KR20180075310A - Method of transferring micro electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 마이크로 전기 소자의 전사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of transferring a microelectronic device.
발광 다이오드(Light emitting diode; LED)는 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 접합된 반도체의 전자와 정공이 재결합하며 발생하는 에너지를 광으로 변환하여 방출한다. 이러한 발광 다이오드는 현재 조명, 표시 장치 및 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.2. Description of the Related Art A light emitting diode (LED) is a device in which a substance contained in a device emits light, and converts energy generated by recombination of electrons and holes of a semiconductor to a light to be emitted. Such a light emitting diode is widely used as a current illumination, a display device, and a light source, and its development is accelerating.
최근에서는 고화질을 구현하는 플렉서블 디스플레이의 구현을 위하여 마이크로 단위의 LED 칩을 사용하는 디스플레이 장치에 대한 개발이 이루어지고 있으며, 상기 마이크로 단위의 LED칩의 전사 기술 및 이송 방법에 대한 개발도 이루어지고 있는 실정이다. 예를 들어, 미국공개특허 제2013-0210194호에는 실리콘 재질로 만들어진 헤드 부분에 전압이 인가 가능하도록 전극을 형성한 전정 헤드를 사용하여 웨이퍼에서 마이크로 디바이스 부분을 픽업하는 방법을 개시하고 있다. 다만, 이러한 방법에 의하면, 패널 제작 완료후 불량 화소 검출이 어려울 뿐 만 아니라, 패널 크기의 확장성이 낮은 단점이 있으며, 정전기에 의한 LED 파손 방지를 위해 복잡한 LED 전처리 공정이 필요한 한계가 있다. 또한, 폴리디메틸실록산(PDMS) 등의 탄성 고분자 물질을 이용하여 제조된 헤드를 사용하여 마이크로 단위의 LED칩을 픽업하여 전사하는 방법 또한 알려져 있으나, 별도의 접착층이 필요하고 전사 공정에서 접착력을 계속 유지하기 위한 별도의 공정 등이 필요한 한계가 있다. In recent years, a display device using a micro-unit LED chip has been developed to realize a flexible display that realizes a high image quality, and the transfer technology and transfer method of the micro-unit LED chip are also being developed to be. For example, U.S. Published Patent Application No. 2013-0210194 discloses a method of picking up a micro device portion from a wafer by using a prism head in which electrodes are formed so that a voltage can be applied to a head portion made of a silicon material. However, according to this method, it is difficult not only to detect defective pixels after completion of panel fabrication, but also to have a disadvantage of low expandability of the panel size, and a complicated LED pre-treatment process is required to prevent LED damage due to static electricity. In addition, a method of picking up and transferring a micro-unit LED chip using a head manufactured using an elastic polymer material such as polydimethylsiloxane (PDMS) is also known, but a separate adhesive layer is required and the adhesive strength is maintained There is a limit to the necessity of a separate process.
기존에 알려진 마이크로 단위의 LED칩을 픽업 및 전사하는 방법의 경우, 정전기에 의한 LED 파손 가능성이나, 전사 효율이 충분히 확보되지 않거나, 고가의 공정 장치가 필요하는 등으로 양산성 확보가 어려움이 존재하였다. In the case of a method of picking up and transferring a known micro-unit LED chip, there is a possibility that the LED is damaged by static electricity, the transfer efficiency is not sufficiently secured, or an expensive processing device is required, .
본 발명은, 고가의 장비나 복잡한 공정의 추가 없이도 미세 크기의 LED칩을 보다 효율적으로 선택하여 전사할 수 있고 정전기 또는 이물질 등으로 인한 LED 소자의 파손을 방지할 수 있는 마이크로 전기 소자의 전사 방법을 제공하기 위한 것이다.Disclosure of Invention Technical Problem [7] Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for efficiently selecting and transferring a fine-size LED chip without adding expensive equipments or complicated processes and preventing breakage of the LED device due to static electricity, And to provide a method of transferring a microelectronic device.
본 명세서에서는, 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제1접착 필름의 접착층으로 전사하는 단계; 상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계; 및 제1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계; 를 포함하며, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 크며, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작은, 마이크로 전기 소자의 전사 방법이 제공된다. In this specification, a step of transferring a plurality of device chips formed on one surface of a wafer to an adhesive layer of a first adhesive film including a light-transmitting base material and an adhesive layer formed on the light-transmitting base material; Selectively exposing another surface of the adhesive layer onto which the plurality of device chips are transferred through the light-transmitting substrate of the first adhesive film; And selectively transferring a plurality of device chips on the first adhesive film by contact with a bonding layer of a second adhesive film comprising a light-transmitting base material and an adhesive layer formed on the light-transmitting base material; Wherein the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is greater than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip, Wherein the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip is smaller than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip.
상기 소자칩은 5㎛ 내지 300㎛ 의 크기를 갖는 마이크로 LED칩일 수 있다. 상기 크기는 상기 마이크로 LED칩의 최대 직경으로 정의될 수 있다. The device chip may be a micro LED chip having a size of 5 mu m to 300 mu m. The size may be defined as the maximum diameter of the micro LED chip.
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5gf / 25mm 이상일 수 있다. The difference between the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip may be 5 gf / 25 mm or more.
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5gf / 25mm 이상일 수 있다. The difference between the adhesive force of the adhesive layer of the first adhesive film on the element chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film on the element chip may be 5 gf / 25 mm or more.
보다 구체적으로, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 50 gf / 25mm 내지 800 gf / 25mm 이고, 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력이 50 gf / 25mm 내지 800 gf / 25mm 일 수 있고, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5 gf / 25 mm 이상일 수 있다. More specifically, the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the element chip is 50 gf / 25 mm to 800 gf / 25 mm, The adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip may be 50 gf / 25 mm to 800 gf / 25 mm, and the adhesive force of the adhesive layer of the adhesive film of the first adhesive film on the device chip, The difference between the adhesive strengths of the adhesive layers of the second adhesive film for the second adhesive film may be 5 gf / 25 mm or more.
또한, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 1 gf / 25mm 내지 100 gf / 25mm 일 수 있다. The adhesive force of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip may be 1 gf / 25 mm to 100 gf / 25 mm.
상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 전사된 복수개의 소자칩을 선택적으로 노광하는 단계는 5㎛ 내지 300㎛ 의 크기의 미세 패턴이 형성된 포토 마스크를 사용할 수 있다. The step of selectively exposing the transferred plurality of device chips through the light-transmitting base material of the first adhesive film may use a photomask having a fine pattern with a size of 5 to 300 mu m.
상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계에서는, 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 10 mJ/cm2 내지 10,000mJ/cm2 의 조사량으로 자외선을 조사하는 단계를 포함할 수 있다. The step of selectively exposing another surface of the adhesive layer onto which the plurality of device chips are transferred through the light-transmitting base material of the first adhesive film, the other surface of the adhesive layer onto which the plurality of device chips are transferred is exposed at 10 mJ / cm 2 To 10,000mJ / cm 2 And irradiating ultraviolet rays at an irradiation amount of the ultraviolet ray.
상기 광투과성 기재는 300 내지 600 nm의 파장에 대한 투과율이 50%이상인 고분자 수지층일 수 있다. The light-transmitting base material may be a polymer resin layer having a transmittance of at least 50% with respect to a wavelength of 300 to 600 nm.
상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각이 접착 바인더; 가교제; 및 광개시제;를 포함할 수 있다. Wherein the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film each comprise an adhesive binder; A crosslinking agent; And a photoinitiator.
상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각은 (메타)아크릴레이트계 작용기 및 비극성 작용기를 포함한 고분자, 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자 및 반응성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함하는 고분자 첨가제를 더 포함할 수 있다. Wherein each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film comprises a polymer containing a (meth) acrylate functional group and a non-polar functional group, a (meth) acrylate based polymer containing at least one fluorine, (Meth) acrylate-based polymer, and a silicone-modified (meth) acrylate-based polymer.
상기 제1접착 필름 및 상기 제2접착 필름 각각은 상기 광투광성 기재의 일면에 접하는 광투광성 캐리어 기판을 더 포함할 수 있다. Each of the first adhesive film and the second adhesive film may further include a light-transmissible carrier substrate which is in contact with one surface of the light-transmitting substrate.
상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은, 상기 제1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계 이전에, 상기 선택적으로 노광된 상기 제1접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크를 이용하고, 상기 제2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 제2접착 필름의 접착층을 선택적으로 노광하는 단계;를 더 포함할 수 있다. The method of transferring a microelectronic device according to the present invention is characterized in that a plurality of device chips on the first adhesive film are brought into contact with an adhesive layer of a second adhesive film including a light transmitting substrate and an adhesive layer formed on the light transmitting substrate, , A photomask which is opposite in phase to the exposure pattern of the selectively exposed first adhesive film is used to irradiate ultraviolet rays through the light transmissive substrate of the second adhesive film to selectively expose the adhesive layer of the second adhesive film The method further comprising the steps of:
상기 선택적으로 노광된 상기 제2접착 필름의 접착층은 상기 소자칩에 대하여 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부 보다 낮은 접착력을 가질 수 있다. The selectively exposed adhesive layer of the second adhesive film may have a lower adhesive force than the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film with respect to the device chip.
상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은, 상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method of transferring the microelectronic device may further include transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to a printed circuit board.
상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계는, 상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 인쇄 회로 기판이 접촉한 상태에서, 상기 제2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 선택적으로 전사된 소자칩이 결합된 접착층의 다른 일면을 노광하는 단계를 더 포함할 수 있다. Wherein the step of transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to the printed circuit board includes the step of transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to the printed circuit board, And exposing another surface of the adhesive layer to which the selectively transferred device chip is bonded through the light-transmitting substrate of the two adhesive films.
상기 선택적으로 노광된 상기 제2접착 필름의 접착층은 상기 소자칩에 대하여 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부 보다 낮은 접착력을 가질 수 있다. The selectively exposed adhesive layer of the second adhesive film may have a lower adhesive force than the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film with respect to the device chip.
상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은, 상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method of transferring the microelectronic device may further include transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to a printed circuit board.
상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계는, 상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 인쇄 회로 기판이 접촉한 상태에서, 상기 제2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 선택적으로 전사된 소자칩이 결합된 접착층의 다른 일면을 노광하는 단계를 더 포함할 수 있다. Wherein the step of transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to the printed circuit board includes the step of transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to the printed circuit board, And exposing another surface of the adhesive layer to which the selectively transferred device chip is bonded through the light-transmitting substrate of the two adhesive films.
상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 접하는 상기 인쇄 회로 기판의 일면에는 이방성 전도성 필름이 형성될 수 있다. An anisotropic conductive film may be formed on one surface of the printed circuit board contacting the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film.
본 발명에 따르면, 고가의 장비나 복잡한 공정의 추가 없이도 미세 크기의 LED칩을 보다 효율적으로 선택하여 전사할 수 있고 정전기 또는 이물질 등으로 인한 LED 소자의 파손을 방지할 수 있는 마이크로 전기 소자의 전사 방법이 제공될 수 있다. According to the present invention, there is provided a method of transferring a microelectronic device capable of more efficiently selecting and transferring a fine-size LED chip without adding expensive equipment or a complicated process, and preventing breakage of the LED device due to static electricity, Can be provided.
도1은 발명의 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법의 일 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
도2은 발명의 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법의 다른 일 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
도3은 발명의 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법의 또 다른 일 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
도4은 발명의 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법의 또 다른 일 예를 개략적으로 나타낸 것이다. 1 schematically shows an example of a method of transferring a microelectronic device according to an embodiment of the present invention.
2 schematically shows another example of a method of transferring a microelectronic device according to an embodiment of the present invention.
3 schematically shows another example of a method of transferring a microelectronic device according to an embodiment of the present invention.
4 schematically shows another example of a method of transferring a microelectronic device according to an embodiment of the present invention.
이하에서는 발명의 구체적인 구현예에 따른 마이크로 전기 소자의 전사 방법에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 다만, 하기 구현예에 대한 설명은 본 발명의 일 예를 예시하는 것을 뿐이며, 본 발명의 구체적인 내용이 하기 구현예로만 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, a method of transferring a microelectronic device according to a specific embodiment of the present invention will be described in more detail. It should be understood, however, that the description of the embodiments below is for illustrative purposes only and is not intended to limit the scope of the present invention.
발명의 일 구현예에 따르면, 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제1접착 필름의 접착층으로 전사하는 단계; 상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계; 및 제1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계; 를 포함하며, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 크며, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작은, 마이크로 전기 소자의 전사 방법이 제공될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: transferring a plurality of device chips formed on one surface of a wafer to an adhesive layer of a first adhesive film comprising a light-transmitting base material and an adhesive layer formed on the light- Selectively exposing another surface of the adhesive layer onto which the plurality of device chips are transferred through the light-transmitting substrate of the first adhesive film; And selectively transferring a plurality of device chips on the first adhesive film by contact with a bonding layer of a second adhesive film comprising a light-transmitting base material and an adhesive layer formed on the light-transmitting base material; Wherein the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is greater than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip, The adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip is smaller than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip.
본 발명자들은, 노광을 통하여 접착력이 조절 가능한 접착층을 갖는 접착 필름을 사용함으로서 마이크로 전기 소자를 보다 용이하고 효율적으로 전사하는 방법을 개발해냈다. The present inventors have developed a method for more easily and efficiently transferring a microelectronic device by using an adhesive film having an adhesive layer whose adhesive force is adjustable through exposure.
구체적으로, 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제1접착 필름의 접착층으로 전사하고, 상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광함으로서, 상기 노광 패턴에 따라 상기 제1접착층의 접착층의 각 부분들이 접착력이 달라지게 되며, 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제2접착 필름의 접착층을 상기 제1접착 필름 상에 위치한 복수개의 소자칩의 다른 일면에 접촉 시켜서, 상기 접착력 차이에 따라 선택된 소자칩만을 제2접착 필름으로 전사시킬 수 있다. Specifically, a plurality of device chips formed on one surface of a wafer are transferred to an adhesive layer of a first adhesive film including a light-transmitting substrate and an adhesive layer formed on the light-transmitting substrate, The adhesive force of each part of the adhesive layer of the first adhesive layer is changed according to the exposure pattern by selectively exposing another surface of the adhesive layer onto which the plurality of device chips are transferred, The adhesive layer of the adhesive film may be brought into contact with the other surface of the plurality of device chips located on the first adhesive film so that only the selected device chip may be transferred to the second adhesive film in accordance with the difference in adhesive force.
이때, 상기 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩이 상기 제1접착 필름의 접착층으로 전사되고, 상기 복수개의 소자칩 중 전사의 대상이 되는 소자칩과 접하는 상기 제1접착 필름의 접착층의 부분이 선택적으로 노광되면, 상기 노광된 제1접착 필름의 접착층의 부분이 갖는 소자칩에 대한 접착력은 낮아지게 된다. At this time, a plurality of device chips formed on one surface of the wafer are transferred to the adhesive layer of the first adhesive film, and a portion of the adhesive layer of the first adhesive film, which is in contact with the device chip to be transferred among the plurality of device chips, The adhesive force of the portion of the adhesive layer of the exposed first adhesive film to the device chip is lowered.
그리고, 상기 제2접착 필름의 접착층을 상기 제1접착 필름 상에 위치한 복수개의 소자칩의 다른 일면에 접촉하였을 때, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작게 됨에 따라서, 상기 선택적으로 노광된 제1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 제2접착 필름으로 전사시킬 수 있다. When the adhesive layer of the second adhesive film is brought into contact with the other surface of the plurality of device chips located on the first adhesive film, the adhesive force of the exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film on the device chip, It is possible to transfer only the device chip which has contacted the adhesive layer of the selectively exposed first adhesive agent to the second adhesive film as the adhesion force of the adhesive layer of the second adhesive film to the chip becomes smaller.
한편, 상기 선택적으로 노광된 제1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 제2접착 필름으로 전사하기 위해서는, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 커서, 상기 선택적으로 노광된 제1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 제2접착 필름으로 전사하게 되고, 상기 선택적으로 비노광된 제1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩은 상기 제1접착 필름에 그대로 붙어 있을 수 있다. On the other hand, in order to transfer only the device chip which has contacted with the adhesive layer of the selectively exposed first adhesive to the second adhesive film, the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip, Only the device chip which has contact with the adhesive layer of the selectively exposed first adhesive is transferred to the second adhesive film, and the adhesive layer of the selectively non-exposed first adhesive The contacted element chips may be stuck to the first adhesive film.
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이는 사용되는 소자칩의 종류나 크기 등에 따라서 달라질 수 있다. 다만, 상기 소자칩의 효율적이고 용이한 전사를 위하여, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이는 5 gf / 25mm 이상, 또는 10 gf / 25mm 내지 50 gf / 25mm 일 수 있다. The difference between the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip may vary depending on the type and size of the device chip to be used. However, in order to efficiently and easily transfer the device chip, the difference between the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 너무 작은 경우, 선택적으로 전사하고자 하는 소자칩 이외의 다른 소자칩들도 상기 제2접착 필름으로 다수 전사될 수 있다. When the difference between the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the element chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the element chip is too small, The device chips can also be transferred to the second adhesive film in a large number.
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이 또한, 사용되는 소자칩의 종류나 크기 등에 따라서 달라질 수 있으나, 바람직하게는 5 gf / 25mm 이상, 또는 10 gf / 25mm 내지 50 gf / 25mm 일 수 있다. The difference between the adhesive force of the adhesive layer of the first adhesive film on the device chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film on the device chip may vary depending on the type and size of the device chip to be used, Preferably 5 gf / 25 mm or more, or 10 gf / 25 mm to 50 gf / 25 mm.
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 너무 작은 경우, 선택적으로 전사하고자 하는 소자칩이 상기 제2접착 필름으로 전사되지 않을 수 있다. When the difference between the adhesive force of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip is too small, It may not be transferred to the adhesive film.
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 각각은 상술한 서로 간의 접착력 차이를 만족하는 범위 내에서, 상기 소자칩의 종류 및 크기와 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법의 구체적인 조건에 따라서 달라질 수 있다. The adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip and the adhesive force of the adhesive layer of the adhesive film of the first adhesive film to the device chip, Each of the adhesive strengths may be varied depending on the type and size of the device chip and the specific conditions of the transfer method of the microelectronic device within a range that satisfies the above-described difference in adhesive force between the microelectronic devices.
예를 들어, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 50 gf / 25mm 내지 800 gf / 25mm 이고, 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력이 50 gf / 25mm 내지 800 gf / 25mm 일 수 있다. 이때, 상술한 바와 같이 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 크며, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5 gf / 25 mm 이상일 수 있다. For example, when the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is 50 gf / 25 mm to 800 gf / 25 mm and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip is 50 gf / 25 mm to 800 gf / 25 mm. At this time, as described above, the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is greater than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip, The difference between the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the adhesive film and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip may be 5 gf / 25 mm or more.
또한, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 1 gf / 25mm 내지 100 gf / 25mm 일 수 있다. The adhesive force of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip may be 1 gf / 25 mm to 100 gf / 25 mm.
본 명세서에서 정의하는 접착력은 25mm의 폭을 갖는 접착 시편을 180도로 꺽었을 때 걸리는 힘(gf / 25mm )으로 정의된다. The adhesive force defined in this specification is defined as the force (gf / 25 mm) when the adhesive specimen having a width of 25 mm is bent at 180 degrees.
한편, 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은 상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계에서 미세 패턴이 형성된 포토 마스크를 사용하여 5㎛ 내지 300㎛의 피치를 구현할 수 있으며, 이에 따라 5㎛ 내지 300㎛의 미세한 크기의 소자칩을 전사 대상으로 할 수 있다. On the other hand, in the step of selectively transferring the other surface of the adhesive layer onto which the plurality of device chips are transferred through the light-transmitting base material of the first adhesive film, It is possible to realize a pitch of from 탆 to 300 탆, whereby a device chip having a fine size of 5 탆 to 300 탆 can be transferred.
보다 구체적으로, 상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 전사된 복수개의 소자칩을 선택적으로 노광하는 단계는 5㎛ 내지 300㎛의 미세 패턴이 형성된 포토 마스크를 사용할 수 있다. More specifically, the step of selectively exposing the transferred plurality of device chips through the light-transmissive base material of the first adhesive film may use a photomask having a fine pattern of 5 to 300 mu m formed thereon.
상기 전사 대상이 되는 소자칩은 5㎛ 내지 300㎛의 크기를 갖는 마이크로 LED칩일 수 있다. The device chip to be transferred may be a micro LED chip having a size of 5 mu m to 300 mu m.
한편, 상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 전사된 복수개의 소자칩을 선택적으로 노광하는 단계에서 노광의 강도 및 시간 등을 조절하여 상기 제1접착 필름의 접착층의 접착력을 조절할 수 있다. Meanwhile, the adhesive force of the adhesive layer of the first adhesive film can be adjusted by adjusting the intensity and time of exposure in the step of selectively exposing the transferred plurality of device chips through the light-transmitting base material of the first adhesive film.
구체적으로, 상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계에서는, 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 10 mJ/cm2 내지 10,000mJ/cm2 의 조사량으로 자외선을 조사하는 단계를 포함할 수 있다. Specifically, in the step of selectively exposing the other surface of the adhesive layer onto which the plurality of device chips are transferred through the light-transmitting base material of the first adhesive film, the other surface of the adhesive layer to which the plurality of device chips are transferred is exposed at 10 mJ / cm 2 To 10,000mJ / cm 2 And irradiating ultraviolet rays at an irradiation amount of the ultraviolet ray.
한편, 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법에서 상기 제1접착 필름이 광투광성 기재를 포함함에 따라서, 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광할 수 있다. On the other hand, in the method of transferring the microelectronic device, as the first adhesive film includes a light-transmitting substrate, the other side of the adhesive layer onto which the plurality of device chips are transferred can be selectively exposed.
상기 광투과성 기재의 기재의 구체적인 종류나 그 특성이 한정되는 것은 아니나, 상기 선택적 노광이 효율적으로 이루어지기 위해서는 상기 광투과성 기재는 300 내지 600 nm의 파장에 대한 투과율이 50%이상인 고분자 수지층일 수 있다. 상기 광투과성 기재로 사용 가능한 고분자 수지층의 종류가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 PET 등의 폴리에스테르, 트리아세틸 셀룰로오스 등의 셀룰로오스, 환상 올레핀계 (공)중합체, 폴리이미드, 스티렌 아크릴로 니트릴 공중합체(SAN), 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체, 폴리프로필렌의 블록 공중합체, 호모폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐(polymethylpentene), 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아이오노머 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체, 폴리부텐, 스틸렌의 공중합체 또는 이들의 2종 이상의 혼합물 등을 포함한 고분자 수지층일 수 있다. The specific types and properties of the base material of the light-transmitting base material are not limited. However, in order for the selective exposure to be efficiently performed, the light-transmitting base material may be a polymer resin layer having a transmittance of at least 50% have. The kind of the polymer resin layer usable in the light-transmitting base material is not limited to a wide range. For example, a polyester such as PET, cellulose such as triacetyl cellulose, cyclic olefin based (co) polymer, polyimide, styrene acrylonitrile (Polypropylene), homopolypropylene, polymethylpentene, ethylene-propylene copolymers, ethylene-propylene copolymers, ethylene-propylene copolymers, Vinyl acetate copolymer, an ethylene-methacrylic acid copolymer, an ethylene-methyl methacrylate copolymer, an ethylene-ionomer copolymer, an ethylene-vinyl alcohol copolymer, a polybutene, a copolymer of styrene or a mixture of two or more thereof And the like.
한편, 상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각이 접착 바인더; 가교제; 및 광개시제;를 포함할 수 있다. On the other hand, the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film each comprise an adhesive binder; A crosslinking agent; And a photoinitiator.
상기 접착 바인더는 다이싱 필름의 점착층을 형성하는데 사용될 수 있는 것으로 알려진 고분자 수지를 큰 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들어 소정의 반응성 작용기가 치환된 고분자 수지 또는 반응성 작용기를 포함한 주쇄의 고분자 수지를 사용할 수 있다. The adhesive binder may be a polymeric resin known to be used for forming an adhesive layer of a dicing film without any limitation. For example, a polymer resin substituted with a predetermined reactive functional group or a main chain polymer resin containing a reactive functional group Can be used.
구체적으로, 상기 접착 바인더는 하이드록시기, 이소시아네이트기, 비닐기 및 (메타)아크릴레이트기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기가 1 이상 치환 또는 비치환된 (메타)아크릴레이트계 중합체 또는 (메타)아크릴레이트계 공중합체를 포함할 수 있다. Specifically, the adhesive binder may be a (meth) acrylate polymer or a (meth) acrylate polymer in which at least one functional group selected from the group consisting of a hydroxyl group, an isocyanate group, a vinyl group and a (meth) acrylate group is substituted or unsubstituted, Acrylate-based copolymer.
또한, 상기 접착 바인더로는 (메타)아크릴레이트 수지의 측쇄에 탄소-탄소 이중결합을 가지는 아크릴레이트를 부가시킨 내재형 접착 바인더일 수 있다. 예를 들어, 상기 내재형 접착 바인더로는 (메타)아크릴레이트계 베이스 수지의 주쇄에 (메타)아크릴레이트 작용기를 측쇄로 1 wt% 내지 45 wt% 부가한 고분자 수지를 사용할 수 있다. Further, the adhesive binder may be an inherent adhesive binder obtained by adding an acrylate having a carbon-carbon double bond to the side chain of the (meth) acrylate resin. For example, as the internal adhesive binder, a polymer resin having a (meth) acrylate functional group in the main chain of the (meth) acrylate base resin and having 1 wt% to 45 wt% of the side chain is used.
상기 접착 바인더는 100,000 내지 1,500,000의 중량평균분자량을 갖는 고분자 수지를 포함할 수 있다. The adhesive binder may include a polymer resin having a weight average molecular weight of 100,000 to 1,500,000.
구체적으로, 상기 하이드록시기, 이소시아네이트기, 비닐기 및 (메타)아크릴레이트기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기가 1이상 치환 또는 비치환된 (메타)아크릴레이트계 중합체 또는 (메타)아크릴레이트계 공중합체는 100,000 내지 1,500,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. Specifically, a (meth) acrylate polymer or a (meth) acrylate polymer having at least one functional group selected from the group consisting of a hydroxyl group, an isocyanate group, a vinyl group and a (meth) The copolymer may have a weight average molecular weight of 100,000 to 1,500,000.
본 명세서에서, (메타)아크릴레이트는 아크릴레이트[acrylate] 및 (메타)크릴레이트[(meth)acrylate]를 모두 포함하는 의미이다. In the present specification, (meth) acrylate is meant to include both acrylate and (meth) acrylate.
이러한 (메타)아크릴레이트계 중합체 또는 (메타)아크릴레이트계 공중합체 는 예를 들면, (메타)아크릴산 에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 중합체 또는 공중합체일 수 있다. The (meth) acrylate-based polymer or (meth) acrylate-based copolymer may be, for example, a polymer or copolymer of a (meth) acrylic acid ester monomer and a monomer having a crosslinkable functional group.
이 때 (메타)아크릴산 에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서, 펜틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록, 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로, 목적하는 유리전이온도에 따라 적절한 단량체를 선택하면 된다. Examples of the (meth) acrylate monomer include alkyl (meth) acrylate, more specifically monomers having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms such as pentyl (meth) acrylate, n-butyl (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, n-octyl Acrylate, dodecyl (meth) acrylate or decyl (meth) acrylate. The use of a monomer having a large number of alkyl carbon atoms lowers the glass transition temperature of the final copolymer, so that a suitable monomer may be selected according to the desired glass transition temperature.
또한, 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 카복실기 함유 화합물의 예로는, (메타)아크릴산 등을 들 수 있으며, 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 (메타)아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서, 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소-탄소 이중결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.Examples of the monomer having a crosslinkable functional group include a hydroxy group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer or a nitrogen-containing monomer, or a mixture of two or more kinds thereof. Examples of the hydroxyl group-containing compound include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and examples of the carboxyl group-containing compound include (meth) acrylic acid , And examples of the nitrogen-containing monomer include (meth) acrylonitrile, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam, and the like, but are not limited thereto. The (meth) acrylate resin may further include a low molecular weight compound containing vinyl acetate, styrene or acrylonitrile carbon-carbon double bond from the viewpoint of improvement of other functions such as compatibility and the like.
또한, 상기 (메타)아크릴레이트 수지의 측쇄에 탄소-탄소 이중결합을 가지는 아크릴레이트를 부가시킨 내재형 접착 바인더는 100,000 내지 1,500,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다.The inherent adhesive binder to which the acrylate having a carbon-carbon double bond is added to the side chain of the (meth) acrylate resin may have a weight average molecular weight of 100,000 to 1,500,000.
상기 접착 바인더에 포함되는 고분자 수지의 중량평균분자량이 너무 낮으면, 상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각의 코팅성 또는 응집력이 저하될 수 있으며, 상기 접착층의 박리 시 피착체에 잔여물이 남거나 또는 상기 접착층이 파괴될 수 있다. If the weight average molecular weight of the polymer resin contained in the adhesive binder is too low, the coating property or the cohesive force of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film may be lowered, A residue may remain in the complex or the adhesive layer may be broken.
또한, 상기 접착 바인더에 포함되는 고분자 수지의 중량평균분자량이 너무 높으면, 상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각의 자외선 경화가 충분히 일어나지 않을 수 있고 이에 따라 상기 선택적 노광시 접착층력 또는 박리력이 충분히 낮아지지 않아서 전사 성공률이 저하될 수 있다. If the weight average molecular weight of the polymer resin contained in the adhesive binder is too high, ultraviolet curing of each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film may not be sufficiently performed, The force or peeling force is not sufficiently lowered and the transfer success rate may be lowered.
상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각에 포함되는 광개시제의 구체적인 예가 한정되는 것은 아니며, 통상적으로 알려진 광개시제를 별 다른 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 광개시제로는 벤조인과 그 알킬에테르류, 아세토페논류, 안트라퀴논류, 티오크산톤류, 케탈류, 벤조페논류, α-아미노아세토페논류, 아실포스핀옥사이드류, 옥심에스테르류 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 용할 수 있다. The specific examples of the photoinitiator contained in each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film are not limited and conventionally known photoinitiators can be used without limitation. Examples of the photoinitiator include benzoin and its alkyl ethers, acetophenones, anthraquinones, thioxanthones, ketals, benzophenones,? -Aminoacetophenones, acylphosphine oxides, oximes Esters, or mixtures of two or more thereof.
상기 광개시제의 사용량은 제조되는 점착층의 물성 및 특성과 사용되는 접착 바인더의 종류 및 특성 등으로 고려하여 결정될 수 있으며, 예를 들어 상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각은 상기 접착 바인더 100 중량부 대비 상기 광개시제 0.01 내지 8 중량부를 포함할 수 있다. The amount of the photoinitiator may be determined in consideration of the physical properties and properties of the adhesive layer to be produced and the type and characteristics of the adhesive binder used. For example, the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film, And 0.01 to 8 parts by weight of the photoinitiator relative to 100 parts by weight of the adhesive binder.
상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각은 경화제를 포함할 수 있다. 상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각을 기재 필름의 코팅시 상기 경화제는 접착 바인더의 반응기와 상온 또는 30 내지 50℃의 온도에서 반응하여 가교를 형성할 수 있다. 또한, 상기 경화제에 포함되는 소정의 반응기가 미반응 상태로 잔류하다가 픽업 전에 UV 조사를 통해 추가 가교가 진행되어 점착층의 점착력을 낮출 수 있다. Each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film may include a curing agent. The adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film may be coated with a base film by reacting with the reaction vessel of the adhesive binder at room temperature or 30 to 50 ° C to form a crosslink. Further, the predetermined reactor contained in the curing agent remains in an unreacted state, and further cross-linking proceeds through UV irradiation before picking up, so that the adhesive strength of the adhesive layer can be lowered.
상기 경화제는 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. The curing agent may include at least one selected from the group consisting of an isocyanate compound, an aziridine compound, an epoxy compound, and a metal chelate compound.
상기 경화제의 사용량은 제조되는 점착층의 물성 및 특성과 사용되는 접착 바인더의 종류 및 특성 등으로 고려하여 결정될 수 있으며, 예를 들어 상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각은 상기 접착 바인더 100 중량부 대비 상기 경화제 0.1 내지 30중량부를 포함할 수 있다.The amount of the curing agent to be used may be determined in consideration of the physical properties and properties of the adhesive layer to be produced and the kind and characteristics of the adhesive binder used. For example, the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film, And 0.1 to 30 parts by weight of the curing agent relative to 100 parts by weight of the adhesive binder.
한편, 상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각은 자외선 경화형 화합물을 더 포함할 수 있다. The adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film may each further include an ultraviolet curable compound.
상기 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 중량평균분자량이 500 내지 300,000 정도인 다관능성 화합물(ex. 다관능성 우레탄 아크릴레이트, 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 올리고머 등)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 화합물을 용이하게 선택할 수 있다. The type of the UV curable compound is not particularly limited, and for example, a polyfunctional compound having a weight average molecular weight of about 500 to 300,000 (e.g., a polyfunctional urethane acrylate, a polyfunctional acrylate monomer, an oligomer, etc.) . The average person skilled in the art can easily select the appropriate compound according to the intended use.
상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 전술한 접착 바인더 100 중량부에 대하여, 5 중량부 내지 400 중량부, 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 중량부 미만이면, 경화 후 점착력 저하가 충분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고, 400 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족하거나, 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.The content of the UV curable compound may be 5 parts by weight to 400 parts by weight, preferably 10 parts by weight to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the adhesive binder. If the content of the ultraviolet curable compound is less than 5 parts by weight, the adhesiveness after curing is not sufficiently lowered, which may result in poor pickability. If the content exceeds 400 parts by weight, the cohesive force of the adhesive before ultraviolet irradiation is insufficient, There is a fear that it will not be easily done.
한편, 상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각 은 (메타)아크릴레이트계 작용기 및 비극성 작용기를 포함한 고분자, 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자 및 반응성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함하는 고분자 첨가제를 더 포함할 수 있다. On the other hand, each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film includes a polymer containing a (meth) acrylate functional group and a non-polar functional group, a (meth) acrylate based polymer containing at least one fluorine, (Meth) acrylate-based polymer including at least one polymer selected from the group consisting of a silicone-modified (meth) acrylate-based polymer and a silicone-modified (meth) acrylate-based polymer.
상기 (메타)아크릴레이트계 작용기 및 비극성 작용기를 포함한 고분자, 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자 및 반응성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자 각각은 점착층 표면에서 상기 접착 바인더와 보다 상용성을 가져서 용이하게 혼합될수 있으면서도 분자 내부에 존재하는 소정의 비극성 부분이 상기 조성물로부터 제조되는 점점착층 상단으로 노출되어 이형성 및 슬립성을 부여할 수 있다. The (meth) acrylate-based polymer having at least one (meth) acrylate functional group and the non-polar functional group, the at least one (meth) acrylate-based polymer containing at least one fluorine, and the silicon- Can be easily mixed with the adhesive binder and can be mixed easily, and a predetermined non-polar portion existing inside the molecule can be exposed to the top of the pressure-sensitive adhesive layer prepared from the composition to impart releasability and slipperiness.
이에 따라, 상기 고분자 첨가제는 상기 접착 바인더와 반응하여 전사를 최소화하면서도 상술한 비극성 부분이 접착층 표면에 위치하게 되면서 보다 효과적으로 이형성 및 슬립성을 부여할 수 있다. Accordingly, the polymer additive reacts with the adhesive binder to minimize transferring, while the non-polar portion is located on the surface of the adhesive layer, thereby more effectively releasing and slipping.
특히, 상기 고분자 첨가제는 상기 접착 바인더 대비 0.01% 내지 4.5%, 또는 0.1% 내지 2%의 중량비로 사용할 수 있는데, 상대적으로 낮은 사용량에도 불구하고 상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각으로부터 제조되는 다이싱 필름의 접착층의 박리력이 크게 높아질 수 있다.In particular, the polymer additive may be used in a weight ratio of 0.01% to 4.5%, or 0.1% to 2%, relative to the adhesive binder. In spite of a relatively low usage amount, the adhesive layer of the first adhesive film and the second adhesive film The peeling force of the adhesive layer of the dicing film produced from each of the adhesive layers can be greatly increased.
상기 (메타)아크릴레이트계 작용기 및 비극성 작용기를 포함한 고분자의 상용 제품의 예로는 BYK0-350, BYK-352, BYK-354, BYK-355, BYK-356, BYK-358N, BYK-361N, BYK-380, BYK-392 또는 BYK-394을 들 수 있으나, 상기 고분자 첨가제의 구체적인 예가 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of commercially available products of the polymer containing the (meth) acrylate functional group and the non-polar functional group include BYK0-350, BYK-352, BYK-355, BYK-356, BYK- 380, BYK-392 or BYK-394, but the specific examples of the polymer additive are not limited thereto.
상기 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자는 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬기 또는 탄소수 1 내지 10의 불소화 알케닐기가 치환된 (메타)아크릴레이트계 고분자를 포함할 수 있다. The (meth) acrylate-based polymer containing at least one fluorine may include a (meth) acrylate-based polymer substituted with a perfluoroalkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a fluorinated alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms.
상기 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자의 상용 제품의 예로는 프터젠트 222F(네오스사 제조), F470(DIC사), F489(DIC사), 또는 V-8FM 등을 들 수 있으나, 상기 고분자 첨가제의 구체적인 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of commercially available products of the (meth) acrylate-based polymer containing at least one of the above fluorine include Ftergent 222F (Neos), F470 (DIC), F489 (DIC), or V-8FM , The specific examples of the polymer additive are not limited thereto.
상기 반응성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자는 히드록시기, 탄소수 1내지 10의 알킬렌 알코올, 에폭시, 아미노기, 티올기 또는 카르복실기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 반응성 작용기가 1이상 치환된 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자를 포함할 수 있다. The silicone-modified (meth) acrylate-based polymer containing a reactive functional group is a polymer having at least one reactive functional group selected from the group consisting of a hydroxyl group, an alkylene alcohol having 1 to 10 carbon atoms, an epoxy group, an amino group, a thiol group, And a silicone-modified (meth) acrylate-based polymer.
상기 반응성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자의 보다 구체적인 예로는 히드록시 기능성 실리콘 변성 폴리아크릴레이트를 들 수 있으며, 이의 상용 제품의 예로는 BYK SIL-CLEAN 3700 등을 들 수 있으나, 상기 고분자 첨가제의 구체적인 예가 이에 한정되는 것은 아니다.More specific examples of the silicone-modified (meth) acrylate-based polymer containing a reactive functional group include a hydroxy-functional silicone-modified polyacrylate. Examples of commercial products thereof include BYK SIL-CLEAN 3700, The specific examples of the polymer additive are not limited thereto.
한편, 상기 제1접착 필름 및 상기 제2접착 필름 각각은 상기 광투광성 기재의 일면에 접하는 광투광성 캐리어 기판을 더 포함할 수 있다. Each of the first adhesive film and the second adhesive film may further include a light-transmissible carrier substrate which is in contact with one surface of the light-transmitting substrate.
상술한 제1접착 필름 및 상기 제2접착 필름 각각에 포함되는 광투광성 기재가 반도체 장치 또는 디스플레이 장치 등에서 캐리어 기판을 역할을 할 수도 있으나, 공정의 종류 및 제조 과정에서 요구되는 공정 조건 등에 따라서 선택적으로 광투광성 캐리어 기판이 추가로 포함될 수도 있다. The light-transmitting substrate included in each of the first adhesive film and the second adhesive film may serve as a carrier substrate in a semiconductor device or a display device, but may be selectively provided in accordance with the kind of the process and the process conditions required in the process A light transmissive carrier substrate may also be included.
상기 광투광성 캐리어 기판의 종류가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 유리 또는 광투광성 고분자 수지 필름을 사용할 수 있으며, 보다 구체적으로 300 내지 600 nm의 파장에 대한 투과율이 50%이상인 유리 또는 광투광성 고분자 수지 필름을 사용할 수 있다. The type of the light-transmitting carrier substrate is not limited. For example, a glass or a light-transmitting polymeric resin film may be used. More specifically, a glass or a light-transmitting polymer having a transmittance of at least 50% A resin film can be used.
한편, 상기 제1접착 필름을 선택적으로 노광하여 상기 복수개의 소자칩을 선택적으로 전사하는 과정에서 보다 효율적인 전사를 위하여 제2접착 필름의 접착층도 노광을 통하여 접착력을 부분적으로 달리하게 함으로서, 상기 선택적으로 노광된 제1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 제2접착 필름으로 전사하는 과정의 효율 및 정확도를 높일 수 있다. Meanwhile, the adhesive layer of the second adhesive film may also partially change the adhesive force through exposure by selectively exposing the first adhesive film to selectively transfer the plurality of device chips, It is possible to increase the efficiency and accuracy of the process of transferring only the device chip that has contacted the adhesive layer of the exposed first adhesive to the second adhesive film.
보다 구체적으로, 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은, 상기 제1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계 이전에, 상기 선택적으로 노광된 상기 제1접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크를 이용하고, 상기 제2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 제2접착 필름의 접착층을 선택적으로 노광하는 단계;를 더 포함할 수 있다. More specifically, the method of transferring a microelectronic element comprises the steps of: contacting a plurality of device chips on the first adhesive film with an adhesive layer of a second adhesive film comprising a light-transmitting substrate and an adhesive layer formed on the light- The step of transferring the ultraviolet rays through the light-transmitting base material of the second adhesive film to the adhesive layer of the second adhesive film using a photomask, which is opposite in phase to the exposure pattern of the selectively exposed first adhesive film, And selectively exposing the substrate to light.
상기 제2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 제2접착 필름의 접착층을 선택적으로 노광하는 단계에서는 상술한 상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계에서 사용한 노광 방법 등을 사용할 수 있다. The step of selectively exposing the adhesive layer of the second adhesive film by irradiating ultraviolet rays through the light-transmissive substrate of the second adhesive film may include the step of transferring the plurality of device chips through the light- And an exposure method used in a step of selectively exposing another surface of the adhesive layer.
상기 제2접착 필름의 접착층의 선택적 노광부는 상기 소자칩에 대하여 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부 보다 낮은 접착력을 가지게 되며, 이에 따라 상기 선택적으로 노광된 제1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 제2접착 필름으로 전사하게 되고, 상기 선택적으로 비노광된 제1접착제의 접착층과 상기 제2접착 필름의 접착층의 선택적 노광부에 접촉했던 소자칩들은 상기 제1접착 필름에 그대로 붙어 있을 수 있다. The selectively exposed portion of the adhesive layer of the second adhesive film has a lower adhesive force than the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film with respect to the device chip, Are transferred to the second adhesive film, and the device chips that contacted the selectively exposed portion of the adhesive layer of the selectively non-exposed first adhesive and the adhesive layer of the second adhesive film may be stuck to the first adhesive film .
한편, 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법에서는 상기 제2접착 필름으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of transferring a microelectronic device, the method comprising: transferring a device chip transferred with the second adhesive film onto a printed circuit board.
상술한 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법에서 소자칩, 예들 들어 5㎛ 내지 300㎛ 의 크기를 갖는 마이크로 LED칩 등을 원하는 패턴 형상 및 크기로 전사할 수 있으며, 이에 따라 상기 제2접착 필름으로 전사된 소자칩을 소정의 형상 및 크기로 설계된 인쇄 회로 기판으로 용이하게 전사할 수 있다. In the above-described method of transferring a microelectronic device, a device chip, for example, a micro LED chip having a size of 5 to 300 mu m can be transferred in a desired pattern shape and size, The device chips can be easily transferred to a printed circuit board designed in a predetermined shape and size.
상기 제2접착 필름으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계에서는 통상적으로 알려진 장치 및 장비를 사용할 수 있으며, 예를 들어 이방성 전도성 필름과 제2접착 필름과의 접착력 차이 또는 이방성 전도성 필름과 노광후 접착력이 감소된 제2접착 필름과의 접착력 차이에 의해서도 전사 가능하다. In the step of transferring the device chip transferred with the second adhesive film to the printed circuit board, conventionally known devices and equipment may be used. For example, a difference in adhesion between the anisotropic conductive film and the second adhesive film, It can be transferred even by the difference in adhesive force between the second adhesive film and the second adhesive film after the exposure.
한편, 상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계에서는 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 바로 결합시킬 수 있으며, 또한 상기 소자칩이 인쇄 회로 기판에 접촉한 상태에서 상기 제2접착 필름에서 소자가 결합된 반대면에서 자외선을 투과하여 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력을 낮춤으로서 상기 인쇄 회로 기판으로의 소자칩 전사를 보다 효율적으로 수행할 수 있다. Meanwhile, in the step of transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to the printed circuit board, the selectively transferred device chip can be directly coupled to the printed circuit board, The adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film is lowered by transmitting ultraviolet rays through the opposite surface of the second adhesive film on which the devices are bonded, so that the device chip transfer to the printed circuit board can be performed more efficiently have.
구체적으로, 상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계는, 상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 인쇄 회로 기판이 접촉한 상태에서, 상기 제2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 선택적으로 전사된 소자칩이 결합된 접착층의 다른 일면을 노광하는 단계를 더 포함할 수 있다. Specifically, the step of transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to the printed circuit board may include a step of transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to the printed circuit board And exposing another surface of the adhesive layer to which the selectively transferred device chip is bonded through the light-transmitting substrate of the second adhesive film.
상기 인쇄 회로 기판의 구체적인 예가 한정되는 것은 아니며, 통상적인 RPCB 또는 FPCB를 사용할 수 있다. A specific example of the printed circuit board is not limited, and a typical RPCB or FPCB can be used.
상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 접하는 상기 인쇄 회로 기판의 일면에는 이방성 전도성 필름이 형성될 수 있다. An anisotropic conductive film may be formed on one surface of the printed circuit board contacting the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film.
이하에서는 도면을 바탕으로 발명의 구체적인 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of transferring a microelectronic device according to a specific embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도1에 나타난 바와 같이, 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩을 이동하여(1) 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제1접착 필름의 접착층에 접하도록 하고(2), 상기 접착층의 접착력에 따라서 상기 웨이퍼에 형성된 복수개의 소자칩이 상기 제1접착 필름의 접착층으로 전사될 수 있다(3). 상기 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩은 각각 분획되고, 상기 제1접착 필름의 접착층에 전사될 수 있을 정도의 강도로 웨이퍼와 결합하고 있다. As shown in FIG. 1, a plurality of device chips formed on one surface of a wafer are moved to contact (1) an adhesive layer of a first adhesive film comprising a light-transmitting base material and an adhesive layer formed on the above-mentioned light- , And a plurality of device chips formed on the wafer may be transferred to the adhesive layer of the first adhesive film according to the adhesive force of the adhesive layer (3). A plurality of device chips formed on one surface of the wafer are each fractionated and bonded to the wafer with an intensity enough to be transferred to the adhesive layer of the first adhesive film.
그리고, 소정의 형상 및 크기의 패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여 자외선을 조사할 수 있으며, 이때 상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면이 상기 포토마스크의 패턴에 따라 선택적으로 노광될 수 있다(4). The other side of the adhesive layer on which the plurality of device chips are transferred through the light-transmissive base material of the first adhesive film is irradiated with ultraviolet rays using a photomask having a pattern of a predetermined shape and size, Can be selectively exposed according to the pattern of the mask (4).
그리고, 상기 복수개의 소자칩 중 전사의 대상이 되는 소자칩과 접하는 상기 제1접착 필름의 접착층의 부분이 선택적으로 노광되면, 상기 노광된 제1접착 필름의 접착층의 부분이 갖는 소자칩에 대한 접착력은 낮아지게 되며, 상기 제2접착 필름의 접착층을 상기 제1접착 필름 상에 위치한 복수개의 소자칩의 다른 일면에 접촉하였을 때, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작게 됨에 따라서, 상기 선택적으로 노광된 제1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 제2접착 필름으로 전사시킬 수 있다. 즉, 상기 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제2접착 필름의 접착층을 상기 제1접착 필름 상에 전사되어 있는 복수개의 소자칩과 접촉하여 상기 노광부에 따라 선택적으로 전사할 수 있다(도1의 4, 5, 6).When the portion of the adhesive layer of the first adhesive film that is in contact with the device chip to be transferred among the plurality of device chips is selectively exposed, the adhesion of the portion of the adhesive layer of the exposed first adhesive film to the device chip When the adhesive layer of the second adhesive film is brought into contact with the other surface of the plurality of device chips located on the first adhesive film, the adhesive force of the exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film on the device chip Is smaller than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip, only the device chip which has contacted the adhesive layer of the selectively exposed first adhesive can be transferred to the second adhesive film. That is, the adhesive layer of the second adhesive film including the light-transmitting base material and the adhesive layer formed on the light-transmitting substrate is contacted with a plurality of device chips transferred on the first adhesive film, (4, 5, 6 in Fig. 1).
그리고, 상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩은 이방성 전도성 필름이 패턴에 따라 위치하는 인쇄 회로 기판과 접촉함으로서, 상기 소자칩이 인쇄 회로 기판으로 전사될 수 있다(도1의 7,8,9).The device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film may be transferred to the printed circuit board by contacting the printed circuit board on which the anisotropic conductive film is placed according to the pattern , 8,9).
한편, 도2에 나타난 바와 같이, 상기 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법에서는, 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은, 상기 제1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계 이전에, 상기 선택적으로 노광된 상기 제1접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크를 이용하고, 상기 제2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 제2접착 필름의 접착층을 선택적으로 노광할 수 있다(도2의 4).On the other hand, as shown in FIG. 2, in the method of transferring a microelectronic element in the above embodiment, the method of transferring the microelectronic element is characterized in that a plurality of element chips on the first adhesive film are transferred onto the light- Wherein the step of selectively transferring the second adhesive film comprises contacting the adhesive film of the second adhesive film with the adhesive layer of the second adhesive film, The adhesive layer of the second adhesive film can be selectively exposed by irradiating ultraviolet rays through the light-transmitting substrate (4 in Fig. 2).
이와 같이, 상기 제2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 제2접착 필름의 접착층을 선택적으로 노광함에 따라서, 상기 제2접착 필름의 접착층의 선택적 노광부의 접착력은 낮아지게 되는데, 상기 선택적으로 노광된 상기 제1접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크를 이용함에 따라서, 상기 선택적으로 노광된 제1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩은 상기 제2접착 필름의 접착층의 선택적 비노광부와 접촉하게 된다. As described above, the ultraviolet rays are irradiated through the light-transmitting base material of the second adhesive film to selectively expose the adhesive layer of the second adhesive film, so that the adhesive force of the selective exposure portion of the adhesive layer of the second adhesive film becomes low. The device chip which has contacted the adhesive layer of the selectively exposed first adhesive may be selectively removed from the selective unexposed portion of the adhesive layer of the second adhesive film by using the photomask that is opposite in phase to the exposure pattern of the selectively exposed first adhesive film .
도2에서 나타난 바와 같이, 상기 선택적으로 노광된 상기 제1접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크는 상기 선택적으로 노광된 상기 제1접착 필름의 노광 패턴과 반대의 노광 패턴을 제2접착 필름의 접착층에 형성할 수 있는 포토마스크를 의미한다. As shown in FIG. 2, the photomask, which is opposite in phase to the exposure pattern of the selectively exposed first adhesive film, exposes an exposure pattern opposite to the exposure pattern of the selectively exposed first adhesive film, Means a photomask which can be formed on the adhesive layer.
한편, 도2에 나타난 바와 같이, 제1반도체 필름 및 제2반도체 필름 각각은 유리 또는 광투광성 고분자 수지 필름 등의 광투광성 캐리어 기판을 더 포함할 수도 있다. On the other hand, as shown in FIG. 2, each of the first semiconductor film and the second semiconductor film may further include a light-transmitting carrier substrate such as glass or a light-transmitting polymeric resin film.
한편, 도3에 나타난 바와 같이, 상기 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법에서는, 상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사한 이후에, 상기 제2접착 필름을 다시 사용하여 제1접착 필름에 형성된 소자칩을 선택적으로 다시 전사할 수 있다.3, in the method of transferring a microelectronic device according to the embodiment, after the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film is transferred to the printed circuit board, The device chips formed on the first adhesive film can be selectively re-transferred.
이때 상기 제1접착 필름의 광투과성 기재의 하단에서는 포토 마스크가 이동하거나 다른 형상의 포토 마스크가 위치하여 이전에 미전사된 소자칩의 아래 부분에 접하는 제1접착 필름의 접착층을 노광시킬 수 있다. At this time, a photomask moves or a photomask having a different shape is positioned at the lower end of the light-transmitting base material of the first adhesive film, so that the adhesive layer of the first adhesive film which is in contact with the lower portion of the previously unimaged device chip can be exposed.
그리고, 도1 및 도2에서와 동일하게, 상기 복수개의 소자칩 중 전사의 대상이 되는 소자칩과 접하는 상기 제1접착 필름의 접착층의 부분이 선택적으로 노광되면, 상기 노광된 제1접착 필름의 접착층의 부분이 갖는 소자칩에 대한 접착력은 낮아지게 되며, 상기 제2접착 필름의 접착층을 상기 제1접착 필름 상에 위치한 복수개의 소자칩의 다른 일면에 접촉하였을 때, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작게 됨에 따라서, 상기 선택적으로 노광된 제1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 제2접착 필름으로 전사시킬 수 있다. 1 and 2, when the portion of the adhesive layer of the first adhesive film that is in contact with the device chip to be transferred among the plurality of device chips is selectively exposed, the exposed first adhesive film When the adhesive layer of the second adhesive film is brought into contact with the other surface of the plurality of device chips located on the first adhesive film, As the adhesive force of the adhesive layer of the adhesive film to the exposed portion of the adhesive film becomes smaller than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip, only the device chip which has contacted the adhesive layer of the selectively exposed first adhesive, Lt; / RTI >
한편, 도4에 나타난 바와 같이, 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩(1)은 인쇄 회로 기판에 접촉한 상태에서 상기 제2접착 필름에서 소자가 결합된 반대면에서 자외선을 투과하여(2) 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력을 낮춤으로서, 상기 소자칩이 인쇄 회로 기판으로 보다 용이하게 전사될 수 있다. On the other hand, as shown in Fig. 4, the
상기 제2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 선택적으로 전사된 소자칩이 결합된 접착층의 다른 일면을 노광함에 따라서, 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력은 크게 낮아질 수 있으며, 이에 따라 별도의 박리 공정이나 추가적인 전사을 위한 장치의 사용 없이도 상기 제2접착 필름에서 인쇄 회로 기판으로 상기 소자칩을 용이하고 효율적으로 선택 전사할 수 있다.The adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film may be significantly lowered as the other surface of the adhesive layer to which the selectively transferred device chip is bonded is exposed through the light transmitting substrate of the second adhesive film, It is possible to easily and efficiently select and transfer the device chips from the second adhesive film to the printed circuit board without using a process or an apparatus for additional transfer.
Claims (17)
상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계; 및
제1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계; 를 포함하며,
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 크며,
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작은,
마이크로 전기 소자의 전사 방법.
Transferring a plurality of device chips formed on one surface of a wafer to an adhesive layer of a first adhesive film comprising a light-transmitting base material and an adhesive layer formed on the light-transmitting base material;
Selectively exposing another surface of the adhesive layer onto which the plurality of device chips are transferred through the light-transmitting substrate of the first adhesive film; And
Selectively transferring a plurality of device chips on a first adhesive film in contact with an adhesive layer of a second adhesive film comprising a photo-translucent substrate and an adhesive layer formed on the photo-transparent substrate; / RTI >
The adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is greater than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip,
Wherein the adhesive force of the adhesive layer of the first adhesive film on the element chip is smaller than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film on the element chip,
Method of transferring microelectronic elements.
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5 gf / 25 mm 이상인,
마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is greater than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip of 5 gf /
Method of transferring microelectronic elements.
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5 gf / 25 mm 이상인,
마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the difference between the adhesive force of the adhesive layer of the first adhesive film on the element chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film on the element chip is 5 gf /
Method of transferring microelectronic elements.
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 50 gf / 25 mm 내지 800 gf / 25 mm 이고,
상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력이 50 gf / 25 mm 내지 800 gf / 25 mm 이며,
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5 gf / 25 mm 이상인,
마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
The adhesive force of the unexposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is 50 gf / 25 mm to 800 gf / 25 mm,
An adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip is 50 gf / 25 mm to 800 gf / 25 mm,
Wherein the difference between the adhesive force of the adhesive layer of the first adhesive film on the element chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film on the element chip is 5 gf /
Method of transferring microelectronic elements.
상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 1 gf / 25 mm 내지 100 gf / 25 mm 인, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive force of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip has an adhesive force of 1 gf / 25 mm to 100 gf / 25 mm.
상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 전사된 복수개의 소자칩을 선택적으로 노광하는 단계는 5 ㎛ 내지 300 ㎛ 크기의 미세 패턴이 형성된 포토 마스크를 사용하는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of selectively exposing the transferred plurality of device chips through the light-transmitting base material of the first adhesive film uses a photomask having a fine pattern with a size of 5 mu m to 300 mu m formed thereon.
상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계에서는
상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 10mJ/cm2 내지 10,000mJ/cm2 의 조사량으로 자외선을 조사하는 단계를 포함하는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
The step of selectively exposing another surface of the adhesive layer onto which the plurality of device chips are transferred through the light-transmitting base material of the first adhesive film
And the other surface of the adhesive layer onto which the plurality of device chips are transferred is set to 10 mJ / cm 2 And irradiating ultraviolet light at an irradiation dose of 10,000 to 10,000 mJ / cm < 2 >.
상기 광투과성 기재는 300 내지 600 nm의 파장에 대한 투과율이 50%이상인 고분자 수지층인, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the light-transmitting substrate is a polymer resin layer having a transmittance of at least 50% with respect to a wavelength of 300 to 600 nm.
상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각이 접착 바인더; 가교제; 및 광개시제;를 포함하는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film each comprise an adhesive binder; A crosslinking agent; And a photoinitiator.
상기 제1접착 필름의 접착층 및 상기 제2접착 필름의 접착층 각각은 (메타)아크릴레이트계 작용기 및 비극성 작용기를 포함한 고분자, 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자 및 반응성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함하는 고분자 첨가제를 더 포함하는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film comprises a polymer containing a (meth) acrylate functional group and a non-polar functional group, a (meth) acrylate based polymer containing at least one fluorine, And a polymer additive comprising at least one polymer selected from the group consisting of silicone-modified (meth) acrylate-based polymers.
상기 제1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계 이전에,
상기 선택적으로 노광된 상기 제1접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크를 이용하고, 상기 제2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 제2접착 필름의 접착층을 선택적으로 노광하는 단계;를 더 포함하는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Before the step of selectively transferring a plurality of device chips on the first adhesive film in contact with the adhesive layer of the second adhesive film including a light-transmitting base material and an adhesive layer formed on the light-transmitting base material,
Selectively exposing the adhesive layer of the second adhesive film by irradiating ultraviolet light through the light-transmissive base material of the second adhesive film using a photomask which is opposite in phase to the exposure pattern of the selectively exposed first adhesive film, Further comprising a step of transferring the microelectronic element.
상기 선택적으로 노광된 상기 제2접착 필름의 접착층은 상기 소자칩에 대하여 상기 제1접착 필름의 접착층의 비노광부 보다 낮은 접착력을 갖는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the selectively exposed adhesive layer of the second adhesive film has a lower adhesive force than the non-exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film with respect to the device chip.
상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계를 더 포함하는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to a printed circuit board.
상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계는,
상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 인쇄 회로 기판이 접촉한 상태에서, 상기 제2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 선택적으로 전사된 소자칩이 결합된 접착층의 다른 일면을 노광하는 단계를 더 포함하는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the step of transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to the printed circuit board comprises:
The other adhesive surface of the adhesive layer to which the selectively transferred device chip is bonded through the light-transmissive substrate of the second adhesive film is bonded to the other surface of the adhesive layer in the state that the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film is in contact with the printed circuit board And exposing the microelectronic device to light.
상기 제2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 접하는 상기 인쇄 회로 기판의 일면에는 이방성 전도성 필름이 형성되는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein an anisotropic conductive film is formed on one surface of the printed circuit board that contacts the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film.
상기 소자칩은 5 ㎛ 내지 300 ㎛ 의 크기를 갖는 마이크로 LED칩인, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the device chip is a micro LED chip having a size of 5 占 퐉 to 300 占 퐉.
상기 제1접착 필름 및 상기 제2접착 필름 각각은 상기 광투광성 기재의 일면에 접하는 광투광성 캐리어 기판을 더 포함하는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein each of the first adhesive film and the second adhesive film further comprises a light-transmitting carrier substrate which is in contact with one surface of the light-transmitting substrate.
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101972481B1 (en) * | 2018-10-05 | 2019-04-25 | 주식회사 레다즈 | Apparatus for transferring micro element to target object selectively |
| WO2020009520A1 (en) * | 2018-07-06 | 2020-01-09 | (주)포인트엔지니어링 | Micro led transfer head and micro led transfer system using same |
| KR20200012438A (en) * | 2018-07-27 | 2020-02-05 | 주식회사 엘지화학 | Stretchable substrate and electronic device comprising the same |
| KR20210015033A (en) | 2019-07-31 | 2021-02-10 | (주)라이타이저 | Method for manufacturing display apparatus using extension and shift region of electrode pad and display apparatus manufactured by that method |
| CN112701076A (en) * | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 北京小米移动软件有限公司 | Display screen manufacturing method and system |
| WO2021125775A1 (en) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | 서울바이오시스주식회사 | Micro-led transfer method and micro-led transfer apparatus |
| KR20210089557A (en) * | 2020-01-08 | 2021-07-16 | 웨이브로드 주식회사 | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| CN114823997A (en) * | 2022-05-26 | 2022-07-29 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | Chip transfer method |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108807265B (en) | 2018-07-09 | 2020-01-31 | 厦门乾照光电股份有限公司 | Micro-LED bulk transfer method, display device and manufacturing method |
| TW202008558A (en) * | 2018-07-23 | 2020-02-16 | 飛傳科技股份有限公司 | Die transfer method and die transfer system thereof |
| JP2020064976A (en) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 大日本印刷株式会社 | Holder, holding member, and manufacturing method of light emitting substrate |
| CN111129235B (en) * | 2018-10-31 | 2021-10-22 | 成都辰显光电有限公司 | Batch transfer method of micro-elements |
| CN109661122B (en) * | 2018-11-09 | 2020-01-21 | 华中科技大学 | Selective mass transfer method suitable for micro light-emitting diode |
| CN110034221A (en) * | 2018-11-16 | 2019-07-19 | 吴裕朝 | Light emitting device package processing procedure |
| CN109473532B (en) | 2018-11-20 | 2020-11-06 | 合肥京东方光电科技有限公司 | Manufacturing method of Micro LED display substrate |
| CN109673110B (en) * | 2018-11-30 | 2020-10-23 | 利亚德光电股份有限公司 | Die bonding method of LED chip and packaging method of display module with LED chip |
| CN109860092B (en) * | 2019-01-02 | 2020-10-02 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | Method for transferring huge amount of micro light-emitting diodes and display |
| JP7272078B2 (en) * | 2019-04-10 | 2023-05-12 | 大日本印刷株式会社 | Holding member, transfer member, method for manufacturing holding member, method for manufacturing transfer member, and method for manufacturing light emitting substrate |
| CN110098289A (en) * | 2019-05-07 | 2019-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of production method of transfer device and display base plate |
| CN110797295B (en) * | 2019-11-15 | 2022-09-16 | 广东省半导体产业技术研究院 | Chip transfer method and device |
| CN110828364B (en) * | 2019-11-20 | 2023-07-14 | 广东省半导体产业技术研究院 | Mass transfer method, manufacturing method of display device and display device |
| CN110993749B (en) * | 2019-12-09 | 2021-02-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Mass transfer method of micro light-emitting diode and display panel |
| CN111902952A (en) * | 2020-02-24 | 2020-11-06 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | Mass transfer method of light emitting diode and display backboard assembly |
| CN112992756A (en) * | 2020-05-28 | 2021-06-18 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | Transfer bearing device and transfer method |
| CN112701077A (en) * | 2020-12-28 | 2021-04-23 | 广东省科学院半导体研究所 | Device transfer method |
| CN112968084A (en) * | 2021-02-04 | 2021-06-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Display panel and manufacturing method thereof |
| CN113764551B (en) * | 2021-09-07 | 2023-01-03 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | LED chip transfer method |
| CN114284401A (en) * | 2021-12-24 | 2022-04-05 | 深圳市思坦科技有限公司 | Micro light-emitting diode transfer method and display panel |
| CN115172192B (en) * | 2022-09-09 | 2023-07-21 | 之江实验室 | Multi-core wafer-level integrated hybrid bonding method |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3406207B2 (en) * | 1997-11-12 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | Method of forming transistor array panel for display |
| JP3959988B2 (en) * | 2001-06-27 | 2007-08-15 | ソニー株式会社 | Element transfer method |
| US6872635B2 (en) * | 2001-04-11 | 2005-03-29 | Sony Corporation | Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same |
| JP4548087B2 (en) * | 2003-10-29 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | device |
| US7662545B2 (en) * | 2004-10-14 | 2010-02-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Decal transfer lithography |
| JP4870010B2 (en) * | 2007-03-30 | 2012-02-08 | パナソニック株式会社 | Adhesive sheet sticking device and sticking method |
| JP2009111340A (en) * | 2007-10-11 | 2009-05-21 | Hitachi Chem Co Ltd | Wafer with adhesive, adhesive composition, and method for manufacturing wafer with adhesive |
| KR101104134B1 (en) * | 2009-10-30 | 2012-01-13 | 전자부품연구원 | Method for packaging semiconductor chip |
| KR20140042317A (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-07 | 하나 마이크론(주) | Apparatus of transferring flexible integrated circuit device for manufacturing package |
| KR101632504B1 (en) * | 2014-10-29 | 2016-06-21 | 한국과학기술원 | method for the fabrication of nanostructures based on adhesion control using solvent vapor and nanotransfer printing using the same |
| KR101605317B1 (en) * | 2014-11-20 | 2016-03-23 | 한국기계연구원 | Optical selective transferring apparatus and its method for thin film devices |
| JP2018515942A (en) * | 2015-10-20 | 2018-06-14 | ゴルテック インコーポレイテッド | Micro light-emitting diode transport method, manufacturing method, apparatus, and electronic apparatus |
-
2016
- 2016-12-26 KR KR1020160179493A patent/KR20180075310A/en not_active Application Discontinuation
-
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- 2017-12-22 CN CN201780005600.9A patent/CN108513684A/en active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020009520A1 (en) * | 2018-07-06 | 2020-01-09 | (주)포인트엔지니어링 | Micro led transfer head and micro led transfer system using same |
| KR20200012438A (en) * | 2018-07-27 | 2020-02-05 | 주식회사 엘지화학 | Stretchable substrate and electronic device comprising the same |
| KR101972481B1 (en) * | 2018-10-05 | 2019-04-25 | 주식회사 레다즈 | Apparatus for transferring micro element to target object selectively |
| KR20210015033A (en) | 2019-07-31 | 2021-02-10 | (주)라이타이저 | Method for manufacturing display apparatus using extension and shift region of electrode pad and display apparatus manufactured by that method |
| CN112701076A (en) * | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 北京小米移动软件有限公司 | Display screen manufacturing method and system |
| WO2021125775A1 (en) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | 서울바이오시스주식회사 | Micro-led transfer method and micro-led transfer apparatus |
| US11521887B2 (en) | 2019-12-18 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Method of transferring micro LED and micro LED transferring apparatus |
| KR20210089557A (en) * | 2020-01-08 | 2021-07-16 | 웨이브로드 주식회사 | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| CN114823997A (en) * | 2022-05-26 | 2022-07-29 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | Chip transfer method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |