KR20210099466A - 반도체 소자용 열처리 장치 - Google Patents

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KR20210099466A
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임종찬
이진석
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(주) 예스티
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Abstract

반도체 소자용 열처리 장치를 개시된다. 반도체 소자용 열처리 장치는 내부 공간이 형성된 챔버; 상기 내부 공간에 제공되며, 상기 내부 공간을 열처리가 수행 할 수 있는 처리 공간과, 열풍이 순환되는 열풍 순환 공간으로 구획하며, 상기 열풍이 상기 열풍 순환 공간으로부터 상기 처리 공간으로 유입되는 열풍 유입구들이 일 측벽에 형성된 격벽; 상기 처리 공간 내에 상하 방향으로 이격하여 위치하며, 상면에 반도체 소자들이 배치되는 복수 개의 렉; 상기 열풍 순환 유로에 위치하는 송풍기; 상기 열풍 순환 유로에 위치하는 히터;상기 격벽의 일 측벽에 제공되며, 상기 열풍 유입구들과 연결되는 가이드 유로가 상기 처리 공간 측으로 형성된 가이드 판을 포함하고, 상기 가이드 유로는 상기 열풍 유입구로부터 상기 열처리 공간으로 갈수록 점차 너비가 감소한다.

Description

반도체 소자용 열처리 장치{Apparatus for heating semiconductor chips}
본 발명은 반도체 소자용 열처리 장치에 관련된 것으로, 보다 상세하게는 열풍을 공급하여 반도체 소자를 열처리하기 위한 반도체 소자용 열처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 반도체 소자를 급속하게 가열하는 열처리 공정, 김광성 물질을 사용하여 박막 중 선택된 영역을 노출시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각 공정 등을 거치게 된다.
급속 열처리는 반도체 소자의 제조 과정에서 결정화, 불순물의 확산, 산화 처리 및 질화 처리 등에 적용되는 공정으로서, 200도 내지 1200도로 기판을 급속히 가열하고 냉각 과정을 거친다. 상기와 같은 기판의 열처리를 위한 열처리 장치는 고속열처리(Rapid Thermal Chemical Vap. Or Depisition) 등의 반도체 소자 열처리를 위한 장비이다. 반도체 소자의 열처리 공정을 수행하기 위한 장치는 반도체 소자를 수용할 수 있는 공정 챔버 열처리 내부 처리 공간에 배치시키고, 상기 반도체 소자에 압력과 함께 열을 가하도록 구성된다.
반도체 소자용 열처리 장치는 챔버 내에 히터를 설치하여 챔버 내부의 온도를 상승시킬 수 있다. 또한, 챔버 내에 열풍을 순환 시켜 챔버 내부의 온도를 상승시킬 수 있다. 이때, 반도체 소자를 각각으로 열을 충분히, 그리고 균일하게 공급할 수 있는 기술이 요구된다.
본 발명에 따른 반도체 소자용 열처리 장치는 반도체 소자들의 열처리를 균일하게 수행할 수 있는 반도체 소자용 열처리 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 소자 열처리 장치는 내부 공간이 형성된 챔버; 상기 내부 공간에 제공되며, 상기 내부 공간을 열처리가 수행 할 수 있는 처리 공간과, 열풍이 순환되는 열풍 순환 공간으로 구획하며, 격벽의 제 1측벽에 연결된 가이드 유로를 형성하는 가이드판; 열풍이 상기 열풍 순환 공간으로부터 상기 처리 공간으로 유입되는 열풍 유입구들이 일 측벽에 형성된 격벽; 상기 처리 공간 내에 상하 방향으로 이격하여 위치하며, 상면에 반도체 소자들이 배치되는 복수 개의 렉; 상기 열풍 순환 유로에 위치하는 송풍기; 상기 열풍 순환 유로에 위치하는 히터; 상기 격벽의 일 측벽에 제공되며, 상기 열풍 유입구들과 연결되는 가이드 유로가 상기 처리 공간 측으로 형성된 가이드 판을 포함하고, 상기 가이드 유로는 상기 열풍 유입구로부터 상기 열처리 공간으로 갈수록 점차 너비가 감소할 수 있다.
또한, 상기 열풍 순환 공간은 상기 처리 공간의 상부에 위치하는 제 1영역; 상기 처리 공간의 일 측에 위치하는 제 2영역; 및 상기 열처리 공간의 반대 측에 위치하는 제 3영역을 포함하고, 상기 송풍기와 상기 히터는 상기 제 1영역에 위치하고, 상기 열풍 유입구가 형성된 상기 격벽의 일측벽은 상기 제 2공간과 상기 처리 공간 사이에 위치할 수 있다.
또한, 상기 상부영역의 하부에 위치하며, 상기 제 1너비보다 작은 제 2너비를 갖는 하부영역을 포함하는 반도체 소자용 열처리 장치이다. 상기 제 2영역의 상부영역과 하부 영역의 높이 차이로 인한 압력으로 인하여 열풍의 유속이 증가한다. 유속이 증가한 열풍은 격벽의 일측벽에서 타측벽으로 충분하게 공급될 수 있다.
또한, 상기 제 2영역에서 상기 열풍 유입구당 배치되며, 일단이 상기 열풍 유입구의 하부에서 상기 격벽의 일측벽에 연결되며, 상기 제 2영역을 따라 흐르는 열풍이 상기 열풍 유입구로 유입되도록 유도하는 복수 개의 열풍 흐름 유입판 등을 더 포함하며, 상기 제 2영역의 상부 영역에 위치한 상기 열풍 흐름 유입판의 일단에서 끝단까지의 길이는 상기 제 2영역의 하부 영역에 위치한 상기 열풍 흐름 유입판의 길이보다 더 짧게 제공되는 반도체용 열처리 장치이다. 상기 제 2영역의 상부영역에서 하부영역으로 갈수록 열풍 충돌 면적이 증가된다. 열풍 흐름 유입판을 통해 유입되는 열풍의 유속이 증가할 수 있다. 유속이 증가한 열풍은 열풍흐름 유입판을 통해 열풍 유입구로 충분하게 공급될 수 있다.
본 발명에 의하면, 반도체 소자용 열처리 장치는 너비가 점차 감소하는 가이드 유로가 형성된 가이드 판의 제공으로, 열풍의 유속이 증가된다. 유속이 증가된 열풍은 충분한 유량으로 반도체 소자들에 공급되므로, 반도체 소자들에 대한 열처리 균일성이 향상될 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 반도체 소자용 열처리 장치는 제 2영역의 하부영역이 상부영역보다 작은 너비를 가지므로, 열풍의 유입으로 상부 영역과 하부영역의 압력이 균일하게 증가하며 가이드 유로를 열풍이 균일하게 유입될 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 반도체 소자용 열처리 장치는 상기 제 2 영역의 상부 영역에서 상기 제 2영역의 하부 영역으로 갈수록 길이가 점차 길어지는 열풍 흐름 유입판이 제공됨에 따라, 하부 영역에 위치하는 열풍 유입구로 유입되는 열풍의 유량이 증가될 수 있다. 열풍 흐름 유입판을 통해 유입된 열풍은 열처리하기 위한 내부 공간의 상부 공간과 하부 공간에 위치한 반도체 소자들에 대한 열처리 균일성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 의한 반도체 소자용 열처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 의한 반도체 소자용 열처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 의한 반도체 소자용 열처리 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자용 열처리 장치를 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 반도체 소자용 열처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 소자용 열처리 장치(100)는, 챔버(110), 격벽(120), 렉(130), 송풍기(140), 히터(150), 그리고 가이드 판(160)을 포함한다.
챔버(110)는 내부 공간을 가진다. 내부 공간은 반도체 소자(10)에 대한 열처리가 수행되는 공간을 제공한다.
격벽(120)은 챔버(110)의 내부 공간에 위치하고, 내부 공간을 처리 공간(111)과 열풍 순환 공간(112)으로 구획한다. 상기 격벽(120)은 제 1측벽(121), 제 2측벽(122), 그리고 상부벽(123)을 포함한다. 제 1측벽(121)은 상기 챔버(110)의 일 측벽과 소정 거리 이격하여 배치된다. 상기 제 2측벽(122)은 상기 제 1 측벽(121)과 마주 배치되며, 상기 챔버(110)의 타 측벽과 소정 거리 이격하여 배치된다. 상기 상부벽(123)은 상기 챔버(110)의 상부벽(123)으로부터 소정 거리 이격하여 아래에 위치하고, 상기 제 1측벽(121)의 상단과 상기 제 2측벽(122)의 상단을 연결한다. 상기 제 1측벽(121), 상기 제 2측벽(122), 그리고 상기 상부벽(123)에 의해 둘러싸이는 내측 공간은 상기 처리 공간(111)으로 제공되고, 격벽(120)의 외측 공간은 상기 열풍 순환 공간(112)으로 제공된다.
상기 제 1측벽(121)에는 열풍 유입구(121a)가 형성된다. 상기 열풍 유입구(121a)는 그 길이가 제 1측벽(121)의 폭 방향으로 제공되는 슬릿 형상의 홀로 제공될 수 있다. 상기 열풍 유입구(121a)는 복수 개로 형성되며, 상기 격벽(120)의 제 1측벽(121)에서 상하 방향으로 서로 나란하게 배치된다.
상기 제 2측벽(122)에는 열풍 유출구(122a)가 형성된다. 상기 열풍 유출구(122a)는 상기 열풍 유입구(121a)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 상기 열풍 유출구(122a)는 복수 개 형성되며, 상기 격벽(120)의 제 2측벽(122)에서 상하방향으로 서로 나란하게 배치된다. 상기 열풍 유입구(121a)들과 상기 열풍 유출구(118)들은 서로 대응되는 높이에서 마주 배치된다.
상기 열풍 순환 공간(112)은 제 1영역(113), 제 2영역(114) 그리고 제 3영역(115)을 포함한다. 상기 제 1영역(113), 상기 제 2영역(114), 상기 제 3영역(115)은 서로 연결되어 열풍흐름이 순환할 수 있다. 상기 제 1영역(113)은 상기 격벽(120)의 상부벽(123)과 상기 챔버(110)의 상부벽(123) 사이에 제공되고, 상기 제 3영역(115)은 상기 격벽(120)의 제 2측벽(122)과 챔버의 타 측벽 사이에 제공된다.
렉(130)은 상기 처리 공간(111) 내에 위치한다. 상기 렉(130)은 두께가 얇은 플레이트로 제공되며, 상면에 복수 개의 반도체 소자(10)들이 놓인다. 반도체 소자(10)들은 상기 렉(130)의 상면에서 동일한 간격으로 배치될 수 있다. 상기 렉(130)은 복수 개로 제공되며, 상기 처리 공간(111) 내에서 상하방향으로 서로 이격하여 나란하게 배치된다.
송풍기(140)와 히터(150)는 상기 열풍 순환 공간(112)에 제공된다. 상기 송풍기(140)와 히터(150)는 열풍 순환 공간(112) 내에서 열풍(20)의 흐름을 발생시킨다. 실시 예에 의하면, 상기 송풍기(140)와 히터(150)는 상기 열풍 순환 공간(112)의 제 1영역(113)에 위치한다. 상기 히터(150)는 상기 송풍기(140)에 비해 상기 제 2영역(114)에 인접 위치한다. 상기 송풍기(150)는 상기 제 1영역(113)에서 상기 제 2영역(114) 방향으로 기류 흐름을 생성한다. 상기 히터(140)는 상기 송풍기(150)에 의해 형성된 기류를 가열하여 열풍(20)을 생성한다. 생성된 열풍(20)은 상기 제 1영역(113)으로부터 상기 제 2영역(114)으로 유입된다.
가이드 판(160)은 상기 처리 공간(111) 내에 위치한다. 상기 가이드 판(160)은 상기 제 1측벽(121)에 연결된다. 상기 가이드 판(160)은 상기 제 1측벽(121)의 열풍 유입구(121a)에 인접하여 제공될 수 있다. 상기 가이드 판(160)에는 가이드 유로(163)를 형성한다. 상기 가이드 유로(163)는 상기 열풍 유입구(118)와 연통되며, 상기 열풍 유입구(118)로부터 그 끝단에 형성된 토출구로 갈수록 유로의 너비가 점차 좁아진다. 상기 가이드 유로(163)는 상기 렉(130)들의 사이 공간으로 열풍(20)을 공급한다.
상기 가이드 판(160)은 상부판(161)과 하부판(162)을 포함한다. 상기 상부판(161)은 상기 열풍 유입구(121a)의 상부에서 일 단이 상기 제1측벽(121)과 연결되며, 그 끝단으로 갈수록 높이가 점차 낮아진다. 상기 하부판(162)은 상기 열풍 유입구(121a)의 하부에서 일 단이 상기 제 1측벽(121)과 연결되고, 그 끝단으로 갈수록 높이가 점차 높아진다. 상기 상부판(161)과 상기 하부판(162)의 사이 공간은 상기 가이드 유로(163)로 제공된다.
상술한 구조를 갖는 상기 가이드 판(160)은 열풍 유입구(121a) 마다 제공된다. 상기 제2 영역(114)으로부터 상기 열풍 유입구(121a)로 유입된 열풍(20)은 상기 가이드 유로(163)를 통과하며 유속이 빨라진다. 이로 인해 상기 가이드 유로(163)를 통과한 열풍(20)은 충분한 유속으로 상기 렉(130)들의 사이 공간을 이동하여 상기 열풍 유출구(122a)로 유입될 수 있다.
상술한 반도체 소자용 열처리 장치를 이용하여 반도체 소자(10)를 열처리하는 과정에 대해 상세히 설명한다. 상기 송풍기(140)와 히터(150)를 구동하여 열풍(20)이 생성된다. 열풍(20)은 상기 제 1영역(113)에서 제 2영역(114)으로 유입된다. 유입된 열풍(20)은 상기 제 2영역(114)의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 하강 흐름을 형성하며, 상기 제 2영역(114) 내에 충전된다. 열풍(20)은 상기 제 2영역(114) 내에서 소정 압력으로 충전된 후 상기 열풍 유입구(121a)들 각각으로 유입된다. 상기 열풍 유입구(117)로 유입된 열풍(20)은 상기 가이드 유로(163)를 통과하여 유속이 빨라진다. 유속 증가로 열풍(20)은 상기 렉(130)과 렉(130)의 사이공간을 거쳐 상기 열풍 유출구(122a)로 유입된다. 열풍(20)은 상기 렉(130)들의 사이 공간을 이동하는 과정에서 반도체 소자(10)를 열처리한다. 상기 렉(130)과 렉(130)의 사이공간을 통과한 열풍(20)은 상기 제 2 측벽(122)의 열풍 유출구(122a)를 통해서 상기 제 3영역(115)으로 배출된다. 상기 제 3영역(115)에 유입된 열풍(20)은 상기 제 1영역(113)과 상기 제 2영역(114)으로 계속 순환한다.
도 3을 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자 열처리 장치를 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하면, 도 1 및 도 2에서 설명한 실시 예와 달리, 반도체 소자 열처리 장치에 유로 변경 구조체(170)를 더 포함한다. 상기 유로 변경 구조체(170)는 상기 열풍 순환 공간(112)의 제 2영역(114)에 위치한다. 상기 유로 변경 구조체(170)에 의해, 상기 제 2영역(114)의 상부영역은 제 1 너비를 가지고, 하부영역은 제 1 너비보다 작은 제 2너비를 가진다. 일 실시 예에 의하면, 상기 제 2영역(114)은 상부영역으로부터 하부영역으로 갈수록 너비가 점차 감소할 수 있다. 다른 실시 예에 의하면, 상기 제 2영역(114)은 상기 상부영역으로부터 하부영역으로 갈수록 너비가 단계적으로 감소할 수 있다.
열풍(20)은 상기 제 2영역(114)의 하부 상부 영역에서 하부 영역으로 흐르며, 상기 제 2영역(114)내에서 소정 압력으로 충전된 후, 상기 열풍 유입구(121a)들 각각으로 유입된다. 도 1과 같이 상기 제 2영역(114)의 상부 영역과 하부 영역의 너비가 동일하게 제공되는 경우, 상기 송풍기(140)와 히터(150)가 상기 제 1영역(113)에 위치함에 따라 상기 제 2영역(114)의 하부 영역이 상부 영역보다 압력 증가 속도가 느리다. 이로 인해 하부 영역에 위치한 상기 열풍 유입구(121a)로 유입되는 열풍(20)의 유량에 비해 상부 영역에 위치한 상기 열풍 유입구(121a)로 유입되는 열풍(20)의 유량이 많을 수 있다. 이는 처리 공간 내에서 상부 공간에 위치하는 반도체 소자(10)들과 하부 공간에 위치한 반도체 소자(10)들의 열처리에 있어 균일성을 저해한다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 본 실시 예에서는 상기 제 2영역(114)의 하부영역을 상부 영역에 비해 너비를 좁게 제공한다. 이로 인해, 상기 제 2영역(114)의 하부 영역은 적은 유량의 열풍(20)이 유입되더라도 압력이 빠른 속도로 증가할 수 있어 하부 영역에 위치한 상기 열풍 유입구(121a)로 유입되는 열풍(20)의 유량 및 유속이 증가될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자용 열처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 반도체 소자용 열처리 장치는 열풍 흐름 유입판(180)을 더 포함한다. 상기 열풍 흐름 유입판(180)은 상기 제 2영역(114)에 위치하며, 일단이 상기 열풍 유입구(117)의 하부에서 상기 제 1측벽(121)과 연결된다. 상기 열풍 흐름 유입판(180)은 일단으로부터 타단으로 갈수록 높이가 점차 높아지도록 상향지게 배치된다. 상기 열풍 흐름 유입판(180)은 복수 개로 제공되며, 각각 상기 열풍 유입구(121a)들 마다 인접하여 제공된다.
상기 제 2영역(114)의 상부 영역에 제공되는 열풍 흐름 유입판(180)들은 일단으로부터 타단까지의 길이가, 상기 제 2영역(114)의 하부 영역에 제공되는 열풍 흐름 유입판(180)들보다 짧게 제공된다. 상기 제 2영역(114)의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 갈수록 상기 열풍 흐름 유입판(180)들의 길이는 점차 길어진다.
상기 제 2영역(114)의 상부영역에서 상기 제 2영역(114) 하부영역으로 향하는 열풍(20)의 기류방향이 변경되어 상기 열풍 유입구(121a)로 유입된다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 제 2영역(114)의 상부영역에는 하부 영역에 비해 열풍(20)의 공급 유량이 많다. 상기 제 2영역(114)의 하부영역에 위치한 상기 열풍 흐름 유입판(180)들은 상부 영역에 위치한 상기 열풍 흐름 유입판(180)들에 비해 열풍(20)과의 충돌 면적이 상대적으로 넓다. 때문에, 상기 제 2영역(114)의 하부영역에 열풍(20)이 상대적으로 적은 유량으로 공급되더라도 넓은 면적의 상기 열풍 흐름 유입판(180)들에 의해 상기 열풍 유입구(121a)로 유입되는 열풍(20)의 유량이 증가될 수 있다. 이는 처리 공간 내에서 상부 공간에 위치한 반도체 소자(10)들과 하부 공간에 위치하는 반도체 소자(10)들의 공정 균일성을 향상시킬 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
10: 반도체 소자
20: 열풍
100: 반도체 소자용 열처리 장치
110: 챔버
111: 처리공간
112: 열풍순환공간, 113: 제 1영역, 114: 제 2영역, 115: 제 3영역
120: 격벽, 121: 제 1측벽, 122: 제 2측벽, 123: 상부벽
121a: 열풍 유입구, 122a: 열풍 출입구
130: 렉
140: 송풍기
150: 히터
160: 가이드 판, 161: 상부판, 162: 하부판, 163: 가이드 유로
170: 유로 변경 구조체
180: 열풍 흐름 유입판

Claims (7)

  1. 내부 공간이 형성된 챔버;
    상기 내부 공간에 제공되며, 상기 내부 공간을 열처리가 수행 할 수 있는 처리 공간과, 열풍이 순환되는 열풍 순환 공간으로 구획하며, 상기 열풍이 상기 열풍 순환 공간으로부터 상기 처리 공간으로 유입되는 열풍 유입구들이 일 측벽에 형성된 격벽;
    상기 처리 공간 내에 상하 방향으로 이격하여 위치하며, 상면에 반도체 소자들이 배치되는 복수 개의 렉;
    상기 열풍 순환 유로에 위치하는 송풍기;
    상기 열풍 순환 유로에 위치하는 히터;
    상기 격벽의 일 측벽에 제공되며, 상기 열풍 유입구들과 연결되는 가이드 유로가 상기 처리 공간 측으로 형성된 가이드 판을 포함하고,
    상기 가이드 유로는 상기 열풍 유입구로부터 상기 열처리 공간으로 갈수록 점차 너비가 감소하는 반도체 소자용 열처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 열풍 순환 공간은
    상기 처리 공간의 상부에 위치하는 제1영역;
    상기 처리 공간의 일 측에 위치하는 제2영역; 및
    상기 열처리 공간의 반대 측에 위치하는 제3영역을 포함하고,
    상기 송풍기와 상기 히터는 상기 제1영역에 위치하고,
    상기 열풍 유입구가 형성된 상기 격벽의 일측벽은 상기 제2공간과 상기 처리 공간 사이에 위치하는 반도체 소자용 열처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가이드 유로는 상기 랙들의 사이 공간과 동일 선상에 위치하며,
    상기 가이드 유로는 상기 랙들의 사이 공간으로 상기 열풍을 공급하는 공간을 포함하는 반도체 소자용 열처리 장치;
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수개의 열풍 유입구는 상기 격벽의 일측벽에서 상하방향으로 서로 이격하여 배치되며,
    상기 가이드 판은 상기 열풍 유입구마다 제공되는 상단 가이드 판은 일단이 상기 격벽의 일측벽에 연결되고, 끝단으로 갈수록 낮아지는 상부 판; 및
    상기 가이드 유로를 사이에 두고 상기 상부 판의 하부에 위치하고, 일단이 상기 격벽의 일 측벽에 연결되고, 그 끝단으로 갈수록 높이가 점차 높아지는 하부 판을 포함하는 반도체 소자용 열처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2영역은
    제1너비를 갖는 상부 영역; 및
    상기 상부 영역의 하부에 위치하며, 상기 제1너비보다 작은 제2너비를 갖는 하부 영역을 포함하는 반도체 소자용 열처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2영역에서 상기 열풍 유입구당 배치되며, 일단이 상기 열풍 유입구의 하부에서 상기 격벽의 일측벽에 연결되며, 상기 제 2 영역을 따라 흐르는 열풍이 상기 열풍 유입구로 유입되도록 유도하는 복수 개의 열풍 흐름 유입판 등을 더 포함하며,
    상기 제 2 영역의 상부 영역에 위치한 상기 열풍 흐름 유입판의 일단에서 끝단까지의 길이는
    상기 제 2 영역의 하부 영역에 위치한 상기 열풍 흐름 유입판의 길이보다 더 짧게 제공되는 반도체용 열처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 열풍 흐름 유입판들의 일단에서 끝단까지의 길이는 상기 제 2 영역의 상부 영역에서 하부 영역으로 갈수록 점차 길어지는 반도체 소자용 열처리 장치.
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