KR20210097552A - 광전류 특성이 가변되는 광전소자, 그 제어방법 및 제조방법 - Google Patents
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Abstract
광전소자로서, 기판; 상기 기판 상에 적층된 채널층; 상기 채널층 상에 이격되어 적층된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레이 전극 사이에서 상기 채널층 상에 적층된 광전활성층을 포함하며, 상기 광전활성층은 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)를, 상기 채널층은 그래핀을 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전류 특성이 가변되는 광전소자가 제공된다.
Description
본 발명은 광전류 특성이 가변되는 광전소자, 그 제어방법 및 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 빛 에너지에 의하여광전소자의 전류 특성을 동일 소자에서 가역적으로 가변시킬 수 있는 광전류 특성이 가변되는 광전소자, 그 제어방법 및 제조방법에 관한 것이다.
음의 광전류(negative photoconductivity, NPC)는 매우 드물게 일어나는 현상으로, 일반적으로 빛에 의해 생성된 반도체 내부의 전자-정공 쌍들은 채널의 캐리어 농도를 증가시켜 전도도가 증가하기 때문이다.
NPC 현상은 계면이나 내부 결함에서 광캐리어의 갇힘 현상(trapping)에 의해서 야기되며, 일반적으로 트랩(trap)에 의해 크게 영향을 받는 그래핀, 나노와이어, 이차원 소재 등에서 자주 발생된다.
음의 광전류(NPC)와 양의 광전류 (positive photoconductivity, PPC) 사이의 전환은 광전소자의 기능을 확장시키고 광통신분야에도 적용될 수 있을 것으로 기대된다.
한 개의 소자 내에서 NPC와 PPC를 모두 나타낼 수 있는 연구들은 몇몇 발표되었지만, 점진적임과 동시에 가역적인 NPC와 PPC가 전환되는 연구는 발표된 바가 없었다. 예들 들어 Negative and positive persistent photoconductance in graphene(Nanoletter, 2011.10.05)에서는 그래핀을 이용해 수 시간동안 지속되는 광전도 현상을 발견한 논문이 개재되었으나, 이 경우 히나의 소자 내에서 2개의 현상을 보고한 것일 뿐, 이를 가역적으로 변환시키는 기술은 개시하지 못하는 상황이다.
한편, 전이 금속칼코제나이드 (TMD) 계열의 이차원 소재 중 하나인 이텔루륨화 몰리브덴(MoTe2)는 상전이나 초전도 현상과 같은 특수한 물질적 특성으로 인해 많이 연구되어왔다. 또한, 다른 TMD 물질에 비해 상대적으로 작은 밴드갭의 크기 (0.9~1.1 eV)는 근적외선 광전소자로서의 뛰어난 후보군으로서 고려되어왔다
이러한 흥미로운 특성들 중 캐리어 극성 조절(carrier polarity control)이 각광받았는데 그 이유는 한 개의 이차원 소재로부터 n-type과 p-type을 모두 만들어 통합시킬 수 있기 때문이다. 게이트 전압 조절, 표면개질, 전극의 일함수 조절 등의 방법으로 이차원 소재의 캐리어 극성을 조절해왔지만 빛을 이용하여 캐리어의 극성을 조절하는 연구는 거의 진행된 바가 없다.
그 이유는 빛을 조사함으로 인해 오프-전류(off-current)가 매우 커지기 때문에 트랜지스터의 특성을 나타내는 전달곡선(transfer curve)으로부터 n-형(n-type)인지 p-형(p-type)인지 구분하기가 매우 어려워지기 때문이다.
따라서, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 광전류 특성을 가변시킬 수 있는 새로운 형태의 광전소자를 제공하는 것이다.
이에, 본 발명은 광전소자로서,
기판;
상기 기판 상에 적층된 채널층;
상기 채널층 상에 이격되어 적층된 소스 및 드레인 전극;
상기 소스 및 드레이 전극 사이에서 상기 채널층 상에 적층된 광전활성층을 포함하며,
상기 광전활성층은 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)을, 상기 채널층은 그래핀을 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전류 특성이 가변되는 광전소자를 제공한다.
본 발명의 일구현예로, 상기 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)층은 조사되는 빛에 의하여 캐리어를 형성하고, 상기 그래핀 층은 상기 생성된 캐리어를 전달하기 위한 채널로 작동하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 구현예로, 상기 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)층은 상기 조사되는 빛의 에너지에 따라 생성되는 캐리어 종류가 달라지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또다른 구현예로, 상기 조사되는 빛의 에너지가 증가함에 따라 상기 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)층으로부터 상기 그래핀층으로 부터 이동하는 캐리어는 전자에서 정공으로 바뀌며, 이에 따라 상기 광전소자는 음의 광전류(NPC)에서 양의 광전류(PPC) 특성으로 바뀌는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 상기 광전소자의 제어방법으로,
상기 광전소자의 양 또는 음의 광전류 특성을 결정하는 단계;
상기 결정한 광전류 특성에 따라 상기 광전소자로 조사되는 빛의 에너지가 결정되는 단계; 및
상기 결정된 빛의 에너지를 상기 광전소자에 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 제어방법을 제공한다.
본 발명의 일구현예로, 상기 광전소자에 조사되는 빛의 에너지가 커짐에 따라 상기 광전소자는 음의 광전류(NPC)에서 양의 광전류(PPC) 특성으로 광전류 특성이 바뀌는 것을 특징으로 한다.
아울러 본 발명은 광전류 특성이 가변되는 광전소자 제조방법으로,
기판 상에 채널층을 적층하는 단계;
상기 채널층 상에 이격된 소스; 및 드레인 전극을 적층하는 단계;
상기 소스 및 드레인 전극 사이의 채널층 상에서 광전활성층을 적층하는 단계를 포함하며,
상기 광전활성층 및 채널층 각각은 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)층 및 그래핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일구현예로, 상기 광전활성층을 적층하는 단계는 전사 방식으로 진행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 조사되는 빛 에너지에 의하여광전소자의 전류 특성을 동일 소자에서 가역적으로 가변시킬 수 있는 장점이 있다. 특히 비파괴적인 방식으로 양과 음 전류 특성이 가변될 수 있으므로, 광전자분야 뿐만 아니라 광통신 분야에서 광전소자의 활용도는 매우 높다.
도 1a 내지 1c는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른, 광전류 특성이 가변될 수 있는 광전소자의 단면도, 입체도, 평면사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자 제조방법의 단계도이고, 도 3은 광전활성층의 적층방법을 설명하는 도면이다.
도 4는 975 nm 레이저를 이용한 광전류 맵핑 이미지이고, 도 5는 각각 접촉 전 후의 그래핀과 MoTe2 사이의 숏키 정션의 모식도이다(좌측, 우측).
도 7은 시간에 따른 상이한 레이저 파워에서의 광전류 특성을 분석한 결과이다.
도 8은 광전류 결과를 레이저 파워를 증가하는 순서(increasing order) 및 감소하는 순서(decreasing)로 함수화한 그래프이다.
도 9는 레이저가 조사됨에 따른 밴드 다이어그램이다.
도 10은 NPC-PPC간 전이현상을 설명하는 전류 특성 및 각 상태에셔의 밴드 다이어그램이다.
도 11은 두 온도(상온(300K)와 저온(117K))에서 TAPG 효과를 설명하는 도면이다.
도 12는 20 A/W의 광반응도를 달성한 소자의 밴드 다이어그램 모식도 (그림 (a)) 및 시간, 레이저 파워에 따른 광전류 실험 결과이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자 제조방법의 단계도이고, 도 3은 광전활성층의 적층방법을 설명하는 도면이다.
도 4는 975 nm 레이저를 이용한 광전류 맵핑 이미지이고, 도 5는 각각 접촉 전 후의 그래핀과 MoTe2 사이의 숏키 정션의 모식도이다(좌측, 우측).
도 7은 시간에 따른 상이한 레이저 파워에서의 광전류 특성을 분석한 결과이다.
도 8은 광전류 결과를 레이저 파워를 증가하는 순서(increasing order) 및 감소하는 순서(decreasing)로 함수화한 그래프이다.
도 9는 레이저가 조사됨에 따른 밴드 다이어그램이다.
도 10은 NPC-PPC간 전이현상을 설명하는 전류 특성 및 각 상태에셔의 밴드 다이어그램이다.
도 11은 두 온도(상온(300K)와 저온(117K))에서 TAPG 효과를 설명하는 도면이다.
도 12는 20 A/W의 광반응도를 달성한 소자의 밴드 다이어그램 모식도 (그림 (a)) 및 시간, 레이저 파워에 따른 광전류 실험 결과이다.
이하, 본 발명에 따른 관성을 기반으로 한 세포 내 전달 미세 유체 플랫폼의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들에 의거하여 상세히 설명한다. 참고로, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어와 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석해야만 한다. 또한, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여, 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)의 페르미 레벨을 이용, 내부트랩에 의한 광전효과 (photogating effect)을 유도한다.
본 발명에 따른 광전소자는 그래핀을 채널층으로 갖는 트랜지스터 위에 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)가 광전활성층으로 올라간 형태로 구성된다. 본 발명에서 광전활성층은 조사되는 광과 반응하여, 전자 또는 홀과 같은 캐리어를 생성시키는 층을 지칭한다. 즉, 본 발명에서 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)를 포함하는 광전활성층은 그래핀 트랜지스터의 소스/드레인 영역 영역과 닿지 않게 위치하며, 빛을 조사함에 따라 그래핀으로 광캐리어들을 주입시키는 역할을 한다.
도 1a 내지 1c는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른, 광전류 특성이 가변될 수 있는 광전소자의 단면도, 입체도, 평면사진이다.
도 1a 내지 1c를 참조하면, 본 발명에 따른 광전소자는, 기판(100); 상기 기판(100) 상에 적층된 채널층(110); 상기 채널층 상에 이격되어 적층된 소스(120) 및 드레인 전극(130); 상기 소스(120) 및 드레인 전극(130) 사이에서 상기 채널층 상에 적층된 광전활성층(140)을 포함하며, 상기 광전활성층(140)은 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)을, 상기 채널층은 그래핀을 포함한다.
본 발명에 따른 광전활성층의 MoTe2 페르미 레벨은, 광에 의해 생성된 정공들이 MoTe2 내부에 갇힘(trapping)에 따라 위쪽 방향으로 움직일 수 있는데, 이러한 페르미 레벨의 움직임으로 인하여 그래핀과 MoTe2 계면의 접합특성이 변화될 수 있다. 또한 페르미 레벨의 변화는 광전소자의 광전류 특성을 NPC에서 PPC 또는 PPC에서 NPC로 전이시킬 수 있다. 본 발명의 광전소자에서의 NPC-PPC간 전이는 다음에 보다 상세히 설명된다.
본 발명에 따른 상술한 광전소자는 광검출기로서 사용될 수 있는데, 그 성능 또한 후술하는 실험예를 통하여 평가되었으며 그 결과 -20V의 게이트전압에서 최대 20 A/W의 광반응도를 보였다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자 제조방법의 단계도이고, 도 3은 광전활성층의 적층방법을 설명하는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자의 제조방법은,기판 상에 채널층을 적층하는 단계; 상기 채널층 상에 이격된 소스; 및 드레인 전극을 적층하는 단계; 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 채널층 상에서 광전활성층을 적층하는 단계를 포함하며, 상기 광전활성층 및 채널층 각각은 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)층 및 그래핀을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)층의 적층방법은 픽업(pick-up) 전사 방식을 이용하는데, 이는 도 3에 도시된다.
도 3을 참조하면, 희생기판 상에 MoTe2를 박리한 후, 이를 PPMS를 이용, 또 다른 타겟 기판(그래핀 채널층이 형성된 기판)에 전사시키는데 이는 후술하는 실시예를 통하여 보다 상세히 설명한다.
실시예
광전소자의 제조
먼저 단일층 그래핀(CVD로 성장)이 SiO2/Si 기판에 건식 방식으로 전사되었다. MoTe2는 다른 기판에 기계적 박리를 통해 준비되었고 준비된 MoTe2 플레이크들은 픽업(pick-up) 전사공정을 통해 그래핀 위로 전사되었다(도 3 참조).
본 발명에서의 픽업(Pick-up) 전사공정은 MoTe2 플레이크 위에 폴리프로필렌카보테이트(polypropylene carbonate, PPC)로 스핀 코팅하여 지지층(supporting layer)을 형성한 후에 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS) 도장을 이용하여 원하는 플레이크를 때어내는 방법이다. SiO2와 MoTe2 플레이크간의 원활한 분리를 위해 기판은 1:50 HF 용액에 담궈진다. 이 과정 중에 HF 용액은 아래쪽 SiO2 층을 녹여 기판으로부터 플레이크가 잘 떨어지도록하는 역할을 한다. PDMS 도장에 붙어 떨어진 플레이크는 DI 수에 린싱 과정을 거친후에 원하는 기판 (본 발명에서는 그래핀이 전사된 SiO2/Si 웨이퍼)으로 전사되며, PDMS 도장을 때어낸 후에 PPC 지지층을 아세톤으로 녹여냄으로써 그래핀 위에 MoTe2 플레이크가 안정적으로 전사되어진다.
이 후에 소스/드레인 전극을 위한 금속 증착이 이루어지고 그래핀을 포함하는 채널 영역 패터닝을 위한 포토리쏘그래피가 이루어진다. 마지막으로 전체 소자는 안정적인 동작을 위해 30 nm Al2O3로 패시베이션 과정과 150℃ 진공 annealing과정을 거친다.
실험예
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광전소자의 I-V 그래프이다.
도 4를 참조하면, 도 2의 그래프는 그래핀의 일반적인 전달(transfer) 특성을 따르는 것으로 판단되며, 이는 그래핀 위에 적층된 광전 활성층인 MoTe2 플레이크(flake)가 그래핀의 전도특성에 영향을 주지 않는 것을 시사한다. 이러한 결과는 그래핀의 전도도가 반도체인 MoTe2보다 훨씬 높기 때문이며, 그래핀의 Dirac point는 약간 양의 방향으로 이동되어 있는 것을 볼 수 있는데 이것은 그래핀이 공정과정 중에 원치않는 p-형 도핑(p-type doping)이 진행되었음을 알 수 있다.
도 5는 975 nm 레이저를 이용한 광전류 맵핑 이미지이고, 도 6은 각각 접촉 전 후의 그래핀과 MoTe2 사이의 숏키 정션의 모식도이다(좌측, 우측).
도 5를 참조하면, 레이저가 조사됨에 따른 광전류는 대부분 광전소자의 광전활성층인 MoTe2에서 발생하는 것을 알 수 있으며, 맵핑 이미지는 음의 광전류 값을 나타내고 있는데, 이러한 흔치 않은 음의 광전류 현상은 도 6의 그래핀/MoTe2의 쇼트키 접합의 에너지 밴드 다이어그램으로 설명될 수 있다.
도 6을 참조하면, 접합 후 형성되는 그래핀/MoTe2의 쇼트키 장벽으로 인해 빛에 의해 생성된 광캐리어들중 전자만 그래핀 채널로 넘어갈 수 있고 정공들은 MoTe2 내부에 갇히게 된다.
본 발명에서 흥미로운 점 중 하나는 빛 에너지가 증가함에 따라 광전소자의 광전류 특성이 가변된다는 점이다. 즉, 레이저의 츨력조건(빛 에너지)이 일정 수치(본 발명의 일 실시예에서는 500 nW) 이하의 낮은 레이저 출력 조건에서 NPC 크기가 빛 에너지(레이저 파워)에 따라 비례하여 증가한다. 하지만 레이저 파워가 50uW일때는 NPC의 크기가 감소하는 경향을 보이는데, 이는 일반적으로 알려진 레이저 파워와 광전류 사이의 선형적으로 증가하는 경향과 반대되는 결과이다. 500uW 이상의 레이저 파워에서는 광전류가 PPC로 변한다. 이러한 결과는 전자주입으로 일어나는 NPC의 매커니즘이 정공주입으로 변화되었음을 의미한다.
이를 보다 상세히 설명하면, 초기 p-도핑된 그래핀이 정공주입으로 인한 p-도핑과정을 겪으면서 그래핀의 전도도가 증가한다.
도 7은 시간에 따른 상이한 레이저 파워에서의 광전류 특성을 분석한 결과이다.
도 7을 참조하면, 광전류의 부호는 음의 값으로부터 출발하나, 보다 높은 파워에서는 다시 양의 값으로 바뀌며, 다시 낮은 파워에서는 원래의 음의 값으로 돌아가게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 광전소자는 조사되는 빛 에너지를 조절함으로써 광전소자의 광전류 특성(양 또는 음)을 자유로이 가변시킬 수 있음을 나타낸다.
도 8은 광전류 결과를 레이저 파워를 증가하는 순서(increasing order) 및 감소하는 순서(decreasing)로 함수화한 그래프이다.
도 8을 참조하면, 파워를 증가시키거나 감소시키는 경우의 전류 값이 일치한다는 것은 본 발명에 따른 광전특성의 변화 특성은 가역적이다는 것을 의미하며, 이것은 예측가능한 광전소자의 제어가 가능하다는 것을 시사한다.
본 발명에 따른 이러한 NPC와 PPC 사이의 가역적인 전환은, 페르미 레벨을 변화시킬 수 있는 갇힘-기인 광흡수(trap-assisted photoabsorption) 현상의 결과라고 판단된다.
도 9는 레이저가 조사됨에 따른 밴드 다이어그램이다.
도 9를 참조하면, 높은 세기의 레이저에서 빛에 의해 생성된 정공들은 원자가 전자 띠끝(valence band edge) 근처의 국소 상태(localized state)에 갇힐 수 있다.
이러한 갇힌 정공들은 국소 게이트(local gate)로의 역할을 수행하며 채널에 더 많은 전자를 야기시켜 페르미 레벨을 위쪽방향으로 이동시킬 수 있다. 편의를 위해서 본 발명에서는 페르미 레벨이 위쪽으로 이동하는 현상을 TAPG 효과라고 정의하였다.
특히 본 발명에서 사용된 것과 같이 매우 얇은 이차원 물질에서는 구조적 또는 계면의 결함들이 제거될 수 없으며, 캐리어 밀도가 캐리어의 갇힌 정도에 의해 크게 좌우되기 때문에 더 쉽게 페르미 레벨의 변화를 야기시킬 수 있다.
본 발명에 따른 이러한 TAPG 효과는 레이저 파워가 강해짐에 따라 더욱 증대되는데, 그 이유는 더 많은 광캐리어들이 더 많은 갇힌 홀(trapped hole)들을 만들어내기 때문이다. 즉, 이러한 TAPG 효과는 또한 광학 수단의 조절을 통한 n-도핑 ㅎ효과와 유사한 효과이다.
레이저 파워가 증가하여 TAPG효과가 진행됨에 따라 MoTe2의 페르미 레벨은 그래핀의 페르미 레벨을 따라잡는다. 즉, 초기 상태에서 그래핀의 페르미 레벨 보다 큰 MoTe2의 페르미레벨은 레이저 파워가 증가함에 따라 작아지게 된다. 그 결과로, 쇼트키 접합의 밴드의 굳힘(band bending)방향이 아래방향에서 위쪽 방향으로 바뀌게 되는데, 이때에는 MoTe2에서 그래핀으로 넘어가는 캐리어가 전자에서 정공으로 바뀌며, 이에 따라 상기 광전활성층으로부터 채널층으로의 전자주입은 정공주입으로 바뀌며, 그에 따라 NPC에서 PPC로의 전환이 일어난다.
도 10은 NPC-PPC간 전이현상을 설명하는 전류 특성 및 각 상태에셔의 밴드 다이어그램이다. 본 실험 결과를 얻기 위하여 레이저 파워가 총 14개가 사용되었고 게이트 전압도 0V, 5V로 스플릿하였다.
도 10을 참조하면, 게이트 전압에 따라, NPC에서 PPC(좌측 패널)로, PPC에서 NPC(우측 패널)로 변화되는 것을 알 수 있다(afg: 좌측, chi: 우측)
즉. 낮은 레이저 파워에서는 레이저 파워가 증가함에 따라 광전류의 절대수치가 증가하는 경향을 보여준다. 이는 일반적으로 알려진 경향이며 낮은 레이저 파워에서 TAPG효과가 없다는 것을 나타낸다. 하지만 중간 세기의 레이저 파워에서는 레이저 파워가 증가함에 따라 광전류가 낮아지는 것을 보여준다. 이것에 대한 이유는 위에서 언급된 TAPG 효과가 의한 것이다. 특별하게, 300uW의 레이저파워에서는 거의 0에 가까운 광전류의 수치가 나타났는데 이는 그래핀과 MoTe2 사이의 접합이 flat band bading이 되었음을 나타낸다. 이때, 빛에 의해 생성된 전자와 정공 모두가 그래핀으로 주입될 수 있으며 재결합을 통해 0의 광전류를 만들어낸다. 높은 파워영역에서는 쇼트키 접합의 밴드의 굳힘(band bending)이 반대로 이루어지며 정공주입이 시작된다. 이 경우, 주입된 정공들이 그래핀의 정공 전도도를 증가시키기 때문에 레이저 파워에 따라 광전류도 증가하게 된다.
도 10의 (d)와 (e)를 비교하면, 두 그림은 x축에 대칭적인 모습을 보여준다. 이러한 대칭적 경향은 정전기적 게이팅(electrostatic gating)에 의한 그래핀의 초기 페르미레벨의 상태로부터 설명될 수 있다. 0V에서는 그래핀의 페르미 레벨이 공정과정 중의 p-doping으로인해 Dirac point보다 약간 아래쪽에 위치해 있다. 하지만, 5V를 인가함에 따라 그래핀의 페르미 레벨은 Dirac point를 넘어 위쪽으로 이동된 결과를 보여준다. 이러한 사실은 도 10의 (b)로부터 알아 낼 수 있다.
낮은 레이저 파워 영역에서 전자주입이 시작됨에 따라 이러한 반대의 전도타입은 0V에서 NPC를, 5V에서는 PPC를 야기한다. 도 10의 (d)에서와 같이 레이저 파워가 증가함에 따라 TAPG 효과도 같이 진행되고, 결과적으로 도 10의 (h),(i))에서 보여지는 것처럼 플랫 밴드(flat band)와 역 밴드 굳힘(revered band banding)상태를 보여준다.
반대로 음의 게이트 전압이 0V에서 -5, -10V로 증가함에 따라 PPC는 더 낮은 레이저 파워에서 생기게된며, 게이트전압이 -20V일 경우 광전류는 가장 낮은 레이저파워에서조차 음의 값을 가지지 않는다. 이러한 결과는 게이트 전압에 의해 조절된 그래핀의 페르미 레벨이 MoTe2의 페르미 레벨보다 커짐을 의미한다.
본 발명에서 따른 광전소자는 광통신 분야에서 활용될 수 있는데, 상술한 본 발명의 광전소자의 양 또는 음의 광전류 특성 또는 그 크기를 결정하고, 이에 따라 상기 결정한 광전류 특성 또는 그 크기에 따라 상기 광전소자로 조사되는 빛의 에너지(즉, 레이저 파워)가 결정된 후, 결정된 에너지가 빛을 조사한다. 이로써 광에 의한 전류값을 센싱하여 통신이 이루어질 수 있다. 본 발명은 또한 20V 게이트 전압에서 높은 성능의 근적외선 광검출기로서 작동하였다. 광반응도는 50 nW에서 약 20A/W를 달성하였다.
도 11은 두 온도(상온(300K)와 저온(117K))에서 TAPG 효과를 설명하는 도면이다.
도 11을 참조하면, 저온에서는 x로 표시된 부분와 같이 몇몇 정공 갇힘 위치가 기능을 하지 않게 되며, 이로써 전자주입에 의한 페르미 레벨의 상승 효과를 감소시키는 것을 알 수 있다. 이것은 온도에 따른 동결 효과(freezing effect)에 기인한 것으로 추정된다.
도 12는 20 A/W의 광반응도를 달성한 소자의 밴드 다이어그램 모식도 (그림 (a)) 및 시간, 레이저 파워에 따른 광전류 실험 결과이다.
도 12를 참조하면, 네거티브인 게이트전압(gate bias)는 NPC에서 PPC로 전환하는 데 필요한 레이저 출력을 감소시킨다. 즉, 게이트 바이어스가 -20V가 되면 정전기적으로 변조된 그래핀의 페르미 레벨은 초기 페르미 레벨의 MoTe2보다 높아지며, 이 경우 쇼트 키 접합의 밴드굽힘이 역전되며, 홀 주입이 증가한다(도 12의 (a))
도 12의 (b)는 레이저 온-오프 변조에 대한 드레인 전류의 결과값인데, 초기 상태는 정공 주입이므로, 광전류는 NPC에서 PPC 로의 전이를 나타내지 않으며, 레이저 전력이 증가함에 따라 전류가 증가하는 것을 알 수 있다.
Claims (8)
- 광전소자로서,
기판;
상기 기판 상에 적층된 채널층;
상기 채널층 상에 이격되어 적층된 소스 및 드레인 전극;
상기 소스 및 드레이 전극 사이에서 상기 채널층 상에 적층된 광전활성층을 포함하며,
상기 광전활성층은 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)를, 상기 채널층은 그래핀을 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전류 특성이 가변되는 광전소자. - 제 1항에 있어서,
상기 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)층은 조사되는 빛에 의하여 캐리어를 형성하고, 상기 그래핀 층은 상기 생성된 캐리어을 전달하기 위한 채널로 작동하는 것을 특징으로 하는, 광전류 특성이 가변되는 광전소자. - 제 2항에 있어서,
상기 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)층은 상기 조사되는 빛의 에너지에 따라 생성되는 캐리어 종류가 달라지는 것을 특징으로 하는, 광전류 특성이 가변되는 광전소자. - 제 3항에 있어서,
상기 조사되는 빛의 에너지가 증가함에 따라 상기 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)층으로부터 상기 그래핀층으로 부터 이동하는 캐리어는 전자에서 정공으로 바뀌며, 이에 따라 상기 광전소자는 음의 광전류(NPC)에서 양의 광전류(PPC) 특성으로 바뀌는 것을 특징으로 하는, 광전류 특성이 가변되는 광전소자. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 따른 광전소자의 제어방법으로,
상기 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 따른 광전소자의 양 또는 음의 광전류 특성을 결정하는 단계;
상기 결정한 광전류 특성에 따라 상기 광전소자로 조사되는 빛의 에너지가 결정되는 단계; 및
상기 결정된 빛의 에너지를 상기 광전소자에 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 제어방법. - 제 5항에 있어서,
상기 광전소자에 조사되는 빛의 에너지가 커짐에 따라 상기 광전소자는 음의 광전류(NPC)에서 양의 광전류(PPC) 특성으로 광전류 특성이 바뀌는 것을 특징으로 하는 광전소자의 제어방법. - 광전류 특성이 가변되는 광전소자 제조방법으로,
기판 상에 채널층을 적층하는 단계;
상기 채널층 상에 이격된 소스; 및 드레인 전극을 적층하는 단계;
상기 소스 및 드레인 전극 사이의 채널층 상에서 광전활성층을 적층하는 단계를 포함하며,
상기 광전활성층 및 채널층 각각은 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2)층 및 그래핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법. - 제 7항에 있어서,
상기 광전활성층을 적층하는 단계는 전사 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법.
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Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Wenzhi Yu et al. Near-Infrared Photodetectors Based on MoTe2/Graphene Heterostructure with High Responsivity and Flexibility. Nano Micro Small. Volume 13, Issue 24. 11.April.2017., pp.1-8.* * |
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