛(120)은 기판(W)을 목표 온도로 냉각시킬 수 있다. 즉, 지지 유닛(120)은 기판(W)을 지지할 뿐만 아니라, 기판(W)을 소정의 온도로 냉각시킬 수 있다.
기판(W)이 다양한 공정을 거치는 과정에서 고온으로 가열될 수 있다. 기판(W)은 각 공정마다 처리하기에 적절한 온도가 되어야 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 기판(W)을 소정의 온도로 조절할 수 있다.
이를 위한 지지 유닛(120)은 일례로 냉각 플레이트(121)와 승강 핀(123)을 포함할 수 있다.
냉각 플레이트(121)는 판 형상이고, 기판(W)으로 냉기를 전달할 수 있다. 냉각 플레이트(121)의 일측에는 항온수가 흐르는 배관(122)이 설치될 수 있다. 예를 들어, 배관(122)은 냉각 플레이트(121)의 하측면에 설치될 수 있다. 배관(122)은 하나 또는 그 이상일 수 있고, 다양한 패턴으로 냉각 플레이트(121)에 설치될 수 있다.
승강 핀(123)은 상기 냉각 플레이트(121)에 승강 가능하도록 설치될 수 있다. 승강 핀(123)은 미도시된 모터에 의해 구동될 수 있다.
승강 핀(123)은 일례로 3개일 수 있다. 3개의 승강 핀(123)은 냉각 플레이트(121)의 중심에 삼각형 형상을 이루도록 배치될 수 있다. 승강 핀(123)은 냉각 플레이트(121)를 관통하도록 설치될 수 있다. 기판(W)이 승강 핀(123)에 안착되면, 승강 핀(123)은 하강하고, 기판(W)은 냉각 플레이트(121)와 매우 인접하게 위치되거나 접촉될 수 있다.
기판(W)의 열이 냉각 플레이트(121)로 전달되고, 냉각 플레이트(121)는 항온수에 의해 냉각될 수 있다. 이러한 과정이 일정 시간동안 계속되면서 기판(W)의 온도가 조절될 수 있다.
휘어짐 감지 유닛(130)은 상기 지지 유닛(120)에 설치되고, 기판(W)을 지지할 수 있다. 휘어짐 감지 유닛(130)은 기판(W)의 휘어짐을 감지할 수 있다.
상기 휘어짐 감지 유닛(130)은 일례로 복수의 압력 측정 부재(131)를 포함할 수 있다. 압력 측정 부재(131)는 상기 지지 유닛(120)에 설치되고, 기판(W)으로부터 전달되는 압력을 측정할 수 있다. 상기 압력 측정 부재(131)는 압력 센서일 수 있다.
상기 압력 측정 부재(131)는 상기 지지 유닛(120)의 중심으로부터 점차 멀어지면서 일정한 간격마다 위치될 수 있다. 예를 들어, 압력 측정 부재(131)는 승강 핀(123)을 기준으로 냉각 플레이트(121) 상에 일정한 각도를 이루도록 설치될 수 있다. 이에 따라, 압력 측정 부재(131)는 기판(W)을 균일하게 지지할 수 있다. 기판(W)의 휘어짐이 발생되면, 특정 압력 측정 부재(131)에서 측정한 압력값이 다른 압력 측정 부재(131)에서 측정된 압력값과 상이할 수 있다.
도 4를 참조하면, 압력 측정 부재(131)는 일례로 본체(132), 접촉 돌기(133), 스프링(134) 및 센서(135)를 포함할 수 있다. 본체(132)는 상측이 개구되고, 내부 공간을 포함할 수 있다. 접촉 돌기(133)는 본체(132)의 내부 공간에 설치되고, 상하방향으로 이동될 수 있다.
접촉 돌기(133)는 본체(132)의 개구된 상측에 노출될 수 있다. 스프링(134)은 압축 스프링(134)일 수 있고, 접촉 돌기(133)를 탄성 지지할 수 있다. 센서(135)는 본체(132)의 하측에 설치되어 스프링(134)에 가해지는 압력을 감지할 수 있다. 기판(W)이 접촉 돌기(133)를 누르면, 스프링(134)이 압축되고, 스프링(134)에 가해진 압력은 센서(135)에 전달될 수 있다.
도 5를 참조하면, 압력 측정 부재(231)는 변형예로 눌림부(136)를 더 포함할 수 있다. 눌림부(136)는 본체(132)와 분리되고, 스프링(134)에 결합될 수 있다.
센서(135)는 눌림부(136)에 설치될 수 있다. 스프링(134)이 접촉 돌기(133)에 의해 가입되면, 눌림부(136)가 눌리면서 센서(135)에 압력이 더욱 안정적으로 전달될 수 있다. 이러한 변형예에 따른 압력 측정 부재(231)는 전술한 압력 측정 부재(231)보다 압력 측정 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1로 되돌아가서, 제어부(140)는 상기 챔버 부재(110) 내부의 분위기를 변경하면서 기판(W)에 휘어짐이 발생되지 않는 경우의 분위기 정보를 저장하였다가 다음 공정으로 전달할 수 있다. 예를 들어, 기판(W)이 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에서 처리된 이후에 기판(W)은 코팅 공정에서 코팅 처리될 수 있다. 이때, 제어부(140)는 기저장된 분위기 정보를 코팅 공정으로 전달할 수 있다.
코팅 공정에서는 제어부(140)로부터 전달받은 분위기 정보로 내부의 압력과 온도를 설정하여 기판(W)이 최적의 환경에 노출된 상태에서 공정이 실시될 수 있으므로, 기판(W)의 휘어짐을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 가스 분사 유닛(150)을 더 포함할 수 있다.
가스 분사 유닛(150)은 기판(W)으로 가스를 분사하고, 기판(W)에 하중 압력이 발생된 상태에서 상기 휘어짐 감지 유닛(130)이 동작되어 기판(W)의 휘어짐을 측정할 수 있게 한다. 가스가 기판(W)에 분사되면, 기판(W) 전체에 하중이 발생되고, 기판(W)이 휘어짐 감지 유닛(130)에 안정적으로 밀착될 수 있다. 따라서, 휘어짐 감지 유닛(130)이 기판(W)의 휘어짐을 더욱 명확하게 측정할 수 있다.
또한, 가스 분사 유닛(150)은 기판(W)을 더욱 빠르게 냉각시킬 수 있다. 가스 분사 유닛(150)에서 분사된 가스가 기판(W)과 접촉되고, 기판(W)과 가스 사이에서 열교환이 실시될 수 있다.
이를 위한 가스 분사 유닛(150)에서 분사되는 가스는 공기 또는 질소일 수 있다. 그리고, 가스 분사 유닛(150)에서 분사되는 가스의 온도는 20도 내지 26도 범위에 포함될 수 있다. 가스의 온도가 26도를 넘는 경우, 기판(W)의 냉각 효율이 떨어질 수 있다. 가스의 온도가 20도 미만인 경우, 기판(W)이 과도하게 냉각될 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 휘어짐 감지 유닛(130)과 제어부(140)를 포함한다. 따라서, 기판 처리 장치(100)는 기판(W)에 휘어짐이 발생되지 않을 정도의 분위기를 지속적으로 유지할 수 있다. 이에 따라, V-NAND 단수가 높아지더라도 기판(W)의 휘어짐을 방지하면서 기판(W)이 처리될 수 있다. 그러므로, 기판(W)의 처리 신뢰성이 현저하게 향상될 수 있으므로, 반도체 제조시 불량율을 낮춰서 생산성을 증가시킬 수 있다.
이하에서는 전술한 기판 처리 장치(100)로 기판(W)을 처리하는 기판(W) 처리 방법에 대해 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S200)은 기판 준비 단계(S210), 기판 휘어짐 측정 단계(S220), 분위기 정보 저장 단계(S230) 및 분위기 정보 전달 단계(S240)를 포함한다.
기판 준비 단계(S210)는 기판을 마련한다. 기판이 챔버 부재의 외부로부터 공급되고, 지지 유닛에 안착될 수 있다.
기판 휘어짐 측정 단계(S220)는 상기 챔버 부재 내부의 분위기를 변화시키면서 기판의 휘어짐을 측정한다. 예를 들어, 챔버 부재 내부의 압력을 소정의 압력으로 설정하고, 압력을 점차 낮추거나 높이면서 기판의 휘어짐을 측정할 수 있다.
한편, 상기 기판 휘어짐 측정 단계(S220)는 기판에 가스가 분사된 상태에서 기판의 휘어짐을 측정할 수 있다.
전술한 바와 같이, 가스 분사 유닛이 기판으로 가스를 분사하고, 기판에 하중 압력이 발생된 상태에서 휘어짐 감지 유닛이 동작되어 기판의 휘어짐을 측정할 수 있다. 더욱 상세하게 설명하면, 가스가 기판에 분사되면, 기판 전체에 하중이 발생되고, 기판이 휘어짐 감지 유닛에 안정적으로 밀착될 수 있다. 따라서, 휘어짐 감지 유닛이 기판의 휘어짐을 더욱 명확하게 측정할 수 있다.
분위기 정보 저장 단계(S230)는 기판의 휘어짐이 최소화된 상태에서 상기 챔버 부재 내부의 분위기 정보를 저장한다. 전술한 바와 같이, 상기 챔버 부재 내부의 분위기 정보는 압력 또는 온도일 수 있다. 분위기 정보는 미도시된 메모리에 저장될 수 있다. 메모리는 전술한 제어부에 포함되거나 제어부와 전기적으로 연결될 수 있다.
정보 전달 단계(S240)는 다음 공정으로 분위기 정보를 전달한다. 기판 처리 장치 이후에 코팅 공정을 실시하는 경우, 분위기 정보가 코팅 공정으로 전달될 수 있다. 코팅 공정은 기판에 휘어짐이 발생되지 않는 분위기에서 진행될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S200)은 기판에 휘어짐이 발생되지 않을 정도의 분위기를 지속적으로 유지할 수 있다. 이에 따라, V-NAND 단수가 높아지더라도 기판의 휘어짐을 방지하면서 기판이 처리될 수 있다. 그러므로, 기판의 처리 신뢰성이 현저하게 향상될 수 있으므로, 반도체 제조시 불량율을 낮춰서 생산성을 증가시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100: 기판 처리 장치
110: 챔버 부재
120: 지지 유닛
121: 냉각 플레이트
122: 배관
123: 승강 핀
130: 휘어짐 감지 유닛
131: 압력 측정 부재
140: 제어부
150: 가스 분사 유닛

Claims (12)

  1. 챔버 부재;
    상기 챔버 부재의 내부에 설치되고, 기판과 대응되는 크기로 이루어지며, 기판을 목표 온도로 냉각시키는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛에 설치되고, 기판을 지지하며, 기판의 휘어짐을 감지하는 휘어짐 감지 유닛; 및
    상기 챔버 부재 내부의 분위기를 변경하면서 기판에 휘어짐이 발생되지 않는 경우의 분위기 정보를 저장하였다가 다음 공정으로 전달하는 제어부;를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판으로 가스를 분사하고, 기판에 하중 압력이 발생된 상태에서 상기 휘어짐 감지 유닛이 동작되어 기판의 휘어짐을 측정할 수 있게 하는 가스 분사 유닛;을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가스 분사 유닛에서 분사되는 가스는 공기 또는 질소인 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 가스 분사 유닛에서 분사되는 가스의 온도는 20도 내지 26도 범위에 포함되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 휘어짐 감지 유닛은,
    상기 지지 유닛에 설치되고, 기판으로부터 전달되는 압력을 측정하는 복수의 압력 측정 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 압력 측정 부재는 상기 지지 유닛의 중심으로부터 점차 멀어지면서 일정한 간격마다 위치되는 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 압력 측정 부재는 압력 센서인 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    판 형상이고, 기판으로 냉기를 전달하는 냉각 플레이트; 및
    상기 냉각 플레이트에 승강 가능하도록 설치되는 승강 핀;을 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는 기저장된 분위기 정보를 코팅 공정으로 전달하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 기판 처리 장치로 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
    기판을 마련하는 기판 준비 단계;
    상기 챔버 부재 내부의 분위기를 변화시키면서 기판의 휘어짐을 측정하는 기판 휘어짐 측정 단계;
    기판의 휘어짐이 최소화된 상태에서 상기 챔버 부재 내부의 분위기 정보를 저장하는 정보 저장 단계; 및
    다음 공정으로 분위기 정보를 전달하는 정보 전달 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 챔버 부재 내부의 분위기 정보는 압력 또는 온도인 기판 처리 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 기판 휘어짐 측정 단계는 기판에 가스가 분사된 상태에서 기판의 휘어짐을 측정하는 기판 처리 방법.
KR1020200052288A 2020-04-29 2020-04-29 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR20210133556A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200052288A KR20210133556A (ko) 2020-04-29 2020-04-29 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200052288A KR20210133556A (ko) 2020-04-29 2020-04-29 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210133556A true KR20210133556A (ko) 2021-11-08

Family

ID=78497105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200052288A KR20210133556A (ko) 2020-04-29 2020-04-29 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210133556A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180069705A (ko) 2016-12-15 2018-06-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법, 붕소 막 및 성막 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180069705A (ko) 2016-12-15 2018-06-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법, 붕소 막 및 성막 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11804386B2 (en) Transfer unit, and apparatus and method for treating substrate
KR100870692B1 (ko) 냉각 처리 장치
US8138456B2 (en) Heat processing method, computer-readable storage medium, and heat processing apparatus
JP6394220B2 (ja) アライメント装置及び基板処理装置
US20120170999A1 (en) Load lock device and processing system
US20050072716A1 (en) Processing system
KR101227809B1 (ko) 기판 배치대의 강온 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 기판 처리 시스템
US20120043062A1 (en) Method for cooling object to be processed, and apparatus for processing object to be processed
WO2021086463A1 (en) Methods and apparatus for processing a substrate
KR20220076370A (ko) 감압 건조 장치
KR20210133556A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN111668134B (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序
US10971385B2 (en) Substrate processing apparatus and transfer position correcting method
US10115611B2 (en) Substrate cooling method, substrate transfer method, and load-lock mechanism
KR100855325B1 (ko) 로드락 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102247259B1 (ko) 가스 제거 방법, 가스 제거 챔버 및 반도체 처리 설비
TW202245074A (zh) 基板處理設備、溫度量測方法及溫度控制方法
KR20200110122A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
US20230377854A1 (en) Cooling plate
US20220208587A1 (en) Substrate cooling unit, substrate processing apparatus, substrate processing method, method for manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium
US20220310420A1 (en) Cooling method, a method of manufacturing a semiconductor device and a non-transitory computer-readable recording medium
KR102324030B1 (ko) 반도체 메모리 모듈 고온 테스트 장치
KR102241600B1 (ko) 로드락 챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
TWI767326B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法、及預兆偵測程式
US20220148857A1 (en) Detection device, processing system, and transfer method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination