KR20210122307A - 희귀 확률적 결함들을 검출하기 위한 시스템 및 방법 - Google Patents

희귀 확률적 결함들을 검출하기 위한 시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210122307A
KR20210122307A KR1020217030014A KR20217030014A KR20210122307A KR 20210122307 A KR20210122307 A KR 20210122307A KR 1020217030014 A KR1020217030014 A KR 1020217030014A KR 20217030014 A KR20217030014 A KR 20217030014A KR 20210122307 A KR20210122307 A KR 20210122307A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
dense
rare stochastic
functional
defect
Prior art date
Application number
KR1020217030014A
Other languages
English (en)
Inventor
구이 코헨
Original Assignee
어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 filed Critical 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드
Publication of KR20210122307A publication Critical patent/KR20210122307A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/22Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/222Image processing arrangements associated with the tube
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24592Inspection and quality control of devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

희귀 확률적 결함을 검출하기 위한 방법으로서, 방법은, 기판의 조밀한 패턴에서 희귀 확률적 결함을 검색하는 단계 - 희귀 확률적 결함은 (a) 나노미터 규모이고, (b) 10-9 미만인 결함 밀도를 갖는 기판의 기능성 패턴에서 나타나고, (c) 10-7 초과인 결함 밀도를 갖는 조밀한 패턴에서 나타나며, 조밀한 패턴은 (a) 조밀한 패턴의 피처들 사이의 거리, 및 (b) 조밀한 패턴의 피처들의 폭 중 적어도 하나에 의해 기능성 패턴과 상이한 기능성 패턴의 조밀한 표현임 -; 및 검색 단계의 결과에 기초하여 기능성 패턴 내의 희귀 확률적 결함의 발생을 추정하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

희귀 확률적 결함들을 검출하기 위한 시스템 및 방법
관련 출원들에 대한 교차 참조
본 출원은 2019년 2월 25일자로 출원된 미국 가출원 번호 62/810,116의 이익을 주장하며, 상기 가출원의 전체 내용은 모든 목적들을 위해 참조로 본원에 포함된다.
극자외선(EUV) 리소그래피는 희귀 확률적 결함들을 생성한다. 기판당 오직 소수의 희귀 확률적 결함들만이 허용될 수 있다. 기판 당 허용된 희귀 확률적 결함들의 개수는 다양한 방식들로 그리고 다양한 엔티티들 - 예를 들어, 기판의 제조업자, 고객, 기판의 설계자 등 - 에 의해 정의될 수 있다.
비율 희귀 확률적 결함은 10-9를 초과하지 않는 결함 밀도를 가질 수 있다. 희귀 확률적 결함은 나노미터 규모이고(나노미터 치수들을 가짐), 절단부들, 라인들 사이의 원치 않는 브리지들, 누락된 도트들, 도트들 사이의 원치 않는 브리지들 등을 포함할 수 있다.
희귀 확률적 결함들은 나노미터 규모이고, 광학 툴들에 의해 검출되기에는 너무 작다. 희귀 확률적 결함들의 희귀한 성질은, 희귀 확률적 결함들을 검출하기 위해 하전 입자 빔 툴이 전체 기판을 주사할 것을 요구하는데, 그 이유는, 웨이퍼당 오직 소수의 희귀 확률적 결함들만이 존재할 것으로 예상되기 때문이다. 전체 기판의 주사는 시간 소모적이고 비실용적이다.
희귀 확률적 결함들을 검출하기 위한 효율적이고 빠르고 신뢰가능한 방법을 제공할 필요성이 커지고 있다.
본 발명으로서 간주되는 청구 대상이 상세히 기술되고, 본 명세서의 결론 부분에서 명확히 청구된다. 그러나, 본 발명은, 본 발명의 목적들, 피처들, 및 장점들과 함께, 작동의 방법 및 구성 양쪽 모두에 관하여, 첨부 도면들과 함께 읽을 때 이하의 상세한 설명을 참조하여 가장 잘 이해될 수 있으며, 첨부 도면들에서:
도 1은 기판의 예를 예시하고;
도 2는 상이한 유형들의 희귀 확률적 결함들을 예시하고;
도 3은 방법의 예를 예시하고;
도 4는 방법의 예를 예시하고;
도 5는 시스템의 예를 예시한다.
이하의 상세한 설명에서, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정한 세부 사항들이 열거된다. 그러나, 본 발명이 이러한 구체적인 세부 사항들 없이 실시될 수 있다는 점을 관련 기술분야의 통상의 기술자는 이해할 것이다. 다른 경우들에서, 잘 알려진 방법들, 절차들 및 구성요소들은 본 발명을 모호하게 하지 않기 위해 상세히 설명되지 않았다.
본 발명으로서 간주되는 청구 대상이 상세히 기술되고, 본 명세서의 결론 부분에서 명확히 청구된다. 그러나, 본 발명은, 본 발명의 목적들, 피처들, 및 장점들과 함께, 작동의 방법 및 구성 양쪽 모두에 관하여, 첨부 도면들과 함께 읽을 때 이하의 상세한 설명을 참조하여 가장 잘 이해될 수 있다.
예시의 간결함 및 명확성을 위해, 도면들에 도시된 요소들이 반드시 축척에 따라 도시된 것은 아님이 이해될 것이다. 예를 들어, 요소들 중 일부의 치수들은 명확성을 위해 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다. 추가로, 적절하다고 간주되는 경우에, 참조 번호들은 대응하는 또는 유사한 요소들을 나타내기 위해 도면들 사이에서 반복될 수 있다.
본 발명의 예시된 실시예들은 대부분 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 알려진 전자 구성요소들 및 회로들을 사용하여 구현될 수 있으므로, 본 발명의 근본 개념들의 이해 및 인식을 위해 그리고 본 발명의 교시들을 불명료하게 하거나 혼란시키지 않기 위해, 세부 사항들은, 위에서 예시된 바와 같이 필요한 것으로 고려되는 것보다 어떤 더 큰 범위로 설명되지는 않을 것이다.
방법에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는 방법을 실행할 수 있는 시스템에 준용하여 적용되어야 하고, 방법을 실행하기 위한 명령어들을 저장하는 비일시적인 컴퓨터 판독가능 매체에 준용하여 적용되어야 한다.
시스템에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는 시스템에 의해 실행될 수 있는 방법에 준용하여 적용되어야 하고, 시스템에 의해 실행가능한 명령어들을 저장하는 비일시적인 컴퓨터 판독가능 매체에 준용하여 적용되어야 한다.
비일시적인 컴퓨터 판독가능 매체에 대한 본 명세서에서의 임의의 참조는 컴퓨터 판독가능 매체에 저장된 명령어들을 실행할 때 적용될 수 있는 방법에 준용하여 적용되어야 하고, 컴퓨터 판독가능 매체에 저장된 명령어들을 실행하도록 구성된 시스템에 준용하여 적용되어야 한다.
희귀 확률적 결함들을 검출하기 위한 시스템, 방법, 및 컴퓨터 판독가능 매체가 제공될 수 있다.
희귀 확률적 결함들은 고려 중인 패턴, 예를 들어, 라인 또는 공간 폭 또는 홀 또는 필러 반경의 크기에 비례하는 통계(발생 확률)를 갖는다.
기판은 반도체 웨이퍼일 수 있다.
기판은 하나 이상의 타겟을 포함하도록 제조될 수 있으며, 각각의 타겟은 하나 이상의 조밀한 패턴을 포함한다. 조밀한 패턴들의 밀도는 하나 이상의 타겟에서의 비율 확률적 결함들의 발생 가능성을 극적으로 증가시키고 - 따라서, 하나 이상의 타겟에서의 비율 확률적 결함들을 검출할 가능성을 극적으로 증가시킨다.
표 1은 (확률적 결함들의 발생 확률의 함수이고, 영역당, 패턴들당 등의 결함들의 개수를 반영할 수 있는) 패턴 폭과 결함 밀도 사이의 관계의 예를 예시한다. 패턴은 다수의 피처들(피처는 라인, 도트 등일 수 있음)을 포함할 수 있고, 표 1에 열거된 폭은 (a) 피처의 폭, 또는 (b) 인접한 피처들 사이의 거리일 수 있다.
Figure pct00001
예를 들어, 원하는 패턴 폭이 30 나노미터이고 (기능성 패턴 - 원하는 폭의 패턴에서) 결함 밀도가 10-13을 초과하지 않아야 한다고 가정하면, 20 나노미터의 폭의 조밀한 패턴들을 포함하는 타겟에서 결함 밀도는 10-5를 초과하지 않아야 한다.
따라서, 패턴 폭을 30 나노미터로부터 20 나노미터로 변경함으로써, 결함들을 발견할 확률이 약 108배만큼 증가되었다.
하나 이상의 타겟은 전체 기판의 매우 작은 부분(1 퍼센트 미만, 10 퍼센트 미만 등)을 커버할 수 있고, 하나 이상의 타겟은 합리적인 시간량 내에 하전 입자 툴들에 의해 주사될 수 있다.
타겟들의 패턴들은 임의의 형상 - 예를 들어, 공간 폭이 일부 퍼센트만큼 감소되는, 결함들의 의미있는 통계가 수집되기에 충분히 큰 라인들(또는 다른 구조들)의 어레이일 수 있다.
도 1은 기판(10), 제1 유형의 기능성 패턴들(11), 제2 유형의 기능성 패턴들(12), 제1 유형의 타겟들(예컨대, 조밀한 라인들의 어레이)(13), 및 제2 유형의 타겟들(예컨대, 도트들의 어레이들)(14)을 예시한다.
도 2는 상이한 유형들의 희귀 확률적 결함들을 예시한다.
도 2는 희귀 확률적 결함들을 포함하는 상이한 패턴들의 부분들을 포함한다.
제1 패턴(41)의 일부는 원치 않는 브리지(61) 및 라인들(51)의 어레이의 일부를 포함한다.
제2 패턴(42)의 일부는 절단부(62), 및 라인들(51)의 어레이의 일부를 포함한다.
제3 패턴(43)의 일부는 누락된 도트(63), 및 도트들(55)의 어레이의 일부를 포함한다.
제4 패턴(44)의 일부는 원치 않는 브리지(64), 및 도트들(55)의 어레이의 일부를 포함한다.
제5 패턴(45)의 일부는 원치 않는 브리지(65), 및 라인들(52)의 어레이의 일부를 포함한다.
제6 패턴(46)의 일부는 절단부(66), 및 라인들(53)의 어레이의 일부를 포함한다.
제7 패턴(47)의 일부는 누락된 도트들(67), 및 도트들(56)의 어레이의 일부를 포함한다.
제8 패턴(48)의 일부는 원치 않는 브리지들(68), 및 도트들(57)의 어레이의 일부를 포함한다.
도 3은 일련의 단계들을 포함하는 방법(20)을 예시한다. 단계들은 다음을 포함할 수 있다:
○ 조밀한 패턴들의 타겟들에서 확률적 결함들을 검색하는 단계(22). 조밀한 패턴들은 타겟들 외부에 위치된 기능성 패턴들보다 더 조밀하다. 기능성은, 패턴이 다이들의 작동 동안 사용된다는 것을 의미한다. 타겟들은 일반적으로, 시험 전용이다.
○ 단계(22)의 결과에 기초하여 타겟들 외부에서의 희귀 확률적 결함들의 발생을 추정하는 단계(24).
○ 추정에 응답하는 단계(26) - 예를 들어, 단계(24)의 추정에 기초하여 기판을 결함성 기판 또는 비결함성 기판으로 정의함 -. 예를 들어, 추정된 결함 밀도를 허용가능한 결함 임계치와 비교하고, 기판이 허용가능한지 또는 결함성인지를 결정한다.
도 4는 희귀 확률적 결함을 검출하기 위한 방법(100)을 예시한다.
방법(100)은, 기판의 조밀한 패턴에서 희귀 확률적 결함을 검색하는 단계(110)로 시작할 수 있으며, 여기서 희귀 확률적 결함은 (a) 나노미터 규모이고, (b) 10-9 미만인 결함 밀도를 갖는 기판의 기능성 패턴에서 나타나고, (c) 10-6 초과인 결함 밀도를 갖는 조밀한 패턴에서 나타난다.
단계(110)는, 조밀한 패턴을 하전 입자 빔으로 조명하고 조밀한 패턴의 이미지들을 생성하는 단계를 포함할 수 있다(이미지는 조밀한 패턴 전체의 적어도 일부를 커버할 수 있음).
대안적으로 - 단계(110)는 조밀한 패턴에 관한 정보를 (예를 들어, 충전기 입자 시스템에 속하지 않는 원격 컴퓨터에 의해) 수신하는 단계를 포함할 수 있다. 정보는 조밀한 패턴의 하나 이상의 이미지를 포함할 수 있다.
조밀한 패턴은, 기능성 패턴의 조밀한 표현이다. 조밀한 패턴들은 동일한 피처들을 포함해야 하고, (a) 조밀한 패턴의 피처들 사이의 거리, 및 (b) 조밀한 패턴의 피처들의 폭 중 적어도 하나에 의해 기능성 패턴과 상이할 수 있는 배열을 가질 수 있다.
기능성 패턴이 라인들의 어레이를 포함한다고 가정하면, 대응하는 조밀한 패턴은 라인들의 더 조밀한 어레이를 포함할 것이다. 조밀한 패턴의 라인들의 폭은 기능성 패턴의 라인들의 폭보다 작을 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 조밀한 패턴의 인접한 라인들 사이의 거리는 기능성 패턴의 인접한 라인들 사이의 거리보다 작을 수 있다.
기능성 패턴이 도트들의 어레이를 포함한다고 가정하면, 대응하는 조밀한 패턴은 도트들의 더 조밀한 어레이를 포함할 것이다. 조밀한 패턴의 도트들의 폭은 기능성 패턴의 도트들의 폭보다 작을 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 조밀한 패턴의 인접한 도트들 사이의 거리는 기능성 패턴의 인접한 도트들 사이의 거리보다 작을 수 있다.
조밀한 패턴 및 기능성 패턴은 라인들의 어레이들일 수 있다.
단계(110)는 라인 내의 절단부 및 라인들 사이의 원치 않는 브리지 중 적어도 하나를 검색하는 단계를 포함할 수 있다.
조밀한 패턴 및 기능성 패턴은 도트들의 어레이들일 수 있다.
단계(110)는 누락된 도트 및 도트들 사이의 원치 않는 브리지 중 적어도 하나를 검색하는 단계를 포함할 수 있다.
단계(110) 다음에, 검색의 결과에 기초하여 기능성 패턴 내의 희귀 확률적 결함의 발생을 추정하는 단계(120)가 후속할 수 있다.
추정 단계는, 기판에 걸쳐 있거나 기판의 하나 이상의 부분에 걸쳐 있는 기능성 패턴들 내의 희귀 확률적 결함의 결함 밀도를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
단계(120)는, 조밀한 패턴에서의 희귀 확률적 결함의 결함 밀도를 결정하는 단계(122), 및 (a) 조밀한 패턴에서의 희귀 확률적 결함의 결함 밀도, 및 (b) 기능성 패턴들과 조밀한 패턴들 내의 희귀 확률적 결함의 결함 밀도들 사이의 관계에 기초하여 기능성 패턴에서의 희귀 확률적 결함의 결함 밀도를 결정하는 단계(124)를 포함할 수 있다. 관계의 예가 표 1에 예시된다.
단계(120) 다음에, 단계(120)의 결과에 응답하는 단계(130)가 후속할 수 있다.
단계(130)는 기능성 패턴 내의 희귀 확률적 결함의 발생에 기초하여 기판의 품질을 평가하는 단계를 포함할 수 있다.
단계(130)는 기능성 패턴 내의 희귀 확률적 결함의 결함 밀도가, 미리 정의된 임계치를 초과하는 경우 기판을 실격시키는 단계를 포함할 수 있다. 미리 정의된 임계치는 기판의 제조업자, 고객 등에 의해 정의될 수 있다.
방법(100)이 시험 패턴 및 희귀 확률적 결함과 관련하여 예시되었지만, 방법은 다수의 조밀한 패턴들에 적용될 수 있고, 검색 단계는 상이한 유형들의 희귀 확률적 결함들을 검색하는 단계를 포함할 수 있다. 상이한 희귀 확률적 결함들이 단일의 조밀한 패턴에서 검색될 수 있다는 것을 주목해야 한다.
예를 들어 - 라인들의 조밀한 패턴은 라인 내의 절단부에 대해, 그리고/또는 라인들 사이의 원치 않는 브리지에 대해 (단계(110) 동안) 검색될 수 있다.
또 다른 예로서 - 도즈의 조밀한 패턴은 누락된 도트에 대해 그리고/또는 도트들 사이의 원치 않는 브리지에 대해 (단계(110) 동안) 검색될 수 있다.
예를 들어 - 단계(130) 다음에, 다른 조밀한 패턴을 선택하고 하나 이상의 다른 희귀 확률적 결함들에 대해 단계들(110, 120 및 130)을 반복하는 것이 후속될 수 있다.
이에 따라, 방법(100)의 다음 반복 동안, 단계(110)는 기판의 다른 조밀한 패턴에서 다른 희귀 확률적 결함을 검색하는 단계를 포함할 수 있고; 다른 희귀 확률적 결함은 10-9 미만인 결함 밀도를 갖는 기판의 다른 기능성 패턴에서 나타나고 10-6 초과인 결함 밀도를 갖는 다른 조밀한 패턴에서 나타나며; 검색 단계는 하전 입자 빔에 의해 다른 조밀한 패턴을 조명하는 것을 포함하고; 다른 조밀한 패턴은, (a) 다른 조밀한 패턴의 피처들 사이의 거리, 및 (b) 다른 조밀한 패턴의 피처들의 폭 중 적어도 하나에 의해 다른 기능성 패턴과 상이한 다른 기능성 패턴의 조밀한 표현이며; 다른 희귀 확률적 결함은 유형별로 희귀 확률적 결함과 상이하다.
방법(100)의 다음 반복 동안, 단계(120)는 다른 희귀 확률적 결함을 검색한 결과에 기초하여 다른 기능성 패턴 내의 다른 희귀 확률적 결함의 발생을 추정하는 단계를 포함할 것이다.
단계(110)는 하전 입자 시스템일 수 있는 시스템에 의해 실행될 수 있다. 단계들(120 및 130)은 시스템에 의해 또는 다른 시스템에 의해 - 예를 들어, 원격 컴퓨터에 의해 - 실행될 수 있다는 것을 주목해야 한다.
도 5는 시스템(200)의 예를 예시한다.
도(200)는 이미저(210) 및 프로세서(220)를 포함한다.
이미저(210)는 전자 빔 이미저, 전자 빔 현미경, 이온 현미경, 이온 이미저 등일 수 있다. 전자 빔 현미경은 주사 전자 현미경, 투과 전자 현미경 등일 수 있다.
시스템(200)은 방법(20)을 실행하도록 구성될 수 있고, 추가적으로 또는 대안적으로, 방법(100)을 실행하도록 구성될 수 있다.
예를 들어 - 이미저(210)는, 기판의 조밀한 패턴을 하전 입자 빔으로 조명하고 조밀한 패턴의 이미지들을 생성하도록 구성될 수 있다.
프로세서(220)는:
○ 조밀한 패턴의 조명의 결과에 기초하여 조밀한 패턴에서 희귀 확률적 결함을 검색하도록 구성될 수 있고, 여기서 희귀 확률적 결함은 10-9 미만인 결함 밀도를 갖는 기판의 기능성 패턴에서 나타나고 10-7 초과인 결함 밀도를 갖는 조밀한 패턴에서 나타난다. 조밀한 패턴은, (a) 조밀한 패턴의 피처들 사이의 거리, 및 (b) 조밀한 패턴의 피처들의 폭 중 적어도 하나에 의해 기능성 패턴과 상이한 기능성 패턴의 조밀한 표현이다.
○ 검색의 결과에 기초하여 기능성 패턴 내의 희귀 확률적 결함의 발생을 추정하도록 구성될 수 있다.
전술한 명세서에서, 본 발명은 본 발명의 실시예들 중 특정한 예들을 참조하여 설명되었다. 그러나, 첨부된 청구항들에 열거된 바와 같이 본 발명의 더 넓은 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 수정들 및 변화들이 그 안에서 이루어질 수 있다는 것이 명백할 것이다.
게다가, 설명 및 청구항들에서의 "앞", "뒤", "최상부", "바닥", "위", "아래" 등의 용어들은, 존재할 경우, 설명 목적들로 사용되며 반드시 영구적인 상대 위치들을 설명하기 위한 것은 아니다. 그렇게 사용되는 용어들은, 본원에 설명되는 본 발명의 실시예들이, 예를 들어, 본원에 예시되거나 다른 방식으로 설명된 것들과 다른 배향들로 작동할 수 있도록 적절한 상황들 하에서 상호교환가능하다는 것이 이해된다.
본원에서 논의된 바와 같은 연결들은, 예를 들어, 중간 디바이스들을 통해, 각각의 노드들, 유닛들 또는 디바이스들로부터 또는 그것들에게 신호들을 전달하기에 적합한 임의의 유형의 연결일 수 있다. 이에 따라, 다르게 암시되거나 언급되지 않는 한, 연결들은, 예를 들어, 직접 연결들 또는 간접 연결들일 수 있다. 연결들은 단일 연결, 복수의 연결들, 단방향성 연결들 또는 양방향성 연결들인 것과 관련하여 예시되거나 설명될 수 있다. 그러나, 상이한 실시예들은 연결들의 구현을 변경할 수 있다. 예를 들어, 양방향성 연결들 대신에 개별 단방향성 연결들이 사용될 수 있고, 그 반대일 수도 있다. 또한, 복수의 연결들은, 다수의 신호들을 연속적으로 또는 시간 다중화된 방식으로 전달하는 단일 연결로 대체될 수 있다. 유사하게, 다수의 신호들을 반송하는 단일 연결들은 이러한 신호들의 하위세트들을 반송하는 다양한 상이한 연결들로 분리될 수 있다. 그러므로, 신호들을 전달하기 위한 많은 선택사항들이 존재한다.
동일한 기능성을 달성하기 위한 구성요소들의 임의의 배열은, 원하는 기능성이 달성되도록 효과적으로 "연관된다". 그러므로, 특정 기능성을 달성하도록 조합된 본원의 임의의 2개의 구성요소들은, 아키텍처들 또는 중간 구성요소들에 관계없이, 원하는 기능성이 달성되도록 서로 "연관된" 것으로 보여질 수 있다. 유사하게, 그렇게 연관된 임의의 2개의 구성요소들은 또한, 원하는 기능성을 달성하기 위해 서로 "작동가능하게 연결"되거나 "작동가능하게 결합"된 것으로 보여질 수 있다.
게다가, 관련 기술분야의 통상의 기술자들은, 위에 설명된 작동들 사이의 경계들은 단지 예시적일 뿐이라는 것을 인식할 것이다. 다수의 작동들은 단일 작동으로 조합될 수 있고, 단일 작동은 추가적인 작동들로 분산될 수 있으며 작동들은 시간상으로 적어도 부분적으로 중첩되어 실행될 수 있다. 게다가, 대안적인 실시예들은 특정 작동의 다수의 예들을 포함할 수 있고, 다양한 다른 실시예들에서, 작동들의 순서가 변경될 수 있다.
또한, 예를 들어, 일 실시예에서, 예시된 예들은 동일한 디바이스 내에 또는 단일 집적 회로 상에 위치된 회로로서 구현될 수 있다. 대안적으로, 예들은 임의의 개수의 개별 집적 회로들 또는 적합한 방식으로 서로 상호연결된 개별 디바이스들로서 구현될 수 있다.
그러나, 다른 수정들, 변동들 및 대안들이 또한 가능하다. 이에 따라, 본 명세서 및 도면들은 제한적인 의미보다는 예시적인 의미로 간주되어야 한다.
청구항들에서, 괄호들 사이에 위치된 임의의 참조 부호들은 청구항을 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다. '포함'이라는 단어는 청구항에 열거되는 것들과 다른 요소들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다. 게다가, 본원에서 사용되는 바와 같은 단수형 용어들은 하나 또는 하나 초과로서 정의된다. 또한, 청구항들에서 "적어도 하나" 및 "하나 이상"과 같은 도입 문구들의 사용은, 심지어, 동일한 청구항이 "하나 이상" 또는 "적어도 하나"라는 도입 문구들 및 부정관사 용어들("a" 또는 "an")을 포함하는 경우에도, 부정관사 용어들에 의한 다른 청구항 요소의 도입이, 그러한 도입된 청구항 요소를 포함하는 임의의 특정 청구항을 오직 하나의 그러한 요소를 포함하는 발명들로 제한하는 것을 암시하는 것으로 해석되지 않아야 한다. 정관사를 사용하는 경우에도 마찬가지이다. 다르게 언급되지 않는 한, "제1" 및 "제2"와 같은 용어들은 그러한 용어들이 설명하는 요소들 사이에서 임의적으로 구분하기 위해 사용된다. 따라서, 이러한 용어들은 반드시 그러한 요소들의 시간적 또는 다른 우선순위를 나타내도록 의도되지는 않는다. 단지, 특정 척도들이 상호 상이한 청구항들에 기재된다는 사실만으로는, 이점을 얻기 위해 이러한 척도들의 조합이 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다.
본 발명의 특정 특징들이 본원에 예시되고 설명되었지만, 많은 수정들, 대체들, 변경들, 및 등가물들이 이제 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 떠오를 것이다. 그러므로, 첨부된 청구항들은 본 발명의 진정한 사상 내에 드는 모든 그러한 수정들 및 변경들을 포함하도록 의도됨을 이해하여야 한다.

Claims (15)

  1. 희귀 확률적 결함을 검출하기 위한 방법으로서,
    기판의 조밀한 패턴에서 희귀 확률적 결함을 검색하는 단계 - 상기 희귀 확률적 결함은 (a) 나노미터 규모이고, (b) 10-9 미만인 결함 밀도를 갖는 상기 기판의 기능성 패턴에서 나타나고, (c) 10-7 초과인 결함 밀도를 갖는 상기 조밀한 패턴에서 나타나며; 상기 조밀한 패턴은 (a) 상기 조밀한 패턴의 피처들 사이의 거리, 및 (b) 상기 조밀한 패턴의 피처들의 폭 중 적어도 하나에 의해 상기 기능성 패턴과 상이한 상기 기능성 패턴의 조밀한 표현임 -; 및
    상기 검색 단계의 결과에 기초하여 상기 기능성 패턴 내의 상기 희귀 확률적 결함의 발생을 추정하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 추정 단계는:
    상기 조밀한 패턴에서의 상기 희귀 확률적 결함의 결함 밀도를 결정하는 단계; 및
    (a) 상기 조밀한 패턴에서의 상기 희귀 확률적 결함의 결함 밀도, 및 (b) 상기 기능성 패턴들과 조밀한 패턴들 내의 상기 희귀 확률적 결함의 결함 밀도들 사이의 관계에 기초하여 상기 기능성 패턴에서의 상기 희귀 확률적 결함의 결함 밀도를 결정하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 조밀한 패턴 및 상기 기능성 패턴은 라인들의 어레이들이고, 상기 희귀 확률적 결함을 검색하는 단계는 라인 내의 절단부(cut), 및 라인들 사이의 원치 않는 브리지 중 적어도 하나를 검색하는 단계를 포함하는, 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 조밀한 패턴 및 상기 기능성 패턴은 도트들의 어레이들이고, 상기 희귀 확률적 결함을 검색하는 단계는 누락된 도트 및 도트들 사이의 원치 않는 브리지 중 적어도 하나를 검색하는 단계를 포함하는, 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기능성 패턴 내의 상기 희귀 확률적 결함의 발생에 기초하여 상기 기판의 품질을 평가하는 단계를 포함하고, 상기 기판의 품질을 평가하는 단계는 상기 기능성 패턴 내의 상기 희귀 확률적 결함의 결함 밀도가 미리 정의된 임계치를 초과하는 경우 기판을 실격시키는 단계를 포함하는, 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기능성 패턴 내의 상기 희귀 확률적 결함의 발생에 응답하는 단계를 포함하는, 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 검색 단계는 상기 조밀한 패턴을 하전 입자 빔으로 조명하는 단계를 포함하는, 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 다른 조밀한 패턴에서 다른 희귀 확률적 결함을 검색하는 단계 - 상기 다른 희귀 확률적 결함은 10-9 미만인 결함 밀도를 갖는 상기 기판의 다른 기능성 패턴에서 나타나고, 10-7 초과인 결함 밀도를 갖는 상기 다른 조밀한 패턴에서 나타나며; 상기 다른 조밀한 패턴은, (a) 상기 다른 조밀한 패턴의 피처들 사이의 거리, 및 (b) 상기 다른 조밀한 패턴의 피처들의 폭 중 적어도 하나에 의해 상기 다른 기능성 패턴과 상이한 상기 다른 기능성 패턴의 조밀한 표현이며; 상기 다른 희귀 확률적 결함은 유형별로 희귀 확률적 결함과 상이함 -; 및
    상기 다른 희귀 확률적 결함을 검색한 결과에 기초하여 상기 다른 기능성 패턴 내의 상기 다른 희귀 확률적 결함의 발생을 추정하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    다른 희귀 확률적 결함을 검색하는 단계는 상기 다른 조밀한 패턴을 하전 입자 빔으로 조명하는 단계를 포함하는, 방법.
  10. 일시적이지 않고 명령어들을 저장하는 컴퓨터 판독가능 매체로서,
    상기 명령어들은,
    기판의 조밀한 패턴에서 희귀 확률적 결함을 검색하고 - 상기 희귀 확률적 결함은, 10-9 미만인 결함 밀도를 갖는 상기 기판의 기능성 패턴에서 나타나고, 10-7 초과인 결함 밀도를 갖는 상기 조밀한 패턴에서 나타나며; 상기 조밀한 패턴은 (a) 상기 조밀한 패턴의 피처들 사이의 거리, 및 (b) 상기 조밀한 패턴의 피처들의 폭 중 적어도 하나에 의해 상기 기능성 패턴과 상이한 상기 기능성 패턴의 조밀한 표현임 -;
    상기 검색의 결과에 기초하여 상기 기능성 패턴 내의 상기 희귀 확률적 결함의 발생을 추정하기 위한 것인, 컴퓨터 판독가능 매체.
  11. 희귀 확률적 결함을 검출하기 위한 시스템으로서,
    기판의 조밀한 패턴을 하전 입자 빔으로 조명하고 상기 조밀한 패턴의 이미지들을 생성하도록 구성되는 이미저;
    프로세서
    를 포함하고, 상기 프로세서는:
    상기 조밀한 패턴의 조명의 결과에 기초하여 상기 조밀한 패턴에서 희귀 확률적 결함을 검색하고 - 상기 희귀 확률적 결함은, 10-9 미만인 결함 밀도를 갖는 상기 기판의 기능성 패턴에서 나타나고, 10-7 초과인 결함 밀도를 갖는 상기 조밀한 패턴에서 나타나며; 상기 조밀한 패턴은 (a) 상기 조밀한 패턴의 피처들 사이의 거리, 및 (b) 상기 조밀한 패턴의 피처들의 폭 중 적어도 하나에 의해 상기 기능성 패턴과 상이한 상기 기능성 패턴의 조밀한 표현임 -;
    상기 검색의 결과에 기초하여 상기 기능성 패턴 내의 상기 희귀 확률적 결함의 발생을 추정하도록
    구성되는, 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 프로세서는:
    상기 조밀한 패턴에서의 상기 희귀 확률적 결함의 결함 밀도를 결정하고;
    (a) 상기 조밀한 패턴에서의 상기 희귀 확률적 결함의 결함 밀도, 및 (b) 상기 기능성 패턴들과 상기 조밀한 패턴들 내의 상기 희귀 확률적 결함의 결함 밀도들 사이의 관계에 기초하여 상기 기능성 패턴에서의 상기 희귀 확률적 결함의 결함 밀도를 결정하도록
    구성되는, 시스템.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 프로세서는 상기 기능성 패턴 내의 상기 희귀 확률적 결함의 발생에 기초하여 상기 기판의 품질을 평가하도록 구성되고, 상기 기판의 품질의 평가는 상기 기능성 패턴 내의 상기 희귀 확률적 결함의 결함 밀도가 미리 정의된 임계치를 초과하는 경우 기판을 실격시키는 것을 포함하는, 시스템.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 프로세서는 상기 기능성 패턴 내의 상기 희귀 확률적 결함의 발생에 응답하도록 구성되는, 시스템.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 이미저는, 상기 기판의 다른 조밀한 패턴을 상기 하전 입자 빔으로 조명하고 상기 다른 조밀한 패턴의 이미지들을 생성하도록 구성되고,
    상기 프로세서는:
    상기 기판의 다른 조밀한 패턴에서 다른 희귀 확률적 결함을 검색하고 - 상기 다른 희귀 확률적 결함은 10-9 미만인 결함 밀도를 갖는 상기 기판의 다른 기능성 패턴에서 나타나고, 10-7 초과인 결함 밀도를 갖는 상기 다른 조밀한 패턴에서 나타나며; 상기 다른 조밀한 패턴은, (a) 상기 다른 조밀한 패턴의 피처들 사이의 거리, 및 (b) 상기 다른 조밀한 패턴의 피처들의 폭 중 적어도 하나에 의해 상기 다른 기능성 패턴과 상이한 상기 다른 기능성 패턴의 조밀한 표현이며; 상기 다른 희귀 확률적 결함은 유형별로 희귀 확률적 결함과 상이함 -;
    상기 다른 희귀 확률적 결함을 검색한 결과에 기초하여 상기 다른 기능성 패턴 내의 상기 다른 희귀 확률적 결함의 발생을 추정하도록
    구성되는, 시스템.
KR1020217030014A 2019-02-25 2020-02-13 희귀 확률적 결함들을 검출하기 위한 시스템 및 방법 KR20210122307A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962810116P 2019-02-25 2019-02-25
US62/810,116 2019-02-25
PCT/US2020/018147 WO2020176270A1 (en) 2019-02-25 2020-02-13 System and method for detecting rare stochastic defects

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210122307A true KR20210122307A (ko) 2021-10-08

Family

ID=72239814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217030014A KR20210122307A (ko) 2019-02-25 2020-02-13 희귀 확률적 결함들을 검출하기 위한 시스템 및 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11860551B2 (ko)
JP (1) JP2022522433A (ko)
KR (1) KR20210122307A (ko)
CN (1) CN113424107B (ko)
TW (1) TWI836015B (ko)
WO (1) WO2020176270A1 (ko)

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6171737B1 (en) * 1998-02-03 2001-01-09 Advanced Micro Devices, Inc. Low cost application of oxide test wafer for defect monitor in photolithography process
JP2004253445A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007299885A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Ebara Corp 半導体装置及びその検査方法
US20080099438A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-01 Yijian Chen Wavefront modulation methods for EUV maskless lithography
NL2009982A (en) * 2012-01-10 2013-07-15 Asml Netherlands Bv Source mask optimization to reduce stochastic effects.
JP6078234B2 (ja) * 2012-04-13 2017-02-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
CN105992975B (zh) * 2014-02-11 2018-06-01 Asml荷兰有限公司 用于计算任意图案的随机变化的模型
CN104062305B (zh) * 2014-07-28 2017-10-03 上海华力微电子有限公司 一种集成电路缺陷的分析方法
US10474042B2 (en) * 2017-03-22 2019-11-12 Kla-Tencor Corporation Stochastically-aware metrology and fabrication
US10262408B2 (en) * 2017-04-12 2019-04-16 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for systematic and stochastic characterization of pattern defects identified from a semiconductor wafer
US10599046B2 (en) * 2017-06-02 2020-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Method, a non-transitory computer-readable medium, and/or an apparatus for determining whether to order a mask structure
KR102597444B1 (ko) * 2017-07-12 2023-11-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 결함 예측
CN112889140B (zh) * 2018-11-12 2023-06-02 株式会社日立高新技术 推定缺陷的发生的系统以及计算机可读介质

Also Published As

Publication number Publication date
US20210373441A1 (en) 2021-12-02
CN113424107B (zh) 2023-09-19
CN113424107A (zh) 2021-09-21
WO2020176270A1 (en) 2020-09-03
US11860551B2 (en) 2024-01-02
JP2022522433A (ja) 2022-04-19
TWI836015B (zh) 2024-03-21
TW202104884A (zh) 2021-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI703347B (zh) 用於在多光束掃描電子顯微鏡系統中減少雜訊之方法、系統及設備
US7630535B2 (en) Die-to-die photomask defect detection using region data to modify inspection thresholds
US9922414B2 (en) Defect inspection method and defect inspection device
US9916653B2 (en) Detection of defects embedded in noise for inspection in semiconductor manufacturing
US6865288B1 (en) Pattern inspection method and apparatus
US20230386013A1 (en) Method and system for scanning wafer
US20060280358A1 (en) Pattern comparison inspection method and pattern comparison inspection device
CN108027499A (zh) 用于多波束扫描式电子显微系统的聚焦调整的方法及系统
JP2011521454A (ja) ウェハー上の欠陥を検出して検査結果を生成するシステム及び方法
CN104903712A (zh) 缺陷观察方法以及缺陷观察装置
US20080075355A1 (en) Method and system for defect detection
US8055057B2 (en) Method for detecting defects in a substrate having a semiconductor device thereon
KR20210122307A (ko) 희귀 확률적 결함들을 검출하기 위한 시스템 및 방법
CN102803939B (zh) 用于同时检验具有不同间距的多个阵列区域的方法和装置
KR102324687B1 (ko) 광학 검사 결과들로부터 형성한 계측 가이드 검사 샘플
US9646802B2 (en) Method and apparatus for electron beam lithography
US9922263B2 (en) System and method for detection and segmentation of touching characters for OCR
US20140314305A1 (en) Template inspection device
JP6571492B2 (ja) 対応点探索方法、および距離測定装置
US10504805B2 (en) Method of examining defects in a semiconductor specimen and system thereof
US20170018398A1 (en) Review of suspected defects using one or more reference dies
US20070098247A1 (en) Method for checking the pattern density of a semiconductor chip design with variable checking box size and variable stepping distance
KR20210000317A (ko) 디자인 정렬 개선을 위한 타겟 선택 개선
KR102182678B1 (ko) 반도체 제조 공정에서 특징 선택 기법에 따른 멀티 분류기를 활용한 불량 패턴 예측 장치 및 방법
JP2000009656A (ja) パターン検査装置、パターン検査方法、パターン検査プログラムを格納した記録媒体