KR20210113069A - Method for manufacturing semiconductor device, and resin sheet - Google Patents

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KR20210113069A
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히로유키 사카우치
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아지노모토 가부시키가이샤
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Abstract

Provided is a manufacturing method for manufacturing a semiconductor device using a compression molding device having a first mold and a second mold. The method includes: a process of preparing a substrate; a process of preparing a resin sheet provided with a resin composition layer and a first support film which contacts one surface of the resin composition layer; a process of peeling off the first support film and obtaining an uncovered state on both surfaces of the resin composition layer; and a process of pressing the resin composition layer and the substrate between the first mold and the second mold.

Description

반도체 장치의 제조 방법, 및 수지 시트 {METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RESIN SHEET}The manufacturing method of a semiconductor device, and a resin sheet TECHNICAL FIELD

본 발명은, 반도체 장치의 제조 방법, 및 그 제조 방법에 사용할 수 있는 수지 시트에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and a resin sheet that can be used for the method for manufacturing the same.

최근, 스마트폰, 태블릿 PC와 같은 소형의 고기능 휴대 단말의 수요가 증대하고 있다. 이러한 소형의 고기능 휴대 단말에 사용되는 반도체 장치의 추가적인 고기능화 및 소형화가 요구되고 있다. 이러한 요구에 부응하기 위해, 예를 들어, 2개 이상의 반도체 칩을 내포하도록 밀봉한 멀티 칩 패키지, 및 복수개의 멀티 칩 패키지끼리를 서로 접합함으로써 구성되는 패키지 온 패키지(PoP)가 주목받고 있다. 이러한 패키지 온 패키지의 구성으로서는, 예를 들어, 소정의 패키지 위에 추가로 다른 패키지를 탑재하여, 서로 전기적으로 접속하는 형태를 들 수 있다.In recent years, the demand for small and high-function portable terminals such as smart phones and tablet PCs is increasing. There is a demand for further high-functionality and miniaturization of semiconductor devices used in such small-sized high-function portable terminals. In order to meet such a demand, for example, a multi-chip package sealed to contain two or more semiconductor chips, and a package-on-package (PoP) configured by bonding a plurality of multi-chip packages to each other are attracting attention. As a configuration of such a package-on-package, for example, another package is additionally mounted on a predetermined package, and a form in which they are electrically connected to each other can be given.

상술한 바와 같은 패키지를 제조함에 있어서, 실장 기판 위에 반도체 칩을 탑재하는 방법으로는 몇 가지의 방법이 제안되어 있다. 예를 들어, 반도체 칩의 전극을 실장 기판측과는 반대측을 향해, 소위 페이스 업 상태로 실장 기판에 탑재하고, 반도체 칩의 전극과 실장 기판의 전극을 본딩 와이어로 접속하는 와이어 본딩 실장이 제안되어 있다. 또한, 예를 들어, 반도체 칩의 전극을 실장 기판측을 향하여, 소위 페이스 다운 상태로 탑재하여, 반도체 칩의 전극과 실장 기판의 전극을 직접적으로 접속하는 플립 칩 실장이 알려져 있다. 플립 칩 실장의 경우에는, 통상, 반도체 칩측의 전극에 범프라 칭해지는 돌기 전극을 형성하여, 범프와 실장 기판측의 전극을 접합시킨다.In manufacturing the package as described above, several methods have been proposed as a method of mounting a semiconductor chip on a mounting substrate. For example, wire bonding mounting has been proposed, in which the electrodes of the semiconductor chip are mounted on the mounting substrate in a so-called face-up state toward the side opposite to the side of the mounting substrate, and the electrodes of the semiconductor chip and the electrodes of the mounting substrate are connected with bonding wires. have. Further, for example, flip chip mounting is known in which the electrodes of the semiconductor chip are mounted toward the mounting substrate side in a so-called face-down state, and the electrodes of the semiconductor chip and the electrodes of the mounting substrate are directly connected. In the case of flip-chip mounting, normally, a protruding electrode called a bump is formed on the electrode on the semiconductor chip side, and the bump and the electrode on the mounting substrate side are joined.

통상은, 반도체 칩이 탑재된 실장 기판에 밀봉층을 형성함으로써, 패키지를 얻을 수 있다. 밀봉층은, 예를 들어, 에폭시 몰딩 컴파운드 등의 수지 조성물을 밀봉재로서 사용한 트랜스퍼 몰드법, 밀봉재로 형성된 밀봉 필름을 압착하는 진공 열 프레스법 등의 방법에 의해, 상기 수지 조성물의 경화체를 포함하는 경화체층으로서 형성될 수 있다. 밀봉 필름을 사용하는 진공 프레스법에 의한 밀봉 공정은 특허문헌 1에 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2에 기재된 기술도 알려져 있다.Usually, a package can be obtained by forming a sealing layer in the mounting board|substrate on which the semiconductor chip was mounted. The sealing layer is, for example, by a method such as a transfer molding method using a resin composition such as an epoxy molding compound as a sealing material and a vacuum hot pressing method for compressing a sealing film formed of a sealing material, a cured product containing the cured product of the resin composition It can be formed as a layer. The sealing process by the vacuum press method using a sealing film is disclosed by patent document 1. Moreover, the technique of patent document 2 is also known.

일본 공개특허공보 특개2014-29958호Japanese Patent Laid-Open No. 2014-29958 일본 특허공보 제6272690호Japanese Patent Publication No. 6272690

경화체층은, 예를 들어, 압축 성형법(컴프레션 몰드법)에 의해 형성되는 경우가 있다. 압축 성형법에서는, 일반적으로, 성형용의 형틀을 사용하여 경화체층을 형성한다. 그러나, 과립 및 파우더 등의 고형의 수지 조성물을 사용하는 경우, 분진이 발생하여 장치 및 제조 환경에 부착될 가능성이 있다. 또한, 특히 대면적의 실장 기판을 밀봉하는 경우, 형틀로의 수지 조성물의 공급에 시간이 필요하므로 수율이 저하되는 경향이 있다. 또한, 고형의 수지 조성물을 사용하는 경우, 경화체층의 막두께의 면내 방향에서의 밸런스가 떨어질 가능성이 있다. 「면내 방향」이란, 특별히 언급하지 않는 한, 두께 방향으로 수직인 방향을 나타낸다.The hardening body layer may be formed, for example by the compression molding method (compression molding method). In the compression molding method, a hardening body layer is generally formed using the formwork for shaping|molding. However, in the case of using a solid resin composition such as granules and powder, there is a possibility that dust is generated and adhered to the device and the manufacturing environment. Moreover, especially when sealing a large-area mounting board|substrate, since time is required for supply of the resin composition to a formwork, there exists a tendency for a yield to fall. Moreover, when using a solid resin composition, the balance in the in-plane direction of the film thickness of a hardening body layer may fall. The "in-plane direction" indicates a direction perpendicular to the thickness direction unless otherwise specified.

또한, 압축 성형법에 있어서 액상의 수지 조성물을 사용하는 경우, 형성되는 경화체층에 플로우 마크가 생기기 쉽다. 또한, 액상의 수지 조성물은 통상 보존 안정성이 떨어진다. 또한, 실장 기판의 형상에 따라서는, 수지 조성물의 충전성이 떨어지는 경우가 있을 수 있다. 예를 들어, 4각형의 실장 기판에 액상의 수지 조성물을 사용하여 압축 성형법을 행하면 충전성이 떨어져 버리는 경우가 있을 수 있다.Moreover, when using a liquid resin composition in the compression molding method, it is easy to produce a flow mark in the hardening body layer formed. Moreover, a liquid resin composition is inferior to storage stability normally. Moreover, depending on the shape of a mounting board|substrate, the filling property of a resin composition may be inferior. For example, if a compression molding method is performed using a liquid resin composition on a rectangular mounting substrate, the filling properties may be deteriorated.

이에 대해, 필름상의 수지 조성물을 사용한 압축 성형법은, 경화체층의 막두께를 면내 방향에 있어서 균일하게 할 수 있고, 또한, 플로우 마크가 생기기 어렵다. 따라서, 본 발명자는, 필름상의 수지 조성물을 사용한 압축 성형법에 대해 검토를 행하였다. 구체적으로는, 지지 필름과, 이 지지 필름의 한면 전체에 마련된 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트를 사용하여, 압축 성형법에 의해 실장 기판 위에 경화체층을 형성하는 것을 시도해 보았다.On the other hand, in the compression molding method using a film-form resin composition, the film thickness of a hardening body layer can be made uniform in an in-plane direction, and a flow mark is hard to produce. Therefore, this inventor examined the compression molding method using the film-form resin composition. Specifically, an attempt was made to form a cured body layer on a mounting substrate by a compression molding method using a support film and a resin sheet including a resin composition layer provided on one entire surface of the support film.

하지만, 상기의 수지 시트를 사용하는 경우 하기와 같은 과제가 생길 수 있다는 것이 판명되었다.However, it has been found that the following problems may arise when the above resin sheet is used.

예를 들어, 형틀의 캐비티보다도 작은 수지 시트를 사용하는 경우, 압축 성형후에 얻어지는 경화체층에 지지 필름이 파고들어가서, 경화체층의 표면에 요철이 형성될 수 있다. 이러한 요철이 형성된 경화체층을 포함하는 제품은 출하에 적합하지 않으므로, 상기의 요철은, 수율 저하의 원인이 될 수 있다. 또한, 경화체층에 지지 필름이 파고 들어가면, 지지 필름의 박리가 어려워진다.For example, when a resin sheet smaller than the cavity of the mold is used, the support film may penetrate into the cured body layer obtained after compression molding, and irregularities may be formed on the surface of the cured body layer. Since a product including a hardening body layer having such irregularities is not suitable for shipment, the irregularities may cause a decrease in yield. Moreover, when a support film digs into a hardening body layer, peeling of a support film will become difficult.

예를 들어, 형틀의 캐비티보다도 큰 수지 시트를 사용하는 경우, 경화체층으로의 지지 필름의 파고들어감은 억제할 수 있다. 하지만, 수지 조성물층의 일부가 형틀의 외부에 유출되거나 형틀에 부착되거나 하여, 장치를 더럽히는 경우가 있을 수 있다.For example, when using a larger resin sheet than the cavity of a formwork, the penetration of the support film to a hardening body layer can be suppressed. However, there may be cases where a part of the resin composition layer leaks out of the mold or adheres to the mold, thereby contaminating the device.

예를 들어, 형틀의 캐비티와 같은 크기의 수지 시트를 사용하는 경우라도, 수지 조성물의 유출에 의한 장치의 오염이 생기는 경우가 있다. 또한, 형틀의 오염이 생기지 않는 경우라도, 통상은 경화체층으로의 지지 필름의 파고 들어감이 생기므로, 경화체층의 표면에 요철이 형성될 수 있다.For example, even when a resin sheet of the same size as the cavity of the mold is used, the contamination of the apparatus by the outflow of the resin composition may occur. In addition, even when contamination of the mold does not occur, since the support film is usually penetrated into the hardening body layer, irregularities may be formed on the surface of the hardening body layer.

상기의 과제는, 실장 기판 이외의 기판을 사용한 제조 방법에서도 동일하게 생기는 경우가 있었다.The above-mentioned subject may similarly arise also in the manufacturing method using board|substrates other than a mounting board|substrate.

본 발명은, 상기의 과제를 감안하여 창안된 것으로서, 수지 조성물의 경화체로 형성된 경화체층을 구비하는 반도체 장치를 압축 성형법을 사용하여 제조하는 제조 방법으로서, 경화체층에서의 요철의 형성을 억제할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 유출에 의한 형틀의 오염을 억제할 수 있는 제조 방법; 및, 당해 제조 방법에 사용할 수 있는 수지 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was devised in view of the above problems, and is a manufacturing method for manufacturing a semiconductor device having a cured body layer formed of a cured body of a resin composition using a compression molding method, wherein the formation of irregularities in the cured body layer can be suppressed. Also, the manufacturing method which can suppress the contamination of the formwork by the outflow of a resin composition; And it aims at providing the resin sheet which can be used for the said manufacturing method.

본 발명자는, 상기의 과제를 해결하기 위해 예의 검토하였다. 그 결과, 본 발명자는, 수지 시트로부터 지지 필름을 벗겨내어, 수지 조성물층을 단독으로 압축 성형에 제공하는 경우, 상기의 과제를 해결할 수 있음을 발견하였다. 또한, 본 발명자는, 수지 시트가 특정한 요건을 충족시킬 경우, 지지 필름의 박리 용이성을 개선할 수 있고 또한 지지 필름의 의도치 않은 박리를 억제할 수 있음을 발견하였다. 본 발명자는, 상기의 지견에 기초하여, 본 발명을 완성시켰다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This inventor earnestly examined in order to solve the said subject. As a result, when this inventor peels off a support film from a resin sheet and provides a resin composition layer independently for compression molding, it discovered that said subject could be solvable. Further, the present inventors have discovered that, when the resin sheet meets specific requirements, the ease of peeling of the support film can be improved and unintentional peeling of the support film can be suppressed. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This inventor completed this invention based on said knowledge.

즉, 본 발명은, 하기의 것을 포함한다.That is, the present invention includes the following.

〔1〕기판을 지지할 수 있는 제1형틀과, 상기 제1형틀에 대향하여 마련된 제2형틀을 구비하고, 상기 제1형틀 및 상기 제2형틀 중 적어도 한쪽에 캐비티가 형성된 압축 성형 장치를 사용하여 반도체 장치를 제조하는, 반도체 장치의 제조 방법으로서,[1] A compression molding apparatus comprising a first mold capable of supporting a substrate and a second mold provided opposite to the first mold, wherein a cavity is formed in at least one of the first mold and the second mold; A method for manufacturing a semiconductor device comprising:

상기 제조 방법이,The manufacturing method is

상기 기판을 준비하는 공정 (I),Step (I) of preparing the substrate,

열경화성의 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층의 한쪽의 면에 접하는 제1 지지 필름을 구비하는 수지 시트를 준비하는 공정 (II),Step (II) of preparing a resin sheet comprising a resin composition layer formed of a thermosetting resin composition, and a first support film in contact with one surface of the resin composition layer;

상기 제1 지지 필름을 벗겨내어, 상기 수지 조성물층의 양쪽의 면에서, 동시 또는 비동시에, 비피복 상태를 얻는 공정 (III), 및Step (III) of peeling off the first support film to obtain an uncovered state simultaneously or non-simultaneously on both surfaces of the resin composition layer, and

상기 수지 조성물층을 상기 캐비티 내에 넣고, 상기 제1형틀과 상기 제2형틀 사이에서, 상기 수지 조성물층과 상기 기판을 가압하는 공정 (IV)Step (IV) of placing the resin composition layer in the cavity and pressing the resin composition layer and the substrate between the first mold and the second mold

를 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device comprising:

〔2〕공정 (II)에서 준비되는 상기 수지 시트가, 상기 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층의 한쪽의 면에 접하는 상기 제1 지지 필름과, 상기 수지 조성물층의 다른 쪽의 면에 접하는 제2 지지 필름을 구비하고,[2] A agent in which the resin sheet prepared in step (II) is in contact with the resin composition layer, the first support film in contact with one surface of the resin composition layer, and the other surface of the resin composition layer 2 having a support film,

공정 (III)이 상기 제1 지지 필름 및 제2 지지 필름을 벗겨내는 것을 포함하는, 〔1〕에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor device according to [1], wherein the step (III) includes peeling off the first support film and the second support film.

〔3〕상기 제1 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FA[gf/cm]이 하기 식 (1)을 충족시키고, [3] the adhesive force F A [gf/cm] of the first support film and the resin composition layer satisfies the following formula (1),

상기 제2 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FB[gf/cm]이 하기 식 (2)를 충족시키는, 〔2〕에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor device according to [2], wherein the adhesive force F B [gf/cm] of the second support film and the resin composition layer satisfies the following formula (2).

1.5[gf/cm]＜FA＜20[gf/cm] (1)1.5[gf/cm]<F A <20[gf/cm] (1)

1.5[gf/cm]＜FB＜20[gf/cm] (2)1.5[gf/cm]<F B <20[gf/cm] (2)

〔4〕상기 제1 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FA[gf/cm], 상기 제2 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FB[gf/cm], 및 100℃에서의 상기 수지 조성물의 용융 점도 η[poise]가 식 (3)을 충족시키는, 〔2〕 또는 〔3〕에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[4] Adhesive force F A [gf/cm] between the first support film and the resin composition layer, adhesion F B [gf/cm] between the second support film and the resin composition layer, and at 100°C The method for manufacturing a semiconductor device according to [2] or [3], wherein the melt viscosity η [poise] of the resin composition satisfies the formula (3).

0.00005＜(FA＋FB)/η＜0.03 (3)0.00005<(F A + F B )/η<0.03 (3)

〔5〕상기 제2 지지 필름의 두께가 10㎛ 내지 200㎛인, 〔2〕 내지 〔4〕중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[5] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [2] to [4], wherein the second support film has a thickness of 10 µm to 200 µm.

〔6〕상기 제2 지지 필름의 상기 수지 조성물층과 접하는 면이 실리콘계 이형제로 표면 처리되어 있는, 〔2〕 내지 〔5〕 중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[6] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [2] to [5], wherein the surface of the second support film in contact with the resin composition layer is surface-treated with a silicone-based release agent.

〔7〕상기 수지 조성물층의 두께가 40㎛ 이상인, 〔1〕 내지 〔6〕중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[7] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [1] to [6], wherein the resin composition layer has a thickness of 40 µm or more.

〔8〕상기 제1 지지 필름의 두께가 10㎛ 내지 200㎛인, 〔1〕 내지 〔7〕중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[8] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [1] to [7], wherein the thickness of the first support film is 10 µm to 200 µm.

〔9〕상기 제1 지지 필름의 상기 수지 조성물층과 접하는 면이 실리콘계 이형제로 표면 처리되어 있는, 〔1〕 내지 〔8〕중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[9] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [1] to [8], wherein a surface of the first support film in contact with the resin composition layer is surface-treated with a silicone-based release agent.

〔10〕상기 수지 조성물층이, 공정 (IV)에서 상기 수지 조성물층이 가압되었을 때, 상기 캐비티 내를 충족시킬 수 있는 용량을 갖는, 〔1〕 내지 〔9〕중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[10] The semiconductor device according to any one of [1] to [9], wherein the resin composition layer has a capacity that can satisfy the inside of the cavity when the resin composition layer is pressurized in the step (IV). manufacturing method.

〔11〕열경화성의 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층의 한쪽의 면에 접하는 제1 지지 필름과, 상기 수지 조성물층의 다른 쪽의 면에 접하는 제2 지지 필름을 구비하고,[11] A resin composition layer formed of a thermosetting resin composition, a first support film in contact with one surface of the resin composition layer, and a second support film in contact with the other surface of the resin composition layer,

상기 수지 조성물층의 두께가 40㎛ 이상이고,The thickness of the resin composition layer is 40㎛ or more,

상기 제1 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FA[gf/cm], 상기 제2 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FB[gf/cm], 및 100℃에서의 상기 수지 조성물의 용융 점도 η[poise]가 하기 식 (1), 식 (2) 및 식 (3)을 충족시키는, 수지 시트.Adhesion F A [gf/cm] between the first support film and the resin composition layer, adhesion F B [gf/cm] between the second support film and the resin composition layer, and the resin composition at 100° C. A resin sheet with which melt viscosity η[poise] of which satisfies the following formulas (1), (2) and (3).

1.5[gf/cm]＜FA＜20[gf/cm] (1)1.5[gf/cm]<F A <20[gf/cm] (1)

1.5[gf/cm]＜FB＜20[gf/cm] (2)1.5[gf/cm]<F B <20[gf/cm] (2)

0.00005＜(FA＋FB)/η＜0.03 (3)0.00005<(F A + F B )/η<0.03 (3)

본 발명에 의하면, 경화체층에서의 요철의 형성을 억제할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 유출에 의한 형틀의 오염을 억제할 수 있는, 압축 성형법을 사용한 반도체 장치의 제조 방법; 및, 당해 제조 방법에 사용할 수 있는 수지 시트를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the semiconductor device using the compression molding method which can suppress formation of the unevenness|corrugation in a hardening body layer and can suppress the contamination of the formwork by the outflow of a resin composition; And the resin sheet which can be used for the said manufacturing method can be provided.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치를 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치에, 기판을 설치한 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 준비되는 수지 시트를, 두께 방향으로 평행한 평면에서 자른 단면을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치에, 기판 및 수지 조성물층을 설치한 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 사용하는 압축 성형 장치를 사용하여, 압축 성형을 행하는 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 제조 방법에서 제조할 수 있는 성형체를 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은, 수지 조성물층 및 지지 필름을 구비한 수지 시트를 사용하여 압축 성형을 행할 때의 압축 성형 장치를 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 사용하는 압축 성형 장치에, 기판 및 수지 조성물층을 설치한 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치를 사용하여, 압축 성형을 행하는 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 10은, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치에, 기판 및 수지 조성물층을 설치한 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 11은, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치를 사용하여, 압축 성형을 행하는 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which showed typically the compression molding apparatus used in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment of this invention.
Fig. 2 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a substrate is installed in the compression molding apparatus used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a cross-sectional view schematically showing a cross section of a resin sheet prepared in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention in a plane parallel to the thickness direction.
Fig. 4 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a substrate and a resin composition layer are provided in the compression molding apparatus used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which compression molding is performed using the compression molding apparatus used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view schematically showing a molded article that can be manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
7 : is sectional drawing which showed typically the compression molding apparatus at the time of performing compression molding using the resin sheet provided with the resin composition layer and the support film.
Fig. 8 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a substrate and a resin composition layer are provided in a compression molding apparatus used in a method for manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view schematically showing a state in which compression molding is performed using the compression molding apparatus used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
Fig. 10 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a substrate and a resin composition layer are provided in a compression molding apparatus used in a method for manufacturing a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view schematically showing a state in which compression molding is performed using the compression molding apparatus used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.

이하, 실시형태 및 예시물을 나타내어, 본 발명에 대해 상세히 설명한다. 단, 본 발명은, 이하에 예를 드는 실시형태 및 예시물에 한정되지 않으며, 본 발명의 청구범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment and an illustration are shown and this invention is demonstrated in detail. However, the present invention is not limited to the embodiments and examples given below, and can be arbitrarily changed and implemented without departing from the scope of the claims of the present invention and its equivalents.

[1. 제1 실시형태][One. first embodiment]

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치(100)를 모식적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a compression molding apparatus 100 used in a method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치(100)는, 제1형틀(110)과 제2형틀(120)을 구비한다. 이들 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)은, 서로 접근함으로써 형틀 닫기가 이루어지고, 또한, 서로 떨어짐으로써 형틀 개방이 되도록 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 제1형틀(110) 및 제2형틀의 두께 방향이 연직 방향과 평행하게 되도록, 제1형틀(110)을 아래쪽, 제2형틀(120)을 윗쪽에 마련한 예를 나타내어 설명한다.As shown in FIG. 1, the compression molding apparatus 100 used by the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment of this invention is equipped with the 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold 120. As shown in FIG. These 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold 120 are provided so that the type|mold closing is made|formed by approaching each other, and it is provided so that it may become a type|mold opening by separating from each other. In this embodiment, the example which provided the 1st type|mold 110 below and the 2nd type|mold 120 above so that the thickness direction of the 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold might become parallel to a perpendicular direction is shown and demonstrated. .

제1형틀(110)은 기판(200)을 지지할 수 있게 마련되어 있다. 제1형틀(110)은, 기판(200)을 고정할 수 있는 고정 기구(도시하지 않음)를 구비하고 있어도 좋다. 고정 기구로서는, 예를 들어, 기판(200)을 흡착하여 고정할 수 있는 흡착부, 기판(200)을 계지하여 고정할 수 있는 계지부 등을 들 수 있다. 단, 점착 테이프 등의 고정 부재(도시하지 않음)를 사용하여 제1형틀(110)에 기판(200)을 고정해도 좋으므로, 제1형틀(110)은, 고정 기구를 갖고 있지 않아도 좋다.The first formwork 110 is provided to support the substrate 200 . The 1st type|mold 110 may be equipped with the fixing mechanism (not shown) which can fix the board|substrate 200. Examples of the fixing mechanism include an adsorption unit capable of adsorbing and fixing the substrate 200 , a holding unit capable of holding and fixing the substrate 200 , and the like. However, since the board|substrate 200 may be fixed to the 1st type|mold 110 using fixing members (not shown), such as an adhesive tape, the 1st type|mold 110 does not need to have a fixing mechanism.

제2형틀(120)은, 제1형틀(110)에 대향하여 마련되어 있다. 그리고, 제1형틀(110) 및 제2형틀(120) 중 적어도 한쪽에는, 성형용의 오목부로서의 캐비티(130)가 형성되어 있다. 통상은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 제2형틀(120)의 제1형틀(110)에 대향하는 측에, 캐비티(130)가 형성된다. 이 캐비티(130)는, 형틀 닫기가 이루어진 경우, 압축 성형용의 공간을 형성할 수 있게 형성되어 있다. 본 실시형태에서 나타내는 예에 있어서는, 캐비티(130)는, 제1형틀(110)에 지지된 기판(200)의 표면(200U)과 제2형틀(120) 사이에, 캐비티(130)에 대응하는 공간이 형성되고, 이 공간 내에서 수지 조성물층(도 1에서는 도시하지 않음)을 압축 성형할 수 있게 형성되어 있다.The 2nd type|mold 120 is provided facing the 1st type|mold 110. As shown in FIG. And in at least one of the 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold 120, the cavity 130 as a recessed part for shaping|molding is formed. Usually, as shown in FIG. 1, the cavity 130 is formed in the side which opposes the 1st type|mold 110 of the 2nd type|mold 120. As shown in FIG. This cavity 130 is formed so that a space for compression molding can be formed when the formwork is closed. In the example shown by this embodiment, the cavity 130 corresponds to the cavity 130 between the surface 200U of the board|substrate 200 supported by the 1st type|mold 110, and the 2nd type|mold 120. A space is formed, and it is formed so that the resin composition layer (not shown in FIG. 1) can be compression-molded in this space.

상기의 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)은, 캐비티(130) 안을 가압할 수 있게 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 상기의 가압을 실현하기 위해, 제2형틀(120)이, 바닥부 블록(121)과, 이 바닥부 블록(121)의 주위를 둘러싸도록 환상으로 마련된 측부 블록(122)을 구비하는 예를 나타내어 설명한다. 바닥부 블록(121)은, 캐비티(130)의 바닥부를 형성한다. 또한, 측부 블록(122)은, 캐비티(130)의 측벽부를 형성한다. 그리고, 바닥부 블록(121)은, 측부 블록(122)에 대해 상대적으로, 이동 가능하게 마련되어 있다. 따라서, 이 예에 있어서, 제2형틀(120)은, 바닥부 블록(121)이 도면 중 아래쪽에 압압됨으로써, 캐비티(130) 안을 가압할 수 있게 마련되어 있다. 단, 캐비티(130) 안을 가압하는 방법은, 여기에 나타내는 예에 한정되지 않는다.The first mold 110 and the second mold 120 are provided to pressurize the inside of the cavity 130 . In this embodiment, in order to implement|achieve said pressurization, the 2nd formwork 120 includes the bottom block 121 and the side block 122 provided annularly so that the circumference|surroundings of this bottom block 121 may be surrounded. An example provided is shown and demonstrated. The bottom block 121 forms the bottom of the cavity 130 . Further, the side block 122 forms a side wall portion of the cavity 130 . And, the bottom block 121 is relatively movable with respect to the side block 122 . Therefore, in this example, the 2nd formwork 120 is provided so that the inside of the cavity 130 can be pressurized by the bottom block 121 being pressed downward in a figure. However, the method of pressurizing the inside of the cavity 130 is not limited to the example shown here.

또한, 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)은, 기판(200) 및 수지 조성물층의 첩부를 억제하기 위해, 도시하지 않은 릴리스 필름을 구비하고 있어도 좋다. 또한, 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)은, 캐비티(130) 안을 가열하기 위해, 도시하지 않은 히터 등의 온도 조정 장치를 구비하고 있어도 좋다. 또한, 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)에는, 기체가 유통할 수 있는 도시하지 않은 에어 벤트로(路)가 캐비티(130)에 연통하도록 형성되어 있어도 좋고, 이 에어 벤트로에는 감압 장치(도시하지 않음)가 접속되어 있어도 좋다.In addition, in order to suppress sticking of the board|substrate 200 and the resin composition layer, the 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold 120 may be equipped with the release film which is not shown in figure. Moreover, in order to heat the inside of the cavity 130, the 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold 120 may be equipped with temperature adjustment devices, such as a heater (not shown). In addition, in the 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold 120, the air vent path (way) not shown through which gas can flow may be formed so that it may communicate with the cavity 130, In this air vent path, A pressure reducing device (not shown) may be connected.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 제조 방법에서는, 상기의 압축 성형 장치(100)를 사용하여 반도체 장치를 제조한다. 이 제조 방법은,In the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment of this invention, a semiconductor device is manufactured using the said compression molding apparatus 100. As shown in FIG. This manufacturing method is

기판(200)을 준비하는 공정 (I),Step (I) of preparing the substrate 200,

열경화성의 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층과, 이 수지 조성물층의 한쪽의 면에 접하는 제1 지지 필름을 구비하는 수지 시트를 준비하는 공정 (II),Step (II) of preparing a resin sheet comprising a resin composition layer formed of a thermosetting resin composition, and a first support film in contact with one surface of the resin composition layer;

상기 제1 지지 필름을 벗겨내어, 수지 조성물층의 양쪽의 면에서, 동시 또는 비동시에, 비피복 상태를 얻는 공정 (III), 및Step (III) of peeling off the first support film to obtain an uncovered state simultaneously or non-simultaneously on both surfaces of the resin composition layer, and

수지 조성물층을 캐비티(130) 안에 넣고, 제1형틀(110)과 제2형틀(120) 사이에서, 수지 조성물층과 기판(200)을 가압하는 공정 (IV)를 포함한다.A step (IV) of placing the resin composition layer in the cavity 130 and pressing the resin composition layer and the substrate 200 between the first mold 110 and the second mold 120 is included.

[1.1. 기판을 준비하는 공정 (I)][1.1. Step of preparing the substrate (I)]

본 발명의 제1 실시형태에 따른 제조 방법은 기판을 준비하는 공정 (I)을 포함한다. 기판으로서는, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼; 유리 웨이퍼; 유리 기판; 구리, 티타늄, 스테인리스, 냉간 압연 강판(SPCC) 등의 금속 기판; FR-4 기판 등의 유리 에폭시 기판; 폴리에스테르 기판; 폴리이미드 기판; BT 레진 기판; 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 또한, 기판은, 반도체 칩을 박리 가능하게 가고정할 수 있는 가고정 필름을 구비하고 있어도 좋다. 또한, 가고정 필름 자체를 기판으로서 사용해도 좋다. 가고정 필름의 시판품으로서는, 예를 들어, 닛토 덴코사 제조 「리바알파」를 들 수 있다. 또한, 기판은, 당해 기판의 일부로서 표면에 동박 등의 금속층을 갖고 있어도 좋다. 예를 들어, 양쪽의 표면에 박리 가능한 제1 금속층 및 제2 금속층을 갖는 기판을 사용해도 좋다. 이러한 기판을 사용하는 경우, 통상, 회로 배선으로서 기능할 수 있는 배선층으로서의 도체층이, 제2 금속층의 제1 금속층과는 반대측의 면에 형성된다. 이러한 금속층을 갖는 기판으로서는, 예를 들어, 미츠이 킨조쿠코교사 제조의 캐리어 동박 부착 극박 동박 「Micro Thin」을 들 수 있다.The manufacturing method which concerns on 1st Embodiment of this invention includes the process (I) of preparing a board|substrate. As the substrate, for example, a silicon wafer; glass wafer; glass substrate; metal substrates such as copper, titanium, stainless steel, and cold rolled steel sheet (SPCC); glass epoxy substrates such as FR-4 substrates; polyester substrate; polyimide substrate; BT resin substrate; A thermosetting type polyphenylene ether board|substrate etc. are mentioned. Moreover, the board|substrate may be equipped with the temporarily fixing film which can fix a semiconductor chip so that peeling is possible. Moreover, you may use the temporarily fixed film itself as a board|substrate. As a commercial item of a temporarily fixed film, "Riva Alpha" by Nitto Denko Co., Ltd. is mentioned, for example. Moreover, the board|substrate may have metal layers, such as copper foil, on the surface as a part of the said board|substrate. For example, you may use the board|substrate which has a peelable 1st metal layer and a 2nd metal layer on both surfaces. When using such a board|substrate, the conductor layer as a wiring layer which can function as circuit wiring is normally formed in the surface on the opposite side to the 1st metal layer of a 2nd metal layer. As a board|substrate which has such a metal layer, the ultra-thin copper foil "Micro Thin" with a carrier copper foil by the Mitsui Kinzoku Co., Ltd. product is mentioned, for example.

또한, 기판은 그 한쪽 또는 양쪽의 표면에 형성된 도체층을 구비하고 있어도 좋다. 도체층에 포함되는 도체 재료로서는, 예를 들어, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티타늄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 재료를 들 수 있다. 도체 재료로서는, 단금속을 사용해도 좋고 합금을 사용해도 좋다. 합금으로서는, 예를 들어, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티타늄 합금)을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성의 관점에서, 단금속으로서의 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리; 및, 합금으로서의 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티타늄 합금의 합금; 이 바람직하다. 그중에서도, 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속; 및, 니켈·크롬 합금; 이 보다 바람직하고, 구리의 단금속이 특히 바람직하다. 또한, 도체층은, 예를 들어 배선층으로서 기능시키기 위해, 패턴 가공되어 있어도 좋다.Moreover, the board|substrate may be equipped with the conductor layer formed in the surface of one or both sides. The conductor material contained in the conductor layer is, for example, one selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. The material containing the above metals is mentioned. As the conductor material, a single metal may be used or an alloy may be used. Examples of the alloy include an alloy of two or more metals selected from the group described above (eg, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy). Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper as a single metal from the viewpoint of versatility of conductor layer formation, cost, and ease of patterning; and alloys of nickel-chromium alloys, copper-nickel alloys, and copper-titanium alloys as alloys; This is preferable. Among them, single metals of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; and a nickel-chromium alloy; This is more preferable, and a single metal of copper is especially preferable. In addition, in order to make a conductor layer function as a wiring layer, pattern processing may be carried out, for example.

또한, 기판은 일측 또는 양측에 실장된 전자 부품을 구비하고 있어도 좋다. 전자 부품으로서는, 예를 들어, 콘덴서, 인덕터, 저항 등의 수동 부품; 반도체 칩 등의 능동 부품을 들 수 있다.Moreover, the board|substrate may be equipped with the electronic component mounted on one side or both sides. As an electronic component, For example, Passive components, such as a capacitor|condenser, an inductor, and a resistor; Active components, such as a semiconductor chip, are mentioned.

기판의 면내 방향의 치수는 캐비티의 면내 방향의 치수보다 작아도 좋고 커도 좋고 동일해도 좋다. 따라서, 기판의 폭은, 통상, 캐비티의 폭보다 작아도 좋고 커도 좋고 동일해도 좋다. 또한, 기판의 면적은, 캐비티의 개구 면적보다도 작아도 좋고 커도 좋고 동일해도 좋다. 기판의 면적이란, 따로 언급하지 않는 한, 기판을 두께 방향에서 본 경우의 면적을 나타낸다. 또한, 캐비티의 개구 면적이란, 따로 언급하지 않는 한, 캐비티를 두께 방향에서 본 경우의 개구부(도 1의 부호 130D로 나타내는 부분)의 면적을 나타낸다. 예를 들어, 캐비티보다 작은 기판은, 캐비티 안에 들어갈 수 있으므로, 당해 기판 자체를 경화체층에 매립할 수 있다. 또한, 예를 들어, 캐비티보다 큰 기판은, 당해 기판이 캐비티에 뚜껑을 덮을 수 있으므로, 당해 기판 위에 경화체층을 형성할 수 있다.The dimension in the in-plane direction of the substrate may be smaller, larger, or the same as the dimension in the in-plane direction of the cavity. Therefore, normally, the width|variety of a board|substrate may be smaller, larger, or the same than the width|variety of a cavity. In addition, the area of a board|substrate may be smaller than the opening area of a cavity, may be large, and may be the same. Unless otherwise indicated, the area of a board|substrate shows the area at the time of seeing a board|substrate from the thickness direction. In addition, unless otherwise indicated, the opening area of a cavity represents the area of the opening part (part shown by the code|symbol 130D of FIG. 1) at the time of seeing a cavity from the thickness direction. For example, since a substrate smaller than the cavity can fit into the cavity, the substrate itself can be embedded in the hardening body layer. Moreover, for example, since the said board|substrate can cover a cavity with the board|substrate larger than a cavity, a hardening body layer can be formed on the said board|substrate.

도 2는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치(100)에 기판(200)을 설치한 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 준비된 기판(200)은 제1형틀(110)에 설치된다. 본 실시형태에서는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 캐비티(130)에 뚜껑을 덮을 수 있을 정도로 큰 기판(200)을 사용한 예를 나타내어 설명한다.Fig. 2 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the substrate 200 is installed in the compression molding apparatus 100 used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2 , the prepared substrate 200 is installed on the first formwork 110 . In this embodiment, as shown in FIG. 2, the example using the board|substrate 200 large enough to cover the cavity 130 with a lid is shown and demonstrated.

[1.2. 수지 시트를 준비하는 공정 (II)][1.2. Step (II) for preparing the resin sheet]

도 3은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 준비되는 수지 시트(300)를, 두께 방향에 평행한 평면에서 자른 단면을 모식적으로 나타낸 단면도이다.3 : is sectional drawing which showed typically the cross section cut in the plane parallel to the thickness direction of the resin sheet 300 prepared by the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment of this invention.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 제조 방법은 도 3에 나타내는 수지 시트(300)를 준비하는 공정 (II)를 포함한다. 수지 시트(300)는, 열경화성의 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층(310)과, 수지 조성물층(310)의 한쪽의 면으로서의 제1면(310U)에 접하는 제1 지지 필름(320)을 구비한다. 수지 조성물층(310)은, 제1면(310U)의 반대측에, 다른 쪽의 면으로서의 제2면(310D)을 갖는다. 이 제2면(310D)은, 다른 부재에 피복되어 있지 않은 비피복 상태가 되어 있어도 좋다. 단, 수지 조성물층(310)을 흠집이나 먼지가 부착되는 것으로부터 보호하는 관점에서는, 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)에는, 제2 지지 필름(330)이 접하고 있는 것이 바람직하다. 따라서, 수지 시트(300)는, 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)에 접하는 제2 지지 필름(330)을 구비하는 것이 바람직하다.The manufacturing method which concerns on 1st Embodiment of this invention includes the process (II) of preparing the resin sheet 300 shown in FIG. The resin sheet 300 includes a resin composition layer 310 formed of a thermosetting resin composition, and a first support film 320 in contact with a first surface 310U as one surface of the resin composition layer 310 . . The resin composition layer 310 has a second surface 310D as the other surface opposite to the first surface 310U. This second surface 310D may be in an uncovered state that is not covered by other members. However, from the viewpoint of protecting the resin composition layer 310 from adhesion of scratches and dust, it is preferable that the second support film 330 is in contact with the second surface 310D of the resin composition layer 310 . . Accordingly, the resin sheet 300 preferably includes the second support film 330 in contact with the second surface 310D of the resin composition layer 310 .

수지 조성물층(310)은 당해 수지 조성물층(310)의 전체를 캐비티(130) 안에 들어가지도록 작게 형성되어 있다. 캐비티(130) 안에 수지 조성물층(310)을 넣음으로써, 형틀 닫기가 된 경우, 수지 조성물의 캐비티(130)의 외부로의 유출을 억제할 수 있다. 따라서, 수지 조성물에 의한 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)의 오염을 억제할 수 있다.The resin composition layer 310 is formed small so that the entirety of the resin composition layer 310 is contained in the cavity 130 . By putting the resin composition layer 310 in the cavity 130 , when the mold is closed, the outflow of the resin composition to the outside of the cavity 130 can be suppressed. Therefore, contamination of the first mold 110 and the second mold 120 by the resin composition can be suppressed.

또한, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)은 수지 조성물층(310)으로부터 벗길 수 있게 마련되어 있다. 따라서, 수지 조성물층(310)은 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 벗겨서 수지 조성물층(310) 단독으로 압축 성형에 제공할 수 있다. 따라서, 압축 성형시에는 캐비티(130)에 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)이 들어가지 못하므로, 그 지지 필름(320 및 330)의 파고들어감이 발생하지 않는다. 따라서, 경화체층(도 3에서는 도시하지 않음)에서의 요철의 형성을 억제할 수 있다.In addition, the first support film 320 and the second support film 330 are provided to be peelable from the resin composition layer 310 . Accordingly, the resin composition layer 310 may be subjected to compression molding alone by peeling the first support film 320 and the second support film 330 . Accordingly, since the first support film 320 and the second support film 330 do not enter the cavity 130 during compression molding, the support films 320 and 330 do not penetrate. Therefore, formation of unevenness|corrugation in the hardening body layer (not shown in FIG. 3) can be suppressed.

이하, 수지 조성물층(310)의 치수에 대해 설명한다. 따로 언급하지 않는 한, 이하에 설명하는 수지 조성물층(310)의 치수는, 공정 (IV)에서의 가압보다 전의 수지 조성물층(310)의 치수를 나타낸다. 수지 조성물층(310)의 면내 방향의 치수는, 당해 수지 조성물층(310)의 전체를 캐비티(130) 안에 들어가지도록 하는 관점에서, 캐비티(130)의 면내 방향의 치수보다도 작게 되도록 형성되어 있다. 따라서, 수지 조성물층(310)의 폭 W310은, 통상, 캐비티(130)의 폭 W130(도 1 참조)보다도 작다.Hereinafter, the dimensions of the resin composition layer 310 will be described. Unless otherwise indicated, the dimension of the resin composition layer 310 demonstrated below shows the dimension of the resin composition layer 310 before pressurization in process (IV). The dimension in the in-plane direction of the resin composition layer 310 is formed to be smaller than the dimension in the in-plane direction of the cavity 130 from the viewpoint of allowing the entire resin composition layer 310 to fit into the cavity 130 . Therefore, the width W 310 of the resin composition layer 310 is usually smaller than the width W 130 of the cavity 130 (refer to FIG. 1 ).

캐비티(130)의 폭 W130에 대한 수지 조성물층(310)의 폭 W310의 비(W310/W130)는 바람직하게는 0.99 이하, 보다 바람직하게는 0.98 이하, 특히 바람직하게는 0.97 이하이다. 비(W310/W130)가 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 캐비티(130)의 외부로의 유출을 효과적으로 억제할 수 있다. 비(W310/W130)의 하한은 특단의 제한은 없지만, 캐비티(130)의 구석구석에까지 수지 조성물을 효과적으로 충전하는 관점에서는 바람직하게는 0.80 이상, 보다 바람직하게는 0.85 이상, 특히 바람직하게는 0.90 이상이다.The ratio (W 310 /W 130 ) of the width W 310 of the resin composition layer 310 to the width W 130 of the cavity 130 is preferably 0.99 or less, more preferably 0.98 or less, particularly preferably 0.97 or less. . When the ratio (W 310 /W 130 ) is in the above range, it is possible to effectively suppress the outflow of the cavity 130 of the resin composition to the outside. The lower limit of the ratio (W 310 /W 130 ) is not particularly limited, but from the viewpoint of effectively filling the resin composition to every corner of the cavity 130, preferably 0.80 or more, more preferably 0.85 or more, particularly preferably greater than 0.90.

또한, 수지 조성물층(310)의 폭 W310과 캐비티(130)의 폭 W130과의 차(W130-W310)는 바람직하게는 1mm 이상, 보다 바람직하게는 1.5mm 이상, 특히 바람직하게는 2mm 이상이다. 차(W130-W310)가 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 캐비티(130)의 외부로의 유출을 효과적으로 억제할 수 있다. 차(W130-W310)의 상한은 특단의 제한은 없지만, 캐비티(130)의 구석구석에까지 수지 조성물을 효과적으로 충전하는 관점에서는 바람직하게는 10mm 이하, 보다 바람직하게는 8mm 이하, 더욱 바람직하게는 6mm 이하이다.In addition, the difference between the width W 310 of the resin composition layer 310 and the width W 130 of the cavity 130 (W 130 -W 310 ) is preferably 1 mm or more, more preferably 1.5 mm or more, particularly preferably more than 2mm. When the difference (W 130 -W 310 ) is in the above range, it is possible to effectively suppress the outflow of the cavity 130 of the resin composition. The upper limit of the car (W 130 -W 310 ) is not particularly limited, but from the viewpoint of effectively filling the resin composition to every corner of the cavity 130, preferably 10 mm or less, more preferably 8 mm or less, still more preferably 6mm or less.

또한, 수지 조성물층(310)의 면적은, 당해 수지 조성물층(310)의 전체를 캐비티(130) 안에 들어가지도록 하는 관점에서, 캐비티(130)의 개구 면적보다도 작게 되도록 형성되어 있다. 수지 조성물층(310)의 면적이란, 따로 언급하지 않는 한, 수지 조성물층(310)을 두께 방향에서 본 경우의 면적을 나타낸다. 캐비티(130)의 개구 면적 100%에 대한 수지 조성물층(310)의 면적은 바람직하게는 99% 이하, 보다 바람직하게는 98% 이하, 특히 바람직하게는 96% 이하이다. 수지 조성물층(310)의 면적이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 캐비티(130)의 외부로의 유출을 효과적으로 억제할 수 있다. 수지 조성물층(310)의 면적의 하한은, 특단의 제한은 없지만, 캐비티(130)의 구석구석에까지 수지 조성물을 효과적으로 충전하는 관점에서는 바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 70% 이상, 특히 바람직하게는 80% 이상이다.In addition, the area of the resin composition layer 310 is formed so that it may become smaller than the opening area of the cavity 130 from a viewpoint of making the whole said resin composition layer 310 fit in the cavity 130. As shown in FIG. Unless otherwise specified, the area of the resin composition layer 310 represents the area when the resin composition layer 310 is viewed from the thickness direction. The area of the resin composition layer 310 with respect to 100% of the opening area of the cavity 130 is preferably 99% or less, more preferably 98% or less, and particularly preferably 96% or less. When the area of the resin composition layer 310 is within the above range, it is possible to effectively suppress the outflow of the resin composition into the cavity 130 . The lower limit of the area of the resin composition layer 310 is not particularly limited, but from the viewpoint of effectively filling the resin composition to every corner of the cavity 130, preferably 50% or more, more preferably 70% or more, particularly Preferably it is 80% or more.

수지 조성물층(310)의 면내 방향의 치수는, 기판(200)의 면내 방향의 치수보다 작아도 좋고 커도 좋고 동일해도 좋다. 따라서, 수지 조성물층(310)의 폭 W310은, 통상, 기판(200)의 폭 W200(도 2 참조)보다 작아도 좋고 커도 좋고 동일해도 좋다. 압축 성형법에 있어서는, 가압에 의해 수지 조성물층(310)이 넓어져서, 기판(200)의 표면(200U)에 경화체층이 형성되는 경우가 많으므로, 가압되기 전의 수지 조성물층(310)의 폭 W310은, 통상, 기판(200)의 폭 W200보다도 작다. 이 경우, 대면적의 경화체층을 형성하여 수율을 향상시키는 관점에서는, 기판(200)의 폭 W200에 대한 수지 조성물층(310)의 폭 W310의 비(W310/W200)는 바람직하게는 0.50 이상, 보다 바람직하게는 0.70 이상, 특히 바람직하게는 0.80 이상이다. 또한, 같은 관점에서, 기판(200)의 폭 W200과 수지 조성물층(310)의 폭 W310과의 차(W200－W310)는 바람직하게는 100mm 이하, 보다 바람직하게는 80mm 이하, 특히 바람직하게는 50mm 이하이다.The dimension in the in-plane direction of the resin composition layer 310 may be smaller, larger, or the same as the dimension in the in-plane direction of the substrate 200 . Therefore, the width W 310 of the resin composition layer 310 may be smaller, larger, or the same as the width W 200 of the substrate 200 (refer to FIG. 2 ) normally. In the compression molding method, since the resin composition layer 310 expands by pressurization and a cured body layer is formed on the surface 200U of the substrate 200 in many cases, the width W of the resin composition layer 310 before being pressurized. 310 is usually smaller than the width W 200 of the substrate 200 . In this case, the ratio of the width W 310 of the resin composition layer 310 to the width W 200 of the substrate 200 (W 310 /W 200 ) is preferably is 0.50 or more, more preferably 0.70 or more, particularly preferably 0.80 or more. In addition, from the same viewpoint, the difference (W 200 -W 310 ) between the width W 200 of the substrate 200 and the width W 310 of the resin composition layer 310 is preferably 100 mm or less, more preferably 80 mm or less, particularly Preferably it is 50 mm or less.

또한, 수지 조성물층(310)의 면적은, 기판(200)의 면적보다 작아도 좋고 커도 좋고 동일해도 좋다. 압축 성형법에 있어서는, 가압에 의해 수지 조성물층(310)이 넓어져서, 기판(200)의 표면(200U)에 경화체층이 형성되는 경우가 많으므로, 가압되기 전의 수지 조성물층(310)의 면적은, 통상, 기판(200)의 면적보다도 작다. 이 경우, 대면적의 경화체층을 형성하여 수율을 향상시키는 관점에서는, 기판(200)의 면적 100%에 대한 수지 조성물층(310)의 면적은 바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 60% 이상, 특히 바람직하게는 70% 이상이다.The area of the resin composition layer 310 may be smaller, larger, or the same as the area of the substrate 200 . In the compression molding method, the resin composition layer 310 expands by pressurization and a cured body layer is formed on the surface 200U of the substrate 200 in many cases, so the area of the resin composition layer 310 before being pressurized is , is usually smaller than the area of the substrate 200 . In this case, from the viewpoint of improving the yield by forming a large-area hardening body layer, the area of the resin composition layer 310 with respect to 100% of the area of the substrate 200 is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, particularly preferably 70% or more.

수지 조성물층(310)은, 공정 (IV)에서 수지 조성물층(310)이 가압되었을 때, 캐비티 (130) 안을 충족시킬 수 있는 용량을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 용량을 갖는 수지 조성물층(310)은 공정 (IV)에서 캐비티(130) 안을 틈새 없이 채울 수 있다. 예를 들어, 본 실시형태와 같이 제1형틀(110)에 지지된 기판(200)과 제2형틀(120)과의 사이에 캐비티(130)가 압축 성형용의 공간을 형성하는 경우에는, 공정 (IV)에서 가압된 수지 조성물층(310)이 상기 캐비티(130)가 형성하는 공간을 틈새 없이 채울 수 있다. 따라서, 수지 조성물층(310)이 경화하여 형성되는 경화체층에서, 미충전부 및 보이드의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 수지 조성물층(310)이 경화하여 얻어지는 경화체층의, 면내 방향에서의 막두께 균일성을 향상시킬 수 있다.The resin composition layer 310 preferably has a capacity that can fill the cavity 130 when the resin composition layer 310 is pressurized in the step (IV). The resin composition layer 310 having such a capacity may fill the cavity 130 without a gap in the process (IV). For example, when the cavity 130 forms a space for compression molding between the board|substrate 200 supported by the 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold 120 like this embodiment, a process The resin composition layer 310 pressurized in (IV) may fill the space formed by the cavity 130 without a gap. Accordingly, in the cured layer formed by curing the resin composition layer 310 , it is possible to suppress the occurrence of unfilled parts and voids. Moreover, the film thickness uniformity in the in-plane direction of the hardening body layer obtained by hardening|curing the resin composition layer 310 can be improved.

수지 조성물층(310)의 두께는 제조되는 반도체 장치에 따라 적절하게 설정할 수 있다. 예를 들어, 수지 조성물층(310)이 얇은 경우, 얇은 경화체층을 용이하게 형성할 수 있으므로, 반도체 장치의 박형화를 용이하게 실현할 수 있다. 또한, 예를 들어, 수지 조성물층(310)이 두꺼운 경우, 두꺼운 경화체층을 용이하게 형성할 수 있으므로, 기판(200)이 구비할 수 있는 두꺼운 부품을 경화체층이 용이하게 밀봉할 수 있다. 단, 수지 조성물층(310)을 두껍게 함으로써 기계적 강도를 높여서, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 박리 용이성을 높이는 관점에서는, 수지 조성물층(310)의 두께는 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상, 특히 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 반도체 장치의 박형화의 관점에서는 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 400㎛ 이하, 특히 바람직하게는 200㎛ 이하이다.The thickness of the resin composition layer 310 may be appropriately set according to the semiconductor device to be manufactured. For example, when the resin composition layer 310 is thin, a thin cured body layer can be easily formed, so that the thickness of the semiconductor device can be easily realized. In addition, for example, when the resin composition layer 310 is thick, a thick hardening body layer can be easily formed, so that the hardening body layer can easily seal thick components that the substrate 200 can have. However, from the viewpoint of increasing the mechanical strength by thickening the resin composition layer 310 to increase the ease of peeling the first support film 320 and the second support film 330 , the thickness of the resin composition layer 310 is preferably is 40 µm or more, more preferably 60 µm or more, and particularly preferably 80 µm or more. Although there is no particular limitation on the upper limit, it is preferably 500 µm or less, more preferably 400 µm or less, and particularly preferably 200 µm or less from the viewpoint of reducing the thickness of the semiconductor device.

또한, 수지 조성물층(310)의 두께는 균일한 것이 바람직하다. 수지 조성물층(310)이 균일한 두께를 가질 경우, 캐비티(130) 안의 전체에 밸런스 좋게 압력을 가할 수 있으므로, 캐비티(130)의 단부에까지 수지 조성물을 충분히 충전할 수 있다. 따라서, 미충전부 및 보이드의 발생을 억제할 수 있다. 두께의 균일함은, 두께의 최대값과 최소값의 차로 나타낼 수 있다. 구체적인 범위를 나타내면, 수지 조성물층(310)의 두께의 최대값과 최소값의 차는 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 7㎛ 이하, 특히 바람직하게는 5㎛ 이하이다.In addition, it is preferable that the thickness of the resin composition layer 310 is uniform. When the resin composition layer 310 has a uniform thickness, pressure can be applied to the entire cavity in a well-balanced manner, so that the resin composition can be sufficiently filled up to the end of the cavity 130 . Therefore, generation|occurrence|production of an unfilled part and a void can be suppressed. The uniformity of the thickness can be expressed as a difference between the maximum and minimum values of the thickness. If a specific range is shown, the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness of the resin composition layer 310 becomes like this. Preferably it is 10 micrometers or less, More preferably, it is 7 micrometers or less, Especially preferably, it is 5 micrometers or less.

수지 조성물층(310)에 포함되는 수지 조성물은 100℃에서 특정한 범위의 용융 점도 η를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기의 용융 점도 η은 바람직하게는 800포이즈 이상, 보다 바람직하게는 1000포이즈 이상, 특히 바람직하게는 1500포이즈 이상이며, 바람직하게는 120000포이즈 이하, 보다 바람직하게는 100000포이즈 이하, 특히 바람직하게는 90000포이즈 이하이다. 상기 하한값 이상의 용융 점도 η을 갖는 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층은, 높은 강성을 가질 수 있다. 따라서, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 박리 용이성을 양호하게 할 수 있다. 또한, 상기 상한값 이하의 용융 점도 η를 갖는 수지 조성물은, 압축 성형시에 높은 유동성을 가질 수 있으므로, 캐비티(130)의 단부에까지 수지 조성물을 충분히 충전할 수 있다. 따라서, 미충전부 및 보이드의 발생을 억제할 수 있다.The resin composition included in the resin composition layer 310 preferably has a melt viscosity η in a specific range at 100°C. Specifically, the melt viscosity η is preferably 800 poise or more, more preferably 1000 poise or more, particularly preferably 1500 poise or more, preferably 120000 poise or less, more preferably 100000 poise or less, particularly Preferably it is 90000 poise or less. A resin composition layer formed of a resin composition having a melt viscosity η equal to or greater than the lower limit may have high rigidity. Accordingly, the first support film 320 and the second support film 330 can be easily peeled off. Moreover, since the resin composition which has melt viscosity η of the upper limit or less can have high fluidity at the time of compression molding, the resin composition can be fully filled up to the end of the cavity 130 . Therefore, generation|occurrence|production of an unfilled part and a void can be suppressed.

수지 조성물의 용융 점도는 동적 점탄성법에 의해 측정할 수 있다. 구체적인 측정 조건은 실시예에서 설명하는 조건을 채용할 수 있다.The melt viscosity of the resin composition can be measured by a dynamic viscoelasticity method. Specific measurement conditions may be those described in Examples.

수지 조성물의 용융 점도는, 예를 들어, 수지 조성물의 조성을 조정하는 방법에 의해 조정할 수 있다. 구체예를 들면, 수지 조성물이 포함하는 용제의 양을 조정함으로써, 용융 점도를 조정할 수 있다.The melt viscosity of the resin composition can be adjusted, for example, by a method of adjusting the composition of the resin composition. If a specific example is given, melt viscosity can be adjusted by adjusting the quantity of the solvent contained in a resin composition.

제1 지지 필름(320)은, 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에, 벗길 수 있도록 접하여 마련된 필름이다. 제1 지지 필름(320)으로서는, 예를 들어, 플라스틱 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있다. 그 중에서도, 플라스틱 필름 및 금속박이 바람직하다.The first support film 320 is a film provided in contact with the first surface 310U of the resin composition layer 310 so as to be peelable. As the 1st support film 320, a plastic film, metal foil, and a release paper are mentioned, for example. Especially, a plastic film and metal foil are preferable.

플라스틱 필름에 포함되는 플라스틱 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트 (이하 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴 폴리머, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸 셀룰로오스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.Examples of the plastic material contained in the plastic film include polyester such as polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”) and polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”), and poly Acrylic polymers such as carbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"), polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), polyether ketone, polyimide , polypropylene, polystyrene, and the like. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

금속박으로서는, 예를 들어, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고 구리와 상이한 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티타늄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.As metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example, Copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and a different metal (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. .

제1 지지 필름(320)은, 수지 조성물층(310)과 접하는 면에, 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리, 이형제 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 좋다. 특히, 이형제 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 이형제 처리에서는, 일반적으로, 상술한 플라스틱 재료, 금속 재료 등의 재료로 형성된 처리 전의 필름부의 표면을, 이형제에 의해 처리한다. 따라서, 이형제 처리가 실시된 제1 지지 필름(320)은, 통상, 상기의 필름부와, 이 필름부 위에 이형제에 의해 형성된 이형층을 구비한다. 이형제 처리가 이루어짐으로써, 수지 조성물층(310)으로부터 제1 지지 필름(320)을 벗기기 쉽게 할 수 있다.As for the 1st support film 320, the surface in contact with the resin composition layer 310 may be surface-treated, such as mat treatment, corona treatment, antistatic treatment, and a mold release agent treatment. In particular, it is preferable that the mold release agent process is given. Thus, in a mold release agent process, the surface of the film part before the process formed from materials, such as a plastic material and a metal material mentioned above, is generally processed with a mold release agent. Therefore, the 1st support film 320 to which the mold release agent process was performed is normally equipped with said film part, and the mold release layer formed by the mold release agent on this film part. When the release agent treatment is performed, it is possible to easily peel the first support film 320 from the resin composition layer 310 .

이형제로서는, 예를 들어, 알키드계 이형제, 폴리올레핀계 이형제, 우레탄계 이형제, 및 실리콘계 이형제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 그 중에서도, 제1 지지 필름(320)의 박리 용이성을 적절한 범위에 들어가는 관점에서, 실리콘계 이형제가 바람직하다.Examples of the mold release agent include at least one mold release agent selected from the group consisting of an alkyd mold release agent, a polyolefin mold release agent, a urethane mold release agent, and a silicone mold release agent. A mold release agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Especially, a silicone type mold release agent is preferable from a viewpoint of entering the easy peeling of the 1st support film 320 into an appropriate range.

제1 지지 필름(320)의 두께는 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상, 특히 바람직하게는 30㎛ 이상이고, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하, 특히 바람직하게는 80㎛ 이하이다. 제1 지지 필름(320)의 두께가 상기 범위에 있는 경우, 제1 지지 필름(320)의 박리 용이성 및 수지 시트(300)의 핸들링성을 양호하게 할 수 있다.The thickness of the first support film 320 is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, particularly preferably 30 μm or more, preferably 200 μm or less, more preferably 100 μm or less, particularly Preferably it is 80 micrometers or less. When the thickness of the first support film 320 is within the above range, the ease of peeling of the first support film 320 and the handling property of the resin sheet 300 may be improved.

제1 지지 필름(320)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FA[gf/cm]은 하기 식 (1)을 충족시키는 것이 바람직하다. The adhesive force F A [gf/cm] between the first support film 320 and the resin composition layer 310 preferably satisfies the following formula (1).

1.5[gf/cm]＜FA＜20[gf/cm] (1)1.5[gf/cm]<F A <20[gf/cm] (1)

보다 상세하게는, 밀착력 FA는 바람직하게는 1.5[gf/cm]보다 크고, 보다 바람직하게는 1.7[gf/cm]보다 크고, 특히 바람직하게는 1.9[gf/cm]보다 크고, 또한, 바람직하게는 20[gf/cm] 미만, 보다 바람직하게는 18[gf/cm] 미만, 특히 바람직하게는 17[gf/cm] 미만이다. 제1 지지 필름(320)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FA이 상기 범위의 하한값보다 큰 경우, 제1 지지 필름(320)에 플로팅이 생기는 것을 억제할 수 있다. 상기의 「플로팅」이란, 수지 조성물층(310)에 접하고 있던 필름(구체적으로는, 제1 지지 필름(320) 또는 제2 지지 필름(330))이, 의도하지 않게, 부분적인 박리가 생기는 것을 말한다. 플로팅을 억제할 수 있는 것은, 예를 들어, 수지 시트(300)의 롤을 23℃에서 24시간 보관한 후에, 롤로부터 수지 시트(300)를 끄집어내어 관찰함으로써 확인할 수 있다. 또한, 제1 지지 필름(320)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FA이 상기 범위의 상한값 미만인 경우, 수지 조성물층(310)으로부터 제1 지지 필름(320)을 벗기기 쉽다. 따라서, 제1 지지 필름(320)을 원활하게 벗기거나, 제1 지지 필름(320)을 벗겨내는 것에 의한 수지 조성물층(310)의 파손을 억제하거나 할 수 있다.More specifically, the adhesive force F A is preferably 1.5 greater than [gf / cm], and more preferably greater than 1.7 [gf / cm], more preferably greater than 1.9 [gf / cm], In addition, preferred Preferably less than 20 [gf/cm], more preferably less than 18 [gf/cm], particularly preferably less than 17 [gf/cm]. When the adhesive force F A between the first support film 320 and the resin composition layer 310 is greater than the lower limit of the above range, it is possible to suppress the occurrence of floating in the first support film 320 . The above "floating" means that the film (specifically, the first support film 320 or the second support film 330 ) in contact with the resin composition layer 310 unintentionally causes partial peeling. say It can be confirmed that floating can be suppressed, for example, by taking out the resin sheet 300 from a roll and observing, after storing the roll of the resin sheet 300 at 23 degreeC for 24 hours. In addition, when the adhesive force F A between the first support film 320 and the resin composition layer 310 is less than the upper limit of the above range, the first support film 320 is easily peeled off from the resin composition layer 310 . Accordingly, it is possible to smoothly peel off the first support film 320 or to suppress damage to the resin composition layer 310 by peeling off the first support film 320 .

제1 지지 필름(320)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FA은 하기의 방법에 의해 측정할 수 있다. Adhesion F A between the first support film 320 and the resin composition layer 310 may be measured by the following method.

즉, 제1 지지 필름(320)을 수지 조성물층(310)에 대해 수직 방향(90도 방향)으로 23℃에서 떼어낼 때의 박리 강도를 밀착력 FA으로서 측정할 수 있다. 이 측정은 인장 시험기를 이용하여 행할 수 있다.That is, it is possible to measure an adhesive force F A peel strength when peeled off in the 23 ℃ vertical direction (90 ° direction) to the first support film 320, the resin composition layer (310). This measurement can be performed using a tensile tester.

제1 지지 필름(320)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FA은, 예를 들어, 수지 조성물층(310)의 두께를 조정하는 방법, 수지 조성물층(310)에 포함되는 수지 조성물의 조성을 조정하는 방법, 제1 지지 필름(320)이 구비하는 이형층의 조성을 조정하는 방법, 제1 지지 필름(320)의 수지 조성물층(310)에 접하는 면의 거칠기를 조정하는 방법 등에 의해 조정할 수 있다. Adhesive force F A between the first support film 320 and the resin composition layer 310 is, for example, a method of adjusting the thickness of the resin composition layer 310 , the resin composition included in the resin composition layer 310 . It can be adjusted by a method of adjusting the composition, a method of adjusting the composition of the release layer included in the first support film 320, a method of adjusting the roughness of the surface in contact with the resin composition layer 310 of the first support film 320, etc. have.

제2 지지 필름(330)은, 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)에, 벗길 수 있도록 접하여 마련된 필름이다. 제2 지지 필름(330)으로서는, 예를 들어, 제1 지지 필름(320)과 마찬가지로, 플라스틱 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있다. 그 중에서도 플라스틱 필름 및 금속박이 바람직하다.The second support film 330 is a film provided in contact with the second surface 310D of the resin composition layer 310 so as to be peelable. As the 2nd support film 330, a plastic film, metal foil, and a release paper are mentioned similarly to the 1st support film 320, for example. Especially, a plastic film and metal foil are preferable.

제2 지지 필름(330)은, 수지 조성물층(310)과 접하는 면에, 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리, 이형제 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 좋다. 특히, 이형제 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이형제 처리가 실시된 제2 지지 필름(330)은, 통상, 플라스틱 재료, 금속 재료 등의 재료로 형성된 필름부와, 이 필름부 위에 이형제에 의해 형성된 이형층을 구비한다. 이형제 처리가 됨으로써, 수지 조성물층(310)으로부터 제2 지지 필름(330)을 벗기기 쉽게 할 수 있다. 이형제로서는, 제1 지지 필름(320)에 사용할 수 있는 이형제와 같은 예를 들 수 있다. 그 중에서도, 제2 지지 필름(330)의 박리 용이성을 적절한 범위에 들어가게 하는 관점에서, 실리콘계 이형제가 바람직하다.As for the 2nd support film 330, the surface in contact with the resin composition layer 310 may be surface-treated, such as mat treatment, corona treatment, antistatic treatment, and a mold release agent process. In particular, it is preferable that the mold release agent process is given. The 2nd support film 330 to which the mold release agent process was given is normally equipped with the film part formed from materials, such as a plastic material and a metal material, and the mold release layer formed by the mold release agent on this film part. By the release agent treatment, the second support film 330 can be easily peeled off from the resin composition layer 310 . As a mold release agent, the same example as a mold release agent which can be used for the 1st support film 320 is mentioned. Especially, a silicone type mold release agent is preferable from a viewpoint of making the peelability of the 2nd support film 330 fall into an appropriate range.

제2 지지 필름(330)의 두께는, 제1 지지 필름(320)과 같은 이점을 얻는 관점에서, 제1 지지 필름(320)의 두께와 같은 범위에 있는 것이 바람직하다. 제1 지지 필름(320)의 두께와 제2 지지 필름(330)의 두께는 동일해도 좋고 상이해도 좋다.The thickness of the second support film 330 is preferably in the same range as the thickness of the first support film 320 from the viewpoint of obtaining the same advantages as the first support film 320 . The thickness of the first support film 320 and the thickness of the second support film 330 may be the same or different.

제2 지지 필름(330)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FB[gf/cm]은 하기 식 (2)를 충족시키는 것이 바람직하다. 보다 상세하게는, 밀착력 FB은 제1 지지 필름(320)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FA와 같은 범위에 있는 것이 바람직하다. 밀착력 FA와 밀착력 FB는 동일해도 좋고 상이해도 좋다. The adhesive force F B [gf/cm] between the second support film 330 and the resin composition layer 310 preferably satisfies the following formula (2). More specifically, the adhesive force F B is preferably in the range such as adhesive force F A of the first support film 320 and the resin composition layer (310). The adhesive force F A and the adhesive force F B may be the same or different.

1.5[gf/cm]＜FB＜20[gf/cm] (2)1.5[gf/cm]<F B <20[gf/cm] (2)

제2 지지 필름(330)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FB이 상기 범위의 하한값보다 큰 경우, 제2 지지 필름(330)에 플로팅이 생기는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제2 지지 필름(330)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FB이 상기 범위의 상한값 미만인 경우, 수지 조성물층(310)으로부터 제2 지지 필름(330)을 벗기기 쉽다. 따라서, 제2 지지 필름(330)을 원활하게 벗기거나, 제2 지지 필름(330)을 벗겨내는 것에 의한 수지 조성물층(310)의 파손을 억제하거나 할 수 있다. When the adhesive force F B between the second support film 330 and the resin composition layer 310 is greater than the lower limit of the above range, it is possible to suppress the occurrence of floating in the second support film 330 . In addition, when the adhesive force F B between the second support film 330 and the resin composition layer 310 is less than the upper limit of the above range, the second support film 330 is easily peeled off from the resin composition layer 310 . Therefore, the breakage of the resin composition layer 310 by peeling off the 2nd support film 330 smoothly or peeling off the 2nd support film 330 can be suppressed.

제2 지지 필름(330)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FB은, 제1 지지 필름(320)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FA과 같은 방법에 의해 측정할 수 있다.A second urging force F B of the supporting film 330 and the resin composition layer 310, it is possible to measure by the first supporting film 320, and methods, such as adhesive force F A to the resin composition layer (310).

제2 지지 필름(330)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FB는, 예를 들어, 수지 조성물층(310)의 두께를 조정하는 방법, 수지 조성물층(310)에 포함되는 수지 조성물의 조성을 조정하는 방법, 제2 지지 필름(330)이 구비하는 이형층의 조성을 조정하는 방법, 제2 지지 필름(330)의 수지 조성물층(310)에 접하는 면의 거칠기를 조정하는 방법 등에 의해 조정할 수 있다. Adhesive force F B of the second support film 330 and the resin composition layer 310 is, for example, a method of adjusting the thickness of the resin composition layer 310 , the resin composition included in the resin composition layer 310 . It can be adjusted by a method of adjusting the composition, a method of adjusting the composition of the release layer included in the second support film 330, a method of adjusting the roughness of the surface in contact with the resin composition layer 310 of the second support film 330, etc. have.

제1 지지 필름(320)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FA[gf/cm], 제2 지지 필름(330)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FB[gf/cm], 및 수지 조성물층(310)에 포함되는 수지 조성물의 100℃에서의 용융 점도 η[poise]는 식 (3)을 충족시키는 것이 바람직하다.Adhesion F A [gf/cm] between the first support film 320 and the resin composition layer 310, adhesion F B between the second support film 330 and the resin composition layer 310 [gf/cm], and melt viscosity η [poise] at 100° C. of the resin composition contained in the resin composition layer 310 preferably satisfies the formula (3).

0.00005＜(FA＋FB)/η＜0.03 (3)0.00005<(F A+ F B )/η<0.03 (3)

상세하게는, 상기 파라미터 「(FA＋FB)/η」는 바람직하게는 0.00005[gf/(cm·poise)]보다 크고, 보다 바람직하게는 0.0001[gf/(cm·poise)]보다 크고, 특히 바람직하게는 0.0002[gf/(cm·poise)]보다 크고, 또한, 바람직하게는 0.030[gf/(cm·poise)] 미만, 보다 바람직하게는 0.025[gf/(cm·poise)] 미만, 특히 바람직하게는 0.020[gf/(cm·poise)] 미만이다. 파라미터 「(FA＋FB)/η」가, 상기 범위의 하한값보다 큰 경우, 제1 지지 필름(320) 또는 제2 지지 필름(330)이 플로팅을 발생시키는 것을 억제할 수 있다. 또한, 파라미터 「(FA＋FB)/η」가, 상기 범위의 상한값 미만인 경우, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 수지 조성물층(310)으로부터 벗기기 쉽게 할 수 있다.Specifically, the parameter "(F A+ F B )/η" is preferably larger than 0.00005 [gf/(cm·poise)], more preferably larger than 0.0001 [gf/(cm·poise)], Particularly preferably greater than 0.0002 [gf / (cm poise)], more preferably less than 0.030 [gf / (cm poise)], more preferably less than 0.025 [gf / (cm poise)], Particularly preferably, it is less than 0.020 [gf/(cm·poise)]. When the parameter "(F A + F B )/η" is larger than the lower limit of the above range, it is possible to suppress the first support film 320 or the second support film 330 from causing floating. In addition, the parameter "(F A + F B) / η" is, is less than the upper limit of the above range, the first support film 320, and it is possible to easily peeling the second support film 330 from the resin composition layer (310) .

수지 시트(300)는, 수지 조성물층(310), 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)에 조합하여, 추가로 임의의 부재를 구비하고 있어도 좋다. 예를 들어, 수지 시트(300)는, 보호 필름을 추가로 구비하고 있어도 좋다.The resin sheet 300 may further include an arbitrary member in combination with the resin composition layer 310 , the first support film 320 , and the second support film 330 . For example, the resin sheet 300 may further be equipped with a protective film.

상술한 수지 시트(300)의 제조 방법은 특단의 제한은 없다. 예를 들어, 수지 시트(300)는, 수지 조성물을, 다이코터 등의 도포 장치를 이용하여 제1 지지 필름(320) 위에 도포하는 것을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 예를 들어, 수지 시트(300)는, 수지 조성물 및 용제를 포함하는 수지 바니시를 제1 지지 필름(320) 위에 도포하는 것을 포함하는 방법에 의해 제조해도 좋다. 수지 바니시를 사용하는 경우, 통상, 도포 후에 수지 바니시를 건조시켜 수지 조성물층(310)을 형성한다.The manufacturing method of the above-mentioned resin sheet 300 is not particularly limited. For example, the resin sheet 300 can be manufactured by the method including apply|coating a resin composition on the 1st support film 320 using coating devices, such as a die coater. In addition, you may manufacture the resin sheet 300 by the method including apply|coating the resin varnish containing a resin composition and a solvent on the 1st support film 320, for example. When a resin varnish is used, the resin varnish is usually dried after application to form the resin composition layer 310 .

용제로서는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 사이클로헥사논 등의 케톤 용제; 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산 에스테르 용제; 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨 용제; 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용제; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제 등의 유기 용제를 들 수 있다. 용제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a solvent, For example, ketone solvents, such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; acetic acid ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and carbitol acetate; carbitol solvents such as cellosolve and butyl carbitol; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; and organic solvents such as amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. A solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 건조 방법에 의해 실시할 수 있다. 건조 조건은, 수지 조성물층(310)에 포함되는 용제의 양이, 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 행하는 것이 바람직하다. 수지 바니시 중의 용제의 비점에 따라서도 상이하지만, 예를 들어, 30질량% 내지 60질량%의 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층(310)을 형성해도 좋다.Drying can be performed by drying methods, such as heating and hot-air spraying. It is preferable to perform drying conditions so that the quantity of the solvent contained in the resin composition layer 310 may become 10 mass % or less normally, Preferably it becomes 5 mass % or less. Although it changes also with the boiling point of the solvent in a resin varnish, For example, when using the resin varnish containing 30 mass % - 60 mass % of a solvent, by drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes, the resin The composition layer 310 may be formed.

상기의 건조에 의해, 수지 조성물층(310)과, 이 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에 접한 제1 지지 필름(320)을 구비하는 시트를 얻을 수 있다. 이에 따라 얻어지는 시트를 수지 시트로서 사용해도 좋지만, 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)에 제2 지지 필름(330)을 마련하여, 수지 시트(300)를 얻어도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)에 제2 지지 필름(330)을 첩합함으로써, 제2 지지 필름(330), 수지 조성물층(310) 및 제1 지지 필름(320)을 두께 방향에서 이 순으로 구비하는 수지 시트(300)를 얻을 수 있다.By said drying, the sheet|seat provided with the resin composition layer 310 and the 1st support film 320 which contact|connected the 1st surface 310U of this resin composition layer 310 can be obtained. Although the sheet obtained by this may be used as a resin sheet, the 2nd support film 330 may be provided in the 2nd surface 310D of the resin composition layer 310, and the resin sheet 300 may be obtained. For example, by bonding the second support film 330 to the second surface 310D of the resin composition layer 310 , the second support film 330 , the resin composition layer 310 , and the first support film 320 . ) in this order in the thickness direction, the resin sheet 300 can be obtained.

또는, 제2 지지 필름(330)에 수지 바니시를 도포하고, 건조시켜 수지 조성물층(310)을 형성한 후에, 그 수지 조성물층에 접하도록 제1 지지 필름(320)을 마련하여, 수지 시트(300)를 제조해도 좋다.Alternatively, after the resin varnish is applied to the second support film 330 and dried to form the resin composition layer 310, the first support film 320 is provided so as to be in contact with the resin composition layer, and the resin sheet ( 300) may be prepared.

제조 효율의 향상의 관점에서, 수지 시트(300)는, 장척의 제1 지지 필름(320) 또는 제2 지지 필름(330)을 사용하여 제조하는 것이 바람직하다. 「장척」의 필름이란, 폭에 대해 통상 10배 이상의 길이를 갖는 필름을 나타내고, 바람직하게는 롤 형상으로 권취하는 것이 가능할 정도로 긴 필름을 나타낸다. 이와 같이 장척의 제1 지지 필름(320) 또는 제2 지지 필름(330)을 사용하는 경우, 장척의 수지 시트(300)를 얻을 수 있다. 이 장척의 수지 시트(300)는, 필요에 따라 적절한 치수로 컷트하여, 압축 성형에 사용할 수 있다.It is preferable to manufacture the resin sheet 300 using the long 1st support film 320 or the 2nd support film 330 from a viewpoint of the improvement of manufacturing efficiency. A "long" film refers to a film having a length of usually 10 times or more with respect to the width, and preferably a film long enough to be wound in a roll shape. In this way, when the long first support film 320 or the second support film 330 is used, the long resin sheet 300 can be obtained. This elongate resin sheet 300 can be used for compression molding by cutting it to an appropriate dimension as needed.

[1.3. 지지 필름을 벗겨내는 공정 (III)][1.3. Step (III) for peeling off the support film]

본 발명의 제1 실시형태에 따른 제조 방법은, 준비된 수지 시트(300)의 제1 지지 필름(320)을 벗겨내어, 수지 조성물층(310)의 양쪽의 면(즉, 제1면(310U) 및 제2면(310D))에서 비피복 상태를 얻는 공정 (III)을 포함한다. 「비피복 상태」란, 면이 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330) 등의 부재에 의해 덮여 있지 않은 상태를 말한다. 따라서, 어떤 면에서 비피복 상태를 얻는다란, 그 면이 부재에 의해 덮여 있지 않은 상태를 얻는 것을 말한다.In the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention, the first support film 320 of the prepared resin sheet 300 is peeled off, and both sides of the resin composition layer 310 (that is, the first surface 310U) and a step (III) of obtaining an uncovered state on the second surface 310D). The "uncovered state" means the state in which the surface is not covered with members, such as the 1st support film 320 and the 2nd support film 330. Therefore, obtaining an uncovered state in a certain surface means obtaining the state in which the surface is not covered with a member.

공정 (III)에서는, 수지 조성물층(310)의 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 비피복 상태를 얻는 것이므로, 제2 지지 필름(330)을 구비하는 수지 시트(300)에서는, 제1 지지 필름(320)뿐만 아니라 제2 지지 필름(330)도 벗겨진다. 따라서, 수지 조성물층(310)과, 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에 접하는 제1 지지 필름(320)과, 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)에 접하는 제2 지지 필름(330)을 구비하는 수지 시트(300)를 공정 (II)에서 준비하는 경우에는, 공정 (III)은 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 벗겨내는 것을 포함한다.In the step (III), since an uncovered state is obtained on the first surface 310U and the second surface 310D of the resin composition layer 310 , in the resin sheet 300 provided with the second support film 330 , , not only the first support film 320 but also the second support film 330 is peeled off. Accordingly, the resin composition layer 310, the first support film 320 in contact with the first surface 310U of the resin composition layer 310, and the second surface 310D in contact with the second surface 310D of the resin composition layer 310 When the resin sheet 300 provided with the 2 support film 330 is prepared in process (II), process (III) includes peeling off the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 do.

공정 (III)에서는 수지 조성물층(310)의 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 동시에 비피복 상태를 얻어도 좋다. 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 「동시에」 비피복 상태를 얻는다란, 제1면(310U)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간과, 제2면(310D)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간이 시간적으로 서로 겹치는 것을 말한다. 또한, 공정 (III)에서는, 수지 조성물층(310)의 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 비동시에 비피복 상태를 얻어도 좋다. 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 「비동시에」 비피복 상태를 얻는다란, 제1면(310U)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간과, 제2면(310D)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간이, 시간적으로 서로 겹치지 않는 것을 말한다. 따라서, 공정 (II)에서 수지 시트(300)가 준비된 후, 공정 (IV)에서 압축 성형이 되기 전에, 어떤 기간에서 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에서 비피복 상태를 얻고 있고, 또한, 상기 기간과 같거나 또는 다른 기간에 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)에서 비피복 상태를 얻고 있는 경우, 공정 (III)이 행하여졌다고 할 수 있다.In the step (III), an uncovered state may be obtained simultaneously on the first surface 310U and the second surface 310D of the resin composition layer 310 . Obtaining the uncovered state "at the same time" on the first surface 310U and the second surface 310D means the period during which the first surface 310U is in the uncovered state and the second surface 310D in the uncovered state. It means that the periods in which the values are obtained overlap each other in time. In addition, in the step (III), the first surface 310U and the second surface 310D of the resin composition layer 310 may obtain a non-coated state at the same time. Acquiring the uncovered state "at the same time" on the first surface 310U and the second surface 310D means the period during which the first surface 310U is in the uncovered state and the second surface 310D is uncovered. This means that the periods in which the state is acquired do not overlap with each other in time. Therefore, after the resin sheet 300 is prepared in step (II) and before compression molding in step (IV), the first surface 310U of the resin composition layer 310 is in an uncovered state for a certain period of time, In addition, when the uncoated state is obtained on the second surface 310D of the resin composition layer 310 in the same or different period as the above period, it can be said that the step (III) has been performed.

제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 동시에 비피복 상태를 얻는 예로서는 하기와 같은 경우를 들 수 있다.As an example of simultaneously obtaining an uncovered state on the first surface 310U and the second surface 310D, the following case is exemplified.

예를 들어, 수지 조성물층(310)과, 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에 접하는 제1 지지 필름(320)과, 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)에 접하는 제2 지지 필름(330)을 구비하는 수지 시트(300)를 준비한다. 어떤 시점에서, 준비된 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에 접하고 있던 제1 지지 필름(320)을 벗겨내어, 그 제1면(310U)에서 비피복 상태를 얻는다. 또한, 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)에서 접하고 있던 제2 지지 필름(330)을 벗겨내어, 그 제2면(310D)에서 비피복 상태를 얻는다. 그 후, 제1면(310U) 및 제2면(310D)의 양쪽에서 비피복 상태를 얻은 수지 조성물층(310)을, 제1면(310U) 및 제2면(310D)의 한쪽이 기판(200)에 접하도록, 기판(200) 위에 설치한다. 이 경우, 제1면(310U)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간과, 제2면(310D)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간이 시간적으로 서로 겹친다. 따라서, 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 동시에 비피복 상태를 얻는 공정 (III)이 행하여졌다고 할 수 있다.For example, the resin composition layer 310, the first support film 320 in contact with the first surface 310U of the resin composition layer 310, and the second surface 310D of the resin composition layer 310 The resin sheet 300 provided with the 2nd support film 330 in contact is prepared. At a certain point in time, the first support film 320 in contact with the first surface 310U of the prepared resin composition layer 310 is peeled off, and an uncovered state is obtained from the first surface 310U. Further, the second support film 330 in contact with the second surface 310D of the resin composition layer 310 is peeled off, and an uncovered state is obtained on the second surface 310D of the resin composition layer 310 . Thereafter, the resin composition layer 310 obtained in an uncovered state on both the first surface 310U and the second surface 310D is applied to one of the first surface 310U and the second surface 310D by a substrate ( It is installed on the substrate 200 so as to be in contact with the 200 . In this case, the period in which the first surface 310U is in the uncovered state and the period in which the second surface 310D is in the uncovered state overlap with each other in time. Therefore, it can be said that the process (III) of obtaining an uncovered state simultaneously on the 1st surface 310U and the 2nd surface 310D was performed.

또한, 예를 들어, 수지 조성물층(310)과, 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에 접하는 제1 지지 필름(320)을 구비하는 수지 시트(300)를 준비한다. 이 예에 따른 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)은, 특단의 조작을 행하지 않아도, 다른 부재에 피복되어 있지 않은 비피복 상태가 얻어지고 있다. 어떤 시점에서, 준비된 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에 접하고 있던 제1 지지 필름(320)을 벗겨내어, 그 제1면(310U)에서 비피복 상태를 얻는다. 그 후, 제1면(310U) 및 제2면(310D)의 양쪽에서 비피복 상태를 얻은 수지 조성물층(310)을, 제1면(310U) 및 제2면(310D)의 한쪽이 기판(200)에 접하도록 기판(200) 위에 설치한다. 이 경우에도, 제1면(310U)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간과, 제2면(310D)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간이 시간적으로 서로 겹친다. 따라서, 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 동시에 비피복 상태를 얻는 공정 (III)이 행하여졌다고 할 수 있다.In addition, for example, the resin sheet 300 provided with the resin composition layer 310 and the 1st support film 320 in contact with the 1st surface 310U of the resin composition layer 310 is prepared. As for the 2nd surface 310D of the resin composition layer 310 which concerns on this example, even if it does not perform special operation, the uncoated state which is not coat|covered by another member is obtained. At a certain point in time, the first support film 320 in contact with the first surface 310U of the prepared resin composition layer 310 is peeled off, and an uncovered state is obtained from the first surface 310U. Thereafter, the resin composition layer 310 obtained in an uncovered state on both the first surface 310U and the second surface 310D is applied to one of the first surface 310U and the second surface 310D by a substrate ( It is installed on the substrate 200 so as to be in contact with the 200). Also in this case, the period in which the first surface 310U is in the uncovered state and the period in which the second surface 310D is in the uncovered state overlap with each other in time. Therefore, it can be said that the process (III) of obtaining an uncovered state simultaneously on the 1st surface 310U and the 2nd surface 310D was performed.

다른 한편으로, 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 비동시에 비피복 상태를 얻고 있는 공정 (III)의 예로서는 하기와 같은 경우를 들 수 있다.On the other hand, as an example of the step (III) in which the first surface 310U and the second surface 310D are non-coated at the same time, the following cases are exemplified.

예를 들어, 수지 조성물층(310)과, 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에 접하는 제1 지지 필름(320)과, 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)에 접하는 제2 지지 필름(330)을 구비하는 수지 시트(300)를 준비한다. 어느 시점에서, 준비된 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)에 접하고 있던 제2 지지 필름(330)을 벗겨내어, 그 제2면(310D)에서 비피복 상태를 얻는다. 그 후, 비피복 상태의 제2면(310D)이 기판(200)에 접하도록, 수지 조성물층(310)을 기판(200) 위에 설치한다. 또한 그 후, 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에 접하고 있던 제1 지지 필름(320)을 벗겨내어, 그 제1면(310U)에서 비피복 상태를 얻는다. 이 경우, 제1면(310U)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간과, 제2면(310D)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간이, 시간적으로 서로 겹치지 않는다. 따라서, 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 비동시에 비피복 상태를 얻는 공정 (III)이 행하여졌다고 할 수 있다.For example, the resin composition layer 310, the first support film 320 in contact with the first surface 310U of the resin composition layer 310, and the second surface 310D of the resin composition layer 310 The resin sheet 300 provided with the 2nd support film 330 in contact is prepared. At a certain point in time, the second support film 330 in contact with the second surface 310D of the prepared resin composition layer 310 is peeled off, and an uncovered state is obtained from the second surface 310D. Thereafter, the resin composition layer 310 is provided on the substrate 200 so that the second surface 310D of the uncovered state is in contact with the substrate 200 . Moreover, after that, the 1st support film 320 which was in contact with the 1st surface 310U of the resin composition layer 310 is peeled off, and the 1st surface 310U is uncovered. In this case, the period in which the first surface 310U is in the uncovered state and the period in which the second surface 310D is in the uncovered state do not overlap in time. Therefore, it can be said that the process (III) of obtaining an uncovered state at the 1st surface 310U and the 2nd surface 310D non-simultaneously was performed.

또한, 예를 들어, 수지 조성물층(310)과, 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에 접하는 제1 지지 필름(320)을 구비하는 수지 시트(300)를 준비한다. 이 예에 따른 수지 조성물층(310)의 제2면(310D)은, 특단의 조작을 행하지 않아도, 다른 부재에 피복되어 있지 않은 비피복 상태가 얻어져 있다. 이 비피복 상태의 제2면(310D)이 기판(200)에 접하도록, 수지 조성물층(310)을 기판(200) 위에 설치한다. 그 후, 수지 조성물층(310)의 제1면(310U)에 접하고 있던 제1 지지 필름(320)을 벗겨내어, 그 제1면(310U)에서 비피복 상태를 얻는다. 이 경우에도, 제1면(310U)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간과, 제2면(310D)에서 비피복 상태를 얻고 있는 기간이 시간적으로 서로 겹치지 않는다. 따라서, 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 비동시에 비피복 상태를 얻는 공정 (III)이 행하여졌다고 할 수 있다.In addition, for example, the resin sheet 300 provided with the resin composition layer 310 and the 1st support film 320 in contact with the 1st surface 310U of the resin composition layer 310 is prepared. As for the 2nd surface 310D of the resin composition layer 310 which concerns on this example, even if it does not perform a special operation, the uncoated state which is not coat|covered by another member is obtained. The resin composition layer 310 is provided on the substrate 200 so that the second surface 310D in the uncovered state is in contact with the substrate 200 . Thereafter, the first support film 320 in contact with the first surface 310U of the resin composition layer 310 is peeled off, and an uncovered state is obtained from the first surface 310U. Also in this case, the period in which the first surface 310U is in the uncovered state and the period in which the second surface 310D is in the uncovered state do not overlap in time. Therefore, it can be said that the process (III) of obtaining an uncovered state at the 1st surface 310U and the 2nd surface 310D non-simultaneously was performed.

제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 구비하는 수지 시트(300)에서는, 제1 지지 필름(320)을 벗겨내는 것과, 제2 지지 필름(330)을 벗겨내는 것은 동시에 행하여도 좋고 동시에 행하지 않아도 좋다. 따라서, 제1 지지 필름(320)을 먼저 벗겨도 좋고, 제2 지지 필름(330)을 먼저 벗겨도 좋고, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 동시에 벗겨도 좋다. 통상은, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330) 중에서 수지 조성물층(310)과의 밀착력이 작은 쪽을 먼저 벗겨내는 것이, 공정 (III)을 원활하에 행하는 관점에서 바람직하다.In the resin sheet 300 having the first support film 320 and the second support film 330 , peeling off the first support film 320 and peeling off the second support film 330 are performed simultaneously. It's good and you don't have to do both at the same time. Accordingly, the first support film 320 may be peeled off first, the second support film 330 may be peeled off first, or the first support film 320 and the second support film 330 may be peeled off simultaneously. Usually, it is preferable from a viewpoint of performing a process (III) smoothly to peel off the one with the smaller adhesive force with the resin composition layer 310 from the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 first.

도 4는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치(100)에, 기판(200) 및 수지 조성물층(310)을 설치한 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다. 도4에 나타내는 바와 같이, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 벗겨서 얻어진 수지 조성물층(310)은, 형틀 닫기가 된 경우에 캐비티(130)에 들어가도록, 기판(200) 위에 설치된다. 본 실시형태에서는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 제1형틀(110)에 기판(200)을 설치한 후에 당해 기판(200) 위에 수지 조성물층(310)을 설치한 예를 나타내었지만, 제1형틀(110)에 기판(200)을 설치하기 전에 기판(200) 위에 수지 조성물층(310)을 설치해도 상관 없다. 이 때, 예를 들어, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 벗겨서 얻은 수지 조성물층(310)을 단독으로 기판(200)에 설치해도 좋다. 또한, 예를 들어, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)의 한쪽을 벗겨서 제1면(310U) 및 제2면(310D)의 한쪽에서 비피복 상태를 얻고, 그 비피복 상태의 면이 기판(200)에 접하도록 수지 조성물층(310)을 설치하고, 그 후, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)의 다른 쪽을 벗겨도 좋다. 또한, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)의 다른 쪽을 벗기기 전에, 필요에 따라, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)의 다른 쪽을 롤러 등의 압압구로 압압하여, 수지 조성물층(310)을 기판(200)에 밀착시켜도 좋다.4 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a substrate 200 and a resin composition layer 310 are provided in the compression molding apparatus 100 used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. am. As shown in FIG. 4, the resin composition layer 310 obtained by peeling off the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 enters into the cavity 130 when it becomes form-closing, The board|substrate 200 ) is installed on the In this embodiment, as shown in FIG. 4, although the example which provided the resin composition layer 310 on the said board|substrate 200 after installing the board|substrate 200 in the 1st type|mold 110 was shown, the 1st type|mold Before installing the substrate 200 on the 110 , the resin composition layer 310 may be installed on the substrate 200 . At this time, for example, the resin composition layer 310 obtained by peeling off the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 may be provided in the board|substrate 200 independently. Further, for example, one of the first support film 320 and the second support film 330 is peeled off to obtain an uncovered state from one of the first surface 310U and the second surface 310D, and the uncovered state is obtained. The resin composition layer 310 may be provided so that the surface of a state may contact|connect the board|substrate 200, and the other side of the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 may be peeled off after that. In addition, before peeling off the other side of the first supporting film 320 and the second supporting film 330 , if necessary, the other side of the first supporting film 320 and the second supporting film 330 is applied to the other side of the roller or the like. The resin composition layer 310 may be brought into close contact with the substrate 200 by pressing with a pressing tool.

[1.4. 압축 성형 공정 (IV)][1.4. Compression molding process (IV)]

도 5는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치(100)를 사용하여, 압축 성형을 행하는 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view schematically showing a state in which compression molding is performed using the compression molding apparatus 100 used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 제조 방법은, 상술한 공정 (I)로부터 공정 (III) 후에, 도 5에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물층(310)을 캐비티(130) 안에 넣어, 제1형틀(110)과 제2형틀(120) 사이에서, 수지 조성물층(310)과 기판(200)을 가압하는 공정 (IV)를 포함한다. 이 공정 (IV)에 의해, 수지 조성물층(310)을 압축 성형하여, 수지 조성물의 경화체로 형성된 경화체층(340)을 얻을 수 있다. The manufacturing method which concerns on 1st Embodiment of this invention puts the resin composition layer 310 in the cavity 130 after a process (III) from the above-mentioned process (I), as shown in FIG. 5, and a 1st formwork A step (IV) of pressing the resin composition layer 310 and the substrate 200 between the ( 110 ) and the second mold ( 120 ) is included. By this process (IV), the resin composition layer 310 can be compression-molded, and the hardening body layer 340 formed from the hardening body of the resin composition can be obtained.

상세하게는, 공정 (IV)에서는 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)을 형틀 닫기한다. 형틀 닫기를 함으로써, 제1형틀(110)과 제2형틀(120)과의 사이에 수지 조성물층(310) 및 기판(200)이 배치된다. 이때, 기판(200)은, 캐비티(130)의 개구부(130D)의 전체를 막는다. 따라서, 캐비티(130) 안에는, 기판(200)과 제2형틀(120)에 둘러싸인 폐(閉)공간이 형성된다. 수지 조성물층(310)은, 그 전체가, 상기의 폐공간 내에 넣어진다. 이와 같이 수지 조성물층(310)이 캐비티(130) 안의 폐공간에 넣어진 상태에서, 제2형틀(120)의 바닥부 블록(121)을 밀어넣음으로써, 수지 조성물층(310) 및 기판(200)을 가압한다. 가압에 의해, 수지 조성물층(310)이 기판(200)에 접합되는 동시에, 수지 조성물층(310)이 압축 성형된다.In detail, in the process (IV), the 1st formwork 110 and the 2nd formwork 120 are form-closed. By closing the mold, the resin composition layer 310 and the substrate 200 are disposed between the first mold 110 and the second mold 120 . At this time, the substrate 200 blocks the entire opening 130D of the cavity 130 . Accordingly, a closed space surrounded by the substrate 200 and the second mold 120 is formed in the cavity 130 . As for the resin composition layer 310, the whole is put in the said closed space. In this way, by pushing the bottom block 121 of the second mold 120 in a state in which the resin composition layer 310 is placed in the closed space in the cavity 130 , the resin composition layer 310 and the substrate 200 are ) is pressurized. By pressing, the resin composition layer 310 is bonded to the substrate 200 and the resin composition layer 310 is compression molded.

상기의 가압에 의해, 수지 조성물층(310)은, 상기 폐공간의 전체에 충전된다. 이 때, 제2형틀(120) 및 기판(200)은 밀착되어 있다. 따라서, 수지 조성물층(310)에 포함되는 수지 조성물은, 폐공간의 밖으로 유출되지 않는다. 따라서, 수지 조성물에 의한 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)의 오염을 억제할 수 있다.By the above pressurization, the resin composition layer 310 fills the entire closed space. At this time, the second mold 120 and the substrate 200 are in close contact. Accordingly, the resin composition contained in the resin composition layer 310 does not flow out of the closed space. Therefore, contamination of the first mold 110 and the second mold 120 by the resin composition can be suppressed.

통상, 상기와 같이 수지 조성물층(310)이 폐공간에 충전된 상태에서 가열을 행한다. 가열에 의해, 수지 조성물층(310)이 경화되어, 수지 조성물의 경화체를 포함하는 경화체층(340)이 형성된다. 따라서, 상기의 폐공간을 형성하는 캐비티(130)의 형상을 높은 정밀도로 베낀 경화체층(340)을 얻을 수 있다.In general, heating is performed in a state in which the resin composition layer 310 is filled in the closed space as described above. By heating, the resin composition layer 310 is hardened, and the hardening body layer 340 containing the hardening body of the resin composition is formed. Accordingly, it is possible to obtain a cured layer 340 in which the shape of the cavity 130 forming the closed space is copied with high precision.

이 때, 공정 (II)에서 준비된 수지 시트(300)가 구비하는 요소 중에서는, 수지 조성물층(310)만이 캐비티(130) 안에 있고, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)은 캐비티(130) 안에 없다. 따라서, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)의 수지 조성물층(310)으로의 파고들어감이 생기지 않으므로, 경화체층(340)에서의 요철의 형성을 억제할 수 있다.At this time, among the elements included in the resin sheet 300 prepared in step (II), only the resin composition layer 310 is in the cavity 130 , and the first support film 320 and the second support film 330 . is not in the cavity 130 . Accordingly, since the first support film 320 and the second support film 330 do not penetrate into the resin composition layer 310 , the formation of irregularities in the hardening body layer 340 can be suppressed.

상술한 압축 성형의 조건은, 수지 조성물의 조성에 따라 상이하고, 양호한 경화체층(340)을 얻을 수 있도록 적절한 조건을 채용할 수 있다.The above-described compression molding conditions vary depending on the composition of the resin composition, and appropriate conditions can be adopted to obtain a good cured body layer 340 .

예를 들어, 성형시의 형틀의 온도는, 수지 조성물이 뛰어난 압축 성형성을 발휘할 수 있는 온도가 바람직하고, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상, 특히 바람직하게는 120℃ 이상이며, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 170℃ 이하, 특히 바람직하게는 150℃ 이하이다. For example, the temperature of the mold at the time of molding is preferably a temperature at which the resin composition can exhibit excellent compression moldability, preferably 80°C or higher, more preferably 100°C or higher, particularly preferably 120°C or higher. and preferably 200° C. or less, more preferably 170° C. or less, and particularly preferably 150° C. or less.

또한, 예를 들어, 성형시에 가하는 압력은 바람직하게는 1MPa 이상, 보다 바람직하게는 3MPa 이상, 특히 바람직하게는 5MPa 이상이며, 바람직하게는 50MPa 이하, 보다 바람직하게는 30MPa 이하, 특히 바람직하게는 20MPa 이하이다. Further, for example, the pressure applied during molding is preferably 1 MPa or more, more preferably 3 MPa or more, particularly preferably 5 MPa or more, preferably 50 MPa or less, more preferably 30 MPa or less, particularly preferably 20 MPa or less.

또한, 예를 들어, 큐어 타임(;경화 시간)은 바람직하게는 1분 이상, 보다 바람직하게는 2분 이상, 특히 바람직하게는 5분 이상이며, 바람직하게는 60분 이하, 보다 바람직하게는 30분 이하, 특히 바람직하게는 20분 이하이다.Further, for example, the curing time (; curing time) is preferably 1 minute or more, more preferably 2 minutes or more, particularly preferably 5 minutes or more, preferably 60 minutes or less, more preferably 30 minutes or more. minutes or less, particularly preferably 20 minutes or less.

[1.5. 임의의 공정][1.5. arbitrary process]

본 발명의 제1 실시형태에 따른 제조 방법은, 상술한 공정 (I), 공정 (II), 공정 (III) 및 공정(IV)에 조합하여, 임의의 공정을 포함할 수 있다.The manufacturing method which concerns on 1st Embodiment of this invention can include arbitrary processes in combination with the above-mentioned process (I), process (II), process (III), and process (IV).

통상, 본 실시형태에 따른 제조 방법은, 공정 (IV) 후에, 형틀 개방하는 공정을 포함한다. 이와 같이 형틀 개방을 함으로써, 기판(200) 및 경화체층(340)을 압축 성형 장치(100)로부터 떼어낼 수 있다. 이와 같이 떼어냄으로써, 기판(200) 및 경화체층(340)을 구비하는 성형체를 얻을 수 있다.Usually, the manufacturing method which concerns on this embodiment includes the process of form-opening after a process (IV). By opening the mold in this way, the substrate 200 and the cured layer 340 can be separated from the compression molding apparatus 100 . By removing in this way, a molded body including the substrate 200 and the hardening body layer 340 can be obtained.

도 6은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 제조 방법에서 제조할 수 있는 성형체(350)를 모식적으로 나타낸 단면도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 제조 방법에 의하면, 기판(200)과, 이 기판(200) 위에 수지 조성물의 경화체에 의해 형성된 경화체층(340)을 구비하는 성형체(350)를 얻을 수 있다. 이러한 성형체(350)를, 반도체 장치로서 얻어도 좋다. 예를 들어, 경화체층(340)측에 반도체 칩(도시하지 않음)을 구비하는 실장 기판을 기판(200)으로서 사용하는 경우에는, 그 실장 기판으로서의 기판(200)과, 이 기판(200)이 구비하는 반도체 칩을 밀봉하는 밀봉층으로서의 경화체층(340)을 구비하는 성형체(350)를, 반도체 장치로서의 반도체 칩 패키지로서 얻을 수 있다.6 : is sectional drawing which showed typically the molded object 350 which can be manufactured by the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment of this invention. As shown in FIG. 6 , according to the manufacturing method according to the first embodiment, a molded body 350 including a substrate 200 and a cured body layer 340 formed on the substrate 200 by a cured body of a resin composition is formed. can be obtained Such a molded body 350 may be obtained as a semiconductor device. For example, when a mounting substrate having a semiconductor chip (not shown) on the cured layer 340 side is used as the substrate 200 , the substrate 200 as the mounting substrate and the substrate 200 are The molded body 350 provided with the hardening body layer 340 as a sealing layer which seals the provided semiconductor chip can be obtained as a semiconductor chip package as a semiconductor device.

또한, 상술한 성형체(350)에는, 추가로 배선층, 절연층, 솔더 레지스트층, 반도체 칩 등의 임의의 요소를 마련해도 좋다. 따라서, 본 실시형태에 따른 제조 방법은, 그들 임의의 요소를 마련하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.Moreover, you may provide arbitrary elements, such as a wiring layer, an insulating layer, a soldering resist layer, a semiconductor chip, in the above-mentioned molded object 350 further. Therefore, the manufacturing method which concerns on this embodiment may include the process of providing those arbitrary elements.

또한, 본 실시형태에 따른 제조 방법은, 성형체(350)로부터 기판(200)을 박리하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 경화체층(340)을 구비하지만 기판(200)을 구비하지 않는 반도체 장치를 얻을 수 있다. 예를 들어, 기판(200)으로서, 반도체 칩을 박리 가능하게 가고정할 수 있는 가고정 필름을 사용하는 경우, 기판(200)을 구비하지 않는 반도체 장치를 얻을 수 있다.In addition, the manufacturing method which concerns on this embodiment may include the process of peeling the board|substrate 200 from the molded object 350. As shown in FIG. In this case, it is possible to obtain a semiconductor device including the cured layer 340 but not including the substrate 200 . For example, as the substrate 200, when using a temporarily fixed film capable of temporarily fixing the semiconductor chip to be peelable, it is possible to obtain a semiconductor device not provided with the substrate 200.

또한, 본 실시형태에 따른 제조 방법은, 임의의 요소를 포함할 수 있는 성형체(350) 또는 경화체층(340)을 개편화하는 다이싱 공정을 포함하고 있어도 좋다.In addition, the manufacturing method which concerns on this embodiment may include the dicing process of dividing the molded object 350 or the hardening body layer 340 which may contain arbitrary elements into pieces.

또한, 본 실시형태에 따른 제조 방법은, 형틀 개방 후에, 얻어진 경화체층(340)의 열경화를 더 진행시키는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 구체적으로는, 형틀 개방 후에, 경화체층(340)을 더 가열하는 공정을 행하여도 좋다.Moreover, the manufacturing method which concerns on this embodiment may include the process of further advancing thermosetting of the obtained hardening body layer 340 after mold opening. Specifically, after opening the mold, the step of further heating the cured layer 340 may be performed.

상술한 제조 방법에 있어서, 각 공정을 행하는 순서는, 원하는 반도체 장치를 얻을 수 있는 범위에서 제한은 없다. 또한, 복수의 공정을 동시에 행하여도 좋다.In the above-described manufacturing method, the order of performing each step is not limited within the range in which a desired semiconductor device can be obtained. Moreover, you may perform a some process simultaneously.

[1.6. 본 실시형태에 따른 제조 방법의 주된 이점][1.6. Main advantages of the manufacturing method according to the present embodiment]

제1 실시형태에 따른 제조 방법에 의하면, 경화체층(340)에서의 요철의 형성을 억제할 수 있다. 이하, 이 이점에 대해 다른 제조 방법과 대비시켜서 설명한다.According to the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment, formation of the unevenness|corrugation in the hardening body layer 340 can be suppressed. Hereinafter, this advantage is demonstrated in contrast with other manufacturing methods.

도 7은, 수지 조성물층(310) 및 지지 필름(910)을 구비한 수지 시트(900)를 사용하여 압축 성형을 행할 때의 압축 성형 장치(920)를 모식적으로 나타낸 단면도이다. 이 도7에서, 상술한 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 부위에는, 도 1 내지 도 6과 동일한 부호를 붙여서 설명한다.7 : is sectional drawing which showed typically the compression molding apparatus 920 at the time of performing compression molding using the resin sheet 900 provided with the resin composition layer 310 and the support film 910. As shown in FIG. In this Fig. 7, the same reference numerals as in Figs. 1 to 6 are attached to the same portions as those described in the first embodiment described above.

도 7에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물층(310) 및 지지 필름(910)을 구비한 수지 시트(900)를 사용하여 압축 성형을 행하는 경우를 가정한다. 이 경우, 수지 조성물층(310)뿐만 아니라 지지 필름(910)도 캐비티(130) 안에 들어갈 수 있다. 따라서, 지지 필름(910)의 단부(910E)가 수지 조성물층(310)에 파고 들어간다. 그러면, 지지 필름(910)의 단부(910E)가 파고들어간 수지 조성물층(310)의 부분(930)에는, 상기의 파고 들어감에 의한 요철이 형성된다. 또한, 이와 같이 단부(910E)의 파고들어감이 생기면, 지지 필름(910)을 박리하는 것이 곤란해진다.As shown in FIG. 7, the case where compression molding is performed using the resin sheet 900 provided with the resin composition layer 310 and the support film 910 is assumed. In this case, not only the resin composition layer 310 but also the support film 910 may enter the cavity 130 . Accordingly, the end portion 910E of the support film 910 penetrates the resin composition layer 310 . Then, in the part 930 of the resin composition layer 310 into which the edge part 910E of the support film 910 has penetrated, the unevenness|corrugation by the said penetration is formed. In addition, when the edge part 910E is penetrated in this way, it becomes difficult to peel the support film 910 .

이에 대해, 제1 실시형태에 따른 제조 방법에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물층(310)은 캐비티(130) 안에 들어가지지만, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)은 캐비티(130) 안에 없다. 따라서, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)의 수지 조성물층(310)으로의 파고 들어감이 억제된다. 따라서, 도 6에 나타내는 바와 같이, 경화체층(340)에서의 요철의 형성을 억제할 수 있다. 또한, 경화체층(340)으로부터 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 박리하는 조작이 불필요하므로, 통상, 성형체(35)의 효율적인 제조가 가능하다.On the other hand, in the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment, although the resin composition layer 310 enters in the cavity 130 as shown in FIG. 5, the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 is not in the cavity 130 . Accordingly, penetration of the first support film 320 and the second support film 330 into the resin composition layer 310 is suppressed. Therefore, as shown in FIG. 6, formation of the unevenness|corrugation in the hardening body layer 340 can be suppressed. In addition, since the operation of peeling the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 from the hardening body layer 340 is unnecessary, efficient manufacture of the molded object 35 is normally possible.

또한, 제1 실시형태에 따른 제조 방법에 의하면, 수지 조성물의 유출에 의한 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)의 오염을 억제할 수 있다. 이하, 이 이점에 대해, 다른 제조 방법과 대비시켜서 설명한다.Moreover, according to the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment, the contamination of the 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold 120 by the outflow of a resin composition can be suppressed. Hereinafter, this advantage is demonstrated in contrast with another manufacturing method.

캐비티보다 큰 수지 시트를 사용하여 압축 성형을 행하는 경우를 가정한다. 이 경우, 지지 필름의 단부가 캐비티 밖에 배치되므로, 지지 필름의 수지 조성물층으로의 파고들어감을 억제할 수 있지만, 수지 조성물층의 일부가 캐비티 밖으로 비어져 나온다. 따라서, 그 비어져 나온 수지 조성물층이 제1형틀 및 제2형틀에 접촉함으로써, 제1형틀 및 제2형틀에 수지 조성물이 부착되어, 오염이 생긴다.A case where compression molding is performed using a resin sheet larger than the cavity is assumed. In this case, since the edge part of a support film is arrange|positioned outside a cavity, although penetration into the resin composition layer of a support film can be suppressed, a part of a resin composition layer protrudes out of a cavity. Therefore, when the protruding resin composition layer contacts a 1st type|mold and a 2nd type|mold, a resin composition adheres to a 1st type|mold and a 2nd type|mold, and contamination arises.

이에 대해, 제1실시형태에 따른 제조 방법에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물층(310)의 전체를 캐비티(130) 안에 넣은 상태에서, 압축 성형을 실시할 수 있다. 따라서, 캐비티(130) 밖에서는 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)에 수지 조성물층(310)이 접촉하지 않으므로, 수지 조성물의 부착에 의한 오염을 억제할 수 있다.On the other hand, in the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment, as shown in FIG. 5, in the state which put the whole resin composition layer 310 in the cavity 130, compression molding can be implemented. Therefore, since the resin composition layer 310 does not contact the first mold 110 and the second mold 120 outside the cavity 130 , contamination due to adhesion of the resin composition can be suppressed.

상술한 제1 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 실시하기 위해, 공정 (III)에서, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 원활하게 벗겨내는 것이 바람직하다. 따라서, 상술한 제1 실시형태에 따른 제조 방법의 이점을 얻기 위해, 수지 조성물층(310)으로부터 벗기기 쉬운 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 구비하는 수지 시트(300)를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 수지 시트(300)로서는, 상술한 특정한 두께의 수지 조성물층을 갖고, 또한, 제1 지지 필름(320)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FA[gf/cm], 제2 지지 필름(330)과 수지 조성물층(310)과의 밀착력 FB[gf/cm], 및 100℃에서의 수지 조성물의 용융 점도 η[poise]가 상술한 식 (1), 식 (2) 및 식 (3)을 충족시키는 것이 특히 바람직하다.In order to implement the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment mentioned above, in process (III), it is preferable to peel off the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 smoothly. Therefore, in order to obtain the advantages of the manufacturing method according to the first embodiment described above, the resin sheet 300 including the first support film 320 and the second support film 330 that are easy to peel off from the resin composition layer 310 . It is preferable to use As such a resin sheet 300, it has the resin composition layer of the specific thickness mentioned above, and also the adhesive force F A [gf/cm] of the 1st support film 320 and the resin composition layer 310, and a 2nd support film. (330) and the adhesive force F B [gf / cm] of the resin composition layer 310, and the melt viscosity η [poise] of the resin composition at 100 ° C. 3) is particularly preferred.

[2. 제2 실시형태][2. second embodiment]

제1 실시형태에서는, 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)의 한쪽에 기판(200) 및 수지 조성물층(310)의 양쪽을 설치하여, 압축 성형을 실시한 예를 사용하여, 반도체 장치의 제조 방법을 설명하였다. 그러나, 기판(200) 및 수지 조성물층(310)의 설치형태는 제1 실시형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1형틀(110)에 기판(200)을 설치하고, 제2형틀(120)에 수지 조성물층(310)을 설치한 후에, 압축 성형을 실시해도 좋다. 이하, 그 방법을, 제2 실시형태를 나타내어 설명한다.In 1st Embodiment, using the example which provided both the board|substrate 200 and the resin composition layer 310 in one of the 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold 120, and performed compression molding, the semiconductor device The manufacturing method of the was described. However, the arrangement of the substrate 200 and the resin composition layer 310 is not limited to the first embodiment. For example, after providing the board|substrate 200 in the 1st type|mold 110 and providing the resin composition layer 310 in the 2nd type|mold 120, you may perform compression molding. Hereinafter, the method is demonstrated and demonstrated 2nd Embodiment.

도 8은, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치(400)에, 기판(200) 및 수지 조성물층(310)을 설치한 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다. 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 부위에는, 제1 실시형태와 동일한 부호를 붙여서 설명한다.8 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a substrate 200 and a resin composition layer 310 are provided in a compression molding apparatus 400 used in a method for manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention. am. In 2nd Embodiment, the same code|symbol as 1st Embodiment is attached|subjected and demonstrated to the site|part same as that demonstrated in 1st Embodiment.

도 8에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치(400)는, 제1형틀(110)이 윗쪽, 제2형틀(120)이 아래쪽에 마련되어 있는 것 이외에는, 제1 실시형태에서 설명한 압축 성형 장치(100)와 동일하게 마련되어 있다. 따라서, 압축 성형 장치(400)는, 기판(200)을 지지할 수 있는 제1형틀(110)과, 제1형틀(110)에 대향하여 마련된 제2형틀(120)을, 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)의 두께 방향이 연직 방향과 평행하게 되도록 구비한다.As shown in FIG. 8, in the compression molding apparatus 400 used in the manufacturing method which concerns on 2nd Embodiment of this invention, the 1st type|mold 110 is provided above, and the 2nd type|mold 120 is provided below. Other than that, it is provided similarly to the compression molding apparatus 100 demonstrated in 1st Embodiment. Accordingly, the compression molding apparatus 400 includes a first mold 110 capable of supporting the substrate 200 , and a second mold 120 provided to face the first mold 110 , and the first mold 110 . ) and the thickness direction of the second formwork 120 is provided so as to be parallel to the vertical direction.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조 방법에서는, 상기의 압축 성형 장치(400)를 사용하여 반도체 장치를 제조한다. 이 제조 방법은, 제1 실시형태와 마찬가지로,In the manufacturing method according to the second embodiment of the present invention, a semiconductor device is manufactured using the compression molding apparatus 400 described above. This manufacturing method is similar to the first embodiment,

기판(200)을 준비하는 공정 (I),Step (I) of preparing the substrate 200,

수지 시트(300)(도 3 참조)를 준비하는 공정 (II),Step (II) of preparing the resin sheet 300 (see FIG. 3);

제1 지지 필름(320)을 벗겨내어, 수지 조성물층(310)의 양쪽의 면(310U 및 310D)에서 비피복 상태를 얻는 공정 (III), 및Step (III) of peeling off the first support film 320 to obtain an uncovered state on both surfaces 310U and 310D of the resin composition layer 310, and

수지 조성물층(310)을 캐비티(130) 안에 넣고, 제1형틀(110)과 제2형틀(120) 사이에서, 수지 조성물층(310)과 기판(200)을 가압하는 공정 (IV)를 포함한다.A step (IV) of placing the resin composition layer 310 in the cavity 130 and pressing the resin composition layer 310 and the substrate 200 between the first mold 110 and the second mold 120 is included. do.

공정 (I)에서 준비되는 기판(200)은 제1 실시형태에서 설명한 것과 같다. 제2 실시형태에서는, 준비한 기판(200)을 도 8에 나타내는 바와 같이 제1형틀(110)에 설치한다.The substrate 200 prepared in step (I) is the same as described in the first embodiment. In 2nd Embodiment, the prepared board|substrate 200 is attached to the 1st type|mold 110 as shown in FIG.

공정 (II)에서 준비되는 수지 시트(300)는 제1 실시형태에서 설명한 것과 같다. 이와 같이 준비한 수지 시트(300)는, 제1 실시형태와 같이, 공정 (III)에서 제1 지지 필름(320)이 벗겨진다. 또한, 수지 시트(300)가 제2 지지 필름(330)을 구비하는 경우에는, 당해 제2 지지 필름(330)도 벗겨진다. 그리고, 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 동시 또는 비동시에 비피복 상태를 얻은 수지 조성물층(310)을, 도 8에 나타내는 바와 같이, 캐비티(130)에 들어가도록 제2형틀(120)에 설치한다. 수지 조성물층(310)은, 제1형틀(110)에 기판(200)을 설치한 후에 제2형틀(120)에 설치해도 좋고, 제1형틀(110)에 기판(200)을 설치하기 전에 제2형틀(120)에 설치해도 좋다. 이 때, 예를 들어, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 벗겨서 얻은 수지 조성물층(310)을 단독으로 제2형틀(120)에 설치해도 좋다. 또한, 예를 들어, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)의 한쪽을 벗겨서 제1면(310U) 및 제2면(310D)의 한쪽에서 비피복 상태를 얻어, 그 비피복 상태의 면이 제2형틀(120)에 접하도록 수지 조성물층(310)을 설치하고, 그 후, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)의 다른 쪽을 벗겨도 좋다.The resin sheet 300 prepared in the step (II) is the same as described in the first embodiment. As for the resin sheet 300 prepared in this way, the 1st support film 320 is peeled off in a process (III) like 1st Embodiment. Moreover, when the resin sheet 300 is equipped with the 2nd support film 330, the said 2nd support film 330 is also peeled off. And as shown in FIG. 8, the resin composition layer 310 which obtained the uncoated state simultaneously or non-simultaneously on the 1st surface 310U and the 2nd surface 310D enters into the cavity 130, the 2nd formwork. (120) is installed. The resin composition layer 310 may be installed in the second mold 120 after the substrate 200 is installed in the first mold 110 , or before the substrate 200 is installed in the first mold 110 . You may install it in the 2 type|mold 120. At this time, for example, the resin composition layer 310 obtained by peeling off the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 may be provided in the 2nd formwork 120 independently. Further, for example, one of the first support film 320 and the second support film 330 is peeled off to obtain an uncovered state from one of the first surface 310U and the second surface 310D, and the uncovered state is obtained. The resin composition layer 310 may be provided so that the surface of a state may contact|connect the 2nd formwork 120, and you may peel off the other of the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 after that.

도 9는, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치(400)를 사용하여, 압축 성형을 행하는 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다. 9 is a cross-sectional view schematically showing a state in which compression molding is performed using the compression molding apparatus 400 used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 제조 방법은, 상술한 공정 (I) 내지 공정 (III) 후에, 도 9에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물층(310)을 캐비티(130) 안에 넣고, 제1형틀(110)과 제2형틀(120) 사이에서, 수지 조성물층(310)과 기판(200)을 가압하는 공정(IV)을 포함한다. 이 공정 (IV)는 제1 실시형태와 동일하게 행할 수 있다. 따라서, 구체적으로는, 공정 (IV)에서는, 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)이 형틀 닫기되어, 수지 조성물층(310)의 전체가, 기판(200)과 제2형틀(120)에 둘러싸인 캐비티(130) 안의 폐공간에 들어갈 수 있다. 그리고, 이 상태에서, 수지 조성물층(310) 및 기판(200)이 가압되어, 수지 조성물층(310)이 기판(200)에 접합되는 동시에, 수지 조성물층(310)이 압축 성형된다. 따라서, 필요에 따라 가열하여 수지 조성물층(310)을 경화시킴으로써, 경화체층(340)을 얻을 수 있다.The manufacturing method which concerns on 2nd Embodiment of this invention puts the resin composition layer 310 in the cavity 130, as shown in FIG. 9 after process (I) - process (III) mentioned above, 1st formwork A step (IV) of pressing the resin composition layer 310 and the substrate 200 between the ( 110 ) and the second mold ( 120 ) is included. This step (IV) can be performed in the same manner as in the first embodiment. Therefore, specifically, in the step (IV), the first mold 110 and the second mold 120 are molded closed, so that the entire resin composition layer 310 is the substrate 200 and the second mold 120 . ) can enter the closed space in the cavity 130 surrounded by. And, in this state, the resin composition layer 310 and the substrate 200 are pressed, the resin composition layer 310 is bonded to the substrate 200 , and the resin composition layer 310 is compression molded. Accordingly, by curing the resin composition layer 310 by heating as necessary, the cured body layer 340 can be obtained.

그 후, 통상은, 형틀 개방이 되어, 기판(200) 및 경화체층(340)을 압축 성형 장치(400)에서 떼어낸다. 이와 같이 하여, 제1 실시형태와 마찬가지로, 기판(200) 및 경화체층(340)을 구비하는 성형체(350)를 얻을 수 있다.Thereafter, the mold is usually opened, and the substrate 200 and the hardening body layer 340 are removed from the compression molding apparatus 400 . In this way, the molded object 350 provided with the board|substrate 200 and the hardening body layer 340 can be obtained similarly to 1st Embodiment.

상술한 제2 실시형태에 따른 제조 방법에 의하면, 제1 실시형태에 따른 제조 방법과 동일한 이점을 얻을 수 있다.According to the manufacturing method according to the second embodiment described above, the same advantages as the manufacturing method according to the first embodiment can be obtained.

제2 실시형태에 따른 제조 방법은, 제1 실시형태에 따른 제조 방법과 마찬가지로, 임의의 공정을 포함하고 있어도 좋다.The manufacturing method which concerns on 2nd Embodiment may include arbitrary processes similarly to the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment.

[3. 변형예][3. Variation]

본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상술한 실시형태로부터 더 변경하여 실시해도 좋다. 예를 들어, 기판을 수납할 수 있는 캐비티가 형성된 형틀을 구비하는 압축 성형 장치를 이용하여, 반도체 장치의 제조를 행하여도 좋다. 이하, 그 방법의 예를, 도면을 참조하여 설명한다.The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention may be further modified from the above-described embodiment. For example, you may manufacture a semiconductor device using the compression molding apparatus provided with the form in which the cavity which can accommodate a board|substrate was formed. Hereinafter, an example of the method will be described with reference to the drawings.

도 10은, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치(500)에, 기판(200) 및 수지 조성물층(310)을 설치한 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다. 제3 실시형태에서는, 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일한 부위에는, 제1 실시형태와 동일한 부호를 붙여서 설명한다.10 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a substrate 200 and a resin composition layer 310 are provided in a compression molding apparatus 500 used in a method for manufacturing a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention. am. In 3rd Embodiment, the same code|symbol as 1st Embodiment is attached|subjected to the site|part same as that demonstrated in 1st Embodiment, and it demonstrates.

도 10에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치(500)는, 기판(200)을 지지하는 제1형틀(510)에 캐비티(530)가 마련되어 있는 것, 및 캐비티(530)가 수지 조성물층(310)뿐만 아니라 기판(200)도 수납할 수 있게 형성되어 있는 것 이외에는, 제1 실시형태에서 설명한 압축 성형 장치(100)와 동일하게 마련되어 있다.As shown in FIG. 10 , in the compression molding apparatus 500 used in the manufacturing method according to the third embodiment of the present invention, a cavity 530 is provided in a first mold 510 supporting a substrate 200 . and the cavity 530 is provided in the same manner as in the compression molding apparatus 100 described in the first embodiment, except that the cavity 530 is formed to accommodate not only the resin composition layer 310 but also the substrate 200 .

본 실시형태에서 나타내는 예에 있어서는, 캐비티(530)는, 기판(200) 및 수지 조성물층(310)을 수납할 수 있게 크게 형성되어 있다. 따라서, 이 압축 성형 장치(500)에서는, 제1형틀(510)과 제2형틀(520) 사이에, 캐비티(530)에 대응하는 공간이 형성되어, 이 공간 내에서 수지 조성물층(310)을 압축 성형할 수 있다.In the example shown by this embodiment, the cavity 530 is formed large so that the board|substrate 200 and the resin composition layer 310 can be accommodated. Therefore, in this compression molding apparatus 500, a space corresponding to the cavity 530 is formed between the first mold 510 and the second mold 520, and the resin composition layer 310 is formed in this space. Compression molding is possible.

또한, 캐비티(530) 내를 가압할 수 있게 하는 관점에서, 제1형틀(510)은, 바닥부 블록(511)과, 이 바닥부 블록(511)의 주위를 둘러싸도록 환상으로 마련된 측부 블록(512)을 구비한다. 바닥부 블록(511)은, 측부 블록(512)에 대해 상대적으로, 이동 가능하게 마련되어 있다. 따라서, 이 예에 있어서, 제1형틀(510)은, 바닥부 블록(511)이 도면 중 위쪽에 압압됨으로써, 캐비티(530) 안을 가압할 수 있게 마련되어 있다.In addition, from the viewpoint of making it possible to pressurize the inside of the cavity 530 , the first formwork 510 includes a bottom block 511 and a side block ( 512) is provided. The bottom block 511 is provided to be movable relative to the side block 512 . Therefore, in this example, the 1st formwork 510 is provided so that the inside of the cavity 530 can be pressurized by the bottom block 511 being pressed upward in a figure.

본 발명의 제3 실시형태에 따른 제조 방법에서는, 상기의 압축 성형 장치(500)를 사용하여 반도체 장치를 제조한다. 이 제조 방법은, 제1 실시형태와 마찬가지로,In the manufacturing method which concerns on 3rd Embodiment of this invention, a semiconductor device is manufactured using the said compression molding apparatus 500. As shown in FIG. This manufacturing method is similar to the first embodiment,

기판(200)을 준비하는 공정 (I),Step (I) of preparing the substrate 200,

수지 시트(300)(도 3 참조)를 준비하는 공정 (II),Step (II) of preparing the resin sheet 300 (see FIG. 3);

제1 지지 필름(320)을 벗겨내어, 수지 조성물층(310)의 양쪽의 면(310U 및 310D)에서 비피복 상태를 얻는 공정 (III), 및Step (III) of peeling off the first support film 320 to obtain an uncovered state on both surfaces 310U and 310D of the resin composition layer 310, and

수지 조성물층(310)을 캐비티(530) 내에 넣어, 제1형틀(510)과 제2형틀(520) 사이에서, 수지 조성물층(310)과 기판(200)을 가압하는 공정 (IV)를 포함한다.A step (IV) of putting the resin composition layer 310 into the cavity 530 and pressing the resin composition layer 310 and the substrate 200 between the first mold 510 and the second mold 520 is included. do.

공정 (I)에서 준비되는 기판(200)은 제1 실시형태에서 설명한 것과 동일하다. 제3 실시형태에서는, 준비한 기판(200)을, 도 10에 나타내는 바와 같이 제1형틀(510)의 캐비티(530) 내에 설치한다.The substrate 200 prepared in step (I) is the same as that described in the first embodiment. In 3rd Embodiment, the prepared board|substrate 200 is installed in the cavity 530 of the 1st form 510, as shown in FIG.

공정 (II)에서 준비되는 수지 시트(300)는 제1 실시형태에서 설명한 것과 같다. 이와 같이 준비한 수지 시트(300)는, 제1 실시형태와 같이, 공정 (III)에서, 제1 지지 필름(320)이 벗겨진다. 또한, 수지 시트(300)가 제2 지지 필름(330)을 구비하는 경우에는, 당해 제2 지지 필름(330)도 벗겨진다. 그리고, 제1면(310U) 및 제2면(310D)에서 동시 또는 비동시에 비피복 상태를 얻은 수지 조성물층(310)을, 도 10에 나타내는 바와 같이, 캐비티(530)에 들어가도록 기판(200) 위에 설치한다. 수지 조성물층(310)은, 제1형틀(510)에 기판(200)을 설치한 후에 기판(200) 위에 설치해도 좋고, 제1형틀(510)에 기판(200)을 설치하기 전에 기판(200) 위에 설치해도 좋다. 이때, 예를 들어, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)을 벗겨서 얻은 수지 조성물층(310)을 단독으로 기판(200) 위에 설치해도 좋다. 또한, 예를 들어, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)의 한쪽을 벗겨서 제1면(310U) 및 제2면(310D)의 한쪽에서 비피복 상태를 얻어, 그 비피복 상태의 면이 기판(200)에 접하도록 수지 조성물층(310)을 설치하고, 그 후, 제1 지지 필름(320) 및 제2 지지 필름(330)의 다른 쪽을 벗겨도 좋다.The resin sheet 300 prepared in the step (II) is the same as described in the first embodiment. As for the resin sheet 300 prepared in this way, the 1st support film 320 is peeled at a process (III) like 1st Embodiment. Moreover, when the resin sheet 300 is equipped with the 2nd support film 330, the said 2nd support film 330 is also peeled off. Then, as shown in FIG. 10 , the resin composition layer 310 obtained in an uncoated state simultaneously or non-simultaneously on the first surface 310U and the second surface 310D enters the cavity 530 on the substrate 200 . ) is installed on top. The resin composition layer 310 may be installed on the substrate 200 after the substrate 200 is installed in the first mold 510 or before the substrate 200 is installed in the first mold 510 . ) can be installed on top. At this time, for example, the resin composition layer 310 obtained by peeling off the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 may be provided on the board|substrate 200 independently. Further, for example, one of the first support film 320 and the second support film 330 is peeled off to obtain an uncovered state from one of the first surface 310U and the second surface 310D, and the uncovered state is obtained. The resin composition layer 310 may be provided so that the surface of a state may contact|connect the board|substrate 200, and the other side of the 1st support film 320 and the 2nd support film 330 may be peeled off after that.

도 11은, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용하는 압축 성형 장치(500)를 사용하여, 압축 성형을 행하는 모습을 모식적으로 나타낸 단면도이다.11 is a cross-sectional view schematically showing a state in which compression molding is performed using the compression molding apparatus 500 used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.

본 발명의 제3 실시형태에 따른 제조 방법은, 상술한 공정 (I) 내지 공정 (III) 후에, 도 11에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물층(310)을 캐비티(530) 안에 넣고 제1형틀(510)과 제2형틀(520) 사이에서 수지 조성물층(310)과 기판(200)을 가압하는 공정 (IV)를 포함한다. 이 공정(IV)은 제1 실시형태와 같이 행할 수 있다. 따라서, 구체적으로는, 공정 (IV)에서는, 제1형틀(510) 및 제2형틀(520)이 형틀 닫기되어, 수지 조성물층(310)의 전체가, 제1형틀(510), 기판(200) 및 제2형틀(520)에 둘러싸인 캐비티(530) 안의 폐공간에 들어갈 수 있다. 그리고, 이 상태에서, 수지 조성물층(310) 및 기판(200)이 가압되어, 수지 조성물층(310)이 기판(200)에 접합되는 동시에 수지 조성물층(310)이 압축 성형된다. 따라서, 필요에 따라 가열하여 수지 조성물층(310)을 경화시킴으로써 경화체층(340)을 얻을 수 있다.In the manufacturing method according to the third embodiment of the present invention, after the steps (I) to (III) described above, as shown in FIG. 11 , the resin composition layer 310 is placed in the cavity 530 and the first mold ( and a step (IV) of pressing the resin composition layer 310 and the substrate 200 between the 510 and the second mold 520 . This step (IV) can be performed in the same manner as in the first embodiment. Therefore, specifically, in the process (IV), the 1st type|mold 510 and the 2nd type|mold 520 are mold-closed, and the 1st type|mold 510 and the board|substrate 200 of the resin composition layer 310 as a whole are ) and the second mold 520 may enter the closed space in the cavity 530 . And, in this state, the resin composition layer 310 and the substrate 200 are pressed, the resin composition layer 310 is bonded to the substrate 200, and the resin composition layer 310 is compression molded at the same time. Accordingly, the cured body layer 340 can be obtained by curing the resin composition layer 310 by heating if necessary.

그 후, 통상은, 형틀 개방이 되어, 기판(200) 및 경화체층(340)을 압축 성형 장치(500)로부터 떼어낸다. 이렇게 하여, 제1 실시형태와 같이, 기판(200) 및 경화체층(340)을 구비하는 성형체(350)를 얻을 수 있다.Thereafter, the mold is usually opened, and the substrate 200 and the hardening body layer 340 are removed from the compression molding apparatus 500 . In this way, like 1st Embodiment, the molded object 350 provided with the board|substrate 200 and the hardening body layer 340 can be obtained.

상술한 제3 실시형태에 따른 제조 방법에 의해, 제1 실시형태에 따른 제조 방법과 같은 이점을 얻을 수 있다.By the manufacturing method according to the third embodiment described above, the same advantages as the manufacturing method according to the first embodiment can be obtained.

제3 실시형태에 따른 제조 방법은, 제1 실시형태에 따른 제조 방법과 동일하게, 임의의 공정을 포함하고 있어도 좋다.The manufacturing method which concerns on 3rd Embodiment may include arbitrary processes similarly to the manufacturing method which concerns on 1st Embodiment.

[4. 수지 조성물층의 조성][4. Composition of the resin composition layer]

수지 조성물의 조성은, 당해 수지 조성물이 열경화성을 갖는 범위이면, 특단의 제한은 없다.The composition of the resin composition is not particularly limited as long as the resin composition has thermosetting properties.

열경화성을 발휘할 수 있게 하는 관점에서, 수지 조성물은, 통상, 열경화성수지를 포함한다. 열경화성 수지의 예로서는, 에폭시 수지, 시아네이트에스테르 수지, 페놀 수지, 비스말레이미드-트리아진 수지, 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 비닐벤질 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 그 중에서도, 높은 밀봉 능력을 갖는 경화체층을 얻기 쉬워서, 에폭시 수지가 바람직하다.From a viewpoint of making it possible to exhibit thermosetting, a resin composition contains a thermosetting resin normally. As an example of a thermosetting resin, an epoxy resin, cyanate ester resin, a phenol resin, bismaleimide-triazine resin, a polyimide resin, an acrylic resin, vinylbenzyl resin, etc. are mentioned. A thermosetting resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Especially, since it is easy to obtain the hardening body layer which has high sealing ability, an epoxy resin is preferable.

에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As the epoxy resin, for example, a bixylenol type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol S type epoxy resin, a bisphenol AF type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, a trisphenol type epoxy resin Resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycy Diyl ester type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexane type An epoxy resin, a cyclohexane dimethanol type|mold epoxy resin, a naphthylene ether type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin, a tetraphenylethane type epoxy resin, etc. are mentioned. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

수지 조성물은, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 모든 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.It is preferable that the resin composition contains the epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. The ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferably 50 mass% or more, more preferably 60 mass% or more, particularly preferably 70 mass% to 100% by mass of the nonvolatile components of all epoxy resins. % or more

에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상의 에폭시 수지(이하 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)와, 온도 20℃에서 고체상의 에폭시 수지(이하 「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)가 있다. 수지 조성물은, 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지를 포함하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지를 포함하고 있어도 좋고, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하고 있어도 좋다.Epoxy resins include a liquid epoxy resin at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resin”) and a solid epoxy resin at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “solid epoxy resin”). . The resin composition may contain a liquid epoxy resin as an epoxy resin, may contain the solid epoxy resin, and may contain it combining a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.As a liquid epoxy resin, the liquid epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule is preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지; 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지 등의 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀A형 에폭시 수지 및 비스페놀F형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol AF epoxy resin, and naphthalene epoxy resin; Alicyclic epoxy resins such as glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy Resin, a glycidylamine type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin are more preferable.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP-4032」, 「HP-4032D」,「HP-4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「jER828EL」, 「825」,「에피코토 828EL」비스페놀A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀 노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀A형 에폭시 수지와 비스페놀F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「CEL도2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지), ADEKA사 제조의 「EP3950L」(글리시딜아민형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a liquid epoxy resin, "HP-4032", "HP-4032D", "HP-4032SS" by DIC company (naphthalene type epoxy resin); "828US", "jER828EL", "825", "Epicoto 828EL" bisphenol A epoxy resin by Mitsubishi Chemical Corporation); "jER807", "1750" by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol F-type epoxy resin); "jER152" by Mitsubishi Chemical (phenol novolak-type epoxy resin); "630" and "630LSD" by Mitsubishi Chemical (glycidylamine type epoxy resin); "ZX1059" (mixture of a bisphenol A epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin) by the Shin-Nippon Sumikin Chemical Company; "EX-721" by the Nagase Chemtex company (glycidyl ester type epoxy resin); "CEL figure 2021P" manufactured by Daicel (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton); "PB-3600" by Daicel (epoxy resin which has a butadiene structure); "ZX1658", "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidyl cyclohexane type epoxy resin) manufactured by Shin-Nittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., "EP3950L" manufactured by ADEKA (glycidylamine type epoxy resin), etc. are mentioned. can These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As a solid epoxy resin, the solid epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is preferable, and the aromatic solid epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 비페닐형 에폭시 수지 및 나프틸렌에테르형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the solid-state epoxy resin include a bixylenol-type epoxy resin, a naphthalene-type epoxy resin, a naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, a cresol novolac-type epoxy resin, a dicyclopentadiene-type epoxy resin, a trisphenol-type epoxy resin, a naphthol-type epoxy resin, and a non Phenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, biphenyl type epoxy resin and naphthylene ether type epoxy resin Resin is more preferable.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP-4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP-6000」, 「HP-6000L」 (나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」 (비페닐형 에폭시 수지); 닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지); 닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN485」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」 (비스페놀AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a solid-state epoxy resin, "HP-4032H" by DIC (naphthalene type epoxy resin); "HP-4700", "HP-4710" by DIC company (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin); "N-690" by DIC (cresol novolak-type epoxy resin); "N-695" by DIC (cresol novolak-type epoxy resin); "HP-7200", "HP-7200HH", and "HP-7200H" (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP-6000", "HP-6000L" manufactured by DIC (naphthylene ether type) epoxy resin); "EPPN-502H" by Nippon Kayaku Co., Ltd. (trisphenol type epoxy resin); "NC7000L" by a Nippon Kayaku company (naphthol novolak-type epoxy resin); "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", and "NC3100" (biphenyl type epoxy resin) by a Nippon Kayaku company; "ESN475V" (naphthol-type epoxy resin) by the Nitetsu Sumikin Chemical Company; "ESN485" (naphthol novolak-type epoxy resin) by the Nippon-Sumikin Chemical Company; "YX4000H", "YX4000", "YL6121" by Mitsubishi Chemical Corporation (biphenyl type epoxy resin); "YX4000HK" by Mitsubishi Chemical (bixylenol type epoxy resin); "YX8800" by Mitsubishi Chemical (anthracene type epoxy resin); "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemicals; "YL7760" by Mitsubishi Chemical (bisphenol AF type epoxy resin); "YL7800" by Mitsubishi Chemical (fluorene type epoxy resin); "jER1010" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (solid bisphenol A epoxy resin); "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin) by a Mitsubishi Chemical company, etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 그것들의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 바람직하게는 1:0.01 내지 1:20, 보다 바람직하게는 1:0.05 내지 1:10, 특히 바람직하게는 1:0.1 내지 1:2이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지와의 양비가 상기의 범위에 있는 경우, 통상은, 적당한 점착성을 얻을 수 있다. 또한, 통상은, 충분한 가요성이 얻어지며, 취급성이 향상된다. 또한, 통상은, 충분한 파단 강도를 갖는 경화체를 얻을 수 있다.When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination, their ratio (liquid epoxy resin:solid epoxy resin) is a mass ratio, preferably 1:0.01 to 1:20, more preferably 1:0.05 to 1:10, particularly preferably 1:0.1 to 1:2. When the quantity ratio of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin exists in said range, moderate adhesiveness can usually be acquired. Moreover, sufficient flexibility is normally acquired and handleability improves. Moreover, the hardening body which has sufficient breaking strength can normally be obtained.

에폭시 수지의 에폭시 당량은 바람직하게는 50g/eq 내지 5000g/eq, 보다 바람직하게는 50g/eq 내지 3000g/eq, 더욱 바람직하게는 80g/eq 내지 2000g/eq, 보다 더 바람직하게는 110g/eq 내지 1000g/eq이다. 에폭시 당량이 이 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화체의 가교 밀도를 높일 수 있다. 에폭시 당량은, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이다. 이 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 g/eq to 5000 g/eq, more preferably 50 g/eq to 3000 g/eq, still more preferably 80 g/eq to 2000 g/eq, even more preferably 110 g/eq to 1000 g/eq. When the epoxy equivalent is in this range, the crosslinking density of the cured product of the resin composition can be increased. Epoxy equivalent is the mass of resin containing 1 equivalent of an epoxy group. This epoxy equivalent can be measured according to JISK7236.

에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 수지의 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, still more preferably 400 to 1500. The weight average molecular weight of resin can be measured as a value in terms of polystyrene by a gel permeation chromatography (GPC) method.

에폭시 수지의 양은, 양호한 기계 강도 및 절연 신뢰성을 나타내는 경화체층을 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이며, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 특히 바람직하게는 12질량% 이하이다. 한편, 본 명세서에서, 수지 조성물 중의 각 성분의 양은, 별도 명시가 없는 한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 할 때의 값을 나타낸다.The amount of the epoxy resin is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition from the viewpoint of obtaining a cured layer exhibiting good mechanical strength and insulation reliability. Preferably it is 5 mass % or more, Preferably it is 20 mass % or less, More preferably, it is 15 mass % or less, Especially preferably, it is 12 mass % or less. In addition, in this specification, unless otherwise indicated, the quantity of each component in a resin composition shows the value at the time of making 100 mass % of non-volatile components in a resin composition.

에폭시 수지의 양은, 양호한 기계 강도 및 절연 신뢰성을 나타내는 경화체층을 얻는 관점에서, 수지 조성물중의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 13질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상이며, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 85질량% 이하, 특히 바람직하게는 80질량% 이하이다. 「수지 성분」이란, 수지 조성물에 포함되는 불휘발 성분 중, 무기 충전재를 제외한 성분을 말한다.The amount of the epoxy resin is preferably 10% by mass or more, more preferably 13% by mass or more, with respect to 100% by mass of the resin component in the resin composition, from the viewpoint of obtaining a cured layer exhibiting good mechanical strength and insulation reliability. Preferably it is 15 mass % or more, Preferably it is 90 mass % or less, More preferably, it is 85 mass % or less, Especially preferably, it is 80 mass % or less. A "resin component" means the component except an inorganic filler among the nonvolatile components contained in a resin composition.

수지 조성물이 에폭시 수지를 포함하는 경우, 그 수지 조성물은, 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 경화제는, 에폭시 수지와 반응하여, 수지 조성물을 경화시키는 기능을 갖는다. 경화제로서는, 예를 들어, 활성 에스테르계 경화제, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 산 무수물계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 카르보디이미드계 경화제, 아민계 경화제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 높은 밀봉 성능을 갖는 경화체층을 얻기 쉬운 것으로부터, 활성 에스테르계 경화제 및 페놀계 경화제가 바람직하고, 페놀계 경화제가 특히 바람직하다. 또한, 경화제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 병용해도 좋다.When a resin composition contains an epoxy resin, it is preferable that the resin composition contains a hardening|curing agent. The curing agent reacts with the epoxy resin and has a function of curing the resin composition. Examples of the curing agent include an active ester curing agent, a phenol curing agent, a naphthol curing agent, an acid anhydride curing agent, a benzoxazine curing agent, a cyanate ester curing agent, a carbodiimide curing agent, an amine curing agent, and the like. . Especially, since it is easy to obtain the hardening body layer which has high sealing performance, an active ester type hardening|curing agent and a phenol type hardening|curing agent are preferable, and a phenol type hardening|curing agent is especially preferable. In addition, a hardening|curing agent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

활성 에스테르계 경화제로서는, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 경화제로서는, 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 당해 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르 경화제가 보다 바람직하다.As the active ester curing agent, a compound having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among them, as the active ester-based curing agent, phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, esters of heterocyclic hydroxy compounds, etc. having two or more ester groups with high reaction activity in one molecule compounds are preferred. It is preferable that the said active ester type hardening|curing agent is obtained by the condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound, and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferable.

카복실산 화합물로서는, 예를 들어, 벤조산, 아세트산, 숙신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.

페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀A, 비스페놀F, 비스페놀S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀A, 메틸화 비스페놀F, 메틸화 비스페놀S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀 노볼락 등을 들 수 있다. 여기에서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합되어 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolac, etc. are mentioned. Here, the "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol to one molecule of dicyclopentadiene.

활성 에스테르 경화제의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 경화제, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 경화제, 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 경화제, 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 경화제를 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 경화제, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 경화제가 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Preferred specific examples of the active ester curing agent include an active ester curing agent containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester curing agent containing a naphthalene structure, an active ester curing agent containing an acetylated product of phenol novolac, and benzoyl of phenol novolac. active ester curing agents including cargoes. Among them, an active ester curing agent containing a naphthalene structure and an active ester curing agent containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene type diphenol structure" represents a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서 「EXB-9416-70BK」, 「EXB-8150-65T」, 「EXB-8100L-65T」, 「EXB-8150L-65T」(DIC사 제조); 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀 노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀 노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1030」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available products of the active ester curing agent include “EXB9451”, “EXB9460”, “EXB9460S”, “HPC-8000-65T”, “HPC-8000H- 65TM", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC); As an active ester curing agent containing a naphthalene structure, "EXB-9416-70BK", "EXB-8150-65T", "EXB-8100L-65T", "EXB-8150L-65T" (manufactured by DIC Corporation); "DC808" (made by Mitsubishi Chemical) as an active ester type hardening|curing agent containing the acetylated product of phenol novolac; "YLH1026" (made by Mitsubishi Chemical) as an active ester type hardening|curing agent containing the benzoyl compound of phenol novolac; As an active ester curing agent which is an acetylated product of phenol novolac, "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical); Examples of the active ester curing agent that is a benzoyl product of phenol novolac include "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 경화체층과 도체층과의 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다.As a phenol-type hardening|curing agent and a naphthol-type hardening|curing agent, from a viewpoint of heat resistance and water resistance, what has a novolak structure is preferable. Moreover, a nitrogen-containing phenolic hardening|curing agent is preferable from a viewpoint of the adhesiveness of a hardening body layer and a conductor layer, and a triazine skeleton containing phenolic hardening|curing agent is more preferable.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들어, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 「MEH-8000H」; 닛폰 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」; 닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「SN-170」, 「SN-180」, 「SN-190」, 「SN-475」, 「SN-485」, 「SN-495」, 「SN-495V」, 「SN-375」, 「SN-395」; DIC사 제조의 「TD-2090」, 「TD-2090-60M」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」, 「HPC-9500」, 「KA-1160」, 「KA-1163」, 「KA-1165」; 군에이 카가쿠사 제조의 「GDP-6115L」, 「GDP-6115H」, 「ELPC75」 등을 들 수 있다.As a specific example of a phenol type hardening|curing agent and a naphthol type hardening|curing agent, For example, Meiwa Kasei Corporation "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851", "MEH-8000H"; "NHN", "CBN", and "GPH" manufactured by Nippon Kayaku Corporation; “SN-170”, “SN-180”, “SN-190”, “SN-475”, “SN-485”, “SN-495”, “SN-495V” manufactured by Nittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. "SN-375", "SN-395"; "TD-2090", "TD-2090-60M", "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018", "LA-3018-50P" manufactured by DIC Corporation, "EXB-9500", "HPC-9500", "KA-1160", "KA-1163", "KA-1165"; "GDP-6115L", "GDP-6115H", "ELPC75", etc. made from Gunei Chemical Co., Ltd. are mentioned.

산 무수물계 경화제로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 경화제를 들 수 있다. 산 무수물계 경화제의 구체예로서는, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화 메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 숙신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 비페닐테트라카복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 폴리머형의 산 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the acid anhydride curing agent include curing agents having at least one acid anhydride group in one molecule. Specific examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, hydrogenated methylnadic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride , dodecenyl succinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride , benzophenone tetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 1,3,3a ,4,5,9b-hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho [1,2-C] furan-1,3-dione, ethylene glycol bis ( anhydrotrimellitate), and polymer-type acid anhydrides, such as styrene maleic acid resin which copolymerized styrene and maleic acid, etc. are mentioned.

산 무수물계 경화제의 시판품으로서는, 신닛폰 리카사 제조의 「MH-700」 등을 들 수 있다.As a commercial item of an acid anhydride type hardening|curing agent, "MH-700" by a Nippon Rika company, etc. are mentioned.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, JFE 케미컬사 제조의 「JBZ-OD100」 (벤조옥사진환 당량 218g/eq.), 「JBZ-OP100D」(벤조옥사진환 당량 218g/eq.), 「ODA-BOZ」(벤조옥사진환 당량 218g/eq.); 시코쿠 카세이코교사 제조의 「P-d」(벤조옥사진환 당량 217g/eq.), 「F-a」(벤조옥사진환 당량 217g/eq.); 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」(벤조옥사진환 당량 432g/eq.) 등을 들 수 있다.Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include "JBZ-OD100" (benzoxazine ring equivalent 218 g/eq.) manufactured by JFE Chemicals, "JBZ-OP100D" (benzoxazine ring equivalent 218 g/eq.), "ODA-BOZ" (benzooxazine ring equivalent 218 g/eq.); "P-d" (benzoxazine ring equivalent 217 g/eq.), "F-a" (benzooxazine ring equivalent 217 g/eq.) manufactured by Shikoku Chemical Co., Ltd.; "HFB2006M" by Showa Kobunshi company (benzoxazine ring equivalent 432 g/eq.) etc. are mentioned.

시아네이트 에스테르계 경화제로서는, 예를 들어, 비스페놀A디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀A디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀 노볼락 및 크레졸 노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화한 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(페놀 노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀A디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'-methylenebis(2,6- Dimethylphenylcyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4- Cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cya bifunctional cyanate resins such as natephenyl)thioether and bis(4-cyanatephenyl)ether; polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolac and cresol novolac; A prepolymer etc. in which these cyanate resins were partially triazine-ized are mentioned. As a specific example of a cyanate ester type hardening|curing agent, "PT30" and "PT60" (phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resin) manufactured by Ronza Japan, "ULL-950S" (polyfunctional cyanate ester resin), "BA230" ", "BA230S75" (a prepolymer in which a part or all of bisphenol A dicyanate was triazine-ized and became a trimer) etc. are mentioned.

카르보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보 케미컬사 제조의 카르보디라이트(등록상표) V-03(카르보디이미드기 당량: 216g/eq.), V-05(카르보디이미드기 당량: 262g/eq.), V-07(카르보디이미드기 당량: 200g/eq.); V-09(카르보디이미드기 당량: 200g/eq.); 라인 케미사 제조의 스타바쿠졸(등록상표) P(카르보디이미드기 당량: 302g/eq.)를 들 수 있다. Specific examples of the carbodiimide-based curing agent include Nisshinbo Chemical Co., Ltd. Carbodilite (registered trademark) V-03 (carbodiimide group equivalent: 216 g/eq.), V-05 (carbodiimide group equivalent: 262 g/ eq.), V-07 (carbodiimide group equivalent: 200 g/eq.); V-09 (carbodiimide group equivalent: 200 g/eq.); Stavacuzol (trademark) P (carbodiimide group equivalent: 302 g/eq.) manufactured by Rhein Chemis Co., Ltd. is mentioned.

아민계 경화제로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 아미노기를 갖는 경화제를 들 수 있고, 예를 들어, 지방족 아민류, 폴리에테르아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 나타내는 관점에서, 방향족 아민류가 바람직하다. 아민계 경화제는, 제1급 아민 또는 제2급 아민이 바람직하고, 제1급 아민이 보다 바람직하다. 아민계 경화제의 구체예로서는, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸아닐린), 디페닐디아미노설폰, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, m-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, 디에틸톨루엔디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄디아민, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰 등을 들 수 있다. 아민계 경화제는 시판품을 사용해도 좋으며, 예를 들어, 닛폰 카야쿠사 제조의 「KAYABOND C-200S」, 「KAYABOND C-100」, 「카야하드 A-A」, 「카야하드 A-B」, 「카야하드 A-S」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「에피큐어 W」 등을 들 수 있다.Examples of the amine-based curing agent include curing agents having at least one amino group in one molecule, for example, aliphatic amines, polyetheramines, alicyclic amines, aromatic amines, and the like. From the viewpoint of exhibiting a desired effect, aromatic amines are preferable. Primary amine or secondary amine is preferable and, as for an amine type hardening|curing agent, primary amine is more preferable. Specific examples of the amine curing agent include 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylaniline), diphenyldiaminosulfone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone , 3,3'-diaminodiphenylsulfone, m-phenylenediamine, m-xylylenediamine, diethyltoluenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4, 4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxybenzidine, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl ) propane, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethanediamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4- (4-amino) Phenoxy) phenyl) propane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4 ,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)sulfone, etc. are mentioned. Commercially available amine curing agents may be used, for example, "KAYABOND C-200S", "KAYABOND C-100", "Kayahard AA", "Kayahard AB", "Kayahard AS" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. , "Epicure W" manufactured by Mitsubishi Chemical, etc. are mentioned.

에폭시 수지와 경화제의 양비는, [에폭시 수지의 에폭시기의 합계수]:[경화제의 반응기의 합계수]의 비율로, 1:0.01 내지 1:10의 범위가 바람직하고, 1:0.05 내지 1:5가 보다 바람직하고, 1:0.1 내지 1:3이 더욱 바람직하다. 여기에서, 경화제의 반응기란, 활성 수산기 등이고, 경화제의 종류에 따라 다르다. 또한, 에폭시 수지의 에폭시기의 합계수란, 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 대해 합계한 값이며, 경화제의 반응기의 합계수란, 각 경화제의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 경화제에 대해 합계한 값이다. 에폭시 수지와 경화제의 양비를 이러한 범위로 함으로써, 수지 조성물의 경화체의 내열성이 보다 향상된다.The amount ratio of the epoxy resin and the curing agent is [the total number of epoxy groups in the epoxy resin]: [the total number of reactive groups in the curing agent], preferably in the range of 1:0.01 to 1:10, and 1:0.05 to 1:5 is more preferable, and 1:0.1 to 1:3 are still more preferable. Here, a reactive group of a hardening|curing agent is an active hydroxyl group, etc., and differs according to the kind of hardening|curing agent. In addition, the total number of epoxy groups of the epoxy resin is a value obtained by dividing the solid content mass of each epoxy resin by the epoxy equivalent for all epoxy resins, and the total number of reactive groups of the curing agent is the solid content mass of each curing agent equal to the reactor equivalent. The value divided by , is the sum of all curing agents. By making the ratio between the epoxy resin and the curing agent in such a range, the heat resistance of the cured product of the resin composition is further improved.

경화제의 양은, 수지 조성물중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1.0질량% 이상이며, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 8질량% 이하, 더욱 바람직하게는 5질량% 이하이다.The amount of the curing agent is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1.0% by mass or more, preferably 10% by mass or more with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. Hereinafter, more preferably, it is 8 mass % or less, More preferably, it is 5 mass % or less.

수지 조성물은, 필요에 따라, 무기 충전재를 포함하고 있어도 좋다. 무기충전재의 재료로서는, 무기 화합물을 사용할 수 있다. 무기 충전재의 재료의 예로서는, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산 알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무트, 산화티타늄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 및 인산 텅스텐산 지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카, 알루미나가 적합하고, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들어, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는 구상 실리카가 바람직하다. 무기 충전재는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may contain an inorganic filler as needed. As a material of an inorganic filler, an inorganic compound can be used. Examples of the inorganic filler material include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, carbonic acid. Calcium, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, barium zirconate titanate, zircon Barium acid, calcium zirconate, zirconium phosphate, zirconium phosphate tungstate, etc. are mentioned. Among these, silica and alumina are suitable, and silica is especially suitable. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Moreover, as a silica, spherical silica is preferable. An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들어, 덴카사 제조의 「UFP-30」; 신닛테츠 스미킨 머티리얼즈사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 토쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」 등을 들 수 있다.As a commercial item of an inorganic filler, "UFP-30" by a Denka company, for example; "SP60-05", "SP507-05" by the Shin-Nitetsu Sumikin Materials company; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Adomatex Corporation; "Silly writing NSS-3N", "Silly writing NSS-4N", "Silly writing NSS-5N" manufactured by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1" manufactured by Adomatex Corporation, etc. are mentioned.

무기 충전재의 비표면적으로서는 바람직하게는 1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 2㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 3㎡/g 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 비표면적은 BET 전자동 표면적 측정 장치(마운텍사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시켜 BET 다점법을 사용하여 측정할 수 있다.The specific surface area of the inorganic filler is preferably 1 m 2 /g or more, more preferably 2 m 2 /g or more, and particularly preferably 3 m 2 /g or more. Although there is no particular limitation on the upper limit, it is preferably 60 m 2 /g or less, 50 m 2 /g or less, or 40 m 2 /g or less. The specific surface area can be measured using the BET multi-point method by adsorbing nitrogen gas on the sample surface using a BET fully automatic surface area measuring device (Macsorb HM-1210 manufactured by Mountec).

무기 충전재의 평균 입자직경은 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.1㎛ 이상이고, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이하이다.The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.01 µm or more, more preferably 0.05 µm or more, particularly preferably 0.1 µm or more, preferably 5 µm or less, more preferably 2 µm or less, still more preferably 1 μm or less.

무기 충전재의 평균 입자직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자직경 분포를 체적 기준으로 작성하여, 그 중간 지름을 평균 입자직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재 100mg, 메틸에틸케톤 10g을 바이알병에 칭량하여 취하고, 초음파로 10분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자직경 분포 측정 장치를 사용하고, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 플로우 셀 방식으로 무기 충전재의 체적 기준의 입자직경 분포를 측정하고, 얻어진 입자직경 분포로부터 중간 지름으로서 평균 입자직경을 산출할 수 있다. 레이저 회절식 입자직경 분포 측정 장치로서는, 예를 들어 호리바 세사쿠쇼사 제조 「LA-960」 등을 들 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can measure by creating the particle size distribution of an inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, and making the intermediate diameter into an average particle diameter. As the measurement sample, 100 mg of inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone were weighed in a vial bottle, and what was dispersed by ultrasonic waves for 10 minutes can be used. For the measurement sample, using a laser diffraction particle size distribution measuring device, using a light source wavelength of blue and red, measuring the volume-based particle size distribution of the inorganic filler by a flow cell method, and measuring the median diameter from the obtained particle size distribution As a result, the average particle diameter can be calculated. As a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, "LA-960" by Horiba Corporation, etc. are mentioned, for example.

무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들어, 비닐실란계 커플링제, (메타)아크릴계 커플링제, 불소 함유 실란 커플링제, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 표면 처리제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다.It is preferable that the inorganic filler is treated with a surface treating agent from a viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. As the surface treatment agent, for example, a vinylsilane coupling agent, a (meth)acrylic coupling agent, a fluorine-containing silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, an epoxysilane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, a silane coupling agent, An alkoxysilane, an organosilazane compound, a titanate type coupling agent, etc. are mentioned. A surface treating agent may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types arbitrarily.

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM1003」(비닐트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM503」(3-메타크릴록시프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.As a commercial item of a surface treatment agent, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make "KBM1003" (vinyl triethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make "KBM503" (3-methacryloxypropyltriethoxysilane), Shin-Etsu, for example, “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Kagaku Industries, “KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBE903” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ' (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "SZ-31" (hexamethyl) disilazane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM103" (phenyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-4803" (long-chain epoxy-type silane coupling agent), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM" -7103" (3,3,3-trifluoropropyl trimethoxysilane), etc. are mentioned.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 소정의 범위로 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량부는, 0.2질량부 내지 5질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량부 내지 3질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.3질량부 내지 2질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the grade of the surface treatment by a surface treatment agent falls within a predetermined range from a viewpoint of the dispersibility improvement of an inorganic filler. Specifically, 100 parts by mass of the inorganic filler is preferably surface-treated with a surface treatment agent of 0.2 parts by mass to 5 parts by mass, preferably surface-treated at 0.2 parts by mass to 3 parts by mass, and 0.3 parts by mass to 2 parts by mass. It is preferable that it is surface-treated.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니시의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The grade of the surface treatment by a surface treating agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler. From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and still more preferably 0.2 mg/m 2 or more. On the other hand, from the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in sheet form, 1 mg/m 2 or less is preferable, 0.8 mg/m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m 2 or less is still more preferable.

무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들어, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 추가하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 이용하여 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler can be measured, after washing-processing the inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, MEK in a sufficient amount as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, followed by ultrasonic cleaning at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" by Horiba Corporation, etc. can be used.

무기 충전재의 양(체적%)은, 수지 조성물의 경화체의 유전 정접을 낮게 하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100체적%에 대해, 바람직하게는 30체적% 이상, 보다 바람직하게는 40체적% 이상, 더욱 바람직하게는 50체적% 이상이다. 또한, 바람직하게는 80체적% 이하, 보다 바람직하게는 70체적% 이하, 더욱 바람직하게는 60체적% 이하이다.The amount (vol%) of the inorganic filler is preferably 30% by volume or more, more preferably 40% by volume, based on 100% by volume of the nonvolatile component in the resin composition from the viewpoint of lowering the dielectric loss tangent of the cured body of the resin composition. or more, more preferably 50 vol% or more. Moreover, Preferably it is 80 volume% or less, More preferably, it is 70 volume% or less, More preferably, it is 60 volume% or less.

무기 충전재의 양(질량%)은, 수지 조성물의 경화체의 유전 정접을 낮게 하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 더욱 바람직하게는 65질량% 이상이며, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 90질량% 이하, 더욱 바람직하게는 86질량% 이하이다.The amount (mass %) of the inorganic filler is preferably 50 mass % or more, more preferably 60 mass %, with respect to 100 mass % of the nonvolatile component in the resin composition from the viewpoint of lowering the dielectric loss tangent of the cured body of the resin composition. More preferably, it is 65 mass % or more, Preferably it is 95 mass % or less, More preferably, it is 90 mass % or less, More preferably, it is 86 mass % or less.

수지 조성물은, 필요에 따라, 경화 촉진제를 포함하고 있어도 좋다. 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 경화 촉진제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may contain the hardening accelerator as needed. As a hardening accelerator, a phosphorus type hardening accelerator, an amine type hardening accelerator, an imidazole type hardening accelerator, a guanidine type hardening accelerator, a metal type hardening accelerator, etc. are mentioned, for example. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of the phosphorus curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphoniumdecanoate, (4-methylphenyl)triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenyl phosphonium thiocyanate, butyl triphenyl phosphonium thiocyanate, etc. are mentioned, Triphenyl phosphine and tetrabutyl phosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6,-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6,-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1, 8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene etc. are mentioned, 4-dimethylaminopyridine and 1,8- diazabicyclo(5,4,0)- undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤 질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지와의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Imidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimida Zolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-unde Silimidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2′-ethyl-4′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s -triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazoleisocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1, 2-a] imidazole compounds such as benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline and 2-phenylimidazoline, imidazole compounds and epoxy resins and an adduct body, and 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용해도 좋으며, 예를 들어, 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」, 시코쿠 카세이코교사 제조의 「1B2PZ」(1-벤질-2-페닐이미다졸) 등을 들 수 있다.As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, for example, “P200-H50” manufactured by Mitsubishi Chemical, “1B2PZ” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd. (1-benzyl-2-phenylimidazole), etc. can be heard

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, and diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide, etc. are mentioned, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene is preferred.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들어, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.As a metal type hardening accelerator, the organometallic complex or organometallic salt of metals, such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin, is mentioned, for example. Specific examples of the organometallic complex include organocobalt complexes such as cobalt(II)acetylacetonate and cobalt(III)acetylacetonate, organocopper complexes such as copper(II)acetylacetonate, and zinc(II)acetylacetonate. organic zinc complexes, organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

경화 촉진제의 양은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.001질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.005질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.01질량% 이상이고, 바람직하게는 0.5질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.3질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이하이다.The amount of the curing accelerator is preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.005% by mass or more, still more preferably 0.01% by mass or more, preferably 0.5% by mass or more with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. Hereinafter, more preferably, it is 0.3 mass % or less, More preferably, it is 0.1 mass % or less.

수지 조성물은, 필요에 따라, 열가소성 수지를 포함하고 있어도 좋다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 페녹시 수지, 폴리비닐 아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있고, 페녹시 수지가 바람직하다. 열가소성 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may contain a thermoplastic resin as needed. Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene ether resin, poly An ether ether ketone resin, a polyester resin, etc. are mentioned, A phenoxy resin is preferable. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 38000 이상, 보다 바람직하게는 40000 이상, 더욱 바람직하게는 42000 이상이다. 상한은 바람직하게는 100000 이하, 보다 바람직하게는 70000 이하, 더욱 바람직하게는 60000 이하이다. 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토극래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, 중량 평균 분자량은, 측정 장치로서 시마즈 세사쿠쇼사 제조 LC-9A/RID-6A를, 칼럼으로서 쇼와 덴코사 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 칼럼 온도를 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is preferably 38000 or more, more preferably 40000 or more, still more preferably 42000 or more. The upper limit is preferably 100000 or less, more preferably 70000 or less, still more preferably 60000 or less. The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the weight average molecular weight is LC-9A/RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, Shodex K-800P/K-804L/K-804L manufactured by Showa Denko as a column, and chloroform as a mobile phase. etc., the column temperature can be measured at 40 degreeC, and can be computed using the calibration curve of standard polystyrene.

페녹시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀A 골격, 비스페놀F 골격, 비스페놀S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미츠비시 케미컬사 제조의 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀A 골격 함유 페녹시 수지), 「YX8100」(비스페놀S 골격 함유 페녹시 수지), 및 「YX6954」(비스페놀아세토페논 골격 함유 페녹시 수지)를 들 수 있고, 그 밖에도, 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「FX280」 및 「FX293」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7500BH30」, 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」 및 「YL7482」 등을 들 수 있다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene. and phenoxy resins having at least one skeleton selected from the group consisting of skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene skeleton, and trimethylcyclohexane skeleton. Any functional group, such as a phenolic hydroxyl group and an epoxy group, may be sufficient as the terminal of a phenoxy resin. A phenoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins), "YX8100" (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin), and "YX6954" (bisphenol aceto) manufactured by Mitsubishi Chemical. phenone skeleton-containing phenoxy resin), in addition to "FX280" and "FX293" manufactured by Nittetsu Chemical & Materials, "YL7500BH30", "YX6954BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical, "YX7553", "YX7553BH30" ', "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290", "YL7482", etc. are mentioned.

폴리비닐 아세탈 수지로서는, 예를 들어, 폴리비닐 포르말 수지, 폴리비닐 부티랄 수지를 들 수 있고, 폴리비닐 부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐 아세탈 수지의 구체예로서는, 예를 들어, 덴키 카가쿠코교사 제조의 「덴카 부티랄 4000-2」, 「덴카 부티랄 5000-A」, 「덴카 부티랄 6000-C」, 「덴카 부티랄 6000-EP」, 세키스이 카가쿠코교사 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈(예를 들어 BX-5Z), KS시리즈(예를 들어 KS-1), BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.As polyvinyl acetal resin, polyvinyl formal resin and polyvinyl butyral resin are mentioned, for example, Polyvinyl butyral resin is preferable. Specific examples of the polyvinyl acetal resin include "Denka Butyral 4000-2", "Denka Butyral 5000-A", "Denka Butyral 6000-C", "Denka Butyral" manufactured by Denki Chemical Co., Ltd. 6000-EP", Sekisui Chemical Co., Ltd. S-Rec BH series, BX series (such as BX-5Z), KS series (such as KS-1), BL series, BM series, etc. are mentioned. .

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신닛폰 리카사 제조의 「리카코트 SN20」 및 「리카코트 PN20」을 들 수 있다.As a specific example of polyimide resin, "Ricacoat SN20" and "Ricacoat PN20" by a New Nippon Rica company are mentioned.

폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요보사 제조의 「바이로막스 HR11NN」 및 「바이로막스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체 예로서는 또한, 히타치 카세이코교사 제조의 「KS9100」, 「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.As a specific example of polyamideimide resin, "Viromax HR11NN" and "Viromax HR16NN" by Toyobo Co., Ltd. are mentioned. Specific examples of the polyamideimide resin include modified polyamideimides such as "KS9100" and "KS9300" (polyamideimide containing polysiloxane skeleton) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「PES5003P」등을 들 수 있다. 폴리페닐렌에테르 수지의 구체예로서는, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조의 올리고페닐렌에테르·스티렌 수지 「OPE-2st 1200」 등을 들 수 있다. 폴리에테르에테르케톤 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「스미프로이 K」 등을 들 수 있다. 폴리에테르이미드 수지의 구체예로서는, GE사 제조의 「울템」 등을 들 수 있다.As a specific example of polyether sulfone resin, "PES5003P" by Sumitomo Chemical Co., Ltd., etc. are mentioned. As a specific example of polyphenylene ether resin, the oligophenylene ether styrene resin "OPE-2st1200" by a Mitsubishi Gas Chemical company, etc. are mentioned. As a specific example of polyether ether ketone resin, "Sumiproy K" by Sumitomo Chemical Co., Ltd., etc. are mentioned. Specific examples of the polyetherimide resin include "Ultem" manufactured by GE Corporation.

폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이 어드밴스트 폴리머즈사 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」 등을 들 수 있다.As a specific example of polysulfone resin, the polysulfone "P1700" by Solvay Advanced Polymers, "P3500", etc. are mentioned.

폴리올레핀 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체 등의 에틸렌계 공중합 수지; 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 블록 공중합체 등의 폴리올레핀계 엘라스토머 등을 들 수 있다.Examples of the polyolefin resin include ethylene-based copolymer resins such as low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, high-density polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, and ethylene-methyl acrylate copolymer; Polyolefin type elastomers, such as a polypropylene and an ethylene-propylene block copolymer, etc. are mentioned.

폴리에스테르 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌나프탈레이트 수지, 폴리트리메틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리트리메틸렌나프탈레이트 수지, 폴리사이클로헥산 디메틸테레프탈레이트 수지 등을 들 수 있다. Examples of the polyester resin include polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polybutylene naphthalate resin, polytrimethylene terephthalate resin, polytrimethylene naphthalate resin, polycyclohexane dimethyl tere. A phthalate resin etc. are mentioned.

열가소성 수지의 양은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 하는 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이상이다. 상한은 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 4질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량% 이하이다.When the quantity of a thermoplastic resin makes the non-volatile component in a resin composition 100 mass %, Preferably it is 0.1 mass % or more, More preferably, it is 0.3 mass % or more, More preferably, it is 0.5 mass % or more. The upper limit is preferably 5% by mass or less, more preferably 4% by mass or less, still more preferably 3% by mass or less.

수지 조성물은, 필요에 따라, 엘라스토머를 포함하고 있어도 좋다. 엘라스토머를 포함하는 수지 조성물을 사용하는 경우, 경화체층의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다. 엘라스토머는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may contain the elastomer as needed. When using the resin composition containing an elastomer, the curvature of a hardening body layer can be suppressed effectively. An elastomer may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

엘라스토머로서는, 분자 내에, 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리(메타)아크릴레이트 구조, 폴리알킬렌 구조, 폴리알킬렌옥시 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 및 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 수지가 바람직하다. 그 중에서도, 폴리부타디엔 구조, 폴리(메타)아크릴레이트 구조, 폴리알킬렌옥시 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조,또는 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 구조를 갖는 수지가 보다 바람직하다. 또한, 폴리부타디엔 구조, 및 폴리알킬렌옥시 구조로부터 선택되는 1 이상의 구조를 갖는 수지가 더욱 바람직하고, 폴리부타디엔 구조를 갖는 수지가 특히 바람직하다. 「(메타)아크릴레이트」란, 메타크릴레이트 및 아크릴레이트 및 그것들의 조합을 포함하는 용어이다. 이들 구조는 주쇄에 포함되어 있어도 측쇄에 포함되어 있어도 좋다.As the elastomer, in the molecule, one selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly(meth)acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure Resins having a structure of more than one species are preferred. Among them, a resin having one or more structures selected from a polybutadiene structure, a poly(meth)acrylate structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, or a polycarbonate structure is more preferred. desirable. Further, a resin having at least one structure selected from a polybutadiene structure and a polyalkyleneoxy structure is more preferred, and a resin having a polybutadiene structure is particularly preferred. "(meth)acrylate" is a term containing a methacrylate, an acrylate, and a combination thereof. These structures may be contained in the main chain or may be contained in the side chain.

엘라스토머는, 경화체층의 휨을 저하시키는 관점에서, 고분자량인 것이 바람직하다. 엘라스토머의 수 평균 분자량(Mn)은 바람직하게는 1,000 이상, 보다 바람직하게는 1500 이상, 더욱 바람직하게는 3000 이상, 5000 이상이다. 상한은 바람직하게는 1,000,000 이하, 보다 바람직하게는 900,000 이하이다. 수 평균 분자량(Mn)은, GPC(겔 침투 크로마토그래피)를 사용하여 측정되는 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이다.It is preferable that an elastomer has a high molecular weight from a viewpoint of reducing the curvature of a hardening body layer. The number average molecular weight (Mn) of the elastomer is preferably 1,000 or more, more preferably 1500 or more, still more preferably 3000 or more and 5000 or more. The upper limit is preferably 1,000,000 or less, more preferably 900,000 or less. A number average molecular weight (Mn) is a polystyrene conversion number average molecular weight measured using GPC (gel permeation chromatography).

엘라스토머는, 에폭시 수지와 반응하여 수지 조성물을 경화시켜서 박리 강도를 높인다는 관점에서, 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기로서는, 가열에 의해 나타나는 관능기가 포함된다.It is preferable that an elastomer has a functional group which can react with an epoxy resin from a viewpoint of reacting with an epoxy resin, hardening a resin composition, and raising peeling strength. As a functional group which can react with an epoxy resin, the functional group which appears by heating is contained.

적합한 일 실시형태에서, 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기는, 하이드록시기, 카복시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 관능기이다. 그 중에서도, 당해 관능기로서는, 하이드록시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기가 바람직하고, 하이드록시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기가 보다 바람직하고, 페놀성 수산기가 특히 바람직하다. 단, 관능기로서 에폭시기를 포함하는 경우, 수 평균 분자량(Mn)은 5,000 이상인 것이 바람직하다.In one suitable embodiment, the functional group capable of reacting with the epoxy resin is at least one functional group selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carboxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and a urethane group. Among them, the functional group is preferably a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group, more preferably a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, or an epoxy group, and a phenolic hydroxyl group is particularly preferred. However, when an epoxy group is included as a functional group, it is preferable that number average molecular weight (Mn) is 5,000 or more.

엘라스토머의 적합한 실시형태는, 폴리부타디엔 구조를 함유하는 수지이며, 폴리부타디엔 구조는 주쇄에 포함되어 있어도 측쇄에 포함되어 있어도 좋다. 한편, 폴리부타디엔 구조는 일부 또는 전부가 수소 첨가되어 있어도 좋다. 폴리부타디엔 구조를 함유하는 수지를 폴리부타디엔 수지라고 한다.A preferred embodiment of the elastomer is a resin containing a polybutadiene structure, and the polybutadiene structure may be contained in the main chain or may be contained in the side chain. In addition, a part or all of polybutadiene structure may be hydrogenated. A resin containing a polybutadiene structure is called a polybutadiene resin.

폴리부타디엔 수지의 구체예로서는, 클레이 발레사 제조의 「Ricon 130MA8」, 「Ricon 130MA13」, 「Ricon 130MA20」, 「Ricon 131MA5」, 「Ricon 131MA10」, 「Ricon 131MA17」, 「Ricon 131MA20」, 「Ricon 184MA6」(산 무수물기 함유 폴리부타디엔), 닛폰 소다사 제조의 「GQ-1000」(수산기, 카복실기 도입 폴리부타디엔), 「G-1000」, 「G-2000」, 「G-3000」(양 말단 수산기 폴리부타디엔), 「GI-1000」, 「GI-2000」, 「GI-3000」(양 말단 수산기 수소화 폴리부타디엔), 나가세 켐텍스사 제조의 「FCA-061L」(수소화 폴리부타디엔 골격 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 일 실시형태로서, 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호, 국제공개 제2008/153208호에 기재된 폴리이미드), 페놀성 수산기 함유 부타디엔 등을 들 수 있다. 당해 폴리이미드 수지의 부타디엔 구조의 함유율은 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 당해 폴리이미드 수지의 상세는, 일본 공개특허공보 특개2006-37083호, 국제공개 제2008/153208호의 기재를 참작할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 편입된다.Specific examples of the polybutadiene resin include "Ricon 130MA8", "Ricon 130MA13", "Ricon 130MA20", "Ricon 131MA5", "Ricon 131MA10", "Ricon 131MA17", "Ricon 131MA20", "Ricon 184MA6" manufactured by Clay Valle. ' (polybutadiene containing an acid anhydride group), "GQ-1000" (polybutadiene introduced with hydroxyl groups and carboxyl groups) manufactured by Nippon Soda Corporation, "G-1000", "G-2000", "G-3000" (both terminals) Polybutadiene with hydroxyl groups), "GI-1000", "GI-2000", "GI-3000" (polybutadiene hydrogenated with hydroxyl groups at both ends), "FCA-061L" manufactured by Nagase Chemtex (hydrogenated polybutadiene skeleton epoxy resin) and the like. As one embodiment, a linear polyimide using a hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride as raw materials (a polyimide described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-37083 and International Publication No. 2008/153208) and phenolic hydroxyl group-containing butadiene. The content rate of the butadiene structure of the said polyimide resin becomes like this. Preferably it is 60 mass % - 95 mass %, More preferably, it is 75 mass % - 85 mass %. For the detail of the said polyimide resin, description of Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-37083 and International Publication No. 2008/153208 can be considered into consideration, and this content is integrated in this specification.

엘라스토머의 적합한 실시형태는, 폴리(메타)아크릴레이트 구조를 함유하는 수지이다. 폴리(메타)아크릴레이트 구조를 함유하는 수지를 폴리(메타)아크릴 수지라고 한다. 폴리(메타)아크릴 수지로서는, 나가세 켐텍스사 제조의 테이산 레진, 네가미 코교사 제조의 「ME-2000」, 「W-116.3」, 「W-197C」, 「KG-25」, 「KG-3000」 등을 들 수 있다.A suitable embodiment of the elastomer is a resin containing a poly(meth)acrylate structure. A resin containing a poly(meth)acrylate structure is called a poly(meth)acrylic resin. As poly(meth)acrylic resin, "ME-2000", "W-116.3", "W-197C", "KG-25", "KG by Nagase Chemtex Co., Ltd. Teisan resin, Negami Kogyo Co., Ltd. make. -3000" and the like.

엘라스토머의 적합한 실시형태는, 폴리카보네이트 구조를 함유하는 수지이다. 폴리카보네이트 구조를 함유하는 수지를 폴리카보네이트 수지라고 한다. 폴리카보네이트 수지로서는, 아사히 카세이 케미컬사 제조의 「T6002」, 「T6001」 (폴리카보네이트디올), 쿠라레사 제조의 「C-1090」, 「C-2090」, 「C-3090」(폴리카보네이트디올) 등을 들 수 있다. 또한 하이드록실기 말단 폴리카보네이트, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드를 사용할 수도 있다. 당해 폴리이미드 수지의 카보네이트 구조의 함유율은 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 당해 폴리이미드 수지의 상세는, 국제공개 제2016/129541호의 기재를 참작할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 편입된다.A suitable embodiment of the elastomer is a resin containing a polycarbonate structure. A resin containing a polycarbonate structure is called a polycarbonate resin. As polycarbonate resin, "T6002", "T6001" (polycarbonate diol) by Asahi Kasei Chemicals, "C-1090", "C-2090", "C-3090" (polycarbonate diol) by Kuraray Corporation and the like. Moreover, the linear polyimide which uses a hydroxyl-terminated polycarbonate, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride as raw materials can also be used. The content rate of the carbonate structure of the said polyimide resin becomes like this. Preferably it is 60 mass % - 95 mass %, More preferably, it is 75 mass % - 85 mass %. For the detail of the said polyimide resin, description of International Publication No. 2016/129541 can be considered into consideration, and this content is integrated in this specification.

또한, 엘라스토머의 다른 실시형태로서는, 실록산 구조를 함유하는 수지이다. 실록산 구조를 함유하는 수지를 실록산 수지라고 한다. 실록산 수지로서는, 예를 들어, 신에츠 실리콘사 제조의 「SMP-2006」, 「SMP-2003PGMEA」, 「SMP-5005PGMEA」, 아민기 말단 폴리실록산 및 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드(국제공개 제2010/053185호, 일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 특개 2000-319386호 등) 등을 들 수 있다.Moreover, as another embodiment of an elastomer, it is resin containing a siloxane structure. A resin containing a siloxane structure is referred to as a siloxane resin. As the siloxane resin, for example, "SMP-2006", "SMP-2003PGMEA", "SMP-5005PGMEA" manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., an amine group-terminated polysiloxane, and a linear polyimide using a tetrabasic acid anhydride as raw materials (International Publication) 2010/053185, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-12667, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-319386) etc. are mentioned.

엘라스토머의 다른 실시형태로서는, 알킬렌 구조, 알킬렌옥시 구조를 함유하는 수지이다. 알킬렌 구조를 함유하는 수지를 알킬렌 수지라고 하고, 알킬렌옥시 구조를 함유하는 수지를 알킬렌옥시 수지라고 한다. 폴리알킬렌옥시 구조는, 탄소 원자수 2 내지 15의 폴리알킬렌옥시 구조가 바람직하고, 탄소 원자수 3 내지 10의 폴리알킬렌옥시 구조가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 5 내지 6의 폴리알킬렌옥시 구조가 더욱 바람직하다. 알킬렌 수지, 알킬렌 옥시 수지의 구체예로서는, 아사히 카세이 센이사 제조의 「PTXG-1000」, 「PTXG-1800」 등을 들 수 있다.Another embodiment of the elastomer is a resin containing an alkylene structure and an alkyleneoxy structure. A resin containing an alkylene structure is called an alkylene resin, and a resin containing an alkyleneoxy structure is called an alkyleneoxy resin. The polyalkyleneoxy structure is preferably a polyalkyleneoxy structure having 2 to 15 carbon atoms, more preferably a polyalkyleneoxy structure having 3 to 10 carbon atoms, and polyalkylene having 5 to 6 carbon atoms. The oxy structure is more preferred. As a specific example of an alkylene resin and alkyleneoxy resin, "PTXG-1000", "PTXG-1800" by the Asahi Kasei Seni company, etc. are mentioned.

엘라스토머의 다른 실시형태로서는, 이소프렌 구조를 함유하는 수지이다. 이소프렌 구조를 함유하는 수지를 이소프렌 수지라고 한다. 이소프렌 수지의 구체 예로서는, 쿠라레사 제조의 「KL-610」, 「KL613」 등을 들 수 있다.Another embodiment of the elastomer is a resin containing an isoprene structure. A resin containing an isoprene structure is called an isoprene resin. As a specific example of an isoprene resin, "KL-610", "KL613" by Kuraray Corporation, etc. are mentioned.

엘라스토머의 다른 실시형태로서는, 이소부틸렌 구조를 함유하는 수지이다. 이소부틸렌 구조를 함유하는 수지를 이소부틸렌 수지라고 한다. 이소부틸렌 수지의 구체예로서는, 카네카사 제조의 「SIBSTAR-073T」(스티렌-이소부틸렌-스티렌 트리블록 공중합체), 「SIBSTAR-042D」(스티렌-이소부틸렌 디블록 공중합체) 등을 들 수 있다.Another embodiment of the elastomer is a resin containing an isobutylene structure. A resin containing an isobutylene structure is called an isobutylene resin. Specific examples of the isobutylene resin include "SIBSTAR-073T" (styrene-isobutylene-styrene triblock copolymer) and "SIBSTAR-042D" (styrene-isobutylene diblock copolymer) manufactured by Kaneka Corporation. can

엘라스토머의 양은, 최저 용융 점도가 낮은 수지 조성물을 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이며, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 25질량% 이하, 더욱 바람직하게는 21질량% 이하이다. 또한, 엘라스토머의 양이 상기 범위에 있는 경우, 통상은, 유전 정접 및 도체층에 대한 밀착성이 뛰어나고, 휨을 억제 가능한 경화체층을 얻을 수 있다.The amount of the elastomer is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, still more preferably 5% by mass or more with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition from the viewpoint of obtaining a resin composition having a low minimum melt viscosity. It is mass % or more, Preferably it is 30 mass % or less, More preferably, it is 25 mass % or less, More preferably, it is 21 mass % or less. In addition, when the amount of the elastomer is within the above range, it is usually possible to obtain a cured layer that is excellent in dielectric loss tangent and adhesiveness to the conductor layer and can suppress warpage.

엘라스토머의 양은, 최저 용융 점도가 낮은 수지 조성물을 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 30질량% 이상, 더욱 바람직하게는 40질량% 이상이며, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 65질량% 이하, 더욱 바람직하게는 62질량% 이하이다. 또한, 엘라스토머의 양이 상기 범위에 있는 경우, 통상은, 유전 정접 및 도체층에 대한 밀착성이 뛰어나고, 휨을 억제 가능한 경화체층을 얻을 수 있다.The amount of the elastomer is preferably 20 mass% or more, more preferably 30 mass% or more, still more preferably 40 mass%, based on 100 mass% of the resin component in the resin composition from the viewpoint of obtaining a resin composition having a low minimum melt viscosity. % or more, preferably 70 mass % or less, more preferably 65 mass % or less, still more preferably 62 mass % or less. In addition, when the amount of the elastomer is within the above range, it is usually possible to obtain a cured layer that is excellent in dielectric loss tangent and adhesiveness to the conductor layer and can suppress warpage.

수지 조성물은, 상술한 성분 이외에, 추가로 임의의 성분을 포함하고 있어도 좋다. 임의의 성분으로서는, 예를 들어, 난연제; 고무 입자 등의 유기 충전재; 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 증점제; 소포제; 레벨링제; 밀착성 부여제; 안료 등의 착색제; 일본 공개특허공보 특개2019-044128호에 기재된 말레이미드 화합물; 일본 공개특허공보 특개2018-168354호에 기재된 양친매성 폴리에테르 블록 코폴리머; 를 들 수 있다. 임의의 성분은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may further contain arbitrary components other than the component mentioned above. As optional components, for example, a flame retardant; organic fillers such as rubber particles; organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds; thickener; antifoam; leveling agent; adhesion imparting agent; colorants such as pigments; maleimide compounds described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2019-044128; the amphiphilic polyether block copolymer described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-168354; can be heard Arbitrary components may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

수지 조성물은, 용제를 포함하고 있어도 좋지만, 그 양은 적은 것이 바람직하다. 수지 조성물에 포함되는 용제의 양은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.5질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.01질량% 이하이다. 그 중에서도, 수지 조성물은, 용제를 포함하지 않는 것이 특히 바람직하다.Although the resin composition may contain the solvent, it is preferable that the quantity is few. To [ the quantity of the solvent contained in a resin composition / 100 mass % of non volatile components in a resin composition ], Preferably it is 0.5 mass % or less, More preferably, it is 0.1 mass % or less, More preferably, it is 0.01 mass % or less. Especially, it is especially preferable that a resin composition does not contain a solvent.

[5. 반도체 장치의 용도][5. Applications of semiconductor devices]

상술한 제조 방법에 의하면, 경화체층을 포함하는 반도체 장치를 제조할 수 있다. 이와 같이 경화체층을 포함하는 반도체 장치로서는, 예를 들어, 프린트 배선판, 반도체 칩 패키지, 멀티 칩 패키지, 패키지 온 패키지, 웨어러블 패키지, 패널 레벨 패키지, 시스템 인 패키지 등을 들 수 있다. 이들 반도체 장치에서, 경화체층은, 예를 들어, 절연층 또는 밀봉층으로서 기능할 수 있다.According to the manufacturing method mentioned above, the semiconductor device containing a hardening body layer can be manufactured. As a semiconductor device including a hardening body layer in this way, a printed wiring board, a semiconductor chip package, a multi-chip package, a package-on-package, a wearable package, a panel level package, a system-in-package etc. are mentioned, for example. In these semiconductor devices, the hardening body layer can function as an insulating layer or a sealing layer, for example.

이에 따라 제조된 반도체 장치는, 예를 들어, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등), 및 차량(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등의 용도에 적합하게 사용할 수 있다.The semiconductor devices manufactured in this way are, for example, electrical appliances (eg, computers, mobile phones, digital cameras and televisions, etc.), and vehicles (eg, motorcycles, automobiles, trams, ships and aircraft, etc.) It can be used suitably for uses, etc.

[실시예][Example]

이하, 본 발명에 대해, 실시예를 나타내어 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하 설명에서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는 별도 명시가 없는 한 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 또한, 이하에 설명하는 조작은 별도 명시가 없는 한 상온 상압의 환경에서 행하였다.Hereinafter, an Example is shown and this invention is demonstrated concretely. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, "parts" and "%" indicating quantities mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified. In addition, the operation demonstrated below was performed in the environment of normal temperature and normal pressure, unless otherwise indicated.

[평가 방법][Assessment Methods]

(수지 조성물층의 용융 점도의 측정 방법)(Method for measuring melt viscosity of the resin composition layer)

수지 조성물의 용융 점도는, 동적 점탄성 측정 장치(유비엠사 제조 「Rheosol-G3000」)를 사용하여 측정하였다. 구체적으로는, 시료인 수지 조성물 1g에 대해, 직경 18mm의 원형의 패럴렐 플레이트를 사용하여, 개시 온도 60℃에서 200℃까지 승온 속도 5℃/분으로 승온하여, 측정 온도 간격 2.5℃, 진동수 1Hz, 변형률 5deg의 조건으로 용융 점도를 측정하였다. 이에 따라 얻어진 측정 결과로부터, 목적으로 하는 측정 온도(100℃)에서의 용융 점도를 판독하였다.The melt viscosity of the resin composition was measured using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus ("Rheosol-G3000" manufactured by UB). Specifically, for 1 g of the resin composition as a sample, using a circular parallel plate having a diameter of 18 mm, the temperature was raised from the starting temperature of 60° C. to 200° C. at a heating rate of 5° C./min, the measurement temperature interval was 2.5° C., the frequency was 1 Hz, Melt viscosity was measured under the condition of a strain of 5deg. From the measurement result obtained by this, the melt viscosity at the target measurement temperature (100 degreeC) was read.

(지지 필름의 밀착력 FA 및 FB의 측정 방법)(Measuring method of adhesion force F A and F B of the support film)

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트의 수지 조성물층과 제1 지지 필름과의 사이의 밀착력 FA은 하기의 방법으로 측정하였다.Examples and Comparative Examples, adhesive force between the resin composition layer of the resin sheet and the first support film made from F A was measured by the following method.

실시예 또는 비교예에서 제조한 수지 시트로부터, 제2 지지 필름을 벗겨내어, 제1 지지 필름 및 수지 조성물층을 구비하는 복층 필름을 얻었다.From the resin sheet manufactured by the Example or the comparative example, the 2nd support film was peeled off, and the multilayer film provided with the 1st support film and the resin composition layer was obtained.

FR4 동장 적층판으로부터 동박을 제거하여, 기재(두께 0.8mm, 신와 프린트 코교사 제조)를 준비하였다. 이 기재의 한 면 전면에, 양면 테이프(니치반사 제조 「나이스탁」)를 붙였다. 이 양면 테이프와, 복층 필름의 수지 조성물층을, 보이드 없이 균일한 압력으로 접착하여, 적층 기재를 얻었다. 얻어진 적층 기재를, 폭 27mm, 길이 100mm로 컷트하여, 측정 시료를 얻었다. 제1 지지 필름의 일단을 벗겨서 집기도구로 집었다. 그리고, 실온(23℃)하에 50mm/분의 속도로, 집기 도구로 수직 방향으로 잡아 당겨서 지지체를 30mm 뗐을 때의 평균 하중을 측정하여 밀착력 FA을 구하였다. 측정에는 인장 시험기(TSE사 제조 「AC-50C-SL」)를 사용하였다.Copper foil was removed from the FR4 copper clad laminate to prepare a base material (thickness 0.8 mm, manufactured by Shinwa Print Industries, Ltd.). A double-sided tape ("Nystak" manufactured by Nichiban Corporation) was pasted on the entire surface of one side of this base material. This double-sided tape and the resin composition layer of the multilayer film were adhere|attached by uniform pressure without a void, and the laminated base material was obtained. The obtained laminated base material was cut to 27 mm in width and 100 mm in length, and the measurement sample was obtained. One end of the first supporting film was peeled off and picked up with a household tool. And, by measuring the average load when in a 50mm / min at room temperature (23 ℃), pulling it in a direction perpendicular to the editor tool ttet a support 30mm was obtained adhesive force F A. A tensile tester ("AC-50C-SL" manufactured by TSE) was used for the measurement.

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트의 수지 조성물층과 제2 지지 필름과의 사이의 밀착력 FB은, 제1 지지 필름과 제2 지지 필름을 바꿔넣은 것 이외에는, 상술한 수지 조성물층과 제1 지지 필름과의 사이의 밀착력 FA의 측정 방법과 같은 방법에 의해 측정하였다. Adhesive force F B between the resin composition layer and the 2nd support film of the resin sheet manufactured by the Example and the comparative example, except having replaced the 1st support film and the 2nd support film, the above-mentioned resin composition layer and the It measured by the method similar to the measuring method of adhesive force F A between 1 support film.

(보관 후의 지지 필름의 플로팅의 평가 방법)(Evaluation method of floating of support film after storage)

실시예 및 비교예에서 제조한 장척의 수지 시트를 롤 형상으로 권취하여, 23℃에서 24시간 보관하였다. 보관 후에 롤로부터 수지 시트를 33cm 꺼내어, 컷트하고, 정사각형(세로 33cm×가로 33cm)의 평가용 시트를 준비하였다. 평가용 시트를 관찰하여, 제1 지지 필름 또는 제2 지지 필름이 수지 조성물층으로부터 격리하는 플로팅이 상기의 컷트에 의해 생긴 것인지 여부를, 하기의 기준으로 평가하였다.The long resin sheets prepared in Examples and Comparative Examples were wound up in a roll shape and stored at 23° C. for 24 hours. After storage, the resin sheet was taken out of the roll by 33 cm and cut to prepare a square (33 cm long x 33 cm wide) sheet for evaluation. The sheet for evaluation was observed and the following reference|standard evaluated whether the floating which a 1st support film or a 2nd support film isolate|separated from a resin composition layer arose by said cut.

「A」: 플로팅이 생기지 않는다."A": Floating does not arise.

「B」: 평가용 시트의 단부에만, 제1 지지 필름 또는 제2 지지 필름의 플로팅이 약간 생긴다."B": A little floating of a 1st support film or a 2nd support film arises only in the edge part of the sheet|seat for evaluation.

「C」: 평가용 시트의 전체에서, 제1 지지 필름 또는 제2 지지 필름의 플로팅이 현저하게 생긴다."C": Floating of a 1st support film or a 2nd support film arises remarkably in the whole sheet|seat for evaluation.

(지지 필름의 박리 용이성의 평가 방법)(Evaluation method of the ease of peeling of a support film)

실시예 및 비교예에서 제조한 장척의 수지 시트를 컷트하여, 정사각형(세로 33cm×가로 33cm)의 평가용 시트를 얻었다. 이 평가용 시트의 제1 지지 필름 및 제2 지지 필름을 벗겨내어, 수지 조성물층만의 시트를 얻는 것을 시도해 보았다. 이 때, 제1 지지 필름 및 제2 지지 필름의 박리 용이성을 하기의 기준으로 평가하였다.The long resin sheets prepared in Examples and Comparative Examples were cut to obtain a square (33 cm long x 33 cm wide) evaluation sheet. The 1st support film and 2nd support film of this sheet|seat for evaluation were peeled off, and it tried to obtain the sheet|seat of only a resin composition layer. At this time, the following reference|standard evaluated the peelability of the 1st support film and the 2nd support film.

「양호」: 수지 조성물층으로부터, 제1 지지 필름 및 제2 지지 필름의 양쪽을 벗길 수 있다."Good": Both a 1st support film and a 2nd support film can be peeled off from a resin composition layer.

「불량」: 제1 지지 필름 및 제2 지지 필름의 적어도 한쪽을 벗길 수 없다."Defect": At least one of a 1st support film and a 2nd support film cannot be peeled off.

(경화체층의 요철의 평가)(Evaluation of the unevenness of the hardening body layer)

실시예 및 비교예에서 얻어진 성형체(즉, 평가 기판, 및 수지 조성물의 경화체로 형성된 경화체층을 구비하는 성형체)의 경화체층의 표면을 관찰하여, 요철의 유무를 조사하였다. 요철이 없는 경우에는 「양호」라고 판정하고, 요철이 있는 경우에는 「불량」이라고 판정하였다.The surface of the hardened body layer of the molded object obtained in the Example and the comparative example (that is, the molded object provided with the hardening body layer formed with the hardening body of the evaluation board|substrate and the resin composition) was observed, and the presence or absence of unevenness|corrugation was investigated. When there was no unevenness|corrugation, it was determined as "good", and when there was unevenness|corrugation, it was determined as "bad".

(금형의 오염의 평가)(Evaluation of mold contamination)

압축 성형 후, 금형을 관찰하여, 캐비티 밖의 부분에서의 수지 조성물의 부착의 유무를 조사하였다. 수지 조성물의 부착이 없는 경우에는 「양호」라고 판정하고, 수지 조성물의 부착이 있는 경우에는 「불량」이라고 판정하였다.After compression molding, the metal mold|die was observed and the presence or absence of adhesion of the resin composition in the part outside a cavity was investigated. When there was no adhesion of a resin composition, it determined with "good|favorableness", and when there existed adhesion of a resin composition, it determined with "defect".

[제조예 1. 엘라스토머 A의 제조][Production Example 1. Preparation of Elastomer A]

반응 용기에, 2관능성 하이드록시기 말단 폴리부타디엔(닛폰 소다사 제조 「G-3000」, 수 평균 분자량=3000, 하이드록시기 당량=1800g/eq.) 69g과, 방향족 탄화수소계 혼합 용제(이데미츠 세키유 카가쿠사 제조 「이프졸 150」) 40g과, 디부틸주석 라우레이트 0.005g을 넣고, 혼합하여 균일하게 용해시켰다. 균일해졌을 때 60℃로 승온하고, 더 교반하면서 이소포론디이소시아네이트(에보닉 데구사 재팬사 제조 「IPDI」, 이소시아네이트기 당량=113g/eq.) 8g을 첨가하고, 약 3시간 반응을 행하였다.In a reaction vessel, 69 g of bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene ("G-3000" manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., number average molecular weight = 3000, hydroxyl group equivalent = 1800 g/eq.), and an aromatic hydrocarbon-based mixed solvent (Idemitsu) 40 g of "Ifsol 150" manufactured by Sekiyu Chemical Co., Ltd.) and 0.005 g of dibutyltin laurate were added, mixed and uniformly dissolved. When it became uniform, the temperature was raised to 60°C, and 8 g of isophorone diisocyanate ("IPDI" manufactured by Evonik Degusa Japan, isocyanate group equivalent = 113 g/eq.) was added while further stirring, and the reaction was performed for about 3 hours. .

그 다음에 반응물에, 크레졸 노볼락 수지(DIC사 제조 「KA-1160」, 수산기 당량=117g/eq.) 23g과, 에틸디글리콜아세테이트(다이셀사 제조) 60g을 첨가하고, 교반하면서 150℃까지 승온하고, 약 10시간 반응을 행하였다. FT-IR에 의해 2250cm-1의 NCO 피크의 소실을 확인하였다. NCO 피크의 소실의 확인으로써 반응의 종점이라고 간주하고, 반응물을 실온까지 강온하였다. 그리고, 반응물을 100메쉬의 여과포로 여과하여, 부타디엔 구조 및 페놀성 수산기를 갖는 엘라스토머(페놀성 수산기 함유 부타디엔 수지: 불휘발 성분 50질량%)를 얻었다. 엘라스토머 A의 수 평균 분자량은 5900, 유리 전이 온도는 -7℃였다.Then, 23 g of cresol novolac resin ("KA-1160" manufactured by DIC, hydroxyl equivalent = 117 g/eq.) and 60 g of ethyldiglycol acetate (made by Daicel) were added to the reaction product, and stirred to 150° C. The temperature was raised and the reaction was performed for about 10 hours. The disappearance of the NCO peak at 2250 cm -1 was confirmed by FT-IR. It was regarded as the end point of the reaction by confirming the disappearance of the NCO peak, and the reaction product was cooled to room temperature. Then, the reaction product was filtered through a 100-mesh filter cloth to obtain an elastomer having a butadiene structure and a phenolic hydroxyl group (phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin: nonvolatile component 50% by mass). The number average molecular weight of elastomer A was 5900, and the glass transition temperature was -7 degreeC.

[실시예 1][Example 1]

(1-1. 수지 바니시의 제조)(1-1. Preparation of resin varnish)

에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀A형 에폭시 수지와 비스페놀F형 에폭시 수지와의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq.) 21부, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-6000L」, 에폭시 당량 215g/eq.) 30부, 양친매성 폴리에테르 블록 코폴리머(Dow Chemical Co. 제조 「Fortegra100」) 3부, 페닐아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리한 구형 실리카(평균 입자직경 0.5㎛, 비표면적 5.8㎡/g, 아도마텍스사 제조 「SO-C2」) 380부, 페놀 노볼락 수지(페놀성 수산기 당량 105g/eq., DIC사 제조 「TD2090-60M」, 고형분 60질량%의 MEK 용액) 8.3부, 페녹시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX7553BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥사논: 메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액) 16.6부, 메틸에틸케톤 30부, 이미다졸계 경화 촉진제(시코쿠 카세이사 제조 「1B2PZ」) 0.3부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니시 1을 조제하였다.Epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon-Sumikin Chemical Co., Ltd., 1:1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g/eq.) 21 parts, naphthylene ether 30 parts of type epoxy resin ("HP-6000L" manufactured by DIC, 215 g/eq. epoxy equivalent), 3 parts of an amphipathic polyether block copolymer ("Fortegra100" manufactured by Dow Chemical Co.), 3 parts of a phenylaminosilane coupling agent ( 380 parts of spherical silica (average particle diameter of 0.5 µm, specific surface area of 5.8 m/g, "SO-C2" manufactured by Adomatex) surface-treated with "KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., phenol novolac resin (phenol Acid hydroxyl equivalent 105 g/eq., "TD2090-60M" manufactured by DIC Corporation, MEK solution having a solid content of 60% by mass) 8.3 parts, phenoxy resin (“YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), cyclohexanone having a solid content of 30% by mass: methyl 16.6 parts of a 1:1 solution of ethyl ketone (MEK)), 30 parts of methyl ethyl ketone, 0.3 parts of an imidazole-based curing accelerator (“1B2PZ” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) are mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to apply a resin varnish 1 was prepared.

(1-2. 수지 시트의 제조 및 평가)(1-2. Preparation and evaluation of resin sheet)

제1 지지 필름으로서, 표면에 이형층을 구비한 장척의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍사 제조 「AL5」, 두께 38㎛)을 준비하였다. 이 제1 지지 필름의 이형층 위에, 상기의 수지 바니시 1을, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 200㎛가 되도록 균일하게 도포하였다. 그 후, 수지 바니시 1을 80℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 건조하여, 제1 지지 필름 위에 수지 조성물층을 얻었다. 상기의 건조는, 얻어지는 수지 조성물층에 포함되는 수지 조성물의 100℃에서의 용융 점도가 10000poise가 되도록 행하였다. 구체적으로는, 건조의 정도를 조정함으로써, 건조 후에 수지 조성물층에 잔류하는 용제의 양을 조정하여, 당해 수지 조성물층에 포함되는 수지 조성물의 용융 점도를 조정하였다. 이 이후에 설명하는 실시예 및 비교예에서도 동일하다.As a 1st support film, the elongate polyethylene terephthalate film ("AL5" by Lintec company, 38 micrometers in thickness) provided with the mold release layer on the surface was prepared. On the release layer of this 1st support film, said resin varnish 1 was apply|coated uniformly so that the thickness of the resin composition layer after drying might be set to 200 micrometers. Then, the resin varnish 1 was dried at 80 degreeC - 120 degreeC (average of 100 degreeC), and the resin composition layer was obtained on the 1st support film. Said drying was performed so that melt viscosity in 100 degreeC of the resin composition contained in the resin composition layer obtained might become 10000 poise. Specifically, by adjusting the degree of drying, the amount of the solvent remaining in the resin composition layer after drying was adjusted to adjust the melt viscosity of the resin composition contained in the resin composition layer. The same applies to the Examples and Comparative Examples to be described later.

얻어진 수지 조성물층에, 제2 지지 필름으로서, 표면에 이형층을 구비한 장척의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토요보사 제조 「E7007」, 두께 50㎛)을 첩합하여, 제1 지지 필름, 수지 조성물층 및 제2 지지 필름을 이 순으로 구비하는 장척의 수지 시트를 얻었다. 이 수지 시트에 대해, 상술한 방법에 의해, 지지 필름의 밀착력, 지지 필름의 보관 후의 플로팅, 및 지지 필름의 박리 용이성을 평가하였다.A long polyethylene terephthalate film ("E7007" manufactured by Toyobo Corporation, 50 µm in thickness) having a mold release layer on the surface is bonded to the obtained resin composition layer as a second support film, a first support film, a resin composition layer, and A long resin sheet provided with the second support film in this order was obtained. About this resin sheet, the adhesive force of a support film, the floating after storage of a support film, and the ease of peeling of a support film were evaluated by the method mentioned above.

(1-3. 압축 성형)(1-3. Compression molding)

세로 320mm, 가로 320mm의 주면을 갖는, 두께 1.1mm의 유리 패널을 준비하였다. 이 유리 패널의 주면 전체에, 상기 주면과 같은 사이즈의 열박리 시트(닛토 덴코사 제조 「리바알파 No.3195V」)를, 가고정재로서 첩합하였다. 그 후, 열박리 시트 위에, 세로 20mm×가로 20mm의 실리콘 칩을 탑재하여, 평가 기판을 얻었다(공정 (I)).A glass panel having a thickness of 1.1 mm and a main surface of 320 mm in length and 320 mm in width was prepared. A heat-peelable sheet ("Riva Alpha No. 3195V" manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) of the same size as the main surface was bonded to the entire main surface of this glass panel as a temporary fixing material. Thereafter, a silicon chip having a length of 20 mm x a width of 20 mm was mounted on the heat release sheet to obtain an evaluation substrate (step (I)).

상기의 수지 시트를 4각형으로 잘라내었다(공정 (II)). 잘린 수지 시트의 제2 지지 필름을 벗겨내어, 수지 조성물층의 한 면에서 비피복 상태를 얻었다. 이 수지 조성물층을, 평가 기판 위에 배치하여, 평가 기판, 수지 조성물층 및 제1 지지 필름을 이 순으로 구비하는 적층체를 얻었다. 상기의 배치는, 수지 조성물층의 비피복 상태의 면이, 평가 기판의 실리콘 칩이 탑재된 면에 접하도록 행하였다. 그 후, 핸드롤러로, 적층체의 제1 지지 필름측의 면을 압압하여, 수지 조성물층과 평가 기판을 가부착하였다. 제1 지지 필름을 박리하여, 수지 조성물층의 또 한 면에서 비피복 상태를 얻었다. 이로써, 평가 기판 위에, 4각형의 수지 조성물층(세로 292mm×가로 292mm)이 형성되었다(공정 (III)).The above resin sheet was cut out into a rectangle (Step (II)). The 2nd support film of the cut resin sheet was peeled off, and the uncoated state was obtained on one side of the resin composition layer. This resin composition layer was arrange|positioned on the evaluation board|substrate, and the laminated body provided with the evaluation board|substrate, the resin composition layer, and the 1st support film in this order was obtained. Said arrangement|positioning was performed so that the surface of the uncoated state of the resin composition layer may contact|connect the surface on which the silicon chip of the evaluation board|substrate was mounted. Then, the surface by the side of the 1st support film of the laminated body was pressed with a hand roller, and the resin composition layer and the evaluation board|substrate were temporarily stuck. The 1st support film was peeled, and the uncoated state was obtained from the other surface of the resin composition layer. Thereby, a rectangular resin composition layer (292 mm long x 292 mm wide) was formed on the evaluation substrate (step (III)).

도 1에 나타내는 바와 같이, 금형으로서의 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)을 구비하는 압축 성형 장치(100)를 준비하였다. 제2형틀(120)의 제1형틀(110)에 대향하는 측에는, 정사각형의 개구부(세로 300mm, 가로 300mm, 면적 90000㎟)를 갖는 캐비티(130)가 형성되어 있었다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물층(310)이 배치된 평가 기판(200)을, 형틀 닫기가 된 경우에 수지 조성물층(310)을 캐비티(130)에 들어가지도록, 제1형틀(110)에 설치하였다. 그 후, 제1형틀(110) 및 제2형틀(120)을 형틀 닫기하고, 캐비티(130) 안을 가압하여, 압축 성형을 실시하였다. 상기의 압축 성형은, 금형 온도 120℃, 압력 8MPa, 큐어 타임 8분의 조건으로 행하였다.As shown in FIG. 1, the compression molding apparatus 100 provided with the 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold 120 as a metal mold|die was prepared. The cavity 130 which has a square opening (300 mm long, 300 mm wide, area 90000 mm<2>) was formed in the side opposite to the 1st type|mold 110 of the 2nd type|mold 120. As shown in FIG. As shown in FIG. 4 , the evaluation substrate 200 on which the resin composition layer 310 is disposed is placed into the cavity 130 so that the resin composition layer 310 enters the cavity 130 when the mold is closed. installed in Then, the 1st type|mold 110 and the 2nd type|mold 120 were closed, the inside of the cavity 130 was pressurized, and compression molding was performed. Said compression molding was performed under the conditions of a mold temperature of 120 degreeC, a pressure of 8 MPa, and a cure time of 8 minutes.

압축 성형 후, 형틀 개방하여, 평가 기판, 및 수지 조성물의 경화체로 형성된 경화체층을 구비하는 성형체를 얻었다. 얻어진 성형체의 경화체층의 요철, 및 금형의 오염을, 상술한 방법에 의해 평가하였다.After compression molding, the mold was opened to obtain a molded body comprising an evaluation substrate and a cured product layer formed of a cured product of the resin composition. The above-mentioned method evaluated the unevenness|corrugation of the hardening body layer of the obtained molded object, and the contamination of a metal mold|die.

[실시예 2][Example 2]

비페닐형 에폭시 수지(닛폰 카야쿠사 제조 「NC3000」, 에폭시 당량 276g/eq.) 1부, 비스페놀형 에폭시 수지(닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀A형과 비스페놀F형의 1:1 혼합품, 에폭시 당량 169g/eq.) 5부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자직경 0.5㎛, 비표면적 5.8㎡/g, 아도마텍스사 제조 「SO-C2」) 65부, 엘라스토머 A를 20부, 말레이미드 화합물(디자이너 몰레큘즈사 제조 「BMI-689」) 4부, 크레졸 노볼락 수지(DIC사 제조 「KA-1160」, 페놀성 수산기 당량: 117g/eq) 3부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조, 「1B2PZ」) 0.05부, 및 메틸에틸케톤 15부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시 2를 제작하였다.1 part of biphenyl type epoxy resin ("NC3000" manufactured by Nippon Kayaku, epoxy equivalent 276 g/eq.), bisphenol type epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Nittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., bisphenol A type and bisphenol F type 1: 1 mixture, epoxy equivalent 169 g/eq.) 5 parts, spherical silica surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (average particle diameter 0.5 μm, specific surface area 5.8 m 2 /g; 65 parts of "SO-C2" manufactured by Adomatex, 20 parts of Elastomer A, 4 parts of maleimide compound ("BMI-689" manufactured by Designer Molecules), cresol novolac resin ("KA-1160" manufactured by DIC) , phenolic hydroxyl group equivalent: 117 g/eq) 3 parts, a curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., "1B2PZ") 0.05 parts, and 15 parts of methyl ethyl ketone are mixed, uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer, and a resin varnish 2 was produced.

이에 따라 얻어진 수지 바니시 2를, 수지 바니시 1 대신에 사용하였다.The resin varnish 2 thus obtained was used instead of the resin varnish 1.

또한, 제1 지지 필름 위에 도포된 수지 바니시 2의 건조의 정도를, 얻어지는 수지 조성물층에 포함되는 수지 조성물의 100℃에서의 용융 점도가 80000poise가 되도록 변경하였다. Moreover, the degree of drying of the resin varnish 2 apply|coated on the 1st support film was changed so that melt viscosity in 100 degreeC of the resin composition contained in the resin composition layer obtained might be set to 80000 poise.

이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 수지 시트의 제조 및 평가, 및 압축 성형에 의한 성형체의 제조 및 평가를 행하였다.Except for the above, in the same manner as in Example 1, the production and evaluation of the resin sheet and the production and evaluation of the molded article by compression molding were performed.

[실시예 3][Example 3]

제1 지지 필름 위에 도포된 수지 바니시 1의 건조의 정도를, 얻어지는 수지 조성물층에 포함되는 수지 조성물의 100℃에서의 용융 점도가 3000poise가 되도록 변경하였다.The degree of drying of the resin varnish 1 apply|coated on the 1st support film was changed so that melt viscosity in 100 degreeC of the resin composition contained in the resin composition layer obtained might be set to 3000 poise.

또한, 제2 지지 필름을, 조화 처리가 실시된 조면과 조화 처리가 실시되어 있지 않은 평활면을 갖는 장척의 폴리프로필렌 커버 필름(오지 에프텍스사 제조 「알판 MA-411」, 두께 15㎛)으로 변경하였다. 실시예 3에서는, 수지 조성물층과 상기의 평활한 면이 접하도록, 수지 조성물층 및 상기 폴리프로필렌 커버 필름의 첩합을 행하였다.In addition, the 2nd support film is a long polypropylene cover film ("Alpan MA-411" manufactured by Oji Ftex Corporation, 15 µm in thickness) having a rough surface to which a roughening treatment was given and a smooth surface to which a roughening treatment is not given. changed. In Example 3, the resin composition layer and the said polypropylene cover film were pasted together so that the resin composition layer and the said smooth surface might contact.

이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 수지 시트의 제조 및 평가, 및 압축 성형에 의한 성형체의 제조 및 평가를 행하였다.Except for the above, in the same manner as in Example 1, the production and evaluation of the resin sheet and the production and evaluation of the molded article by compression molding were performed.

[실시예 4][Example 4]

제1 지지 필름을, 조화 처리가 실시된 조면과 조화 처리가 실시되어 있지 않은 평활면을 갖는 장척의 폴리프로필렌 커버 필름(오지 에프텍스사 제조 「알판 MA-411」, 두께 15㎛)으로 변경하였다. 실시예 4에서는, 상기 폴리프로필렌 커버 필름의 조면 위에 수지 바니시 1의 도포를 행하였다. The 1st support film was changed to the long polypropylene cover film ("Alpan MA-411" manufactured by Oji Ftex, thickness 15 µm) having a rough surface to which the roughening treatment was given and a smooth surface to which the roughening treatment is not performed. . In Example 4, the resin varnish 1 was apply|coated on the rough surface of the said polypropylene cover film.

또한, 제1 지지 필름 위에 도포된 수지 바니시 1의 건조의 정도를, 얻어지는 수지 조성물층에 포함되는 수지 조성물의 100℃에서의 용융 점도가 2000poise가 되도록 변경하였다. Moreover, the degree of drying of the resin varnish 1 apply|coated on the 1st support film was changed so that melt viscosity in 100 degreeC of the resin composition contained in the resin composition layer obtained might be set to 2000 poise.

또한, 제2 지지 필름을, 표면에 실리콘계 이형층을 구비한 장척의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토요보사 제조 「E7006」, 두께 50㎛)으로 변경하였다. Moreover, the 2nd support film was changed into the long polyethylene terephthalate film ("E7006" by Toyobo Corporation, 50 micrometers in thickness) provided with the silicone type mold release layer on the surface.

이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 수지 시트의 제조 및 평가, 및 압축 성형에 의한 성형체의 제조 및 평가를 행하였다.Except for the above, in the same manner as in Example 1, the production and evaluation of the resin sheet and the production and evaluation of the molded article by compression molding were performed.

[실시예 5][Example 5]

제1 지지 필름 위에 도포된 수지 바니시 1의 건조의 정도를, 얻어지는 수지 조성물층에 포함되는 수지 조성물의 100℃에서의 용융 점도가 2000poise가 되도록 변경하였다.The degree of drying of the resin varnish 1 apply|coated on the 1st support film was changed so that melt viscosity in 100 degreeC of the resin composition contained in the resin composition layer obtained might be set to 2000 poise.

또한, 제2 지지 필름을, 표면에 이형층을 구비한 장척의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(린텍사 제조 「AL5」, 두께 38㎛)으로 변경하였다.Moreover, the 2nd support film was changed into the elongate polyethylene terephthalate film ("AL5" by Lintec company, 38 micrometers in thickness) provided with the mold release layer on the surface.

이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 수지 시트의 제조 및 평가, 및 압축 성형에 의한 성형체의 제조 및 평가를 행하였다.Except for the above, in the same manner as in Example 1, the production and evaluation of the resin sheet and the production and evaluation of the molded article by compression molding were performed.

[실시예 6][Example 6]

제1 지지 필름을, 표면에 실리콘계 이형층을 구비한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토요보사 제조 「E7006」, 두께 50㎛)으로 변경하였다.The 1st support film was changed into the polyethylene terephthalate film ("E7006" by Toyobo Corporation, thickness 50 micrometers) provided with the silicone type mold release layer on the surface.

또한, 제2 지지 필름을, 표면에 이형층을 구비한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(후지모리 코교사 제조 「필름 바이너 KF」, 두께 38㎛)으로 변경하였다.Moreover, the 2nd support film was changed into the polyethylene terephthalate film ("Film Vinner KF" by Fujimori Kogyo Co., Ltd., 38 micrometers in thickness) provided with the mold release layer on the surface.

이상의 사항 이외에는, 실시예 2와 동일한 방법에 의해, 수지 시트의 제조 및 평가, 및 압축 성형에 의한 성형체의 제조 및 평가를 행하였다.Except for the above, in the same manner as in Example 2, the production and evaluation of the resin sheet and the production and evaluation of the molded article by compression molding were performed.

[비교예 1][Comparative Example 1]

제1 지지 필름을, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레사 제조 「루미라 R80」, 두께 38㎛)으로 변경하였다. The 1st support film was changed into the polyethylene terephthalate film ("Lumira R80" by Tore Corporation, 38 micrometers in thickness).

또한, 제1 지지 필름 위에 도포된 수지 바니시 2의 건조의 정도를, 얻어지는 수지 조성물층에 포함되는 수지 조성물의 100℃에서의 용융 점도가 50000poise가 되도록 변경하였다.Moreover, the degree of drying of the resin varnish 2 apply|coated on the 1st support film was changed so that melt viscosity in 100 degreeC of the resin composition contained in the resin composition layer obtained might be set to 50000 poise.

또한, 제2 지지 필름을, 표면에 실리콘계 이형층을 구비한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토요보사 제조 「E7006」, 두께 50㎛)으로 변경하였다.Moreover, the 2nd support film was changed into the polyethylene terephthalate film ("E7006" by Toyobo Corporation, thickness 50 micrometers) provided with the silicone type mold release layer on the surface.

이상의 사항 이외에는, 실시예 2과 동일한 방법에 의해, 수지 시트의 제조 및 평가를 행하였다. 또한, 제조된 수지 시트를 사용하여 압축 성형에 의한 성형체의 제조를 행하려고 했으나, 제1 지지 필름을 벗길 때에 수지 조성물층이 파손되었으므로, 압축 성형을 실시할 수 없었다.Except for the above, the resin sheet was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 2. Moreover, although it was going to manufacture the molded object by compression molding using the manufactured resin sheet, since the resin composition layer was damaged when peeling off a 1st support film, compression molding could not be performed.

[비교예 2][Comparative Example 2]

제1 지지 필름 위에 도포된 수지 바니시 1의 건조의 정도를, 얻어지는 수지 조성물층에 포함되는 수지 조성물의 100℃에서의 용융 점도가 500poise가 되도록 변경하였다.The degree of drying of the resin varnish 1 apply|coated on the 1st support film was changed so that melt viscosity in 100 degreeC of the resin composition contained in the resin composition layer obtained might be set to 500 poise.

이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 수지 시트의 제조 및 평가를 행하였다. 또한, 제조된 수지 시트를 사용하여 압축 성형에 의한 성형체의 제조를 행하려고 했지만, 제1 지지 필름을 벗길 때에 수지 조성물층이 파손되었으므로, 압축 성형을 실시할 수 없었다.Except for the above, the resin sheet was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1. Moreover, although it was going to manufacture the molded object by compression molding using the manufactured resin sheet, since the resin composition layer was damaged when peeling off a 1st support film, compression molding could not be performed.

[결과][result]

상기의 실시예 및 비교예의 결과를 하기의 표에 나타낸다.The results of the above Examples and Comparative Examples are shown in the table below.

Figure pat00001
Figure pat00001

[검토][Review]

비교예 1에서는, 제1 지지 필름과 수지 조성물층과의 밀착력 FA이 너무 강하였다. 그 때문에, 제1 지지 필름을 벗겨낸 바, 벗겨진 제1 지지 필름에 수지 조성물층의 일부가 부착되고, 수지 조성물층이 파손되었다. 따라서, 압축 성형법에 의한 성형체를 제조할 수 없었다.In Comparative Example 1, the adhesive force F A is of the first support film and the resin composition layer was too strong. Therefore, when the 1st support film was peeled off, a part of the resin composition layer adhered to the peeled 1st support film, and the resin composition layer was damaged. Therefore, the molded object by the compression molding method could not be manufactured.

비교예 2에서는, 수지 조성물층이 물러서, 탄력성이 약했다. 즉, 수지 조성물층의 강성(剛性)이 불충분하였다. 따라서, 수지 조성물층의 기계적 강도가 낮으므로, 제1 지지 필름을 벗겨낸 바, 벗겨진 제1 지지 필름에 수지 조성물층의 일부가 부착되고, 수지 조성물층이 파손되었다. 따라서, 압축 성형법에 의한 성형체의 제조를 할 수 없었다.In Comparative Example 2, the resin composition layer was brittle, and elasticity was weak. That is, the rigidity of the resin composition layer was insufficient. Therefore, since the mechanical strength of the resin composition layer was low, when the 1st support film was peeled off, a part of the resin composition layer adhered to the peeled 1st support film, and the resin composition layer was damaged. Therefore, it was not possible to manufacture a molded article by the compression molding method.

이에 대해, 실시예에서는, 모두, 수지 시트로부터 제1 지지 필름 및 제2 지지 필름을 벗겨내어 수지 조성물층을 얻을 수 있었으므로, 그 수지 조성물층을 사용한 압축 성형법에 의해 성형체의 제조가 가능하였다. 얻어진 성형체의 경화체층에는, 제1 지지 필름 및 제2 지지 필름의 파고들어감이 발생하지 않으므로, 요철의 형성은 없었다. 또한, 상기의 압축 성형에서는, 금형의 캐비티 밖에 수지 조성물층이 접촉하지 않으므로, 수지 조성물의 부착에 의한 금형의 오염은 생기지 않았다. 따라서, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 경화체층에서의 요철의 형성을 억제할 수 있고, 또한, 수지 조성물의 유출에 의한 형틀의 오염을 억제할 수 있다는 것이 확인되었다.On the other hand, in the Example, since the 1st support film and the 2nd support film were peeled off from the resin sheet, and the resin composition layer was obtained, manufacture of a molded object was possible by the compression molding method using the resin composition layer. Since penetration of the 1st support film and the 2nd support film did not generate|occur|produce in the hardening body layer of the obtained molded object, there was no unevenness|corrugation formation. Moreover, in said compression molding, since the resin composition layer did not contact only the cavity of a metal mold|die, the contamination of the metal mold|die by adhesion of the resin composition did not arise. Therefore, according to the manufacturing method of the semiconductor device of this invention, it was confirmed that formation of the unevenness|corrugation in a hardening body layer can be suppressed and the contamination of the formwork by the outflow of a resin composition can be suppressed.

단, 실시예 6에서는, 수지 시트를 보존하는 경우, 수지 시트의 전체에 있어서, 제2 지지 필름과 수지 조성물층이 부분적으로 격리되어 플로팅이 발생하는 경우가 관찰되었다. 따라서, 실시예 6의 결과로부터, 본 발명의 제조 방법에 적용하기 위한 수지 시트에는, 지지 필름과 수지 조성물층과의 밀착력, 및 그 밀착력과 수지 조성물층의 용융 점도와의 관계에, 식 (1) 내지 식 (3)에 나타내는 적합한 조건이 존재하는 것을 확인할 수 있다.However, in Example 6, when a resin sheet is preserve|saved, in the whole resin sheet, the case where a 2nd support film and a resin composition layer were partially isolate|separated, and the case where floating generate|occur|produced was observed. Therefore, from the result of Example 6, in the resin sheet for applying to the manufacturing method of this invention, the adhesive force of a support film and a resin composition layer, and the relationship between this adhesive force and melt viscosity of a resin composition layer, Formula (1) It can be confirmed that suitable conditions shown by ) to Formula (3) exist.

100 압축 성형 장치
110 제1형틀
120 제2형틀
121 바닥부 블록
122 측부 블록
130 캐비티
130D 캐비티의 개구부
200 기판
200U 기판의 표면
300 수지 시트
310 수지 조성물층
310U 수지 조성물층의 제1면
310D 수지 조성물층의 제2면
320 제1 지지 필름
330 제2 지지 필름
340 경화체층
350 성형체
400 압축 성형 장치
500 압축 성형 장치
510 제1형틀
511 바닥부 블록
512 측부 블록
520 제2형틀
530 캐비티
W130 캐비티의 폭
W200 기판의 폭
W310 수지 조성물층의 폭100 compression molding machine
110 Form 1
120 second form
121 floor block
122 side block
130 cavity
130D Cavity opening
200 boards
200U substrate surface
300 resin sheet
310 resin composition layer
The first side of the 310U resin composition layer
The second side of the 310D resin composition layer
320 first support film
330 second support film
340 hardening body layer
350 molded body
400 compression molding machine
500 compression molding machine
510 Form 1
511 floor block
512 side blocks
520 Form 2
530 cavity
W 130 width of cavity
W 200 board width
W 310 Width of the resin composition layer

Claims (11)

기판을 지지할 수 있는 제1형틀과, 상기 제1형틀에 대향하여 마련된 제2형틀을 구비하고, 상기 제1형틀 및 상기 제2형틀 중 적어도 한쪽에 캐비티가 형성된 압축 성형 장치를 사용하여 반도체 장치를 제조하는, 반도체 장치의 제조 방법으로서,
상기 제조 방법이,
상기 기판을 준비하는 공정 (I),
열경화성의 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층의 한쪽의 면에 접하는 제1 지지 필름을 구비하는 수지 시트를 준비하는 공정 (II),
상기 제1 지지 필름을 벗겨내어, 상기 수지 조성물층의 양쪽의 면에서, 동시 또는 비동시에, 비피복 상태를 얻는 공정 (III), 및
상기 수지 조성물층을 상기 캐비티 내에 넣고, 상기 제1형틀과 상기 제2형틀 사이에서, 상기 수지 조성물층과 상기 기판을 가압하는 공정 (IV)
를 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.A semiconductor device using a compression molding apparatus comprising a first mold capable of supporting a substrate, and a second mold provided opposite to the first mold, wherein a cavity is formed in at least one of the first mold and the second mold. A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
The manufacturing method is
Step (I) of preparing the substrate,
Step (II) of preparing a resin sheet comprising a resin composition layer formed of a thermosetting resin composition, and a first support film in contact with one surface of the resin composition layer;
Step (III) of peeling off the first support film to obtain an uncovered state simultaneously or non-simultaneously on both surfaces of the resin composition layer, and
Step (IV) of placing the resin composition layer in the cavity and pressing the resin composition layer and the substrate between the first mold and the second mold
A method of manufacturing a semiconductor device comprising: 제1항에 있어서, 공정 (II)에서 준비되는 상기 수지 시트가, 상기 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층의 한쪽의 면에 접하는 상기 제1 지지 필름과, 상기 수지 조성물층의 다른 쪽의 면에 접하는 제2 지지 필름을 구비하고,
공정 (III)이 상기 제1 지지 필름 및 제2 지지 필름을 벗겨내는 것을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.The said resin sheet prepared by the process (II) of Claim 1 with the said resin composition layer, the said 1st support film in contact with one surface of the said resin composition layer, and the other surface of the said resin composition layer and a second support film in contact with
The process (III) includes peeling off the first support film and the second support film. 제2항에 있어서, 상기 제1 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FA[gf/cm]이 하기 식 (1)을 충족시키고,
상기 제2 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FB[gf/cm]이 하기 식 (2)를 충족시키는, 반도체 장치의 제조 방법.
1.5[gf/cm]＜FA＜20[gf/cm] (1)
1.5[gf/cm]＜FB＜20[gf/cm] (2) According to claim 2, wherein the adhesive force F A [gf / cm] of the first support film and the resin composition layer satisfies the following formula (1),
The manufacturing method of the semiconductor device with which the adhesive force F B [gf/cm] of the said 2nd support film and the said resin composition layer satisfy|fills following formula (2).
1.5[gf/cm]<F A <20[gf/cm] (1)
1.5[gf/cm]<F B <20[gf/cm] (2) 제2항에 있어서, 상기 제1 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FA[gf/cm], 상기 제2 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FB[gf/cm], 및 100℃에서의 상기 수지 조성물의 용융 점도 η[poise]가 식 (3)을 충족시키는, 반도체 장치의 제조 방법.
0.00005＜(FA＋FB)/η＜0.03 (3)According to claim 2, Adhesion force F A [gf/cm] between the first support film and the resin composition layer, adhesion force F B [gf/cm] between the second support film and the resin composition layer, and 100 The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the melt viscosity η [poise] of the resin composition in ° C. satisfies the formula (3).
0.00005<(F A + F B )/η<0.03 (3) 제2항에 있어서, 상기 제2 지지 필름의 두께가 10㎛ 내지 200㎛인, 반도체 장치의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the second support film has a thickness of 10 µm to 200 µm. 제2항에 있어서, 상기 제2 지지 필름의 상기 수지 조성물층과 접하는 면이 실리콘계 이형제로 표면 처리되어 있는, 반도체 장치의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein a surface of the second support film in contact with the resin composition layer is surface-treated with a silicone-based mold release agent. 제1항에 있어서, 상기 수지 조성물층의 두께가 40㎛ 이상인, 반도체 장치의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the resin composition layer has a thickness of 40 µm or more. 제1항에 있어서, 상기 제1 지지 필름의 두께가 10㎛ 내지 200㎛인, 반도체 장치의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the first supporting film has a thickness of 10 µm to 200 µm. 제1항에 있어서, 상기 제1 지지 필름의 상기 수지 조성물층과 접하는 면이 실리콘계 이형제로 표면 처리되어 있는, 반도체 장치의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a surface of the first support film in contact with the resin composition layer is surface-treated with a silicone-based release agent. 제1항에 있어서, 상기 수지 조성물층이, 공정 (IV)에서 상기 수지 조성물층이 가압되었을 때, 상기 캐비티 내를 충족시키는 용량을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the resin composition layer has a capacity that satisfies the inside of the cavity when the resin composition layer is pressurized in step (IV). 열경화성의 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층의 한쪽의 면에 접하는 제1 지지 필름과, 상기 수지 조성물층의 다른 쪽의 면에 접하는 제2 지지 필름을 구비하고,
상기 수지 조성물층의 두께가 40㎛ 이상이고,
상기 제1 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FA[gf/cm], 상기 제2 지지 필름과 상기 수지 조성물층과의 밀착력 FB[gf/cm], 및 100℃에서의 상기 수지 조성물의 용융 점도 η[poise]가 하기 식 (1), 식 (2) 및 식 (3)을 충족시키는, 수지 시트.
1.5[gf/cm]＜FA＜20[gf/cm] (1)
1.5[gf/cm]＜FB＜20[gf/cm] (2)
0.00005＜(FA＋FB)/η＜0.03 (3)A resin composition layer formed of a thermosetting resin composition, a first support film in contact with one surface of the resin composition layer, and a second support film in contact with the other surface of the resin composition layer,
The thickness of the resin composition layer is 40㎛ or more,
Adhesion F A [gf/cm] between the first support film and the resin composition layer, adhesion F B [gf/cm] between the second support film and the resin composition layer, and the resin composition at 100° C. A resin sheet with which melt viscosity η[poise] of which satisfies the following formulas (1), (2) and (3).
1.5[gf/cm]<F A <20[gf/cm] (1)
1.5[gf/cm]<F B <20[gf/cm] (2)
0.00005<(F A + F B )/η<0.03 (3)
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