KR20210126223A - 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 디바이스 웨이퍼와, 상기 디바이스 웨이퍼에 위치하는 디바이스와, 상기 디바이스 웨이퍼의 상부에서 상기 디바이스를 에워싸는 배리어와, 상기 디바이스의 상부측에서 배리어의 상면에 접착되어, 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 배리어와 함께 상기 디바이스가 위치하는 공간부를 정의하는 필름과, 상기 필름을 관통하여 상기 디바이스의 필러 전극에 본딩되는 전극배선을 포함한다.

Description

탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법{Wafer level package of acoustic wave filter and fabricating method of the same}

본 발명은 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 제조공정을 단순화하며 제조비용을 절감할 수 있는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

최근에는 표면 혹은 벌크 탄성파 필터를 소형화/박형화하기 위하여, 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package: WLP) 기술이 적용되고 있다.

가령, 탄성파 필터의 제조에 있어서, 기존의 웨이퍼 가공 후에 하나씩 칩을 잘라낸 후 패키징 하던 방식과 달리 웨이퍼 상태에서 한번에 패키지 공정 및 테스트를 진행한 후 칩을 절단하여 간단히 완제품을 만들어 내는 웨이퍼 레벨 패키지를 이용한 제조 방식이 많이 이용되고 있다.

따라서 웨이퍼 레벨 패키지는 웨이퍼 레벨에서, 즉 웨이퍼로부터 개별 칩을 분리하지 않은 상태에서 완전한 제품으로서의 패키지를 제조할 수 있다. 그리고 패키지를 제조하는데 사용되는 제조 설비나 제조 공정에 기존 웨이퍼 제조 설비, 공정들을 그대로 이용할 수 있다. 이러한 웨이퍼 레벨 패키지 공정은 웨이퍼 상태에서 패키지 공정을 진행하므로 개별 칩 단위로 패키징을 진행하던 기존 방식에 비해, 한 번의 패키징 공정으로 수백 내지 수천 개의 패키지를 생산할 수 있어, 제조 원가 및 투자비를 대폭 절감시킬 수 있다.

한편, RF 대역 통과 필터의 웨이퍼 레벨 패키지는 베이스와 캡에 의해 생성되는 공간 내부에 탄성파 필터가 배치되고, 기계적 진동을 이용하여 필터를 동작하므로, 공간 내부는 외부 환경으로부터 보호되어야 한다.

종래 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지는 일본등록특허 JP4567607호(2010년 8월 13일 등록, 웨이퍼 레벨 패키지 제조방법)에 기재된 바와 같이 실리콘으로 구성되는 제1웨이퍼와 제2웨이퍼를 포함한다.

제1웨이퍼는 디바이스가 제조되는 디바이스 웨이퍼이며, 제2웨이퍼는 디바이스를 밀봉하기 위한 캡 웨이퍼로 이용된다.

이처럼 디바이스 웨이퍼와 캡 웨이퍼를 사용하는 구조는 일반적이며, 특히 캡 웨이퍼에는 상기 디바이스 웨이퍼의 전극에 연결되는 콘택층이 형성되는 것이 보통이다.

한국등록특허 10-0631990호(2006년 9월 27일 등록, 표면탄성파 필터 패키지 및 그 제조방법)에도 하부웨이퍼에 다층의 배선을 형성한 구조가 기재되어 있다.

이처럼 종래에는 디바이스 웨이퍼와 캡 웨이퍼 두 장의 웨이퍼를 적층하되, 내측에 디바이스가 형성 및 동작될 수 있는 공간을 제공하기 때문에, 외부로 전극배선을 형성하기 위해서 디바이스 웨이퍼 또는 캡 웨이퍼 중 하나를 관통하는 관통전극 구조가 반드시 포함된다.

웨이퍼를 관통하여 전극을 형성하는 공정은 공정 시간이 많이 소요되며, 비용 또한 증가하게 되는 문제점이 있었다.

따라서 본 발명의 목적은 보다 간단한 구조와 제조방법의 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법을 제공함에 있다.

좀 더 구체적으로, 본 발명은 전극배선이 형성되는 캡 웨이퍼를 사용하지 않는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법을 제공함에 목적이 있다.

아울러 전극배선의 형성을 단순화할 수 있는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법을 제공함에 목적이 있다.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지는, 디바이스 웨이퍼와, 상기 디바이스 웨이퍼에 위치하는 디바이스와, 상기 디바이스 웨이퍼의 상부에서 상기 디바이스를 에워싸는 배리어와, 상기 디바이스의 상부측에서 배리어의 상면에 접착되어, 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 배리어와 함께 상기 디바이스가 위치하는 공간부를 정의하는 필름과, 상기 필름을 관통하여 상기 디바이스의 필러 전극에 본딩되는 전극배선을 포함한다.

본 발명의 실시예에서, 상기 디바이스는 제1전극과, 상기 제1전극의 상부에 위치하는 압전층과, 상기 압전층의 상부에 위치하는 제2전극과, 상기 제1전극과 제2전극에 각각 전기적으로 연결되는 상기 필러 전극을 포함할 수 있다

본 발명의 실시예에서, 상기 필러 전극의 높이는 상기 배리어의 높이와 동일하며, 상기 필름은 상기 필러 전극의 상부에도 점착될 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 상기 배리어는 금속재 또는 절연재이며, 상기 배리어가 절연재인 경우 상기 필러 전극의 외측면에 접할 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 상기 필름의 상부에 위치하는 몰딩층을 더 포함하고, 상기 전극배선은 상기 몰딩층의 상부측으로 노출된 것으로 한다.

본 발명의 실시예에서, 상기 필름의 상면 및 측면, 상기 필름의 측면, 상기 배리어의 측면, 상기 디바이스 웨이퍼의 측면과 저면에 위치하는 몰딩층을 더 포함하고, 상기 전극배선은 상기 필름의 상부측의 몰딩층 상부측으로 노출된 것일 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 상기 필름은, 아크릴계 점착 필름일 수 있다.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따른 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 제조방법은, a) 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼를 준비하는 단계와, b) 디바이스 웨이퍼 상에서 상기 디바이스를 에워싸는 배리어를 형성하는 단계와, c) 상기 배리어가 형성된 디바이스 웨이퍼의 상부에 필름을 점착하여, 배리어와 상기 디바이스 웨이퍼에 의해 정의되는 공간부를 형성하는 단계와, d) 와이어 본딩 공정을 통해 상기 필름을 관통하여 상기 디바이스에 포함되는 필러 전극에 본딩되는 전극배선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 상기 d) 단계는 상기 필름의 상부에 몰딩층을 형성한 이후에 수행하여, 상기 몰딩층의 상부에 상기 전극배선이 노출되도록 할 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 상기 필름은, 아크릴계 점착 필름인 것이다.

본 발명의 실시예에서, 상기 배리어는, 상기 필러 전극과 동시에 형성될 수 있다.

본 발명은 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼의 전면에 필름을 부착하여, 디바이스 형성영역을 밀폐함으로써, 캡 웨이퍼를 사용하지 않고도 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지를 구현할 수 있어 제조 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.

아울러 본 발명은 디바이스의 전극에 전기적으로 연결되는 전극배선을 필름을 관통하여 전극에 접하는 와이어로 대체함으로써, 제조공정 시간을 단축하고 제조 원가를 낮출 수 있는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지의 단면 구성도이다.
도 2 내지 도7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법의 수순 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지의 단면 구성도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해 질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려 주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.

탄성파 필터는 특정 주파수에서 에너지가 공진하는 장치를 의미한다. 주로 RF 신호에 대한 필터로 사용되지만, 그 밖에 발진기나 주파수 카운터 등에도 사용될 수 있다. 이러한 탄성파 필터는 벌크 탄성파 필터(BAW Filter: BulkAcoustic Wave Filter) 및 표면 탄성파 필터(SAW Filter: SurfaceAcoustic Wave Filter)를 포함할 수 있다. 본 발명에서, 탄성파 필터는 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전 효과를 일으키는 부분으로 정의한다. 다만, 탄성파 필터를 소형화/박형화하는데 벌크 탄성파 필터가 주로 사용되고, 이의 제조를 위하여 웨이퍼 레벨 패키지 기술이 적용되는 점에서, 본 발명은 편의상 도면에서 벌크 탄성파 필터를 예로 들어 설명하지만, 표면 탄성파 필터를 배제하는 것은 아니다.

이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지의 단면 구성도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지는, 캐비티(11)가 형성된 디바이스 웨이퍼(10)와, 상기 디바이스 웨이퍼의 캐비티(11)에 중앙부가 위치하는 센서 디바이스(20)와, 상기 센서 디바이스(20)의 측면 둘레부에 형성된 배리어(30)와, 상기 센서 디바이스(20)의 필러 전극(24)과 배리어(30)의 상부에 접착되어 상기 센서 디바이스(20) 사이에 공간부(70)가 형성되도록 밀폐하는 필름(40)과, 상기 필름(40)의 상부에 형성된 몰딩층(50)과, 상기 몰딩층(50)과 상기 필름(40)을 관통하여 상기 센서 디바이스(20)의 필러 전극(24)에 접촉되는 전극배선(60)을 포함하여 구성된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지의 구성과 작용에 대하여 보다 상세히 설명한다.

먼저, 디바이스 웨이퍼(10)는 실리콘 웨이퍼를 사용할 수 있으며 캐비티(11)의 상부에 제1전극(21), 압전층(22) 및 제2전극(23)을 포함하는 디바이스(20)가 형성되어 있다.

상기 디바이스(20)는 탄성파 필터일 수 있으며, MEMS 등 알려진 다양한 제조기술을 사용하여 캐비티(11) 상에 구현할 수 있다.

상기 디바이스(20)는 제1전극(21)과 제2전극(23) 각각에 전기적으로 접하는 필러(pillar) 전극(24)을 포함한다.

필러 전극(24)의 상면은 제2전극(23)의 상면에 비하여 더 높게 형성되어 있으며, 이후 공간부(70)를 형성할 수 있도록 한다.

상기 디바이스(20)는 압전효과를 이용하는 것으로, 공간 내에서 진동이 가능해야 하기 때문에 제1전극(21)의 하부에는 캐비티(11)를 형성하고, 제2전극(23)의 상부에는 공간부(70)를 형성해야 한다.

또한, 디바이스(20)는 밀폐되어 습기등 외부 영향으로부터 보호되어야 한다.

이와 같은 구조에서 디바이스 웨이퍼(10)의 상부 둘레에는 금속 또는 절연체 배리어(30)를 형성하여 상기 디바이스(20)를 보호한다.

이때 배리어(30)의 높이는 상기 필러 전극(24)의 높이와 동일한 높이가 되도록 한다.

이와 같은 구조는 도 1에 도시한 단일한 패키지에서 제조되는 것이 아니며, 웨이퍼 레벨에서 다수의 칩 구조가 동시에 제조될 수 있다.

상기 배리어(30)와 상기 필러 전극(24)에 점착 고정되는 필름(40)을 상기 웨이퍼 레벨의 디바이스 웨이퍼(10) 상면 전면측에 점착시킨다.

이때의 필름(40)은 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 필름을 사용할 수 있다. 필름(40)은 아크릴계 점착제층을 사용할 수 있으며, 라미네이터 등을 이용하여 상기 배리어(30)와 필러 전극(24)에 접하도록 상기 디바이스 웨이퍼(10)의 상부측에 고정할 수 있다.

그 다음, 상기 필름(40)의 상면에 몰딩층(50)을 형성하고, 전극배선(60)을 몰딩층(50)과 필름(40)을 관통하여 상기 필러 전극(24)에 본딩시킨다.

이때 전극배선(60)은 와이어이며, 필러 전극(24)에 와이어 본딩 방식으로 본딩할 수 있다.

이와 같은 본 발명의 구조는 캡 웨이퍼를 사용하지 않고, 필름(40)을 사용하기 때문에 제조원가를 줄일 수 있으며, 캡 웨이퍼에 상기 필러 전극(24)에 전기적으로 연결되는 전극배선(60)의 형성을 위한 비아홀의 형성과 금속 증착 및 패터닝 과정을 생략할 수 있어 제조 공정을 단순화하고 생산성을 높일 수 있다.

이하에서는 도 1을 참조하여 설명한 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지를 제공하는 제조방법에 대하여 좀 더 상세히 설명하기로 한다.

도 2 내지 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지의 제조공정 수순 단면도이다.

먼저, 도 2를 참조하면 디바이스(20)가 형성된 디바이스 웨이퍼(10)를 준비한다.

디바이스 웨이퍼(10)는 실리콘 웨이퍼를 사용할 수 있다.

본 발명은 웨이퍼 레벨에서 패키징이 이루어지는 것으로, 디바이스 웨이퍼(10)에는 MEMS 공정 등의 제조방법으로 제조된 디바이스(20)가 형성되어 있다.

디바이스(20)는 도 1에 도시한 바와 같이 제1전극(21), 압전층(22), 제2전극(23) 및 필러 전극(24)을 포함하는 것으로 하며, 상기 제1전극(21), 압전층(22), 제2전극(23)의 적층 구조 중앙 하부의 디바이스 웨이퍼(10)에는 캐비티(11)가 형성된 것으로 한다.

도 2의 디바이스 웨이퍼(10)에는 다수의 디바이스 웨이퍼(10)가 동시에 형성된 것을 도시하였다.

그 다음, 도 3에 도시한 바와 같이 상기 디바이스 웨이퍼(10) 상에 상기 디바이스(20)들을 각각 에워싸도록 배리어(30)를 형성한다. 상기 배리어(30)는 금속 또는 절연층을 증착하고 패터닝하여 형성할 수 있다.

상기 배리어(30)의 높이는 상기 디바이스(20a)를 이루는 필러 전극(24)의 높이와 동일하게 제조한다.

또한 배리어(30)를 금속재로 사용하는 경우 상기 디바이스(20) 제조공정에서 필러 전극(24)의 제조와 동시에 형성할 수 있다.

그 다음, 도 4에 도시한 바와 같이 도 3의 구조 전체에 필름(40)을 점착시킨다.

이때, 도 3에 도시한 구조의 상부에 필름(40)을 덮어 점착시킬 수도 있고, 필름(40)의 점착면이 상향에 위치하도록 평판상에 올려 놓은 뒤, 도 3의 구조에서 디바이스 웨이퍼(10)가 상부에 위치하도록 뒤집은 상태에서 상기 필름(40) 위에 올리고, 라미네이팅하여 점착할 수 있다.

그 다음, 도 5에 도시한 바와 같이 상기 필름(40)에 몰딩층(50)을 형성한다.

몰딩층(50)의 형성은 몰딩액에 필름(40)의 상부측을 침지 후 경화시키거나, 수지재를 도포하고 경화시켜 형성할 수 있다.

이와는 다르게 상기 필름(40)을 배리어(30)와 필러 전극(24)의 상면에 접하도록 점착하기 이전에 필름(40)의 상면에 몰딩층(50)을 미리 형성한 후, 몰딩층(50)이 상부에 형성된 필름(40)을 점착시킬 수 있다.

그 다음, 도 6에 도시한 바와 같이 와이어본딩 장비를 이용하는 본딩 공정으로, 금속 와이어를 상기 몰딩층(50)과 필름(40)을 관통시켜 상기 필러 전극(24)에 본딩함으로써 전극배선(60)을 형성한다.

이때 와이어본딩 장비의 성능에 따라 전체 전극배선을 형성하거나 부분적으로 전극배선을 형성할 수 있다.

그 다음, 도 6에 도시한 쏘잉 위치(S)에 맞춰 쏘잉 공정을 수행하여 하나 또는 복수의 디바이스(20)를 포함하는 칩을 형성한다.

이때 쏘잉 공정이 완료된 상태는 도 1에 도시한 구성과 같다.

그 다음, 도 7에 도시한 바와 같이 상기 몰딩층(50)의 측면과, 필름(40)의 측면, 배리어(30)의 측면 및 디바이스 웨이퍼(10)의 측면과 저면에 제1몰딩층(80)을 형성한다.

제1몰딩층(80)은 디바이스 웨이퍼(10)와 배리어(30)의 사이, 배리어(30)와 필름(40)의 사이로 수분이 유입되는 것을 방지하는 역할을 한다.

이와 같은 공정을 통해 캡 웨이퍼를 사용하지 않으면서 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지를 제조할 수 있다.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지의 단면 구성도이다.

도 8을 참조하면, 상기 배리어(30)가 절연층일 때에는 배리어(30)를 필러 전극(24)에서 이격시켜 형성하지 않고, 필러 전극(24)의 외측 측면에 접하도록 형성함으로써, 패키지의 크기를 줄일 수 있다.

이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

10:디바이스 웨이퍼 11:캐비티
20:디바이스 21:제1전극
22:압전층 23:제2전극
24:필러 전극 30:배리어
40:필름 50:몰딩층
60:전극배선 70:공간부
80:제1몰딩층

Claims (12)

1. 디바이스 웨이퍼;
   상기 디바이스 웨이퍼에 위치하는 디바이스;
   상기 디바이스 웨이퍼의 상부에서 상기 디바이스를 에워싸는 배리어;
   상기 디바이스의 상부측에서 배리어의 상면에 접착되어, 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 배리어와 함께 상기 디바이스가 위치하는 공간부를 정의하는 필름; 및
   상기 필름을 관통하여 상기 디바이스의 필러 전극에 본딩되는 전극배선을 포함하는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지.
2. 제1항에 있어서,
   상기 디바이스는,
   제1전극과, 상기 제1전극의 상부에 위치하는 압전층과, 상기 압전층의 상부에 위치하는 제2전극과, 상기 제1전극과 제2전극에 각각 전기적으로 연결되는 상기 필러 전극을 포함하는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 필러 전극의 높이는 상기 배리어의 높이와 동일하며,
   상기 필름은 상기 필러 전극의 상부에도 점착되는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지.
4. 제3항에 있어서,
   상기 배리어는 금속재 또는 절연재이며,
   상기 배리어가 절연재인 경우 상기 필러 전극의 외측면에 접하는 것을 특징으로 하는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지.
5. 제3항에 있어서,
   상기 필름의 상부에 위치하는 몰딩층을 더 포함하고,
   상기 전극배선은 상기 몰딩층의 상부측으로 노출된 것을 특징으로 하는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지.
6. 제3항에 있어서,
   상기 필름의 상면 및 측면, 상기 필름의 측면, 상기 배리어의 측면, 상기 디바이스 웨이퍼의 측면과 저면에 위치하는 몰딩층을 더 포함하고,
   상기 전극배선은 상기 필름의 상부측의 몰딩층 상부측으로 노출된 것을 특징으로 하는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지.
7. 제3항에 있어서,
   상기 필름은,
   아크릴계 점착 필름인 것을 특징으로 하는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지.
8. a) 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼를 준비하는 단계;
   b) 디바이스 웨이퍼 상에서 상기 디바이스를 에워싸는 배리어를 형성하는 단계;
   c) 상기 배리어가 형성된 디바이스 웨이퍼의 상부에 필름을 점착하여, 배리어와 상기 디바이스 웨이퍼에 의해 정의되는 공간부를 형성하는 단계; 및
   d) 와이어 본딩 공정을 통해 상기 필름을 관통하여 상기 디바이스에 포함되는 필러 전극에 본딩되는 전극배선을 형성하는 단계를 포함하는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법..
9. 제8항에 있어서,
   상기 d) 단계는 상기 필름의 상부에 몰딩층을 형성한 이후에 수행하여,
   상기 몰딩층의 상부에 상기 전극배선이 노출되도록 하는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법..
10. 제8항에 있어서,
    상기 필름은,
    아크릴계 점착 필름인 것을 특징으로 하는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법..
11. 제8항에 있어서,
    상기 배리어는,
    상기 필러 전극과 동시에 형성되는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법.
12. 제8항에 있어서,
    상기 배리어는,
    금속재인 경우 상기 필러 전극과 이격된 위치에 형성하고, 절연재인 상기 필러 전극과 접하도록 형성하는 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 제조 방법.

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