KR20210108570A - 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 - Google Patents

기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210108570A
KR20210108570A KR1020200023314A KR20200023314A KR20210108570A KR 20210108570 A KR20210108570 A KR 20210108570A KR 1020200023314 A KR1020200023314 A KR 1020200023314A KR 20200023314 A KR20200023314 A KR 20200023314A KR 20210108570 A KR20210108570 A KR 20210108570A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nano
bubble water
bubble
water
liquid
Prior art date
Application number
KR1020200023314A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102382789B1 (ko
Inventor
윤상
Original Assignee
주식회사 이앤에이치
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이앤에이치 filed Critical 주식회사 이앤에이치
Priority to KR1020200023314A priority Critical patent/KR102382789B1/ko
Publication of KR20210108570A publication Critical patent/KR20210108570A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102382789B1 publication Critical patent/KR102382789B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/102—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법에 관한 것이다. 구체적으로 나노버블수를 이용하여 기판을 세정하는 기판 세정 장치 및 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예를 따르는 기판세정장치는, 기체 및 액체가 혼합된 혼합수를 이용하여 나노버블가 포함된 나노버블수를 생성하는 나노버블 발생기; 상기 나노버블수가 담지되는 나노버블수 탱크; 상기 나노버블수 탱크로 나노버블수를 이송하는 액체공급부; 상기 나노버블 발생기에서 나노버블수를 생성할 수 있도록 기체를 공급하는 기체공급부; 상기 나노버블수 탱크 내의 나노버블수를 외부로 분사하는 나노버블수 공급노즐; 및 상기 나노버블수 공급노즐을 통해 분사되는 나노버블수의 공급을 제어하는 나노버블수 공급밸브;를 포함한다.

Description

기판 세정 장치 및 기판 세정 방법{SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE CLEANING METHOD}
본 발명은 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법에 관한 것이다. 구체적으로 나노버블수를 이용하여 기판을 세정하는 기판 세정 장치 및 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 및 디스플레이는 기판(substrate) 상에 다수의 박막을 증착, 식각, 연마하여 다양한 회로 패턴을 생성함으로써 제조된다. 각 공정 단계에서 다양한 이물질이 발생하기 때문에 이러한 이물질을 제거하는 세정 공정은 점차 중요해지고 있다.
반도체 및 디스플레이 제조 공정에 적용되는 세정 공정은, 세정액을 이용하여 기판의 표면을 세정하는 습식 세정과, 레이저 등의 광원을 이용하는 건식 세정으로 나뉠 수 있다. 습식 세정의 경우, 제거하려는 이물질의 종류 및 전기화학적 특성, 기판 상에 증착되어 있는 박막의 종류 및 전기화학적 특성을 고려하여 다양한 세정액 중에서 적당한 세정액을 선별하여 수행될 수 있다.
최근에는 기판 상에 형성되는 회로 패턴이 미세화되고, 공정이 복잡해짐에 따라 보다 작은 이물질의 제거가 필요하고, 미세한 회로 패턴이 손상되지 않도록 하는 기술이 요구되고 있다.
한편, 나노 버블(nano bobble)을 생성하는 장치로는, 산기관을 이용한 송기법, 다공질체와 주파수를 이용하는 방법, 초음파를 이용하는 방법, 진동교반법, 가압감압법 및 화학적 살포법 등이 제안되어 왔으나, 전술한 방법 중 초음파를 이용한 미세기포 생성방법을 제외하면 버블의 나노(nano)화가 어렵고, 버블의 크기(직경)가 불균일하기 때문에 안정성을 결여하게 되는 문제점이 있는 것으로 알려지고 있으며, 초음파를 이용하는 방법은 초음파발생장치를 구비해야하는 등의 단점이 있다. 따라서 수중 용존산소를 극대화하기 위해 수중 버블을 가능하면 균일하고 안정성을 가지게 하면서도 그 크기를 나노화하기 위하여 다양한 방법들이 개발되고 연구되어 왔다.
한국특허등록공보 제10-2065957호
본 발명은 효과적으로 기판 세정을 수행함으로써 최종 제품의 수율을 향상할 수 있는 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법을 제공함을 목적으로 한다.
또한, 종래의 세정 공정을 대체함으로써 제조 비용 및 제조 시간을 개선할 수 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 기판세정장치는, 기체 및 액체가 혼합된 혼합수를 이용하여 나노버블가 포함된 나노버블수를 생성하는 나노버블 발생기; 상기 나노버블수가 담지되는 나노버블수 탱크; 상기 나노버블수 탱크로 나노버블수를 이송하는 액체공급부; 상기 나노버블 발생기에서 나노버블수를 생성할 수 있도록 기체를 공급하는 기체공급부; 상기 나노버블수 탱크 내의 나노버블수를 외부로 분사하는 나노버블수 공급노즐; 및 상기 나노버블수 공급노즐을 통해 분사되는 나노버블수의 공급을 제어하는 나노버블수 공급밸브;를 포함한다.
본 발명의 실시 예를 따르는 기판세정방법은, 기체 및 액체가 혼합된 혼합수를 이용하여 나노버블가 포함된 나노버블수를 생성하는 나노버블 발생기, 상기 나노버블수가 담지되는 나노버블수 탱크, 상기 나노버블수 탱크로 나노버블수를 이송하는 액체공급부, 상기 나노버블 발생기에서 나노버블수를 생성할 수 있도록 기체를 공급하는 기체공급부, 상기 나노버블수 탱크 내의 나노버블수를 외부로 분사하는 나노버블수 공급노즐, 상기 나노버블수 공급노즐을 통해 분사되는 나노버블수의 공급을 제어하는 나노버블수 공급밸브 및 상기 액체공급부의 작동 및 나노버블수 공급밸부의 작동을 제어하는 제어부, 상기 나노버블수 공급노즐을 통해 제공되는 나노버블수를 이용하여 기판을 세정하는 공간을 제공하는 세정 챔버, 상기 세정 챔버 내부로 세정액을 분사하는 세정수 공급노즐, 및 상기 세정수 공급노즐을 통해 분사되는 세정액의 공급을 제어하는 세정수 공급밸브,를 포함하는 기판세정장치를 이용하여 수행하는 기판 세정 방법이다. 상기 제어부가 상기 나노버블수 공급밸브에 온(on) 명령을 송신하여 상기 나노버블수 공급노즐을 통해 나노버블수를 상기 세정챔버 내부로 공급하는 단계; 및 상기 제어부가 상기 액체공급부를 제어하여 상기 나노버블수 탱크 내의 나노버블수의 상태를 제어하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 실시 예를 따르는 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법은, 효과적으로 기판 세정을 수행함으로써 최종 제품의 수율을 향상할 수 있다.
또한, 종래의 세정 공정을 대체함으로써 제조 비용 및 제조 시간을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 기판세정장치를 도시한 것이다.
도 2 내지 4는 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 기판세정장치를 도시한 것이다.
도 5 및 도 6은 나노버블 발생기를 도시한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.　 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.　 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다. 덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 "포함"한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
기판세정장치
도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 기판세정장치(100)를 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 기판세정장치(100)는, 기체 및 액체가 혼합된 혼합수를 이용하여 나노버블가 포함된 나노버블수를 생성하는 나노버블 발생기(110); 상기 나노버블수가 담지되는 나노버블수 탱크(140); 상기 나노버블수 탱크(140)로 나노버블수를 이송하는 액체공급부(120); 상기 나노버블 발생기(110)에서 나노버블수를 생성할 수 있도록 기체를 공급하는 기체공급부(130); 상기 나노버블수 탱크(140) 내의 나노버블수를 외부로 분사하는 나노버블수 공급노즐(160); 및 상기 나노버블수 공급노즐(160)을 통해 분사되는 나노버블수의 공급을 제어하는 나노버블수 공급밸브(150);를 포함한다.
본 기판세정장치(100)는 반도체, 디스플레이, 태양전지 등 증착, 식각 및 연마 공정을 수행하여 기판(40) 상에 회로 패턴을 형성함으로써 제조되는 다양한 제품의 제조 분야에 적용될 수 있다. 세정의 대상이 되는 기판(40)은 실리콘 기판(40), 유리 기판(40), 유기물 기판(40) 등 다양한 것일 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
나노버블이란 나노 크기의 기포를 의미한다. 나노 크기란 기포의 지름이 수 내지 수백 nm인 것을 의미한다. 나노버블수는 액체 내부에 기체가 지름이 수 내지 수백 nm인 기초로 존재하고 있는 것을 의미한다.
나노버블 발생기(110)는 배관을 통해 흐르는 액체 내부에 기체가 나노 크기의 기포로 존재하도록 하는 기능을 수행한다. 상기 나노버블 발생기(110)는 일단 및 타단이 배관에 연결되어 배치되고, 상기 배관을 통해 흐르는 액체에 기체를 나노 크기의 기포 형태로 주입하거나, 상기 액체 내에 존재하는 기체를 나노 크기의 기포로 존재하도록 할 수 있다.
도 5 및 도 6은 나노버블 발생기(110)를 도시한 것이다. 도 5는 나노버블 발생기(110)를 도시한 것이고, 도 3은 도 2의 AA' 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 나노버블 발생기(110)는 나노 크기의 기포를 생성하는 발생부(112)를 포함하고, 상기 발생부(112)는 액체에 혼합된 기체가 그 사이를 통과하면서 분해되어 나노 크기의 기포가 생성되도록 하는 복수의 입자(114)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 입자 사이에 형성된 공극은 유체 및 기체가 통과하는 통로가 되며, 유체의 흐름에 따라 입자 사이에 진동이 발생하여 유체에 혼합된 기체가 수축 및 팽창을 규칙적으로 반복함으로써 나노 크기의 버블이 되도록 하는 기능을 수행할 수 있다.
상기 발생부(112)는 상부에 액체가 유입되는 공급구(111)를 포함하고, 하부에 나노 버블을 포함하는 액체가 배출되는 배출구(113)를 포함할 수 있고, 상기 공급구(111) 및 배출구(113) 사이에 복수의 입자(114)를 담지하는 공간을 포함할 수 있다. 또한, 상기 복수의 입자(114)가 공급구(111) 및 배출구(113)로 이동하는 것을 방지하기 위해, 상기 복수의 입자(114)를 담지하는 공간과 공급구(111) 사이 및 복수의 입자(114)를 담지하는 공간과 배출구(113) 사이에 스크린 부재(115a, 115b)를 더 포함할 수 있다.
상기 스크린 부재(115a, 115b)는 입자(114)가 유실되는 것을 방지하고, 입자(114)가 안정적으로 배치될 수 있도록 하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 스크린 부재(115a, 115b)는 이물질이 유입되거나 배출되는 것을 차단하는 필터링 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 스크린 부재(115a, 115b)는 미세한 기공을 포함하고 있음으로써 복수의 입자(114)에 의해 생성된 나노 버블의 크기를 보다 작게 형성하도록 하거나, 일정 크기 이상의 버블이 배출되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 스크린 부재(115a, 115b)는 탄성을 가질 수 있으며, 복수의 입자(114)를 상부 및 하부 중 적어도 한 쪽에서 압박할 수 있다. 이를 통해 입자(114)를 보다 안정적으로 배치되도록 할 수 있기 때문에 앞서 설명한 기능을 보다 효율적으로 수행할 수 있다. 상기 스크린 부재(115a, 115b)는 스펀지, 부직포, 섬유, 글라스 울, 세라믹 필터, 금속필터 등 일 수 있다. 상기 스크린 부재(115a, 115b)는 공급구(111) 및 배출구(113) 중 어느 한 쪽에만 배치될 수 있으며, 필요에 따라 복수의 입자(114)를 감싸는 형태로 배치될 수 있다. 상기 스크린 부재(115a, 115b)의 배치 위치, 두께 및 개수는 특별히 제한되지 않는다.
상기 입자(114)의 평균 입경은 0.1 내지 3.0 mm, 바람직하게는 0.1 내지 1.5 mm, 더 바람직하게는 0.1 내지 1.0 mm 일 수 있다. 상기 입자(114)의 평균 크기가 0.1 mm 미만인 경우에는 액체가 입자(114) 사이를 통과하는데 높은 부하가 발생하여 유속이 현저하게 감소할 수 있다. 또한, 입자(114)의 평균 크기가 1.5 mm를 초과하는 경우에는 입자(114) 사이의 공간이 비대하기 때문에 형성되는 버블의 크기(입경)가 너무 커져서 나노버블에 의한 세정력이 감소하게 된다. 상기 입자(114)의 크기를 0.8 mm 이하로 하는 경우, 형성되는 나노 버블의 95% 이상이 크기(입경)가 500 nm 이하로 유지되고 평균 크기(입경)가 200 nm 이하가 되어 보다 안정적으로 나노 버블을 형성할 수 있을 뿐 아니라, 세정 효율을 높일 수 있다.
상기 입자(114)는 그 형상이 특별히 제한되지 않지만, 입자(114)의 파손을 방지하고 입자(114) 사이의 간격을 일정하게 제어하기 위해 구형 또는 타원형의 비드(bead) 형상일 수 있다. 상기 입자(114)의 재질은 특별히 제한되지 않지만 다양한 액체에 대하여 내화학성을 갖고 충돌에 대한 내구성을 갖는 재질일 수 있다. 일 예로, 상기 입자(114)의 재질은 세라믹, 금속 등의 무기 재료 및 PET, PS, PP, HDPE, LDPE, PVP 등의 유기 재료일 수 있다.
나노버블수 탱크(140)는 나노버블 발생기(110)에서 생성된 나노버블수를 보관하는 용기이다. 본 기판세정장치(100)에서 기판(40)을 세정하기 위해서는 많은 량의 나노버블수를 필요로 할 수 있고, 복수의 챔버에 나노버블수가 공급될 수 있다. 또한, 나노버블수의 상태(기포 크기, 농도 등)를 일정하게 유지할 필요가 있다. 이를 위해 나노버블수 탱크(140)에 나노버블수를 미리 보관하여 일정한 상태의 나노버블수를 안정적으로 제공할 수 있다. 상기 나노버블수 탱크(140)는 반응성이 낮은 고분자 또는 세라믹 재료로 이루어질 수 있으며, 액체가 탈이온수(DIW)인 경우에는 스테인레스 스틸 등의 금속 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 나노버블수 탱크(140)에 액체탱크(30)를 연결하여 나노버블수의 양을 일정하게 유지할 수 있다.
액체공급부(120)는 액체가 순환하여 나노버블 발생기(110)를 거쳐 나노버블수 탱크(140)로 이동할 수 있도록 하는 기능을 수행한다. 상기 액체공급부(120)는 나노버블 발생기(110) 및 나노버블수 탱크(140) 사이에 배치될 수 있으며, 각각의 구성과 배관을 통해 연결될 수 있다. 상기 액체공급부(120)는 액체의 유량, 유속 및 유압 등을 제어할 수 있다. 상기 액체공급부(120)는 액체를 이송하는 데 사용하는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 상기 액체공급부(120)는 왕복펌프, 로터리(회전)펌프, 원심펌프, 축류펌프 및 마찰펌프 중 어느 하나를 포함하여 액체를 이송할 수 있다. 상기 액체공급부(120)는 액체의 이송을 제어하기 위한 밸브 및 액체의 이송량을 측정하는 유량 측정기를 더 포함할 수 있다. 상기 액체공급부(120)에 의해 공급되는 액체는 특별히 제한되지 않는다. 일 예로, 탈이온수 또는 다양한 세정액일 수 있다.
기체공급부(130)는 상기 나노버블 발생기(110)에서 나노버블수를 생성할 수 있도록 기체를 공급한다. 상기 기체공급부(130)는 일단이 기체탱크(20)에 연결되고 타단은 나노버블 발생기(110)에 연결될 수 있다(도 1 참조). 또는 상기 기체공급부(130)의 타단은 상기 나노버블 발생기(110) 및 나노버블수 탱크(140)를 연결하는 배관에 연결될 수 있다(미도시). 이 경우, 상기 기체공급부(130)와 배관을 연결하는 니플부재 등이 더 포함될 수 있다. 상기 기체공급부(130)는 기체를 공급하는 기능을 수행하는 것이면 제한되지 않는다. 일 예로, 상기 기체공급부(130)는 컴프레셔일 수 있다. 상기 기체탱크(20)에 담지된 기체는 특별히 제한되지 않으며, 공기, 산소, 수소, 이산화탄소, 질소 등일 수 있다. 또한, 상기 기체공급부(130) 및 기체탱크(20) 사이에 오존발생기를 배치하여 오존은 공급할 수 있으며, 기체혼합기(믹서)를 배치하여 혼합 기체를 공급할 수 있다.
나노버블수 공급노즐(160)은 반도체 또는 디스플레이용 세정 장치에서 일반적으로 사용하는 것일 수 있다 상기 나노버블수 공급노즐(160)의 형태, 재질 및 개수는 세정 공정 조건에 따라 다양하게 선택될 수 있다.
나노버블수 공급밸브(150)는 상기 나노버블수 공급노즐(160) 및 나노버블수 탱크(140)를 연결하는 배관에 배치될 수 있고, 이를 통해 나노버블수 공급노즐(160)로 공급되는 나노버블수를 차단하거나 이송할 수 있다. 상기 나노버블수 공급밸브(150)는 일반적으로 사용하는 유체용 밸브일 수 있고, 전기적으로 제어가 가능한 것일 수 있다.
도 1을 참조하면, 액체공급부(120)에서 액체를 이송함에 따라, 나노버블수는 나노버블수 탱크(140), 나노버블 발생기(110) 및 액체공급부(120)를 순환할 수 있다. 각 구성은 배관으로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 기판(40) 세정 장치는 상기 나노버블수 탱크(140) 내의 나노버블수의 나노버블 입도 및 농도 중 적어도 하나를 측정하는 나노버블수 측정부(171)를 포함할 수 있다. 상기 나노버블수 측정부(171)는 나노버블수 탱크(140)의 일면에 배치되거나 내부에 배치될 수 있다. 상기 나노버블수 측정부(171)는 나노버블수에 UV, IR, 가시광선, 레이저, 초음파 등을 조사함으로써 나노버블수에 포함된 나노버블의 입도, 농도 등의 정보를 습득할 수 있다. 상기 나노버블수 측정부(171)는 다양한 통신을 통해 제어부(180) 등으로 나노버블수 측정 정보를 외부로 송신할 수 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 기판(40) 세정 장치는 상기 액체공급부(120)에 의해 배관내부를 흐르는 액체의 유속, 유량 및 유압 중 적어도 어느 하나를 측정하는 유체측정부(172)를 포함할 수 있다. 상기 유체측정부(172)는 일반적으로 유체를 측정하는 유량계 등일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.
도 2 내지 4는 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 기판세정장치(100)를 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 기판(40) 세정 장치는 액체공급부(120) 또는 나노버블수 공급밸브(150)를 제어하는 제어부(180)를 포함할 수 있다. 상기 제어부(180)는 액체공급부(120) 또는 나노버블수 공급밸브(150)를 제어하는 명령을 송신하고, 다른 기기로부터 정보를 수신하는 기능을 수행할 수 있으며, 외부로부터 사용자의 명령이나 정보를 수신할 수 있고, 다양한 정보를 저장하거나 연산하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 제어부(180)는 마이크로프로세서, 메모리반도체칩, 통신유닛 등을 포함하는 산업용 컴퓨터, 노트북, 태블릿 등의 전자기기일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제어부(180)는 제어 대상을 제어하기 위한 프로그램이 저장된 메모리 및 저장된 프로그램을 실행하는 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 제어부(180)는 필요에 따라 하나의 프로세서를 포함할 수도 있고, 복수의 프로세서를 포함할 수도 있다. 또한, 복수의 프로세서가 하나의 칩 상에 집적될 수도 있고, 물리적으로 분리될 수도 있다.
상기 제어부(180)는 상기 나노버블수 측정부(171)에서 수신한 데이터를 기초로 상기 액체공급부(120)의 작동을 제어할 수 있다. 상기 제어부(180)는 상기 나노버블수 탱크(140) 내의 나노버블수를 순환하도록 액체공급부(120)를 작동시켜 나노버블수가 나노버블 발생기(110)를 통과하여 나노버블의 크기 및 농도를 기준에 부합하도록 발생시킬 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제어부(180)는 상기 유체측정부(172)에서 측정한 배관내부를 흐르는 액체의 유속, 유량 및 유압 중 적어도 어느 하나의 데이터를 수신 받아, 이를 기초로 액체공급부(120)의 작동을 제어할 수 있다. 나노버블 발생기(110)에 의해 생성되는 나노버블의 입도 및 농도는 유속, 유량 및 유압에 의해 달라질 수 있으므로 상기 제어부(180)가 액체공급부(120)를 제어함에 의해 나노버블수의 상태가 변경될 수 있다.
상기 제어부(180)는 나노버블수 탱크(140) 내부의 나노버블수의 상태가 기설정된 조건에 부합하지 않는 경우에는 나노버블수 공급밸브(150)를 오프(off)하여 나노버블수의 공급을 중단할 수 있다. 상기 제어부(180)가 액체공급부(120)를 제어하여 나노버블수 탱크(140) 내부의 나노버블수의 상태를 기설정된 조건 범위에 부합하도록 변경한 후에, 상기 나노버블수 공급밸프를 온(on)하여 나노버블수를 공급하도록 할 수 있다.
상기 나노버블수의 기설정된 조건은 나노버블의 평균 입도의 경우 100 내지 200 nm, 나노버블의 농도의 경우 1 내지 10억개/ml일 수 있다. 상기 범위의 나노버블수를 공급하는 경우 세정 효과가 우수하다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 기판세정장치(100)를 도시한 것이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 기판세정장치(100)는 상기 나노버블수 공급노즐(160)을 통해 제공되는 나노버블수를 이용하여 기판(40)을 세정하는 공간을 제공하는 세정챔버(191), 상기 세정챔버(191) 내부로 세정액을 분사하는 세정수 공급노즐(192), 및 상기 세정수 공급노즐(192)을 통해 분사되는 세정액의 공급을 제어하는 세정수 공급밸브(193),를 더 포함할 수 있다.
세정챔버(191)는 내부에 기판(40)이 배치되는 스테이지 또는 기판(40)을 잡는 핑거(finger), 기판(40)을 이송하는 롤러 또는 컨베이어 밸트 등의 구성을 포함할 수 있다. 또한, 상기 세정챔버(191)는 세정 공간을 외부로부터 차단하기 위해 외벽 및 뚜껑을 포함할 수 있다.
세정수 공급노즐(192)은 탈이온수나 그 밖의 다양한 세정수를 공급하는 기능을 수행할 수 있으며, 필요에 따라 다양한 형태 및 개수일 수 있다. 상기 세정수는 HF 용액, 과산화수소 용액 등일 수 있다.
세정수 공급밸브(193)는 세정수 공급노즐(192) 및 세정수 탱크(30)를 연결하는 밸브에 배치될 수 있다. 이를 통해 세정수 공급노즐(192)로 공급되는 세정수를 차단하거나 이송할 수 있다. 상기 세정수 공급밸브(193)는 일반적으로 사용하는 유체용 밸브일 수 있고, 전기적으로 제어가 가능한 것일 수 있다.
도 4를 참조하면, 기판세정장치(100)는 제어부(180)를 더 포함할 수 있다. 상기 제어부(180)는 유체공급부, 나노버블수 공급밸브(150) 및 세정수 공급밸브(193)와 연결되어 각 구성의 동작을 제어할 수 있다. 또한, 나노버블수 측정부(171) 및 유체측정부(172)로부터 각각의 데이터를 수신할 수 있다.
기판세정방법
본 발명의 실시 예를 따르는 기판세정방법은, 기체 및 액체가 혼합된 혼합수를 이용하여 나노버블가 포함된 나노버블수를 생성하는 나노버블 발생기(110), 상기 나노버블수가 담지되는 나노버블수 탱크(140), 상기 나노버블수 탱크(140)로 나노버블수를 이송하는 액체공급부(120), 상기 나노버블 발생기(110)에서 나노버블수를 생성할 수 있도록 기체를 공급하는 기체공급부(130), 상기 나노버블수 탱크(140) 내의 나노버블수를 외부로 분사하는 나노버블수 공급노즐(160), 상기 나노버블수 공급노즐(160)을 통해 분사되는 나노버블수의 공급을 제어하는 나노버블수 공급밸브(150) 및 상기 액체공급부(120)의 작동 및 나노버블수 공급밸브(150)의 작동을 제어하는 제어부(180), 상기 나노버블수 공급노즐(160)을 통해 제공되는 나노버블수를 이용하여 기판(40)을 세정하는 공간을 제공하는 세정챔버(191), 상기 세정챔버(191) 내부로 세정액을 분사하는 세정수 공급노즐(192), 및 상기 세정수 공급노즐(192)을 통해 분사되는 세정액의 공급을 제어하는 세정수 공급밸브(193),를 포함하는 기판세정장치(100)를 이용하여 수행하는 기판 세정 방법이다. 상기 제어부(180)가 상기 나노버블수 공급밸브(150)에 온(on) 명령을 송신하여 상기 나노버블수 공급노즐(160)을 통해 나노버블수를 상기 세정챔버(191) 내부로 공급하는 단계; 및 상기 제어부(180)가 상기 액체공급부(120)를 제어하여 상기 나노버블수 탱크(140) 내의 나노버블수의 상태를 제어하는 단계;를 포함한다.
상기 기판세정장치(100) 및 그 세부구성에 대한 내용은 앞서 설명한 것과 동일한 것이다.
상기 제어부(180)가 상기 나노버블수 공급밸브(150)에 온(on) 명령을 송신하여 상기 나노버블수 공급노즐(160)을 통해 나노버블수를 상기 세정챔버(191) 내부로 공급하는 단계에서, 상기 나노버블수는 세정챔버(191) 내부로 공급되어 상기 세정챔버(191) 내부의 기판(40) 상에 분사된다. 또한, 상기 제어부(180)는 나노버블수 공급밸브(150) 및 세정수 공급밸브(193)를 선택적으로 온/오프하여 나노버블수 및 세정수를 개별적으로 기판(40)에 분사함으로써 상기 기판(40)을 세정할 수 있다.
상기 제어부(180)가 상기 액체공급부(120)를 제어하여 상기 나노버블수 탱크(140) 내의 나노버블수의 상태를 제어하는 단계에서, 제어부(180)는 나노버블수의 상태에 따라 나노버블수를 세정챔버(191)로 공급할지 여부 및 나노버블수의 상태를 변경할지 여부를 결정하고, 이에 따른 명령을 액체공급부(120), 나노버블수 공급밸브(150) 또는 세정수 공급밸브(193)로 송신할 수 있다.
일 예에서, 상기 제어부(180)가 나노버블수의 상태를 제어하는 단계는, 상기 제어부(180)가 나노버블수 또는 상기 액체공급부(120)에 의해 흐르는 액체에 대한 데이터를 수신 받는 단계; 상기 제어부(180)가 상기 수신한 데이터가 기설정 조건에 부합하는 지 판단하는 단계; 및 상기 데이터가 기설정 조건에 부합하지 않는 경우, 상기 액체공급부(120)로 제어명령을 송신하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 제어부(180)가 나노버블수 또는 상기 액체공급부(120)에 의해 흐르는 액체에 대한 데이터는, 나노버블수 측정부(171) 또는 유체측정부(172)로부터 수신된 데이터일 수 있다. 상기 나노버블수에 대한 데이터는 나노버블수 탱크(140) 내부의 나노버블수의 나노버블 평균 입경 및 나노버블 농도 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 액체에 대한 데이터는 배관을 흐르는 유체의 유속, 유량 및 유압 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 기설정 조건은 나노버블의 평균 입도의 경우 100 내지 200 nm, 나노버블의 농도의 경우 1 내지 10억개/ml일 수 있다. 상기 범위의 나노버블수를 공급하는 경우 세정 효과가 우수하다. 이를 위해 유속은 50 내지 90 lpm으로 설정할 수 있으며, 바람직하게는 60 내지 80 lpm, 보다 바람직하게는 65 내지 75 lpm으로 설정할 수 있다.
만일, 나노버블수의 상태가 기설정된 조건에서 벗어나는 경우, 제어부(180)는 상기 액체공급부(120)로 제어명령을 송신할 수 있다. 만일 나노버블수의 농도가 낮은 경우에는 액체공급부(120)가 작동하도록 하여 나노버블 발생기(110)로하여금 나노버블을 생성하게 할 수 있다. 또한 액체공급부(120)를 통해 유속을 보다 빠르게 함으로써 생성되는 나노버블의 입경을 보다 작게 생성할 수 있다.
또한, 상기 나노버블수의 데이터가 기설정 조건에 부합하지 않는 경우, 상기 제어부(180)는 상기 세정수 공급밸브(193)에 온(on) 명령을 송신하여 상기 세정수 공급노즐(192)을 통해 세정수를 기판(40) 상으로 공급하도록 할 수 있다. 이경우, 상기 세정수는 탈이온수일 수 있다. 기판(40)이 건조한 상태로 오래 방치되면 기판(40) 상의 이물질을 제거할 수 없게 되어 심각한 불량이 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 상기 제어부(180)는 나노버블수가 정상적인 상태가 되도록 액체공급부(120)를 제어하는 동안, 상기 세정수 공급노즐(192)을 제어하여 기판(40)이 건조해지는 것을 방지할 수 있다.
실험 예1
입자 입경에 따른 세정효과 분석
나노버블발생기의 입자 입경에 따른 나노버블의 입경, 농도 및 세정효과를 분석하였다. 나노버블발생기의 입자의 입경은 0.1, 0.3, 0.8, 1.0, 1.5, 2.0 mm인 것을 사용하였으며, 나노버블의 입경 및 농도는 Malvern NS-300 나노버블 입도측정기를 이용하여 측정하였다. 상기 조건으로 생성된 나노버블수를 디스플레이 제조용 세정장치에 적용하여 기판 상에 분사하여 세정을 수행한 후 평균 불량률을 추적 조사하여 평가하였다. 적용 전 평균 불량률인 0.2%와 대비하여, 불량률이 0 내지 0.1%인 경우 'OOO', 0.1 내지 0.15%인경우 'OO', 0.15 내지 0.2%인 경우 'O'로 표시하였다. 유속은 70 lpm으로 설정하였다.
입자사이즈
(mm)		 나노버블 평균입경
(nm)		 농도
(particle/ml)		 세정효과
0.1 101.8 4.41e+008 OOO
0.3 146.2 4.60e+008 OOO
0.8 159.6 6.31 e+008 OOO
1 197.4 7.23 e+008 OOO
1.5 345 8.16 e+008 OO
2 476 8.76 e+008 O
표 1을 참조하면 입자 크기가 0.1 내지 1.0 mm인 경우 나노버블수에 포함된 나노버블의 평균입경이 100 내지 200 nm가 되어 안정적으로 유지되고, 세정효과가 우수함을 알 수 있다.
유속 및 기체 종류에 따른 세정효과 분석
유체공급기를 제어하여 배관을 흐르는 액체의 유속에 따른 나노버블의 입경, 농도 및 세정효과를 분석하였다. 유속은 50, 70, 90 lpm으로 설정하였다. 나노버블발생기의 입자의 입경은 0.3 mm인 것을 사용하였으며, 나노버블의 입경 및 농도는 Malvern NS-300 나노버블 입도측정기를 이용하여 측정하였다. 상기 조건으로 생성된 나노버블수를 디스플레이 제조용 세정장치에 적용하여 기판 상에 분사하여 세정을 수행한 후 평균 불량률을 추적 조사하여 평가하였다. 적용 전 평균 불량률인 0.2%와 대비하여, 불량률이 0 내지 0.1%인 경우 'OOO', 0.1 내지 0.15%인경우 'OO', 0.15 내지 0.2%인 경우 'O'로 표시하였다. O3의 경우 오존 발생기를 기체공급부 전단에 배치하여 오존이 포함된 나노버블수를 생성하였다.
기체종류 유속
(lpm)		 나노버블 평균입경
(nm)		 농도
(particle/ml)		 세정효과
공기 50 89.7 nm 4.18e+008 OO
70 133.3 nm 4.97e+008 OOO
90 176.4 nm 4.15e+008 OO
CO2 50 147.4 nm 1.58e+008 O
70 127.2 nm 1.29e+008 O
90 117.5 nm 1.21e+008 O
H2 50 134.9 nm 7.43e+008 OOO
70 118.5 nm 5.86e+008 OOO
90 115.4 nm 6.91e+008 OOO
O2 50 109.7 nm 2.53e+008 O
70 148.2 nm 2.74e+008 O
90 111.6 nm 2.02e+008 O
O3 50 108.7 nm 3.56e+008 O
70 112.1 nm 2.81e+008 O
90 103.6 nm 2.54e+008 O
표 2를 참조하면, 공기의 경우 70 lpm 조건에서 나노버블의 농도가 5억 particles/ml 수준에 이르러 세정 효과가 가장 우수함을 알 수 있다. 또한, 기체별로 평가한 경우에도 나노버블의 농도가 5억 particles/ml 수준인 H2를 적용한 경우 가장 우수한 세정효과를 가짐을 알 수 있다.
표 1 및 표 2를 참조하면, 모든 경우에서 종전에 비하여 세정효과가 있음을 알 수 있다. 특히 나노버블의 입경이 100 내지 200 nm인 경우, 농도가 4 억 particles/ml 이상인 경우 우수한 세정효과를 보였다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 기판세정장치
110: 나노버블 발생기
120: 액체공급부
130: 기체공급부
140: 나노버블수 탱크
150: 나노버블수 공급밸브
160: 나노버블수 공급노즐
171: 나노버블수 측정부
172: 유체측정부
180: 제어부
191: 세정챔버
192: 세정수 공급노즐
193: 세정수 공급밸브
10: 액체탱크
20: 기체탱크
30: 세정수 탱크
40: 기판

Claims (10)

  1. 기체 및 액체가 혼합된 혼합수를 이용하여 나노버블가 포함된 나노버블수를 생성하는 나노버블 발생기;
    상기 나노버블수가 담지되는 나노버블수 탱크;
    상기 나노버블수 탱크로 나노버블수를 이송하는 액체공급부;
    상기 나노버블 발생기에서 나노버블수를 생성할 수 있도록 기체를 공급하는 기체공급부;
    상기 나노버블수 탱크 내의 나노버블수를 외부로 분사하는 나노버블수 공급노즐; 및
    상기 나노버블수 공급노즐을 통해 분사되는 나노버블수의 공급을 제어하는 나노버블수 공급밸브;를 포함하는,
    기판세정장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 나노버블수 탱크 내의 나노버블수는 상기 나노버블수 탱크, 나노버블수발생기 및 액체공급부를 순환하는,
    기판세정장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 나노버블발생기는 나노 크기의 기포를 생성하는 발생부를 포함하고,
    상기 발생부는 액체에 혼합된 기체가 그 사이를 통과하면서 분해되어 나노 크기의 기포가 생성되도록 하는 복수의 입자를 포함하고,
    상기 입자의 평균 입경은 0.1 내지 1.5 mm인,
    기판세정장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 액체공급부의 작동 및 나노버블수 공급밸부의 작동을 제어하는 제어부를 더 포함하는,
    기판세정장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 나노버블수 공급노즐을 통해 제공되는 나노버블수를 이용하여 기판을 세정하는 공간을 제공하는 세정 챔버,
    상기 세정 챔버 내부로 세정액을 분사하는 세정수 공급노즐, 및
    상기 세정수 공급노즐을 통해 분사되는 세정액의 공급을 제어하는 세정수 공급밸브,를 더 포함하는,
    기판세정장치.
  6. 기체 및 액체가 혼합된 혼합수를 이용하여 나노버블가 포함된 나노버블수를 생성하는 나노버블 발생기, 상기 나노버블수가 담지되는 나노버블수 탱크, 상기 나노버블수 탱크로 나노버블수를 이송하는 액체공급부, 상기 나노버블 발생기에서 나노버블수를 생성할 수 있도록 기체를 공급하는 기체공급부, 상기 나노버블수 탱크 내의 나노버블수를 외부로 분사하는 나노버블수 공급노즐, 상기 나노버블수 공급노즐을 통해 분사되는 나노버블수의 공급을 제어하는 나노버블수 공급밸브 및 상기 액체공급부의 작동 및 나노버블수 공급밸부의 작동을 제어하는 제어부, 상기 나노버블수 공급노즐을 통해 제공되는 나노버블수를 이용하여 기판을 세정하는 공간을 제공하는 세정 챔버, 상기 세정 챔버 내부로 세정액을 분사하는 세정수 공급노즐, 및 상기 세정수 공급노즐을 통해 분사되는 세정액의 공급을 제어하는 세정수 공급밸브,를 포함하는 기판세정장치를 이용하여 수행하는 기판 세정 방법에 있어서,
    상기 제어부가 상기 나노버블수 공급밸브에 온(on) 명령을 송신하여 상기 나노버블수 공급노즐을 통해 나노버블수를 상기 세정챔버 내부로 공급하는 단계; 및
    상기 제어부가 상기 액체공급부를 제어하여 상기 나노버블수 탱크 내의 나노버블수의 상태를 제어하는 단계;를 포함하는,
    기판세정방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제어부가 나노버블수의 상태를 제어하는 단계는,
    상기 제어부가 나노버블수 또는 상기 액체공급부에 의해 흐르는 액체에 대한 데이터를 수신 받는 단계;
    상기 제어부가 상기 수신한 데이터가 기설정 조건에 부합하는 지 판단하는 단계; 및
    상기 데이터가 기설정 조건에 부합하지 않는 경우, 상기 액체공급부로 제어명령을 송신하는 단계;를 포함하는,
    기판세정방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제어부가 상기 수신한 데이터가 기설정 조건에 부합하는 지 판단하는 단계에서,
    상기 나노버블수의 데이터가 기설정 조건에 부합하지 않는 경우, 상기 제어부는 상기 세정수 공급밸브에 온(on) 명령을 송신하여 상기 세정수 공급노즐을 통해 세정수를 기판 상으로 공급하도록 하는,
    기판세정방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제어부가 나노버블수의 상태를 제어하는 단계는,
    상기 나노버블의 평균 입도를 100 내지 200 nm로 제어하는 것인,
    기판세정방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제어부가 나노버블수의 상태를 제어하는 단계는,
    상기 나노버블의 평균 농도를 농도는 1 내지 10억개/ml로 제어하는 것인,
    기판세정방법.
KR1020200023314A 2020-02-26 2020-02-26 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 KR102382789B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200023314A KR102382789B1 (ko) 2020-02-26 2020-02-26 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200023314A KR102382789B1 (ko) 2020-02-26 2020-02-26 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210108570A true KR20210108570A (ko) 2021-09-03
KR102382789B1 KR102382789B1 (ko) 2022-04-06

Family

ID=77784963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200023314A KR102382789B1 (ko) 2020-02-26 2020-02-26 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102382789B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013229514A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Shibaura Mechatronics Corp 微細気泡発生装置、微細気泡発生方法、基板処理装置、および基板処理方法
KR101812872B1 (ko) * 2016-02-04 2017-12-28 중앙대학교 산학협력단 입자를 이용한 미세버블 생성장치
KR102065957B1 (ko) 2012-11-15 2020-01-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013229514A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Shibaura Mechatronics Corp 微細気泡発生装置、微細気泡発生方法、基板処理装置、および基板処理方法
KR102065957B1 (ko) 2012-11-15 2020-01-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
KR101812872B1 (ko) * 2016-02-04 2017-12-28 중앙대학교 산학협력단 입자를 이용한 미세버블 생성장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102382789B1 (ko) 2022-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6629540B2 (en) Wet treatment apparatus
CN101452823B (zh) 臭氧水混合物供应设备和方法以及基材处理装置
US10646836B2 (en) Cleaning apparatus
JP2006114884A (ja) 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット
JP2014130881A (ja) 研磨装置
US7617836B2 (en) System and method for supplying functional water
JPH08108125A (ja) 液供給装置
JP2008080230A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI644344B (zh) Processing liquid supply device, substrate processing system, and processing liquid supply method
JPH10163153A (ja) 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法
KR102382789B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
KR100884336B1 (ko) 약액 공급 장치, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 설비 및방법
JP2008124203A (ja) 洗浄装置
US7216656B2 (en) Semiconductor substrate cleansing apparatus
JP2008118065A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2004517746A (ja) 圧力容器システムおよび液体化学組成物を分配する方法
WO2021172613A1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
US20140182628A1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP4909789B2 (ja) 基板処理装置
CN210325704U (zh) 一种用于基板干燥的流体供给装置和基板干燥设备
CN101924031A (zh) 用纳米级雾状化学剂处理基片的系统及方法
TWI394202B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
US20230321696A1 (en) Substrate processing system and substrate processing method
KR102074221B1 (ko) 나노 버블을 이용한 기판 세정 시스템
KR102548294B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 액 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right