KR20210133081A - 생체 구조 모방형 다공성 산화물 반도체 기반의 고감도 전기-화학 센서 제조 방법 - Google Patents

생체 구조 모방형 다공성 산화물 반도체 기반의 고감도 전기-화학 센서 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210133081A
KR20210133081A KR1020200051808A KR20200051808A KR20210133081A KR 20210133081 A KR20210133081 A KR 20210133081A KR 1020200051808 A KR1020200051808 A KR 1020200051808A KR 20200051808 A KR20200051808 A KR 20200051808A KR 20210133081 A KR20210133081 A KR 20210133081A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
active layer
oxide
sensor
manufacturing
forming
Prior art date
Application number
KR1020200051808A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102333694B1 (ko
Inventor
김현재
이이삭
김형태
최동현
정수진
안종빈
Original Assignee
연세대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 연세대학교 산학협력단 filed Critical 연세대학교 산학협력단
Priority to KR1020200051808A priority Critical patent/KR102333694B1/ko
Publication of KR20210133081A publication Critical patent/KR20210133081A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102333694B1 publication Critical patent/KR102333694B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4148—Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
    • H01L51/0008—
    • H01L51/0562—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H10K10/486—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising two or more active layers, e.g. forming pn heterojunctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 실시예들은 산화물 활성층에 산화물 및 유기물을 코스퍼터링하고 산소 플라즈마 처리하여 다공성 산화물 구조로 변형하는 방식으로 표면적을 증가시켜 성능을 향상시키는 센서 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

생체 구조 모방형 다공성 산화물 반도체 기반의 고감도 전기-화학 센서 제조 방법 {Method for Manufacturing High-Sensitivity Electrochemical Sensor Based on Biomimetic Porous Oxide Semiconductor}
본 발명이 속하는 기술 분야는 다공성 산화물 반도체 기반의 고감도 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.
센서는 측정 대상물의 물리, 화학, 바이오 변화를 감지하여 인식 가능한 신호로 변환하는 장치이다. 센서의 종류로는 광 센서, 가스 센서, 바이오 센서 등이 있다. 박막 트랜지스터를 이용한 센서 개발이 진행되고 있다.
박막 트랜지스터에서 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)을 주성분으로 하는 산화물 반도체는 비정질 형태이면서 안정적인 재료로서 평가되고 있으며, 산화물 반도체를 이용할 경우 별도의 장비를 추가적으로 구입하지 않고도 기존의 장비를 이용할 수 있어 차세대 트랜지스터로 주목받고 있다.
IGZO 물질은 트랜지스터의 활성층으로 사용되며, 인듐(Indium), 갈륨(Gallium), 아연(Zinc), 산소(Oxygen) 4가지 원자들이 일정 비율로 구성된 화합물이다.
한국등록특허공보 제10-2059636호 (2019.12.19) 한국공개특허공보 제10-2012-0023561호 (2012.03.13) 한국공개특허공보 제10-2014-0134530호 (2014.11.24)
본 발명의 실시예들은 산화물 활성층에 산화물 및 유기물을 코스퍼터링하고 산소 플라즈마 처리하여 다공성 산화물 구조로 변형하는 방식으로 표면적을 증가시켜 센서의 성능을 향상시키는 데 발명의 주된 목적이 있다.
본 발명의 명시되지 않은 또 다른 목적들은 하기의 상세한 설명 및 그 효과로부터 용이하게 추론할 수 있는 범위 내에서 추가적으로 고려될 수 있다.
본 실시예의 일 측면에 의하면, 센서의 제조 방법에 있어서, 기판에 산화물을 포함하는 제1 활성층을 형성하는 단계, 상기 제1 활성층에 상기 산화물 및 유기물을 포함하는 제2 활성층을 형성하는 단계, 상기 제2 활성층에 산소 플라즈마 처리하여 상기 제2 활성층을 다공성 산화물 구조로 변형하는 단계를 포함하는 센서의 제조 방법을 제공한다.
상기 제2 활성층을 형성하는 단계는, 진공 장비를 이용하여 상기 산화물 및 상기 유기물을 코스퍼터링(co-sputtering)할 수 있다.
상기 제2 활성층을 형성하는 단계 이후에, 상기 제2 활성층을 200℃ 내지 500℃의 온도 범위에서 열처리하는 단계를 수행할 수 있다.
상기 제1 활성층을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판에 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스 전극, 드레인 전극, 또는 이들의 조합을 형성하는 단계를 수행할 수 있다.
상기 다공성 산화물 구조로 변형하는 단계 이후에, 상기 다공성 산화물 구조로 변형된 제2 활성층에 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스 전극, 드레인 전극, 또는 이들의 조합을 형성하는 단계를 수행할 수 있다.
상기 제2 활성층을 다공성 산화물 구조로 변형하는 단계는, 상기 산소 플라즈마 처리하는 시간을 조절하여 다공성 산화물의 기공의 크기와 개수를 조절할 수 있다.
본 실시예의 다른 측면에 의하면, 기판, 및 기판에 형성된 채널을 포함하며, 상기 채널은, 산화물을 포함하는 제1 활성층, 및 상기 제1 활성층에 증착되며, 다공성 구조로 형성된 산화물을 포함하는 제2 활성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 센서를 제공한다.
상기 제2 활성층은, 진공 장비를 이용하여 상기 산화물 및 유기물을 코스퍼터링(co-sputtering)하고, 산소 플라즈마 처리하여 상기 유기물의 일부 또는 전부를 제거하는 방식을 통해 다공성 산화물 구조로 변형될 수 있다.
상기 산화물은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 물질을 포함할 수 있다.
상기 유기물은 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 물질을 포함할 수 있다.
상기 센서는 광 센서, 가스 센서, 또는 바이오 센서로 동작할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 의하면, 산화물 활성층에 산화물 및 유기물을 코스퍼터링하고 산소 플라즈마 처리하여 다공성 산화물 구조로 변형하는 방식으로 표면적을 증가시켜 센서의 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
여기에서 명시적으로 언급되지 않은 효과라 하더라도, 본 발명의 기술적 특징에 의해 기대되는 이하의 명세서에서 기재된 효과 및 그 잠정적인 효과는 본 발명의 명세서에 기재된 것과 같이 취급된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법을 예시한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 제1 활성층을 형성하는 단계를 예시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 제2 활성층을 형성하는 단계를 예시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 제2 활성층을 열처리하는 단계를 예시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 제2 활성층을 다공성 산화물 구조로 변형하는 단계를 예시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 제2 활성층이 다공성 산화물 구조로 변형되는 원리를 예시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 산소 플라즈마 처리하는 시간에 따른 다공성 산화물의 변화를 FT-IR로 분석한 결과이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 산소 플라즈마 처리하는 시간에 따른 다공성 산화물의 변화를 SEM으로 분석한 결과이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 산소 플라즈마 처리하는 시간에 따른 다공성 산화물의 변화를 SEM 및 AFM으로 분석한 결과이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서를 예시한 도면이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서가 바이오 센서로 동작하는 것을 예시한 도면이다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서가 광 센서로 동작하는 것을 예시한 도면이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서가 가스 센서로 동작하는 것을 예시한 도면이다.
이하, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지기능에 대하여 이 분야의 기술자에게 자명한 사항으로서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하고, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법을 예시한 흐름도이다.
센서의 제조 방법은 기판에 산화물을 포함하는 제1 활성층을 형성하는 단계(S11), 제1 활성층에 산화물 및 유기물을 포함하는 제2 활성층을 형성하는 단계(S12), 제2 활성층에 산소 플라즈마 처리하여 제2 활성층을 다공성 산화물 구조로 변형하는 단계(S13)을 포함한다.
센서의 제조 방법은 제1 활성층을 형성하는 단계(S11) 이전에, 기판에 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스 전극, 드레인 전극, 또는 이들의 조합을 형성하는 단계를 수행할 수 있다.
제1 활성층을 형성하는 단계(S11)는 진공 장비를 이용한 플라즈마 공정을 통해 산화물을 스퍼터링할 수 있다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 제1 활성층을 형성하는 단계를 예시한 도면이다.
제2 활성층을 형성하는 단계(S12)는 진공 장비를 이용한 플라즈마 공정을 통해 산화물 및 유기물을 코스퍼터링(co-sputtering)할 수 있다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 제2 활성층을 형성하는 단계를 예시한 도면이다. 산화물은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 물질을 포함할 수 있고, 이에 한정되는 것은 아니며 다른 산화물이 적용될 수 있다. 유기물은 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 물질을 포함할 수 있고, 이에 한정되는 것은 아니며 다른 유기물이 적용될 수 있다.
센서의 제조 방법은 제2 활성층을 형성하는 단계 이후에, 제2 활성층을 200℃ 내지 500℃의 온도 범위에서 열처리하는 단계를 수행할 수 있다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 제2 활성층을 열처리하는 단계를 예시한 도면이다.
제2 활성층을 다공성 산화물 구조로 변형하는 단계(S13)는, 산소 플라즈마 처리하는 시간을 조절하여 다공성 산화물의 기공의 크기와 개수를 조절할 수 있다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 제2 활성층을 다공성 산화물 구조로 변형하는 단계를 예시한 도면이다.
센서의 제조 방법은 다공성 산화물 구조로 변형하는 단계(S13) 이후에, 다공성 산화물 구조로 변형된 제2 활성층에 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스 전극, 드레인 전극, 또는 이들의 조합을 형성하는 단계를 수행할 수 있다. 센서는 전극의 위치에 따라 탑 게이트 구조, 바텀 게이트 구조, 또는 이에 준하는 다양한 적층 구조로 구현될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 제2 활성층이 다공성 산화물 구조로 변형되는 원리를 예시한 도면이다. 산화물과 유기물이 코스퍼터링된 후 산소 플라즈마 처리 공정에 의해 C-F 결합을 포함하는 유기물의 일부 또는 전부가 제거되고, 산화물의 M-O 결합이 향상된다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 산소 플라즈마 처리하는 시간에 따른 다공성 산화물의 변화를 FT-IR(Fourier-Transform Infrared Spectroscopy)로 분석한 결과이다. 산화물과 유기물이 코스퍼터링된 후 산소 플라즈마 처리 과정에서 일정 시간이 지나면 대부분의 유기물이 제거됨을 확인할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 산소 플라즈마 처리하는 시간에 따른 다공성 산화물의 변화를 SEM(Scanning Electron Microscope)으로 분석한 결과이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 제조 방법에서 산소 플라즈마 처리하는 시간에 따른 다공성 산화물의 변화를 SEM 및 AFM(Atomic Force Microscope)으로 분석한 결과이다. 산화물과 유기물이 코스퍼터링된 후 산소 플라즈마 처리 시간이 증가할수록 유기물이 제거됨에 따라 기공의 개수가 증가하는 것을 확인할 수 있다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서를 예시한 도면이다.
센서(10)는 기판(100) 및 채널(200)을 포함한다.
채널(200)은 캐리어가 전달하는 통로이며, 제1 활성층(210)과 제2 활성층(220)이 적층된 구조로 형성된다. 제1 활성층(210) 및 제2 활성층(220)은 산화물을 포함한다. 제2 활성층(220)은 산화물과 유기물이 코스퍼터링된 후 산소 플라즈마 처리를 통해 선택적 식각을 수행하여 다공성 박막으로 형성될 수 있다.
산화물과 유기물이 코스퍼터링된 후 산소 플라즈마 처리하면 표면적 증가뿐만 아니라 기존의 친수 처리 공정을 대체할 수 있고, 박막 결함을 감소시킬 수 있다. 실제 산업에 적용 가능한 진공 장비를 통해 증착이 가능한 장점이 있다.
산화물은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 물질을 포함할 수 있고, 이에 한정되는 것은 아니며 다른 산화물이 적용될 수 있다. 유기물은 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 물질을 포함할 수 있고, 이에 한정되는 것은 아니며 다른 유기물이 적용될 수 있다.
제2 활성층(220)은 다공성 구조로 형성된다. 다공성 구조는 활성층의 표면적을 증가시켜서 센서의 민감도를 향상시킨다. 소장의 융털 구조 또는 폐 구조와 같이 맹거 스펀지 구조는 동일 부피에서 표면적을 증가시켜 민감도를 향상시킨다.
센서(10)는 전극을 포함할 수 있고, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 센서는 전극의 위치에 따라 탑 게이트 구조, 바텀 게이트 구조, 또는 이에 준하는 다양한 적층 구조로 구현될 수 있다.
게이트 전극은 채널의 상태를 제어하고, 게이트 전극에 의해 활성화 또는 비활성화된 활성층을 통해 소스 전극 및 드레인 전극 간에 캐리어가 전달된다. 게이트 전극에 게이트 절연체가 연결된다.
센서는 광 센서, 가스 센서, 또는 바이오 센서로 동작할 수 있다. 센서는 스마트폰, 자동차, 건축, 바이오 등의 다양한 분에 적용될 수 있다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서가 바이오 센서로 동작하는 것을 예시한 도면이다. 바이오 센서는 분석 물질을 탐지한다. 대상 물질과 상호 작용하는 수용체(Receptor), 특정 물질에 결합하는 압타머(Aptamer) 등이 다공성 산화물에 부착되며, 다공성 산화물이 이용한 바이오 센서는 표면적을 증가시켜 센서의 민감도를 향상시킨다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서가 광 센서로 동작하는 것을 예시한 도면이다. 광 센서는 다공성 산화물의 다공성 구조를 통해 광을 받는 표면적과 내부 산란도를 증가시킨다. 산화물이 이용한 광 센서는 다공성 구조를 통해 적색 광, 녹색 광, 및 청색 광을 검출할 수 있다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센서가 가스 센서로 동작하는 것을 예시한 도면이다. 산화물 반도체형 가스 센서는 다공성 구조를 통해 표면적을 증가시켜 센서의 민감도를 향상시킨다.
도 1에서는 각각의 과정을 순차적으로 실행하는 것으로 기재하고 있으나 이는 예시적으로 설명한 것에 불과하고, 이 분야의 기술자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 도 1에 기재된 순서를 일부 변경하여 실행하거나 또는 하나 이상의 과정을 병렬적으로 실행하거나 다른 과정을 추가하는 것으로 다양하게 수정 및 변형하여 적용 가능할 것이다.
본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 센서
100: 기판
200: 채널
210: 제1 활성층
220: 제2 활성층

Claims (14)

  1. 센서의 제조 방법에 있어서,
    기판에 산화물을 포함하는 제1 활성층을 형성하는 단계;
    상기 제1 활성층에 상기 산화물 및 유기물을 포함하는 제2 활성층을 형성하는 단계;
    상기 제2 활성층에 산소 플라즈마 처리하여 상기 제2 활성층을 다공성 산화물 구조로 변형하는 단계
    를 포함하는 센서의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 활성층을 형성하는 단계는,
    진공 장비를 이용하여 상기 산화물 및 상기 유기물을 코스퍼터링(co-sputtering)하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 활성층을 형성하는 단계 이후에,
    상기 제2 활성층을 200℃ 내지 500℃의 온도 범위에서 열처리하는 단계를 포함하는 포토 트랜지스터의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 활성층을 형성하는 단계 이전에,
    상기 기판에 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스 전극, 드레인 전극, 또는 이들의 조합을 형성하는 단계를 포함하는 센서의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다공성 산화물 구조로 변형하는 단계 이후에,
    상기 다공성 산화물 구조로 변형된 제2 활성층에 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스 전극, 드레인 전극, 또는 이들의 조합을 형성하는 단계를 포함하는 센서의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 활성층을 다공성 산화물 구조로 변형하는 단계는,
    상기 산소 플라즈마 처리하는 시간을 조절하여 다공성 산화물의 기공의 크기와 개수를 조절하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 산화물은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 트랜지스터의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 유기물은 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 트랜지스터의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 센서는 광 센서, 가스 센서, 또는 바이오 센서로 동작하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조 방법.
  10. 기판; 및
    기판에 형성된 채널을 포함하며,
    상기 채널은,
    산화물을 포함하는 제1 활성층; 및
    상기 제1 활성층에 증착되며, 다공성 구조로 형성된 산화물을 포함하는 제2 활성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 센서.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 활성층은,
    진공 장비를 이용하여 상기 산화물 및 유기물을 코스퍼터링(co-sputtering)하고, 산소 플라즈마 처리하여 상기 유기물의 일부 또는 전부를 제거하는 방식을 통해 다공성 산화물 구조로 변형되는 것을 특징으로 하는 센서.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 산화물은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 트랜지스터.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 유기물은 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 트랜지스터.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 센서는 광 센서, 가스 센서, 또는 바이오 센서로 동작하는 것을 특징으로 하는 센서.
KR1020200051808A 2020-04-28 2020-04-28 생체 구조 모방형 다공성 산화물 반도체 기반의 고감도 전기-화학 센서 제조 방법 KR102333694B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200051808A KR102333694B1 (ko) 2020-04-28 2020-04-28 생체 구조 모방형 다공성 산화물 반도체 기반의 고감도 전기-화학 센서 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200051808A KR102333694B1 (ko) 2020-04-28 2020-04-28 생체 구조 모방형 다공성 산화물 반도체 기반의 고감도 전기-화학 센서 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210133081A true KR20210133081A (ko) 2021-11-05
KR102333694B1 KR102333694B1 (ko) 2021-11-30

Family

ID=78507962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200051808A KR102333694B1 (ko) 2020-04-28 2020-04-28 생체 구조 모방형 다공성 산화물 반도체 기반의 고감도 전기-화학 센서 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102333694B1 (ko)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090124527A (ko) * 2008-05-30 2009-12-03 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR20100005900A (ko) * 2008-07-08 2010-01-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR20120023561A (ko) 2010-08-25 2012-03-13 후지필름 가부시키가이샤 산화물 반도체 박막, 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터를 구비한 장치
KR20140134530A (ko) 2013-05-14 2014-11-24 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR101543538B1 (ko) * 2014-08-29 2015-08-10 부산대학교 산학협력단 표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법
KR102059636B1 (ko) 2017-12-07 2020-02-20 연세대학교 산학협력단 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090124527A (ko) * 2008-05-30 2009-12-03 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR20100005900A (ko) * 2008-07-08 2010-01-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR20120023561A (ko) 2010-08-25 2012-03-13 후지필름 가부시키가이샤 산화물 반도체 박막, 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터를 구비한 장치
KR20140134530A (ko) 2013-05-14 2014-11-24 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR101543538B1 (ko) * 2014-08-29 2015-08-10 부산대학교 산학협력단 표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법
KR102059636B1 (ko) 2017-12-07 2020-02-20 연세대학교 산학협력단 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
P K. Nayak 등, applied physics letters, 2012, 100권.(2012.05.16.)* *
나재원 등, acs. appl. mater. interfaces, 2018, 10권, 페이지 37207-37215.(2018.10.11.)* *
박주현 등, Sensors and actuators B: Chemical, 2020, 312권.(2020.03.07.)* *

Also Published As

Publication number Publication date
KR102333694B1 (ko) 2021-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Rim et al. Interface engineering of metal oxide semiconductors for biosensing applications
Mishra et al. Ultra-sensitive detection of bacterial toxin with silicon nanowire transistor
Ollitrault et al. Improvement of ozone detection with GLAD WO3 films
US8642371B2 (en) Method and system for fabricating ion-selective field-effect transistor (ISFET)
Li et al. Precise Patterning of Large‐Scale TFT Arrays Based on Solution‐Processed Oxide Semiconductors: A Comparative Study of Additive and Subtractive Approaches
Yang et al. PIN amorphous silicon for thin-film light-addressable potentiometric sensors
KR102333694B1 (ko) 생체 구조 모방형 다공성 산화물 반도체 기반의 고감도 전기-화학 센서 제조 방법
KR20130102148A (ko) 용액 공정 기반 산화물 박막 트랜지스터 바이오 센서 및 그 제조방법
Liu et al. An effective hydroxylation route for a highly sensitive glucose sensor using APTES/GOx functionalized AlGaN/GaN high electron mobility transistor
Im et al. In situ-synthesized cadmium sulfide nanowire photosensor with a parylene passivation layer for chemiluminescent immunoassays
US20230384257A1 (en) Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel
KR101050695B1 (ko) 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법
Tzouvadaki et al. Bio-functionalization study of memristive-biosensors for early detection of prostate cancer
KR101161371B1 (ko) 전계효과 트랜지스터 기반 바이오센서 및 그 제작방법
CN110006975B (zh) 一种基于afp的生物传感器及其制备方法
Sportelli et al. Surface analytical characterization of Streptavidin/poly (3–hexylthiophene) bilayers for bio-electronic applications
KR101607938B1 (ko) 용액 공정 기반 적층형 산화물 박막 트랜지스터 바이오 센서 및 그를 제조하는 제조 방법
Singh et al. Bio-functionalization of ZnO water gated thin-film transistors
CN107293581B (zh) 薄膜晶体管及制造方法与应用方法
CN109300989A (zh) 一种硒化铟晶体管及其制造方法
US20220146451A1 (en) Two-dimensional-material-based field-effect transistor for detection of pathogens and methods for manufacturing
Usagawa et al. Air-annealing effects for Pt/Ti gate Si-metal–oxide–semiconductor field-effect transistors hydrogen gas sensor
US8211322B2 (en) Method of forming a metal layer pattern having a nanogap and method of manufacturing a molecule-sized device using the same
KR101081454B1 (ko) 금속산화물 나노선 ｆｅｔ 센서 제조방법
CN115561295B (zh) 一种硅纳米线场效应葡萄糖传感器及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant