KR20210132598A - Processing method of a wafer and holding table - Google Patents

Processing method of a wafer and holding table Download PDF

Info

Publication number
KR20210132598A
KR20210132598A KR1020210043636A KR20210043636A KR20210132598A KR 20210132598 A KR20210132598 A KR 20210132598A KR 1020210043636 A KR1020210043636 A KR 1020210043636A KR 20210043636 A KR20210043636 A KR 20210043636A KR 20210132598 A KR20210132598 A KR 20210132598A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
holding
wafer
annular convex
cutting
annular
Prior art date
Application number
KR1020210043636A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
도모아키 스기야마
나오코 야마모토
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20210132598A publication Critical patent/KR20210132598A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/06—Grinders for cutting-off
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/067—Work supports, e.g. adjustable steadies radially supporting workpieces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(Objective) The present invention provides a method of processing a wafer and a holding table which can suppress the deterioration of production efficiency and a device damage. (Solution) A method of processing a wafer includes: a preparation step which prepares a holding table having a holding part which includes a holding surface corresponding to a central recess of a wafer, and an annular salient support which surrounds the holding surface and includes an annular support surface lower than the holding surface, in which a height difference between the holding surface and the annular support surface is formed to have at least a value larger than and equal to the depth of the central recess; a sheet arrangement step which arranges a sheet on the rear face of the wafer; a holding step which holds the rear face side of the wafer with the holding table; a cutting step which makes a cutting blade cut into the wafer on the holding unit until it reaches the sheet, so as to separate the annular salient from the wafer; and an annular salient removal step which cuts with the cutting blade the annular salient separated from the wafer in the cutting step and supported in the annular salient support, so as to crush the annular salient and remove the annular salient from the sheet.

Description

웨이퍼의 가공 방법 및 유지 테이블{PROCESSING METHOD OF A WAFER AND HOLDING TABLE}Wafer processing method and holding table

본 발명은, 이면에 중앙 오목부가 형성됨과 함께 중앙 오목부를 둘러싼 환상 볼록부를 갖는 웨이퍼의 가공 방법, 및 유지 테이블에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention [0001] The present invention relates to a processing method for a wafer having a central recess formed on the back surface and an annular convex portion surrounding the central recess, and a holding table.

디바이스에 대응한 중앙부만 박화되고 외주를 원래의 웨이퍼 두께로 잔존시킴으로써 박화된 웨이퍼의 핸들링성을 향상시키는 가공 방법이 널리 채용되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).A processing method in which only the central portion corresponding to the device is thinned and the outer periphery remains at the original wafer thickness to improve the handling properties of the thinned wafer is widely adopted (see, for example, Patent Document 1).

특허문헌 1 에 나타난 가공 방법에 있어서, 이면에 중앙 오목부가 형성됨과 함께 중앙 오목부를 둘러싼 환상 볼록부를 갖는 웨이퍼는, 최종적으로 개개의 디바이스 칩으로 분할된 후, 각 디바이스 칩은 시트로부터 픽업된다.In the processing method disclosed in Patent Document 1, a wafer having a central recessed portion formed on the back surface and an annular convex portion surrounding the central recessed portion is finally divided into individual device chips, and then each device chip is picked up from the sheet.

환상 볼록부를 가진 웨이퍼를 절삭 블레이드로 절삭하는 경우에는, 웨이퍼의 환상 볼록부의 두께에 대응한 날끝 노출량의 절삭 블레이드를 사용하여, 절삭 블레이드의 고정구와 환상 볼록부가 접촉하여 웨이퍼를 파손시켜 버리는 것을 방지한다.When cutting a wafer having an annular convex portion with a cutting blade, use a cutting blade with a blade tip exposure corresponding to the thickness of the annular convex portion of the wafer to prevent damage to the wafer by contacting the cutting blade fixture with the annular convex portion .

그러나, 박화된 웨이퍼를 절삭하는 것에 비하여, 환상 볼록부를 가진 웨이퍼를 절삭 블레이드로 절삭하는 경우에는, 절삭 블레이드의 큰 날끝 노출량이 필요해져, 가공 이송 속도를 높일 수 없거나, 블레이드 사행이 발생하거나 할 우려가 있다. 즉, 환상 볼록부를 가진 웨이퍼를 절삭 블레이드로 절삭하는 경우에는, 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 소요 시간이 장시간화되어 생산 효율이 저하됨과 함께, 단시간에 개개의 디바이스로 분할하면 블레이드 사행이 발생하여 디바이스가 손상될 우려가 발생한다.However, compared to cutting a thinned wafer, when cutting a wafer having an annular convex portion with a cutting blade, a large blade tip exposure amount of the cutting blade is required, so that the machining feed rate cannot be increased or there is a risk of blade meandering there is That is, when a wafer having an annular convex portion is cut with a cutting blade, the time required to divide the wafer into individual devices is prolonged and production efficiency is lowered, and when divided into individual devices in a short time, blade meandering occurs. There is a risk that the device may be damaged.

한편 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼의 내부에 형성한 개질층을 기점으로 시트를 익스팬드하여 웨이퍼를 디바이스 칩으로 분할하는 경우에는, 두께가 두꺼운 환상 볼록부도 익스팬드로 분할하기 위해 중앙부보다 두께 방향으로 많은 개질층을 형성할 필요가 있다.On the other hand, in the case of dividing the wafer into device chips by expanding the sheet from the modified layer formed inside the wafer by irradiating a laser beam as a starting point, the thick annular convex part is also larger in the thickness direction than the central part in order to divide it into the expand. It is necessary to form a modified layer.

그래서, 개개의 디바이스 칩으로 분할하기 전에 미리 환상 볼록부와 중앙 오목부 사이에 분단홈을 형성하고, 환상 볼록부를 시트 상으로부터 제거하는 장치도 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 참조).Then, before dividing|segmenting into individual device chips, the apparatus which forms a dividing groove|channel between an annular convex part and a center recessed part beforehand, and removes an annular convex part from a sheet|seat top is also proposed (for example, refer patent document 2).

일본 공개특허공보 2007-019461호Japanese Patent Laid-Open No. 2007-019461 일본 공개특허공보 2014-170822호Japanese Patent Laid-Open No. 2014-170822

그러나, 특허문헌 2 에 나타난 장치에서는, 시트와 환상 볼록부의 접착이 국소적으로 잔존해 버리면, 환상 볼록부를 시트 상으로부터 제거할 때에 환상 볼록부가 파단되어 버리는 경우가 있었다. 파단된 환상 볼록부는, 수작업으로 시트 상으로부터 제거해야 하여, 시간이 걸릴 뿐만 아니라, 파단 부스러기에 의해 디바이스가 손상될 우려도 있다. 이와 같이, 특허문헌 2 에 개시된 장치에서는, 생산 효율이 저하됨과 함께, 디바이스가 손상될 우려가 있었다.However, in the apparatus shown in patent document 2, when the adhesion|attachment of a sheet|seat and annular convex part remained locally, when removing an annular convex part from a sheet|seat, the annular convex part may fracture|rupture. The fractured annular convex portion has to be manually removed from the sheet, and not only takes time, but there is also a possibility that the device may be damaged by the fractured debris. Thus, in the apparatus disclosed by patent document 2, while production efficiency fell, there existed a possibility that a device was damaged.

따라서, 본 발명의 목적은, 생산 효율의 저하와 디바이스의 손상을 억제할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법 및 유지 테이블을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a wafer processing method and holding table capable of suppressing a decrease in production efficiency and damage to a device.

본 발명에 의하면, 이면에 중앙 오목부가 형성됨과 함께 그 중앙 오목부를 둘러싼 환상 볼록부를 갖는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 그 중앙 오목부에 대응한 유지면을 갖는 유지부와, 그 유지면을 둘러싸고 그 유지면보다 낮은 환상 지지면을 갖는 환상 볼록부 지지부를 포함하고, 그 유지면과 그 환상 지지면의 높이의 차는, 적어도 웨이퍼의 그 환상 볼록부의 상면으로부터 그 중앙 오목부의 바닥면에 이르는 그 중앙 오목부의 깊이의 값 이상으로 형성된 유지 테이블을 준비하는 준비 스텝과, 웨이퍼의 이면에 시트를 배치 형성하는 시트 배치 형성 스텝과, 그 시트를 개재하여 그 유지 테이블에서 웨이퍼의 이면측을 유지하는 유지 스텝과, 그 유지부 상에서 절삭 블레이드를 그 시트에 이르기까지 웨이퍼에 절입시키고, 그 유지 테이블을 그 절삭 블레이드에 대해 상대 이동시켜 웨이퍼의 그 환상 볼록부를 웨이퍼로부터 분리하는 절단 스텝과, 그 절단 스텝에서 웨이퍼로부터 분리되어 그 환상 볼록부 지지부로 지지된 그 환상 볼록부를 절삭 블레이드로 절삭하여 분쇄하고, 그 환상 볼록부를 그 시트 상으로부터 제거하는 환상 볼록부 제거 스텝을 구비한 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.According to the present invention, there is provided a method of processing a wafer having a central concave portion formed on the back surface and an annular convex portion surrounding the central concave portion, comprising: a holding portion having a holding surface corresponding to the central concave portion; an annular convex support portion having an annular support surface lower than the surface, wherein the difference in height between the holding surface and the annular support surface is at least the depth of the central depression from the upper surface of the annular convex portion of the wafer to the bottom surface of the central depression A preparation step of preparing a holding table formed at a value greater than or equal to; A cutting step in which the cutting blade is cut into the wafer up to the sheet on the holding portion, and the holding table is moved relative to the cutting blade to separate the annular convex portion of the wafer from the wafer, and the cutting step is separated from the wafer There is provided a wafer processing method comprising the annular convex part removing step of cutting and pulverizing the annular convex part supported by the annular convex part supporting part with a cutting blade, and removing the annular convex part from the sheet.

바람직하게는, 그 유지 테이블은, 그 유지면에 유지면 흡인공을 가짐과 함께 일단이 그 유지면 흡인공에 연통되고 타단이 흡인원에 밸브를 통해 접속된 유지면 흡인로와, 그 환상 지지면에 지지면 흡인공을 가짐과 함께 일단이 그 지지면 흡인공에 연통되고 타단이 밸브를 통해 흡인원에 접속된 지지면 흡인로가 형성되고, 그 절단 스텝에서는 웨이퍼는 그 유지부를 개재하여 흡인 유지되고, 그 환상 볼록부 제거 스텝에서는 그 환상 볼록부가 그 환상 볼록부 지지부를 개재하여 흡인 유지된다.Preferably, the holding table comprises: a holding surface suction path having a holding surface suction hole on its holding surface, one end communicating with the holding surface suction hole and the other end connected to the suction source through a valve, and an annular support thereof; A support surface suction path having a support surface suction hole on the surface and one end communicating with the support surface suction hole and the other end connected to a suction source through a valve is formed, and in the cutting step, the wafer is sucked through the holding part is held, and in the annular convex part removal step, the annular convex part is sucked and held through the annular convex part support part.

바람직하게는, 그 절단 스텝에서는, 그 절삭 블레이드의 두께 방향의 일부가 그 유지면 상에 걸림과 함께 그 절삭 블레이드의 두께 방향의 나머지가 그 유지면의 외측으로 비어져 나온 상태로 웨이퍼에 절입한다.Preferably, in the cutting step, a part of the cutting blade in the thickness direction is caught on the holding surface, and the remainder in the thickness direction of the cutting blade is cut into the wafer in a state that protrudes to the outside of the holding surface. .

본 발명의 다른 측면에 의하면, 상기 가공 방법에 있어서 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블로서, 그 중앙 오목부에 대응한 유지면을 포함하는 유지부와, 그 유지면을 둘러싸고 그 유지면보다 낮은 환상 지지면을 포함하는 환상 볼록부 지지부를 구비하고, 그 유지면과 그 환상 지지면의 높이의 차는, 적어도 웨이퍼의 그 환상 볼록부의 상면으로부터 그 중앙 오목부의 바닥면에 이르는 그 중앙 오목부의 깊이의 값 이상으로 형성된 유지 테이블이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a holding table for holding a wafer in the above processing method, comprising: a holding part including a holding surface corresponding to the central recess thereof; and an annular support surface surrounding the holding surface and lower than the holding surface; and the annular convex support portion including the annular convex portion support, wherein the difference in height between the holding surface and the annular support surface is at least a value of the depth of the central concave portion from the upper surface of the annular convex portion of the wafer to the bottom surface of the central concave portion. A maintenance table is provided.

바람직하게는, 상기 유지 테이블에는, 유지면에 유지면 흡인공을 가짐과 함께 일단이 그 유지면 흡인공에 연통되고 타단이 흡인원에 밸브를 통해 접속된 유지면 흡인로와, 그 환상 지지면에 지지면 흡인공을 가짐과 함께 일단이 그 지지면 흡인공에 연통되고 타단이 밸브를 통해 흡인원에 접속된 지지면 흡인로가 형성되어 있다.Preferably, the holding table has a holding surface suction path having a holding surface suction hole on the holding surface, one end communicating with the holding surface suction hole and the other end connected to the suction source through a valve, and the annular support surface thereof. A support surface suction path is formed which has a support surface suction hole in the back and one end communicates with the support surface suction hole and the other end is connected to a suction source through a valve.

본 발명은 생산 효율의 저하와 디바이스의 손상을 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.This invention exhibits the effect that the fall of production efficiency and damage to a device can be suppressed.

도 1 은, 실시형태에 관련된 유지 테이블을 구비하는 절삭 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 도 1 에 나타낸 절삭 장치의 가공 대상인 웨이퍼의 사시도이다.
도 3 은, 도 2 중의 III-III 선을 따른 단면도이다.
도 4 는, 도 1 에 나타낸 절삭 장치의 주요부를 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 5 는, 실시형태에 관련된 유지 테이블의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 6 은, 실시형태에 관련된 가공 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
도 7 은, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 시트 배치 형성 스텝 후의 웨이퍼의 사시도이다.
도 8 은, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 유지 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 9 는, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 절단 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 10 은, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 환상 볼록부 제거 스텝에 있어서 환상 볼록부를 환상 지지면에 흡인 유지한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 11 은, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 환상 볼록부 제거 스텝에 있어서 절삭 블레이드를 환상 볼록부에 절입시키고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 12 는, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 환상 볼록부 제거 스텝에 있어서 환상 볼록부를 제거한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 13 은, 실시형태의 변형예에 관련된 가공 방법의 절단 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 14 는, 실시형태의 변형예에 관련된 가공 방법의 환상 볼록부 제거 스텝에 있어서 환상 볼록부를 환상 지지면에 흡인 유지한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 15 는, 실시형태의 변형예에 관련된 가공 방법의 환상 볼록부 제거 스텝에 있어서 절삭 블레이드를 환상 볼록부에 절입시키고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows the structural example of the cutting device provided with the holding table which concerns on embodiment.
FIG. 2 is a perspective view of a wafer to be processed by the cutting device shown in FIG. 1 .
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 2 .
4 : is a front view which shows typically the principal part of the cutting device shown in FIG. 1. FIG.
It is a perspective view which shows the structural example of the holding table which concerns on embodiment.
6 is a flowchart showing the flow of the processing method according to the embodiment.
Fig. 7 is a perspective view of the wafer after the sheet arrangement forming step of the processing method shown in Fig. 6 .
Fig. 8 is a cross-sectional view showing a holding step of the processing method shown in Fig. 6 .
Fig. 9 is a cross-sectional view showing a cutting step of the processing method shown in Fig. 6 .
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state in which the annular convex part is sucked and held by the annular support surface in the annular convex part removal step of the processing method shown in FIG. 6 .
11 is a cross-sectional view showing a state in which the cutting blade is cut into the annular convex portion in the annular convex portion removing step of the machining method shown in FIG. 6 .
It is sectional drawing which shows the state which removed the annular convex part in the annular convex part removal step of the processing method shown in FIG.
13 : is sectional drawing which shows the cutting step of the processing method which concerns on the modification of embodiment.
14 is a cross-sectional view showing a state in which the annular convex part is sucked and held by the annular support surface in the annular convex part removal step of the processing method according to the modification of the embodiment.
It is sectional drawing which shows the state in which the cutting blade is cut into the annular convex part in the annular convex part removal step of the machining method which concerns on the modified example of embodiment.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 다양한 생략, 치환 또는 변경을 실시할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail, referring drawings. This invention is not limited by the content described in the following embodiment. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art, and those that are substantially the same. In addition, the structures described below can be combined suitably. In addition, various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

본 발명의 실시형태에 관련된 유지 테이블을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1 은, 실시형태에 관련된 유지 테이블을 구비하는 절삭 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다. 도 2 는, 도 1 에 나타낸 절삭 장치의 가공 대상인 웨이퍼의 사시도이다. 도 3 은, 도 2 중의 III-III 선을 따른 단면도이다. 도 4 는, 도 1 에 나타낸 절삭 장치의 주요부를 모식적으로 나타내는 정면도이다. 도 5 는, 실시형태에 관련된 유지 테이블의 구성예를 나타내는 사시도이다.A holding table according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows the structural example of the cutting device provided with the holding table which concerns on embodiment. FIG. 2 is a perspective view of a wafer to be processed by the cutting device shown in FIG. 1 . FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 2 . 4 : is a front view which shows typically the principal part of the cutting device shown in FIG. 1. FIG. It is a perspective view which shows the structural example of the holding table which concerns on embodiment.

(피가공물) (workpiece)

실시형태에 관련된 유지 테이블 (10) 은, 도 1 에 나타낸 절삭 장치 (1) 를 구성한다. 도 1 에 나타낸 절삭 장치 (1) 는, 도 2 에 나타낸 웨이퍼 (200) 를 절삭 가공하는 가공 장치이다. 실시형태에서는, 절삭 장치 (1) 의 가공 대상인 웨이퍼 (200) 는, 실리콘, 사파이어, 또는 갈륨비소 등을 기판 (201) 으로 하는 원판상의 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼 등의 웨이퍼이다. 웨이퍼 (200) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 디바이스 영역 (203) 과, 디바이스 영역 (203) 을 둘러싸는 외주 잉여 영역 (204) 을 표면 (202) 에 갖고 있다. 디바이스 영역 (203) 은, 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인 (205) 에 의해 구획된 각 영역에 디바이스 (206) 가 형성되어 있다. 디바이스 (206) 는, IC (Integrated Circuit) 또는 LSI (Large Scale Integration) 등의 집적 회로이다. 또한, 외주 잉여 영역 (204) 은, 웨이퍼 (200) 의 표면 (202) 의 디바이스 영역 (203) 을 둘러싸고 또한 디바이스 (206) 가 형성되어 있지 않은 영역이다.The holding table 10 which concerns on embodiment comprises the cutting device 1 shown in FIG. The cutting device 1 shown in FIG. 1 is a machining device for cutting the wafer 200 shown in FIG. 2 . In the embodiment, the wafer 200 to be processed by the cutting device 1 is a wafer such as a disk-shaped semiconductor wafer or an optical device wafer using silicon, sapphire, gallium arsenide, or the like as the substrate 201 . As shown in FIG. 2 , the wafer 200 has a device region 203 and an outer peripheral surplus region 204 surrounding the device region 203 on the surface 202 . In the device region 203 , a device 206 is formed in each region partitioned by a plurality of division schedule lines 205 intersecting each other. The device 206 is an integrated circuit such as an IC (Integrated Circuit) or LSI (Large Scale Integration). In addition, the outer peripheral surplus region 204 is a region surrounding the device region 203 of the surface 202 of the wafer 200 and in which the device 206 is not formed.

또한, 도 2 에 나타낸 웨이퍼 (200) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 표면 (202) 의 이측의 이면 (207) 측에 중앙 오목부 (210) 가 형성됨과 함께, 중앙 오목부 (210) 를 둘러싼 환상 볼록부 (215) 를 가지며, 중앙부가 박화되고, 외주부에 후육부 (厚肉部) 가 형성된 소위 TAIKO (등록상표) 웨이퍼이다. 중앙 오목부 (210) 는, 디바이스 영역 (203) 의 이면 (207) 측에 형성되고, 디바이스 영역 (203) 과 대응하는 위치에 형성되어 있다. 실시형태에 있어서, 중앙 오목부 (210) 는 평면 형상이 원형으로 형성되어 있다. 환상 볼록부 (215) 는, 외주 잉여 영역 (204) 의 이면 (207) 측에 형성되고, 외주 잉여 영역 (204) 과 대응하는 위치에 형성되어 있다. 실시형태에 있어서, 환상 볼록부 (215) 는 중앙 오목부 (210) 와 동축인 원환상으로 형성되어 있다. 이와 같이, 실시형태에 관련된 웨이퍼 (200) 에 있어서, 대응하는 위치에 형성되어 있다는 것은, 웨이퍼 (200) 의 두께 방향으로 겹치는 위치에 배치되어 있는 것을 말한다.Further, in the wafer 200 shown in FIG. 2 , as shown in FIG. 3 , a central recess 210 is formed on the back surface 207 side on the back side of the front surface 202 , and the central recess 210 is formed in the wafer 200 . It is a so-called TAIKO (registered trademark) wafer having an annular convex portion 215 surrounding it, the central portion is thinned, and the outer peripheral portion is formed with a thick portion. The central recessed portion 210 is formed on the back surface 207 side of the device region 203 , and is formed at a position corresponding to the device region 203 . In the embodiment, the central concave portion 210 is formed in a circular planar shape. The annular convex portion 215 is formed on the back surface 207 side of the outer peripheral excess region 204 , and is formed at a position corresponding to the outer peripheral excess region 204 . In the embodiment, the annular convex portion 215 is formed in an annular shape coaxial with the central concave portion 210 . As described above, in the wafer 200 according to the embodiment, being formed at a corresponding position means being disposed at a position overlapping in the thickness direction of the wafer 200 .

웨이퍼 (200) 는, 중앙 오목부 (210) 와 환상 볼록부 (215) 를 가지며, 표면 (202) 측이 디바이스 영역 (203) 과 환상 볼록부 (215) 에 걸쳐 면일 (面一) 하게 형성되고, 이면 (207) 측이 중앙에 원형의 중앙 오목부 (210) 가 형성되어 있다. 웨이퍼 (200) 는, 디바이스 영역 (203) 의 두께가 외주 잉여 영역 (204) 의 두께보다 얇게 형성되어 있다.The wafer 200 has a central concave portion 210 and an annular convex portion 215 , and a surface 202 side is formed so as to be flush across the device region 203 and the annular convex portion 215 , , a circular central recess 210 is formed in the center of the rear surface 207 side. The wafer 200 is formed so that the thickness of the device region 203 is smaller than the thickness of the outer peripheral surplus region 204 .

또한, 실시형태에 있어서, 중앙 오목부 (210) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 원형 오목부 (211) 와, 제 2 원형 오목부 (212) 를 구비한다. 제 1 원형 오목부 (211) 와 제 2 원형 오목부 (212) 는, 평면 형상이 원형으로 형성되고, 제 1 원형 오목부 (211) 가 제 2 원형 오목부 (212) 보다 대직경으로 형성되며, 서로 동축에 배치되어 있다. 또한, 실시형태에 있어서, 제 1 원형 오목부 (211) 의 바닥면 (213) 의 기판 (201) 의 두께가, 제 2 원형 오목부 (212) 의 바닥면 (214) 의 기판 (201) 의 두께보다 두껍게 형성되어 있다. 또한, 제 2 원형 오목부 (212) 의 바닥면 (214) 은 중앙 오목부 (210) 의 바닥면이다.Moreover, in embodiment, the center recessed part 210 is equipped with the 1st circular recessed part 211 and the 2nd circular recessed part 212, as shown in FIG. The first circular recessed part 211 and the second circular recessed part 212 are formed in a circular planar shape, and the first circular recessed part 211 is formed with a larger diameter than the second circular recessed part 212, , are coaxial with each other. In addition, in the embodiment, the thickness of the substrate 201 of the bottom surface 213 of the first circular recessed part 211 is that of the substrate 201 of the bottom surface 214 of the second circular recessed part 212 . It is formed thicker than the thickness. Further, the bottom surface 214 of the second circular recessed portion 212 is the bottom surface of the central recessed portion 210 .

또한, 실시형태에 있어서, 웨이퍼 (200) 는, 중앙 오목부 (210) 의 제 1 원형 오목부 (211) 의 바닥면 (213), 제 2 원형 오목부 (212) 의 바닥면 (214), 환상 볼록부 (215) 의 내주면 및 환상 볼록부 (215) 의 이면 (207) 측의 내측 가장자리부에 걸쳐, 즉, 이면 (207) 측에 금속막 (216) 이 성막되어 있지만, 본 발명에서는, 금속막 (216) 이 성막되어 있지 않아도 된다.Further, in the embodiment, the wafer 200 includes a bottom surface 213 of the first circular recess 211 of the central recess 210, a bottom surface 214 of the second circular recess 212, Although the metal film 216 is formed over the inner peripheral surface of the annular convex portion 215 and the inner edge of the annular convex portion 215 on the back surface 207 side, that is, on the back surface 207 side, in the present invention, The metal film 216 does not need to be formed into a film.

실시형태에 있어서, 전술한 구성의 웨이퍼 (200) 는, 두께가 일정한 상태로, 디바이스 영역 (203) 의 이면 (207) 측에 조연삭 가공이 실시되어, 제 1 원형 오목부 (211) 가 형성되고, 제 1 원형 오목부 (211) 의 바닥면 (213) 에 마무리 연삭 가공이 실시되어, 제 2 원형 오목부 (212) 가 형성된다. 실시형태에 있어서, 웨이퍼 (200) 는, 제 1 원형 오목부 (211) 및 제 2 원형 오목부 (212) 가 형성된 후, 필요에 따라서 에칭 (웨트 에칭) 이 실시되고, 이면 (207) 측에 금속막 (216) 이 성막된다. 또한, 본 발명에서는, 웨이퍼 (200) 는, 조연삭 가공이 실시되어, 제 1 원형 오목부 (211) 가 형성되고, 마무리 연삭 가공이 실시되어, 제 2 원형 오목부 (212) 가 형성되며, 금속막 (216) 이 성막되지 않아도 된다.In the embodiment, the wafer 200 having the above configuration is subjected to rough grinding on the back surface 207 side of the device region 203 in a state where the thickness is constant, so that the first circular concave portion 211 is formed. and finish grinding is given to the bottom surface 213 of the first circular recessed part 211 to form the second circular recessed part 212 . In the embodiment, after the first circular recessed part 211 and the second circular recessed part 212 are formed, the wafer 200 is etched (wet etching) as needed, and the back surface 207 side A metal film 216 is formed. Further, in the present invention, the wafer 200 is subjected to rough grinding to form a first circular concave portion 211, and to finish grinding to form a second circular concave portion 212, The metal film 216 does not need to be formed into a film.

실시형태에 있어서, 웨이퍼 (200) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (200) 의 외경보다 대직경인 원판상이며 또한 외측 가장자리부에 환상 프레임 (220) 이 첩착된 시트 (221) 가 이면 (207) 측에 첩착되어, 환상 프레임 (220) 의 개구 (222) 내에 지지된다. 웨이퍼 (200) 는, 종류가 상이하면, 적어도 중앙 오목부 (210) 의 원형 오목부 (211, 212) 의 내경, 중앙 오목부 (210) 의 깊이의 값 (217) 이 상이하다. 또한, 중앙 오목부 (210) 의 깊이의 값 (217) 이란, 환상 볼록부 (215) 의 상면인 이면 (207) 측의 표면으로부터 중앙 오목부 (210) 의 바닥면 (214) 에 이르는 깊이이고, 실시형태에서는, 환상 볼록부 (215) 의 이면 (207) 상에 성막된 금속막 (216) 의 표면으로부터 중앙 오목부 (210) 의 바닥면 (214) 에 이르는 깊이의 값이다.In the embodiment, as shown in FIG. 1 , the wafer 200 has a disk shape having a larger diameter than the outer diameter of the wafer 200, and the back surface of the sheet 221 to which the annular frame 220 is affixed to the outer edge is the back surface. It is attached to the side (207), and is supported in the opening (222) of the annular frame (220). If the wafer 200 is different in kind, at least the inner diameter of the circular recesses 211 and 212 of the central recess 210 and the value 217 of the depth of the central recess 210 are different. In addition, the value 217 of the depth of the central recessed part 210 is the depth from the surface on the side of the back surface 207 which is the upper surface of the annular convex part 215 to the bottom surface 214 of the central recessed part 210. , is a value of the depth from the surface of the metal film 216 formed on the back surface 207 of the annular convex portion 215 to the bottom surface 214 of the central recessed portion 210 in the embodiment.

(절삭 장치) (cutting device)

다음으로, 절삭 장치 (1) 를 설명한다. 도 1 에 나타낸 절삭 장치 (1) 는, 웨이퍼 (200) 를 유지 테이블 (10) 에서 유지하고, 중앙 오목부 (210) 의 외측 가장자리부를 전체 둘레에 걸쳐 절삭 블레이드 (21) 로 절삭 가공 (가공에 상당) 하여, 웨이퍼 (200) 로부터 환상 볼록부 (215) 를 제거하는 가공 장치이다. 절삭 장치 (1) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (200) 를 유지면 (11) 에서 유지하는 유지 테이블 (10) 과, 절삭 블레이드 (21) 로 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 를 절삭하는 절삭 유닛 (20) 과, 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 를 촬상하는 촬상 유닛 (30) 과, 제어 유닛 (100) 을 구비한다.Next, the cutting device 1 is demonstrated. The cutting device 1 shown in FIG. 1 holds the wafer 200 on the holding table 10, and cuts the outer edge of the central recess 210 with the cutting blade 21 over the entire periphery (for machining). equivalent) to remove the annular convex portion 215 from the wafer 200 . As shown in FIG. 1 , the cutting device 1 includes a holding table 10 for holding a wafer 200 on a holding surface 11 , and a wafer held on the holding table 10 with a cutting blade 21 . A cutting unit 20 for cutting 200 , an imaging unit 30 for imaging the wafer 200 held by the holding table 10 , and a control unit 100 are provided.

또한, 절삭 장치 (1) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 유지 테이블 (10) 과 절삭 유닛 (20) 을 상대적으로 이동시키는 이동 유닛 (40) 을 구비한다. 이동 유닛 (40) 은, 유지 테이블 (10) 을 수평 방향과 평행한 X 축 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 유닛인 X 축 이동 유닛 (41) 과, 수평 방향과 평행하고 또한 X 축 방향에 직교하는 산출 이송 방향인 Y 축 방향으로 절삭 유닛 (20) 을 이동시키는 산출 이송 유닛인 Y 축 이동 유닛 (42) 과, X 축 방향, Y 축 방향 및 유지면 (11) 과 직교하는 연직 방향에 평행한 절입 이송 방향인 Z 축 방향으로 절삭 유닛 (20) 을 이동시키는 Z 축 이동 유닛 (43) 과, 유지 테이블 (10) 을 Z 축 방향과 평행한 축심 둘레로 회전시키는 회전 이동 유닛 (44) 을 구비한다. 즉, 이동 유닛 (40) 은, X 축 방향, Y 축 방향 및 Z 축 방향으로 유지 테이블 (10) 과 절삭 유닛 (20) 을 상대적으로 이동시키는 것이다. 절삭 장치 (1) 는, 도 1 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 절삭 유닛 (20) 을 2 개 구비한, 즉, 2 스핀들의 다이서, 이른바 페이싱 듀얼 타입의 절삭 장치이다.Moreover, the cutting device 1 is equipped with the moving unit 40 which moves the holding table 10 and the cutting unit 20 relatively, as shown in FIG. The moving unit 40 includes an X-axis moving unit 41 which is a machining feed unit for machining and feeding the holding table 10 in an X-axis direction parallel to the horizontal direction, and an X-axis moving unit 41 that is parallel to the horizontal direction and orthogonal to the X-axis direction. A Y-axis moving unit 42 which is a calculation conveying unit for moving the cutting unit 20 in the Y-axis direction which is a calculation conveying direction, and the X-axis direction, the Y-axis direction, and parallel to the vertical direction perpendicular to the holding surface 11 . A Z-axis movement unit 43 for moving the cutting unit 20 in a Z-axis direction, which is an infeed feed direction, and a rotary movement unit 44 for rotating the holding table 10 around an axis parallel to the Z-axis direction. do. That is, the moving unit 40 relatively moves the holding table 10 and the cutting unit 20 in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction. 1 and 4, the cutting device 1 is equipped with two cutting units 20, ie, a 2-spindle dicer, a so-called facing dual type cutting device.

X 축 이동 유닛 (41) 은, 유지 테이블 (10) 을 회전 이동 유닛 (44) 과 함께 가공 이송 방향인 X 축 방향으로 이동시킴으로써, 유지 테이블 (10) 과 절삭 유닛 (20) 을 상대적으로 X 축 방향을 따라 가공 이송하는 것이다.The X-axis moving unit 41 moves the holding table 10 together with the rotary moving unit 44 in the X-axis direction, which is a machining feed direction, thereby moving the holding table 10 and the cutting unit 20 to the X-axis relatively. machining along the direction.

X 축 이동 유닛 (41) 은, 유지 테이블 (10) 을 웨이퍼 (200) 가 반입출되는 반입출 영역 (4) 과, 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 가 절삭 유닛 (20) 에 의해 절삭 가공되는 가공 영역 (5) 에 걸쳐 X 축 방향으로 이동시킨다. Y 축 이동 유닛 (42) 은, 절삭 유닛 (20) 을 산출 이송 방향인 Y 축 방향으로 이동시킴으로써, 유지 테이블 (10) 과 절삭 유닛 (20) 을 상대적으로 Y 축 방향을 따라 산출 이송하는 것이다. Z 축 이동 유닛 (43) 은, 절삭 유닛 (20) 을 절입 이송 방향인 Z 축 방향으로 이동시킴으로써, 유지 테이블 (10) 과 절삭 유닛 (20) 을 상대적으로 Z 축 방향을 따라 절입 이송하는 것이다.The X-axis movement unit 41 transfers the holding table 10 to the loading/unloading area 4 in which the wafer 200 is carried in and out, and the wafer 200 held by the holding table 10 to the cutting unit 20 . It is moved in the X-axis direction over the machining area 5 to be cut by the The Y-axis movement unit 42 calculates and feeds the holding table 10 and the cutting unit 20 relatively along the Y-axis direction by moving the cutting unit 20 in the Y-axis direction that is the calculation feed direction. The Z-axis movement unit 43 cuts the holding table 10 and the cutting unit 20 relatively along the Z-axis direction by moving the cutting unit 20 in the Z-axis direction which is a cutting feed direction.

X 축 이동 유닛 (41), Y 축 이동 유닛 (42) 및 Z 축 이동 유닛 (43) 은, 축심 둘레로 자유롭게 회전할 수 있도록 형성된 주지의 볼 나사, 볼 나사를 축심 둘레로 회전시키는 주지의 모터 및 유지 테이블 (10) 또는 절삭 유닛 (20) 을 X 축 방향, Y 축 방향 또는 Z 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 지지하는 주지의 가이드 레일을 구비한다.The X-axis movement unit 41, the Y-axis movement unit 42, and the Z-axis movement unit 43 are a well-known ball screw formed so as to be able to freely rotate around the axis, and a known motor for rotating the ball screw around the axis. and a well-known guide rail that supports the holding table 10 or the cutting unit 20 so as to be freely movable in the X-axis direction, the Y-axis direction, or the Z-axis direction.

유지 테이블 (10) 은 원반 형상이고, 유지면 (11) 상에 웨이퍼 (200) 를 유지한다. 또한, 유지 테이블 (10) 은, X 축 이동 유닛 (41) 에 의해 반입출 영역 (4) 과 가공 영역 (5) 에 걸쳐 X 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 형성되고, 또한 회전 이동 유닛 (44) 에 의해 Z 축 방향과 평행한 축심 둘레로 자유롭게 회전할 수 있도록 형성되어 있다. 또한, 유지 테이블 (10) 의 주위에는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 환상 프레임 (220) 을 클램프하는 클램프부 (12) 가 복수 형성되어 있다. 유지 테이블 (10) 의 구성은 나중에 설명한다.The holding table 10 has a disk shape, and holds the wafer 200 on the holding surface 11 . Moreover, the holding table 10 is formed so that it can move freely in the X-axis direction over the carrying-in/out area 4 and the processing area|region 5 by the X-axis movement unit 41, and also the rotational movement unit 44 It is formed so that it can freely rotate around an axis parallel to the Z-axis direction. Moreover, as shown in FIG. 1, the clamp part 12 which clamps the annular frame 220 is provided in the periphery of the holding table 10 in multiple numbers. The configuration of the holding table 10 will be described later.

절삭 유닛 (20) 은, 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 를 절삭하는 절삭 블레이드 (21) 를 자유롭게 착탈할 수 있도록 장착하는 스핀들 (23) 을 갖는 가공 유닛이다. 절삭 유닛 (20) 은, 각각, 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 에 대하여, Y 축 이동 유닛 (42) 에 의해 Y 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 형성되고, 또한, Z 축 이동 유닛 (43) 에 의해 Z 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 형성되어 있다.The cutting unit 20 is a machining unit having a spindle 23 on which a cutting blade 21 for cutting the wafer 200 held by the holding table 10 is mounted so as to be detachably attached. The cutting units 20 are each formed so as to be freely movable in the Y-axis direction by a Y-axis movement unit 42 with respect to the wafer 200 held by the holding table 10, and are further formed by a Z-axis movement unit. (43) is formed so that it can move freely in the Z-axis direction.

절삭 유닛 (20) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, Y 축 이동 유닛 (42) 및 Z 축 이동 유닛 (43) 등을 개재하여, 장치 본체 (2) 로부터 세워 형성한 도어형의 지지 프레임 (3) 에 형성되어 있다. 절삭 유닛 (20) 은, Y 축 이동 유닛 (42) 및 Z 축 이동 유닛 (43) 에 의해, 유지 테이블 (10) 의 유지면 (11) 의 임의의 위치에 절삭 블레이드 (21) 를 위치시킬 수 있게 되어 있다.As shown in FIG. 1 , the cutting unit 20 is a door-shaped support frame 3 erected from the apparatus main body 2 via a Y-axis movement unit 42 and a Z-axis movement unit 43 , etc. ) is formed in The cutting unit 20 can position the cutting blade 21 at any position on the holding surface 11 of the holding table 10 by the Y-axis moving unit 42 and the Z-axis moving unit 43 . there is to be

절삭 유닛 (20) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 절삭 블레이드 (21) 와, Y 축 이동 유닛 (42) 및 Z 축 이동 유닛 (43) 에 의해 Y 축 방향 및 Z 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 형성된 스핀들 하우징 (22) 과, 스핀들 하우징 (22) 에 축심 둘레로 회전 가능하게 형성되고 또한 도시되지 않은 모터에 의해 회전됨과 함께 선단에 절삭 블레이드 (21) 가 장착되는 스핀들 (23) 과, 절삭 블레이드 (21) 에 절삭수를 공급하는 절삭수 노즐을 구비한다.1 , the cutting unit 20 can freely move in the Y-axis direction and the Z-axis direction by the cutting blade 21 , the Y-axis movement unit 42 , and the Z-axis movement unit 43 . The formed spindle housing 22, the spindle 23 which is formed rotatably around an axis in the spindle housing 22 and is rotated by a motor (not shown) and to which the cutting blade 21 is mounted at the front end, and the cutting blade; A cutting water nozzle for supplying cutting water to (21) is provided.

절삭 블레이드 (21) 는, 대략 링 형상을 갖는 극박의 환상의 절삭 지석이다. 실시형태에 있어서, 절삭 블레이드 (21) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (200) 를 절삭하는 원환상의 절삭 날 (24) 만으로 구성된 소위 와셔 블레이드이다. 절삭날 (24) 은, 다이아몬드나 CBN (Cubic Boron Nitride) 등의 지립이 금속이나 수지 등의 본드재 (결합재) 로 고정되어 소정의 두께로 형성되어 있다. 또한, 본 발명에서는, 절삭 블레이드 (21) 는, 절삭날 (24) 과, 절삭날 (24) 을 외주 가장자리에 배치 형성한 원환상의 원형 기대 (基臺) 를 구비하는 소위 허브 블레이드여도 된다.The cutting blade 21 is an ultra-thin annular cutting grindstone having a substantially ring shape. In the embodiment, the cutting blade 21 is a so-called washer blade composed only of an annular cutting edge 24 for cutting the wafer 200, as shown in FIG. 4 . As for the cutting edge 24, abrasive grains, such as diamond and CBN (Cubic Boron Nitride), are fixed with bond material (binding material), such as a metal and resin, and is formed in predetermined thickness. Moreover, in this invention, the cutting blade 21 may be a so-called hub blade provided with the cutting edge 24 and the toroidal circular base which arrange|positioned the cutting edge 24 at the outer peripheral edge.

또한, 절삭 유닛 (20) 의 절삭 블레이드 (21) 및 스핀들 (23) 의 축심은, Y 축 방향과 평행하다.In addition, the axial centers of the cutting blade 21 of the cutting unit 20 and the spindle 23 are parallel to the Y-axis direction.

이하, 일방의 절삭 유닛 (20) (이하, 부호 20-1 로 나타냄) 의 각 구성 요소의 부호의 말미에 부호 「-1」을 부여하여 설명하고, 타방의 절삭 유닛 (20) (이하, 부호 20-2 로 나타냄) 의 각 구성 요소의 부호의 말미에 부호 「-2」를 부여하여 설명한다. 실시형태에서는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 일방의 절삭 유닛 (20-1) 의 절삭 블레이드 (21-1) 의 절삭날 (24-1) 의 두께 (25-1) 는, 타방의 절삭 유닛 (20-2) 의 절삭 블레이드 (21-2) 의 절삭날 (24-2) 의 두께 (25-2) 보다 얇다. 이렇게 하여, 실시형태에서는, 절삭 유닛 (20-1, 20-2) 의 절삭 블레이드 (21-1, 21-2) 의 절삭날 (24-1, 24-2) 의 두께 (25-1, 25-2) 는, 서로 상이하다.Hereinafter, the code|symbol "-1" is attached|subjected to the end of the code|symbol of each component of one cutting unit 20 (it is hereafter shown by the code|symbol 20-1), and the other cutting unit 20 (the code|symbol below) is demonstrated. 20-2), the code "-2" is attached to the end of the code of each component, and description will be made. In embodiment, as shown in FIG. 4, the thickness 25-1 of the cutting edge 24-1 of the cutting blade 21-1 of one cutting unit 20-1 is the other cutting unit ( 20-2) is thinner than the thickness 25-2 of the cutting edge 24-2 of the cutting blade 21-2. In this way, in the embodiment, the thicknesses 25-1, 25 of the cutting edges 24-1, 24-2 of the cutting blades 21-1, 21-2 of the cutting units 20-1, 20-2 -2) are different from each other.

촬상 유닛 (30) 은, 절삭 유닛 (20) 과 일체적으로 이동하도록, 절삭 유닛 (20) 에 고정되어 있다. 촬상 유닛 (30) 은, 유지 테이블 (10) 에 유지된 절삭 전의 웨이퍼 (200) 의 분할해야 할 영역을 촬영하는 촬상 소자를 구비하고 있다. 촬상 소자는, 예를 들면, CCD (Charge-Coupled Device) 촬상 소자 또는 CMOS (Complementary MOS) 촬상 소자이다. 촬상 유닛 (30) 은, 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 를 촬영하여, 웨이퍼 (200) 와 절삭 블레이드 (21-1, 21-2) 의 위치 맞춤을 실시하는 얼라인먼트를 수행하기 위한 등의 화상을 얻고, 얻은 화상을 제어 유닛 (100) 에 출력한다.The imaging unit 30 is being fixed to the cutting unit 20 so as to move integrally with the cutting unit 20 . The imaging unit 30 is provided with the imaging element which image|photographs the area|region to be divided|segmented of the wafer 200 hold|maintained by the holding table 10 before cutting. The imaging device is, for example, a CCD (Charge-Coupled Device) imaging device or a CMOS (Complementary MOS) imaging device. The imaging unit 30 is configured to image the wafer 200 held by the holding table 10 to perform alignment of the wafer 200 and the cutting blades 21-1 and 21-2. An image of the back is obtained, and the obtained image is output to the control unit 100 .

또한, 절삭 장치 (1) 는, 유지 테이블 (10) 의 X 축 방향의 위치를 검출하기 위한 도시하지 않은 X 축 방향 위치 검출 유닛과, 절삭 유닛 (20) 의 Y 축 방향의 위치를 검출하기 위한 도시하지 않은 Y 축 방향 위치 검출 유닛과, 절삭 유닛 (20) 의 Z 축 방향의 위치를 검출하기 위한 Z 축 방향 위치 검출 유닛을 구비한다. X 축 방향 위치 검출 유닛 및 Y 축 방향 위치 검출 유닛은, X 축 방향, 또는 Y 축 방향과 평행한 리니어 스케일과, 판독 헤드에 의해 구성할 수 있다. Z 축 방향 위치 검출 유닛은, 모터의 펄스로 절삭 유닛 (20) 의 Z 축 방향의 위치를 검출한다. X 축 방향 위치 검출 유닛, Y 축 방향 위치 검출 유닛 및 Z 축 방향 위치 검출 유닛은, 유지 테이블 (10) 의 X 축 방향, 절삭 유닛 (20) 의 Y 축 방향 또는 Z 축 방향의 위치를 제어 유닛 (100) 에 출력한다. 또한, 실시형태에서는, 절삭 장치 (1) 의 유지 테이블 (10) 및 절삭 유닛 (20) 의 X 축 방향, Y 축 방향 및 Z 축 방향의 위치는, 미리 정해진 도시하지 않은 원점 위치를 기준으로 한 위치에서 정해진다.Further, the cutting device 1 includes an X-axis direction position detection unit (not shown) for detecting the position of the holding table 10 in the X-axis direction, and a Y-axis direction position of the cutting unit 20 for detecting the position of the cutting unit 20 . A Y-axis direction position detection unit (not shown) and a Z-axis direction position detection unit for detecting the Z-axis direction position of the cutting unit 20 are provided. The X-axis direction position detection unit and the Y-axis direction position detection unit can be configured by a linear scale parallel to the X-axis direction or the Y-axis direction, and a read head. The Z-axis direction position detection unit detects the Z-axis direction position of the cutting unit 20 with a pulse of the motor. The X-axis direction position detection unit, the Y-axis direction position detection unit and the Z-axis direction position detection unit control the position of the holding table 10 in the X-axis direction, the cutting unit 20 in the Y-axis direction or the Z-axis direction. (100) is output. In addition, in the embodiment, the positions of the holding table 10 of the cutting device 1 and the cutting unit 20 in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction are based on a predetermined, not-illustrated origin position as a reference. determined by location

또한, 절삭 장치 (1) 는, 절삭 전후의 웨이퍼 (200) 를 수용하는 카세트 (51) 가 재치 (載置) 되고 또한 카세트 (51) 를 Z 축 방향으로 이동시키는 카세트 엘리베이터 (50) 와, 절삭 후의 웨이퍼 (200) 를 세정하는 세정 유닛 (52) 과, 카세트 (51) 에 웨이퍼 (200) 를 출입함과 함께 웨이퍼 (200) 를 반송하는 도시하지 않은 반송 유닛을 구비한다.Further, the cutting device 1 includes a cassette 51 for accommodating the wafers 200 before and after cutting is mounted thereon, and a cassette elevator 50 for moving the cassette 51 in the Z-axis direction; A cleaning unit 52 for cleaning the subsequent wafer 200, and a transfer unit (not shown) for loading and unloading the wafer 200 into and out of the cassette 51 and transporting the wafer 200 are provided.

제어 유닛 (100) 은, 절삭 장치 (1) 의 상기 서술한 각 유닛을 각각 제어하여, 웨이퍼 (200) 에 대한 가공 동작을 절삭 장치 (1) 에 실시시키는 것이다. 또한, 제어 유닛 (100) 은, CPU (central processing unit) 와 같은 마이크로프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM (read only memory) 또는 RAM (random access memory) 과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는 컴퓨터이다. 제어 유닛 (100) 의 연산 처리 장치는, 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램에 따라서 연산 처리 장치가 연산 처리를 실시하여, 절삭 장치 (1) 를 제어하기 위한 제어 신호를 입출력 인터페이스 장치를 통해 절삭 장치 (1) 의 상기 서술한 구성 요소에 출력한다.The control unit 100 controls each of the above-described units of the cutting device 1 , and causes the cutting device 1 to perform a processing operation on the wafer 200 . In addition, the control unit 100 includes an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage unit having a memory such as a read only memory (ROM) or a random access memory (RAM), and an input/output interface. A computer with a device. In the arithmetic processing unit of the control unit 100, the arithmetic processing unit performs arithmetic processing according to a computer program stored in the storage device, and transmits a control signal for controlling the cutting device 1 to the cutting device via the input/output interface unit. It outputs to the above-mentioned component of (1).

또, 제어 유닛 (100) 은, 가공 동작의 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 표시 유닛과, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 사용하는 입력 유닛에 접속되어 있다. 입력 유닛은, 표시 유닛에 형성된 터치 패널과, 키보드 등의 외부 입력 장치 중 적어도 하나에 의해 구성된다.In addition, the control unit 100 is connected to a display unit constituted by a liquid crystal display device or the like that displays the state of a processing operation, an image, or the like, and an input unit used by the operator when registering processing content information and the like. The input unit is constituted by at least one of a touch panel formed on the display unit and an external input device such as a keyboard.

(유지 테이블) (maintenance table)

다음으로, 유지 테이블 (10) 을 설명한다. 도 5 에 나타내는 유지 테이블 (10) 은, X 축 이동 유닛 (41) 에 의해 회전 이동 유닛 (44) 과 함께 X 축 방향으로 이동되는 원반상의 테이블 베이스 (13) 상에 설치된다. 유지 테이블 (10) 은, 실시형태에 관련된 가공 방법에 있어서, 웨이퍼 (200) 를 유지하는 것이다.Next, the holding table 10 will be described. The holding table 10 shown in FIG. 5 is provided on the disk-shaped table base 13 moved by the X-axis movement unit 41 together with the rotation movement unit 44 in the X-axis direction. The holding table 10 holds the wafer 200 in the processing method according to the embodiment.

유지 테이블 (10) 은, 도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 유지부 (14) 와, 환상 볼록부 지지부 (15) 를 구비한다. 유지부 (14) 는, 웨이퍼 (200) 의 중앙 오목부 (210) 보다 약간 소직경의 원반상으로 형성되고, 상면이 웨이퍼 (200) 를 유지하는 수평 방향과 평행한 유지면 (11) 이다. 이 때문에, 유지 테이블 (10) 은, 웨이퍼 (200) 의 중앙 오목부 (210) 보다 약간 소직경의 유지면 (11) 을 포함한다. 유지면 (11) 은, 시트 (221) 를 개재하여, 웨이퍼 (200) 의 중앙 오목부 (210) 내에 침입하여, 중앙 오목부 (210) 의 바닥면 (214) 을 유지함으로써, 웨이퍼 (200) 를 유지한다. 또한, 본 발명에서는, 유지면 (11) 이, 웨이퍼 (200) 의 중앙 오목부 (210) 보다 약간 소직경으로 형성되는 것을, 유지면 (11) 이 중앙 오목부 (210) 에 대응한다고 말한다.The holding table 10 is provided with the holding part 14 and the annular-convex part support part 15, as shown in FIG.4 and FIG.5. The holding portion 14 is formed in a disk shape slightly smaller in diameter than the central concave portion 210 of the wafer 200 , and is a holding surface 11 whose upper surface is parallel to the horizontal direction for holding the wafer 200 . For this reason, the holding table 10 includes the holding surface 11 having a slightly smaller diameter than the central recess 210 of the wafer 200 . The holding surface 11 penetrates into the central concave portion 210 of the wafer 200 via the sheet 221 , and holds the bottom surface 214 of the central concave portion 210 to hold the wafer 200 . to keep In addition, in this invention, the holding surface 11 is said to correspond to the center recessed part 210 that the holding surface 11 is formed slightly smaller in diameter than the center recessed part 210 of the wafer 200. As shown in FIG.

유지부 (14) 는, 외측 가장자리부에 환상의 포러스 세라믹 등으로 형성된 환상 포러스 부재 (141) 를 구비하고 있다. 환상 포러스 부재 (141) 는, 상면이 유지면 (11) 과 면일하게 형성되어 유지면 (11) 을 구성하고 있다. 환상 포러스 부재 (141) 는 세공 (142) 을 다수 구비하는 다공질재로 구성되어 있다. 세공 (142) 은 특허청구범위의 유지면 흡인공에 상당한다. 이 때문에, 유지 테이블 (10) 은, 유지면 (11) 에 유지면 흡인공인 세공 (142) 을 갖고 있다.The holding portion 14 is provided with an annular porous member 141 formed of an annular porous ceramic or the like at the outer edge portion. The annular porous member 141 is formed so that the upper surface is flush with the holding surface 11 and constitutes the holding surface 11 . The annular porous member 141 is composed of a porous material having a large number of pores 142 . The pores 142 correspond to the holding surface suction holes in the claims. For this reason, the holding table 10 has the pore 142 which is a holding surface suction hole in the holding surface 11. As shown in FIG.

환상 볼록부 지지부 (15) 는, 내경이 유지부 (14) 의 외경과 동등한 원환상으로 형성되고, 내측에 유지부 (14) 를 통과시켜 유지부 (14) 의 외주에 고정되어, 유지면 (11) 을 둘러싼다. 환상 볼록부 지지부 (15) 의 상면은, 수평 방향과 평행하고 또한 웨이퍼 (200) 의 환상 볼록부 (215) 를 지지 가능한 환상 지지면 (16) 이다. 즉, 환상 볼록부 지지부 (15) 는, 환상 지지면 (16) 을 포함한다.The annular convex part support part 15 is formed in an annular shape with an inner diameter equal to the outer diameter of the holding part 14, and is fixed to the outer periphery of the holding part 14 by passing the holding part 14 inside, and the holding surface ( 11) surrounds The upper surface of the annular convex portion supporting portion 15 is an annular support surface 16 parallel to the horizontal direction and capable of supporting the annular convex portion 215 of the wafer 200 . That is, the annular convex part support part 15 includes the annular support surface 16 .

환상 볼록부 지지부 (15) 의 두께는, 유지부 (14) 의 두께보다 얇다. 환상 볼록부 지지부 (15) 는, 하면이 유지부 (14) 의 하면과 면일해지는 위치에서 고정된다. 이 때문에, 환상 볼록부 지지부 (15) 의 환상 지지면 (16) 은, 유지면 (11) 보다 낮은 위치에 배치된다. 실시형태에 있어서, 유지 테이블 (10) 의 유지면 (11) 과 환상 지지면 (16) 의 높이의 차 (17) 는 적어도 중앙 오목부 (210) 의 깊이의 값 (217) 이상으로 형성되어 있다.The thickness of the annular convex part supporting part 15 is thinner than the thickness of the holding part 14 . The annular convex part support part 15 is fixed at the position where the lower surface becomes flush with the lower surface of the holding part 14. As shown in FIG. For this reason, the annular support surface 16 of the annular-convex part support part 15 is arrange|positioned at the position lower than the holding surface 11. As shown in FIG. In the embodiment, the difference 17 of the height of the holding surface 11 of the holding table 10 and the annular supporting surface 16 is formed to be at least the value 217 of the depth of the central recessed portion 210 or more. .

또한, 환상 볼록부 지지부 (15) 는, 외측 가장자리부에 환상 지지면 (16) 으로부터 오목한 지지면 흡인공인 지지면 흡인홈 (151) 을 전체 둘레에 걸쳐 형성하고 있다. 이 때문에, 유지 테이블 (10) 은 환상 지지면 (16) 에 지지면 흡인공인 지지면 흡인홈 (151) 을 갖고 있다. 지지면 흡인홈 (151) 은 환상 볼록부 지지부 (15) 와 동축에 배치된 원형으로 형성되고, 실시형태에서는 서로 동축이 되는 위치에 2 개 형성되고, 이들 2 개의 지지면 흡인홈 (151) 은 환상 볼록부 지지부 (15) 내에 형성된 연통 통로 (152) (도 8 에 나타냄) 에 의해 서로 연통되어 있다.Further, the annular convex support portion 15 has a support surface suction groove 151 which is a support surface suction hole concave from the annular support surface 16 in the outer edge portion over the entire periphery. For this reason, the holding table 10 has the support surface suction groove|channel 151 which is a support surface suction hole in the annular support surface 16. As shown in FIG. The support surface suction grooves 151 are formed in a circular shape arranged coaxial with the annular convex support part 15, and in the embodiment, two support surface suction grooves 151 are formed at positions coaxial with each other, and these two support surface suction grooves 151 are They are communicated with each other by a communication passage 152 (shown in FIG. 8 ) formed in the annular convex portion supporting portion 15 .

또한, 유지 테이블 (10) 은, 유지면 흡인로 (18) 와, 지지면 흡인로 (19) 가 형성되어 있다. 유지면 흡인로 (18) 는, 유지부 (14) 를 관통한 통로로서, 일단이 환상 포러스 부재 (141) 의 세공 (142) 에 연통되고, 타단이 흡인원 (181) 에 밸브 (182) 를 통해 접속되어 있다. 지지면 흡인로 (19) 는, 환상 볼록부 지지부 (15) 를 관통한 통로로서, 일단이 지지면 흡인홈 (151) 에 연통되고, 타단이 밸브 (192) 를 통해 흡인원 (191) 에 접속되어 있다.Moreover, as for the holding table 10, the holding surface suction path 18 and the support surface suction path 19 are formed. The holding surface suction path 18 is a path passing through the holding portion 14 , one end communicating with the pores 142 of the annular porous member 141 , and the other end connecting the valve 182 to the suction source 181 . connected through The support surface suction path 19 is a passage passing through the annular convex support part 15 , one end communicates with the support surface suction groove 151 , and the other end is connected to a suction source 191 via a valve 192 . has been

유지 테이블 (10) 은, 밸브 (182) 가 개방되고, 세공 (142) 이 흡인원 (281) 에 의해 흡인됨으로써, 유지면 (11) 에 재치된 웨이퍼 (200) 의 이면 (207) 측의 중앙 오목부 (210) 의 바닥면 (214) 을 시트 (221) 를 개재하여 유지면 (11) 에 흡인 유지한다. 또한, 유지 테이블 (10) 은, 밸브 (192) 가 개방되고, 지지면 흡인홈 (151) 이 흡인원 (191) 에 의해 흡인됨으로써, 웨이퍼 (200) 로부터 절단되어 분리된 환상 볼록부 (215) 를 시트 (221) 를 개재하여 환상 지지면 (16) 에 흡인 유지한다.As for the holding table 10 , the valve 182 is opened and the pore 142 is sucked by the suction source 281 , so that the wafer 200 placed on the holding surface 11 is at the center of the back surface 207 side. The bottom surface 214 of the recessed portion 210 is sucked and held by the holding surface 11 with the seat 221 interposed therebetween. In addition, the holding table 10 has an annular convex portion 215 cut and separated from the wafer 200 by opening the valve 192 and sucking the support surface suction groove 151 by the suction source 191 . is sucked and held on the annular support surface 16 via the sheet 221 .

(가공 방법) (Processing method)

다음으로, 실시형태에 관련된 가공 방법을 도면을 기초하여 설명한다. 도 6 은, 실시형태에 관련된 가공 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다. 실시형태에 관련된 가공 방법은, 전술한 웨이퍼 (200) 의 가공 방법으로서, 웨이퍼 (200) 로부터 환상 볼록부 (215) 를 제거하는 가공 방법이다. 가공 방법은, 전술한 절삭 장치 (1) 의 가공 동작을 포함한다. 실시형태에 관련된 가공 방법은, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 준비 스텝 (1001) 과, 시트 배치 형성 스텝 (1002) 과, 유지 스텝 (1003) 과, 절단 스텝 (1004) 과, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 을 구비한다.Next, the processing method which concerns on embodiment is demonstrated based on drawing. 6 is a flowchart showing the flow of the processing method according to the embodiment. The processing method according to the embodiment is a processing method of the wafer 200 described above, wherein the annular convex portion 215 is removed from the wafer 200 . The machining method includes the machining operation of the above-described cutting device 1 . As shown in FIG. 6 , the processing method according to the embodiment includes a preparation step 1001 , a sheet arrangement forming step 1002 , a holding step 1003 , a cutting step 1004 , and an annular convex part removal step (1005) is provided.

(준비 스텝) (Preparation step)

준비 스텝 (1001) 은, 전술한 유지 테이블 (10) 을 준비하는 스텝이다. 실시형태에 있어서, 준비 스텝 (1001) 에서는, 절삭 장치 (1) 의 오퍼레이터 등이, 가공 대상인 웨이퍼 (200) 의 중앙 오목부 (210) 의 원형 오목부 (211, 212) 의 내경 및 중앙 오목부 (210) 의 깊이의 값 (217) 에 따라, 가공 대상인 웨이퍼 (200) 의 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 내경보다 유지부 (14) 가 소직경이고 또한 높이의 차 (17) 가 중앙 오목부 (210) 의 깊이의 값 (217) 이상이고, 바닥면 (214) 을 유지면 (11) 상에 유지하는 것이 가능한 유지 테이블 (10) 을 준비하고, 준비한 유지 테이블 (10) 을 테이블 베이스 (13) 에 장착한다.The preparation step 1001 is a step for preparing the above-mentioned holding table 10 . In the embodiment, in the preparation step 1001 , the operator of the cutting device 1 , etc. the inner diameters and the central recesses of the circular recesses 211 and 212 of the central recessed part 210 of the wafer 200 to be processed. According to the value 217 of the depth of 210, the holding portion 14 has a smaller diameter than the inner diameter of the second circular concave portion 212 of the central concave portion 210 of the wafer 200 to be processed, and the height of the holding portion 14 is smaller. A holding table 10 capable of holding the bottom surface 214 on the holding surface 11 is prepared, in which the car 17 is equal to or greater than the value 217 of the depth of the central recessed portion 210, and the prepared holding table (10) is attached to the table base (13).

(시트 배치 형성 스텝)(Sheet arrangement forming step)

도 7 은, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 시트 배치 형성 스텝 후의 웨이퍼의 사시도이다. 시트 배치 형성 스텝 (1002) 은, 웨이퍼 (200) 의 이면 (207) 에 시트 (221) 를 배치 형성하는 스텝이다. 시트 배치 형성 스텝 (1002) 에서는, 주지의 마운터가, 웨이퍼 (200) 의 이면 (207) 측에, 웨이퍼 (200) 의 외경보다 대직경인 원판상의 시트 (221) 를 첩착하고, 시트 (221) 의 외측 가장자리부에 환상 프레임 (220) 을 첩착하여, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (200) 를 환상 프레임 (220) 의 개구 (222) 내에 지지한다.Fig. 7 is a perspective view of the wafer after the sheet arrangement forming step of the processing method shown in Fig. 6 . The sheet arrangement forming step 1002 is a step of disposing and forming the sheet 221 on the back surface 207 of the wafer 200 . In the sheet arrangement forming step 1002 , a known mounter adheres a disk-shaped sheet 221 having a larger diameter than the outer diameter of the wafer 200 to the back surface 207 side of the wafer 200, and the sheet 221 . An annular frame 220 is affixed to the outer edge of the , and the wafer 200 is supported in the opening 222 of the annular frame 220 as shown in FIG. 7 .

(유지 스텝) (maintenance step)

도 8 은, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 유지 스텝을 나타내는 단면도이다. 또한, 도 8 은, 금속막 (216) 을 생략하고 있다. 유지 스텝 (1003) 은, 시트 (221) 를 개재하여 유지 테이블 (10) 에서 웨이퍼 (200) 의 이면 (207) 측을 유지하는 스텝이다. 실시형태에 있어서, 유지 스텝 (1003) 에서는, 절삭 장치 (1) 가, 오퍼레이터에 의해 등록된 가공 내용 정보를 제어 유닛 (100) 이 접수하고, 절삭 가공 전의 웨이퍼 (200) 를 복수 수용한 카세트 (51) 가 카세트 엘리베이터 (50) 에 설치되며, 오퍼레이터로부터의 가공 동작의 개시 지시를 제어 유닛 (100) 이 접수하면, 가공 동작을 개시한다.Fig. 8 is a cross-sectional view showing a holding step of the processing method shown in Fig. 6 . In addition, in FIG. 8, the metal film 216 is abbreviate|omitted. The holding step 1003 is a step of holding the back surface 207 side of the wafer 200 on the holding table 10 with the sheet 221 interposed therebetween. In the embodiment, in the holding step 1003, the cutting device 1 receives the processing content information registered by the operator, and the control unit 100 receives a cassette ( 51) is installed in the cassette elevator 50, and when the control unit 100 receives an instruction to start a machining operation from an operator, it starts a machining operation.

실시형태에 있어서, 유지 스텝 (1003) 에서는, 절삭 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 이 반송 유닛을 제어하여 카세트 (51) 로부터 웨이퍼 (200) 를 1 장 취출하고, 반입출 영역 (4) 에 위치된 유지 테이블 (10) 의 유지부 (14) 를 중앙 오목부 (210) 내에 침입시켜, 유지면 (11) 에 디바이스 영역 (203) 의 이면 (207) 측을 시트 (221) 를 개재하여 재치한다. 실시형태에 있어서, 유지 스텝 (1003) 에서는, 도 8 에 나타낸 바와 같이, 절삭 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 이 밸브 (192) 를 폐쇄한 상태에서 밸브 (182) 를 개방하고, 흡인원 (181) 에 의해 환상 포러스 부재 (141) 의 세공 (142) 을 흡인하여, 유지면 (11) 에 시트 (221) 를 개재하여 웨이퍼 (200) 의 디바이스 영역 (203) 의 이면 (207) 측을 흡인 유지한다. 이 때, 실시형태에 있어서, 유지 스텝 (1003) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 클램프부 (12) 로 환상 프레임 (220) 을 클램프하지 않는다.In the embodiment, in the holding step 1003 , the control unit 100 of the cutting device 1 controls the conveying unit to take out one wafer 200 from the cassette 51 , and the carrying-in/out area 4 . The holding portion 14 of the holding table 10 positioned on the inside of the central concave portion 210 is penetrated into the holding surface 11, and the back surface 207 side of the device area 203 is placed on the back side 207 side with a sheet 221 interposed therebetween. wit In the embodiment, in the holding step 1003 , as shown in FIG. 8 , the control unit 100 of the cutting device 1 opens the valve 182 while the valve 192 is closed, and the suction source The pore 142 of the annular porous member 141 is sucked by 181 , and the back surface 207 side of the device region 203 of the wafer 200 is placed on the holding surface 11 with the sheet 221 interposed therebetween. keep aspiration At this time, in the embodiment, in the holding step 1003 , the cutting device 1 does not clamp the annular frame 220 with the clamping part 12 .

(절단 스텝)(Cutting step)

도 9 는, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 절단 스텝을 나타내는 단면도이다. 또한, 도 9 는 금속막 (216) 을 생략하고 있다. 절단 스텝 (1004) 은, 유지부 (14) 상에서 절삭 블레이드 (21-1) 를 시트 (221) 에 이르기까지 웨이퍼 (200) 에 절입시키고, 유지 테이블 (10) 을 절삭 블레이드 (21-1) 에 대하여 상대 이동시켜 웨이퍼 (200) 의 환상 볼록부 (215) 를 웨이퍼 (200) 로부터 분리하는 스텝이다.Fig. 9 is a cross-sectional view showing a cutting step of the processing method shown in Fig. 6 . In addition, in FIG. 9, the metal film 216 is abbreviate|omitted. The cutting step 1004 cuts the cutting blade 21-1 into the wafer 200 up to the sheet 221 on the holding part 14, and inserts the holding table 10 into the cutting blade 21-1. It is a step of separating the annular convex portion 215 of the wafer 200 from the wafer 200 by relatively moving it with respect to the wafer 200 .

실시형태에 있어서, 절단 스텝 (1004) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 스핀들 (23) 을 축심 둘레로 회전시켜 절삭 블레이드 (21-1, 21-2) 를 회전시키고, X 축 이동 유닛 (41) 및 이동 유닛 (40) 에 의해 반입출 영역 (4) 으로부터 가공 영역 (5) 을 향하여 유지 테이블 (10) 을 촬상 유닛 (30) 의 하방까지 이동시키고, 촬상 유닛 (30) 에 의해 유지 테이블 (10) 에 흡인 유지한 웨이퍼 (200) 를 촬상하여, 얼라인먼트를 수행한다.In the embodiment, in the cutting step 1004 , the cutting device 1 rotates the spindle 23 about the axis to rotate the cutting blades 21-1 and 21-2, and the X-axis movement unit 41 and the moving unit 40 moves the holding table 10 from the carrying in/out region 4 toward the processing region 5 to the lower side of the imaging unit 30 , and the holding table 10 by the imaging unit 30 . ), an image of the wafer 200 held by suction is performed to perform alignment.

실시형태에 있어서, 절단 스텝 (1004) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 절삭수를 1 쌍의 절삭 블레이드 (21-1, 21-2) 중 얇은 일방의 절삭 블레이드 (21-1) 에 공급하고, 가공 내용 정보에 기초하여 이동 유닛 (40) 에 의해 절삭 유닛 (20-1) 과 유지 테이블 (10) 을 상대적으로 이동시켜, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 절삭 블레이드 (21-1) 를 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 외측 가장자리부에 시트 (221) 에 도달할 때까지 절입시킴과 함께, 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 회전시킨다. 실시형태에 있어서, 절단 스텝 (1004) 에서는, 절삭 블레이드 (21-1) 의 두께 방향의 일부가 유지면 (11) 상에 걸림 (위치됨) 과 함께, 절삭 블레이드 (21-1) 의 두께 방향의 나머지가 유지면 (11) 의 외측 가장자리보다 외측으로 비어져 나온 상태로 웨이퍼 (200) 에 절입한다.In the embodiment, in the cutting step 1004, the cutting device 1 supplies the cutting water to one of the thin cutting blades 21-1 among the pair of cutting blades 21-1 and 21-2, The cutting unit 20-1 and the holding table 10 are relatively moved by the moving unit 40 based on the processing content information, and, as shown in FIG. 9, the cutting blade 21-1 is inserted into the central recess. The holding table 10 is rotated around the axis while cutting the outer edge of the second circular concave portion 212 of the 210 until it reaches the sheet 221 . In the embodiment, in the cutting step 1004 , a part of the cutting blade 21-1 in the thickness direction is caught (positioned) on the holding surface 11 in the thickness direction of the cutting blade 21-1 is cut into the wafer 200 in a state in which the remainder of the holding surface 11 protrudes outward from the outer edge of the holding surface 11 .

또한, 실시형태에 있어서, 절단 스텝 (1004) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 절삭 유닛 (20-1) 의 절삭 블레이드 (21-1) 를 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 의 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 외측 가장자리부의 상방에 위치시킨 후, 절삭 블레이드 (21-1) 가 시트 (221) 에 절입될 때까지 절삭 유닛 (20-1) 을 하강시켜, 회전 이동 유닛 (44) 에 의해 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 적어도 1 회전시키는, 소위 초퍼 컷에 의해 웨이퍼 (200) 로부터 전체 둘레에 걸쳐 환상 볼록부 (215) 를 분리한다. 실시형태에 있어서, 절단 스텝 (1004) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 웨이퍼 (200) 로부터 전체 둘레에 걸쳐 환상 볼록부 (215) 를 분리하면, 절삭 유닛 (20-1) 을 상승시켜, 절삭 블레이드 (21-1) 를 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 로부터 퇴피시킨다. 이렇게 하여, 절단 스텝 (1004) 에서는, 웨이퍼 (200) 는, 유지부 (14) 를 개재하여 유지 테이블 (10) 에 흡인 유지되고, 즉, 시트 (221) 를 개재하여, 유지 테이블 (10) 의 유지부 (14) 의 유지면 (11) 상에 흡인 유지되고, 유지 테이블 (10) 의 환상 볼록부 지지부 (15) 의 환상 지지면 (16) 에 흡인 유지되어 있지 않다.Further, in the embodiment, in the cutting step 1004 , the cutting device 1 holds the cutting blade 21-1 of the cutting unit 20-1 at the center of the wafer 200 held by the holding table 10 . After positioning the concave portion 210 above the outer edge portion of the second circular concave portion 212 , the cutting unit 20-1 is lowered until the cutting blade 21-1 is cut into the seat 221 . Thus, the annular convex portion 215 is separated from the wafer 200 over the entire circumference by a so-called chopper cut in which the holding table 10 is rotated at least once around the axis by the rotational movement unit 44 . In the embodiment, in the cutting step 1004 , when the cutting device 1 separates the annular convex portion 215 from the wafer 200 over the entire circumference, the cutting unit 20 - 1 is raised, and the cutting blade (21-1) is retracted from the wafer 200 held on the holding table 10 . In this way, in the cutting step 1004 , the wafer 200 is sucked and held by the holding table 10 via the holding part 14 , that is, by the holding table 10 via the sheet 221 . It is suction-held on the holding surface 11 of the holding|maintenance part 14, and is not suction-held by the annular support surface 16 of the annular-convex part support part 15 of the holding table 10.

또한, 실시형태에 있어서, 절단 스텝 (1004) 은, 소위 초퍼 컷에 의해 웨이퍼 (200) 로부터 환상 볼록부 (215) 를 분리했지만, 본 발명에서는, 초퍼 컷에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명은, 절단 스텝 (1004) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 절삭 유닛 (20-1) 의 절삭 블레이드 (21-1) 의 하단을 시트 (221) 에 절입하는 높이이고 또한 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 의 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 외측 가장자리부와 X 축 방향으로 나열되는 위치에 위치시킨 후, 유지 테이블 (10) 을 X 축 방향을 따라 절삭 블레이드 (21-1) 에 근접하는 방향으로 이동시켜, 절삭 블레이드 (21-1) 가 시트 (221) 에 절입될 때까지 웨이퍼 (200) 에 절입시키고, 회전 이동 유닛 (44) 에 의해 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 적어도 1 회전시켜, 웨이퍼 (200) 로부터 전체 둘레에 걸쳐 환상 볼록부 (215) 를 분리해도 된다.Further, in the embodiment, the cutting step 1004 separates the annular convex portion 215 from the wafer 200 by a so-called chopper cut, but in the present invention, the cutting step 1004 is not limited to the chopper cut. For example, in the present invention, in the cutting step 1004, the cutting device 1 cuts the lower end of the cutting blade 21-1 of the cutting unit 20-1 into the seat 221, and After positioning in a position aligned with the outer edge of the second circular concave portion 212 of the central concave portion 210 of the wafer 200 held by the holding table 10 in the X-axis direction, the holding table 10 moves along the X-axis direction in a direction close to the cutting blade 21-1 to cut into the wafer 200 until the cutting blade 21-1 cuts into the seat 221, and a rotational movement unit ( 44), the annular convex portion 215 may be separated from the wafer 200 over the entire periphery by rotating the holding table 10 around the axial center at least one time.

(환상 볼록부 제거 스텝)(Annular convex part removal step)

도 10 은, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 환상 볼록부 제거 스텝에 있어서 환상 볼록부를 환상 지지면에 흡인 유지한 상태를 나타내는 단면도이다. 도 11 은, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 환상 볼록부 제거 스텝에 있어서 절삭 블레이드를 환상 볼록부에 절입시키고 있는 상태를 나타내는 단면도이다. 도 12 는, 도 6 에 나타낸 가공 방법의 환상 볼록부 제거 스텝에 있어서 환상 볼록부를 제거한 상태를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 10, 도 11 및 도 12 는 금속막 (216) 을 생략하고 있다.FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state in which the annular convex part is sucked and held by the annular support surface in the annular convex part removal step of the processing method shown in FIG. 6 . 11 is a cross-sectional view showing a state in which the cutting blade is cut into the annular convex portion in the annular convex portion removing step of the processing method shown in FIG. 6 . It is sectional drawing which shows the state which removed the annular convex part in the annular convex part removal step of the processing method shown in FIG. In addition, the metal film 216 is abbreviate|omitted in FIG.10, FIG.11, and FIG.12.

환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 은, 절단 스텝 (1004) 에서 웨이퍼 (200) 로부터 분리되어 환상 볼록부 지지부 (15) 로 지지된 환상 볼록부 (215) 를 절삭 블레이드 (21-2) 로 절삭하여 분쇄하고, 환상 볼록부 (215) 를 시트 (221) 상으로부터 제거하는 스텝이다. 실시형태에 있어서, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 절삭 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 이 밸브 (192) 를 개방하고, 도 10 에 나타낸 바와 같이, 흡인원 (291) 에 의해 지지면 흡인홈 (151) 을 흡인하여, 환상 지지면 (16) 에 시트 (221) 를 개재하여 웨이퍼 (200) 로부터 분리된 환상 볼록부 (215) 를 흡인 유지함과 함께, 클램프부 (12) 로 환상 프레임 (220) 을 클램프한다.The annular convex part removing step 1005 is performed by cutting the annular convex part 215 separated from the wafer 200 in the cutting step 1004 and supported by the annular convex part supporting part 15 with a cutting blade 21-2. It is a step of pulverizing and removing the annular convex portion 215 from the sheet 221 top. In the embodiment, in the annular convex portion removing step 1005 , the control unit 100 of the cutting device 1 opens the valve 192 , and is supported by the suction source 291 as shown in FIG. 10 . The surface suction groove 151 is sucked, the annular support surface 16 is interposed with the sheet 221 to hold the annular convex portion 215 separated from the wafer 200, and the annular support surface 16 is annular with the clamp portion 12 . The frame 220 is clamped.

실시형태에 있어서, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 절삭수를 1 쌍의 절삭 블레이드 (21-1, 21-2) 중 두꺼운 타방의 절삭 블레이드 (21-2) 에 공급하고, 가공 내용 정보에 기초하여 이동 유닛 (40) 에 의해 절삭 유닛 (20-2) 과 유지 테이블 (10) 을 상대적으로 이동시켜, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 절삭 블레이드 (21-2) 를 환상 볼록부 (215) 의 내측 가장자리부에 환상 지지면 (16) 상의 시트 (221) 에 도달할 때까지 절입시킴과 함께, 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 회전시킨다. 실시형태에 있어서, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 절삭 블레이드 (21-2) 를 시트 (221) 에 절입시킨 후, 절삭 블레이드 (21-2) 를 유지 테이블 (10) 로부터 일단 퇴피시켜, 절삭 블레이드 (21-2) 가 환상 볼록부 (215) 의 외주측으로 절입되도록 절삭 유닛 (20-2) 을 Y 축 방향으로 이동시킨다. 절삭 장치 (1) 가 절삭 블레이드 (21-2) 를 환상 볼록부 (215) 의 외주측에 환상 지지면 (16) 상의 시트 (221) 에 도달할 때까지 절입시킴과 함께, 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 회전시킨다. 이렇게 하여, 실시형태에 있어서, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 절삭 블레이드 (21-2) 를 시트 (221) 에 도달할 때까지 환상 볼록부 (215) 에 절입시키는 동작과, 절삭 유닛 (20) 을 Y 축 방향으로 이동시키는 동작을, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 시트 (221) 상으로부터 환상 볼록부 (215) 전체가 절삭시켜 분쇄될 때까지 반복한다.In the embodiment, in the annular convex portion removing step 1005, the cutting device 1 applies the number of cuts to the other thick cutting blade 21-2 among the pair of cutting blades 21-1 and 21-2. is supplied, and the cutting unit 20-2 and the holding table 10 are relatively moved by the moving unit 40 based on the processing content information, and as shown in FIG. 11, the cutting blade 21-2 is The holding table 10 is rotated around the axis while cutting the inner edge of the annular convex portion 215 until it reaches the sheet 221 on the annular support surface 16 . In embodiment, in the annular convex part removal step 1005, after the cutting device 1 cuts the cutting blade 21-2 into the seat|sheet 221, the cutting blade 21-2 is moved to the holding table 10 ), the cutting unit 20-2 is moved in the Y-axis direction so that the cutting blade 21-2 is cut into the outer peripheral side of the annular convex portion 215 . While the cutting device 1 cuts the cutting blade 21-2 to the outer peripheral side of the annular convex part 215 until it reaches the seat 221 on the annular support surface 16, the holding table 10 is rotated around the axis. In this way, in the embodiment, in the annular convex part removal step 1005 , the cutting device 1 cuts the cutting blade 21-2 into the annular convex part 215 until it reaches the seat 221 . The operation and the operation of moving the cutting unit 20 in the Y-axis direction are repeated until the entire annular convex portion 215 is cut from the sheet 221 and pulverized, as shown in FIG. 12 .

또한, 실시형태에서는, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 절삭 블레이드 (21-2) 를 시트 (221) 에 도달할 때까지 환상 볼록부 (215) 에 절입시키는 동작과, 절삭 유닛 (20) 을 Y 축 방향으로 이동시키는 동작을 환상 볼록부 (215) 전체가 절삭시켜 분쇄될 때까지 반복했지만, 본 발명에서는, 이것에 한정되지 않고, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 절삭 블레이드 (21-2) 를 환상 볼록부 (215) 의 내측 가장자리부에 환상 지지면 (16) 상의 시트 (221) 에 도달할 때까지 절입한 절삭 블레이드 (21-2) 를 Y 축 방향을 따라 환상 볼록부 (215) 의 외주측으로 이동시키면서 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 회전시켜, 환상 볼록부 (215) 전체를 절삭하여 분쇄해도 된다.In the embodiment, in the annular convex portion removing step 1005 , the cutting device 1 cuts the cutting blade 21-2 into the annular convex portion 215 until it reaches the seat 221 , , the operation of moving the cutting unit 20 in the Y-axis direction was repeated until the entire annular convex portion 215 was cut and pulverized, but the present invention is not limited thereto, and as shown in FIG. The cutting blade 21-2 which cuts the blade 21-2 into the inner edge part of the annular convex part 215 until it reaches the seat 221 on the annular support surface 16 is annular along the Y-axis direction. The holding table 10 may be rotated about the axial center while moving to the outer peripheral side of the convex part 215 , and the entire annular convex part 215 may be cut and pulverized.

또한, 실시형태에 있어서, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 절단 스텝 (1004) 과 마찬가지로, 소위 초퍼 컷에 의해 환상 볼록부 (215) 를 절삭, 분쇄한다. 그러나, 본 발명에서는 초퍼 컷에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명은, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 절삭 유닛 (20-2) 의 절삭 블레이드 (21-2) 의 하단을 시트 (221) 에 절입하는 높이이고 또한 유지 테이블 (10) 에 유지된 환상 볼록부 (215) 와 X 축 방향으로 나열되는 위치에 위치시킨 후, 유지 테이블 (10) 을 X 축 방향을 따라 절삭 블레이드 (21-2) 에 근접하는 방향으로 이동시켜, 절삭 블레이드 (21-2) 가 시트 (221) 에 절입될 때까지 환상 볼록부 (215) 에 절입시키고, 회전 이동 유닛 (44) 에 의해 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 적어도 1 회전시켜, 환상 볼록부 (215) 를 절삭하여 분쇄해도 된다.Moreover, in embodiment, in the annular convex part removal step 1005, similarly to the cutting step 1004, the annular convex part 215 is cut and grind|pulverized by what is called a chopper cut. However, the present invention is not limited to chopper cut. For example, in the present invention, in the annular convex portion removing step 1005 , the cutting device 1 cuts the lower end of the cutting blade 21-2 of the cutting unit 20-2 into the sheet 221 . After positioning the annular convex portion 215 at the height and aligned in the X-axis direction with the holding table 10, the holding table 10 is brought close to the cutting blade 21-2 along the X-axis direction. direction to cut into the annular convex portion 215 until the cutting blade 21-2 cuts into the seat 221, and the holding table 10 is moved around the axis by the rotary movement unit 44 It may be rotated at least once, and the annular convex part 215 may be cut and pulverized.

실시형태에 있어서, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 환상 볼록부 (215) 전체를 절삭하여 분쇄하면, 절삭 유닛 (20-2) 을 상승시켜, 절삭 블레이드 (21-2) 를 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 로부터 퇴피시킨다. 이렇게 하여, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 환상 볼록부 (215) 가, 환상 볼록부 지지부 (15) 를 개재하여 유지 테이블 (10) 에 흡인 유지되고, 즉, 시트 (221) 를 개재하여, 유지 테이블 (10) 의 환상 볼록부 지지부 (15) 의 환상 지지면 (16) 상에 흡인 유지된다.In the embodiment, in the annular convex portion removing step 1005 , when the cutting device 1 cuts and pulverizes the entire annular convex portion 215 , the cutting unit 20-2 is raised and the cutting blade 21- 2) is retracted from the wafer 200 held on the holding table 10 . In this way, in the annular convex part removal step 1005, the annular convex part 215 is sucked and held by the holding table 10 via the annular convex part support part 15, that is, the sheet 221 is interposed therebetween. , is held by suction on the annular support surface 16 of the annular convex support portion 15 of the holding table 10 .

그 후, 절삭 장치 (1) 는, 유지 테이블 (10) 을 가공 영역 (5) 으로부터 반입출 영역 (4) 을 향하여 이동시키고, 반입출 영역 (4) 에 있어서 유지 테이블 (10) 의 이동을 정지시키고, 밸브 (182, 192) 를 폐쇄하여 유지 테이블 (10) 의 웨이퍼 (200) 의 흡인 유지를 정지시키며, 클램프부 (12) 의 환상 프레임 (220) 의 클램프를 해제한다. 절삭 장치 (1) 는, 제어 유닛 (100) 이 반송 유닛을 제어하여 환상 볼록부 (215) 가 제거된 웨이퍼 (200) 를 세정 유닛 (52) 에 반송하고, 세정 유닛 (52) 으로 세정한 후, 카세트 (51) 내에 수용한다. 절삭 장치 (1) 는, 유지 스텝 (1003), 절단 스텝 (1004) 및 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 을 반복하여, 카세트 (51) 내의 웨이퍼 (200) 로부터 순서대로 환상 볼록부 (215) 를 제거하고, 카세트 (51) 내의 모든 웨이퍼 (200) 로부터 환상 볼록부 (215) 를 제거하면 가공 동작을 종료한다. 또한, 환상 볼록부 (215) 가 제거된 웨이퍼 (200) 는, 개개의 디바이스 (206) 로 분할된다.Then, the cutting device 1 moves the holding table 10 toward the carrying-in/out area 4 from the processing area|region 5, and stops the movement of the holding table 10 in the carrying-in/out area 4 . and closing the valves 182 and 192 to stop the suction holding of the wafer 200 of the holding table 10, and the clamping of the annular frame 220 of the clamping unit 12 is released. In the cutting device 1 , the control unit 100 controls the conveying unit to convey the wafer 200 from which the annular convex portion 215 has been removed to the cleaning unit 52 , and after cleaning by the cleaning unit 52 . , accommodated in the cassette 51 . The cutting device 1 repeats the holding step 1003 , the cutting step 1004 , and the annular convex part removal step 1005 to sequentially remove the annular convex part 215 from the wafer 200 in the cassette 51 . When the annular convex portion 215 is removed from all the wafers 200 in the cassette 51, the machining operation is finished. Further, the wafer 200 from which the annular convex portion 215 has been removed is divided into individual devices 206 .

이상 설명한 바와 같이, 실시형태에 관련된 가공 방법은, 절단 스텝 (1004) 에 있어서 절삭 블레이드 (21-1) 로 환상 볼록부 (215) 를 웨이퍼 (200) 로부터 분리한 후, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에 있어서 환상 볼록부 (215) 를 절삭 블레이드 (21-2) 로 절삭하여 분쇄함으로써 시트 (221) 상으로부터 제거한다. 이 때문에, 실시형태에 관련된 가공 방법은, 웨이퍼 (200) 를 개개의 디바이스 (206) 로 분할할 때에, 환상 볼록부 (215) 가 분리된 웨이퍼 (200) 를 개개의 디바이스 (206) 로 분할하게 되기 때문에, 개개의 디바이스 (206) 로 분할하는 절삭 블레이드의 날끝 노출량을 억제할 수 있어, 가공 이송 속도의 저하를 억제할 수 있음과 함께, 블레이드 사행이 발생할 우려를 억제할 수 있다.As described above, in the processing method according to the embodiment, after separating the annular convex portion 215 from the wafer 200 with the cutting blade 21-1 in the cutting step 1004, the annular convex portion removing step ( In 1005), the annular convex portion 215 is removed from the sheet 221 by cutting and pulverizing the annular convex portion 215 with a cutting blade 21-2. For this reason, the processing method according to the embodiment divides the wafer 200 from which the annular convex portion 215 is separated into individual devices 206 when the wafer 200 is divided into individual devices 206 . Therefore, the blade tip exposure amount of the cutting blade divided by the individual devices 206 can be suppressed, a decrease in the machining feed rate can be suppressed, and the possibility of blade meandering can be suppressed.

또한, 실시형태에 관련된 가공 방법은, 절단 스텝 (1004) 에 있어서 절삭 블레이드 (21-1) 로 환상 볼록부 (215) 를 웨이퍼 (200) 로부터 분리한 후, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에 있어서 환상 볼록부 (215) 를 절삭 블레이드 (21-2) 로 절삭하여 분쇄하기 때문에, 환상 볼록부 (215) 에 두께 방향으로 많은 개질층을 형성할 필요가 없다. 또한, 실시형태에 관련된 가공 방법은, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에 있어서 환상 볼록부 (215) 를 절삭 블레이드 (21-2) 로 절삭하여 분쇄하기 때문에, 환상 볼록부 (215) 를 수작업 등으로 시트 (221) 상으로부터 제거할 필요가 없다.Further, in the processing method according to the embodiment, in the cutting step 1004 , the annular convex portion 215 is separated from the wafer 200 with the cutting blade 21-1, and then, the annular convex portion removing step 1005 is performed. In this case, since the annular convex portion 215 is cut by the cutting blade 21-2 and pulverized, it is not necessary to form many modified layers in the annular convex portion 215 in the thickness direction. In the processing method according to the embodiment, in the annular convex part removing step 1005, the annular convex part 215 is cut and pulverized with a cutting blade 21-2, so that the annular convex part 215 is manually removed, etc. Therefore, there is no need to remove it from on the sheet 221 .

그 결과, 실시형태에 관련된 가공 방법은, 개개의 분할된 디바이스 (206) 의 생산 효율의 저하와 디바이스 (206) 의 손상을 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.As a result, the processing method according to the embodiment exhibits the effect that it is possible to suppress a decrease in the production efficiency of each divided device 206 and damage to the device 206 .

또한, 실시형태에 관련된 가공 방법은, 절단 스텝 (1004) 에서는, 웨이퍼 (200) 가 유지부 (14) 의 유지면 (11) 에 흡인 유지되고, 환상 볼록부 (215) 가 환상 볼록부 지지부 (15) 의 환상 지지면 (16) 에 흡인 유지되어 있지 않기 때문에, 환상 볼록부 (215) 를 웨이퍼 (200) 로부터 분리하는 도중 등에서 부분적으로 분리된 환상 볼록부 (215) 에 흡인력이 작용하지 않기 때문에, 환상 볼록부 (215) 가 깨지는 등의 파손되는 것을 억제할 수 있다.Further, in the processing method according to the embodiment, in the cutting step 1004, the wafer 200 is sucked and held by the holding surface 11 of the holding part 14, and the annular convex part 215 is formed by the annular convex part supporting part ( Since the annular convex part 215 is not held by the annular support surface 16 of 15), the suction force does not act on the partially separated annular convex part 215 during the separation of the annular convex part 215 from the wafer 200, etc. , it is possible to suppress damage such as breakage of the annular convex portion 215 .

또한, 실시형태에 관련된 가공 방법은, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 웨이퍼 (200) 가 유지부 (14) 의 유지면 (11) 에 흡인 유지되고, 환상 볼록부 (215) 가 환상 볼록부 지지부 (15) 의 환상 지지면 (16) 에 흡인 유지되기 때문에, 환상 볼록부 (215) 를 절삭하여 분쇄할 때에, 환상 볼록부 (215) 의 위치 어긋남을 억제할 수 있어, 환상 볼록부 (215) 전체를 절삭, 분쇄할 수 있다.Further, in the processing method according to the embodiment, in the annular convex portion removing step 1005 , the wafer 200 is sucked and held by the holding surface 11 of the holding portion 14 , and the annular convex portion 215 is formed by the annular convex portion 215 . Since the annular support surface 16 of the auxiliary support part 15 is held by suction, when the annular convex part 215 is cut and pulverized, the displacement of the annular convex part 215 can be suppressed, and the annular convex part 215 can be suppressed. 215) The whole can be cut and pulverized.

또한, 실시형태에 관련된 가공 방법은, 절단 스텝 (1004) 에서는, 절삭 블레이드 (21-1) 의 두께 방향의 일부가 유지면 (11) 상에 걸림과 함께 절삭 블레이드 (21-1) 의 두께 방향의 나머지가 유지면 (11) 의 외측으로 비어져 나온 상태로 웨이퍼 (200) 에 절입하기 때문에, 웨이퍼 (200) 로부터 환상 볼록부 (215) 를 분리할 수 있다.In the machining method according to the embodiment, in the cutting step 1004 , a part of the cutting blade 21-1 in the thickness direction is caught on the holding surface 11 and the cutting blade 21-1 in the thickness direction The annular convex portion 215 can be separated from the wafer 200 because the rest of the s is cut into the wafer 200 in a state protruding out of the holding surface 11 .

실시형태에 관련된 유지 테이블 (10) 은, 중앙 오목부 (210) 에 대응한 유지면 (11) 을 포함하는 유지부 (14) 와, 유지면 (11) 을 둘러싸고 유지면 (11) 보다 낮은 환상 지지면 (16) 을 포함하는 환상 볼록부 지지부 (15) 를 구비하고, 유지면 (11) 과 환상 지지면 (16) 의 높이의 차 (17) 는, 적어도 웨이퍼 (200) 의 중앙 오목부 (210) 의 깊이의 값 (217) 이상으로 형성되어 있기 때문에, 절삭 블레이드 (21-1) 로 환상 볼록부 (215) 를 유지면 (11) 에 흡인 유지한 웨이퍼 (200) 로부터 분리한 후, 환상 지지면 (16) 에 흡인 유지한 환상 볼록부 (215) 를 절삭 블레이드 (21-2) 로 절삭, 분쇄하여 시트 (221) 상으로부터 제거할 수 있다. 그 결과, 유지 테이블 (10) 은, 개개의 분할된 디바이스 (206) 의 생산 효율의 저하와 디바이스 (206) 의 손상을 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.The holding table 10 which concerns on embodiment surrounds the holding|maintenance part 14 containing the holding|maintenance surface 11 corresponding to the center recessed part 210, and the holding|maintenance surface 11, and is annular lower than the holding surface 11. The annular convex support portion 15 including the support surface 16 is provided, and the difference 17 between the heights of the holding surface 11 and the annular support surface 16 is at least a central recess of the wafer 200 ( 210), after separating the annular convex portion 215 from the wafer 200 that is held by the holding surface 11 by suction with the cutting blade 21-1, the annular The annular convex portion 215 held by suction on the support surface 16 can be removed from the sheet 221 by cutting and pulverizing it with a cutting blade 21-2. As a result, the holding table 10 exerts an effect that it is possible to suppress a decrease in the production efficiency of the individual divided devices 206 and damage to the devices 206 .

또한, 유지 테이블 (10) 은, 흡인원 (181) 에 밸브 (182) 를 통해 접속된 환상 포러스 부재 (141) 의 세공 (142) 을 유지면 (11) 에 형성하고, 밸브 (192) 를 통해 흡인원 (191) 에 접속된 지지면 흡인홈 (151) 을 환상 지지면 (16) 에 형성하고 있기 때문에, 유지면 (11) 에 웨이퍼 (200) 를 흡인 유지할 수 있고, 환상 지지면 (16) 에 환상 볼록부 (215) 를 흡인 유지할 수 있다.In addition, the holding table 10 forms, in the holding surface 11, the pores 142 of the annular porous member 141 connected to the suction source 181 via the valve 182, through the valve 192. Since the support surface suction groove 151 connected to the suction source 191 is formed in the annular support surface 16 , the wafer 200 can be sucked and held on the holding surface 11 , and the annular support surface 16 . The annular convex portion 215 can be held by suction.

〔변형예〕[Modified example]

본 발명의 실시형태의 변형예에 관련된 가공 방법을 도면을 참조하여 설명한다. 도 13 은, 실시형태의 변형예에 관련된 가공 방법의 절단 스텝을 나타내는 단면도이다. 도 14 는, 실시형태의 변형예에 관련된 가공 방법의 환상 볼록부 제거 스텝에 있어서 환상 볼록부를 환상 지지면에 흡인 유지한 상태를 나타내는 단면도이다. 도 15 는, 실시형태의 변형예에 관련된 가공 방법의 환상 볼록부 제거 스텝에 있어서 절삭 블레이드를 환상 볼록부에 절입시키고 있는 상태를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 13, 도 14 및 도 15 에 있어서, 금속막 (216) 을 생략하고, 실시형태와 동일 부분에 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다.The processing method which concerns on the modification of embodiment of this invention is demonstrated with reference to drawings. 13 : is sectional drawing which shows the cutting step of the processing method which concerns on the modification of embodiment. 14 is a cross-sectional view showing a state in which the annular convex part is sucked and held by the annular support surface in the annular convex part removal step of the processing method according to the modification of the embodiment. It is sectional drawing which shows the state in which the cutting blade is cut into the annular convex part in the annular-convex part removal step of the processing method which concerns on the modified example of embodiment. 13, 14, and 15, the metal film 216 is abbreviate|omitted, the same code|symbol is attached|subjected to embodiment and the same part, and description is abbreviate|omitted.

변형예에 관련된 가공 방법은, 절단 스텝 (1004) 에서는, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 절삭 블레이드 (21-1) 의 두께 방향의 전체가 유지면 (11) 상에 걸리는 (위치되는) 상태로 웨이퍼 (200) 에 절입하여, 웨이퍼 (200) 의 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 외측 가장자리부를 절단하여, 웨이퍼 (200) 로부터 환상 볼록부 (215) 를 분리한다.In the machining method according to the modified example, in the cutting step 1004 , as shown in FIG. 13 , the entire thickness direction of the cutting blade 21-1 is caught (positioned) on the holding surface 11 on the wafer By cutting at 200 , the outer edge of the second circular concave portion 212 of the central concave portion 210 of the wafer 200 is cut to separate the annular convex portion 215 from the wafer 200 .

또한, 변형예에 관련된 가공 방법은, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 절삭 장치 (1) 의 환상 지지면 (16) 에 시트 (221) 를 개재하여 웨이퍼 (200) 로부터 분리된 환상 볼록부 (215) 를 흡인 유지함과 함께, 클램프부 (12) 로 환상 프레임 (220) 을 클램프하면, 도 14 에 나타낸 바와 같이, 환상 볼록부 (215) 에 이어진 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 외측 가장자리부가 시트 (221) 를 개재하여 유지면 (11) 상에 위치한다.In the processing method according to the modified example, in the annular convex part removal step 1005 , the annular convex part separated from the wafer 200 via the sheet 221 on the annular support surface 16 of the cutting device 1 . When the annular frame 220 is clamped with the clamping portion 12 while holding the 215 by suction, as shown in FIG. 14 , the second circular recess of the central recessed portion 210 connected to the annular convex portion 215 is shown in FIG. The outer edge of the portion 212 is positioned on the holding surface 11 with the sheet 221 interposed therebetween.

변형예에 관련된 가공 방법은, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 절삭 장치 (1) 가 절삭수를 절삭 블레이드 (21-2) 에 공급하고, 가공 내용 정보에 기초하여 이동 유닛 (40) 에 의해 절삭 유닛 (20-2) 과 유지 테이블 (10) 을 상대적으로 이동시켜, 도 15 에 점선으로 나타내는 바와 같이, 절삭 블레이드 (21-2) 를 유지면 (11) 상의 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 외측 가장자리부에 환상 지지면 (16) 상의 시트 (221) 에 도달할 때까지 절입시킴과 함께, 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 회전시킨 후, 도 15 에 실선으로 나타내는 바와 같이, 절삭 블레이드 (21-2) 를 환상 볼록부 (215) 의 내측 가장자리부에 환상 지지면 (16) 상의 시트 (221) 에 도달할 때까지 절입시킴과 함께, 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 회전시킨다.In the machining method according to the modified example, in the annular convex portion removing step 1005 , the cutting device 1 supplies cutting water to the cutting blades 21-2, and based on the machining content information, the cutting device 1 is fed to the moving unit 40 The cutting unit 20-2 and the holding table 10 are relatively moved by the After cutting the outer edge of the second circular concave portion 212 until it reaches the seat 221 on the annular support surface 16, the holding table 10 is rotated around the axis, As shown by the solid line, the cutting blade 21-2 is cut in the inner edge part of the annular convex part 215 until it reaches the seat 221 on the annular support surface 16, and the holding table 10 ) is rotated around the axis.

변형예에 관련된 가공 방법은, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 실시형태와 마찬가지로, 절삭 장치 (1) 가 절삭 블레이드 (21-2) 를 시트 (221) 에 도달할 때까지 유지면 (11) 상의 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 외측 가장자리부 또는 환상 볼록부 (215) 에 절입시키는 동작과, 절삭 유닛 (20) 을 Y 축 방향으로 이동시키는 동작을, 시트 (221) 상으로부터 환상 볼록부 (215) 전체가 절삭시켜 분쇄될 때까지 반복한다. 또한, 변형예에 관련된 가공 방법은, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 실시형태와 마찬가지로, 절삭 블레이드 (21-2) 를 환상 볼록부 (215) 의 내측 가장자리부에 환상 지지면 (16) 상의 시트 (221) 에 도달할 때까지 절입한 절삭 블레이드 (21-2) 를 Y 축 방향을 따라 환상 볼록부 (215) 의 외주측으로 이동시키면서 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 회전시켜, 환상 볼록부 (215) 전체를 절삭하여 분쇄해도 된다.In the machining method according to the modified example, in the annular convex portion removing step 1005 , the cutting device 1 moves the cutting blade 21-2 to the seat 221 in the same manner as in the embodiment, until the holding surface 11 ) of the central concave portion 210, an operation of cutting into the outer edge portion or annular convex portion 215 of the second circular concave portion 212, and an operation of moving the cutting unit 20 in the Y-axis direction, This is repeated until the entire annular convex portion 215 is cut from the top (221) and pulverized. Further, in the processing method according to the modification, in the annular convex portion removing step 1005 , the cutting blade 21 - 2 is attached to the inner edge of the annular convex portion 215 , the annular support surface 16 , similarly to the embodiment. The holding table 10 is rotated around the axis while the cutting blade 21-2 cut in until it reaches the upper sheet 221 is moved to the outer peripheral side of the annular convex portion 215 along the Y-axis direction, The entire portion 215 may be cut and pulverized.

또한, 변형예에 관련된 가공 방법은, 절단 스텝 (1004) 및 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에서는, 실시형태와 마찬가지로, 소위 초퍼 컷에 의해 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 외측 가장자리부를 절단, 또는 환상 볼록부 (215) 를 절삭, 분쇄한다. 그러나, 본 발명에서는, 절삭 장치 (1) 가 절삭 유닛 (20-2) 의 절삭 블레이드 (21-2) 의 하단을 시트 (221) 에 절입하는 높이이고 또한 유지 테이블 (10) 에 유지된 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 외측 가장자리부, 또는 환상 볼록부 (215) 와 X 축 방향으로 나열되는 위치에 위치시킨 후, 유지 테이블 (10) 을 X 축 방향을 따라 절삭 블레이드 (21-2) 에 근접하는 방향으로 이동시켜, 절삭 블레이드 (21-2) 가 시트 (221) 에 절입될 때까지 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 외측 가장자리부 또는 환상 볼록부 (215) 에 절입시키고, 회전 이동 유닛 (44) 에 의해 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 적어도 1 회전시켜, 중앙 오목부 (210) 의 제 2 원형 오목부 (212) 의 외측 가장자리부를 절단, 또는 환상 볼록부 (215) 를 절삭하여 분쇄해도 된다.Moreover, in the processing method which concerns on a modification, in the cutting step 1004 and the annular convex part removal step 1005, the 2nd circular recessed part 212 of the center recessed part 210 by a so-called chopper cut similarly to embodiment. ), cut off the outer edge, or cut and pulverize the annular convex portion 215 . However, in the present invention, the cutting device 1 is the height at which the lower end of the cutting blade 21-2 of the cutting unit 20-2 cuts into the seat 221, and the center held by the holding table 10 After positioning the outer edge of the second circular concave portion 212 of the concave portion 210, or a position aligned with the annular convex portion 215 in the X-axis direction, the holding table 10 is moved along the X-axis direction. The outer edge of the second circular recessed portion 212 of the central recessed portion 210 is moved in a direction close to the cutting blade 21-2, until the cutting blade 21-2 is cut into the seat 221. The second circular recessed part 212 of the central recessed part 210 is cut in the negative or annular convex part 215, and the holding table 10 is rotated at least one axial center by the rotational movement unit 44. The outer edge portion may be cut or the annular convex portion 215 may be cut and pulverized.

변형예에 관련된 가공 방법은, 절단 스텝 (1004) 에 있어서 절삭 블레이드 (21-1) 로 환상 볼록부 (215) 를 웨이퍼 (200) 로부터 분리한 후, 환상 볼록부 제거 스텝 (1005) 에 있어서 환상 볼록부 (215) 를 절삭 블레이드 (21-2) 로 절삭하여 분쇄함으로써 시트 (221) 상으로부터 제거하기 때문에, 실시형태와 마찬가지로, 개개의 분할된 디바이스 (206) 의 생산 효율의 저하와 디바이스 (206) 의 손상을 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.In the processing method according to the modified example, after the annular convex portion 215 is separated from the wafer 200 with the cutting blade 21-1 in the cutting step 1004, the annular convex portion removing step 1005 is performed. Since the convex portion 215 is removed from the sheet 221 by cutting it with a cutting blade 21-2 and pulverizing it, as in the embodiment, a decrease in the production efficiency of the individual divided devices 206 and the devices 206 ) has the effect of inhibiting the damage of

또한, 본 발명은, 상기 실시형태 및 변형예에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.In addition, this invention is not limited to the said embodiment and a modified example. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

10 : 유지 테이블
11 : 유지면
14 : 유지부
15 : 환상 볼록부 지지부
16 : 환상 지지면
17 : 높이의 차
18 : 유지면 흡인로
19 : 지지면 흡인로
21-1, 21-2 : 절삭 블레이드
142 : 세공 (유지면 흡인공)
151 : 지지면 흡인홈 (지지면 흡인공)
181, 191 : 흡인원
182, 192 : 밸브
200 : 웨이퍼
207 : 이면
210 : 중앙 오목부
214 : 바닥면
215 : 환상 볼록부
217 : 깊이의 값
221 : 시트
1001 : 준비 스텝
1002 : 시트 배치 형성 스텝
1003 : 유지 스텝
1004 : 절단 스텝
1005 : 환상 볼록부 제거 스텝10: holding table
11: holding surface
14: holding part
15: annular convex support part
16: annular support surface
17: height difference
18: holding surface suction path
19: support surface suction path
21-1, 21-2: cutting blades
142: fine hole (maintenance surface suction hole)
151: support surface suction groove (support surface suction hole)
181, 191: suction source
182, 192: valve
200: wafer
207: back side
210: central recess
214: bottom
215: annular convex part
217 : value of depth
221: sheet
1001: preparation step
1002: sheet arrangement forming step
1003: maintenance step
1004: cutting step
1005: annular convex part removal step

Claims (5)

이면에 중앙 오목부가 형성됨과 함께 그 중앙 오목부를 둘러싼 환상 볼록부를 갖는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
그 중앙 오목부에 대응한 유지면을 갖는 유지부와, 그 유지면을 둘러싸고 그 유지면보다 낮은 환상 지지면을 갖는 환상 볼록부 지지부를 포함하고, 그 유지면과 그 환상 지지면의 높이의 차는, 적어도 웨이퍼의 그 환상 볼록부의 상면으로부터 그 중앙 오목부의 바닥면에 이르는 그 중앙 오목부의 깊이의 값 이상으로 형성된 유지 테이블을 준비하는 준비 스텝과,
웨이퍼의 이면에 시트를 배치 형성하는 시트 배치 형성 스텝과,
그 시트를 개재하여 그 유지 테이블에서 웨이퍼의 이면측을 유지하는 유지 스텝과,
그 유지부 상에서 절삭 블레이드를 그 시트에 이르기까지 웨이퍼에 절입시키고, 그 유지 테이블을 그 절삭 블레이드에 대해 상대 이동시켜 웨이퍼의 그 환상 볼록부를 웨이퍼로부터 분리하는 절단 스텝과,
그 절단 스텝에서 웨이퍼로부터 분리되어 그 환상 볼록부 지지부로 지지된 그 환상 볼록부를 절삭 블레이드로 절삭하여 분쇄하고, 그 환상 볼록부를 그 시트 상으로부터 제거하는 환상 볼록부 제거 스텝을 구비한, 웨이퍼의 가공 방법.A method of processing a wafer having a central concave portion formed on the back surface and an annular convex portion surrounding the central concave portion, comprising:
a holding part having a holding surface corresponding to the central recessed part, and an annular convex part supporting part surrounding the holding surface and having an annular supporting surface lower than the holding surface, wherein the difference between the height of the holding surface and the annular supporting surface is a preparation step of preparing a holding table formed at least with a value of the depth of the central recess from the upper surface of the annular convex part of the wafer to the bottom surface of the central recess;
A sheet arrangement forming step of disposing and forming a sheet on the back surface of the wafer;
a holding step of holding the back side of the wafer on the holding table with the sheet interposed therebetween;
a cutting step of cutting the cutting blade into the wafer up to the sheet on the holding part, and moving the holding table relative to the cutting blade to separate the annular convex part of the wafer from the wafer;
A processing of a wafer comprising an annular convex portion removing step of removing the annular convex portion separated from the wafer in the cutting step and supported by the annular convex portion supporting portion by cutting with a cutting blade and pulverizing the annular convex portion supported by the annular convex portion supporting portion. Way. 제 1 항에 있어서,
그 유지 테이블은, 그 유지면에 유지면 흡인공을 가짐과 함께 일단이 그 유지면 흡인공에 연통되고 타단이 흡인원에 밸브를 통해 접속된 유지면 흡인로와, 그 환상 지지면에 지지면 흡인공을 가짐과 함께 일단이 그 지지면 흡인공에 연통되고 타단이 밸브를 통해 흡인원에 접속된 지지면 흡인로가 형성되고,
그 절단 스텝에서는 웨이퍼는 그 유지부를 개재하여 흡인 유지되고,
그 환상 볼록부 제거 스텝에서는 그 환상 볼록부가 그 환상 볼록부 지지부를 개재하여 흡인 유지되는, 웨이퍼의 가공 방법.The method of claim 1,
The holding table has a holding surface suction hole on its holding surface, a holding surface suction path having one end in communication with the holding surface suction hole and the other end connected to a suction source through a valve, and a supporting surface on the annular supporting surface. A support surface suction path having a suction hole and one end communicating with the support surface suction hole and the other end connected to the suction source through a valve is formed,
In the cutting step, the wafer is sucked and held through the holding part,
In the annular convex part removal step, the annular convex part is sucked and held through the annular convex part support part. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
그 절단 스텝에서는, 그 절삭 블레이드의 두께 방향의 일부가 그 유지면 상에 걸림과 함께 그 절삭 블레이드의 두께 방향의 나머지가 그 유지면의 외측으로 비어져 나온 상태로 웨이퍼에 절입하는, 웨이퍼의 가공 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
In the cutting step, a part of the cutting blade in the thickness direction is caught on the holding surface and the remainder of the cutting blade in the thickness direction is cut into the wafer in a state protruding out of the holding surface. processing method. 제 1 항에 기재된 웨이퍼의 가공 방법에 있어서 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블로서,
그 중앙 오목부에 대응한 유지면을 포함하는 유지부와,
그 유지면을 둘러싸고 그 유지면보다 낮은 환상 지지면을 포함하는 환상 볼록부 지지부를 구비하고,
그 유지면과 그 환상 지지면의 높이의 차는, 적어도 웨이퍼의 그 환상 볼록부의 상면으로부터 그 중앙 오목부의 바닥면에 이르는 그 중앙 오목부의 깊이의 값 이상으로 형성된, 유지 테이블.A holding table for holding a wafer in the method for processing a wafer according to claim 1, comprising:
a holding part including a holding surface corresponding to the central recessed part;
an annular convex support portion surrounding the holding surface and including an annular support surface lower than the holding surface;
A holding table, wherein a difference in height between the holding surface and the annular support surface is at least a value of a depth of the central recess from the upper surface of the annular convex part of the wafer to the bottom surface of the central recess. 제 4 항에 있어서,
그 유지면에 유지면 흡인공을 가짐과 함께 일단이 그 유지면 흡인공에 연통되고 타단이 흡인원에 밸브를 통해 접속된 유지면 흡인로와,
그 환상 지지면에 지지면 흡인공을 가짐과 함께 일단이 그 지지면 흡인공에 연통되고 타단이 밸브를 통해 흡인원에 접속된 지지면 흡인로가 형성된, 유지 테이블.5. The method of claim 4,
a holding surface suction path having a holding surface suction hole on the holding surface, one end communicating with the holding surface suction hole and the other end connected to the suction source through a valve;
A holding table having a support surface suction hole on its annular support surface, and a support surface suction path having one end in communication with the support surface suction hole and the other end connected to a suction source through a valve.
KR1020210043636A 2020-04-27 2021-04-02 Processing method of a wafer and holding table KR20210132598A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-078319 2020-04-27
JP2020078319A JP7430108B2 (en) 2020-04-27 2020-04-27 Processing method and holding table

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210132598A true KR20210132598A (en) 2021-11-04

Family

ID=78261052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210043636A KR20210132598A (en) 2020-04-27 2021-04-02 Processing method of a wafer and holding table

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7430108B2 (en)
KR (1) KR20210132598A (en)
CN (1) CN113643972A (en)
DE (1) DE102021204071B4 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114274387B (en) * 2022-01-06 2022-07-05 沈阳和研科技有限公司 Wafer ring removing machine
CN114582780B (en) * 2022-03-01 2022-12-23 江苏京创先进电子科技有限公司 Method and device for removing ring of Taiko wafer
CN114536215A (en) * 2022-04-27 2022-05-27 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 Ring taking device and method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019461A (en) 2005-04-27 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer and wafer
JP2014170822A (en) 2013-03-04 2014-09-18 Disco Abrasive Syst Ltd Annular protrusion part removing apparatus and method for processing wafer

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266352A (en) 2006-03-29 2007-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processing method
JP2010062375A (en) 2008-09-04 2010-03-18 Disco Abrasive Syst Ltd Method of processing wafer
JP2014003199A (en) 2012-06-20 2014-01-09 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer
JP6201400B2 (en) 2013-04-25 2017-09-27 富士電機株式会社 Suction plate for semiconductor wafer process
JP6417236B2 (en) 2015-02-26 2018-10-31 株式会社ディスコ Wafer dividing method and chuck table

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019461A (en) 2005-04-27 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer and wafer
JP2014170822A (en) 2013-03-04 2014-09-18 Disco Abrasive Syst Ltd Annular protrusion part removing apparatus and method for processing wafer

Also Published As

Publication number Publication date
DE102021204071A1 (en) 2021-10-28
JP2021174896A (en) 2021-11-01
CN113643972A (en) 2021-11-12
JP7430108B2 (en) 2024-02-09
DE102021204071B4 (en) 2023-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210132598A (en) Processing method of a wafer and holding table
JP5073962B2 (en) Wafer processing method
JP5081643B2 (en) Wafer processing method
KR101591109B1 (en) Wafer processing method
TWI719250B (en) Wafer processing method
JP2007059829A (en) Machining method of wafer, and pressure-sensitive adhesive tape used for the same
JP6622140B2 (en) Chuck table mechanism and transfer method
US20220324082A1 (en) Processing method of workpiece
TWI727089B (en) Wafer processing method and polishing device
KR20190003348A (en) Wafer processing method
JP7407561B2 (en) Wafer processing method
CN115246087A (en) Grinding method
JP7152882B2 (en) How to hold the workpiece unit
JP2021065991A (en) Method for grinding work-piece
JP6422804B2 (en) Wafer processing method
JP2022175315A (en) Cutting method for workpiece and cutting device therefor
US20220274224A1 (en) Grinding method for workpiece
JP7337449B2 (en) Method for manufacturing a dressing plate and method for dressing a cutting blade
JP2019029398A (en) Processing method of wafer
JP2022083700A (en) Wafer processing method
JP2022160953A (en) Processing method
JP2024073263A (en) Processing Equipment
JP2023104445A (en) Processing method of wafer
JP2021141263A (en) Processing method
JP2023171985A (en) Wafer grinding method