KR20210121370A - 마더 기판, 표시 장치의 제조장치, 및 표시 장치의 제조방법 - Google Patents

마더 기판, 표시 장치의 제조장치, 및 표시 장치의 제조방법 Download PDF

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KR20210121370A
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 제1방향으로 나란히 배치된 표시부 및 박막트랜지스터를 포함하는 회로부를 각각 포함하는 복수의 셀영역들; 및 상기 복수의 셀영역들의 사이에 배치된 도전층;을 포함하고, 상기 도전층은 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장된 중앙부분 및 상기 중앙부분과 이격되고 상기 제2방향으로 연장된 가로부분들을 포함하며, 상기 복수의 셀영역들의 상기 표시부 및 상기 회로부는 상기 중앙부분을 기준으로 대칭적으로 배치된, 마더 기판을 개시한다.

Description

마더 기판, 표시 장치의 제조장치, 및 표시 장치의 제조방법{Mother substrate, Apparatus for manufacturing a display apparatus and method for manufacturing a display apparatus}
본 발명은 마더 기판, 표시 장치의 제조장치, 및 표시 장치의 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 복수의 셀영역들을 포함하는 마더 기판, 표시 장치의 제조장치, 및 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시 장치 분야는 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시 장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 변화해 왔다. 평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 그리고 전기 영동 표시 장치(Electrophoretic Display Device: EPD) 등이 있다.
상기와 같은 표시 장치는 공정의 효율화를 위해 복수개가 동시에 제조될 수 있다. 특히, 복수의 표시 장치는 각각 마더 기판 상에서 복수의 셀영역들로 구비되어 제조될 수 있다.
이러한 표시 장치의 제조과정 중 상기 마더 기판에는 전하가 축적될 수 있으며, 상기 전하는 상기 복수의 셀영역들로 정전기 방전(Electrostatic discharge, ESD)될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 상기 전하를 외부로 정전기 방전시켜 상기 복수의 셀영역들의 손상을 방지하는 마더 기판, 표시 장치의 제조장치, 및 표시 장치의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 제1방향으로 나란히 배치된 표시부 및 박막트랜지스터를 포함하는 회로부를 각각 포함하는 복수의 셀영역들; 및 상기 복수의 셀영역들의 사이에 배치된 도전층;을 포함하고, 상기 도전층은 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장된 중앙부분 및 상기 중앙부분과 이격되고 상기 제2방향으로 연장된 가로부분들을 포함하며, 상기 복수의 셀영역들의 상기 표시부 및 상기 회로부는 각각 상기 중앙부분을 기준으로 대칭적으로 배치된, 마더 기판을 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 셀영역들은, 제1표시부 및 제1박막트랜지스터를 포함하는 제1회로부를 포함하는 제1셀영역 및 제2표시부 및 제2박막트랜지스터를 포함하는 제2회로부를 포함하는 제2셀영역을 포함하고, 상기 제1셀영역 및 상기 제2셀영역은 상기 중앙부분을 사이에 두고 배치되며, 상기 제1표시부 및 상기 제2표시부는 상기 제1회로부 및 상기 제2회로부 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 셀영역들은, 제1표시부 및 제1박막트랜지스터를 포함하는 제1회로부를 포함하는 제1셀영역 및 제3표시부 및 제3박막트랜지스터를 포함하는 제3회로부를 포함하는 제3셀영역을 포함하고, 상기 제1셀영역 및 상기 제3셀영역은 상기 제2방향으로 나란히 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 중앙부분의 폭은 상기 가로부분의 폭보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 가로부분들은 제1가로부분 및 상기 제1가로부분보다 상기 중앙부분에 멀리 배치된 제2가로부분을 포함하고, 상기 제1가로부분의 폭은 상기 제2가로부분의 폭보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 도전층은 상기 제1방향으로 연장된 세로부분들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 도전층은 상기 박막트랜지스터와 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 박막트랜지스터와 연결된 저항패턴;을 더 포함하고, 상기 도전층은 상기 저항패턴을 통해 상기 박막트랜지스터와 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 반도체층 및 상기 반도체층과 연결된 전극을 포함하고, 상기 도전층은 상기 전극과 동일한 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 중앙부분은 상기 제1방향으로 돌출된 복수의 돌출부들을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 마스크 조립체; 상기 마스크 조립체와 대향하도록 배치되어 증착물질을 공급하는 소스부; 상기 마스크 조립체를 기준으로 상기 소스부와 반대편에 배치되는 기판지지부; 및 상기 기판지지부에 배치되는 마더 기판;을 포함하고, 상기 마더 기판은, 제1방향 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치된 복수의 셀영역들; 및 상기 복수의 셀영역의 사이에 배치된 도전층;을 포함하고, 상기 도전층은 상기 제2방향으로 연장된 중앙부분 및 상기 중앙부분과 이격되고 상기 제2방향으로 연장된 가로부분들을 포함하며, 상기 중앙부분의 폭은 상기 가로부분의 폭보다 크고, 상기 중앙부분은 상기 마스크 조립체의 중심에 대응하여 배치된, 표시 장치의 제조장치를 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 셀영역들은, 상기 제1방향으로 나란히 배치된 제1표시부 및 제1박막트랜지스터를 포함하는 제1회로부를 포함하는 제1셀영역 및 상기 제1방향으로 나란히 배치된 제2표시부 및 제2박막트랜지스터를 포함하는 제2회로부를 포함하는 제2셀영역을 포함하고, 상기 제1셀영역 및 상기 제2셀영역은 상기 중앙부분을 사이에 두고 배치되며, 상기 제1표시부 및 상기 제2표시부는 상기 제1회로부 및 상기 제2회로부 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 셀영역들은, 제1표시부 및 제1박막트랜지스터를 포함하는 제1회로부를 포함하는 제1셀영역 및 제3표시부 및 제3박막트랜지스터를 포함하는 제3회로부를 포함하는 제3셀영역을 포함하고, 상기 제1셀영역 및 상기 제3셀영역은 상기 제2방향으로 나란히 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 가로부분들은 제1가로부분 및 상기 제1가로부분보다 상기 중앙부분에 멀리 배치된 제2가로부분을 포함하고, 상기 제1가로부분의 폭은 상기 제2가로부분의 폭보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 중앙부분은 상기 제1방향으로 돌출된 복수의 돌출부들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 중앙부분은 상기 마스크 조립체와 컨택할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 중앙부분은 상기 기판지지부를 기준으로 상기 마더 기판의 최저점에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 셀영역들은 각각 표시부 및 박막트랜지스터를 포함하는 회로부를 포함하고, 상기 도전층은 상기 박막트랜지스터와 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 박막트랜지스터와 연결된 저항패턴;을 더 포함하고, 상기 도전층은 상기 저항패턴을 통해 상기 박막트랜지스터와 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 마스크 조립체를 증착 물질을 공급하는 소스부와 대향하도록 챔버 내에 배치하는 단계; 마더 기판을 상기 마스크 조립체를 기준으로 상기 소스부와 반대편에 배치하는 단계; 밀착부를 이용하여 상기 마스크 조립체를 상기 마더 기판에 근접시키는 단계; 및 상기 소스부에서 분사되어 상기 마스크 조립체를 통과한 상기 증착 물질이 상기 마더 기판에 증착하는 단계;를 포함하고, 상기 마더 기판은, 제1방향 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치된 복수의 셀영역들; 및 상기 복수의 셀영역의 사이에 배치된 도전층;을 포함하고, 상기 도전층은 상기 제2방향으로 연장된 중앙부분 및 상기 중앙부분과 이격되고 상기 제2방향으로 연장된 가로부분들을 포함하며, 상기 중앙부분의 폭은 상기 가로부분의 폭보다 크고, 상기 중앙부분은 상기 마스크 조립체의 중심에 대응하여 배치된, 표시 장치의 제조방법을 개시한다.
상기와 같이 본 발명의 일 실시예는, 상기 복수의 셀영역들 사이에 배치된 도전층을 포함할 수 있으며, 상기 도전층은 상기 제2방향으로 연장된 중앙부분 및 상기 중앙부분과 이격되고 상기 제2방향으로 연장된 가로부분들을 포함할 수 있다. 또한, 상기 복수의 셀영역들의 상기 표시부 및 상기 회로부는 각각 상기 중앙부분을 기준으로 대칭적으로 배치될 수 있다.
따라서, 표시 장치의 제조과정 중 마더 기판에 축적된 전하는 상기 도전층 중 특히 중앙부분을 통해 정전기 방전될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들은 상기 표시부 및 상기 회로부가 각각 중앙부분을 기준으로 대칭적으로 배치되므로 정전기 방전으로 인해 상기 회로부가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마더 기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마더 기판 중 어느 하나의 셀영역을 확대한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마더 기판의 단면도이다.
도 4은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마더 기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치에서 마더 기판이 쳐진 것을 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 한 화소를 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마더 기판(MS)의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마더 기판(MS) 중 어느 하나의 셀영역(CA)을 확대한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마더 기판(MS)은 복수의 셀영역(CA)들 및 도전층(CL)을 포함할 수 있다.
본 명세서에서 마더 기판(MS)은 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 양자점 표시 장치(Quantum dot display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Display) 등을 제조하기 위한 것일 수 있다.
마더 기판(MS)은 글라스를 포함하거나, 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 마더 기판(MS)은 플렉서블, 롤러블, 벤더블 특성을 가질 수 있다.
복수의 셀영역(CA)들은 마더 기판(MS)에 제1방향 및/또는 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1방향 및 제2방향은 서로 직교할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1방향 및 제2방향은 예각을 이루거나, 둔각을 이룰 수 있다. 이하에서는, 제1방향 및 제2방향이 직교하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
일 실시예에서, 복수의 셀영역(CA)들은 평면상(예를 들어, xy 평면상) 서로 동일한 크기일 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 셀영역(CA)들 중 하나는 복수의 셀영역(CA)들 중 다른 하나와 평면상(예를 들어, xy 평면상) 상이한 크기를 가질 수 있다. 이하에서는, 복수의 셀영역(CA)들이 평면상(예를 들어, xy 평면상) 서로 동일한 크기인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
복수의 셀영역(CA)들은 각각 제1방향(예를 들어, y 방향 또는 -y 방향)으로 나란히 배치된 표시부(DP) 및 회로부(CP)를 포함할 수 있다. 이 때, 표시부(DP)는 제조된 표시 장치에서 이미지를 표시하는 표시영역일 수 있다. 표시부(DP)는 표시요소를 포함할 수 있다. 회로부(CP)는 표시부(DP)로 전기적 신호를 전달할 수 있다. 이 때, 회로부(CP)는 패드부(PADP) 및 스위치부(SP)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 회로부(CP)는 적어도 하나의 패드부(PADP) 및 적어도 하나의 스위치부(SP)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 회로부(CP)는 하나의 패드부(PADP) 및 하나의 스위치부(SP)를 포함할 수 있다. 이러한 경우, 패드부(PADP)는 도 2에 도시한 바와 같이 스위치부(SP)의 상단에 위치할 수 있다. 즉, 패드부(PADP)는 스위치부(SP) 및 표시부(DP) 사이에 배치될 수 있다. 또는 패드부(PADP)는 스위치부(SP)의 하단에 위치할 수 있다. 즉, 스위치부(SP)는 패드부(PADP) 및 표시부(DP) 사이에 배치될 수 있다. 다른 예로, 회로부(CP)는 복수의 스위치부(SP)들 및/또는 복수의 패드부(PADP)들을 포함할 수 있다.
패드부(PADP)는 제조된 표시 장치에서 인쇄회로기판(미도시)과 전기적으로 연결되는 부분일 수 있다. 구체적으로, 패드부(PADP)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어 인쇄회로기판과 전기적으로 연결될 수 있다.
스위치부(SP)는 표시부(DP)에 형성된 표시요소의 점등 검사를 수행하는 박막트랜지스터를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 박막트랜지스터는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다. 따라서, 표시 장치를 제조하는 과정 중에 패드부(PADP)에 아직 인쇄회로기판이 연결되지 않더라도, 표시부(DP)에 형성된 표시요소의 점등 검사가 수행될 수 있다.
도전층(CL)은 복수의 셀영역(CA)들 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도전층(CL)은 제1셀영역(CA1) 및 제2셀영역(CA2) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 도전층(CL)은 제1셀영역(CA1) 및 제3셀영역(CA3) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 도전층(CL)은 메쉬(mesh) 형태로 배치될 수 있다. 이 때, 도전층(CL)은 복수의 개구영역(OA)들을 포함할 수 있는데, 복수의 셀영역(CA)들은 복수의 개구영역(OA)들에 대응하여 배치될 수 있다. 도전층(CL)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 도전층(CL)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다. 도전층(CL)은 중앙부분(CW), 가로부분(HW), 및 세로부분(VW)을 포함할 수 있다.
중앙부분(CW)은 제2방향(예를 들어, x 방향 또는 -x 방향)으로 연장되어 배치될 수 있다. 또한, 중앙부분(CW)은 마더 기판(MS)의 중앙영역에 배치될 수 있다. 즉, 중앙부분(CW)은 마더 기판(MS)의 중심(MSC)과 중첩되며 배치될 수 있다. 여기서 마더 기판(MS)의 중심(MSC)은 마더 기판(MS)의 무게 중심일 수 있다.
가로부분(HW)은 중앙부분(CW)과 이격되고 제2방향(예를 들어, x 방향 또는 -x 방향)으로 연장되어 배치될 수 있다. 이 때, 가로부분(HW)은 중앙부분(CW)과 평행하게 배치될 수 있으며, 가로부분(HW)은 마더 기판(MS)의 중심(MSC)과 이격되어 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 가로부분(HW)은 복수개로 배치될 수 있다. 예를 들어, 가로부분(HW)들은 제1가로부분(HW1) 및 제1가로부분(HW1)보다 중앙부분(CW)에 멀리 배치된 제2가로부분(HW2)을 포함할 수 있다. 즉, 제1가로부분(HW1)은 제2가로부분(HW2) 및 중앙부분(CW) 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 가로부분(HW)들은 서로 동일한 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 인접한 가로부분(HW)들 사이의 간격 중 어느 하나는 인접한 가로부분(HW)들 사이의 간격 중 다른 하나와 상이할 수 있다. 이하에서는, 가로부분(HW)들이 서로 동일한 간격으로 이격되어 배치된 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
본 실시예에서, 중앙부분(CW)의 폭(CWd)은 가로부분(HW)의 폭(HWd)과 상이할 수 있다. 이 때, 제2방향(예를 들어, x 방향 또는 -x 방향)으로 연장된 중앙부분(CW)의 폭(CWd)은 중앙부분(CW)의 제1방향(예를 들어, y 방향 또는 -y 방향)으로의 길이일 수 있다. 또한, 제2방향(예를 들어, x 방향 또는 -x 방향)으로 연장된 가로부분(HW)의 폭(HWd)은 가로부분(HW)의 제1방향(예를 들어, y 방향 또는 -y 방향)으로의 길이일 수 있다. 본 실시예에서, 중앙부분(CW)의 폭(CWd)은 가로부분(HW)의 폭(HWd)보다 클 수 있다. 즉, 중앙부분(CW)의 폭(CWd)은 제1가로부분(HW1)의 폭(HWd1) 또는 제2가로부분(HW2)의 폭(HWd2)보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 제1가로부분(HW1)의 폭(HWd1)은 제2가로부분(HW2)의 폭(HWd2)보다 클 수 있다. 즉, 중앙부분(CW)에 가깝게 배치된 제1가로부분(HW1)의 폭(HWd1)은 중앙부분(CW)에 멀리 배치된 제2가로부분(HW2)의 폭(HWd2)보다 클 수 있다. 일부 실시예에서, 가로부분(HW)들의 폭은 모두 동일할 수 있다.
세로부분(VW)은 제1방향(예를 들어, y 방향 또는 -y 방향)으로 연장되어 배치될 수 있다. 이 때, 세로부분(VW)은 중앙부분(CW) 및/또는 가로부분(HW)과 교차하며 배치될 수 있다. 따라서, 세로부분(VW)은 중앙부분(CW) 및/또는 가로부분(HW)과 연결될 수 있다. 이 때, 중앙부분(CW), 가로부분(HW), 및 세로부분(VW)은 일체로 구비될 수 있다.
일 실시예에서, 세로부분(VW)은 복수개로 구비될 수 있으며, 세로부분(VW)들은 서로 동일한 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 인접한 세로부분(VW)들 사이의 간격 중 어느 하나는 인접한 세로부분(VW)들 사이의 간격 중 다른 하나와 상이할 수 있다. 이하에서는, 세로부분(VW)들이 서로 동일한 간격으로 이격되어 배치된 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
본 실시예에서, 표시부(DP) 및 회로부(CP)는 각각 중앙부분(CW)을 기준으로 대칭적으로 배치될 수 있다. 즉, 표시부(DP) 및 회로부(CP)는 각각 중앙부분(CW)을 기준으로 거울상으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 셀영역(CA)들은 제1셀영역(CA1) 및 제2셀영역(CA2)을 포함할 수 있다. 제1셀영역(CA1) 및 제2셀영역(CA2)은 제1방향(예를 들어, y 방향 또는 -y 방향)을 따라 배치될 수 있으며, 제1셀영역(CA1) 및 제2셀영역(CA2)은 중앙부분(CW)을 사이에 두고 배치될 수 있다. 제1셀영역(CA1)은 제1표시부(DP1) 및 제1박막트랜지스터를 포함하는 제1회로부(CP1)를 포함할 수 있다. 제2셀영역(CA2)은 제2표시부(DP2) 및 제2박막트랜지스터를 포함하는 제2회로부(CP2)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1표시부(DP1) 및 제1회로부(CP1), 제2표시부(DP2), 및 제2회로부(CP2)는 제1방향(예를 들어, y 방향 또는 -y 방향)을 따라 배치될 수 있다. 그리고, 제1표시부(DP1) 및 제2표시부(DP2)는 제1회로부(CP1) 및 제2회로부(CP2) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 제1표시부(DP1)는 제1회로부(CP1) 및 중앙부분(CW) 사이에 배치될 수 있으며, 제2표시부(DP2)는 제2회로부(CP2) 및 중앙부분(CW) 사이에 배치될 수 있다.
또한, 이러한 복수의 셀영역(CA)들의 배치는 중앙부분(CW)을 따라 계속될 수 있다. 예를 들어, 복수의 셀영역(CA)들은 제3셀영역(CA3)을 포함할 수 있다. 제3셀영역(CA3)은 제3표시부(DP3) 및 제3박막트랜지스터를 포함하는 제3회로부(CP3)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1셀영역(CA1)은 제3셀영역(CA3)과 제2방향(예를 들어, x 방향 또는 -x 방향)으로 나란히 배치될 수 있다. 구체적으로, 제3표시부(DP3)는 제1표시부(DP1)와 제2방향(예를 들어, x 방향 또는 -x 방향)으로 나란히 배치될 수 있으며, 제3회로부(CP3)는 제1회로부(CP1)와 제2방향(예를 들어, x 방향 또는 -x 방향)으로 나란히 배치될 수 있다. 따라서, 제3표시부(DP3)는 제3회로부(CP3) 및 중앙부분(CW) 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 표시부(DP)에 형성된 표시요소의 점등 검사를 수행하는 박막트랜지스터는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다. 이러한 경우, 표시 장치를 제조하는 중에 표시 장치의 제조장치의 동작 또는 제조 방법에 의해 마더 기판(MS)에 전하가 축적될 수 있으며, 상기 전하로 인해 정전기 방전(Electrostatic discharge, ESD)이 발생하면 상기 박막트랜지스터가 손상될 수 있다.
본 발명의 실시예는 마더 기판(MS)의 중심(MSC)에 대응하여 중앙부분(CW)이 배치될 수 있다. 이 때, 중앙부분(CW)의 폭(CWd)은 가로부분(HW)의 폭(HWd)보다 클 수 있다. 이에 따라, 중앙부분(CW)은 가로부분(HW)보다 저항이 작을 수 있다. 따라서, 표시 장치의 제조과정 중에 마더 기판(MS)에 축적된 전하는 중앙부분(CW)을 통해 정전기 방전이 발생할 수 있으며, 정전기 방전으로 인해 회로부(CP)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예는 회로부(CP)들이 중앙부분(CW)을 기준으로 대칭적으로 배치될 수 있다. 즉, 제1회로부(CP1) 및 제2회로부(CP2) 사이에는 제1표시부(DP1), 제2표시부(DP2), 및 중앙부분(CW)이 배치될 수 있다. 회로부(CP)들은 정전기 방전이 발생하는 중앙부분(CW)으로부터 이격되어 배치되므로, 정전기 방전으로 인해 회로부(CP)들이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예는 정전기 방전에 의한 전류를 제어할 수 있으므로, 박막트랜지스터의 내성이 증가할 수 있다. 또한, 셀영역(CA)의 불량률을 최대 0.8%로 감소시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마더 기판(MS)의 단면도로 도 2의 III-III'선에 대응될 수 있다.
도 3을 참조하면, 마더 기판(MS)은 기판(100), 박막트랜지스터(SP-TFT), 도전층(CL), 및 저항패턴(RP)을 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(SP-TFT)는 스위치반도체층(SPA), 스위치게이트전극(SPG), 스위치소스전극(SPS), 및 스위치드레인전극(SPD)을 포함할 수 있다. 또한, 기판(100) 및 박막트랜지스터(SP-TFT)의 구성요소들 아래 또는/및 위에는 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 및 층간절연층(114)이 배치될 수 있다.
기판(100)은 글라스이거나 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
버퍼층(111)은 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON) 및 실리콘산화물(SiO2)과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
기판(100) 및 버퍼층(111) 사이에는 배리어층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 배리어층은 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산화물(SiOX)과 같은 무기물을 포함하는 단일 층 또는 다층일 수 있다.
스위치반도체층(SPA)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 스위치반도체층(SPA)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 스위치반도체층(SPA)은 채널영역 및 채널영역의 양측에 각각 배치된 드레인영역 및 소스영역을 포함할 수 있다.
스위치게이트전극(SPG)은 채널영역과 중첩할 수 있으며, 제1게이트절연층(112) 상에 배치될 수 있다. 스위치게이트전극(SPG)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 스위치게이트전극(SPG)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
스위치반도체층(SPA)과 스위치게이트전극(SPG) 사이의 제1게이트절연층(112)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제2게이트절연층(113)은 상기 스위치게이트전극(SPG)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 상기 제1게이트절연층(112)과 유사하게 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
층간절연층(114)은 제2게이트절연층(113) 상에 배치되며, 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등을 포함할 수 있다. 층간절연층(114)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
스위치드레인전극(SPD) 및 스위치소스전극(SPS)은 각각 층간절연층(114) 상에 위치할 수 있다. 스위치드레인전극(SPD) 및 스위치소스전극(SPS)은 스위치반도체층(SPA)과 연결될 수 있다. 이 때, 스위치드레인전극(SPD) 및 스위치소스전극(SPS)은 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 및 층간절연층(114)에 구비된 컨택홀을 통해 스위치반도체층(SPA)과 연결될 수 있다. 또한, 스위치드레인전극(SPD) 및 스위치소스전극(SPS)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 스위치드레인전극(SPD) 및 스위치소스전극(SPS)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 스위치드레인전극(SPD) 및 스위치소스전극(SPS)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 스위치드레인전극(SPD) 및 스위치소스전극(SPS)은 적어도 일부 노출될 수 있다. 스위치드레인전극(SPD) 및 스위치소스전극(SPS)이 적어도 일부 노출됨은 스위치드레인전극(SPD) 및 스위치소스전극(SPS) 중 적어도 일부는 절연층에 의해 덮이지 않음을 의미한다.
도전층(CL)은 층간절연층(114) 상에 배치될 수 있다. 즉, 도전층(CL)은 스위치드레인전극(SPD) 및/또는 스위치소스전극(SPS)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 도전층(CL)은 스위치드레인전극(SPD) 및/또는 스위치소스전극(SPS)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 도전층(CL)은 스위치드레인전극(SPD) 및/또는 스위치소스전극(SPS)이 형성될 때 동시에 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 도전층(CL)은 박막트랜지스터(SP-TFT)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 도전층(CL)은 스위치드레인전극(SPD) 또는 스위치소스전극(SPS)과 연결될 수 있다.
저항패턴(RP)은 도전층(CL) 및 박막트랜지스터(SP-TFT)를 연결할 수 있다. 즉, 도전층(CL) 및 박막트랜지스터(SP-TFT)는 직접 컨택하여 연결된 것이 아니고, 저항패턴(RP)을 통해 연결될 수 있다. 저항패턴(RP)은 도전층(CL), 스위치드레인전극(SPD), 또는 스위치소스전극(SPS)에 비해 상대적으로 높은 저항값을 가질 수 있다. 저항패턴(RP)은 도전층(CL), 스위치드레인전극(SPD), 또는 스위치소스전극(SPS)과의 컨택면적을 낮게 유지하거나, 저항패턴(RP)의 총 길이를 길게 구비할 수 있다. 따라서, 저항패턴(RP)은 도전층(CL), 스위치드레인전극(SPD), 또는 스위치소스전극(SPS)에 비해 상대적으로 높은 저항값을 가질 수 있으며, 저항패턴(RP)은 도전층(CL)에 축적된 전하가 박막트랜지스터(SP-TFT)로 전달되는 것을 감소시킬 수 있다.
저항패턴(RP)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 저항패턴(RP)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
도 4은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마더 기판(MS)의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 4에 있어서, 도 1과 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 마더 기판(MS)은 복수의 셀영역(CA)들 및 복수의 셀영역(CA)들 사이에 배치된 도전층(CL)을 포함할 수 있다. 셀영역(CA)은 제1방향(예를 들어, y 방향 또는 -y 방향)을 따라 나란히 배치된 표시부(DP) 및 박막트랜지스터를 포함하는 회로부(CP)를 포함할 수 있다. 도전층(CL)은 중앙부분(CW), 가로부분(HW), 및 세로부분(VW)을 포함할 수 있다. 이 때, 표시부(DP) 및 회로부(CP)는 각각 중앙부분(CW)을 기준으로 대칭적으로 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 중앙부분(CW)은 제1방향(예를 들어, y 방향 또는 -y 방향)으로 돌출된 복수의 돌출부(PP)들을 포함할 수 있다. 복수의 돌출부(PP)들은 중앙부분(CW)을 중심으로 하여 돌출될 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 돌출부(PP)들은 연속적으로 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 돌출부(PP)들은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 돌출부(PP)는 평면상(예를 들어, xy 평면상) 다각형, 원형, 또는 타원 형상 등을 구비할 수 있다. 바람직하게 돌출부(PP)의 말단부는 점차 가늘어져서 날카로운 형상일 수 있다. 이러한 경우, 중앙부분(CW)의 폭(CWd)은 제1방향(예를 들어, y 방향 또는 -y 방향)으로 나란히 배치된 돌출부(PP)들의 말단부 사이의 거리일 수 있다.
본 실시예에서는 중앙부분(CW)이 복수의 돌출부(PP)들을 포함하고 있어, 돌출부(PP)의 말단부에서 정전기 방전이 발생할 수 있다. 즉, 복수의 돌출부(PP)들은 정전기 방전을 유도할 수 있으며, 복수의 셀영역(CA)들에서 정전기 방전이 발생하는 것을 감소시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치(1000)를 보여주는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 표시 장치의 제조장치(1000)는 챔버(1100), 마스크 조립체(1200), 소스부(1300), 기판지지부(1400), 밀착부(1500), 압력조절부(1600), 및 마더 기판(MS)을 포함할 수 있다.
챔버(1100)는 내부에 공간이 형성될 수 있으며, 일측이 개구되도록 형성되어 마더 기판(MS)이 인출되거나 수납될 수 있다. 이 때, 개구된 챔버(1100) 부분에는 게이트 밸브 등을 포함하는 차폐부(1110)가 배치되어 선택적으로 개폐될 수 있다.
마스크 조립체(1200)는 챔버(1100) 내부에 배치될 수 있다. 이 때, 마스크 조립체(1200)는 마스크지지부(미도시)에 안착될 수 있다. 마스크지지부는 챔버(1100) 내부에 배치되어 마스크 조립체(1200)의 위치를 미세 조정할 수 있다. 일 실시예에서, 마스크 조립체(1200)는 접지되어 있을 수 있다. 마스크 조립체(1200)는 마스크프레임(MF) 및 마스크(M)를 포함할 수 있다.
마스크프레임(MF)은 개구부분을 포함할 수 있으며, 소스부(1300)에서 공급된 증착 물질은 상기 개구부분을 통과할 수 있다. 마스크프레임(MF)은 변형이 작은 소재인 강성이 큰 금속으로 제조될 수 있다.
마스크(M)는 마스크프레임(MF)에 의해 지지될 수 있다. 이 때, 마스크(M)는 복수의 셀영역들에 대응하여 개구부를 포함할 수 있으며, 상기 증착 물질은 상기 개구부를 통하여 마더 기판(MS) 상에 증착될 수 있다. 마스크(M)는 스테인리스 스틸, 인바(invar), 니켈(Ni), 코발트(Co), 니켈 합금, 니켈-코발테 합금 등으로 제조될 수 있다.
소스부(1300)는 마스크 조립체(1200)와 대향하도록 배치될 수 있다. 이 때, 소스부(1300)는 증착 물질이 수납될 수 있으며, 증착 물질에 열을 가함으로써 증착 물질을 증발시키거나 승화시킬 수 있다. 따라서, 소스부(1300)는 증착 물질을 공급할 수 있다.
기판지지부(1400)에는 마더 기판(MS)이 배치될 수 있다. 이 때, 기판지지부(1400)는 안착된 마더 기판(MS)을 지지하거나, 마더 기판(MS)의 일면을 흡착하거나 부착하여 지지할 수 있다. 일 실시예에서, 기판지지부(1400)는 챔버(1100) 내부에서 고정된 브라켓 형태일 수 있다. 다른 실시예에서, 기판지지부(1400)는 마더 기판(MS)이 안착되며, 챔버(1100) 내부에서 선형 운동이 가능한 셔틀 형태일 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 기판지지부(1400)가 챔버(1100) 내부에 고정되는 브라켓 형태인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
밀착부(1500)는 마스크 조립체(1200)를 기준으로 소스부(1300)와 반대편에 배치될 수 있다. 이 때, 밀착부(1500)는 마스크 조립체(1200)에 자기력 또는 전기력을 가하여 마스크 조립체(1200)를 마더 기판(MS) 측으로 가력할 수 있다. 특히, 밀착부(1500)는 마스크 조립체(1200)의 쳐짐을 방지할 뿐만 아니라, 마스크(M)를 마더 기판(MS)에 근접시킬 수 있다. 또한, 밀착부(1500)는 마스크(M)와 마더 기판(MS) 사이의 간격을 마스크(M)의 길이 방향에 대해 균일하게 유지시킬 수 있다.
압력조절부(1600)는 챔버(1100)와 연결되어 챔버(1100) 내부의 압력을 조절할 수 있다. 예를 들어, 압력조절부(1600)는 챔버(1100) 내부의 압력을 대기압과 동일 또는 유사하게 조절할 수 있다. 또한, 압력조절부(1600)는 챔버(1100) 내부의 압력을 진공 상태와 동일 또는 유사하게 조절할 수 있다.
압력조절부(1600)는 챔버(1100)와 연결되는 연결배관(1610) 및 연결배관(1610)에 설치되는 펌프(1620)를 포함할 수 있다. 이 때, 펌프(1620)의 작동에 따라서 연결배관(1610)을 통하여 외기가 유입되거나 챔버(1100) 내부의 기체를 연결배관(1610)을 통하여 외부로 안내할 수 있다.
표시 장치의 제조장치(1000)는 비젼부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 비젼부는 마더 기판(MS) 및 마스크 조립체(1200)를 촬영하는 카메라를 포함할 수 있다. 비젼부에서 촬영된 이미지를 근거로 마더 기판(MS)과 마스크 조립체(1200)의 위치를 파악할 수 있으며, 상기 이미지를 근거로 마스크지지부에서 마스크 조립체(1200)의 위치를 미세조정할 수 있다.
본 실시예에서, 마더 기판(MS)은 기판지지부(1400)에 배치될 수 있으며, 마더 기판(MS)은 복수의 셀영역들 및 복수의 셀영역들의 사이에 배치된 도전층(CL)을 포함할 수 있다. 도전층(CL)은 제2방향(예를 들어, x 방향 또는 -x 방향)으로 연장된 중앙부분(CW) 및 가로부분(HW)들을 포함할 수 있다. 이 때, 중앙부분(CW)의 폭(CWd)은 가로부분(HW)의 폭(HWd)보다 클 수 있다.
중앙부분(CW)은 마스크 조립체(1200)의 중심(MC)에 대응하여 배치될 수 있으며, 중앙부분(CW)은 마스크(M)를 마주보도록 배치될 수 있다. 가로부분(HW)들은 중앙부분(CW)을 기준으로 대칭적으로 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 중앙부분(CW)이 마스크 조립체(1200)의 중심(MC)에 대응하여 배치된 것은 정전기 방전으로 인해 마더 기판(MS)의 복수의 셀영역들이 손상됨을 방지하기 위함일 수 있다. 이하 도 6을 참조하여 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치(1000)에서 마더 기판(MS)이 쳐진 것을 나타낸 단면도이다. 도 6에 있어서, 도 5와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하므로 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 표시 장치의 제조장치(1000)는 챔버(1100), 마스크 조립체(1200), 소스부(1300), 기판지지부(1400), 밀착부(1500), 압력조절부(1600), 및 마더 기판(MS)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치의 제조장치(1000)는 증착 물질을 마더 기판(MS)에 증착시킬 수 있다. 구체적으로, 마스크 조립체(1200)를 증착 물질을 공급하는 소스부(1300)와 대향하도록 챔버(1100) 내에 배치할 수 있으며, 마더 기판(MS)을 마스크 조립체(1200)를 기준으로 소스부(1300)와 반대편에 배치할 수 있다. 또한, 밀착부(1500)를 이용하여 마스크 조립체(1200)를 마더 기판(MS)에 근접시킬 수 있다.
일 실시예에서, 밀착부(1500)가 마스크 조립체(1200)를 가력하여 마스크(M)를 마더 기판(MS)에 근접시키는 경우, 마더 기판(MS)은 마스크(M)와 전체적으로 컨택될 수 있다.
그 다음, 소스부(1300)에서 분사되어 마스크 조립체(1200)를 통과한 증착 물질이 마더 기판(MS)에 증착할 수 있다. 일 실시예에서, 소스부(1300)에서 공급되는 증착 물질은 마더 기판(MS)의 표시부에 발광층 및/또는 전극층을 형성하는 물질일 수 있다. 다른 실시예에서, 소스부(1300)에서 공급되는 증착 물질은 마더 기판(MS)에 절연층을 형성하는 물질일 수 있다.
이 때, 마더 기판(MS)에 상기와 같은 표시 장치를 제조하는 중 표시 장치의 제조장치의 동작 등으로 인해 전하가 축적될 수 있다.
그 다음, 마더 기판(MS)은 마스크 조립체(1200)와 이격될 수 있다. 여기서 마더 기판(MS)이 마스크 조립체(1200)와 이격된다는 것의 의미는 마더 기판(MS) 및 마스크(M)가 떨어진다는 의미이다. 이 때, 밀착부(1500)는 마스크 조립체(1200)를 가력하지 않을 수 있다.
이러한 경우, 마더 기판(MS)은 기판지지부(1400)에 의해 지지되더라도, 마더 기판(MS) 자체의 하중에 의해 쳐질 수 있다. 이 때, 마더 기판(MS)의 중앙영역은 마스크 조립체(1200)와 컨택될 수 있으며, 마더 기판(MS)의 중앙영역은 마스크 조립체(1200)와 가장 나중에 분리될 수 있다. 따라서, 마스크 조립체(1200)와 컨택되는 마더 기판(MS)의 중앙영역에서 정전기 방전이 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예와 다르게, 중앙부분(CW)이 마스크 조립체(1200)의 중심(MC)에 대응하여 배치되지 않은 경우, 마더 기판(MS)의 중앙영역이 마스크(M)와 분리될 때, 마더 기판(MS)의 중앙영역에서 정전기 방전이 발생할 수 있다. 이에 따라, 마더 기판(MS)의 중앙영역과 인접하게 배치된 복수의 셀영역들의 손상이 발생할 수 있다. 본 발명의 실시예는 가로부분(HW)보다 큰 폭을 가지는 중앙부분(CW)이 마스크 조립체(1200)의 중심(MC)과 대응하여 배치되어 있으며, 기판지지부(1400)를 기준으로 제3방향(예를 들어, z 방향 또는 -z 방향)으로 마더 기판(MS)의 최저점에 배치될 수 있다. 이에 따라, 가로부분(HW)에 비해 상대적으로 저항이 작은 중앙부분(CW)은 마스크 조립체(1200)와 가장 나중에 분리될 수 있다. 따라서, 중앙부분(CW)을 통해 정전기 방전이 발생할 수 있으므로, 정전기 방전으로 인해 마더 기판(MS)의 복수의 셀영역들이 손상됨을 방지할 수 있다. 또한, 복수의 셀영역들이 중앙부분(CW)을 기준으로 대칭적으로 배치된 경우, 절연층에 의해 노출된 회로부의 박막트랜지스터의 손상을 방지할 수 있다.
이하에서는, 표시 장치의 제조장치(1000)로 제조된 표시 장치(1)에 대해 상세히 설명하기로 한다.
표시 장치(1)는 화상을 표시하는 장치로서, 게임기, 멀티미디어기기, 초소형 PC와 같이 휴대가 가능한 모바일 기기일 수 있다. 후술할 표시 장치(1)는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 양자점 표시 장치(Quantum dot display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Display) 등을 포함할 수 있다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 실시예들은 전술한 바와 같은 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 한 화소(P)를 도시한 단면도로, 도 7의 VIII-VIII'선에 따른 단면에 대응될 수 있다.
도 7을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)을 적어도 일부 둘러싸며, 회로부(CP)가 배치된 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)에는 복수의 화소(P)들이 배치될 수 있으며, 표시영역(DA)은 복수의 화소(P)들에 포함된 표시요소에서 방출되는 빛을 이용하여 이미지를 제공할 수 있다. 각 화소(P)의 표시요소는 각각 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 화소(P)는 제1방향(예를 들어, y 방향 또는 -y 방향)으로 연장된 데이터선(DL) 및 제2방향(예를 들어, x 방향 또는 -x 방향)으로 연장된 스캔선(SL)과 연결될 수 있다.
회로부(CP)는 패드부(PADP) 및 스위치부(SP)를 포함할 수 있다. 패드부(PADP)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어 인쇄회로기판(미도시)과 전기적으로 연결되는 패드들을 포함할 수 있다. 이 때, 인쇄회로기판은 패드부(PADP)를 통해 각 화소(P)로 신호 또는 전원을 제공할 수 있다. 스위치부(SP)는 표시영역(DA)에 형성된 표시요소의 점등 검사를 수행하는 박막트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기와 같은 표시 장치(1)는 도 1의 마더 기판(MS)에 배치된 복수의 셀영역(CA)들을 커팅하여 형성할 수 있다.
도 8을 참조하면, 표시 장치는 기판(100), 화소회로층(PCL), 및 표시요소층(DEL)을 포함할 수 있다.
화소회로층(PCL)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 화소회로층(PCL)은 트랜지스터(TFT) 및 트랜지스터(TFT)의 구성요소들 아래 또는/및 위에 배치되는 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 층간절연층(114), 제1평탄화절연층(115), 및 제2평탄화절연층(116)을 포함할 수 있다.
버퍼층(111)은 실리콘질화물, 실리콘산질화물 및 실리콘산화물과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act)을 포함하며, 반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)은 채널영역 및 채널영역의 양측에 각각 배치된 드레인영역 및 소스영역을 포함할 수 있다.
게이트전극(GE)은 채널영역과 중첩할 수 있다. 게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이의 제1게이트절연층(112)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제2게이트절연층(113)은 상기 게이트전극(GE)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 상기 제1게이트절연층(112)과 유사하게 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제2게이트절연층(113) 상부에는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2)이 배치될 수 있다. 상부 전극(CE2)은 그 아래의 게이트전극(GE)과 중첩할 수 있다. 이 때, 제2게이트절연층(113)을 사이에 두고 중첩하는 게이트전극(GE) 및 상부 전극(CE2)은 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 즉, 게이트전극(GE)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)으로 기능할 수 있다.
이와 같이, 스토리지 커패시터(Cst)와 트랜지스터(TFT)가 중첩되어 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 스토리지 커패시터(Cst)는 트랜지스터(TFT)와 중첩되지 않도록 형성될 수도 있다.
상부 전극(CE2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
층간절연층(114)은 상기 상부 전극(CE2)을 덮을 수 있다. 층간절연층(114)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등을 포함할 수 있다. 층간절연층(114)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 각각 층간절연층(114) 상에 위치할 수 있다. 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 각각 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 및 층간절연층(114)에 구비된 컨택홀을 통해 반도체층(Act)과 연결될 수 있다. 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
제1평탄화절연층(115)은 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)을 덮으며 배치될 수 있다. 제1평탄화절연층(115)은 유기절연층을 포함할 수 있다. 제1평탄화절연층(115)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다.
연결전극(CM)은 제1평탄화절연층(115) 상에 배치될 수 있다. 이 때, 연결전극(CM)은 제1평탄화절연층(115)의 컨택홀을 통해 드레인전극(DE) 또는 소스전극(SE)과 연결될 수 있다. 연결전극(CM)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 연결전극(CM)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 연결전극(CM)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
제2평탄화절연층(116)은 연결전극(CM)을 덮으며 배치될 수 있다. 제2평탄화절연층(116)은 유기절연층을 포함할 수 있다. 제2평탄화절연층(116)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 연결전극(CM) 및 제2평탄화절연층(116)은 생략될 수 있다.
화소(P)는 트랜지스터(TFT) 및 표시요소인 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 또는 청색 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
표시요소층(DEL)은 화소회로층(PCL) 상에 배치될 수 있다. 표시요소층(DEL)은 유기발광다이오드(OLED)를 포함하되, 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(211)은 제2평탄화절연층(116)의 컨택홀을 통해 연결전극(CM)과 전기적으로 연결될 수 있다.
화소전극(211)은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(211)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소전극(211)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.
화소전극(211) 상에는 화소전극(211)의 중앙부를 노출하는 개구(118OP)를 갖는 화소정의막(118)이 배치될 수 있다. 화소정의막(118)은 유기절연물 및/또는 무기절연물을 포함할 수 있다. 개구(118OP)는 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 발광영역(이하, 발광영역이라 함, EA)을 정의할 수 있다. 예컨대, 개구(118OP)의 폭이 발광영역(EA)의 폭에 해당할 수 있다.
화소정의막(118) 상에는 중간층(212)이 배치될 수 있다. 중간층(212)은 화소정의막(118)의 개구(118OP)에 배치된 발광층(212b)을 포함할 수 있다. 발광층(212b)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 이러한 발광층(212b)은 도 5의 표시 장치의 제조장치(1000)를 이용해 형성할 수 있다.
발광층(212b)의 아래와 위에는 각각 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c)이 배치될 수 있다. 제1기능층(212a)은 예컨대, 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer) 및/또는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층(212c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제1기능층(212a) 및/또는 제2기능층(212c)은 후술할 대향전극(213)과 마찬가지로 기판(100)을 전체적으로 커버하도록 형성되는 공통층일 수 있다.
대향전극(213)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(213)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(213)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
대향전극(213)의 상부는 봉지층(미도시)으로 커버될 수 있다. 봉지층은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예로 봉지층은 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함할 수 있다.
상기 제1무기봉지층 및 상기 제2무기봉지층은 각각 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 무기 절연물은 알루미늄산화물, 탄탈륨산화물, 하프늄산화물, 아연산화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물 또는/및 실리콘산질화물을 포함할 수 있다. 상기 유기봉지층은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 아크릴계 수지는 예컨대 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 봉지층은 기판(100) 및 투명한 부재인 상부기판이 밀봉부재로 결합되어 기판(100)과 상부기판 사이의 내부공간이 밀봉되는 구조일 수 있다. 이때 내부공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다. 밀봉부재는 실런트 일 수 있으며, 다른 실시예에서, 밀봉부재는 레이저에 의해서 경화되는 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 밀봉부재는 프릿(frit)일 수 있다. 구체적으로 밀봉부재는 유기 실런트인 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 무기 실런트인 실리콘 등으로 이루어질 수 있다. 우레탄계 수지로서는, 예를 들어, 우레탄 아크릴레이트 등을 사용할 수 있다. 아크릴계 수지로는, 예를 들어, 부틸아크릴레이트, 에틸헬실아크레이트 등을 사용할 수 있다. 한편, 밀봉부재는 열에 의해서 경화되는 물질로 구성될 수 있다.
이와 같은 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
CA: 셀영역
CA1, CA2, CA3: 제1셀영역, 제2셀영역, 제3셀영역
CL: 도전층
CP1, CP2, CP3: 제1회로부, 제2회로부, 제3회로부
CW: 중앙부분
DP: 표시부
DP1, DP2, DP3: 제1표시부, 제2표시부, 제3표시부
HW: 가로부분
HW1, HW2: 제1가로부분, 제2가로부분
MS: 마더 기판
RP: 저항패턴
VW: 세로부분
1000: 표시 장치의 제조장치
1200: 마스크 조립체
1300: 소스부
1400: 기판지지부

Claims (20)

  1. 제1방향으로 나란히 배치된 표시부 및 박막트랜지스터를 포함하는 회로부를 각각 포함하는 복수의 셀영역들; 및
    상기 복수의 셀영역들의 사이에 배치된 도전층;을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장된 중앙부분 및 상기 중앙부분과 이격되고 상기 제2방향으로 연장된 가로부분들을 포함하며,
    상기 복수의 셀영역들의 상기 표시부 및 상기 회로부는 각각 상기 중앙부분을 기준으로 대칭적으로 배치된, 마더 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 셀영역들은,
    제1표시부 및 제1박막트랜지스터를 포함하는 제1회로부를 포함하는 제1셀영역 및
    제2표시부 및 제2박막트랜지스터를 포함하는 제2회로부를 포함하는 제2셀영역을 포함하고,
    상기 제1셀영역 및 상기 제2셀영역은 상기 중앙부분을 사이에 두고 배치되며,
    상기 제1표시부 및 상기 제2표시부는 상기 제1회로부 및 상기 제2회로부 사이에 배치된, 마더 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 셀영역들은,
    제1표시부 및 제1박막트랜지스터를 포함하는 제1회로부를 포함하는 제1셀영역 및
    제3표시부 및 제3박막트랜지스터를 포함하는 제3회로부를 포함하는 제3셀영역을 포함하고,
    상기 제1셀영역 및 상기 제3셀영역은 상기 제2방향으로 나란히 배치된, 마더 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 중앙부분의 폭은 상기 가로부분의 폭보다 큰, 마더 기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가로부분들은 제1가로부분 및 상기 제1가로부분보다 상기 중앙부분에 멀리 배치된 제2가로부분을 포함하고,
    상기 제1가로부분의 폭은 상기 제2가로부분의 폭보다 큰, 마더 기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도전층은 상기 제1방향으로 연장된 세로부분들을 더 포함하는, 마더 기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 도전층은 상기 박막트랜지스터와 연결된, 마더 기판.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터와 연결된 저항패턴;을 더 포함하고,
    상기 도전층은 상기 저항패턴을 통해 상기 박막트랜지스터와 연결된, 마더 기판.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 반도체층 및 상기 반도체층과 연결된 전극을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 전극과 동일한 층에 배치된, 마더 기판.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 중앙부분은 상기 제1방향으로 돌출된 복수의 돌출부들을 포함하는, 마더 기판.
  11. 마스크 조립체;
    상기 마스크 조립체와 대향하도록 배치되어 증착물질을 공급하는 소스부;
    상기 마스크 조립체를 기준으로 상기 소스부와 반대편에 배치되는 기판지지부; 및
    상기 기판지지부에 배치되는 마더 기판;을 포함하고,
    상기 마더 기판은,
    제1방향 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치된 복수의 셀영역들; 및
    상기 복수의 셀영역의 사이에 배치된 도전층;을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제2방향으로 연장된 중앙부분 및 상기 중앙부분과 이격되고 상기 제2방향으로 연장된 가로부분들을 포함하며,
    상기 중앙부분의 폭은 상기 가로부분의 폭보다 크고,
    상기 중앙부분은 상기 마스크 조립체의 중심에 대응하여 배치된, 표시 장치의 제조장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 셀영역들은,
    상기 제1방향으로 나란히 배치된 제1표시부 및 제1박막트랜지스터를 포함하는 제1회로부를 포함하는 제1셀영역 및
    상기 제1방향으로 나란히 배치된 제2표시부 및 제2박막트랜지스터를 포함하는 제2회로부를 포함하는 제2셀영역을 포함하고,
    상기 제1셀영역 및 상기 제2셀영역은 상기 중앙부분을 사이에 두고 배치되며,
    상기 제1표시부 및 상기 제2표시부는 상기 제1회로부 및 상기 제2회로부 사이에 배치된, 표시 장치의 제조장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 셀영역들은,
    제1표시부 및 제1박막트랜지스터를 포함하는 제1회로부를 포함하는 제1셀영역 및
    제3표시부 및 제3박막트랜지스터를 포함하는 제3회로부를 포함하는 제3셀영역을 포함하고,
    상기 제1셀영역 및 상기 제3셀영역은 상기 제2방향으로 나란히 배치된, 표시 장치의 제조장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 가로부분들은 제1가로부분 및 상기 제1가로부분보다 상기 중앙부분에 멀리 배치된 제2가로부분을 포함하고,
    상기 제1가로부분의 폭은 상기 제2가로부분의 폭보다 큰, 표시 장치의 제조장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 중앙부분은 상기 제1방향으로 돌출된 복수의 돌출부들을 포함하는, 표시 장치의 제조장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 중앙부분은 상기 마스크 조립체와 컨택하는, 표시 장치의 제조장치.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 중앙부분은 상기 기판지지부를 기준으로 상기 마더 기판의 최저점에 배치된, 표시 장치의 제조장치.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 셀영역들은 각각 표시부 및 박막트랜지스터를 포함하는 회로부를 포함하고,
    상기 도전층은 상기 박막트랜지스터와 연결된, 표시 장치의 제조장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터와 연결된 저항패턴;을 더 포함하고,
    상기 도전층은 상기 저항패턴을 통해 상기 박막트랜지스터와 연결된, 표시 장치의 제조장치.
  20. 마스크 조립체를 증착 물질을 공급하는 소스부와 대향하도록 챔버 내에 배치하는 단계;
    마더 기판을 상기 마스크 조립체를 기준으로 상기 소스부와 반대편에 배치하는 단계;
    밀착부를 이용하여 상기 마스크 조립체를 상기 마더 기판에 근접시키는 단계; 및
    상기 소스부에서 분사되어 상기 마스크 조립체를 통과한 상기 증착 물질이 상기 마더 기판에 증착하는 단계;를 포함하고,
    상기 마더 기판은,
    제1방향 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치된 복수의 셀영역들; 및
    상기 복수의 셀영역의 사이에 배치된 도전층;을 포함하고,
    상기 도전층은 상기 제2방향으로 연장된 중앙부분 및 상기 중앙부분과 이격되고 상기 제2방향으로 연장된 가로부분들을 포함하며,
    상기 중앙부분의 폭은 상기 가로부분의 폭보다 크고,
    상기 중앙부분은 상기 마스크 조립체의 중심에 대응하여 배치된, 표시 장치의 제조방법.
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