KR20210131736A - Substrate processing apparatus and heater used in the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복수의 기판을 일괄적으로 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for collectively processing a plurality of substrates.
반도체 소자 제조 공정에 이용되는 기판 처리 장치는 하나의 기판에 대하여 기판 처리 공정을 수행할 수 있는 매엽식 기판 처리 장치와 복수의 기판에 대하여 기판 처리 공정을 동시에 수행할 수 있는 배치식 기판 처리 장치가 있다. 매엽식 기판 처리 장치는 설비의 구성이 간단한 이점이 있으나, 대량 생산을 위해서는 배치식 기판 처리 장치가 더 적합하다.A substrate processing apparatus used in a semiconductor device manufacturing process includes a single-wafer substrate processing apparatus capable of performing a substrate processing process on one substrate and a batch type substrate processing apparatus capable of simultaneously performing a substrate processing process on a plurality of substrates. have. The single-wafer substrate processing apparatus has the advantage of a simple equipment configuration, but a batch-type substrate processing apparatus is more suitable for mass production.
일반적인 배치식 기판 처리 장치는 반응관 하부의 개구를 통해 복수 개의 기판을 적재하는 보트가 수용되고, 반응관 주위를 둘러싸고 있는 히터에 의해 기판이 가열된 후 기판 처리 공정이 수행된다.In a general batch type substrate processing apparatus, a boat for loading a plurality of substrates is accommodated through an opening at the bottom of the reaction tube, and the substrate processing process is performed after the substrate is heated by a heater surrounding the reaction tube.
그러나 이러한 배치식 기판 처리 장치는 보트 하부에서 열 손실이 발생되어 보트 로딩시 온도가 안정화되는데 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다. 또한, 보트 하부의 열 손실에 의해 반응관 내의 공정 가능 영역(flatzone)이 짧아지는 문제점이 있다.However, this batch type substrate processing apparatus has a problem in that heat loss occurs at the bottom of the boat, and it takes a lot of time to stabilize the temperature when loading the boat. In addition, there is a problem in that the processable area (flatzone) in the reaction tube is shortened due to heat loss at the bottom of the boat.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 보트 하부의 열 손실을 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 이러한 기판 처리 장치에 이용되는 히터를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been proposed to solve the problems of the related art, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of reducing heat loss in the lower part of a boat, and a heater used in the substrate processing apparatus.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시예는 판상이며, 상하를 관통하는 관통공이 형성되어 있는 히터 베이스; 상기 히터 베이스의 관통공에 삽입되며, 하부에 개구를 갖는 반응관; 상기 반응관의 개구를 개폐하는 캡 플랜지; 상기 캡 플랜지 상에 보트 지지부를 개재하여 지지되며, 상하 방향으로 간격을 두고 복수의 기판이 배치 가능한 보트; 상기 히터 베이스 상에 설치되어 지지되며, 상기 반응관을 둘러싸는 메인 히터; 및 상기 메인 히터 아래에 설치되어 상기 히터 베이스에 의해 지지되며, 상기 반응관의 하부를 둘러싸는 서브 히터;를 포함하며, 상기 서브 히터는, 상부와 하부가 개구된 원통 형태이며, 내주측의 둘레 방향을 따라 발열체 고정 홈이 형성되도록 홈부와 돌출부가 상하 방향을 따라 교대로 형성되는 발열체 고정부와, 상기 발열체 고정부와 일체로 형성되어 상기 발열체 고정부의 외주측을 둘러싸는 단열 바디를 포함하는 제1 단열부재와, 상기 제1 단열부재의 발열체 고정 홈에 설치되어 있는 발열체를 포함한다. One embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention for solving the above technical problem is a plate-shaped heater base having a through hole penetrating through the top and bottom; a reaction tube inserted into the through hole of the heater base and having an opening at the bottom; a cap flange for opening and closing the opening of the reaction tube; a boat supported on the cap flange with a boat support interposed therebetween, and in which a plurality of substrates can be disposed at intervals in the vertical direction; a main heater installed and supported on the heater base and surrounding the reaction tube; and a sub-heater installed under the main heater, supported by the heater base, and surrounding a lower portion of the reaction tube, wherein the sub-heater has a cylindrical shape with an upper part and a lower part open, and has an inner circumference A heating element fixing part in which grooves and protrusions are alternately formed along the vertical direction so that the heating element fixing groove is formed along the direction, and an insulating body formed integrally with the heating element fixing part to surround the outer periphery of the heating element fixing part It includes a first heat insulating member, and a heating element installed in the heating element fixing groove of the first heat insulating member.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터는, 상기 서브 히터의 외주면에 설치되어 상기 히터 베이스와 결합되는 복수의 체결부를 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, the sub-heater may further include a plurality of fastening parts installed on an outer circumferential surface of the sub-heater and coupled to the heater base.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터에는 상기 서브 히터의 측면을 관통하는 배기용 관통구가 형성되어 있으며, 상기 서브 히터의 배기용 관통구에 상기 반응관에 형성되어 있는 배기포트가 위치할 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, a through-hole for exhaust passing through a side surface of the sub-heater is formed in the sub-heater, and an exhaust through-hole of the sub-heater is formed in the reaction tube. An exhaust port may be located.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 발열체 고정 홈은 상기 배기용 관통구에 의해 일부가 끊긴 형상으로 형성될 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, the heating element fixing groove may be formed in a shape partially cut off by the exhaust through-hole.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 발열체 고정부에는 상하 방향을 따라 복수 개의 상기 발열체 고정 홈이 형성되고, 상기 복수의 발열체 고정 홈에 발열체가 각각 설치되며, 상기 서브 히터는, 상기 배기용 관통구 주변에 설치되어, 상기 복수의 발열체 중 상하 방향을 따라 인접한 2개의 발열체를 전기적으로 연결하는 연결 단자와, 상기 배기용 관통구 주변에 설치되어, 상기 복수의 발열체 중 최상단에 위치된 발열체와 최하단에 위치된 발열체에 전력을 공급하는 전력 공급 단자를 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, a plurality of the heating element fixing grooves are formed in the vertical direction in the heating element fixing part, the heating elements are respectively installed in the plurality of heating element fixing grooves, and the sub-heater is installed around the exhaust through-hole and electrically connects two heating elements adjacent to each other in the vertical direction among the plurality of heating elements; It may further include a power supply terminal for supplying power to the heating element and the heating element located at the bottom located in the.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 발열체 고정 홈이 3개 이상인 경우, 상기 서브 히터는 상기 연결 단자를 복수 개 구비하고, 상기 연결 단자는 상기 발열체 고정부의 내주 방향에 따라 상기 배기용 관통구를 사이에 두고 교대로 배치될 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, when there are three or more heating element fixing grooves, the sub-heater includes a plurality of connection terminals, and the connection terminals are located in the inner circumferential direction of the heating element fixing part. Accordingly, the exhaust through-holes may be alternately disposed therebetween.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 반응관의 외주면에 상기 서브 히터의 발열체가 노출될 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, the heating element of the sub-heater may be exposed on an outer circumferential surface of the reaction tube.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 단열부재는, SiO2와 Al2O3의 혼합물을 포함하여 이루어질 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, the first heat insulating member may include a mixture of SiO2 and Al2O3.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터는, 상기 제1 단열부재의 외주측 중 적어도 일부를 둘러싸는 제2 단열부재를 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, the sub-heater may further include a second heat insulating member surrounding at least a portion of an outer peripheral side of the first heat insulating member.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 단열부재는, SiO2와 Al2O3의 혼합물 또는 SiO2와 CaO의 혼합물을 포함하여 이루어질 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, the second heat insulating member may include a mixture of SiO2 and Al2O3 or a mixture of SiO2 and CaO.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터는, 상기 서브 히터의 외측에 설치된 케이스를 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, the sub-heater may further include a case installed outside the sub-heater.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 케이스는 상기 서브 히터의 외주면, 상기 단열 바디의 상면 및 상기 단열 바디의 하면을 감싸도록 설치될 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, the case may be installed to surround an outer circumferential surface of the sub-heater, an upper surface of the heat insulating body, and a lower surface of the heat insulating body.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터의 상부 외주부가 상기 히터 베이스의 내주부보다 내측에 위치할 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, the upper outer periphery of the sub-heater may be located inside the inner periphery of the heater base.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 메인 히터와 상기 서브 히터의 사이에는 제3 단열부재가 배치될 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, a third heat insulating member may be disposed between the main heater and the sub heater.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제3 단열부재는 상기 단열 바디 상에 배치될 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, the third heat insulating member may be disposed on the heat insulating body.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터는, 상기 제1 단열부재 내부에 매립되어 있는 온도 센서 포트와, 상기 온도 센서 포트 내에 위치하는 서브 히터 모니터링 온도 센서를 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, the sub-heater further includes a temperature sensor port embedded in the first heat insulating member, and a sub-heater monitoring temperature sensor located in the temperature sensor port. can do.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 온도 센서 포트의 일단은 상기 고정부의 돌출부에 위치할 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, one end of the temperature sensor port may be located on a protrusion of the fixing part.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일부 실시예들에 있어서, 상기 반응관 내부에 상기 서브 히터에 대응되는 위치에 배치되는 서브 히터 프로파일 온도 센서를 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention, a sub-heater profile temperature sensor disposed in the reaction tube at a position corresponding to the sub-heater may be further included.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 히터의 일 실시예는 판상이며 상하를 관통하는 관통공이 형성되어 있는 히터 베이스와, 상기 히터 베이스의 관통공에 삽입되며 하부에 개구를 갖는 반응관과, 상기 반응관의 개구를 개폐하는 캡 플랜지와, 상기 캡 플랜지 상에 보트 지지부를 개재하여 지지되며 상하 방향으로 간격을 두고 복수의 기판이 배치 가능한 보트와, 상기 히터 베이스 상에 설치되어 지지되며, 상기 반응관을 둘러싸는 메인 히터를 포함하는 기판 처리 장치에서, 상기 메인 히터 아래에 설치되어 상기 히터 베이스에 의해 지지되며 상기 반응관의 하부를 둘러싸는 서브 히터로, 상부와 하부가 개구된 원통 형태이며, 내주측의 둘레 방향을 따라 발열체 고정 홈이 형성되도록 홈부와 돌출부가 상하 방향을 따라 교대로 형성되는 발열체 고정부와, 상기 발열체 고정부와 일체로 형성되어 상기 발열체 고정부의 외주측을 둘러싸는 단열 바디를 포함하는 단열부재; 및 상기 단열부재의 발열체 고정 홈에 설치되어 있는 발열체;를 포함한다.In order to solve the above technical problem, an embodiment of a heater according to the present invention is a plate-shaped heater base having through-holes penetrating up and down, and a reaction tube inserted into the through-hole of the heater base and having an opening at the bottom and a cap flange that opens and closes the opening of the reaction tube, a boat supported on the cap flange with a boat support interposed therebetween and on which a plurality of substrates can be disposed at intervals in the vertical direction, and is installed and supported on the heater base. , in a substrate processing apparatus including a main heater surrounding the reaction tube, a sub-heater installed under the main heater, supported by the heater base, and surrounding a lower portion of the reaction tube, a cylinder having upper and lower openings a heating element fixing part in which grooves and protrusions are alternately formed along the vertical direction so that a heating element fixing groove is formed along the circumferential direction of the inner peripheral side, and the heating element fixing part formed integrally with the outer peripheral side of the heating element fixing part Insulation member comprising a surrounding heat insulating body; and a heating element installed in the heating element fixing groove of the heat insulating member.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 히터의 다른 실시예는 기판 처리 장치용 히터로, 상부와 하부가 개구된 원통 형태이며, 내주측의 둘레 방향을 따라 발열체 고정 홈이 형성되도록 홈부와 돌출부가 상하 방향을 따라 교대로 형성되는 발열체 고정부와, 상기 발열체 고정부와 일체로 형성되어 상기 발열체 고정부의 외주측을 둘러싸는 단열 바디를 포함하는 단열부재; 및 상기 단열부재의 발열체 고정 홈에 설치되어 있는 발열체;를 포함하며, 상기 히터에는 상기 히터의 측면을 관통하는 배기용 관통구가 형성되어 있다.Another embodiment of the heater according to the present invention for solving the above technical problem is a heater for a substrate processing apparatus, which has a cylindrical shape with an upper part and a lower part open, and has a groove portion such that a heating element fixing groove is formed along the circumferential direction of the inner periphery side. a heat insulating member comprising: a heating element fixing part in which the protrusions are alternately formed along a vertical direction; and a heating element installed in the heating element fixing groove of the heat insulating member, wherein the heater has a through hole for exhaust passing through the side surface of the heater.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 반응관 하부 영역에 메인 히터와 별도로 서브 히터를 구비하고 있어, 보트 하부에서 발생하는 열 손실을 감소시킬 수 있다. 이에 따라 반응관 내의 공정 가능 영역(flatzone)이 증가하고, 보트 로딩시 온도가 안정되는 시간이 감소하여 생산성이 증가하게 된다.The substrate processing apparatus according to the present invention includes a sub-heater separately from the main heater in the lower region of the reaction tube, so that heat loss occurring in the lower part of the boat can be reduced. Accordingly, the processable area (flatzone) in the reaction tube increases, and the time for temperature stabilization during loading of the boat is reduced, thereby increasing productivity.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 대한 일 실시예의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 이용되는 히터를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2b은 도 2a의 히터의 발열체 부분을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 구비되는 반응관 내의 공정 가능 영역을 나타낸 도면으로, 도 3(a)는 서브 히터가 없는 경우를 나타낸 도면이고, 도 3(b)는 서브 히터가 있는 경우를 나타낸 도면이다.
도 4는 서브 히터의 유무에 따라 보트를 로딩하여 온도가 안정화될 때까지의 온도 변화를 나타낸 도면이다.1 is a diagram schematically showing a cross section of an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
2A is a diagram schematically illustrating a heater used in a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2B is a view schematically illustrating a heating element portion of the heater of FIG. 2A .
3 is a view showing a processable area in a reaction tube provided in the substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 3(a) is a view showing a case without a sub-heater, and FIG. 3(b) is a view with a sub-heater. It is a diagram showing the case.
4 is a view showing the change in temperature until the temperature is stabilized by loading the boat according to the presence or absence of the sub-heater.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Examples of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows It is not limited to an Example. Rather, these examples are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art.
도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다.In the drawings, variations of the illustrated shape can be expected, for example depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as limited to the specific shape of the region shown herein, but should include, for example, changes in shape caused by manufacturing. The same symbols refer to the same elements from beginning to end. Furthermore, various elements and regions in the drawings are schematically drawn. Accordingly, the present invention is not limited by the relative size or spacing drawn in the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 대한 일 실시예의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2a는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 이용되는 히터를 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 2b는 히터의 발열체 부분을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a diagram schematically showing a cross section of an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention, FIG. 2a is a diagram schematically showing a heater used in a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2b is a heating element of the heater It is a diagram schematically showing a part.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 상하 방향으로 적재된 복수의 기판을 처리하는 장치로, 예컨대 기판 상에 실리콘 박막을 증착하는 장치일 수 있다. The substrate processing apparatus according to the present invention is an apparatus for processing a plurality of substrates stacked in a vertical direction, and may be, for example, an apparatus for depositing a silicon thin film on a substrate.
도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시예(100)는 반응관(110, 120), 캡 플랜지(150), 보트(140), 매니폴드(160), 히터 베이스(135), 메인 히터(130) 및 서브 히터(170)를 구비한다.1, 2A and 2B , an
반응관(110, 120)은 이너 튜브(120)와 아우터 튜브(110)로 구성되며, 석영 등의 내열성 재료를 포함하여 이루어질 수 있다. 아우터 튜브(110)는 하단이 개구된 원통 형상으로 형성되어 내부에 수용부가 형성된다. 이너 튜브(120)는 아우터 튜브(110)의 내부 수용부에 배치되며, 상단과 하단이 개구된 원통 형상으로 형성되어 내부에 보트(140)가 수용 가능하게 구성된다. 아우터 튜브(110)의 하부 측면에는 아우터 튜브(110) 내부를 배기하는 배기포트(111)가 형성되어 있으며, 배기포트(111)는 펌핑 능력이 구비된 펌프(미도시)와 연결된다.The
아우터 튜브(110)는 매니폴드(160)의 상면에 위치하며, 아우터 튜브(110)의 하단 외주측에 돌출된 아우터 튜브 돌출부(113)가 아우터 튜브 고정 플랜지(115)에 의해 고정되는 방식으로, 아우터 튜브(110)가 매니폴드(160) 상면에 고정된다. The
매니폴드(160)에는 이너 튜브 베이스 고정 플랜지(162)가 설치된다. 그리고 이너 튜브 베이스 고정 플랜지(162)에 고정된 이너 튜브 베이스(122)의 상면에는 이너 튜브(120)의 하단 외주측에 돌출된 이너 튜브 돌출부(125)가 위치하고 고정부재(미도시)에 의해 이너 튜브(120)가 고정된다.An inner tube
매니폴드(160)에는 이너 튜브(120)에 가스를 공급하기 위한 가스 공급 배관들(미도시)이 설치된다. 가스 공급 배관들은 이너 튜브(120) 내부에서 상부로 연장되는 가스 노즐(미도시)과 결합된다.Gas supply pipes (not shown) for supplying gas to the
반응관(110, 120)의 하방에는 반응관(110, 120)의 하부 개구를 개폐할 수 있는 원판 형상의 캡 플랜지(150)가 배치된다. 캡 플랜지(150)는 승강수단(미도시)에 연결되어 승강된다. 반응관(110, 120)의 하방에 배치된 캡 플랜지(150)가 상승하여, 반응관(110, 120) 하부에 배치되어 있는 매니폴드(160)와 밀폐됨으로써, 반응관(110, 120)의 하부 개구가 밀폐된다. 그리고 캡 플랜지(150)가 하강하여, 매니폴드(160)와 캡 플랜지(150)가 이격됨으로써, 반응관(110, 120)의 하부 개구가 개방된다. 캡 플랜지(150)의 상면에는 실링 부재(미도시)가 배치된다. 캡 플랜지(150)가 상승하여 매니폴드(160)와의 사이에서 밀폐될 때, 실링 부재는 캡 플랜지(150)와 매니폴드(160)와의 사이에 개재됨으로써 캡 플랜지(150)와 매니폴드(160)와의 사이를 밀폐한다.A disk-shaped
보트(140)는 캡 플랜지(150) 상에 배치되며, 보트(140)와 캡 플랜지(150) 사이에는 보트 지지부(145)가 개재된다. 보트 지지부(145)는 보트(140)를 지지하게 되며, 메인 히터(130)로부터의 반응관(110, 120) 내부로 전달된 열이 캡 플랜지(150) 측에 전달되기 어렵게 하는 구성 및 재료를 가진다.The
보트(140)는 상하 방향으로 간격을 두고 복수의 기판이 배치될 수 있도록 구성된다. 보트(140)는 복수의 기판을 지지하는 것이 가능하도록 복수의 슬롯들이 수직으로 나란히 형성된 구조의 상하 방향으로 긴 막대 형상의 지주(141)를 복수 개 구비하고 있다. 지주(141)는 예컨대 3개 구비될 수 있으며, 기판을 안정적으로 지지하기 위해 3개의 지주(141)외에 보조 지주(미도시)가 추가로 더 구비될 수 있다.The
보트 지지부(145)는 캡 플랜지(150)를 관통하여 설치된 회전축(155)에 의해 회전되며, 이에 따라 보트 지지부(145) 상에 위치하는 보트(140)가 회전하게 된다. 그리고 보트(140)가 회전함에 따라 보트(140)에 배치되는 기판도 회전하게 된다.The
히터 베이스(135)는 판상의 구조로 상하를 관통하는 관통공이 형성된다. 히터 베이스(135)의 관통공에는 반응관(110, 120)이 삽입된다. 반응관(110, 120)은 히터 베이스(135)의 하부로부터 삽입되며, 반응관(110, 120) 삽입 후에 히터 베이스(135)는 반응관(110, 120)의 하부에 위치하되, 배기포트(111)의 상방에 위치한다. The
메인 히터(130)는 히터 베이스(135) 상에 설치되어 지지되며, 아우터 튜브(110)를 둘러싸도록 설치되어, 보트(140)에 배치되는 기판을 가열한다. 메인 히터(130)는 단열 벽체와 단열 벽체의 내주면에 위치한 열선(미도시)으로 구성되며, 메인 히터(130)의 단열 벽체 내부에는 원통형의 공간을 갖는 냉각 유로(미도시)가 형성된다. 이 냉각 유로에는 급속 냉각을 위한 기체가 공급된다. 그리고 냉각 유로의 내측에 배치되는 단열 벽체와 냉각 유로의 외측에 배치되는 단열 벽체는 서로 다른 재질의 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 메인 히터(130)의 상부 즉, 반응관(110, 120)의 상방에 배치된 메인 히터(130) 부분에 천정 단열부와 천정 단열부 내에 배치되는 열선이 구비될 수 있다. 메인 히터(130)의 천정 단열부는 메인 히터(130)의 단열 벽체와 일체로 구성될 수도 있고, 아니면 판상 형태의 별도의 부재로 구성될 수도 있다.The
메인 히터(130)는 복수의 히터 유닛(130a 내지 130d)으로 구분되어, 각각의 히터 유닛(130a 내지 130d)에는 각각 별도의 전력이 공급된다. 본 실시예에서는 메인 히터(130)가 4개의 히터 유닛(130a 내지 130d)을 구비하는 것으로 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 메인 히터(130)는 3개, 5개, 6개 또는 그 이상 개수의 히터 유닛을 구비할 수 있다.The
각 히터 유닛(130a 내지 130d) 내부에는 각각 히터 유닛(130a 내지 130d) 내부의 온도를 검출하는 모니터링 온도 센서(131a 내지 131d)가 설치되어 있다. 또한, 이너 튜브(120) 내부에는 각각의 히터 유닛(130a 내지 130d)에 대응되는 위치의 기판에 근접한 온도를 검출하기 위한 프로파일 온도 센서(181a 내지 181d)가 설치될 수 있다. 프로파일 온도 센서(181a 내지 181d)는 이너 튜브(120)와 보트(140)의 사이에 각각 설치된다. 프로파일 온도 센서(181a 내지 181d)는 매니폴드(160)에 삽입되어 이너 튜브(120) 내부에 수직 방향으로 연장된 보호관(193) 내부에 배치된다.
각각의 히터 유닛(130a 내지 130d)에는 각각의 히터 유닛 제어부(미도시)가 전기적으로 접속되어 각각의 히터 유닛(130a 내지 130d)에 공급되는 전력을 개별로 제어한다.A respective heater unit controller (not shown) is electrically connected to each of the
서브 히터(170)는 메인 히터(130) 아래에 설치되어 히터 베이스(135)에 의해 지지되며, 아우터 튜브(110)의 하부를 둘러싸도록 설치된다. 즉, 서브 히터(170)는 상하 방향으로 볼 때 메인 히터(130)와 반응관(110, 120)의 개구 사이에 설치되어, 반응관(110, 120)의 하부를 가열함으로써, 보트(140) 하부에서 발생하는 열손실을 감소시킨다.The
서브 히터(170)의 상부 외주부는 히터 베이스(135)의 내주부보다 내측에 위치한다. 즉, 서브 히터(170)의 상부가 히터 베이스(135)와 아우터 튜브(110) 사이에 배치된다. 그리고 서브 히터(170)의 외주면에는 복수의 체결부(186)가 설치되고, 복수의 체결부(186)가 히터 베이스(135)와 결합됨으로써 서브 히터(170)가 히터 베이스(135)에 의해 지지된다.The upper outer periphery of the sub-heater 170 is located inside the inner periphery of the
또한, 서브 히터(170)에는 서브 히터(170)의 측면을 관통하는 배기용 관통구(179)가 형성되어 있고, 아우터 튜브(110)의 배기 포트(111)가 서브 히터(170)의 배기용 관통구(179)에 위치하게 되어, 서브 히터(170)는 배기 포트(111)가 형성되어 있는 위치에 설치될 수 있다. 배기용 관통구(179)는 도 2a에 도시된 바와 같이 하측이 개구된 반원 형상으로 형성되어 배기 포트(111)의 일부가 배기용 관통구(179)에 위치될 수 있다. 그러나 배기용 관통구(179)의 형상이 이에 한정되지는 않으며, 배기 포트(111)의 형상, 크기 및 서브 히터(170)의 설치 위치에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다.In addition, the sub-heater 170 has an exhaust through-
서브 히터(170)는 제1 단열부재(171), 제2 단열부재(174) 및 발열체(172)를 구비한다. The sub-heater 170 includes a first
제1 단열부재(171)는 상부와 하부가 개구된 원통 형태로 내측으로부터 발열체 고정부(175)와 단열 바디(176)로 구성된다. 발열체 고정부(175)는 내주측의 둘레 방향을 따라 발열체 고정 홈(177)이 형성되도록 홈부(175a)와 돌출부(175b)가 상하 방향을 따라 교대로 형성된다. 상술한 바와 같이 서브 히터(170)의 측면에는 배기용 관통구(179)가 형성되어 있어, 홈부(175a)와 돌출부(175b)가 배기용 관통구(177)에 의해 일부가 끊긴 형상으로 형성되며, 이에 따라 발열체 고정 홈(177)도 배기용 관통구(179)에 의해 일부가 끊긴 형상으로 형성된다.The first
발열체 고정부(175)에는 상하 방향을 따라 복수 개의 발열체 고정 홈(177)이 형성된다. 본 실시예에서는 발열체 고정 홈(177)이 4개 형성된 경우에 대해 도시하고 설명하였으나 이에 한정되지 않으며, 발열체 고정 홈(177)은 3개, 5개, 6개 또는 그 이상 형성될 수 있다. 본 실시예서는 4개의 홈부(175a)와 5개의 돌출부(175b)가 상하 방향으로 교대로 형성됨으로써, 4개의 발열체 고정 홈(177)이 형성된다.A plurality of heating
단열 바디(176)는 제1 단열부재(171)의 몸체를 이루는 것으로, 발열체 고정부(175)와 일체로 형성되어 발열체 고정부(175)의 외주측을 둘러싸도록 형성된다.The
제1 단열부재(171)는 단열과 발열체를 고정하기 위한 것으로, 제1 단열부재(171)는 500℃ 이상의 온도에서 내열성을 갖는 물질로 이루어지며, Al2O3와 SiO2의 혼합물을 포함하여 이루어질 수 있다. 제1 단열부재(171)를 이루는 Al2O3와 SiO2 혼합물은 Al2O3는 30~40%, SiO2 60~70% 정도의 비중으로 혼합된 물질이 이용될 수 있다.The first
발열체(172)는 제1 단열부재(171)의 발열체 고정 홈(177)에 설치되며, 발열체 고정핀(178)에 의해 고정된다. 발열체(172)는 전류가 흐를 때 열을 발산하는 것으로, 형상이나 재질이 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 발열체(172)는 직선형, 사형(蛇形), 'ㄷ'자형, 'ㄹ'자형 등의 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 발열체(172)는 Fe-Cr-Al계 저항 발열체가 이용될 수 있다. 발열체(172)를 이루는 Fe-Cr-Al계 저항 발열체는 20~23%의 Cr, 5~6%의 Al, 70~74%의 Fe 및 1% 내외의 기타 첨가물로 이루어질 수 있다. The
메인 히터(130)는 서브 히터(170)의 발열체(172)와 동일한 물질로 발열체가 구성될 수 있으며, 메인 히터(130)의 발열체를 고정하는 단열부재도 서브 히터(170)의 제1 단열부재(171)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그러나 상술한 바와 같이 메인 히터(130)의 경우 메인 히터(130)의 단열 벽체 내에 냉각 유로가 형성되어 있는 반면, 서브 히터(170)의 내부에는 별도의 냉각 유로가 형성되지 않는 차이점이 있다.The
발열체(172)에서 발산하는 열은 복사 방식으로 아우터 튜브(110)에 열 전달될 수 있도록, 아우터 튜브(110)의 외주면에 발열체(172)가 노출된다. 즉, 아우터 튜브(110)의 외주면과 발열체(172) 사이에는 별도의 부재가 개재되지 않으며, 발열체(172)와 아우트 튜브(110)는 소정의 간격으로 이격되어 설치된다.The
본 실시예의 경우, 발열체 고정부(175)에는 4개의 발열체 고정 홈(177)이 형성되고, 4개의 발열체 고정 홈(177) 각각에 발열체(172a 내지 172d)가 설치된다. 4개의 발열체(172a 내지 172d)는 연결 단자(182)에 의해 전기적으로 연결되어 일방향으로 전류가 흐를 수 있도록 구성되며, 전력 공급 단자(183)가 양 끝단에 설치됨으로써 발열체(172)는 전력을 공급받는다.In the present embodiment, four heating
연결 단자(182)는 상하 방향을 따라 인접한 2개의 발열체를 전기적으로 연결하는 것으로, 예컨대, 최상단에 위치한 제1 발열체(172a)의 일단과 제1 발열체(172a)의 바로 아래에 위치한 제2 발열체(172b)의 일단이 제1 연결 단자(182a)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고 제2 발열체(172b)의 타단과 제2 발열체(172b)의 바로 아래에 위치한 제3 발열체(172c)의 일단이 제2 연결 단자(182b)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고 제3 발열체(172c)의 타단과 제3 발열체(172c)의 바로 아래에 위치한 제4 발열체(172d)의 일단이 제3 연결 단자(182c)에 의해 전기적으로 연결된다. 이때 연결 단자(182a 내지 182c)는 도 2b에 도시된 바와 같이, 발열체 고정부(175)의 내주 방향에 따라 배기용 관통구(179)를 사이에 두고 교대로 배치된다. 즉, 제1 연결 단자(182a)가 배기용 관통구(179)의 좌측에 배치된다면, 제2 연결 단자(182b)는 배기용 관통구(179)의 우측에 배치되고, 제3 연결 단자(182c)는 배기용 관통구(179)의 좌측에 배치된다. 그리고 4개의 발열체(172a 내지 172d) 중 최상단에 위치한 제1 발열체(172a)의 타단과 최하단에 위치한 제4 발열체(172d)의 타단에는 전력 공급 단자(183)가 설치되어 발열체(172)에 전력이 공급된다.The connection terminal 182 electrically connects two adjacent heating elements in the vertical direction, for example, one end of the
제2 단열부재(174)는 제1 단열부재(171)의 외주측 중 적어도 일부를 둘러싸도록 설치되어, 서브 히터(170)의 단열 기능을 보강한다. 제2 단열부재(174)는 500℃ 이상의 온도에서 내열성을 갖는 플렉서블(flexible) 단열재로, Al2O3와 SiO2의 혼합물 또는 SiO2와 CaO의 혼합물을 포함하여 이루어질 수 있다. The second
서브 히터(170)의 외측에는 케이스(187)가 설치된다. 케이스(187)는 스테인레스 스틸(stainless steel)과 같은 재질로 이루어지며, 서브 히터(170)의 외주면과 단열 바디(176)의 상면 및 하면을 감싸도록 설치된다. 케이스(187)는 발열체 고정부(175)의 상면에는 설치되지 않는다.A
서브 히터(170)의 상부에는 제3 단열부재(191)가 설치된다. 제3 단열부재(191)는 보온천 형태로 메인 히터(130)와 서브 히터(170)의 단열 바디(176) 사이에 배치된다.A third
서브 히터(170)에는 서브 히터(170)의 내부의 온도를 검출하는 서브 히터 모니터링 온도 센서(189)가 설치된다. 서브 히터 모니터링 온도 센서(189)를 설치하기 위해, 제1 단열부재(171), 제2 단열부재(174) 및 케이스(187)를 관통하는 온도 센서 포트(188)가 매립되며, 온도 센서 포트(188) 내부에 서브 히터 모니터링 온도 센서(189)가 위치한다. 이때 온도 센서 포트(188)는 서브 히터(170)의 상하 방향의 중앙 부분에 설치되며, 예컨대 복수의 돌출부(175b) 중 상하 방향에서 가운데에 위치한 돌출부(175b)에 온도 센서 포트(188)의 일단이 배치될 수 있다. 그리고 서브 히터(170)의 위치에 대응되는 이너 튜브(120) 내의 온도를 검출하는 서브 히터 프로파일 온도 센서(185)가 이너 튜브(120)와 보트 지지부(145) 사이에 설치된다. 서브 히터 프로파일 온도 센서(185)는 매니폴드(160)에 삽입되어 이너 튜브(120) 내부에 수직 방향으로 연장된 보호관(193) 내부에 배치된다. 이 보호관(193)은 프로파일 온도 센서(181a 내지 181d)가 배치되는 보호관(193)과 동일할 수 있다.A sub-heater
서브 히터(170)는 서브 히터(170)의 전력 공급 단자(183)를 통해 메인 히터(130)와 별도로 전력이 공급되며, 서브 히터(170)와 연결된 서브 히터 제어부(미도시)를 통해 서브 히터(170)에 공급되는 전력을 제어한다.The sub-heater 170 is supplied with power separately from the
이와 같은 서브 히터(170)가 구비되면, 보트(140) 하부로 열 손실이 발생하는 것을 감소시킬 수 있다. 종래에는 이러한 보트(140) 하부로의 열 손실을 감소시키기 위해 메인 히터(130) 하부에 히트 자켓(jacket)을 설치하였다. 그러나 히트 자켓은 발열온도가 300℃ 이하이고, 히트 자켓의 표면온도는 100℃ 이하이어서 열 손실을 감소시키는 것에 한계가 있었다.When such a sub-heater 170 is provided, it is possible to reduce heat loss to the lower portion of the
그러나 상기와 같이 본 발명에 구비된 서브 히터(170)를 설치하는 경우에는 발열 온도가 300℃ 이상이고, 500℃ 이상으로 가열하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 발명에 구비된 서브 히터(170)는 열 전도 방식이 아니라 복사 방식으로 열을 전달하므로, 열 전달이 빠르게 된다.However, when the sub-heater 170 provided in the present invention is installed as described above, the exothermic temperature is 300° C. or higher, and it is possible to heat to 500° C. or higher. In addition, since the sub-heater 170 provided in the present invention transfers heat in a radiation manner rather than a heat conduction method, heat transfer is fast.
이에 따라 본 발명에 구비된 서브 히터(170)를 설치하는 경우에는 반응관(110, 120) 내의 공정 가능 영역(flatzone)이 증가하여 보다 많은 기판을 한번에 처리할 수 있게 된다. 이를 도 3에 나타내었다. Accordingly, when the sub-heater 170 provided in the present invention is installed, the flatzone in the
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 구비되는 반응관 내의 공정 가능 영역을 나타낸 도면으로, 도 3(a)는 서브 히터가 없는 경우를 나타낸 도면이고, 도 3(b)는 서브 히터가 있는 경우를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a processable area in a reaction tube provided in the substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 3(a) is a view showing a case without a sub-heater, and FIG. 3(b) is a view with a sub-heater. It is a diagram showing the case.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시예(100)를 이용하여 기판 처리 공정을 수행할 때의 공정 온도를 Tp라 하고, 공정 가능 영역(flatzone)을 공정 온도인 Tp로부터 위아래로 소정의 범위를 갖는 온도 범위(Tp,min ~ Tp,max)를 갖는 영역으로 정의할 때, 본 발명에 따른 서브 히터(170)를 사용하지 않는 경우(도 3(a))와 본 발명에 따른 서브 히터(170)를 사용하는 경우(도 3(b))를 비교하면, 도 3에 나타낸 바와 같이 반응과(110, 120) 하부의 공정 가능 영역이 h 정도 증가하여, 서브 히터(170)를 사용하게 되면 공정 가능 영역이 상당히 증가한다는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 3 , a process temperature when a substrate processing process is performed using the
또한, 본 발명에 구비된 서브 히터(170)를 설치하는 경우에는 보트(140) 로딩(loading) 후에 공정 온도로 회복(recovery)되는 시간이 감소하여 전체 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 이를 도 4에 나타내었다.In addition, when the sub-heater 170 provided in the present invention is installed, the recovery time to the process temperature after loading the
도 4는 서브 히터의 유무에 따라 보트를 로딩하여 온도가 안정화될 때까지의 온도 변화를 나타낸 도면이다.4 is a view showing the change in temperature until the temperature is stabilized by loading the boat according to the presence or absence of the sub-heater.
도 4에 도시된 바와 같이, 공정 온도(Tp)로 반응관(110, 120) 내부가 유지되고 있는 상태에 보트(140)가 로딩되면, 보트(140) 및 보트(140)에 적재되어 있는 기판의 온도가 낮으므로, 반응관(110, 120) 내부의 온도가 감소하게 된다. 그리고 보트(140) 로딩이 완료되고 일정 시간이 경과하면 다시 공정 온도가 회복(recovery)되어 기판 처리 공정을 수행할 수 있게 된다. 이때, 본 발명에 구비된 서브 히터(170)가 설치되지 않은 경우에는 보트(140) 로딩 시 온도가 매우 많이 하강한 이후 회복하게 되는 반면, 본 발명에 구비된 서브 히터(170)가 설치된 경우에는 보트(140) 로딩 시 하강하는 온도 폭이 크게 감소하게 되는 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 4 , when the
그리고 본 발명에 구비된 서브 히터(170)가 설치되지 않은 경우에는 온도 하강 폭이 커서 그것을 회복하기 위해 오버슈트(overshoot)가 발생하게 됨에 반해, 본 발명에 구비된 서브 히터(170)가 설치된 경우에는 오버슈트 발생없이 빠른 시간 내에 공정 온도로 회복됨을 알 수 있다. 또한, 본 발명에 구비된 서브 히터(170)가 설치되지 않은 경우에는 보트(140) 로딩부터 공정 온도로 회복될 때까지 총 시간이 45분 정도 소요된 반면, 본 발명에 구비된 서브 히터(170)가 설치된 경우에는 보트(140) 로딩 부터 공정 온도로 회복될 때까지 총 시간이 33분 정도 소요되어 10분 이상 시간이 단축됨을 알 수 있다. 결국, 본 발명에 구비된 서브 히터(170)를 사용하는 경우에는 공정 시간이 매우 단축되고, 오버슈트 등이 발생하지 않아 전력 낭비가 없으며 공정의 안정성이 우수하다.And when the sub-heater 170 provided in the present invention is not installed, the temperature drop width is large and overshoot occurs to recover it, whereas when the sub-heater 170 provided in the present invention is installed It can be seen that the process temperature is quickly restored to the process temperature without overshoot. In addition, when the sub-heater 170 provided in the present invention is not installed, a total time from loading the
이상에서 본 발명의 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.Although the embodiments of the present invention have been illustrated and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and it is common in the technical field to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Anyone with knowledge can implement various modifications, of course, and such modifications are within the scope of the claims.
Claims (20)
상기 히터 베이스의 관통공에 삽입되며, 하부에 개구를 갖는 반응관;
상기 반응관의 개구를 개폐하는 캡 플랜지;
상기 캡 플랜지 상에 보트 지지부를 개재하여 지지되며, 상하 방향으로 간격을 두고 복수의 기판이 배치 가능한 보트;
상기 히터 베이스 상에 설치되어 지지되며, 상기 반응관을 둘러싸는 메인 히터; 및
상기 메인 히터 아래에 설치되어 상기 히터 베이스에 의해 지지되며, 상기 반응관의 하부를 둘러싸는 서브 히터;를 포함하며,
상기 서브 히터는,
상부와 하부가 개구된 원통 형태이며, 내주측의 둘레 방향을 따라 발열체 고정 홈이 형성되도록 홈부와 돌출부가 상하 방향을 따라 교대로 형성되는 발열체 고정부와, 상기 발열체 고정부와 일체로 형성되어 상기 발열체 고정부의 외주측을 둘러싸는 단열 바디를 포함하는 제1 단열부재와,
상기 제1 단열부재의 발열체 고정 홈에 설치되어 있는 발열체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.a plate-shaped heater base having a through hole penetrating through the top and bottom;
a reaction tube inserted into the through hole of the heater base and having an opening at the bottom;
a cap flange for opening and closing the opening of the reaction tube;
a boat supported on the cap flange with a boat support interposed therebetween, and in which a plurality of substrates can be disposed at intervals in the vertical direction;
a main heater installed and supported on the heater base and surrounding the reaction tube; and
a sub-heater installed under the main heater, supported by the heater base, and surrounding the lower part of the reaction tube;
The sub heater is
It has a cylindrical shape with an upper part and a lower part open, and a heating element fixing part in which grooves and protrusions are alternately formed along the vertical direction so that a heating element fixing groove is formed along the circumferential direction of the inner periphery; A first heat insulating member including a heat insulating body surrounding the outer peripheral side of the heating element fixing portion,
and a heating element installed in the heating element fixing groove of the first heat insulating member.
상기 서브 히터는,
상기 서브 히터의 외주면에 설치되어 상기 히터 베이스와 결합되는 복수의 체결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The sub heater is
and a plurality of fastening parts installed on an outer circumferential surface of the sub-heater and coupled to the heater base.
상기 서브 히터에는 상기 서브 히터의 측면을 관통하는 배기용 관통구가 형성되어 있으며,
상기 서브 히터의 배기용 관통구에 상기 반응관에 형성되어 있는 배기포트가 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The sub-heater has a through-hole for exhaust passing through the side surface of the sub-heater,
and an exhaust port formed in the reaction tube is positioned in a through-hole for exhaust of the sub-heater.
상기 발열체 고정 홈은 상기 배기용 관통구에 의해 일부가 끊긴 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the heating element fixing groove is partially cut off by the exhaust through-hole.
상기 발열체 고정부에는 상하 방향을 따라 복수 개의 상기 발열체 고정 홈이 형성되고,
상기 복수의 발열체 고정 홈에 발열체가 각각 설치되며,
상기 서브 히터는,
상기 배기용 관통구 주변에 설치되어, 상기 복수의 발열체 중 상하 방향을 따라 인접한 2개의 발열체를 전기적으로 연결하는 연결 단자와,
상기 배기용 관통구 주변에 설치되어, 상기 복수의 발열체 중 최상단에 위치된 발열체와 최하단에 위치된 발열체에 전력을 공급하는 전력 공급 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 5. The method of claim 4,
A plurality of the heating element fixing grooves are formed in the heating element fixing part in the vertical direction,
Heating elements are respectively installed in the plurality of heating element fixing grooves,
The sub heater is
a connection terminal installed around the exhaust through-hole to electrically connect two adjacent heating elements in a vertical direction among the plurality of heating elements;
and a power supply terminal installed around the exhaust through-hole and configured to supply power to a heating element located at an uppermost end and a heating element located at a lowermost stage among the plurality of heating elements.
상기 발열체 고정 홈이 3개 이상인 경우, 상기 서브 히터는 상기 연결 단자를 복수 개 구비하고,
상기 연결 단자는 상기 발열체 고정부의 내주 방향에 따라 상기 배기용 관통구를 사이에 두고 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
When the heating element fixing groove is three or more, the sub-heater has a plurality of connection terminals,
The substrate processing apparatus, characterized in that the connection terminals are alternately disposed along the inner circumferential direction of the heating element fixing part with the exhaust through-hole interposed therebetween.
상기 반응관의 외주면에 상기 서브 히터의 발열체가 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heating element of the sub-heater is exposed on an outer circumferential surface of the reaction tube.
상기 제1 단열부재는,
SiO2와 Al2O3의 혼합물을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The first heat insulating member,
A substrate processing apparatus comprising a mixture of SiO2 and Al2O3.
상기 서브 히터는,
상기 제1 단열부재의 외주측 중 적어도 일부를 둘러싸는 제2 단열부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The sub heater is
The substrate processing apparatus of claim 1, further comprising a second heat insulating member surrounding at least a portion of an outer peripheral side of the first heat insulating member.
상기 제2 단열부재는,
SiO2와 Al2O3의 혼합물 또는 SiO2와 CaO의 혼합물을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The second heat insulating member,
A substrate processing apparatus comprising a mixture of SiO2 and Al2O3 or a mixture of SiO2 and CaO.
상기 서브 히터는,
상기 서브 히터의 외측에 설치된 케이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The sub heater is
and a case installed outside the sub-heater.
상기 케이스는 상기 서브 히터의 외주면, 상기 단열 바디의 상면 및 상기 단열 바디의 하면을 감싸도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
and the case is installed to surround an outer circumferential surface of the sub-heater, an upper surface of the heat insulating body, and a lower surface of the heat insulating body.
상기 서브 히터의 상부 외주부가 상기 히터 베이스의 내주부보다 내측에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
An upper outer periphery of the sub-heater is positioned inside the inner periphery of the heater base.
상기 메인 히터와 상기 서브 히터의 사이에는 제3 단열부재가 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
A third heat insulating member is disposed between the main heater and the sub heater.
상기 제3 단열부재는 상기 단열 바디 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.15. The method of claim 14,
The third heat insulating member is a substrate processing apparatus, characterized in that disposed on the heat insulating body.
상기 서브 히터는,
상기 제1 단열부재 내부에 매립되어 있는 온도 센서 포트와,
상기 온도 센서 포트 내에 위치하는 서브 히터 모니터링 온도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The sub heater is
a temperature sensor port embedded in the first heat insulating member;
The substrate processing apparatus of claim 1, further comprising a sub-heater monitoring temperature sensor located in the temperature sensor port.
상기 온도 센서 포트의 일단은 상기 고정부의 돌출부에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.17. The method of claim 16,
One end of the temperature sensor port is a substrate processing apparatus, characterized in that located in the protrusion of the fixing part.
상기 반응관 내부에 상기 서브 히터에 대응되는 위치에 배치되는 서브 히터 프로파일 온도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
and a sub-heater profile temperature sensor disposed in the reaction tube at a position corresponding to the sub-heater.
상부와 하부가 개구된 원통 형태이며, 내주측의 둘레 방향을 따라 발열체 고정 홈이 형성되도록 홈부와 돌출부가 상하 방향을 따라 교대로 형성되는 발열체 고정부와, 상기 발열체 고정부와 일체로 형성되어 상기 발열체 고정부의 외주측을 둘러싸는 단열 바디를 포함하는 단열부재; 및
상기 단열부재의 발열체 고정 홈에 설치되어 있는 발열체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치용 히터.A heater base having a plate shape and having a through hole penetrating up and down, a reaction tube inserted into the through hole of the heater base and having an opening at the bottom, a cap flange opening and closing the opening of the reaction tube, and on the cap flange In a substrate processing apparatus comprising: a boat supported through a boat support part and capable of disposing a plurality of substrates at intervals in the vertical direction; and a main heater installed and supported on the heater base and surrounding the reaction tube, the main A sub-heater installed under the heater, supported by the heater base, and surrounding the lower part of the reaction tube,
It has a cylindrical shape with an upper part and a lower part open, and a heating element fixing part in which grooves and protrusions are alternately formed along the vertical direction so that a heating element fixing groove is formed along the circumferential direction of the inner periphery; a heat insulating member including a heat insulating body surrounding the outer periphery of the heating element fixing part; and
and a heating element installed in the heating element fixing groove of the heat insulating member.
상부와 하부가 개구된 원통 형태이며, 내주측의 둘레 방향을 따라 발열체 고정 홈이 형성되도록 홈부와 돌출부가 상하 방향을 따라 교대로 형성되는 발열체 고정부와, 상기 발열체 고정부와 일체로 형성되어 상기 발열체 고정부의 외주측을 둘러싸는 단열 바디를 포함하는 단열부재; 및
상기 단열부재의 발열체 고정 홈에 설치되어 있는 발열체;를 포함하며,
상기 히터에는 상기 히터의 측면을 관통하는 배기용 관통구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치용 히터.As a heater for a substrate processing apparatus,
It has a cylindrical shape with an upper part and a lower part open, and a heating element fixing part in which grooves and protrusions are alternately formed along the vertical direction so that a heating element fixing groove is formed along the circumferential direction of the inner periphery; a heat insulating member including a heat insulating body surrounding the outer periphery of the heating element fixing part; and
It includes; a heating element installed in the heating element fixing groove of the heat insulating member,
The heater for a substrate processing apparatus, characterized in that the heater is formed with a through hole for exhaust passing through the side surface of the heater.
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---|---|---|---|
KR1020200050207A KR20210131736A (en) | 2020-04-24 | 2020-04-24 | Substrate processing apparatus and heater used in the same |
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