KR20210092608A - 발전장치 - Google Patents

발전장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210092608A
KR20210092608A KR1020200006195A KR20200006195A KR20210092608A KR 20210092608 A KR20210092608 A KR 20210092608A KR 1020200006195 A KR1020200006195 A KR 1020200006195A KR 20200006195 A KR20200006195 A KR 20200006195A KR 20210092608 A KR20210092608 A KR 20210092608A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
disposed
connector part
connector
insulating layer
thermoelectric module
Prior art date
Application number
KR1020200006195A
Other languages
English (en)
Inventor
손형민
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020200006195A priority Critical patent/KR20210092608A/ko
Priority to EP21741326.9A priority patent/EP4092769A4/en
Priority to PCT/KR2021/000480 priority patent/WO2021145677A1/ko
Priority to US17/793,270 priority patent/US11985896B2/en
Priority to JP2022543592A priority patent/JP2023512476A/ja
Priority to CN202180009682.0A priority patent/CN115004392A/zh
Publication of KR20210092608A publication Critical patent/KR20210092608A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H01L35/32—
    • H01L27/16—
    • H01L35/02—
    • H01L35/24—
    • H01L35/34—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/856—Thermoelectric active materials comprising organic compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 발전장치는 냉각부, 상기 냉각부의 일면의 제1 영역에 배치된 열전모듈, 상기 냉각부의 일면의 제2 영역에 배치되며, 상기 열전모듈에 연결되는 커넥터부, 상기 커넥터부 상에 배치되고, 상기 커넥터부의 측면을 노출하도록 배치된 단열부재, 상기 단열부재 및 상기 커넥터부를 덮도록 배치된 쉴드부재, 그리고 상기 커넥터부 및 상기 쉴드부재 사이에 배치된 제1 절연층을 포함한다.

Description

발전장치{POWER GENERATING APPARATUS}
본 발명은 발전장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열전소자의 저온부와 고온부의 온도 차를 이용하여 발전시키는 발전장치에 관한 것이다.
열전현상은 재료 내부의 전자(electron)와 정공(hole)의 이동에 의해 발생하는 현상으로, 열과 전기 사이의 직접적인 에너지 변환을 의미한다.
열전소자는 열전현상을 이용하는 소자를 총칭하며, P형 열전 재료와 N형 열전 재료를 금속 전극들 사이에 접합시켜 PN 접합 쌍을 형성하는 구조를 가진다.
열전소자는 전기저항의 온도 변화를 이용하는 소자, 온도 차에 의해 기전력이 발생하는 현상인 제벡 효과를 이용하는 소자, 전류에 의한 흡열 또는 발열이 발생하는 현상인 펠티에 효과를 이용하는 소자 등으로 구분될 수 있다.
열전소자는 가전제품, 전자부품, 통신용 부품 등에 다양하게 적용되고 있다. 예를 들어, 열전소자는 냉각용 장치, 온열용 장치, 발전용 장치 등에 적용될 수 있다. 이에 따라, 열전소자의 열전성능에 대한 요구는 점점 더 높아지고 있다.
최근, 자동차, 선박 등의 엔진으로부터 발생한 고온의 폐열 및 열전소자를 이용하여 전기를 발생시키고자 하는 니즈가 있다. 이때, 열전소자의 저온부 측에 제1 유체가 통과하는 덕트가 배치되고, 열전소자의 고온부 측에 방열핀이 배치되며, 제2 유체가 방열핀을 통과할 수 있다. 이에 따라, 열전소자의 저온부와 고온부 간 온도 차에 의하여 전기가 생성될 수 있으며, 발전장치의 구조에 따라 발전 성능이 달라질 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 열전소자의 저온부와 고온부의 온도 차를 이용하여 발전시키는 발전장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 발전장치는 냉각부, 상기 냉각부의 일면의 제1 영역에 배치된 열전모듈, 상기 냉각부의 일면의 제2 영역에 배치되며, 상기 열전모듈에 연결되는 커넥터부, 상기 커넥터부 상에 배치되고, 상기 커넥터부의 측면을 노출하도록 배치된 단열부재, 상기 단열부재 및 상기 커넥터부를 덮도록 배치된 쉴드부재, 그리고 상기 커넥터부 및 상기 쉴드부재 사이에 배치된 제1 절연층을 포함한다.
상기 냉각부의 일면을 기준으로 상기 커넥터부의 높이는 상기 단열부재의 높이보다 높을 수 있다.
상기 커넥터부는 서로 이격되여 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고, 상기 제1 절연층은 커넥터마다 배치된 복수의 제1 절연층일 수 있다.
상기 커넥터부는 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 복수의 커넥터 상에 일체로 배치될 수 있다.
상기 제1 절연층은 폴리이미드(polyimide, PI)를 포함할 수 있다.
상기 열전모듈과 상기 쉴드부재의 측면 사이에 배치된 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.
상기 쉴드부재는 제1 면, 그리고 상기 제1 면보다 높이가 높은 제2 면을 포함하고, 상기 커넥터부 상에 상기 제2 면이 배치되며, 상기 제2 절연층은 상기 제1면의 측면에 배치될 수 있다.
상기 제2 절연층은 상기 제1면의 측면으로부터 상기 제1면의 하면 및 상기 제1 면의 상면 중 적어도 하나로 연장될 수 있다.
상기 커넥터부에 연결된 전선부를 더 포함하고, 상기 전선부는 상기 제2 영역에서 상기 냉각부의 일면과 상기 단열부재 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발전장치는 냉각부, 상기 냉각부의 일면에 서로 이격되도록 배치된 제1 열전모듈 및 제2 열전모듈, 상기 냉각부의 일면의 상기 제1 열전모듈 및 상기 제2 열전모듈의 사이에 배치되며, 상기 제1 열전모듈에 연결되는 제1 커넥터부 및 상기 제2 열전모듈에 연결되는 제2 커넥터부, 상기 냉각부의 일면의 상기 제1 열전모듈 및 상기 제2 열전모듈의 사이에서 상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부의 측면에서 상기 제1 커넥터부의 적어도 일부 및 상기 제2 커넥터부의 적어도 일부를 노출하도록 배치된 단열부재, 상기 단열부재, 상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부를 덮도록 배치된 쉴드부재, 그리고 상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부와 상기 쉴드부재 사이에 배치된 제1 절연층을 포함한다.
상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부 각각은 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고, 상기 제1 절연층은 커넥터마다 배치된 복수의 제1 절연층일 수 있다.
상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부 각각은 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 제1 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 및 상기 제2 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 상에 일체로 배치될 수 있다.
상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부 각각은 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 제1 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 일부 및 상기 제2 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 일부 상에 일체로 배치된 복수의 제1 절연층을 포함할 수 있다.
상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부 각각은 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 제1 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 상에 일체로 배치되고, 상기 제2 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 일부 상에 일체로 배치된 복수의 제1 절연층을 포함할 수 있다.
상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부 각각은 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고, 상기 쉴드부재는 제1 면, 그리고 상기 제1 면에 의하여 둘러싸이며 상기 제1 면보다 높이가 높은 복수의 제2 면을 포함하고, 상기 제1 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 일부 및 상기 제2 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 일부 상에 상기 복수의 제2 면 중 하나가 배치되고, 상기 제1 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 다른 일부 및 상기 제2 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 다른 일부 상에 상기 복수의 제2 면 중 다른 하나가 배치되며, 상기 제1면의 측면과 상기 제1 열전모듈 사이 및 상기 제1 면의 측면과 상기 제2 열전모듈 사이에 배치된 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 발전성능이 우수한 발전장치를 얻을 수 있다. 특히, 본 발명의 실시예에 따르면, 사용되는 부품 수 및 차지하는 부피를 줄여 조립이 간단하면서도 발전성능이 우수한 발전장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 열전소자로의 열전달 효율이 개선된 발전장치를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 발전장치의 개수를 조절하여 발전 용량을 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 제2 유체와 열전모듈의 방열핀이 접촉하는 면적을 최대화시킬 수 있으며, 이에 따라 발전 효율을 극대화시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 쉴드부재와 열전모듈 및 커넥터 간 절연 성능을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 발전장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 발전장치의 분해사시도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 발전장치에서 쉴드부재를 제거한 상태의 상면도이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 발전장치의 일부의 확대도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 단면도 및 사시도이다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 쉴드부재를 포함하는 발전장치의 일부 사시도이다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 쉴드부재를 포함하는 발전장치의 쉴드부재 부근의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조를 나타내는 상면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조를 나타내는 상면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조를 나타내는 상면도이다.
도 12는 도 9 내지 도 11의 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조의 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조를 나타내는 상면도이다.
도 14는 도 13의 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따라 제2 절연층이 배치된 제1 쉴드부재의 상면도이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따라 제2 절연층이 배치된 제1 쉴드부재의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시 예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, "A 및(와) B, C 중 적어도 하나(또는 한 개 이상)"로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다.
이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성 요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속' 되는 경우도 포함할 수 있다.
또한, 각 구성 요소의 "상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한, "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 발전장치의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 발전장치의 분해사시도이며, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 발전장치에서 쉴드부재를 제거한 상태의 상면도이며, 도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 발전장치의 일부의 확대도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 발전장치(1000)는 덕트(1100), 제1 열전모듈(1200), 제2 열전모듈(1300) 및 분기부(1400)를 포함한다. 복수 개의 발전장치(1000)는 소정 간격으로 이격되도록 평행하게 배치되어 발전 시스템을 이룰 수도 있다. 도시되지 않았으나, 소정 간격으로 이격되도록 배치된 두 개의 발전장치(1000) 사이를 제2 유체가 통과할 수 있다. 예를 들어, 하나의 발전장치(1000)의 제2 열전모듈(1300) 및 이웃하는 다른 발전장치(1000)의 제1 열전모듈(1200)이 소정 간격으로 이격되도록 평행하게 배치되고, 이들 사이를 제2 유체가 통과할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발전장치(1000)는, 덕트(1100)의 내부를 통해 흐르는 제1 유체 및 덕트(1100)의 외부를 통과하는 제2 유체 간의 온도 차를 이용하여 전력을 생산할 수 있다. 본 명세서에서, 덕트(1100)의 내부를 통해 흐르는 제1 유체의 온도는 덕트(1100)의 외부에 배치된 열전모듈(1200, 1300)의 방열핀을 통과하는 제2 유체의 온도보다 낮을 수 있다. 이에 따라, 본 명세서에서, 덕트(1100)는 냉각부라 지칭될 수 있다.
이를 위하여, 제1 열전모듈(1200)은 냉각부(1100)의 제1 면(1110)에 배치되고, 제2 열전모듈(1300)은 냉각부(1100)의 제1 면(1110)에 대향하는 제2 면에 배치될 수 있다. 이때, 제1 열전모듈(1200)과 제2 열전모듈(1300) 각각의 양면 중 냉각부(1100)를 향하도록 배치되는 면이 저온부가 되며, 저온부와 고온부 간의 온도 차를 이용하여 전력을 생산할 수 있다. 냉각부(1100)의 제1 면(1110) 및 제2 면에 수직하도록 배치된 제3 면(1130)에는 분기부(1400)가 배치될 수 있으며, 제2 유체는 분기부(1400)에 의하여 분기되어 제1 열전모듈(1200) 및 제2 열전모듈(1300) 상으로 흐를 수 있다.
냉각부(1100) 내로 유입되는 제1 유체는 물일 수 있으나, 이로 제한되는 것은 아니며, 냉각 성능이 있는 다양한 종류의 유체일 수 있다. 냉각부(1100)로 유입되는 제1 유체의 온도는 100
Figure pat00001
미만, 바람직하게는 50
Figure pat00002
미만, 더욱 바람직하게는 40
Figure pat00003
미만일 수 있으나, 이로 제한되는 것은 아니다. 냉각부(1100)를 통과한 후 배출되는 제1 유체의 온도는 냉각부(1100)로 유입되는 제1 유체의 온도보다 높을 수 있다.
제1 유체는 냉각부(1100)의 유체 유입구로부터 유입되어 유체 배출구를 통하여 배출된다. 제1 유체의 유입 및 배출을 용이하게 하고, 냉각부(1100)를 지지하기 위하여, 냉각부(1100)의 유체 유입구 측 및 유체 배출구 측에는 각각 유입구 플랜지(미도시) 및 배출구 플랜지(미도시)가 더 배치될 수 있다. 또는, 냉각부(1100)의 제1 면(1110, 제2 면 및 제3 면(1130)에 수직하도록 배치된 제4 면(1140)에는 복수의 유체 유입구(미도시)가 형성되고, 제4 면(1140)에 대향하는 제6 면(1160)에는 복수의 유체 배출구(1162)가 형성될 수 있다. 복수의 유체 유입구 및 유체 배출구(1162)는 냉각부(1100) 내 복수의 유체 통과 관(미도시)과 연결될 수 있다. 이에 따라, 각 유체 유입구로 유입된 제1 유체는 각 유체 통과 관을 통과한 후 각 유체 배출구(1162)로부터 배출될 수 있다. 이에 따르면, 제1 유체의 유량이 냉각부(1100)의 내부를 가득 채울 정도로 충분하지 않거나, 냉각부(1100)의 표면적이 넓어지더라도 제1 유체가 냉각부(1100) 내에 고르게 분산될 수 있으므로, 냉각부(1100)의 전면에 대하여 고른 열전변환 효율을 얻는 것이 가능하고, 유입구 플랜지 및 배출구 플랜지를 생략하는 것이 가능하다.
이때, 각 유체 유입구는 제1 피팅 부재(미도시)를 통하여 유체 유입관(1182)과 연결될 수 있고, 각 유체 배출구(1162)는 제2 피팅 부재(미도시)를 통하여 유체 배출관(1192)과 연결될 수 있다.
여기서, 유체 유입관(1182) 및 유체 배출관(1192)은 냉각부(1100)의 제4 (1140) 및 제6 면(1160)으로부터 돌출되도록 배치될 수 있다.
도시되지 않았으나, 냉각부(1100)의 내벽에는 방열핀이 배치될 수 있다. 방열핀의 형상, 개수 및 냉각부(1100)의 내벽을 차지하는 면적 등은 제1 유체의 온도, 제2 유체의 온도, 요구되는 발전 용량 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 방열핀이 냉각부(1100)의 내벽을 차지하는 면적은, 예를 들어 냉각부(1100)의 단면적의 1 내지 40%일 수 있다. 이에 따르면, 제1 유체의 유동에 방해를 주지 않으면서도, 높은 열전변환 효율을 얻는 것이 가능하다. 이때, 방열핀은 제1 유체의 유동에 방해를 주지 않는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 방열핀은 제1 유체가 흐르는 방향을 따라 형성될 수 있다. 즉, 방열핀은 유체 유입구로부터 유체 배출구를 향하는 방향으로 연장된 플레이트 형상일 수 있으며, 복수의 방열핀은 소정의 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다. 방열핀은 냉각부(1100)의 내벽과 일체로 형성될 수도 있다.
한편, 제1 열전모듈(1200)은 냉각부(1100)의 제1 면(1110) 상에 배치되고, 제2 열전모듈(1300)은 냉각부(1100)의 제2 면 상에서 제1 열전모듈(1200)에 대칭하도록 배치된다.
제1 열전모듈(1200) 및 제2 열전모듈(1300)은 스크류를 이용하여 냉각부(1100)와 체결될 수 있다. 이에 따라, 제1 열전모듈(1200) 및 제2 열전모듈(1300)은 냉각부(1100)의 표면에 안정적으로 결합할 수 있다. 또는, 제1 열전모듈(1200) 및 제2 열전모듈(1300) 중 적어도 하나는 열전달물질(thermal interface material, TIM)을 이용하여 덕트(1100)의 표면에 접착될 수도 있다. 여기서, 열전달물질(TIM)은 열전달 성능 및 접착 성능을 가지는 물질이며, 예를 들어 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 적어도 하나 및 무기물을 포함하는 수지 조성물일 수 있다. 여기서, 무기물은 알루미늄, 붕소, 규소 등의 산화물, 탄화물 또는 질화물일 수 있다.
한편, 제1 열전모듈(1200) 및 제2 열전모듈(1300) 각각은 제1 면(1110) 및 제2 면 각각에 배치된 열전소자(1210, 1310) 및 열전소자(1210, 1310)에 배치된 방열핀(1220, 1320)을 포함한다. 이와 같이, 열전소자(1210, 1310)의 양면 중 한 면에 제1 유체가 흐르는 냉각부(1100)가 배치되고, 다른 면에 방열핀(1220, 1320)이 배치되며, 방열핀(1220, 1320)을 통하여 제2 유체가 통과하면, 열전소자(1210, 1310)의 흡열면과 방열면 간 온도 차를 크게 할 수 있으며, 이에 따라 열전변환 효율을 높일 수 있다. 이때, 제1 유체가 흐르는 방향과 제2 유체가 흐르는 방향은 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 유체가 흐르는 방향과 제2 유체가 흐르는 방향은 거의 수직일 수 있다. 이때, 발전장치에 유입되는 제2 유체의 온도는 발전장치의 열전모듈에 포함된 방열핀을 통과한 후 배출되는 제2 유체의 온도보다 높다. 예를 들어, 발전장치에 유입되는 제2 유체는 자동차, 선박 등의 엔진으로부터 발생하는 폐열일 수 있으나, 이로 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 발전장치에 유입되는 제2 유체의 온도는 100℃이상, 바람직하게는 200℃이상, 더욱 바람직하게는 220℃내지 250℃일 수 있으나, 이로 제한되는 것은 아니다.
이때, 도 4를 참조하면, 방열핀(1220, 1320)과 열전소자(1210, 1310)는 복수의 체결부재(1230, 1330)에 의하여 체결될 수 있다. 이를 위하여, 방열핀(1220, 1320)과 열전소자(1210, 1310)의 적어도 일부에는 체결부재(1230, 1330)가 관통하는 관통홀(S)이 형성될 수 있다. 여기서, 관통홀(S)과 체결부재(1230, 1330) 사이에는 별도의 절연체(1240, 1340)가 더 배치될 수 있다. 별도의 절연체(1240, 1340)는 체결부재(1230, 1330)의 외주면을 둘러싸는 절연체 또는 관통홀(S)의 벽면을 둘러싸는 절연체일 수 있다. 예를 들어, 절연체(1240, 1340)는 링 형상일 수 있다. 링 형상을 가지는 절연체(1240, 1340)의 내주면은 체결부재(1230, 1330)의 외주면에 배치되고, 절연체(1240, 1340)의 외주면은 관통홀(S)의 내주면에 배치될 수 있다. 이에 따르면, 체결부재(1230, 1330)와 방열핀(1220, 1320) 및 열전소자(1210, 1310) 사이가 절연될 수 있다.
이때, 열전소자(1210, 1310)의 구조는 도 5 내지 6에 예시된 열전소자(100)의 구조를 가질 수 있다. 도 5 내지 도 6을 참조하면, 열전소자(100)는 하부 기판(110), 하부 전극(120), P형 열전 레그(130), N형 열전 레그(140), 상부 전극(150) 및 상부 기판(160)을 포함한다.
하부 전극(120)은 하부 기판(110)과 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)의 하부 바닥면 사이에 배치되고, 상부 전극(150)은 상부 기판(160)과 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)의 상부 바닥면 사이에 배치된다. 이에 따라, 복수의 P형 열전 레그(130) 및 복수의 N형 열전 레그(140)는 하부 전극(120) 및 상부 전극(150)에 의하여 전기적으로 연결된다. 하부 전극(120)과 상부 전극(150) 사이에 배치되며, 전기적으로 연결되는 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 단위 셀을 형성할 수 있다.
예를 들어, 리드선(181, 182)을 통하여 하부 전극(120) 및 상부 전극(150)에 전압을 인가하면, 펠티에 효과로 인하여 P형 열전 레그(130)로부터 N형 열전 레그(140)로 전류가 흐르는 기판은 열을 흡수하여 냉각부로 작용하고, N형 열전 레그(140)로부터 P형 열전 레그(130)로 전류가 흐르는 기판은 가열되어 발열부로 작용할 수 있다. 또는, 하부전극(120) 및 상부전극(150) 간 온도 차를 가해주면, 제벡 효과로 인하여 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140) 내 전하가 이동하며, 전기가 발생할 수도 있다.
여기서, P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 비스무스(Bi) 및 텔루륨(Te)를 주원료로 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 열전 레그일 수 있다. P형 열전 레그(130)는 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, P형 열전 레그(130)는 전체 중량 100wt%에 대하여 주원료물질인 Bi-Sb-Te를 99 내지 99.999wt%로 포함하고, 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 0.001 내지 1wt%로 포함할 수 있다. N형 열전 레그(140)는 셀레늄(Se), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, N형 열전 레그(140)는 전체 중량 100wt%에 대하여 주원료물질인 Bi-Se-Te를 99 내지 99.999wt%로 포함하고, 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 0.001 내지 1wt%로 포함할 수 있다.
P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 벌크형 또는 적층형으로 형성될 수 있다. 일반적으로 벌크형 P형 열전 레그(130) 또는 벌크형 N형 열전 레그(140)는 열전 소재를 열처리하여 잉곳(ingot)을 제조하고, 잉곳을 분쇄하고 체거름하여 열전 레그용 분말을 획득한 후, 이를 소결하고, 소결체를 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다. 이때, P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 다결정 열전 레그일 수 있다. 이와 같이, P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 다결정 열전 레그인 경우, P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)의 강도가 높아질 수 있다. 적층형 P형 열전 레그(130) 또는 적층형 N형 열전 레그(140)는 시트 형상의 기재 상에 열전 소재를 포함하는 페이스트를 도포하여 단위 부재를 형성한 후, 단위 부재를 적층하고 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다.
이때, 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 동일한 형상 및 체적을 가지거나, 서로 다른 형상 및 체적을 가질 수 있다. 예를 들어, P형 열전 레그(130)와 N형 열전 레그(140)의 전기 전도 특성이 상이하므로, N형 열전 레그(140)의 높이 또는 단면적을 P형 열전 레그(130)의 높이 또는 단면적과 다르게 형성할 수도 있다.
이때, P형 열전 레그(130) 또는 N형 열전 레그(140)는 원통 형상, 다각 기둥 형상, 타원형 기둥 형상 등을 가질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 열전 소자의 성능은 열전성능 지수(figure of merit, ZT)로 나타낼 수 있다. 열전성능 지수(ZT)는 수학식 1과 같이 나타낼 수 있다.
Figure pat00004
여기서, α는 제벡계수[V/K]이고, σ는 전기 전도도[S/m]이며, α2σ는 파워 인자(Power Factor, [W/mK2])이다. 그리고, T는 온도이고, k는 열전도도[W/mK]이다. k는 a·cp·ρ로 나타낼 수 있으며, a는 열확산도[cm2/S]이고, cp 는 비열[J/gK]이며, ρ는 밀도[g/cm3]이다.
열전 소자의 열전성능 지수를 얻기 위하여, Z미터를 이용하여 Z 값(V/K)을 측정하며, 측정한 Z값을 이용하여 열전성능 지수(ZT)를 계산할 수 있다.
여기서, 하부 기판(110)과 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140) 사이에 배치되는 하부 전극(120), 그리고 상부 기판(160)과 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140) 사이에 배치되는 상부 전극(150)은 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함하며, 0.01mm 내지 0.3mm의 두께를 가질 수 있다. 하부 전극(120) 또는 상부 전극(150)의 두께가 0.01mm 미만인 경우, 전극으로서 기능이 떨어지게 되어 전기 전도 성능이 낮아질 수 있으며, 0.3mm를 초과하는 경우 저항의 증가로 인하여 전도 효율이 낮아질 수 있다.
그리고, 상호 대향하는 하부 기판(110)과 상부 기판(160)은 금속 기판일 수 있으며, 그 두께는 0.1mm~1.5mm일 수 있다. 금속 기판의 두께가 0.1mm 미만이거나, 1.5mm를 초과하는 경우, 방열 특성 또는 열전도율이 지나치게 높아질 수 있으므로, 열전 소자의 신뢰성이 저하될 수 있다. 또한, 하부 기판(110)과 상부 기판(160)이 금속 기판인 경우, 하부 기판(110)과 하부 전극(120) 사이 및 상부 기판(160)과 상부 전극(150) 사이에는 각각 절연층(170)이 더 형성될 수 있다. 절연층(170)은 1~20W/mK의 열전도도를 가지는 소재를 포함할 수 있다. 이때, 절연층(170)은 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 적어도 하나와 무기물을 포함하는 수지 조성물이거나, 실리콘과 무기물을 포함하는 실리콘 복합체로 이루어진 층이거나, 산화알루미늄층일 수 있다. 여기서, 무기물은 알루미늄, 붕소, 규소 등의 산화물, 질화물 및 탄화물 중 적어도 하나일 수 있다.
이때, 하부 기판(110)과 상부 기판(160)의 크기는 다르게 형성될 수도 있다. 즉, 하부 기판(110)과 상부 기판(160) 중 하나의 체적, 두께 또는 면적은 다른 하나의 체적, 두께 또는 면적보다 크게 형성될 수 있다. 여기서, 두께는 하부 기판(110)으로부터 상부 기판(160)을 향하는 방향에 대한 두께일 수 있으며, 면적은 기판(110)으로부터 상부 기판(160)을 향하는 방향에 수직하는 방향에 대한 면적일 수 있다. 이에 따라, 열전 소자의 흡열 성능 또는 방열 성능을 높일 수 있다. 바람직하게는, 하부기판(110)의 체적, 두께 또는 면적은 상부기판(160)의 체적, 두께 또는 면적 중 적어도 하나 보다 더 크게 형성될 수 있다. 이때, 하부기판(110)은 제벡 효과를 위해 고온영역에 배치되는 경우, 펠티에 효과를 위해 발열영역으로 적용되는 경우 또는 후술할 열전소자의 외부환경으로부터 보호를 위한 실링부재가 하부기판(110) 상에 배치되는 경우에 상부기판(160) 보다 체적, 두께 또는 면적 중 적어도 하나를 더 크게 할 수 있다. 이때, 하부기판(110)의 면적은 상부기판(160)의 면적대비 1.2 내지 5배의 범위로 형성할 수 있다. 하부기판(110)의 면적이 상부기판(160)에 비해 1.2배 미만으로 형성되는 경우, 열전달 효율 향상에 미치는 영향은 높지 않으며, 5배를 초과하는 경우에는 오히려 열전달 효율이 현저하게 떨어지며, 열전모듈의 기본 형상을 유지하기 어려울 수 있다.
또한, 하부 기판(110)과 상부 기판(160) 중 적어도 하나의 표면에는 방열 패턴, 예를 들어 요철 패턴이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 열전 소자의 방열 성능을 높일 수 있다. 요철 패턴이 P형 열전 레그(130) 또는 N형 열전 레그(140)와 접촉하는 면에 형성되는 경우, 열전 레그와 기판 간의 접합 특성도 향상될 수 있다. 열전소자(100)는 하부기판(110), 하부전극(120), P형 열전 레그(130), N형 열전 레그(140), 상부전극(150) 및 상부기판(160)을 포함한다.
도시되지 않았으나, 하부기판(110)과 상부기판(160) 사이에는 실링부재가 더 배치될 수도 있다. 실링부재는 하부기판(110)과 상부기판(160) 사이에서 하부전극(120), P형 열전 레그(130), N형 열전 레그(140) 및 상부전극(150)의 측면에 배치될 수 있다. 이에 따라, 하부전극(120), P형 열전 레그(130), N형 열전 레그(140) 및 상부전극(150)은 외부의 습기, 열, 오염 등으로부터 실링될 수 있다.
이때, 냉각부(1100) 상에 배치되는 하부 기판(110)은 알루미늄 기판일 수 있으며, 알루미늄 기판은 제1 면(1110) 및 제2 면 각각과 열전달물질(thermal interface material, TIM)에 의하여 접착될 수 있다. 알루미늄 기판은 열전달 성능이 우수하므로, 열전소자(1210, 1310)의 양면 중 한 면과 제1 유체가 흐르는 냉각부(1100) 간의 열전달이 용이하다. 또한, 알루미늄 기판과 제1 유체가 흐르는 냉각부(1100)가 열전달물질(thermal interface material, TIM)에 의하여 접착되면, 알루미늄 기판과 제1 유체가 흐르는 냉각부(1100) 간의 열전달이 방해 받지 않을 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따르면, 냉각부(1100)의 제1 면(1110)에 배치되는 제1 열전모듈(1200)은 복수 개일 수 있고, 냉각부(1100)의 제2 면에 배치되는 제2 열전모듈(1300)은 복수 개일 수 있다. 요구되는 발전량에 따라 열전모듈의 크기 및 개수를 조절할 수 있다.
이때, 냉각부(1100)의 제1 면(1110)에 배치된 복수의 제1 열전모듈(1200)의 적어도 일부는 전기적으로 서로 연결되고, 냉각부(1100)의 제2 면에 배치된 복수의 제2 열전모듈(1300)의 적어도 일부는 전기적으로 서로 연결될 수 있다. 이를 위하여, 각 열전소자에 포함된 복수의 전극 중 일부에 전선이 연결되어 각 열전소자의 외부로 인출되며, 인출된 전선은 각 열전소자의 외부에 배치된 커넥터에 연결될 수 있다.
한편, 전선 및 커넥터는 외부의 열 또는 습기에 취약하며, 방열핀을 통과하는 제2 유체가 전선 및 커넥터에 직접 닿을 경우 전선 및 커넥터가 손상될 수 있다. 이에, 본 발명의 실시예에 따른 발전장치는 전선 및 커넥터를 커버하기 위한 쉴드부재를 더 포함할 수 있다. 다만, 쉴드부재가 열전모듈 사이에 배치될 경우, 쉴드부재가 제2 유체의 유로를 방해할 수도 있다. 본 발명의 실시예에서는, 제2 유체의 유로를 방해하지 않으면서도 전선 및 커넥터를 커버할 수 있는 쉴드부재의 구조를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에 따른 발전장치는, 복수의 제1 열전모듈(1200) 중 이웃하는 두 개의 제1 열전모듈(1200-1, 1200-2) 사이에 배치된 제1 쉴드부재(2100) 및 복수의 제2 열전모듈(1300) 중 이웃하는 두 개의 제2 열전모듈(1300) 중 이웃하는 두 개의 제2 열전모듈(1300-1, 1300-2) 사이에 배치된 제2 쉴드부재(2200)를 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 쉴드부재를 포함하는 발전장치의 일부 사시도이고, 도 8은 도 7의 발전장치의 R 영역의 단면도이다.
도 1 내지 도 6에서 설명한 내용과 동일한 내용에 대해서는 중복된 설명을 생략한다. 설명의 편의를 위하여, 냉각부의 제1 면에 배치된 복수의 제1 열전모듈 사이의 제1 쉴드부재를 예로 들어 설명하지만, 동일한 구조가 제2 쉴드 부재에도 적용될 수 있다.
도 1 내지 도 3 및 도 7 내지 도 8을 참조하면, 냉각부(1100)의 제1 면(1110) 상에 복수의 제1 열전모듈(1200)이 배치된다. 복수의 제1 열전모듈(1200) 각각은 제1 면(1110) 상에 배치된 열전소자(1210) 및 열전소자(1210) 상에 배치된 방열핀(1220)을 포함한다. 그리고, 커넥터(400)는 각 제1 열전모듈(1200)의 열전소자(1210)에 연결된 연결 전극(미도시) 상에 배치되며, 커넥터(400)에는 전선(300)이 연결된다. 여기서, 전선(300)은 도 6의 리드선(181, 182)에 대응할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 하나의 제1 열전모듈(1200-1)과 이웃하는 다른 제1 열전모듈(1200-2) 사이에 제1 쉴드부재(2100)가 배치되며, 제1 쉴드부재(2100)는 하나의 제1 열전모듈(1200-1)과 이웃하는 다른 제1 열전모듈(1200-2) 사이의 전선(300) 및 커넥터(400)를 커버할 수 있다. 이에 따라, 냉각부(1100)의 제1 면(1110)과 제1 쉴드부재(2100) 사이에는 전선(300) 및 커넥터(400)가 배치될 수 있다.
이때, 냉각부(1100)의 제1 면(1110)과 제1 쉴드부재(2100) 사이에는 단열부재(3000)가 더 배치될 수도 있다. 이에 따르면, 냉각부(1100) 내 제1 유체와 제1 쉴드부재(2100) 상의 제2 유체 간 단열이 유지될 수 있으므로, 열전모듈의 저온부 및 고온부 간 온도 차를 최대화할 수 있으며, 발전장치의 발전 성능을 높일 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 발전장치를 통과하는 제2 유체는 이웃하는 두 개의 제1 열전모듈(1200-1, 1200-2) 중 하나의 제1 열전모듈(1200-1)의 제1 방열핀(1220-1), 제1 쉴드부재(2100) 및 이웃하는 두 개의 제1 열전모듈(1200-1, 1200-2) 중 다른 하나의 제1 열전모듈(1200-2)의 제2 방열핀(1220-2)을 순차적으로 통과하도록 흐를 수 있다. 제2 유체가 흐르는 방향은 냉각부(1100)에 제1 유체가 유입되고, 배출되는 제1 방향에 수직하는 제2 방향일 수 있다.
본 명세서에서, 설명의 편의를 위하여 제1 쉴드부재(2100)를 중심으로 설명하지만, 동일한 구조가 제2 쉴드부재(2200)에도 적용될 수 있다. 제1 쉴드부재(2100)는 결합부재(1900)를 이용하여 냉각부(1100)와 결합될 수 있다. 이때, 제1 쉴드부재(2100), 냉각부(1100) 및 제2 쉴드부재(2200)를 함께 결합하기 위하여, 복수의 결합부재(1900)는 제1 쉴드부재(2100) 및 제2 쉴드부재(2200)에 대칭으로 배치될 수 있으며, 냉각부(1100) 및 단열부재(3000)에는 결합부재(1900)가 관통하기 위한 관통홀(h)이 형성될 수 있다.
이때, 본 발명의 실시예에 따른 제1 쉴드부재(2100)는 제1면(2110) 및 제1면(2110)보다 높은 높이를 가지는 제2면(2120)을 포함한다. 그리고, 제1 쉴드부재(2100)는 제1면(2110)의 높이보다 높은 높이를 가지고, 제2면(2120)의 높이보다 낮은 높이를 가지는 제3면(2130)을 더 포함할 수 있다.
이때, 제1면(2110)은 방열핀(1220)의 밑면(1222)과 같거나 밑면(1222)보다 낮은 높이로 배치될 수 있다. 제1 쉴드부재(2100)가 서로 이웃하는 두 개의 제1 열전모듈(1200-1, 1200-2) 사이에 배치되는 경우, 제1 쉴드부재(2100)의 제1면(2110)은 서로 이웃하는 두 개의 제1 열전모듈(1200-1, 1200-2) 사이에서 대칭하도록 형성될 수 있다. 이에 따르면, 제1 방열핀(1220-1)을 통과한 제2 유체는 흐름에 방해를 받지 않고, 제1 쉴드부재(2100)를 따라 제2 방열핀(1220-2)으로 유입될 수 있다.
그리고, 제3면(2130)은 전선(300)보다 높은 높이로 배치되며, 제2면(2120)은 전선(300) 및 커넥터(400)보다 높은 높이로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2면(2120)의 최대 높이는 방열핀(1220)의 밑면(1222)으로부터 방열핀(1220)의 밑면(1222)과 윗면(1224) 간 높이 차(H)의 0.25배, 바람직하게는 0.2배, 더욱 바람직하게는 0.18배 이하가 되도록 배치될 수 있다. 이에 따르면, 제1 방열핀(1220-1) 및 제2 방열핀(1220-2)이 제2면(2120)에 의하여 가려지는 면적을 최소화할 수 있으므로, 제2 유체의 흐름이 방해 받지 않을 수 있다.
이때, 제3면(2130)의 면적은 제2면(2120)의 면적보다 넓을 수 있다. 즉, 제2면(2120)은 커넥터(400)를 커버하도록 형성되고, 제1 면(2110) 및 제2면(2120)을 제외한 모든 영역은 제3면(2130)이 될 수 있다. 제1면(2110)은 제1 방열핀(1220-1) 및 제2 방열핀(1220-2)을 따라 형성될 수 있다. 그리고, 제2면(2120-1)은 하나의 제1 열전모듈(1200-1)에 연결되는 제1 극성 및 제2 극성 중 하나의 전선이 연결되는 제1 커넥터(400-1) 및 다른 하나의 제1 열전모듈(1200-2)에 연결되는 제1 극성 및 제2 극성 중 하나의 전선이 연결되는 제2 커넥터(400-5)를 커버하도록 형성될 수 있다. 그리고, 제2면(2120-2)은 하나의 제1 열전모듈(1200-1)에 연결되는 제1 극성 및 제2 극성 중 다른 하나의 전선이 연결되는 제3 커넥터(400-2) 및 다른 하나의 제1 열전모듈(1200-2)에 연결되는 제1 극성 및 제2 극성 중 다른 하나의 전선이 연결되는 제4 커넥터(400-6)를 커버하도록 형성될 수 있다. 이와 같이, 제2면(2120)은 서로 이격되는 복수의 제2면(2120-1, 2120-2)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 커넥터 및 제2 커넥터는 하나의 커넥터 또는 별도의 커넥터일 수 있고, 제3 커넥터 및 제4 커넥터는 하나의 커넥터 또는 별도의 커넥터일 수 있다.
그리고, 제1 쉴드부재(2100)의 제1면(2110) 및 제2면(2120)을 제외한 영역은 모두 제3면(2130)일 수 있다. 제2면(2120)이 서로 이격되는 복수의 제2면을 포함하는 경우, 서로 이격되는 두 개의 제2면(2120-1, 2120-2) 사이에는 제3면(2130)이 배치될 수 있다. 이에 따르면, 제2면(2120)의 면적을 최소화할 수 있으므로, 제1 쉴드부재(2100)가 제1 방열핀(1220-1)으로부터 제2 방열핀(1220-2)까지의 제2 유체의 유로를 방해하지 않을 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따르면, 제1면(2110)과 제3면(2130)을 연결하는 제1 연결면(2140) 및 제3면(2130)과 제2면(2120)을 연결하는 제2 연결면(2150)을 포함한다.
여기서, 제1 연결면(2140)은 제1면(2110)에 대하여 0°보다 크고 90°보다 작은 각도(θ1), 바람직하게는 10°보다 크고 75°보다 작은 각도, 더욱 바람직하게는 20°보다 크고 60°보다 작은 각도로 경사질 수 있다. 이와 마찬가지로, 제2 연결면(2150)은 제2면(2120)에 대하여 0°보다 크고 90°보다 작은 각도(θ2), 바람직하게는 10°보다 크고 75°보다 작은 각도, 더욱 바람직하게는 20°보다 크고 60°보다 작은 각도로 경사질 수 있다. 이에 따르면, 제1 방열핀(1220-1)을 통과한 기체가 큰 저항 없이 제1 쉴드부재(2100)를 따라 제2 방열면(1220-2)으로 유입될 수 있다.
한편, 서로 이격되는 두 개의 제2면(2120-1, 2120-2) 사이에는 제3면(2130)이 배치되는 경우, 제2 연결면(2150-1)은 제3면(2130)과 제2면(2120-1)을 연결하고, 제2 연결면(2150-2)은 제3면(2130)과 제2면(2120-2)을 연결하도록 대칭하여 배치될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예의 발전장치에 따르면, 냉각부(1100)의 제1 면(1110)의 제1 영역(A1)에 제1 열전모듈(1200)이 배치되고, 냉각부(1100)의 제1 면(1110)의 제2 영역(A2)에 제1 열전모듈(1200)에 연결되는 커넥터(400)가 배치되며, 냉각부(1100)의 제1 면(1110)의 제2 영역(A2)에 단열부재(3000)가 배치된다. 그리고, 냉각부(1100)의 제2 면(1110)의 제2 영역(A2)에는 단열부재(3000) 및 커넥터(400)를 덮도록 제1 쉴드부재(2100)가 배치될 수 있다.
일반적으로, 단열부재(3000)가 커넥터(400)를 덮도록 배치될 경우, 단열부재(3000)의 높이가 필요 이상으로 높아지게 되며, 이에 따라 제1 열전모듈(1200)의 제1 히트싱크(1220)를 통과하는 제2 유체에 유로 저항이 발생할 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여, 냉각부(1100)의 제1 면(1110)을 기준으로 단열부재(3000)의 높이는 커넥터(400)의 높이보다 낮게 배치될 수 있다. 이에 따르면, 커넥터(400)의 적어도 일부가 단열부재(3000)에 의하여 커버되지 않고, 제1 쉴드부재(2100)의 제2면(2120)에 노출될 수 있다. 즉, 커넥터(400)와 제1 쉴드부재(2100)의 제2면(2120)의 내면 사이에는 단열부재(3000)가 배치되지 않고, 커넥터(400)의 상면과 제1 쉴드부재(2100)의 제2면(2120)의 내면이 서로 마주보거나, 서로 접촉하도록 배치될 수 있다.
예를 들어, 단열부재(3000)는 제1 면(1110)의 제2 영역(A2) 상에서 커넥터(400)의 측면에 배치될 수 있다. 이때, 단열부재(3000)는 커넥터(400)와 제1 쉴드부재(2100) 사이에는 배치되지 않을 수 있다. 즉, 단열부재(3000)에는 커넥터(400)가 관통하는 홀이 형성될 수도 있다. 이에 따르면, 단열부재(3000)로 인하여 제1 쉴드부재(2100)의 높이가 더 높아지는 것은 아니므로, 단열부재(3000)가 제2 유체의 흐름에 미치는 영향을 제거할 수 있다.
일반적으로, 제1 쉴드부재(2100)는 내열성, 비용 및 형합성 등의 이유로 인해 금속 재질로 이루어질 수 있다. 이와 마찬가지로, 커넥터(400)는 열전소자의 연결전극 상에 배치되므로, 커넥터(400)의 적어도 일부는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 제1 쉴드부재(2100)가 단열부재(3000) 및 커넥터(400)를 덮도록 배치될 경우, 제1 쉴드부재(2100)와 커넥터(400) 사이에는 통전이 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 도 8에 도시된 바와 같이, 커넥터(400)와 제1 쉴드부재(2100) 사이에 제1 절연층(5000)을 배치하고자 한다. 이에 따라, 커넥터(400)와 제1 쉴드부재(2100) 간 통전이 방지될 수 있다. 도 8에서 쉴드부재(2100)의 제2 면(2120)과 제1 절연층(5000) 사이가 이격되는 것으로 도시되어 있으나, 이로 제한되는 것은 아니며, 제1 절연층(5000)의 적어도 일부가 쉴드부재(2100)의 제2 면(2120)에 접촉할 수도 있다.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조를 나타내는 상면도이고, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조를 나타내는 상면도이며, 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조를 나타내는 상면도이며, 도 12는 도 9 내지 도 11의 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조의 단면도이다.
도 9 내지 도 12를 참조하면, 냉각부(1100)의 제2 영역(A2) 상에 단열부재(3000) 및 복수의 커넥터(400)가 배치될 수 있다. 단열부재(3000)에는 결합부재(1900)가 관통하기 위한 관통홀(h)이 형성될 수 있다. 이때, 냉각부(1100)를 기준으로 복수의 커넥터(400)의 높이는 단열부재(3000)의 높이보다 높을 수 있다. 한편, 커넥터(400)는 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함할 수 있다. 각 제1 열전모듈(1200)은 적어도 2개의 커넥터(400)에 연결될 수 있다. 도 3에서 예시한 바와 같이, 냉각부(1100)의 제1 면(1110) 상에 4개의 제1 열전모듈(1200-1, 1200-2, 1200-3, 1200-4)이 배치된 경우, 냉각부(1100)의 제1 면(1110)의 제2 영역(A2)에는 적어도 8개의 커넥터(400)가 배치될 수 있다.
이때, 제1 절연층(5000)은 복수의 커넥터(400) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수의 커넥터(400) 및 제1 쉴드부재(2100) 간 통전이 방지될 수 있다.
여기서, 제1 절연층(5000)은 폴리이미드(polyimide, PI)를 포함할 수 있다. 이에 따르면, 내화성, 내열성 및 절연 특성이 우수한 제1 절연층을 얻을 수 있다. 여기서, 제1 절연층(5000)은 폴리이미드 필름, 폴리이미드 테이프, 폴리이미드 수지, 졸-겔 폴리이미드-실리카 복합체의 형태를 가질 수 있다. 그리고, 제1 절연층(5000)은 1 내지 15㎛, 바람직하게는 3 내지 10㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 10㎛의 두께를 가질 수 있다. 제1 절연층(5000)의 두께가 이러한 수치 범위를 만족하는 경우, 내화성, 내열성 및 절연 특성이 우수하면서도 제1 절연층(5000)의 추가로 인하여 제2 유체의 유로 저항이 발생하는 문제를 방지할 수 있다.
이와 같이, 커넥터(400)와 제1 쉴드부재(2100) 사이에 제1 절연층(5000)이 더 배치될 경우, 커넥터(400)와 제1 쉴드부재(2100) 간의 통전을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라, 제1 절연층(5000)이 내화성 및 내열성을 가지는 경우, 제1 쉴드부재(2100) 상을 이동하는 고온의 제2 유체와 커넥터(400) 사이를 단열할 수도 있다.
한편, 제1 절연층(5000)은 폴리이미드 외에도 기타 내열성 고분자를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(5000)은 폴리아세탈, 폴리카보네이트, 아세탈공중합체, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌에테르, 폴리설폰, 나일론, 폴리페닐렌설파이드, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리아릴레이트, 폴리아미드이미드, 폴리에스테르설폰, 액정폴리에스터, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 방향족 폴리에테르케톤, 폴리에테르니트릴, 폴리아릴에테르케톤, 폴리케톤설파이드, 폴리티오에테르설폰, 폴리스트릴피리미딘 및 폴리아릴설파이드로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수도 있다.
한 예로, 도 3 및 도 9를 참조하면, 제1 유체가 통과하는 방향으로 서로 이웃하여 배치되는 제1-1 열전모듈(1200-1) 및 제1-3 열전모듈(1200-3)에서 제1-1 열전모듈(1200-1)에 연결된 2개의 커넥터(400-1, 400-2) 및 제1-3 열전모듈(1200-)에 연결된 2개의 커넥터(400-3, 400-4) 상에는 하나의 제1 절연층(5000-1)이 일체로 배치될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제1 유체가 통과하는 방향으로 서로 이웃하여 배치되는 제1-2 열전모듈(1200-2) 및 제1-4 열전모듈(1200-4)에서 제1-2 열전모듈(1200-2)에 연결된 2개의 커넥터(400-5, 400-6) 및 제1-4 열전모듈(1200-4)에 연결된 2개의 커넥터(400-7, 400-8) 상에는 다른 하나의 제1 절연층(5000-2)이 일체로 배치될 수 있다. 이때, 제1 절연층(5000-1) 및 제1 절연층(5000-2)은 서로 이격되도록 배치될 수 있다.
다른 예로, 도 3 및 도 10을 참조하면, 제2 유체가 통과하는 방향으로 서로 이격되어 배치되는 제1-1 열전모듈(1200-1) 및 제1-2 열전모듈(1200-2)에서 제1-1 열전모듈(1200-1)에 연결된 2개의 커넥터(400-1, 400-2) 중 하나(400-1)와 제1-2 열전모듈(1200-2)에 연결된 2개의 커넥터(400-5, 400-6) 중 하나(400-5) 상에는 하나의 제1 절연층(5000-1)이 일체로 배치될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제1-1 열전모듈(1200-1)에 연결된 2개의 커넥터(400-1, 400-2) 중 다른 하나(400-2)와 제1-2 열전모듈(1200-2)에 연결된 2개의 커넥터(400-5, 400-6) 중 다른 하나(400-6) 상에는 다른 하나의 제1 절연층(5000-2)이 일체로 배치될 수 있다. 이때, 제1 절연층(5000-1) 및 제1 절연층(5000-2)은 서로 이격되도록 배치될 수 있다.
또 다른 예로, 도 3 및 도 11을 참조하면, 제2 유체가 통과하는 방향으로 서로 이격되어 배치되는 제1-1 열전모듈(1200-1) 및 제1-2 열전모듈(1200-2)에서 제1-1 열전모듈(1200-1)에 연결된 2개의 커넥터(400-1, 400-2) 및 제1-2 열전모듈(1200-2)에 연결된 2개의 커넥터(400-5, 400-6) 상에는 하나의 제1 절연층(5000)이 일체로 배치될 수 있다.
이와 같이, 하나의 제1 절연층(5000)이 복수의 커넥터(400) 상에 배치될 경우, 제1 절연층(5000)을 배치하는 공정을 간소화할 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조를 나타내는 상면도이고, 도 14는 도 13의 실시예에 따른 제1 절연층의 배치 구조의 단면도이다.
도 13 내지 도 14를 참조하면, 냉각부(1100)의 제2 영역(A2) 상에 단열부재(3000) 및 복수의 커넥터(400)가 배치될 수 있다. 이때, 냉각부(1100)를 기준으로 복수의 커넥터(400)의 높이는 단열부재(3000)의 높이보다 높을 수 있다. 한편, 커넥터(400)는 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함할 수 있다. 각 제1 열전모듈(1200)은 적어도 2개의 커넥터(400)에 연결될 수 있다. 도 3에서 예시한 바와 같이, 냉각부(1100)의 제1 면(1110) 상에 4개의 제1 열전모듈(1200-1, 1200-2, 1200-3, 1200-4)이 배치된 경우, 냉각부(1100)의 제1 면(1110)의 제2 영역(A2)에는 적어도 8개의 커넥터(400)가 배치될 수 있다.
이때, 제1 절연층(4000)은 커넥터(400)마다 배치될 수 있다.
예를 들어, 도 3 및 도 13을 참조하면, 제2 유체가 통과하는 방향으로 서로 이격되어 배치되는 제1-1 열전모듈(1200-1) 및 제1-2 열전모듈(1200-2)에서 제1-1 열전모듈(1200-1)에 연결된 2개의 커넥터(400-1, 400-2) 및 제1-2 열전모듈(1200-2)에 연결된 2개의 커넥터(400-5, 400-6) 상에는 커넥터마다 제1 절연층(5000-1, ??, 5000-4)가 배치될 수 있다.
이에 따르면, 제1 절연층(5000)과 단열부재(3000) 사이의 빈 공간을 최소화할 수 있으며, 제1 절연층(5000)의 재료비를 절감할 수 있다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 열전모듈과 쉴드부재의 측면 사이에 제2 절연층이 더 배치될 수도 있다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따라 제2 절연층이 배치된 제1 쉴드부재의 상면도이고, 도 16은 본 발명의 실시예에 따라 제2 절연층이 배치된 제1 쉴드부재의 단면도이다.
도 15 내지 도 16을 참조하면, 제1 열전모듈(1200)과 제1 쉴드부재(2100)의 측면 사이에는 제2 절연층(6000)이 더 배치될 수 있다. 이에 따르면, 제1 열전모듈(1200)과 제1 쉴드부재(2100) 간의 접촉에 따른 통전이 방지될 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 쉴드부재(2100)는 제1 면(2110) 및 제1 면(2110)보다 높이가 높은 제2 면(2120)을 포함하며, 커넥터(400) 상에 제2 면(2120)이 배치될 수 있다. 여기서, 제2 절연층(6000)은 제1 쉴드부재(2100)의 제1 면(2110)의 측면에서 제1 쉴드부재(2100)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다.
이때, 도 16(a)에 도시된 바와 같이, 제2 절연층(6000)은 제1면(2110)의 측면에 배치될 수 있다. 여기서, 제2 절연층(6000)의 두께는 제1 면(2110)의 두께와 같거나 제1 면(2110)의 두께보다 클 수 있다. 또는, 도 16(b)에 도시된 바와 같이, 제2 절연층(6000)은 제1 면(2110)의 측면에 배치되되, 제1 면(2110)의 하면 및 제1 면(2110)의 상면 중 적어도 하나로 연장되도록 배치될 수도 있다. 이때, 제2 절연층(6000)은 폴리이미드(polyimide, PI)를 포함할 수 있다. 이에 따르면, 내화성, 내열성 및 절연 특성이 우수한 제2 절연층을 얻을 수 있다. 여기서, 제2 절연층(6000)은 폴리이미드 필름, 폴리이미드 테이프, 폴리이미드 수지, 졸-겔 폴리이미드-실리카 복합체의 형태를 가질 수 있다. 이에 따르면, 제1 열전모듈(1200) 및 제1 쉴드부재(2100) 사이가 절연될 수 있을 뿐만 아니라, 제1 열전모듈(1200) 및 제1 쉴드부재(2100) 사이를 통하여 외부의 습기, 열, 오염물질 등이 침투하는 것을 방지할 수도 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. 냉각부,
    상기 냉각부의 일면의 제1 영역에 배치된 열전모듈,
    상기 냉각부의 일면의 제2 영역에 배치되며, 상기 열전모듈에 연결되는 커넥터부,
    상기 커넥터부 상에 배치되고, 상기 커넥터부의 측면을 노출하도록 배치된 단열부재,
    상기 단열부재 및 상기 커넥터부를 덮도록 배치된 쉴드부재, 그리고
    상기 커넥터부 및 상기 쉴드부재 사이에 배치된 제1 절연층을 포함하는 발전장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉각부의 일면을 기준으로 상기 커넥터부의 높이는 상기 단열부재의 높이보다 높은 발전장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 커넥터부는 서로 이격되여 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고,
    상기 제1 절연층은 커넥터마다 배치된 복수의 제1 절연층인 발전장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 커넥터부는 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고,
    상기 제1 절연층은 상기 복수의 커넥터 상에 일체로 배치된 발전장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 절연층은 폴리이미드(polyimide, PI)를 포함하는 발전장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 열전모듈과 상기 쉴드부재의 측면 사이에 배치된 제2 절연층을 더 포함하는 발전장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 쉴드부재는 제1 면, 그리고 상기 제1 면보다 높이가 높은 제2 면을 포함하고,
    상기 커넥터부 상에 상기 제2 면이 배치되며,
    상기 제2 절연층은 상기 제1면의 측면에 배치된 발전장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 절연층은 상기 제1면의 측면으로부터 상기 제1면의 하면 및 상기 제1 면의 상면 중 적어도 하나로 연장된 발전장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 커넥터부에 연결된 전선부를 더 포함하고,
    상기 전선부는 상기 제2 영역에서 상기 냉각부의 일면과 상기 단열부재 사이에 배치되는 발전장치.
  10. 냉각부,
    상기 냉각부의 일면에 서로 이격되도록 배치된 제1 열전모듈 및 제2 열전모듈,
    상기 냉각부의 일면의 상기 제1 열전모듈 및 상기 제2 열전모듈의 사이에 배치되며, 상기 제1 열전모듈에 연결되는 제1 커넥터부 및 상기 제2 열전모듈에 연결되는 제2 커넥터부,
    상기 냉각부의 일면의 상기 제1 열전모듈 및 상기 제2 열전모듈의 사이에서 상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부의 측면에서 상기 제1 커넥터부의 적어도 일부 및 상기 제2 커넥터부의 적어도 일부를 노출하도록 배치된 단열부재,
    상기 단열부재, 상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부를 덮도록 배치된 쉴드부재, 그리고
    상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부와 상기 쉴드부재 사이에 배치된 제1 절연층을 포함하는 발전장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부 각각은 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고,
    상기 제1 절연층은 커넥터마다 배치된 복수의 제1 절연층인 발전장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부 각각은 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고,
    상기 제1 절연층은 상기 제1 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 및 상기 제2 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 상에 일체로 배치된 발전장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부 각각은 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고,
    상기 제1 절연층은 상기 제1 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 일부 및 상기 제2 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 일부 상에 일체로 배치된 복수의 제1 절연층을 포함하는 발전장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부 각각은 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고,
    상기 제1 절연층은 상기 제1 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 상에 일체로 배치되고, 상기 제2 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 일부 상에 일체로 배치된 복수의 제1 절연층을 포함하는 발전장치.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제1 커넥터부 및 상기 제2 커넥터부 각각은 서로 이격되어 배치되는 복수의 커넥터를 포함하고,
    상기 쉴드부재는 제1 면, 그리고 상기 제1 면에 의하여 둘러싸이며 상기 제1 면보다 높이가 높은 복수의 제2 면을 포함하고,
    상기 제1 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 일부 및 상기 제2 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 일부 상에 상기 복수의 제2 면 중 하나가 배치되고, 상기 제1 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 다른 일부 및 상기 제2 커넥터부에 포함되는 복수의 커넥터 중 다른 일부 상에 상기 복수의 제2 면 중 다른 하나가 배치되며,
    상기 제1면의 측면과 상기 제1 열전모듈 사이 및 상기 제1 면의 측면과 상기 제2 열전모듈 사이에 배치된 제2 절연층을 더 포함하는 발전장치.
KR1020200006195A 2020-01-16 2020-01-16 발전장치 KR20210092608A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200006195A KR20210092608A (ko) 2020-01-16 2020-01-16 발전장치
EP21741326.9A EP4092769A4 (en) 2020-01-16 2021-01-13 POWER GENERATING DEVICE
PCT/KR2021/000480 WO2021145677A1 (ko) 2020-01-16 2021-01-13 발전장치
US17/793,270 US11985896B2 (en) 2020-01-16 2021-01-13 Power generation device
JP2022543592A JP2023512476A (ja) 2020-01-16 2021-01-13 発電装置
CN202180009682.0A CN115004392A (zh) 2020-01-16 2021-01-13 发电设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200006195A KR20210092608A (ko) 2020-01-16 2020-01-16 발전장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210092608A true KR20210092608A (ko) 2021-07-26

Family

ID=77125069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200006195A KR20210092608A (ko) 2020-01-16 2020-01-16 발전장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210092608A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210167269A1 (en) Power generating apparatus
CN111433924A (zh) 热转换设备
US20230039582A1 (en) Power generation apparatus
US11985896B2 (en) Power generation device
KR20210092608A (ko) 발전장치
KR102316222B1 (ko) 열변환장치
KR102368960B1 (ko) 열전소자 및 이를 포함하는 열전변환장치
KR20210090998A (ko) 발전장치
US20230232718A1 (en) Thermoelectric module and power generation apparatus including the same
EP4362117A1 (en) Thermoelectric device
US20230210007A1 (en) Power generation device
KR102249020B1 (ko) 열변환장치
EP4372786A1 (en) Thermoelectric device
KR20220089299A (ko) 열전장치
KR20240068556A (ko) 열전모듈
KR20230116358A (ko) 열전장치
KR20210154413A (ko) 발전장치
KR20210155110A (ko) 발전장치
JP2022547108A (ja) 熱電モジュール
KR20240035161A (ko) 열전장치 및 이를 포함하는 열전 시스템
KR20230175073A (ko) 열전장치 및 이를 포함하는 열전 시스템
KR20230175072A (ko) 열전장치 및 이를 포함하는 열전 시스템
KR20210119798A (ko) 발전장치
KR20240035160A (ko) 열전장치 및 이를 포함하는 열전 시스템
KR20210156536A (ko) 열전모듈 및 이를 포함하는 발전장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal