KR20210088551A - Polyimide precursor, polyimide, polyimide resin film and flexible device - Google Patents

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KR20210088551A
KR20210088551A KR1020217012151A KR20217012151A KR20210088551A KR 20210088551 A KR20210088551 A KR 20210088551A KR 1020217012151 A KR1020217012151 A KR 1020217012151A KR 20217012151 A KR20217012151 A KR 20217012151A KR 20210088551 A KR20210088551 A KR 20210088551A
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아키노리 사에키
다쿠야 미야우치
다이치 미야자키
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도레이 카부시키가이샤
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Abstract

폴리이미드 전구체는, 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 일반식 (2)로 표시되는 구조 단위를 포함한다.

Figure pct00034

(일반식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. m은 1 이상 200 이하의 정수를 나타낸다.)
(일반식 (2) 중, R3은 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기를 나타낸다. R4는 방향족 테트라카르복실산 잔기를 나타낸다. X1 및 X2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 1가의 유기기 또는 탄소수 1 내지 10의 1가의 알킬실릴기를 나타낸다.)A polyimide precursor contains the structure represented by General formula (1), and the structural unit represented by General formula (2).
Figure pct00034

(In general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. m represents an integer of 1 or more and 200 or less.)
(In the general formula (2), R 3 represents a divalent organic group represented by the general formula (3). R 4 represents an aromatic tetracarboxylic acid residue. X 1 and X 2 are each independently a hydrogen atom; It represents a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms or a monovalent alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms.)

Description

폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리이미드 수지막 및 플렉시블 디바이스Polyimide precursor, polyimide, polyimide resin film and flexible device

본 발명은 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리이미드 수지막 및 플렉시블 디바이스에 관한 것이다.The present invention relates to a polyimide precursor, a polyimide, a polyimide resin film, and a flexible device.

유기 필름은 유리에 비해 굴곡성이 많고, 갈라지기 어려우며, 경량과 같은 특장을 갖는다. 최근에는, 플랫 패널 디스플레이의 기판을 유기 필름으로 대체하는 것으로, 플랫 패널 디스플레이를 플렉시블화하는 움직임이 활발화되고 있다.Compared with glass, an organic film has many flexibility, it is hard to crack, and has features, such as light weight. In recent years, the movement which makes a flat panel display flexible is active by replacing the board|substrate of a flat panel display with an organic film.

유기 필름에 사용되는 수지로서는, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카르보네이트, 폴리에테르술폰, 아크릴, 에폭시, 시클로올레핀폴리머 등을 들 수 있다. 이들 중, 폴리이미드는 고내열성 수지인 점에서, 디스플레이 기판으로서 적합하다. 그러나, 일반적인 폴리이미드 수지는, 높은 방향환 밀도에 의해, 갈색 또는 황색으로 착색하고, 가시광선 영역에서의 투과율이 낮아, 투명성이 요구되는 분야에 사용하는 것은 곤란했다.Examples of the resin used for the organic film include polyester, polyamide, polyimide, polycarbonate, polyethersulfone, acryl, epoxy, and cycloolefin polymer. Among them, polyimide is suitable as a display substrate because it is a highly heat-resistant resin. However, the general polyimide resin is colored brown or yellow due to its high aromatic ring density, and the transmittance in the visible ray region is low, and it has been difficult to use it in a field requiring transparency.

이러한 폴리이미드 수지의 투명성을 향상한다고 하는 과제에 대하여, 특허문헌 1에는, 지환식 산 이무수물과 수산기를 갖는 아민, 구체적으로는 2,2-비스[3-(3-아미노벤즈아미드)-4-히드록시페닐]헥사플루오로프로판(HFHA)을 사용한 폴리이미드 수지막이 높은 내열성 및 광투과성을 갖는 것으로서 개시되어 있다.Regarding the subject of improving the transparency of such polyimide resin, Patent Document 1 discloses an amine having an alicyclic acid dianhydride and a hydroxyl group, specifically 2,2-bis[3-(3-aminobenzamide)-4 A polyimide resin film using -hydroxyphenyl]hexafluoropropane (HFHA) is disclosed as having high heat resistance and light transmittance.

또한, 특허문헌 2에는, 공기 중에서 소성을 행하여 얻어지는 투명 폴리이미드 수지막을 사용해서 플렉시블한 터치 패널을 얻는 방법이 개시되어 있다.Moreover, the method of obtaining a flexible touch panel is indicated by patent document 2 using the transparent polyimide resin film obtained by baking in air.

국제공개 제2013/24849호International Publication No. 2013/24849 국제공개 제2018/84067호International Publication No. 2018/84067

특허문헌 1에는, 높은 투명성과 낮은 면내/면외 복굴절을 갖는 폴리이미드가 개시되어 있다. 그러나, 특허문헌 1에 기재된 폴리이미드에서는, 폴리이미드 수지막을 제막하기 위해서 이너트 오븐에서 긴 시간을 들여서 소성을 행할 필요가 있기 때문에, 폴리이미드 수지막의 제막에 엄청난 비용 및 시간이 걸린다는 문제가 있었다.Patent Document 1 discloses a polyimide having high transparency and low in-plane/out-of-plane birefringence. However, in the polyimide described in Patent Document 1, since it is necessary to bake the polyimide resin film in an inert oven for a long time in order to form a film, there is a problem that the film formation of the polyimide resin film takes great cost and time. .

또한, 특허문헌 2에는, 공기 중에서 30분간 소성을 행함으로써 투명한 폴리이미드 수지막이 얻어지는 취지의 개시가 있다. 그러나, 특허문헌 2에 기재된 투명 폴리이미드 수지막은, 유리 전이 온도가 220℃ 내지 230℃ 정도의 수지막이며, 터치 패널이나 디스플레이 등의 디바이스에 사용되는 수지막으로서는 유리 전이 온도가 낮다는 문제가 있었다. 유리 전이 온도가 낮은 폴리이미드 수지막을 디바이스에 사용하는 경우, 예를 들어 터치 패널의 신뢰성을 향상시키기 위해, 폴리이미드 수지막 상에 무기막을 형성한 후에 터치 패널이나 컬러 필터를 형성하면, 무기막에 주름이 발생하고, 표면 평활성이 저하된다.Moreover, patent document 2 has the indication to the effect that a transparent polyimide resin film is obtained by baking in air for 30 minutes. However, the transparent polyimide resin film described in Patent Document 2 is a resin film having a glass transition temperature of about 220°C to 230°C, and as a resin film used for devices such as touch panels and displays, there is a problem that the glass transition temperature is low. . When a polyimide resin film having a low glass transition temperature is used in a device, for example, in order to improve the reliability of the touch panel, if an inorganic film is formed on the polyimide resin film and then a touch panel or a color filter is formed, the inorganic film Wrinkles are generated and the surface smoothness is lowered.

이와 같이, 현 상황에서는, 투명성이 높고, 유리 전이 온도가 높고, 면내/면외 복굴절이 낮고, 또한 양호한 기판 밀착성을 갖는 폴리이미드를 효율적으로 얻는 방법은 알려져 있지 않다.As described above, in the present situation, a method for efficiently obtaining a polyimide having high transparency, high glass transition temperature, low in-plane/out-of-plane birefringence, and good substrate adhesion is not known.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 투명성이 높고, 유리 전이 온도가 높고, 면내/면외 복굴절이 낮고, 지지 기판과의 밀착성이 양호한 폴리이미드를 효율적으로 얻을 수 있는 폴리이미드 전구체를 제공하는 것을 제1 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 이러한 폴리이미드 전구체를 사용해서 얻어지는 폴리이미드, 폴리이미드 수지막 및 플렉시블 디바이스를 제공하는 것을 제2 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and provides a polyimide precursor that can efficiently obtain a polyimide having high transparency, high glass transition temperature, low in-plane/out-of-plane birefringence, and good adhesion to a support substrate. for the first purpose. Moreover, this invention makes it a 2nd objective to provide the polyimide obtained using such a polyimide precursor, a polyimide resin film, and a flexible device.

상술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 폴리이미드 전구체는, 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 일반식 (2)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above-mentioned subject and achieve the objective, the polyimide precursor which concerns on this invention contains the structure represented by General formula (1), and the structural unit represented by General formula (2), It is characterized by the above-mentioned.

Figure pct00001
Figure pct00001

(일반식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. m은 1 이상 200 이하의 정수를 나타낸다.)(In general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. m represents an integer of 1 or more and 200 or less.)

Figure pct00002
Figure pct00002

(일반식 (2) 중, R3은 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기를 나타낸다. R4는 방향족 테트라카르복실산 잔기를 나타낸다. X1 및 X2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 1가의 유기기 또는 탄소수 1 내지 10의 1가의 알킬실릴기를 나타낸다.)(In the general formula (2), R 3 represents a divalent organic group represented by the general formula (3). R 4 represents an aromatic tetracarboxylic acid residue. X 1 and X 2 are each independently a hydrogen atom; It represents a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms or a monovalent alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms.)

Figure pct00003
Figure pct00003

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드 전구체는, 상기의 발명에 있어서, 당해 폴리이미드 전구체 전체의 양을 100질량%로 한 경우, 상기 일반식 (1)로 표시되는 구조를 0.1질량% 이상 30질량% 이하 포함하는 것을 특징으로 한다.Moreover, when the polyimide precursor which concerns on this invention makes the quantity of the said whole polyimide precursor 100 mass % in said invention, 0.1 mass % or more and 30 mass % of the structure represented by the said General formula (1) It is characterized in that it includes the following.

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드 전구체는, 상기의 발명에 있어서, 당해 폴리이미드 전구체에 포함되는 전체 디아민 잔기 중, 상기 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기의 구조 단위를 30mol% 이상 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, in the above invention, the polyimide precursor according to the present invention contains 30 mol% or more of the structural unit of the divalent organic group represented by the general formula (3) among all the diamine residues contained in the polyimide precursor. characterized in that

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드 전구체는, 상기의 발명에 있어서, 당해 폴리이미드 전구체에 포함되는 전체 산 이무수물 잔기 중, 플루오렌 골격을 갖는 산 무수물 잔기를 5mol% 이상 55mol% 이하 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the polyimide precursor according to the present invention, in the above invention, comprises 5 mol% or more and 55 mol% or less of acid anhydride residues having a fluorene skeleton among all the acid dianhydride residues contained in the polyimide precursor. do it with

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드 전구체는, 상기의 발명에 있어서, 하기 일반식 (4)로 표시되는 화합물의 잔기를 포함하는 것을 특징으로 한다.Moreover, in said invention, the polyimide precursor which concerns on this invention contains the residue of the compound represented by following General formula (4), It is characterized by the above-mentioned.

Figure pct00004
Figure pct00004

(일반식 (4) 중, 복수의 R5는 각각 독립적으로, 단결합 또는 탄소수 1 내지 10의 2가의 유기기이다. 복수의 R6 및 R7은 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 3의 1가의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6 내지 10의 방향족기이다. L은 아미노기 혹은 그 반응성 유도체 또는 산 이무수물 구조 혹은 그 반응성 유도체를 포함하는 기이다. y는 1 이상 199 이하의 정수이다.)(In the general formula (4), a plurality of R 5 are each independently a single bond or a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms. A plurality of R 6 and R 7 are each independently a monovalent group having 1 to 3 carbon atoms. It is an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. L is an amino group or a reactive derivative thereof, or a group containing an acid dianhydride structure or a reactive derivative thereof. y is an integer of 1 or more and 199 or less.)

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드 전구체는, 상기의 발명에 있어서, 상기 일반식 (4)로 표시되고 또한 y가 1 이상 20 이하인 화합물의 잔기와, 상기 일반식 (4)로 표시되고 또한 y가 21 이상 60 이하인 화합물의 잔기를 양쪽 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, in the above invention, the polyimide precursor according to the present invention is a residue of a compound represented by the general formula (4) and y is 1 or more and 20 or less, and a residue of the compound represented by the general formula (4), and y is It is characterized by including both residues of a compound of 21 or more and 60 or less.

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드 전구체는, 상기의 발명에 있어서, 하기 일반식 (9)로 표시되는 디아민의 잔기를 포함하는 것을 특징으로 한다.Moreover, in said invention, the polyimide precursor which concerns on this invention contains the residue of the diamine represented by following General formula (9), It is characterized by the above-mentioned.

Figure pct00005
Figure pct00005

(일반식 (9) 중, R8은 치환 또는 비치환된 페닐기이다. s는 1 이상 4 이하의 정수를 나타낸다.)(In the general formula (9), R 8 is a substituted or unsubstituted phenyl group. s represents an integer of 1 or more and 4 or less.)

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드는 상기의 발명 중 어느 하나에 기재된 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Moreover, the polyimide which concerns on this invention is formed by imidating the polyimide precursor in any one of said inventions, It is characterized by the above-mentioned.

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드는, 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 일반식 (14)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 것을 특징으로 한다.Moreover, the polyimide which concerns on this invention contains the structure represented by General formula (1), and the structural unit represented by General formula (14), It is characterized by the above-mentioned.

Figure pct00006
Figure pct00006

(일반식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. m은 1 이상 200 이하의 정수를 나타낸다.)(In general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. m represents an integer of 1 or more and 200 or less.)

Figure pct00007
Figure pct00007

(일반식 (14) 중, R3은 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기를 나타낸다. R4는 방향족 테트라카르복실산 잔기를 나타낸다.)(In the general formula (14), R 3 represents a divalent organic group represented by the general formula (3). R 4 represents an aromatic tetracarboxylic acid residue.)

Figure pct00008
Figure pct00008

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드는, 상기의 발명에 있어서, 당해 폴리이미드 전체의 양을 100질량%로 한 경우, 상기 일반식 (1)로 표시되는 구조를 0.1질량% 이상 30질량% 이하 포함하는 것을 특징으로 한다.Moreover, the polyimide which concerns on this invention contains 0.1 mass % or more and 30 mass % or less of the structure represented by the said General formula (1) when the quantity of the said whole polyimide is 100 mass % in said invention. characterized in that

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드는 상기 발명에 있어서, 당해 폴리이미드에 포함되는 전체 디아민 잔기 중, 상기 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기의 구조 단위를 30mol% 이상 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the polyimide according to the present invention is characterized in that, in the present invention, 30 mol% or more of the structural unit of the divalent organic group represented by the general formula (3) is contained among all the diamine residues contained in the polyimide. do.

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드 수지막은, 상기의 발명 중 어느 하나에 기재된 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 한다.Moreover, the polyimide resin film which concerns on this invention contains the polyimide in any one of said inventions, It is characterized by the above-mentioned.

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드 수지막은, 상기의 발명에 있어서, 밀도가, 1.20g/㎤ 이상 1.43g/㎤ 이하인 것을 특징으로 한다.Moreover, in said invention, the polyimide resin film which concerns on this invention is 1.20 g/cm<3> or more and 1.43 g/cm<3> or less, It is characterized by the above-mentioned.

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드 수지막은, 상기의 발명에 있어서, 면내/면외 복굴절이 0.01 이하인 것을 특징으로 한다.Further, in the above invention, the polyimide resin film according to the present invention has an in-plane/out-of-plane birefringence of 0.01 or less.

또한, 본 발명에 관한 폴리이미드 수지막은, 상기의 발명에 있어서, 황색도가 3 이하인 것을 특징으로 한다.Moreover, in said invention, the polyimide resin film which concerns on this invention is yellowness 3 or less, It is characterized by the above-mentioned.

또한, 본 발명에 관한 플렉시블 디바이스는, 상기의 발명 중 어느 하나에 기재된 폴리이미드 수지막을 구비하는 것을 특징으로 한다.Moreover, the flexible device which concerns on this invention is provided with the polyimide resin film in any one of said inventions, It is characterized by the above-mentioned.

본 발명에 따르면, 공기 중에서 단시간 가열함으로써, 투명성이 높고, 유리 전이 온도가 높고, 면내/면외 복굴절이 낮고, 지지 기판과의 밀착성이 양호한 폴리이미드를 효율적으로 얻을 수 있는 폴리이미드 전구체를 제공할 수 있다. 본 발명의 폴리이미드 전구체에서 얻어지는 폴리이미드 및 폴리이미드 수지막은, 플렉시블 디바이스, 예를 들어 터치 패널, 컬러 필터 등의 디스플레이용 플렉시블 기판으로서 적합하게 사용할 수 있다. 이러한 플렉시블 기판을 사용함으로써, 고정채(高精彩)로 신뢰성이 높은 플렉시블 디스플레이(플렉시블 디바이스의 일례)의 제작이 가능하다.According to the present invention, a polyimide precursor capable of efficiently obtaining a polyimide having high transparency, high glass transition temperature, low in-plane/out-of-plane birefringence, and good adhesion to a support substrate by heating in air for a short time can be provided. have. The polyimide and polyimide resin film obtained from the polyimide precursor of this invention can be used conveniently as a flexible substrate for displays, such as a flexible device, for example, a touch panel and a color filter. By using such a flexible board|substrate, manufacture of a highly reliable flexible display (an example of a flexible device) is possible with a fixed stand.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 수지막을 포함하는 컬러 필터의 일 구성예를 도시하는 단면 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram which shows one structural example of the color filter containing the polyimide resin film which concerns on embodiment of this invention.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태를 도면과 함께 상세히 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 설명에 있어서 참조하는 각 도면은, 본 발명의 내용을 이해할 수 있을 수 있을 정도로 형상, 크기 및 위치 관계를 개략적으로 나타내고 있는 것에 지나지 않는다. 즉, 본 발명은 각 도면에서 예시된 형상, 크기 및 위치 관계에만 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated in detail with drawings. In addition, this invention is not limited by the following embodiment. In addition, each drawing referenced in the following description is only schematically showing the shape, size, and positional relationship to the extent that the content of this invention can be understood. That is, the present invention is not limited only to the shape, size, and positional relationship illustrated in each drawing.

<폴리이미드 전구체><Polyimide precursor>

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 일반식 (2)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 것이다.The polyimide precursor which concerns on embodiment of this invention contains the structure represented by General formula (1), and the structural unit represented by General formula (2).

Figure pct00009
Figure pct00009

일반식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. m은 1 이상 200 이하의 정수를 나타낸다.In general formula (1), R<1> and R<2> respectively independently represent a C1-C20 monovalent organic group. m represents an integer of 1 or more and 200 or less.

Figure pct00010
Figure pct00010

일반식 (2) 중, R3은 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기를 나타낸다. R4는 방향족 테트라카르복실산 잔기를 나타낸다. X1 및 X2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 1가의 유기기 또는 탄소수 1 내지 10의 1가의 알킬실릴기를 나타낸다.In general formula (2), R 3 represents a divalent organic group represented by general formula (3). R 4 represents an aromatic tetracarboxylic acid residue. X 1 and X 2 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, or a monovalent alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms.

Figure pct00011
Figure pct00011

또한, 「탄소수 1 내지 10」은, 「탄소수 1 이상, 탄소수 10 이하」를 나타낸다. 본 발명에 있어서의 마찬가지 기재는, 마찬가지 의미를 나타낸다.In addition, "C1-C10" represents "C1 or more and C10 or less." The same description in the present invention has the same meaning.

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 일반식 (1)로 표시되는 구조와, 일반식 (2)로 표시되는 구조 단위를 포함함으로써, 이하와 같은 효과를 발휘한다. 즉, 이 폴리이미드 전구체를 공기 중에서 단시간 가열함으로써, 투명성이 높고, 유리 전이 온도(Tg)가 높고, 면내/면외 복굴절이 낮고, 기판 밀착력이 양호한 폴리이미드를 효율적으로 얻을 수 있다.The polyimide precursor which concerns on embodiment of this invention exhibits the following effects by including the structure represented by General formula (1), and the structural unit represented by General formula (2). That is, by heating this polyimide precursor in air for a short time, a polyimide having high transparency, high glass transition temperature (Tg), low in-plane/out-of-plane birefringence, and good substrate adhesion can be efficiently obtained.

일반식 (2)로 표시되는 구조 단위는, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체에 있어서, 반복되는 화합물의 구조 단위이다. 이하, 이 구조 단위는 「반복 구조 단위」 또는 단순히 「반복 단위」라고 적절히 칭해진다. 이것은 일반식 (2)로 표시되는 구조 단위에 한하지 않고, 일반식 (2) 이외의 일반식으로 표시되는 구조 단위에 대해서도 마찬가지이다.The structural unit represented by the general formula (2) is a structural unit of a compound that is repeated in the polyimide precursor according to the embodiment of the present invention. Hereinafter, this structural unit is appropriately called a "repeating structural unit" or simply a "repeating unit." This is not limited to the structural unit represented by General formula (2), The same applies also to the structural unit represented by general formula other than General formula (2).

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 폴리이미드를 구성하는 산 이무수물 잔기 및 디아민 잔기 중 적어도 1개 중에, 일반식 (1)로 표시되는 구조를 갖는다. 이에 의해, 폴리이미드 전구체에서 얻어지는 폴리이미드와 유리 지지 기판과의 밀착력이 향상된다. 이것은 일반식 (1)로 표시되는 구조와 유리 표면에 존재하는 실라놀기가 수소 결합을 형성함으로써, 강한 상호 작용이 생기는 것에 기인한다고 생각된다.The polyimide precursor according to the embodiment of the present invention has a structure represented by the general formula (1) in at least one of the acid dianhydride residue and the diamine residue constituting the polyimide. Thereby, the adhesive force of the polyimide obtained from a polyimide precursor, and a glass support substrate improves. It is thought that this originates in the structure represented by General formula (1), and strong interaction arises when the silanol group which exists on the glass surface forms a hydrogen bond.

R1 및 R2에 있어서의 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기로서는, 탄화수소기, 알콕시기, 에폭시기 등을 들 수 있다. R1 및 R2에 있어서의 탄화수소기로서는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 등을 들 수 있다.A hydrocarbon group, an alkoxy group, an epoxy group, etc. are mentioned as a C1-C20 monovalent organic group in R<1> and R<2>. As a hydrocarbon group in R<1> and R<2> , a C1-C20 alkyl group, a C3-C20 cycloalkyl group, a C6-C20 aryl group, etc. are mentioned.

탄소수 1 내지 20의 알킬기로서는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기인 것이 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기로서는, 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기인 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 탄소수 6 내지 20의 아릴기로서는, 탄소수 6 내지 12의 아릴기인 것이 바람직하고, 구체적으로는 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a hexyl group and the like. As a C3-C20 cycloalkyl group, it is preferable that it is a C3-C10 cycloalkyl group, and a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, etc. are mentioned specifically,. As the C6-C20 aryl group, it is preferable that it is a C6-C12 aryl group, and a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group, etc. are mentioned specifically,.

R1 및 R2에 있어서의 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로필옥시기, 부톡시기, 페녹시기, 프로페닐옥시기 및 시클로헥실옥시기 등을 들 수 있다.As an alkoxy group in R<1> and R<2> , a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, isopropyloxy group, a butoxy group, a phenoxy group, a propenyloxy group, a cyclohexyloxy group, etc. are mentioned.

일반식 (1)에 있어서의 R1 및 R2는, 탄소수 1 내지 3의 1가의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6 내지 10의 방향족기인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 폴리이미드 전구체 조성물의 보존 안정성이 양호하고, 또한 얻어지는 폴리이미드가 높은 내열성을 갖기 때문이다. 여기서, 탄소수 1 내지 3의 1가의 지방족 탄화수소는, 바람직하게는 메틸기이다. 탄소수 6 내지 10의 방향족기는, 바람직하게는 페닐기이다. It is preferable that R<1> and R<2> in General formula (1) are a C1-C3 monovalent|monohydric aliphatic hydrocarbon group or a C6-C10 aromatic group. It is because the storage stability of a polyimide precursor composition is favorable and the polyimide obtained has high heat resistance. Here, the monovalent aliphatic hydrocarbon having 1 to 3 carbon atoms is preferably a methyl group. The aromatic group having 6 to 10 carbon atoms is preferably a phenyl group.

일반식 (1)에 있어서의 R1 및 R2의 적어도 1개는, 방향족기를 포함하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 일반식 (1)로 표시되는 구조를 갖는 것에 기인하는 상분리가 억제되어, 투명성이 높은 폴리이미드를 얻을 수 있기 때문이다. 이 경우, 일반식 (1)로 표시되는 구조 중의 모든 R1 및 R2 중, 탄소수 1 내지 3의 지방족 탄화수소기의 몰수 M1과 탄소수 6 내지 10의 방향족기의 몰수 M2의 비(단, M1+M2=100)는, 바람직하게는 M1:M2=90 내지 10:10 내지 90이고, 보다 바람직하게는 M1:M2=85 내지 15:15 내지 85이고, 더욱 바람직하게는 M1:M2=85 내지 30:15 내지 70이다. 이 비가 상기 범위에 있으면, 상분리에 의한 폴리이미드의 헤이즈 발생을 억제할 수 있고, 투명성이 높은 폴리이미드 수지막을 얻을 수 있다.It is preferable that at least 1 of R<1> and R<2> in General formula (1) contains an aromatic group. This is because phase separation resulting from having a structure represented by the general formula (1) is suppressed, and a polyimide with high transparency can be obtained. In this case, among all R 1 and R 2 in the structure represented by the general formula (1), the ratio of the number of moles M1 of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms to the number of moles M2 of the aromatic group having 6 to 10 carbon atoms (provided that M1+ M2=100) is preferably M1:M2=90 to 10:10 to 90, more preferably M1:M2=85 to 15:15 to 85, still more preferably M1:M2=85 to 30 :15 to 70. When this ratio exists in the said range, haze generation|occurrence|production of the polyimide by phase separation can be suppressed, and the polyimide resin film with high transparency can be obtained.

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 당해 폴리이미드 전구체 전체의 양을 100질량%로 한 경우, 일반식 (1)로 표시되는 구조를 0.1질량% 이상 30질량% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 당해 폴리이미드 전구체에 있어서, 일반식 (1)로 표시되는 구조는, 5질량% 이상 25질량% 이하 포함되는 것이 바람직하고, 8질량% 이상 23질량% 이하 포함되는 것이 보다 바람직하고, 10질량% 이상 22질량% 이하 포함되는 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the polyimide precursor according to the embodiment of the present invention contains 0.1% by mass or more and 30% by mass or less of the structure represented by the general formula (1) when the total amount of the polyimide precursor is 100% by mass. . Moreover, in the said polyimide precursor, it is preferable that 5 mass % or more and 25 mass % or less are contained, and, as for the structure represented by General formula (1), it is more preferable that it contains 8 mass % or more and 23 mass % or less, 10 It is more preferable that it is contained in mass % or more and 22 mass % or less.

폴리이미드 전구체 중에 포함되는 일반식 (1)로 표시되는 구조의 비율이 상기 범위 내이면, 얻어지는 폴리이미드의 백탁, 유리 전이 온도의 저하, 가열 시의 발 가스량의 증가를 억제할 수 있다.If the ratio of the structure represented by the general formula (1) contained in the polyimide precursor is within the above range, cloudiness of the polyimide obtained, a decrease in the glass transition temperature, and an increase in the amount of gas generated during heating can be suppressed.

일반식 (1) 중 m은 1 이상 200 이하의 정수이고, 바람직하게는 2 이상 150 이하의 정수이고, 보다 바람직하게는 5 이상 100 이하의 정수이고, 더욱 바람직하게는 10 이상 60 이하의 정수이다. 이 정수 m이 상기 범위 내인 경우, 폴리이미드와 유리 기판과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 폴리이미드 수지막이 백탁되거나, 폴리이미드 수지막의 기계 강도가 저하되거나 하는 것을 억제하고, 나아가 폴리이미드 수지막의 잔류 응력을 저감할 수 있다.In the general formula (1), m is an integer of 1 or more and 200 or less, preferably an integer of 2 or more and 150 or less, more preferably an integer of 5 or more and 100 or less, and still more preferably an integer of 10 or more and 60 or less. . When this constant m is in the said range, the adhesiveness of a polyimide and a glass substrate can be improved. Moreover, it can suppress that a polyimide resin film becomes cloudy or the mechanical strength of a polyimide resin film falls, and can reduce the residual stress of a polyimide resin film further.

본 발명에 있어서, 「잔류 응력」이란, 수지 조성물을 유리 기판 등의 기판 상에 도포해서 막을 형성한 후의 막 내부에 남아있는 응력을 말하며, 막에 발생할 수 있는 「휨」의 목표가 된다. 구체적으로는, 하기 실시예에 기재된 방법으로 측정 할 수 있다.In the present invention, the "residual stress" refers to the stress remaining inside the film after forming the film by coating the resin composition on a substrate such as a glass substrate, and is a target of "warpage" that may occur in the film. Specifically, it can be measured by the method described in the following Examples.

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 상술한 바와 같이 일반식 (1)로 표시되는 구조를 포함하는 것이며, 하기 일반식 (4)로 표시되는 화합물의 잔기를 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 폴리이미드 전구체는, 일반식 (4)로 표시되는 화합물을 모노머 성분 중 하나로서 사용함으로써 얻어진다.It is preferable that the polyimide precursor which concerns on embodiment of this invention contains the structure represented by General formula (1) as mentioned above, and contains the residue of the compound represented by following General formula (4). Such a polyimide precursor is obtained by using the compound represented by General formula (4) as one of the monomer components.

Figure pct00012
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일반식 (4) 중, 복수의 R5는 각각 독립적으로, 단결합 또는 탄소수 1 내지 10의 2가의 유기기이다. 복수의 R6 및 R7은 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 3의 1가의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6 내지 10의 방향족기이다. L은 아미노기 혹은 그 반응성 유도체 또는 산 이무수물 구조 혹은 그 반응성 유도체를 포함하는 기이다. y는 1 이상 199 이하의 정수이다. 이 정수 y는 1 이상 100 이하인 것이 바람직하고, 1 이상 60 이하인 것이 보다 바람직하다.In general formula (4), some R<5> is each independently a single bond or a C1-C10 divalent organic group. A plurality of R 6 and R 7 are each independently a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. L is an amino group or a group containing a reactive derivative thereof or an acid dianhydride structure or a reactive derivative thereof. y is an integer of 1 or more and 199 or less. It is preferable that it is 1 or more and 100 or less, and, as for this integer y, it is more preferable that it is 1 or more and 60 or less.

일반식 (4)에 있어서, R5에 있어서의 탄소수 1 내지 10의 2가의 유기기로서는, 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬렌기, 탄소수 6 내지 10의 아릴렌기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기로서는, 메틸렌기, 디메틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기 등을 들 수 있다. 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬렌기로서는, 시클로부틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 시클로헵틸렌기 등을 들 수 있다. 탄소수 6 내지 10의 아릴렌기로서는, 탄소수 6 내지 10의 방향족기가 바람직하고, 페닐렌기, 나프틸렌기 등을 들 수 있다. R5에 있어서의 탄소수 1 내지 10의 2가의 유기기로서는, 그들 중에서도, 탄소수 1 내지 10의 2가 지방족 탄화수소기가 바람직하다.In the general formula (4), as the divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms in R 5 , an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms, an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, etc. can be heard Examples of the alkylene group having 1 to 10 carbon atoms include a methylene group, a dimethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, a pentamethylene group, and a hexamethylene group. Examples of the cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms include a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, and a cycloheptylene group. As the C6-C10 arylene group, a C6-C10 aromatic group is preferable, and a phenylene group, a naphthylene group, etc. are mentioned. As a C1-C10 divalent organic group in R<5> , a C1-C10 divalent aliphatic hydrocarbon group is especially preferable.

R6 및 R7에 있어서의 각 기가 바람직한 구체예로서는, 상기 일반식 (1)로 표시되는 구조 중의 R1 및 R2에 있어서의 「탄소수 1 내지 3의 1가의 지방족 탄화수소기」 또는 「탄소수 6 내지 10의 방향족기」와 동일한 것을 들 수 있다.As a preferable specific example of each group in R<6> and R<7> , "a C1-C3 monovalent aliphatic hydrocarbon group" or "C6-C6" in R<1> and R<2> in the structure represented by the said General formula (1) The same thing as the aromatic group of 10" is mentioned.

일반식 (4) 중 L에 있어서의 아미노기의 반응성 유도체로서는, 이소시아네이트기, 비스(트리알킬실릴)아미노기 등을 들 수 있다. L이 아미노기인 경우의, 일반식 (4)로 표시되는 화합물의 잔기 구체예로서는, 양 말단 아미노 변성 메틸페닐실리콘인, X22-1660B-3(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 4,400, y=39 내지 41, 페닐기:메틸기=25:75mol%), X22-9409(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 1,340, y=10 내지 11, 페닐기:메틸기=25:75mol%), X22-9681(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 2,840, y=25 내지 26, 페닐기:메틸기=25:75mol%), 양 말단 아미노 변성 디메틸실리콘인, X22-161A(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 1,600, y=19 내지 20), X22-161B(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 3,000, y=38 내지 39), KF8012(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 4,400, y=57), BY16-835U(도레이 다우코닝사 제조, 수 평균 분자량 900, y=9 내지 10), 실라플레인 FM3311(칫소사 제조, 수 평균 분자량 1000, y=11 내지 12), 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산(수 평균 분자량 248.5, y=1) 등을 들 수 있다. 이하, 「1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산」은, 「SiDA」라고 칭한다.As a reactive derivative of the amino group in L in General formula (4), an isocyanate group, a bis(trialkylsilyl)amino group, etc. are mentioned. When L is an amino group, as a specific example of the residue of the compound represented by the general formula (4), X22-1660B-3 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., number average molecular weight 4,400, y=39), which is amino-modified methylphenyl silicone at both terminals. to 41, phenyl group: methyl group = 25:75 mol%), X22-9409 (manufactured by Shin-Etsu Chemical, number average molecular weight 1,340, y = 10 to 11, phenyl group: methyl group = 25:75 mol%), X22-9681 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) S-Chemical company, number average molecular weight 2,840, y=25 to 26, phenyl group:methyl group=25:75 mol%), both terminal amino-modified dimethyl silicone, X22-161A (Shin-Etsu Chemical, number average molecular weight 1,600) , y = 19 to 20), X22-161B (manufactured by Shin-Etsu Chemical, number average molecular weight of 3,000, y = 38 to 39), KF8012 (manufactured by Shin-Etsu Chemical, number average molecular weight of 4,400, y = 57), BY16-835U (manufactured by Toray Dow Corning, number average molecular weight 900, y = 9 to 10), Silaplane FM3311 (manufactured by Chisso Corporation, number average molecular weight 1000, y = 11 to 12), 1,3-bis(3-amino) propyl) tetramethyldisiloxane (number average molecular weight 248.5, y=1), etc. are mentioned. Hereinafter, "1,3-bis(3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane" is called "SiDA".

또한, 일반식 (4) 중 L에 있어서의 산 무수물 구조의 반응성 유도체로서는, 디카르복실산의 산에스테르화물, 디카르복실산의 산 클로라이드 등을 들 수 있다. L이 산 무수물 구조를 포함하는 기인 구체예로서는, 하기 식으로 표시되는 기 등을 들 수 있다.Moreover, as a reactive derivative of the acid anhydride structure in L in General formula (4), the acid ester of dicarboxylic acid, the acid chloride of dicarboxylic acid, etc. are mentioned. Specific examples of the group in which L includes an acid anhydride structure include groups represented by the following formulas.

Figure pct00013
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L이 산 무수물 구조를 포함하는 기인 경우의, 일반식 (4)로 표시되는 화합물의 구체예로서는, X22-168AS(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 1,000), X22-168A(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 2,000), X22-168B(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 3,200), X22-168-P5-B(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 4,200, y=34 내지 38, 페닐기:메틸기=25:75mol%), DMS-Z21(겔레스트사 제조, 수 평균 분자량 600 내지 800, y=3 내지 6) 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the general formula (4) in the case where L is a group containing an acid anhydride structure include X22-168AS (manufactured by Shin-Etsu Chemical, number average molecular weight 1,000), X22-168A (Shin-Etsu Chemical) Corporation, number average molecular weight 2,000), X22-168B (Shin-Etsu Chemical Corporation, number average molecular weight 3,200), X22-168-P5-B (Shin-Etsu Chemical Corporation, number average molecular weight 4,200, y=34 to 38, phenyl group:methyl group = 25:75 mol%), DMS-Z21 (The Gelest company make, number average molecular weight 600-800, y=3-6) etc. are mentioned.

폴리이미드 전구체의 분자량 향상의 관점, 폴리이미드 전구체와 용매를 포함하는 바니시의 백탁을 회피한다고 하는 관점, 비용의 관점 및 얻어지는 폴리이미드의 내열성 관점에서, 일반식 (4) 중 L은 아미노기인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving the molecular weight of the polyimide precursor, the viewpoint of avoiding cloudiness of the varnish containing the polyimide precursor and the solvent, the viewpoint of cost, and the heat resistance of the polyimide obtained, L in the general formula (4) is more preferably an amino group desirable.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 일반식 (4)로 표시되고 또한 y가 1 이상 20 이하인 화합물의 잔기(이하, 「일반식 (4)로 표시되는 제1 화합물의 잔기」라 칭한다)와, 일반식 (4)로 표시되고 또한 y가 21 이상 60 이하인 화합물의 잔기(이하, 「일반식 (4)로 표시되는 제2 화합물의 잔기」라고 칭한다)를 양쪽 포함하는 것이 바람직하다. 당해 폴리이미드 전구체가 일반식 (4)로 표시되는 제1 화합물의 잔기를 포함함으로써, 지지 기판과의 밀착성이 양호하고 또한 헤이즈가 작고 투명성이 양호한 폴리이미드를 얻는 것이 가능해진다. 또한, 당해 폴리이미드 전구체가 일반식 (4)로 표시되는 제2 화합물의 잔기를 포함함으로써, 지지 기판과의 밀착이 양호하고 또한 유리 전이 온도가 높고, 잔류 응력이 작고, 파단 신도가 우수한 폴리이미드를 얻는 것이 가능해진다. 따라서, 당해 폴리이미드 전구체가 일반식 (4)로 표시되는 제1 화합물의 잔기와 제2 화합물의 잔기를 양쪽 포함함으로써, 지지 기판과의 밀착성이 양호하고, 투명성이 높고, 유리 전이 온도가 높고, 잔류 응력이 작고, 파단 신도가 우수한 폴리이미드를 얻을 수 있다.The polyimide precursor according to the embodiment of the present invention is a residue of a compound represented by the general formula (4) and y is 1 or more and 20 or less (hereinafter, “residue of the first compound represented by general formula (4)”) It is preferable to include both a residue of a compound represented by the general formula (4) and wherein y is 21 or more and 60 or less (hereinafter referred to as "residue of a second compound represented by general formula (4)"). Do. When the said polyimide precursor contains the residue of the 1st compound represented by General formula (4), adhesiveness with a support substrate is favorable, and it becomes possible to obtain a polyimide with a small haze and favorable transparency. Moreover, since the said polyimide precursor contains the residue of the 2nd compound represented by General formula (4), the polyimide which adhesion|adherence with a support substrate is favorable, a glass transition temperature is high, a residual stress is small, and is excellent in breaking elongation. it becomes possible to obtain Therefore, when the said polyimide precursor contains both the residue of the 1st compound and the residue of the 2nd compound represented by General formula (4), adhesiveness with a support substrate is favorable, transparency is high, and a glass transition temperature is high, A polyimide having a small residual stress and excellent elongation at break can be obtained.

일반식 (4) 중 y는, 예를 들어 이하의 식에 의해 산출할 수 있다. 일반식 (4)로 표시되는 화합물이, 「양 말단이 아미노프로필기이며 또한 일반식 (4) 중 R6 및 R7의 모두가 메틸기 또는 페닐기로 되어 있는 화합물이다」라고 하는 조건을 충족하는 경우, 하기의 식이 성립한다.In general formula (4), y is computable with the following formula|equation, for example. When the compound represented by the general formula (4) satisfies the condition "It is a compound in which both terminals are aminopropyl groups, and both R 6 and R 7 in the general formula (4) are methyl or phenyl groups" , the following expression holds.

y={(일반식 (4)로 표시되는 화합물의 수 평균 분자량)-(양 말단기(아미노프로필기)의 분자량=116.2)+(산소 원자의 원자량=16.0)}/{(일반식 (4) 중 R6 및 R7이 모두 메틸기인 경우의 반복 구조 단위의 분자량=74.15)×(메틸기의 mol%)×0.01+(일반식 (4) 중 R6 및 R7이 모두 페닐기인 경우의 반복 구조 단위의 분자량=198.29)×(페닐기의 mol%)×0.01}-1y={(number average molecular weight of compound represented by general formula (4))-(molecular weight of both terminal groups (aminopropyl group)=116.2)+(atomic weight of oxygen atom=16.0)}/{(general formula (4) ) repeat of the case where in R 6 and R 7 are the repeating structural molecular weight = 74.15) × (mol% of the methyl groups in the unit of the case where both a methyl group) × 0.01 + (formula 4 of R 6 and R 7 are both a phenyl group Molecular weight of structural unit = 198.29) x (mol% of phenyl group) x 0.01}-1

한편, 일반식 (2) 중, X1 및 X2에 있어서의 탄소수 1 내지 10의 1가의 유기기로서는, 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소기를 들 수 있다. 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소기로서는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 내지 10의 알킬기로서는, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다.On the other hand, in the general formula (2), examples of the monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms in X 1 and X 2 include a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, and a hexyl group.

또한, X1 및 X2에 있어서의 탄소수 1 내지 10의 1가의 알킬실릴기로서는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기가 결합한 1가의 실릴기를 들 수 있다. 탄소수 1 내지 10의 1가의 알킬실릴기로서는, 구체적으로는, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기 등을 들 수 있다.Moreover, as a C1-C10 monovalent|monohydric alkylsilyl group in X<1> and X<2> , the monovalent|monohydric silyl group which the C1-C10 alkyl group couple|bonded is mentioned. Specific examples of the monovalent alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms include a trimethylsilyl group and a triethylsilyl group.

일반식 (2) 중, R3은 상술한 바와 같이 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기이며, 바람직하게는 디아민 잔기이다. R4는 방향족 테트라카르복실산 또는 그의 유도체의 잔기이다. R4의 탄소수는, 6 내지 40인 것이 바람직하다.In General Formula (2), R<3> is a divalent organic group represented by General formula (3) as mentioned above, Preferably it is a diamine residue. R 4 is a residue of an aromatic tetracarboxylic acid or a derivative thereof. It is preferable that carbon number of R<4> is 6-40.

R3을 부여하는 디아민으로서는, 예를 들어 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노디페닐에테르(6FODA), 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노디페닐에테르를 들 수 있다.As diamine which gives R<3> , 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'- diaminodiphenyl ether (6FODA), 2,2'-bis(trifluoromethyl), for example -3,3'-diaminodiphenyl ether and 3,3'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminodiphenyl ether are mentioned.

일반식 (2) 중 R3은 일반식 (3)으로 표시되는 구조를 갖는 디아민 잔기인 경우, 당해 디아민 잔기의 구조의 중심에 유연한 에테르 결합을 갖는다. 이 때문에, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체를 이미드화해서 얻어지는 폴리이미드의 배향을 억제할 수 있고, 이 결과, 면내/면외 복굴절이 작은 폴리이미드 수지막을 얻을 수 있다. 또한, 상기 R3로서의 디아민 잔기는, 구전자성의 관능기인 트리플루오로메틸기를 갖는다. 이 때문에, 폴리이미드 전구체에 있어서의 분자 내 및 분자간의 전자 이동이 억제되어, 투명성이 높은 폴리이미드 수지막을 얻는 것이 가능하다.In general formula (2), when R 3 is a diamine residue having a structure represented by general formula (3), it has a flexible ether bond at the center of the structure of the diamine residue. For this reason, the orientation of the polyimide obtained by imidating the polyimide precursor which concerns on embodiment of this invention can be suppressed, As a result, the polyimide resin film with small in-plane/out-of-plane birefringence can be obtained. In addition, the diamine residue as said R<3> has a trifluoromethyl group which is a spinneret functional group. For this reason, the intramolecular and intermolecular electron movement in a polyimide precursor is suppressed, and it is possible to obtain a polyimide resin film with high transparency.

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 당해 폴리이미드 전구체에 포함되는 전체 디아민 잔기 중, 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기의 구조 단위를 30mol% 이상 포함하는 것이 바람직하고, 50mol% 이상 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 당해 구조 단위의 함유율의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 100mol% 이하인 것이 바람직하다.The polyimide precursor according to the embodiment of the present invention preferably contains 30 mol% or more of the structural unit of the divalent organic group represented by the general formula (3) among all the diamine residues contained in the polyimide precursor, and 50 mol % or more is more preferable. Moreover, although the upper limit of the content rate of the said structural unit is not specifically limited, It is preferable that it is 100 mol% or less.

일반식 (2) 중 R4를 부여하는 테트라카르복실산으로서는, 예를 들어 피로멜리트산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르, 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐)프로판, 9,9-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]플루오렌,4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 등을 들 수 있다. Examples of the tetracarboxylic acid giving R 4 in the general formula (2) include pyromellitic acid, 3,3′,4,4′-biphenyltetracarboxylic acid, and 2,3,3′,4′. -biphenyltetracarboxylic acid, 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, bis(3,4-dicarboxy Phenyl) sulfone, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether, 2,2-bis (4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl) propane, 9,9-bis [4- (3,4) -dicarboxyphenoxy)phenyl]fluorene, 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic acid, etc. are mentioned.

이들 테트라카르복실산은, 그대로 사용해도 되고, 산 무수물, 활성 에스테르, 활성 아미드 등의 테트라카르복실산 유도체의 상태에서 사용해도 된다. 이들 테트라카르복실산 유도체 중, 산 무수물은, 중합 시에 부생성물이 발생하지 않기 때문에, 바람직하게 사용된다. 또한, 이들 테트라카르복실산 유도체는, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.These tetracarboxylic acids may be used as it is, and may be used in the state of tetracarboxylic-acid derivatives, such as an acid anhydride, an active ester, and an active amide. Among these tetracarboxylic acid derivatives, acid anhydrides are preferably used because by-products do not generate during polymerization. In addition, you may use these tetracarboxylic-acid derivatives in combination of 2 or more type.

또한, 일반식 (2)에 있어서의 R4는 하기 일반식 (5)로 표시되는 4가의 유기기인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that R<4> in General formula (2) is a tetravalent organic group represented by following General formula (5).

Figure pct00014
Figure pct00014

일반식 (5)에 있어서, Y1은 직접 결합이거나, 산소 원자, 황 원자, 술포닐기 및 할로겐 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상에서 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 내지 3의 2가의 유기기이거나 또는, 에스테르 결합, 아미드 결합, 카르보닐기, 술피드 결합 및 방향족환을 갖는 탄소수 1 내지 20의 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 2가의 가교 구조이다.In the general formula (5), Y 1 is a direct bond or a divalent organic group having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with one or more selected from the group consisting of an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfonyl group and a halogen atom, or , an ester bond, an amide bond, a carbonyl group, a sulfide bond and a divalent crosslinked structure selected from the group consisting of an organic group having 1 to 20 carbon atoms and an aromatic ring.

일반식 (5)로 표시되는 구조를 부여하는 화합물로서, 예를 들어, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르, 9,9-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]플루오렌,4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 등을 들 수 있다.As a compound which provides the structure represented by General formula (5), For example, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,3,3',4'-biphenyltetracarboxylic acid Acid, 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfone, bis (3,4-dicarboxyphenyl)ether, 9,9-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]fluorene, 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic acid, etc. can be heard

일반식 (2)에 있어서의 R4는 그 중에서도, 일반식 (6)로 표시되는 구조, 일반식 (7)로 표시되는 구조 및 일반식 (8)로 표시되는 구조 중에서 선택되는 1종 이상의 구조를 포함하는 방향족 테트라카르복실산 잔기인 것이 특히 바람직하다. 당해 R4가 일반식 (6)로 표시되는 구조를 포함함으로써, 유리 전이 온도가 높은 폴리이미드를 얻을 수 있다. 또한, 당해 R4가 일반식 (7)로 표시되는 구조를 포함함으로써, 투명성이 높고, 면내/면외 복굴절이 작고, 유리 전이 온도가 높은 폴리이미드를 얻을 수 있다. 또한, 당해 R4가 일반식 (8)로 표시되는 구조를 포함함으로써, 투명성이 높고, 면내/면외 복굴절이 작은 폴리이미드를 얻을 수 있다. R 4 in the general formula (2) is, among others, at least one structure selected from the structure represented by the general formula (6), the structure represented by the general formula (7), and the structure represented by the general formula (8). It is particularly preferred that it is an aromatic tetracarboxylic acid residue comprising When the said R<4> contains the structure represented by General formula (6), the polyimide with a high glass transition temperature can be obtained. Moreover, transparency is high, and in-plane/out-of-plane birefringence is small, and the polyimide with a high glass transition temperature can be obtained because the said R<4> contains the structure represented by General formula (7). Moreover, the polyimide with high transparency and small in-plane/out-of-plane birefringence can be obtained because the said R<4> contains the structure represented by General formula (8).

Figure pct00015
Figure pct00015

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 당해 폴리이미드 전구체에 포함되는 전체 산 이무수물 잔기 중, 플루오렌 골격을 갖는 산 무수물 잔기를 5mol% 이상 55mol% 이하 포함하는 것이 바람직하고, 10mol% 이상 45mol% 이하 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 이에 의해, 보다 면내/면외 복굴절이 작은 폴리이미드를 얻을 수 있다. 플루오렌 골격을 갖는 산 무수물 잔기의 구조로서는, 상기 일반식 (7)로 표시되는 구조 등을 들 수 있다.The polyimide precursor according to the embodiment of the present invention preferably contains 5 mol% or more and 55 mol% or less of acid anhydride residues having a fluorene skeleton among all the acid dianhydride residues contained in the polyimide precursor, and 10 mol% or more It is more preferable to include 45 mol% or less. Thereby, a polyimide with smaller in-plane/out-of-plane birefringence can be obtained. As a structure of the acid anhydride residue which has a fluorene skeleton, the structure etc. which are represented by the said General formula (7) are mentioned.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 일반식 (9)로 표시되는 디아민의 잔기를 포함하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the polyimide precursor which concerns on embodiment of this invention contains the residue of the diamine represented by General formula (9).

Figure pct00016
Figure pct00016

일반식 (9) 중, R8은 치환 또는 비치환된 페닐기이다. s는 1 이상 4 이하의 정수를 나타낸다.In the general formula (9), R 8 is a substituted or unsubstituted phenyl group. s represents an integer of 1 or more and 4 or less.

R8은 페닐기, 또는 페닐기로 치환된 페닐기인 것이 바람직하다. 예를 들어, R8은 페닐기 또는 비페닐기이다.R 8 is preferably a phenyl group or a phenyl group substituted with a phenyl group. For example, R 8 is a phenyl group or a biphenyl group.

일반식 (9)로 표시되는 디아민은, 반드시 카르복실기를 포함하는 구조이다. 이 때문에, 일반식 (9)로 표시되는 디아민의 잔기를 포함하는 폴리이미드 전구체에서는, 분자간에서 견고하게 수소 결합을 형성해서 분자간 상호 작용이 강해진다. 이러한 폴리이미드 전구체를 사용함으로써, 유리 전이 온도가 높고, 기계 강도가 우수한 폴리이미드를 얻는 것이 가능해진다.The diamine represented by General formula (9) is a structure containing a carboxyl group necessarily. For this reason, in the polyimide precursor containing the residue of the diamine represented by General formula (9), a hydrogen bond is formed firmly intermolecularly, and intermolecular interaction becomes strong. By using such a polyimide precursor, a glass transition temperature is high and it becomes possible to obtain the polyimide excellent in mechanical strength.

일반식 (9)로 표시되는 디아민에는, 예를 들어 하기 일반식 (10)으로 표시되는 것이 있다.Diamines represented by the general formula (9) include, for example, those represented by the following general formula (10).

Figure pct00017
Figure pct00017

일반식 (10)으로 표시되는 디아민은, 구체적으로는, 3,5-디아미노벤조산, 3,4-디아미노벤조산, 2,3-디아미노벤조산, 또는 2,6-디아미노벤조산이다. 본 발명에 있어서, 일반식 (9)로 표시되는 디아민은 일반식 (10)으로 표시되는, 이들 디아민의 구체예에 한정되지 않는다.Specifically, the diamine represented by General formula (10) is 3,5-diaminobenzoic acid, 3,4-diaminobenzoic acid, 2,3-diaminobenzoic acid, or 2,6-diaminobenzoic acid. In this invention, the diamine represented by General formula (9) is not limited to the specific example of these diamines represented by General formula (10).

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 당해 폴리이미드 전구체 전체의 양을 100mol%로 한 경우, 일반식 (9)로 표시되는 디아민의 잔기를 1mol% 이상 50mol% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 당해 폴리이미드 전구체는, 일반식 (9)로 표시되는 디아민의 잔기를, 5mol% 이상 40mol% 이하 포함하는 것이 보다 바람직하고, 10mol% 이상 35mol% 이하 포함하는 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the polyimide precursor which concerns on embodiment of this invention contains 1 mol% or more and 50 mol% or less of the residue of the diamine represented by General formula (9) when the quantity of the said whole polyimide precursor is 100 mol%. Moreover, it is more preferable that the said polyimide precursor contains 5 mol% or more and 40 mol% or less of the residue of the diamine represented by General formula (9), It is more preferable to contain 10 mol% or more and 35 mol% or less.

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 트리아민 골격을 포함해도 된다. 트리아민은 3개의 아미노기를 갖고 있으며, 3개의 테트라카르복실산 이무수물 성분과 결합함으로써 분지상의 분자쇄를 형성한다. 트리아민 골격은, 폴리아믹산의 분자쇄에 분지 구조를 도입하고, 분지 폴리아믹산을 형성한다. 그에 의해, 폴리이미드 전구체가 용해한 바니시의 점도를 향상시키는 것이 가능해지고, 슬릿에 도포를 행했을 때의 막 두께 균일성을 높일 수 있다. 또한, 분지 구조를 갖는 폴리이미드 전구체에서 얻어지는 폴리이미드의 분자량은, 분지 구조가 없는 것에 비해 커지기 때문에, 기계 강도가 우수한 폴리이미드 수지막을 얻는 것이 가능하다. 이러한 트리아민 골격을 갖는 폴리이미드 전구체는, 트리아민 화합물을 중합 성분 중 하나로서 사용함으로써 얻을 수 있다.The polyimide precursor according to the embodiment of the present invention may contain a triamine skeleton. Triamine has three amino groups and forms a branched molecular chain by bonding with three tetracarboxylic dianhydride components. Triamine skeleton introduce|transduces a branched structure into the molecular chain of a polyamic acid, and forms a branched polyamic acid. Thereby, it becomes possible to improve the viscosity of the varnish which the polyimide precursor melt|dissolved, and the film thickness uniformity at the time of apply|coating to a slit can be improved. Moreover, since the molecular weight of the polyimide obtained from the polyimide precursor which has a branched structure becomes large compared with that without a branched structure, it is possible to obtain the polyimide resin film excellent in mechanical strength. A polyimide precursor having such a triamine skeleton can be obtained by using a triamine compound as one of the polymerization components.

트리아민 화합물의 구체예 중, 지방족기를 갖지 않는 것으로서, 2,4,4'-트리아미노디페닐에테르(TAPE), 1,3,5-트리스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3,5-TAPOB), 1,2,3-트리스(4-아미노페녹시)벤젠(1,2,3-TAPOB), 트리스(4-아미노페닐)아민, 1,3,5-트리스(4-아미노페닐)벤젠, 3,4,4'-트리아미노디페닐에테르 등을 들 수 있다. 또한, 지방족기를 갖는 트리아민 화합물의 구체예로서, 트리스(2-아미노에틸)아민(TAEA), 트리스(3-아미노프로필)아민 등을 들 수 있다.Among the specific examples of the triamine compound, which do not have an aliphatic group, 2,4,4'-triaminodiphenyl ether (TAPE), 1,3,5-tris(4-aminophenoxy)benzene (1,3, 5-TAPOB), 1,2,3-tris(4-aminophenoxy)benzene (1,2,3-TAPOB), tris(4-aminophenyl)amine, 1,3,5-tris(4-amino) phenyl) benzene, 3,4,4'-triaminodiphenyl ether, etc. are mentioned. Moreover, tris(2-aminoethyl)amine (TAEA), tris(3-aminopropyl)amine, etc. are mentioned as a specific example of the triamine compound which has an aliphatic group.

상술한 바와 같이, 트리아민은, 폴리이미드 수지의 분자쇄에 있어서, 가교 구조의 분지를 구성하게 된다. 이 트리아민이 열분해해버리면, 폴리이미드 수지의 가교 구조가 상실되어 버리기 때문에, 트리아민 성분으로서는, 지방족기를 갖지 않고, 열분해하기 어려운 성분을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 2,4,4'-트리아미노디페닐에테르(TAPE), 1,3,5-트리스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3,5-TAPOB), 1,2,3-트리스(4-아미노페녹시)벤젠(1,2,3-TAPOB) 등을 사용하는 것이 바람직하다.As described above, the triamine constitutes a branch of the crosslinked structure in the molecular chain of the polyimide resin. When this triamine thermally decomposes, since the crosslinked structure of polyimide resin will be lost, as a triamine component, it is preferable to use the component which does not have an aliphatic group and is hard to thermally decompose. That is, 2,4,4'-triaminodiphenyl ether (TAPE), 1,3,5-tris (4-aminophenoxy) benzene (1,3,5-TAPOB), 1,2,3-tris It is preferable to use (4-aminophenoxy)benzene (1,2,3-TAPOB) or the like.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 테트라아민 골격을 포함해도 된다. 테트라아민은 4개의 아미노기를 갖고 있으며, 4개의 테트라카르복실산 이무수물 성분과 결합함으로써 분지상의 분자쇄를 형성한다. 테트라아민 골격은, 폴리아믹산의 분자쇄에 분지 구조를 도입하고, 분지 폴리아믹산을 형성한다. 그에 의해, 폴리이미드 전구체가 녹은 바니시의 점도를 향상시키는 것이 가능해지고, 슬릿에 도포를 행했을 때의 막 두께 균일성을 높일 수 있다. 또한, 분지 구조를 갖는 폴리이미드 전구체에서 얻어지는 폴리이미드의 분자량은, 분지 구조가 없는 것에 비해 커지기 때문에, 기계 강도가 우수한 폴리이미드를 얻는 것이 가능하다. 또한, 테트라아민 골격을 포함함으로써 폴리이미드의 유리 전이 온도를 향상시킬 수 있다. 이것은, 테트라카르복실산 이무수물과 테트라아민을 반응시킨 경우에, 일부, 내열성이 높은 벤즈이미다졸 구조가 생성되기 때문이라 생각된다. 이러한 테트라아민 골격을 갖는 폴리이미드 전구체는, 테트라아민 화합물을 중합 성분 중 하나로서 사용함으로써 얻을 수 있다.Moreover, the polyimide precursor which concerns on embodiment of this invention may also contain tetraamine skeleton. Tetraamine has four amino groups and forms a branched molecular chain by bonding with four tetracarboxylic dianhydride components. A tetraamine skeleton introduce|transduces a branched structure into the molecular chain of a polyamic acid, and forms a branched polyamic acid. Thereby, it becomes possible to improve the viscosity of the varnish in which the polyimide precursor melt|dissolved, and the film thickness uniformity at the time of apply|coating to a slit can be improved. Moreover, since the molecular weight of the polyimide obtained from the polyimide precursor which has a branched structure becomes large compared with the thing without a branched structure, it is possible to obtain the polyimide excellent in mechanical strength. Moreover, the glass transition temperature of a polyimide can be improved by including a tetraamine skeleton. It is considered that this is because, in part, when tetracarboxylic dianhydride and tetraamine are made to react, the benzimidazole structure with high heat resistance produces|generates. A polyimide precursor having such a tetraamine skeleton can be obtained by using a tetraamine compound as one of the polymerization components.

테트라아민 화합물의 구체예로서, 1,2,4,5-테트라아미노벤젠, 3,3',4,4'-테트라아미노비페닐, 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐술폰, 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐에테르, 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐술피드, 2,3,6,7-테트라아미노나프탈렌, 1,2,5,6-테트라아미노나프탈렌 등을 들 수 있다. 혹은, 테트라아민 화합물의 구체예로서, 이들의 다가 아민 화합물 또는 디아민 화합물에 포함되는 방향족환에 결합하는 수소의 일부를 탄화수소나 할로겐으로 치환한 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the tetraamine compound include 1,2,4,5-tetraaminobenzene, 3,3',4,4'-tetraaminobiphenyl, 3,3',4,4'-tetraaminodiphenylsulfone , 3,3',4,4'-tetraaminodiphenyl ether, 3,3',4,4'-tetraaminodiphenyl sulfide, 2,3,6,7-tetraaminonaphthalene, 1,2, 5,6-tetraaminonaphthalene etc. are mentioned. Alternatively, as a specific example of the tetraamine compound, a compound in which a part of hydrogen bonded to an aromatic ring contained in these polyvalent amine compounds or diamine compounds is substituted with hydrocarbons or halogens is exemplified.

테트라아민 성분으로서는, 상기의 트리아민과 마찬가지로, 지방족기를 갖지 않고, 열분해하기 어려운 성분을 사용하는 것이 바람직하고, 나아가, 투명성을 향상시키는 점에서, 전자 구인기를 갖는 것이 바람직하다. 즉, 3,3',4,4'-테트라아미노디페닐술폰 등을 사용하는 것이 바람직하다.As a tetraamine component, it is preferable to use a component which does not have an aliphatic group and is hard to thermally decompose similarly to said triamine, Furthermore, it is preferable to have an electron withdrawing group from the point of improving transparency. That is, it is preferable to use 3,3',4,4'-tetraaminodiphenylsulfone or the like.

본 발명에 있어서, 전자 구인기는, 하메트(Hammett)의 치환기 상수(파라 위치, σp)가 통상 0보다 크고, 0.01 이상인 것이 바람직하고, 0.1 이상인 것이 더욱 바람직하고, 0.5 이상인 것이 특히 바람직하다. 하메트의 치환기 상수는, 예를 들어 일본화 학회편, 「화학 편람」, 개정 제5판, 제II분책, 마루젠 가부시키가이샤, 2004년 2월, 380페이지에 기재되어 있다. 전자 구인기의 예로서는, 할로겐 원자, 시아노기, 수소 원자 혹은 치환기를 갖는 카르보닐기, 니트로기, 트리플루오로메틸기와 같은 퍼플루오로알킬기, 술포닐기, 등을 들 수 있다. 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 브롬 원자, 염소 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.In the present invention, the electron withdrawing group has a Hammett substituent constant (para position, σp) usually larger than 0, preferably 0.01 or more, more preferably 0.1 or more, and particularly preferably 0.5 or more. Hammett's substituent constant is described, for example, in the Japanese Chemical Society edition, "Chemical Handbook," Revised 5th Edition, Second Volume, Maruzen Co., Ltd., February 2004, page 380. Examples of the electron withdrawing group include a halogen atom, a cyano group, a hydrogen atom or a carbonyl group having a substituent, a nitro group, a perfluoroalkyl group such as a trifluoromethyl group, a sulfonyl group, and the like. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a bromine atom, a chlorine atom, and an iodine atom.

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서, 상술한 구조 단위 이외인 다른 구조 단위를 포함해도 된다. 다른 구조 단위로서는, 폴리아미드산의 탈수 폐환체인 폴리이미드, 폴리히드록시 아미드의 탈수 폐환체인 폴리벤조옥사졸 등을 들 수 있다.The polyimide precursor according to the embodiment of the present invention may contain other structural units other than the above-described structural units within a range that does not impair the effects of the present invention. As another structural unit, polyimide which is a dehydrated ring-closure of polyamic acid, polybenzoxazole which is a dehydrated ring-closure of polyhydroxyamide, etc. are mentioned.

다른 구조 단위에 사용되는 산 이무수물로서는, 국제공개 제2017/099183호에 기재된 방향족 산 이무수물, 지환식 산 이무수물 또는 지방족 산 이무수물을 들 수 있다. 다른 구조 단위에 사용되는 디아민 화합물로서는, 국제공개 제2017/099183호에 기재된 방향족 디아민, 지환식 디아민 또는, 지방족 디아민을 들 수 있다.Examples of the acid dianhydride used for the other structural unit include an aromatic acid dianhydride, an alicyclic acid dianhydride, or an aliphatic acid dianhydride described in International Publication No. 2017/099183. As a diamine compound used for another structural unit, the aromatic diamine, alicyclic diamine, or aliphatic diamine described in International Publication No. 2017/099183 is mentioned.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 당해 폴리이미드 전구체에 포함되는 구조 단위(예를 들어 일반식 (2)로 표시되는 구조 단위)의 일부가 이미드화하고 있어도 된다. 당해 폴리이미드 전구체의 일부를 이미드화함으로써, 당해 폴리이미드 전구체를 함유하는 수지 용액의 실온 보관 시의 점도 안정성을 향상시킬 수 있다. 당해 폴리이미드 전구체의 이미드화율의 범위로서는, 1% 이상 50% 이하가, 용액에의 용해성, 점도 안정성이 관점에서 바람직하다. 이 이미드화율의 하한은, 보다 바람직하게는 5% 이상이다. 또한, 이 이미드화율의 상한은, 보다 바람직하게는 30% 이하이다.In addition, as for the polyimide precursor which concerns on embodiment of this invention, a part of the structural unit (For example, the structural unit represented by General formula (2)) contained in the said polyimide precursor may be imidated. By imidating a part of the said polyimide precursor, the viscosity stability at the time of room temperature storage of the resin solution containing the said polyimide precursor can be improved. As a range of the imidation ratio of the said polyimide precursor, 1 % or more and 50 % or less are preferable from a viewpoint of the solubility to a solution, and viscosity stability. The lower limit of this imidation rate becomes like this. More preferably, it is 5 % or more. Moreover, the upper limit of this imidation ratio becomes like this. More preferably, it is 30 % or less.

일부가 이미드화한 폴리이미드 전구체로서는, 예를 들어 일반식 (11)로 표시되는 반복 단위를 갖는 수지, 일반식 (12)로 표시되는 반복 단위를 갖는 수지 및 일반식 (13)로 표시되는 반복 단위를 갖는 수지를 들 수 있다.Examples of the polyimide precursor partially imidized include a resin having a repeating unit represented by the general formula (11), a resin having a repeating unit represented by the general formula (12), and a repeating agent represented by the general formula (13). and resins having units.

Figure pct00018
Figure pct00018

일반식 (11) 내지 (13) 중, R9는 2가의 유기기를 나타낸다. R10은 4가의 유기기를 나타낸다. W1 및 W2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 1가 유기기 또는 탄소수 1 내지 10의 1가 알킬실릴기를 나타낸다. R9의 2가의 유기기로서는, 상술한 디아민 잔기와 마찬가지이다. R10의 4가 유기기로서는, 상술한 테트라카르복실산 잔기와 마찬가지이다.In the general formulas (11) to (13), R 9 represents a divalent organic group. R 10 represents a tetravalent organic group. W 1 and W 2 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms, or a monovalent alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms. As a divalent organic group of R<9> , it is the same as that of the diamine residue mentioned above. As a tetravalent organic group of R<10> , it is the same as that of the tetracarboxylic-acid residue mentioned above.

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 10,000 내지 1,000,000이고, 보다 바람직하게는 10,000 내지 500,000이고, 더욱 바람직하게는 20,000 내지 400,000이다. 당해 폴리이미드 전구체의 수 평균 분자량(Mn)은, 5,000 내지 1,000,000이고, 바람직하게는 5,000 내지 500,000이고, 특히 바람직하게는 15,000 내지 300,000이다. 당해 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량 및 수 평균 분자량이 상기 범위 내인 경우, 얻어지는 폴리이미드 수지의 도막 평탄성을 악화시키지 않고, 큐어 후에 얻어지는 폴리이미드 수지막의 강도를 높이는 것이 가능하다.The weight average molecular weight (Mw) of the polyimide precursor according to the embodiment of the present invention is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 10,000 to 500,000, still more preferably 20,000 to 400,000. The number average molecular weights (Mn) of the said polyimide precursor are 5,000-1,000,000, Preferably it is 5,000-500,000, Especially preferably, it is 15,000-300,000. When the weight average molecular weight and number average molecular weight of the said polyimide precursor are in the said range, it is possible to raise the intensity|strength of the polyimide resin film obtained after a cure, without worsening the coating-film flatness of the polyimide resin obtained.

또한, 본 발명에 있어서, 중량 평균 분자량, 수 평균 분자량 및 분자량 분포는, TOSOH제 DP-8020형 GPC 장치(가드 칼럼: TSK guard colomn ALPHA 칼럼: TSK-GEL α-M, 전개 용제: N,N'-디메틸아세트아미드(DMAc), 0.05M-LiCl, 0.05% 인산 첨가)을 사용하여 측정한 값이다.In the present invention, the weight average molecular weight, number average molecular weight and molecular weight distribution are determined by TOSOH DP-8020 type GPC apparatus (guard column: TSK guard column ALPHA column: TSK-GEL α-M, developing solvent: N,N This is a value measured using '-dimethylacetamide (DMAc), 0.05M-LiCl, 0.05% phosphoric acid added).

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 말단이 말단 밀봉제에 의해 밀봉된 것이어도 된다. 당해 폴리이미드 전구체의 말단에 말단 밀봉제를 반응시킴으로써, 당해 폴리이미드 전구체의 분자량을 바람직한 범위로 조정할 수 있다. 당해 폴리이미드 전구체에 있어서의 말단의 모노머가 디아민 화합물인 경우에는, 이 디아민 화합물의 아미노기를 밀봉하기 위해서, 디카르복실산 무수물, 모노카르복실산, 모노카르복실산 클로라이드 화합물, 모노카르복실산 활성 에스테르 화합물, 2탄산 디알킬 에스테르 등을 말단 밀봉제로서 사용할 수 있다. 당해 폴리이미드 전구체에 있어서의 말단의 모노머가 산 이무수물인 경우에는, 이 산 이무수물의 산 무수물 기를 밀봉하기 위해서, 모노아민, 모노알코올 등을 말단 밀봉제로서 사용할 수 있다.As for the polyimide precursor which concerns on embodiment of this invention, the terminal may be sealed with the terminal blocker. By making a terminal blocker react with the terminal of the said polyimide precursor, the molecular weight of the said polyimide precursor can be adjusted to a preferable range. When the terminal monomer in the said polyimide precursor is a diamine compound, in order to seal the amino group of this diamine compound, dicarboxylic acid anhydride, monocarboxylic acid, monocarboxylic acid chloride compound, monocarboxylic acid activity Ester compounds, dialkyl dialkyl esters, and the like can be used as the terminal blocker. When the terminal monomer in the said polyimide precursor is an acid dianhydride, in order to seal the acid anhydride group of this acid dianhydride, a monoamine, monoalcohol, etc. can be used as a terminal blocker.

<폴리이미드 전구체 조성물><Polyimide precursor composition>

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 적당한 성분과 혼합함으로써 폴리이미드 전구체 조성물로 할 수 있다. 이 폴리이미드 전구체 조성물에 포함되어 있어도 되는 성분으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 용매, 자외선 흡수제, 커플링제, 열 가교제, 무기 필러, 계면 활성제, 내부 박리제, 착색제 등을 들 수 있다.The polyimide precursor which concerns on embodiment of this invention can be set as a polyimide precursor composition by mixing with an appropriate component. Although it does not specifically limit as a component which may be contained in this polyimide precursor composition, A solvent, a ultraviolet absorber, a coupling agent, a thermal crosslinking agent, an inorganic filler, surfactant, an internal release agent, a coloring agent, etc. are mentioned.

(용매)(menstruum)

폴리이미드 전구체 조성물에 포함되는 용매로서는, 특별히 제한은 없고, 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 이 용매로서, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸이소부틸아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, γ-부티로락톤, 락트산에틸, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N,N'-디메틸프로필렌우레아, 1,1,3,3-테트라메틸우레아, 디메틸술폭시드, 술포란, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 물이나, 국제공개 제2017/099183호에 기재된 용제 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 상기 용매는, 이들 중에서도, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 비프로톤성 극성 용매를 포함하는 것이 바람직하고, N-메틸-2-피롤리돈을 포함하는 것이 특히 바람직하다.There is no restriction|limiting in particular as a solvent contained in a polyimide precursor composition, A well-known thing can be used. For example, as this solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylisobutylamide, 3-methoxy-N, N-dimethylpropionamide, 3-butoxy-N,N-dimethylpropionamide, γ-butyrolactone, ethyl lactate, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N,N'-dimethylpropylene urea, 1,1,3,3-tetramethylurea, dimethyl sulfoxide, sulfolane, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, water, international publication The solvent etc. of 2017/099183 are mentioned. These can be used individually or in combination of 2 or more types. The solvent preferably contains an aprotic polar solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone and N,N-dimethylformamide among these, and contains N-methyl-2-pyrrolidone. It is particularly preferred.

폴리이미드 전구체 조성물에 있어서의 용매의 함유량 하한은, 폴리이미드 전구체의 100중량부에 대하여, 바람직하게는 200중량부 이상이며, 보다 바람직하게는 300중량부 이상이다. 당해 용매의 함유량 상한은, 바람직하게는 2,000중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 1,500 중량부 이하이다. 당해 용매의 함유량이 200중량부 이상 2,000중량부 이하의 범위이면, 폴리이미드 전구체 조성물의 농도 및 점도는 도포에 적합한 농도 및 점도가 된다. 이 결과, 슬릿 코터에서 폴리이미드 전구체 조성물의 도포를 행했을 때 양호한 막 두께 균일성을 얻을 수 있다.To [ the lower limit of content of the solvent in a polyimide precursor composition / 100 weight part of polyimide precursors ], Preferably it is 200 weight part or more, More preferably, it is 300 weight part or more. The upper limit of the content of the solvent is preferably 2,000 parts by weight or less, and more preferably 1,500 parts by weight or less. When the content of the solvent is in the range of 200 parts by weight or more and 2,000 parts by weight or less, the concentration and viscosity of the polyimide precursor composition become the concentration and viscosity suitable for application. As a result, when apply|coating a polyimide precursor composition with a slit coater, favorable film thickness uniformity can be acquired.

(계면 활성제)(Surfactants)

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체 조성물은, 계면 활성제를 함유하고 있어도 된다. 당해 계면 활성제로서는, 플루오라드(상품명, 스미토모 3M사제), 메가팍(상품명, DIC사제), 술푸론(상품명, 아사히 가라스사제) 등의 불소계 계면 활성제를 올릴 수 있다. 또한, 당해 계면 활성제로서는, KP341(상품명, 신에쯔 가가꾸 고교사제), 폴리플로우, 글라놀(상품명, 교에샤 가가꾸사제), BYK(빅·케미사제) 등의 유기 실록산 계면 활성제를 들 수 있다. 또한, 당해 계면 활성제로서는, 에멀민(산요 가세이 고교사제) 등의 폴리옥시알킬렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 및 폴리옥시에틸렌세틸에테르 계면 활성제를 들 수 있다. 또한, 당해 계면 활성제로서는, 폴리플로우(상품명, 교에샤 가가꾸사제) 등의 아크릴 중합물 계면 활성제를 들 수 있다. 폴리이미드 전구체 조성물에 포함되는 계면 활성제의 함유량은, 폴리이미드 전구체의 100중량부에 대하여, 0.001중량부 이상 1중량부 이하인 것이 바람직하다.The polyimide precursor composition which concerns on embodiment of this invention may contain surfactant. Examples of the surfactant include fluorine-based surfactants such as Fluorad (trade name, manufactured by Sumitomo 3M), Megapac (trade name, manufactured by DIC Corporation), and Sulfuron (trade name, manufactured by Asahi Glass Corporation). In addition, as said surfactant, organosiloxane surfactant, such as KP341 (trade name, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make), Polyflow, Glanol (trade name, Kyoesha Chemical Co., Ltd. make), BYK (made by Big Chemi), can be heard Moreover, polyoxyalkylene lauryl ether, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene oleyl ether, and polyoxyethylene cetyl ether surfactant, such as emulmin (made by Sanyo Kasei Kogyo Co., Ltd.), are mentioned as said surfactant. Examples of the surfactant include acrylic polymer surfactants such as Polyflow (trade name, manufactured by Kyoesha Chemical Co., Ltd.). It is preferable that content of surfactant contained in a polyimide precursor composition is 0.001 weight part or more and 1 weight part or less with respect to 100 weight part of polyimide precursors.

(커플링제)(Coupling agent)

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체 조성물은, 기재와의 접착성 향상을 위하여, 실란 커플링제, 티타늄 커플링제 등의 커플링제를 첨가할 수 있다. 상기 커플링제로서는, 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 커플링제는 2종 이상을 병용해도 된다. 폴리이미드 전구체 조성물에 포함되는 커플링제의 함유량은, 폴리이미드 전구체의 100중량%에 대하여, 0.01중량% 이상, 2중량% 이하인 것이 바람직하다.In the polyimide precursor composition according to the embodiment of the present invention, a coupling agent such as a silane coupling agent or a titanium coupling agent may be added to improve adhesion with the substrate. As said coupling agent, a well-known thing can be used. In addition, the said coupling agent may use 2 or more types together. It is preferable that content of the coupling agent contained in a polyimide precursor composition is 0.01 weight% or more and 2 weight% or less with respect to 100 weight% of a polyimide precursor.

(자외선 흡수제)(Ultraviolet absorber)

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체 조성물은, 자외선 흡수제를 함유하고 있어도 된다. 폴리이미드 전구체 조성물이 자외선 흡수제를 함유함으로써, 폴리이미드 전구체 조성물에서 얻어지는 폴리이미드가 장기간, 태양광에 노출되었을 때의 당해 폴리이미드의 투명성이나 기계 특성 등의 물성 저하가 크게 억제된다.The polyimide precursor composition which concerns on embodiment of this invention may contain the ultraviolet absorber. When the polyimide precursor composition contains a ultraviolet absorber, the polyimide obtained from the polyimide precursor composition is greatly suppressed from falling in physical properties such as transparency and mechanical properties of the polyimide when exposed to sunlight for a long period of time.

상기 자외선 흡수제로서는, 특별히 한정은 없고 공지된 것을 사용할 수 있지만, 투명성 및 비착색성의 관점에서, 벤조트리아졸계 화합물, 벤조페논계 화합물, 트리아진계 화합물이 바람직하게 사용된다.There is no limitation in particular as said ultraviolet absorber, Although a well-known thing can be used, A benzotriazole type compound, a benzophenone type compound, and a triazine type compound are used preferably from a viewpoint of transparency and non-coloring property.

폴리이미드 전구체 조성물에 포함되는 자외선 흡수제의 함유량은, 폴리이미드 전구체의 100중량부에 대하여, 0.1중량부 이상 10 중량부 이하인 것이 바람직하다. 폴리이미드 전구체 조성물이 상기 범위 내에서 자외선 흡수제를 함유함으로써, 얻어지는 폴리이미드의 투명성을 손상시키지 않고, 당해 폴리이미드의 내광성을 향상시킬 수 있다.It is preferable that content of the ultraviolet absorber contained in a polyimide precursor composition is 0.1 weight part or more and 10 weight part or less with respect to 100 weight part of polyimide precursors. When a polyimide precursor composition contains a ultraviolet absorber within the said range, the light resistance of the said polyimide can be improved, without impairing transparency of the polyimide obtained.

<폴리이미드 전구체의 제조 방법><Method for producing polyimide precursor>

폴리이미드 전구체는, 폴리아미드산이나 폴리아미드산에스테르, 폴리아미드산실릴에스테르 등으로 예시되는 바와 같이, 디아민 화합물과 테트라카르복실산 또는 그의 유도체와의 중합 반응에 의해 합성할 수 있다. 테트라카르복실산의 유도체로서는, 예를 들어 테트라카르복실산의 산 무수물, 활성 에스테르, 활성 아미드를 들 수 있다. 상기 중합 반응의 반응 방법은, 목적의 폴리이미드 전구체를 제조할 수 있으면 특별히 제한은 없고, 공지된 반응 방법을 사용할 수 있다.A polyimide precursor can be synthesize|combined by the polymerization reaction of a diamine compound, tetracarboxylic acid, or its derivative(s), as illustrated by polyamic acid, polyamic acid ester, polyamic acid silyl ester, etc. As a derivative of tetracarboxylic acid, the acid anhydride of tetracarboxylic acid, active ester, and active amide are mentioned, for example. The reaction method of the said polymerization reaction will not be restrict|limited in particular, as long as the target polyimide precursor can be manufactured, A well-known reaction method can be used.

상기 중합 반응의 구체적인 반응 방법으로서는, 소정량의 디아민 성분 및 용매를 모두, 반응기에 투입하고, 이 용매 중에 디아민 성분을 용해시킨 후, 소정량의 산 이무수물 성분을, 이 반응 용기에 투입하고, 실온 내지 120℃에서 0.5 내지 30시간 교반한다고 하는 방법 등을 들 수 있다. 이러한 반응 방법으로 얻어진 폴리이미드 전구체는, 전술한 용매, 계면 활성제, 내부 이형제, 커플링제 등의 성분을 적절히 첨가해서 폴리이미드 전구체 조성물로 해도 된다.As a specific reaction method of the polymerization reaction, a predetermined amount of both the diamine component and the solvent are put into a reactor, the diamine component is dissolved in the solvent, and then a predetermined amount of the acid dianhydride component is introduced into the reaction vessel, The method of stirring at room temperature - 120 degreeC for 0.5 to 30 hours, etc. are mentioned. The polyimide precursor obtained by such a reaction method is good also as a polyimide precursor composition by adding components, such as the above-mentioned solvent, surfactant, internal mold release agent, and a coupling agent, suitably.

상기와 같이 해서 얻어진 폴리이미드 전구체 또는 폴리이미드 전구체 조성물 중의 수분율은, 0.05질량% 이상 3.0질량% 이하인 것이 바람직하다. 당해 수분율이 전술한 범위 내인 것에 의해, 폴리이미드 전구체 또는 폴리이미드 전구체 조성물의 점도 보존 안정성을 향상시킬 수 있다. 여기에서 말하는 수분율은, 대상으로 하는 용액의 액온을 23℃로 조절하고, 이 액온의 용액에 대해서 칼 피셔법으로 측정한 값을 가리킨다. 칼 피셔법으로 수분율을 측정하기 위해서는, 칼 피셔 수분율 적정 장치(예를 들어 「MKS-520」(상품명, 교토 덴시 고교사제) 등)를 사용하여, 「JIS K0068(2001)」에 기초하여, 용량 적정법에 의해, 수분율 측정을 행한다.It is preferable that the moisture content in the polyimide precursor or polyimide precursor composition obtained as mentioned above is 0.05 mass % or more and 3.0 mass % or less. When the said moisture content exists in the range mentioned above, the viscosity storage stability of a polyimide precursor or a polyimide precursor composition can be improved. The moisture content here refers to the value measured by the Karl Fischer method with respect to the solution of this liquid temperature, adjusting the liquid temperature of the solution made into object to 23 degreeC. In order to measure the moisture content by the Karl Fischer method, using a Karl Fischer moisture content titration device (for example, "MKS-520" (trade name, manufactured by Kyoto Denshi Kogyo Co., etc.), etc.), based on "JIS K0068 (2001)", the capacity The moisture content is measured by a titration method.

<폴리이미드><Polyimide>

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드는, 상기 폴리이미드 전구체를 이미드화해서 이루어지는 것이다. 또한, 상기 폴리이미드 전구체 조성물은, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체에 전술한 용매 등의 성분을 첨가해서 이루어지는 것이며, 당해 폴리이미드 전구체를 포함하고 있다. 즉, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드는, 상기 폴리이미드 전구체 조성물을 이미드화함으로써 합성하는 것도 가능하다. 이하에서는, 일례로서, 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 이루어지는 폴리이미드에 대해서 설명한다.The polyimide which concerns on embodiment of this invention is formed by imidating the said polyimide precursor. In addition, the said polyimide precursor composition adds components, such as a solvent, mentioned above to the polyimide precursor which concerns on embodiment of this invention, and contains the said polyimide precursor. That is, the polyimide which concerns on embodiment of this invention can also be synthesize|combined by imidating the said polyimide precursor composition. Below, as an example, the polyimide formed by imidating a polyimide precursor is demonstrated.

이미드화의 방법은 특별히 제한되지 않지만, 본 발명에 있어서의 이미드화의 방법으로서는, 가열에 의한 이미드화나 화학 이미드화를 들 수 있다. 그 중에서도, 얻어지는 폴리이미드의 내열성 및 가시광 영역에서의 투명성의 관점에서, 가열에 의한 이미드화가 바람직하다.Although the method in particular of imidation is not restrict|limited, As a method of imidation in this invention, the imidation by heating and chemical imidation are mentioned. Especially, imidation by heating is preferable from a viewpoint of the heat resistance of the polyimide obtained, and transparency in a visible region.

가열에 의한 이미드화에서는, 폴리이미드 전구체를 180℃ 이상 550℃ 이하의 범위로 가열해서 폴리이미드로 변환하는 것이 바람직하다. 이하, 가열에 의한 이미드화는, 열 이미드화라 적절히 칭한다. 열 이미드화를 행하는 공정은, 열 이미드화 공정이라 적절히 칭한다. 폴리이미드 전구체의 용액으로부터 도막을 형성해서 당해 폴리이미드 전구체를 열 이미드화하는 경우, 열 이미드화 공정은, 폴리이미드 전구체의 도막으로부터 용매를 증발시키는 공정(이하, 건조 공정이라 적절히 칭한다) 후에 어떠한 공정을 거치고 나서 행해져도 상관없다.In imidation by heating, it is preferable to heat a polyimide precursor in the range of 180 degreeC or more and 550 degrees C or less, and to convert into a polyimide. Hereinafter, imidation by heating is appropriately referred to as thermal imidization. The step of performing thermal imidization is appropriately referred to as a thermal imidization step. In the case of thermal imidization of the polyimide precursor by forming a coating film from a solution of the polyimide precursor, the thermal imidization process is a process of evaporating the solvent from the coating film of the polyimide precursor (hereinafter, appropriately referred to as a drying process), followed by any process It doesn't matter if it is done after going through

건조 공정에서는, 구체적으로는 폴리이미드 전구체의 도막을 진공 건조나 가열 건조하면 되지만, 이미드화 후의 폴리이미드 수지막의 투명성을 고려하면, 백탁없이 용매를 증발시키는 것이 바람직하다. 건조 공정에 있어서, 폴리이미드 전구체의 도막 건조에는, 핫 플레이트, 오븐, 적외선, 진공 챔버 등을 사용한다. 건조를 위한 가열 온도는, 피가열체의 종류나 목적에 따라 여러가지이며, 실온에서부터 170℃의 범위에서 1분에서 몇시간 행하는 것이 바람직하다. 실온이란 통상 20 내지 30℃이지만, 바람직하게는 25℃이다. 또한, 건조 공정은, 동일한 조건, 또는 다른 조건에서 복수회 행해도 된다.In the drying step, specifically, vacuum drying or heat drying of the coating film of the polyimide precursor is sufficient, but considering the transparency of the polyimide resin film after imidization, it is preferable to evaporate the solvent without cloudiness. A drying process WHEREIN: A hot plate, oven, infrared rays, a vacuum chamber, etc. are used for coating film drying of a polyimide precursor. The heating temperature for drying varies depending on the type and purpose of the object to be heated, and it is preferable to carry out from room temperature to 170°C for 1 minute to several hours. Although room temperature is 20-30 degreeC normally, Preferably it is 25 degreeC. In addition, you may perform a drying process multiple times on the same conditions or different conditions.

열 이미드화 공정의 분위기는, 특별히 한정되지 않고 공기나 질소나 아르곤 등의 불활성 가스여도 된다. 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체는, 산화에 대한 내성이 높다. 이 때문에, 열 이미드화 공정에서는, 오븐을 사용해서 대기 분위기 하에서 30분 내지 2시간, 당해 폴리이미드 전구체의 도막을 가열함으로써, 투명한 폴리이미드 수지막을 얻을 수 있다.The atmosphere in the thermal imidization step is not particularly limited, and may be air, an inert gas such as nitrogen or argon. The polyimide precursor according to the embodiment of the present invention has high resistance to oxidation. For this reason, at a thermal imidation process, a transparent polyimide resin film can be obtained by heating the coating film of the said polyimide precursor for 30 minutes - 2 hours in atmospheric atmosphere using oven.

또한, 열 이미드화를 위한 가열 온도에 도달할 때까지에 요하는 시간은, 특별히 한정되지 않고 제조 라인의 가열 형식에 맞춘 승온 방법을 선택할 수 있다. 예를 들어, 오븐 안에서, 기재 상에 형성된 폴리이미드 전구체의 도막을, 실온에서부터 열 이미드화를 위한 가열 온도까지 5 내지 120분에 걸쳐 승온하면서 가열해도 된다. 혹은, 미리 180℃ 이상 550℃ 이하의 범위에 승온된 오븐 안에, 기재 상에 형성된 폴리이미드 전구체의 도막을 그대로 투입해서 가열해도 된다. 또한, 당해 폴리이미드 전구체의 도막은, 필요에 따라, 감압 하에서 가열해도 된다.In addition, the time required until it reaches the heating temperature for thermal imidation is not specifically limited, The temperature raising method matched with the heating format of a production line can be selected. For example, you may heat the coating film of the polyimide precursor formed on the base material in oven, heating up over 5-120 minutes from room temperature to the heating temperature for thermal imidation. Or you may put the coating film of the polyimide precursor formed on the base material as it is in the oven heated up previously in the range of 180 degreeC or more and 550 degrees C or less, and may heat it. In addition, you may heat the coating film of the said polyimide precursor under reduced pressure as needed.

상술한 실시 형태에서는, 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 이루어지는 폴리이미드를 예시했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 폴리이미드 전구체 조성물을 이미드화함으로써 폴리이미드를 얻는 것도 가능하다. 예를 들어, 상술한 열 이미드화 공정 및 건조 공정에서의 「폴리이미드 전구체」를 「폴리이미드 전구체 조성물」로 치환하고, 이들의 각 공정을 행함으로써, 목적의 폴리이미드를 얻는 것이 가능하다.Although the polyimide formed by imidating a polyimide precursor was illustrated in embodiment mentioned above, this invention is not limited to this, It is also possible to obtain a polyimide by imidating a polyimide precursor composition. For example, it is possible to obtain the target polyimide by substituting "polyimide precursor composition" for "polyimide precursor" in the thermal imidation process and drying process mentioned above, and performing these each process.

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드는, 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 일반식 (14)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리이미드로서 나타낼 수도 있다.The polyimide which concerns on embodiment of this invention can also be represented as a polyimide containing the structure represented by General formula (1), and the structural unit represented by General formula (14).

Figure pct00019
Figure pct00019

일반식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. m은 1 이상 200 이하의 정수를 나타낸다.In general formula (1), R<1> and R<2> respectively independently represent a C1-C20 monovalent organic group. m represents an integer of 1 or more and 200 or less.

Figure pct00020
Figure pct00020

일반식 (14) 중, R3은 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기를 나타낸다. R4는 방향족 테트라카르복실산 잔기를 나타낸다.In the general formula (14), R 3 represents a divalent organic group represented by the general formula (3). R 4 represents an aromatic tetracarboxylic acid residue.

Figure pct00021
Figure pct00021

일반식 (1), (14)에 있어서의 R1 내지 R4에 관한 상세는, 상술한 폴리이미드 전구체에 관해서 설명한 내용과 같다. The detail regarding R<1> -R<4> in General formula (1), (14) is the same as the content demonstrated about the above-mentioned polyimide precursor.

이 폴리이미드는, 당해 폴리이미드 전체의 양을 100질량%로 한 경우, 일반식 (1)로 표시되는 구조를 0.1질량% 이상 30질량% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 이 폴리이미드는, 당해 폴리이미드에 포함되는 전체 디아민 잔기 중, 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기의 구조 단위를 30mol% 이상 포함하는 것이 바람직하다.When this polyimide makes the quantity of the said whole polyimide 100 mass %, it is preferable that 0.1 mass % or more and 30 mass % or less of the structure represented by General formula (1) are included. Moreover, it is preferable that this polyimide contains 30 mol% or more of structural units of the divalent organic group represented by General formula (3) among all the diamine residues contained in the said polyimide.

<폴리이미드 수지막><Polyimide resin film>

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 수지막은, 상술한 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드를 포함하는 막이다. 이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 수지막은, 「폴리이미드 수지막」이라고 적절히 약기한다.The polyimide resin film according to the embodiment of the present invention is a film containing the polyimide according to the embodiment of the present invention described above. Hereinafter, the polyimide resin film which concerns on embodiment of this invention is abbreviated as "polyimide resin film" suitably.

본 발명에 있어서, 폴리이미드 수지막은, 예를 들어 이하의 방법으로 얻을 수 있다. 폴리이미드 수지막을 형성하는 방법으로서는, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체를 기판 상에 도포해서 도막을 형성하는 도막 형성 공정, 당해 도막으로부터 용매를 증발시키는 건조 공정 및, 폴리이미드 전구체를 이미드화하는 이미드화 공정 등을 포함하는 방법을 들 수 있다.In this invention, a polyimide resin film can be obtained by the following method, for example. As a method for forming a polyimide resin film, a coating film forming step of applying a polyimide precursor according to an embodiment of the present invention on a substrate to form a coating film, a drying step of evaporating a solvent from the coating film, and imidization of the polyimide precursor and a method including an imidization step and the like.

폴리이미드 수지막을 형성하는 방법으로는, 도막 형성 공정에 있어서, 상기 폴리이미드 전구체를 기판 상에 도포함으로써, 폴리이미드 전구체의 도막이 형성된다. 이 폴리이미드 전구체를 기판 상에 도포해서 도막을 형성하는 방법으로서는, 롤 코트법, 스핀 코트법, 슬릿 코트법 및 닥터 블레이드, 코터 등을 사용해서 도포하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 도막 형성 공정에서는, 도포의 반복에 의해, 도막의 두께나 표면 평활성 등을 제어해도 된다. 그 중에서도, 도막의 표면 평활성 및 막 두께 균일성의 관점에서, 슬릿 다이 코트법이 바람직하다.As a method of forming a polyimide resin film, in a coating film formation process, the coating film of a polyimide precursor is formed by apply|coating the said polyimide precursor on a board|substrate. As a method of apply|coating this polyimide precursor on a board|substrate to form a coating film, the roll coat method, the spin coat method, the slit coat method, the method of apply|coating using a doctor blade, a coater, etc. are mentioned. In addition, in a coating film formation process, you may control the thickness, surface smoothness, etc. of a coating film by repetition of application|coating. Especially, the slit-die coating method is preferable from a viewpoint of the surface smoothness of a coating film, and a film-thickness uniformity.

도막의 두께는, 원하는 용도에 따라 적절히 선택되고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1 내지 500㎛이고, 바람직하게는 2 내지 250㎛이고, 특히 바람직하게는 5 내지 125㎛이다. 기판으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 필름, 실리콘 웨이퍼, 유리 웨이퍼, 옥사이드 웨이퍼, 유리 기판, Cu 기판 및 SUS판 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 표면 평활성, 가열시의 치수 안정성의 관점에서, 유리 기판이 바람직하다. 유리 기판을 구성하는 유리로서는, 치수 안정성의 관점에서, 무알칼리 유리가 특히 바람직하다.Although the thickness of a coating film is selected suitably according to a desired use, and is although it does not specifically limit, For example, it is 1-500 micrometers, Preferably it is 2-250 micrometers, Especially preferably, it is 5-125 micrometers. Examples of the substrate include a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyethylene naphthalate (PEN) film, a polybutylene terephthalate (PBT) film, a silicon wafer, a glass wafer, an oxide wafer, a glass substrate, a Cu substrate, and a SUS plate. have. Especially, a glass substrate is preferable from a viewpoint of surface smoothness and dimensional stability at the time of a heating. As glass which comprises a glass substrate, an alkali free glass is especially preferable from a viewpoint of dimensional stability.

계속해서, 건조 공정에 있어서, 기판 상의 도막으로부터 용매를 증발시킴으로써, 이 도막을 건조한다. 구체적으로는, 이 건조 공정에서는, 이 도막을 진공 건조나 가열 건조하면 되지만, 이미드화 후의 폴리이미드 수지막의 투명성을 고려하면, 백탁없이 용매를 증발시키는 것이 바람직하다. 건조 공정에서의 도막의 건조에는, 핫 플레이트, 오븐, 적외선, 진공 챔버 등을 사용한다.Then, in a drying process, this coating film is dried by evaporating a solvent from the coating film on a board|substrate. Specifically, in this drying step, the coating film may be dried by vacuum drying or heat drying, but considering the transparency of the polyimide resin film after imidization, it is preferable to evaporate the solvent without cloudiness. A hot plate, oven, infrared rays, a vacuum chamber, etc. are used for drying of the coating film in a drying process.

건조를 위한 가열 온도는, 도막 등의 피가열체의 종류나 목적에 따라 여러가지이며, 실온에서부터 170℃의 범위로 1분에서 몇시간 행하는 것이 바람직하다. 실온과는, 통상 20 내지 30℃이지만, 바람직하게는 25℃이다. 또한, 건조 공정은, 동일한 조건, 또는 다른 조건에서 복수회 행해도 된다.The heating temperature for drying varies depending on the type and purpose of the object to be heated, such as a coating film, and it is preferable to carry out from room temperature to 170 degreeC for 1 minute to several hours. It is 20-30 degreeC normally from room temperature, Preferably it is 25 degreeC. In addition, you may perform a drying process multiple times on the same conditions or different conditions.

그 후, 이미드화 공정에 있어서, 기판 상의 도막 중의 폴리이미드 전구체가 이미드화되고, 이에 의해, 기판 상에 폴리이미드 수지막이 형성된다. 이상의 각 공정을 거쳐서 얻어진 폴리이미드 수지막은, 기판으로부터 박리해서 사용할 수 있고, 혹은 박리하지 않고 그대로 사용할 수도 있다.Then, imidation process WHEREIN: The polyimide precursor in the coating film on a board|substrate is imidated, and, thereby, a polyimide resin film is formed on a board|substrate. The polyimide resin film obtained through each of the above steps can be used by peeling from the substrate, or can be used as it is without peeling.

상술한 바와 같이 해서 얻어지는 폴리이미드 수지막의 두께는, 원하는 용도에 따라 적절히 선택되지만, 바람직하게는 1 내지 100㎛이고, 보다 바람직하게는 5 내지 30㎛이고, 특히 바람직하게는 7 내지 20㎛이다.Although the thickness of the polyimide resin film obtained as mentioned above is suitably selected according to a desired use, Preferably it is 1-100 micrometers, More preferably, it is 5-30 micrometers, Especially preferably, it is 7-20 micrometers.

상술한 실시 형태에서는, 폴리이미드 전구체의 도막을 이미드화하여 이루어지는 폴리이미드 수지막을 예시했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 폴리이미드 전구체 조성물의 도막을 이미드화함으로써 폴리이미드 수지막을 얻는 것도 가능하다. 예를 들어, 상술한 열 이미드화 공정 등의 각 공정에서의 「폴리이미드 전구체」를 「폴리이미드 전구체 조성물」로 치환해서 상기 각 공정을 행함으로써, 목적의 폴리이미드 수지막을 얻는 것이 가능하다.Although the above-mentioned embodiment illustrated the polyimide resin film formed by imidating the coating film of a polyimide precursor, this invention is not limited to this, It is also possible to obtain a polyimide resin film by imidating the coating film of a polyimide precursor composition. . For example, the target polyimide resin film can be obtained by substituting "polyimide precursor composition" for "polyimide precursor" in each process, such as the thermal imidation process mentioned above, and performing each said process.

상술한 바와 같이 해서 얻어지는 폴리이미드 수지막(즉 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 수지막)의 유리 전이 온도는, 240℃ 이상인 것이 바람직하고, 250℃ 이상인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 240 degreeC or more, and, as for the glass transition temperature of the polyimide resin film (namely, the polyimide resin film which concerns on embodiment of this invention) obtained by making it above, it is more preferable that it is 250 degreeC or more.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 수지막의 밀도는, 1.20g/㎤ 이상 1.43g/㎤ 이하인 것이 바람직하고, 1.23g/㎤ 이상 1.40g/㎤ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 폴리이미드 수지막의 밀도는, 분자간 상호 작용과 상관이 있고, 분자간 상호 작용이 강하면 밀도가 높아진다. 따라서, 폴리이미드 수지막의 밀도가 높은 경우, 유리 전이 온도가 높은 폴리이미드 수지막을 얻는 것이 가능하다. 한편, 분자간 상호 작용이 약한 경우에는 분자간에 공극이 생기기 때문에, 면내/면외 복굴절이 작은 폴리이미드 수지막을 얻을 수 있다. 이에 더하여, 이 공극에 의해 내부 응력이 완화되기 때문에, 폴리이미드 수지막에 의해 구성되는 기판의 휨을 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 폴리이미드 수지막의 밀도가 1.20g/㎤ 이상 1.43g/㎤ 이하인 경우, 분자간 상호 작용이 바람직한 범위에 있기 때문에, 유리 전이 온도가 높고, 면내/면외 복굴절이 작고, 기판의 휨을 억제할 수 있는 폴리이미드 수지막을 얻을 수 있다.Further, the density of the polyimide resin film according to the embodiment of the present invention is preferably 1.20 g/cm 3 or more and 1.43 g/cm 3 or less, and more preferably 1.23 g/cm 3 or more and 1.40 g/cm 3 or less. The density of the polyimide resin film is correlated with the intermolecular interaction, and the stronger the intermolecular interaction, the higher the density. Therefore, when the density of a polyimide resin film is high, it is possible to obtain a polyimide resin film with a high glass transition temperature. On the other hand, when the intermolecular interaction is weak, voids are formed between molecules, so that a polyimide resin film having a small in-plane/out-of-plane birefringence can be obtained. In addition to this, since the internal stress is relieved by this void, it is possible to suppress the warpage of the substrate constituted of the polyimide resin film. Therefore, when the density of the polyimide resin film is 1.20 g/cm 3 or more and 1.43 g/cm 3 or less, since the intermolecular interaction is in a preferable range, the glass transition temperature is high, the in-plane/out-of-plane birefringence is small, and the warpage of the substrate can be suppressed. A polyimide resin film can be obtained.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 수지막의 면내/면외 복굴절은, 0.01 이하인 것이 바람직하고, 0.005 이하인 것이 더욱 바람직하다. 폴리이미드 수지막의 면내/면외 복굴절이 0.01 이하인 것에 의해, 경사 방향으로부터 본 경우의 색 분리를 방지하거나, 원편광 필름을 사용한 시의 외광 반사를 억제하거나 할 수 있다.Moreover, it is preferable that it is 0.01 or less, and, as for the in-plane/out-of-plane birefringence of the polyimide resin film which concerns on embodiment of this invention, it is more preferable that it is 0.005 or less. When the in-plane/out-of-plane birefringence of the polyimide resin film is 0.01 or less, color separation when viewed from an oblique direction can be prevented, or external light reflection when a circularly polarizing film is used can be suppressed.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 수지막의 황색도는, 3 이하인 것이 바람직하다. 폴리이미드 수지막의 황색도가 3 이하인 것에 의해, 황색기를 억제한 플렉시블 기판을 형성할 수 있다. 나아가서는, 이 플렉시블 기판을 사용함으로써, 황색기를 억제한 플렉시블 디바이스의 제작이 가능하다.Moreover, it is preferable that the yellowness of the polyimide resin film which concerns on embodiment of this invention is 3 or less. When the yellowness degree of a polyimide resin film is 3 or less, the flexible board|substrate which suppressed yellowness can be formed. Furthermore, by using this flexible substrate, preparation of the flexible device which suppressed yellowness is possible.

<용도><Use>

본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 전구체, 폴리이미드 및 그것을 포함하는 폴리이미드 수지막은, 전자 디바이스에 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, 터치 패널, 전자 페이퍼, 컬러 필터, 마이크로LED 디스플레이와 같은 표시 디바이스, 태양 전지, CMOS 등의 수광 디바이스 등에 사용할 수 있다. 이들의 전자 디바이스는, 플렉시블 디바이스인 것이 바람직하다. 본 발명의 실시 형태에 따른 플렉시블 디바이스는, 전술한 폴리이미드 수지막을 구비한다. 전술한 폴리이미드 수지막은, 당해 플렉시블 디바이스 등의 전자 디바이스에 있어서의 기판, 특히 플렉시블 기판으로 하여, 바람직하게 사용된다.The polyimide precursor, polyimide, and polyimide resin film containing the polyimide precursor according to the embodiment of the present invention can be used for an electronic device. More specifically, it can be used for a liquid crystal display, an organic EL display, a touch panel, an electronic paper, a color filter, a display device such as a microLED display, a solar cell, a light receiving device such as CMOS, and the like. It is preferable that these electronic devices are flexible devices. The flexible device which concerns on embodiment of this invention is equipped with the above-mentioned polyimide resin film. The polyimide resin film mentioned above is used suitably as a board|substrate in electronic devices, such as the said flexible device, especially a flexible board|substrate.

실시예Example

이하, 실시예 등을 들어 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예 등에 의해 한정되는 것은 아니다. 먼저, 하기의 실시예 및 비교예에서 사용한 재료, 행한 측정 및 평가 등에 대해서 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited by the following examples and the like. First, materials used in the following examples and comparative examples, measurements and evaluations performed, and the like will be described.

<재료><Material>

산 이무수물로서, 이하에 나타내는 것이 적절히 사용된다.As the acid dianhydride, those shown below are suitably used.

ODPA: 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물ODPA: 3,3',4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride

BPAF: 9,9-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]플루오렌2산 무수물BPAF: 9,9-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]fluorenedioic anhydride

X-22-168-P5-B: 양 말단 카르복실산 무수물 변성 메틸페닐실리콘 오일(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 4,200, y=34 내지 38, 페닐기:메틸기=25:75mol%)X-22-168-P5-B: both terminal carboxylic acid anhydride-modified methylphenyl silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical, number average molecular weight 4,200, y=34 to 38, phenyl group:methyl group=25:75 mol%)

CBDA: 시클로부탄테트라카르복실산 이무수물CBDA: Cyclobutanetetracarboxylic dianhydride

디아민 화합물로서, 이하에 나타내는 것이 적절히 사용된다.As a diamine compound, what is shown below is used suitably.

6FODA: 비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노디페닐에테르6FODA: bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminodiphenyl ether

CHDA: trans-1,4-디아미노시클로헥산CHDA: trans-1,4-diaminocyclohexane

TFMB: 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘TFMB: 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine

SiDA: 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산SiDA: 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane

X-22-9409: 양 말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 1,340, y=10 내지 11, 페닐기:메틸기=25:75mol%)X-22-9409: both terminal amine-modified methylphenyl silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical, number average molecular weight 1,340, y=10 to 11, phenyl group:methyl group=25:75 mol%)

X22-1660B-3: 양 말단 아민 변성 메틸페닐실리콘 오일(신에쓰 가가꾸사 제조, 수 평균 분자량 4,400, y=39 내지 41, 페닐기:메틸기=25:75mol%)X22-1660B-3: both terminal amine-modified methylphenyl silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical, number average molecular weight 4,400, y = 39 to 41, phenyl group: methyl group = 25: 75 mol%)

용제로서, 이하에 나타내는 것이 적절히 사용된다.As a solvent, what is shown below is used suitably.

NMP: N-메틸-2-피롤리돈NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

GBL: γ-부티로락톤GBL: γ-butyrolactone

MMBAc: 3-메톡시-3-메틸-1-부틸아세테이트MMBAc: 3-methoxy-3-methyl-1-butylacetate

<평가><Evaluation>

(제1 항목: 폴리이미드 수지막(제1 유리 기판 상)의 제작)(Item 1: Preparation of polyimide resin film (on the first glass substrate))

제1 항목에서는, 폴리이미드 수지막(제1 유리 기판 상)의 제작 방법에 대해서 설명한다. 제1 항목에서의 폴리이미드 수지막의 제작에서는, 하기의 각 실시예 및 각 비교예에서 제작한 바니시를, 100㎜×100㎜×0.5㎜ 두께의 무알칼리 유리 기판(아사히 가라스사제 AN-100)에, 미카사 가부시키가이샤제의 스핀 코터(MS-A200)를 사용해서 큐어 후의 막 두께가 10±0.5㎛가 되도록 도포했다. 그 후, 핫 플레이트를 사용하여, 바니시의 도막 프리베이크를 행하였다. 핫 플레이트는, 미리 120℃로 가열한 것을 사용하여, 6분에 걸쳐 바니시의 도막 건조를 행하였다. 이와 같이 해서 얻어진 프리베이크막에 대하여, 오븐(「IHPS-222」; 에스펙사제)을 사용하여, 공기 중, 240℃에서 60분간 큐어를 행하고, 이에 의해, 상기 무알칼리 유리 기판(제1 유리 기판) 상에 폴리이미드 수지막을 제작했다.In the 1st item, the manufacturing method of a polyimide resin film (on a 1st glass substrate) is demonstrated. In the production of the polyimide resin film in the first item, the varnish produced in each of the following examples and each comparative example was applied to an alkali-free glass substrate with a thickness of 100 mm x 100 mm x 0.5 mm (AN-100 manufactured by Asahi Glass Corporation). Then, using a spin coater (MS-A200) manufactured by Mikasa Corporation, it applied so that the cured film thickness was 10±0.5 µm. Then, the coating film prebaking of the varnish was performed using the hot plate. The hot plate dried the coating film of the varnish over 6 minutes using what was previously heated at 120 degreeC. With respect to the prebaked film thus obtained, using an oven ("IHPS-222"; manufactured by SPEC Co., Ltd.), it is cured in air at 240°C for 60 minutes, whereby the alkali-free glass substrate (first glass) is used. A polyimide resin film was produced on the substrate).

(제2 항목: 폴리이미드 수지막(박리막)의 제작)(Second item: Preparation of polyimide resin film (release film))

제2 항목에서는, 폴리이미드 수지막(박리막)의 제작 방법에 대해서 설명한다. 제2 항목에서의 폴리이미드 수지막의 제작에서는, 상기 제1 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(제1 유리 기판 상)을, 그 네 변의 단으로부터 1㎝의 부분에 편날로 절입을 넣고, 60℃로 따뜻하게 한 온수에 60분간 침지했다. 그 후, 이 폴리이미드 수지막을 제1 유리 기판으로부터 박리하고, 이에 의해, 박리막으로서의 폴리이미드 수지막을 얻었다.In the 2nd item, the manufacturing method of a polyimide resin film (release film) is demonstrated. In the production of the polyimide resin film in the second item, the polyimide resin film (on the first glass substrate) shown in the first item was cut into a portion 1 cm from the edge of the four sides with a single blade, and heated to 60 ° C. It was immersed in warm water for 60 minutes. Then, this polyimide resin film was peeled from a 1st glass substrate, and the polyimide resin film as a peeling film was thereby obtained.

(제3 항목: 폴리이미드 수지막(제2 유리 기판 상)의 제작)(Item 3: Preparation of polyimide resin film (on the second glass substrate))

제3 항목에서는, 폴리이미드 수지막(제2 유리 기판 상)의 제작 방법에 대해서 설명한다. 제3 항목에서의 폴리이미드 수지막의 제작에서는, 제2 유리 기판으로서 50㎜×50㎜×1.1㎜ 두께의 유리 기판(템팩스)을 사용한 것 이외에는, 상기 제1 항목과 마찬가지로 하여, 제2 유리 기판 위에 폴리이미드 수지막을 제작했다.In the 3rd item, the manufacturing method of a polyimide resin film (on a 2nd glass substrate) is demonstrated. In preparation of the polyimide resin film in the 3rd item, it carried out similarly to the said 1st item, except having used the 50 mm x 50 mm x 1.1 mm-thick glass substrate (Tempax) as a 2nd glass substrate, and a 2nd glass substrate A polyimide resin film was produced thereon.

(제4 항목: 폴리이미드 수지막(제3 유리 기판 상)의 제작)(Item 4: Preparation of polyimide resin film (on the third glass substrate))

제4 항목에서는, 폴리이미드 수지막(제3 유리 기판 상)의 제작 방법에 대해서 설명한다. 제4 항목에서의 폴리이미드 수지막의 제작에서는, 하기의 각 실시예 및 각 비교예에서 제작한 바니시를, 제3 유리 기판인 730㎜×920㎜×0.5㎜ 두께의 유리 기판(아사히 가라스사제 AN-100)에, 슬릿 코터(도레이 엔지니어링사제)를 사용해서 큐어 후의 막 두께가 10±0.5㎛가 되도록 도포했다. 그 후, 가열식 진공 건조기, 핫 플레이트를 사용하여, 바니시의 도막 프리베이크를 행하였다. 가열식 진공 건조기는, 상판을 60℃, 하판을 40℃로 가열하고, 150초에 걸쳐서 60㎩까지 내부 압력이 낮아지는 조건에서 바니시의 도막 건조를 행하였다. 핫 플레이트는, 미리 120℃로 가열한 것을 사용하여, 6분에 걸쳐 바니시의 도막 건조를 행하였다. 이와 같이 해서 얻어진 프리베이크 막에 대하여, 오븐을 사용하여, 공기 중, 240℃에서 60분간 큐어를 행하고, 이에 의해, 제3 유리 기판 위에 폴리이미드 수지막을 제작했다.In the 4th item, the manufacturing method of a polyimide resin film (on a 3rd glass substrate) is demonstrated. In the production of the polyimide resin film in the fourth item, the varnish produced in each of the following examples and each comparative example was applied to a glass substrate having a thickness of 730 mm × 920 mm × 0.5 mm as a third glass substrate (AN manufactured by Asahi Glass Corporation). -100) using a slit coater (manufactured by Toray Engineering, Inc.) so that the cured film thickness was 10±0.5 µm. Then, the coating film prebaking of the varnish was performed using the heating type vacuum dryer and a hot plate. The heated vacuum dryer heated the upper plate to 60° C. and the lower plate to 40° C., and dried the coating film of the varnish under conditions in which the internal pressure was lowered to 60 Pa over 150 seconds. The hot plate dried the coating film of the varnish over 6 minutes using what was previously heated at 120 degreeC. With respect to the prebaked film|membrane obtained in this way, using oven, it cured at 240 degreeC in air for 60 minutes, and by this, the polyimide resin film was produced on the 3rd glass substrate.

(제5 항목: 폴리이미드 수지막(실리콘 기판 상)의 제작)(Item 5: Preparation of polyimide resin film (on silicon substrate))

제5 항목에서는, 폴리이미드 수지막(실리콘 기판 상)의 제작 방법에 대해서 설명한다. 제5 항목에서의 폴리이미드 수지막의 제작에서는, 하기의 각 실시예 및 각 비교예에서 제작한 바니시를, 6인치의 실리콘 기판 상에, 도쿄 일렉트론사제의 도포 현상 장치(Mark-7)를 사용해서 큐어 후의 막 두께가 10±0.5㎛가 되도록 스핀 도포했다. 그 후, 이 실리콘 기판 상의 바니시의 도막에 대하여, Mark-7의 핫 플레이트를 사용해서 120℃×6분의 프리베이크 처리를 행하였다. 이와 같이 해서 얻어진 프리베이크 막에 대하여, 오븐을 사용하여, 공기 중, 240℃에서 60분간 큐어를 행하고, 이에 의해, 실리콘 기판 상에 폴리이미드 수지막을 제작했다.In the 5th item, the manufacturing method of a polyimide resin film (on a silicon substrate) is demonstrated. In the production of the polyimide resin film in item 5, the varnish produced in each of the following examples and comparative examples was applied on a 6-inch silicon substrate using a coating and developing device (Mark-7) manufactured by Tokyo Electron Corporation. Spin coating was performed so that the film thickness after curing was set to 10±0.5 µm. Then, the prebaking process for 120 degreeC x 6 minutes was performed with respect to the coating film of the varnish on this silicon substrate using the hotplate of Mark-7. With respect to the prebaked film|membrane obtained in this way, using oven, it cured in air at 240 degreeC for 60 minute(s), and thereby produced the polyimide resin film on a silicon substrate.

(제6 항목: 밀도의 측정)(Section 6: Measurement of Density)

제6 항목에서는, 폴리이미드 수지막의 밀도 측정에 대해서 설명한다. 제6 항목에서의 밀도의 측정에서는, 상기 제2 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(박리막)을 40㎜×40㎜의 크기로 잘라서 측정 샘플로 하고, 비중 측정 키트(AD-1653-BM, 에이 앤드 디사제)를 사용하여, 실온 25℃, 상대 습도 65%의 분위기에서 아르키메데스법에 의해 측정 샘플의 밀도 측정을 행하였다. 이때, 측정 샘플을 침지하는 침지액은 물로 했다. 밀도의 측정은 하나의 측정 샘플에 대해서 2회 행하고, 그 평균값을 측정 샘플의 밀도(g/㎤)로 하였다.In the 6th item, the density measurement of a polyimide resin film is demonstrated. In the measurement of the density in the sixth item, the polyimide resin film (release film) shown in the second item is cut into a size of 40 mm x 40 mm to be a measurement sample, and a specific gravity measurement kit (AD-1653-BM, A. and D's) was used to measure the density of the measurement sample by the Archimedes method in an atmosphere of room temperature 25°C and relative humidity 65%. At this time, the immersion liquid which immersed the measurement sample was made into water. The measurement of the density was performed twice with respect to one measurement sample, and the average value was made into the density (g/cm<3>) of the measurement sample.

(제7 항목: 면내/면외 복굴절의 측정)(Item 7: Measurement of in-plane/out-of-plane birefringence)

제7 항목에서는, 폴리이미드 수지막의 면내/면외 복굴절의 측정에 대해서 설명한다. 제7 항목에서의 면내/면외 복굴절의 측정에서는, 프리즘 커플러(METRICON사 제조, PC2010)를 사용하여, 파장 632.8㎚의 TE 굴절률(n(TE)) 및 TM 굴절률(n(TM))을 측정했다. n(TE), n(TM)은 각각 폴리이미드 수지막면에 대하여, 평행 방향, 수직 방향의 굴절률이다. 면내/면외 복굴절은, n(TE)와 n(TM)의 차(n(TE)-n(TM))로서 계산했다. 또한, 이 측정에는, 상기 제2 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(박리막)을 사용했다. 또한, 면내/면외 복굴절에 대해서는, 이하의 평가 방법으로, 우수, 우량, 양호, 불량의 판정을 행하였다.In the 7th item, the measurement of in-plane/out-of-plane birefringence of a polyimide resin film is demonstrated. In the measurement of in-plane/out-of-plane birefringence in item 7, using a prism coupler (manufactured by METRICON, PC2010), the TE refractive index (n(TE)) and TM refractive index (n(TM)) at a wavelength of 632.8 nm were measured. . n(TE) and n(TM) are the refractive indices in the parallel direction and the perpendicular direction with respect to the surface of the polyimide resin film, respectively. In-plane/out-of-plane birefringence was calculated as the difference (n(TE)-n(TM)) between n(TE) and n(TM). In addition, the polyimide resin film (release film) shown in the said 2nd item was used for this measurement. In addition, about in-plane/out-of-plane birefringence, the following evaluation method performed judgment of excellent, excellent, good, and defectiveness.

우수(A): 면내/면외 복굴절이 0.0021 미만Excellent (A): in-plane/out-of-plane birefringence less than 0.0021

우량(B): 면내/면외 복굴절이 0.0021 이상 0.0030 미만Good (B): In-plane/out-of-plane birefringence 0.0021 or more and less than 0.0030

양호(C): 면내/면외 복굴절이 0.0030 이상 0.0050 미만 Good (C): In-plane/out-of-plane birefringence 0.0030 or more and less than 0.0050

불량(D): 면내/면외 복굴절이 0.0050 이상Poor (D): In-plane/out-of-plane birefringence of 0.0050 or more

(제8 항목: 황색도의 측정)(Item 8: Measurement of Yellowness)

제8 항목에서는, 폴리이미드 수지막의 황색도의 측정에 대해서 설명한다. 제8 항목에서의 황색도의 측정에서는, 컬러 미터(SM-T45, 스가 시껭끼사제)를 사용해서 폴리이미드 수지막의 황색도의 측정을 행하였다. 광원에는 C 광원을 사용하여, 황색도의 측정은 투과광 모드로 행하였다. 또한, 이 측정에는 상기 제3 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(제2 유리 기판 상)을 사용했다.In the 8th item, the measurement of the yellowness of a polyimide resin film is demonstrated. In the measurement of the yellowness in the eighth item, the yellowness of the polyimide resin film was measured using a color meter (SM-T45, manufactured by Suga Industrial Co., Ltd.). C light source was used as the light source, and the measurement of yellowness was performed in transmitted light mode. In addition, the polyimide resin film (on a 2nd glass substrate) shown in said 3rd item was used for this measurement.

(제9 항목: 헤이즈값의 측정)(Item 9: Measurement of haze value)

제9 항목에서는, 폴리이미드 수지막의 헤이즈값의 측정에 대해서 설명한다. 제9 항목에서의 헤이즈값의 측정에서는, 직독 헤이즈 컴퓨터(스가 시껭끼사제 HGM2DP, C 광원)를 사용하여, 상기 제3 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(제2 유리 기판 상)의 헤이즈값(%)을 측정했다. 또한, 각각의 값으로서는, 3회 측정의 평균값을 사용했다.In the 9th item, the measurement of the haze value of a polyimide resin film is demonstrated. In the measurement of the haze value in the ninth item, the haze value (%) of the polyimide resin film (on the second glass substrate) shown in the third item using a direct-reading haze computer (HGM2DP, C light source manufactured by Suga Industrial Co., Ltd.) ) was measured. In addition, as each value, the average value of three measurements was used.

(제10 항목: 1% 중량 감소 온도(Td1)의 측정)(Item 10: Measurement of 1% Weight Loss Temperature (Td1))

제10 항목에서는, 폴리이미드 수지막의 1% 중량 감소 온도의 측정에 대해서 설명한다. 제10 항목에서의 1% 중량 감소 온도의 측정에서는, 열중량 측정 장치(시마즈 세이사쿠쇼사제 TGA-50)를 사용해서 질소 기류 하에서 측정을 행하였다. 승온 방법은 이하의 조건에서 행하였다. 제1 단계에서, 승온 레이트 3.5℃/min으로 150℃까지 승온해서 폴리이미드 수지막의 시료 흡착수를 제거하고, 제2 단계에서, 강온 레이트 5℃/min으로 실온까지 냉각했다. 제3 단계에서, 승온 레이트 10℃/min으로 본 측정을 행하고, 폴리이미드 수지막의 1% 열중량 감소 온도를 구하였다. 또한, 이 측정에는, 상기 제2 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(박리막)을 사용했다.In the tenth item, the measurement of the 1% weight loss temperature of the polyimide resin film will be described. In the measurement of the 1% weight loss temperature in the tenth item, measurement was performed under a nitrogen stream using a thermogravimetric measuring apparatus (TGA-50 manufactured by Shimadzu Corporation). The temperature increase method was performed under the following conditions. In the first step, the temperature was raised to 150° C. at a temperature increase rate of 3.5° C./min to remove the sample adsorbed water in the polyimide resin film, and in the second step, the temperature was cooled to room temperature at a temperature drop rate of 5° C./min. In the third step, this measurement was performed at a temperature increase rate of 10° C./min to determine the 1% thermogravimetric reduction temperature of the polyimide resin film. In addition, the polyimide resin film (release film) shown in the said 2nd item was used for this measurement.

(제11 항목: 유리 전이 온도(Tg)의 측정)(Item 11: Measurement of Glass Transition Temperature (Tg))

제11 항목에서는, 폴리이미드 수지막의 유리 전이 온도의 측정에 대해서 설명한다. 제11 항목에서의 유리 전이 온도의 측정에서는, 열 기계 분석 장치(SII·나노테크놀로지사제 EXSTAR6000TMA/SS6000)를 사용하여, 질소 기류 하에서 측정을 행하였다. 승온 방법은 이하의 조건에서 행하였다. 제1 단계에서, 승온 레이트 5℃/min으로 150℃까지 승온해서 폴리이미드 수지막의 시료 흡착수를 제거하고, 제2 단계에서, 강온 레이트 5℃/min으로 실온까지 공랭했다. 제3 단계에서, 승온 레이트 5℃/min으로 본 측정을 행하고, 이 시료의 유리 전이 온도를 구하였다. 또한, 이 측정에는, 상기 제2 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(박리막)을 사용했다.In the 11th item, the measurement of the glass transition temperature of a polyimide resin film is demonstrated. In the measurement of the glass transition temperature in the eleventh item, measurement was performed under a nitrogen stream using a thermomechanical analyzer (EXSTAR6000TMA/SS6000 manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.). The temperature increase method was performed under the following conditions. In the first step, the temperature was raised to 150° C. at a temperature increase rate of 5° C./min, the sample adsorbed water of the polyimide resin film was removed, and in the second step, it was air-cooled to room temperature at a temperature drop rate of 5° C./min. In the third step, this measurement was performed at a temperature increase rate of 5°C/min, and the glass transition temperature of this sample was determined. In addition, the polyimide resin film (release film) shown in the said 2nd item was used for this measurement.

(제12 항목: 파단 신도의 측정)(Item 12: Measurement of Elongation at Break)

제12 항목에서는, 폴리이미드 수지막의 파단 신도의 측정에 대해서 설명한다. 제12 항목에서의 파단 신도의 측정에서는, 상기 제2 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(박리막)을 폭 1㎝, 길이 9㎝의 직사각형으로 절단해서 시료로 하고, 텐실론(오리엔테크사제 RTM-100)을 사용해서 시료를 인장하고, 파단 신도의 측정을 행하였다. 이때, 시료의 인장은, 당해 시료의 초기 길이를 50㎜로 하고, 실온 23.0℃ 및 습도 45.0%RH의 환경 하에서 인장 속도 50㎜/분으로 행하였다. 파단 신도의 측정은, 하나의 폴리이미드 수지막의 검체마다 10장의 시료에 대해서 행하고, 이들 10장의 시료의 측정 결과 중 상위 5점의 평균값을 파단 신도로서 구하였다. 또한, 파단 신도에 대해서는, 이하의 평가 방법으로, 우수, 우량, 양호, 불량의 판정을 행하였다.In the 12th item, the measurement of the breaking elongation of a polyimide resin film is demonstrated. In the measurement of elongation at break in the 12th item, the polyimide resin film (release film) shown in the second item was cut into a rectangle with a width of 1 cm and a length of 9 cm as a sample, and Tensilon (RTM- manufactured by Orientec) 100) was used to pull the sample, and the breaking elongation was measured. At this time, the tension|pulling of the sample was performed with the initial length of the said sample being 50 mm, and the tension rate of 50 mm/min in the environment of room temperature 23.0 degreeC and humidity 45.0%RH. The measurement of elongation at break was performed for ten samples for each specimen of one polyimide resin film, and the average value of the top 5 points among the measurement results of these ten samples was determined as elongation at break. In addition, about the breaking elongation, the following evaluation methods judged excellent, excellent, favorable, and defectiveness.

우수(A): 파단 신도가 40% 이상Excellent (A): Elongation at break of 40% or more

우량(B): 파단 신도가 25% 이상 40% 미만Good (B): Elongation at break 25% or more and less than 40%

양호(C): 파단 신도가 10% 이상 25% 미만Good (C): Elongation at break of 10% or more and less than 25%

불량(D): 파단 신도가 10% 미만Poor (D): Elongation at break less than 10%

(제13 항목: 잔류 응력의 측정)(Item 13: Measurement of residual stress)

제13 항목에서는 폴리이미드 수지막의 잔류 응력 측정에 대해서 설명한다. 제13 항목에서의 잔류 응력의 측정에서는, 케이 엘 에이 텐코사제의 박막 응력 측정 장치(FLX-3300-T)를 사용하여 측정을 행하였다. 이 측정에는, 상기 제5 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(실리콘 기판 상)을 사용했다. 이때, 당해 폴리이미드 수지막을, 측정 전에 질소 분위기 하에서, 150℃에서 30분간 가열함으로써 탈수 베이크하고, 그 후, 질소 분위기 하에서 30℃까지 냉각하고, 30℃에 있어서의 건조 후의 당해 폴리이미드 수지막의 잔류 응력을 측정했다.Section 13 describes the measurement of residual stress of the polyimide resin film. In the measurement of the residual stress in the 13th item, the measurement was performed using a thin film stress measuring device (FLX-3300-T) manufactured by KLA Tenko. The polyimide resin film (on a silicon substrate) shown in the said 5th item was used for this measurement. At this time, the polyimide resin film is dehydrated by heating at 150°C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere before measurement, and then cooled to 30°C in a nitrogen atmosphere, and the residue of the polyimide resin film after drying at 30°C. The stress was measured.

(제14 항목: 기판 휨의 측정)(Item 14: Measurement of substrate warpage)

제14 항목에서는, 기판 휨의 측정에 대해서 설명한다. 제14 항목에서의 기판 휨의 측정에서는, 미츠토요사제의 정밀 석정반(1000㎜×1000㎜) 상에, 시험판을 당해 시험판의 유리와 정밀 석정반이 접하도록 얹었다. 이때, 시험판은 상기 제4 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(제3 유리 기판 상)으로 하였다. 그 후, 시험판의 4변의 각 중점 및 각 정점의 계 8군데에 대해서, 정밀 석정반으로 시험판이 부유되고 있는 양(거리)을, 간극 게이지를 사용하여 측정하고, 이들 평균값을 시험판의 휨량, 즉 기판 휨의 양으로 하였다. 또한, 이 측정은 실온 23℃ 및 습도 55%의 환경 하에서 행하였다. 또한, 기판 휨에 대해서, 이하의 평가 방법으로, 우수, 우량, 양호, 불량의 판정을 행하였다.In the 14th item, the measurement of board|substrate warpage is demonstrated. In the measurement of substrate warpage in Item 14, the test plate was placed on a precision stone plate (1000 mm x 1000 mm) manufactured by Mitsutoyo Co., Ltd. so that the glass of the test plate and the precision stone plate were in contact with each other. At this time, the test plate was made into the polyimide resin film (on a 3rd glass substrate) shown in the said 4th item. After that, the amount (distance) in which the test plate is suspended with a precision granite plate is measured using a gap gauge for a total of 8 points of each midpoint and each vertex of the four sides of the test plate, and the average value of these values is calculated as the amount of deflection of the test plate, that is, It was set as the amount of board|substrate curvature. In addition, this measurement was performed in the environment of 23 degreeC of room temperature and 55% of humidity. In addition, about board|substrate curvature, the following evaluation methods performed judgment of excellent, excellent, favorable, and defectiveness.

우수(A): 기판 휨이 0.21㎜ 미만Excellent (A): substrate warpage less than 0.21 mm

우량(B): 기판 휨이 0.21㎜ 이상 0.28㎜ 미만Good (B): Substrate warpage is 0.21 mm or more and less than 0.28 mm

양호(C): 기판 휨이 0.28㎜ 이상 0.35㎜ 미만Good (C): substrate warpage is 0.28 mm or more and less than 0.35 mm

불량(D): 기판 휨이 0.35㎜ 이상Defect (D): substrate warpage of 0.35 mm or more

(제15 항목: 기판 밀착력의 측정(90°필 시험))(Item 15: Measurement of Substrate Adhesion (90° Peel Test))

제15 항목에서는, 기판 밀착력의 측정에 대해서 설명한다. 제15 항목에서의 기판 밀착력의 측정에서는, 상기 제1 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(제1 유리 기판 상)을 10㎜ 폭, 100㎜ 길이로 잘라내어 측정 샘플로 하고, 이 측정 샘플에 대하여, 핫 플레이트를 사용해서 120℃×6분의 탈수 베이크 처리를 행한 후, 인장 속도 50㎜/min의 조건에서 90°필 시험을 행하였다. 이 90°필 시험에 있어서는, JIS C6481(1996, 프린트 배선판용 동장 적층판 시험법)에 준거한 밀착성 시험기(야마모토 도금 시험기사제)를 사용하여, 측정 샘플에 있어서의 제1 유리 기판에 대한 폴리이미드 수지막의 90°필 강도(N/㎝)를 측정했다. 또한, 폴리이미드 수지막의 기판 밀착력에 대해서는, 상기 90°필 강도의 측정 결과를 바탕으로, 이하의 평가 방법으로, 우수, 우량, 양호, 불량의 판정을 행하였다.In the 15th item, the measurement of the board|substrate adhesive force is demonstrated. In the measurement of the substrate adhesion force in the 15th item, the polyimide resin film (on the first glass substrate) shown in the first item is cut out to a width of 10 mm and a length of 100 mm to be a measurement sample, and the measurement sample is hot After performing the dehydration baking process at 120 degreeC x 6 minutes using the plate, the 90 degree peel test was done on the conditions of 50 mm/min of tensile speed|rate. In this 90 degree peel test, the polyimide resin with respect to the 1st glass substrate in a measurement sample using the adhesive tester (made by Yamamoto Plating Test Co., Ltd.) based on JIS C6481 (1996, copper clad laminated board test method for printed wiring boards) The 90° peel strength (N/cm) of the film was measured. In addition, about the board|substrate adhesive force of a polyimide resin film, based on the measurement result of the said 90 degree peeling strength, the following evaluation methods judged excellent, excellent, favorable, and defectiveness.

우수(A): 90°필 강도가 1.5N/㎝ 이상Excellent (A): 90° peel strength of 1.5 N/cm or more

우량(B): 90°필 강도가 1.0N/㎝ 이상 1.5N/㎝ 미만Excellent (B): 90° peel strength of 1.0 N/cm or more and less than 1.5 N/cm

양호(C): 90°필 강도가 0.5N/㎝ 이상 1.0N/㎝ 미만Good (C): 90° peel strength of 0.5 N/cm or more and less than 1.0 N/cm

불량(D): 90°필 강도가 0.5N/㎝ 미만Poor (D): 90° peel strength less than 0.5 N/cm

(제16 항목: 적층체의 제작 및 외관 확인)(Item 16: Manufacturing and Appearance Check of Laminate)

제16 항목에서는, 적층체의 제작 및 외관 확인에 대해서 설명한다. 제16 항목에서의 적층체의 제작 및 외관 확인에서는, 상기 제4 항목에서 나타낸 폴리이미드 수지막(제3 유리 기판 상) 상에 SiON막(제막 온도: 240℃, 막 두께: 100㎚)을 플라스마 CVD로 제막했다. 이에 의해, 당해 폴리이미드 수지막과 SiON막의 적층체를 제작했다. 그 후, 광학 현미경(Nikon사 제조, OPTIPHOT300)을 사용하여, 배율 50배로 당해 적층체의 외관 확인을 행하였다. 또한, 이 제작 후의 적층체의 외관 확인에 대해서는, 이하의 평가 방법으로, 우수, 우량, 양호, 불량의 판정을 행하였다.In the 16th item, manufacture of a laminated body and external appearance confirmation are demonstrated. In the production and appearance confirmation of the laminate in the 16th item, a plasma SiON film (film forming temperature: 240°C, film thickness: 100 nm) on the polyimide resin film (on the third glass substrate) shown in the 4th item above It was formed into a film by CVD. Thereby, the laminated body of the said polyimide resin film and the SiON film was produced. Then, the external appearance of the said laminated body was confirmed using the optical microscope (The Nikon company make, OPTIPHOT300) at 50 times magnification. In addition, about the external appearance confirmation of this laminated body after manufacture, the following evaluation methods performed judgment of excellent, excellent, good, and defectiveness.

우수(A): 적층체의 전체면에서 주름이 보이지 않고, 적층체의 표면이 평활Excellent (A): No wrinkles were seen on the entire surface of the laminate, and the surface of the laminate was smooth

우량(B): 적층체의 일부에 주름의 발생이 보이지만, 주름의 발생 개소의 면적이 적층체 전체면의 5% 이하Good (B): generation of wrinkles is seen in a part of the laminate, but the area of the location of occurrence of wrinkles is 5% or less of the entire surface of the laminate

양호(C): 적층체의 일부에 주름의 발생이 보이지만, 주름의 발생 개소의 면적이 적층체 전체면의 15% 이하Good (C): Although generation|occurrence|production of wrinkles is seen in a part of laminated body, the area of the generation|occurrence|production location of wrinkles is 15% or less of the whole surface of a laminated body

불량(D): 주름의 발생 개소의 면적이 적층체 전체면의 30% 초과Defect (D): the area of the wrinkle occurrence location exceeds 30% of the total surface of the laminate

(제17 항목: 적층체를 사용한 컬러 필터의 제작)(Item 17: Production of a color filter using a laminate)

제17 항목에서는, 폴리이미드 수지막을 포함하는 적층체를 사용한 컬러 필터의 제작에 대해서 설명한다. 제17 항목에서의 컬러 필터의 제작에서는, 이하에 나타내는 방법에 의해, 수지 블랙 매트릭스의 제작 및 착색층의 제작을 행하고, 이들의 공정을 거쳐, 목적으로 하는 컬러 필터를 제작했다.In the 17th item, manufacture of the color filter using the laminated body containing a polyimide resin film is demonstrated. In preparation of the color filter in the 17th item, preparation of a resin black matrix and preparation of a colored layer were performed by the method shown below, and the target color filter was produced through these processes.

(제조예 1: 수지 블랙 매트릭스의 제작)(Production Example 1: Preparation of resin black matrix)

제조예 1에서는, 상기 제16 항목에서 나타낸 적층체의 SiON막 상에, 흑색 안료를 분산한 폴리아믹산을 포함하는 흑색 수지 조성물(수지 블랙 매트릭스용의 것)을 스핀 도포하고, 이 흑색 수지 조성물의 도막을 핫 플레이트에서 130℃, 10분간 건조하고, 흑색의 수지 도막을 형성했다. 계속해서, 상기 흑색의 수지 도막 위에 포지티브형 포토레지스트(시플레사 제조, "SRC-100")를 스핀 도포하고, 이 포지티브형 포토레지스트를, 핫 플레이트에서 120℃, 5분간 프리베이크하고, 초고압 수은등을 사용해서 100mJ/㎠(i선 환산)의 조건에서 자외선 조사해서 마스크 노광했다. 그 후, 2.38%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 사용하여, 이 포지티브형 포토레지스트의 현상과 상기 흑색의 수지 도막의 에칭을 동시에 행하고, 이에 의해, 상기 흑색의 수지 도막의 패턴을 형성했다. 그 후, 이 포지티브형 포토레지스트를 메틸셀로솔브아세테이트로 박리하고, 패턴화한 흑색의 수지 도막을 오븐에서 240℃, 60분간 가열함으로써 이미드화하고, 폴리이미드 수지에 카본 블랙을 분산한 수지 블랙 매트릭스를 형성했다. 제조예 1에서는, 이상과 같이 하여, 패턴 가공된 수지 블랙 매트릭스를 상기 적층체의 SiON막 상에 구비하는 수지 적층체를 얻었다. 이 수지 블랙 매트릭스의 두께를 측정한바, 1.4㎛였다.In Production Example 1, a black resin composition (for resin black matrix) containing a polyamic acid in which a black pigment is dispersed is spin-coated on the SiON film of the laminate shown in the 16th item, and the black resin composition The coating film was dried on a hotplate at 130 degreeC for 10 minutes, and the black resin coating film was formed. Next, a positive photoresist (manufactured by Ciple, "SRC-100") is spin-coated on the black resin coating film, and this positive photoresist is prebaked on a hot plate at 120° C. for 5 minutes, followed by ultra-high pressure Using a mercury lamp, UV irradiation was carried out under the conditions of 100 mJ/cm<2> (i-ray conversion), and mask exposure was carried out. Thereafter, using a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, this positive photoresist was developed and the black resin coating film was etched at the same time, thereby forming a pattern of the black resin coating film. Thereafter, this positive photoresist was peeled with methyl cellosolve acetate, and the patterned black resin coating film was imidized by heating in an oven at 240° C. for 60 minutes, and resin black in which carbon black was dispersed in polyimide resin. A matrix was formed. In manufacture example 1, the resin laminated body provided with the resin black matrix by which the pattern process was carried out as mentioned above on the SiON film of the said laminated body was obtained. When the thickness of this resin black matrix was measured, it was 1.4 micrometers.

(제조예 2: 착색층의 제작)(Production Example 2: Preparation of colored layer)

제조예 2에서는, 상기 제조예 1에 있어서 제작한, 수지 블랙 매트릭스가 패턴 가공된 수지 적층체에, 아크릴 수지 감광성 적 레지스트를, 열처리 후의 블랙 매트릭스 개구부에서의 막 두께가 2.0㎛가 되도록 스핀 도포하고, 핫 플레이트에서 100℃, 10분간 프리베이크했다. 이에 의해, 적색 착색층을 얻었다. 이어서, 자외선 노광기(PLA-5011캐논사제)를 사용하여, 블랙 매트릭스 개구부와 수지 블랙 매트릭스 상의 일부의 영역에 있어서의 아크릴 수지 감광성 적 레지스트를, 아일랜드 형상으로 광이 투과하는 크롬제 포토마스크를 통해서, 100mJ/㎠(i선 환산)의 조건에서 노광했다. 이 노광 후의 아크릴 수지 감광성 적 레지스트를, 0.2%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 포함하는 현상액에 침지함으로써 현상했다. 계속해서, 상기 적색 착색층을, 순수 세정 후, 230℃의 오븐에서 30분간 가열 처리하고, 이에 의해, 적색 화소를 제작했다. 이와 마찬가지로 하여, 아크릴 수지 감광성 녹 레지스트를 포함하는 녹색 화소와, 아크릴 수지 감광성 청 레지스트를 포함하는 청색 화소를 제작했다. 이 결과, 목적으로 하는 컬러 필터를 얻었다. 계속해서, 열처리 후의 착색층부에서의 두께가 2.5㎛가 되도록 스피너의 회전수를 조정하고, 이들의 화소 및 수지 블랙 매트릭스 위에 투명 수지 조성물을 도포했다. 그 후, 이 투명 수지 조성물의 도막을 230℃의 오븐에서 30분간 가열 처리하고, 이에 의해, 오버코트층을 제작했다.In Production Example 2, an acrylic resin photosensitive resist was spin-coated to the resin laminate in which the resin black matrix was patterned, produced in Production Example 1, so that the film thickness at the opening of the black matrix after heat treatment was 2.0 μm. , prebaked at 100°C for 10 minutes on a hot plate. Thereby, a red colored layer was obtained. Next, using an ultraviolet light exposure machine (PLA-5011 Canon Co., Ltd.), the acrylic resin photosensitive resist in the black matrix opening and a part of the resin black matrix is passed through a chrome photomask through which light is transmitted in an island shape, It exposed under the conditions of 100 mJ/cm<2> (i-line conversion). The acrylic resin photosensitive resist after this exposure was developed by immersing it in a developer containing 0.2% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Then, the said red colored layer was heat-processed in 230 degreeC oven for 30 minutes after pure water washing|cleaning, and thereby, the red pixel was produced. In the same manner, a green pixel containing an acrylic resin photosensitive rust resist and a blue pixel containing an acrylic resin photosensitive blue resist were produced. As a result, the target color filter was obtained. Then, the rotation speed of the spinner was adjusted so that the thickness in the colored layer part after heat processing might be set to 2.5 micrometers, and the transparent resin composition was apply|coated on these pixels and the resin black matrix. Then, the coating film of this transparent resin composition was heat-processed in 230 degreeC oven for 30 minutes, and, thereby, the overcoat layer was produced.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 수지막을 포함하는 컬러 필터의 일 구성예를 도시하는 단면 모식도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 이 컬러 필터(6)는 폴리이미드 수지막(1)과, 가스 배리어층(2)을 구비한다. 폴리이미드 수지막(1)은 본 발명의 실시 형태에 따른 폴리이미드 수지막의 일례이며, 예를 들어 상술한 제1 항목 내지 제5 항목 중 어느 하나 하나로 나타나는 방법에 의해 제작된다. 가스 배리어층(2)은 산소 등의 가스로부터 폴리이미드 수지막(1)을 보호하는 층이며, 예를 들어 상술한 제16 항목에 나타나는 SiON막에 의해 구성된다. 도 1에 도시한 바와 같이, 가스 배리어층(2)은 폴리이미드 수지막(1) 상에 형성된다. 이들의 폴리이미드 수지막(1) 및 가스 배리어층(2)은 상술한 제16 항목에 나타나는 적층체를 구성한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram which shows one structural example of the color filter containing the polyimide resin film which concerns on embodiment of this invention. As shown in FIG. 1 , this color filter 6 includes a polyimide resin film 1 and a gas barrier layer 2 . The polyimide resin film 1 is an example of the polyimide resin film according to the embodiment of the present invention, and is produced, for example, by a method indicated by any one of the first to fifth items described above. The gas barrier layer 2 is a layer which protects the polyimide resin film 1 from gas, such as oxygen, and is comprised by the SiON film|membrane shown in the 16th item mentioned above, for example. As shown in FIG. 1 , the gas barrier layer 2 is formed on the polyimide resin film 1 . These polyimide resin films 1 and gas barrier layer 2 constitute the laminate shown in the above-mentioned 16th item.

또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 컬러 필터(6)는, 가스 배리어층(2) 상에 블랙 매트릭스(3)와, 적색 화소(4R)와, 녹색 화소(4G)와, 청색 화소(4B)와, 오버코트층(5)을 구비한다. 블랙 매트릭스(3)는, 예를 들어 상술한 제조예 1에 나타나는 방법에 의해, 가스 배리어층(2) 상에 형성되는 수지 블랙 매트릭스이다. 적색 화소(4R)는 빨간 착색 화소이다. 녹색 화소(4G)는 녹색의 착색 화소이다. 청색 화소(4B)는 파란 착색 화소이다. 이들의 적색 화소(4R), 녹색 화소(4G) 및 청색 화소(4B)는 예를 들어 상술한 제조예 2에 나타나는 방법에 의해 각각 형성된다. 오버코트층(5)는 블랙 매트릭스(3), 적색 화소(4R), 녹색 화소(4G) 및 청색 화소(4B)를 덮는 층이며, 예를 들어 상술한 제조예 2에 나타나는 방법에 의해 형성된다.Further, as shown in FIG. 1 , the color filter 6 includes a black matrix 3 , a red pixel 4R, a green pixel 4G, and a blue pixel 4B on the gas barrier layer 2 . ) and an overcoat layer (5). The black matrix 3 is a resin black matrix formed on the gas barrier layer 2 by the method shown in manufacture example 1 mentioned above, for example. The red pixel 4R is a red colored pixel. The green pixel 4G is a green colored pixel. The blue pixel 4B is a blue colored pixel. These red pixels 4R, green pixels 4G, and blue pixels 4B are respectively formed by, for example, the method shown in Production Example 2 described above. The overcoat layer 5 is a layer covering the black matrix 3, the red pixel 4R, the green pixel 4G, and the blue pixel 4B, and is formed, for example, by the method shown in Production Example 2 described above.

(제18 항목: 블랙 매트릭스 및 착색 화소의 박리 확인)(Item 18: Confirmation of peeling of black matrix and colored pixels)

제18 항목에서는, 블랙 매트릭스 및 착색 화소의 박리 확인에 대해서 설명한다. 제18 항목에서의 블랙 매트릭스 및 착색 화소의 박리 확인에서는, 상기 제17 항목에서 나타낸 컬러 필터의 블랙 매트릭스 및 착색 화소의 외관(박리의 유무)을, 광학 현미경(Nikon사 제조, OPTIPHOT300)을 사용해서 배율 50배로 확인했다. 또한, 이들의 박리 확인에 대해서는, 이하의 평가 방법으로, 우수, 우량, 양호, 불량의 판정을 행하였다.In the 18th item, peeling confirmation of a black matrix and a color pixel is demonstrated. In the confirmation of peeling of the black matrix and the colored pixel in the 18th item, the appearance (presence or absence of peeling) of the black matrix and the colored pixel of the color filter shown in the 17th item was measured using an optical microscope (manufactured by Nikon, OPTIPHOT300). It was confirmed with a magnification of 50 times. In addition, about these peeling confirmation, the following evaluation methods judged excellent, excellent, favorable, and defectiveness.

우수(A): 블랙 매트릭스 및 착색 화소의 박리 없음Excellent (A): No peeling of black matrix and colored pixels

우량(B): 블랙 매트릭스 및 착색 화소의 일부에 박리 있음(블랙 매트릭스 및 착색 화소의 전체에 대한 당해 박리의 비율: 5% 미만)Good (B): There is peeling in a part of a black matrix and a colored pixel (the ratio of the said peeling with respect to the whole black matrix and a colored pixel: less than 5 %)

양호(C): 블랙 매트릭스 및 착색 화소의 일부에 박리 있음(블랙 매트릭스 및 착색 화소의 전체에 대한 당해 박리의 비율: 5% 초과 15% 미만)Good (C): There is peeling in a part of a black matrix and a colored pixel (the ratio of the said peeling with respect to the whole black matrix and a colored pixel: more than 5 % and less than 15 %)

불량(D): 블랙 매트릭스 및 착색 화소의 일부에 박리 있음(블랙 매트릭스 및 착색 화소의 전체에 대한 당해 박리의 비율: 15% 이상)Defect (D): There is peeling in a part of a black matrix and a colored pixel (the ratio of the said peeling with respect to the whole black matrix and a colored pixel: 15% or more)

(실시예 1)(Example 1)

실시예 1에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(12.60g(37.5mmol))와, X-22-9409(4.48g(3.35mmol))와, ODPA(12.79g(41.2mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 1, in a 200 ml four-necked flask under a stream of dry nitrogen, 6FODA (12.60 g (37.5 mmol)), X-22-9409 (4.48 g (3.35 mmol)), and ODPA (12.79 g (41.2 mmol)) )) and NMP (100 g) were put, and the mixture was heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 2)(Example 2)

실시예 2에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(15.29g(45.5mmol))와, SiDA(0.15g(0.60mmol))와, ODPA(14.43g(46.5mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 2, 6FODA (15.29 g (45.5 mmol)), SiDA (0.15 g (0.60 mmol)), ODPA (14.43 g (46.5 mmol)) and ODPA (14.43 g (46.5 mmol)) in a 200 mL four-necked flask under a dry nitrogen stream; NMP (100 g) was put, and it heat-stirred at 80 degreeC. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 3)(Example 3)

실시예 3에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(12.75g(37.9mmol))와, X-22-1660B-3(1.78g(0.40mmol))과, X-22-9409(2.70g(2.02mmol))와, ODPA(12.64g(40.8mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 3, 6FODA (12.75 g (37.9 mmol)), X-22-1660B-3 (1.78 g (0.40 mmol)), and X-22-9409 in a 200 ml four-necked flask under a dry nitrogen stream. (2.70 g (2.02 mmol)), ODPA (12.64 g (40.8 mmol)), and NMP (100 g) were put, and it heated and stirred at 80 degreeC. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 4)(Example 4)

실시예 4에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(12.81g(38.1mmol))와, X-22-1660B-3(2.30g(0.52mmol))과, X-22-9409 (2.16g(1.61mmol))와, ODPA(12.61g(40.6mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 4, 6FODA (12.81 g (38.1 mmol)), X-22-1660B-3 (2.30 g (0.52 mmol)), and X-22-9409 were placed in a 200 ml four-necked flask under a stream of dry nitrogen. (2.16 g (1.61 mmol)), ODPA (12.61 g (40.6 mmol)), and NMP (100 g) were put, and it heat-stirred at 80 degreeC. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 5)(Example 5)

실시예 5에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(12.84g(38.2mmol))와, X-22-1660B-3(3.50g(0.80mmol))과, X-22-9409(1.07g(0.80mmol))와, ODPA(12.46g(40.2mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 5, 6FODA (12.84 g (38.2 mmol)), X-22-1660B-3 (3.50 g (0.80 mmol)), and X-22-9409 were placed in a 200 ml four-necked flask under a stream of dry nitrogen. (1.07 g (0.80 mmol)), ODPA (12.46 g (40.2 mmol)), and NMP (100 g) were put, and it heat-stirred at 80 degreeC. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 6)(Example 6)

실시예 6에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(8.78g(26.1mmol))와, BAFL(4.14g(11.9mmol))과, X-22-1660B-3(3.48g(0.79mmol))과, X-22-9409(1.06g(0.79mmol))와, ODPA(12.40g(40.0mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 6, in a 200 ml four-neck flask under a stream of dry nitrogen, 6FODA (8.78 g (26.1 mmol)), BAFL (4.14 g (11.9 mmol)), and X-22-1660B-3 (3.48 g ( 0.79 mmol), X-22-9409 (1.06 g (0.79 mmol)), ODPA (12.40 g (40.0 mmol)), and NMP (100 g) were put, and the mixture was heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 7)(Example 7)

실시예 7에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(12.87g(38.3mmol))와, X-22-1660B-3(2.25g(0.51mmol))과, X-22-9409(0.68g(0.51mmol))와, ODPA(8.62g(27.8mmol))와, BPAF(5.46g(11.9mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 7, 6FODA (12.87 g (38.3 mmol)), X-22-1660B-3 (2.25 g (0.51 mmol)), and X-22-9409 were placed in a 200 ml four-necked flask under a stream of dry nitrogen. (0.68 g (0.51 mmol)), ODPA (8.62 g (27.8 mmol)), BPAF (5.46 g (11.9 mmol)), and NMP (100 g) were put, and the mixture was heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 8)(Example 8)

실시예 8에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(12.01g(35.8mmol))와, X-22-1660B-3(3.45g(0.78mmol))과, X-22-9409(1.05g(0.78mmol))와, ODPA(8.18g(26.4mmol))와, BPAF(5.18g(11.3mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 8, 6FODA (12.01 g (35.8 mmol)), X-22-1660B-3 (3.45 g (0.78 mmol)), and X-22-9409 were placed in a 200 ml four-necked flask under a stream of dry nitrogen. (1.05 g (0.78 mmol)), ODPA (8.18 g (26.4 mmol)), BPAF (5.18 g (11.3 mmol)), and NMP (100 g) were put, and heat-stirred at 80 degreeC. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 9)(Example 9)

실시예 9에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(7.87g(23.4mmol))와, 3,5-DABA(2.54g(16.7mmol))와, X-22-1660B-3(3.48g(0.79mmol))과, X-22-9409(1.06g(0.79mmol))와, ODPA(9.14g(29.5mmol))와, BPAF(5.79g(12.6mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 9, 6FODA (7.87 g (23.4 mmol)), 3,5-DABA (2.54 g (16.7 mmol)) and X-22-1660B-3 in a 200 ml four-necked flask under a stream of dry nitrogen. (3.48 g (0.79 mmol)), X-22-9409 (1.06 g (0.79 mmol)), ODPA (9.14 g (29.5 mmol)), and BPAF (5.79 g (12.6 mmol)), and NMP (100 g) ) and heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 10)(Example 10)

실시예 10에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(10.06g(29.9mmol))와, 3,5-DABA(1.20g(7.87mmol))와, X-22-1660B-3(3.46g(0.79mmol))과, X-22-9409(1.06g(0.79mmol))와, ODPA(8.63g(27.8mmol))와, BPAF(5.47g(11.9mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 10, 6FODA (10.06 g (29.9 mmol)), 3,5-DABA (1.20 g (7.87 mmol)) and X-22-1660B-3 were placed in a 200 ml four-neck flask under a dry nitrogen stream. (3.46 g (0.79 mmol)) and X-22-9409 (1.06 g (0.79 mmol)), ODPA (8.63 g (27.8 mmol)), and BPAF (5.47 g (11.9 mmol)), and NMP (100 g) ) and heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 11)(Example 11)

실시예 11에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(11.11g(33.0mmol))와, 3,5-DABA(0.59g(3.84mmol))와, X-22-1660B-3(3.38g(0.77mmol))과, X-22-9409(1.03g(0.77mmol))와, ODPA(8.43g(27.2mmol))와, BPAF(5.34g(11.6mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 11, 6FODA (11.11 g (33.0 mmol)), 3,5-DABA (0.59 g (3.84 mmol)), and X-22-1660B-3 in a 200 ml four-necked flask under a stream of dry nitrogen. (3.38 g (0.77 mmol)), X-22-9409 (1.03 g (0.77 mmol)), ODPA (8.43 g (27.2 mmol)), and BPAF (5.34 g (11.6 mmol)), and NMP (100 g) ) and heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 12)(Example 12)

실시예 12에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(11.15g(33.2mmol))와, X-22-1660B-3(4.66g(1.06mmol))과, X-22-9409(1.42g(1.06mmol))와, ODPA(7.74g(25.0mmol))와, BPAF(4.90g(10.7mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 12, 6FODA (11.15 g (33.2 mmol)), X-22-1660B-3 (4.66 g (1.06 mmol)), and X-22-9409 were placed in a 200 ml four-necked flask under a stream of dry nitrogen. (1.42 g (1.06 mmol)), ODPA (7.74 g (25.0 mmol)), BPAF (4.90 g (10.7 mmol)), and NMP (100 g) were put, and it heat-stirred at 80 degreeC. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 13)(Example 13)

실시예 13에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(10.38g(30.9mmol))와, X-22-1660B-3(5.75g(1.31mmol))과, X-22-9409(1.75g(1.31mmol))와, ODPA(7.34g(23.7mmol))와, BPAF(4.65g(10.2mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 13, 6FODA (10.38 g (30.9 mmol)), X-22-1660B-3 (5.75 g (1.31 mmol)), and X-22-9409 were placed in a 200 ml four-necked flask under a stream of dry nitrogen. (1.75 g (1.31 mmol)), ODPA (7.34 g (23.7 mmol)), BPAF (4.65 g (10.2 mmol)), and NMP (100 g) were put, and heat-stirred at 80 degreeC. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 14)(Example 14)

실시예 14에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(9.61g(28.6mmol))와, X-22-1660B-3(6.83g(1.55mmol))과, X-22-9409(2.08g(1.55mmol))와, ODPA(6.95g(22.4mmol))와, BPAF(4.40g(9.60mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 14, 6FODA (9.61 g (28.6 mmol)), X-22-1660B-3 (6.83 g (1.55 mmol)), and X-22-9409 were placed in a 200 ml four-neck flask under a stream of dry nitrogen. (2.08 g (1.55 mmol)), ODPA (6.95 g (22.4 mmol)), BPAF (4.40 g (9.60 mmol)), and NMP (100 g) were put, and the mixture was heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 15)(Example 15)

실시예 15에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(13.15g(39.1mmol))와, X-22-9409(1.07g(0.80mmol))와, ODPA(12.26g(39.5mmol))와, X-22-168-P5-B(3.39g(0.81mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 15, in a 200 ml four-neck flask under a stream of dry nitrogen, 6FODA (13.15 g (39.1 mmol)), X-22-9409 (1.07 g (0.80 mmol)), and ODPA (12.26 g (39.5 mmol)) )), X-22-168-P5-B (3.39 g (0.81 mmol)), and NMP (100 g) were put, and the mixture was heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 16)(Example 16)

실시예 16에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(13.22g(39.3mmol))와, ODPA(11.98g(38.6mmol))와, X-22-168-P5-B(4.67g(1.11mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 16, 6FODA (13.22 g (39.3 mmol)), ODPA (11.98 g (38.6 mmol)), and X-22-168-P5-B (4.67) were placed in a 200 ml four-necked flask under a stream of dry nitrogen. g (1.11 mmol)) and NMP (100 g) were put, and the mixture was heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(실시예 17)(Example 17)

실시예 17에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(12.95g(38.5mmol))와, X-22-1660B-3(4.53g(1.03mmol))과, ODPA(12.39g(40.0mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Example 17, in a 200 ml four-neck flask under a stream of dry nitrogen, 6FODA (12.95 g (38.5 mmol)), X-22-1660B-3 (4.53 g (1.03 mmol)), and ODPA (12.39 g (12.39 g ( 40.0 mmol)) and NMP (100 g) were put, and the mixture was heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

비교예 1에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, TFMB (12.31g(38.4mmol))와, X-22-9409(4.48g(3.34mmol))와, ODPA(13.09g(42.2mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Comparative Example 1, TFMB (12.31 g (38.4 mmol)), X-22-9409 (4.48 g (3.34 mmol)) and ODPA (13.09 g (42.2 mmol)) were placed in a 200 ml four-neck flask under a stream of dry nitrogen. )) and NMP (100 g) were put, and the mixture was heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

비교예 2에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(15.46g(46.0mmol))과, ODPA(14.41g(46.4mmol))과, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Comparative Example 2, 6FODA (15.46 g (46.0 mmol)), ODPA (14.41 g (46.4 mmol)), and NMP (100 g) were put in a 200 ml four-necked flask under a dry nitrogen stream, and heated at 80 ° C. stirred. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

비교예 3에서는, 건조 질소 기류 하, 200㎖ 4구 플라스크에, 6FODA(15.58g(46.3mmol))와, X-22-9409(4.46g(3.33mmol))와, CBDA(9.84g(50.2mmol))와, NMP(100g)를 넣고, 80℃에서 가열 교반했다. 5시간 후, 냉각해서 바니시로 했다.In Comparative Example 3, 6FODA (15.58 g (46.3 mmol)), X-22-9409 (4.46 g (3.33 mmol)) and CBDA (9.84 g (50.2 mmol)) were placed in a 200 ml four-necked flask under a stream of dry nitrogen. )) and NMP (100 g) were put, and the mixture was heated and stirred at 80°C. After 5 hours, it was cooled and set as a varnish.

실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 3의 각 바니시를 사용하여, 상기 제1 항목 내지 제18 항목에 나타낸 바와 같이, 폴리이미드 수지막, 이것을 포함하는 적층체 및 컬러 필터의 제작과, 이들에 관한 측정 및 평가를 행하였다. 이들 실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 3의 결과는, 표 1 내지 4에 나타낸다. 또한, 실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 3에 있어서 합성한 각 바니시는, 각각 구멍 직경 1㎛의 사불화 에틸렌제 수지(PTFE)제 필터로 여과해서 사용했다. 단, 비교예 2에 있어서는, 기판 휨이 큰 점에서, 폴리이미드 수지막 상에 SiON막을 제막할 수 없었기 때문에, 적층체 형성 후 이후의 평가는 실시할 수 없었다.Using each of the varnishes of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 3, as shown in the above items 1 to 18, a polyimide resin film, a laminate comprising the same, and a color filter were prepared, and Measurement and evaluation were performed. The results of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 3 are shown in Tables 1-4. In addition, each varnish synthesized in Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 3 was used by filtering through a filter made of ethylene tetrafluoride resin (PTFE) having a pore diameter of 1 µm, respectively. However, in the comparative example 2, since the SiON film|membrane could not be formed into a film on the polyimide resin film at the point with large board|substrate curvature, evaluation after laminated body formation could not be implemented.

표 1 내지 4에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 17에 있어서는, 대상으로 하는 평가 모두에 대해서 불량이라고 하는 결과는 없었다. 한편, 본 발명에 대한 비교예 1 내지 3에 있어서는, 대상으로 하는 평가의 적어도 1개가 불량이라고 하는 결과였다. 구체적으로는, 비교예 1에 있어서의 면내/면외 복굴절의 평가와, 비교예 2에 있어서의 기판 휨의 평가 및 기판 밀착력의 평가와, 비교예 3에 있어서의 파단 신도의 평가 및 적층체 형성 후의 외관 평가에 대해서, 불량이라고 하는 결과였다. 특히, 비교예 1에 있어서는, 직선성이 높은 TFMB를 사용했기 때문에, 폴리이미드의 배향이 진행되고, 얻어지는 폴리이미드 수지막의 면내/면외 복굴절이 커졌다고 생각된다. 비교예 3에 있어서는, 지환식 산 이무수물인 CBDA를 사용했기 때문에, 대기 분위기 하에서 큐어를 행했을 때 산화 분해가 진행되고, 황변한 것이라 생각된다.As shown in Tables 1 to 4, in Examples 1 to 17 of the present invention, there was no result of defectiveness in all of the evaluations made as objects. On the other hand, in Comparative Examples 1-3 with respect to this invention, at least 1 of the evaluation made into object was a result that it was defective. Specifically, evaluation of in-plane/out-of-plane birefringence in Comparative Example 1, evaluation of substrate warpage and evaluation of substrate adhesion force in Comparative Example 2, and evaluation of elongation at break in Comparative Example 3 and formation of a laminate About the external appearance evaluation, it was a result called defect. In particular, in Comparative Example 1, since TFMB having high linearity was used, it is considered that the orientation of the polyimide advanced and the in-plane/out-of-plane birefringence of the resulting polyimide resin film became large. In Comparative Example 3, since CBDA, which is an alicyclic acid dianhydride, was used, oxidative decomposition proceeded and yellowed when curing was performed in an atmospheric atmosphere.

Figure pct00022
Figure pct00022

Figure pct00023
Figure pct00023

Figure pct00024
Figure pct00024

Figure pct00025
Figure pct00025

이상과 같이, 본 발명에 관한 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리이미드 수지막 및 플렉시블 디바이스는, 투명성이 높고, 유리 전이 온도가 높고, 면내/면외 복굴절이 낮고, 지지 기판과의 밀착성이 양호한 폴리이미드가 효율적으로 제공, 이 폴리이미드를 사용한 폴리이미드 수지막 및 플렉시블 디바이스의 제공에 적합하다.As described above, the polyimide precursor, polyimide, polyimide resin film, and flexible device according to the present invention have high transparency, high glass transition temperature, low in-plane/out-of-plane birefringence, and good adhesion to the support substrate. It is suitable for providing a polyimide resin film and flexible device using this polyimide efficiently.

1 : 폴리이미드 수지막
2 : 가스 배리어층
3 : 블랙 매트릭스
4R : 적색 화소
4G : 녹색 화소
4B : 청색 화소
5 : 오버코트층
6 : 컬러 필터
1: polyimide resin film
2: gas barrier layer
3: Black Matrix
4R: red pixel
4G: green pixel
4B: blue pixel
5: overcoat layer
6: color filter

Claims (16)

일반식 (1)로 표시되는 구조 및 일반식 (2)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.
Figure pct00026

(일반식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. m은 1 이상 200 이하의 정수를 나타낸다.)
Figure pct00027

(일반식 (2) 중, R3은 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기를 나타낸다. R4는 방향족 테트라카르복실산 잔기를 나타낸다. X1 및 X2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 1가의 유기기 또는 탄소수 1 내지 10의 1가의 알킬실릴기를 나타낸다.)
Figure pct00028
A polyimide precursor comprising a structure represented by the general formula (1) and a structural unit represented by the general formula (2).
Figure pct00026

(In general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. m represents an integer of 1 or more and 200 or less.)
Figure pct00027

(In the general formula (2), R 3 represents a divalent organic group represented by the general formula (3). R 4 represents an aromatic tetracarboxylic acid residue. X 1 and X 2 are each independently a hydrogen atom; It represents a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms or a monovalent alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms.)
Figure pct00028
제1항에 있어서, 당해 폴리이미드 전구체 전체의 양을 100질량%로 한 경우, 상기 일반식 (1)로 표시되는 구조를 0.1질량% 이상 30질량% 이하 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor according to claim 1, wherein when the total amount of the polyimide precursor is 100 mass %, 0.1 mass % or more and 30 mass % or less of the structure represented by the general formula (1) is included. 제1항 또는 제2항에 있어서, 당해 폴리이미드 전구체에 포함되는 전체 디아민 잔기 중, 상기 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기의 구조 단위를 30mol% 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.The polyimide according to claim 1 or 2, wherein the polyimide contains 30 mol% or more of structural units of divalent organic groups represented by the general formula (3) among all the diamine residues contained in the polyimide precursor. precursor. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 당해 폴리이미드 전구체에 포함되는 전체 산 이무수물 잔기 중, 플루오렌 골격을 갖는 산 무수물 잔기를 5mol% 이상 55mol% 이하 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.The polyi according to any one of claims 1 to 3, wherein the polyimide comprises 5 mol% or more and 55 mol% or less of acid anhydride residues having a fluorene skeleton among all the acid dianhydride residues contained in the polyimide precursor. mid precursor. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 일반식 (4)로 표시되는 화합물의 잔기를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.
Figure pct00029

(일반식 (4) 중, 복수의 R5는 각각 독립적으로, 단결합 또는 탄소수 1 내지 10의 2가의 유기기이다. 복수의 R6 및 R7은 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 3의 1가의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6 내지 10의 방향족기이다. L은 아미노기 혹은 그 반응성 유도체 또는 산 이무수물 구조 혹은 그 반응성 유도체를 포함하는 기이다. y는 1 이상 199 이하의 정수이다.)
The polyimide precursor according to any one of claims 1 to 4, comprising a residue of a compound represented by the following general formula (4).
Figure pct00029

(In the general formula (4), a plurality of R 5 are each independently a single bond or a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms. A plurality of R 6 and R 7 are each independently a monovalent group having 1 to 3 carbon atoms. It is an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. L is an amino group or a reactive derivative thereof, or a group containing an acid dianhydride structure or a reactive derivative thereof. y is an integer of 1 or more and 199 or less.)
제5항에 있어서, 상기 일반식 (4)로 표시되고 또한 y가 1 이상 20 이하인 화합물의 잔기와, 상기 일반식 (4)로 표시되고 또한 y가 21 이상 60 이하인 화합물의 잔기를 양쪽 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.The compound according to claim 5, wherein the residue of the compound represented by the general formula (4) and y is 1 or more and 20 or less, and the residue of the compound represented by the general formula (4) and wherein y is 21 or more and 60 or less. Polyimide precursor, characterized in that. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 일반식 (9)로 표시되는 디아민의 잔기를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.
Figure pct00030

(일반식 (9) 중, R8은 치환 또는 비치환된 페닐기이다. s는 1 이상 4 이하의 정수를 나타낸다.)
The polyimide precursor according to any one of claims 1 to 6, comprising a residue of a diamine represented by the following general formula (9).
Figure pct00030

(In the general formula (9), R 8 is a substituted or unsubstituted phenyl group. s represents an integer of 1 or more and 4 or less.)
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리이미드.It is formed by imidating the polyimide precursor in any one of Claims 1-7, The polyimide characterized by the above-mentioned. 일반식 (1)로 표시되는 구조 및 일반식 (14)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드.
Figure pct00031

(일반식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. m은 1 이상 200 이하의 정수를 나타낸다.)
Figure pct00032

(일반식 (14) 중, R3은 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기를 나타낸다. R4는 방향족 테트라카르복실산 잔기를 나타낸다.)
Figure pct00033
A polyimide comprising a structure represented by the general formula (1) and a structural unit represented by the general formula (14).
Figure pct00031

(In general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. m represents an integer of 1 or more and 200 or less.)
Figure pct00032

(In the general formula (14), R 3 represents a divalent organic group represented by the general formula (3). R 4 represents an aromatic tetracarboxylic acid residue.)
Figure pct00033
제9항에 있어서, 당해 폴리이미드 전체의 양을 100질량%로 한 경우, 상기 일반식 (1)로 표시되는 구조를 0.1질량% 이상 30질량% 이하 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드.10. The polyimide according to claim 9, wherein when the total amount of the polyimide is 100 mass%, the structure represented by the general formula (1) is contained in an amount of 0.1 mass% or more and 30 mass% or less. 제9항 또는 제10항에 있어서, 당해 폴리이미드에 포함되는 전체 디아민 잔기 중, 상기 일반식 (3)으로 표시되는 2가의 유기기의 구조 단위를 30mol% 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드.The polyimide according to claim 9 or 10, wherein the polyimide contains 30 mol% or more of the structural units of the divalent organic group represented by the general formula (3) among all the diamine residues contained in the polyimide. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지막.A polyimide resin film comprising the polyimide according to any one of claims 8 to 11. 제12항에 있어서, 밀도가, 1.20g/㎤ 이상 1.43g/㎤ 이하인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지막.The polyimide resin film according to claim 12, wherein the polyimide resin film has a density of 1.20 g/cm 3 or more and 1.43 g/cm 3 or less. 제12항 또는 제13항에 있어서, 면내/면외 복굴절이 0.01 이하인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지막.The polyimide resin film according to claim 12 or 13, wherein the in-plane/out-of-plane birefringence is 0.01 or less. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 황색도가 3 이하인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지막.The polyimide resin film according to any one of claims 12 to 14, wherein the degree of yellowness is 3 or less. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드 수지막을 구비하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 디바이스.A flexible device comprising the polyimide resin film according to any one of claims 12 to 15.
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