KR20210091194A - Method of mass transfer of microelements - Google Patents
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Abstract
본 출원은 마이크로 요소의 대량 이송 방법을 개시한다. 상기 방법은 마이크로 요소와 제1 이송 기판을 제공하는 단계-복수의 마이크로 요소는 공급 기판 상에 배열되고, 제1 이송 기판의 제1 표면은 점성을 가짐-(S101); 제1 이송 기판과 공급 기판을 접합시켜, 제1 이송 기판의 제1 표면과 복수의 마이크로 요소의 제1 표면을 접합시키는 단계(S102); 공급 기판을 제거하고, 복수의 마이크로 요소의 제2 표면을 노출시키는 단계(S103); 제2 이송 기판을 제공하고, 제2 이송 기판을 제1 이송 기판과 접합시켜, 제2 이송 기판의 제1 표면을 복수의 마이크로 요소의 제2 표면과 접합시키는 단계(S104); 제1 이송 기판을 제거하고, 복수의 마이크로 요소의 제1 표면을 노출시키는 단계(S105); 및 타깃 기판을 제공하고, 타깃 기판을 제2 이송 기판과 정렬 접합시키고, 복수의 마이크로 요소를 타깃 기판 상까지 이송시키는 단계(S106)를 포함한다.The present application discloses a method for mass transfer of microelements. The method includes the steps of providing a micro-element and a first transfer substrate, a plurality of micro-elements arranged on the supply substrate, and a first surface of the first transfer substrate is viscous (S101); bonding the first transfer substrate and the supply substrate to bond the first surface of the first transfer substrate and the first surface of the plurality of microelements (S102); removing the supply substrate and exposing second surfaces of the plurality of microelements (S103); providing a second transfer substrate, bonding the second transfer substrate with the first transfer substrate, so that the first surface of the second transfer substrate is bonded to the second surface of the plurality of micro elements (S104); removing the first transfer substrate and exposing the first surfaces of the plurality of microelements (S105); and providing a target substrate, aligning the target substrate with the second transfer substrate, and transferring the plurality of microelements onto the target substrate ( S106 ).
Description
본 출원은 반도체 기술 분야에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마이크로 요소의 대량 이송 방법에 관한 것이다.The present application relates to the field of semiconductor technology, and more particularly, to a method for mass transfer of microelements.
현재 Micro-LED는 유리 기판 상에서 직접 성장시키기가 어렵다. 따라서 이송 기술에 의존하여 다른 기판 상에서 성장한 Micro-LED를 유리 기판 상으로 이송해야 한다. Micro-LED의 미세한 크기, 비교적 큰 성장 밀도 및 거대한 이송 수량을 감안하여 일반적으로 초고정밀도 이송 디바이스와 이송 헤드를 사용해 구현해야 한다. 이는 이송 디바이스와 이송 기술에 비교적 큰 어려움과 걸림돌이 되고 있다.Currently, it is difficult to directly grow Micro-LEDs on glass substrates. Therefore, it is necessary to transfer Micro-LEDs grown on other substrates onto a glass substrate depending on the transfer technology. Given the micro-LED's microscopic size, relatively large growth density, and huge transfer quantity, it is generally required to be implemented using ultra-high-precision transfer devices and transfer heads. This poses relatively great difficulties and obstacles to conveying devices and conveying technologies.
본 출원에서 주로 해결하려는 기술적 문제는 이송 디바이스를 단순화하고 이송 공정 난이도를 낮추며 이송 효율을 향상시킬 수 있는 마이크로 요소의 대량 이송 방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be mainly solved in the present application is to provide a method for mass transfer of microelements that can simplify the transfer device, lower the difficulty of the transfer process, and improve the transfer efficiency.
전술한 기술적 문제를 해결하기 위해, 본 출원에서 채택하는 기술적 해결책은 마이크로 요소의 대량 이송 방법을 제공하는 것이다. 상기 방법은 복수의 마이크로 요소와 제1 이송 기판을 제공하는 단계-복수의 마이크로 요소는 공급 기판 상에 배열되고, 제1 이송 기판의 제1 표면은 점성을 가짐-; 제1 이송 기판과 공급 기판을 접합시켜, 제1 이송 기판의 제1 표면과 복수의 마이크로 요소의 제1 표면을 접합시키는 단계; 공급 기판을 제거하고, 복수의 마이크로 요소의 제2 표면을 노출시키는 단계; 제2 이송 기판을 제공하고, 제2 이송 기판을 제1 이송 기판과 접합시켜, 제2 이송 기판의 제1 표면을 복수의 마이크로 요소의 제2 표면과 접합시키는 단계; 제1 이송 기판을 제거하고, 복수의 마이크로 요소의 제1 표면을 노출시키는 단계; 및 타깃 기판을 제공하고, 타깃 기판을 제2 이송 기판과 정렬 접합시키고, 복수의 마이크로 요소를 타깃 기판 상까지 이송하는 단계를 포함한다.In order to solve the above technical problem, the technical solution adopted in the present application is to provide a method for mass transport of microelements. The method includes providing a plurality of microelements and a first transfer substrate, the plurality of microelements arranged on the supply substrate, wherein a first surface of the first transfer substrate is viscous; bonding the first transfer substrate and the supply substrate to bond the first surface of the first transfer substrate and the first surface of the plurality of microelements; removing the supply substrate and exposing a second surface of the plurality of microelements; providing a second transfer substrate and bonding the second transfer substrate to the first transfer substrate, thereby bonding the first surface of the second transfer substrate to the second surface of the plurality of microelements; removing the first transfer substrate and exposing a first surface of the plurality of microelements; and providing a target substrate, aligning the target substrate with the second transfer substrate, and transferring the plurality of microelements onto the target substrate.
여기에서 제1 이송 기판의 제1 표면의 국소 영역은 점성을 갖는다.wherein the local area of the first surface of the first transfer substrate is viscous.
여기에서 공급 기판을 제거하고 복수의 마이크로 요소의 제2 표면을 노출시키는 단계 이후, 제1 이송 기판의 제1 표면에 봉지층을 형성하는 단계를 포함한다. 봉지층은 복수의 마이크로 요소의 제2 표면 및 측면을 감싼다.wherein after removing the supply substrate and exposing the second surfaces of the plurality of microelements, forming an encapsulation layer on the first surface of the first transfer substrate. An encapsulation layer surrounds the second surface and sides of the plurality of microelements.
여기에서 제1 이송 기판의 제1 표면에 봉지층을 형성하는 단계 이후, 봉지층을 패턴화하고 이송될 필요가 없는 복수의 마이크로 요소를 노출시키는 단계를 포함한다.Here, after forming the encapsulation layer on the first surface of the first transfer substrate, patterning the encapsulation layer and exposing a plurality of microelements that do not need to be transferred are included.
여기에서 봉지층 재료는 감광성 수지 재료이다. 감광성 수지에 대해 반경화 처리를 수행하여 봉지층이 점성을 갖도록 한다. 이를 통해 제2 이송 기판의 제1 표면을 복수의 마이크로 요소의 제2 표면과 접합시킨다.Here, the sealing layer material is a photosensitive resin material. A semi-curing treatment is performed on the photosensitive resin to make the encapsulation layer viscous. This bonds the first surface of the second transfer substrate with the second surface of the plurality of microelements.
제2 이송 기판의 제1 표면을 처리하여, 제2 이송 기판의 제1 표면이 점성을 갖도록 한다. 이를 통해 제2 이송 기판의 제1 표면을 복수의 마이크로 요소의 제2 표면과 접합시킨다.The first surface of the second transfer substrate is treated to make the first surface of the second transfer substrate viscous. This bonds the first surface of the second transfer substrate with the second surface of the plurality of microelements.
여기에서, 상기 봉지층은 불투명한 재료이다. 여기에서, 봉지층 재료는 감광성 수지 재료, 실리콘 산화물 재료 또는 실리콘 질화물 재료이다.Here, the encapsulation layer is an opaque material. Here, the encapsulation layer material is a photosensitive resin material, a silicon oxide material, or a silicon nitride material.
여기에서 코팅, 화학적 기상 증착 또는 물리적 기상 증착 방법을 이용하여 제1 이송 기판의 제1 표면에 봉지층을 형성한다.Here, an encapsulation layer is formed on the first surface of the first transfer substrate by using a coating, chemical vapor deposition, or physical vapor deposition method.
여기에서 레이저를 이용하여 공급 기판을 박리하거나, 화학적 에칭 방식을 이용해 공급 기판을 박리한다.Here, the supply substrate is peeled off using a laser, or the supply substrate is peeled off using a chemical etching method.
여기에서, 제1 이송 기판의 제1 표면에 점성이 있는 재료를 코팅하여 점성을 갖도록 만든다. 또는 제1 이송 기판의 제1 표면에 감열성 재료 또는 감광성 재료를 코팅하며, 감열성 재료 또는 감광성 재료에 대해 후속 처리를 수행하여 제1 이송 기판의 제1 표면이 점성을 갖도록 만든다.Here, the first surface of the first transfer substrate is coated with a viscous material to make it viscous. Alternatively, the first surface of the first transfer substrate is coated with a heat-sensitive material or a photosensitive material, and a subsequent treatment is performed on the heat-sensitive material or the photosensitive material to make the first surface of the first transfer substrate viscous.
여기에서 기계적 힘을 이용해 제1 이송 기판 또는 제2 이송 기판을 제거한다.Here, the first transfer substrate or the second transfer substrate is removed using mechanical force.
여기에서 복수의 마이크로 요소를 타깃 기판 상으로 이송하는 단계 이후, 타깃 기판에 대해 패키징 처리를 수행하는 단계를 포함한다.Here, after transferring the plurality of microelements onto the target substrate, the method includes performing a packaging process on the target substrate.
여기에서 복수의 마이크로 요소에 대한 제2 이송 기판의 접합력은 복수의 마이크로 요소에 대한 제1 이송 기판의 접합력보다 크다.Here, the bonding force of the second transfer substrate to the plurality of microelements is greater than the bonding force of the first transfer substrate to the plurality of microelements.
여기에서 복수의 마이크로 요소는 플립(flip) 구조의 마이크로 발광 요소 또는 수직 구조의 마이크로 발광 요소이다.Here, the plurality of micro-elements is a micro light-emitting element having a flip structure or a micro light-emitting element having a vertical structure.
여기에서 복수의 마이크로 요소는 수직 구조의 마이크로 발광 요소이다. 복수의 마이크로 요소를 타깃 기판 상까지 이송하는 단계 이후, 봉지층을 제거하고 복수의 마이크로 요소를 노출시키는 단계; 타깃 기판 상에서 절연층 성막을 수행하여 평탄화층을 형성하는 단계; 및 평탄화층 상에 금속 성막을 수행하여 공용 음극층을 형성하는 단계를 포함한다.Here, the plurality of micro-elements are micro light-emitting elements having a vertical structure. after transferring the plurality of microelements onto the target substrate, removing the encapsulation layer and exposing the plurality of microelements; forming an insulating layer on a target substrate to form a planarization layer; and forming a common cathode layer by forming a metal film on the planarization layer.
여기에서 제1 이송 기판, 제2 이송 기판은 유리 기판 또는 수지 기판이다.Here, the first transfer substrate and the second transfer substrate are glass substrates or resin substrates.
본 출원의 유익한 효과는 다음과 같다. 종래 기술과 비교할 때, 본 출원은 마이크로 요소의 대량 이송 방법을 제공한다. 상기 방법은 2개의 이송 기판을 이송 디바이스로 사용하며, 2단계에 거쳐 마이크로 요소를 타깃 기판 상으로 이송한다. 상기 방법은 사용하는 이송 디바이스가 간단하고, 이송 공정 난이도가 낮으며, 이송 효율이 높다.Advantageous effects of the present application are as follows. Compared with the prior art, the present application provides a method for mass transport of microelements. The method uses two transfer substrates as transfer devices, and transfers microelements onto a target substrate in two steps. In this method, the transfer device used is simple, the difficulty of the transfer process is low, and the transfer efficiency is high.
또한 이송 과정에서 마이크로 요소 상에 봉지층을 형성할 수 있다. 봉지층은 마이크로 요소가 이송 과정에서 손상되지 않도록 보호하는 동시에 마이크로 요소의 선택적 이송을 구현할 수 있다.It is also possible to form an encapsulation layer on the microelements during the transfer process. The encapsulation layer protects the micro-element from being damaged during the transfer process, and at the same time can realize selective transfer of the micro-element.
도 1은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제1 실시방식의 흐름도이다.
도 2는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 마이크로 요소를 제공하는 개략도이다.
도 3은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 제1 이송 기판과 공급 기판을 부착하는 개략도이다.
도 4는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 공급 기판을 제거한 개략도이다.
도 5는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 봉지층을 형성한 개략도이다.
도 6은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 봉지층을 패턴화한 개략도이다.
도 7은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 제2 이송 기판과 제1 이송 기판을 부착한 개략도이다.
도 8은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 제1 이송 기판을 제거한 개략도이다.
도 9는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 타깃 기판과 제2 이송 기판을 부착한 개략도이다.
도 10은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 제2 이송 기판을 제거한 개략도이다.
도 11은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 봉지층을 제거한 개략도이다.
도 12는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 마이크로 요소를 패키징한 개략도이다.
도 13은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제3 실시방식 중 평탄화층을 형성한 개략도이다.
도 14는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제3 실시방식 중 금속층을 형성한 개략도이다.
도 15는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제3 실시방식 중 마이크로 요소를 패키징한 개략도이다.1 is a flowchart of a first embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
Figure 2 is a schematic diagram of providing a micro-element in the second embodiment in the mass transfer method of the micro-element of the present application.
3 is a schematic diagram of attaching a first transfer substrate and a supply substrate in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
4 is a schematic diagram illustrating a method for mass transfer of microelements in the present application in which a supply substrate is removed in a second embodiment.
5 is a schematic view of forming an encapsulation layer in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
6 is a schematic diagram of a patterned encapsulation layer in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
7 is a schematic diagram of attaching a second transfer substrate and a first transfer substrate in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
8 is a schematic diagram illustrating the removal of the first transfer substrate in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
9 is a schematic diagram of attaching a target substrate and a second transfer substrate in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
10 is a schematic diagram of a second transfer substrate removed in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
11 is a schematic view in which the encapsulation layer is removed in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
12 is a schematic diagram of packaging microelements in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
13 is a schematic view of forming a planarization layer in the third embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
14 is a schematic diagram of forming a metal layer in the third embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
15 is a schematic diagram of packaging microelements in the third embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application.
본 출원의 목적, 기술적 해결책 및 효과에 대한 보다 명확하고 정확한 이해를 돕기 위해, 이하에서는 첨부 도면과 실시예를 참고하여 본 출원을 더욱 상세하게 설명한다.In order to help a clearer and more accurate understanding of the object, technical solution, and effect of the present application, the present application will be described in more detail below with reference to the accompanying drawings and examples.
본 출원은 마이크로 요소의 대량 이송 방법을 제공한다. 2개의 이송 기판을 이송 디바이스로 사용하며, 2단계에 거쳐 마이크로 요소를 타깃 기판 상으로 이송한다. 이러한 방식을 통해 전체 이송 과정에서 이송 헤드 및 복잡한 이송 디바이스를 사용할 필요가 없으므로 이송 난이도가 크게 낮아진다. 본 출원에서 개시하는 대량 이송 방법은 마이크로 발광 다이오드 소자(Micro-LED)를 이송하는 데 사용된다. 여기에서는 Micro-LED 이송을 예로 들어 설명하나 상기 소자에만 한정되지 않으며 다른 마이크로 요소의 이송에도 사용될 수 있다. 예를 들어 포토다이오드 어레이 검출기(Photo-diode Array, PDA)의 다이오드 어레이, 금속 산화물 반도체(Metal Oxide Semiconductor, MOS) 소자, 마이크로 전자 기계 시스템(Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS)의 MEMS 소자 등이 있다.The present application provides a method for mass transport of microelements. Two transfer substrates are used as transfer devices, and the microelements are transferred onto the target substrate in two steps. In this way, the transfer difficulty is greatly reduced as there is no need to use transfer heads and complex transfer devices during the entire transfer process. The mass transfer method disclosed in the present application is used to transfer a micro light emitting diode device (Micro-LED). Here, the micro-LED transfer is described as an example, but it is not limited to the above device and may be used for transferring other micro elements. For example, a diode array of a photodiode array detector (PDA), a metal oxide semiconductor (MOS) device, a micro-electro-mechanical system (MEMS) device, etc. there is.
도 1을 참고하면, 도 1은 본 출원에 따른 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제1 실시방식의 흐름도이다. 상기 실시방식에서 이송 방법은 하기 단계를 포함한다.Referring to FIG. 1, FIG. 1 is a flowchart of a first embodiment in a method for mass transporting microelements according to the present application. In the above embodiment, the transfer method includes the following steps.
S101: 복수의 마이크로 요소와 제1 이송 기판을 제공한다. 복수의 마이크로 요소는 공급 기판 상에 배열되고, 제1 이송 기판의 제1 표면은 점성을 갖는다.S101: Provide a plurality of microelements and a first transfer substrate. A plurality of microelements are arranged on the supply substrate, and a first surface of the first transfer substrate is viscous.
여기에서 마이크로 요소는 복수개이다. 마이크로 요소는 Micro-LED일 수 있다. 공급 기판은 사파이어 기판이다. 사파이어 기판 상에는 소정 크기, 소정 유형을 갖는 Micro-LED가 성장된다. 다른 실시방식에서 사파이어 기판으로 한정되지 않으며, 다른 기판일 수도 있다. 예를 들어 실리콘계 기판 또는 질화갈륨(GaN) 기판 등일 수도 있다. 다른 실시방식에 있어서, 마이크로 요소는 포토다이오드 어레이 검출기(Photo-diode Array, PDA)의 다이오드 어레이, 금속 산화물 반도체(Metal Oxide Semiconductor, MOS) 소자, 마이크로 전자 기계 시스템(Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS)의 MEMS 소자 등일 수도 있다. 그러나 여기에 나열된 예시로 한정되지 않는다.Here, there are a plurality of microelements. The micro element may be a Micro-LED. The supply substrate is a sapphire substrate. Micro-LEDs having a predetermined size and a predetermined type are grown on a sapphire substrate. It is not limited to a sapphire substrate in another embodiment, and may be another substrate. For example, it may be a silicon-based substrate or a gallium nitride (GaN) substrate. In another embodiment, the micro element is a diode array of a photo-diode array detector (PDA), a metal oxide semiconductor (MOS) device, a micro-electro-mechanical system (MEMS). ) may be a MEMS device or the like. However, it is not limited to the examples listed here.
제1 이송 기판은 경성 재료의 기판으로 고정 작용을 일으킨다. 예를 들어 유리 기판, 폴리머(수지) 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판 등이 있다. 또한 제1 이송 기판 상에 점성 재료를 코팅하여 제1 이송 기판의 제1 표면이 점성을 가지고 안정적인 접착 결합 작용을 나타내도록 해야 한다. 점성이 있는 재료를 직접 코팅할 수 있으며, 일정한 특성이 있는 재료를 코팅한 후 해당 재료에 대해 후속 처리를 수행하여 점성을 갖도록 만들 수도 있다.The first transfer substrate causes a fixing action to the substrate of the rigid material. For example, there are glass substrates, polymer (resin) substrates, sapphire substrates, ceramic substrates, and the like. In addition, a viscous material should be coated on the first transfer substrate so that the first surface of the first transfer substrate has viscosity and exhibits a stable adhesive bonding action. A viscous material can be coated directly, or a material with certain properties can be coated, followed by subsequent processing on the material to make it viscous.
S102: 제1 이송 기판을 공급 기판과 부착하여, 제1 이송 기판의 제1 표면과 복수의 마이크로 요소의 제1 표면을 접합시킨다.S102: Attach the first transfer substrate with the supply substrate to bond the first surface of the first transfer substrate and the first surface of the plurality of microelements.
여기에서 제1 이송 기판의 제1 표면 전체 면이 모두 점성을 갖도록 설치할 수 있다. 이러한 방식은 제1 이송 기판을 공급 기판과 접합할 때 정확한 정렬이 필요 없으며, 점성면이 마이크로 요소를 커버할 수만 있으면 된다. 다른 실시방식에 있어서, 제1 이송 기판의 제1 표면 국소 영역이 점성을 갖도록 설치할 수도 있다. 이러한 방식으로 접합할 때, 점성 영역을 이송할 마이크로 요소가 위치한 영역과 정렬 접합해야 한다. 이러한 방식을 통해 이송 기판의 사용 면적을 줄이고 비용을 절감할 수 있으며, 용이한 수취 작업을 위한 비점성 영역도 남길 수 있다. 또한 이송이 필요한 마이크로 요소 대응 위치에만 점성 영역을 설치할 수 있어 선택적 이송을 구현할 수 있다.Here, the entire first surface of the first transfer substrate may be installed to have viscosity. This method does not require precise alignment when bonding the first transfer substrate to the feed substrate, as long as the viscous surface can cover the microelements. In another embodiment, the first surface local area of the first transfer substrate may be provided to be viscous. When bonding in this way, the viscous area must be aligned with the area where the microelements to be transported are located. In this way, it is possible to reduce the area used for the transfer substrate, reduce costs, and leave a non-viscous area for easy receiving operation. In addition, since the viscous region can be installed only at the position corresponding to the micro-element that needs to be transported, selective transport can be realized.
S103: 공급 기판을 제거하고, 복수의 마이크로 요소의 제2 표면을 노출시킨다.S103: Remove the supply substrate, and expose second surfaces of the plurality of microelements.
여기에서 레이저를 사용하여 공급 기판에 대한 박리를 수행할 수 있다. 또한 화학적 에칭의 방식을 사용해 공급 기판에 대한 박리를 수행할 수도 있다. 마이크로 요소를 제거한 후, 마이크로 요소는 접착력으로 인해 제1 이송 기판 상에 남는다.A laser can be used here to perform delamination to the supply substrate. It is also possible to perform exfoliation to the supply substrate using a method of chemical etching. After removing the microelements, the microelements remain on the first transfer substrate due to their adhesion.
S104: 제2 이송 기판을 제공하고, 제2 이송 기판을 제1 이송 기판과 부착하여, 제2 이송 기판의 제1 표면과 복수의 마이크로 요소의 제2 표면을 접합시킨다.S104: Provide a second transfer substrate, and attach the second transfer substrate with the first transfer substrate to bond the first surface of the second transfer substrate and the second surface of the plurality of microelements.
여기에서 제2 이송 기판 상에 점성 재료를 코팅하여 제2 이송 기판이 점성을 갖도록 만들 수 있다. 또한 마이크로 요소 상에 점성 재료를 덮어 마이크로 요소가 점성을 갖도록 만들어, 제2 이송 기판과 마이크로 요소의 접합 효과를 구현할 수도 있다. 제2 이송 기판은 경성 재료의 기판으로 고정 작용을 일으킨다. 예를 들어 유리 기판, 폴리머(수지) 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판 등이 있다. 제2 이송 기판의 재료는 제1 이송 기판과 같을 수도 있고, 제1 이송 기판과 다를 수도 있다.Here, a viscous material may be coated on the second transfer substrate to make the second transfer substrate viscous. In addition, by covering the micro-element with a viscous material to make the micro-element viscous, a bonding effect between the second transfer substrate and the micro-element may be realized. The second transfer substrate causes a fixing action to the substrate of the rigid material. For example, there are glass substrates, polymer (resin) substrates, sapphire substrates, ceramic substrates, and the like. The material of the second transfer substrate may be the same as that of the first transfer substrate, or may be different from that of the first transfer substrate.
S105: 제1 이송 기판을 제거하고, 복수의 마이크로 요소의 제1 표면을 노출시킨다.S105: Remove the first transfer substrate, and expose first surfaces of the plurality of microelements.
여기에서 마이크로 요소에 대한 제2 이송 기판의 접착력이 마이크로 요소에 대한 제1 이송 기판의 접착력보다 클 수 있다. 따라서 제1 이송 기판을 제거할 때, 마이크로 요소가 제2 이송 기판 상에서 탈락되는 것을 방지할 수 있다. 여기에서 기계적 힘을 직접 이용하여 제1 이송 기판을 제거할 수 있다.Here, the adhesion of the second transfer substrate to the micro-element may be greater than the adhesion of the first transfer substrate to the micro-element. Accordingly, when the first transfer substrate is removed, it is possible to prevent the micro-element from falling off on the second transfer substrate. Here, the first transfer substrate may be removed by directly using a mechanical force.
S106: 타깃 기판을 제공한다. 타깃 기판을 제2 이송 기판과 정렬 접합시키고, 복수의 마이크로 요소를 타깃 기판 상까지 이송한다.S106: A target substrate is provided. The target substrate is aligned with the second transfer substrate, and a plurality of microelements are transferred onto the target substrate.
여기에서 타깃 기판 상에는 구동 회로 및 접촉 전극이 설치된다. 마이크로 요소의 제1 표면에는 전극이 설치된다. 타깃 기판을 제2 이송 기판과 접합할 때, 마이크로 요소의 전극을 타깃 기판의 접촉 전극과 정렬 접합하여, 마이크로 요소에 대한 이송을 완료해야 한다.Here, a driving circuit and a contact electrode are provided on the target substrate. An electrode is installed on the first surface of the micro-element. When bonding the target substrate to the second transfer substrate, the electrode of the micro-element must be aligned with the contact electrode of the target substrate to complete the transfer to the micro-element.
상기 실시방식에 있어서, 2개의 이송 기판만 이용하여 마이크로 요소에 대한 이송을 구현하였다. 사용되는 이송 디바이스가 간단하고 이송 공정 난이도가 낮으며 이송 효율이 높다.In the above embodiment, transfer to the micro-element was implemented using only two transfer substrates. The conveying device used is simple, the conveying process difficulty is low, and the conveying efficiency is high.
여기에서 일 실시방식에 있어서, 전극이 소재한 위치에 따라, Micro-LED 소자는 수직 구조와 플립 구조로 나눌 수 있다. 수직 구조 Micro-LED의 음양극은 소자의 상하 양측에 위치한다. 플립 구조 Micro-LED의 음양극은 소자의 동일 측에 위치한다. 이하에서는 이 2가지 구조의 마이크로 요소를 예로 들어 상기 이송 방법에 대해 상세하게 설명한다.Here, in one embodiment, the Micro-LED device can be divided into a vertical structure and a flip structure according to the location of the electrode. The anode of the vertical structure Micro-LED is located on both upper and lower sides of the device. The anode of the flip-structured Micro-LED is located on the same side of the device. Hereinafter, the transfer method will be described in detail by taking the microelements of these two structures as an example.
도 2 내지 도 12를 함께 참고하면, 상기 실시방식에서 이송 방법은 하기 단계를 포함한다.2 to 12 together, the transfer method in the embodiment includes the following steps.
도 2를 참고하면, 도 2는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 마이크로 요소를 제공하는 개략도이다. 공급 기판(20) 상에 순차적으로 배열된 Micro-LED 소자(10)를 형성한다. 상기 Micro-LED 소자(10)는 플립 구조이다. Micro-LED 소자(10)의 음극과 양극은 공급 기판(20)으로부터 먼 제1 표면(101) 상에 형성된다.Referring to FIG. 2 , FIG. 2 is a schematic diagram of providing a micro element in the second embodiment in the mass transfer method of the micro element of the present application.
도 3을 참고하면, 도 3은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 제1 이송 기판과 공급 기판을 부착한 개략도이다. 제1 이송 기판(30)을 제공한다. 제1 이송 기판(30)은 유리 기판이다. 제1 이송 기판(30)의 제1 표면(301)에는 점성 재료가 코팅된다. 여기에서 점성 재료는 유기 점성 접착제일 수 있다. 구체적인 접착제의 종류, 분자 구조는 여기에서 한정하지 않는다. 예를 들어 점성 재료는 유기 접착제일 수 있다. 예를 들어 열가소성의 비닐 폴리머(폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐 알코올, 퍼클로로에틸렌, 폴리이소부틸렌 등), 폴리에스테르, 폴리에테르, 폴리아미드, 폴리아크릴레이트 등, 열경화성의 에폭시 수지, 페놀 수지 등이 있다. 또한 고무류의 스티렌 부타디엔 고무, 부틸 고무, 페놀릭 니트릴 고무, 페놀릭 클로로프렌 고무 등일 수도 있다. 점성이 있는 재료를 직접 코팅할 수 있으며, 일정한 특성이 있는 재료를 코팅할 수도 있다. 예를 들어 감열 또는 감광 점성 재료가 있다. 이는 일반적인 상태에서는 점성이 없으나, 가열하거나 빛을 조사하면 점성을 갖는 물질로 변한다.Referring to FIG. 3, FIG. 3 is a schematic view of attaching a first transfer substrate and a supply substrate in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. A
도 4를 참고하면, 도 4는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 공급 기판을 제거한 개략도이다. 공급 기판(20)에 대해 레이저 박리를 수행한다. 레이저 박리된 공급 기판(20)을 제거하고, Micro-LED 소자(10)를 제1 이송 기판(30) 상에 남긴다. 동시에 제1 이송 기판(30)을 180도 반전시켜 Micro-LED 소자(10)가 위를 향하도록 만든다. 다른 실시방식에 있어서, 화학적 에칭 등 다른 박리 방식을 사용하여 박리를 수행할 수도 있다.Referring to FIG. 4 , FIG. 4 is a schematic view in which the supply substrate is removed in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. Laser ablation is performed on the
도 5를 참고하면, 도 5는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 봉지층을 형성한 개략도이다. 제1 이송 기판(30)의 제1 표면에 봉지층(40)을 형성한다. 봉지층(40)은 제1 이송 기판(30)의 제1 표면(301)을 감싼다. 구체적으로 봉지층(40)은 Micro-LED 소자(10)의 제2 표면 및 측면을 감싼다. 봉지층(40)을 설치함으로써 Micro-LED 소자(10)를 전면적으로 덮어, Micro-LED 소자(10)를 비교적 안정적으로 제1 이송 기판(30) 상에 부착할 수 있다. 봉지층(40)은 점성이 있는 재료일 수 있으며, 점성이 없는 재료일 수도 있다. 한 층의 박막일 뿐이며, 분자 간 작용력을 통해 Micro-LED 소자(10)를 고정한다.Referring to FIG. 5, FIG. 5 is a schematic diagram of an encapsulation layer formed in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. An
상기 실시방식에 있어서, 봉지층(40) 재료는 감광성 수지 재료이다. 즉, 제1 이송 기판(30)의 제1 표면(301)에 한 층의 감광성 수지 재료를 코팅하여 봉지층을 형성한다. 감광성 수지 재료는 감광성 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS) 또는 폴리이미드(PI) 등 감광성 폴리머일 수 있다. 다른 실시방식에 있어서, 다른 공정을 이용하여 봉지층을 형성할 수도 있다. 주로 저온 공정을 선택하여 고온이 Micro-LED 소자(10) 특성에 영향을 미치는 것을 방지하고 고온에서 Micro-LED 소자(10) 위치가 간섭 받을 가능성을 낮춘다. 예를 들어 봉지층(40) 재료는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 재료일 수 있으며, 예를 들어 SiO2, SiNx 등이 있다. 화학적 기상 증착 또는 물리적 기상 증착 방법을 이용하여 봉지층을 형성한다. 봉지층의 두께를 한정하지 않으며, Micro-LED 소자(10)를 덮을 수 있기만 하면 된다.In the above embodiment, the material of the
도 6을 참고하면, 도 6은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 봉지층을 패턴화한 개략도이다. 황색광 공정을 사용해 봉지층에 대해 패턴화를 수행한다. 이송될 필요가 없는 Micro-LED 소자(10) 근처의 감광 수지를 제거하고, 이송되어야 하는 Micro-LED 소자(10) 근처의 감광 수지를 남긴다. 봉지층(40)에 대해 패턴화를 수행함으로써 Micro-LED 소자(10)의 선택적 이송을 구현할 수 있다.Referring to FIG. 6, FIG. 6 is a schematic diagram of a patterned encapsulation layer in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. Patterning is performed on the encapsulation layer using a yellow light process. The photosensitive resin near the
도 7을 참고하면, 도 7은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 제2 이송 기판과 제1 이송 기판을 부착한 개략도이다. 제2 이송 기판(50)과 제1 이송 기판(30)을 접합하여, 제2 이송 기판(50)을 패턴화 감광 수지층과 접착 결합한다. 여기에서, 제2 이송 기판(50)의 제1 표면(501)에 대한 처리를 수행할 수 있다. 예를 들어 제2 이송 기판(50) 상에 점성 재료를 코팅하여 제2 이송 기판(50)이 점성을 갖도록 한다. 또한 감광 수지 재료에 대해 처리를 수행하여 점성을 갖도록 함으로써, 제2 이송 기판(50)을 패턴화 감광 수지층과 접착 결합하는 효과를 구현할 수도 있다. 구체적으로, 감광 수지 재료는 반경화 온도와 완전 경화 온도를 갖는다. 감광 수지 재료는 반경화 상태에 있을 때 일정한 점성을 갖는다. 따라서 경화 온도를 제어함으로써 감광 수지 재료가 점성을 갖도록 구현할 수 있다.Referring to FIG. 7 , FIG. 7 is a schematic diagram of attaching a second transfer substrate and a first transfer substrate in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. By bonding the
도 8을 참고하면, 도 8은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 제1 이송 기판을 제거한 개략도이다. 제1 이송 기판(30)을 제거하여, Micro-LED 소자(10)의 전극을 노출시킨다. 여기에서 Micro-LED 소자(10)에 대한 제2 이송 기판(50)의 접착력이 Micro-LED 소자(10)에 대한 제1 이송 기판(30)의 접착력보다 크도록 제어한다. 이를 통해 제1 이송 기판(30)을 제거할 때 Micro-LED 소자(10)가 제2 이송 기판(50)으로부터 탈락되는 것을 방지한다. 구체적으로 상이한 점도의 점성 재료를 선택함으로써 구현할 수 있다. 여기에서 제2 이송 기판(50)을 제1 이송 기판(30)과 접합할 때, 봉지층(40)의 존재로 인해, Micro-LED 소자(10)는 봉지층이 있는 것과 봉지층이 없는 것의 높이가 다르다. 봉지층이 있는 Micro-LED 소자가 더 높기 때문에 제2 이송 기판(50)을 접합할 수 있다. 봉지층이 없는 Micro-LED 소자는 높이가 충분하지 않아 제2 이송 기판(50)을 접합할 수 없다. 따라서 제1 이송 기판(30)을 박리한 후, 제2 이송 기판(50) 상에 접합되지 않은 Micro-LED 소자(10)가 제1 이송 기판(30)을 따라 탈락되고 제2 이송 기판(50) 상에 남지 않아 선택적 이송을 구현할 수 있다.Referring to FIG. 8, FIG. 8 is a schematic view in which the first transfer substrate is removed in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. The electrode of the
도 9를 참고하면, 도 9는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 타깃 기판과 제2 이송 기판을 부착한 개략도이다. 타깃 기판(60)을 제공하고, 타깃 기판(60) 상에는 구동 회로 및 접촉 전극(601)이 설치된다. 제2 이송 기판(50)을 타깃 기판(60)과 정렬 접합하고, Micro-LED 소자(10)의 음양극을 접촉 전극(601)과 결합 연결한다.Referring to FIG. 9 , FIG. 9 is a schematic diagram of attaching a target substrate and a second transfer substrate in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. A
도 10을 참고하면, 도 10은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 제2 이송 기판을 제거한 개략도이다. 전극 결합 연결 후 제2 이송 기판을 제거하여, Micro-LED 소자(10)의 이송을 완료한다. 여기에서 기계적 힘을 직접 이용하여 제2 이송 기판(50)을 제거할 수 있다.Referring to FIG. 10, FIG. 10 is a schematic view in which the second transfer substrate is removed in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. After connecting the electrodes, the second transfer substrate is removed to complete the transfer of the
도 11을 참고하면, 도 11은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 봉지층을 제거한 개략도이다. 황색광 공정을 사용하여 남은 감광 수지를 제거하고, 타깃 기판(60) 상의 Micro-LED 소자(10)를 노출시킨다. 다른 실시방식에 있어서, 봉지층의 재료에 따라 대응하는 공정을 선택하여 봉지층 재료를 제거한다.Referring to FIG. 11 , FIG. 11 is a schematic view in which the encapsulation layer is removed in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. A yellow light process is used to remove the remaining photoresist and expose the
도 12를 참고하면, 도 12는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제2 실시방식 중 마이크로 요소를 패키징한 개략도이다. 마이크로 요소에 대해 패키징 처리를 수행하여 패키징층(70)을 형성함으로써 LED 소자 및 접촉 전극을 보호한다. 구체적인 패키징 재료와 패키징 공정은 일반적인 재료와 공정을 선택할 수 있으므로 여기에서 한정하지 않는다.Referring to FIG. 12 , FIG. 12 is a schematic diagram of packaging microelements in the second embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. The LED element and the contact electrode are protected by performing a packaging process on the micro element to form the
다른 실시방식에 있어서, 봉지층에 투명 재료를 선택하는 경우, 봉지층을 제거할 필요 없이 곧바로 패키징을 수행할 수 있다. 남은 봉지층은 소자에 대해 추가적 층 보호 작용을 나타낼 수 있다.In another embodiment, when a transparent material is selected for the encapsulation layer, packaging may be performed immediately without removing the encapsulation layer. The remaining encapsulation layer may provide additional layer protection for the device.
상기 실시방식에 있어서, 봉지층 설치를 통해 전방위적으로 Micro-LED 소자를 감싸 Micro-LED 소자가 균일하게 힘을 받도록 만들 수 있다. 또한 Micro-LED 소자가 이송 과정에서 손상되지 않도록 보호할 수도 있다. 또한 봉지층 패턴화를 통해 선택된 Micro-LED 소자를 선택적으로 감쌀 수 있다. 봉지층이 있는 Micro-LED 소자와 봉지층이 없는 Micro-LED 소자의 높이 차이를 이용하여, 제2 이송 기판을 접착 결합할 때 봉지층이 있는 Micro-LED 소자를 선택적으로 접착 결합함으로써 선택적 이송을 구현할 수 있다.In the above embodiment, it is possible to make the Micro-LED device receive a uniform force by wrapping the Micro-LED device in all directions through the installation of the encapsulation layer. It can also protect the Micro-LED device from being damaged during transport. In addition, the selected Micro-LED device can be selectively wrapped through patterning of the encapsulation layer. By using the height difference between the Micro-LED device with the encapsulation layer and the Micro-LED device without the encapsulation layer, selective transfer is achieved by selectively adhesively bonding the Micro-LED device with the encapsulation layer when adhesive bonding the second transfer substrate. can be implemented
다른 일 실시방식에 있어서, Micro-LED 소자는 수직 구조이며 그 음양극은 소자의 상하 양측에 위치한다. 소자 이송 완료 후 다른 일면의 전극을 더 제작해야 한다.In another exemplary embodiment, the Micro-LED device has a vertical structure, and its cathodes are located on both upper and lower sides of the device. After the device transfer is completed, an electrode on the other side must be further manufactured.
구체적으로 도 2 내지 도 12를 함께 참고하면, 수직 구조 소자의 이송은 플립 구조 소자의 이송 단계와 동일하다. 구체적으로 전술한 실시방식의 설명을 참고하며, 여기에서는 더 이상 설명하지 않는다.Specifically, referring to FIGS. 2 to 12 together, the transfer of the vertical structure element is the same as the transfer step of the flip structure element. Specifically, reference is made to the description of the above-described embodiment, which will not be described further herein.
도 13을 참고하면, 도 13은 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제3 실시방식 중 평탄화층을 형성한 개략도이다. 제2 이송 기판 및 봉지층을 제거한 후, 절연층 성막 공정을 수행하여 평탄화층(80)을 형성한다. 또한 Micro-LED의 N타입 접촉 영역이 노출되도록 보장한다. 여기에서 절연층 재료 및 형성 공정은 일반적인 재료와 공정을 사용할 수 있으므로 여기에서 한정하지 않는다.Referring to FIG. 13, FIG. 13 is a schematic diagram of a planarization layer formed in the third embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. After the second transfer substrate and the encapsulation layer are removed, an insulating layer forming process is performed to form the planarization layer 80 . It also ensures that the N-type contact area of the Micro-LED is exposed. Here, the insulating layer material and the forming process are not limited thereto since general materials and processes can be used.
도 14를 참고하면, 도 14는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제3 실시방식 중 금속층을 형성한 개략도이다. 평탄화층(80) 상에 금속 성막(90) 공정을 수행하여, Micro-LED 소자(10)의 공용 음극을 형성한다. 또한 금속층을 선택적으로 패턴화할 수 있다. 여기에서 금속 재료 및 형성 공정은 일반적인 재료와 공정을 사용할 수 있으므로 여기에서 한정하지 않는다.Referring to FIG. 14, FIG. 14 is a schematic diagram of a metal layer formed in the third embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. A
도 15를 참고하면, 도 15는 본 출원 마이크로 요소의 대량 이송 방법에서 제3 실시방식 중 마이크로 요소를 패키징한 개략도이다. Micro-LED 소자(10)에 대해 패키징 처리를 수행하고, Micro-LED 소자(10) 및 접촉 전극(601)을 보호한다. 구체적인 패키징 재료와 패키징 공정은 일반적인 재료와 공정을 선택할 수 있으므로 여기에서 한정하지 않는다.Referring to FIG. 15, FIG. 15 is a schematic diagram of packaging microelements in the third embodiment in the mass transfer method of microelements of the present application. A packaging process is performed on the
상기 해결책은 봉지층을 사용함으로써 Micro-LED 소자를 선택적으로 이송할 수 있다. 전체 흐름이 이송 헤드류 디바이스 공정에 비해 난이도가 낮고 디바이스가 간단하다. 또한 종래의 패널 공정을 사용해 대량 이송 효과를 구현할 수 있으며, 복잡한 이송 헤드 디바이스를 개발할 필요가 없다. 또한 봉지층이 Micro-LED 소자를 감싸 Micro-LED 소자가 균일하게 힘을 받도록 만들 수 있다. 동시에 Micro-LED 소자가 이송 과정에서 손상되지 않도록 보호할 수도 있다. 또한 패턴화된 봉지층이 Micro-LED 소자를 선택적으로 감싸 선택적 이송을 구현할 수 있다. 이송 헤드에 비해 이러한 유형의 선택성은 구현하기가 더욱 유연하며 난이도가 비교적 낮다.The above solution can selectively transport the Micro-LED device by using an encapsulation layer. The overall flow is less difficult than the transfer head device process and the device is simple. In addition, a mass transfer effect can be realized using a conventional panel process, and there is no need to develop a complex transfer head device. In addition, the encapsulation layer can surround the Micro-LED device so that the Micro-LED device receives a uniform force. At the same time, it is also possible to protect the Micro-LED device from damage during transport. In addition, the patterned encapsulation layer can selectively wrap the Micro-LED device to implement selective transport. Compared to the transfer head, this type of selectivity is more flexible to implement and the difficulty is relatively low.
상기 내용은 본 출원의 실시방식에 불과하므로 본 출원의 특허범위를 제한하지 않는다. 본 출원의 명세서 및 첨부 도면을 이용하여 수행한 등가의 구조 또는 등가의 프로세스 변경, 또는 직간접적으로 다른 관련 기술 분야에 적용하는 것은 모두 본 출원의 특허범위 내에 속한다.Since the above content is only an implementation method of the present application, the scope of the patent of the present application is not limited. An equivalent structure or an equivalent process change performed using the specification and accompanying drawings of the present application, or directly or indirectly applied to other related technical fields fall within the scope of the patent of the present application.
Claims (17)
마이크로 요소와 제1 이송 기판을 제공하는 단계-복수의 상기 마이크로 요소는 공급 기판 상에 배열되고, 상기 제1 이송 기판의 제1 표면은 점성을 가짐-;
상기 제1 이송 기판을 상기 공급 기판과 부착하여, 상기 제1 이송 기판의 제1 표면과 복수의 상기 마이크로 요소의 제1 표면을 접합시키는 단계;
상기 공급 기판을 제거하고, 복수의 상기 마이크로 요소의 제2 표면을 노출시키는 단계;
제2 이송 기판을 제공하고, 상기 제2 이송 기판을 상기 제1 이송 기판과 부착하여, 상기 제2 이송 기판의 제1 표면과 복수의 상기 마이크로 요소의 제2 표면을 접합시키는 단계;
상기 제1 이송 기판을 제거하고, 복수의 상기 마이크로 요소의 제1 표면을 노출시키는 단계; 및
타깃 기판을 제공하고, 상기 타깃 기판을 상기 제2 이송 기판과 정렬 접합시키고, 복수의 상기 마이크로 요소를 상기 타깃 기판 상까지 이송하는 단계를 포함하는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.A method for mass transfer of microelements, comprising:
providing a micro-element and a first transfer substrate, a plurality of said micro-elements arranged on a supply substrate, wherein a first surface of the first transfer substrate is viscous;
attaching the first transfer substrate to the supply substrate to bond the first surface of the first transfer substrate and the first surface of the plurality of microelements;
removing the supply substrate and exposing a second surface of the plurality of microelements;
providing a second transfer substrate and attaching the second transfer substrate with the first transfer substrate to bond the first surface of the second transfer substrate and the second surface of the plurality of microelements;
removing the first transfer substrate and exposing a first surface of the plurality of microelements; and
A method for mass transfer of microelements, comprising: providing a target substrate; aligning and bonding the target substrate with the second transfer substrate; and transferring a plurality of the microelements onto the target substrate.
상기 제1 이송 기판의 제1 표면의 국소 영역이 점성을 갖는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.According to claim 1,
A method for mass transfer of microelements wherein a local area of the first surface of the first transfer substrate is viscous.
상기 공급 기판을 제거하고 복수의 상기 마이크로 요소의 제2 표면을 노출시키는 단계 이후,
상기 제1 이송 기판의 제1 표면에 봉지층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 봉지층은 복수의 상기 마이크로 요소의 제2 표면 및 측면을 감싸는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.According to claim 1,
after removing the supply substrate and exposing a second surface of the plurality of microelements;
forming an encapsulation layer on a first surface of the first transfer substrate, wherein the encapsulation layer encapsulates second surfaces and sides of the plurality of microelements.
상기 봉지층 재료는 감광성 수지 재료, 실리콘 산화물 재료 또는 실리콘 질화물 재료인 마이크로 요소의 대량 이송 방법.4. The method of claim 3,
wherein the encapsulation layer material is a photosensitive resin material, a silicon oxide material or a silicon nitride material.
상기 제1 이송 기판의 제1 표면에 봉지층을 형성하는 단계 이후,
상기 봉지층에 대해 패턴화를 수행하고, 이송될 필요가 없는 마이크로 요소를 노출시키는 단계를 포함하는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.5. The method of claim 4,
After forming an encapsulation layer on the first surface of the first transfer substrate,
and patterning the encapsulation layer and exposing the microelements that do not need to be transported.
상기 제2 이송 기판을 상기 제1 이송 기판과 부착시키고, 상기 제2 이송 기판의 제1 표면을 복수의 상기 마이크로 요소의 제2 표면과 접합시키는 단계는,
상기 봉지층 재료가 감광성 수지 재료일 때, 상기 감광성 수지에 대해 반경화 처리를 수행하여 상기 봉지층이 점성을 갖도록 함으로써, 상기 제2 이송 기판의 제1 표면을 복수의 마이크로 요소의 제2 표면과 접합시키는 단계를 포함하는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.5. The method of claim 4,
adhering the second transfer substrate with the first transfer substrate, and bonding the first surface of the second transfer substrate with the second surface of the plurality of microelements;
When the encapsulation layer material is a photosensitive resin material, a semi-hardening treatment is performed on the photosensitive resin to make the encapsulation layer viscous, so that the first surface of the second transfer substrate and the second surface of the plurality of microelements A method for mass transfer of microelements comprising bonding.
상기 제2 이송 기판을 상기 제1 이송 기판과 부착시키고, 상기 제2 이송 기판의 제1 표면을 복수의 상기 마이크로 요소의 제2 표면과 접합시키는 단계는,
상기 제2 이송 기판의 제1 표면을 처리하여, 상기 제2 이송 기판의 제1 표면이 점성을 갖도록 함으로써, 상기 제2 이송 기판의 제1 표면을 복수의 상기 마이크로 요소의 제2 표면과 접합시키는 단계를 포함하는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.5. The method of claim 4,
adhering the second transfer substrate with the first transfer substrate, and bonding the first surface of the second transfer substrate with the second surface of the plurality of microelements;
treating the first surface of the second transfer substrate to make the first surface of the second transfer substrate viscous, thereby bonding the first surface of the second transfer substrate with the second surface of the plurality of microelements; A method for mass transfer of microelements comprising the steps of:
복수의 상기 마이크로 요소에 대한 상기 제2 이송 기판의 접합력은 복수의 상기 마이크로 요소에 대한 상기 제1 이송 기판의 접합력보다 큰 마이크로 요소의 대량 이송 방법.8. The method of claim 7,
A method for mass transfer of microelements wherein the bonding force of the second transfer substrate to the plurality of microelements is greater than the bonding force of the first transfer substrate to the plurality of microelements.
상기 제1 이송 기판의 제1 표면에 봉지층을 형성하는 단계는,
코팅, 화학적 기상 증착 또는 물리적 기상 증착 방법을 이용하여 상기 제1 이송 기판의 제1 표면에 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.4. The method of claim 3,
The step of forming an encapsulation layer on the first surface of the first transfer substrate,
and forming an encapsulation layer on the first surface of the first transfer substrate by using a coating, chemical vapor deposition or physical vapor deposition method.
상기 봉지층은 불투명한 재료인 마이크로 요소의 대량 이송 방법.4. The method of claim 3,
wherein the encapsulation layer is an opaque material.
상기 공급 기판을 제거하는 단계는,
레이저를 이용하여 상기 공급 기판을 박리하거나, 화학적 에칭 방식을 이용해 상기 공급 기판을 박리하는 단계를 포함하는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.According to claim 1,
The step of removing the supply substrate,
and peeling the supply substrate using a laser or peeling the supply substrate using a chemical etching method.
상기 제1 이송 기판의 제1 표면에 점성이 있는 재료를 코팅하여 점성을 갖도록 만들거나, 상기 제1 이송 기판의 제1 표면에 감열성 재료 또는 감광성 재료를 코팅하고, 상기 감열성 재료 또는 감광성 재료에 대해 후속 처리를 수행하여 상기 제1 이송 기판의 제1 표면이 점성을 갖도록 만드는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.According to claim 1,
The first surface of the first transfer substrate is coated with a viscous material to make it viscous, or the first surface of the first transfer substrate is coated with a heat-sensitive material or a photosensitive material, and the heat-sensitive material or photosensitive material A method for mass transfer of microelements to make the first surface of the first transfer substrate viscous by performing a subsequent treatment on the .
상기 제1 이송 기판 또는 제2 이송 기판을 제거하는 단계는,
기계적 힘을 이용해 상기 제1 이송 기판 또는 상기 제2 이송 기판을 제거하는 단계를 포함하는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.According to claim 1,
The step of removing the first transfer substrate or the second transfer substrate,
and removing the first transfer substrate or the second transfer substrate using mechanical force.
상기 마이크로 요소를 상기 타깃 기판 상까지 이송하는 단계 이후,
상기 타깃 기판에 대해 패키징 처리를 수행하는 단계를 포함하는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.According to claim 1,
After transferring the micro-element onto the target substrate,
and performing a packaging process on the target substrate.
복수의 상기 마이크로 요소는 플립 구조의 마이크로 발광 요소 또는 수직 구조의 마이크로 발광 요소인 마이크로 요소의 대량 이송 방법.According to claim 1,
The plurality of micro-elements are micro light-emitting elements of a flip structure or micro light-emitting elements of a vertical structure.
복수의 상기 마이크로 요소는 수직 구조의 마이크로 발광 요소이고, 상기 마이크로 요소를 상기 타깃 기판 상까지 이송하는 단계 이후,
상기 봉지층을 제거하고, 복수의 상기 마이크로 요소를 노출시키는 단계;
상기 타깃 기판 상에서 절연층 성막을 수행하여 평탄화층을 형성하는 단계; 및
상기 평탄화층 상에 금속 성막을 수행하여 공용 음극층을 형성하는 단계를 포함하는 마이크로 요소의 대량 이송 방법.16. The method of claim 15,
The plurality of micro-elements are micro light-emitting elements having a vertical structure, and after transferring the micro-elements to the target substrate,
removing the encapsulation layer and exposing a plurality of the microelements;
forming a planarization layer by forming an insulating layer on the target substrate; and
and forming a common cathode layer by forming a metal film on the planarization layer.
상기 제1 이송 기판, 제2 이송 기판은 유리 기판 또는 수지 기판인 마이크로 요소의 대량 이송 방법.According to claim 1,
wherein the first transfer substrate and the second transfer substrate are glass substrates or resin substrates.
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